Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Bandă de energie
interzisă
A A
Bandă de energie
permisă
-π / a π/a K
Ultima bandă ocupată cu electroni este banda de valenţă, B. V. Banda de valenţă poate să fie
ocupată complet sau incomplet cu electroni. Benzii de valenţă îi urmează banda interzisă, B. I.
iar
acesteia îi urmează banda de conducţie, B. C. La semiconuctorul pur, la 0 K, B.V. este complet
ocupată iar B. C. este complet liberă. La 0 K, semiconductorul pur este un izolator perfect.
2. MASA EFECTIVĂ A PURTĂTORILOR DE SARCINĂ ELECTRICĂ
ÎN CRISTALE
În cristal, purtătorul de sarcină electrică se mişcă sub acţiunea rezultantei dintre forţa
electrică care accelerează particula şi forţa de rezistenţă generată de ciocnirile particulei cu
constituienţii reţelei, care frânează mişcarea particulei.
Masa efectivă a particulei în cristal este egală cu masa pe care ar avea-o particula liberă
pentru ca sub acţiunea unei forţe date să primescă o acceleraţie egală cu acceleraţia pe care o
primeşte în cristal sub acţiunea acleeaşi forţe. Masa efectivă nu prezintă nici proprietăţi
inerţiale
nici proprietăţi gravitaţionale. Masele efective se notează m*n (pentru electron) şi m* p (pentru
gol).
Cunoaşterea masei efective a particulei în cristal permite studiul mişcării acesteia folosind
relaţiile cunoscute: a = F /m* , p = m*v , EC = p2 /2m* .
Încălzirea corpului semiconductor pur provoacă saltul electronilor din B.V. în B.C. În B.C. apar
electroni liberi iar în B.V. rămân goluri libere. În semiconductorul pur, la temperaturi diferite de
0
K, concentaţia gazului electronic este egală cu concentraţia gazului de goluri, ni = pi .
Semiconductorul la care concentraţiile celor două tipuri de purtători sunt egale este intrinsec.
Dacă concetraţiile celor două tipuri de particule sunt diferite n ≠ p, semiconductorul
conţine impurităţi şi este extrinsec.Semiconductorul extrinsec este de tipul n dacă n>>p sau
de
tipul p dacă p>>n.
Concentraţia intrinsecă se exprimă cu ajutorul formulei
3/ 2
⎛ 2πkT ⎞
ni = 2⎜ 2 ⎟
(m * m * )
n
p
3/ 4 −E
e
g / 2 kT
. (1)
⎝h⎠
Înformula (1), h este constanta lui Planck, h= 6,63 10-34 Js , iar k este constanta lui Boltzmann,
k
= 1,38 10-23 J/K.
4. CODUCTIVITATEA ELECTRICĂ LA SEMICONDUCTOARE
σ = 2e( μ n + μ p )⎜ 2 ⎟
( n
)
m * m*p 3/ 4 e− E g / 2 kT (5)
⎝h⎠
σ
Termenul din faţa exponenţialei îl notăm cu σ0 şi obţinem o ecuaţie de aceeaşi formă cu cea
experimentală
σ = σ0 ּexp (-E g /(2k T )(6)
Comparând relaţia (6) cu relaţia (3) constatăm că energia de activare este egală cu jumătate
din
lărgimea benzii interzise
Ea = Eg/2(7)
Δ(ln R)
E g = 2k . (12)
Δ(1 / T )
R
Fig. 9.1.3.
Variaţia rezistenţei cu
temperatura la
semiconductoare.
ln R
Δ(lnR)
α Fig. 9.1.4.
Dependenţa
Δ(1/T) ln R = f ( 1/ T ).
1/T
Schema electrică a montajului este arătată în fig. 6. Părţile componente ale instalaţiei sunt:
termistor, generator de curent constant (G.C.C.), I = 1 mA, voltmetru şi sursa termică.
Termistorul este introdus într-un creuzet care conţine fie ulei fie o pulbere bună conducătoare
de
căldură. Căldura este furnizată de un reşou alimentat cu tensiunea dorită de la bornele unui
variac. Temperatura în creuzet se măsoara cu un termometru cu mercur.
V
Fig. 6.
+ Schema electrică
● mA ● ●
a instalaţiei.
R
●
-
7. MODUL DE LUCRU
8. ÎNTREBĂRI