Sunteți pe pagina 1din 7

Cojocaru Petru 124A Anul II Facultatea de Inginerie Electrica Laborator de elctronica, nr. 2

DIODA SEMICONDUCTOARE

În cadrul acestei lucrări de laborator se urmăreşte atingerea următoarelor obiective:

Familiarizarea cu caracteristica statică a diodei semiconductoare (joncţiunea p-n)

Determinarea valorii elementelor ce intervin în modelele de regim static şi dinamic ale diodei semicoductoare

Prezentarea principiului de funcţionare a ohmmetrului

Dioda semiconductoare (joncţiunea p-n) este un dispozitiv electric ce prezintă o caracteristică (diagramă curent – tensiune) neliniară şi are drept principală proprietate faptul că permite trecerea curentului într-un singur sens. Aceste două particularităţi ale diodei semiconductoare fac din aceasta un dispozitiv ce poate îndeplini diverse roluri funcţionale, cum ar fi:

Redresarea curentului alternativ

Detecţia semnalelor modulate în amplitudine sau frecvenţă

Protecţia termică a unor circuite

Comutarea unor elemente de circuit

În conducţie directă (+la Anod şi – la Catod), dioda permite trecerea unui curent relativ mare (ce variază aproape exponenţial cu tensiunea aplicată), iar în conducţie inversă ( – la Anod şi + la Catod), dioda se coportă ca un întrerupător deschis întrucât, datorită rezistenţei foarte mari a acestui tip de conectare, curentul ce trece prin diodă este aproape neglijabil.

În curent continuu rezistenţa diode isemiconductoare este

Observaţii:

R

U

A

I A

în conducţia directă există un prag de conducţie, denumit tensiune de deschidere a diodei , creşterea puternică a tensiunii prin diodă realizându-se doar după depăşirea acestui prag

Dacă tensiunile aplicate diodei depăşesc anumite limite, aceasta duce:

În conducţie directă, la o depăşire a puterii maxime disipate pe diodă, aceasta distrugându-se termic

În conducţie inversă, la o străpungere a diodei şi deci la o distrugere a acesteia

Pentru a evita distrugerea diodei semiconductoare prin străoungere, se utilizează o rezistenţă exterioară ce se leagă în serie cu dioda, rezistenţă ce are rolul de a limita curentul care trece prin diodă.

Deşi caracteristica diodei este profund neliniară, în practică aceasta poate fi aproximată cu o linearizare pe porţiuni (asa ca în Fig.1)

I A  U D U A
I A
U D
U A

Fig.1

tgm , unde:

tg– panta dreptei ce aproximează caracteristica diodei m – panta tangentei la caracteristica reală a diodei în punctul în care se face aproximaţia

m

dI

A

dU

A

Grafic, tensiunea de deschidere a diodei, U D, este abscisa punctului în care caracteristica intersectează axa tensiunilor. Având în vedere această caracteristică linearizată, dioda poate fi inlocuită ca funcţionare de un circuit echivalent, denumit model static linearizat al diodei semiconductoare, circuit prezentat în Fig.2.

D i

U D r i Anod Catod
U D
r i
Anod
Catod

Fig.2

Elementele acestui circuit echivalent sunt:

U D

D

i

diodă ideală tensiunea de deschidere a diodei

r i – rezistenţa diodei

r i

1

m

Pentru a determina Anodul şi catodul unei diode (operaţiune necesară în cazul în care marcajul catodului nu este vizibil), se utilizează un ohmmetru. În sensul în care rezistenţa diodei este mică, dioda se află în conducţie directă, de unde se trage concluzia că terminalul legat la borna pozitivă este anodul.

Observaţie:

În cazul utilizării unui multimetru, în funcţionarea sa ca ohmmetru, semnele bornelor sunt inversate.

Principiul de funcţionare al ohmmetrului:

Schema de funcţionare a ohmmetrului este prezentată în Fig.3 În acest montaj, aparatul de măsură indică valoarea curentului din circuit, curent ce depinde de rezistenţa necunoscută R x după relaţia:

I

E

R

p

R

x

Rx A Rp
Rx
A
Rp

Observaţii:

Scala ohmmetrului este o scară neliniară şi are zeroul în dreapta, proprietăţi ce se datorează dependenţei de inversă proporţionalitate dintre rezistenţa necunoscută şi curentul din circuit

Înainte de utilizarea ohmmetrului trebuierealizată „reglarea zeroului” (aducerea acului indicator la zero). Acest reglaj se realizează prin scurtcircuitarea bornelor aparatului de măsură si modificarea rezistenţei potenţiometrului R p . Acest reglaj permite utilizarea aceleiaşi scale a ohmmetrului pentru mai multe game de rezistenţe şi trebuie efectuat la fiecare trecere de la o gamă la alta.

Mod de lucru

1. Cu ajutorul multimetrului MAVO-35 se măsoară rezistenţa unor diode cu Ge şi Si în conducţie directă şi inversă, pe toate gamele ohmmetrului, rezultatele notându-se în Tabelul nr.1

R()

 

Ge

 

Si

Gama

Direct

Invers

Direct

Invers

1

5,5

16

10

30

115

100

160

100 k

850

k1

0,6k

95 k

6,25k

Tabelul nr.1

2. Se realizează montajul din Fig.4, necesar pentru a determina caracteristica diodei în conducţie directă.

R=330
R=330

Pentru realizarea masurătorilor:

Se fixează E=0

Se fixează miliampermetrul pe gama de 25 mA

Se fixează voltmetrul pe gama de 1V

Se variază curentul I A (variind tensiunea de alimentare E) şi se măsoară tensiunea U A la bornele celor două diode (cu Ge şi Si), completându-se Tabelul nr.2.

Observaţie:

Pentru curenţi mai mici de 1mA se fixează voltmetrul în poziţia 1, iar pentru curenţi mai mari

de 1mA se conectează voltmetrul în poziţia 2

I (mA)

0,1

0,5

1

5

10

15

20

25

UA (V)

Ge

0,105

0,28

0,17

0,23

0,27

0,29

0,305

0,32

Si

0,41

0,68

0,58

0,65

0,69

0,71

0,72

0,74

Tabelul nr.2

3. Pentru a realiza trasarea caracteristicii inverse, în acelaţi montaj ca pentru puncul anterior următoarele modificări:

Se înlocuieşte rezistenţa de 330 cu o rezistenţă de 10 k

Se inversează bornele diodei

Se fixează tensiunea de alimentare E=0V

Se fixează voltmetrul pe gama de 25 V

Se fixează miliampermetrul pe gama de 50 A

Se modifică E de la 0 la 24 V şi se citeşte curentul din circuit cu ajutorul mA-metrului, valori cu care se completează Tabelul nr.3

Observaţie:

Se va avea grijă să nu se atingă tensiunea de străpungere a diodei cu Ge, fenomen pus în evidenţă de creşterea rapidă a curentului prin diodă.

UA (V)

 

0,2

0,4

0,6

1

2

5

10

15

20

24

IA(A)

Ge

12,5

12,5

12,5

14

17,5

22,5

35

45

60

 

Si

0

0

0

4,5

10

26

20

30

41

99

Tabelul nr.3

Caracteristicile diodelor cu Ge si Si

4 2.5  10 4 2.5 10  2.3  10 4 2.1  10
4
2.5
 10 4
2.5 10
2.3
 10 4
2.1
 10 4
1.9
 10 4
1.7
 10 4
1.5
 10 4
(  SiI2)
m
1.3
 10 4
 GeI2
m
1.1
 10 4
I2
1000
j
9000
I2
1000
j
7000
5000
3000
1000
25
23
21
19
17
15
13
11
9
7
5
3
1
1
3
5
1000
3000
 99
5000
 24
USi2
(  UGe2)
Si2
Ge2 j
0.74
m
j
m
Curent (mA)

Tensiune (V)

Legenda:

Caracteristica diodei cu Ge Caracteristica diodei cu Si

Pentru a se putea evidenţia caracteristicile directe şi inverse, acestea au fost reprezentate în cele două grafice care urmează. Se poate observa că punctele corespunzătoare trecerii aparatului de măsură de pe borna 1 pe borna 2, apare o valoaredecalată

Conductie directa

Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3

25
25

Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
Conductie directa 25 25 0 0.1 0.12 0.105 0.14 0.17 0.19 0.21 0.23 0.25 0.27 0.3
0 0.1 0.12 0.105
0
0.1
0.12
0.105

0.14

0.17 0.19

0.21

0.23

0.25 0.27

0.3

0.32

0.34 0.36

0.38

0.4

Ge i

Si

0.43 0.45

0.47

i

Ge2

j

Si2 j

0.49 0.51

0.53

0.56

0.58

0.6

0.62

0.64

0.66 0.69

0.71

0.73

j 0.49 0.51 0.53 0.56 0.58 0.6 0.62 0.64 0.66 0.69 0.71 0.73 0.74 24.17 23.33

0.74

24.17

23.33

22.5

21.67

20.83

20

19.17

18.33

17.5
17.5

16.67

15.83 I i 15 14.17 I i 13.33 I2 j 12.5 11.67 I2 j 10.83
15.83
I
i
15
14.17
I
i
13.33
I2 j
12.5
11.67
I2 j
10.83
10
9.17
Curent (mA)

8.33

7.5

6.67

5.83

5

4.17

3.33

2.5

1.67

0.83
0.1 0.83 0.83

(mA) 8.33 7.5 6.67 5.83 5 4.17 3.33 2.5 1.67 0.83 0.1 Tensiunea (V) 0 5

Tensiunea (V)

7.5 6.67 5.83 5 4.17 3.33 2.5 1.67 0.83 0.1 Tensiunea (V) 0 5 10 15
7.5 6.67 5.83 5 4.17 3.33 2.5 1.67 0.83 0.1 Tensiunea (V) 0 5 10 15

0

5 10 15 20 25 30 35 (  SiI) 40 k 45 ( 
5
10
15
20
25
30
35
(
 SiI)
40
k
45
(
 SiI2)
m
50
(
 GeI2)
m
55
60
Curent (microA)

Legenda:

65

70

75

80

85

90

95

100

Conductie inversa

(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25
(microA) Legenda: 65 70 75 80 85 90 95 100 Conductie inversa 25 23.75 22.5 21.25

25

23.75

22.5 21.25

20

18.75 17.5 16.25

15

U

13.75

12.5 11.25

k

 

USi2

m



UGe2 m

Tensiunea (V)

10

8.75

7.5

6.25

5

3.75

2.5

1.25

0

Dioda cu Ge Caracteristica Dioda cu Si Caracteristica

Dioda cu Ge Puncte experimentale

Dioda cu Si Puncte experimentale