Jonctiunea“pn”.

Dioda semiconductoare

2.1 Preliminarii

2.2 Comportarea DS în regim cvasistatic de semnal mare

2.3 Comportarea DS în regim cvasistatic de semnal mic

 2.1 Preliminarii
2.1.1 Structură şi simbol
Jonţiune
metalurgică
vA
A C
A C
p  NA n  ND iA

A anod;
C catod;
vA valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă;
iA valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;
NA concentraţia de atomi acceptori;
ND concentraţia de atomi donori;
n concentraţia de electroni;
p concentraţia de goluri.
2
 2.1 Preliminarii
2.1.2 Principiul de funcţionare

Comentariu

În funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă

numai de la anod spre catod.
Acest efect poartă numele de efect de diodă şi studiul său face
obiectul acestei secţiuni.

3
 2.1 Preliminarii
2.1.2 Principiul de funcţionare
E
Explicatie efect de dioda - -- - + + + + +
- -- - + + + + +
p - -- - + + + + + n
- -- - + + + + +
- -- - + + + + +

Regiune Regiune de Regiune

neutra p tranziţie neutră n

La polarizare inversă plus (+) pe catod şi minus (-) pe anod bariera

internă de potenţial este crescută şi ca atare prin structură nu circulă
curent.
La polarizare directă plus (+) pe anod şi minus (-) pe catod bariera
internă de potenţial este scăzută, ca atare apare fenomenul de injecţie
de purtători, şi prin structura începe să circule curent.
4
 2.1 Preliminarii
2.1.3 Metode de descriere matematică
Observatie:

Din punct de vedere formal, dioda - fiind un uniport - este integral

descrisă de o singură ecuaţie caracteristică.

 diA d n iA dvA d mvA 

E  i A , , , n , v A , ,  , m , 1 ,  ,  p   0
 dt dt dt dt 

1 ,, p parametrii neelectrici.

5
 2.1 Preliminarii
2.1.3 Metode de descriere matematică
Regim cvasistatic de semnal mare;
 diA d n iA dvA d mvA 
E  i A , , , n , v A , ,  , m , 1 ,  ,  p   0
 dt dt dt dt 

E i A , v A   0

i A  i A v A  v A  v A i A 

ecuaţie caracteristică statică” sau mai simplu “caracteristică statică”

6
 2.1 Preliminarii
2.1.3 Metode de descriere matematică
Regim cvasistatic de semnal mic;
 diA d n iA dvA d mvA 

E iA , , , n , v A , ,  , m , 1 ,  ,  p   0
 dt dt dt dt 

ia  g a v a

ia valoarea instantanee de semnal mic a curentului;

va valoarea instantanee de semnal mic a căderii de tensiune;
ga conductanţa echivalentă de semnal mic a diodei.

7
2.2 Comportarea DS în regim cvasistatic
de semnal mare

2.2.1 Caracteristica statică;

2.2.2 Modele liniare de semnal mare;
2.2.3 Abateri de la teoria ideală;
2.2.4 Limitări în funcţionare.
2.2.5 Metodă de analiză pentru circuite cu DS în
regim cvasistatic de semnal mare

8
2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.1 Ecuaţia caracteristică statică
  vA  
i A  I S exp   1
  eT  
kT
eT  (tensiune termică).
q
S-au folosit notaţiile:
k constanta lui Boltzman
q sarcina electronului
T temperatura absolută
La temperatura ambiantã eT are valoarea:
eT25 mV

9
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.1 Ecuaţia caracteristică statică
iA D

IS V=0.5V IS curent rezidual

0.7V Vγ tensiune de prag
A B C vA

Regiunea AB Regiunea de blocare la polarizare inversă. Dioda se

comportă ca un generator de curent de valoare IS. Întrucât curentul
rezidual are valori foarte mici, în aplicaţiile practice se consideră că
dioda se comportă ca un circuit întrerupt.
Regiunea BC Regiunea de blocare la polarizare directă. Dioda are
acelaşi coportament cu cel din regiunea AB
Regiunea CD Regiunea de conducţie. Prin diodă pot circula curenţi
de valoare mare, căderea de tensiune fiind aproximativ V γ. Dioda se
comportă ca un scurtcitcuit.
10
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.2 Modele liniare de semnal mare
iA

Model de ordin zero Caracteristica reală

vA

A C
Diodă în conducţie
A C
A C
Diodă blocată

11
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.2 Modele liniare de semnal mare
model ordin zero
vR
vR
iA
R=1k A
R=1k E=10V
E=10V -12 C
D vA IS=10 A

E  VR  VA E  VR
IA=10 mA
VR  I A R E  RI A
 IA 
VA  e T ln  1   8%
 IS 
 IA 
E  RI A  eT ln  1 IA=9.2872 mA
 IS 
12
2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.3 Abateri de la teoria ideală
iA
Tensiune de
VBR Blocare prag
V 0.7 V

vA

Străpungere

Regiune de Regiune de
polarizare polarizare
inversă directă

Caracteristica reală a unei diode semiconductoare

13
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.3 Abateri de la teoria ideală
Mecanisme strapungere

 Multiplicarea în avalanşă are loc la tensiuni mari şi este specifică

joncţiunilor slab dopate. Este cauzată de ionizarea de impact. În acest
proces, un electron accelerat de câmpul electric intern existent în regiunea
de sarcină spaţială capătă suficient de multă energie ca prin ciocnirea unui
atom să elibereze o pereche gol-electron. Noul electron astfel generat –
numit electron secundar – este la rândul lui accelerat şi poate la rândul său
să genereze noi electroni secundari. Acest fenomen duce la creşterea
necontrolată a curentului prin jonţiune.

 Efectul "tunel" are loc la tensiuni mici şi este specific jonţiunilor puternic
dopate. Procesul constă în saltul electronilor din stările ocupate din banda
de valenţă a regiunii "p" pe stările libere din banda de conducţie a regiunii
"n", întrucât regiunea de sarcină spaţială este foarte îngustă.

14
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.3 Abateri de la teoria ideală
Dioda Zener iZ
IZM

vZ
Străpungere

A C
IZm
iZ
Regiune de Regiune de VZ vZ
polarizare polarizare
directă inversă

I Z m  iZ  I Z M vZ  VZ

15
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.4 Limitări în funcţionare
Diode redresoare
IFM - curentul direct maxim admisibil; reprezintă valoarea maximă a
curentului direct prin diodă când ea se află în conducţie; proiectantul
trebuie să aibă grijă ca în funcţionare normală curentul direct să nu
depăşescă această valoare.
VBR - tensiunea de stăpungere; reprezintă valoarea maximă a tensiunii
inverse pe diodă; proiectantul trebuie să aibă grijă ca în funcţionare
normală tensiunea inversă să nu depăşescă această valoare

Diode stabilizatoare
VZ - tensiunea nominală de stabilizare; de obicei în catalog sunt
prezentate limitele maxime şi minime.
IZM - curentul maxim admisibil prin diodă; spre deosebire de IFM, acest
curent circula prin diodă când aceasta lucrează în regiunea de
stăpungere.
16
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.5 Metodă de analiză
Prezentare algoritm

 Modelarea circuitului. În aceastǎ etapǎ elementele active se

modeleazǎ funcţie de regimul de lucru. Circuitul electronic devine un
circuit electric. Se spune cǎ problema de electronicǎ este redusǎ la
o problemǎ electricǎ;

 Rezolvarea circuitului obţinut la etapa unu. Circuitul electric este

analizat utilizând una dintre metodele studiate (Kirchhoff, Laplace,
etc…). Se va obţine un sistem de ecuaţii. Se spune cǎ problema
electricǎ a fost redusǎ la o problemǎ algebricǎ;

 Rezolvarea sistemului obţinut la etapa precedentǎ;

17
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.5 Metodă de analiză

Prezentare algoritm pentru alegerea modelului diodei

1. Se presupune cǎ dioda este în conducţie şi se modeleazǎ circuitul

ca atare.
2. Se calculeazǎ curentul prin diodǎ.
3. Se comparǎ valoarea obţinutǎ cu zero. Dacǎ aceastǎ valoare este
pozitivǎ atunci presupunerea a fost adevǎratǎ (dioda conduce). În
caz contrar presupunerea a fost falsǎ (diodǎ blocatǎ).

18
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.5 Metodă de analiză
Aplicaţie
Formularea problemei. Pentru circuitul prezentat în figura sǎ se
calculeze punctul static de funcţionare al diodei D.

Punctul static de funcţionare este definit în mod uzual ca fiind mulţimea

valorilor tensiunilor si curenţilor, asociate unui dispozitiv electronic pentru
regimul static. În cazul unei diode este vorba de mulţimea {IA, VA}.
R1(1kΏ)
(1k)
IR

I R2(1kΏ) E
(2mA) (1k) (10V)
IA
D VA
19
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.5 Metodă de analiză
Soluţia problemei
1. Testarea stǎrii diodei
a.) Se presupune cǎ dioda este în conducţie
R1(1kΏ)
(1k)
IR
(1) R1
I
I R2(1kΏ) E IA1 IR1
(2mA) (1k) (10V)
IA
V1 R2 E
D VA I (I) (II)

A
A D
C

20
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.5 Metodă de analiză
Soluţia problemei
1. Testarea stǎrii diodei (cont.)
b.) Se calculeaza curentul prin dioda

I
(1) R1 I  I A1  I R1
IA1 IR1

V1 R2 E
I (I) (II)

D
A I A1  4 A
C

c.) Întrucât, IA1<0 rezultǎ cǎ dioda este blocatǎ.

21
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.5 Metodă de analiză
Soluţia problemei
2.) Prezentarea algoritmului de rezolvare
a.) Modelarea circuitului.

R1(1kΏ)
(1k)
IR R1
I
IA
I R2(1kΏ) E
(2mA) (1k) (10V)
IA I V E
R2
D VA
A
VA
C
A
C

22
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mare
2.2.5 Metodă de analiză
Soluţia problemei
2.) Prezentarea algoritmului de rezolvare (cont.)
b.) Rezolvarea circuitului.
R1
I E  V  IR1
IA

I V R2 E V  IR1  E  8V
A
VA
C

c.) Calculul punctului static de funcţionare.

I A  0A V A  8V

23
 2.3 Comportarea DS în regim cvasistatic
de semnal mic
Observatie:
Dacă semnalul pe diodă este mai mic de 10 mV – aşa numita condiţie
de semnal mic –caracteristica poate fi liniarizată Taylor

Caracteristică neliniară

Regiune liniară

 VQ 
i
I S exp 
Q(VQ, IQ) d iA  eT  I A  I S
ga   
v dvA eT eT
v v A  VQ

24
 2.2 Regim cvasistatic de semnal mic
 VQ 
I S exp 
d iA  eT  I A  I S
ga   
dvA eT eT IA
v A  VQ ga 
IA  IS
eT
eT  25 mV
ga mS   40 IA mA 

Modelul matematic ia  g a v a
va
ga
ia
Schema echivalentă A C

25