Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Fig 1
ntre cele dou regiuni n i p, exist o diferen de concentraii de electroni respectiv de goluri;
corespunztor acestui gradient de concentraii va aprea tendina de egalare a concentraiilor prin difuziune
de electroni ctre regiunea Sp, respectiv de goluri ctre regiunea Sn ( vezi figura 1 ). Simultan cu acest
proces, au loc fenomene de recombinare, adic de anihilare a perechilor electron-log. n acest fel, la
contactul celor dou regiuni semiconductoare, apare pe o lungime 1 10-4 cm, un cmp electric de baraj
care mpiedic difuzia ulterioar de purttori. Zona de lungime 1 se numete strat ( sau zona ) de baraj .
Electronii difuzai din Sn ctre Sp, vor fi minorai n noua regiune fa de goluri; corespunztor, n regiunea
Sp, glourile vor reprezenta purttorii majoritari iar electronii, purttorii minoritari. Inves, n regiunea Sn
electronii vor fi purttori majoritari iar golurile, purttori minoritari.
O jonciune poate fi polarizat in sens direct ( polul pozitiv al sursei este aplicat pe regiunea Sp iar
cel negativ pe regiunea Sn ) sau n sens invers dac polaritatea sursei este schimbata ( vezi figura 2 ). n
primul caz apare un cmp electric exterior opus cmpului Eb; corespunztor, cmpul electric total va
scdea uurnd deplasarea purttorilor. Similar, la polarizarea invers cmpul electric total ( de acelai sens
cu cel de baraj ) va crete, mpiedicnd deplasarea purttorilor.
Se poate arta c n anumite condiii ndeplinite la majoritatea semiconductorilor, intensitatea
curentului prin jonciune va crete exponenial cu tensiunea direct aplicat. La polarizarea invers curentul
va crete in prim faz exponenial, atingnd o valoare de saturaie extrem de redus.
emitor , baza , colector. Prima jonciune ( realizat la contactul baz-emitor ) este polarizat n sens direct
i se numete jonciune baza-emitor. A doua jonciune ( la contactul baz-colector ) este polarizat
invers si se numete jonciune baz-colector.
n urma polarizrii directe a emitorului, n circuit apare un curent proporional cu tensiunea U
aplicat. Purttorii generai vor trece prin baz, din emitor n colector ( fr pierderi substantiale, deoarece
baza este foarte subire i deci recombinarea n ea este neglijabil ). Electronii injectai din emittor, vor
genera deci n colector un curent de difuziune dat de :
I I0
e0 U
e k T
(1)
unde e0 = 1,6 10 19 C este sarcina electronului, I0 valoarea curentului de saturaie la polarizare invers , T
temperatura absolut ( n Kelvin ) iar k este constanta Boltzmann.
Logaritmnd relaia de mai sus obinem :
ln I ln T0
e0 U
k T
(2)
Se observ c dependena dintre lnI i U este o dreapt de pant m= e0/kT . Rezult c determinnd panta
m, putem calcula imediat constanta Boltzmann pe baza relaiei :
e0
m T
(3)
Fig.4
Fig.5
Temperatura este nregistrat de termometru Tm, introdus n cuptorul C.
Sursa de curent continuu S2, polarizeaz direct jonciunea emitor-baz a tranzistorului T prin
intermediul rezistenei R = 1,1k ( figura 5 ).Tensiunea U dintre emitor i baz, este masurat de un
voltmetru V de curent continuu ( UNIMET ) iar eurentul de colector este msurat de un miliampermetru
mA de curent continuu ( MAVO-35 ).
4. Modul de lucru
a) Pentru nceput se fac determinari la temperatura camerei ( sursa S1 deconectata). Cu
potentiometrul P1 fixat la minim, se alimenteaza sursa S2 de la reteaua de 220V c.a. Pornirea
sursei se face prin rotirea comutatorului motat cu "<Up" .
b) Se fixeaza domeniile de masurare ale voltmetrului ( scala de 1V c.c.) si ale miliamperului ( scala
5mA c.c. ). Se citeste temperatura camerei T0 la termometrul Tm.
c)
Se variaza tensiunea U cu ajutorul potentiometrul sursei ( notat cu "U" ), n trepte de cate 0,02V,
ncepnd cu tensiunea de deschidere a jonctiunii ( aproximativ 0,5V ) pna la 0,66V. (Citirea
tensiunii U se va face pe voltmetrul UNIMET si nu pe voltmatrul sursei S2).
d) Simultan cu valorile tensiunii se citesc valorile corespunztoare ale curentului de colector; datele
obinute se trec in tabelul de mai jos :
U(V)
e)
I(A)
1nI