2

Simion Alexandru-Vlad
RST anul II

CIRCUITUL DIGITAL PE BAZA CMOS

Productia de componente electronice discrete a fost revolutionata in momentul aparitiei

primelor circuite integrate. Aceste noi componente au revolutionat atat productia de bunuri de
larg consum de lunga durata, precum si cea industriala, strecurandu-se astazi in cele mai
neinchipuite domenii ale vietii noastre cotidiene.

Sa ne aducem aminte de primele aparate de radio, care au fost echipate cu circuite

integrate in etajul audio, aparitia primelor receptoare TV echipate cu circuite integrate,
radiocasetofoane si multe altele, patrunderea automatizarii în procesele de productie, aparitia
robotilor industriali.

Dupa etapa mecanizarii, omul indeplineste in principal functia de conducere a

proceselor tehnologice de productie. Operatiile de conducere necesita un efort fizic neglijabil, in
schimb necesita un efort intelectual important. Pe de alta parte unele procese tehnice se
desfasoara rapid, incat viteza de reactie a unui operator uman este insuficienta pentru a transmite
o comanda necesara in timp util.

Se constata astfel ca la un anumit stadiu de dezvoltare a proceselor de productie devine

necesar ca o parte din functiile de conducere sa fie transferate unor echipamente si aparate
destinate special acestui scop, reprezentand echipamente si aparate de automatizare. Omul
ramane insa cu supravegherea generala a functionarii instalatiilor automatizate si cu adoptarea
deciziilor si solutiilor de perfectionare si optimizare.

Prin automatizarea proceselor de productie se urmareste asigurarea tuturor conditiilor de

desfasurare a acestora fara interventia operatorului uman. Aceasta etapa presupune crearea acelor
mijloace tehnice capabile sa asigure evolutia proceselor intr-un sens prestabilit, asigurandu-se
productia de bunuri materiale la parametri doriti.

1
 2
Simion Alexandru-Vlad
RST anul II

Etapa automatizarii presupune existenta proceselor de productie astfel concepute incst

sa permita implementarea mijloacelor de automatizare, capabile sa intervina intr-un sens dorit
asupra proceselor asigurand conditiile de evolutie a acestora in deplina concordanta cu cerintele
optime.

Totul a fost motivat si demonstrat prin cresterea performantelor tehnici, a fiabilitatii

produselor si in scaderea pretului de cost.

Ce este de fapt un circuit integrat? Un ansamblu de componente discrete ( diode,

tranzistoare, rezistente, condensatoare si chiar bobine ) montate pe un suport de siliciu miniatural
numit “cip”. Acest ansamblu a fost standardizat si a căpătat forme de capsule cu diferite
dimensiuni si număr de terminale. Numărul componentelor a crescut de la câteva sute, la câteva
mii sau chiar zeci de mii în cazul microprocesoarelor.

Circuitele integrate logice, care au fost folosite cu zecile de mii in primele calculatoare,
dar si in alte aplicatii industriale, de automatizare si robotizare, au netezit calea spre realizarea
circuitelor integrate liniare, care puneau probleme noi, generate de complexitatea structurii, de
particularitatile procesului tehnologic, de varietatea metodelor si a aparaturii de testare.

Circuitele integrate au fost proiectate si perfectionate pe diferite domenii de utilizare:

asa s-au nascut cele logice, cele analogice, ori lineare etc. In funcție de caracteristicile
functionale si de domeniul de aplicatii cele analogice au fost grupate pe familii: amplificatoare
operationale (AO), circuite de uz industrial, circuite de audio, radio si TV, arii de diode si
tranzistoare. Si totusi, ele nu pot fi clasificate foarte exact după niste criterii prestabilite
deoarece, au domenii de aplicare foarte largi.

Informatia din mediul inconjurator se prezinta sub forma analogica. Pentru a fi

prelucrata si transmisa informatia naturala este convertita in semnale electrice cu ajutorul unor
dispozitive speciale (senzori, traductoare etc.). In cazul semnalelor analogice, informatia este
continuta in parametrii semnalelor (amplitudine, frecventa, faza etc.). Aceste semnale pot fi
prelucrate direct cu ajutorul unor sisteme (circuite) analogice, dintre care multe pot fi realizate în
tehnologia MOS. Cu toate acestea, in general se prefera prelucrarea si transmisia informatiei sub
forma digitala (numerica), semnale electrice codificate avand un numar limitat de stari logice, in

2
 2
Simion Alexandru-Vlad
RST anul II

caz cel mai raspandit, logica binara, aceste stari sunt in numar de doua "0" si "l", "fals" si
"adevarat", sau starea "joasa" si stare "inaltă".

In acest mod, un semnal analogic poate reprezenta mult mai multa informatie, de
exemplu 16 biti. Motivul acestui aparent sacrificiul este acela ca la trecerea unui semnal analogic
printr-un lant de elemente de prelucrare (sau printr-o linie de comunicatie), fiecare element
introduce in mod inevitabil zgomot si distorsiuni. Aceste abateri de la cazul ideal se acumuleaza
direct sub forma de erori in semnalul de iesire. Prelucrarea informatiei necesita uneori milioane
sau chiar miliarde de etape consecutive. Semnalele analogice nu pot suporta un număr atat de
mare de transformari fara ca erorile acumulate sa distruga informatia. In schimb, un semnal
digital poate parcurge un lant nelimitat de etape de prelucrare logica, fara ca informatia sa fie
alterata. Prin urmare, sistemele electronice digitale sunt teoretic extensibile nelimitat.

Circuitele logice integrate realizate in tehnologie monopolara se impart in 3 familii:

1. Familia PMOS- utilizeaza numai tranzistoare MOS cu canal de tip P. Aceste circuite au
procesul de fabricatie simplu, dar viteza de comutatie mica;
2. Familia NMOS- utilizeaza numai tranzistoare MOS cu canal de tip N. Aceste circuite au
procesul de fabricatie mai complicat, dar viteza de comutatie este mare;
3. Familia CMOS- utilizeaza tranzistoare MOS complementare, unele cu canal de tip P si altele
cu canal de tip N. Aceste circuite au o viteza de comutatie medie si un consum redus de
energie

Inversorul MOS complimentar (CMOS)

Inversorul MOS este cel mai simplu circuit logic binar. El trebuie sa poata comanda
intrarea etajului urmator cu mai multa energie decat a primit la intrarea proprie. Urmeaza ca
energia necesara comutatiei nu poate fi obtinută din semnalul de intrare, fiind necesara o sursa
separata de alimentare cu energie.
Circuitele logice CMOS sunt construite in tehnologie unipolara (MOS – Metal Oxid
Semiconductor) si au in structura lor atat tranzistoare cu canal indus de tip n MOS cat si de tip p
MOS (de aici denumirea de MOS Complementar adica CMOS). In familia de circuite logice
CMOS, poarta fundamentala este inversorul (poarta NU).

3
 2
Simion Alexandru-Vlad
RST anul II

În figura 1 este prezentat tranzistorul MOS cu canal n sub trei aspecte: structura fizică,
reprezentarea layout şi reprezentarea schematică. În cadrul structurii fizice a tranzistorului nMOS
substratul (bulk) este de tip p. Cele două regiuni de tip n+ constituie regiunile de difuzie ale sursei
şi drenei. Poarta tranzistorului MOS este realizată, în general, din poli-siliciu şi este separată de
substrat printr-un strat subţire izolator de SiO2 (oxid de siliciu). Dacă pe poartă (poly gate) se
aplică progresiv un potenţial pozitiv, atunci electronii din substrat sunt atraşi la interfaţa dintre
substrat şi oxid (gate oxide). Pentru o anumită valoare a potenţialului aplicat pe poartă numărul de
electroni liberi de la interfaţă depăşeşte numărul de goluri, fenomen cunoscut sub numele de
inversie electronică. Aceşti electroni liberi formează curentul de conducţie drenă-sursă IDS dacă
între cele două regiuni ale drenei şi sursei se aplică o diferenţă de potenţial VDS. Spaţiul situat sub
poartă şi între regiunile de difuzie ale drenei şi sursei prin care circulă curentul IDS este cunoscut
sub numele de canalul tranzistorului şi este caracterizat de următorii parametri geometrici: -
Lungimea proiectată a canalului (Ldrawn). Lungimea efectivă (Leff), distanţa dintre regiunile de
difuzie drenă-sursă, este mai mică şi variază în timpul funcţionării. Astfel, pentru tensiuni VDS
mai mari Leff se micşorează şi conduce la fenomenul de modulaţie a lungimii canalului. - Lăţimea
canalului (W) – este definită de lăţimea regiunilor de difuzie ale drenei şi sursei.

Fig. 1. Tranzistorul MOS sub diverse forme de reprezentare

In figura 2 este prezentată structura fizică atât pentru tranzistorul nMOS cat si pentru
pMOS în cadrul tehnologiei CMOS. În cazul tranzistorului nMOS, aşa cum s-a menţionat mai sus,
substratul (bulk) este de tip p iar regiunile de difuzie ale sursei şi drenei sunt de tip n+. Pentru
tranzistorele MOS cu canal p substratul este de tip n şi constă în regiunea notată “n-well” în figura
2, în timp ce regiunile de difuzie ale sursei si drenei sunt de tip p+.
4
 2
Simion Alexandru-Vlad
RST anul II

Din punct de vedere schematic în literatură tranzistoarele MOS sunt reprezentate prin
diverse simboluri. În figura 3 sunt prezentate simbolurile uzuale atât pentru tranzistorul nMOS cât
şi pentruFig.
pMOS.
2. Structura fizica a tranzistorului nMOS (stanga) si pMOS
(dreapta)

Fig. 3. Simboluri schematice pentru tranzistoarele MOS

Regulă de conectare a terminalelor de substrat: Toate terminalele de substrat ale

tranzistoarelor nMOS se conecteaza la cel mai mic potential din circuit (GND sau VSS); toate
terminalele de substrat ale tranzistoarelor pMOS se conecteaza la cel mai mare potential din circuit
(VDD). Conectarea terminalelor de substrat conform regulii de mai sus asigură ca jonctiunile p-n
dintre drenă-substrat şi, respectiv, sursă-substrat sa fie întotdeauna polarizate invers şi, astfel, să
nu existe un curent direct de la aceste regiuni către substrat.
La ora actuala circuitele CMOS ocupa peste 85 % din piata circuitelor logice fiind
intalnite atat in structura circuitelor integrate pe scara mica (SSI – Small-Scale Integration) cat si,
in special, in structura circuitelor VLSI (Very Large Scale Integration).
Dispozitivele CMOS preiau avantajele dispozitivelor NMOS si PMOS. Unul din avantajele

5
 2
Simion Alexandru-Vlad
RST anul II

majore fata de utilizarea exclusica a tranzistoarelor NMOS sau PMOS, consta in aceea ca
dispozitivele CMOS au un consum redus de putere.
Schema inversorului contine doua tranzistoare VTn și VTP cu canale de n-tip si p-tip
respectiv care se completeaza reciproc. Portile sunt unite paralel, iar însasi tranzistorii in serie.
De aceea, in timpul ce unul e conectat, al doilea intotdeauna e deconectat. Comutarea
concomitenta a tranzistoarelor complimentari permite realizarea schemelor logice, care practic
nu consuma puterea, spre deosebire de micro schemele TTL. In regimul static curentul prin asa
schema se determina prin curentul de scurgere, si constituie doar cativa nan amperi.
In regimul de comutare curentul atinge cativa microamperi si puterea consumata de
circuit creste, dar cresterea puterii este limitata prin faptul ca, tranzistorii cu canalele n-tip si p-
tip nu se deschid complet concomitent. La construirea elementelor logice cu multe intrari, fiecare
intrare se uneste cu poarta perechii de tranzistori n- si p-tip. Pe baza elementelor CMOS pot fi
realizate diferite functii logice.
Mentionam, ca particularitatile tehnologiei CMOS permit realizarea schemelor,
capacitatea de lucru a carora este asigurata intr-un diapazon larg de tensiuni de alimentare. Astfel
de scheme pot asigura lucrul stabil chiar la tensiuni mai mici decat suma tensiunilor de prag de
comutare a tranzistoarelor, iar pentru tranzistorii NMOS tensiunea de alimentare trebuie sa fie cel
putin de cinci ori mai mare decat tensiunea de prag. Rapiditatea schemelor CMOS este mai mare
decat rapiditatea schemelor NMOS, deoarece reincarcarea capacitații portii, durata careia si
determina timpul de comutare a schemei, intotdeauna se petrece prin tranzistor deschis.
Tehnologia de producere a elementelor CMOS este mai complicata decat tehnologia
elementelor NMOS, deoarece apare necesitatea de a efectua trei operatii de difuzie.
De aceea densitatea distributiei componentelor în așa scheme este de trei ori mai mică de
cit în schemele NMOS, dar este mai mare în comparație cu alte scheme pe tranzistori bipolari ce
au aproximativ aceeași rapiditate.
Micro schemele de acest tip sunt folosite pe larg in tehnica digitala cu rapiditatea medie
si inalta, mai ales in conditii de limitarea a puterii consumate din cauza dificilului resurselor
energetice sau necesitatile de asigurare a regimului necesar de temperatura.
Tensiunea de alimentare, in cazul circuitelor CMOS, se noteaza cu VDD pentru sursa
pozitivă si cu VSS pentru terminalul de masa. In cazul circuitelor din seria 4000 tensiunea de
alimentare este „foarte flexibila” putand lua valori intre 3 V şi 15 V. Exista si seria „Low

6
 2
Simion Alexandru-Vlad
RST anul II

Voltage” de circuite CMOS alimentate la o tensiune fixa 3,3 V (este vorba de circuitele din seria
54LV*** care se vor a fi o replica pentru celebrele circuite din tehnologia TTL – sunt chiar
compatibile pin la pin). In variantele VLSI exista si alte circuite CMOS alimentate la tensiuni
fixe de valoare mica (alimentare de 3,3 V sau 1,8 V).
Schema electrica a unui inversor CMOS , fig.4., este extrem de simpla si conţine numai
cele doua tranzistoare complementare (toate circuitele CMOS au in constructia lor numai
tranzistoare MOS – fara rezistenţe, diode sau alte componente). Cele doua tranzistoare sunt
comandate pe grila cu acelasi semnal de intrare (in fapt au grilele legate impreuna) si au o
functionare in contratimp, similar unor comutatoare K1 şi K2.

Fig.4.. Inversor CMOS- schema electrica si functionare de principiu

Seriile CMOS utilizate în prezent sunt:

 seria 4000, aparuta în 1972 care se foloseşte în prezent în aplicaţii industriale datorita
marginii de zgomot foarte mari. Poate fi utilizata în aplicaţii în care frecvenţa semnalelor

7
 2
Simion Alexandru-Vlad
RST anul II

de la intrarile circuitelor logice nu depaşeşte câţiva MHz, tensiunea de alimentare fiind

VDD= 3÷15V, iar marginea de zgomot depinde de tensiunea de alimentare: ∆Uz= 30%
VDD
 seriile CMOS rapide (74HCxxx, 74HCTxxx) dezvoltate dupa 1980 au performante
superioare seriei 4000, prima varianta fiind compatibila cu niveluri de tensiune de intrare
CMOS (tensiunea de alimentare fiind cuprinsa in intervalul 2-6V), iar cea de a doua cu
niveluri de tensiune de intrare TTL, tensiunea de alimentare fiind cuprinsa in intervalul
4,5-5,5V.
 seriile perfomante (74ACxxx, 74ACTxxx) au prioritati imbunatatite fata de HC
(tensiunea de alimentare 6V), prim varianta fiind compatibila cu niveluri de tenisune de
intrare CMOS (tensiunea de alimentare fiind cuprinsa in intervalul 2-6V), iar cea de a
doua cu niveluri de tenisune de intrare TTL, tensiunea de alimentare find cuprinsa in
intervalul 4,5-5,5V.

Tabelul 1. Exemple de circuite integrate CMOS seria 4000

CODUL TIPUL NUMARUL NUMARUL PORTILOR

CIRCUITULUI PORTILOR INTRARILOR UNEI PE CIRCUITUL
INTEGRAT PORTI INTEGRAT
MMC 4001 NOR 2 4
MMC 4002 NOR 4 2
MMC 4011 NAND 2 4
MMC 4012 NAND 4 2
MMC 4023 NAND 3 3
MMC 4025 NOR 3 3
MMC 4030 XOR 2 4
MMC 4068 NAND 8 1
MMC 4069 NOT 1 6
MMC 4071 OR 2 4
MMC 4072 OR 4 2
MMC 4073 AND 3 3
MMC 4075 OR 3 3
MMC 4078 NOR 8 1
MMC 4081 AND 2 4
MMC 4081 AND 4 2

Performantele specifice oricarui circuit CMOS sunt:

8
 2
Simion Alexandru-Vlad
RST anul II

 Intrarea se face pe grila care este perfect izolata de restul circuitului; n consecinta curentul de
intrare este nul pentru ambele nivele logice; rezulta un fan-aut practic de valoare infinita.
 Nivelul de la iesire este fixat de comutatorul care este inchis (fie K1 , fie K2 – cele doua
comutatoare lucreaza in opoziţie); rezulta că practic VOL = 0 iar VOH = VDD; altfel spus,
cele doua nivele logice de la iesire au valori ideale ;
 Functionarea în contratimp a celor doua tranzistoare implica faptul ca niciodată nu exista cale
directa intre sursa VDD si masa; curentul absorbit de la sursa este nul, ICC=0; si aceasta este
o comportare ideala ! (consumul static de la sursa este foarte mic);
 Datorita simetriei in construcţie a celor doua tranzistoare, tensiunea de prag de la intrare este
jumatate din VDD; aceasta inseamnă ca tensiunile de intrare cuprinse intre 0 V şi 50% VDD
sunt interpretate de circuit ca simbol 0 logic iar tensiunile de intrare cuprinse intre 50% VDD
şi VDD sunt interpretate ca simbol 1 logic (trasatura specifica circuitelor CMOS care se
apropie de o situatie ideala, in sensul unei imunitati la zgomote de 50% din VDD)
 Curentul de iesire incarca sau descarca eventuala sarcina capacitiva (aceasta sigur exista
deoarece intrarile CMOS care urmeaza si sunt comandate de iesire au o comportare „pur
capacitiva”); aparent, lipsa oricarei rezistente ar conduce la ideea ca incarcarea/descarcarea s-
ar face extrem de rapid; in realitate (vezi curs) tranzistoarele MOS pe timpul
incarcarii/descarcarii au o comportare de sursa de curent; acest fapt mareste timpul de
incarcare/descarcare al sarcinii capacitive si astfel se mareste de fapt timpul de propagare al
portii logice;
 Circuitele VLSI au o densitate extrem de mare, fiind construite cu tranzistoare foarte mici
(tehnologie de zeci de nanometrii); pentru a nu se atinge densitati de curent periculoase,
valoarea curentului care circula prin aceste tranzistoare MOS este foarte mica; in consecinta
tranzistoarele MOS din structura unui circuit VLSI nu pot comanda decat alte tranzistoare
MOS tot de dimensiune foarte mica; apar probleme atunci cand semnalul se aplica la un pin
de iesire din circuit – se folosesc aşa numitele iesiri buferate (buffered output – o cascada de
circuite inversoare care, dimensional, sunt din ce in ce mai mari şi astfel fac trecerea către
dimensiuni mai mari si implicit curenţi de ieşire mai mari)

Reguli de utilizare a circuitelor CMOS:

9
 2
Simion Alexandru-Vlad
RST anul II

1. Nici o intrare a unui circuit logic CMOS nu se lasa flotanta, ci se conecteaza la un potenţial
bine stabilit: UL sau UH în funcţie de tipul circuitului.
2. Intrarile porţilor nefolosite pot fi conectate ori la masa, ori la V DD, puterea consumata fiind
aceeaşi (neglijabila)
3. Este interzisă interconectarea ieşirilor a două sau mai multe circuite logice, dacă există
posibilitatea ca aceste ieşiri să ajungă la niveluri logice diferite. În figura 5 este prezentată o
situaţie în care ieşirile pot fi interconectate – legând în paralel atât intrările cât şi ieşirile unor
porţi din aceeaşi capsulă.
4. Niciodată ieşirile circuitelor logice nu se conectează direct la masă sau VDD.

5. Cerinţele de decuplare ale circuitelor integrate CMOS sunt mult diminuate faţă de
omoloagele TTL datorită consumului de curent mai redus. Un singur condensator de
decuplare de 100 nF la fiecare rând de 10 – 15 circuite CMOS şi un condensator electrolitic
de 10 ... 100 μF pentru întreaga placă sunt de obicei suficiente.
6. Există cerinţe speciale referitor la manipularea sau stocarea acestor circuite derivate din
dorinţa de a minimiza efectele descărcărilor electrostatice (ESD – electrostatic discharge).

Fig. 5. Posibilitate de interconectare

a ieşirilor a două circuite CMOS

Precauţii în manipularea circuitelor CMOS:

Toate circuitele electronice sunt susceptibile la distrugere datorită descărcărilor
electrostatice. Corpul omenesc se poate uşor încărca electrostatic la potenţiale de peste 30.000 V,
prin simpla deplasare pe un covor, purtarea unui plover sau mângâierea unei pisici. Prin simpla
atingere a unui circuit electronic sarcinile astfel stocate sunt în contact direct cu circuitul.
Tranzistoarele şi circuitele integrate CMOS sunt în primul rând sensibile la sarcini electrostatice
datorită impedanţei mari de intrare şi a stratului subţire de dioxid de siliciu care se poate astfel
uşor străpunge. Rezultatul străpungerii este ireversibil şi circuitul sau dispozitivul este distrus.

10
 2
Simion Alexandru-Vlad
RST anul II

Producătorii de dispozitive, circuite şi echipamente electronice acordă problemelor ESD o atenţie

sporită. Chiar dacă marea majoritate a circuitelor MOS moderne au reţele de protecţie formate
din rezistoare şi diode (asemănătoare celor din figura 4.3), următoarele măsuri de prevedere sunt
general valabile:
a. Circuitele integrate MOS se păstrează în ţiple speciale antistatice, în folii de aluminiu sau
materiale speciale conductoare. Aceasta conduce la egalizarea potenţialelor tuturor pinilor şi prin
urmare nu pot apare tensiuni periculoase între pini.
b. După extragerea circuitului din materialul antistatic, acesta se va monta imediat pe placa de
circuit imprimat. Se va evita atingerea pinilor cu mâna.
c. În echipament intrările nefolosite ale circuitelor MOS nu se lasă neconectate, deoarece acestea
tind să acumuleze sarcini electrostatice.
d. La transport conectorii plăcilor se scurtcircuitează, iar plăcile se transportă în folii antistatice
conductoare. Se evită atingerea conectoarelor cu mâna.
e. La lipire operatorul foloseşte o brăţară specială metalică legată la pământare prin intermediul
unei rezistenţe de 1MΩ pentru a descărca eventualele sarcini electrostatice. Rezistenţa elimină
riscul electrocutării dacă din accident sunt atinse puncte aflate la un potenţial ridicat.
f. Operatorul uman va purta un echipament adecvat (de exemplu o pereche de accesorii
conductoare peste pantofi pentru a micşora rezistenţa de contact la pământ).
g. Şasiul tuturor echipamentelor, vârful letconului sau staţiei de lipit se conectează la pământare
pentru a preveni acumularea de sarcini electrostatici.

In concluzie, circuitele integrate CMOS sunt la ora actuala cele mai utilizate circuite
logice integrate monopolare, datorita urmatoarelor particulariati :

 asigura o crestere a densitatii de integrare de circa zece ori, permitand astfel integrarea unor
functii suplimentare;
 rezistenta de intrare este foarte mare si curentul de intrare este foarte mic ;
 tehnologia de fabricatie este simpla, deci şi ieftina;
 puterea consumata in regim static, de la sursele de alimentare, este foarte mica (neglijabila);
 este posibila folosirea unei plaje largite de tensiuni de alimentare (3÷18 V);

11
 2
Simion Alexandru-Vlad
RST anul II

 au o margine de zgomot (mult) mai mare decat cea intalnita la familia TTL (realizata cu
tranzistoare bipolare)

12