Autoevaluare Fizica

UNIVERSITATEA DE STAT DIN MOLDOVA
APROB
Rectorul USM,
doctor habilitat,
profesor universitar
______ Gheorghe Ciocanu
____ _____________ 2011
RAPORT DE AUTOEVALUARE 2006-2010

PROFILUL
Fizica i tehnologia materialelor, nanostructurilor
i a dispozitivelor optoelectronice cu semiconductoare
Aprobat la edina Senatului USM din 01.03.2011 (proces verbal nr.6)
i edina Consiliului de Administraie al USM din 22.03.2011(proces verbal nr.6)
Petru GAIN
dr. hab., prof. univ.,
Preedintele Comisiei pentru profilul
Fizica i tehnologia materialelor, nanostructurilor
i a dispozitivelor optoelectronice cu semiconductoare
__________________________
CHIINU 2011
CUPRINS
1. Date generale
2. Capacitatea instituional i resursele
2.1. Cadrul tematic i instituional de cercetare
2.2. Personalul uman
2.3. Mijloacele financiare disponibile
2.4. Potenialul logistic i infrastructura de cercetare
3. Rezultatele cercetrii, calitatea, eficiena, relevana, impactul
4. Antrenare n activiti conexe cercetrii
5. Cooperri naionale i internaionale
5.1. Cooperare n cadrul naional
5.2. Cooperare internaional
6. Fia statistic
7. Lista materialelor solicitate
7.1 Planul tematic de cercetri pentru perioada luat n studiu
7.2 Lista elaborrilor realizate n perioada luat n studiu
7.3 Lista lucrrilor aprute n edituri strine
7.4 Lista lucrrilor aprute n edituri din ar
7.5 Lista articolelor tiinifice aprute n reviste de specialitate din strintate
7.6 Lista capitolelor din monografii aprute n strintate
7.7 Lista articolelor tiinifice aprute n reviste de specialitate din ar
7.8 Lista capitolelor din monografii aprute n ar
7.9 Lista articolelor tiinifice publicate n culegeri
7.10 Lista comunicrilor tiinifice prezentate la manifestri internaionale,
publicate ca rezumat (1-3 pagini)
7.11 Lista referatelor tiinifice prezentate la manifestri internaionale,
publicate integral
7.12 Lista referatelor tiinifice prezentate la manifestri naionale, publicate integral
7.13 Lista comunicrilor tiinifice prezentate la manifestri naionale ca rezumat
7.14 Lista manifestrilor tiinifice organizate (denumirea, participarea,
perioada, locul desfurrii)
7.15 Lista studiilor, referatelor publicate pe Internet (se indic organizaia editor)
7.16 Lista brevetelor i a certificatelor de soi, de rase
7.17 Lista certificatelor de depunere n colecii a suelor
7.18 Lista cererilor de brevetare i certificare
7.19 Lista contractelor de licen (cesiune) n baza brevetelor, know-how
7.20 Lista manualelor
7.21 Lista capitolelor n manuale
7.22 Lista lucrrilor instructiv-metodice
7.23 Lista documentelor de politici elaborate i aprobate
7.24 Lista recomandrilor metodologice elaborate i implementate n activitatea
autoritilor publice centrale i/sau locale
7.25 Lista avizelor la proiecte de legi sau de alte acte normative (precizat)
7.26 Lista crilor de popularizare a tiinei
7.27 Lista articolelor de popularizare a tiinei
7.28 Lista manifestrilor organizate pentru utilizatori
7.29 Lista trgurilor i a expoziiilor naionale i internaionale la care a participat
organizaia (cu specificarea rezultatelor aprecierii exponatelor prezentate)
7.30 Lista filialelor
7.31 Lista subdiviziunilor comune n sfera tiinei i inovrii
7.32 Lista lucrrilor executate la comanda beneficiarilor de peste hotare
7.33 Lista organismelor tiinifice, n activitatea crora este antrenat organizaia
3
5
5
44
59
59
61
65
71
71
71
74
81
81
85
94
94
94
104
105
112
112
112
128
132
133
137
137
138
139
139
139
140
140
140
140
141
141
141
141
141
141
141
141
141
141
1. DATE GENERALE
Activitatea de cercetare n domeniul fizicii se realizeaz de la fondarea facultii de Fizic
(1946).
Facultatea de Fizic a asigurat pn n prezent pregtirea a peste 3000 specialiti. Prin
conjugarea rezonabil a activitii de instruire i investigaiile tiinifice desfurate la catedrele
facultii s-a pus temelia pregtirii fundamentale a specialitilor n domeniul fizicii. n rezultat
fiecare al zecelea absolvent a devenit doctor, iar fiecare al sutlea doctor habilitat n tiine
fizico-matematice.
Pe parcursul a cinci decenii a fost fondat coala de fizicieni, care activeaz cu succes n
diverse domenii ale economiei naionale, coal care este generatorul progresului n domeniul
fizicii teoretice, opticii i electronicii, fizicii corpului solid i fizicii computaionale.
Un rol deosebit n dezvoltarea tiinei la facultate aparine savanilor cu renume: membru
corespondent Iu.Perlin, profesor M.Kot, academicianul A.Simachevici, membru corespondent
E.Pocatilov, profesor L.Panasiuc, profesor V.Muinschi, profesorii universitari P.Gain.
D.Nedeoglo, M.Caraman, V.Gamurari.
Pe parcurs la facultate s-au creat mai multe coli i direcii tiinifice:
1. Teoria polaronic a strilor impuritare i a tranziiilor optice multifononice n
semiconductori polari i cristale ionice fondator membru corespondent Iu.Perlin.
2. Fizica i tehnologia cristalelor i straturilor subiri a compuilor semiconductori A3B5,
A2B6, A2B5 i A3B6 fondator profesor M.Kot.
3. Fizica i tehnologia heterojonciunilor n baza compuilor semiconductori A2B6
fondator acad. A.Simachevici.
4. nregistrarea fototermoplastic a informaiei optice fondator profesor L.Panasiuc.
5. Teoria polaronic a forei de legtur, bipolaronic i oscilaiile excitonice n structurile
multistratificate i suprafee fondator membru cor. E.Pocatilov.
6. Optica strii condensate fondator profesor V.Muinschi.
Ca o recunoatere binemeritat a nivelului nalt i importana cercetrilor tiinifice este
recunoaterea unei descoperiri n fizic Fenomenul propagrii n suprareele compoziionale a
polaritonilor fononici superficiali i trei Premii de Stat ale Republicii Moldova n domeniul tiinei
i Tehnicii, cu care sunt desemnate realizrile colaboratorilor facultii (a.a. 1980, 1982, 1989).
n prezent la profilul dat se efectueaz cercetri tiinifice n cadrul a trei catedre, un
Centru tiinific Materiale i dispozitive semiconductoare n componena cruia sunt
5 laboratoare de cercetare tiinific: Fizica structurilor multistratificate i magnetici molecu-
lari, Fizica semiconductorilor, Sinergetica, nregistrarea fototermoplastic, Fotonica i

metrologia fizic.
Potenialul tiinific cuprinde 93 cadre didactico-tiinifice, inclusiv 17 doctori habilitai,
48 doctori n tiine fizico-matematice i tineri de la masterat i doctorat.
La momentul actual cercetrile n cadrul profilului sunt axate pe direcia strategic:
05 Nanotehnologii, inginerie industrial, produse i materiale noi.
Pe aceast direcie n perioada anilor 2006-2010 s-au efectuat cercetri n cadrul a 5
proiecte de cercetare fundamental, 3 proiecte aplicative, 4 proiecte din cadrul Programului de
Stat, 2 proiecte tiinifice comune cu Federaia Rus, 2 proiecte tiinifice comune cu Germania,
4 proiect pentru tineri cercettori.
n cadrul profilului examinat s-au efectuat cercetri n cadrul a 12 proiecte i granturi
internaionale finanate de diferite fundaii (CRDF-MRDA, INTAS, NATO, SCOPES, FP7 .a.).
2. CAPACITATEA INSTITUIONAL I RESURSELE

2.1. Cadrul tematic i instituional de cercetare
Structura instituional
Directorul
Centrului
Consiliul tiinific
Consiliul
tiinific
specializat
Secretar
tiinific
LC
LC
Fizica structurilor
Fizica structurilor
multistratificate i magnetici
multistratificate i magnetici
moleculari
moleculari
ef laborator dr. D.Nica
ef laborator dr. D.Nica
LC
LC
Fizica
Fizica
semiconductorilor
semiconductorilor
ef laborator dr. A.Coval
ef laborator dr. A.Coval
LC
LC
nregistrare
nregistrare
fototermoplastic
fototermoplastic
ef laborator dr. O.Corac
ef laborator dr. O.Corac
LC
LC
Fotonica i metrologia
Fotonica i metrologia
fizic
fizic
ef laborator dr.
ef laborator dr.
I.Evtodiev
I.Evtodiev
LC Sinergetica
LC Sinergetica
ef laborator
ef laborator
dr. hab. A.Rotaru
dr. hab. A.Rotaru
Direciile principale de cercetare ale organizaiei

Direcia strategic 5: Nanotehnologii, inginerie industrial, produse i materiale noi
Direcia prioritar:
Nanotehnologii i materiale multifuncionale noi

Obiective:
-
Nanotehnologii cost-efective, materiale nanostructurate, compozite noi pentru

electronic, spintronic, optoelectronic i fotonic;
Noi metode tehnologice, procedee i utilaje de prelucrare complex i durificare a

suprafeelor;
Concepte i metode teoretice noi,
Fizica strilor condensate;
Proiectarea i oinerea materialelor noi multifuncionale cu aplicaii n industrie.
Noi tehnologii industriale i produse inginereti

Obiective:
-
Tehnologii scientointensive, produse inginereti i echipamente electronice

competitive;
Metode electro-fizico-chimice avansate pentru procesare, prelucrarea materialelor

i a produselor alimentare.
Informaie privind proiectele instituionale de cercetare

Direcia strategic 05. Nanotehnologii, inginerie industrial, produse i materiale noi
Cercetri tiinifice fundamentale
1.
Cifrul proiectului
Denumirea proiectului
Termenul executrii
Conductorul
proiectului:
Executorii proiectului:
06.408.035F
Structuri fototermoplastice din semiconductori calcogenici
pentru medii holografice
2006-2010
dr. Oleg Corac
Corac Oleg, cercet.t.coord.,dr. n tiine tehnice

Ciapurin Igor cercet.t.superior., dr. n tiine fizico-matematice
Rotaru Vasile cercet.t.coord.,dr. n tiine fizico-matematice
Prilepov Vladimir cercet.t.superior., dr. n tiine tehnice
Chiria Arcadi cercettor tiinific
Nasedchina Nadejda cercettor tiinific
Jidcov Iurii cercettor tiinific
Ciorni Alexei, ing.
Prin cumul:
Suchevici Constantin - cercettor t. superior, dr.n t. fizico-matematice
(0,5 cumul)
Guol Eduard cerc.t. c.1 .(0,5 cumul)
Bulimaga Tatiana - cerc.t. stag. (0,5 cumul)
studeni
Dezvoltarea i ameliorarea tehnologiilor de obinere a mediilor de
Obiectivele generale ale
nregistrare cu parametri-limit (sensibilitatea, rezoluia, transmiterea de
proiectului:
semitonuri) pentru sisteme de vizualizare la distan.
Impactul tiinific:
Purttorii fototermoplastici sunt unii dintre cei mai de perspectiv medii
optice pentru holografie n timp real. Rezultatele tiinifice obinute au fost
oglindite n brevetele de invenie i articolele tiinifice publicate n
Impactul tiinific,
perioada de referin.
Efectul economic:
economic i social:
Elaborrile tiinifice realizate n laborator prezint att interes tiinific,
ct i comercial. Astfel, n anul 2009 modelul pilot al instalaiei pentru
nregistrarea fototermoplastic a fost achiziionat de compania Physical
Optics Corporation (SUA).
Rezumatul rezultatelor obinute:
2006 A fost elaborat i confecionat instalaia optic pentru nregistrarea
hologramelor polarizate n polaritate circular i liniar a radiaiei
monocromatice a laserului He-Ne.
Au fost nregistrate imaginile interfereniale i hologramele obiectelor-test
transparente. n radiaie polarizat pe purttorul pe baz de pelicule subiri
de As-S-Se i strat termoplastic. Au fost evideniate efectele de polarizare
la nregistrarea imaginilor interfereniale fazice i a hologramelor, care permit
identificarea imaginilor hologramelor refcute suprapuse una peste alta. A
fost studiat dependena eficienei difracionale de starea de polarizare a
frontului cmpului optic. Metoda elaborat permite nregistrarea imaginilor
diverselor obiecte-test transparente pe aceeai suprafa a purttorului cu
refacerea ulterioar a imaginii n radiaie laser circular polarizat. Utiliznd
efectele de polarizare cercetate, cu ajutorul polarizatorului liniar, s-a reuit
divizarea imaginilor obinute, ceea ce permite majorarea de dou ori a
densitii informaiei pe o unitate de suprafa a purttorului studiat.
7
2007
2008
2009
2010
A fost efectuat calculul parametrilor optici ai instalaiei pentru microscopie

holografic.
Au fost obinute PFTP pe baz de As-Se-S-polimer cu sensibilitatea 10 6
cm2/J n domeniul =630640 nm cu grosimea stratului termoplactic pe
baza de poliepoxipropilcarbazol cu grosimea 0,7 m. Purttorii obinui
permit nregistrarea informaiei optice i a hologramelor cu ajutorul
laserului He-Ne (=633 nm) cu rezoluia 100-1200 mm -1. Au fost
nregistrate reelele interferometrice cu frecvenile spaiale de la 400 mm-1
pn la 1200 mm-1. A fost construit instalaia experimental i nsuit
metodica de nregistrare a hologramelor microobiectelor. A fost nsuit
metodica de restabilire a hologramelor microobiectelor.
A fost elaborat metoda i studiate posibilitile de utilizare a PFTP n
microscopia holografic. Au fost obinute i studiate hologramele vaporilor
concentrai ai lichidelor cu mrimea de la 10 pn la 100 .
Au fost obinui purttori fototermoplastici n baza sistemului As-Se-S-Sn
polimer cu sensibilitatea 106 cm2/J n domeniul lungimilor de und
=630640 nm i =500550 nm. n baza purttorilor obinui au fost
studiate procesele de nregistrare a hologramelor la radiaie laser cu
lungimile de und =633 nm i =532 nm. Au fost obinute holograme cu
rezoluia maxim pn la 1500 mm -1cu eficacitatea difraciei pn la 12%
n timp real t~3s. Au fost obinute imaginile microobiectelor pe purttorii
fototermoplastici, rastrate cu ajutorul interfereiei cu frecven nalt pn
la 1300 mm-1.
A fost elaborat i confecionat un dispozitiv autonom pentru nregistrarea
i restabilirea hologramelor microobiectelor mobile. n cadrul colaborrii
n parteneriat, dispozitivul autonom i purttorul fototermoplastic au fost
testate cu succes la Physical Optics Corporation (SUA)la nregistrarea
hologramelor dinamice a aerosolurilor.
n baza dispozitivelor cu microprocesoare programabile a fost elaborat i
confecionat instalaia pentru nregistrarea informaiei optice, a
interferogramelor i a hologramelor pe purttori fototermoplastici.
Instalaia elaborat permite nregistrarea informaiei optice n scar real
de timp (nu mai mult de 3 s.).
Au fost obinui purttori fototermoplastici n baza semiconductorilor
halogeni sticloi din sistema As 4Se3S3 i a stratului termoplastic din
oligomerul poliexopropilcarbazolului i a copolimerului butilmetacrilatului i
stirolului. Au fost obinui purttori ce posed sensibilitate holografic
SDE=1,5 106 cm2/J i putere de rezoluie R=2000 mm -1 (pentru iradierea cu
laser =532 nm) i SDE=2 106 cm2/J i R=1800 mm-1 pentru =633 nm.
Au fost studiate procesele de nregistrare a microobiectelor cu utilizarea
metodelor de rastrare interferenial pentru determinarea dimensiunilor
obiectelor nregistrate. Au fost studiate procesele de nregistrare a
hologramelor cu impulsuri i obinui purttori fototermoplastici pentru
holografia cu impulsuri. Conform rezultatelor cercetrilor efectuate a fost
semnat contractul cu Physical Optics Corporation (SUA) pentru
confecionarea i implementarea unui model pilot a aparatului pentru
nregistrarea microhologramelor pe purttor fototermoplastic.
Au fost obinui purttorii fototermoplastici n baza sistemului
As2S3(0,73)As2S3(0,27) u sensibilitate holografic S=6106cm2/J pentru radiaia
laser =0,532 m, puterea de rezoluie pn la 2200 -1, eficiena de
difracie la semnalul transmis nu mai mic 26% la frecvena de rezonan
a nregistrrii (aproape 1000 mm -1) i timpul de obinere a hologramei nu
mai mare de 2,5 s. A fost elaborat metoda de obinere a hologramelor
microobiectelor i determinarea dimensiunilor acestora n baza rastrrii
interfereniale a purttorilor fototermoplastici. Au fost nregistrate
holograme ale microobiectelor transparente cu dimensiuni de 25 m i
demonstrat posibilitatea determinrii caracteristicilor spaiale
i
dimensiunile liniare n baza metodelor holografice i computerizate de
prelucrare a informaiei optice.
2.
Cifrul proiectului
06.408.036F
Fenomene electronice n heterostructuri nanometrice i
8
Termenul executrii
Conductorul
proiectului:
clasteri cu valen mixt

2006-2010
membru-cor. Evghenii Pocotilov
Pocotilov Evghenii, doctor habilitat n t. fiz.-mat., profesor universitar, mcor. al AM

Nica Denis, eful laboratorului, dr. n t. fiz.-mat., confereniar cercettor
Gamurari Visarion, C..P, dr. hab. n t. fiz.-mat., prof. univ. (0.5 sal)
Boldrev Serghei, C..C., doctor n t. fiz.-mat.
Paladi Florentin, C..S., doctor n t. fiz.-mat.(0.5 sal)
Zincenco Nadejda, C..
Tarakanova Larisa, C.
Isacova Calina, C.. (0.5 sal).
Gaiu Nicolae, C.. (0.5 sal).
Ascherov Artur, C.. (0.5 sal)
Roca Ludmila, Ing. Cat. I
Tacu Nina, Ing. Cat. I (0.5 sal)
Fomin Vladimir, C..C., doctor habilitat n t. fiz.-mat., profesor
universitar (f. / pl.)
Gladilin Vladimir, C..S., doctor n t. fiz.-mat. (f. / pl.)
Klimin Serghei, C..S., doctor n t. fiz.-mat. (f. / pl.)
Kiseliova Elena, C..S., doctor n t. fiz.-mat. (f. / pl.)
Crmari Dmitrii, tehn. cat. I, doctorand
Cocemasov Alexandr, tehn. cat. I, doctorand
Obiectivele generale ale Cercetri teoretice ale proprietilor electronice, fononice i de transport
ale heteronanostructurilor, grafenului i clusterilor cu valen mixt
proiectului:
Impactul tiinific al proiectului const n dezvoltarea teoriei modern a
Impactul tiinific,
proprietilor electronice, fononice i termice ale structurilor
economic i social:
nanodimensionale, care a permis cercetarea i interpretarea efectelor noi.
Implementarea acestor efecte ar contribui la mbuntirea caracteristicilor
funcionale ale dispozitivelor micro- i nanodimensionale. Acesta este
impactul economic posibil al proiectului.
2006 Au fost n premier studiate teoretic proprietile fononilor acustici i optici
n heterostructurile plane cu canal conductor din GaN cu simetrie wurtzite.
Am stabilit n premier n mod teoretic existena maximumului de mobilitate
a electronului n heterostructura n dependen de valoarea cmpului electric
ncorporat. Se arat, c armturile AlN/GaN/AlN cu viteza sunetului mai
mare (mai mic) majoreaz (micoreaz) viteza de propagare a fluxului
fononic n heterostructuri. A fost dezvoltat concepia de dirijare a
proprietilor fononice ale structurilor nanometrice prin intermediul utilizrii
armturilor cu viteza sunetului mai mare ori mai mic. Aplicarea practic a
acestei concepii va permite de a mbunti proprietile fononice i de
transport ale aparatelor nanometrice.
Pentru prima dat a fost calculat spectrul vibronic al sistemului trimer cu
valen mixt pentru o for arbitrar a interaciunii vibronice. A fost
efectuat comparaia benzii optice de absorbie cu datele experimentale.
2007 La etapa iniial a proiectului au fost n premier studiate teoretic
proprietile fononilor acustici i optici n heterostructurile plane cu canal
conductor din GaN cu simetrie wurtzite. Am stabilit n premier n mod
teoretic existena maximumului de mobilitate a electronului n
heterostructura n dependen de valoarea cmpului electric ncorporat. Se
arat, c armturile AlN/GaN/AlN cu viteza sunetului mai mare (mai mic)
majoreaz (micoreaz) viteza de propagare a fluxului fononic n
heterostructuri. A fost dezvoltat concepia de dirijare a proprietilor
fononice ale structurilor nanometrice prin intermediul utilizrii armturilor
cu viteza sunetului mai mare ori mai mic. Aplicarea practic a acestei
9
2008
2009
2010
concepii va permite de a mbunti proprietile fononice i de transport ale

aparatelor nanometrice.
Pentru prima dat a fost calculat spectrul vibronic al sistemului trimer cu
valen mixt pentru o for arbitrar a interaciunii vibronice. A fost
Au fost studiate teoretic proprietile fononilor acustici i optici n heterostructurile plane cu canal conductor din GaN cu simetrie wurtzite.
A fost stabilit n mod teoretic existena maximumului de mobilitate a
electronului n heterostructura n dependen de valoarea cmpului electric
ncorporat. Se arat, c armturile AlN/GaN/AlN cu viteza sunetului mai
mare (mai mic) majoreaz (micoreaz) viteza de propagare a fluxului
fononic n heterostructuri.
A fost dezvoltat concepia de dirijare a proprietilor fononice ale
structurilor nanometrice prin intermediul utilizrii armturilor cu viteza
sunetului mai mare ori mai mic. Aplicarea practic a acestei concepii va
permite de a mbunti proprietile fononice i de transport ale aparatelor
nanometrice. Pentru prima dat a fost calculat spectrul vibronic al sistemului
trimer cu valen mixt pentru o for arbitrar a interaciunii vibronice. A fost
n baza modelelor molecular-dinamice moderne ale oscilaiilor reelei
cristaline au fost continuate cercetrile teoretice ale conductibilitii
electrice i termice. S-a stabilit teoretic faptul, c este posibil de a modifica
n mod orientat fluxul termic prin canalul conductibil al heterostructurii i
heterofirului la alegerea corespunztoare a materialului i grosimii
nveliului structurii.
A fost de asemenea dezvoltat teoria conductibilitii termice a
monostratului format din atomi de carbon grafenului, bazat pe calcul
exact al proceselor 3fononice de difuzie a fononilor. Aceast teorie ne-a
permis de a realiza interpretarea tiinific a valorilor-record ale
conductibilitii termice n grafen, obinute n mod experimental de ctre
grupul de cercettori n frunte cu prof. A.A. Balandin de la University of
California Riverside (SUA).
Rezultatele teoretice obinute posed o valoare aplicativ nalt, deoarece
n nanodispozitivele moderne una din problemele cele mai importante este
cea a controlului i dirijrii fluxurilor termice n scopul evitrii
supranclzirii lor, pe de o parte, i a micorrii pierderilor de cldur n
nanoelementele termoelectrice, pe de alt parte. De aceea dezvoltarea unor
teorii mai exacte a transportului termic va fi util experimentatorilor n
cutarea nanostructurilor cu dimensiuni i parametri funcionali optimali i
va permite de a cunoate mai profund fenomenele termice la nivel
nanometric.
Au fost cercetate particularitile transportului termic n grafen i n grafenul
multistrat. La descrierea proprietilor fononice ale grafenului am utilizat
unul dintre cele mai avansate modele molecular-dinamice pentru oscilaiile
reelei cristaline Valence-Force Field. n calculul conductibilitii termice
am inut cont de toate procesele 3-fononice Umklapp posibile. mpreun cu
grupul de experimentatori de la Universitatea Riverside din Califirnia am
descoperit i interpretat teoretic efectul neobinuit de micorare a
conductibitii termice a grafenului multistrat la majorarea numrului
straturilor monoatomare (a grosimii). Am stabilit, c conductibilitatea
termic n grafenul multistrat, format din 2, 3 i 4 straturi atomare, este mai
mic dect n grafen, dar mai mare de cteva ori dect conductibilitatea
termic a cuprului.
3.
Cifrul proiectului
Termenul executrii
Conductorul
06.408.037F
Impuriti de tipul d-elementelor n materialele semiconductoare II-VI
2006-2010
dr. hab. Dumitru Nedeoglo
10
proiectului:
Colibaba Gleb - doctor n tiine fizico-matematice, cerc. t. superior;

Suchevici Constantin dr. n tiine fizico-matematice, cerc. t. coord.
Sobolevskaia Raisa dr. n t. fizico-matematice, cercet. t. coord.;
Ursachi Veaceslav - doctor habilitat n tiine fizico-matematice,
cercettor tiinific superior;
Sirkeli Vadim - doctor n tiine fizico-matematice, cercettor tiinific
superior;
Siminel Anatol - doctor n tiine fizico-mateinatice, cercettor tiinific
superior;
Nicorici Andrei - doctor n tiine fizico-mateinatice, cercettor tiinific
coordonator;
Dvornicov Dmitrii - doctor n tiine fizico-mateinatice, cercettor
tiinific superior;
Radevici Ivan - cercettor tiinific;
Goncearenco Evghenii - cercettor tiinific;
Iurieva Tatiana - cercettor tiinific.
Obiectivele generale ale Obinerea i cercetarea complex a proprietilor electrice, optice i
proiectului:
luminescente a materialelor semiconductoare cu band interzis larg IIVI, dopate cu metale de tranziie din grupa fierului, pentru convertori
optoelectronici de energie n regiunea vizibil i infraroie a spectrului.
Un impact tehnologic important al rezultatelor proiectului este elaborarea
Impactul tiinific,
bazelor fizico-tehnice de obinere a monocristalelor de ZnSe structural
economic i social:
perfecte i doparea lor cu impuriti de metale de tranziie din grupa
fierului. A fost elaborat tehnologia cost-efectiv de obinere a suporturilor
de n-ZnSe cu parametri electrici controlabili i variabili ntr-un diapazon
larg de valori, care au cost mai mic comparativ cu cele analogice din
Europa. Suporturile de n-ZnSe cu densitate joas a defectelor structurale,
conductibilitate i suprafa mare, pot fi utilizate n calitate de matrici
multifuncionale pentru materiale nanocompozite i va interesa att grupuri
de cercettori din instituii naionale i strine, ct i organizaii industriale.
Impactul tiinific const n obinerea informaiei veritabile despre spectrul
energetic al impuritilor de metale de tranziie n n-ZnSe i procesele de
interaciune ale lor cu defectele native a cristalelor studiate. Sunt propuse
modele de centre de luminescen i mecanisme a recombinrii radiative,
responsabile de iradierea n regiunea vizibil i infraroie a spectrului.
Rezultatele cercetrilor sunt protejate cu brevete de invenie i publicate n
reviste de prestigiu cu impact-factor.
2006 A fost elaborat tehnologia minimizrii efectului alipirii cristalelor de
ZnSe de materialul tijei n procesul de cretere din faz de vapori, ce
permite pe contul creterii tangeniale a crete cristale cu suprafee mari
liberi de defecte i gemeni.
Este elaborat metoda reaciilor chimice de transport de cretere i dopare
cu crom a cristalelor de ZnSe. Sunt crescute cristale de ZnSe, dopate cu Cr
i CrCl3 n intervalul de concentraii de la 0 la 1 % at. de Cr n iht. Este
realizat doparea cristalelor de ZnSe din pelicula de Cr depus pe suprafaa
probelor. Este elaborat metodica de dopare i obinute cristale de
ZnSe:Cr, dopate din topitur de Bi. Este realizat doparea cristalelor de
ZnSe cu impuritate de Cr prin intermediul CrSe, HCl i cloruri de crom.
Este artat, c doparea cu Cr din mediul ce conine cloruri de crom este
mai efectiv, dect doparea din faz de vapori de CrSe. Este stabilit, c Cr
este stingtor a intensitii FL n regiunea vizibil a spectrului. Este artat,
c banda IR a iradierii la 2 m n spectrul de FL a cristalelor de ZnSe:Cr
este condiionat de ionii de Cr2+.
11
2007
2008
2009
Prin metoda trasportului fizic al vaporilor cu utilizarea suporturilor au fost

obinute monocristale de ZnSe structural perfecte de puritate nalt cu
rezistivitatea 108 cm i volum pn la 4 cm3.
Prin metoda reaciilor chimice de transport cu utilizarea iodului n calitate
de agent transportator au fost obinute cristale de ZnSe cu rezistivitatea
sczut i conductibilitatea 10 (cm) -1, concentraia electronilor dup
tratare termic a cristalelor n topitur de Zn este 10 18 cm-3.
A fost elaborat metoda de dopare a cristalelor ZnSe cu impuritile de Cr i
Mn n timpul creterii lor din faza gazoas prin metoda reaciilor chimice
de transport cu utilizarea iodului n calitate de agent transportator. Au fost
obinute cristale ZnSe:Cr i ZnSe:Mn cu nivelul de dopare diferit. A fost
stabilit, c impuritatea de crom este responsabil pentru iradierea n
domeniile excitonic (454 nm), impuritar (542 nm), IR apropiat (972 nm),
i mediu (2108 nm) ale spectrului de FL. A fost artat, c structura
spectrelor de transmisie i fotoluminiscene (FL) se formeaz cu participarea ionilor Cr+ i Cr2+.
A fost stabilit, c manganul n cristalele ZnSe:Mn creeaz centre iradiative
termostabile Mn2+, ce sunt responsabile pentru iradierea n domeniul
undelor lungi (590 - 630 nm), cauzat de tranziii intracentrale 4T1GA1 n
ionii MnZn2+.
Prin metoda reaciilor chimice de transport au fost obinute cristale de ZnSe
cu concentraia electronilor 61017 cm -3 i conductibilitatea 10 (cm)-1.
Prin metoda transportului fizic al vaporilor au fost obinute monocristale
de ZnSe cu densitatea dislocaiilor 510 3 cm -2, ce corespunde celor mai
bune rezultate mondiale.
A fost stabilit, c concentraia Cr n probe de ZnSe:Cr crete exponenial
cu mrirea duratei de difuzie a impuritii.
Au fost propuse tranziii optice n cristale ZnSe:Cr cauzate de recombinarea
electronilor liberi i localizai pe nivele donoare apropiate la banda de
conducie cu golurile de pe orbitele metastabile n apropierea ionilor Cr +.
Au fost obinute cristale p-ZnSe:Na cu electroconductibilitatea 1,6104
(cm)-1 la 300K.
A fost elaborat tehnologia doprii concomitente a ZnSe cu impuriti de
Cr-Fe, Cr-Mn, Cr-Al i cristalelor cu diferit concentraie a impuritilor
de Mn i Fe.
A fost studiat influen concentraiei Mn i intensitii iradierii de
excitante asupra structurii spectrelor de iradiere a cristalelor ZnSe:Mn n
domeniul vizibil i IR ale spectrului. n spectre de FL a fost observat o
band de iradiere vizibil (590 nm), cauzat de tranziii intracentrale n
ionii Mn2+.
n cristale ZnSe:Fe a fost stabilit formare a dou sisteme antiferomagnetice i
trecerea sistemei n stare paramagnetic cu mrirea cmpului magnetic.
A fost stabilit, c dopare prin difuzie a cristalelor ZnSe cu fier din topitura de
Zn creeaz magnetizare, caracteristic pentru sticle de spin cu temperatura
de tranziie Tsg~45K.
A fost elaborat tehnologia de cretere a monocristalelor de ZnSe n
atmosfera vaporilor Se2 i atmosfera vaporilor de Se i Te, libere de
dubluri, subfee i caviti. Este indicat perspectiva metodei date de
cretere pentru obinerea monocristalelor de ZnSe, dopate n procesul de
cretere cu elemente de tip d. S-a realizat creterea cristalelor
ZnSe:Ni(0,005%); ZnSe:Co[(0,010,1%)]; ZnSe:Cr[(0,01;0,025;0,05)%];
ZnSe:Cr[(0,025%)]:Co(0,025%); ZnSe:Co(0,03%):Cr(0,03%):Fe(0,03%).
S-a efectuat doparea cristalelor de ZnSe cu impuritate de Co n topituri de
Bi+Co(0,1%); Bi+Co[(NH4)3Cl5] (0,5%) i din faz de vapori CoSe. A fost
realizat tratarea termic a cristalelor ZnSe i ZnSe:Cr:Co:Fe n topitur de
Bi i cristalelor ZnSe:Cr n topitur de Zn.
12
2010
S-a artat c mrirea concentraiei de Ni n crystal conduce la atenuarea

intensitii benzilor de FL n regiunea vizibil i infraroie (lng 650 nm,
950 nm i 2060 nm). Odat cu creterea concentriei de Ni pn la 0,01%
at. se observ creterea intensitii de luminescen cu maximul aproape de
2610 nm (tranziiile 3T 2(F) - 3T1(F) n ionul de NiZn2+(d8)). La mrirea
ulterioar a concentraiei de Ni, intensitatea acestei benzi monoton
descrete.
S-a stabilit c spectrele de FL ale cristalelor de ZnSe:Co n regiunea
infraroie cu valori medii sunt reprezentate de o band cu intensitate mare
cu maximul la 2310 nm, ce este asociat cu tranziiile intracentrale ntre
strile duble d-d i de baz A2(F) ale ionului de Co2+
A fost ndeplinit doparea comun a cristalelor de ZnSe cu impuriti de
Mn+Al, Mn+Cr, Co+Cr+Fe. Este stabilit c, doparea comun cu Mn i Al,
conduce la creterea intensitii Fl ct n regiunea marginal, att i n
domeniul IR al spectrului i amplificarea intensitii radiaiei intracentrale
datorit majorrii concentraiei centrelor de luminescen pe baza Al,
majorrii concentraiei vacanelor de zinc. Doparea comun a ZnSe cu
impuriti de Mn i Cr n procesul de cretere al cristalelor conduce la
manifestarea intens a benzii de tranziii intracentrale n ionii de Mn 2+ i
creterea considerabil a intensitii de radiaie a lor, condiionat de
creterea concentraiei VZn i aportul tranziiilor intracentrale n ionii de
Cr2+. Doparea comun tripl a ZnSe cu impuriti de Co, Cr i Fe conduce
la o band compus de FL n regiunea IR a spectrului, care include n sine
toate particularitile benzilor IR, condiionate de fiecare tip de impuritate
dopant.
4.
Cifrul proiectului
Termenul executrii
Conductorul
proiectului:

proiectului:
Impactul tiinific,
economic i social:
06.408.038F
Efecte sinergetice la interaciunea radiaiilor electromagnetice cu mediile
biologice
2006-2010
dr. hab. Anatol Rotaru
Rotaru Anatol, Prof. univ., dr. hab., sef de lab.
Ghereghi Theodor, conf., dr., cerc. st. coor.
Nica Iurie, dr., cerc. st. coor.
Sura Costel, dr., cerc. st.
Ciobanu Nellu, dr., cerc. st.
Caireac Leonid, dr., cerc. st.
Antoniuc Constantin, , cerc. st.
Vasilache Corneliu, inginer
Potrnichi Liuda, inginer
Ciudin Ana, student
Efecte neliniare cu cuasiparticule de tip Boze n medii biologice
S-a demonstrat apariia mai multor efecte biologice la aciunea cmpului

electromagnetic exern cu particule de tip Boze. Utilizarea efectelor
cooperative i neliniare cu participarea particulelor Boze la tratarea
diverselor maladii.
2006 n reprezentarea cuantic secundar a fost obinut hameltonianul sistemului
de fotoni coereni, fononi-bose condensai i interaciunea acestora n
mediile biologice innd cont de angarmonismul sistemului. Au fost
obinute ecuaiile de micare ale operatorilor respectivi. Fenomenologic
13
2007
2008
ecuaiile respective au fost complectai cu termenii de atenuare i cei

fluctuani. Au fost obinute ecuaiile Langeven i echivalentul acestor
ecuaii, Fokker-Plank. Au fost studiate strile staionare ale sistemului de
fononi i fotoni coereni n dependen de intensitatea cmpului exterior. Sa studiat stabilitatea strilor staionare. S-a demonstrat, c n cazul cnd
strile staionare ale fotonilor coereni i fononilor boze-condensai sunt
instabile n sistem apar structuri temporale de divers natur: neliniarperiodice, cuaziperiodice i stohastice. S-a studiat topologia spaiilor de
faz respectiv i structura acestora.
A fost proiectat o instalaie experimental de expunere la iradiere cu
microunde a obiectelor biologice. Aceasta instalaie permite att expunerea
controlat a obiectelor la radiaii electromagnetice cu amplitudine
modulat de un semnal dreptunghiular (1000Hz) ct n absena
amplitudinii modulate
Reieind din hameltonianul ce descrie interaciunea neliniar de ordinul
trei i patru au fost obinute ecuaiile Fokker-Plank i Langevene ce descrie
evoluia sistemului de fononi boze condensai att sub aciunea cmpului
electromagnetic milimetric extern ct i cel intern. n aproximaia
determinist a fost obinut sistemul de ecuaii neliniare difereniale ce
descrie dinamica cvaziparticulelor de tip fononi boze condensai i fotoni
coereni n mediile biologice. Au fost studiate strile staionare ale
sistemului, stabilitatea soluiilor staionare, au fost determinate bifurcaiile
posibile i studiat topologia spaiului de faz n sisteme bozonice
disipative.
A fost obinut hameltonianul fononilor i fotonilor bose condensai n
mediile biologice innd cont att de termenii rezonani ct i cei
nerezonani a interaciunii fonon-foton.
A fost obinut sistemul de ecuaii neliniare difereniale innd cont de
neliniaritatea de ordinul patru ce descrie interaciunea fononilor bose
condensai distribuii omogen n obiectul biologic. Evoluia neliniar a
sistemului are loc n spaiu fazic patru dimensional. n aproximarea
rezonant a fost obinut integrala de micare a numrului de cvaziparticule i obinute soluiile exacte ale evoluiei sistemului ce se descriu cu
funciei eliptice, iar soluia pe separatoare reprezint micarea unui soliton.
n cazul considerrii termenilor antirezonani are loc distrugerea integralei
de micare a numrului de cvaziparticule, iar n vecintatea separatoarei
apare un strat stohastic, ca urmare regimul aperiodic dispare, iar micarea se
complic i poart un caracter cvaziperiodic.
A fost elaborat un bloc de alimentare n comutaie, autoblocat, cu separare
galvanic a reelei, cu stabilizator de tensiune n circuitul secundar, care
corespunde cerinelor impuse, din punct de vedere a zgomotului i riplului,
unuia pentru alimentarea diodelor GUNN.
Scurte caracteristici tehnice ale acestuia bloc snt cuprinse n urmtoarele
puncte:
-Funcioneaz n regim nesincronizat pe principiul oscilatorului autoblocat
-Separare galvanic a reelei faa de asiu
-Fregvena de oscilaie cuprins ntre 20-30KHz
-Protecie la funcionarea n gol i scurtcircuit pe ieire
-Plaja de variaie a tensiunii de reea admis, este intre 110 V i .240V.
-Pulsaia rezidual pe ieirea de 8 -12V este de 2-3V
-Randamentul electric este de 80%
-Puterea total absorbit de la reea la este cuprinsa n 0,5 9 W dependenta
de sarcin
-Domeniul normal de lucru este pentru puteri absorbite n 0,5 9 W
-Iesirea stabilizat furnizeaz tensiuni programabile n intervalul 7-12V la
cureni de sarcin cuprini n limitele 50-700 mA.
14
2009
2010
Frohlich a argumentat c metabolismul celulelor biologic active inhib

coeren manifestat prin condensarea Bose datorit vibraiilor elastice
longitudinale a dipolilor membranelor n diapazonul de frecven al
microundelor. Aceasta este echivalent cu formarea bose condensatului de
fononi n mediile biologice. Au fost studiate efectele neliniare cooperative a
fononilor bose-condensai n mediile biologice. A fost obinut
Hamiltonianul interaciunii fononilor bose condensai inndu-se cont de
angarmonismul combinat de ordinul trei i patru n condiiile rezonanei
fermi. S-au obinut ecuaiile de micare ale operatorilor bose condensai
fononi i fotoni inndu-se cont i de interaciunea acestora. Au fost introduse
strile coerente i obinute ecuaiile de micare mediate pe strile coerente.
Au fost obinute ecuaiile materiale ce descriu strile coerente slab
neomogene a polarizrii mediului biologic i ecuaia pentru cmpul
electromagnetic. S-au obinut diverse tipuri de soluii att staionare ct i
nestaionare. A fost obinut hamiltonianul particulelor bose-condensate n
mediile biologice innd cont de termenii antirezonani a interaciunii
fononilor i fotonilor. S-a demonstrat c termenii antirezonani conduc la
complicarea micrii i n anumite condiii pot aprea stri haotice n
sistemul de fononi i fotoni bose-condensai.
innd cont att de termenii rezonani ct i cei nerezonani ai interaciunii
fonon-foton a fost obinut hameltonianul fononilor i fotonilor bose condensai n mediile. A fost obinut sistemul de ecuaii neliniare difereniale
innd cont de neliniaritatea de ordinul patru ce descrie interaciunea fononilor bose condensai distribuii omogen n obiectul biologic. Evoluia
neliniar a sistemului are loc n spaiu fazic patru dimensional. n aproximarea rezonant a fost obinut integrala de micare a numrului de cvaziparticule i obinute soluiile exacte ale evoluiei sistemului ce se descriu
cu funciei eliptice, iar soluia pe separatoare reprezint micarea unui
soliton. n cazul considerrii termenilor antirezonani are loc distrugerea
integralei de micare a numrului de cvaziparticule, iar n vecintatea
separatoarei apare un strat stohastic, ca urmare regimul aperiodic dispare,
iar micarea se complic i poart un caracter cvaziperiodic.
5.
Cifrul proiectului
06.408.039F
Structuri n baz de Si, InP i GaN pentru conversia fotovoltaic i
optoelectronic
Termenul executrii
2006-2010
Conductorul proiectului: dr. Leonid Gorceac
Botnariuc Vasile, dr. n t. fizico-matematice, cerc. t. coordonator
Raevschi Simion, doctor n tiine tehnice, cercettor tiinific coordonator
Coval Andrei, doctor n tiine fizico-matematice, cerc. t. coord.
Cinic Boris, cercettor tiinific
erban Dormidont, doctor habilitat n tiine fizico-matematice, cercettor
tiinific principal, Laureat al Premiului de Stat n domeniul tiinei i
tehnicii a RM
Bruc Leonid, doctor n tiine fizico-matematice, cerc. t. sup.
Benderschii Andrei, cercettor tiinific,
studeni
Obiectivele generale ale Elaborarea tehnologiei de obinere i cercetarea straturilor subiri GaN pe
proiectului:
substraturi din Si cu diametrul cca 2 inci.
Confecionarea CS n baza HJ nCdS-pInP i cercetarea caracteristicilor
fotoelectrice n dependen de parametrii electrici i cristalografici ai
substratului.
15
Obinerea i investigarea structurilor de tipul n+ITO/pSi(mc).

Impactul tiinific:
Impactul tiinific,
Celule solare cu rezisten sporit la radiaie corpuscular;
economic i social:
Straturi subiri GaN cu cca 50 mm mai perfecte.
Impactul economic:
Posibilitatea confecionrii dispozitivelor optoelectronice cu
eficiena i durata de funcionare sporit ce se reflect i n aspect
economic.
Impactul social:
Utilizarea CS confecionate n energetica netradiional condiii
terestre i cosmice;
Confecionarea dispozitivelor optoelectronice pentru diapazoanele
albastru i violet ale spectrului vizibil (diode, lasere).
2006 Au fost elaborate tehnologiile de preparare a structurilor SIS ITO-InP
(metoda pulverizrii pirolitice), InP-CdS (metoda volumului cuazinchis n
vid) i confecionate celule solare (CS) pe baza lor. Studiul interfeei
structurilor i analiza caracteristicilor I-U, C-U de sarcin, a
fotosensibilitii spectrale i eficienei cuantice interne au permis s
apreciem:
valoarea atomic a componentelor chimice ale straturilor ITO i
grosimea lor;
lrgimea regiunii sarcinii spaiale 0,550...0,750 m;
parametrii energetici i eficiena maxim a conversiei fotovoltaice la
AM1 10,1%, ce aparine structurilor obinute pe substraturi cu
orientarea cristalografic (100);
intervalul fotosensibilitii 450...950 nm i intensitatea maxim a
curentului ce constituie 0,370 A/W.
A fost modelat, confecionate componentele de baz (blocul de distribuire
a gazelor reactante (H2, HCl, HN3, Ar etc.), reactorul, sistemul de nclzire
i reglare a temperaturii etc.) i asamblat instalaia tehnologic de
obinere a straturilor GaN prin metoda HVPE.
2007 A fost elaborat tehnologia de obinere a celulelor solare (CS) nCdS-pInP
prin metoda volumului cuazinchis n vid i stabilit regimul i orientarea
cristalografic optim a substratului (111A).
S-a stabilit influena n cretere a tratrii termice n hidrogen (temperatura
cca 350C ) asupra randamentului CS nCdS-pInP ( 10,1%).
A fost finisat i pus n funcie instalaia tehnologic de obinere a straturilor
epitaxiale GaN prin metoda HVPE.
Lucrrile efectuate vor permite selectarea tehnologiei optime de confecionare a bateriilor solare pe baza fosfurii de indiu la rezisten sporit la
influena radiaiei corpusculare, i a detectoarelor sensibile n regiunea
albastr i violet a spectrului vizibil.
2008 Au fost crescute strate buferale GaN sau AlN i cercetate morfologia
suprafeei lor n scopul majorrii gradului de acomodare a straturilor GaN
depuse pe substratele din Si prin metoda HVPE.
S-a constatat: Granulile straturilor buferale GaN haotic sunt amplasate pe
suprafaa Si i nu sunt epitaxiale;
Straturile buferale AlN (ultimul formeaz soluii solide cu GaN i
prentmpin formarea euteticii cu galiu la interfaa strat-substrat) sunt
epitaxiale, cu rezistena nalt i au o structur mai perfect. Prezena
benzilor de interferen n structurile AlN/Si demonstreaz necesitatea
optimizrii grosimii straturilor buferale AlN.
Au fost crescute straturi GaN pe AlN/Si ce necesit optimizarea
16
2009
2010
parametrilor lor n plan structural, al perfeciunii i a proprietilor

electrofizice. A fost optimizat tehnologia de preparare n dou cicluri
tehnologice a HJ p+InP-pInP-n+CdS:
La primul ciclu ce include obinerea straturilor intermediare pInP prin
metoda HVPE. Substraturile p+InP sunt amplasate n reactor ntr-un
gradient de temperatur n cretere de la 1,7C/cm pn la 2,1C/cm i o
vitez liniar a fluxului (H2+PCl3) n limitele 33-35 cm/min n zona de
depunere;
La al doilea ciclu s-a demonstrat c creterea straturilor epitaxiale n +dS
prin metoda deschis n flux de H2 pe substraturi InP amplasate cu
suprafaa de lucru inversat este mai avantajoas. Aceasta a permis
optimizarea vitezei de cretere i mbuntirea morfologiei straturilor CdS.
Au fost confecionate celule solare cu structura In- p +InP-pInP-n+CdS(Ag+Zn) cu puterea de generare 143 Wm-2 i randamentul 14% (AM1).
Au fost obinute structuri fotovoltaice Cu-n +ITO-pSi(mc)-Al i investigate
proprietile electrice i fotovoltaice ale acestora. Studiul caracteristicilor
I-V la diverse temperaturi a structurilor n+ITO-pSi(mc) polarizate direct a
permis determinarea parametrilor A (~2) i B (~0,4eV) i mecanismul de
trecere a purttorilor de sarcin prin bariera de potenial. A fost determinat
distribuia spectral a fotosensibilitii structurilor, care corespunde intervalului de lungimi de und 550...1200 nm cu maximul localizat n
apropiere de 900 nm.
S-a demonstrate posibilitatea obinerilor straturilor de AlN pe substraturi
eterogene prin metoda HVPE( H2-HCl-Al-NH3) n reactoare din cuar.
S-a demonstrat posibilitatea obinerii straturilor epitaxiale de GaN pe Si
utiliznd un strat de AlN depus la interfaa strat-substrat ntr-un ciclu
tehnologic .
S-au stabilit parametrii tehnologici optimali (temperatura de cretere,
valorile fluxurilor gazelor reactante, grosimea straturilor la interfsa etc)
la obinerea straturilor epitaxiale de GaN pe Si(111).
S-a demonstrat c straturile de AlN pe Si sunt structurate, au tensiune
nalta de strpungere (sunt dielectrice) si sunt tensionate mecanic n planul
substratului.
Au fost obinute i propuse pentru utilizare straturi si structuri de GaN,
AlN, GaN/AlN/Si(111) obinute pe plachete din siliciu cu diametrul de 2
inci.
Au fost cercetate dependenele parametrilor fotoelectrici ai CS nCdS-pInP
n dependen de orientarea cristalografic i parametrii electrofizici ai
substratului pInP i timpul de depunere a stratului epitaxial frontal nCdS.
Creterea concentraiei p n substrat n intervalul (10 16...1018)cm-3 conduce
la diminuarea parametrilor energetici ai CS ce este destul de pronunat
pentru p de cca 1018cm-3. Aceast micorare poate fi legat de schimbarea
lrgimii domeniului sarcinii spaiale i intensificarea proceselor de
recombinare odat cu majorarea concentraiei golurilor n pInP. Parametrii
energetici ai CS >12% sunt maximi n cazul duratei de cretere a stratului
nCdS de 25 minute. Aceast durat probabil asigur o grosime i o
morfologie optim a stratului frontal nCdS ce i determin prioritatea.
Fotosensibilitatea CS nCdS-pInP n regiunea lungimilor de und lungi ale
spectrului nu se nsoete de schimbri cu majorarea timpului de cretere,
fiind limitat de pragul de absorbie a fotonilor n InP. Cu micorarea
timpului de cretere a stratului nCdS curba fotosensibilitii are tendin de
a se extinde n regiunea de unde scurte a spectrului.
Au fost elaborate procedeele tehnologice de depunere a straturilor
epitaxiale de nitrur de galiu pe substraturi din siliciu cu multistraturi din
AlN, AlGaN la interfa la temperaturile 1000-1200C prin metoda
17
reaciilor chimice de transport.

S-a stabilit:
straturile epitaxiale pot fi depuse dac grosimea straturilor buferale de
nuclearizare variaz n intervalul de 50-200 nm, iar temperaturile de
depunere ntrec 1050C;
la etapa de nuclearizare a straturilor buferale eterogene este strict
exclus prezena componentelor reactante cu galiu;
prezena a 2-3 straturi intermediare de AlN,AlGaN ameliorizeaz
structura cristalin a stratului epitaxial de nitrur de galiu, iar n condiii
optimale, permite obinerea straturilor cu suprafaa poleit a straturilor
epitaxiale GaN/Si(111);
pentru astfel de straturi este caracteristic prezena maximului fotoluminescenei ce corespunde energiei benzii interzise a nitrurei de galiu;
concentraia i mobilitatea electronilor n straturile GaN au valorile
~1018 cm-3 i ~600 cm2/(Vs) corespunztor.
Cercetri tiinifice aplicate
6.
Cifrul proiectului
Termenul executrii
Conductorul
proiectului:
06.408.042A
Module fotovoltaice pe baza heterojonciunilor CdS-CdTe
2006-2010
dr. hab. Petru Gain
Fedorov, Vladimir doctor n tiine fizico-matematice, cerc. t. sup.

Vatavu, Sergiu doctor n tiine fizico-matematice, cerc. t. superior
Rotaru, Corneliu cercettor tiinific
Antoniuc, Constantin cercettor tiinific
Gagara, Ludmila doctor n tiine fizico-matematice, cerc. t. superior
Obiectivele generale ale Elaborarea tehnologiei de fabricare a modulelor fotovoltaice, pe baza
proiectului:
heterojonciunilor CdS/CdTe cu straturi subiri, cu aria 25 cm2 i
randamentul 10%
Elaborarea tehnologiei de fabricare a modulelor fotovoltaice pe baza
Impactul tiinific,
heterojonciunilor CdSCdTe cu straturi subiri va da posibilitatea de a
economic i social:
ncepe dezvoltarea n Moldova a industriei fotovoltaice, care este foarte
important pentru ar att din punct de vedere a aprovizionrii cu energie
ct i a formrii locurilor de munc. Lund n condideraie c ara noastr
este agrar, folosirea celulelor solare pentru alimentarea energetic a
gospodriilor rurale poate soluiona problemele de ridicare a nivelului de
trai a populaiei de la sate (utilizarea pompelor de ap alimentate de la
bateriile solare, alimentarea caselor, ncrcarea acumulatoarelor,
alimentarea telefoanelor, iluminrii strzilor .a.).
2006 Prin depunerea consecutiv a straturilor subiri CdS i CdTe prin metoda
volumului cvasinchis pe suporturi de sticl acoperit cu un strat subire de
SnO2 au fost obinut un set de probe (20 probe) de heterojonciuni CdS/CdTe.
S-au cercetat proprietile fotoelectrice i s-au determinat parametrii
fotoelectrici a heterojonciunilor CdS/CdTe obinute la iluminarea integral de
100 mW/cm2 i T=300 K. S-a stabilit c ridicarea temperaturii suportului pn
la 470-500C la depunerea stratului de CdS mrete tensiunea de circuit
deschis pn la 0,84 V la iluminarea 100 mW/cm2. A fost elaborat machetul i
s-a asamblat camera reactoare de depunere n volum cvasinchis a straturilor
subiri cu suprafee de 25 cm2.
2007 A fost elabora tehnologia de obinere a heterojoniunilor CdS/CdTe cu
straturi subiri cu aria ~25 cm2 prin depunerea consecutiv n volum
18
2008
cvasinchis a straturilor componente. Ca suporturi s-au folosit placi de

sticl cu aria 48 cm2 acoperite cu um strat conductibil de SnO2, transparent
(T~80% i conductibil ~10-3 cm). Pe un suport, ntr-un proces
tehnologic au fost obinute structuri cu o singur heterojonciune (S~25
cm2) i cu nou elemente cu aria suprafeei ~1 cm2 fiecare. Straturile
subiri de CdS i CdTe sunt policristaline cu structur hexagonal i cubic
respectiv i omogene dup structur, iar proprietile electrice i
fotoelectrice variaz cu 15-18% pe suprafaa straturilor.
Au fost obinute module n baza heterojonciunilor CdS/CdTe pe suporturi
de sticl cu aria 80x65 mm 2 acoperite cu un strat de SnO 2, transparent
(T~80% i conductibil ~10-3 cm). Un modul este constituit din 9
elemente. Suprafaa total a elementelor estimat dup suprafaa stratului
de CdTe depus constituie ~27 cm2. Construcia modulului constituit din 9
elemente urmrea dou scopuri: 1. mbuntirea colectrii purttorilor de
sarcin de neechilibru de ctre electrozii de Cu; 2. cercetarea
caracteristicilor J-V pentru fiecare element n parte. Parametrii de baz ai
N
U, V
2009
2010
0,812 0,810 0,807 0,800 0,798 0,800 0,810 0,726 0,814
I, mA 31,4 30,1 28,9 34,2 32,0 30,5 31,0 30,7 29,8

modulului sunt prezentate n tabel:
Curentul de scurt-circuit difer mai puin de 10% de la un element la altul, iar
tensiunea de circuit deschis mai puin de 3%. Rezultatele analizei
caracteristicilor J-V-T a artat o deviere nensemnata a dependenelor de
cele obinute anterior. La iluminarea integral a modulului coeficientul de
umplere constituia 0,31, Ucd=0,8 V, Isc=263 mA.
A fost determinat regimul tehnologic optimal de obinere n baza
heterojonciunilor CdS/CdTe a modulelor fotovoltaice cu aria ~27 cm2
(Tsup=300-320C, Tevap=540-550C, grosimea stratului de CdS-0,7-0,8 m;
iar a celui de CdTe-12-16 m). Structurile au fost obinute prin depunerea
consecutiv a straturilor subiri CdS i CdTe prin metoda volumului
cvasinchis pe suporturi de sticl cu aria 80x65 mm 2 acoperite cu un strat
de SnO2, transparent (T~80% i conductibil ~10-3 cm). n componena
modulului intr 9 elemente. Parametrii fotoelectrici a elementelor
modulului sunt destul de omogeni (curentul de scurt-circuit i tensiunea de
circuit deschis difer 3-7% de la un element la altul). Iluminarea
modululuicu lumin integral cu puterea de 100 mW/cm 2 a artat c
Ucd=0,72 V, Isc=271,4 mA, ff=0,41, =8,67%.
A fost elaborat tehnologia de obinere a modulelor fotovoltaice CdS-CdTe
prin depunerea consecutiv prin metoda volumului cvasinchis, ntr-un
singur proces tehnologic, a straturilor subiri CdS i CdTe pe suporturi de
sticl (68cm2) acoperite cu un strat conductiv de SnO 2 (T~80%). Modulul
fotovoltaic const din nou celule solare cu aria activ de 3 cm 2. n calitate
de contact ohmic la stratul de CdTe s-a folosit structura din dou straturi
Sb2T3/Ni care mrise factorul de umplere de la 0,35 pn la 0,57.
Randamentul elementelor componente a modului fotovoltaic CdS-CdTe
are valoarea 10,3-10,8%. Regiunea fotosensibilitii cuprinde lungimile de
und 0,52-0,85 m.
19
7.
Cifrul proiectului
Termenul executrii
Conductorul
proiectului:
06.408.043A
Nanocompozite n baza semiconductorilor AIIIBVI i fullereni C60 pentru
dispozitive optoelectronice
2006-2010
dr. Igor Evtodiev
Evtodiev Igor, dr. n t. fiz.-mat., conf. univ.

Caraman Mihail, dr. hab., prof. univ., consultant tiinific,
Lozovanu Petru, dr. n t. fiz.-mat., conf. univ.,
Vatavu (Cuculescu) Elmira, dr. n t. fiz.-mat,
Guru Virginia, dr. n t. fiz.-mat,
Spoial Dorin, c,
Jeru Victor, c,
Blaj Octavian, c,
Evtodiev Silvia, c,
Sava Alexei, magistru,
Until Dumitru, masterand,
Racove Oxana, masterand,
Rotaru (Chicu) Irina, masterand,
Luchian (Bounegru) Efimia.
Obiectivele generale ale - de a intercala compuii stratificai InSe i GaSe cu fullereni C 60, prin
aceasta de a crea structuri nanometrice lamelare de tipul Hal-Me-Meproiectului:
Hal-C60-Hal-Me- fotosensibile n domeniul vizibil, UV i la radiaii
ionizante cu parametri fizici stabili la doza de radiaie i n timp;
- de a elabora tehnologia de preparare a straturilor monocristaline de GaSe,
GaTe i InSe cu proprieti fotoelectrice n domeniul larg de frecvene;
- determinarea prin metode optice, luminescente i fotoelectrice a
diagramei nivelelor energetice a parametrilor fizici a strilor de captare
i recombinare a purttorilor de sarcin electric n nanostructurile
lamelare pe baza semiconductorilor GaSe i InSe;
- elaborarea modelelor experimentale de receptori de radiaii ionizante
polarizaional sensibile, determinarea parametrilor tehnici ale acestora i
stabilirea direciilor prioritare de utilizare practic a acestora.
S-a elaborat tehnologia de fabricare a electrolizilor solizi cu efect
Impactul tiinific,
acumulativ la nivel nanometric n producie. Iar folosirea metodei
economic i social:
electrochimice de intercalare a materialelor ecologice pure i ieftine sunt
folosii determinani ai elaborrii.
2006 Investigarea parametrilor structurali, dimensiunilor geometrice i a strilor
electronice pentru
elementele compoziionale cercetate, folosind
complementar metodele optice, fotoelectrice i radiative s-a stabilit att
compoziia de faz ct i diagrama strilor energetice localizate, precum i
caracteristicile semiconductoare principale ale acestora.
S-au stabilit mecanismele de generare, recombinare i cinetici n vederea
determinrii parametrilor tehnici a receptorilor pe baza structurilor
intercalate cu fullereni i dispozitivelor pe baza straturilor nanocristaline
de InSe, GaTe i GaSe.
S-a preparat compozitul mbogit cu fullereni din care a fost selectat
materia prim, determinnd gradul de puritate a fulerenilor C 60. Au fost
preparate structuri nanometrice GaSe/C60 i nanocompozite GaSe-C60 i
studiate proprietile optice n intervalul de temperaturi 78-400 oC.
2007 S-a elaborat tehnologia de preparare a filtrelor optice cu band larg pentru
regiunile spectrale 0,62028,0 m, 0,7518,0 m i 0,8221,0 m cu
coeficient de transmisie maximal de 82 % cu domeniul de aplicaie n
spectrometrie i n msurtori de temperaturi nalte. Fotoreceptorii cu
20
2008
2009
2010
straturi semiconductoare n stare nanocristalin i amorf de InSe cu banda

de fotosensibilitate 0,240,95 m i randament cuantic constant n regiunea
spectral 0,420,85 m. Se propun n calitate de element fotorezistiv n
instrumente de detectare i msurare a radiaiei UV, n ozonometri i n
dispozitive pirometrice pentru surse energetice cu temperaturi nalte.
Au fost fabricate mostre de laborator - fotorezistori cu excitare transversal
i longitudinal pe baza nanostructurilor semiconductoare de GaSe i InSe
carbon C60, S, Te i stabilite caracteristicile de baz a lor. Pe baza
compozitelor monocristaline de GaSe i InSe au fost confecionate
jonciuni monocompozit-monocristal i rezistori. Prin msurri optici
((h, T), dR/d=f (h, T),FL, LST) i fotoelectrici (CST, (T), J-E=f(T),
jl(h, T)) au fost stabilite prioritile aplicaiilor practice pe baza
structurilor sintetizate i parametrii tehnici a dispozitivelor experimentale
elaborate n calitate de sensor cantitativ de oxigen la temperaturi de pn
900oC.
Este elaborat tehnologia de intercalare a lamelelor monocristaline de InSe
i GaSe cu macromolecule de C60 i atomi din grupele I-V, prin aceasta de
a crea structuri nanometrice bidimensionale de tipul C 60-Se-In-In-Se-C60
fotosensibile n domeniul larg de lungimi de und (IR apropiat, vizibil,
UV).
Au fost confecionate structuri de tipul Me-GaSe-C 60-Me cu fotosensibilitate integral n regiunea vizibil i UV a spectrului. La iluminarea
jonciunii cu fascicol de 1000 lx, densitatea fotocurentului se mrete de
1000 ori. Multiplicitatea are valoarea 9,8102.
Fotoreceptorii pe baza acestor structuri au fotosensibilitate n cretere
monoton odat cu micorarea lungimii de und de la 670 nm pn la 220
nm.
Domeniul spectral de fotosensibilitate al fotorezistorilor din InSe dopat cu
Cd este cuprins n limitele lungimilor de und 2101060 nm, cu
sensibilitate de vrf la 590 nm. Raportul fotosensibilitilor la lungimea
de und 1=250 nm i max=590 nm pentru fotorezistori InSe (0,5 % at. Cd)
este 1:60. Rezistena intern a fotorezistorilor InSe dopat cu 0,1 % at., 0,2
% at. i 0,5 % at. de Cd este de 60103 , 72103 i 110103 , ceea ce
determin media ptratului tensiunii de zgomot termic egal cu 0,05 V,
0,06 V i 0,1 V la frecvena de 29 Hz cu f1 Hz. Tensiunea de zgomot
experimental n regim de rezisten de sarcin echivalent la frecvena 29
Hz cu f1 Hz pentru rezistorii elaborai este de 0,15 V, 0,18 V i 0,4
V, ceea ce este cu 25 % mai joas dect a fotorezistorilor produi n
serie din CdSe.
S-a determinat domeniul spectral de fotosensibilitate a fotorezistorilor NiGaSe-In i Sn-GaTe-In. La lungimea de und 253 nm raportul mediu al
fotosensibilitii rezistorului pe GaTe (S GaTe) i GaSe (SGaSe) este
SGaTe/SGaSe17.
8.
Cifrul proiectului
Termenul executrii
Conductorul
proiectului:
06.408.044A
Elaborarea tehnologiei de obinere prin metode chimice a compuilor
semiconductori AIIBVI i AIVBVI sub forma de pelicule subiri din cristalite
nanometrice pentru necesitile optoelectronicii
2006-2010
dr. Igor Dementiev
Igor Dementiev, doctor n tiine fiz.-mat., cercettor tiinific coordonator
Serghei Dmitriev, doctor, cercettor tiinific superior
21
Petru Petrenco, doctor n tiine chimice, cercettor tiinific (0.5 sal.)

Tatiana Goglidze, colaborator tiinific(0.5 sal.)
Tatiana Guu, colaborator tiinific(0.5 sal.)
Alexandru Zadorojnii , dr. t. chimice, cer.tiinific (0,5 sal)
Elaborarea tehnologiei de obinere prin metode chimice a compuilor
semiconductori AIIBVI sub form de pelicule subiri din cristalline
proiectului:
nanometrice
Impactul tiinific:
Impactul tiinific,
Metodele de sintez chimic sunt unele dintre cele mai perspective pentru
economic i social:
obinerea compuilor semiconductori monodimensionali A2B6. Rezultatele
tiinifice obinute au fost oglindite n brevetele de invenie i articolelor
tiinifice publicate n perioada de referin.
Impactul economic:
Metodele utilizate au o eficacitate economic nalt, deoarece nu necesit
utilaj costisitor i cheltuieli mari de energie.
Impactul economic:
Folosirea materialelor obinute pentru confecionarea convertoarelor cu
eficacitate nalt a radiaiei din regiunea lungimilor de und scurte n
radiaie vizibil n scopul tomografiei medicinale i a defectoscopiei
tehnice.
2006 S-a elaborat tehnologia de obinere a straturilor semiconductoare din CdS
i ZnS, i a soluiilor solide pe baza lor prin metoda pulverizrii chimice.
A fost asamblat o instalaie cu sistemul de reglare a soluiei ce este
pulverizat din mai multe surse n zona reactiv i cu dirijare automat a
temperaturii cu precizie de 2,0oC n regiunea de 200-450oC. A fost
elaborat o metod-expres optic de apreciere a omogenitii straturilor
depuse cu folosirea PC. Au fost determinate componentele soluiilor de
sruri metalice i tioureiei, temperaturi de sintezare pentru obinerea
straturilor subiri omogene CdS, ZnS, CdS:Cu, CdSZnS. S-au determinat
legitile generale de formare a structurilor straturilor pe suporturi de sticl
i cuar. S-a elaborat tehnologia de sintez a straturilor subiri ale sistemului
ZnS-CdS prin pirliza concomitent a soluiilor apoase de sruri de CdCl2,
ZnCl2, i SC(NH2)2. Au fost studiate proprietile optice, fotoelectrice i
luminiscente ale straturilor obinute. A fost efectuat studiul structurii i
compoziiei fazice a peliculelor, determinarea interdependenei dintru
particularitile structurale a peliculelor obinute i spectrele de transparent
optic, fotoconductibilitate i luminescent.
2007 Este elaborat tehnologia de sintez a straturilor subiri semiconductoare,
formate din cristalite nanometrice ale compuilor AIIBVI i AIVBVI prin
metodele depunerii chimice pe suporturi amorfe i cristaline din soluii
apoase ale srurilor de Zn, Cd, Pb ale tiouriei.
S-a cercetat influena parametrilor tehnologici de sintez asupra dimensiunilor cristalitelor i a componenei fazice a materialului substraturilor.
S-au cercetat proprietile optice, fotoelectrice i luminescente ale
straturilor subiri; s-a determinat influena dimensiunilor cristalitelor
asupra parametrilor fizici ale straturilor subiri obinute.
Analiza parametrilor fizici ale straturilor subiri din cristalite nanometrice
depuse pe substraturi amorfe i cristaline permite recomanda utilizarea
acestor straturi subiri n optoelectronic, n sistemele de nregistrare i
prelucrare a informaiei optice.
2008 A fost elaborat tehnologia de preparare a straturilor subiri ale structurilor
compuilor semiconductori polimer (ZnS, CdS) - (1070 nm).
A fost cercetat influena diferitor tipuri de iradiere (ultrasunet i ultraviolet)
asupra proceselor de formare a particulelor cu dimensiuni mici CdS, ZnS a
sistemului semiconductor-polimer. Au fost determinate condiiile de
22
2009
2010
formare a particulelor cu dimensiuni mai mici dect 100 nm (2050)nm.

Au fost studiate procesele de formare a sistemului dispersat de dimensiuni
mici a sulfurii de cadmiu i zinc utiliznd metodele UR-UV i
microscopiei electronice i analizei Roentghen i determinate regimurile
optime de depunere a straturilor cu particule de dimensiuni reduse.
A fost efectuat cercetarea complex a proprietilor luminescente, optice i
roentghenoluminescente a compuilor obinui. A fost obinut eantionul
experimental pentru nregistrarea i prelucrarea optic a informaiei, au
fost create machete ale ecranului fotoluminescent din strat subire i a
convertorului radiaiei Roentghen n regiunea spectrului vizibil.
Au fost elaborate recomandri pentru utilizarea peliculelor n dispozitive
optoelectronice i sistemele de telecomunicaii.
Au fost obinute straturi subiri din compui semiconductori cu particule de
dimensiuni mici pentru optoelectronic.
Sinteza sulfurilor de Cd i Zn a fost efectuat prin metoda depunerii
chimice din soluii apoase de cloruri ale metalelor i tiocarbamid. Aliajele
liante (Cu,In) au fost introduse att n procesul sintezei, ct i la
prelucrarea ulterioar a sulfurilor obinute. Analiza materialelor obinute a
fost realizat prin metoda difraciei roentgenice la difractometrul DRON,
care a demonstrat prezena att a materialelor de baz CdS i ZnS, ct i a
substanelor impuritare.
Sulfurile de Cd i Zn au fost obinute n form de straturi i de prafuri din
care au fost formate straturile subiri prin introducerea prafurilor n
polimeri (acroten, vopsea acrilic).
Studierea proprietilor optice, fotoelectrice i luminescente a probelor au
demonstrat c alierea cu cupru (concentraia CuCl 2 ~ 10 ml/L) a condus la
apariia benzii de absorbie n regiunea 0,6-0,75 m, la majorarea
fotosensibilitii i la existena luminescenei impuritare n regiunea 0,650,8 m.
A fost elaborat i fabricat instalaia de control expres a caracteristicilor
foto-i Roentgenoluminescente a straturilor de CdS i ZnS. Schema
dispozitivului const din sursa emitoare de radiaie (UV-laser cu =337
nm, UV-diod emitoare de lumin cu =400 nm, tub roentgen 0,5
30-Cu ), monocromator -23, multiplicator fotoelectronic -100 n
calitate de receptor al radiaiei i bloc pentru nregistrarea semnalelor, care
const din ,racordat la computer cu ecranizarea rezultatelor pe
monitorul acestuia n form de tabel de msurri i grafice.
n baza n baza luminoforilor sunt elaborate ecrane luminescente i
scintilatoare cu baz fix i flexibil, au fost determinate expoziiile
minime ale radiaiei roentgen, care constituie aproximativ 50 mR (U=12
kV), la care ste posibil fixarea imaginii roentgen cu rezoluia de 10
linii/mm.
A fost elaborat modelul de purttor fototermoplastic pe baza straturilor de
(ZnS-CdS)-semiconductori halogenici sticloi pentru nregistrarea imaginii
roentgen pe material termoplastic.
Au fost obinute prin metode chimice straturi subiri de CdS i ZnS, aliate
cu elemente din grupul I i III.
Au fost studiate proprietile optice, fotoelectrice i fotoluminescente a
straturilor obinute.
A fost creat convectorul de tipul luminofor-semiconductor pentru
Roentgenografie, pe baza starturilor obinute.
Au fost fabricate structuri fotosensibile de tipul semiconductorpolimerpentru utilizare n instalaiile de nregistrare i prelucrare a
informaiei optice.
Au fost obinute straturi nanodimensionale i prafuri de PbS, determinate
condiiile optime de sintetizare a acestora. A fost elaborat metoda de
23
control expres a fotoconductibilitii materialelor obinute cu vizualizarea

rezultatelor pe calculator.
Au fost obinute prafuri luminescente nanodimensionale de ZnSe i
perfectat metoda de obinere a prafurilor de ZnSe. A fost propus o
metod de msurare a duratei nivelului afterglow la expunerea prafurilor n
diapazonului vizibil i roentgen. Au fost efectuate elemente scintilatorii
(ecrane, matrice .a.) pe baz flexibil i fix.
Informaie privind proiectele de cercetare din cadrul programelor de stat

Direcia strategic 05. Nanotehnologii, inginerie industrial, produse i materiale noi
Progtamul de stat: Nanotehnologii, materiale noi multifuncionale
i microsisteme electronice conductor acad. Valeriu Caner
1.
Cifrul proiectului
Termenul executrii
Conductorul
proiectului:
06.408.02.04 P
Tehnologia compozitelor nanodimen-sionale i elaborarea receptorilor
2006-2007
dr. hab. Petru Gain
Gain Petru, Caraman Mihail, Lozovanu Petru, Bulimaga Petru, Fedorov

Vladimir, Gagara Ludmila, Vatavu Sergiu, Cuculescu Elmira, Studeni
Elaborarea tehnologiei de preparare a compuilor binari de tipul AIIBVI
proiectului:
(CdS, CdTe) sub form de straturi subiri cu structur nanocristalin,
caracterizarea complex, stabilirea spectrului energetic al strilor localizate
n rezultatul tratamentului termic n prezena soluiei CdCl 2 n vederea
realizrii elementelor fotogeneratoare pentru utilizare n module
optoelectronice i fotoelectronice.
Studii experimentale n vederea fabricrii nanoparticulelor din compui de
tipul AIIIBVI (GaS, InSe) i AIIBVI (CdS, CdTe) i a compozitelor din
acestea, prin msurtori complexe stabilirea caracteristicilor energetice,
determinarea constantelor optice i dependena acestora de intensitatea
fascicolului de lumin sond n vederea elucidrii direciilor prioritare de
utilizare practic a compozitelor din nanoparticule.
Studii structurale i a proprietilor optice, fotoelectrice i radiative a
stratului de la interfaa jonciunilor compozit nanocristalin-monocristal pe
baza compuilor de tipul AIIBVI (CdS, ZnTe, CdTe) cu scopul optimizrii
tehnologiei de fabricare a elementelor cu spectrul de fotosensibilitate larg
pentru celulele solare cu parametrii stabili la radiaii ionizante.
Elaborarea recomandrilor privind utilizarea nanostructurilor i
nanocompozitelor la fabricarea modulelor energeticii solare.
Tehnologiile elaborate n rezultatul realizrii proiectului vor servi ca baz
Impactul tiinific,
pentru produceri experimentale n partide mici a celulelor fotovoltaice,
economic i social:
receptori de radiaie, surse de radiaie coerent pentru domeniu vizibil al
spectrului etc., iar ridicarea calificaiei cadrelor tinere va putea servi pentru
formarea centrului de producere experimental, care ar putea activa pe
lng facultatea de fizic a USM.
2006 Prin metodele fazei de vapori i n volum cuaziechilibrat au fost obinute
straturi subiri de CdTe, CdS cu structur nanocristalin i de GaSe n stare
24
2007
amorf. S-a elaborat tehnologia de obinere a straturilor monocristaline de

GaSe i InSe cu grosimi nanometrice n care se manifest anizotropia
proprietilor optice i fotoelectrice. Straturile subiri de CdS, cu structur
nanometric i grosimi de 150-200 nm, s-au folosit ca material fereastr
n heterojonciunile CdS/CdTe. Micorarea grosimii stratului subire de
CdS aduce la lrgirea regiunii de fotosensibilitate a heterojonciunii
CdS/CdTe din partea lungimilor de und scurte pn la 380 nm, spre
deosebire de structurile cu stratul de CdS cu grosimea 1,0 m, care sunt
fotosensibile numai pn la 520 nm. Lrgirea regiunii de fotosensibilitate
mrete randamentul celulelor solare CdS/CdTe cu 0,40,6 %. Pe baza
straturilor nanodimensionale de GaSe au fost obinute mostre
experimentale de receptori de radiaii polarizate din domeniul vizibil i UV
al spectrului, care pot gsi aplicaii n diverse domenii ale optoelectronicii
moderne (de exemplu la citirea informaiei golografice).
A fost elaborat tehnologia de obinere a nanostructurilor prin intercalarea
semiconductorilor stratificai de GaS i GaSe cu fullereni C 60 i de obinere
a nanocompozitelor C60-PVP (polivinilpirolidon) i a compozitelor pe baz
de SiO2-nanodimensional C60 i PVP cu absorbie optic n domeniul violet
al spectrului.
Pe baza structurilor stratificate de SnO 2-C60 s-a elaborat tehnologia i au
fost preparate mostre experimentale de senzori de umiditate. La moment se
efectueaz testri cu scopul determinrii domeniilor de utilizare a lor n
procesele tehnologice ale industriei alimentare i farmaceuticii.
Prin metoda fazei de vapori au fost obinute straturi subiri de CdS cu
grosimea 150-200 nm, care s-au folosit ca material-fereastr n heterojonciunile CdS/CdTe. Micorarea grosimii stratului subire de CdS
conduce la lrgirea regiunii de fotosensibilitate a heterojonciunii n
domeniul UV al spectrului.
Au fost elaborate tehnologiile de obinere a nanostructurilor pe baz de oxizi
a metalelor i semiconductori de tipul AIIBVI i AIIIBVI i pe baza lor a
dispozitivelor optoelectronice.
Fotoreceptori cu sensibilitate polarizaional au fost obinui pentru
domeniul vizibil i UV al spectrului pe baza straturilor nanodimensionale
de GaSe.
Prin reacii fizico-chimice s-a preparat nanocompozit luminescent de tipul
CdS/polimer PVA (polivinilalcoolic) cu randamentul cuantic 0,820,85 n
regiunea vizibil a spectrului cu caracteristici tehnice stabile la aciunea
mediului nconjurtor.
Au fost obinute nanostructuri bidimensionale cu luminescen intens n
domeniul rou al spectrului prin intercalarea semiconductorilor stratificai
de GaS i GaSe cu fullereni C60.
Au fost preparate structuri de tipul SnO 2-ZnO-ZnSe i Ni-ZnO-ZnSe
fotosensibile n regiunea UV a spectrului (0,280,46 m). Randamentul
cuantic 0,48 e/foton, multiplicitatea 5103, sensibilitatea dup curent
3,1 A/lmV, sensibilitatea dup tensiune 3105 V/lm, constanta de timp
3,310-4 s.
A fost elaborat tehnologia de obinere a senzorilor termorezistivi cu
straturi subiri din Cr i V i a oxizilor lor pentru intervalul de temperaturi
290440 K: coeficientul de tenzosensibilitate 6, coeficientul termic al
rezistenei pozitiv 10-5105 grad-1 (oxid de crom) i negativ 10 -3-10-1
grad-1 (oxid de vanadiu).
S-a elaborat tehnologia de obinere a fullerenilor C 60 i pe baza lor a
senzorilor de umiditate cu straturi subiri SnO2-C60.
25
2.
Cifrul proiectului
Termenul executrii
Conductorul
proiectului:
08.805.05.04A
Elemente fotovoltaice i celule solare pe baz de CdTe pe suporturi
flexibile
2008
Dr. Tamara Potlog
Potlog Tamara, Nicorici Valentina, Bruc Leonid, Rotaru Corneliu, Spalatu

Nicolaie, Maticiuc Natalia, Enachi Mihai
Capros Nina, Romaniuc Elena, Calarasan Stefan
Obiectivele generale ale Elaborarea regimului tehnologic de preparare a straturilor subiri de
proiectului:
CdS, CdTe pe suporturi de poliamid/ITO i celulelor solare pe baza lor
prin evaporare termic n vid.
Cercetarea variantelor de tratare termic i chimic. Elaborarea
tehnologiei optime de tratare a structurii poliamid/ITO/CdS/CdTe, att
n absena, ct i prezena soluiei saturate de CdCl 2:
Determinarea pierderilor optice i ohmice n dependen de valorile
grosimii i conductibilitii stratului cu efect de fereastr;
Determinarea mechanismului de transport a curentului n celulele solare
poliamid/ITO/ CdS/CdTe;
Cercetarea distribuiei spectrale a eficienei cuantice i a fotorspunsului
spectral:
Determinarea parametrilor fotovoltaici a celulelor solare realizate n
funcie de condiiile tehnologice.
Cunostinele obinute vor fi puse la baza elaborrii noilor programe ale
Impactul tiinific,
cursurilor educaionale pentru studiile universitare, ciclul II (masterat) si
economic i social:
III (doctorat) n domeniul Conversiei Energiilor Regenerabile. Relansarea
producerii ntreprinderilor care staioneaz i crearea ntreprinderilor mici
i mijlocii pentru producerea componentelor sistemelor de conversie a
energiilor regenerabile. n condiiile actualei crize energetice impactul
socio-economic const n valorificarea i implementarea rapid a
tehnologiilor simple i puin costisitoare de realizare a celulelor solare, iar
aceasta va conduce la dezvoltarea unei noi ramuri de producere a energiei
electrice care ar satisface nevoile crescnde ale populaiei i micora
consumul de petrol, care poate fi utilizat mai eficient n industrii speciale.
Organizarea autohton a produciei de baterii fotovoltaice va contribui la
eficientizarea utilizrii resurselor umane din ar i fiind o energie
nepoluant va contribui la protejarea mediului nconjurtor.
2008 Au fost efectuate calculele teoretice a randamentului de conversie a
energiei solare n electric n funcie de lrgimea benzii interzise a CdTe
indic valoarea ~ 30 % mai mare ca la Si i CuInSe 2.
Celulele solare pe baz de CdTe obinute pe suporturi de sticl n condiii
de laborator prin metoda volumului cuazinchis cu randament record
mondial de 16,5 % au fost realizate n Laboratorul de Energetic
Netradiional (LEN) a SUA. Parametrii fotovoltaici: densitatea curentului
de scurtcircuit Jsc - 25,88 mA/cm2, tensiunea circuitului deschis UCD - 0,845
V, factorul de umplere FF= 76 %. Celulele solare pe baz de CdTe fabricate
la USM prin aceeai metod pe acelai suport de sticl ating randamentul
de conversie al energiei solare n electric ~ 10%. Parametrii fotovoltaici:
densitatea curentului de scurtcircuit Jsc - 23,62 mA/cm2, tensiunea
circuitului deschis UCD - 0,812 V, factorul de umplere FF= 49 %. Valorile
indicate pentru celulele solare fabricate la USM sunt confirmate de
msurtori efectuate n LEN a SUA. Sistemul fotovoltaic flexibil
poly/ITO/CdS/CdTe realizat prin evaporarea termic i condensarea n vid
26
atinge un randament de ~ 4%.

Suporturile flexibile de poliamid au urmtoarele prioriti n comparaie
cu sticla : nu necesit pregtire special in condiii de utilizare ca suport; nu
sunt fragile, se pot monta oriunde foarte uor pe orice tip de suprafa in
cteva secunde; au greutate redus; se pot utiliza pe nave cosmice, rulote,
acoperiuri ale cldirilor, rucsaci, corturi sau pentru aplicaii n aer liber;
snt rezistente la ap; producie roll-roll. Sistemul fotovoltaic flexibil
poly/ITO/CdS/CdTe a fost realizat prin evaporarea termic i condensarea
n vid nalt 510-7 torr. Parametrii fotovoltaici: densitatea curentului de
scurtcircuit Jsc - 16,72 mA/cm2, tensiunea circuitului deschis UCD - 0,565V,
factorul de umplere FF= 43,6, randamentul de conversie al energiei solare
n energie electric = 4,13%, rezistena serie Rs= 3,27 Ohmcm2 i
rezistena unt R = 1000,4 Ohmcm2. Optimizarea tehnologiei de obinere
pe suport flexibil a celulelor solare pe baz de CdTe ce ar permite
obinerea unui randament de conversie al energiei solare n energie
electric de ~ 10% ar putea rezolva 8-10% din necesitile de asigurare cu
energie electric a populaiei. Dezvoltarea autohton a produciei bateriilor
solare ar contribui la angajarea resurselor umane n ar.
Programul de stat: Nanotehnologii i nanomateriale - conductor dr. hab. Ion Tighineanu

3.
Cifrul proiectului
Termenul executrii
Conductorul
proiectului:
09.836.05.08A
Elaborarea tehnologiei de obinere a nanostraturilor pe baz de compui
GaInP/GaAs(InP) prin metoda de epitaxie din faz gazoas pentru aplicaii
la dispozitive fotovoltaice
2009-2010
Dr. Leonid Gorceac
GORCEAC Leonid, doctor n tiine fizico-matematice, 01.04.10 Fizica i

ingineria semiconductoarelor, confereniar universitar
BARANOV Simion,
doctor n tiine tehnice, 05.14.08 Conversia
energiei
RAEVSCHI Simion, doctor n tiine tehnice, 05.14.08 Conversia energiei
RUSU Emil, doctor habilitat n tiine tehnicde, 05.14.08 Conversia
energiei
BOTNARIUC Vasile, doctor n tiine fizico-matematice, 01.04.10 Fizica
i ingineria semiconductoarelor;
COVAL Andrei, doctor n tiine fizico-matematice, 01.04.10 Fizica i
ingineria
semiconductoarelor, confereniar cercettor, confereniar
universitar
CINIC Boris
SUMAN Victor
BALICA Alexandr, student
CERCEL Arcadie, student
Sporirea eficienei de conversiune a celulei fotovoltaice (CF) prin
incorporarea unui strat nanostructurat n structura GaInP/GaAs cu
proiectului:
aplicarea tehnologiei de epitaxie n sistemul Ga-AsCl 3-H2.
Impactul tiinific:
Impactul tiinific,
utilizarea principiilor tehnologice noi la confecionarea CS din GaAs.
economic i social:
Impactul economic:
sporirea randamentului CS prin ncorporarea stratului nanostructurat i
utilizarea luminii concentrate.
Inpactul social:
dispozitiv fotovoltaic modificat pentru energetica netradiional terestr.
27
2009
2010
A fost elaborat tehnologia de preparare a straturilor epitaxiale GaAs pe

substraturi nGaAs i SI-GaAs (semiizolator) i determinate/stabilite:
- Temperaturile de cretere (810-820)C n zona sursei de Ga: (720750)C n zona de depunere.
- Gradientul de temperaturi n zona de depunere l=(16-20)cm pentru
asigurarea unei grosimi omogene (constante) a straturilor (1,72,1)grad/cm.
- Viteza liniar a fluxului H2+AsCl3 (30-35)cm/min.
- Dependena vitezei de cretere a straturilor de concentraia AsCl 3 n H2
(majorarea concentraiei AsCl 3 n H2 (0,41,4)mol% conduce la
majorarea vitezei (2-4)ori).
- Dependena vitezei de cretere de orientarea cristalografic a
substraturilor (V(111)A >V(100) >V(111)B).
- A fost studiat morfologia i componenta atomic a straturilor GaAs.
- A fost cercetat variaia concentraiei golurilor n straturile epitaxiale
dopate pGaAs n dependen de temperatura sursei de Zn (presiunea
vaporilor).
A fost asamblat i experimentat instalaia tehnologic pentru creterea
nanostraturilor pentru o structur fotovoltaic cu dou cascade ntr-un ciclu
tehnologic integru.
Au fost obinute izostructurile de tipul p +InP-p-InP i confecionat CFV de
tipul n+CdS-p+InP-p-InP i cercetat caracteristica de sarcin la imitatorul
CT-1000 =12,3%.
Au fost cercetate caracteristicile de sarcin i puterea maximal a
convertoarelor fr strat poros la diferite concentraii a luminii incidente
(pn la 11 soare) la instalaia firmei COMELPRO S.R.L.
Pentru realizarea CFV cu strat MQW a fost elaborat metoda formrii
monooxidului de galiu (Ga2O3) pe suprafaa GaAs pentru formarea
ferestrelor la creterea nanofirelor.
A fost cercetat morfologia oxidului de galiu nanostructurat pe suprafaa
GaAs la microscoapele AFM i SEM.
A fost montat instalaia de epitaxie, s-a elaborat procedeul tehnologic de
fabricare a structurilor fotovoltaice p +-po-n+ pe suport GaAs i a fost
asamblat o CF cu suprafaa total de 15 cm 2 i parametrii: Ucd = 1 V,
Isc = 24,7 mA/cm2, FF = 0,76, = 19%, P = 0,29 W (AM1, imitatorul ST1000).
Prin metode chimice pe stratul po au fost create multiple centre de cristalizare,
dup care a urmat creterea stratului epitaxial n+. Structurile obinute au fost
studiate prin metode optice, spectroscopie Raman, MAF i DRX.
4.
Cifrul proiectului
09.836.05.09A
Noi structuri nanometrice multistrat semiconductoare cu aplicaii n
tehnologia conversiei i stocrii energiei
Termenul executrii
2009-2010
Conductorul proiectului: Dr. Igor Evtodiev
Evtodiev Igor, dr. n t. fiz.-mat., conf. univ.
Caraman Mihail, dr. hab., prof. univ.
Lozovanu Petru, dr. n t. fiz.-mat., conf. univ.
Vatavu (Cuculescu) Elmira, dr. n t. fiz.-mat
Spoial Dorin, cercettor tiinific
Sava Alexei, masterand
Until Dumitru, student
Luchian (Bounegru) Efimia, student
Rotaru (Chicu) Irina, student, Racove Oxana, student
Obiectivele generale ale - Elaborarea elementelor funcionale ale acumulatorilor de energie
28
proiectului:
electric pe baza nanostructurilor de InSe intercalate cu ioni ai metalelor

din grupa I;
- Elaborarea tehnologiei de obinere a cristalelor de InSe dopate cu Sn i Bi
cu concentraia purttorilor de sarcin liberi n>10 17cm-3;
- Elaborarea tehnologiei de fragmentare mecanic, ultrasonor i prin
corodare electrolitic a monocristalelor de GaSe i InSe n lamele cu
grosimi nanometrice i de mpachetare a acestora n electrozi a celulelor de
stocare a sarcinilor electrice;
- Studiul experimental al procesului de intercalare a ionilor metalelor din
gupa I (Li+) n nanocompozite de GaSe i a proceselor de emisie a ionilor
implantai;
- Studiul experimental al influenei factorilor interni (tipul de defecte,
gradul de dopare) i externi (iluminare, cmp electric, tratamentul termic,
temperatura, etc.), asupra procesului de intercalare i dezintercalare a
nanostructurilor de InSe;
- Stabilirea caracteristicilor tehnice a electrozilor nanostratificai i recomandrilor privind perfecionarea constructiv i mbuntirea caracteristicilor
tehnice a mostrelor experimentale.
Sensibilitatea fotoelelctric neselectiv spectral a fotoreceptorilor pe baza
Impactul tiinific,
structurilor cu semiconductori strarificai determin oportunitatea utilizrii
economic i social:
lor n dispozitive fotosensibile n domeniul UV i a radiaiilor ionizante i
n sisteme medicinale i de protecie contra radiailor cu efect biologic negativ.
Tehnologiile produse de intercalarea electrochimic i de oxidarea termic nu
indic utilizarea preparatelor i a utilajului costisitor i sunt ecologic pure.
2009 Este elaborat tehnologia de preparare a nanolamelelor monocristaline de
InSe i InSe:Cu cu anizotropie puternic a proprietilor optice,
fotoelectrice n interval larg de frecvene i de adsorbie selectiv a
moleculelor polare.
S-a stabilit dinamica adsorbiei pe suprafa i de intercalare a moleculelor
polare din atmosfer n micro- i nanocristalitele de InSe i InSe acoperite
cu oxid propriu cu grosime variat, rezultate care permit elaborarea
receptorilor de hidrocarburi, nitrii i oxizi a carbonului n stare molecular.
Au fost elaborate structuri InSe:Cu/semiconductor oxidic (Ti, Bi, In)
fotosensibile n intervalul UV-IR apropiat i cu sensibilitate selectiv la
gaze moleculare.
Prin metode optice, luminescente i fotoelectrice este determinat
diagrama nivelelor energetice a atomilor din gr. I-V n banda interzis a
cristalitelor de InSe. S-a determinat mecanismul de transport prin stratul de
contact InSe:Cu/semiconductor oxidic att al purttorilor de sarcin de
neechilibru, ct i a ionilor de Bi, Zn, Ti, mecanisme de baz n elementele
de acumulare a energiei electrice cu electrolit solid.
Rezultatele experimentale menionate n pct.1-4 stau la baza elaborrii
mostrelor de laborator: acumulatorilor de energie electric i, suplimentar,
receptori selectivi de gaze.
2010 A fost elaborat schema electric i asamblat modulul de amplificare a
generatorului de semnal sinusoidal cu frecvena cuprins n limitele 100
kHz1,0 MHz i tensiunea pe elementul piezoelectric de 2,5 kV. Au fost
selectate frecvenele de rezonan a piezoelementelor din plci de titanat
de bariu i din blocuri cilindrice din cuar (seciunea Z) cristalin. S-au
efectuat dispersri experimentale a cristalelor din InSe folosind ca mediu
lichid apa distilat i alcool etilic. S-a stabilit legtura dintre dimensiunile
medii ale microparticulelor din InSe nedopat i dopat cu 0,5 % at. Cd i
frecvena undelor sonore n lichidele folosite ca mediu de dispersare.
Informaie privind proiectele pentru tineri cercettori

29

1.
Cifrul proiectului
08.819.05.05F
Proprietile optice i de transport ale superreelelor formate din puncte
cuantice
Termenul executrii
2008-2009
Conductorul proiectului: Dr.hab. Evghenii Pocotilov
Isacova Calina, C..
Ascherov Artur, C..
Cercetarea proprietilor optice i de transport a suprareelelor
proiectului:
GaAs/AlGaAs i InAs/InGaAs, formate din puncte cuantice.
Impactul tiinific: cercetrile efectuate n cadrul proiectului au permis
Impactul tiinific,
de a studia teoretic transportul electronic i fononic n suprareelele din
economic i social:
puncte cuantice i de a formula recomandri teoretice privind
mbuntirea proprietilor de transport a acestor structuri.
2008 A fost dezvoltat teoria strilor electronice, de gol i excitonice n
suprareelele AlxGa1-xAs/GaAs i GaxIn1-xAs/GaAs formate din puncte
cuantice cu divers form: dreptunghiular, piramidal i cu forma
lentilei.
A fost cercetat influena formei i dimensiunilor punctelor cuantice
asupra ptrunderii funciilor de und ale purttorilor de sarcin n regiunea
de barier. Se arat, c forma punctelor influeneaz spectrele energetice i
forele oscilatorilor tranziiilor excitonice. A fost stabilit, c n suprareea
forele oscilatorilor rmn nsemnate ntr-un interval larg al energiei
excitonului, fapt explicat de posibilitatea micrii cuasilibere a
excitonului n suprareea. Modificnd forma punctelor cuantice putem
micora ori majora acest interval energetic cu 50-100 meV.
Rezultatele obinute denot perspective largi de utilizare a suprareelelor
AlxGa1-xAs/GaAs i GaxIn1-xAs/GaAs n optoelectronic, dispozitivele cu
foto-FEM i n laseri.
2009 A fost dezvoltat teoria transportului fononic i electronic n
suprareelele unidimensionale GaAs/AlGaAs i InAs/InGaAs. A fost
calculat conductibilitatea termic a reelei i mobilitatea electronilor n
structurile considerate i s-a efectuat compararea lor cu mrimele fizice
corespunztoare pentru firele cuantice omogene fr nveliuri. Este
artat, c conductibilitatea termic a reelei n suprareelele
unidimensionale este cu un ordin mai mic dect n firele cuantice
omogene cu aceeai seciune transversal. Acest fapt duce la majorarea
coeficientului termoelectric n suprareele n comparaie cu firul cuantic.
2.
Cifrul proiectului
08.819.05.08F
Spectrele energetice ale purttorilor de sarcin n suprareelele 3dimensionale formate din puncte cuantice de diferit form: influena
parametrilor materiali i a dezordonrii slabe
2008-2009
Dr. Denis Nica
Nica Denis, dr. n t. fiz-mat., conf. Cerc
Termenul executrii
Conductorul proiectului:
30

proiectului:
Impactul tiinific,
economic i social:
Cercetarea strilor electronice i de gol n suprareelele formate din

puncte cuantice cu diferit form.
Impactul tiinific: cercetrile efectuate n cadrul proiectului au permis
de a studia teoretic influen formei punctelor cuantice asupra spectrelor
energetice ale purttorilor de sarcin n suprareele.
2008 Au fost cercetate spectrele energetice i funciile de und ale electronilor
i golurilor din masivele ordonate Si/SiO2, GaAs/AlAs, GaAs/SiO2 i
GaN/AlGaN formate din puncte cuantice. Pentru calcularea spectrului
golurilor din suprareea a fost utilizat unul din cele mai moderne aparate
ale fizicii teoretice aparatul hamiltonianilor asimetrici 6- i 3-zonali ai
lui Bart. A fost stabilit faptul, c n dependen de nlimea barierei
poteniale i masa efectiv a purttorilor de sarcin, electronii i golurile
ptrund n mod diferit n regiunea de barier. Se arat, c n structurile
GaAs/AlAs i GaN/AlGaN se formeaz nite minibenzi energetice
relativ largi, iar purttorii de sarcin sunt cuasiliberi. n suprareelele
GaAs/SiO2 i Si/SiO2 se formeaz minibenzi energetice foarte nguste,
iar purttorii de sarcin n strile inferioare sunt localizai n cadrul
punctelor cuantice.
Rezultatele obinute prezint i un interes aplicativ, deoarece n ultimii ani
suprareelele din puncte cuantice se cerceteaz intens din punct de vedere
experimental, fiind considerate obiecte de perspectiv pentru utilizarea
n optoelectronic i termolelectricitate.
2009 A fost studiat influena formei diverse a punctelor cuantice ale
suprareelelor Si/SiO, GaAs/AlAs i GaN/AlN, asupra forelor
oscilatorilor perechii electrongol. Se arat, c variaia formei punctelor
cuantice poate deplasa banda absorbiei active n aceste suprareele cu
100200 meV, ct i modifica limea benzii de absorbie cu pn la 100
meV. De asemenea am stabilit n mod teoretic faptul, c abaterea slab
de la periodicitate n dimensiunea punctelor cuantice duce la o majorare
mic (de cteva procente) a limii minibenzilor energetice ale
suprareelei.
3.
Cifrul proiectului
08.822.05.04F
Optimizarea conductibilitii termice pentru dispozitivele
nanoelectronice
Termenul executrii
2008
Conductorul proiectului: Nadejda Zincenco
Nadejda Zincenco
Obiectivele generale ale Cercetarea proprietilor fononice ale nanostructurilor multistratificate i
proiectului:
stabilirea metodelor de dirijare a conductibilitii termice fononice a lor.
Impactul tiinific,
Impactul tiinific: au fost cercetate proprietile fononice i de
economic i social:
conductibilitate termic a nanostructurilor multistratificate i a fost
demonstrat posibilitatea de dirijare a conductibilitii termice fononice a
lor prin metodele ingineriei fononice.
Aplicarea n practic a ingineriei fononice pentru mbuntirea
managementului termic n dispozitivele nanodimensionale va permite de
a mbunti caracteristicile lor de lucru . n aceasta const impactul
economic posibil al proiectului.
2008 Au fost dezvoltate modelele dinamice FCC (face-centered cubic cell) i
VFF (valence- force field) ale oscilaiilor reelei. Au fost calculate spec trele energetice i vitezele de grup ale fononilor acustici n heterostructurile multistratificate i heterofirele cilindrice i dreptunghiulare. S-a
31
demonstrat, c armturile cu rigiditate nalt sau joas influeneaz energia, viteza fononic i conductibilitatea termic a heterostructurilor.
Conductibilitatea termic a fost obinut lund n calcul toate mecanismele de baz ale difuziei fononilor acustici. n procesul modelrii numerice au fost determinai parametrii geometrici i materiali ai nanostructurilor, convenabili pentru variaia optimal (majorarea sau micorarea) a
conductibilitii termice a reelei.
4.
Cifrul proiectului
10.819.05.02F
Dirijarea fluxurilor fononice n structurile nanodimensionale: rolul
proceselor 3-fononice Normal i Umklapp
Termenul executrii
2010-2011
Nica Denis, eful laboratorului, doctor n t. fiz.-mat., confereniar
cercettor
Isacova Calina, C..
Ascherov Artur, C..
Dezvoltarea teoriei proceselor 3-fononice Umklapp n nanofire i n
nanofirele cu seciune transversal variabil. Studierea proprietilor
proiectului:
fononice i a conductibilitii termice de reea n nanofirele cu seciune
constant i variabil.
Impactul tiinific: va fi dezvoltat teoria modern a proceselor 3- i 4Impactul tiinific,
fononice n nanofire, care va permite de a cerceta specificul transportului
economic i social:
fononic n ele.
2010 au fost cercetate spectrele energetice ale fononilor i conductibilitatea
termic de reea n nanofirele cu seciune variabil. Am stabilit, c
conductibilitatea termic n firul cu seciune variabil este cu un ordin de
mrime mai mic dect n nanofirul cu seciune constant datorit localizrii unei pri din modele fononice n poriunile largi ale nanofirului.
32
Informaie privind proiectele de cercetri bilaterale

Direcia strategic 02: Valorificarea resurselor umane, naturale i informaionale
pentru dezvoltarea durabil a economiei rii
1.
Cifrul proiectului
06.35CRF
Strile electronice i procesele optice n structurile punctelor cuantice de
Si n matricea dielectric ce conine ioni ale metalelor de pmnt rar
Termenul executrii
2006-2007
Conductorul proiectului: Membru cor. Evghenii Pocotilov
Nica Denis, c..
Zincenco Nadejda, c..st.
Roca Liudmila, tehn. Cat. I
Studierea teoretic a strilor excitonice n punctele cuantice din siliciu,
proiectului:
amplasate n mediul dielectric n prezena ionilor metalelor lantanide;
cercetarea proceselor de transfer iradiaionalal a energiei de la punctele
cuantice ctre ionii metalelor lantanide.
Impactul tiinific: au fost descrise teoretic strile excitonice n punctele
Impactul tiinific,
cuantice din siliciu, amplasate n matricea din SiO 2 i cercetate
economic i social:
mecanismele transferului iradiaional a energiei de la excitoni ctre ionii
metalelor lantanide.
2006 Au fost cercetate strile electronice i de gol n punctele cuantice
dreptunghiulare din Si cu nveli din SiO2.
A fost studiat dependena spectrului energetic al purttorilor de sarcin de gradul de ptrundere al funciei de und i dimensiunile punctelor cuantice.
A fost elaborat algoritmul numeric, care permite de a calcula rapid i
cu precizie nalt interaciunea Coulombian electron-gol n aceste
nanostructuri.
A fost cercetat dependena potenialului Coulombian de dimensiunile
punctelor cuantice i de permitivitatea dielectric a mediului exterior.
Rezultatele obinute vor fi folosite la calculul ulterior al strilor
energetice ale excitonilor n aceste structuri i la cercetarea mecanismului de transmitere a energiei de la excitoni la acceptorii energetici.
n
cadrul realizrii planului de lucrri comune cu Universitatea de Stat din
2007
Moscova M.V. Lomonosov noi am cercetat teoretic proprietile
electronice, de gol i excitonice ale suprareelor (SR) din puncte cuantice
(PC) de Si n matricea din SiO 2 cu ioni de Er3+ inclui. Parametrii
geometrici ale modelelor teoretice de SR se alegeau corespunztor
valorilor lor experimentale. Am cercetat SR din PC sferice i
dreptunghiulare cu diferite dimensiuni i distane ntre ele. Pentru
estimarea eficacitii procesului de transport energetic de la PC ctre
ionul Er3+ am cercetat ptrunderea funciilor electronice, de gol i
excitonice n mediul SiO2. n rezultat am obinut un acord bun cu
urmtoarele efectele, observate experimental:
1.
Deplasarea spre albastru a benzilor de fotoluminescen la
micorarea dimensiunilor PC;
2.
Ptrunderea mai puternic a funciilor de und electronice i
de gol dup bariera potenial n cazul PC mai mici;
3.
Creterea ptrunderii la generarea perechilor electron gol de
ctre fotonii cu energii mari.
Am concluzionat, c de transportul energetic este responsabil efectul de
ptrundere.
33

2.
Cifrul proiectului
08.820.05.29 RF
Cercetarea proceselor de fotosensibilizare a formelor active ale
oxigenului n sistemele din nanocristale semiconductoare pentru
aplicaii biomedicinale
Termenul executrii
2008-2009
dr. Serghei Boldrev
POCOTILOV Evghenii, doctor habilitat n tiine fizico-matematice,
profesor universitar, membru-corespondent al AM
NICA Denis, c..s., doctor n t. fiz.-mat., confereniar cercettor
ZINCENCO Nadejda, f/t
ASCHEROV Artur, f/t
ISACOVA Calina, f/t
ROCA Liudmila, f/t
Studierea proprietilor excitonice ale punctelor cuantice din siliciu,
proiectului:
amplasate n mediul apos ori n aer, ct i a mecanismelor de transfer
iradiaional a energiei de la excitoni ctre moleculele de oxigen.
Impactul tiinific: a fost dezvoltat teoria strilor excitonice n
Impactul tiinific,
punctele cuantice din siliciu, amplasate n mediul apos ori n aer, au
economic i social:
fost cercetate mecanismele de transfer iradiaional a energiei de la
punctele cuantice ctre moleculele de oxigen, au fost formulate
condiiile optimale de asigurare a unui transfer energetic maximal.
2008 Au fost cercetate strile electronice i de gol n nanocristalele Si i
Si/SiC, amplasate n vid i n mediul apei. La calcularea strilor de gol
a fost utilizat aparatul hamiltonianilor multizonali asimetrici ai lui
Bart. n calculul spectrelor energetice s-a inut cont de anizotropia
maselor efective ale purttorilor de sarcin i diferena n masa
efectiv pentru nanocristal i mediu.
A fost efectuat cercetarea influenei mediului exterior asupra
spectrelor i funciilor de und ale purttorilor de sarcin. Se arat, c
n nanocristalele, dispersat n mediul apei, se micoreaz
cuantificarea dimensional a spectrelor electronice i de gol datorit
ptrunderii funciei de und n regiunea de barier. Se stabilit faptul, c
n cazul nanocristalelor cu diametrul 2 3 nm, funcia de und
ptrunde n mediul apei la 0,5 1 nm.
Valoarea aplicativ a cercetrilor efectuate const n importana
obinerii strii biologic active a moleculelor de oxigen oxigenului de
singlet, care se folosete n biomedicin. Cercetrile, care se fac n
cadrul proiectului, sunt orientate spre optimizarea proceselor de
excitare a moleculelor de oxigen n starea biologic activ de singlet
prin transmiterea energiei de la excitonii din cristale ctre moleculele
de oxigen din mediul apei.
2009 n perioada drii de seam conform planului cercetrilor tiinifice au
fost determinate i cercetate teoretic spectrele energetice ale
excitonilor n puncte cuantice de siliciu, acoperite cu nveli din SiC i
n lipsa acestuia, amplasate n mediul apos i n aer. Se arat, c este
posibil de a modifica energia excitonului prin variaia grosimii
nveliului punctului cuantic.
De asemenea a fost demonstrat faptul, c cel mai eficient proces de
transfer a energiei de la exciton ctre moleculele de oxigen, situate n
mediul exterior, este procesul Auger, legat de tranziiile dintre nivele
excitonice. Procesul Auger de transfer energetic din starea se baz a
excitonului posed o probabilitate mai mic.
34
Valoarea aplicativ a cercetrilor efectuate const n importana

obinerii strii biologic active a moleculelor de oxigen oxigenului
singlet, care se folosete n biomedicin. Cercetrile realizate pe
parcursul anului 2009 au fost orientate spre determinarea celui mai
eficient proces de transfer energetic de la exciton ctre moleculele de
oxigen i stabilirea parametrilor geometrici optimali ai nanosistemului.
Aceste rezultate vor fi utile experimentatorilor n crearea
nanostructurilor cu proprieti optimale din punct de vedere al
transferului energetic
3.
Cifrul proiectului
Termenul executrii

proiectului:
Impactul tiinific,
economic i social:
10.820.05.03GA
Celule solare TCO/CdS/CdTe de eficien nalt cu straturi
nanometrice de CdS
2010
Dr. hab. Gain Petru
Fedorov Vladimir, doctor n tiine fizico-matematice, cercettor
tiinific superior
Vatavu Sergiu, doctor n tiine fizico-matematice, confereniar
cercettor
Rotaru Corneliu
Scurtu Roman
Incule Ion
Elaborarea tehnologiei de confecionare a celulelor solare cu eficien
nalt (>10%) pe baza heterojonciunilor CdS/CdTe, utiliznd (i)
straturi subiri de CdS de grosimi nanometrice (obinute prin metoda
chimic) n calitate de material-fereastr i (ii) stratul TCO dublu iZnO/ZnO:dopant in calitate de electrod frontal. Astfel, regiunea de
fotosensibilitate spectral a celulelor solare CdS/CdTe va fi lrgit
pn la 0,4 m datorita micorrii grosimii straturilor de CdS pn la
50-80 nm. In acelai timp, folosirea stratului TCO dublu va permite
mbuntirea parametrilor electrici i de structura ai ntregului
dispositiv fotoelectric.
Metode complexe de cercetare vor fi aplicate pentru determinarea
mecanismelor de transport a sarcinii electrice, canalelor de recombinare, pierderilor optice i electrice, degradrii. Influena defectelor
asupra proprietilor electrice i omogenitii interfeei heterojonciunilor CdS/CdTe (o ntrebare cheie n determinarea eficacitii cuantice)
va fi investigat prin diferite metode experimentale i
analizata/prognozata cu ajutorul modelarii computaionale. n rezultat,
tehnologia procesului de preparare a celulelor solare va fi optimizata
pentru obinerea eficientelor maxime.
Rezultatele obinute n proiect aprofundeaz studiul celulelor solare pe
baza heterojonciunii CdS/CdTe cu electrod frontal de ZnO:Al sau iZnO/ZnO:Al, ultimii fiind de perspectiv din punct de vedere a
micorrii costului de producie i, fiind folosite cu straturi
nanometrice de CdS, a mririi randamentului quantic extern.
Pe parcursul realizrii proiectului a fost obinute rezultate tiinifice
att de interes pentru comunitatea tiinific de domeniu ct i au fost
instruite cadrele tiinifice tinere (doctoranzi).
Pe parcursul realizrii proiectului i a efecturii cercetrilor
preconizate a fost consolidat colaborarea tiinific dintre
Universitatea de Stat din Moldova (USM) (echipa condus de prof.
univ. P. Gain) i Helmholtz-Zentrum Berlin fr Materialien und
Energie GmbH (HZB) (echipa condus de prof. Martha Ch. Lux-
35
Steiner). Au fost efectuate vizite de lucru ale cercettorilor de la USM

pentru efectuarea masurtorilor i a partenerului german de la HZB cu
scopul analizei preliminare ale rezultatelor obinute.
2010 A fost elaborat tehnologia de obinere a celulelor solare pe baza
heterojonciunilor CdS/CdTe prin metoda volumului cvasinchis,
utiliznd straturi subiri de CdS de grosimi nanometrice i TCO
(TCO= ZnO, ZnO/i-ZnO, ITO, SnO2) n calitate de electrod frontal.
n rezultatul cercetrilor tehnologice, structurale (au fost analizate
spectrele XRD i GI-XRD, EDX, i SEM pn i dup tratare termic
n prezena CdCl2) a fost stabilit regimul tehnologic optimal de depunere
i tratare a heterojonciunilor Sticl/TCO/CdS/CdTe/Metal.
Au fost cercetate dependenele curent-tensiune n intervalul de
temperaturi 130-350K i stabilit mecanismul de trecere a curentului
prin heterojonciunile cercetate. Cercetrile efectuate au permis
extinderea regiunii de fotosensibilitate a heterojonciunii, care
constituie 350-850 nm.
n rezultatul cercetrilor au fost obinui urmtorii parametri la
iluminarea AM1.5 (100 mW/cm2) pentru structura de tipul
SnO2/CdS/CdTe/Metal: Jsc=15,33 mA/cm2, Ucd=0,76, ff=0,47,
=5,46%; pentru structura de tipul ZnO:Al/CdS/CdTe/Metal: J sc=18,90
mA/cm2, Ucd=0,66, ff=0,345, =4,33%; pentru structura de tipul
ZnO:Al/i-ZnO/CdS/CdTe/Metal: Jsc=17,46 mA/cm2, Ucd=0,70, ff=0,49,
=6,00%; pentru structura de tipul ITO/CdS/CdTe/Metal: Jsc=15,60
mA/cm2, Ucd=0,67, ff=0,59, =6,15%.
4.
Cifrul proiectului
10.820.05.02GA
Conductibilitatea termic fononic n suprareelele 3-dimensionale,
formate din puncte cuantice In(Ga)As/GaAs i (Si)Ge/Si
Termenul executrii
2010
Membru cor. Evghenii Pocotilov
cercettor
Cercetarea proprietilor fononice i termoconductibile ale
proiectului:
suprareelelor unidimensionale i tridimensionale din puncte cuantice
de Ge (InAs), amplasate n matricea din siliciu (GaAs).
Impactul tiinific: a fost dezvoltat teoria conductibilitii termice
Impactul tiinific,
fononice n suprareelele 3D Si/Ge i InAs/GaAs din puncte cuantice,
economic i social:
determinai parametrii geometrici optimali ai suprareelelor pentru
asigurarea unei conductibiliti termice maximale.
2010 n cadrul modelelor molecular-dinamice Face-centred cubic cell i
Valence Force Field au fost cercetate teoretic proprietile fononice
i de conductibilitate termic a suprareelelor unidimensionale (1D) i
tridimensionale (3D) formate din puncte cuantice de germaniu (GaAs),
amplasate n matricea de siliciu (InAs). Se arat, c modificnd
dimensiunile i forma punctelor cuantice, ct i distana dintre ele, se
pot obine valori ultrajoase ale conductibilitii termice de reea (K < 1
W/mK) la temperatura camerei. Rezultatele obinute indic perspective
36
promitoare de utilizare a suprareelelor din puncte cuantice n calitate

de materiale termoizolante.
Cifrul proiectului
10.820.05.02GA
Conductibilitatea termic fononic n suprareelele 3-dimensionale,
formate din puncte cuantice In(Ga)As/GaAs i (Si)Ge/Si
Termenul executrii
2010
Membru cor. Evghenii Pocotilov
cercettor
Cercetarea proprietilor fononice i termoconductibile ale
proiectului:
suprareelelor unidimensionale i tridimensionale din puncte cuantice
de Ge (InAs), amplasate n matricea din siliciu (GaAs).
Impactul tiinific: a fost dezvoltat teoria conductibilitii termice
Impactul tiinific,
fononice n suprareelele 3D Si/Ge i InAs/GaAs din puncte cuantice,
economic i social:
determinai parametrii geometrici optimali ai suprareelelor pentru
asigurarea unei conductibiliti termice maximale.
2010 n cadrul modelelor molecular-dinamice Face-centred cubic cell i
Valence Force Field au fost cercetate teoretic proprietile fononice
i de conductibilitate termic a suprareelelor unidimensionale (1D) i
tridimensionale (3D) formate din puncte cuantice de germaniu (GaAs),
amplasate n matricea de siliciu (InAs). Se arat, c modificnd
dimensiunile i forma punctelor cuantice, ct i distana dintre ele, se
pot obine valori ultrajoase ale conductibilitii termice de reea (K < 1
W/mK) la temperatura camerei. Rezultatele obinute indic perspective
promitoare de utilizare a suprareelelor din puncte cuantice n calitate
de materiale termoizolante.
Informaie privind proiectele internaionale

1.
Cifrul proiectului
Termenul executrii

proiectului:
05.7519 MD
Detectoare de radiaii ionizante cu heterostructuri integrate cu
scintilatorul n baza semiconductorilor A2B6
2006-2008
Gain, Petru doctor habilitat n tiine fizico-matematice, profesor
universitar
Chetru Petru, dr. n tiine fizico-matematice, cercettor tiinific
Antoniuc Constantin, cercettor tiinific
Rotaru Corneliu, cercettor tiinific
Vatavu Sergiu, dr, cercettor tiinific superior
Kozak Dmitrii, inginer
Scopul proiectului este elaborarea tehnologiei de preparare a
detectorilor de radiaie ionizante (, , , raze X) de sensibilitate nalt
folosind compuii semiconductori: ZnSe(Te), CdSe, ZnTe.
Cristalele-scintilatoare ZnSe(Te), reprezentanii unei noi clase de
scintilatori, cu un randament de transformare a energiei radiaiei
ionizante n energie luminoas 18-20% pentru energii cuprinse ntre
37
0,00110 MeV (radiaia ) i 10200 keV (radia]ia X), mbinate cu

fotoreceptorii pZnTe-nCdSe, regiunea fotosensibilitii crora coincide
cu spectrul de radiaie a scintilatorului, d posibilitate de a confeciona
detectori de raze ionizante cu o structur integral, de o sensibilitate
nalt i fiabil.
Vor fi obinui detectori de radiaie ionizante ce funcioneaz n
domeniul dozelor de radiaie 0,00110 MeV (raze ) i 10200 keV
(radiaia X), cu sensibilitatea de doz 100 nA/cm2R/min, care pot fi
utilizai n dozimetrie i tomografia medical i cea industrial.
Starea mediului ambiant este unul din principalii indicatori care
Impactul tiinific,
definesc nivelul de trai al omului i perspectivele de dezvoltare a
economic i social:
statului. Reieind din situaia creat n Republica Moldova
determinarea nivelului radioactivitii i a componentei chimice a
atmosferei prezint un interes naional.
Elaborarea tehnologiei de obinere pe baza compuilor semiconductori
II-VI (CdS, CdSe, ZnTe, CdTe) a fotodetectorilor de sensibilitate nalt
la fluxuri slabe de lumin utiliznd ca suport cristalele scintilatoare
ZnSe(Te), confecionarea pe baza lor a detectorilor de raze ionizante
(, , , raze X) sensibile la doze mici de radiaii i aplicative n
Republica Moldova este determinat de posibilitile largi de utilizare
a acestor rezultate la analiza mediului ambiant din punct de vedere a
radioactivitii .
Straturile subiri de ZnTe i CdSe au fost obinute prin metoda
2006-2008
epitaxiei din faz cu vapori. A fost efectuat un studiu complex al structurii suprafeei n dependen de parametrii principali ai procesului de
epitaxiei (orientarea cristalografic a suportului, temperatura, presiunea
parial a impuritilor, gradul de suprasaturaie, timpul de depunere)
cu ajutorul metodelor metalografice, difreaciei electronilor si a razelor
X cu scopul determinrii mecanismului de cretere i regimurile
optimale de temperatur pentru depunerea straturilor.
Doparea straturilor de ZnTe cu arsen (As) i a straturilor de
CdSe cu indiu (In) a fost efectuat prin introducerea impuritii
dopante n fluxul vaporilor substanei depuse. Coninutul impuritii
dopante n faza gazoas a fost controlat prin intermediul temperaturii
sursei de dopant n corespundere cu dependena presiunii vaporilor n
funcie de temperatur:
pentru straturile de ZnTe Tsource=830C Tsubstr=640C
pentru straturile de CdSe Tsource=764C Tsubstr=620C
Spectrele de fotoluminescen i fotoconductibilitate au fost
studiate pentru straturile de ZnTe i CdSe. n spectrele de
fotoluminescen ale straturilor studiate au fost observate maxime
excitonice ce indic asupra perfeciunii cristaline ale straturilor
crescute. Aceasta este confirmat i de valoarea nalt a mobilitii
purttorilor de sarcin. n straturile expiaxiale de CdSe dopate cu In
mobilitatea purttorilor de sarcin este de 860-930 cm 2/Vs la 300K la
concetraia electronilor de (3 - 7)1016 cm-3, iar n straturile de ZnTe
mobilitatea golurilor este de 56 - 80 cm 2/Vs la concentraii de (2,0
6,3)1017 cm-3. Randamentul cuantic al nanostructurii n-ZnSe(Cd,Te)/pZnTe la T=300 este 0,72-0,78, iar t.em. atinge 1,2-1,4 V. Aceasta
presupune o separare efectiv a perechilor electron-gol generate optic
n stratul de interfa n prezena cmpului electric. Spectrele de
luminescen ale scintilatorului i al structurii fotosensibile se
suprapun puin, coeficientul spectral concordan a spectrelor de
38
emisie i sensibilitate nu depete 0,3. Cu toate acestea, datrit

valorii nalte a coeficientului de colectare a luminii ndetectoarele
ZnSe(Cd,Te)/ZnTe, sensibilitatea la raze X atinge valoarea
50 nmin/Rcm2, care este apropiat de parametrii detectorilor
conveionali de tipul scintilator Si-fotodiod. Detectorii
ZnSe(Cd,Te)/ZnTe au o dependen liniar a semnalului de ieire
pentru un diapason larg al energiilor razelor X 8-150 keV. Nivelul de
radiaie remanent nu depete 0,05% dup 20 ms. De menionat c
detectorii integrali au o duritate mecanic, dar i o stabilitate nalt la
radiaii, datorit absenei contactelor i o stabilitate nalt a compuilor
A2B6 n comparaie cu fotodiodele de Si. Aceasta permite de a
concluziona c caracterisiticile de ieire i funcionale ale detectorilor
integrali pot concura cu success cu detectorii de tipul scintilator Sifotodiod n dispozitive folosite la analiza radiaiilor.
2.
Cifrul proiectului
05.7656 MD
Excitons in semiconductor nanocrystals as energy suppliers for

optoelectronic and biomedical applications
Termenul executrii
2006-2008
Pocotilov Evghenii, membru-cor.
Nica Denis, doctor n t. fiz.-mat.,
Zincenco Nadejda,
Ascherov Artur, doctorand,
Isacova Calina, doctorand
Andrie Maxim
Cercetarea strilor excitonice n suprareelele din puncte cuantice de
proiectului:
Si, CdS i CdSe i a tranziiei iradiaionale a energiei de la excitoni
ctre ionii metalelor lantanide, amplasai n afara punctelor cuantice.
Au fost cercetate procesele de transfer iradiaional a energiei de la
Impactul tiinific,
excitonii din punctele cuantice ctre ionii metalelor lantanide i
economic i social:
formulate condiiile de realizare a unui transfer maximal.
2006 Au fost cercetate strile electronice i de gol n suprareelele din
puncte cuantice (PC) din Si, CdS i CdSe, gradul de ptrundere a
funciilor de und a electronilor i golurilor din PC n mediul
exterior. Funciile de und i spectrele energetice ale electronilor i
golurilor au fost obinute pentru PC de diferit form. Au fost
calculate dependenele interaciunii electronului i golului, energiei
excitonice, de forma i dimensiunile PC, ct i de nlimea barierei
de potenial. Rezultatele obinute permit optimizarea parametrilor
geometrici i materiali ai structurilor formate din PC vizavi de
valoarea ptrunderii.
2007 Au fost cercetate strile excitonice n punctele cuantice de Si cu raza
R diferit, amplasate n mediul SiO 2. Au fost determinate valorile
numerice ale energiilor interaciunii Coulombiene electron gol i a
autoaciunii. A fost cercetat suprapunera punctelor ansamblului i
determinat energia excitonului n dependen de distana dintre
centrele sferelor. Sae stabilit faptul, c ea devine minimal n cazul
unor distane intermediare. Spectrele energetice obinute au fost
utilizate la calcularea probabilitii transportului energiei de la
exciton ctre ionul de impuritate Er 3+. Am considerat c ionul este
situat n mediul SiO2 n apropierea PC din Si. Transportul de energie
este condiionat de interaciunea Coulombian dintre electronii
39
2008
ionului i electronul ori golul din PC.

A fost cercetat tranziia 4I15/2 4I13/2 n urma creia se excit
ionul Er3+, iar electronul din PC tranziioneaz din starea superioar
excitat ntr-o stare mai inferioar. Echilibrul energetic necesar se
obine datorit participrii n proces a fononilor optici superficiali ai
mediului. Se arat, c probabilitatea tranziiei depinde de raza PC i
descrete brusc la ndeprtarea ionului de la suprafaa PC. Au fost
determinate valorile optimale ale razei punctului cuantic.
3.
Cifrul proiectului
MOP2-5069-CH-06, CRDF,
USM Physical Optics Corporation (SUA)
Elaborarea tehnologiei de nregistrare a informaiei holografice de
vitez nalt cu utilizarea sistemelor de nregistrare cu putere de
rezoluie nalt n baza purttorilor fototermoplastici cu dou straturi
Termenul executrii
2007-2008
Dr. O.Corsac
O.Corac, A.Chiria, Iu.Jidcov, S.Neamu, S.Buzurniuc
Elaborarea tehnologiei de obinere a purttorilor fototermoplastici
proiectului:
pentru nregistrarea hologramelor impulsionate a microobiectelor
dinamice. Elaborarea i confecionarea instalaiei pentru nregistrarea hologramelor n timp real.
Impactul tiinific:Purttorii fototermoplastici sunt unii dintre cei mai
Impactul tiinific,
de perspectiv medii optice pentru holografie n timp real. Puterea
economic i social:
de rezoluie nalt (>2000 l/mm), sensibilitatea holografic nalt
(cca 1W/cm2) i viteza mare de obinere a hologramelor (cca 3 sec)
permite utilizarea cu succes a procesului fototermoplastic n
cercetrile tiinifice i n tehnologie.
Impactul economic: Elaborrile tiinifice realizate n laborator prezint att interes tiinific, ct i comercial cu posibilitatea realizrii
invenilor i elaborrilor pe piaa extern.
2007-2008 Rezultatele tiinifice obinute au fost oglindite n brevetele de invenie i articolele tiinifice publicate n perioada de referin.
Astfel, n anul 2009 modelul pilot al instalaiei pentru nregistrarea
fototermoplastic a fost achiziionat de compania Physical Optics
Corporation (SUA).
4.
Cifrul proiectului
CRDF MOE 2 2679 CS - 05
Denumirea proiectului Elaborarea senzorilor de gaze n baza straturilor subiri de
semiconductori vitroi care funcioneaz la temperatura mediului
ambiant.
Termenul executrii
2006 2008
Conductorul
Dr. I. Dementiev
proiectului:
Executorii proiectului: Goglidze Tatiana
Obiectivele generale
Scopul principal al cercetrilor comune al proiectului dintre USM
ale proiectului:
Universitatea din statul Maine (SUA) a fost crearea prototipului
senzorului de gaze, care funcioneaz la temperatura mediului
ambiant, pentru depistarea impuritilor toxice i inflamabile
(explozibile) din aer.
40
Proiectul ndeplinit are o nsemntate mare din punct de vedere

social, ecologic i economic. Meninerea calitii mediului
nconjurtor, controlul diverselor procese industriale, problemele
securitii sntii n producere, de asemenea prentmpinarea
atacurilor de teroare posibile cer crearea unei reele de senzore de
gaze chimice, care lucreaz n timpul real pentru monitorizarea
strii aerului. Ultima cere la rndul su organizarea confecionrii
n mas a senzorilor de gaze. Senzorii de gaze elaborate n cadrul
proiectului nu conin elemente de nclzire ce fac utilizarea lor
economic efectiv att din punct de vedere al producerii ct i din
punct de vedere al exploatrii.
Rezumatul rezultatelor obinute pe ani:
2006 A fost elaborat tehnologia de depunere a straturilor subiri de
semiconductori vitroi care poate servi ca baz pentru producerea
pe scar larg a senzorilor de gaze n baza acestor materiale.
2007 n baza cercetrilor s-a stabilit, c structurile elaborate posed de o
sensibilitate destul pentru depistarea aburilor de amoniac la
nivelul de 50 ppm (o particul de impuritate la un milion) la timpul
de reacionare a senzorului de 2 5 secunde la temperatura
mediului ambiant.
2008 Au fost optimizai parametrii senzorilor de gaze prin modificarea
suprafeei (corodarea chimic, metode holografice) care au permis
majorarea sensibilitii structurii elaborate cu 15 25%.
2009 Echipele din Republica Moldova i SUA au elaborat dou abordri
diferite a problemei de control a senzorilor de gaze, care de rnd cu
schimbul de informaii i idei, au fost reciproc avantajoase i au
adus un aport esenial la realizarea proiectului.
Impactul tiinific,
economic i social:
5.
Cifrul proiectului
03-51-4561
Denumirea proiectului Cercetarea i tehnologia celulelor solare n baza calcogenizilor de
cupru i indiu polimeri conductivi
Termenul executrii
01.03.2004 01.03.2007
Conductorul
dr.hab. P.Gain
proiectului:
Executorii proiectului: dr. P.Chetru
dr. V.Nicorici
D.Kozac
dr. S.Vatavu
dr. V.Feodorov
Obiectivele generale
1. Studii fundamentale ale proceselor de formare a diferitor
ale proiectului:
materiale calcoperite i polimeri contuctivi cu parametri electrici i
optici bine determinai.
2. Influena impuritilor aspura proprietilor electrice i optice
ale calcoperiilor (calcogenizilor de Cu i In) i polimerilor
contuctivi.
3. Studiul particularitilor de cretere a peliculelor subiri a
calcogenizilor de Cu i In i polimeri conductivi pentru aplicarea
lor n celule solare.
4. Elaborarea nanoparticulelor calcogenizilor de Cu i In prin
diferite metode pentru utilizare n celule solare pe baza polimerilor
41
conductivi.
Tehnologiile elaborate n rezultatul realizrii proiectului vor servi
ca baz pentru produceri experimentale n partide mici a celulelor
fotovoltaice, receptori de radiaie, surse de radiaie coerent pentru
domeniu vizibil al spectrului etc., iar ridicarea calificaiei cadrelor
tinere va putea servi pentru formarea centrului de producere
experimental, care ar putea activa pe lng facultatea de fizic a
USM.
Rezumatul rezultatelor obinute pe ani:
2006 Au fost obinute monocristalele de CuInSe2 prin metoda reaciilor
chimice de transport i prin metoda Bridgeman. Cristalele obinute
au fost folosite ca surs pentru peluculele subiri CuInSe2 fabricate
prin evaporate discret. Temperatura evaporatorului a fost de 11001150C, iar temperatura suportului a fost variat n limitele 250400C. Viteza de depunere a fost 0,1-0,4 m/min n dependen de
temperatura suportului. Straturile de CuInSe2 obinute au
grosimile cuprinse ntre 0.2-3 m i sunt constituite din cristalite
cu dimensiunile liniare medii de 0,2-0,5 m.
Concentraia golurilor n straturile de CuInSe2 pentru
temperaturi ce depesc 300K variaz de la 81016 cm-3 la
3,31020 cm-3, conductibilitatea variaz de la 410-3 (cm)1 la
190 (cm)1 i mobilitatea golurilor de la 2 cm2/Vs la 200
cm2/Vs. n straturile ce au concetraia golurilor de 1018 cm-3 a
fost detectat un nivel acceptor cu energia de activare de 0,13 eV, ce
poate fi determinat de atomul interstiial de selen.
Distribuia spectral a fotoconductibilitii a cristalului de
CuInSe2 cuprinde intervalul spectral 0,7-1,4 m cu un maxim bine
conturat la 1,21-1,25 m.
2007 A fost elaborat tehnologia de fabricare a heterojonciunilor cu
straturi subiri CdS-Cu(InGa)Se2 folosind metoda depunerii
consecutive a straturilor de CdS i CuInGaSe2 n volum
cvasinchis i evaporate discret pe suporturi de sticl 2x2 cm2
acoperit cu un strat transparent T80% i conductibil (10-2
cm) de SnO2. Straturile de CdS au grosimile cuprinse n
limetele 0,6-2,0 m, iar stratul de CuInGaSe2 1,6-6,0 m.
Heterojonciunile n baza peliculelor subiri CdSCu(InGa)Se2 au o structur planar n care SnO2 a fost folosit ca
contact ohmic pentru CdS, iar Ag i Cu eveporai termic au fost
folosite ca contacte ohmice pentru CuInGaSe2.
Analiza caracteristicilor I-V a heterojonciunii CdSCu(InGa)Se2 arat c curentul direct depete curentul invers de
8-16 ori. Heterojonciunile cu grosimea straturilor de CdS de 1,62,2 m, potenialul de difuzie are valoarea cuprins ntre 1,2-1,8
eV, iar pentru heterojonciunile cu straturi de CdS mai subiri (0,60,8) m, potenialul de difuzie este de 0,20-0,34 V. Rezistena serie
a heterojonciunii este de (3,3-5,2)103 i (1.4-2.3)102
respectiv. Curentul direct depinde exponenial de tensiunea
aplicat i temperatur. Curentul de saturaie este de (3-7)10-7 A.
Factorul diodic A=7,4 pentru structurile cu straturi groase de
Impactul tiinific,
economic i social:
42
CdS i A=1,2-4,8 pentru structurile cu straturi subiri de CdS.

Energia de activare determinat din dependena de temperatur a
curentului direct este de 0,31-0,46 eV.
Curentul invers depinde de temperatur ca o funcie de
puterei este determinat de cureni de scurgere. n structurile cu
straturi de CdS subiri, la polarizri mai mici de 0,15 V curentul
invers este determinat de cureni de tunelare.
La iluminarea heterojonciunilor CdS-Cu(InGa)Se2 cu
lumin integral, tensiunea de circuit deschis Uoc tinde la saturaie
la creterea intensitii luminii, iar curentul de scurt circuit Isc
crete la mrirea intensitii luminii incidente. La 300K, la
iluminare cu lumin integral de 80 mW/cm2 parametrii
fotovoltaici sunt: Uoc=0,14 V, Isc=0,26 mA/cm2 pentru structuri
cu straturi de CdS groase i Uoc=0,22 V, Isc=1,6 mA/cm2
pentru structuri cu straturi de CdS subiri, FF=0,26.
Regiunea de fotosensibilitate a heterojonciunii CdS-Cu(InGa)Se2
acoper intervalul spectralde 0,51 m la 1,1 m i este determinat
de generarea perechilor electron-gol n ambele materiale
componente. n structurile cu straturi de CdS groase absorbia n
CdS predomin comparativ cu structurile cu straturi de CdS
subiri. O regiune spectral larg (0,51-0,86) m unde este
observat fotosensibilitatea este determinat de o influen slab a
proceselor de recombinare a purttorilor fotogenerai.
43
2.2. Personalul uman
Nr.
d/o
Numele
prenumele
Anul
naterii
Studiile
obinute
Gradul
tiinific
Forma de
Stagiile de
Abilitarea cu angajare
Titlul
Stagiile de perfecionare
dreptul de
(de baz,
tiinific sau perfecionare
i/sau
conductor/
cumul
tiinificoefectuate
documentare
consultant de intern,
didactic
n ar
efectuate
doctorat
cumul
peste hotare
extern)
Funcia
deinut
Data i
rezultatul
ultimei
atestri
(concurs)
1.
Nedeoglo
Dumitru
1942
USM
Dr.hab.
Prof.univ.
Abil. 567
Spec.01.04.10
Cumul
intern
C..p.
2.
Gain Petru
1943
USM
Dr.hab.
Prof.univ.
Abil. 566
Spec.01.04.10
Cumul
intern
C..p.
3.
Rusu Emil
1943
USM
Dr.hab.
Conf.cercet..
Cumul
extern
C..p.
4.
Cliucanov
Alexandru
1943
USM
Dr.hab.
Prof.univ.
Cumul
intern
C..p.
5.
Fomin
Vladimir
1953
USM
Dr.hab.
Prof.univ.
c..s.
6.
Pocotilov
Evghenii
1927
USM
Dr.hab.
Prof.univ.
c..p.
7.
Gamurari
Visarion
1949
USM
Dr.hab.
Prof.univ.
Abil. 452
Spec.01.04.02
Cumul
intern
c..p.
8.
Caraman
Mihail
1941
USM
Dr.hab.
Prof.univ.
Abil. 565
Spec.01.04.10
Cumul
intern
C.. p.
9.
Evtodiev
Igor
1972
USM
Dr.hab.
Conf.univ.
Abil. 1123
Spec.01.04.10
Spec.13.00.02
Cumul
intern
C..c.
44
Baz
Baz
10.
Rotaru
Anatol
1949
USM
Dr.hab.
Prof.univ.
Cumul
extern
C.. p.
11.
Siminel
Anatol
1956
UTM
Dr.hab.
Conf.cercet.
Cumul
extern
C..p
12.
Ursachi
Veaceslav
1960
UTM
Dr.hab.
Conf.cercet.
Cumul
extern
C..p.
13.
erban
Dormidont
1939
USM
Dr.hab.
Prof.univ.
Cumul
extern
C..p
Prilepov
14.
Vladimir
1938
USM
Dr.
-.
Baz
c..s.
15. Corac Oleg
1938
USM
Dr.
Conf.cercet.
Baz
c..c
1961
USM
Dr.
Baz
c..s.
16.
Ceapurin
Igor
17.
Suchevici
Constantin
1943
USM
Dr.
Conf.cercet.
Baz
18.
Sobolevscaia
Raisa
1947
USM
Dr.
Conf.cercet.
Baz
19.
Colibaba
Gleb
1979
USM
Dr.
Baz
20.
Coval
Andrei
1947
USM
Dr.
Conf.cercet.
45
Baz
C..s.
C..s.
Cercet.t.
sup.
noiembrie
2007
Cercet.t.
coord.
noiembrie
2007
Cercet.t.
sup.
noiembrie
2007
Cercet.t.
sup.
noiembrie
2007
C..s.
C..c.
Cercet.t.
coord.
noiembrie
2007
21.
1941
USM
Dr.
Baz
22.
Botnariuc
Vasile
1945
USM
Dr.
Baz
23.
Gagara
Ludmila
1946
USM
Dr.
Conf.cercet.
Baz
24.
Fedorov
Vladimir
1952
USM
Dr.
Baz
25.
Vatavu
Sergiu
1977
USM
Dr.
Conf.cercet.
Baz
26.
Bruc Leonid
1952
USM
Dr.
Conf.cercet.
Cumul
extern
C..c.
27.
Gorceac
Leonid
1942
USM
Dr.
Conf.cercet.
Cumul
intern
C..p
28.
Chetru
Petru Ion
1944
USM
Dr.
Conf.univ.
Cumul
intern
C..s.
1952
USM
Dr.
Conf.univ.
C..s.
1940
UTM
Dr.
Conf.cercet.
C..c.
1950
USM
Dr.
Conf.cercet.
c..c.
Cercet.t.
coord.
noiem.2007
29.
30.
31.
Nicorici
Valentina
Baranov
Simion
Boldrev
Serghei
46
Cumul
intern
Cumul
extern
Baz
C..c.
Cercet.t.
coord.
noiem. 2007
Cercet.t.
coord.
noiembrie
2007
Cercet.t.
sup.
noiem. 2007
Cercet.t.
sup.
noiembrie
2007
Cercet.
t. sup.
noiem. 2007
Conf.-cercet.
noiemb.2008
Raevschi
Simion
C..c.
C..s.
C..s.
C..s.
32. Nica Denis
1979
USM
Dr.
Conf.cercet.
Abil. 1121
Spec.01.04.02
Baz
c..c.
Cercet.t.
sup.
noiemb. 2007
Conf.-cercet.
noiemb.2008
33.
Gladilin
Vladimir
1957
USM
Dr.
Conf.cercet.
Baz
c..s.
34.
Kiseleova
Elena
1955
USM
Dr.
Conf.cercet.
Baz
c..s.
35.
Klimin
Serghei
1955
USM
Dr.
Conf.cercet.
Baz
c..s.
36.
Casian
Vladimir
USM
Dr.
Conf.cercet.
Baz
c..s.
37.
Paladi
Florentin
USM
Dr.
Conf.univ.
Abil. 806
Spec.01.04.02
Cumul
intern
c..s.
Cercet.t.
coord.
noiembrie
2007
1971
38.
Dementiev
Igor
1938
USM
Dr.
Conf.cercet.
Baz
c..c.
39.
Dmitriev
Serghei
1958
USM
Dr.
Conf.cercet.
Baz
c..s.
40.
Zadorojni
Alexandru
1954
USM
Dr.
Conf.cercet.
Cumul
intern
c..s.
41.
Jereghe
Teodor
1944
USM
Dr.
Conf.univ.
Baz
C..c.
42.
Nica Iurie
1951
USM
Dr.
Conf.cercet.
Cumul
extern
C..c.
47
43.
ura Costel
1971
USM
Dr.
Cumul
extern
C..stagi
ar
44.
Caireac
Leonid
1946
USM
Dr.
Conf.cercet.
Cumul
extern
C..c.
45.
Ciobanu
Nellu
1982
USM
Dr.
Conf.cercet.
Cumul
extern
C..
46.
Lozovanu
Petru
1954
USM
Dr.
Conf.univ.
Cumul
intern
C.. s.
47.
Vatavu
Elmira
1980
USM
Dr.
Conf.univ.
Cumul
intern
C..
48.
Guru
Virginia
1964
USM
Dr.
Conf.univ.
Cumul
intern
C..
49.
Potlog
Tamara
1958
USM
Dr.
Conf. univ
Abil. 989
Spec.01.04.10
Cumul
intern
Cerc. t.
coord.
50.
Chiria
Arcadii
1964
USM
Baz
c..
Cercet.tiin.
noiembrie
2008
1947
USM
Baz
c..
1939
USM
Baz
c..
53. Guul Eduard
1957
USM
Cumul
extern
c..
54.
Cinic Boris
1943
USM
Baz
55.
Antoniuc
Constantin
1949
USM
Baz
Nasedchina
Nadejda
52. Jidcov Iurie
51.
48
C..
C..
Cercet.tiin.
noiembrie
2008
56.
57.
58.
59.
60.
61.
62.
63.
64.
Rotaru
Corneliu
Iureva
Tatiana
Radevici
Ivan
Goncearenco
Evghenii
apoval
Oleg
Zavadschi
Anatol
Suman
Victor
Benderschi
Andrei
Dmitroglo
Liliana
1964
USM
1966
USM
1986
USM
1986
USM
1970
USM
1957
UTM
1970
USM
1950
USM
1984
USM
65.
Incule Ion
1986
USM
66.
Scurtu Roman
1984
USM
1955
UTM
1945
USM
1964
USM
1983
USM
1982
USM
Kozac
Dumitru
Taracanova
68.
Larisa
67.
69. Gaiu Ncolae

Isacova
Calina
Ascherov
71. Artur
70.
49
Baz
Cumul
intern
Cumul
intern
Cumul
intern
Cumul
extern
Cumul
extern
Cumul
intern
Cumul
extern
Cumul
intern
Cumul
intern
Cumul
intern
Cumul
intern
Baz
Cumul
intern
Baz
intern
Cumul
intern
C..
Cercet.tiin.
noiembrie
2008
C..
C..
C..
C..
C..
C..
C..
C..
C..
C..
C..
c..
c..
c..
c..
Goglidze
Tatiana
1947
USM
73. Guul Tatiana
1952
USM
74.
Spoial Dorin
1968
USM
Baz
C..
75.
Geru Victor
Evtodiev
Silvia
Until
Dumitru
Blaj
Octavian
1963
USM
Baz
1982
USM
Baz
1987
USM
Baz
C..
C..
stag.
C..
stag.
1982
USM
Baz
72.
76.
77.
78.
50
Cumul
extern
Cumul
extern
c..
c..
C..
Cercet.tiin.
noiem.2008
-
LISTA PERSONALULUI AUXILIAR: STUDENI, MASTERANZI, TEHNICIENI, INGINERI

Nr.
d/o
Anul naterii
Studiile obinute
Forma de angajare (de baz, cumul

intern, cumul extern)
Funcia deinut
1951
1984
Colegiul auto i drumuri
Baz
Inginer cat. II
2.
Ciorni Alexei
Crmari Dumitru
Student USM
Cumul intern
Tenh. Cat.I
3.
Munteanu Valentina
1990
Student USM
Cumul intern
Tenh. Cat.I
4.
Panasiuc Ilia
1993
Student USM
Cumul intern
Tenh. Cat.I
5.
Balica Alexandr
1992
Student USM
Cumul intern
Tenh. Cat.I
6.
Cercel Arcadie
1991
Student USM
Cumul extern
Tenh. Cat.I
7.
Reuchi Grigore
1990
Student USM
Cumul intern
Tenh. Cat.I
8.
amrova Galina
1961
USM
Cumul intern
Tenh. Cat.I
9.
Roca Ludmila
1960
USM
Baz
Inginer cat.I
10.
Tacu Nina
1947
USM
Cumul intern
Inginer, c.I.
11.
Cocemasov Al.
1987
Masterand USM
Cumul intern
Tehnician, c.I
12.
Jerep Tatiana
1989
Student USM
Cumul intern
Tehnician c.I
13.
Gubceac Ghenadii
1988
Masterand USM
Cumul intern
Tehnician c.I
14.
Vasilache Corneliu
1956
Inginer coord.
15.
Ciudin Ana
1989
Student USM
Baz
Cumul intern
Tehnician, c.II
16.
Chicu Irina
1987
Student USM
Cumul intern
Tehnician, c.II
17.
Racove Oxana
1987
Student USM
Cumul intern
Tehnician, c.II
18.
Luchian Efimia
1987
Student USM
Cumul intern
Tehnician, c.II
19.
Daniliin Vadim
1987
Student USM
Cumul intern
Tehnician, c.II
20.
Sava Alexei
1986
Masterand USM
Baz
C..stag.
1.
Numele prenumele
51
Stagiile de perfecionare i documentare efectuate peste hotare
2006
Nr.
d/o
Numele, prenumele, gradul i

titlul tiinific
1.
V. Casian, cerc. t. sup. LC

Fizica Structurilor
Multistratificate
2.
S. Raevschi, cerc. t. sup. LC

Fizica Semiconductorilor
3.
V. Botnariuc, cerc. t. sup. LC

4.
A. Foca,cerc. t. sup. LC Fizica

Semiconductorilor
5.
V. Sirkeli, dr., cerc. t. LC

6.
L. Bruc, cerc. t. sup. LC Fizica

Semiconductorilor
7.
V. Suman, inginer t. 3F 29
8.
S. Vatavu, cerc. t. LC Fizica

Semiconductorilor
9.
El. Cuculescu, drd. Cat

Meteorologie, Metrologie i Fizic
Experimental
10.
P. Gain, prof. univ., decan

Facultatea de Fizic
11.
N. Ciobanu, cerc. t. LC
Sinergetica
12.
A.Foca, col. t. sup. al LC

Scopul vizitei
Descrierea succint a
activitilor
Israel, Universit. BenPentru continuarea
Gurion, or. Beer- Sheva
cercetrilor tiinifice
comune, ncepute n
anul precedent
Rusia, Institutul FizicoPentru ndeplinirea
Tehnic A.F. Ioffe din
or. Sankt-Petersburg
din cadrul temei
bugeatre 2F 16.
Rusia, Institutul FizicoPentru ndeplinirea
Tehnic A.F. Ioffe din
or. Sankt-Petersburg
din cadrul temei
bugeatre 2F 16.
Frana, Centrul Naional Pentru continuarea
de Cercetri tiinifice
CNRS- InESS, or.
comune, ncepute n
Strasbourg
anul precedent
Germania, or. Dresden
Pentru participare la
Conferina
Internaional 21st
General Conference of
the Condensed Matter
Division
Geogia, Tbilisi
Conferina
Internaional
Workshop INTASSouth-Coucasus
Scientific Cooperation
and Collaboration Call
2006.
Ucraina, Institutul de
Pentru efectuarea unor
Fizic al A a Ucr., Kiev msurri
Frana, Nice
Conferina E-MRS
(European Mmaterials
Research Society)
Spring Meeting 2006
Frana, Nice
Conferina E-MRS
(European Materials
Research Society)
Spring Meeting 2006
Ucraina, Instituttul
Pentru stabilirea
Monocristalreactiv din planului de lucru din
Harkov
cadrul proiectului
INTAS pentru 2006
Romnia, Constana
Conf. Int. De Fizic
7-th International
Balkan Workshop on
Applied Physics
Frana, Centrul Naional Pentru efectuarea
de Cercetare CNRScercetrilor comune
PHASE, Strasbourg
ara, denumirea
organizaiei vizitate
52
Termenul
deplasrii
02.01.2006
31.12.2006
23.01.2006
30.04.2006
23.01.2006
30.04.2006
01.02.2006
31.08.2006
24.03.2006
02.04.2006
18.04.2006
22.04.2006
27.04.2006
29.04.2006
27.05.2006
03.06.2006
27.05.2006
03.06.2006
14.06.2006
22.06.2006
05.07.2007
07.07.2006
01.09.2006
31.08.2007
13.
T. Potlog, dr. conf. la Catedra

Fizica Aplicat i Informatic
Elveia, Zurich
14.
Iu.Usati, cerc. t. al LC Fizica

Semiconductorilor
Italia, Centrul de
Cercetare Portici, Napoli
15.
S. Dmitriev, cerc. t. super. LC

Fitica Structurilor
Multistratificate
S. Klimin, cerc. t. superior LC
Fizica Structurilor
Multistratificate
Vl. Fomin, cerc. t. principal LC
Fizica Structurilor
Multistratificate
Vl. Gladilin, cerc. t. sup. LC
Fizica Structurilor
Multistratificate
P. Gain, decan Facultatea de
Fizic
SUA, Southern Illinois

University, Carbondale
20.
M. Caraman, ef Catedr
Meteorologie, Metrologie i Fizic
Experimental
Romnia, Universitatea
Al. I. Cuza din Iai i
Universitatea din Bacu
21.
V. Botnariuc, cerc. t. coord. LC

Rusia, Institutul Fizico

Tehnic al AR din or.
Moscova
16.
17.
18.
19.
30.08.2006
16.09.2006
Belgia, Universitatea din

Antwerpen
Efectuarea cercetrilor
t. din cadrul pr.
SCOPES Institutional
Partenership
Development of a
stable and hight
efficiency CdTe solar
cells and PV
minimodules
n legtur cu
obinerea unui grant
din cadrul
Programului ICTR
pentru Antrenare i
Cercetare n
Laboratoarele italiene
Pentru efectuarea unei
stagieri la aceast
Universitate
Pentru continuarea
cercetrilor comune

Antwerpen
Pentru continuarea
cercetrilor comune
01.01.2006
31.12.2006

Antwerpen
Pentru continuarea
cercetrilor comune
01.01.2006
31.12.2006
Ucraina, Centrul
Monocristalreactiv din
or. Harkov
Pentru prezentarea
drii de seam pe anul
2006 i determinarea
programului de
cercetare pe anul 2007
pe proiectul INTAS
Nr. 05 -104 - 7519
Pentru efectuarea
lucrrilor planificate
n programul
proiectuli de cercetare
064080204 P
Pentru efectuarea
pe proiectul INTAS 04
78 - 7193
04.12.2006
08.12.2006
02.10.2006
01.10.2007
30.08.2005
31.10.2006
01.01.2006
31.12.2006
07.12.2006
10.12.2006
06.12.2006
15.12.2006
2007
Nr.
d/o
1.
2.
3.
Numele, prenumele, gradul

i titlul tiinific,
Anul naterii
Nica Denis dr., cerc.t.sup.
LC Fizica str.
multistratificate
Klimin Serghei cerc.t.sup.
LC Fizica str.
multistratificate
Fomin Vladimir
Antwerpen (Belgia)
Scopul vizitei. Descrierea

succint a activitilor
(realizarea proiectelor
comune, stagiu,
participri la manifestri
tiinifice)
Pentru efect. cercet. Comune
n cadrul MRDA: MOE3057-CS-03
Pentru efect. cercet. comune
Antwerpen (Belgia)
ara, denumirea
organizaiei vizitate
Riverside, California
(SUA)
53
Termenul
deplasrii
05.01.2007
31.03.2007
01.01.2007
31.12.2007
01.01.2007
31.12.2007
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
Gladilin Vladimir
cerc.t.sup. LC Fizica str.
multistratificate
Dmitriev Serghei
multistratificate
Pocotilov Evghenii
prof. univ. Catedra Fizica
Teoretic
Gain Petru - prof. univ.,
decan Fac. De Fizic
Ciapurin Igor
multistratificate
Casian Vladimir -cerc.t.sup.
LC Fizica str.
multistratificate
Vatavu Sergiu
cs al LC
Fizica semiconductorilor
Nica Denis
dr., cerc.t.super.
Antwerpen (Belgia)
01.01.2007
31.12.2007
Orono
(SUA)
Pentru efect. cercet. t.

Conform proiectului CRDFMOE2-2679
Pentru confirmarea cercet.
comune programate n
cadrul proiectelor CRDF
Pentru prezentarea rez. cerc.
pe a.2006 i planificarea
lucrului pe a.2007, n cadrul
grantului INTAS, nr.03-514561
22.01.2007
24.03.2007
Beer-Shava
(Israel)
Pentru efectuarea
cercetrilor comune
02.01.2007
31.12.2007
San Francisco
(SUA)
Pentru participarea la Conf.

MRS spring meeting 2007
06.04.2007
16.04.2007
Moscova
(Rusia)
Pentru realizarea cercet.

comune n cadrul pr.
06.35.CRF
Pentru realizarea cercet.
comune n cadrul pr.
06.35.CRF
Pentru participarea cu 2
rapoarte la Conf.Int.
Ucrainian Conference on
semiconductor Physics
Pentru participarea la INTAS
Yang Scietises Workshop
Pentru efectuarea
msurrilor din cadrul
proiectului 06.408.037F
Pentru realizarea cerc.
comune
01.06.2007
22.06.2007
Pentru efectuarea
cercetrilor din cadrul pr.
INTAS
Pentru efectuarea cerc.
comune
30.08.2007
30.10.2007
Neapoli
(Italia)
Lvov
Ucraina
Pentru continuarea grantului

ICTP
Partic. la Conf. t.
02.10.2007
31.12.2007
02.10.2007
07.10.2007
Moscova
(Rusia)
Pentru stagiere n scopul

exploatrii n RM a
simulatorului energie solare
10.11.2007
18.11.2007
Riverside, California
(SUA)
Vilnus
(Lituania)
Orlando
(SUA)
12.
Pocotilov Evgheni
prof.univ.
Moscova
(Rusia)
13.
Bruc Leonid
dr., cerc.t.sup., LC Fizica
s/c.
Odesa
(Ucraina)
14.
Sirkeli V.
dr., cerc.t.sup., Fizica s/c.
Sobolevskaia Raisa cerc.t.sup.
LC Fizica s/c
Kiseliova Elena cerc. t. sup. LC
Fizica semiconductorilor
Sirkeli V.
dr., cerc.t.sup., LC Fizica
s/c
Foca Alexandru
Cercet.t.sup. al LC Fizica
s/c
Usati Iurie cerc.t. LC
Fizica s/c
Nica Denis cerc.t.sup. LC
Fiz.struc.Multistratif i
Magnetici molecul.
Zincenco Nadejda
cerc.t.inf.
Isacova Calina cerc.t.inf.
Bruc Leonid cerc.t.sup.
al LC Fizica s/c
Tomsk
(Rusia)
Dnepropetrovsk
(Ucraina)
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
Snakt-Petersburg
(Rusia)
Lappeentranta
(Finlanda)
Strasbourg
(Frana)
2008
54
08.01.2007
31.03.2007
10.01.2007
15.01.2007
01.01.2007
31.12.2007
01.06.2007
22.06.2007
17.06.2007
23.06.2007
25.06.2007
30.06.2007
02.07.2007
08.07.2007
01.10.2007
01.10.2008
01.09.2007
31.08.2008
Nume, prenume
1.
Corac Oleg
2.
Guc Maxim
3.
Chiria Arcadi
4.
Isacova Calina
5.
Vatavu Sergiu
6.
Cuculescu Elmira
7.
Isacova Calina
Nica Denis
8.
Pocotilov Evghenii
10.
Vatavu Sergiu
Rotaru Anatol
11.
14.
ura Costel
Ciobanu Nelu
Ascherov Artur
Zincenco Nadejda
16.
Rotaru Anatol
17.
Vtavu Sergiu
18.
19.
Radevici Ivan
Maticiuc Natalia
Scop, destinaie, cifru

Pentru efectuarea sintezei SHS
Tiraspol f/ recuperare
Conf. Intern. Lomonosov - 2008 pentru
prezentarea raportului Moscova (Rusia)
06.408.044A
Efectuarea cercetrilor tiinifice comune
Terrence (SUA) CRDF MOP 2-5069-CH-06
Conf. Intern. pentru prezentarea a dou rapoarte
Grodno (Belarus) 08.819.05.05F
Prezentarea lucrrii tiinifice
Strasbourg (Frana) MRDA PRDS 1214
Conferina E-MRS Spring Mecting 2008
Strasbourg (Frana) 06.408.043A
Conf. Intern. pentru prezentarea raportului
Odesa (Ucraina) 08.819.05.05F
Realizarea cercetrilor comune
Moscova (Rusia)
06.408.036F; 05.104.7656; 08.820.05.29RF
Prezentarea lucrrii t. din cadrul proiectului
06.408.042A; MTFP-020/05 Follow-on
Simpozionul Intern. Balcanic de Fizic Aplicat
la Universitatea Ovidius
Constana (Romnia)
06.408.038F
Participare la Cursurile superioare pentru tineri
cercet., doctoranzi, stud. ai arilor CSI
Moscova (Rusia)
INTAS 05-104-7656
Colaborare de proicte intern.
Bucureti (Romnia) 06.408.038F
Prezentarea raportului la Conf. Intern. 16th
International Conference an Ternary and
Multinary Compounds 06.408.042A
Participarea la Conf. Intern. 6th International
Student Conference of the Balkan Phisycal
Union cu un raport i n calitate de membru al
comit. organiz. 06.408.037F
Participarea la Conf. Intern. Sinaia (Romnia)
08.805.05.05A
Perioada
13.03.2008
18.03.2008
06.04.2008
14.04.2008
14.04.2008
24.04.2008
20.04.2008
26.04.2008
24.05.2008
31.05.2008
24.05.2008
31.05.2008
19.05.2008
23.05.2008
30.05.2008
11.06.2008
30.05.2008
17.06.2008
24.05.2008
31.05.2008
06.07.2008
12.07.2008
06.07.2008
26.07.2008
03.08.2008
12.08.2008
14.09.2008
21.09.2008
19.08.2008
25.08.2008
11.10.2008
15.10.2008
Splatu Nicolae
21.
Kiseliova Elena
22.
Rotaru Anatol
23.
Chiria Arcadie
24.
Evtodiev Igor
25.
Rotaru Corneliu
n cadrul acordului de colaborare

Sankt-Petersburg (Rusia)
Relaii de colaborare
Bucureti (Romnia)
06.408.038F
Efect. cercet. t.comune
Clermont-Ferrand (Frana) partea gazd
Efectuarea msurrilor
Bacu (Romnia) 06.408.043A
Conf. t.
Harcov (Ucraina)
06.408.042A
INTAS 05-104-7519
2009
55
01.10.2008
01.10.2009
23.11.2008
30.11.2008
25.01.2009
30.01.2009
13.11.2008
18.11.2008
15.11.2008
22.11.2008
Nr.
d/o
1.
3.
4.
5.
6.
7.
9.
10.
11.
12.
Numele, prenumele,
gradul i titlul tiinific,
Anul naterii
Isacova Calina,
c..stag., a.n.1983,
LC Fizica structurilor
multistratificate i
magnetici moleculari
Ascherov Artur, c..stag.,
a.n.1982,
multistratificate i
Zincenco Nadejda,
c..stag., a.n.1982,
multistratificate i
magnetici moleculari,
Botnariuc Vasile,
c..c., a.n.1945,
LC Fizica
semiconductoarelor,
Vatavu Sergiu, c..s.,
a.n.1977, LC Fizica
semiconductoarelor
Isacova Calina,
c.., a.n.1983,
multistratificate i
magnetici moleculari,
Nica Denis, ef lab.,
a.n.1979,
multistratificate i
Pocatilov Evghenii,
dr.hab., prof.univ., c..,
a.n.1927,
multistratificate i
Vatavu Sergiu, dr., c..s.,
a.n.1977,
LC Fizica
Semiconductoarelor
Nica Denis, ef lab.,
a.n.1979,
multistratificate i
Ceapurin Igor,
c..s., a.n. 1968,
LC nregistrare
FotoTermoplastic
Pocatilov Evghenii,
a.n.1927,
multistratificate i
Scopul vizitei.
Descrierea succint a activitilor
(realizarea proiectelor comune,
stagiu, participri la manifestri
tiinifice)
or.Grodno (Belorus) Prezentarea rapoartelor la Conferin
ara, denumirea
organizaiei
vizitate
Termenul
deplasrii
14.04.200929.04.2009
Sankt-Petersburg
(Federaia Rus)
Participarea la Conferina tiinific

a Tinerilor Cercettori cu un raport
13.04.200917.04.2009
Sankt-Petersburg
(Federaia Rus)
Efectuarea msurrilor
13.04.200917.04.2009
San-Francisco,
SUA
Prezentarea rapoartelor la Conferin
10.04.200920.04.2009
Odesa (Ucraina)
Participare la Conferina cu raport
18.05.200922.05.2009
Moscova (Rusia)
Cercetri comune
10.06.200920.06.2009
10.06.200930.06.2009
Varovia (Polonia)
Participarea la FP7
16.09.200918.09.2009
Varovia (Polonia)
Participarea la FP7
16.09.200918.09.2009
or.Orlando (SUA)
Efectuarea cercettrilor comune
01.01.200931.12.2009
Or.Riversid (SUA)
27.02.200925.05.2009
56
13.
14.
Nica Denis,
dr., ef lab., a.n.1979,
multistratificate i
Pocatilov Evghenii,
a.n.1927,
multistratificate i
Nica Denis,
dr. ef lab., a.n.1979,
multistratificate i
or.Riversid (SUA)
27.02.200925.05.2009
or.Antiwerpen
(Belgia)
Cercetri tiinifice
01.10.200930.11.2009
2010
Numele,
prenumele,
Nr.
gradul i titlul
d/o
tiinific,
Anul naterii
Evtodiev Igor, c..,
1.
dr.,conf.univ.,a.n.
1972
Cuculescu
2.
Elmira,c.., a.n.
1980
Evtodiev
3.
Silvia,c., a.n.
1982
Vatavu Sergiu, c..,
4.
a.n.1977
ara, denumirea
organizaiei
vizitate
Scopul vizitei. Descrierea

succint a activitilor
(realizarea proiectelor
comune, stagiu, participri la
manifestri tiinifice)
Termenul
deplasrii
Romnia
Colaborare
Perioada anului
2010
Romnia
Colaborare
Perioada anului
2010
Romnia
Colaborare
Perioada anului
2010
Romnia
Colaborare
Perioada anului
2010
5.
Caraman Mihail,
c..,dr., a.n.1941
Romnia
Colaborare
Perioada anului
2010
6.
Evtodiev Igor, c..,

dr.,conf.univ.,a.n.
1972
Romnia,
Constana
nsoirea Lotului Olimpic la

Olimpiada de Fizic
31.01.201006.02.2010
7.
Evtodiev
Silvia,c.., a.n.
1982
Romnia,
Constana
nsoirea Lotului Olimpic la

Olimpiada de Fizic
31.01.201006.02.2010
Germania,
Duisburg
Stagiere, cercetri comune
16.02.201026.02.2010
Germania,
Duisburg
Stagiere, cercetri comune
16.02.201026.02.2010
8.
9.
10.
11.
Isacova
Calina,c.., a.n.
1983
Ascherov Artur,
c.., a.n.1982
Vatavu Sergiu,
c..s., dr. conf.,a.n.
1977
Crmari Dmitrii,
tehn., a.n. 1984
Frana, Strasbourg
Federaia Rus,
Moscova
Particip. cu 2 rapoarte la
Conferina EMRS Spring
Meeting 2010
Participare la Cursuri superioare
a rilor CSI pentru tineri
57
06.06.201013.06.2010
04.07.201017.07.2010
cercettori
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
26.
27.
Cocemasov
Alexandr, tehn.,
a.n. 1987
Crmari Dmitrii,
tehn., a.n. 1984
Cocemasov
Alexandr, tehn.,
a.n. 1987
Vatavu Sergiu,
dr.,c..s., a.n. 1977
Rotaru Corneliu,
c.t., a.n. 1964
Kiseliova Elena,
c..s., a.n. 1955
Nica Denis,dr.
conf., a.n. 1979
Nica Denis,dr.
conf., ef lab.,a.n.
1979
Ascherov Artur,
c.., a.n. 1982
Vatavu Sergiu,
dr.,c..s., a.n. 1977
Blaj Octavian, c..,
a.n. 1982
Nica Denis,dr.
conf., ef LC ,
a.n. 1979
Casian Vladimir,
c..s., dr., a.n. 1962
Klimin
Serghei,c..s., dr.,
a.n. 1955
Gladilin
Vladiimir,c..s.,
dr., a.n. 1957
Fomin Vladimir,
c..p., dr.hab.,
a.n.1953
Federaia Rus,
Moscova, Dubna

a rilor CSI pentru tineri
cercettori
pentru tineri cercettori
Federaia Rus,
Moscova, Dubna

pentru tineri cercettori
Germania, Berlin
Cercetri n cadrul Proiectului
Germania, Berlin
Rusia, SanktPetersburg
Cercetri n cadrul Proiectului de

colaborare
18.07.201016.08.2010
18.07.201016.08.2010
01.10.201001.01.2010
Rusia, Moscova
Participare la Forumul Tinerilor

Cercettori
12.10.201016.10.2010
Germania,
Dresden
Cercetri comune
20.10.201018.12.2010
Germania,
Dresden
Cercetri comune
20.10.201018.12.2010
Germania, Berlin
16.11.201030.11.2010
Frana, Bordeaux
Admiterea la doctorat
ncepnd cu
01.12.2009
SUA, Riverside
Cercetri comune, particip. La

Conf. Interna. 2010 MRS Spring
Meeting
10.03.201010.06.2010
Cercetri comune n cadrul

Acordurilor de colaborare
01.01.201031.12.2010

01.01.201031.12.2010

01.01.201031.12.2010

01.01.201031.12.2010
Federaia Rus,
Moscova
Israel, Beer-Sheva
Belgia, Antwrpen
Belgia, Antwerpen
Germania,
Dresden
58
04.07.201017.07.2010
04.07.201017.07.2010
04.07.201017.07.2010
2.3. Mijloacele financiare disponibile

Volumul total al finanrii pentru perioada 2006-2010 constituie 15549,2 mii lei, n anul
2006 constituind 2098,5 mii lei, iar n 2010 3839,2 mii lei.
Ponderea cheltuielilor de baz n cadrul volumului total de finanare n anul 2006
constituind 75,7%, ctre anul 2010 fiind de 91,70%.
Volumul alocrilor pe proiectele instituionale n 2006 a constituit 1450,9 mii lei, iar n
2010 2899,4 mii lei, nregistrnd o cretere de 1448,5 mii lei.
Finanarea prin proiecte din cadrul Programelor de Stat, pentru tineri cercettori, proiecte
bilaterale constituie n 2006 137,2 mii lei, ponderea mijloacelor obinute prin concurs n anul
2006 constituie 6,5%, iar n 2010 620,0 mii lei, sau 16,15% din volumul total de finanare.
Volumul total al mijloacelor speciale n perioada 2006-2010 constituie 1893,7 mii lei.
Ponderea n cadrul volumului total de finanare constituie 12,2%, inclusiv n 2006 24,3%, iar
n 2010 8,3%.
Ponderea cheltuielilor utilizate n scopul achiziionrii echipamentului tiinific a
constituit: n anul 2006 11,8%, n anul 2007 24,2%, n anul 2008 12,9%, n anul 2009
2,4%, n anul 2010 20,3%, cu o medie anual de 14,7%..
Pentru acoperirea cheltuielilor de stagiere, cooperare tehnico-tiinific, participare la
simpozioane, expoziii i de detaare a personalului pentru schimb de experien n scopuri
tiinifice, respectiv: n anul 2006 1,2%, n anul 2007 2,6%, n anul 2008 3,9%, n anul
2009 6,6%, n anul 2010 2,8% din volumul total al cheltuielilor.
2.4. Potenialul logistic i infrastructura de cercetare

Cercetrile pe profil se efectueaz n ncperile USM, care sunt amplasate n blocul IV
din str. A.Mateevici, 60 i includ circa 2988,7 m2, ceea ce constituie 38,3 m2 per cercettor.
La dispoziia cercettorilor sunt puse laboratoare specializate, dotate cu echipament
tiinific:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
JASCO DR PRO 410-M

Spectrometru cu infrarou cu transformare fourier
Laser CW DPSS verde SLM
Sursa-msurtor KEITHLEY model 2420
Instalaie de vid UVN-60, UVN-63, VUP-4, VUP-5;
Generator RF;
Spectrofotometru Specord M-40;
Spectrofotometru Specord 75-IR;
Monocromator MDR-2;
Amplificator selectiv V6-9;
Electrometru-voltmetru E7-30;
Instalaie de obinere a vidului UVN-63;
Radiometru Robotron;
Instalaii de vid de tipul -2, -4,
Instalaii spectrofotometrice pe baza monocromatorului -23 i Carl Zeiss;
Instalaii de msurare a caracteristicilor J-V-T n baza volmetrului 7-21 i a
calculatorului avnd la baz procesorul Pentium I;
Instalaii pentru tratare termic i cretere a cristalelor (sobe);
Instalaii de vidare 5;
Termoreglator 3;
Monocromatoare 23, VSU 2 P (CARL ZEISS JENA);
59
21.
22.
23.
24.
25.
26.
27.
28.
29.
30.
31.
32.
33.
34.
35.
36.
37.
38.
39.
40.
41.
42.
43.
44.
45.
46.
47.
48.
49.
50.
51.
52.
53.
54.
55.
56.
57.
Amplificatoare B6-1, B6-4, B6-9;

nregistrtoare grafice 4;
nregistrtor graphic (CARL ZEISS JENA);
Lasere 503, -70, -75-1;
Detectoare sincronice K3-2, B9-2;
Msurtor al caracteristicilor L, C, R E7-12;
Voltmetre: B7-16A, ampervoltmetru 30, B7-37A;
Electrometru: B7-30;
Surse de tensiune: BC 22, 5-49, ;
Haracteriograf L2-56;
Post de vid B - 2K B 4;
Termoreglator -4530, BPT- 3;
Msurtor-termoreglator 2TPM16--1T;
Reglatoare de tensiune PHO;
Ampermetru 538;
Monocromatoare MP - 23, M - 2, Carl Zeiss Jena VSU - l, ORIEL MS257;
Amplificator B2 - 11;
Laser - 503. SRS NL100, Spectra Physics M165;
Voltmetre: B7-21A, B2 - 36, B7 - 38, selective nanovoltmeter type 237;
Oscilograf cu dou raze C1-96;
Electrometru: B7 - 30;
Detectori - 79, 69, - 100, PbS,;
Surse de tensiune: BCA-6; B5-49; B5-47;
Instalaii de vidare 5;
Termoreglator 3;
Monocromatoare 23, VSU 2 P (CARL ZEISS JENA);
Amplificatoare B6-1, B6-4, B6-9;
nregistrtoare grafice 4;
nregistrtor graphic (CARL ZEISS JENA);
Lasere 503, -70, -75-1;
Detectoare sincronice K3-2, B9-2;
Msurtor al caracteristicilor L, C, R E7-12;
Voltmetre: B7-16A, ampervoltmetru 30, B7-37A;
Electrometru: B7-30;
Surse de tensiune: BC 22, 5-49, ;
Haracteriograf L2-56;
Instalaii tehnologice pentru obinerea straturilor subiri prin metoda HVPE.
Numrul de calculatoare personale, utilizate numai n scopurile tiinifice constituie 98 de

uniti, dintre care 40 uniti au fost procurate n ultimii 3 ani, 25 calculatoare au vrst ntre 3
i 5 ani i 33 calculatoare sunt mai vechi de 5 ani.
Asigurarea informaional a procesului de cercetare const n existena reelelor
informaionale interne, baze de date tiinifice accesibile i informaia complex actualizat pe
pagina web.
n perioada luat n studiu potenialul logistic din cadrul profilului a fost completat n baza
surselor bugetare i n mare msur, din surse extrabugetare: proiecte i granturi internaionale.
60
3. Rezultatele cercetrii, calitatea, eficiena, relevana, impactul

Rezultatele tiinifice de performan ale cercetrilor n anii 2006-2010:
1. n baza modelelor continual i molecular-dinamice Face-centred Cubic Cell i Valence
Force Field a fost dezvoltat teoria proprietilor fononice i de conductibilitate termic a
heterostructurilor planare triplu stratificate, a heterofirelor cuantice cu canal conductibil din Si,
Ge i GaN cu simetria wurtzite, grafenului i a suprareelelor 1D i 3D Si/SiGe i
InAs/InGaAs, formate din puncte cuantice. A fost demonstrat teoretic posibilitatea majorrii de
10 ori a mobilitii electronului n heterostructura AlN/GaN/AlN cu simetria wurtzite prin
compensarea cmpului electric ncorporat cu ajutorul cmpului exterior. La calcularea
dispersiilor fononice n cristalele polare de tip sfalerit a fost utilizat metoda Ewald. A fost
stabilit dependena conductibilitii termice i electrice de alegerea parametrilor materiali i
geometrici ai heterostructurii i au fost determinate combinaiile optimale ale lor. A fost
descoperit efectul unical de majorarea a conductibilitii termice la trecerea de la grafen
multistratificat la cel monostratificat.
2. Au fost cercetate procesele de transfer intramolecular al sarcinii electrice n sistemele
polinucleare cu valen mixt. a fost calculat banda de transfer a sarcinii innd cont de interaciunea vibronic i a fost efectuat comparaia rezultatelor cu datele experimentale. a fost
dezvoltat teoria interaciunii vibronice, care ine cont de oscilaiile intramoleculare n sistemele cu
valen mixt. se arat, c luarea n calcul a interaciunii cu aceste oscilaii favorizeaz delocalizarea
electronului n sistem. A fost cercetat influena interaciunii vibronice asupra proprietilor
magnetice ale clusterului plan-ortogonal cu valen mixt i transfer 2-electronic al sarcinii.
3. n baza teoriei cuantice a fluctuaiilor a fost obinut hamiltonianul de iteraie a
cmpului electromagnetic coerent extern cu cuaziparticulele de tip bose n mediile biologice n
aproximaia de rezonan. Au fost obinute ecuaiile Fokker-Plank i Langevene ce descriu
dinamica neliniar a cvasiparticulelor n mediile biologice la interaciunea acestora cu
cmpurile electromagnetice coerente n diapazonul milimetric al spectrului inndu-se cont de
angarmonismul de ordinul trei i patru. S-au cercetat strile staionare i stabilitatea acestora
dup metoda lui Leapunov, precum i topologia spaiului de faz n sistemele disipative. S-a
cercetat interaciunea impulsurilor ultrascurte a fononilor i fotonilor coereni n mediile
biologice pentru cazul cnd durata timpului impulsului este mai mic dect timpul de relaxare a
cvasiparticulelor.
4. Sunt elaborate bazele fizico-tehnologice de obinere i dopare cu impuriti de Cu, Au,
Ag, Cr, Mn, Fe, Co, Ni a monocristalelor de ZnSe. Sunt obinute monocristale structural
perfecte de ZnSe cu volum de pn la 3 cm 2 cu densitatea dislocaiilor mai mic de30 mm -2.
Sunt cercetate proprietile electrice, optice i luminescente ale monocristalelor de ZnSe
61
dopate. Sunt propuse modele fizice, care descriu procesele de interaciune ntre defectele
native i impuritare, structura centrelor de luminescen i mecanismele recombinrii radia tive. S-a stabilit c impuritile din grupa fierului modific structura spectrului de lumi nescen a cristalelor de ZnSe n regiunea vizibil a spectrului prin atenuarea intensitii unui ir
de benzi, i conduc la apariia unor benzi noi de luminescen n regiunea IR imediat
apropiat i de mijloc a spectrului (0,93 m). Sunt determinate strile de sarcin ale ionilor
d-elementelor din grupa fierului n cristalele de ZnSe.
5. A fost elaborat tehnologia i obinute straturi subiri de GaN pe substraturi de Si cu
strat buferal AlN cu diametrul 2 inci prin metoda HVPE pentru utilizarea n optoelectronic. Au
fost preparate celule solare cu structura In-p+InP-pInP-n+CdS (Ag+Zn) cu puterea de generare
150 Wm-2 i randamentul 14% (AM1). S-a stabilit influena factorilor tehnologici i a
parametrilor substraturilor asupra caracteristicilor fotovoltaice (energetice). Au fost obinute i
investigate structurile de tipul Cu n+ITO-pSi(mc) Al. S-a stabilit posibilitatea utilizrii lor n
calitate de surse de curent.
6. A fost elaborat tehnologia de obinere a straturilor subiri de semiconductori
calcogenici sticloi ai sistemului As-S-Se-Sn n form de structuri varizonice As 2S3-As2Se3 i
n form de structuri cu divers compoziie. Straturile au asigurat o sensibilitate spectral
sporit purttorilor fototermoplastici confecionai n baza acestora. Au fost obinui purttori
fototermoplastici~1 pe baza As2S3(0,73)-As2Se3(0,27) i a copolimerului butilmetacrilat i stirolului
pentru obinerea imaginilor holografice n timp real~2,5s). Acetia posed sensibilitate
holografic~6,3106m2 J-1 la radiaia laser
=532nm i puterea de rezoluie~2000mm -1.
Valoarea maximal a eficacitii de difracie =26%. A fost elaborat dispozitivul autonom

pentru nregistrarea hologramelor de impuls n diapazonul temporal~20ns, precum i metoda de
determinare a dimensiunilor microobiectelor (<250m). Elaborrile sunt brevetate i implementate la centrul tiinific Luminitco (SUA).
7. A fost determinat regimul optimal pentru obinerea celulelor solare CdS-CdTe cu aria
~1 cm2 i randamentul 10,6 %. A fost elaborat machetul i s-a amenajat camera reactor a
volumului cuasinchis pentru obinerea straturilor subiri de CdS i CdTe cu aria 25 cm2. prin
depunerea consecutiv a straturilor subiri de CdS i CdTe pe suporturi de sticl cu aria 52 cm 2
(6,5x8,0 cm2) acoperite cu un strat conductor de SnO 2, au fost obinute 9 heterojonciuni CdSCdTe cu aria de 3 cm 2 i s-a cercetat omogenitatea lor dup structur pe toat suprafaa. A fost
elaborat structura de contact, care permite conectarea elementelor modulului fotovoltaic n
serie i n paralel. S-a determinat mecanismul de transport al curentului i parametri
fotoelectrici a elementelor modulului fotovoltaic. A fost determinat regimul optimal de obinere
n baza heterojonciunilor CdS-CdTe a modulelor fotovoltaice (Tsup=300-320C, Tevp=540550C, grosimea straturilor de CdS 0.70.8 m; iar a celui de CdTe12-16 m).
62
8. Au fost elaborate metode chimice de obinere a compuilor semiconductori IIBVI

(ZnS,CdS,ZnSe) i IVBVI (PbS) n form de straturi subiri i prafuri cu particule ultradisperse
(nanodimensionale). Au fost studiate proprietile fotoelectrice i fotoluminiscente a materialelor obinute. Prin metoda sintezei hidro- i solvatotermale au fost obinui compuii semiconductori PbS, CdS, ZnS, ZnSe. n form de praf, dimensiunile particulelor fiind 20-50nm. n
baza rezultatelor cercetrilor proprietilor a fost confecionat un convertor cu radiaie laser
fotoluminofor-fotosemiconductor cu sensibilitatea < 10mR. n baza luminoforilor sub form
de pulbere au fost elaborate materiale compoziionale polimer-luminofor, care sunt folosite ca
i elemente fotosensibile la inregistrarea razelor ultraviolete i roentgen.
9. Au fost obinute monocristale de GaSe, GaTe i InSe i compozit cu concentraia 9095
% de fullereni C60. Prin intercalare din faza de vapori He-C 60 i soluie C60-toluen au fost
intercalate cu C60 lamelele de GaSe, GaTe, InSe i, totodat, obinute nanocompozite lamelare
C60-GaSe, InSe. Dimensiunile medii ale nanolamelelor n compozit au fost de 160180 nm pe
suprafa i 1520 nm dup grosime. Din nanocompozite lamelare semiconductor-C60 au fost
asamblate fotoreceptori cu sensibilitate rezistiv n domeniul UV-vid IR apropiat ct i
roentgenosensibili cu constanta de timp cuprins n limitele 20510-4 s. Doza de saturaie a
roentgenocurentului este de 180 R pentru C60-InSe i 110 R pentru C60-GaSe.
n perioada anilor 2006-2010 rezultatele obinute de ctre cercettorii din cadrul profilului
au fost menionate cu premii, dup cum urmeaz:
PREMIULUI MUNICIPAL PENTRU TINERET
N DOMENIUL TIINEI, TEHNICII, LITERATURII I ARTELOR
Anul 2006
Laureat: Denis Nica
Anul 2007
Laureai: Natalia Nedeoglo, Vadim Sirkeli,
Anul 2009
Laureai: Sergiu Vatavu, Nadejda Zincenco
Anul 2010
Laureai: Elmira Vatavu, Artur Aschererov
PREMIUL ACADEMIEI DE TIINE A MOLDOVEI
PENTRU LUCRRI TIINIFICE ALE TINERILOR CERCETTORI
Anul 2007
Laureat: Natalia Nedeoglo
Anul 2010
Laureat: Denis Nica
63
PREMIUL TNRUL SAVANT AL ANULUI

Anul 2008
Denis Nica
PREMIULUI NAIONAL PENTRU TINERET
Anul 2006
Igor Evtodiev
PREMIUL INTERNAIONAL "COMUNITATEA DEBUTURILOR"
PENTRU TINERI SAVANTI DIN ARILE CSI
Anul 2010
Laureat: Denis Nica
64
4. Antrenarea n activiti conexe cercetrii
Cercettorii tiinifici ai CC au fost antrenai n urmtoarele activiti conexe:

Petru GAIN, doctor habilitat, profesor universitar
1.
Membrul Asambleei AM;
2.
Membrul Senatului USM;
3.
Membrul Consiliului de Administraie USM;
4.
Preedintele Consiliilor tiinifice Specializate a CNAA de susinere a tezelor de
doctor habilitat 01.04.10 - Fizica i ingineria semiconductorilor;
5.
Preedintele Consiliului Profesoral al Facultii de Fizic;
6.
Membrul al societii internaionale de cristalografie;
7.
Conductor al proiectelor de cercetare n cadrul programelor de stat;
8.
Membri ai Comitetelor de Program a Manifestrilor tiinifice naionale;
9.
Membri ai comisiilor specializate de evaluare n scopul acreditrii organizaiilor;
10.
Preedini al comisiei examenelor de licen/masterat/doctorat;
11.
Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of
the Physical Sciences;
12.
Redactor tiinific la Analele tiinifice ale USM. Seria tiine Fizicomatematice;
13.
Redactor-ef adjunct la Revista tiinific Studia Universitatis. tiine exacte
i economice.
Evghenii POCATILOV, membru corespondent AM, doctor habilitat, profesor universitar
1. Recenzent la revista tiinific Moldavian Journal of the Physical Sciences;
2. Preedinte Seminarelor tiinifice de Profil a CNAA de susinere a tezelor de doctor
01.04.02 - Fizica teoretic i matematic;
3. Conductor al proiectelor de cercetare;
4. Membrul a Comitetelor Organizatorice a Manifestrilor tiinifice internaionale;
5. Membrul a Comitetelor de Program a Manifestrilor tiinifice naionale;
6. Membrul a Seminarelor tiinifice de Profil a CNAA.
7. Membrul al colegiilor de redacie al Revistei tiinifice Internaional Journal of
Nanoelectronics and Optoelectronics (2009, 2010)
8. Referent tiinific la revistele tiinifice internaionale Physica Status Solidi, Applied
Physics Letters, Physical Review B, Journal of Nanoelectronics and
Optoelectronics
Dumitru NEDEOGLO, doctor habilitat, profesor universitar
1. Membrul al seciei tiine Exacte i Economice a AM;
2. Membrul Senatului USM;
3. Membrul Consiliului Profesoral al Facultii de Fizic;
4. Membrul colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of the Physical
Sciences;
5. Membru al colegiului de redacie la Analele tiinifice ale USM. Seria tiine Fizicomatematice.
6. Membrul colegiului de redacie la Revista tiinific Studia Universitatis. tiine
exacte i economice;
7. Conductor al proiectelor de cercetare
8. Preedinte al seminarelor tiinifice de profil a CNAA de susinere a tezelor de doctor
01.04.10 - Fizica i ingineria semiconductorilor.
65
Mihail CARAMAN, doctor habilitat, profesor universitar

Sciences;
3. Membru al colegiului de redacie la Analele tiinifice ale USM. Seria tiine Fizicomatematice.
4. Membrul colegiului de redacie la Revista tiinific Studia Universitatis. tiine
exacte i economice;
5. Expert al CNAA
6. Preedinte al comisiei de licen/masterat la UST
Visarion GAMURARI, doctor habilitat, profesor universitar
Sciences;
3. Membrul a colegiului de redacie la Analele tiinifice ale USM. Seria tiine Fizicomatematice.
4. Membrul a seminarelor tiinifice de profil a CNAA
Leonid GORCEAC, doctor, conferiniar cercettor
2. Membrul Consiliului de Administraie USM;
3. Responsabil de ediie la Analele tiinifice ale USM. Seria tiine Fizico-matematice.
4. Coordonator la Revista tiinific Studia Universitatis. tiine exacte i economice;
5. Conductor al proiectelor de cercetare;
Igor EVTODIEV, doctor habilitat, confereniar universitar
1.
Conductori ai proiectelor de cercetare n cadrul programelor de stat,
2.
Membri ai seminarelor tiinifice de profil a CNAA
3.
Secretar tiinific al Consiliilor tiinifice specializate de susinere a tezelor de
doctor habilitat n tiine 01.04.02 Fizic teoretic i matematic
Ponderea cercettorilor implicai n procesul de instruire
Anul
Nr.
cercettorilor
Nr. cercettorilor
antrenai n procesul
de instruire
2006
2007
2008
2009
2010
42
59
56
52
43
28
42
45
43
36
66
Ponderea
cercettorilor
antrenai n proces
de instruire
67%
71%
80%
82%
84%
Nr.cursurilor
inute
52
64
67
64
59
Raportul dintre numrul de teze de licen i de master susinute i numrul de

cercettori
Anul
2006
2007
2008
2009
2010
Nr. teze de licen/

Nr. cercettorilor
97/42
117/59
200/56
114/52
94/43
Nr teze de master/
Nr. cercettorilor
27/42
23/59
35/56
-(nu a fost promoie)/52
58/43
Cercettori implicai n procesul de instruire

Toi cercettorii tiinifici sunt implicai n procesul de instruire la facultate, innd
cursuri normative, de specializare, fiind conductori ai tezelor de an, de licen i de master. n
anii 2006-2010 au susinut teze de licen i de masterat 571 studeni la catedrele ce in de profil.
conductor al tezei de licen/ masterat

susinute
2006
2007
2008
2009
2010
media
96
113
123
109
130
114,2
conductor tiinific al tezei de doctor

susinute
consultant tiinific al tezei de doctor

habilitat susinute
0,2
2
0,2
Membri ai colegiilor de redacie ale ediiilor tiinifice din ar

2006
1. A.Rotaru Recenzent la revista tiinific Moldavian Journal of the Physical Sciences.
2. M.Caraman Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of
the Physical Sciences.
3. V.Fomin Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of the
Physical Sciences.
4. V.Gamurari Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of
the Physical Sciences; V.Gamurari Membru al colegiului de redacie la Analele tiinifice
ale USM. Seria tiine Fizico-matematice.
5. P.Gain Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of the
Physical Sciences, 2006; Redactor tiinific la Analele tiinifice ale USM. Seria tiine
Fizico-matematice, 2006.
2007
2. E.Pocatilov Recenzent la revista tiinific Moldavian Journal of the Physical Sciences.
Physical Sciences; Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Studia
Universitatis. tiine ale naturii.
67
4. D.Nedeoglo Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of

the Physical Sciences; Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Studia
5. A.Cliucanov Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Studia
Physical Sciences.
2008
4. D.Nedeoglo Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of
Physical Sciences.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
2009
A.Rotaru Recenzent la revista tiinific Moldavian Journal of the Physical Sciences.
E.Pocatilov Recenzent la revista tiinific Moldavian Journal of the Physical Sciences.
P.Gain Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of the
D.Nedeoglo Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of
A.Cliucanov Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Studia
M.Caraman Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of
V.Fomin Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of the
Physical Sciences.
V.Gamurari Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of
68
2010
3. P.Gain Redactor-ef adjunct la Revista tiinific Studia Universitatis. tiine exacte i
economice; Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Moldavian Journal of
4. D.Nedeoglo Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Studia Universitatis.
tiine exacte i economice; Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific
Moldavian Journal of the Physical Sciences;
Universitatis. tiine exacte i economice.
6. M.Caraman Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific Studia Universitatis.
tiine exacte i economice; Membru al colegiului de redacie la Revista tiinific
Moldavian Journal of the Physical Sciences.
Physical Sciences.
Premii obinute n strintate pentru rezultatele cercetrii 1:
D. Nica este Laureat al Premiului "Comunitate Debuturilor" pentru tineri savanti din Tarile CSI
in domeniul stiintelor exacte n anul 2010;
Alte distincii de apreciere a rezultatelor cercetrilor i elaborrilor: 7 premii
a) Premiul municipal pentru tineret n domeniile tiinei, Tehnicii, Literaturii i Artelor 3
(D. Nica (2006), N. Zincenco (2009), A. Ascherov (2010))
b) Tnrul savant al anului 2008 n domeniul tiinelor reale: 1 (D. Nica (2008));
c) Premiul AM pentru rezultate excelente obinute n anul 2010: 1 (D. Nica (2010));
d) Premii pentru rapoarte orale cel mai bune: 2 (D. Nica la International Conference of
Young Scientists, Chisinau (2008) i A. Ascherov la conferina internaional pentru tineri
cercettori , Grodno, Republica Belarus
(2009)).
Cercettori invitai ntr-o instituie universitar, tiinific consacrat din strintate (de
nominalizat) n perioada evaluat 2:
E. Pocotilov, University of California - Riverside (2007, 2008, 2009);
D. Nica, University of California - Riverside (2007, 2008, 2009, 20010).
69
LISTA
doctoranzilor Universitii de Stat din Moldova la 31.12.2010 pe subdiviziuni
Nr.
d/o
Numele,
prenumele
Codul i denumirea
specialitii
Anul
de
studii
Conductor.
Numele,
prenumele,
gradul i titlul
tiinific
Forma de studii
(la zi/fr
frecven)
Catedra Fizic Teoretic
1.
2.
Crmari
Dumitru
01.04.02 - Fizic
teoretic i
matematic
Cocemasov A.
01.04.02 - Fizic
teoretic i
matematic
III
Pocatilov
Evghenii, prof.
univ., dr. hab. n
t. fizicomatematice
zi
zi
Catedra Fizic Aplicat i Informatic

01.04.10 - Fizica i
ingineria
semiconductorilor
3.
Incule Ion
4.
01.04.10 - Fizica i
Radevici Ivan ingineria
semiconductorilor
70
III
Gain Petru,
prof. univ., dr.
hab. n t. fizicomatematice
zi
zi
5. Cooperri naionale i internaionale
5.2. Cooperare internaional

Colaboratorii
Centrului
de
Cercetri
tiinifice
Materiale
Dispozitive
Semiconductoare realizeaz cercetri tiinifice comune cu grupele tiinifice de la

Universitatea din California Riverside, SUA (prof. A. Balandin), Institutul de Nanotiin
Integrativ din Dresda, Germania, Universitatea din Antwerpen, Belgia (prof. J.T. Devreese i
Prof. J. Tempere), Universitatea de Stat M.V. Lomonosov, Rusia (Prof. V. Iu. Timoshenco).
Din anul 1996 acioneaz Acordul de Colaborare dintre Universitatea de Stat din Moldova
i Universitatea din Antwerpen, Belgia, iar din anul 2010 Acordul de relaii reciproce dintre
Universitatea de Stat din Moldova i Universitatea din California Riverside, SUA.
Pentru efectuarea cercetrilor comune n ultimii 5 ani colaboratorii centrului au vizitat:
1) LC Nano Device Laboratory de la Universitatea din California, SUA;
2) Institul de Nanotiine Integrative din Dresda, Germania;
3) LC Theoretical Physics of the Solid State de la Universitatea din Antwerpen,
Belgia Riverside;
4) Centrul de utilizare comun a utilajului de la Universitatea de Stat din Moscova
(Federaia Rus);
5) LC Morphology and growth of semiconductor surfaces de la Universitatea
Duisburg-Essen, Germania;
Rezultatele tiinifice importante, obinute n colaborare cu partenerii strini.
n cadrul colaborrii tiinifice cu grupul prof. . Balandin (Nano-Device Laboratory de
la Universitatea din California Riverside, USA):
a fost dezvoltat teoria proprietilor termice a grafenului i grafenului multistrat. Teoria
dezvoltat a permis de a explica valorile nalte ale conductibilitii termice a grafenului
K~30005000W/mK la temperatura camerei, obinute de experimentatori (rezultatele au
fost publicate n ciclul de lucrri, tiparit n revistele Physical Review B (factorul de
impact 3,44) D.L. Nika, E.P. Pokatilov, A.S. Askerov, A.A. Balandin. Physical Review
B, 2009, Vol. 79, p. 155413-1 155413-12; New Journal of Physics (factorul de impact
4,3) S. Gosh, D.L. Nika, E.P. Pokatilov, A.A. Balandin. New Journal of Physics, 2009,
vol. 11, p. 095012-1 095012 19 i Fullerenes, Nanotubes and Carbon Materials
(factorul de impact 0,7) A.A. Balandin, S. Gosh, D.L. Nika, E.P. Pokatilov. Fullerenes,
Nanotubes and Carbon Materials, 2010, vol. 18, p. 1 13) . De asemenea a fost studiat
i interpretat teoretic efectul neobinuit de micorare a conductibilitii termice la
71
trecerea de la grafenul monostrat ctre grafenul volumetric. Se arat, c

conductibilitatea termic a grafenului multistratificat, format din 2, 3, sau 4 straturi
monoatomare, este mai mic dect conductibilitatea grafenului monoatomar, dar este de
5 - 7 ori mai nalt dect conductibilitatea termic a cuprului. Rezultatele obinute i
publicate n Nature Materials (factorul de impact 29.5, S. Ghosh, W. Bao, D.L. Nika,
S. Subrina, E.P. Pokatilov, C. Lau, A.A. Balandin. Nature Materials 9, 555-558 (2010))
demonstreaz posibilitai largi de utilizare a grafenului multistratificat la evucuarea
cldurii de la punctele fierbini ale schemelor i cip-urilor moderne, evitnd astfel
supranclzirea lor.
n cadrul modelului continual i modelelor moleculardinamice a fost dezvoltat teoria
strilor fononice n diferite structuri nanodimensionale: heterostructuri plane
multistratificate, heterofire i suprareele din puncte cuantice. Rezultatele obinute au
fost publicate n peste 20 articole tiinifice n revistele internaionale cotate de ISI, ca
Applied Physics Letters, Physical Review B, Journal of Applied Physics, Journal of
Nanonoelectronics and Optoelectronics etc.
6) Dr.I. Ciapurin, cerecet. t. superior LC nregistrarea Fototermoplastica, n perooad
2006-2007 a fost invitat la Central Florida University (SUA) i a studiat proprietile
purttorilor de informaie i procesele holografice de nregistrare a informaiei n sisteme
fotosensibile necristaline.
Rezultate obinute n colaborare sunt prezentate n 3 articole n reviste cu factor de impact:
CIAPURIN, I., GLEBOV, L., KORSHAK O. and SMIRNOV V. Modelling of phase
volume diffractive gratings, part 1: Transmitting sinusoidal uniform gratings. Optical
Engineering, 45, 2006. P. 015802.1-015802.9
SEVIAN, A., ANDRUSYAK, O., CIAPURIN, I., VENUS, G., GLEBOV, L. Ultimate
efficiency of multi-channel spectral beam combiners by means of volume Bragg
gratings. Fiber Lasers IV: Technology, Systems, and Applications, Donald J. Harter;
Andreas Tnnermann; Jes Broeng; Clifford Headley III, Editors, SPIE Proceedings,
2007, Vol. 6453, paper 64530R.
ANDRUSYAK, O., CIAPURIN, I., SMIRNOV, V., VENUS, G., VOROBIEV, N.,
GLEBOV, L. External and common-cavity high spectral density beam combining of
high power fiber lasers. 2008, Proc. SPIE 6873, 687314.
7) Proiect CRDF MOP2-00-5069 (2007-2008), partner compania Physical Optic
Corporation (SUA). Au fost studiate problemele de nregistrare a hologramelor microobiectelor
mobile pe purttori fototermoplastici, elaborai n LC nregistrarea Fototermoplastic al USM.
72
Rezultate obinute n colaborare:

Rezultatul cercetri ale echipei tiinifice a fost achiziionarea de ctre Physical Optics
Corporation (USA) n 2009 a variantei-pilot a aparatului pentru nregistrarea
fototermoplastic a informaiei optice i a hologramelor, proiectat i fabricat de ctre
personalul laboratorului tiinific nregistrarea Fototermoplastica al USM.
8) Dr. V.Rotaru, cerecet. t. coord. LC nregistrarea Fototermoplastic n perioad
2008-2009 a fost invitat la Universitatea UCF, CREOL (SUA) n scopul studierii proprietilor
purttorilor de informaie, elaborai n cadrul proiectului instituional i procesele holografice
de nregistrare a informaiei n sisteme fotosensibile necristaline.
Rezultate obinute n colaborare sunt prezentate n 2 articole n reviste cu factor de impact:
Venus, G., Andrusyak, O., Smirnov, V., Rotaru, V., Glebov, L., Spectral Combining and
Coherent Coupling of Lasers by Volume Bragg Gratings, IEEE Journal on Selected
Topics in Quantum Electronics, 2008. 12 p.
Andrusyak O., Smirnov V., Venus G., Rotaru V., Glebov L., Spectral Combining and
Coherent Coupling of Lasers by Volume Bragg Gratings, IEEE Journal of Selected
Topics in Quantum Electronics, Vol.15, No.2, 2009, pp. 344-353.
9) Cerecet. t. al LC nregistrarea Fototermoplastic A.Chiria n anul 2009 a fost
invitat la Universite B.Pascal, Clermont-Ferrand ( France) n scopul cercetrii proprietilor
purttorilor de informaie, elaborai n cadrul proiectului.
Rezultatele obinute n colaborare sunt prezentate n articolul publicat n una dintre
revistele cu factor de impact:
B. MAILHOT-JENSEN, A.RIVATON, J. PILICHOWSKI, A.CHIRITA, E.CHILAT,

G.DRAGALINA, Carbazole Containing Copolymers: Synthesis, Characterization, and
Applications in Reversible Holographic Recording, International Journal of
Photoenergy, V.2010, 11 pages, (2010).
73
Anexa nr.1
6. FIA STATISTIC
I. INFORMAII GENERALE
1.1. Denumirea organizaiei ____________UNIVERSITATEA DE STAT DIN MOLDOVA______________________
CENTRUL CERCETRI TIINIFICE Materiale i dispozitive_semiconductoare________

1.2. Statutul juridic
______________________________________Instituie public_____________________________
1.3. Anul fondrii
__________________________________________________1946_____________________________________________
1.4. Actul de nfiinare
____________________________Certificat
de nregistrare seria MD nr.0062624_______________________
___________________________________________________________________________________________________
1.5. Numrul de nregistrare atribuit de Camera nregistrrii de Stat
_____________________________________Nr.122071
din 29.12.2006____________________________________
1.6 .Profilul de cercetare
Fizica i tehnologia materialelor, nanostructurilor i dispozitivelor optoelectronice semiconductoare

1.7. Direciile tiinifice de baz
__________________ Nanotehnologii,
inginerie industrial, produse i materiale noi ________________
____________________________________________________________________________________________________
1.8. Structura organizatoric
CENTRUL CERCETRI TIINIFICE Materiale i dispozitive semiconductoare:

LC Fizica structurilor multistratificate i magnetici moleculari,
LC Fizica semiconductorilor,
LC Sinergetica,
LC nregistrarea fototermoplastic,
LC Fotonica i metrologia fizic.
_____________________________________________________________________________________________________
1.9. Director
________________________Gain Petru,
doctor habilitat, profesor universitar ________________________
1.10. Adresa
_______________________str. A.Mateevici
60, MD-2009 Chiinu, Republica Moldova _______________
__________________________________________________________________________________________________
1.11.Telefon, fax, pagina web, e-mail
________________________57.75.79;
24.42.48; www.usm.md; gashin@usm.md ______________________
74
II. RESURSE UMANE
2.1.
2.2.
2.3.
2.4.
2.5.
Anul
1
Total posturi (conform statelor de personal), total
2.1 .1. Posturi ocupate
2.1.2.
Posturi vacante
Structura personalului dup activitate
Personal din sfera tiinei i inovrii, total
(2.2.1.1+2.2.1.2.)
2.2.1.1.
titulari
a.
de baz
b.
cumul intern
2.2.1.
2.2.1.2.
netitulari
a.
cumul extern
b.
acord de munc
2.2.1.3.
angajai femei
Personal auxiliar, total
2.2.2. 2.2.2.1.
posturi ocupate
2.2.2.2.
posturi vacante
Personal de conducere, total
2.2.3.
2.2.3.1. posturi ocupate
2.2.3.2. posturi vacante
Personal tiinifico-didactic, total
2.2.4. 2.2.4.1.
titulari ai organizaiei
2.2.4.2.
titulari ai instituiei de nvmnt superior
Structura personalului dup calificare
Personal din sfera tiinei i inovrii cu studii superioare,
total (2.3.1.1.+2.3.1.2.)
2.3.1.1.
cercettori tiinifici
inclusiv:
a.
doctori/ doctori habilitai
2.3.1.
b.
profesori universitari/cercettori
c.
confereniari universitari/cercettori
d.
membri titulari/ membri corespondeni
2.3.1.2.
ingineri
2.3.2.
Personal din sfera tiinei i inovrii cu studii medii
2.3.3.
Personal auxiliar cu studii superioare
2.3.4.
Personal auxiliar cu studii medii
Perfecionarea personalului
Doctoranzi, total (2.4.1.1.+2.4.1.3.)
inclusiv :
care studiaz n organizaie (zi/ cu frecven
2.4.1.1.
redus)
2.4.1.
i continu activitatea tiinific n cadrul
2.4.1.2.
organizaiei (angajai n proiecte de cercetare)
2.4.1.3. care studiaz n exterior, total
2.4.1.4. dintre care n strintate
2.4.2. Postdoctoranzi, total
2.4.3. Competitori, total
Stagii n strintate (de peste 1 lun), numr de
2.4.4.
personal/total (luni)
Susinere de teze, total
2.4.5. 2.4.5.1.
doctori habilitai
2.4.5.2.
doctori
2.4.6. Persoane abilitate cu dreptul de conductor
Structura personalului dup vrst
2.5.1.
Sub 35 de ani
2.5.2.
35-44 de ani
2.5.3.
45-54 de ani
2.5.4.
55-64 de ani
2.5.5.
Peste 65 de ani
75
2006
2007
2008
2009
2
57,25
57,25
-
4
59
59
-
61
61
-
5
61,25
61,25
-
71
78
83
66
40
26
5
5
71
38
33
7
7
74
37
37
9
9
10
18
73
Media
anual
Indicatorul
2010
6
7
60
60
-
59,7
59,7
-
82
78
78,4
30
67
38
29
15
13
2
22
59
39
20
19
16
3
21
67,4
38,4
29
11
10
1
20,2
83
88
87
84
83
71
78
83
82
78
78,4
32/8
38/7
36/8
31/5
27/6
32,8/6,8
0/1
2
0/1
5
0/1
5
0/1
5
0/1
6
0/1
4,6
6,2
5/3
3/3
5/3
4/1
4/0
4,2/2
3
7
1
9
10
2
2
10
14
9
15
18
15
18
7
23
16
14
25
5
21
18
14
27
4
22
16
13
24
5
15
18
16
0,4
0,2
0,4
5,2
9
76
4.1.
4.2.
4.3.
5. 1.
5.2.
5.3.
5.4.
IV. POTENIAL LOGISTIC

1
2
3
4
5
6
7
Spaii adecvate procesului de cercetare tiinific, total (m)
2988,7 2988,7 2988,7 2988,7 2988,7 2988,7
(4.1.1.+4.1.2.+4.1.3.)
4.1.1.
Proprii
2988,7 2988,7 2988,7 2988,7 2988,7 2988,7
4.1.2.
Primite n folosin
4.1.3.
Luate n arend
4.1.4.
Per cercettor tiinific
42,0
38,3
36,0
36,4
38,3
38,2
Echipament tiinific
4.2.1.
Total (mii lei)
2309,3 2566,3 2851,4 3168,2 3520,2 2883,1
4.2.1.
Per cercettor tiinific
32,5
32,9
34,4
38,6
45,1
36,7
Caracteristici ale echipamentului tiinific, (dup vrst, reieind din
cost ) (%)
4.3.1.
Sub 5 ani
4.3.2.
6 10 ani
4.3.3.
Peste 10 ani
V. REZULTATE ALE ACTIVITII DIRECTE DE CERCETARE I INOVARE
1
2
3
4
Numr de lucrri tiinifice publicate/volum (coli editoriale)
100
124
101
(5.2.+5.3. +5.8.7)
inclusiv:
5.1.1.
Publicaii tiinifice electronice
5.1.2.
Media numr lucrri/cercettor
1,52
1,75
1,37
Media cheltuieli totale (fr fonduri de procurare a
16,4
17,9
26,1
5.1.3.
utilajului, lucrri de reparaii capitale)/lucrare publicat
(mii lei)
Numr de articole tiinifice publicate, total (5.2.1.+5.2.2.)
59
48
51
n reviste tiinifice, total (5.2.1.1.+5.2.1.2.)
57
47
50
n ar (a+b+c)
23
19
17
a.
categoria A
7
2
7
5.2.1.1.
b.
categoria B
c.
categoria C
16
17
10
5.2.1.
n strintate (a+b+c+d)
34
28
33
a.
ISI, cu factor de impact > 1
5.2.1.2.
b.
ISI, cu factor de impact 0,1- 1
27
19
33
c.
ISI, cu factor de impact <0,1
d.
alte reviste tiinifice atestate
7
9
n culegeri, total
5.2.2.
5.2.2.1.
n ar
5.2.2.2.
n strintate
Numr de lucrri editate, total (5.3.1.+5.3.2.+5.3.3)
2
1
1
Monografii (5.3.1.1.+ 5.3.1.2)
5.3.1.1.
n ar
5.3.1.2.
n strintate
1
5.3.1.
n ediii internaionale incluse n Web of
5.3.1.3.
Science
5.2.1.4.
capitole n monografii n ar
5.3.1.5.
capitole n monografii peste hotare
2
1
5.3.2.
Dicionare
5.3.3.
Culegeri etc.
Numr de brevete obinute/implementate (5.4.1+5.4.2.)
3
6
8
5.4.1.
Brevete obinute n ar/implementate
3
6
8
5.4.2.
Brevete obinute n strintate /implementate
5.4.3.
Cereri de brevetare naintate la AGEPI
1
1
7
5.4.4.
Certificate de soiuri obinute
5.4.5.
Certificate de rase obinute
5.4.6.
Certificat de preluare a suelor n colecii
5.4.7.
Cereri de certificare a soiurilor/raselor/suelor
Contracte de licen (cesiune) n baza brevetelor, know5.4.8.
how i soiurilor de plante omologate, raselor, tipurilor,
liniilor de animale i psri
5.4.9.
Rezultate menionate la expoziii i saloane n ar/peste
hotare cu:
5.4.9.1
medalii de aur
3
1
5.4.9.2.
medalii de argint
1
77
5
117
6
89
7
106,2
1,75
25,7
1,15
32,5
1,51
23,72
55
55
17
4
28
29
10
4
48,2
47,6
17,2
4,8
13
38
20
12
6
19
4
15
12,4
30,4
4,8
21,2
4,8
0,8
0,2
0,37
7
7
9
9
6,6
6,6
2,4
1
1
1
0,8
5.5
5.6.
5.7.
5.8.
5.9
5.10.
5.4.9.3.
medalii de bronz
3
2
Elaborri tiinifice i tehnologice
5.5.1.
Produse, echipamente asimilate n fabricare n serie
Tehnologii, secvene tehnologice, produse noi i semine
5.5.2.
de soiuri realizate i valorificate de ageni economici prin
contract cu un volum de finanare >100 mii lei
Tehnologii, secvene tehnologice, produse noi i semine
5.5.3.
de soiuri realizate i valorificate de ageni economici prin
contract cu un volum de finanare <100 mii lei
Produse noi valorificate de agenii economici prin
5.5.4.
colaborare sau contracte royalty
Mostre de maini, echipamente, dispozitive funcional
5.5.5.
elaborate
5.5.6.
Atlase i hri elaborate
5.5.7.
Materiale / substane noi documentate
5.5.8.
Tehnologii noi documentate
5.5.9.
Metode noi documentate
5.5.10.
Procedee documentate
5.5.11.
Softuri elaborate/implementate
5.5.12.
Hibrizi documentai
5.5.13.
Sue documentate
5.5.14.
Rapoarte de cercetri arheologice elaborate
5.5.15.
Cataloage de colecie elaborate
5.5.16.
Protocoale clinice elaborate etc.
Materiale tiinifice utilizate n elaborarea de:
5.6.1.
Proiecte de legi, strategii, concepii
5.6.2.
Programe
5.6.3.
Acte normative, tehnice, tehnologice
Numr de manifestri tiinifice organizate, total
2
1
5.7.1.
Internaionale (strini - peste 20% din participani )
1
1
5.7.2.
Naionale cu participare internaional
5.7.3.
Naionale
1
1
Numr de participri la manifestri tiinifice (5.8.1+5.8.2+...5.8.6.) 23
65
Rapoarte la invitaie (referate n plen) la manifestri
5.8.1.
naionale
5.8.2.
naionale cu participare internaional
5.8.3.
internaionale
5.8.4.
Comunicri orale, postere la manifestri naionale
16
5.8.5.
Comunicri orale, postere la manifestri internaionale
7
29
Comunicri orale, postere la manifestri naionale cu 16
20
5.8.6.
participare internaional
Rezumate publicate la manifestri tiinifice
39
75
5.8.7.1
internaionale
7
35
5.8.7
5.8.7.2.
naionale cu participare internaional
16
20
5.8.7.3.
naionale
16
20
Asisten, servicii tiinifice prestate, precum i activiti de consultan i popularizare a
5.9.1.
Prestri de servicii n laboratoare acreditate
5.9.2.
Prestri de servicii n laboratoare neacreditate
Expertize ecologice, tehnice, medicale, terminologice,
5.9.3.
pedagogice, testri biologice, chimice etc.
5.9.4.
Asisten medical (pacieni tratai)
5.9.5.
Consultan
5.9.6.
Recomandri tiinifico-practice documentate
5.9.7.
Manifestri tiinifico-practice organizate pentru utilizatori
5.9.8.
Cri editate de popularizare a tiinei
5.9.9.
Articole de popularizare a tiinei
Participri la emisiuni radio i TV consacrate tiinei, 1
1
5.9.10.
inovrii, educaiei, culturii etc.
Distincii i premii
5.10.1.
Distincii de Stat obinute n perioada evaluat
Premiul de Stat al Republicii Moldova obinut n perioada 1
5.10.2.
evaluat
Premii acordate n rezultatul Concursului Naional de
5.10.3.
Susinere a tiinei obinute n perioada evaluat
5.10.4.
Premii ale Academiei de tiine a Moldovei obinute n
1
78
0,2
0,2
0,6
0,2
1,8
0,4
1
37
2
41
2
39
1,4
41
2
21
14
31
10
2
13
24
4
20,2
16,8
49
21
14
14
tiinei
62
32
15
15
61
13
24
24
57,2
20,2
16,8
16,8
0,2
1
0,2
1
0,4
6.1.
6.2.
6.3.
7.1.
7.2.
7.3.
perioada evaluat
VI. ANTRENARE N ACTIVITI CONEXE CERCETRII
1
2
3
4
Activitate didactic/tiinifico-didactic universitar (a personalului tiinific)
6.1.1.
Numr de persoane / cursuri susinute
6.1.2.
Cursuri noi elaborate n perioada evaluat
Alte forme de implicare n procesul educaional
preedinte al Comisiei examenelor de
3
3
3
6.1.3.1.
licen/masterat
membru al Comisiei examenelor de
15
12
12
6.1.3.2.
licen/masterat,
conductor al tezei de licen/ masterat
96
113
123
6.1.3.
6.1.3.3.
susinute
conductor tiinific al tezei de doctor
6.1.3.4.
susinute
6.1.3.5.
consultant tiinific al tezei de doctor susinute
consultant tiinific al tezei de doctor habilitat
6.1.3.6.
susinute
Numr de materiale didactice publicate pentru instituiile de
4
4
nvmnt superior i preuniversitar (6.2.1..+6.2.2.)
Manuale (6.2.1.1.+6.2.1.2.)
1
3
6.2.1.1.
manuale pentru nvmntul universitar
1
6.2.1.2.
manuale pentru nvmntul preuniversitar
2
6.2.1.
capitole n manuale pentru nvmntul
6.2.1.3.
universitar
capitole n manuale pentru nvmntul
6.2.1.4.
preuniversitar
Lucrri instructiv-metodice
3
1
Lucrri metodice, note de curs,
3
1
6.2.2.
6.2.2.1.
compendiumuri
6.2.2.2.
Lucrri didactice digitale
Numr de avize, de expertize asupra proiectelor de acte legislative
i de alte acte normative, asupra programelor i proiectelor din
sfera tiinei i inovrii
VII. COOPERRI NAIONALE I INTERNAIONALE
1
2
3
Cooperri bilaterale naionale
Realizare de programe (proiecte, lucrri) n comun cu alte
7.1.1.
organizaii (numr de proiecte i de lucrri comune)
7.1.2.
Numr de subdiviziuni comune n sfera tiinei i inovrii
Numr de filiale ale organizaiei n instituii de nvmnt
7.1.3.
superior /ale instituiilor de nvmnt superior n
organizaie
Colaborri cu organele centrale de specialitate
7.2.1.
Documente de politici elaborate/ aprobate
Recomandri metodologice elaborate/ implementate n
7.2.2.
activitatea autoritilor publice centrale i/sau locale
Participri n activitatea comisiilor instituite de Preedinie,
7.2.3.
Parlament, Guvern
Participri n activitatea grupurilor de lucru instituite de
7.2.4.
ministere, departamente
Cooperri bilaterale internaionale
7.3.1.
Acorduri de cooperare cu parteneri din strintate
7.3.2.
Lucrri executate la comanda beneficiarilor din strintate
Membri ai consiliilor tiinifice specializate la susinerea n
7.3.3.
strintate a tezelor de doctor i doctor habilitat
Refereni la susinerea n strintate a tezelor de doctor i
7.3.4.
doctor habilitat
Cercettori invitai n strintate pentru activitatea
2
7.3.5.
tiinific
Cercettori invitai ntr-o instituie universitar din
7.3.6.
strintate pentru activitatea didactic
Cursuri de prelegeri i conferine susinute n strintate la
7.3.7.
invitaie
7.3.8.
Savani din strintate care au vizitat organizaia
Cooperri n programe europene i internaionale
79
15
12
13
109
130
114,2
0,2
2
0,2
1,6
0,8
0,2
0,4
0,8
0,8
1,8
Proiecte de cercetare finanate de organizaiile din

strintate, cu un volum de finanare mai mare de 100 mii
euro
Proiecte de cercetare finanate de organizaiile din
7.4.2.
strintate, cu un volum de finanare mai mic de 100 mii
euro
7.4.3.
Proiecte naintate/obinute n cadrul Programului Cadru 7
Doctoranzi deintori ai burselor internaionale de studii
7.4.4.
pentru efectuarea cercetrilor n ar
Asociere n activitatea organismelor/societilor tiinifice
Membri/membri-corespondeni ai AM, alei n perioada
7.5.1.
evaluat
Membri de onoare ai academiilor de tiine din strintate,
7.5.2.
alei n perioada evaluat
Membri/experi/consultani ai altor organisme tiinifice
7.5.3.
din ar, alei n perioada evaluat
Membri/experi/consultani ai organismelor tiinifice de
7.5.4.
peste hotare, alei n perioada evaluat
Membri ai colegiilor de redacie ale ediiilor tiinifice din
7.5.5.
ar/precum i de refereni tiinifici ai revistelor tiinifice
din ar, alei n perioada evaluat
Membri ai colegiilor de redacie ale ediiilor tiinifice de
7.5.6.
peste hotare/precum i de refereni tiinifici ai revistelor
tiinifice de peste hotare, alei n perioada evaluat
7.4.1.
7.4.
7.5..
80
4,75
0,4
7,4
7,4
7. LISTA MATERIALELOR SOLICITATE ORGANIZAIILOR DIN SFERA TIINEI

I INOVRII PENTRU EVALUARE I ACREDITARE
7.1. Planul tematic de cercetri pentru perioada luat n studiu
Proiecte instituionale
Cercetri tiinifice fundamentale
1.
06.408.035F Structuri fototermoplastice din semiconductori calcogenici pentru

medii holografice,
Termenul executrii 5 ani (2006-2010);
Conductorul proiectului dr.Oleg Corac
2.
06.408.036F Fenomene electronice n heterostructuri nanometrice i clusteri cu

valen mixt
Conductorul proiectului membru-cor. Evghenii Pocotilov
3.
06.408.037F Impuriti de tipul d-elementelor n materialele semiconductoare

II-VI.
Conductorul proiectului dr. Hab. Dumitru Nedeoglo
4.
06.408.038F Efecte sinergetice la interaciunea radiaiilor electromagnetice cu

mediile biologice,
Conductorul proiectului dr.hab. Anatol Rotaru
5.
06.408.039F Structuri n baz de Si, InP i GaN pentru conversia fotovoltaic i

optoelectronic,
Conductorul proiectului dr. Leonid Gorceac
Cercetri tiinifice aplicative
6.
06.408.042A Module fotovoltaice pe baza heterojonciunilor CdS-CdTe,

Conductorul proiectului dr.hab. Petru Gain
7.
06.408.043A Nanocompozite n baza semiconductorilor AIIIBVI i fullereni C60

pentru dispozitive optoelectronice,
Conductorul proiectului dr. Igor Evtodiev
8.
06.408.044A Elaborarea tehnologiei de obinere prin metode chimice a compuilor semiconductori AIIBVI i AIVBVI sub forma de pelicule subiri
din cristalite nanometrice pentru necesitile optoelectronicii,
Conductorul proiectului dr.Igor Dementiev
81
Proiecte din cadrul Programelor de Stat

1.
06.402.02.04 P Tehnologia compozitelor nanodimensionale

receptorilor,
elaborarea
2.
08.805.05.04 A Elemente fotovoltaice i celule solare pe baz de Cdte pe suporturi

flexibile,
Termenul executrii 1 an (2008);
Conductorul proiectului dr.Tamara Potlog
3.
09.836.05.08A Elaborarea tehnologiei de obinere a nanostraturilor pe baz de

compui GaInP/GaAs(InP) prin metoda de epitaxie din faz gazoas pentru aplicaii la dispozitive fotovoltaice,
Conductorul proiectului dr.Leonid Gorceac
4.
09.836.05.11A
Noi structuri nanometrice multistrat semiconductoare cu aplicaii

n tehnologia conversiei i stocrii energiei,
Conductorul proiectului dr. Igor Evtodiev
Proiecte pentru tinerii cercettori
1.
08.819.05.05 F Proprietile optice i de transpor ale superreelelor formate din puncte

cuantice,
2.
08.819.05.08 F Spectrele energetice ale purttorilor de sarcin n suprareelele 3dimensionale formate din puncte cuantice de diferit form: influiena
parametrilor materiali i a dezordonrii slabe
Conductorul proiectului dr. Denis Nica
3.
08.822.05.04 F Optimizarea conductibilitii termice pentru dispozitivele

nanoelectronice,
Conductorul proiectului Nadejda Zincenco
10.819.05.02F Dirijarea fluxurilor fononice n structurile nanodimensionale: rolul
proceselor 3-fononice Normal i Umklapp ,
Conductorul proiectului dr. Denis Nica
4.
Proiecte bilaterale Moldova-Rusia (RFFI)

1.
06.35 CRF Strile electronice i procesele optice n structurile punctelor

cuantice de Si n matricea dielectric ce conine ioni ale metalelor
de pmnt rar,
82
2. 08.820.05.29RF Cercetarea proceselor de fotosensibilizare a formelor active ale

oxigenului n sistemele din nanocristale semiconductoare pentru
aplicaii biomedicinale,
Conductorul proiectului dr. Serghei Boldrev
Proiecte internaionale (bilaterale)
1. 10.820.05.02GA Conductibilitatea termic fononic n suprareelele 3-dimensionale, formate din puncte cuantice In(Ga)As/GaAs i (Si)Ge/Si,
2.
10.820.05.03 GA Celule solare TCO/CdS/CdTe de eficien nalt cu straturi

nanometrice de CdS,
Proiecte internaionale INTAS
1.
tiina i tehnologia celulelor solare bazate pe calcogenizi de

cupru-indiu i polimeri conductibili
2.
05.7519 MD Detectoare de radiaii ionizate performante cu etecu eterostructuri

integrate cu scintilatorul n baza semiconductor A2B6,
3.
05.7656 MD Exitonii n nanocristale semiconductoare ca aprovizionatori de

energie pentru aplicaii optoelectronice i biomedicale,
Grant internaional SCOPES

1. IB7420-1111038/1
Creterea minimodulelor i a celulelor solare cu stabilitate i eficien

nalt,
Conductorul proiectului dr. Tamara Potlog
2.
Development of a stable and high efficiency CdTe solar cells and

PV minimodules
Termenul executrii 2006-2008;
83
Proiect internaional CRDF

1. MOP2-5069CH-06
Elaborarea tehnologiei de nregistrare a informaiei holografice

de vitez nalt cu utilizarea sistemelor de nregistrare cu putere de
rezoluie nalt n baza purttorilor fototermoplastici cu dou
straturi
Conductorul proiectului Dr. O.Corsac
2.
Phonon Transport Optimization for Improved Heat Removal from

Nanoscale Electronic Circuits

Conductorul proiectului Membru cor. E.Pocotilov
3.
Obinerea straturilor de semiconductori pe baz de calcogenide
4.
Optimizarea coeficienilor cinetici pentru heterostructurile bazate pe

GaN

Conductorul proiectului Dr. I.Dementiev

Conductorul proiectului Dr. D.Nica
5.
Efectele impuritilor n calitatea celulelor solare prin studierea

fotoluminiscenei
Termenul executrii 2007;

Conductorul proiectului Dr. S. Vatavu
6.
Tehnologii de ameliorare a sistemelor bazate pe purttori termoplastici

Conductorul proiectului Dr. O.Corac
Proiect internaional FP-7

1. FP7
Development of Flexible single and tandem II-VI-Based High
FLEXSOLCELL Efficiency Thin Film Solar Cells
nr.230861
84
7.2. Lista elaborrilor n perioada luat n studiu

1.
I.
Denumirea i tipul lucrrii
Phonon Engineering in Hetero- and Nanostructures, Journal

of Nanoelectronics and Optoelectronics, vol. 2, pp. 1-31, 2007.
II. Denumirea i codul proiectului n cadrul cruia a fost
realizat lucrarea
06.408.036F Fenomene electronice n hs nanometrice i

clusteri cu valena mixt
III.
Autorii lucrrii
E.P.Pokatilov, dr. hab. n t. fiz.-mat., prof. univ., membru-cor. al

AM, cond. t. al LC Fizica structurilor multistratificate i magneticilor moleculari, Universitatea de Stat din Moldova;
D.L. Nika, dr. n t. fiz.-mat., cs al LC Fizica structurilor multistratificate i magneticilor
moleculari, Universitatea de Stat din Moldova;
A.A. Balandin, doctor, professor of electrical engineering, Director of the Nano-Device Laboratory,
University of California Riverside, USA
IV.
Descrierea tiinific a lucrrii (pn la 100 cuvinte)
n lucrare a fost dezvoltat conceptul de inginerie fononic pentru nanostructurile multistratificate

(heterostructurile plane, firele cuantice dreptunghiulare i cilindrice), care const n dirijarea fluxurilor
tehnice i de sarcin n nanoheterostructuri prin utilizarea nveliurilor din diferite materiale. Rezultatele
obinute vor permite de a mbunti proprietile nanostructurilor existente.
2.
I.
Charge-carrier states and light absorption in ordered quantum

dots superlattices, Physical Review B, 2007, Vol. 76, pp.
125417-1 9125417-9
II.
Denumirea i codul proiectului n cadrul cruia a fost
realizat lucrarea
III.
Autorii lucrrii
D.L. Nika, dr. n t. fiz.-mat., cs al LC Fizica structurilor multistratificate i magneticilor moleculari, Universitatea de Stat din Moldova;
E.P.Pokatilov, dr. hab. n t. fiz.-mat., prof. univ., membru-cor. al AM, cond. t. al LC Fizica
structurilor multistratificate i magneticilor moleculari, Universitatea de Stat din Moldova; Q. Shao,
Nano-Device Laboratory, University of California Riverside, USA; A.A. Balandin, doctor, professor of
electrical engineering, Director of the Nano-Device Laboratory, University of California Riverside, USA.
IV.
Descrierea tiinific a lucrrii (pn la 100 cuvinte)
n lucrare a fost dezvoltat teoria strilor electronice i de gol n suprareele 3 dimensionale din puncte
cuantice. Au fost cercetate proprietile optice ale acestor suprareele i s-a stabilit perspectiva utilizrii
lor n dispozitivele termoelectronice i n cele sensibile la gaze, ct i n fotodetectori.
85
3.
I.
Size-quantized oscillations of the electron mobility limited by

the optical and confined acoustic phonons in the nanoscale
heterostructures
II. Denumirea i codul proiectului
III. Autorii lucrrii
E.P.Pokatilov, dr. hab. n t. fiz.-mat., prof. univ., membru-cor. al
AM, cond. t. al LC Fizica structurilor multistratificate i
magneticilor moleculari, Universitatea de Stat din Moldova;
D.L. Nika, dr. n t. fiz.-mat., cs al LC Fizica structurilor multistratificate i magneticilor
moleculari, Universitatea de Stat din Moldova;
A.S. Askerov, LC Fizica structurilor multistratificate i magneticilor moleculari,
Universitatea de Stat din Moldova;
A.A. Balandin, doctor, professor of electrical engineering, Director of the Nano-Device
Laboratory, University of California Riverside, USA.
VI. Descrierea tiinific a lucrrii (pn la 100 cuvinte)
n lucrare este cercetat dependena mobilitii electronilor de grosimea canalului conductor n
heterostructurile triplu stratificate AlN/GaN/AlN cu reea cristalin zinc-blende , innd cont
de neelasticitatea interaciunii electron fonon i tranziiile electronice dintre subbenzi. Am
stabilit, c curbele mobilitii posed un caracter nemonoton (oscilant), acest fapt se explic
prin conectarea subbandelor excitate la procesul de difuzie.
4.
I. Denumirea elaborrii
Tehnologia de obinere a monocristalelor structural perfecte de
seleniur de zinc
Impuriti de tip d n materiale semiconductoare II-VI, 06.408.037F
Organizaia-executor
Denumirea organizaiei
USM
Localitate
str. Mateevich, 60
Telefon / Fax 577586
E-mail / Pagina WEB
nedeoglo@usm.md
II.
Autorii elaborrii
Dmitrii D. Nedeoglo, dr.hab. fiz.-mat., prof., tel.:577586
Gleb V. Colibaba, tel.:271916 , GKolibaba@yandex.ru
III. Descrierea elaborrii
A fost elaborat tehnologia de obinere a monocristalelor ZnSe prin transportul fizic a
vaporilor n vid cu utilizarea cristalelor iniiale. A fost propuse utilizarea profilului brusc de
temperatur cu minimum, care contribuie cum la lichidare efectului de distrugire a cristalelor n
proces de rcire aa i la micorarea densitii de dislocri n cristale pn la 0 mm-2. Volumul
cristalelor obinute ajunje pn la 3 cm3. Rezistena specific e nu mai mic de 10 8 Ohmcm i
nu se schimb dup tratarea termic n toputuri de Zn sau Se, cea ce confirm nivelul nalt de
puritate a cristalelor obinute. A fost propus utilizarea impuritii de iod (I) pentru dopare monocristalelor ZnSe n procesul de cretere, cea ce permite obinerea cristalelor cu conductibilitate
pn la 10 (Ohmcm)-1.
86
5. Dispozitiv nregistrarea Fototermplastic

Autori: O.Corac - dr.n tiine tehnice (373 22) 577588, e-mail:
olegkorshak@yahoo.com
A.Chiria- cercet.tiin
chirizza@yahoo.com
Iu.Jidcov - cercet.tiin
(373 22) 577747, e-mail:

(373 22) 577747
Dispozitivul nregistrarea Fototermoplastic este destinat pentru nregistrarea

hologramelor i interferogramelor pe purttori fototermoplastici n spaiul real al timpului.
Parametrii de baz: timpul de nregistrare i de regenerare a hologramelor nu mai mult de 3 secunde,
fotosensibilitatea purttorilor fototermoplastici este de ordinul 106 cm2/J, capacitatea de rezoluie pn la 2000 mm1
.La exploatarea dispozitivului se utilizeaz purttorii fototermoplastici pe suport elastic cu lungimea nu mai mic
de 30 metri ce permite nregistrarea n regim continuu a 300 imagini fr a schimba caseta.Dispozitivul permite
nregistrarea hologramelor a microobiectelor att staionare ct i mobile. Pentru utilizarea cu succes a acestui
dispozitiv n holografie i interferometrie sunt elaborai i produi purttorii fototermoplastici cu o maxim
sensibilitate spectral corespunztoare pentru laserele mai des utilizate He-Ne (=633 nm) i Nd:YAG (=532
nm).
Caracteristicile tehnice.
1. timpul de nregistrare i de regenerare a hologramelor nu mai mult de 3 secunde,
2. fotosensibilitatea purttorilor fototermoplastici este de ordinul 106 cm2/J,
3. capacitatea de rezoluie pn la 2000 mm-1.
A fost deja efectuat exploatarea experimental a elaborrii? Descriei rezultatele.
n cadrul colaborrii comune dispozitivul a trecut testarea cu succes la Physical Optics Corporation (SUA) n
perioada lunilor aprilie-iunie anului 2008. Au fost efectuate cercetrile n comun la nregistrarea hologramelor a
microobiectelor att staionare ct i mobile.
n procesul de testare au fost depistate unele neajunsuri a dispozitivului pentru care s-a elaborat un plan detaliat de
modernizare.
6. Procedeu de obinere a sulfurii de cadmiu nanocompozite n matria polimer

I. Autorii elaborrii
Igor Dementiev, Colaborator tiinific coordonator, doctor n tiine fizico-matematice.
Tatiana Guul, colaborator tiinific
Tatiana Goglidze, colaborator tiinific
Petru Petrenco, doctor n tiine chimice
II. Descrierea elaborrii
Problema prezentei elaborrii const n obinerea sulfurii de cadmiu nanocompozite n matria polimer
cu simplificarea concomitent a procedeului.
Problema trasat se soluioneaz din contul procedeului de de obinere a sulfurii de cadmiu
nanocompozite n matria polimer prin sintez n soluie-topitur, cnd n calitate de matri polimer
se utilizeaz copolimerul etilenei cu acetatul de vinil, iar n calitate de componente iniiale se utilizeeaz
acetatul de cadmiu cu tioureea, totodat raportul dintre matria polimer i componentele iniiale se
menine n limitele 95-80% de mas de copolimer i 5-20% de mas de amestec de acetat de cadmiu i
tiouree, iar sinteza se efectueaz n intervalul de temperatur de 105-150C la presiunea de 50 atm.
Rezultatul tehnic al efecturii sintezei n solutia-topitur a copolimerului etilenei cu acetatul de vinil i
componentelor iniiale acetatului de cadmiu cu tioureea const n concomitena decurgerii reaciei de
schimb cu obinerea sulfurii de cadmiu i introducerea ei n volumul matriei polimere. Datorit acestui
fapt se obine o matri colorat uniform cu impregnaii de sulfur de cadmiu cu dimensiunea de la 10 pn
la 30 nm.
III. Tipul elaborrii:
Inovaie / optimizare
IV. Domeniul de implementare
Sulfuride cadmiu nanocompozite n matria polimer poate fi utilizat n calitate de material fotosensibil,
magnetic i catalic nou.
87
7. Procedeu de cretere a straturilor epitaxiale A3B5 n reactor orizontal.

I. Autorii elaborrii
Numele, prenumele, titluri tiinifice i onorifice, telefon, e-mail
Botnariuc Vasile, doctor n tiine fizico-matematice, 57-75-87
Gorceac Leonid, doctor n tiine fizico-matematice, 57-74-14
Raevschi Simion, doctor n tiine tehnice, 57-75-87
Zhilyaev Yurii, doctor habilitat n tiine fizico-matematice, Institutul Fizico-Tehnic, Sankt Peterburg
Feodorov Leonid, doctor n tiine fizico-matematice, Institutul Fizico-Tehnic, Sankt Peterburg
II. Descrierea elaborrii (pn la 150 cuvinte)
Procedeul de cretere a straturilor epitaxiale a compuilor A3B5 (de exemplu GaAs) se desfoar ntr-un
reactor orizontal cu echicurent (H 2(g), AsCl3(l)) utiliznd substrate de GaAs cu orientarea cristalografic
(100) i dezorientarea de (3-5) spre direcia (110).
Dup prelucrarea chimic a plachetelor urmeaz amplasarea lor n reactor, suflarea cu H 2(g) i stabilirea
temperaturilor: n zona sursei (Ga) 800C; n zona de depunere (740...715)C, gradientul de
temperatur variind de la 1,7 C/cm pn la 2,1 C/cm. n continuare se micoreaz viteza liniar a
fluxului de hidrogen prin barbotorul cu AsCl3 pn la 33-35cm/min i se efectueaz procesul de depunere
a stratului epitaxial de grosimea necesar.
Inovaie
IV. Caracteristici tehnice i economice, ncercri experimentale
Rezultatul procedeului const n prepararea straturilor epitaxiale A 3B5 (GaAs, GaP, InP) cu grosimi
uniforme i majorarea productivitii la confecionarea pe baza lor a dispozitivelor optoelectronice.
V. Domeniul de implementare
Elaborarea i confecionarea dispozitivelor optoelectronice
VI. Posibilitile de realizare pe piaa autohton i mondial
Procedeul tehnologic menionat se propune productorilor de dispozitive optoelectronice pe baza
compuilor A3B5
8. Phonon-engineered mobility enhancement in the acoustically mismatched

silicon/diamond transistor channels, Applied Physics Letters, 2008, vol. 3, 173111
Autorii lucrrii:
Nica Denis, dr. n t. fiz.-mat., LC Fizica structurilor
multistratificate i magnetici moleculari
Pocotilov Evghenii, dr. hab. n t. fiz.-mat., LC Fizica structurilor
multistratificate i magnetici moleculari
Balandin Alexander, PhD, Universitatea din California, SUA
Descrierea tiinific a lucrrii

n lucrare a fost cercetat teoretic influena straturilor de invelii ai
nanocanalul de siliciu asupra interaciunii electron-fononice i
mobilitii electronilor. A fost propus o metod nou de majorare a
mobilitii electronilor n nanocanalul conductibil al heterostructurilor
planare prin acoperirea lui cu un material mai rigid (spre exemplu din
carbon). S-a demonstrat, c mobilitatea electronilor n nanocanalul se majoreaz de 2-3 ori la
temperatura camerei i de 40-50 ori la temperaturi joase. Interpretarea teoretic a acestui efect
const n reconstruirea spectrelor fononilor acustici n heterostructur i suprimarea interaciunii
electron-fononice.
88
9. Optical properties of bismuth oxide thin films prepared by reactive d.c. magnetron
sputtering onto p-GaSe (Cu) Physica Status Solidi (a) 205, No. 8, 2052-2056 (2008)/DOI
10. 1002/pssa. 200778868.
Autorii lucrrii
dr.lector L. Leontie, Facultatea de Fizic a Universitii Al.I. Cuza,
Boulevard Carol I/ 11, R-700506, Iasi, Romania;
Dr. hab.M. Caraman, Universitatea din Bacu, Calea Marasesti157, R600115 Bacau, Romania;
Dr. conf. univ I. Evtodiev, dr. lector E. Cuculescu, magistrand A. Mija
Facultatea de Fizic a Universitii de Stat din Moldova, Str. A Mateevici
60, MD-2009, Chisinau, Republica Moldova.
1.
2. Descrierea tiinific a lucrrii . Sa demonstrat i sa stabilit:

posibilitatea de obinere n straturi de oxid de bismut n care predomin
dou faze: i -Bi2O3 n cazul pulverizrii n sistem magnetron n
radiofrecven din int de Bi metalic n atmosfer de Ar/O 2 (2:1) pe
substrat de GaSe(Cu).
Att indicele de refracie ct i coeficientul de extincie a stratului de
Bi2O3 obinut pe substrat monocristalin de GaSe(Cu) depind de grosimea
stratului de bismut. Jonciunile Bi2O3/GaSe(Cu) posed proprieti
fotogeneratoare n regiunea spectral de la 1,5 eV pn la 3,0 eV.
Stratul de Bi2O3 formeaz la suprafaa monocristalului de GaSe(Cu) noi legturi de

valen, prin care se mrete densitatea de stri de suprafa cu durat scurt
de via i parcursul liber al golurilor n stratul de la interfaa Bi2O3/GaSe(Cu)
fiind egal cu 1,7 m.
2009
10. Instalaie pentru nregistrarea hologramelor
I.
Autorii elaborrii
Numele, prenumele, titluri tiinifice i onorifice, telefon, e-mail
Corac Oleg, cercet.t.coord.,dr. n tiine tehnice
Ciapurin Igor cercet.t.superior., dr. n tiine fizico-matematice
Rotaru Vasile cercet.t.coord.,dr. n tiine fizico-matematice
Prilepov Vladimir cercet.t.superior., dr. n tiine tehnice
Chiria Arcadi cercettor tiinific
Nasedchina Nadejda cercettor tiinific
Jidcov Iurii cercettor tiinific
Ciorni Alexei, ing.
II. Descrierea elaborrii

Parametrii tehnici:
Instalaia este destinat pentru nregistrarea hologramelor n scar real de timp (pn la 5 sec.).
Sunt utilizai purttori fototermoplastici pe baz de semiconductori fotosensibili din sistema As-Se-S.
Puterea de rezoluie nu mai mic de R=1500 mm -1.
Sensibilitatea holografic nu mai mic de 106 cm2/J (=532 nm).
Purttorul fototermoplastic este executat pe baz flexibil (band de lavsan).
Dimensiunea cadrului 15 x 20 mm.

Se evideniaz tipul elaborrii:
Inovaie
89
IV. Caracteristici tehnice i economice, ncercri experimentale

Exploatarea instalaiei
1. n celula pentru nregistrare se fixeaz purttorul de limea necesar (de la 5 pn la 15 mm).
2. Se conecteaz de la buton i se iniiaz procesul de nclzire a purttorului. Pe panoul indicator va
fi indicat temperatura de nclzire a purttorului. La atingere temperaturii fixate (t~2 min.)
instalaie este gata pentru nregistrarea hologramelor.
3. nregistrarea se realizeaz prin conectarea intervalometrului cu timpul nregistrrii fixat n prealabil
(2-5 sec.).
4. Pentru nregistrarea unei alte holograme toate etapele vor fi repetate n aceeai consecutivitate.
V. Domeniul de implementare
Holografie, nregistrare fototermoplastic
11. Lattice thermal conductivity of graphene flakes: Comparison with bulk graphite,
Applied Physics Letters, 2009, Vol. 94, p. 203103-1 203103 3.
Autorii lucrrii:
Nika Denis, doctor n t. fiz.-mat., confereniar cercettor, LC
Fizica structurilor multistratificate i magnetici moleculari,

Gosh Suchismita, PhD student, Nano-Device Laboratory,
University of California Riverside;
Pokatilov Evghenii, doctor habilitat n t. fiz.-mat., profesor univ.,
Universitate de Stat din Moldova, membru-cor. al AM;
Balandin Alexandr, PhD, Professor, Nano-Device Laboratory,
University of California Riverside
Descrierea tiinific a lucrrii:
n lucrare este efectuat generalizarea formulei lui Klemens a difuziei
fononfononice Umklapp pentru cazul stratului monoatomar format
din atomi de carbon grafenului, prin includerea n formula iniial a diferitor coeficieni Griunaizen
i a vitezei de grup pentru undele LA i TA.
Se arat, c conductibilitatea termic a stratului 2dimensional de grafen depinde mult de
dimensiunile liniare ale lui. Rezultatele, obinute n aceast teorie simplificat, se acord bine i
cu valorile conductibilitii termice, obinute n mod experimental, i cu rezultatele modelului
teoretic, care ine cont n mod exact de specificul proceselor 3 fononice.
12. Denumirea i tipul lucrrii
Heat conduction in graphene: experimental study and
theoretical interpretation, New Journal of Physics, 2009, vol.
11, p. 0950121 095012 19
Autorii lucrrii
Pokatilov Evghenii, doctor habilitat n t. fiz.-mat., profesor univ.,
Universitate de Stat din Moldova, membru-cor. al AM;
90
Descrierea tiinific a lucrrii:

n lucrare este prezentat sinteza detaliat a rezultatelor teoretice i experimentale referitoare la
conductibilitatea termice de reea a grafenului, obinute de ctre colectivele de cercettori
conduse de prof. E.P. Pocotilov de la Universitatea de Stat din Moldova i prof. A.A Balandin
de la Universitatea California Riverside (SUA). A fost interpretat teoretic valoarearecord a
conductibilitii termice n grafen i cercetat dependena conductibilitii termice de
dimensiunile liniare ale exemplarului i de intensitatea difuziei fononilor pe frontierelor
monostratului.
13. Phonon thermal conduction in graphene: Role of Umklapp and edge roughness
scattering, Physical Review B, 2009, Vol. 79, p. 155413-1 155413-12
Autorii lucrrii
Pokatilov Evghenii, doctor habilitat n t. fiz.-mat., profesor
univ., Universitate de Stat din Moldova, membru-cor. al AM;
Askerov Artur, doctorand, Universitatea de Stat din Moldova;
n lucrarea este dezvoltat teoria conductibilitii termice de
reea n grafen, care n mod exact ine cont de specificul
proceselor 3-fononice Umklapp n monostratul format din
atomi de carbon grafen. Teoria dezvoltat a permis de a explica valorile extrem de nalt ale
conductibilitii termice de reea n grafen ~ 4000 W/mK la temperatura de camer, msurate
n anul 2008 n laboratorul prof. A.A. Balandin de la Universitatea California Riverside
(SUA).
14. Engineering of thermal fluxes in phonon mismatched heterostructures. Journal of
Nanoelectronics and Optoelectronics, 2009, vol. 4. p. 180-185
Autorii lucrrii
Zincenco Nadejda, C.., LC Fizica structurilor multistratificate i magnetici moleculari, Universitatea de Stat din Moldova;
univ., Universitate de Stat din Moldova, membru-cor. al AM.
n lucrare se demonstreaz teoretic faptul, c armturile heterostructurilor plane i a heterofirelor influeneaz considerabil
fluxul termic prin canalul conductibil al nanostructurii, adic prin
alegerea corespunztoare a materialului i grosimii straturilor de
armare este posibil de a modifica n mod orientat valoarea
fluxului termic, care se propag prin canalul conductibil al nanostructurii. Efectele, prezice n
articol, pot fi utile la realizarea unei dirijri mai eficiente a transportului termic n structurile
nanodimensionale.
91
2010
15. Dimensional crossover of thermal transport in few-layer graphene, Nature
Materials, 2010, Vol. 9, p. 555-558, factorul impact 29.5
Autorii lucrrii
Bao Wenzhong, PhD student, Nano-Device Laboratory, University
of California Riverside;
Subrina Samia, PhD student, Nano-Device Laboratory, University
of California Riverside;
universitar, Universitate de Stat din Moldova, membru-cor. al
AM;
Lau Chun Ning, PhD, Associate Professor, University of
California Riverside
n lucrarea comun cu experementatorii de la Universitatea din California - Riverside (SUA) a fost
cercetat i interpretat fenomenul neobinuit de micorare a conductibilitii termice a grafenului
multistratificat odat cu creterea numarului de straturi monoatomare.. Este demonstrat faptul, c
conductibilitatea termic a grafenului multistratificat, format din 2, 3, sau 4 straturi monoatomare, este
mai mic dect conductibilitatea grafenului monoatomar, dar este de 5 - 7 ori mai nalt dect
conductibilitatea termic a cuprului. Rezultatele obinute demonstreaz posibilitai largi de utilizare a
grafenului multistratificat la evucuarea cldurii de la punctele fierbini ale schemelor i cip-urilor
moderne, editnd astfel supranclzirea lor.
16. Tehnologia de obinere a monocristalelor de seleniur de zinc structural perfecte
Autorii elaborrii :
Gleb V. Colibaba, dr. n t. fiz.- mat., tel.:577709, scresearch@usm.md
Dumitru D. Nedeoglo, dr.hab.n t.fiz.-mat., prof.,tel.:577586,
nedeoglo@usm.md
Descrierea elaborrii
A fost elaborat tehnologia de obinere a monocristalelor de ZnSe prin
transportul fizic al vaporilor n vid cu utilizarea cristalelor de germinare. A fost
propus utilizarea profilului brusc de temperatur cu minimum, care contribuie
att la lichidarea efectului de distrugere a cristalelor n procesul de rcire ct i
la micorarea densitii de dislocaii n cristale. A fost propus utilizarea
impuritii de iod (I) pentru doparea monocristalelor de ZnSe n procesul de
cretere prin metoda transportului fizic, care permite obinerea cristalelor de conductibilitate nalt.
Tipul elaborrii
Inovaie
Caracteristici tehnice i economice, ncercri experimentale
Caracteristicile cristalelor: densitatea dislocaiilor 030mm-2, densitatea gemenilor i
marginilor subfeelor - 02 m-1, volumul cristalelor - pn la 3 cm3, rezistena specific - nu mai mic
de 108 cm i nu se schimb dup tratarea termic n toputuri de Zn sau Se, ceea ce confirm nivelul
nalt de puritate. Conductibilitatea cristalelor de ZnSe dopate cu I n procesul de cretere - 10 (cm)-1.
Preul de producere (fr remunerarea muncii colaboratorilor) 1000 lei/cm 3. Preul pe piaa
european a cristalelor cu parametrii electrici nedirijabili este aproximativ de 6000 euro/cm 3.
92
Stadiul de pregtire pentru implementare

Au fost obinute probe experimentale, a fost verificat reproductibilitatea caracteristicilor.
Domeniul de implementare
Electronic, spintronic, optoelectronic i fotonic
Avantaje (n comparaie cu produsele analoage existente), efectul economic i social preconizat sau real
Cristalele de ZnSe propuse pe piaa european sunt caracterizate de densitate
mare a defectelor structurale i conductibilitate joas (aproximativ 10-2 (cm)-1), ce face
imposibil confecionarea n baza lor a suporturilor pentru dispozitive fotogene i
matrici multifuncionale pentru materialele nanocompozite. Tehnologia cost-efectiv de
producere a suporturilor de ZnSe, att cu nivelul nalt de puritate, ct i de conductibilitate nalt (pn la
10 (cm)-1), cu densitatea joas a defectelor de structur poate fi implementat la ntreprinderile din
Republica Moldova sau de peste hotare.
17. Tehnologia de obinere a suporturilor monocristaline de seleniur de zinc cu parametrii
electrici dirijabili
Autorii elaborrii
Gleb V. Colibaba, dr. n t. fiz.- mat., tel.:577709, scresearch@usm.md
Dumitru D. Nedeoglo, dr.hab.n t.fiz.-mat., prof.,tel.:577586,
nedeoglo@usm.md
Descrierea elaborrii
A fost elaborat tehnologia de obinere a suporturilor de n-ZnSe:Al
uniform dopate cu parametrii electrici controlabili, variabili ntr-un diapazon
larg de valori, cu scopul utilizrii lor n calitate de filtre optice, elemente
structurale ale convertoarelor de energie solar, LED i laseri pe corp solid, la
fel i pentru utilizarea ca baz pentru diferite structuri poroase nanotubulare,
utilizate la producerea nanomatricilor diferitor materiale nanocompozite,
lentilelor plate i elementelor circuitelor optice integrate complexe.
Tipul elaborrii Optimizare
Caracteristici tehnice i economice, ncercri experimentale
Caracteristicile suporturilor: densitatea gemenilor i marginilor subfeelor
- 02m-1, suprafat pn la 5cm-2, intervalul mrimilor posibile ale
-2
conductibilitii - 110 20(cm)-1, intervalul concentraiei posibile - 21015 11018 cm-3.
Preul de producere (fr remunerarea muncii colaboratorilor) 200 lei/cm 2. Preul pe piaa
european a cristalelor cu parametrii electrici nedirijabili este aproximativ de 600 euro/cm 2.
Suporturile de n-ZnSe:Al au fost utilizate de Centrul Naional de Studiu i Testare a Materialelor al
Universitii Tehnice a Moldovei n calitate de matrice pentru materialele nanocompozite cu perspectiv
de utilizarea n optoelectronic i fotonic.
Avantaje (n comparaie cu produsele analoage existente), efectul economic i social preconizat sau real
Cristalele de ZnSe (i suporturi n baza lor) prezente pe piaa european sunt
caracterizate de densitatea mare a defectelor structurale i conductibilitatea joas
(aproximativ 10-2 (cm)-1), ce face imposibil confecionarea n baza lor a matricilor
multifincionale pentru materiale nanocompozite. Tehnologia cost-efectiv de producere a
suporturilor de ZnSe cu conductibilitate nalt (pn la 20 (cm)-1) cu densitatea joas a defectelor de
structur, poate fi implementat la ntreprinderile din Republica Moldova sau de peste hotare.
93
7.3. Lista lucrrilor aprute n ediii strine

2007
Monografii
1. N. Nedeoglo. Investigation of Interaction between Native and Impurity defects in ZnSe.
Lapeenranta. Acta Universitatis, Finlanda. -2007. -4,5 c.a.
7.4. Lista lucrrilor aprute n edituri din ar:

7.5. Lista articolelor tiinifice aprute n reviste de specialitate din strintate
Reviste ISI
2006
1. Zwanziger J., Werner-Zwanziger U., Zanotto E., Rotari E., Glebova L., Glebov L., Schneider J.
Residual internal stress in partially crystallized photothermorefractive glass: Evaluation by nuclear
magnetic resonance spectroscopy and first principles calculations. J. Appl. Phys. 99 (2006)
083511.1-083511.6.
2. Ciapurin I., Glebov L., Korshak O., Smirnov V. Modeling of phase volume diffractive gratings, part
1: Transmitting sinusoidal uniform gratings. Optical Engineering 45 (2006) 015802.1-015802.9.
3. Sarkissian H., Serak S., Tabiryan N., Glebov L., Rotaru V., and Zeldovich B. Polarization-controlled
switching between diffraction orders in transverse-periodically aligned nematic liquid crystals. Opt.
Lett. 31 (2006) 2248-2250.
4. Venus G., Glebov L., Rotaru V., Smirnov V., Crump P., and Farmer J. Volume Bragg semiconductor
lasers with near diffraction limited divergence. Laser Source and System Technology for Defense
and Security II; Eds: G.Wood, M.Dubinskii. Proceedings of SPIE 6216 (2006) 621602.1-621602.7.
5. Ciapurin I., Glebov L., and Smirnov V. Modeling of Gaussian Beam Diffraction on Volume Bragg
Gratings in PTR Glass. Practical Holography XIX: Materials and Applications. Eds: T.H. Jeong, H.
Bjelkhagen. Proceedings of SPIE 5742 (2005) 183-194.
6. . -
60-. - 60. .
7. Spoiala D. Optical and electrical propieties of the nanocomposite fullerene C 60-copper thin film.
Journal of Physics and Chemistry of Solids.
8. Pokatilov E.P., Nika D.L., Balandin A.A. Electron mobility enhancement in AlN/GaN/AlN
heterostructures with InGaN. United States of America. American Institute of Physics, Applied
Physics Letters. Vol. 89, pp.112110-1-112110-3.
94
9. Pokatilov E.P., Nika D.L., Balandin A.A. Built-in field effect on the electron mobility in
AlN/GaN/AlN quantum wells. United States of America. American Institute of Physics, Applied
Physics Letters. Vol. 89, pp.113508-1-113508-3.
10. Sprinzl D., Nahlkov P., Devreese J. T., Gladilin V. N., Mal P., Nmec P. Spin-polarised carriers in
CdS quasi-spherical quantum dots. Germany, Weinheim, WILEY-VCH Verlag GmbH & Co,
Physica Status Solidi. Vol. 3, pp. 870-873.
11. Offermans P., Koenraad P.M., Wolter J.H., Granados D., Garca J.M., Fomin V.M., Gladilin
V.N., Devreese J.T. Atomic-scale structure and formation of self-assembled In(Ga)As quantum
rings. The Netherlands, Elsevier, Physica E Vol. 32, pp. 41-45.
12. Gladilin V. N., Tempere J., Silvera I. F., and Devreese J. T. Critical temperature and specific heat for
Cooper pairing on a spherical surface. United States of America. American Physical Society,
Physical Review B. Vol. 74, pp. 114512 104518.
13. Dmitriev Serghei. Dioxide Nanodimensional Film Based H2 sensor. United States of America.
Warrendale, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 915, p. R06-26.
14. Coropceanu V., Boldyrev S., Risko C., Bredas J-L. The impact of symmetric modes on
intramolecular electron transfer: A semi-classical approach. The Netherlands. Elsevier, Chemical
Physics. Vol. 326, pp. 107-114.
15. Sysoev V., Button B., Wepsiec K., Dmitriev S., and Kolmakov A. Toward the Nanoscopic
"Electronic Nose": Hydrogen vs Carbon Monoxide Discrimination with an Array of Individual
Metal Oxide Nano- and Mesowire Sensors. Nano Letters. Vol. 6, pp. 1584-1588.
16. Rotaru A., Ciobanu N., Ghiu D., Baznat M.

.
, , 2006.
17. Laiho R., Lashkul A.V., Lahderanta E., Nedeoglo D.D., Nedeoglo N.D., Shakhov M.A. Shallow
donor States of Ag impurity in ZnSe single crystals. Semicond. Science and Tehnology. 2006. V.21.
p. 654-660.
18. Nedeoglo N., Laiho R., Lashkul A.V., Lahderanta E., Shakhov M. A. Influence of the magnetic field
on the conductivity within the Coulomb gap of n-ZnSe single crystals doped with Ag. Semicond.
Science and Tehnology. 2006. V.21. p. 1335-1340.
19. Nedeoglo N. D., Sirkeli V.P., Nedeoglo D.D., Laiho R., Lhderanta E. Electron configuration and
charge state of electrically active Cu, Ag and Au ions in ZnSe. Journal of Physics: Cond. Matter.
2006. V. 18, P. 8113-8127.
20. Bruk L., Sobolevskaya R., Korotkov V., Sushkevci K., Ketrush P. Luminescent properties of ZnS
single crystal annealed in the Vth group elements melt. Journal of Optoelectronics and Advanced
Materials. Romnia, Vol. 8, No. 4, August 2006. p. 1488-1491.
21. Vatavu Sergiu, Gain Petru. The analysis of current flow mechanism in CdS/CdTe heterojunction.
Thin Solid Films.
95
22. Vatavu S., Zhao H., Padma V., Rudaraju R., Morel D. L., Gain P., Caraman Iu., Ferekides C. S.
Photoluminescence studies of CdTe films and junctions. Thin Solid Films /in press/.
23. Vatavu Sergiu A., Zhao Hehong, Caraman Iuliana M., Gasin Petru A., Morel Don, Ferekides Chris
S. Photoluminescence Studies of Device Quality CdTe Thin Films and Structures. Thin Solid Films.
24. Vatavu S., Caraman M., Rusu M., Caraman Iu., Gain P. Optical properties of the interface layers in
CdS-CdTe heterojunctions (II). Thin Solid Films.
25. Caraman Iu., Vatavu S., Rusu Gh.I., Gain P. The luminescence of CdS and CdTe thin films,
components of photovoltaic cells. Chalcogenide Letters, 2006, vol. 3, no. 1, p.1-7.
26. Vatavu S., Caraman Iu., Rusu Gh.I., Fedorov V., Gain P. The study of the nonequilibrium charge
carrier transport mechanism through the interface of CdS/CdTe heterojunctions. Chalcogenide
Letters, 2006, vol. 3, no. 1, p.9-13.
27. Potlog T., Ghimpu L., Antoniuc C. Comparative study of CdS/CdTe solar cells fabricated without
and with evaporated Te-layer. Thin Solid Films.
2007
1. S.A. Vatavu, P. A. Gasin, C. S. Ferekides, Iu. M. Caraman. Photocurrent Spectral Distribution and
Relaxation in CdS/CdTe Heterojunctions. Thin-Film Compound Semiconductor Photovoltaics 2007, edited by Timothy Gessert, Ken Durose, Clemens Heske, Sylvain Marsillac, Takahiro Wada
Proc. Volume 1012, Warrendale, PA, 2007), 1012-Y03-31.
2. S. Vatavu, H. Zhao, V. Padma, R. Rudaraju, D.L. Morel, P. Gain, Iu. Caraman, C.S. Ferekides.
Photoluminescence studies of CdTe films and junctions. Thin Solid Films, 2007, vol. 515, Issue 15,
p.6107-6111.
3. Sergiu A. Vatavu, Hehong Zhao, Iuliana M. Caraman, Petru A. Gasin, Don Morel, Chris S.
Ferekides Studies of Device Quality CdTe Thin Films and Structures. Thin Solid Films /to be
published/
4. S. Vatavu, M. Caraman, M. Rusu, Iu. Caraman, P. Gain. Optical properties of the interface layers in
CdS-CdTe heterojunctions (II). Thin Solid Films.
5. Balandin A.A., Pokatilov E.P., Nika D.L. Phonon Engineering in Hetero- and Nanostructures. J.
Nanoelectron. Optoelectron., 2007, Vol. 2., pp. 1-31.
6. Nika D.L., Pokatilov E.P., Shao Q., Balandin A.A. Charge-carrier states and light absorption in
ordered quantum dots superlattices. Physical Review B, 2007, Vol. 76, pp. 125417-1 125417-9
7. Pokatilov E.P., Nika D.L., Askerov A.S., Balandin A.A. Size-quantized oscillations of the electron
mobility limited by the optical and confined acoustic phonons in the nanoscale heterostructures.
Journal of Applied Physics, 2007, Vol. 102, pp. 054304 1 054304 7.
8. F. Brosens, S. N. Klimin, J. T. Devreese. Quantum statistics for a finite number of polarons in a
neutralizing background. J. Phys.: Condens. Matter 19, 255206 (1-8) (2007).
96
9. V. M. Fomin, V. N. Gladilin, S. N. Klimin, J. T. Devreese, N. A. J. M. Kleemans, P. M. Koenraad.

Theory of the electron energy spectrum and the Aharonov-Bohm effect in self-assembled InxGa1xAs quantum rings in GaAs. Phys. Rev. B, in press (2007).
10. N. A. J. M. Kleemans, I. M. A. Bominaar-Silkens, V. M. Fomin, V. N. Gladilin, D. Granados, A. G.
Taboada, J. M. Garca, P. Offermans, U. Zeitler, P. C. M. Christianen, J. C. Maan, J. T. Devreese,
and P. M. Koenraad. Oscillatory Persistent Currents in Self-Assembled Quantum Rings. Phys. Rev.
Lett. 99, 146808, 1-4 (2007).
11. P. Nahlkov, D. Sprinzl, P. Mal, P. Nmec, V. N. Gladilin, J. T. Devreese. Two-phonon assisted
exciton spin relaxation due to exchange interaction in spherical quantum dots. Phys. Rev. B 75,
113306, 1-4 (2007).
12. Pokatilov E.P., Nika D.L., Zincenco N.D., Balandin A.A. Electron polar optical phonon scattering
suppression and mobility enhancement in wurtzite heterostructures. Journal of Physics: Conference
Series, 2007.
13. J. Tempere, V.N. Gladilin, I.F. Silvera, and J.T. Devreese. Critical Radius and Magnetic Field for
Vortex Nucleation on a Superconducting Spherical Surface. J. Low Temp. Phys. 148, 181186
(2007).
14. Zincenco N.D., Nika D.L., Pokatilov E.P., Balandin A. A. Acoustic phonon engineering of thermal
properties of silicon-based nanostructures. Journal of Physics: Conference Series, 2007, pp.
15. Caraman M. Leontie L. Rusu I.I. Chiricenco V. Photoelectrical properties of layered GaS single
crystals and related structures. JOAM, 2007.
16. Gusarov A., Berghmans F., M.van Uffelen, Glebova L., Rotaru V., Glebov L. Effect of ionizing
radiation on the performance of volume holographic elements. IEEE (Photon. Technol. Letters).
2007,
17. S. Vatavu, P. Gain. The analysis of current flow mechanism in CdS/CdTe heterojunction. Thin
Solid Films, 2007, vol. 515, Issue 15, p.6179-6183.
18. N. Nedeoglo, E. Lhderanta, V. Sirkeli, V. Stamov. Changes in donor and acceptor states in Audoped ZnSe samples induced by ageing at room temperature. J. Phys. Condensed Matter. 2007. v.
19, 156211 (10p).
19. ., ., ., ., ., ., ..
nITO/pInP,
. Sensor electronics and microsistem technologies, Scientific and
Tehnical Jurnal, Odessa L.I.Mechnikov National University, 2007. Accepted in press.
2008
1. Brosens F., Klimin S. N., and Devreese J. T.; Path-integral approach to the ground-state energy of a
homogeneous polaron gas; ; Phys. Rev. B, 2008, Vol. 77, 085308 1 085308 9; 0,45
97
2. Croitoru M. D., Gladilin V. N., Fomin V. M., Devreese J. T., Magnus W., Schoenmaker W., Sore
B.; Quantum transport in an ultra-thin SOI MOSFET: influence of the channel thickness on the I -V
characteristics; ; Solid State Commun., 2008, Vol. 147, pp. 31-35 ; 0,25
3. Fomin V. M., Gladilin V. N., Devreese J. T., Kleemans N. A. J. M., Bozkurt M., Koenraad P. M.
Electron and exciton energy spectra in self-assembled InGaAs/GaAs ring-like nanostructures; ;
Phys.Stat. Sol. (b), 2008, Vol. 245, pp. 2657-2661 ; 0,25
4. Fomin V. M., Gladilin V. N., Devreese J. T., Kleemans N. A. J. M., and Koenraad P. M. ; Energy
spectra and oscillatory magnetization of two-electron self-assembled In xGa1-xAs quantum rings in
GaAs; ; Phys. Rev. B, 2008, Vol. 77, pp. 2053261 2053265; 0,25
5. Ghosh S., Calizo I., Teweldebrhan D., Pokatilov E.P., Nika D.L., Balandin A.A., Bao W., Miao F.
and Lau C.N.; Extremely high thermal conductivity of 98rapheme: Prospects for thermal
management applications in nanoelectronic circuits; ; Appl.Phys.Lett., 2008, Vol. 92, pp. 151911
1 151911 3; 0,15
6. Gladilin V. N., Tempere J, Silvera I. F., Devreese J. T., and Moshchalkov V. V.; Vortices on a
superconducting nanoshell: Phase diagram and dynamics; ; Phys. Rev. B, 2008, 77, 0245121
0245129; 0,45
7. Klimin S. N., Fomin V. M., Devreese J. T., and Bimberg D.; Model of Raman scattering in selfassembled InAs/GaAs quantum dots; ; Phys. Rev. B, 2008, Vol. 77, 0453071 04530711; 0,55
8. Klimin S.N., Fomin V.M, Devreese J.T.; Resonant magnetopolaron effect in a high electron density
quantum well in a tilted magnetic field; ; Phys. Rev. B, 2008, Vol. 77, 2053111 2053117; 0,35
9. Kozhevnikov V.F., Giuraniuc C.V., Van Bael M.J., Temst K., Van Haesendonck C., Mishonov T.M.,
Charlton T., Dalgliesh R.M., Khaidukov Yu.N., Nikitenko Yu.V., Aksenov V.L., Gladilin V.N., Fomin
V.M., Devreese J.T., Indekeu J.O.; Evidence for nonmonotonic magnetic field penetration in a type-I
superconductor; ; Phys. Rev. B, 2008, Vol. 78, 012502 1 012502 4; 0,20
10. Nika D. L., Pokatilov E. P., Balandin A. A.; Phonon-engineered mobility enhancement in the
acoustically mismatched silicon/diamond transistor channels; T Applied Physics Letters, 2008, Vol.
93, pp. 1731111 1731113 ; 0,15
11. Pokatilov E.P., Nika D.L., Fomin V.M., Devreese J.T. ; Excitons in wurtzite AlGaN/GaN quantumwell heterostructures; Phys. Rev. B, 2008, Vol. 77, pp. 1253281 12532810 ; 0,5
12. Tempere J., Klimin S.N., Devreese J.T., Moshchalkov V.V.; Imbalanced d-wave superfluids in the
BCS-BEC crossover regime at finite temperatures; ; Phys. Rev. B, 2008, Vol. 77,pp. 134502 1
134502 13; 0,65
13. Tempere J., Klimin S. N., and Devreese J. T.; Phase separation in imbalanced fermion superfluids
beyond the mean-field approximation; ; Phys. Rev. A, 2008, Vol. 78, pp. 023626 1 023626 5 ; 0,25
14. t.Robu, G.Dragalina, A.Rivaton, B.Mailhot, M.Bolte, D.Mitcov, I.Dementiev, I.Andrie. ;
Photoconductive Organic Materials Based on N-vinylcarbazole Copolymers with Higher Alkenes as
Recording Media in Photonics, Journal of Non-Crystalline Solids, 2008.
98
15. .., .., .., ..;

IIBVI, ;
, 2008 ;
16. Igor Evtodiev,Elmira Cuculescu,Iuliana Caraman; The anisotropy of the optical properties of ternary
semiconductors formed by elements of groups III and VI; Phys. Stat. Sol.; in press 0,54[1,214]
17. Liviu Leontie, Igor Evtodiev, Valentin Nedeff, Marius Stamate, Mihail Caraman; Photoelectrical
properties of Bi2O3-GaSe heterojunctions; Proiect instituional aplicativ; Applied Physics Letters
2008; (accepted)0,24[3,596]
18. Evtodiev, L. Leontie, M. Caraman, M. Stamate E. Aram; Optical properties of p-GaSe single
crystals doped with Te; Journal of Applied Physics 2008,; 0,30[2,171]
19. Caraman,E. Cuculescu, M. Stamate, G. Lazar, V. Nedeff, I. Lazar, D. Rusu; The analyzes of
transport mechanism of nonequilibrium charge carrier in heterojunctions with GaS-CdTe:Mn thin
films; Thin Solid Films ; in press [1,693]
20. Igor EVTODIEV; Anisotropy of the exciton processes in GaSe crystals with low S and Te
concentrations; Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics SUA 2009; 1,68 [0,731]
21. Liviu Leontie, Mihail Caraman, Igor Evtodiev, Elmira Cuculescu, Ana Mija; Optical properties of
bismuth oxide thin films prepared by reactive d.c. magnetron sputtering onto p-GaSe (Cu); Phys.
stat. sol. (a). 205, no. 8, p.2052-2056 (2008).; 0,30[1,214]
22. N.D.Nedeoglo, D.D.Nedeoglo, V.P.Sirkeli, I.M.Tiginyanu, R.Laiho, E.Lhderanta; Shallow Donor
States of Au ions in ZnSe induced by Crystal Lattice Deformation.; Journal of Applied Physics 2008
(in press)
23. G.Irmer, E.Monaico, I.M.Tiginyanu, G.Grtner, V.V.Ursaki, G.V.Kolibaba, D.D. Nedeoglo; Frhlich
Vibrational Modes in Porous ZnSe Studied by Raman Scattering and Fourier Transform Infrared
Reflectance. ; J. Phys D: Appl. Phys 2008.
24. G.V.Colibaba, D.D. Nedeoglo; Photoluminescence of the ZnSe Single Crystals Doped by Thermal
Diffusion of Nitrogen. ; Journal of Physica B: Condenced Matter.
25. Vatavu, S., Zhao, H., Caraman, Iu., Gain, P., Ferekides, C. The copper influence on the PL spectra
of CdTe thin film as a component of the CdS/CdTe heterojunction/Articol n revist internaional/;
Thin Solid Films, Available online: 6 November 2008.
26. Vatavu, S., Zhao, H., Caraman, Iu., Gain, P., Morel, D., Ferekides, C.; Photoluminescence studies
of the interface of CdS/CdTe heterojunctions/Articol n revist internaional/; Physica Status Solidi
(C).
27. O.Andrusyak, I.Ciapurin, V.Smirnov, G.Venus, N.Vorobiev, and L.Glebov; External and commoncavity high spectral density beam combining of high power fiber lasers ; Proc. SPIE 6873, 687314
(2008); 0,4;
28. A.Sevian, O.Andrusyak, I.Ciapurin, V.Smirnov, G.Venus, and L.Glebov; "Efficient power scaling of
laser radiation by spectral beam combining," ; Optics Letters, 33, 384-386 (2008); 0,3;
99
29. George Venus, Oleksiy Andrusyak, Vadim Smirnov, Vasile Rotaru, and Leonid Glebov ; Spectral
Combining and Coherent Coupling of Lasers by Volume Bragg Gratings; ,IEEE Journal on
Selected Topics in Quantum Electronics. 2008 . 0,4;
30. . Robu, G. Dragalina,A. Rivaton, B. Mailhot, M. Bolte, D. Mitcov, I. Dementiev, I. Andries;
Photoconductive Organic Materials Based on N-vinylcarbazole Copolymers with Higher Alkenes as
Recording Media in Photonics; Journal of NonCrystalline Solids, 2008 .; 0,3;
31. A. Butenko, R. Kahatabi, E. Mogilko, R. Strul, V. Sandomirsky, Y. Schlesinger, Z. Dashevsky, V.
Kasiyan, S. Genikhov Characterization of high-temperature PbTe p-n junctions prepared by thermal
diffusion and by ion-implantation. SUA, Journal of Applied Physics, 103, 024506-1 - 024506-6, 2008 P.6.
32. A.V. Butenko, V. Sandomirsky, R. Kahatabi, Z. Dashevsky, V. Kasiyan, Y. Schlesinger Pyroelectric
effect induced by the built-in field in the p-n junction of the quantum paraelectric PbTe:
experimental study SUA. Physical Review Letters, 100, 057603-1 - 057603-4, 2008 P.4
33. Z. Dashevsky, V. Kasiyan, E. Mogilko, A. Butenko, R. Kahatabi, S. Genikhov, V. Sandomirsky, Y.
Schlesinger. High temperature PbTe diodes. SUA. Thin solid films, 516, 7065-7069, 2008 P.5.2007
2009
1.
Boldyrev S., Paladi F. Vibronic Interaction in Tetrameric Clusters with Two-Electron Transfer:
Magnetic Properties. In: Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. 2009, v 4, p. 89-94
0,333
2.
Dmitriev, S.V., Nika, D.L., Pokatilov, E.P. Nanodimensional chalcogenide film-metal structure:
numerical modeling of the gas sensitive properties. In:
Journal of Nanoelectronics and
Optoelectronics. 2009, v. 4, p. 165-169. 0,333

3.
Fomin, V.M, Chibotaru, L.F. Electronic Properties of Self-Organized Nanostructures: Theoretical

Modeling on the Basis of the Scanning Tunneling Microscopy Characterization. In: Journal of
Nanoelectronics and Optoelectronics. 2009, v. 4, p. 3-19. 0,333
4.
Gladilin V.N., Tempere J., Devreese J.T., Gillijns W., Moshchalkov V.V. Vortex-antivortex pair
generation by an in-plane magnetic dipole on a superconducting film. In: Phys. Rev. B 2009, v.
80, p. 054503.1,925
5.
Gosh S., Nika, D.L., Pokatilov, E.P., Balandin A.A. Heat conduction in graphene: experimental
study and theoretical interpretation. New Journal of Physics, 2009, v. 11, p. 095012-1 095012
19. 1,556
6.
Kleemans N.A.J.M., Blokland J.H., Taboada A.G., van Genuchten H.C.M., Bozkurt M., Fomin
V.M., Gladilin V.N., Granados D., Garcia J.M., Christianen P.C.M., Maan J.C., Devreese J.T.,
Koenraad P.M., Excitonic behavior in self-assembled InAs/GaAs quantum rings in high magnetic
fields. In: Phys. Rev. B 2009, v. 80, p. 155318. 1,925
7.
Nika D.L., Gosh S., Pokatilov E.P., Balandin A.A. Lattice thermal conductivity of graphene
flakes: Comparison with bulk graphite. In: Applied Physics Letters, 2009, v. 94, p. 203103-1
203103 3. 2,112
100
8.
Nika D.L., Pokatilov E.P., Askerov A.S., Balandin A.A. Phonon thermal conduction in graphene:
Role of Umklapp and edge roughness scattering. In: Phys. Rev. B, 2009, v. 79, p. 155413-1
155413-12. 1,925
9.
Nika D.L., Zincenco N.D, Pokatilov E.P. Engineering of Thermal Fluxes in Phonon Mismatched
Heterostructures. In: Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2009, v. 4, p. 180-185.
0,333
10.
Nika D.L., Zincenco N.D, Pokatilov E.P. Lattice thermal conductivity of ultra-thin freestanding
layers: face-centered cubic cell model versus continuum approach. In: Journal of Nanoelectronics
and Optoelectronics, 2009, v. 4, p. 170-173. 0,333
11.
Pokatilov E.P. A Special Issue on Electron and Phonon Properties of Nanostructures. In: Journal
of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2009, vol. 4, p. 1-2. 0,333
12.
Robu S., Mitcov D., Dragalina G., Rivaton A., Mailhot B., Bolte M., Dementiev I., Andries I.
Photoconductive organic materials based on N-vinylcarbazole copolymers with higher alkenes as
recording media in photonics. In: Journal of Non-Crystalline Solids. 2009, v. 355, p. 1840-1843.
1,595
13.
Tempere J., Gladilin V.N., Silvera I.F., Devreese J.T., Moshchalkov V.V. Coexistence of the
Meissner and vortex states on a nanoscale superconducting spherical shell. In: Phys. Rev. B.
2009, v. 79, p. 134516. 1,925
14.
Tempere J., Klimin S.N., Devreese J.T. Effect of population imbalance on the BerezinskiiKosterlitz-Thouless phase transition in a superfluid Fermi gas. In: Phys. Rev. A 2009, v. 79, p.
053637. 1,925
15.
Pokatilov E.P, Nika D.L., Fomin, V.M., Devreese, J.T. Nonadiabatic theory of excitons in
wurtzite AlGaN/GaN quantum-well heterostructures. In: Physica Status Solidi C, 2009, v. 6, nr.
1, p. 4649. (2,16)
16.
Rusu E., Ursaki V., Novitschi G., Vasile M., Petrenco P., Kulyuk L. Luminescence properties of
ZnGa2O4 and nAl2O4 spinels doped with Eu3+ and Tb3+ ions. In: Physica Status Solidi C. 2009, v. 6,
nr 5, p. 1199-1202. (2,16)
17.
Vatavu, S., Zhao, H., Caraman, Iu., Gain, P., Ferekides, C. The copper influence on the PL spectra
of CdTe thin film as a component of the CdS/CdTe heterojunction. Thin Solid Films, 2009, vol.
517, p. 21952201.1,182
18.
Vatavu, S., Zhao, H., Caraman, Iu., Gain, P., Morel, D., Ferekides, C. Photoluminescence studies
of the interface of CdS/CdTe heterojunctions. Physica Status Solidi C 6, 2009, No. 5, p. 1299
1302. (2,16)
19.
Scurtu R., Gain P., Chetru P., CURRENT FLOW MECHANISM IN ZnSe-ZnO-Pd, Physica
Status Solidi C 2009, (2,16)
20.
Colibaba G.V., Nedeoglo D.D. Localization of nonequilibrium current carriers close to Cr ions in
ZnSe:Cr single crystals. In: Journal of Luminescence. 2009.V.129, p.661-667. 1,176
101
21.
Colibaba G.V., Nedeoglo D.D. Photoluminescence of the ZnSe single crystals doped by thermal
diffusion of nitrogen. Physica B, 2009, vol. 404, p.184-189. 0,710
22.
Irmer G., Monaico E., Tiginyanu I. M., Crtner G., Ursaki V. V., Kolibaba G. V., Nedeoglo D. D.
Frhlich vibrational modes in porous ZnSe studied by Raman scattering and Fourier transform
infrared reflectance. Journal of Physics. D: Applied Physics. 2009, vol. 42, 045405(6pp). 1,422
23.
Vorobiov N.S., Glebov L.B., Smirnov V.I., Ciapurin I.V. Generation components of Start spectral
in Nd: YAP and Nd: YAP lasers by using volume Bragg gratings, Quantum electronics, 2009,
39(1), pp.43-45. (0,820)
24.
A.Sava, S. Evtodiev, I.Caraman, D. Davidescu, A.Dafinei, V.Nedeff, M.Caraman, Ig.Evtodiev,

Tehnologie de fabricare i unele proprieti optice a siliciului nanocristalin. Journal of
Optoelectronics and Advanced Materials (JOAM) 0,742
25.
I. Evtodiev, L. Leontie, M. Caraman, M. Stamate, E. Arama Optical properties of p-GaSe single

crystals doped with Te. Journal of Applied Physics 105, 023524, 2009. 1,407
26.
L. Leontie, I. Evtodiev, V. Nedeff, M. Stamate, M. Caraman Photoelectrical properties of Bi 2O3GaSe heterojunctions. Applied Physics Letters 94(7), 071903 (2009) 2,112
27.
Igor Evtodiev Anisotropy of the Exciton Processes in GaSe Crystals with Low S and Te
Concentrations. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2009, Vol. 4, p.7688. 0,333
28.
I. Caraman, E. Cuculescu, M. Stamate, G. Lazar, V. Nedeff, I. Lazar, D. Rusu. Transport

mechanism analysis of non-equilibrium charge carrier in heterojunctions with GaSCdTe:Mn thin
films. Thin Solid Films, 2009, vol. 517, no. 7, p. 2399-2402.1,171
29.
Elmira Cuculescu, Igor Evtodiev, Mihail Caraman. Non-equilibrium charge carriers generation
recombination mechanisms at the interface of the SnO 2/GaSe heterojunction. Thin Solid Films,
2009, vol. 517, no. 7, p. 2515-2518. 1,171
30.
Elmira Cuculescu, Igor Evtodiev, Iuliana Caraman. The anisotropy of the optical properties of
ternary semiconductors formed by elements of III and VI groups. Phys. Stat. Sol. (c), 2009, vol.
6, no. 5, p. 1207-1212. (2,16)
31.
Ig. Evtodiev, Iu. Caraman, D. Davidescu, A. Dafinei, V. Nedeff, M. Caraman, E. Cuculescu.

Optical and photoelectric properties of GaSe, InSe - semiconductor oxide of In, Sn, Ti, Bi, Zn, Cu,
Cd heterojunctions. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials (JOAM), vol. 11, no.
6, 2009, p. 797 812. 0,742
32.
Andrusyak O., Smirnov V., Venus G., Rotar V., Glebov L. Spectral Combining and Coherent
Coupling of Lasers by Volume Bragg Gratings. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum
Electronics. Vol.15, No.2, March/April, 2009. pp.344-353. (0,820)
2010
1. BALANDIN, A.A., GOSH, S., NIKA, D.L., POKATILOV, E.P. Thermal conduction in suspended
graphene layers. Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures. 2010, 18(4-6), 474 486.
ISSN: 1536-383X. doi:10.1080/1536383X.2010.487785 (IF: 0.71)
102
2. BALANDIN, A.A., GOSH, S., NIKA, D.L., POKATILOV, E.P. Extraordinary Thermal
Conductivity of Graphene: Possible Applications in Thermal Management. ECS Transaction. 2010,
28 (5), 6371. ISSN: 1938-5862. Permalink: http://dx.doi.org/10.1149/1.3367937
3. DASHEVSKY, Z., SHUFER, E., KASIYAN, V., FLITSIYAN, E., CHERNYAK L. Influence of
oxygen treatment on transport properties of PbTe:In polycrystalline films Physica B. 2010, 405(10),
2380-2384. ISSN: 0921-4526 DOI: 10.1016/j.physb.2010.02.048 (IF: 1.056).
4. DMITRIEV, S. Nanosensors Engineering: I: Structurally Modulated SnO 2 Nanowires. International
Journal on Smart Sensing and Intelligence System. 2010, 3(4), 643654. ISSN: 1178-5608.
5. DMITRIEV, S. Nanosensors Engineering: II: Superficial Functionalization of SnO 2 Nanowire For
Sensing Performance Improvement. International Journal on Smart Sensing and Intelligence
System. 2010, 3(4), 807819. ISSN: 1178-5608.
6. GOSH, S., BAO, W., NIKA, D.L., SUBRINA, S., POKATILOV, E.P., LAU, C.N, BALANDIN,
A.A. Dimensional crossover of thermal transport in few-layer graphene. Nature Materials. 2010, 9,
555558. ISSN: 1476-1122. doi:10.1038/nmat2753 (IF: 29.504)
7. GOYAL, V., SUBRINA, S., NIKA, D.L., BALANDIN, A.A. Reduced thermal resistance of silicon
synthetic diamond composite substrates at elevated temperatures. Applied Physics Letters. 2010, 97,
031904-1 031904- 3. ISSN: 0003-6951. doi:10.1063/1.3463455 (IF: 3.554)
8. RADOVSKY, G., DASHEVSKY, Z., KASIYAN, V., AUSLENDER, M., HAVA, S. Polycrystalline
PbSe on a polyimide substrate. J. of Alloys and Compounds, 501(1), 6-13, 2010; ISSN: 0925-8388
DOI: 10.1016/j.jallcom.2010.04.064 (IF: 2.135)
9. SHUFER, E., DASHEVSKY, Z., KASIYAN, V., FLITSIYAN, E., CHERNYAK L. , GARTSMAN,
K. Electrical conductivity and minority carrier diffusion in thermally oxidized PbTe thin films.
Physica B, 405(4), 1058-1061, 2010; ISSN: 0921-4526 DOI: 10.1016/j.physb.2009.11.004 (IF:
1.056)
10. , ..; , ..; ..; , ..
As 2Se3.
. 2010, 80(5), 154-156
11. PRILEPOV, V.D.; GASIN, P.A., CHIRITA, A.B.; SPOIALA, D.M. Influence of fine-grained
vanadium-based layers on the photoresponse multiplicity in structures with amorphous As 2Se3 films.
Technical Physics. 2010, 55(5), 747-749. ISSN: 1090-6525. DOI: 10.1134/S1063784210050270.
12. CUCULESCU, E.; EVTODIEV, I.; CARAMAN, Iu.; LEONTIE, L.; NEDEFF, V.; RUSU, D.-I.
Transport and generation-recombination mechanisms of nonequilibrium charge carriers in
ZnO/In2O3/InSe:Cd heterojunctions. Thin Solid Films, 2010 /In press, accepted/.
13. SPOIALA, D.; EVTODIEV, I.; PRILEPOV, V.; DAFINEI, A. Comparative characteristics of the
electrical and photoelectrical properties of the n-Si/fullerite C60 and n-Si/ fullerite C60:Te
heterostructures solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2010, 6 pagini (In press).
14. KULYUK, L.L.; LAIHO, R.; LASHKUL, A.V.; LHDERANTA, E.; NEDEOGLO, D.D.;
NEDEOGLO, N.D.; RADEVICI, I.V.; SIMINEL, A.V.; SIRKEL, V. P.; SUSHKEVICH, K.D.
103
Magnetic and luminescent properties of iron-doped ZnSe crystals. Physica B. 2010, 405(2010)
4330-4334. ISSN 0921-4526. doi:10.1016/j.physb.2010.07.036. (IF: 0.8)
15. Sergiu Vatavu, Hehong Zhao, Iuliana Caraman, Petru Gain and Chris Ferekides; Photoluminesence
studies of CdTe/SnO2 and CdTe/CdS heterojunctions: the influence of oxygen and the CdCl 2 heat
treatment. Thin Solid Films, /in press accepted/
16. CHIRITA, A., Real-time scaling of micro-objects by multiplexed holographic recording on photothermoplastic structure, Journal of Modern Optics, 2010, V.57, Issue 10, p.854 858, ISSN: 09500340, doi:10.1080/09500340.2010.489723
17. PRILEPOV, V. D., GASIN, P. A., CHIRITA, A. B., SPOIALA, D. M., Influence of fine- grained
vanadium-based layers on the photo response multiplicity in structures with amorphous As 2Se3
films,
Technical
Physics,
2010,
V.
55,
5,
p.747-749,
ISSN:
1063-7842,
doi:10.1134/S1063784210050270
18. MAILHOT-JENSEN, B.,
DRAGALINA,
G.
RIVATON, A.,
Carbazole
PILICHOWSKI, J., CHIRITA, A.,
Containing
Copolymers:
Synthesis,
CHILAT, E.,
Characterization,
and
Applications in Reversible Holographic Recording, International Journal of Photoenergy, 2010, 11

pages, ISSN: 1687-529X, doi:10.1155/2010/945242
Alte reviste atestate
2006
1. Rotaru A., Ciobanu N., Ghiu D., Baznat M.

. , , 2006.
2. Simachevici A., erban D., Bruc L., Coval A., Gorceac L., Monaico E., Usati Iu. Spray
deposited ITO-nSi solar cells with enlarged area. International Scientific Journal for
Alternative Energy and Ecology ISJAEE, Sarov, Russa, N. 2 (34) 2006, p.51-54.
2007
20. ., ., ., ., ., ., ..
nITO/pInP,
. Sensor electronics and microsistem technologies, Scientific and
Tehnical Jurnal, Odessa L.I.Mechnikov National University, 2007.
7.6. Lista capitolelor din monografii aprute n strintate

2006
1.
Devreese J. T., Fomin V. M., Pokatilov E. P. Polarons and Bipolarons in Nanostructures. Part
II. Polaron Effects in Nanostructures, in: Handbook of Semiconductor Nanostructures and
104
Nanodevices. Capitolul 5 al Monografiei. United States of America. Los-Angeles, American

Scientific Publishers, Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices. 2006. Vol 4,
pp. 339-407.
2. Dmitriev Serghei. Nanodimensional Structures in Gaseous Sensorics: Modeling Aspects, in:
Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices. Capitolul 10 al Monografiei. United
States of America. Los-Angeles, American Scientific Publishers, Handbook of Semiconductor
Nanostructures and Nanodevices. 2006. Vol. 5, pp. 421 445.
2008
1. Devreese J. T.,
Fomin V. M., Gladilin V. N.; Effects of the electron-phonon interaction in
semiconductor quantum dots; ; Handbook of Self Assembled Semiconductor Nanostructures for

Novel Devices in Photonics and Electronics, ed. M. Henini, Elsevier/ Butterworth-Heinemann,
Amsterdam e.a., 2008, pp. 346-370.; 1,25
7.7. Lista articolelor tiinifice aprute n reviste de specialitate din ar
Reviste categoria A
2006
1. 1. Rotaru Vasilie, Corsac Oleg, Dementiev Igor, Neamtu Sevastian, Robu Stefan. Peliculele fototermoplastice ca metode de inregistrare a informatiei in sistemele de observatie a structurilor zonale.
Peliculele fototermoplastice ca metode de inregistrare a informatiei in sistemele de observatie a
structurilor zonale. Republic of Moldova, Chisinau, Academy of Science of the Republic of
Moldova, Moldavian Journal of the Physical Sciences. Vol. 5, pp. 103-112
2. Nika D.L., Zincenco N.D. and Sabayleh M. Al. Acoustical properties of rectangular quantum wires
covered by elastically dissimilar barriers with clamped outer surfaces. Republic of Moldova,
Chisinau, Academy of Science of the Republic of Moldova, Moldavian Journal of the Physical
Sciences. Vol. 5, pp. 103-112.
3. Gamurari V., Paladi F., Eremeev V., Sabayleh M. Al. Computational study of non-stationary cluster
size distribution and rate of nucleation in case of pre-existing clusters. Republic of Moldova,
Chisinau, Academy of Science of the Republic of Moldova, Moldavian Journal of the Physical
Sciences. Vol. 5, pp. 113-116.
4. Rotaru A., Todera I. .
. Buletinul Academiei de
tiine a Moldovei, Chiinu 2006, p.113-119.
5. Rotaru A., Todera I., Ciobanu N., Ghiu D., Baznat M.
-
105
. Buletinul Academiei de tiine a

Moldovei, Chiinu 2006.
6. Avdonin A.N., Ivanova G.N., Nedeoglo D.D., Nedeoglo N.D., Sirkeli V.P. The Photoluminescence
of n-ZnSe Single Crystals Doped with Iodine by Vapour Phase Diffusion. Moldavian Journal of
Physical Sciences, 2006. V. 5, N. 1, P. 23-26.
7. Nedeoglo D., Nedeoglo N., Sirkeli V. Impurity Distribution in n-ZnSe crystals Doped with Au.
Moldavian Journal of the Physical Sciences. 2006, V.4. N 4, p.435-437.
2007
1. Igor Evtodiev, Petru Lozovanu, Elmira Cuculescu, Mihail Caraman. Excitonic and radiative effects
in GaSe-C60 structures. Moldavian Journal of the Physical Sciences.
2. Evtodiev I., Cuculescu E., Postolachi V., Caraman M. The investigation of the energetic states,
determined by Cu and Cd impurity atoms, at the surface of GaS and GaSe monocrystalline layers.
Moldavian Journal of the Physical Sciences.
2008
1. T.Goglidze, I.Dementiev, S.Dmitriev, N.Nasedkina, N.Matskova; The electrical transport
mechanism in the (nCdS pAs2Se3) heterojunctions; Moldova, Journal of the Physical Sciences;
2. M. Caraman,I. Evtodiev, E. Cuculescu; Some optical properties of GaSe crystals doped with
elements of group I (Li and K); Moldavian Journal of the Physical Sciences, Vol. 7, N1, 2008, p. 3238.; 0,42
3. E. Cuculescu, I. Evtodiev,E. Aram, M. Caraman; Optical and photoelectrical characteristics of
GaSe (Cu)/oxide semiconductor heterojunction; Moldavian Journal of the Physical Sciences, Vol. 7,
N1, 2008, p. 55-60.; 0,36
4. Igor EVTODIEV; Excitonic absorption of the light in heterojunctions Bi 2O3-InSe; Moldavian
Journal of the Physical Sciences, Vol. 7, N 4, 2008, p; in press 0,60
5. Igor EVTODIEV; The photoluminescence of crystals InSe-Bi2O3 heterojunction; Moldavian Journal
of the Physical Sciences, Vol. 7, N 4, 2008, p.; in press 0,30
6. G.V.Colibaba, D.D. Nedeoglo, ; Growth Technology of ZnSe Single Crystals Having a Low
Density of Dislocation.; Moldavian Journal of the Physical Sciences 2008. v.7. 1, p.26-31; 0.36
7. S.Raevschi, V.Davydov, Yu.Zhilyaev, L.Gorceac, V.Botnariuc; Thin AlN films growth on Si(111) by
hydride vapor phase epitaxy; Moldavian Journal of the Physical Sciences.
2009
1. Raevschi S., Davydov V., Zhilyaev Iu., Gorceac L., Botnariuc V. Thin AlN films growth on Si(111)
by hydride vapor phase epitaxy. Chiinu, Moldavian Journal of the Physical Sciences. 2008.
V.7, nr.4. p.476-480.
106
2. Igor Evtodiev Excitonic absorption of the light in heterojunctions Bi 2O3-InSe. Moldavian Journal of
the Physical Sciences, 2009, 10 p.
3. Igor Evtodiev The photoluminescence of crystals InSe-Bi 2O3 heterojunction. Moldavian Journal of
the Physical Sciences, 2009, 5 p.
4. ura C., Rotaru A., Nonlinear hamiltonian dynamics of coherent photons and phonons in biological
media, Moldavian Journal of the Physical Sciences, N.3.
2010
1. GOGLIDZE, T.I., GUTSUL, T.D., DEMENTEV, I.V., PETRENKO, P.A. Preparation of
nanocomposite cadmium sulphide in a polymer matrix. Moldavian Journal of the Physical Sciences.
2010, 9, nr. 2. ISSN: 1810-648X
2. SPOIALA, D.; EVTODIEV, I.; SAVA, A. Electrical and photoelectrical properties of the isotype nInSe/fillerite 60 and anisotype p-InSe/fullerite 60 heterojunctions. Moldavian Journal of the
Physical Sciences. 2010, 10 pagini (In press).
3. MUKHIN, V.M.; SPIRIDONOV, Yu.Yu.; LUPASHCU, T.G. Detoxification of pesticides polluted
soil by adsorption on activated carbons. Chemistry Journal of Moldova. 2009, 4(1), 72-74. ISSN
1857-1727.
4. KULYUK, L.L.; NEDEOGLO, D.D.; SIMINEL, A.V.; SUSHKEVICH, K.D. Effect of annealing of
ZnSe:Cr crystals in Bi(Zn) melt on the intensity of radiation bands of Cr ions. Moldavian Journal of
Physical Sciences. 2010. 9(2). 138-140. ISSN 1810-648X
http://sfm.asm.md/moldphys/2010/vol9/n2/01_kulyuk_effect.pdf
Reviste categoria C
2006
1.
..,
..,
A.A.
Si/Ge/Si
: FCC .
Republica Moldova, Chiinu, CEP USM, Analele tiinifice ale Universitii de Stat din Moldova.
Seria tiine fizico-matematice, pp. 82-88.
2. Rotaru Vasile, Corac Oleg, Dementiev Igor, Neamu Sevastian, Robu tefan. Pelicule
fototermoplastice ca metode de inregistrare a informaiei n sistemele de observaie a straturilor
zonale. Republica Moldova, Chiinu, Seria tiine fizico-matematice, pp. 30-36 .
3. Paladi F., Gamurari V. Computational study of the agent-based self-organization in an open system.
Republica Moldova, Chiinu, CEP USM, Analele tiinifice ale Universitii de Stat din Moldova.
Seria tiine fizico-matematice, pp. 136-150.
4. ., . ZnSe . Anale
tiinifice ale Universitii de Stat din Moldova. Seria tiine fizico-matematice Chiinu. CEP
USM. 2006. p. 45-50.
107
5.
.,
.,
- .
Analele tiinifice ale Universitii de Stat din Moldova. Seria tiine fizico-matematice.
Chiinu: CEP USM, 2006. P. 55-59.
6. .
ZnSe. Analele tiinifice ale Universitii de Stat din Moldova. Seria tiine fizico-matematice.
Chiinu: CEP USM, 2006. P. 60-63.
7. Simashkhevich A., Sherban D., Coval A., Gorceac L., Bruc L., Bobeico E., Usatyi Yu. Celule solare
n baza fosfurii de indiu obinute prin pulverizarea pirolitic. Analele tiinifice ale USM. Seria
tiine fizici-matematice. Chiinu-2006. p. 9-13.
8. Gorceac L., Raevschi S., Zhilyaev Y., Gauga P., Botnariuc V. Epitaxia nitritului de galiu pe siliciu
prin metoda HVPE. Analele tiinifice ale USM. Seria tiine fizici-matematice. Chiinu-2006.
p. 19-24.
9. Gorceac L., Raevschi S. Aspecte la diagrama de stare a sistemukui PbTe-GaSb. Analele tiinifice
ale USM. Seria tiine fizici-matematice. Chiinu-2006. p. 25-30.
10. Simashkhevich A., Sherban D., Bruk L., Coval A., Fedorov V., Usatyi Yu. Procedeu de preparare a
celulelor solare din siliciu. Catalogul Inovaiilor Top n Energetic, Chiinu 2006, Vol. 2. p. 44-45.
11. T. Potlog, Ghimpu L., Capro N., Spalatu N. Proprietile electrice i fotoelectrice ale celulelor
solare CdS/CdTe/Te. Analele tiinifice ale USM. Seria tiine fizici-matematice. Chiinu-2006.
p. 14-13-17.
12. Sprncean Veaceslav, Gain Petru, Petruc Alexandru. Efectul fotovoltaic n heterojonciunile
CdS/CdTe. Analele tiinifice ale Universitii de Stat din Moldova, Seria tiine fizicomatematice, Chiinu, CE USM, 2006, p. 51-54.
13. Cuculescu Elmira. Unele proprieti optice i efectul fotogalvanic n cristalele -GaSe dopate cu Cu.
Analele tiinifice ale Universitii de Stat din Moldova. Seria tiine fizico-matematice.
Chiinu, 2006, p.64-67.
14. Cliucanov Al., Catanoi Al. Multiquantum scattering processes and transmission electron energy loss
spectra. Analele tiinifice ale Universitii de Stat din Moldova. Seria tiine fizico-matematice.
Chiinu, 2006.
15. Danilescu I., Preguza G., Stan V., Rocovan D., Glc G. Importana practic a studiilor landsoftice. Analele
tiinifice ale Universitii de Stat din Moldova. Chiinu, 2006.
16. Stan V., Rauc L. Metrologia biomedical. Analele tiinifice ale Universitii de Medicin i Farmaceutic
N.Testemianu, Chiinu, 2006.
2007
1. E.Bobeico, M.Caraman, L.Bruc, Iu.Usati, V.Fedorov, A.Simachevici, D.erban. Obinerea
structurilor n+SnO2/nSi i cercetarea proprietilor acestora. Revista tiinific STUDIA
NIVERSITATIS, Seria tiine ale naturii, Anul I, Nr.7, USM, 2007. Acceptat n pres.
108
2. A.Simaschevici, D.Serban, L.Gorceac, L.Bruc,A.Coval, Iu.Usatii. Influena tratrii termice n

atmosfera de hidrogen asupra parametrilor celulelor solare nITO-pInP. Revista tiinific STUDIA
NIVERSITATIS, Seria tiine ale naturii, Anul I, Nr.1, USM, 2007. - P.283-285.
3. S.Raevschi, L.Gorceac, P.Gauga, V.Botnariuc. Straturi epitaxiale omogene de CdS obinute pe InP
n hidrogen. Revista tiinific STUDIA UNIVERSITATIS, Seria tiine ale naturii, Anul I, Nr.1,
USM, 2007. - p.278-282.
4. . , . , . , ., . , . , . , .
, . , . . m ZnSe:Cr. Studia
Universitatis. Seria tiine ale naturii 2007. Nr. 7, p. 221 - 225.
5. . , . , . , . .
ZnSe, . Studia Universitatis.Seria tiine
ale naturii 2007. Nr. 7, p. 255 - 259.
6. F.Paladi, D.Dotenco, V.Gamurari. Measuring heterogeneity in stochastic models. Studia
Universitatis. -2007. -No.1. -P.319-322.
7. ., ., . -
, . Studia
Universitatis, Seria tiine ale naturii, Chisinau, Nr. 7, 2007, pp. 249-251.
8. ., , .
. Studia Universitatis, Seria tiine ale naturii, Chisinau, Nr. 7, 2007, pp.
269-273.
9. ., ., A., ., .
Si/SiO2. Studia Universitatis, Seria tiine ale naturii,
Chisinau, Nr. 7, 2007, pp. 280-284.
10. ., ., ., ., ., ., .
-. Studia
Universitatis, Seria tiine ale naturii, Chisinau, Nr. 7, 2007, pp. 235-240.
11. ., ., . -
. Studia Universitatis, Chisinau, Seria
tiine ale naturii, Nr.1, Chiinu: CEP USM, p.300-303, 2007.
12. Corsac Oleg, Neamu Sevastian, Nasedchina Nadejda. Elaborarea tehnologiilor de depunere n vid a
structurii variyonice(As2Se3-As2S3+Sn). Studia Universitatis, Chisinau, Seria tiine ale naturii,
Nr.1, Chiinu: CEP USM, p.304-307, 2007.
13. ., ., .
. Studia Universitatis, Seria tiine ale naturii, Nr.7, Chiinu:
CEP USM, p.260-265, 2007.
14. ., ., ., .
. Studia
Universitatis, Seria tiine ale naturii, Nr.7, Chiinu: CEP USM, p.274-277, 2007.
109
15. .
. Studia Universitatis, Chisinau, Seria tiine ale naturii, Nr.1, Chiinu: CEP USM,
p.307-309, 2007.
16. , , .
. Studia Universitatis, Chisinau, tiine ale naturii,
Nr.7, Chiinu: CEP USM, p.277-280 (2007).
17. Petru Gain, Elmira Cuculescu, Igor Evtodiev, Sergiu Anghel, Mihail Caraman. Unele proprieti
optice ale straturilor subiri de GaSe i GaS dopate cu Cu. Studia Universitatis, Chisinau, tiine ale
naturii, Nr.7, Chiinu: CEP USM, p.277-280 (2007).
2008
1. .; :
FCC ; Chiinu, CEP USM, Studia
Universitatis, Section Natural Sciences, Chisinau, 2008, Nr. 2(12), pp. 245-249; 0,25
2. ., ., .; Si/SiO2;
Chiinu, CEP USM, Studia Universitatis, Seria tiine ale naturii, 2008, Nr. 2(12), pp. 232-236;
0,35
3. ., ., .; Si/Ge ;
Chiinu, CEP USM, Studia Universitatis, Seria tiine ale naturii, 2008, Nr. 2(12), pp. 225
229 ; 0,25
4. Sura, A. Rotaru, T. Gereghi, Iu. Nica C; Dinamica ultrascurt a excitonilor coereni sub aciunea
cmpului electromagnetic extern; ; Studia Universitatis, Nr 2 (12), 2008, p. 337-344; 0,48
5. Igor Evtodiev; Unele proprieti optice ale jonciunilor InSe cu strat subire de oxid de bismut;
Studia Universitatis. Seria tiine ale naturii. Chiinu: CEP USM, Nr. -, 2008, p.-. ; n pres 0,48
6. S.Raevschi, V.Davydov, Yu.Zhilyaev, L.Gorceac, V.Botnariuc; Obinerea straturilor AlN pe Si prin
metoda HVPE i cercetarea proprietilor lor; Studia universitatis, nr.2(12), 2008, p.217-220.; 0,24
7. .,
.,
.,
.;
//Studia Universitatis, 2008 (n curs de publicare);

0,3
8. . , ., ., ., ., .
. // Studia
Universitatis, Chisinau, N12, 2008, p.221-224; 0,4
9. tefan Robu, Dmitrii Mitcov, Petru Bulmaga,Galina Dragalina; Sinteza i cercetarea unor
copolimeri din N-vinilcarbazolcu alchene superioare; ; Studia Universitatis, nr.2(12)2008, p.150155; 0,4
10. N.Paramzina, D.Nedeoglo, R.Sobolevskaia; Studiul Proprietilor Luminescente ale Cristalelor de
ZnSe Dopate cu Ioni de Mn.; Analele tiinifice ale Universitii de Stat din Moldova. Seria
Lucrri Studeneti. tiine Naturale i Exacte. Chiinu-2008, CEP USM. P.88-90.; 0.18
110
2009
1. ., ., ., ., ., .
, Studia
Universitatis, Seria tiine ale naturii, hiinu: CEP USM, 2009, nr.1(21), p.157-161.
2. , .., , .., , ..
. In: Studia Universitatis, Seria tiine ale naturii, 2009 p. 172-175.
3. L.Bruc, A.Coval, V.Fedorov, A.Simachevici, D.erban, L.Gorceac, Iu.Usati.
Studiul proprietilor electrice i fotovoltaice ale structurilor ITO-Si n baza
siliciului multicristalin. Revista tiinific STUDIA UNIVERSITATIS, Seria tiine
ale naturii, Nr.1(21), USM, 2009. p.193-196.
4. L.Gorceac, A.Coval, V.Botnariuc, S.Raevschi, A.Chitoroag. Cercetarea celulelor
solare cu heterojonciunea nCdS-pInP. Revista tiinific STUDIA UNIVERSITATIS,
Seria tiine ale naturii, Nr.1(21), USM, 2009. -p.215-218.
5. ., . ., .
ZnSe, . Studia Universitatis. tiine ale naturii. 2009
6. ., ., ., ., ., .
, Studia
Universitatis, Seria tiine ale naturii, hiinu: CEP USM, 2009, nr.1(21), p.157-161.
7. ., ., ., ., .
, Studia Universitatis, Seria tiine ale

naturii, hiinu: CEP USM, 2009, nr.1(21),p.162-165.
8.
, Studia Universitatis, Seria tiine

ale naturii, hiinu: CEP USM, 2009, nr.1(21), p.166-171.
9. .
As 4Se3S3 BaF2
, Studia Universitatis, Seria tiine ale naturii, hiinu:
CEP USM, 2009
10.. , . , . , . , ., .
As4Se3S3
. Studia Universitatis, Seria tiine ale naturii, 2009 (n pres), 5
pagini.
11.Igor Evtodiev Unele proprieti optice ale jonciunilor InSe cu strat subire de oxid de bismut. Studia
Universitatis. Seria tiine ale naturii. Chiinu: CEP USM, Nr.1(21), 2009, p.197-202.
12.Igor Evtodiev Dispozitive fotoelectronice pe baz de GaSe stratificat. Studia Universitatis. Seria
tiine ale naturii. Chiinu: CEP USM, Nr.1(21), 2009, p. 203-207.
111
13.Rotaru A., ura C., Caireac L., Gereghi Th., Nica Iu., Efecte neliniare n mediile biologice, Studia
Universitatis, n redacie
2010
1. ..
: . Studia universitasis, seria tiine exacte i
economice. 2010, nr. 7(37). ISSN: 1857-1735.
2. , ., , ..
VFF GaP.
Studia universitasis, seria tiine exacte i economice. 2010, nr. 7(37). ISSN: 1857-1735.
3. S.Raevschi, M.Kompan, Yu.Zhilyaev, L.Gorceac, V.Botnariuc. Structura suprafeei straturilor de
AlN depuse pe Si prin metoda HVPE la etapa iniial de obinere. Revista tiinific STUDIA
UNIVERSITATIS, Seria tiine exacte i economice, Nr2(32), USM, 2010. -p.9397.
4. .., .., .., .., .., ..
ITO/nSi.
. -1. -.44-47. 2010.
5. , ., , ., , ., , ., , ., ,.
As4Se3S3
, Studia Universitatis, tiine ale naturii,
2009, Nr.6(26), p. 219-221.
6. , .
As4Se3S3 BaF2
, Studia Universitatis, tiine ale naturii, 2009, Nr.6(26), p.
222-225.
7.8. Lista capitolelor din monografii aprute n ar.
7.9. Lista articolelor tiinifice publicate n culegeri.
7.10. Lista comunicrilor tiinifice prezentate las manifestri internaionale,

publicate ca rezumat (1-3 pagini)
2006
1. Rotaru A.H., Ciobanu N. V., Grigorita V.F., Gereghi Th. Millimeter electromagnetic wave effects in
biological systems. Abstr. of7th Intern. Balkan Workshop on Applied Physics, p.139, 5-7 July,
Constana, Romnia, 2006.
2. Rotaru A.H., Ciobanu N. V., Rotaru D.A., Grigorita V.F. Non-linear time- dependent propagation of
millimeter waves in biological systems. Abstr. of7th Intern. Balkan Workshop on Applied Physics,
112
p.139-140, 5-7 July, Constana, Romnia, 2006.

3. Sirkeli V., Ivanova G., Nedeoglo D., Nedeoglo N. The influence of native and impurity defects on
the formation of radiative centres in ZnSe crystals. Europhysics Conference Abstracts. 21st General
Conference of the EPS Condensed Matter Division. Dresden, Germany. March 26-31, 2006. V. 30A,
P. 248.
4. Ivanova G.N., Nedeoglo D.D., Nedeoglo N.D., Rusu E.V., Sirkeli V.P., Stratan G.I., Ursaki V.V.
Photoluminescence study of nitrogen-related states in ZnSe. Program and Abstracts. 28th
International Conference on the Physics of Semiconductors. ICPS 2006, Vienna, Austria, 2428 July, 2006. P. 310.
5. Ivanova G.N., Kulikova O.V., Kulyuk L.L., Nedeoglo D.D., Nedeoglo N.D., Siminel A.V., Sirkeli
V.P., Sobolevskaya R.L., Sushkevich K.D. Infrared luminescence of chromium-doped ZnSe crystals.
Abstracts. 3rd International Conference on Materials Science and Condensed Matter. Physics.
Chisinau, Moldova, October 3-6, 2006. P. 107.
6. ., ., ., ., .
. Conferina tiinific internaional nvmntul
superior i cercetarea - piloni ai societii bazate pe cunoatere. Rezumatele comunicrilor. tiine
reale, Chiinu: CEP USM, 2006. P.129-130.
7. Gutul Tatiana, Zubareva Vera, Chirita Arcadi, Fedorov Vladimir.
. The 15-th International Conference Physical Methods in coordination and
supramolecular chemistry Chisinau, Moldova.
8. ., .
. Conf. Intern. Invatamintul
superior si cercetarea piloni ai societatii bazate pe cunoastere, sectia 3, Fizica starilor condensate,
Chisinau 2006, p.107-108.
9. ., ., . Zb ZnSe
Bi. Conferina tiinific internaional. -Chiinu. 2006,
p.119-121.
10.Simachevici A., erban D., Bruc L., Coval A., Gorceac L., Monaico E., Usati Iu. Studiul interfeei
structurilor ITO-InP. Conferina tiinific Internaional dedicat jubileului de 60 ani ai USM.
Rezumatele comunicrilor. tiine reale. Chiinu-2006. p.121-122.
11.Dikusar A., Simashkevich A., Sherban D., Bruk L., Monaico E., Usatii Yu., Tiginyanu I. The oxide
layers deposition on III V semiconductor nanoporous materials. Abstracts of 3rd International
Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics (MSCMP 2006), Chisinau 2006.
p.179.
12.Evtodiev Igor, Lozovanu Petru, Cuculescu Elmira, Caraman Mihail. Excitonic and radiative effects
in GaSe-C60 structures.
3rd Int. Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physics
(MSCMP), October 3-6, 2006, Chisinau, Moldova, p.96.
113
13.Cuculescu Elmira, Lozovanu Petru, Evtodiev Igor, Caraman Mihail. The optical properties of GaSe
single crystals thermally annealed in C 60 vapors. 28th International Conference on the Physics of
Semiconductors (ICPS-28), Vienna, Austria, July 24-28, 2006, p. 283-284.
14.Cuculescu Elmira, Evtodiev Igor, Caraman Mihail, Rusu George G. Optical characterization of gas
thin films, components of gas/cdte heterojunctions. icps-28, vienna, austria, july 24-28, 2006, p.
321-322.
15.Cliucanov Al., Catanoi Al. Multiquantum scattering processes and transmission electron energy loss
spectra. Conferina tiinific internaional nvmntul superior i cercetarea piloni ai
societii bazate pe cunoatere dedicat jubileului de 60 ani ai Universitii de Stat din Moldova,
28 septembrie 2006, Chiinu, CEP USM, p.113.
16.Cliucanov Al., Gurau V., Catanoi Al. Replicile multiplasmonice ale excitonilor legai n cristalele
ZnSe. Conferina tiinific internaional nvmntul superior i cercetarea piloni ai societii
bazate pe cunoatere dedicat jubileului de 60 ani ai Universitii de Stat din Moldova, 28
septembrie 2006, Chiinu, CEP USM, p.95.
17.Cuculescu Elmira, Evtodiev Igor, Caraman Mihail. Prepararea i unele proprieti electrice ale
heterojonciunilor strat amorf gase/gaas. Conferina tiinific internaional nvmntul superior
i cercetarea piloni ai societii bazate pe cunoatere dedicat jubileului de 60 ani ai universitii
de Stat din Moldova, 28 septembrie 2006, Chiinu, CEP USM, p.109.
18.Anghel Sergiu, Evtodiev Igor, Caraman Mihail. Proprietile optice ale straturilor amorfe de gase.
conferina tiinific internaional nvmntul superior i cercetarea piloni ai societii bazate
pe cunoatere dedicat jubileului de 60 ani ai universitii de stat din moldova, 28 septembrie 2006,
Chiinu, CEP USM, p.111.
19.Cuculescu Elmira, Evtodiev Igor, Caraman Mihail. The excitonic absorption and the
photoluminescence of the gase-c60 structures. e-mrs 2006 spring meeting, may 29 to june 2, nice,
france.
20.Andrusyak O., Ciapurin I., Rotaru V., Sevian A., Venus G., and Glebov L. Dense spectral beam
combining with volume Bragg gratings in PTR glass. 19th Annual Solid State and Diode Laser
Technology Review, SSDLTR-2006 Technical Digest, Paper BC-3.1-3.5, Albuquerque, NM, June
2006.
21.Venus G., Rotaru V., and Glebov L. Semiconductor 1.7 W volume Bragg laser with divergence close
to a diffraction limit. 26th Annual Conference on Lasers and Electro-Optics. CLEO/IQES and
PhAST Technical Digest, Paper Code CFG4, Long Beach, CA, May 2006.
22.Dmitriev Serghei. Dioxide Nanodimensional Film Based H2 sensor. United States of America.
Warrendale, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 915, p. R06-26.
2007
1. S.Raevschi,
V..N.Bessolov,
V.Yu.Davydov,
Yu.V.Zhilyaev,
E.V.Konencova,
N.K.Poletaev,
S.N.Rodin, S.L.Smirnov, S,Sharofidinov, M.P.Shcheglov, H.S.Park, M.Koike. The epitaxlal layers

114
of GaN on Si(111) substrates: the structural and optical properties. -th All Russian Conference
Nitrides of gallium, indium and aluminium: structures and devices Moscow January 31 - February
2, 2007.
2. .., .., .., .., .., ..,
.., ., ... GaN
Si(111) : . V111
-2007, .,
30.09.07- 5.10.07.
3. V. Sirkeli, D.Nedeoglo, R. Sobolevskaya, K. Sushkevich, A. Siminel, N. Nedeoglo, R. Laiho, E.
Lhderanta, L. Kulyuk, O. Kulikova. International Conference CLEO/Europe-IQEC 2007. Munich,
Germany. P. 73.
4. G. Ivanova, D. Nedeoglo, N. Nedeoglo, E. Rusu, V. Sirkeli, Gh. Stratan, V. Ursaki. Photoluminescence Study of Nitrogen-Related States in ZnSe. AIP Conf. Proc. Phys. Physics of semiconductors:
28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2007. V. 893, p. 279-280.
5. . , . , . , . , . .
ZnSe, . Abstracts. International Conference
Physics of low dimensional structures. Chisinau. 2007. p.
88.
6. ., ., ., ., ., ., ..
nITO/pInP,
. III
-3, , , 17-22 2007. - .329.
7. A.Simaschevici, D.Serban, L.Gorceac, L.Bruc, A.Coval, Iu.Usatii. Influena tratrii termice n
atmosfera de hidrogen asupra parametrilor celulelor solare nITO-pInP. International Conference
Physics of low-dimensional structures, The book of abstracts, Chisinau, June, 27-28, 2007. - p.60.
8. . . , . . .
CdTe CdS-CdTe. Int. Conf. Physics of
low dimensional structures, Chisinau, USM, 2007, p.59.
9. F. Brosens, S.N. Klimin, J.T. Devreese. Quantum statistics for a finite number of polarons in a
neutralizing background. 2007 March Meeting of the American Physical Society, March 59, 2007,
Denver, USA. No. H23.15.
10.F. Brosens, S. N. Klimin, J. T. Devreese. Path integral approach to the ground state energy of a
homogeneous polaron gas. International conference Physics of low-dimensional structures in
honour of the 80th anniversary of Prof. E.P. Pokatilov, Chisinau, Moldova, June 27-28, 2007. Book
of Abstracts, p. 52.
11.V.M. Fomin, V.N. Gladilin, J.T. Devreese, N.A.J.M. Kleemans, H.C.M. van Genuchten, P.M.
Koenraad. Effects of the Coulomb interaction between charge carriers in self-assembled
InGaAs/GaAs ring-like nanostructures. International Conference on Lase Applications in Life
Science (LALS 2007), Moscow, Russia, June 11-14, 2007. Conference Program, p. 28.
115
Koenraad. Energy Spectra and Oscillatory Magnetization of Two-Electron Self-Assembled
InGaAs/GaAs Ring-Like Nanostructures. 2007 March Meeting of the American Physical Society,
March 59, 2007, Denver, USA. No. V43.14.
13.V. M. Fomin, V. N. Gladilin, J. T. Devreese, N. A. J. M. Kleemans, H. C. M. Genuchten, P. M.
Koenraad. Self-Assembled InGaAs/GaAs Ring-Like Nanostructures: Effects of the Coulomb
Interaction (poster). 17th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional
Systems (EP2DS17), Genova, Italy, July 15 - 20, 2007. Abstract book, pp. 532-533.
Koenraad. Two-Electron Self-Assembled InGaAs/GaAs Ring-Like Nanostructures: Energy
Spectrum and Oscillatory Magnetization (invited lecture). International conference Physics of lowdimensional structures in honour of the 80th
anniversary of Prof. E.P. Pokatilov, Chisinau,
Moldova, June 27-28, 2007. Book of Abstracts, p. 53.

15.Calina Isacova, Denis Nika, Evghenii Pokatilov. Exciton states in rectangular Si quantum dots.
Scientific Abstracts, International Conference of Young Researchers, November 9, 2007, Chiinu,
Republica Moldova, p. 123.
16.N. A. J. M. Kleemans, J. H. Blokland, A. G. Taboada, I. M. A. Bominaar-Silkens, H. C. M.
Genuchten, V. M. Fomin, V. N. Gladilin, D. Granados, J. M. Garca, U. Zeitler, P. C. M. Christianen,
J. C. Maan, J. T. Devreese, P. M. Koenraad. The impact of the Aharonov-Bohm effect on the
electronic and excitonic properties of ring-shaped nanostructures. 17th International Conference on
Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS17), Genova, Italy, July 15 - 20, 2007.
Abstract book, pp. 224-226.
17.N.A.J.M. Kleemans, J.H. Blokland, A.G. Taboada, I.M.A. Bominaar - Silkens, H.C.M. Genuchten,
V.M. Fomin, V.N. Gladilin, D. Granados, J.M. Garca, U. Zeitler, P.C.M. Christianen, J.C. Maan,
J.T. Devreese, P.M. Koenraad. The impact of the Aharonov-Bohm effect on the electronic and
excitonic properties of ring-shaped nanostructures (oral presentation by N.A.J.M. Kleemans).
International School Magnetic Fields for Science, August 27 - September 8, 2007, Cargse,
Corsica, France.
18.Denis Nika, Evghenii Pokatilov, Calina Isacova. Charge-carriers states in Si quantum dots with
rectangular, conical and tetrahedral shapes. Scientific Abstracts, International Conference of Young
Researchers, November 9, 2007, Chiinu, Republica Moldova, p. 125.
19.F.Paladi, D.Dotenco.
Clustering in complex systems: an application to nucleation and glassy
dynamics. Clustering in complex systems: an application to nucleation and glassy dynamics. 23rd
International Conference on Statistical Physics (STATPHYS 23). Book of abstracts. Genoa, Italy,
July 9-13, 2007. -P.165-166.
20.F.Paladi, D.Dotenco. Simulation study of complex systems by parallel programming. Proceedings of
the 5th International Conference on Microelectronics and Computer Science (ICMCS-2007).
Chisinau, Moldova, September 19-21, 2007. -P.42-45.
116
21.F.Paladi, D.Dotenco, V.Gamurari. Clustering in complex systems with metastable states.

International Conference Physics of low-dimensional structures. Book of abstracts. USM,
Chisinau, Moldova. -2007. -P.91.
22.. , . , . , . . ,
AlN/GaN/AlN
zinc-blende
. International Conference Physics of Low-Dimensional Structures, Book of

Abstracts, June 27-28, 2007, Chisinau, p. 42.
23. , . Valence Force Field
. Scientific Abstracts,
International Conference of Young Researchers, November 9, 2007, Chiinu, Republica Moldova,
p. 126.
24.. .
. . The book of abstracts of
International Conference Physics of low-dimensional structures,p.58. Chiinu-2007.
25.. , E. . . FCC-
. International Conference Physics of Low-Dimensional
Structures, Book of Abstracts, June 27-28, 2007, Chisinau, p. 85.
26.. , . , . .
.
International Conference Physics of Low-Dimensional Structures, Book of Abstracts, June 27-28,
2007, Chisinau, p. 30.
27. , , , , ,
, .
: . Scientific Abstracts, International Conference of Young Researchers, November 9, 2007, Chiinu, Republica Moldova, p.
148.
28.E. , .. ,
. International Conference Physics
of Low-Dimensional Structures, Book of Abstracts, June 27-28, 2007, Chisinau, p. 89.
29.L. Leontie, M.Caraman, I. Evtodiev, E. Cuculescu, A. Mija. Optical properties of bismuth oxide thin
films prepared by reactive d.c. magnetron sputtering onto p-GaSe (Cu). E-MRS Spring Meeting
2007, May 28 - June 1, Strasbourg, France.
30.Elmira Cuculescu, Igor Evtodiev, Mihail Caraman. Caracteristicile optice i fotoelectrice ale heterojonciunilor GaSe(Cu) /semiconductor oxidic. International conference Physics of low-dimensional
structures 2007, June, 27-28. The book of abstracts. Chiinu: CEP USM, 2007. p. 62.
31.Lozovanu P., Caraman M., Caraman Iu. Proprietile dielectrice ale straturilor subiri de C 60.
International Balkan Workshop on Applied Physics (IBWAP-2007), Constana, Romania, July, 2007.
117
32.Ig. Evtodiev, L. Leontie, M. Caraman, M.Stamate, E. Aram. Proprietile optice ale cristalelor de
p-GaSe dopate cu Te. International Conference on Fundamental and Applied Research in Physics,
Iai, 25-27 October 2007.
33.L. Leontie, L. Palachi, Ef. Aram, M. Caraman, V.P. Muinschi. Fotoluminiscena straturilor subiri
de Ga2S3. International Conference on Fundamental and Applied Research in Physics, Iai, 25-27
October 2007.
34.O.Andrusyak, I.Ciapurin, A. Sevian. Power Scaling of laser Systems Using spectral Beam
Combining with volume Bragg Gratings in PTR Glass. 27-th annual Conference on Lasers and
Electro.Optics, Baltimore, May 2007.
35.D.Spoiala. Electrical properties and photovoltaic effect in n-Si/fullerite C 60 and n-Si/nanocomposite
C60:Cu heterostructures. Fullerenes and Atomic Clusters, IWFAC-2007, St Petersburg, Russia, July
2-6, 2007, Books of Abstracts, P123, p.172.
36.Elmira Cuculescu,
Mihail Caraman. The Charge Carriers Transport Mechanism Through the
Interface Layer of the p-GaSe(Cu)/n+GaAs Heterojunctions. 2007 Materials Research Society

Spring Meeting, April 9 - 13, 2007, San Francisco, CA, USA.
37.Gasin P., Caraman Iu., Rusu I., Caraman M. Proprietile optice ale structurilor semiconductoare cu
straturi subiri SnO2/CdS. International Balkan Workshop on Applied Physics (IBWAP-2007),
Constana, Romania, July, 2007.
38.Robu ., Gain P., Caraman M. Unele proprieti optice ale nanocompozitelor polimer/CdS. Conf.
Polimeri organici. Tehnologii i aplicaii. Bucureti, 28-29 octombrie, 2007.
39.Rotaru Vasile, Glebova Larisa, Gusarov Andrei, Berghman Francis, Glebov Leonid. Effect of
Ionizing Radiation on Volume Bragg Gratings in PTR Glass. 20th Annual Solid State and Diode
Laser Technology Review (SSDLTR 2007) Technical Digest, Los Angeles. 2007.
40.Andrusyak Oleksiy, Rotaru Vasile, Sevian Armen, Smirnov Vadim, Venus George, Glebov Leonid.
Spectral Beam Comining by Stack of Volume Bragg Gratings in PTR Glass in PTR Glass. 20th
Annual Solid State and Diode Laser Technology Review (SSDLTR 2007) Technical Digest, Los
Angeles.2007.
41.Andrusyak O., Ciapurin I., Rotaru V., Sevian A., Venus G., Glebov L. Dense spectral beam
combining with volume Bragg gratings in PTR glass. 19th Annual Solid State and Diode Laser
Technology Review, SSDLTR-2006 Technical Digest, Paper BC-3, Albuquerque, NM, 2006.
42.Oleksiy Andrusyak; Igor Ciapurin; Vadim Smirnov; George Venus; Leonid Glebov. Spectral beam
combining of fiber lasers with increased channel density. Fiber Lasers IV: Technology, Systems, and
Applications, Donald J. Harter; Andreas Tnnermann; Jes Broeng; Clifford HeadleyIII, Editors,
SPIE Proceedings Vol. 6453, paper 64531L (2007).
43.Oleksiy Andrusyak; Igor Ciapurin; Armen Sevian; Vadim Smirnov; George Venus; Leonid Glebov.
Power Scaling of Laser Systems Using Spectral Beam Combining with Volume Bragg Gratings in
PTR Glass. CLEO/QELS and PhAST 2007 Technical Digest, paper JTuA85 (2007).
118
44.Elmira Cuculescu, Mihail Caraman. The Charge Carriers Transport Mechanism Through the
Interface Layer of the p-GaSe(Cu)/n+GaAs Heterojunctions. Semiconductor Defect Engineering
Materials, Synthetic Structures and Devices II, edited by S. Ashok, P. Kiesel, J. Chevallier, T. Ogino
(Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Volume 994, Warrendale, PA, 2007), 0994-F11-18.
2008
1. C. Sura, A. Rotaru, N. Ciobanu, T. Jereghi, I.Nica; Hamiltonan Dynamic Chaos of BoseCondensed Phonons in Biological Media under the Action of External Coherent Millimeter
Radiation; Abstr. of9th Intern. Balkan Workshop on Applied Physics; p.152, 7-9 July, Constana,
Romnia, 2008; 0,06
2. C. Sura, A. Rotaru, D. Ghitsu, N. Ciobanu, V. Grigorita; Complex Dielectric Constants Caused by
Frohlich Bose-Condensed Phonons in Biological Objects; Abstr. of9th Intern. Balkan Workshop
on Applied Physics; p.152, 7-9 July, Constana, Romnia, 2008; 0,06
3. C. Sura, A. Rotaru; Regular and chaotic motion of Froehlich bose-condensed phonons and
photons; Abstr. of9th Intern. Balkan Workshop on Applied Physics; p.153, 7-9 July, Constana,
Romnia, 2008; 0,06
4. T. Potlog, N. Spalatu, N. Maticiuc, V. Movila; Analysis of thin film CdTe solar cells fabricated by
close space sublimation Proc; 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and
Exhibition, Valencia, Spain,; Sept 1-5, 2008;
5. E.A.Senokosov, T.I.Goglidze, I.V.Dementiev, V.M.Ishimov, Y.E.Kortiukova, N.I.Matskova; Study
of multiple record on photothermoplastic mediums;; 3rd International Conference on Physics of
Electronic Materials PHYEM08. Kaluga, Russia, october 1-4, 2008, P. 217-222; 0,1
6. I. Caraman, E. Cuculescu, M. Stamate, G. Lazar, V. Nedeff, Lazar D. Rusu; The analyzes of
transport mechanism of nonequilibrium charge carrier in heterojunctions with GaS-CdTe:Mn thin
films; E-MRS 2008 Spring Meeting, May 26-31, Strasbourg, France (L-P2 7). ; 0,06
7. Elmira Cuculescu, Liviu Leontie, Mihail Caraman, Efim Aram; Electrical and optical properties of
GaSe-Bi2O3 junction interface; 8th International Conference on Physics of Advanced Materials
(ICPAM-8), June 4-7, 2008, Iasi, Romania, work /P-II.4/; 0,06
8. Elmira Cuculescu, Igor Evtodiev, Mihail Caraman; Non-equilibrium charge carriers generation
recombination mechanisms at the interface of the SnO 2/GaSe heterojunction; E-MRS 2008 Spring
Meeting, May 26-31, Strasbourg, France (L-P3 26).; 0,06
9. Igor Evtodiev, Liviu Leontie, Mihail Caraman; Excitonic processes at the Bi 2O3-InSe junction
interface; 8th International Conference on Physics of Advanced Materials (ICPAM-8), June 4-7,
2008, Iasi, Romania; work P-IV.5, p.70-71.; 0,06
10.Igor Evtodiev, Liviu Leontie, Iuliana Caraman; Optical and photoelectrical properties of InSe(Mn)
thin films; 8th International Conference on Physics of Advanced Materials (ICPAM-8), June 4-7,
2008, Iasi, Romania; work P-IV.3, p.70.; 0,06
119
11.I. Evtodiev, E. Cuculescu, M. Caraman; The characterization of the energetic states localized on the
GaSe syngle crystal oxide layer surface; 22nd General Conference of the Condensed Matter
Division, 25-29 August 2008, Roma, Italy.; 0,06
12.Igor Evtodiev, Elmira Cuculescu, Iuliana Caraman; The anisotropy of the optical properties of
ternary semiconductors formed by elements of groups III and VI; 16th International Conference on
Ternary and Multinary Compounds, September 15-19, 2008, Berlin, Germany, Book of Abstracts,
ID 210.; 0,06
13.Igor Evtodiev; The exciton absorption in GaSe crystals doped with elements of the group I-V; 4th
International Conference of Materials science and condensed matter phisics, September 23-26,
2008, Chisinau, Moldova, p. 111; 0,06
14.20; D. Spoiala, Evtodiev; Anisotropy of the transport mechanisms of the charge carriers in GaSe
crystals and GaSe crystals with excess of Ga and Se; 4th International Conference of Materials
science and condensed matter phisics, September 23-26, 2008, Chisinau, Moldova, p. 112.; 0,06
15.D. Spoiala, Evtodiev; Comparative characteristis photoelectrical properties in n-Si/Fullerene C60
and n-Si/Nanocomposite C60:Te heterostructures; 4th International Conference of Materials science
and condensed matter phisics, September 23-26, 2008, Chisinau, Moldova, p.184.; 0,06
16.I. Evtodiev, L. Leontie, M. Caraman, M. Stamate, E. Aram; Optical properties of p-GaSe single
crystals doped with Te; Abstract ICPAM-2008,; 0,06
17.Ig.Evtodiev, L. Leontie, M. Caraman, V. Nedeff; Optical properties of of Bi2O3-InSe
heterojunction; Abstract ICPAM-2008,; 0,06
18.Ig.Evtodiev; Fotoluminescena stratului de InSe de la interfaa heterojonciunii Bi2O3-InSe;
Abstract ICPAM-2008,; 0,06
19.D.D.Nedeoglo,
N.D.Nedeoglo,
A.V.Siminel,
R.L.Sobolevskaia,
K.D.
Sushkevich;
Photoluminescence of ZnSe Single Crystals Doped With Mn.; 4th International Conf. on
Materials Science and Condensed Matter Physic. Abstracts Sept. 23-26, 2008. Chiinu 2008. p.
85.; 0.06
20.K.D.Sushkevich, V.P.Sirkeli, A.V.Siminel, N.D.Nedeoglo, D.D.Nedeoglo, A.Lashkul,R.Laiho,
E.Lhderanta, O.Kulikova; Photoluminescence and Magnetic Properties of ZnSe:Fe Crystals; 4th
International Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physic. Abstracts Sept. 23-26,
2008. Chiinu 2008. p. 90.; 0.06
21.D.D.Nedeoglo, I.V.Radevici, K.D.Sushkevich; The Influence of Temperature and Doping Impuritz
Concentration on Luminescence Properties ZnSe:Cr Crystals .; Instituional; 4th International
Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physic. Abstracts Sept. 23-26, 2008. Chiinu
2008. p. 97.; 0.06
22.G.V.Colibaba, D.D. Nedeoglo. ; Energy Spectrum of Na Impurity in Zinc Selenide. ; 4th
International Conf. on Materials Science and Condensed Matter Physic. Abstracts Sept. 23-26,
2008. Chiinu 2008. p. 97.; 0.06
120
23.I.V.Radevici, D.D.Nedeoglo, K.D.Sushkevich; Optical and Luminescence Properties of ZnSe:Cr

Crystals. 6th International Student Conference of the Balkan Physical Union. 21-24 August 2008.
Bodrum-Turkey.; 0.06
24.D.D.Nedeoglo, N.D.Nedeoglo, V.P.Sirkeli, R.Laiho, E.Lhderanta; Optically active Donor States of
Au in n-ZnSe induced by Lattice Deformation.; 4th International Conf. on Materials Science and
Condensed Matter Physic. Abstracts Sept. 23-26, 2008. Chiinu, 2008. p. 67.; 0.06
25.S.Raevschi, V.Davydov, Yu.Zhilyaev, L.Gorceac, V.Botnariuc; A thin AlN films growth on Si(111)
by hydride vapor phase epitaxy (HVPE); 4th International Conference on Physics, September 2326, 2008, Chisinau, Moldova.; 0,18
26.Zhao, H., Vatavu, S.A., Caraman, Iu.M., Gasin, P.A., Morel, D.L., Ferekides C.S.; The Effect of Cu
and Annealing Treatments on CdS/CdTe Heterostructures studied with QE and Photocurrent
Relaxation Techniques/Articol n revist internaional/; 33rd IEEE Photovoltaic Specialists
Conference, San Diego, USA, 1116 May 2008, Proceedings, Accepted.; 0,30
27.L. Dmitroglo, V. Fedorov, P. Gashin, C. Rotaru.; The electrical properties and fotoelectrical
caracteristics of ZnSe-CdTe heterojunctions/Abstract conf./; 4th International Conference on
Materials Science and Condenced Matter Physics, Chisinau, Moldova, September 23-26, 2008,
Abstracts, p.114.; 0,06
28.V.M. Fedorov, A.B. Chiria, C.I. Antoniuc, L.S. Gagara, P.A. Gain; The influence of the deposition
parameters and chemical treatment of CdTe layers on the energetic parameters of the CdS/CdTe
photoconveters/Abstract conf./; 4th International Conference on Materials Science and Condenced
Matter Physics, Chisinau, Moldova, September 23-26, 2008, Abstracts, p.110.; 0,06
29.C.I. Antoniuc, L.S. Gagara, P.A. Gain.; Photovoltaic effect in CdS-Cd xZn1-xTe heterojunctions; 4th
International Conference on Materials Science and Condenced Matter Physics, Chisinau,
Moldova, September 23-26, 2008, Abstracts, p.114-115.; 0,06
30. .., .., ..; ZnTeCdSe,
a
, , , 17-21 2008, , . 112.; 0,06
31.S.Robu, D.Mitcov, L.Vlad, A.Chiria, O.Corsac .; 4nd International conference on materials scince
and condenced matter Physics, Chiinu,.2008 ; ; Holography image recording on single and
double layered photothermoplastic media based on carbozole containing polymeric materials ;
0,1
2009
1. .. .. .. .. ..
.. IV a a
(-4) -4, , , 15 - 19 2009
121
2. Vatavu S., Zhao H., Caraman I., Gasin P., Don L. Morel, Chris S. Ferekides .. The influence of CuCl
treatment on the PL spectra of CdTe thin film, component of CdS/CdTe heterojunctions. Thin-Film
Compound Semiconductor Photovoltaics 2009, edited by A. Yamada, C. Heske, M. Contreras, M.
Igalson, S.J.C. Irvine, ABSTRACT 1165-M08-16 online:
http://www.mrs.org/s_mrs/sec_subscribe.asp?CID=18425&DID=243497&action=detail, poster.
3. Scurtu R., Gain P., Covali A., Proprietile electrice ale structurilor ZnSe-Pd, ICMCS - 2009
Universitatea Tehnic din Moldova, Chiinu 2009. pag. 91-92.
4. Raevschi S., Davydov V., Zhilyaev Iu., Gorceac L., Botnariuc V. Deposition of AlN
films on Si(111) by hydride vapor phase epitaxy. The 6th International Edition of
Romanian conference on advanced materials: ROCAM 2009, august 25-28th,
2009, Braov, Romania. Abstract book, -p.13
5. Radevici I.V. Photoluminescent properties of the ZnSe crystals doped with cobalt impurity. Tezele
comunicrilor la Conferina tiinific Internaional Proprietile fizice ale substanelor n diverse
stri. Bli. 2009. p.39-42.
6. Raevschi S., Davydov V., Zhilyaev Iu., Gorceac L., Botnariuc V.
Morfologia
straturilor subiri de AlN crescute pe Si prin metoda reaciilor chimice de

transport.
Tezele
comunicrilor
la
Conferina
tiinific
internaional
Proprietile fizice ale substanelor n diverse stri, 9-10 octombrie 2009.

p.6.
7. Nedeoglo D.D., Radevici I.V., Sobolevskaia R.L., Sushkevich K.D. Nicorici A.V., Dvornicov D.P.
Photoluminescent Properties of the ZnSe Crystals doped with Transiend Metals. Physics Conference
TIM 09. Timioara. 2009. Romania.
8. Igor Evtodiev, Elmira Cuculescu, Adrian Dafinei, Iuliana Caraman, Vasile Nedeff, Liviu Leontie,
Gabriel Lazar. Photoelectrical properties of Bi 2O3/InSe:Cu heterojunctions. E-MRS 2009 Spring
Meeting, Strasbourg, France, June 8-12, 2009, work E-P2 8.
9. Igor Evtodiev, Iuliana Caraman, Delia Davidescu, Adrian Dafinei, Valeriu Mushinski Optical
properties of the monoxide structures Ga 2O3-Ga2S3. E-MRS 2009 Spring Meeting, Strasbourg,
France, June 8-12, 2009. Symposium E: Metal Oxides Nanostructures: Synthesis, Properties and
Applications
10.Ig.Evodiev, L. Leontie, E. Cuculescu, I. Caraman, V. Muinschi, M. Caraman Optical Properties of
GaSe Heterojunctions with Nanometric Ga2O3 and ZnO Films. INTERNATIONAL WORKSHOP
NANOROMANIA, June 2-5, 2009, Iasi, Romania, pag. 14.
11.Dragos Rusu, Iuliana Caraman, IgorEvtodiev, Mihaela Rusu Optical Properties of Zn and Al Oxides
of Thin Layers and Nano Structures. International Workshop NanoRomania, June 2-5, 2009, Iasi,
Romania, pag. 33.
12.S.Evtodiev, D.Untila, I.Caraman, D.Davidescu, A.Dafinei, L. Palachi Spectroscopia FTIR a
monoseleniurii de indiu n filme nanocristaline. Conferina tiinific Internaional Proprietile
fizice ale substanelor n diverse stri, 9-10 octombrie 2009, Bli, Moldova, pag. 34-36.
122
13.I.Evtodiev, D.Untila, L Leontie M.Caraman, D.Davidescu, A.Dafinei, L. Palachi Structura cristalin

i proprietile optice IR a oxidului de galiu pe substrat de GaSe. Conferina tiinific
Internaional Proprietile fizice ale substanelor n diverse stri, 9-10 octombrie 2009, Bli,
Moldova, pag. 31-33.
14.Rotaru A., Ciobanu N., Nonlinear dynamics at interaction of coherent electromagnetic waves with
biomacromolecules, Humbolt Kolleg cooperation with Germany experience, new forms and
perspectives, Chisinau, 2009 p.42
15.S. Ghosh, W. Bao, D. Teweldebrhan, F. Miao, E.P. Pokatilov, D.L. Nika, C. N. Lau and A.A.
Balandin, Thermal Conduction in Single and Multilayer Suspended Graphene. Program of the New
Diamonds and Nano Carbons Conference, June 9, 2009, Austin, Texas, USA, C5.1.
16.Ghosh, I. Calizo, E.P. Pokatilov, D. Nika, D. Teweldebrhan and A.A. Balandin, Experimental Study
of Thermal Conduction in Few Layers Graphene. Program of the 51-st Electronic Materials
Conference, June 24-26, Pennsylvania, USA, p.81, II.2.
17.. , . , . ,
Si/Ge. XVII ,
( XVII), , . . ,
, 16-17 , 2009. . 9-10.
18...
..
E..
Si- SiO 2.
XVII ,
, , . . ,
, 16-17 , 2009. . 114-115.
19.. , . , . ,
Si- SiO 2. IIth International Conference of Young
Researchers, Chisinau, Moldova, 5-6 November 2009, Scientific Abstracts, p.91.
20. , , , ,
, VIIth International Conference of
Young Researchers, Chisinau, Moldova, 5-6 November 2009, Scientific Abstracts, p. 84.
21. , , , -
. VIIth International Conference of Young
Researchers, Chisinau, Moldova, 5-6 November 2009, Scientific Abstracts, p.96
22.V. Kozhevnikov, C. Giuraniuc, M. Van Bael, K. Temst, C. Van Haesendonck, T. Mishonov, T.
Charlton, R. Dalgliesh, Y. Khaidukov, Y. Nikitenko, V. Aksenov, V. Gladilin, V. Fomin, J.
Devreese, J. Indekeu, Evidence for nonmonotonic magnetic field penetration in a Pippard
superconductor, 2009 March Meeting of the American Physical Society, March 1620, 2009,
Pittsburgh, USA. No. B33.08.
23.V. M. Fomin, V. N. Gladilin, J. T. Devreese, J. H. Blokland, P. C. M. Christianen, J. C. Maan, A. G.
Taboada, D. Granados, J. M. Garcia, N. A. J. M. Kleemans, H. C. M. van Genuchten, M. Bozkurt,
123
and P. M. Koenraad, Electronic and Optical Properties of Self-Assembled Semiconductor Quantum

Rings (invited talk by V. M. Fomin; "Best Paper" award of the Conference on Nanotechnology),
SPIE Europe conference "Microtechnologies for the New Millennium", May 4-6, 2009, Dresden,
Germany. Proc. SPIE Vol. 7364, 736402, 11 pages (2009).
24.V. Kozhevnikov, A. Suter, T. Charlton, J. Cuppens, B. Wojek, T. Prokscha, Z. Salman, E.
Morenzoni, H. Fritzsche, G. Nieuwenhuys, A. Volodin, V. Gladilin, M. Van Bael, K. Temst, C. Van
Haesendonck, R. Dalgliesh, V. Fomin, J. Devreese, and J. Indekeu, The nonlocal effect in magnetic
field penetration in a Pippard superconductor probed by polarized neutrons and low-energy muons,
32nd International Symposium on Dynamical Properties of Solids, Antwerpen, Belgium, September
13-17, 2009. Book of Abstracts, p. 67.
25.V.N. Gladilin, J. Tempere, J.T. Devreese, W. Gillijns, A. V. Silhanek, V.V. Moshchalkov, Vortexantivortex pair generation and vortex dynamics in superconducting films with in-plane magnetic
dipoles (poster), 32nd International Symposium on Dynamical Properties of Solids, Antwerpen,
Belgium, September 13-17, 2009. Book of Abstracts, p. 87.
26.V. N. Gladilin, J. Tempere, J. T. Devreese, W. Gillijns, and V. V. Moshchalkov, Current driven
vortex dynamics in hybrid magnetic/superconducting nanostructures (plenary invited talk), XVI
International Summer School Nicols Cabrera "Spin Transport and Dynamics in Nanostructures",
Madrid, Spain, September 14-18, 2009. Abstracts, p. 44.
27.J. T. Devreese, V.M. Fomin, V.N. Gladilin, J. Tempre, Oscillatory persistent currents in quantum
rings: semiconductors versus superconductors (invited talk by J. T. Devreese), Sixth International
Conference on Vortex Matter in Nanostructured Superconductors, Rhodes, Greece, 17-24
September, 2009. Abstract Book, p. 121.
28.J. Van de Vondel, A. V. Silhanek, V. Gladilin, B. Raes, G. W. Ataklti, W. Gillijns,V. Metlushko, P.
Vavassori, B. Ilic, and V. V. Moshchalkov, Self organized mode locking effect in superconductor /
ferromagnet hybrids, Sixth International Conference on Vortex Matter in Nanostructured
Superconductors, Rhodes, Greece, 17-24 September, 2009. Abstract Book, p. 123.
29.J. Tempere, S. N. Klimin,and J. T. Devreese, The Kosterlitz-Thouless transition in imbalanced 2D
Fermi gases, SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON VORTEX MATTER IN
NANOSTRUCTURED SUPERCONDUCTORS, Rhodes (Greece), 17-24 September, 2009,
ABSTRACT BOOK, p 93.
30.J. Tempere, S. N. Klimin and J. T. Devreese, The Kosterlitz-Thouless transition in imbalanced
Fermi gases, International Symposium on Quantum Fluids and Solids QFS2009, August 5-11,
2009 Northwestern University, Evanston, Illinois, USA
2010
1. BRINZARI, V., DAMASKIN, I., DMITRIEV, S., CHO, B.K., KOROTCHENKOV, G. (Cu, Fe, Co
or Ni) doped tin dioxide nanoscale films deposited by spray pyrolysis: additive influence on
124
structure and thermal stability of films. 5th Int. Conf. on Mater.Sci. and Condensed Matter Physics.
MSCMP, Sept. 13-17, 2010, Chisinau, Moldova, p.66
2. DEMENTIEV I., NASEDCHINA N., MITCOV D., ROBU T., DRAGALINA G., ANDRIE I. The
investigation of sensitization possibility of carbazole-containing polymeric photo-conductors by
transition metals phthalocyanine dyes. 5th International Conference on Materials Science and
Condensed Matter Physics. MSCMP, September 13-17, 2010, Chisinau, Moldova.
3. DMITRIEV, S., STRELCOV, E., BUTTON, B., KOLMAKOV, A. Copper Phthalocyanine
web-like nanostructure based chemical sensors. 5th Int. Conf. on Mater.Sci. and Condensed
Matter Physics (MSCMP, Sept. 13-17, 2010, Chisinau, Moldova, p.214
4. GUTSUL, T.D., GOGLIDZE, T.I., DEMENTEV, I.V., PETRENKO, P.A. Synthesis of ZnS
nanoparticles embedded in a polymeric matrix. 5th International Conference on Materials Science
and Condensed Matter Physics. September 13-17, 2010, Chisinau, Moldova.MSP 42P P. 111.
5. LISUNOV, K.G., LAIHO, R., LASHKUL, A.V., LHDERANTA, E., PETRENKO, P.A.,
NEKRASOVA, YU.S., ZAKHVALINSKII, V.S. Influence of phase separation on low-field
magnetic properties of La1xSrxMn1yFeyO3. 5th International Conference on Materials Science and
Condensed Matter Physics. September 13-17, 2010, Chisinau, Moldova.MSP 42P P. 152
6. NIKA, D.L., POKATILOV, E.P., GOSH, S., ASKEROV, A.,
BALANDIN, A.A.
Thermal
conductivity of graphene and few-layer graphene. Book of Abstracts, 5th International Conference
on Material Science and Condensed Matter Physics, September 13 17, 2010, Chiinu, Republica
Moldova, p. 37.
7. NIKA, D.L., ZINCENCO, N.D., ISACOVA, C. IA., POKATILOV, E.P.,
FOMIN, V.M.,
BALANDIN, A.A. Ultra-low lattice thermal conductivity of one-dimentional quantum dot Si/Ge
superlattices. Book of Abstracts, 5th International Conference on Material Science and Condensed
Matter Physics, September 13 17, 2010, Chiinu, Republica Moldova, p. 206.
8. ROBU, S.T., DRAGALINA, G., MITCOV, D., DEMENTIEV, I., ANDRIE, I.,CHISI,
A.,CORAC, O. Purttor de informaie electrofotografic.
Medalia de bronz. Expoziie
internaionale de invenii,cercetare tiinific itehnologii noi. Bucureti, 2010

9. ROBU, .T., MITCOV, D., VLAD, L., DEMENTIEV, I., CHIRIA, A., CORAC, O. Holograph
Image Recording on Single and Double Layered Photothermoplastic Media Based on Carbazole
Containing Polymeric Materials. 5th International Conference on Materials Science and Condenced
Matter Physics. Chisinau, September 13-17, 2010. Abstracts.
10., .., , .., , .., , ..
. V

, -2010, , 2010,
11.CUCULESCU, E.; EVTODIEV, I.; CARAMAN, Iu.; LEONTIE, L.; NEDEFF, V.; RUSU, D.-I.
Transport and generation-recombination mechanisms of nonequilibrium charge carriers in
125
ZnO/In2O3/InSe:Cd heterojunctions. E-MRS 2010 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 7-11,
2010, work M-P3 5.
12.EVTODIEV, I.; CARAMAN, M.; MUINSCHI, V.; LAZR, G.; LEONTIE, L. Optical properties
of -GaSe single crystals in the region of fundamental absorption band. 5th International Conference
on Materials Science and Condensed Matter Physics (MSCMP), Moldova, Chiinu, September 1317, 2010, p. 140.
13.EVTODIEV, I.; RUSU, D.; CARAMAN, Iu.; LAZR, G.; STAMATE, M.; DAFINEI, A. Optical
properties of the layers ZnO:Al on the surface (0001) of the monocrystals -GaSe. 5th International
Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics (MSCMP), Moldova, Chiinu,
September 13-17, 2010, p. 140-141.
14.SPOIALA, D.; EVTODIEV, I.; SAVA, A. Electrical and photoelectrical properties of the isotype nInSe/fillerite 60 and anisotype p-InSe/fullerite 60 heterojunctions. 5th International Conference on
Materials Science and Condensed Matter Physics (MSCMP), Moldova, Chiinu, September 13-17,
2010.
15.EVTODIEV, I.; CUCULESCU, E.; CARAMAN, Iu.; STAMATE, M.; NEDEFF, V.; DAFINEI, A.;
LEONTIE, L. Structural transformations and photoluminescence of gallium and indium
monochalcogenide-based nanolamellar structures with native oxide. Conferina Naional de Fizic
(CNF 2010), Rezumatele lucrrilor, Iai, Romnia, 23-25 septembrie 2010, work FSC-O1, p. 46.
16., .; , .; , A.; , A.
p-GaSe/n- 60. Materialele conferinei
tiinifice Internaionale nvmntul universitar din Republica Moldova la 80 de ani, Moldova,
Chiinu: U.S.T., 2010, p. 8.
17.S.Raevschi, M.Kompan, Yu.Zhilyaev, L.Gorceac, V.Botnariuc. Study of AlN layers grown on Si by
HVPE method at the stage of nucleation. 5th International Conference on Materials Science and
Condensed Matter Physics and Symposium Electrical Methods of Materials Treatment in
memoriam of acad.Boris Lazarenco. Abstracts, September 13-17, 2010. Chiinu, Moldova. p.89.
2010.
18.A.Simaschevici, D.Serban, L.Bruc, L.Gorceac, V.Fedorov, A.Coval. Study of ITO-Si SIS Structures
obtained on Polycrystalline Silicon. 5th International Conference on Materials Science and
Condensed Matter Physics and Symposium Electrical Methods of Materials Treatment in
memoriam of acad.Boris Lazarenco. Abstracts, September 13-17, 2010. Chiinu, Moldova. p.227.
2010.
19.COLIBABA, G. V.; NEDEOGLO, D.D.; URSAKI, V.V. Impurity centers in ZnSe:Na crystals. 5th
International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics. Abstracts. 13-17
september 2010. Chiinu. 70 ISBN 978-9975-66-190-4
20.GUTSUL, T.D.; NEDEOGLO, N.D.; RADEVICI, I.V.; SOBOLEVSKAIA, R.L.; SUSHKEVICH,
K.D.; PETRENCO, P.A. Solvatothermal Synthesis of Nanoscale zinc selenide. 5th International
Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics. Abstracts. 13-17 september 2010.
126
Chiinu. 110. ISBN 978-9975-66-190-4

21.LAIHO, REINO; LASHKUL, ALEXANDER V.; LHDERANTA, ERKKI M.; NEDEOGLO,
DMITRII D.; NEDEOGLO, NATALIA D.; RADEVICI, IVAN V.; SIRKELI, VADIM P.;
SUSHKEVICH, KONSTANTIN D. Magnetic properties of ZnSe Crystals doped with Transition
Metals. Proseedings of the European Material Conference. E-MRS Spring Meeting 2010,
Strassburg, France. 7-11 june 2010.
22.LAIHO, R.; LASHKUL, A.V.; LHDERANTA, E.; NEDEOGLO, D.D.; NEDEOGLO, N.D.;
RADEVICI, I.V.; SIRKELI, V. P.; SUSHKEVICH, K.D. Magnetic and luminescent properties of
ZnSe:Ni crystals. 5th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics.
Abstracts. 13-17 september 2010. Chiinu. 163. ISBN 978-9975-66-190-4
23.NEDEOGLO, D.D.; NEDEOGLO, N.D.; SOBOLEVSKAIA, R.L.; SUSHKEVICH, K.D.;
DVORNIKOV, D.P.; NICORICI, A.V. The Influence of Nickel Concentration on photoluminescence
Spectru of ZnSe:Ni samples. 5th International Conference on Materials Science and Condensed
Matter Physics. Abstracts. 13-17 september 2010. Chiinu. 90. ISBN 978-9975-66-190-4
24.Sergiu Vatavu, Hehong Zhao, Iuliana Caraman, Petru Gain and Chris Ferekides; Photoluminesence
studies of CdTe/SnO2 and CdTe/CdS heterojunctions: the influence of oxygen and the CdCl 2 heat
treatment. EMRS Spring Meeting, Strasbourg, France, June 7-11, 2010.
25.Vladimir Fedorov, Timothy Gessert, Sergiu Vatavu, Corneliu Rotaru, Petru Chetru and Petru Gain;
Studies of HWT deposited CdS/CdTe heterojunctions by capacitance and admittance measurements.
EMRS Spring Meeting, Strasbourg, France, June 7-11, 2010.
26.A. A. Klyukanov, P. A. Gashin, R. Scurtu Computer simulation of charge transport in planar p-n
junctions. 5th International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics,
Chisinau, Moldova, September 13-17, 2010. p. 64.
27.C. Antoniuc, P Gashin, A. Coval, P. Ketrush; Physical processes related to the treatment of Cd 1ZnxTe and CdS/Cd1-xZnxTe structures in CdCl2 solution. 5th International Conference on Materials
Science and Condensed Matter Physics, Chisinau, Moldova, September 13-17, 2010. p. 72.
28.S.Baranov, L.Gorceac, V.Suman V. Aplicarea oxidului de galiu pe suprafaa activ a celulei solare n
calitate de fereastr optic. 3rd International Conference Telecommunications, Electronics and
Informatics ICTEI 2010.
29.V.Botnariuc, L.Gorceac, S.Raevschi, A.Coval, B.Cinic. Photoelectric properties of
thin GaAs epitaxial layers grown by HVPE method. 5 th International Conference on
Materials Science and Condensed Matter Physics and Symposium Electrical Methods of Materials
Treatment in memoriam of acad.Boris Lazarenco. Abstracts, September 13-17, 2010. Chiinu,
Moldova. p.69. 2010.
30. ., ., . 3- U-
. International
Conference of Young Researchers, Chiinau, Moldova, 2010.
127
31., ., , ..
Valence Force Field. International Conference

of Young Researchers, VIII-th edition November 11-12, 2010, Chisinau, Moldova
32., ., (, .
) VFF - GaP (10 2010).
7.11. Lista referatelor tiinifice prezentate la manifestri internaionale,

publicate integral
2006
1. Simachevici A., erban D., Bruc L., Fedorov V., Usati Iu.
. 5- . -. .
.., , 2006. . 92-97.
2. Sevian A., Andrusyak O., Ciapurin I., Venus G., and Glebov L. Spectral beam combining with
volume Bragg gratings: cross-talk analysis and optimization schemes. Laser Source and System
Technology for Defense and Security II; Eds: G.Wood, M.Dubinskii. Proceedings of SPIE 6216
(2006) 62160V.1-62160V.7.
3. Glebov L., Glebova L., Rotari E., Gusarov A., and Berghmans F. Invited Paper: Radiation-induced
absorption in a photo-thermo-refractive glass. Photonics for Space Environments X, Ed.: E. Taylor.
Proceedings of SPIE 5897 (2005) 58970J.1-58970J.6.
4. Rotaru E., Korshak O., Glebova L., and Glebov L. Refractive index modulation in photo-thermorefractive fibers. Fiber Lasers II: Technology, Systems, and Applications. Eds: L.N. Durvasula, A.
Brown, J. Nilsson. Proceedings of SPIE 5709 (2005) 379-384.
5. Demenikov M., Lumeau J., Rotaru V., Korshak O., Sevian A., Smirnov V., and Glebov L. Large
aperture diffractive elements in PTR glass. Laser Source and System Technology for Defense and
Security II; Eds: G.Wood, M.Dubinskii. Proceedings of SPIE 6216 (2006) 62160Y.1-62160Y.6.
6. Venus G., Glebov L., Rotaru V., Smirnov V., Crump P., and Farmer J. Volume Bragg semiconductor
lasers with near diffraction limited divergence. Laser Source and System Technology for Defense
and Security II; Eds: G.Wood, M.Dubinskii. Proceedings of SPIE 6216 (2006) 621602.1-621602.7.
7. Ciapurin I., Glebov L., and Smirnov V. Modeling of Gaussian Beam Diffraction on Volume Bragg
Gratings in PTR Glass. Practical Holography XIX: Materials and Applications. Eds: T.H. Jeong, H.
Bjelkhagen. Proceedings of SPIE 5742 (2005) 183-194.
2007
1. L.Ghimpu, L.Gorceac, V.Botnariuc. Prepararea heterostructurilor InP-CdS prin metoda volumului
cuazinchis n vid. ICMCS-2007, Proceeding of the 5th International Conference on
Microelectronics and Computer Science, V.II, p.71-75, 2007
128
2. A.Simaschevici, D.Serban, L.Gorceac, L.Bruc, A.Coval, Iu.Usatii. The influence of thermal

treatment on the parameters of nITO/pInP solar cells obtained by pyrolithic spraying method.
Proceedings of 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. Milan, Italy,
37 September 2007. Accepted in press.
3. Calina Isacova, Denis Nika, Nadejda Zincenco, Evghenii Pokatilov. Exciton states in rectangular Si
quantum dots. Second Annual International Conference of Young Scientists Computer Science and
Engineering - 2007, Conference Proceedings, Oct. 4-6, Lviv, Ukraine, pp.231-233.
4. D. Nika, E. Pokatilov, Q. Shao and A. Balandin. Electron and hole states in the quantum dots supracrystals. 5th International Conference on Microelectronics and Computer Science, Proceedings,
Volume 1, Sept.19-21, 2007, Chisinau, Moldova, pp.107-110.
5. D. Nika, E. Pokatilov, N. Zincenco, A. Askerov. Electron and hole states in Si quantum dots, 5 th
International Conference on Microelectronics and Computer Science. 5 th International Conference
on Microelectronics and Computer Science, Proceedings, Volume 1, Sept.19-21, 2007, Chisinau,
Moldova, pp.111-114.
6. Denis Nika, Nadejda Zincenco, Evghenii Pokatilov. Electron and hole states in quantum dots: shape
and size effects. Second Annual International Conference of Young Scientists Computer Science
and Engineering - 2007, Conference Proceedings, Oct. 4-6, Lviv, Ukraine, pp.137-139.
7. E.Pokatilov, D.Nika, A. Askerov, N.Zincenco and A.Balandin. Oscillation of the electron mobility
limited by the polar optical phonons in zinc-blende heterostructures. The 12th International
Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter, Proceedings, July 15-20, 2007, Paris,
France, p. 50.
8. E.Pokatilov, D.Nika, N.Zincenco and A.Balandin. Electron-polar optical phonon scattering
suppression and mobility enhancement in wurtzite heterostructures. The 12th International
Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter, Proceedings, July 15-20, 2007, Paris,
France, p. 110.
9. N.Zincenco, D.Nika, E.Pokatilov and A.Balandin. Acoustic phonon engineering of thermal
properties of Si-based nanostructures. The 12th International Conference on Phonon Scattering in
Condensed Matter, Proceedings, July 15-20, 2007, Paris, France, p. 169.
10. J. Tempere, V. Gladilin, I. Silvera, J. Devreese. Vortices in superconducting nanoshells. 2007 March
Meeting of the American Physical Society, March 59, 2007, Denver, USA. No. S8.08.
11. Nadejda Zincenco, Denis Nika, Evghenii Pokatilov.
The development of the dynamic lattice
vibration model for Si-based rectangular quantum heterowires.
Second Annual International
Conference of Young Scientists Computer Science and Engineering - 2007, Conference

Proceedings, Oct. 4-6, Lviv, Ukraine, pp.145-147.
12. Venus G., Daniel J.O, Rotaru V., Smirnov V., Smolski O., Jonson E., Glebov L. Volume Bragg
Grating External Cavity for Grating Coupled Surface Emitting Laser Diode. Photonics West 2007,
San Jose. SPIE Proceedings.
129
13. Armen Sevian; Oleksiy Andrusyak; Igor Ciapurin; George Venus; Leonid Glebov. Ultimate
efficiency of multi-channel spectral beam combiners by means of volume Bragg gratings. Fiber
Lasers IV: Technology, Systems, and Applications, Donald J. Harter; Andreas Tnnermann; Jes
Broeng; Clifford Headley III, Editors, SPIE Proceedings Vol. 6453, paper 64530R (2007).
2008
1.
T.Potlog, N.Spalatu; Influence of the substrate temperature on photovoltaic parameters of

CdS/CdTe solar cells fabricated by close space sublimation.; Proceedings of the International
Conference, CAS, 31th Edition, ; October 13-15, Sinaia, Romania, p.117-120, 2008.; 0,24
2.
T.Potlog., N.Maticiuc, N.Spalatu; Capacitance-voltage characteristics of the CdS/CdTe/Te

heterojunctions.; Proceedings of the International Conference, CAS, 31 th Edition, ; October 13-15,
Sinaia, Romania p.317-320, 2008; 0,24
3.
T.Potlog, N.Spalatu, N.Maticiuc; Carrier transport mechanism in CdS/CdTe solar cells prepared
by close space sublimation.; Proceedings of the 4th Int. Conf. on Materials Science and Condensed
Matter Physics,; September 23-26, Chisinau, Moldova p. 81, 2008; 0,06
4.
T.Potlog, N.Spalatu; Effect of the Ni/CdTe back contact on capacitance-voltage characteristics of

Ni/CdTe/CdS/SnO2 Solar Cells.; Proceedings of the 4th Int. Conf. on Materials Science and
Condensed Matter Physics; September 23-26, Chisinau, Moldova, p. 106, 2008; 0,06
2009
1. Tiginyanu I. M., Monaico E., Ursaki V. V., Kolibaba G. V., Nedeoglo D. D., Leporda N.
Electrochemically nanostructured ZnSe for Photonic and Optoelectronic Applications. Proceedings
of the 6th International Conference on Microelectronics and computer science. ICMCS 2009.
October 1-3. 2009. Chiinu, Moldova. 2009. p.146-149.
2. A.A. Balandin, S. Gosh, I. Calizo, D. Teweldebrhan, D.L. Nika and E.P. Pokatilov, Thermal
Conductivity of Graphene. Proceedings of MRS Spring Mettings, San-Francisco, California, USA,
April 13-17, 2009, T4.4.
3. S. Ghosh, W.Bao, D.Teweldebrhan, I. Calizo, F. Miao, E.P. Pokatilov, D.L. Nika, C.N. Lau and A.A.
Balandin, Experimental Investigation of Thermal Conduction in Suspended Few-Layer Graphene.
Proceedings of MRS Spring Mettings, San-Francisco, California, USA, April 13-17, 2009, T5.7.
4. A.A. Balandin, S. Gosh, I. Calizo, D.Teweldebrhan, S. Subrina, D.L. Nika and E.P. Pokatilov, Heat
Propagation in Graphene: Theory and Experiment. Proceedings of the 5th FENA Annual Review
Conference, January 27-28, 2009, Los-Angeles, California, USA, P4.7.
5. E.P. Pokatilov, D.L. Nika, A.S. Askerov, M.F. Bulatov and A.A. Balandin, Electron mobility
oscillations in semiconductor heterostructures. Proceedings of the Russia-Germany Solid-State
Physics Conference, Astrakhan State University, Astrakhan, Russia, June 3-8, 2009, p. 62-65.
130
6. D.L. Nika, E.P. Pokatilov, M.F. Bulatov and A.A. Balandin, Electron mobility enhancement in
wurtzite heterostructures. Proceedings of the Russia-Germany Solid-State Physics Conference,
Astrakhan State University, Astrakhan, Russia, June 3-8, 2009, p. 56-57.
7. D.L. Nika, N.D. Zincenco, E.P. Pokatilov, M.F. Bulatov and A.A. Balandin, Heat conduction and
phonon transport in silcion-based nanostructures. Proceedings of the Russia-Germany Solid-State
Physics Conference, Astrakhan State University, Astrakhan, Russia, June 3-8, 2009, p. 66-68.
8. , , ,
,
, , 18-22 2009, p. 102.
9. C.Ia. Isacova, D.L. Nika, E.P. Pokatilov, Exciton states in Si quantum dots imbedded into SiO2
dielectric
matrix.
10-
, , , 18-22 ,
2009, .2, . 103.
10. .., .., .. , 2D
. VI , , , 1417 2009, , 3,
, , p. 132-136.
2010
1. BALANDIN, A., NIKA, D.L., GOSH, S., POKATILOV, E.P. Phonon Transport in Graphene:
Thermal Crossover between Two-dimensional and Three-dimensional Worlds. Proceedings of MRS
Spring Mettings, San-Francisco, California, USA, April 5-9, 2010, S6.1.
2. GOSH, S., NIKA, D.L., POKATILOV, E.P., CALIZO, I., BALANDIN, A.A. Lattice Thermal
Conductivity of Graphene. Proceedings of APS March Meetings, Portland, Oregon, USA, March 1519, 2010, V21.00010.
3. GOSH, S., SUBRINA, S., GOYAL, V.K., NIKA, D.L., POKATILOV, E.P., BALANDIN, A.A.
Extraordinary thermal conductivity of graphene: Possibility of thermal management applications.
Proceedings of 12th IEEE Intersociety Conference on Thermal and Thermomechanical Phenomena
in
Electronic
Systems
(ITherm),
Las-Vegas,
Nevada,
USA,
June
2-5,
2010,
10.1109/ITHERM.2010.5501371.
4. GOSH, S., SUBRINA, S., GOYAL, V.K., NIKA, D.L., POKATILOV, E.P., NARAYANAN, J.R.,
NAIR, R.R., BALANDIN, A.A. Thermal Properties of Polycrystalline Graphene Films and Reduced
Graphene-oxide Films. Proceedings of MRS Spring Mettings, San-Francisco, California, USA, April
5-9, 2010, S6.2.
5. , . ., , . ., , . .
, .
131
11-
-
, 2, 2010, 2428 May, Ukraine, Odessa, p. 103.
6. T.Potlog, V.Botnariuc, L.Gorceac, N.Spalatu, N.Maticiuc, S.Raevschi. The caracterization of the
CdS-bazed solar cell heterojunctions. 2010 International Semiconductor Conference, 33 rd Edition,
October 11-13, Sinaia, Romania, CAS 2010 Proceedings. V.1. -P.105-108 2010.
7. LAIHO, REINO; LASHKUL, ALEXANDER V.; LHDERANTA, ERKKI M.; NEDEOGLO,
DMITRII D.; NEDEOGLO, NATALIA D.; RADEVICI, IVAN V.; SIRKELI, VADIM P.;
SUSHKEVICH, KONSTANTIN D. Magnetic properties of ZnSe Crystals doped with Transition
Metals. Proseedings of the European Material Conference. E-MRS Spring Meeting 2010,
Strassburg, France. 7-11 june 2010.
7.12. Lista referatelor tiinifice prezentate la manifestri naionale, publicate integral

2006
2007
1.
N. Zincenco, D. Nika, E. Pokatilov. Dynamic Lattice Model for Quantum Heterowires. Conferina Fizicienilor
Moldovei, Proceedings, Oct. 11-12, Chisinau, p. 173.
2.
N. Zincenco, D. Nika, E. Pokatilov and A. Balandin. Phonon confinement effects on the thermal conductivity
of the emiconductor nanowires and quantum dots super-lattices. Conferina Fizicienilor Moldovei,
Proceedings, Oct. 11-12, Chisinau, p. 83.
3.
E. Pokatilov, A. Askerov and D. Nika. Development of the valence force field model for the phonons in planar
nanoheterostructures. Conferina Fizicienilor Moldovei, Proceedings, Oct. 11-12, Chisinau, p. 16.
4.
D. Nika, E. Pokatilov, C. Isacova and V. Timoshenko. Electron and hole states in Si quantum dots imbedded
into dielectric medium: Role of the quantum dot shape and size. Conferina Fizicienilor Moldovei,
Proceedings, Oct. 11-12, Chisinau, p.17.
5.
D. Nika, E. Pokatilov, Q. Shao and A. Balandin. Electron and hole states in the quantum dots supra-crystals.
Conferina Fizicienilor Moldovei, Proceedings, Oct. 11-12, Chisinau, p. 115.
2008
2009
1. . , . , . , . .
. Conference of Moldovan Physicists, Chisinau, Moldova, 26-28 November 2009,
Proceedings, p.143.
2. , , , ,
: -
. Conference of Moldovan Physicists, Chisinau, Moldova, 26-28 November
2009, Proceedings, p. 141.
132
2010
7.13.
Lista comunicrilor tiinifice prezentate la manifestri naionale,

publicate ca rezumat (1-3 pagini).
2006
1. Bivol Tatiana, Cuculescu Elmira. Unele proprieti electrice ale compusului gase dopat cu cu.
conferina tiinific studeneasc dedicat jubileului de 60 de ani de la fondarea USM, 17-20 aprilie
2006, Chiinu, CEP USM, p.186.
2. Mija Ana, Caraman M. Luminescena unor compui organici pe baz de pvp. conferina tiinific
studeneasc dedicat jubileului de 60 de ani de la fondarea USM, 17-20 aprilie 2006, Chiinu,
CEP USM, p.186.
3. Paraschiv Victor, *Mriu Dumitru, *Boldureanu Dumitru, *Maftuleac Liviu, *Grosu Lucian,
*Cernat Vlad, *Blaj Octavian, *Anghel Sergiu, Evtodiev Igor, Lozovanu Petru. Primul pendul
foucault din moldova. conferina tiinific studeneasc dedicat jubileului de 60 de ani de la
fondarea USM, 17-20 aprilie 2006, Chiinu, CEP USM, p.161.
2007
1. Octavian Blaj, Sergiu Anghel, Igor Evtodiev, Mihail Caraman. Proprieti optice ale straturilor
subiri de GaSe dopate cu atomi impuritari de Cu. Conferina tiinific studeneasc dedicat
aniversrii 61 de la fondarea USM, 14-15 martie 2007, Chiinu, CEP USM, p.10.
2. L.Gorceac, L.Ghimp, A.Coval, V.Botnariuc. Influena parametrilor tehnologici asupra proprietilor
fotoelectrice ale
structurilor InP-CdS. Conferina tiinific a corpului didactico-tiinific al UTM
2007 (in presa).

3. Igor Evtodiev, Elmira Cuculescu, Iuliana Caraman. Fotoluminescena cristalelor de GaS i GaSe
dopate cu Mn. Conferina Fizicenilor din Moldova (CFM-2007), Chiinu, 11-13 octombrie 2007.
4. Mihail Caraman, Igor Evtodiev, Elmira Cuculescu. Unele proprieti optice ale cristalelor de GaSe
dopate cu elemente din grupa I (Li i K). Conferina Fizicenilor din Moldova (CFM-2007),
Chiinu, 11-13 octombrie 2007.
5. D.Spoial, V.Jeru, V.Prilepov. Proprietile electrice i fotoelectrice a heterostructurilor n-Si/fullerit
C60 i p-Si/fullerit C60. Conferina Fizicienilor din Moldova , CFM-2007, Chiinu, Moldova 11-12
octombrie, 2007, Rezumate Abstracts, p.63.
6. D.Spoial, I.Dihor, Z.Ghilan. Fenomenele de electro- i termodifuzie a cuprului n structuri
sandwich de tip Cu/fullerit C60/Cu. Conferina Fizicienilor din Moldova , CFM-2007, Chiinu,
Moldova 11-12 octombrie, 2007, Rezumate Abstracts. p.71.
7. N. Zincenco, D. Nika, E. Pokatilov. Dynamic Lattice Model for Quantum Heterowires. Conferina
Fizicienilor Moldovei, Proceedings, Oct. 11-12, Chisinau, p. 173.
133
8. N. Zincenco, D. Nika, E. Pokatilov and A. Balandin. Phonon confinement effects on the thermal
conductivity of the emiconductor nanowires and quantum dots super-lattices. Conferina Fizicienilor
Moldovei, Proceedings, Oct. 11-12, Chisinau, p. 83.
9. E. Pokatilov, A. Askerov and D. Nika. Development of the valence force field model for the
phonons in planar nanoheterostructures. Conferina Fizicienilor Moldovei, Proceedings, Oct. 11-12,
Chisinau, p. 16.
10. D. Nika, E. Pokatilov, C. Isacova and V. Timoshenko. Electron and hole states in Si quantum dots
imbedded into dielectric medium: Role of the quantum dot shape and size. Conferina Fizicienilor
Moldovei, Proceedings, Oct. 11-12, Chisinau, p.17.
11. D. Nika, E. Pokatilov, Q. Shao and A. Balandin. Electron and hole states in the quantum dots supracrystals. Conferina Fizicienilor Moldovei, Proceedings, Oct. 11-12, Chisinau, p. 115.
12. S.Raevschi, L.Gorceac, P.Gauga, V.Botnariuc. Obinerea straturilor omogene CdS pe suporturi InP
in hidrogen prin metoda zonal. Conferina fizicienilor din Moldova CFM 2007, Rezumate,
Chisinau,
R. Moldova, 11-12 octombrie 2007,p. 67.
13. G. Colibaba, D. Nedeoglo. Technology of obtaining of ZnSe crystals having low dislocation density.
Conf. Fizicienilor din Moldova. CFM - 2007. Rezumate. Chiinu. 2007. p. 80.
14. L. Culiuc, O. Kulicova, D. Nedeoglo,I. Radevici, A. Siminel, V. Sirkeli, K. Suchevici. Proprietile
optice i luminescente ale cristalelor ZnSe:Cr. Conf. Fizicienilor din Moldova. CFM-2007.
Rezumate. Chiinu. 2007. p. 87.
15. D.Nedeoglo, V.Sirkeli, R. Sobolevskaia, K.Sushkevich, A.Kovalenko, S.Omelchenko, O.Hmelenko.
16. Photoluminescence and EPR studies of manganese doped ZnSe crystals. Conf. Fizicienilor din
Moldova. CFM-2007. Rezumate. Chiinu. 2007. p. 90.
17. A.Simashkevich, D.Sherban, L.Gorceac, L.Bruk, A.Coval, Iu.Usatii. Photoelectrical properties of
nITO-pInP solar cells annealed in H 2 Atmosphere. Conferina fizicienilor dim Moldova. Abstract.
CFM -2007, Chiinu, 11 12 octombrie2007. P.70.
18. Gusarov A., Berghmans F., M.van Uffelen, Glebova L., Rotaru V., Glebov L. Effect of ionizing
radiation on the performance of volume holographic elements. IEEE (Trans.Nuclear Sci). 2007,
2008
1. N.Spalatu, N.Maticiuc, T.Potlog.; Sistem fotovoltaic flexibil pe baz de CdTe; Rezum.
Comunicarilor Conf. Studentesti; 14-18 aprilie, CEP USM, Chisinau, p. 71, 2008; 0,06
2. I.V.Radevici, D.D.Nedeoglo, K.D.Sushkevich; Studiul Influenei Intensitii i Energiei de Excitare
Asupra Spectrelor Fotoluminescenei Cristalelor ZnSe:Cr.; Conferina tiinific Studeneasc. USM
14-18 aprilie 2008. Chiinu 2008. p.25-26.; 0.12
2009
1. V.Botnariuc, A.Benderschi, L.Gorceac, S.Raevschi, A.Coval, B.Cinic. Instalaie
experimental i procedeu tehnologic pentru obinerea straturilor subiri i a
134
structurilor n baza compuilor A3B5. Conferina fizicienilor din Moldova CFM2009, Abstract, Chiinu, 26-27 noiembrie 2009, pag.30.
2. V.Botnariuc, L.Gorceac, S.Raevschi, A.Coval, P.Gauga, Iu.Zhilyaev, N.Poletaev,
L.Feodorov. Structuri epitaxiale n+-no-p+ din GaAs pentru detectoare de radiaie
nuclear. Conferina fizicienilor din Moldova CFM-2009, Abstract, Chiinu, 2627 noiembrie 2009, pag.31.
3. Incule I., Suman V., Gain P., Proprietile electrice i fotoelectrice a heterostructurilor ZnSe-CdTe.
Conferina Fizicienilor din Moldova CFM-2009, Chisinau 2009. Abstracts p. 70.
4. Antoniuc C., Gain P., Coval A., Proprieti electrice i fotoelectrice ale heterojonciunilor
CdS/CdxZn1-xTe. Conferina Fizicienilor din Moldova CFM-2009, Chisinau 2009. Abstract p. 19.
5. Scurtu R., Gain P., Conferina tiinific a Masteranzilor i Doctoranzilor, Proprietile electrice ale
structurilor ZnSe-Ni, Universitatea de Stat din Moldova, Chiinu 2009, p. 87-89.
6. Incule I., Gain P., Conferina tiinific a Masteranzilor i Doctoranzilor, Proprietile electrice i
fotoelectrice ale straturilor subiri de CdTe, Universitatea de Stat din Moldova, Chiinu 2009. p.8990.
7. ..,
..,
..,
CdS-CdTe Conferina Fizicienilor din Moldova CFM2009, Chisinau 2009. Abstracts p. 134.
8. .., .., ..,
ZnSe. Abstracts. Conferina Fizicienilor din Moldova, CFM.- 2009.
Chiinu.2009. p.191.
9. Nedeoglo D.D., Radevici I.V., Suchevici C.D., Nicorici A.V., Dvornicov D.P. Proprietile
fotoluminescente ale cristalelor de ZnSe dopate cu metale de tranziie. Abstracts. Conferina
Fizicienilor din Moldova, CFM.-2009. Chiinu.2009. p.92.
10. .., .., .., .., ..
, . Abstracts.
Conferina Fizicienilor din Moldova, CFM.-2009. Chiinu 2009. p.157.
11.Laiho R., Lashkul A.V., Lahderanta E., Nedeoglo D.D., Nedeoglo N.D., Radevici I.V., Sirkeli V.P.,
Sushkevich K.D. Magnetic properties of ZnSe crystals doped with d-elements impurities. Abstracts.
Conferina Fizicienilor din Moldova, CFM.-2009. Chiinu.2009. p.75.
12.Radevici I., Nedeoglo D. Proprietile optice i luminescente ale cristalelor de ZnSe dopate cu
elemente din grupa Fierului. Rezumatele comunicrilor la Conferina tiinific a masteranzilor i
doctoranzilor Cercetare i Inovare Perspective de evoluie i Integrare European. tiine reale i
exacte. CEPUSM. Chiinu. 2009. p.95-96.
13.Evtodiev I.Cuculescu E.Caraman M. Vibrational modes in Ga2O3-GaSe heterojunctions.
Cooperation with Germany experience, new forms and perspectives, 17-20 September 2009,
Kishinev, Moldova, Abstract Book & Program, p.26.
135
14.Dumitru Untila, Igor Evtodiev, Mihail Caraman InSe micro and nano size powder spectroscopy.
Cooperation with Germany experience, new forms and perspectives, 17-20 September 2009,
Kishinev, Moldova, Abstract Book & Program, pag 51.
15.. , ., ., .
p-GaSe/n- 60. Conferina Fizicienilor din Moldova
(CFM 2009), Chiinu, 26-28 noiembrie 2009, Rezumate.
16.. , . , . 60:Sn.
Conferina Fizicienilor din Moldova (CFM 2009), Chiinu, 26-28 noiembrie 2009, Rezumate.
17.. , . , . , ., .

. Conferina Fizicienilor din Moldova (CFM 2009), Chiinu, 26-28 noiembrie 2009,
Rezumate.
18.. , . , . , . .
. Conference of Moldovan Physicists, Chisinau, Moldova, 26-28 November 2009,
Proceedings, p.143.
19. , , , ,
: -
. Conference of Moldovan Physicists, Chisinau, Moldova, 26-28 November
2009, Proceedings, p. 141.
20.. , . , . , . ,
. Conferina tiinific a Masteranzilor i Doctoranzilor, Universitatea de
Stat din Moldova, Chisinau, Moldova, 2009, p. 87-88.
2010
1. ., ., ., .
. Conferina
tiinific a Masteranzilor i Doctoranzilor, Universitatea de Stat din Moldova, 2010.
2. , ., , .. VFF
GaP. Promovarea Cercetrii i Inovrii n
Procesul Instruirii (pentru ciclul II masteranzi i doctoranzi, USM), 5, 2010, Chiinau,
Universitatea de Stat din Moldova,
136
7.14. Lista manifestrilor tiinifice organizate

(denumirea, participarea, perioada, locul desfurrii)
- naionale
2008
I. Conferina tiinific studeneasc cu genericul TINERETUL DE AZI VIITORUL DE

MINE dedicat aniversrii 62 de la fondarea USM , desfurat la 14-18 aprilie 2008.
II. Participani: peste 2000 persoane, studeni i cadre didactice
- naionale cu participare internaional

- internaionale
2007
I.
Denumirea manifestrii
Conferina tiinific internaional Fizica sistemelor de dimensionalitate redus/Physics

of low dimensions systems consacrat jubileului de 80 de ani din ziua naterii i 56 de ani de
activitate didactico-tiinific n cadrul USM a savantului Evghenii Pokotilov, doctor habilitat,
profesor universitar, membru-corespondent al AM
II. Preedintele comitetului de organizare
P. Gauga, prof,univ.
III. Participani
Numrul total, 80 persoane, inclusiv de peste hotarele rii: SUA, Belgia, Federaia Rus.
7.15.
Lista studiilor, referatelor publicate pe Internet

(se indic organizaia editor).
137
7.16. Lista brevetelor i a certificatelor de soi, de rase
Nr.
d/o
Numele, prenumele
autorilor
Denumirea inveniei (de structurat

separat brevet de invenie, hotrre de
acordare a brevetului, certificat de drept
de autor)
Numrul brevetului,
hotrri de acordare
a brevetului,
certificatului de drept
de autor
2006
1.
2.
S.Dmitriev
I.Dementiev
A.Crciun
A.Novac
P.Lozovanu
M.Caraman
Compoziie pentru obinerea peliculelor

subiri de dioxid de staniu
Nr.2805
Aparat de scanare a cavitilor cu radiaie

laser
Nr.2814
2007
1.
L.Ghimpu
T.Potlog
I.Tighineanu
V.Ursachi
2.
P.Lozovanu
1.
PRILEPOV V.
NEAMU S.
CORAC O.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
CARAMAN Mihail
GAIN Petru
ROBU tefan
DMITRIEV Serghei
DEMENTIEV Igor
GOGLIDZE Tatiana
CHIRIA Arcadii
CORAC Oleg
DMITRIEV Serghei
DEMENTIEV Igor
GOGLIDZE Tatiana
CHIRIA Arcadii
BOTNARIUC Vasile
GORCEAC Vasile
RAIEVSCHII Simion
JILIAEV Iurii
FIODOROV Leonid
CORAC Oleg
CHIRIA Arcadii
JIDCOV Iurii
DEMENTIEV Igor
GUUL Tatiana
GOGLIDZE Tatiana
PETRENCO Piotr
Celul solar cu straturi subiri

Procedeu de preparare a straturilor de
fullerene
2009
Evaporator
Nr.3112
Nr.3291
Nr.3627
2010
Procedeu de obinere a nanocompozitului
fotoluminescent din CdS i polimeri
organici
Nr.3888
Sesizor de gaze n baza semiconductorilor

halcogenici sticloi
Nr.3894
Dispozitiv pentru reconstrucia

hologramelor multiplexe
Nr.3896
Detector de gaze n baza semiconductorilor

halcogenici sticloi
Nr.4001
Procedeu de cretere a straturilor epitaxiale

GaAs ntr-un reactor orizontal
Nr.151 S
Dispozitiv pentru nregistrarea

hologramelor i interferogramelor pe
purttor fototermoplastic
Nr.4022
Procedeu de obinere a nanocompozitului

de CdS n matria polimeric
Nr.3976
138
7.17. Lista certificatelor de depunere n colecii a suelor.
7.18. Lista cererilor de brevetare i certificare

2006
1. Lozovanu Petru. Procedeu de preparare a straturilor de fullerene. Cererea Nr.a2006 0075 din
02.03.2006.
2007
1. Prilepov Vladimir, Neamu Sevastian, Corac Oleg. Evaporator. Cererea Nr.a2007 0092 din 05.04.2007.
2008
1.
Botnariuc V., Gorceac L., Raevschi S., Jileaev Iu., Feodorov L. Procedeu de
preparare a straturilor cuazimasive de GaN (Free-standing GaN). Cererea Nr.a2008 0030 din 04.02.2008.
2.
A.Chiria, O.Corac. Instalaia pentru refacerea hologramelor multiplexe.

Cerere de brevet de invenie nr. a2008 0022, din 25.01.2008.
3.
Dmitriev Serghei, Dementiev Igor, Goglidze Tatiana. Sesizor de gaze n

baza semiconductorilor halcogenici sticloi. Cererea Nr.a2008 0056 din 22.02.2008.
4.
Dmitriev S., Dementiev I., Goglidze T. Detector de gaze pe baza

semiconductorilor halcogenizi sticloi. Cerere de brevet de invenie nr.a 2008 0129 din 14.05.2008.
5.
Corac Oleg, Chiria Arcadi, Jidcov Iurii. Dispozitiv pentru

nregistrarea hologramelor i interferogramelor pe purttor fototermoplastic. Cererea Nr.a2008 0185
din 07.07.2008.
6.
Botnariuc V., Gorceac L., Raevschi S., Zhilyaev Yu., Feodorov L. Procedeu de
cretere a straturilor epitaxiale A3B5 n reactor orizontal. Cererea Nr. s2009 0001 din 30.12.2008.
7.
Dementiev I., Guul T., Goglidze T., Petrenco P. Procedeu de obtinere a

nanocompozitului de CdS in matrita polimerica. Cererea Nr.a2008 0081 din 18.11.2008.
2009
1. Chiria A., Corac O., Bulimaga T. Purttor fototermoplastic cu dielectric pentru nregistrarea
informaiei optice. Cererea Nr. s2009 0068 din 24.04.2009.
2. Chiria A. Purttor fototermoplastic pentru nregistrarea informaiei optice. Cererea Nr. s 2009 0130
din 08.07.2009.
2010
1.Chiria A., Corac O. Metod de msurare a dimensiunilor microobiectelor. Cererea Nr.S2010 0024
din 10.02.2010.
7.19. Lista contractelor de licen (cesiune) n baza brevetelor, know-how.

139
7.20. Lista manualelor

pentru nvmntul universitar
1. Stan V. Metrologia general p.I. Lyceum, Chiinu, 2006. 20,0 c.a.
- pentru nvmntul preuniversitar.
7.21. Lista capitolelor n manuale:

- pentru nvmntul universitar
- pentru nvmntul preuniversitar.
2007
1. SecrieruV., Rusu T., Frenkiel H. Science physique 6. Chisinau : Stiina, 2007, 149p.
2. SecrieruV., Rusu T., Frenkiel H. Science physique 7. Chisinau : Stiina, 2007, 136p.
7.22. Lista lucrrilor instructiv-metodice

Lucrri metodice
2006
1. urcanu Gh., Moraru T., Lungu V. Fizica. Teste pentru examenul de absolvire a gimnaziului, cl. IX.
Lyceum, Chiinu, 2006. 4,5 c.a.
2. urcanu Gh., Pgnu V., Lungu V., Moraru T. Fizica. Teste pentru cl. X. Universitatea Pedagogic,
Chiinu, 2006. 7,5 c.a.
3. urcanu Gh., Pgnu V. Fizica. Teste pentru cl. XI. Universitatea Pedagogic, Chiinu, 2006. 4,5 c.a.
2007
1. Luchian T., Coval A., Duciac V. Msurri fizice i calculul erorilor. (ndrumri metodice).
Chiinu: CEP USM, , 2007. - 71 p.
- notelor de curs;
- compendiumurilor elaborate;
- lucrrilor digitale etc.
140
7.23. Lista documentelor de politici elaborate i aprobate.

7.24.Lista recomandrilor metodologice elaborate i implementate n activitatea
autoritilor publice centrale i/sau locale.
7.25. Lista avizelor la proiecte de legi sau de alte acte normative (precizat).
7.26. Lista crilor de popularizare a tiinei .
7.27. Lista articolelor de popularizare a tiinei.
7.28. Lista manifestrilor organizate pentru utilizatori.
7.29. Lista trgurilor i a expoziiilor naionale i internaionale la care a participat
organizaia (cu specificarea rezultatelor aprecierii exponatelor prezentate).
7.30. Lista filialelor:
- organizaiei n instituii de nvmnt superior;
- instituiilor de nvmnt superior n organizaie.
7.31. Lista subdiviziunilor comune n sfera tiinei i inovrii.

7.32. Lista lucrrilor executate la comanda beneficiarilor de peste hotare.
7.33. Lista organismelor tiinifice, n activitatea crora este antrenat organizaia.
141

Autoevaluare Fizica

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Autoevaluare Fizica

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

UNIVERSITATEA DE STAT DIN MOLDOVA

RAPORT DE AUTOEVALUARE 2006-2010

lari, Fizica semiconductorilor, Sinergetica, nregistrarea fototermoplastic, Fotonica i

2. CAPACITATEA INSTITUIONAL I RESURSELE

Direciile principale de cercetare ale organizaiei

Nanotehnologii i materiale multifuncionale noi

Nanotehnologii cost-efective, materiale nanostructurate, compozite noi pentru

Noi metode tehnologice, procedee i utilaje de prelucrare complex i durificare a

Concepte i metode teoretice noi,

Fizica strilor condensate;

Proiectarea i oinerea materialelor noi multifuncionale cu aplicaii n industrie.

Noi tehnologii industriale i produse inginereti

Tehnologii scientointensive, produse inginereti i echipamente electronice

Metode electro-fizico-chimice avansate pentru procesare, prelucrarea materialelor

Informaie privind proiectele instituionale de cercetare

Corac Oleg, cercet.t.coord.,dr. n tiine tehnice

A fost efectuat calculul parametrilor optici ai instalaiei pentru microscopie

clasteri cu valen mixt

Pocotilov Evghenii, doctor habilitat n t. fiz.-mat., profesor universitar, mcor. al AM

concepii va permite de a mbunti proprietile fononice i de transport ale

Colibaba Gleb - doctor n tiine fizico-matematice, cerc. t. superior;

Prin metoda trasportului fizic al vaporilor cu utilizarea suporturilor au fost

S-a artat c mrirea concentraiei de Ni n crystal conduce la atenuarea

Obiectivele generale ale

S-a demonstrat apariia mai multor efecte biologice la aciunea cmpului

ecuaiile respective au fost complectai cu termenii de atenuare i cei

Frohlich a argumentat c metabolismul celulelor biologic active inhib

Obinerea i investigarea structurilor de tipul n+ITO/pSi(mc).

parametrilor lor n plan structural, al perfeciunii i a proprietilor

reaciilor chimice de transport.

Fedorov, Vladimir doctor n tiine fizico-matematice, cerc. t. sup.

cvasinchis a straturilor componente. Ca suporturi s-au folosit placi de

0,812 0,810 0,807 0,800 0,798 0,800 0,810 0,726 0,814

I, mA 31,4 30,1 28,9 34,2 32,0 30,5 31,0 30,7 29,8

Evtodiev Igor, dr. n t. fiz.-mat., conf. univ.

straturi semiconductoare n stare nanocristalin i amorf de InSe cu banda

Petru Petrenco, doctor n tiine chimice, cercettor tiinific (0.5 sal.)

formare a particulelor cu dimensiuni mai mici dect 100 nm (2050)nm.

control expres a fotoconductibilitii materialelor obinute cu vizualizarea

Informaie privind proiectele de cercetare din cadrul programelor de stat

Gain Petru, Caraman Mihail, Lozovanu Petru, Bulimaga Petru, Fedorov

amorf. S-a elaborat tehnologia de obinere a straturilor monocristaline de

Potlog Tamara, Nicorici Valentina, Bruc Leonid, Rotaru Corneliu, Spalatu

atinge un randament de ~ 4%.

Programul de stat: Nanotehnologii i nanomateriale - conductor dr. hab. Ion Tighineanu

GORCEAC Leonid, doctor n tiine fizico-matematice, 01.04.10 Fizica i

A fost elaborat tehnologia de preparare a straturilor epitaxiale GaAs pe

electric pe baza nanostructurilor de InSe intercalate cu ioni ai metalelor

Informaie privind proiectele pentru tineri cercettori

Direcia strategic 05: Nanotehnologii, inginerie industrial, produse i materiale noi

Obiectivele generale ale

Cercetarea strilor electronice i de gol n suprareelele formate din

Informaie privind proiectele de cercetri bilaterale

Direcia strategic 05: Nanotehnologii, inginerie industrial, produse i materiale noi

Valoarea aplicativ a cercetrilor efectuate const n importana

Obiectivele generale ale

Steiner). Au fost efectuate vizite de lucru ale cercettorilor de la USM

promitoare de utilizare a suprareelelor din puncte cuantice n calitate

Informaie privind proiectele internaionale

Obiectivele generale ale

0,00110 MeV (radiaia ) i 10200 keV (radia]ia X), mbinate cu

emisie i sensibilitate nu depete 0,3. Cu toate acestea, datrit

Excitons in semiconductor nanocrystals as energy suppliers for