Memoria Ram

Memoria cu acces aleator sau memoria RAM(engleză: Random Access

Memory, abreviat RAM) este denumirea generică pentru orice tip
de memorie de calculator care:
 poate fi accesată aleator, oferind acces direct la orice locație sau adresă a
ei, în orice ordine, chiar și la întâmplare,
 se implementează de obicei pe cipuri(circuite integrate) electronice rapide
și fără părți în mișcare (și nu pe dispozitive magnetice sau optice
precum discurile duresau CD-urile).

Memoria RAM se mai numește și memorie vie. Memoria RAM de obicei

mai poate fi exprimată ca o memorie secundară a unui sistem informatic
sau alte dispozitive și poate influenta performanta unui sistem de calcul
crescându-i-se viteza și performanțele sale în timp real. Timpul de acces
la datele din astfel de memorii este de obicei întotdeauna același,
nedepinzând de poziția adresei de memorie accesate (deci nu ca la
benzile sau discurile magnetice, care necesită un timp variabil). Fiecare
locație de memorare dintr-o memorie cu acces aleator are un mecanism
separat de adresare și poate fi accesată independent de celelalte locații.
Deci, fiecare locație poate fi selectată aleator și accesată direct. Memoriile
principale semiconductoare sunt în general de acest tip.
Memoria RAM este o memorie volatilă a calculatorului pentru că datele
stocate sunt pierdute în momentul opririi calculatorului. Datele sunt
scrise, șterse și scrise din nou, rezultând un ciclu de scriere-ștergere
determinat de necesitățile programelor care rulează într-un anumit
moment. Există și memorii RAM nevolatile, ca de exemplu ROM și flash.
Avantajul memoriei RAM față de alte medii de stocare a datelor constă în
viteza de acces extrem de mare, fiind de mii de ori mai mare decât de
exemplu cea a unui un disc dur. Dar și prețul pe gigabyte este de circa
200 ori mai mare.

Caracteristici

Memoriile RAM diferă între ele prin mai multe caracteristici:

 Capacitatea - sunt produse într-o serie tipică de valori: 256 MB, 512 MB,
1 GB, 2 GB, 4 GB, 8GB, 16 GB, indiferent de tipul sau modelul
constructiv.

 Numărul de pini - cele mai vechi module de memorie RAM, SRAM,

aveau 168 pini, iar modelele DDR au: 184 pini (DDR1), 240 pini
(DDR2, DDR3), 288 pini (DDR4, DDR5).

 Frecvența și tensiunea de alimentare - memoria RAM este măsurată în

câte cicluri pe secundă poate efectua, fiecare citire și scriere se face pe un
ciclu. Cu cât sunt mai multe cicluri pe secundă, cu atât mai multe date pot
fi stocate și citite: DDR3 (800-2666,6 MHz și 1,5 V), DDR4 (1600-
3200MHz și 1,2 V), DDR5 (4800-6400 MHz și 1,1 V).

 Rata de transfer și lărgimea de bandă - rata de transfer este cantitatea

maximă de informații care poate fi transferată în sau din memorie în
unitatea de timp și este măsurata în biți pe secundă sau cuvinte pe
secundă. Lărgimea de bandă este dată în megatransfer (MT/s) sau
gigatransfer (GT/s).

 Latența - timpii de latență ("latency timings"), au un impact major asupra

performanței. Se scriu ca o înșiruire de 4 valori (de ex. 3-4-4-8 , 4-4-4-12 ,
5-5-5-15, etc.). Aceste valori semnifică în ordine :


o CAS Latency (Latență CAS) – este timpul scurs între momentul
când controlerul memoriei solicită informațiile stocate pe o
coloană a unui rând și momentul când acestea sunt disponibile la
pinii modulului; cu cât această latență este mai mică, cu atât
datele sunt disponibile mai repede.
o Ras-to-CAS Delay (întârzierea RAS la CAS) – timpul dintre
activarea unui rând, cu ajutorul semnalului RAS (Row Address
Strobe) și activarea coloanei, cu ajutorul semnalului CAS, la
intersecția cărora se găsește informația solicitată.
o RAS Precharge (timpul de preîncărcare RAS) – timpul necesar
pentru terminarea accesului la un rând și începerea accesării altui
rând.
o Active to Precharge Delay (întârziere de la Activare la
Preîncărcare) – reprezintă timpul minim cât rămâne activat
semnalul RAS, adică timpul de la inițierea activării rândului și
sfârșitul accesării rândului (RAS Precharge). Este valoarea cea
mai mare, întrucât este mai mare decât suma timpului de accesare
a rândului și a coloanei (RAS to CAS + CAS Latency).
Cu cât valorile latențelor sunt mai mici, cu atât modulul de memorie este
mai performant (de ex. un modul 3-4-4-8 este mai rapid decât unul 4-4-
4-12). 

La acești timpi de latență se mai adaugă uneori valoarea 1T sau 2T,

numita "Command Rate" (Rată de Comandă) și măsurată în cicli de tact
(1 sau 2 cicli). În mod similar un modul cu o valoare 1T este mai bun
decât unul cu valoarea 2T. 

 Fiabilitatea - este măsurată prin timpul mediu între defecte (MTBF

– Mean Time Between Failures). În general, memoriile fără părți în
mișcare au o fiabilitate mult mai ridicată decât memoriile care implică o
deplasare mecanică, precum discurile magnetice. Chiar și la memoriile
fără părți în mișcare apar probleme de fiabilitate, în particular atunci când
se utilizează densități de memorare sau rate de transfer foarte ridicate.
Codurile detectoare și corectoare de erori pot crește fiabilitatea memoriei.

 Error correcting code (ECC) - această facilitate presupune circuite

suplimentare implementate în modulul de memorie și permite detectarea
și corectarea erorilor ce pot apărea pe parcursul utilizării. În general, atât
timp cât memoria nu este supusă unor situații anormale de funcționare
(frecvență, tensiune de alimentare sau temperatură în afara specificațiilor),
ea oferă o stabilitate (siguranță) extrem de apropiată de perfecțiune,
arhisuficientă pentru un calculator obișnuit.

 Registered (Buffered) - un buffer este o zonă de memorie intermediară

(memorie tampon) suplimentară care depozitează informația înainte să fie
transmisă controlerului, permițând verificarea riguroasă a acesteia.
Memoriile de tip buffered sunt mai lente și extrem de scumpe, folosirea
lor fiind justificată doar în cazurile speciale când corectitudinea
informațiilor prelucrate și stabilitatea sistemului este esențială, de
exemplu în cazul serverelor.[4][5][6]