Capitolul 3

Cuprins CAPITOLUL 3
STRUCTURA INTERNĂ A AMPLIFICATOARELOR OPERAŢIONALE ..............................52

3.1 Introducere.........................................................................................................................52
3.2 SURSE DE CURENT CONSTANT .................................................................................52
3.2.1 Surse de curent constant realizate cu tranzistoare bipolare .......................................53
3.2.1.1 Configuraţia fundamentală a sursei de curent constant .........................................53
3.2.1.2 Sursa simplă de curent cu două tranzistoare..........................................................54
3.2.1.3 Surse (oglinzi) de curent cu trei tranzistoare .........................................................57
3.2.1.4 Sursa standard de curent ........................................................................................58
3.2.1.5 Sursa de curent Widlar ..........................................................................................60
3.2.1.6 Sursa de curent cascodă.........................................................................................61
3.2.1.7 Surse de curent multiple ........................................................................................62
3.2.1.8 Surse de curent realizate cu TEC-J........................................................................62
3.2.2 Surse de curent constant realizate cu tranzistoare MOS............................................63
3.2.2.1 Sursa simplă de curent...........................................................................................63
3.2.2.2 Sursa de curent cascodă.........................................................................................64
3.2.2.3 Sursa de curent Wilson..........................................................................................64
3.2.3 Polarizarea independentă de sursele de alimentare ...................................................64
3.2.3.1 Circuite de polarizare de referinţă bazate pe tensiunea directă a joncţiunii bază-
emitor 66
3.2.3.2 Circuite de polarizare de referinţă bazate pe tensiunea termică ............................67
3.2.3.3 Circuite de polarizare care utilizează ca referinţă o diodă Zener ..........................67
3.3 SURSE ŞI REFERINŢE DE TENSIUNE .........................................................................69
3.3.1 Surse de tensiune .......................................................................................................69
3.3.2 Referinţe de tensiune .................................................................................................70
3.3.2.1 Referinţe de tensiune cu diode Zener ....................................................................71
3.3.2.2 Referinţe de tipul “bandă interzisă”.......................................................................73
3.4 ETAJE DE AMPLIFICARE DIFERENŢIALE ................................................................76
3.4.1 Configuraţii de bază ale amplificatoarelor diferenţiale .............................................76
3.4.2 Parametrii amplificatoarelor diferenţiale...................................................................77
3.4.3 Caracteristica statică de transfer a AD.......................................................................79
3.4.4 Analiza de semnal mic a etajelor diferenţiale perfect simetrice ................................82
3.4.4.1 Analiza de semnal mic etajelor diferenţiale cu sarcină rezistivă şi ieşire
diferenţială .........................................................................................................................82
3.4.4.2 Analiza de semnal mic a etajelor diferenţiale perfect simetrice şi cu degenerare în
emitor 86
3.4.4.3 Analiza de semnal mic a etajelor diferenţiale perfect simetrice, cu ieşire simplă şi
sarcină rezistivă .................................................................................................................87
3.4.4.4 Amplificatorul parafază.........................................................................................88
3.4.4.5 Amplificatoare diferenţiale cu sarcină activă ........................................................89
3.4.5 Amplificatoare diferenţiale cu asimetrii ....................................................................91
3.4.5.1 Determinarea tensiunii de offset la intrare.............................................................92
3.4.5.2 Variaţia tensiunii de offset cu temperatura (drift) .................................................93
3.4.5.3 Determinarea curentului de offset la intrare ..........................................................94
3.4.6 Răspunsul în frecvenţă al amplificatorului diferenţial ..............................................94
3.4.6.1 Răspunsul în frecvenţă al amplificării de mod diferenţial.....................................95
3.4.6.2 Răspunsul în frecvenţă al amplificării de mod comun ..........................................98
3.4.6.3 Răspunsul în frecvenţă al rejecţiei modului comun...............................................99
3.5 ETAJE DE DEPLASARE A NIVELULUI DE CURENT CONTINUU........................101
3.5.1 Etaje de deplasare a nvelului de curent continuu realizate cu diode .......................101
3.5.1.1 Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diode conectate în
serie 101
3.5.1.2 Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diodă Zener ...........102
3.5.2 Etaje de deplasare a nivelului de curent continuu realizate cu tranzistoare ............102
3.5.2.1 Etaj de deplasare a nivelului de c.c. realizat cu diodă multiplicată .....................103
3.5.2.2 Etaje de deplasare a nivelului de c.c. realizate cu repetor pe emitor ...................104
3.5.2.3 Etaj de deplasare a nivelului de c.c. care utilizează un tranzistor pnp ................105
3.6 ETAJE DE IEŞIRE..........................................................................................................106
3.6.1 Etaje de ieşire clasă A..............................................................................................106
3.6.1.1 Etaje de ieşire clasă A de tipul repetor pe emitor ................................................106
3.6.1.2 Puterea de ieşire şi randamentul amplificatorului în clasă A ..............................109
3.6.1.3 Cerinţe relative la comanda repetorului pe emitor ..............................................115
3.6.2 Etaje de ieşire clasă B..............................................................................................115
3.6.2.1 Etaje de ieşire clasă B realizate cu tranzistoare complementare în conexiunea
colector comun ................................................................................................................115
3.6.2.2 Puterea de ieşire şi randamentul amplificatorului în clasă B...............................117
3.6.2.3 Etaje de ieşire în contratimp clasă B realizate cu tranzistoare compuse .............121
3.6.3 Etaje de ieşire în contratimp clasă AB.....................................................................122
3.6.3.1 Etaje prefinale de comandă a etajelor finale în contratimp clasă AB..................122
3.6.3.2 Analiza etajului prefinal alimentat de la aceeaşi tensiune ca şi cel final.............124
Protecţia la scurtcircuit a tranzistoarelor finale din etajele de ieşire în contratimp.............127
3.7 STRUCTURA INTERNĂ A AMPLIFICATORULUI OPERAŢIONAL µA741 ..........130
52 CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE
Capitolul 3
STRUCTURA INTERNĂ A AMPLIFICATOARELOR OPERAŢIONALE
3.1 Introducere
Amplificatoarele operaţionale ca şi circuitele integrate analogice (CIA), în cadrul cărora
ocupă locul cel mai important, sunt alcătuite prin interconectarea convenabilă a unor etaje
specifice, numite şi fundamentale, astfel încât să se obţină funcţia de circuit dorită.
Spre deosebire de circuitele realizate cu componente discrete, unde fiecare tranzistor
delimitează un etaj, la circuitele monolitice, unde numărul de tranzistoare este mult mai mare
decât la echivalentul cu componente discrete, analiza circuitului se face după etajele specifice,
care conţin, de obicei, mai mult de un tranzistor.
Etajele de bază care intră în alcătuirea circuitelor integrate analogice şi care se pot integra
monolitic sunt următoarele:
• surse de curent constant
• surse şi referinţe de tensiune
• etaje de amplificare diferenţiale
• etaje de deplasare a nivelului de c.c.
• etaje de ieşire (finale).
3.2 SURSE DE CURENT CONSTANT

Sursele de curent constant se realizează cu tranzistoare şi au rolul de a furniza curenţi
independenţi de impedanţa de sarcină şi pe cât posibil de tensiunea de alimentare şi de
temperatură.
In configuraţia CIA, sursele de curent constant îndeplinesc următoarele funcţii:
• de polarizare a altor etaje, de exemplu a celor diferenţiale;
• de sarcini active;
• de reţele de reacţie de mare impedanţă (reţele de reacţie active);
• de deplasare a nivelului de c.c.
Deoarece rezistenţele de valori mari ocupă o parte însemnată din aria cipului de siliciu
(de exemplu pentru o rezistenţă de 1kΩ, în funcţie de rezistenţa pe pătrat a zonei din cipul de
siliciu în care s-a realizat rezistorul, se poate consuma o suprafaţă echivalentă cu cea a două
tranzistoare), sursele de curent din CIA conţin mai multe tranzistoare decât echivalentele lor
realizate cu componente discrete.
In funcţie de tehnologia de fabricare a CI, sursele de curent se pot realiza cu tranzistoare
bipolare sau cu tranzistoare cu efect de câmp de tipul MOS, obţinute prin tehnologiile MOS şi
CMOS.
Principalele surse de curent constant întâlnite în structura CIA şi realizate cu tranzistoare
bipolare sunt:
• sursele de curent cu două tranzistoare, numite şi surse simple de curent sau oglinzi de curent
(dacă cele două tranzistoare au ariile de emitor egale);
• sursele (oglinzile) de curent cu trei tranzistoare;
• sursa standard de curent;
• sursa de curent Widlar;
• sursa de curent cascodă;
• sursa de curent multiplă;
• sursa de curent cu tranzistoare cu efect de câmp (TEC-J).
STRUCTURA INTERNĂ A AMPLIFICATOARELOR OPERAŢIONALE – SURSE DE CURENT CONSTANT 53
In tehnologia MOS de realizare a CI se utilizează în principal:
• sursa simplă de curent cu două tranzistoare;
• sursa de curent Wilson;
• sursa de curent cascodă.
Deoarece aceste surse de curent au rol în polarizarea unor etaje ale CIA iar impedanţele
lor de ieşire intervin în analiza de semnal mic a unor structuri integrate complexe, este foarte
important să se cunoască valoarea de c.c. a curentului generat (Io) şi valoarea impedanţei de ieşire
(Ro). In cele ce urmează se vor analiza structurile de surse enumerate, determinându-se în
principal aceste două mărimi.
3.2.1 Surse de curent constant realizate cu tranzistoare bipolare
3.2.1.1 Configuraţia fundamentală a sursei de curent constant

In studiul surselor de curent constant se poate porni de la o configuraţie generală,
construită cu tranzistor bipolar, utilizată şi în circuitele cu componente discrete (fig.3.1). Dacă se
asigură un potenţial constant, VB, pe baza tranzistorului T, iar acesta lucrează în regiunea activă,
curentul de emitor va fi independent de impedanţa de sarcină ZL.
E − U BE
iE = G (3.1)
rG
+ RE
β +1
şi este determinat de tensiunea constantă de polarizare EG şi de rezistenţa RE.
Fig. 3.1. Configuraţia fundamentală a sursei de

curent constant, realizată cu tranzistor bipolar.
Pentru un tranzistor cu factor de amplificare în curent β>100, se poate neglija curentul de

bază faţă de cel de colector şi asigurând rG/(β +1)<< RE rezultă:
R 1
Uov,max=Uo−,max= L EC= 12=171
,V (3.2)
RL+RE 16
+
Rezistenţa de emitor RE realizează o reacţie negativă cu rol de stabilizare a curentului de emitor.
La creşterea curentului iE, se măreşte căderea de tensiune REiE, micşorându-se UBE care comandă
scăderea injecţiei de curent în colector şi deci revenirea curentului de emitor la valoarea avută
anterior tendinţei de creştere.
Determinarea rezistenţei de ieşire, Ro se face pe schema echivalentă de semnal mic din
fig.3.2, unde sursa de la intrare a fost pasivizată (înlocuită cu rezistenţa sa internă). Expresia
rezistenţei de ieşire a sursei de curent este:
Fig. 3.2. Schema echivalentă de semnal mic

folosită pentru determinarea rezistenţei de ieşire
a sursei de curent din fig. 3.1.
ux β RE
Ro = = ro (1 + ) + RE ( rG + rb + rπ ) (3.3)
ix RE + rG + rb + rπ
Rezistenţa de ieşire este puternic dependentă de RE şi subliniază rolul ei determinant în
stabilizarea curentului.
Expresia rezistenţei de ieşire indică posibilitatea obţinerii unor valori de ordinul MΩ-ilor,
utilizând tranzistoare integrate care au r0 de sute de kΩ, rb-sute de Ω, rπ-zeci de kΩ, β-sute şi RE-
unităţi de kΩ.
Dependenţa pronunţată de temperatură (-2mV/°C) a tensiunii UBE a tranzistorului T
(fig.3.1) se compensează asigurând o variaţie similară pentru tensiunea de polarizare VB a bazei
tranzistorului din sursa de curent. In acest scop circuitul de polarizare (rG, EG) va cuprinde pe
lângă sursa de alimentare EC, obligatoriu stabilizată pentru a se obţine în final un curent constant,
o diodă realizată dintr-un tranzistor (T1 pe fig.3.3), circuitul având aspectul din fig.3.3.
Fig. 3.3. Circuitul din fig. 3.1, modificat pentru a asigura

compensarea variaţiei cu temperatura a tensiunii
bază-emitor a tranzistorului T.
3.2.1.2 Sursa simplă de curent cu două tranzistoare

Sursa simpla de curent cu două tranzistoare este un circuit propriu structurii integrate şi
reprezintă un generator de curent comandat în curent, cu aspectul din fig.3.4.
Fig. 3.4. Schema sursei simple de curent, realizată cu două

tranzistoare (oglinda de curent cu două tranzistoare).
Intre curentul comandat Io şi cel de comandă Iref există o relaţie ce se poate determina mai
uşor dacă se presupune că cei doi curenţi de bază sunt egali între ei şi egali, convenţional, cu
unitatea. Considerând şi cele două tranzistoare identice, lucru posibil prin integrare, rezultă
β1=β2=β. Cu aceste consideraţii raportul Io/Iref devine:
R (3.4)
U2 = 2 (U1−UBE)
R1+R2
Dacă β≥100 atunci raportul Io/Iref este aproximativ egal cu unitatea, adică Io ≈Iref şi se poate spune
că Io este "imaginea" curentului Iref. De aici provine denumirea de "oglindă de curent" dată
acestui tip de sursă de curent. Decalajul dintre curentul de referinţă şi cel de ieşire se calculează
ca o eroare relativă, aplicându-se formula:
Io I
( ) real − ( o ) ideal
I I ref
ε β = ref ⋅ 100 [%] (3.5)
Io
( ) ideal
I ref
unde raportul (Io/Iref)real este dat de relaţia (3.4), iar (Io/Iref)ideal=1.
Dacă β este mic, de exemplu în cazul surselor de curent realizate cu tranzistoare pnp,
atunci decalajul dintre cei doi curenţi poate deveni inacceptabil de mare. Rezolvarea acestui
inconvenient o aduc sursele de curent cu trei tranzistoare.
Exemplul 3.1. Să se determine decalajul dintre curentul de referinţă şi cel de ieşire, dacă
factorul de amplificare în curent al tranzistoarelor este: a) 100 şi b) 25.
Rezolvare: Raportul (Io/Iref)ideal=1 pentru ambele valori ale lui β, (Io/Iref)real se calculează
cu relaţia (3.4) iar decalajul dintre curenţi cu relaţia (3.5). Rezultatele s-au trecut în tabelul
următor.
β (Io/Iref)ideal (Io/Iref)real εβ [%]
100 1 0,98 2
25 1 0,926 7,4
Practic, pentru a calcula curentul de ieşire Io, mai întâi se determină curentul de referinţă
Iref, aplicând teorema a II-a lui Kirchhoff pe ochiul format din +EC, R şi joncţiunea bază-emitor a
tranzistorului T1. Rezultă:
E − U BE
I ref = C (3.6)
R
Deoarece Io≈Iref iar Iref este o funcţie de tensiunea de alimentare EC, dacă se presupune că
tensiunea UBE este constantă sau se adoptă, în modelare, valoarea medie UBE=0,65V, se observă
că valoarea curentului Io depinde de valoarea tensiunii sursei de polarizare a referinţei, EC. Din
acest motiv, o soluţie adoptată de fabricanţii de CIA constă în alimentarea tuturor surselor de
curent (şi anume a referinţei) de la surse de tensiune stabilizate intern. Dezavantajul metodei
constă în limitarea valorii minime a tensiunii de alimentare a respectivului CI la 8÷10V, dacă la
obţinerea tensiunii stabilizate se utilizează o diodă Zener, de tipul celei descrise în capitolul 1 (o
joncţiune bază-emitor polarizată invers).
Pentru determinarea rezistenţei de ieşire a sursei simple de curent din fig.3.4, se
determină mai întâi rezistenţa introdusă în circuit de tranzistorul T1 conectat ca diodă (rezistenţa
de ieşire a tranzistorului T1). Pentru schema echivalentă de semnal mic din fig.3.5, a se poate
scrie:
−
o,m=〈−−
UR L3IE UR
(CCE 2I)
(3.7)
ax 2,sat
unde ux este tensiunea electromotoare (t.e.m.) a unei surse de semnal, conectată la ieşirea
circuitului, care determină un curent ix egal cu cel care apare la funcţionarea normală a circuitului
a cărui rezistenţă de ieşire se calculează.
a) b)
Fig. 3.5. (a) Schema echivalentă de semnal mic pentru tranzistorul T1, conectat ca diodă.
(b) Schema echivalentă de semnal mic pentru sursa din fig. 3.4.
ux u
Dar i x = + gm1u1 + 1 şi deoarece u1=ux rezultă că rezistenţa de ieşire a tranzistorului
ro1 rπ1
T1, conectat ca diodă este:
1
Ro 1 = (3.8)
1 1
gm 1 + +
rπ 1 ro 1
In general pentru tranzistoarele integrate 1/rπ1<<gm1 şi 1/ro1<<gm1, astfel că tranzistorul T1,
conectat ca diodă, contează în circuitul echivalent de semnal mic doar cu impedanţa 1/gm1.
Aplicând aceeaşi metodă ca mai sus pentru circuitul echivalent de semnal mic din
fig.3.5,b sau înlocuind în relaţia (3.3) rG=0 şi RE=0, se obţine valoarea rezistenţei de ieşire a
sursei simple de curent:
U
Ro = ro = A (3.9)
Io
unde UA este tensiunea Early.
Rezistenţa de ieşire (relaţia (3.9)) s-a determinat considerând rezistenţa de ieşire a
tranzistorului T2 finită, adică în condiţiile modulării grosimii bazei în funcţie de tensiunea
colector-emitor (efectul Early), pentru UBE=const. Ţinând seama de efectul Early, expresia
curentului de colector se scrie:
U U
I C = I S (1 + CE ) exp( BE ) (3.10)
UA UT
astfel că raportul curenţilor prin cele două tranzistoare nu mai este egal cu unitatea ci va fi:
U U
1 + CE 2 1 + CE 2
IC 2 UA UA
= = (3.11)
I C 1 1 U CE 1 U BE
+ 1+
UA UA
Exemplul 3.2. Să se determine cu cât diferă raportul curenţilor de colector a
tranzistoarelor dintr-o sursă simplă de curent dacă se ţine seama de efectul Early faţă de valoarea
aceluiaşi raport calculat în condiţiile neglijării rezistenţei de ieşire a tranzistoarelor. Se presupune
că UA=100V, UCE2=30V şi UCE1=UBE=0,6V.
Rezolvare: Inlocuind valorile date în relaţia (3.11) rezultă:
U
1 + CE 2 1 + 30
IC 2 UA 100 = 1, 29
= =
I C 1 1 U BE 0, 6
+ 1+
UA 100
adică pentru un circuit care lucrează cu o alimentare de 30V, curenţii prin tranzistoarele sursei
pot să difere cu 29% faţă de valorile calculate în condiţiile neglijării rezistenţei de ieşire a
tranzistoarelor.
Stabilitatea termică a sursei de curent se exprimă prin coeficientul KT şi se determină
calculând derivata curentului Io în raport cu temperatura. Dacă se presupune că numai tensiunea
UBE este dependentă de temperatură, se obţine:
δI δ EC − U BE 1 δ U BE
KT = o = ( )=− ⋅ (3.12)
δT δT R R δT
unde δUBE/δT ≈ -2mV/°C.
Pentru R de ordinul kΩ sau zeci de kΩ coeficientul de temperatură este foarte mic dar
pozitiv şi reprezintă µV/°C sau zecimi de µV/°C.
Sursa simplă de curent poate fi realizată şi cu tranzistoare neidentice, la care ariile de
emitor nu sunt egale (A1≠A2). Deoarece curentul de saturaţie a tranzistoarelor depinde direct
proporţional de aria de emitor şi IC=IS exp(UBE/UT), în cazul neglijării curentului de bază în
raport cu cel de colector rezultă:
Io I A
≅ C2 = 2 (3.13)
I ref I C1 A1
Relaţia (3.13) arată că dacă se modifică raportul A2/A1, dintr-o valoare fixată a curentului
de referinţă, se poate obţine orice valoare se doreşte a curentului de ieşire. Practic raportul A2/A1
se limitează la valoarea 1/5 pentru a nu se realiza un consum mare din aria de siliciu. Din această
cauză, cu ajutorul sursei simple de curent nu se pot obţine valori de curent oricât de mici, aspect
întâlnit frecvent la CIA de precizie. Realizarea unor curenţi mici (de ordinul µA), fără consum
excesiv din aria de siliciu, se realizează cu sursa Widlar.
Din cele prezentate rezultă că sursele de erori la calculul curentului de ieşire Io a unei
surse simple de curent sunt:
• neglijarea rezistenţei de ieşire a tranzistorului T2;
• valoarea factorului de câştig în curent β.
3.2.1.3 Surse (oglinzi) de curent cu trei tranzistoare

Aceste oglinzi de curent elimină sursa de eroare cauzată de valoarea factorului de curent
β şi îmbunătăţesc echilibrul între cei doi curenţi, cel de ieşire şi cel de referinţă. Datorită acestor
surse se reduce decalajul dintre cei doi curenţi şi pentru valori ale lui β mai mici decât 100.
O schemă posibilă de sursă de curent cu trei tranzistoare este cea din fig.3.6,a. Dacă se
notează convenţional IB1=IB2=1, rezultă:
Io β 1
= = (3.14)
I ref β 2 2
+ 1+ 2
β +1 β +β
O altă schemă utilizată este sursa Wilson (fig.3.6,b), la care printr-un calcul asemănător,
considerând IB1=IB3=1 rezultă:
β+2
β
Io β +1 1
= = (3.15)
I ref β β + 2 1 2
+ + 2
β +1 β + 2β
Relaţiile de mai sus evidenţiază faptul că efectul de "oglindire" este mai bun decât la sursa
simplă de curent cu două tranzistoare din cauza prezenţei lui β2.
Un avantaj suplimentar al sursei Wilson constă în creşterea rezistenţei de ieşire, în
comparaţie cu celelalte două surse descrise anterior. Cauza o constituie reacţia negativă introdusă
de tranzistorul T3. Se poate demonstra că valoarea rezistenţei de ieşire a sursei Wilson este:
r
Ro ≈ β o 2 (3.16)
2
a) b)
Fig. 3.6. Surse (oglinzi) de curent realizate cu trei tranzistoare.

(b) Sursa WILSON.
Exemplul 3.3. Să se determine decalajul dintre curentul de ieşire şi cel de referinţă pentru
cele două oglinzi de curent cu trei tranzistoare din fig. 3.6, dacă β=25.
Rezolvare: Inlocuind valoarea dată a factorului de curent în relaţia (3.14) se obţine:
Io 1 1
= = = 0, 997
I ref 1 2 2
+ 2 1+ 2
β +β 25 + 25
decalajul dintre curenţi fiind de 0,3%.
Similar, înlocuind valoarea lui β în relaţia (3.15) se obţine:
Io 1 1
= = = 0, 997
I ref 1 2 2
+ 2 1+ 2
β + 2β 25 + 50
decalajul dintre curenţi fiind tot de 0,3%.
Se observă că acest decalaj de 0,3% este mult mai mic decât cel obţinut în exemplul 3.1,
pentru aceeaşi valoare a factorului de curent.
3.2.1.4 Sursa standard de curent

Sursa standard de curent se obţine din sursa simplă de curent prin conectarea unor
rezistoare în serie cu emitoarele celor două tranzistoare (fig.3.7). Din cele prezentate până în
prezent se poate intui că din cauza reacţiei negative introduse de rezistorul R2, sursa standard
permite obţinerea unei rezistenţe de ieşire mai mari decât oglinda de curent cu două tranzistoare.
Fig. 3.7. Sursa standard de curent constant,

realizată cu tranzistoare bipolare.
Pentru a determina raportul Io/Iref se aplică teorema a II-a lui Kirchhoff pe ochiul format
din joncţiunile bază-emitor ale celor două tranzistoare şi cele două rezistoare din emitoarele
tranzistoarelor.
Se fac următoarele presupuneri simplificatoare:
• se consideră că factorul de amplificare în curent, β, este suficient de mare pentru a neglija
curenţii de bază în raport cu cei de colector;
• se presupune că valoarea curentului de colector nu depinde de tensiunea colector-emitor.
Rezultă:
U BE 1 + R1 I ref = U BE 2 + R2 I o (3.17)
dar
U BE 1
I ref ≈ I C 1 = I S 1 exp( ),
UT
(3.18)
U
Io ≈ IC 2 = I S 2 exp( BE 2 )
UT
de unde
I ref
U BE 1 = U T ln( ),
IS 1
(3.19)
I
U BE 2 = U T ln( o )
IS 2
astfel că
I ref I S 2
U BE 1 − U BE 2 = R2 I o − R1 I ref = U T ln( ) (3.20)
Io I S 1
Relatia (3.20) se mai poate scrie sub forma:
Io R UT I ref I S 2
= 1+ ln( ) (3.21)
I ref R2 R2 I ref Io IS 1
Dacă se consideră cele două tranzistoare identice, ceea ce implică IS1=IS2, se obţine relaţia:
Io R UT I ref
= 1+ ln( ) (3.22)
I ref R2 R2 I ref Io
care se poate folosi în probleme la un calcul iterativ.
Numărătorul termenului al doilea din dreapta egalităţii (3.22) reprezintă diferenţa celor
două tensiuni bază-emitor. Această diferenţă este mult mai mică decât căderea de tensiune R2Iref,
astfel încât, chiar pentru rapoarte ale celor doi curenţi de ordinul 100, acest termen se poate
neglija. Relaţia, utilă şi în dimensionare, devine astfel:
Io R
= 1 (3.23)
I ref R2
şi pune în evidenţă faptul că raportul curenţilor se poate ajusta din valorile rezistenţelor din
emitoarele celor două tranzistoare şi, spre deosebire de sursa simplă, se pot obţine rapoarte mai
mari decât 5.
Curentul de referinţă se calculează cu relaţia:
E − U BE
I ref = C (3.24)
R + R1
şi astfel expresia curentului de ieşire devine:
R1
Io = ( EC − U BE ) (3.25)
R2 ( R + R1 )
Rezistenta de ieşire este dată de relaţia (3.3), în care RE=R2 şi rG=R||(R1+1/gm1) sau se
poate calcula pentru circuitul echivalent de semnal mic din fig.3.8.
Fig. 3.8. Schema echivalentă de semnal mic a

sursei standard de curent din fig. 3.7.
Se porneşte de la relaţia generală de determinare a rezistenţei de ieşire (Ro=ux/ix), se scriu

ecuaţii în care intervin, ca necunoscute, curenţii iB şi iro şi rezolvând sistemul de ecuaţii obţinut,
se găseşte pentru Ro expresia:
β R2
Ro = ro 2 (1 + ) + R2 ( rx + rπ 2 + R ') (3.26)
R2 + rx + rπ 2 + R '
1
unde R ' = R ( R1 + ).
gm 1
Se observă că dacă R1=R2, atunci Io=Iref şi se obţine o oglindă de curent, cu avantajul că
prezenţa rezistorului R2 măreşte valoarea rezistenţei de ieşire a acestei oglinzi de curent.
3.2.1.5 Sursa de curent Widlar

Sursa de curent Widlar se foloseşte pentru obţinerea unor curenţi de polarizare mici, de
ordinul µA, fără un consum excesiv din aria de siliciu pentru rezistenţa totală din circuit.
De exemplu, în CIA de precizie este necesar de multe ori să se obţină curenţi de
polarizare de ordinul 1µA. Ţinând cont că tensiunile de alimentare uzuale sunt de 10÷20V şi că
valorile economice ale curentului de referinţă nu pot coborî mult sub 1mA, rezultă că în cazul
unei surse standard raportul R2/R1 ar trebui să fie de ordinul sutelor sau miilor. Realizarea unui
astfel de raport este neeconomică deoarece rezultă valori prea mari pentru R2.
Exemplul 3.4. Să presupunem că se cere un curent de polarizare Io=10µA, obţinut cu
ajutorul unei surse standard (fig. 3.7), circuitul fiind alimentat cu tensiunea EC=10V. Rezistenţa
R se adoptă astfel ca Iref să aibă valoarea de 1mA. Să se determine valoarea rezistenţei R2, dacă
R1=5kΩ.
Rezolvare: Inlocuind valorile cunoscute ale curenţilor şi rezistenţei R1 în relaţia (3.23),
rezultă:
10 −3 × 5 × 103
I ref R1
R2 = = = 500 kΩ
Io 10 × 10−6
valoare neeconomică pentru structurile integrate.
Pentru a micşora valoarea rezistenţei R2, se elimină din circuit rezistorului R1 (se
înlocuieşte cu un scurtcircuit). Circuitul care rezultă se numeşte sursa Widlar şi are schema din
fig.3.9.
Fig. 3.9. Sursa WIDLAR de curent constant,

realizată cu tranzistoare bipolare.
Pentru a determina curentul de ieşire Io, se procedează asemănător ca la sursa standard. Se

pot scrie relaţiile:
U BE 1 − U BE 2 = R2 I o (3.27)
U
I ref ≅ I C1 = I S1 exp( BE 1 ) (3.28)
UT
U
I o = I C 2 = I S 2 exp( BE 2 ) (3.29)
UT
Dacă din relaţiile (3.28) şi (3.29) se exprimă tensiunile bază-emitor şi se înlocuiesc în (3.27),
rezultă:
I ref I S 2
R2 I o = U T ln( ) (3.30)
I o I S1
Presupunând că tranzistoarele T1 şi T2 sunt identice, atunci IS1=IS2 şi expresia curentului de ieşire
se scrie:
U I ref
I o = T ln( ) (3.31)
R2 Io
dar
EC − U BE EC
I ref = ≅ (3.32)
R R
dacă se neglijează căderea de tensiune pe joncţiunea bază-emitor în raport cu tensiunea de
alimentare.
Rezultă pentru curentul de ieşire expresia:
U E
I o = T ln( C ) (3.33)
R2 RI o
Stabilitatea termică este foarte bună iar rezistenţa de ieşire este mare datorită reacţiei
negative introduse de R2.
Exemplul 3.5. Reluând exemplul 3.4 pentru o sursă Widlar, considerând Iref=1mA,
EC=10V şi Io=10µA, să se determine valoarea necesară a rezistenţei R2.
Rezolvare: Valoarea rezistenţei R2 se determină din relaţia (3.31):
UT I ref 0, 026 10 −3
R2 = ln( )= ln( ) = 1, 2 k Ω
Io Io 10 × 10−6 10 × 10 −6
Rezistenţa cu valoarea obţinută se poate integra monolitic.
Circuitul echivalent de semnal mic folosit pentru determinarea rezistenţei de ieşire se
prezintă în fig.3.10.
Fig. 3.10. Circuitul echivalent de smnal mic

al sursei WIDLAR.
Procedând asemănător ca la sursa standard, rezultă:

β R2
Ro = ro 2 (1 + ) + R2 ( rx + rπ 2 + R ') (3.34)
R2 + rx + rπ 2 + R '
1
unde R ' = R ( ).
gm1
In practică pot apare următoarele situaţii:
a) se cunosc Iref şi R2; atunci Io este soluţia unei ecuaţii transcendente. Pentru rezolvare se
poate aplica o metodă iterativă. La primul pas se adoptă pentru raportul Iref/Io o valoare egală, de
exemplu, cu 10, se calculează tensiunile R2Io şi UTln(Iref/Io) şi se compară între ele. Raportul Iref/Io
se modifică până când diferenţa dintre cele două tensiuni devine mai mică decât o valoare
impusă, de exemplu 0,1mV. Cunoscând Iref, din ultimul raport Iref/Io se poate calcula valoarea
curentului de ieşire, Io.
b) se cunosc Iref şi Io; situaţia se întâlneşte în proiectarea unei surse Widlar, când se cere
să se dimensioneze rezistoarele din circuit.
3.2.1.6 Sursa de curent cascodă

Sursa de curent cascodă constituie, pe lângă sursa standard şi sursa Widlar, o altă
abordare pentru a se obţine o rezistenţă de ieşire mare. In cazul sursei standard, de exemplu, o
valoare mare a rezistorului R2 determină o valoare mare a rezistenţei de ieşire. Pentru a se evita
utilizarea de valori neeconomice pentru R2, rezistorul menţionat se înlocuieşte cu o sursă simplă
de curent. Aceasta, la o arie ocupată mai mică, poate oferi o valoare de rezistenţă (dinamică) mult
mai mare.
Schema circuitului se prezintă în fig.3.11.
Se poate demonstra că rezistenta de ieşire este dată de relaţia:
Ro = β ro2 (3.35)
Sursa de curent cascodă se utilizează atunci când se cere o foarte bună stabilizare a curentului la
variaţiile sarcinii.
Fig. 3.11. Sursa de curent cascodă, realzată cu

tranzistoare bipolare.
3.2.1.7 Surse de curent multiple

Sursele de curent multiple folosesc o singură referinţă şi mai multe ramuri de ieşire.
Sursele multiple se pot realiza cu tranzistoare npn (fig.3.12,a) sau pnp (fig.3.12,b).
Pentru reducerea ariei totale ocupate, ca circuite oglindă de curent, în CIA se utilizează
frecvent tranzistoare pnp multicolector (tranzistoare pnp laterale), conectate ca în fig.3.12,c.
a) b) c)
Fig. 3.12. Surse de curent multiple realizate: (a) cu tranzistoare npn;
(b) cu tranzistoare pnp; (c) cu tranzistor pnp multicolector.
3.2.1.8 Surse de curent realizate cu TEC-J

Sursele de curent realizate cu tranzistoare cu efect de câmp cu grilă joncţiune (TEC-J)
sunt surse concepute pentru curenţi mici de polarizare, de ordinul microamperilor.
Aceste surse înlătură un dezavantaj al sursei simple de curent sau al sursei Widlar care
constă în aceea că rezistorul R, de fixare a curentului de referinţă, este practic legat în paralel cu
sursa de alimentare EC dacă UBE se neglijează în raport cu EC. Dacă se doreşte putere disipată
mică, atunci rezistenţa R trebuie să fie de valoare mare, ceea ce este o soluţie costisitoare (arie
mare de siliciu). Se poate evita această situaţie prin folosirea în loc de rezistorul R a unui TEC-J
cu canal n. Rezultă schema din fig.3.13,a.
Metoda prezintă următoarele avantaje:
• în locul unei arii mari de siliciu, ocupată de rezistorul R, acum suprafaţa consumată este
echivalentă cu cea a unui singur tranzistor npn;
• TEC-J lucrează în regiunea de saturaţie (pentru UDS>UP, UP fiind tensiunea de prag) astfel că
Iref practic nu depinde de UDS şi deci de tensiunea de alimentare EC, deoarece
EC=UDS+UBE≈UDS.
O altă soluţie convenabilă pentru obţinerea unor curenţi de polarizare mici, de valoare
bine determinată şi reproductibilă, independentă de tensiunile de alimentare, de temperatură şi
insensibilă la variaţiile datorate procesului tehnologic, o constituie utilizarea unui TEC-J cu canal
p, obţinut prin implantare ionică (fig.3.13,b). Prin introducerea rezistorului R se reduce
sensibilitatea curentului IDSS faţă de variaţiile de proces şi de temperatură.
Fig. 3.13. Surse de curent realizate cu

tranzistoare cu efect de câmp cu grilă joncţiune.
(a) Sursă cu TEC-J cu canal n.
(b) Sursă cu TEC-J cu canal p.
3.2.2 Surse de curent constant realizate cu tranzistoare MOS
3.2.2.1 Sursa simplă de curent

Versiunea MOS a sursei simple de curent (fig.3.14) este alcătuită din două tranzistoare n-
MOS. Tranzistorul M1, conectat ca diodă, generează tensiunea de polarizare UGS1, stabilită de Iref.
Dacă se neglijează valoarea finită a rezistenţei de ieşire, curentul de ieşire este:
I D2 = I D1 = I ref (3.36)
deoarece UGS1=UGS2 şi ambele tranzistoare sunt în regiunea activă directă.
Fig. 3.14. Sursa simplă de curent, Fig. 3.15. Caracteristica de ieşire

realizată cu tranzistoare MOS. a tranzistorului M2.
Tranzistorul M2 are, de fapt, rezistenţă de ieşire finită şi caracteristica de ieşire ID=f(UDS)

cu aspectul din fig.3.15, forma caracteristicii fiind asemănătoare cu cea a unui tranzistor bipolar.
In ambele cazuri rezistenţa de ieşire, ro este invers proporţională cu curentul de polarizare.
Deoarece tranzistoarele MOS nu se comandă în curent ci în tensiune, este important de observat
că în cazul sursei realizată cu tranzistoare MOS, nu există eroare din cauza curentului de bază (ca
la varianta cu tranzistoare bipolare) şi se poate genera un număr arbitrar de mare de curenţi de
ieşire, prin legarea mai multor dispozitive în paralel cu M2. De asemenea, tot din aceeaşi cauză
nu este nevoie de un al treilea tranzistor ca la sursele cu tranzistoare bipolare (unde astfel se
compensa valoarea mică a factorului de curent β).
O diferenţă majoră faţă de sursele realizate cu tranzistoare bipolare constă în aceea că
rezistenţa de ieşire a tranzistorului MOS, pentru un curent ID dat, se poate mări prin creşterea
lungimii canalului.
De asemenea este important de reţinut că valoarea dorită a rezistenţei de ieşire se obţine
pentru o tensiune drenă-sursă cel puţin egală cu UDS,sat. La sursele cu tranzistoare bipolare,
tensiunea minimă de ieşire este UCE,sat, care tipic este mai mică decât UDS,sat. Acest lucru trebuie
avut în vedere atunci când se impun valori mici ale tensiunii de alimentare pentru CIA realizate
cu tranzistoare MOS.
3.2.2.2 Sursa de curent cascodă

La sursele cascodă realizate cu tranzistoare bipolare, din cauza curenţilor de bază ale
tranzistoarelor cascodei, nu se poate obţine o rezistenţă de ieşire mai mare decât βro/2. In
contrast, deoarece câştigul în curent al tranzistorului MOS este infinit, cu ajutorul cascodei MOS
se pot obţine rezistenţe de ieşire arbitrar de mari prin adăugarea de noi etaje cascodei.
Un exemplu de astfel de sursă se prezintă în fig.3.16.
Fig. 3.16. Sursa de curent cascodă, Fig. 3.17. Surse WILSON: (a) cu neîmperecherea
realizată cu tranzistoare MOS. curenţilor de drenă; (b) cu tranzistor suplimentar.
3.2.2.3 Sursa de curent Wilson

Varianta cu tranzistoare MOS a sursei Wilson se prezintă în fig.3.17,a. Modul de lucru al
circuitului este, în esenţă, identic cu cel al variantei de sursă realizată cu tranzistoare bipolare
dacă se consideră că factorul de amplificare în curent este infinit.
Dacă se presupune că sursa de curent de referinţă nu determină efect de încărcare rezistiv,
atunci rezistenţa de ieşire a sursei Wilson se poate scrie:
Ro ≈ ( 2 + gm1ro 3 ) ro1 (3.37)
Sursa Wilson din fig.3.17,a lucrează astfel încât valorile de c.c. ale tensiunilor drenă-
sursă ale tranzistoarelor M3 şi M2 sunt diferite şi anume UDS(M3)>UDS(M2). Pentru tensiuni de
prag mari, din cauza rezistenţelor de ieşire finite ale tranzistoarelor, apar neîmperecheri ale
curenţilor de drenă. Dezavantajul se elimină prin adăugarea unui tranzistor suplimentar M4,
conectat ca diodă (fig.3.17,b).
3.2.3 Polarizarea independentă de sursele de alimentare

Pentru sursa simplă de curent, sursa standard, oglinzile de curent cu trei tranzistoare,
sursa cascodă şi sursele multiple de tipul “oglinzi de curent”, valoarea curentului de ieşire este
proporţională cu tensiunea de alimentare. Atunci când aceste surse se utilizează ca surse de
polarizare, acest fapt constituie un dezavantaj. De exemplu, dacă sursa simplă de curent ar fi
utilizată într-un amplificator operaţional care trebuie să funcţioneze cu tensiuni de alimentare
care variază de la 10V la 30V, curentul de polarizare se va modifica într-un raport de 3:1 iar
puterea disipată într-un raport de 9:1.
Acest aspect al funcţionării ca circuit de polarizare se poate caracteriza prin variaţia
relativă a curentului de polarizare care rezultă pentru o variaţie relativă dată a tensiunii de
alimentare.
Pentru sursele enumerate mai sus acest factor de merit este unitar. Sursa de curent Widlar
este ceva mai bună în ceea ce priveşte sensibilitatea faţă de sursa de alimentare. Prezenţa
rezistenţei din emitor determină o dependenţă aproximativ logaritmică a curentului de ieşire în
funcţie de tensiunea de alimentare.
Pentru descrierea variaţiei curentului de ieşire în funcţie de tensiunea de alimentare, se
utilizează sensibilitatea, S, care reprezintă variaţia relativă a curentului de ieşire raportată la
variaţia relativă a tensuinii sursei de alimentare. Pentru variaţii mici ale mărimilor care intervin,
se poate scrie:
∆I o
Io I E ∆I E δI
S EC = ∆Eo C = I oC ⋅ ∆EoC = I oC ⋅ δ EoC (3.38)
EC
Astfel sensibilitatea pentru sursa simplă de curent este:
Io E δ E −U E 1
S EC = I oC ⋅ δ EC ( C R BE ) ≅ I oC ⋅ R = 1 (3.39)
deoarece Io≈Iref iar IrefR≈EC.

In cazul sursei Widlar, curentul de ieşire Io, este dat în mod implicit de expresia:
I ref
I o R2 = U T ln( ) (3.40)
Io
Pentru determinarea sensibilităţii curentului Io faţă de tensiunea sursei de alimentare, se
diferenţiază relaţia (3.40) în raport cu EC şi rezultă:
δ Io δ I ref I 1 δ I ref I ref δ I o
R2 = UT [ln( )] = U T o ( ⋅ − ⋅ ) (3.41)
δ EC δ EC Io I ref I o δ EC I o 2 δ EC
Rezolvând această ecuaţie pentru δIo/δEC, se obţine:
EC δ I ref
I ref
Io EC δ I o I ref δ EC S E
S EC = I o δ EC = R2 I o = R2C I o (3.42)
1+ 1+
UT UT
Dacă tensiunea EC este mult mai mare decât o cădere de tensiune directă de diodă, atunci
Iref≈EC/R şi sensibilitatea lui Iref faţă de EC este aproximativ egală cu unitatea.
Exemplul 3.6. Se consideră o sursă Widlar la care Iref=1mA, Io=5µA şi R2=27,5kΩ. Să se
determine sensibilitatea curentului de ieşire faţă de variaţiile sursei de alimentare.
Rezolvare: aplicând relaţia (3.42) şi observaţia că sensibilitatea curentului de referinţă
faţă de variaţia sursei de alimentare este aproximativ egală cu unitatea rezultă:
I ref
Io S EC 1
SEC
=
R2 I o
≈
27 , 5k × 5µA
= 0, 16
1+ 1+
UT 26mV
adică o variaţie de 10% a tensiunii de alimentare determină o variaţie de numai 1,6% a curentului
de ieşire Io.
Pentru multe tipuri de CIA acest nivel de independenţă faţă de sursa de alimentare nu este
adecvat. O independenţă mult mai marcată se poate obţine determinând curenţii din circuit să fie
dependenţi de o tensiune standard şi nu de tensiunea de alimentare. Tensiunile standard
utilizabile sunt: tensiunea bază-emitor a unui tranzistor, UBE, tensiunea termică UT şi
tensiunea de străpungere a unei joncţiuni bază-emitor polarizată invers (tensiunea Zener).
Fiecare din ele se poate utiliza pentru a realiza o independenţă faţă de tensiunea de alimentare.
Primele două au dezavantajul că tensiunea de referinţă este dependentă de temperatură: UBE are
un coeficient de temperatură negativ iar tensiunea termică unul pozitiv. Utilizarea diodei Zener
are dezavantajul că este necesară o tensiune de alimentare de cel puţin 7...8V, deoarece
tehnologia circuitelor integrate standard produce tranzistoare npn cu o tensiune de străpungere
bază-emitor de aproximativ 6V; mai mult, joncţiunile pn care lucrează în condiţii de străpungere
produc un zgomot de tensiune important.
3.2.3.1 Circuite de polarizare de referinţă bazate pe tensiunea directă a

joncţiunii bază-emitor
In forma sa cea mai simplă circuitul este prezentat în fig.3.18,a. Acest circuit se poate
asimila unei surse Wilson în care tranzistorul conectat ca diodă a fost înlocuit cu un rezistor.
Curentul de referinţă este forţat să curgă prin T1; ca urmare tranzistorul T2 trebuie să furnizeze
suficient curent prin R2. Tensiunea bază-emitor a tranzistorului T1 va fi o funcţie de Iref,
UBE=f(Iref). Dacă neglijăm curenţii de bază, curentul Io va fi egal cu curentul de emitor al
tranzistorului T2, dat de curentul care curge prin rezistorul R2. Deoarece căderea de tensiune pe
R2 este egală cu o tensiune UBE, curentul de ieşire este proporţional cu această tensiune bază-
emitor. Neglijând curenţii de bază se obţine:
U U I ref
I o = BE 1 = T ln( ) (3.43)
R2 R2 I S1
Circuitul din fig.3.18,a nu este însă complet independent de alimentare (tensiunea bază-
emitor a tranzistorului T1 se modifică uşor în funcţie de tensiunea sursei de alimentare), deoarece
curentul de colector a tranzistorului T1 este proporţional cu EC.
Independenţa faţă de sursa de alimentare se poate mult îmbunătăţi prin utilizarea tehnicii
de polarizare bootstrap, denumită şi autopolarizare (fig.3.18,b). In acest caz curentul de referinţă
nu se mai obţine prin conectarea unui rezistor la sursa de alimentare, ci este făcut să depindă
direct chiar de curentul de ieşire al sursei de curent.
Fig. 3.18. Polarizarea independentă de

alimentare, utilizând ca referinţă tensiunea UBE.
(a) independenţă parţială.
(b) circuit cu autopolarizare.
Presupunând că bucla de reacţie, care se formează prin această conectare, are un punct de
funcţionare stabil, curenţii din circuit vor fi mai puţin dependenţi de tensiunea sursei de
alimentare în comparaţie cu varianta de polarizare rezistivă. Rezultă:
U I ref
I C 2 = T ln( ) (3.44)
R I S1
Sursa simplă, realizată cu tranzistoarele de arii egale T4 şi T5, impune egalitatea Iref=IC2.
Neglijând curenţii de bază şi efectul Early, se pot scrie relaţiile:
U I ref
U BE 3 = RI C 2 = R T ln( ) = U BE 1 (3.45)
R I S1
dar UBE3 se mai poate scrie
I
U BE 3 = U T ln( o ) (3.46)
IS3
şi dacă tranzistoarele T1 şi T3 au arii egale, atunci se va realiza egalitatea:
I o = I C 2 = I ref (3.47)
3.2.3.2 Circuite de polarizare de referinţă bazate pe tensiunea termică
Pentru sursa Widlar căderea de tensiune pe rezistenţa R2 este:
I I
U x = I c2 R2 = U T ln( C1 S 2 ) (3.48)
I C 2 I S1
Dacă raportul celor doi curenţi de colector este menţinut constant, tensiunea de pe R2 va
fi proporţională cu UT. Această situaţie se întâlneşte în circuitul cu autopolarizare din fig.3.19, al
cărui montaj cuprinde două surse multiple cu tranzistoare complementare. Sursa simplă realizată
cu tranzistoarele cu arii egale T4 şi T5 realizează egalitatea: Iref=IC2, dar Iref≈IC1, astfel că se
realizează condiţia de egalitate a celor doi curenţi de colector, IC1 şi IC2. Tranzistorul T2 este
dublu-emitor, ceea ce înseamnă că are aria de emitor dublă faţă de cea a tranzistorului T1, iar
între curenţii de saturaţie există relaţia: IS2=2IS1. Cu aceste observaţii, căderea de tensiune de pe
R2 se scrie:
U x = U T ln 2 (3.49)
iar curentul de ieşire va avea expresia:
U
I o = I C 2 = T ln 2 = f (U T ) (3.50)
R2
Fig. 3.19. Polarizare independentă de temperatură,

utilizând ca referinţă tensiunea termică.
Circuitul are un coeficient de temperatură mai bun decât cel care utilizează tensiunea UBE
ca referinţă deoarece sensibilităţile relative ale tensiunii UT şi ale rezistorului difuzat R2 sunt
pozitive şi tind să se anuleze reciproc:
δ Io δ UT 1 δ U T δ R2 U 1 δ U T 1 δ R2
= ( ln 2 ) = ln 2 ( − ) = T ln 2 ( − ) (3.51)
δ T δ T R2 R2 δ T δT R2 UT δ T R2 δ T
Un aspect important al funcţionării circuitelor cu autopolarizare este dat de faptul că de multe ori
ele au un punct stabil de funcţionare în care curenţii sunt nuli, cu toate că tensiunea de alimentare
este nenulă. De aceea aceste circuite se completează cu un circuit separat, numit “de pornire”
care evită posibilitatea ca circuitul cu autopolarizare să rămână în situaţia de curenţi nuli.
3.2.3.3 Circuite de polarizare care utilizează ca referinţă o diodă Zener

Aceste circuite de polarizare asigură şi îmbunătăţirea comportării cu temperatura.
Un circuit tipic de polarizare care utilizează ca referinţă o dioda Zener este prezentat în
fig.3.20,a. Rezistorul R1 asigură curentul continuu necesar pentru polarizarea elementelor D1, T4
şi T5. Potenţialul bazei tranzistorului T1, VB1, este egal cu UZ plus două tensiuni directe de diodă
(tensiunile bază-emitor ale tranzistoarelor T4 şi T5). Căderea de tensiune pe R2 este egală cu VB1
minus două tensiuni directe de diodă (tensiunile bază-emitor ale tranzistoarelor T1 şi T2). Deci
căderea de tensiune pe R2 este aproape egală cu UZ şi, ca urmare
U
Io ≅ Z (3.52)
R2
Acest circuit are o uşoară dependenţă faţă de tensiunea sursei de alimentare deoarece valoarea
curentului prin rezistorul R1 se schimbă atunci când valoarea sursei de alimentare se modifică.
Prin urmare se modifică şi curentul prin D1, T4 şi T5. Deoarece aceste dispozitive au o rezistenţă
internă finită, variază şi tensiunea din baza tranzistorului T1.
Pentru a se elimina dependenţa de sursa de alimentare, circuitul se poate realiza cu
autopolarizare (fig.3.20,b).
a) b) c)
Fig. 3.20. Polarizarea independentă de temperatură, utilizând ca referinţă dioda Zener.
(a) Schema tipică. (b) Schema cu autopolarizare.
(c) Schema cu compensarea variaţiilor de temperatură.
Aşa cum sunt realizate, circuitele din fig.3.20 produc la ieşire un curent care are un
coeficient de temperatură mic numai dacă şi coeficientul de temperatură al rezistorului R2 este
mic.
De exemplu, dacă R2 este un rezistor difuzat, variaţia rezistenţei cu temperatura este
semnificativă iar dacă anularea coeficientului de temperatură al curentului Io constituie un
obiectiv al proiectării, în serie cu R2 se conectează n diode care să compenseze variaţia cu
temperatura a valorii rezistenţei R2 şi a tensiunii UZ (fig.3.20,c).
Se pot realiza şi circuite de polarizare cu coeficient de temperatură scăzut. Astfel,
deoarece tensiunile UBE şi UT au coeficienţii de temperatură de semne opuse, se poate utiliza ca
referinţă o tensiune dată de suma ponderată a tensiunilor UBE şi UT. Printr-o ponderare
convenabilă se poate atinge o valoare nulă a coeficientului de temperatură a tensiunii de referinţă.
Un astfel de circuit se numeşte referinţă de tipul "bandă interzisă", deoarece expresia
tensiunii UBE se scrie în funcţie de valoarea benzii interzise a siliciului. Circuitele de tipul bandă
interzisă se încadrează mai bine în categoria referinţelor de tensiune, tratate în paragraful 3.3.
In cele prezentate până în prezent s-a pus accent pe obţinerea unui curent relativ
independent faţă de sursele de alimentare şi cu un coeficient de temperatură mic. De multe
ori, însă, sunt necesare tensiuni de polarizare cu un coeficient de temperatură redus,
independente faţă de sursele de alimentare. Circuitele cu ajutorul cărora se obţin aceste
tensiuni se numesc referinţe de tensiune, exemplul tipic fiind tensiunea de referinţă a unui
stabilizator de tensiune integrat. Astfel de circuite sunt tratate tot în paragraful 3.3.
3.3 SURSE ŞI REFERINŢE DE TENSIUNE

In paragraful 3.2 s-a prezentat modalitatea în care se pot obţine curenţi de polarizare
independenţi de tensiunea de alimentare a circuitului. In multe circuite integrate este nevoie de o
tensiune independentă de sursele de alimentare, de consum sau de temperatură.
Rolul principal al surselor şi referinţelor de tensiune este de a furniza tensiuni insensibile
la variaţia impedanţei de sarcină, a temperaturii şi/sau a tensiunii de alimentare.
Deoarece un anumit tip de circuit nu poate asigura simultan variaţii minime ale tensiunii
stabilizate în prezenţa tuturor acestor perturbaţii, în funcţie de cerinţele concrete ale circuitelor
alimentate cu tensiunea stabilizată, se realizează configuraţii optimizate în anumite direcţii,
rezultând:
• circuite tip sursă de tensiune care au o comportare optimă faţă de variaţia impedanţei de
sarcină, deci au o impedanţă de ieşire mică;
• circuite tip referinţă de tensiune care sunt optimizate faţă de variaţiile temperaturii şi ale
tensiunii de alimentare dar au impedanţa de ieşire de valoare mai mare decât sursele de
tensiune.
3.3.1 Surse de tensiune

Rolul surselor de tensiune în cadrul CIA este de a furniza tensiuni constante de
polarizare, indiferent de impedanţa de sarcină. Sursele de tensiune sunt deci circuite care
realizează un punct de joasă impedanţă în interiorul circuitului integrat, adică o decuplare faţă de
etajele de amplificare adiacente.
Din punct de vedere al obţinerii unei impedanţe de ieşire de valoare mică, circuitul
potrivit pentru o sursă de tensiune este repetorul pe emitor. Una din schemele posibile este cea
din fig.3.21,a, în care dioda D are rolul de a realiza o compensare termică.
Fig. 3.21. Sursa de tensiune cu

repetor.
(a) Schema de principiu.
(b) Circuitul echivalent de
semnal mic.
In c.c. (fig.3.21,a), se pot scrie următoarele relaţii:

U o = VB − U BE (3.53)
R2
VB = ( EC − U D ) + U D (3.54)
R1 + R2
Dacă UD=UBE, atunci
R2
Uo = ( EC − U BE ) (3.55)
R1 + R2
Relaţia tensiunii de ieşire arată că sursa este complet nestabilizată la variaţiile tensiunii de
alimentare EC.
Pe schema echivalentă de semnal mic din fig.3.21,b se poate calcula impedanţa de ieşire a
circuitului, care, pentru valori de ordinul kΩ ale rezistoarelor R1 şi R2 şi de ordinul sutelor ale
factorului de amplificare în curent β, rezultă de valori foarte mici.
R1 R2
Ro ≈ (3.56)
β +1
Exemplul 3.7. Se presupune un circuit de forma celui din fig.3.21,a, la care R1=6,4kΩ,
R2=8kΩ iar β=100. Considerând tensiunea de alimentare egală cu 15V şi căderea de tensiune pe
o joncţiune, aflată în conducţie, egală cu 0,6V, să se determine valoarea de c.c. a tensiunii de
ieşire şi rezistenţa de ieşire a sursei.
Rezolvare: Tensiunea de ieşire se determină cu relaţia (3.55) şi este:
R2 8k
Uo = ( EC − U BE ) = (15 − 0, 6)V = 8V
R1 + R2 6, 4 k + 8 k
iar rezistenţa de ieşire, conform relaţiei (3.56) va avea valoarea:
6, 4 × 8
R1 R2 6, 4 k 8 k 14 , 4
Ro ≈ = = = 35Ω
β +1 101 101
Un circuit cu performanţe superioare se obţine dacă în loc de rezistorul R2 din fig.3.21,a
se conectează o diodă Zener, care în tehnologia monolitică se obţine dintr-o joncţine bază-emitor
polarizată invers, cu valoarea tensiunii Zener, UZ≈6V. Deoarece coeficienţii de temperatură
pentru joncţiunea polarizată direct şi cea polarizată invers sunt aproximativ egali în modul, prin
legarea în serie a unei joncţiuni polarizate direct cu una polarizată invers se obţine o diodă Zener
compensată termic. Circuitul care rezultă are aspectul din fig.3.22,a. Calculele se pot face pe o
schemă echivalentă (fig.3.22,b), în care se ia în considerare şi rezistenţa internă a diodei Zener
(notată cu rz).
Fig. 3.22. Sursa de tensiune cu repetor şi

diodă Zener.
(b) Circuitul echivalent de calcul.
Dacă se presupune că tranzistorul T are factorul de curent suficient de mare pentru ca să

se neglijeze curentul de bază în raport cu I, curentul care care trece prin divizorul R, D şi Dz,
rezultă:
E − U z − U BE
I= C (3.57)
R + rz
Potenţialul din baza tranzistorului este:
VB = U z + rz I + U BE (3.58)
astfel că tensiunea de ieşire va fi:
( E − U BE ) rz + U z R
U o = VB − U BE = C (3.59)
R + rz
Dacă se îndeplineşte condiţia rz<<R, atunci tensiunea de ieşire Uo este aproximativ egală cu
tensiunea Uz.
3.3.2 Referinţe de tensiune

Spre deosebire de sursele de tensiune, la referinţele de tensiune accentul se pune pe
stabilitatea tensiunii furnizate în raport cu variaţiile temperaturii şi ale tensiunii de
alimentare, valoarea mică a rezistenţei interne nemaifiind importantă deoarece aceste surse nu
trebuie să debiteze curenţi importanţi. Referinţele de tensiune se proiectează astfel încât
coeficientul de temperatură al tensiunii de referinţă să fie practic nul.
3.3.2.1 Referinţe de tensiune cu diode Zener

a) O schemă de principiu, întâlnită în stabilizatoarele integrate de tensiune, este cea din
fig.3.23,a, în care generatorul de curent I poate fi, de exemplu, o oglindă de curent realizată cu
tranzistoare pnp.
Fig. 3.23. Referinţă de tensiune

realizată cu diodă Zener.
(b) Circuitul echivalent de semnal
mic.
a) b)
Curentul de emitor al tranzistorului T are expresia:
U − 3U BE
I1 = z (3.60)
R1 + R2
unde s-a presupus că pe fiecare joncţiune căderea de tensiune este egală cu UBE.
Tensiunea de ieşire este egală cu căderea de tensiune pe grupul R2, D2:
U R + U BE ( R1 − 2 R2 )
U o = R2 I1 + U BE = z 2 (3.61)
R1 + R2
şi nu depinde de tensiunea de alimentare EC, dacă EC este mai mare decât Uz cu cel puţin 2V.
Stabilitatea termică se determină cu relaţia:
δ Uo R2 δ U z R1 − 2 R2 δ U BE
KT = = + (3.62)
δT R1 + R2 δ T R1 + R2 δ T
Ţinând seama de faptul că δUz/δT≈+2mV/°C iar δUBE/δT≈-2mV/°C, printr-o dimensionare
adecvată a rezistoarelor R1 şi R2 se poate realiza o compensare ideală în raport cu temperatura
pentru care KT=0. Punând condiţia KT=0 în relaţia (3.62), se obţine:
R2 R − 2 R2
= 1 (3.63a)
R1 + R2 R1 + R2
ceea ce presupune următoarea relaţie între rezistenţele R1 şi R2:
R1
=3 (3.63b)
R2
Utilizând schema echivalentă de semnal mic din fig.3.23,b, se poate demonstra că rezistenţa de
ieşire este dată de relaţia:
r +r
Ro = R2 ( R1 + π Z ) (3.64)
β +1
3
iar în cazul compensării termice (pentru R1=3R2) se obţine Ro ≈ R2 . Dacă R1 şi R2 sunt de
4
ordinul kΩ-ilor, rezultă că şi rezistenţa de ieşire este tot de ordinul kΩ.
Dezavantajul acestui tip de referinţă de tensiune constă în valoarea de ordinul kΩ-ilor a

rezistenţei de ieşire, ceea ce nu permite curentului furnizat la ieşire să înregistreze variaţii mai
mari de câţiva microamperi. Deficienţa se înlătură prin introducerea diodei Zener în bucla de
reacţie a unui amplificator. Acest tip de referinţă de tensiune se întâlneşte la stabilizatoarele
monolitice µA723, MC1468 etc.
b) Referinţa de tensiune a stabilizatorului integrat µA723 (βA723) (fig.3.24,a) este
alcătuită cu ajutorul tranzistoarelor T4, T5 şi T6, a rezistoarelor R6, R7, R8 şi a diodei Zener D2.
Sursa de curent T2, T3 stabileşte punctul de funcţionare a referinţei de tensiune. Schema din
fig.3.24,a pune în evidenţă faptul că sursa de curent este aproape independentă de valoarea
tensiunii de alimentare EC, deoarece depinde numai de tensiunea Zener a diodei D1, care este
polarizată la un curent practic constant prin intermediul tranzistorului T1.
Deoarece dioda D1 are tensiunea Zener de aproximativ 6,4V, montajul nu va lucra corect
pentru tensiuni de alimentare mai mici de 6,4V sau egale cu această valoare.
Valoarea minimă a tensiunii de alimentare, numită şi tensiune de intrare sau tensiune
nestabilizată, este, conform datelor de catalog, egală cu 9,5V. Explicaţia este următoarea: pentru
ca prin D1 să circule un curent independent de valoarea tensiunii de alimentare, tranzistorul T1
(TEC-J) trebuie să lucreaze în zona de saturaţie şi atunci trebuie îndeplinită condiţia:
U DS ≥ U DS ,sat = U GS − U P (3.65)
Dar tensiunea UGS este egală cu zero deoarece grila este conectată împreună cu sursa şi deci
U DS ,sat = −U P (3.66)
Tensiunea de tăiere sau de prag a tranzistorului T1 are valoarea UP=-3,1V, rezultând astfel că
UDS,sat=+3,1V. In consecinţă, valoarea minimă a tensiunii de alimentare trebuie să fie:
EC ,min = U D1 + U DS ,sat = U D1 + U P = 6,4 + 3,1 = 9,5 [V] (3.67)
Circuitul referinţei de tensiune furnizează tensiunea UREF, cu valoarea tipică de 7,15V şi este o
variantă de sursă Wilson (fig.3.24,b).
a) b)
Fig. 3.24. Referinţa de tensiune din stabilizatorul integrat µA723.

(a) Schema referinţei de tensiune. (b) Circuitul echivalent.
Neglijând curentul de bază al tranzistorului T6 şi deci şi căderea de tensiune pe rezistorul
R7, se observă că:
U REF = U D2 + U BE 6 (3.68)
Deoarece coeficienţii de temperatură pentru dioda D2 şi pentru joncţiunea bază-emitor a
tranzistorului T6 sunt aproximativi egali în modul, se obţine o tensiune de referinţă cu un
coeficient de temperatură foarte mic (practic nul).
Circuitul reprezentând o referinţă de tensiune, nu se poate solicita un curent prea mare din
nodul notat UREF. Din acest motiv catalogul recomandă pentru curentul de referinţă, IREF, o
valoare maximă de 15mA şi o valoare tipică de numai 1mA. Rezistorul R6 protejează tranzistorul
T5 în cazul unui scurtcircuit accidental între borna UREF şi masă.
Dacă din nodul UREF se solicită un curent prea mare, tensiunea de referinţă tinde să se
modifice, dar printr-o buclă de reacţie negativă se realizează o autoreglare a tensiunii UREF.
Astfel, orice modificare a tensiunii de referinţă este detectată (sesizată) în baza tranzistorului T6,
este amplificată şi trimisă în baza tranzistorului T4, deci înapoi la ieşire, cu semn contrar variaţiei
iniţiale.
Să presupunem, de exemplu, că IREF creşte. Atunci prin dioda D2 va circula un curent mai
mic şi apare tendinţa scăderii lui UREF din cauza micşorării tensiunii Zener a diodei D2. Dar
scăderea lui UREF determină micşorarea tensiunii bază-emitor a tranzistorului T6, UBE6 şi deci şi
scăderea curentului de colector a acestui tranzistor, IC6. Deoarece curentul IC3 este constant şi
egal cu suma curenţilor IC6 şi IB4, rezultă că IB4 va creşte. In urma acestui fapt, curenţii IC4 şi IC5
vor creşte la rândul lor şi deci va creşte şi curentul prin dioda D2, aducându-se UREF la valoarea
prescrisă.
3.3.2.2 Referinţe de tipul “bandă interzisă”

Circuitele de poalrizare care folosesc ca referinţă o diodă Zener prezintă dezavantajul că
sursa de alimentare trebuie să aibă tensiunea de cel puţin 7...10V pentru a aduce dioda Zener în
zona de străpungere (de exemplu minim 9,5V în cazul stabilizatorului monolitic βA723). In plus,
dioda lucrând în avalanşă, în circuit se introduce un zgomot substanţial. Din acest motiv s-au
căutat şi alte posibilităţi de realizare a unei referinţe de tensiune cu coeficient de temperatură
redus. Deoarece tensiunile UBE şi UT au coeficienţi de temperatură de semne opuse, se poate
utiliza ca referinţă o tensiune formată din suma ponderată a tensiunilor UBE şi UT. Printr-o
ponderara convenabilă se poate atinge o valoare nulă a coeficientului de temperatură. Principiul
acestei surse se prezintă pe circuitul ipotetic din fig.3.25. La ieşire se obţine o tensiune care este
egală cu UBE plus UT înmulţit cu o constantă K.
Fig. 3.25. Circuitul ipotetic al unei referinţe de tipul

“bandă interzisă”.
Deoarece relaţiile de dimensionare a acestor referinţe şi funcţionarea lor este legată de

lăţimea benzii interzise a materialului semiconductor, ele se numesc referinţe tip “bandă
interzisă”.
Referinţa tip “bandă interzisă” cunoaşte mai multe realizări practice, una dintre ele fiind
cea ilustrată în fig.3.26, numită referinţa de “bandă interzisă” Widlar. In acest circuit se
utilizează o buclă de reacţie care stabileşte punctul de funcţionare astfel încât tensiunea de la
ieşire să fie egală cu UBE plus o tensiune proporţională cu diferenţa între două tensiuni bază-
emitor.
Fig. 3.26. Referinţă de tensiune de tipul

“bandă interzisă” Widlar.
Presupunând că circuitul a atins un punct stabil de funcţionare, se observă că tensiunea de

ieşire, Uo este dată de suma dintre tensiunea bază-emitor a tranzistorului T3 şi căderea de
tensiune pe rezistorul R2. Căderea de tensiune pe rezistorul R2 este egală cu căderea de tensiune
pe R3, multiplicată cu (R2/R3) deoarece curentul de colector al tranzistorului T3 este aproximativ
egal cu curentul său de emitor. Căderea de tensiune pe R3 este egală cu diferenţa între tensiunile
bază-emitor ale tranzistoarelor T1 şi T2:
R
U R2 = 2 ∆U BE (3.69)
R3
iar
I I
∆U BE = U T ln 1 S 2 (3.70)
I 2 I S1
Raportul curenţilor prin T1 şi T2 este stabilit de raportul dintre R2 şi R1:
R I
∆U BE = U T ln 2 S 2 (3.71)
R1 I S1
Dacă tranzistoarele T1 şi T2 sunt identice (IS1=IS2) şi se înlocuieşte relaţia (3.71) în (3.69) rezultă:
R R
U R2 = 2 U T ln 2 (3.72)
R3 R1
Se observă că relaţia implică o dependenţă proporţională cu temperatura a curenţilor I1 şi I2, dacă
rezistoarele au un coeficient de temperatură nul sau dacă aceşti coeficienţi de temperatură sunt
egali între ei, având în vedere că rezistoarele apar în nişte rapoarte.
Tensiunea de la ieşire va fi:
R R
U o = U BE 3 + 2 U T ln 2 = U BE + KU T (3.73)
R3 R1
Varianta de schemă descrisă poate furniza o tensiune de referinţă de aproximativ 1,2V.
In cazul unui stabilizator monolitic, dacă trebuie să se obţină o tensiune de ieşire de
valoare mai mare, de exemplu mai mare de 5...6V, se foloseşte o referinţă ’’bandă interzisă’’
modificată, de forma celei din fig.3.27.
Dacă se păstrează ipoteza ariilor de emitor egale pentru T1 şi T2 şi diferă doar densitatea
curentului prin tranzistoarele T1 şi T2, atunci tensiunea de referinţă se poate scrie:
R R
U REF = U BE 3 + U BE 4 + U BE 5 + U BE 6 + 2 U T ln 2 (3.74)
R3 R1
Tensiunea de ieşire se multiplică cu factorul (1+R4/R5), având expresia:
R
U o = (1 + 4 )U REF (3.75)
R5
Fig. 3.27. Referinţă de tensiune de tipul

“bandă interzisă” pentru tensiuni de ieşire mari
(mai mari de 1,2V).
Această variantă de schemă se utilizează în cazul stabilizatoarelor monolitice de tensiune

fixă din seria 7800 (Fairchild).
3.4 ETAJE DE AMPLIFICARE DIFERENŢIALE

Etajele de amplificare diferenţiale sunt întâlnite frecvent în special în configuraţia
amplificatoarelor operaţionale, atât ca etaje de intrare cât şi ca etaje intermediare de amplificare.
Ele sunt ideale pentru integrare datorită împerecherii şi cuplajului termic al tranzistoarelor
monolitice. Utilitatea lor derivă din faptul că pot fi conectate în cascadă direct, fără capacităţi de
cuplaj.
Amplificatorul diferenţial (AD) este un amplificator cu două “intrări calde” care
amplifică diferenţa dintre semnalele aplicate pe cele două intrări, indiferent de valoarea lor
individuală, cu condiţia să fie mai mici decât tensiunea de alimentare sau decât o fracţiune din
aceasta.
Prin “intrare caldă” se înţelege acea bornă care în funcţionarea amplificatorului NU se
leagă în mod obligatoriu la masă. De exemplu, la un amplificator cu un tranzistor, una din cele
două borne de intrare sau una din cele două borne de ieşire se leagă obligatoriu la masă, cealaltă
servind la cuplarea semnalului şi numindu-se “intrare caldă”. La AD sunt situaţii în care niciuna
din cele două terminale nu se leagă la masă.
3.4.1 Configuraţii de bază ale amplificatoarelor diferenţiale

In fig.3.28 se prezintă schemele de principiu a două amplificatoare diferenţiale cu sarcină
rezistivă. La primul circuit punctul static de funcţionare este fixat de rezistorul REE iar la cel de-
al doilea de sursa de curent constant IEE. Pe niciuna din aceste scheme nu s-au desenat circuitele
prin care se închid curenţii de polarizare a intrărilor (curenţii de bază ai tranzistoarelor T1 şi T2).
Acest mod de reprezentare a amplificatoarelor diferenţiale rămâne valabil şi în continuare, dar să
nu se uite că totdeauna trebuie create căile de închidere a curenţilor de polarizare a
intrărilor.
Amplificatoarele diferenţiale se alimentează ca şi amplificatoarele operaţionale, de la o
sursă dublă de tensiune (fig.3.28,c), obţinută prin înserierea a două surse simple, punctul de
înseriere devenind punctul de masă (GND = ground în limba engleză).
a) b) c)
Fig. 3.28. Structuri de amplificatoare diferenţiale (AD).
(a) AD polarizat cu rezistenţă în emitoare. (b) AD polarizat cu sursă de curent în emitoare.
(c) Modalitatea de obţinere a sursei duble de alimentare a AD.
Dacă etajul este perfect simetric, atunci variaţiile sursei de alimentare, ale temperaturii
precum şi ale semnalelor comune aplicate celor două intrări vor modifica identic tensiunile de
ieşire uo1 şi uo2. Astfel aceste variaţii nu produc tensiune de ieşire diferenţială.
Pentru o funcţionare liniară a etajului, deci fără distorsiuni, este necesar ca rezistenţa
comună din emitoarele celor două tranzistoare să aibă o valoare cât mai mare deoarece semnalele
comune aplicate celor două intrări sunt în general mari. Din acest motiv, în a doua configuraţie
din fig.3.28,b, rezistorul REE s-a înlocuit cu un generator de curent constant IEE, care prezintă o
rezistenţă dinamică foarte mare în comparaţie cu valorile economice ale rezistenţei REE.
3.4.2 Parametrii amplificatoarelor diferenţiale

Principalii parametri ai AD utilizaţi pentru a caracteriza funcţionarea în regim dinamic
sunt tensiunile de mod comun şi cele de mod diferenţial.
Tensiunile de mod comun reprezintă semisuma tensiunilor măsurate în raport cu masa,
în două puncte omoloage ale circuitului.
Tensiunile de mod diferenţial reprezintă diferenţa tensiunilor măsurate în raport cu
masa, în două puncte omoloage ale circuitului.
Astfel, la intrarea AD, tensiunile de mod comun şi cele de mod diferenţial se notează:
u +u
uic = i1 i 2 (3.76a)
2
uid = ui1 − ui 2 (3.76b)
Tensiunile individuale de intrare se pot scrie în funcţie de tensiunea de intrare de mod comun şi
cea de mod diferenţial astfel:
u
ui1 = uic + id (3.77a)
2
u
ui 2 = uic − id (3.77b)
2
Relaţii asemănătoare se pot scrie şi pentru circuitul de ieşire al AD:
u +u
uoc = o1 o2 (3.78a)
2
uod = uo1 − uo2 (3.78b)
iar
u
uo1 = uoc + od (3.79a)
2
u
uo 2 = uoc − od (3.79b)
2
Conform acestor relaţii, circuitului de intrare îi corespunde circuitul echivalent din fig.3.29,a, iar
celui de ieşire circuitul din fig.3.29,b.
a) b)
Fig. 3.29. Circuite echivalente ale amplificatorului diferenţial.
(a) la intrare; (b) la ieşire.
Tensiunilor de mod comun şi de mod diferenţial, de intrare şi de ieşire, le corespund patru
tipuri de amplificări:
• amplificarea de mod diferenţial
u
Add = od , dacă uic=0; (3.80)
uid
• amplificarea de mod comun
u
Acc = oc , dacă uid=0; (3.81)
uic
• amplificarea de transfer de la modul diferenţial la modul comun

u
Adc = oc , dacă uic=0; (3.82)
uid
• amplificarea de transfer de la modul comun la modul diferenţial
u
Acd = od , dacă uid=0. (3.83)
uic
Deoarece semnalele utile sunt cele de mod diferenţial, AD trebuie să maximizeze valoarea
amplificării de mod diferenţial şi să o minimizeze pe cea de mod comun, deci să aibă loc
inegalitatea:
Add 〉〉 Acc (3.84)
Capacitatea AD de a separa efectul util al tensiunii de intrare de mod diferenţial de efectul
perturbator al tensiunii de intrare de mod comun se caracterizează prin factorul de transfer
(numit şi factor de discriminare) F şi reprezintă factorul de rejecţie a modului comun pentru
etajele diferenţiale perfect simetrice.
A
F = dd (3.85)
Acc
Amplificatorul diferenţial este cu atât mai bun cu cât factorul de discriminare F este mai mare.
Dintre amplificările de transfer care apar la AD neîmperecheate perfect (AD cu asimetrii),
cea mai supărătoare este amplificarea de transfer de la modul comun la modul diferenţial, Acd,
deoarece aceasta determină o tensiune de ieşire diferenţială datorată unei tensiuni de intrare de
mod comun perturbatoare. Această tensiune de ieşire de mod diferenţial, care este tot
perturbatoare, se suprapune peste tensiunea de ieşire utilă de mod diferenţial. Etajele de
amplificare care urmează după AD nu pot deosebi tensiunea de ieşire diferenţială perturbatoare
de cea utilă.
Capacitatea AD de a separa tensiunea de ieşire diferenţială datorată tensiunii de intrare
diferenţiale, de tensiunea de ieşire diferenţială datorată unei tensiuni de intrare de mod comun, se
caracterizează prin factorul de rejecţie a modului comun, CMMR (Common Mode Rejection
Ratio în limba engleză). CMRR este caracteristic AD neîmperecheate perfect şi se scrie:
A
CMRR = dd (3.86a)
Acd
sau, exprimat în decibeli, are forma:
A
CMRR dB = 20lg( dd ) (3.86b)
Acd
unde lg reprezintă logaritmul în baza 10.
Amplificatorul diferenţial este cu atât mai bun cu cât factorul de rejecţie a modului
comun CMRR are o valoare mai mare, deoarece semnalul diferenţial de ieşire produs de un
semnal de intrare de mod comun este parazit.
La un AD real tensiunea de ieşire totală de mod diferenţial se poate scrie sub forma:
A uiC
uod = Add uid + Acd uiC = Add ( uid + cd uiC ) = Add ( uid + ) (3.87)
Add CMRR
adică tensiunea de intrare de mod comun, uic, este echivalentă unei tensiuni de intrare de mod
diferenţial de valoare uic/CMRR. Conform relaţiei (3.87), circuitul de intrare al unui AD se poate
echivala cu cel din fig.3.30.
Fig. 3.30. Circuitul de intrare al unui AD, având tensiunea de

intrare de mod comun echivalată cu o tensiune diferenţială.
3.4.3 Caracteristica statică de transfer a AD
Caracteristica statică de transfer a unui AD reprezintă dependenţa dintre curenţii de
colector (Ic1, Ic2) şi tensiunea de intrare diferenţială, uid.
Pentru simplificarea analizei, se consideră că în emitoarele celor două tranzistoare există
o sursă de curent constant IEE, având o rezistenţă internă echivalentă de valoare infinită. De
asemenea se neglijează rezistenţa de ieşire a tranzistoarelor, adică se consideră de valoare
infinită.
După cum se observă din fig.3.31, curentul sursei IEE este egal cu suma celor doi curenţi
de emitor ai tranzistoarelor T1 şi T2:
I EE = I E 1 + I E 2 (3.88)
relaţie în care:
I
I E 1 = C1
α1
(3.89)
I C2
IE2 =
α2
cu α notându-se factorul de amplificare în curent în conexiune bază comună.
Fig. 3.31. Schema AD utilizată pentru

determinarea caracteristicii statice de transfer.
Dacă cele două tranzistoare sunt identice, se poate scrie α 1 = α 2 = α şi deci

I +I
I EE = C1 C 2 (3.90)
α
Curenţii de colector pot fi exprimaţi în funcţie de tensiunile bază-emitor ale fiecărui tranzistor
prin relaţiile:
U
I C1 = I S exp( BE 1 )
UT
(3.91)
U BE 2
I C 2 = I S exp( )
UT
în care, considerând tranzistoarele identice, s-a notat I S1 = I S 2 = I S .
Inlocuind relaţiile (3.91) în (3.90), rezultă:
I U U
I EE = S [ exp ( BE 1 ) + exp ( BE 2 )] (3.92)
α UT UT
U
şi dacă se dă factor comun forţat exp( BE 1 ) se obţine:
UT
I U U − U BE 1
I EE = S exp( BE 1 ) ⋅ [1 + exp( BE 2 )] (3.93)
α UT UT
U
Deoarece I S exp ( BE 1 ) = I C1, relaţia (3.93) mai poate fi scrisă şi sub forma:
UT
I U − U BE 1
I EE = C1 [1 + exp( BE 2 )] (3.94)
α UT
Intr-un mod asemănător se poate deduce că:

I U − U BE 2
I EE = C 2 [1 + exp( BE 1 )] (3.95)
α UT
In fig.3.31, scriind teorema a II-a lui Kirchhoff pe ochiul care conţine cele două joncţiuni bază-
emitor, rezultă:
U BE 1 − U BE 2 = ui1 − ui 2 = uid (3.96)
Inlocuind relaţia (3.96) în relaţiile (3.94) şi (3.95) se obţin expresiile curenţilor de colector în
funcţie de tensiunea de intrare diferenţială:
α I EE
I C1 = (3.97a)
−u
1 + exp( id )
UT
α I EE
I C2 = (3.97b)
uid
1 + exp ( )
UT
In fig.3.32 se arată dependenţa dintre aceşti curenţi şi tensiunea de intrare diferenţială.
Fig. 3.32. Caracteristica statică de transfer

a amplificatorului diferenţial din fig. 3.31.
Caracteristicile de transfer tensiune-curent reprezentate în fig.3.32 permit evidenţierea

unor proprietăţi importante ale amplificatorului diferenţial cu schema din fig.3.31 şi anume:
a) Caracteristicile de transfer sunt liniare în jurul punctului static de funcţionare
ui1-ui2=0. Din curbele din fig.3.32 rezultă că regiunea de funcţionare liniară corespunde unei
tensiuni de intrare diferenţiale de 2UT vârf-la-vârf, adică aproximativ 50mV vârf-la-vârf, la
temperatura de 27°C.
Pentru tensiuni de intrare cu amplitudini mai mari de 4UT, adică 100 mV, la temperatura
camerei, curenţii de colector devin independenţi de tensiunea diferenţială de intrare, deoarece
întreg curentul disponibil IEE trece printr-un singur tranzistor.
b) Panta caracteristicilor de transfer, reprezentând transconductanţa etajului
diferenţial, se calculează derivând una dintre expresiile curenţilor de colector. Dacă se derivează
expresia curentului IC1, de exemplu, se obţine:
−u
exp( id )
dI I UT
g m = C1 = C1 ⋅ (3.98)
d uid U T 1 exp( − uid )
+
UT
Valoarea maximă se obţine în punctul static de funcţionare, unde uid=0 şi IC1=IC2=αIEE/2 şi este:
α I EE
gm , max = (3.99)
4U T
adică panta efectivă a unui etaj diferenţial este a patra parte din panta unui etaj de
amplificare cu un singur tranzistor lucrând la un curent egal cu αIEE.
c) Tensiunile de ieşire uo1 şi uo2 pot fi calculate în funcţie de curenţii de colector şi
rezultă:
uo1 = EC − RC I C1
(3.100)
uo2 = EC − RC I C 2
Deoarece mărimea utilă este tensiunea diferenţială, uod=uo1-uo2, dacă se înlocuiesc tensiunile de
ieşire cu relaţiile (3.100) şi curenţii de colector cu expresiile date de relaţiile (3.97), se obţine:
−u
uod = α I EE RC ⋅ th ( id ) (3.101)
2U T
eb − e − b
unde th reprezintă tangenta hiperbolică şi se exprimă sub forma: th (b) = b .
e + e −b
Dependenţa dintre tensiunea de ieşire şi cea de intrare se reprezintă grafic ca în fig.3.33 şi
pune în evidenţă faptul că pentru uid=0, deci în repaus, uod=0. Această situaţie reprezintă un
avantaj important al etajelor diferenţiale şi anume acela că etajele diferenţiale se pot cupla
direct, fără introducerea unor tensiuni de decalaj (dezechilibru) de curent continuu.
Fig. 3.33. Caracteristica statică de transfer a

amplificatorului diferenţial din fig. 3.31.
d) Domeniul tensiunilor de intrare pentru care etajul diferenţial se comportă liniar se

poate extinde dacă se introduce în serie cu fiecare emitor câte un rezistor, notat cu RE şi numit
rezistor de degenerare (fig.3.34,a). Circuitul care se obţine se numeşte etaj diferenţial cu
degenerare în emitor. Analiza acestui circuit se poate face în mod asemănător cu cea a etajului
fără degenerări. Dependenţa dintre tensiunea diferenţială de ieşire şi tensiunea diferenţială de
intrare are forma din fig.3.34,b unde se pune în evidenţă că pentru valori relativ ridicate ale
rezistenţelor de degenerare RE (zeci sau sute de ohmi), domeniul tensiunilor de intrare
corespunzător unei funcţionări liniare se extinde cu aproximativ REIEE. In prezenţa rezistoarelor
de degenerare, panta echivalentă a etajului diferenţial se reduce, devenind:
gm
gm , echiv = (3.102)
1 + gm RE
a) b)
Fig. 3.34. AD cu degenerare în emitor. (a) Schema de principiu.
(b) Caracteristica statică de transfer.
Exemplul 3.8. Se consideră un AD cu degenerare în emitor de forma celui din fig.3.34,a,
la care IEE=1mA iar domeniul tensiunilor de intrare corespunzător unei funcţionări liniare se
extinde cu aproximativ REIEE=10UT (fig.3.34, b). Să se determine valoarea necesară a
rezistoarelor de degenerare pentru a se putea extinde domeniul funcţionării liniare cu 10UT.
Rezolvare: Dacă se presupune că tensiunea termică este de aproximativ 25mV, atunci:

10U T 250mV
RE = = = 250Ω
I EE 1mA
3.4.4 Analiza de semnal mic a etajelor diferenţiale perfect simetrice

Semnalului i se spune “mic” dacă are valoarea suficient de scăzută astfel încât să se poată
menţine presupunerea unei funcţionări liniare a tranzistoarelor, ceea ce impune ca variaţia
tensiunii bază-emitor să fie mult mai mică decât tensiunea termică (∆uBE<<UT).
Etajele diferenţiale se consideră perfect simetrice dacă elementele (rezistoare şi
tranzistoare) din jumătatea stângă sunt riguros identice cu cele din jumătatea dreaptă. Avantajele
simetriei determină ca tensiunea de ieşire diferenţială să devină insensibilă faţă de tensiunea de
intrare de mod comun, de eventualele modificări ale temperaturii şi faţă de variaţiile surselor de
alimentare.
Analiza funcţionării etajelor perfect simetrice se poate face utilizând ''teorema
bisecţiunii'', care constă în a considera AD simetric ca fiind alcătuit din două amplificatoare
identice, cu intrare simplă şi ieşire simplă, interconectate în mod corespunzător. Este foarte
important de reţinut că studiul se face pe un singur amplificator iar rezultatele sunt valabile
pentru întreg etajul diferenţial.
3.4.4.1 Analiza de semnal mic etajelor diferenţiale cu sarcină rezistivă şi ieşire

diferenţială
a) Excitarea AD cu un semnal de intrare pur diferenţial. Analiza se va face pentru
etajul diferenţial din fig.3.35,a.
a) b) c)
Fig. 3.35. Determinarea semicircuitului valabil pe mod diferenţial.
(a) Circuitul echivalent de semnal mic al AD din fig. 3.28, a, excitat cu semnal pur diferenţial.
(b) Ilustrarea modului în care RL intervine în semicircuitul valabil pe mod diferenţial.
(c) Semicircuitul valabil pe mod diferenţial.
Excitarea AD cu un semnal de intrare pur diferenţial presupune că pe cele două baze ale
tranzistoarelor se aplică tensiuni egale în modul, dar de faze opuse ui1 = -ui2 = uid/2.
Deoarece etajul este perfect simetric, tensiunile egale dar de faze opuse aplicate pe cele
două baze produc variaţii ale curenţilor de colector de asemenea egale în modul, dar de sensuri
opuse. Ca urmare, variaţia curentului total prin rezistorul REE (curent egal cu suma celor doi
curenţi de colector, dacă se neglijează curenţii de bază) va fi zero. Din acest motiv, pentru
funcţionarea dinamică, nodul comun celor două emitoare poate fi considerat punct de masă
(pentru că acest nod nu şi-a modificat potenţialul aşa cum nici potenţialul traseului de masă sau
cel al traseelor de alimentare cu tensiune pozitivă, respectiv negativă, nu se modifică atunci când
are loc o variaţie a semnalului aplicat la intrarea unui amplificator).
De asemenea, cei doi curenţi de colector având variaţii în antifază, produc variaţii în
antifază şi egale în modul ale tensiunilor de colector (-uo1=uo2=uod/2), ceea ce înseamnă că
tensiunea la jumătatea rezistorului de sarcină RL nu se modifică faţă de situaţia anterioară
aplicării semnalului variabil la intrarea amplficatorului. Deci şi acest punct poate fi considerat
punct de masă şi rezistorul RL se poate desface în două rezistoare, fiecare de valoare RL/2, legate
în serie şi cu punctul de înseriere conectat la masă (fig.3.35,b).
In acest moment jumătatea din dreapta a devenit identică cu cea din stânga, circuitul se
poate împărţi în două după axa de simetrie şi pentru calcule se poate folosi doar o jumătate,
numită semicircuitul valabil pentru funcţionarea pe mod diferenţial pur (fig.3.35,c). Rezultatele
care se obţin sunt valabile pentru întreg amplificatorul diferenţial excitat cu semnal pur
diferenţial. Parametrii prin care se caracterizează etajul diferenţial în aceste condiţii sunt
amplificarea de mod diferenţial (Add) şi rezistenţa de intrare diferenţială (Rid).
Calculul amplificării de mod diferenţial, Add, se face pentru circuitul din fig.3.35,c.
Expresia acestei amplificări este:
R
uod β ( RC L )
Add = =− 2 (3.103)
uid rπ
Se observă că pentru RL>>RC valoarea amplificării este cu atât mai mare cu cât RC este mai
mare. Deoarece se urmăreşte să se obţină valori cât mai mari pentru amplificarea de mod
diferenţial, o soluţie posibilă de creştere a amplificării diferenţiale constă în înlocuirea
rezistorului RC cu o sursă de curent constant. Această sursă are, la aceeaşi valoare a curentului
din punctul static de funcţionare, o rezistenţă dinamică mult mai mare decât cea care se poate
obţine cu un rezistor ce ocupă o arie rezonabilă din cip. Amplificatorul care are ca sarcină un
tranzistor în locul rezistenţei RC se numeşte amplificator cu sarcină activă.
Determinarea rezistenţei de intrare diferenţiale, Rid se face tot pentru circuitul din
fig.3.35,c Calculele conduc la următorul rezultat:
u u
Rid = id = id = 2 rπ (3.104)
iid u id
2 rπ
Relaţia (3.104) pune în evidenţă faptul că Rid depinde de valoarea rezistenţei de intrare a
tranzistoarelor rπ, care este invers proporţională cu valoarea curentului static de colector a
tranzistoarelor deoarece rπ=β/gm=βUT/IC. Ca urmare pentru obţinerea unor rezistenţe de
intrare diferenţiale de valoare mare este necesar ca tranzistoarele să lucreze la curenţi
statici de colector cât mai mici.
b) Excitarea AD cu un semnal de intrare de mod comun pur. Analiza se va face
pentru etajul diferenţial din fig.3.36,a, unde rezistorul REE a fost înlocuit cu două rezistoare de
valoare dublă, 2REE, conectate în paralel, fără să se modifice astfel regimul de curent continuu al
etajului diferenţial.
Acest mod de excitare a etajului diferenţial presupune că pe cele două baze se aplică
semnale egale atât în modul cât şi în fază, adică ui1 = ui2 = uic.
Deoarece tensiunile aplicate pe cele două baze sunt identice ca modul şi fază, rezultă că şi
variaţiile celor doi curenţi de colector vor fi identice. Datorită simetriei circuitului, realizată prin
artificiul conectării în paralel a celor două rezistoare de valoare 2REE, căderile de tensiune pe
aceste rezistoare sunt egale, curentul ix, care ar putea eventual să circule între cele două emitoare,
este nul şi comportarea circuitului nu se schimbă deloc dacă firul de legătură dintre emitoare este
îndepărtat.
Tot simetria circuitului este cea care determină uo1=uo2=uoc. Deoarece nu există diferenţă
de potenţial la bornele rezistorului de sarcină RL, prin el nu circulă curent (iy=0) şi din acest
motiv RL se poate deconecta fără ca funcţionarea circuitului să fie afectată.
In acest fel se ajunge la semicircuitul valabil pentru funcţionarea pe mod comun pur din
fig.3.36,b. Circuitul este caracterizat tot cu ajutorul unei amplificări şi a unei rezistenţe de intrare,
numite de această dată de mod comun.
a) b)
Fig. 3.36. Determinarea semicircuitului valabil pe mod comun.

(a) Circuitul echivalent de semnal mic al AD din fig. 3.28, a, excitat cu semnal pur de mod
comun. (b) Semicircuitul valabil pe mod comun.
Determinarea amplificării de mod comun, Acc, se face pe semicircuitul valabil pe mod

comun şi conduce la următoarea relaţie:
u − gm RC
Acc = oc = (3.105)
uic rπ + 2 REE (β + 1)
Deoarece semnalele utile sunt cele de mod diferenţial, AD trebuie să aibă amplificarea de mod
comun cât mai mică. Acest lucru se poate realiza dacă REE are valoare cât mai mare, motiv
pentru care rezistorul REE se înlocuieşte cu o sursă de curent.
Determinarea rezistenţei de intrarei de mod comun , Ric, se face tot pe semicircuitul
valabil pe mod comun şi rezultă:
u
Ric = ic = rπ + 2 REE (β + 1) (3.106)
iic
Determinarea rejecţiei modului comun. Deoarece AD este perfect simetric, rejecţia modului
comun se caracterizează cu ajutorul factorului de transfer F. Acesta este egal cu raportul dintre
amplificarea de mod diferenţial şi cea de mod comun şi se obţine înlocuind relaţiile (3.103) şi
(3.105) în (3.85). Rezultă:
A 1
F = dd = 1 + 2 gm REE (1 + ) (3.107)
Acc β
In general dacă factorul de amplificare β este suficient de mare, 1/β→0 şi pentru că 2gmREE>>1
relaţia factorului de transfer devine:
F ≈ 2 gm REE (3.108)
Amplificatorul diferenţial este cu atât mai bun cu cât factorul de transfer are o valoare mai mare.
Din nou se observă utilitatea înlocuirii rezistorului REE cu un generator de curent.
Exemplul 3.9. Să se compare două amplificatoare diferenţiale care au acelaşi punct static
de funcţionare dar primul este polarizat cu ajutorul unui rezistor REE iar al doilea cu ajutorul unei
surse de curent (fig.3.37). Se consideră IC1=IC2=0,5mA, ±EC=±15V, RC=5kΩ, UBE=0,6V,
UA=100V şi UT=25mV.
Rezolvare: In cazul primului circuit (fig.3.37,a) valoarea rezistenţei REE se află pentru
ui1=ui2=0 (intrările legate la masă), ştiind că prin REE circulă un curent IEE=IC1+IC2=1mA şi că pe
joncţiunea bază-emitor căderea de tensiune este de 0,6V.
EC − U BE 15V − 0, 6V
REE = = = 14. 4 k Ω
I EE 1mA
a) b)
Fig. 3.37. Circuitele pentru exemplul 3.9.
(a) AD polarizat cu rezistenţă în emitoare. (b) AD polarizat cu sursă de curent.
Se presupune că factorul de amplificare în curent β este suficient de mare şi atunci se

poate folosi relaţia aproximativă a factorului de transfer: F ≈ 2 gm REE , unde gm reprezintă panta
tranzistoarelor care alcătuiesc amplificatorul diferenţial. Pentru determinarea pantei
tranzistoarelor se poate utiliza relaţia gm1=gm2=gm=40IC. Rezultă:
gm = 40 I C = 40 ⋅ 0, 5 = 20 mA / V
şi factorul de transfer va fi egal cu:
F1 = 2 gm REE = 2 ⋅ 20mA / V ⋅ 14 , 4 kΩ = 576
In cazul celui de al doilea circuit (fig.3.37,b), se menţine presupunerea că β este suficient de
mare astfel că tranzistoarele T3 şi T4 alcătuiesc o oglindă simplă de curent. Deoarece cele două
amplificatoare diferenţiale, aflate în studiu, au acelaşi punct static de funcţionare, această sursă
va avea curentul de ieşire egal cu IEE adică egal cu 1mA. Relaţia de calcul pentru factorul de
transfer are forma din relaţia (3.108), cu deosebirea că ceea ce s-a notat în această relaţie cu REE
reprezintă acum rezistenţa de ieşire a oglinzii de curent şi se notează cu Ro. La analiza de semnal
mic a oglinzii de curent (paragraful 3.2) s-a arătat că rezistenţa de ieşire a acestei surse este egală
cu rezistenţa de ieşire a tranzistorului prin care se oglindeşte curentul de referinţă, adică, în cazul
sursei din problemă:
U U 100V
Ro = ro 4 = A = A = = 100 kΩ
I C 4 I EE 1mA
Calculând factorul de transfer cu relaţia (3.108) se obţine:
F2 = 2 gm Ro = 2 ⋅ 20mA / V ⋅ 100 kΩ = 4000
Comparând cei doi factori de transfer se observă că rejecţia modului comun este de aproximativ
şapte ori mai bună dacă polarizarea tranzistoarelor care alcătuiesc amplificatorul diferenţial se
face cu sursă de curent.
O a doua observaţie se poate face cu privire la valoarea totală de rezistenţă din circuit.
In cazul primului circuit:
Rtot (1) = 2 RC + REE = 24, 4 kΩ
In cazul celui de al doilea circuit se calculează mai întâi valoarea rezistenţei R care determină
curentul de referinţă Iref=1mA (oglindă simplă de curent):
2 EC − U BE 30V − 0, 6V
R= = = 29 , 4 k Ω
I ref 1mA
astfel că valoarea totală de rezistenţă va fi:
Rtot ( 2) = 2 RC + R = 39, 4 kΩ
Comparând cele două valori ale rezistenţelor totale se observă că în cazul celui de al
doilea circuit rejecţia mai bună a semnalelor de mod comun s-a făcut în dauna unui consum mai
mare din aria de siliciu deoarece Rtot(2) este cu aproximativ 60% mai mare decât Rtot(1).
3.4.4.2 Analiza de semnal mic a etajelor diferenţiale perfect simetrice şi cu

degenerare în emitor
Degenerarea în emitor, realizată prin înserierea cu emitoarele tranzistoarelor a unor
rezistoare (fig.3.34,a), are ca efect mărirea gamei de tensiuni de la intrare pentru care perechea cu
cuplaj în emitor se comportă liniar. Totodată panta echivalentă scade, ceea ce înseamnă că
amplificarea circuitului cu degenerare în emitor va fi mai mică decât a circuitului fără
degenerare. Pentru a vedea mai exact ce se petrece, se analizează comportarea circuitului pentru
cele două tipuri de semnale de intrare: de mod diferenţial şi de mod comun.
a) Excitarea etajului cu semnal pur de mod diferenţial, conduce, pentru o analiză
asemănătoare cu cea de la AD fără degenerare, la semicircuitul valabil pe mod diferenţial pur din
fig.3.38,a. In acest caz potenţialul din nodul comun celor două rezistoare de degenerare rămâne
neschimbat, astfel că acest punct poate fi considerat punct de masă. Calculele pentru amplificarea
diferenţială şi rezistenţa de intrare diferenţială dau următoarele rezultate:
RL
uod − β ( RC )
Add = = 2
uid rπ + RE (β + 1) (3.109)
u
Rid = id = 2 rπ + 2 RE (β + 1)
iid
a) b)
Fig. 3.38. Semicircuitele valabile pentru AD cu degenerare în emitor din fig. 3.34.
(a) pe mod diferenţial; (b) pe mod comun.
b) Excitarea etajului cu semnal pur de mod comun, conduce, pentru o analiză
asemănătoare cu cea de la AD fără degenerare, la semicircuitul valabil pe mod comun pur din
fig.3.38,b. Calculele pentru amplificarea de mod comun şi rezistenţa de intrare de mod comun
conduc la relaţiile:
u −β RC
Acc = oc =
uic rπ + ( RE + 2 REE )(β + 1)
(3.110)
uic
Ric = = rπ + ( RE + 2 REE )(β + 1)
iic
Analiza relaţiilor (3.109) şi (3.110) arată următoarele efecte ale degenerării:
• amplificarea diferenţială scade în prezenţa degenerării;
• rezistenţa de intrare diferenţială creşte, în aceleaşi condiţii, cu 2RE (β+1);
• amplificarea de mod comun şi rezistenţa de intrare de mod comun nu se modifică semnificativ
în prezenţa degenerării deoarece RE<<REE;
• factorul de transfer F scade, deci rejecţia modului comun devine mai slabă la AD cu
degenerare;
• suplimentar, în cazul AD cu degenerare, creşte valoarea tensiunii de intrare diferenţiale pentru
care AD lucrează liniar.
3.4.4.3 Analiza de semnal mic a etajelor diferenţiale perfect simetrice, cu ieşire

simplă şi sarcină rezistivă
Un amplificator diferenţial se spune că este cu ieşire simplă dacă semnalul amplificat se
culege din colectorul unuia dintre tranzistoare. Să presupunem că semnalul de ieşire se culege
din colectorul tranzistorului T1 (fig.3.39). Tensiunea de ieşire se poate scrie ca fiind
u
uo = uo1 = uoc + od (3.111)
2
dacă valoarea individuală a tensiunii din colectorul lui T1 se exprimă în funcţie de valorile
tensiunii de ieşire de mod diferenţial şi de mod comun.
Fig. 3.39. Amplificator diferenţial cu sarcină

rezistivă şi ieşire simplă (asimetrică).
Amplificarea de mod diferenţial a etajului cu ieşire simplă se notează cu Ads şi reprezintă,

prin definiţie, raportul dintre tensiunea de ieşire şi tensiunea diferenţială de la intrare, adică:
uod
u A
Ads = o = 2 = dd (3.112)
uid uid 2
unde Add=uod/uid reprezintă amplificarea diferenţială pe care ar avea-o etajul dacă ieşirea ar fi
diferenţială.
Amplificarea de mod comun a etajului cu ieşire simplă este aceeaşi cu cea a etajului
simetric (cu ieşire diferenţială).
Deoarece amplificarea diferenţială scade de două ori, rejecţia modului comun se
înrăutăţeşte (factorul de transfer F se micşorează de două ori).
La acelaşi rezultat se ajunge şi dacă se determină valoarea amplificării de tensiune pentru
semicircuitul valabil pe mod diferenţial din fig. 3.40:
u 1 β RC 1
Ads = o = − = Add (3.113)
uid 2 rπ 2
Fig. 3.40. Semicircuitul valabil pe mod diferenţial pentru

AD cu ieşire simplă din fig. 3.39.
In concluzie este important de reţinut că în cazul etajului diferenţial cu ieşire simplă şi

sarcină rezistivă, amplificarea diferenţială se micşorează de două ori faţă de cea a
amplificatorului diferenţial cu ieşire simetrică (diferenţială).
3.4.4.4 Amplificatorul parafază

Amplificatorul parafază (fig.3.41,a) face parte tot din categoria amplificatoarelor cu ieşire
nesimetrică. Etajul parafază este alcătuit din două tranzistoare cuplate în emitor, primul în
conexiune colector comun iar cel de al doilea în conexiunea bază comună. Denumirea de
parafrază provine de la faptul că semnalul de ieşire este în fază cu cel de intrare. Tranzistorul T2
având baza conectată la masă rezultă:
ui1 = ui
(3.114a)
ui 2 = 0
uid = ui1 − ui 2 = ui
u +u u (3.114b)
uic = i1 i 2 = i
2 2
Pentru a se putea aplica rezultatele de la analiza etajului diferenţial simetric se foloseşte circuitul
echivalent din fig.3.41,b.
a) b) c)
Fig. 4.41. Amplificatorul parafază. (a) Schema amplificatorului. (b) Circuitul echivalent de c.c.
(c) Circuitul echivalent pentru calculul amplificării.
In colectorul tranzistorului T1, iniţial conectat la tensiunea pozitivă de alimentare, s-a

înseriat rezistorul RC, fără să se modifice astfel regimul de curent continuu al amplificatorului.
Tensiunea de intrare se consideră ca fiind suma dintre o tensiune de mod diferenţial, uid şi
una de mod comun, uic, ale căror expresii sunt date în relaţia (3.114b).
Conform acestui punct de vedere rezultă că pe bazele tranzistoarelor se aplică tensiunile:
u
ui1 = uic + id = ui ,
2
(3.115)
uid
ui 2 = uic − = 0.
2
respectându-se astfel condiţiile circuitului iniţial.
Circuitul echivalent pentru calculul amplificării este reprezentat în fig.3.41,c.
Tensiunea de ieşire se culege din colectorul tranzistorului T2 şi de aceea are expresia:
u 1
uo = − od + uoc = − Add uid + Acc uic (3.116)
2 2
unde Add şi Acc au expresiile cunoscute de la etajele perfect simetrice şi anume:
Add = − gm RC (3.117a)
− gm RC RC
Acc = ≈− (3.117b)
1 2 REE
1 + 2 gm REE (1 + )
β
Amplificarea în tensiune a etajului este:
1 R 1
Au = ( − C + gm RC ) ≈ gm RC (3.118)
2 2 REE 2
deoarece, de obicei, REE este mult mai mare decât RC.
Semnul plus din relaţia amplificării semnifică faptul că tensiunea de ieşire este în fază cu
cea de intrare, de unde provine şi denumirea de parafază dată montajului.
Expresia rezistenţei de intrare totale a circuitului, Ri, se determină prin suprapunerea
efectelor curenţilor de intrare de mod comun şi de mod diferenţial:
ui 1
Ri = = = Rid 2 Ric (3.119)
iid + iic iid iic
+
ui ui
La acelaşi rezultat se poate ajunge şi dacă se analizează circuitul echivalent de intrare al unui etaj
diferenţial prezentat în fig.3.29,a.
3.4.4.5 Amplificatoare diferenţiale cu sarcină activă

Realizarea unei sarcini active presupune înlocuirea rezistenţei de sarcină din colectorul
tranzistorului amplificator cu un tranzistor.
Analizând un etaj de amplificare realizat cu tranzistor bipolar şi sarcină rezistivă, rezultă
pentru amplificarea în tensiune relaţia:
Au = − gm RC (3.120)
Se observă că amplificarea Au este cu atât mai mare cu cât RC are valoare mai mare. Dacă se
conectează RC de valoare mare, se consumă prea mult din aria de siliciu iar amplificatorul trebuie
să fie alimentat cu tensiune mare (poate chiar periculos de mare) pentru ca tranzistorul să lucreze
în regiunea activă normală şi deci să rămână tensiune suficientă pentru circuitul său colector-
emitor (tranzistorul să nu fie saturat).
Deoarece numai din punct de vedere dinamic RC trebuie să aibă valoare mare, rezistorul
de sarcină se poate înlocui cu un tranzistor a cărui rezistenţă de ieşire dinamică, la aceeaşi
valoare a curentului de static, este mult mai mare decât RC, iar aria de siliciu ocupată de
tranzistor este considerabil mai mică decât cea necesară pentru rezistorul de sarcină. Din punct
de vedere al regimului de curent continuu acest tranzistor trebuie să asigure curentul de colector
din punctul static de funcţionare al tranzistorului amplificator şi de aceea tranzistorul sarcină
activă face parte dintr-o sursă de curent.
Aplicarea directă a conceptului de sarcină activă conduce la o schemă de amplificator
diferenţial ca cea din fig.3.42. Sarcinile active sunt alcătuite cu tranzistoarele T3 şi T4 care fac
parte din sursa multiplă T3, T4, T5. Amplificatorul diferenţial astfel obţinut are Add foarte mare
dar se înrăutăţeşte inadmisibil de mult comportarea pentru semnalele de mod comun.
Fig. 3.42. Schema de principiu a AD cu

sarcină activă, rezultată prin aplicarea directă
a conceptului de sarcină activă.
O altă abordare a ideii de sarcină activă constă în a controla sursa de curent sarcină activă
cu ajutorul curentului de colector al unui tranzistor din cele două ale amplificatorului diferenţial
(fig.3.43). Circuitele din fig.3.43 elimină problemele legate de comportarea pe modul comun a
configuraţiei de principiu prezentată anterior, asigurând o rejecţie mai bună a semnalelor de mod
comun. De asemenea circuitele fac trecerea de la o intrare diferenţială la o ieşire simplă
(nesimetrică) şi elimină factorul 1/2 din expresia amplificării diferenţiale, comparativ cu etajul
diferenţial cu sarcină rezistivă şi ieşire nesimetrică.
a) b)
Fig. 3.43. AD cu sarcină activă – sursă de curent.
(a) Sarcina – oglindă simplă de curent. (b) Sarcina – oglindă de curent cu trei tranzistoare.
In cazul circuitului din fig. 3.43,a, tranzistorul T1 controlează curentul de referinţă al
oglinzii simple T3, T4. In regim dinamic există următoarele relaţii între curenţii prin tranzistoare:
ic1 = ic3 = ic4 = gm ui1
(3.121)
ic2 = gmui 2
unde s-a presupus că T1 şi T2 sunt identice şi au aceeaşi transconductanţă, gm.
Tensiunea de ieşire uo depinde de rezistenţa de sarcină şi de curentul care circulă prin ea
şi este:
uo = RL (ic4 − ic2 ) = gm RL uid (3.122)
astfel că amplificarea diferenţială a etajului este:
u
Add = o = gm RL (3.123)
uid
După cum se poate observa, din relaţie lipseşte factorul 1/2.
Rezistenţa de intrare diferenţială este:
Rid = 2 rπ (3.124)
iar cea de ieşire are expresia:
Ro = ro 2 ro4 (3.125)
şi este de valoare mare, fapt de care trebuie ţinut seama la cuplarea cu etajul următor de
amplificare. Pentru a se realiza o adaptare optimă etajul următor trebuie să fie un repetor pe
emitor care asigură o rezistenţă de intrare de valoare mare.
Circuitul din fig.3.43,a prezintă dezavantajul unei nesimetrii între curenţii de colector ai
tranzistoarelor T1 şi T2. Dacă se consideră că cei doi tranzistori care alcătuiesc sursa de curent
sunt identici, au curenţii de baza egali cu IB iar cei de colectori egali cu IC, expresiile curenţilor
de colector ale tranzistoarelor T1 şi T2 se scriu:
I C1 = I C + 2 I B
(3.126)
I C2 = I C
şi diferă între ei cu atât mai mult cu cât factorul de amplificare în curent al tranzistoarelor din
sarcina activă este mai mic.
Pentru a elimina acest dezavantaj se utilizează circuitul din fig. 3.43,b. In aceleaşi condiţii
ca mai sus se observă că se pot scrie relaţiile:
2I
I C1 = I C + B
β +1 (3.127)
I C2 = I C
şi valorile curenţilor de colector ai tranzistoarelor care alcătuiesc AD sunt mai apropiate chiar şi
pentru valori mici ale factorului de curent β al tranzistoarelor din srcina activă.
3.4.5 Amplificatoare diferenţiale cu asimetrii

La amplificatoarele diferenţiale reale nu există o egalitate perfectă între elementele cu
acelaşi tip de funcţie, ceea ce înseamnă că amplificatoarele diferenţiale reale prezintă asimetrii.
Aceste asimetrii pot fi între rezistoarele de colector şi între tranzistoare. In cazul tranzistoarelor
aceste asimetrii constau în grosimi de bază diferite, în nivele diferite de dopare a bazei şi
colectorului şi în arii de emitor diferite.
Aceste asimetrii denumite şi neîmperecheri între componentele unui amplificator
diferenţial, precum şi variaţia cu temperatura a valorilor componentelor, numită drift, produc la
ieşire tensiuni diferenţiale de curent continuu, care nu pot fi deosebite de cele produse de
semnalele utile. Dacă se leagă intrările unui astfel de amplificator diferenţial la masă, adică se
îndeplineşte condiţia uid=0, la ieşirea circuitului se obţine o tensiune diferenţială de c.c. diferită
de zero. De asemenea dacă există asimetrii nici curenţii de polarizare (curenţii de bază) nu sunt
egali, diferenţa lor fiind nenulă.
Pentru amplificatorul diferenţial cu asimetrii, efectul referit la intrare al tuturor
neîmperecherilor de componente este reprezentat de două mărimi:
• tensiunea de offset (de decalaj) la intrare, UIO
• curentul de offset (de decalaj) la intrare, IIO.
In acest fel comportarea în c.c. a unui amplificator care are neîmperecheri este identică cu
cea a unui amplificator ideal, fără neîmperecheri, căruia i se adaugă în serie cu una dintre intrări
o sursă de tensiune de offset şi în paralel pe terminalele de intrare o sursă de curent de offset
(fig.3.44). Aceste mărimi sunt de obicei dependente de temperatură şi de tensiunea de intrare de
mod comun.
Fig. 3.44. Circuitul echivalent al AD cu

neîmperecheri, format dintr-un AD perfect
simetric care are la intrare generatoarele
de eroare UIO şi IIO.
3.4.5.1 Determinarea tensiunii de offset la intrare

Din fig.3.44 se observă că tensiunea de offset la intrare, UIO, este egală cu acea
valoare a tensiunii de intrare diferenţiale care trebuie aplicată la intrarea circuitului
pentru a aduce tensiunea diferenţială de la ieşire la zero. In circuitul din fig.3.44, pentru
uid=0, expresia tensiunii de offset la intrare, UIO, rezultă de forma:
U IO = U BE 1 − U BE 2 (3.128)
dar
I
U BE 1 = U T ln C1 ,
I S1
(3.129)
I C2
U BE 2 = U T ln
IS2
astfel că expresia tensiunii de offset la intrare se scrie:
I I
U IO = U T ln( C1 S 2 ) (3.130)
I S1 I C2
curenţii de saturaţie depinzând de grosimea bazei, de nivelul de dopare a bazei şi de aria
emitorului.
Tensiunea de ieşire diferenţială este nulă dacă:
I R
I C1 RC1 = I C 2 RC 2 sau C1 = C 2 (3.131)
I C 2 RC1
astfel că UIO devine
R I
U IO = U T ln[( C 2 )( S 2 )] (3.132)
RC1 I S1
Considerând două mărimi generale x1 şi x2 pentru care ∆x=x1-x2 iar x=(x1+x2)/2, cele două
mărimi se pot exprima astfel:
∆x
x1 = x +
2
(3.133)
∆x
x2 = x −
2
Inlocuind aceste relaţii în expresia tensiunii de offset la intrare, se poate scrie:
∆R ∆I
RC − C I S − S
U IO = U T ln( 2 )( 2 ) (3.134)
∆RC ∆I S
RC + IS +
2 2
şi presupunând ∆RC<<RC şi ∆IS<<IS rezultă:
∆R ∆I
U IO = U T ln(1 − C )(1 − S ) (3.135)
RC IS
După dezvoltarea în serie Taylor şi neglijarea termenilor de ordin superior se obţine:
∆R ∆I
U IO = U T ( − C − S ) (3.136)
RC IS
Factorii de neîmperechere ∆RC/RC şi ∆IS/IS sunt parametri aleatori care au o valoare diferită
pentru fiecare circuit integrat fabricat şi care conţine un amplificator diferenţial de tipul celui
analizat. Abaterile standard observate (notaţie σ) reprizintă 1% pentru ∆RC/RC şi 5% pentru
∆IS/IS, adică σ ∆RC = 0, 01 iar σ ∆I S = 0, 05 .
RC IS
Deoarece tensiunea de offset este dată de suma a doi parametri aleatori necorelaţi,
deviaţia standard a tensiunii totale de offset este egală cu radical din suma pătratelor deviaţiilor
standard ale celor două contribuţii la neîmperechere:
U IO = U T ( σ ∆RC ) 2 + ( σ ∆I S ) 2 (3.137)
RC IS
Valoric se obţine:
U IO = 0, 026 ( 0. 01) 2 + ( 0, 05) 2 = 1, 325 mV (3.138)
Dacă din distribuţie se ia un eşantion cu parametrii egali cu deviaţia standard şi factorii de
neîmperechere sunt astfel încât ei se adună, rezultă următoarea valoare a tensiunii de offset:
U IO = U T ( σ ∆RC + σ ∆I S ) = 0, 026( 0, 01 + 0, 05) = 1, 56 mV (3.139)
RC IS
3.4.5.2 Variaţia tensiunii de offset cu temperatura (drift)

Atunci când etajele diferenţiale sunt utilizate în amplificatoare de curent continuu de
nivel mic, în care tensiunea de offset este critică, se asigură de obicei o ajustare manuală la zero a
tensiunii de offset la intrare, cu ajutorul unui potenţiometru extern. Odată ce acest reglaj a fost
făcut, parametrul important nu mai este tensiunea de offset, ci variaţia acestei tensiuni cu
temperatura, denumită drift. Cu cât excursia de temperatură la care este supus circuitul este mai
mare, cu atât va fi mai mare eroarea introdusă de driftul său.
Dacă se consideră că în relaţia tensiunii de offset la intrare numai tensiunea termică,UT,
se modifică cu temperatura iar ceilalţi termeni sunt independenţi de temperatură rezultă:
dU IO U IO
= (3.140)
dT T
Deci pentru un amplificator diferenţial, de tipul pereche cu cuplaj în emitor, driftul
tensiunii de offset şi tensiunea de offset sunt proporţionale.
Exemplul 3.10. Se presupune că un etaj diferenţial de tipul celui analizat anterior are o
tensiune de offset măsurată de 2mV. Să se determine driftul tensiunii de offset.
Rezolvare: La temperatura camerei, 27°C sau 300K, driftul tensiunii de offset este:
dU IO U IO 2 mV
= = = 6, 6µV / o C
dT T 300 K
De obicei prin ajustarea externă a tensiunii de offset NU se anulează şi driftul acestei
tensiuni, din cauza modului în care se realizează ajustarea la zero a tensiunii de offset. Astfel, o
posibilitate de ajustare a tensiunii de offset constă în conectarea unui potenţiometru P în paralel
cu o porţiune a rezistenţelor de sarcină din colector a perechii cu cuplaj în emitor, aşa cum se
prezintă în fig.3.45. Acest potenţiometru este o piesă conectată în exteriorul circuitului integrat.
In general coeficientul de temperatură al potenţiometrului P nu se împerechează cu acela al
rezistoarelor difuzate, astfel că se introduce o neîmperechere de coeficient de temperatură al
rezistoarelor, care poate face driftul mai prost decât în cazul în care nu se anulează tensiunea de
offset.
Fig. 3.45. Ilustrarea modului de anulare a efectului

tensiunii de offset la intrare, utilizând un
potenţiometru extern P, în cazul AD din AO - µA725.
Etajul diferenţial din fig.3.45 corespunde etajului de intrare a amplificatorului operaţional

µA725, valorile de rezistenţe corespunzând acestui tip de circuit integrat, proiectat special pentru
un drift foarte mic.
Cu o proiectare îngrijită se poate obţine un drift al tensiunii de offset de ordinul a
1...2µV/°C.
3.4.5.3 Determinarea curentului de offset la intrare

Curentul de offset la intrare este egal cu diferenţa celor doi curenţi de bază ai
tranzistoarelor amplificatorului diferenţial:
I I
I IO = I B1 − I B 2 = C1 − C 2 (3.141)
β1 β 2
Procedând asemănător ca la determinarea tensiunii de offset, rezultă:
I ∆R ∆β
I IO = − C ( C + ) (3.142)
β RC β
Deoarece deviaţia standard a neîmperecherii în factorul de amplificare în curent este de 10% iar
cea a rezistoarelor de 1% rezultă:
I
I IO = − C ( 0, 01 + 0, 1) = −0,11I B (3.143)
β
Relaţia (3.141) pune în evidenţă un fapt foarte important: curentul de intrare de offset este mai
mic decât curenţii de polarizare a intrărilor (curenţii de bază ai tranzistoarelor).
3.4.6 Răspunsul în frecvenţă al amplificatorului diferenţial

Odată cu creşterea frecvenţei semnalului de la intrarea amplificatorului diferenţial,
comportarea acestuia este determinată, în principal, de elementele sale capacitive.
Se studiază comportarea în frecvenţă a unui amplificator diferenţial de forma celui din
fig.3.46,a. Conform celor prezentate la analiza etajelor diferenţiale perfect simetrice se poate
forma semicircuitul de mod diferenţial din fig.3.46,b, unde s-a presupus că rezistenţa internă a
sursei de semnal se poate împărţi în două, fiecare parte fiind egală cu RG/2.
Circuitul echivalent de semnal mic pentru semicircuitul de mod diferenţial din fig.3.46,b
este dat în fig.3.46,c, unde pentru o rezolvare mai uşoară şi fără să afecteze corectitudinea
analizei, s-a omis factorul 1/2 pentru tensiunile de la intrare şi ieşire. Tot pentru simplitate s-a
omis capacitatea colector-substrat a tranzistorului.
a) b) c)
Fig. 3.46. Comportarea în frecvenţă a AD. (a) Schema AD a cărui comportare în frecvenţă se
studiază. (b) Semicircuitul valabil pe mod diferenţial. (c) Circuitul echivalent de semnal mic.
Circuitul din fig.3.46,b se poate analiza aplicând teorema lui Miller la semicircuitul
valabil pe mod diferenţial din fig.3.46,c. Teorema lui Miller permite evaluarea efectului unei
impedanţe Z , conectată între ieşirea şi intrarea unui circuit pentru care se cunoaşte amplificarea
K . Conform acestei teoreme, circuitul echivalent va conţine o impedanţă Z1 la intrare şi o alta
Z2 la ieşire, valorile lor fiind dependente de Z şi K :
Z
Z1 = ,
1− K
(3.144)
KZ
Z2 =
K −1
Dacă amplificarea K este mare, deci K>>1, atunciZ2 ≈ Z .
Aplicând teorema lui Miller semicircuitului din fig.3.46,c rezultă schema din fig.3.47.
Fig. 3.47. Semicircuitul valabil pe

mod diferenţial al AD din fig. 3.46,
după aplicarea teoremei Miller.
In cazul amplificatorului cu schema echivalentă de semnal mic din fig.3.46,c, impedanţa

conectată între borna de ieşire şi cea de intrare are expresia:
1
Z= (3.145)
jωCµ
iar amplificarea K este dată de relaţia:
K = − gm RC (3.146)
astfel că cele două impedanţe Z1 şi Z2 vor avea expresiile:
1
Z1 = (3.147a)
jωCµ (1 + gm RC )
1
Z2 ≈ (3.147b)
jωCµ
dacă se poate face presupunerea că gmRC>>1.
Capacitatea de la numitorul expresiei (3.147a) se numeşte capacitate Miller şi se notează
cu CM.
C M = Cµ (1 + gm RC ) (3.148)
Această capacitate se adaugă la cea de intrare Cπ şi degradează răspunsul în frecvenţă al
amplificatorului diferenţial, fapt care se poate pune în evidenţă prin calculul amplificării
circuitului.
3.4.6.1 Răspunsul în frecvenţă al amplificării de mod diferenţial

Răspunsul în frecvenţă al unui amplificator reprezintă dependenţa dintre amplificarea
circuitului şi frecvenţa semnalului aplicat.
Pentru a determina răspunsul în frecvenţă al unui amplificator diferenţial se calculează
mai întâi amplificarea diferenţială, Add. Pentru simplificarea calculelor se notează cu Ct
capacitatea totală de la intrarea amplificatorului iar rezistenţa intrinsecă a bazei tranzistorului, rx
se consideră inclusă în rezistenţa sursei de semnal şi se notează cu rg (rg=rx+RG/2). Se porneşte de
la relaţia generală a amplificării diferenţiale:
Uo
Add = (3.149)
Ui
şi se determină expresiile pentru fiecare din cele două tensiuni care intervin în relaţia
amplificării.
Astfel expresia în complex a tensiunii de intrare U este:

1
rπ
jωCt
U= Ui (3.150)
1
rg + ( rπ )
jωCt
Tensiunea de ieşire se determină pe ochiul de ieşire, unde s-a neglijat influenţa capacităţii
colector-bază:
U o = − gm RC U (3.151)
1
După ce se înlocuieşte (3.150) în (3.151) şi se prelucrează relaţia impedanţei ( rπ ) , se
jωCt
obţine:
g R r 1
Add = − m C π ⋅ (3.152)
rg + rπ rπ rg
1 + jωCt
rπ + rg
Dacă se fac notaţiile:
rr
τ = Ct π g (3.153a)
rπ + rg
g R r
K=− m C π (3.153b)
rπ + rg
unde K este valoarea amplificării de la joasă frecvenţă iar τ reprezintă constanta de timp a
circuitului, expresia amplificării se poate scrie sub forma:
K
Add = (3.154)
1 + jωτ
Funcţia de transfer din relaţia (3.154) reprezintă o combinaţie între factorul independent de
1
frecvenţă K şi un factor liniar corespunzător unui pol simplu, .
1+ jωτ
Pentru a pune în evidenţă faptul că funcţia de transfer a amplificatorului diferenţial este
caracterizată printr-un pol, relaţia (3.154) se poate rescrie astfel:
K
Add = (3.155)
jω
1+
ωp
unde cu ωp s-a notat pulsaţia corespunzătoare polului funcţiei de transfer şi reprezintă pulsaţia la
care amplificarea scade cu 3dB faţă de valoarea de la frecvenţe joase:
RG
rπ + rg 1 rπ + rx + 2 1
ω −3dB = ⋅ = ⋅ (3.156)
rπ rg Ct r ( r R Cπ + (1 + gm RC ) Cµ
π x + G
)
2
Cu cât capacitatea Ct devine mai mare cu atât se micşorează şi pulsaţia (frecvenţa) la -3dB a
amplificatorului (numită şi frecvenţa de frângere a caracteristicii sau pe scurt frecvenţa de
R
frângere). Valoarea aproximativă a polului poate fi estimată presupunând că G este mai mare
2
decât rπ şi că RC este mic. In aceste condiţii din relaţia (3.156) se obţine:
1 1 gm ω T
ω −3dB ≈ = ≈ (3.157)
rπ Cπ β Cπ β
unde ωT reprezintă pulsaţia (frecvenţa) de tăiere a tranzistorului.
Trasarea caracteristicilor de frecvenţă se face aplicând o metodă aproximativă,
diagramele care rezultă numindu-se caracteristici Bode (anexa 2). Metoda permite trasarea
rapidă a dependenţei de frecvenţă a modulului şi a fazei şi se bazează pe folosirea funcţiei
logaritmice, modulul şi faza reprezentându-se în funcţie de logaritmul frecvenţei.
Cele două caracteristici, de amplitudine şi de fază, se desenează de obicei una sub alta şi
au aspectul din fig.3.48.
Fig. 3.48. Caracteristicile Bode ale

AD din fig. 3.46.
Analiza de mai sus este valabilă şi pentru etajul de amplificare cu un tranzistor în

conexiunea cu emitorul comun, de forma celui din fig.3.46,b.
Exemplul 3.11. Să se calculeze frecvenţa la -3dB a unui etaj realizat cu un tranzistor în
conexiunea cu emitorul comun, folosind aproximaţia Miller. Se dau: RG=1kΩ, rx=200Ω,
RC=5kΩ, fT=400MHz (la IC=1mA), IC=1mA, β=100, Cµ=0,5pF.
Rezolvare: parametrii de semnal mic ai tranzistorului sunt:
I 1mA β
gm = C = , rπ = = 2, 6kΩ
U T 26mV gm
1
τT = = 398 ps
2 πf T
Pentru tranzistor este valabilă relaţia:
1
Cπ + Cµ = gm τ T = ⋅ 398 = 15, 3 pF ,
26
de unde rezultă:
Cπ = 14 , 8 pF
Inlocuind valorile numerice în (3.148) se obţine capacitatea Miller:
5000
C M = Cµ (1 + gm RC ) = (1 + ) 0, 5 = 96, 7 pF
26
Această valoare este mult mai mare decât Cπ şi ca urmare domină răspunsul în frecvenţă al
amplificatorului. Inlocuind în (3.156) se găseşte valoarea frecvenţei de frângere a caracteristicii:
1 1000 + 200 + 2600 1012
f −3dB = ⋅ ⋅ = 1, 74 MHz
2 π (1000 + 200) 2600 14, 8 + 96, 7
unde, spre deosebire de analiza etajului diferenţial, s-a utilizat întreaga valoarea RG (1000Ω),
deoarece amplificatorul din problemă este realizat cu un singur tranzistor.
Amplificarea la joasă frecvenţă se poate calcula din (3.153b):
rπ 5000 2600
Add = − gm RC =− ⋅ = −131, 6
RG + rx + rπ 26 1000 + 200 + 2600
Valoarea modulului amplificării, exprimată în decibeli, este 20lgAdd=20lg(131,6)≈40dB.
In fig.3.49 se prezintă dependenţa amplificării în funcţie de frecvenţă.
Fig. 3.49. Caracteristica de amplitudine

a amplificatorului din exemplul 3.11.
3.4.6.2 Răspunsul în frecvenţă al amplificării de mod comun

Valoarea amplificării de mod comun influenţează factorul de rejecţie a modului comun,
parametru important al amplificatoarelor diferenţiale. Amplificarea de mod comun fiind invers
proporţională cu factorul de rejecţie a modului comun, este important ca valoarea ei să fie cât
mai mică. Se va studia în continuare influenţa amplificării de mod comun în funcţie de frecvenţă.
a) b)
Fig. 3.50. Analiza comportării pe mod comun a circuitului din fig. 3.46. (a) Circuitul echivalent
pe mod comun. (b) Semicircuitul echivalent de semnal mic.
Fie RE şi CE rezistenţa, respectiv capacitatea de ieşire echivalente ale sursei de curent

constant IEE din fig.3.46,a. Deoarece pe semicircuitul valabil pe mod comun impedanţele comune
din emitoarele tranzistoarelor care alcătuiesc amplificatorul se dublează, RE şi CE contează pe
schema echivalentă de semnal mic cu mărimile 2RE şi CE/2 (fig.3.50).
Pentru calculul amplificării de mod comun se fac aproximaţiile:
RE ≈ ro
(3.158)
CE ≈ CCS
unde ro este rezistenţa de ieşire a tranzistorului din sursa de curent şi poate fi, de exemplu, de
ordinul 5MΩ iar CCS este capacitatea colector-substrat a aceluiaşi tranzistor şi este de
aproximativ 2pF. Cu aceste valori rezultă o frecvenţă de frângere de aproximativ:
1 1
fE = = ≈ 16kHz (3.159)
2 πRE CE 2 π5 ⋅ 10 ⋅ 2 ⋅ 10−12
6
Pentru valori ale frecvenţei mai mici decât fE, impedanţa de emitor este dominată de RE iar
pentru valori mai mari de frecvenţă, de CE.
Deoarece frecvenţa de frângere a caracteristicii de frecvenţă a Add este de ordinul MHz,
variaţia impedanţei din emitor se va manifesta înaintea restului circuitului. In consecinţă
răspunsul în frecvenţă se va determina presupunând că dependenţa de frecvenţă este dată numai
de impedanţa din emitor şi că singura capacitate semnificativă este CE.
Impedanţa din emitor fiind mare se poate scrie:
RC
Acc = − (3.160)
ZE
unde impedanţa din emitor, Z E , se determină astfel:
1 2 RE
Z E = 2 RE = (3.161)
CE 1 + jωCE RE
jω
2
Inlocuind (3.161) în (3.160) rezultă dependenţa dintre amplificarea de mod comun şi frecvenţă:
R
Acc = − C (1 + jωCE RE ) (3.162)
2 RE
Relaţia (3.162) pune în evidenţă existenţa unui zero care face ca pentru pulsaţii mai mari decât
1
ωz = amplificarea de mod comun să crească cu +20dB/dec.
RE CE
Situaţia aceasta constituie un dezavantaj, deoarece este de dorit ca amplificarea de mod
comun să fie cât mai mică posibil. Creşterea lui Acc nu continuă la nesfârşit, deoarece în cele din
urmă devin importante şi alte capacităţi ale amplificatorului diferenţial analizat. Ca urmare la
frecvenţe înalte Acc va începe să scadă (fig.3.51,a).
Fig. 3.51. Răspunsul în frecvenţă al

AD din fig. 3.46.
(a) Răspunsul în frecvenţă al
amplificării de mod comun.
(b) ) Răspunsul în frecvenţă al
amplificării de mod diferenţial
(c) ) Răspunsul în frecvenţă al
rejecţiei modului comun.
3.4.6.3 Răspunsul în frecvenţă al rejecţiei modului comun

Prin definiţie factorul de rejecţie a modului comun reprezintă raportul dintre amplificarea
de mod diferenţial şi cea de mod comun:
Add
CMRR = (3.163)
Acc
Pe fig.3.51 s-au desenat variaţiile în funcţie de frecvenţă ale modulului amplificării de

mod comun (fig.3.51,a) şi de mod diferenţial (fig.3.51,b) precum şi ale modulului factorului de
rejecţie a modului comun (fig.3.51,c).
După ce se înlocuieşte expresia lui A cc în relaţia rejecţiei modului comun (3.163), se
observă că zeroul amplificării de mod comun devine pol pentru rejecţia modului comun.
Din analiza caracteristicii de frecvenţă a rejecţiei modului comun rezultă o concluzie
foarte importantă: capacitatea amplificatoarelor diferenţiale de a rejecta semnalele de mod
comun scade pe măsură ce frecvenţa semnalului prelucrat creşte.
3.5 ETAJE DE DEPLASARE A NIVELULUI DE CURENT

CONTINUU
Etajele care alcătuiesc circuitele integrate analogice fiind cuplate între ele în c.c., trebuie
să se asigure prin proiectare compatibilitatea nivelului de c.c. de la ieşirea unui etaj cu cel de la
intrarea în etajul următor.
Fig. 3.52. Ilustrarea modului de limitare a

semnalului de la ieşirea unei cascade de
tranzistoare, aflate în conexiunea emitor
comun.
Intr-un etaj de amplificare, realizat cu tranzistor npn în conexiunea cu emitor comun,

nivelul tensiunii de c.c de la ieşire (colector) este întotdeauna mai mare decât cel de la intrare
(bază). Rezultă că în cazul unei cascade de astfel de etaje, nivelul de c.c. de la ieşire creşte repede
spre nivelul sursei pozitive de alimentare, +EC, limitându-se astfel amplitudinea şi liniaritatea
tensiunii amplificate (fig.3.52).
Compatibilitatea nivelelor de curent continuu se realizează cu ajutorul unor etaje de
deplasare a nivelului de c.c. introduse între etajele de amplificare.
Etajele de deplasare au rolul să reducă nivelul de c.c. cu minimum de atenuare a
semnalului de c.a. Totodată aceste etaje servesc la adaptarea impedanţelor între etajele de
amplificare, deci li se impun rezistenţe de intrare cât mai mari şi rezistenţe de ieşire cât mai mici.
3.5.1 Etaje de deplasare a nvelului de curent continuu realizate cu diode

Un mod simplu de a reduce nivelul de c.c. se poate realiza prin conectarea între etajele de
amplificare fie a mai multor diode legate în serie, fie a unei diode Zener. Tensiunea de
deplasare reprezintă diferenţa dintre nivelul de c.c. de la intrarea etajului de deplasare şi cel de la
ieşirea acestuia. In cazul etajului de deplasare realizat cu diodă Zener, tensiunea de deplasare are
o valoare rigidă. Dacă etajul de deplasare este realizat cu diode, tensiunea de deplasare poate fi
mai flexibilă deoarece se poate conecta un număr reglabil de joncţiuni în serie.
3.5.1.1 Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diode

conectate în serie
Prin conectarea în serie a n diode se poate obţine un etaj de deplasare a nivelului de c.c.
de forma celui din fig.3.53,a, unde R reprezintă rezistenţa de intrare a etajului care urmează după
circuitul de deplasare.
a) b)
Fig. 3.53. Etaj de deplasare a nivelului de c.c. realizat cu n diode conectate în serie.
(a) Schema de principiu. (b) Capacitatea colector-substrat a tranzistorului conectat ca diodă.
In curent continuu, între tensiunea de ieşire şi cea de intare se poate scrie relaţia:
U 2 = U1 − n ⋅ U BE (3.164)
unde cu UBE s-a notat căderea de tensiune pe o diodă (joncţiunea bază-emitor a unui tranzistor).
In regim variabil, dacă se notează cu rD rezistenţa dinamică a unei diode, între tensiunea
de ieşire şi cea de intrare se poate stabili relaţia:
R
u2 = u1 ≈ u1 (3.165)
R + nrD
dacă se presupune că rezistenţa de intrare a etajului de amplificare următor este mult mai mare
decât suma celor n rezistenţe dinamice ale diodelor conectate în serie.
Circuitul este uşor de realizat dar prezintă unele dezavantaje, cum ar fi:
• circuitul nu este economic pentru valori mari ale tensiunii de deplasare deoarece ar trebui
conectate în serie prea multe diode;
• deplasarea nivelului de c.c. se face cu un număr întreg de tensiuni UBE şi nu cu orice valoare
se doreşte;
• comportarea în frecvenţă este nesatisfăcătoare din cauza capacităţilor colector-substrat ale
tranzistoarelor conectate ca diode (fig.3.53,b).
3.5.1.2 Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu realizat cu diodă Zener

O altă metodă principială de deplasare a nivelului de curent continuu constă în utilizarea
unei diode Zener, după cum se arată în fig.3.54. Ca diodă Zener se foloseşte în mod normal
joncţiunea bază-emitor a unui tranzistor polarizată invers, ceea ce asigură o cădere de tensiune de
aproximativ 6...7V. Multiplii ai acestei tensiuni se pot obţine prin conectarea în cascadă a mai
multor diode Zener.
Fig. 3.54. Etaj de deplasare a nivelului de curent continuu,

realizat cu diodă Zener.
Se pot stabili următoarele relaţii:

- în curent continuu:
U 2 = U1 − U z (3.166)
- în curent alternativ (regim dinamic):
R
u2 = u1 ≈ u1 (3.167)
R + rz
deoarece rezistenţa dinamică rz a diodei Zener este foarte mică.
Comparativ cu circuitul anterior, cel din fig.3.54 este mai economic pentru tensiuni mari
de deplasare, are rezistenţă de ieşire mică şi o comportare în frecvenţă mai bună (lărgime de
bandă mai mare). Fiind însă mai inflexibilă în raport cu sursa de alimentare şi având zgomot
mare, această metodă se foloseşte la circuite care lucrează în comutaţie, cum sunt, de exemplu,
comparatoarele.
3.5.2 Etaje de deplasare a nivelului de curent continuu realizate cu tranzistoare

In cazul etajelor de deplasare a nivelului de curent continuu realizate cu tranzistoare se
poate folosi, ca tensiune de deplasare, oricare dintre tensiunile între bornele tranzistorului.
Deoarece tensiunea bază-emitor (UBE) are valoarea cea mai mică dintre cele trei tensiuni între
bornele tranzistorului, atunci când UBE se utilizează ca tensiune de deplasare, în serie cu ea mai
trebuie să existe şi o altă cădere de tensiune, cum ar fi, de exemplu, cea de pe o rezistenţă sau de
pe o diodă Zener.
3.5.2.1 Etaj de deplasare a nivelului de c.c. realizat cu diodă multiplicată
Acest circuit, reprezentat în fig.3.55,a, foloseşte ca tensiune de deplasare tensiunea
colector-emitor a unui tranzistor. Tensiunea de deplasare se poate exprima în funcţie de tensiunea
bază-emitor şi este de un număr de ori mai mare decât o cădere de tensiune pe o diodă. Din acest
motiv circuitul se mai numeşte şi diodă multiplicată.
Dacă se presupune că rezistoarele divizorului au astfel de valori încât curentul de bază se
poate neglija în raport cu cel al divizorului, în c.c. se pot scrie relaţiile:
U 2 = U1 − U CE (3.168)
dar prin neglijarea curentului de bază, curentul prin divizor este:
U U CE
I = BE = (3.169)
R2 R1 + R2
de unde se poate deduce relaţia pentru tensiunea de deplasare, UCE:
R
U CE = U BE (1 + 1 ) = n ⋅ U BE (3.170)
R2
Circuitul prezintă avantajul că factorul n poate fi reglat la orice valoare, atât întreagă cât şi
fracţionară, din divizorul R1/R2.
In regim variabil, circuitul echivalent de semnal mic fiind prezentat în fig.3.55,b, cu
varianta simplificată pentru calcul din fig.3.55,c, rezultă:
R
u2 = u1 (3.171)
R + Ro
unde cu Ro s-a notat rezistenţa dinamică serie introdusă de dioda multiplicată.
Calculul rezistenţei dinamice Ro conduce la relaţia:
1 R
Ro = (1 + 1 ), R ' = R2 rπ (3.172)
gm R'
Curentul de bază se poate neglija în condiţiile în care curentul prin divizorul R1, R2 este mult mai
mare decât curentul de bază, ceea ce presupune ca R1 şi R2 să aibă valori mici. Datorită acestui
fapt are loc inegalitatea R2<rπ şi atunci R’≈R2 iar Ro se scrie:
1 R
Ro = (1 + 1 ) = nrD (3.173)
gm R2
In relaţia (3.173) s-au făcut notaţiile rD =1/gm şi n=(1+R1/R2).
In aceste condiţii expresia tensiunii de ieşire va fi:
R
u2 = u1 ≈ u2 (3.174)
R + nrD
dacă rezistenţa de intrare a etajului care urmează este foarte mare.
a) b) c)
Fig. 3.55. Etaj de deplasare a nivelului de c.c., realizat cu diodă multiplicată.

(a) Schema de principiu. (b) Circuitul echivalent de semnal mic. (c) Circuitul de calcul.
3.5.2.2 Etaje de deplasare a nivelului de c.c. realizate cu repetor pe emitor

Pentru ca etajul de deplasare să realizeze şi o bună adaptare de impedanţă, se cere ca
rezistenţa sa de intrare să fie mare iar cea de ieşire de valore mică. Circuitul care poate îndeplini
aceste deziderate este repetorul pe emitor. In fig.3.56 se prezintă trei variante ale etajului de
deplasare a nivelului de curent continuu, realizat cu repetor pe emitor:
• repetor pe emitor şi divizor rezistiv (fig.3.56,a);
• repetor pe emitor cu diodă Zener în loc de rezistorul R1 din divizor (fig.3.56,b);
• repetor pe emitor cu sursă de curent constant în loc de rezistorul R2 din divizor (fig.3.56,c).
Pentru circuitul din fig.3.56,a, în c.c. se pot scrie relaţiile:
RL R2
U2 = (U 1 − U BE ) (3.175a)
R1 + RL R2
sau
R2
U2 = (U1 − U BE ) (3.175b)
R1 + R2
dacă RL>>R2.
In curent alternativ, pentru aceeaşi condiţie RL>>R2, rezultă:
R2
u2 ≈ u1 (3.176)
R1 + R2
Rezistenţele de intrare, Ri şi de ieşire, Ro, au expresiile:
Ri = rπ + (β + 1)( R1 + R2 ) (3.177)
r
Ro = R2 ( R1 + π ) (3.178)
β +1
Compensarea termică şi micşorarea impedanţei de ieşire se obţin înlocuind rezistorul R1 cu o
diodă Zener, aşa cum se prezintă în fig.3.56,b. In c.c. tensiunea de ieşire are expresia:
U 2 = U 1 − U BE − U z (3.179)
tensiunea de deplasare fiind:
U 1 − U 2 = U BE + U z (3.180)
Tensiunea de ieşire este insensibilă la variaţiile temperaturii deoarece UBE şi Uz au coeficienţii de
temperatură egali în modul dar de semne contrare.
a) b) c)
Fig. 3.56. Etaje de deplasare a nivelului de c.c., realizate cu repetor pe emitor.

(a) Schema cu rezistoare. (b) Schema cu diodă Zener. (c) Schema cu sursă de curent.
In regim dinamic, notând rezistenţa dinamică a diodei Zener cu rz şi ţinând seama de

faptul că rezistenţele dinamice ale joncţiunii bază-emitor şi ale diodei Zener sunt foarte mici,
rezultă că tensiunea de ieşire este aproximativ egală cu cea de intrare (atenuarea este neglijabilă)
u2 ≈ u1 (3.181)
iar rezistenţele de intrare, Ri şi de ieşire, Ro, au expresiile:
Ri = rπ + (β + 1)( rz + R2 ) ≈ rπ + (β + 1) R2 (3.182)
r
Ro ≈ R2 ( π ) (3.183)
β +1
Inlocuind rezistenţa R2 a repetorului pe emitor din fig.3.56,a cu o sursă de curent constant, se
obţine o altă variantă a etajului de deplasare a nivelului de c.c., prezentată în fig.3.56,c
Acest circuit are avantajul unei rezistenţe de intrare de valoare foarte mare şi nu
atenuează semnalul alternativ de intrare. Pentru exemplificare, să presupunem că se foloseşte ca
sursă de curent o oglindă cu două tranzistoare, aşa cum se arată în fig.3.57. Dacă se presupune că
efectul de oglindire se realizează fără eroare, atunci se pot scrie, în c.c., relaţiile:
E − U BE
I= C (3.184)
R
rezultând pentru tensiunea de ieşire expresia:
R R
U 2 = U1 − U BE − R1 I = U 1 − EC 1 + U BE ( 1 − 1) (3.185)
R R
Relaţia (3.185) arată că tensiunea furnizată la ieşirea acestui circuit urmăreşte variaţiile tensiunii
de intrare, U1 şi nu depinde de valoarea absolută a rezistenţelor din circuit ci de raportul R1/R,
care este supus unor variaţii mult mai restrânse, în timpul procesului tehnologic de fabricaţie
deoarece toleranţele de împerechere sunt totdeauna mai mici decât cele absolute.
Fig. 3.57. Etaj de deplasare a nivelului de c.c., realizat

cu repetor pe emitor şi sursă de curent de tipul oglindă
de curent cu două tranzistoare.
In regim dinamic circuitul este caracterizat prin:

- rezistenţa de intrare
Ri → ∞ (3.186)
- rezistenţa de ieşire
r
Ro = R1 + π ≈ R1 (3.187)
β +1
- tensiunea de ieşire
u2 ≈ u1 (3.188)
3.5.2.3 Etaj de deplasare a nivelului de c.c. care utilizează un tranzistor pnp

In fig.3.58 se prezintă un circuit de deplasare a nivelului de curent continuu care
utilizează în acest scop tensiunea bază-colector a unui tranzistor pnp.
Montajul este alcătuit din două amplificatoare parafază (T1, T2 şi T4, T5). Deplasarea
nivelului de c.c. se realizează cu ajutorul tensiunii bază-colector a tranzistorului pnp T3.
Fig. 3.58. Etaj de deplasare a nivelului de

c.c., realizat cu tranzistor pnp.
3.6 ETAJE DE IEŞIRE

Etajele de ieşire se mai numesc şi finale deoarece sunt ultimele etaje, înainte de rezistenţa
de sarcină, care prelucrează un semnal. Etajele de ieşire ale circuitelor integrate analogice diferă
relativ puţin de etajele finale realizate cu componente discrete, prin restricţiile generale impuse
de tehnologia monolitică. Aceste etaje trebuie să satisfacă următoarele cerinţe:
• să transfere sarcinii valoarea specificată a puterii de semnal, în condiţiile unui factor de
distorsiuni cât mai redus;
• să aibă o valoare cât mai redusă a impedanţei de ieşire astfel încât valoarea câştigului în
tensiune să fie relativ neafectată de valoarea impedanţei de sarcină;
• să realizeze un consum mic de putere în absenţa semnalului adică să aibă un randament cât
mai ridicat;
• puterea disipată de tranzistoarele finale să fie cât mai mică;
• să asigure o astfel de lărgime proprie de bandă încât să nu limiteze răspunsul în frecvenţă al
întregului circuit analogic.
Cele mai reprezentative etaje de ieşire ale circuitelor integrate analogice sunt realizate cu
tranzistoare care lucrează într-una din următoarele clase de polarizare: A, B sau AB.
3.6.1 Etaje de ieşire clasă A

In proiectarea de circuite integrate, etajele de ieşire clasă A utilizate, pot fi cu tranzistorul
amplificator în conexiune emitor comun, bază comună sau colector comun. Cel mai des utilizate
sunt etajele de ieşire de tipul repetor pe emitor (tranzistorul amplificator în conexiunea colector
comun), deoarece acestea oferă în general caracteristici superioare din punct de vedere a
rezistenţei de ieşire şi a distorsiunilor (aceşti parametri sunt mici).
Funcţionarea etajelor cu emitorul comun este totuşi de interes deoarece aceste etaje sunt
utilizate de multe ori - ca urmare a câştigului lor mare - ca etaje de comandă pentru alte tipuri de
etaje de ieşire.
Configuraţia cu baza comună este utilizată ca etaj de ieşire numai în unele situaţii
speciale. Dezavantajul său este dat de valoarea apropiată de unitate a câştigului în curent. Ca
urmare curentul furnizat de etajul de comandă trebuie să fie egal cu cel al etajului de ieşire.
Etajul cu baza comună oferă totuşi un câştig în tensiune (deci şi un câştig în putere) şi ca urmare
excursia de tensiune a etajului de comandă este mai mică decât a etajului de ieşire. Avantajul
principal al etajului cu baza comună este dat de faptul că în această configuraţie tensiunea de
străpungere a tranzistorului amplificator este cea a joncţiunii colector-bază, fiind mai mare decât
tensiunea de străpungere a altor configuraţii (în mod tipic cu un factor de 2).
Indiferent de tipul de conexiune a tranzistorului amplificator, randamentul maxim
teoretic al etajelor de ieşire clasă A este egal cu 25%. Etajele de ieşire cu baza comună şi cu
emitorul comun prezintă o impedanţă de ieşire mare, cu excepţia cazului în care valoare acesteia
este modificată prin utilizarea reacţiei negative.
3.6.1.1 Etaje de ieşire clasă A de tipul repetor pe emitor

Etajele de ieşire clasă A de tipul repetor pe emitor se utilizează atunci când puterea
necesară în sarcină este mică. In fig.3.59 se prezintă două scheme de principiu ale etajelor de
ieşire realizate cu repetor pe emitor. Pentru simplificarea analizei se va presupune că sursele de
alimentare au valori egale în modul, cu toate că în practică valorile lor pot fi şi diferite.
In circuitul din fig.3.59,a, tranzistorul amplificator este polarizat cu ajutorul unei
rezistenţe. De obicei, această rezistenţă se înlocuieşte cu o sursă de curent, după cum se arată în
fig.3.59, b.
a) b)
Fig. 3.59. Etaje de ieşire clasă A, realizate cu repetor pe emitor.
(a) Etaj polarizat cu rezistenţă. (b) Etaj polarizat cu sursă de curent.
In circuitul din fig.3.59,b, T1 este tranzistorul amplificator. El este polarizat în punctul

static de funcţionare cu un curent I, generat de sursa de curent T2, T3. Elementele de polarizare
R1, R3 şi T3 pot fi utilizate şi pentru polarizarea altor etaje ale circuitului. Amplificatorului i se
aplică la intrare o tensiune uI, care conţine componenta continuă, UI şi componenta variabilă cu
valoarea instantanee ui. Deci uI are expresia:
uI = U I + ui (3.189)
Relaţii asemănătoare se pot scrie şi pentru celelalte mărimi care intervin în montaj. Aplicând
teorema a II-a lui Kirchhoff se poate deduce următoarea relaţie între tensiunea de intrare şi cea de
ieşire:
uI = uBE + uO (3.190a)
sau înlocuind fiecare tensiune cu suma dintre componenta sa continuă şi cea variabilă, rezultă:
U I + ui = U BE + ube + U O + uo (3.190b)
Se impune ca atunci când nu se aplică semnal variabil la intrarea amplificatorului (adică ui=0),
valoarea de c.c. a tensiunii de ieşire să fie nulă (UO=0). Dar dacă nu se aplică semnal la intrare
atunci nu va exista nici semnal amplificat (deci şi uo=0) şi nici semnal variabil pe jonctiunea
bază-emitor a tranzistorului T1 (adică şi ube=0). Cu aceste observaţii relaţia (3.190b) devine:
U I = U BE (3.191)
Deci componenta de curent continuu a tensiunii de intrare trebuie să fie egală cu tensiunea de
polarizare a joncţiunii bază-emitor a tranzistorului amplificator. Trebuie observat că pe fig.3.59
nu s-a desenat circuitul de polarizare a tranzistorului T1, de aceea circuitul este util doar pentru
analiză.
Pentru curentul de colector al tranzistorului T1 este valabilă relaţia:
iC = I + iO (3.192a)
sau considerând şi componenta continuă şi cea variabilă a curentului de colector şi a celui de
ieşire, relaţia (3.192a) se poate scrie sub forma:
I C + ic = I + I O + io (3.192b)
Dar componenta de curent continuu a curentului de ieşire este zero (IO=UO/RL=0) deoarece s-a
impus ca valoarea de c.c. a tensiunii de ieşire să fie nulă (UO=0), astfel că valoarea de c.c. a
curentului de colector a tranzistorului T1 este identică cu valoarea curentului dat de sursa T2, T3
şi reprezintă valoarea curentului din punctul static de funcţionare a lui T1, adică:
IC = I (3.193)
Funcţionarea amplificatorului este următoarea:
• pentru alternanţa pozitivă a tensiunii de intrare (ui>0), atât timp cât T1 şi T2 lucrează în
regiunea activă normală, prin tranzistorul T1 curge un curent format din componenta constantă
I şi componenta variabilă a curentului prin sarcină (io). Prin T2 curge curentul constant I.
Pentru valori pozitive mari ale tensiunii de intrare, tranzistorul T1 se poate satura. In aceste
condiţii valoarea maximă pozitivă a tensiunii de ieşire va fi:
U o+,max = EC − U CE 1, sat (3.194)
Tranzistorul T2 lucrează tot în regiunea activă normală ca şi înainte de saturarea lui T1.
• pentru alternanţa negativă a tensiunii de intrare (ui<0), atât timp cât T1 şi T2 lucrează în
regiunea activă normală, o parte a curentului constant I curge prin rezistenţa de sarcină RL cu
sensul de la masă spre T2 iar tranzistorul T1 completează restul de curent până la valoarea I.
Curentul prin RL fiind variabil rezultă că şi cel prin T1 este tot variabil. Prin tranzistorul T2
curge şi în acest caz acelaşi curent constant I.
Pentru valori negative mari ale tensiunii de intrare, T1 se poate bloca astfel că întreg curentul
constant I va curege prin RL, cu sensul de la masă spre T2. Dacă tranzistorul T2 se saturează,
atunci valoarea maximă negativă a tensiunii de ieşire va avea expresia:
U o−,max = RL I = − EC + U CE 2 ,sat + R2 I (3.195)
Acestei funcţionări îi corespunde caracteristica de transfer din fig.3.60.
Fig. 3.60. Caracteristica de transfer a etajului de ieşire din fig. 3.59, b, trasată pentru rezistenţă
de sarcină de valoare mică (RL3) şi mare (RL1).
Pentru a determina această caracteristică se porneşte de la următoarea relaţie, scrisă

pentru valorile efective ale mărimilor electrice care intervin:
U i = U be1 + U o (3.196)
Tensiunea bază-emitor a tranzistorului T1, Ube1, se poate exprima în funcţie de curentul de
colector al lui T1, Ic1 şi de curentul său de saturaţie IS şi este:
kT I c1
U be1 = ln (3.197)
q IS
dacă T1 lucrează în regiunea activă normală.
Dar Ic1 se poate scrie:
U
I c1 = I + o (3.198)
RL
dacă T2 lucrează şi el în regiunea activă normală şi factorul de amplificare în curent β se
presupune mare. Inlocuind relaţiile (3.198) şi (3.197) în (3.196) se obţine:
U
I+ o
kT RL
Ui = ln + Uo (3.199)
q IS
Ecuaţia (3.199) este neliniară şi stabileşte o legătură între tensiunile Ui şi Uo numai dacă ambele
tranzistoare T1 şi T2 sunt în regiunea activă normală. Rezistenţa de sarcină RL se presupune mică
în comparaţie cu rezistenţa de ieşire a tranzistoarelor.
Relaţia (3.195) pune în evidenţă faptul că amplitudinea negativă a semnalului de ieşire
depinde de mărimea rezistenţei de sarcină. Deoarece un semnal sinusoidal se caracterizează prin
valori egale ale celor două amplitudini, pozitivă şi negativă, în acord cu relaţia (3.195), analiza
etajului de ieşire de tipul repetor pe emitor trebuie să se facă în funcţie de mărimea rezistenţei de
sarcină. După cum se ilustrează şi pe caracteristica de ieşire a tranzistorului T1 din fig.3.61, pot
apare următoarele situaţii:
• RL=RL1 de valoare mare, astfel încât:
U o−,max = EC − U CE 2 ,sat − R2 I 〈 RL1 I (3.200)
• RL=RL2 tot de valoare mare ( RL 2 〈 RL1 ), astfel încât:
U o−,max = EC − U CE 2 ,sat − R2 I = RL 2 I (3.201)
• RL=RL3 de valoare mică ( RL 3 〈 RL2 ), astfel încât:
U o−,max = RL3 I 〈 ( EC − U CE 2 ,sat − R2 I ) (3.202)
In primele două cazuri excursia maximă a tensiunii de ieşire este Uo,max=EC-UCE,sat, dacă se
consideră că tensiunile colector-emitor de saturaţie ale lui T1 şi T2 sunt egale şi se neglijează
căderea de tensiune pe rezistorul R2.
In cazul celei de a treia rezistenţe de sarcină, amplitudinea maximă a tensiunii de ieşire se
limitează la valoarea RL3I, chiar dacă excursia maximă pozitivă a tensiunii pe sarcină este egală
cu EC-UCE,sat.
Fig. 3.61. Dreptele de sarcină din planul iC1 – uCE1 pentru

repetorul pe emitor din fig. 3.59, b.
3.6.1.2 Puterea de ieşire şi randamentul amplificatorului în clasă A

Atunci când la intrarea amplificatorului se aplică un semnal sinusoidal, puterea disipată
de diversele elemnte va varia în funcţie de timp. Prezintă interes atât puterea disipată instantanee
cât şi puterea disipată medie.
Puterea instantanee este importantă atunci când se consideră puterea disipată de tranzistor
pentru cazul semnalelor de joasă frecvenţă sau de curent continuu. Temperatura joncţiunilor
tranzistorului tinde să crească sau să scadă urmărind puterea instantanee disipată de dispozitiv; ca
urmare va exista o putere disipată maximă disponibilă care asigură funcţionarea sigură a oricărui
dispozitiv.
Nivelele de putere medie sunt importante deoarece, în mod uzual, puterea transmisă unei
sarcini este specificată ca valoare medie. De asemenea trebuie observat că în cazul în care etajul
de ieşire prelucrează numai semnale de frecvenţă înaltă, temperatura joncţiunilor tranzistorului
nu va avea o variaţie apreciabilă în timpul unei perioade a semnalului; rezultă că în acest caz
factorul limitativ va fi puterea medie disipată de dispozitiv.
Puterea medie transmisă sarcinii RL, atunci când la intrare se aplică un semnal sinusoidal
şi se presupune că şi semnalul de ieşire este sinusoidal, va fi:
Uv Iv 1
Pu = o o = U ov I ov (3.203)
2 2 2
unde U ov şi I ov reprezită amplitudinile sau valorile de vârf ale tensiunii sinusoidale de la ieşire,
respectiv, curentului sinusoidal de la ieşire. După cum s-a arătat mai înainte amplitudinea
maximă a semnalului la ieşire care poate fi atinsă înainte de a intra în limitări depinde de
valoarea rezistenţei RL. Astfel valoarea maximă a puterii Pu care poate fi atinsă înainte de a
apărea limitarea este:
1
Pu,max = U ov,max I ov,max (3.204)
2
unde U ov,max şi I ov,max sunt valorile maxime ale amplitudinilor tensiunii, respectiv, curentului care
se pot atinge înainte de a apărea limitarea.
Să considerăm cazul în care rezistenţa de sarcină este RL1. Caracteristicile din figurile
3.60 şi 3.61 evidenţiază faptul că limitarea apare în acest caz simetric, astfel că:
U ov,max = EC − U CE ,sat (3.205)
dacă se presupune că tranzistoarele T1 şi T2 au tensiunile de saturaţie egale.
Valoarea corespunzătoare a amplitudinii curentului sinusoidal de ieşire este:
Uv
I ov,max = o,max (3.206)
R L1
Puterea medie maximă care se poate transmite sarcinii RL1 se calculează prin înlocuirea în
(3.204) a relaţiilor (3.205) şi (3.206).
Din punct de vedere geometric, valoarea acestei puteri reprezintă aria triunghiului notat
cu 1 în fig.3.61. Pe măsură ce se măreşte valoarea rezistenţei de sarcină puterea medie maximă
de ieşire care poate fi transmisă sarcinii devine din ce în ce mai mică deoarece aria triunghiului
se micşorează. Valoarea maximă a amplitudinii tensiunii de la ieşire rămâne practic aceeaşi, dar
valoarea amplitudinii curentului scade odată cu creşterea sarcinii RL1.
Dacă RL=RL3, excursia maximă de tensiune la ieşire, înainte de a apărea limitarea, este:
U ov,max = IRL3 (3.207)
Corespunzător amplitudinea curentului este I ov,max = I şi folosind relaţia (3.204) rezultă că puterea
medie maximă care poate fi transmisă sarcinii este dată de aria notată cu 3 pe fig.3.61. Este clar
că pe măsură ce se micşoreată valoarea rezistenţei de sarcină se micşorează şi puterea medie
maximă care poate fi transmisă sarcinii.
In urma examinării fig.3.61 rezultă că puterea de ieşire a etajului atinge un maxim pentru
RL=RL2, expresia sarcinii fiind:
E − U CE ,sat
RL2 = C (3.208)
I
Această dreaptă de sarcină duce la triunghiul cu aria cea mai mare (notată cu 2 pe fig.3.61).
Deoarece în acest caz U ov,max = EC − U CE ,sat şi I ov,max = I , din (3.204) se obţine:
1 1
Pu,max = U ov,max I ov,max = ( EC − U CE ,sat ) I (3.209)
2 2
Pentru a calcula randamentul (eficienţa) circuitului, trebuie să determinăm şi puterea consumată
de la sursele de alimentare. Curentul extras de la sursa pozitivă este egal cu curentul de colector
al tranzistorului T1, curent presupus sinusoidal şi cu valoarea medie I. Curentul care este absorbit
de sursa negativă este constant şi egal cu I (se neglijează curentul de referinţă al sursei de curent
T2, T3). Deoarece tensiunile de alimentare sunt constante, puterea medie consumată de la sursele
de alimentare este constantă şi independentă de prezenţa în circuit a semnalului sinusoidal.
Puterea totală consumată de la cele două surse de alimentare este:
Pa = 2 EC I (3.210)
Randamentul cu care acest circuit realizează conversia puterii consumate în putere utilă
se defineşte ca raportul dintre puterea medie transmisă sarcinii (puterea utilă) şi puterea
consumată de la sursele de alimentare. In mod evident, pentru acest circuit randamentul creşte
odată cu creşterea puterii de ieşire deoarece puterea consumată de la sursele de alimentare este
constantă. De asemenea, deoarece nivelul puterii de ieşire a circuitului depinde de valoarea
sarcinii RL şi randamentul va depinde de RL. Valoarea optimă a randamentului se obţine pentru
RL=RL2 deoarece această sarcină asigură puterea de ieşire maximă. Deci în general:
P
η= u (3.211)
Pa
iar dacă RL=RL2 se obţine randamentul maxim:
1 U
ηmax = (1 − CE , sat ) (3.212)
4 EC
Dacă se îndeplineşte condiţia U CE ,sat 〈〈 EC , valoarea maximă a randamentului acestui etaj este de
25%.
Alt aspect important al funcţionării circuitului îl constituie valoarea puterii disipate de
tranzistoare. Formele de undă ale curentului şi tensiunii tranzistorului T1 pentru excursia maximă
în cazul RL=RL2 sunt prezentate în fig.3.62. S-a presupus că U CE , sat ≅ 0. Tot în fig.3.62 s-a
reprezentat şi produsul dintre tensiunea colector-emitor şi curentul de colector care constituie
puterea instantanee disipată de T1 (pd1):
pd 1 = uCE1iC1 (3.213)
Fig. 3.62. Formele de undă pentru tranzistorul T din fig. 3.59, b, în cazul excursiei maxime la
ieşire, RL=RL2. (a) Forma de undă a tensiunii colector+emitor. (b) Forma de undă a curentului
de colector. (c) Forma de undă a puterii disipate în colector.
Pentru excursia maximă a semnalului de ieşire sinusoidal, pd1 se poate exprima astfel:
E I
pd 1 = EC (1 + sin ωt ) I (1 − sin ωt ) = C (1 + cos 2ωt ) (3.214)
2
Puterea instantanee disipată de T1 variază cu o frecvenţă egală cu dublul frecvenţei semnalului
având valoarea medie egală cu jumătate din puterea disipată în absenţa semnalului, adică ECI/2.
Rezultă că în condiţii de putere maximă la ieşire, temperatura medie a tranzistorului, atunci când
se transmite putere sarcinii RL=RL2 este mai mică decât temperatura în absenţa semnalului.
Hiperbolele de putere disipată, instantanee, constantă, de către T1 se prezintă în fig.3.63.
In figură s-au trasat trei hiperbole corespunzătoare unor valori constante ale puterii disipate
instantanee p1, p2 şi p3, aflate în relaţia: p1<p2<p3. Hiperbola care corespunde valorii p2 trece prin
punctul static de funcţionare şi corespunde unei rezistenţe de sarcină RL=RL2. Se observă că
dreapta de sarcină pentru RL=RL2 este tangentă la hiperbola care trece prin punctul static de
funcţionare, deoarece în acest punct ambele curbe au aceeaşi pantă. Devine clar că odată ce
punctul de funcţionare părăseşte poziţia de regim static şi se mişcă pe dreapta de sarcină RL=RL2,
puterea instantanee disipată de tranzistor scade, deoarece dreapta de sarcină intersectează
hiperbole de putere constantă de valoare tot mai mică. Acest punct de vedere este în concordanţă
cu formele de undă din fig.3.62.
Pentru RL→ ∞ (etajul lucrează în gol) curentul de colector al tranzistorului T1 nu mai
variază în decursul unei perioade ci este constant (vezi fig.3.63). Pentru valori ale tensiunii uCE1
mai mari decât valoarea statică, puterea instantanee disipată de tranzistor creşte. Valoarea
maximă posibilă a tensiunii uCE1 este [2EC-UCE2,sat], puterea instantanee maximă fiind în acest
caz aproximativ 2ECI dacă UCE2,sat<<EC. Disipaţia este deci dublă faţă de aceea din absenţa
semnalului (ECI). La cealaltă extremă a excursiei semnalului de ieşire pentru care uCE1≈0, puterea
disipată de tranzistorul T2 este de asemenea 2ECI.
Deci puterea disipată maximă de ambele tranzistoare este 2ECI şi trebuie să se ţină
seama de ea atunci când se impun cerinţele de putere disipată pentru T1 şi T2.
Fig. 3.63. Hiperbolele de putere disipată instantanee, constantă, de către tranzistorul T1

din fig. 3.59, b (p1<p2<p3).
O situaţie mai periculoasă este aceea în care sarcina se scurtcircuitează. In acest caz
dreapta de sarcină este o verticală care trece prin punctul static de funcţionare (vezi fig.3.63).
Pentru semnale de intrare mari, curentul de colector al lui T1, deci şi puterea disipată de
tranzistor poate deveni prea mare. Limita pe care o poate atinge valoarea curentului de colector
este determinată de capacitatea etajului prefinal, cel care livrează semnalul de intrare în etajul de
ieşire, de a furniza tranzistorului T1 curentul de bază şi de asemenea de scăderea la curenţi mari a
câştigului în curent al lui T1. Aceşti factori ar trebui să fie suficienţi pentru ca T1 să nu se
distrugă, totuşi în practică sunt necesare circuite de limitare a curentului pentru a preveni
distrugerea tranzistorului amplificator T1.
Analiza de mai sus conduce la următoarea concluzie importantă: orice dreaptă de
sarcină este tangentă la hiperbola de putere disipată constantă într-un punct care împarte
dreapta de sarcină în două părţi egale. Rezultă că punctul de la mijlocul oricărei drepte de
sarcină este punctul în care puterea instantanee disipată de tranzistor este maximă.
Exemplul 3.12. Se presupune un etaj de ieşire clasă A ca cel din fig.3.59,b, cu
următoarele date: EC=12V, R3=5,7kΩ, R1=R2=0, UCE,sat=0,2V, UBE=0,6V, RL=1kΩ.
a) Să se calculeze puterea medie de ieşire maximă care poate fi transmisă sarcinii RL
înainte de apariţia limitării şi randamentul corespunzător. Care este randamentul maxim posibil
ce se poate realiza cu acest circuit şi ce valoare RL este necesară pentru a-l obţine? Se va
presupune că semnalul este sinusoidal.
b) Să se calculeze puterea disipată instantanee maximă a tranzistorului T1 pentru
RL=1kΩ. Ce valoare va avea puterea medie disipată de T1 dacă amplitudinea tensiunii de ieşire
este de 1,8V?
Rezolvare:
a) după cum s-a arătat, amplitudinea semnalului de ieşire depinde de valoarea rezistenţei
de sarcină RL. De aceea se evaluează mai întâi produsul IRL pentru a aprecia în care din cele trei
cazuri discutate pentru RL ne situăm.
Curentul din punctul static de funcţionare este:
E − U BE 3 (12 − 0, 6)V
I= C = = 2 mA
R3 5, 7 kΩ
Produsul IRL va fi:
IRL = 2 mA × 1k Ω = 2V
Această valoare este mai mică decât EC-UCE,sat=12V-0,2V=11,8V. Deci ne aflăm în cazul al
treilea de rezistenţă de sarcină şi anume cazul RL mic (RL=RL3 din fig.3.61). In această situaţie
excursia maximă pentru un semnal sinusoidal va fi IRL=2V, valoare impusă de limitarea tensiunii
de ieşire în semialternanţa negativă.
Valorile maxime ale tensiunii şi curentului pe sarcină sunt:
U ov,max = 2V , I ov,max = 2mA
Relaţia (3.204) permite calculul puterii medii maxime de ieşire:
1 1
Pu,max = U ov,max I ov,max = 2 × 2 = 2mW
2 2
In conformitate cu relaţia (3.210) puterea consumată de al sursele de alimentare va fi:
Pa = 2 EC I = 2 × 12 × 2 = 48mW
Randamentul circuitului pentru puterea utilă determinată mai sus este:
P 2
η = u,max = = 0, 042
Pa 48
Valoarea randamentului de 4,2% este mică din cauza limitării care apare în semialternanţa
negativă.
Randamentul maxim posibil, realizabil cu acest etaj, se obţine pentru o valoare a
rezistenţei de sarcină RL=RL2 (vezi fig.3.61), dată de (3.208):
E − U CE ,sat (12 − 0, 2)V
RL 2 = C = = 5, 9 k Ω
I 2mA
Puterea medie maximă (puterea utilă maximă) care se poate transfera sarcinii în acest caz, înainte
să apară limitarea, se găseşte din (3.209)
1 1 1
Pu,max = U ov,max I ov,max = ( EC − U CE ,sat ) I = (12 − 0, 2) 2 = 11, 8mW
2 2 2
Valoarea corespunzătoare a randamentului se obţine din (3.212)
1 U 1 0, 2
ηmax = (1 − CE ,sat ) = (1 − ) = 0, 246
4 EC 4 12
adică 24,6%, valoare care este aproape de maximul teoretic de 25%.
b) Disipaţia instantanee maximă posibilă în T1 are loc în punctul corespunzător
mijlocului dreptei de sarcină. Din fig.3.61, pentru dreapta de sarcină RL=RL3 se obţine:
1 1
U ce1 = ( EC + IRL ) = (12 + 2 ) = 7V
2 2
Valoarea corespunzătoare a curentului de colector prin T1 este:
U 7V
I c1 = ce1 = = 7mA
RL 1k Ω
Deci disipaţia instantanee maximă posibilă în T1 este:
Pd 1 = U ce1 I c1 = 7V × 7 mA = 49 mW
Se observă că această disipaţie are loc pentru Uce1=7V, care corespunde unei excursii a tensiunii
de ieşire în afara limitelor de funcţionare liniară a circuitului. Limitarea se instalează în excursia
negativă la ieşire, îndată ce amplitudinea tensiunii de la ieşire atinge 2V.
Această situaţie poate să apară cu uşurinţă dacă circuitul se excită cu un semnal de intrare
prea mare.
Dacă trebuie determinată disipaţia pentru o valoare oarecare a tensiunii de ieşire, sub
valoarea de limitare (mai mică deci decât 2V) se porneşte de la observaţia că - pentru semnale
sinusoidale - puterea medie consumată de la cele două surse de alimentare este constantă şi
independentă de prezenţa semnalului variabil. Deoarece puterea livrată circuitului de sursele de
alimentare este constantă, puterea medie totală disipată de T1, T2 şi sarcina RL trebuie să fie
constantă şi independentă de prezenţa semnalului sinusoidal.. Puterea medie disipată de T2 este
constantă deoarece I este constant. Ca urmare puterea medie disipată de T1 şi RL este şi ea
constantă. Deci, odată cu creşterea lui U ov , puterea medie disipată în T1 scade cu aceeaşi cantitate
cu care creşte puterea medie disipată în RL.
Pentru a determina puterea medie disipată de T1 dacă amplitudinea semnalului de ieşire
este de 1,8V, va trebui să ţinem seama de cele prezentate anterior şi de următoarele observaţii:
- fără semnal la intrare puterea disipată de T1 este Pd 1 = EC I = 12V × 2 mA = 24 mW
- pentru U ov = 1, 8V puterea medie transferată sarcinii este
1 (U ov ) 2 1 3, 24
Pu = = = 1, 62 mW
2 RL 2 1
Rezultă că puterea medie disipată de T1 atunci când U ov = 1, 8V , semnalul fiind sinusoidal, este
Pd ,med = Pd 1 − Pu = 24 − 1, 62 = 22, 38mW
Exemplul 3.13. Să se determine excursia maximă a unui semnal de ieşire sinusoidal
pentru un circuit ca cel din fig.3.59,a. Se presupune că tranzistorul amplificator se află în acelaşi
punct static de funcţionare ca în exemplul 3.12. Pentru această situaţie să se determine valoarea
rezistenţei RE de polarizare a tranzistorului amplificator. Se presupune că RL=1kΩ.
Rezolvare: deoarece în punctul static de funcţionare tranzistorul este caracterizat de
valorile:
U CE = 12V
I C = 2mA
valoarea rezistenţei RE se determină din relaţia:
EC 12V
RE = = = 6kΩ
I C 2 mA
Valoarea maximă a tensiunii de ieşire sinusoidale este limitată de excursia negativă maximă a
tensiunii pe sarcină când T1 se blochează. In acest caz valoarea maximă a tensiunii de ieşire se
determină observând că RL şi RE formează un divizor de tensiune pentru -EC. Rezultă
RL 1
U ov,max = U o−,max = EC = 12 = 1, 71V
RL + RE 1+ 6
deci o valoare mai mică decât în cazul polarizării tranzistorului amplificator cu sursa de curent
constant.
In aceste condiţii şi randamentul circuitului se micşorează şi va fi:
1
1, 71 × 2
Pu 2
η= = = 0, 035
Pa 2 × 12 × 2
adică 3,5%.
3.6.1.3 Cerinţe relative la comanda repetorului pe emitor

Etajul care precede etajul de ieşire se numeşte etaj de comandă (pilot sau driver sau
prefinal). Acest etaj poate introduce limitări suplimentare în funcţionarea circuitului deoarece,
aşa cum rezultă de pe caracteristica de transfer (vezi fig. 3.60), tensiunea de comandă în bază,
necesară pentru a obţine valoarea maximă pozitivă a tensiunii de ieşire, este EC-UCE1,sat+uBE1.
Deoarece uBE1>UCE1,sat, rezultă că tensiunea de comandă în baza lui T1 trebuie să fie mai mare
decât tensiunea de alimentare. Acest lucru presupune ca etajul prefinal să fie alimentat cu o
tensiune mai mare decât cel final. Deoarece, în cele mai multe cazuri, etajul de comandă este
conectat la aceeaşi sursă de alimentare ca şi etajul de ieşire, el nu poate produce tensiuni mai
mari decât tensiunea de alimentare ceea ce reduce, în mod suplimentar, excursia de tensiune
posibilă la ieşire.
3.6.2 Etaje de ieşire clasă B

Etajele de ieşire în clasă A au un dezavantaj major dat de faptul că are loc o disipaţie
mare de putere chiar şi în absenţa semnalului alternativ de la intrare. In multe aplicaţii ale
amplificatoarelor de putere, circuitul poate funcţiona pentru intervale mari de timp în condiţii de
aşteptare, fără semnal de intrare sau cu semnale de intrare intermitente (de exemplu în cazul
semnalelor vocale). Puterea disipată în aceste condiţii se pierde, ceea ce este neconvenabil din
următoarele motive:
• în echipamentele alimentate de la baterii puterea sursei de alimentare trebuie conservată
pentru a extinde durata de utilizare a bateriilor;
• orice putere care se pierde în circuit este disipată de dispozitivele active, ceea ce înseamnă
funcţionarea la temperaturi mai ridicate, având deci şi o probabilitate de defectare mai mare.
Puterea disipată în dispozitiv îi determină şi dimensiunile sale fizice, dispozitivele mari fiind
mai scumpe deoarece şi aria de siliciu consumată este mai mare.
Etajele de ieşire în clasă B rezolvă aceste probleme deoarece la semnal de intrare nul, puterea
disipată este practic nulă.
3.6.2.1 Etaje de ieşire clasă B realizate cu tranzistoare complementare în

conexiunea colector comun
In clasa B de polarizare, punctul static de funcţionare al tranzistorului din planul
caracteristicilor de ieşire se află la intersecţia dreptei de sarcină cu curba trasată pentru IB=0, ceea
ce înseamnă că în absenţa semnalului de intrare tranzistorul este blocat. El va fi trecut în
conducţie de semnalul ce trebuie amplificat. Deoarece tranzistorul npn se deschide pentru
potenţiale pozitive aplicate în bază iar tranzistorul pnp pentru potenţiale negative aplicate în
bază, sunt necesare două dispozitive care să amplifice un semnal sinusoidal, câte unul pentru
fiecare semiperioadă a semnalului. Acest lucru explică şi denumirea de etaje în contratimp cu
tranzistoare complementare folosită în cazul etajelor de ieşire în clasă B.
Etajele de ieşire în clasă B au şi avantajul că randamentul este mult mai bun decât pentru
etajele de ieşire în clasă A. Valoarea maximă teoretică este de 78,5%.
O realizare tipică de etaj de ieşire în clasă B este prezentată în fig.3.64. Circuitul foloseşte
două tranzistoare complementare: un tranzistor npn şi un altul pnp. Rezistenţa de sarcină RL este
conectată în emitoarele tranzistoarelor care funcţionează deci ca repetoare pe emitor.
Fig. 3.64. Etaj de ieşire simplu în clasă B, din circuitele integrate analogice.
Caracteristica de transfer a circuitului din fig.3.64 este prezentată în fig.3.65. Pentru uI
egal cu zero, uO este de asemenea zero, ambele tranzistoare fiind blocate, deoarece au uBE=0.
Pe măsură ce tensiunea de intrare uI creşte spre valori pozitive, creşte şi tensiunea bază-
emitor a tranzistorului T1. In momentul în care se atinge valoarea de deschidere a tensiunii uBE,
prin T1 începe să circule curent. In punctul în care T1 începe să conducă, uO este încă aproximativ
zero şi orice creştere ulterioară a tensiunii uI va determina o creştere similară a tensiunii uO
deoarece tranzistorul T1 funcţionează ca repetor pe emitor. In tot acest timp tranzistorul T2 este
blocat deoarece tensiunea sa bază-emitor este negativă. Dacă tensiunea uI creşte în continuare şi
este tot pozitivă, tranzistorul T1 se saturează iar caracteristica de transfer devine plată, la fel ca în
cazul amplificatorului în clasă A.
Fig. 3.65. Caracteristica de transfer a etajului de ieşire clasă B din fig. 3.64.
Pentru valori negative ale tensiunii de intrare uI, caracteristica de transfer are o formă
asemănătoare cu ceea ce s-a obţinut în cazul valorilor pozitive ale lui uI. In această situaţie
tranzistorul T2 lucrează ca repetor pe emitor iar T1 este blocat de o tensiune bază-emitor inversă.
Tranzistorul T2 nu se va deschide decât pentru valori negative ale tensiunii de intrare mai mari în
modul decât tensiunea bază-emitor de deschidere a acestui tranzistor pnp. Pentru valori negative
de intrare mari în modul, tranzistorul T2 se poate satura.
Caracteristica de transfer din fig.3.65 pune în evidenţă pentru tensiunea uI o zonă moartă
de mărime 2UBE, centrată pe uI=0, situaţie caracteristică pentru etajele de ieşire în clasă B.
Această zonă moartă determină apariţia distorsiunilor de trecere (cross over în limba
engleză), fapt ilustrat în fig.3.66 în care se prezintă formele de undă de la ieşirea amplificatorului
pentru diferite valori ale amplitudinii semnalului sinusoidal de la intrare, valori mai mari decât
UBE. Pe măsură ce amplitudinea semnalului de intrare creşte, această sursă de distorsiuni devine
din ce în ce mai puţin semnificativă deoarece zona moartă reprezintă o fracţiune tot mai mică a
semnalului. Pentru amplitudini mari ale semnalului de intrare, cele două tarnzistoare T1 şi T2 se
pot satura. Semnalul de ieşire va fi din nou distorsionat, de această dată prin limitare.
Distorsiunile de trecere sunt mai evidente la nivele mici de semnal iar cele de limitare la nivele
mari ale semnalului aplicat la intrarea amplificatorului.
Fig. 3.66. Formele de undă la ieşire pentru diferite valori ale amplitudinii semnalului de
intrare, aplicate etajului de ieşire clasă B din fig. 3.64.
Distorsiunile de trecere pot fi reduse prin utilizarea clasei AB de polarizare a

tranzistoarelor de ieşire. In această clasă de funcţionare dispozitivele active se polarizează astfel
încât, pentru uI=0, prin tranzistoarele finale circulă un mic curent static.
3.6.2.2 Puterea de ieşire şi randamentul amplificatorului în clasă B

In fig.3.67 se prezintă formele de undă ale curentului de colector prin cele două
tranzistoare. Se observă că fiecare tranzistor conduce, timp de o jumătate de perioadă, un curent
care se închide la masă prin RL.
Aceste forme de undă ale curenţilor de colector sunt identice cu cele absorbite de la
sursele de alimentare. Determinând integrala pentru forma de undă din fig.3.67,c se obţine
expresia curentului absorbit de unul dintre tranzistoare:
T π
1 1 1 1 U ov
Ia = ∫
T 0
iC1 dt = ∫
2π 0
I ov sin ωtd (ωt ) = I ov =
π π RL
(3.215)
unde U ov şi I ov reprezită amplitudinile sau valorile de vârf ale tensiunii sinusoidale de la ieşire,
respectiv, curentului sinusoidal de la ieşire. Deoarece fiecare sursă de alimentare furnizează
aceeaşi valoare a curentului, puterea medie totală absorbită de la cele două surse este:
2 E
Pa = 2 EC I a = ⋅ C U ov (3.216)
π RL
Se observă că în cazul etajului final în clasă B, puterea medie absorbită de la sursele de

alimentare va varia odată cu nivelul semnalului, fiind direct proporţională cu U ov .
a)
b) Fig. 3.67. Formele de undă ale tensiunii şi

curentului pentru un etaj de ieşire clasa B.
(a) Tensiunea de intrare.
(b) Tensiunea de ieşire.
(c) Curentul de colector al tranzistorului T1.
(d) Curentul de colector al tranzistorului T2.
c)
d)
Puterea medie (utilă) furnizată sarcinii este:

1 (U v ) 2
Pu = ⋅ o (3.217)
2 RL
randamentul fiind în conformitate cu definiţia sa:
P π Uv
η= u = ⋅ o (3.218)
Pa 4 EC
expresie obţinută prin înlocuirea relaţiilor (3.216) şi (3.217). Expresia (3.218) arată că
randamentul unui etaj de ieşire în clasă B este dependent de sarcină, crescând liniar odată cu
creşterea amplitudinii semnalului de ieşire, U ov .
Valoarea maximă pe care o poate atinge amplitudinea semnalului de ieşire, înainte de
apariţia limitării este U ov,max = EC − U CE ,sat . Ca urmare puterea utilă maximă care se poate furniza
sarcinii RL pentru semnale sinusoidale va fi:
1 ( E − U CE ,sat )
2
Pu,max = ⋅ C (3.219)
2 RL
la care corespunde randamentul maxim:
π E − U CE ,sat
ηmax = ⋅ C (3.220)
4 EC
Dacă tensiunea UCE,sat este mai mică faţă de EC, circuitul are un randament maxim de 78,5%.
Această valoare maximă a randamentului este de aproximativ 3 ori mai mare decât cel
obţinut în cazul unui etaj final în clasă A (25%). In plus, pentru un etaj de ieşire în clasă B
disipaţia de putere în absenţa semnalului de intrare este practic zero. Datorită acestor două
avantaje majore, etajele de ieşire în clasă B sunt mai des utilizate decât cele în clasă A.
Caracteristica de sarcină pentru tranzistorul npn are aspectul din fig.3.68. Pentru valori
ale tensiunii uCE mai mici decât valoarea din punctul static de funcţionare (care este EC),
caracteristica de sarcină are panta -(1/RL). Pentru valori ale tensiunii uCE mai mari ca EC,
caracteristica de sarcină se confundă cu axa tensiunii, deoarece în această zonă conduce celălalt
tranzistor, tensiunea uCE a tranzistorului blocat crescând, în timp ce curentul său de colector este
nul. Ca şi în cazul etajului de ieşire în clasă A, interpretarea geometrică a puterii utile maxime
arată că puterea medie furnizată sarcinii este reprezentată de aria triunghiului format de axele de
coordonate şi caracteristica de sarcină parcursă de punctul de funcţionare.
Fig. 3.68. Caracteristica de sarcină pentru tranzistorul npn a etajului de ieşire clasă B.
Puterea instantanee disipată de tranzistorul npn este:

pd = uCE iC (3.221)
dar
uCE = EC − iC RL (3.222)
Prin înlocuirea relaţiei (3.222) în (3.221) rezultă:
2
pd = iC ( EC − iC RL ) = iC EC − iC RL (3.223)
Prin derivarea acestei expresii şi egalarea cu zero, se găseşte expresia curentului de colector
pentru care pd este maximă:
E
iC = C (3.224)
2 RL
Valoarea găsită corespunde unui punct situat pe caracteristica de sarcină cu panta -(1/RL).
Rezultatul este în concordanţă cu acela obţinut anterior pentru etajul final în clasă A. Ca şi în
cazul etajului de ieşire în clasă A, la amplificatorul în clasă B, caracteristica de sarcină este
tangentă la hiperbola de putere constantă în punctul care corespunde maximului de disipaţie.
Valoarea maximă a puterii disipate se află înlocuind relaţia (3.224) în (3.223). Rezultă:
2
EC
Pd ,max = (3.225)
4 RL
Deci, într-un etaj de ieşire în clasă B, puterea disipată instantanee maximă a fiecărui
tranzistor are loc pentru o tensiune egală cu aproximativ jumătate din tensiunea de alimentare.
Dar puterea disipată în punctul static de funcţionare este nulă, astfel că într-un etaj de ieşire în
clasă B, fiecare tranzistor va fucţiona întotdeauna la o temperatură mai mare dacă se aplică
semnal.
Valorile instantanee ale curentului de colector, respectiv tensiunii colector-emitor ale
tranzistorului npn sunt:
ic1 = I ov sin ωt
(3.226)
uce1 = EC − U ov sin ωt
In fig.3.69 se prezintă puterea disipată instantanee maximă a tranzistorului npn în funcţie de
timp, împreună cu variaţiile în timp ale curentului de colector şi tensiunii colector-emitor.
a)
Fig. 3.69. Formele de undă la putere maximă

de ieşire pentru tranzistorul npn al etajului
de ieşire clasă B.
(a) Forma de undă a curentului de colector.
b) (b) ) Forma de undă a tensiunii C-E.
(c) ) Forma de undă a puterii disipate în
colector.
c)
Atunci când tranzistorul conduce, puterea disipată variază cu o frecvenţă egală cu dublul
frecvenţei semnalului. Puterea disipată de tranzistor este nulă pentru jumătatea de perioadă în
care tranzistorul este blocat. Ca şi în cazul etajului de ieşire în clasă A, pentru scurtcircuit la
ieşire caracteristica de sarcină din fig.3.68 devine o dreaptă verticală care trece prin punctul static
de funcţionare, puterea instantanee disipată de tranzistor putând deveni excesivă. Metodele de
protecţie a etajului de ieşire în cazul în care apare o astfel de situaţie sunt descrise în paragraful
3.6.4. Dacă tranzistorul lucrează în gol, caracteristica de sarcină din fig.3.68 se confundă în
totalitate cu axa tensiunii, puterea disipată de tranzistor fiind nulă.
Exemplul 3.14. Un etaj de ieşire de forma celui din fig.3.64 lucrează pe o sarcină
RL=500Ω. Alimentarea este simetrică şi egală cu ±15V.
Să se calculeze puterea medie furnizată sarcinii RL pentru U ov = 14 , 4V , dacă tensiunea de
ieşire este sinusoidală. Care este randamentul circuitului?
Rezolvare: Puterea medie furnizată sarcinii este:
1 (U ov ) 2 1 14 , 4 2
Pu = = = 207mW
2 RL 2 500
Din (3.215) se obţine valoarea medie a curentului dat de sursa de alimentare:
1 U ov 1 14 , 4V
Ia = = = 9 , 17 mA
π RL π 0, 5kΩ
Puterea medie absorbită de la sursele de alimentare se determină cu relaţia (3.216):
Pa = 2 EC I a = 2 × 15 × 9 , 17 = 275mW
In concordanţă cu relaţia randamentului, în acest caz se obţine:
P 207
η= u = = 0, 753
Pa 275
adică 75,3%, valoare care este destul de apropiată de valoarea teoretică maximă de 78,5%.
Din relaţia (3.224) rezultă că puterea instantanee maximă disipată de unul dintre
tranzistoare are loc pentru un curent de colector:
E 15V
iC = C = = 15mA
2 RL 2 × 0, 5kΩ
Valoarea corespunzătoare a tensiunii colector-emitor, conform fig.3.68, fiind EC/2, puterea
instantanee maximă disipată de un tranzistor este:
Pd ,max = iC uCE = 15 × 7 , 5 = 112 , 5mW
Datorită conservării puterii, puterea medie disipată de un tranzistor va fi:
1 1
Pd ,mediu = ( Pa − Pu ) = ( 275 − 207 ) = 34 mW
2 2
3.6.2.3 Etaje de ieşire în contratimp clasă B realizate cu tranzistoare compuse

Un dezavantaj al etajelor de ieşire în contratimp realizate cu tranzistoare complementare
este acela că etajul prefinal, care lucrează în clasă A, ajunge să disipe o putere relativ ridicată.
Neajunsul poate fi eliminat dacă în etajul de ieşire se utilizează tranzistoare compuse,
care au amplificarea în curent egală cu produsul amplificărilor în curent ale tranzistoarelor
componente. In acest fel se reduc cerinţele impuse etajului prefinal.
Analiza funcţionării acestor etaje realizate cu tranzistoare compuse se face la fel ca în
cazul etajelor discutate anterior, cu deosebirea că tranzistorul compus se înlocuieşte cu unul
echivalent.
Variantele de etaje de ieşire realizate cu tranzistoare compuse, prezentate în fig.3.70,
sunt:
• etaj de ieşire cu tranzistoare în conexiunea Darlington (fig.3.70,a);
• etaj de ieşire cu tranzistoare cvasicomplementare (fig.3.70,b);
• etaj de ieşire cu tranzistoare cu simetrie complementară (fig.3.70,c).
a) b)
c)
Fig. 3.70. Etaje de ieşire clasă B, realizate cu tranzistoare compuse.

(a) Etaj cu tranzistoare în configuraţie Darlington. (b) Etaj cu tranzistoare cvasicomplementare.
(c) Etaj cu tranzistoare cu simetrie complementară.
Pentru fiecare din cele trei etaje de ieşire în contratimp realizate cu tranzistoare compuse
din fig.3.70, T1a şi T2a reprezintă tranzistoarele de comandă iar T1b şi T2b sunt tranzistoarele
finale.
In fig.3.70,a se arată un etaj de ieşire în clasă B realizat cu tranzistoare de acelaşi tip
pentru fiecare alternanţă a semnalului, aflate în conexiune Darlington. Faţă de schema din
fig.3.64, în acest caz în circuitul de intrare se află, pentru fiecare semiperioadă a semnalului,
două joncţiuni bază-emitor înseriate, ceea ce reduce panta ∆iC/∆uBE a tranzistorului echivalent şi
implicit amplificarea sa.
O altă schemă posibilă este cea din fig.3.70,b, cu tranzistoare cvasi complementare.
Etajul are această denumire deoarece tranzistoarele finale nu sunt complementare, ci sunt de
acelaşi tip (npn în fig.3.70,b dar pot fi şi pnp). Tranzistoarele de comandă sunt complementare.
In acest fel, tranzistoarele complementare realizează inversarea de fază necesară pentru
comanda în contratimp a tranzistoarelor finale. Dezavantajul schemei este că etajul prefinal vede
spre etajul final impedanţe neegale pentru cele două semiperioade ale semnalului: într-o
semialternanţă impedanţa de intrare este formată dintr-o singură joncţiune bază-emitor, iar în
cealaltă din două joncţiuni bază-emitor înseriate, ceea ce poate determina distorsionarea
semnalului de ieşire.
In fig.3.70,c se prezintă un alt etaj de ieşire cu tranzistoare compuse cu simetrie
complementară. In acest caz cele două tranzistoare sunt complementare, fiecare fiind comandat
tot de către un tranzistor complementar.
Circuitul este simetric din punctul de vedere al intrării, în sensul că în fiecare
semialternanţă circuitul de intrare include o singură joncţiune bază-emitor.
3.6.3 Etaje de ieşire în contratimp clasă AB

Etajele de ieşire în contratimp, clasă AB sunt amplificatoare ale căror tranzistoare finale
conduc, în absenţa semnalului, un mic curent de colector. Acest curent curge prin tranzistoarele
finale de la sursa pozitivă spre cea negativă, fără să treacă prin rezistenţa de sarcină şi se obţine
prin prepolarizarea joncţiunilor bază-emitor ale tranzistoarelor finale. In acest fel se liniarizează
caracteristica de transfer a etajului final şi se elimină distorsiunile de trecere, specifice clasei B
de polarizare a tranzistoarelor finale. Sarcina de prepolarizare a tranzistoarelor finale revine de
obicei etajului prefinal.
3.6.3.1 Etaje prefinale de comandă a etajelor finale în contratimp clasă AB

Etajele prefinale sunt etaje care lucrează în clasă A şi au rolul:
• de a realiza prepolarizarea tranzistoarelor finale pentru a asigura funcţionarea lor în clasă AB,
în scopul reducerii lărgimii zonei moarte a caracteristicii de transfer;
• de a asigura comanda tranzistoarelor finale în aşa fel încât acestea să aibă un randament cât
mai mare şi mai apropiat de valoarea teoretică maximă, 78,5%.
Pentru a asigura cel de al doilea rol, este necesar ca factorul de utilizare a tensiunii de
alimentare să fie cât mai apropiat de unitate. La etajul de ieşire în contratimp în clasă B s-a arătat
că excursia maximă a tensiunii de ieşire este EC-UCE,sat. Deoarece tranzistoarele etajului final
considerat lucrează în conexiunea cu colectorul comun, valoarea corespunzătoare a tensiunii de
comandă a etajului final este:
uIF = EC − U CE ,sat + uBE , final 〉 EC (3.227)
deoarece U CE ,sat 〈 uBE .
Pentru obţinerea unei tensiuni de comandă uIF a etajului final, de valoare mai mare decât
,
cea a tensiunii de alimentare EC, etajul prefinal trebuie să se alimenteze de la o tensiune EC mai
,
mare, adică EC 〉 EC . Din acest motiv, etajele finale descrise în continuare au etajul prefinal
alimentat de la o sursă diferită de cea a etajului final.
Prepolarizarea tranzistoarelor finale se poate realiza într-una din următoarele moduri:
• cu ajutorul unei rezistenţe conectată între bazele lor;
• prin utilizarea a două joncţiuni polarizate direct;
• prin utilizarea unei diode multiplicate.
a) Prepolarizarea tranzistoarelor finale prin introducerea unui rezistor R între bazele lor
(fig.3.71,a) este cel mai simplu mod de prepolarizare a tranzistoarelor finale. Căderea de tensiune
de la bornele rezistorului R determină polarizarea bazelor tranzistoarelor finale pentru a asigura
funcţionarea acestora în clasă AB. Utilizarea acestei scheme prezintă următoarele dezavantaje:
- dacă tensiunea dintre cele două baze este prea mică, atunci se menţine zona moartă de pe
caracteristica de transfer şi deci apar distorsiunile de trecere;
- dacă, dimpotrivă, această tensiune este prea mare, apare pericolul ambalării termice a
tranzistoarelor finale.
Pentru reducerea pericolului reprezentat de ambalarea termică este necesar ca tensiunea
aplicată pe bazele tranzistoarelor finale să depindă de temperatură. Aceasta înseamnă că
polarizarea bazelor tranzistoarelor finale trebuie astfel făcută încât tensiunea lor bază-emitor să
scadă atunci când temperatura joncţiunilor tranzistoarelor creşte, curentul de colector de repaus
rămânând neschimbat. Există mai multe soluţii ale acestei probleme. O soluţie ar fi cea în care
între bazele tranzistoarelor finale se conectează un termistor cu coeficient de temperatură negativ.
Soluţia nu este adecvată pentru realizările integrate monolitice.
a) b)
Fig. 3.71. Circuite de polarizare a bazelor

tranzistoarelor finale.
(a) Circuit de polarizare cu rezistor.
(b) Circuit de polarizare cu diode.
(c) Circuit de polarizare cu diodă multiplicată.
c)
b) O altă soluţie, perfect integrabilă monolitic, constă în utilizarea pentru prepolarizare a
două joncţiuni polarizate direct şi conectate în paralel cu bazele tranzistoarelor finale (fig.3.71,b).
Dacă aceste joncţiuni au caracteristici identice cu cele ale joncţiunilor bază-emitor a
tranzistoarelor finale şi se găsesc în contact termic direct cu acestea, se poate reduce mult
dependenţa de temperatură a curentului de repaus a tranzistoarelor finale.
Circuitul prezintă următorul dezavantaj: nu permite un control prea riguros al curentului
de repaus prin tranzistoarele finale deoarece tensiunile corespunzătoare polarizării directe a celor
două joncţiuni sunt relativ fixe.
c) Soluţia cea mai bună este cea în care între cele două baze se foloseşte o diodă identică,
din punct de vedere al comportării cu temperatura, cu tranzistoarele finale, dar cu tensiune
reglabilă. O asemenea comportare se poate obţine utilizând circuitul din fig.3.71,c. Tranzistorul
T4 şi rezistoarele Ra şi Rb formează o diodă multiplicată.
Dacă se neglijează curentul de bază al tranzistorului T4 se poate scrie:
U BE 4 Rb
= (3.228a)
U CE 4 Ra + Rb
sau
Ra
U CE 4 = U BE 4 (1 + ) (3.228b)
Rb
Relaţia (3.228b) arată că reglând raportul rezistenţelor Ra/Rb se poate modifica valoarea tensiunii
UCE4, respectiv a tensiunii aplicate între bazele celor două tranzistoare finale, la orice valoare mai
mare decât UBE4. Din acest motiv circuitul format din T4, Ra şi Rb se numeşte diodă multiplicată.
Observaţie practică importantă: In cazul etajelor de ieşire realizate cu componente
discrete şi prepolarizate cu ajutorul unei diode multiplicate, pentru controlul tensiunii dintre
bazele tranzistoarelor finale, oricare dintre rezistoarele Ra sau Rb poate fi înlocuit cu un rezistor
semireglabil. Dar în timp sau datorită încălzirii semireglabilului se pierde contactul dintre
cursorul metalic al acestuia şi materialul rezistiv şi atunci în circuit apare valoarea totală de
rezistenţă a semireglabilului.
Este greşit ca Ra să se înlocuiască cu un rezistor semireglabil deoarece, la apariţia
fenomenului descris anterior, valoarea mai mare a rezistenţei Ra va determina scăderea curentului
de bază a tranzistorului T4 din dioda multiplicată, deci blocarea lui şi creşterea astfel a tensiunii
dintre bazele tranzistoarelor finale. Acest fapt duce la o prepolarizare mai accentuată şi la
ambalarea termică inutilă a tranzistoarelor finale.
In schimb, dacă în loc de rezistorul Rb se conectează un semireglabil, atunci la apariţia
fenomenului descris anterior, tensiunea bază-emitor a tranzistorului-diodă multiplicată creşte,
tensiunea colector-emitor a aceluiaşi tranzistor scade şi deci are loc o micşorare a tensiunii dintre
bazele tranzistoarelor finale. In acest fel se previne ambalarea termică provocată de curentul de
prepolarizare.
3.6.3.2 Analiza etajului prefinal alimentat de la aceeaşi tensiune ca şi cel final

Necesitatea utilizării unor tensiuni de alimentare de valori diferite pentru etajul final şi cel
prefinal constituie o soluţie neconvenabilă din punct de vedere practic. De aceea, se va analiza în
continuare situaţia în care etajul prefinal se alimentează de la aceeaşi sursă de tensiune ca şi
etajul final. In acest caz însă, datorită amplificării în tensiune subunitare a etajului de ieşire,
valoarea maximă a factorului de utilizare a tensiunii de alimentare este mai mică decât valoarea
maximă posibilă şi egală cu:
E − U CE ,sat
k EC = C (3.229)
EC
Fig. 3.72. Etaj prefinal cu sarcină rezistivă. Fig. 3.73. Ilustrarea limitării amplitudinii
maxime a tensiunii de ieşire dintr-un etaj prefinal
cu sarcină rezistivă.
In fig.3.72 se arată schema unui etaj prefinal cu sarcină rezistivă care comandă un etaj final cu
tranzistoare complementare lucrând în conexiunea cu colectorul comun, ambele etaje, atât cel
prefinal cât şi cel final, fiind alimentate de la aceleaşi surse de alimentare. Circuitul de polarizare
a bazelor tranzistoarelor de ieşire poate fi oricare din cele prezentate anterior. Un asemenea etaj
are dezavantajul că introduce o limitare suplimentară în amplitudinea tensiunii de
comandă a tranzistoarelor finale.
Pentru a înţelege modul în care apare această limitare, în fig.3.73 s-au reprezentat, în
planul caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului prefinal T3, dreapta de sarcină statică,
corespunzătoare rezistenţei de colector RC (în ipoteza neglijării curenţilor de bază statici ai
tranzistoarelor finale) şi dreapta de sarcină dinamică, trecând prin punctul de funcţionare statică
şi având o înclinare:
RL 3 = RC RiF (3.230)
unde RiF reprezintă rezistenţa dinamică de intrare în etajul final.
Deoarece RL3<RC, rezultă că excursia pozitivă a tensiunii de ieşire din etajul final este
limitată la valoarea:
U o3 max = I c3 RL3 (3.231)
pentru care tranzistorul T3 se blochează, ceea ce evident va limita şi excursia pozitivă a
semnalului de ieşire la aproximativ aceeaşi valoare dacă se neglijează tensiunea bază-emitor a
tranzistorului T1. Aceasta înseamnă că de fapt etajul prefinal nu poate aduce tranzistorul T1 în
saturaţie şi se reduce astfel factorul de utilizare a tensiunii de alimentare pozitive a etajului final.
Un alt dezavantaj al schemei din fig.3.72 este că etajul prefinal lucrând la semnal mare,
introduce distorsiuni mari datorită caracteristicii sale de transfer exponenţiale, deci puternic
neliniare. Deşi etajul final nu introduce distorsiuni, procesul de distorsionare nu este complet
independent de neliniarităţile tranzistoarelor finale, care se reflectă asupra etajului prefinal prin
încărcarea acestuia cu o sarcină variabilă.
Pentru ameliorarea factorului de utilizare a tensiunii de alimentare a schemei din fig.3.72,
o soluţie ar fi alegerea unei rezistenţe de colector RC' suficient de mici pentru ca:
RL' 3 = RC' RiF ≈ RC' (3.232)
Micşorarea rezistenţei RC conduce însă la creşterea curentului de colector Ic3 şi implicit a
consumului de la sursa de alimentare pozitivă. Va creşte şi puterea disipată de T3, ceea ce
determină nu numai creşterea ariei de siliciu ocupate şi deci a preţului, ci şi agravarea
problemelor de stabilitate termică. De aceea schema prezentată în fig.3.72 nu se poate folosi
decât în cazuri particulare şi numai la puteri foarte mici.
Pentru mărirea tensiunii de ieşire nedistorsionate din etajul prefinal, deci implicit pentru
mărirea factorului de utilizare a tensiunii de alimentare, se pot adopta diferite soluţii cum ar fi:
• bootstrap-area rezistenţei de colector a tranzistorului prefinal;
• sarcină activă pentru tranzistorul prefinal.
Bootstrap-area rezistenţei din colectorul tranzistorului prefinal conduce la schema de
principiu din fig.3.74,a unde rezistenţele RC' şi RC" îndeplinesc condiţia RC' + RC" = RC , iar RC este
egală cu rezistenţa de sarcină a etajului prefinal din analiza anterioară.
La cuplarea alimentării condensatorul de bootstrap, CB, se încarcă de la sursa pozitivă,
prin rezistorul RC' , cu o tensiune +U CB de valoare mai mică decât EC, din cauza căderii de
tensiune pe RC' .
Dacă reactanţa capacitivă a condensatorului CB este mică, ceea ce impune valori mari ale
capacităţii acestui condensator (practic sute de microfarazi), atunci variaţia tensiunii de ieşire uo
se transmite prin CB în nodul A (vezi fig.3.74,a) şi potenţialul acestui nod devine:
u A = U CB + uo (3.233)
Dacă amplitudinea semnalului de ieşire este mai mare decât diferenţa EC − U CB , atunci pentru
alternanţa pozitivă a semnalului de ieşire, într-un interval de timp (t1, t2), mai mic decât
semiperioada acestui semnal, potenţialul nodului A este mai mare decât +EC (fig.3.74,b).
Avantajul utilizării condensatorului bootstrap constă în faptul că în momentul în care se

cere saturarea tranzistorului T1, rezistenţa de sarcină a tranzistorului prefinal, RC" ( RC" 〉 RC' ) este
conectată la un potenţial mai mare decât EC, ca şi cum etajul prefinal ar fi alimentat cu o tensiune
mai mare decât cel final.
a) b)
Fig. 3.74. Etaj de ieşire clasă AB cu bootstrap-area rezistenţei de colector a tranzistorului
prefinal. (a) Schema de principiu. (b) Forme de undă care evidenţiază efectul de bootstrap-are.
Analiza de curent alternativ a schemei se face înlocuind simbolic tranzistoarele finale cu

un amplificator notat EF (etaj final) şi considerând condensatorul bootstrap CB scurtcircuit
(fig.3.75,a). Aplicând teorema lui Miller, circuitul de curent alternativ se poate redesena ca în
fig.3.75,b. Deoarece amplificarea în tensiune a etajului final este mai mică decât 1 dar foarte
aproape de unitate, rezultă:
RC"
→∞ (3.234)
1− AEF
a) b)
Fig. 3.75. Analiza de c.a. a efectului bootstrap-ării rezistenţei de colector a tranzistorului
prefinal. (a) Schema de c.a. a circuitului din fig. 3.74, a. (b) Forma circuitului după aplicarea
teoremei Miller.
In acest fel doar rezistenţa de intrare a etajului final (RiF) contează ca rezistenţă de sarcină
dinamică pentru etajul prefinal. Tranzistoarele din etajul final fiind repetoare pe emitor,
rezistenţa de intrare a etajului final este foarte mare ceea ce determină creşterea amplificării în
tensiune a etajului prefinal, fără să conteze rezistenţele RC' şi RC" care asigură doar polarizarea în
c.c.şi nu introduc limitarea tensiunii pozitive de comandă a etajului final.
In cazul circuitelor integrate liniare, pentru ameliorarea factorului de utilizare a tensiunii
de alimentare pozitive se recurge deseori la schema din fig.3.76, bazată pe folosirea unei sarcini
active pentru tranzistorul din etajul prefinal.
Prin utilizarea sarcinii active, rezistenţa dinamică de sarcină a etajului prefinal este
rezistenţa dinamică de intrare în etajul final ceea ce, pentru o proiectare corectă asigură, ca şi în
cazul utilizării conexiunii bootstrap, aducerea în saturaţie a ambelor tranzistoare finale.
Fig. 3.76. Schema etajului de ieşire clasă AB cu

sarcină activă pentru tranzistorul prefinal.
3.6.4 Protecţia la scurtcircuit a tranzistoarelor finale din etajele de ieşire în

contratimp
In cazul unui scurtcircuit accidental la ieşirea unui etaj final, tranzistoarele finale se pot
distruge. De aceea este nevoie să se introducă circuite suplimentare de protecţie a acestor
tranzistoare numite circuite de limitare a curentului de ieşire. Aceste circuite controlează
puterea disipată de tranzistoarele finale, fără să perturbeze buna funcţionare a etajului de ieşire în
care acţionează.
Cu cât precizia circuitelor de limitare este mai bună, cu atât se poate folosi mai eficient
valoarea maximă admisibilă a curentului de ieşire. Dar asigurarea unei limitări cât mai precise a
curentului de ieşire implică utilizarea unor circuite de limitare mai complexe.
Cea mai simplă limitare a curentului de ieşire se bazează pe utilizarea unor rezistenţe în
colectoarele tranzistoarelor de putere ale etajului de ieşire (fig.3.77,a). In principiu metoda se
bazează pe limitarea puterii disipate de tranzistoare prin descreşterea liniară a tensiunii pe
tranzistor (tensiunea colector-emitor) odată cu creşterea curentului prin el, până ce tranzistorul se
saturează.
Pentru amplificatoarele de putere clasă B, rezistenţa înseriată în colectoare se determină
cu relaţia:
EC2
RC = (3.235)
PD,adm
unde PD,adm reprezintă puterea disipată admisibilă a unui singur tranzistor.
Limitarea mai precisă a curentului de ieşire se poate obţine prin utilizarea elementelor
de circuit neliniare (diode), având aspectul din fig.3.77,b. Pentru o funcţionare normală diodele
D3 şi D4 sunt blocate. Iniţializarea funcţionării circuitului de limitare este determinată de căderea
de tensiune pe rezistenţa RE. In cazul în care curentul de colector al tranzistorului T1 creşte,
tensiunea de la bornele diodei D3 devine:
uD 3 = iC1 RE + uBE − uD1 ≅ iC1 RE (3.236)
şi creşte de asemenea, putând determina deschiderea diodei D3 care şuntează astfel joncţiunea
bază-emitor a tranzistorului T1. In acest fel o parte a curentului de comandă a lui T1 circulă prin
D3 spre rezistenţa de sarcină şi se reduce amplitudinea curentului în baza lui T1 până la valoarea
necesară menţinerii în stare de conducţie a diodei D3. Deci curentul de ieşire limitat va avea
amplitudinea:
u
ilim ≅ D 3 (3.237)
RE
Precizia limitării depinde în primul rând de valoarea rezistenţei de conducţie în sens direct a
diodei D3. Valoarea curentului limită depinde de temperatură deoarece şi căderea de tensiune pe
diodă depinde de temperatură şi anume scade odată cu creşterea temperaturii. Acest fapt
constituie un avantaj având în vedere că în aceste condiţii scade şi puterea disipată de
tranzistoarele finale.
O funcţionare asemănătoare se obţine cu ajutorul circuitului de limitare care utilizează
tranzistoare de limitare din fig.3.77,c. In acest caz căderea de tensiune de pe rezistenţele RE
deschide tranzistoarele de limitare T4 sau T5 în funcţie de semialternanţa semnalului pe care
apare suprasarcina. Tranzistoarele de limitare intrând în conducţie preiau o parte a curentului de
bază al tranzistoarelor finale, similar situaţiei precedente. Precizia limitării şi comportarea cu
temperatura sunt determinate de joncţiunea bază-emitor a tranzistoarelor de limitare.
Fig. 3.77. Circuite de limitare a curentului de ieşire

a etajelor finale.
(a) Limitare cu rezistoare conectate în colectoare.
(b) Limitare cu diode.
(c) Limitare cu tranzistoare.
Circuitele de limitare a curentului de ieşire, prezentate anterior, asigură limitarea

curentului de ieşire la o valoare relativ fixă. Există şi circuite de protecţie la scurtcircuit a
tranzistoarelor finale numite circuite de limitare prin întoarcere a curentului de ieşire. Aceste
circuite reduc, în caz de scurtcircuit la ieşire, valoarea curentului de ieşire sub valoarea limită,
după ce această valoare a fost atinsă. Avantajul principal constă în aceea că puterea disipată de
tranzistoarele finale se reduce sub valoarea limită admisibilă. Ele se folosesc cu precădere în
stabilizatoarele integrate.
Protecţia termică a tranzistoarelor finale permite evitarea defectării circuitelor integrate
de putere datorită încălzirii excesive a cipului provocată de putere disipată prea mare,
temperatură ambiantă prea mare sau radiator subdimensionat.
Schemele clasice de protecţie termică, cu elemente discrete, în care un senzor termic
ataşat radiatorului monitorizează variaţia de temperatură, au un timp de răspuns de ordinul
secundelor sau mai mult. In comparaţie timpul de încălzire a cipului este de ordinul
milisecundelor, circuitul distrugându-se înainte ca protecţia să acţioneze.
Soluţia unei astfel de probleme constă în plasarea circuitului de protecţie termică chiar pe
cipul integratului. Uzual, circuitul de protecţie termică constă dintr-un tranzistor plasat în
apropierea tranzistoarelor de putere ale integratului.
Un exemplu de circuit de protecţie termică se prezintă în fig.3.78. Circuitul de protecţie
conţine o sursă de curent formată din rezistoarele R1, R2, R3, dioda Zener D şi tranzistorul T1.
Tranzistorul care acţionează la modificarea temperaturii este T2. La temperatura ambiantă
(25°C), acest tranzistor este blocat iar la temperatura maxim admisibilă a circuitului conduce
suficient de puternic, astfel încât să deturneze curentul de comandă al etajului final sau curentul
de polarizare al etajului diferenţial de intrare, întrerupând astfel furnizarea de putere sarcinii.
Fig. 3.78. Circuit de protecţie termică.
Tranzistorul T2 este polarizat de sursa de curent în aşa fel încât, indiferent de temperatură,
tensiunea sa bază-emitor este de 400mV. La 25°C, această valoare va menţine T2 blocat, curentul
lui de colector fiind de zeci de nA, practic neglijabil. La temperatura maxim admisibilă, de obicei
150°C, tensiunea bază-emitor necesară intrării în conducţie a lui T2 este de 400mV, deoarece
coeficientul de temperatură al joncţiunii bază-emitor, KT este de aproximativ -2mV/°C iar
variaţia de temperatură, ∆T este de 125°C. Intr-adevăr:
U BE (150oC ) = U BE ( 25oC ) + KT ∆T = 650mV + ( −2mV / o C )(150 − 25) = 400mV
Un astfel de circuit de protecţie termică ce acţionează asupra etajului de intrare al
amplificatorului de putere se întâlneşte la circuitul intagrat TCA150 (amplificator de putere de
audiofrecvenţă).
3.7 STRUCTURA INTERNĂ A AMPLIFICATORULUI

OPERAŢIONAL µA741
In fig.3.79 se prezintă schema simplificată a amplificatorului operaţional (AO) µA741.
Acest AO are trei etaje fundamentale de prelucrare a semnalului: un etaj de intrare, un etaj de
amplificare intermediară şi un etaj de putere.
Fig. 3.79. Structura internă a amplificatorului operaţional µA 741.
Etajul de intrare este un etaj diferenţial de tip parafază. Intrarea se face pe tranzistoarele
npn T1 şi T2 în conexiunea cu colectorul comun, care comandă perechea de tranzistoare pnp T3 şi
T4 aflate în conexiunea cu baza comună, având o sarcină activă formată din T5, T6, T7 şi
rezistoarele R1, R2, R3.
Configuraţia etajului de intrare asigură:
- o intrare diferenţială care este relativ insensibilă la tensiunile de intrare de mod comun;
- o rezistenţă de intrare mare;
- un curent de polarizare mic;
- o oarecare amplificare în tensiune;
- deplasarea necesară a nivelului de curent continuu folosind legarea în cascadă a câte două
tranzistoare amplificatoare, unul npn şi celălalt pnp;
- trecerea de la o intrare diferenţială la o ieşire simplă.
Etajul de amplificare intermediară este constituit din tranzistoarele T16 şi T17. T16
lucrează ca repetor pe emitor şi are rolul de adaptor de impedanţă, reducând efectul de şuntare a
sarcinii active a etajului precedent de către tranzistorul amplificator T17 (rezistenţa de ieşire a
sarcinii active are valoare mare!). Tranzistorul T17, lucrând în conexiunea cu emitorul comun, are
ca sarcină activă tranzistorul T13B. Acest etaj realizează un câştig foarte mare în tensiune. La
ieşirea sa este conectat tranzistorul T23, tot ca repetor pe emitor, pentru a reduce efectul de
şuntare a sarcinii active a lui T17 de către impedanţa de intrare în etajul final.
Etajul de ieşire (final) este realizat cu tranzistoarele complementare T14 şi T20 care
lucrează în clasă AB şi sunt în conexiunea colector comun. Polarizarea tranzistoarelor finale se
face cu ajutorul configuraţiei de diodă multiplicată realizată de T18, T19 şi R10.
Tranzistoarele din cele trei blocuri descrise constituie tranzistoarele din calea de semnal.
AO µA741 mai conţine circuitele anexe şi circuitele de protecţie la suprasarcină.
Circuitele anexe conţin sursele de curent necesare pentru asigurarea curenţilor de repaus a
tranzistoarelor din calea de semnal. Aceste surse sunt:
- T10 şi T11 formează o sursă de tip Widlar, necesară pentru polarizarea tranzistoarelor T3
şi T4;
- T8 şi T9 alcătuiesc o oglindă simplă de curent. Aceasta formează o buclă de reacţie, de
polarizare, care stabilizează curentul static prin fiecare din tranzistoarele de intrare la
aproximativ jumătate din curentul de colector al tranzistorului T10;
- T12 şi T13A, respectiv T12 şi T13B, formează două oglinzi simple de curent folosite ca
sarcini active pentru tranzistoarele T17 şi T23.
Circuitele de protecţie la suprasarcină sunt următoarele:
- tranzistorul T15 şi R6 protejează tranzistorul final T14. Când căderea de tensiune pe
rezistenţa R6 cu valoarea de 27Ω, ajunge la aproximativ 550mV, ceea ce corespunde unui curent
de sarcină spre masă de aproximativ 20mA, T15 se deschide, preia o parte din curentul de bază al
lui T14 şi ca urmare curentul de ieşire nu mai poate creşte. In acest fel se realizează şi protejarea
tranzistorului T14 faţă de un scurtcircuit accidental la ieşire;
- tranzistoarele T21, T22 şi T24 protejează tranzistorul final T20, în caz de suprasarcină,
pentru cazul în care curentul de sarcină circulă invers, de la masă spre sursa de alimentare
negativă. Funcţia de protecţie este asemănătoare cu cea îndeplinită de T15 dar modul de acţiune
este mai complex deoarece, atunci când conduce T20, cu cât curentul de sarcină este mai mare cu
atât tranzistoarele T16, T17 şi T23 disipă mai mult şi apare pericolul distrugerii şi a acestor
tranzistoare. Circuitul de protecţie în caz de suprasarcină pentru alternanţa negativă a semnalului
de ieşire acţionează astfel: la creşterea curentului de sarcină, datorită creşterii căderii de tensiune
pe R7, se deschid T21 şi T24, conectat ca diodă. T24 şi T22 formează o oglindă de curent. Ca
urmare intră în conducţie şi T22 care preia o parte a curentului injectat în baza lui T16, adică a
tranzistorului compus T16, T17 şi T23, limitând curentul din baza lui T20 şi deci puterea disipată de
T20.
- emitorul suplimentar al tranzistorului T23 (cel notat cu B) permite evitarea unei disipaţii
excesive în tranzistorul T16 care poate să apară dacă T17 este lăsat să se satureze. Această situaţie
apare atunci când T16 injectează un curent prea mare în baza lui T17, fenomen posibil dacă la
intrarea AO se aplică un semnal care determină blocarea lui T1. Astfel întregul curent dat de T8
este injectat în baza lui T16, care îl amplifică de β ori şi apoi îl introduce în baza lui T17,
determinând saturarea lui. Emitorul suplimentar al lui T23 permite evitarea acestui neajuns
deoarece, de îndată ce tensiunea pe colectorul lui T17 scade suficient pentru a deschide joncţiunea
bază-emitor a tranzistorului T23B, acest tranzistor preia o parte din curentul injectat din colectorul
lui T4, limitând astfel curentul de colector a lui T16 la o valoare acceptabilă (nepericuloasă).
Exemplul 3.15. Pentru amplificatorul operaţional din fig.3.80, realizat cu componente
discrete, se cere:
a) Pentru circuitul în repaus (ui=0) să se determine valoarea de c.c. a tensiunii de ieşire.
Se consideră UBE=0,6V.
b) Să se determine amplificarea diferenţială a circuitului. Se presupune β=160, tensiunea
termică UT=25 mV, rezistenţa intrinsecă a bazei tranzistoarelor rx=200Ω şi se neglijează
influenţa rezistenţei de ieşire a tranzistoarelor (ro→∞) şi a rezistenţei colector-bază (rµ→∞).
c) Să se determine excursia maximă a tensiunii de ieşire în două cazuri: c1) RS→∞ şi c2)
RS=1kΩ. Se va presupune că UCE,sat=0.
d) Să se determine rezistenţa de ieşire a circuitului.
e) Să se determine rezistenţa de intrare de mod diferenţial a circuitului;
f) Să se determine rezistenţa de intrare de mod comun a circuitului dacă numai în acest

caz se consideră că rezistenţa de ieşire a tranzistorului T3 este ro3=100kΩ.
g) să se determine factorul de transfer (discriminare) F.
Fig. 3.80. Circuitul pentru exemplul 3.15.
Rezolvare:
Descrierea circuitului: amplificatorul are două etaje diferenţiale. Primul amplificator
diferenţial este realizat cu tranzistoarele T1 şi T2 şi este polarizat cu ajutorul sursei standard de
curent T3, T4. Cel de al doilea etaj diferenţial este realizat cu tranzistoarele T5 şi T6, fiind
polarizat cu rezistorul R11. Etajul de deplasare a nivelului de c.c. este de tipul repetor pe emitor,
realizat cu T7, R7 şi oglinda simplă de curent T9, T10. Etajul de ieşire (final) lucrează în clasă A.
El este de tipul repetor pe emitor realizat cu tranzistorul T8 şi polarizat cu ajutorul rezistorului
R8 .
a) Pentru a determina valoarea de c.c. a tensiunii de ieşire se calculează mai întâi punctele
statice de funcţionare (PSF) ale tranzistoarelor din circuit:
I 1 RI 1 R E − U BE 1, 5 12 − 0, 6
I1 = I 2 = 3 = ⋅ 4 4 = ⋅ 4 ⋅ C = ⋅ = 0, 5 [ mA ]
2 2 R3 2 R3 R4 + R10 2 ⋅ 3 5, 7
IR 1 E − R1 I1 − U BE 5 12 − 16 ⋅ 0, 5 − 0, 6
I 5 = I 6 = 11 = ⋅ C = = 1 [ mA ]
2 2 R11 2 ⋅ 1, 7
E − U BE 12 − 0, 6
I 7 = I 9 = I10 = E = = 1 [ mA ]
R9 11, 4
E + E E − R6 I 6 − U BE 7 − R7 I 7 − U BE 8 24 − 4 , 3 − 0, 6 − 6, 5 − 0, 6
I8 = C = = 2 [ mA ]
R8 6
U O = E E − R8 I 8 = 12 − 6 ⋅ 2 = 0 [V ]
Tensiunile colector-emitor pentru fiecare tranzistor se determină calculând diferenţa dintre
potenţialul colectorului şi cel al emitorului:
U CE 1 = U CE 2 = VC1 − VE 1 = ( EC − R1 I1 ) − ( 0 − U BE 1 ) = 4V + 0, 6V = 4 , 6V
U CE 3 = VC 3 − VE 3 = −U BE 1 − ( − E E + R3 I 3 ) = −0, 6V − ( −9V ) = 8, 4V
U CE 4 = U BE 4 = 0, 6V
U CE 5 = U CE 6 = VC5 − VE 5 = ( EC − R5 I 5 ) − ( EC − R1 I1 − U BE 1 ) = 7 , 7V − 3, 4V = 4 , 3V
U CE 7 = EC − (VC 6 − U BE 7 ) = 12V − 7 , 1V = 4, 9V
U CE 8 = EC − U O = 12V
U CE 9 = U BE 9 = 0, 6V
U CE 10 = VB8 − ( − E E ) = 0, 6V + 12V = 12, 6V
Valorile din PSF-uri şi parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor se trec în tabelul următor:
tranzistor IC[mA] UCE[V] gm=40IC[mA/V] rπ=β/gm[kΩ]

T1 ,T2 0,5 4,6 20 8
T3 1 8,4 40 4
T4 2 0,6 80 2
T5 , T6 1 4,3 40 4
T7 1 4,9 40 4
T8 2 12 80 2
T9 1 0,6 40 4
T10 1 12,6 40 4
b) Amplificarea diferenţială a circuitului este:

Add = A1 × A2 × A3
unde A1 şi A2 reprezintă amplificările de mod diferenţial ale celor două etaje diferenţiale iar A3
reprezintă amplificarea celor două repetoare de la ieşire (circuitul de deplasare de nivel şi etajul
final).
a) b)
Fig. 3.81. Circuitele utilizate pentru calculul amplificărilor diferenţiale A1 şi A2.
Amplificările diferenţiale se determină utilizând semicircuitele valabile pe mod
diferenţial din fig.3.81.
Astfel
β R1 160 ⋅ 16
A1 = − =− = −312, 2
rx + rπ1 8, 2
1 β R6 160 ⋅ 4 , 3
A2 = ⋅ = = 17
2 R1 + rx + rπ 6 2 (16 + 0, 2 + 4 )
Pentru a calcula amplificarea A3 se foloseşte circuitul echivalent de semnal mic din
fig.3.82.
Fig. 3.82. Circuitul echivalent de semnal mic,

utilizat pentru determinarea amplificării A3.
uo
A3 = ,
uo2
unde
uo = (β + 1)i8 R8
uo 2 = i7 ( R6 + rx + rπ 7 ) + (β + 1)i7 R7 + i8 ( rx + rπ8 ) + (β + 1)i8 R8
i8 = (β + 1)i7 ,
După înlocuiri, amplificarea A3 devine:
1
A3 = = 0, 991
R6 + rx + rπ 7 R7 + rx + rπ8
1+ +
R8 (β + 1) 2 R8 (β + 1)
iar amplificarea totală va fi:
Add = −312, 2 ⋅ 17 ⋅ 0, 991 = −5259, 6
c1) In cazul în care RS→∞, excursia tensiunii la ieşire este determinată de ultimul
tranzistor amplificator de tensiune (T6 din fig.3.80).
Situaţiile limită corespund blocării, respectiv saturării lui T6.
Când T6 se blochează se obţine amplitudinea maximă pozitivă a semnalului de ieşire:
U o+,max = EC − VC 6 = 12 − 7 , 7 = 4,3 [V ].
Când T6 conduce la saturaţie, se obţine amplitudinea maximă negativă a semnalului de ieşire:
U o−,max = VC 6 − VE 6 − U CE ,sat = 7, 7 − 3, 4 = 4,3 [V ].
Deci amplitudinea maximă a semnalului de ieşire pentru rezistenţă de sarcină infinită este de
4,3V.
c2) Dacă RS=1kΩ, amplitudinea maximă a alternanţei negative va fi limitată de valoarea
rezistenţei de sarcină. Situaţia limită apare atunci când T8 este blocat. In acest caz curentul de
sarcină va circula de la masă prin RS şi R8 spre sursa negativă de alimentare, având valoarea:
EE 12
I S− = = = 1, 71 [ mA ]
RS + R8 7
Astfel, amplitudinea negativă a tensiunii de ieşire care reprezintă totodată şi valoarea maximă,
este:
U o,max = I S− ⋅ RS = 1, 71⋅ 1 = 1, 71 [V ].
d) Valoarea rezistenţei de ieşire se determină pentru circuitul echivalent de semnal mic din
fig.3.83.
Fig. 3.83. Circuitul echivalent de

semnal mic, utilizat pentru determinarea
rezistenţei de ieşire.
În acest scop se rezolvă sistemul de ecuaţii:

i x = − (β + 1)i8
ux = −[ R6 + rx + rπ 7 + (β + 1) R7 ]i7 − ( rx + rπ8 )i8
i8 = (β + 1)i7
şi ştiind că expresia rezistenţei de ieşire este Ro=ux/ix:
u R +r +r R +r +r
Ro = x = 6 x 2 π 7 + 7 x π8
ix (β + 1) (β + 1)
Numeric, obţinem:
Ro=54Ω.
Rezistenţa de ieşire a întregului circuit este:
Ro' = Ro R8 = 53, 5Ω
e) Rezistenţa de intrare diferenţială este:
Rid = 2 ( rx + rπ1 ) = 2 ( 0, 2 + 8) = 16, 4 kΩ
f) Relaţia de calcul a rezistenţei de intrare de mod comun este:
Ric = rx + rπ1 + 2 (β + 1) Ro3
unde Ro3 reprezintă rezistenţa de ieşire a sursei T3, T4. Circuitul de calcul este cel din fig.3.84.
Fig. 3.84. Circuitul echivalent de semnal mic, utilizat pentru

determinarea rezistenţei de ieşire a sursei de curent.
Rezultă:
β R3 R ( R ' + rx + rπ 3 )
Ro3 = ro3 (1 + )+ 3
R ' + rx + rπ 3 + R3 R ' + rx + rπ 3 + R3
unde
1 1
R '= R 10 ( R4 + ) = 4 , 2 k (1, 5k + k ) = 1, 1k Ω
gm4 80
astfel că se găseşte:
Ro3 ≈ 5, 88 M Ω
R ( R ' + rx + rπ 3 )
deoarece termenul al doilea din relaţia lui Ro3, 3 , este neglijabil faţă de primul
R ' + rx + rπ 3 + R3
termen.
După înlocuiri, rezultă că rezistenţa de intrare de mod comun are valoarea:
Ric = 1, 89 GΩ
g) Factorul de discriminare se calculează cu relaţia:
A
F = dd
Acc
unde Add reprezintă amplificarea de mod diferenţial, determinată anterior iar Acc amplificarea de
mod comun a amplificatorului.
Amplificarea de mod comun se poate scrie:
Acc = Acc 1 ⋅ Acc 2
Semicircuitele valabile pe mod comun şi utilizate pentru determinarea amplificărilor sunt
prezentate în fig.3.85, unde Ro3 reprezintă rezistenţa de ieşire ale sursei T4, T3.
a) b)
Fig. 3.85. Semicircuitele valabile pe mod comun: (a) pentru AD realizat cu T1 şi T2;
(b) pentru AD realizat cu T5 şi T6.
Relaţiile de calcul ale celor două amplificări de mod comun sunt:

−β R1
Acc 1 = şi
rπ 1 + 2 Ro 3 (β + 1)
β R6
Acc 2 =
R1 + rπ 6 + 2 R11 (β + 1)
Circuitul echivalent de semnal mic pentru calculul rezistenţei de ieşire a sursei de curent
este cel din fig.3.84, valoarea acestei rezistenţe fiind:
Ro3 ≈ 5, 88 M Ω
Înlocuind valorile numerice se obţine:
Acc1 = −1, 352 × 10−3 şi
Acc2 = 1, 21
deci amplificarea de mod comun, în modul, este:
Acc = 1, 352 × 10 −3 × 1, 21 = 1, 63 × 10−3
Factorul de transfer rezultă:
A 5259 , 6
F = dd = −3
= 3, 22 × 106
Acc 1, 63 × 10
adică o rejecţie de aproximativ 140dB a semnalelor de mod comun:
FdB = 20 ⋅ lg F ≅ 130dB
valoare mai mare decât limitele normale (de exemplu la AO de tipul 741, rejecţia modului
comun este cuprinsă între 70 şi 90dB).
Chiar dacă al doilea etaj diferenţial este polarizat printr-o simplă rezistenţă şi nu printr-o
sursă de curent constant, rejecţia modului comun este foarte bună.
Ce se întâmplă dacă rezistorul R11 se înlocuieşte cu o sursă de curent care asigură acelaşi
curent de repaus prin tranzistoarele T6 şi T7 ca şi R11?
Presupunem că R11 se înlocuieşte cu o sursă standard de curent care foloseşte aceeaşi
referinţă ca şi sursa de polarizare a primului etaj diferenţial. Partea de circuit care realizeză
polarizarea tranzistoarelor din cele două amplificatoare diferenţiale se prezintă în fig.3.86.
Tranzistorul T11 împreună cu rezistenţa R12 înlocuiesc rezistorul de polarizare R11. În acest fel se
schimbă valoarea amplificării de mod comun a celui de al doilea etaj diferenţial:
β R6
Acc 2 =
R1 + rπ 6 + 2 Ro11 (β + 1)
unde Ro11 reprezintă rezistenţa de ieşire a sursei T4, T11.
Pentru a determina Ro11, se presupune că rezistenţa de ieşire a tranzistorului T11 este
ro11 = 50k Ω
În aceste condiţii, asemănător ca la sursa T4, T3 se obţine:
Fig. 3.86. Modificarea circuitului de

polarizare a tranzistoarelor din cele două AD.
β R12 R ( R ' + rx + rπ11 )

Ro11 = ro11 (1 + ) + 12
R ' + rx + rπ11 + R12 R ' + rx + rπ11 + R12
unde:
1 1
R '= R 10 ( R4 + ) = 4 , 2 k (1, 5k + k ) = 1, 1k Ω
gm4 80
β 160
rπ11 = = = 2kΩ
40 ⋅ I11 40 ⋅ 2
astfel că
160 ⋅ 1, 5
Ro11 ≅ 50(1 + ) = 2 , 55 M Ω
1,1 + 0, 2 + 2 + 1, 5
*
Cu această valoare se determină Acc2 :
160 ⋅ 4 , 3
*
Acc2 = ≅ 8, 38 ⋅ 10 −4
16 + 4 + 2 ⋅ 2, 55 ⋅ 10 ⋅ 161
3
Recalculând factorul de transfer se obţine:

A 5259 , 6
F * = dd* = −3 −4
= 4 , 6 ⋅ 109
Acc 1, 352 ⋅ 10 ⋅ 8, 38 ⋅ 10
adică aproximativ 193dB.
Observaţie: valoarea găsită pentru F* este exagerat de mare, motiv pentru care nu se justifică
utilizarea unei surse de curent pentru polarizarea celui de al doilea etaj diferenţial.

Capitolul 3

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Capitolul 3

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cuprins CAPITOLUL 3

STRUCTURA INTERNĂ A AMPLIFICATOARELOR OPERAŢIONALE ..............................52

STRUCTURA INTERNĂ A AMPLIFICATOARELOR OPERAŢIONALE

3.2 SURSE DE CURENT CONSTANT

3.2.1 Surse de curent constant realizate cu tranzistoare bipolare

3.2.1.1 Configuraţia fundamentală a sursei de curent constant

Fig. 3.1. Configuraţia fundamentală a sursei de

Pentru un tranzistor cu factor de amplificare în curent β>100, se poate neglija curentul de

Fig. 3.2. Schema echivalentă de semnal mic

Fig. 3.3. Circuitul din fig. 3.1, modificat pentru a asigura

3.2.1.2 Sursa simplă de curent cu două tranzistoare

Fig. 3.4. Schema sursei simple de curent, realizată cu două

3.2.1.3 Surse (oglinzi) de curent cu trei tranzistoare

Fig. 3.6. Surse (oglinzi) de curent realizate cu trei tranzistoare.

3.2.1.4 Sursa standard de curent

Fig. 3.7. Sursa standard de curent constant,

Fig. 3.8. Schema echivalentă de semnal mic a

Se porneşte de la relaţia generală de determinare a rezistenţei de ieşire (Ro=ux/ix), se scriu

3.2.1.5 Sursa de curent Widlar

Fig. 3.9. Sursa WIDLAR de curent constant,

Pentru a determina curentul de ieşire Io, se procedează asemănător ca la sursa standard. Se

Fig. 3.10. Circuitul echivalent de smnal mic

Procedând asemănător ca la sursa standard, rezultă:

3.2.1.6 Sursa de curent cascodă

Fig. 3.11. Sursa de curent cascodă, realzată cu

3.2.1.7 Surse de curent multiple

3.2.1.8 Surse de curent realizate cu TEC-J

Fig. 3.13. Surse de curent realizate cu

3.2.2 Surse de curent constant realizate cu tranzistoare MOS

3.2.2.1 Sursa simplă de curent

Fig. 3.14. Sursa simplă de curent, Fig. 3.15. Caracteristica de ieşire

Tranzistorul M2 are, de fapt, rezistenţă de ieşire finită şi caracteristica de ieşire ID=f(UDS)

3.2.2.2 Sursa de curent cascodă

3.2.2.3 Sursa de curent Wilson

3.2.3 Polarizarea independentă de sursele de alimentare

deoarece Io≈Iref iar IrefR≈EC.

3.2.3.1 Circuite de polarizare de referinţă bazate pe tensiunea directă a

Fig. 3.18. Polarizarea independentă de

Fig. 3.19. Polarizare independentă de temperatură,

3.2.3.3 Circuite de polarizare care utilizează ca referinţă o diodă Zener

3.3 SURSE ŞI REFERINŢE DE TENSIUNE

3.3.1 Surse de tensiune

Fig. 3.21. Sursa de tensiune cu

In c.c. (fig.3.21,a), se pot scrie următoarele relaţii:

Fig. 3.22. Sursa de tensiune cu repetor şi

Dacă se presupune că tranzistorul T are factorul de curent suficient de mare pentru ca să

3.3.2 Referinţe de tensiune

3.3.2.1 Referinţe de tensiune cu diode Zener

Fig. 3.23. Referinţă de tensiune

Dezavantajul acestui tip de referinţă de tensiune constă în valoarea de ordinul kΩ-ilor a

Fig. 3.24. Referinţa de tensiune din stabilizatorul integrat µA723.

3.3.2.2 Referinţe de tipul “bandă interzisă”

Fig. 3.25. Circuitul ipotetic al unei referinţe de tipul

Deoarece relaţiile de dimensionare a acestor referinţe şi funcţionarea lor este legată de

Fig. 3.26. Referinţă de tensiune de tipul

Presupunând că circuitul a atins un punct stabil de funcţionare, se observă că tensiunea de

Fig. 3.27. Referinţă de tensiune de tipul

Această variantă de schemă se utilizează în cazul stabilizatoarelor monolitice de tensiune

3.4 ETAJE DE AMPLIFICARE DIFERENŢIALE

3.4.1 Configuraţii de bază ale amplificatoarelor diferenţiale

3.4.2 Parametrii amplificatoarelor diferenţiale

• amplificarea de transfer de la modul diferenţial la modul comun

Fig. 3.30. Circuitul de intrare al unui AD, având tensiunea de

Fig. 3.31. Schema AD utilizată pentru