9. Ridicarea parametrilor tranzistorului bipolar.

Dup cum tim, tranzistorul prezint un dispozitiv electronic cu dou

jonciuni p-n ce interacioneaz i cu trei sau mai multe borne de ieire,
proprietile de amplificare ale crora snt condiionate de fenomenele de
injecie i extracie ale purttorilor de sarcin. n fig. 23. snt prezentate
ilustrarea schematic (a) i grafic (b) a tranzistorului de tip n-p-n i p-n-p,
distribuirea concentraiei purttorilor de sarcin majoritari de-a lungul structurii
n stare de echilibru (c).

Fig. 24. Prezentarea schematic i grfic a tranzistorului n-p-n i p-n-p.

Ridicarea parametrilor tranzistorului, constau din ridicarea parametrilor h,

deoarece ei snt cei mai utilizai i foarte importani. n fig. 24, a este
reprezentat schema pentru ridicarea parametrului h11E, care este rezistena de
intrare al tranzistorului pentru tensiune alternativ mic. Toi parametrii
tranzistorului depind de regimul dup curent continuu, de aceea, n primul rnd,
pentru tranzistor, n schem se instaleaz regimul dup curent continuu. De
exemplu, parametrii pentru tranzistoarele de putere mic, snt des ridicai la
tensiunea UC = 5V, n curentul IC = 1 mA. Regimul necesar de curent continuu
se poate de instalat n felul urmtor. Vom lua tensiunea sursei de alimentare U S
= 10V i vom cupla rezistorul RC = 5 k i atunci la curentul colectorului IC = 1
mA, tensiunea continu UC relativ de pmnt va fi egal cu 5V. Aceasta se poate
de fcut prin alegerea rezistorului Rb, rezistena cruia depinde de h21E. Cnd h21E
= 100, Rb = 1 M. De aceea el trebuie de ales, astfel nct rezistena R b s fie de
sute de k. Instalnd regimul n curent continuu, se mai cupleaz un generator
cu sunete i se d de la ieirea lui tensiunea U1, ce nu ntrece 20 mV. Frecvena
de msurare se ia de obicei egal cu 1kHz. Rezistena Rbg se poate de luat de 1-2
k, dar trebuie s fie cunoscut valoarea exact a ei, de exemplu cu o precizie
de 5 %. Msurnd U1 i U2 cu milivoltmetrul electronic de curent alternativ, se
determin curentul prin Rbg, care cu o precizie nalt este i curentul alternativ al
bazei, deoarece se poate de neglijat cu divizarea curentului n rezistena R b. Este
clar c h11E = Rint/Ib.

Fig. 25. Schemele de determinare a parametrilor h11E i h21E (a), h12E i h22E (b).

Pentru msurarea parametrului h21E se folosete aceeai schem, ns ntre

punctele A i B se mai cupleaz o rezisten nu prea mare, de exemplu R = 100
. Cu milivoltmetrul pentru curent alternativ se msoar tensiunea n punctul B
relativ de pmnt i se convinge n faptul, c tensiunea n punctul A relativ de
pmnt este egal cu zero. tiind cderea de tensiune pe rezisten se determin
componenta alternativ a curentului colectorului i se afl h21E = IC/IB.
Pentru msurarea parametrului h22E i h12E se montez schema, care este
artat n fig. 24, b. Instalnd regimul n curent continuu, se cupleaz i
generatorul. Se d o tensiune alternativ U2 = 1-2 V. Msurnd tensiunile
alternative U1 i U2 i tiind Rcg, se poate de gsit componenta alternativ a
curentului colectorului. mprind componenta alternativ a curentului
colectorului la tensiunea alternativ U2, se obine parametrul h22E = IC/U2.
Msurnd cu milivoltmetrul tensiunea UB, se poate de gsit parametrul h12E =
UB/U2.