1.(59) HBW.

Un transistor bipolar cu βF = 100 este polarizat cu VCC = 9V si

RC =3KΩ (vezi figura). Cu un voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul
de colector?

A) 1mA
B) 4mA
C) 2mA
D) 3mA
1.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie
1.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si
RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
2.(62) HBW.Un transistor bipolar cu βF = 100 este polarizat cu VCC = 9V si
RC =6KΩ (vezi figura). Cu un voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de
colector?

A) 1mA
B) 4mA
C) 2mA
D) 3mA
2.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie
2.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si
RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
3.(63) HBW.Un transistor bipolar cu βF = 100 este polarizat cu VCC = 9V si
RC =2KΩ (vezi figura). Cu un voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul de
colector?

A) 1mA
B) 4mA
C) 2mA
D) 3mA
3.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie
3.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si
RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
4.(64) HBW.Un transistor bipolar cu βF = 100 este polarizat cu VCC = 9V si
RC =1,5KΩ (vezi figura). Cu un voltmetru se masoara VCE = 3V. Cat este curentul
de colector?

A) 1mA
B) 4mA
C) 2mA
D) 3mA
4.2) (60)In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie
4.2) (61)Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si
RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
5.(159) În schema din figură se măsoară tensiunea alternativă în baza tranzistorului
4.4mV iar tensiunea alternativă de la generator 10mV. Tensiunea continua în
colectorul tranzistorului este 5V fata de masa, iar BF=B0=100. Tensiunea
alternativă pe R7 este:
A) 90,9mV
B) 100.9mV
C) 190,9mV
D) 80,9mV
6.(160) În schema din figură se măsoară tensiunea alternativă în baza tranzistorului
4.4mV iar tensiunea alternativă de la generator 10mV. Tensiunea continua în
colectorul tranzistorului este 5V, iar BF=B0=100. Tensiunea alternativă în
emitorul tranzistorului este:

A) 100mV
B) 509mV
C) 1V
D) 0V
1.(167) Se da graficul din fig. Tranzistorul se comporta ca o rezistenta comandata
in tensiune in:

A) Zona B;
B) Ambele zone;
C) Zona A;
D) La limita dintre cele doua zone.
2.(168) Parametrul k depinde de:
A) Geometria portii tranzistorului MOS;
B) De curentul de drena;
C) De tensiunea de prag;
D) De tipul semiconductorului.
3.(169) Comanda tranzistorului MOS se realizeaza in:
A) Curent;
B) Tensiune;
C) Si in curent si in tensiune;
D) In drena.
4.(171) Un tranzistor nMOS cu VT=2V si kn=1mA/V2 are poarta si sursa legate la
masa. Curentul de drena al tranzistorului este:
A) ID=2mA;
B) ID=1mA;
C) ID=0mA;
D) ID=4mA.
5.(186) Un tranzistor MOS se utilizeaza ca amplificator polarizat in:
A) Regiunea liniara;
B) Saturatie;
C) In blocare;
D) La limita dintre regiunea liniara si saturatie
6.(187) La semnal mic si joasa frecventa si in curent continuu, curentul de poarta al
unui tranzistor MOS este practic:
A) dependent de regimul de polarizare al tranzistorului;
B) zero;
C) creste cu tensiunea de poarta;
D) depinde de tensiunea de prag.
7.(173) Pentru un tranzistor n-MOS cu canal indus, ID=0 când:
A) VGS < VT;
B) VGS > VT;
C) VDG=0;
D) VDS = VGS.
8.(180) Un nMOS este plasat in saturatie in conexiune sursa comuna si atacat la
intrare cu un semnal de inalta frecventa Impedanta masurata in poarta acestuia va
fi:
A) infinita
B) de natura capacitiva
C) de natura inductiva
D) 0
9.(178) In tabel sunt date potentialele (Volti iar 0este potentialul masei) masurate
pe electrozii unui MOS cu canal n cu factorul k=1mA/V2,VT=1,8Vsi λ=0,01/V S
G D 0 2 5 Transistorul este:
A) in saturatie
B) in blocare
C) in zona activa(cvasiliniara)
D) in zona de rezistenta variabila
10.(179) In tabel sunt date potentialele (Volti) masurate pe electrozii unui MOS cu
canal n cu factorul k=1mA/V2 VT=1,8V si λ=0,01/V S G D 0 2 0,15 Transistorul
este:
A) in saturatie
B) in blocare
C) in zona activa(cvasiliniara)
D) in zona de rezistenta variabila
11.(181) Tensiunea VT la nMOS este:
A) granita intre blocare si conductie
B) tensiunea de saturatie
C) tensiunea de strapungere
D) tensiunea de prag
12.(182) Tensiunea VT la nMOS este:
A) VGS pentru care curentul ID devine foarte mic
B) VGS pentru care curentul ID devine maxim
C) VDS pentru care curentul ID devine foarte mic
D) VDS pentru care curentul ID devine maxim
1.(5) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,6V, R1=0,8kΩ.
Curentul prin dioda este:

A) 3mA
B) 2mA
C) 1mA
D) 4mA
1.2) (6)Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
1.2) (7)Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in
circuitul din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
2.(8) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,7V, R1=2,3kΩ.
Curentul prin dioda este:

A) 3mA
B) 2mA
C) 1mA
D) 4mA
2.2) (9)Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
2.2) (10)• Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in
circuitul din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
3.(11) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,6V, R1=0,8kΩ.
Curentul prin dioda este:

A) 3mA
B) 2mA
C) 1mA
D) 4mA
3.2) (12)Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
3.2) (13)Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in
circuitul din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
4.(53) HD.Circuitul de masura pentru dioda folosit in laborator este dat in figura
(unde : Rk>>Rsn ). Cum se obtine Ri(rezistenta dinamica a diodei) ?
A) Se masoara valorile efective Vd si Vs ; se deduce: Id=(Vs-Vd) / Rsn si apoi
Ri=Vd / Id
B) Se masoara Vd si se deduce: Id=Vd / Rsn si apoi Ri=Vd / Id
C) Se masoara Vs si se deduce: Id=Vs / Rsn si apoi Ri=Vs / Id
D) Se masoara Vd ,Vs,VD si se deduce: Id=(VD -Vd) / Rsn si apoi Ri=Vs / Id
4.2) (54)Condensatorul C∞
A) serveste la separarea galvanica a circuitului de generatorul de semnal
B) se comporta ca scurtcircuit pentru un semnal alternativ de joasa frecventa.
C) se comporta ca un intrerupator pentru semnalul alternativ de joasa frecventa
D) este capacitatea interna a generatorului de semnal
4.2) (55)PSF- ul diodei D din figura este determinat de:
A) ED si RK
B) ED , RK si Rsn
C) ED , RK si Vg
D) ED , RK , Vg si Rsn
5.(136) Se da circuitul din figura. Daca potentiometrul RV1 are cursorul in pozitia
de jos, curentul prin dioda D1 este:

A) (V1-VD1)/R1;
B) ((V1-VD1)/R1)-(VD1/RV1);
C) 0;
D) V1/R1.
6.(139) Se da urmatorul circuit, in care potentiometrul RV1 are cursorul in pozitia
de sus. Curentul prin dioda D1 este:
A) 0;
B) (Vcc-VR1)/R1;
C) ((Vcc-VR)/R1)-VR/RV1;
D) Vcc/R1.
7.(138) In circuitul din figura potentiometrul RV1 are cursorul in pozitia de sus.
Curentul prin dioda D1 este:

A) (V1-VD1)/R1;
B) ((V1-VD1)/R1)-(VD1/RV1);
C) 0;
D) V1/R1.
8.(144) HDu Se da circuitul de mai jos pe care s-au masurat VD =0,2V, R1=2kΩ.
Potentiometrul are cursorul in pozitia de sus.Curentul prin dioda este:

A) 2mA;
B) 1mA;
C) 2,2mA
D) 2,4mA
1.(14) LB Cine produce limitarea semnalului ( sinusoidal) la etajul de amplificare
cu transistor bipolar:
A) Functionarea tranzitorului in RAN;
B) Intrarea tranzistorului in saturatie sau blocare;
C) Valorile mari ale factorului βF
D) Valorile mici ale factorului βF
2.(21) LB Cum trebuie sa fie rezistanta de intrare a voltmetrului (RV) pentru
masurarea corecta a tensiunii la bornele unui circuit, care are rezistenta de intrare r i.
A) RV=ri
B) RV>>ri
C) RV poate avea orice valoare
D) RV<<ri</r
3.(29) LB.Prin reprezentare la scară logaritmică a caracteristicii IC(VBE) s-a pus în
evidenţă
A) dependenţa liniară IC(VBE);
B) dependenţa pătratică IC(VBE);
C) dependenţa exponenţială IC(VBE);
D) dependenţa logaritmică IC(VBE);
4.(51) LB Conductanta de transfer (panta) a tranzistorului s-a masurat:
A) la bipolar in RAN si MOS in saturatie;
B) la bipolar in saturatie si MOS in saturatie;
C) la bipolar in saturatie si MOS in zona liniara;
D) la bipolar in RAI si MOS in zona liniara
5.(56) LB. Circuitul din figura modeleaza:

A) tranzistorul bipolar in current alternativ

B) tranzistorul bipolar in regim dinamic
C) nMOS in current alternativ
D) nMOS in regim dinamic.
6.(58) LB.Transistorul Q1 are gm=40KΩ-1 si este conectat in regim dinamic ca in
figura. Precizati conexiunea si castigul in tensiune (Av=Vo/Vi ;Vo si Vivalori
efective) daca RL=10KΩ :
A) Conexiune EC si Av=400 ;
B) Conexiune BC si Av=400 ;
C) Conexiune CC si Av=400 ;
D) Conexiune CC si Av=1 ;
7.(65) LB.Care este linia de program SPICE care face analiza in curent alternativ a
circuitului amplificator pentru cresterea frecventei de la 10Hz la 10MHz cu pas
decadic?
A) .AC DEC 10 10 10 Meg
B) .DC 10 10 10 Meg
C) .DC DEC 10 1 10Meg
D) .AC DEC 10 10Meg 1
8.(66) LB Care este modelul SPICE pentru o rezistenta de valoare 2kΩ plasata intre
nodul 2 si nodul 1?
A) U1-2 = 2K * I1-2
B) I1-2 = U1-2 * 2K
C) U1-2 = I1-2 / 2K
D) I1-2 =I0 * exp [qU1-2 / nkT - 1]
9.(69) LB.castigul β0 este
A) Parametru static al nMOS
B) Parametru static al tranzistorului bipolar
C) Parametru dinamic al nMOS
D) Parametru dinamic al tranzistorului bipolar
10.(75) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele
potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este
potentialul de referinta)
E0
B 0,7
C 0,1
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) RAI
C) saturatie
D) blocare
11.(76) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele
potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este
potentialul de referinta)
E -0,7
B0
C 0,7
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) RAI
C) saturatie
D) blocare
12.(77) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele
potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este
potentialul de referinta)
E -0,7
B0
C -0,6
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) RAI
C) blocare
D) saturatie
13.(78) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele
potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este
potentialul de referinta)
E -2,7
B -2
C0
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) RAI
C) blocare
D) saturatie
14.(79) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele
potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este
potentialul de referinta)
E1
B 0,7
C0
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) RAI
C) saturatie
D) blocare
15.(80) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele
potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este
potentialul de referinta)
E0
B -2
C -1
Regimul de lucru este:
A) RAI
B) RAN
C) blocare
D) saturatie
16.(81) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele
potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este
potentialul de referinta)
E1
B0
C1
Regimul de lucru este:
A) RAN
B) RAI
C) blocare
D) saturatie
17.(82) LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele
potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este
potentialul de referinta)
E2
B 0,6
C0
Regimul de lucru este:
A) RAI
B) RAN
C) blocare
D) saturatie
18.(155) În schema din figură se măsoară tensiunea continuă cu multimetrul în baza
tranzistorului 0,75V iar tensiunea continuă pe emitor 100mV. Curentul de colector
este:
A) IC= 1mA
B) IC= 2mA
C) IC=3mA
D) IC=4mA
19.(156) În schema din figură se măsoară tensiunea continuă cu multimetrul în baza
tranzistorului 0,75V iar tensiunea continuă pe emitor 100mV. Tensiunea in
colectorul tranzistorului fata de masa este:

A) VC= 5V
B) VC= 10V
C) VC= 14V
D) VC= 15V
1.(38) LC Un transistor nMOS amplifica in regim dinamic pentru:
A) |VDS|≥|VGS-VT|
B) |VDS|≤|VGS-VT|
C) VGS=VT
D) VDS=VGS=0V
2.(131) LC Curentul ID la un tranzistor nMOS cu canal indus:
A) scade la creşterea concentraţiei de impurităţi a substratului
B) creşte la creşterea concentraţiei de impurităţi a substratului
C) scade cu tensiunea de poarta la VGS>VT
D) creste cu tensiunea de poarta la VGS>VT
3.(164) Rezistenta de iesire a circuitului din fig. este:

A) RL;
B) RD;
C) RD//RL;
D) RS.
4.(161) Se da circuitul din figura. Denumirea etajului realizat cu tranzistor MOS
este:
A) Grila comuna;
B) Sursa comuna;
C) Drena comuna;
D) Sarcina distribuita
5.(162) Pentru circuitul din fig. rezistenta de intrare este:

A) RG1;
B) RG2;
C) RG1 // RG2;
D) ∞.
6.(163) Amplificarea circuitului din fig. este:
A) -gm∙RD;
B) -gm∙RL;
C) -gm∙(RD//RL);
D) gm∙(RD//RL).
7.(165) Se da circuitul din figura. Prin inlaturarea condensatoruluiC∞ din sursa
tranzistorului amplificarea:

A) Creste;
B) Nu se modifica;
C) Scade;
D) Se dubleaza
8.(166) Pentru tranzistorul din fig. se cunosc: VT=2V, kn=1mA/V2. Rezistorul R
are valoarea de 4kΩ.P.s.f.-ul tranzistorului din fig. este:

A) ID=4mA; VGS=4V; VDS=8V;

B) ID=2mA; VGS=4V; VDS=4V;
C) ID=1mA; VGS=2V; VDS=2V;
D) ID=3mA; VGS=5V; VDS=5V
1.(26) LD La nivele mari de curent caracteristica curent-tensiune pentru o joncţiune
pn este :
A) liniară
B) logaritmică
C) exponenţială
D) o dreaptă verticala
2.(27) LD Purtătorii minoritari într-o joncţiune sunt:
A) goluri in regiunea p, electroni în regiunea n;
B) electroni in regiunea p, goluri în regiunea n;
C) purtători care se deplasează în direcţie contrară câmpului electric;
D) doar goluri deoarece mobilitatea lor e mai mică decât a electronilor
3.(28) LD Care este linia SPICE de descriere a diodei D1N4148 intre nodurile 1 si
0 unde 1 este anod si 0 este catod iar 2 nodul comun cu rezistenta de polarizare ?
A) D1 1 0 D1N4148;
B) D1N4148 0 1 D;
C) D1 1 2 0 D1N4148;
D) D1N4148 0 1 2 D.
4.(39) LDV Caracteristica ID - VD a unei diode are reprezentarea din figura
alaturata. Zona de conductie directa este:

A) II
B) I
C) II si III
D) III
5.(40) LDV Caracteristica ID - VD a unei diode are reprezentarea din figura.Zona de
blocare este :
A) II
B) I
C) II si III
D) III
6.(41) LDV Caracteristica ID - VD a unei diode are reprezentarea din figura
alaturata. Zona de strapungere este:

A) II
B) I
C) II si III
D) III
7.(43) LDV Caracteristica ID - VD a unei diode are reprezentarea din figura
alaturata. Zona de polarizare inversa este:
A) II
B) I
C) II si III
D) III
8.(57) LD Parametrii rezultati în urma simulării cu modelele “dioda” şi “dioda2”
sunt:
A) Rs si I0;
B) Rs si n;
C) I0 si n;
D) Rs , I0 si n ;
9.(67) LD O dioda semiconductoare pn este polarizata in invers si are un curent
rezidual I0 Tensiunea de strapungere se masoara, la un curent invers egal cu:
A) 10I0
B) I0
C) I0 / 10
D) I0 / 100
10.(70) LD Tensiunea masurata la bornele unei diode redresoare este 5V Dioda este
polarizata :
A) in conductie
B) in blocare
C) fie in conductie fie in blocare
D) fie in strapungere fie in conductie
11.(71) LD Tensiunea masurata la bornele unei diode redresoare este 0,7V Dioda
este polarizata :
A) in conductie
B) in blocare
C) fie in strapungere fie in blocare
D) fie in strapungere fie in conductie
12.(72) LD Curentul masurat printr-o o dioda este de 5mA Dioda este polarizata :
A) in conductie
B) in blocare
C) fie in strapungere fie in blocare
D) fie in strapungere fie in conductie
13.(73) LD Curentul masurat printr-o o dioda este de 5nA Dioda este polarizata :
A) in conductie
B) in blocare
C) fie in strapungere fie in blocare
D) fie in strapungere fie in conductie
14.(74) LD O dioda electroluminiscenta emite lumina cand este:
A) polarizata direct (in conductie)
B) polarizata invers in blocare
C) polarizata invers in strapungere
D) nu este polarizata.
15.(115) LD Se doreste folosirea intr-un circuit electronic a unei diode
semiconductoare cu functie de redresare.Pentru a avea un randament mare vom
alege:
A) dioda D4 deoarece are un n mai mic
B) dioda BA159 deoarece are o tensiune de strapungere mare
C) dioda BS550 deoarece are RS mic
D) dioda DSIM deoarece are o tensiune mare de deschidere
16.(124) LD Modelul analitic faţă de modelul numeric pentru o joncţiune pn este:
A) mai putin folosit
B) mai precis
C) mai clar in sensul evidentierii modului cum fiecare parametru influenţează
caracteristica curent-tensiune
D) mai simplu
17.(125) LD Lăţimea regiunii de sarrcină spaţială pentru o joncţiune pn:
A) scade cu creşterea tensiunii de polarizare inversa
B) scade cu creşterea tensiunii de polarizare directa
C) creşte cu creşterea tensiunii de polarizare directa
D) este o constantă de material
18.(126) LD Jonctiunea pn are:
A) 2 regiuni neutre p şi n
B) o regiune de trecere (de golire) şi o regiune neutră n
C) o regiune de trecere (de golire) şi o regiune neutră p
D) o regiune de trecere (de golire) şi 2 regiuni neutre p si n
19.(127) LD O joncţiune pn cu NA=1018 cm-3 , ND=1016 cm-3 este:
A) simetrica
B) asimetrica
C) abrupta
D) compensata
20.(128) LD Pentru o joncţiune pn cu NA=1018 cm-3 , ND=1016 cm-3 :
A) regiunea de golire se extinde mai mult in zona p
B) regiunea de golire se extinde numai in zona p
C) regiunea de golire se extinde in mod egal intre zonele p si n
D) regiunea de golire se extinde practic numai in zona n
21.(129) LD La creşterea tensiunii aplicate la bornele joncţiunii în polarizare
directă concentraţiile de purtători minoritari la marginile RSS:
A) cresc în zona p, scad în zona n
B) cresc în zona p, cresc în zona n
C) scad în zona p, scad în zona n
D) scad în zona p, cresc în zona n
22.(130) LD Extracţia optimală de parametri se foloseşte la determinarea
parametrilor de model pentru un dispozitiv electronic deoarece:
A) este uşor de implementat, putându-se realiza prin calcule analitice
B) determină fiecare parametru separat şi nu ia în considerare dependenţele dintre
parametrii de model
C) se iau în consideraţie toate interdependenţele dintre parametrii de model
D) foloseşte un algoritm care este întotdeauna convergent
23.(132) LD Creşterea raportului între capacitatea maximă şi capacitatea minimă
pentru o diodă varicap folosită într-un circuit oscilant LC determină:
A) scăderea factorului de calitate Q al circuitului
B) modificarea inductanţei bobinei L din circuitul oscilant
C) modificarea tensiunii de polarizare inversă a diodei
D) creşterea domeniului de frecvenţe în care poate fi folosit circuitul oscilant
24.(133) LD Analizând pe grafic curentul total pentru o diodă semiconductoare
polarizată direct cu o tensiune de valoare foarte mică putem afirma:
A) are valoare foarte mare, deoarece joncţiunea e polarizată direct
B) are valoare foarte mică
C) creşte şi depinde liniar de tensiunea aplicată
D) nu depinde de tensiunea aplicată
25.(140) Se da circuitul:

A) curentul prin dioda cu Ge e mai mare decat curentul prin dioda cu Si.
B) curentul prin dioda cu Ge e mai mic decat curentul prin dioda cu Si.
C) curentii prin cele doua diode sunt egali fiindca diodele sunt in paralel.
D) curentii prin cele doua diode sunt 0.
26.(141) Se da circuitul:
A) curentul prin dioda cu Ge e mai mare decat curentul prin dioda cu Si.
B) curentul prin dioda cu Ge e mai mic decat curentul prin dioda cu Si.
C) curentii prin cele doua diode sunt egali fiindca diodele sunt in paralel
D) curentii sunt 0 prin cele doua diode
1.(4) Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul
din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
2.(6) Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
3.(7) Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in circuitul
din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
4.(9) Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
5.(10) • Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in
circuitul din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
6.(12) Dioda este relizata din:
A) Si
B) Ge
C) GaAs
D) SiC
7.(13) Tensiunea pe dioda in cazul inversarii electrozilor(anodul la masa) in
circuitul din figura are valoarea (curentul rezidual al diodei I0=1nA):
A) VD=-3V
B) VD=3V
C) VD=2V
D) VD=-2V
8.(33) Curentul continuu prin R` este:
A) IR`=VCC/R`
B) IR`=VCC-VCE/R`
C) IR`=0
D) IR`=VCC-VBE/R`
9.(34) Rezistenta RB a fost inclusa in circuit pentru masurarea:
A) Curentului de baza
B) Tensiunii VBB
C) Tensiunii VBE
D) Valorii efective a tensiunii Vi
10.(36) In schema prezentata in figura divizorul de tensiune R1,R2 determina:
A) curentul de baza IB
B) potentialul din baza lui Q
C) βF
D) potentialul emitorului.
11.(37) Rezistenta RC este folosita pentru masurarea:
A) Tensiunii VCE
B) Tensiunii VBE
C) Tensiunii VCC
D) Curentului IC
12.(54) Condensatorul C∞
A) serveste la separarea galvanica a circuitului de generatorul de semnal
B) se comporta ca scurtcircuit pentru un semnal alternativ de joasa frecventa.
C) se comporta ca un intrerupator pentru semnalul alternativ de joasa frecventa
D) este capacitatea interna a generatorului de semnal
13.(55) PSF- ul diodei D din figura este determinat de:
A) ED si RK
B) ED , RK si Rsn
C) ED , RK si Vg
D) ED , RK , Vg si Rsn
14.(60) In ce regim de functionare este tranzistorul din figura:
A) RAN
B) blocare
C) RAI
D) saturatie
15.(61) Pentru masurarea PSF-lui tranzistorului din figura este necesar (RC si
RB sunt date):
A) numai un voltmetru de tensiune continua
B) numai un voltmetru de tensiune alternative
C) numai un voltmetru de tensiune continua si un ampermetru de curent continuu
D) un ampermetru de curent continuu
16.(134) O dioda Zener al caror marcaje s-au sters e conectata intr-un circuit pentru
trasarea caracteristicii curent-tensiune. Dupa cateva masuratori caracteristica arata
ca in figura. Dioda este:

A) in polarizare inversa in regiunea de strapungere;

B) in polarizare inversa in regiunea de blocare;
C) in polarizare directa in regiunea de strapungere;
D) in polarizare directa.
17.(135) O dioda care are marcajul sters se masoara cu ohmetrul. Rezistenta
indicata de ohmetru este de 10kohm intr-un sens si de 1000kohm in celalalt sens.
Putem afirma:

A) Borna B1 e catodul, borna B2 e anodul;

B) Borna B1 e anodul, borna B2 e catodul;
C) Terminalele diodei nu se pot afla cu acest procedeu;
D) Dioda este din siliciu.
1.(16) Rezistenta dinamica de intrare Ri in tranzistor se determina cu relatia: (
Vi,V,Vg sunt valori efective)
A) Ri=Vi/Ib
B) Ri=V/Ib
C) Ri=Vg/Ib
D) Ri=(V-Vi)/Ib
2.(18) Intre valorile efective ale tensiunilor alternative V g ,V si Vi sunt relatiile:
A) Vg=V>Vi
B) Vg=V<vi</v
C) Vg<v<v<v</v</v<v
D) Vg>V>Vi
3.(20) Tranzistorul Q1 lucreaza pentru orice VCC numai in:
A) saturatie
B) RAN
C) RAI
D) RAN si saturatie
4.(23) Intre tensiunile de comanda ale TEC-J cu caracteristicile din figura exista
inegalitatile:
A) VGS1<VGS2<VGS3
B) VGS1>VGS2>VGS3
C) VGS1<VGS2<VGS3=|VT|
D) VGS1=|VT|<VGS2<VGS3
unde VT este tensiunea de prag a tranzistorului iar VGS1, VGS2,VGS3>0
5.(117) Pentru masurarea rezistentei dinamice rce=ro a tranzistorului bipolar,
generatorul de semnal se plaseaza :
A) intre colector si masa si se mentine generatorul de la intrare
B) intre colector si masa si se elimina generatorul de la intrare
C) numai la intrare
D) nu este nevoie de un generator
6.(121) Castigul in curent al tranzistorului bipolar βF se determina:
A) masurand curentii continuui IC si IB si facand raportul acestor curenti
B) masurand curentii continuui IC si IB si facand diferenta acestor curenti
C) masurand valorile efective Ic si Ib si facand raportul acestor curenti
D) masurand valorile efective Ic si Ib si facand diferenta acestor curenti
7.(123) Care din urmatoarele seturi de valori masurate ale tensiunilor continue
VBB,VBE si VCE este corect daca tranzistorul din figura este polarizat in RAN
A) VBB = 3V ; VBE=0,65V ; VCE=4V
B) VBB = 0,3V ; VBE=0,65V ; VCE=4V
C) VBB = 3V ; VBE=1,5V ; VCE=4V
D) VBB = 3V ; VBE=0,65V ; VCE=0,1V
8.(174) In tabel sunt date potentialele (Volti) masurate pe electrozii unui MOS cu
canal n cu factorul k=1mA/V2 , VT=1,8Vsi λ=0,01/V S G D 0 2 5 IDS are
valoarea:
A) 18,75μA
B) 21 μA
C) 1mA
D) 1,87μA
9.(175) In tabel sunt date potentialele (Volti) masurate pe electrozii unui MOS cu
canal n cu factorul k=1mA/V2 VT=1,8V si λ=0,01/V S G D 0 2 0,15 IDS are
valoarea:
A) 1mA
B) 18,75μA
C) 1,87μA
D) 21μA
1.(15) MBu. In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul
tranzistorului bipolar
• Cum se masoara in regim dinamic curentul de baza Ib prin Q1 pe schema din
figura?

A) Se masoara tensiunea bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent continuu

dupa care se imparte la valoarea acestei rezistente
B) Cu un miliampermetru de curent alternativ serie cu RB
C) Se masoara tensiunea la bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent
alternativ dupa care se imparte la valoarea acestei rezistente.
D) Se masoara cu un voltmetru de curent alternativ succesiv potentialele fata
de punctul de masa la terminalele rezistentei RB apoi se imparte diferenta
dintre cele doua valori obtinute la valoarea acestei rezistente.
1.2) (16)Rezistenta dinamica de intrare Ri in tranzistor se determina cu relatia: (
Vi,V,Vg sunt valori efective)
A) Ri=Vi/Ib
B) Ri=V/Ib
C) Ri=Vg/Ib
D) Ri=(V-Vi)/Ib
2.(17) MBu. In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul
tranzistorului bipolar Cum se masoara in regim dinamic curentul de baza Ibprin
Q1 pe schema din figura?

A) Se masoara tensiunea bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent continuu

dupa care se imparte la valoarea acestei rezistente
B) Cu un miliampermetru de curent alternativ serie cu RB
C) Se masoara tensiunea la bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent
alternativ dupa care se imparte la valoarea acestei rezistente.
D) Se masoara cu un voltmetru de curent alternativ succesiv potentialele fata
de punctul de masa la terminalele rezistentei RB apoi se imparte diferenta
dintre cele doua valori obtinute la valoarea acestei rezistente.
2.2) (18)Intre valorile efective ale tensiunilor alternative Vg ,V si Vi sunt relatiile:
A) Vg=V>Vi
B) Vg=V<vi</v
C) Vg<v<v<v</v</v<v
D) Vg>V>Vi
3.(19) MB.Un tranzistor bipolar este polarizat ca in figura de la sursa VCC = const.
cu temperatura.• Daca se incalzeste tranzistorul se modifica:

A) numai IC
B) numai VBE
C) IC, VBE, VCE
D) βF
3.2) (20)Tranzistorul Q1 lucreaza pentru orice VCC numai in:
A) saturatie
B) RAN
C) RAI
D) RAN si saturatie
4.(32) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul
tranzistorului bipolar Cum se determina curentul continuu IC in circuitul din
figura?
A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`
B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC
C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`
D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC
4.2) (33)Curentul continuu prin R` este:
A) IR`=VCC/R`
B) IR`=VCC-VCE/R`
C) IR`=0
D) IR`=VCC-VBE/R`
5.(35) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul
tranzistorului bipolar Cum se determina curentul continuu IC in circuitul din
figura?

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC
C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`
D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC
5.2) (36)In schema prezentata in figura divizorul de tensiune R1,R2 determina:
A) curentul de baza IB
B) potentialul din baza lui Q
C) βF
D) potentialul emitorului.
6.(116) MBu. In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul
tranzistorului bipolar Cum se masoara in regim dinamic curentul de baza Ibprin
Q1 pe schema din figura?

A) Se masoara tensiunea bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent continuu

dupa care se imparte la valoarea acestei rezistente
B) Cu un miliampermetru de curent alternativ serie cu RB
C) Se masoara tensiunea la bornele rezistentei RB cu un voltmetru de curent
alternativ dupa care se imparte la valoarea acestei rezistente.
D) Se masoara cu un voltmetru de curent alternativ succesiv potentialele fata
de punctul de masa la terminalele rezistentei RB apoi se imparte diferenta
dintre cele doua valori obtinute la valoarea acestei rezistente.
6.2) (117)Pentru masurarea rezistentei dinamice rce=ro a tranzistorului bipolar,
generatorul de semnal se plaseaza :
A) intre colector si masa si se mentine generatorul de la intrare
B) intre colector si masa si se elimina generatorul de la intrare
C) numai la intrare
D) nu este nevoie de un generator
7.(118) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul
tranzistorului bipolar Cum se determina curentul continuu IC in circuitul din
figura?

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC
C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`
D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC
7.2) (34)Rezistenta RB a fost inclusa in circuit pentru masurarea:
A) Curentului de baza
B) Tensiunii VBB
C) Tensiunii VBE
D) Valorii efective a tensiunii Vi
8.(119) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul
tranzistorului bipolar Cum se determina curentul continuu IC in circuitul din
figura?

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC
C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`
D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC
8.2) (37)Rezistenta RC este folosita pentru masurarea:
A) Tensiunii VCE
B) Tensiunii VBE
C) Tensiunii VCC
D) Curentului IC
9.(120) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul
tranzistorului bipolar Cum se determina curentul continuu IC in circuitul din
figura?

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC
C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`
D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC
9.2) (121)Castigul in curent al tranzistorului bipolar βF se determina:
A) masurand curentii continuui IC si IB si facand raportul acestor curenti
B) masurand curentii continuui IC si IB si facand diferenta acestor curenti
C) masurand valorile efective Ic si Ib si facand raportul acestor curenti
D) masurand valorile efective Ic si Ib si facand diferenta acestor curenti
10.(122) MBV.In figura este desenata schema folosita la laborator pentru studiul
tranzistorului bipolar Cum se determina curentul continuu IC in circuitul din
figura?

A) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/R`

B) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/RC
C) Se masoara VCC si VBE si se deduce IC=(VCC-VBE)/R`
D) Se masoara VCC si VCE si se deduce IC=(VCC-VCE)/RC
10.2) (123)Care din urmatoarele seturi de valori masurate ale tensiunilor continue
VBB,VBE si VCE este corect daca tranzistorul din figura este polarizat in RAN
A) VBB = 3V ; VBE=0,65V ; VCE=4V
B) VBB = 0,3V ; VBE=0,65V ; VCE=4V
C) VBB = 3V ; VBE=1,5V ; VCE=4V
D) VBB = 3V ; VBE=0,65V ; VCE=0,1V
11.(145) În circuitul din figură potenţiometrul VR1 are capătul dinspre masă al
potcoavei rezistive întrerupt. Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V în RAN,
VCesat=0.2V Curentul de colector este:
A) zero
B) 31,48mA
C) 15,74mA
D) 1mA
12.(146) În circuitul din figură potenţiometrul VR1 are cursorul întrerupt.
Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V în RAN, VCesat=0.2V . Curentul de colector
este:

A) zero
B) 31,48mA
C) 15,74mA
D) 1mA
13.(147) În circuitul din figură potenţiometrul VR1 are capătul dinspre +V1 al
potcoavei întrerupt. Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V în RAN, VCesat=0.2V
Curentul de colector este:

A) zero
B) 31,48mA
C) 15,74mA
D) 1mA
14.(148) În circuitul din figură potenţiometrul VR1 are capătul dinspre masa al
potcoavei întrerupt. Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V în RAN, VCesat=0.2V.
Tensiunea colector-emitor este:
A) 0V
B) 0.2V
C) 15V
D) 7.6V
15.(149) În circuitul din figură potenţiometrul VR1 are cursorul întrerupt.
Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V în RAN, VCesat=0.2V. Tensiunea colector-
emitor este:

A) 0V
B) 0.2V
C) 15V
D) 7.6V
16.(150) În circuitul din figură potenţiometrul VR1 are capătul dinspre +V1 al
potcoavei întrerupt. Tranzistorul are BF=300, VBE=0.6V în RAN, VCesat=0.2V.
Tensiunea colector-emitor este:
A) 0V
B) 0.2V
C) 15V
D) 9.3V
17.(151) În circuitul din figură joncţiunea bază-emitor a tranzistorului e
scurtcircuitată. Celaltă joncţiune este functionala. Tensiunea pe colectorul
tranzistorului este:

A) 0V
B) 0.2V
C) 15V
D) 7.6V
18.(152) În circuitul din figură joncţiunea bază-colector a tranzistorului este
scurtcircuit. Celaltă joncţiune este functionala. Tensiunea pe colectorul
tranzistorului este:
A) 0V
B) 7.8V
C) 15V
D) 0.6V
19.(153) În circuitul din figură joncţiunea bază-emitor a tranzistorului, este
întreruptă. Celaltă joncţiune este functionala. Tensiunea pe colectorul
tranzistorului este:

A) 0V
B) 0.2V
C) 15V
D) 9.3V
20.(154) În circuitul din figură joncţiunea bază-colector a tranzistorului este
întreruptă. Celaltă joncţiune este functionala. Tensiunea pe colectorul
tranzistorului este:
A) 0V
B) 0.2V
C) 15V
D) 9.3V
21.(157) În schema din figură se măsoară tensiunea continuă cu multimetrul în
baza tranzistorului 1.65V iar tensiunea continuă pe cursorul potenţiometrului
1.683V. Ştiind că BF=300 curentul continuu de colector este:

A) IC= 3.3mA
B) IC= 6.6mA
C) IC=9.9mA
D) IC=10mA
22.(158) În schema din figură se măsoară tensiunea continuă cu multimetrul în
baza tranzistorului 1.65V iar tensiunea continuă pe cursorul potenţiometrului
1.683V. Rezistenţa între cursorul potenţiometrului şi masă daca se neglijeaza
curentul de baza este:
A) 10KΩ
B) 18,7KΩ
C) 22.5KΩ
D) 50.237KΩ
1.(185) Pe circuitul din fig. se fixeaza un p.s.f. care sa asigure saturatia
tranzistorului MOS. Se reglează amplitudinea semnalului de la generator astfel
încât să se obţină vgs=5mV. Se masoara tensiunea vds in doua cazuri: a)Pentru
RD=R12+RJ22=2kohm rezulta vds=100mVrms; b)Pentru RD=R12+RJ22=10kohm
rezulta vds=430mVrms. rd este:

A) rd =50kΩ;
B) rd =100kΩ;
C) rd =25kΩ;
D) rd =10kΩ.
2.(184) Pentru tranzistorul din fig. se cunosc: VT=2V, kn=1mA/V2 . Daca dioda
zener este in stabilizare (VZ=6V) iar tranzistorul este saturat, curentul prin
tranzistor este:

A) ID=4mA;
B) ID=8mA;
C) ID=6mA;
D) ID=2mA
1.(183) Pe circuitul din fig. s-au masurat tensiunile: vO=100mVrms si
vg=5mVrms.Amplificarea in tensiune este:

A) AV=10;
B) AV=50;
C) AV=500;
D) AV=20
1.(44) MDV. In schema de stabilizator simplu prezentata in figura R=1kΩ iar D
are: Vz =6V si Iz min =2mA. Sarcina minima (RL min ) pana la care circuitul
stabilizeaza tensiunea de iesire are valoarea:

A) 0,5kΩ
B) 0,125kΩ
C) 0,8kΩ
D) 1,25kΩ
2.(45) MDV. In schema de stabilizator simplu prezentata in figura R=1kΩ iar D
are: Vz =2V si Iz min =2mA. Sarcina minima (RL min ) pana la care circuitul
stabilizeaza tensiunea de iesire are valoarea:

A) 0,5kΩ
B) 0,125kΩ
C) 0,8kΩ
D) 1,25kΩ
3.(46) MDV. In schema de stabilizator simplu prezentata in figura R=1kΩ iar D
are: Vz =8V si Iz min =2mA. Sarcina minima (RL min ) pana la care circuitul
stabilizeaza tensiunea de iesire are valoarea:

A) 0,5kΩ
B) 0,125kΩ
C) 0,8kΩ
D) 1,25kΩ
4.(47) MDV. In schema de stabilizator simplu prezentata in figura R=1kΩ iar D
are: Vz =10V si Iz min =2mA. Sarcina minima (RL min ) pana la care circuitul
stabilizeaza tensiunea de iesire are valoarea:

A) 0,5kΩ
B) 0,125kΩ
C) 0,8kΩ
D) 1,25kΩ
5.(142) In circuitul din figura curentul prin dioda Zener este:

A) Iz=0
B) Iz=(Vcc-V)/R2
C) Iz=Io
D) IZ=((Vcc-V)/R2)-ID1.
6.(143) In circuitul din figura curentul prin dioda Zener este:

A) Iz=0;
B) Iz=((Vcc-V)/R2)-Io
C) Iz=Io;
D) Iz=((Vcc-V)/R2)-ID1.