Dispozitive Si Circuite Electron Ice 1

Universitatea “Petru Maior”
Facultatea de Inginerie
Catedra de Inginerie Electrică
Şef lucrări ing Germán Z
Dispozitive şi circuite electronice I
Partea 1
Dispozitive electronice
Curs. Format electronic
Anul universitar 2005-2006

Germán Zoltán Dispozitive electronice1 – curs partea I
Cuprins
Introducere
1 DISPOZITIVE ELECTRONICE
1.1 Joncţiunea p-n
1.1.1 Joncţiunea p-n la echilibru termic
1.1.2 Caracteristica statică a joncţiunii p-n. Ecuaţia diodei ideale
1.1.3 Străpungerea joncţiunii p-n
1.1.4 Circuitul echivalent al joncţiunii p-n
1.2.Diode semiconductoare
1.2.1 Diode redresoare. Caracteristica statică. Funcţionare
1.2.2 Diode varicap.
1.2.3 Diode stabilizatoare (ZENER) Caracteristica statică. Funcţionare. Stabilizator parametric.
1.3 Tranzistorul bipolar
1.3.1. Introducere. Simboluri. Tipuri de caracteristici.
1.3.2 Principiul de funcţionare (efectul de tranzistor)
1.3.3 Componentele curenţilor prin tranzistor
1.3.4 Descrierea funcţionării în regiunea activă normală (conexiunile BC, EC)
1.3.5 Modelul de semnal mare (EBERS - MOLL) al tranzistorului bipolar
1.3.6.Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
1.3.6.1. Caracteristicile statice în conexiunea bază comună (BC)
1.3.6.2. Caracteristicile statice în conexiune emitor comun (EC)
1.3.7 Polarizarea tranzistorului într-un punct dat de funcţionare, în regiunea activă
1.3.8.Limitări în funcţionare datorată variaţiei temperaturii şi disipaţiei de putere
1.3.8.1 Variaţia caracteristicilor electrice cu temperatura
1.3.8.2 Stabilizarea PSF în raport cu variaţiile de temperatură
1.3.9.Tranzistorul bipolar în regim dinamic
1.3.9.1 Modelul de semnal mic. Circuit echivalent natural
1.3.9.2. Circuit echivalent cu parametri hibrizi
1.3.9.3 Exemplu de utilizare a circuitului echivalent. Etaj de amplificare cu emitorul comun
1.3.10 Caracteristica dinamică şi limitarea amplitudinii semnalului
1.4 Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TEC-J)
1.4.1 Introducere. Simboluri.Notaţii.Funcţionare
1.4.2 Caracteristici statice de ieşire şi de transfer (canale n şi p). Regim liniar. Regim de saturaţie
1.4.3 Polarizarea TEC-J.Scheme de polarizare. Dreapta de sarcină. Punct static de funcţionare
1.4.4 Modelul de semnal mic pentru TEC-J. Frecvenţe joase şi înalte.
1.5 Tranzistorul cu efect de câmp tip "MOS" (TEC-MOS)
1.5.1.Introducere. Simboluri.Notaţii.Funcţionare. Tipuri de caracteristici.
1.5.2.Caracteristici statice de ieşire şi de transfer (canale n şi p). Regim liniar. Regim de saturaţie
1.5.3.Polarizarea TEC-MOS (canal iniţial şi indus). Scheme de polarizare pentru canal indus şi
canal iniţial. Dreapta de sarcină. Punct static de funcţionare.
1.5.4.Model de semnal mic pentru TEC-MOS. Frecvenţe joase şi înalte.
1.6 Dispozitive electronice uni- şi multijoncţiune
1.6.1.Dioda pnpn. Caracteristica curent-tensiune
1.6.2 Tiristorul convenţional. Caracteristica curent-tensiune. Amorsarea tiristorului. Blocarea
tiristorului. Aplicaţii
1.6.2.Diacul, triacul. Caracteristici curent-tensiune. Amorsare. Blocare. Aplicaţii
1.7 Dispozitive optoelectronice
1.7.1 Fotorezistenţa.
1.7.2 Fotoelementul. Fototranzistorul.Fotodioda. Fototiristorul
1.7.2.Dioda electroluminescentă(LED).Optocuplorul.
2
Introducere
Corpurile solide au o structură cristalină cu atomii şi moleculele distribuite într-o reţea regulată, în
care unitatea structurală (cub, tetraedru, etc.) se repetă periodic. Atomii situaţi în nodurile reţelei cristaline
sunt legaţi între ei prin electronii de valenţă. Din punct de vedere electric, corpurile solide se împart în trei
mari grupe:
-conductoare
-semiconductoare
-izolatoare
Această clasificare are la bază valoarea conductivităţii electrice măsurată la temperatura
camerei.La această temperatură se obţin următoarele valori pentru conductivitate electrică:
σ = (10 8 ÷ 10 6 )(Ωm )−1 la materialele conductoare
σ = (10 5 ÷ 10 −9 )(Ωm )−1 la materialele semiconductoare
σ = (10 −9 )(Ωm )−1 la materiale izolatoare
Dispozitivele electronice sunt acele componente ale circuitelor electronice a căror comportare se
bazează pe controlul mişcării purtătorilor de sarcină în corpul solid, în gaze sau în vid. Aproape toate
dispozitivele electronice folosesc conducţia în corpul solid, de regulă în semiconductoare. Prin controlul
miţcării purtătorilor de sarcină se înţelege fie controlul injecţiei de purtători de sarcini, fie controlul propriu-
zis, care se poate exercita prin câmpul electric care apare datorită unei diferenţe de potenţial. Controlul
mărimii curentului electric se poate realiza şi prin efectul unui flux luminos (fotoni) asupra numărului de
purtători de sarcină dintr-o anumită zonă a dispozitivului electronic , care este cazul particular al
dispozitivelor optoelectronice
Circuitele electronice sunt de fapt circuite electrice care utilizează dispozitive electronice pentru
realizarea unor funcţii cum ar fi:
-amplificarea, generarea unor oscilaţii armonice, redresarea tensiunii alternative, stabilizarea
tensiunii, modulare/demodulare
Funcţiile electronice pot fi asociate la două categorii mari de aplicaţii: -controlul şi conversia
energiei, -prelucrarea sau transmiterea semnalelor electrice purtătoare de informaţii
Dispozitivele electronice pot fi privite ca elemente ale circuitelor electronice,

ca urmare mărimile care apar la bornele acestora sunt tensiuni electrice şi
curenţi electrici. La dispozitivele mai simple cu două borne, caracterizarea se
face prin legătura care există între tensiunea aplicată şi curentul rezultat, de
exemplu ca pe figura alăturată:
Dependenţa poate fi o caracteristică statică sau una dinamică dacă apare
posibilitatea stocării energiei electrice de către dispozitivul electronic.
La dispozitivele cu trei sau mai multe borne descrierea se poate face prin
relaţiile care există între patru mărimi electrice: doi curenţi şi două tensiuni ,
deoarece al treilea curent se obţine în funcţie de ceilalţi doi.
Caracteristicile statice ce descriu complet funcţionarea acestui dispozitiv cu trei borne sunt două
funcţii de două variabile, de exemplu
i1 = i1 (u1 ,u 2 ) i2 = i 2 (u1 , u 2 )
Este interesant de remarcat că în majoritatea cazurilor proprietăţile de interes ale dispozitivelor

electronice pot fi descrise cu referire la caracteristicile statice.
3
O primă proprietate a dispozitivelor electronice este caracterul lor neliniar. Toate dispozitivele
electronice au caracteristici statice neliniare. Caracteristica statică a diodei semiconductoare, de exemplu,
permite redresarea unui semnal alternativ.
O a doua proprietate este caracterul parametric al unor dispozitive electronice. Un anumit
parametru al dispozitivului poate fi controlat electric. Rezistenţa tranzistorului cu efect de câmp între sursă
şi drenă poate fi controlată de tensiunea aplicată între poartă şi sursă.Această rezistenţă controlată poate fi
folosită în reglajul automat al amplificării.
O a treia proprietate importantă pe care o prezintă unele dispozitive electronice este caracterul lor
activ.Numim active acele dispozitive electronice care pot asigura transformarea puterii absorbite de la
sursele de alimentare în curent continuu în putere de semnal.
1.DISPOZITIVE ELECTRONICE
1.1 Joncţiunea pn
Dispozitivele semiconductoare au în construcţia lor regiuni ale reţelei monocristaline cu diverse

impurificări atât ca mărime a concentraţiei cât şi ca tip de impuritate (n-regiune tip donor, p-regiune tip
acceptor).Joncţiunea pn reprezintă o structură fizică realizată într-un monocristal care are două regiuni
vecine, una de tip p alta de tip n.Intre aceste două regiuni de conductibilitate electrică diferită apare o
variaţie a distribuţiei impurităţilor. Linia de demarcaţie dintre cele două regiuni se numeşte joncţiune
metalurgică. Joncţiunea pn are o importanţă esenţială în funcţionarea unei clase mari de dispozitive
electronice. Majoritatea dispozitivelor electronice semiconductoare conţin una sau mai multe joncţiuni.
Cunoaşterea fenomenelor din joncţiunea pn serveşte şi la înţelegerea unor fenomene cum sunt cele legate
de suprafaţa semiconductorului, de contacte metalice, etc.
1.1.1 Joncţiunea pn la echilibru termic
Într-o joncţiune pn aflată la echilibru termic concentraţiile de purtători mobili de sarcină diferă în
zona joncţiunii metalurgice faţă de valorile din structură datorită fenomenelor de difuzie a purtătorilor mobili.
Astfel, golurile din regiunea p, aflate în concentraţii mari, difuzează spre regiunea n unde concentraţia lor
este foarte mică, aici ele se recombină datorită tendinţei semiconductorului de tip n de a restabili echilibrul.
In mod similar electronii in zona n difuzează spre zona p. Procesele de difuzie încep evident cu purtătorii
aflaţi în apropierea joncţiunii metalurgice. In zona p adiacentă joncţiunii metalurgice, prin plecarea golurilor
apare un exces de sarcină negativă datorită ionilor acceptori (sarcini fixe). Zona n din apropierea joncţiunii
metalurgice capătă o sarcină în exces pozitivă , prin acelaşi procedeu. Caurmare se stabileşte un câmp
electric intern orientat de la regiunea n spre regiunea p. Acest câmp electric transportă golurile dinspre
regiunea n spre regiunea p şi electronii dinspre regiunea p spre regiunea n, deci în sens opus fluxurilor de
difuzie
Ca urmare, procesul de scădere a concentraţiilor de purtători majoritari nu se continuă până la

uniformizarea concentraţiilor (conform tendinţei de difuzie), ci se autolimitează (prin generarea câmpului
electric intern) la valori care asigură echilibrul curenţilor (fluxurilor) de difuzie şi de câmp.Această situaţie
corespunde unui curent electric nul prin structură, rezultat compatibil cu condiţia de echilibru termic.
4
1.1.2. Caracteristica statică a joncţiunii pn
Caracteristeica statică desemnează dependenţa curentului prin joncţiune , de tensiunea aplicată

acesteia. Convenţia de notaţii prezentată pe figura este următoarea:
-polarizare directă pentru care U A > 0 → I A > 0

-polarizare inversă pentru care U A < 0 → I A < 0
În polarizare directă se fac notaţiile I A = I F şi U A = U F , iar în
polarizare inversă se notează I A = − I R şi U A = −U R (direct-
forward, invers-reverse)
Aplicarea unei polarizări directe duce la micşorarea câmpului electric intern (sensul tensiunii aplicate este
contrar sensului câmpului intern de la echilibru termic). Aceasta duce la la micşorarea curenţilor de câmp şi
mărirea curenţilor de difuzie, rezultând un curent IF nenul. Micşorarea câmpului electric intern duce la
creşterea concentraţiei purtătorilor mobili de sarcină datorită deplasarii golurilor spre regiunea n şi a
electronilor spre regiunea p (în cantităţi mai mari ca la echilibru termic). Acest proces se numeşte injecţie
de purtători minoritari. Existenţa unui excedent de concentraţii duce la preponderenţa fenomenelor de
recombinare.Recombinarea purtătorilor mobili de sarcină are loc atât în regiunile neutr cât şi în interiorul
regiunii de trecere.
Aplicarea unei polarizări inverse măreşte câmpul electric intern. Curenţii de difuzie se vor micşora
în favoarea curenţilor de câmp. Concentraţiile de electroni şi goluri vor fi mai mici decât la echilibru termic
datorită câmpului electric intern crescut, care extrage golurile din regiunea n şi electronii din regiunea p. ca
urmare vor predomina fenomenele de generare. Odată generată, perechea electron-gol este despărţită prin
antrenarea de către câmp, a electronului şi golului în sensuri contrare.Având în vedere cele prezentate mai
sus, se poate generaliza că în ambele regimuri de polarizare curentul prin joncţiunea pn se datorează atât
fenomenelor din regiunea de sarcină spaţială, cât şi celor din regiunile neutre.
Caracteristica statică ideală a joncţiunii pn are următoarea formă matematică:
  qU A  
I A = I O exp  − 1
  mkT  
unde q-sarcina electrică, UA -tensiunea aplicată joncţiunii, m -constantă de material cu valori
între (1,2), k-constanta lui Boltzmann, T -temperatura absolută. Graficul caracteristicii
statice este :
  qU A    U  
I A = I O exp  − 1 = I O exp A  − 1
  mkT     U T  
În polarizare directă predomină fenomenele de difuzie, de obicei
valoarea tensiunii aplicate este mult mai mare ca tensiunea termică
mkT
U A >> U T = astfel încât ecuaţia poate fi aproximată cu:
q
 qU A 
I F = IO ⋅ exp 
 mkT 
(partea exponenţială din cadranul I al caracteristicii statice)
5
În polarizare inversă, pentru tensiuni negative mult mai mari în valoare absolută ca tensiunea termică
mkT
U R >> U T =
q
curentul prin joncţiune depinde foarte slab de tensiunea aplicată, având valoarea curentului de saturaţie:
I R = − IO
Datorită modului rapid de variaţie a funcţiei exponenţiale, se observă că într-un domeniu limitat de curent,
tensiunea pe joncţiune în polarizare directă poate fi presupusă constantă, valoarea tipică a acesteia este
de 0,7V pentru Si, 0,3V pentru Ge, As.
1.1.3. Străpungerea joncţiunii pn
Fenomenul electric de străpungere a joncţiunii pn constă în creşterea puternică a curentului în

polarizare inversă la o anumită tensiune, aşa cum rezultă din figura de mai jos. In dreptul tensiunii U BR
numite tensiune de străpungere, curentul invers I R tinde către infinit.
Dacă circuitul electric exterior limitează curentul prin joncţiune la o valoare care nu duce la
distrugerea structurii prin încălzire excesivă, fenomenul de străpungere este reversibil.
Străpungerea joncţiunii poate fi explicată prin două efecte, amândouă fiind legate de valorile mari ale
intensităţii câmpului electric la tensiuni inverse mari.
Multiplicarea în avalanşă a purtătorilor de sarcină. La tensiuni inverse ridicate, câmpul electric din
regiunea de sarcină spaţială atinge valori mari şi imprimă o energie crescută purtătorilorde sarcină. In urma
ciocnirii cu atomii reţelei cristaline, un purtător de sarcină poate avea energie suficientă pentru a forma o
pereche electron gol prin ruperea unei legături covalente.Aceşti purtători de sarcină suplimentari sunt
antrenaţi la rândul lor de câmpul electric şi în mod similar pot rupe legături covalente, fenomenul ducând la
o creştere nelimitată a curentului.Din punct de vedere cantitativ, prezenţa fenomenului de multiplicare este
luat în consideraţie prin înmulţirea valorii curentului invers I O (în absenţa acestui fenomen) cu un
coeficient M de multiplicare în avalanşă:
I R = M ⋅ IO
Coeficientul M poate fi calculat cu o relaţie empirică:
1
M= n
 UR 
1 −  

U
 BR 
unde n este un exponent cuprins între 4 şi 7, valoarea sa depinzând de semiconductor.
Efectul Zener.Pentru concentraţii mari de impurităţi (>1018 cm-3) strapungerea joncţiunii nu se mai face
prin multiplicare în avalanşă, ci prin efect Zener. Aceasta constă în apariţia unui număr crescut de purtători
de sarcină prin ruperea unor legături covalente sub acţiunea directă a câmpului electric.Efectul Zener apare
la un număr redus de tipuri de joncţiuni şi anume acelea cu tensiuni mici de străpungere (<5V).
Regiunea de străpungere a caracteristicii electrice (cadranul trei), unde tensiunea este practic
independentă de valoarea curentului se numeşte şi regiune de stabilizare.
Suprafaţa semiconductorului poate juca un rol important în străpungerea joncţiunii, imperfecţiuni
majore şi impurităţi nedorite contribuie la o străpungere prematură.
6
1.1.4 Circuitul echivalent al joncţiunii pn
Circuitul echivalent pentru semnal mic este alcătuit din rezistenţa internă Ri (care ţine seama de
toate efectele staţionare ale tuturor componentelor curentului) şi din două capacităţi, Cb , capacitatea de
barieră şi Cd , capacitatea de difuzie. Acest circuit echivalent poate căpăta forme particulare în funcţie de
polarizarea de curent continuu a joncţiunii.
1.2 Diode semiconductoare
Dioda este un dispozitiv electronic care prezinta conducţie electrică unilaterală. Simbolul diodei
este reprezentat în figura de mai jos, terminalele dispozitivului se numesc anod (A), respectiv catod (C ).
Sensul direct de conducţie este de la anod la catod.
Majoritatea diodelor semiconductoare este realizată pe baza joncţiunii pn într-o mare varietate de
tipuri după cum vom vedea în cele din urmă.
1.2.1 Diode redresoare
Diodele redresoare se folosesc la transformarea curentului alternativ în curent continuu, de obicei

sunt utilizare la frecvenţe joase ( 50/60 Hz). Principalii parametri ale diodelor redresoare sunt curentul în
polarizare directă maxim admisibil ( I FM ) şi tensiunea în polarizare inversa maxim admisibila ( U RM ) .
Realizările actuale permit curenţi direcţi până la ordinul sutelor de amperi şi tensiuni inverse de mii de volţi.
1.2.2 Diode varicap
Diodele varicap servesc drept condensatoare cu capacitate variabilă prin tensiunea (curentul)
inversă aplicată unei joncţiuni pn. Mărirea capacităţii de barieră (dominantă faţă de capacitatea de difuzie,
în cazul polarizării inverse) se controlează prin valoarea tensiunii inverse aplicate.
7
1.2.3 Diode stabilizatoare (Zener)
Diodele stabilizatoare folosesc regiunea de străpungere (efect Zener) a caracteristicii statice în

vederea stabilizării tensiunii continue. În vederea stabilizării este necesar, ca în domeniul de stabilizare
rezistenţa diferenţială rz sa fie cât mai mică (adica unei variatii mari de curent sa-i corespunda o variatie
foarte mică de tensiune), acest lucru este echivalent cu asigurarea unei tensiuni stabilizate U Z ≅ U BR cât
mai constante. De asemenea, este foarte important ca tensiunea de stabilizare sa depindă cât mai slab de
temperatură.
! Aplicaţie
În circuitul de pe figura de mai jos dioda este realizată pe baza unei joncţiuni pn cu IO = 1µA şi m = 1 . Să
se calculeze punctul static de funcţionare al diodei.
Punctul static de funcţionare ( I A ,U A ) rezultă din rezolvarea sistemului de
ecuaţii:
U A + RI A = U

   qU A  
I A = I O  exp mkT  − 1
  
Rezolvarea acestei ecuaţii duce la o ecuaţie transcendentă, de aceea vom prefera o rezolvare
iterativa, bazată pe aproximaţii succesive. Se presupune iniţial U A = 0 ; rezultă atunci curentul de valoarea
U
IA = = 10mA . Cu aceasta valoare a curentului se recalculează tensiunea pe diodă:
R
kT  I 
U A = m ln A + 1 = 0.026 ln(104 + 1) = 0.239V
q  IO 
U −U
Noua valoare a curentului este acum I A = A = 9.76mA iar U A = 0.238V .
R
Aceste valori se retin ca fiind solutia problemei. Se

remarca convergenta rapida calculului iterativ.
Rezolvarea sistemului se poate face şi grafic, după
cum se vede pe figura alăturată
8
! Aplicaţie
În circuitul serie din figura cele doua diode au IO1 = 1µA şi IO 2 = 9 µA şi se cere să se calculeze
tensiunile la bornele celor două diode.
Diodele sunt polarizate invers la acelasi curent I A1 = I A 2 = I A ca urmare acest curent nu poate
depăşi valoarea celui mai mic dintre curenţii de saturaţie : I A1 = I A 2 = I A = −1µA .
kT  − I A 
Tensiunea la bornele diodei D2 este U A2 = ln + 1 = −0.003V şi poate fi neglijată. Atunci
q  IO2 
U A2 = −U + RI A ≅ −U = −200V deci practic întreaga tensiune a sursei U se regăseşte pe dioda D2 .
Împărţirea inegală a tensiunii de alimentare între diodele D1 şi D2 se regăseşte ilustrat în figura alăturată,
fenomen ce este suparator deoarece diodele sunt puse în serie de obicei întocmai pentru a suporta în
polarizare inversă o tensiune mai mare decât poate suporta fiecare diodă în parte.
! Aplicaţie
Sa se calculeze tensiunile la bornele celor doua diode din figura de mai jos, diodele având aceleaşi
caracteristici ca în problema precedenta.
Neglijând într-o prima aproximare, curentii prin diodele
polarizate invers se obţine:
U
I ≅ I1 ≅ I = = 100µA >> I O1 , I O 2 în aceste conditii :
2R
U
U R1 ≅ U R 2 = = 100V . Pe baza acestui calcul aproximativ
2R
se poate afirma ca prin diode circula curentii inversi:
IR1 = I O1 ; I R 2 = IO 2
se poate face un calcul mai exact al punctelor statice de funcţionare cu ajutorul relatiilor:
UR1 + UR 2 = U
U R1 U
+ I O 1 = R 2 + IO 2 = I
R R
Se obtin rezultatele: U R1 = 104V ;U R 2 = 96V ; I = 105µA
Acest circuit asigura o împartire mai buna a tensiunii de alimentare între cele doua diode, rezistentele
acestea numindu-se rezistenţe de egalizare.
9
! Aplicaţie
În circuitul din figură diodele au IO1 = 2 pA şi respectiv IO 2 = 8 pA . Caracteristicile lor se considera

a fi ideale , m=1. Se cere sa se calculeze curentii prin cele doua diode.
Diodele D1 şi D2 sunt polarizate direct, caracteristica statica a grupului celor doua diode legate în paralel
este:
qU a
I = IO exp ; I = I O1 + IO 2
kT O
efectuând un calcul iterativ (ca în prima aplicatie) se obţine:
I ≅ 99.4mA;U A ≅ 0.6V
Curentul total I se divide prin fiecare dioda proportional cu curenţii de saturaţie:
IO1
I A1 = I = 19.9mA; I A 2 = 79.5mA
I O1 + IO 2
Observatie. Împărţirea inegală a curenţilor prin cele două diode este nefavorabilă, deoarece diodele sunt
puse în paralel pentru a nu fi suprasolicitate la curenti prea mari.
! Aplicatie
Circuitul din figura de mai jos înseriază cu fiecare diodă câte o rezistenţa mică, de 20Ω ; aceste
rezistenţe se numesc rezistenţe de egalizare. Să se arate că, folosind aceleaşi diode ca în problema
precedentă, curenţii prin diode au valori apropiate.
Se face un calcul iterativ care pleaca de la VA1 = VA2 = 0. Atunci curentul I are valoarea:
V
I= = 99mA
R1R2
R+
R1 + R2
10
kT I A1
V A1 = ln = 0,622V
q I 01
iar Ia1 = IA2 = 49,5 mA. Atunci, tensiunile pe diode au valorile:
kT I A 2
V A2 = ln = 0,586V
q I 02
Cu aceste valori ale tensiunilor pe diode, curenţii se recalculează cu relaţiile:
VR + V A2 R − V A1 ( R + R2 )
I A1 = 2 = 48,3mA
R1 R2 + R1 R + R2 R
VR1 + V A1 R − V A2 ( R + R2 )
I A2 = = 50,1mA
R1 R2 + R1 R + R2 R
Aceste valori ale curentului nu duc la modificări notabile ale tensiunilor pe diode şi se reţin ca soluţii.
1.3. Tranzistorul bipolar
1.3.1. Introducere. Simboluri. Tipuri de caracteristici.
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic cu trei borne: emitor, bază, colector. Aceste trei
borne fac legătura la trei regiuni semiconductoare de conductibilitate diferită (n, p) ale aceluiaşi cristal
semiconductor. Se numeşte " bipolar" deoarece conducţia este asigurată de două tipuri de purtători de
sarcină cu sarcină de semn diferit: electroni şi goluri. În figurile următoare se arată simbolurile grafice
corespunzătoare celor două structuri, npn şi pnp. Săgeata din simbol corespunde joncţiunii pn emitor-bază
(vârful săgeţii merge întotdeauna de la zona p spre zona n) şi arată şi sensul normal pozitiv al curentului
principal prin tranzistor.
Se pot defini trei curenţi şi trei tensiuni , dar pentru descrierea funcţionării nu sunt necesare toate
aceste şase mărimi. Tensiunile şi curenţii sunt legate prin realaţia:
uCB = uCB + uEB

iE = iB + iC
Tranzistorul poate fi asimilat cu un nod în care suma algebrică a curenţilor este zero, deci numai două
tensiuni şi doi curenţi sunt independenţi. Alegerea mărimilor electrice care descriu comportarea
tranzistorului se poate face în moduri diferite.
11
Criteriul este următorul: se consideră tranzistorul ca un diport (cuadripol), adică un bloc cu două intrări şi cu
două ieşiri dar dat fiind faptul că tranzistorul are numai trei borne, una trebuie să fie comună intrării şi ieşirii.
Borna comună defineşte conexiunea tranzistorului. De exemplu:
- emitor comun (EC)
- bază comună (BC)
- colector comun (CC)
Tipuri de caracteristici.
Pentru un tranzistor dat, curenţii rezultă atunci când se dau tensiunile aplicate pe joncţiuni.
Alegând de exemplu pentru exemplificare conexiunea bază comună (BC):
iE = iE ( uEB , uCB )
ic = ic ( uEB , uCB )
Grafic, aceste funcţii de două variabile corespund la două familii de caracteristici. În descrierea
tranzistorului bipolar se folosesc caracteristici :
- de intrare: iE = iE (uEB ), uCB , iC parametri
- de transfer: iC = iC (uEB ), uCB ,i B parametri
- de ieşire: iC = iC (uCB ), uEB ,i B parametri
OBSERVAŢIE: tranzistorul va fi complet descris prin specificarea a două seturi de caracteristici

independente. Pentru comoditate însă se folosesc, după caz, toate tipurile de caracteristici de mai sus, atât
în conexiune bază comună(BC), cât şi în conexiunea emitor-comun (EC).
1.3.2 Principiul de funcţionare (efectul de tranzistor)
Efectul de tranzistor va fi explicat pe schema unui tranzistor pnp de pe figura de mai jos, care
cuprinde două joncţiuni semiconductoare, joncţiunea emitor-bază şi joncţiunea colector bază
Ecuaţii de dispozitiv. În funcţionare normală, joncţiunea colector-bază se polarizează invers iar

KT
joncţiunea emitor-bază direct. Dacă uEB >> , atunci iE este mare şi uEB ≅ constant cu valori
q
tipice de ordinul 0.6-0.7 V (Si) sau 0.3-0.4 V (Ge).
Pentru ca două astfel de joncţiuni să satisfacă cerinţele funcţionale ale unui tranzistor cuplarea lor
trebuie să satisfacă două condiţii importante:
a. joncţiunea emitorului să fie puternic asimetrică (tip p+ n ) ca urmare iE va fi un curent de goluri.
b. baza să fie foarte subţire în comparaţie cu lungimea de difuzie a golurilor,astfel încât fluxul de
goluri să ajungă practic în totalitate la colector, deci iE ≅ iC
Examinând, de exemplu circuitul din figură, putem determina mărimile electrice:
12
uEE = uEB + RE I E , uEB

uCC = −uCB + RC I C
u − uEB uEE
I E = EE
RE
≅ (u >> uEB )
RE EE
I C ≅ IE iar uCB = − uCC + RC I C . (calculul de mai sus e valabil dacă uCB < 0 ).
Comportarea tranzistorului ca amplificator.Dacă presupunem o mică variaţie ∆uEB , aceasta
provoacă variaţia lui iE ≅ iC , şi a lui uCB
R
∆uCB ≅ C ∆uEB iar ∆uEB va apărea "amplificat" dacă RC < RE .
RE
Este de remarcat că rezultatul nu este edificator, deoarece aplicarea semnalului în serie cu sursa
de alimentare nu este deloc inspirată ( de obicei se "atacă" printr-un condensator care blochează curentul
continuu dar permite trecerea semnalului alternativ).
 quEB  ∆iC qI
Considerând iC ≅ iE ≅ const .× exp , = C = g m , unde I C este curentul continuu în
 KT  ∆uEB KT
jurul căruia au loc variaţiile produse de semnal, iar g m este panta (tansconductanţa) tranzistorului.
∆uCB = RC ∆iC = g m RC u EB
deci amplificarea în tensiune este g mRC . Această amplificare poate lua valori mari. Deoarece ∆iC ≈ ∆iE
tranzistorul amplifică în putere, adică transferă curentul din circuitul de intrare de rezistenţă mică în circuitul
de ieşire de rezistenţă mare, de aici denumirea TRANSfer reZISTOR adică rezistenţă de transfer.
1.3.3 Componentele curenţilor prin tranzistor
Vom considera un tranzistor pnp în conexiune bază comună polarizat normal, vom analiza separat
curenţii de electroni şi curenţii de goluri la cele două joncţiuni
i E = i E , p + i E ,n
iCp = i E , p − ir
iC = iC , p + I CB 0
O parte din curentul de electroni injectat de emitor în bază se pierde prin recombinare, ca urmare,
curentul de goluri injectate de emitor şi colectatate de colector este iC , p . Curentul propriu al joncţiunii
colectorului I CB0 este susţinut de purtători minoritari, electroni şi goluri ( curent rezidual ).
i B = i E − iC = i E , p + i E ,n − i E , p + ir − I CB 0 = i E ,n + ir − I CB 0
unde i E ,n este curentul propriu de electroni al joncţiunii emitorului.
iE ,p iE,p
Se defineşte eficienţa emitorului : γE =
iE
=
i E , p + i E ,n
(γ E → 1)
13
iC , p iC, p
factorul de transport : βE =
iE , p
=
iC, p + ir
(βT → 1)
i E = i E , p + i E ,n ⇒ iC = γ E βT i E + I CB 0 ⇒ iC = α F i E + I CB 0 unde αF = γ E βT este factorul de

amplificare în curent în sens direct, în conexiunea BC.
O altă condiţie pentru funcţionarea eficace al tranzistorului este ca I CB 0 → 0 ( să fie neglijabil ).
1.3.4 Descrierea funcţionării în regiunea activă normală
• conexiunea BC (bază comună)

KT KT
uEB >> , uCB < 0 , uCB >> → iC = αF iE + ICB 0 , unde α F , ICB 0 sunt presupuse constante.
q q
• conexiunea EC (emitor comun)
u BB = u EB + RB I B
u CC = −u CE + RC I C
αF
Se va considera U EB ≅ const . înlocuind, obţinem I C = βT IB + ICE 0 unde βT = este factorul
1 − αF
ICB 0
de amplificare în curent (conexiunea EC), iar I CE 0 = = (βF + 1)I CB 0 = IC este curentul
1 − αF IB =0
rezidual de colector în conexiunea EC (măsurat cu baza în gol).
Noul factor de amplificare în curent poate avea valori mari (sute, zeci ).
1.3.5 Modelul de semnal mare (EBERS - MOLL) al tranzistorului bipolar
a). modelul cu generatoare de curent controlate de curenţii la borne
  qu  
Curentul de colector poate fi scris: iC = α F iE − I CB 0  exp CB  − 1 , unde primul termen este curentul
  KT  
injectat de emitor în joncţiunea colectorului iar al doilea, curentul propriu al joncţiunii colectorului.
O relaţie similară poate fi scrisă făcând bilanţul curenţilor la joncţiunea emitorului, astfel:
  qu     qu  
− iE = α R ( − iC ) − I EB 0  exp EB  − 1 sau iE = αRiC + I EB 0  exp EB  − 1
  KT     KT  
unde α R este un factor de amplificare în curent invers (intrare pe colector şi ieşire pe emitor) cu emitor
scurtcircuitat la bază iar I EB 0 este curentul de saturaţie al joncţiunii emitor-bază determinat cu colectorul în
gol.
14
Figura de mai sus reprezintă un circuit echivalent al tranzistorului care corespunde ecuaţiilor
Ebers-Moll. Ea cuprinde generatoare de curent constant comandate de curenţii la bornele dispozitivului.
b). Model cu generatoare de curent comandate de curenţii prin diode

  qu  
iC = α F iE − I CB 0  exp CB  − 1
  KT  
Rezolvând sistemul format obţinem un alt set de ecuaţii
  quEB  
iE = α RiC + I EB 0  exp  − 1
  KT  
Ebers-Moll:
  qu     qu  
iE = IES  exp EB  − 1 − α R ICS  exp CB  − 1
  KT     KT  
  qu     qu  
iC = α F I ES  exp EB  − 1 − ICS  exp CB  − 1
  KT     KT  
I EB 0 I CB 0
unde I ES = ; I CS = , iar I ES este curentul de saturaţie al diodei emitor-bază
1 − α Pα R 1 − α Fα R
măsurat cu colectorul scurtcircuitat la bază, iar I CS este curentul de saturaţie al diodei colector-bază
determinat cu emitorul scurtcircuitat la bază. Circuitul echivalent coresponzător apare în figura alăturată.
αF IES = αR ICS deci cei patru parametrii nu sunt independente.
c Modelarea tranzistorului în diverse regiuni de lucru
Modelul Ebers-Moll este valabil pentru orice polaritate a tensiunilor aplicate din exterior . Considerăm
separat patru regiuni de lucru distincte care se deosebesc prin polaritatea tensiunilor aplicate din exterior.
• regimul de blocare (de tăiere) al unui tranzistor pnp este caracterizat de
KT
uCB < 0 , uEB < 0 (ambele mari faţa de în modul)
q
• regimul normal de lucru (regiunea activă normală) uEB > 0 , uCB < 0 (jEB pd + jCB pi)
• regimul inversat de lucru (regiunea activă inversă) uEB < 0 , uCB > 0
• regimul de saturaţie ( uEB > 0 , uCB > 0 ) ambele polarizate direct.
d. Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor npn
15
Trecând de la un tranzistor pnp la unul npn, vom aplica tensiuni de polaritate opusă şi vom obţine curenţi
de sens opus. Convenţia de semn pentru curenţi schimbă în mod automat sensul normal pozitiv atunci
când se trece la tranzistorul npn.
uEB = − uBE , uCB = − uBC
1.3.6. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
1.3.6.1. Caracteristicile statice în conexiunea bază comună (BC)
• caracteristicile de intrare
  qu     qu  
iE = IES exp EB  − 1 − α R I CS exp CB  − 1
  KT     KT  
  qu     qu  
iC = α F I ES  exp EB   − ICS  exp CB  − 1
  KT     KT  
prima ecuaţie poate fi interpretată ca iE = iE (uEB ) ca o caracteristică de intarare

  qu  
pentru uCB < 0 iE = IES  exp EB  − 1 este o caracteristică de diodă,
  KT  
KT
pentru uCB < 0 uCB >> obţinem
q
  qu     qu  
iE = IES  exp EB  − 1 + α R ICS = IES  exp EB   − IES (1 − α F )
  KT     KT  
• Caracteristicile de transfer iC = iC ( uEB )

Caracteristica de transfer este dată de ecuaţia următoare ca iC = iC ( uEB )
  qu     qu  
iC = α F I ES  exp EB  − 1 − ICS  exp CB  − 1 pentru uCB = ct .
  KT     KT  
în funcţionare normală ea diferă foarte puţin de caracteristica de intrare:
`
  qu     qu   qu
iC ≈ α F IES  exp EB  − 1 + I CS = α F IES  exp EB   + ICS (1 − α R ) ≈ α F I ES exp EB
  KT     KT   KT
16
• Caracteristicile de ieşire
aceste caracteristici pot fi interpretate fie pentru iE = const fie pentru uEB = const
  qu  
pentru iE = 0 vom folosi ecuaţia: iC = α F iE − I CB 0 exp CB  − 1
  KT  
  qu  
caracteristica iE = 0 este următoarea: I C = − ICB 0  exp CB  − 1
  KT  
iar pentru iE = ct . caracteristicile se obţin prin translatarea curbei pe verticală pe distanţe egale:
1.3.6.2. Caracteristicile statice în conexiune emitor comun (EC)
Prin scăderea ecuaţiilor

  qu     qu  
iE = IES  exp EB  − 1 − α R ICS  exp CB  − 1
  KT     KT  
  qu     qu  
iC = α F I ES  exp EB  − 1 − ICS  exp CB  − 1
  KT     KT  
obţinem:
  qu    q 
iB = iE − iC = (1 − α F ) I ES exp EB  − 1 + (1 − αF )ICS  exp ( uCE + uEB ) − 1
  KT    KT 
ecuaţie ce poate fi folosită pentru trasarea caracteristicilor de intrare
• Caracteristicile de intrare iB = iB (uEB ) pentru uCE = ct .
Caracteristica uCE = 0 este de asemenea de tip diodă:

  qu  
[ ]
iB = (1 − α F )IES + (1 − α R )I CS exp EB  − 1
  KT  
• Caracteristica de transfer ic = iC ( uEB ) pentru uCE = ct.
  qu    q 
iC = α F I ES  exp EB  − 1 − ICS  exp ( uCE + uEB ) − 1
  KT    KT 
kT
dacă uCE este suficient de negativă (pnp) şi uEB >> ,atunci obţinem caracteristica de transfer
q
 qu 
iC ≈ α F IES exp EB  .
 KT 
Deci se obţine o caracteristică exponenţială iC = iC (uEB) ceea ce este o trăsătură de bază a
tranzistorului bipolar.Forma exponenţială a caracteristicii de transfer a tranzistorului în regiunea activă
normală (RAN) trebuie reţinută deoarece ea este folosită ca atare în studiul comportării neliniare a
tranzistorului în unele circuite electronice.
17
• Caracteristici de ieşire
Cele mai folosite sunt iC =iC (-uCE ) pentru iB = ct.

αF I  q 
iE = iC + iB → iC =
1 − αF
iB − CB 0
1 − αF  exp KT ( uCE + uEB ) − 1 sau
 q  αF
iC = βF iB − ( βF + 1)ICB 0  exp ( uCE + uEB ) − 1 ; βF =
 KT  1 − αF
Îîn regiunea activă normală (RAN) uEB > 0, uEB = ct.Pentru uCB = uCE + uEB < 0,1 V de exemplu
iC ≈ βF iB + (βF + 1)ICB 0 = βF IB + ICE 0 . Caracteristica iB = 0 nu este limita regiunii de tăiere. Pentru a
bloca tranzistorul eset necesar să blocăm joncţiunea emitor - bază.
Curbele iB = const nu sunt orizontale, deoarece βF depinde de lăţimea bazei, de fapt curentul de
colector creşte cu creşterea tensiunii colector-emitor
1.3.7. Polarizarea tranzistorului într-un punct dat de funcţionare, în regiunea activă
Dispersia parametrilor tranzistorului de la un exemplar la altul face ca să nu se poată pune bază pe

caracteristicile acestuia. Situaţia este foarte dramatică pentru tranzistorul în conexiunea emitor comun
(EC), unde dispozitivul polarizat în regiunea activă normală poate fi caracterizat cu aproximaţie de
parametrii uEB , βF , ICB0 unde dispersia uEB este mică, dar dispersia lui βF , ICB0 este foarte mare.
uBB = uEB + RB I B
uCC = − uCE + RC I C (*)
I C = βF I B + I CE 0
Punctul static de funcţionare (PSF) se va găsi la intersecţia caracteristicii iB = IB = ct. ,unde

uBB − uEB
IB = cu linia (*) care se numeşte dreapta de sarcină.
RB
18
Pentru alt βF , caracteristica iB = IB = ct. are altă

poziţie şi PSF se schimbă.
Dacă presupunem dreapta de sarcină dată , adică
tensiunea de alimentare şi rezistenţa de colector
bine precizate, atunci fixarea (printr-o tehnică
oarecare) a valorii curentului înseamnă de fapt
"imobilizarea" punctului de funcţionare într-o poziţie
bine determinată.
În continuare se prezintă un circuit de polarizare cu rezistenţă în emitor, unde pentru simplitate

vom presupune vom presupune I CB 0 ≈ 0 → iC ≈ βF i B , iE ≈ (βF + 1)iB . Schema diferă de schema
anterioară prin rezistenţa de emitor RE care introduce o "reacţie negativă".
u BB = u EB + I B RB + I E RE = u EB + [RB + (β F + 1)RE ]I B
βF (uBB − uEB )
IC =
RB + (βF + 1)RE
• Se observă că IC , curentul de colector al tranzistorului presupus a funcţiona în regiunea activă normală,

este independent de polarizarea colectorului dacă βF # ∞ ,atunci IC devine independent de βF , pentru
uBB − uEB βF
(βF + 1) RE >> RB la limită am putea pune RB = 0 # I E = → IC = I ≈ ct . dar
RE βF + 1 E
această polarizare particulară nu ne convine (RB = 0) deoarece semnalul care se aplică de obicei în bază
ar fi scurtcircuitat. Schemele practice folosesc o singură sursă de alimentare , după cum se vede pe figura
alăturată:
Dimensionarea rezistenţei RB ne conduce la valori mari, ceea ce nu satisface R2

uBB = u
condiţiile enunţate mai înainte, o soluţie mai bună este divizorul rezistiv din R1 + R2 CC
bază. Aplicând teorema Thévenin la stânga punctelor a şi b, obţinem
R1R2
echivalarea cu figura anterioară RB =
R1 + R2
Polarizarea tranzistorului cu generator de curent constant. În scheme practice apare frecvent acest mod de
polarizare. Un generator de curent constant este construit cu unu sau mai multe dispozitive electronice. O
schemă simplă de generator de curent constant este cea de tranzistor cu rezistenţă în emitor şi divizor de
polarizare a bazei, reprezentată pe figura de mai jos:
19
uBB − uEB
I0 = IC ≈ I E =
RE
! Aplicaţie
În circuitul din figura de mai jos tranzistorul are tensiunea bază-emitor de 0.7V . Se cere să se
determine punctul static de funcţionare şi să se specifice regimul de funcţionare
Într-un caz simplificat se poate considera că I C ≅ I E , iar curentul de bază se poate neglija pe lîngă
curentul care circulă prin divizorul rezistiv. Se calculează potenţialul bazei:
R2 10
U BB = U CC = ⋅ 12 = 4V ; U BB = U BE + I E ⋅ RE
R1 + R2 30
U − U BE 4V − 0.7V 3.3V
I E = I C = BB = = = 1mA → U CE = U CC − I C (RE + RC ) = 12 − 1 ⋅ 8 = 4V
RE 3.3kΩ 3.3kΩ
Din aceste relaţii rezultă că tranzistorul bipolar se află în regimul normal de funcţionare, deoarece
(I C ,U CE ) se află într-o poziţie de mijloc între blocare şi saturaţie
! Aplicaţie
În circuitul din figura de mai jos tranzistorul are β = 100 şi tensiunea bază-emitor de 0.7V . Se
cere să se determine punctul static de funcţionare şi să se specifice regimul de funcţionare
20
U C − U BE I C
IB = = presupunând I C >>> I B → U C ≅ U CC − I C RC
RB β
IC U CC − I C RC − U BE I ⋅R U − U BE
= → C B + I C RC = U CC − U BE → I C = CC , iar U CE = U C
β RB β RB
RC +
β
Cu valorile numerice din schemă rezultă I C = 1.5mA şi U CE = U C = 4.5V , regim liniar.
1.3.8.Limitări în funcţionare datorată variaţiei temperaturii şi disipaţiei de putere
1.3.8.1 Variaţia caracteristicilor electrice cu temperatura
Un tranzistor care funcţionează în regiunea activă normală (RAN)poate fi caracterizat cu aproximaţie de

parametrii uEB (uBE) , βF , ICB0 .Pentru variaţia lui uEB şi ICB0 vom prelua rezultatele cunoscute de la
joncţiunea pn:
• uEB scade cu temperatura cu o rată de 2-2,5 mV/ 0C la iE = ct.
• ICB0 creşte cu temperatura după o lege exponenţială dificil de prezis (orientativ ICB0 se
dublează la fiecare creştere de circa 10 oC)
• când nu este dată în catalog ßF variaţia cu temperaturapoate fi estimată după formula:
 T − T0 
βF → βF ( T ) = βF (T0 )  T0 =25 0C , K =100 0C (Si) , 500C (Ge)
 K 
Pe baza acestora se poate vedea cum se modifică caracteristicile statice cu creşterea temperaturii.
1.3.8.2 Stabilizarea PSF în raport cu variaţiile de temperatură
Să considerăm un tranzistor în conexiune emitor comun (EC), polarizat cu iB=IB=constant.

Punctul static de funcţionare se va găsi la intersecţia caracteristicii iB=IB cu dreapta de sarcină statică.Dacă
temperatura creşte, caracteristicile se vor deplasa în sus şi punctul static de funcţionare se va deplasa şi el
pe dreapta de sarcină spre curenţi de colector mai mari. Pentru a reduce deplasarea punctului static ar fi
indicat ca circuitul să asigure o scădere a lui IB cu tendinţa de a menţine curentul de colector constant
(IC=constant). Adică ar fi de dorit ca I B să scadă cu creşterea T ca să rămână curentul de colector IC = ct. ,
de aici rezultă importanţa circuitului de polarizare în stabilizarea PSF. Vom prezenta în continuare una din
cele mai des întâlnite procedee de stabilizare a punctului static de funcţionare.
Pentru ilustrare vom considera din nou schema de mai jos, însă fără a mai neglija de această dată
curentul rezidual al joncţiunii bază-emitor ICBO .
uBB = RB IB + uBE ; IC = βF IB + (βF +1)ICB0 + RE IE

IE =IB + IC = (βF + 1)IB + (βF + 1)ICB0
uBB - uBE = RBIB + RE (βF + 1)IB + RE (βF + 1)ICB0
uBB − uBE R (β + 1)I CB 0
IB = − E F
RB + (βF + 1) RE RB + (βF + 1)RE
β F (u BB − u BE ) β F R E (β F + 1)I CB 0
I C = β F I B + ( β F + 1) I CB 0 = − + ( β F + 1) I CB 0 =
RB (β F + 1)RE R B + (β F + 1)RE
β F (u BB − u BE ) (R B + R E ) I
= + ( β F + 1)
RB + (β F + 1)RE R B + (β F + 1)R E
CB 0
iar uCE = uCC - RCIC - REIE = uCC - (RC + RE )IC
21
• Stabilizarea PSF la variaţia temperaturii se reduce la stabilizarea lui IC (tensiunea colector-emitor

rezultă din relaţiile de mai sus)
• Creşterea temperaturii duce la creşterea curentului de colector IC prin intermediul tuturor celor trei
parametri (uBE , βF , ICB0). Problema care se pune este, cum poate fi minimizată creşterea lui IC prin
alegerea elementelor circuitului ?
Pentru a insensibiliza pe IC la variaţiile lui ßF trebuie aleasă o rezistenţă RB << (1 + βF )RE
U BB − uBE  RB 
astfel avem: I C ≅ +  1 +  I CBO , ceea ce recomandă circuitul cu divizor pe bază , în care se
RE  RE 
poate asigura o valoare suficient de mică pentru RB . Pe de altă parte, deoarece
∆I C βF
=−
∆uBE RB + RE ( βF + 1)
se mai foloseşte şi circuitul cu o singură rezistenţă în bază, deoarece la valori mari ai lui RB variaţia de mai
sus devine mai mică.
1.3.9.Tranzistorul bipolar în regim dinamic
1.3.9.1 Modelul de semnal mic. Circuit echivalent natural
În stabilirea unui circuit echivalent de semnal mic nu ne va interesa decât funcţionarea

tranzistorului în regiunea activă normală, acolo unde se pune problema de a amplifica semnalul (fără a
introduce distorsiuni ale formei acestuia)
η factorul de modulare a grosimii bazei, g m -panta (transconductanţa) tranzistorului

gπ -conductanţa bază-emitor, CdE -capacitatea de difuzie (joncţiunea emitorului)
1 Cb ' e = CdE + CbE ≅ CdE
= gb ' e = gπ
rb ' e Cb ' c = ηCdE + Cbc ≈ Cbc
1 1
gb ' c = η ⋅ gb ' e = gce = η ⋅ gm =
rb ' c rO
Capacitatea de barieră poate fi practic neglijată pe lângă capacitatea de difuzie în cazul în care joncţiunea
emitorului este puternic deschisă. Circuitul echivalent se numeşte natural, deoarece elementele sale au
fost deduse în strânsă legătură cu fenomenele fizice care au loc în dispozitiv.
1.3.9.2. Circuit echivalent cu parametri hibrizi
Circuitul echivalent cu parametri hibrizi este echivalent cu circuitul echivalent natural, considerând efectul
ieşirii neglijabil la intrare
1 1
hi = rπ = ; hr = 0; h f = gmrπ ; hO =
gπ rO
22
1.3.9.3 Exemplu de utilizare a circuitului echivalent. Etaj de amplificare cu emitorul comun.
Figura de mai jos arată un etaj de amplificare EC, caracteristica de transfer uO = uO ( uI ) , unde
uO este tensiunea de ieşire. Presupunând că:
uI ( t ) = U I + ui ( t )
Răspunsul în curent continuu se deduce uşor de pe caracteristica de transfer U O = uO (U I ) , iar răspunsul

liniar al dispozitivului se poate calcula direct pe baza circuitului echivalent:
u0 (t ) = − RCiC (t ) = − RC gmub ' e (t )

rb ' e
ub ' e (t ) = ui (t )
rb ' s + rb ' e
uo (t ) − gm RC ub ' e (t ) − gmrb ' e RC ic (t ) gmub ' e (t )

AU = = = AI = = = gmrb ' e = βF
ui (t ) rb ' s + rb ' e rb ' s + rb ' e ib (t ) gb ' c (t )
ui (t )
rb ' e
• amplificatorul preia putere de la sursa de curent continuu (+UCC) şi o transformă în putere de curent
alternativ (de semnal)
• bilanţul energetic în circuitul de colector: - în absenţa semnalului : UCC = RCIC + uCE
UCC IC = RL IC2 + uCE IC
- în prezenţa semnalului alternativ, puterea de curent alternativ disipată pe RL trebuie să fie
1
R L I c 2 (IC - amplitudinea semnalului alternativ)
2
1 1
U CC I C = uCE I C − R L I C 2 + R L I C 2 + R L I C 2
2 2
• puterea medie disipată pe tranzistor se micşorează la apariţia semnalului exact cu puterea de curent
alternativ (utilă) debitată în sarcină.
• acest fenomen este caracteristic funcţionării tranzistorului ca VENTIL DE COMANDă care controlează
pur şi simplu puterea instantanee pe care sursa de curent continuu o debitează la un moment dat în
rezistenţa de sarcină.
• randamentul creşte cu amplitudinea semnalului.
23
1.3.10 Caracteristica dinamică şi limitarea amplitudinii semnalului
În figura de mai jos apare o schemă practică de amplificator cu tranzistor bipolar în conexiune
emitor-comun (EC). Capacităţile de cuplaj blochează componentele de curent continuu , lăsând să treacă
semnalul variabil.
schema echivalentă de curent alternativ
R ' L = ( RL × RC ) adică legarea în paralel a celor două rezistenţe

U CC = uCE + iC RC + iE RE ≅ uCE + ( RC + RE )iC
iC ( t ) = I C + ic ( t )
uCE ( t ) = U CE + uce ( t )
Punctul instantaneu de funcţionare cu coordonatele iC(t), uCE(t) descrie aşa-numita " CARACTERISTICă
DINAMICĂ", care nu mai coincide aici cu dreapta de sarcină statică.
U CC = U CE + I C ( RC + RE ) + uce ( t ) + ( RC + RE )ic (t )
• dacă se liniarizează caracteristicile dispozitivului în jurul PSF (uCE, ICE) atunci valoarea medie a mărimilor
electrice nu depinde de amplitudinea semnalului deci este aceeaşi ca la semnal zero. (Punctul mediu de
funcţionare în regim dinamic coincide cu puctul static de funcţionare în absenţa semnalului.)
• Se poate reprezenta locul geometric al punctului instantaneu de funcţionare în planul (ic(t), uce(t)) plan
definit pe un sistem rectangular
uce ( t ) = − R ' Lic (t )
• caracteristica dinamică este de fapt un segment al acestei drepte, segment al cărui lungime depinde de
amplitudinea semnalului dacă admitem
ug ( t ) − ube (t ) ug (t )
ib (t ) = ≈ atunci o tensiune ug(t) sinusoidală # ib(t) sinusoidal.
RG RG
Limitarea amplitudinii semnalului
Deoarece caracteristicile statice sunt imprecis cunoscute se preferă să se facă calcule aproximative
ignorănd neliniaritatea dispozitivelor, admiţănd
ic (t ) = IC cosωt , uce ( t ) = −U CE cosωt , uce = − R ' Lic (t ) , U 0 MAX = ucemax = U CE − uCEsat
Pentru limitarea dispozitivului în regiunea de blocare se impune: Ic max = IC, U 0max = ucemax = R ' L IC , iar
limita este cea mai restrictivă dintre cele două condiţii .
24
Alegerea punctului static de funcţionare (PSF)
Caracteristica dinamică este limitată inferior de axa orizontală (tăiere).Dacă U O max este amplitudinea
U0
maximă impusă semnalului, atunci: I C > I cmin = max . Curentul maxim de lucru se dtermină luând
RC
U CC − (U 0max + 0,5V )
U CEsat = 0.5V ca limitare pentru evitarea saturaţiei. Se obţine: I C < I C MAX =
RC + RE
! Aplicaţie
În circuitul din figură tranzistorul bipolar are α F = 0.99,U EB ≅ 0.2V şi I CBO = 2 µA . Între ce
limite putem găsi punctul static de funcţionare dacă rezistenţele din circuit au toleranţe de ±5% ?
În relaţia : I C = α F I E + ICBO vom lua αF ≅ 1 şi I CBO ≅ 0 . Pentru valorile nominale ale

rezistenţelor se calculează:
U − U EB 6 − 0.2
I C = I E = EE = = 2.9mA ; U CB = −U CC + RC I C = −12 + 2 ⋅ 2.9 = −6.2V
RE 2
Limitele între care poate varia curentul prin tranzistor sunt:
U − U EB 6 − 0.2 U − U EB 6 − 0.2
I C max = I E max = EE = = 3.05mA ; I C min = I E min = EE = = 2.76mA
RE min 1.9 RE max 2.1
Valorile extreme ale tensiunii de colector se calculează astfel:
(− U CB )max = U CC − RC min I C min = 12 − 1.9 ⋅ 2.76 = 6.76V ,
(− U CB )min = U CC − RC max I C max = 12 − 2.1 ⋅ 3.05 = 5.60V
Locul geometric al punctelor de funcţionare este reprezentat în figura de mai jos, unde mai sunt
reprezentate dreptele statice de funcţionare pentru valorile extreme ale lui RC.
25
! Aplicaţie
În circuitul din figură tranzistorul npn are parametrii αF = 0.99 ,αR = 0.6 şi I ES = 2 µA . se cere
să se determine punctul static de funcţionare ( IC ,U CE ) .
În ipoteza funcţionării în regiunea activă normală tranzistorul este descris cu aproximaţie de

re;aţiile:
 qu  α I
iC = α F iB + I CBO ; iE = I ES exp BE  ; I CBO = (1 − α Fα R ) I CS ; I CS = F ES
 kT  αR
Ecuaţiile circuitului se obţin aplicând legile lui Kirchhoff circuitului de bază (care cuprinde joncţiunea bază-
emitor) şi respectiv circuitul de colector:
U BB = RBiB + U BE + RE iE ;
U CC = RCiC + U CE + RE iE
la care se mai adaugă iE = iC + iB . Obţinem astfel un sistem de cinci ecuaţii cu cinci necunoscute
(I E , I B , I C ,U BE ,U CE ) , una din ecuaţii fiind neliniară.
Vom estima IE presupunând pentru început U BE ≅ 0 şi I CBO ≅ 0 ;
αF
IC = I = βF IB
1 − αF B
U BB 6
IE = = = 1mA
RB 300
+R +3
βF + 1 E 100
kT I E
apoi obţinem: U BE = ln = 0.026 ⋅ ln 500 = 016. V . Aceasta valoare a lui UBE va fi considerată
q I ES
suficient de precisă pentru calculul curenţilor (ceea ce se poate verifica prin încercări succesive). fără a mai
neglija de aceasta dată pe ICBO (calcul mai precis) obţinem:
βF (U BB − U BE ) I CBO ( RE + RB )(βF + 1)
IC = + = 1.03mA
RB + RE (βF + 1) RB + RE (βF + 1)
Aproximând I C ≅ IE obţinem: U CE = U CC − RC I C − RE IE ≅ U CC − (RC + RE )IC = 4.8V
Deoarece tensiunea colector-emitor este pozitivă şi suficient de mare, tranzistorul nu este saturat
! Aplicaţie
În circuitul din figura de mai jos tranzistorul are βF cuprins între 100 şi 200 , tensiunea bază-emitor
de 0.6V . Se cere să se determine poziţia punctului static de funcţionare în planul caracteristicilor de ieşire
iC = iC ( uCE ) . Presupunând RC variabil, să se determine plaja de valori pe care o poate lua astfel ca
tranzistorul să funcţioneze în regiunea activă normală
26
Cu o echivalare Thévenin la stânga bornelor A,B se obţine circuitul echivalent din figura a doua,
unde:
R2 10 RR 10 ⋅ 20
U BB = U CC = ⋅ 18 = 6V , RB = 1 2 = = 6.66kΩ
R1 + R2 30 R1 + R2 30
Se rezolvă sistemul de ecuaţii:
U BB = RB IB + U BE + Re Ie ;
I = I + I ;
E B C

CI = β I
F B ;
U CC = RC I C + U CE + RE I E ;
cu necunoscutele: IE, IB, IC, UCE . Din primele trei ecuaţii rezultă expresia curentului de colector:
βF (U BB − U BE )
IC =
RB + (βF + 1) RE
valoare independentă de RC , atât timp cât tranzistorul funcţionează în regiunea activă normală.
Introducând valori numerice se obţine I c = 2.59 mA pentru βF = 100
I c = 2.64mA pentru βF = 200
Curentul de colector depinde foarte slab de factorul de amplificare în curent βF Din punct de
vedere matematic, IC independent de factor de amplificare se asigură prin: (βF + 1)RE >> RB
Aceasta echivalează cu neglijarea căderii de tensiune pe RB în circuitul bază-emitor. Ca urmare,
potenţialul bazei faţă de punctul de referinţă este aproximativ constant şi egal cu UBB ,iar :
U − U BE 6 − 0.6
I C ≅ IE ≅ BB = = 2.7 mA
RE 2
Cu ajutorul divizorului pe bază şi al rezistenţei din emitor, tranzistorul este polarizat la un curent constant,
aproximativ independent de tranzistor. Neglijând curentul de bază faţă de curentul de colector, obţinem
aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff:
U CC ≅ U CE + ( RC + RE )I C
care este ecuaţia dreptei de sarcină reprezentete în figura de mai jos:
27
Punctul static de funcţionare se vagăsi pe această dreapta de sarcină, la curenţii cuprinşi între 2,59 şi 2, 64
mA. Luând I C = 2,6mA → U CE = 7,6V
U CC − U O 18 − 0,5
RC min = 0 şi RC max = − RE = − 2 = 4 ,63kΩ
IC max 2 ,64
Valoarea maximă se calculează astfel încât tensiunea colector-emitor la curent de colector de valoare
maximă să nu scadă sub valoarea de saturaţie, considerată în acest caz de o valoare acoperitoare de
0,5V.
1.4 Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune
1.4.1 Generalităti.Principii de funcţionare.Simboluri. Noţatii.
Tranzistoarele la care conducţiaelectrică este asigurată de un singur tip de purtător de sarcină se

întâlnesc în literatura de specialitate sub denumirea de tranzistoare unipolare sau tranzistoare cu efect de
câmp. Pentru aceste tranzistoare se foloseste curent prescurtarea de tranzistoare TEC sau FET (Field
Effect Transistor). Funcţionarea lor se bazeaza pe variatia conductibilitatii unui "canal" dintr-un material
semiconductor, ale carui dimensiuni transversale sau concentratii de purtatori de sarcina mobili pot fi
controlate cu ajutorul câmpului electric transversal, creat între un electrod de comanda numit poarta (gate)
situat în vecinatatea canalului şi masa semiconductorului unde este format sau indus acest canal.
Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TECJ) funcţionează cu purtători majoritari (electroni în
canalul n , vezi figura de mai jos, respectiv goluri în canalul p)
Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TECJ) a fost propus de Schockley în 1952 şi este în
esenţă un rezistor a cărui secţiune este controlată de grosimea regiunii sarcinii spaţiale a unei joncţiuni pn.
Termenul de efect de câmp este legat de existenţa câmpului electric în zona de sarcină spaţială , câmp a
cărui intensitate este determinată de tensiunea aplicată pe terminalul poartă (gate).
Figura de mai jos arată un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune realizat în construcţie planar-
epitaxială. Conducţia are loc într-un canal n între contactele sursă (care emite electroni) şi respectiv drenă
(care îi colectează). Electrodul denumit "poartă" contactează zona difuzată p+ care împreună cu substratul
p+ delimitează canalul n. Joncţiunea pn poarta-canal este polarizata invers, iar grosimea regiunii de sarcina
spatiala asociata acestei joncţiuni face ca sectiunea conductiva a canalului (regiunea n neutra) sa fie mai
mică decât distanta dintre cele doua joncţiuni. Aceasta sectiune este controlabila electric prin diferenta de
potential care exista între poarta şi canal.
Simboluri grafice
Observatie. şi substratul p+ poate fi folosit ca electrod poarta. Dacă este legat la acelasi potential cu
propriu-zisa, atunci se obţine un "efect de câmp" aproximativ simetric fata de axa longitudinala a
dispozitivului. Dar substratul poate fi folosit ca un al patrulea electrod, independent, caz în care se obţine
"tetroda cu efect de câmp".
Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune are avantaje importante fata de tranzistorul bipolar:
-dependenta de temperatura mai redusa a caracteristicilor (nu sunt purtatori minoritari)
-rezistenţa de intrare (pe electrodul poarta) foarte mare (sute, mii de MΩ , pentru ca iG=0)
-inexistenta tensiunii de decalaj (tensiunea drena-sursa este zero la curent de drena zero)
28
-zgomotul mai redus

Pe de alta parte TECJ nu amplifica în curent, iar amplificarea în tensiune este mai mică. De obicei în
circuitele electronice discrete se întâlneste şi în combinatie cu tranzistorul bipolar (se exploateaza
avantajele ambelor tipuri de tranzistoare)
Trebuie remarcat faptul ca sageata din simbolul grafic şi în acest caz desemneaza o joncţiune pn (sensul
sagetii de la p la n). Curentul de poartă este foarte mic (de ordinul nA) şi va fi considerat practic nul.
Curentul de drena iD este normal pozitiv: intra în drena tranzistorului cu canal n (electrod care evacueaza
electroni) şi iese din drena tranzistorului cu canl p. Curentul de sursă este egal cu cel de drenă.
1.4.2 Caracteristicile statice ale TECJ
a.Caracteristici de ieşire iD = iD ( uDS ) cu uGS = cons tan t parametru numite şi

caracteristici de drenă. Pentru o anumită valoare a tensiunii poarta-sursă, numite tensiunea de prag
U T (threshold), dacă negativarea portii creste, grosimea efectiva a canalului scade şi se anuleaza precum
şi curentul de drena.
pentru tensiuni uDS mici cu uGS=constant caracteristicile sunt:

 1

  u  2
iD = GO 1 −  GS
  uDS
 UT 
 
Aceste caracteristici sunt schiţate pe figura de mai jos:
unde GO este conductanta canalului la tensiune poarta-sursa

nula.Liniile sunt trasate şi în cadranul al treilea (dar numai pentru
tensiuni mici!) pentru a arata ca tranzistorul se comporta ca o
conductanta liniară şi pentru tensiuni drena-sursa mici. TECJ este
folosit în regiunea liniară la tensiuni mici drena-sursa ca rezistenţa
controlata în tensiune. Aici conductanta drena-sursa este identica cu
conductanta canalului şi rezistenţa drena-sursa este functie liniară de
tensiunea poarta-sursa aplicata.
r0
Pentru calcule practice se poate aproxima rezistenţa canalului cu expresia empirica: rd =
1 − KU GS
unde r0 este rezistenţa pentru tensiune poarta-sursa nula, iar K este o constanta a tranzistorului.
Pentru valori mai mari ai tensiunii uDS avem următoarele caracteristici de drena:
Aceste caracteristici sunt liniare numai la tensiuni drena-

sursa foarte mici, pentru tensiuni mai mari, distingem a zona
neliniară, o zona de saturaţie a curentului de drena (aici
curentul de drena depinde foarte slab de tensiunea drena-
sursa), după care urmeaza o zona de creştere abrupta
(strapungere) a curentului, nemarcata pe grafic.
Zona neliniară este caracterizata de uDS < uDS , sat , unde uDS,sat este tensiunea la care apare
saturatia curentului de drena.
Zona de saturaţie este caracterizata de faptul ca ID nu mai creste cu uDS. Prin definitie
uDS ≥ uDS , sat , iD = I D , sat
29
Teoria arata ca saturatia corespunde momentului în care canalul este strangulat lânga drena. Aceasta
strangulare apare la rândul ei atunci când diferenta de potential între poarta şi extremitatea de lânga drena
a canalului este egala cu tensiunea de prag, deci:
uGS − uDS , sat = U T → uDS , sat = uGS − U T
Din grafic se vede cum uDS,sat creste cu uGS. La tensiuni mari uDS apare o creştere foarte puternica a lui iD
datorită strapungerii prin multiplicare în avalansa care apare la capatul de lânga drena al joncţiunii poarta-
canal.
b.Caracteristicile de transfer sunt iD=iD(uGS). Dispozitivul este folosit ca amplificator în zona de
saturaţie caracterizata de uDS > uDS , sat , unde iD este practic independent de uDS. Pentru calcule se
foloseste aproximatia parabolica a acestei caracteristici:
2
 u 
iD = iD , sat = IDSS  1 − GS 
 UT 
Grafic, caracteristica statică de transfer se prezintă în figura

următoare. Zona preferată de lucru este cea de la curenţi
mari, acolo unde şi panta caracteristicii este mai mare. Aici
curentul scade cu creşterea temperaturii (la U GS = const )
dar problema ambalării termice nu se pune în cazul TECJ.
1.4.3 Polarizarea tranzistorului cu efect de câmp cu joncţiune (TECJ)
Figura de mai jos prezintă un circuit în care polarizarea porţii faţă de sursă se asigură prin căderea
de tensiune dată de curentul de sursa iD pe rezistenţa RS. Aceasta tensiune este aplicata pe poarta prin
rezistenţa RG , care are valori de ordinul MΩ .
Deoarece uGS = − RS iD punctul de funcţionare în planul caracteristicii de transfer poate fi

determinat prin intersectia dreptei de mai sus numite dreapta de polarizare, ca în figura. datorită dispersiei
caracteristicilor (variatia tensiunii de prag la diferite cdispozitive), caracteristica iD = iD ( uGS ) este însa
nesigura.. Pentru o polarizare corecta, bine determinata, linia de polarizare trebuie sa intersecteze
caracteristicile de transfer între punctele A,B, lucru deloc usor de realizat.
Atunci când este impus un domeniu foarte mic pentru variatia curentului de drena, se recomanda
polarizare cu divizor rezistiv pe poarta
30
R2
uGS = U GG − iD RS ⋅U U GG =
R2 + R1 DD
asigurând astfel o polarizare corectă, respectând limitele impuse, lucru imposibil de realizat cu schema
anterioară.
1.4.4 Circuitul echivalent de semnal mic
La frecvenţe joase comportarea tranzistorului este cvasistaţionară şi modelul de semnal mic poate
fi dedus prin liniarizarea caracteristicilor în jurul unui punct de funcţionare. Definirea parametrilor circuitului
echivalent se face plecând de la:
iD = iD ( uGS , uDS )
diferenţiind:
δiD δi
diD = ⋅ duGS + D ⋅ duDS
δuGS δuDS
trecând la variaţii finite (dar foarte mici):
∆iD = g m∆uGS + gd ∆uDS
definim panta sau transconductanţta:
δiD ∆iD
gm = ≅
δuGS u DS
∆uGS U DS
si conductanţta de drenă sau de ieşire

δiD ∆iD 1
gd = ≅ = unde rd este rezistenţa de drena.
δuDS u GS
∆uDS u GS
rd
Dacă tranzistorul este polarizat în regiunea activa normala, atunci panta gm şi rezistenţa de drena
rd au valori mici. Valoarea maximă a pantei se poate calcula:
δiD − 2 IDSS  u   u 
gm = =  1 − GS  = gm 0  1 − GS 
δuDS u DS
UT  UT   UT 
δiD − 2 IDSS
unde g m0 = = > 0,U T < 0 este panta maximă la uGS=0
δuGS U GS = 0
UT
Circuitul echivalent din figura de mai jos corespunde relaţiei anterioare şi este valabil la excursii suficient de
mici ale variabilelor în jurul punctului de funcţionare.
31
La frecvenţe înalte trebuie luate în considerare capacităţile dintre electrozi, asa cum se indică în
figura de mai jos
Cgs este capacitatea de barieră dintre poartă şi sursă, iar Cgd capacitatea de barieră dintre poartă şi
drena. Valorile obişnuite pentru aceste capacităţi sunt de ordinul 1-10 pF. Capacitatea drenă-sursă a
canalului Cds poate avea valori cuprinse între 0.1-1 pF. Datorită acestor capacităţi în tranzistor apare o
reacţie negativă internă iar amplificarea scade la frecvente înalte.
! Aplicaţie
Se da circuitul din figură, unde tranzistorul cu efect de câmp este descris de legea:
2
 u 
iD = I DSS  1 − GS 
 UT 
cu I DSS = 9 mA şi U T = −3V . Între ce limite poate varia rezistenţa de drenă astfel încât tranzistorul să
funcţioneze în regiunea de saturaţie ?
2
 i 
Înlocuind uGS = − RS iD în Ecuaţia caracteristicii de transfer, obţinem: iD = 9 1 − D  sau
 12 
iD2 − 8iD + 144 = 0 cu solutiile 36 mA şi 4 mA. Evident, numai a doua solutie convine problemei. În
general. dintre cele doua solutii obtinute din Ecuaţia de gradul doi în curentul de drena, pentru circuitul din
figura numai valoiarea cea mai mică este cea corecta. Pentru tensiunea poarta-sursa numai solutia
U T < uGS < 0 este corecta. În cazul de fata avem: U GS = − Rs ID = −0.25 ⋅ 4 = −1V
Modificarea rezistentei de drena nu are nici un efect asupra curentului de drena.
U DS = U DD − ID ( RD + RS ) = U DD + U GS − ID RD
Impunând condiţia pentru saturaţie:
U DS < U DSsat = U GS − U T = 2V
obţinem:
U + U GS − U DSsat U DD + U T 16 − 3
RD < RD max = DD = = = 3,25kΩ
ID ID 4
deci, rezistenţa de drena poate fi cuprinsa între RD ∈ ( 0,3.25kΩ)
32
! Aplicaţie
Să se determine limitele între care variază punctul static de funcţionare al tranzistorului din figura
de mai jos, dacă tensiunea de prag (UT) variază între -4V şi -3V, iar curentul IDSS între 12 mA şi 9 mA.
Calculele se vor face pentru RD = 2 kΩ şi Rd = 2.7 kΩ .
Pentru U T = −3V şi I DSS = 9 mA calculul a fost facut în problema
precedenta şi avem punctul de funcţionare I D = 4 mA şi U GS = −1V .
Atunci când UT şi IDSS variază, punctul static de funcţionare se deplaseaza pe
dreapta de sarcina a portii uGS = − RS iD . Cealalta extrema a punctului static de
funcţionare se obţine pentru U T = U T 1 = −4V şi I DSS = IDSS1 = 12 mA
Se calculează: I D = 5.33mA;U GS = −1.33V . Tensiunea de drenă se
calculează cu: U DS = U DD + U GS − I D RD
Pentru RD = 2 kΩ obţinem U DS = 16 − 1 − 8 = 7V > U DSsat = −1 + 3 = 2V pentru primul punct de

funcţionare şi
U DS = 16 − 133
. − 10.67 = 4V > U DSsat = −1.33 + 4 = 2.67V
pentru al doilea punct de funcţionare.
Dacă RD = 2.7 kΩ obţinem U Ds = 4.2V > U Dssat = 2V în primul caz şi
U DS = 0.28V < U DSsat = 2.67V . În acest al doilea caz tranzistorul cu efect câmp nu funcţionează în
regiunea de saturaţie. Ca urmare, nici caracteristica parabolică nu este valabilă iar valorile determinate
anterior pentru ID şi UGS (al doilea punct static de funcţionare) nu sunt corecte. Dacă există dispersia
enunţată atunci rezistenţa RD = 2.7 kΩ nu este aleasă corect.
1.5 Tranzistoare cu efect de câmp MOS
1.5.1 Generalitati.Principii de funcţionare.Simboluri. Notatii
Tranzistorul MOS este un dispozitiv electronic bazat pe conducţia curentului electric la suprafata
semiconductorului. Proprietăţile conductive ale suprafetei semiconductorului sunt controlate de un câmp
electric aplicat printr-un electrod izolat de semiconductor (poartă). Aceste aspecte constructive definesc
familia tranzistoarelor cu efect de câmp cu poarta izolată sau, pe scurt, TEC-MIS (tranzistor cu efect de
câmp-metal-izolator-semiconductor). Izolatorul folosit este un strat subţire de oxid (SiO2) crescut prin
oxidarea termică a suprafeţei siliciului (de unde denumirea TEC-MOS, adică tranzistor cu efect de câmp-
metal-oxid-semiconductor).
Poarta este realizată, de regulă din aluminiu, dar poate fi realizată şi din alte materiale, de exemplu
siliciu policristalin puternic dopat.
Conducţia se realizează pe suprafaţa substaratului de siliciu, între doua zone cu tip de
conductivitate opus celui al substratului; cele două zone se numesc sursă (S) şi drenă (D).
33
În figură s-a considerat un substrat de tip n; în acest caz sursa şi drena sunt de tip p. Pentru a se putea
stabili un curent electric între sursa şi drena, suprafaţa semiconductorului trebuie inversată ca tip de
conductivitate, adică să devină de dip p. În acest caz, la suprafaţa apare un canal conductor, de tip p., care
leagă sursa de drenă. Inversarea tipului de conductivitate a suprafeţei, precum şi controlul rezistivităţii
canalului se face de către poartă. Simbolurile grafice pentru tranzistoare MOS cu canal n şi p sunt
prezentate în continuare:
De obicei în aplicaţii obişnuite substratul se leagă la sursă, dar există dispozitive la care substratul apare
ca un terminal separat. Se observă aceeaşi semnificaţie pentru săgeata din simbolul grafic.
1.5.2 Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS
Fie un TEC-MOS cu canal n (cel cu canal p se descrie identic) la care substratul se leagă la sursă.
Tensiunile de poartă UGS şi de drenă UDS sunt pozitive. Pentru tensiuni de poartă mai mici de tensiunea de
prag UT nu apare canal la suprafata şi ca urmare curentul de drena ID este nul.Dacă tensiunea de poarta
depaseste valoarea de prag, între sursa şi drena se formeaza un canal n care permite conducţiacurentului
electric (cu atât mai bine cu cât tensiunea UGS este mai mare).
Caracteristicile staice ale tranzistorului MOS reprezintă dependenţa curentului de drenă de tensiunile de
poartă şi de drenă:
I D = I D (U GS ,U DS )
Caracteristicile de drenă sau de ieşire au aceeasi forma ca şi în cazul TECJ, se pot deosebi o zonă
cvasiliniară şi a zona de saturaţie:
Ecuaţia caracteristicii statice în regiunea cvasiliniară este:
 2
U DS 
I D = 2β (U GS − U T )U DS −  ,0 < U DS < U DS , sat
 2 
unde β este un parametru constructiv al tranzistorului.
tensiunea de saturaţie are forma aproximativă:
U DS , sat ≅ U GS − U T
În zona de saturaţie curentul de drena are o valoare constantă în raport cu UDS pentru tensiuni mai mari ca
tensiunea de saturaţie, şi caracteristica statică de transfer are următoarea formă:
I D = β (U GS − U T ) ;U DS > U DS , sat
m
unde m este un coeficient cuprins între 1 şi 2 , dar de obicei în calcule mai simple se utilizează:
I D = β (U GS − U T ) ;U DS > U DS , sat
2
34
În figura de mai jos se reprezintă această caracteristică pentru un tranzistor MOS cu canal n
Observaţie. Din punctul de vedere al dependenţei de
temperatură, tranzistorul MOS prezintă avantaje deosebite faţă
de tranzistoarele bipolare. La creşterea temperaturii, curentul
de drenă scade, dar dependenţa este foarte slabă. Ca urmare
tranzistoarele MOS nu prezintă fenomenele de străpungere
secundară şi ambalare termică.
În figura următoare este prezentată caracteristica statică de transfer pentr un TECMOS cu canal p
În cazul TECMOS cu canal p ambele tensiuni UGS, UDS sunt

negative. Aceste tranzistoare au canal indus prin aplicarea
unei tensiuni UGS mai mari decât valoarea de prag.
Unele tranzistoare prezintă canal chiar la tensiuni poartă-sursă nule (U GS = 0) şi se numesc

tranzistoare MOS cu canal iniţial. Această situaţie se întâlneşte în special la tranzistoare cu canal n.
Un asemenea tranzistor poate lucra cu orice polaritate a tensiunii de poartă. Dacă tensiunea de poartă este
pozitivă U GS > 0 , regimul se numeşte regim de îmbogăţire datorită creşterii concentraţiei de electroni în
canal; dacă tensiunea de poartă este negativă U GS < 0 , regimul poartă denumirea de regim de sărăcire şi
duce la scăderea concentraţiei de electroni din canal până la dispariţia lui (la U GS = U T )
Caracteristicile de transfer pentru TECMOS cu canal iniţial n şi p sunt prezentate în figurile următoare:
TECMOS cu canal p iniţial TECMOS cu canal n iniţial
1.5.3 Polarizarea TECMOS
alegerea unui anumit punct static de funcţionare se face în functie de scopul dorit: obţinerea unei
anumite pante, folosirea unei regiuni cât mai liniare a caracteristicilor, etc
Pentru tranzistoare MOS cu canal indus tensiunile de poarta şi de drena au aceeasi polaritate. ca
urmare, pentru polarizare se poate folosi un circuit simplu, cu o singura sursa de curent continuu, cum se
vede pe figura:
R2
U GS = U DD
R1 + R2
pe baza caracteristicii de transfer se poate determina curentul ID; tensiunea
de drenă este atunci:
U DS = U DD − RD I D
35
Tranzistoarele MOS cu canal iniţial trebuie polarizate astfel încât tensiunea de poartă să poată
căpăta atât valori pozitive cât şi valori negative. În figura de mai jos se prezintă un astfel de circuit de
polarizare, cu o singură sursă de alimentare.
Tensiunea de poartă se calculează cu relaţia:

R2
U GS = U DD − RS ID
R1 + R2
Se observă posibilitatea realizării ambelor semne pentru tensiunea de
poartă. Circuitele de curent continuu ale tranzistoarelor MOS nu au, de
regulă, sarcina stabilizării termice a punctelor statice de funcţionare,
datorită dependentei slabe de temperatură a caracteristicilor statice.
! Aplicaţie
Tranzistorul MOS din figură are β = 0.25 mA V 2 şi U T = 4V . Se cere să se calculeze : U GS , I D ,U DS
Soluţie:
R2 10
UG = ⋅ U DD → 12 = 6V , unde U GS = U G = 6V
R1 + R2 10 + 10
I D = β (U GS − U T ) = 0.25 ⋅ (6 − 4 ) = 1mA
2 2
U DS = U DD − I D RD = 12 − 3 ⋅ 1 = 9V > U DSsat = U GS − U T = 2V
Din rezultatele obţinute se vede că tranzistorul MOS se află în regim de saturaţie ( U DS > U DSsat )
! Aplicaţie
Tranzistorul MOS din figură are β = 0.125 mA V 2 şi U T = −2V . Se cere să se calculeze : U GS , I D ,U DS
Soluţie:
R2 3
UG = ⋅ U DD → 12 = 4V
R1 + R2 3+6
I D = β (U GS − U T ) = 0.125 ⋅ (4 + 2) 2 = 4.5mA
2
U G = U GS + I D RS → U GS = U G − I D RS = 4 − 4.5 ⋅ 0.4 = 3.2V

U DS = U DD − I D ( RD + RS ) = 12 − 4.5 ⋅ 1.4 = 5.7V < U DSsat = U GS − U T = 6V
Din rezultatele obţinute se vede că tranzistorul MOS se află în regim de saturaţie ( U DS > U DSsat )
36
1.5.4 Regim variabil de semnal mic.Schema echivalenta de semnal mic.
Utilizarea tranzistoarelor MOS în circuite de amplificare necesita stabilirea unei scheme

echivalente pentru regimul variabil de semnal mic. Tranzistorul MOS lucreaza în regiunea de saturaţie.
Dacă frecventa semnalului este joasa se poate adopta ipoteza cvasistationara, potrivit careia
dependenta între valorile instantanee ale marimilor electrice (iD , uGS , uDS ) este aceeasi ca în curent
continuu, conform relaţiei:
iD = β (uGS − U T )
m
diferenţiind oţinem:
δiD δi
diD = ⋅ duGS + D ⋅ duDS
δuGS δuDS
notând variaţiile mici de semnal: duDS = ud , duGS = ug , diD = id , rezulta o relaţie între componentele
variabile ale mărimilor electrice:
δβ 1
id = βm(U GS − U T ) ug + (U GS − U T )
m −1 m
ud = gmug + ud
δuDS rd
unde s-au utilizat următoarele notatii:
gm panta tranzistorului la frecvente joase data de:
mI D
gm = βm(U GS − U T )
m −1
=
U GS − U T
rd rezistenţa diferenţialăa canalului în regiunea de saturaţie:
1 m δβ I δβ
= (U GS − U T ) = D
rd δuDS β δuDS
Pe baza acestora se poate realiza schema echivalenta la semnale mici:
La frecvenţe înalte trebuie luate în considerare capacităţile între electrozi, asa cum se indică în figura de
mai jos
37
SINTEZA UNOR DISPOZITIVE ELECTRONICE FUNDAMENTALE

Denumire/ Caracteristica de intrare Caracteristica de transfer Caracteristica de ieşire
Simbol grafic
Tranzistor bipolar C
o
pnp m
a
n
d
ă
î
n
Tranzistor bipolar npn
p
u
t
e
r
e
TEC-J canal n
TEC-J canal p
C
o
m
a
n
TEC-MOS canal n iniţial d
ă
î
n
t
e
TEC-MOS canal p iniţial n
s
i
u
n
e
TEC-MOS canal n indus
TEC-MOS canal p indus
38
1.6 Dispozitive multi- şi unijoncţiune
1.6.1 Introducere
Dispozitivele multijoncţiune au trei sau mai multe joncţiuni, au la baza structura pnpn, care are
patru straturi şi trei joncţiuni şi care, datorită caracteristicii sale statice curent-tensiune cu două stări stabile,
se foloseşte în circuitele de comutaţie. Vor fi tratate în acest capitol următoarele dispozitive multijoncţiune:
dioda pnpn, tiristorul convenţional, tiristorul tetroda, diacul, triacul.
Aceste dispozitive multijoncţiune sunt folosite în circuite de impulsuri, în circuite pentru conversia
energiei electrice, circuite de comutaţie.
1.6.2 Dioda pnpn
Dioda pnpn este o structura de siliciu monocristalin cu patru zone alternativ dopate cu impurităţi
acceptoare şi donoare. În figura de mai jos este prezentet schematic modelul unidimensional al acestui
dispozitiv cu trei joncţiuni (J1,J2,J3). Zonele extreme mai puternic dopate se numesc emitori, iar zonele
interioare se numesc baze. Emitor p1+ se mai numeste anod, iar emitorul n2+ catod. Joncţiunile se afla la
distante mici între ele, astfel ca regiunile A-J3 şi J1-C sa poata Îndeplini functia de tranzistor. Dioda pnpn
se mai numeste şi dioda Shockley, dinistor sau dioda cu patru straturi. Simbolul grafic al acestui dispozitiv,
precum şi sensurile pozitive pentru curent şi tensiune sunt prezentate în figura de mai jos:
Caracteristica statica este aratata în aceeasi figura:

în polarizare inversa joncţiunile J1,J3 sunt alimentate invers, iar joncţiunea J2 direct şi ca urmare
curentul prin dispozitiv are valori mici, de ordinul curentului invers printr-o joncţiune pn. La o anumita
valoare a tensiunii inverse UB (breakdown) curentul invers prin dioda creste foarte rapid datorită
strapungerii prin multiplicarea în avalansa a purtatorilor de sarcina a joncţiunii J1 sau J3.
în polarizare directă avem doua stari stabile. una caracterizata prin curent mic şi tensiune mare
(rezistenţa mare),de blocare, alta prin curent mare şi tensiune mică (rezistenţa mică), de conductie.
Crescând tensiunea directă pe dioda, curentul are valori mici, practic curentul invers al joncţiunii centrale
polarizate invers. La o tensiune numita de aprindere (de amorasare) notata cu UBO dispozitivul comuta în
cealalta stare stare stabila, cea de conductie.Regiunea O-A se numeste regiune de blocare, iar regiunea B-
C de conductie. Portiunea intermediara A-B de rezistenţa dinamică negativa este instabila. Comutarea
inversa are loc atunci când curentul direct sau tensiunea directă scad sub valorile de mentinere IH,
respectiv UH.Pentru a studia fenomenele fizice din structuar diodei pnpn se adopta modelul lui Ebers, şi
anume descompunerea structurii pnpn în doua tranzistoare T1 pnp şi T2 npn conectate ca în figura de mai
jos:
iC1 = α F 1iE 1 + I CB 01
iC 2 = α F 2iE 2 + I CB 02
39
unde α F sunt factori de amplificare în curent direct, iar I CB 0 sunt curenţii reziduali de colector.
Prin joncţiunea centrala va trece curentul :
i A = iC1 + iC 2 = αF 1i A + αF 2i A + I O 2 , unde I O 2 = I CBO1 + I CBO 2 este curentul rezidual al joncţiunii J2.

IO2
Din relatia anterioara rezulta: iA = de unde condiţia de amorsare: αF 1 + αF 2 = 1 .
1 − (α F 1 + α F 2 )
În momentul amorsării, la joncţiunea J2 apare multiplicarea în avalanşă a purtătorilor, ce atrage după sine
o creştere puternică a curentului iA.Tensiunea la care se realizează amorsarea este denumită tensiune de
autoamorsare, notată cu U B 0 . Amorsarea diodei pnpn prin creşterea tensiunii anodice reprezintă modul
normal de funcţionare. Exista însă şi moduri parazite de amorsare, prin creşterea temperaturii sau printr-o
variaţie bruscă a tensiunii anodice, moduri ce trebuie evitate la o funcţionare normală.
1.6.3 Diacul
Diacul (Diode alternating current) este un dispozitiv multijoncţiune care are proprietatile diodei
pnpn în ambele sensuri de conductie. Dispozitivul are cinci straturi şi patru joncţiuni, poate fi considerat ca
fiind realizat din doua structuri pnpn asezate antiparalel în acelasi monocristal de siliciu. Diacul are
conduvctibilitate bidirectionala, cei doi electrozi între care circula curentul principal iT se numesc terminal T1
şi terminal T2.
La aplicarea unei tensiuni pozitive (vezi figura următoare) structura din dreapta este pola-rizata
direct, se amorseaza la o tensiune de amorasare naturala şi are caracteristica din cadranul I.
Când polaritatea tensiunii se inversează, intră în conducţie structura din stânga, rezultând ramura
simetrică a caracteristicii. Este de dorit ca tensiunile de amorsare să fie egale, pentru o caracteristică
simetrică. Datorită caracteristicii bidirecţionale, simetrice, diacul se foloseşte în circuitele de curent
alternativ, fiind un dispozitiv de putere mică, se utilizează în circuitele de comandă ale tiristoarelor şi
dispozitivelor triac.
1.6.4 Tiristorul conventional
Tiristorul este o structură pnpn prevăzută cu electrod de comandă prin conectarea zonei p
adiacente catodului, după cum se vede pe figură:
Electrodul de comanda, poarta, G (gate), anod şi catod sunt cele trei terminale ale tiristorului. Acest tiristor
se numeste "conventional" deoarece el constituie varianta cea mai des întâlnită.
40
Amorsarea tiristorului se realizeaza prin injectarea unui curent pe poarta, la o tensiune mai mică
decât cea de autoamorsare sau la tensiunea de autoamorsare fara curent de poarta, mod utilizat foarte rar
sau deloc.
Denumirea de "tiristor" provine de la numele unui tubul electronic cu gaz cu funcţionare
asemănătoare numit tiratron (TIRatron transISTOR)
Analiza fenomenelor fizice ce au loc la amorasarea tiristorului prin injectarea unui curent de poartă
se poate face echivalând structura cu două tranzistoare complementare , ca în cazul diodei pnpn, după
cum se vede pe figura următoare:
Avem relatiile: prin joncţiunea J2 circulă curentul:

iC 2 = α F 2 (iA + iG ) + ICB 02 i A = α F 1i A + α F 2 (i A + iG ) + I CB 02 → i A =
α F 2iG + I O2
iC1 = α F 1iE 1 + I CB 01 1 − (α F 1 + α F 2 )
Această relaţie indică posibilitatea creşterii nelimitate a curentului prin structură, dacă este
îndeplinită condiţia de amorsare, amorsarea poate avea loc la o tensiune anodica mai mică decât
tensiunea de autoamorsare. Procesele fizice sunt aceleaşi ca la amorsarea diodei pnpn, deosebirea fiind
ca iniţierea amorsării este provocată prin injectarea unui curent iG prin joncţiunea J3 şi nu prin creşterea
tensiunii anodic. Dependenţa factorilor de curent de curentul prin dispozitiv stă la baza procesului de
amorsare a tiristorului. Urmărind caracteristicile statice curent-tensiune, se observă că la curenţi de poartă
mai mari tensiunea de amorsare este mică, peste o anumită valoare a curentului de poartă, amorsarea are
loc pe curba punctată, ca la o joncţiune pn (tiristorul este de fapt o diodă comandată).
În funcţionare normală, tensiunea anodică trebuie să fie mai mică decât tensiunea de
autoaprindere UBO. Pentru comutare directă se aplică un curent de poartă căruia îi corespunde o tensiune
de aprindere UA<UBO.
În polarizare inversă, tiristorul se comportă ca o dioda pnpn, prin el trecând un curent mic, iar la
tensiunea UB are loc străpungerea tiristorului.
Pentru a bloca tiristorul trebuie micşorat curentul prin structură sub valoarea de menţinere IH
(HOLD) (tensiunea la borne scade şi ea sub valoarea de mentinere UH), deoarece după amorsare, poarta
îsi pierde rolul de electrod de comandă, în sensul că nu poate acţiona şi pentru blocarea tiristorului, totuşi
acest rol va fi reluat dar numai după blocarea tiristorului.
Semnalul de comandă pentru amorsarea tiristorului poate fi atât semnal continuu cât şi impulsuri
de polaritate corespunzătoare. Comutarea directă şi blocarea tiristorului au loc în timp finit, fiind legate de
procese fizice de injecţie şi extracţie de purtători de sarcină.
Timpul de comutare directă creste cu temperatura şi cu curentul anodic, dar scade când amplitudinea
semnalului de comandâ creste. Dacă semnalul de comanda este un impuls, trebuie sa aibă o durata
minima, timp de mentinere pe poarta, sub care comutarea nu are loc.Timpul de comutare inversa creste de
asemenea cu temperatura şi curentul anodic şi scade când amplitudinea semnalului de comutare creste.
Astfel, pentru blocare este suficient sa micşorăm tensiunea anodică sub valoarea de menţinere, dar timpul
de comutare inversă scade dacă inversăm polaritatea tensiunii pe anod.
Dacă semnalul de blocare este un impuls, există o durată minimă a acestuia, numită timp de revenire pe
poartă sub care blocarea nu are loc.În tiristoarele rapide timpii de comutare sunt de ordinul a câteva
microsecunde, iar timpul de blocare este în general mai mare decât cel de comutare directă.
41
1.6.5 Tiristorul tetrodă
Este un dispozitiv pnpn la care se contactează şi cel de al patrulea strat, care are tot rol de
electrod de comandă, de poartă, numit poartă anodică
Pe poarta catodică tiristorul tetrodă poate fi amorsat ca şi tiristorul convenţional, prin aplicarea unei
tensiuni (curent) pozitive sau a unui impuls pozitiv, iar pe poartă anodică dispozitivul se poate amorsa prin
aplicarea unei tensiuni sau a unui impuls negativ. Amorsarea pe poarta anodică necesită un curent de
comanda mai mare decât pe poarta catodică. Existenţa celei de a doua porţi de comandă extinde
posibilităţile de utilizare ale tiristorului tetrodă în raport cu acelea ale tiristorului convenţional Tiristorul
tetrodă are dezavantajul unor puteri disipate şi al unor tensiuni de lucru relativ reduse.
1.6.6 Triacul
Triacul este un dispozitiv cu cinci straturi, echivalent cu două tiristoare aşezate antiparalel în
acelaşi monocristal de siliciu, având un singur electrod de comandă (TRIode Alternating Current).
Caracteristica curent tensiune pentru ambele sensuri ale tensiunii aplicate în circuitul principal, are forma
corespunzătoare tiristorului polarizat în sens direct.
Datorită conductibilităţii bidirecţionale, cei doi electrozi între care circulă curentul principal iT se
numesc terminalul T1 şi terminalul T2. Comanda pe poartă se poate face cu semnale de ambele polarităţi
pentru fiecare dintre cele două sensuri ale curentului principal.
Se disting patru moduri de funcţionare: modul I uT > 0, uG > 0
modul II uT > 0, uG < 0
modul III uT < 0, uG < 0
modul IV uT < 0, uG > 0
Triacul se foloseste în circuitele de reglare şi comandă a puterii de curent alternativ. tensiunea de
autoaprindere trebuie să fie mai mare decât valoarea de vârf aplicată triacului între cele două terminale
pentru a asigura amorsarea dispozitivului pe poartă la orice valoare instantanee a tensiunii de alimentare.
Comanda porţii se face prin tensiune continuă, tensiune alternativă redresată (nefiltrată), alternativă sau în
impulsuri. IPRS Baneasă produce triace de 6 (de exemplu TB10N6 pentru 600V), respectiv 10 A,
(TB10N6), diace de 32, 38, 44, 50 V (DC32, DC38, DC44, DC50).
Pentru aplicaţii de putere se recomandă utilizarea triacelor cu radiator pentru eliminarea puterii
disipate.
42
! Aplicaţie
Pe schema de mai jos se reprezintă o schema de variator de curent alternativ, realizat cu un triac,
comandat cu ajutorul unui diac.
Condensatorul C1 se încarcă până la tensiunea de autoaprindere a diacului, moment în care diacul

se deschide asigurând curentul de poartă necesar amorsării triacului. Puterea pe sarcină se variază prin
variaţia unghiului de conducţie a triacului. Prin R1, se reglează durata de încărcare a condensatorului C1,,
iar R2 are rolul de a limita curentul prin diac, iar C2 are rol de filtrare.
1.7 Dispozitive optoelectronice
1.7.1 Generalităţi. Clasificări
Dispozitivele optoelectronice reprezintă o categorie de dispozitive electronice a caror funcţionare

presupune existenta unei radiatii electromagnetice în domeniul optic Transformarea energiei radiatiei
electromagnetice în energie electrică şi invers se face în mod direct, fara intermediul altor forme de
energie. Fenomenele fizice fundamentale care stau la baza funcţionarii dispozitivelor optoelectronice sunt
absorbtia radiatiei electromagnetice în corpul solid şi recombinarea radiativa a purtatorilor de sarcina în
semiconductor. dispozitivele electronice se împart în doua mari categorii:
-dispozitive bazate pe efectul fotoelectric intern
-dispozitive optoelectronice electroluminescente
1.7.2 Dispozitive optoelectronice bazate pe efectul fotoelectric intern
1.7.2.1 Fotorezistenţa
Fotorezistenţa este un rezistor realizat dintr-un material semiconductor, a carei rezistenţa depinde
de valoarea intensitatii fluxului luminos. Constructiv este realizata dintr-o placuta de material
semiconductor omogen, prevazuta cu capete cu contacte ohmice. o mArime importantA ce defineste
fotorezistenţa este rezistenţa de întuneric, ca fiind rezistenţa la echilibru termic:
l
RO = ρO , unde ρO este rezistivitatea în absenta iluminării
wd
Pentru grosimi w mici se poate considera ca lumina este absorbita uniform în tot volumul
materialului. În urma absorbtiei, în semiconductor se genereaza perechi electron-gol care duc la
micsorarea rezistivitatii si, implicit a rezistentei. Conductanta fotorezistentei este direct proportionala cu
intensitatea fluxului luminos incident. Alte marimi ce definesc funcţionarea fotorezistentei sunt:
43
-pragul fotoelectric, adica lungimea de unda maxima pâna la care efectul fotoelectric mai este
prezent
-inertia fotorezistentei, exprimata prin timpul necesar stabilirii valorilor stationare ale concentratiilor
purtatorilor mobili.
1.7.2.2 Fotodioda
Fotodioda este un dispozitiv optoelectronic realizat pe baza unei joncţiuni pn sau a unui contact
metal-semiconductor, polarizat imvers. În conditii de întuneric, curentul prin joncţiune polarizata invers este
datorat perechilor electron-gol generate în interiorul regiunii de sarcina spatiala şi în regiunile neutre.
În prezenta luminii apare o generare suplimentara de purtatori, deci un curent suplimentar IL ,
atunci curentul invers are expresia:
I R = IO + I L
Generarea de purtatori sub influenta luminii se face în tot volumul joncţiunii unde lumina este
absorbita. Purtatorii de sarcina generati în regiunile neutre se deplaseaza spre regiunea de sarcina
spatiala prin curenti de câmp sau de difuzie, dar sunt supusi recombinării.
În figura de mai jos se prezinta caracteristicile statice ale fotodiodei la diferite valori ale iluminarii:
  qU A  
I A = Io  exp  − 1 − I L
  mkT  
O altă caracteristică importantă a fotodiodei este caracteristica spectrală, care indică răspunsul
relativ al fotodiodei în funcţie de lungimea de undă a radiaţiei luminoase.
1.7.2.3 Fotoelementul
Fotoelementul este un dispozitiv optoelectronic care realizează conversia directă a energiei

luminoase în energie electrică , prin apariţia la borne a unei tensiuni electromotoare. Constructiv, se poate
spune, este identic cu fotodioda, doar că aria sa este mult mai mare pentru a putea oferi o suprafaţă mai
mare de iluminare şi , deci o energie electrică mai mare. Întrucât de cele mai multe ori energia luminoasă
este cea solară fotoelementele se mai numesc şi baterii solare. Circuitul electric pentru aplicaţii nu mai
cuprinde surse exterioare ci numai rezistenţa de sarcina.
mkT  IL 
Mărimea tensiunii electromotoare rezultă din următoarea relaţie: EFE = U FE = ln 1 + 
I FE = 0 q  IO 
Puterea maximă ce se poate obţine la ieşire este în jur de 30 mW
44
1.7.2.4 Fototranzistorul
Fototranzistorul este un dispozitiv optoelectronic, realizat pe o structură de tranzistor,

al cărui curent de colector este comandat de un flux luminos.
Baza tranzistorului este înlocuită cu o suprafaţă care poate fi iluminată, asigurând
astfel curentul de bază necesar. Cu toate acestea unele fototranzistoare sunt prevăzute şi
cu electrod de bază . Simbolul grafic este prezentat pe figura următoare, iar
caracteristicile sunt practic identice cu caracteristicile tranzistorului bipolar.
1.7.2.5 Fototiristorul
Fototiristorul este un dispozitiv optoelectronic realizat pe o structura de tiristor, a carui aprindere se

face sub actiunea unui flux luminos. Şi în acest caz tensiunea de amorsare scade cu creşterea intensitatii
fluxului luminos
1.7.3 Dispozitive optoelectronice bazate pe emisia radiaţiei luminoase
1.7.3.1 Dioda electroluminescentă
Fenomenul de emisie a radiatiei luminoase se mai numeste şi luminescenta. Emisia de lumina în

semiconductoare se datoreaza recombinarii radiative a purtatorilor de sarcina.
Dioda electroluminescenta (Light Emitting Diode), dioda LED, este realizata dintr-o joncţiune pn polarizata
direct. luminescenta se realizeaza prin injectie de purtatori minoritari. simbolul grafic şi caracteristicile
curent-tensiune, respectiv cele spectrale se prezinta în figura următoare:
Diodele electroluminescente sunt folosite ca simple indicatoare luminoase sau servesc la

realizarea elementelor de afisare, dar elementele de afisaj de dimensiuni reduse nu folosesc diode
separate, ci acestea se realizeaza integrat în aceeasi placuta de semiconductor (GaAs). În scopul
economisirii materialului semiconductor, dimensiunea reala a cifrei este foarte mică, pentru a fi usor
observabila deasupra structurii se monteaza lentile convergente, care maresc imaginea.
1.7.3.2 Optocuploare
Optocuplorul se obţine prin interconectarea unei diode electroluminescente cu un fototranzistor

(fotodioda, fototiristor, fotoelement, etc) astfel încât semnalul electric ajuns pe dioda LED sa fie transferata
de aceasta catre fototranzistor.
De obicei randamente de transfer relativ ridicate se obtin în domeniul

frecventelor infrarosii. Optocuploarele pot fi utilizate pentru transfer de
semnale atât de curent continuu, cât şi de curent alternativ, frecventa
limita fiind ordinul zecilor de MHz.
45
Receptoare foto
În schemele următoare se prezinta doua circuite simple, receptoare foto. În primul caz la apariţia
fluxului luminos, fototranzistorul intra în saturaţie, tensiunea de ieşire fiind practic nula.
În al doilea caz , la apariţia fluxului luminos tranzistorul intra în conductie, tensiunea de ieşire va
avea valoare foarte apropiată de valoarea tensiunii de alimentare.
Pentru a obţine valori mai mari pentru curentul de ieşire, se poate utiliza încă un tranzistor bipolar
pentru un montaj Darlington.
46

Dispozitive Si Circuite Electron Ice 1

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive Si Circuite Electron Ice 1

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Universitatea “Petru Maior”

Şef lucrări ing Germán Z

Dispozitive şi circuite electronice I

Curs. Format electronic

Anul universitar 2005-2006

Dispozitivele electronice pot fi privite ca elemente ale circuitelor electronice,

Este interesant de remarcat că în majoritatea cazurilor proprietăţile de interes ale dispozitivelor

Dispozitivele semiconductoare au în construcţia lor regiuni ale reţelei monocristaline cu diverse

1.1.1 Joncţiunea pn la echilibru termic

Ca urmare, procesul de scădere a concentraţiilor de purtători majoritari nu se continuă până la

1.1.2. Caracteristica statică a joncţiunii pn

Caracteristeica statică desemnează dependenţa curentului prin joncţiune , de tensiunea aplicată

-polarizare directă pentru care U A > 0 → I A > 0

1.1.3. Străpungerea joncţiunii pn

Fenomenul electric de străpungere a joncţiunii pn constă în creşterea puternică a curentului în

1.1.4 Circuitul echivalent al joncţiunii pn

1.2 Diode semiconductoare

1.2.1 Diode redresoare

Diodele redresoare se folosesc la transformarea curentului alternativ în curent continuu, de obicei

1.2.2 Diode varicap

1.2.3 Diode stabilizatoare (Zener)

Diodele stabilizatoare folosesc regiunea de străpungere (efect Zener) a caracteristicii statice în

Aceste valori se retin ca fiind solutia problemei. Se

Se obtin rezultatele: U R1 = 104V ;U R 2 = 96V ; I = 105µA

În circuitul din figură diodele au IO1 = 2 pA şi respectiv IO 2 = 8 pA . Caracteristicile lor se considera

efectuând un calcul iterativ (ca în prima aplicatie) se obţine:

Curentul total I se divide prin fiecare dioda proportional cu curenţii de saturaţie:

1.3. Tranzistorul bipolar

1.3.1. Introducere. Simboluri. Tipuri de caracteristici.

uCB = uCB + uEB

OBSERVAŢIE: tranzistorul va fi complet descris prin specificarea a două seturi de caracteristici

1.3.2 Principiul de funcţionare (efectul de tranzistor)

Ecuaţii de dispozitiv. În funcţionare normală, joncţiunea colector-bază se polarizează invers iar

uEE = uEB + RE I E , uEB

1.3.3 Componentele curenţilor prin tranzistor

unde i E ,n este curentul propriu de electroni al joncţiunii emitorului.

i E = i E , p + i E ,n ⇒ iC = γ E βT i E + I CB 0 ⇒ iC = α F i E + I CB 0 unde αF = γ E βT este factorul de

1.3.4 Descrierea funcţionării în regiunea activă normală

• conexiunea BC (bază comună)

rezidual de colector în conexiunea EC (măsurat cu baza în gol).

1.3.5 Modelul de semnal mare (EBERS - MOLL) al tranzistorului bipolar

a). modelul cu generatoare de curent controlate de curenţii la borne

b). Model cu generatoare de curent comandate de curenţii prin diode

αF IES = αR ICS deci cei patru parametrii nu sunt independente.

c Modelarea tranzistorului în diverse regiuni de lucru

d. Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor npn

uEB = − uBE , uCB = − uBC

1.3.6. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

1.3.6.1. Caracteristicile statice în conexiunea bază comună (BC)

prima ecuaţie poate fi interpretată ca iE = iE (uEB ) ca o caracteristică de intarare

• Caracteristicile de transfer iC = iC ( uEB )

1.3.6.2. Caracteristicile statice în conexiune emitor comun (EC)

Prin scăderea ecuaţiilor

Caracteristica uCE = 0 este de asemenea de tip diodă:

Cele mai folosite sunt iC =iC (-uCE ) pentru iB = ct.

1.3.7. Polarizarea tranzistorului într-un punct dat de funcţionare, în regiunea activă

Dispersia parametrilor tranzistorului de la un exemplar la altul face ca să nu se poată pune bază pe

Punctul static de funcţionare (PSF) se va găsi la intersecţia caracteristicii iB = IB = ct. ,unde

Pentru alt βF , caracteristica iB = IB = ct. are altă

În continuare se prezintă un circuit de polarizare cu rezistenţă în emitor, unde pentru simplitate

• Se observă că IC , curentul de colector al tranzistorului presupus a funcţiona în regiunea activă normală,

Dimensionarea rezistenţei RB ne conduce la valori mari, ceea ce nu satisface R2

1.3.8.Limitări în funcţionare datorată variaţiei temperaturii şi disipaţiei de putere

1.3.8.1 Variaţia caracteristicilor electrice cu temperatura