Cojocaru Petru

124A Anul II
Facultatea de Inginerie Electrica
Laborator de elctronica, nr. 2

DIODA SEMICONDUCTOARE
n cadrul acestei lucrri de laborator se urmrete atingerea urmtoarelor obiective:
Familiarizarea cu caracteristica static a diodei semiconductoare (jonciunea p-n)
Determinarea valorii elementelor ce intervin n modelele de regim static i dinamic ale diodei
semicoductoare
Prezentarea principiului de funcionare a ohmmetrului
Dioda semiconductoare (jonciunea p-n) este un dispozitiv electric ce prezint o caracteristic
(diagram curent tensiune) neliniar i are drept principal proprietate faptul c permite trecerea
curentului ntr-un singur sens. Aceste dou particulariti ale diodei semiconductoare fac din aceasta
un dispozitiv ce poate ndeplini diverse roluri funcionale, cum ar fi:

Redresarea curentului alternativ

Detecia semnalelor modulate n amplitudine sau frecven
Protecia termic a unor circuite
Comutarea unor elemente de circuit

n conducie direct (+la Anod i la Catod), dioda permite trecerea unui curent relativ mare
(ce variaz aproape exponenial cu tensiunea aplicat), iar n conducie invers ( la Anod i + la
Catod), dioda se coport ca un ntreruptor deschis ntruct, datorit rezistenei foarte mari a acestui tip
de conectare, curentul ce trece prin diod este aproape neglijabil.
U
n curent continuu rezistena diode isemiconductoare este R A
IA
Observaii:
n conducia direct exist un prag de conducie, denumit tensiune de deschidere a
diodei , creterea puternic a tensiunii prin diod realizndu-se doar dup depirea
acestui prag
Dac tensiunile aplicate diodei depesc anumite limite, aceasta duce:
n conducie direct, la o depire a puterii maxime disipate pe diod, aceasta
distrugndu-se termic
n conducie invers, la o strpungere a diodei i deci la o distrugere a acesteia
Pentru a evita distrugerea diodei semiconductoare prin stroungere, se utilizeaz o rezisten
exterioar ce se leag n serie cu dioda, rezisten ce are rolul de a limita curentul care trece prin diod.

Dei caracteristica diodei este profund neliniar, n practic aceasta poate fi aproximat cu o
linearizare pe poriuni (asa ca n Fig.1)
IA

tg m , unde:
tg panta dreptei ce aproximeaz caracteristica
diodei
m panta tangentei la caracteristica real a diodei
n punctul n care se face aproximaia
dI A
m
dU A

UD

UA

Fig.1
Grafic, tensiunea de deschidere a diodei, UD, este abscisa punctului n care caracteristica
intersecteaz axa tensiunilor.
Avnd n vedere aceast caracteristic linearizat, dioda poate fi inlocuit ca funcionare de un
circuit echivalent, denumit model static linearizat al diodei semiconductoare, circuit prezentat n Fig.2.

Di

UD

Anod

ri

Catod

Fig.2
Elementele acestui circuit echivalent sunt:
Di diod ideal
UD tensiunea de deschidere a diodei
1
ri rezistena diodei ri
m
Pentru a determina Anodul i catodul unei diode (operaiune necesar n cazul n care marcajul
catodului nu este vizibil), se utilizeaz un ohmmetru. n sensul n care rezistena diodei este mic,
dioda se afl n conducie direct, de unde se trage concluzia c terminalul legat la borna pozitiv este
anodul.
Observaie:
n cazul utilizrii unui multimetru, n funcionarea sa ca ohmmetru, semnele bornelor sunt
inversate.
Principiul de funcionare al ohmmetrului:
Schema de funcionare a ohmmetrului este prezentat n Fig.3
n acest montaj, aparatul de msur indic valoarea curentului din circuit, curent ce depinde de
rezistena necunoscut Rx dup relaia:

E
R p Rx

Rx

A
Rp

Observaii:
Scala ohmmetrului este o scar neliniar i are zeroul n dreapta, proprieti ce se datoreaz
dependenei de invers proporionalitate dintre rezistena necunoscut i curentul din circuit
nainte de utilizarea ohmmetrului trebuierealizat reglarea zeroului (aducerea acului indicator
la zero). Acest reglaj se realizeaz prin scurtcircuitarea bornelor aparatului de msur si
modificarea rezistenei poteniometrului Rp. Acest reglaj permite utilizarea aceleiai scale a
ohmmetrului pentru mai multe game de rezistene i trebuie efectuat la fiecare trecere de la o
gam la alta.

Mod de lucru
1. Cu ajutorul multimetrului MAVO-35 se msoar rezistena unor diode cu Ge i Si n conducie
direct i invers, pe toate gamele ohmmetrului, rezultatele notndu-se n Tabelul nr.1
R()
Gama
1
10
100

Ge
Direct
5,5
30
160

Si
Invers

100 k

Direct
16
115
850

Invers

0,6k

k1

6,25k

95 k

Tabelul nr.1
2. Se realizeaz montajul din Fig.4, necesar pentru a determina caracteristica diodei n conducie
direct.
R=330

Pentru realizarea masurtorilor:

Se fixeaz E=0
Se fixeaz miliampermetrul pe gama de 25 mA
Se fixeaz voltmetrul pe gama de 1V
Se variaz curentul IA (variind tensiunea de alimentare E) i se msoar tensiunea UA la bornele celor
dou diode (cu Ge i Si), completndu-se Tabelul nr.2.
Observaie:
Pentru cureni mai mici de 1mA se fixeaz voltmetrul n poziia 1, iar pentru cureni mai mari
de 1mA se conecteaz voltmetrul n poziia 2
I (mA)
UA (V)

Ge
Si

0,1
0,105
0,41

0,5
0,28
0,68

1
0,17
0,58

5
0,23
0,65

10
0,27
0,69

15
0,29
0,71

20
0,305
0,72

25
0,32
0,74

Tabelul nr.2
3. Pentru a realiza trasarea caracteristicii inverse, n acelai montaj ca pentru puncul anterior
urmtoarele modificri:

Se nlocuiete rezistena de 330 cu o rezisten de 10 k

Se inverseaz bornele diodei
Se fixeaz tensiunea de alimentare E=0V
Se fixeaz voltmetrul pe gama de 25 V
Se fixeaz miliampermetrul pe gama de 50 A

Se modific E de la 0 la 24 V i se citete curentul din circuit cu ajutorul mA-metrului, valori

cu care se completeaz Tabelul nr.3
Observaie:
Se va avea grij s nu se ating tensiunea de strpungere a diodei cu Ge, fenomen pus n
eviden de creterea rapid a curentului prin diod.

UA (V)
IA(A)

Ge
Si

0,2
12,5
0

0,4
12,5
0

0,6
12,5
0

1
14
4,5

2
17,5
10

Tabelul nr.3

5
22,5
26

10
35
20

15
45
30

20
60
41

24
99

Caracteristicile diodelor cu Ge si Si

2.5 10

2.510

2.3 10

2.1 10

1.9 10

1.7 10

1.5 10

Curent (mA)

( SiI2) m

1.3 10

GeI2m

1.1 10

I2 j 1000
9000

I2 j 1000

7000
5000
3000
1000
25

23

21

19

17

15

13

11

1
1000

3000
99
5000
24

USi2m ( UGe2) m Si2 j Ge2 j

0.74

Tensiune (V)

Legenda:
Caracteristica diodei cu Ge
Caracteristica diodei cu Si

Pentru a se putea evidenia caracteristicile directe i inverse, acestea au fost reprezentate n cele
dou grafice care urmeaz.
Se poate observa c punctele corespunztoare trecerii aparatului de msur de pe borna 1 pe
borna 2, apare o valoaredecalat

25

Conductie directa
25
24.17
23.33
22.5
21.67
20.83
20
19.17
18.33

Curent (mA)

17.5
16.67
Ii

15.83
15

Ii
I2 j

14.17
13.33
12.5

I2 j

11.67
10.83
10
9.17
8.33
7.5
6.67
5.83
5
4.17
3.33
2.5
1.67
0.1

0.83
0

0.1 0.12 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27

0.3 0.32 0.34 0.36 0.38

0.4 0.43 0.45 0.47 0.49 0.51 0.53 0.56 0.58 0.6 0.62 0.64 0.66 0.69 0.71 0.73
Gei Sii Ge2 j Si2 j

0.105

0.74

Tensiunea (V)

Conductie inversa
0
5
10
15
20
25
30

Curent (microA)

35
( SiI) k

40

( SiI2) m

45

( GeI2) m

50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100

25 23.75 22.5 21.25

20

18.75 17.5 16.25

15

13.75 12.5 11.25

10

8.75

7.5

6.25

Uk USi2m UGe2m
Tensiunea (V)

Legenda:
Dioda cu Ge Caracteristica
Dioda cu Si Caracteristica

Dioda cu Ge Puncte experimentale

Dioda cu Si Puncte experimentale

3.75

2.5

1.25