Curs 3 Semiconductoare extrinsece

Semiconductoarele extrinsece se obin prin doparea controlat cu impuriti. Dependent de natura impuritii introduse exist semiconductori cu exces de e- (semiconductori de tip n) i semiconductori cu exces de goluri (semiconductori de tip p). Semiconductorul de tip n Semiconductorii n se obin prin dopare cu impuriti din grupa a V a numite impuriti donoare.
E banda de conducie nivelul e+ liber banda de valen

EC ED EV

E banda de conducie nivelul e+ liber banda de valen

EC ED EV

Si

Si electron n exces

EC ED EV
Si

As

banda de conducie nivelul e+ liber

Si

banda de valen

n
jonciune metalurgic

Si

Si electron n exces As

ND concentraia de impuriti donoare (1 13 1018 limitele de dopare) Simultan cu electronii liberi n e ces n semiconductorul e trinsec !or e ista perec"i e- gol generai pe cale termic. Semiconductorul de tip p

Si Si

Si Si

Si

Si

In

gol n exces

In

gol n exces

Si

Si

Si

Si

Si

Si

EC EA EV
Si

In

gol n exces

banda de conducie

Si

banda de valen

E banda de conducie

EC EA EV

banda de valen

E banda de conducie

Se obine prin dopare cu impuriti acceptoare din grupa a !!! a a sistemului periodic. #bs$ "n ambele tipuri de materiale semiconductoare exist purttori de sarcin ma#oritari respecti$ purttori de sarcin minoritari. %elaii pri$ind concentraia purttorilor de sarcin

EC EA EV

banda de valen

#bs$ &e $om re'eri la relaii care pri$esc semiconductori a'lai (n ec)ilibru termic adic materiale semiconductoare care nu sunt plasate (n c*mp electric+ magnetic+ o concentraie uni'orm de impuriti (n (ntreg $olumul semiconductorului+ lipsa radiaiilor de orice natur + temperatur uni'orm+ etc. p0n0%&(') - ec"ilibru termodinamic p0(n0 concentraia de goluri respecti$ electroni , constant 'uncie de temperatur (relaie $alabil at*t pentru semicondutori extrinseci c*t i pentru semiconductori intrinseci)

p0 n0 = ni ni = ni+

n
jonciune metalurgic

p0 n0 = ni ni = ni+ p0%n0%ni p + &/D = n + &/0 &/D .concentriadeimpuritdonoar i ieoni-a(iausarcinpo-iti$)

p + &/D = n + &/0

(relaie $alabil at*t pentru semicondutori extrinseci c*t i pentru semiconductori intrinseci) &/D .concentriadeimpuritdonoar i ieoni-a(iausarcinpo-iti$) )a semiconductori e trinseci$

* emplu

& 0 = &/0 = p + &/D = n 1 p + n = ni

1 1 / 1 p (p + & 1 D ) = ni p + p & D ni =

1 +1

7a 4

1 1 &/D (& / &/ (& / )1 D ) + 9ni D = 1 + + n1 i 1 1 9 :(temperatu racamer ei) toi atomii deimpur itate sunt pracic iono-ai. 14

&/ &D 1 D
4

16

14 cm

83 ) 1,= , . constanta lui<ol t-mann 0 . constant dematerial ni = 0= 1 exp( 0 = 5+;5 1 ni = 1 +95 1 ni = 1 1 ni << & / D n &/D & D n1 i &D 7a temperatu ri (nal te aportul impuriti loreste negli#abil . p = ni >> & 0 (&/D ) n ni p ni
14 15 1

: 1+5 (Si)
.4 cm (Si)

.4 cm (3e)

83 = 8 2 8V

& 0 = &/ 0 =

p + & / D = n 1 p + n = ni 1 1 / 1 p (p + & 1 D ) = ni p + p & D ni =

1 1 &/ (&/ ni1 &/ (& / D D) + 9 D) p = = 1 + + ni1 1 1 9 7a 4 :(temperatu racamerei) toi atomii deimpuritate sunt pracic iono-ai.
1+ 1

&/ D &D 1
4

14

16

14 cm

83 ) 1,= , . constanta lui <olt-mann 0 . constant dematerial ni = 0= 1 exp( 0 = 5+;5 1 ni = 1 +95 1 ni = 1 1 ni << &/ D n &/ D &D ni1 p = &D 7a temperatu ri (nalte aportul impuriti loreste negli#abil . ni >> & 0 (&/ D) n ni p ni
& 0 = &/0 = p + &/D = n 1 p + n = ni
1 1 / 1 p (p + & 1 D ) = ni p + p & D ni =

15 1

: 1+5 (Si)
.4 cm (Si)

14

.4 cm (3e)

83 = 82 8V

1 +1

7a 4

&/D (& / )1 + 9n1 &/ (& / )1 D i D = 1 + + n1 i 1 1 9 :(temperatu racamer ei) toi atomii deimpur itate sunt pracic iono-ai.
14

&/ &D 1 D
4

16

14 cm

83 ) 1,= , . constanta lui<ol t-mann 0 . constant dematerial ni = 0= 1 exp( 0 = 5+;5 1 ni = 1 +95 1 ni = 1 1 ni << & / D n &/D & D n1 i &D 7a temperatu ri (nal te aportul impuriti loreste negli#abil . p = ni >> & 0 (&/D ) n ni p ni
14 15 1

: 1+5 (Si)
.4 cm (Si) .4

cm (3e)

83 = 8 2 8V

,enomene de transport

-ntr.un material semiconductor la ec)ilibru termic exist o micare de agitaie termic a purttorilor de sarcin 'r ca s aibe loc (ns o deplasare net de sarcin prin urmare nu exist curent electric. >entru a aprea un curent electric se necesit existena unui c*mp electric (n interiorul semiconductorului (cureni de c*mp sau de dri't) sau existena unui gradient de concentraie (cureni de di'u-ie).

%elaii pri$ind curenii de c*mp

$n = n 8 $p = p 8 n+ p . depinddeintensitea atc*mpulueli ectriic deconcentriadeimpuriti #nc = .?n$n = n?n8 #pc = ?n$p = p?p8 #c = #pc + #nc

$n = n 8 $p = p 8 n + p . depind deintensitat eac*mpului electric i deconcentra ia deimpuriti #nc = .?n $n = n?n 8 #pc = ?n$p = p?p 8 #c = #pc + #nc
$n = n 8 $p = p 8 n+ p . depinddeintensitea atc*mpulueli ectriic deconcentriadeimpuriti #nc = .?n$n = n?n8 #pc = ?n$p = p?p8 #c = #pc + #nc

%elaii pri$ind curenii de di'u-ie

Vor 'i anali-ate 'enomenele dup o singur ax.

@ = D c @ . 'luxdeparticule caredi'u-ea- adicnum rul departicule caretecpri ntr. o supra'a perpendic lar u pesupra'aa r especti$ D . constant dedi'u-ie

@ = Dc @ . 'luxdeparticule care di'u-ea- adic numrul departicule care tec printr . o supra'a perpendicu larpesupra'aa respecti$ D . constant dedi'u-ie

@ = D c

@ . 'luxdeparticule caredi'u-ea- adicnum rul departicule caretecpri ntr. o supra'a perpendic lar u pesupra'aa r especti$ D . constant dedi'u-ie

#pd = ? @p = ?Dp p #nd = ? @n = ?Dn n #d = #nd + #pd

#pd = ? @p = ?Dpp #nd = ? @n = ?Dnn #d = #nd + #pd

#pd = ? @p = ?Dp p #nd = ? @n = ?Dn n #d = #nd + #pd # = #c + #d # = #c + #d + # = #c + #d # = #c + #d + 8 t
Jonciunea pn #bs$ %elaiile stabilite sunt $alabile (ntr.un c*mp electric staionar.

# = #c + #d # = #c + #d + 8 t

8 t

A #onciune pn repre-int o structur 'i-ic reali-at (ntr.un monocristal i care are dou regiuni $ecine dopate cu impuriti de tip di'erit i la care concentraia de impuriti se modi'ic pe o distan relati$ mic.

n
jonciune metalurgic

n
jonciune metalurgic

Dispo-iti$ele electronice conin una sau mai multe #onciuni pn. p n

jonciune metalurgic