Capitolul 3

Cuprins CAPITOLUL 3
STRUCTURA INTERN! A AMPLIFICATOARELOR OPERA"IONALE..............................52

3.# Introducere.........................................................................................................................52
3.2 SURSE DE CURENT CONSTANT.................................................................................52
3.2.# Surse de curent constant realizate cu tranzistoare bipolare .......................................53
3.2.#.# Configura$ia fundamental% a sursei de curent constant .........................................53
3.2.#.2 Sursa simpl% de curent cu dou% tranzistoare..........................................................54
3.2.#.3 Surse (oglinzi) de curent cu trei tranzistoare.........................................................57
3.2.#.4 Sursa standard de curent ........................................................................................58
3.2.#.5 Sursa de curent Widlar ..........................................................................................60
3.2.#.6 Sursa de curent cascod%.........................................................................................6#
3.2.#.7 Surse de curent multiple ........................................................................................62
3.2.#.8 Surse de curent realizate cu TEC-J........................................................................62
3.2.2 Surse de curent constant realizate cu tranzistoare MOS............................................63
3.2.2.# Sursa simpl% de curent...........................................................................................63
3.2.2.2 Sursa de curent cascod%.........................................................................................64
3.2.2.3 Sursa de curent Wilson..........................................................................................64
3.2.3 Polarizarea independent% de sursele de alimentare ...................................................64
3.2.3.# Circuite de polarizare de referin$% bazate pe tensiunea direct% a jonc$iunii baz%-
emitor 66
3.2.3.2 Circuite de polarizare de referin$% bazate pe tensiunea termic% ............................67
3.2.3.3 Circuite de polarizare care utilizeaz% ca referin$% o diod% Zener ..........................67
3.3 SURSE &I REFERIN"E DE TENSIUNE.........................................................................69
3.3.# Surse de tensiune .......................................................................................................69
3.3.2 Referin$e de tensiune .................................................................................................70
3.3.2.# Referin$e de tensiune cu diode Zener ....................................................................7#
3.3.2.2 Referin$e de tipul band% interzis%.......................................................................73
3.4 ETAJE DE AMPLIFICARE DIFEREN"IALE ................................................................76
3.4.# Configura$ii de baz% ale amplificatoarelor diferen$iale .............................................76
3.4.2 Parametrii amplificatoarelor diferen$iale...................................................................77
3.4.3 Caracteristica static% de transfer a AD.......................................................................79
3.4.4 Analiza de semnal mic a etajelor diferen$iale perfect simetrice................................82
3.4.4.# Analiza de semnal mic etajelor diferen$iale cu sarcin% rezistiv% 'i ie'ire
diferen$ial%.........................................................................................................................82
3.4.4.2 Analiza de semnal mic a etajelor diferen$iale perfect simetrice 'i cu degenerare n
emitor 86
3.4.4.3 Analiza de semnal mic a etajelor diferen$iale perfect simetrice, cu ie'ire simpl% 'i
sarcin% rezistiv% .................................................................................................................87
3.4.4.4 Amplificatorul parafaz%.........................................................................................88
3.4.4.5 Amplificatoare diferen$iale cu sarcin% activ% ........................................................89
3.4.5 Amplificatoare diferen$iale cu asimetrii ....................................................................9#
3.4.5.# Determinarea tensiunii de offset la intrare.............................................................92
3.4.5.2 Varia$ia tensiunii de offset cu temperatura (drift) .................................................93
3.4.5.3 Determinarea curentului de offset la intrare ..........................................................94
3.4.6 R%spunsul n frecven$% al amplificatorului diferen$ial ..............................................94
3.4.6.# R%spunsul n frecven$% al amplific%rii de mod diferen$ial.....................................95
3.4.6.2 R%spunsul n frecven$% al amplific%rii de mod comun ..........................................98
3.4.6.3 R%spunsul n frecven$% al rejec$iei modului comun...............................................99
3.5 ETAJE DE DEPLASARE A NIVELULUI DE CURENT CONTINUU........................#0#
3.5.# Etaje de deplasare a nvelului de curent continuu realizate cu diode .......................#0#
3.5.#.# Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diode conectate n
serie #0#
3.5.#.2 Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diod% Zener ...........#02
3.5.2 Etaje de deplasare a nivelului de curent continuu realizate cu tranzistoare ............#02
3.5.2.# Etaj de deplasare a nivelului de c.c. realizat cu diod% multiplicat%.....................#03
3.5.2.2 Etaje de deplasare a nivelului de c.c. realizate cu repetor pe emitor ...................#04
3.5.2.3 Etaj de deplasare a nivelului de c.c. care utilizeaz% un tranzistor pnp ................#05
3.6 ETAJE DE IE&IRE..........................................................................................................#06
3.6.# Etaje de ie'ire clas% A..............................................................................................#06
3.6.#.# Etaje de ie'ire clas% A de tipul repetor pe emitor ................................................#06
3.6.#.2 Puterea de ie'ire 'i randamentul amplificatorului n clas% A..............................#09
3.6.#.3 Cerin$e relative la comanda repetorului pe emitor ..............................................##5
3.6.2 Etaje de ie'ire clas% B..............................................................................................##5
3.6.2.# Etaje de ie'ire clas% B realizate cu tranzistoare complementare n conexiunea
colector comun ................................................................................................................##5
3.6.2.2 Puterea de ie'ire 'i randamentul amplificatorului n clas% B...............................##7
3.6.2.3 Etaje de ie'ire n contratimp clas% B realizate cu tranzistoare compuse .............#2#
3.6.3 Etaje de ie'ire n contratimp clas% AB.....................................................................#22
3.6.3.# Etaje prefinale de comand% a etajelor finale n contratimp clas% AB..................#22
3.6.3.2 Analiza etajului prefinal alimentat de la aceea'i tensiune ca 'i cel final.............#24
Protec$ia la scurtcircuit a tranzistoarelor finale din etajele de ie'ire n contratimp.............#27
3.7 STRUCTURA INTERN! A AMPLIFICATORULUI OPERA"IONAL A74#..........#30
CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE
52
Capitolul 3
STRUCTURA INTERN! A AMPLIFICATOARELOR OPERA"IONALE
3.# Introducere
Amplificatoarele opera$ionale ca 'i circuitele integrate analogice (CIA), n cadrul c%rora
ocup% locul cel mai important, sunt alc%tuite prin interconectarea convenabil% a unor etaje
specifice, numite 'i fundamentale, astfel nct s% se ob$in% func$ia de circuit dorit%.
Spre deosebire de circuitele realizate cu componente discrete, unde fiecare tranzistor
delimiteaz% un etaj, la circuitele monolitice, unde num%rul de tranzistoare este mult mai mare
dect la echivalentul cu componente discrete, analiza circuitului se face dup% etajele specifice,
care con$in, de obicei, mai mult de un tranzistor.
Etajele de baz% care intr% n alc%tuirea circuitelor integrate analogice 'i care se pot integra
monolitic sunt urm%toarele:
surse de curent constant
surse 'i referin$e de tensiune
etaje de amplificare diferen$iale
etaje de deplasare a nivelului de c.c.
etaje de ie'ire (finale).
3.2 SURSE DE CURENT CONSTANT
Sursele de curent constant se realizeaz% cu tranzistoare 'i au rolul de a furniza curen$i
independen$i de impedan$a de sarcin% 'i pe ct posibil de tensiunea de alimentare 'i de
temperatur%.
In configura$ia CIA, sursele de curent constant ndeplinesc urm%toarele func$ii:
de polarizare a altor etaje, de exemplu a celor diferen$iale;
de sarcini active;
de re$ele de reac$ie de mare impedan$% (re$ele de reac$ie active);
de deplasare a nivelului de c.c.
Deoarece rezisten$ele de valori mari ocup% o parte nsemnat% din aria cipului de siliciu
(de exemplu pentru o rezisten$% de #k, n func$ie de rezisten$a pe p%trat a zonei din cipul de
siliciu n care s-a realizat rezistorul, se poate consuma o suprafa$% echivalent% cu cea a dou%
tranzistoare), sursele de curent din CIA con$in mai multe tranzistoare dect echivalentele lor
realizate cu componente discrete.
In func$ie de tehnologia de fabricare a CI, sursele de curent se pot realiza cu tranzistoare
bipolare sau cu tranzistoare cu efect de cmp de tipul MOS, ob$inute prin tehnologiile MOS 'i
CMOS.
Principalele surse de curent constant ntlnite n structura CIA 'i realizate cu tranzistoare
bipolare sunt:
sursele de curent cu dou% tranzistoare, numite 'i surse simple de curent sau oglinzi de curent
(dac% cele dou% tranzistoare au ariile de emitor egale);
sursele (oglinzile) de curent cu trei tranzistoare;
sursa standard de curent;
sursa de curent Widlar;
sursa de curent cascod%;
sursa de curent multipl%;
sursa de curent cu tranzistoare cu efect de cmp (TEC-J).
STRUCTURA INTERN! A AMPLIFICATOARELOR OPERA"IONALE SURSE DE CURENT CONSTANT
53
In tehnologia MOS de realizare a CI se utilizeaz% n principal:
sursa simpl% de curent cu dou% tranzistoare;
sursa de curent Wilson;
sursa de curent cascod%.
Deoarece aceste surse de curent au rol n polarizarea unor etaje ale CIA iar impedan$ele
lor de ie'ire intervin n analiza de semnal mic a unor structuri integrate complexe, este foarte
important s% se cunoasc% valoarea de c.c. a curentului generat (I
o
) 'i valoarea impedan$ei de ie'ire
(R
o
). In cele ce urmeaz% se vor analiza structurile de surse enumerate, determinndu-se n
principal aceste dou% m%rimi.
3.2.# Surse de curent constant realizate cu tranzistoare bipolare
3.2.#.# Configura$ia fundamental% a sursei de curent constant
In studiul surselor de curent constant se poate porni de la o configura$ie general%,
construit% cu tranzistor bipolar, utilizat% 'i n circuitele cu componente discrete (fig.3.#). Dac% se
asigur% un poten$ial constant, V
B
, pe baza tranzistorului T, iar acesta lucreaz% n regiunea activ%,
curentul de emitor va fi independent de impedan$a de sarcin% Z
L
.
i
E U
r
R
E
G BE
G
E
=

+
+
#
(3.#)
'i este determinat de tensiunea constant% de polarizare E
G
'i de rezisten$a R
E
.
Pentru un tranzistor cu factor de amplificare n curent >#00, se poate neglija curentul de
baz% fa$% de cel de colector 'i asigurnd r
G
/( +#)<< R
E
rezult%:
U U
R
R R
E V
o
v
o
L
L E
C ,max ,max
, = =
+
=
+
=
#
#6
#2#7# (3.2)
Rezisten$a de emitor R
E
realizeaz% o reac$ie negativ% cu rol de stabilizare a curentului de emitor.
La cre'terea curentului i
E
, se m%re'te c%derea de tensiune R
E
i
E
, mic'orndu-se U
BE
care comand%
sc%derea injec$iei de curent n colector 'i deci revenirea curentului de emitor la valoarea avut%
anterior tendin$ei de cre'tere.
Determinarea rezisten$ei de ie'ire, R
o
se face pe schema echivalent% de semnal mic din
fig.3.2, unde sursa de la intrare a fost pasivizat% (nlocuit% cu rezisten$a sa intern%). Expresia
rezisten$ei de ie'ire a sursei de curent este:
Fig. 3.1. Configura#ia fundamental$ a sursei de
curent constant, realizat$ cu tranzistor bipolar.
Fig. 3.2. Schema echivalent$ de semnal mic
folosit$ pentru determinarea rezisten#ei de ie%ire
a sursei de curent din fig. 3.&.
54
R
u
i
r
R
R r r r
R r r r
o
x
x
o
E
E G b
E G b
= = +
+ + +
+ + + ( ) ( ) #

(3.3)
Rezisten$a de ie'ire este puternic dependent% de R
E
'i subliniaz% rolul ei determinant n
stabilizarea curentului.
Expresia rezisten$ei de ie'ire indic% posibilitatea ob$inerii unor valori de ordinul M-ilor,
utiliznd tranzistoare integrate care au r
0
de sute de k, r
b
-sute de , r
-zeci de k, -sute 'i R

E
-
unit%$i de k.
Dependen$a pronun$at% de temperatur% (-2mV/C) a tensiunii U
BE
a tranzistorului T
(fig.3.#) se compenseaz% asigurnd o varia$ie similar% pentru tensiunea de polarizare V
B
a bazei
tranzistorului din sursa de curent. In acest scop circuitul de polarizare (r
G
, E
G
) va cuprinde pe
lng% sursa de alimentare E
C
, obligatoriu stabilizat% pentru a se ob$ine n final un curent constant,
o diod% realizat% dintr-un tranzistor (T
#
pe fig.3.3), circuitul avnd aspectul din fig.3.3.
3.2.#.2 Sursa simpl% de curent cu dou% tranzistoare
Sursa simpla de curent cu dou% tranzistoare este un circuit propriu structurii integrate 'i
reprezint% un generator de curent comandat n curent, cu aspectul din fig.3.4.
Intre curentul comandat I
o
'i cel de comand% I
ref
exist% o rela$ie ce se poate determina mai
u'or dac% se presupune c% cei doi curen$i de baz% sunt egali ntre ei 'i egali, conven$ional, cu
unitatea. Considernd 'i cele dou% tranzistoare identice, lucru posibil prin integrare, rezult%
#
=
2
=. Cu aceste considera$ii raportul I
o
/I
ref
devine:
U
R
R R
U U
BE 2
2
# 2
#
=
+
( )
(3.4)
Dac% #00 atunci raportul I
o
/I
ref
este aproximativ egal cu unitatea, adic% I
o
I
ref
'i se poate spune
c% I
o
este "imaginea" curentului I
ref
. De aici provine denumirea de "oglind% de curent" dat%
acestui tip de surs% de curent. Decalajul dintre curentul de referin$% 'i cel de ie'ire se calculeaz%
ca o eroare relativ%, aplicndu-se formula:
( ) ( )
( )
[%]
I
I
I
I
I
I
o
ref
real
o
ref
ideal
o
ref
ideal
#00 (3.5)
Fig. 3.3. Circuitul din fig. 3.&, modificat pentru a asigura
compensarea varia#iei cu temperatura a tensiunii
baz$-emitor a tranzistorului T.
Fig. 3.4. Schema sursei simple de curent, realizat$ cu dou$
tranzistoare (oglinda de curent cu dou$ tranzistoare).
55
unde raportul (I
o
/I
ref
)
real
este dat de rela$ia (3.4), iar (I
o
/I
ref
)
ideal
=#.
Dac% este mic, de exemplu n cazul surselor de curent realizate cu tranzistoare pnp,
atunci decalajul dintre cei doi curen$i poate deveni inacceptabil de mare. Rezolvarea acestui
inconvenient o aduc sursele de curent cu trei tranzistoare.
Exemplul 3.#. S% se determine decalajul dintre curentul de referin$% 'i cel de ie'ire, dac%
factorul de amplificare n curent al tranzistoarelor este: a) #00 'i b) 25.
Rezolvare: Raportul (I
o
/I
ref
)
ideal
=# pentru ambele valori ale lui , (I
o
/I
ref
)
real
se calculeaz%
cu rela$ia (3.4) iar decalajul dintre curen$i cu rela$ia (3.5). Rezultatele s-au trecut n tabelul
urm%tor.
(I
o
/I
ref
)
ideal
(I
o
/I
ref
)
real
[%]
#00 # 0,98 2
25 # 0,926 7,4
Practic, pentru a calcula curentul de ie'ire I
o
, mai nti se determin% curentul de referin$%
I
ref
, aplicnd teorema a II-a lui Kirchhoff pe ochiul format din +E
C
, R 'i jonc$iunea baz%-emitor a
tranzistorului T
#
. Rezult%:
I
E U
R
ref
C BE
=

(3.6)
Deoarece I
o
I
ref
iar I
ref
este o func$ie de tensiunea de alimentare E
C
, dac% se presupune c%
tensiunea U
BE
este constant% sau se adopt%, n modelare, valoarea medie U
BE
=0,65V, se observ%
c% valoarea curentului I
o
depinde de valoarea tensiunii sursei de polarizare a referin$ei, E
C
. Din
acest motiv, o solu$ie adoptat% de fabrican$ii de CIA const% n alimentarea tuturor surselor de
curent ('i anume a referin$ei) de la surse de tensiune stabilizate intern. Dezavantajul metodei
const% n limitarea valorii minime a tensiunii de alimentare a respectivului CI la 8#0V, dac% la
ob$inerea tensiunii stabilizate se utilizeaz% o diod% Zener, de tipul celei descrise n capitolul # (o
jonc$iune baz%-emitor polarizat% invers).
Pentru determinarea rezisten$ei de ie'ire a sursei simple de curent din fig.3.4, se
determin% mai nti rezisten$a introdus% n circuit de tranzistorul T
#
conectat ca diod% (rezisten$a
de ie'ire a tranzistorului T
#
). Pentru schema echivalent% de semnal mic din fig.3.5, a se poate
scrie:
URIEURI
o L CCE sat ,max ,
( )
=
3 2 2
(3.7)
unde u
x
este tensiunea electromotoare (t.e.m.) a unei surse de semnal, conectat% la ie'irea
circuitului, care determin% un curent i
x
egal cu cel care apare la func$ionarea normal% a circuitului
a c%rui rezisten$% de ie'ire se calculeaz%.
Dar i
u
r
g u
u
r
x
x
o
m
= + +
#
# #
#
#
'i deoarece u
#
=u
x
rezult% c% rezisten$a de ie'ire a tranzistorului
T
#
, conectat ca diod% este:
a) b)
Fig. 3.5. (a) Schema echivalent$ de semnal mic pentru tranzistorul T
&
, conectat ca diod$.
(b) Schema echivalent$ de semnal mic pentru sursa din fig. 3.4.
56
R
g
r r
o
m
o

#
#
# #
#
# #
=
+ +
(3.8)
In general pentru tranzistoarele integrate #/r
#
<<g
m#
'i #/r
o#
<<g
m#
, astfel c% tranzistorul T
#
,
conectat ca diod%, conteaz% n circuitul echivalent de semnal mic doar cu impedan$a #/g
m#
.
Aplicnd aceea'i metod% ca mai sus pentru circuitul echivalent de semnal mic din
fig.3.5,b sau nlocuind n rela$ia (3.3) r
G
=0 'i R
E
=0, se ob$ine valoarea rezisten$ei de ie'ire a
sursei simple de curent:
R r
U
I
o o
A
o
= = (3.9)
unde U
A
este tensiunea Early.
Rezisten$a de ie'ire (rela$ia (3.9)) s-a determinat considernd rezisten$a de ie'ire a
tranzistorului T
2
finit%, adic% n condi$iile modul%rii grosimii bazei n func$ie de tensiunea
colector-emitor (efectul Early), pentru U
BE
=const. "innd seama de efectul Early, expresia
curentului de colector se scrie:
I I
U
U
U
U
C S
CE
A
BE
T
= + ( ) exp( ) # (3.#0)
astfel c% raportul curen$ilor prin cele dou% tranzistoare nu mai este egal cu unitatea ci va fi:
I
I
U
U
U
U
U
U
U
U
C
C
CE
A
CE
A
CE
A
BE
A

2
#
2
#
2
#
#
#
#
=
+
+
=
+
+
(3.##)
Exemplul 3.2. S% se determine cu ct difer% raportul curen$ilor de colector a
tranzistoarelor dintr-o surs% simpl% de curent dac% se $ine seama de efectul Early fa$% de valoarea
aceluia'i raport calculat n condi$iile neglij%rii rezisten$ei de ie'ire a tranzistoarelor. Se presupune
c% U
A
=#00V, U
CE2
=30V 'i U
CE#
=U
BE
=0,6V.
Rezolvare: Inlocuind valorile date n rela$ia (3.##) rezult%:
I
I
U
U
U
U
C
C
CE
A
BE
A

2
#
2
#
#
#
30
#00
#
0 6
#00
# 29 =
+
+
=
+
+
=
,
,
adic% pentru un circuit care lucreaz% cu o alimentare de 30V, curen$ii prin tranzistoarele sursei
pot s% difere cu 29% fa$% de valorile calculate n condi$iile neglij%rii rezisten$ei de ie'ire a
tranzistoarelor.
Stabilitatea termic% a sursei de curent se exprim% prin coeficientul K
T
'i se determin%
calculnd derivata curentului I
o
n raport cu temperatura. Dac% se presupune c% numai tensiunea
U
BE
este dependent% de temperatur%, se ob$ine:
K
I
T T
E U
R R
U
T
T
o C BE BE
= =

=

( )
#
(3.#2)
unde U
BE
/T -2mV/C.
Pentru R de ordinul k sau zeci de k coeficientul de temperatur% este foarte mic dar
pozitiv 'i reprezint% V/C sau zecimi de V/C.
Sursa simpl% de curent poate fi realizat% 'i cu tranzistoare neidentice, la care ariile de
emitor nu sunt egale (A
#
A
2
). Deoarece curentul de satura$ie a tranzistoarelor depinde direct
propor$ional de aria de emitor 'i I
C
=I
S
exp(U
BE
/U
T
), n cazul neglij%rii curentului de baz% n
raport cu cel de colector rezult%:
57
I
I
I
I
A
A
o
ref
C
C
=
2
#
2
#
(3.#3)
Rela$ia (3.#3) arat% c% dac% se modific% raportul A
2
/A
#
, dintr-o valoare fixat% a curentului
de referin$%, se poate ob$ine orice valoare se dore'te a curentului de ie'ire. Practic raportul A
2
/A
#
se limiteaz% la valoarea #/5 pentru a nu se realiza un consum mare din aria de siliciu. Din aceast%
cauz%, cu ajutorul sursei simple de curent nu se pot ob$ine valori de curent orict de mici, aspect
ntlnit frecvent la CIA de precizie. Realizarea unor curen$i mici (de ordinul A), f%r% consum
excesiv din aria de siliciu, se realizeaz% cu sursa Widlar.
Din cele prezentate rezult% c% sursele de erori la calculul curentului de ie'ire I
o
a unei
surse simple de curent sunt:
neglijarea rezisten$ei de ie'ire a tranzistorului T
2
;
valoarea factorului de c'tig n curent .
3.2.#.3 Surse (oglinzi) de curent cu trei tranzistoare
Aceste oglinzi de curent elimin% sursa de eroare cauzat% de valoarea factorului de curent
'i mbun%t%$esc echilibrul ntre cei doi curen$i, cel de ie'ire 'i cel de referin$%. Datorit% acestor
surse se reduce decalajul dintre cei doi curen$i 'i pentru valori ale lui mai mici dect #00.
O schem% posibil% de surs% de curent cu trei tranzistoare este cea din fig.3.6,a. Dac% se
noteaz% conven$ional I
B#
=I
B2
=#, rezult%:
I
I
o
ref
=
+
+
=
+
+

2
#
#
#
2
2
(3.#4)
O alt% schem% utilizat% este sursa Wilson (fig.3.6,b), la care printr-un calcul asem%n%tor,
considernd I
B#
=I
B3
=# rezult%:
I
I
o
ref
=
+
+
+
+
+
=
+
+

2
#
2
#
#
#
2
2
2
(3.#5)
Rela$iile de mai sus eviden$iaz% faptul c% efectul de "oglindire" este mai bun dect la sursa
simpl% de curent cu dou% tranzistoare din cauza prezen$ei lui
2
.
Un avantaj suplimentar al sursei Wilson const% n cre'terea rezisten$ei de ie'ire, n
compara$ie cu celelalte dou% surse descrise anterior. Cauza o constituie reac$ia negativ% introdus%
de tranzistorul T
3
. Se poate demonstra c% valoarea rezisten$ei de ie'ire a sursei Wilson este:
R
r
o
o

2
2
(3.#6)
a) b)
Fig. 3.6. Surse (oglinzi) de curent realizate cu trei tranzistoare.
(b) Sursa WILSON.
58
Exemplul 3.3. S% se determine decalajul dintre curentul de ie'ire 'i cel de referin$% pentru
cele dou% oglinzi de curent cu trei tranzistoare din fig. 3.6, dac% =25.
Rezolvare: Inlocuind valoarea dat% a factorului de curent n rela$ia (3.#4) se ob$ine:
I
I
o
ref
=
+
+
=
+
+
=
#
#
2
#
#
2
25 25
0 997
2 2

,
decalajul dintre curen$i fiind de 0,3%.
Similar, nlocuind valoarea lui n rela$ia (3.#5) se ob$ine:
I
I
o
ref
=
+
+
=
+
+
=
#
#
2
2
#
#
2
25 50
0 997
2 2

,
decalajul dintre curen$i fiind tot de 0,3%.
Se observ% c% acest decalaj de 0,3% este mult mai mic dect cel ob$inut n exemplul 3.#,
pentru aceea'i valoare a factorului de curent.
3.2.#.4 Sursa standard de curent
Sursa standard de curent se ob$ine din sursa simpl% de curent prin conectarea unor
rezistoare n serie cu emitoarele celor dou% tranzistoare (fig.3.7). Din cele prezentate pn% n
prezent se poate intui c% din cauza reac$iei negative introduse de rezistorul R
2
, sursa standard
permite ob$inerea unei rezisten$e de ie'ire mai mari dect oglinda de curent cu dou% tranzistoare.
Pentru a determina raportul I
o
/I
ref
se aplic% teorema a II-a lui Kirchhoff pe ochiul format
din jonc$iunile baz%-emitor ale celor dou% tranzistoare 'i cele dou% rezistoare din emitoarele
tranzistoarelor.
Se fac urm%toarele presupuneri simplificatoare:
se consider% c% factorul de amplificare n curent, , este suficient de mare pentru a neglija
curen$ii de baz% n raport cu cei de colector;
se presupune c% valoarea curentului de colector nu depinde de tensiunea colector-emitor.
Rezult%:
U R I U R I
BE ref BE o # # 2 2
+ = + (3.#7)
dar
I I I
U
U
I I I
U
U
ref C S
BE
T
o C S
BE
T
=
=

# #
#
2 2
2
exp( ),
exp( )
(3.#8)
de unde
Fig. 3.7. Sursa standard de curent constant,
realizat$ cu tranzistoare bipolare.
59
U U
I
I
U U
I
I
BE T
ref
S
BE T
o
S

#
#
2
2
=
=
ln( ),
ln( )
(3.#9)
astfel c%
U U R I R I U
I
I
I
I
BE BE o ref T
ref
o
S
S

# 2 2 #
2
#
= = ln( ) (3.20)
Relatia (3.20) se mai poate scrie sub forma:
I
I
R
R
U
R I
I
I
I
I
o
ref
T
ref
ref
o
S
S
= +
#
2 2
2
#
ln( )

(3.2#)
Dac% se consider% cele dou% tranzistoare identice, ceea ce implic% I
S#
=I
S2
, se ob$ine rela$ia:
I
I
R
R
U
R I
I
I
o
ref
T
ref
ref
o
= +
#
2 2
ln( ) (3.22)
care se poate folosi n probleme la un calcul iterativ.
Num%r%torul termenului al doilea din dreapta egalit%$ii (3.22) reprezint% diferen$a celor
dou% tensiuni baz%-emitor. Aceast% diferen$% este mult mai mic% dect c%derea de tensiune R
2
I
ref
,
astfel nct, chiar pentru rapoarte ale celor doi curen$i de ordinul #00, acest termen se poate
neglija. Rela$ia, util% 'i n dimensionare, devine astfel:
I
I
R
R
o
ref
=
#
2
(3.23)
'i pune n eviden$% faptul c% raportul curen$ilor se poate ajusta din valorile rezisten$elor din
emitoarele celor dou% tranzistoare 'i, spre deosebire de sursa simpl%, se pot ob$ine rapoarte mai
mari dect 5.
Curentul de referin$% se calculeaz% cu rela$ia:
I
E U
R R
ref
C BE
=

+
#
(3.24)
'i astfel expresia curentului de ie'ire devine:
I
R
R R R
E U
o C BE
=
+

#
2 #
( )
( ) (3.25)
Rezistenta de ie'ire este dat% de rela$ia (3.3), n care R
E
=R
2
'i r
G
=R||(R
#
+#/g
m#
) sau se
poate calcula pentru circuitul echivalent de semnal mic din fig.3.8.
Se porne'te de la rela$ia general% de determinare a rezisten$ei de ie'ire (R
o
=u
x
/i
x
), se scriu
ecua$ii n care intervin, ca necunoscute, curen$ii i
B
'i i
ro
'i rezolvnd sistemul de ecua$ii ob$inut,
se g%se'te pentru R
o
expresia:
R r
R
R r r R
R r r R
o o
x
x
= +
+ + +
+ + +
2
2
2 2
2 2
# (
'
) ( ')

(3.26)
unde R R R
g
m
' ( ) = +
#
#
#

.
Se observ% c% dac% R
#
=R
2
, atunci I
o
=I
ref
'i se ob$ine o oglind% de curent, cu avantajul c%
prezen$a rezistorului R
2
m%re'te valoarea rezisten$ei de ie'ire a acestei oglinzi de curent.
Fig. 3.8. Schema echivalent$ de semnal mic a
sursei standard de curent din fig. 3.7.
60
3.2.#.5 Sursa de curent Widlar
Sursa de curent Widlar se folose'te pentru ob$inerea unor curen$i de polarizare mici, de
ordinul A, f%r% un consum excesiv din aria de siliciu pentru rezisten$a total% din circuit.
De exemplu, n CIA de precizie este necesar de multe ori s% se ob$in% curen$i de
polarizare de ordinul #A. "innd cont c% tensiunile de alimentare uzuale sunt de #020V 'i c%
valorile economice ale curentului de referin$% nu pot cobor mult sub #mA, rezult% c% n cazul
unei surse standard raportul R
2
/R
#
ar trebui s% fie de ordinul sutelor sau miilor. Realizarea unui
astfel de raport este neeconomic% deoarece rezult% valori prea mari pentru R
2
.
Exemplul 3.4. S% presupunem c% se cere un curent de polarizare I
o
=#0A, ob$inut cu
ajutorul unei surse standard (fig. 3.7), circuitul fiind alimentat cu tensiunea E
C
=#0V. Rezisten$a
R se adopt% astfel ca I
ref
s% aib% valoarea de #mA. S% se determine valoarea rezisten$ei R
2
, dac%
R
#
=5k.
Rezolvare: Inlocuind valorile cunoscute ale curen$ilor 'i rezisten$ei R
#
n rela$ia (3.23),
rezult%:
R
I R
I
k
ref
o
2
#
3 3
6
#0 5 #0
#0 #0
500 = =

valoare neeconomic% pentru structurile integrate.
Pentru a mic'ora valoarea rezisten$ei R
2
, se elimin% din circuit rezistorului R
#
(se
nlocuie'te cu un scurtcircuit). Circuitul care rezult% se nume'te sursa Widlar 'i are schema din
fig.3.9.
Pentru a determina curentul de ie'ire I
o
, se procedeaz% asem%n%tor ca la sursa standard. Se
pot scrie rela$iile:
U U R I
BE BE o # 2 2
= (3.27)
I I I
U
U
ref C S
BE
T
=
# #
#
exp( ) (3.28)
I I I
U
U
o C S
BE
T
= =
2 2
2
exp( ) (3.29)
Dac% din rela$iile (3.28) 'i (3.29) se exprim% tensiunile baz%-emitor 'i se nlocuiesc n (3.27),
rezult%:
R I U
I
I
I
I
o T
ref
o
S
S
2
2
#
= ln( ) (3.30)
Presupunnd c% tranzistoarele T
#
'i T
2
sunt identice, atunci I
S#
=I
S2
'i expresia curentului de ie'ire
se scrie:
I
U
R
I
I
o
T
ref
o
=
2
ln( ) (3.3#)
dar
Fig. 3.9. Sursa WIDLAR de curent constant,
realizat$ cu tranzistoare bipolare.
6#
I
E U
R
E
R
ref
C BE C
=

(3.32)
dac% se neglijeaz% c%derea de tensiune pe jonc$iunea baz%-emitor n raport cu tensiunea de
alimentare.
Rezult% pentru curentul de ie'ire expresia:
I
U
R
E
RI
o
T C
o
=
2
ln( ) (3.33)
Stabilitatea termic% este foarte bun% iar rezisten$a de ie'ire este mare datorit% reac$iei
negative introduse de R
2
.
Exemplul 3.5. Relund exemplul 3.4 pentru o surs% Widlar, considernd I
ref
=#mA,
E
C
=#0V 'i I
o
=#0A, s% se determine valoarea necesar% a rezisten$ei R
2
.
Rezolvare: Valoarea rezisten$ei R
2
se determin% din rela$ia (3.3#):
R
U
I
I
I
k
T
o
ref
o
2 6
3
6
0 026
#0 #0
#0
#0 #0
# 2 = =

=
ln( )
,
ln( ) ,
Rezisten$a cu valoarea ob$inut% se poate integra monolitic.
Circuitul echivalent de semnal mic folosit pentru determinarea rezisten$ei de ie'ire se
prezint% n fig.3.#0.
Procednd asem%n%tor ca la sursa standard, rezult%:
R r
R
R r r R
R r r R
o o
x
x
= +
+ + +
+ + +

2
2
2 2
2 2
# (
'
) ( ' )
(3.34)
unde R R
g
m
' ( ) =
#
#
.
In practic% pot apare urm%toarele situa$ii:
a) se cunosc I
ref
'i R
2
; atunci I
o
este solu$ia unei ecua$ii transcendente. Pentru rezolvare se
poate aplica o metod% iterativ%. La primul pas se adopt% pentru raportul I
ref
/I
o
o valoare egal%, de
exemplu, cu #0, se calculeaz% tensiunile R
2
I
o
'i U
T
ln(I
ref
/I
o
) 'i se compar% ntre ele. Raportul I
ref
/I
o
se modific% pn% cnd diferen$a dintre cele dou% tensiuni devine mai mic% dect o valoare
impus%, de exemplu 0,#mV. Cunoscnd I
ref
, din ultimul raport I
ref
/I
o
se poate calcula valoarea
curentului de ie'ire, I
o
.
b) se cunosc I
ref
'i I
o
; situa$ia se ntlne'te n proiectarea unei surse Widlar, cnd se cere
s% se dimensioneze rezistoarele din circuit.
3.2.#.6 Sursa de curent cascod%
Sursa de curent cascod% constituie, pe lng% sursa standard 'i sursa Widlar, o alt%
abordare pentru a se ob$ine o rezisten$% de ie'ire mare. In cazul sursei standard, de exemplu, o
valoare mare a rezistorului R
2
determin% o valoare mare a rezisten$ei de ie'ire. Pentru a se evita
utilizarea de valori neeconomice pentru R
2
, rezistorul men$ionat se nlocuie'te cu o surs% simpl%
de curent. Aceasta, la o arie ocupat% mai mic%, poate oferi o valoare de rezisten$% (dinamic%) mult
mai mare.
Schema circuitului se prezint% n fig.3.##.
Se poate demonstra c% rezistenta de ie'ire este dat% de rela$ia:
Fig. 3.10. Circuitul echivalent de smnal mic
al sursei WIDLAR.
62
R r
o o
=
2
(3.35)
Sursa de curent cascod% se utilizeaz% atunci cnd se cere o foarte bun% stabilizare a curentului la
varia$iile sarcinii.
3.2.#.7 Surse de curent multiple
Sursele de curent multiple folosesc o singur% referin$% 'i mai multe ramuri de ie'ire.
Sursele multiple se pot realiza cu tranzistoare npn (fig.3.#2,a) sau pnp (fig.3.#2,b).
Pentru reducerea ariei totale ocupate, ca circuite oglind% de curent, n CIA se utilizeaz%
frecvent tranzistoare pnp multicolector (tranzistoare pnp laterale), conectate ca n fig.3.#2,c.
3.2.#.8 Surse de curent realizate cu TEC-J
Sursele de curent realizate cu tranzistoare cu efect de cmp cu gril% jonc$iune (TEC-J)
sunt surse concepute pentru curen$i mici de polarizare, de ordinul microamperilor.
Aceste surse nl%tur% un dezavantaj al sursei simple de curent sau al sursei Widlar care
const% n aceea c% rezistorul R, de fixare a curentului de referin$%, este practic legat n paralel cu
sursa de alimentare E
C
dac% U
BE
se neglijeaz% n raport cu E
C
. Dac% se dore'te putere disipat%
mic%, atunci rezisten$a R trebuie s% fie de valoare mare, ceea ce este o solu$ie costisitoare (arie
mare de siliciu). Se poate evita aceast% situa$ie prin folosirea n loc de rezistorul R a unui TEC-J
cu canal n. Rezult% schema din fig.3.#3,a.
Metoda prezint% urm%toarele avantaje:
n locul unei arii mari de siliciu, ocupat% de rezistorul R, acum suprafa$a consumat% este
echivalent% cu cea a unui singur tranzistor npn;
TEC-J lucreaz% n regiunea de satura$ie (pentru U
DS
>U
P
, U
P
fiind tensiunea de prag) astfel c%
I
ref
practic nu depinde de U
DS
'i deci de tensiunea de alimentare E
C
, deoarece
E
C
=U
DS
+U
BE
U
DS
.
O alt% solu$ie convenabil% pentru ob$inerea unor curen$i de polarizare mici, de valoare
bine determinat% 'i reproductibil%, independent% de tensiunile de alimentare, de temperatur% 'i
insensibil% la varia$iile datorate procesului tehnologic, o constituie utilizarea unui TEC-J cu canal
Fig. 3.11. Sursa de curent cascod$, realzat$ cu
tranzistoare bipolare.
a) b) c)
Fig. 3.12. Surse de curent multiple realizate: (a) cu tranzistoare npn;
(b) cu tranzistoare pnp; (c) cu tranzistor pnp multicolector.
63
p, ob$inut prin implantare ionic% (fig.3.#3,b). Prin introducerea rezistorului R se reduce
sensibilitatea curentului I
DSS
fa$% de varia$iile de proces 'i de temperatur%.
3.2.2 Surse de curent constant realizate cu tranzistoare MOS
3.2.2.# Sursa simpl% de curent
Versiunea MOS a sursei simple de curent (fig.3.#4) este alc%tuit% din dou% tranzistoare n-
MOS. Tranzistorul M
#
, conectat ca diod%, genereaz% tensiunea de polarizare U
GS#
, stabilit% de I
ref
.
Dac% se neglijeaz% valoarea finit% a rezisten$ei de ie'ire, curentul de ie'ire este:
I I I
D D ref 2 #
= = (3.36)
deoarece U
GS#
=U
GS2
'i ambele tranzistoare sunt n regiunea activ% direct%.
Tranzistorul M
2
are, de fapt, rezisten$% de ie'ire finit% 'i caracteristica de ie'ire I
D
=f(U
DS
)
cu aspectul din fig.3.#5, forma caracteristicii fiind asem%n%toare cu cea a unui tranzistor bipolar.
In ambele cazuri rezisten$a de ie'ire, r
o
este invers propor$ional% cu curentul de polarizare.
Deoarece tranzistoarele MOS nu se comand% n curent ci n tensiune, este important de observat
c% n cazul sursei realizat% cu tranzistoare MOS, nu exist% eroare din cauza curentului de baz% (ca
la varianta cu tranzistoare bipolare) 'i se poate genera un num%r arbitrar de mare de curen$i de
ie'ire, prin legarea mai multor dispozitive n paralel cu M
2
. De asemenea, tot din aceea'i cauz%
nu este nevoie de un al treilea tranzistor ca la sursele cu tranzistoare bipolare (unde astfel se
compensa valoarea mic% a factorului de curent ).
O diferen$% major% fa$% de sursele realizate cu tranzistoare bipolare const% n aceea c%
rezisten$a de ie'ire a tranzistorului MOS, pentru un curent I
D
dat, se poate m%ri prin cre'terea
lungimii canalului.
De asemenea este important de re$inut c% valoarea dorit% a rezisten$ei de ie'ire se ob$ine
pentru o tensiune dren%-surs% cel pu$in egal% cu U
DS,sat
. La sursele cu tranzistoare bipolare,
tensiunea minim% de ie'ire este U
CE,sat
, care tipic este mai mic% dect U
DS,sat
. Acest lucru trebuie
avut n vedere atunci cnd se impun valori mici ale tensiunii de alimentare pentru CIA realizate
cu tranzistoare MOS.
Fig. 3.13. Surse de curent realizate cu
tranzistoare cu efect de cmp cu gril$ jonc#iune.
(a) Surs$ cu TEC-J cu canal n.
(b) Surs$ cu TEC-J cu canal p.
Fig. 3.14. Sursa simpl$ de curent,
realizat$ cu tranzistoare MOS.
Fig. 3.15. Caracteristica de ie%ire
a tranzistorului M
2
.
64
3.2.2.2 Sursa de curent cascod%
La sursele cascod% realizate cu tranzistoare bipolare, din cauza curen$ilor de baz% ale
tranzistoarelor cascodei, nu se poate ob$ine o rezisten$% de ie'ire mai mare dect r
o
/2. In
contrast, deoarece c'tigul n curent al tranzistorului MOS este infinit, cu ajutorul cascodei MOS
se pot ob$ine rezisten$e de ie'ire arbitrar de mari prin ad%ugarea de noi etaje cascodei.
Un exemplu de astfel de surs% se prezint% n fig.3.#6.
3.2.2.3 Sursa de curent Wilson
Varianta cu tranzistoare MOS a sursei Wilson se prezint% n fig.3.#7,a. Modul de lucru al
circuitului este, n esen$%, identic cu cel al variantei de surs% realizat% cu tranzistoare bipolare
dac% se consider% c% factorul de amplificare n curent este infinit.
Dac% se presupune c% sursa de curent de referin$% nu determin% efect de nc%rcare rezistiv,
atunci rezisten$a de ie'ire a sursei Wilson se poate scrie:
R g r r
o m o o
+ ( ) 2
# 3 #
(3.37)
Sursa Wilson din fig.3.#7,a lucreaz% astfel nct valorile de c.c. ale tensiunilor dren%-
surs% ale tranzistoarelor M
3
'i M
2
sunt diferite 'i anume U
DS
(M
3
)>U
DS
(M
2
). Pentru tensiuni de
prag mari, din cauza rezisten$elor de ie'ire finite ale tranzistoarelor, apar nemperecheri ale
curen$ilor de dren%. Dezavantajul se elimin% prin ad%ugarea unui tranzistor suplimentar M
4
,
conectat ca diod% (fig.3.#7,b).
3.2.3 Polarizarea independent% de sursele de alimentare
Pentru sursa simpl% de curent, sursa standard, oglinzile de curent cu trei tranzistoare,
sursa cascod% 'i sursele multiple de tipul oglinzi de curent, valoarea curentului de ie'ire este
propor$ional% cu tensiunea de alimentare. Atunci cnd aceste surse se utilizeaz% ca surse de
polarizare, acest fapt constituie un dezavantaj. De exemplu, dac% sursa simpl% de curent ar fi
utilizat% ntr-un amplificator opera$ional care trebuie s% func$ioneze cu tensiuni de alimentare
care variaz% de la #0V la 30V, curentul de polarizare se va modifica ntr-un raport de 3:# iar
puterea disipat% ntr-un raport de 9:#.
Acest aspect al func$ion%rii ca circuit de polarizare se poate caracteriza prin varia$ia
relativ% a curentului de polarizare care rezult% pentru o varia$ie relativ% dat% a tensiunii de
alimentare.
Pentru sursele enumerate mai sus acest factor de merit este unitar. Sursa de curent Widlar
este ceva mai bun% n ceea ce prive'te sensibilitatea fa$% de sursa de alimentare. Prezen$a
rezisten$ei din emitor determin% o dependen$% aproximativ logaritmic% a curentului de ie'ire n
func$ie de tensiunea de alimentare.
Fig. 3.16. Sursa de curent cascod$,
realizat$ cu tranzistoare MOS.
Fig. 3.17. Surse WILSON: (a) cu nemperecherea
curen#ilor de dren$; (b) cu tranzistor suplimentar.
65
Pentru descrierea varia$iei curentului de ie'ire n func$ie de tensiunea de alimentare, se
utilizeaz% sensibilitatea, S, care reprezint% varia$ia relativ% a curentului de ie'ire raportat% la
varia$ia relativ% a tensuinii sursei de alimentare. Pentru varia$ii mici ale m%rimilor care intervin,
se poate scrie:
E
I
o
o
C
C
C
o
o
C
C
o
o
C
C
o
S
I
I
E
E
E
I
I
E
E
I
I
E
= = =

(3.38)
Astfel sensibilitatea pentru sursa simpl% de curent este:
E
I
C
o C
C BE C
o
C
o
S
E
I E
E U
R
E
I R
=

=

( )
#
# (3.39)
deoarece I
o
I
ref
iar I
ref
RE
C
.
In cazul sursei Widlar, curentul de ie'ire I
o
, este dat n mod implicit de expresia:
I R U
I
I
o T
ref
o
2
= ln( ) (3.40)
Pentru determinarea sensibilit%$ii curentului I
o
fa$% de tensiunea sursei de alimentare, se
diferen$iaz% rela$ia (3.40) n raport cu E
C
'i rezult%:
R
I
E
U
E
I
I
U
I
I I
I
E
I
I
I
E
o
C
T
C
ref
o
T
o
ref o
ref
C
ref
o
o
C
2 2
#

= = [ln( )] ( ) (3.4#)
Rezolvnd aceast% ecua$ie pentru I
o
/E
C
, se ob$ine:
E
I
C
o
o
C
C
ref
ref
C
o
T
E
I
o
T
C
o C
ref
S
S E
I
I
E
E
I
I
E
R I
U
R I
U
= =
+
=
+

# #
2 2
(3.42)
Dac% tensiunea E
C
este mult mai mare dect o c%dere de tensiune direct% de diod%, atunci
I
ref
E
C
/R 'i sensibilitatea lui I
ref
fa$% de E
C
este aproximativ egal% cu unitatea.
Exemplul 3.6. Se consider% o surs% Widlar la care I
ref
=#mA, I
o
=5A 'i R
2
=27,5k. S% se
determine sensibilitatea curentului de ie'ire fa$% de varia$iile sursei de alimentare.
Rezolvare: aplicnd rela$ia (3.42) 'i observa$ia c% sensibilitatea curentului de referin$%
fa$% de varia$ia sursei de alimentare este aproximativ egal% cu unitatea rezult%:
E
I E
I
o
T
C
o C
ref
S
S
R I
U
k A
mV
=
+
+

=
#
#
#
27 5 5
26
0 #6
2
,
,
adic% o varia$ie de #0% a tensiunii de alimentare determin% o varia$ie de numai #,6% a curentului
de ie'ire I
o
.
Pentru multe tipuri de CIA acest nivel de independen$% fa$% de sursa de alimentare nu este
adecvat. O independen$% mult mai marcat% se poate ob$ine determinnd curen$ii din circuit s% fie
dependen$i de o tensiune standard 'i nu de tensiunea de alimentare. Tensiunile standard
utilizabile sunt: tensiunea baz%-emitor a unui tranzistor, U
BE
, tensiunea termic% U
T
'i
tensiunea de str%pungere a unei jonc$iuni baz%-emitor polarizat% invers (tensiunea Zener).
Fiecare din ele se poate utiliza pentru a realiza o independen$% fa$% de tensiunea de alimentare.
Primele dou% au dezavantajul c% tensiunea de referin$% este dependent% de temperatur%: U
BE
are
un coeficient de temperatur% negativ iar tensiunea termic% unul pozitiv. Utilizarea diodei Zener
are dezavantajul c% este necesar% o tensiune de alimentare de cel pu$in 7...8V, deoarece
tehnologia circuitelor integrate standard produce tranzistoare npn cu o tensiune de str%pungere
66
baz%-emitor de aproximativ 6V; mai mult, jonc$iunile pn care lucreaz% n condi$ii de str%pungere
produc un zgomot de tensiune important.
3.2.3.# Circuite de polarizare de referin$% bazate pe tensiunea direct% a
jonc$iunii baz%-emitor
In forma sa cea mai simpl% circuitul este prezentat n fig.3.#8,a. Acest circuit se poate
asimila unei surse Wilson n care tranzistorul conectat ca diod% a fost nlocuit cu un rezistor.
Curentul de referin$% este for$at s% curg% prin T
#
; ca urmare tranzistorul T
2
trebuie s% furnizeze
suficient curent prin R
2
. Tensiunea baz%-emitor a tranzistorului T
#
va fi o func$ie de I
ref
,
U
BE
=f(I
ref
). Dac% neglij%m curen$ii de baz%, curentul I
o
va fi egal cu curentul de emitor al
tranzistorului T
2
, dat de curentul care curge prin rezistorul R
2
. Deoarece c%derea de tensiune pe
R
2
este egal% cu o tensiune U
BE
, curentul de ie'ire este propor$ional cu aceast% tensiune baz%-
emitor. Neglijnd curen$ii de baz% se ob$ine:
I
U
R
U
R
I
I
o
BE T
ref
S
= =
#
2 2 #
ln( ) (3.43)
Circuitul din fig.3.#8,a nu este ns% complet independent de alimentare (tensiunea baz%-
emitor a tranzistorului T
#
se modific% u'or n func$ie de tensiunea sursei de alimentare), deoarece
curentul de colector a tranzistorului T
#
este propor$ional cu E
C
.
Independen$a fa$% de sursa de alimentare se poate mult mbun%t%$i prin utilizarea tehnicii
de polarizare bootstrap, denumit% 'i autopolarizare (fig.3.#8,b). In acest caz curentul de referin$%
nu se mai ob$ine prin conectarea unui rezistor la sursa de alimentare, ci este f%cut s% depind%
direct chiar de curentul de ie'ire al sursei de curent.
Presupunnd c% bucla de reac$ie, care se formeaz% prin aceast% conectare, are un punct de
func$ionare stabil, curen$ii din circuit vor fi mai pu$in dependen$i de tensiunea sursei de
alimentare n compara$ie cu varianta de polarizare rezistiv%. Rezult%:
I
U
R
I
I
C
T
ref
S
2
#
= ln( ) (3.44)
Sursa simpl%, realizat% cu tranzistoarele de arii egale T
4
'i T
5
, impune egalitatea I
ref
=I
C2
.
Neglijnd curen$ii de baz% 'i efectul Early, se pot scrie rela$iile:
U RI R
U
R
I
I
U
BE C
T
ref
S
BE 3 2
#
#
= = = ln( ) (3.45)
dar U
BE3
se mai poate scrie
U U
I
I
BE T
o
S
3
3
= ln( ) (3.46)
'i dac% tranzistoarele T
#
'i T
3
au arii egale, atunci se va realiza egalitatea:
I I I
o C ref
= =
2
(3.47)
Fig. 3.18. Polarizarea independent$ de
alimentare, utiliznd ca referin#$ tensiunea U
BE
.
(a) independen#$ par#ial$.
(b) circuit cu autopolarizare.
67
3.2.3.2 Circuite de polarizare de referin$% bazate pe tensiunea termic%
Pentru sursa Widlar c%derea de tensiune pe rezisten$a R
2
este:
U I R U
I
I
I
I
x c T
C
C
S
S
= =
2 2
#
2
2
#
ln( ) (3.48)
Dac% raportul celor doi curen$i de colector este men$inut constant, tensiunea de pe R
2
va
fi propor$ional% cu U
T
. Aceast% situa$ie se ntlne'te n circuitul cu autopolarizare din fig.3.#9, al
c%rui montaj cuprinde dou% surse multiple cu tranzistoare complementare. Sursa simpl% realizat%
cu tranzistoarele cu arii egale T
4
'i T
5
realizeaz% egalitatea: I
ref
=I
C2
, dar I
ref
I
C#
, astfel c% se
realizeaz% condi$ia de egalitate a celor doi curen$i de colector, I
C#
'i I
C2
. Tranzistorul T
2
este
dublu-emitor, ceea ce nseamn% c% are aria de emitor dubl% fa$% de cea a tranzistorului T
#
, iar
ntre curen$ii de satura$ie exist% rela$ia: I
S2
=2I
S#
. Cu aceste observa$ii, c%derea de tensiune de pe
R
2
se scrie:
U U
x T
= ln2 (3.49)
iar curentul de ie'ire va avea expresia:
I I
U
R
f U
o C
T
T
= = =
2
2
2 ln ( ) (3.50)
Circuitul are un coeficient de temperatur% mai bun dect cel care utilizeaz% tensiunea U
BE
ca referin$% deoarece sensibilit%$ile relative ale tensiunii U
T
'i ale rezistorului difuzat R
2
sunt
pozitive 'i tind s% se anuleze reciproc:

I
T T
U
R R
U
T
R
T
U
R U
U
T R
R
T
o T T T
T
T
= = = ( ln ) ln ( ) ln ( )
2 2
2
2 2
2
2 2
#
2
# #
(3.5#)
Un aspect important al func$ion%rii circuitelor cu autopolarizare este dat de faptul c% de multe ori
ele au un punct stabil de func$ionare n care curen$ii sunt nuli, cu toate c% tensiunea de alimentare
este nenul%. De aceea aceste circuite se completeaz% cu un circuit separat, numit de pornire
care evit% posibilitatea ca circuitul cu autopolarizare s% r%mn% n situa$ia de curen$i nuli.
3.2.3.3 Circuite de polarizare care utilizeaz% ca referin$% o diod% Zener
Aceste circuite de polarizare asigur% 'i mbun%t%$irea comport%rii cu temperatura.
Un circuit tipic de polarizare care utilizeaz% ca referin$% o dioda Zener este prezentat n
fig.3.20,a. Rezistorul R
#
asigur% curentul continuu necesar pentru polarizarea elementelor D
#
, T
4
'i T
5
. Poten$ialul bazei tranzistorului T
#
, V
B#
, este egal cu U
Z
plus dou% tensiuni directe de diod%
(tensiunile baz%-emitor ale tranzistoarelor T
4
'i T
5
). C%derea de tensiune pe R
2
este egal% cu V
B#
minus dou% tensiuni directe de diod% (tensiunile baz%-emitor ale tranzistoarelor T
#
'i T
2
). Deci
c%derea de tensiune pe R
2
este aproape egal% cu U
Z
'i, ca urmare
I
U
R
o
Z
2
(3.52)
Acest circuit are o u'oar% dependen$% fa$% de tensiunea sursei de alimentare deoarece valoarea
curentului prin rezistorul R
#
se schimb% atunci cnd valoarea sursei de alimentare se modific%.
Fig. 3.19. Polarizare independent$ de temperatur$,
utiliznd ca referin#$ tensiunea termic$.
68
Prin urmare se modific% 'i curentul prin D
#
, T
4
'i T
5
. Deoarece aceste dispozitive au o rezisten$%
intern% finit%, variaz% 'i tensiunea din baza tranzistorului T
#
.
Pentru a se elimina dependen$a de sursa de alimentare, circuitul se poate realiza cu
autopolarizare (fig.3.20,b).
A'a cum sunt realizate, circuitele din fig.3.20 produc la ie'ire un curent care are un
coeficient de temperatur% mic numai dac% 'i coeficientul de temperatur% al rezistorului R
2
este
mic.
De exemplu, dac% R
2
este un rezistor difuzat, varia$ia rezisten$ei cu temperatura este
semnificativ% iar dac% anularea coeficientului de temperatur% al curentului I
o
constituie un
obiectiv al proiect%rii, n serie cu R
2
se conecteaz% n diode care s% compenseze varia$ia cu
temperatura a valorii rezisten$ei R
2
'i a tensiunii U
Z
(fig.3.20,c).
Se pot realiza 'i circuite de polarizare cu coeficient de temperatur% sc%zut. Astfel,
deoarece tensiunile U
BE
'i U
T
au coeficien$ii de temperatur% de semne opuse, se poate utiliza ca
referin$% o tensiune dat% de suma ponderat% a tensiunilor U
BE
'i U
T
. Printr-o ponderare
convenabil% se poate atinge o valoare nul% a coeficientului de temperatur% a tensiunii de referin$%.
Un astfel de circuit se nume'te referin$% de tipul "band% interzis%", deoarece expresia
tensiunii U
BE
se scrie n func$ie de valoarea benzii interzise a siliciului. Circuitele de tipul band%
interzis% se ncadreaz% mai bine n categoria referin$elor de tensiune, tratate n paragraful 3.3.
In cele prezentate pn% n prezent s-a pus accent pe ob$inerea unui curent relativ
independent fa$% de sursele de alimentare &i cu un coeficient de temperatur% mic. De multe
ori, ns%, sunt necesare tensiuni de polarizare cu un coeficient de temperatur% redus,
independente fa$% de sursele de alimentare. Circuitele cu ajutorul c%rora se ob$in aceste
tensiuni se numesc referin$e de tensiune, exemplul tipic fiind tensiunea de referin$% a unui
stabilizator de tensiune integrat. Astfel de circuite sunt tratate tot n paragraful 3.3.
a) b) c)
Fig. 3.20. Polarizarea independent$ de temperatur$, utiliznd ca referin#$ dioda Zener.
(a) Schema tipic$. (b) Schema cu autopolarizare.
(c) Schema cu compensarea varia#iilor de temperatur$.
69
3.3 SURSE 'I REFERIN"E DE TENSIUNE
In paragraful 3.2 s-a prezentat modalitatea n care se pot ob$ine curen$i de polarizare
independen$i de tensiunea de alimentare a circuitului. In multe circuite integrate este nevoie de o
tensiune independent% de sursele de alimentare, de consum sau de temperatur%.
Rolul principal al surselor 'i referin$elor de tensiune este de a furniza tensiuni insensibile
la varia$ia impedan$ei de sarcin%, a temperaturii 'i/sau a tensiunii de alimentare.
Deoarece un anumit tip de circuit nu poate asigura simultan varia$ii minime ale tensiunii
stabilizate n prezen$a tuturor acestor perturba$ii, n func$ie de cerin$ele concrete ale circuitelor
alimentate cu tensiunea stabilizat%, se realizeaz% configura$ii optimizate n anumite direc$ii,
rezultnd:
circuite tip surs% de tensiune care au o comportare optim% fa$% de varia$ia impedan$ei de
sarcin%, deci au o impedan$% de ie'ire mic%;
circuite tip referin$% de tensiune care sunt optimizate fa$% de varia$iile temperaturii 'i ale
tensiunii de alimentare dar au impedan$a de ie'ire de valoare mai mare dect sursele de
tensiune.
3.3.# Surse de tensiune
Rolul surselor de tensiune n cadrul CIA este de a furniza tensiuni constante de
polarizare, indiferent de impedan$a de sarcin%. Sursele de tensiune sunt deci circuite care
realizeaz% un punct de joas% impedan$% n interiorul circuitului integrat, adic% o decuplare fa$% de
etajele de amplificare adiacente.
Din punct de vedere al ob$inerii unei impedan$e de ie'ire de valoare mic%, circuitul
potrivit pentru o surs% de tensiune este repetorul pe emitor. Una din schemele posibile este cea
din fig.3.2#,a, n care dioda D are rolul de a realiza o compensare termic%.
In c.c. (fig.3.2#,a), se pot scrie urm%toarele rela$ii:
U V U
o B BE
= (3.53)
V
R
R R
E U U
B C D D
=
+
+
2
# 2
( ) (3.54)
Dac% U
D
=U
BE
, atunci
U
R
R R
E U
o C BE
=
+

2
# 2
( ) (3.55)
Rela$ia tensiunii de ie'ire arat% c% sursa este complet nestabilizat% la varia$iile tensiunii de
alimentare E
C
.
Pe schema echivalent% de semnal mic din fig.3.2#,b se poate calcula impedan$a de ie'ire a
circuitului, care, pentru valori de ordinul k ale rezistoarelor R
#
'i R
2
'i de ordinul sutelor ale
factorului de amplificare n curent , rezult% de valori foarte mici.
Fig. 3.21. Sursa de tensiune cu
repetor.
(a) Schema de principiu.
(b) Circuitul echivalent de
semnal mic.
70
R
R R
o

+
# 2
#
(3.56)
Exemplul 3.7. Se presupune un circuit de forma celui din fig.3.2#,a, la care R
#
=6,4k,
R
2
=8k iar =#00. Considernd tensiunea de alimentare egal% cu #5V 'i c%derea de tensiune pe
o jonc$iune, aflat% n conduc$ie, egal% cu 0,6V, s% se determine valoarea de c.c. a tensiunii de
ie'ire 'i rezisten$a de ie'ire a sursei.
Rezolvare: Tensiunea de ie'ire se determin% cu rela$ia (3.55) 'i este:
U
R
R R
E U
k
k k
V V
o C BE
=
+
=
+
=
2
# 2
8
6 4 8
#5 0 6 8 ( )
,
( , )
iar rezisten$a de ie'ire, conform rela$iei (3.56) va avea valoarea:
R
R R k k
o

+
= =
=
# 2
#
6 4 8
#0#
6 4 8
#4 4
#0#
35
,
,
,

Un circuit cu performan$e superioare se ob$ine dac% n loc de rezistorul R
2
din fig.3.2#,a
se conecteaz% o diod% Zener, care n tehnologia monolitic% se ob$ine dintr-o jonc$ine baz%-emitor
polarizat% invers, cu valoarea tensiunii Zener, U
Z
6V. Deoarece coeficien$ii de temperatur%
pentru jonc$iunea polarizat% direct 'i cea polarizat% invers sunt aproximativ egali n modul, prin
legarea n serie a unei jonc$iuni polarizate direct cu una polarizat% invers se ob$ine o diod% Zener
compensat% termic. Circuitul care rezult% are aspectul din fig.3.22,a. Calculele se pot face pe o
schem% echivalent% (fig.3.22,b), n care se ia n considerare 'i rezisten$a intern% a diodei Zener
(notat% cu r
z
).
Dac% se presupune c% tranzistorul T are factorul de curent suficient de mare pentru ca s%
se neglijeze curentul de baz% n raport cu I, curentul care care trece prin divizorul R, D 'i D
z
,
rezult%:
I
E U U
R r
C z BE
z
=

+
(3.57)
Poten$ialul din baza tranzistorului este:
V U r I U
B z z BE
= + + (3.58)
astfel c% tensiunea de ie'ire va fi:
U V U
E U r U R
R r
o B BE
C BE z z
z
= =
+
+
( )
(3.59)
Dac% se ndepline'te condi$ia r
z
<<R, atunci tensiunea de ie'ire U
o
este aproximativ egal% cu
tensiunea U
z
.
3.3.2 Referin$e de tensiune
Spre deosebire de sursele de tensiune, la referin$ele de tensiune accentul se pune pe
stabilitatea tensiunii furnizate n raport cu varia$iile temperaturii &i ale tensiunii de
Fig. 3.22. Sursa de tensiune cu repetor %i
diod$ Zener.
(b) Circuitul echivalent de calcul.
7#
alimentare, valoarea mic% a rezisten$ei interne nemaifiind important% deoarece aceste surse nu
trebuie s% debiteze curen$i importan$i. Referin$ele de tensiune se proiecteaz% astfel nct
coeficientul de temperatur% al tensiunii de referin$% s% fie practic nul.
3.3.2.# Referin$e de tensiune cu diode Zener
a) O schem% de principiu, ntlnit% n stabilizatoarele integrate de tensiune, este cea din
fig.3.23,a, n care generatorul de curent I poate fi, de exemplu, o oglind% de curent realizat% cu
tranzistoare pnp.
Curentul de emitor al tranzistorului T are expresia:
I
U U
R R
z BE
#
# 2
3
=

+
(3.60)
unde s-a presupus c% pe fiecare jonc$iune c%derea de tensiune este egal% cu U
BE
.
Tensiunea de ie'ire este egal% cu c%derea de tensiune pe grupul R
2
, D
2
:
U R I U
U R U R R
R R
o BE
z BE
= + =
+
+
2 #
2 # 2
# 2
2 ( )
(3.6#)
'i nu depinde de tensiunea de alimentare E
C
, dac% E
C
este mai mare dect U
z
cu cel pu$in 2V.
Stabilitatea termic% se determin% cu rela$ia:
K
U
T
R
R R
U
T
R R
R R
U
T
T
o z BE
= =
+
+

+

2
# 2
# 2
# 2
2
(3.62)
"innd seama de faptul c% U
z
/T+2mV/C iar U
BE
/T-2mV/C, printr-o dimensionare
adecvat% a rezistoarelor R
#
'i R
2
se poate realiza o compensare ideal% n raport cu temperatura
pentru care K
T
=0. Punnd condi$ia K
T
=0 n rela$ia (3.62), se ob$ine:
R
R R
R R
R R
2
# 2
# 2
# 2
2
+
=

+
(3.63a)
ceea ce presupune urm%toarea rela$ie ntre rezisten$ele R
#
'i R
2
:
R
R
#
2
3 = (3.63b)
Utiliznd schema echivalent% de semnal mic din fig.3.23,b, se poate demonstra c% rezisten$a de
ie'ire este dat% de rela$ia:
R R R
r r
o
Z
= +
+
+
2 #
#
( )
(3.64)
iar n cazul compens%rii termice (pentru R
#
=3R
2
) se ob$ineR R
o

3
4
2
. Dac% R
#
'i R
2
sunt de
ordinul k-ilor, rezult% c% 'i rezisten$a de ie'ire este tot de ordinul k.
a) b)
Fig. 3.23. Referin#$ de tensiune
realizat$ cu diod$ Zener.
(b) Circuitul echivalent de semnal
mic.
72
Dezavantajul acestui tip de referin$% de tensiune const% n valoarea de ordinul k-ilor a
rezisten$ei de ie'ire, ceea ce nu permite curentului furnizat la ie'ire s% nregistreze varia$ii mai
mari de c$iva microamperi. Deficien$a se nl%tur% prin introducerea diodei Zener n bucla de
reac$ie a unui amplificator. Acest tip de referin$% de tensiune se ntlne'te la stabilizatoarele
monolitice A723, MC#468 etc.
b) Referin$a de tensiune a stabilizatorului integrat A723 (A723) (fig.3.24,a) este
alc%tuit% cu ajutorul tranzistoarelor T
4
, T
5
'i T
6
, a rezistoarelor R
6
, R
7
, R
8
'i a diodei Zener D
2
.
Sursa de curent T
2
, T
3
stabile'te punctul de func$ionare a referin$ei de tensiune. Schema din
fig.3.24,a pune n eviden$% faptul c% sursa de curent este aproape independent% de valoarea
tensiunii de alimentare E
C
, deoarece depinde numai de tensiunea Zener a diodei D
#
, care este
polarizat% la un curent practic constant prin intermediul tranzistorului T
#
.
Deoarece dioda D
#
are tensiunea Zener de aproximativ 6,4V, montajul nu va lucra corect
pentru tensiuni de alimentare mai mici de 6,4V sau egale cu aceast% valoare.
Valoarea minim% a tensiunii de alimentare, numit% 'i tensiune de intrare sau tensiune
nestabilizat%, este, conform datelor de catalog, egal% cu 9,5V. Explica$ia este urm%toarea: pentru
ca prin D
#
s% circule un curent independent de valoarea tensiunii de alimentare, tranzistorul T
#
(TEC-J) trebuie s% lucreaze n zona de satura$ie 'i atunci trebuie ndeplinit% condi$ia:
U U U U
DS DS sat GS P
=
,
(3.65)
Dar tensiunea U
GS
este egal% cu zero deoarece grila este conectat% mpreun% cu sursa 'i deci
U U
DS sat P ,
= (3.66)
Tensiunea de t%iere sau de prag a tranzistorului T
#
are valoarea U
P
=-3,#V, rezultnd astfel c%
U
DS,sat
=+3,#V. In consecin$%, valoarea minim% a tensiunii de alimentare trebuie s% fie:
E U U U U
C D DS sat D P ,min ,
= + = + = + =
# #
6, 4 3,# 9,5 [V] (3.67)
Circuitul referin$ei de tensiune furnizeaz% tensiunea U
REF
, cu valoarea tipic% de 7,#5V 'i este o
variant% de surs% Wilson (fig.3.24,b).
Neglijnd curentul de baz% al tranzistorului T
6
'i deci 'i c%derea de tensiune pe rezistorul
R
7
, se observ% c%:
U U U
REF D BE
= +
2
6
(3.68)
a) b)
Fig. 3.24. Referin#a de tensiune din stabilizatorul integrat A723.
(a) Schema referin#ei de tensiune. (b) Circuitul echivalent.
73
Deoarece coeficien$ii de temperatur% pentru dioda D
2
'i pentru jonc$iunea baz%-emitor a
tranzistorului T
6
sunt aproximativi egali n modul, se ob$ine o tensiune de referin$% cu un
coeficient de temperatur% foarte mic (practic nul).
Circuitul reprezentnd o referin$% de tensiune, nu se poate solicita un curent prea mare din
nodul notat U
REF
. Din acest motiv catalogul recomand% pentru curentul de referin$%, I
REF
, o
valoare maxim% de #5mA 'i o valoare tipic% de numai #mA. Rezistorul R
6
protejeaz% tranzistorul
T
5
n cazul unui scurtcircuit accidental ntre borna U
REF
'i mas%.
Dac% din nodul U
REF
se solicit% un curent prea mare, tensiunea de referin$% tinde s% se
modifice, dar printr-o bucl% de reac$ie negativ% se realizeaz% o autoreglare a tensiunii U
REF
.
Astfel, orice modificare a tensiunii de referin$% este detectat% (sesizat%) n baza tranzistorului T
6
,
este amplificat% 'i trimis% n baza tranzistorului T
4
, deci napoi la ie'ire, cu semn contrar varia$iei
ini$iale.
S% presupunem, de exemplu, c% I
REF
cre'te. Atunci prin dioda D
2
va circula un curent mai
mic 'i apare tendin$a sc%derii lui U
REF
din cauza mic'or%rii tensiunii Zener a diodei D
2
. Dar
sc%derea lui U
REF
determin% mic'orarea tensiunii baz%-emitor a tranzistorului T
6
, U
BE6
'i deci 'i
sc%derea curentului de colector a acestui tranzistor, I
C6
. Deoarece curentul I
C3
este constant 'i
egal cu suma curen$ilor I
C6
'i I
B4
, rezult% c% I
B4
va cre'te. In urma acestui fapt, curen$ii I
C4
'i I
C5
vor cre'te la rndul lor 'i deci va cre'te 'i curentul prin dioda D
2
, aducndu-se U
REF
la valoarea
prescris%.
3.3.2.2 Referin$e de tipul band% interzis%
Circuitele de poalrizare care folosesc ca referin$% o diod% Zener prezint% dezavantajul c%
sursa de alimentare trebuie s% aib% tensiunea de cel pu$in 7...#0V pentru a aduce dioda Zener n
zona de str%pungere (de exemplu minim 9,5V n cazul stabilizatorului monolitic A723). In plus,
dioda lucrnd n avalan'%, n circuit se introduce un zgomot substan$ial. Din acest motiv s-au
c%utat 'i alte posibilit%$i de realizare a unei referin$e de tensiune cu coeficient de temperatur%
redus. Deoarece tensiunile U
BE
'i U
T
au coeficien$i de temperatur% de semne opuse, se poate
utiliza ca referin$% o tensiune format% din suma ponderat% a tensiunilor U
BE
'i U
T
. Printr-o
ponderara convenabil% se poate atinge o valoare nul% a coeficientului de temperatur%. Principiul
acestei surse se prezint% pe circuitul ipotetic din fig.3.25. La ie'ire se ob$ine o tensiune care este
egal% cu U
BE
plus U
T
nmul$it cu o constant% K.
Fig. 3.25. Circuitul ipotetic al unei referin#e de tipul
band$ interzis$.
74
Deoarece rela$iile de dimensionare a acestor referin$e 'i func$ionarea lor este legat% de
l%$imea benzii interzise a materialului semiconductor, ele se numesc referin$e tip band%
interzis%.
Referin$a tip band% interzis% cunoa'te mai multe realiz%ri practice, una dintre ele fiind
cea ilustrat% n fig.3.26, numit% referin$a de band% interzis% Widlar. In acest circuit se
utilizeaz% o bucl% de reac$ie care stabile'te punctul de func$ionare astfel nct tensiunea de la
ie'ire s% fie egal% cu U
BE
plus o tensiune propor$ional% cu diferen$a ntre dou% tensiuni baz%-
emitor.
Presupunnd c% circuitul a atins un punct stabil de func$ionare, se observ% c% tensiunea de
ie'ire, U
o
este dat% de suma dintre tensiunea baz%-emitor a tranzistorului T
3
'i c%derea de
tensiune pe rezistorul R
2
. C%derea de tensiune pe rezistorul R
2
este egal% cu c%derea de tensiune
pe R
3
, multiplicat% cu (R
2
/R
3
) deoarece curentul de colector al tranzistorului T
3
este aproximativ
egal cu curentul s%u de emitor. C%derea de tensiune pe R
3
este egal% cu diferen$a ntre tensiunile
baz%-emitor ale tranzistoarelor T
#
'i T
2
:
U
R
R
U
R BE
2
2
3
= (3.69)
iar
U U
I
I
I
I
BE T
S
S
= ln
#
2
2
#
(3.70)
Raportul curen$ilor prin T
#
'i T
2
este stabilit de raportul dintre R
2
'i R
#
:
U U
R
R
I
I
BE T
S
S
= ln
2
#
2
#
(3.7#)
Dac% tranzistoarele T
#
'i T
2
sunt identice (I
S#
=I
S2
) 'i se nlocuie'te rela$ia (3.7#) n (3.69) rezult%:
U
R
R
U
R
R
R T
2
2
3
2
#
= ln (3.72)
Se observ% c% rela$ia implic% o dependen$% propor$ional% cu temperatura a curen$ilor I
#
'i I
2
, dac%
rezistoarele au un coeficient de temperatur% nul sau dac% ace'ti coeficien$i de temperatur% sunt
egali ntre ei, avnd n vedere c% rezistoarele apar n ni'te rapoarte.
Tensiunea de la ie'ire va fi:
U U
R
R
U
R
R
U KU
o BE T BE T
= + = +
3
2
3
2
#
ln (3.73)
Varianta de schem% descris% poate furniza o tensiune de referin$% de aproximativ #,2V.
In cazul unui stabilizator monolitic, dac% trebuie s% se ob$in% o tensiune de ie'ire de
valoare mai mare, de exemplu mai mare de 5...6V, se folose'te o referin$% band% interzis%
modificat%, de forma celei din fig.3.27.
Fig. 3.26. Referin#$ de tensiune de tipul
band$ interzis$ Widlar.
75
Dac% se p%streaz% ipoteza ariilor de emitor egale pentru T
#
'i T
2
'i difer% doar densitatea
curentului prin tranzistoarele T
#
'i T
2
, atunci tensiunea de referin$% se poate scrie:
U U U U U
R
R
U
R
R
REF BE BE BE BE T
= + + + +
3 4 5 6
2
3
2
#
ln (3.74)
Tensiunea de ie'ire se multiplic% cu factorul (#+R
4
/R
5
), avnd expresia:
U
R
R
U
o REF
= + ( ) #
4
5
(3.75)
Aceast% variant% de schem% se utilizeaz% n cazul stabilizatoarelor monolitice de tensiune
fix% din seria 7800 (Fairchild).
Fig. 3.27. Referin#$ de tensiune de tipul
band$ interzis$ pentru tensiuni de ie%ire mari
(mai mari de &,2V).
76
3.4 ETAJE DE AMPLIFICARE DIFEREN"IALE
Etajele de amplificare diferen$iale sunt ntlnite frecvent n special n configura$ia
amplificatoarelor opera$ionale, att ca etaje de intrare ct 'i ca etaje intermediare de amplificare.
Ele sunt ideale pentru integrare datorit% mperecherii 'i cuplajului termic al tranzistoarelor
monolitice. Utilitatea lor deriv% din faptul c% pot fi conectate n cascad% direct, f%r% capacit%$i de
cuplaj.
Amplificatorul diferen$ial (AD) este un amplificator cu dou$ intr$ri calde care
amplific$ diferen#a dintre semnalele aplicate pe cele dou$ intr$ri, indiferent de valoarea lor
individual$, cu condi#ia s$ fie mai mici dect tensiunea de alimentare sau dect o frac#iune din
aceasta.
Prin intrare cald% se n$elege acea born% care n func$ionarea amplificatorului NU se
leag% n mod obligatoriu la mas%. De exemplu, la un amplificator cu un tranzistor, una din cele
dou% borne de intrare sau una din cele dou% borne de ie'ire se leag% obligatoriu la mas%, cealalt%
servind la cuplarea semnalului 'i numindu-se intrare cald%. La AD sunt situa$ii n care niciuna
din cele dou% terminale nu se leag% la mas%.
3.4.# Configura$ii de baz% ale amplificatoarelor diferen$iale
In fig.3.28 se prezint% schemele de principiu a dou% amplificatoare diferen$iale cu sarcin%
rezistiv%. La primul circuit punctul static de func$ionare este fixat de rezistorul R
EE
iar la cel de-
al doilea de sursa de curent constant I
EE
. Pe niciuna din aceste scheme nu s-au desenat circuitele
prin care se nchid curen$ii de polarizare a intr%rilor (curen$ii de baz% ai tranzistoarelor T
#
'i T
2
).
Acest mod de reprezentare a amplificatoarelor diferen$iale r%mne valabil 'i n continuare, dar s%
nu se uite c% totdeauna trebuie create c%ile de nchidere a curen$ilor de polarizare a
intr%rilor.
Amplificatoarele diferen$iale se alimenteaz% ca 'i amplificatoarele opera$ionale, de la o
surs% dubl% de tensiune (fig.3.28,c), ob$inut% prin nserierea a dou% surse simple, punctul de
nseriere devenind punctul de mas% (GND = ground n limba englez%).
Dac% etajul este perfect simetric, atunci varia$iile sursei de alimentare, ale temperaturii
precum 'i ale semnalelor comune aplicate celor dou% intr%ri vor modifica identic tensiunile de
ie'ire u
o#
'i u
o2
. Astfel aceste varia$ii nu produc tensiune de ie'ire diferen$ial%.
Pentru o func$ionare liniar% a etajului, deci f%r% distorsiuni, este necesar ca rezisten$a
comun% din emitoarele celor dou% tranzistoare s% aib% o valoare ct mai mare deoarece semnalele
comune aplicate celor dou% intr%ri sunt n general mari. Din acest motiv, n a doua configura$ie
a) b) c)
Fig. 3.28. Structuri de amplificatoare diferen#iale (AD).
(a) AD polarizat cu rezisten#$ n emitoare. (b) AD polarizat cu surs$ de curent n emitoare.
(c) Modalitatea de ob#inere a sursei duble de alimentare a AD.
77
din fig.3.28,b, rezistorul R
EE
s-a nlocuit cu un generator de curent constant I
EE
, care prezint% o
rezisten$% dinamic% foarte mare n compara$ie cu valorile economice ale rezisten$ei R
EE
.
3.4.2 Parametrii amplificatoarelor diferen$iale
Principalii parametri ai AD utiliza$i pentru a caracteriza func$ionarea n regim dinamic
sunt tensiunile de mod comun 'i cele de mod diferen$ial.
Tensiunile de mod comun reprezint$ semisuma tensiunilor m$surate n raport cu masa,
n dou$ puncte omoloage ale circuitului.
Tensiunile de mod diferen!ial reprezint$ diferen#a tensiunilor m$surate n raport cu
masa, n dou$ puncte omoloage ale circuitului.
Astfel, la intrarea AD, tensiunile de mod comun 'i cele de mod diferen$ial se noteaz%:
u
u u
ic
i i
=
+
# 2
2
(3.76a)
u u u
id i i
=
# 2
(3.76b)
Tensiunile individuale de intrare se pot scrie n func$ie de tensiunea de intrare de mod comun 'i
cea de mod diferen$ial astfel:
u u
u
i ic
id
#
2
= + (3.77a)
u u
u
i ic
id
2
2
= (3.77b)
Rela$ii asem%n%toare se pot scrie 'i pentru circuitul de ie'ire al AD:
u
u u
oc
o o
=
+
# 2
2
(3.78a)
u u u
od o o
=
# 2
(3.78b)
iar
u u
u
o oc
od
#
2
= + (3.79a)
u u
u
o oc
od
2
2
= (3.79b)
Conform acestor rela$ii, circuitului de intrare i corespunde circuitul echivalent din fig.3.29,a, iar
celui de ie'ire circuitul din fig.3.29,b.
Tensiunilor de mod comun 'i de mod diferen$ial, de intrare 'i de ie'ire, le corespund patru
tipuri de amplific%ri:
amplificarea de mod diferen$ial
A
u
u
dd
od
id
= , dac% u
ic
=0; (3.80)
amplificarea de mod comun
A
u
u
cc
oc
ic
= , dac% u
id
=0; (3.8#)
a) b)
Fig. 3.29. Circuite echivalente ale amplificatorului diferen#ial.
(a) la intrare; (b) la ie%ire.
78
amplificarea de transfer de la modul diferen$ial la modul comun
A
u
u
dc
oc
id
= , dac% u
ic
=0; (3.82)
amplificarea de transfer de la modul comun la modul diferen$ial
A
u
u
cd
od
ic
= , dac% u
id
=0. (3.83)
Deoarece semnalele utile sunt cele de mod diferen$ial, AD trebuie s% maximizeze valoarea
amplific%rii de mod diferen$ial 'i s% o minimizeze pe cea de mod comun, deci s% aib% loc
inegalitatea:
A A
dd cc
(3.84)
Capacitatea AD de a separa efectul util al tensiunii de intrare de mod diferen$ial de efectul
perturbator al tensiunii de intrare de mod comun se caracterizeaz% prin factorul de transfer
(numit %i factor de discriminare) F 'i reprezint% factorul de rejec$ie a modului comun pentru
etajele diferen$iale perfect simetrice.
F
A
A
dd
cc
= (3.85)
Amplificatorul diferen$ial este cu att mai bun cu ct factorul de discriminare F este mai mare.
Dintre amplific%rile de transfer care apar la AD nemperecheate perfect (AD cu asimetrii),
cea mai sup%r%toare este amplificarea de transfer de la modul comun la modul diferen$ial, A
cd
,
deoarece aceasta determin% o tensiune de ie'ire diferen$ial% datorat% unei tensiuni de intrare de
mod comun perturbatoare. Aceast% tensiune de ie'ire de mod diferen$ial, care este tot
perturbatoare, se suprapune peste tensiunea de ie'ire util% de mod diferen$ial. Etajele de
amplificare care urmeaz% dup% AD nu pot deosebi tensiunea de ie'ire diferen$ial% perturbatoare
de cea util%.
Capacitatea AD de a separa tensiunea de ie'ire diferen$ial% datorat% tensiunii de intrare
diferen$iale, de tensiunea de ie'ire diferen$ial% datorat% unei tensiuni de intrare de mod comun, se
caracterizeaz% prin factorul de rejec#ie a modului comun, CMMR (Common Mode Rejection
Ratio n limba englez%). CMRR este caracteristic AD nemperecheate perfect 'i se scrie:
CMRR
A
A
dd
cd
= (3.86a)
sau, exprimat n decibeli, are forma:
CMRR
A
A
dB
dd
cd
= 20lg( ) (3.86b)
unde lg reprezint% logaritmul n baza #0.
Amplificatorul diferen$ial este cu att mai bun cu ct factorul de rejec$ie a modului
comun CMRR are o valoare mai mare, deoarece semnalul diferen$ial de ie'ire produs de un
semnal de intrare de mod comun este parazit.
La un AD real tensiunea de ie'ire total% de mod diferen$ial se poate scrie sub forma:
u A u A u A u
A
A
u A u
u
CMRR
od dd id cd iC dd id
cd
dd
iC dd id
iC
= + = + = + ( ) ( ) (3.87)
adic% tensiunea de intrare de mod comun, u
ic
, este echivalent% unei tensiuni de intrare de mod
diferen$ial de valoare u
ic
/CMRR. Conform rela$iei (3.87), circuitul de intrare al unui AD se poate
echivala cu cel din fig.3.30.
Fig. 3.30. Circuitul de intrare al unui AD, avnd tensiunea de
intrare de mod comun echivalat$ cu o tensiune diferen#ial$.
79
3.4.3 Caracteristica static% de transfer a AD
Caracteristica static% de transfer a unui AD reprezint% dependen$a dintre curen$ii de
colector (I
c#
, I
c2
) 'i tensiunea de intrare diferen$ial%, u
id
.
Pentru simplificarea analizei, se consider% c% n emitoarele celor dou% tranzistoare exist%
o surs% de curent constant I
EE
, avnd o rezisten$% intern% echivalent% de valoare infinit%. De
asemenea se neglijeaz% rezisten$a de ie'ire a tranzistoarelor, adic% se consider% de valoare
infinit%.
Dup% cum se observ% din fig.3.3#, curentul sursei I
EE
este egal cu suma celor doi curen$i
de emitor ai tranzistoarelor T
#
'i T
2
:
I I I
EE E E
= +
# 2
(3.88)
rela$ie n care:
I
I
I
I
E
C
E
C
#
#
#
2
2
2
=
=
(3.89)
cu notndu-se factorul de amplificare n curent n conexiune baz% comun%.
Dac% cele dou% tranzistoare sunt identice, se poate scrie
# 2
= = 'i deci
I
I I
EE
C C
=
+
# 2
(3.90)
Curen$ii de colector pot fi exprima$i n func$ie de tensiunile baz%-emitor ale fiec%rui tranzistor
prin rela$iile:
I I
U
U
I I
U
U
C S
BE
T
C S
BE
T
#
#
2
2
=
=
exp( )
exp( )
(3.9#)
n care, considernd tranzistoarele identice, s-a notat I I I
S S S # 2
= = .
Inlocuind rela$iile (3.9#) n (3.90), rezult%:
I
I U
U
U
U
EE
S BE
T
BE
T
= +
[ ( ) ( )]

exp exp
# 2
(3.92)
'i dac% se d% factor comun for$at exp( )
U
U
BE
T
#
se ob$ine:
I
I U
U
U U
U
EE
S BE
T
BE BE
T
= +

exp ) [ exp( )] (
# # 2
# (3.93)
Deoarece I
U
U
I
S
BE
T
C
exp ) (
#
#
= , rela$ia (3.93) mai poate fi scris% 'i sub forma:
I
I U U
U
EE
C BE BE
T
= +

# 2 #
#
[ exp( )]

(3.94)
Fig. 3.31. Schema AD utilizat$ pentru
determinarea caracteristicii statice de transfer.
80
Intr-un mod asem%n%tor se poate deduce c%:
I
I U U
U
EE
C BE BE
T
= +

2 # 2
#
[ exp( )]

(3.95)
In fig.3.3#, scriind teorema a II-a lui Kirchhoff pe ochiul care con$ine cele dou% jonc$iuni baz%-
emitor, rezult%:
U U u u u
BE BE i i id # 2 # 2
= = (3.96)
Inlocuind rela$ia (3.96) n rela$iile (3.94) 'i (3.95) se ob$in expresiile curen$ilor de colector n
func$ie de tensiunea de intrare diferen$ial%:
I
I
u
U
C
EE
id
T
#
#
=
+

exp( )
(3.97a)
I
I
u
U
C
EE
id
T
2
#
=

+ ( exp )
(3.97b)
In fig.3.32 se arat% dependen$a dintre ace'ti curen$i 'i tensiunea de intrare diferen$ial%.
Caracteristicile de transfer tensiune-curent reprezentate n fig.3.32 permit eviden$ierea
unor propriet%$i importante ale amplificatorului diferen$ial cu schema din fig.3.3# 'i anume:
a) Caracteristicile de transfer sunt liniare n jurul punctului static de func$ionare
u
i#
-u
i2
=0. Din curbele din fig.3.32 rezult% c% regiunea de func$ionare liniar% corespunde unei
tensiuni de intrare diferen$iale de 2U
T
vrf-la-vrf, adic% aproximativ 50mV vrf-la-vrf, la
temperatura de 27C.
Pentru tensiuni de intrare cu amplitudini mai mari de 4U
T
, adic% #00 mV, la temperatura
camerei, curen$ii de colector devin independen$i de tensiunea diferen$ial% de intrare, deoarece
ntreg curentul disponibil I
EE
trece printr-un singur tranzistor.
b) Panta caracteristicilor de transfer, reprezentnd transconductan$a etajului
diferen$ial, se calculeaz% derivnd una dintre expresiile curen$ilor de colector. Dac% se deriveaz%
expresia curentului I
C#
, de exemplu, se ob$ine:
g
d
d u
I
U
u
U
u
U
m
C
id
C
T
id
T
id
T
= =
+

I

# #
#
exp( )
exp( )
(3.98)
Valoarea maxim% se ob$ine n punctul static de func$ionare, unde u
id
=0 'i I
C#
=I
C2
=I
EE
/2 'i este:
g
I
U
m
EE
T
,

max
=

4
(3.99)
adic% panta efectiv% a unui etaj diferen$ial este a patra parte din panta unui etaj de
amplificare cu un singur tranzistor lucrnd la un curent egal cu I
EE
.
c) Tensiunile de ie&ire u
o#
'i u
o2
pot fi calculate n func$ie de curen$ii de colector 'i
rezult%:
Fig. 3.32. Caracteristica static$ de transfer
a amplificatorului diferen#ial din fig. 3.3&.
8#
u E R I
u E R I
o C C C
o C C C
# #
2 2
=
=

(3.#00)
Deoarece m%rimea util% este tensiunea diferen$ial%, u
od
=u
o#
-u
o2
, dac% se nlocuiesc tensiunile de
ie'ire cu rela$iile (3.#00) 'i curen$ii de colector cu expresiile date de rela$iile (3.97), se ob$ine:
u I R th
u
U
od EE C
id
T
=

( )
2
(3.#0#)
unde th reprezint% tangenta hiperbolic% 'i se exprim% sub forma: th b
e e
e e
b b
b b
( ) =

+
.
Dependen$a dintre tensiunea de ie'ire 'i cea de intrare se reprezint% grafic ca n fig.3.33 'i
pune n eviden$% faptul c% pentru u
id
=0, deci n repaus, u
od
=0. Aceast% situa$ie reprezint% un
avantaj important al etajelor diferen$iale 'i anume acela c% etajele diferen$iale se pot cupla
direct, f%r% introducerea unor tensiuni de decalaj (dezechilibru) de curent continuu.
d) Domeniul tensiunilor de intrare pentru care etajul diferen$ial se comport% liniar se
poate extinde dac% se introduce n serie cu fiecare emitor cte un rezistor, notat cu R
E
'i numit
rezistor de degenerare (fig.3.34,a). Circuitul care se ob$ine se nume'te etaj diferen$ial cu
degenerare n emitor. Analiza acestui circuit se poate face n mod asem%n%tor cu cea a etajului
f%r% degener%ri. Dependen$a dintre tensiunea diferen$ial% de ie'ire 'i tensiunea diferen$ial% de
intrare are forma din fig.3.34,b unde se pune n eviden$% c% pentru valori relativ ridicate ale
rezisten$elor de degenerare R
E
(zeci sau sute de ohmi), domeniul tensiunilor de intrare
corespunz%tor unei func$ion%ri liniare se extinde cu aproximativ R
E
I
EE
. In prezen$a rezistoarelor
de degenerare, panta echivalent% a etajului diferen$ial se reduce, devenind:
g
g
g R
m echiv
m
m E
,

=
+ #
(3.#02)
Exemplul 3.8. Se consider% un AD cu degenerare n emitor de forma celui din fig.3.34,a,
la care I
EE
=#mA iar domeniul tensiunilor de intrare corespunz%tor unei func$ion%ri liniare se
extinde cu aproximativ R
E
I
EE
=#0U
T
(fig.3.34, b). S% se determine valoarea necesar% a
rezistoarelor de degenerare pentru a se putea extinde domeniul func$ion%rii liniare cu #0U
T
.
Fig. 3.33. Caracteristica static$ de transfer a
amplificatorului diferen#ial din fig. 3.3&.
a) b)
Fig. 3.34. AD cu degenerare n emitor. (a) Schema de principiu.
(b) Caracteristica static$ de transfer.
82
Rezolvare: Dac% se presupune c% tensiunea termic% este de aproximativ 25mV, atunci:
R
U
I
mV
mA
E
T
EE
= = =
#0 250
#
250
3.4.4 Analiza de semnal mic a etajelor diferen$iale perfect simetrice
Semnalului i se spune mic dac% are valoarea suficient de sc%zut% astfel nct s% se poat%
men$ine presupunerea unei func$ion%ri liniare a tranzistoarelor, ceea ce impune ca varia$ia
tensiunii baz%-emitor s% fie mult mai mic% dect tensiunea termic% (u
BE
<<U
T
).
Etajele diferen$iale se consider% perfect simetrice dac% elementele (rezistoare 'i
tranzistoare) din jum%tatea stng% sunt riguros identice cu cele din jum%tatea dreapt%. Avantajele
simetriei determin% ca tensiunea de ie'ire diferen$ial% s% devin% insensibil% fa$% de tensiunea de
intrare de mod comun, de eventualele modific%ri ale temperaturii 'i fa$% de varia$iile surselor de
alimentare.
Analiza func$ion%rii etajelor perfect simetrice se poate face utiliznd ''teorema
bisec$iunii'', care const% n a considera AD simetric ca fiind alc%tuit din dou% amplificatoare
identice, cu intrare simpl% 'i ie'ire simpl%, interconectate n mod corespunz%tor. Este foarte
important de re$inut c% studiul se face pe un singur amplificator iar rezultatele sunt valabile
pentru ntreg etajul diferen$ial.
3.4.4.# Analiza de semnal mic etajelor diferen$iale cu sarcin% rezistiv% &i ie&ire
diferen$ial%
a) Excitarea AD cu un semnal de intrare pur diferen$ial. Analiza se va face pentru
etajul diferen$ial din fig.3.35,a.
Excitarea AD cu un semnal de intrare pur diferen$ial presupune c% pe cele dou% baze ale
tranzistoarelor se aplic% tensiuni egale n modul, dar de faze opuse u
i#
= -u
i2
= u
id
/2.
Deoarece etajul este perfect simetric, tensiunile egale dar de faze opuse aplicate pe cele
dou% baze produc varia$ii ale curen$ilor de colector de asemenea egale n modul, dar de sensuri
opuse. Ca urmare, varia$ia curentului total prin rezistorul R
EE
(curent egal cu suma celor doi
curen$i de colector, dac% se neglijeaz% curen$ii de baz%) va fi zero. Din acest motiv, pentru
func$ionarea dinamic%, nodul comun celor dou% emitoare poate fi considerat punct de mas%
(pentru c% acest nod nu 'i-a modificat poten$ialul a'a cum nici poten$ialul traseului de mas% sau
cel al traseelor de alimentare cu tensiune pozitiv%, respectiv negativ%, nu se modific% atunci cnd
are loc o varia$ie a semnalului aplicat la intrarea unui amplificator).
a) b) c)
Fig. 3.35. Determinarea semicircuitului valabil pe mod diferen#ial.
(a) Circuitul echivalent de semnal mic al AD din fig. 3.28, a, excitat cu semnal pur diferen#ial.
(b) Ilustrarea modului n care R
L
intervine n semicircuitul valabil pe mod diferen#ial.
(c) Semicircuitul valabil pe mod diferen#ial.
83
De asemenea, cei doi curen$i de colector avnd varia$ii n antifaz%, produc varia$ii n
antifaz% 'i egale n modul ale tensiunilor de colector (-u
o#
=u
o2
=u
od
/2), ceea ce nseamn% c%
tensiunea la jum%tatea rezistorului de sarcin% R
L
nu se modific% fa$% de situa$ia anterioar%
aplic%rii semnalului variabil la intrarea amplficatorului. Deci 'i acest punct poate fi considerat
punct de mas% 'i rezistorul R
L
se poate desface n dou% rezistoare, fiecare de valoare R
L
/2, legate
n serie 'i cu punctul de nseriere conectat la mas% (fig.3.35,b).
In acest moment jum%tatea din dreapta a devenit identic% cu cea din stnga, circuitul se
poate mp%r$i n dou% dup% axa de simetrie 'i pentru calcule se poate folosi doar o jum%tate,
numit% semicircuitul valabil pentru func#ionarea pe mod diferen#ial pur (fig.3.35,c). Rezultatele
care se ob$in sunt valabile pentru ntreg amplificatorul diferen$ial excitat cu semnal pur
diferen$ial. Parametrii prin care se caracterizeaz% etajul diferen$ial n aceste condi$ii sunt
amplificarea de mod diferen$ial (A
dd
) 'i rezisten$a de intrare diferen$ial% (R
id
).
Calculul amplific%rii de mod diferen$ial, A
dd
, se face pentru circuitul din fig.3.35,c.
Expresia acestei amplific%ri este:
A
u
u
R
R
r
dd
od
id
C
L

= =
( )
2
(3.#03)
Se observ% c% pentru R
L
>>R
C
valoarea amplific%rii este cu att mai mare cu ct R
C
este mai
mare. Deoarece se urm%re'te s% se ob$in% valori ct mai mari pentru amplificarea de mod
diferen$ial, o solu$ie posibil% de cre'tere a amplific%rii diferen$iale const% n nlocuirea
rezistorului R
C
cu o surs% de curent constant. Aceast% surs% are, la aceea'i valoare a curentului
din punctul static de func$ionare, o rezisten$% dinamic% mult mai mare dect cea care se poate
ob$ine cu un rezistor ce ocup% o arie rezonabil% din cip. Amplificatorul care are ca sarcin% un
tranzistor n locul rezisten$ei R
C
se nume'te amplificator cu sarcin% activ%.
Determinarea rezisten$ei de intrare diferen$iale, R
id
se face tot pentru circuitul din
fig.3.35,c Calculele conduc la urm%torul rezultat:
R
u
i
u
u
r
r
id
id
id
id
id

= = =
2
2
(3.#04)
Rela$ia (3.#04) pune n eviden$% faptul c% R
id
depinde de valoarea rezisten$ei de intrare a
tranzistoarelor r
, care este invers propor$ional% cu valoarea curentului static de colector a

tranzistoarelor deoarece r
=/g
m
=U
T
/I
C
. Ca urmare pentru ob$inerea unor rezisten$e de
intrare diferen$iale de valoare mare este necesar ca tranzistoarele s% lucreze la curen$i
statici de colector ct mai mici.
b) Excitarea AD cu un semnal de intrare de mod comun pur. Analiza se va face
pentru etajul diferen$ial din fig.3.36,a, unde rezistorul R
EE
a fost nlocuit cu dou% rezistoare de
valoare dubl%, 2R
EE
, conectate n paralel, f%r% s% se modifice astfel regimul de curent continuu al
etajului diferen$ial.
Acest mod de excitare a etajului diferen$ial presupune c% pe cele dou% baze se aplic%
semnale egale att n modul ct 'i n faz%, adic% u
i#
= u
i2
= u
ic
.
Deoarece tensiunile aplicate pe cele dou% baze sunt identice ca modul 'i faz%, rezult% c% 'i
varia$iile celor doi curen$i de colector vor fi identice. Datorit% simetriei circuitului, realizat% prin
artificiul conect%rii n paralel a celor dou% rezistoare de valoare 2R
EE
, c%derile de tensiune pe
aceste rezistoare sunt egale, curentul i
x
, care ar putea eventual s% circule ntre cele dou% emitoare,
este nul 'i comportarea circuitului nu se schimb% deloc dac% firul de leg%tur% dintre emitoare este
ndep%rtat.
Tot simetria circuitului este cea care determin% u
o#
=u
o2
=u
oc
. Deoarece nu exist% diferen$%
de poten$ial la bornele rezistorului de sarcin% R
L
, prin el nu circul% curent (i
y
=0) 'i din acest
motiv R
L
se poate deconecta f%r% ca func$ionarea circuitului s% fie afectat%.
84
In acest fel se ajunge la semicircuitul valabil pentru func#ionarea pe mod comun pur din
fig.3.36,b. Circuitul este caracterizat tot cu ajutorul unei amplific%ri 'i a unei rezisten$e de intrare,
numite de aceast% dat% de mod comun.
Determinarea amplific%rii de mod comun, A
cc
, se face pe semicircuitul valabil pe mod
comun 'i conduce la urm%toarea rela$ie:
A
u
u
g R
r R
cc
oc
ic
m C
EE

= =

+ +
2 # ( )
(3.#05)
Deoarece semnalele utile sunt cele de mod diferen$ial, AD trebuie s% aib% amplificarea de mod
comun ct mai mic%. Acest lucru se poate realiza dac% R
EE
are valoare ct mai mare, motiv
pentru care rezistorul R
EE
se nlocuie'te cu o surs% de curent.
Determinarea rezisten$ei de intrarei de mod comun , R
ic
, se face tot pe semicircuitul
valabil pe mod comun 'i rezult%:
R
u
i
r R
ic
ic
ic
EE
= = + +
2 # ( ) (3.#06)
Determinarea rejec$iei modului comun. Deoarece AD este perfect simetric, rejec$ia modului
comun se caracterizeaz% cu ajutorul factorului de transfer F. Acesta este egal cu raportul dintre
amplificarea de mod diferen$ial 'i cea de mod comun 'i se ob$ine nlocuind rela$iile (3.#03) 'i
(3.#05) n (3.85). Rezult%:
F
A
A
g R
dd
cc
m EE
= = + # 2 # ( +
#
)
(3.#07)
In general dac% factorul de amplificare este suficient de mare, #/0 'i pentru c% 2g
m
R
EE
>>1
rela$ia factorului de transfer devine:
F g R
m EE
2 (3.#08)
Amplificatorul diferen$ial este cu att mai bun cu ct factorul de transfer are o valoare mai mare.
Din nou se observ% utilitatea nlocuirii rezistorului R
EE
cu un generator de curent.
Exemplul 3.9. S% se compare dou% amplificatoare diferen$iale care au acela'i punct static
de func$ionare dar primul este polarizat cu ajutorul unui rezistor R
EE
iar al doilea cu ajutorul unei
surse de curent (fig.3.37). Se consider% I
C#
=I
C2
=0,5mA, E
C
=#5V, R
C
=5k, U
BE
=0,6V,
U
A
=#00V 'i U
T
=25mV.
Rezolvare: In cazul primului circuit (fig.3.37,a) valoarea rezisten$ei R
EE
se afl% pentru
u
i#
=u
i2
=0 (intr%rile legate la mas%), 'tiind c% prin R
EE
circul% un curent I
EE
=I
C#
+I
C2
=#mA 'i c% pe
jonc$iunea baz%-emitor c%derea de tensiune este de 0,6V.
a) b)
Fig. 3.36. Determinarea semicircuitului valabil pe mod comun.
(a) Circuitul echivalent de semnal mic al AD din fig. 3.28, a, excitat cu semnal pur de mod
comun. (b) Semicircuitul valabil pe mod comun.
85
R
E U
I
V V
mA
k
EE
C BE
EE
=

=

=
#5 0 6
#
#4 4
,
.
Se presupune c% factorul de amplificare n curent este suficient de mare 'i atunci se
poate folosi rela$ia aproximativ% a factorului de transfer: F g R
m EE
2 , unde g
m
reprezint% panta
tranzistoarelor care alc%tuiesc amplificatorul diferen$ial. Pentru determinarea pantei
tranzistoarelor se poate utiliza rela$ia g
m#
=g
m2
=g
m
=40I
C
. Rezult%:
g I mA V
m C
= = = 40 40 0 5 20 , /
'i factorul de transfer va fi egal cu:
F g R mA V k
m EE #
2 2 20 #4 4 576 = = = / ,
In cazul celui de al doilea circuit (fig.3.37,b), se men$ine presupunerea c% este suficient de
mare astfel c% tranzistoarele T
3
'i T
4
alc%tuiesc o oglind% simpl% de curent. Deoarece cele dou%
amplificatoare diferen$iale, aflate n studiu, au acela'i punct static de func$ionare, aceast% surs%
va avea curentul de ie'ire egal cu I
EE
adic% egal cu #mA. Rela$ia de calcul pentru factorul de
transfer are forma din rela$ia (3.#08), cu deosebirea c% ceea ce s-a notat n aceast% rela$ie cu R
EE
reprezint% acum rezisten$a de ie'ire a oglinzii de curent 'i se noteaz% cu R
o
. La analiza de semnal
mic a oglinzii de curent (paragraful 3.2) s-a ar%tat c% rezisten$a de ie'ire a acestei surse este egal%
cu rezisten$a de ie'ire a tranzistorului prin care se oglinde'te curentul de referin$%, adic%, n cazul
sursei din problem%:
R r
U
I
U
I
V
mA
k
o o
A
C
A
EE
= = = = =
4
4
#00
#
#00
Calculnd factorul de transfer cu rela$ia (3.#08) se ob$ine:
F g R mA V k
m o 2
2 2 20 #00 4000 = = = /
Comparnd cei doi factori de transfer se observ% c% rejec$ia modului comun este de aproximativ
'apte ori mai bun% dac% polarizarea tranzistoarelor care alc%tuiesc amplificatorul diferen$ial se
face cu surs% de curent.
O a doua observa$ie se poate face cu privire la valoarea total% de rezisten$% din circuit.
In cazul primului circuit:
R R R k
tot C EE ( ) #
2 24 4 = + = ,
In cazul celui de al doilea circuit se calculeaz% mai nti valoarea rezisten$ei R care determin%
curentul de referin$% I
ref
=#mA (oglind% simpl% de curent):
R
E U
I
V V
mA
k
C BE
ref
=

=

=
2 30 0 6
#
29 4
,
,
astfel c% valoarea total% de rezisten$% va fi:
R R R k
tot C ( ) 2
2 39 4 = + = ,
a) b)
Fig. 3.37. Circuitele pentru exemplul 3.9.
(a) AD polarizat cu rezisten#$ n emitoare. (b) AD polarizat cu surs$ de curent.
86
Comparnd cele dou% valori ale rezisten$elor totale se observ% c% n cazul celui de al
doilea circuit rejec$ia mai bun% a semnalelor de mod comun s-a f%cut n dauna unui consum mai
mare din aria de siliciu deoarece R
tot(2)
este cu aproximativ 60% mai mare dect R
tot(#)
.
3.4.4.2 Analiza de semnal mic a etajelor diferen$iale perfect simetrice &i cu
degenerare n emitor
Degenerarea n emitor, realizat% prin nserierea cu emitoarele tranzistoarelor a unor
rezistoare (fig.3.34,a), are ca efect m%rirea gamei de tensiuni de la intrare pentru care perechea cu
cuplaj n emitor se comport% liniar. Totodat% panta echivalent% scade, ceea ce nseamn% c%
amplificarea circuitului cu degenerare n emitor va fi mai mic% dect a circuitului f%r%
degenerare. Pentru a vedea mai exact ce se petrece, se analizeaz% comportarea circuitului pentru
cele dou% tipuri de semnale de intrare: de mod diferen$ial 'i de mod comun.
a) Excitarea etajului cu semnal pur de mod diferen$ial, conduce, pentru o analiz%
asem%n%toare cu cea de la AD f%r% degenerare, la semicircuitul valabil pe mod diferen$ial pur din
fig.3.38,a. In acest caz poten$ialul din nodul comun celor dou% rezistoare de degenerare r%mne
neschimbat, astfel c% acest punct poate fi considerat punct de mas%. Calculele pentru amplificarea
diferen$ial% 'i rezisten$a de intrare diferen$ial% dau urm%toarele rezultate:
A
u
u
R
R
r R
R
u
i
r R
dd
od
id
C
L
E
id
id
id
E

( )
+ ( + )
( + )
= =
= = +
2
#
2 2 #
(3.#09)
b) Excitarea etajului cu semnal pur de mod comun, conduce, pentru o analiz%
asem%n%toare cu cea de la AD f%r% degenerare, la semicircuitul valabil pe mod comun pur din
fig.3.38,b. Calculele pentru amplificarea de mod comun 'i rezisten$a de intrare de mod comun
conduc la rela$iile:
A
u
u
R
r R R
R
u
i
r R R
cc
oc
ic
C
E EE
ic
ic
ic
E EE
= =

+ + +
= = + + +

( )( )
( )( )
2 #
2 #
(3.##0)
Analiza rela$iilor (3.#09) 'i (3.##0) arat% urm%toarele efecte ale degener%rii:
amplificarea diferen$ial% scade n prezen$a degener%rii;
rezisten$a de intrare diferen$ial% cre'te, n acelea'i condi$ii, cu 2R
E
(+#);
amplificarea de mod comun 'i rezisten$a de intrare de mod comun nu se modific% semnificativ
n prezen$a degener%rii deoarece R
E
<<R
EE
;
a) b)
Fig. 3.38. Semicircuitele valabile pentru AD cu degenerare n emitor din fig. 3.34.
(a) pe mod diferen#ial; (b) pe mod comun.
87
factorul de transfer F scade, deci rejec$ia modului comun devine mai slab% la AD cu
degenerare;
suplimentar, n cazul AD cu degenerare, cre'te valoarea tensiunii de intrare diferen$iale pentru
care AD lucreaz% liniar.
3.4.4.3 Analiza de semnal mic a etajelor diferen$iale perfect simetrice, cu ie&ire
simpl% &i sarcin% rezistiv%
Un amplificator diferen$ial se spune c% este cu ie'ire simpl% dac% semnalul amplificat se
culege din colectorul unuia dintre tranzistoare. S% presupunem c% semnalul de ie'ire se culege
din colectorul tranzistorului T
#
(fig.3.39). Tensiunea de ie'ire se poate scrie ca fiind
u u u
u
o o oc
od
= = +
#
2
(3.###)
dac% valoarea individual% a tensiunii din colectorul lui T
#
se exprim% n func$ie de valorile
tensiunii de ie'ire de mod diferen$ial 'i de mod comun.
Amplificarea de mod diferen$ial a etajului cu ie'ire simpl% se noteaz% cu A
ds
'i reprezint%,
prin defini$ie, raportul dintre tensiunea de ie'ire 'i tensiunea diferen$ial% de la intrare, adic%:
A
u
u
u
u
A
ds
o
id
od
id
dd
= = =
2
2
(3.##2)
unde A
dd
=u
od
/u
id
reprezint% amplificarea diferen$ial% pe care ar avea-o etajul dac% ie'irea ar fi
diferen$ial%.
Amplificarea de mod comun a etajului cu ie'ire simpl% este aceea'i cu cea a etajului
simetric (cu ie'ire diferen$ial%).
Deoarece amplificarea diferen$ial% scade de dou% ori, rejec$ia modului comun se
nr%ut%$e'te (factorul de transfer F se mic'oreaz% de dou% ori).
La acela'i rezultat se ajunge 'i dac% se determin% valoarea amplific%rii de tensiune pentru
semicircuitul valabil pe mod diferen$ial din fig. 3.40:
A
u
u
R
r
A
ds
o
id
C
dd
= = =
#
2
#
2

(3.##3)
Fig. 3.39. Amplificator diferen#ial cu sarcin$
rezistiv$ %i ie%ire simpl$ (asimetric$).
Fig. 3.40. Semicircuitul valabil pe mod diferen#ial pentru
AD cu ie%ire simpl$ din fig. 3.39.
88
In concluzie este important de re$inut c% n cazul etajului diferen$ial cu ie&ire simpl% &i
sarcin% rezistiv%, amplificarea diferen$ial% se mic&oreaz% de dou% ori fa$% de cea a
amplificatorului diferen$ial cu ie&ire simetric% (diferen$ial%).
3.4.4.4 Amplificatorul parafaz%
Amplificatorul parafaz% (fig.3.4#,a) face parte tot din categoria amplificatoarelor cu ie'ire
nesimetric%. Etajul parafaz% este alc%tuit din dou% tranzistoare cuplate n emitor, primul n
conexiune colector comun iar cel de al doilea n conexiunea baz% comun%. Denumirea de
parafraz% provine de la faptul c% semnalul de ie'ire este n faz% cu cel de intrare. Tranzistorul T
2
avnd baza conectat% la mas% rezult%:
u u
u
i i
i
#
2
0
=
=
(3.##4a)
u u u u
u
u u u
id i i i
ic
i i i
= =
=
+
=
# 2
# 2
2 2
(3.##4b)
Pentru a se putea aplica rezultatele de la analiza etajului diferen$ial simetric se folose'te circuitul
echivalent din fig.3.4#,b.
In colectorul tranzistorului T
#
, ini$ial conectat la tensiunea pozitiv% de alimentare, s-a
nseriat rezistorul R
C
, f%r% s% se modifice astfel regimul de curent continuu al amplificatorului.
Tensiunea de intrare se consider% ca fiind suma dintre o tensiune de mod diferen$ial, u
id
'i
una de mod comun, u
ic
, ale c%ror expresii sunt date n rela$ia (3.##4b).
Conform acestui punct de vedere rezult% c% pe bazele tranzistoarelor se aplic% tensiunile:
u u
u
u
u u
u
i ic
id
i
i ic
id
#
2
2
2
0
= + =
= =
,
.
(3.##5)
respectndu-se astfel condi$iile circuitului ini$ial.
Circuitul echivalent pentru calculul amplific%rii este reprezentat n fig.3.4#,c.
Tensiunea de ie'ire se culege din colectorul tranzistorului T
2
'i de aceea are expresia:
u
u
u A u A u
o
od
oc dd id cc ic
= + = +
2
#
2
(3.##6)
unde A
dd
'i A
cc
au expresiile cunoscute de la etajele perfect simetrice 'i anume:
A g R
dd m C
= (3.##7a)
a) b) c)
Fig. 4.41. Amplificatorul parafaz$. (a) Schema amplificatorului. (b) Circuitul echivalent de c.c.
(c) Circuitul echivalent pentru calculul amplific$rii.
89
A
g R
g R
R
R
cc
m C
m EE
C
EE
=

+ +

# 2 #
#
2
( )
(3.##7b)
Amplificarea n tensiune a etajului este:
A
R
R
g R g R
u
C
EE
m C m C
= +
#
2 2
#
2
( ) (3.##8)
deoarece, de obicei, R
EE
este mult mai mare dect R
C
.
Semnul plus din rela$ia amplific%rii semnific% faptul c% tensiunea de ie'ire este n faz% cu
cea de intrare, de unde provine 'i denumirea de parafaz% dat% montajului.
Expresia rezisten$ei de intrare totale a circuitului, R
i
, se determin% prin suprapunerea
efectelor curen$ilor de intrare de mod comun 'i de mod diferen$ial:
R
u
i i
i
u
i
u
R R
i
i
id ic
id
i
ic
i
id ic
=
+
=
+
=
#
2 (3.##9)
La acela'i rezultat se poate ajunge 'i dac% se analizeaz% circuitul echivalent de intrare al unui etaj
diferen$ial prezentat n fig.3.29,a.
3.4.4.5 Amplificatoare diferen$iale cu sarcin% activ%
Realizarea unei sarcini active presupune nlocuirea rezisten$ei de sarcin% din colectorul
tranzistorului amplificator cu un tranzistor.
Analiznd un etaj de amplificare realizat cu tranzistor bipolar 'i sarcin% rezistiv%, rezult%
pentru amplificarea n tensiune rela$ia:
A g R
u m C
= (3.#20)
Se observ% c% amplificarea A
u
este cu att mai mare cu ct R
C

are valoare mai mare. Dac% se
conecteaz% R
C
de valoare mare, se consum% prea mult din aria de siliciu iar amplificatorul trebuie
s% fie alimentat cu tensiune mare (poate chiar periculos de mare) pentru ca tranzistorul s% lucreze
n regiunea activ% normal% 'i deci s% r%mn% tensiune suficient% pentru circuitul s%u colector-
emitor (tranzistorul s% nu fie saturat).
Deoarece numai din punct de vedere dinamic R
C
trebuie s% aib% valoare mare, rezistorul
de sarcin% se poate nlocui cu un tranzistor a c%rui rezisten$% de ie'ire dinamic%, la aceea'i
valoare a curentului de static, este mult mai mare dect R
C
, iar aria de siliciu ocupat% de
tranzistor este considerabil mai mic% dect cea necesar% pentru rezistorul de sarcin%. Din punct
de vedere al regimului de curent continuu acest tranzistor trebuie s% asigure curentul de colector
din punctul static de func$ionare al tranzistorului amplificator 'i de aceea tranzistorul sarcin%
activ% face parte dintr-o surs% de curent.
Aplicarea direct% a conceptului de sarcin% activ% conduce la o schem% de amplificator
diferen$ial ca cea din fig.3.42. Sarcinile active sunt alc%tuite cu tranzistoarele T
3
'i T
4
care fac
parte din sursa multipl% T
3
, T
4
, T
5
. Amplificatorul diferen$ial astfel ob$inut are A
dd
foarte mare
dar se nr%ut%$e'te inadmisibil de mult comportarea pentru semnalele de mod comun.
Fig. 3.42. Schema de principiu a AD cu
sarcin$ activ$, rezultat$ prin aplicarea direct$
a conceptului de sarcin$ activ$.
90
O alt% abordare a ideii de sarcin% activ% const% n a controla sursa de curent sarcin% activ%
cu ajutorul curentului de colector al unui tranzistor din cele dou% ale amplificatorului diferen$ial
(fig.3.43). Circuitele din fig.3.43 elimin% problemele legate de comportarea pe modul comun a
configura$iei de principiu prezentat% anterior, asigurnd o rejec$ie mai bun% a semnalelor de mod
comun. De asemenea circuitele fac trecerea de la o intrare diferen$ial% la o ie'ire simpl%
(nesimetric%) 'i elimin% factorul #/2 din expresia amplific%rii diferen$iale, comparativ cu etajul
diferen$ial cu sarcin% rezistiv% 'i ie'ire nesimetric%.
In cazul circuitului din fig. 3.43,a, tranzistorul T
#
controleaz% curentul de referin$% al
oglinzii simple T
3
, T
4
. In regim dinamic exist% urm%toarele rela$ii ntre curen$ii prin tranzistoare:
i i i g u
i g u
c c c m i
c m i
# 3 4 #
2 2
= = =
=
(3.#2#)
unde s-a presupus c% T
#
'i T
2
sunt identice 'i au aceea'i transconductan$%, g
m
.
Tensiunea de ie'ire u
o
depinde de rezisten$a de sarcin% 'i de curentul care circul% prin ea
'i este:
u R i i g R u
o L c c m L id
= = ( )
4 2
(3.#22)
astfel c% amplificarea diferen$ial% a etajului este:
A
u
u
g R
dd
o
id
m L
= = (3.#23)
Dup% cum se poate observa, din rela$ie lipse'te factorul #/2.
Rezisten$a de intrare diferen$ial% este:
R r
id
= 2

(3.#24)
iar cea de ie'ire are expresia:
R r r
o o o
=
2 4
(3.#25)
'i este de valoare mare, fapt de care trebuie $inut seama la cuplarea cu etajul urm%tor de
amplificare. Pentru a se realiza o adaptare optim% etajul urm%tor trebuie s% fie un repetor pe
emitor care asigur% o rezisten$% de intrare de valoare mare.
Circuitul din fig.3.43,a prezint% dezavantajul unei nesimetrii ntre curen$ii de colector ai
tranzistoarelor T
#
'i T
2
. Dac% se consider% c% cei doi tranzistori care alc%tuiesc sursa de curent
sunt identici, au curen$ii de baza egali cu I
B
iar cei de colectori egali cu I
C
, expresiile curen$ilor
de colector ale tranzistoarelor T
#
'i T
2
se scriu:
I I I
I I
C C B
C C
#
2
2 = +
=
(3.#26)
a) b)
Fig. 3.43. AD cu sarcin$ activ$ surs$ de curent.
(a) Sarcina oglind% simpl% de curent. (b) Sarcina oglind% de curent cu trei tranzistoare.
9#
'i difer% ntre ei cu att mai mult cu ct factorul de amplificare n curent al tranzistoarelor din
sarcina activ% este mai mic.
Pentru a elimina acest dezavantaj se utilizeaz% circuitul din fig. 3.43,b. In acelea'i condi$ii
ca mai sus se observ% c% se pot scrie rela$iile:
I I
I
I I
C C
B
C C
#
2
2
#
= +
+
=

(3.#27)
'i valorile curen$ilor de colector ai tranzistoarelor care alc%tuiesc AD sunt mai apropiate chiar 'i
pentru valori mici ale factorului de curent al tranzistoarelor din srcina activ%.
3.4.5 Amplificatoare diferen$iale cu asimetrii
La amplificatoarele diferen$iale reale nu exist% o egalitate perfect% ntre elementele cu
acela'i tip de func$ie, ceea ce nseamn% c% amplificatoarele diferen$iale reale prezint% asimetrii.
Aceste asimetrii pot fi ntre rezistoarele de colector 'i ntre tranzistoare. In cazul tranzistoarelor
aceste asimetrii constau n grosimi de baz% diferite, n nivele diferite de dopare a bazei 'i
colectorului 'i n arii de emitor diferite.
Aceste asimetrii denumite 'i nemperecheri ntre componentele unui amplificator
diferen$ial, precum 'i varia$ia cu temperatura a valorilor componentelor, numit% drift, produc la
ie'ire tensiuni diferen$iale de curent continuu, care nu pot fi deosebite de cele produse de
semnalele utile. Dac% se leag% intr%rile unui astfel de amplificator diferen$ial la mas%, adic% se
ndepline'te condi$ia u
id
=0, la ie'irea circuitului se ob$ine o tensiune diferen$ial% de c.c. diferit%
de zero. De asemenea dac% exist% asimetrii nici curen$ii de polarizare (curen$ii de baz%) nu sunt
egali, diferen$a lor fiind nenul%.
Pentru amplificatorul diferen$ial cu asimetrii, efectul referit la intrare al tuturor
nemperecherilor de componente este reprezentat de dou% m%rimi:
tensiunea de offset (de decalaj) la intrare, U
IO
curentul de offset (de decalaj) la intrare, I
IO
.
In acest fel comportarea n c.c. a unui amplificator care are nemperecheri este identic% cu
cea a unui amplificator ideal, f%r% nemperecheri, c%ruia i se adaug% n serie cu una dintre intr%ri
o surs% de tensiune de offset 'i n paralel pe terminalele de intrare o surs% de curent de offset
(fig.3.44). Aceste m%rimi sunt de obicei dependente de temperatur% 'i de tensiunea de intrare de
mod comun.
Fig. 3.44. Circuitul echivalent al AD cu
nemperecheri, format dintr-un AD perfect
simetric care are la intrare generatoarele
de eroare U
IO
%i I
IO
.
92
3.4.5.# Determinarea tensiunii de offset la intrare
Din fig.3.44 se observ% c% tensiunea de offset la intrare, U
IO
, este egal% cu acea
valoare a tensiunii de intrare diferen$iale care trebuie aplicat% la intrarea circuitului
pentru a aduce tensiunea diferen$ial% de la ie&ire la zero. In circuitul din fig.3.44, pentru
u
id
=0, expresia tensiunii de offset la intrare, U
IO
, rezult% de forma:
U U U
IO BE BE
=
# 2
(3.#28)
dar
U U
I
I
U U
I
I
BE T
C
S
BE T
C
S
#
#
#
2
2
2
=
=
ln ,
ln
(3.#29)
astfel c% expresia tensiunii de offset la intrare se scrie:
U U
I
I
I
I
IO T
C
S
S
C
= ln( )
#
#
2
2
(3.#30)
curen$ii de satura$ie depinznd de grosimea bazei, de nivelul de dopare a bazei 'i de aria
emitorului.
Tensiunea de ie'ire diferen$ial% este nul% dac%:
I R I R sau
I
I
R
R
C C C C
C
C
C
C
# # 2 2
#
2
2
#
= = (3.#3#)
astfel c% U
IO
devine
U U
R
R
I
I
IO T
C
C
S
S
= ln[( )( )]
2
#
2
#
(3.#32)
Considernd dou% m%rimi generale x
#
'i x
2
pentru care x=x
#
-x
2
iar x=(x
#
+x
2
)/2, cele dou%
m%rimi se pot exprima astfel:
x x
x
x x
x
#
2
2
2
= +
=
(3.#33)
Inlocuind aceste rela$ii n expresia tensiunii de offset la intrare, se poate scrie:
U U
R
R
R
R
I
I
I
I
IO T
C
C
C
C
S
S
S
S
=
+
ln( )( )
2
2
2
2
(3.#34)
'i presupunnd R
C
<<R
C
'i I
S
<<I
S
rezult%:
U U
R
R
I
I
IO T
C
C
S
S
= ln( )( ) # #

(3.#35)
Dup% dezvoltarea n serie Taylor 'i neglijarea termenilor de ordin superior se ob$ine:
U U
R
R
I
I
IO T
C
C
S
S
= ( )

(3.#36)
Factorii de nemperechere R
C
/R
C
'i I
S
/I
S
sunt parametri aleatori care au o valoare diferit%
pentru fiecare circuit integrat fabricat 'i care con$ine un amplificator diferen$ial de tipul celui
analizat. Abaterile standard observate (nota$ie ) reprizint% #% pentru R
C
/R
C
'i 5% pentru
I
S
/I
S
, adic%
R
R
C
C
= 0 0# , iar
I
I
S
S
= 0 05 , .
Deoarece tensiunea de offset este dat% de suma a doi parametri aleatori necorela$i,
devia$ia standard a tensiunii totale de offset este egal% cu radical din suma p%tratelor devia$iilor
standard ale celor dou% contribu$ii la nemperechere:
93
U U
IO T R
R
I
I
C
C
S
S
= + ( ) ( )

2 2
(3.#37)
Valoric se ob$ine:
U mV
IO
= + = 0 026 0 0# 0 05 # 325
2 2
, ( . ) ( , ) , (3.#38)
Dac% din distribu$ie se ia un e'antion cu parametrii egali cu devia$ia standard 'i factorii de
nemperechere sunt astfel nct ei se adun%, rezult% urm%toarea valoare a tensiunii de offset:
U U mV
IO T R
R
I
I
C
C
S
S
= + = + = ( ) , ( , , ) ,

0 026 0 0# 0 05 # 56 (3.#39)
3.4.5.2 Varia$ia tensiunii de offset cu temperatura (drift)
Atunci cnd etajele diferen$iale sunt utilizate n amplificatoare de curent continuu de
nivel mic, n care tensiunea de offset este critic%, se asigur% de obicei o ajustare manual% la zero a
tensiunii de offset la intrare, cu ajutorul unui poten$iometru extern. Odat% ce acest reglaj a fost
f%cut, parametrul important nu mai este tensiunea de offset, ci varia$ia acestei tensiuni cu
temperatura, denumit% drift. Cu ct excursia de temperatur% la care este supus circuitul este mai
mare, cu att va fi mai mare eroarea introdus% de driftul s%u.
Dac% se consider% c% n rela$ia tensiunii de offset la intrare numai tensiunea termic%,U
T
,
se modific% cu temperatura iar ceilal$i termeni sunt independen$i de temperatur% rezult%:
dU
dT
U
T
IO IO
= (3.#40)
Deci pentru un amplificator diferen$ial, de tipul pereche cu cuplaj n emitor, driftul
tensiunii de offset 'i tensiunea de offset sunt propor$ionale.
Exemplul 3.#0. Se presupune c% un etaj diferen$ial de tipul celui analizat anterior are o
tensiune de offset m%surat% de 2mV. S% se determine driftul tensiunii de offset.
Rezolvare: La temperatura camerei, 27C sau 300K, driftul tensiunii de offset este:
dU
dT
U
T
mV
K
V C
IO IO
= = =
2
300
6 6 , /
o
De obicei prin ajustarea extern% a tensiunii de offset NU se anuleaz% 'i driftul acestei
tensiuni, din cauza modului n care se realizeaz% ajustarea la zero a tensiunii de offset. Astfel, o
posibilitate de ajustare a tensiunii de offset const% n conectarea unui poten$iometru P n paralel
cu o por$iune a rezisten$elor de sarcin% din colector a perechii cu cuplaj n emitor, a'a cum se
prezint% n fig.3.45. Acest poten$iometru este o pies% conectat% n exteriorul circuitului integrat.
In general coeficientul de temperatur% al poten$iometrului P nu se mperecheaz% cu acela al
rezistoarelor difuzate, astfel c% se introduce o nemperechere de coeficient de temperatur% al
rezistoarelor, care poate face driftul mai prost dect n cazul n care nu se anuleaz% tensiunea de
offset.
Fig. 3.45. Ilustrarea modului de anulare a efectului
tensiunii de offset la intrare, utiliznd un
poten#iometru extern P, n cazul AD din AO - A725.
94
Etajul diferen$ial din fig.3.45 corespunde etajului de intrare a amplificatorului opera$ional
A725, valorile de rezisten$e corespunznd acestui tip de circuit integrat, proiectat special pentru
un drift foarte mic.
Cu o proiectare ngrijit% se poate ob$ine un drift al tensiunii de offset de ordinul a
#...2V/C.
3.4.5.3 Determinarea curentului de offset la intrare
Curentul de offset la intrare este egal cu diferen$a celor doi curen$i de baz% ai
tranzistoarelor amplificatorului diferen$ial:
I I I
I I
IO B B
C C
= =
# 2
#
#
2
2

(3.#4#)
Procednd asem%n%tor ca la determinarea tensiunii de offset, rezult%:
I
I R
R
IO
C C
C
= +
( )

(3.#42)
Deoarece devia$ia standard a nemperecherii n factorul de amplificare n curent este de #0% iar
cea a rezistoarelor de #% rezult%:
I
I
I
IO
C
B
= + =
( , , ) , 0 0# 0 # 0 ## (3.#43)
Rela$ia (3.#4#) pune n eviden$% un fapt foarte important: curentul de intrare de offset este mai
mic dect curen$ii de polarizare a intr%rilor (curen$ii de baz% ai tranzistoarelor).
3.4.6 R%spunsul n frecven$% al amplificatorului diferen$ial
Odat% cu cre'terea frecven$ei semnalului de la intrarea amplificatorului diferen$ial,
comportarea acestuia este determinat%, n principal, de elementele sale capacitive.
Se studiaz% comportarea n frecven$% a unui amplificator diferen$ial de forma celui din
fig.3.46,a. Conform celor prezentate la analiza etajelor diferen$iale perfect simetrice se poate
forma semicircuitul de mod diferen$ial din fig.3.46,b, unde s-a presupus c% rezisten$a intern% a
sursei de semnal se poate mp%r$i n dou%, fiecare parte fiind egal% cu R
G
/2.
Circuitul echivalent de semnal mic pentru semicircuitul de mod diferen$ial din fig.3.46,b
este dat n fig.3.46,c, unde pentru o rezolvare mai u'oar% 'i f%r% s% afecteze corectitudinea
analizei, s-a omis factorul #/2 pentru tensiunile de la intrare 'i ie'ire. Tot pentru simplitate s-a
omis capacitatea colector-substrat a tranzistorului.
Circuitul din fig.3.46,b se poate analiza aplicnd teorema lui Miller la semicircuitul
valabil pe mod diferen$ial din fig.3.46,c. Teorema lui Miller permite evaluarea efectului unei
a) b) c)
Fig. 3.46. Comportarea n frecven#$ a AD. (a) Schema AD a c$rui comportare n frecven#$ se
studiaz$. (b) Semicircuitul valabil pe mod diferen#ial. (c) Circuitul echivalent de semnal mic.
95
impedan$e Z , conectat% ntre ie'irea 'i intrarea unui circuit pentru care se cunoa'te amplificarea
K. Conform acestei teoreme, circuitul echivalent va con$ine o impedan$% Z
#
la intrare 'i o alta
Z
2
la ie'ire, valorile lor fiind dependente de Z 'i K:
Z
Z
K
Z
KZ
K
#
2
#
#
=
,
(3.#44)
Dac% amplificarea K este mare, deci K>>#, atunciZ Z
2
.
Aplicnd teorema lui Miller semicircuitului din fig.3.46,c rezult% schema din fig.3.47.
In cazul amplificatorului cu schema echivalent% de semnal mic din fig.3.46,c, impedan$a
conectat% ntre borna de ie'ire 'i cea de intrare are expresia:
Z
j C
=
#

(3.#45)
iar amplificarea K este dat% de rela$ia:
K g R
m C
= (3.#46)
astfel c% cele dou% impedan$e Z
#
'i Z
2
vor avea expresiile:
Z
j C g R
m C
#
#
#
=
+

( )
(3.#47a)
Z
j C
2
#

(3.#47b)
dac% se poate face presupunerea c% g
m
R
C
>>#.
Capacitatea de la numitorul expresiei (3.#47a) se nume'te capacitate Miller 'i se noteaz%
cu C
M
.
C C g R
M m C
= +
( ) # (3.#48)
Aceast% capacitate se adaug% la cea de intrare C
'i degradeaz% r%spunsul n frecven$% al

amplificatorului diferen$ial, fapt care se poate pune n eviden$% prin calculul amplific%rii
circuitului.
3.4.6.# R%spunsul n frecven$% al amplific%rii de mod diferen$ial
R%spunsul n frecven$% al unui amplificator reprezint% dependen$a dintre amplificarea
circuitului 'i frecven$a semnalului aplicat.
Pentru a determina r%spunsul n frecven$% al unui amplificator diferen$ial se calculeaz%
mai nti amplificarea diferen$ial%, A
dd
. Pentru simplificarea calculelor se noteaz% cu C
t
capacitatea total% de la intrarea amplificatorului iar rezisten$a intrinsec% a bazei tranzistorului, r
x
se consider% inclus% n rezisten$a sursei de semnal 'i se noteaz% cu r
g
(r
g
=r
x
+R
G
/2). Se porne'te de
la rela$ia general% a amplific%rii diferen$iale:
A
U
U
dd
o
i
= (3.#49)
'i se determin% expresiile pentru fiecare din cele dou% tensiuni care intervin n rela$ia
amplific%rii.
Fig. 3.47. Semicircuitul valabil pe
mod diferen#ial al AD din fig. 3.46,
dup$ aplicarea teoremei Miller.
96
Astfel expresia n complex a tensiunii de intrare U este:
U
r
j C
r r
j C
U
t
g
t
i
=
+
#
#
( )
(3.#50)
Tensiunea de ie'ire se determin% pe ochiul de ie'ire, unde s-a neglijat influen$a capacit%$ii
colector-baz%:
U g R U
o m C
= (3.#5#)
Dup% ce se nlocuie'te (3.#50) n (3.#5#) 'i se prelucreaz% rela$ia impedan$ei ( ) r
j C
t
#
, se
ob$ine:
A
g R r
r r
j C
r r
r r
dd
m C
g
t
g
g
=
+

+
+
#
#
(3.#52)
Dac% se fac nota$iile:
=
+
C
r r
r r
t
g
g
(3.#53a)
K
g R r
r r
m C
g
=
+
(3.#53b)
unde K este valoarea amplific%rii de la joas% frecven$% iar reprezint% constanta de timp a
circuitului, expresia amplific%rii se poate scrie sub forma:
A
K
j
dd
=
+ #
(3.#54)
Func$ia de transfer din rela$ia (3.#54) reprezint% o combina$ie ntre factorul independent de
frecven$% K 'i un factor liniar corespunz%tor unui pol simplu,
#
#+ j
.
Pentru a pune n eviden$% faptul c% func$ia de transfer a amplificatorului diferen$ial este
caracterizat% printr-un pol, rela$ia (3.#54) se poate rescrie astfel:
A
K
j
dd
p
=
+ #

(3.#55)
unde cu
p
s-a notat pulsa$ia corespunz%toare polului func$iei de transfer 'i reprezint% pulsa$ia la
care amplificarea scade cu 3dB fa$% de valoarea de la frecven$e joase:
=
+
=
+ +
+
+ +
3
#
2
2
#
#
dB
g
g t
x
G
x
G
m C
r r
r r C
r r
R
r r
R
C g R C
( )
( )
(3.#56)
Cu ct capacitatea C
t
devine mai mare cu att se mic'oreaz% 'i pulsa$ia (frecven$a) la -3dB a
amplificatorului (numit% 'i frecven$a de frngere a caracteristicii sau pe scurt frecven$a de
frngere). Valoarea aproximativ% a polului poate fi estimat% presupunnd c%
R
G
2
este mai mare
dect r
'i c% R
C
este mic. In aceste condi$ii din rela$ia (3.#56) se ob$ine:
=
3
# #
dB
m T
r C
g
C
(3.#57)
unde
T
reprezint% pulsa$ia (frecven$a) de t%iere a tranzistorului.
Trasarea caracteristicilor de frecven$% se face aplicnd o metod% aproximativ%,
diagramele care rezult% numindu-se caracteristici Bode (anexa 2). Metoda permite trasarea
97
rapid% a dependen$ei de frecven$% a modulului 'i a fazei 'i se bazeaz% pe folosirea func$iei
logaritmice, modulul 'i faza reprezentndu-se n func$ie de logaritmul frecven$ei.
Cele dou% caracteristici, de amplitudine 'i de faz%, se deseneaz% de obicei una sub alta 'i
au aspectul din fig.3.48.
Analiza de mai sus este valabil% 'i pentru etajul de amplificare cu un tranzistor n
conexiunea cu emitorul comun, de forma celui din fig.3.46,b.
Exemplul 3.##. S% se calculeze frecven$a la -3dB a unui etaj realizat cu un tranzistor n
conexiunea cu emitorul comun, folosind aproxima$ia Miller. Se dau: R
G
=#k, r
x
=200,
R
C
=5k, f
T
=400MHz (la I
C
=#mA), I
C
=#mA, =#00, C
=0,5pF.
Rezolvare: parametrii de semnal mic ai tranzistorului sunt:
g
I
U
mA
mV
m
C
T
= =
#
26
, r
g
k
m
= = 2 6 ,
T
T
f
ps = =
#
2
398
Pentru tranzistor este valabil% rela$ia:
C C g pF
m T
+ = = =
#
26
398 #5 3 , ,
de unde rezult%:
C pF
= #4 8 ,
Inlocuind valorile numerice n (3.#48) se ob$ine capacitatea Miller:
C C g R pF
M m C
= + = + =
( ) ( ) , , # #
5000
26
0 5 96 7
Aceast% valoare este mult mai mare dect C
'i ca urmare domin% r%spunsul n frecven$% al

amplificatorului. Inlocuind n (3.#56) se g%se'te valoarea frecven$ei de frngere a caracteristicii:
f MHz
dB
=
+ +
+

+
=
3
#2
#
2
#000 200 2600
#000 200 2600
#0
#4 8 96 7
# 74
( ) , ,
,
unde, spre deosebire de analiza etajului diferen$ial, s-a utilizat ntreaga valoarea R
G
(#000),
deoarece amplificatorul din problem% este realizat cu un singur tranzistor.
Amplificarea la joas% frecven$% se poate calcula din (3.#53b):
A g R
r
R r r
dd m C
G x
=
+ +
=
+ +
=
5000
26
2600
#000 200 2600
#3# 6 ,
Valoarea modulului amplific%rii, exprimat% n decibeli, este 20lgA
dd
=20lg(#3#,6)40dB.
In fig.3.49 se prezint% dependen$a amplific%rii n func$ie de frecven$%.
Fig. 3.48. Caracteristicile Bode ale
AD din fig. 3.46.
98
3.4.6.2 R%spunsul n frecven$% al amplific%rii de mod comun
Valoarea amplific%rii de mod comun influen$eaz% factorul de rejec$ie a modului comun,
parametru important al amplificatoarelor diferen$iale. Amplificarea de mod comun fiind invers
propor$ional% cu factorul de rejec$ie a modului comun, este important ca valoarea ei s% fie ct
mai mic%. Se va studia n continuare influen$a amplific%rii de mod comun n func$ie de frecven$%.
Fie R
E
'i C
E
rezisten$a, respectiv capacitatea de ie'ire echivalente ale sursei de curent
constant I
EE
din fig.3.46,a. Deoarece pe semicircuitul valabil pe mod comun impedan$ele comune
din emitoarele tranzistoarelor care alc%tuiesc amplificatorul se dubleaz%, R
E
'i C
E
conteaz% pe
schema echivalent% de semnal mic cu m%rimile 2R
E
'i C
E
/2 (fig.3.50).
Pentru calculul amplific%rii de mod comun se fac aproxima$iile:
R r
C C
E o
E CS
(3.#58)
unde r
o
este rezisten$a de ie'ire a tranzistorului din sursa de curent 'i poate fi, de exemplu, de
ordinul 5M iar C
CS
este capacitatea colector-substrat a aceluia'i tranzistor 'i este de
aproximativ 2pF. Cu aceste valori rezult% o frecven$% de frngere de aproximativ:
f
R C
kHz
E
E E
= =

#
2
#
2 5 #0 2 #0
#6
6 #2

(3.#59)
Pentru valori ale frecven$ei mai mici dect f
E
, impedan$a de emitor este dominat% de R
E
iar
pentru valori mai mari de frecven$%, de C
E
.
Deoarece frecven$a de frngere a caracteristicii de frecven$% a A
dd
este de ordinul MHz,
varia$ia impedan$ei din emitor se va manifesta naintea restului circuitului. In consecin$%
r%spunsul n frecven$% se va determina presupunnd c% dependen$a de frecven$% este dat% numai
de impedan$a din emitor 'i c% singura capacitate semnificativ% este C
E
.
Impedan$a din emitor fiind mare se poate scrie:
Fig. 3.49. Caracteristica de amplitudine
a amplificatorului din exemplul 3.&&.
a) b)
Fig. 3.50. Analiza comport$rii pe mod comun a circuitului din fig. 3.46. (a) Circuitul echivalent
pe mod comun. (b) Semicircuitul echivalent de semnal mic.
99
A
R
Z
cc
C
E
= (3.#60)
unde impedan$a din emitor, Z
E
, se determin% astfel:
Z R
j
C
R
j C R
E E
E
E
E E
= =
+
2
#
2
2
#

(3.#6#)
Inlocuind (3.#6#) n (3.#60) rezult% dependen$a dintre amplificarea de mod comun 'i frecven$%:
A
R
R
j C R
cc
C
E
E E
= +
2
# ( ) (3.#62)
Rela$ia (3.#62) pune n eviden$% existen$a unui zero care face ca pentru pulsa$ii mai mari dect
z
E E
R C
=
#
amplificarea de mod comun s% creasc% cu +20dB/dec.
Situa$ia aceasta constituie un dezavantaj, deoarece este de dorit ca amplificarea de mod
comun s% fie ct mai mic% posibil. Cre'terea lui A
cc
nu continu% la nesfr'it, deoarece n cele din
urm% devin importante 'i alte capacit%$i ale amplificatorului diferen$ial analizat. Ca urmare la
frecven$e nalte A
cc
va ncepe s% scad% (fig.3.5#,a).
3.4.6.3 R%spunsul n frecven$% al rejec$iei modului comun
Prin defini$ie factorul de rejec$ie a modului comun reprezint% raportul dintre amplificarea
de mod diferen$ial 'i cea de mod comun:
CMRR
A
A
dd
cc
= (3.#63)
Fig. 3.51. R$spunsul n frecven#$ al
AD din fig. 3.46.
(a) R$spunsul n frecven#$ al
amplific$rii de mod comun.
(b) ) R$spunsul n frecven#$ al
amplific$rii de mod diferen#ial
(c) ) R$spunsul n frecven#$ al
rejec#iei modului comun.
#00
Pe fig.3.5# s-au desenat varia$iile n func$ie de frecven$% ale modulului amplific%rii de
mod comun (fig.3.5#,a) 'i de mod diferen$ial (fig.3.5#,b) precum 'i ale modulului factorului de
rejec$ie a modului comun (fig.3.5#,c).
Dup% ce se nlocuie'te expresia lui
cc
A n rela$ia rejec$iei modului comun (3.#63), se
observ% c% zeroul amplific%rii de mod comun devine pol pentru rejec$ia modului comun.
Din analiza caracteristicii de frecven$% a rejec$iei modului comun rezult% o concluzie
foarte important%: capacitatea amplificatoarelor diferen$iale de a rejecta semnalele de mod
comun scade pe m%sur% ce frecven$a semnalului prelucrat cre&te.
#0#
3.5 ETAJE DE DEPLASARE A NIVELULUI DE CURENT
CONTINUU
Etajele care alc%tuiesc circuitele integrate analogice fiind cuplate ntre ele n c.c., trebuie
s% se asigure prin proiectare compatibilitatea nivelului de c.c. de la ie'irea unui etaj cu cel de la
intrarea n etajul urm%tor.
Intr-un etaj de amplificare, realizat cu tranzistor npn n conexiunea cu emitor comun,
nivelul tensiunii de c.c de la ie'ire (colector) este ntotdeauna mai mare dect cel de la intrare
(baz%). Rezult% c% n cazul unei cascade de astfel de etaje, nivelul de c.c. de la ie'ire cre'te repede
spre nivelul sursei pozitive de alimentare, +E
C
, limitndu-se astfel amplitudinea 'i liniaritatea
tensiunii amplificate (fig.3.52).
Compatibilitatea nivelelor de curent continuu se realizeaz% cu ajutorul unor etaje de
deplasare a nivelului de c.c. introduse ntre etajele de amplificare.
Etajele de deplasare au rolul s% reduc% nivelul de c.c. cu minimum de atenuare a
semnalului de c.a. Totodat% aceste etaje servesc la adaptarea impedan$elor ntre etajele de
amplificare, deci li se impun rezisten$e de intrare ct mai mari 'i rezisten$e de ie'ire ct mai mici.
3.5.# Etaje de deplasare a nvelului de curent continuu realizate cu diode
Un mod simplu de a reduce nivelul de c.c. se poate realiza prin conectarea ntre etajele de
amplificare fie a mai multor diode legate n serie, fie a unei diode Zener. Tensiunea de
deplasare reprezint% diferen$a dintre nivelul de c.c. de la intrarea etajului de deplasare 'i cel de la
ie'irea acestuia. In cazul etajului de deplasare realizat cu diod% Zener, tensiunea de deplasare are
o valoare rigid%. Dac% etajul de deplasare este realizat cu diode, tensiunea de deplasare poate fi
mai flexibil% deoarece se poate conecta un num%r reglabil de jonc$iuni n serie.
3.5.#.# Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diode
conectate n serie
Prin conectarea n serie a n diode se poate ob$ine un etaj de deplasare a nivelului de c.c.
de forma celui din fig.3.53,a, unde R reprezint% rezisten$a de intrare a etajului care urmeaz% dup%
circuitul de deplasare.
Fig. 3.52. Ilustrarea modului de limitare a
semnalului de la ie%irea unei cascade de
tranzistoare, aflate n conexiunea emitor
comun.
a) b)
Fig. 3.53. Etaj de deplasare a nivelului de c.c. realizat cu n diode conectate n serie.
(a) Schema de principiu. (b) Capacitatea colector-substrat a tranzistorului conectat ca diod$.
#02
In curent continuu, ntre tensiunea de ie'ire 'i cea de intare se poate scrie rela$ia:
U U n U
BE 2 #
= (3.#64)
unde cu U
BE
s-a notat c%derea de tensiune pe o diod% (jonc$iunea baz%-emitor a unui tranzistor).
In regim variabil, dac% se noteaz% cu r
D
rezisten$a dinamic% a unei diode, ntre tensiunea
de ie'ire 'i cea de intrare se poate stabili rela$ia:
u
R
R nr
u u
D
2 # #
=
+
(3.#65)
dac% se presupune c% rezisten$a de intrare a etajului de amplificare urm%tor este mult mai mare
dect suma celor n rezisten$e dinamice ale diodelor conectate n serie.
Circuitul este u'or de realizat dar prezint% unele dezavantaje, cum ar fi:
circuitul nu este economic pentru valori mari ale tensiunii de deplasare deoarece ar trebui
conectate n serie prea multe diode;
deplasarea nivelului de c.c. se face cu un num%r ntreg de tensiuni U
BE
'i nu cu orice valoare
se dore'te;
comportarea n frecven$% este nesatisf%c%toare din cauza capacit%$ilor colector-substrat ale
tranzistoarelor conectate ca diode (fig.3.53,b).
3.5.#.2 Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diod% Zener
O alt% metod% principial% de deplasare a nivelului de curent continuu const% n utilizarea
unei diode Zener, dup% cum se arat% n fig.3.54. Ca diod% Zener se folose'te n mod normal
jonc$iunea baz%-emitor a unui tranzistor polarizat% invers, ceea ce asigur% o c%dere de tensiune de
aproximativ 6...7V. Multiplii ai acestei tensiuni se pot ob$ine prin conectarea n cascad% a mai
multor diode Zener.
Se pot stabili urm%toarele rela$ii:
- n curent continuu:
U U U
z 2 #
= (3.#66)
- n curent alternativ (regim dinamic):
u
R
R r
u u
z
2 # #
=
+
(3.#67)
deoarece rezisten$a dinamic% r
z
a diodei Zener este foarte mic%.
Comparativ cu circuitul anterior, cel din fig.3.54 este mai economic pentru tensiuni mari
de deplasare, are rezisten$% de ie'ire mic% 'i o comportare n frecven$% mai bun% (l%rgime de
band% mai mare). Fiind ns% mai inflexibil% n raport cu sursa de alimentare 'i avnd zgomot
mare, aceast% metod% se folose'te la circuite care lucreaz% n comuta$ie, cum sunt, de exemplu,
comparatoarele.
3.5.2 Etaje de deplasare a nivelului de curent continuu realizate cu tranzistoare
In cazul etajelor de deplasare a nivelului de curent continuu realizate cu tranzistoare se
poate folosi, ca tensiune de deplasare, oricare dintre tensiunile ntre bornele tranzistorului.
Deoarece tensiunea baz%-emitor (U
BE
) are valoarea cea mai mic% dintre cele trei tensiuni ntre
bornele tranzistorului, atunci cnd U
BE
se utilizeaz% ca tensiune de deplasare, n serie cu ea mai
trebuie s% existe 'i o alt% c%dere de tensiune, cum ar fi, de exemplu, cea de pe o rezisten$% sau de
pe o diod% Zener.
Fig. 3.54. Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu,
realizat cu diod$ Zener.
#03
3.5.2.# Etaj de deplasare a nivelului de c.c. realizat cu diod% multiplicat%
Acest circuit, reprezentat n fig.3.55,a, folose'te ca tensiune de deplasare tensiunea
colector-emitor a unui tranzistor. Tensiunea de deplasare se poate exprima n func$ie de tensiunea
baz%-emitor 'i este de un num%r de ori mai mare dect o c%dere de tensiune pe o diod%. Din acest
motiv circuitul se mai nume'te 'i diod% multiplicat%.
Dac% se presupune c% rezistoarele divizorului au astfel de valori nct curentul de baz% se
poate neglija n raport cu cel al divizorului, n c.c. se pot scrie rela$iile:
U U U
CE 2 #
= (3.#68)
dar prin neglijarea curentului de baz%, curentul prin divizor este:
I
U
R
U
R R
BE CE
= =
+
2 # 2
(3.#69)
de unde se poate deduce rela$ia pentru tensiunea de deplasare, U
CE
:
U U
R
R
n U
CE BE BE
= + = ( ) #
#
2
(3.#70)
Circuitul prezint% avantajul c% factorul n poate fi reglat la orice valoare, att ntreag% ct 'i
frac$ionar%, din divizorul R
#
/R
2
.
In regim variabil, circuitul echivalent de semnal mic fiind prezentat n fig.3.55,b, cu
varianta simplificat% pentru calcul din fig.3.55,c, rezult%:
u
R
R R
u
o
2 #
=
+
(3.#7#)
unde cu R
o
s-a notat rezisten$a dinamic% serie introdus% de dioda multiplicat%.
Calculul rezisten$ei dinamice R
o
conduce la rela$ia:
R
g
R
R
R R r
o
m
= + =
#
#
#
2
(
'
), '
(3.#72)
Curentul de baz% se poate neglija n condi$iile n care curentul prin divizorul R
#
, R
2
este mult mai
mare dect curentul de baz%, ceea ce presupune ca R
#
'i R
2
s% aib% valori mici. Datorit% acestui
fapt are loc inegalitatea R
2
<r
'i atunci RR
2
iar R
o
se scrie:
R
g
R
R
nr
o
m
D
= + =
#
#
#
2
( ) (3.#73)
In rela$ia (3.#73) s-au f%cut nota$iile r
D
=#/g
m
'i n=(#+R
#
/R
2
).
In aceste condi$ii expresia tensiunii de ie'ire va fi:
u
R
R nr
u u
D
2 # 2
=
+
(3.#74)
dac% rezisten$a de intrare a etajului care urmeaz% este foarte mare.
a) b) c)
Fig. 3.55. Etaj de deplasare a nivelului de c.c., realizat cu diod$ multiplicat$.
(a) Schema de principiu. (b) Circuitul echivalent de semnal mic. (c) Circuitul de calcul.
#04
3.5.2.2 Etaje de deplasare a nivelului de c.c. realizate cu repetor pe emitor
Pentru ca etajul de deplasare s% realizeze 'i o bun% adaptare de impedan$%, se cere ca
rezisten$a sa de intrare s% fie mare iar cea de ie'ire de valore mic%. Circuitul care poate ndeplini
aceste deziderate este repetorul pe emitor. In fig.3.56 se prezint% trei variante ale etajului de
deplasare a nivelului de curent continuu, realizat cu repetor pe emitor:
repetor pe emitor 'i divizor rezistiv (fig.3.56,a);
repetor pe emitor cu diod% Zener n loc de rezistorul R
#
din divizor (fig.3.56,b);
repetor pe emitor cu surs% de curent constant n loc de rezistorul R
2
din divizor (fig.3.56,c).
Pentru circuitul din fig.3.56,a, n c.c. se pot scrie rela$iile:
U
R R
R R R
U U
L
L
BE 2
2
# 2
#
=
+
( ) (3.#75a)
sau
U
R
R R
U U
BE 2
2
# 2
#
=
+
( ) (3.#75b)
dac% R
L
>>R
2
.
In curent alternativ, pentru aceea'i condi$ie R
L
>>R
2
, rezult%:
u
R
R R
u
2
2
# 2
#
+
(3.#76)
Rezisten$ele de intrare, R
i
'i de ie'ire, R
o
, au expresiile:
R r R R
i
= + + +
( )( ) #
# 2
(3.#77)
R R R
r
o
= +
+
2 #
#
( )
(3.#78)
Compensarea termic% 'i mic'orarea impedan$ei de ie'ire se ob$in nlocuind rezistorul R
#
cu o
diod% Zener, a'a cum se prezint% n fig.3.56,b. In c.c. tensiunea de ie'ire are expresia:
U U U U
BE z 2 #
= (3.#79)
tensiunea de deplasare fiind:
U U U U
BE z # 2
= + (3.#80)
Tensiunea de ie'ire este insensibil% la varia$iile temperaturii deoarece U
BE
'i U
z
au coeficien$ii de
temperatur% egali n modul dar de semne contrare.
In regim dinamic, notnd rezisten$a dinamic% a diodei Zener cu r
z
'i $innd seama de
faptul c% rezisten$ele dinamice ale jonc$iunii baz%-emitor 'i ale diodei Zener sunt foarte mici,
rezult% c% tensiunea de ie'ire este aproximativ egal% cu cea de intrare (atenuarea este neglijabil%)
u u
2 #
(3.#8#)
iar rezisten$ele de intrare, R
i
'i de ie'ire, R
o
, au expresiile:
a) b) c)
Fig. 3.56. Etaje de deplasare a nivelului de c.c., realizate cu repetor pe emitor.
(a) Schema cu rezistoare. (b) Schema cu diod$ Zener. (c) Schema cu surs$ de curent.
#05
R r r R r R
i z
= + + + + +

( )( ) ( ) # #
2 2
(3.#82)
R R
r
o

+
2
#
( )
(3.#83)
Inlocuind rezisten$a R
2
a repetorului pe emitor din fig.3.56,a cu o surs% de curent constant, se
ob$ine o alt% variant% a etajului de deplasare a nivelului de c.c., prezentat% n fig.3.56,c
Acest circuit are avantajul unei rezisten$e de intrare de valoare foarte mare 'i nu
atenueaz% semnalul alternativ de intrare. Pentru exemplificare, s% presupunem c% se folose'te ca
surs% de curent o oglind% cu dou% tranzistoare, a'a cum se arat% n fig.3.57. Dac% se presupune c%
efectul de oglindire se realizeaz% f%r% eroare, atunci se pot scrie, n c.c., rela$iile:
I
E U
R
C BE
=

(3.#84)
rezultnd pentru tensiunea de ie'ire expresia:
U U U R I U E
R
R
U
R
R
BE C BE 2 # # #
# #
# = = + ( ) (3.#85)
Rela$ia (3.#85) arat% c% tensiunea furnizat% la ie'irea acestui circuit urm%re'te varia$iile tensiunii
de intrare, U
#
'i nu depinde de valoarea absolut% a rezisten$elor din circuit ci de raportul R
#
/R,
care este supus unor varia$ii mult mai restrnse, n timpul procesului tehnologic de fabrica$ie
deoarece toleran$ele de mperechere sunt totdeauna mai mici dect cele absolute.
In regim dinamic circuitul este caracterizat prin:
- rezisten$a de intrare
R
i
(3.#86)
- rezisten$a de ie'ire
R R
r
R
o
= +
+

# #
#
(3.#87)
- tensiunea de ie'ire
u u
2 #
(3.#88)
3.5.2.3 Etaj de deplasare a nivelului de c.c. care utilizeaz% un tranzistor pnp
In fig.3.58 se prezint% un circuit de deplasare a nivelului de curent continuu care
utilizeaz% n acest scop tensiunea baz%-colector a unui tranzistor pnp.
Montajul este alc%tuit din dou% amplificatoare parafaz% (T
#
, T
2
'i T
4
, T
5
). Deplasarea
nivelului de c.c. se realizeaz% cu ajutorul tensiunii baz%-colector a tranzistorului pnp T
3
.
Fig. 3.57. Etaj de deplasare a nivelului de c.c., realizat
cu repetor pe emitor %i surs$ de curent de tipul oglind$
de curent cu dou$ tranzistoare.
Fig. 3.58. Etaj de deplasare a nivelului de
c.c., realizat cu tranzistor pnp.
#06
3.6 ETAJE DE IE'IRE
Etajele de ie'ire se mai numesc 'i finale deoarece sunt ultimele etaje, nainte de rezisten$a
de sarcin%, care prelucreaz% un semnal. Etajele de ie'ire ale circuitelor integrate analogice difer%
relativ pu$in de etajele finale realizate cu componente discrete, prin restric$iile generale impuse
de tehnologia monolitic%. Aceste etaje trebuie s% satisfac% urm%toarele cerin$e:
s% transfere sarcinii valoarea specificat% a puterii de semnal, n condi$iile unui factor de
distorsiuni ct mai redus;
s% aib% o valoare ct mai redus% a impedan$ei de ie'ire astfel nct valoarea c'tigului n
tensiune s% fie relativ neafectat% de valoarea impedan$ei de sarcin%;
s% realizeze un consum mic de putere n absen$a semnalului adic% s% aib% un randament ct
mai ridicat;
puterea disipat% de tranzistoarele finale s% fie ct mai mic%;
s% asigure o astfel de l%rgime proprie de band% nct s% nu limiteze r%spunsul n frecven$% al
ntregului circuit analogic.
Cele mai reprezentative etaje de ie'ire ale circuitelor integrate analogice sunt realizate cu
tranzistoare care lucreaz% ntr-una din urm%toarele clase de polarizare: A, B sau AB.
3.6.# Etaje de ie&ire clas% A
In proiectarea de circuite integrate, etajele de ie'ire clas% A utilizate, pot fi cu tranzistorul
amplificator n conexiune emitor comun, baz% comun% sau colector comun. Cel mai des utilizate
sunt etajele de ie'ire de tipul repetor pe emitor (tranzistorul amplificator n conexiunea colector
comun), deoarece acestea ofer% n general caracteristici superioare din punct de vedere a
rezisten$ei de ie'ire 'i a distorsiunilor (ace'ti parametri sunt mici).
Func$ionarea etajelor cu emitorul comun este totu'i de interes deoarece aceste etaje sunt
utilizate de multe ori - ca urmare a c'tigului lor mare - ca etaje de comand% pentru alte tipuri de
etaje de ie'ire.
Configura$ia cu baza comun% este utilizat% ca etaj de ie'ire numai n unele situa$ii
speciale. Dezavantajul s%u este dat de valoarea apropiat% de unitate a c'tigului n curent. Ca
urmare curentul furnizat de etajul de comand% trebuie s% fie egal cu cel al etajului de ie'ire.
Etajul cu baza comun% ofer% totu'i un c'tig n tensiune (deci 'i un c'tig n putere) 'i ca urmare
excursia de tensiune a etajului de comand% este mai mic% dect a etajului de ie'ire. Avantajul
principal al etajului cu baza comun% este dat de faptul c% n aceast% configura$ie tensiunea de
str%pungere a tranzistorului amplificator este cea a jonc$iunii colector-baz%, fiind mai mare dect
tensiunea de str%pungere a altor configura$ii (n mod tipic cu un factor de 2).
Indiferent de tipul de conexiune a tranzistorului amplificator, randamentul maxim
teoretic al etajelor de ie&ire clas% A este egal cu 25%. Etajele de ie'ire cu baza comun% 'i cu
emitorul comun prezint% o impedan$% de ie'ire mare, cu excep$ia cazului n care valoare acesteia
este modificat% prin utilizarea reac$iei negative.
3.6.#.# Etaje de ie&ire clas% A de tipul repetor pe emitor
Etajele de ie'ire clas% A de tipul repetor pe emitor se utilizeaz% atunci cnd puterea
necesar% n sarcin% este mic%. In fig.3.59 se prezint% dou% scheme de principiu ale etajelor de
ie'ire realizate cu repetor pe emitor. Pentru simplificarea analizei se va presupune c% sursele de
alimentare au valori egale n modul, cu toate c% n practic% valorile lor pot fi 'i diferite.
In circuitul din fig.3.59,a, tranzistorul amplificator este polarizat cu ajutorul unei
rezisten$e. De obicei, aceast% rezisten$% se nlocuie'te cu o surs% de curent, dup% cum se arat% n
fig.3.59, b.
#07
In circuitul din fig.3.59,b, T
#
este tranzistorul amplificator. El este polarizat n punctul
static de func$ionare cu un curent I, generat de sursa de curent T
2
, T
3
. Elementele de polarizare
R
#
, R
3
'i T
3
pot fi utilizate 'i pentru polarizarea altor etaje ale circuitului. Amplificatorului i se
aplic% la intrare o tensiune u
I
, care con$ine componenta continu%, U
I
'i componenta variabil% cu
valoarea instantanee u
i
. Deci u
I
are expresia:
u U u
I I i
= + (3.#89)
Rela$ii asem%n%toare se pot scrie 'i pentru celelalte m%rimi care intervin n montaj. Aplicnd
teorema a II-a lui Kirchhoff se poate deduce urm%toarea rela$ie ntre tensiunea de intrare 'i cea de
ie'ire:
u u u
I BE O
= + (3.#90a)
sau nlocuind fiecare tensiune cu suma dintre componenta sa continu% 'i cea variabil%, rezult%:
U u U u U u
I i BE be O o
+ = + + + (3.#90b)
Se impune ca atunci cnd nu se aplic% semnal variabil la intrarea amplificatorului (adic% u
i
=0),
valoarea de c.c. a tensiunii de ie'ire s% fie nul% (U
O
=0). Dar dac% nu se aplic% semnal la intrare
atunci nu va exista nici semnal amplificat (deci 'i u
o
=0) 'i nici semnal variabil pe jonctiunea
baz%-emitor a tranzistorului T
#
(adic% 'i u
be
=0). Cu aceste observa$ii rela$ia (3.#90b) devine:
U U
I BE
= (3.#9#)
Deci componenta de curent continuu a tensiunii de intrare trebuie s% fie egal% cu tensiunea de
polarizare a jonc$iunii baz%-emitor a tranzistorului amplificator. Trebuie observat c% pe fig.3.59
nu s-a desenat circuitul de polarizare a tranzistorului T
#
, de aceea circuitul este util doar pentru
analiz%.
Pentru curentul de colector al tranzistorului T
#
este valabil% rela$ia:
i I i
C O
= + (3.#92a)
sau considernd 'i componenta continu% 'i cea variabil% a curentului de colector 'i a celui de
ie'ire, rela$ia (3.#92a) se poate scrie sub forma:
I i I I i
C c O o
+ = + + (3.#92b)
Dar componenta de curent continuu a curentului de ie'ire este zero (I
O
=U
O
/R
L
=0) deoarece s-a
impus ca valoarea de c.c. a tensiunii de ie'ire s% fie nul% (U
O
=0), astfel c% valoarea de c.c. a
curentului de colector a tranzistorului T
#
este identic% cu valoarea curentului dat de sursa T
2
, T
3
'i reprezint% valoarea curentului din punctul static de func$ionare a lui T
#
, adic%:
I I
C
= (3.#93)
Func$ionarea amplificatorului este urm%toarea:
pentru alternan$a pozitiv% a tensiunii de intrare (u
i
>0), att timp ct T
#
'i T
2
lucreaz% n
regiunea activ% normal%, prin tranzistorul T
#
curge un curent format din componenta constant%
I 'i componenta variabil% a curentului prin sarcin% (i
o
). Prin T
2
curge curentul constant I.
a) b)
Fig. 3.59. Etaje de ie%ire clas$ A, realizate cu repetor pe emitor.
(a) Etaj polarizat cu rezisten#$. (b) Etaj polarizat cu surs$ de curent.
#08
Pentru valori pozitive mari ale tensiunii de intrare, tranzistorul T
#
se poate satura. In aceste
condi$ii valoarea maxim% pozitiv% a tensiunii de ie'ire va fi:
U E U
o C CE sat ,max ,
+
=
#
(3.#94)
Tranzistorul T2 lucreaz% tot n regiunea activ% normal% ca 'i nainte de saturarea lui T
#
.
pentru alternan$a negativ% a tensiunii de intrare (u
i
<0), att timp ct T
#
'i T
2
lucreaz% n
regiunea activ% normal%, o parte a curentului constant I curge prin rezisten$a de sarcin% R
L
cu
sensul de la mas% spre T
2
iar tranzistorul T
#
completeaz% restul de curent pn% la valoarea I.
Curentul prin R
L
fiind variabil rezult% c% 'i cel prin T
#
este tot variabil. Prin tranzistorul T
2
curge 'i n acest caz acela'i curent constant I.
Pentru valori negative mari ale tensiunii de intrare, T
#
se poate bloca astfel c% ntreg curentul
constant I va curege prin R
L
, cu sensul de la mas% spre T
2
. Dac% tranzistorul T
2
se satureaz%,
atunci valoarea maxim% negativ% a tensiunii de ie'ire va avea expresia:
U R I E U R I
o L C CE sat ,max ,
= = + +
2 2
(3.#95)
Acestei func$ion%ri i corespunde caracteristica de transfer din fig.3.60.
Pentru a determina aceast% caracteristic% se porne'te de la urm%toarea rela$ie, scris%
pentru valorile efective ale m%rimilor electrice care intervin:
U U U
i be o
= +
#
(3.#96)
Tensiunea baz%-emitor a tranzistorului T
#
, U
be#
, se poate exprima n func$ie de curentul de
colector al lui T
#
, I
c#
'i de curentul s%u de satura$ie I
S
'i este:
U
kT
q
I
I
be
c
S
#
#
= ln (3.#97)
dac% T
#
lucreaz% n regiunea activ% normal%.
Dar I
c#
se poate scrie:
I I
U
R
c
o
L
#
= + (3.#98)
dac% T
2
lucreaz% 'i el n regiunea activ% normal% 'i factorul de amplificare n curent se
presupune mare. Inlocuind rela$iile (3.#98) 'i (3.#97) n (3.#96) se ob$ine:
U
kT
q
I
U
R
I
U
i
o
L
S
o
=
+
+ ln (3.#99)
Ecua$ia (3.#99) este neliniar% 'i stabile'te o leg%tur% ntre tensiunile U
i
'i U
o
numai dac% ambele
tranzistoare T
#
'i T
2
sunt n regiunea activ% normal%. Rezisten$a de sarcin% R
L
se presupune mic%
n compara$ie cu rezisten$a de ie'ire a tranzistoarelor.
Fig. 3.60. Caracteristica de transfer a etajului de ie%ire din fig. 3.59, b, trasat$ pentru rezisten#$
de sarcin$ de valoare mic$ (R
L3
) %i mare (R
L&
).
#09
Rela$ia (3.#95) pune n eviden$% faptul c% amplitudinea negativ% a semnalului de ie'ire
depinde de m%rimea rezisten$ei de sarcin%. Deoarece un semnal sinusoidal se caracterizeaz% prin
valori egale ale celor dou% amplitudini, pozitiv% 'i negativ%, n acord cu rela$ia (3.#95), analiza
etajului de ie'ire de tipul repetor pe emitor trebuie s% se fac% n func$ie de m%rimea rezisten$ei de
sarcin%. Dup% cum se ilustreaz% 'i pe caracteristica de ie'ire a tranzistorului T
#
din fig.3.6#, pot
apare urm%toarele situa$ii:
R
L
=R
L#
de valoare mare, astfel nct:
U E U R I R I
o C CE sat L ,max ,
=
2 2 #
(3.200)
R
L
=R
L2
tot de valoare mare ( R R
L L 2 #
), astfel nct:
U E U R I R I
o C CE sat L ,max ,
= =
2 2 2
(3.20#)
R
L
=R
L3
de valoare mic% ( R R
L L 3 2
), astfel nct:
U R I E U R I
o L C CE sat ,max ,
( )
=
3 2 2
(3.202)
In primele dou% cazuri excursia maxim% a tensiunii de ie'ire este U
o,max
=E
C
-U
CE,sat
, dac% se
consider% c% tensiunile colector-emitor de satura$ie ale lui T
#
'i T
2
sunt egale 'i se neglijeaz%
c%derea de tensiune pe rezistorul R
2
.
In cazul celei de a treia rezisten$e de sarcin%, amplitudinea maxim% a tensiunii de ie'ire se
limiteaz% la valoarea R
L3
I, chiar dac% excursia maxim% pozitiv% a tensiunii pe sarcin% este egal%
cu E
C
-U
CE,sat
.
3.6.#.2 Puterea de ie&ire &i randamentul amplificatorului n clas% A
Atunci cnd la intrarea amplificatorului se aplic% un semnal sinusoidal, puterea disipat%
de diversele elemnte va varia n func$ie de timp. Prezint% interes att puterea disipat% instantanee
ct 'i puterea disipat% medie.
Puterea instantanee este important% atunci cnd se consider% puterea disipat% de tranzistor
pentru cazul semnalelor de joas% frecven$% sau de curent continuu. Temperatura jonc$iunilor
tranzistorului tinde s% creasc% sau s% scad% urm%rind puterea instantanee disipat% de dispozitiv; ca
urmare va exista o putere disipat% maxim% disponibil% care asigur% func$ionarea sigur% a oric%rui
dispozitiv.
Fig. 3.61. Dreptele de sarcin$ din planul i
C&
u
CE&
pentru
repetorul pe emitor din fig. 3.59, b.
##0
Nivelele de putere medie sunt importante deoarece, n mod uzual, puterea transmis% unei
sarcini este specificat% ca valoare medie. De asemenea trebuie observat c% n cazul n care etajul
de ie'ire prelucreaz% numai semnale de frecven$% nalt%, temperatura jonc$iunilor tranzistorului
nu va avea o varia$ie apreciabil% n timpul unei perioade a semnalului; rezult% c% n acest caz
factorul limitativ va fi puterea medie disipat% de dispozitiv.
Puterea medie transmis% sarcinii R
L
, atunci cnd la intrare se aplic% un semnal sinusoidal
'i se presupune c% 'i semnalul de ie'ire este sinusoidal, va fi:
P
U I
U I
u
o
v
o
v
o
v
o
v
= =
2 2
#
2
(3.203)
unde U
o
v
'i I
o
v
reprezit% amplitudinile sau valorile de vrf ale tensiunii sinusoidale de la ie'ire,
respectiv, curentului sinusoidal de la ie'ire. Dup% cum s-a ar%tat mai nainte amplitudinea
maxim% a semnalului la ie'ire care poate fi atins% nainte de a intra n limit%ri depinde de
valoarea rezisten$ei R
L
. Astfel valoarea maxim% a puterii P
u
care poate fi atins% nainte de a
ap%rea limitarea este:
P U I
u o
v
o
v
,max ,max ,max
=
#
2
(3.204)
unde U
o
v
,max
'i I
o
v
,max
sunt valorile maxime ale amplitudinilor tensiunii, respectiv, curentului care
se pot atinge nainte de a ap%rea limitarea.
S% consider%m cazul n care rezisten$a de sarcin% este R
L#
. Caracteristicile din figurile
3.60 'i 3.6# eviden$iaz% faptul c% limitarea apare n acest caz simetric, astfel c%:
U E U
o
v
C CE sat ,max ,
= (3.205)
dac% se presupune c% tranzistoarele T
#
'i T
2
au tensiunile de satura$ie egale.
Valoarea corespunz%toare a amplitudinii curentului sinusoidal de ie'ire este:
I
U
R
o
v o
v
L
,max
,max
=
#
(3.206)
Puterea medie maxim% care se poate transmite sarcinii R
L#
se calculeaz% prin nlocuirea n
(3.204) a rela$iilor (3.205) 'i (3.206).
Din punct de vedere geometric, valoarea acestei puteri reprezint% aria triunghiului notat
cu # n fig.3.6#. Pe m%sur% ce se m%re'te valoarea rezisten$ei de sarcin% puterea medie maxim%
de ie'ire care poate fi transmis% sarcinii devine din ce n ce mai mic% deoarece aria triunghiului
se mic'oreaz%. Valoarea maxim% a amplitudinii tensiunii de la ie'ire r%mne practic aceea'i, dar
valoarea amplitudinii curentului scade odat% cu cre'terea sarcinii R
L#
.
Dac% R
L
=R
L3
, excursia maxim% de tensiune la ie'ire, nainte de a ap%rea limitarea, este:
U IR
o
v
L ,max
=
3
(3.207)
Corespunz%tor amplitudinea curentului este I I
o
v
,max
= 'i folosind rela$ia (3.204) rezult% c% puterea
medie maxim% care poate fi transmis% sarcinii este dat% de aria notat% cu 3 pe fig.3.6#. Este clar
c% pe m%sur% ce se mic'oreat% valoarea rezisten$ei de sarcin% se mic'oreaz% 'i puterea medie
maxim% care poate fi transmis% sarcinii.
In urma examin%rii fig.3.6# rezult% c% puterea de ie'ire a etajului atinge un maxim pentru
R
L
=R
L2
, expresia sarcinii fiind:
R
E U
I
L
C CE sat
2
=

,
(3.208)
Aceast% dreapt% de sarcin% duce la triunghiul cu aria cea mai mare (notat% cu 2 pe fig.3.6#).
Deoarece n acest caz U E U
o
v
C CE sat ,max ,
= 'i I I
o
v
,max
= , din (3.204) se ob$ine:
P U I E U I
u o
v
o
v
C CE sat ,max ,max ,max ,
( ) = =
#
2
#
2
(3.209)
Pentru a calcula randamentul (eficien$a) circuitului, trebuie s% determin%m 'i puterea consumat%
de la sursele de alimentare. Curentul extras de la sursa pozitiv% este egal cu curentul de colector
###
al tranzistorului T
#
, curent presupus sinusoidal 'i cu valoarea medie I. Curentul care este absorbit
de sursa negativ% este constant 'i egal cu I (se neglijeaz% curentul de referin$% al sursei de curent
T
2
, T
3
). Deoarece tensiunile de alimentare sunt constante, puterea medie consumat% de la sursele
de alimentare este constant% 'i independent% de prezen$a n circuit a semnalului sinusoidal.
Puterea total% consumat% de la cele dou% surse de alimentare este:
P E I
a C
= 2 (3.2#0)
Randamentul cu care acest circuit realizeaz% conversia puterii consumate n putere util%
se define'te ca raportul dintre puterea medie transmis% sarcinii (puterea util%) 'i puterea
consumat% de la sursele de alimentare. In mod evident, pentru acest circuit randamentul cre'te
odat% cu cre'terea puterii de ie'ire deoarece puterea consumat% de la sursele de alimentare este
constant%. De asemenea, deoarece nivelul puterii de ie'ire a circuitului depinde de valoarea
sarcinii R
L
'i randamentul va depinde de R
L
. Valoarea optim% a randamentului se ob$ine pentru
R
L
=R
L2
deoarece aceast% sarcin% asigur% puterea de ie'ire maxim%. Deci n general:
=
P
P
u
a
(3.2##)
iar dac% R
L
=R
L2
se ob$ine randamentul maxim:
max
,
( ) =
#
4
#
U
E
CE sat
C
(3.2#2)
Dac% se ndepline'te condi$ia U E
CE sat C ,
, valoarea maxim% a randamentului acestui etaj este de
25%.
Alt aspect important al func$ion%rii circuitului l constituie valoarea puterii disipate de
tranzistoare. Formele de und% ale curentului 'i tensiunii tranzistorului T
#
pentru excursia maxim%
n cazul R
L
=R
L2
sunt prezentate n fig.3.62. S-a presupus c% U
CE sat ,
0. Tot n fig.3.62 s-a
reprezentat 'i produsul dintre tensiunea colector-emitor 'i curentul de colector care constituie
puterea instantanee disipat% de T
#
(p
d#
):
p u i
d CE C # # #
= (3.2#3)
Fig. 3.62. Formele de und$ pentru tranzistorul T din fig. 3.59, b, n cazul excursiei maxime la
ie%ire, R
L
=R
L2
. (a) Forma de und$ a tensiunii colector+emitor. (b) Forma de und$ a curentului
de colector. (c) Forma de und$ a puterii disipate n colector.
##2
Pentru excursia maxim% a semnalului de ie'ire sinusoidal, p
d#
se poate exprima astfel:
p E t I t
E I
t
d C
C
#
# #
2
# 2 = + = + ( sin ) ( sin ) ( cos ) (3.2#4)
Puterea instantanee disipat% de T
#
variaz% cu o frecven$% egal% cu dublul frecven$ei semnalului
avnd valoarea medie egal% cu jum%tate din puterea disipat% n absen$a semnalului, adic% E
C
I/2.
Rezult% c% n condi$ii de putere maxim% la ie'ire, temperatura medie a tranzistorului, atunci cnd
se transmite putere sarcinii R
L
=R
L2
este mai mic% dect temperatura n absen$a semnalului.
Hiperbolele de putere disipat%, instantanee, constant%, de c%tre T
#
se prezint% n fig.3.63.
In figur% s-au trasat trei hiperbole corespunz%toare unor valori constante ale puterii disipate
instantanee p
#
, p
2
'i p
3
, aflate n rela$ia: p
#
<p
2
<p
3
. Hiperbola care corespunde valorii p
2
trece prin
punctul static de func$ionare 'i corespunde unei rezisten$e de sarcin% R
L
=R
L2
. Se observ% c%
dreapta de sarcin% pentru R
L
=R
L2
este tangent% la hiperbola care trece prin punctul static de
func$ionare, deoarece n acest punct ambele curbe au aceea'i pant%. Devine clar c% odat% ce
punctul de func$ionare p%r%se'te pozi$ia de regim static 'i se mi'c% pe dreapta de sarcin% R
L
=R
L2
,
puterea instantanee disipat% de tranzistor scade, deoarece dreapta de sarcin% intersecteaz%
hiperbole de putere constant% de valoare tot mai mic%. Acest punct de vedere este n concordan$%
cu formele de und% din fig.3.62.
Pentru R
L
(etajul lucreaz% n gol) curentul de colector al tranzistorului T
#
nu mai
variaz% n decursul unei perioade ci este constant (vezi fig.3.63). Pentru valori ale tensiunii u
CE#
mai mari dect valoarea static%, puterea instantanee disipat% de tranzistor cre'te. Valoarea
maxim% posibil% a tensiunii u
CE#
este [2E
C
-U
CE2,sat
], puterea instantanee maxim% fiind n acest
caz aproximativ 2E
C
I dac% U
CE2,sat
<<E
C
. Disipa$ia este deci dubl% fa$% de aceea din absen$a
semnalului (E
C
I). La cealalt% extrem% a excursiei semnalului de ie'ire pentru care u
CE#
0, puterea
disipat% de tranzistorul T
2
este de asemenea 2E
C
I.
Deci puterea disipat% maxim% de ambele tranzistoare este 2E
C
I 'i trebuie s% se $in%
seama de ea atunci cnd se impun cerin$ele de putere disipat% pentru T
#
'i T
2
.
O situa$ie mai periculoas% este aceea n care sarcina se scurtcircuiteaz%. In acest caz
dreapta de sarcin% este o vertical% care trece prin punctul static de func$ionare (vezi fig.3.63).
Pentru semnale de intrare mari, curentul de colector al lui T
#
, deci 'i puterea disipat% de
Fig. 3.63. Hiperbolele de putere disipat$ instantanee, constant$, de c$tre tranzistorul T
&
din fig. 3.59, b (p
&
<p
2
<p
3
).
##3
tranzistor poate deveni prea mare. Limita pe care o poate atinge valoarea curentului de colector
este determinat% de capacitatea etajului prefinal, cel care livreaz% semnalul de intrare n etajul de
ie'ire, de a furniza tranzistorului T
#
curentul de baz% 'i de asemenea de sc%derea la curen$i mari a
c'tigului n curent al lui T
#
. Ace'ti factori ar trebui s% fie suficien$i pentru ca T
#
s% nu se
distrug%, totu'i n practic% sunt necesare circuite de limitare a curentului pentru a preveni
distrugerea tranzistorului amplificator T
#
.
Analiza de mai sus conduce la urm%toarea concluzie important%: orice dreapt% de
sarcin% este tangent% la hiperbola de putere disipat% constant% ntr-un punct care mparte
dreapta de sarcin% n dou% p%r$i egale. Rezult% c% punctul de la mijlocul oric%rei drepte de
sarcin% este punctul n care puterea instantanee disipat% de tranzistor este maxim%.
Exemplul 3.#2. Se presupune un etaj de ie'ire clas% A ca cel din fig.3.59,b, cu
urm%toarele date: E
C
=#2V, R
3
=5,7k, R
#
=R
2
=0, U
CE,sat
=0,2V, U
BE
=0,6V, R
L
=#k.
a) S% se calculeze puterea medie de ie'ire maxim% care poate fi transmis% sarcinii R
L
nainte de apari$ia limit%rii 'i randamentul corespunz%tor. Care este randamentul maxim posibil
ce se poate realiza cu acest circuit 'i ce valoare R
L
este necesar% pentru a-l ob$ine? Se va
presupune c% semnalul este sinusoidal.
b) S% se calculeze puterea disipat% instantanee maxim% a tranzistorului T
#
pentru
R
L
=#k. Ce valoare va avea puterea medie disipat% de T
#
dac% amplitudinea tensiunii de ie'ire
este de #,8V?
Rezolvare:
a) dup% cum s-a ar%tat, amplitudinea semnalului de ie'ire depinde de valoarea rezisten$ei
de sarcin% R
L
. De aceea se evalueaz% mai nti produsul IR
L
pentru a aprecia n care din cele trei
cazuri discutate pentru R
L
ne situ%m.
Curentul din punctul static de func$ionare este:
I
E U
R
V
k
mA
C BE
=

=

=
3
3
#2 0 6
5 7
2
( , )
,
Produsul IR
L
va fi:
IR mA k V
L
= = 2 # 2
Aceast% valoare este mai mic% dect E
C
-U
CE,sat
=#2V-0,2V=##,8V. Deci ne afl%m n cazul al
treilea de rezisten$% de sarcin% 'i anume cazul R
L
mic (R
L
=R
L3
din fig.3.6#). In aceast% situa$ie
excursia maxim% pentru un semnal sinusoidal va fi IR
L
=2V, valoare impus% de limitarea tensiunii
de ie'ire n semialternan$a negativ%.
Valorile maxime ale tensiunii 'i curentului pe sarcin% sunt:
mA I V U
v
o
v
o
2 , 2
max , max ,
= =
Rela$ia (3.204) permite calculul puterii medii maxime de ie'ire:
P U I mW
u o
v
o
v
,max ,max ,max
= = =
#
2
#
2
2 2 2
In conformitate cu rela$ia (3.2#0) puterea consumat% de al sursele de alimentare va fi:
P E I mW
a C
= = = 2 2 #2 2 48
Randamentul circuitului pentru puterea util% determinat% mai sus este:
= = =
P
P
u
a
,max
,
2
48
0 042
Valoarea randamentului de 4,2% este mic% din cauza limit%rii care apare n semialternan$a
negativ%.
Randamentul maxim posibil, realizabil cu acest etaj, se ob$ine pentru o valoare a
rezisten$ei de sarcin% R
L
=R
L2
(vezi fig.3.6#), dat% de (3.208):
R
E U
I
V
mA
k
L
C CE sat
2
#2 0 2
2
5 9 =

=

=
,
( , )
,
##4
Puterea medie maxim% (puterea util% maxim%) care se poate transfera sarcinii n acest caz, nainte
s% apar% limitarea, se g%se'te din (3.209)
P U I E U I mW
u o
v
o
v
C CE sat ,max ,max ,max ,
( ) ( , ) , = = = =
#
2
#
2
#
2
#2 0 2 2 ## 8
Valoarea corespunz%toare a randamentului se ob$ine din (3.2#2)
max
,
( ) (
,
) , = = =
#
4
#
#
4
#
0 2
#2
0 246
U
E
CE sat
C
adic% 24,6%, valoare care este aproape de maximul teoretic de 25%.
b) Disipa$ia instantanee maxim% posibil% n T
#
are loc n punctul corespunz%tor
mijlocului dreptei de sarcin%. Din fig.3.6#, pentru dreapta de sarcin% R
L
=R
L3
se ob$ine:
U E IR V
ce C L #
#
2
#
2
#2 2 7 = + = + = ( ) ( )
Valoarea corespunz%toare a curentului de colector prin T
#
este:
I
U
R
V
k
mA
c
ce
L
#
#
7
#
7 = = =
Deci disipa$ia instantanee maxim% posibil% n T

#
este:
P U I V mA mW
d ce c # # #
7 7 49 = = =
Se observ% c% aceast% disipa$ie are loc pentru U
ce#
=7V, care corespunde unei excursii a tensiunii
de ie'ire n afara limitelor de func$ionare liniar% a circuitului. Limitarea se instaleaz% n excursia
negativ% la ie'ire, ndat% ce amplitudinea tensiunii de la ie'ire atinge 2V.
Aceast% situa$ie poate s% apar% cu u'urin$% dac% circuitul se excit% cu un semnal de intrare
prea mare.
Dac% trebuie determinat% disipa$ia pentru o valoare oarecare a tensiunii de ie'ire, sub
valoarea de limitare (mai mic% deci dect 2V) se porne'te de la observa$ia c% - pentru semnale
sinusoidale - puterea medie consumat% de la cele dou% surse de alimentare este constant% 'i
independent% de prezen$a semnalului variabil. Deoarece puterea livrat% circuitului de sursele de
alimentare este constant%, puterea medie total% disipat% de T
#
, T
2
'i sarcina R
L
trebuie s% fie
constant% 'i independent% de prezen$a semnalului sinusoidal.. Puterea medie disipat% de T
2
este
constant% deoarece I este constant. Ca urmare puterea medie disipat% de T
#
'i R
L
este 'i ea
constant%. Deci, odat% cu cre'terea lui U
o
v
, puterea medie disipat% n T
#
scade cu aceea'i cantitate
cu care cre'te puterea medie disipat% n R
L
.
Pentru a determina puterea medie disipat% de T
#
dac% amplitudinea semnalului de ie'ire
este de #,8V, va trebui s% $inem seama de cele prezentate anterior 'i de urm%toarele observa$ii:
- f%r% semnal la intrare puterea disipat% de T
#
este P E I V mA mW
d C #
#2 2 24 = = =
- pentru U V
o
v
= # 8 , puterea medie transferat% sarcinii este
P
U
R
mW
u
o
v
L
= = =
#
2
#
2
3 24
#
# 62
2
( ) ,
,
Rezult% c% puterea medie disipat% de T
#
atunci cnd U V
o
v
= # 8 , , semnalul fiind sinusoidal, este
P P P mW
d med d u ,
, , = = =
#
24 # 62 22 38
Exemplul 3.#3. S% se determine excursia maxim% a unui semnal de ie'ire sinusoidal
pentru un circuit ca cel din fig.3.59,a. Se presupune c% tranzistorul amplificator se afl% n acela'i
punct static de func$ionare ca n exemplul 3.#2. Pentru aceast% situa$ie s% se determine valoarea
rezisten$ei R
E
de polarizare a tranzistorului amplificator. Se presupune c% R
L
=#k.
Rezolvare: deoarece n punctul static de func$ionare tranzistorul este caracterizat de
valorile:
U V
I mA
CE
C
=
=
#2
2
valoarea rezisten$ei R
E
se determin% din rela$ia:
##5
R
E
I
V
mA
k
E
C
C
= = =
#2
2
6
Valoarea maxim% a tensiunii de ie'ire sinusoidale este limitat% de excursia negativ% maxim% a
tensiunii pe sarcin% cnd T
#
se blocheaz%. In acest caz valoarea maxim% a tensiunii de ie'ire se
determin% observnd c% R
L
'i R
E
formeaz% un divizor de tensiune pentru -E
C
. Rezult%
U U
R
R R
E V
o
v
o
L
L E
C ,max ,max
, = =
+
=
+
=
#
# 6
#2 # 7#
deci o valoare mai mic% dect n cazul polariz%rii tranzistorului amplificator cu sursa de curent
constant.
In aceste condi$ii 'i randamentul circuitului se mic'oreaz% 'i va fi:
= =

=
P
P
u
a
#
2
# 7# 2
2 #2 2
0 035
,
,
adic% 3,5%.
3.6.#.3 Cerin$e relative la comanda repetorului pe emitor
Etajul care precede etajul de ie'ire se nume'te etaj de comand% (pilot sau driver sau
prefinal). Acest etaj poate introduce limit%ri suplimentare n func$ionarea circuitului deoarece,
a'a cum rezult% de pe caracteristica de transfer (vezi fig. 3.60), tensiunea de comand% n baz%,
necesar% pentru a ob$ine valoarea maxim% pozitiv% a tensiunii de ie'ire, este E
C
-U
CE#,sat
+u
BE#
.
Deoarece u
BE#
>U
CE#,sat
, rezult% c% tensiunea de comand% n baza lui T
#
trebuie s% fie mai mare
dect tensiunea de alimentare. Acest lucru presupune ca etajul prefinal s% fie alimentat cu o
tensiune mai mare dect cel final. Deoarece, n cele mai multe cazuri, etajul de comand% este
conectat la aceea'i surs% de alimentare ca 'i etajul de ie'ire, el nu poate produce tensiuni mai
mari dect tensiunea de alimentare ceea ce reduce, n mod suplimentar, excursia de tensiune
posibil% la ie'ire.
3.6.2 Etaje de ie&ire clas% B
Etajele de ie'ire n clas% A au un dezavantaj major dat de faptul c% are loc o disipa$ie
mare de putere chiar 'i n absen$a semnalului alternativ de la intrare. In multe aplica$ii ale
amplificatoarelor de putere, circuitul poate func$iona pentru intervale mari de timp n condi$ii de
a'teptare, f%r% semnal de intrare sau cu semnale de intrare intermitente (de exemplu n cazul
semnalelor vocale). Puterea disipat% n aceste condi$ii se pierde, ceea ce este neconvenabil din
urm%toarele motive:
n echipamentele alimentate de la baterii puterea sursei de alimentare trebuie conservat%
pentru a extinde durata de utilizare a bateriilor;
orice putere care se pierde n circuit este disipat% de dispozitivele active, ceea ce nseamn%
func$ionarea la temperaturi mai ridicate, avnd deci 'i o probabilitate de defectare mai mare.
Puterea disipat% n dispozitiv i determin% 'i dimensiunile sale fizice, dispozitivele mari fiind
mai scumpe deoarece 'i aria de siliciu consumat% este mai mare.
Etajele de ie'ire n clas% B rezolv% aceste probleme deoarece la semnal de intrare nul, puterea
disipat% este practic nul%.
3.6.2.# Etaje de ie&ire clas% B realizate cu tranzistoare complementare n
conexiunea colector comun
In clasa B de polarizare, punctul static de func$ionare al tranzistorului din planul
caracteristicilor de ie'ire se afl% la intersec$ia dreptei de sarcin% cu curba trasat% pentru I
B
=0, ceea
ce nseamn% c% n absen$a semnalului de intrare tranzistorul este blocat. El va fi trecut n
conduc$ie de semnalul ce trebuie amplificat. Deoarece tranzistorul npn se deschide pentru
poten$iale pozitive aplicate n baz% iar tranzistorul pnp pentru poten$iale negative aplicate n
##6
baz%, sunt necesare dou% dispozitive care s% amplifice un semnal sinusoidal, cte unul pentru
fiecare semiperioad% a semnalului. Acest lucru explic% 'i denumirea de etaje n contratimp cu
tranzistoare complementare folosit% n cazul etajelor de ie'ire n clas% B.
Etajele de ie'ire n clas% B au 'i avantajul c% randamentul este mult mai bun dect pentru
etajele de ie'ire n clas% A. Valoarea maxim% teoretic% este de 78,5%.
O realizare tipic% de etaj de ie'ire n clas% B este prezentat% n fig.3.64. Circuitul folose'te
dou% tranzistoare complementare: un tranzistor npn 'i un altul pnp. Rezisten$a de sarcin% R
L
este
conectat% n emitoarele tranzistoarelor care func$ioneaz% deci ca repetoare pe emitor.
Caracteristica de transfer a circuitului din fig.3.64 este prezentat% n fig.3.65. Pentru u
I
egal cu zero, u
O
este de asemenea zero, ambele tranzistoare fiind blocate, deoarece au u
BE
=0.
Pe m%sur% ce tensiunea de intrare u
I
cre'te spre valori pozitive, cre'te 'i tensiunea baz%-
emitor a tranzistorului T
#
. In momentul n care se atinge valoarea de deschidere a tensiunii u
BE
,
prin T
#
ncepe s% circule curent. In punctul n care T
#
ncepe s% conduc%, u
O
este nc% aproximativ
zero 'i orice cre'tere ulterioar% a tensiunii u
I
va determina o cre'tere similar% a tensiunii u
O
deoarece tranzistorul T
#
func$ioneaz% ca repetor pe emitor. In tot acest timp tranzistorul T
2
este
blocat deoarece tensiunea sa baz%-emitor este negativ%. Dac% tensiunea u
I
cre'te n continuare 'i
este tot pozitiv%, tranzistorul T
#
se satureaz% iar caracteristica de transfer devine plat%, la fel ca n
cazul amplificatorului n clas% A.
Pentru valori negative ale tensiunii de intrare u
I
, caracteristica de transfer are o form%
asem%n%toare cu ceea ce s-a ob$inut n cazul valorilor pozitive ale lui u
I
. In aceast% situa$ie
tranzistorul T
2
lucreaz% ca repetor pe emitor iar T
#
este blocat de o tensiune baz%-emitor invers%.
Tranzistorul T
2
nu se va deschide dect pentru valori negative ale tensiunii de intrare mai mari n
modul dect tensiunea baz%-emitor de deschidere a acestui tranzistor pnp. Pentru valori negative
de intrare mari n modul, tranzistorul T
2
se poate satura.
Fig. 3.64. Etaj de ie%ire simplu n clas$ B, din circuitele integrate analogice.
Fig. 3.65. Caracteristica de transfer a etajului de ie%ire clas$ B din fig. 3.64.
##7
Caracteristica de transfer din fig.3.65 pune n eviden$% pentru tensiunea u
I
o zon% moart%
de m%rime 2U
BE
, centrat% pe u
I
=0, situa$ie caracteristic% pentru etajele de ie'ire n clas% B.
Aceast% zon% moart% determin% apari$ia distorsiunilor de trecere (cross over n limba
englez%), fapt ilustrat n fig.3.66 n care se prezint% formele de und% de la ie'irea amplificatorului
pentru diferite valori ale amplitudinii semnalului sinusoidal de la intrare, valori mai mari dect
U
BE
. Pe m%sur% ce amplitudinea semnalului de intrare cre'te, aceast% surs% de distorsiuni devine
din ce n ce mai pu$in semnificativ% deoarece zona moart% reprezint% o frac$iune tot mai mic% a
semnalului. Pentru amplitudini mari ale semnalului de intrare, cele dou% tarnzistoare T
#
'i T
2
se
pot satura. Semnalul de ie'ire va fi din nou distorsionat, de aceast% dat% prin limitare.
Distorsiunile de trecere sunt mai evidente la nivele mici de semnal iar cele de limitare la nivele
mari ale semnalului aplicat la intrarea amplificatorului.
Distorsiunile de trecere pot fi reduse prin utilizarea clasei AB de polarizare a
tranzistoarelor de ie'ire. In aceast% clas% de func$ionare dispozitivele active se polarizeaz% astfel
nct, pentru u
I
=0, prin tranzistoarele finale circul% un mic curent static.
3.6.2.2 Puterea de ie&ire &i randamentul amplificatorului n clas% B
In fig.3.67 se prezint% formele de und% ale curentului de colector prin cele dou%
tranzistoare. Se observ% c% fiecare tranzistor conduce, timp de o jum%tate de perioad%, un curent
care se nchide la mas% prin R
L
.
Aceste forme de und% ale curen$ilor de colector sunt identice cu cele absorbite de la
sursele de alimentare. Determinnd integrala pentru forma de und% din fig.3.67,c se ob$ine
expresia curentului absorbit de unul dintre tranzistoare:
L
v
o v
o
v
o
T
C a
R
U
I t td I dt i
T
I
= =

# #
) ( sin
2
# #
0 0
#
(3.2#5)
unde U
o
v
'i I
o
v
reprezit% amplitudinile sau valorile de vrf ale tensiunii sinusoidale de la ie'ire,
respectiv, curentului sinusoidal de la ie'ire. Deoarece fiecare surs% de alimentare furnizeaz%
aceea'i valoare a curentului, puterea medie total% absorbit% de la cele dou% surse este:
P E I
E
R
U
a C a
C
L
o
v
= = 2
2
(3.2#6)
Fig. 3.66. Formele de und$ la ie%ire pentru diferite valori ale amplitudinii semnalului de
intrare, aplicate etajului de ie%ire clas$ B din fig. 3.64.
##8
Se observ% c% n cazul etajului final n clas% B, puterea medie absorbit% de la sursele de
alimentare va varia odat$ cu nivelul semnalului, fiind direct propor$ional% cu U
o
v
.
Puterea medie (util%) furnizat% sarcinii este:
P
U
R
u
o
v
L
=
#
2
2
( )
(3.2#7)
randamentul fiind n conformitate cu defini$ia sa:

= =
P
P
U
E
u
a
o
v
C
4
(3.2#8)
expresie ob$inut% prin nlocuirea rela$iilor (3.2#6) 'i (3.2#7). Expresia (3.2#8) arat% c%
randamentul unui etaj de ie'ire n clas% B este dependent de sarcin%, crescnd liniar odat% cu
cre'terea amplitudinii semnalului de ie'ire, U
o
v
.
Valoarea maxim% pe care o poate atinge amplitudinea semnalului de ie'ire, nainte de
apari$ia limit%rii este U E U
o
v
C CE sat ,max ,
= . Ca urmare puterea util% maxim% care se poate furniza
sarcinii R
L
pentru semnale sinusoidale va fi:
P
E U
R
u
C CE sat
L
,max
,
( )
=

#
2
2
(3.2#9)
la care corespunde randamentul maxim:

max
,
=

4
E U
E
C CE sat
C
(3.220)
Dac% tensiunea U
CE,sat
este mai mic% fa$% de E
C
, circuitul are un randament maxim de 78,5%.
Aceast% valoare maxim% a randamentului este de aproximativ 3 ori mai mare dect cel
ob$inut n cazul unui etaj final n clas% A (25%). In plus, pentru un etaj de ie'ire n clas% B
disipa$ia de putere n absen$a semnalului de intrare este practic zero. Datorit% acestor dou%
avantaje majore, etajele de ie'ire n clas% B sunt mai des utilizate dect cele n clas% A.
Caracteristica de sarcin% pentru tranzistorul npn are aspectul din fig.3.68. Pentru valori
ale tensiunii u
CE
mai mici dect valoarea din punctul static de func$ionare (care este E
C
),
a)
b)
c)
d)
Fig. 3.67. Formele de und$ ale tensiunii %i
curentului pentru un etaj de ie%ire clasa B.
(a) Tensiunea de intrare.
(b) Tensiunea de ie%ire.
(c) Curentul de colector al tranzistorului T
&
.
(d) Curentul de colector al tranzistorului T
2
.
##9
caracteristica de sarcin% are panta -(#/R
L
). Pentru valori ale tensiunii u
CE
mai mari ca E
C
,
caracteristica de sarcin% se confund% cu axa tensiunii, deoarece n aceast% zon% conduce cel%lalt
tranzistor, tensiunea u
CE
a tranzistorului blocat crescnd, n timp ce curentul s%u de colector este
nul. Ca 'i n cazul etajului de ie'ire n clas% A, interpretarea geometric% a puterii utile maxime
arat% c% puterea medie furnizat% sarcinii este reprezentat% de aria triunghiului format de axele de
coordonate 'i caracteristica de sarcin% parcurs% de punctul de func$ionare.
Puterea instantanee disipat% de tranzistorul npn este:
p u i
d CE C
= (3.22#)
dar
u E i R
CE C C L
= (3.222)
Prin nlocuirea rela$iei (3.222) n (3.22#) rezult%:
p i E i R i E i R
d C C C L C C C L
= = ( )
2
(3.223)
Prin derivarea acestei expresii 'i egalarea cu zero, se g%se'te expresia curentului de colector
pentru care p
d
este maxim%:
i
E
R
C
C
L
=
2
(3.224)
Valoarea g%sit% corespunde unui punct situat pe caracteristica de sarcin% cu panta -(#/R
L
).
Rezultatul este n concordan$% cu acela ob$inut anterior pentru etajul final n clas% A. Ca 'i n
cazul etajului de ie'ire n clas% A, la amplificatorul n clas% B, caracteristica de sarcin% este
tangent% la hiperbola de putere constant% n punctul care corespunde maximului de disipa$ie.
Valoarea maxim% a puterii disipate se afl% nlocuind rela$ia (3.224) n (3.223). Rezult%:
P
E
R
d
C
L
,max
=
2
4
(3.225)
Deci, ntr-un etaj de ie'ire n clas% B, puterea disipat% instantanee maxim% a fiec%rui
tranzistor are loc pentru o tensiune egal% cu aproximativ jum%tate din tensiunea de alimentare.
Dar puterea disipat% n punctul static de func$ionare este nul%, astfel c% ntr-un etaj de ie'ire n
clas% B, fiecare tranzistor va fuc$iona ntotdeauna la o temperatur% mai mare dac% se aplic%
semnal.
Valorile instantanee ale curentului de colector, respectiv tensiunii colector-emitor ale
tranzistorului npn sunt:
Fig. 3.68. Caracteristica de sarcin$ pentru tranzistorul npn a etajului de ie%ire clas$ B.
#20
i I t
u E U t
c o
v
ce C o
v
#
#
=
=
sin
sin
(3.226)
In fig.3.69 se prezint% puterea disipat% instantanee maxim% a tranzistorului npn n func$ie de
timp, mpreun% cu varia$iile n timp ale curentului de colector 'i tensiunii colector-emitor.
Atunci cnd tranzistorul conduce, puterea disipat% variaz% cu o frecven$% egal% cu dublul
frecven$ei semnalului. Puterea disipat% de tranzistor este nul% pentru jum%tatea de perioad% n
care tranzistorul este blocat. Ca 'i n cazul etajului de ie'ire n clas% A, pentru scurtcircuit la
ie'ire caracteristica de sarcin% din fig.3.68 devine o dreapt% vertical% care trece prin punctul static
de func$ionare, puterea instantanee disipat% de tranzistor putnd deveni excesiv%. Metodele de
protec$ie a etajului de ie'ire n cazul n care apare o astfel de situa$ie sunt descrise n paragraful
3.6.4. Dac% tranzistorul lucreaz% n gol, caracteristica de sarcin% din fig.3.68 se confund% n
totalitate cu axa tensiunii, puterea disipat% de tranzistor fiind nul%.
Exemplul 3.#4. Un etaj de ie'ire de forma celui din fig.3.64 lucreaz% pe o sarcin%
R
L
=500. Alimentarea este simetric% 'i egal% cu #5V.
S% se calculeze puterea medie furnizat% sarcinii R
L
pentru U V
o
v
= #4 4 , , dac% tensiunea de
ie'ire este sinusoidal%. Care este randamentul circuitului?
Rezolvare: Puterea medie furnizat% sarcinii este:
P
U
R
mW
u
o
v
L
= = =
#
2
#
2
#4 4
500
207
2 2
( ) ,
Din (3.2#5) se ob$ine valoarea medie a curentului dat de sursa de alimentare:
I
U
R
V
k
mA
a
o
v
L
= = =
# # #4 4
0 5
9 #7

,
,
,
Puterea medie absorbit% de la sursele de alimentare se determin% cu rela$ia (3.2#6):

P E I mW
a C a
= = = 2 2 #5 9 #7 275 ,
In concordan$% cu rela$ia randamentului, n acest caz se ob$ine:
= = =
P
P
u
a
207
275
0 753 ,
adic% 75,3%, valoare care este destul de apropiat% de valoarea teoretic% maxim% de 78,5%.
a)
b)
c)
Fig. 3.69. Formele de und$ la putere maxim$
de ie%ire pentru tranzistorul npn al etajului
de ie%ire clas$ B.
(a) Forma de und$ a curentului de colector.
(b) ) Forma de und$ a tensiunii C-E.
(c) ) Forma de und$ a puterii disipate n
colector.
#2#
Din rela$ia (3.224) rezult% c% puterea instantanee maxim% disipat% de unul dintre
tranzistoare are loc pentru un curent de colector:
i
E
R
V
k
mA
C
C
L
= =
=
2
#5
2 0 5
#5
,
Valoarea corespunz%toare a tensiunii colector-emitor, conform fig.3.68, fiind E
C
/2, puterea
instantanee maxim% disipat% de un tranzistor este:
P i u mW
d C CE ,max
, , = = = #5 7 5 ##2 5
Datorit% conserv%rii puterii, puterea medie disipat% de un tranzistor va fi:
P P P mW
d mediu a u ,
( ) ( ) = = =
#
2
#
2
275 207 34
3.6.2.3 Etaje de ie&ire n contratimp clas% B realizate cu tranzistoare compuse
Un dezavantaj al etajelor de ie'ire n contratimp realizate cu tranzistoare complementare
este acela c% etajul prefinal, care lucreaz% n clas% A, ajunge s% disipe o putere relativ ridicat%.
Neajunsul poate fi eliminat dac% n etajul de ie'ire se utilizeaz% tranzistoare compuse,
care au amplificarea n curent egal% cu produsul amplific%rilor n curent ale tranzistoarelor
componente. In acest fel se reduc cerin$ele impuse etajului prefinal.
Analiza func$ion%rii acestor etaje realizate cu tranzistoare compuse se face la fel ca n
cazul etajelor discutate anterior, cu deosebirea c% tranzistorul compus se nlocuie'te cu unul
echivalent.
Variantele de etaje de ie'ire realizate cu tranzistoare compuse, prezentate n fig.3.70,
sunt:
etaj de ie'ire cu tranzistoare n conexiunea Darlington (fig.3.70,a);
etaj de ie'ire cu tranzistoare cvasicomplementare (fig.3.70,b);
etaj de ie'ire cu tranzistoare cu simetrie complementar% (fig.3.70,c).
Pentru fiecare din cele trei etaje de ie'ire n contratimp realizate cu tranzistoare compuse
din fig.3.70, T
#a
'i T
2a
reprezint% tranzistoarele de comand% iar T
#b
'i T
2b
sunt tranzistoarele
finale.
In fig.3.70,a se arat% un etaj de ie'ire n clas% B realizat cu tranzistoare de acela'i tip
pentru fiecare alternan$% a semnalului, aflate n conexiune Darlington. Fa$% de schema din
fig.3.64, n acest caz n circuitul de intrare se afl%, pentru fiecare semiperioad% a semnalului,
Fig. 3.70. Etaje de ie%ire clas$ B, realizate cu tranzistoare compuse.
(a) Etaj cu tranzistoare n configura#ie Darlington. (b) Etaj cu tranzistoare cvasicomplementare.
(c) Etaj cu tranzistoare cu simetrie complementar$.
a)
b)
c)
#22
dou% jonc$iuni baz%-emitor nseriate, ceea ce reduce panta i
C
/u
BE
a tranzistorului echivalent 'i
implicit amplificarea sa.
O alt% schem% posibil% este cea din fig.3.70,b, cu tranzistoare cvasi complementare.
Etajul are aceast% denumire deoarece tranzistoarele finale nu sunt complementare, ci sunt de
acela'i tip (npn n fig.3.70,b dar pot fi 'i pnp). Tranzistoarele de comand% sunt complementare.
In acest fel, tranzistoarele complementare realizeaz% inversarea de faz% necesar% pentru
comanda n contratimp a tranzistoarelor finale. Dezavantajul schemei este c% etajul prefinal vede
spre etajul final impedan$e neegale pentru cele dou% semiperioade ale semnalului: ntr-o
semialternan$% impedan$a de intrare este format% dintr-o singur% jonc$iune baz%-emitor, iar n
cealalt% din dou% jonc$iuni baz%-emitor nseriate, ceea ce poate determina distorsionarea
semnalului de ie'ire.
In fig.3.70,c se prezint% un alt etaj de ie'ire cu tranzistoare compuse cu simetrie
complementar%. In acest caz cele dou% tranzistoare sunt complementare, fiecare fiind comandat
tot de c%tre un tranzistor complementar.
Circuitul este simetric din punctul de vedere al intr%rii, n sensul c% n fiecare
semialternan$% circuitul de intrare include o singur% jonc$iune baz%-emitor.
3.6.3 Etaje de ie&ire n contratimp clas% AB
Etajele de ie'ire n contratimp, clas% AB sunt amplificatoare ale c%ror tranzistoare finale
conduc, n absen$a semnalului, un mic curent de colector. Acest curent curge prin tranzistoarele
finale de la sursa pozitiv% spre cea negativ%, f%r% s% treac% prin rezisten$a de sarcin% 'i se ob$ine
prin prepolarizarea jonc$iunilor baz%-emitor ale tranzistoarelor finale. In acest fel se liniarizeaz%
caracteristica de transfer a etajului final 'i se elimin% distorsiunile de trecere, specifice clasei B
de polarizare a tranzistoarelor finale. Sarcina de prepolarizare a tranzistoarelor finale revine de
obicei etajului prefinal.
3.6.3.# Etaje prefinale de comand% a etajelor finale n contratimp clas% AB
Etajele prefinale sunt etaje care lucreaz% n clas% A 'i au rolul:
de a realiza prepolarizarea tranzistoarelor finale pentru a asigura func$ionarea lor n clas% AB,
n scopul reducerii l%rgimii zonei moarte a caracteristicii de transfer;
de a asigura comanda tranzistoarelor finale n a'a fel nct acestea s% aib% un randament ct
mai mare 'i mai apropiat de valoarea teoretic% maxim%, 78,5%.
Pentru a asigura cel de al doilea rol, este necesar ca factorul de utilizare a tensiunii de
alimentare s% fie ct mai apropiat de unitate. La etajul de ie'ire n contratimp n clas% B s-a ar%tat
c% excursia maxim% a tensiunii de ie'ire este E
C
-U
CE,sat
. Deoarece tranzistoarele etajului final
considerat lucreaz% n conexiunea cu colectorul comun, valoarea corespunz%toare a tensiunii de
comand% a etajului final este:
u E U u E
IF C CE sat BE final C
= +
, ,
(3.227)
deoarece U u
CE sat BE ,
.
Pentru ob$inerea unei tensiuni de comand% u
IF
a etajului final, de valoare mai mare dect
cea a tensiunii de alimentare E
C
, etajul prefinal trebuie s% se alimenteze de la o tensiune E
C
,
mai
mare, adic% E E
C C
,
. Din acest motiv, etajele finale descrise n continuare au etajul prefinal
alimentat de la o surs% diferit% de cea a etajului final.
Prepolarizarea tranzistoarelor finale se poate realiza ntr-una din urm%toarele moduri:
cu ajutorul unei rezisten$e conectat% ntre bazele lor;
prin utilizarea a dou% jonc$iuni polarizate direct;
prin utilizarea unei diode multiplicate.
a) Prepolarizarea tranzistoarelor finale prin introducerea unui rezistor R ntre bazele lor
(fig.3.7#,a) este cel mai simplu mod de prepolarizare a tranzistoarelor finale. C%derea de tensiune
#23
de la bornele rezistorului R determin% polarizarea bazelor tranzistoarelor finale pentru a asigura
func$ionarea acestora n clas% AB. Utilizarea acestei scheme prezint% urm%toarele dezavantaje:
- dac% tensiunea dintre cele dou% baze este prea mic%, atunci se men$ine zona moart% de pe
caracteristica de transfer 'i deci apar distorsiunile de trecere;
- dac%, dimpotriv%, aceast% tensiune este prea mare, apare pericolul ambal%rii termice a
tranzistoarelor finale.
Pentru reducerea pericolului reprezentat de ambalarea termic% este necesar ca tensiunea
aplicat% pe bazele tranzistoarelor finale s% depind% de temperatur%. Aceasta nseamn% c%
polarizarea bazelor tranzistoarelor finale trebuie astfel f%cut% nct tensiunea lor baz%-emitor s%
scad% atunci cnd temperatura jonc$iunilor tranzistoarelor cre'te, curentul de colector de repaus
r%mnnd neschimbat. Exist% mai multe solu$ii ale acestei probleme. O solu$ie ar fi cea n care
ntre bazele tranzistoarelor finale se conecteaz% un termistor cu coeficient de temperatur% negativ.
Solu$ia nu este adecvat% pentru realiz%rile integrate monolitice.
b) O alt% solu$ie, perfect integrabil% monolitic, const% n utilizarea pentru prepolarizare a
dou% jonc$iuni polarizate direct 'i conectate n paralel cu bazele tranzistoarelor finale (fig.3.7#,b).
Dac% aceste jonc$iuni au caracteristici identice cu cele ale jonc$iunilor baz%-emitor a
tranzistoarelor finale 'i se g%sesc n contact termic direct cu acestea, se poate reduce mult
dependen$a de temperatur% a curentului de repaus a tranzistoarelor finale.
Circuitul prezint% urm%torul dezavantaj: nu permite un control prea riguros al curentului
de repaus prin tranzistoarele finale deoarece tensiunile corespunz%toare polariz%rii directe a celor
dou% jonc$iuni sunt relativ fixe.
c) Solu$ia cea mai bun% este cea n care ntre cele dou% baze se folose'te o diod% identic%,
din punct de vedere al comport%rii cu temperatura, cu tranzistoarele finale, dar cu tensiune
reglabil%. O asemenea comportare se poate ob$ine utiliznd circuitul din fig.3.7#,c. Tranzistorul
T
4
'i rezistoarele R
a
'i R
b
formeaz% o diod% multiplicat%.
Dac% se neglijeaz% curentul de baz% al tranzistorului T
4
se poate scrie:
U
U
R
R R
BE
CE
b
a b
4
4
=
+
(3.228a)
sau
a) b)
c)
Fig. 3.71. Circuite de polarizare a bazelor
tranzistoarelor finale.
(a) Circuit de polarizare cu rezistor.
(b) Circuit de polarizare cu diode.
(c) Circuit de polarizare cu diod$ multiplicat$.
#24
U U
R
R
CE BE
a
b
4 4
# = + ( ) (3.228b)
Rela$ia (3.228b) arat% c% reglnd raportul rezisten$elor R
a
/R
b
se poate modifica valoarea tensiunii
U
CE4
, respectiv a tensiunii aplicate ntre bazele celor dou% tranzistoare finale, la orice valoare mai
mare dect U
BE4
. Din acest motiv circuitul format din T
4
, R
a
'i R
b
se nume'te diod% multiplicat%.
Observa$ie practic% important%: In cazul etajelor de ie'ire realizate cu componente
discrete 'i prepolarizate cu ajutorul unei diode multiplicate, pentru controlul tensiunii dintre
bazele tranzistoarelor finale, oricare dintre rezistoarele R
a
sau R
b
poate fi nlocuit cu un rezistor
semireglabil. Dar n timp sau datorit% nc%lzirii semireglabilului se pierde contactul dintre
cursorul metalic al acestuia 'i materialul rezistiv 'i atunci n circuit apare valoarea total% de
rezisten$% a semireglabilului.
Este gre&it ca R
a
s% se nlocuiasc% cu un rezistor semireglabil deoarece, la apari$ia
fenomenului descris anterior, valoarea mai mare a rezisten$ei R
a
va determina sc%derea curentului
de baz% a tranzistorului T
4
din dioda multiplicat%, deci blocarea lui 'i cre'terea astfel a tensiunii
dintre bazele tranzistoarelor finale. Acest fapt duce la o prepolarizare mai accentuat% 'i la
ambalarea termic% inutil% a tranzistoarelor finale.
In schimb, dac% n loc de rezistorul R
b
se conecteaz% un semireglabil, atunci la apari$ia
fenomenului descris anterior, tensiunea baz%-emitor a tranzistorului-diod% multiplicat% cre'te,
tensiunea colector-emitor a aceluia'i tranzistor scade 'i deci are loc o mic'orare a tensiunii dintre
bazele tranzistoarelor finale. In acest fel se previne ambalarea termic% provocat% de curentul de
prepolarizare.
3.6.3.2 Analiza etajului prefinal alimentat de la aceea&i tensiune ca &i cel final
Necesitatea utiliz%rii unor tensiuni de alimentare de valori diferite pentru etajul final 'i cel
prefinal constituie o solu$ie neconvenabil% din punct de vedere practic. De aceea, se va analiza n
continuare situa$ia n care etajul prefinal se alimenteaz% de la aceea'i surs% de tensiune ca 'i
etajul final. In acest caz ns%, datorit% amplific%rii n tensiune subunitare a etajului de ie'ire,
valoarea maxim% a factorului de utilizare a tensiunii de alimentare este mai mic% dect valoarea
maxim% posibil% 'i egal% cu:
k
E U
E
E
C CE sat
C
C
=

,
(3.229)
In fig.3.72 se arat% schema unui etaj prefinal cu sarcin% rezistiv% care comand% un etaj final cu
tranzistoare complementare lucrnd n conexiunea cu colectorul comun, ambele etaje, att cel
Fig. 3.72. Etaj prefinal cu sarcin$ rezistiv$. Fig. 3.73. Ilustrarea limit$rii amplitudinii
maxime a tensiunii de ie%ire dintr-un etaj prefinal
cu sarcin$ rezistiv$.
#25
prefinal ct 'i cel final, fiind alimentate de la acelea'i surse de alimentare. Circuitul de polarizare
a bazelor tranzistoarelor de ie'ire poate fi oricare din cele prezentate anterior. Un asemenea etaj
are dezavantajul c% introduce o limitare suplimentar% n amplitudinea tensiunii de
comand% a tranzistoarelor finale.
Pentru a n$elege modul n care apare aceast% limitare, n fig.3.73 s-au reprezentat, n
planul caracteristicilor de ie'ire ale tranzistorului prefinal T
3
, dreapta de sarcin% static%,
corespunz%toare rezisten$ei de colector R
C
(n ipoteza neglij%rii curen$ilor de baz% statici ai
tranzistoarelor finale) 'i dreapta de sarcin% dinamic%, trecnd prin punctul de func$ionare static%
'i avnd o nclinare:
R R R
L C iF 3
= (3.230)
unde R
iF
reprezint% rezisten$a dinamic% de intrare n etajul final.
Deoarece R
L3
<R
C
, rezult% c% excursia pozitiv% a tensiunii de ie'ire din etajul final este
limitat% la valoarea:
U I R
o c L 3 3 3 max
= (3.23#)
pentru care tranzistorul T
3
se blocheaz%, ceea ce evident va limita 'i excursia pozitiv% a
semnalului de ie'ire la aproximativ aceea'i valoare dac% se neglijeaz% tensiunea baz%-emitor a
tranzistorului T
#
. Aceasta nseamn% c% de fapt etajul prefinal nu poate aduce tranzistorul T
#
n
satura$ie 'i se reduce astfel factorul de utilizare a tensiunii de alimentare pozitive a etajului final.
Un alt dezavantaj al schemei din fig.3.72 este c% etajul prefinal lucrnd la semnal mare,
introduce distorsiuni mari datorit% caracteristicii sale de transfer exponen$iale, deci puternic
neliniare. De'i etajul final nu introduce distorsiuni, procesul de distorsionare nu este complet
independent de neliniarit%$ile tranzistoarelor finale, care se reflect% asupra etajului prefinal prin
nc%rcarea acestuia cu o sarcin% variabil%.
Pentru ameliorarea factorului de utilizare a tensiunii de alimentare a schemei din fig.3.72,
o solu$ie ar fi alegerea unei rezisten$e de colector R
C
'
suficient de mici pentru ca:
R R R R
L C iF C 3
' ' '
= (3.232)
Mic'orarea rezisten$ei R
C
conduce ns% la cre'terea curentului de colector I
c3
'i implicit a
consumului de la sursa de alimentare pozitiv%. Va cre'te 'i puterea disipat% de T
3
, ceea ce
determin% nu numai cre'terea ariei de siliciu ocupate 'i deci a pre$ului, ci 'i agravarea
problemelor de stabilitate termic%. De aceea schema prezentat% n fig.3.72 nu se poate folosi
dect n cazuri particulare 'i numai la puteri foarte mici.
Pentru m%rirea tensiunii de ie'ire nedistorsionate din etajul prefinal, deci implicit pentru
m%rirea factorului de utilizare a tensiunii de alimentare, se pot adopta diferite solu$ii cum ar fi:
bootstrap-area rezisten$ei de colector a tranzistorului prefinal;
sarcin% activ% pentru tranzistorul prefinal.
Bootstrap-area rezisten$ei din colectorul tranzistorului prefinal conduce la schema de
principiu din fig.3.74,a unde rezisten$ele R
C
'
'i R
C
"
ndeplinesc condi$ia R R R
C C C
' "
+ = , iar R
C
este
egal% cu rezisten$a de sarcin% a etajului prefinal din analiza anterioar%.
La cuplarea aliment%rii condensatorul de bootstrap, C
B
, se ncarc% de la sursa pozitiv%,
prin rezistorul R
C
'
, cu o tensiune +U
C
B
de valoare mai mic% dect E
C
, din cauza c%derii de
tensiune pe R
C
'
.
Dac% reactan$a capacitiv% a condensatorului C
B
este mic%, ceea ce impune valori mari ale
capacit%$ii acestui condensator (practic sute de microfarazi), atunci varia$ia tensiunii de ie'ire u
o
se transmite prin C
B
n nodul A (vezi fig.3.74,a) 'i poten$ialul acestui nod devine:
u U u
A C o
B
= + (3.233)
Dac% amplitudinea semnalului de ie'ire este mai mare dect diferen$a E U
C C
B
, atunci pentru
alternan$a pozitiv% a semnalului de ie'ire, ntr-un interval de timp (t
#
, t
2
), mai mic dect
semiperioada acestui semnal, poten$ialul nodului A este mai mare dect +E
C
(fig.3.74,b).
#26
Avantajul utiliz%rii condensatorului bootstrap const% n faptul c% n momentul n care se
cere saturarea tranzistorului T
#
, rezisten$a de sarcin% a tranzistorului prefinal, R
C
"
( R R
C C
" '
) este
conectat% la un poten$ial mai mare dect E
C
, ca 'i cum etajul prefinal ar fi alimentat cu o tensiune
mai mare dect cel final.
Analiza de curent alternativ a schemei se face nlocuind simbolic tranzistoarele finale cu
un amplificator notat EF (etaj final) 'i considernd condensatorul bootstrap C
B
scurtcircuit
(fig.3.75,a). Aplicnd teorema lui Miller, circuitul de curent alternativ se poate redesena ca n
fig.3.75,b. Deoarece amplificarea n tensiune a etajului final este mai mic% dect # dar foarte
aproape de unitate, rezult%:
R
A
C
EF
"
#
(3.234)
In acest fel doar rezisten$a de intrare a etajului final (R
iF
) conteaz% ca rezisten$% de sarcin%
dinamic% pentru etajul prefinal. Tranzistoarele din etajul final fiind repetoare pe emitor,
rezisten$a de intrare a etajului final este foarte mare ceea ce determin% cre'terea amplific%rii n
tensiune a etajului prefinal, f%r% s% conteze rezisten$ele R
C
'
'i R
C
"
care asigur% doar polarizarea n
c.c.'i nu introduc limitarea tensiunii pozitive de comand% a etajului final.
In cazul circuitelor integrate liniare, pentru ameliorarea factorului de utilizare a tensiunii
de alimentare pozitive se recurge deseori la schema din fig.3.76, bazat% pe folosirea unei sarcini
active pentru tranzistorul din etajul prefinal.
a) b)
Fig. 3.74. Etaj de ie%ire clas$ AB cu bootstrap-area rezisten#ei de colector a tranzistorului
prefinal. (a) Schema de principiu. (b) Forme de und$ care eviden#iaz$ efectul de bootstrap-are.
a) b)
Fig. 3.75. Analiza de c.a. a efectului bootstrap-$rii rezisten#ei de colector a tranzistorului
prefinal. (a) Schema de c.a. a circuitului din fig. 3.74, a. (b) Forma circuitului dup$ aplicarea
teoremei Miller.
#27
Prin utilizarea sarcinii active, rezisten$a dinamic% de sarcin% a etajului prefinal este
rezisten$a dinamic% de intrare n etajul final ceea ce, pentru o proiectare corect% asigur%, ca 'i n
cazul utiliz%rii conexiunii bootstrap, aducerea n satura$ie a ambelor tranzistoare finale.
3.6.4 Protec$ia la scurtcircuit a tranzistoarelor finale din etajele de ie&ire n
contratimp
In cazul unui scurtcircuit accidental la ie'irea unui etaj final, tranzistoarele finale se pot
distruge. De aceea este nevoie s% se introduc% circuite suplimentare de protec$ie a acestor
tranzistoare numite circuite de limitare a curentului de ie&ire. Aceste circuite controleaz%
puterea disipat% de tranzistoarele finale, f%r% s% perturbeze buna func$ionare a etajului de ie'ire n
care ac$ioneaz%.
Cu ct precizia circuitelor de limitare este mai bun%, cu att se poate folosi mai eficient
valoarea maxim% admisibil% a curentului de ie'ire. Dar asigurarea unei limit%ri ct mai precise a
curentului de ie'ire implic% utilizarea unor circuite de limitare mai complexe.
Cea mai simpl% limitare a curentului de ie'ire se bazeaz% pe utilizarea unor rezisten$e n
colectoarele tranzistoarelor de putere ale etajului de ie&ire (fig.3.77,a). In principiu metoda se
bazeaz% pe limitarea puterii disipate de tranzistoare prin descre'terea liniar% a tensiunii pe
tranzistor (tensiunea colector-emitor) odat% cu cre'terea curentului prin el, pn% ce tranzistorul se
satureaz%.
Pentru amplificatoarele de putere clas% B, rezisten$a nseriat% n colectoare se determin%
cu rela$ia:
R
E
P
C
C
D adm
=
2
,
(3.235)
unde P
D,adm
reprezint% puterea disipat% admisibil% a unui singur tranzistor.
Limitarea mai precis% a curentului de ie'ire se poate ob$ine prin utilizarea elementelor
de circuit neliniare (diode), avnd aspectul din fig.3.77,b. Pentru o func$ionare normal% diodele
D
3
'i D
4
sunt blocate. Ini$ializarea func$ion%rii circuitului de limitare este determinat% de c%derea
de tensiune pe rezisten$a R
E
. In cazul n care curentul de colector al tranzistorului T
#
cre'te,
tensiunea de la bornele diodei D
3
devine:
u i R u u i R
D C E BE D C E 3 # # #
= + (3.236)
'i cre'te de asemenea, putnd determina deschiderea diodei D
3
care 'unteaz% astfel jonc$iunea
#
. In acest fel o parte a curentului de comand% a lui T
#
circul% prin
D
3
spre rezisten$a de sarcin% 'i se reduce amplitudinea curentului n baza lui T
#
pn% la valoarea
necesar% men$inerii n stare de conduc$ie a diodei D
3
. Deci curentul de ie'ire limitat va avea
amplitudinea:
i
u
R
D
E
lim

3
(3.237)
Precizia limit%rii depinde n primul rnd de valoarea rezisten$ei de conduc$ie n sens direct a
diodei D
3
. Valoarea curentului limit% depinde de temperatur% deoarece 'i c%derea de tensiune pe
Fig. 3.76. Schema etajului de ie%ire clas$ AB cu
sarcin$ activ$ pentru tranzistorul prefinal.
#28
diod% depinde de temperatur% 'i anume scade odat% cu cre'terea temperaturii. Acest fapt
constituie un avantaj avnd n vedere c% n aceste condi$ii scade 'i puterea disipat% de
tranzistoarele finale.
O func$ionare asem%n%toare se ob$ine cu ajutorul circuitului de limitare care utilizeaz%
tranzistoare de limitare din fig.3.77,c. In acest caz c%derea de tensiune de pe rezisten$ele R
E
deschide tranzistoarele de limitare T
4
sau T
5
n func$ie de semialternan$a semnalului pe care
apare suprasarcina. Tranzistoarele de limitare intrnd n conduc$ie preiau o parte a curentului de
baz% al tranzistoarelor finale, similar situa$iei precedente. Precizia limit%rii 'i comportarea cu
temperatura sunt determinate de jonc$iunea baz%-emitor a tranzistoarelor de limitare.
Circuitele de limitare a curentului de ie'ire, prezentate anterior, asigur% limitarea
curentului de ie'ire la o valoare relativ fix%. Exist% 'i circuite de protec$ie la scurtcircuit a
tranzistoarelor finale numite circuite de limitare prin ntoarcere a curentului de ie&ire. Aceste
circuite reduc, n caz de scurtcircuit la ie'ire, valoarea curentului de ie'ire sub valoarea limit%,
dup% ce aceast% valoare a fost atins%. Avantajul principal const% n aceea c% puterea disipat% de
tranzistoarele finale se reduce sub valoarea limit% admisibil%. Ele se folosesc cu prec%dere n
stabilizatoarele integrate.
Protec$ia termic% a tranzistoarelor finale permite evitarea defect%rii circuitelor integrate
de putere datorit% nc%lzirii excesive a cipului provocat% de putere disipat% prea mare,
temperatur% ambiant% prea mare sau radiator subdimensionat.
Schemele clasice de protec$ie termic%, cu elemente discrete, n care un senzor termic
ata'at radiatorului monitorizeaz% varia$ia de temperatur%, au un timp de r%spuns de ordinul
secundelor sau mai mult. In compara$ie timpul de nc%lzire a cipului este de ordinul
milisecundelor, circuitul distrugndu-se nainte ca protec$ia s% ac$ioneze.
Solu$ia unei astfel de probleme const% n plasarea circuitului de protec$ie termic% chiar pe
cipul integratului. Uzual, circuitul de protec$ie termic% const% dintr-un tranzistor plasat n
apropierea tranzistoarelor de putere ale integratului.
Fig. 3.77. Circuite de limitare a curentului de ie%ire
a etajelor finale.
(a) Limitare cu rezistoare conectate n colectoare.
(b) Limitare cu diode.
(c) Limitare cu tranzistoare.
#29
Un exemplu de circuit de protec$ie termic% se prezint% n fig.3.78. Circuitul de protec$ie
con$ine o surs% de curent format% din rezistoarele R
#
, R
2
, R
3
, dioda Zener D 'i tranzistorul T
#
.
Tranzistorul care ac$ioneaz% la modificarea temperaturii este T
2
. La temperatura ambiant%
(25C), acest tranzistor este blocat iar la temperatura maxim admisibil% a circuitului conduce
suficient de puternic, astfel nct s% deturneze curentul de comand% al etajului final sau curentul
de polarizare al etajului diferen$ial de intrare, ntrerupnd astfel furnizarea de putere sarcinii.
Tranzistorul T
2
este polarizat de sursa de curent n a'a fel nct, indiferent de temperatur%,
tensiunea sa baz%-emitor este de 400mV. La 25C, aceast% valoare va men$ine T
2
blocat, curentul
lui de colector fiind de zeci de nA, practic neglijabil. La temperatura maxim admisibil%, de obicei
#50C, tensiunea baz%-emitor necesar% intr%rii n conduc$ie a lui T
2
este de 400mV, deoarece
coeficientul de temperatur% al jonc$iunii baz%-emitor, K
T
este de aproximativ -2mV/C iar
varia$ia de temperatur%, T este de #25C. Intr-adev%r:
U C U C K T mV mV C mV
BE BE T
( ) ( ) ( / )( ) #50 25 650 2 #50 25 400
o o o
= + = + =
Un astfel de circuit de protec$ie termic% ce ac$ioneaz% asupra etajului de intrare al
amplificatorului de putere se ntlne'te la circuitul intagrat TCA#50 (amplificator de putere de
audiofrecven$%).
Fig. 3.78. Circuit de protec#ie termic$.
#30
3.7 STRUCTURA INTERN! A AMPLIFICATORULUI
OPERA"IONAL A74#
In fig.3.79 se prezint% schema simplificat% a amplificatorului opera$ional (AO) A74#.
Acest AO are trei etaje fundamentale de prelucrare a semnalului: un etaj de intrare, un etaj de
amplificare intermediar% 'i un etaj de putere.
Etajul de intrare este un etaj diferen$ial de tip parafaz%. Intrarea se face pe tranzistoarele
npn T
#
'i T
2
n conexiunea cu colectorul comun, care comand% perechea de tranzistoare pnp T
3
'i
T
4
aflate n conexiunea cu baza comun%, avnd o sarcin% activ% format% din T
5
, T
6
, T
7
'i
rezistoarele R
#
, R
2
, R
3
.
Configura$ia etajului de intrare asigur%:
- o intrare diferen$ial% care este relativ insensibil% la tensiunile de intrare de mod comun;
- o rezisten$% de intrare mare;
- un curent de polarizare mic;
- o oarecare amplificare n tensiune;
- deplasarea necesar% a nivelului de curent continuu folosind legarea n cascad% a cte dou%
tranzistoare amplificatoare, unul npn 'i cel%lalt pnp;
- trecerea de la o intrare diferen$ial% la o ie'ire simpl%.
Etajul de amplificare intermediar$ este constituit din tranzistoarele T
#6
'i T
#7
. T
#6
lucreaz% ca repetor pe emitor 'i are rolul de adaptor de impedan$%, reducnd efectul de 'untare a
sarcinii active a etajului precedent de c%tre tranzistorul amplificator T
#7
(rezisten$a de ie'ire a
sarcinii active are valoare mare!). Tranzistorul T
#7
, lucrnd n conexiunea cu emitorul comun, are
ca sarcin% activ% tranzistorul T
#3B
. Acest etaj realizeaz% un c'tig foarte mare n tensiune. La
ie'irea sa este conectat tranzistorul T
23
, tot ca repetor pe emitor, pentru a reduce efectul de
'untare a sarcinii active a lui T
#7
de c%tre impedan$a de intrare n etajul final.
Etajul de ie%ire (final) este realizat cu tranzistoarele complementare T
#4
'i T
20
care
lucreaz% n clas% AB 'i sunt n conexiunea colector comun. Polarizarea tranzistoarelor finale se
face cu ajutorul configura$iei de diod% multiplicat% realizat% de T
#8
, T
#9
'i R
#0
.
Fig. 3.79. Structura intern$ a amplificatorului opera#ional A 74&.
#3#
Tranzistoarele din cele trei blocuri descrise constituie tranzistoarele din calea de semnal.
AO A74# mai con$ine circuitele anexe 'i circuitele de protec$ie la suprasarcin%.
Circuitele anexe con$in sursele de curent necesare pentru asigurarea curen$ilor de repaus a
tranzistoarelor din calea de semnal. Aceste surse sunt:
- T
#0
'i T
##
formeaz% o surs% de tip Widlar, necesar% pentru polarizarea tranzistoarelor T
3
'i T
4
;
- T
8
'i T
9
alc%tuiesc o oglind% simpl% de curent. Aceasta formeaz% o bucl% de reac$ie, de
polarizare, care stabilizeaz% curentul static prin fiecare din tranzistoarele de intrare la
aproximativ jum%tate din curentul de colector al tranzistorului T
#0
;
- T
#2
'i T
#3A
, respectiv T
#2
'i T
#3B
, formeaz% dou% oglinzi simple de curent folosite ca
sarcini active pentru tranzistoarele T
#7
'i T
23
.
Circuitele de protec#ie la suprasarcin$ sunt urm%toarele:
- tranzistorul T
#5
'i R
6
protejeaz% tranzistorul final T
#4
. Cnd c%derea de tensiune pe
rezisten$a R
6
cu valoarea de 27, ajunge la aproximativ 550mV, ceea ce corespunde unui curent
de sarcin% spre mas% de aproximativ 20mA, T
#5
se deschide, preia o parte din curentul de baz% al
lui T
#4
'i ca urmare curentul de ie'ire nu mai poate cre'te. In acest fel se realizeaz% 'i protejarea
tranzistorului T
#4
fa$% de un scurtcircuit accidental la ie'ire;
- tranzistoarele T
2#
, T
22
'i T
24
protejeaz% tranzistorul final T
20
, n caz de suprasarcin%,
pentru cazul n care curentul de sarcin% circul% invers, de la mas% spre sursa de alimentare
negativ%. Func$ia de protec$ie este asem%n%toare cu cea ndeplinit% de T
#5
dar modul de ac$iune
este mai complex deoarece, atunci cnd conduce T
20
, cu ct curentul de sarcin% este mai mare cu
att tranzistoarele T
#6
, T
#7
'i T
23
disip% mai mult 'i apare pericolul distrugerii 'i a acestor
tranzistoare. Circuitul de protec$ie n caz de suprasarcin% pentru alternan$a negativ% a semnalului
de ie'ire ac$ioneaz% astfel: la cre'terea curentului de sarcin%, datorit% cre'terii c%derii de tensiune
pe R
7
, se deschid T
2#
'i T
24
, conectat ca diod%. T
24
'i T
22
formeaz% o oglind% de curent. Ca
urmare intr% n conduc$ie 'i T
22
care preia o parte a curentului injectat n baza lui T
#6
, adic% a
tranzistorului compus T
#6
, T
#7
'i T
23
, limitnd curentul din baza lui T
20
'i deci puterea disipat% de
T
20
.
- emitorul suplimentar al tranzistorului T
23
(cel notat cu B) permite evitarea unei disipa$ii
excesive n tranzistorul T
#6
care poate s% apar% dac% T
#7
este l%sat s% se satureze. Aceast% situa$ie
apare atunci cnd T
#6
injecteaz% un curent prea mare n baza lui T
#7
, fenomen posibil dac% la
intrarea AO se aplic% un semnal care determin% blocarea lui T
#
. Astfel ntregul curent dat de T
8
este injectat n baza lui T
#6
, care l amplific% de ori 'i apoi l introduce n baza lui T
#7
,
determinnd saturarea lui. Emitorul suplimentar al lui T
23
permite evitarea acestui neajuns
deoarece, de ndat% ce tensiunea pe colectorul lui T
#7
scade suficient pentru a deschide jonc$iunea
23B
, acest tranzistor preia o parte din curentul injectat din colectorul
lui T
4
, limitnd astfel curentul de colector a lui T
#6
la o valoare acceptabil% (nepericuloas%).
Exemplul 3.#5. Pentru amplificatorul opera$ional din fig.3.80, realizat cu componente
discrete, se cere:
a) Pentru circuitul n repaus (u
i
=0) s% se determine valoarea de c.c. a tensiunii de ie'ire.
Se consider% U
BE
=0,6V.
b) S% se determine amplificarea diferen$ial% a circuitului. Se presupune =#60, tensiunea
termic% U
T
=25 mV, rezisten$a intrinsec% a bazei tranzistoarelor r
x
=200 'i se neglijeaz%
influen$a rezisten$ei de ie'ire a tranzistoarelor (r
o
) 'i a rezisten$ei colector-baz% (r
).
c) S% se determine excursia maxim% a tensiunii de ie'ire n dou% cazuri: c#) R
S
'i c2)
R
S
=#k. Se va presupune c% U
CE,sat
=0.
d) S% se determine rezisten$a de ie'ire a circuitului.
e) S% se determine rezisten$a de intrare de mod diferen$ial a circuitului;
#32
f) S% se determine rezisten$a de intrare de mod comun a circuitului dac% numai n acest
caz se consider% c% rezisten$a de ie'ire a tranzistorului T
3
este r
o3
=#00k.
g) s% se determine factorul de transfer (discriminare) F.
Rezolvare:
Descrierea circuitului: amplificatorul are dou% etaje diferen$iale. Primul amplificator
diferen$ial este realizat cu tranzistoarele T
#
'i T
2
'i este polarizat cu ajutorul sursei standard de
curent T
3
, T
4
. Cel de al doilea etaj diferen$ial este realizat cu tranzistoarele T
5
'i T
6
, fiind
polarizat cu rezistorul R
##
. Etajul de deplasare a nivelului de c.c. este de tipul repetor pe emitor,
realizat cu T
7
, R
7
'i oglinda simpl% de curent T
9
, T
#0
. Etajul de ie'ire (final) lucreaz% n clas% A.
El este de tipul repetor pe emitor realizat cu tranzistorul T
8
'i polarizat cu ajutorul rezistorului
R
8
.
a) Pentru a determina valoarea de c.c. a tensiunii de ie'ire se calculeaz% mai nti punctele
statice de func$ionare (PSF) ale tranzistoarelor din circuit:
I I
I R I
R
R
R
E U
R R
mA
C BE
# 2
3 4 4
3
4
3 4 #0
2
#
2
#
2
# 5
2 3
#2 0 6
5 7
0 5 = = = =

+
=

=
, ,
,
, [ ]
I I
I
E R I U
R
mA
R
C BE
5 6
# # 5
##
##
2
#
2
#2 #6 0 5 0 6
2 # 7
# = = =

=

=
, ,
,
[ ]
I I I
E U
R
mA
E BE
7 9 #0
9
#2 0 6
## 4
# = = =

=

=
,
,
[ ]
I
E E R I U R I U
R
mA
C E BE BE
8
6 6 7 7 7 8
8
24 4 3 0 6 6 5 0 6
6
2 =
+
=

=

[ ]
, , , ,
U E R I V
O E
= = =
8 8
#2 6 2 0 [ ]
Tensiunile colector-emitor pentru fiecare tranzistor se determin% calculnd diferen$a dintre
poten$ialul colectorului 'i cel al emitorului:
U U V V E R I U V V V
CE CE C E C BE # 2 # # # # #
0 4 0 6 4 6 = = = = + = ( ) ( ) , ,
U V V U E R I V V V
CE C E BE E 3 3 3 # 3 3
0 6 9 8 4 = = + = = ( ) , ( ) ,
U U V
CE BE 4 4
0 6 = = ,
U U V V E R I E R I U V V V
CE CE C E C C BE 5 6 5 5 5 5 # # #
7 7 3 4 4 3 = = = = = ( ) ( ) , , ,
U E V U V V V
CE C C BE 7 6 7
#2 7 # 4 9 = = = ( ) , ,
U E U V
CE C O 8
#2 = =
U U V
CE BE 9 9
0 6 = = ,
U V E V V V
CE B E #0 8
0 6 #2 #2 6 = = + = ( ) , ,
Fig. 3.80. Circuitul pentru exemplul 3.&5.
#33
Valorile din PSF-uri 'i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor se trec n tabelul urm%tor:
tranzistor I
C
[mA] U
CE
[V] g
m
=40I
C
[mA/V] r
=/g
m
[k]
T , T
# 2
0,5 4,6 20 8
T
3
# 8,4 40 4
T
4
2 0,6 80 2
T , T
5 6
# 4,3 40 4
T
7
# 4,9 40 4
T
8
2 #2 80 2
T
9
# 0,6 40 4
T
#0
# #2,6 40 4
b) Amplificarea diferen$ial% a circuitului este:
A A A A
dd
=
# 2 3
unde A
#
'i A
2
reprezint% amplific%rile de mod diferen$ial ale celor dou% etaje diferen$iale iar A
3
reprezint% amplificarea celor dou% repetoare de la ie'ire (circuitul de deplasare de nivel 'i etajul
final).
Amplific%rile diferen$iale se determin% utiliznd semicircuitele valabile pe mod
diferen$ial din fig.3.8#.
Astfel
A
R
r r
x

#
#
#
#60 #6
8 2
3#2 2 =
+
=

=
,
,
A
R
R r r
x

2
6
# 6
#
2
#60 4 3
2 #6 0 2 4
#7 =
+ +
=

+ +
=
,
( , )
Pentru a calcula amplificarea A
3
se folose'te circuitul echivalent de semnal mic din
fig.3.82.
a) b)
Fig. 3.81. Circuitele utilizate pentru calculul amplific$rilor diferen#iale A
&
%i A
2
.
Fig. 3.82. Circuitul echivalent de semnal mic,
utilizat pentru determinarea amplific$rii A
3
.
#34
A
u
u
o
o
3
2
= ,
unde
u i R
o
= + ( #
8 8
)
u i R r r i R i r r i R
o x x 8
( ( #) ( ( #)
2 7 6 7 7 7 8 8 8
= + + + + + + + +

) )
i i
8 7
# = + ( ) ,
Dup% nlocuiri, amplificarea A
3
devine:
A
R r r
R
R r r
R
3
6 7
2
7 8
8
#
#
# #
0 99# =
+
+ +
+
+
+ +
+
=
x
8
x
( ) ( )
,
iar amplificarea total% va fi:
A
dd
= = 3#2 2 #7 0 99# 5259 6 , , ,
c#) In cazul n care R
S
, excursia tensiunii la ie'ire este determinat% de ultimul
tranzistor amplificator de tensiune (T
6
din fig.3.80).
Situa$iile limit% corespund bloc%rii, respectiv satur%rii lui T
6
.
Cnd T
6
se blocheaz% se ob$ine amplitudinea maxim% pozitiv% a semnalului de ie'ire:
U E V V
o C C ,max
,
+
= = =
6
#2 7 7 4, 3 [ ].
Cnd T
6
conduce la satura$ie, se ob$ine amplitudinea maxim% negativ% a semnalului de ie'ire:
U V V U V
o C E CE sat ,max ,
, ,
= = =
6 6
7 7 3 4 4, 3 [ ].
Deci amplitudinea maxim% a semnalului de ie'ire pentru rezisten$% de sarcin% infinit% este de
4,3V.
c2) Dac% R
S
=#k, amplitudinea maxim% a alternan$ei negative va fi limitat% de valoarea
rezisten$ei de sarcin%. Situa$ia limit% apare atunci cnd T
8
este blocat. In acest caz curentul de
sarcin% va circula de la mas% prin R
S
'i R
8
spre sursa negativ% de alimentare, avnd valoarea:
I
E
R R
mA
S
E
S
=
+
= =
8
#2
7
# 7# , [ ]
Astfel, amplitudinea negativ% a tensiunii de ie'ire care reprezint% totodat% 'i valoarea maxim%,
este:
U I R V
o S S ,max
, = = =
# 7# # # 7# , [ ].
d) Valoarea rezisten$ei de ie'ire se determin% pentru circuitul echivalent de semnal mic din
fig.3.83.
n acest scop se rezolv% sistemul de ecua$ii:
i i
x
= + ( ) #
8
Fig. 3.83. Circuitul echivalent de
semnal mic, utilizat pentru determinarea
rezisten#ei de ie%ire.
#35
u R r r R i r r i
x
= + + + + + [ ( ) ( )
6 7 7 7 8 8
#
x x
]

i i
8 7
# = + ( )
'i 'tiind c% expresia rezisten$ei de ie'ire este R
o
=u
x
/i
x
:
R
u
i
R r r R r r
o
x
x
= =
+ +
+
+
+ +
+
6 7
2
7 8
# #
x x
( ) ( )
Numeric, ob$inem:
R
o
=54.
Rezisten$a de ie'ire a ntregului circuit este:
R R R
o o
'
, = =
8
53 5
e) Rezisten$a de intrare diferen$ial% este:
R r r k
id x
= + = + = 2 2 0 2 8 #6 4
#
( ) ( , ) ,

f) Rela$ia de calcul a rezisten$ei de intrare de mod comun este:
R r r R
ic x o
= + + +

# 3
2 # ( )
unde R
o3
reprezint% rezisten$a de ie'ire a sursei T
3
, T
4
. Circuitul de calcul este cel din fig.3.84.
Rezult%:
R r
R
R r r R
R R r r
R r r R
o o
x
x
x
3 3
3
3 3
3 3
3 3
# = +
+ + +
+
+ +
+ + +
(

'
( '
'
)
)
unde
R R
g
k k k k
m
' = R
#0
( ) , ( , ) ,
4
4
#
4 2 # 5
#
80
# # + = + =
astfel c% se g%se'te:
R M
o3
5 88 ,
deoarece termenul al doilea din rela$ia lui R
o3
,
R R r r
R r r R
x
x
3 3
3 3
( '
'
+ +
+ + +
)
, este neglijabil fa$% de primul
termen.
Dup% nlocuiri, rezult% c% rezisten$a de intrare de mod comun are valoarea:
R G
ic
= # 89 ,
g) Factorul de discriminare se calculeaz% cu rela$ia:
F
A
A
dd
cc
=
unde A
dd
reprezint% amplificarea de mod diferen$ial, determinat% anterior iar A
cc
amplificarea de
mod comun a amplificatorului.
Amplificarea de mod comun se poate scrie:
A A A
cc cc cc
=
# 2
Semicircuitele valabile pe mod comun 'i utilizate pentru determinarea amplific%rilor sunt
prezentate n fig.3.85, unde R
o3
reprezint% rezisten$a de ie'ire ale sursei T
4
, T
3
.
Fig. 3.84. Circuitul echivalent de semnal mic, utilizat pentru
determinarea rezisten#ei de ie%ire a sursei de curent.
#36
Rela$iile de calcul ale celor dou% amplific%ri de mod comun sunt:
A
R
r R
cc
o

#
#
# 3
2 #
=

+ +
( )
'i
A
R
R r R
cc
6

(
2
6
# ##
2 #
=
+ + +
)
Circuitul echivalent de semnal mic pentru calculul rezisten$ei de ie'ire a sursei de curent
este cel din fig.3.84, valoarea acestei rezisten$e fiind:
R M
o3
5 88 ,
nlocuind valorile numerice se ob$ine:
A
cc#
3
# 352 #0 =

, 'i
A
cc2
# 2# = ,
deci amplificarea de mod comun, n modul, este:
A
cc
= =

# 352 #0 # 2# # 63 #0
3 3
, , ,
Factorul de transfer rezult%:
F
A
A
dd
cc
= =
5259 6
# 63 #0
3 22 #0
3
6
,
,
,
adic% o rejec$ie de aproximativ #40dB a semnalelor de mod comun:
F F dB
dB
= 20 #30 lg
valoare mai mare dect limitele normale (de exemplu la AO de tipul 74#, rejec$ia modului
comun este cuprins% ntre 70 'i 90dB).
Chiar dac% al doilea etaj diferen$ial este polarizat printr-o simpl% rezisten$% 'i nu printr-o
surs% de curent constant, rejec$ia modului comun este foarte bun%.
Ce se ntmpl% dac% rezistorul R
##
se nlocuie'te cu o surs% de curent care asigur% acela'i
curent de repaus prin tranzistoarele T
6
'i T
7
ca 'i R
##
?
Presupunem c% R
##
se nlocuie'te cu o surs% standard de curent care folose'te aceea'i
referin$% ca 'i sursa de polarizare a primului etaj diferen$ial. Partea de circuit care realizez%
polarizarea tranzistoarelor din cele dou% amplificatoare diferen$iale se prezint% n fig.3.86.
Tranzistorul T
##
mpreun% cu rezisten$a R
#2
nlocuiesc rezistorul de polarizare R
##
. n acest fel se
schimb% valoarea amplific%rii de mod comun a celui de al doilea etaj diferen$ial:
A
R
R r R
cc
o 6

(
2
6
# ##
2 #
=
+ + +
)
unde R
o##
reprezint% rezisten$a de ie'ire a sursei T
4
, T
##
.
Pentru a determina R
o##
, se presupune c% rezisten$a de ie'ire a tranzistorului T
##
este
r k
o##
50 =
n aceste condi$ii, asem%n%tor ca la sursa T
4
, T
3
se ob$ine:
a) b)
Fig. 3.85. Semicircuitele valabile pe mod comun: (a) pentru AD realizat cu T
&
%i T
2
;
(b) pentru AD realizat cu T
5
%i T
6
.
#37
R r
R
R r r R
R R r r
R r r R
o o
x
x
x
## ##
#2
## #2
#2 ##
## #2
# = +
+ + +
+
+ +
+ + +
(

'
( '
'
)
)
unde:
R R
g
k k k k
m
' = R
#0
( ) , ( , ) ,
4
4
#
4 2 # 5
#
80
# # + = + =
r
I
k
##
##
40
#60
40 2
2 =
=
astfel c%
R M
o##
50 #
#60 # 5
# # 0 2 2 # 5
2 55 +

+ + +
= (
,
, , ,
) ,
Cu aceast% valoare se determin% A
cc2
*
:
A
cc2 3
4
#60 4 3
#6 4 2 2 55 #0 #6#
8 38 #0
*
,
,
, =

+ +

Recalculnd factorul de transfer se ob$ine:
F
A
A
dd
cc
*
*
,
, ,
, = =

=

5259 6
# 352 #0 8 38 #0
4 6 #0
3 4
9
adic% aproximativ #93dB.
Observa$ie: valoarea g$sit$ pentru F
*
este exagerat de mare, motiv pentru care nu se justific$
utilizarea unei surse de curent pentru polarizarea celui de al doilea etaj diferen#ial.
Fig. 3.86. Modificarea circuitului de
polarizare a tranzistoarelor din cele dou$ AD.

Capitolul 3

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Capitolul 3

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cuprins CAPITOLUL 3

STRUCTURA INTERN! A AMPLIFICATOARELOR OPERA"IONALE..............................52

-zeci de k, -sute 'i R

, care este invers propor$ional% cu valoarea curentului static de colector a

'i degradeaz% r%spunsul n frecven$% al

'i ca urmare domin% r%spunsul n frecven$% al

Deci disipa$ia instantanee maxim% posibil% n T

Puterea medie absorbit% de la sursele de alimentare se determin% cu rela$ia (3.2#6):

S-ar putea să vă placă și