TRANZISTORUL BIPOLAR

• Tranzistorul bipolar este o

structură de trei zone
semiconductoare extrinseci
(pnp sau npn) realizată într-
un cristal semiconductor.
 Tranzistorul bipolar

TB este realizat dintr-un cristal semiconductor compus din trei

regiuni dopate diferit, care se succed în ordinea: p-n-p sau n-p-n
• regiunea de mijloc, numită bază,
are o lăţime mică (fracţiuni de
microni până la câţiva microni)
faţă de lungimea de difuzie a
purtătorilor minoritari care o parcurg
• una din regiunile extreme, numită
emitor, are un grad de impurificare
mult mai mare decât baza.
• cea de-a treia regiune a
tranzistorului se numeşte colector.
Tranzistorul bipolar

Simbolul electronic al
tranzistoarelor bipolare.
 Marimile electrice la terminalele tranzistoarelor

– curenţii prin cele 3 terminale:

iE – curentul de emitor
iB – curentul de bază
iC – curentul de colector
– tensiunile între terminalele tranzistoarelor:
vBE – tensiunea bază-emitor
vBC – tensiunea bază-colector
vCE – tensiunea colector-emitor

Ecuatiile de functionare

iE  iB  iC vBE  vBC  vCE NPN v 

iC  I S  exp BE 
v EB  vCB  vEC PNP  VT 
 Regiuni de funcționare

• REGIUNEA ACTIVĂ NORMALĂ (RAN):

– condiţia de funcţionare: vBE > 0V şi vBC < 0V
– în această regiune tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru prelucrarea
analogică semnalelor (informaţiilor), fiind singura regiune de funcţionare în
care tranzistorul bipolar poate amplifica liniar semnale
• REGIUNEA DE SATURAŢIE:
– condiţia de funcţionare: vBE > 0V şi vBC > 0V
– în această regiune de funcţionare vCE < 0,1V
– este o regiune de funcţionare în care tranzistorul bipolar poate fi utilizat in
circuite digitale;
• REGIUNEA DE BLOCARE:
– condiţia de funcţionare: vBE < 0V şi vBC < 0V
– în această regiune de funcţionare toţi curenţii sunt zero
– este o regiune de funcţionare în care tranzistorul bipolar poate fi utilizat in
circuite digitale;
• REGIUNEA ACTIVĂ INVERSĂ:
– condiţia de funcţionare: vBE < 0V şi vBC > 0V
– în această regiune de funcţionare, tranzistorul ar putea fi utilizat pentru
prelucrari analogice dar, de regula, este evitata
• . Pentru conectarea într-un circuit tranzistorul se conectează cu un
terminal la intrare, unul la ieşire şi cel de-al treilea va fi comun. Din
acest punct de vedere tranzistorul poate fi întâlnit în trei ipostaze:
bază comună (BC), emitor comun (EC), colector comun (CC)

IE
BC IC IC CC
IE EC
IB
IB
Iieş.
Iieş. Iieş.
Iintr. Iintr.
IB Iintr. IE IC
Relaţiile de calcul cele mai importante pentru regiunea activă normală sunt:
IC = α·IE.
α este câştigul în curent al tranzistorului cu baza comună

Aplicând un curent IB în bază, va rezulta un curent de colector:

IC = IB· (α/(1-α)) = ß·IB.
ß este câştigul în curent pentru configuratia cu emitor comun, sau amplificarea în
curent (valori de la 10 la 1000)

Caracteristica de iesire Caracteristica de intrare

Regiunea de blocare cand ambele joncţiuni sunt polarizate invers;
Starea este definita de relatiile:
VBE ≤ 0

VCE - VBE > 0

Regiunea de saturaţie implică ca ambele joncţiuni să fie direct
polarizate Relaţiile pentru regimul de saturaţie sunt:
VBE > VCE

IC < ß·IB

VCEs ≈ 0,2V

Regiunea activă inversă se echivalează cu o funcţionare in regiunea

activa normala, în care rolurile emitorului şi colectorului se inversează
Utilizare mai rara deoarece amplificarea în curent are valori foarte mici
(αi ≈ 0,1)
Punctele de funcţionare ale
tranzistorului în regim de comutare
Punctul S marchează saturarea şi
punctul B blocarea
 Modelarea funcționarii tranzistorului bipolar in RAN si in
regim variabil de semnal mare

Ecuatiile modelului:

vBE  VD  0,6V
Circuitul echivalent
modelează comportamentul tranzistorului bipolar în
RAN si in regim variabil de semnal mare; VD0,6V

 = factorul (coeficientul) de amplificare în curent:

variaza puternic cu variatia temperaturii;
prezinta dispersie tehnologica
 Modelarea functionarii tranzistorului bipolar in regim variabil de semnal mic:
Vbe<13mV

Circuitul echivalent în regim variabil de Circuitul echivalent în regim variabil

semnal mic, pentru frecvenţe joase si de semnal mic, pentru frecvenţe
medii. înalte.
panta tranzistorului rezistenta de semnal mic dintre baza si emitor

I 
gm  C g m   Siemens  Amper r  r   
VT Volt gm

Vbe reprezinta amplitudinea tensiunii intre baza si emitor; nu trebuie confundata cu valoarea VBE care reprezinta
tensiunea continua dintre baza si emitor si are valoarea de aproximativ 0,6V
 Caracteristica de ieşire a
tranzistorului în conexiune
Emitor comun.

A este zona de blocare a

tranzistorului;
B este zona de saturaţie a
tranzistorului;
C este limita de putere disipată
maximă;
zona cuprinsă între aceste zone
este zona activă a tranzistorului.

La un moment dat un tranzistor trebuie să se într-un anumit punct de funcţionare P(UCE, IC);
Acest punct de funcţionare depinde de mai mulţi factori: valoarea curentului de comandă, valoarea
factorului de amplificare în curent, valoarea temperaturii tranzistorului, etc.
Pentru determinarea punctului static de funcţionare (PSF) a unui tranzistor trebuie să determinăm
valoarea curentului din colector şi tensiunea Colector-Emitor. Pentru determinarea lor se poate
utiliza orice teoremă de calcul a circuitelor electrice. În special pentru aplicaţii simple cel mai rapid
mod de obţinere a rezultatului este aplicarea teoremei a doua a lui Kirchhoff.
Parametrii tranzistoarelor bipolare
Parametrii tranzistoarelor bipolare
Parametrii tranzistoarelor bipolare
Parametrii tranzistoarelor bipolare
 TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP (TEC)

TEC

TECJ TECMOS

cu canal cu canal
Canal-p Canal-n
initial indus

Canal-p Canal-n Canal-p Canal-n

 G
D
poarta
(grila)

S G
D
sursa drena
S
+
n p
 Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TECJ)

D D

TECJ-p
TECJ-n G G
S S

ID ID
ID S S ID S S
UD S = const. UD S = const.

UT UT

U GS U GS
0 0
caracteristica de transfer caracteristica de transfer
pentru un TECJ-n pentru un TECJ-p
 Tranzistorul MOS

• În funcţie de structură, există două categorii de tranzistoare MOS:

– ca canal indus
– cu canal iniţial

• în funcţie de tipul canalului, aceste tranzistoare MOS sunt de 2 tipuri:

– cu canal de tip N
– cu canal de tip P
 TECMOS cu canal iniţial

EG
G - grila (poarta) canal ingustat
S - sursa METAL OXID (SiO 2 ) D - drena G
S D
+ + + +
n n n n
p p
substrat

canal initial n B
B - baza
a b
 TECMOS cu canal indus

G - grila (poarta)
S - sursa METAL OXID (SiO 2 ) D - drena

n+ n+ ID
p
substrat
UGS
B - baza
EG
canal n indus
G
S D 0 UDS
+ +
n n
p

B
 Tranzistorul MOS

Simbolul electronic al tranzistoarelor MOS.

 Mărimile electrice ale tranzistorului MOS

• – curentul care este generat între DRENĂ şi SURSĂ:

– iD – curentul de drenă

• – tensiunile între terminalele tranzistoarelor:

– vGS – tensiunea grilă-sursă
– vGD – tensiunea grilă-drenă
– vDS – tensiunea drenă-sursă
 Funcţionarea tranzistorului MOS.

REGIUNEA DE BLOCARE: condiţia de funcţionare: vGS < VTH (canal N)

iD  0

REGIUNEA LINIARĂ: condiţia de funcţionare: vGS > VTH şi vDS < vGS - VTH
 v 
i D  2  k   v GS  VTH  DS   v DS
 2 

REGIUNEA DE SATURAŢIE: condiţia de funcţionare:

vGS > VTH şi vDS > vGS - VTH

i D  k  v GS  VTH 2

VTH = tensiune de prag; k = parametru constructiv al tranzistorului

 Modelarea funcţionării tranzistorului MOS.

Circuitul echivalent a modelului în regim variabil de Circuitul echivalent a modelului în regim variabil de
semnal mic, pentru frecvenţe joase şi medii. semnal mic, pentru frecvenţe înalte.

g m  2 k  ID g m   Siemens  Amper panta tranzistorului

Volt
 Rolul circuitelor de polarizare pentru tranzistoare

• stabilesc regimul de funcţionare al tranzistorului

• impun PUNCTUL STATIC DE FUNCTIONARE al tranzistoarelor = valorile

marimilor electrice CONTINUE prin terminalele acestora; PSF-ul
tranzistorului ofera informatii despre regiunea in care functioneaza
tranzistorul:
– Tranzistor bipolar: PSF=(IC, VCE)
– Tranzistor MOS: PSF=(ID, VDS)
– Tranzistoarele trebuie polarizate astfel incit sa functioneze in:
• Tranzistor bipolar: Regiunea Activă Normală
• Tranzistor MOS: Regiunea de Saturaţie

• Asigura independenta PSF-ului de variatia conditiilor de lucru: variatii de

temperatura, dispersia tehnologica a parametrilor componentelor, variatia
tensiunii de alimentare.
 Circuit elementar de polarizare cu rezistor în bază

Sursa de alimentare: sursa de

tensiune continua

Rezistoare de polarizare

Valorile punctului static de functionare Tranzistorul functioneaza in RAN daca:

V  VBE VCE  VCC  IC  RC 0 ,5V  VCE  VCC  1V

IC    CC
RB

 = variaza puternic cu variatia temperaturii si prezinta dispersie tehnologica => IC depinde

direct proportional cu  => PSF-ul variaza
 Metoda de calcul a PSF-ului pentru tranzistorul bipolar
1. Se calculeaza IC: se identifica tensiunea VBE si se
aplica TK2 pe bucla de circuit care contine aceasta
IC tensiune si nu contine tensiunile VBC si VCE:

RB RC RB I BVBE  VCC  0
Se presupune ca TB functioneaza in RAN:
IB + I V  V BE
VCE VCC IB  C I C  β  CC
- β RB

VBE 2. Se calculeaza VCE: se identifica tensiunea VCE si se

aplica TK2 pe bucla de circuit care contine aceasta
tensiune si nu contine tensiunea VBC:

RC I C VCE  VCC  0 VCE  VCC  RC I C

3. Se verifica daca tranzistorul functioneaza in RAN:
0 ,5V  VCE  VCC  1V
Exemplul 1: a. Să se determine PSF-ul tranzistorului pentru cazul în care VCC=10V, RB=1M, RC=2.2k,
iar =100. să se verifice dacă tranzistorul funcţionează în RAN. b. Să se recalculeze PSF-ul tranzistorului
pentru cazul în care, în urma variaţiei temperaturii la care lucrează circuitul, valoarea lui  s-a modificat
la valoarea =480. Să se verifice dacă tranzistorul funcţionează în RAN.

V  VBE 10[V ]  0,6[V ] 940[V ]

I C    CC  100    0,94[mA]
RB 1000[k] 1000[k]
VCE  VCC  RC I C 10[V ]  2,2[k]  0,94[mA] 
 10[V ]  2,11[V ]  7,93[V ]
0,5[V ]  VCE  VCC  1[V ]  0,5V  7,93[V ]  9[V ]  ADEVARAT TB functioneaza in
RAN

V  VBE 10[V ]  0,6[V ] 4512[V ]

I C    CC  500    4,512[mA]
RB 1000[k] 1000[k]
VCE  VCC  RC I C 10[V ]  2,2[k]  4,512[mA]  0,0736[V ]
TB NU functioneaza
0,5[V ]  VCE  VCC  1[V ]  0,5V  0,0736[V ]  9[V ]  FALS in RAN
Circuit elementar de polarizare cu rezistor în emitor

Valorile punctului static de functionare

  VCC  VBE  VCE  VCC  IC  RC  R E 

IC 
  RE  RB
Tranzistorul functioneaza in RAN daca:

Daca β  RE  10  RB 0 ,5V  VCE  VCC  1V

V  VBE Pentru acest circuit, aceste conditii nu pot fi

I C  CC
RE indeplinite simultan => PSF-ul variaza
 Circuit elementar de polarizare cu divizor rezistiv în bază

Valorile punctului static de functionare

  VBB  VBE  VCE  VCC  IC  RC  RE 
IC 
  RE  RB
Tranzistorul functioneaza in RAN daca:

Daca β  RE  10  RB 0 ,5V  VCE  VCC  1V

V  VBE Pentru acest circuit, aceste conditii pot fi

R B1 IC  BB
VBB   VCC RE indeplinite simultan => PSF-ul nu variaza
R B1  R B 2
R B1  R B 2
RB 
RB1  RB 2
 Circuit elementar de polarizare cu divizor rezistiv în bază

Valorile punctului static de functionare

  VBB  VBE  VCE  VCC  IC  RC  RE 
IC 
  RE  RB
Tranzistorul functioneaza in RAN daca:

Daca β  RE  10  RB 0 ,5V  VCE  VCC  1V

V  VBE Pentru acest circuit, aceste conditii pot fi

R B1 IC  BB
VBB   VCC RE indeplinite simultan => PSF-ul nu variaza
R B1  R B 2
R B1  R B 2
RB 
RB1  RB 2
 Circuite de polarizare pentru tranzistoarele MOS
Circuit cu autopolarizare a grilei – valabil
Circuit de polarizare cu numai pentru tranzistoarele MOS cu canal
divizor rezistiv in grila iniţial.

Tranzistorul functioneaza in regiunea de

saturatie daca:

VGS  VTH VDS  VGS  VTH