Aprindere electronic cu acumulare inductiv

Student Jelea Adrian Electronic aplicat an V

Proiectul i propune realizarea unui montaj electronic care s nlocuiasc n parte sistemul de aprindere clasic al automobilului. Schema electric clasic a aprinderii:

Figura nr. 1

Ruptorul cu platin prezint anumite dezavantaje. Prin el circulnd un curent de cca. 5A, in momentul cnd platinele sunt foarte apropiate, att la nchidere ct mai ales la deschiderea lor, apare un fenomen de tunelare, o scnteie care in timp duce la topirea suprafeelor contactului si la sudarea lor. Din punct de vedere electric aceast tunelare duce la o nchidere prematur a circuitului electric, la un curent mai mic, lucru ce mpiedica obinerea unui front abrupt, si deci a unei variaii brute a tensiunii in secundar, fapt ce se reflect in intensitate sczut a scnteii. Este de dorit sa nlocuim acest mecanic cu un comutator electronic, n spe cu un tranzistor bipolar de comutaie. Acest tranzistor necesit un circuit de comutare specific. Un astfel de circuit este prezentat in figura nr. 2 Frecvena maxima de comutare a circuitului este de 200Hz, frecven ce corespunde turaiei de 6000 ture/min. Acestei turaii i corespunde o frecvent de 400Hz. La motorul cu 4 timpi arborele motorului face doua turaii pentru fiecare explozie. Deci aceasta frecven se mparte la 2 rezultnd 200Hz.

Figura nr.2

Cunoatem curentul maxim ce trece prin bobina de inducie. Acesta are o valoare de 5A. Trebuie sa cutm un tranzistor care s aib curentul nominal de colector de valoare mai mare. Alegem tranzistorul de comutaie MJE13007. acesta are Ic=8A. Valoare suficient de mare, care asigur o marj de siguran suficient. Valoarea tensiunii colector emitor maxime este de 400V, mai mult dect suficient, chiar pentru vrfurile de tensiune date de circuitul oscilant format din primarul bobinei de inducie i condensatorul C2. Nu este necesar deci montarea unei diode de protecie antiparalel cu tranzistorul. Pentru calculul puterii disipate de ctre componentele circuitului trebuie s avem n vedere factorul de umplere al semnalului de comand. Acesta este egal cu Ungiul Dwell. Acesta reprezin procentul din timp n care ruptorul st deschis. Are uzual valoarea de 63%. Tranzistorul este comandat pe restul timpului, deci pentru 37% din timp. Deci componentele ce funcioneaz pentru comanda tranzistorului de comutaie vor disipa puterea numai pentru 37% din timp. Acesta se traduce prin un factor de demultiplicare a puterii nominale al componentelor de 37%. La curentul de colector de 5A puterea disipat de tranzistorul de comutaie este de:
P = VceSAT I C = 2V 5 A = 10W

Aceast putere este disipat numai pentru perioada n care ruptorul este nchis, deci puterea medie disipat este de: Pm=15W*37%=3.7W Tranzistorul va necesita un radiator de rcire. Din foaia de catalog a tranzistorului MJE13007 aflam factorul de amplificate la un curent direct de 5A ca fiind de 10.
IC = I B IB = IC 5A = 0 .5 A 10

Deci curentul de baz este de 0.5A. Acesta este comandat de tranzistorul T2. Acesta trebuie deci s aib curentul de colector de minim 0.5A. Din catalog alegem BD237 cu Ic=2A si Vcesat=0,6V.

Figura nr. 3

Circuitul de comanda al bazei este format din R4, T2, C1 si Dz conform figurii nr. 3: n regim staionar condensatorul C1 este ncarcat deci nu influenteaz curentul prin circuit. Rezistena R4 se calculeaz conform relaiei:
R4 = U A VceSAT U Z U BE 12 0.6 3.3 0.6 7.5 = = = 15 I B1 0 .5 0.5

Curentul de vrf prin circuitul bazei va fi mai mare, condensatorul C1 eliminnd cderea de tensiune pe dioda zenner.

Iv =

U A VceSAT U BE 12 0.6 0.6 10.8 = = = 0.72 A R4 15 15

Acest curent va fi mai mare numai pn cnd condensatorul C1 se ncarc. Timpul de ncarcare, si implicit timpul ct curentul n baza tranzistorului T4 este mai mare dect cel necesar trebuie sa fie egal cu timpul de comutare la deschidere al tranzistorului. Din catalog acest timp este de 1.6s.
= R4 C1 C1 = T 1.6 s = = 106nF R4 15

Alegem valoarea uzual de 100nf. Puterea instantanee continu disipat de rezistena R4 este de:
PI = I M R4 = 0.25 15 = 3.75W
2

Puterea de vrf este disipat pentru o un timp de 1.6 s, fa de perioada de oscilaie care este de minim 5ms. Deci poate fi uor neglijat. Puterea medie disipat de rezisten este
PMED = PI 37% = 1.38W

Pentru siguran alegem o rezisten cu puterea nominal de 2W. Puterea disipat de tranzistorul T2 este egala cu:
P W T 2 = VceSAT I C = 0.6V 0.5 A = 0.3

Aceast putere este cu mult mai mic dect puterea nominal a tranzistorului BD237 care este de 25W. Acesta nu necesita radiator de disipare al cldurii. Puterea pe dioda zenner:
PI = U Z I F = 3.3V 0.5 A = 1.65W PMED = PI 37% = 0.61W

Alegem o dioda cu puterea nominal de 1W.

Figura nr.4

Circuitul format din C1, T3 i R5 asigur blocarea tranzistorului pe perioada cnd platina este deschis. Condensatorul este ncrcat la o tensiune de 3.3V dat de dioda Zenner. Aceasta nu mai intervine in circuit deoarece este polarizat invers la o tensiune egala cu cea nominal, prin ea trecnd doar curentul de saturaie care este neglijabil. Condensatorul se comport ca o surs de tensiune ce are rolul de a extrage purttorii din baza tranzistorului. Oricum condensatorul se descarc pe rezistena R5. timpul de descrcare este egal cu timpul de stocare al purttorilor de sarcin in baza tranzistorului plus timpul de blocare al acestuia. Din catalog acestea sunt:
TMENTINERE = 3s TOFF = = 0.7 s

Timpul de descrcare al condensatorului trebuie deci s fie de 3.7s.

T = R5 C1 R5 = T 3.7 s = = 37 C1 0.1F

Alegem o rezisten de 39 .

Curentul de vrf va fi de:

IV = U Z UceSAT U BE 3.3 0.4 0.6 2.3 = = = 59mA R5 39 39

Puterea de vrf disipat de R5 este de:

P = I 2 R5 = 135mW

Alegem o rezisten de 0.25w Curentul este mult mai mic deci putem alege un tranzistor de mic putere pentru T3. Alegem BC 251 cu Ic=100mA. Factorul de amplificare n curent direct pentru acest tranzistor este de peste 100. Rezistena R3 trebuie sa asigure att polarizarea tranzistorului T3 ct si blocarea tranzistorului T2. Acesta are =40 si deci curentul prin baza sa trebuie s fie de minim
IB = IC

0. 5 A = 12.5mA 40

Pentru blocarea sigura a lui T2 curentul prin R3 trebuie s aib aceeai valoare.
R3 = U A UecSAT 12V 0.4V 11.6 = = = 0.982 K Ib2 12.5mA 12.5

Alegem 1k pentru R3. Puterea disipat de R3 este de

P = I 2 R3 = 156mW

Alegem o rezisten de 0.25W Curentul prin tranzistorul T1 este suma dintre I prin R3 i Ib2
I C 2 = I R 3 + I B 2 = 25mA

Alegem un tranzistor BC251.

Curentul de baz al lui T1 este de:

I B1 = IC

25mA = 0.25mA 100

R2 =

U A U EB = 45600 I B1

Alegem o rezisten de 43k Rezistena R1 are rolul de a limita curentul prin platin. Alegem un curent de 250mA, suficient de mic pentru a nu mai avaria platina. Rezult rezistena R1:
R1 = UA 12V = = 48 I Pt 0.25 A

Alegem o rezisten de 47. Puterea instantanee disipat este de:

PR1 = I 2 R1 = 0.252 47 = 3W

Puterea medie continu este de 3W*37%=1.1W. Alegem o rezisten cu puterea nominal de 1.5W. Curentul prin platin va fi suma dintre curentul prin R1 si prin R2.
I Pt = 250 mA + 0.25mA 250mA

n figura nr. 5 putem observa formle de und ale semnalelor din colectorul tranzistorului T4 si din baza sa n funcie de semnalul de la intrare (ruptor). Se observ supracreterile tensiunii bazei datorate circuitului format din C1 i Dz. Acestea sunt necesare pentru comutarea rapid a tranzistoului bipolar.

Uc

Upt

t Ube

t Upt

t Figura nr. 5