MINISTERUL EDUCAIEI AL REPUBLICII MOLDOVA

UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI

FACULTATEA RADIOELECTRONIC I TELECOMUNICAII
CATEDRA TELERADIOCOMUNICAII

ADMIS LA SUSINERE
ef catedr TLC, conf.univ.dr.
_____________________ N.BEJAN
____ ___________ 2016

PROIECT DE AN

ANALIZA I MODELAREA TRANZISTOARELOR

BIPOLARE I CIRCUITELOR N BAZA LOR

Elaborat: studentul grupei TLC-153 Motelica Constantin

Proiectul a fost susinut la ____ ________________ 2016

Nota _______________ (________________)

Chiinu
U.T.M.
2016
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 4 - 4 -10/9/201710/9/2017
 1.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT927
Tranzistorul este un dispozitiv avnd o structur de tip n-p-n sau p-n-p, la care
regiunea din mijloc, adic baza trebuie s fie foarte subire i puin dotat cu
impuriti. Se consider a nota cu E-emitorul, cu B-baza i C-colectorul.
Pentru fabricarea tranzistorului KT927, care este de tip n-p-n, se folosete metoda
epitaxial-planar. Din punct de vedere constructiv dispozitivele epitaxial-planare sunt
caracterizate cu aceea c toate straturile sunt realizate pe una i aceeai parte a
plachetei, de aceea i electrozii sunt plasai pe aceeai parte.
Epitaxia reprezint procesul de cretere a straturilor monocristaline pe plachet cu
pstrarea orientrii cristalografice.
Epitaxia ocup locul intermediar ntre procesele de baz i cele ajuttoare. n
principiu ea poate garanta formarea neregularitilor locale, totodat aceast orientare
este slab prelucrat i n timpul de fa epitaxia de obicei se folosete ca mijloc de a
primi plachete n forma straturilor foarte subiri depuse pe plachete foarte groase.
Procesul epitaxiei pentru siliciu const n felul urmtor. Placheta monocristalin de
siliciu se afl n fluxul de hidrogen, coninnd vapori de compui ale siliciului cu
halogenii (de obicei SiCl4) la temperaturi mari (1200 C i mai sus) la suprafaa
plachetei se petrece reacia:
SiCl4+2H2=Si+4HCl
n rezultatul creia la suprafaa plachetei se depune siliciul curat, iar vaporii de HCl
sunt evacuai odat cu fluxul de hidrogen. Statul epitaxial de siliciu monocristalin are
aceeai orientaie cristalografic ca i placheta.
Dac la vaporii de SiCl4 adugm BBr3 sau PCl3, atunci stratul epitaxial va avea nu
conductibilitate proprie, dar conductibilitate prin goluri sau prin electroni, dup care
n timpul reaciei chimice n siliciu se ntroduc atomii acceptori de bor sau atomii
donori de fosfor.
n aa mod, epitaxia permite creterea straturilor monocristaline de conductibilitate
i rezisten diferite pe plachet, avnd aceeai parametri.
Grania ntre stratul epitaxial i plachet nu este ideal, deoarece n procesul
de epitaxie are loc difuzia ntre atomii de la suprafa a plachetei i atomii din stratul
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 5 - 5 -10/9/201710/9/2017
 epitaxial. De aceea prin epitaxie nu se poate de depus mai multe straturi. Cu ajutorul
epitaxiei se poate de depus pe plachet un strat foarte subire ( 1 m) ce nu este
posibil de depus prin celelalte tehnologii.

2. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar

Dac n calitate de caracteristici statice ale tranzistorului s alegem dependenele

funcionale dintre dou mrimi din patru, cu condiia c una din dou se va menine
constant, atunci se poate de primit dousprezece familii de caracteristici diferite,
pentru fiecare din trei scheme de cuplare. Desigur c n practic este ireal de a folosi
aa un numr de curbe legate ntre ele. Legtura dintre cureni i tensiuni n tranzistor,
se face prin patru familii de caracteristici, alegerea cror, este dat de aplicarea
raional n practic i este legat de sistema parametrilor-h, care i este cel mai des
utilizat. n calitate de caracteristici statice ale tranzistorului se folosesc:
- Familia caracteristicilor de intrare U1 f1 ( I1 ) U .
2 const

- Familia de caracteristici a cuplrii inverse a tensiunii U1 f 2 ( U 2 ) I .

1const

- Familia de caracteristici de transfer a curentului I 2 1 ( I1 ) U .

2 const

- Familia caracteristicilor de ieire I 2 2 (U 2 ) I .

1const

n dependen de schema de cuplare a tranzistorului n calitate de curenii i

tensiunile de intrare (I1 i U1) i de ieire (I2 i U2) se folosesc curenii i tensiunile
unui sau altui electrod.
Cea mai larg utilizare n practica inginereasc o au caracteristicile de intrare i de
ieire. Celelalte dou familii se folosesc cu mult mai rar.
Schemele de cuplare pentru un tranzistor p-n-p.

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 6 - 6 -10/9/201710/9/2017
 2.1.Cuplarea n schema baz comun.

Cuplarea tranzistorului n schem baz comun, adic electrodul comun este

baza. n aceast conexiune caracteristicile statice de intrare prezint dependena
dintre curentul la intrare care prezint curentul emitorului I E, cnd tensiunea aplicat
la jonciunea colectorului este meninut constant, iar tensiunea la emitor se
schimb.
Dup formele sale, caracteristicile statice snt apropiate de caracteristicile
curent-tensiune ale diodei. Diferena dintre caracteristicile de intrare primite, pentru
diferite tensiuni la colector nu snt mari, mai ales n conexiunea baz comun fa
de cele ale diodei.
n caracteristicile curent-tensiune n conexiunea baz comun la intrare este
prezentat dependena IE=f(UBE), cnd UCB=const., iar la ieire avem dependena
IC=f(UCB), cnd IE=const..
Conform figurei 2.2, n care avem prezentate caracteristicile de intrare,
observm o zon n care ramurile cresc liniar, aceast liniaritate depinde de puterea
tranzistorului. n general ramurile au form exponenial i se descrie bine de
expresia: IE=A(eU -1)A eU
EB EB

n acest ecuaie =q/kt (la temperatura T=290K 40 v-1), iar semnul

tensiunilor de intrare UEB se i-a astfel nct la deplasarea direct a jonciunii
emitorului mrimile s fie pozitive. Mrimea A se determin cu ajutorul formulei

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 7 - 7 -10/9/201710/9/2017
 Fig.2.2. Schema de cuplare a tranzistorului n baz comun i caracteristica de
intrare corespunztoare.

I ES
A
(1 inv )

unde IES curentul de saturaie a jonciunii emitorului;

inv coeficientul de transfer dup curent al tranzistorului, n curent continuu
la conectarea indirect.
Trebuie de menionat c i inv depind de curentul continuu la emitor i de
tensiunea aplicat la jonciunea colectorului.
n regiunea curenilor mari la cuplarea direct caracteristicile de ieire se
ndreapt, astfel unghiul de nclinare depinde de rezistena de volum a materialului
semiconductor, conectat n serie cu jonciunea emitorului.
Pentru schema cu BC defazajul ntre tensiunile de intrare i ieire lipsete,
adic faza tensiunii la amplificare nu se inverseaz. Trebuie de spus c schema cu
BC are distorsiuni mai mici dect etajul pe schema cu EC.
Caracteristicile de ieire reprezint dependena dintre curentul colectorului I C i
tensiunea UBC aplicat la jonciunea baz-colector.
n caracteristici distingem trei zone:
- Zona (1) n care caracteristicile au o form liniar i snt nclinate sub un
unghi mic fa de axa absciselor i se numete activ normal. Unghiul mic de
nclinare ne arat dependena mic ntre curentul colectorului i tensiunea la colector.
Aici jonciunea emitor-baz este polarizat direct, iar jonciunea colector-baz este
polarizat indirect.
- Zona (2) este regiunea de blocare (sau tiere), n care ambele jonciuni snt
polarizate indirect. n consecin curentul emitorului este negativ, iar curentul
colectorului poate fi mai mic dect ICB0, conform relaiei IC=IE+ICB0.
- Zona (3) este regiunea de saturaie, n care ambele jonciuni snt polarizate
direct. Se observ c rezistena dinamic de ieire UCB/IC cnd IE= const. are valori
mult mai mici dect n zona (1). nclinarea zonelor fiind mult diferit de orizontal.
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 8 - 8 -10/9/201710/9/2017
 Aceasta este explicabil, ntruct la ieire se simte rezistena dinamic a jonciunii
colector-baz, care acum este direct polarizat .
- Zona (4) este zona n care are loc strpungerea tranzistorului.
n fine, mai exist o zon activ invers, care nu este vizibil pe grafic.
n conexiunea baz comun, n regiunea activ normal zona de cretere a
curentului colectorului este aproximativ egal cu cea a emitorului i caracteristicile
snt practic identice pentru toate tipurile de tranzistoare.

Fig. 2.3. Caracteristica de ieire pentru tranzistorul cuplat n baz comun.

Unul dintre coeficienii cei mai utilizai de electroniti este coeficientul de

transfer dup curent i prezint raportul dintre amplitudine sau mrimea tensiunii
variabile care acioneaz la intrarea i ieirea unui amplificator. Intrarea
amplificatorului prezint circuitul emitor baz, iar ieirea o constituie urmtorul
circuit, adic baz colector.
Se observ un lucru destul de important n tranzistor, i anume rezistena la
intrare este foarte mic fa de cea la ieire, n curent alternativ. De aceea n tranzistor
la conectarea n baz comun, curentul la ieire nu depinde de rezistena sarcinii i
este egal cu:
Iie=-h21BIint
Unde parametrul h21B se numete coeficientul de tarnsfer dup curent la un semnal
mic n schema cu baz comun n regim de scurtcircuitare a circuitului colectorului.
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 9 - 9 -10/9/201710/9/2017
 Coeficientul h21B este o caracteristica a transferului unui semnal slab.
Raportul dintre curentul colectorului i cel al emitorului este notat prin K I i se
numete coeficientul de transfer dup curent:
IC
KI <1.
IE

2.2.Cuplarea n schema emitor comun.

Circuitul care polarizeaz tranzistorul n regiunea activ normal a

caracteristicilor statice este prezentat n figura 2.4.
Considernd tranzistorul un nod, aplicnd teorema lui Khirchhoff vom avea:
IE=IC+IB
iar relaia fundamental este dat de formula:
IC=IE+ICB0
Eliminnd din relaiile (1) i (2) IE vom obine:
IC=( IC+IB)+ ICB0
1
IC IB I CB 0
de unde 1 1

Se observ c:
I C I CB 0 I I CB 0 I C
C
1 I E I C I CB 0 I B I CB 0 I B

Cu ajutorul relaiei (5) se definete factorul static de amplificare n curent n

conexiunea emitor comun. Acest factor se noteaz prin sau cu h21E.

Rezult c:
1

IC=IB+(+1)ICB0
Produsul (+1)ICB0 se noteaz cu ICE0 i este curentul rezidual dintre emitor i colector,
cnd baza este conectat n gol.
Trebuie s observm c numeric factorul static de amplificare este de ordinul
sutelor, iar ICE0 este circa de dou ordine mai mare dect ICB0

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 10 - 10 -10/9/201710/9/2017
 n asemenea conectare a tranzistorului pentru caracteristica de intrare curentul
bazei este funcie de tensiunea aplicat la baz-emitor, adic IB=f(UBE) cnd UCE=
const., iar pentru caracteristica de ieire avem IC=f(UCE) cnd IB= const..
n fig.2.5. este prezentat caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar n
conexiune emitor comun.

Fig. 2.4. Circuitul de polarizare.

Pentru valori mici ale tensiunii de polarizare direct a jonciunii emitorului,

caracteristica de intrare apare n cadranul IV ntruct n circuitul bazei predomin
curentul rezidual ICB0. La Tranzistoarele din siliciu, curentul rezidual ICB0 este foarte
mic, astfel nct caracteristica de intrare se poate considera c trece prin origine.
Pentru diferite valori ale parametrului UCE la tranzistorul p-n-p, caracteristicile rezult
distincte, dar foarte apropiate:

Fig.2.5. Caracteristica de intrare

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 11 - 11 -10/9/201710/9/2017
 Caracteristicile de ieire au aceeai latur ca i n cazul conexiunii BC cu
polarizarea pentru regim de funcionare activ, cu observaia c se nlocuiete UCB cu
UCE. Pentru UBE=0V, UCB=UCE deci caracteristica corespunztoare frontierei dintre
regiunea activa normala i regiunea de taiere normal este aceeai. Pentru UCB=0V
rezult UCE = UBE, adic frontiera de separaie dintre regiunea activ normal i
regiunea de saturaie este diferit de axa curentului, de la conexiunea BC.

Fig. 2.6. Caracteristicile de ieire ale tranzistorului bipolar n conexiunea EC.

La tensiuni mici la colector se urmrete o cdere brusc a curentului

colectorului cu micorarea tensiunii la emitor-colector i independena curentului
colectorului de cel al bazei. Se spune ca n acest moment tranzistorul intr n regim
de saturaie, aceasta se explic prin faptul c la tensiuni mici ale colector-emitor
ambele jonciuni p-n att a emitorului ct i a colectorului snt deplasate n sens direct.
Menionm c aceast tensiune UCE la care apare regimul de saturaie, este
destul de mic.

2.3.Cuplarea n schema colector comun.

Circuitul cu tranzistorul n conexiune colector comun este prezentat n
fig.2.7. Att pentru circuitul de intrare ct i pentru cel de ieire borna comun este
colectorul. Circuitul de intrare este cel al bazei, iar circuitul de ieire cel al
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 12 - 12 -10/9/201710/9/2017
 emitorului. Pentru schema cu CC parametrii de intrare sunt curentul bazei I B i
tensiunea dintre baz i colector UBC, iar parametrii de ieire curentul emitorului
IE i tensiunea dintre emitor i colector UEC.

IE

IB
UEC
UBC +

Fig.2.7. Schema tranzistorului n conexiunea emitor comun

Coeficientul de transfer dup curent reprezint raportul dintre curentul

emitorului i curentul bazei:
IE
KI 1
IB

Caracteristica principal a conexiunii n colector comun este valoarea

rezistenei de intrare foarte joas. Datorit rezistenei de intrare reduse tranzistorul n
conexiunea colector comun este echivalent unui generator de tensiune care se
schimb neesenial la variaia rezistenei de sarcin (bineneles pn cnd rezistena
de sarcin nu depete cu mult rezistena de ieire a generatorului).

3.Analiza circuitelor echivalente ale tranzistorului bipolar

3.1. Frecven joas.

Tranzistorul bipolar n funcie de parametrii circuitului n care este conectat are

diferite comportri. n acest compartiment vom cerceta tranzistorul la frecven joas.
Jonciunea colectorului, ct i jonciunea emitorului snt caracterizate prin
nite capaciti datorate de existena straturilor cu sarcini spaiale n regiunea
jonciunii. Deoarece jonciunea emitorului este alimentat n sens direct n capacitatea
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 13 - 13 -10/9/201710/9/2017
 total a acestei jonciuni va predomina componenta de difuzie a capacitii; invers,
pentru jonciunea colectorului alimentat n sens invers, va predomina capacitatea de
barier Ccb. Dei la o jonciune p-n valoarea capacitii de difuzie, n curent alternativ
efectul capacitii de barier colectorului (i emitorului) se face simit pentru
frecvene care nu sunt suficient de joase, astfel nct schema echivalent a
tranzistorului lucrnd la frecvene joase mai mari de 1000 Hz de exemplu, trebuie s
fie completat prin luarea n consideraie a acestor capaciti i n special prin
considerarea capacitii colectorului.
Capacitatea de difuzie a emitorului CBE a fost reprezentat punctat, subliniindu-
se astfel rolul ei este secundar fa de cel al capacitii de barier a colectorului CBC.
Expresiile capacitilor jonciunilor colectorului i emitorului se pot afla prin
rezolvarea ecuaiei Poisson pentru sarcinile spaiale din jonciunea respectiv. La
rndul ei, sarcina spaial poate fi exprimat prin diferite relaii n funcie de modul n
care snt distribuite impuritile n regiunea p i n care formeaz jonciunea. n toate
cazurile ns, capacitatea jonciunii va depinde invers proporional de tensiunea
aplicat jonciunii. Se arat c pentru jonciuni(deci i tranzistoare) obinute prin

1 1

aliere 1 pe cnd la jonciunile obinute prin cretere 1 . Pentru tensiuni
U 2 U 3

UC0=5 (V), capacitatea colectorului pentru tranzistori obinui prin aliere, este
aproximativ 20-30 pF. Pentru tranzistori obinui prin cretere, la o tensiune UC0=5
(V) , capacitatea colectorului este aproximativ 10 pF.

Figura 3.1. Schema echivalent a tranzistorului

la frecven joas(la conectarea n emitor comun)

3.2 Frecvene medii.

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 14 - 14 -10/9/201710/9/2017
 O deosebire esenial ntre schemele echivalente ale tranzistorului la frecven
joas i medie nu este, numai c frecvene joase mai apare i capacitatea CBC.

Figura 3.2. Schema echivalent a tranzistorului

la frecven medie(la conectarea n emitor comun).

4.3. Frecvene nalte. Circuitul echivalent Giacoletto.

Figura 3.3. Circuitul echivalent Giacoletto.

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 15 - 15 -10/9/201710/9/2017
 (conexiune baz comun).

n figura 3.3. este schema circuitului echivalent Gicoletto, pentru un tranzistor

montat n conexiunea BC.
Dup cum se vede se pot distinge trei regiuni: regiunea 1 corespunde jonciunii
emitor-baz, care fiind direct polarizat poate fi echivelent cu o rezisten rBE, de
cteva sute de n paralel cu o capacitate CBE, de ordinul a sute de pF (capacitate de
difuzie).
Regiunea 2 modeleaz fenomenul de transport al purttorilor prin baz, cu
ajutorul generatorului de curent gmUEB i al rezistenei rCE (de ordinul a zeci de k),
ce corespunde difuziei purttorilor de la emitor spre colector. Totodat, rezistena r BB
este rezistena extrinsec a bazei (baza inactiv) i este n jur de 100 .

Regiunea 3 reprezint jonciunea colector-baz (invers polarizat), care se

nlocuiete cu o rezisten rBC de valoare mare (de ordinul 1M) i cu capacitatea CBC
de ordinul a civa pF (capacitatea debarier).
Punctul B corespunde regiunii active a bazei i este logic ca generatorul de
curent s depind doar de cderea de tensiune dintre emitor i baza activ (UEB).
Coeficientul de proporionalitate gm se numete panta tranzistorului i se
definete ca raportul dintre creterea infinitezimal a curentului de colector i
creterea infinitezimal a tensiunii baz-emitor care o genereaz, celelalte mrimi
fiind constante.
I C e
Aadar: gm IC
U BE kT

i se poate demonstra c:
g m rBE h21B

n fine, pentru ca circuitul s fie complet s-au mai figurat i capacitile

parazite dintre terminale (care sunt exerioare capsulei), i anume CEC, CBC i CEB.
Acestea sunt de ordinul a 1- 4 pF, deci intervin n calcul doar la frecvene foarte
nalte i din acest motiv de cele mai multe ori se pot neglija. De menionatCoala
c
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 16 - 16 -10/9/201710/9/2017
 exceptnd rCB i rEB care o variaie mic, ceilali parametri ai circuitului Giacoletto
propriu-zis depind puternic de punctul de funcionare static (de exemplu rCB scade cu
IC, iar CBE crete cu IC).

4. Parametrii H pentru tranzistorul bipolar

Pentru a caracteriza funcionarea tranzistorului ca amplificator, se face apel la

parametrii hibrizi (sau parametrii H), care se introduc considernd tranzistorul un
cuadripol.
n oricare circuit de utilizare tranzistorul poate fi prezentat ca un cuadripol
activ la intrarea cruia avem tensiunea U1 i curge curentul I1 , iar la ieire tensiunea
U2 i curentul I2.

Fig. 4.1. Cuadripol descris cu parametrii H

Alegnd n calitate de variabile independente curentul de intrare i tensiunea de

ieire, iar n calitate de mrimi dependente tensiunea de intrare i curentul de ieire,
se poate de obinut ecuaiile cuadripolului n sistemul de parametrii h-.

U 1 h11 I 1 h12 U 2

I 2 h21I 1 h22 U 2
Coeficienii h11, h12, h21, h22 reflect proprietile electrice ale tranzistoarelor n
relaiile cu semnale mici de frecven joas n punctul static de funcionare ales i se
numesc parametrii H. Ei pot fi uor determinai, asigurnd regimul de scurcircuit
dup curent alternativ la ieire ( U 2 0 ) i regimul de mers n gol la intrare ( I 1 0 ).
Rezistena de intrare cnd la ieire avem scurtcircuit: Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 17 - 17 -10/9/201710/9/2017
 U 1
h11
I 1 U 2 0

Coeficientul de transfer dup tensiune cnd la intrare avem mers n gol:

U 1
h12
U 2 I1 0

Coeficientul de transfer dup curent cnd la ieire asigurm regim de

scurtcircuit:
I 2
h21
I 1 U 2 0

Conductibilitatea de ieire cnd la intrare avem mers n gol:

I 2
h22
U 2 I1 0

Parametrii menionai mai sus se msoar n:

h11 [
h12 [adimensional
h21 [adimensional
h22 [S

La ridicarea parametrilor h asigurm regimul de funcionare dup curent

continuu, iar parametrii h se msoar dup curent alternativ la valori ale semnalului
reduse. Parametrii h pot fi determinai din caracteristicile statice.

5. Metode de ridicarea parametrilor tranzistorului bipolar

Tranzistorul bipolar, fabricat pe baz de siliciu, prin metoda epitaxial planar de
tip n-p-n, generator de frecven nalt. Se folosete n circuitele amplificatoarelor de
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 18 - 18 -10/9/201710/9/2017
 putere, deasemenea n modulaie cu amplitud, multiplificatoare de frecven i
autogeneratoare la frecvena 50-200 MHz la tensiunea de alimentare 12,6 V.
Se fabric n corpurii metaloceramice cu ieiri plastice, cu urub montat.
Masa tranzistorului nu mai mult de 4,5g. Mai jos este prezentat tranzistorul KT
920:

Fig. 23
Parametrii electrici:
a) Puterea de intrare la UCB=12,6V, f=175 MHz, TC313 K este 10 W
b) Tensiunea colector-baz: UCB=10V
c) Intensitatea curentului colectorului: IE=30 mA
d) Tensiunea de saturare colector-emitor la IC=10 mA, IB=1 mA: UCEsat=36 V
e) Tensiunea de saturare baz-emitor la IC=10 mA, IB=1 mA: UBEsat=4 V
f) Curentul de scurgere a colectorului: la T=298o K, UCB=UCBmax .5A
la T=398o K, UCB=10 V .50A
g) Conductibilitatea de ieire la UCB=10 V, IE=3 A, f=1 kHz3S
n) Puterea maxim: Pmax=5W
m) Temperatura de funcionare: T=213....398 K
Parametrii tranzistorului bipolar nu pot fi direct msurai din motiv c regiunile
interacioniaz, ns pot fi msurai indirect, adic msurnd anumii parametri pe
ceilali i calculm.
Parametrii msurai vor fi caracteristicele curent tensiune de ieire i de intrare,
prin metoda dinamic. Metoda dinamic const n msurarea cu ajutorul
osciloscopului n regim X-Y, prin aplicarea unui semnal de frecven joas. La
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 19 - 19 -10/9/201710/9/2017
 placheta X se aplic tensiunea msurat iar la placheta Y se aplic tensiunea de pe
rezistorul R2, din motiv c curentul, conform legii lui Ohm, este raportul cderii de
tensiune la rezisten, pe axa Y tensiunea va fi proporional curentului ce circul prin
circuit. Cunoscnd valoarea rezistenei R2 prin calcule determinm curentul.
Conform circuitului de mai jos montm schema de msurare i la osciloscop
determinm caracteristicele de intrare i ieire,cu ajutorul sursei de alimentare
stabilizat se menine constant tensiunea la ieire (n dependen de tipul conexiunii)
pentru cazul ridicrii parametrilor de intrare, i curentul constant la intrare, pentru
cazul caracteristicilor de ieire.
Apoi avnd la ndemn familia de caracteristici msurate se poate determina prin
calcul parametrii h ai tranzistorului. Aceasta se face prin determinarea parametrilor
necesari pentru calcule din dependenele amper de tensiune i se nlocuiesc n relaiile
de calcul ai parametrilor h, care sunt indicate n capitolul cinci.
Restul parametrilor cum ar fi capacitatea jonciunelor, frecvena limit de lucru se
efectuiaz la aparataj de laborator specializat n aa tipuri de msurri cum ar fi:
pentru capaciti---
Cea mai simpl metod este de a utiliza aparatajul modern recent aprut pe piaa
moldovei M830 care determin parametrul h21 adic coeficientul de transfer n curent.
O alt metod care permite determinarea n general este defect sau nu tranzistorul,
const n msurarea rezistenelor jonciunilor la polarizarea direct i invers, la
polarizarea direct rezistena este de ordinul sutelor de omi, iar la polarizarea invers
de ordinul sutelor de KOhmi.

6. Structura, principiul de functionare si parametrii de baza pentru

tranzistoarele bipolare de generatie noua IGBT
Stare de conducie a unui IGBT se realizeaz dac este polarizat ca n fig.5.1
Productori de IGBT-uri furnizeaz mai multe tipuri de scheme echivalente
funcionale, care permit descrierea conduciei n tranzistor. O astfel de schem
echivalent simplificat este prezentat n fig.5.2, unde IGBT-ul este nlocuit printr-
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 20 - 20 -10/9/201710/9/2017
 un tranzistor MOSFET cu canal n i un tranzistor bipolar pnp. Rezistorul Rn -1
materializeaz rezistena stratului n- . Tranzistorul MOSFET reprezint partea de
comand a IGBT-ului care este similar cu cea a tranzistorului MOSFET, n sensul c
n corpul p se creeaz, prin cmp electric, canalul de tip n. Prin acest canal electronii
injectai din surs, polarizat negativ, se regsesc n dren, iar prin stratul n- n baza
tranzistorului pnp, comandnd intrarea rapid n conducie a acestuia. Blocarea
tranzistorului pnp se face prin blocarea conduciei MOSFET-ului. n felul acesta se
realizeaz comanda n tensiune, deci de putere mic, i timpi de comutaie redui. Se
evit de asemenea fenomenul saturaiei, comanda pe poart IGBT-ului fiind n cmp
electric. Pe de alt parte prezena ntre colector i emitor a tranzistorului pnp asigur
o cdere de tensiune VCEON comparabil cu cea de la tranzistoarele bipolare.
Caracteristicile statice, ic=f(VCE), au forma din fig.5.3 i se analizeaz mpreun cu
caracteristica de transfer ic = f(VGE) din fig.5.4. n familia de caracteristici statice se
definesc zonele:

Fig 5.1 Schema de functionare Fig 5.2 Schema echivalenta

dreapta VCESUS, care limiteaz tensiunea maxim admis n sens direct, la valori
mai mari dect VCESUS aprnd fenomenul primei strpungeri, cu aceleai
caracteristici ca la tranzistoarele bipolare;
zona activ, cu aceleai proprieti ca la MOSFET;
zona ohmic;
pentru tranzistoarele simetrice tensiunea VBR, de prbuire n sens invers.
Caracteristica de transfer are exact aceleai proprieti ca la tranzistorul MOSFET.

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 21 - 21 -10/9/201710/9/2017
 Fig 5.3 Caracteristica statica Fig 5.4 Caracteristica de transfer
Stabilirea punctului de funcionare se face tot ca la tranzistorul MOSFET, n sensul
ndeplinirii condiiilor:
s asigure la curent maxim, tensiune VCEON minim, punctul de funcionare
plasndu-se pe curba de separaie ntre zonele activ i ohmic;
punctul de funcionare s se gseasc n interiorul ariei de funcionare sigur, SOA,
de form asemntoare cu cea de la MOSFET. Tensiunea VCEON, care
caracterizeaz IGBT-ul, are valori ntre 1,9 2,9V. Calculul regimului termic
urmeaz aceeai metodologie de la tranzistorului MOSFET.
6.1 AUTOAMORSAREA
Structura IGBT-ului este practic de tipul pnpn, identic cu a unui tiristor obinuit. Din
acest motiv IGBT-ul este suspect de apariia fenomenului de autoamorsare, dup
modelul de la tiristorul obinuit. n mod normal curentul de colector se nchide ntre
stratul de colector p+ i stratul de emitor n+ , traversnd corpul p. Acest curent este
desenat cu linie continu n fig.5.5. Pentru a se evita efectele nedorite ce apar la
MOSFET, metalizarea emitorului acoper parial corpul tranzistorului. Astfel poate s
apar aa numitul curent lateral, iL, desenat cu linie ntrerupt, direct ntre colector i
emitor, fr traversarea stratului n2 + . Se pune astfel n eviden tranzistorul, T2 , de
tip npn, format din straturile npn2 + , care completeaz schema echivalent
simplificat din fig.5.5 dup schema din fig.5.6. Acest tranzistor are ntre baz i
emitor rezistorul Rc, care corespunde rezistenei corpului p. nchiderea curentului
lateral, iL, prin corp produce cderea de tensiune uL, cu polaritatea plus pe baz,
proporional cu acest curent.

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 22 - 22 -10/9/201710/9/2017
 Fig 5.5 Autoamorsarea Fig 5.6 Schema echivalenta completa

Cnd curentul de colector este relativ mare curentul lateral iL capt valori
apreciabile. Tensiunea uL din baza tranzistorului T2 devine suficient de mare nct
tranzistoarele T1 i T2, a cror schem este identic cu a tiristorului obinuit, intr n
procesul de autoamorsare. Efectele autoamorsrii conduc la:
intrarea n saturaie a celor dou tranzistoare T1 i T2 nsoit de o cretere
accentuat a curentului de colector i distrugerea IGBT-ului;
imposibilitatea blocrii conduciei prin comand pe poart, aceasta fiind
dezactivat prin apariia autoamorsrii; blocarea conduciei se mai poate realiza
numai prin anularea curentului de colector, ca la tiristorul obinuit.
Evitarea acestui fenomen se realizeaz n dou moduri. Pentru structuri de tipul celei
din fig.5.5 trebuie meninut curentul de colector.
Ic Icm

Fig 5.7 Structura pentru evitarea autoamorsarii

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 23 - 23 -10/9/201710/9/2017
 unde ICM este curentul maxim de colector admis de IGBT pentru care nu apare
fenomenul autoamorsrii.
A doua variant const n modificarea constructiv prezentat n fig.5.7. Evitarea
autoamorsrii const n micorarea tensiunii uL prin reducerea rezistenei corpului
RC, n zona de nchidere a curentului lateral. n acest sens corpul se realizeaz din
dou regiuni, p cu doparea de 1017/cm3 i p+ cu dopare 1019/cm3 . Pericolul
apariiei acestui fenomen este sporit n procesul de blocare, cnd ,ca urmare a
curentului relativ mare i a tensiunii colectoremitor n cretere, tensiunea uL scap de
sub control ,IGBT-ul rmnnd n conducie, dei comanda pe poart este activat.

7. Utilizarea tranzistoarelor bipolare in circuite electronice

Tranzistoarele bipolare utilizate pot fi ntlnite n schemele electronice n cele
trei modaliti de conexiune BC-baz comun, EC-emitor comun i CC-colector
comun. ns cele mai utilizate sunt EC i CC, datorit particularitilor pe care le
posed. Voi prezenta mai jos o parte din circuitul n care se utilizeaz tranzistorul
bipolar KT-920:

C4
0.15
L2 L5
4

C1 C2 C8 C5 C14 K1.1
R1 R3
L10
20 0.068 1000 1000 0.068 20 5

L9
L6 A1
K1
L1 C9
L7 L8
C5 L4
C3 VT2 C15
L3 A2
16
KT920
VT11 C10 1000 R4
C6 C13
1 KT610 100
C12
R2

3
16 C16
C11 1000
6

Fig 7.1
8. Rezolvarea problemelor
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 24 - 24 -10/9/201710/9/2017
 8.1. Problema 1.

Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se

efectuieze urmtoarele calcule grafico-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenilor i
tensiunilor n timp i s se determine dac pot aprea distorsiuni neliniare a
semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se calculeze
rezistena de intrare i de ieire a etajului, coeficientul de amplificare dup
curent ki, tensiune kU i putere kP. S se determine puterea util pe sarcin
PR~ i puterea mprtiat pe colectorul tranzistorului.

Se d:
EC=80 V; RS=1.8 k ; IB=0,3 mA; IBm=0,075 mA.
Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin prin punctele:
I C max I C min 35 5
I Cm 15 mA
2 2
U U C min 90 20
U CEm C max 35 V
2 2
0,14
U BEm 0,07 V
2
I 15
K I Cm 50
I Bm 0.3

U CEm 35
KU 500
U BEm 0,07
K P K I K U 50 * 500 25000
U EBm 0,07
Rint 930
I Bm 0,075 10 3
I2 R
PR Cm S
15 10 3 1.8 10 3. 0,0202 W
2

2 2
PC U CE I c 25 10 3 18 0,45 W

8.2. Problema 2

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 25 - 25 -10/9/201710/9/2017
 Conform caracteristicilor curent-tensiune ale tranzistorului bipolar i
parametrilor lui la frecven nalt s se efectuieze urmtoarele calcule pentru etajul
de amplificare:
a) s se calculeze parametrii h i s se construiasc circuitul echivelent al
dispozitivului activ analizat la frecven joas;
b) s se calculeze parametrii fizici ai circuitului echivalent la frecven nalt.

Din cauz c dup nominalele date UCE=60 (V) i IC=10 (mA) nu pot fi
soluionate atunci vom considera datele iniiale ca n problema 1, pentru care am ales
deja punctul de funcionare:
IB=75 A; UCE=60 V prin urmare:
IB=75 0,2=30 ( A)
UCE=60 0,2=12 (V)

Din grafic determinm IIC=1(mA); UBE=0,015 (V); IC=10(mA);

Determinm parametrii hibrizi h:

U BE 0,07
h11 E 233.3 ;
I B U CE const
30 10 6 U CE 10V

I C 1.8 10 3
h21E 60;
I B U CE const
30 10 6 U CE 10V

I CI 2.5 10 3
h22 E 0,25 mS ;
U CE I B const
10 I B 0 , 075 A

Schema echivalent a tranzistorului la frecven joas este:

Tranzistorul bipolar KT601A posed urmtorii parametri la frecven nalt:

2; f=20 MHz; CC=15 pF; CE=75 pF; C=600 ps; IC=6 mA; =3.

Determinm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente a

tranzistorului la frecvene nalte: Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 26 - 26 -10/9/201710/9/2017
 rC 600 ps
rB 3 3 40 120 ;
CC 15 pF
C C 15 pF
C C1 5 pF ;
3
C C2 C C C C1 15 5 10 pF ;
I C 1
rB rB 120 1.2 ;
IC 10
1
rCE 12.05 k ;
h22 E
S j 20 I C 20 10 10 3 200 mS ;
1
rBE 120 1.2 118 .8 ;
S 200 10 3
C E j 75
C BE 1660 pF ;
lim 6,3 20 106
Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecvene nalte:

8.3. Problema 3.

Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se

determine parametrii etajului de amplificare n regim de recuplare a puterii:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest, curentul de intrare i
puterea necesar pentru a o deschide.

Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin i detetminm Urest=8 (V)
U rest 8
Rcupl 2,3 10 2 ;
I Ccupl 35 10 3
PCcupl U rest I Ccupl 8 2 ,3 10 3 0 ,184 W ;
I Csat 35 10 3
I Bcupl k sat 4 1,13 mA ;
kI 123,33
UBEcupl=0,425 (V)-din grafic.
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 27 - 27 -10/9/201710/9/2017
 Pint U BEcupl I Bcupl 1,13 10 3 0,425 0,48 mW
.

8.4. Problema 4.

Conform datelor din ndrumare s se traseze carcteristicile statice pentru

tranzistorul cu efect de cmp i s se efectuieze urmtoarele calcule grafo-analitice
pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze diagramele curenilor i tensiunilor n timp i s se determine
dac pot aprea distorsiuni ale semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se determine
rezistena de intrare i de ieire a dispozitivului analizat i s se calculeze
volorile numerice pentru coeficientul de amplificare dup curent ki, tensiune
kU i putere kP.

Date iniiale:

ED=-20 (V); ID0=16 (mA);

UDS0=16 (V); UGsmax=2 (V);
Ubloc=-10 (V); IDmax =-33 (mA);
Pimp=300 (mW);RS=0.5k

Rezolvare:

Ecuaia caracteristicii cutate are forma:

2
U GS U bloc
I D I D max ;
U GS max U bloc
2
U 10
I D 0 ,23 U GS 10 mA
2
I D 33 GS ;
2 10
Folosind ecuaia primit completm tabelul:

ID, mA 0 5,75 14,7 23 25,5 33,1 38,87

3 2
UGS, V -10 -5 -2 0 1 2 3

Dup datele din tabel trasm caracteristica de transfer.

Trasm dreapta de sarcin tiind c :

ED=-20V i RS=0,5 k primim punctele (20;0) i (0;40 10-3)

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 28 - 28 -10/9/201710/9/2017

I Dm I Dm
I Dm 7 mA ;
2
I Dm 7 10 3
S med 3,5 mS ;
U GSm 2

Utiliznd datele obinute putem calcula urmtorii parametri ai tranzistorului:

kU S med RS 3,5 10 3 0,5 10 3 1,75 ;

Rint RG 1 M
U GSm 2
I Gm 6 2 A ;
RG 10
k I S med RG 3,5 10 3 10 6 3500 ;
k P k I kU 3500 1,75 6125 ;

8.5. Problema 5.

Conform carcteristicilor statice ale tranzistorului cu efect de cmp i

parametrilor lui la frecven nalt s se calculeze:
a) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru
frecven joas);
b) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru
frecven nalt);
c) componenta activ a conductibilitii de intrare i modulul pantei dispozitivului
analizat la frecvena de 100 MHz.

Date iniiale:
ID0=0,9 mA; UDS0=8 (V);
CGS=7 pF; CGD=1 pF;
rG=50 ;
Rezolvare:
ID0=0,2 0,9 10-3 (mA)=0,18 10-3 (mA);
UDS0=0,2 8 (V)=1,6 (V);

I D 0 ,18 10 3
S 0 ,113 mS ;
U DS 1 ,6

U DS 1 ,6
RI 8888 ;
I D 0 ,18 10 3

Prezentm schema echivalent la frecvene joase a tranzistorului cu efect de cmp:

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 29 - 29 -10/9/201710/9/2017
 Cu ajutorul parametrilor tranzistorului la frecvene nalte putem determina
elementele schemei echivalente la frecven nalt:

Calculm pentru frecvena de 100 MHz valoarea:

k rC C GS 6,3 10 8 50 7 10 12 0,22 ;
1 0,22
2
1 1 k 2
Rint rC 2 50 1083 ;
g int k 0,22 2
S0
S 0 ,11 mS .
1 k2

8.6. Problema 6.

Conform carcteristicilor statice construite ale tranzistorului cu efect de cmp s

se efectuieze calculul proprietilor tranzistorului n regim de rezistor variabil:
a) s se calculeze caracteristica R~ f U DS ;
b) s se calculeze coeficientil de amplificare dup putere pentru regulatorul de
putere montat pe baza tranzistorului cu efect de cmp.

Conform caracteristicii statice construite a tranzistorului cu efect de cmp

(dup rezolvarea problemei 4.), vom calcula caracteristica R=f(UDS);

Aflm punctele de blocare a tranzistorului :

U D U GS U bloc ;
punctul 1 avem: U D 2 10 12 V ; U G 2V ;

punctul 2 avem: U D 1 10 11 V ; U G 1V
punctul 3 avem: U D 1 10 9 V ; U G 1V
punctul 4 avem: U D 2 10 8 V ; U G 2V .

Determinm patru valori ale rezistenei tranzistorului n regim ohmic:

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 30 - 30 -10/9/201710/9/2017
 12
R~ 1 362 ;
33 ,12 10 3
11
R~ 2 395 ;
27 ,83 10 3
9
R~ 3 483 ;
18 ,63 10 3
8
R~ 4 544 ;
14 ,7 10 3
Cu ajutorul punctelor obinute trasm caracteristica: R=f(UGS).
R 10 6
Amplificarea maxim a regulatorului : k P max 2 RG
2 362
1381 .
~ min

.Conform sarcinii primite de la profesor s se proiecteze un etaj

de amplificare dup putere n baza tranzistorului bipolar n dou
variante:cu i fr transformator.

a) Sarcin:
S se proiecteze un etaj de amplificare n audiofrecven cu tranzistor bipolar.

Date iniiale: Uie. max=2.3V

RS=450
Fj=140Hz
Mj=1.2
EC=6V

Calculul amplificatorului de tensiune

1. Alegem tipul tranzistorului conducndu-ne de urmtoarele:

UCEadmis(1,1...1,3)EC=6V
ICadmis2IS.max=2Uie max/RS=20/450 =10.2 mA
PCadmis.=ICadmis*UCeadmis=0,05*30=1,5 W

2. IC0=(1,05...1,20) IS.max=1.1*80*10-6=88*10-6A
Urest =(EC-2Uie max)/2=0.7V
UCE0= Urest+Uie max=1.8+2=3.8V
I
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 31 - 31 -10/9/201710/9/2017
 3. Determinm valorile nominale pentru RC i RE
Rtot=RC+RE, Rtot=EC/I=6/88*10-6=68 k
Dupa STAS folosim R cu nominala 68 k
RE =(0.15...0.25)* RC
Rtot
RC= (1.15...1.25) 52.3k

Dupa STAS folosim R cu nominala 56 k

RE= Rtot- RC=68-52.3=15.7 k

Dupa STAS folosim R cu nominala 16 k
4. Determinm valorile maxime in amplitudine pentru semnale
Iintr.min= IB.min=Ic.min/min=20 A
Iintr.max = IB.max=Ic.max/max=80 A
Iintr.med= IB.med=(IBmax-IBmin)/2 = 30 A

5. Determinm rezistena de intrare a etajului de amplificare

2U int r .med 2 * 0,1V
Rint r. 3.3k
2 I int r .med . 2 * 30 * 10 6 A

Dupa STAS folosim R cu nominala 3.3 k

6. Determinm nominalele rezistoarelor de divizare
R1 * R2
r ., unde R12 : R12 (5 * 3.3k) 16.5k

R12 ( 4...6) Rint
R1 R2

Dupa STAS folosim R cu nominala 18 k

E C * R12
R1 71k
RE * I C 0

Dupa STAS folosim R cu nominala 75 k

R1 * R12
R2 21.4
R1 R12

Dupa STAS folosim R cu nominala 22 k

7. Determinm coeficientul de stabilitate n funcionare a etajului

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 32 - 32 -10/9/201710/9/2017
 R E ( R1 R 2 ) R1 * R 2
S 2,04
R1 * R 2
R E ( R1 R 2 )
max min
2
8. Determinm capacitatea condensatorului de divizare
1 1
Cd 2 32nF
2F j Rie;. M 2
j 1 1067600 * 0,56

Dupa STAS folosim C cu nominala 35 nF

Rie.=RC+RS=52.3k-0.45k=52.75 k

Dupa STAS folosim R cu nominala 56 k

9. Determinm capacitatea condensatorului CE
10
CE 0.72 F
2F j R E

Dupa STAS folosim C cu nominala 1F

10. Determinm valoarea coeficientului de amplificare a etajului dup
tensiune:
U ie;.med . 2.312
KU (dingrafic ) 11 .5
U int r .med 0,1

b)Sarcin:

S se proiecteze un etaj de amplificare dup putere n baza tranzistorului

bipolar cu transformator .

Date iniiale: Pie.=2.5W

RS=12
Fj=100 Hz
Mj=1,15
EC=18 V

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 33 - 33 -10/9/201710/9/2017
 Calculul amplificatorului de tensiune
1.Determinm puterea ce va fi mprtiat pe tranzistorul selectat:
I=0.57A; EC=18V
2.Determinam valorile ISmax si Uies.max.
ISmax.* Uies.max= Pies ISmax.* Uies.max. / Rs = Pies / Rs
I 2 Smax = Pies / Rs
Pies
ISmax= = 0.57 A U ies . max I S max * Rs 0,57 * 3 1,71V
Rs

E c 2U ies. max
U rest . 1,29V
2
Conform datelor noastre am ales tranzistorul KT-
919.
U CE 0 U rest U ies 1,29 1,71 3V

ICo=(1.051.20)ISmax=(0.590.68)A
ICmin=0.27A
ICmax=1.03A
IBmax=220mA
IBmin=60mA
IBm=80mA
UBEmax=1V
Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 34 - 34 -10/9/201710/9/2017
 UBEmin=0.94V
UBEm=0.03V

Toate aceste valori sunt luate din grafic.

Deci calculm rezistenta rezistorului dup curent alternativ.
2U BE .m 2 * 0,03
Rint r 0,375
2 I B.m 2 * 0,08

3.Calculam rezistenta din circuitul emitorului Re:

U RE
RE= -valoarea tensiunii care cade pe rezistenta .
IC0

RE=0,85V/0.65A=1,32
4. Determinam capacitatea condensatorului ce unteaz rezistorul RE:
1 1
CE 4700F
2F j R E 2 * 3,14 * 90 * 0,39

Dupa STAS folosim C cu nominala 4.7 F

5.Rezistenta divizorului de tensiune dup curent alternativ:

R1 R2
R1 2 ; R1 2 (8...12) Rint e 3,75
R1 R2

E C * R1 2 6 * 3,75
R1 89,9
RE * I C 0 0,39 * 0.65

Dupa STAS folosim R cu nominala 91

R1 * R1 2 90 * 3,75
R2 3,9
R1 R1 2 90 3,75

Dupa STAS folosim R cu nominala 3.9

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 35 - 35 -10/9/201710/9/2017
 6. Determinm coeficientul de amplificare al etajului dup putere
Pies . 1
KP 833,33ori
Pint r . 1200 *10 6

7.Determinam rezistenta sarcinii colectorului dupa curent alternativ si

coeficientul de transformare pentru transformatorul de putere.
U CE max Ec U 6 1,5
RC 4,89
I C max c * I C max 0.9 * 1.03

Dupa STAS folosim R cu nominala 5.1

RS 3
n 0,87
RC T 4,89 * 0.8

8.Determinm rezistena nfurrii transformatorului primar

rT 1 0.5 RC (1 T ) 0.5 * 4,89 * 0.2 0.48

1 T
rT 2 0.5 RS 0.375
T

9.Inductanta transformatorului primar

RS rT 2 3 0.375 3.375
L1 2
26,3mH
2F j n 2 M 2j 1 6.28 * 90 * (0,87) * 0.3 128,33

Coala
UTM FRT TLC 072 021
Mod Coal N Document Semn. Data 36 - 36 -10/9/201710/9/2017