Capitolul 3 PDF

Cuprins CAPITOLUL 3
STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE ..............................52

3.1 Introducere.........................................................................................................................52
3.2 SURSE DE CURENT CONSTANT .................................................................................52
3.2.1 Surse de curent constant realizate cu tranzistoare bipolare .......................................53
3.2.1.1 Configuraia fundamental a sursei de curent constant .........................................53
3.2.1.2 Sursa simpl de curent cu dou tranzistoare..........................................................54
3.2.1.3 Surse (oglinzi) de curent cu trei tranzistoare .........................................................57
3.2.1.4 Sursa standard de curent ........................................................................................58
3.2.1.5 Sursa de curent Widlar ..........................................................................................60
3.2.1.6 Sursa de curent cascod.........................................................................................61
3.2.1.7 Surse de curent multiple ........................................................................................62
3.2.1.8 Surse de curent realizate cu TEC-J........................................................................62
3.2.2 Surse de curent constant realizate cu tranzistoare MOS............................................63
3.2.2.1 Sursa simpl de curent...........................................................................................63
3.2.2.2 Sursa de curent cascod.........................................................................................64
3.2.2.3 Sursa de curent Wilson..........................................................................................64
3.2.3 Polarizarea independent de sursele de alimentare ...................................................64
3.2.3.1 Circuite de polarizare de referin bazate pe tensiunea direct a jonciunii bazemitor 66
3.2.3.2 Circuite de polarizare de referin bazate pe tensiunea termic ............................67
3.2.3.3 Circuite de polarizare care utilizeaz ca referin o diod Zener ..........................67
3.3 SURSE I REFERINE DE TENSIUNE .........................................................................69
3.3.1 Surse de tensiune .......................................................................................................69
3.3.2 Referine de tensiune .................................................................................................70
3.3.2.1 Referine de tensiune cu diode Zener ....................................................................71
3.3.2.2 Referine de tipul band interzis.......................................................................73
3.4 ETAJE DE AMPLIFICARE DIFERENIALE ................................................................76
3.4.1 Configuraii de baz ale amplificatoarelor difereniale .............................................76
3.4.2 Parametrii amplificatoarelor difereniale...................................................................77
3.4.3 Caracteristica static de transfer a AD.......................................................................79
3.4.4 Analiza de semnal mic a etajelor difereniale perfect simetrice ................................82
3.4.4.1 Analiza de semnal mic etajelor difereniale cu sarcin rezistiv i ieire
diferenial .........................................................................................................................82
3.4.4.2 Analiza de semnal mic a etajelor difereniale perfect simetrice i cu degenerare n
emitor 86
3.4.4.3 Analiza de semnal mic a etajelor difereniale perfect simetrice, cu ieire simpl i
sarcin rezistiv .................................................................................................................87
3.4.4.4 Amplificatorul parafaz.........................................................................................88
3.4.4.5 Amplificatoare difereniale cu sarcin activ ........................................................89
3.4.5 Amplificatoare difereniale cu asimetrii ....................................................................91
3.4.5.1 Determinarea tensiunii de offset la intrare.............................................................92
3.4.5.2 Variaia tensiunii de offset cu temperatura (drift) .................................................93
3.4.5.3 Determinarea curentului de offset la intrare ..........................................................94
3.4.6 Rspunsul n frecven al amplificatorului diferenial ..............................................94
3.4.6.1 Rspunsul n frecven al amplificrii de mod diferenial.....................................95
3.4.6.2 Rspunsul n frecven al amplificrii de mod comun ..........................................98
3.4.6.3 Rspunsul n frecven al rejeciei modului comun...............................................99
3.5 ETAJE DE DEPLASARE A NIVELULUI DE CURENT CONTINUU........................101
3.5.1 Etaje de deplasare a nvelului de curent continuu realizate cu diode .......................101
3.5.1.1 Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diode conectate n

serie 101
3.5.1.2 Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diod Zener ...........102
3.5.2 Etaje de deplasare a nivelului de curent continuu realizate cu tranzistoare ............102
3.5.2.1 Etaj de deplasare a nivelului de c.c. realizat cu diod multiplicat .....................103
3.5.2.2 Etaje de deplasare a nivelului de c.c. realizate cu repetor pe emitor ...................104
3.5.2.3 Etaj de deplasare a nivelului de c.c. care utilizeaz un tranzistor pnp ................105
3.6 ETAJE DE IEIRE..........................................................................................................106
3.6.1 Etaje de ieire clas A..............................................................................................106
3.6.1.1 Etaje de ieire clas A de tipul repetor pe emitor ................................................106
3.6.1.2 Puterea de ieire i randamentul amplificatorului n clas A ..............................109
3.6.1.3 Cerine relative la comanda repetorului pe emitor ..............................................115
3.6.2 Etaje de ieire clas B..............................................................................................115
3.6.2.1 Etaje de ieire clas B realizate cu tranzistoare complementare n conexiunea
colector comun ................................................................................................................115
3.6.2.2 Puterea de ieire i randamentul amplificatorului n clas B...............................117
3.6.2.3 Etaje de ieire n contratimp clas B realizate cu tranzistoare compuse .............121
3.6.3 Etaje de ieire n contratimp clas AB.....................................................................122
3.6.3.1 Etaje prefinale de comand a etajelor finale n contratimp clas AB..................122
3.6.3.2 Analiza etajului prefinal alimentat de la aceeai tensiune ca i cel final.............124
Protecia la scurtcircuit a tranzistoarelor finale din etajele de ieire n contratimp.............127
3.7 STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATORULUI OPERAIONAL A741 ..........130
CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE
52
Capitolul 3
STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE

3.1 Introducere
Amplificatoarele operaionale ca i circuitele integrate analogice (CIA), n cadrul crora
ocup locul cel mai important, sunt alctuite prin interconectarea convenabil a unor etaje
specifice, numite i fundamentale, astfel nct s se obin funcia de circuit dorit.
Spre deosebire de circuitele realizate cu componente discrete, unde fiecare tranzistor
delimiteaz un etaj, la circuitele monolitice, unde numrul de tranzistoare este mult mai mare
dect la echivalentul cu componente discrete, analiza circuitului se face dup etajele specifice,
care conin, de obicei, mai mult de un tranzistor.
Etajele de baz care intr n alctuirea circuitelor integrate analogice i care se pot integra
monolitic sunt urmtoarele:
surse de curent constant
surse i referine de tensiune
etaje de amplificare difereniale
etaje de deplasare a nivelului de c.c.
etaje de ieire (finale).
3.2
SURSE DE CURENT CONSTANT
Sursele de curent constant se realizeaz cu tranzistoare i au rolul de a furniza cureni

independeni de impedana de sarcin i pe ct posibil de tensiunea de alimentare i de
temperatur.
In configuraia CIA, sursele de curent constant ndeplinesc urmtoarele funcii:
de polarizare a altor etaje, de exemplu a celor difereniale;
de sarcini active;
de reele de reacie de mare impedan (reele de reacie active);
de deplasare a nivelului de c.c.
Deoarece rezistenele de valori mari ocup o parte nsemnat din aria cipului de siliciu
(de exemplu pentru o rezisten de 1k, n funcie de rezistena pe ptrat a zonei din cipul de
siliciu n care s-a realizat rezistorul, se poate consuma o suprafa echivalent cu cea a dou
tranzistoare), sursele de curent din CIA conin mai multe tranzistoare dect echivalentele lor
realizate cu componente discrete.
In funcie de tehnologia de fabricare a CI, sursele de curent se pot realiza cu tranzistoare
bipolare sau cu tranzistoare cu efect de cmp de tipul MOS, obinute prin tehnologiile MOS i
CMOS.
Principalele surse de curent constant ntlnite n structura CIA i realizate cu tranzistoare
bipolare sunt:
sursele de curent cu dou tranzistoare, numite i surse simple de curent sau oglinzi de curent
(dac cele dou tranzistoare au ariile de emitor egale);
sursele (oglinzile) de curent cu trei tranzistoare;
sursa standard de curent;
sursa de curent Widlar;
sursa de curent cascod;
sursa de curent multipl;
sursa de curent cu tranzistoare cu efect de cmp (TEC-J).
STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE SURSE DE CURENT CONSTANT
53
In tehnologia MOS de realizare a CI se utilizeaz n principal:

sursa simpl de curent cu dou tranzistoare;
sursa de curent Wilson;
sursa de curent cascod.
Deoarece aceste surse de curent au rol n polarizarea unor etaje ale CIA iar impedanele
lor de ieire intervin n analiza de semnal mic a unor structuri integrate complexe, este foarte
important s se cunoasc valoarea de c.c. a curentului generat (Io) i valoarea impedanei de ieire
(Ro). In cele ce urmeaz se vor analiza structurile de surse enumerate, determinndu-se n
principal aceste dou mrimi.
3.2.1
Surse de curent constant realizate cu tranzistoare bipolare
3.2.1.1
Configuraia fundamental a sursei de curent constant
In studiul surselor de curent constant se poate porni de la o configuraie general,
construit cu tranzistor bipolar, utilizat i n circuitele cu componente discrete (fig.3.1). Dac se
asigur un potenial constant, VB, pe baza tranzistorului T, iar acesta lucreaz n regiunea activ,
curentul de emitor va fi independent de impedana de sarcin ZL.
E U BE
iE = G
(3.1)
rG
+ RE
+1
i este determinat de tensiunea constant de polarizare EG i de rezistena RE.
Fig. 3.1. Configuraia fundamental a sursei de

curent constant, realizat cu tranzistor bipolar.
Pentru un tranzistor cu factor de amplificare n curent >100, se poate neglija curentul de

baz fa de cel de colector i asigurnd rG/( +1)<< RE rezult:
R 1
(3.2)
Uov,max=Uo,max= L EC= 12
,V
=171
RL+RE 16
+
Rezistena de emitor RE realizeaz o reacie negativ cu rol de stabilizare a curentului de emitor.
La creterea curentului iE, se mrete cderea de tensiune REiE, micorndu-se UBE care comand
scderea injeciei de curent n colector i deci revenirea curentului de emitor la valoarea avut
anterior tendinei de cretere.
Determinarea rezistenei de ieire, Ro se face pe schema echivalent de semnal mic din
fig.3.2, unde sursa de la intrare a fost pasivizat (nlocuit cu rezistena sa intern). Expresia
rezistenei de ieire a sursei de curent este:
Fig. 3.2. Schema echivalent de semnal mic

folosit pentru determinarea rezistenei de ieire
a sursei de curent din fig. 3.1.
54
Ro =
ux
RE
) + RE ( rG + rb + r )
= ro (1 +
ix
RE + rG + rb + r
(3.3)
Rezistena de ieire este puternic dependent de RE i subliniaz rolul ei determinant n

stabilizarea curentului.
Expresia rezistenei de ieire indic posibilitatea obinerii unor valori de ordinul M-ilor,
utiliznd tranzistoare integrate care au r0 de sute de k, rb-sute de , r-zeci de k, -sute i REuniti de k.
Dependena pronunat de temperatur (-2mV/C) a tensiunii UBE a tranzistorului T
(fig.3.1) se compenseaz asigurnd o variaie similar pentru tensiunea de polarizare VB a bazei
tranzistorului din sursa de curent. In acest scop circuitul de polarizare (rG, EG) va cuprinde pe
lng sursa de alimentare EC, obligatoriu stabilizat pentru a se obine n final un curent constant,
o diod realizat dintr-un tranzistor (T1 pe fig.3.3), circuitul avnd aspectul din fig.3.3.
Fig. 3.3. Circuitul din fig. 3.1, modificat pentru a asigura

compensarea variaiei cu temperatura a tensiunii
baz-emitor a tranzistorului T.
3.2.1.2
Sursa simpl de curent cu dou tranzistoare
Sursa simpla de curent cu dou tranzistoare este un circuit propriu structurii integrate i
reprezint un generator de curent comandat n curent, cu aspectul din fig.3.4.
Fig. 3.4. Schema sursei simple de curent, realizat cu dou

tranzistoare (oglinda de curent cu dou tranzistoare).
Intre curentul comandat Io i cel de comand Iref exist o relaie ce se poate determina mai
uor dac se presupune c cei doi cureni de baz sunt egali ntre ei i egali, convenional, cu
unitatea. Considernd i cele dou tranzistoare identice, lucru posibil prin integrare, rezult
1=2=. Cu aceste consideraii raportul Io/Iref devine:
R
U2 = 2 (U1UBE)
R1+R2
(3.4)
Dac 100 atunci raportul Io/Iref este aproximativ egal cu unitatea, adic Io Iref i se poate spune
c Io este "imaginea" curentului Iref. De aici provine denumirea de "oglind de curent" dat
acestui tip de surs de curent. Decalajul dintre curentul de referin i cel de ieire se calculeaz
ca o eroare relativ, aplicndu-se formula:
Io
I
) real ( o ) ideal
I
I ref
= ref
100 [%]
Io
(
) ideal
I ref
(
(3.5)
55
unde raportul (Io/Iref)real este dat de relaia (3.4), iar (Io/Iref)ideal=1.

Dac este mic, de exemplu n cazul surselor de curent realizate cu tranzistoare pnp,
atunci decalajul dintre cei doi cureni poate deveni inacceptabil de mare. Rezolvarea acestui
inconvenient o aduc sursele de curent cu trei tranzistoare.
Exemplul 3.1. S se determine decalajul dintre curentul de referin i cel de ieire, dac
factorul de amplificare n curent al tranzistoarelor este: a) 100 i b) 25.
Rezolvare: Raportul (Io/Iref)ideal=1 pentru ambele valori ale lui , (Io/Iref)real se calculeaz
cu relaia (3.4) iar decalajul dintre cureni cu relaia (3.5). Rezultatele s-au trecut n tabelul
urmtor.
100
25
(Io/Iref)ideal
1
1
(Io/Iref)real
0,98
0,926
[%]
2
7,4
Practic, pentru a calcula curentul de ieire Io, mai nti se determin curentul de referin
Iref, aplicnd teorema a II-a lui Kirchhoff pe ochiul format din +EC, R i jonciunea baz-emitor a
tranzistorului T1. Rezult:
E U BE
I ref = C
(3.6)
R
Deoarece IoIref iar Iref este o funcie de tensiunea de alimentare EC, dac se presupune c
tensiunea UBE este constant sau se adopt, n modelare, valoarea medie UBE=0,65V, se observ
c valoarea curentului Io depinde de valoarea tensiunii sursei de polarizare a referinei, EC. Din
acest motiv, o soluie adoptat de fabricanii de CIA const n alimentarea tuturor surselor de
curent (i anume a referinei) de la surse de tensiune stabilizate intern. Dezavantajul metodei
const n limitarea valorii minime a tensiunii de alimentare a respectivului CI la 810V, dac la
obinerea tensiunii stabilizate se utilizeaz o diod Zener, de tipul celei descrise n capitolul 1 (o
jonciune baz-emitor polarizat invers).
Pentru determinarea rezistenei de ieire a sursei simple de curent din fig.3.4, se
determin mai nti rezistena introdus n circuit de tranzistorul T1 conectat ca diod (rezistena
de ieire a tranzistorului T1). Pentru schema echivalent de semnal mic din fig.3.5, a se poate
scrie:
UR
UR
(CCE
o,m=
L3IE
ax
2,sat
2I)
(3.7)
unde ux este tensiunea electromotoare (t.e.m.) a unei surse de semnal, conectat la ieirea
circuitului, care determin un curent ix egal cu cel care apare la funcionarea normal a circuitului
a crui rezisten de ieire se calculeaz.
a)
b)
Fig. 3.5. (a) Schema echivalent de semnal mic pentru tranzistorul T1, conectat ca diod.
(b) Schema echivalent de semnal mic pentru sursa din fig. 3.4.
ux
u
+ gm1u1 + 1 i deoarece u1=ux rezult c rezistena de ieire a tranzistorului
ro1
r1
T1, conectat ca diod este:
Dar i x =
56
1
(3.8)
1
1
gm 1 +
+
r 1 ro 1
In general pentru tranzistoarele integrate 1/r1<<gm1 i 1/ro1<<gm1, astfel c tranzistorul T1,
conectat ca diod, conteaz n circuitul echivalent de semnal mic doar cu impedana 1/gm1.
Aplicnd aceeai metod ca mai sus pentru circuitul echivalent de semnal mic din
fig.3.5,b sau nlocuind n relaia (3.3) rG=0 i RE=0, se obine valoarea rezistenei de ieire a
sursei simple de curent:
U
(3.9)
Ro = ro = A
Io
unde UA este tensiunea Early.
Rezistena de ieire (relaia (3.9)) s-a determinat considernd rezistena de ieire a
tranzistorului T2 finit, adic n condiiile modulrii grosimii bazei n funcie de tensiunea
colector-emitor (efectul Early), pentru UBE=const. innd seama de efectul Early, expresia
curentului de colector se scrie:
U
U
I C = I S (1 + CE ) exp( BE )
(3.10)
UA
UT
astfel c raportul curenilor prin cele dou tranzistoare nu mai este egal cu unitatea ci va fi:
U
U
1 + CE 2 1 + CE 2
IC 2
UA
UA
(3.11)
=
=
U BE
I C 1 1 U CE 1
1+
+
UA
UA
Ro 1 =
Exemplul 3.2. S se determine cu ct difer raportul curenilor de colector a

tranzistoarelor dintr-o surs simpl de curent dac se ine seama de efectul Early fa de valoarea
aceluiai raport calculat n condiiile neglijrii rezistenei de ieire a tranzistoarelor. Se presupune
c UA=100V, UCE2=30V i UCE1=UBE=0,6V.
Rezolvare: Inlocuind valorile date n relaia (3.11) rezult:
U
1 + CE 2 1 + 30
IC 2
UA
100 = 1, 29
=
=
0, 6
I C 1 1 U BE
1+
+
UA
100
adic pentru un circuit care lucreaz cu o alimentare de 30V, curenii prin tranzistoarele sursei
pot s difere cu 29% fa de valorile calculate n condiiile neglijrii rezistenei de ieire a
tranzistoarelor.
Stabilitatea termic a sursei de curent se exprim prin coeficientul KT i se determin
calculnd derivata curentului Io n raport cu temperatura. Dac se presupune c numai tensiunea
UBE este dependent de temperatur, se obine:
I
EC U BE
1 U BE
KT = o =
(
)=
(3.12)
R
R T
T T
unde UBE/T -2mV/C.
Pentru R de ordinul k sau zeci de k coeficientul de temperatur este foarte mic dar
pozitiv i reprezint V/C sau zecimi de V/C.
Sursa simpl de curent poate fi realizat i cu tranzistoare neidentice, la care ariile de
emitor nu sunt egale (A1A2). Deoarece curentul de saturaie a tranzistoarelor depinde direct
proporional de aria de emitor i IC=IS exp(UBE/UT), n cazul neglijrii curentului de baz n
raport cu cel de colector rezult:
57
Io
I
A
(3.13)
C2 = 2
I ref
I C1 A1
Relaia (3.13) arat c dac se modific raportul A2/A1, dintr-o valoare fixat a curentului
de referin, se poate obine orice valoare se dorete a curentului de ieire. Practic raportul A2/A1
se limiteaz la valoarea 1/5 pentru a nu se realiza un consum mare din aria de siliciu. Din aceast
cauz, cu ajutorul sursei simple de curent nu se pot obine valori de curent orict de mici, aspect
ntlnit frecvent la CIA de precizie. Realizarea unor cureni mici (de ordinul A), fr consum
excesiv din aria de siliciu, se realizeaz cu sursa Widlar.
Din cele prezentate rezult c sursele de erori la calculul curentului de ieire Io a unei
surse simple de curent sunt:
neglijarea rezistenei de ieire a tranzistorului T2;
valoarea factorului de ctig n curent .
3.2.1.3
Surse (oglinzi) de curent cu trei tranzistoare
Aceste oglinzi de curent elimin sursa de eroare cauzat de valoarea factorului de curent
i mbuntesc echilibrul ntre cei doi cureni, cel de ieire i cel de referin. Datorit acestor
surse se reduce decalajul dintre cei doi cureni i pentru valori ale lui mai mici dect 100.
O schem posibil de surs de curent cu trei tranzistoare este cea din fig.3.6,a. Dac se
noteaz convenional IB1=IB2=1, rezult:
Io
1
(3.14)
=
=
2
2
I ref
+
1+ 2
+1
+
O alt schem utilizat este sursa Wilson (fig.3.6,b), la care printr-un calcul asemntor,
considernd IB1=IB3=1 rezult:
+2
Io
1
+1
(3.15)
=
=
2
I ref + 2 1
+
+ 2
+1
+ 2
Relaiile de mai sus evideniaz faptul c efectul de "oglindire" este mai bun dect la sursa
simpl de curent cu dou tranzistoare din cauza prezenei lui 2.
Un avantaj suplimentar al sursei Wilson const n creterea rezistenei de ieire, n
comparaie cu celelalte dou surse descrise anterior. Cauza o constituie reacia negativ introdus
de tranzistorul T3. Se poate demonstra c valoarea rezistenei de ieire a sursei Wilson este:
r
Ro o 2
(3.16)
2
a)
b)
Fig. 3.6. Surse (oglinzi) de curent realizate cu trei tranzistoare.

(b) Sursa WILSON.
58
Exemplul 3.3. S se determine decalajul dintre curentul de ieire i cel de referin pentru
cele dou oglinzi de curent cu trei tranzistoare din fig. 3.6, dac =25.
Rezolvare: Inlocuind valoarea dat a factorului de curent n relaia (3.14) se obine:
Io
1
1
=
=
= 0, 997
2
2
I ref 1
1+ 2
+ 2
+
25 + 25
decalajul dintre cureni fiind de 0,3%.
Similar, nlocuind valoarea lui n relaia (3.15) se obine:
Io
1
1
=
=
= 0, 997
2
2
I ref 1
1+ 2
+ 2
+ 2
25 + 50
decalajul dintre cureni fiind tot de 0,3%.
Se observ c acest decalaj de 0,3% este mult mai mic dect cel obinut n exemplul 3.1,
pentru aceeai valoare a factorului de curent.
3.2.1.4
Sursa standard de curent
Sursa standard de curent se obine din sursa simpl de curent prin conectarea unor
rezistoare n serie cu emitoarele celor dou tranzistoare (fig.3.7). Din cele prezentate pn n
prezent se poate intui c din cauza reaciei negative introduse de rezistorul R2, sursa standard
permite obinerea unei rezistene de ieire mai mari dect oglinda de curent cu dou tranzistoare.
Fig. 3.7. Sursa standard de curent constant,

realizat cu tranzistoare bipolare.
Pentru a determina raportul Io/Iref se aplic teorema a II-a lui Kirchhoff pe ochiul format
din jonciunile baz-emitor ale celor dou tranzistoare i cele dou rezistoare din emitoarele
tranzistoarelor.
Se fac urmtoarele presupuneri simplificatoare:
se consider c factorul de amplificare n curent, , este suficient de mare pentru a neglija
curenii de baz n raport cu cei de colector;
se presupune c valoarea curentului de colector nu depinde de tensiunea colector-emitor.
Rezult:
U BE 1 + R1 I ref = U BE 2 + R2 I o
(3.17)
dar
I ref I C 1 = I S 1 exp(
Io IC 2
de unde
U BE 1
),
UT
U
= I S 2 exp( BE 2 )
UT
(3.18)
U BE 1 = U T ln(
U BE 2
I ref
IS 1
59
),
(3.19)
I
= U T ln( o )
IS 2
astfel c
U BE 1 U BE 2 = R2 I o R1 I ref = U T ln(
I ref I S 2
)
Io I S 1
(3.20)
Relatia (3.20) se mai poate scrie sub forma:

I ref I S 2
Io
R
UT
ln(
)
(3.21)
= 1+
I ref R2 R2 I ref
Io IS 1
Dac se consider cele dou tranzistoare identice, ceea ce implic IS1=IS2, se obine relaia:
I ref
Io
R
UT
ln(
)
(3.22)
= 1+
I ref R2 R2 I ref
Io
care se poate folosi n probleme la un calcul iterativ.
Numrtorul termenului al doilea din dreapta egalitii (3.22) reprezint diferena celor
dou tensiuni baz-emitor. Aceast diferen este mult mai mic dect cderea de tensiune R2Iref,
astfel nct, chiar pentru rapoarte ale celor doi cureni de ordinul 100, acest termen se poate
neglija. Relaia, util i n dimensionare, devine astfel:
Io
R
(3.23)
= 1
I ref R2
i pune n eviden faptul c raportul curenilor se poate ajusta din valorile rezistenelor din
emitoarele celor dou tranzistoare i, spre deosebire de sursa simpl, se pot obine rapoarte mai
mari dect 5.
Curentul de referin se calculeaz cu relaia:
E U BE
I ref = C
(3.24)
R + R1
i astfel expresia curentului de ieire devine:
R1
(3.25)
Io =
( EC U BE )
R2 ( R + R1 )
Rezistenta de ieire este dat de relaia (3.3), n care RE=R2 i rG=R||(R1+1/gm1) sau se
poate calcula pentru circuitul echivalent de semnal mic din fig.3.8.
Fig. 3.8. Schema echivalent de semnal mic a

sursei standard de curent din fig. 3.7.
Se pornete de la relaia general de determinare a rezistenei de ieire (Ro=ux/ix), se scriu
ecuaii n care intervin, ca necunoscute, curenii iB i iro i rezolvnd sistemul de ecuaii obinut,
se gsete pentru Ro expresia:
R2
Ro = ro 2 (1 +
) + R2 ( rx + r 2 + R ')
(3.26)
R2 + rx + r 2 + R '
1
unde R ' = R ( R1 +
).
gm 1
Se observ c dac R1=R2, atunci Io=Iref i se obine o oglind de curent, cu avantajul c
prezena rezistorului R2 mrete valoarea rezistenei de ieire a acestei oglinzi de curent.
60
3.2.1.5
Sursa de curent Widlar
Sursa de curent Widlar se folosete pentru obinerea unor cureni de polarizare mici, de
ordinul A, fr un consum excesiv din aria de siliciu pentru rezistena total din circuit.
De exemplu, n CIA de precizie este necesar de multe ori s se obin cureni de
polarizare de ordinul 1A. innd cont c tensiunile de alimentare uzuale sunt de 1020V i c
valorile economice ale curentului de referin nu pot cobor mult sub 1mA, rezult c n cazul
unei surse standard raportul R2/R1 ar trebui s fie de ordinul sutelor sau miilor. Realizarea unui
astfel de raport este neeconomic deoarece rezult valori prea mari pentru R2.
Exemplul 3.4. S presupunem c se cere un curent de polarizare Io=10A, obinut cu
ajutorul unei surse standard (fig. 3.7), circuitul fiind alimentat cu tensiunea EC=10V. Rezistena
R se adopt astfel ca Iref s aib valoarea de 1mA. S se determine valoarea rezistenei R2, dac
R1=5k.
Rezolvare: Inlocuind valorile cunoscute ale curenilor i rezistenei R1 n relaia (3.23),
rezult:
10 3 5 103
= 500 k
Io
10 106
valoare neeconomic pentru structurile integrate.
Pentru a micora valoarea rezistenei R2, se elimin din circuit rezistorului R1 (se
nlocuiete cu un scurtcircuit). Circuitul care rezult se numete sursa Widlar i are schema din
fig.3.9.
R2 =
I ref R1
Fig. 3.9. Sursa WIDLAR de curent constant,

realizat cu tranzistoare bipolare.
Pentru a determina curentul de ieire Io, se procedeaz asemntor ca la sursa standard. Se

pot scrie relaiile:
U BE 1 U BE 2 = R2 I o
(3.27)
U
(3.28)
I ref I C1 = I S1 exp( BE 1 )
UT
U
(3.29)
I o = I C 2 = I S 2 exp( BE 2 )
UT
Dac din relaiile (3.28) i (3.29) se exprim tensiunile baz-emitor i se nlocuiesc n (3.27),
rezult:
I ref I S 2
R2 I o = U T ln(
)
(3.30)
I o I S1
Presupunnd c tranzistoarele T1 i T2 sunt identice, atunci IS1=IS2 i expresia curentului de ieire
se scrie:
I ref
U
I o = T ln(
)
(3.31)
R2
Io
dar
61
EC U BE EC
(3.32)
R
R
dac se neglijeaz cderea de tensiune pe jonciunea baz-emitor n raport cu tensiunea de
alimentare.
Rezult pentru curentul de ieire expresia:
U
E
(3.33)
I o = T ln( C )
R2
RI o
Stabilitatea termic este foarte bun iar rezistena de ieire este mare datorit reaciei
negative introduse de R2.
I ref =
Exemplul 3.5. Relund exemplul 3.4 pentru o surs Widlar, considernd Iref=1mA,
EC=10V i Io=10A, s se determine valoarea necesar a rezistenei R2.
Rezolvare: Valoarea rezistenei R2 se determin din relaia (3.31):
I ref
UT
0, 026
10 3
R2 =
ln(
)=
ln(
) = 1, 2 k
Io
Io
10 106
10 10 6
Rezistena cu valoarea obinut se poate integra monolitic.
Circuitul echivalent de semnal mic folosit pentru determinarea rezistenei de ieire se
prezint n fig.3.10.
Fig. 3.10. Circuitul echivalent de smnal mic

al sursei WIDLAR.
Procednd asemntor ca la sursa standard, rezult:
R2
Ro = ro 2 (1 +
) + R2 ( rx + r 2 + R ')
(3.34)
R2 + rx + r 2 + R '
1
unde R ' = R (
).
gm1
In practic pot apare urmtoarele situaii:
a) se cunosc Iref i R2; atunci Io este soluia unei ecuaii transcendente. Pentru rezolvare se
poate aplica o metod iterativ. La primul pas se adopt pentru raportul Iref/Io o valoare egal, de
exemplu, cu 10, se calculeaz tensiunile R2Io i UTln(Iref/Io) i se compar ntre ele. Raportul Iref/Io
se modific pn cnd diferena dintre cele dou tensiuni devine mai mic dect o valoare
impus, de exemplu 0,1mV. Cunoscnd Iref, din ultimul raport Iref/Io se poate calcula valoarea
curentului de ieire, Io.
b) se cunosc Iref i Io; situaia se ntlnete n proiectarea unei surse Widlar, cnd se cere
s se dimensioneze rezistoarele din circuit.
3.2.1.6
Sursa de curent cascod
Sursa de curent cascod constituie, pe lng sursa standard i sursa Widlar, o alt
abordare pentru a se obine o rezisten de ieire mare. In cazul sursei standard, de exemplu, o
valoare mare a rezistorului R2 determin o valoare mare a rezistenei de ieire. Pentru a se evita
utilizarea de valori neeconomice pentru R2, rezistorul menionat se nlocuiete cu o surs simpl
de curent. Aceasta, la o arie ocupat mai mic, poate oferi o valoare de rezisten (dinamic) mult
mai mare.
Schema circuitului se prezint n fig.3.11.
Se poate demonstra c rezistenta de ieire este dat de relaia:
62
Ro = ro2
(3.35)
Sursa de curent cascod se utilizeaz atunci cnd se cere o foarte bun stabilizare a curentului la
variaiile sarcinii.
Fig. 3.11. Sursa de curent cascod, realzat cu

tranzistoare bipolare.
3.2.1.7
Surse de curent multiple
Sursele de curent multiple folosesc o singur referin i mai multe ramuri de ieire.
Sursele multiple se pot realiza cu tranzistoare npn (fig.3.12,a) sau pnp (fig.3.12,b).
Pentru reducerea ariei totale ocupate, ca circuite oglind de curent, n CIA se utilizeaz
frecvent tranzistoare pnp multicolector (tranzistoare pnp laterale), conectate ca n fig.3.12,c.
a)
b)
c)
Fig. 3.12. Surse de curent multiple realizate: (a) cu tranzistoare npn;
(b) cu tranzistoare pnp; (c) cu tranzistor pnp multicolector.
3.2.1.8
Surse de curent realizate cu TEC-J
Sursele de curent realizate cu tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune (TEC-J)
sunt surse concepute pentru cureni mici de polarizare, de ordinul microamperilor.
Aceste surse nltur un dezavantaj al sursei simple de curent sau al sursei Widlar care
const n aceea c rezistorul R, de fixare a curentului de referin, este practic legat n paralel cu
sursa de alimentare EC dac UBE se neglijeaz n raport cu EC. Dac se dorete putere disipat
mic, atunci rezistena R trebuie s fie de valoare mare, ceea ce este o soluie costisitoare (arie
mare de siliciu). Se poate evita aceast situaie prin folosirea n loc de rezistorul R a unui TEC-J
cu canal n. Rezult schema din fig.3.13,a.
Metoda prezint urmtoarele avantaje:
n locul unei arii mari de siliciu, ocupat de rezistorul R, acum suprafaa consumat este
echivalent cu cea a unui singur tranzistor npn;
TEC-J lucreaz n regiunea de saturaie (pentru UDS>UP, UP fiind tensiunea de prag) astfel c
Iref practic nu depinde de UDS i deci de tensiunea de alimentare EC, deoarece
EC=UDS+UBEUDS.
O alt soluie convenabil pentru obinerea unor cureni de polarizare mici, de valoare
bine determinat i reproductibil, independent de tensiunile de alimentare, de temperatur i
insensibil la variaiile datorate procesului tehnologic, o constituie utilizarea unui TEC-J cu canal
63
p, obinut prin implantare ionic (fig.3.13,b). Prin introducerea rezistorului R se reduce

sensibilitatea curentului IDSS fa de variaiile de proces i de temperatur.
Fig. 3.13. Surse de curent realizate cu

tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune.
(a) Surs cu TEC-J cu canal n.
(b) Surs cu TEC-J cu canal p.
3.2.2
Surse de curent constant realizate cu tranzistoare MOS
3.2.2.1
Sursa simpl de curent
Versiunea MOS a sursei simple de curent (fig.3.14) este alctuit din dou tranzistoare nMOS. Tranzistorul M1, conectat ca diod, genereaz tensiunea de polarizare UGS1, stabilit de Iref.
Dac se neglijeaz valoarea finit a rezistenei de ieire, curentul de ieire este:
I D2 = I D1 = I ref
(3.36)
deoarece UGS1=UGS2 i ambele tranzistoare sunt n regiunea activ direct.
Fig. 3.14. Sursa simpl de curent,

realizat cu tranzistoare MOS.
Fig. 3.15. Caracteristica de ieire

a tranzistorului M2.
Tranzistorul M2 are, de fapt, rezisten de ieire finit i caracteristica de ieire ID=f(UDS)

cu aspectul din fig.3.15, forma caracteristicii fiind asemntoare cu cea a unui tranzistor bipolar.
In ambele cazuri rezistena de ieire, ro este invers proporional cu curentul de polarizare.
Deoarece tranzistoarele MOS nu se comand n curent ci n tensiune, este important de observat
c n cazul sursei realizat cu tranzistoare MOS, nu exist eroare din cauza curentului de baz (ca
la varianta cu tranzistoare bipolare) i se poate genera un numr arbitrar de mare de cureni de
ieire, prin legarea mai multor dispozitive n paralel cu M2. De asemenea, tot din aceeai cauz
nu este nevoie de un al treilea tranzistor ca la sursele cu tranzistoare bipolare (unde astfel se
compensa valoarea mic a factorului de curent ).
O diferen major fa de sursele realizate cu tranzistoare bipolare const n aceea c
rezistena de ieire a tranzistorului MOS, pentru un curent ID dat, se poate mri prin creterea
lungimii canalului.
De asemenea este important de reinut c valoarea dorit a rezistenei de ieire se obine
pentru o tensiune dren-surs cel puin egal cu UDS,sat. La sursele cu tranzistoare bipolare,
tensiunea minim de ieire este UCE,sat, care tipic este mai mic dect UDS,sat. Acest lucru trebuie
avut n vedere atunci cnd se impun valori mici ale tensiunii de alimentare pentru CIA realizate
cu tranzistoare MOS.
64
3.2.2.2
Sursa de curent cascod
La sursele cascod realizate cu tranzistoare bipolare, din cauza curenilor de baz ale
tranzistoarelor cascodei, nu se poate obine o rezisten de ieire mai mare dect ro/2. In
contrast, deoarece ctigul n curent al tranzistorului MOS este infinit, cu ajutorul cascodei MOS
se pot obine rezistene de ieire arbitrar de mari prin adugarea de noi etaje cascodei.
Un exemplu de astfel de surs se prezint n fig.3.16.
Fig. 3.16. Sursa de curent cascod,

realizat cu tranzistoare MOS.
Fig. 3.17. Surse WILSON: (a) cu nemperecherea

curenilor de dren; (b) cu tranzistor suplimentar.
3.2.2.3
Sursa de curent Wilson
Varianta cu tranzistoare MOS a sursei Wilson se prezint n fig.3.17,a. Modul de lucru al
circuitului este, n esen, identic cu cel al variantei de surs realizat cu tranzistoare bipolare
dac se consider c factorul de amplificare n curent este infinit.
Dac se presupune c sursa de curent de referin nu determin efect de ncrcare rezistiv,
atunci rezistena de ieire a sursei Wilson se poate scrie:
Ro ( 2 + gm1ro 3 ) ro1
(3.37)
Sursa Wilson din fig.3.17,a lucreaz astfel nct valorile de c.c. ale tensiunilor drensurs ale tranzistoarelor M3 i M2 sunt diferite i anume UDS(M3)>UDS(M2). Pentru tensiuni de
prag mari, din cauza rezistenelor de ieire finite ale tranzistoarelor, apar nemperecheri ale
curenilor de dren. Dezavantajul se elimin prin adugarea unui tranzistor suplimentar M4,
conectat ca diod (fig.3.17,b).
3.2.3
Polarizarea independent de sursele de alimentare
Pentru sursa simpl de curent, sursa standard, oglinzile de curent cu trei tranzistoare,
sursa cascod i sursele multiple de tipul oglinzi de curent, valoarea curentului de ieire este
proporional cu tensiunea de alimentare. Atunci cnd aceste surse se utilizeaz ca surse de
polarizare, acest fapt constituie un dezavantaj. De exemplu, dac sursa simpl de curent ar fi
utilizat ntr-un amplificator operaional care trebuie s funcioneze cu tensiuni de alimentare
care variaz de la 10V la 30V, curentul de polarizare se va modifica ntr-un raport de 3:1 iar
puterea disipat ntr-un raport de 9:1.
Acest aspect al funcionrii ca circuit de polarizare se poate caracteriza prin variaia
relativ a curentului de polarizare care rezult pentru o variaie relativ dat a tensiunii de
alimentare.
Pentru sursele enumerate mai sus acest factor de merit este unitar. Sursa de curent Widlar
este ceva mai bun n ceea ce privete sensibilitatea fa de sursa de alimentare. Prezena
rezistenei din emitor determin o dependen aproximativ logaritmic a curentului de ieire n
funcie de tensiunea de alimentare.
65
Pentru descrierea variaiei curentului de ieire n funcie de tensiunea de alimentare, se

utilizeaz sensibilitatea, S, care reprezint variaia relativ a curentului de ieire raportat la
variaia relativ a tensuinii sursei de alimentare. Pentru variaii mici ale mrimilor care intervin,
se poate scrie:
I o
I
E I
E I
Io
(3.38)
S EC = Eo C = I oC EoC = I oC EoC
EC
Astfel sensibilitatea pentru sursa simpl de curent este:
E
E 1
E U
Io
(3.39)
S EC = I oC EC ( C R BE ) I oC R = 1
deoarece IoIref iar IrefREC.
In cazul sursei Widlar, curentul de ieire Io, este dat n mod implicit de expresia:
I ref
I o R2 = U T ln(
)
(3.40)
Io
Pentru determinarea sensibilitii curentului Io fa de tensiunea sursei de alimentare, se
difereniaz relaia (3.40) n raport cu EC i rezult:
I ref
I
Io
1 I ref I ref I o
R2
[ln(
)] = U T o (
)
(3.41)
= UT
Io
I ref I o EC I o 2 EC
EC
EC
Rezolvnd aceast ecuaie pentru Io/EC, se obine:
EC I ref
I ref
I ref EC
EC I o
Io
S
E
(3.42)
S EC = I o EC = R2 I o = R2C I o
1+
1+
UT
UT
Dac tensiunea EC este mult mai mare dect o cdere de tensiune direct de diod, atunci
IrefEC/R i sensibilitatea lui Iref fa de EC este aproximativ egal cu unitatea.
Exemplul 3.6. Se consider o surs Widlar la care Iref=1mA, Io=5A i R2=27,5k. S se
determine sensibilitatea curentului de ieire fa de variaiile sursei de alimentare.
Rezolvare: aplicnd relaia (3.42) i observaia c sensibilitatea curentului de referin
fa de variaia sursei de alimentare este aproximativ egal cu unitatea rezult:
I ref
1
= 0, 16
EC
R2 I o
27 , 5k 5A
1+
1+
UT
26mV
adic o variaie de 10% a tensiunii de alimentare determin o variaie de numai 1,6% a curentului
de ieire Io.
Io
EC
Pentru multe tipuri de CIA acest nivel de independen fa de sursa de alimentare nu este
adecvat. O independen mult mai marcat se poate obine determinnd curenii din circuit s fie
dependeni de o tensiune standard i nu de tensiunea de alimentare. Tensiunile standard
utilizabile sunt: tensiunea baz-emitor a unui tranzistor, UBE, tensiunea termic UT i
tensiunea de strpungere a unei jonciuni baz-emitor polarizat invers (tensiunea Zener).
Fiecare din ele se poate utiliza pentru a realiza o independen fa de tensiunea de alimentare.
Primele dou au dezavantajul c tensiunea de referin este dependent de temperatur: UBE are
un coeficient de temperatur negativ iar tensiunea termic unul pozitiv. Utilizarea diodei Zener
are dezavantajul c este necesar o tensiune de alimentare de cel puin 7...8V, deoarece
tehnologia circuitelor integrate standard produce tranzistoare npn cu o tensiune de strpungere
66
baz-emitor de aproximativ 6V; mai mult, jonciunile pn care lucreaz n condiii de strpungere
produc un zgomot de tensiune important.
3.2.3.1
Circuite de polarizare de referin bazate pe tensiunea direct a

jonciunii baz-emitor
In forma sa cea mai simpl circuitul este prezentat n fig.3.18,a. Acest circuit se poate
asimila unei surse Wilson n care tranzistorul conectat ca diod a fost nlocuit cu un rezistor.
Curentul de referin este forat s curg prin T1; ca urmare tranzistorul T2 trebuie s furnizeze
suficient curent prin R2. Tensiunea baz-emitor a tranzistorului T1 va fi o funcie de Iref,
UBE=f(Iref). Dac neglijm curenii de baz, curentul Io va fi egal cu curentul de emitor al
tranzistorului T2, dat de curentul care curge prin rezistorul R2. Deoarece cderea de tensiune pe
R2 este egal cu o tensiune UBE, curentul de ieire este proporional cu aceast tensiune bazemitor. Neglijnd curenii de baz se obine:
I ref
U
U
I o = BE 1 = T ln(
)
(3.43)
R2
R2
I S1
Circuitul din fig.3.18,a nu este ns complet independent de alimentare (tensiunea bazemitor a tranzistorului T1 se modific uor n funcie de tensiunea sursei de alimentare), deoarece
curentul de colector a tranzistorului T1 este proporional cu EC.
Independena fa de sursa de alimentare se poate mult mbunti prin utilizarea tehnicii
de polarizare bootstrap, denumit i autopolarizare (fig.3.18,b). In acest caz curentul de referin
nu se mai obine prin conectarea unui rezistor la sursa de alimentare, ci este fcut s depind
direct chiar de curentul de ieire al sursei de curent.
Fig. 3.18. Polarizarea independent de

alimentare, utiliznd ca referin tensiunea UBE.
(a) independen parial.
(b) circuit cu autopolarizare.
Presupunnd c bucla de reacie, care se formeaz prin aceast conectare, are un punct de
funcionare stabil, curenii din circuit vor fi mai puin dependeni de tensiunea sursei de
alimentare n comparaie cu varianta de polarizare rezistiv. Rezult:
I ref
U
I C 2 = T ln(
)
(3.44)
R
I S1
Sursa simpl, realizat cu tranzistoarele de arii egale T4 i T5, impune egalitatea Iref=IC2.
Neglijnd curenii de baz i efectul Early, se pot scrie relaiile:
I ref
U
U BE 3 = RI C 2 = R T ln(
) = U BE 1
(3.45)
R
I S1
dar UBE3 se mai poate scrie
I
(3.46)
U BE 3 = U T ln( o )
IS3
i dac tranzistoarele T1 i T3 au arii egale, atunci se va realiza egalitatea:
I o = I C 2 = I ref
(3.47)
67
3.2.3.2
Circuite de polarizare de referin bazate pe tensiunea termic
Pentru sursa Widlar cderea de tensiune pe rezistena R2 este:
I I
U x = I c2 R2 = U T ln( C1 S 2 )
(3.48)
I C 2 I S1
Dac raportul celor doi cureni de colector este meninut constant, tensiunea de pe R2 va
fi proporional cu UT. Aceast situaie se ntlnete n circuitul cu autopolarizare din fig.3.19, al
crui montaj cuprinde dou surse multiple cu tranzistoare complementare. Sursa simpl realizat
cu tranzistoarele cu arii egale T4 i T5 realizeaz egalitatea: Iref=IC2, dar IrefIC1, astfel c se
realizeaz condiia de egalitate a celor doi cureni de colector, IC1 i IC2. Tranzistorul T2 este
dublu-emitor, ceea ce nseamn c are aria de emitor dubl fa de cea a tranzistorului T1, iar
ntre curenii de saturaie exist relaia: IS2=2IS1. Cu aceste observaii, cderea de tensiune de pe
R2 se scrie:
U x = U T ln 2
(3.49)
iar curentul de ieire va avea expresia:
U
I o = I C 2 = T ln 2 = f (U T )
(3.50)
R2
Fig. 3.19. Polarizare independent de temperatur,

utiliznd ca referin tensiunea termic.
Circuitul are un coeficient de temperatur mai bun dect cel care utilizeaz tensiunea UBE
ca referin deoarece sensibilitile relative ale tensiunii UT i ale rezistorului difuzat R2 sunt
pozitive i tind s se anuleze reciproc:
U
Io
UT
1 U T R2
1 U T 1 R2
(3.51)
(
ln 2 ) = ln 2 (
) = T ln 2 (
)
=
R2 T
R2
UT T
R2 T
T T R2
T
Un aspect important al funcionrii circuitelor cu autopolarizare este dat de faptul c de multe ori
ele au un punct stabil de funcionare n care curenii sunt nuli, cu toate c tensiunea de alimentare
este nenul. De aceea aceste circuite se completeaz cu un circuit separat, numit de pornire
care evit posibilitatea ca circuitul cu autopolarizare s rmn n situaia de cureni nuli.
3.2.3.3
Circuite de polarizare care utilizeaz ca referin o diod Zener
Aceste circuite de polarizare asigur i mbuntirea comportrii cu temperatura.
Un circuit tipic de polarizare care utilizeaz ca referin o dioda Zener este prezentat n
fig.3.20,a. Rezistorul R1 asigur curentul continuu necesar pentru polarizarea elementelor D1, T4
i T5. Potenialul bazei tranzistorului T1, VB1, este egal cu UZ plus dou tensiuni directe de diod
(tensiunile baz-emitor ale tranzistoarelor T4 i T5). Cderea de tensiune pe R2 este egal cu VB1
minus dou tensiuni directe de diod (tensiunile baz-emitor ale tranzistoarelor T1 i T2). Deci
cderea de tensiune pe R2 este aproape egal cu UZ i, ca urmare
U
Io Z
(3.52)
R2
Acest circuit are o uoar dependen fa de tensiunea sursei de alimentare deoarece valoarea
curentului prin rezistorul R1 se schimb atunci cnd valoarea sursei de alimentare se modific.
68
Prin urmare se modific i curentul prin D1, T4 i T5. Deoarece aceste dispozitive au o rezisten
intern finit, variaz i tensiunea din baza tranzistorului T1.
Pentru a se elimina dependena de sursa de alimentare, circuitul se poate realiza cu
autopolarizare (fig.3.20,b).
a)
b)
c)
Fig. 3.20. Polarizarea independent de temperatur, utiliznd ca referin dioda Zener.
(a) Schema tipic. (b) Schema cu autopolarizare.
(c) Schema cu compensarea variaiilor de temperatur.
Aa cum sunt realizate, circuitele din fig.3.20 produc la ieire un curent care are un
coeficient de temperatur mic numai dac i coeficientul de temperatur al rezistorului R2 este
mic.
De exemplu, dac R2 este un rezistor difuzat, variaia rezistenei cu temperatura este
semnificativ iar dac anularea coeficientului de temperatur al curentului Io constituie un
obiectiv al proiectrii, n serie cu R2 se conecteaz n diode care s compenseze variaia cu
temperatura a valorii rezistenei R2 i a tensiunii UZ (fig.3.20,c).
Se pot realiza i circuite de polarizare cu coeficient de temperatur sczut. Astfel,
deoarece tensiunile UBE i UT au coeficienii de temperatur de semne opuse, se poate utiliza ca
referin o tensiune dat de suma ponderat a tensiunilor UBE i UT. Printr-o ponderare
convenabil se poate atinge o valoare nul a coeficientului de temperatur a tensiunii de referin.
Un astfel de circuit se numete referin de tipul "band interzis", deoarece expresia
tensiunii UBE se scrie n funcie de valoarea benzii interzise a siliciului. Circuitele de tipul band
interzis se ncadreaz mai bine n categoria referinelor de tensiune, tratate n paragraful 3.3.
In cele prezentate pn n prezent s-a pus accent pe obinerea unui curent relativ
independent fa de sursele de alimentare i cu un coeficient de temperatur mic. De multe
ori, ns, sunt necesare tensiuni de polarizare cu un coeficient de temperatur redus,
independente fa de sursele de alimentare. Circuitele cu ajutorul crora se obin aceste
tensiuni se numesc referine de tensiune, exemplul tipic fiind tensiunea de referin a unui
stabilizator de tensiune integrat. Astfel de circuite sunt tratate tot n paragraful 3.3.
3.3
69
SURSE I REFERINE DE TENSIUNE
In paragraful 3.2 s-a prezentat modalitatea n care se pot obine cureni de polarizare
independeni de tensiunea de alimentare a circuitului. In multe circuite integrate este nevoie de o
tensiune independent de sursele de alimentare, de consum sau de temperatur.
Rolul principal al surselor i referinelor de tensiune este de a furniza tensiuni insensibile
la variaia impedanei de sarcin, a temperaturii i/sau a tensiunii de alimentare.
Deoarece un anumit tip de circuit nu poate asigura simultan variaii minime ale tensiunii
stabilizate n prezena tuturor acestor perturbaii, n funcie de cerinele concrete ale circuitelor
alimentate cu tensiunea stabilizat, se realizeaz configuraii optimizate n anumite direcii,
rezultnd:
circuite tip surs de tensiune care au o comportare optim fa de variaia impedanei de
sarcin, deci au o impedan de ieire mic;
circuite tip referin de tensiune care sunt optimizate fa de variaiile temperaturii i ale
tensiunii de alimentare dar au impedana de ieire de valoare mai mare dect sursele de
tensiune.
3.3.1
Surse de tensiune
Rolul surselor de tensiune n cadrul CIA este de a furniza tensiuni constante de

polarizare, indiferent de impedana de sarcin. Sursele de tensiune sunt deci circuite care
realizeaz un punct de joas impedan n interiorul circuitului integrat, adic o decuplare fa de
etajele de amplificare adiacente.
Din punct de vedere al obinerii unei impedane de ieire de valoare mic, circuitul
potrivit pentru o surs de tensiune este repetorul pe emitor. Una din schemele posibile este cea
din fig.3.21,a, n care dioda D are rolul de a realiza o compensare termic.
Fig. 3.21. Sursa de tensiune cu

repetor.
(a) Schema de principiu.
(b) Circuitul echivalent de
semnal mic.
In c.c. (fig.3.21,a), se pot scrie urmtoarele relaii:

U o = VB U BE
(3.53)
R2
(3.54)
VB =
( EC U D ) + U D
R1 + R2
Dac UD=UBE, atunci
R2
(3.55)
Uo =
( EC U BE )
R1 + R2
Relaia tensiunii de ieire arat c sursa este complet nestabilizat la variaiile tensiunii de
alimentare EC.
Pe schema echivalent de semnal mic din fig.3.21,b se poate calcula impedana de ieire a
circuitului, care, pentru valori de ordinul k ale rezistoarelor R1 i R2 i de ordinul sutelor ale
factorului de amplificare n curent , rezult de valori foarte mici.
70
Ro
R1 R2
(3.56)
+1
Exemplul 3.7. Se presupune un circuit de forma celui din fig.3.21,a, la care R1=6,4k,
R2=8k iar =100. Considernd tensiunea de alimentare egal cu 15V i cderea de tensiune pe
o jonciune, aflat n conducie, egal cu 0,6V, s se determine valoarea de c.c. a tensiunii de
ieire i rezistena de ieire a sursei.
Rezolvare: Tensiunea de ieire se determin cu relaia (3.55) i este:
R2
8k
Uo =
( EC U BE ) =
(15 0, 6)V = 8V
R1 + R2
6, 4 k + 8 k
iar rezistena de ieire, conform relaiei (3.56) va avea valoarea:
6, 4 8
R1 R2 6, 4 k 8 k
14 , 4
Ro
=
=
= 35
+1
101
101
Un circuit cu performane superioare se obine dac n loc de rezistorul R2 din fig.3.21,a
se conecteaz o diod Zener, care n tehnologia monolitic se obine dintr-o joncine baz-emitor
polarizat invers, cu valoarea tensiunii Zener, UZ6V. Deoarece coeficienii de temperatur
pentru jonciunea polarizat direct i cea polarizat invers sunt aproximativ egali n modul, prin
legarea n serie a unei jonciuni polarizate direct cu una polarizat invers se obine o diod Zener
compensat termic. Circuitul care rezult are aspectul din fig.3.22,a. Calculele se pot face pe o
schem echivalent (fig.3.22,b), n care se ia n considerare i rezistena intern a diodei Zener
(notat cu rz).
Fig. 3.22. Sursa de tensiune cu repetor i

diod Zener.
(b) Circuitul echivalent de calcul.
Dac se presupune c tranzistorul T are factorul de curent suficient de mare pentru ca s

se neglijeze curentul de baz n raport cu I, curentul care care trece prin divizorul R, D i Dz,
rezult:
E U z U BE
(3.57)
I= C
R + rz
Potenialul din baza tranzistorului este:
VB = U z + rz I + U BE
(3.58)
astfel c tensiunea de ieire va fi:
( E U BE ) rz + U z R
U o = VB U BE = C
(3.59)
R + rz
Dac se ndeplinete condiia rz<<R, atunci tensiunea de ieire Uo este aproximativ egal cu
tensiunea Uz.
3.3.2
Referine de tensiune
Spre deosebire de sursele de tensiune, la referinele de tensiune accentul se pune pe

stabilitatea tensiunii furnizate n raport cu variaiile temperaturii i ale tensiunii de
71
alimentare, valoarea mic a rezistenei interne nemaifiind important deoarece aceste surse nu
trebuie s debiteze cureni importani. Referinele de tensiune se proiecteaz astfel nct
coeficientul de temperatur al tensiunii de referin s fie practic nul.
3.3.2.1
Referine de tensiune cu diode Zener
a) O schem de principiu, ntlnit n stabilizatoarele integrate de tensiune, este cea din
fig.3.23,a, n care generatorul de curent I poate fi, de exemplu, o oglind de curent realizat cu
tranzistoare pnp.
Fig. 3.23. Referin de tensiune

realizat cu diod Zener.
(b) Circuitul echivalent de semnal
mic.
a)
b)
Curentul de emitor al tranzistorului T are expresia:

U 3U BE
I1 = z
(3.60)
R1 + R2
unde s-a presupus c pe fiecare jonciune cderea de tensiune este egal cu UBE.
Tensiunea de ieire este egal cu cderea de tensiune pe grupul R2, D2:
U R + U BE ( R1 2 R2 )
(3.61)
U o = R2 I1 + U BE = z 2
R1 + R2
i nu depinde de tensiunea de alimentare EC, dac EC este mai mare dect Uz cu cel puin 2V.
Stabilitatea termic se determin cu relaia:
R2 U z R1 2 R2 U BE
Uo
KT =
(3.62)
=
+
R1 + R2 T
R1 + R2 T
T
innd seama de faptul c Uz/T+2mV/C iar UBE/T-2mV/C, printr-o dimensionare
adecvat a rezistoarelor R1 i R2 se poate realiza o compensare ideal n raport cu temperatura
pentru care KT=0. Punnd condiia KT=0 n relaia (3.62), se obine:
R2
R 2 R2
(3.63a)
= 1
R1 + R2
R1 + R2
ceea ce presupune urmtoarea relaie ntre rezistenele R1 i R2:
R1
(3.63b)
=3
R2
Utiliznd schema echivalent de semnal mic din fig.3.23,b, se poate demonstra c rezistena de
ieire este dat de relaia:
r +r
Ro = R2 ( R1 + Z )
(3.64)
+1
3
iar n cazul compensrii termice (pentru R1=3R2) se obine Ro R2 . Dac R1 i R2 sunt de
4
ordinul k-ilor, rezult c i rezistena de ieire este tot de ordinul k.
72
Dezavantajul acestui tip de referin de tensiune const n valoarea de ordinul k-ilor a

rezistenei de ieire, ceea ce nu permite curentului furnizat la ieire s nregistreze variaii mai
mari de civa microamperi. Deficiena se nltur prin introducerea diodei Zener n bucla de
reacie a unui amplificator. Acest tip de referin de tensiune se ntlnete la stabilizatoarele
monolitice A723, MC1468 etc.
b) Referina de tensiune a stabilizatorului integrat A723 (A723) (fig.3.24,a) este
alctuit cu ajutorul tranzistoarelor T4, T5 i T6, a rezistoarelor R6, R7, R8 i a diodei Zener D2.
Sursa de curent T2, T3 stabilete punctul de funcionare a referinei de tensiune. Schema din
fig.3.24,a pune n eviden faptul c sursa de curent este aproape independent de valoarea
tensiunii de alimentare EC, deoarece depinde numai de tensiunea Zener a diodei D1, care este
polarizat la un curent practic constant prin intermediul tranzistorului T1.
Deoarece dioda D1 are tensiunea Zener de aproximativ 6,4V, montajul nu va lucra corect
pentru tensiuni de alimentare mai mici de 6,4V sau egale cu aceast valoare.
Valoarea minim a tensiunii de alimentare, numit i tensiune de intrare sau tensiune
nestabilizat, este, conform datelor de catalog, egal cu 9,5V. Explicaia este urmtoarea: pentru
ca prin D1 s circule un curent independent de valoarea tensiunii de alimentare, tranzistorul T1
(TEC-J) trebuie s lucreaze n zona de saturaie i atunci trebuie ndeplinit condiia:
U DS U DS ,sat = U GS U P
(3.65)
Dar tensiunea UGS este egal cu zero deoarece grila este conectat mpreun cu sursa i deci
U DS ,sat = U P
(3.66)
Tensiunea de tiere sau de prag a tranzistorului T1 are valoarea UP=-3,1V, rezultnd astfel c
UDS,sat=+3,1V. In consecin, valoarea minim a tensiunii de alimentare trebuie s fie:
EC ,min = U D1 + U DS ,sat = U D1 + U P = 6,4 + 3,1 = 9,5 [V]
(3.67)
Circuitul referinei de tensiune furnizeaz tensiunea UREF, cu valoarea tipic de 7,15V i este o
variant de surs Wilson (fig.3.24,b).
a)
b)
Fig. 3.24. Referina de tensiune din stabilizatorul integrat A723.

(a) Schema referinei de tensiune. (b) Circuitul echivalent.
Neglijnd curentul de baz al tranzistorului T6 i deci i cderea de tensiune pe rezistorul
R7, se observ c:
U REF = U D2 + U BE 6
(3.68)
73
Deoarece coeficienii de temperatur pentru dioda D2 i pentru jonciunea baz-emitor a

tranzistorului T6 sunt aproximativi egali n modul, se obine o tensiune de referin cu un
coeficient de temperatur foarte mic (practic nul).
Circuitul reprezentnd o referin de tensiune, nu se poate solicita un curent prea mare din
nodul notat UREF. Din acest motiv catalogul recomand pentru curentul de referin, IREF, o
valoare maxim de 15mA i o valoare tipic de numai 1mA. Rezistorul R6 protejeaz tranzistorul
T5 n cazul unui scurtcircuit accidental ntre borna UREF i mas.
Dac din nodul UREF se solicit un curent prea mare, tensiunea de referin tinde s se
modifice, dar printr-o bucl de reacie negativ se realizeaz o autoreglare a tensiunii UREF.
Astfel, orice modificare a tensiunii de referin este detectat (sesizat) n baza tranzistorului T6,
este amplificat i trimis n baza tranzistorului T4, deci napoi la ieire, cu semn contrar variaiei
iniiale.
S presupunem, de exemplu, c IREF crete. Atunci prin dioda D2 va circula un curent mai
mic i apare tendina scderii lui UREF din cauza micorrii tensiunii Zener a diodei D2. Dar
scderea lui UREF determin micorarea tensiunii baz-emitor a tranzistorului T6, UBE6 i deci i
scderea curentului de colector a acestui tranzistor, IC6. Deoarece curentul IC3 este constant i
egal cu suma curenilor IC6 i IB4, rezult c IB4 va crete. In urma acestui fapt, curenii IC4 i IC5
vor crete la rndul lor i deci va crete i curentul prin dioda D2, aducndu-se UREF la valoarea
prescris.
3.3.2.2
Referine de tipul band interzis
Circuitele de poalrizare care folosesc ca referin o diod Zener prezint dezavantajul c
sursa de alimentare trebuie s aib tensiunea de cel puin 7...10V pentru a aduce dioda Zener n
zona de strpungere (de exemplu minim 9,5V n cazul stabilizatorului monolitic A723). In plus,
dioda lucrnd n avalan, n circuit se introduce un zgomot substanial. Din acest motiv s-au
cutat i alte posibiliti de realizare a unei referine de tensiune cu coeficient de temperatur
redus. Deoarece tensiunile UBE i UT au coeficieni de temperatur de semne opuse, se poate
utiliza ca referin o tensiune format din suma ponderat a tensiunilor UBE i UT. Printr-o
ponderara convenabil se poate atinge o valoare nul a coeficientului de temperatur. Principiul
acestei surse se prezint pe circuitul ipotetic din fig.3.25. La ieire se obine o tensiune care este
egal cu UBE plus UT nmulit cu o constant K.
Fig. 3.25. Circuitul ipotetic al unei referine de tipul

band interzis.
74
Deoarece relaiile de dimensionare a acestor referine i funcionarea lor este legat de

limea benzii interzise a materialului semiconductor, ele se numesc referine tip band
interzis.
Referina tip band interzis cunoate mai multe realizri practice, una dintre ele fiind
cea ilustrat n fig.3.26, numit referina de band interzis Widlar. In acest circuit se
utilizeaz o bucl de reacie care stabilete punctul de funcionare astfel nct tensiunea de la
ieire s fie egal cu UBE plus o tensiune proporional cu diferena ntre dou tensiuni bazemitor.
Fig. 3.26. Referin de tensiune de tipul

band interzis Widlar.
Presupunnd c circuitul a atins un punct stabil de funcionare, se observ c tensiunea de

ieire, Uo este dat de suma dintre tensiunea baz-emitor a tranzistorului T3 i cderea de
tensiune pe rezistorul R2. Cderea de tensiune pe rezistorul R2 este egal cu cderea de tensiune
pe R3, multiplicat cu (R2/R3) deoarece curentul de colector al tranzistorului T3 este aproximativ
egal cu curentul su de emitor. Cderea de tensiune pe R3 este egal cu diferena ntre tensiunile
baz-emitor ale tranzistoarelor T1 i T2:
R
(3.69)
U R2 = 2 U BE
R3
iar
I I
(3.70)
U BE = U T ln 1 S 2
I 2 I S1
Raportul curenilor prin T1 i T2 este stabilit de raportul dintre R2 i R1:
R I
(3.71)
U BE = U T ln 2 S 2
R1 I S1
Dac tranzistoarele T1 i T2 sunt identice (IS1=IS2) i se nlocuiete relaia (3.71) n (3.69) rezult:
R
R
(3.72)
U R2 = 2 U T ln 2
R3
R1
Se observ c relaia implic o dependen proporional cu temperatura a curenilor I1 i I2, dac
rezistoarele au un coeficient de temperatur nul sau dac aceti coeficieni de temperatur sunt
egali ntre ei, avnd n vedere c rezistoarele apar n nite rapoarte.
Tensiunea de la ieire va fi:
R
R
(3.73)
U o = U BE 3 + 2 U T ln 2 = U BE + KU T
R3
R1
Varianta de schem descris poate furniza o tensiune de referin de aproximativ 1,2V.
In cazul unui stabilizator monolitic, dac trebuie s se obin o tensiune de ieire de
valoare mai mare, de exemplu mai mare de 5...6V, se folosete o referin band interzis
modificat, de forma celei din fig.3.27.
75
Dac se pstreaz ipoteza ariilor de emitor egale pentru T1 i T2 i difer doar densitatea
curentului prin tranzistoarele T1 i T2, atunci tensiunea de referin se poate scrie:
R
R
(3.74)
U REF = U BE 3 + U BE 4 + U BE 5 + U BE 6 + 2 U T ln 2
R3
R1
Tensiunea de ieire se multiplic cu factorul (1+R4/R5), avnd expresia:
R
U o = (1 + 4 )U REF
(3.75)
R5
Fig. 3.27. Referin de tensiune de tipul

band interzis pentru tensiuni de ieire mari
(mai mari de 1,2V).
Aceast variant de schem se utilizeaz n cazul stabilizatoarelor monolitice de tensiune

fix din seria 7800 (Fairchild).
76
3.4
ETAJE DE AMPLIFICARE DIFERENIALE
Etajele de amplificare difereniale sunt ntlnite frecvent n special n configuraia

amplificatoarelor operaionale, att ca etaje de intrare ct i ca etaje intermediare de amplificare.
Ele sunt ideale pentru integrare datorit mperecherii i cuplajului termic al tranzistoarelor
monolitice. Utilitatea lor deriv din faptul c pot fi conectate n cascad direct, fr capaciti de
cuplaj.
Amplificatorul diferenial (AD) este un amplificator cu dou intrri calde care
amplific diferena dintre semnalele aplicate pe cele dou intrri, indiferent de valoarea lor
individual, cu condiia s fie mai mici dect tensiunea de alimentare sau dect o fraciune din
aceasta.
Prin intrare cald se nelege acea born care n funcionarea amplificatorului NU se
leag n mod obligatoriu la mas. De exemplu, la un amplificator cu un tranzistor, una din cele
dou borne de intrare sau una din cele dou borne de ieire se leag obligatoriu la mas, cealalt
servind la cuplarea semnalului i numindu-se intrare cald. La AD sunt situaii n care niciuna
din cele dou terminale nu se leag la mas.
3.4.1
Configuraii de baz ale amplificatoarelor difereniale
In fig.3.28 se prezint schemele de principiu a dou amplificatoare difereniale cu sarcin

rezistiv. La primul circuit punctul static de funcionare este fixat de rezistorul REE iar la cel deal doilea de sursa de curent constant IEE. Pe niciuna din aceste scheme nu s-au desenat circuitele
prin care se nchid curenii de polarizare a intrrilor (curenii de baz ai tranzistoarelor T1 i T2).
Acest mod de reprezentare a amplificatoarelor difereniale rmne valabil i n continuare, dar s
nu se uite c totdeauna trebuie create cile de nchidere a curenilor de polarizare a
intrrilor.
Amplificatoarele difereniale se alimenteaz ca i amplificatoarele operaionale, de la o
surs dubl de tensiune (fig.3.28,c), obinut prin nserierea a dou surse simple, punctul de
nseriere devenind punctul de mas (GND = ground n limba englez).
a)
b)
c)
Fig. 3.28. Structuri de amplificatoare difereniale (AD).
(a) AD polarizat cu rezisten n emitoare. (b) AD polarizat cu surs de curent n emitoare.
(c) Modalitatea de obinere a sursei duble de alimentare a AD.
Dac etajul este perfect simetric, atunci variaiile sursei de alimentare, ale temperaturii
precum i ale semnalelor comune aplicate celor dou intrri vor modifica identic tensiunile de
ieire uo1 i uo2. Astfel aceste variaii nu produc tensiune de ieire diferenial.
Pentru o funcionare liniar a etajului, deci fr distorsiuni, este necesar ca rezistena
comun din emitoarele celor dou tranzistoare s aib o valoare ct mai mare deoarece semnalele
comune aplicate celor dou intrri sunt n general mari. Din acest motiv, n a doua configuraie
77
din fig.3.28,b, rezistorul REE s-a nlocuit cu un generator de curent constant IEE, care prezint o
rezisten dinamic foarte mare n comparaie cu valorile economice ale rezistenei REE.
3.4.2
Parametrii amplificatoarelor difereniale
Principalii parametri ai AD utilizai pentru a caracteriza funcionarea n regim dinamic

sunt tensiunile de mod comun i cele de mod diferenial.
Tensiunile de mod comun reprezint semisuma tensiunilor msurate n raport cu masa,
n dou puncte omoloage ale circuitului.
Tensiunile de mod diferenial reprezint diferena tensiunilor msurate n raport cu
masa, n dou puncte omoloage ale circuitului.
Astfel, la intrarea AD, tensiunile de mod comun i cele de mod diferenial se noteaz:
u +u
uic = i1 i 2
(3.76a)
2
uid = ui1 ui 2
(3.76b)
Tensiunile individuale de intrare se pot scrie n funcie de tensiunea de intrare de mod comun i
cea de mod diferenial astfel:
u
ui1 = uic + id
(3.77a)
2
u
ui 2 = uic id
(3.77b)
2
Relaii asemntoare se pot scrie i pentru circuitul de ieire al AD:
u +u
uoc = o1 o2
(3.78a)
2
uod = uo1 uo2
(3.78b)
iar
u
uo1 = uoc + od
(3.79a)
2
u
uo 2 = uoc od
(3.79b)
2
Conform acestor relaii, circuitului de intrare i corespunde circuitul echivalent din fig.3.29,a, iar
celui de ieire circuitul din fig.3.29,b.
a)
b)
Fig. 3.29. Circuite echivalente ale amplificatorului diferenial.
(a) la intrare; (b) la ieire.
Tensiunilor de mod comun i de mod diferenial, de intrare i de ieire, le corespund patru
tipuri de amplificri:
amplificarea de mod diferenial
u
(3.80)
Add = od , dac uic=0;
uid
amplificarea de mod comun
u
(3.81)
Acc = oc , dac uid=0;
uic
78
amplificarea de transfer de la modul diferenial la modul comun

u
(3.82)
Adc = oc , dac uic=0;
uid
amplificarea de transfer de la modul comun la modul diferenial
u
Acd = od , dac uid=0.
(3.83)
uic
Deoarece semnalele utile sunt cele de mod diferenial, AD trebuie s maximizeze valoarea
amplificrii de mod diferenial i s o minimizeze pe cea de mod comun, deci s aib loc
inegalitatea:
Add Acc
(3.84)
Capacitatea AD de a separa efectul util al tensiunii de intrare de mod diferenial de efectul
perturbator al tensiunii de intrare de mod comun se caracterizeaz prin factorul de transfer
(numit i factor de discriminare) F i reprezint factorul de rejecie a modului comun pentru
etajele difereniale perfect simetrice.
A
(3.85)
F = dd
Acc
Amplificatorul diferenial este cu att mai bun cu ct factorul de discriminare F este mai mare.
Dintre amplificrile de transfer care apar la AD nemperecheate perfect (AD cu asimetrii),
cea mai suprtoare este amplificarea de transfer de la modul comun la modul diferenial, Acd,
deoarece aceasta determin o tensiune de ieire diferenial datorat unei tensiuni de intrare de
mod comun perturbatoare. Aceast tensiune de ieire de mod diferenial, care este tot
perturbatoare, se suprapune peste tensiunea de ieire util de mod diferenial. Etajele de
amplificare care urmeaz dup AD nu pot deosebi tensiunea de ieire diferenial perturbatoare
de cea util.
Capacitatea AD de a separa tensiunea de ieire diferenial datorat tensiunii de intrare
difereniale, de tensiunea de ieire diferenial datorat unei tensiuni de intrare de mod comun, se
caracterizeaz prin factorul de rejecie a modului comun, CMMR (Common Mode Rejection
Ratio n limba englez). CMRR este caracteristic AD nemperecheate perfect i se scrie:
A
(3.86a)
CMRR = dd
Acd
sau, exprimat n decibeli, are forma:
A
CMRR dB = 20lg( dd )
(3.86b)
Acd
unde lg reprezint logaritmul n baza 10.
Amplificatorul diferenial este cu att mai bun cu ct factorul de rejecie a modului
comun CMRR are o valoare mai mare, deoarece semnalul diferenial de ieire produs de un
semnal de intrare de mod comun este parazit.
La un AD real tensiunea de ieire total de mod diferenial se poate scrie sub forma:
A
uiC
uod = Add uid + Acd uiC = Add ( uid + cd uiC ) = Add ( uid +
)
(3.87)
Add
CMRR
adic tensiunea de intrare de mod comun, uic, este echivalent unei tensiuni de intrare de mod
diferenial de valoare uic/CMRR. Conform relaiei (3.87), circuitul de intrare al unui AD se poate
echivala cu cel din fig.3.30.
Fig. 3.30. Circuitul de intrare al unui AD, avnd tensiunea de

intrare de mod comun echivalat cu o tensiune diferenial.
3.4.3
79
Caracteristica static de transfer a AD
Caracteristica static de transfer a unui AD reprezint dependena dintre curenii de

colector (Ic1, Ic2) i tensiunea de intrare diferenial, uid.
Pentru simplificarea analizei, se consider c n emitoarele celor dou tranzistoare exist
o surs de curent constant IEE, avnd o rezisten intern echivalent de valoare infinit. De
asemenea se neglijeaz rezistena de ieire a tranzistoarelor, adic se consider de valoare
infinit.
Dup cum se observ din fig.3.31, curentul sursei IEE este egal cu suma celor doi cureni
de emitor ai tranzistoarelor T1 i T2:
I EE = I E 1 + I E 2
(3.88)
relaie n care:
I
I E 1 = C1
1
(3.89)
I C2
IE2 =
2
cu notndu-se factorul de amplificare n curent n conexiune baz comun.
Fig. 3.31. Schema AD utilizat pentru

determinarea caracteristicii statice de transfer.
Dac cele dou tranzistoare sunt identice, se poate scrie 1 = 2 = i deci

I +I
I EE = C1 C 2
(3.90)
Curenii de colector pot fi exprimai n funcie de tensiunile baz-emitor ale fiecrui tranzistor
prin relaiile:
U
I C1 = I S exp( BE 1 )
UT
(3.91)
U BE 2
I C 2 = I S exp(
)
UT
n care, considernd tranzistoarele identice, s-a notat I S1 = I S 2 = I S .
Inlocuind relaiile (3.91) n (3.90), rezult:
I
U
U
(3.92)
I EE = S [ exp ( BE 1 ) + exp ( BE 2 )]
UT
UT
U
i dac se d factor comun forat exp( BE 1 ) se obine:
UT
I
U
U
U BE 1
(3.93)
I EE = S exp( BE 1 ) [1 + exp( BE 2
)]
UT
UT
U
Deoarece I S exp ( BE 1 ) = I C1, relaia (3.93) mai poate fi scris i sub forma:
UT
I
U
U BE 1
(3.94)
I EE = C1 [1 + exp( BE 2
)]
UT
80
Intr-un mod asemntor se poate deduce c:

I
U
U BE 2
(3.95)
I EE = C 2 [1 + exp( BE 1
)]
UT
In fig.3.31, scriind teorema a II-a lui Kirchhoff pe ochiul care conine cele dou jonciuni bazemitor, rezult:
U BE 1 U BE 2 = ui1 ui 2 = uid
(3.96)
Inlocuind relaia (3.96) n relaiile (3.94) i (3.95) se obin expresiile curenilor de colector n
funcie de tensiunea de intrare diferenial:
I EE
I C1 =
(3.97a)
u
1 + exp( id )
UT
I EE
I C2 =
(3.97b)
uid
1 + exp ( )
UT
In fig.3.32 se arat dependena dintre aceti cureni i tensiunea de intrare diferenial.
Fig. 3.32. Caracteristica static de transfer

a amplificatorului diferenial din fig. 3.31.
Caracteristicile de transfer tensiune-curent reprezentate n fig.3.32 permit evidenierea

unor proprieti importante ale amplificatorului diferenial cu schema din fig.3.31 i anume:
a) Caracteristicile de transfer sunt liniare n jurul punctului static de funcionare
ui1-ui2=0. Din curbele din fig.3.32 rezult c regiunea de funcionare liniar corespunde unei
tensiuni de intrare difereniale de 2UT vrf-la-vrf, adic aproximativ 50mV vrf-la-vrf, la
temperatura de 27C.
Pentru tensiuni de intrare cu amplitudini mai mari de 4UT, adic 100 mV, la temperatura
camerei, curenii de colector devin independeni de tensiunea diferenial de intrare, deoarece
ntreg curentul disponibil IEE trece printr-un singur tranzistor.
b) Panta caracteristicilor de transfer, reprezentnd transconductana etajului
diferenial, se calculeaz derivnd una dintre expresiile curenilor de colector. Dac se deriveaz
expresia curentului IC1, de exemplu, se obine:
u
exp( id )
dI
I
UT
g m = C1 = C1
(3.98)
d uid U T 1 exp( uid )
+
UT
Valoarea maxim se obine n punctul static de funcionare, unde uid=0 i IC1=IC2=IEE/2 i este:
I EE
(3.99)
gm , max =
4U T
adic panta efectiv a unui etaj diferenial este a patra parte din panta unui etaj de
amplificare cu un singur tranzistor lucrnd la un curent egal cu IEE.
c) Tensiunile de ieire uo1 i uo2 pot fi calculate n funcie de curenii de colector i
rezult:
81
uo1 = EC RC I C1
(3.100)
uo2 = EC RC I C 2
Deoarece mrimea util este tensiunea diferenial, uod=uo1-uo2, dac se nlocuiesc tensiunile de
ieire cu relaiile (3.100) i curenii de colector cu expresiile date de relaiile (3.97), se obine:
u
uod = I EE RC th ( id )
(3.101)
2U T
eb e b
unde th reprezint tangenta hiperbolic i se exprim sub forma: th (b) = b
.
e + e b
Dependena dintre tensiunea de ieire i cea de intrare se reprezint grafic ca n fig.3.33 i
pune n eviden faptul c pentru uid=0, deci n repaus, uod=0. Aceast situaie reprezint un
avantaj important al etajelor difereniale i anume acela c etajele difereniale se pot cupla
direct, fr introducerea unor tensiuni de decalaj (dezechilibru) de curent continuu.
Fig. 3.33. Caracteristica static de transfer a

amplificatorului diferenial din fig. 3.31.
d) Domeniul tensiunilor de intrare pentru care etajul diferenial se comport liniar se

poate extinde dac se introduce n serie cu fiecare emitor cte un rezistor, notat cu RE i numit
rezistor de degenerare (fig.3.34,a). Circuitul care se obine se numete etaj diferenial cu
degenerare n emitor. Analiza acestui circuit se poate face n mod asemntor cu cea a etajului
fr degenerri. Dependena dintre tensiunea diferenial de ieire i tensiunea diferenial de
intrare are forma din fig.3.34,b unde se pune n eviden c pentru valori relativ ridicate ale
rezistenelor de degenerare RE (zeci sau sute de ohmi), domeniul tensiunilor de intrare
corespunztor unei funcionri liniare se extinde cu aproximativ REIEE. In prezena rezistoarelor
de degenerare, panta echivalent a etajului diferenial se reduce, devenind:
gm
gm , echiv =
(3.102)
1 + gm RE
a)
b)
Fig. 3.34. AD cu degenerare n emitor. (a) Schema de principiu.
(b) Caracteristica static de transfer.
Exemplul 3.8. Se consider un AD cu degenerare n emitor de forma celui din fig.3.34,a,
la care IEE=1mA iar domeniul tensiunilor de intrare corespunztor unei funcionri liniare se
extinde cu aproximativ REIEE=10UT (fig.3.34, b). S se determine valoarea necesar a
rezistoarelor de degenerare pentru a se putea extinde domeniul funcionrii liniare cu 10UT.
82
Rezolvare: Dac se presupune c tensiunea termic este de aproximativ 25mV, atunci:

10U T 250mV
RE =
=
= 250
I EE
1mA
3.4.4 Analiza de semnal mic a etajelor difereniale perfect simetrice
Semnalului i se spune mic dac are valoarea suficient de sczut astfel nct s se poat
menine presupunerea unei funcionri liniare a tranzistoarelor, ceea ce impune ca variaia
tensiunii baz-emitor s fie mult mai mic dect tensiunea termic (uBE<<UT).
Etajele difereniale se consider perfect simetrice dac elementele (rezistoare i
tranzistoare) din jumtatea stng sunt riguros identice cu cele din jumtatea dreapt. Avantajele
simetriei determin ca tensiunea de ieire diferenial s devin insensibil fa de tensiunea de
intrare de mod comun, de eventualele modificri ale temperaturii i fa de variaiile surselor de
alimentare.
Analiza funcionrii etajelor perfect simetrice se poate face utiliznd ''teorema
biseciunii'', care const n a considera AD simetric ca fiind alctuit din dou amplificatoare
identice, cu intrare simpl i ieire simpl, interconectate n mod corespunztor. Este foarte
important de reinut c studiul se face pe un singur amplificator iar rezultatele sunt valabile
pentru ntreg etajul diferenial.
3.4.4.1
Analiza de semnal mic etajelor difereniale cu sarcin rezistiv i ieire

diferenial
a) Excitarea AD cu un semnal de intrare pur diferenial. Analiza se va face pentru

etajul diferenial din fig.3.35,a.
a)
b)
c)
Fig. 3.35. Determinarea semicircuitului valabil pe mod diferenial.
(a) Circuitul echivalent de semnal mic al AD din fig. 3.28, a, excitat cu semnal pur diferenial.
(b) Ilustrarea modului n care RL intervine n semicircuitul valabil pe mod diferenial.
(c) Semicircuitul valabil pe mod diferenial.
Excitarea AD cu un semnal de intrare pur diferenial presupune c pe cele dou baze ale
tranzistoarelor se aplic tensiuni egale n modul, dar de faze opuse ui1 = -ui2 = uid/2.
Deoarece etajul este perfect simetric, tensiunile egale dar de faze opuse aplicate pe cele
dou baze produc variaii ale curenilor de colector de asemenea egale n modul, dar de sensuri
opuse. Ca urmare, variaia curentului total prin rezistorul REE (curent egal cu suma celor doi
cureni de colector, dac se neglijeaz curenii de baz) va fi zero. Din acest motiv, pentru
funcionarea dinamic, nodul comun celor dou emitoare poate fi considerat punct de mas
(pentru c acest nod nu i-a modificat potenialul aa cum nici potenialul traseului de mas sau
cel al traseelor de alimentare cu tensiune pozitiv, respectiv negativ, nu se modific atunci cnd
are loc o variaie a semnalului aplicat la intrarea unui amplificator).
83
De asemenea, cei doi cureni de colector avnd variaii n antifaz, produc variaii n
antifaz i egale n modul ale tensiunilor de colector (-uo1=uo2=uod/2), ceea ce nseamn c
tensiunea la jumtatea rezistorului de sarcin RL nu se modific fa de situaia anterioar
aplicrii semnalului variabil la intrarea amplficatorului. Deci i acest punct poate fi considerat
punct de mas i rezistorul RL se poate desface n dou rezistoare, fiecare de valoare RL/2, legate
n serie i cu punctul de nseriere conectat la mas (fig.3.35,b).
In acest moment jumtatea din dreapta a devenit identic cu cea din stnga, circuitul se
poate mpri n dou dup axa de simetrie i pentru calcule se poate folosi doar o jumtate,
numit semicircuitul valabil pentru funcionarea pe mod diferenial pur (fig.3.35,c). Rezultatele
care se obin sunt valabile pentru ntreg amplificatorul diferenial excitat cu semnal pur
diferenial. Parametrii prin care se caracterizeaz etajul diferenial n aceste condiii sunt
amplificarea de mod diferenial (Add) i rezistena de intrare diferenial (Rid).
Calculul amplificrii de mod diferenial, Add, se face pentru circuitul din fig.3.35,c.
Expresia acestei amplificri este:
R
( RC L )
uod
2
(3.103)
Add =
=
uid
r
Se observ c pentru RL>>RC valoarea amplificrii este cu att mai mare cu ct RC este mai
mare. Deoarece se urmrete s se obin valori ct mai mari pentru amplificarea de mod
diferenial, o soluie posibil de cretere a amplificrii difereniale const n nlocuirea
rezistorului RC cu o surs de curent constant. Aceast surs are, la aceeai valoare a curentului
din punctul static de funcionare, o rezisten dinamic mult mai mare dect cea care se poate
obine cu un rezistor ce ocup o arie rezonabil din cip. Amplificatorul care are ca sarcin un
tranzistor n locul rezistenei RC se numete amplificator cu sarcin activ.
Determinarea rezistenei de intrare difereniale, Rid se face tot pentru circuitul din
fig.3.35,c Calculele conduc la urmtorul rezultat:
u
u
Rid = id = id = 2 r
(3.104)
u
iid
id
2 r
Relaia (3.104) pune n eviden faptul c Rid depinde de valoarea rezistenei de intrare a
tranzistoarelor r, care este invers proporional cu valoarea curentului static de colector a
tranzistoarelor deoarece r=/gm=UT/IC. Ca urmare pentru obinerea unor rezistene de
intrare difereniale de valoare mare este necesar ca tranzistoarele s lucreze la cureni
statici de colector ct mai mici.
b) Excitarea AD cu un semnal de intrare de mod comun pur. Analiza se va face
pentru etajul diferenial din fig.3.36,a, unde rezistorul REE a fost nlocuit cu dou rezistoare de
valoare dubl, 2REE, conectate n paralel, fr s se modifice astfel regimul de curent continuu al
etajului diferenial.
Acest mod de excitare a etajului diferenial presupune c pe cele dou baze se aplic
semnale egale att n modul ct i n faz, adic ui1 = ui2 = uic.
Deoarece tensiunile aplicate pe cele dou baze sunt identice ca modul i faz, rezult c i
variaiile celor doi cureni de colector vor fi identice. Datorit simetriei circuitului, realizat prin
artificiul conectrii n paralel a celor dou rezistoare de valoare 2REE, cderile de tensiune pe
aceste rezistoare sunt egale, curentul ix, care ar putea eventual s circule ntre cele dou emitoare,
este nul i comportarea circuitului nu se schimb deloc dac firul de legtur dintre emitoare este
ndeprtat.
Tot simetria circuitului este cea care determin uo1=uo2=uoc. Deoarece nu exist diferen
de potenial la bornele rezistorului de sarcin RL, prin el nu circul curent (iy=0) i din acest
motiv RL se poate deconecta fr ca funcionarea circuitului s fie afectat.
84
In acest fel se ajunge la semicircuitul valabil pentru funcionarea pe mod comun pur din
fig.3.36,b. Circuitul este caracterizat tot cu ajutorul unei amplificri i a unei rezistene de intrare,
numite de aceast dat de mod comun.
a)
b)
Fig. 3.36. Determinarea semicircuitului valabil pe mod comun.

(a) Circuitul echivalent de semnal mic al AD din fig. 3.28, a, excitat cu semnal pur de mod
comun. (b) Semicircuitul valabil pe mod comun.
Determinarea amplificrii de mod comun, Acc, se face pe semicircuitul valabil pe mod
comun i conduce la urmtoarea relaie:
u
gm RC
Acc = oc =
(3.105)
uic r + 2 REE ( + 1)
Deoarece semnalele utile sunt cele de mod diferenial, AD trebuie s aib amplificarea de mod
comun ct mai mic. Acest lucru se poate realiza dac REE are valoare ct mai mare, motiv
pentru care rezistorul REE se nlocuiete cu o surs de curent.
Determinarea rezistenei de intrarei de mod comun , Ric, se face tot pe semicircuitul
valabil pe mod comun i rezult:
u
(3.106)
Ric = ic = r + 2 REE ( + 1)
iic
Determinarea rejeciei modului comun. Deoarece AD este perfect simetric, rejecia modului
comun se caracterizeaz cu ajutorul factorului de transfer F. Acesta este egal cu raportul dintre
amplificarea de mod diferenial i cea de mod comun i se obine nlocuind relaiile (3.103) i
(3.105) n (3.85). Rezult:
A
1
F = dd = 1 + 2 gm REE (1 +
)
(3.107)
Acc
In general dac factorul de amplificare este suficient de mare, 1/0 i pentru c 2gmREE>>1
relaia factorului de transfer devine:
F 2 gm REE
(3.108)
Amplificatorul diferenial este cu att mai bun cu ct factorul de transfer are o valoare mai mare.
Din nou se observ utilitatea nlocuirii rezistorului REE cu un generator de curent.
Exemplul 3.9. S se compare dou amplificatoare difereniale care au acelai punct static
de funcionare dar primul este polarizat cu ajutorul unui rezistor REE iar al doilea cu ajutorul unei
surse de curent (fig.3.37). Se consider IC1=IC2=0,5mA, EC=15V, RC=5k, UBE=0,6V,
UA=100V i UT=25mV.
Rezolvare: In cazul primului circuit (fig.3.37,a) valoarea rezistenei REE se afl pentru
ui1=ui2=0 (intrrile legate la mas), tiind c prin REE circul un curent IEE=IC1+IC2=1mA i c pe
jonciunea baz-emitor cderea de tensiune este de 0,6V.
REE =
a)
85
EC U BE 15V 0, 6V
=
= 14. 4 k
I EE
1mA
b)
Fig. 3.37. Circuitele pentru exemplul 3.9.

(a) AD polarizat cu rezisten n emitoare. (b) AD polarizat cu surs de curent.
Se presupune c factorul de amplificare n curent este suficient de mare i atunci se
poate folosi relaia aproximativ a factorului de transfer: F 2 gm REE , unde gm reprezint panta
tranzistoarelor care alctuiesc amplificatorul diferenial. Pentru determinarea pantei
tranzistoarelor se poate utiliza relaia gm1=gm2=gm=40IC. Rezult:
gm = 40 I C = 40 0, 5 = 20 mA / V
i factorul de transfer va fi egal cu:
F1 = 2 gm REE = 2 20mA / V 14 , 4 k = 576
In cazul celui de al doilea circuit (fig.3.37,b), se menine presupunerea c este suficient de
mare astfel c tranzistoarele T3 i T4 alctuiesc o oglind simpl de curent. Deoarece cele dou
amplificatoare difereniale, aflate n studiu, au acelai punct static de funcionare, aceast surs
va avea curentul de ieire egal cu IEE adic egal cu 1mA. Relaia de calcul pentru factorul de
transfer are forma din relaia (3.108), cu deosebirea c ceea ce s-a notat n aceast relaie cu REE
reprezint acum rezistena de ieire a oglinzii de curent i se noteaz cu Ro. La analiza de semnal
mic a oglinzii de curent (paragraful 3.2) s-a artat c rezistena de ieire a acestei surse este egal
cu rezistena de ieire a tranzistorului prin care se oglindete curentul de referin, adic, n cazul
sursei din problem:
U
U
100V
Ro = ro 4 = A = A =
= 100 k
I C 4 I EE 1mA
Calculnd factorul de transfer cu relaia (3.108) se obine:
F2 = 2 gm Ro = 2 20mA / V 100 k = 4000
Comparnd cei doi factori de transfer se observ c rejecia modului comun este de aproximativ
apte ori mai bun dac polarizarea tranzistoarelor care alctuiesc amplificatorul diferenial se
face cu surs de curent.
O a doua observaie se poate face cu privire la valoarea total de rezisten din circuit.
In cazul primului circuit:
Rtot (1) = 2 RC + REE = 24, 4 k
In cazul celui de al doilea circuit se calculeaz mai nti valoarea rezistenei R care determin
curentul de referin Iref=1mA (oglind simpl de curent):
2 EC U BE 30V 0, 6V
R=
=
= 29 , 4 k
I ref
1mA
astfel c valoarea total de rezisten va fi:
Rtot ( 2) = 2 RC + R = 39, 4 k
86
Comparnd cele dou valori ale rezistenelor totale se observ c n cazul celui de al
doilea circuit rejecia mai bun a semnalelor de mod comun s-a fcut n dauna unui consum mai
mare din aria de siliciu deoarece Rtot(2) este cu aproximativ 60% mai mare dect Rtot(1).
3.4.4.2
Analiza de semnal mic a etajelor difereniale perfect simetrice i cu

degenerare n emitor
Degenerarea n emitor, realizat prin nserierea cu emitoarele tranzistoarelor a unor
rezistoare (fig.3.34,a), are ca efect mrirea gamei de tensiuni de la intrare pentru care perechea cu
cuplaj n emitor se comport liniar. Totodat panta echivalent scade, ceea ce nseamn c
amplificarea circuitului cu degenerare n emitor va fi mai mic dect a circuitului fr
degenerare. Pentru a vedea mai exact ce se petrece, se analizeaz comportarea circuitului pentru
cele dou tipuri de semnale de intrare: de mod diferenial i de mod comun.
a) Excitarea etajului cu semnal pur de mod diferenial, conduce, pentru o analiz
asemntoare cu cea de la AD fr degenerare, la semicircuitul valabil pe mod diferenial pur din
fig.3.38,a. In acest caz potenialul din nodul comun celor dou rezistoare de degenerare rmne
neschimbat, astfel c acest punct poate fi considerat punct de mas. Calculele pentru amplificarea
diferenial i rezistena de intrare diferenial dau urmtoarele rezultate:
RL
( RC
)
uod
2
Add =
=
uid r + RE ( + 1)
(3.109)
u
Rid = id = 2 r + 2 RE ( + 1)
iid
a)
b)
Fig. 3.38. Semicircuitele valabile pentru AD cu degenerare n emitor din fig. 3.34.
(a) pe mod diferenial; (b) pe mod comun.
b) Excitarea etajului cu semnal pur de mod comun, conduce, pentru o analiz
asemntoare cu cea de la AD fr degenerare, la semicircuitul valabil pe mod comun pur din
fig.3.38,b. Calculele pentru amplificarea de mod comun i rezistena de intrare de mod comun
conduc la relaiile:
u
RC
Acc = oc =
uic r + ( RE + 2 REE )( + 1)
(3.110)
uic
Ric =
= r + ( RE + 2 REE )( + 1)
iic
Analiza relaiilor (3.109) i (3.110) arat urmtoarele efecte ale degenerrii:
amplificarea diferenial scade n prezena degenerrii;
rezistena de intrare diferenial crete, n aceleai condiii, cu 2RE (+1);
amplificarea de mod comun i rezistena de intrare de mod comun nu se modific semnificativ
n prezena degenerrii deoarece RE<<REE;
87
factorul de transfer F scade, deci rejecia modului comun devine mai slab la AD cu
degenerare;
suplimentar, n cazul AD cu degenerare, crete valoarea tensiunii de intrare difereniale pentru
care AD lucreaz liniar.
3.4.4.3
Analiza de semnal mic a etajelor difereniale perfect simetrice, cu ieire

simpl i sarcin rezistiv
Un amplificator diferenial se spune c este cu ieire simpl dac semnalul amplificat se
culege din colectorul unuia dintre tranzistoare. S presupunem c semnalul de ieire se culege
din colectorul tranzistorului T1 (fig.3.39). Tensiunea de ieire se poate scrie ca fiind
u
uo = uo1 = uoc + od
(3.111)
2
dac valoarea individual a tensiunii din colectorul lui T1 se exprim n funcie de valorile
tensiunii de ieire de mod diferenial i de mod comun.
Fig. 3.39. Amplificator diferenial cu sarcin

rezistiv i ieire simpl (asimetric).
Amplificarea de mod diferenial a etajului cu ieire simpl se noteaz cu Ads i reprezint,

prin definiie, raportul dintre tensiunea de ieire i tensiunea diferenial de la intrare, adic:
uod
u
A
Ads = o = 2 = dd
(3.112)
uid
uid
2
unde Add=uod/uid reprezint amplificarea diferenial pe care ar avea-o etajul dac ieirea ar fi
diferenial.
Amplificarea de mod comun a etajului cu ieire simpl este aceeai cu cea a etajului
simetric (cu ieire diferenial).
Deoarece amplificarea diferenial scade de dou ori, rejecia modului comun se
nrutete (factorul de transfer F se micoreaz de dou ori).
La acelai rezultat se ajunge i dac se determin valoarea amplificrii de tensiune pentru
semicircuitul valabil pe mod diferenial din fig. 3.40:
u
1 RC 1
Ads = o =
(3.113)
= Add
uid
2 r
2
Fig. 3.40. Semicircuitul valabil pe mod diferenial pentru

AD cu ieire simpl din fig. 3.39.
88
In concluzie este important de reinut c n cazul etajului diferenial cu ieire simpl i

sarcin rezistiv, amplificarea diferenial se micoreaz de dou ori fa de cea a
amplificatorului diferenial cu ieire simetric (diferenial).
3.4.4.4
Amplificatorul parafaz
Amplificatorul parafaz (fig.3.41,a) face parte tot din categoria amplificatoarelor cu ieire
nesimetric. Etajul parafaz este alctuit din dou tranzistoare cuplate n emitor, primul n
conexiune colector comun iar cel de al doilea n conexiunea baz comun. Denumirea de
parafraz provine de la faptul c semnalul de ieire este n faz cu cel de intrare. Tranzistorul T2
avnd baza conectat la mas rezult:
ui1 = ui
(3.114a)
ui 2 = 0
uid = ui1 ui 2 = ui
(3.114b)
u +u
u
uic = i1 i 2 = i
2
2
Pentru a se putea aplica rezultatele de la analiza etajului diferenial simetric se folosete circuitul
echivalent din fig.3.41,b.
a)
b)
c)
Fig. 4.41. Amplificatorul parafaz. (a) Schema amplificatorului. (b) Circuitul echivalent de c.c.
(c) Circuitul echivalent pentru calculul amplificrii.
In colectorul tranzistorului T1, iniial conectat la tensiunea pozitiv de alimentare, s-a
nseriat rezistorul RC, fr s se modifice astfel regimul de curent continuu al amplificatorului.
Tensiunea de intrare se consider ca fiind suma dintre o tensiune de mod diferenial, uid i
una de mod comun, uic, ale cror expresii sunt date n relaia (3.114b).
Conform acestui punct de vedere rezult c pe bazele tranzistoarelor se aplic tensiunile:
u
ui1 = uic + id = ui ,
2
(3.115)
uid
ui 2 = uic
= 0.
2
respectndu-se astfel condiiile circuitului iniial.
Circuitul echivalent pentru calculul amplificrii este reprezentat n fig.3.41,c.
Tensiunea de ieire se culege din colectorul tranzistorului T2 i de aceea are expresia:
u
1
uo = od + uoc = Add uid + Acc uic
(3.116)
2
2
unde Add i Acc au expresiile cunoscute de la etajele perfect simetrice i anume:
Add = gm RC
(3.117a)
Acc =
gm RC
89
RC
2 REE
(3.117b)
1
1 + 2 gm REE (1 + )
Amplificarea n tensiune a etajului este:

R
1
1
Au = ( C + gm RC ) gm RC
(3.118)
2 2 REE
2
deoarece, de obicei, REE este mult mai mare dect RC.
Semnul plus din relaia amplificrii semnific faptul c tensiunea de ieire este n faz cu
cea de intrare, de unde provine i denumirea de parafaz dat montajului.
Expresia rezistenei de intrare totale a circuitului, Ri, se determin prin suprapunerea
efectelor curenilor de intrare de mod comun i de mod diferenial:
ui
1
Ri =
(3.119)
=
= Rid 2 Ric
iid + iic iid iic
+
ui ui
La acelai rezultat se poate ajunge i dac se analizeaz circuitul echivalent de intrare al unui etaj
diferenial prezentat n fig.3.29,a.
3.4.4.5
Amplificatoare difereniale cu sarcin activ
Realizarea unei sarcini active presupune nlocuirea rezistenei de sarcin din colectorul
tranzistorului amplificator cu un tranzistor.
Analiznd un etaj de amplificare realizat cu tranzistor bipolar i sarcin rezistiv, rezult
pentru amplificarea n tensiune relaia:
Au = gm RC
(3.120)
Se observ c amplificarea Au este cu att mai mare cu ct RC are valoare mai mare. Dac se
conecteaz RC de valoare mare, se consum prea mult din aria de siliciu iar amplificatorul trebuie
s fie alimentat cu tensiune mare (poate chiar periculos de mare) pentru ca tranzistorul s lucreze
n regiunea activ normal i deci s rmn tensiune suficient pentru circuitul su colectoremitor (tranzistorul s nu fie saturat).
Deoarece numai din punct de vedere dinamic RC trebuie s aib valoare mare, rezistorul
de sarcin se poate nlocui cu un tranzistor a crui rezisten de ieire dinamic, la aceeai
valoare a curentului de static, este mult mai mare dect RC, iar aria de siliciu ocupat de
tranzistor este considerabil mai mic dect cea necesar pentru rezistorul de sarcin. Din punct
de vedere al regimului de curent continuu acest tranzistor trebuie s asigure curentul de colector
din punctul static de funcionare al tranzistorului amplificator i de aceea tranzistorul sarcin
activ face parte dintr-o surs de curent.
Aplicarea direct a conceptului de sarcin activ conduce la o schem de amplificator
diferenial ca cea din fig.3.42. Sarcinile active sunt alctuite cu tranzistoarele T3 i T4 care fac
parte din sursa multipl T3, T4, T5. Amplificatorul diferenial astfel obinut are Add foarte mare
dar se nrutete inadmisibil de mult comportarea pentru semnalele de mod comun.
Fig. 3.42. Schema de principiu a AD cu

sarcin activ, rezultat prin aplicarea direct
a conceptului de sarcin activ.
90
O alt abordare a ideii de sarcin activ const n a controla sursa de curent sarcin activ
cu ajutorul curentului de colector al unui tranzistor din cele dou ale amplificatorului diferenial
(fig.3.43). Circuitele din fig.3.43 elimin problemele legate de comportarea pe modul comun a
configuraiei de principiu prezentat anterior, asigurnd o rejecie mai bun a semnalelor de mod
comun. De asemenea circuitele fac trecerea de la o intrare diferenial la o ieire simpl
(nesimetric) i elimin factorul 1/2 din expresia amplificrii difereniale, comparativ cu etajul
diferenial cu sarcin rezistiv i ieire nesimetric.
a)
b)
Fig. 3.43. AD cu sarcin activ surs de curent.
(a) Sarcina oglind simpl de curent. (b) Sarcina oglind de curent cu trei tranzistoare.
In cazul circuitului din fig. 3.43,a, tranzistorul T1 controleaz curentul de referin al
oglinzii simple T3, T4. In regim dinamic exist urmtoarele relaii ntre curenii prin tranzistoare:
ic1 = ic3 = ic4 = gm ui1
(3.121)
ic2 = gmui 2
unde s-a presupus c T1 i T2 sunt identice i au aceeai transconductan, gm.
Tensiunea de ieire uo depinde de rezistena de sarcin i de curentul care circul prin ea
i este:
uo = RL (ic4 ic2 ) = gm RL uid
(3.122)
astfel c amplificarea diferenial a etajului este:
u
Add = o = gm RL
(3.123)
uid
Dup cum se poate observa, din relaie lipsete factorul 1/2.
Rezistena de intrare diferenial este:
Rid = 2 r
(3.124)
iar cea de ieire are expresia:
Ro = ro 2 ro4
(3.125)
i este de valoare mare, fapt de care trebuie inut seama la cuplarea cu etajul urmtor de
amplificare. Pentru a se realiza o adaptare optim etajul urmtor trebuie s fie un repetor pe
emitor care asigur o rezisten de intrare de valoare mare.
Circuitul din fig.3.43,a prezint dezavantajul unei nesimetrii ntre curenii de colector ai
tranzistoarelor T1 i T2. Dac se consider c cei doi tranzistori care alctuiesc sursa de curent
sunt identici, au curenii de baza egali cu IB iar cei de colectori egali cu IC, expresiile curenilor
de colector ale tranzistoarelor T1 i T2 se scriu:
I C1 = I C + 2 I B
(3.126)
I C2 = I C
91
i difer ntre ei cu att mai mult cu ct factorul de amplificare n curent al tranzistoarelor din
sarcina activ este mai mic.
Pentru a elimina acest dezavantaj se utilizeaz circuitul din fig. 3.43,b. In aceleai condiii
ca mai sus se observ c se pot scrie relaiile:
2I
I C1 = I C + B
+1
(3.127)
I C2 = I C
i valorile curenilor de colector ai tranzistoarelor care alctuiesc AD sunt mai apropiate chiar i
pentru valori mici ale factorului de curent al tranzistoarelor din srcina activ.
3.4.5
Amplificatoare difereniale cu asimetrii
La amplificatoarele difereniale reale nu exist o egalitate perfect ntre elementele cu

acelai tip de funcie, ceea ce nseamn c amplificatoarele difereniale reale prezint asimetrii.
Aceste asimetrii pot fi ntre rezistoarele de colector i ntre tranzistoare. In cazul tranzistoarelor
aceste asimetrii constau n grosimi de baz diferite, n nivele diferite de dopare a bazei i
colectorului i n arii de emitor diferite.
Aceste asimetrii denumite i nemperecheri ntre componentele unui amplificator
diferenial, precum i variaia cu temperatura a valorilor componentelor, numit drift, produc la
ieire tensiuni difereniale de curent continuu, care nu pot fi deosebite de cele produse de
semnalele utile. Dac se leag intrrile unui astfel de amplificator diferenial la mas, adic se
ndeplinete condiia uid=0, la ieirea circuitului se obine o tensiune diferenial de c.c. diferit
de zero. De asemenea dac exist asimetrii nici curenii de polarizare (curenii de baz) nu sunt
egali, diferena lor fiind nenul.
Pentru amplificatorul diferenial cu asimetrii, efectul referit la intrare al tuturor
nemperecherilor de componente este reprezentat de dou mrimi:
tensiunea de offset (de decalaj) la intrare, UIO
curentul de offset (de decalaj) la intrare, IIO.
In acest fel comportarea n c.c. a unui amplificator care are nemperecheri este identic cu
cea a unui amplificator ideal, fr nemperecheri, cruia i se adaug n serie cu una dintre intrri
o surs de tensiune de offset i n paralel pe terminalele de intrare o surs de curent de offset
(fig.3.44). Aceste mrimi sunt de obicei dependente de temperatur i de tensiunea de intrare de
mod comun.
Fig. 3.44. Circuitul echivalent al AD cu

nemperecheri, format dintr-un AD perfect
simetric care are la intrare generatoarele
de eroare UIO i IIO.
92
3.4.5.1
Determinarea tensiunii de offset la intrare
Din fig.3.44 se observ c tensiunea de offset la intrare, UIO, este egal cu acea
valoare a tensiunii de intrare difereniale care trebuie aplicat la intrarea circuitului
pentru a aduce tensiunea diferenial de la ieire la zero. In circuitul din fig.3.44, pentru
uid=0, expresia tensiunii de offset la intrare, UIO, rezult de forma:
U IO = U BE 1 U BE 2
(3.128)
dar
I
U BE 1 = U T ln C1 ,
I S1
(3.129)
I C2
U BE 2 = U T ln
IS2
astfel c expresia tensiunii de offset la intrare se scrie:
I I
(3.130)
U IO = U T ln( C1 S 2 )
I S1 I C2
curenii de saturaie depinznd de grosimea bazei, de nivelul de dopare a bazei i de aria
emitorului.
Tensiunea de ieire diferenial este nul dac:
I
R
I C1 RC1 = I C 2 RC 2 sau C1 = C 2
(3.131)
I C 2 RC1
astfel c UIO devine
R
I
(3.132)
U IO = U T ln[( C 2 )( S 2 )]
RC1 I S1
Considernd dou mrimi generale x1 i x2 pentru care x=x1-x2 iar x=(x1+x2)/2, cele dou
mrimi se pot exprima astfel:
x
x1 = x +
2
(3.133)
x
x2 = x
2
Inlocuind aceste relaii n expresia tensiunii de offset la intrare, se poate scrie:
R
I
RC C I S S
2 )(
2 )
U IO = U T ln(
(3.134)
RC
I S
RC +
IS +
2
2
i presupunnd RC<<RC i IS<<IS rezult:
R
I
U IO = U T ln(1 C )(1 S )
(3.135)
RC
IS
Dup dezvoltarea n serie Taylor i neglijarea termenilor de ordin superior se obine:
R
I
(3.136)
U IO = U T ( C S )
RC
IS
Factorii de nemperechere RC/RC i IS/IS sunt parametri aleatori care au o valoare diferit
pentru fiecare circuit integrat fabricat i care conine un amplificator diferenial de tipul celui
analizat. Abaterile standard observate (notaie ) reprizint 1% pentru RC/RC i 5% pentru
IS/IS, adic RC = 0, 01 iar I S = 0, 05 .
RC
IS
Deoarece tensiunea de offset este dat de suma a doi parametri aleatori necorelai,
deviaia standard a tensiunii totale de offset este egal cu radical din suma ptratelor deviaiilor
standard ale celor dou contribuii la nemperechere:
U IO = U T ( RC ) 2 + ( I S ) 2
RC
93
(3.137)
IS
Valoric se obine:
U IO = 0, 026 ( 0. 01) 2 + ( 0, 05) 2 = 1, 325 mV
(3.138)
Dac din distribuie se ia un eantion cu parametrii egali cu deviaia standard i factorii de
nemperechere sunt astfel nct ei se adun, rezult urmtoarea valoare a tensiunii de offset:
U IO = U T ( RC + I S ) = 0, 026( 0, 01 + 0, 05) = 1, 56 mV
(3.139)
RC
IS
3.4.5.2
Variaia tensiunii de offset cu temperatura (drift)
Atunci cnd etajele difereniale sunt utilizate n amplificatoare de curent continuu de
nivel mic, n care tensiunea de offset este critic, se asigur de obicei o ajustare manual la zero a
tensiunii de offset la intrare, cu ajutorul unui poteniometru extern. Odat ce acest reglaj a fost
fcut, parametrul important nu mai este tensiunea de offset, ci variaia acestei tensiuni cu
temperatura, denumit drift. Cu ct excursia de temperatur la care este supus circuitul este mai
mare, cu att va fi mai mare eroarea introdus de driftul su.
Dac se consider c n relaia tensiunii de offset la intrare numai tensiunea termic,UT,
se modific cu temperatura iar ceilali termeni sunt independeni de temperatur rezult:
dU IO U IO
(3.140)
=
dT
T
Deci pentru un amplificator diferenial, de tipul pereche cu cuplaj n emitor, driftul
tensiunii de offset i tensiunea de offset sunt proporionale.
Exemplul 3.10. Se presupune c un etaj diferenial de tipul celui analizat anterior are o
tensiune de offset msurat de 2mV. S se determine driftul tensiunii de offset.
Rezolvare: La temperatura camerei, 27C sau 300K, driftul tensiunii de offset este:
dU IO U IO 2 mV
=
=
= 6, 6V / o C
dT
T
300 K
De obicei prin ajustarea extern a tensiunii de offset NU se anuleaz i driftul acestei
tensiuni, din cauza modului n care se realizeaz ajustarea la zero a tensiunii de offset. Astfel, o
posibilitate de ajustare a tensiunii de offset const n conectarea unui poteniometru P n paralel
cu o poriune a rezistenelor de sarcin din colector a perechii cu cuplaj n emitor, aa cum se
prezint n fig.3.45. Acest poteniometru este o pies conectat n exteriorul circuitului integrat.
In general coeficientul de temperatur al poteniometrului P nu se mperecheaz cu acela al
rezistoarelor difuzate, astfel c se introduce o nemperechere de coeficient de temperatur al
rezistoarelor, care poate face driftul mai prost dect n cazul n care nu se anuleaz tensiunea de
offset.
Fig. 3.45. Ilustrarea modului de anulare a efectului

tensiunii de offset la intrare, utiliznd un
poteniometru extern P, n cazul AD din AO - A725.
94
Etajul diferenial din fig.3.45 corespunde etajului de intrare a amplificatorului operaional

A725, valorile de rezistene corespunznd acestui tip de circuit integrat, proiectat special pentru
un drift foarte mic.
Cu o proiectare ngrijit se poate obine un drift al tensiunii de offset de ordinul a
1...2V/C.
3.4.5.3
Determinarea curentului de offset la intrare
Curentul de offset la intrare este egal cu diferena celor doi cureni de baz ai
tranzistoarelor amplificatorului diferenial:
I
I
(3.141)
I IO = I B1 I B 2 = C1 C 2
1 2
Procednd asemntor ca la determinarea tensiunii de offset, rezult:
I R
I IO = C ( C +
)
(3.142)
RC
Deoarece deviaia standard a nemperecherii n factorul de amplificare n curent este de 10% iar
cea a rezistoarelor de 1% rezult:
I
I IO = C ( 0, 01 + 0, 1) = 0,11I B
(3.143)
Relaia (3.141) pune n eviden un fapt foarte important: curentul de intrare de offset este mai
mic dect curenii de polarizare a intrrilor (curenii de baz ai tranzistoarelor).
3.4.6
Rspunsul n frecven al amplificatorului diferenial
Odat cu creterea frecvenei semnalului de la intrarea amplificatorului diferenial,

comportarea acestuia este determinat, n principal, de elementele sale capacitive.
Se studiaz comportarea n frecven a unui amplificator diferenial de forma celui din
fig.3.46,a. Conform celor prezentate la analiza etajelor difereniale perfect simetrice se poate
forma semicircuitul de mod diferenial din fig.3.46,b, unde s-a presupus c rezistena intern a
sursei de semnal se poate mpri n dou, fiecare parte fiind egal cu RG/2.
Circuitul echivalent de semnal mic pentru semicircuitul de mod diferenial din fig.3.46,b
este dat n fig.3.46,c, unde pentru o rezolvare mai uoar i fr s afecteze corectitudinea
analizei, s-a omis factorul 1/2 pentru tensiunile de la intrare i ieire. Tot pentru simplitate s-a
omis capacitatea colector-substrat a tranzistorului.
a)
b)
c)
Fig. 3.46. Comportarea n frecven a AD. (a) Schema AD a crui comportare n frecven se
studiaz. (b) Semicircuitul valabil pe mod diferenial. (c) Circuitul echivalent de semnal mic.
Circuitul din fig.3.46,b se poate analiza aplicnd teorema lui Miller la semicircuitul
valabil pe mod diferenial din fig.3.46,c. Teorema lui Miller permite evaluarea efectului unei
95
impedane Z , conectat ntre ieirea i intrarea unui circuit pentru care se cunoate amplificarea
K . Conform acestei teoreme, circuitul echivalent va conine o impedan Z1 la intrare i o alta
Z2 la ieire, valorile lor fiind dependente de Z i K :
Z
Z1 =
,
1 K
KZ
Z2 =
K 1
Dac amplificarea K este mare, deci K>>1, atunciZ2 Z .
(3.144)
Aplicnd teorema lui Miller semicircuitului din fig.3.46,c rezult schema din fig.3.47.
Fig. 3.47. Semicircuitul valabil pe

mod diferenial al AD din fig. 3.46,
dup aplicarea teoremei Miller.
In cazul amplificatorului cu schema echivalent de semnal mic din fig.3.46,c, impedana
conectat ntre borna de ieire i cea de intrare are expresia:
1
Z=
(3.145)
jC
iar amplificarea K este dat de relaia:
K = gm RC
(3.146)
astfel c cele dou impedane Z1 i Z2 vor avea expresiile:
1
Z1 =
(3.147a)
jC (1 + gm RC )
1
Z2
(3.147b)
jC
dac se poate face presupunerea c gmRC>>1.
Capacitatea de la numitorul expresiei (3.147a) se numete capacitate Miller i se noteaz
cu CM.
C M = C (1 + gm RC )
(3.148)
Aceast capacitate se adaug la cea de intrare C i degradeaz rspunsul n frecven al
amplificatorului diferenial, fapt care se poate pune n eviden prin calculul amplificrii
circuitului.
3.4.6.1
Rspunsul n frecven al amplificrii de mod diferenial
Rspunsul n frecven al unui amplificator reprezint dependena dintre amplificarea
circuitului i frecvena semnalului aplicat.
Pentru a determina rspunsul n frecven al unui amplificator diferenial se calculeaz
mai nti amplificarea diferenial, Add. Pentru simplificarea calculelor se noteaz cu Ct
capacitatea total de la intrarea amplificatorului iar rezistena intrinsec a bazei tranzistorului, rx
se consider inclus n rezistena sursei de semnal i se noteaz cu rg (rg=rx+RG/2). Se pornete de
la relaia general a amplificrii difereniale:
Uo
Add =
(3.149)
Ui
i se determin expresiile pentru fiecare din cele dou tensiuni care intervin n relaia
amplificrii.
96
Astfel expresia n complex a tensiunii de intrare U este:

1
r
jCt
U=
Ui
(3.150)
1
rg + ( r
)
jCt
Tensiunea de ieire se determin pe ochiul de ieire, unde s-a neglijat influena capacitii
colector-baz:
U o = gm RC U
(3.151)
1
) , se
Dup ce se nlocuiete (3.150) n (3.151) i se prelucreaz relaia impedanei ( r
jCt
obine:
g R r
1
Add = m C
(3.152)
r rg
rg + r
1 + jCt
r + rg
Dac se fac notaiile:
rr
= Ct g
(3.153a)
r + rg
g R r
K= m C
(3.153b)
r + rg
unde K este valoarea amplificrii de la joas frecven iar reprezint constanta de timp a
circuitului, expresia amplificrii se poate scrie sub forma:
K
Add =
(3.154)
1 + j
Funcia de transfer din relaia (3.154) reprezint o combinaie ntre factorul independent de
1
.
frecven K i un factor liniar corespunztor unui pol simplu,
1+ j
Pentru a pune n eviden faptul c funcia de transfer a amplificatorului diferenial este
caracterizat printr-un pol, relaia (3.154) se poate rescrie astfel:
K
Add =
(3.155)
j
1+
p
unde cu p s-a notat pulsaia corespunztoare polului funciei de transfer i reprezint pulsaia la
care amplificarea scade cu 3dB fa de valoarea de la frecvene joase:
RG
r + rg 1 r + rx + 2
1
(3.156)
3dB =
=
R
r rg Ct r ( r
C + (1 + gm RC ) C
G
)
+
x
2
Cu ct capacitatea Ct devine mai mare cu att se micoreaz i pulsaia (frecvena) la -3dB a
amplificatorului (numit i frecvena de frngere a caracteristicii sau pe scurt frecvena de
R
frngere). Valoarea aproximativ a polului poate fi estimat presupunnd c G este mai mare
2
dect r i c RC este mic. In aceste condiii din relaia (3.156) se obine:
1
1 gm T
(3.157)
3dB
=
r C C
unde T reprezint pulsaia (frecvena) de tiere a tranzistorului.

Trasarea caracteristicilor de frecven se face aplicnd o metod aproximativ,
diagramele care rezult numindu-se caracteristici Bode (anexa 2). Metoda permite trasarea
97
rapid a dependenei de frecven a modulului i a fazei i se bazeaz pe folosirea funciei

logaritmice, modulul i faza reprezentndu-se n funcie de logaritmul frecvenei.
Cele dou caracteristici, de amplitudine i de faz, se deseneaz de obicei una sub alta i
au aspectul din fig.3.48.
Fig. 3.48. Caracteristicile Bode ale

AD din fig. 3.46.
Analiza de mai sus este valabil i pentru etajul de amplificare cu un tranzistor n

conexiunea cu emitorul comun, de forma celui din fig.3.46,b.
Exemplul 3.11. S se calculeze frecvena la -3dB a unui etaj realizat cu un tranzistor n
conexiunea cu emitorul comun, folosind aproximaia Miller. Se dau: RG=1k, rx=200,
RC=5k, fT=400MHz (la IC=1mA), IC=1mA, =100, C=0,5pF.
Rezolvare: parametrii de semnal mic ai tranzistorului sunt:
I
1mA
, r =
gm = C =
= 2, 6k
U T 26mV
gm
1
T =
= 398 ps
2 f T
Pentru tranzistor este valabil relaia:
1
C + C = gm T = 398 = 15, 3 pF ,
26
de unde rezult:
C = 14 , 8 pF
Inlocuind valorile numerice n (3.148) se obine capacitatea Miller:
5000
C M = C (1 + gm RC ) = (1 +
) 0, 5 = 96, 7 pF
26
Aceast valoare este mult mai mare dect C i ca urmare domin rspunsul n frecven al
amplificatorului. Inlocuind n (3.156) se gsete valoarea frecvenei de frngere a caracteristicii:
1 1000 + 200 + 2600
1012
f 3dB =
= 1, 74 MHz
2 (1000 + 200) 2600 14, 8 + 96, 7
unde, spre deosebire de analiza etajului diferenial, s-a utilizat ntreaga valoarea RG (1000),
deoarece amplificatorul din problem este realizat cu un singur tranzistor.
Amplificarea la joas frecven se poate calcula din (3.153b):
r
5000
2600
Add = gm RC
=
= 131, 6
RG + rx + r
26 1000 + 200 + 2600
Valoarea modulului amplificrii, exprimat n decibeli, este 20lgAdd=20lg(131,6)40dB.
In fig.3.49 se prezint dependena amplificrii n funcie de frecven.
98
Fig. 3.49. Caracteristica de amplitudine

a amplificatorului din exemplul 3.11.
3.4.6.2
Rspunsul n frecven al amplificrii de mod comun
Valoarea amplificrii de mod comun influeneaz factorul de rejecie a modului comun,
parametru important al amplificatoarelor difereniale. Amplificarea de mod comun fiind invers
proporional cu factorul de rejecie a modului comun, este important ca valoarea ei s fie ct
mai mic. Se va studia n continuare influena amplificrii de mod comun n funcie de frecven.
a)
b)
Fig. 3.50. Analiza comportrii pe mod comun a circuitului din fig. 3.46. (a) Circuitul echivalent
pe mod comun. (b) Semicircuitul echivalent de semnal mic.
Fie RE i CE rezistena, respectiv capacitatea de ieire echivalente ale sursei de curent
constant IEE din fig.3.46,a. Deoarece pe semicircuitul valabil pe mod comun impedanele comune
din emitoarele tranzistoarelor care alctuiesc amplificatorul se dubleaz, RE i CE conteaz pe
schema echivalent de semnal mic cu mrimile 2RE i CE/2 (fig.3.50).
Pentru calculul amplificrii de mod comun se fac aproximaiile:
RE ro
(3.158)
CE CCS
unde ro este rezistena de ieire a tranzistorului din sursa de curent i poate fi, de exemplu, de
ordinul 5M iar CCS este capacitatea colector-substrat a aceluiai tranzistor i este de
aproximativ 2pF. Cu aceste valori rezult o frecven de frngere de aproximativ:
1
1
(3.159)
fE =
=
16kHz
6
2 RE CE 2 5 10 2 1012
Pentru valori ale frecvenei mai mici dect fE, impedana de emitor este dominat de RE iar
pentru valori mai mari de frecven, de CE.
Deoarece frecvena de frngere a caracteristicii de frecven a Add este de ordinul MHz,
variaia impedanei din emitor se va manifesta naintea restului circuitului. In consecin
rspunsul n frecven se va determina presupunnd c dependena de frecven este dat numai
de impedana din emitor i c singura capacitate semnificativ este CE.
Impedana din emitor fiind mare se poate scrie:
Acc =
RC
ZE
99
(3.160)
unde impedana din emitor, Z E , se determin astfel:

1
2 RE
Z E = 2 RE
(3.161)
=
CE 1 + jCE RE
j
2
Inlocuind (3.161) n (3.160) rezult dependena dintre amplificarea de mod comun i frecven:
R
Acc = C (1 + jCE RE )
(3.162)
2 RE
Relaia (3.162) pune n eviden existena unui zero care face ca pentru pulsaii mai mari dect
1
amplificarea de mod comun s creasc cu +20dB/dec.
z =
RE CE
Situaia aceasta constituie un dezavantaj, deoarece este de dorit ca amplificarea de mod
comun s fie ct mai mic posibil. Creterea lui Acc nu continu la nesfrit, deoarece n cele din
urm devin importante i alte capaciti ale amplificatorului diferenial analizat. Ca urmare la
frecvene nalte Acc va ncepe s scad (fig.3.51,a).
Fig. 3.51. Rspunsul n frecven al

AD din fig. 3.46.
(a) Rspunsul n frecven al
amplificrii de mod comun.
(b) ) Rspunsul n frecven al
amplificrii de mod diferenial
(c) ) Rspunsul n frecven al
rejeciei modului comun.
3.4.6.3
Rspunsul n frecven al rejeciei modului comun
Prin definiie factorul de rejecie a modului comun reprezint raportul dintre amplificarea
de mod diferenial i cea de mod comun:
Add
CMRR =
(3.163)
Acc
100
Pe fig.3.51 s-au desenat variaiile n funcie de frecven ale modulului amplificrii de

mod comun (fig.3.51,a) i de mod diferenial (fig.3.51,b) precum i ale modulului factorului de
rejecie a modului comun (fig.3.51,c).
Dup ce se nlocuiete expresia lui A cc n relaia rejeciei modului comun (3.163), se
observ c zeroul amplificrii de mod comun devine pol pentru rejecia modului comun.
Din analiza caracteristicii de frecven a rejeciei modului comun rezult o concluzie
foarte important: capacitatea amplificatoarelor difereniale de a rejecta semnalele de mod
comun scade pe msur ce frecvena semnalului prelucrat crete.
3.5
101
ETAJE DE DEPLASARE A NIVELULUI DE CURENT

CONTINUU
Etajele care alctuiesc circuitele integrate analogice fiind cuplate ntre ele n c.c., trebuie
s se asigure prin proiectare compatibilitatea nivelului de c.c. de la ieirea unui etaj cu cel de la
intrarea n etajul urmtor.
Fig. 3.52. Ilustrarea modului de limitare a

semnalului de la ieirea unei cascade de
tranzistoare, aflate n conexiunea emitor
comun.
Intr-un etaj de amplificare, realizat cu tranzistor npn n conexiunea cu emitor comun,
nivelul tensiunii de c.c de la ieire (colector) este ntotdeauna mai mare dect cel de la intrare
(baz). Rezult c n cazul unei cascade de astfel de etaje, nivelul de c.c. de la ieire crete repede
spre nivelul sursei pozitive de alimentare, +EC, limitndu-se astfel amplitudinea i liniaritatea
tensiunii amplificate (fig.3.52).
Compatibilitatea nivelelor de curent continuu se realizeaz cu ajutorul unor etaje de
deplasare a nivelului de c.c. introduse ntre etajele de amplificare.
Etajele de deplasare au rolul s reduc nivelul de c.c. cu minimum de atenuare a
semnalului de c.a. Totodat aceste etaje servesc la adaptarea impedanelor ntre etajele de
amplificare, deci li se impun rezistene de intrare ct mai mari i rezistene de ieire ct mai mici.
3.5.1
Etaje de deplasare a nvelului de curent continuu realizate cu diode
Un mod simplu de a reduce nivelul de c.c. se poate realiza prin conectarea ntre etajele de
amplificare fie a mai multor diode legate n serie, fie a unei diode Zener. Tensiunea de
deplasare reprezint diferena dintre nivelul de c.c. de la intrarea etajului de deplasare i cel de la
ieirea acestuia. In cazul etajului de deplasare realizat cu diod Zener, tensiunea de deplasare are
o valoare rigid. Dac etajul de deplasare este realizat cu diode, tensiunea de deplasare poate fi
mai flexibil deoarece se poate conecta un numr reglabil de jonciuni n serie.
3.5.1.1
Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diode

conectate n serie
Prin conectarea n serie a n diode se poate obine un etaj de deplasare a nivelului de c.c.
de forma celui din fig.3.53,a, unde R reprezint rezistena de intrare a etajului care urmeaz dup
circuitul de deplasare.
a)
b)
Fig. 3.53. Etaj de deplasare a nivelului de c.c. realizat cu n diode conectate n serie.
(a) Schema de principiu. (b) Capacitatea colector-substrat a tranzistorului conectat ca diod.
102
In curent continuu, ntre tensiunea de ieire i cea de intare se poate scrie relaia:
U 2 = U1 n U BE
(3.164)
unde cu UBE s-a notat cderea de tensiune pe o diod (jonciunea baz-emitor a unui tranzistor).
In regim variabil, dac se noteaz cu rD rezistena dinamic a unei diode, ntre tensiunea
de ieire i cea de intrare se poate stabili relaia:
R
u2 =
u1 u1
(3.165)
R + nrD
dac se presupune c rezistena de intrare a etajului de amplificare urmtor este mult mai mare
dect suma celor n rezistene dinamice ale diodelor conectate n serie.
Circuitul este uor de realizat dar prezint unele dezavantaje, cum ar fi:
circuitul nu este economic pentru valori mari ale tensiunii de deplasare deoarece ar trebui
conectate n serie prea multe diode;
deplasarea nivelului de c.c. se face cu un numr ntreg de tensiuni UBE i nu cu orice valoare
se dorete;
comportarea n frecven este nesatisfctoare din cauza capacitilor colector-substrat ale
tranzistoarelor conectate ca diode (fig.3.53,b).
3.5.1.2
Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diod Zener
O alt metod principial de deplasare a nivelului de curent continuu const n utilizarea
unei diode Zener, dup cum se arat n fig.3.54. Ca diod Zener se folosete n mod normal
jonciunea baz-emitor a unui tranzistor polarizat invers, ceea ce asigur o cdere de tensiune de
aproximativ 6...7V. Multiplii ai acestei tensiuni se pot obine prin conectarea n cascad a mai
multor diode Zener.
Fig. 3.54. Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu,

realizat cu diod Zener.
Se pot stabili urmtoarele relaii:

- n curent continuu:
U 2 = U1 U z
(3.166)
- n curent alternativ (regim dinamic):
R
u1 u1
(3.167)
R + rz
deoarece rezistena dinamic rz a diodei Zener este foarte mic.
Comparativ cu circuitul anterior, cel din fig.3.54 este mai economic pentru tensiuni mari
de deplasare, are rezisten de ieire mic i o comportare n frecven mai bun (lrgime de
band mai mare). Fiind ns mai inflexibil n raport cu sursa de alimentare i avnd zgomot
mare, aceast metod se folosete la circuite care lucreaz n comutaie, cum sunt, de exemplu,
comparatoarele.
u2 =
3.5.2
Etaje de deplasare a nivelului de curent continuu realizate cu tranzistoare
In cazul etajelor de deplasare a nivelului de curent continuu realizate cu tranzistoare se

poate folosi, ca tensiune de deplasare, oricare dintre tensiunile ntre bornele tranzistorului.
Deoarece tensiunea baz-emitor (UBE) are valoarea cea mai mic dintre cele trei tensiuni ntre
bornele tranzistorului, atunci cnd UBE se utilizeaz ca tensiune de deplasare, n serie cu ea mai
trebuie s existe i o alt cdere de tensiune, cum ar fi, de exemplu, cea de pe o rezisten sau de
pe o diod Zener.
103
3.5.2.1
Etaj de deplasare a nivelului de c.c. realizat cu diod multiplicat
Acest circuit, reprezentat n fig.3.55,a, folosete ca tensiune de deplasare tensiunea
colector-emitor a unui tranzistor. Tensiunea de deplasare se poate exprima n funcie de tensiunea
baz-emitor i este de un numr de ori mai mare dect o cdere de tensiune pe o diod. Din acest
motiv circuitul se mai numete i diod multiplicat.
Dac se presupune c rezistoarele divizorului au astfel de valori nct curentul de baz se
poate neglija n raport cu cel al divizorului, n c.c. se pot scrie relaiile:
U 2 = U1 U CE
(3.168)
dar prin neglijarea curentului de baz, curentul prin divizor este:
U
U CE
I = BE =
(3.169)
R2
R1 + R2
de unde se poate deduce relaia pentru tensiunea de deplasare, UCE:
R
(3.170)
U CE = U BE (1 + 1 ) = n U BE
R2
Circuitul prezint avantajul c factorul n poate fi reglat la orice valoare, att ntreag ct i
fracionar, din divizorul R1/R2.
In regim variabil, circuitul echivalent de semnal mic fiind prezentat n fig.3.55,b, cu
varianta simplificat pentru calcul din fig.3.55,c, rezult:
R
(3.171)
u2 =
u1
R + Ro
unde cu Ro s-a notat rezistena dinamic serie introdus de dioda multiplicat.
Calculul rezistenei dinamice Ro conduce la relaia:
R
1
Ro =
(1 + 1 ), R ' = R2 r
(3.172)
gm
R'
Curentul de baz se poate neglija n condiiile n care curentul prin divizorul R1, R2 este mult mai
mare dect curentul de baz, ceea ce presupune ca R1 i R2 s aib valori mici. Datorit acestui
fapt are loc inegalitatea R2<r i atunci RR2 iar Ro se scrie:
R
1
(3.173)
Ro =
(1 + 1 ) = nrD
gm
R2
In relaia (3.173) s-au fcut notaiile rD =1/gm i n=(1+R1/R2).
In aceste condiii expresia tensiunii de ieire va fi:
R
u2 =
u1 u2
(3.174)
R + nrD
dac rezistena de intrare a etajului care urmeaz este foarte mare.
a)
b)
c)
Fig. 3.55. Etaj de deplasare a nivelului de c.c., realizat cu diod multiplicat.

(a) Schema de principiu. (b) Circuitul echivalent de semnal mic. (c) Circuitul de calcul.
104
3.5.2.2
Etaje de deplasare a nivelului de c.c. realizate cu repetor pe emitor
Pentru ca etajul de deplasare s realizeze i o bun adaptare de impedan, se cere ca
rezistena sa de intrare s fie mare iar cea de ieire de valore mic. Circuitul care poate ndeplini
aceste deziderate este repetorul pe emitor. In fig.3.56 se prezint trei variante ale etajului de
deplasare a nivelului de curent continuu, realizat cu repetor pe emitor:
repetor pe emitor i divizor rezistiv (fig.3.56,a);
repetor pe emitor cu diod Zener n loc de rezistorul R1 din divizor (fig.3.56,b);
repetor pe emitor cu surs de curent constant n loc de rezistorul R2 din divizor (fig.3.56,c).
Pentru circuitul din fig.3.56,a, n c.c. se pot scrie relaiile:
RL R2
U2 =
(U 1 U BE )
(3.175a)
R1 + RL R2
sau
R2
U2 =
(U1 U BE )
(3.175b)
R1 + R2
dac RL>>R2.
In curent alternativ, pentru aceeai condiie RL>>R2, rezult:
R2
u2
u1
(3.176)
R1 + R2
Rezistenele de intrare, Ri i de ieire, Ro, au expresiile:
(3.177)
Ri = r + ( + 1)( R1 + R2 )
r
Ro = R2 ( R1 + )
(3.178)
+1
Compensarea termic i micorarea impedanei de ieire se obin nlocuind rezistorul R1 cu o
diod Zener, aa cum se prezint n fig.3.56,b. In c.c. tensiunea de ieire are expresia:
U 2 = U 1 U BE U z
(3.179)
tensiunea de deplasare fiind:
U 1 U 2 = U BE + U z
(3.180)
Tensiunea de ieire este insensibil la variaiile temperaturii deoarece UBE i Uz au coeficienii de
temperatur egali n modul dar de semne contrare.
a)
b)
c)
Fig. 3.56. Etaje de deplasare a nivelului de c.c., realizate cu repetor pe emitor.

(a) Schema cu rezistoare. (b) Schema cu diod Zener. (c) Schema cu surs de curent.
In regim dinamic, notnd rezistena dinamic a diodei Zener cu rz i innd seama de
faptul c rezistenele dinamice ale jonciunii baz-emitor i ale diodei Zener sunt foarte mici,
rezult c tensiunea de ieire este aproximativ egal cu cea de intrare (atenuarea este neglijabil)
u2 u1
(3.181)
iar rezistenele de intrare, Ri i de ieire, Ro, au expresiile:
105
(3.182)
Ri = r + ( + 1)( rz + R2 ) r + ( + 1) R2
r
Ro R2 ( )
(3.183)
+1
Inlocuind rezistena R2 a repetorului pe emitor din fig.3.56,a cu o surs de curent constant, se
obine o alt variant a etajului de deplasare a nivelului de c.c., prezentat n fig.3.56,c
Acest circuit are avantajul unei rezistene de intrare de valoare foarte mare i nu
atenueaz semnalul alternativ de intrare. Pentru exemplificare, s presupunem c se folosete ca
surs de curent o oglind cu dou tranzistoare, aa cum se arat n fig.3.57. Dac se presupune c
efectul de oglindire se realizeaz fr eroare, atunci se pot scrie, n c.c., relaiile:
E U BE
I= C
(3.184)
R
rezultnd pentru tensiunea de ieire expresia:
R
R
U 2 = U1 U BE R1 I = U 1 EC 1 + U BE ( 1 1)
(3.185)
R
R
Relaia (3.185) arat c tensiunea furnizat la ieirea acestui circuit urmrete variaiile tensiunii
de intrare, U1 i nu depinde de valoarea absolut a rezistenelor din circuit ci de raportul R1/R,
care este supus unor variaii mult mai restrnse, n timpul procesului tehnologic de fabricaie
deoarece toleranele de mperechere sunt totdeauna mai mici dect cele absolute.
Fig. 3.57. Etaj de deplasare a nivelului de c.c., realizat

cu repetor pe emitor i surs de curent de tipul oglind
de curent cu dou tranzistoare.
In regim dinamic circuitul este caracterizat prin:

- rezistena de intrare
Ri
- rezistena de ieire
r
Ro = R1 + R1
+1
- tensiunea de ieire
u2 u1
(3.186)
(3.187)
(3.188)
3.5.2.3
Etaj de deplasare a nivelului de c.c. care utilizeaz un tranzistor pnp
In fig.3.58 se prezint un circuit de deplasare a nivelului de curent continuu care
utilizeaz n acest scop tensiunea baz-colector a unui tranzistor pnp.
Montajul este alctuit din dou amplificatoare parafaz (T1, T2 i T4, T5). Deplasarea
nivelului de c.c. se realizeaz cu ajutorul tensiunii baz-colector a tranzistorului pnp T3.
Fig. 3.58. Etaj de deplasare a nivelului de

c.c., realizat cu tranzistor pnp.
106
3.6
ETAJE DE IEIRE
Etajele de ieire se mai numesc i finale deoarece sunt ultimele etaje, nainte de rezistena
de sarcin, care prelucreaz un semnal. Etajele de ieire ale circuitelor integrate analogice difer
relativ puin de etajele finale realizate cu componente discrete, prin restriciile generale impuse
de tehnologia monolitic. Aceste etaje trebuie s satisfac urmtoarele cerine:
s transfere sarcinii valoarea specificat a puterii de semnal, n condiiile unui factor de
distorsiuni ct mai redus;
s aib o valoare ct mai redus a impedanei de ieire astfel nct valoarea ctigului n
tensiune s fie relativ neafectat de valoarea impedanei de sarcin;
s realizeze un consum mic de putere n absena semnalului adic s aib un randament ct
mai ridicat;
puterea disipat de tranzistoarele finale s fie ct mai mic;
s asigure o astfel de lrgime proprie de band nct s nu limiteze rspunsul n frecven al
ntregului circuit analogic.
Cele mai reprezentative etaje de ieire ale circuitelor integrate analogice sunt realizate cu
tranzistoare care lucreaz ntr-una din urmtoarele clase de polarizare: A, B sau AB.
3.6.1
Etaje de ieire clas A
In proiectarea de circuite integrate, etajele de ieire clas A utilizate, pot fi cu tranzistorul

amplificator n conexiune emitor comun, baz comun sau colector comun. Cel mai des utilizate
sunt etajele de ieire de tipul repetor pe emitor (tranzistorul amplificator n conexiunea colector
comun), deoarece acestea ofer n general caracteristici superioare din punct de vedere a
rezistenei de ieire i a distorsiunilor (aceti parametri sunt mici).
Funcionarea etajelor cu emitorul comun este totui de interes deoarece aceste etaje sunt
utilizate de multe ori - ca urmare a ctigului lor mare - ca etaje de comand pentru alte tipuri de
etaje de ieire.
Configuraia cu baza comun este utilizat ca etaj de ieire numai n unele situaii
speciale. Dezavantajul su este dat de valoarea apropiat de unitate a ctigului n curent. Ca
urmare curentul furnizat de etajul de comand trebuie s fie egal cu cel al etajului de ieire.
Etajul cu baza comun ofer totui un ctig n tensiune (deci i un ctig n putere) i ca urmare
excursia de tensiune a etajului de comand este mai mic dect a etajului de ieire. Avantajul
principal al etajului cu baza comun este dat de faptul c n aceast configuraie tensiunea de
strpungere a tranzistorului amplificator este cea a jonciunii colector-baz, fiind mai mare dect
tensiunea de strpungere a altor configuraii (n mod tipic cu un factor de 2).
Indiferent de tipul de conexiune a tranzistorului amplificator, randamentul maxim
teoretic al etajelor de ieire clas A este egal cu 25%. Etajele de ieire cu baza comun i cu
emitorul comun prezint o impedan de ieire mare, cu excepia cazului n care valoare acesteia
este modificat prin utilizarea reaciei negative.
3.6.1.1
Etaje de ieire clas A de tipul repetor pe emitor
Etajele de ieire clas A de tipul repetor pe emitor se utilizeaz atunci cnd puterea
necesar n sarcin este mic. In fig.3.59 se prezint dou scheme de principiu ale etajelor de
ieire realizate cu repetor pe emitor. Pentru simplificarea analizei se va presupune c sursele de
alimentare au valori egale n modul, cu toate c n practic valorile lor pot fi i diferite.
In circuitul din fig.3.59,a, tranzistorul amplificator este polarizat cu ajutorul unei
rezistene. De obicei, aceast rezisten se nlocuiete cu o surs de curent, dup cum se arat n
fig.3.59, b.
107
a)
b)
Etaje
de
ieire
clas
A,
realizate
cu
repetor
pe emitor.
Fig. 3.59.
(a) Etaj polarizat cu rezisten. (b) Etaj polarizat cu surs de curent.
In circuitul din fig.3.59,b, T1 este tranzistorul amplificator. El este polarizat n punctul
static de funcionare cu un curent I, generat de sursa de curent T2, T3. Elementele de polarizare
R1, R3 i T3 pot fi utilizate i pentru polarizarea altor etaje ale circuitului. Amplificatorului i se
aplic la intrare o tensiune uI, care conine componenta continu, UI i componenta variabil cu
valoarea instantanee ui. Deci uI are expresia:
uI = U I + ui
(3.189)
Relaii asemntoare se pot scrie i pentru celelalte mrimi care intervin n montaj. Aplicnd
teorema a II-a lui Kirchhoff se poate deduce urmtoarea relaie ntre tensiunea de intrare i cea de
ieire:
uI = uBE + uO
(3.190a)
sau nlocuind fiecare tensiune cu suma dintre componenta sa continu i cea variabil, rezult:
U I + ui = U BE + ube + U O + uo
(3.190b)
Se impune ca atunci cnd nu se aplic semnal variabil la intrarea amplificatorului (adic ui=0),
valoarea de c.c. a tensiunii de ieire s fie nul (UO=0). Dar dac nu se aplic semnal la intrare
atunci nu va exista nici semnal amplificat (deci i uo=0) i nici semnal variabil pe jonctiunea
baz-emitor a tranzistorului T1 (adic i ube=0). Cu aceste observaii relaia (3.190b) devine:
U I = U BE
(3.191)
Deci componenta de curent continuu a tensiunii de intrare trebuie s fie egal cu tensiunea de
polarizare a jonciunii baz-emitor a tranzistorului amplificator. Trebuie observat c pe fig.3.59
nu s-a desenat circuitul de polarizare a tranzistorului T1, de aceea circuitul este util doar pentru
analiz.
Pentru curentul de colector al tranzistorului T1 este valabil relaia:
iC = I + iO
(3.192a)
sau considernd i componenta continu i cea variabil a curentului de colector i a celui de
ieire, relaia (3.192a) se poate scrie sub forma:
I C + ic = I + I O + io
(3.192b)
Dar componenta de curent continuu a curentului de ieire este zero (IO=UO/RL=0) deoarece s-a
impus ca valoarea de c.c. a tensiunii de ieire s fie nul (UO=0), astfel c valoarea de c.c. a
curentului de colector a tranzistorului T1 este identic cu valoarea curentului dat de sursa T2, T3
i reprezint valoarea curentului din punctul static de funcionare a lui T1, adic:
IC = I
(3.193)
Funcionarea amplificatorului este urmtoarea:
pentru alternana pozitiv a tensiunii de intrare (ui>0), att timp ct T1 i T2 lucreaz n
regiunea activ normal, prin tranzistorul T1 curge un curent format din componenta constant
I i componenta variabil a curentului prin sarcin (io). Prin T2 curge curentul constant I.
108
Pentru valori pozitive mari ale tensiunii de intrare, tranzistorul T1 se poate satura. In aceste
condiii valoarea maxim pozitiv a tensiunii de ieire va fi:
U o+,max = EC U CE 1, sat
(3.194)
Tranzistorul T2 lucreaz tot n regiunea activ normal ca i nainte de saturarea lui T1.
pentru alternana negativ a tensiunii de intrare (ui<0), att timp ct T1 i T2 lucreaz n
regiunea activ normal, o parte a curentului constant I curge prin rezistena de sarcin RL cu
sensul de la mas spre T2 iar tranzistorul T1 completeaz restul de curent pn la valoarea I.
Curentul prin RL fiind variabil rezult c i cel prin T1 este tot variabil. Prin tranzistorul T2
curge i n acest caz acelai curent constant I.
Pentru valori negative mari ale tensiunii de intrare, T1 se poate bloca astfel c ntreg curentul
constant I va curege prin RL, cu sensul de la mas spre T2. Dac tranzistorul T2 se satureaz,
atunci valoarea maxim negativ a tensiunii de ieire va avea expresia:
U o,max = RL I = EC + U CE 2 ,sat + R2 I
(3.195)
Acestei funcionri i corespunde caracteristica de transfer din fig.3.60.
Fig. 3.60. Caracteristica de transfer a etajului de ieire din fig. 3.59, b, trasat pentru rezisten
de sarcin de valoare mic (RL3) i mare (RL1).
Pentru a determina aceast caracteristic se pornete de la urmtoarea relaie, scris
pentru valorile efective ale mrimilor electrice care intervin:
U i = U be1 + U o
(3.196)
Tensiunea baz-emitor a tranzistorului T1, Ube1, se poate exprima n funcie de curentul de
colector al lui T1, Ic1 i de curentul su de saturaie IS i este:
kT I c1
(3.197)
U be1 =
ln
q
IS
dac T1 lucreaz n regiunea activ normal.
Dar Ic1 se poate scrie:
U
I c1 = I + o
(3.198)
RL
dac T2 lucreaz i el n regiunea activ normal i factorul de amplificare n curent se
presupune mare. Inlocuind relaiile (3.198) i (3.197) n (3.196) se obine:
U
I+ o
kT
RL
Ui =
ln
(3.199)
+ Uo
q
IS
Ecuaia (3.199) este neliniar i stabilete o legtur ntre tensiunile Ui i Uo numai dac ambele
tranzistoare T1 i T2 sunt n regiunea activ normal. Rezistena de sarcin RL se presupune mic
n comparaie cu rezistena de ieire a tranzistoarelor.
109
Relaia (3.195) pune n eviden faptul c amplitudinea negativ a semnalului de ieire

depinde de mrimea rezistenei de sarcin. Deoarece un semnal sinusoidal se caracterizeaz prin
valori egale ale celor dou amplitudini, pozitiv i negativ, n acord cu relaia (3.195), analiza
etajului de ieire de tipul repetor pe emitor trebuie s se fac n funcie de mrimea rezistenei de
sarcin. Dup cum se ilustreaz i pe caracteristica de ieire a tranzistorului T1 din fig.3.61, pot
apare urmtoarele situaii:
RL=RL1 de valoare mare, astfel nct:
U o,max = EC U CE 2 ,sat R2 I RL1 I
(3.200)
RL=RL2 tot de valoare mare ( RL 2 RL1 ), astfel nct:
U o,max = EC U CE 2 ,sat R2 I = RL 2 I
(3.201)
RL=RL3 de valoare mic ( RL 3 RL2 ), astfel nct:

U o,max = RL3 I ( EC U CE 2 ,sat R2 I )
(3.202)
In primele dou cazuri excursia maxim a tensiunii de ieire este Uo,max=EC-UCE,sat, dac se
consider c tensiunile colector-emitor de saturaie ale lui T1 i T2 sunt egale i se neglijeaz
cderea de tensiune pe rezistorul R2.
In cazul celei de a treia rezistene de sarcin, amplitudinea maxim a tensiunii de ieire se
limiteaz la valoarea RL3I, chiar dac excursia maxim pozitiv a tensiunii pe sarcin este egal
cu EC-UCE,sat.
Fig. 3.61. Dreptele de sarcin din planul iC1 uCE1 pentru

repetorul pe emitor din fig. 3.59, b.
3.6.1.2
Puterea de ieire i randamentul amplificatorului n clas A
Atunci cnd la intrarea amplificatorului se aplic un semnal sinusoidal, puterea disipat
de diversele elemnte va varia n funcie de timp. Prezint interes att puterea disipat instantanee
ct i puterea disipat medie.
Puterea instantanee este important atunci cnd se consider puterea disipat de tranzistor
pentru cazul semnalelor de joas frecven sau de curent continuu. Temperatura jonciunilor
tranzistorului tinde s creasc sau s scad urmrind puterea instantanee disipat de dispozitiv; ca
urmare va exista o putere disipat maxim disponibil care asigur funcionarea sigur a oricrui
dispozitiv.
110
Nivelele de putere medie sunt importante deoarece, n mod uzual, puterea transmis unei
sarcini este specificat ca valoare medie. De asemenea trebuie observat c n cazul n care etajul
de ieire prelucreaz numai semnale de frecven nalt, temperatura jonciunilor tranzistorului
nu va avea o variaie apreciabil n timpul unei perioade a semnalului; rezult c n acest caz
factorul limitativ va fi puterea medie disipat de dispozitiv.
Puterea medie transmis sarcinii RL, atunci cnd la intrare se aplic un semnal sinusoidal
i se presupune c i semnalul de ieire este sinusoidal, va fi:
Uv Iv
1
Pu = o o = U ov I ov
(3.203)
2 2 2
unde U ov i I ov reprezit amplitudinile sau valorile de vrf ale tensiunii sinusoidale de la ieire,
respectiv, curentului sinusoidal de la ieire. Dup cum s-a artat mai nainte amplitudinea
maxim a semnalului la ieire care poate fi atins nainte de a intra n limitri depinde de
valoarea rezistenei RL. Astfel valoarea maxim a puterii Pu care poate fi atins nainte de a
aprea limitarea este:
1
Pu,max = U ov,max I ov,max
(3.204)
2
unde U ov,max i I ov,max sunt valorile maxime ale amplitudinilor tensiunii, respectiv, curentului care
se pot atinge nainte de a aprea limitarea.
S considerm cazul n care rezistena de sarcin este RL1. Caracteristicile din figurile
3.60 i 3.61 evideniaz faptul c limitarea apare n acest caz simetric, astfel c:
U ov,max = EC U CE ,sat
(3.205)
dac se presupune c tranzistoarele T1 i T2 au tensiunile de saturaie egale.
Valoarea corespunztoare a amplitudinii curentului sinusoidal de ieire este:
Uv
I ov,max = o,max
(3.206)
R L1
Puterea medie maxim care se poate transmite sarcinii RL1 se calculeaz prin nlocuirea n
(3.204) a relaiilor (3.205) i (3.206).
Din punct de vedere geometric, valoarea acestei puteri reprezint aria triunghiului notat
cu 1 n fig.3.61. Pe msur ce se mrete valoarea rezistenei de sarcin puterea medie maxim
de ieire care poate fi transmis sarcinii devine din ce n ce mai mic deoarece aria triunghiului
se micoreaz. Valoarea maxim a amplitudinii tensiunii de la ieire rmne practic aceeai, dar
valoarea amplitudinii curentului scade odat cu creterea sarcinii RL1.
Dac RL=RL3, excursia maxim de tensiune la ieire, nainte de a aprea limitarea, este:
U ov,max = IRL3
(3.207)
Corespunztor amplitudinea curentului este I ov,max = I i folosind relaia (3.204) rezult c puterea
medie maxim care poate fi transmis sarcinii este dat de aria notat cu 3 pe fig.3.61. Este clar
c pe msur ce se micoreat valoarea rezistenei de sarcin se micoreaz i puterea medie
maxim care poate fi transmis sarcinii.
In urma examinrii fig.3.61 rezult c puterea de ieire a etajului atinge un maxim pentru
RL=RL2, expresia sarcinii fiind:
E U CE ,sat
RL2 = C
(3.208)
I
Aceast dreapt de sarcin duce la triunghiul cu aria cea mai mare (notat cu 2 pe fig.3.61).
Deoarece n acest caz U ov,max = EC U CE ,sat i I ov,max = I , din (3.204) se obine:
1
1
Pu,max = U ov,max I ov,max = ( EC U CE ,sat ) I
(3.209)
2
2
Pentru a calcula randamentul (eficiena) circuitului, trebuie s determinm i puterea consumat
de la sursele de alimentare. Curentul extras de la sursa pozitiv este egal cu curentul de colector
111
al tranzistorului T1, curent presupus sinusoidal i cu valoarea medie I. Curentul care este absorbit
de sursa negativ este constant i egal cu I (se neglijeaz curentul de referin al sursei de curent
T2, T3). Deoarece tensiunile de alimentare sunt constante, puterea medie consumat de la sursele
de alimentare este constant i independent de prezena n circuit a semnalului sinusoidal.
Puterea total consumat de la cele dou surse de alimentare este:
Pa = 2 EC I
(3.210)
Randamentul cu care acest circuit realizeaz conversia puterii consumate n putere util
se definete ca raportul dintre puterea medie transmis sarcinii (puterea util) i puterea
consumat de la sursele de alimentare. In mod evident, pentru acest circuit randamentul crete
odat cu creterea puterii de ieire deoarece puterea consumat de la sursele de alimentare este
constant. De asemenea, deoarece nivelul puterii de ieire a circuitului depinde de valoarea
sarcinii RL i randamentul va depinde de RL. Valoarea optim a randamentului se obine pentru
RL=RL2 deoarece aceast sarcin asigur puterea de ieire maxim. Deci n general:
P
(3.211)
= u
Pa
iar dac RL=RL2 se obine randamentul maxim:
U
1
max = (1 CE , sat )
(3.212)
EC
4
Dac se ndeplinete condiia U CE ,sat EC , valoarea maxim a randamentului acestui etaj este de
25%.
Alt aspect important al funcionrii circuitului l constituie valoarea puterii disipate de
tranzistoare. Formele de und ale curentului i tensiunii tranzistorului T1 pentru excursia maxim
n cazul RL=RL2 sunt prezentate n fig.3.62. S-a presupus c U CE , sat 0. Tot n fig.3.62 s-a
reprezentat i produsul dintre tensiunea colector-emitor i curentul de colector care constituie
puterea instantanee disipat de T1 (pd1):
pd 1 = uCE1iC1
(3.213)
Fig. 3.62. Formele de und pentru tranzistorul T din fig. 3.59, b, n cazul excursiei maxime la
ieire, RL=RL2. (a) Forma de und a tensiunii colector+emitor. (b) Forma de und a curentului
de colector. (c) Forma de und a puterii disipate n colector.
112
Pentru excursia maxim a semnalului de ieire sinusoidal, pd1 se poate exprima astfel:
E I
pd 1 = EC (1 + sin t ) I (1 sin t ) = C (1 + cos 2t )
(3.214)
2
Puterea instantanee disipat de T1 variaz cu o frecven egal cu dublul frecvenei semnalului
avnd valoarea medie egal cu jumtate din puterea disipat n absena semnalului, adic ECI/2.
Rezult c n condiii de putere maxim la ieire, temperatura medie a tranzistorului, atunci cnd
se transmite putere sarcinii RL=RL2 este mai mic dect temperatura n absena semnalului.
Hiperbolele de putere disipat, instantanee, constant, de ctre T1 se prezint n fig.3.63.
In figur s-au trasat trei hiperbole corespunztoare unor valori constante ale puterii disipate
instantanee p1, p2 i p3, aflate n relaia: p1<p2<p3. Hiperbola care corespunde valorii p2 trece prin
punctul static de funcionare i corespunde unei rezistene de sarcin RL=RL2. Se observ c
dreapta de sarcin pentru RL=RL2 este tangent la hiperbola care trece prin punctul static de
funcionare, deoarece n acest punct ambele curbe au aceeai pant. Devine clar c odat ce
punctul de funcionare prsete poziia de regim static i se mic pe dreapta de sarcin RL=RL2,
puterea instantanee disipat de tranzistor scade, deoarece dreapta de sarcin intersecteaz
hiperbole de putere constant de valoare tot mai mic. Acest punct de vedere este n concordan
cu formele de und din fig.3.62.
Pentru RL (etajul lucreaz n gol) curentul de colector al tranzistorului T1 nu mai
variaz n decursul unei perioade ci este constant (vezi fig.3.63). Pentru valori ale tensiunii uCE1
mai mari dect valoarea static, puterea instantanee disipat de tranzistor crete. Valoarea
maxim posibil a tensiunii uCE1 este [2EC-UCE2,sat], puterea instantanee maxim fiind n acest
caz aproximativ 2ECI dac UCE2,sat<<EC. Disipaia este deci dubl fa de aceea din absena
semnalului (ECI). La cealalt extrem a excursiei semnalului de ieire pentru care uCE10, puterea
disipat de tranzistorul T2 este de asemenea 2ECI.
Deci puterea disipat maxim de ambele tranzistoare este 2ECI i trebuie s se in
seama de ea atunci cnd se impun cerinele de putere disipat pentru T1 i T2.
Fig. 3.63. Hiperbolele de putere disipat instantanee, constant, de ctre tranzistorul T1

din fig. 3.59, b (p1<p2<p3).
O situaie mai periculoas este aceea n care sarcina se scurtcircuiteaz. In acest caz
dreapta de sarcin este o vertical care trece prin punctul static de funcionare (vezi fig.3.63).
Pentru semnale de intrare mari, curentul de colector al lui T1, deci i puterea disipat de
113
tranzistor poate deveni prea mare. Limita pe care o poate atinge valoarea curentului de colector
este determinat de capacitatea etajului prefinal, cel care livreaz semnalul de intrare n etajul de
ieire, de a furniza tranzistorului T1 curentul de baz i de asemenea de scderea la cureni mari a
ctigului n curent al lui T1. Aceti factori ar trebui s fie suficieni pentru ca T1 s nu se
distrug, totui n practic sunt necesare circuite de limitare a curentului pentru a preveni
distrugerea tranzistorului amplificator T1.
Analiza de mai sus conduce la urmtoarea concluzie important: orice dreapt de
sarcin este tangent la hiperbola de putere disipat constant ntr-un punct care mparte
dreapta de sarcin n dou pri egale. Rezult c punctul de la mijlocul oricrei drepte de
sarcin este punctul n care puterea instantanee disipat de tranzistor este maxim.
Exemplul 3.12. Se presupune un etaj de ieire clas A ca cel din fig.3.59,b, cu
urmtoarele date: EC=12V, R3=5,7k, R1=R2=0, UCE,sat=0,2V, UBE=0,6V, RL=1k.
a) S se calculeze puterea medie de ieire maxim care poate fi transmis sarcinii RL
nainte de apariia limitrii i randamentul corespunztor. Care este randamentul maxim posibil
ce se poate realiza cu acest circuit i ce valoare RL este necesar pentru a-l obine? Se va
presupune c semnalul este sinusoidal.
b) S se calculeze puterea disipat instantanee maxim a tranzistorului T1 pentru
RL=1k. Ce valoare va avea puterea medie disipat de T1 dac amplitudinea tensiunii de ieire
este de 1,8V?
Rezolvare:
a) dup cum s-a artat, amplitudinea semnalului de ieire depinde de valoarea rezistenei
de sarcin RL. De aceea se evalueaz mai nti produsul IRL pentru a aprecia n care din cele trei
cazuri discutate pentru RL ne situm.
Curentul din punctul static de funcionare este:
E U BE 3 (12 0, 6)V
I= C
=
= 2 mA
R3
5, 7 k
Produsul IRL va fi:
IRL = 2 mA 1k = 2V
Aceast valoare este mai mic dect EC-UCE,sat=12V-0,2V=11,8V. Deci ne aflm n cazul al
treilea de rezisten de sarcin i anume cazul RL mic (RL=RL3 din fig.3.61). In aceast situaie
excursia maxim pentru un semnal sinusoidal va fi IRL=2V, valoare impus de limitarea tensiunii
de ieire n semialternana negativ.
Valorile maxime ale tensiunii i curentului pe sarcin sunt:
U ov,max = 2V , I ov,max = 2mA
Relaia (3.204) permite calculul puterii medii maxime de ieire:
1
1
Pu,max = U ov,max I ov,max = 2 2 = 2mW
2
2
In conformitate cu relaia (3.210) puterea consumat de al sursele de alimentare va fi:
Pa = 2 EC I = 2 12 2 = 48mW
Randamentul circuitului pentru puterea util determinat mai sus este:
P
2
= u,max =
= 0, 042
Pa
48
Valoarea randamentului de 4,2% este mic din cauza limitrii care apare n semialternana
negativ.
Randamentul maxim posibil, realizabil cu acest etaj, se obine pentru o valoare a
rezistenei de sarcin RL=RL2 (vezi fig.3.61), dat de (3.208):
E U CE ,sat (12 0, 2)V
RL 2 = C
=
= 5, 9 k
I
2mA
114
Puterea medie maxim (puterea util maxim) care se poate transfera sarcinii n acest caz, nainte
s apar limitarea, se gsete din (3.209)
1
1
1
Pu,max = U ov,max I ov,max = ( EC U CE ,sat ) I = (12 0, 2) 2 = 11, 8mW
2
2
2
Valoarea corespunztoare a randamentului se obine din (3.212)
U
1
0, 2
1
max = (1 CE ,sat ) = (1
) = 0, 246
EC
4
4
12
adic 24,6%, valoare care este aproape de maximul teoretic de 25%.
b) Disipaia instantanee maxim posibil n T1 are loc n punctul corespunztor
mijlocului dreptei de sarcin. Din fig.3.61, pentru dreapta de sarcin RL=RL3 se obine:
1
1
U ce1 = ( EC + IRL ) = (12 + 2 ) = 7V
2
2
Valoarea corespunztoare a curentului de colector prin T1 este:
U
7V
I c1 = ce1 =
= 7mA
RL 1k
Deci disipaia instantanee maxim posibil n T1 este:
Pd 1 = U ce1 I c1 = 7V 7 mA = 49 mW
Se observ c aceast disipaie are loc pentru Uce1=7V, care corespunde unei excursii a tensiunii
de ieire n afara limitelor de funcionare liniar a circuitului. Limitarea se instaleaz n excursia
negativ la ieire, ndat ce amplitudinea tensiunii de la ieire atinge 2V.
Aceast situaie poate s apar cu uurin dac circuitul se excit cu un semnal de intrare
prea mare.
Dac trebuie determinat disipaia pentru o valoare oarecare a tensiunii de ieire, sub
valoarea de limitare (mai mic deci dect 2V) se pornete de la observaia c - pentru semnale
sinusoidale - puterea medie consumat de la cele dou surse de alimentare este constant i
independent de prezena semnalului variabil. Deoarece puterea livrat circuitului de sursele de
alimentare este constant, puterea medie total disipat de T1, T2 i sarcina RL trebuie s fie
constant i independent de prezena semnalului sinusoidal.. Puterea medie disipat de T2 este
constant deoarece I este constant. Ca urmare puterea medie disipat de T1 i RL este i ea
constant. Deci, odat cu creterea lui U ov , puterea medie disipat n T1 scade cu aceeai cantitate
cu care crete puterea medie disipat n RL.
Pentru a determina puterea medie disipat de T1 dac amplitudinea semnalului de ieire
este de 1,8V, va trebui s inem seama de cele prezentate anterior i de urmtoarele observaii:
- fr semnal la intrare puterea disipat de T1 este Pd 1 = EC I = 12V 2 mA = 24 mW
- pentru U ov = 1, 8V puterea medie transferat sarcinii este
1 (U ov ) 2 1 3, 24
Pu =
=
= 1, 62 mW
2 RL
2 1
Rezult c puterea medie disipat de T1 atunci cnd U ov = 1, 8V , semnalul fiind sinusoidal, este
Pd ,med = Pd 1 Pu = 24 1, 62 = 22, 38mW
Exemplul 3.13. S se determine excursia maxim a unui semnal de ieire sinusoidal
pentru un circuit ca cel din fig.3.59,a. Se presupune c tranzistorul amplificator se afl n acelai
punct static de funcionare ca n exemplul 3.12. Pentru aceast situaie s se determine valoarea
rezistenei RE de polarizare a tranzistorului amplificator. Se presupune c RL=1k.
Rezolvare: deoarece n punctul static de funcionare tranzistorul este caracterizat de
valorile:
U CE = 12V
I C = 2mA
valoarea rezistenei RE se determin din relaia:
115
EC 12V
=
= 6k
I C 2 mA
Valoarea maxim a tensiunii de ieire sinusoidale este limitat de excursia negativ maxim a
tensiunii pe sarcin cnd T1 se blocheaz. In acest caz valoarea maxim a tensiunii de ieire se
determin observnd c RL i RE formeaz un divizor de tensiune pentru -EC. Rezult
RL
1
U ov,max = U o,max =
EC =
12 = 1, 71V
RL + RE
1+ 6
deci o valoare mai mic dect n cazul polarizrii tranzistorului amplificator cu sursa de curent
constant.
In aceste condiii i randamentul circuitului se micoreaz i va fi:
1
1, 71 2
Pu 2
=
=
= 0, 035
Pa 2 12 2
adic 3,5%.
RE =
3.6.1.3
Cerine relative la comanda repetorului pe emitor
Etajul care precede etajul de ieire se numete etaj de comand (pilot sau driver sau
prefinal). Acest etaj poate introduce limitri suplimentare n funcionarea circuitului deoarece,
aa cum rezult de pe caracteristica de transfer (vezi fig. 3.60), tensiunea de comand n baz,
necesar pentru a obine valoarea maxim pozitiv a tensiunii de ieire, este EC-UCE1,sat+uBE1.
Deoarece uBE1>UCE1,sat, rezult c tensiunea de comand n baza lui T1 trebuie s fie mai mare
dect tensiunea de alimentare. Acest lucru presupune ca etajul prefinal s fie alimentat cu o
tensiune mai mare dect cel final. Deoarece, n cele mai multe cazuri, etajul de comand este
conectat la aceeai surs de alimentare ca i etajul de ieire, el nu poate produce tensiuni mai
mari dect tensiunea de alimentare ceea ce reduce, n mod suplimentar, excursia de tensiune
posibil la ieire.
3.6.2
Etaje de ieire clas B
Etajele de ieire n clas A au un dezavantaj major dat de faptul c are loc o disipaie
mare de putere chiar i n absena semnalului alternativ de la intrare. In multe aplicaii ale
amplificatoarelor de putere, circuitul poate funciona pentru intervale mari de timp n condiii de
ateptare, fr semnal de intrare sau cu semnale de intrare intermitente (de exemplu n cazul
semnalelor vocale). Puterea disipat n aceste condiii se pierde, ceea ce este neconvenabil din
urmtoarele motive:
n echipamentele alimentate de la baterii puterea sursei de alimentare trebuie conservat
pentru a extinde durata de utilizare a bateriilor;
orice putere care se pierde n circuit este disipat de dispozitivele active, ceea ce nseamn
funcionarea la temperaturi mai ridicate, avnd deci i o probabilitate de defectare mai mare.
Puterea disipat n dispozitiv i determin i dimensiunile sale fizice, dispozitivele mari fiind
mai scumpe deoarece i aria de siliciu consumat este mai mare.
Etajele de ieire n clas B rezolv aceste probleme deoarece la semnal de intrare nul, puterea
disipat este practic nul.
3.6.2.1
Etaje de ieire clas B realizate cu tranzistoare complementare n

conexiunea colector comun
In clasa B de polarizare, punctul static de funcionare al tranzistorului din planul
caracteristicilor de ieire se afl la intersecia dreptei de sarcin cu curba trasat pentru IB=0, ceea
ce nseamn c n absena semnalului de intrare tranzistorul este blocat. El va fi trecut n
conducie de semnalul ce trebuie amplificat. Deoarece tranzistorul npn se deschide pentru
poteniale pozitive aplicate n baz iar tranzistorul pnp pentru poteniale negative aplicate n
116
baz, sunt necesare dou dispozitive care s amplifice un semnal sinusoidal, cte unul pentru
fiecare semiperioad a semnalului. Acest lucru explic i denumirea de etaje n contratimp cu
tranzistoare complementare folosit n cazul etajelor de ieire n clas B.
Etajele de ieire n clas B au i avantajul c randamentul este mult mai bun dect pentru
etajele de ieire n clas A. Valoarea maxim teoretic este de 78,5%.
O realizare tipic de etaj de ieire n clas B este prezentat n fig.3.64. Circuitul folosete
dou tranzistoare complementare: un tranzistor npn i un altul pnp. Rezistena de sarcin RL este
conectat n emitoarele tranzistoarelor care funcioneaz deci ca repetoare pe emitor.
Fig. 3.64. Etaj de ieire simplu n clas B, din circuitele integrate analogice.
Caracteristica de transfer a circuitului din fig.3.64 este prezentat n fig.3.65. Pentru uI
egal cu zero, uO este de asemenea zero, ambele tranzistoare fiind blocate, deoarece au uBE=0.
Pe msur ce tensiunea de intrare uI crete spre valori pozitive, crete i tensiunea bazemitor a tranzistorului T1. In momentul n care se atinge valoarea de deschidere a tensiunii uBE,
prin T1 ncepe s circule curent. In punctul n care T1 ncepe s conduc, uO este nc aproximativ
zero i orice cretere ulterioar a tensiunii uI va determina o cretere similar a tensiunii uO
deoarece tranzistorul T1 funcioneaz ca repetor pe emitor. In tot acest timp tranzistorul T2 este
blocat deoarece tensiunea sa baz-emitor este negativ. Dac tensiunea uI crete n continuare i
este tot pozitiv, tranzistorul T1 se satureaz iar caracteristica de transfer devine plat, la fel ca n
cazul amplificatorului n clas A.
Fig. 3.65. Caracteristica de transfer a etajului de ieire clas B din fig. 3.64.
Pentru valori negative ale tensiunii de intrare uI, caracteristica de transfer are o form
asemntoare cu ceea ce s-a obinut n cazul valorilor pozitive ale lui uI. In aceast situaie
tranzistorul T2 lucreaz ca repetor pe emitor iar T1 este blocat de o tensiune baz-emitor invers.
Tranzistorul T2 nu se va deschide dect pentru valori negative ale tensiunii de intrare mai mari n
modul dect tensiunea baz-emitor de deschidere a acestui tranzistor pnp. Pentru valori negative
de intrare mari n modul, tranzistorul T2 se poate satura.
117
Caracteristica de transfer din fig.3.65 pune n eviden pentru tensiunea uI o zon moart
de mrime 2UBE, centrat pe uI=0, situaie caracteristic pentru etajele de ieire n clas B.
Aceast zon moart determin apariia distorsiunilor de trecere (cross over n limba
englez), fapt ilustrat n fig.3.66 n care se prezint formele de und de la ieirea amplificatorului
pentru diferite valori ale amplitudinii semnalului sinusoidal de la intrare, valori mai mari dect
UBE. Pe msur ce amplitudinea semnalului de intrare crete, aceast surs de distorsiuni devine
din ce n ce mai puin semnificativ deoarece zona moart reprezint o fraciune tot mai mic a
semnalului. Pentru amplitudini mari ale semnalului de intrare, cele dou tarnzistoare T1 i T2 se
pot satura. Semnalul de ieire va fi din nou distorsionat, de aceast dat prin limitare.
Distorsiunile de trecere sunt mai evidente la nivele mici de semnal iar cele de limitare la nivele
mari ale semnalului aplicat la intrarea amplificatorului.
Fig. 3.66. Formele de und la ieire pentru diferite valori ale amplitudinii semnalului de
intrare, aplicate etajului de ieire clas B din fig. 3.64.
Distorsiunile de trecere pot fi reduse prin utilizarea clasei AB de polarizare a
tranzistoarelor de ieire. In aceast clas de funcionare dispozitivele active se polarizeaz astfel
nct, pentru uI=0, prin tranzistoarele finale circul un mic curent static.
3.6.2.2
Puterea de ieire i randamentul amplificatorului n clas B
In fig.3.67 se prezint formele de und ale curentului de colector prin cele dou
tranzistoare. Se observ c fiecare tranzistor conduce, timp de o jumtate de perioad, un curent
care se nchide la mas prin RL.
Aceste forme de und ale curenilor de colector sunt identice cu cele absorbite de la
sursele de alimentare. Determinnd integrala pentru forma de und din fig.3.67,c se obine
expresia curentului absorbit de unul dintre tranzistoare:
T
Ia =
1
1
1
1 U ov
iC1 dt =
I ov sin td (t ) = I ov =
T 0
RL
2 0
(3.215)
unde U ov i I ov reprezit amplitudinile sau valorile de vrf ale tensiunii sinusoidale de la ieire,
respectiv, curentului sinusoidal de la ieire. Deoarece fiecare surs de alimentare furnizeaz
aceeai valoare a curentului, puterea medie total absorbit de la cele dou surse este:
2 E
Pa = 2 EC I a = C U ov
(3.216)
RL
118
Se observ c n cazul etajului final n clas B, puterea medie absorbit de la sursele de

alimentare va varia odat cu nivelul semnalului, fiind direct proporional cu U ov .
a)
b)
Fig. 3.67. Formele de und ale tensiunii i

curentului pentru un etaj de ieire clasa B.
(a) Tensiunea de intrare.
(b) Tensiunea de ieire.
(c) Curentul de colector al tranzistorului T1.
(d) Curentul de colector al tranzistorului T2.
c)
d)
Puterea medie (util) furnizat sarcinii este:

1 (U v ) 2
Pu = o
(3.217)
2 RL
randamentul fiind n conformitate cu definiia sa:
P Uv
(3.218)
= u = o
Pa 4 EC
expresie obinut prin nlocuirea relaiilor (3.216) i (3.217). Expresia (3.218) arat c
randamentul unui etaj de ieire n clas B este dependent de sarcin, crescnd liniar odat cu
creterea amplitudinii semnalului de ieire, U ov .
Valoarea maxim pe care o poate atinge amplitudinea semnalului de ieire, nainte de
apariia limitrii este U ov,max = EC U CE ,sat . Ca urmare puterea util maxim care se poate furniza
sarcinii RL pentru semnale sinusoidale va fi:
2
1 ( E U CE ,sat )
Pu,max = C
(3.219)
RL
2
la care corespunde randamentul maxim:
E U CE ,sat
max = C
(3.220)
EC
4
Dac tensiunea UCE,sat este mai mic fa de EC, circuitul are un randament maxim de 78,5%.
Aceast valoare maxim a randamentului este de aproximativ 3 ori mai mare dect cel
obinut n cazul unui etaj final n clas A (25%). In plus, pentru un etaj de ieire n clas B
disipaia de putere n absena semnalului de intrare este practic zero. Datorit acestor dou
avantaje majore, etajele de ieire n clas B sunt mai des utilizate dect cele n clas A.
Caracteristica de sarcin pentru tranzistorul npn are aspectul din fig.3.68. Pentru valori
ale tensiunii uCE mai mici dect valoarea din punctul static de funcionare (care este EC),
119
caracteristica de sarcin are panta -(1/RL). Pentru valori ale tensiunii uCE mai mari ca EC,
caracteristica de sarcin se confund cu axa tensiunii, deoarece n aceast zon conduce cellalt
tranzistor, tensiunea uCE a tranzistorului blocat crescnd, n timp ce curentul su de colector este
nul. Ca i n cazul etajului de ieire n clas A, interpretarea geometric a puterii utile maxime
arat c puterea medie furnizat sarcinii este reprezentat de aria triunghiului format de axele de
coordonate i caracteristica de sarcin parcurs de punctul de funcionare.
Fig. 3.68. Caracteristica de sarcin pentru tranzistorul npn a etajului de ieire clas B.
Puterea instantanee disipat de tranzistorul npn este:
pd = uCE iC
dar
(3.221)
uCE = EC iC RL
(3.222)
Prin nlocuirea relaiei (3.222) n (3.221) rezult:
2
pd = iC ( EC iC RL ) = iC EC iC RL
(3.223)
Prin derivarea acestei expresii i egalarea cu zero, se gsete expresia curentului de colector
pentru care pd este maxim:
E
iC = C
(3.224)
2 RL
Valoarea gsit corespunde unui punct situat pe caracteristica de sarcin cu panta -(1/RL).
Rezultatul este n concordan cu acela obinut anterior pentru etajul final n clas A. Ca i n
cazul etajului de ieire n clas A, la amplificatorul n clas B, caracteristica de sarcin este
tangent la hiperbola de putere constant n punctul care corespunde maximului de disipaie.
Valoarea maxim a puterii disipate se afl nlocuind relaia (3.224) n (3.223). Rezult:
2
EC
Pd ,max =
(3.225)
4 RL
Deci, ntr-un etaj de ieire n clas B, puterea disipat instantanee maxim a fiecrui
tranzistor are loc pentru o tensiune egal cu aproximativ jumtate din tensiunea de alimentare.
Dar puterea disipat n punctul static de funcionare este nul, astfel c ntr-un etaj de ieire n
clas B, fiecare tranzistor va fuciona ntotdeauna la o temperatur mai mare dac se aplic
semnal.
Valorile instantanee ale curentului de colector, respectiv tensiunii colector-emitor ale
tranzistorului npn sunt:
120
ic1 = I ov sin t
(3.226)
uce1 = EC U ov sin t
In fig.3.69 se prezint puterea disipat instantanee maxim a tranzistorului npn n funcie de
timp, mpreun cu variaiile n timp ale curentului de colector i tensiunii colector-emitor.
a)
b)
Fig. 3.69. Formele de und la putere maxim

de ieire pentru tranzistorul npn al etajului
de ieire clas B.
(a) Forma de und a curentului de colector.
(b) ) Forma de und a tensiunii C-E.
(c) ) Forma de und a puterii disipate n
colector.
c)
Atunci cnd tranzistorul conduce, puterea disipat variaz cu o frecven egal cu dublul
frecvenei semnalului. Puterea disipat de tranzistor este nul pentru jumtatea de perioad n
care tranzistorul este blocat. Ca i n cazul etajului de ieire n clas A, pentru scurtcircuit la
ieire caracteristica de sarcin din fig.3.68 devine o dreapt vertical care trece prin punctul static
de funcionare, puterea instantanee disipat de tranzistor putnd deveni excesiv. Metodele de
protecie a etajului de ieire n cazul n care apare o astfel de situaie sunt descrise n paragraful
3.6.4. Dac tranzistorul lucreaz n gol, caracteristica de sarcin din fig.3.68 se confund n
totalitate cu axa tensiunii, puterea disipat de tranzistor fiind nul.
Exemplul 3.14. Un etaj de ieire de forma celui din fig.3.64 lucreaz pe o sarcin
RL=500. Alimentarea este simetric i egal cu 15V.
S se calculeze puterea medie furnizat sarcinii RL pentru U ov = 14 , 4V , dac tensiunea de
ieire este sinusoidal. Care este randamentul circuitului?
Rezolvare: Puterea medie furnizat sarcinii este:
1 (U ov ) 2 1 14 , 4 2
Pu =
=
= 207mW
2 RL
2 500
Din (3.215) se obine valoarea medie a curentului dat de sursa de alimentare:
1 U ov 1 14 , 4V
Ia =
=
= 9 , 17 mA
RL 0, 5k
Puterea medie absorbit de la sursele de alimentare se determin cu relaia (3.216):
Pa = 2 EC I a = 2 15 9 , 17 = 275mW
In concordan cu relaia randamentului, n acest caz se obine:
P 207
= u =
= 0, 753
Pa 275
adic 75,3%, valoare care este destul de apropiat de valoarea teoretic maxim de 78,5%.
121
Din relaia (3.224) rezult c puterea instantanee maxim disipat de unul dintre
tranzistoare are loc pentru un curent de colector:
E
15V
iC = C =
= 15mA
2 RL 2 0, 5k
Valoarea corespunztoare a tensiunii colector-emitor, conform fig.3.68, fiind EC/2, puterea
instantanee maxim disipat de un tranzistor este:
Pd ,max = iC uCE = 15 7 , 5 = 112 , 5mW
Datorit conservrii puterii, puterea medie disipat de un tranzistor va fi:
1
1
Pd ,mediu = ( Pa Pu ) = ( 275 207 ) = 34 mW
2
2
3.6.2.3
Etaje de ieire n contratimp clas B realizate cu tranzistoare compuse
Un dezavantaj al etajelor de ieire n contratimp realizate cu tranzistoare complementare
este acela c etajul prefinal, care lucreaz n clas A, ajunge s disipe o putere relativ ridicat.
Neajunsul poate fi eliminat dac n etajul de ieire se utilizeaz tranzistoare compuse,
care au amplificarea n curent egal cu produsul amplificrilor n curent ale tranzistoarelor
componente. In acest fel se reduc cerinele impuse etajului prefinal.
Analiza funcionrii acestor etaje realizate cu tranzistoare compuse se face la fel ca n
cazul etajelor discutate anterior, cu deosebirea c tranzistorul compus se nlocuiete cu unul
echivalent.
Variantele de etaje de ieire realizate cu tranzistoare compuse, prezentate n fig.3.70,
sunt:
etaj de ieire cu tranzistoare n conexiunea Darlington (fig.3.70,a);
etaj de ieire cu tranzistoare cvasicomplementare (fig.3.70,b);
etaj de ieire cu tranzistoare cu simetrie complementar (fig.3.70,c).
b)
a)
c)
Fig. 3.70. Etaje de ieire clas B, realizate cu tranzistoare compuse.

(a) Etaj cu tranzistoare n configuraie Darlington. (b) Etaj cu tranzistoare cvasicomplementare.
(c) Etaj cu tranzistoare cu simetrie complementar.
Pentru fiecare din cele trei etaje de ieire n contratimp realizate cu tranzistoare compuse
din fig.3.70, T1a i T2a reprezint tranzistoarele de comand iar T1b i T2b sunt tranzistoarele
finale.
In fig.3.70,a se arat un etaj de ieire n clas B realizat cu tranzistoare de acelai tip
pentru fiecare alternan a semnalului, aflate n conexiune Darlington. Fa de schema din
fig.3.64, n acest caz n circuitul de intrare se afl, pentru fiecare semiperioad a semnalului,
122
dou jonciuni baz-emitor nseriate, ceea ce reduce panta iC/uBE a tranzistorului echivalent i
implicit amplificarea sa.
O alt schem posibil este cea din fig.3.70,b, cu tranzistoare cvasi complementare.
Etajul are aceast denumire deoarece tranzistoarele finale nu sunt complementare, ci sunt de
acelai tip (npn n fig.3.70,b dar pot fi i pnp). Tranzistoarele de comand sunt complementare.
In acest fel, tranzistoarele complementare realizeaz inversarea de faz necesar pentru
comanda n contratimp a tranzistoarelor finale. Dezavantajul schemei este c etajul prefinal vede
spre etajul final impedane neegale pentru cele dou semiperioade ale semnalului: ntr-o
semialternan impedana de intrare este format dintr-o singur jonciune baz-emitor, iar n
cealalt din dou jonciuni baz-emitor nseriate, ceea ce poate determina distorsionarea
semnalului de ieire.
In fig.3.70,c se prezint un alt etaj de ieire cu tranzistoare compuse cu simetrie
complementar. In acest caz cele dou tranzistoare sunt complementare, fiecare fiind comandat
tot de ctre un tranzistor complementar.
Circuitul este simetric din punctul de vedere al intrrii, n sensul c n fiecare
semialternan circuitul de intrare include o singur jonciune baz-emitor.
3.6.3 Etaje de ieire n contratimp clas AB
Etajele de ieire n contratimp, clas AB sunt amplificatoare ale cror tranzistoare finale
conduc, n absena semnalului, un mic curent de colector. Acest curent curge prin tranzistoarele
finale de la sursa pozitiv spre cea negativ, fr s treac prin rezistena de sarcin i se obine
prin prepolarizarea jonciunilor baz-emitor ale tranzistoarelor finale. In acest fel se liniarizeaz
caracteristica de transfer a etajului final i se elimin distorsiunile de trecere, specifice clasei B
de polarizare a tranzistoarelor finale. Sarcina de prepolarizare a tranzistoarelor finale revine de
obicei etajului prefinal.
3.6.3.1
Etaje prefinale de comand a etajelor finale n contratimp clas AB
Etajele prefinale sunt etaje care lucreaz n clas A i au rolul:
de a realiza prepolarizarea tranzistoarelor finale pentru a asigura funcionarea lor n clas AB,
n scopul reducerii lrgimii zonei moarte a caracteristicii de transfer;
de a asigura comanda tranzistoarelor finale n aa fel nct acestea s aib un randament ct
mai mare i mai apropiat de valoarea teoretic maxim, 78,5%.
Pentru a asigura cel de al doilea rol, este necesar ca factorul de utilizare a tensiunii de
alimentare s fie ct mai apropiat de unitate. La etajul de ieire n contratimp n clas B s-a artat
c excursia maxim a tensiunii de ieire este EC-UCE,sat. Deoarece tranzistoarele etajului final
considerat lucreaz n conexiunea cu colectorul comun, valoarea corespunztoare a tensiunii de
comand a etajului final este:
uIF = EC U CE ,sat + uBE , final EC
(3.227)
deoarece U CE ,sat uBE .
Pentru obinerea unei tensiuni de comand uIF a etajului final, de valoare mai mare dect
,
cea a tensiunii de alimentare EC, etajul prefinal trebuie s se alimenteze de la o tensiune EC mai
,
mare, adic EC EC . Din acest motiv, etajele finale descrise n continuare au etajul prefinal
alimentat de la o surs diferit de cea a etajului final.
Prepolarizarea tranzistoarelor finale se poate realiza ntr-una din urmtoarele moduri:
cu ajutorul unei rezistene conectat ntre bazele lor;
prin utilizarea a dou jonciuni polarizate direct;
prin utilizarea unei diode multiplicate.
a) Prepolarizarea tranzistoarelor finale prin introducerea unui rezistor R ntre bazele lor
(fig.3.71,a) este cel mai simplu mod de prepolarizare a tranzistoarelor finale. Cderea de tensiune
123
de la bornele rezistorului R determin polarizarea bazelor tranzistoarelor finale pentru a asigura

funcionarea acestora n clas AB. Utilizarea acestei scheme prezint urmtoarele dezavantaje:
- dac tensiunea dintre cele dou baze este prea mic, atunci se menine zona moart de pe
caracteristica de transfer i deci apar distorsiunile de trecere;
- dac, dimpotriv, aceast tensiune este prea mare, apare pericolul ambalrii termice a
tranzistoarelor finale.
Pentru reducerea pericolului reprezentat de ambalarea termic este necesar ca tensiunea
aplicat pe bazele tranzistoarelor finale s depind de temperatur. Aceasta nseamn c
polarizarea bazelor tranzistoarelor finale trebuie astfel fcut nct tensiunea lor baz-emitor s
scad atunci cnd temperatura jonciunilor tranzistoarelor crete, curentul de colector de repaus
rmnnd neschimbat. Exist mai multe soluii ale acestei probleme. O soluie ar fi cea n care
ntre bazele tranzistoarelor finale se conecteaz un termistor cu coeficient de temperatur negativ.
Soluia nu este adecvat pentru realizrile integrate monolitice.
a)
b)
Fig. 3.71. Circuite de polarizare a bazelor

tranzistoarelor finale.
(a) Circuit de polarizare cu rezistor.
(b) Circuit de polarizare cu diode.
(c) Circuit de polarizare cu diod multiplicat.
c)
b) O alt soluie, perfect integrabil monolitic, const n utilizarea pentru prepolarizare a
dou jonciuni polarizate direct i conectate n paralel cu bazele tranzistoarelor finale (fig.3.71,b).
Dac aceste jonciuni au caracteristici identice cu cele ale jonciunilor baz-emitor a
tranzistoarelor finale i se gsesc n contact termic direct cu acestea, se poate reduce mult
dependena de temperatur a curentului de repaus a tranzistoarelor finale.
Circuitul prezint urmtorul dezavantaj: nu permite un control prea riguros al curentului
de repaus prin tranzistoarele finale deoarece tensiunile corespunztoare polarizrii directe a celor
dou jonciuni sunt relativ fixe.
c) Soluia cea mai bun este cea n care ntre cele dou baze se folosete o diod identic,
din punct de vedere al comportrii cu temperatura, cu tranzistoarele finale, dar cu tensiune
reglabil. O asemenea comportare se poate obine utiliznd circuitul din fig.3.71,c. Tranzistorul
T4 i rezistoarele Ra i Rb formeaz o diod multiplicat.
Dac se neglijeaz curentul de baz al tranzistorului T4 se poate scrie:
U BE 4
Rb
(3.228a)
=
U CE 4 Ra + Rb
sau
124
Ra
)
(3.228b)
Rb
Relaia (3.228b) arat c reglnd raportul rezistenelor Ra/Rb se poate modifica valoarea tensiunii
UCE4, respectiv a tensiunii aplicate ntre bazele celor dou tranzistoare finale, la orice valoare mai
mare dect UBE4. Din acest motiv circuitul format din T4, Ra i Rb se numete diod multiplicat.
Observaie practic important: In cazul etajelor de ieire realizate cu componente
discrete i prepolarizate cu ajutorul unei diode multiplicate, pentru controlul tensiunii dintre
bazele tranzistoarelor finale, oricare dintre rezistoarele Ra sau Rb poate fi nlocuit cu un rezistor
semireglabil. Dar n timp sau datorit nclzirii semireglabilului se pierde contactul dintre
cursorul metalic al acestuia i materialul rezistiv i atunci n circuit apare valoarea total de
rezisten a semireglabilului.
Este greit ca Ra s se nlocuiasc cu un rezistor semireglabil deoarece, la apariia
fenomenului descris anterior, valoarea mai mare a rezistenei Ra va determina scderea curentului
de baz a tranzistorului T4 din dioda multiplicat, deci blocarea lui i creterea astfel a tensiunii
dintre bazele tranzistoarelor finale. Acest fapt duce la o prepolarizare mai accentuat i la
ambalarea termic inutil a tranzistoarelor finale.
In schimb, dac n loc de rezistorul Rb se conecteaz un semireglabil, atunci la apariia
fenomenului descris anterior, tensiunea baz-emitor a tranzistorului-diod multiplicat crete,
tensiunea colector-emitor a aceluiai tranzistor scade i deci are loc o micorare a tensiunii dintre
bazele tranzistoarelor finale. In acest fel se previne ambalarea termic provocat de curentul de
prepolarizare.
U CE 4 = U BE 4 (1 +
3.6.3.2
Analiza etajului prefinal alimentat de la aceeai tensiune ca i cel final
Necesitatea utilizrii unor tensiuni de alimentare de valori diferite pentru etajul final i cel
prefinal constituie o soluie neconvenabil din punct de vedere practic. De aceea, se va analiza n
continuare situaia n care etajul prefinal se alimenteaz de la aceeai surs de tensiune ca i
etajul final. In acest caz ns, datorit amplificrii n tensiune subunitare a etajului de ieire,
valoarea maxim a factorului de utilizare a tensiunii de alimentare este mai mic dect valoarea
maxim posibil i egal cu:
E U CE ,sat
k EC = C
(3.229)
EC
Fig. 3.72. Etaj prefinal cu sarcin rezistiv.
Fig. 3.73. Ilustrarea limitrii amplitudinii

maxime a tensiunii de ieire dintr-un etaj prefinal
cu sarcin rezistiv.
In fig.3.72 se arat schema unui etaj prefinal cu sarcin rezistiv care comand un etaj final cu
tranzistoare complementare lucrnd n conexiunea cu colectorul comun, ambele etaje, att cel
125
prefinal ct i cel final, fiind alimentate de la aceleai surse de alimentare. Circuitul de polarizare
a bazelor tranzistoarelor de ieire poate fi oricare din cele prezentate anterior. Un asemenea etaj
are dezavantajul c introduce o limitare suplimentar n amplitudinea tensiunii de
comand a tranzistoarelor finale.
Pentru a nelege modul n care apare aceast limitare, n fig.3.73 s-au reprezentat, n
planul caracteristicilor de ieire ale tranzistorului prefinal T3, dreapta de sarcin static,
corespunztoare rezistenei de colector RC (n ipoteza neglijrii curenilor de baz statici ai
tranzistoarelor finale) i dreapta de sarcin dinamic, trecnd prin punctul de funcionare static
i avnd o nclinare:
RL 3 = RC RiF
(3.230)
unde RiF reprezint rezistena dinamic de intrare n etajul final.
Deoarece RL3<RC, rezult c excursia pozitiv a tensiunii de ieire din etajul final este
limitat la valoarea:
U o3 max = I c3 RL3
(3.231)
pentru care tranzistorul T3 se blocheaz, ceea ce evident va limita i excursia pozitiv a
semnalului de ieire la aproximativ aceeai valoare dac se neglijeaz tensiunea baz-emitor a
tranzistorului T1. Aceasta nseamn c de fapt etajul prefinal nu poate aduce tranzistorul T1 n
saturaie i se reduce astfel factorul de utilizare a tensiunii de alimentare pozitive a etajului final.
Un alt dezavantaj al schemei din fig.3.72 este c etajul prefinal lucrnd la semnal mare,
introduce distorsiuni mari datorit caracteristicii sale de transfer exponeniale, deci puternic
neliniare. Dei etajul final nu introduce distorsiuni, procesul de distorsionare nu este complet
independent de neliniaritile tranzistoarelor finale, care se reflect asupra etajului prefinal prin
ncrcarea acestuia cu o sarcin variabil.
Pentru ameliorarea factorului de utilizare a tensiunii de alimentare a schemei din fig.3.72,
o soluie ar fi alegerea unei rezistene de colector RC' suficient de mici pentru ca:
RL' 3 = RC' RiF RC'
(3.232)
Micorarea rezistenei RC conduce ns la creterea curentului de colector Ic3 i implicit a
consumului de la sursa de alimentare pozitiv. Va crete i puterea disipat de T3, ceea ce
determin nu numai creterea ariei de siliciu ocupate i deci a preului, ci i agravarea
problemelor de stabilitate termic. De aceea schema prezentat n fig.3.72 nu se poate folosi
dect n cazuri particulare i numai la puteri foarte mici.
Pentru mrirea tensiunii de ieire nedistorsionate din etajul prefinal, deci implicit pentru
mrirea factorului de utilizare a tensiunii de alimentare, se pot adopta diferite soluii cum ar fi:
bootstrap-area rezistenei de colector a tranzistorului prefinal;
sarcin activ pentru tranzistorul prefinal.
Bootstrap-area rezistenei din colectorul tranzistorului prefinal conduce la schema de
principiu din fig.3.74,a unde rezistenele RC' i RC" ndeplinesc condiia RC' + RC" = RC , iar RC este
egal cu rezistena de sarcin a etajului prefinal din analiza anterioar.
La cuplarea alimentrii condensatorul de bootstrap, CB, se ncarc de la sursa pozitiv,
prin rezistorul RC' , cu o tensiune +U CB de valoare mai mic dect EC, din cauza cderii de
tensiune pe RC' .
Dac reactana capacitiv a condensatorului CB este mic, ceea ce impune valori mari ale
capacitii acestui condensator (practic sute de microfarazi), atunci variaia tensiunii de ieire uo
se transmite prin CB n nodul A (vezi fig.3.74,a) i potenialul acestui nod devine:
u A = U CB + uo
(3.233)
Dac amplitudinea semnalului de ieire este mai mare dect diferena EC U CB , atunci pentru
alternana pozitiv a semnalului de ieire, ntr-un interval de timp (t1, t2), mai mic dect
semiperioada acestui semnal, potenialul nodului A este mai mare dect +EC (fig.3.74,b).
126
Avantajul utilizrii condensatorului bootstrap const n faptul c n momentul n care se

cere saturarea tranzistorului T1, rezistena de sarcin a tranzistorului prefinal, RC" ( RC" RC' ) este
conectat la un potenial mai mare dect EC, ca i cum etajul prefinal ar fi alimentat cu o tensiune
mai mare dect cel final.
a)
b)
Fig. 3.74. Etaj de ieire clas AB cu bootstrap-area rezistenei de colector a tranzistorului
prefinal. (a) Schema de principiu. (b) Forme de und care evideniaz efectul de bootstrap-are.
Analiza de curent alternativ a schemei se face nlocuind simbolic tranzistoarele finale cu
un amplificator notat EF (etaj final) i considernd condensatorul bootstrap CB scurtcircuit
(fig.3.75,a). Aplicnd teorema lui Miller, circuitul de curent alternativ se poate redesena ca n
fig.3.75,b. Deoarece amplificarea n tensiune a etajului final este mai mic dect 1 dar foarte
aproape de unitate, rezult:
RC"
(3.234)
1 AEF
a)
b)
Fig. 3.75. Analiza de c.a. a efectului bootstrap-rii rezistenei de colector a tranzistorului
prefinal. (a) Schema de c.a. a circuitului din fig. 3.74, a. (b) Forma circuitului dup aplicarea
teoremei Miller.
In acest fel doar rezistena de intrare a etajului final (RiF) conteaz ca rezisten de sarcin
dinamic pentru etajul prefinal. Tranzistoarele din etajul final fiind repetoare pe emitor,
rezistena de intrare a etajului final este foarte mare ceea ce determin creterea amplificrii n
tensiune a etajului prefinal, fr s conteze rezistenele RC' i RC" care asigur doar polarizarea n
c.c.i nu introduc limitarea tensiunii pozitive de comand a etajului final.
In cazul circuitelor integrate liniare, pentru ameliorarea factorului de utilizare a tensiunii
de alimentare pozitive se recurge deseori la schema din fig.3.76, bazat pe folosirea unei sarcini
active pentru tranzistorul din etajul prefinal.
127
Prin utilizarea sarcinii active, rezistena dinamic de sarcin a etajului prefinal este
rezistena dinamic de intrare n etajul final ceea ce, pentru o proiectare corect asigur, ca i n
cazul utilizrii conexiunii bootstrap, aducerea n saturaie a ambelor tranzistoare finale.
Fig. 3.76. Schema etajului de ieire clas AB cu

sarcin activ pentru tranzistorul prefinal.
3.6.4
Protecia la scurtcircuit a tranzistoarelor finale din etajele de ieire n

contratimp
In cazul unui scurtcircuit accidental la ieirea unui etaj final, tranzistoarele finale se pot
distruge. De aceea este nevoie s se introduc circuite suplimentare de protecie a acestor
tranzistoare numite circuite de limitare a curentului de ieire. Aceste circuite controleaz
puterea disipat de tranzistoarele finale, fr s perturbeze buna funcionare a etajului de ieire n
care acioneaz.
Cu ct precizia circuitelor de limitare este mai bun, cu att se poate folosi mai eficient
valoarea maxim admisibil a curentului de ieire. Dar asigurarea unei limitri ct mai precise a
curentului de ieire implic utilizarea unor circuite de limitare mai complexe.
Cea mai simpl limitare a curentului de ieire se bazeaz pe utilizarea unor rezistene n
colectoarele tranzistoarelor de putere ale etajului de ieire (fig.3.77,a). In principiu metoda se
bazeaz pe limitarea puterii disipate de tranzistoare prin descreterea liniar a tensiunii pe
tranzistor (tensiunea colector-emitor) odat cu creterea curentului prin el, pn ce tranzistorul se
satureaz.
Pentru amplificatoarele de putere clas B, rezistena nseriat n colectoare se determin
cu relaia:
EC2
RC =
(3.235)
PD,adm
unde PD,adm reprezint puterea disipat admisibil a unui singur tranzistor.
Limitarea mai precis a curentului de ieire se poate obine prin utilizarea elementelor
de circuit neliniare (diode), avnd aspectul din fig.3.77,b. Pentru o funcionare normal diodele
D3 i D4 sunt blocate. Iniializarea funcionrii circuitului de limitare este determinat de cderea
de tensiune pe rezistena RE. In cazul n care curentul de colector al tranzistorului T1 crete,
tensiunea de la bornele diodei D3 devine:
uD 3 = iC1 RE + uBE uD1 iC1 RE
(3.236)
i crete de asemenea, putnd determina deschiderea diodei D3 care unteaz astfel jonciunea
baz-emitor a tranzistorului T1. In acest fel o parte a curentului de comand a lui T1 circul prin
D3 spre rezistena de sarcin i se reduce amplitudinea curentului n baza lui T1 pn la valoarea
necesar meninerii n stare de conducie a diodei D3. Deci curentul de ieire limitat va avea
amplitudinea:
u
ilim D 3
(3.237)
RE
Precizia limitrii depinde n primul rnd de valoarea rezistenei de conducie n sens direct a
diodei D3. Valoarea curentului limit depinde de temperatur deoarece i cderea de tensiune pe
128
diod depinde de temperatur i anume scade odat cu creterea temperaturii. Acest fapt
constituie un avantaj avnd n vedere c n aceste condiii scade i puterea disipat de
tranzistoarele finale.
O funcionare asemntoare se obine cu ajutorul circuitului de limitare care utilizeaz
tranzistoare de limitare din fig.3.77,c. In acest caz cderea de tensiune de pe rezistenele RE
deschide tranzistoarele de limitare T4 sau T5 n funcie de semialternana semnalului pe care
apare suprasarcina. Tranzistoarele de limitare intrnd n conducie preiau o parte a curentului de
baz al tranzistoarelor finale, similar situaiei precedente. Precizia limitrii i comportarea cu
temperatura sunt determinate de jonciunea baz-emitor a tranzistoarelor de limitare.
Fig. 3.77. Circuite de limitare a curentului de ieire

a etajelor finale.
(a) Limitare cu rezistoare conectate n colectoare.
(b) Limitare cu diode.
(c) Limitare cu tranzistoare.
Circuitele de limitare a curentului de ieire, prezentate anterior, asigur limitarea

curentului de ieire la o valoare relativ fix. Exist i circuite de protecie la scurtcircuit a
tranzistoarelor finale numite circuite de limitare prin ntoarcere a curentului de ieire. Aceste
circuite reduc, n caz de scurtcircuit la ieire, valoarea curentului de ieire sub valoarea limit,
dup ce aceast valoare a fost atins. Avantajul principal const n aceea c puterea disipat de
tranzistoarele finale se reduce sub valoarea limit admisibil. Ele se folosesc cu precdere n
stabilizatoarele integrate.
Protecia termic a tranzistoarelor finale permite evitarea defectrii circuitelor integrate
de putere datorit nclzirii excesive a cipului provocat de putere disipat prea mare,
temperatur ambiant prea mare sau radiator subdimensionat.
Schemele clasice de protecie termic, cu elemente discrete, n care un senzor termic
ataat radiatorului monitorizeaz variaia de temperatur, au un timp de rspuns de ordinul
secundelor sau mai mult. In comparaie timpul de nclzire a cipului este de ordinul
milisecundelor, circuitul distrugndu-se nainte ca protecia s acioneze.
Soluia unei astfel de probleme const n plasarea circuitului de protecie termic chiar pe
cipul integratului. Uzual, circuitul de protecie termic const dintr-un tranzistor plasat n
apropierea tranzistoarelor de putere ale integratului.
129
Un exemplu de circuit de protecie termic se prezint n fig.3.78. Circuitul de protecie

conine o surs de curent format din rezistoarele R1, R2, R3, dioda Zener D i tranzistorul T1.
Tranzistorul care acioneaz la modificarea temperaturii este T2. La temperatura ambiant
(25C), acest tranzistor este blocat iar la temperatura maxim admisibil a circuitului conduce
suficient de puternic, astfel nct s deturneze curentul de comand al etajului final sau curentul
de polarizare al etajului diferenial de intrare, ntrerupnd astfel furnizarea de putere sarcinii.
Fig. 3.78. Circuit de protecie termic.
Tranzistorul T2 este polarizat de sursa de curent n aa fel nct, indiferent de temperatur,

tensiunea sa baz-emitor este de 400mV. La 25C, aceast valoare va menine T2 blocat, curentul
lui de colector fiind de zeci de nA, practic neglijabil. La temperatura maxim admisibil, de obicei
150C, tensiunea baz-emitor necesar intrrii n conducie a lui T2 este de 400mV, deoarece
coeficientul de temperatur al jonciunii baz-emitor, KT este de aproximativ -2mV/C iar
variaia de temperatur, T este de 125C. Intr-adevr:
U BE (150oC ) = U BE ( 25oC ) + KT T = 650mV + ( 2mV / o C )(150 25) = 400mV
Un astfel de circuit de protecie termic ce acioneaz asupra etajului de intrare al
amplificatorului de putere se ntlnete la circuitul intagrat TCA150 (amplificator de putere de
audiofrecven).
130
3.7
STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATORULUI

OPERAIONAL A741
In fig.3.79 se prezint schema simplificat a amplificatorului operaional (AO) A741.

Acest AO are trei etaje fundamentale de prelucrare a semnalului: un etaj de intrare, un etaj de
amplificare intermediar i un etaj de putere.
Fig. 3.79. Structura intern a amplificatorului operaional A 741.

Etajul de intrare este un etaj diferenial de tip parafaz. Intrarea se face pe tranzistoarele
npn T1 i T2 n conexiunea cu colectorul comun, care comand perechea de tranzistoare pnp T3 i
T4 aflate n conexiunea cu baza comun, avnd o sarcin activ format din T5, T6, T7 i
rezistoarele R1, R2, R3.
Configuraia etajului de intrare asigur:
- o intrare diferenial care este relativ insensibil la tensiunile de intrare de mod comun;
- o rezisten de intrare mare;
- un curent de polarizare mic;
- o oarecare amplificare n tensiune;
- deplasarea necesar a nivelului de curent continuu folosind legarea n cascad a cte dou
tranzistoare amplificatoare, unul npn i cellalt pnp;
- trecerea de la o intrare diferenial la o ieire simpl.
Etajul de amplificare intermediar este constituit din tranzistoarele T16 i T17. T16
lucreaz ca repetor pe emitor i are rolul de adaptor de impedan, reducnd efectul de untare a
sarcinii active a etajului precedent de ctre tranzistorul amplificator T17 (rezistena de ieire a
sarcinii active are valoare mare!). Tranzistorul T17, lucrnd n conexiunea cu emitorul comun, are
ca sarcin activ tranzistorul T13B. Acest etaj realizeaz un ctig foarte mare n tensiune. La
ieirea sa este conectat tranzistorul T23, tot ca repetor pe emitor, pentru a reduce efectul de
untare a sarcinii active a lui T17 de ctre impedana de intrare n etajul final.
Etajul de ieire (final) este realizat cu tranzistoarele complementare T14 i T20 care
lucreaz n clas AB i sunt n conexiunea colector comun. Polarizarea tranzistoarelor finale se
face cu ajutorul configuraiei de diod multiplicat realizat de T18, T19 i R10.
131
Tranzistoarele din cele trei blocuri descrise constituie tranzistoarele din calea de semnal.
AO A741 mai conine circuitele anexe i circuitele de protecie la suprasarcin.
Circuitele anexe conin sursele de curent necesare pentru asigurarea curenilor de repaus a
tranzistoarelor din calea de semnal. Aceste surse sunt:
- T10 i T11 formeaz o surs de tip Widlar, necesar pentru polarizarea tranzistoarelor T3
i T4;
- T8 i T9 alctuiesc o oglind simpl de curent. Aceasta formeaz o bucl de reacie, de
polarizare, care stabilizeaz curentul static prin fiecare din tranzistoarele de intrare la
aproximativ jumtate din curentul de colector al tranzistorului T10;
- T12 i T13A, respectiv T12 i T13B, formeaz dou oglinzi simple de curent folosite ca
sarcini active pentru tranzistoarele T17 i T23.
Circuitele de protecie la suprasarcin sunt urmtoarele:
- tranzistorul T15 i R6 protejeaz tranzistorul final T14. Cnd cderea de tensiune pe
rezistena R6 cu valoarea de 27, ajunge la aproximativ 550mV, ceea ce corespunde unui curent
de sarcin spre mas de aproximativ 20mA, T15 se deschide, preia o parte din curentul de baz al
lui T14 i ca urmare curentul de ieire nu mai poate crete. In acest fel se realizeaz i protejarea
tranzistorului T14 fa de un scurtcircuit accidental la ieire;
- tranzistoarele T21, T22 i T24 protejeaz tranzistorul final T20, n caz de suprasarcin,
pentru cazul n care curentul de sarcin circul invers, de la mas spre sursa de alimentare
negativ. Funcia de protecie este asemntoare cu cea ndeplinit de T15 dar modul de aciune
este mai complex deoarece, atunci cnd conduce T20, cu ct curentul de sarcin este mai mare cu
att tranzistoarele T16, T17 i T23 disip mai mult i apare pericolul distrugerii i a acestor
tranzistoare. Circuitul de protecie n caz de suprasarcin pentru alternana negativ a semnalului
de ieire acioneaz astfel: la creterea curentului de sarcin, datorit creterii cderii de tensiune
pe R7, se deschid T21 i T24, conectat ca diod. T24 i T22 formeaz o oglind de curent. Ca
urmare intr n conducie i T22 care preia o parte a curentului injectat n baza lui T16, adic a
tranzistorului compus T16, T17 i T23, limitnd curentul din baza lui T20 i deci puterea disipat de
T20.
- emitorul suplimentar al tranzistorului T23 (cel notat cu B) permite evitarea unei disipaii
excesive n tranzistorul T16 care poate s apar dac T17 este lsat s se satureze. Aceast situaie
apare atunci cnd T16 injecteaz un curent prea mare n baza lui T17, fenomen posibil dac la
intrarea AO se aplic un semnal care determin blocarea lui T1. Astfel ntregul curent dat de T8
este injectat n baza lui T16, care l amplific de ori i apoi l introduce n baza lui T17,
determinnd saturarea lui. Emitorul suplimentar al lui T23 permite evitarea acestui neajuns
deoarece, de ndat ce tensiunea pe colectorul lui T17 scade suficient pentru a deschide jonciunea
baz-emitor a tranzistorului T23B, acest tranzistor preia o parte din curentul injectat din colectorul
lui T4, limitnd astfel curentul de colector a lui T16 la o valoare acceptabil (nepericuloas).
Exemplul 3.15. Pentru amplificatorul operaional din fig.3.80, realizat cu componente
discrete, se cere:
a) Pentru circuitul n repaus (ui=0) s se determine valoarea de c.c. a tensiunii de ieire.
Se consider UBE=0,6V.
b) S se determine amplificarea diferenial a circuitului. Se presupune =160, tensiunea
termic UT=25 mV, rezistena intrinsec a bazei tranzistoarelor rx=200 i se neglijeaz
influena rezistenei de ieire a tranzistoarelor (ro) i a rezistenei colector-baz (r).
c) S se determine excursia maxim a tensiunii de ieire n dou cazuri: c1) RS i c2)
RS=1k. Se va presupune c UCE,sat=0.
d) S se determine rezistena de ieire a circuitului.
e) S se determine rezistena de intrare de mod diferenial a circuitului;
132
f) S se determine rezistena de intrare de mod comun a circuitului dac numai n acest

caz se consider c rezistena de ieire a tranzistorului T3 este ro3=100k.
g) s se determine factorul de transfer (discriminare) F.
Fig. 3.80. Circuitul pentru exemplul 3.15.

Rezolvare:
Descrierea circuitului: amplificatorul are dou etaje difereniale. Primul amplificator
diferenial este realizat cu tranzistoarele T1 i T2 i este polarizat cu ajutorul sursei standard de
curent T3, T4. Cel de al doilea etaj diferenial este realizat cu tranzistoarele T5 i T6, fiind
polarizat cu rezistorul R11. Etajul de deplasare a nivelului de c.c. este de tipul repetor pe emitor,
realizat cu T7, R7 i oglinda simpl de curent T9, T10. Etajul de ieire (final) lucreaz n clas A.
El este de tipul repetor pe emitor realizat cu tranzistorul T8 i polarizat cu ajutorul rezistorului
R8 .
a) Pentru a determina valoarea de c.c. a tensiunii de ieire se calculeaz mai nti punctele
statice de funcionare (PSF) ale tranzistoarelor din circuit:
I
1 RI
1 R E U BE 1, 5 12 0, 6
I1 = I 2 = 3 = 4 4 = 4 C
=
= 0, 5 [ mA ]
2 2 R3
2 R3 R4 + R10
2 3 5, 7
IR
1 E R1 I1 U BE 5 12 16 0, 5 0, 6
I 5 = I 6 = 11 = C
=
= 1 [ mA ]
R11
2
2
2 1, 7
E U BE 12 0, 6
I 7 = I 9 = I10 = E
=
= 1 [ mA ]
R9
11, 4
E + E E R6 I 6 U BE 7 R7 I 7 U BE 8 24 4 , 3 0, 6 6, 5 0, 6
I8 = C
=
= 2 [ mA ]
R8
6
U O = E E R8 I 8 = 12 6 2 = 0 [V ]
Tensiunile colector-emitor pentru fiecare tranzistor se determin calculnd diferena dintre
potenialul colectorului i cel al emitorului:
U CE 1 = U CE 2 = VC1 VE 1 = ( EC R1 I1 ) ( 0 U BE 1 ) = 4V + 0, 6V = 4 , 6V
U CE 3 = VC 3 VE 3 = U BE 1 ( E E + R3 I 3 ) = 0, 6V ( 9V ) = 8, 4V
U CE 4 = U BE 4 = 0, 6V
U CE 5 = U CE 6 = VC5 VE 5 = ( EC R5 I 5 ) ( EC R1 I1 U BE 1 ) = 7 , 7V 3, 4V = 4 , 3V
U CE 7 = EC (VC 6 U BE 7 ) = 12V 7 , 1V = 4, 9V
U CE 8 = EC U O = 12V
U CE 9 = U BE 9 = 0, 6V
U CE 10 = VB8 ( E E ) = 0, 6V + 12V = 12, 6V
133
Valorile din PSF-uri i parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor se trec n tabelul urmtor:
tranzistor
T1 ,T2
T3
T4
T5 , T6
T7
T8
T9
T10
IC[mA]
0,5
1
2
1
1
2
1
1
UCE[V]
4,6
8,4
0,6
4,3
4,9
12
0,6
12,6
gm=40IC[mA/V]
20
40
80
40
40
80
40
40
r=/gm[k]
8
4
2
4
4
2
4
4
b) Amplificarea diferenial a circuitului este:

Add = A1 A2 A3
unde A1 i A2 reprezint amplificrile de mod diferenial ale celor dou etaje difereniale iar A3
reprezint amplificarea celor dou repetoare de la ieire (circuitul de deplasare de nivel i etajul
final).
a)
b)
Fig. 3.81. Circuitele utilizate pentru calculul amplificrilor difereniale A1 i A2.
Amplificrile difereniale se determin utiliznd semicircuitele valabile pe mod
diferenial din fig.3.81.
Astfel
R1
160 16
A1 =
=
= 312, 2
rx + r1
8, 2
R6
1
160 4 , 3
A2 =
=
= 17
2 R1 + rx + r 6 2 (16 + 0, 2 + 4 )
Pentru a calcula amplificarea A3 se folosete circuitul echivalent de semnal mic din
fig.3.82.
Fig. 3.82. Circuitul echivalent de semnal mic,

utilizat pentru determinarea amplificrii A3.
134
A3 =
uo
,
uo2
unde
uo = ( + 1)i8 R8
uo 2 = i7 ( R6 + rx + r 7 ) + ( + 1)i7 R7 + i8 ( rx + r8 ) + ( + 1)i8 R8
i8 = ( + 1)i7 ,
Dup nlocuiri, amplificarea A3 devine:
1
A3 =
= 0, 991
R6 + rx + r 7 R7 + rx + r8
1+
+
R8 ( + 1) 2
R8 ( + 1)
iar amplificarea total va fi:
Add = 312, 2 17 0, 991 = 5259, 6
c1) In cazul n care RS, excursia tensiunii la ieire este determinat de ultimul
tranzistor amplificator de tensiune (T6 din fig.3.80).
Situaiile limit corespund blocrii, respectiv saturrii lui T6.
Cnd T6 se blocheaz se obine amplitudinea maxim pozitiv a semnalului de ieire:
U o+,max = EC VC 6 = 12 7 , 7 = 4,3 [V ].
Cnd T6 conduce la saturaie, se obine amplitudinea maxim negativ a semnalului de ieire:
U o,max = VC 6 VE 6 U CE ,sat = 7, 7 3, 4 = 4,3 [V ].
Deci amplitudinea maxim a semnalului de ieire pentru rezisten de sarcin infinit este de
4,3V.
c2) Dac RS=1k, amplitudinea maxim a alternanei negative va fi limitat de valoarea
rezistenei de sarcin. Situaia limit apare atunci cnd T8 este blocat. In acest caz curentul de
sarcin va circula de la mas prin RS i R8 spre sursa negativ de alimentare, avnd valoarea:
EE
12
I S =
=
= 1, 71 [ mA ]
RS + R8
7
Astfel, amplitudinea negativ a tensiunii de ieire care reprezint totodat i valoarea maxim,
este:
U o,max = I S RS = 1, 71 1 = 1, 71 [V ].
d) Valoarea rezistenei de ieire se determin pentru circuitul echivalent de semnal mic din
fig.3.83.
Fig. 3.83. Circuitul echivalent de

semnal mic, utilizat pentru determinarea
rezistenei de ieire.
n acest scop se rezolv sistemul de ecuaii:

i x = ( + 1)i8
135
ux = [ R6 + rx + r 7 + ( + 1) R7 ]i7 ( rx + r8 )i8
i8 = ( + 1)i7
i tiind c expresia rezistenei de ieire este Ro=ux/ix:
R +r +r
R +r +r
u
Ro = x = 6 x 2 7 + 7 x 8
ix
( + 1)
( + 1)
Numeric, obinem:
Ro=54.
Rezistena de ieire a ntregului circuit este:
Ro' = Ro R8 = 53, 5
e) Rezistena de intrare diferenial este:
Rid = 2 ( rx + r1 ) = 2 ( 0, 2 + 8) = 16, 4 k
f) Relaia de calcul a rezistenei de intrare de mod comun este:
Ric = rx + r1 + 2 ( + 1) Ro3
unde Ro3 reprezint rezistena de ieire a sursei T3, T4. Circuitul de calcul este cel din fig.3.84.
Fig. 3.84. Circuitul echivalent de semnal mic, utilizat pentru

determinarea rezistenei de ieire a sursei de curent.
Rezult:
Ro3 = ro3 (1 +
R ( R ' + rx + r 3 )
R3
)+ 3
R ' + rx + r 3 + R3
R ' + rx + r 3 + R3
unde
R '= R 10 ( R4 +
astfel c se gsete:
1
1
) = 4 , 2 k (1, 5k + k ) = 1, 1k
gm4
80
Ro3 5, 88 M
R ( R ' + rx + r 3 )
deoarece termenul al doilea din relaia lui Ro3, 3
, este neglijabil fa de primul
R ' + rx + r 3 + R3
termen.
Dup nlocuiri, rezult c rezistena de intrare de mod comun are valoarea:
Ric = 1, 89 G
g) Factorul de discriminare se calculeaz cu relaia:
A
F = dd
Acc
unde Add reprezint amplificarea de mod diferenial, determinat anterior iar Acc amplificarea de
mod comun a amplificatorului.
Amplificarea de mod comun se poate scrie:
Acc = Acc 1 Acc 2
Semicircuitele valabile pe mod comun i utilizate pentru determinarea amplificrilor sunt
prezentate n fig.3.85, unde Ro3 reprezint rezistena de ieire ale sursei T4, T3.
136
a)
b)
Fig. 3.85. Semicircuitele valabile pe mod comun: (a) pentru AD realizat cu T1 i T2;
(b) pentru AD realizat cu T5 i T6.
Relaiile de calcul ale celor dou amplificri de mod comun sunt:
R1
i
Acc 1 =
r 1 + 2 Ro 3 ( + 1)
R6
Acc 2 =
R1 + r 6 + 2 R11 ( + 1)
Circuitul echivalent de semnal mic pentru calculul rezistenei de ieire a sursei de curent
este cel din fig.3.84, valoarea acestei rezistene fiind:
Ro3 5, 88 M
nlocuind valorile numerice se obine:
Acc1 = 1, 352 103 i
Acc2 = 1, 21
deci amplificarea de mod comun, n modul, este:
Acc = 1, 352 10 3 1, 21 = 1, 63 103
Factorul de transfer rezult:
A
5259 , 6
F = dd =
= 3, 22 106
3
Acc 1, 63 10
adic o rejecie de aproximativ 140dB a semnalelor de mod comun:
FdB = 20 lg F 130dB
valoare mai mare dect limitele normale (de exemplu la AO de tipul 741, rejecia modului
comun este cuprins ntre 70 i 90dB).
Chiar dac al doilea etaj diferenial este polarizat printr-o simpl rezisten i nu printr-o
surs de curent constant, rejecia modului comun este foarte bun.
Ce se ntmpl dac rezistorul R11 se nlocuiete cu o surs de curent care asigur acelai
curent de repaus prin tranzistoarele T6 i T7 ca i R11?
Presupunem c R11 se nlocuiete cu o surs standard de curent care folosete aceeai
referin ca i sursa de polarizare a primului etaj diferenial. Partea de circuit care realizez
polarizarea tranzistoarelor din cele dou amplificatoare difereniale se prezint n fig.3.86.
Tranzistorul T11 mpreun cu rezistena R12 nlocuiesc rezistorul de polarizare R11. n acest fel se
schimb valoarea amplificrii de mod comun a celui de al doilea etaj diferenial:
R6
Acc 2 =
R1 + r 6 + 2 Ro11 ( + 1)
unde Ro11 reprezint rezistena de ieire a sursei T4, T11.
Pentru a determina Ro11, se presupune c rezistena de ieire a tranzistorului T11 este
ro11 = 50k
n aceste condiii, asemntor ca la sursa T4, T3 se obine:
137
Fig. 3.86. Modificarea circuitului de

polarizare a tranzistoarelor din cele dou AD.
Ro11 = ro11 (1 +
R ( R ' + rx + r11 )
R12
) + 12
R ' + rx + r11 + R12
R ' + rx + r11 + R12
unde:
R '= R 10 ( R4 +
r11
1
1
) = 4 , 2 k (1, 5k + k ) = 1, 1k
gm4
80
160
=
=
= 2k
40 I11 40 2
astfel c
Ro11 50(1 +
160 1, 5
) = 2 , 55 M
1,1 + 0, 2 + 2 + 1, 5
*
Cu aceast valoare se determin Acc2
:
160 4 , 3
8, 38 10 4
3
16 + 4 + 2 2, 55 10 161
Recalculnd factorul de transfer se obine:
A
5259 , 6
F * = dd* =
= 4 , 6 109
3
4
Acc 1, 352 10 8, 38 10
*
Acc2
=
adic aproximativ 193dB.

Observaie: valoarea gsit pentru F* este exagerat de mare, motiv pentru care nu se justific
utilizarea unei surse de curent pentru polarizarea celui de al doilea etaj diferenial.

Capitolul 3 PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Capitolul 3 PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cuprins CAPITOLUL 3

STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE ..............................52

3.5.1.1 Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diode conectate n

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE

SURSE DE CURENT CONSTANT

Sursele de curent constant se realizeaz cu tranzistoare i au rolul de a furniza cureni

STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE SURSE DE CURENT CONSTANT

In tehnologia MOS de realizare a CI se utilizeaz n principal:

Surse de curent constant realizate cu tranzistoare bipolare

Fig. 3.1. Configuraia fundamental a sursei de

Pentru un tranzistor cu factor de amplificare n curent >100, se poate neglija curentul de

Fig. 3.2. Schema echivalent de semnal mic

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

Rezistena de ieire este puternic dependent de RE i subliniaz rolul ei determinant n

Fig. 3.3. Circuitul din fig. 3.1, modificat pentru a asigura

Fig. 3.4. Schema sursei simple de curent, realizat cu dou

STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE SURSE DE CURENT CONSTANT

unde raportul (Io/Iref)real este dat de relaia (3.4), iar (Io/Iref)ideal=1.

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

Exemplul 3.2. S se determine cu ct difer raportul curenilor de colector a

STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE SURSE DE CURENT CONSTANT

Fig. 3.6. Surse (oglinzi) de curent realizate cu trei tranzistoare.

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

Fig. 3.7. Sursa standard de curent constant,

STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE SURSE DE CURENT CONSTANT

Relatia (3.20) se mai poate scrie sub forma:

Fig. 3.8. Schema echivalent de semnal mic a

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

Fig. 3.9. Sursa WIDLAR de curent constant,

Pentru a determina curentul de ieire Io, se procedeaz asemntor ca la sursa standard. Se

STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE SURSE DE CURENT CONSTANT

Fig. 3.10. Circuitul echivalent de smnal mic

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

Fig. 3.11. Sursa de curent cascod, realzat cu

STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE SURSE DE CURENT CONSTANT

p, obinut prin implantare ionic (fig.3.13,b). Prin introducerea rezistorului R se reduce

Fig. 3.13. Surse de curent realizate cu

Surse de curent constant realizate cu tranzistoare MOS

Fig. 3.14. Sursa simpl de curent,

Fig. 3.15. Caracteristica de ieire

Tranzistorul M2 are, de fapt, rezisten de ieire finit i caracteristica de ieire ID=f(UDS)

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

Fig. 3.16. Sursa de curent cascod,

Fig. 3.17. Surse WILSON: (a) cu nemperecherea

Polarizarea independent de sursele de alimentare

STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE SURSE DE CURENT CONSTANT

Pentru descrierea variaiei curentului de ieire n funcie de tensiunea de alimentare, se

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

Circuite de polarizare de referin bazate pe tensiunea direct a

Fig. 3.18. Polarizarea independent de

STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE SURSE DE CURENT CONSTANT

Fig. 3.19. Polarizare independent de temperatur,

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

STRUCTURA INTERN A AMPLIFICATOARELOR OPERAIONALE SURSE DE CURENT CONSTANT

SURSE I REFERINE DE TENSIUNE

Rolul surselor de tensiune n cadrul CIA este de a furniza tensiuni constante de

Fig. 3.21. Sursa de tensiune cu

In c.c. (fig.3.21,a), se pot scrie urmtoarele relaii:

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

Fig. 3.22. Sursa de tensiune cu repetor i

Dac se presupune c tranzistorul T are factorul de curent suficient de mare pentru ca s

Spre deosebire de sursele de tensiune, la referinele de tensiune accentul se pune pe