MINISTERUL EDUCAIEI AL REPUBLICII MOLDOVA

UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI

FACULTATEA RADIOELECTRONIC I TELECOMUNICAII
CATEDRA TELERADIOCOMUNICAII

ADMIS LA SUSINERE
ef catedr TLC, conf.univ.dr.
_____________________ N.BEJAN
____ ___________ 2016

PROIECT DE AN

ANALIZA I MODELAREA TRANZISTOARELOR

BIPOLARE I CIRCUITELOR N BAZA LOR

Elaborat: studentul grupei TLC-152 Dormenco Vadim

Proiectul a fost susinut la ____ ________________ 2016

Nota _______________ (________________)

Chiinu
U.T.M.
2016
 1.Tehnologia de fabricare a tranzistorului KT602
1. Prezentare general

Un tranzistor bipolar este constituit din trei zone alternate ca dotare - PNP sau NPN - realizate
pe acelai monocristal. Zona de la mijloc este foarte subire comparativ cu celelalte i poart
denumirea de baza (B). Zonele extreme sunt denumite n funcie de polarizarea extern,
emitor (E) i colector (C). Cele trei regiuni au contacte ohmice care sunt scoase n afara
capsulei tranzistorului i se numesc terminale.

n funcie de tipul zonelor (N sau P) care sunt alternate, exist dou categorii de tranzistoare:
NPN si PNP (fig.1). Datorit modului de realizare, apar dou jonciuni PN: jonciunea emitor-
baz (EB) i jonciunea baz-colector (BC) care pot fi asimilate cu dou diode
semiconductoare. n practic, dac nu deinem un catalog, se poate ntmpla s gsim un
trazistor cruia s nu i cunoatem structura (NPN sau PNP). n aceast situaie se apeleaz la
o metod de identificare a structurii tranzistorului bipolar dup indicaiile din fig.2. Aceast
metod presupune existena unui aparat de msur, mai exact a unui multimetru digital avnd
comutatorul setat pe poziia "testare diode".

Doparea cu atomi donori sau acceptori a emitorului i colectorului este mult mai mare ca a
bazei (de cca. 100 ori). Pentru ca tranzistorul s funcioneze, jonciunea EB se polarizeaz n
sens direct iar jonciunea BC n sens invers cu o tensiune mult mai mare ca a jonciunii EB.

n cele ce urmeaz se va explica funcionarea unui tranzistor NPN care se utilizeaz cel mai
des (fig.3).

Concentraia de purttori n emitor (electroni) fiind mult mai mare dect n baz i deoarece
jonciunea EB este polarizat direct de la o surs extern UEB (fig.3), are loc o injecie masiva
de electroni din emitor (reprezentat printr-o sgeat) n regiunea bazei unde gsete un numr
mult mai mic de goluri. Aceste goluri se recombin cu o mic parte din electronii injectai.
Datorit faptului c baza este foarte subire majoritatea electronilor strbat aceast regiune i
ptrund n zona colectorului. Jonciunea BC fiind polarizat n sens invers (pe colector se aplica
tensiunea Ucb pozitiv fa de baz), apare un cmp electric care accelereaz, electronii venii
din baz spre colector. n regiunea colectorului electronii venii din baz se recombin cu
golurile sosite de la sursa de alimentare. Se remarc astfel, c dei jonciunea BC este
polarizat invers, prin ea trece un curent mare, aproape egal cu curentul direct al jonciunii EB.

Aceasta reprezint principala proprietate a efectului de tranzistor care poate fi enunat astfel:
printr-o jonciune polarizat invers poate trece un curent mare dac n imediata vecintate
(baza are grosime foarte mica) se gsete o jonciune polarizat direct. n cazul n care
grosimea bazei este mare (mai mare ca lungimea de difuzie a purttorilor din emitor n baz)
atunci efectul de tranzistor este inexistent i cele dou jonciuni nseriate sunt independente.

n fig.3 se prezint fluxurile de purttori de sarcini prin tranzistor. Curentul de emitor este
format din dou componente:

Curentul IEN se datoreaz electronilor majoritari iar curentul IEP este curentul invers (datorat
golurilor) al jonciunii BE care este foarte mic i se poate neglija.

Curentul de colector este format dintr-o fraciune "" a curentului de electroni ai emitorului i
din curentul invers de goluri al jonciunii BC notat ICB0:

Factorul are valori uzuale de ordinul 0,900...0,999. Curentul ICB0 este de dorit a fi ct mai
mic. El reprezint astfel zis factorul de calitate" al unui tranzistor. n majoritate aplicaiilor
acest curent se poate neglija pentru tranzistoarele actuale.

Curentul bazei este determinat de curentul invers al jonciunii BE (IEP), de curentul de

recombinare ai electronilor cu golurile din baz (IRB) i de curentul ICB0:

Pe baza consideraiilor de mai sus putem scrie relaia fundamental de funcionare a

tranzistorului:

Pentru tranzistoarele de tip PNP, funcionarea este identic, cu observaia c polarizrile

externe sunt de sens invers iar fluxul majoritor de purttori este format din goluri. Sensurile
curenilor precum i polarizrile pentru cele dou tipuri de tranzistoare sunt prezentate n fig.1.
Dac se neglijeaz ICB0 se poate defini un coeficient care arat de cte ori curentul de colector
este mai mare dect curentul de baz.

Acest factor exprim amplificarea n curent continuu a tranzistorului i arat cum un curent mic
de baz duce la apariia unui curent de colector mult mai mare.

Pentru tranzistoarele actuale, a avnd o valoare foarte apropiat de 1, rezult pentru valori
mari cuprinse n general ntre 10 i 1000. Factorul de amplificare n curent continuu depinde de
temperatur i de mrimea curentului de colector. El crete odat cu creterea temperaturii i
scade la cureni de colector mari.

Deci, efectul de tranzistor consta in modificarea curentului de goluri (care pleac de la emitor
i ajunge la colector) prin modificarea tensiunii de polarizare a unei jonciuni polarizate direct
i anume tensiunea de polarizare a jonciunii emitor baza Tranzistorul KT-602 este un
tranzistor bipolar care are la baza fabricrii metoda planar. Aceast tehnologie este specific
siliciului constnd n efectuarea impurificrilor controlate numai pe o singur fa a plachetelor
semiconductoare folosind tehnica litografic i ecranarea cu ajutorul straturilor protectoare i
n special a SiO2.

La etapa actual exist diferite metode de fabricare ale tranzistoarelor. n dependen de

tipul tranzistorului, destinaia lui se deosebesc urmtoarele metode de fabricare:

Metoda de aliere

Metoda difuziei

Metoda de conversie

Metoda planar

Metoda mesa planar

Metoda epitaxial planar

Tranzistorul KT602 reprezint un tranzistor de tip n-p-n. Metoda de fabricare a acestui

tranzistor este metoda planar.

Tehnologia planar se caracterizeaz prin flexibilitate: posibilitatea de a realiza diferite forme

ale emitorului i de a modifica uor concentraia de impuriti din jonciuni, permite realizarea
tranzistoarelor de semnal i a celor de putere. Plachetele de siliciu utilizate sunt de tip n pentru
tranzistoarele npn sau de tip p pentru tranzistoarele pnp. Partea opus celei pe care se
realizeaz structura tranzistorului (baza i emitorul) este cea la care se conecteaz colectorul
respectivului tranzistor. Etapele unei astfel de tehnologii sunt prezentate n figura de mai jos:

Fig.6 Etapele tehnologiei planare.

2. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar

 Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale (borne) i poate fi conectat n circuit dup
unul din montajele fundamentale, prezentate n fig2.1; montajele fundamentale sunt denumite
i conexiuni fundamentale.

Fig 2.1 Montajele sau conexiunile fundamentale pentru tranzistorul pnp.

aconexiunea emitor comun(EC);
bconexiunea baz comun(BC);
cconexiunea colector comun(CC).
n oricare dintre conexiunile fundamentale se disting dou circuite: un circuit de intrare, n
care se aplic semnalul pentru prelucrare i un circuit de de ieire, n care se obine semnalul
prelucrat. Una din bornele tranzistorului face parte din ambele circuite i se ia ca electrod de
referin; acest electrod (terminal) este denumit i electrod comun. Lund n consideraie care
dintre cele trei borne ale tranzistorului este considerat electrod comun se disting trei
conexiuni fundamentale i anume: conexiunea baz comun (BC); conexiunea emitor comun
(EC); conexiunea colector comun (CC). Cele mai folosite snt primele dou caracteristici
statice.
 2.1.Cuplarea n schema baz comun.

=f( ) pentru =constant

IE(mA)
UCB(V)= 10V 5V 1V

Fig 2.6 Caracteristicile intrare baz comun

Curentul de emitor crete aproximativ exponenial cu creterea tensiunii UBE dup

intrarea n conducia tranzistorului la depirea valorii de prag. Valoarea tensiunii UCB
influeneaz forma caracteristicii i valorile curentului de emitor

b) Caracteristcile de ieire ale tranzistorului n conexiunea baz comun

=( ) cu =constant sau =f( ) pentru =constant

Fig. 2.7 Caracteristici ieire baz comun

n situaia =0(respectiv =0,2V) tranzistorul se afl n regim de blocare.

 Dac ambele jonciuni sunt direct polarizate ceea ce presupune <0 i >0,
tranzistorul funcioneaz n regim de saturaie.Regimul activ normal se regsete pe

caracteristici la valorile >0 i >0.Se observ c ,ceea ce corespunde ecuaiilor

tranzistorului.

c)Caracteristicile de transfer ale tranzistorului n conexiune baz comun.

=f( ) pentru =constant sau =f( ) pentru =constant

ntruct Ic este practic egal cu IE prima caracteristic de transfer are aceeai form cu
caracteristicile de intrare ale tranzistorului n aceast conexiune.

i cea de-a a doua caracteristic indic faptul c ,diferena fiind dat de

curentul rezidual baz-colector .

Pentru ridicarea caracteristicilor n practic este necesar s se realizeze un circuit de

msurare a curenilor i tensiunilor pe circuitul de intrare respectiv de ieire al tranzistorului
care s permit reglarea valorilor i msurarea acestora conform ecuaiilor enunate. Despe
asta ns vo vorbi mai trziu.

Ic(mA) $

IB0

IE(mA)

Fig 9.Caracteristica de transfer baz comun

 Mrimile caracteristice conexiunii baz comun:

impedana de intrare este mic (30 -160 )

impedana de ieire este mare (250 k 550 k)

amplificarea n curent unitar (1)

amplificarea n tensiune mare (pn la 1000)

amplificarea n putere mare (pn la 1000)

semnalul de ieire este n faz cu semnalul de intrare

Se utilizeaz n etajele amplificatoare de RF din receptoarele UUS.
Avantaj - lucreaz la frecvene foarte nalte.
Dezavantaj - rezisten de intrare mic.

2.2.Cuplarea n schema emitor comun.

IB=f(UBE) pentru UCE=constant

Fig 2.2 Caracteristici intrare emitor comun

Familia caracteristicilor de intrare n conexiunea EC reprezint graficile care arat

dependena intensitii bazei de tensiunea dintre emitor i baz, cnd tensiunea dintre colector
i emitor este fixat IB = f (UBE) la UCE = const. Aceast familie este prezentat n fig.2.2.
Parametrul familiei de caracteristici reprezint tensiunea dintre colector i emitor.

Pn cnd tensiunea UBE atinge valoarea de prag V p, (Vp0,2 pentru Ge/0,7 pentru Si),
jonciunea BE este parcurs de curentul rezidual Ir, apoi curentul IB crete exponenial cu
creterea tensiuni UBE. Se obine o familie de caracteristici, pentru diferite valori ale tensiunii
UCE, constant pe durata ridicrii unei caracteristici. Se observ c valoarea tensiunii U CE
influeneaz valoarea curentului IB si forma caracteristicii.

Familia caracteristicilor statice de transfer exprim grafic dependena dintre curentul de ieire
i tensiunea de intrare ale TB n conexiune EC, considernd ca parametru al familiei tensiunea
U. Ic=f(IB) pentru UCE=constant sau IC=f(UBE) pentru UCE=constant
 Dependena dintre iC i iB este aproximativ liniar ceea ce confirma relaia I C=IB. Mrimea ICE0
este curentul rezidual colector - emitor.

Fig. 2.3 Caracteristica de tranfer n cuplaj emitor comun

Mrimile caracteristice conexiunii emitor comun:

impedana de intrare este medie (500 -1500 )

impedana de ieire este mare (30 k 50 k)

amplificarea n curent mare (10 100)

amplificarea n tensiune mare (peste 100)

amplificarea n putere foarte mare (pn la 10.000)

semnalul de ieire este defazat cu 180 fa de semnalul de intrare

2.3.Cuplarea n schema colector comun.

Coeficientul de transfer dup curent reprezint raportul dintre curentul emitorului i
curentul bazei:

IE
KI 1
IB
Proprietatea cea mai de pre a conexiunii n colector comun este rezistena de intrare foarte
joas. Datorit rezistenei de intrare reduse tranzistorul n conexiunea colector comun este
echivalent unui generator de tensiune care se schimb neesenial la variarea rezistenei de
 sarcin (bineneles pn cnd rezistena de sarcin nu depete cu mult rezistena de ieire a
generatorului).

fig. 5. Schema de conectare ( colector comun ).

Mrimile caracteristice conexiunii colector comun:

impedana de intrare este mare (2 k - 500 k)

impedana de ieire este mic (50 1500 )

amplificarea n curent mare (peste 10)

amplificarea n tensiune unitar (1)

amplificarea n putere mare (peste 10)

semnalul de ieire este n faz cu semnalul de intrare

Conexiunea colector comun se utilizeaz cnd se dorete o rezisten de intrare foarte mare i
o rezisten de ieire mic.
Conexiunea se utilizeaz n general ca adaptor de impedan ntre impedana de ieire a unui
amplificator i o rezisten de sarcin.

3.Analiza circuitelor echivalente ale

tranzistorului bipolar
3.1. Frecven joas.

Tranzistorul bipolar n funcie de parametrii circuitului n care este conectat are diferite comportri. n acest
compartiment vom cerceta tranzistorul la frecven joas.
Jonciunea colectorului, ct i jonciunea emitorului snt caracterizate prin nite capaciti datorate de
existena straturilor cu sarcini spaiale n regiunea jonciunii. Deoarece jonciunea emitorului este alimentat n sens
direct n capacitatea total a acestei jonciuni va predomina componenta de difuzie a capacitii; invers, pentru
jonciunea colectorului alimentat n sens invers, va predomina capacitatea de barier Ccb. Dei la o jonciune p-n
valoarea capacitii de difuzie, n curent alternativ efectul capacitii de barier colectorului (i emitorului) se face
simit pentru frecvene care nu sunt suficient de joase, astfel nct schema echivalent a tranzistorului lucrnd la
frecvene joase mai mari de 1000 Hz de exemplu, trebuie s fie completat prin luarea n consideraie a acestor
capaciti i n special prin considerarea capacitii colectorului.
Capacitatea de difuzie a emitorului CBE a fost reprezentat punctat, subliniindu-se astfel rolul ei este secundar
fa de cel al capacitii de barier a colectorului CBC.
Expresiile capacitilor jonciunilor colectorului i emitorului se pot afla prin rezolvarea ecuaiei Poisson
pentru sarcinile spaiale din jonciunea respectiv. La rndul ei, sarcina spaial poate fi exprimat prin diferite relaii n
funcie de modul n care snt distribuite impuritile n regiunea p i n care formeaz jonciunea. n toate cazurile ns,
capacitatea jonciunii va depinde invers proporional de tensiunea aplicat jonciunii. Se arat c pentru jonciuni(deci i

1 1
tranzistoare) obinute prin aliere
pe cnd la jonciunile obinute prin cretere
. Pentru tensiuni
1 1
U 2 U 3

UC0=5 (V), capacitatea colectorului pentru tranzistori obinui prin aliere, este aproximativ 20-30 pF. Pentru tranzistori
obinui prin cretere, la o tensiune UC0=5 (V) , capacitatea colectorului este aproximativ 10 pF.

Figura 3.1. Schema echivalent a tranzistorului

la frecven joas(la conectarea n emitor comun)

3.2 Frecvene medii.

O deosebire esenial ntre schemele echivalente ale tranzistorului la frecven joas i
medie nu este, numai c frecvene joase mai apare i capacitatea CBC.

Figura 3.2. Schema echivalent a tranzistorului

la frecven medie(la conectarea n emitor comun).
 3.3. Frecvene nalte. Circuitul echivalent Giacoletto.

Figura 3.3. Circuitul echivalent Giacoletto.

(conexiune baz comun).

n figura 3.3. este schema circuitului echivalent Gicoletto, pentru un tranzistor montat
n conexiunea BC.
Dup cum se vede se pot distinge trei regiuni: regiunea 1 corespunde jonciunii emitor-
baz, care fiind direct polarizat poate fi echivelent cu o rezisten rBE, de cteva sute de n
paralel cu o capacitate CBE, de ordinul a sute de pF (capacitate de difuzie).
Regiunea 2 modeleaz fenomenul de transport al purttorilor prin baz, cu ajutorul
generatorului de curent gmUEB i al rezistenei rCE (de ordinul a zeci de k), ce corespunde
difuziei purttorilor de la emitor spre colector. Totodat, rezistena r BB este rezistena
extrinsec a bazei (baza inactiv) i este n jur de 100 .

Regiunea 3 reprezint jonciunea colector-baz (invers polarizat), care se nlocuiete

cu o rezisten rBC de valoare mare (de ordinul 1M) i cu capacitatea CBC de ordinul a civa
pF (capacitatea debarier).
Punctul B corespunde regiunii active a bazei i este logic ca generatorul de curent s
depind doar de cderea de tensiune dintre emitor i baza activ (UEB).
Coeficientul de proporionalitate gm se numete panta tranzistorului i se definete ca
raportul dintre creterea infinitezimal a curentului de colector i creterea infinitezimal a
tensiunii baz-emitor care o genereaz, celelalte mrimi fiind constante.
I C e
Aadar: gm IC
U BE kT
i se poate demonstra c:
g m rBE h21B
 n fine, pentru ca circuitul s fie complet s-au mai figurat i capacitile parazite dintre
terminale (care sunt exerioare capsulei), i anume CEC, CBC i CEB. Acestea sunt de ordinul a 1-
4 pF, deci intervin n calcul doar la frecvene foarte nalte i din acest motiv de cele mai multe
ori se pot neglija. De menionat c exceptnd rCB i rEB care o variaie mic, ceilali parametri ai
circuitului Giacoletto propriu-zis depind puternic de punctul de funcionare static (de exemplu
rCB scade cu IC, iar CBE crete cu IC).

4.Parametrii H pentru tranzistorul bipolar

n oricare circuit de utilizare tranzistorul poate fi prezentat ca un cuadripol activ la intrarea

cruia avem tensiunea U1 i curge curentul I1 , iar la ieire tensiunea U2 i curentul I2 (fig.4.1).

I1 I2

U1 U2

Fig.4.1
Legtura dintre curenii i tensiunile de intrare i respectiv de ieire a unui astfel de cuadripol este
determinat de dou ecuaii. Pentru tranzistoare cel mai des se folosesc parametrii h, deoarece ei sunt mai
comozi pentru msurri. Sistemul de ecuaii care arat legtura dentre tensiune i curent cu parametrii h are
forma:
dU1=h11dI1 h12dU2
dI2= h21dI1 h22dU2
Parametrii h din acest sistem de ecuaii au urmtorul sens fizic:

Rezistena de intrare cnd la ieire avem scurtcircuit

dU 1
h11
dI 2 dU 2 0

Coeficientul de transfer dup tensiune cnd la intrare avem mers n gol

dU 1
h12
dU 2 dI1 0

Coeficientul de transfer dup curent cnd la ieire asigurm regim de scurtcircuit

dI 2
h21
dI 1 dU 2 0

Conductibilitatea de ieire cnd la intrare avem mers n gol

dI 2
h22
dU 2 dI 2 0

.
Parametrii h se msoar n:
h11 []
h12 [adimensional]
h21 [adimensional]
h22 [S]
Schema cu parametrii h este hibrid: unii parametri se msoar n regimul mers n gol la bornele de intrare,
iar alii n regimul de scurtcircuit la bornele de ieire.
Parametrul tranzistorului ca cuadripol depinde de alegerea punctului static de funcionare (dup
curent continuu), de temperatur, frecven i schema conectrii.

5.Metode de ridicarea parametrilor tranzistorului

bipolar
Parametrii tranzistorului bipolar nu pot fi direct msurai din motiv c regiunile
interacioniaz, ns pot fi msurai indirect, adic msurnd anumii parametri pe ceilali i
calculm.
Parametrii msurai vor fi caracteristicele curent tensiune de ieire i de intrare, prin
metoda dinamic. Metoda dinamic const n msurarea cu ajutorul osciloscopului n regim X-
Y, prin aplicarea unui semnal de frecven joas. La placheta X se aplic tensiunea msurat
iar la placheta Y se aplic tensiunea de pe rezistorul R2, din motiv c curentul, conform legii lui
Ohm, este raportul cderii de tensiune la rezisten, pe axa Y tensiunea va fi proporional
curentului ce circul prin circuit. Cunoscnd valoarea rezistenei R2 prin calcule determinm
curentul.
Conform circuitului de mai jos montm schema de msurare i la osciloscop determinm
caracteristicele de intrare i ieire,cu ajutorul sursei de alimentare stabilizat se menine
constant tensiunea la ieire (n dependen de tipul conexiunii) pentru cazul ridicrii
parametrilor de intrare, i curentul constant la intrare, pentru cazul caracteristicilor de ieire.
Apoi avnd la ndemn familia de caracteristici msurate se poate determina prin calcul
parametrii h ai tranzistorului. Aceasta se face prin determinarea parametrilor necesari pentru
calcule din dependenele amper de tensiune i se nlocuiesc n relaiile de calcul ai parametrilor
h, care sunt indicate n capitolul cinci.
Restul parametrilor cum ar fi capacitatea jonciunelor, frecvena limit de lucru se
efectuiaz la aparataj de laborator specializat n aa tipuri de msurri cum ar fi: pentru
capaciti
Cea mai simpl metod este de a utiliza aparatajul modern recent aprut pe piaa Moldovei
M830 care determin parametrul h21 adic coeficientul de transfer n curent.
O alt metod care permite determinarea n general este defect sau nu tranzistorul, const
n msurarea rezistenelor jonciunilor la polarizarea direct i invers, la polarizarea direct
rezistena este de ordinul sutelor de omi, iar la polarizarea invers de ordinul sutelor de
KOhmi.

Tranzistor bipolar, planar de tip n-p-n, de putere medie i frecven mica.

Caracteristicele sale statice:

Fig. 5.1 Caracteristicele statice de intrare i de ieire

a tranzistorului bipolar KT-602A

Forma reala a tranzistorului:

Parametrii electrici:
1. Tensiuna colector-emitor maxima: UCB=100V
2. Tensiunea baza-emitor: UBE=5 V
3. Intensitatea curentului colectorului: IC=50 mA
4. Curentul colectorului maxim: ICmax=75 mA
5. Capacitatea jonciunii colectorului: CC=4 pF
6. Frecvena de tiere: ft=150 MHz
7. Puterea disipata in colector: Pc=2.8 W (cu radiator)
8. Temperatura de funcionare: T=223...358 K
9.Coeficientul de transfer dup curent n schema emitor comun h21E=20-80

6. Structura, principiul de functionare si parametrii

de baza pentru tranzistoarele bipolare de generatie
noua IGBT
Dup cum a mai fost menionat, tranzistorul este un dispozitiv electronic cu dou
jonciuni p-n ce intreacioneaz ntre ele avnd trei sau mai multe borne de ieire, fenomenele
de amplificare ale crora sunt determinate de fenomenele de inijecie i extracie ale
purttorilor de sarcin. n fig. 1 sunt prezentate ilustrarea schematic (a) i grafic (b) a
tranzistorului de tip p-n-p distribuia concentraiei purttorilor de sarcin minoritari de-a
lungul structurii n stare de echilbru (c).

p n p
a)
E C
n,p
B
b)
c)
x
Fig. 1

Cunoatem c tranzistorul este constituit din trei regiuni: emitor (E), baz (B) i colector (C).
Jonciunea ce se creaz la frontiera E-B este numit jonciunea emitorului, iar cea de la
frontiera C-B jonciunea colectorului. Electroconductibilitatea bazei poate fi de tip-p sau de
tip-n. Respectiv, sunt dou tipuri de structur a tranzistorului bipolar: p-n-p i n-p-n.
 Principiul de funcionare al tranzistorilor de tip p-n-p i n-p-n este acelai. Deosebirea
const numai n aceea, c n tranzistorul de tip p-n-p curentul ce curge prin baz este creat de
golurile, injectate din emitor, iar n tranzistorul de tip n-p-n de electroni. n regim normal de
funcionare jonciunea emitorului este polarizat direct, iar a colectorului indirrect.
Dac jonciunile colectorului i emitorului se afl la distan mai mare ntre ele (adic,
dac grosimea bazei este mai mare ca lungimea de difuzie), atunci purttorii, injectai de
emitor, nu vor ajunge la colector, ci vor recombina n regiunea bazei.
Un atare sistem din dou jonciuni p-n se comport la fel ca i dou diode
semiconductoare, cuplate n serie. Caracteristica volt-amper (C.V.A.) a jonciunii emitorului
prezint ramura direct a caracteristicii diodei, iar a jonciunii colectorului cea invers.
Proprietatea unic a tranzistorului const anume n interaciunea acestor dou jonciuni.
n fig. 2 este prezentat distribuirea curenilor n structura tranzistorului bipolar (a),
repartizarea potenialului de-a lungul tranzistorului (b) i a purttorilor de sarcin neechilibrai
n baz (c) pentru diferite valori ale curentului emitorului.

I E I Ep I Cp I C
I Ep I En
p n IC 0 p

a)
E EB ECB

b)

x c)

Fig. 2
La cuplarea tensiunii colectorului U CE are loc decalarea invers a jonciunii colectorului
i n circuitul colectorului curge un curent de valoare redus. Acest curent este numit curent de
scurgere al jonciunii colectorului i se noteaz I CB 0 . Curentul invers al colectorului I CB 0
(parametru foarte important al tranzistorului) prezint n sine curentul prin jonciunea
colectorului la tensiunea dat, cnd circuitul este decuplat.
Cuplarea tensiunii la emitor U BE duce la decalarea direct a jonciunii emitorului i
apariia curentului emitorului I E , care este detrminat de curentul de difuzie.
Curentul de difuzie al emitorului posed dou componente: curentul electronilor i
golurilor:
I E I En I Ep .
Contnd, c la tranzistor baza este srac n purttori de sarcin majoritari (electroni),
iar regiunea emitorului posed o concentraie nalt a purttorilor de sarcin majoritari
(goluri), componenta golurilor n emitor este cu mult maimare ca cea a electronilor:
I Ep I En .
Componenta electronilor se scurtcircuiteaz n circuitul bazei i nu particip la crearea
curentului colectorului. Difuzia electronilor din baz n emitor se compenseaz cu parvenirea
unui flux de noi electroni n baz din circuitul exterior. Acest lucru determin mrimea i
direcia componentei electronilor din curentul emitorului.
Pentru circuitul bazei I En este componenta principial a curentului bazei. Relaia:

I Ep I E I Ep I Ep I En 0 ,98...0 ,99
este numit eficacitatea emitorului.
Componenta golurilor a curentului emitorului se determin prin trecerea golurilor din emitor n
baz. Golurile,injectate n baz, sub aciunea difuziei ce tinde s egaleze concentraia pe ntreg
volumul bazei, se deplasseaz n direcia colectorului. Din cauz c cmpul electric n baz este
relativ mic, se poate considera, c deplasarea golurilor din emitor n colector are loc exclusiv
din contul difuziei. La injectarea necontenit ( I E const . ) n baz se stabiliete o bistribuie
corespunztoare a concentraiei golurilor, ceea ce determin trecerea lor prin baz.
Apropiindu-se de jonciunea colectorului, polarizat indirect, golurile, fiind purttori de sarcin
minoritari, trec din baz n colector, mrind ca rezultat curentul colectorului. Deoarece trecerea
golurilor din baz n colector este fr obstacole, concentraia lor la frontiera BC este egal cu
zero.
Dac vom mri valoarea decalajului direct al jonciunii emitorului, atunci concentraia
golurilor la emitor va crete, iar la colector va rmne ca mai nainte egal cu zero.
n rezultat crete gradientul concentraiei i, ca urmare, crete curentul de difuzie al
golurilor spre colector. O cantitate de goluri, traversnd baza, recombin cu electronii de
conductibilitate, ce aduce la mrirea numrului de electroni, parvenii n baz din circuitul
exterior. Aceasta condiioneaz mprirea curentului golurilor n dou componente:
I Ep I E .rec . I Cp ,
unde I E .rec . este componenta de recombinare a curentului emitorului ce coincide dup direcie
cu I En ; I Cp - componenta curentului emitorului, ce curge n circuitul colectorului.
La confecionarea tranzistorilor bipolari baza se face subire i srac n purttori de
sarcin majoritari, iar suprafaa jonciunii colectorului de vreo cteva ori mai mare dect cea a
emitorului. Din aceste considerente:
I E .rec . I Cp .
Mrimea raportului:
I Cp I Ep I Cp I Cp I E .rec . 0 ,98...0 ,99
se numete coeficient de transfer. Din cele de mai sus urmeaz, c la tranzistori mrimea ,
la fel ca i , este aproximativ egal cu unitatea. De aceea mrimea :
I Cp I Ep
I Cp I E 0 ,95...0 ,99 ,
I Ep I E
se numete coeficient static integral de transfer al curentului emitorului i, de asemenea este
aproximativ egal cu unitatea. Acest coeficient indic a cta parte din curentul emitorului curge
n circuitul colectorului.
Legea I-a a lui Kirghhoff, aplicat la tranzistor, ne da egalitatea:
I E IC I B
unde I E I En I E .rec . I Cp ; I B I En I E .rec . I CB 0 ; I C I Cp I CB 0 .
Utiliznd relaia (7), obinem:

I C I E I CB 0 .
Destul de des este utilizat coeficientul static integral de transfer al curentului bazei :
 I Cp I C I CB 0
.
I En I E .rec . I B I CB 0
S analizm acum caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cuplat n baz
comun. n fig. 3 este prezentat familia de caracteristici statice de intrare i ieire ale
tranzistorului, cuplat n BC.
Caracteristica de intrare, cnd U CB 0 (caracteristica nul) este asemntoare cu
caracteristica unei diode obinuite, cuplate la polarizare direct. La alimentarea jonciunii
colectorului cu tensiune negativ caracteristica de intrare decaleaz n stnga. Aceasta ne
indic prezena n tranzistor a legturii inverse interne. Legtura apare din cauza rezistenei
bazei.
n schema BC rezistena bazei este comun pentru circuitele de intrare i ieire. Fie c
U EB const . atunci pe emitorul tranzistorului ideal care dirijeaz curentul jonciunii:
1
U EB U EB rB I B U CB rB I En I E .rec . I CB 0 .

IE IC I En

U CB 1

IE1
U CB 0
IE 0

a) U EB b) U CB
Fig. 3
La mrirea tensiunii pe colectorul tranzistoruluise mrete i I CB 0 . n afar de aceasta se
micoreaz I E .rec , fiindc la mrirea tensiunii colectorului semicoreaz limea bazei
tranzistorului. Din aceste considerente tensiunea U EB , aplicat la emitor, la mrimea U CB la
fel se mrete. Acest fapt explic creterea curentului emitorului i decalajul n stnga al
caracteristicii de intrare a tranzistorului cuplat n BC.
Caracteristicile de ieire prezint dependenel I C f U CB cnd I E const . Dei
tensiunea pe colector este negativ, caracteristicile sunt trasate, de regul, n coordonate
pozitive. Caracteristica nul prezint o caracteristic simpl a diodei semiconductoare
polarizate indirect. La mrirea curentului emitrului caracteristica se schimb.
E cunoscut, c la apariia curentului emitorului curentul colectorului se mrete cu
valoarea I Cp I E I E . Curentul I Cp poate fi modelat ca un curent suplimentar al

jonciunii colectorului. Din aceste considerente pe baza (11), unde I 0 I Cp , putem afirma, c
oriice caracteristic de ieire a tranzistorului cuplat n BC prezint caracteristica diodei
semiconductoare cu un decalaj I Cp , adic:
I p n I 0 exp eU kT 1 .
Analizm acum caracteristicile static pentru cuplarea tranzistorului bipolar n schema
emitor comun. n fig. 4 sunt prezentate C.V.A. statice de inttrare i ieire pentru tranzistorul
cuplat cu EC. Calitativ ele sunt similar cu cele pentru BC.
 IB IC I Bn
U CE 0

I B1

U CE 1 IB 0

U BE U CE

a) b)
Fig. 4
Caracteristica de intrare la tensiunea colectorului, egal cu zero, trece prin punctul
x0 i y0 i difer de caracteristica diodei semiconductoare doar prin mrimea
curentului, deoarece curentul bazei este mai mic dect curentul prin jonciune ( I E ). La
tensiuni negative U CE caracteristicile au un decalaj la drreapta i n jos. Acest decalaj poate fi
explicat n felul urmtor. Fie, c tensiunea pe jonciunea emitorului este constant. Atunci la
fel constant va fi i concentraia golurilor n apropierea emitorului. Mrimea U CE provoac
micorarea limii bazei, adic micorarea numrului de goluri ce se gsesc n baza
tranzistorului. Din aceast cauz procesul de recombinare a purttorilor de sarcin n baz este
redus. Findc electronii care i-au parte la procesul de recombinare trec prin borna bazei,
curentul bazei se micoreaz. Ca rezultat caracteristicile au un decalaj n dreapta.
S explicm acum decalajul caracteristicilor n jos. La U EB 0 i tensiune negativ pe
jonciunea colectorului concentraia golurilor n baz este mai joas, fiindc la frontiera cu
jonciunea colectorului eat este nul, iar la frontier cu jonciunea emitorului este egal cu
concentraia de echilibru. Din aceste considerente n regiunea bazei procesul generrii termice
este mai rapid dect prcesul de recombinare. Electronii generai n baz pleac din ea prin
borna bazei, iar aceasta nseamn, c apare curentul ndreptat spre baza tranzistorului.
Creterea curentului colectorului cu mrimea valorii U CE este dirijat de micorarea
limii bazei. Coeficientul de tranziie, adic i coeficientul de transfer, al curentului emitorului
crete. Coeficientul de transfer pentru curentul bazei n schema cu emitor comun
1 .
 7. Utilizarea tranzistoarelor bipolare in circuite
electronice
Tranzistoarele bipolare pot fi ntlnite n schemele electronice n cele trei
modaliti de conexiune BC-baz comun, EC-emitor comun i CC-colector comun.
ns cele mai utilizate sunt EC i CC, datorit particularitilor pe care le posed. Voi
prezenta mai jos o parte din circuitul n care se utilizeaz tranzistorul bipolar KT-602:

7.1

:
...............................2
........................................0,5%
.....................................................0,25
..........................................20...18000
- .......1
..........................................................................
......................................................... 1
,
100 7,5 + -20 . .
V1, V2
V3 ,
V5, V6 . - 1.

"",
, V3 V4,
V5
V6. ,
 R4.
.
R5, R6, 2, L1.
Kri103(V1); 315, 301
(V2); 601 - 606 (V3, V5); 701, 601, KT602(V6).
L1 17,5x8x5 2000 -
700 -2 0,12. 0,6...1 .
[3].

Fig 7.1
7.2 Dispozitiv automatizat de udare a florilor de camera

Fig. 10.1 Dispozitiv pentru udarea florilor de camera

n schema de mai sus este prezentat un dispozitiv pentru irigarea automat a florilor.
Acest sistem include o pomp sau alt dispozitiv (pentru alimentarea cu ap a ariei irigate.
Dispozitivul analizeaz automat umiditatea solului i activeaz automat procesul de udare,
atunci cnd aceast valoare e sub valoarea setat, i se stinge atunci umiditatea e deajuns de
mare. Schema include:
R1, R3, R7 -0,125, 47 .
R2 -1, 1 .
R4 -0,125, 10 .
R5 -0,125, 1,5 .
R6 -0,125, 47 .
VT1, VT2 tranzistor 315 .
VT3 tranzistor 602 .
D1 dioda 226
K1 rele -9
 G1 baterie 9 .
XT1, XT2 mufe pentru conectarea electrozilor
La mufele XT1,XT2 sunt conectai 2 electrozi care sunt introdui n pmnt. Dac solul e
sufficient de umed, rezistena dintre electrozi este destul de mica, tranzsitorii VT1, VT2 sunt
deschii, iar tranzistorul KT602A e nchis. n timpul uscrii solului rezistena ntre electrozi
crete, polarizarea pe baza tranzistorului KT602A scade i la o anumit valoare tranzsitorii VT1
VT2 se nchid iar VT3, din contra se deschide, astfel se aplic tensiunea la releul K1 care
porneste dispozitivul de udare.

8. Rezolvarea problemelor
8.1 Problema 1.
Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se
efectuieze urmtoarele calcule grafico-analitice pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze pe familia de caracteristici statice diagramele curenilor i
tensiunilor n timp i s se determine dac pot aprea distorsiuni neliniare a
semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se calculeze
rezistena de intrare i de ieire a etajului, coeficientul de amplificare dup
curent ki, tensiune kU i putere kP. S se determine puterea util pe sarcin
PR~ i puterea mprtiat pe colectorul tranzistorului.

Se d:
EC=100 V; RS=2.2 k ; IB=0,225 mA; IBm=0,150 mA.

Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin prin punctele:
EC
(EC,0) i) (0, R ) adic (100,0) i (0 ;45.5 mA)
S

I C max I C min 34 20
I Cm 7 mA
2 2
U U C min 56 26
U CEm C max 15 V
2 2
 0,03
U BEm 0,015V
2
I Cm 7
KI 93.33
I Bm 0.075
U CEm 15
KU 1000
U BEm 0,015

K P K I KU 93.33 1000 93333

U EBm 0,015
Rint 200
I Bm 0,075 10 3

PR
2
I Cm RS


7 10 3 2.2 10 3.
2

0.054 W
2 2
PC U CE I C 27.5 10 3 40 1.10 W
Dup nominalele date etajul de amplificare posed distorsiuni neliniare.

8.2. Problema 2

Conform caracteristicilor curent-tensiune ale tranzistorului bipolar i

parametrilor lui la frecven nalt s se efectuieze urmtoarele calcule pentru etajul
de amplificare:
a) s se calculeze parametrii h i s se construiasc circuitul echivelent al
dispozitivului activ analizat la frecven joas;
b) s se calculeze parametrii fizici ai circuitului echivalent la frecven nalt.

Din cauz c dup nominalele date UCE=20 (V) i IC=32 (mA) nu pot fi
soluionate atunci vom considera datele iniiale ca n problema 1, pentru care am ales
deja punctul de funcionare:
IB=150 A; UCE=40 V prin urmare:
IB=150 0,2=30 ( A)
UCE=40*0,2=8 (V)

Din grafic determinm IIC=1(mA); UBE=0,005 (V); IC=2(mA);

Determinm parametrii hibrizi h:

U BE 0,005
h11 E 16.6 ;
I B U CE const
30 10 6 U CE 10V

I C 2 10 3
h21E 66.66;
I B U CE const
30 10 6 U CE 10V

I CI 1 10 3
h22 E 0,125 mS ;
U CE I B const
8 I B 0 ,15 mA

Schema echivalent a tranzistorului la frecven joas este:

 Tranzistorul bipolar KT601A posed urmtorii parametri la frecven nalt:
2; f=20 MHz; CC=15 pF; CE=75 pF; C=600 ps; IC=6 mA; =3.
Determinm valorile elementelor fizice ale schemei echivalente a tranzistorului la
frecvene nalte:

rC 600 ps
rB 3 3 40 120 ;
CC 15 pF
C C 15 pF
C C1 5 pF ;
3
C C2 C C C C1 15 5 10 pF ;
I C 2
rB rB 120 38 ;
IC 19.5
1
rCE 8 k ;
h22 E
S j 20 I C 20 27.5 10 3 550 mS ;
'
rBE h11E rB
1
rBE 333.3 38 295.3 ;
S 400 10 3
C E j
C BE 75 *1012 3.26 nF ;
lim 6,3 20 10 6
Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecvene nalte:

8.3. Problema 3.

Conform caracteristicilor volt-amperice statice ale tranzistorului bipolar s se

determine parametrii etajului de amplificare n regim de recuplare a puterii:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
 b) s se determine tensiunea de rest a cheii deschise Urest, curentul de intrare i
puterea necesar pentru a o deschide.

Rezolvare:
Pe caracteristica de ieire trasm dreapta de sarcin i detetminm Urest=16 (V)
U rest 16
Rcupl 416 ;
I Ccupl 38.5 10 3
PCcupl U rest I Ccupl 16 38.5 103 0,616W ;
I Csat 38.5 10 3
I Bcupl k sat 4 1,65 mA ;
kI 93.33

UBEcupl=0,435 (V)-din grafic.

Pint U BEcupl I Bcupl 1.65 10 3 0,435 0,717 mW
.
8.4. Problema 4.

Conform datelor din ndrumare s se traseze carcteristicile statice pentru

tranzistorul cu efect de cmp i s se efectuieze urmtoarele calcule grafo-analitice
pentru etajul de amplificare:
a) s se traseze dreapta de sarcin;
b) s se traseze diagramele curenilor i tensiunilor n timp i s se determine
dac pot aprea distorsiuni ale semnalului amplificat;
c) pentru regimul liniar de amplificare (fr distorsiuni) s se determine
rezistena de intrare i de ieire a dispozitivului analizat i s se calculeze
volorile numerice pentru coeficientul de amplificare dup curent ki, tensiune
kU i putere kP.
Date iniiale:
ED=-15 (V); ID0=0.5(mA);
UDS0=6 (V); UGsm=2 (V);
Ubloc=2.5 (V); IDmax =1.5 (mA);
Pimp=120 (mW);RS=13(kOhm).

Rezolvare:
Ecuaia caracteristicii cutate are forma:
2
U GS U bloc
I D I D max ;
U GS max U bloc
2
U 2.5
I D 6 U GS 2.5 mA
2
ID 1.5 GS ;
2 2.5
Folosind ecuaia primit completm tabelul:
ID, mA 0 0.06 0.24 0.54 0.96 1.5
UGS, V 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0

Dup datele din tabel trasm caracteristica de transfer.

Trasm dreapta de sarcin tiind c :

ED=-15V i RS=13k primim punctele (-15;0) i (0;1.15 10-3)

I Dm I Dm
I Dm 0.15 mA ;
2
I Dm 0.15 10 3
S med 3 mS ;
U GSm 0.05

Utiliznd datele obinute putem calcula urmtorii parametri ai tranzistorului:

kU S med RS 3 10 3 13 10 3 39 ;
Rint RG 1 M
U 0.05
I Gm GSm 0.05 A ;
RG 10 6
k I S med RG 3 10 3 10 6 3000 ;
k P k I kU 3000 39 117000 ;

8.5. Problema 5.

Conform carcteristicilor statice ale tranzistorului cu efect de cmp i

parametrilor lui la frecven nalt s se calculeze:
a) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru
frecven joas);
b) parametrii schemei echivalente (cu construirea ei concomitent pentru
frecven nalt);
c) componenta activ a conductibilitii de intrare i modulul pantei dispozitivului
analizat la frecvena de 100 MHz.

Date iniiale:
ID0=3.1 mA;
UDS0=4(V);
CGS=7 pF;
CGD=1 pF;
rG=50 ;
Rezolvare:
ID0=0,2 3.1 10-3 =0.62 (mA);
UDS0=0,2 4=0.8 (V);

I D 0,62 10 3
S 0,77 mS ;
U DS 0.8
U DS 0.8
RI 1290 ;
I D 0,62 10 3

Prezentm schema echivalent la frecvene joase a tranzistorului cu efect de cmp:

 Cu ajutorul parametrilor tranzistorului la frecvene nalte putem determina
elementele schemei echivalente la frecven nalt:

Calculm pentru frecvena de 100 MHz valoarea:

k rC C GS 6,3 10 8 50 7 10 12 0,22 ;
1 0,22
2
1 1 k 2
Rint rC 2 50 1083 ;
g int k 0,22 2
S0
S 0,75 mS .
1 k 2

8.6. Problema 6.
Conform carcteristicilor statice construite ale tranzistorului cu efect de cmp s
se efectuieze calculul proprietilor tranzistorului n regim de rezistor variabil:
a) s se calculeze caracteristica R~ f U DS ;
b) s se calculeze coeficientul de amplificare dup putere pentru regulatorul de
putere montat pe baza tranzistorului cu efect de cmp.

Conform caracteristicii statice construite a tranzistorului cu efect de cmp

(dup rezolvarea problemei 4.), vom calcula caracteristica R=f(UDS);
Aflm punctele de blocare a tranzistorului :
U D U GS U bloc ;

punctul 1 avem: U D 2.6 2.5 0.1 V ; U G 2.6V ;

punctul 2 avem: U D 2.7 2.5 0.2 V ; U G 2.7V
punctul 3 avem: U D 2.8 2.5 0.3 V ; U G 2.8V
punctul 4 avem: U D 2.9 2.5 0.4 V ; U G 2.9V .
punctul 5 avem: U D 3.0 2.5 0.5 V ; U G 3.0V .
 Determinm valori ale rezistenei tranzistorului n regim ohmic:
0.1
R~ 1 3
1666 ;
0,06 10
0.2
R~ 2 833 ;
0.24 10 3
0.3
R~ 3 556 ;
0.54 10 3
0.4
R~ 4 416 ;
0.96 10 3
0.5
R ~ 5 333 ;
1.5 10 3
Cu ajutorul punctelor obinute trasm caracteristica: R=f(UGS).
RG 10 6
Amplificarea maxim a regulatorului : k P max
2 R~ min 2 333
1500 .

9.Conform sarcinii primite de la profesor s se

proiecteze un etaj de amplificare dup putere n baza
tranzistorului bipolar n dou variante:cu i fr
transformator.

a) Sarcin:
S se proiecteze un etaj de amplificare n audiofrecven cu tranzistor bipolar.

Date iniiale: Uie. max=3.2V

RS=580
Fj=240Hz
Mj=1.10
EC=9V

Calculul amplificatorului de tensiune

1. Alegem tipul tranzistorului conducndu-ne de urmtoarele:
UCEadmis(1,1...1,3)EC=(1.1.....1.3)*9V=(9,9...11,7)
ICadmis2IS.max=2Uie max/RS=6,4/580 =11mA
PCadmis.=ICadmis*UCeadmis=0,011*11=121mW
2. IC0=(1,05...1,20) IS.max=(5,77....6,6)mA
Urest =1
UCE0= Urest+Uie max=1+3.2=4.2V
3.Dup datele acestea am ales tranzistorul KT 354.
4. Determinm valorile nominale pentru RC i RE
Rtot=RC+RE, Rtot=EC/I=9/11.2*10-3=804
Rtot =(0.15...0.25)* RC
R 804
RC= (1.15...1.25) 1.23 654
tot

RE= Rtot- RC=150

Iintr.min= IB.min=Ic.min/min=2mA/75=0.026mA
Iintr.max = IB.max=Ic.max/max=10mA/200=0.05mA
Iintr.med= IB.med=(IBmax-IBmin)/2 = 0.012mA

5. Determinm rezistena de intrare a etajului de amplificare

2U int r .med 2 * 0,02V
Rint r. 1666
2 I int r .med . 2 * 0.012 *10 3 A

R1 * R2

R12 ( 4...6) Rint r ., unde R12 : R12 (4 *1666) 6664
R1 R2

6. Determinm nominalele rezistoarelor de divizare

EC * R12 9 * 6664
R1 66.6k
RE * I C 0 150 * 6 *10 3

R1 * R12 66000 * 6664

R2 7.14k
R1 R12 66000 6664

7. Determinm coeficientul de stabilitate n funcionare a etajului

RE ( R1 R2 ) R1 * R2 150(66000 6664) 66000 * 6664
S 4.12
R1 * R2 66000 * 6664
RE ( R1 R2 ) 150(66000 6664)
max min 200 75
2 2
8. Determinm capacitatea condensatorului de divizare
1 1
Cd 2 1F
2F j Rie ;. M 1 2
j
1859884.5 * 0,45

Rie.=RC+RS=654 +580 =1234

9. Determinm capacitatea condensatorului CE
10
CE 5F
2F j RE
 10. Determinm valoarea coeficientului de amplificare a etajului dup
tensiune:
U ie;.med . 3.2
KU (dingrafic ) 160
U int r .med 0,02

b) Proiectarea unui etaj de amplificare dup putere n baza tranzistorului

bipolar cu transformator .

Date iniiale: Pie.=1.5W

RS=18
Fj=200 Hz
Mj=1,2
EC=24 V
Calculul amplificatorului de tensiune
1.Determinm puterea ce va fi mprtiat pe tranzistorul selectat:
P Pies
P0= P C (0,8...0,9) T (0.7...0.9)
C T
1.5
P 1.87W -puterea cedata de tranzistor
0.8

P0=1.87/0,9=2.1W
2.Determinam valorile ISmax si Uies.max.
ISmax.* Uies.max= Pies ISmax.* Uies.max. / Rs = Pies / Rs
I 2 Smax = Pies / Rs
Pies 1 .5
ISmax= = 0,29 A U ies. max I S max * Rs 0,29 *18 5.2V
Rs 18
 Conform datelor noastre am ales tranzistorul KT904.
U CE 0 U rest U ies 1 5.2 6.2V

ICo=(1.051.20)ISmax=(0.30.35)A
ICmin=0.27A
ICmax=0.43A
IBmax=1.46mA
IBmin=0.62mA
IBm=0.42mA
UBEmax=0.74V
UBEmin=0.68V
UBEm=0.03V

Toate aceste valori sunt luate din grafic.

Deci calculm rezistenta rezistorului dup curent alternativ.
2U BE .m 2 * 0,03
Rint r 23.8
2 I B .m 2 * 0,00042

2 *U BE .m * 2 * I B.m 4 * 0.03 * 0.42 *10 3

Pint r . 2.1mW
8 8

3.Calculam rezistenta din circuitul emitorului Re:

U RE
RE= -valoarea tensiunii care cade pe rezistenta .
IC0

RE=3V/0.35A=8,6
4. Determinam capacitatea condensatorului ce unteaz rezistorul RE:
1 1
CE 200F
2F j RE 2 * 3,14 *110 * 8.6

5.Rezistenta divizorului de tensiune dup curent alternativ:

R1 R2
R1 2 ; R1 2 (8...12) Rint e 467
R1 R2

E C * R1 2 24 * 467
R1 3.7k
RE * I C 0 10 * 0.3

R1 * R1 2 3700 * 467
R2 535
R1 R1 2 3700 467

6. Determinm coeficientul de amplificare al etajului dup putere

 Pies. 1 .5
KP 357ori
Pint r . 4.2 * 10 3

7.Determinam rezistenta sarcinii colectorului dupa curent alternativ si

coeficientul de transformare pentru transformatorul de putere.
U CE max Ec U 24 3
RC 54
I C max c * I C max 0.9 * 0.43

RS 18
n 0.64
RCT 54 * 0.8

8.Determinm rezistena nfurrii transformatorului primar

rT 1 0.5 RC (1 T ) 0.5 * 54 * 0.2 5.4

1 T
rT 2 0.5 RS 2.25
T

9.Inductanta transformatorului primar

RS rT 2 18 2.25 20.25
L1 2
143.1mH
2F j n 2
M 1
2
j
6.28 *110 * (0.64) * 0.5 141.47

Bibliografie:
http://www.freecircuits.ru/page-104.html