Sunteți pe pagina 1din 6

APLICAŢIA PRACTICĂ NR.

STUDIUL VARIAŢIEI REZISTENŢEI ELECTRICE


A SEMICONDUCTOARELOR CU TEMPERATURA

Proprietăţile corpurilor semiconductoare sunt explicate în cadrul fizicii cuantice. Pentru a


înţelege
sensurile fizice ale mărimilor care urmează să fie determinate la această lucrare, în continuare
sunt prezentate succint unele noţiuni cu care operează fizica cuantică.
1. BENZI DE ENERGIE ÎN CRISTALE

Prin dualismul undă-corpuscul se înţelege că aceeaşi particulă se comportă în unele


experimente ca un corpuscul iar în alte experimente se comportă ca o undă. Mărimi
caracteristice
corpusculului sunt masa, energia, impulsul. Mărimi caracteristice undei sunt lungimea de
undă,
frecvenţa. Unda asociată particulei este unda de Broglie. Fizica cuantică stabileşte relaţii între
mărimile cracteristice undei şi mărimile caracteristice corpusculului. Particulele cuantice au
comportare duală. Electronul este o particulă cuantică. Energia electronului în structura
cristalină
este dependentă de numărul de undă , K, K= 2π/λ, λ-lungime de undă asociată, conform
schemei
din fig.1.Până la valorile K = ± π⁄а care corespund punctelor A şi B de pe fig. 1 (a – constanta
reţelei cristaline), energia variază continuu cu numărul de undă. În punctele A apar
discontinuităţi
ale energiei şi curba saltă în punctele B. Astfel, apar benzi de energie permisă separate prin
benzi
E
de energie interzisă. Lărgimea benzii de energie interzisă se notează cu Eg şi se măsoară în eV
(
1eV = 1,6 ּ10 -19 J ).
La semiconductoare, lărgimea benzii de energie interzisă este mai mică decât 3 eV.
Bandă de energie
B B permisă

Bandă de energie
interzisă

A A
Bandă de energie
permisă

-π / a π/a K

Fig. 1. Benzi energetice în cristale.

Ultima bandă ocupată cu electroni este banda de valenţă, B. V. Banda de valenţă poate să fie
ocupată complet sau incomplet cu electroni. Benzii de valenţă îi urmează banda interzisă, B. I.
iar
acesteia îi urmează banda de conducţie, B. C. La semiconuctorul pur, la 0 K, B.V. este complet
ocupată iar B. C. este complet liberă. La 0 K, semiconductorul pur este un izolator perfect.
2. MASA EFECTIVĂ A PURTĂTORILOR DE SARCINĂ ELECTRICĂ
ÎN CRISTALE
În cristal, purtătorul de sarcină electrică se mişcă sub acţiunea rezultantei dintre forţa
electrică care accelerează particula şi forţa de rezistenţă generată de ciocnirile particulei cu
constituienţii reţelei, care frânează mişcarea particulei.
Masa efectivă a particulei în cristal este egală cu masa pe care ar avea-o particula liberă
pentru ca sub acţiunea unei forţe date să primescă o acceleraţie egală cu acceleraţia pe care o
primeşte în cristal sub acţiunea acleeaşi forţe. Masa efectivă nu prezintă nici proprietăţi
inerţiale
nici proprietăţi gravitaţionale. Masele efective se notează m*n (pentru electron) şi m* p (pentru
gol).
Cunoaşterea masei efective a particulei în cristal permite studiul mişcării acesteia folosind
relaţiile cunoscute: a = F /m* , p = m*v , EC = p2 /2m* .

3. CONCENTRAŢIA INTRINSECĂ A PURTĂTORILOR DE SARCINĂ ELECTRICĂ ÎN


SEMICONDUCTOARE

Încălzirea corpului semiconductor pur provoacă saltul electronilor din B.V. în B.C. În B.C. apar
electroni liberi iar în B.V. rămân goluri libere. În semiconductorul pur, la temperaturi diferite de
0
K, concentaţia gazului electronic este egală cu concentraţia gazului de goluri, ni = pi .
Semiconductorul la care concentraţiile celor două tipuri de purtători sunt egale este intrinsec.
Dacă concetraţiile celor două tipuri de particule sunt diferite n ≠ p, semiconductorul
conţine impurităţi şi este extrinsec.Semiconductorul extrinsec este de tipul n dacă n>>p sau
de
tipul p dacă p>>n.
Concentraţia intrinsecă se exprimă cu ajutorul formulei
3/ 2
⎛ 2πkT ⎞
ni = 2⎜ 2 ⎟
(m * m * )
n
p
3/ 4 −E
e
g / 2 kT
. (1)
⎝h⎠
Înformula (1), h este constanta lui Planck, h= 6,63 10-34 Js , iar k este constanta lui Boltzmann,
k
= 1,38 10-23 J/K.
4. CODUCTIVITATEA ELECTRICĂ LA SEMICONDUCTOARE

Determinările experimentale asupra dependenţei conductivităţii semiconductoarelor cu


temperatura , σ = f ( T ), conduc la graficul din fig. 2. Curba din fig. 2 este descrisă de ecuaţia
B/T
.(2)σ = σ0 e-
În ecuaţia (2) , B este o constantă pozitivă. Relaţia (2) poate fi scrisă astfel
–kB/kT
σ = σ0 ּ e= σ0 exp ( - E a / ( k T ).(3)
În relaţia (3) mărimea Ea = k B se numeşte energie de activare.
Teoria electronică clasică stabileşte că la semiconductorul intrinsec, conductivitatea se
calculează
cu formula
σ = e ni ( μ n + μ p )(4)
În formula (4) mărimile μn şi μp sunt mobilităţi electronice respectiv de goluri. Înlocuim în relaţia
(4) expresia concentraţiei dată de ⎛formula
2πkT ⎞(1) şi obţinem
3/ 2

σ = 2e( μ n + μ p )⎜ 2 ⎟
( n
)
m * m*p 3/ 4 e− E g / 2 kT (5)
⎝h⎠
σ

Fig. 9.1.2. Variaţia


conductivităţii cu
temperatura la
semiconductoare.

Termenul din faţa exponenţialei îl notăm cu σ0 şi obţinem o ecuaţie de aceeaşi formă cu cea
experimentală
σ = σ0 ּexp (-E g /(2k T )(6)
Comparând relaţia (6) cu relaţia (3) constatăm că energia de activare este egală cu jumătate
din
lărgimea benzii interzise
Ea = Eg/2(7)

5. REZISTENŢA ELECTRICĂ A SEMICONDUCTOARELOR

Considerăm că formula rezistenţei electrice a unei probe, funcţie de natura sa chimică şi de


dimensiunile sale este corectă şi pentru semiconductoare
R = l / (σ S ).(8)
Înlocuim expresia conductivităţii date de relaţia (6) în relaţia (8), notăm
R 0= l/(σ0 S ) şi obţinem
R = R0 ּ exp (E g /( 2 k T ).(9)
Relaţia (9) este ilustrată grafic în fig.3. Rezistenţa semiconductoarelor scade la creşterea
temperaturii.
Forma liniarizată a ecuaţiei ( 9.1.9 ) este

lnR = lnR0 + 1 / T ·Eg / ( 2 k ). (10)


Graficul relaţiei (10) în coordonate lnT şi 1/T este arătat în fig. 4.
Panta dreptei este
tgβ = Δ( ln R ) / Δ(1 / T ) = Eg / ( 2 k ). (11)

Relaţia (11) permite calculul lărgimii benzii de energie interzisă

Δ(ln R)
E g = 2k . (12)
Δ(1 / T )
R

Fig. 9.1.3.
Variaţia rezistenţei cu
temperatura la
semiconductoare.

ln R
Δ(lnR)
α Fig. 9.1.4.
Dependenţa
Δ(1/T) ln R = f ( 1/ T ).

1/T

Pentru intervale înguste de temperatură , variaţia rezistenţei cu temperatura se poate


considera
liniară
RT = RT,0 [1+ α (T – T0 )].(13)
Din realaţia (13 ) se obţine expresia coeficientului termic al rezistivităţii
1 RT − RT , 0
α= . 14)
RT ,0 T − T0
Prin trecerea la limită în relaţia (14) se obţine mărimea coeficientului termic al rezistivităţii la
termperatura T
α = (1/RT ) (dR /d T )T .(15)
Formulele (2) , (8), (15) conduc la formula
α =-B / T2(16)
La semiconductoare, coeficientul termic al rezistivităţii este negativ şi valoarea sa absolută
este
invers proporţională cu pătratul temperaturii termodinamice.
Termistorul este un dispozitiv semiconductor omogen preparat din oxizi de mangan,
cupru şi zinc, cu conducţie în ambele sensuri. Rezistenţa sa scade repede cu creşterea
temperaturii. Simbolul său este arătat în fig. 5.

Fig. 5. Simbolul termistorului.


6. INSTALAŢIA EXPERIMENTALĂ

Schema electrică a montajului este arătată în fig. 6. Părţile componente ale instalaţiei sunt:
termistor, generator de curent constant (G.C.C.), I = 1 mA, voltmetru şi sursa termică.
Termistorul este introdus într-un creuzet care conţine fie ulei fie o pulbere bună conducătoare
de
căldură. Căldura este furnizată de un reşou alimentat cu tensiunea dorită de la bornele unui
variac. Temperatura în creuzet se măsoara cu un termometru cu mercur.

V
Fig. 6.
+ Schema electrică
● mA ● ●
a instalaţiei.
R


-

7. MODUL DE LUCRU

a) Se verifică schema electrică, apoi se introduc termistorul şi termometrul în creuzet;


b) Se pune comutatorul variacului pe poziţia 100V şi se conectează la reţea;
c) Începând cu 250C, cu pasul de 50C se citeşte temperatura la termometru şi simultan
tensiunea
indicată de voltmetru;
d) Când temperatura ajunge la 400C, punem comutatorul autotransformatorului pe poziţia
120V
pentru a asigura creşterea temperaturii cu viteză constantă;
e) La atingerea temperaturii de 1400C, punem comutatorul variacului pe poziţia zero şi ridicăm
pe stativ suportul cu termistor.
8. PREZENTAREA REZULTATELOR EXPERIMENTALE

1) Cu datele obţinute prin măsurări directe, întocmim tabelul nr.1;

Tabel 9.1.1. Variaţia rezistenţei electrice a termistorului cu temperatura.


T(K)U(V)R(Ω)ln RNr.măs.t( 0 C ) 1/ T ( K –1 )
1
.
.
30
2) Trasăm graficele R = f ( T ) şi ln(R) = f (1 / T);
3) Cu formula (12), utilizând graficul lnR = f(1/T), calculăm lărgimea benzii de energie
interzisă, Eg ;
4) Prin derivarea grafică a curbei R = f (T ), determinăm coeficientul termic al rezistivităţii, α, şi
reprezentăm grafic dependenţele α = f (T) şi α = f (1/T 2 );
5) Cu formula (16), utilizând graficul α = f (1/T2 ) calculăm constanta B;
6) Pentru proba cu care s-a lucrat, concentraţia intrinsecă la T = 300 K, este
nI = 2,5 ּ 106 m-3. Cu formula (1) ,utilizând mărimea Eg determinată la punctul (3) calculăm
produsul maselor efective m*n m*p ;
7) Cu formula (6), calculăm conductivitatea probei semiconductoare la temperatura iniţială şi
la
temperatura finală. Cu valorile conductivităţii calculăm variaţia relativă a conductivităţii
pentru intervalul temperaturilor Ti = 300K şi Tf = 445K
Δ σ / σ = ( σfinal - σiniţial ) / σiniţial ;
8) Mărimile determinate indirect le introducem în tabelul 2.

Tabel 2. Mărimi caracteristice probei semiconductoare.


m n* m p* (kg2 )E g (eV) B(K) Δσ/σ

8. ÎNTREBĂRI

a) Definiţi particula cuantică.


b) Definiţi masa efectivă.
c) Scrieţi formula concentraţiei purtătorilor intrinseci
d) Scrieţi formula conductivităţii semiconductorului intrinsec.
e) Scrieţi formula liniarizată pentu rezistenţa semiconductorului în funcţie de temperatură.
f) Cum calculămcoeficientul termic al rezistivităţii ?
g) Cum determinăm mărimea B ?
h) Descrieţi instalaţia cu care aţi studiat unele proprietăţi ale semiconductoarelor.
i) Care este simbolul termistorului ?
j) Cum determinăm produsul maselor efective ale electronului şi golului ?