HB

1.(59) HBW.Un transistor bipolar cu F = 100 este polarizat cu VCC = 9V si RC =3K (vezi figura). Cu un voltmetru
se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de colector?

A) 1mA
B) 4mA
C) 2mA
D) 3mA
1.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie
1.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
2.(62) HBW.Un transistor bipolar cu F = 100 este polarizat cu VCC = 9V si RC =6K (vezi figura). Cu un
voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de colector?

A) 1mA
B) 4mA
C) 2mA
D) 3mA
2.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie

2.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
3.(63) HBW.Un transistor bipolar cu F = 100 este polarizat cu VCC = 9V si RC =2K (vezi figura). Cu un
voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de colector?

A) 1mA
B) 4mA
C) 2mA
D) 3mA
3.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie
3.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
4.(64) HBW.Un transistor bipolar cu F = 100 este polarizat cu VCC = 9V si RC =1,5K (vezi figura). Cu un
voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de colector?

A) 1mA
B) 4mA
C) 2mA
D) 3mA
4.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare

C) RAI
D) saturatie
4.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
5.(159) n schema din figur se msoar tensiunea alternativ n baza tranzistorului 4.4mV iar tensiunea alternativ
de la generator 10mV. Tensiunea continua n colectorul tranzistorului este 5V fata de masa, iar BF=B0=100.
Tensiunea alternativ pe R7 este:

A) 90,9mV
B) 100.9mV
C) 190,9mV
D) 80,9mV
6.(160) n schema din figur se msoar tensiunea alternativ n baza tranzistorului 4.4mV iar tensiunea alternativ
de la generator 10mV. Tensiunea continua n colectorul tranzistorului este 5V, iar BF=B0=100. Tensiunea
alternativ n emitorul tranzistorului este:

A) 100mV
B) 509mV
C) 1V
D) 0V

HC
1.(167) Se da graficul din fig. Tranzistorul se comporta ca o rezistenta comandata in tensiune in:

A) Zona B;
B) Ambele zone;
C) Zona A;
D) La limita dintre cele doua zone.
2.(168) Parametrul k depinde de:
A) Geometria portii tranzistorului MOS;
B) De curentul de drena;
C) De tensiunea de prag;
D) De tipul semiconductorului.
3.(169) Comanda tranzistorului MOS se realizeaza in:
A) Curent;
B) Tensiune;
C) Si in curent si in tensiune;
D) In drena.
4.(171) Un tranzistor nMOS cu VT=2V si kn=1mA/V2 are poarta si sursa legate la masa. Curentul de drena al
tranzistorului este:
A) ID=2mA;
B) ID=1mA;
C) ID=0mA;
D) ID=4mA.
5.(186) Un tranzistor MOS se utilizeaza ca amplificator polarizat in:
A) Regiunea liniara;
B) Saturatie;
C) In blocare;
D) La limita dintre regiunea liniara si saturatie
6.(187) La semnal mic si joasa frecventa si in curent continuu, curentul de poarta al unui tranzistor MOS este
practic:
A) dependent de regimul de polarizare al tranzistorului;
B) zero;
C) creste cu tensiunea de poarta;
D) depinde de tensiunea de prag.

7.(173) Pentru un tranzistor n-MOS cu canal indus, ID=0 cnd:

A) VGS < VT;
B) VGS > VT;
C) VDG=0;
D) VDS = VGS.
8.(180) Un nMOS este plasat in saturatie in conexiune sursa comuna si atacat la intrare cu un semnal de inalta
frecventa Impedanta masurata in poarta acestuia va fi:
A) infinita
B) de natura capacitiva
C) de natura inductiva
D) 0
9.(178) In tabel sunt date potentialele (Volti iar 0este potentialul masei) masurate pe electrozii unui MOS cu canal
n cu factorul k=1mA/V2,VT=1,8Vsi =0,01/V S G D 0 2 5 Transistorul este:
A) in saturatie
B) in blocare
C) in zona activa(cvasiliniara)
D) in zona de rezistenta variabila
10.(179) In tabel sunt date potentialele (Volti) masurate pe electrozii unui MOS cu canal n cu factorul k=1mA/V2
VT=1,8V si =0,01/V S G D 0 2 0,15 Transistorul este:
A) in saturatie
B) in blocare
C) in zona activa(cvasiliniara)
D) in zona de rezistenta variabila
11.(181) Tensiunea VT la nMOS este:
A) granita intre blocare si conductie
B) tensiunea de saturatie
C) tensiunea de strapungere
D) tensiunea de prag
12.(182) Tensiunea VT la nMOS este:
A) VGS pentru care curentul ID devine foarte mic
B) VGS pentru care curentul ID devine maxim
C) VDS pentru care curentul ID devine foarte mic
D) VDS pentru care curentul ID devine maxim
HD
1.(5) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,6V, R1=0,8k. Curentul prin dioda este:

A) 3mA

B) 2mA
C) 1mA
D) 4mA
1.2) (6)Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
1.2) (7)Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea
(curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
2.(8) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,7V, R1=2,3k. Curentul prin dioda este:

A) 3mA
B) 2mA
C) 1mA
D) 4mA
2.2) (9)Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
2.2) (10) Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea
(curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
3.(11) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,6V, R1=0,8k. Curentul prin dioda este:

A) 3mA
B) 2mA

C) 1mA
D) 4mA
3.2) (12)Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
3.2) (13)Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea
(curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
4.(53) HD.Circuitul de masura pentru dioda folosit in laborator este dat in figura (unde : Rk>>Rsn ). Cum se obtine
Ri(rezistenta dinamica a diodei) ?

A) Se masoara valorile efective Vd si Vs ; se deduce: Id=(Vs-Vd) / Rsn si apoi Ri=Vd / Id

B) Se masoara Vd si se deduce: Id=Vd / Rsn si apoi Ri=Vd / Id
C) Se masoara Vs si se deduce: Id=Vs / Rsn si apoi Ri=Vs / Id
D) Se masoara Vd ,Vs,VD si se deduce: Id=(VD -Vd) / Rsn si apoi Ri=Vs / Id
4.2) (54)Condensatorul C
A) serveste la separarea galvanica a circuitului de generatorul de semnal
B) se comporta ca scurtcircuit pentru un semnal alternativ de joasa frecventa.
C) se comporta ca un intrerupator pentru semnalul alternativ de joasa frecventa
D) este capacitatea interna a generatorului de semnal
4.2) (55)PSF- ul diodei D din figura este determinat de:
A) ED si RK
B) ED , RK si Rsn
C) ED , RK si Vg
D) ED , RK , Vg si Rsn
5.(136) Se da circuitul din figura. Daca potentiometrul RV1 are cursorul in pozitia de jos, curentul prin dioda D1
este:

A) (V1-VD1)/R1;
B) ((V1-VD1)/R1)-(VD1/RV1);
C) 0;
D) V1/R1.
6.(139) Se da urmatorul circuit, in care potentiometrul RV1 are cursorul in pozitia de sus. Curentul prin dioda D1
este:

A) 0;
B) (Vcc-VR1)/R1;
C) ((Vcc-VR)/R1)-VR/RV1;
D) Vcc/R1.
7.(138) In circuitul din figura potentiometrul RV1 are cursorul in pozitia de sus. Curentul prin dioda D1 este:

A) (V1-VD1)/R1;
B) ((V1-VD1)/R1)-(VD1/RV1);
C) 0;
D) V1/R1.
8.(144) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,2V, R1=2k. Potentiometrul are cursorul in
pozitia de sus.Curentul prin dioda este:

A) 2mA;
B) 1mA;
C) 2,2mA
D) 2,4mA

LB
1.(14) LB Cine produce limitarea semnalului ( sinusoidal) la etajul de amplificare cu transistor bipolar:
A) Functionarea tranzitorului in RAN;
B) Intrarea tranzistorului in saturatie sau blocare;
C) Valorile mari ale factorului F
D) Valorile mici ale factorului F
2.(21) LB Cum trebuie sa fie rezistanta de intrare a voltmetrului (RV) pentru masurarea corecta a tensiunii la
bornele unui circuit, care are rezistenta de intrare ri.
A) RV=ri
B) RV>>ri
C) RV poate avea orice valoare
D) RV<i
3.(29) LB.Prin reprezentare la scar logaritmic a caracteristicii IC(VBE) s-a pus n eviden
A) dependena liniar IC(VBE);
B) dependena ptratic IC(VBE);
C) dependena exponenial IC(VBE);
D) dependena logaritmic IC(VBE);
4.(51) LB Conductanta de transfer (panta) a tranzistorului s-a masurat:
A) la bipolar in RAN si MOS in saturatie;
B) la bipolar in saturatie si MOS in saturatie;
C) la bipolar in saturatie si MOS in zona liniara;
D) la bipolar in RAI si MOS in zona liniara
5.(56) LB. Circuitul din figura modeleaza:

A) tranzistorul bipolar in current alternativ

B) tranzistorul bipolar in regim dinamic
C) nMOS in current alternativ
D) nMOS in regim dinamic.
6.(58) LB.Transistorul Q1 are gm=40K-1 si este conectat in regim dinamic ca in figura. Precizati conexiunea si
castigul in tensiune (Av=Vo/Vi ;Vo si Vi valori efective) daca RL=10K :

A) Conexiune EC si Av=400 ;
B) Conexiune BC si Av=400 ;
C) Conexiune CC si Av=400 ;
D) Conexiune CC si Av=1 ;
7.(65) LB.Care este linia de program SPICE care face analiza in curent alternativ a circuitului amplificator pentru
cresterea frecventei de la 10Hz la 10MHz cu pas decadic?
A) .AC DEC 10 10 10 Meg
B) .DC 10 10 10 Meg
C) .DC DEC 10 1 10Meg
D) .AC DEC 10 10Meg 1
8.(66) LB Care este modelul SPICE pentru o rezistenta de valoare 2k plasata intre nodul 2 si nodul 1?
A) U1-2 = 2K * I1-2
B) I1-2 = U1-2 * 2K
C) U1-2 = I1-2 / 2K
D) I1-2 =I0 * exp [qU1-2 / nkT - 1]
9.(69) LB.castigul 0 este
A) Parametru static al nMOS
B) Parametru static al tranzistorului bipolar
C) Parametru dinamic al nMOS
D) Parametru dinamic al tranzistorului bipolar
10.(75) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe
electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)
E0
B 0,7
C 0,1
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) RAI
C) saturatie
D) blocare
11.(76) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe
electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)
E -0,7

B0
C 0,7
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) RAI
C) saturatie
D) blocare
12.(77) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe
electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)
E -0,7
B0
C -0,6
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) RAI
C) blocare
D) saturatie
13.(78) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe
electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)
E -2,7
B -2
C0
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) RAI
C) blocare
D) saturatie
14.(79) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe
electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)
E1
B 0,7
C0
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) RAI
C) saturatie
D) blocare
15.(80) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe
electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)
E0
B -2
C -1
Regimul de lucru este:
A) RAI
B) RAN
C) blocare
D) saturatie
16.(81) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe
electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)

E1
B0
C1
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) RAI
C) blocare
D) saturatie
17.(82) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe
electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta)
E2
B 0,6
C0
Regimul de lucru este:
A) RAI
B) RAN
C) blocare
D) saturatie
18.(155) n schema din figur se msoar tensiunea continu cu multimetrul n baza tranzistorului 0,75V iar
tensiunea continu pe emitor 100mV. Curentul de colector este:

A) IC= 1mA
B) IC= 2mA
C) IC=3mA
D) IC=4mA
19.(156) n schema din figur se msoar tensiunea continu cu multimetrul n baza tranzistorului 0,75V iar
tensiunea continu pe emitor 100mV. Tensiunea in colectorul tranzistorului fata de masa este:

A) VC= 5V
B) VC= 10V
C) VC= 14V
D) VC= 15V

LC
1.(38) LC Un transistor nMOS amplifica in regim dinamic pentru:
A) |VDS||VGS-VT|
B) |VDS||VGS-VT|
C) VGS=VT
D) VDS=VGS=0V
2.(131) LC Curentul ID la un tranzistor nMOS cu canal indus:
A) scade la creterea concentraiei de impuriti a substratului
B) crete la creterea concentraiei de impuriti a substratului
C) scade cu tensiunea de poarta la VGS>VT
D) creste cu tensiunea de poarta la VGS>VT
3.(164) Rezistenta de iesire a circuitului din fig. este:

A) RL;

B) RD;
C) RD//RL;
D) RS.
4.(161) Se da circuitul din figura. Denumirea etajului realizat cu tranzistor MOS este:

A) Grila comuna;
B) Sursa comuna;
C) Drena comuna;
D) Sarcina distribuita
5.(162) Pentru circuitul din fig. rezistenta de intrare este:

A) RG1;
B) RG2;
C) RG1 // RG2;
D) .
6.(163) Amplificarea circuitului din fig. este:

A) -gmRD;
B) -gmRL;
C) -gm(RD//RL);
D) gm(RD//RL).
7.(165) Se da circuitul din figura. Prin inlaturarea condensatoruluiC din sursa tranzistorului amplificarea:

A) Creste;
B) Nu se modifica;
C) Scade;
D) Se dubleaza
8.(166) Pentru tranzistorul din fig. se cunosc: VT=2V, kn=1mA/V2. Rezistorul R are valoarea de 4k.P.s.f.-ul
tranzistorului din fig. este:

A) ID=4mA; VGS=4V; VDS=8V;

B) ID=2mA; VGS=4V; VDS=4V;

C) ID=1mA; VGS=2V; VDS=2V;

D) ID=3mA; VGS=5V; VDS=5V
LD
1.(26) LD La nivele mari de curent caracteristica curent-tensiune pentru o jonciune pn este :
A) liniar
B) logaritmic
C) exponenial
D) o dreapt verticala
2.(27) LD Purttorii minoritari ntr-o jonciune sunt:
A) goluri in regiunea p, electroni n regiunea n;
B) electroni in regiunea p, goluri n regiunea n;
C) purttori care se deplaseaz n direcie contrar cmpului electric;
D) doar goluri deoarece mobilitatea lor e mai mic dect a electronilor
3.(28) LD Care este linia SPICE de descriere a diodei D1N4148 intre nodurile 1 si 0 unde 1 este anod si 0 este
catod iar 2 nodul comun cu rezistenta de polarizare ?
A) D1 1 0 D1N4148;
B) D1N4148 0 1 D;
C) D1 1 2 0 D1N4148;
D) D1N4148 0 1 2 D.
4.(39) LDV Caracteristica ID - VD a unei diode are reprezentarea din figura alaturata. Zona de conductie directa
este:

A) II
B) I
C) II si III
D) III
5.(40) LDV Caracteristica ID - VD a unei diode are reprezentarea din figura.Zona de blocare este :

A) II
B) I
C) II si III
D) III
6.(41) LDV Caracteristica ID - VD a unei diode are reprezentarea din figura alaturata. Zona de strapungere este:

A) II
B) I
C) II si III
D) III
7.(43) LDV Caracteristica ID - VD a unei diode are reprezentarea din figura alaturata. Zona de polarizare inversa
este:

A) II
B) I
C) II si III
D) III
8.(57) LD Parametrii rezultati n urma simulrii cu modelele dioda i dioda2 sunt:
A) Rs si I0;
B) Rs si n;
C) I0 si n;
D) Rs , I0 si n ;
9.(67) LD O dioda semiconductoare pn este polarizata in invers si are un curent rezidual I0 Tensiunea de
strapungere se masoara, la un curent invers egal cu:
A) 10I0
B) I0
C) I0 / 10
D) I0 / 100
10.(70) LD Tensiunea masurata la bornele unei diode redresoare este 5V Dioda este polarizata :
A) in conductie

B) in blocare
C) fie in conductie fie in blocare
D) fie in strapungere fie in conductie
11.(71) LD Tensiunea masurata la bornele unei diode redresoare este 0,7V Dioda este polarizata :
A) in conductie
B) in blocare
C) fie in strapungere fie in blocare
D) fie in strapungere fie in conductie
12.(72) LD Curentul masurat printr-o o dioda este de 5mA Dioda este polarizata :
A) in conductie
B) in blocare
C) fie in strapungere fie in blocare
D) fie in strapungere fie in conductie
13.(73) LD Curentul masurat printr-o o dioda este de 5nA Dioda este polarizata :
A) in conductie
B) in blocare
C) fie in strapungere fie in blocare
D) fie in strapungere fie in conductie
14.(74) LD O dioda electroluminiscenta emite lumina cand este:
A) polarizata direct (in conductie)
B) polarizata invers in blocare
C) polarizata invers in strapungere
D) nu este polarizata.
15.(115) LD Se doreste folosirea intr-un circuit electronic a unei diode semiconductoare cu functie de
redresare.Pentru a avea un randament mare vom alege:
A) dioda D4 deoarece are un n mai mic
B) dioda BA159 deoarece are o tensiune de strapungere mare
C) dioda BS550 deoarece are RS mic
D) dioda DSIM deoarece are o tensiune mare de deschidere
16.(124) LD Modelul analitic fa de modelul numeric pentru o jonciune pn este:
A) mai putin folosit
B) mai precis
C) mai clar in sensul evidentierii modului cum fiecare parametru influeneaz caracteristica curenttensiune
D) mai simplu
17.(125) LD Limea regiunii de sarrcin spaial pentru o jonciune pn:
A) scade cu creterea tensiunii de polarizare inversa
B) scade cu creterea tensiunii de polarizare directa
C) crete cu creterea tensiunii de polarizare directa
D) este o constant de material
18.(126) LD Jonctiunea pn are:
A) 2 regiuni neutre p i n
B) o regiune de trecere (de golire) i o regiune neutr n
C) o regiune de trecere (de golire) i o regiune neutr p

D) o regiune de trecere (de golire) i 2 regiuni neutre p si n

19.(127) LD O jonciune pn cu NA=1018 cm-3 , ND=1016 cm-3 este:
A) simetrica
B) asimetrica
C) abrupta
D) compensata
20.(128) LD Pentru o jonciune pn cu NA=1018 cm-3 , ND=1016 cm-3 :
A) regiunea de golire se extinde mai mult in zona p
B) regiunea de golire se extinde numai in zona p
C) regiunea de golire se extinde in mod egal intre zonele p si n
D) regiunea de golire se extinde practic numai in zona n
21.(129) LD La creterea tensiunii aplicate la bornele jonciunii n polarizare direct concentraiile de purttori
minoritari la marginile RSS:
A) cresc n zona p, scad n zona n
B) cresc n zona p, cresc n zona n
C) scad n zona p, scad n zona n
D) scad n zona p, cresc n zona n
22.(130) LD Extracia optimal de parametri se folosete la determinarea parametrilor de model pentru un
dispozitiv electronic deoarece:
A) este uor de implementat, putndu-se realiza prin calcule analitice
B) determin fiecare parametru separat i nu ia n considerare dependenele dintre parametrii de model
C) se iau n consideraie toate interdependenele dintre parametrii de model
D) folosete un algoritm care este ntotdeauna convergent
23.(132) LD Creterea raportului ntre capacitatea maxim i capacitatea minim pentru o diod varicap folosit
ntr-un circuit oscilant LC determin:
A) scderea factorului de calitate Q al circuitului
B) modificarea inductanei bobinei L din circuitul oscilant
C) modificarea tensiunii de polarizare invers a diodei
D) creterea domeniului de frecvene n care poate fi folosit circuitul oscilant
24.(133) LD Analiznd pe grafic curentul total pentru o diod semiconductoare polarizat direct cu o tensiune de
valoare foarte mic putem afirma:
A) are valoare foarte mare, deoarece jonciunea e polarizat direct
B) are valoare foarte mic
C) crete i depinde liniar de tensiunea aplicat
D) nu depinde de tensiunea aplicat
25.(140) Se da circuitul:

A) curentul prin dioda cu Ge e mai mare decat curentul prin dioda cu Si.

B) curentul prin dioda cu Ge e mai mic decat curentul prin dioda cu Si.
C) curentii prin cele doua diode sunt egali fiindca diodele sunt in paralel.
D) curentii prin cele doua diode sunt 0.
26.(141) Se da circuitul:

A) curentul prin dioda cu Ge e mai mare decat curentul prin dioda cu Si.
B) curentul prin dioda cu Ge e mai mic decat curentul prin dioda cu Si.
C) curentii prin cele doua diode sunt egali fiindca diodele sunt in paralel
D) curentii sunt 0 prin cele doua diode

LEGH
1.(4) Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea
(curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
2.(6) Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
3.(7) Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea
(curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
4.(9) Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
5.(10) Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea
(curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V

B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
6.(12) Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
7.(13) Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul din figura are valoarea
(curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
8.(33) Curentul continuu prin R` este:
A) IR`=VCC/R`
B) IR`=VCC-VCE/R`
C) IR`=0
D) IR`=VCC-VBE/R`
9.(34) Rezistenta RB a fost inclusa in circuit pentru masurarea:
A) Curentului de baza
B) Tensiunii VBB
C) Tensiunii VBE
D) Valorii efective a tensiunii Vi
10.(36) In schema prezentata in figura divizorul de tensiune R1,R2 determina:
A) curentul de baza IB
B) potentialul din baza lui Q
C) F
D) potentialul emitorului.
11.(37) Rezistenta RC este folosita pentru masurarea:
A) Tensiunii VCE
B) Tensiunii VBE
C) Tensiunii VCC
D) Curentului IC
12.(54) Condensatorul C
A) serveste la separarea galvanica a circuitului de generatorul de semnal
B) se comporta ca scurtcircuit pentru un semnal alternativ de joasa frecventa.
C) se comporta ca un intrerupator pentru semnalul alternativ de joasa frecventa
D) este capacitatea interna a generatorului de semnal
13.(55) PSF- ul diodei D din figura este determinat de:
A) ED si RK
B) ED , RK si Rsn
C) ED , RK si Vg
D) ED , RK , Vg si Rsn

14.(60) In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:

A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie
15.(61) Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
16.(134) O dioda Zener al caror marcaje s-au sters e conectata intr-un circuit pentru trasarea caracteristicii curenttensiune. Dupa cateva masuratori caracteristica arata ca in figura. Dioda este:

A) in polarizare inversa in regiunea de strapungere;

B) in polarizare inversa in regiunea de blocare;
C) in polarizare directa in regiunea de strapungere;
D) in polarizare directa.
17.(135) O dioda care are marcajul sters se masoara cu ohmetrul. Rezistenta indicata de ohmetru este de 10kohm
intr-un sens si de 1000kohm in celalalt sens. Putem afirma:

A) Borna B1 e catodul, borna B2 e anodul;

B) Borna B1 e anodul, borna B2 e catodul;
C) Terminalele diodei nu se pot afla cu acest procedeu;
D) Dioda este din siliciu.

LEGM
1.(16) Rezistenta dinamica de intrare Ri in tranzistor se determina cu relatia: ( Vi,V,Vg sunt valori efective)
A) Ri=Vi/Ib

B) Ri=V/Ib
C) Ri=Vg/Ib
D) Ri=(V-Vi)/Ib
2.(18) Intre valorile efective ale tensiunilor alternative Vg ,V si Vi sunt relatiile:
A) Vg=V>Vi
B) Vg=Vi
C) Vg
D) Vg>V>Vi
3.(20) Tranzistorul Q1 lucreaza pentru orice VCC numai in:
A) saturatie
B) RAN
C) RAI
D) RAN si saturatie
4.(23) Intre tensiunile de comanda ale TEC-J cu caracteristicile din figura exista inegalitatile:
A) VGS1<VGS2<VGS3
B) VGS1>VGS2>VGS3
C) VGS1<VGS2<VGS3=|VT|
D) VGS1=|VT|<VGS2<VGS3
unde VT este tensiunea de prag a tranzistorului iar VGS1, VGS2,VGS3>0
5.(117) Pentru masurarea rezistentei dinamice rce=ro a tranzistorului bipolar, generatorul de semnal se plaseaza :
A) intre colector si masa si se mentine generatorul de la intrare
B) intre colector si masa si se elimina generatorul de la intrare
C) numai la intrare
D) nu este nevoie de un generator
6.(121) Castigul in curent al tranzistorului bipolar F se determina:
A) masurand curentii continuui IC si IB si facand raportul acestor curenti
B) masurand curentii continuui IC si IB si facand diferenta acestor curenti
C) masurand valorile efective Ic si Ib si facand raportul acestor curenti
D) masurand valorile efective Ic si Ib si facand diferenta acestor curenti
7.(123) Care din urmatoarele seturi de valori masurate ale tensiunilor continue VBB,VBE si VCE este corect daca
tranzistorul din figura este polarizat in RAN
A) VBB = 3V ; VBE=0,65V ; VCE=4V
B) VBB = 0,3V ; VBE=0,65V ; VCE=4V
C) VBB = 3V ; VBE=1,5V ; VCE=4V
D) VBB = 3V ; VBE=0,65V ; VCE=0,1V
8.(174) In tabel sunt date potentialele (Volti) masurate pe electrozii unui MOS cu canal n cu factorul k=1mA/V2 ,
VT=1,8Vsi =0,01/V S G D 0 2 5 IDS are valoarea:
A) 18,75A
B) 21 A
C) 1mA
D) 1,87A
9.(175) In tabel sunt date potentialele (Volti) masurate pe electrozii unui MOS cu canal n cu factorul k=1mA/V2
VT=1,8V si =0,01/V S G D 0 2 0,15 IDS are valoarea:
A) 1mA
B) 18,75A

C) 1,87A
D) 21A

MB
1.(15) MBu. In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar
Cum se masoara in regim dinamic curentul de baza Ib prin Q1 pe schema din figura?

A) Se masoara tensiunea bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent continuu dupa care se imparte la
valoarea acestei rezistente
B) Cu un miliampermetru de curent alternativ serie cu RB
C) Se masoara tensiunea la bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent alternativ dupa care se imparte la
valoarea acestei rezistente.
D) Se masoara cu un voltmetru de curent alternativ succesiv potentialele fata de punctul de masa la
terminalele rezistentei RB apoi se imparte diferenta dintre cele doua valori obtinute la valoarea acestei
rezistente.
1.2) (16)Rezistenta dinamica de intrare Ri in tranzistor se determina cu relatia: ( Vi,V,Vg sunt valori efective)
A) Ri=Vi/Ib
B) Ri=V/Ib
C) Ri=Vg/Ib
D) Ri=(V-Vi)/Ib
2.(17) MBu. In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se
masoara in regim dinamic curentul de baza Ib prin Q1 pe schema din figura?

A) Se masoara tensiunea bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent continuu dupa care se imparte la
valoarea acestei rezistente
B) Cu un miliampermetru de curent alternativ serie cu RB
C) Se masoara tensiunea la bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent alternativ dupa care se imparte la

valoarea acestei rezistente.

D) Se masoara cu un voltmetru de curent alternativ succesiv potentialele fata de punctul de masa la
terminalele rezistentei RB apoi se imparte diferenta dintre cele doua valori obtinute la valoarea acestei
rezistente.
2.2) (18)Intre valorile efective ale tensiunilor alternative Vg ,V si Vi sunt relatiile:
A) Vg=V>Vi
B) Vg=Vi
C) Vg
D) Vg>V>Vi
3.(19) MB.Un tranzistor bipolar este polarizat ca in figura de la sursa VCC = const. cu temperatura. Daca se
incalzeste tranzistorul se modifica:

A) numai IC
B) numai VBE
C) IC, VBE, VCE
D) F
3.2) (20)Tranzistorul Q1 lucreaza pentru orice VCC numai in:
A) saturatie
B) RAN
C) RAI
D) RAN si saturatie
4.(32) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se
determina curentul continuu IC in circuitul din figura?

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC
C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`
D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC
4.2) (33)Curentul continuu prin R` este:

A) IR`=VCC/R`
B) IR`=VCC-VCE/R`
C) IR`=0
D) IR`=VCC-VBE/R`
5.(35) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se
determina curentul continuu IC in circuitul din figura?

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC
C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`
D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC
5.2) (36)In schema prezentata in figura divizorul de tensiune R1,R2 determina:
A) curentul de baza IB
B) potentialul din baza lui Q
C) F
D) potentialul emitorului.
6.(116) MBu. In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se
masoara in regim dinamic curentul de baza Ib prin Q1 pe schema din figura?

A) Se masoara tensiunea bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent continuu dupa care se imparte la
valoarea acestei rezistente
B) Cu un miliampermetru de curent alternativ serie cu RB
C) Se masoara tensiunea la bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent alternativ dupa care se imparte la
valoarea acestei rezistente.
D) Se masoara cu un voltmetru de curent alternativ succesiv potentialele fata de punctul de masa la
terminalele rezistentei RB apoi se imparte diferenta dintre cele doua valori obtinute la valoarea acestei
rezistente.
6.2) (117)Pentru masurarea rezistentei dinamice rce=ro a tranzistorului bipolar, generatorul de semnal se plaseaza :
A) intre colector si masa si se mentine generatorul de la intrare

B) intre colector si masa si se elimina generatorul de la intrare

C) numai la intrare
D) nu este nevoie de un generator
7.(118) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se
determina curentul continuu IC in circuitul din figura?

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC
C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`
D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC
7.2) (34)Rezistenta RB a fost inclusa in circuit pentru masurarea:
A) Curentului de baza
B) Tensiunii VBB
C) Tensiunii VBE
D) Valorii efective a tensiunii Vi
8.(119) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se
determina curentul continuu IC in circuitul din figura?

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC
C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`
D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC
8.2) (37)Rezistenta RC este folosita pentru masurarea:
A) Tensiunii VCE
B) Tensiunii VBE
C) Tensiunii VCC
D) Curentului IC
9.(120) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se

determina curentul continuu IC in circuitul din figura?

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC
C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`
D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC
9.2) (121)Castigul in curent al tranzistorului bipolar F se determina:
A) masurand curentii continuui IC si IB si facand raportul acestor curenti
B) masurand curentii continuui IC si IB si facand diferenta acestor curenti
C) masurand valorile efective Ic si Ib si facand raportul acestor curenti
D) masurand valorile efective Ic si Ib si facand diferenta acestor curenti
10.(122) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul tranzistorului bipolar Cum se
determina curentul continuu IC in circuitul din figura?

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC
C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`
D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC
10.2) (123)Care din urmatoarele seturi de valori masurate ale tensiunilor continue VBB,VBE si VCE este corect daca
tranzistorul din figura este polarizat in RAN
A) VBB = 3V ; VBE=0,65V ; VCE=4V
B) VBB = 0,3V ; VBE=0,65V ; VCE=4V
C) VBB = 3V ; VBE=1,5V ; VCE=4V
D) VBB = 3V ; VBE=0,65V ; VCE=0,1V
11.(145) n circuitul din figur poteniometrul VR1 are captul dinspre mas al potcoavei rezistive ntrerupt.
Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V n RAN, VCesat=0.2V Curentul de colector este:

A) zero
B) 31,48mA
C) 15,74mA
D) 1mA
12.(146) n circuitul din figur poteniometrul VR1 are cursorul ntrerupt. Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V n
RAN, VCesat=0.2V . Curentul de colector este:

A) zero
B) 31,48mA
C) 15,74mA
D) 1mA
13.(147) n circuitul din figur poteniometrul VR1 are captul dinspre +V1 al potcoavei ntrerupt. Tranzistorul
are BF=300, VBE=0.6V n RAN, VCesat=0.2V Curentul de colector este:

A) zero
B) 31,48mA
C) 15,74mA
D) 1mA
14.(148) n circuitul din figur poteniometrul VR1 are captul dinspre masa al potcoavei ntrerupt. Tranzistorul
are BF=300, VBE=0.6V n RAN, VCesat=0.2V. Tensiunea colector-emitor este:

A) 0V
B) 0.2V
C) 15V
D) 7.6V
15.(149) n circuitul din figur poteniometrul VR1 are cursorul ntrerupt. Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V n
RAN, VCesat=0.2V. Tensiunea colector-emitor este:

A) 0V
B) 0.2V
C) 15V
D) 7.6V
16.(150) n circuitul din figur poteniometrul VR1 are captul dinspre +V1 al potcoavei ntrerupt. Tranzistorul
are BF=300, VBE=0.6V n RAN, VCesat=0.2V. Tensiunea colector-emitor este:

A) 0V
B) 0.2V
C) 15V
D) 9.3V
17.(151) n circuitul din figur jonciunea baz-emitor a tranzistorului e scurtcircuitat. Celalt jonciune este
functionala. Tensiunea pe colectorul tranzistorului este:

A) 0V
B) 0.2V
C) 15V
D) 7.6V
18.(152) n circuitul din figur jonciunea baz-colector a tranzistorului este scurtcircuit. Celalt jonciune este
functionala. Tensiunea pe colectorul tranzistorului este:

A) 0V

B) 7.8V
C) 15V
D) 0.6V
19.(153) n circuitul din figur jonciunea baz-emitor a tranzistorului, este ntrerupt. Celalt jonciune este
functionala. Tensiunea pe colectorul tranzistorului este:

A) 0V
B) 0.2V
C) 15V
D) 9.3V
20.(154) n circuitul din figur jonciunea baz-colector a tranzistorului este ntrerupt. Celalt jonciune este
functionala. Tensiunea pe colectorul tranzistorului este:

A) 0V
B) 0.2V
C) 15V
D) 9.3V
21.(157) n schema din figur se msoar tensiunea continu cu multimetrul n baza tranzistorului 1.65V iar
tensiunea continu pe cursorul poteniometrului 1.683V. tiind c BF=300 curentul continuu de colector este:

A) IC= 3.3mA
B) IC= 6.6mA
C) IC=9.9mA
D) IC=10mA
22.(158) n schema din figur se msoar tensiunea continu cu multimetrul n baza tranzistorului 1.65V iar
tensiunea continu pe cursorul poteniometrului 1.683V. Rezistena ntre cursorul poteniometrului i mas daca se
neglijeaza curentul de baza este:

A) 10K
B) 18,7K
C) 22.5K
D) 50.237K
MC
1.(185) Pe circuitul din fig. se fixeaza un p.s.f. care sa asigure saturatia tranzistorului MOS. Se regleaz
amplitudinea semnalului de la generator astfel nct s se obin vgs=5mV. Se masoara tensiunea vds in doua
cazuri: a)Pentru RD=R12+RJ22=2kohm rezulta vds=100mVrms; b)Pentru RD=R12+RJ22=10kohm rezulta
vds=430mVrms. rd este:

A) rd =50k;
B) rd =100k;
C) rd =25k;
D) rd =10k.
2.(184) Pentru tranzistorul din fig. se cunosc: VT=2V, kn=1mA/V2 . Daca dioda zener este in stabilizare (VZ=6V)
iar tranzistorul este saturat, curentul prin tranzistor este:

A) ID=4mA;
B) ID=8mA;
C) ID=6mA;
D) ID=2mA

MCZ
1.(183) Pe circuitul din fig. s-au masurat tensiunile: vO=100mVrms si vg=5mVrms.Amplificarea in tensiune este:

A) AV=10;
B) AV=50;
C) AV=500;
D) AV=20

MDZ
1.(44) MDV. In schema de stabilizator simplu prezentata in figura R=1k iar D are: Vz =6V si Iz min =2mA. Sarcina
minima (RL min ) pana la care circuitul stabilizeaza tensiunea de iesire are valoarea:

A) 0,5k
B) 0,125k
C) 0,8k
D) 1,25k
2.(45) MDV. In schema de stabilizator simplu prezentata in figura R=1k iar D are: Vz =2V si Iz min =2mA.
Sarcina minima (RL min ) pana la care circuitul stabilizeaza tensiunea de iesire are valoarea:

A) 0,5k
B) 0,125k
C) 0,8k
D) 1,25k
3.(46) MDV. In schema de stabilizator simplu prezentata in figura R=1k iar D are: Vz =8V si Iz min =2mA.
Sarcina minima (RL min ) pana la care circuitul stabilizeaza tensiunea de iesire are valoarea:

A) 0,5k
B) 0,125k
C) 0,8k
D) 1,25k
4.(47) MDV. In schema de stabilizator simplu prezentata in figura R=1k iar D are: Vz =10V si Iz min =2mA.
Sarcina minima (RL min ) pana la care circuitul stabilizeaza tensiunea de iesire are valoarea:

A) 0,5k
B) 0,125k
C) 0,8k
D) 1,25k
5.(142) In circuitul din figura curentul prin dioda Zener este:

A) Iz=0
B) Iz=(Vcc-V)/R2
C) Iz=Io
D) IZ=((Vcc-V)/R2)-ID1.
6.(143) In circuitul din figura curentul prin dioda Zener este:

A) Iz=0;
B) Iz=((Vcc-V)/R2)-Io
C) Iz=Io;
D) Iz=((Vcc-V)/R2)-ID1.