ANALIZA IN CURENT CONTINUU

1.1 Introducere

Analiza de curent continuu furnizeaza punctul static de functionare (PSF) al circuitului.

Punctul static de functionare reprezinta totalitatea curentilor si tensiunilor (eventual
potentialelor) de curent continuu din circuit. Din punct de vedere practic, PSF reprezinta
totalitatea marimilor electrice care caracterizeaza complet din punctul de vedere al curentului
continuu functionarea dispozitivelor semiconductoare din circuit.
Un prim pas in analiza de curent continuu il reprezinta selectia unui model de curent
continuu adecvat pentru fiecare dispozitiv semiconductor. Modelul trebuie sa fie suficient de
simplu pentru a asigura rapiditatea calculelor, dar trebuie sa surprinda aspectele esentiale din
functionarea dispozitivului electronic. In afara de modelarea tranzistoarelor cu efect de camp
(unde nu este posibila o mai mare simplificare), se recomanda utilizarea modelelor simplificate
pentru diferite regiuni de polarizare pentru diode si tranzistoare bipolare.
Al doilea pas il reprezinta “ghicirea” regiunilor de polarizarea pentru fiecare dispozitiv
semiconductor in parte. Acest pas necesita o minima experienta din partea celui care
analizeaza circuitul, precum si o estimare de prim ordin a marimii curentilor si tensiunilor din
circuit. De exemplu, caderi de tensiune de ordinul voltilor, pe rezistente de ordinul
kiloohmilor, vor duce la curenti de ordinul miliamperilor.

Datorita acestor valori uzuale in amplificatoarele de semnal mic, este recomandabila

utilizarea sistemului de unitati de masura: [V] pentru tensiuni, [mA] pentru curenti, [kΩ]
pentru rezistente si [mW] pentru puteri.

In schemele de amplificatoare de semnal mic, in mod obisnuit, dispozitivele

semiconductoare sunt polarizate in urmatoarele regiuni (vezi capitolul 1):
ƒ Diodele cu jonctiune pn in regiunea de conductie
ƒ Diodele Zener in regiunea de stabilizarea
ƒ Tranzistoarele bipolare in RAD
ƒ Tranzistoarele cu efect de camp in regiunea de saturatie.

Rezulta urmatoarele marimi electrice necunoscute care trebuiesc determinate pentru

calculul PSF, iar valorile numerice trebuie sa verifice polarizarea in aceste regiuni de
polarizare:
ƒ Diodele cu jonctiune pn: curentul ID (verificare ID > 0);
ƒ Diodele Zener: curentul IZ (verificare IZ > 0);
ƒ Tranzistoarele bipolare: curentul IC si tensiunea VCE (verificare IC > 0; VCE > VBE pentru
npn si VEC > VEB pentru pnp);
ƒ Tranzistoarele cu efect de camp in regiunea de saturatie curentul ID si tensiunile VGS si VDS
(conform paragrafelor 1.2.4 sau 1.2.5).

Pentru calculul acestor marimi electrice necunoscute este necesara scrierea unui set de
ecuatii. Cea mai mare parte a acestor ecuatii este reprezentata de ecuatiile de circuit. Aceste
ecuatii sunt scrise pe baza teoremelor lui Kirchhoff (teorema I si mai ales teorema a II-a).
Completarea sistemului de ecuatii, astfel incat numarul lor sa egaleze numarul de necunoscute,
se obtine pe baza ecuatiilor de dispozitiv. Aceste ecuatii sunt reprezentate de ecuatiile de
model ale dispozitivelor semiconductoare.
 Acest calcul al PSF, bazat pe modelarea dispozitivelor semiconductoare in curent
continuu, este valabil numai in cazul functionarii la semnal mic. La semnal mare, caracterul
neliniar al dispozitivelor conduce la aparitia unor componente de curent continuu suplimentare
datorita semnalului (termenii de ordin 2 sau mai mare din ecuatii similare cu 1.42)). Apare
astfel efectul de detectie sau redresare al semnalului, care afecteaza PSF-ul calculat.
Dupa ce este scris, sistemul de ecuatii trebuie si rezolvat. De solutia numerica obtinuta
depinde in continuare analiza de curent alternativ. Valorile parametrilor circuitului echivalent
de semnal mic depind de PSF.
Rezolvarea sistemului de ecuatii trebuie facuta intr-o maniera practica, inginereasca.
Metodele matematice de rezolvare generala a sistemelor de ecuatii se pot dovedi astfel mai
putin utile. Calculele se fac aproximativ, identitatile matematice fiind rar intalnite. Pentru
obtinerea rezultatelor, 2 sau 3 cifre semnificative sunt suficiente. Eroarea acceptata pentru
calculele analitice (“de mana”) este de cateva procente.
Analiza circuitelor poate fi reluata cu ajutorul calculatorului electronic, iar precizia
analizei este limitata numai de precizia modelelor utilizate si de acuratetea parametrilor de
model. Merita retinut faptul ca in acest caz calculatorul (plus software-ul corespunzator)
analizeaza numai circuitul dat, dar nu poate, inca, sa furnizeze informatii despre cauzele din
care acesta nu functioneaza corect. Calculele analitice raman importante, cel putin in faza
proiectarii unui circuit.
O abordare sistematica, inginereasca, a calculului PSF este oferita de paragraful
urmator.

1.2 Algoritm de analiza

A. Se deseneaza schema de curent continuu. Condensatoarele sunt intrerupte, generatoarele

ideale de tensiune sinusoidala si bobinele sunt scurtcircuitate. Se traseaza pe schema
circuitului marimile electrice necunoscute (tensiuni si curenti) astfel incat sensul lor sa fie
cel utilizat in modelarea diferitelor dispozitive semiconductoare (o trecere in revista a
acestor modele este facuta in capitolul 1). Deoarece tranzistoarele trebuie sa functioneze ca
amplificatoare ele sunt presupuse a fi polarizate in regiunea activa directa (RAD) daca sunt
tranzistoare bipolare sau in regiunea de saturatie daca sunt tranzistoare cu efect de camp.
Diodele sunt considerate polarizate fie deschise sau, in cazul diodelor Zener, in regiunea de
stabilizare a caracteristicii. Marimile electrice necunoscute sunt cele enumerate in
paragraful precedent.

B. Se considera mai intai drept marimi necunoscute curentii de colector ai tranzistoarelor IC,
curentii de drena ID si tensiunile VGS in cazul tranzistoarelor cu efect de camp, curentii ID
pentru diodele cu jonctiune pn si IZ pentru diodele Zener. Se scrie un sistem cu un numar
suficient de ecuatii (egal cu numarul necunoscutelor) utilizand teoremele lui Kirchoff si
ecuatiile de dispozitiv.

C. Se considera drept marimi necunoscute tensiunile VCE si VDS. Deoarece la punctul B au

fost calculati practic toti curentii din circuit, aceste necunoscute se determina utilizand
teorema a II-a a lui Kirchhoff pentru un numar de ochiuri convenabil alese.

D. Se verifica presupunerile facute in diferite etape ale calculului. Daca aceste presupuneri
nu se verifica, se reiau calculele cu noi presupuneri. Principalele presupuneri care este
obligatoriu a fi verificate sunt cele corespunzatoare regiunii de polarizare pentru diferitele
dispozitive semiconductoare.
2
OBSERVATII. Punctul B este etapa cea mai dificila din calculul punctului static de
functionare, asa ca sunt necesare cateva precizari suplimentare:

1. Pentru scrierea ecuatiilor se utilizeaza mai intai teorema a II-a a lui Kirchhoff pentru acele
ochiuri de circuit care, daca contin un tranzistor bipolar, sa contina numai tensiunea
VBE = const. a acestuia iar daca contin un tranzistor cu efect de camp sa contina numai
tensiunea VGS a acestuia. Este interzisa utilizarea ochiurilor care contin tensiunile VCE, VBC,
VDS sau VGD. Evident, ecuatiile scrise pentru aceste ochiuri pot si trebuie sa aiba drept
necunoscute curentii IC si ID. Daca circuitul contine diode deschise sau diode Zener
polarizate in regiunea de stabilizare, tensiunile VD sau VZ vor fi incluse in ecuatii in aceasta
etapa.

2. Daca teorema a II-a a lui Kirchhoff nu poate furniza un numar suficient de ecuatii, atunci se
cauta acele noduri din circuit pentru care aplicarea teoremei I-a a lui Kirchhoff completeaza
setul de ecuatii.

3. Este posibil sa fie necesara utilizarea unor marimi electrice necunoscute suplimentare fata
de setul de necunoscute care reprezinta punctul static de functionare al circuitului. Este
cazul polarizarii circuitului cu ajutorul divizoarelor de tensiune. Pentru ca numarul de
necunoscute sa fie minim, este preferabila echivalarea acestor divizoare de tensiune cu
ajutorul teoremei generatorului echivalent de tensiune.

4. Pentru acelasi tranzistor bipolar se considera IC ≅ IE (daca β este suficient de mare – tipic
β = 100). Pentru multe circuite, in anumite noduri este posibila neglijarea curentului de
baza IB (care este cu doua ordine de marime mai mic decat curentul de colector). Aceasta
aproximatie trebuie neaparat verificata dupa efectuarea calculelor numerice.

5. Daca din analiza vizuala a schemei sunt identificate scheme tipice de polarizare in curent
continuu sau generatoare de curent constant, calculul PSF trebuie inceput cu tranzistoarele
din aceasta parte a schemei.

1.3 Polarizarea tranzistorului bipolar

Pentru ca tranzistorul bipolar sa functioneze ca un dispozitiv activ, capabil sa

converteasca puterea de curent continuu in putere de curent alternativ, deci sa amplifice
semnale electrice, este necesar ca el sa fie polarizat in regiunea active directa.
Circuitul de polarizare cel mai utilizat este cel prezentat in figura 2.1. El utilizeaza un
divizor de tensiune pentru polarizarea bazei si o rezistenta in emitor pentru stabilizarea
punctului static de functionare.
Pentru analiza in curent continuu se definesc, conform figurii 1.5, marimile electrice
necunoscute care caracterizeaza punctul static de functionare in RAD: curentul IC si tensiunea
VCE. Se mai traseaza si tensiunea VBE (cunoscuta, parametru de model). Pentru a usura analiza
se mai traseaza si curentii de emitor si de baza precum si curentul prin rezistenta R1. Numarul
acestor necunoscute suplimentare trebuie sa fie minim.
Deoarece in cazul modelului simplificat ecuatiie de dispozitiv sunt simple (a se vedea
relatiile (1.20) si (1.22)), principala dificultate in calculul punctului static de functionare consta
in scrierea si, mai ales, rezolvarea sistemului de ecuatii format de ecuatiile de circuit.

3
 +VCC +VCC
+10V +10V

R1 RC RC
82k 5k 5k

I1 Q IC Q IC
RB
IB IB
VBB VCE VCE

VBE IE VBE IE
+
R2 RE VBB RE
18k 1k 1k

Figura 2.1 Figura 2.2

Scrierea ecuatiilor de circuit incepe cu identificarea setului de ochiuri independente si

aplicarea teoremei a doua a lui Kirchhoff pentru acele ochiuri. Aceste ochiuri sunt trasate cu
linie punctata in figura 2.1. Ecuatiile de circuit scrise pe aceste ochiuri sunt:

VCC = R1 I1 + R 2 (I1 − I B ) (2.1.a)

R 2 (I1 − I B ) = VBE + R E I E (2.1.b)

VCC = R C IC + VCE + R E I E (2.1.c)

Sistemul de ecuatii este completat cu ecuatiile de dispozitiv:

IC = β F I B VBE = dat I E = IC + I B (2.1.d)

Sistemul este liniar, poate fi rezolvat (are 6 ecuatii cu 6 necunoscute), dar solutia, chiar
sub forma de formula analitica, nu ofera suficiente informatii despre functionarea si
proiectarea circitului.
O alta modalitate de abordare a analizei acestui circuit, mult mai eleganta se bazeaza pe
teorema lui Thevenin (teorema generatorului echivalent de tensiune). Divizorul de tensiune R1-
R2 este echivalat cu o baterie in serie cu o rezistenta echivalenta pentru a polariza circuitul
baza-emitor al tranzistorului. Dupa echivalare, circuitul care trebuie analizat este cel din figura
2.2. Conform teoremei lui Thevenin, rezulta relatiile:

R2 R1 R 2
VBB = VCC R B = R1 || R 2 = (2.2)
R1 + R 2 R1 + R 2

4
 In analiza schemei se tine cont de algoritmul prezentat in paragraful precedent: se
analizeaza mai intai ochiul de la intrare, se calculeaza curentul de colector IC si apoi din ochiul
de la iesirea tranzistorului se determina tensiunea VCE. Din ecuatia:

VBB = R B I B + VBE + R E I E

daca se tine cont si de (2.1.d) rezulta:

VBB − VBE β (V − VBE )

IC = = F BB (2.3)
R E R B + (1 + β F ) R E
R B 1 + βF
+
βF βF

A doua necunoscuta a punctului static de functionare se calculeaza din ochiul de la iesire ca:

1 + βF
VCE = VCC − R C IC − R E IC ≅ VCC − (R C + R E ) IC (2.4)
βF

Numeric: VBE = 0.6 V; βF = 100; VBB = 1.8 V; RB = 14.76 kΩ; IC = 1.037 mA; VCE = 3.77 V;
deoarece VCE ≥ VBE, tranzistorul este polarizat in RAD.

NOTA. Din punct de vedere practic, ingineresc, se prefera simplificarea calculelor prin
aproximare. Rezultatul final se va obtine cu o eroare care, daca se mentine in limita a cateva
procente, este acceptabila. Astfel, daca βF >> 1, se poate considera IC ≅ IE.

In plus, in functie de valoarea elementelor retelei de polarizare, uneori se pot face

calculele in aproximatia RB << βF RE. Curentul de colector se poate aproxima cu relatia:

V − VBE
IC ≅ BB (2.5)
RE

Relatia (2.5) sugereaza ca se poate utiliza urmatoarea tehnica rapida de calcul a

curentului de colector:

• se presupune ca IB << I1; asta inseamna ca divizorul de tensiune lucreaza practic in gol si
asigura polarizarea bazei la o tensiune constanta VBB, care se calculeaza cu (2.2);
• pe ochiul care incepe la VBB si se inchide prin nodul de masa se scrie teorema a doua a lui
Kirchhoff si rezulta expresia pentru IC in forma (2.5);
• se estimeaza valoarea lui I1 pentru divizorul de tensiune care lucreaza in gol cu relatia
I1 ≅ VCC/(R1 + R2);
• se verifica ipoteza IB << I1; daca presupunerea acuta nu este valabila, se reface calculul
curentului de colector cu relatiile (2.2) si (2.3);
• tensiunea VCE se calculeaza tot cu relatia (2.4).

Numeric: VBB = 1.8 V; IC = 1.2 mA (eroare de 14 % fata de calculul exact).

5
 Se constata pe baza relatiilor (2.3) si (2.5) ca valoarea curentului de colector nu depinde
de valoarea rezistentei RC, daca tranzistorul este polarizat in RAD. Prin urmare, circuitul din
figura 2.1 poate fi utilizata ca generator de curent constant. Acest circuit poate fi utilizat pentru
polarizarea la curent constant a altor tranzistoare.
Pentru a reduce dependenta curentului generat de tensiunea de alimentar VCC, rezistenta
R2 se poate inlocui cu o dioda Zener polarizata in regiunea de stabilizare a caracteristicilor. Un
exemplu de sursa (generator) de curent este prezentat in figura 2.3. Valoarea curentului generat
se calculeaza din ochiul de intrare al tranzistorului:

V − VBE
IO = IC ≅ Z (2.6)
RE

Rezistenta din emitor stabilizeaza valoarea curentului prin tranzistor deoarece introduce
in circuit o reactie negativa. Daca din cauze externe curentul de colector creste, atunci va
creste caderea de tensiune pe rezistenta RE. Deoarece potentialul bazei este constant, rezulta o
scadere a tensiunii baza-emitor. Cu relatia (1.19) rezulta scaderea curentului de colector, efect
opus influentei cauzei externe.

+VCC
+10V

R1 IO +VCC
5k RC +10V
IC
RC
5k
RB
Q ≅ IC
VBE ≅ IC IC
IB
RE
DZ VZ 1k Q
VBE

Figura 2.3 Figura 2.4

Un alt circuit de polarizare cu reactie negativa este cel prezentat in figura 2.4. Reactia
este asigurata de rezistenta RB. din ochiul trasat in figura se determina curentul de colector ca:

V − VBE
I C ≅ CC (2.7)
R
RC + B
βF

Daca din cauze exterioare creste IC, atunci creste caderea de tensiune pe cele doua rezistente
(RB si RC), scade tensiunea VBE si deci va scadea IC.
6
 1.4 Polarizarea TECJ

Pentru ca TECJ sa functioneze ca un dispozitiv activ, capabil sa converteasca puterea de

curent continuu in putere de curent alternativ, deci sa amplifice semnale electrice, este necesar
ca el sa fie polarizat in regiunea de saturatie.
Circuitul de polarizare cel mai utilizat este cel prezentat in figura 2.5. El utilizeaza o
rezistenta de stabilizare in sursa si o rezistenta de polarizare a portii. Circuitul trebuie sa
asigura un potential in sursa mai pozitiv decat potentialul portii.
Pentru analiza in curent continuu se definesc, conform figurii 1.10, marimile electrice
necunoscute care caracterizeaza punctul static de functionare al TECJ in regiunea de saturatie:
curentul ID, tensiunile VGS si VDS. Se mai traseaza si curentul de poarta IG ≅ 0.
+VDD
+10V

RD
3k
ID
Q
IG ≅ 0 VDS

VGS ID
RG RS
1M 3k

Figura 2.5 Circuitul de polarizarea al TECJ

Este utilizat algoritmul din paragraful 2.2. Se scrie teorema a 2-a a lui Kirchhoff pentru
ochiul care contine tensiunea VGS:

R G I G + VGS + R SI D = 0 (2.8)

Deoarece IG ≅ 0, caderea de tensiune pe rezistenta RG este zero (pana la rezistente de zeci de

megaohmi). Deci:

VGS = − R S I D (2.9.a)

Deoarece ecuatia are doua necunoscute, ea formeaza un sistem cu ecuatia de dispozitiv

din (1.28):

7
 2
⎛ v ⎞
i D = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ (2.9.b)
⎝ VT ⎠

Sistemul este de gradul 2. Rezolvarea lui analitica nu are utilitate practica, un exemplu numeric
poate fi edificator pentru calculul PSF.

OBSERVATIE. In calculele numerice este necesara utilizarea unui sistem coerent de unitati
de masura, cel recomandat fiind: kΩ - mA – V.

Se considera urmatorul set de parametrii de model pentru TECJ: IDSS = 8 mA si VT = -4 V.

Din (2.9.a+b) rezulta:

2
⎛ 3I ⎞
I D = 16 ⎜1 − D ⎟ deci 9 I 2D − 25 I D + 16 = 0
⎝ 4 ⎠

Ecuatia de gradul 2 are, matematic, doua solutii:

25 ± 625 − 576 25 ± 7
ID = =
18 18
Cele doua solutii sunt:
16
(i) ID = mA; VGS = −5.33 V
9
(ii) I D = 1 mA; VGS = −3 V

Solutia reala, fizica, este numai solutia (ii) pentru care VT ≤ v GS ≤ 0 . Solutia (i) este
falsa, valabila numai matematic, deoarece nu satisface relatiile (1.28).
Pentru calculul tensiunii VDS se utilizeaza ochiul care pleaca de la un potential cunoscut
+VDD si se termina cu alt potential cunoscut (zero, punctul de masa). Un ochi de circuit nu
trebuie sa fie neaparat un ochi inchis. Rezulta:

VDS = VDD − (R D + R S ) I D = 4 V

In final trebuie verificata polarizarea tranzistorului in regiunea de saturatie, deci

verificarea conditiei (1.28):

VDS ≥ VDS,sat = VGS − VT = −3 − (−4) = 1 V

Se constata pe baza relatiilor (2.9.a+b) ca valoarea curentului de drena nu depinde de valoarea

rezistentei RD, daca tranzistorul este polarizat in regiunea de saturatie. Prin urmare, circuitul din figura
2.5 poate fi utilizata ca generator de curent constant. In acest caz rezistenta RG poate fi aleasa zero
(scurtcircuit). Acest circuit poate fi utilizat pentru polarizarea la curent constant a altor tranzistoare.

8
 1.5 Exemplu

Pentru amplificatorul din figura 2.6 se cere calculul PSF. Tranzistoarele Q1,2,3 au
parametrii: β = 100; |VBE| = 0.6 V.

+VCC
+15V
R1 R3
12k 2k

Q2
Q1
Q3
C∞

Vin Vout
R2 R4 R5 R6
3k 6k 1k 1k

Figura 2.6 Primul exemplu: schema generala

Se urmareste pas cu pas algoritmul de calcul prezentat in paragraful 1.2.

A. Se deseneaza schema de curent continuu. Condensatorul C∞ este intrerupt (nu mai apare in
schema). Bornele Vin si Vout reprezinta numai marimi de curent alternativ, nu conteaza in
curent continuu, nu apar in aceasta schema. Se traseaza marimile electrice necunoscute (in
etapa B acestea sunt curentii de colector ai celor trei tranzistoare). Tranzistoarele sunt
considerate polarizate in RAD. Tinand cont de schema de polarizare din paragraful 2.3, se mai
defineste curentul prin divizorul de tensiune R1-R2 (notat cu I). Rezultatul este prezentat in
figura 2.7.

B. Se inspecteaza schema si se aleg ochiurile de circuit pentru calculul curentilor de colector,

astfel incat sa nu contina tensiuni VCE sau VCB. Obligatoriu, aceste ochiuri trebuie sa contina
tensiunile VBE. Aceste ochiuri sunt prezentate cu linie punctata in figura 2.7.

9
 +VCC
+15V
R1 R3
12k 2k

Q2
IC,1
IB,2
VB,1 IC,2 Q3
I Q1

IC,1 IC,3
R2 R4 R5 R6
3k 6k 1k 1k

Figura 2.7 Primul exemplu: schema de curent continuu si marimile necunoscute pentru
pasul B

+VCC
+15V
R1 R3
12k 2k
Q2

VEC,2
Q1
Q3
VCE,3
VCE,1

R2 R4 R5 R6
3k 6k 1k 1k

Figura 2.8 Primul exemplu: schema de curent continuu si marimile necunoscute

pentru pasul

10
 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC

1.6 Metoda de analiza

Analiza prin calcule analitice, “de mana”, se face in urmatoarele conditii

simplificatoare:

(i) Functionare la semnal mic: dispozitivele electronice semiconductoare sunt

liniarizate, intreg circuitul functioneaza liniar. De fapt valoarea amplitudinii
semnalului are o importanta redusa, importanta este functionarea in clasa A a
tuturor tranzistoarelor din circuit. Distorsiunile introduse de neliniaritatile
inevitabile ale tranzistoarelor sunt neglijate.

(ii) Functionare la frecvente medii: analiza se face in regim sinusoidal permanent,

dar valoarea efectiva a frecventei de lucru nu este importanta. Ea este
considerata suficient de scazuta astfel incat tranzistoarele sa poata fi modelate
cu circuitul echivalent de joasa frecventa (reactanta capacitoarelor interne ale
tranzistoarelor este suficient de mare ca sa poata fi neglijata). In acelasi timp
frecventa este suficient de mare astfel incat capacitoarele de tip C∞
(capacitoare de cuplare intre etaje, capacitoare de decuplare a unor rezistente,
etc) sa prezinta o reactanta suficient de mica astfel incat sa poata fi considerate
scurtcircuit. De fapt analiza circuitului furnizeaza parametrii circuitului pentru
frecventa ce apartin benzii de frecvente.

Analiza unui amplificator consta, in esenta, in calculul urmatorilor parametrii:

• AV amplificarea in tensiune
• Rin rezistenta de intrare
• Rout rezistenta de iesire

In domeniul frecventelor medii, circuitul nu contine reactante, deci atat

impedanta de intrare cat si impedanta de iesire si amplificarea in tensiune sunt numere
reale. Totusi in cazul amplificarii se pastreaza notatia de numar complex (fazor).
Interpretarea fazei amplificarii este urmatoarea: daca amplificarea este un numar real
pozitiv faza este 0o iar daca amplificarea este un numar real negativ, faza este 180o.
Exista doua posibilitati de calcul al parametrilor unui amplificator, care sunt
prezentate in aceasta lucrare. Prima este intitulata “metoda generala de analiza”.
Aceasta metoda poate fi utilizata pentru orice configuratie (topologie), dar presupune un
numar mare de calcule algebrice. A doua metoda reduce la maxim numarul de calcule,
sistematizeaza modul de abordare a analizei amplificatorului, dar este limitata la circuite
formate dintr-un lant de diporti in cascada.

3.1.1 Metoda generala de analiza

Aceasta metoda de analiza presupune parcurgerea urmatorilor pasi:

11
 1. Desenarea schemei de curent alternativ. Se scurtcircuiteaza toate condensatoarele
C∞ si se intrerup toate bobinele de soc de RF (bobine cu inductanta mare utilizate
pentru polarizarea in curent continuu). Se scurtcircuiteaza toate generatoarele de
tensiune continua utilizate la polarizarea in CC a amplificatorului (aceasta
inseamna, de regula, punerea la masa a tuturor bornelor de alimentare cu tensiune
continua +VCC, +VDD, -VEE, etc).

2. Se inlocuiesc toate dispozitivele semiconductoare cu circuitele lor echivalente de

semnal mic de joasa frecventa. De regula, diodele cu jonctiune pn deschise si
diodele Zener in regiunea de stabilizare se scurtcircuiteaza.

3. Se scriu, cu ajutorul teoremelor lui Kirchhoff, ecuatiile de circuit. In aceasta etapa

conteaza foarte mult experienta si inspiratia celui care analizeaza circuitul. Pentru
scrierea corecta a ecuatiilor este necesara definirea unor marimi electrice
necunoscute (tensiuni si curenti). Setul minim de marimi electrice necunoscute
contine Vin, Iin, Vout, Iout si tensiunile de comanda ale generatoarelor de curent din
circuitele echivalente ale tranzistoarelor (Vbe si Vgs). Trebuie urmarita scrierea
unui sistem de N + 1 ecuatii independente cu N necunoscute marimi electrice.

4. Sistemul de la punctul (iii) trebuie rezolvat astfel incat sa se determine parametrii

amplificatorului. Sistemul este liniar. Aceasta inseamna ca trebuiesc eliminate
toate necunoscutele in afara celor necesare pentru calculul amplificarii in
tensiune, Rin si Rout. Deci in final trebuie obtinuta o ecuatie cu doua necunoscute,
de forma:

Vout = A V Vin (3.1)

V in = R in Iin (3.2)

Cazul rezistentei de iesire este complicat de faptul ca generatorul de semnal este

plasat la intrarea amplificatorului, nu la iesire. De aceea trebuie apelat la conceptul de
rezistenta echivalenta. Acest concept este valabil numai in cazul retelelor liniare.
Modul de definire, calcul sau masurare al rezistentei echivalente este prezentat in figura
3.1. Este utilizat un generator de tensiune de test Vt care produce in circuitul liniar care
trebuie echivalat (cu sursele independente de semnal pasivate – generatoarele
comandate raman) un curent la borne It (care este masurat sau calculat). Rezistenta
echivalenta este calculata cu metoda generala de analiza prezentata mai sus si este data
de :

V t = R eq I t (3.3)

Dupa ce este calculata, rezistenta echivalenta inlocuieste intreg circuitul liniar din
figura 3.1 (in directia sagetii). In analiza amplificatoarelor de semnal mic este important

12
(dar nu obligatoriu) ca rezistenta echivalenta sa aiba un terminal conectat la masa.
Numai utilizand aceasta definitie poate fi obtinuta rezistenta de iesire din amplificator
(generatorul de semnal pasivat este inlocuit de rezistenta lui interna RG).

It
Circuit liniar
+ (toate sursele
Vt independente de Vt Req
- semnal pasivate)

Req Req

Figura 3.1 Rezistenta echivalenta

Aceasta metoda poate fi utilizata pentru analiza oricarui circuit liniar, indiferent
de topologia lui. Ea are si dezavantaje:
• Etapele 3 si 4 sunt foarte laborioase, parcurgerea lor depinde de experienta si
indemanarea celui care analizeaza circuitul. Desi la Bazele Electrotehnicii problema
este tratata intensiv, tehnicile dezvoltate (potentiale la noduri, curenti ciclici, etc)
sunt de mica utilitate pentru analiza analitica a amplificatoarelor (cu exceptia
circuitelor foarte simple cu un singur tranzistor).
• Numai un numar de 3 parametrii prezinta interes in analiza amplificatoarelor.
Calculele in care intervin alte marimi electrice din circuit sunt inutile din punct de
vedere practic.
• Formulele finale obtinute pentru cei trei parametrii pot fi complicate si greu de
utilizat pentru proiectarea circuitului.

3.1.2 Metoda de analiza a amplificatoarelor de semnal mic (ASM)

Aceasta metoda de analiza poate fi utilizata numai in cazul topologiilor de

amplificatoare constituite dintr-un lant de diporti conectati in cascada intre intrarea si
iesirea amplificatorului. Aceasta limitare poate parea foarte severa, dar in majoritatea
cazurilor practice analiza va consta dintr-o analiza de ASM si un set de formule care
trateaza cazul unor topologii mai complicate (de exemplu cazul amplificatoarelor cu
reactie negativa).
Metoda de analiza a ASM presupune parcurgerea urmatorilor pasi:

1. Desenarea schemei de curent alternativ. Se scurtcircuiteaza toate condensatoarele C∞

si se intrerup toate bobinele de soc de RF (bobine cu inductanta mare utilizate pentru
polarizarea in curent continuu). Se scurtcircuiteaza toate generatoarele de tensiune
continua utilizate la polarizarea in CC a amplificatorului (aceasta inseamna, de
regula, punerea la masa a tuturor bornelor de alimentare cu tensiune continua +VCC,
+VDD, -VEE, etc).
13
2. Tranzistoarele nu se inlocuiesc cu circuitele lor echivalente de semnal mic de joasa
frecventa (ca in metoda precedenta). Diodele cu jonctiune pn deschise si diodele
Zener in regiunea de stabilizare se scurtcircuiteaza. Schema de curent alternativ se
redeseneaza tinand cont de urmatoarele reguli:
• Borna de intrare Vin este plasata in stanga schemei
• Borna de iesire Vout este plasata in dreapta schemei
• Toate conexiunile la masa sunt plasate in partea de jos a schemei, la acelasi nivel
Circuitul care rezulta are topologia din figura 3.2.

3. Se calculeaza, incepand de la iesire spre intrare, rezistentele de intrare in fiecare etaj

Ri,k. Se calculeaza Rout si daca este necesar Ro,2. Se calculeaza amplificarile in
tensiune ale fiecarui etaj in parte aV,k. Aceste calcule se fac cu ajutorul unui set
limitat de formule, care sunt prezentate in sectiunea urmatoare. Sunt trei formule
pentru amplificarile in tensiune si trei formule pentru rezistentele echivalente
(evident, separat pentru tranzistoarul bipolar si pentru TECJ). Un circuit cu multe
tranzistoare necesita aplicarea aceluiasi set de formule si nu rezolvarea unui sistem
cu un numar sporit de ecuatii, ca in metoda precedenta.

4. Calcule finale: se calculeaza amplificarea in tensiune a circuitului cu formula:

V out V out V 2 V1
AV = = = a V,1 a V,2 a V,3 (3.4)
Vin V 2 V1 Vin

RG Iin Iout
+
Vg aV,1 V1 aV,2 Vout RL
Vin V2
-

Rin Ri,2 Ri,3 Rout

Ro,2

Figura 3.2 Schema de ASM care urmeaza a fi analizata

Din figura 3.2 rezulta ca pornind de la amplificarea in tensiune pot fi calculate si

celelalte trei tipuri de amplificari ca pot fi necesare in analiza unui ASM: amplificarea
in curent, amplificarea transimpedanta si amplificarea transadmitanta (marimile de
intrare/iesire pot fi tensiuni dar si curenti). De exemplu, amplificarea in curent este data
de:

14
 I I V V ⎛ 1 ⎞
A I = out = out out in = ⎜⎜ − ⎟ A V R in (3.5)
Iin V out Vin Iin ⎝ R L ⎟⎠

Amplificarea transimpedanta este:

V out V out Vin

AZ = = = A V R in (3.6)
Iin V in Iin

iar amplificarea transadmitanta este:

I I V ⎛ 1 ⎞
A Y = out = out out = ⎜⎜ − ⎟ AV (3.7)
Vin V out Vin ⎝ R L ⎟⎠

3.1.3. Functionarea tranzistoarelor la semnal mic

Modelarea tranzistoarelor la semnal mic a fost prezentata in sectiunea 1.2.

Circuitele echivalente de semnal mic inlocuiesc dispozitivele semiconductoare in cadrul
metodei generale de analiza. In cazul metodei de analiza a ASM, aceste circuite
echivalente servesc la deducerea a doua seturi de formule care descriu complet
functionarea tranzistoarelor la semnal mic.
Figura 3.3 prezinta cazul tranzistorului bipolar. Schemele sunt de curent
alternativ. Circuitul ofera tranzistorului rezistentele echivalente RC, RB si RE in
colectorul, baza si emitorul lui (aceste rezistente pot fi si zero, caz in care terminalul
respectiv este conectat la masa). In modelarea tranzistorului s-a considerat valabila
aproximatia rce = ro ≅ ∞. Daca circuitul “priveste” in terminalele tranzistorului, el
“vede” rezistentele echivalente din figura 3.3.a. Aceste rezistente echivalente au celalalt
terminal conectat la masa. Aceasta reprezinta o limitare, dar si conditia de baza ca
algoritmul de analiza ASM sa functioneze.
Figura 3.3.b prezinta amplificarile in tensiune intre diferitele terminale ale
tranzistorului. Tranzistorul este un dispozitiv activ nereciproc. El poate amplifica un
semnal numai daca acesta este aplicat in baza sau emitor (terminale de intrare) si daca el
este preluat din colector sau emitor (terminale de iesire). Un semnal aplicat in colector
nu este transmis nici spre baza, nici spre emitor (sau in orice caz este transmis puternic
atenuat).

15
 (a) (b)

Figura 3.3 Seturile de formule pentru analiza la semnal mic a ASM cu

tranzistoare bipolare: (a) rezistente echivalente; (b) amplificari in tensiune

Pentru calculul acestor formule este utilizata metoda generala de analiza:

• Se alege terminalul pentru care se doreste calculul rezistentei echivalente sau care
este terminal de intrare, se inlatura rezistenta conectata spre masa in acel terminal
si se conecteaza un generator ideal de tensiune;
• Se inlocuieste tranzistorul cu circuitul echivalent de semnal mic;
• Se utilizeaza teoremele lui Kirchhoff pentru a scrie un numar suficient de ecuatii
pentru numarul de necunoscute marimi electrice implicate in calcule;
• Se elimina necunoscutele care nu sunt necesare astfel incat sa se obtina in final o
singura ecuatie care exprima raportul a doua tensiuni pentru amplificarea in
tensiune sau raportul dintre o tensiune si un curent pentru rezistenta echivalenta.

Figura 3.4 Circuitul de semnal mici utilizat pentru calculul rezistentei

echivalente in baza si al amplificarilor in tensiune

16
 Schema pe care se face calculul rezistentei echivalente in baza si al amplificarilor
baza-colector si baza-emitor este prezentata in figura 3.4. Ecuatiile liniare care pot fi
scrise utilizand teoremele lui Kirchhoff sunt:

⎛V ⎞
V1 = R E ⎜ be + g m V be ⎟ V 2 = − g m V be R C
⎜ r be ⎟
⎝ ⎠
V
I b = be V t = V be + V1
r be
Daca se pastreaza numai marimile electrice de interes, eliminandu-le pe celelalte,
rezulta:

⎛V ⎞
V be + R E ⎜ be + g m V be ⎟
⎜ r be ⎟
R eq, B =
Vt
Ib
= ⎝
V be (
be m E be )
⎠ = r + 1 + r g R = r + (β + 1) R
E
be
r be
V2 − g m V be R C β RC
A V, B → C = = =−
Vt ⎛V ⎞ r be + (β + 1) R E
V be + R E ⎜ be + g m V be ⎟
⎜ r be ⎟
⎝ ⎠
⎛V ⎞
R E ⎜ be + g m V be ⎟
⎜ r be ⎟ (β + 1) R E
A V, B → E =
V1
= ⎝ ⎠ =
Vt ⎛V ⎞ r be + (β + 1) R E
V be + R E ⎜ be + g m V be ⎟
⎜ r be ⎟
⎝ ⎠

Figurile 3.5 si 3.6 prezinta cazul tranzistorului cu efect de camp cu jonctiune.

Schemele sunt de curent alternativ. Circuitul ofera tranzistorului rezistentele echivalente
RD, RG si RS in drena, poarta si sursa lui (aceste rezistente pot fi si zero, caz in care
terminalul respectiv este conectat la masa). In cazul TECJ calculele sunt complicate de
faptul ca rezistenta rds = ro, avand o valoare mai redusa decat rezistenta rce a
tranzistorului bipolar, nu poate fi neglijata. Totusi, formulele din figura 3.6 pastreaza o
valoare finita pentru rds numai cand neglijarea ei introduce erori substantiale in calcule
(de exemplu rds poate fi neglijata, in anumite cazuri, in cazul amplificarii poarta-drena).
Semnificatia diferitelor marimi este similara cu cea prezentata la tranzistorul
bipolar. Modul de calcul al diferitelor formule este cel utilizat la tranzistorul bipolar.
Amplificarile in tensiune in cazul unui tranzistor cu efect de camp sunt prezentate
in figura 3.6. Tranzistorul amplifica semnalul numai daca acesta este aplicat pe poarta si
citit in sursa sau drena sau daca acesta este aplicat pe sursa si este citit in drena.

17
Figura 3.5 Rezistentele echivalente in terminalele TECJ

Figura 3.6 Amplificarile in tensiune in cazul TECJ

18
ANEXA I MODELAREA ANALITICA A UNOR
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE

A.I.1 Modelarea in curent continuu

Un model analitic de curent continuu pentru un dispozitiv semiconductor consta,

de regula, din:
- un set de ecuatii de model (numite conventional ecuatii de dispozitiv);
- un set de inecuatii (care limiteaza domeniul in care modelul este valabil);
- un set de parametrii de model (ale caror valori numerice depin de domeniul in
care modelul este aproximativ valabil). Acesti parametrii sunt dati pentru
fiecare dispozitiv.
Pentru a putea fi utilizate in calcule analitice, modelele puternic neliniare ale
dispozitivelor semiconductoare trebuiesc liniarizate. Acesta este cazul diodelor cu
jonctiune pn si al tranzistoarelor bipolare. Metoda aleasa este aproximarea
caracteristicilor neliniare cu segmente de dreapta (liniarizare pe portiuni).
Pentru a putea scrie setul de ecuatii si inecuatii, marimile electrice care intervin in
modelare (tensiuni si curenti) sunt definite utilizand simbolul respectivului
dispozitiv semiconductor. Deoarece modelele sunt valabile si la semnal mare in
regim cvasistatic (lent variabil in timp) simbolurile utilizate in modelare sunt
cele corespunzatoare valorii instantanee totale (litera mica, indice litera mare – de
exemplu vD). Cand se scriu ecuatiile de dispozitiv pentru calculul punctului static
de functionare, aceste simboluri se particularizeaza pentru curent continuu (litera
mare, indice litera mare – de exemplu VD).

Dioda semiconductoare (D)

Sensul tensiunii si curentului prin dioda este definit in figura A.I.1. Dioda
are doua regiuni de polarizare:
- dioda deschisa: i D > 0 v D = VD
- dioda blocata: v D < VD i D = 0
Parametrii de model:
- VD = dat (tipic 0.6 … 0.8 V pentru diodele din siliciu si 0.2 … 0.4 V pentru
diodele din germaniu).
Determinarea punctului static de functionare presupune calculul unei singure
marimi electrice: curent ID (daca dioda este deschisa) sau tensiune VD (daca dioda
este blocata).

Dioda Zener sau stabilizatoare de tensiune (DZ)

Sensul tensiunii si curentului prin dioda Zener este definit in figura A.I.2.
Se observa ca jonctiunea pn este polarizata in invers. Dioda are doua regiuni de
polarizare:
- regiunea de stabilizare: i Z > 0 v Z = VZ
- regiunea de nestabilizare: 0 < v Z < VZ i Z = 0

19
Parametrii de model:
- VZ = dat (poate lua valori intre 2.7 V si 200 V).
Determinarea punctului static de functionare presupune calculul unei singure
marimi electrice: curent IZ (daca dioda este polarizata in regiunea de stabilizare)
sau tensiune VZ (daca dioda este polarizata in invers in afara regiunii de
stabilizare).

Figura A.I.1 Figura A.I.2

Tranzistorul bipolar (TB sau BT)

Exista doua tipuri complementare de tranzistoare bipolare. Ecuatiile de model au
aceeasi forma, dar semnele tensiunilor si curentilor sunt modificate. Tranzistorul
bipolar trebuie polarizat in regiunea activa directa (RAD) pentru a fi dispozitiv
activ si sa indeplineasca functia de amplificator. In figura A.I.3 este prezentat
sensul ales pentru tensiuni si curenti. Aceasta alegere face ca pentru polarizarea in
RAD valorile numerice care se obtin sa fie pozitive.
Modelul analitic al tranzistoarelor bipolare npn polarizate in RAD este:
v BE = VBE iC = β iB v CE ≥ VCE,sat = VBE
Parametrii de model:
- VBE = dat (tipic 0.6 … 0.8 V pentru tranzistoarele din siliciu si 0.2 … 0.4 V
pentru tranzistoarele din germaniu);
- β = dat (este de ordinul sutelor pentru tranzistoarele din siliciu de joasa
frecventa si mica putere si de ordinul zecilor pentru celelalte tranzistoare).
Este adimensional.
Modelul analitic al tranzistoarelor bipolare complementare (deci pnp) polarizate
in RAD este:
v EB = VEB > 0 iC = β iB v EC ≥ VEC,sat = VEB

Figura A.I.3
Parametrii de model:
- VEB = dat (tipic 0.6 … 0.8 V pentru tranzistoarele din siliciu si 0.2 … 0.4 V
pentru tranzistoarele din germaniu);
- β = dat (este de ordinul sutelor pentru tranzistoarele din siliciu de joasa
frecventa si mica putere si de ordinul zecilor pentru celelalte tranzistoare).
Este adimensional.
20
Determinarea punctului static de functionare presupune calculul a doua marimi
electrice: curent de colector IC si tensiunea VCE. Celelate doua marimi electrice
necesare caracterizarii complete in curent continuu a dispozitivului (un curent si o
tensiune) sunt furnizate chiar de ecuatiile de model.

A.I.2 Modelarea in curent alternativ, la semnal mic, joasa frecventa

Modelarea in curent alternativ, la semnal mic, a dispozitivelor

semiconductoare se face cel mai usor cu ajutorul unui circuit echivalent. Acest
circuit este un circuit liniarizat, obtinut prin liniarizarea caracteristicilor neliniare
ale dispozitivului in jurul punctului static de functionare. Modelul de semnal
mare utilizat va fi indicat pentru fiecare dispozitiv in parte.
In acest paragraf sunt prezentate circuitele echivalente de joasa frecventa,
in care efectele capacitive din dispozitiv se neglijeaza. Completarea circuitului
echivalent cu aceste capacitati astfel incat sa poata fi utilizat si la frecventa inalte
face obiectul paragrafului urmator.

Dioda semiconductoare (D)

In cazul diodelor semiconductoare se poate utiliza modelul de semnal mare
obtinut prin liniarizarea pe portiuni a caracteristicii neliniare. Modelul prezentat
in paragraful precedent este completat in sensul ca regiunea corespunzatoare
diodei deschise nu este o verticala, ci are o panta 1/rd:
i D > 0 v D = VD + i D rd
Efectul termenului nou introdus in ecuatia de mai sus are, in general, un
efect neglijabil in calculul PSF.
Circuitul echivalent este o rezistenta rd (rezistenta interna a jonctiunii). Valoarea
acestei rezistente o putem considera constanta pentru domeniul de lucru al
tensiunilor si curentilor. Pentru cele doua regiuni de polarizare:
- dioda deschisa: rd = dat (ohmi … zeci de ohmi);
- dioda blocata: rd = ∞

Dioda Zener sau stabilizatoare de tensiune (DZ)

Modelul din paragraful precedent este completat intr-un mod similar cu
dioda semiconductoare. Circuitul echivalent este o rezistenta rz (rezistenta interna
a jonctiunii). Valoarea acestei rezistente o putem considera constanta pentru
domeniul de lucru al tensiunilor si curentilor. Pentru cele doua regiuni de
polarizare:
- regiunea de stabilizare: rz = dat (zeci de ohmi);
- regiunea de nestabilizare: rz = ∞

Tranzistorul bipolar (TB)

Modelul de semnal mic pentru RAD este dedus pornind de la modelul
Ebers-Moll corespunzator acestei regiuni de polarizare. Rezultatul este prezentat
in figura A.I.7. Modelul este identic pentru tanzistoarele npn si tranzistoarele pnp.

21
 Figura A.I.7

Parametrii circuitului echivalent, calculati in PSF, sunt dati de:

β V
rbe = rπ = rce = ro ≅ A
g m ≅ 40 I C gm IC

OBSERVATII:
1. Coeficientul de amplificare in curent in conexiune emitor comun in curent continuu
βF si in curent alternativ βo sunt considerati egali: βF = βo = β.
2. Au fost indicate si alte notatii uzuale pentru parametrii circuitului echivalent.
3. Parametrul rce poate fi dat direct ca parametru de dispozitiv. Are o valoare relativ
mare (zeci de kΩ pentru tranzistoarele de mica putere) si poate fi neglijat in calculele
de curent alternativ (rce = ∞).

Exemple de amplificatoare

1. Pentru amplificatorul din figura, tranzistoarele T1,2,3 au parametrii: β = 100, |VBE| =

0,6 V, rce = ro = ∞. Capacitorul CB este de tipul C∞. Se cere:
a) punctul static de functionare al circuitului (PSF);
b) sa se deseneze schema de curent alternativ;
c) amplificarea in tensiune
Vout
AV =
Vin ;
d) Rin, Rout.

22
2. Pentru amplificatorul din figura, tranzistoarele T1,2 au parametrii: β = 100, VBE = 0,6 V, rce = ro = ∞.
Capacitorul CE este de tipul C∞. Sa se calculeze:
a) punctul static de functionare al circuitului (PSF); b) sa se deseneze schema de curent alternativ;
c) amplificarea in tensiune
V
A V = out
Vin ;
d) Rin, Rout.

3.Pentru amplificatorul din figura, tranzistoarele T1,2 au parametrii: β = 100, VBE = 0,6 V, rce = ro = ∞.
Capacitoarele CB, CB sunt de tipul C∞. Sa se calculeze:
a) punctul static de functionare al circuitului (PSF); b) sa se deseneze schema de curent alternativ;
c) amplificarea in tensiune
V
A V = out
Vin ;
d) Rin, Rout.
VCC
+15V
R3 R5
10k 3k
Vout

CB Q2
R2
10k

Q1
Vin

R1 R4 CE
10k 4k

23
4. Pentru amplificatorul din figura, tranzistoarele T1,2 au parametrii: β = 100, VBE = 0,6 V, rce = ro = ∞.
Sa se calculeze:
a) punctul static de functionare al circuitului si valoarea rezistentei R2 daca se cunoaste IC1 = 2,4 mA;
b) amplificarile in tensiune
V V'
A V = out A' V = out
Vin si Vin ;
c) Daca T1 si T2 sunt polarizate in RAD se pot calcula amplificarile de la punctul b) fara a calcula PSF
al circuitului ?

5. Pentru amplificatorul din figura tranzistoarele T1,2 au parametrii: β = 100, VBE = 0,6 V, rce = ro = ∞.
Sa se calculeze:
a) punctul static de functionare al circuitului (PSF); b) sa se deseneze schema de curent alternativ;
c) amplificarea in tensiune
V
A V = out
Vin ;
d) Rin, Rout.

24
6. Pentru amplificatorul din figura, tranzistoarele Q1,2,3 au parametrii: β = 100, |VBE| = 0,6 V,
rce = ro = ∞.
a) punctul static de functionare al circuitului (PSF); b) sa se deseneze schema de curent alternativ;
c) amplificarea in tensiune
V
A V = out
Vin ;
d) Rin, Rout.
+VCC +30V

R5
5k

Vout
R1
10k
+V +10V
Q1
C∞ R6
5k
R2 Q3
10k
Q2
Vin

R3 R4
10k 5k
-VEE
-10V

7. Pentru amplificatorul din figura, tranzistoarele T1,2,3 au parametrii: β = 100, |VBE| = 0,6 V,
rce = ro = ∞. Se cere:
a) punctul static de functionare al circuitului (PSF);
b) sa se deseneze schema de curent alternativ;
V
A V = out
c) amplificarea in tensiune Vin ;
d) Rin, Rout.

25
 +VCC

R5 R1 R3 +10V
80k 2k 5k
Q2 Vout

Vin
Q1
Q3

R2
2k

R6 R4 C∞
20k 1k

8. Pentru amplificatorul din figura, tranzistoarele T1,2,3 au parametrii: β = 100, |VBE| = 0,6 V,
rce = ro = ∞. Diodele sunt identice si au parametrii Vz = 3.6 V si rz = 0. Se cere:
a) punctul static de functionare al circuitului (PSF);
b) sa se deseneze schema de curent alternativ;
V
A V = out
c) amplificarea in tensiune Vin ;
d) Rin, Rout.
+VCC

+12V

R1 R4 R2
840k 5k 5k
Vout

Vin
Q1 Q2

DZ1

R3
5k
Q3

DZ2
R5
1.5k -VEE
-12V

26