P a g i n a | 33

Conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar

LUCRAREA NR.4

CONEXIUNILE FUNDAMENTALE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR



Scopul lucrrii msurarea performanelor amplificatoarelor elementare realizate cu
tranzistoare bipolare n cele trei conexiuni fundamentale (baz la mas, emitor la mas, colector la
mas), precum i ale amplificatorului cu sarcin distribuit.

1. Montaje fundamentale:
Cele trei scheme fundamentale i amplificatorul cu sarcin distribuit sunt prezentate n figura
4.1, sub forma schemelor de principiu. Pentru fiecare dintre ele se definesc :
- amplificarea de tensiune :
1
2
U
U
(pentru
s
Z dat) ;
- amplificarea de curent :
1
2
I
I
(pentru
s
Z dat) ;
- impedana de intrare :
1
1
I
U
(pentru
s
Z dat) ;
- impedana de ieire :
U
2
I
2
(pentru g
R
dat) i U
1
=0;

n ceea ce privete comportarea la frecvene nalte, cele patru montaje sunt caracterizate prin
frecvene-limit de sus de valori diferite (frecvenele la care modulul amplificrii de tensiune scade cu 3
dB fa de valoarea de la frecvene medii).

Z
o
Z
i
I
1
I
2
U
1
U
2
Z
S


Z
o
Z
i
I
1
U
1
Z
S
I
2
U
2

a) Emitor la mas b) Baz la mas
U
2
Z
o
Z
i
I
1
I
2
U
1
Z
S

I
2
R
E
Z
o
Z
i
I
1
U
1
U
2
Z
S

c) Colector la mas d) Sarcin distribuit

Fig. 4.1 Conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar (scheme de principiu)
34 | P a g i n a



ndrumar laborator Electronic Analogic
2. Parametrii tranzistorului n regim dinamic
Pentru funcionarea tranzistorului la frecvene joase, se vor utiliza parametrii hibrizi:

(4.1)
Pentru fiecare dintre cele trei conexiuni fundamentale se poate determina cte un set de astfel
de parametri (

). Cei mai convenabili parametri hibrizi, din punct de vedere practic, sunt cei n
conexiune emitor comun (EC); acetia se vor nota fr indice superior.

3. Mrimile caracteristice amplificatorului cu tranzistor
Pentru cele patru scheme din figura 4.1, mrimile caracteristice (mai puin frecvena limit de
sus) se determin teoretic, cunoscnd parametrii h ai tranzistorului n punctul static de funcionare.
n relaiile de calcul, date n tabelul 4.1:
-
s
Z este impedana de sarcin;
- g
Z
este impedana generatorului de semnal (nu este reprezentat n figura 4.1).
n fiecare caz n parte, sunt trecute i relaiile aproximative de calcul, valabile n ipotezele :

(4.2)
Observaie: Aceste condiii sunt ndeplinite frecvent n practic (i n circuitul testat).
n tabel s-au folosit notaiile:
f r o i
h h h h h = A
(4.3)

h h h N
r f
A + + = 1
EC
(Emitor la mas)
BC
(Baz la mas)
CM
(Colector la mas)
SD (aprox.)
(sarcin
distribuit)
u
A

s
s i
s f
SZ
Z h h
Z h
~
A +

s
s i
s f
SZ
Z h h
Z h h
~
A +
A + ) (

1
) 1 (
) 1 (
~
+ +
+
s f i
s f
Z h h
Z h

e
C
Z
Z

i
A

f
s o
f
h
Z h
h
~
+ 1
1 ~
+
A +

s o
f
Z h N
h h

f
s o
f
h
Z h
h
~
+
+

1
1

f
h
i
Z

i
s o
s i
h
Z h
h Z h
~
+
A +
1

S Z h N
h Z h
s o
s i
1
~
+
A +

s o i
s o
s i
Z h h
Z h
Z N h
+ ~
+
+
1

0
Z

0 g
g
h R h
R h
i
+ A
+

o
i
h Z h
Z N h
+ A
+
g
g

f o
i
h
Z
S h Z N
Z h
g
g
g
1
+ ~
+
+


-

Tabelul 4.1

Pentru determinarea amplificrii de tensiune, a amplificrii de curent i a impedanei de intrare
se folosete schema de msurare din figura 4.2, n care mrimile ce pot fi msurate direct sunt
tensiunile U
1
, U
2
i U
1.
P a g i n a | 35



Conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar
R
S
I
2
Amplificator
R
I
1
U
1

U
1
U
2

Fig 4.2. Amplificatorul abordat ca un cuadripol

Se deduc uor relaiile :
1
2
U
U
A
u
= (4.4)
s
i
R
R
U U
U
A
'
'
=
1 1
2
(4.5)

R
U U
U
Z '
'
=
1 1
1
int
(4.6)
n privina impedanei de intrare, se observ c, n cazul schemei concrete utilizate (figura 4.4),
impedana de intrare calculat cu relaia (4.3) este afectat de prezena circuitului de polarizare, astfel
c, pentru montajele emitor la mas (EM), colector la mas (CM) i cu sarcin distribuit (SD), la care
intrarea se face pe baz, se obine :
2 1 int
|| ||
b b i
R R Z Z = (4.7)
iar pentru montajul baz la mas, la care semnalul se aplic pe emitor, se obine:
e i
R Z Z ||
int
= (4.7)
n aceste relaii,
i
Z este impedan de intrare definit pentru schema de principiu din figura
4.1 i calculabil cu relaiile din tabelul 4.1, pentru fiecare schem n parte.
De asemenea, n tabelul 4.1, prin
s
Z se va nelege combinaia, n paralel, a rezistenei de
sarcin,
s
R , adugate din exterior i a rezistenei
c
R (pentru montajele EM, BM, i SD), respectiv
1 e
R
(pentru montajul CM), necesare pentru polarizarea corect a tranzistorului n curent continuu.

4. Impedana de ieire:
Pentru msurarea impedanei de ieire se folosete schema de msur din figura. 4.3, n care
g
R este rezistena de ieire a generatorului de semnal.

R
S
Amplificator
R
g
U
1

U
2
K


Fig. 4.3 Schema pentru msurarea impedanei de ieire
36 | P a g i n a



ndrumar laborator Electronic Analogic
Se deduce relaia:
|
|
.
|

\
|
= |
.
|

\
|
=

1 1
2
2
U
U
R
A
A
R Z
s s ies
(4.8)
Unde:
-
2
U
este tensiunea de ieire n gol (
s
R );
-
2
U
este aceeai tensiune de ieire, msurat cu rezistena de sarcin
s
R (ambele pentru
aceeai tensiune de intrare
1
U'
).
De remarcat este faptul c impedana de ieire msurat (
ies
Z ) este dat de impedana de ieire
definit pentru schema de principiu (
0
Z ), n paralel cu rezistena
c
R (pentru montajele EM, BM i SD):
c ies
R Z Z ||
0
= (4.9)
respectiv cu rezistena
1 e
R (pentru montajul CM) :
1 0
||
e ies
R Z Z = (4.9)

5. Frecvena de tiere superioar
Frecvena de tiere superioar (frecvena limit de sus) se determin cu circuitul din figura 4.2,
cu 0 = ' R i fr rezisten de sarcin din exterior. Frecvena limit de sus se deduce din relaia :
2
) (
20
max 2
U
f U = (4.10)
unde
20
U este valoarea tensiunii de ieire n band (la 10kHz), la aceeai amplitudine a semnalului de
intrare.

























P a g i n a | 37



Conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar

DESFURAREA LUCRRII

Se identific montajul din figura 4.4, n care se folosete un tranzistor de tipul BC547C.
Se alimenteaz montajul cu
C
E =19 V (la borna 2 fa de mas borna 1), se msoar (direct pe
pinii tranzistorului), cu un voltmetru de curent continuu, tensiunile din punctul static de funcionare i
apoi se determin curentul prin tranzistor.

R
R
g
R
e2
R
1
R
2
C
4
R
e1
C
3
R
b2
C
2
R
b1
C
1
R
C
1 1
3
4
5
6
7
8
9
10


Fig. 4.4 Montajul de laborator
ntruct se obin C
I
= 2 mA i CE
U
= 5 V, pentru verificarea rezultatelor experimentale, se vor
lua parametrii h din catalog, adic:
Parametrul h Grupa A Grupa B Grupa C Unitate
Min Tipic Max Min Tipic Max Min Tipic Max
h
i
1,6 2,7 4,5 3,2 4,5 8,5 6 8,7 15 k
h
r
1,5 2 3 X10
-4

h
f
125 190 260 240 330 500 450 580 900
h
o
18 30 30 60 60 110 S

1. Se realizeaz, pe rnd, cele patru scheme de amplificatoare elementare (figura 4.1. - EM, BM, CM, i
SD) folosind, n mod convenabil, condensatoarele
1
C
,
2
C
i 3
C
.
Pentru figura 4.1a (conexiunea emitor la mas), sursa de tensiune variabil se leag prin
condensatorul C
1
, cu plusul la borna 6, iar cu minusul la mas (borna 1); se conecteaz bornele 7 i 3.
Colectorul tranzistorului (borna 5) se leag la rezistena de 10k (specificat pe plcua de lucru); n
paralel cu aceasta se monteaz un voltmetru numeric, conectat pentru msurarea tensiunilor
alternative. Ca alternativ, se poate folosi un milivoltmetru de c.a. Emitorul se conecteaz la mas prin
condensatorul

(borna 4 la borna 1).

38 | P a g i n a



ndrumar laborator Electronic Analogic
Pentru figura 4.1b (baz la mas), sursa de semnal variabil se leag prin condensatorul C
3
, cu
plusul la borna 6 i cu minusul la mas (borna 1); se conecteaz bornele 8 i 4. Colectorul (borna 5) se
leag la rezistena de 10k n paralel cu un voltmetru numeric. Baza se conecteaz prin condensatorul
C
1
la mas.

Pentru figura 4.1c (colector la mas, repetor pe emitor), sursa de semnal variabil se leag prin
condensatorul C
1
, cu plusul la borna 6, iar cu minusul la mas (borna 1); se conecteaz bornele 7 i 3.
Emitorul tranzistorului (borna 4) se leag la rezistena de 1k (specificat pe plcua de lucru); n serie
cu aceasta se introduce un ampermetru, iar n paralel cu ea un voltmetru numeric. Colectorul se
conecteaz prin condensatorul C
2
la mas.

Pentru figura 4.1d, se realizeaz un circuit similar cu cel pentru primul caz tratat (EM),
introducnd rezistena R
e
ntre emitor i mas

.

Amplificarea de tensiune, amplificarea de curent i impedana de intrare se vor determina
utiliznd schema din figura 4.2.

Impedana de ieire se determin folosind schema din figura 4.3.

Rezultatele se vor trece n tabelul 4.2, n care sunt precizate i nivelurile de tensiune ce se aplic
la intrarea fiecrui amplificator. n acelai tabel, se vor trece i rezultatele msurrii frecvenei limit de
sus cu schema din figura 4.3. Frecvena limit de sus se va msura folosind etalonarea n dB a
milivolmetrului de curent alternativ utilizat n lucrare .

2. Se calculeaz
u
A ,
i
A i
i
Z pentru valorile rezistenei de sarcin specificate n tabelul 4.2 precum i
o
Z impedana de ieire, pentru
g
R =1 k, cu relaiile din tabelul 4.1; se calculeaz
int
Z i
ies
Z cu
relaiile (4.7) i (4.7), respectiv (4.9) i (4.9) i se completeaz tabelul 4.2.

Cerine:
Referatul va conine:
- schemele de msurare i relaiile de calcul pentru amplificrile de tensiune i de curent i
pentru impedanele de intrare i de ieire;
- schema de msurare a frecvenei limit de sus;
- tabelul 4.2 cu rezultatele msurtorilor;
- valorile calculate pentru
u
A ,
i
A ,
i
Z ,
0
Z ,
int
Z i
ies
Z cu relaiile din tabelul 4.1 i cu celelalte
relaii de calcul date;
- comentarea eficienei formulelor aproximative pentru amplificrile de tensiune i de curent i
pentru impedana de intrare.

P a g i n a | 39



Conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar

EM BM CM SD
1
2
U
U
A
u
=
S
i
R
R
U U
U
A
'
'
=
1 1
2

R
U U
U
Z '
'
=
1 1
1
int

R

k 56 1 56 56
R
s
k 10 10 1 10
U
1
mV 5 5 200 100
U
1

mV
U
2
mV
A
u
-
A
i
-
Z
int
k
|
.
|

\
|
=

1
A
A
R Z
S ies

Rg k 1 1 1 1
R
s
k 10 10 1 10
U
s
mV 5 2000 200 100
U
2
mV
U
2
mV
Z
ies
k
2
) (
20
max 2
U
f U =
kHz) 10 (
2 20
U U =
U
20
dB
0 0 -10 0
U
2
dB -3 -3 -13 -3
f
max
kHz

Se folosesc relaiile
din tabelul 3.1 i
celelalte formule
din lucrare
Au -
Ai -
Zi kHz
Z0 kHz
Zint kHz
Zies kHz

Tabelul 4.2

Datasheet-ul tranzistorului utilizat:
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC547B.pdf