File PDF

Capitolul 1
Dioda semiconductoare “p-n”
1. Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu p a fost notată:

1p
Jonţiune
metalurgică
A C
p ≅ NA n ≅ ND
Figura 1.1
a) concentraţia de atomi acceptori;
b) concentraţia de atomi donori;
c) concentraţia de electroni;
d) concentraţia de goluri.
2. Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu n a fost notată:

1p
3. Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu NA a fost notată:

1p
4. Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu ND a fost notată:

1p
1
Dida semiconductoare „p-n”
5. Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu A a fost

1p notat:
vA
A C
iA
Figura 1.2
a.) anod;
b.) catod;
c.) valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă;
d.) valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;
6. Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu C a fost

1p notat:
a.) anod;
b.) catod;
7. Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu vA a fost

1p notat:
a.) anod;
b.) catod;
8. Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu iA a fost

1p notat:
a.) anod;
b.) catod;
9. Prin efect de diodă se înţelege:

3p
a.) în funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă
numai de la catod spre anod;
b.) în funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă
numai de la anod spre catod;
c.) în funcţionare normală – practic – sensul curentului prin diodă
este dictat de circuitul exterior diodei;
d.) în funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă
2
Elemente de electronică analogică - teste
uneori de la anod la catod alteori de la catod la anod;
10. Figura 1.3 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notată 1
1p reprezintă
E
- - + + + +
- - + + + +
p - - + + + + n
- - + + + +
- - + + + +
- - + + + +
- - +
1. 2. 3.
Figura 1.3
a.) regiunea neutră p;
b.) regiunea neutră n;
c.) regiunea de tranziţie;
d.) nu are o semnificaţie deosebită.
1p reprezintă
1p reprezintă
14. Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de

2p tranziţie -responsabilă pentru apariţia efectului de diodă - apare în jurul
joncţiunii metalurgice ca efect al:
E
- -- - + + + + +
- -- - + + + + +
p - -- - + + + + + n
- -- - + + + + +
- -- - + + + + +
Regiune Regiune de Regiune

neutra p tranziţie neutră n
Figura 1.4
a.) difuziei purtătorilor fixi;
3
b.) sarcinii purtătorilor mobili;

c.) sarcinii purtătorilor fixi;
d.) difuziei purtătorilor mobili.

joncţiunii metalurgice ca efect al difuziei purtătorilor mobili. Fenomenul
de difuzie este cauzat de:
a.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori dintre
regiunea neutră p şi regiunea de tranziţie;
b.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori dintre
regiunea neutră n şi regiunea de tranziţie;
c.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori dintre
regiunea neutră n şi regiunea neutră p;
d.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori din
jurul joncţiunii metalurgice.

joncţiunii metalurgice ca efect al difuziei purtătorilor mobili. Fenomenul
de difuzie este cauzat de gradientul de concentraţie existent în jurul
joncţiunii metalurgice. Urmare a acestui fenomen în structură apar
sarcini fixe reprezentate de:
a.) ionii prinşi în reţeaua cristalină;
b.) electronii din structură;
c.) golurile din structură;
d.) structura reţelei cristaline
17. Câmpul electric intern existent la nivelul regiunii de tranziţie este

2p datorat:
a.) ionilor prinşi în reţeaua cristalină;
b.) electronilor din structură;
c.) golurilor din structură;
d.) structurii reţelei cristaline.
18. La polarizare inversă plus (+) pe catod şi minus (-) pe anod bariera
2p internă de potenţial este:
a.) crescută;
b.) coborâtă;
c.) neafectată;
d.) uneori crescută, uneori coborâtă.
4
19. La polarizare directă plus (+) pe anod şi minus (-) pe catod bariera
2p internă de potenţial este:
a.) crescută;
b.) coborâtă;
c.) neafectată;
d.) uneori crescută, uneori coborâtă.
20. Din punct de vedere formal, dioda este integral descrisă de:
2p
a.) singură ecuaţie caracteristică;
b.) un sistem de două ecuaţii caracteristice;
c.) un număr de ecuaţii care depinde de topologia circuitului;
d.) un număr de ecuaţii care depinde de regimul de funcţionare
21. Din punct de vedere formal, în regim cvasistatic de semnal mare dioda
3p este integral descrisă de o ecuaţie de tipul:
a.) E  i , diA , K , d i A , v , dv A , K , d v A , θ , K , θ  = 0
n m
 A
dt dt n
A
dt dt m
1 p
 
b.) E (i A , v A ) = 0
c.) ia = g a va
d.) E  i , diA , K , d i A , v , dv A , K , d v A  = 0
n m
 A dt dt n
A
dt dt m 
 
22. Din punct de vedere formal, în regim cvasistatic de semnal mic dioda
3p este integral descrisă de o ecuaţie de tipul:
a.) E  i , diA , K , d i A , v , dv A , K , d v A , θ , K , θ  = 0
n m
 A dt dt n A
dt dt m
1 p
 
b.) E (i A , v A ) = 0
c.) ia = g a va
d.) E  i , diA , K , d i A , v , dv A , K , d v A  = 0
n m
 A dt dt n
A
dt dt m 
 
23. Ecuaţia caracteristică statică (sau mai simplu caracteristica statică) a

2p diodei ideale este
a.) i = I exp eT  − 1
A S  
  vA  
5
b.) i = I exp v A  − 1

A S  
  eT  
c.) i = I exp v A  + 1
A S  
  eT  
d.) i = I exp eT  + 1
A S  
  vA  
24. Ecuaţia caracteristică statică (sau mai simplu caracteristica statică) a

2p diodei ideale este:
 v  
i A = I S exp A  − 1
  eT  
unde:
kT
eT =
q
şi poartă numele de tensiune termică. S-au folosit notaţiile:
k constanta lui Boltzman;
q sarcina electronului;
T temperatura absolută.
La temperatura ambiantă eT are valoarea:
a.) eT≅2.5 mV
b.) eT≅25 mV
c.) eT≅250 mV
d.) eT≅2.5 V
25. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode.

1p
iA
VBR
2. 4.
vA
IS 3.
Vγ
1.
Figura 1.5
IS reprezintă:
a) curentul mediu redresat monoalternanţă;
b) curentul maxim admisibil;
6
c) curentul rezidual;
d) curentul mediu redresat dublă alternanţă.

1p
Vγ reprezintă:
a) tensiunea de străpungere;
b) tensiunea de prag;
c) tensiunea medie redresată monoalternanţă;
d) tensiunea medie redresată dublă alternanţă

1p
VBR reprezintă:
a) tensiunea de străpungere;
b) tensiunea de prag;
c) tensiunea medie redresată monoalternanţă;
d) tensiunea medie redresată dublă alternanţă
28. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. Cu 1 a fost notată
1p regiunea de:
a) străpungere;
b) blocare la polarizare inversă;
c) blocare la polarizare directă;
d) conducţie
1p regiunea de:
a) străpungere;
d) conducţie
1p regiunea de:
a) străpungere;
d) conducţie
7
1p regiunea de:
a) străpungere;
d) conducţie
32. Figura 1.6 prezinta o posibilă liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 şi
2p poartă numele de model de ordin zero.
iA
Model de ordin zero Caracteristica reală
vA
Figura 1.6
Conform acestei aproximări schema echivalentă a diodei este:
a.) Vγ rB
A C conducţie
A C
A C
blocare
b.) Vγ
A C conducţie
A C
A C
blocare
c.) A C
conducţie
A C
A C blocare
d.)
A C conducţie
A C
A C
blocare
2p poartă numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximări în
regim de conducţie dioda se comportă ca:
a) un rezistor;
b) un circuit întrerupt;
c) un scurtcircuit;
d) un condensator
8
2p poartă numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximări în

regim de blocare dioda se comportă ca:
a) un rezistor;
b) un circuit întrerupt;
c) un scurtcircuit;
d) un condensator
35. Multiplicarea în avalanşă are loc la:

3p
a) tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor slab dopate.
b) tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor slab dopate.
c) tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.
d) tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.
36. Efectul "tunel" are loc:

3p
a) tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor slab dopate.
b) tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor slab dopate.
c) tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.
d) tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.
37. Figura 1.7 prezintă caracteristica statică a unei diode stabilizatoare.

2p
iZ
IZM
IZm
vZ
VZ
Figura 1.7
Pentru a putea realiza funcţia de stabilizare a tensiunii o asemenea diodă
trebuie să lucreze în regim de:
a) străpungere;
d) conducţie
38. Figura 1.7 prezintă caracteristica statică a unei diode stabilizatoare.

2p Pentru a putea realiza funcţia de stabilizare a tensiunii trebuie să
satisfacă condiţia:
a) I Z m ≥ iZ ≤ I Z M
9
b) I Z m ≤ iZ ≤ I Z M
c) I Z m ≥ iZ ≥ I Z M
d) I Z m ≤ iZ ≥ I Z M
39. În situaţii reale există anumite limitări pentru a evita distrugerea unei
2p diode redresoare. Cele mai uzuale limitări sunt:
a) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VBR (tensiunea de
străpungere);
b) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi VZ (tensiunea
nominală de stabilizare)
c) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VZ (tensiunea nominală
de stabilizare)
d) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi IFM (curentul
direct maxim admisibil)
40. În situaţii reale există anumite limitări pentru a evita distrugerea unei
2p diode stabilizatoare. Cele mai uzuale limitări sunt:
a) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VBR (tensiunea de
străpungere);
b) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi VZ (tensiunea
nominală de stabilizare)
c) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VZ (tensiunea nominală
de stabilizare)
d) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi IFM (curentul
direct maxim admisibil)
41. Valoarea curentului IA care circulă prin dioda din figura este
4p aproximativ:
R1(1kΏ)
(1k)
IR
I R2(1kΏ) E
(2mA) (1k) (10V)
IA
D VA
Figura 1.8
a) IA ≅ 4 mA
b) I A ≅ −4 mA
c) I A ≅ 0 mA
d) I A ≅ 2 mA
10
42. Căderea de tensiune pe dioda prezentă în circuitul din figura 1.8 este
4p aproximativ:
a) VA = −10 V
b) VA = −8 V
c) VA = 8 V
d) VA = 10 V
43. Condiţia de semnal mic pentru o diodă semiconductoare este îndeplinită

3p dacă:
a) semnalul pe diodă este mai mic de 2.5 mV
b) semnalul pe diodă este mai mic de 10 mV
c) semnalul pe diodă este mai mic de 25 mV
d) semnalul pe diodă este mai mic de 100 mV
44. Conductanţa de semnal mic a diodei semiconductoare are valoarea:

3p
a) g a [mS ] = 25 I A [mA]
b) g a [mS ] = 2.5 I A [mA]
c) g a [mS ] = 4 I A [mA]
d) g a [mS ] = 40 I A [mA]
45. Modelul matematic al unei diode semiconductoare care lucrează în regim

3p cvasistatic de semnal mic este:
a) ia = g a va
b) i = I exp v A  − 1
A S  
  eT  
c) ia = g a va −1
d) i = I exp v A 
A S  
  eT 
46. Schema echivalentă a unei diode semiconductoare care lucrează în regim

3p cvasistatic de semnal mic este:
a.) b.) c.) d.)
Ca
ga A C A C
A C
A C
ga
11
Răspunsuri
1. Răspuns corect: d.) 24. Răspuns corect b.)

2. Răspuns corect: c.) 25. Răspuns corect c.)
3. Răspuns corect: a.) 26. Răspuns corect b.)
4. Răspuns corect: b.) 27. Răspuns corect a.)
5. Răspuns corect a.) 28. Răspuns corect a.)
6. Răspuns corect b.) 29. Răspuns corect b.)
7. Răspuns corect c.) 30. Răspuns corect c.)
8. Răspuns corect d.) 31. Răspuns corect d.)
9. Răspuns corect b.) 32. Răspuns corect d.)
10. Răspuns corect a.) 33. Răspuns corect c.)
12. Răspuns corect b.) 35. Răspuns corect a.)
15. Răspuns corect d.) 37. Răspuns corect a.)
16. Răspuns corect a.) 38. Răspuns corect b.)
19. Răspuns corect b.) 41. Răspuns corect c.)
22. Răspuns corect c.) 44. Răspuns corect d.)
12
Capitolul 2
Circuite de redresare
1. Figura 2.1 prezintă:

1p
Tr D RL
iL
Vp Vs vL
Figura 2.1
a) un redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistivă;
b) un redresor dublă alternanţă cu sarcina rezistivă;
c) un redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistiv-inductivă;
d) un redresor dublă alternanţă cu sarcina rezistiv-inductivă.
2. Figura 2.1 prezintă un redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistivă. Cu

1p Tr. a fost notat:
a) rezistenţa de sarcină;
b) elementul neliniar, asigură efectul de redresare;
c) transformatorul de alimentare;
d) amplitudinea tensiunii alternative din primar;

1p RL a fost notat:

1p D a fost notat:
13

1p Vp a fost notată:
a) amplitudinea tensiunii alternative din primar;
b) amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
c) valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcină;
d) valoarea instantanee a curentului prin sarcină.

1p Vs a fost notată:

1p vL a fost notată:

1p iL a fost notată:
9. Dioda D prezentată în figura 2.1 conduce:

1p
a) numai pe alternanţa pozitivă;
b) numai pe alternanţa negativă;
c) uneori pe alternanţa pozitivă, alteori pe alternanţa negativă;
d) atât pe alternanţa pozitivă, cât şi pe alternanţa negativă
10. Figura 2.2 prezintă formele de undă caracteristice unui:

2p
14
Vs
ωt
vL
Vs
VL
ωt
π 2π 3π 4π 5π
Figura 2.2
a) redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistivă;
b) redresor dublă alternanţă cu sarcina rezistivă;
c) redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistiv-inductivă;
d) redresor dublă alternanţă cu sarcina rezistiv-inductivă.
11. Valoarea componentei continue de la ieşirea redresorului prezentat în

4p figura 2.1 este
2Vs
a) VL = ;
π
V
b) VL = s ;
2π
Vs
c) VL = ;
π
Vs
d) VL = 2 .
π
unde
Vs - valoarea amplitudinii tensiunii alternative din secundar;
VL - valoarea componentei continue

1p
Tr D1 iL RL
vL
Vs
Vp
Vs
D2
Figura 2.3
b) un redresor dublă alternanţă cu priza mediană;
15
c) un redresor dublă alternanţă în punte;

13. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu Tr.
1p a fost notat:
14. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu RL

1p a fost notat:
15. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu D1

1p şi D2 au fost notate:
b) elementele neliniare, asigură efectul de redresare;
16. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu Vp

1p a fost notată:
17. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu Vs

1p a fost notată:
18. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu vL

1p a fost notată:
16

19. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu iL a

1p fost notată:
20. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. În

2p funcţionare normală:
a) pe alternanţa pozitivǎ atât dioda D1 cât şi dioda D2 conduc;
b) pe alternanţa pozitivǎ dioda D1 conduce, iar dioda D2 este
blocatǎ;
c) pe alternanţa pozitivǎ dioda D1 este blocatǎ, iar dioda D2
conduce;
d) pe alternanţa pozitivǎ atât dioda D1 cât şi dioda D2 sunt blocate.
21. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. În

2p funcţionare normală:
a) pe alternanţa negativă atât dioda D1 cât şi dioda D2 conduc;
b) pe alternanţa negativă dioda D1 conduce, iar dioda D2 este
blocatǎ;
c) pe alternanţa negativă dioda D1 este blocatǎ, iar dioda D2
conduce;
d) pe alternanţa negativă atât dioda D1 cât şi dioda D2 sunt blocate.

2p
Vs
ωt
vL
Vs
VL
π 2π 3π 4π 5π ωt
Figura 2.4
b) redresor dublă alternanţă cu sarcină rezistivă;
17
c) redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistiv-inductivă;

d) redresor dublă alternanţă cu sarcină rezistiv-inductivă.

4p figura 2.3 este
2Vs
a) VL = ;
π
Vs
b) VL = ;
2π
Vs
c) VL = ;
π
Vs
d) VL = 2 .
π
unde

1p
Tr
D4 D1
Vp
Vs
D3 D2 RL
Figura 2.5
b) un redresor dublă alternanţă cu priza mediană;
c) un redresor dublă alternanţă în punte;
25 Figura 2.5 prezintă un redresor dublă alternanţă în punte. Cu Tr. a fost

1p notat:
26. Figura 2.5 prezintă un redresor dublă alternanţă în punte. Cu RL a fost
18
1p notat:
27. Figura 2.5 prezintă un redresor dublă alternanţă în punte. Cu D1, D2, D3
1p şi D4 au fost notate:
b) elementele neliniare, asigură efectul de redresare;
28. Figura 2.5 prezintă un redresor dublă alternanţă în punte. Cu Vp a fost

1p notată:
29. Figura 2.5 prezintă un redresor dublă alternanţă în punte. Cu Vs a fost

1p notată:
30. Figura 2.5 prezintă un redresor dublă alternanţă în punte. În funcţionare

2p normală:
a) pe alternanţa pozitivǎ diodele D1, D2 , D3 şi D4 conduc;
b) pe alternanţa pozitivǎ diodele D1 şi D3 conduc, iar diodele D2 şi
D4 sunt blocate;
c) pe alternanţa pozitivǎ diodele D1 şi D3 sunt blocate, iar diodele
D2 şi D4 conduc;
d) pe alternanţa pozitivǎ diodele D1, D2 , D3 şi D4 sunt blocate.
31. Figura 2.5 prezintă un redresor dublă alternanţă în punte. În funcţionare

2p normală:
a) pe alternanţa negativă diodele D1, D2, D3 şi D4 conduc;
b) pe alternanţa negativă diodele D1 şi D3 conduc, iar diodele D2 şi
D4 sunt blocate;
19
c) pe alternanţa negativă diodele D1 şi D3 sunt blocate, iar diodele

D2 şi D4 conduc;
d) pe alternanţa negativă diodele D1, D2, D3 şi D4 sunt blocate.

4p figura 2.5 este
2Vs
a) VL = ;
π
Vs
b) VL = ;
2π
Vs
c) VL = ;
π
Vs
d) VL = 2 .
π
unde

1p
Tr D C RL
iL
+
Vp Vs vL
Figura 2.6
b) un redresor dublă alternanţă cu sarcina rezistivă;
c) un redresor mono-alternanţă cu filtru capacitiv;
34. Figura 2.6 prezintă un redresor mono-alternanţă cu filtru capacitiv. Cu

1p Tr. a fost notat:
d) condensator de filtraj.
35. Figura 2.6 prezintă un redresor mono-alternanţă cu filtru capacitiv. Cu RL
20
1p a fost notat:
36. Figura 2.6 prezintă un redresor mono-alternanţă cu filtru capacitiv. Cu D

1p a fost notat:
37. Figura 2.6 prezintă un redresor mono-alternanţă cu filtru capacitiv. Cu C

1p a fost notat:
38. Figura 2.6 prezintă un redresor mono-alternanţă cu filtru capacitiv. Cu Vp

1p a fost notată:
39. Figura 2.6 prezintă un redresor mono-alternanţă cu filtru capacitiv. Cu Vs

1p a fost notată:
40. Figura 2.6 prezintă un redresor mono-alternanţă cu filtru capacitiv. Cu vL

1p a fost notată:
21
41. Figura 2.6 prezintă un redresor mono-alternanţă cu filtru capacitiv. Cu iL

1p a fost notată:
42. Dioda D prezentată în figura 2.6 conduce:

1p
a) pe durata alternanţei pozitivă;
b) pe durata alternanţei negativă;
c) un interval relativ mic de timp, interval cuprins în alternanţa
pozitivǎ, pentru restul perioadei dioda fiind blocatǎ.
d) un interval relativ mic de timp, interval cuprins în alternanţa
negativă, pentru restul perioadei dioda fiind blocatǎ

2p
V
Vs
VL Vl
τ t
T
Figura 2.7
b) redresor dublă alternanţă cu sarcina rezistivă;
c) redresor mono-alternanţă cu filtru capacitiv;
d) redresor dublă alternanţă cu sarcina rezistiv-inductivă.
44. Valoarea componentei continue a tensiunii de pe sarcină (VL) de la

4p ieşirea redresorului prezentat în figura 2.6:
a) creşte o dată cu creşterea curentului din sarcină;
b) scade o dată cu creşterea curentului din sarcină;
c) nu depinde de valoarea curentului din sarcină;
d) rămâne constantă o dată cu creşterea curentului din sarcină.
45. Valoarea componentei alternative a tensiunii de pe sarcină (Vl) de la

4p ieşirea redresorului prezentat în figura 2.6:
22
a) creşte o dată cu creşterea curentului din sarcină;

b) scade o dată cu creşterea curentului din sarcină;
c) nu depinde de valoarea curentului din sarcină;
d) rămâne constantă o dată cu creşterea curentului din sarcină.
23
Răspunsuri

2. Răspuns corect c.) 25 Răspuns corect c.)
8. Răspuns corect d.) 30. Răspuns corect b.)
13. Răspuns corect c.) 35. Răspuns corect a.)
24
Capitolul 3
Tranzistoare bipolare
1. Pentru ca o structură de tip „pnp” sau „npn” să se comporte ca un

3p tranzistor bipolar este necesar ca:
a) baza să fie foarte îngustă;
b) emitorul să fie puternic dopat;
c) baza să fie foarte îngustă şi emitorul puternic dopat;
d) baza să fie foarte îngustă sau emitorul puternic dopat;
2. Emitorul unui tranzistor bipolar:

2p
a) are rolul de “colecta” fluxul principal de purtători care circulă
prin structură;
b) are rolul de a controla fluxul principal de purtători care circulă
prin structură;
c) are rolul de a “emite” (genera) fluxul principal de purtători care
circulă prin structură;
d) nu are un rol specific
3. Colectorul unui tranzistor bipolar:

2p
prin structură;
prin structură;
d) nu are un rol specific.
4. Baza unui tranzistor bipolar:

2p
prin structură;
prin structură;
d) nu are un rol specific.
25
5. Figura 3.1 prezintă

1p
C
E
Figura 3.1
a) un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal n;
b) un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal p;
c) un tranzistor bipolar pnp;
d) un tranzistor bipolar npn.

1p
C
E
Figura 3.2
a) un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal n;
b) un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal p;
c) un tranzistor bipolar pnp;
d) un tranzistor bipolar npn.
7. Un tranzistor bipolar care lucrează în regim blocat se comportă ca:

2p
a) un generator de curent comandat;
b) un scurtcircuit;
c) un circuit întrerupt;
d) un comutator
8. Un tranzistor bipolar care lucrează în regim saturat se comportă ca:

2p
b) un scurtcircuit;
d) un comutator
26
9. Un tranzistor bipolar care lucrează în regim activ normal se comportă

2p între emitor şi colector ca:

b) un scurtcircuit;
d) un comutator
10. Modelul matematic aproximativ al unui tranzistor bipolar care lucrează

3p în regim blocat este:
a) iC ≅ 0 şi i B ≅ 0
b) v BC ≅ 0 şi v BE ≅ 0
c) iC ≅ β i B şi v BE ≅ Vγ
d) iC ≅ α i E şi v BE ≅ Vγ
11. Modelul matematic aproximativ al unui tranzistor bipolar care lucrează

3p în regim de saturaţie este:
a) iC ≅ 0 şi i B ≅ 0
b) v BC ≅ 0 şi v BE ≅ 0
c) iC ≅ β i B şi v BE ≅ Vγ
d) iC ≅ α i E şi v BE ≅ Vγ
12. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim activ normal:

2p
a) joncţiunea emitorului este în conducţie, iar joncţiunea
colectorului este polarizată invers;
b) joncţiunea emitorului este polarizată invers, iar joncţiunea
colectorului este în conducţie;
c) ambele joncţiuni sunt polarizate invers;
d) ambele joncţiuni sunt în conducţie.
13. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim saturat:

2p
27

14. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim de blocare:

2p
15. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim activ inversat:

2p
16. Pentru ca un tranzistor bipolar să funcţioneze ca simplu amplificator este

1p necesar ca tranzistorul să opereze:
a) în regim activ normal;

b) în regim saturat;
c) în regim de blocare;
d) în regim activ inversat.
17. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim activ normal

3p joncţiunea emitorului este în conducţie, iar joncţiunea colectorului este
polarizată invers. În această situaţie apare efectul de tranzistor. Acesta
constă în:
a) trecerea unui curent de valoare relativ mare prin joncţiunea

polarizată direct a emitorului;
b) trecerea unui curent de valoare relativ mică prin joncţiunea
polarizată direct a emitorului;
c) trecerea unui curent de valoare relativ mică prin joncţiunea
28
polarizată invers colectorului;

d) trecerea unui curent de valoare relativ mare prin joncţiunea
polarizată invers colectorului.
18. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim activ normal, în

3p structură apare aşa numitul efect de tranzistor. Explicaţia constǎ în faptul
cǎ:
a) există un efect de tunelare în bază;
b) există un efect multiplicare în avalanşă la nivelul bazei;
c) baza fiind foarte îngustǎ (mult mai micǎ decât lungimea de
difuzie), purtǎtorii injectaţi de emitor ajung în joncţiunea
colectorului de unde sunt preluaţi de câmpul accelerant existent
la nivelul joncţiunii;
d) câmpul electric din bază accelerează purtătorii injectaţi de
emitor;

1p
iC
iB
vCE Iesire
Intrare vBE
Figura 3.3
a) conexiunea emitor comun;
b) conexiunea bază comună;
c) conexiunea colector comun;
d) conexiunea drenă comună.

1p
iE
iB
vEC Iesire
Intrare vBC
Figura 3.4
29

1p
iE iC
Intrare vEB vCB Iesire
Figura 3.5
22. În conexiunea emitor comun:

2p
a) semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ
emitor, şi curentul de bazǎ, iar semnalele de ieşire (sau
comandate) sunt tensiunea colector emitor şi curentul de colector;
b) semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ
colector şi curentul de bazǎ, iar semnalele de ieşire (sau
comandate) sunt tensiunea emitor colector şi curentul de emitor;
c) semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea emitor bazǎ
şi curentul de emitor, iar semnalele de ieşire (sau comandate)
sunt tensiunea colector bazǎ şi curentul de colector;
d) semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ
comandate) sunt tensiunea emitor colector şi curentul de emitor.
23. În conexiunea colector comun:

2p
30
Elemente de electronic ă analogică - teste
24. În conexiunea bază comună:

2p
25. În regim cvasistatic de semnal mare tranzistorul bipolar este integral

3p descris de douǎ şi numai douǎ ecuaţii, numite ecuatii caracteristice
statice, sau pe scurt, caracteristici statice. În mod uzual acestea sunt:
a) iC = iC (vCB , iB ) şi i B = i B (v BE , vCE )
b) iC = iC (vCE , i B ) şi iB = iB (vBC , vCE )
c) iC = iC (vCE , i B ) şi i B = i B (v BE , vCE )
d) iC = iC (iC , iB ) şi i B = i B (v BE , vCE )
26. Caracteristica statică de ieşire este:

3p
a) iC = iC (vCE ) iB = const.
b) iC = iC (i B ) vCE =const .
c) i B = i B (v BE ) vCE =const .
d) i B = i B (vCE ) vBE =const .
27. Caracteristica statică de intrare este:

3p
31
a) iC = iC (vCE ) iB = const.
b) iC = iC (i B ) vCE =const .
c) i B = i B (v BE ) vCE =const .
d) i B = i B (vCE ) vBE =const .
28. Figura 3.6 prezintă caracteristica statica de ieşire. Cu 1 este notată:

1p
iC
vCB=0 iB4
1 iB3
3
iB2
2 iB1
vCE
Figura 3.6
a) regiunea activă normală;
b) regiunea de saturaţie;
c) regiunea de blocare;
d) regiunea activă inversată.

1p
iC
vCB=0 iB4
1 iB3
3
iB2
2 iB1
vCE
Figura 3.6
32

1p
iC
vCB=0 iB4
1 iB3
3
iB2
2 iB1
vCE
Figura 3.6

iB
vCE1
vCE2>vCE1
Vγ vBE
Figura 3.7
a) caracteristica statică de ieşire;
b) caracteristica statică de intrare;
c) caracteristica statică de transfer;
d) caracteristica dinamică de transfer.
32. Schema echivalentă a unui tranzistor care funcţionează în regim de

3p blocare este prezentată în figura notată:
33
a.) b.)
B C iB iC
B C
vBE vCE
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
v BE βFiB IS/βF βFiB
E E
33. Schema echivalentă a unui tranzistor care funcţionează în regim de

3p saturaţie este prezentată în figura notată:
a.) b.)
B C iB iC
B C
vBE vCE
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
E E
34. Modelul de ordin zero al unui tranzistor bipolar care operează în regim
3p activ normal este reprezentat de:
a) vBE=const. şi iC=iE
b) iC ≅ β i B şi v BE ≅ Vγ
 v BE  IS v 
c) iC = I S exp  şi iB = exp BE 
 eT  βF  eT 
d) iB ≅ β iC şi v BE ≅ Vγ
35. Modelul de ordin unu al unui tranzistor bipolar care operează în regim
3p cvasistatic de semnal mare în regiunea activă normală este reprezentat
de:
 v BE  IS v 
 eT  βF  eT 
34
36. Modelul de ordin doi al unui tranzistor bipolar care operează în regim
3p cvasistatic de semnal mare în regiunea activă normală este reprezentat
de:
 v BE  IS v 
 eT  βF  eT 
37. Schema echivalentă corespunzătoare modelului de ordin unu al unui

3p tranzistor bipolar care operează în regim cvasistatic de semnal mare în
regiunea activă normală este reprezentat în figura:
a.) b.)
B C iB iC
B C
vBE vCE
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
E E
38. Schema echivalentă corespunzătoare modelului de ordin doi al unui

3p tranzistor bipolar care operează în regim cvasistatic de semnal mare în
regiunea activă normală este reprezentat în figura:
a.) b.)
B C iB iC
B C
vBE vCE
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
E E
39. În figura 3.8 cu 1 s-a notat:
35
3p
iC
2.
1.
IB=0
vCE
Figura 3.8
a) regiunea din caracteristică ce evidenţiază fenomenul de
străpungere primară;
b) regiunea din caracteristică ce evidenţiază fenomenul de
străpungere secundară;
c) regiunea din caracteristică ce evidenţiază efectul temperaturii;
d) regiunea din caracteristică ce evidenţiază fenomenul de
străpungere terţiară.
40. În figura 3.8 cu 2 s-a notat:

3p
a) regiunea din caracteristică ce evidenţiază fenomenul de
străpungere primară;
b) regiunea din caracteristică ce evidenţiază fenomenul de
străpungere secundară;
c) regiunea din caracteristică ce evidenţiază efectul temperaturii;
d) regiunea din caracteristică ce evidenţiază fenomenul de
străpungere terţiară.
41. Ambalarea termică este fenomenul prin care:

3p
a) datorită creşterii temperaturii se poate întâmpla ca iC să scadă
necontrolat;
b) datorită scăderii temperaturii se poate întâmpla ca iC să scadă
necontrolat;
c) datorită creşterii temperaturii se poate întâmpla ca iC să crească
necontrolat;
d) datorită scăderii temperaturii se poate întâmpla ca iC să crească
necontrolat;
42. Ambalarea termică este fenomenul prin care datorită creşterii

3p temperaturii se poate întâmpla ca iC să crească necontrolat. Explicaţia
rezidă în fenomenul regenerativ ce poate avea loc în structură. Pentru a
pune în evidenţă acest fenomen regenerativ amintim:
36
a) creşterea temperaturii joncţiunii duce la creşterea curentului

direct prin ea şi creşterea curentului direct prin joncţiune duce la
creşterea temperaturii joncţiunii;
b) creşterea temperaturii joncţiunii duce la scăderea curentului
creşterea temperaturii joncţiunii;
c) creşterea temperaturii joncţiunii duce la creşterea curentului
scăderea temperaturii joncţiunii;
d) creşterea temperaturii joncţiunii duce la scăderea curentului
scăderea temperaturii joncţiunii;
43. Căderea de tensiune pe joncţiunea bază emitor variază o dată cu variaţia

3p temperaturii cu aproximativ:
a) 1-1.5 mV/oC.
b) 2-2.5 mV/oC.
c) 10-15 mV/oC.
d) 20-25 mV/oC.
44. Pentru tranzistorul bipolar trebuie specificat că mărimile cele mai

1p importante care limitează funcţionarea tranzistorului sunt definite în
planul caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun. Figura
3.9 le pune în evidenţă. Cu 1 s-a notat:
iC 4
2
1
regiune de
blocare
regiune de
saturaţie
vCE
3
Figura 3.9
a) tensiunea maximă colector - emitor;
b) curentul maxim de colector;
c) puterea disipată maximă;
d) regiunea permisă sau zona de siguranţă.

37



48. Unul dintre modelele matematice pentru regimul cvasistatic de semnal

3p mic al unui transistor bipolar este:
a) iC ≅ β i B şi v BE ≅ Vγ
 v BE  IS v 
b) iC = I S exp  şi iB = exp BE 
 eT  βF  eT 
1 v
c) ic = vbe şi ib = be
gm rπ
v
d) ic = g m vbe şi ib = be
rπ
49. diC I
3p Mărimea g m = ≅ C poartă numele de transconductanţă (pantă).
dv BE eT
Valoarea ei este:
38
a) gm[mS]=2.5IC[mA]
b) gm[mS]=4IC[mA]
c) gm[mS]=25IC[mA]
d) gm[mS]=40IC[mA]
50. Între g m (transconductanţă) şi rπ (rezistenţa de intrare) există relaţia:

3p
a) g m rπ = β
b) g m β = rπ
c) rπ β = g m
gm
d) =β
rπ
51. Circuitele de polarizare ale unui tranzistor bipolar au rolul de a:

3p
a) stabiliza PSF numai funcţie de efectele temperaturii;
b) stabilizarea PSF numai funcţie de efectele dispersiei parametrilor;
c) stabilizarea PSF funcţie de efectele temperaturii sau dispersia
parametrilor;
d) stabilizarea PSF funcţie de efectele temperaturii şi dispersia
parametrilor.
52. Figura 3.10 prezintă un circuit elementar de polarizare al unui tranzistor

4p bipolar. Schema echivalentă pentru regimul static a acestui circuit este:
EC
RB RC
Figura 3.10
a.) b.)
I I
RB RC RB RC
B C B C
EC EC
IB VBE IB VBE
βIB VCE βIB VCE
E E
39
c.) d.)
I I
RB RC RB RC
B C B C
EC EC
IB VBE IB V BE
βIB VCE βIB V CE
E E
53. Figura 3.10 prezintă un circuit elementar de polarizare al unui tranzistor

4p bipolar. Curentul IC are expresia:
EC − VBE
a) IC= β
RC
E + VBE
b) IC= β C
RC
E − VBE
c) IC= β C
RB
E + VBE
d) IC= β C
RB
54. Figura 3.11 prezintă un circuit practic de polarizare al unui tranzistor

4p bipolar. Rezistorul RE asigură stabilizarea termică a etajului. Mecanismul
prin care se realizează aceasta este:
EC
RB1 RC
RB2 RE
Figura 3.11
a) T↑ ⇒ IC↑ ⇒ VRE ↑ ⇒ VE ↑ ⇒ VBE ↓ ⇒ IC ↓
b) T↑ ⇒ IC↓ ⇒ VRE ↑ ⇒ VE ↑ ⇒ VBE ↓ ⇒ IC ↓
c) T↑ ⇒ IC↑ ⇒ VRE ↓ ⇒ VE ↑ ⇒ VBE ↓ ⇒ IC ↓
40
d) T↑ ⇒ IC↑ ⇒ VRE ↑ ⇒ VE ↓ ⇒ VBE ↓ ⇒ IC ↓
unde:
VRE - căderea de tensiune pe RE;
VE - potenţialul emitorului.

4p bipolar. Schema echivalentă a lui este:
a) b)
I1 I I1 I
RB1 RC RB1 RC
B C B C
EC EC
IB VBE IB VBE
βIB VCE βIB VCE
I2 I2
E E
RB2 RE RB2 RE
IE IE
c) d)
I1 I I1 I
RB2 RC RB2 RC
B C B C
EC EC
IB VBE IB VBE
βIB VCE βIB VCE
I2 I2
E E
R1 RE RB1 RE
IE IE

4p bipolar. Figura 3.12 prezintă schema echivalentă pentru regimul static a
circuitului din figura 3.11. Aplicând teoremele lui Kirchhoff se obţine
sistemul de ecuaţii:
I1 I
RB1 RC
B C
EC
IB VBE
βIB VCE
I2
E
RB2 RE
IE
Figura 3.12
41
a) I=I1 +βIB
I2=I1+IB
IB+βIB=IE
EC=βIBRC+VCE+IERE
-VBE=-VCE-βIBRC+I1RB1
VBE=I2RB2-IERE
b) I=I1 +βIB
I1=I2+IB
IB+βIB=IE
EC=βIBRC+VCE+IBRE
VBE=I2RB2-IERE
c) I=I1 +βIB
I1=I2+IB
IB+βIB=IE
EC=βIBRC+VBE+IERE
VBE=I2RB2-IERE
d) I=I1 +βIB
I1=I2+IB
IB+βIB=IE
EC=βIBRC+VCE+IERE
VBE=I2RB2-IERE

4p bipolar. Echivalând Thevenin divizorul din bază se obţine schema din
figura:
42
a) b)
EC EC
RE RC
EB EB
RB RC RB RE
c) d)
EC EC
RC RB
EB EB
RE RB RC RE
RB 2 RB1 RB2
unde: EB = EC şi RB =
RB1 + RB 2 RB1 + RB 2

figura 3.13. Schema echivalentă pentru regimul static a acestui circuit
este:
EC
RC
EB
RB RE
Figura 3.13
a) b)
I I
RC RC
B C B C
IB VBE EC IB VBE EC
EB βIB VCE
EB βIB VCE
E E
RB RE RB RE
IE IE
43
c) d.)
I I
RC RC
B C B C
EC EC
IB VBE IB VBE
EB βIB VCE
EB βIB VCE
E E
RB RE RB RE
IE IE

figura 3.13. Schema echivalentă pentru regimul static a acestui circuit
este prezentată în figura 3.14. Aplicând teoremele lui Kirchhoff se obţine
sistemul de ecuaţii:
I
RC
B C
IB VBE EC
EB βIB VCE
E
RB RE
IE
Figura 3.14
a) IE=IE+βIB
EC=βIBIC+VCE+IE
EB-VBE=REIE+RBIB
b) IE=IB+βIC
EC=βIBIC+VCE+IE
EB-VBE=REIE+RBIB
c) IE=IB+βIB
EC=βIBIC+VCE+IE
EB-VBE=REIE+RBIB
d) IE=IB+βIB
EC=βIBIC+VBE+IE
EB-VBE=REIE+RBIB
44
RB 2 RB1 RB2
unde: EB = EC şi RB =
RB1 + RB 2 RB1 + RB 2

4p bipolar. Curentul IC are expresia:
a) β (EB − VBE )
IC =
RB + (β + 1)RE
b) β (EC − VBE )
IC =
RB + (β + 1)RE
c) β (E B − VBE )
IC =
RE + (β + 1)RB
d) β (E B − VCE )
IC =
RB + (β + 1)RE
3p mic al unui transistor bipolar este:
a) iC ≅ β i B şi v BE ≅ Vγ
 v BE  IS v 
b) iC = I S exp  şi iB = exp BE 
 eT  βF  eT 
1 v
c) ic = vbe şi ib = be
gm rπ
v
d) ic = β ib şi ib = be
rπ

2p vbe
mic al unui transistor bipolar este ic = β ib şi ib = . Schema
rπ
echivalentă corespunzătoare este prezentată în figura notată:
a.) b.)
B ib ic C ib ic
B C
rπ βib vbe rπ g mvbe
E E
45
c.) d.)
iB iB
B C B C
E E

2p vbe
mic al unui transistor bipolar este ic = g mv be şi ib = . Schema
rπ
echivalentă corespunzătoare este prezentată în figura notată:
a.) b.)
B ib ic C ib ic
B C
rπ β ib vbe rπ g mvbe
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
E E
46
Răspunsuri
1. Răspuns corect c.) 33. Răspuns corect b.)

5. Răspuns corect d.) 37. Răspuns corect c.)
16. Răspuns corect a.) 47. Răspuns corect d.)
23. Răspuns corect b.) 54. Răspuns corect a)
24. Răspuns corect c.) 55. Răspuns corect a)
26. Răspuns corect a.) 57. Răspuns corect b)
27. Răspuns corect a.) 58. Răspuns corect c)
28. Răspuns corect b.) 59. Răspuns corect c)
29. Răspuns corect c.) 60. Răspuns corect a)
30. Răspuns corect a.) 61. Răspuns corect d)
31. Răspuns corect b.) 62. Răspuns corect a)
32. Răspuns corect a.) 63. Răspuns corect b)
47
48
Capitolul 4
Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare
1. Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura:

1p
a) b)
EC EC
iC iIN
RC
iIN
vIN
RE vO
vIN vO
c) d)
EC EC
iC
RC RB1 RC
iIN Iin
C1
C2
vIN vO Vo
Vin
RB2 RE CE
2. Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura:

1p
a) b)
EC EC
iC
RC iIN
iIN
vIN
RE vO
vIN vO
49
c) d)
EC EC
iC
RC RB1
iIN Iin
C1
C2
vIN vO
Vin
RB2 RE Vo
3. Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura:

1p
a) b)
EC EC
iC
RC iIN
iIN
vIN
RE vO
vIN vO
c) d)
EC +EC
iC RB2 RC
RC Iin
iIN
C1 C2
Vin Vo
vIN vO RE CB RB1
4. Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura

2p 4.1. Tranzistorul T este blocat dacă:
EC
iC
RC
iIN
vIN vO
Figura 4.1
50

2p 4.1. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă:
a) vIN<Vγ
b) Vγ<vIN<VBEsat
c) vIN≈vBEsat
d) vIN>>vBEsat

2p 4.1. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă:
a) vIN<Vγ
b) Vγ<vIN<VBEsat
c) vIN≈vBEsat
d) vIN>>vBEsat
7. Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura

EC
iIN
vIN
RE vO
Figura 4.2
(
a) vIN ∈ − ∞, Vγ )
b) vIN ∈ [ Vγ , EC)
c) vIN=EC
(
d) vIN ∈ − ∞, − Vγ )
(
a) vIN ∈ − ∞, Vγ )
c) vIN=EC
(
d) vIN ∈ − ∞, − Vγ )
51

a) vIN ∈ − ∞, Vγ( )
c) vIN=EC
(
d) vIN ∈ − ∞, − Vγ )
10. Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura
EC
iC
RC
iIN
vIN vO
Figura 4.3
a) v IN ≅ v BEsat
b) vIN ∈ (-vBEsat , - Vγ )
c) vIN ∈ [− Vγ ,+∞ )
[
d) vIN ∈ Vγ ,+∞ )
a) v IN ≅ v BEsat
c) vIN ∈ [− Vγ ,+∞ )
[
d) vIN ∈ Vγ ,+∞ )
a) v IN ≅ v BEsat
c) vIN ∈ [− Vγ ,+∞ )
[
vIN ∈ Vγ , +∞ )
52
2p 4.1. Tranzistorul T este blocat dacă vIN<Vγ. În aceste condiţii schema
echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic este:
a) b)
EC EC
iC
C
RC iIN B
E
C
E
vIN
B RE vO
vIN vO
c) d)
EC EC
iC
RC RC
C RB C
B B
E E
vIN vO v IN ≈ 0 vO
3p 4.2. Tranzistorul T este blocat dacă v IN ∈ (− ∞, Vγ ) . În aceste condiţii
schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic este:
a) b)
EC EC
iC
C
RC iIN B
E
C
E
vIN
B RE vO
vIN vO
c) d)
EC EC
iC
RC RC
C RB C
B B
E E
53
15. Schema de principiu a unui etaj bază comună comun este prezentată în
3p figura 4.3. Tranzistorul T este blocat dacă ∈ [− Vγ ,+∞ ) . În aceste condiţii
schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic este:
a) b)
EC EC
iC
C
RC iIN B
E
C
E
vIN
B RE vO
vIN vO
c) d)
EC EC
iC
RC RC
C RB C
B B
E E
2p 4.1. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă Vγ<vIN<VBEsat. În
aceste condiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim
cvasistatic este::
a) b)
EC EC
iC iIN B C
βiIN
RC
iIN B C vBE βiIN
vIN E
vIN
vO
RE vO
E
c) d)
EC It Ib B C Ic
iC
RC βIb
rπ
iIN E C E
Vt Ir RB
v IN
βiIN vO RE Vot
54
2p 4.2. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă vIN ∈ [ Vγ , EC). În
aceste condiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim
cvasistatic este:
a) b)
EC EC
iC iIN B C
βiIN
RC
vBE βiIN
iIN B C
vIN E
vIN
vO
RE vO
E
c) d)
EC It Ib B C Ic
iC
βIb
RC rπ
iIN E C E
Vt Ir RB
vIN RE Vot
βiIN vO
2p 4.3. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă
vIN ∈ (-vBEsat, - Vγ ). În aceste condiţii schema echivalentă de semnal mare
pentru regim cvasistatic este:
a) b)
EC EC
iC iIN B C
βiIN
RC
iIN B C vBE βiIN
vIN E
vIN
vO
RE vO
E
55
c) d)
EC It Ib B C Ic
iC
βIb
RC rπ
E
iIN E C
Vt Ir RB
vIN RE Vot
βiIN vO
2p 4.1. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă vIN≈vBEsat În aceste
condiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic
este::
a) b)
EC EC
vCEsat RC vCEsat RC
RB
B C B C
vIN vBEsat vO vIN ≈ EC vBEsat vO

E E
c) d)
EC EC
B C
RC
vBEsat vCEsat vCEsat
E C
E
vIN
vIN vBEsat vO
vO
RE
B
2p 4.2. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă vIN=EC. În aceste
este:
56
a) b)
EC EC
vCEsat RC vCEsat RC
RB
B C B C

E E
c) d)
EC EC
B C
RC
E C
E
vIN
vIN vBEsat vO
vO
RE
B
2p 4.3. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă v IN ≅ v BEsat . În aceste
este:
a) b)
EC EC
vCEsat RC vCEsat RC
RB
B C B C

E E
c) d)
EC EC
B C
RC
E C
E
vIN
vIN vBEsat vO
vO
RE
B
57
4p 4.1. Dacă tranzistorul T este blocat, tensiunea de ieşire are valoarea:
a) vO=EC;
b) vO ≈ vCE sat ;
c) vO=0;
d) vO ≈ vBE sat
a) vO=EC;
b) vO ≈ vCE sat ;
c) vO=0;
d) vO ≈ vBE sat
a) vO=EC;
b) vO ≈ vCE sat ;
c) vO=0;
d) vO ≈ vBE sat
4p 4.1. Dacă tranzistorul T operează în regim activ normal, tensiunea de
ieşire are valoarea:
 vIN 
a) vO = EC − RC I S exp − 
 eT 
b) vO=vIN-vBE
c) vO ≈ VCEsat ≅ 0
vIN
d) vO = EC − I S RC exp
eT
58
 vIN 
 VT 
b) vO=vIN-vBE
v IN
d) v O = E C − IS R C exp
VT
 vIN 
 eT 
b) vO=vIN-vBE
vIN
d) vO = EC − I S RC exp
eT
4p 4.1. Dacă tranzistorul T operează în regim saturat, tensiunea de ieşire are
valoarea:
a) vO=vCEsat
b) vO=EC-vCEsat
c) vO=EC
d) vO=EC-vBEsat
valoarea:
a) vO=vCEsat
b) vO=EC-vCEsat
c) vO=EC
d) vO=EC-vBEsat
59
valoarea:
a) vO=vCEsat
b) vO=EC-vCEsat
c) vO=EC
d) vO=EC-vBEsat
31. Caracteristica de transfer a unui etaj emitor comun este prezentată în

3p figura:
a) b)
vO vO
EC vBEsat
EC-vCEsat.
Vγ
vCEsat
0.5V 1V vIN
Vγ EC vIN
c) d)
vO vO
EC
EC-vCEsat.
-vBEsat - Vγ vIN Vγ EC vIN
32. Caracteristica de transfer a unui etaj colector comun este prezentată în

3p figura:
a) b)
vO vO
EC vBEsat
EC-vCEsat.
Vγ
vCEsat
0.5V 1V vIN
Vγ EC vIN
60
c) d)
vO vO
EC
EC-vCEsat.
33. Caracteristica de transfer a unui etaj bază comună este prezentată în

3p figura:
a) b)
vO vO
EC vBEsat
EC-vCEsat.
Vγ
vCEsat
0.5V 1V vIN Vγ EC vIN
c) d)
vO vO
EC
EC-vCEsat.
34 Schema electrică a unui etaj de amplificare care lucrează în conexiunea

4p emitor comun este:
a) b)
EC EC
RB1 RC
Iin RB
C1
C2
vIN vO
Vin
RB2 RE Vo
61
c) d)
EC +EC
RB2 RC
RB1 RC Iin
Iin
C1
C2 C1 C2
Vin Vo
Vo RE CB RB1
Vin
RB2 RE CE

4p colector comun este:
a) b)
EC EC
RB1 RC
Iin C1
RB
C2
Vin
RB2 RE Vo vIN vO
c) d)
EC +EC
RB2 RC
RB1 RC Iin
Iin
C1
C2 C1 C2
Vin Vo
Vo RE CB RB1
Vin
RB2 RE CE

4p bază comună este:
a) b)
EC EC
RB1 RC
Iin RB
C1
C2
vIN vO
Vin
RB2 RE Vo
62
c) d)
EC +EC
RB2 RC
RB1 RC Iin
Iin
C1
C2 C1 C2
Vin Vo
Vo RE CB RB1
Vin
RB2 RE CE
37 Schema electrică a unui inversor saturat este:

4p
a) b)
EC EC
RB1
RC
Iin
C1
RB
C2
Vin
RB2 RE Vo vIN vO
c) d)
EC +EC
RB2 RC
RB1 RC Iin
Iin
C1
C2 C1 C2
Vin
Vo Vo
Vin RE CB RB1
RB2 RE CE
38 Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Schema

3p echivalentă pentru regimul cvasistatic de semnal mare a acestui etaj este:
EC
RB1 RC
Iin
C1
C2
Vo
Vin
RB2 RE CE
Figura 4.4
63
a) b)
Ir
It Ib B C Ic
B C It
+
Vt RB rπ Vbe g mVbe RC Vot
RB rπ V be gmV be RC Vt
E -
E
c) d)
It Ib B C Ic βIb
It
βIb
rπ Ib
Ie
E Vx
Vt Ir RB Vt RE rπ RC V ot
RE Vot
39 Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Schema

EC
RB1
Iin C1
C2
Vin
RB2 RE Vo
Figura 4.5
a) b)
Ir
It Ib B C Ic
B C It
+
E -
E
64
c) d)
It Ib B C Ic β Ib
It
βIb
rπ Ib
Ie
E Vx
RE Vot
40 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Schema

+EC
RB2 RC
Iin
C1 C2
Vin Vo
RE CB RB1
Figura 4.6
a) b)
Ir
It Ib B C Ic
B C It
+
E -
E
c) d)
It Ib B C Ic β Ib
It
βIb
rπ Ie Ib
E Vx
RE Vot
41 Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Rezistorii RB1 şi

1p RB2 au rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
65
activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) sarcină.
42 Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Rezistorul RE

1p are rolul:
activă normală.
d) de sarcină.
43 Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Rezistorul RC

1p are rolul:
activă normală.
d) de sarcină.
44 Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Condensatorul

1p C1 are rolul:
activă normală.
d) de a pune emitorul la masă în curent alternativ.

1p C2 are rolul:
activă normală.
66

1p CE are rolul:
activă normală.
47 Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Rezistorii RB1

1p şi RB2 au rolul:
activă normală.
48 Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Rezistorul RE

1p are rolul:
activă normală.
b) de sarcină asigura stabilizare termică
49 Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Condensatorul

1p C1 are rolul:
activă normală.
50 Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Condensatorul

1p C2 are rolul:
activă normală.
67

51 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Rezistorii RB1 şi

1p RB2 au rolul:
activă normală.
d) de a pune baza la masă în curent alternativ.
52 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Rezistorul RE are

1p rolul:
activă normală.
53 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Rezistorul RC are

1p rolul:
activă normală.
c) de sarcină.
54 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Condensatorul

1p C1 are rolul:
activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică;
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă;
68
1p C2 are rolul:
activă normală;

1p CB are rolul:
activă normală;
57. Figura 4.7 prezintă un etaj emitor comun atacat cu un generator de

4p tensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi a
rezistenţei de intrare. Schema echivalentă de semnal mic, regim
cvasistatic este:
EC
RB1 RC
It
C1
C2
Vot
Vt
RB2 RE CE
Figura 4.7
a) b)
Ir
B C It
It Ib B C Ic +
RB rπ Vbe gmVbe RC Vt
-
E E
69
c) d)
It Ib B C Ic β Ib
It
βIb
rπ Ib
Ie
E Vx
RE Vot
58. Figura 4.8 prezintă un etaj colector comun atacat cu un generator de

cvasistatic este:
EC
RB1
It
C1
C2
Vot
Vt
RB2 RE
Figura 4.8
a) b)
Ir
B C It
It Ib B C Ic +
-
E E
70
c) d)
It Ib B C Ic β Ib
It
βIb
rπ Ib
Ie
E Vx
RE Vot
59. Figura 4.9 prezintă un etaj bază comună atacat cu un generator de

cvasistatic este:
+EC
RB2 RC
It
C1 C2
Vt
Vot
RE CB RB1
Figura 4.9
a) b)
Ir
B C It
It Ib B C Ic +
-
E E
c) d)
It Ib B C Ic β Ib
It
βIb
rπ Ib
Ie
E Vx
RE Vot

71
rezistenţei de intrare. Ştiind că amplificarea în tensiune este definită prin

Vot
relaţia A V = , expresia acestei amplificări este:
Vt
a) Av = − gπ RC ;
b) Av = − g m RC ;
c) Av ≅ 1 ;
d) Av = g m RC .

Vot
Vt
a) Av = − gπ RC ;
b) Av = − g m RC ;
c) Av ≅ 1 ;
d) Av = g m RC .

Vot
Vt
a) Av = − g π RC ;
b) Av = − g m RC ;
c) Av =
(β + 1)RE ≅ 1;
rπ + (β + 1)RE
d) Av = g m RC .

rezistenţei de intrare. Ştiind că rezistenţa de intrare este definită prin
Vt
relaţia R in = , expresia acestei rezistenţe de intrare este:
It
72
rm r
a) Rin = RE ≅ m
β +1 β
rπ r
b) Rin = RE ≅ π
β +1 β
c) Rin = RB [ rπ + (β + 1)RE ] ≅ RB β RE ≅ β RE
d) Rin = RB rπ ≅ rπ

Vt
It
rm r
a) Rin = RE ≅ m
β +1 β
rπ r
b) Rin = RE ≅ π
β +1 β

Vt
It
rm r
a) Rin = RE ≅ m
β +1 β
rπ r
b) Rin = RE ≅ π
β +1 β
66. Figura 4.10 prezintă un etaj emitor comun atacat la ieşire cu un generator
73
4p de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Schema echivalentă de

semnal mic, regim cvasistatic este:
+EC
RB1
RC It
C2
+
C1
Vt
CS
RB2 RE CE
-
Figura 4.10
a) b)
It Ib B C
+
RC Vt rπ βIb
It
- RB
E Ie +
RE Vt
-
c) d)
It Ib B C Ic βIb
It
βIb
rπ Ie Ib
E Vx
RE Vot
67. Figura 4.11 prezintă un etaj colector comun atacat la ieşire cu un

4p generator de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Schema
echivalentă de semnal mic, regim cvasistatic este:
+EC
RB1
C2 It
C1
+
CS
RB2 RE Vt
-
Figura 4.11
74
a) b)
It Ib B C Ic Ib B C
βIb βIb
rπ rπ
E It
RB
E Ie +
Vt Ir RB
RE Vot RE Vt
-
c) d)
It β Ib
+ It
RC Vt Ib
Ie
- Vx
Vt RE rπ RC V ot
68. Figura 4.12 prezintă un etaj bază comună atacat la ieşire cu un generator
4p de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Schema echivalentă de
semnal mic, regim cvasistatic este:
+EC
RB2 RC
It
C1 C2
Cs
RE CB RB1 Vt
Figura 4.12
a) b)
It Ib B C
rπ βIb
It
RC Vt RB
E Ie +
RE Vt
-
75
c) d)
It Ib B C Ic β Ib
It
βIb
rπ Ib
Ie
E Vx
RE Vot
69. Figura 4.11 prezintă un etaj colector comun atacat la ieşire cu un

3p generator de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Expresia ei
este:
a) Ro = RB [ rπ + (β + 1)RE ] ≅ RB β RE ≅ β RE
b) Ro = RB rπ ≅ rπ
rπ r
c) Ro = RE ≅ π
β +1 β
d) Ro = RC
70 Figura 4.10 prezintă un etaj emitor comun atacat la ieşire cu un generator

3p de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Expresia ei este:
rπ r
c) Ro = RE ≅ π
β +1 β
d) Ro = RC
71 Figura 4.12prezintă un etaj bază comună atacat la ieşire cu un generator

3p de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Expresia ei este:
rπ r
c) Ro = RE ≅ π
β +1 β
d) Ro = RC
76
72. Figura 4.13 prezinta schema unui inversor saturat: Acesta realizează
3p funcţia logică:
EC
RC
RB
vIN vO
Figura 4.13
a) AND;
b) NOT;
c) OR;
d) NAND.
Răspuns corect b)
77
78
Răspunsuri
1. Răspuns corect a) 37. Răspuns corect d)

2. Răspuns corect b) 38. Răspuns corect a)
3. Răspuns corect c) 39. Răspuns corect c)
6. Răspuns corect c) 42. Răspuns corect b)
8. Răspuns corect b) 44. Răspuns corect c)
10. Răspuns corect c) 46. Răspuns corect d)
12. Răspuns corect a) 48. Răspuns corect a)
16. Răspuns corect a) 52. Răspuns corect b)
19. Răspuns corect a) 55. Răspuns corect c)
21. Răspuns corect d) 57. Răspuns corect a)
24. Răspuns corect a) 60. Răspuns corect b.)
25. Răspuns corect d) 61. Răspuns corect c.)
26. Răspuns corect b) 62. Răspuns corect d.)
30. Răspuns corect c) 66. Răspuns corect a)
34. Răspuns corect c) 70. Răspuns corect d
36. Răspuns corect d) 72. Răspuns corect b)
79
80
Capitolul 5
Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune
1 Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune este

2p prezentată în figura notată cu:
a) b)
S G D S G D
SiO2 SiO2
n
p++ n++ n
++
n
++
canal canal
n p
B
S B
c) d) S
G joncţiune S G D
joncţiune
p-n p-n
SiO2
n p n n
n++ n++
S D
canal canal
p
p
G B
S S
2. Figura 5.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de

1p câmp cu joncţiune. Cu S a fost notat electrodul numit:
G joncţiune
joncţiune
p-n p-n
n p n
S D
canal
G
S
Figura 5.1
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
75
d) substrat

1p câmp cu joncţiune. Cu G a fost notat electrodul numit:
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

1p câmp cu joncţiune. Cu D a fost notat electrodul numit:
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat
5. Simbolul unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal p este

1p prezentat în figura notată:
a) b)
D D
G B G B
S S
c) d)
D D
G G
S S
6. Simbolul unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal n este

76
a) b)
D D
G B G B
S S
c) d)
D D
G G
S S
7. Curentul principal din TECJ se stabileşte între:

2p
a) grilă şi drenă;
b) sursă şi drenă;
c) sursă şi grilă;
d) grilă şi drenă.
8. Curentul principal dintr-un TECJ cu canal n se stabileşte între sursă şi

2p drenă. El este constituit din:
a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.
9. Curentul principal dintr-un TECJ cu canal p se stabileşte între sursă şi

2p drenă. El este constituit din:
a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.

2p drenă. El este constituit din electroni. În parcursul lor, aceşti electroni
trec printr-o regiune numită canal. Rezistenţa canalului este comandată
de potenţialul grilei. Pentru a se realiza această comandă este necesar ca
77
în principiu:
a) joncţiunea grilă-canal să fie polarizată invers;
b) joncţiunea grilă-canal să fie polarizată direct;
c) joncţiunea drena-sursă să fie polarizată invers;
d) joncţiunea drena-sursă să fie polarizată direct.

3p drenă. El este constituit din electroni. În parcursul lor, aceşti electroni
trec printr-o regiune numită canal. Rezistenţa canalului este comandată
de potenţialul grilei. Pentru a se realiza această comandă este necesar ca
în principiu ca joncţiunea grilă-canal să fie polarizată invers. Mecanismul
de comanda este:
a) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de neutră de tip
p ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor regiunii de
sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la modificarea
geometriei canalului; modificarea geometriei canalului are ca
efect modificarea rezistenţei canalui; modificarea rezistenţei
canalui duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -la
comandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
b) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de neutră de tip
n ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor regiunii de
sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la modificarea
geometriei canalului; modificarea geometriei canalului are ca
efect modificarea rezistenţei canalui; modificarea rezistenţei
canalui duce în final la efectul dorit şi anume la modificarea -la
comandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
c) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de sarcină
spatială ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor
regiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la
modificarea concentratiei de purtători; modificarea geometriei
canalului are ca efect modificarea rezistenţei canalui; modificarea
rezistenţei canalui duce în final la efectul dorit şi anume la
modificarea -la comandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
d) potenţialul grilei modifică dimensiunile regiunii de sarcină
spatială ale joncţiunii grilă canal; modificarea dimensiunilor
regiunii de sarcină spatială ale joncţiunii grilă canal conduc la
modificarea geometriei canalului; modificarea geometriei
canalului are ca efect modificarea rezistenţei canalui; modificarea
rezistenţei canalui duce în final la efectul dorit şi anume la
modificarea -la comandă – a curentului dintre drenă şi sursă.
78
12. Conexiunea sursă comună a unui TECJ este prezentată în figura notată:
1p
a) b)
D iO
iIN iO
iIN
vO vIN S D vO
vIN G
G
S
c) d)
S
iO
iIN iO
iIN
vO vIN D S vO
G
vIN
G
D
13. Conexiunea drenă comună a unui TECJ este prezentată în figura notată:
1p
a) b)
D iO
iIN iO
iIN
vO vIN S D vO
vIN G
G
S
c) d)
S
iO
iIN iO
iIN
vO vIN D S vO
G
vIN
G
D
14. Conexiunea grilă comună a unui TECJ este prezentată în figura notată:
1p
79
a) b)
D iO
iIN iO
iIN
vO vIN S D vO
vIN G
G
S
c) d)
S S
iO iIN
iIN iO
vO vIN
G
vIN vO
D D
15. Conexiunea sursă comună a unui tranzistor cu efect de câmp:

3p
a) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - sursă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - sursă şi curentul de
drenă;
b) are ca mărimi de intrare tensiunea sursă - grilă şi curentul de
sursă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea drenă - grilă şi curentul de
drenă;
c) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul de
grilă, iar ca mărimi de ieşire tensiunea sursă - drenă şi curentul de
sursă;
d) are ca mărimi de intrare tensiunea grilă - drenă şi curentul de
drenă.
16. Conexiunea grilă comună a unui tranzistor cu efect de câmp:

3p
drenă;
drenă;
sursă;
80

drenă.
17. Conexiunea drenă comună a unui tranzistor cu efect de câmp:

3p
drenă;
drenă;
sursă;
drenă.
18. În mod uzual, un tranzistor cu efect de câmp este descris de două ecuaţii
3p de forma:
a) iG=iG(vGS,vDS) şi iD=iD(vGS,vDS)
b) iG=iG(vGD,vDS) şi iD=iD(vGS,vDS)
c) iG=iG(vGS,vDS) şi iD=iD(vGD,vDS)
d) iG=iG(vGD,vDS) şi iD=iD(vGD,vDS)
9. Întrucât în funcţionarea normală joncţiunea grilei a unui TECJ este

2p polarizată invers curentul de grilă este:
a) iG = iG (vDS )
U GS = const .
b) iG = iG (vGS )
U GS =const .
c) iG ≅ 0
vDS
d) iG =
rDS
20. Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu I a fost

1p notată:
81
iD
vGS-vT
III.
IV.
II. vGS=0.1V
vGS=0V
I. vGS=2V
vGS=-4V
vGS=VT
vDS
Figura 5.2
a) regiunea de blocare;
b) regiunea liniară;
c) regiunea de cot;
d) regiunea de saturaţie.
21. Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu II a fost

1p notată:
c) regiunea de cot;
22. Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu III a fost
1p notată:
c) regiunea de cot;
23. Figura 5.2 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECJ. Cu IV a fost

1p notată:
c) regiunea de cot;
24. Un TECJ care funcţionează în regiunea liniară se comportă ca

2p
a) rezistenţă comandată;
b) un generator de curent comandat;
d) un generator de tensiune comandat.
82
25. Un TECJ care funcţionează în regiunea de blocare se comportă ca

2p
26. Un TECJ care funcţionează în regiunea de saturaţie se comportă ca

2p
27. Caracteristica de ieşire a unui TECJ este prezentată în figura notată:

3p
a) b)
iD iD
Regiune vGS-vT vGS-vT
Regiune
de cot de cot
Regiune de saturatie Regiune de saturatie
Regiune vGS=4V Regiune vGS=8V
liniara liniara
vGS=2V vGS=6V
Regiune de Regiune de
vGS=0V vGS=4V
blocare blocare
vGS=-4V vGS=2V
vGS=VT vGS=VT
vDS vDS
c) d)
iD vGS-vT iC
Regiune
de cot v CB=0 iB4
Regiune de saturatie Regiunea activă normală
Regiune vGS=0.1V Regiunea de iB3
liniara saturatie
vGS=0V iB2
Regiune de
vGS=2V Regiunea de
blocare
vGS=-4V blocare iB1
vGS=VT
vDS
vCE
28. Caracteristica de intrare a unui TECJ este prezentată în figura notată:

3p
a) b)
iD iD
IDSS
VT v GS
VT 1V vGS
83
c) d)
iD iB
vCE1
vCE2>vCE1
IDSS
VT 1V vGS
Vγ vBE
29. Modelul matematic (aproximativ) al unui TECJ care lucrează în regiunea

3p de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0 şi iD=0
2
 v 
b) iG=0 şi i D = I DSS 1 − GS 
 VT 
 v 
1
2 
c) iG=0 şi iD = Go 1 −  GS   v DS
  VT  
 
  v 
d) iC = I S exp v BE  şi iB =
IS
exp  BE 
e βF
 T   eT 

3p de saturaţie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0 şi iD=0
2
 v 
b) iG=0 şi i D = I DSS 1 − GS 
 VT 
 v 
1
2 
c) iG=0 şi i D = G o 1 −  GS   u DS
  VT  
 
  v 
IS
e βF
 T   eT 

3p liniară - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0 şi iD=0
2
 v 
b) iG=0 şi i D = I DSS 1 − GS 
 VT 
84
 v 
1
2 
c) iG=0 şi i D = G o 1 −  GS   u DS
  VT  
 
  v 
IS
e βF
 T   eT 
32. Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea liniară - regim
3p cvasistatic de semnal mare - este:
a) b)
iB G D
B C
v GS
vBE βFi B R
E S
c) d)
G D G D
vGS 2
IDSS1 − vGS  vGS vDS
 VT 
 S
S
33. Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea de saturaţie -

3p regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) b)
iB G D
B C
v GS
vBE βFi B R
E S
c) d)
G D G D
vGS 2
 VT 
 S
S
34. Schema echivalentă a unui TECJ care lucrează în regiunea de blocare -

a) b)
iB G D
B C
v GS
vBE βFiB R
E S
85
c) d)
G D G D
vGS 2
 VT 
 S
S
35. Caracteristicile statice din figura 5.3 pun în evidenţa fenomenul de

3p străpungere al canalului pentru un tranzistor cu efect de câmp.
iD
IDmax
UDS(BR) uDS
Figura 5.3
a) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datorat
străpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătul
dinspre sursă al canalului.
b) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datorat
străpungerii prin multiplicare în avalanşă care apare la capătul
dinspre drenă al canalului.
c) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datorat
străpungerii prin efect tunel care apare la capătul dinspre drenă al
canalului.
d) Fenomenul apare la tensiuni mari drenă sursă şi este datorat
străpungerii prin efect tunel care apare la capătul dinspre sursă al
canalului.
36. Caracteristicile statice din figura 5.3 pun în evidenţa fenomenul de

3p străpungere la nivelul canalului pentru un tranzistor cu efect de câmp.
Există, de asemenea străpungere la nivelul joncţiunii de poartă. Evitarea
acestui fenomen se face prin:
a) limitarea tensiunilor inverse pe poartă;
b) limitarea tensiunilor directe pe poartă;
c) limitarea tensiunilor inverse pe drenă;
d) limitarea tensiunilor directe pe drenă.
37. Pentru un TECJ, o dată cu creşterea temperaturii:

3p
86
a) IDSS scade iar VT creşte;

b) IDSS creşte iar VT scade;
c) IDSS şi cresc;
d) IDSS şi VT scad.
Pentru notaţii vezi figura 5.4
38. Pentru un TECJ, o dată cu creşterea temperaturii:

3p
a) iD scade dacă iD>IZ;
b) iD creşte dacă i D>IZ;
c) iD scade dacă iD<IZ;
d) temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui iD;
pentru notaţii vezi figura 5.4
39. Pentru un tranzistor cu efect de câmp:

4p
iD
T1
T2>T1 IDSS1
IDSS2 T2
Z
IZ
VT2 VT1 VGZ vGS
Figura 5.4
a) problema ambalării termice se rezolvă ca şi în cazul
tranzistoarelor bipolare;
b) problema ambalării termice nu se pune;
c) problema ambalării termice nu se pune dacă ID<IZ;
d) problema ambalării termice nu se pune dacă ID>IZ.
unde ID curentul de drenă din punctul static de funcţionare, iar pentru IZ
vezi figura 5.4.
40. O dată cu variaţia temperaturii caracteristicile de ieşire ale unui TECJ se

3p modifică ca în figura notată (urmăriţi relaţia dintre T1 şi T2):
a) b)
iD iD
T1 T1
T2<T1 IDSS1 T2>T1 IDSS1
IDSS2 T2 IDSS2 T2
Z Z
IZ IZ
VT2 VT1 VGZ vGS VT2 VT1 VGZ vGS
87
c) d)
T1 ≤ T2 iD T1 ≥ T2 iD
T1 T1
IDSS1 IDSS1
IDSS2 T2 IDSS2 T2
Z Z
IZ IZ
41. Un posibil model matematic pentru un TECJ – pentru regimul cvasistatic

3p de semnal mic – este:
a) id=0 şi id=gmvds
b) ig=0 şi id=gmvgs
c) id=0 şi id=gmvds
d) ig=0 şi id=gmvgs
unde
ig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)
id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal)
vds tensiune de drenă-sursa (valoare instantanee de semnal)
2I D
gm =
VGS − vT
42 Tranconductanţă mutuală a unui TECJ are expresia:

3p
a) g m = 2I d ;
VGS − VT
b) g m = 2 I D ;
Vgs − VT
c) g m = 2I D ;
VGS − VT
d) g m = 2 I d .
Vgs − VT
43 Schema echivalentă ce corespunde modelului matematic

3p ig=0
id=gmvgs
al unui TECJ – pentru regimul cvasistatic de semnal mic – este
prezentată în figura:
88
a) b)
G D G D
vgs gmvgs vgs gmvgs
S S
c) d)
G D G D
vgs gmvgs gmvgs vgs
S S
44. Circuitul de polarizare al unui TECJ are sarcina de a asigura:

2p
a) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea
punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor,
dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia
temperaturii;
b) polarizarea directă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea
temperaturii;
c) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea
precum şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia
temperaturii;
d) stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;
45. Aşa numitul „circuit cu negativare automată” utilizat pentru polarizarea

3p unui TECJ este prezentat în figura notată:
a) b)
ED ED
RG RS
89
c) d)
ED ED
RG RS RS
46. Figura 5.5 prezintă aşa numitul „circuit cu negativare automată” utilizat
3p pentru polarizarea unui TECJ. Schema echivalentă de semnal mare ce îi
corespunde este:
ED
RG RS
Figura 5.5
a) b)
G D G D
ID ID
VGS VDS VGS VDS
S S
ED ED
RG RS RG RS
c) d)
G D G D
ID ID
VGS VDS VGS VDS
S S
ED ED
RG RS RG RS
47 Figura 5.6 prezintă schema echivalentă de semnal mare a circuitului din

4p figura 5.5. Căderea de tensiune VGS are expresia:
90
G D
ID
VGS VDS
S
ED
RG RS
Figura 5.6
a) VGS=RSID
b) VGS=-RGID
c) VGS=-RSID
d) VGS=-RGIG
48. Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună
2p construit cu un TECJ. Tranzistorul este blocat dacă:
ED
RD
iD iO
iIN
vO
vIN
Figura 5.7
a) vIN<VT
b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat
c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat
d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat
49. Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună.
2p Tranzistorul este în regiunea de saturaţie dacă:
a) vIN<VT
50. Figura 5.8 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună.
2p Tranzistorul este în regiunea liniară dacă:
a) vIN<VT
51. Figura 5.7 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună. Dacă
2p tranzistorul este blocat schema se modelează ca în figura notată:
91
a) b)
ED ED
RD RD
iD iO iIN
iIN
G D G D iD
v IN vGS vO vIN v GS vO
S S
c) d)
ED ED
RD
iIN iIN
G D R G D R
vIN v GSE vO vIN vGS vO
S S
2p tranzistorul operează în regiunea de saturaţie schema se modelează ca în
figura notată:
a) b)
ED ED
RD RD
iD iO
iIN iIN
G D G D iD
S S
c) d)
ED ED
RD
iIN iIN
G D R G D R
S S
2p tranzistorul operează în regiunea liniară schema se modelează ca în
figura notată:
92
a) b)
ED ED
RD RD
iD iO iIN
iIN
G D G D iD
S S
c) d)
ED ED
RD
iIN iIN
G D R G D R
S S
4p tranzistorul operează în regiunea liniară tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
2
 v 
b) vO=ED- RD I DSS 1 − GS  ;
 VT 
R
c) vO= ED ;
R + RD
2
 v 
d) vO=ED+ RD I DSS 1 − GS  .
 VT 
2p tranzistorul operează în regiunea de saturaţie tensiunea de ieşire are
expresia:
a) vO=ED;
2
 v 
 VT 
R
c) vO= ED ;
R + RD
2
 v 
 VT 
93
2p tranzistorul este blocat tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
2
 v 
 VT 
R
c) vO= ED ;
R + RD
2
 v 
 VT 
57. Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în

2p conexiunea sursă comună este prezentată în figura notată:
a) b)
ED ED
RD RD
C1 C1
C2 C2
V0 V0
Vin Vin
RG RS RS CS
c) d)
ED ED
RD RD
C1 C1
C2 C2
V0 V0
Vin Vin
RG RS CS RS

1p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RG:
94
ED
RD
C1
C2
V0
Vin
RG RS CS
Figura 5.8
a) face parte din circuitul de negativarea automată;
b) este rezistor de sarcină;
c) este rezistor de limitare;
d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.

1p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RS

1p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistorul RD

1p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul C1
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ
neavând nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă,
dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă,
în curent continuu neavând nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând
componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.

95


1p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Condensatorul CS

3p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Amplificarea în
tensiune definită prin: AV = Vo este:
Vin
a) Av=gmRD
b) Av=-gmRD
c) Av=gmRS
d) Av=-gmRS
65. Schema unui etaj de amplificare în conexiunea sursă comună este

3p prezentată în figura 5.8. Schema echivalentă de semnal mic regim
cvasistatic este prezentată în figura notată:
a) b)
Iin Iin
G D Io G D Io
Vin RG Vgs gπVgs RD Vo Vin RG Vgs gmVgs RD Vo
S S
96
c) d)
Iin Iin
G D Io G D Io
Vin RG Vgs gmVgs RD Vo Vin RG Vgs gmVgs RD Vo
S S

3p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 5.8. Rezistenţa de
intrare este:
a) Rin=RG
b) Rin=βRS
c) Rin=βRG
d) Rin=RS

ieşire este:
a) Ro=RD
b) Ro=βRD
c) Ro=RS
d) Ro=βRS
Răspuns corect a.)
97
Răspunsuri
1 Răspuns corect a) 35. Răspuns corect b.)
2. Răspuns corect a) 36. Răspuns corect a.).
3. Răspuns corect c) 37. Răspuns corect d.)
4. Răspuns corect b) 38. Răspuns corect a.)
5. Răspuns corect d) 39. Răspuns corect d)
11. Răspuns corect d) 45. Răspuns corect c)
16. Răspuns corect b) 50. Răspuns corect b)
33. Răspuns corect c) 67. Răspuns corect a.)
34. Răspuns corect d)
98
Capitolul 6
Tranzistoare cu efect de câmp
metal oxid semiconductor
1. Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp metal oxid

2p semiconductor cu canal initial este prezentată în figura notată cu:
a) b)
S G D S G D
SiO2 SiO2
n
p++ n++ n
++
n
++
canal canal
n p
B
S
B
S
c) d)
G joncţiune S G D
joncţiune
p-n p-n
SiO2
n p n ++ n ++
n n
S D
canal canal
p
p
B
G
S S
2. Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp de câmp metal oxid

2p semiconductor cu canal indus este prezentată în figura notată cu:
a) b)
S G D S G D
SiO2 SiO2
n
p++ n++ n++ n++
canal canal
n p
B
B
S
S
99
c) d)
G joncţiune S G D
joncţiune
p-n p-n
SiO2
n p n ++ n ++
n n
S D
canal canal
p
p
B
G
S S

1p câmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat S se
numeşte:
S G D
SiO 2
++ n ++
n n
canal
p
B
S
Figura 6.1
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

1p câmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat G se
numeşte:
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

1p câmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat D se
numeşte:

1p câmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat B se
numeşte:
100
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat
Răspuns corect d)

1p câmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat B se
numeşte:
S G D
SiO2
++ ++
n n
canal
p
B
S
Figura 6.2
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

1p câmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat S se
numeşte:
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

1p câmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat G se
numeşte:
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat

1p câmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat D se
numeşte:
101
a) sursă;
b) drenă;
c) grilă;
d) substrat
11 Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip n este:

1p
a.) b.) c.) d.)
D D D D
G B G G B G
B B
S S S S
12 Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip p este:

1p
a.) b.) c.) d.)
D D D D
G B G B G B G B
S S S
S
13 Simbolul unui TECMOS cu canal inţial tip n este:

1p
a.) b.) c.) d.)
D D D D
G B G B G B G B
S S S
S
14 Simbolul unui TECMOS cu canal iniţial tip p este:

1p
102
a.) b.) c.) d.)

D D D D
G B G B G B G B
S S S
S
15. În cazul unui TECMOS canalul este situat:

2p
a) la suprafaţa structurii (interfaţa Si-SiO2 ), făcând legatura dintre
drena şi sursă;
b) în volumul structurii, făcând legatura dintre drena şi sursă;
c) la suprafaţa structurii (interfaţa Si-SiO2 ), dar numai în partea
dinspre drenă;
d) în volumul structurii, dar numai în partea dinspre drenă;
16. Din punct de vedere tehnologic se pot realiza tranzistoare cu efect de

1p câmp:
a) numai cu canal n:
b) numai cu canal p;
c) atât cu canal n cât şi cu canal p;
d) tipul de canal depinde de tipil de tranzistor (TECJ sau
TECMOS).
17. Curentul principal din TECMOS se stabileşte între:

2p
a) grilă şi drenă;
b) sursă şi drenă;
c) sursă şi grilă;
d) grilă şi drenă.
18. Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal n se stabileşte între sursă

2p şi drenă. El este constituit din:
a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.
19. Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal p se stabileşte între sursă
103
2p şi drenă. El este constituit din:

a) electroni
b) goluri;
c) ioni pozitivi;
d) ioni negativi.
20 Curentul principal dintr-un TECMOS - curent care circulă între sursă şi

3p drenă - circulă printr-un canal, a cărui conductanţă este modificată
electric de potenţialul de pe grilă. În cazul TECMOS cu canal iniţial:
a) potenţialul grilei modifică lungimea canalului şi prin aceasta
rezistenţa canalului;
b) potenţialul grilei modifică secţiunea canalului şi prin aceasta
c) potenţialul grilei modifică lăţimea canalului şi prin aceasta
d) potenţialul grilei modifică concentraţia purtătorilor din canal şi
prin aceasta rezistenţa canalului.
21. Conexiunea sursă comună a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este
1p prezentată în figura notată:
a) b)
iO
iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN
c) d)
iO
iIN iO
iIN
vO vIN vO
vIN
22 Conexiunea drenă comună a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este

a) b)
iO
iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN
104
c) d)
iO
iIN iO
iIN
vO vIN vO
vIN
23. Conexiunea grilă comună a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este
a) b)
iO
iIN iO
iIN vO
vIN vO
vIN
c) d)
iO
iIN iO
iIN
vO vIN vO
vIN
24. Conexiunea sursă comună a unui TECMOS cu canal indus de tip n este
a) b)
iO
iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN
c) d)
iO
iIN iO
iIN
vO vIN vO
vIN
25. Conexiunea drenă comună a unui TECMOS cu canal indus de tip n este
105
a) b)
iO
iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN
c) d)
iO
iIN iO
iIN
vO vIN vO
vIN
26. Conexiunea grilă comună a unui TECMOS cu canal indus de tip n este
a) b)
iO
iIN iO
iIN
vO
vIN vO
vIN
c) d)
iO
iIN iO
iIN
vO vIN vO
vIN
27. Întrucât grila unui TECMOS este izolată de canal printr-un strat de
2p bioxid de siliciu curentul de grilă este:
a) iG = iG (vDS )
U GS = const .
b) iG = iG (vGS )
U GS =const .
c) iG ≅ 0
vDS
d) iG =
rDS
106
28. Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal

1p iniţial de tip n. Cu I a fost notată:
iD
vGS-vT
III.
IV.
II. vGS=0.1V
vGS=0V
I. vGS=2V
vGS=-4V
vGS=VT
vDS
Figura 6.3
c) regiunea de cot;

1p iniţial de tip n. Cu II a fost notată:
c) regiunea de cot;

1p iniţial de tip n.Cu III a fost notată:
c) regiunea de cot;

1p iniţial de tip n. Cu IV a fost notată:
c) regiunea de cot;

1p indus de tip n. Cu I a fost notată:
107
iD
vGS-vT
III.
IV.
II. vGS=8V
vGS=6V
I. vGS=4V
vGS=2V
vGS=VT
vDS
Figura 6.4
c) regiunea de cot;

1p indus de tip n. Cu II a fost notată:
c) regiunea de cot;

1p indus de tip n.Cu III a fost notată:
c) regiunea de cot;

1p indus de tip n. Cu IV a fost notată:
c) regiunea de cot;
36. Un TECMOS care funcţionează în regiunea liniară se comportă ca

2p
108
37. Un TECMOS care funcţionează în regiunea de blocare se comportă ca

2p
38. Un TECMOS care funcţionează în regiunea de saturaţie se comportă ca

2p
39. Caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este

a) b)
iD iD
Regiune vGS-vT vGS-vT
Regiune
de cot de cot
liniara liniara
vGS=2V vGS=6V
vGS=0V vGS=4V
blocare blocare
vGS=-4V vGS=2V
vGS=VT vGS=VT
vDS vDS
c) d)
iD iC
Regiune vGS-vT
de cot v CB=0 Regiunea activă normală iB4
Regiune de saturatie
liniara saturatie
vGS=0V iB2
Regiune de
vGS=2V Regiunea de
blocare
vGS=-4V blocare iB1
vGS=VT
vDS
vCE
40. Caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus de tip n este

a) b)
iD vGS-vT iD
Regiune vGS-vT
Regiune
de cot de cot
liniara liniara
vGS=2V vGS=6V
vGS=0V vGS=4V
blocare blocare
vGS=-4V vGS=2V
vGS=VT vGS=VT
vDS vDS
109
c) d)
iD vGS-vT iC
Regiune
de cot v CB=0 iB4
Regiune de saturatie Regiunea activă normală
liniara saturatie
vGS=0V iB2
Regiune de
vGS=2V Regiunea de
blocare
vGS=-4V blocare iB1
vGS=VT
vDS
vC E
41. Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal iniţial n este

a) b)
iD iD
IDSS
VT v GS
VT 1V vGS
c) d)
iD iB
vCE1
vCE2>vCE1
IDSS
VT 1V vGS vBE
Vγ
42. Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal indus n este

a) b)
iD iD
IDSS
VT v GS
VT 1V vGS
c) d)
iD iB
vCE1
vCE2>vCE1
IDSS
VT 1V vGS vBE
Vγ
43. Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucrează în

3p regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
110
a) iG=0 şi iD=0
b) iG=0 β
şi iD = (vGS − VT )2
2
 v 
1
2 
c) iG=0 şi i D = G o 1 −  GS   u DS
  VT  
 
  v 
IS
 e βF
 T   eT 

3p regiunea de saturaţie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0 şi iD=0
b) i =0 β 2
G şi iD = (vGS − VT )
2
1
 v  2 
c) iG=0 şi i D = G o 1 −  GS   u DS
  VT  
 
  v 
IS
e βF
 T   eT 

3p regiunea liniară - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0 şi iD=0
b) i =0 β 2
G şi iD = (vGS − VT )
2
1
 v  2 
c) iG=0 şi i D = G o 1 −  GS   u DS
  VT  
 
  v 
IS
e βF
 T   eT 
46. Schema echivalentă a unui TECMOS care lucrează în regiunea liniară -

111
a) b)
iB G D
B C
v GS
vBE βFi B R
E S
c) d)
G D G D
vGS β
(vGS − VT )2 vGS vDS
S 2 S
47. Schema echivalentă a unui TECMOS care lucrează în regiunea de

3p saturaţie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) b)
iB G D
B C
v GS
vBE βFi B R
E S
c) d)
G D G D
vGS β
S 2 S
48. Schema echivalentă a unui TECMOS care lucrează în regiunea de

3p blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) b)
iB G D
B C
v GS
vBE βFiB R
E S
c) d)
G D G D
vGS β
S 2 S
49. Pentru un TECMOS, o dată cu creşterea temperaturii:

3p
112
iD
T1
T2>T1 IDSS1
IDSS2 T2
Z
IZ
VT2 VT1 VGZ vGS
Figura 6.5
a) IDSS scade iar VT creşte;
b) IDSS creşte iar VT scade;
c) IDSS şi cresc;
d) IDSS şi VT scad.
50. Pentru un TECMOS, o dată cu creşterea temperaturii:

3p
a) iD scade dacă iD>IZ;
b) iD creşte dacă i D>IZ;
c) iD scade dacă iD<IZ;
d) temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui iD;
51. O dată cu variaţia temperaturii caracteristicile de ieşire ale unui

3p TECMOS se modifică ca în figura notată (urmăriţi relaţia dintre T1 şi
T2):
a) b)
iD iD
T1 T1
T2<T1 IDSS1 T2>T1 IDSS1
IDSS2 T2 IDSS2 T2
Z Z
IZ IZ
c) d)
T1 ≤ T2 iD T1 ≥ T2 iD
T1 T1
IDSS1 IDSS1
IDSS2 T2 IDSS2 T2
Z Z
IZ IZ
52. Un posibil model matematic pentru un TECMOS – pentru regimul
113
3p cvasistatic de semnal mic – este:

a) id=0 şi id=gmvds
b) ig=0 şi id=gmvgs
c) id=0 şi id=gmvds
d) ig=0 şi id=gmvgs
unde
ig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)
id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal)
vds tensiune de drenă-sursa (valoare instantanee de semnal)
2I D
gm =
VGS − VT
53. Tranconductanţă mutuală a unui TECMOS are expresia:

3p
a) g m = β (vGS − VT )2 ;
b) g m = 2I D ;
Vgs − VT
c) g m = β (vGS − VT ) ;
d) g m = 2 I d .
Vgs − VT
54. Schema echivalentă ce corespunde modelului matematic

3p ig=0
id=gmvgs
al unui TECMOS – pentru regimul cvasistatic de semnal mic – este
prezentată în figura:
a) b)
G D G D
vgs gmvgs vgs gmvgs
S
S
c) d)
G D G D
vgs gmvgs gmvgs vgs
S S
114
55. Circuitul de polarizare al unui TECMOS are sarcina de a asigura:

2p
a) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea
temperaturii;
b) polarizarea directă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea
temperaturii;
c) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea
precum şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia
temperaturii;
d) stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;
56. Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui

3p TECMOS cu canal indus de tip n:
a) este întotdeauna pozitivă;
b) este întotdeauna negativă;
c) poate fi atât pozitivă cât şi negativă;
d) este întotdeauna zero.

3p TECMOS cu canal indus de tip p:
Răspuns corect b)

3p TECMOS cu canal iniţial de tip n:

3p TECMOS cu canal iniţial de tip p:
115

60. Pentru un TECMOS cu canal indus de tip n s-au impus scheme de

3p polarizare de tipul celei din figura notată:
a) b)
+ED +ED
R1 RC R1 RC
R2 R2 RS
c) d)
-ED -ED
R1 RC R1 RC
R2 R2 RS
61. Pentru un TECMOS cu canal inţial de tip n s-au impus scheme de

3p polarizare de tipul celei din figura notată:
a) b)
+ED +ED
R1 RC R1 RC
R2 R2 RS
116
c) d)
-ED -ED
R1 RC R1 RC
R2 R2 RS
2p construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Tranzistorul este
blocat dacă:
ED
iD
RD
vIN vO
Figura 6.6
a) vIN<VT
2p construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Tranzistorul este în
regiunea de saturaţie dacă:
a) vIN<VT
d) vIN<VT : sau vDS<vDSsat
2p construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Tranzistorul este în
regiunea liniară dacă:
a) vIN<VT
117
2p construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul este
blocat schema se modelează ca în figura notată:
a) b)
iD ED ED
iD
β 2
RD (vGS − VT )
2 RD
D
G G D
v IN S vO vIN vGS vO
S
c) d)
ED ED
RD
G D iIN
G D R
vIN v GS R vO vIN vGS vO
S
2p construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul
operează în regiunea de saturaţie schema se modelează ca în figura
notată:
a) b)
iD ED ED
iD
β 2
RD (vGS − VT )
2 RD
D
G G D
S
c) d)
ED ED
RD
G D iIN
G D R
S
118
operează în regiunea liniară schema se modelează ca în figura notată:
a) b)
iD ED ED
iD
β 2
RD (vGS − VT )
2 RD
D
G G D
S
c) d)
ED ED
RD
G D iIN
G D R
S
operează în regiunea liniară tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
b) β 2
;
vO = ED − RD (vIN − VT )
2
R
c) vO= ED ;
R + RD
d) vO = E D − β RD (vIN + VT )2 .
2
operează în regiunea de saturaţie tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
b) vO = ED − β RD (vIN − VT )2 ;
2
R
c) vO= ED ;
R + RD
119
d) vO = E D − β RD (vIN + VT )2 .
2
2p construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul este
blocat tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
b) vO = ED − β RD (vIN − VT )2 ;
2
R
c) vO= ED ;
R + RD
d) vO = E D − β RD (vIN + VT )2 .
2

2p conexiunea sursă comună este prezentată în figura notată:
a) b)
+ED -ED
RG1 RD RG1 RD
Iin C1 Iin C1
C2 C2
Vin Vo Vin Vo
RG2 RS RG2 RS
c) d)
+ED -ED
RG1 RD RG1 RD
Iin C1 Iin C1
C2 C2
Vin Vo Vin Vo
RG2 RS CS RG2 RS CS

1p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RG1
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei;
120

1p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RG2

1p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RS

1p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RD


121


1p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Condensatorul CS

3p conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Amplificarea în
tensiune definită prin: AV = Vo este:
Vin
a) Av=gmRD
b) Av=-gmRD
c) Av=gmRS
d) Av=-gmRS
80. Schema unui etaj de amplificare în conexiunea sursă comună este

3p prezentată în figura 6.6. Schema echivalentă de semnal mic regim
cvasistatic este prezentată în figura notată:
a) b)
Iin Iin
G D Io G D Io
Vin RG Vgs gπVgs RD Vo Vin RG Vgs gmVgs RD Vo
S S
c) d)
Iin Iin
G D Io G D Io
Vin RG Vgs gmVgs RD Vo Vin RG Vgs gmVgs RD Vo
S S

intrare este:
122
RG1 RG 2
a) Rin = RG1 RG 2 =
RG1 + RG 2
b) Rin=βRS
RG1RG 2
c) Rin = βRG1 RG 2 = β
RG1 + RG 2
d) Rin=RS

ieşire este:
a) Ro=RD
b) Ro=βRD
c) Ro=RS
d) Ro=βRS
123
Răspunsuri
18. Răspuns corect a) 50. Răspuns corect a.)
20. Răspuns corect d) 52. Răspuns corect d.)
25. Răspuns corect c) 57. Răspuns corect b)
65. Răspuns corect a)
124
66. Răspuns corect b)

67. Răspuns corect c)
81. Răspuns corect a.)
125
Capitolul 7
Dispozitive semiconductoare multijoncţiune
1. Simbolul unui tiristor este prezentat în figura notată:
1p
a) b) c) d)
A T2 A T2
G
G
T1 T1
C C
2. Simbolul unui triac este prezentat în figura notată:

1p
a) b) c) d)
A T2 A T2
G
G
T1 T1
C C
3. Simbolul unei diode Shockley este prezentat în figura notată:

1p
a) b) c) d)
A T2 A T2
G
G
T1 T1
C C
127
4. Simbolul unui diac este prezentat în figura notată:

1p
a) b) c) d)
A T2 A T2
G
G
T1 T1
C C
5. Structura unui tiristor este prezentată în figura notată:

3p
a) b) c) d)
A T2 A
G
n’1
n p n
p p’1 p2 p
n n S
n’2 n2 canal
G p p’2 p1 p p
nnp n1
n n
G
C G T1 C
6. Structura unui triac este prezentată în figura notată:

3p
a) b) c) d)
A T2 A
G
n’1
p p n p n
p’1 p2
n n’2 n2 n S
canal
G p p’2 p1 p p
nnp n1
n n
G
C G T1 C
7. Structura unei diode Shockley este prezentată în figura notată:

3p
128
a) b) c) d)
A T2 A
G
n’1
p p n p n
p’1 p2
n n’2 n2 n S
canal
G p p’2 p1 p
p
nnp n1
n n
G
C G T1 C
8. În funcţionare normală, tiristorul prezintă:

2p
a) două stări, ambele instabile;
b) două stări, una stabilă, una instabilă;
c) trei stări, toate trei stabile;
d) două stări, ambele stabile.
9. În funcţionare normală, tiristorul prezintă două stări:

2p
a) stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă ca un
scurtcircuit, şi starea de blocare stare în care tiristorul se comportă
ca un circuit întrerupt;
b) stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă ca un
scurtcircuit, şi starea instabilă stare în care tiristorul se comportă
ca o rezistenţă negativă;
c) starea de blocare stare în care tiristorul se comportă ca un circuit
întrerupt, şi starea instabilă stare în care tiristorul se comportă ca o
rezistenţă negativă;
d) stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă ca un
amplificator, şi starea de blocare stare în care tiristorul se
comportă ca un circuit întrerupt;
10. Procesul de amorsare al tiristorului reprezintă:

2p
a) tranziţia de la starea de blocare la starea în care tiristorul se
comportă ca o rezistenţă negativă;
b) tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul se
c) tranziţia de la starea de conducţie la starea de blocare;
d) tranziţia de la starea de blocare la starea de conducţie.
11 Procesul de amorsare al tiristorului reprezintă tranziţia de la starea de
129
2p blocare la starea de conducţie. Pentru a se realiza această tranzitie este

necesar:
a) să fie îndeplinite una dintre următoarele condiţii: polarizare directă
a tiristorului sau comandă pe poartă;
b) să fie îndeplinite simultan două condiţii: polarizare directă a
tiristorului şi comandă pe poartă;
c) şi suficient ca tiristorul să fie polarizat direct;
d) şi suficient să existe comandă pe poartă.
12. Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoare

2p conectate ca în figura:
a) b) c) d)
C A A A
T1 T1 T1 T1
G G G G
T2 T2 T2 T
A C C C

2p conectate ca în figura 7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicată prin
faptul că modul de conectare al celor două tranzistoare permite
declanşarea unui proces regenerativ în structură prezentat în figura:
A
T1
G
T2
C
Figura 7.1
a) ( )
iG ↑ ⇒ i BT 1 ↑ ⇒ iCT 1 = i BT 2 ↑ ⇒ iCT 2 ↑ ⇒ i BT 1 ↑
⇑ ⇓
⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐
b) ( )
iG ↑ ⇒ iBT 2 ↑ ⇒ iCT 1 = iBT 2 ↑ ⇒ iCT 2 ↑ ⇒ iBT 1 ↑
⇑ ⇓
⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐
130
c) ( )
⇑ ⇓
⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐
d) ( )
⇑ ⇓
⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐

3p conectate ca în figura 7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicată prin
faptul că modul de conectare al celor două tranzistoare permite
declanşarea unui proces regenerativ în structură prezentat în figura7.2.
Mecanismul este :
( )
iG ↑ ⇒ i BT 1 ↑ ⇒ iCT 1 = i BT 2 ↑ ⇒ iCT 2 ↑ ⇒ i BT 1 ↑
⇑ ⇓
⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐
a) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocarea
celor două tranzistoare;
b) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocarea
tranzistorului T1 şi saturarea tranzistorului T2;
c) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin saturarea
celor două tranzistoare;
d) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocarea
tranzistorului T1 şi saturarea tranzistorului T2.
15. În practică există posibilitatea apariţiei aşa numitelor amorsări parazite,

3p amorsări ce trebuie evitate. Există în principal doi factori care pot da
naştere acestor amorsări:
diA
a) dispersia parametrilor sau efectul ;
dt
dv A
b) dispersia parametrilor sau efectul ;
dt
di
c) temperatura sau efectul A ;
dt
dv A
d) temperatura sau efectul ;
dt
16. Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezintă:

2p
131
a) tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul se

b) tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul se
c) tranziţia de la starea de conducţie la starea de blocare;
d) tranziţia de la starea de blocare la starea de conducţie.
17. Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezintă tranziţia de la starea de

2p conducţie la starea de blocare. Pentru a se realiza această tranzitie este
necesar:
a) iG < iH
b) iG > iH
c) i A < i H
d) iA > iH
unde:
iH poartă numele de curent de menţinere
iA curent anodic
iG curent de grilă
18. Blocarea tiristorului clasic se realizează practic prin două metode. Una
2p dintre ele este:
a) polarizarea inversă a tiristorului;
b) injectarea unui curent pe poartă;
c) polarizarea inversă a joncţiunii poartă catod;
d) comandă pe poartă şi polarizare inversă a tiristorului.
19. Blocarea tiristorului clasic se realizează practic prin două metode. Una
2p dintre ele este:
a) proiectarea unui circuit special de stingere;
b) injectarea unui curent pe poartă;
c) polarizarea inversă a joncţiunii poartă catod;
d) comandă pe poartă şi polarizare inversă a tiristorului.
20. În cazul unui tiristor clasic:

3p
a) grila comandă atât amorsarea cât şi dezamorsarea;
b) după amorsare grila îşi pierde rolul;
c) uneori grila comandă amorsarea alteori dezamorsarea;
d) rolul grilei este dictat de circuitul exterior.
132
21. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura notată:

2p
a) b)
iA iT1T2
IH H
VBR
VBD1 VH vA vT1T2
c) d.)
iA
iT1T2
IH H
VBR
VBD1 VH V BD vA
vT1T2
22. Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura notată:

2p
a) b)
iA iT1T2
IH H
VBR
VBD1 VH vA vT1T2
c) d.)
iA
iT1T2
IH H
VBR
VBD1 VH V BD vA
vT1T2
23. Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura

2p notată:
133
a) b)
iA iT1T2
IH H
VBR
VBD1 VH vA vT1T2
c) d.)
iA
iT1T2
IH H
VBR
VBD1 VH V BD vA
vT1T2
24. Caracteristica statică a unui triac este prezentată în figura notată:

2p
a) b)
iA iT1T2
IH H
VBR
VBD1 VH vA vT1T2
c) d.)
iA
iT1T2
IH H
VBR
VBD1 VH V BD vA
vT1T2
25. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 1 este
1p notată:
134
iA
5
4 iG0 =0
3 iG1>iG0
2
IH H
VBR
V VH VBD3 VBD2 VBD1 vA
1 V
Figura 7.2
a) regiune de străpungere; regiune nefolosită în funcţionare normală
întrucât tiristorul se distruge dacă punctul de funcţionare ajunge în
această regiune.
b) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări
stabile ale tiristorului
c) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stări
d) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în mod
normal.
1p notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea de
b) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de
c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în mod
normal.
d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabile
ale tiristorului
1p notată:
135

normal.
ale tiristorului
1p notată:
normal.
ale tiristorului
1p notată:
normal.
ale tiristorului
1p notată:
136
iT1T2
6
iG4 5
iG3
4
vT1T2
3 2
iG2
iG1
1
Figura 7.3
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare;
c) regiune de rezistenţă negativă;
d) regiune de conducţie;
1p notată:
1p notată:
1p notată:
1p notată:
137

1p notată:
35. Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.
1p Cu 1 este notată:
iA
5
4
3
2
IH H
VBR
V VH VBD vA
1
Figura 7.4
b) regiune de blocare la polarizare inversă;
c) regiune de blocare la polarizare directă;
d) regiune de rezistenţă negativă.
a) regiune de blocare la polarizare inversă;
b) regiune de blocare la polarizare directă;
c) regiune de rezistenţă negativă.
d) regiune de conducţie.
138
40. Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 1 este
1p notată:
iT1T2
6
5
4
vT1T2
3
2
1
Figura 7.5
1p notată:
1p notată:
139
1p notată:
1p notată:
1p notată:
46. Tiristorul blocat se modelează ca în figura notată:

2p
a) b) c) d)
A A A A
E E
C C C C
47. Tiristorul în conductie se modelează ca în figura notată:

2p
140
a) b) c) d)
A A A A
E E
C C C C
48. Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Figura 7.7

4p prezintă modul de variaţie în timp a tensiunii de alimentare Vs şi a
curentului de comandă aplicat pe grila tiristorului iG. În aceste condiţii,
căderea de tensiune (vA) pe tiristor este prezentată în figura notată:
iL vs
Tr
RL vL t
Vp Vs
T iG iG
vA
t
Figura 7.6 Figura 7.7
a) b)
vs vs
t t
iG iG
vA t vA t
t t
c) d)
vs vs
t t
iG iG
vA t vA t
t t
49. Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Figura 7.7
141
4p prezintă modul de variaţie în timp a tensiunii de alimentare Vs şi a

curentului de comandă aplicat pe grila tiristorului iG. În aceste condiţii,
căderea de tensiune (vL) pe rezistorul de sarcină tiristor este prezentată în
figura notată:
iL vs
Tr
RL vL t
Vp Vs
T iG iG
vA
t
a) b)
vs vs
t t
iG iG
vL t vL t
t t
c) d)
vs vs
t t
iG iG
vL t vL t
t t
50 Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. În condiţiile în

2p care tiristorul este în conducţie această schemă se modelează ca în figura
notată:
142
a) c)
iL iL
Tr Tr
RL vL RL vL
Vp Vs Vp Vs
T T
vA vA
c) d)
iL iL
Tr Tr
RL vL RL vL
Vp Vs Vp Vs
T T
vA vA
51 Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. În condiţiile în

2p care tiristorul este blocat această schemă se modelează ca în figura notată:
a) c)
iL iL
Tr Tr
RL vL RL vL
Vp Vs Vp Vs
T T
vA vA
c) d)
iL iL
Tr Tr
RL vL RL vL
Vp Vs Vp Vs
T T
vA vA
52 Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Formele undă

4p care caracterizează funcţionarea sunt prezentate în figura 7.8. În condiţiile
în care tensiunea din secundarul transformatorului are expresia
v S (t ) = V s sin ω t cădere de tensiune de pe sarcină (vL) are expresia:
143
vs
t
iG
vA t
t
vL
0 t
t1 t2 t3t4 t5 t6t7 t8
Figura 7.8
a) Vs sin ω t pentru t ∈ {( kT , t1 + kT ) U (t 2 + kT , t 3 + kT )} k∈Z

v L (t ) = 
0 pentru t ∈ (t1 + kT , t1 + kT ) k∈Z
b) v (t ) = 0 pentru t ∈ {( kT , t1 + kT ) U (t 2 + kT , t 3 + kT )} k∈Z

L
 2V s sin ω t pentru t ∈ (t1 + kT , t1 + kT ) k∈Z
c)  2Vs sin ω t pentru t ∈ {(kT , t1 + kT ) U (t 2 + kT , t 3 + kT )} k∈Z

v L (t ) = 
0 pentru t ∈ (t1 + kT , t1 + kT ) k∈Z
d) v L (t ) = 0 pentru t ∈ {( kT , t1 + kT ) U (t 2 + kT , t 3 + kT )} k∈Z

V s sin ω t pentru t ∈ (t1 + kT , t1 + kT ) k∈Z
53 Figura 7.9 prezintă o aplicaţie tipică pentru funcţionarea unui triac.

4p Funcţionarea acestui circuit este descrisă de formele de unda reprezentate
în figura notată:
iL
Tr
RL vL
Vp Vs
Tc iG vA
Figura 7.9
144
a) b)
vs vs
t t
iG iG
vT1T2 t vT1T2 t
t t
vL vL
t t
c) d)
vs vs
t t
iG iG
vT1T2 t vT1T2 t
t t
vL vL
t t
145
Răspunsuri
3. Răspuns corect c) 33. Răspuns corect c.)
5. Răspuns corect a) 35. Răspuns corect a.)
9. Răspuns corect a) 39. Răspuns corect d.)
11. Răspuns corect b) 41. Răspuns corect c.)
12. Răspuns corect b) 42. Răspuns corect b.)
14. Răspuns corect c) 44. Răspuns corect c.)
16. Răspuns corect c) 46. Răspuns corect b.)
17. Răspuns corect c) 47. Răspuns corect a.)
20. Răspuns corect b) 50. Răspuns corect d)
28. Răspuns corect d.)
30. Răspuns corect c.)
146
Capitolul 8
Amplificatoare operaţionale
1 Un amplificator operaţional se comportă - în principiu - ca:
2p
a) un amplificator ideal de curent;
b) un amplificator ideal transrezistenţă;
c) un amplificator ideal transconductanţă;
d) un amplificator ideal de tensiune.
2. Simbolul unui amplificator operaţional este prezentată în figura 8.1. Cu v+

2p este notată intrarea neinversoare, ceea ce înseamnă:
v+ +
vO
v- -
Figura 8.1
a) că semnalul de ieşire este în fază cu semnalul aplicat pe această
intrare;
b) că semnalul de ieşire este defazat cu 1800 faţă de semnalul aplicat
pe această intrare;
c) că pe această intrare trebuie aplicate numai semnale pozitive;
d) că pe această intrare trebuie aplicate numai semnale negative.
3. Simbolul unui amplificator operaţional este prezentată în figura 8.1. Cu v-

2p este notată intrarea inversoare, ceea ce înseamnă:
a) că semnalul de ieşire este în fază cu semnalul aplicat pe această
intrare;
b) că semnalul de ieşire este defazat cu 1800 faţă de semnalul aplicat
pe această intrare;
c) că pe această intrare trebuie aplicate numai semnale pozitive;
d) că pe această intrare trebuie aplicate numai semnale negative.
4. Figura 8.2 este utilă şi pentru definirea modalităţilor de descriere ale unui
2p amplificator operaţional. Astfel se poate vorbi de: caracteristici de intrare,
caracteristica de ieşire şi caracteristici de transfer; Cea mai utilizată
caracteristică de transfer este:
147
I+
v+ +
Io
I- vO
v- -
Figura 8.2
a) vO=vO(v-);
b) vO=vO(v+)
c) vO=vO(v++v-)
d) vO=vO(vD) unde vD=v+-v-
5. Figura 8.3 prezintă caracteristica de transfer a unui amplificator

1p operaţional. Cu I. a fost notată:
vO[V]
VOH
III.
-0.1 0.1 vD[mV]
I.
VOL II.
Figura 8.3
a) regiunea de saturaţie negativă;
b) regiunea de saturaţie pozitivă;
c) regiunea liniară
d) reginea activă normală.

1p operaţional. Cu II. a fost notată:
c) regiunea liniară;

1p operaţional. Cu III. a fost notată:
c) regiunea liniară
8. Construcţia modelului de ordin zero a unui amplificator operational pleacă

3p de la observaţia că în realitate amplificatoare operaţionale se comportă
148
practic ca amplificatoare ideale de tensiune. Formal acest lucru înseamnă:

a) av→∞, Rin →0 şi Ro =∞;
b) av→∞, Rin →∞ şi Ro =∞;
c) av→∞, Rin →0 şi Ro =0;
d) av→∞, Rin →∞ şi Ro =0.
9 Modelul de ordin zero al unui amplificator operational consideră:

3p
a) vIN=0, i+=0 şi i-=0;
b) vO=0, i+=const. şi i-=0;
c) vIN=0, i+=const. şi i-=const.
d) vIN=0, i+=0 şi i-=const.
10. Conexiunea inversoare a unui amplificator operaţional este prezentată în

3p figura notată:
a) b)
v- (punct de masã virtual) R2
i2
R2
i2 R1
i1
-
R1
i1 -
+
vIN v+
+
vO vIN vO
c.) d.)
R2 C
iC
R1
v1 R
- iR
-
vIN
v2 +
+
R3 vO
R4 vO
11. Conexiunea neinversoare a unui amplificator operaţional este prezentată în

3p figura notată:
a) b)
v- (punct de masã virtual) R2 i2
R2
i2 R1
i1
-
R1
i1 -
+
vIN v+
+
vO vIN vO
149
c.) d.)
R2 C
iC
R1
v1 R
- iR
-
vIN
v2 +
+
R3 vO
R4 vO
12. Conexiunea diferenţială a unui amplificator operaţional este prezentată în

3p figura notată:
a) b)
v- (punct de masã virtual) R2
i2
R2
i2 R1
i1
-
R1
i1 -
+
vIN v+
+
vO vIN vO
c.) d.)
R2 C
iC
R1
v1 - iR R
-
vIN
v2 +
+
R3 vO
R4 vO
13. Schema unui circuit de sumare realizat cu amplificator operaţional este

a) b)
v- (punct de masã virtual) R2 i2
R2
i2 R1
i1
-
R1
i1 -
+
vIN v+
+
vO vIN vO
150
c.) d.)
R2 i1 R1
v1
R1 R2
i2
v1 - v2 R i
v2 + Rn
in
R3 vn -
R4 vO
+
vO
14. Schema unui circuit de integrare realizat cu amplificator operaţional este

a) b)
C R
iC iR
R C
iR iC
-
vIN -
vIN
+
+
vO vO
c.) d.)
D R
iD iR
R D
iR iD
- -
+ vIN + vO
vIN vO
15. Schema unui circuit de derivare realizat cu amplificator operaţional este

a) b)
C R
iC iR
R C
iR iC
-
vIN -
vIN
+
+
vO vO
151
c.) d.)
D R
iD iR
R D
iR iD
- -
+ vIN + vO
vIN vO
16. Schema unui amplificator logaritmic realizat cu amplificator operaţional

3p este prezentată în figura notată:
a) b)
C R
iC iR
R C
iR iC
-
vIN -
vIN
+
+
vO vO
c.) d.)
D R
iD iR
R D
iR iD
- -
+ vIN + vO
vIN vO
17. Schema unui amplificator antilogaritmic realizat cu amplificator

3p operaţional este prezentată în figura notată:
a) b)
C R
iC iR
R C
iR iC
-
vIN -
vIN
+
+
vO vO
152
c.) d.)
D R
iD iR
R D
iR iD
- -
+ vIN + vO
vIN vO
18. Conexiunea inversoare a unui amplificator operaţional este prezentată în

4p figura 8.4. Tensiunea de ieşire vO are expresia:
v- (punct de masã virtual)
R2
i2
R1
i1
-
vIN +
v+ vO
Figura 8.4
a) vO R
= − 2 vIN
R1
b) vO R
= 2 v IN
R1
c) vO R
= − 1 v IN
R2
d) vO R
= 1 v IN
R2
19. Conexiunea neinversoare a unui amplificator operaţional este prezentată în

R2
i2
R1
i1
-
vIN vO
Figura 8.5
153
 R 
a) vO = 1 + 1 vIN
 R2 
 R 
b) vO = 1 − 1 vIN
 R2 
 R 
c) vO = 1 − 2 vIN
 R1 
 R 
d) vO = 1 + 2 vIN
 R1 
20. Conexiunea diferenţială a unui amplificator operaţional este prezentată în

R2
R1
v1 -
v2 +
R3
R4 vO
Figura 8.6
R1
a) vo = (v1 − v2 )
R2
R1
b) vo = (v2 − v1 )
R2
R2
c) vo = (v2 − v1 )
R1
R2
d) vo = (v1 − v2 )
R1
21. Schema unui etaj de sumare realizat cu ajutorul unui amplificator

4p operaţional este prezentată în figura 8.7. Tensiunea de ieşire vO are
expresia:
154
i1 R1
v1
i2 R2
v2 R
i
Rn
in
vn -
+
vO
Figura 8.7
k =n
v
a) vO = R ∑ k
k =1 Rk
k=n
vk
b) vO = − R ∑R
k =1 k
1 1 k =n R
c) =− ∑ k
vO R k =1 vk
1 1 k=n R
d) = ∑ k
vO R k =1 vk
22. Schema unui etaj de integrare realizat cu ajutorul unui amplificator

expresia:
C
iC
R
iR
vIN -
+
vO
Figura 8.8
t
∫
a) vO (t ) = − RC vIN (ξ )dξ
0
t
b) vO (t ) = RC vIN (ξ )dξ
∫
0
t
1
RC ∫0
c) vO (t ) = − vIN (ξ )dξ
155
t
1
d) vO (t ) = vIN (ξ )dξ
RC ∫0
Se va considera vO(0)=0
23. Schema unui etaj de derivare realizat cu ajutorul unui amplificator

expresia:
R
iR
C
iC
vIN -
+
vO
Figura 8.9
dv (t )
a) vO (t ) = RC IN
dt
dvIN (t )
b) vO (t ) = − RC
dt
1 dvIN (t )
c) vO (t ) =
RC dt
1 dvIN (t )
d) vO (t ) = −
RC dt
Se va considera vO(0)=0
24 Schema unui amplificator logaritmic realizat cu ajutorul unui amplificator

expresia:
D
iD
R
iR
-
+
vIN vO
Figura 8.10
 v 
a) vO ≅ −eT ln  IN 
 RI
 S 
156
 v 
b) vO ≅ eT ln  IN 
RI 
 S
 v 
c) vO ≅ −eT lg  IN 
RI 
 S
 v 
d) vO ≅ eT lg  IN 
 R IS 
25. Schema unui amplificator antilogaritmic realizat cu ajutorul unui

4p amplificator operaţional este prezentată în figura 8.11. Tensiunea de ieşire
vO are expresia:
R
iR
D
iD
-
+
vIN vO
Figura 8.11
v IN
eT
a) vO ≅ + RI S e
v IN
eT
b) vO ≅ − RI S e
v IN
c) vO ≅ − RI S × 10 eT
v IN
eT
d) vO ≅ − RI S ×10
157
Răspunsuri

7. Răspuns corect b.)
158
Capitolul 9
Amplificatoare electronice
1. Figura 9.1 prezintă o schemă bloc utilizată pentru definirea conceptului de
1p amplificator. Cu xI s-a notat:
xi xo
a
Figura 9.1
a) valoarea instantanee a semnalului de intrare sau excitaţie,
b) valoarea instantanee a semnalului de ieşire sau răspuns,
c) factor de transfer al amplificatorului (ideal o constantă).
d) rezistenţa de intrare

1p amplificator. Cu xO s-a notat:

1p amplificator. Cu xO s-a notat:

2p amplificator. Pentru ca diportul prezentat să aibă comportament de
amplificator este necesar ca:
a) puterea semnalului de ieşire trebuie să fie mai mare decât puterea
semnalului; de intrare.
b) semnalul de ieşire trebuie să reproducă semnalul de ieşire ca
formă de variaţie în timp;
c) semnalul de ieşire trebuie să reproducă semnalul de ieşire ca

formă de variaţie în timp, sau puterea semnalului de ieşire trebuie
să fie mai mare decât puterea semnalului de intrare;
d) semnalul de ieşire trebuie să reproducă semnalul de ieşire ca
formă de variaţie în timp, şi puterea semnalului de ieşire trebuie să
fie mai mare decât puterea semnalului de intrare.
5. În cazul unui amplificator de tensiune:

1p
a) atât semnalul de excitaţie cât şi semnalului de răspuns reprezintă
tensiuni;
b) atât semnalul de excitaţie cât şi semnalului de răspuns reprezintă
curenţi;
c) semnalul de excitaţie reprezintă tensiune şi semnalului de răspuns
reprezintă curent;
d) semnalul de excitaţie reprezintă curent şi semnalului de răspuns
reprezintă tensiune;
6. În cazul unui amplificator de curent:

1p
tensiuni;
curenţi;
reprezintă curent;
7. În cazul unui amplificator transrezistenţă (transimpedanţă):

1p
tensiuni;
curenţi;
reprezintă curent;
8. În cazul unui amplificator transconductanţă (transadmitanţă):
214
1p
tensiuni;
curenţi;
reprezintă curent;
9. În mod uzual amplificatorul electronic este definit cu ajutorul schemei

2p bloc din figura 9.1 unde: ”xI” reprezintă valoarea instantanee a semnalului
de intrare sau excitaţie, ”x0” reprezintă valoarea instantanee a semnalului
de ieşire sau răspuns, iar ”a” factor de transfer al amplificatorului (ideal o
constantă). Între aceste trei mărimi există relatia:
xo(t)=a xi(t-τ)
unde τ reprezintă timpul de întârziere (timpul de tranzit al semnalului
prin amplificator). În cazul unui amplificator de tensiune care lucrează în
condiţii de semnal mic ”a” este definit de relaţia:
a) b)
Vo Io
Av = Ai =
Vi Ii
c) d)
V Io
Az = o Ay =
Ii Vi

xo(t)=a xi(t-τ)
prin amplificator). În cazul unui amplificator de curent care lucrează în
condiţii de semnal mic ”a” este definit de relaţia:
a) b)
Vo Io
Av = Ai =
Vi Ii
215
c) d)
Vo Io
Az = Ay =
Ii Vi

xo(t)=a xi(t-τ)
prin amplificator). În cazul unui amplificator de transconductaţă care
lucrează în condiţii de semnal mic, ”a” este definit de relaţia:
a) b)
Vo Io
Av = Ai =
Vi Ii
c) d)
V Io
Az = o Ay =
Ii Vi

xo(t)=a xi(t-τ)
prin amplificator). În cazul unui amplificator transrezistenţă care lucrează
în condiţii de semnal mic ”a” este definit de relaţia:
a) b)
Vo Io
Av = Ai =
Vi Ii
c) d)
V Io
Az = o Ay =
Ii Vi
13. În practică pentru amplificarea în tensiune a unui amplificator de tensiune

3 se foloseşte o mărime o mărime derivată şi anume câştigul în tensiune,
216
notat Gv, mărime pentru care se introduce belul ca unitate de măsură.

Uzual pentru unitatea de măsură a lui Gv se utilizează un submultiplu al
acestuia – decibelul – definit cu ajutorul relaţiei:
a) Gv [dB] = 20 lg Av ;
b) Gv [dB ] = 10 lg Av ;
c) Gv [dB] = 20 ln Av ;
d) Gv [dB ] = 10 ln Av .
14. Un amplificator de tensiune se modelează în mod comod ca în figura:

1p
a) b)
Ii Io
Vi Av Vi Vo AiIi
c) d)
Ii Io
AzIi Vo Vi AyVi
15. Un amplificator de curent se modelează în mod comod ca în figura:

1p
a) b)
Ii Io
Vi AvVi Vo AiIi
c) d)
Ii Io
AzIi Vo Vi AyVi
16. Un amplificator transrezistenţă se modelează în mod comod ca în figura:

1p
217
a) b)
Ii Io
Vi AvVi Vo AiIi
c) d)
Ii Io
AzIi Vo Vi AyVi
17. Un amplificator transconductanţă se modelează în mod comod ca în

1p figura:
a) b)
Ii Io
Vi AvVi Vo AiIi
c) d)
Ii Io
AzIi Vo Vi AyVi
18. În cazul unui amplificator de tensiune:

3p
a) Rin = 0 şi Ro → ∞ ;
b) Rin = 0 şi Ro = 0 ;
c) Rin → ∞ şi Ro → ∞ ;
d) Rin → ∞ şi Ro = 0 ;
unde Rin este rezistenţa de intrare şi Ro este rezistenţa de ieşire.
Răspuns corect d.)
19. În cazul unui amplificator de curent:

3p
a) Rin = 0 şi Ro → ∞ ;
b) Rin = 0 şi Ro = 0 ;
218
c) Rin → ∞ şi Ro → ∞ ;
d) Rin → ∞ şi Ro = 0 ;
20. În cazul unui amplificator transrezistenţă:

3p
a) Rin = 0 şi Ro → ∞ ;
b) Rin = 0 şi Ro = 0 ;
c) Rin → ∞ şi Ro → ∞ ;
d) Rin → ∞ şi Ro = 0 ;
21. În cazul unui amplificator transconductanţă:

3p
a) Rin = 0 şi Ro → ∞ ;
b) Rin = 0 şi Ro = 0 ;
c) Rin → ∞ şi Ro → ∞ ;
d) Rin → ∞ şi Ro = 0 ;
22. În cazul unui amplificator transrezistenţă între semnalele de intrare şi

1p ieşire se stabileşte relaţia: vo(t)=azii(t-τ). În condiţii de semnal mic
Vo
”az”devine: Az = . Unitatea de măsură a lui Az este:
Ii
a) decibel;
b) neper;
c) ohm;
d) siemens.
23. În cazul unui amplificator transconductanţă între semnalele de intrare şi

1p ieşire se stabileşte relaţia: io (t)=ayvi(t-τ). În condiţii de semnal mic
Io
”ay”devine: Ay = . Unitatea de măsură a lui Az este:
Vi
a) decibel;
b) neper;
c) ohm;
219
d) siemens.
24. Într-un amplificator se produc:

2p
a) distorsiuni neliniare şi distorsiuni liniare;
b) numai distorsiuni neliniare
c) numai distorsiuni neliniare
d) distorsiuni neliniare sau distorsiuni liniare
25. Distorsiunile neliniare care se produc într-un amplificator:

2p
a) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor active;
b) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor pasive;
c) datorate neuniformităţii caracteristicilor amplitudine-frecvenţă,
respectiv fază-frecvenţă;
d) sunt datorate neliniarităţii caracteristicilor statice ale elementelor
active.
26. Distorsiunile liniare care se produc într-un amplificator:

2p
a) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor active;
b) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor pasive;
c) datorate neuniformităţii caracteristicilor amplitudine-frecvenţă,
respectiv fază-frecvenţă;
d) sunt datorate neliniarităţii caracteristicilor statice ale elementelor
active.
27. Distorsiunile liniare care se produc într-un amplificator:

2p
a) sunt numai distorsiuni de amplitudine;
b) sunt numai distorsiuni de fază;
c) sunt distorsiuni de amplitudine sau distorsiuni de fază;
d) sunt distorsiuni de amplitudine şi distorsiuni de fază.
28. Distorsiuni de amplitudine care se produc într-un amplificator:

2p
a) sunt datorate modificării relaţiei de fază între componentele
spectrale ale semnalului aplicat la intrare.
b) sunt datorate amplificării inegale a spectrului semnalului aplicat la
intrare;
c) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor active;
220
d) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor pasive;
29. Distorsiuni de fază care se produc într-un amplificator:

2p
a) sunt datorate modificării relaţiei de fază între componentele
spectrale ale semnalului aplicat la intrare.
b) sunt datorate amplificării inegale a spectrului semnalului aplicat la
intrare;
c) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor active;
d) sunt datorate dispersiei parametrilor elementelor pasive;
30 Dacă la intrarea unui amplificator se aplică un semnal de forma

2p vin = Vin sin ωt , la ieşire rezultă un semnal a cărui dezvoltare în serie
Fourier este vo = Vo sin ωt + V 'o sin 2ωt + V ''o sin 3ωt + ... În aceste
condiţii factorul de distorsiuni se defineşte:
2 2
V 'o + V ''o + ...
a) δ = 100[%]
Vo2
V 'o
b) δ = 100[%]
Vo
V 'o + V ''o + ...
c) δ = 100[%]
Vo
2 2
V 'o + V ''o + ...
d) δ = 100[%]
Vo
31. Schema unui etaj diferenţial este prezentată în figura notată:

2p
a) b)
+EC
EC
RC RC
RB1 RC
vO1 vO2 Iin C1
iC1 iC2 C2
Vin Vo
T1 T2
RB2 RE CE
vI1 vI2
IE RE
-EE
221
c) d.)
EC +EC
RB2 RC
RB1 Iin
Iin
C1
C1 C2
C2
Vin Vo
Vin RE CB RB1
RB2 RE Vo
32. Figura 9.2 prezintă schema unui etaj diferenţial. Oricare dintre rezistorii
1p RC are rolul:
+EC
RC RC
vO1 vO2
iC1 iC2
T1 T2
vI1 vI2
IE RE
-EE
Figura 9.2
a) unei rezistenţe de sarcină;
b) unei rezistenţe de limitare;
c) unei rezistenţe echivalente a circuitului de polarizare;
d) unei rezistenţe de balast.
33. Figura 9.2 prezintă schema unui etaj diferenţial. Rezistorul RE are rolul:
1p
a) unei rezistenţe de sarcină;
b) unei rezistenţe de limitare;
c) unei rezistenţe echivalente a circuitului de polarizare;
d) unei rezistenţe de balast.
34. Schema echivalentă de semnal mare a circuitului din figura 9.3 este
222
a) b)
+EC +EC
RC RC RC RC
vO1 vO2 vO1 vO2
B C C B B C C B
vBE1 iC1 iC2 vBE2 vBE1 iC1 iC2 vBE2
vI1 vI2 vI1 vI2

E E E E
IE RE IE RE
-EE -EE
c) d)
+EC +EC
RC RC RC RC
vO1 vO2 vO1 vO2
B C C B B C C B
vBE1 iC1 iC2 vBE2 vBE1 iC1 iC2 vBE2
vI1 vI2 vI1 vI2

E E E E
IE RE IE RE
-EE -EE
35. Figura 9.2 prezintă schema unui etaj diferenţial. Considerând neglijabili
3p curenţii din bazele tranzistoarelor precum şi pe cel care circulă prin
rezistorul RE, acest etaj se modelează ca în figura 9.3. În aceste condiţii
valoarea curentului iC1 este:
223
+EC
RC RC
vO1 vO2
B C C B
vBE1 iC1 i C2 vBE2
vI1 E E vI2
IE
-EE
Figura 9.3
IE
a) iC1 = ;
 vID 
1 + exp − 
 eT 
IE
b) iC1 = ;
 vID 
1 + exp 
 e T 
IE
c) iC1 = ;
 vID 
exp − 
 eT 
IE
d) iC1 = .
 vID 
exp 
 eT 
unde: vID = vI 1 − vI 2
valoarea curentului iC2 este:
IE
a) iC 2 = ;
 vID 
1 + exp − 
 eT 
224
IE
b) iC 2 = ;
 vID 
1 + exp 
 eT 
IE
c) iC 2 = ;
 vID 
exp − 
 eT 
IE
d) iC 2 = .
 vID 
exp 
 eT 
IE
valoarea curentului iC1 este iC1 = , unde: vID = vI 1 − vI 2
 vID 
1 + exp − 
 eT 
reprezentarea grafică a acestei relaţii este prezentată în figura notată:
a) b)
iC1 iC1
IE IE
0.5IE 0.5IE
-3eT 3eT vID -eT eT vID
c) d)
iC1 iC1
IE IE
0.5IE 0.5IE
-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID -3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID
225

IE
valoarea curentului iC2 este iC 2 = , unde: vID = vI 1 − vI 2
 vID 
1 + exp 
 eT 
reprezentarea grafică a acestei relaţii este prezentată în figura notată:
a) b)
iC2 iC2
IE IE
0.5IE 0.5IE
-3eT 3eT vID -eT eT vID
c) d)
iC2 iC2
IE IE
0.5IE 0.5IE
-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID -3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID
39. Figura 9.4 prezinta modul în care variază curenţii iC1 şi iC2, funcţie de
2p diferenţa tensiunilor de intrare. Această figură pune în evidenţă faptul că
atât limitarea la valoarea superioară (IE) cât şi limitarea la valoarea
inferioară (aproximativ zero) a curenţilor de colector se face în condiţiile
în care:
i C1 iC2
IE
iC1
0.5IE
iC2
-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID

Figura 9.4
a) tranzistoarele comută între regiunea activă normală şi regiunea de
blocare;
b) tranzistoarele comută între regiunea activă normală şi regiunea de
saturaţie;
c) tranzistoarele rămân în regiunea activă normală;
d) tranzistoarele comută între regiunea de saturaţie şi regiunea de
226
blocare.
2p diferenţa tensiunilor de intrare. Această figură pune în evidenţă faptul că:
a) curenţii de polarizarea ai celor două tranzistoare sunt egali între ei
şi au valoare IE/2.
b) curenţii de polarizarea ai celor două tranzistoare sunt egali între ei
şi au valoare IE.
c) curenţii de polarizarea ai celor două tranzistoare sunt egali între ei
şi au valoare -IE/2.
d) curenţii de polarizarea ai celor două tranzistoare sunt egali între ei
şi au valoare -IE.
2p diferenţa tensiunilor de intrare. Această figură pune în evidenţă faptul că:
a) circuitul se comportă liniar pentru diferenţe între tensiunile de
intrare mai mici de 10 mV;
b) circuitul se comportă liniar pentru diferenţe între tensiunile de
c) circuitul se comportă liniar pentru diferenţe între tensiunile de
d) circuitul se comportă liniar pentru diferenţe între tensiunile de
intrare mai mici de 150 mV.
valoarea tensiunii vO1 este:
a.) c.)
IE IE
vO1=EC+ RC vO1=EC- RC
 vID   vID 
1 + exp  1 + exp 
 eT   eT 
b.) d.)
IE IE
1 + exp −  1 + exp − 
 eT   eT 
227

valoarea tensiunii vO2 este:
a.) c.)
IE IE
1 + exp  1 + exp 
 eT   eT 
b.) d.)
IE IE
1 + exp −  1 + exp − 
 eT   eT 
44. Etajele diferenţiale se pot cupla direct întrucât:

2p
a) atunci când diferenţa tensiunilor de intrare (vID) devine zero, şi
diferenţa tensiunilor de ieşire (vOD) devine zero;
b) deriva termică este mică;
c) polarizarea etajului se face cu ajutorul unui generator de curent
pozitionat în emitor;
d) dispersia parametrilor este redusă.
45. Reprezentarea grafică a relaţiei vOD=vOD(vID) - unde vID reprezintă

4p diferenţa tensiunilor de intrare iar vOD reprezintă diferenţa tensiunilor de
ieşire în cazul unui amplificator diferenţial – este prezentată în figura
notată:
a) b)
vOD vOD
IERC IERC
-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT

-IERC
vID -3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT vID
228
c) d)
vOD vOD
IERC

-IERC -IERC
46 Figura 9.5 prezintă semicircuitul pe mod diferenţial al unui etaj

3p diferenţial. Amplificarea pe mod diferenţial este:
Iid B C
Vid Vbe1 gmV be1 RC

Vod
rπ1
2 2
E
Figura 9.5
a) Add = 1 ;
b) Add = −1 ;
c) Add = g m RC ;
d) Add = − g m RC .
47. Într-un amplificator de semnal mare elementele active lucrează:

1p
a) liniar;
b) neliniar;
c) numai în comutaţie;
d) uneori în comutaţie uneori liniar;
48. Din punctul de vedere al structurii topologice etajele de ieşire se împart

2p în:
a) etaje clasă A, etaje clasă AB, etaje clasă B, etaje clasă C, etaje
clasă D, etc.
b) etaje asimetrice şi etaje simetrice;
c) emitor comun, emitor comun în contratimp colector comun,
colector comun în contratimp, etc.;
d) clase calitative
49. Din punctul de vedere clasei de funcţionare etajele de ieşire se împart în:
1p
229
a) etaje clasă A, etaje clasă AB, etaje clasă B, etaje clasă C, etaje
clasă D, etc.
b) etaje asimetrice şi etaje simetrice;
c) emitor comun, emitor comun în contratimp colector comun,
colector comun în contratimp, etc.;
d) clase calitative
50. În cazul unui etaj de putere care lucrează în clasă A unghiul de conducţie
2p al elementului activ este:
a) θ = 3600 ;
b) 1800 < θ < 3600
c) θ = 1800
d) θ < 1800
51. În cazul unui etaj de putere care lucrează în clasă AB unghiul de

2p conducţie al elementelor active este:
a) θ = 3600 ;
b) 1800 < θ < 3600
c) θ = 1800
d) θ < 1800
52. În cazul unui etaj de putere care lucrează în clasă B unghiul de conducţie
2p al elementelor active este:
a) θ = 3600 ;
b) 1800 < θ < 3600
c) θ = 1800
d) θ < 1800
53. În cazul unui etaj de putere care lucrează în clasă C unghiul de conducţie
2p al elementului activ este:
a) θ = 3600 ;
b) 1800 < θ < 3600
c) θ = 1800
d) θ < 1800
54 Schema unui etaj de putere în clasă A structurat pe conexiunea emitor

2p comun a tranzistorului final este prezentată în figura notată:
230
a) b)
+EC
+EC
RL RL
vO
ID
T3 T4
T1
D1 EB
T1 T2
D2 RE RE
T 2 RL vO vIN
vIN m
IE
-EE
-EE
c) d)
+EC EC
Tr
T1 RB1 RL
iIN C1 vO
vIN
T2 RL vO vIN
RB2 RE CE
-EE
55. Schema unui etaj de putere în clasă AB este prezentată în figura notată:
2p
a) b)
+EC
+EC
RL vO RL
ID
T3 T4
T1
D1 EB
T1 T2
RE RE
D2 vIN
T2 RL vO
vIN
IE
-EE
-EE
c) d)
+EC EC
Tr
T1 RB1 RL
iIN C1 vO
vIN
T 2 RL vO
vIN
RB2 RE CE
-EE
231
56. Schema unui etaj de putere în clasă B este prezentată în figura notată:
2p
a) b)
+EC
+EC
RL RL
ID vO
T1 T3 T4
D1
EB
T1 T2
D2 RE RE
T2 RL vO vIN
vIN
IE
-EE
-EE
c) d)
+EC EC
Tr
T1 RB1 RL
iIN C1 vO
vIN
T 2 RL vO
vIN
RB2 RE CE
-EE
57. Schema unui etaj de putere în clasă A structurat pe conexiunea emitor

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Rezistorul RB1:
EC
Tr
RB1 RL
iIN C1 vO
vIN
RB2 RE CE
Figura 9.6
a) asigură în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea activă
normală;
b) stabilizare termică;
c) are rolul de a asigura transferul maxim de putere în sarcină;
d) sarcină;
232
1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Rezistorul RB2:

normală;
d) sarcină;

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Rezistorul RE:
normală;
d) sarcină;

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Rezistorul RL:
normală;
d) sarcină;

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Condensatorul
C1 :
a) stabilizare termică;
b) are rolul de a asigura transferul maxim de putere în sarcină;
c) separă în curent continuu etajul blocând componenta continuă, dar
lăsând să treacă componenta alternativă;
d) în curent alternativ pune emitorul la masă; în curent continuu nu
are niciun efect;

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Condensatorul
CE :
233
are niciun efect;

1p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Transformatorul
Tr:
are niciun efect;
64. Figura 9.7 prezintă aria sigură de funcţionare a unui tranzistor care
2p funcţionează într-un etaj final (nu s-a luat în calcul extinderea regiunii de
saturaţie precum şi a regiunii de blocare). În cazul în care acest etaj
funcţionează în clasă A punctul static de funcţionare se alege:
iC
A
IC max
B C
VCE max vCE

Figura 9.7
a) în punctul notat A;
b) în punctul notat B;
c) în punctul notat C;
d) în punctul notat D.
funcţionează în clasă AB punctul static de funcţionare se alege:
funcţionează în clasă B punctul static de funcţionare se alege:
234
67. Punctul static de funcţionare al unui etaj de amplificare care funcţionează

2p în clasă A trebuie:
a) să fie situat pe hiperbola de disipaţie maximă (pentru a asigura
maximizarea puterii) sau să fie situat pe dreapta de sarcină astfel
încât să se asigure excursia maximă în curent şi tensiune;
b) doar să fie situat pe hiperbola de disipaţie maximă (pentru a
asigura maximizarea puterii);
c) doar să fie situat pe dreapta de sarcină astfel încât să se asigure
excursia maximă în curent şi tensiune;
d) să fie situat pe hiperbola de disipaţie maximă (pentru a asigura
maximizarea puterii) şi să fie situat pe dreapta de sarcină astfel
încât să se asigure excursia maximă în curent şi tensiune;
68. Definiţia uzuală a randamentului unui amplificator de putere este:

1p
pA
a) η = ;
pL
pL
b) η = ;
pA
1 − pL
c) η = ;
1 + pA
1 + pL
d) η = .
1 − pA
unde: p L reprezintă puterea medie debitată în sarcină iar p A reprezintă
puterea medie absorbită de la sursă
69. Figura 9.6 prezintă un etaj de ieşire care lucrează în clasă A. Figura 9.7
3p prezintă modul în care se alege punctul static de funcţionare. Admiţând că
expresia caderii de tensiune dintre colectorul şi emitorul tranzistorului
este vCE=EC+ECsin(ωt), curentul prin tranzistor devine:
235
PDmax
iC
Punct static de
IC max A funcţionare
Ic Dreapta dinamicã de
IC sarcinã
M
B
EC VCE max vCE
Vce
Figura 9.7
a) iC=ICsin(ωt)
b) iC=-ICsin(ωt)
c) iC=IC-ICsin(ωt)
d) iC=IC+ICsin(ωt)

3p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. În condiţiile în
care iC=IC-ICsin(ωt) iar vCE=EC+ECsin(ωt), valoarea medie a puterii
absorbită de la sursă ( p A ) este:
1
a) pA = EC IC ;
2
b) p A = EC I C ;
1
c) p A = EC I C ;
π
4
d) pA = EC I C .
π

3p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. În condiţiile în
care curentul din sarcina are expresia il=ICsin(ωt) şi caderea de tensiune
de pe sarcină are `exprsia vl =ECsin(ωt), valoarea medie a puterii debitată
în sarcină ( pL ) este:
1
a) pL = EC I C ;
2
b) pL = EC I C ;
1
c) p L = EC I C ;
π
236
4
d) pL = EC I C .
π

2p comun a tranzistorului final este prezentată în figura 9.6. Valoarea
maximă a randamentului acestui etaj este:
1
a) η = ;
2
π
b) η = ;
4
3
c) η = ;
4
1
d) η = .
4
73. Caracteristica de transfer a unui etaj de ieşire ce funcţionează în clasă B

4p are caracteristica de transfer prezentată în figura notată:
a) b)
vO vO
T1 saturat T1 saturat
EC EC
T2 conduce
T1 blocat
-EE -EE -Vγ

EC vIN Vγ EC vIN
T2 conduce T1 conduce
T1 conduce
T1 blocat T2 blocat
T2 blocat
-EE -EE
c) d)
vO Regiune de blocare vO
EC vBEsat. III.
Regiune activă EC-v CEsat.
II.
Vγ
Regiune de saturaţie I.
v CEsat Region
vIN
0.5V 1V
Vγ EC v IN
74. Caracteristica de transfer a unui etaj de ieşire ce funcţionează în clasă AB

4p are caracteristica de transfer prezentată în figura notată:
237
a) b)
vO vO
EC EC
T2 conduce
T1 blocat
-EE -EE -Vγ

EC vIN Vγ EC vIN
T2 conduce T1 conduce
T1 conduce
T1 blocat T2 blocat
T2 blocat
-EE -EE
c) d)
vO Regiune de blocare vO
EC vBEsat. III.
Regiune activă EC-v CEsat.
II.
Vγ
Regiune de saturaţie I.
v CEsat Region
vIN
0.5V 1V
Vγ EC v IN
75. Figura 9.8 prezintă schema de principiu a unui etaj de ieşire care operează
3p în clasă B, iar figura 9.9 caracteristica de transfer a unui asemenea etaj.
Regiunea notată cu 1. este caracterizată de faptul că:
vO
4.
+EC
EC
2. 5.
T1
-EE -Vγ
Vγ EC vIN
vIN
T2 RL vO
3.
-EE
-EE 1.
a) tranzistorul T1 este saturat;
b) tranzistorul T2 este saturat;
c) tranzistorul T1 conduce iar tranzistorul T2 este blocat;
d) tranzistorul T1 este blocat iar tranzistorul T2. conduce.
a) tranzistorul T1 este saturat;
238
b) tranzistorul T2 este saturat;

a) ambele tranzistoare conduc;
b) ambele tranzistoare sunt blocate;
81. Distorsiunile de racordare care apar în cazul unui etaj final ce operează în
2p clasă B provoacă o deformare a formei de undă ca cea prezentată în
figura:
239
a) b) c) d.)
vO vO vO vO
t t t
82. Figura 9.10 prezintă forma de undă a tensiunii de ieşire de la ieşirea unui
2p etaj final ce operează în clasă B. Analiza formei de undă pune în evidenţă
prezenţa aşa numitelor distorsiuni de racordare. Eliminarea acestor
distorsiuni se face cel mai comod prin:
vO
Figura 9.10
a) liniarizarea etajului;
b) utilizarea tranzitoarelor superbeta;
c) prepolarizarea tranzitoarelor T1,T2;
d) utilizarea tranzitoarelor cu efect da câmp.
83. Figura 9.11 prezintă schema de principiu a unui etaj de ieşire în clasă AB.
1p Generatorul de curent ID şi diodele D1,D2. au rolul:
+EC
ID
T1
D1
D2
T2 RL vO
vIN
-EE
Figura 9.11
a) de a prepolariza tranzistoarele T1 şi T2;
b) de a liniariza funcţionarea etajului;
c) de a mări randamentul etajului;
d) de a asigura transferul maxim de putere în sarcină.
240
84. Figura 9.8 prezintă un etaj de ieşire care lucrează în clasă B. Figura 9.12
3p prezintă modul în care se alege punctul static de funcţionare. Admiţând că
expresia caderii de tensiune dintre colectorul şi emitorul tranzistorului
este vc(t)=Vcsin(ωt), curentul prin tranzistor devine:
PDmax
iC
Dreapta dinamicã de
IC max A sarcinã
Ic Punct static de
funcţionare
M
B
VCE max vCE
Vce
Figura 9.12
a) iC=ICsin(ωt)
b) iC=-ICsin(ωt)
c) iC=IC-ICsin(ωt)
d) iC=IC+ICsin(ωt)
85. Schema unui etaj de putere în clasă B în figura 9.8. În condiţiile în care
3p expresia instantanee a curentului debitat de sursă este iS(t)=Icsin(ωt),
valoarea medie a puterii absorbită de la sursă ( p A ) este:
1
a) pA = EC I C ;
2
b) p A = EC I C ;
2
c) p A = EC I C ;
π
4
d) p A = EC I C .
π
86. Schema unui etaj de putere în clasă B în figura 9.8. În condiţiile în care
3p curentul din sarcina are expresia iC(t)=Icsin(ωt) şi căderea de tensiune de
pe sarcină are `exprsia vc(t)=Vcsin(ωt) valoarea medie a puterii debitată în
sarcină ( pL ) este:
1
a) pL = EC I C ;
2
b) pL = EC I C ;
241
1
c) pL = EC I C ;
π
4
d) pL = EC I C .
π
87. Schema unui etaj de putere în clasă B în figura 9.8. Valoarea maximă a
2p randamentului acestui etaj este:
1
a) η = ;
2
π
b) η = ;
4
3
c) η = ;
4
1
d) η = .
4
88. Reacţia este definită ca fiind fenomenul prin care:

1p
a) este preluată o parte a semnalului de intrare şi aducerea acesteia la
ieşire;
b) este preluată o parte a semnalului de ieşire şi aducerea acesteia la
intrare;
c) este comparat nivelul tensiunii de iesire cu o tensiune de referinţă;
d) este comparat nivelul tensiunii de intrare cu o tensiune de
referinţă.
89. Amplificatoarele cu reacţie sunt:

1p
a) bilaterale, adică transmit semnalul în ambele sensuri de la intrare
la ieşire dar şi de la ieşire spre intrare;
b) unilaterate, adică transmit semnalul numai de la intrare la ieşire;
c) uneori bilaterale, alteori unilaterale funcţie de mărimea semnalului
de intrare;
d) uneori bilaterale, alteori unilaterale funcţie de mărimea semnalului
de ieşire.
90. Introducerea reacţiei negative într-un amplificator are ca efect;

2p
a) sensibilizarea câştigului amplificatorului în raport cu fenomenul
242
de îmbătrânire;
b) creşterea câştigului amplificatorului în raport cu fenomenul de
îmbătrânire;
c) stabilizarea câştigului amplificatorului în raport cu fenomenul de
îmbătrânire;
d) descreşterea câştigului amplificatorului în raport cu fenomenul de
îmbătrânire.

2p
a) sensibilizarea câştigului amplificatorului în raport cu dispersia
parametrilor dispozitivelor active;
b) creşterea câştigului amplificatorului în raport cu dispersia
c) stabilizarea câştigului amplificatorului în raport cu dispersia
d) descreşterea câştigului amplificatorului în raport cu dispersia
parametrilor dispozitivelor active.

2p
a) sensibilizarea câştigului amplificatorului în raport cu variaţia
temperaturii;
b) creşterea câştigului amplificatorului în raport cu variaţia
temperaturii;
c) stabilizarea câştigului amplificatorului în raport cu variaţia
temperaturii;
d) descreşterea câştigului amplificatorului în raport cu variaţia
temperaturii.

2p
a) creşterea impedanţelor de intrare şi ieşire;
b) modificarea impedanţelor de intrare şi ieşire în mod comod;
c) stabilizarea impedanţelor de intrare şi ieşire;
d) descreşterea impedanţelor de intrare şi ieşire.

2p
a) creşterea distorsiunilor neliniare;
b) sensibilizarea distorsiunilor neliniare;
243
c) stabilizarea distorsiunilor neliniare;

d) reducerea distorsiunilor neliniare.

2p
a) creşterea benzii de trecere;
b) sensibilizarea benzii de trecere;
c) stabilizarea benzii de trecere;
d) reducerea benzii de trecere.

2p
a) creşterea raportului semnal/zgomot;
b) sensibilizarea raportului semnal/zgomot;
c) stabilizarea raportului semnal/zgomot;
d) reducerea raportului semnal/zgomot.

2p
a) creşterea amplificării;
b) sensibilizarea amplificării;
c) stabilizarea amplificării;
d) reducerea amplificării.

2p
a) apariţia tendinţei de oscilaţie;
b) sensibilizarea tendinţei de oscilaţie;
c) stabilizarea tendinţei de oscilaţie;
d) reducerea tendinţei de oscilaţie.
99. Figura 9.13 prezintă structura generală a unui amplificator cu reacţie. Cu

1p Xi este notat:
Xi Xε Xo
A
+
Σ a
Xf -
Figura 9.13
a) semnalul de intrare
244
b) semnalul de ieşire
c) semnalul de eroare
d) semnalul de reacţie
100 Figura 9.13 prezintă structura generală a unui amplificator cu reacţie. Cu

1p Xo este notat:

1p Xε este notat:

1p Xf este notat:

1p A este notată:
a) funcţia de transfer a amplificatorului cu reacţie;
b) funcţia de transfer a amplificatorului de bază;
c) funcţia de transfer a reţelei de reacţie;
d) funcţia realizată de circuitul sumator.

1p a este notată:
105 Figura 9.13 prezintă structura generală a unui amplificator cu reacţie. Cu f

1p este notată:
245


1p ∑este notată:

2p a este notată funcţia de transfer a amplificatorului de bază. Funcţie de
semnalele existente în figură, expresia acestei funcţii de transfer este:
Xo
a) a =
Xε
Xf
b) a =
Xi
c) a=Xi+Xf
Xo
d) a =
Xi

2p A este notată funcţia de transfer a amplificatorului cu reacţie. Funcţie de
semnalele existente în figură, expresia acestei funcţii de transfer este:
Xo
a) A=
Xε
Xf
b) A =
Xi
c) A=Xi+Xf
Xo
d) A =
Xi
109 Figura 9.13 prezintă structura generală a unui amplificator cu reacţie. Cu f

2p este notată funcţia de transfer a reţelei de reacţie. Funcţie de semnalele
existente în figură, expresia acestei funcţii de transfer este:
246
Xo
a) f =
Xε
Xf
b) f =
Xi
c) f=Xi+Xf
Xo
d) f =
Xi

2p ∑ este notat circuitul de sumare. Funcţie de semnalele existente în figură,
acest circuit realizează funcţia:
Xo
a) Xi =
Xε
Xf
b) X ε =
Xi
c) Xε = Xi+Xf
Xo
d) X ε =
Xi
111 Figura 9.13 prezintă structura generală a unui amplificator cu reacţie.

4p Considerând că:
funcţiile de transfer ale blocurilor componente sunt independente
de frecvenţă;
atât amplificatorul de bază cât şi reţeaua de reacţie lucrează liniar;
reţeaua de reacţia nu încarcă amplificatorul şi nici amplificatorul
nu încarcă reţeaua de reacţie;
bucla de reacţie poate fi parcursă numai de sensul indicat de
săgeţile din figură;
ecuaţia fundamentală a reacţiei ideale este:
a
a) A= ;
1 − af
f
b) A = ;
1 − af
1− a
c) A = ;
1 − af
247
1− f
d) A = .
1 − af

2p Reacţia pozitivă este definită de situaţia:
a) A ≅ a ;
b) A=a;
c) A<a;
d) A>a.

2p Reacţia negativă este definită de situaţia:
a) A ≅ a
b) A=a
c) A<a
d) A>a

2p “Transmisia pe buclă“ este definită conform formulei notată:
a) T = Af ;
b) T = af ;
a
c) T = ;
f
A
d) T = .
f

2p “Transmisia pe buclă“ este definită conform formulei T = af . Dacă este
realizată condiţia T>>1, caz suficient de des întâlnit în practică, atunci
amplificarea amplificatorului cu reacţie devine:
1
a) A≅
a
248
1
b) A ≅
f
c) A ≅ a
d) A ≅ f
116 Din punct de vedere topologic, în condiţiile în care reţeaua de reacţie a

3p unui amplificator cu reacţie culege informaţie în tensiune, ea trebuie
conectată:
a) în serie cu sarcina amplificatorului;
b) în paralel cu sarcina amplificatorului;
c) în serie cu sursa de semnal;
d) în paralel cu sursa de semnal.
117 Din punct de vedere topologic, în condiţiile în care reţeaua de reacţie a

3p unui amplificator cu reacţie culege informaţie în curent, ea trebuie
conectată:
c) în serie cu sursa de semnal;
d) în paralel cu sursa de semnal.
118 Din punct de vedere topologic, în condiţiile în care răspunsul reţelei de

3p reacţie a unui amplificator cu reacţie este sub formă de tensiune, ea
trebuie conectată:
c) în serie cu intrarea amplificatorului;
d) în paralel cu intrarea amplificatorului.
119 Din punct de vedere topologic, în condiţiile în care răspunsul reţelei de

3p reacţie a unui amplificator cu reacţie este sub formă de curent, ea trebuie
conectată:
c) în serie cu intrarea amplificatorului;
d) în paralel cu intrarea amplificatorului.
120 Reacţia paralel paralel este prezentată în figura notată:

2p
249
a) c)
Vi Vf Vε V Ii If Iε Io
+ +
av aI
R RL
- -
fI
fv
b) d)
Ii If Iε Vo Vi Vf Vε Io
+ +
az ay
RL RL
- -
fy fz
121 Reacţia paralel serie este prezentată în figura notată:

2p
a) c)
+ +
av aI
R RL
- -
fI
fv
b) d)
+ +
az ay
RL RL
- -
fy fz
122 Reacţia serie serie este prezentată în figura notată:

2p
250
a) c)
+ +
av aI
R RL
- -
fI
fv
b) d)
+ +
az ay
RL RL
- -
fy fz
123 Figura 9.14 prezintă structura de bază a unui amplificator cu reacţie de tip
1p paralel-paralel. Semnalul de intrare este:
amplificator
rs de bazã Vo RL
reţea de
reacţie
Figura 9.14
a) întotdeauna curent;
b) întotdeauna tensiune;
c) uneori curent alteori tensiune functie de modul de conectare al
reţelei de reacţie la intrarea aplificatorului de bază;
d) uneori curent alteori tensiune functie de modul de conectare al
reţelei de reacţie la ieşirea aplificatorului de bază.
1p paralel-paralel. Semnalul de la ieşirea reţelei de reacţie este:
251
1p paralel-paralel. Semnalul de la intrarea reţelei de reacţie este:
2p paralel-paralel. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul de
bază reprezintă:
a) raportul a două tensiuni;
b) raportul a doi curenţi;
c) rezistenţă (impedanţă);
d) conductanţă (admitanţă).
2p paralel-paralel. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul
reprezintă:
2p paralel-paralel. Funcţia de transfer care caracterizează reţeaua de reacţie
reprezintă:
129 Circuitul tipic pentru un amplificator cu reacţie de tip paralel paralel este
252
a) b.)
RF
T3
RS
T2
T1
T3 RC1 RC2 RL
T2
T1 +
IS RS RC1 RC2 RL ES
- RF
RE1 RE2
c.) d)
RS
T2 RF
T1
RC
+ T2
T1
ES
- RF IS
RL RS RC RE RL
RE
130 Circuitul tipic pentru un amplificator cu reacţie de tip paralel serie este
a) b.)
RF
T3
RS
T2
T1
T3 RC1 RC2 RL
T2
T1 +
IS RS RC1 RC2 RL ES
- RF
RE1 RE2
c.) d)
RS
T2 RF
T1
RC
+ T2
T1
ES
- RF IS
RL RS RC RE RL
RE
131 Circuitul tipic pentru un amplificator cu reacţie de tip serie paralel este
253
a) b.)
RF
T3
RS
T2
T1
T3 RC1 RC2 RL
T2
T1 +
IS RS RC1 RC2 RL ES
- RF
RE1 RE2
c.) d)
RS
T2 RF
T1
RC
+ T2
T1
ES
- RF IS
RL RS RC RE RL
RE
132 Circuitul tipic pentru un amplificator cu reacţie de tip serie serie este
a) b.)
RF
T3
RS
T2
T1
T3 RC1 RC2 RL
T2
T1 +
IS RS RC1 RC2 RL ES
- RF
RE1 RE2
c.) d)
RS
T2 RF
T1
RC
+ T2
T1
ES
- RF IS
RL RS RC RE RL
RE
133 Figura 9.15 prezintă circuitul tipic pentru un amplificator cu reacţie de tip
2p paralel paralel. Reţeaua de reacţie este formată din:
RF
T3
T2
T1
IS RS RC1 RC2 RL
Figura 9.15
254
a) rezistorii RS, RF şi RL;

b) rezistorii RS şi RF;
c) rezistorul RF;
d) rezistorii RF şi RL
3p paralel paralel. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorul RF. În
aceste condiţii “circuitul f” este prezentat în figura notată:
a.) b.)
RF RF
+
Vt It Ir
Ir
-
c.) d.)
+
It RF Vr
Vt RF V r
-
3p paralel paralel. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorul RF. În
aceste condiţii factorul de transfer al reţelei de reacţie este:
1
a) fy =
RF
1
b) fy = −
RF
c) f z = RF
d) f z = − RF
3p paralel paralel. În aceste condiţii factorul de transfer al amplificatorului
este:
1
a) Ay =
RF
1
b) Ay = −
RF
255
c) Az = RF
d) Az = − RF
1p serie -serie. Semnalul de intrare este:
rs
Io
+
amplificator RL
Vi de bazã
-
reţea de
reacţie
Figura 9.16
1p serie -serie. Semnalul de eroare este:
1p serie -serie. Semnalul de la ieşirea reţelei de reacţie este:
1p serie -serie. Semnalul de la intrarea reţelei de reacţie este:
256

2p serie -serie. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul de bază
reprezintă:
2p serie -serie. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul
reprezintă:
2p serie -serie. Funcţia de transfer care caracterizează reţeaua de reacţie
reprezintă:
2p serie-serie. Reţeaua de reacţie este formată din:
T3
RS
T2
T1
RC1 RC2 RL
+
ES
- RF
RE1 RE2
Figura 9.17
a) rezistorii RE1, RF şi RE2;
b) rezistorii RE1, RF;
c) rezistorul RF;
257
d) rezistorii RF şi RE2.
3p serie-serie. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorii RE1, RF şi
RE2. În aceste condiţii “circuitul f” este prezentat în figura notată:
a.) b.)
+ +
RF RF
Vt RE1 RE2 Vr Vt RE2 RE1 Vr
- -
c.) d.)
RF RF
It RE2 RE1 Vr It RE1 RE2 Vr
3p serie-serie. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorii RE1, RF şi
RE2. În aceste condiţii factorul de transfer al reţelei de reacţie este:
a) [
f z = RE 2 RF + RE1 ( )] R R+ R
E1
E1
F
;
b) fz = [R E1 (R F + RE 2 )] R R+ R E2
;
E2 F
c) fz = [R E2 (R F + RE 2 )] R R+ R E2
;
E2 F
d) fz = [R E1 (R F + RE 2 )] R R+ R E1
.
E2 F
3p serie-serie. În aceste condiţii factorul de transfer al amplificatorului este:
1
Az =
[R (R )]R R+ R
a) ;
E1 F + RE1 E1
E1 F
1
b) Az =
[R (R )]
;
RE 2
E2 + RE1
RE1 + RF
F
258
1
Az =
[R (R )] R R+ R
c) ;
E2 F + RE 2 E1
E1 F
1
d) Az =
[R (R )]
.
RE1
E2 + RE1
RE1 + RF
F
1p serie-paralel. Semnalul de intrare este:
rs
+
amplificator
Vo RL
Vi de bazã
-
retea de
reactie
Figura 9.18
1p serie-paralel. Semnalul de eroare este:
1p serie-paralel. Semnalul de la ieşirea reţelei de reacţie este:
259
1p serie-paralel. Semnalul de la intrarea reţelei de reacţie este:
2p serie - paralel. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul de
bază reprezintă:
2p serie - paralel. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul
reprezintă:
2p serie - paralel. Funcţia de transfer care caracterizează reţeaua de reacţie
reprezintă:
2p serie-paralel. Reţeaua de reacţie este formată din:
260
RS T2
T1
RC
+
ES
- RF
RE RL
Figura 9.19
a) rezistorii RE, RF şi RL;
b) rezistorii RE, RF;
c) rezistorul RF;
d) rezistorii RF şi RL.
3p serie-paralel. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorii RE şi RF. În
a.) b.)
RF RF
+ +
It RE Ir It RE Vr
- -
c.) d.)
RF RF
+ +
Et RE Ir Et RE Vr
- -
3p serie-paralel. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorii RE şi RF. În
RF
a) fv = ;
RE + RF
R + RF
b) f v = E ;
RF
R + RF
c) f v = E ;
RE
261
RE
d) fv = .
RE + RF
3p serie-paralel. În aceste condiţii factorul de transfer al amplificatorului
este:
RF
a) Av = ;
RE + RF
R + RF
b) Av = E ;
RF
R + RF
c) Av = E ;
RE
RE
d) Av = .
RE + RF
1p paralel-serie. Semnalul de intrare este:
Rs
Io
amplificator RL
Ii de bazã
reţea de
reacţie
Figura 9.20
1p paralel-serie. Semnalul de eroare este:
262
1p paralel-serie. Semnalul de la ieşirea reţelei de reacţie este:
1p paralel-serie. Semnalul de la intrarea reţelei de reacţie este:
2p paralel-serie. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul de
bază reprezintă:
2p paralel-serie. Funcţia de transfer care caracterizează amplificatorul
reprezintă:
2p paralel-serie. Funcţia de transfer care caracterizează reţeaua de reacţie
reprezintă:
263
2p paralel serie. Reţeaua de reacţie este formată din:
RF
T2
T1
IS
RS RC RE RL
Figura 9.19
a) rezistorii RE, RF şi RL;
b) rezistorii RE, RF;
c) rezistorul RF;
d) rezistorii RF şi RL.
3p paralel-serie. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorii RE şi RF. În
a.) b.)
RF RF
+ +
It RE Ir It RE Vr
- -
c.) d.)
RF RF
+ +
Et RE Ir Et RE Vr
- -
3p paralel-serie. Reţeaua de reacţie este reprezentată de rezistorii RE şi RF. În
RF
a) fv = ;
RE + RF
R + RF
b) f v = E ;
RF
264
RE + RF
c) fv = − ;
RE
RE
d) fv = − .
RE + RF
3p paralel serie. În aceste condiţii factorul de transfer al amplificatorului
este:
RF
a) Av = ;
RE + RF
R + RF
b) Av = E ;
RF
R + RF
c) Av = − E ;
RE
RE
d) Av = − .
RE + RF
170 În cazul în care transmisia pe buclă a unui amplificator cu reacţie respectă

2p condiţia T>>1 se constantă că:
a) amplificarea amplificatorului cu reacţie este în mod exclusiv

dictată de amplificarea amplificatorului de bază;
b) funcţie de mărimea semnalului, amplificarea amplificatorului cu
reacţie este uneori dictată de amplificarea amplificatorului de bază
alteori dictată de amplificarea amplificatorului de bază;
c) funcţie de frecvenţa semnalului, amplificarea amplificatorului cu
reacţie este uneori dictată de amplificarea amplificatorului de bază
alteori dictată de amplificarea amplificatorului de bază;
d) amplificarea amplificatorului cu reacţie este în mod exclusiv
dictată de reţeaua cu reacţie;
171 Reacţia serie paralel este prezentată în figura notată:

2p
265
a) c)
+ +
av aI
R RL
- -
fI
fv
b) d)
+ +
az ay
RL RL
- -
fy fz
1p paralel-paralel. Semnalul de eroare este:
266
Răspunsuri
26 Răspuns corect c.)
267

268

100 Răspuns corect b)
101 Răspuns corect c)
102 Răspuns corect d)
103 Răspuns corect a.)
104 Răspuns corect b.)
108 Răspuns corect d.)
111 Răspuns corect a)
269

270

271
214
Capitolul 10
Stabilizatoare de tensiune continuă
1. Rezistenţa internă a unei surse ideale de tensiune este:

2p
a) zero;
b) infinit;
c) foarte mică;
d) foarte mare.
2. Rezistenţa internă a unei surse ideale de curent este:

2p
a) zero;
b) infinit;
c) foarte mică;
d) foarte mare.
3. Rezistenţa de intrare a unei surse ideale de tensiune comandată în tensiune

2p este:
a) zero;
b) infinit;
c) foarte mică;
d) foarte mare.
4. Rezistenţa de ieşire a unei surse ideale de tensiune comandată în tensiune

2p este:
a) zero;
b) infinit;
c) foarte mică;
d) foarte mare.
5. Rezistenţa de intrare a unei surse ideale de tensiune comandată în curent

2p este:
217
a) zero;
b) infinit;
c) foarte mică;
d) foarte mare.
6. Rezistenţa de ieşire a unei surse ideale de tensiune comandată în curent

2p este:
a) zero;
b) infinit;
c) foarte mică;
d) foarte mare.
7. Rezistenţa de intrare a unei surse ideale de curent comandată în curent

2p este:
a) zero;
b) infinit;
c) foarte mică;
d) foarte mare.
8. Rezistenţa de ieşire a unei surse ideale de curent comandată în curent este:

2p
a) zero;
b) infinit;
c) foarte mică;
d) foarte mare.
9. Rezistenţa de intrare a unei surse ideale de curent comandată în tensiune

2p este:
a) zero;
b) infinit;
c) foarte mică;
d) foarte mare.
10. Rezistenţa de ieşire a unei surse ideale de curent comandată în curent este:
2p
a) zero;
b) infinit;
c) foarte mică;
d) foarte mare.
11. Simbolul (ANSI) unei surse de tensiune de tensiune comandată în tensiune
218
1p este prezentat în figura notată:

a) b) c.) d.)
12. Simbolul (ANSI) unei surse de tensiune de tensiune comandată în curent

a) b) c.) d.)
13. Simbolul (ANSI) unei surse de tensiune de curent comandată în curent este
a) b) c.) d.)
14. Simbolul (ANSI) unei surse de tensiune de curent comandată în tensiune

a) b) c.) d.)
15. Stabilizatoarele de tensiune continuă reprezintă circuite electronice care în

1p mod normal se intercalează între circuitele de redresare şi consumator,
pentru a asigura o tensiune continuă şi, important, constantă
consumatorului. Unul dintre motivele care justifică prezenţa lor este:
a) tensiunea continuă de la ieşirea redresorului variază funcţie de
valoarea curentului debitat, în sensul că tensiunea continuă de la
219
ieşire creşte o dată cu creşterea valorii curentului debitat;

b) tensiunea continuă de la ieşirea redresorului variază funcţie de
tensiunea alternativă de la intrare, în sensul că tensiunea continuă
de la ieşire scade o dată cu creşterea tensiunii alternative de la
intrare;
c) tensiunea continuă de la ieşirea redresorului variază funcţie de
de la ieşire creşte o dată cu creşterea tensiunii alternative de la
intrare;
d) tensiunea continuă de la ieşirea redresorului variază funcţie de
dispersia parametrilor în sensul că tensiunea continuă de la ieşire
creşte o dată cu creşterea dispersiei parametrilor elementelor
active.
16. Stabilizatoarele de tensiune continuă reprezintă circuite electronice care în

1p mod normal se intercalează între circuitele de redresare şi consumator,
pentru a asigura o tensiune continuă şi, important, constantă
consumatorului. Unul dintre motivele care justifică prezenţa lor este:
a) tensiunea continuă de la ieşirea redresorului variază funcţie de
b) tensiunea continuă de la ieşirea redresorului variază funcţie de
de la ieşire scade o dată cu creşterea tensiunii alternative de la
intrare;
c) tensiunea continuă de la ieşirea redresorului variază funcţie de
d) tensiunea continuă de la ieşirea redresorului variază funcţie de
dispersia parametrilor în sensul că tensiunea continuă de la ieşire
creşte o dată cu creşterea dispersiei parametrilor elementelor
active.
17. Figura 10.1 prezintă modul de definire a principalelor mărimi electrice

2p utilizate în studiul stabilizatoarelor. Cu vRED s-a notat:
iRED iL
Stabilizator
vRED de vL RL
tensiune
Figura 10.1
a) valoarea instantenee a componentei alternative a tensiunii de
220
alimentare a stabilizatorului;
b) valoarea instantenee a componentei continue a tensiunii de
c) amplitudinea componentei alternative a tensiunii de alimentare a
stabilizatorului;
d) valoarea instantenee totală a tensiunii de alimentare a
stabilizatorului.

2p utilizate în studiul stabilizatoarelor. Cu iRED s-a notat:
a) valoarea instantenee a componentei alternative a curentului de
b) valoarea instantenee a componentei continue a curentului de
c) amplitudinea componentei alternative a curentului de alimentare a
stabilizatorului;
d) valoarea instantenee totală a curentului de alimentare a
stabilizatorului.

2p utilizate în studiul stabilizatoarelor. Cu iL s-a notat:
a) valoarea instantenee a componentei alternative a curentului debitat
de stabilizator;
b) valoarea instantenee a componentei continue a curentului debitat
de stabilizator;
c) amplitudinea componentei alternative a curentului debitat de
stabilizator;
d) valoarea instantenee totală a curentului debitat de stabilizator.

2p utilizate în studiul stabilizatoarelor. Cu vL s-a notat:
a) valoarea instantenee a componentei alternative a tensiunii debitată
de stabilizator;
b) valoarea instantenee a componentei continue a tensiunii debitată de
stabilizator;
c) amplitudinea componentei alternative a tensiunii debitată de
stabilizator;
d) valoarea instantenee totală a tensiunii debitată de stabilizator.

2p utilizate în studiul stabilizatoarelor. Pornind de la aceste mărimi,
221
coeficientul de stabilizare al unui stabilizator de tensiune continuă este

definit prin:
a.) b.)
1 1 1 1
S= ≅ S =− ≅−
 ∂vRED   ∂vRED 
   
 ∂vL  PSF Vred  ∂vL  PSF Vred
I L = const I L = const
Vl Vl
T = const T = const
c.) d.)
1 1 1 1
S= ≅ S =− ≅−
 ∂vL   ∂vL 
   
 ∂vRED  PSF Vl  ∂vRED  PSF Vl
Vred I L = const Vred I L = const
T = const T = const

2p utilizate în studiul stabilizatoarelor. Pornind de la aceste mărimi, rezistenta
de ieşire a unui stabilizator de tensiune continuă este definită prin:
a.) b.)
∂vRED Vl ∂vRED Vl
ro = − ≅− ro = ≅
∂iRED PSF Il V L = const
∂iRED PSF Il VL =const
T = const T = const
c.) d.)
∂vL Vl ∂vL Vl
ro = ≅ ro = − ≅−
∂iL PSF Il VRED =const
∂iL PSF Il V RED = const
T = const T = const

2p utilizate în studiul stabilizatoarelor. Pornind de la aceste mărimi,
coeficientul de stabilizare termică al unui stabilizator de tensiune continuă
este definită prin:
222
a.) b.)
∂vL Vl ∂vL Vl
ST = ≅ ST = − ≅−
∂T PSF ∆T V RED = const
∂T PSF ∆T V RED = const
c.) d.)
∂vRED Vl ∂vRED Vl
ST = ≅ ST = − ≅−
∂T PSF ∆T V L = const
∂T PSF ∆T V L = const
23. Stabilizatoarele a caror funcţionare se bazează pe neliniaritatea

2p caracteristicii curent-tensiune a unui dispozitiv electronic sunt cunoscute în
literature de specialitate sub numele de:
a) stabilizatoare parametrice
b) stabilizatoare cu reacţie
c) stabilizatoare în comutaţie
d) stabilizatoare analogice;
24. Figura 10.1 prezintă un stabilizator parametric cu diodă Zener. Rezistorul

2p RB are rolul de a:
RB
iRED iL
iZ
vRED vL RL
Dz
Figura 10.1
a) asigura condiţia i Z min ≤ i Z ≤ i Z max indiferent de variaţiile lui vRED;
b) asigura condiţia i Z min ≤ i Z ≤ iZ max indiferent de variaţiile lui RL;
c) asigura condiţia i Z min ≤ i Z ≤ i Z max indiferent de variaţiile lui vRED,
precum şi ale lui RL;
d) asigura condiţia i Z min ≤ i Z ≤ i Z max indiferent de variaţiile lui vRED
25. Figura 10.1 prezintă un stabilizator parametric cu diodă Zener. Figura 10.2
1p prezintă caracteristica statică a diodei Zener. În regim normal (regimul în
care tensiunea de la bornele ei este VZ) această diodă lucrează:
223
iA
VZ
vA
iZmin
iZmax
Figura 10.2
a) polarizată invers în regiunea de stăpungere;
b) polarizată invers în regiunea de blocare;
c) polarizată direct în regiunea de blocare;
d) polarizată direct în regiunea de conducţie;
1p prezintă caracteristica statică a diodei Zener. În regim normal căderea de
tensiune pe diodă (vA) este:
a) v A = −Vγ ;
b) v A = Vγ
c) v A = −VZ
d) v A = VZ
1p prezintă caracteristica statică a diodei Zener. În regim normal (regimul în
care tensiunea de la bornele ei este VZ) curentul prin diodă (iZ) respectă
condiţia:
a) iZ min ≤ iZ
b) i Z min ≤ i Z ≤ iZ max
c) iZ ≤ iZ max
d) iZ ≤ 0
28. Figura 10.1 prezintă un stabilizator parametric cu diodă Zener. Schema

3p echivalentă de semnal mare a circuitului este prezentată în figura notată:
224
a.) b.)
RB RB
iRED iL iRED iL
iZ iZ
RZ RZ
vRED vL RL vRED vL RL
VZ VZ
c.) d.)
RB RB
iRED iL iRED iL
iZ iZ
VZ VZ

3p echivalentă de semnal mare a circuitului este prezentată în figura 10.3.
Aplicând teoremele lui Kirchhoff se obţine sistemul de ecuaţii notat:
RB
iRED iL
iZ
RZ
vRED vL RL
VZ
Figura 10.3
a.) iRED=iZ+iL b.) iRED=iZ+i L
VZ=iZR Z+iLRL VZ=iZRZ+iLRL
-VZ=iREDRB+iZRZ-vRED -VZ=iREDRB+iZR Z+vRED
c.) iRED=iZ+iL d.) iRED=iZ+i L
VZ=-iZRZ+iLRL VZ=-iZRZ+iLRL
VZ=iREDRB+iZRZ-vRED -VZ=iREDRB+iZR Z-vRED

4p echivalentă de semnal mare a circuitului este prezentată în figura 10.3.
Aplicând teoremele lui Kirchhoff se obţine sistemul de ecuaţii:
iRED=iZ+iL
VZ=-iZRZ+iLRL
-VZ=iREDRB+iZRZ-vRED
D 1 D 1 D 1
Introducând notaţiile: GB = , GL = şi G Z = expresia tensiunii de
RB RL RZ
ieşire devine:
GB GZ
a) vL = vRED + VZ
GB + GL + GZ GB + GL + GZ
225
GL GZ
b) vL = vRED + VZ
GB GL
c) vL = vRED + VZ
GL GL
d) vL = vRED + VZ
31. Figura 10.1 prezintă un stabilizator parametric cu diodă Zener. Introducând

2p D 1 D 1 D 1
notaţiile: GB = , GL = şi G Z = expresia tensiunii de ieşire
RB RL RZ
GB GZ
este: vL = vRED + VZ . Reprezentarea grafică
este prezentată în figura notată
a.) b.)
vL Limitã impusã de Limitã impusã de vL Limitã impusã de Limitã impusã de
valoarea lui i Zmin valoarea lui iZmax valoarea lui iZmin valoarea lui i Zmax
VZ VZ
vRED vRED
c.) d.)
vL Limitã impusã de Limitã impusã de vL Limitã impusã de Limitã impusã de
valoarea lui i Zmin valoarea lui iZmax valoarea lui i Zmin valoarea lui iZmax
VZ VZ
vRED vRED
32. Figura 10.1 prezintă un stabilizator parametric cu diodă Zener. Introducând

1p D 1 D 1 D 1
notaţiile: GB = , GL = şi G Z = expresia tensiunii de ieşire este:
RB RL RZ
GB GZ
vL = vRED + VZ . Ţinând seama de faptul că
în situaţiile reale RB>>RZ şi RL>>>RZ relaţia de mai sus se aproximează
suficient de bine prin:
a) vL ≅ VZ ;
b) vL ≅ vRED ;
226
c) vL ≅ −VZ ;
d) vL ≅ −vRED .

3p echivalentă de semnal mic a circuitului este prezentată în figura notată:
a.) b.)
RB RZ
Vred rz RL Vl Vred RB RL Vl
c.) d.)
RB RB
iRED iL iRED iL
iZ iZ
VZ VZ
34. Figura 10.1 prezintă un stabilizator parametric cu diodă Zener.

3p Amplitudinea componentei alternative a tensiunii de ieşire este:
RB rz
a) Vl = Vred
RB + RL rz
RL rz
b) Vl = Vred
RB + RB rz
RL rz
c) Vl = Vred
RB + RL rz
RB rz
d) Vl = Vred
RB + RB rz
35 Figura 10.1 prezintă un stabilizator parametric cu diodă Zener. Expresia

3p RL rz
componentei alternative a tensiunii de ieşire este Vl = Vred .
RB + RL rz
Întrucât în situaţiile reale rz<<RL şi RB>>rZ, pentru factorul de stabilizare
se obţine expresia:
RL
a) S ≅
rz
227
rz
b) S ≅
RL
R
c) S ≅ B
rz
r
d) S ≅ z
RB

3p echivalentă de semnal mic a circuitului, utilizată pentru calculul rezistenţei
de ieşire este prezentată în figura notată:
a.) b.)
RB RZ
ro rz RL Vl ro RB RL Vl
c.) d.)
rz RB
RB ro rz ro
37. Figura 10.1 prezintă un stabilizator parametric cu diodă Zener. Întrucât în

3p situaţiile reale rz<<RL şi RB>>rZ, pentru rezistenţa de ieşire se obţine
expresia:
a) ro ≅ rz
b) ro ≅ RB
c) ro = RB RL
RB rz
d) ro ≅
RL
38. Figura 10.1 prezintă un stabilizator parametric cu diodă Zener. Pentru

3p mărirea coeficientului de stabilizare a acestuia, una dintre cele mai comode
soluţii este prezentată în figura notată:
228
a.) b.)
T2 iO
RB1 RB2 R4
iRED iL
R3 R2
vRED Dz1 Dz2 vL RL
T1 RL
vO
+vRED
Dz R1
c.) d.)
vRED +vRED
RB
VREF +
AE TR
T -
iL R2
Dz
vL RL
vO
R1
39. Figura 10.1 prezintă un stabilizator parametric cu diodă Zener. Pentru

3p mărirea curentului de ieşire al acestuia, una dintre cele mai comode soluţii
este prezentată în figura notată
a.) b.)
T2 iO
RB1 RB2 R4
i RED iL
R3 R2
vRED Dz1 Dz2 vL RL
T1 RL
vO
+vRED
Dz R1
c.) d.)
vRED +vRED
RB
VREF +
TR
T AE
-
iL
Dz R2
vL RL
vO
R1
40. Pentru mărirea coeficientului de stabilizare a unui stabilizator parametric

3p cu diodă Zener este utilizată soluţia prezentată în figura 10.3. Pentru
229
factorulul de stabilizare se obţine expresia:

RB1 RB2
iRED iL
vRED Dz1 Dz2 vL RL
Figura 10.3
RB1 RB 2
a) S ≅
rz1 rz 2
RB 2
b) S ≅
rz 2
rz1 rz 2
c) S ≅
RB1 RB 2
rz 2
d) S ≅
RB 2
41. Pentru mărirea coeficientului de stabilizare a unui stabilizator parametric

3p cu diodă Zener este utilizată soluţia prezentată în figura 10.3. Pentru
rezistentă de ieşire se obţine expresia:
a) ro ≅ rz 2
b) ro ≅ rz1
c) ro ≅ rz 2 RB 2
d) ro ≅ rz1 RB1
42. Pentru mărirea curentului de ieşire a unui stabilizator parametric cu diodă

4p Zener este utilizată soluţia prezentată în figura 10.4. În acest caz:
vRED
RB
T
iL
Dz
vL RL
Figura 10.4
a) curentul de ieşire creşte funcţie de valoarea rezistorului RB;
b) curentul de ieşire este crescut de β ori;
c) curentul de ieşire creşte funcţie de valoarea tensiunii stabilizate;
d) curentul de ieşire creşte funcţie de valoarea tensiunii vRED.
230

4p Zener este utilizată soluţia prezentată în figura 10.4. Pentru rezistenţa de
ieşire se obţine expresia:
a) ro ≅ rz
rz
b) ro ≅
β
rz
c) ro ≅ −
β
d) ro ≅ − rz

4p Zener este utilizată soluţia prezentată în figura 10.4. Tensiunea de pe
sarcină are valorea:
a) vL=VRED
b) vL=VRED-VZ
c) vL=VRED-VBE
d) vL=VZ-VBE
45. Configuraţia standard de stabilizator cu reacţie este prezentată în figura

2p notată
a.) b.)
+vRED +vRED
R1
VREF +
VREF + TR
TR
AE AE
-
R2 - rprot
. iO
Tprot
R3
rprot
. Tprot vO
R4
R2
vO
R1
231
c.) d.)
vRED +vRED
RB
VREF +
T TR
AE
-
iL
Dz
vL RL R2
vO
R1
46. Configuraţia standard de stabilizator cu limitare la o valoare fixă a

2p curentului de ieşire este prezentată în figura notată
a.) b.)
+vRED +vRED
R1
VREF +
VREF + TR
TR
AE AE
-
R2 - rprot
. iO
Tprot
R3
rprot
. Tprot vO
R4
R2
vO
R1
c.) d.)
vRED +vRED
RB
VREF +
T TR
AE
-
iL
Dz
vL RL R2
vO
R1
47. Configuraţia standard de stabilizator cu limitare prin întoarcere a

2p curentului de ieşire este prezentată în figura notată:
232
a.) b.)
+vRED +vRED
R1
VREF +
VREF + TR
TR
AE AE
-
R2 - rprot
. iO
Tprot
R3
rprot
. Tprot vO
R4
R2
vO
R1
c.) d.)
vRED +vRED
RB
VREF +
T TR
AE
-
iL
Dz
vL RL R2
vO
R1

3p 10.5. Rezistorii R1, R2 reprezintă reţeaua de reacţie. Despre natura
semnalelor de intrare şi ieşire se poate spune:
+vRED
VREF +
TR
AE
-
R2
vO
R1
Figura 10.5
a) semnalul de intrare în reţea este curentul din sarcină iar semnalul
de ieşire al reţelei - semnalul care se aplică la intrarea inversoare a
amplificatorului de eroare - este tot curent;
b) semnalul de intrare în reţea este curentul din sarcină iar semnalul
de ieşire al reţelei - semnalul care se aplică la intrarea inversoare a
amplificatorului de eroare - este tensiune.
c) semnalul de intrare în reţea este tensiunea de pe sarcină iar
semnalul de ieşire al reţelei - semnalul care se aplică la intrarea
233
inversoare a amplificatorului de eroare - este curent.

d) semnalul de intrare în reţea este tensiunea de pe sarcină iar
semnalul de ieşire al reţelei - semnalul care se aplică la intrarea
inversoare a amplificatorului de eroare - este tot tensiune.

3p 10.5. Blocul notat AE reprezintă amplificatorul de eroare. Acest bloc:
a) compară nivelul curentului generat de reţeaua de reacţie cu nivelul
de tensiune al sursei de referinţă şi generează la ieşire un semnal
proporţional cu diferenţa dintre ele (amplifică semnalul de eroare);
b) compară nivelul de tensiune generat de reţeaua de reacţie cu
nivelul de tensiune al sursei de referinţă şi generează la ieşire un
semnal proporţional cu diferenţa dintre ele (amplifică semnalul de
eroare);
c) compară nivelul curentului generat de reţeaua de reacţie cu nivelul
curentului generat de sursa de referinţă şi generează la ieşire un
semnal proporţional cu diferenţa dintre ele (amplifică semnalul de
eroare);
d) compară nivelul de tensiune generat de reţeaua de reacţie cu
nivelul curentului generat de sursa de referinţă şi generează la
ieşire un semnal proporţional cu diferenţa dintre ele (amplifică
semnalul de eroare);

3p 10.5. Tranzistorul notat TR reprezintă tranzistorul regulator. Acest
transistor are rolul:
a) are rolul unui generator de curent comandat în curent; valoarea
curentului din emitor se modifică, funcţie de comanda pe care o
primeşte de la amplificatorul de eroare, astfel încât tensiunea pe
sarcină să fie menţinută constantă.
b) are rolul unui generator de curent comandat în tensiune; valoarea
curentului din emitor se modifică, funcţie de comanda pe care o
c) are rolul unei rezistenţe variabile; valoarea rezistenţei echivalente
dintre emitor şi colector se modifică, funcţie de comanda pe care o
d) are rolul unei comutator comandat; starea comutatorului se
modifică, funcţie de comanda pe care o primeşte de la
amplificatorul de eroare, astfel încât tensiunea pe sarcină să fie
234
menţinută constantă.

3p 10.5. Blocul notat VREF reprezintă sursa de referinţa. Această sursă are
rolul:
a) de a asigura un nivel variabil al tensiunii generate funcţie de
temperatură, nivel utilizat în obţinerea semnalului de eroare;
b) de a asigura un nivel variabil al tensiunii generate funcţie de
nivelul tensiunii redresorului, nivel utilizat în obţinerea semnalului
de eroare;
c) de a asigura un nivel variabil al tensiunii generate funcţiev de
valoarea curentului de sarcină, nivel utilizat în obţinerea
semnalului de eroare;
d) de a asigura un nivel constant al tensiunii generate, nivel utilizat în
obţinerea semnalului de eroare;

2p 10.5. Modul în care acţionează reacţia este prezentat în figura notată:
a) vo ↓ (1) ⇒ vR1R2 ↑ (2 ) ⇒ v− ↑ (3) ⇒ vBTR ↓ (4 ) ⇒ vo ↓ (5) ;
b) vo ↑ (1) ⇒ vR1R2 ↓ (2 ) ⇒ v− ↑ (3) ⇒ vBTR ↓ (4 ) ⇒ vo ↓ (5) ;
c) vo ↑ (1) ⇒ vR1R2 ↑ (2 ) ⇒ v− ↑ (3) ⇒ vBTR ↓ (4 ) ⇒ vo ↓ (5) ;
d) vo ↑ (1) ⇒ vR1R2 ↑ (2 ) ⇒ v− ↓ (3) ⇒ vBTR ↓ (4 ) ⇒ vo ↓ (5) .
53. Configuraţia standard de stabilizator cu limitare la o valoare fixă a

3p curentului de ieşire este prezentată în figura 10.6. Valoarea curentului la
care apare fenomenul de limitare se poate determina cu relaţia:
+vRED
+
VREF
TR
AE
-
Tprot
rprot
.
R2
vO
R1
Figura 10.6
Vγ
a) I COT = ;
R1
235
Vγ
b) I COT = ;
R2
Vγ
c) I COT = ;
rprot
Vγ
d) I COT = .
(
rprot R1 + R2 )
4p curentului de ieşire este prezentată în figura 10.7. Valoarea curentului de
cot se poate determina cu relaţia:
+vRED
R1
VREF + TR
AE
R2 - rprot
. iO
R3
Tprot vO
R4
Figura 10.7
R + R4 R3
a) ICOT = 3 Vγ + vO ;
rprot R4 rprot R4
R1 + R2 R3
b) I COT = Vγ + vO ;
rprot R4 rprot R4
R + R4 R3
c) I COT = 3 Vγ + vO ;
rprot R2 rprot R4
R3 + R4 R1
d) I COT = Vγ + vO .
rprot R4 rprot R2

4p curentului de ieşire este prezentată în figura 10.7. Valoarea curentului de
scurtcircuit se poate determina cu relaţia:
R1 + R3
a) I SCURTCIRCUIT = Vγ ;
rprot R4
236
R2 + R4
b) I SCURTCIRCUIT = Vγ ;
rprot R4
R + R2
c) I SCURTCIRCUIT = 1 Vγ ;
rprot R2
R3 + R4
d) I SCURTCIRCUIT = Vγ .
rprot R4
56. Figura 10.8 prezintă un exemplu de stabilizator de tensiune. Blocul notat

1p cu 1 are rolul de:
1. 2.
T2 iO
R4
R3 R2
T1 RL
vO
+vRED
Dz R1
3. 4.
Figura 10.8
a) tranzistor regulator;
b) amplificator de eroare;
c) reţea de reacţie;
d) sursă de referinţă.


237

60. Figura 10.8 prezintă un exemplu de stabilizator de tensiune cu reacţie. În

1p acest caz reacţia funcţionează ca în figura notată:
a) vO ↑⇒ VB ↓⇒ vBE ↑⇒ VC = VB ↓⇒ VE = vO ↓ ;
T1 T1 T2 T2
b) v O ↑⇒ V B ↑⇒ v BE ↑⇒ VC = V B ↓⇒ V E = v O ↓ ;
T1 T1 T2 T2
c) vO ↑⇒ VB ↑⇒ vBE ↓⇒ VC = VB ↓⇒ VE = vO ↓ ;
T1 T1 T2 T2
d) vO ↑⇒ VB ↑⇒ vBE ↑⇒ VC = VB ↑⇒ VE = vO ↓ .
T1 T1 T2 T2
61. Figura 10.8 prezintă un exemplu de stabilizator de tensiune cu reacţie.

3p Figura 10.9 aduce o îmbunătăţire. Această îmbunătăţire se referă la:
T2 iO
R4
R3 R2
T1 RL
vO
+vRED
Dz R1
Figura 10.9
a) mărirea coeficientului de stabilizare;
b) micşorarea rezistenţei de ieşire;
c) micşorarea coeficientului de temperatură;
d) mărirea puterii de ieşire.

3p Figura 10.10 prezintă modul în care poate fi realizat elementul regulator
prin conectarea în serie a mai multor tranzistoare. Această îmbunătăţire se
referă la:
238
C1 C2 C3 C4
T1 T2 T3 T4
Colector Emitor
D1 D2 D3 D4
R1 R2 R3 R4
Bazã
Figura 10.10

3p Figura 10.11 prezintă modul în care poate fi realizat elementul regulator
prin conectarea în serie a mai multor tranzistoare. Această îmbunătăţire se
referă la:
T1 R1
Colector Emitor
T2 R2
T3 R3
Bazã
Figura 10.11
239
Răspunsuri

240
Capitolul 11
Oscilatoare armonice
1. Figura 11.1 prezintă schema generală a unui oscilator constituit dintr-un
1p amplificator cu reacţie pozitivă. Schema bloc prezentată este asemănătoare
celei prezentate la studiul reacţiei în amplificatoare (figura 9.13), totuşi
există două deosebiri esenţiale:
Xi = 0 Xε Xo
+
Σ a
Xf +
f
Figura 11.1
a) reţeaua de reacţie nu defazează semnalul iar faza semnalului de
intrare este nulă;
b) reţeaua de reacţie nu defazează semnalul şi nu există semnal de
intrare;
c) reţeaua de reacţie nu defazează semnalul iar faza semnalului de
intrare este 1800;
d) reţeaua de reacţie defazează semnalul cu 1800 iar faza semnalului
de intrare este nulă;

1p amplificator cu reacţie pozitivă. Pentru acest tip de oscilator relaţia lui
Barkhausen este:

Barkhausen este a f = 1 . Notând a = a exp( jϕ a ) şi f = f exp jϕ f ( )
aceasta relaţie se rescrie sub forma:
a) a f = −1 şi ϕ a + ϕ f = (2k + 1)π k ∈Z
241
b) a f =1 şi ϕ a + ϕ f = (2k + 1)π k ∈Z
c) a f = −1 şi ϕ a + ϕ f = 2kπ k∈Z
d) a f =1 şi ϕ a + ϕ f = 2kπ k∈Z

aceasta relaţie se rescrie sub forma a f = 1 şi
ϕ a + ϕ f = 2kπ k ∈ Z . Relatia a f = 1 ::
a) poartă numele „condiţia de fază” şi permite calcului frecvenţei de
oscilaţie;
b) poartă numele „condiţia de amplitudine” şi permite calcului
frecvenţei de oscilaţie;
c) poartă numele „condiţia de fază” şi permite determinarea condiţiei
de amorsare a oscilaţiei, adică valoarea minimă a amplificării
amplificatorului de bază pentru a exista oscilaţii;
d) poartă numele „condiţia de amplitudine” şi permite determinarea
condiţiei de amorsare a oscilaţiei, adică valoarea minimă a
amplificării amplificatorului de bază pentru a exista oscilaţii;

aceasta relaţie se rescrie sub forma a f = 1 şi
ϕ a + ϕ f = 2kπ k ∈ Z . Relatia ϕ a + ϕ f = 2kπ k∈Z :
a) poartă numele „condiţia de fază” şi permite calculul frecvenţei de
oscilaţie;
b) poartă numele „condiţia de amplitudine” şi permite calculul
frecvenţei de oscilaţie;
c) poartă numele „condiţia de fază” şi permite determinarea condiţiei
de amorsare a oscilaţiei, adică valoarea minimă a amplificării
amplificatorului de bază pentru a exista oscilaţii;
d) poartă numele „condiţia de amplitudine” şi permite determinarea
condiţiei de amorsare a oscilaţiei, adică valoarea minimă a
242
amplificării amplificatorului de bază pentru a exista oscilaţii;
6. Una dintre schemele de principiu ale unui oscilator RC cu punte Wien este
a.) b.)
I in ayVin I in ayIin
Amplificator Amplificator
de bazã de bazã
R1 C1 Reţea de R1 C1 Reţea de
reacţie reacţie
R2 C2 pozitivă R2 C2 pozitivă
c.) d.)
Vin avVin I in ayIin

Amplificator Amplificator
de bazã de bazã
R1 C1 Reţea de R1 C1 Reţea de
reacţie reacţie
R2 C2 pozitivă R2 C2 pozitivă
7. Schema din figura 11.2 prezintă una dintre schemele de principiu ale unui
2p oscilator RC cu punte Wien. Analiza circuitului - care se reduce la
determinarea frecvenţei de oscilaţie precum a condiţiei de amorsare a
oscilaţiilor - presupune verificarea condiţiei lui Barckhausen presupunând
că amplificatorul de bază este un amplificator ideal. În aceste condiţii fv -
atenuarea introdusă de reţeaua de reacţie - se calculează cu ajutorul
schemei din figura notată:
Vin avVin
Amplificator
de bazã
R1 C1 Reţea de
reacţie
R2 C2 pozitivă
Figura 11.2
243
a.) C1 R1 I O1
b.) C1 R1 I O1
+
+
R2 C2 It R2 C2 Vo
It Vo
I O2- I O2
-
c.) C1 R1 I O1
d.) C1 R1 I O1
+
+
Vt R2 C2 Vo Vt R2 C2 Vo
I O2 I O2
- -
3p oscilator RC cu punte Wien. Analiza circuitului - care se reduce la
determinarea frecvenţei de oscilaţie precum a condiţiei de amorsare a
oscilaţiilor - presupune verificarea condiţiei lui Barckhausen presupunând
că amplificatorul de bază este un amplificator ideal. În aceste condiţii fv -
atenuarea introdusă de reţeaua de reacţie - se calculează cu ajutorul
schemei din figura 11.3. Valoarea lui fv este:
Vo 1
a) f v ( jω ) = = ;
Vt R1 C2  1 
1+ + + j ωR1C2 − 
R2 C1  ωR2C1 
Vo 1
b) f v ( jω ) = = ;
Vt R1 C2  1 
1+ + − j  ωR1C2 − 
R2 C1  ωR2C1 
Vo 1
c) f v ( jω ) = = ;
Vt R1 C2  1 
1+ + + j ωR1C2 + 
R2 C1  ωR2C1 
Vo 1
d) f v ( jω ) = = .
Vt R1 C2  1 
1+ + − j  ωR1C2 + 
R2 C1  ωR2C1 
244
3p oscilator RC cu punte Wien. Ştiind că atenuarea introdusă de reţeaua de
Vo 1
reacţie are expresia f v ( jω ) = = ,
Vt R1 C2  1 
1+ + + j  ωR1C2 − 
R2 C1  ωR2C1 
pentru ω = ωosc ( ωosc pulsaţia de oscilaţie) fv devine:
1
a) f v ( jωosc ) = ;
R1 C2  1 
1+ + + j  ωR1C2 − 
R2 C1  ωR2C1 
1
b) f v ( jωosc ) = ;
R1 C2
1+ +
R2 C1
1
c) f v ( jωosc ) = ;
 1 
j  ωosc R1C2 − 
 ωosc R2C1 
1
d) f v ( jωosc ) = .
 1 
 ωosc R1C2 − 
 ωosc R2C1 
3p oscilator RC cu punte Wien. Atenuarea introdusă de reţeaua de reacţie are
Vo 1
expresia f v ( jω ) = = .
Vt R1 C2  1 
1+ + + j ωR1C2 − 
R2 C1  ωR2 C1 
Considerând, R1=R2=R respectiv C1=C2=C, pulsaţia de oscilaţie are
expresia:
1
a) ωosc = ;
RC
1
b) ωosc = ;
2π RC
1
c) ωosc = ;
2πRC
245
1
d) ωosc = .
RC
3p oscilator RC cu punte Wien. Atenuarea introdusă de reţeaua de reacţie are
Vo 1
expresia f v ( jω ) = = .
Vt R1 C2  1 
1+ + + j ωR1C2 − 
R2 C1  ωR2C1 
Considerând, R1=R2=R respectiv C1=C2=C, conditia de amorsate a
oscilaţiior devine:
a) av=27;
b) av=3;
c) av=-3;
d) av=-27.
12. Schema din figura 11.3 prezintă:

3p
C
+EC
R1 r
RC1 RC2
C1
T1 T2 T3 CO
C2 R2
RE1
RE CE
Vo
RL
RE2
Figura 11.3
a) un oscilator cu punte Wien care are la bază un amplificator de
tensiune format din trei tranzistoare;
b) un oscilator cu punte Wien care are la bază un amplificator de
curent format din trei tranzistoare;
c) un oscilator cu punte Wien care are la bază un amplificator
transimpedanţă format din trei tranzistoare;
d) un oscilator cu punte Wien care are la bază un amplificator
transadmitanţă format din trei tranzistoare.
13. Schema din figura 11.3 prezintă un oscilator cu punte Wien care are la
2p bază un amplificator de tensiune format din trei tranzistoare. Defazajul
introdus de acest amplificator este:
246
a) nu introduce defazaj;
b) 900;
c) 1800;
d) 2700.
introdus de reţeaua de reacţie este:
b) 900;
c) 1800;
d) 2700.
introdus de bucla de reacţie este:
b) 900;
c) 1800;
d) 2700.
16. Schema din figura 11.3 prezintă un oscilator cu punte Wien. Reacţia
2p introdusă de această reacţie este:
a) negativă;
b) pozitivă;
c) poate fi negativă sau pozitivă funcţie de frecvenţa de lucru;
d) poate fi negativă sau pozitivă funcţie amplitudinea semnalului.
2p introdusă de această este pozitivă întrucât defazajul introdus de bucla de
reacţie este:
a) nul (nu introduce defazaj);
b) 900;
c) 1800;
d) 2700;
2p introdusă de această este pozitivă întrucât defazajul introdus de bucla de
reacţie este nul. Există suplimentar şi o reţea de reacţie negativă. Aceasta
este formată din termistorul r şi rezistorul RE. (condensatorul C este scurt
circuit la frecvenţa de lucru). Este o reacţie serie - paralel. Ea culege
247
semnalul din emitorul lui T3 şi-l introduce în emitorul lui T1. Introducerea
termistorului pe calea de reacţie permite:
a) menţinerea constantă a frecvenţei de oscilaţie;
b) menţinerea constantă a nivelului de distorsiuni al tensiunii de
ieşire;
c) menţinerea constantă a valorii tensiunii de ieşire;
d) menţinerea constantă a tensiunii de alimentare.
19. Oscilatoarele cu reţea de defazare utilizează reţele de defazare de tip trece

3p sus sau trece jos. O reţea de tip trece sus este prezentată în figura notată:
a.) C1 I O1
b) c.) d.) C1 I O1
+ +
R1 IO1 R1 IO1
Vt R1 Vo Vt C2 Vo
+ +
- Vt Vt -
C1 Vo R2 Vo
I O2 I O2
- -
IO2 IO2
20. Oscilatoarele cu reţea de defazare utilizează reţele de defazare de tip trece

3p sus sau trece jos. O reţea de tip trece jos este prezentată în figura notată:
a.) C1 I O1
b) c.) d.) C1 I O1
+ R1 R1 +
I O1 IO1
Vt R1 Vo Vt C2 Vo
+ +
- Vt Vt -
C1 V o R2 Vo
I O2 - - I O2
I O2 IO2
21. Una dintre schemele de principiu ale unui oscilator RC cu retea de

3p defazare de tip trece sus este prezentată în figura notată:
a.) b.)
ayVIN Amplificator ayIIN Amplificator
Iin de bazã Iin de bazã
C C C Reţea de C C C Reţea de
R R R reacţie R R R reacţie
pozitivã pozitivã
248
c.) d.)
avVIN Amplificator azVIN Amplificator
Vi de bazã Iin de bazã
n
C C C Reţea de C C C Reţea de
R R R reacţie R R R reacţie
pozitivã pozitivã
2p oscilator RC cu retea de defazare de tip trece sus. Analiza circuitului - care
se reduce la determinarea frecvenţei de oscilaţie precum a condiţiei de
amorsare a oscilaţiilor - presupune verificarea condiţiei lui Barckhausen
presupunând că amplificatorul de bază este un amplificator ideal. În aceste
condiţii fv - atenuarea introdusă de reţeaua de reacţie - se calculează cu
ajutorul schemei din figura notată:
Vin avVin
Amplificator
de bazã
R1 C1 Reţea de
reacţie
R2 C2 pozitivă
Figura 11.4
a.) R1 R2 R3 I O1
b.) R1 R2 R3 I O1
+ +
C1 C2 C3 C1 C2 C3
Vt Vo It
Vo
- -
I O2 I O2
c.) C1 C2 C3 I O1
d.) C1 C2 C3 I O1
+ +
Vt R1 R2 R3 Vo It R1 R2 R3 Vo
-
-
I O2
I O2
249
23. Schema din figura 11.5 prezintă:

3p
+EC
R1 RC
T2
C1 C C C
T1
R2 RE RO R R R
vO
Figura 11.5
a) un oscilator cu retea de defazare de tip trece sus care are la bază un
amplificator de tensiune format din două tranzistoare;
b) un oscilator cu retea de defazare de tip trece sus care are la bază un
amplificator de curent format din două tranzistoare;
c) un oscilator cu retea de defazare de tip trece sus care are la bază un
amplificator transimpedanţă format din două tranzistoare;
d) un oscilator cu retea de defazare de tip trece sus care are la bază un
amplificator transadmitanţă format din două tranzistoare.
24. Schema de principiu a unui oscilator Hartley (cu reacţie inductivă) este
a.) b.)
Amplificator
Amplificator
de bazã
Vin aY Vin de bazã Vin aY Vin
L1 Reţea de C1 Reţea de
L2 C Rp reacţie C2 L Rp reacţie
pozitivã pozitivã
c.) d.)
avVIN Amplificator
Vin avVin Vi
Amplificator de bazã
n
de bazã
R1 C1 Reţea de C C C Reţea de
reacţie R R R reacţie
R2 C2 pozitivă pozitivã
250
25. Schema de principiu a unui oscilator Colpitts (cu reacţie capacitivă) este
a.) b.)
Amplificator
Amplificator
de bazã
pozitivã pozitivã
c.) d.)
avVIN Amplificator
Vin avVin Vi
n
de bazã
26. Schema de principiu a unui oscilator cu punte Wien este prezentată în

1p figura notată:
a.) b.)
Amplificator
Amplificator
de bazã
pozitivã pozitivã
c.) d.)
avVIN Amplificator
Vin avVin Vi
n
de bazã
251
27. Schema de principiu a unui oscilator cu retea de defazare este prezentată în

1p figura notată:
a.) b.)
Amplificator
Amplificator
de bazã
pozitivã pozitivã
c.) d.)
avVIN Amplificator
Vin avVin Vi
n
de bazã
28. Îndeplinirea condiţiei lui Barckhausen pentru un oscillator tip Hartley se

3p face prin întreruperea buclei. Întreruperea buclei se realizează ca figura
notată:
a.) b)
Vt AyVt Vt AvVt
I O1 L1 I O1 L1
+ +
Vf L2 C Rp Vf L2 C Rp
- -
I O2 I O2
252
c.) d.)
Vt A zV t Vt A iV t
I O1 L1 I O1 L1
+ +
L2 C Rp L2 C Rp
Vf Vf
- -
I O2 I O2
29. Îndeplinirea condiţiei lui Barckhausen pentru un oscillator tip Colpitts se

3p face prin întreruperea buclei. Întreruperea buclei se realizează ca figura
notată:
a.) b)
Vt Vt Av V t
Ay Vt
I O1 C1 I O1 C1
+ +
Vf C2 L1 Rp L Rp
Vf C2
- -
I O2 I O2
c.) d.)
Vt Az V t Vt AiV t
I O1 C1 I O1 C1
+ +
Vf C2 L Rp Vf C2 L Rp
- -
I O2 I O2
30. Schema de principiu al unui oscilator Hartley este prezentată în figura

3p 11.6. Îndeplinirea condiţiei lui Barckhausen pentru acest tip de oscilator se
poate face prin întreruperea buclei, întrerupere ce se realizează ca figura
11.7. În acest caz tensiunea de la ieşirea buclei de reacţie capătă expresia:
253
AyVt Vt AyVt
L1 I O1 L1
+
L2 C Rp Vf L2 C Rp
-
I O2

L1 1 1 1
a) V f = −aY Vt Z e unde: = + jωC +
L1 + L2 Ze Rp jω ( L1 + L2 )
L1 1 1 1
b) V f = aY Vt Z e unde: = + jωC +
L1 + L2 Ze Rp jω ( L1 + L2 )
L2 1 1 1
c) V f = −aY Vt Z e unde: = + jωC +
L1 + L2 Ze Rp jω ( L1 + L2 )
L2 1 1 1
d) V f = aY Vt Z e unde: = + jωC +
L1 + L2 Ze Rp jω ( L1 + L2 )
31. Schema de principiu al unui oscilator Colpitts este prezentată în figura

Ay Vt Vt Ay Vt
C1 C1
I O1
+
L1 Rp
C2 Vf C2 L Rp
-
I O2
Figura 11.8
Figura 11.9
C2 1 1 CC 1
a) V f = aY Vt Z e unde: = + jω 1 2 +
C1 + C2 Ze Rp C1 + C2 jωL
254
C2 1 1 CC 1
b) V f = −aY Vt Z e unde: = + jω 1 2 +
C1 1 1 CC 1
c) V f = aY Vt Z e unde: = + jω 1 2 +
C1 1 1 CC 1
d) V f = −aY Vt Z e unde: = + jω 1 2 +
32. Schema de principiu al unui oscilator Hartley este prezentată în figura

L2 1 1 1
V f = −aY Vt Z e unde: = + jωC + . Ştiind că
L1 + L2 Ze Rp jω ( L1 + L2 )
Ay este real, pulsaţia de oscilaţie devine:
1
a) ωosc = ;
L1
C
L1 + L2
1
b) ωosc = ;
L1L2
C
L1 + L2
1
c) ωosc = ;
L2
C
L1 + L2
Rp
d) ωosc = .
L1L2
C
L1 + L2
33. Schema de principiu al unui oscilator Colpittsd este prezentată în figura

255
C1 1 1 CC 1
V f = −aY Vt Z e unde: = + jω 1 2 + . Ştiind că
Ay este real, pulsaţia de oscilaţie devine:
1
a) ωosc = ;
C1
L
C1 + C2
1
b) ωosc = ;
C1C2
L
C1 + C2
1
c) ωosc = ;
C2
L
C1 + C2
Rp
d) ωosc = .
C1C2
L
C1 + C2
34. Un exemplu de oscilator Hartley realizat cu tranzistoare bipolare este

a.) b.)
+EC
RB1 C RL
C1
L1
L RL
C2
CE T
L2 RE RB2 CB
256
c.) d.)
EC C
+EC
R1 r
R1 LC CC RC1 RC2
C1
T1 T2 T3 CO
X C2 R2 RE1
RE CE
RL Vo
RE2
R2 C1
RE CE
35. Un exemplu de oscilator Colpitts realizat cu tranzistoare bipolare este

a.) b.)
+EC
RB1 C RL
C1
L1
L RL
C2
CE T
L2 RE RB2 CB
c.) d.)
EC C
+EC
R1 r
R1 LC CC RC1 RC2
C1
T1 T2 T3 CO
X C2 R2 RE1
RE CE
RL Vo
RE2
R2 C1
RE CE
36. Un exemplu de oscilator Pierce realizat cu tranzistoare bipolare este

257
a.) b.)
+EC
RB1 C RL
C1
L1
L RL
C2
CE T
L2 RE RB2 CB
c.) d.)
EC C
+EC
R1 r
R1 LC CC RC1 RC2
C1
T1 T2 T3 CO
X C2 R2 RE1
RE CE
RL Vo
RE2
R2 C1
RE CE
37. Utilizarea cristalului de cuarţ în calitate de circuit oscilant se datorează:

1p
a) efectului fotoelectric;
b) efectului Compton;
c) efectului piezoeletric;
d) efectului gamma.
Răspuns corect c.)
38. Utilizarea cristalului de cuarţ în calitate de circuit oscilant se datorează

2p efectului piezoelectric care îi este caracteristic. În fapt acest efect permite:
a) transformarea energiei electrice direct în energie calorică (şi
invers), şi constă în apariţia unor oscilaţii mecanice la aplicarea
unei tensiuni electrice pe cristal;
b) transformarea energiei electrice în energie luminoasă, şi constă în
apariţia unor oscilaţii mecanice la aplicarea unei tensiuni electrice
pe crystal;
c) transformarea energiei electrice în energie calorică şi ulterior în
energie mecanică (şi invers), şi constă în apariţia unor oscilaţii
mecanice la aplicarea unei tensiuni electrice pe crystal;
d) transformarea energiei electrice direct în energie mecanică (şi
258
invers), şi constă în apariţia unor oscilaţii mecanice la aplicarea

unei tensiuni electrice pe cristal.
39. Cristalul de cuarţ utilizat în electronică reprezintă o mică bucată de cristal

2p şlefuit, cu două dintre feţele opuse metalizate. Din punct de vedere electric
el se comportă ca un circuit a cărui schemă echivalentă este prezentată în
figura notată:
a.) b.)
R R
Cs Cp
L L
c.) d.)
Cp Cp Cs

figura 11.10. Circuitul are două frecvenţe naturale de rezonanţă, una serie
şi una paralel. Frecvenţa serie este determinată de:
Cp Cs
Figura 11.10
1
a) ω s = ;
LC s
259
1
b) ω s = ;
Cp
L
Cs + C p
1
c) ω s = ;
Cs C p
L
Cs + C p
1
d) ω s = .
LC p

figura 11.10. Circuitul are două frecvenţe naturale de rezonanţă, una serie
şi una paralel. Frecvenţa serie este determinată de:
1
a) ω p = ;
LC s
1
b) ω p = ;
Cs C p
L
Cs + C p
1
c) ω p = ;
Cp
L
Cs + C p
1
d) ω p = .
LC p
42. Din punct de vedere electric cristalul de cuarţ el se comportă ca un circuit a

2p cărui schemă echivalentă este prezentată în figura 11.10. Variaţia
impedanţei echivalente este prezentată în figura notată:
260
a.) b.)
Z ech Z ech
Domeniu Domeniu
inductiv inductiv
ωp ωs ωs ωp
Domeniu ω Domeniu ω
capacitiv capacitiv
c.) d.)
Z ech Z ech
Domeniu Domeniu
capacitiv inductiv
ωs ωp ωs ωp
Domeniu ω Domeniu ω
inductiv capacitiv
43. În condiţiile în care răspunsul cristalului este de tip overtone cristalul

2p oscilează pe:
a) armonici impare;
b) armonici pare
c) subarmonici impare;
d) subarmonici pare
Răspuns corect c.)
261
Răspunsuri

262

File PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

File PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Capitolul 1

Dioda semiconductoare “p-n”

1. Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu p a fost notată:

2. Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu n a fost notată:

3. Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu NA a fost notată:

4. Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu ND a fost notată:

5. Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu A a fost

6. Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu C a fost

7. Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu vA a fost

8. Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu iA a fost

9. Prin efect de diodă se înţelege:

uneori de la anod la catod alteori de la catod la anod;

14. Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de

Regiune Regiune de Regiune

b.) sarcinii purtătorilor mobili;

15. Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de

16. Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de

17. Câmpul electric intern existent la nivelul regiunii de tranziţie este

23. Ecuaţia caracteristică statică (sau mai simplu caracteristica statică) a

b.) i = I exp v A  − 1

24. Ecuaţia caracteristică statică (sau mai simplu caracteristica statică) a

25. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode.

26. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode.

27. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode.

Model de ordin zero Caracteristica reală

2p poartă numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximări în

35. Multiplicarea în avalanşă are loc la:

36. Efectul "tunel" are loc:

37. Figura 1.7 prezintă caracteristica statică a unei diode stabilizatoare.

38. Figura 1.7 prezintă caracteristica statică a unei diode stabilizatoare.

43. Condiţia de semnal mic pentru o diodă semiconductoare este îndeplinită

44. Conductanţa de semnal mic a diodei semiconductoare are valoarea:

45. Modelul matematic al unei diode semiconductoare care lucrează în regim

46. Schema echivalentă a unei diode semiconductoare care lucrează în regim

1. Răspuns corect: d.) 24. Răspuns corect b.)

1. Figura 2.1 prezintă:

2. Figura 2.1 prezintă un redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistivă. Cu

3. Figura 2.1 prezintă un redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistivă. Cu

4. Figura 2.1 prezintă un redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistivă. Cu

d) amplitudinea tensiunii alternative din primar;

5. Figura 2.1 prezintă un redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistivă. Cu

6. Figura 2.1 prezintă un redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistivă. Cu

7. Figura 2.1 prezintă un redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistivă. Cu

8. Figura 2.1 prezintă un redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistivă. Cu

9. Dioda D prezentată în figura 2.1 conduce:

10. Figura 2.2 prezintă formele de undă caracteristice unui:

11. Valoarea componentei continue de la ieşirea redresorului prezentat în

12. Figura 2.3 prezintă:

c) un redresor dublă alternanţă în punte;

14. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu RL

15. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu D1

16. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu Vp

17. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu Vs

18. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu vL

b) amplitudinea tensiunii alternative din secundar;

19. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. Cu iL a

20. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. În

21. Figura 2.3 prezintă un redresor dublă alternanţă cu priza mediană. În

22. Figura 2.4 prezintă formele de undă caracteristice unui:

c) redresor mono-alternanţă cu sarcină rezistiv-inductivă;

23. Valoarea componentei continue de la ieşirea redresorului prezentat în

24. Figura 2.5 prezintă:

25 Figura 2.5 prezintă un redresor dublă alternanţă în punte. Cu Tr. a fost