Tema Individuala: Circuitele integrate

Circuitele integrate reprezint o etap superioar n realizarea circuitelor electronice la care toate elementele componente inclusiv interconexiunele dintre ele sunt realizate simultan , ntr-un unic proces de producie pe un singur cristal de siliciu cunoscut sub denumirea de cip. Tipuri de circuite integrate: - Liniare - Digitale Circuitele integrate liniare sau analogice modific sau genereaz semnale continue n timp ca amplitudene, polarizare sau fregven pentru a se obine funciunele de amplificare stabilizat, modulare limitare, control automat de amplificri. Ele au o mare rspndire n telecomunicaii radio i televiziune. Circuitele integrate digitale sau logice prelucreaz semnale electrice ce pot avea numai 2 valori(semnale binare) pentru a se obine funciunele logice de calcul de numrare de programe. O realizare de vrf a circuitelor integrate digitale o constituie microprocesoarele. Acestea costituie pri componente ale tuturor sistemelor de calcul i de prelucrare a informaiei. Microprocesoarele nu sunt simple circuite integrate cu multe componente , ele sunt de fapt sisteme electronice complexe prin care se realizeaz un salt calitativ de la sistemul realizare a unor funcii cu logic cablat la sistemul de logic programat. n acest caz microprocesorul este acelai pentru o gam foarte larg de aplicaii . Difer ins modul n care el primete date asupra sistemului i furnizeaz transmite la rndul su comenzi prin intermediul unor coduri coninute prin anumite instruciuni.

TEHNOLOGIA DE CONFINCIONARE A CIRCUITELOR INTEGRATE

n funcie de complicitatea lor circuitele integrate se fabric simultan cte 80 -1600, toate fiind amplasate pe o pastil de siliciu cu diametrul de civa centimetri i grosimea de numai civa zecimi de melemetri.n procesul tehnologic de fabricaie a circuitelor integrate se folosesc procedee speciale dintre care mai importante sunt: Epitaxia, Fotolitografia, Difuziunea controlat. - Epitaxia este procesul fizico-chimic de cretere a unui strat monocristalin pe un suport de asemenea cristalin. n esen procesul de epitaxie const n transportul atomilor dintr-o faz solid, lichid sau gazoas pe suprafaa unui suport monocristalin, i ocuparea de ctre acetia a unor poziii ordonate, astfel ca stratul ce se creeaz s continue structura cristalin a substratului. - Fotolitografia const dintr-o serie de procese care au drept scop formarea la o suprafa a unei plachete de siliciu a unui strat protector cu o confeguraie corespunztoare a elementelor discrete ale circuitului integrat. n acest scop pastila de siliciu este oxidat iar peste stratul de oxid se aplic un strat subire de fotorezist. Fotorizistul este un material solid sau solubil n condiii normale dar insolubil dac a fost supus radiaiei ultraviolete pentru crearea de ferestre n stratul de oxid se aeaz peste o pastila dat de fotorezist o foaie de mascare care are un desen cu suprafee transparente prin expunere au loc impresionri pariale astfel dup developare la suprafaa unei plachete de siliciu se obin zone neprotejate(ferestre).

- Prin difuzie se inelege transoportul de substan determinat de micare Termic a atomilor reelei cristaline a semiconductorului n derecia descreterii concentraiei substanei ce difuzeaz. Grosimea de defuzie depinde att de temperatura la care are loc procesul ct i la durata lui. Acesta permite s se realizeze straturi semiconductoare cu anumite grade de impurificare i cu anumite grosimi.