COLEGIUL TEHNIC MOTRU

JUDETUL GORJ

PROIECT
DE
ABSOLVIRE
CLASA: a XII-a G
PROFILUL: ELECTRONICA AUTOMATIZARI
SPECIALIZARE: TEHNICIAN OPERATOR TEHNICA DE CALCUL
COORDONATOR PROF.
GHITEA
CATALIN
ABSOLVENT,
MEZINCA ALIN DORIN

2016
1

TEMA:
MEMORII
INTERNE SI
EXTERNE ALE
CALCULATORUL
UI
2

CUPRINS
Argument
...
Pag. 4
I.

Memorii interne .
... Pag. 5

I.1.

Memoria RAM ..
... Pag. 5
Memoria ROM ..
... Pag. 15

I.2.

II.

Memorii externe ....

..Pag.25

II.1.

Tehnologi de stocare
... Pag.26

2.2.
Hard disk-ul ..
..... Pag. 28
2.3.
Tipuri de hardisk-uri ...
..... Pag. 30
2.4.
Hard disk-uri interne i hard disk-uri externe
..... Pag. 31
2.5.
Discheta ..
..... Pag. 33
3

2.6.
CD/DVD ..
...... Pag. 34
Concluzii
.
. Pag.36
Bibliografie
......
Pag.37

ARGUMENT
Putem defini functia de memorare ca fiind
posibilitatea de regasire a unor informatii reprezentata
sub forma binara care au fost anterior stocate. Un
circuit de memorare este un circuit electronic care
implementeaza functia de memorare . Mentionam ca
implementarea acestei functii se poate realiza in mai
multe moduri ,depinzand de suportul fizic folosit
pentru stocarea datelor . Putem avea spre exemplu
memorii magnetice, memorii optice, memorii
4

semiconductoare. In continuare avem in vedere numai

circuite de memorie realizate cu dispozitive
semiconductoare. Din punct de vedere al
memorarii ,memorarea unor informatii sub forma
numerica mai precis a unor numere reprezentate sub
forma binara, aceste numere nu au nici o importanta.

CAPITOLUL I
I.

MEMORII INTERNE

I.1.

Memoria RAM

Circuitele de stocare din memoria principal a calculatorului sunt

organizate n uniti denumite celule (sau cuvinte), dimensiunea uzual
a unei celule fiind de opt bii. De fapt,irul de bii de lungime opt a
devenit att de popular nct pe de o parte a dus la apariia termenului
octet, iar pe de alt a impus pentru cuvntul byte sensul de ir de bii de
aceast lungime.
Calculatoarele simple utilizate n cadrul aparatelor casnice, cum
este cuptorul cu microunde,au de obicei memorii ale cror dimensiuni
sunt de sute de celule sau chiar mai puin, n timp ce calculatoarele
complexe, utilizate pentru stocarea i prelucrarea ansamblurilor de date
de dimensiuni mari pot avea memoria principal alctuit din miliarde
de celule. Dimensiunea memoriei este msurat n multipli de 1.048.576
celule. (Numrul 1.048.576 este o putere a lui 2, mai precis 220 i de
aceea este mult mai natural s fie utilizat ca unitate de msur n cadrul
5

calculatoarelor dect 1.000.000, care este o putere a lui 10). Pentru a

desemna aceast unitate de msur se folosete termenul mega. Adesea,
pentru termenul megabyte se folosete abrevierea MB. Astfel o memorie
de 4 MB conine 4.192.304 celule, fiecare dintre ele avnd un octet. Alte
uniti de msur a dimensiunii memoriei sunt kilooctetul (kilobyte
prescurtat KB), care este egal cu 1024 octei (210 octei) i gigaoctetul
(gigabyte - prescurtat GB) care este egal cu 1024 MB, respectiv 230
octei.
Pentru identificarea celulelor individuale din memoria principal a
unui calculator, fiecare are atribuit un nume unic, denumit adres.
Sistemul este analog cu tehnica de identificare dup adres - a caselor
unui ora i utilizeaz aceiai terminologie. ns, n cazul celulelor de
memorie, adresele utilizate sunt n ntregime numerice. Pentru a fi mai
precii, celulele se consider plasate toate pe un singur rnd i
numerotate n ordine pornind de la valoarea 0.

Celulele dintr-un calculator cu 4MB de memorie vor avea astfel de

adrese ca 0, 1, 2, ... ,4192303. De observat c un astfel de sistem de
adrese nu numai c ne ofer o cale de a identifica unic fiecare celul, ci
asociaz n plus i o relaie de ordonare ntre celule, permindu-ne s
facem referiri de tipul celula precedent sau urmtoarea celul.
Pentru a completa structura memoriei principale a unui calculator,
circuitele care stocheazbiii sunt combinate cu circuitele necesare
pentru a permite altor circuite s stocheze i s recupereze datele din
celulele de memorie. Astfel, alte circuite pot prelua date din memorie
solicitnd informaii despre coninutul unei anumite adrese (operaie ce
se numete citire) sau pot nregistra informaii n memorie solicitnd ca
6

un anumit ir de bii s fie plasat n celula aflat la o anumit adres

(operaie ce poart nimele de scriere).
O consecin important a modului de organizare a memoriei
principale a calculatorului n celule de dimensiuni mici cu adres este
aceea c fiecare celul poate fi apelat, cercetat i modificat
individual. O celul de memorie cu o adres mic este la fel de
accesabil ca una cu o adres mare. n consecin, datele stocate n
memoria principal aunui calculator pot fi prelucrate n orice ordine. De
aceea memoria principal a unui calculator este adesea denumit
memorie cu acces aleator (random acces memory - RAM). Acest
acces aleator la mici uniti de date se deosebete radical de sistemele de
stocare de mas n cazul crora iruri lungi de bii trebuie manipulate ca
blocuri.
Memoria RAM (Ramdom Acces Memory) este folosita de catre
procesor atunci cand foloseste infornatii.Circuitele folosite pentru a
construi memoria RAM pot fi clasificate fie ca dynamic RAM(DRAM)
sau static RAM (SRAM).
Calculatorul poate accesa date prin SRAM mai rapid decat
DRAM,dar SRAM consuma mai multe resurse.Circuitul SRAM este
mai mare si de asemenea un circuit SRAM are mai putini biti decat unul
DRAM cu acealasi dimensiuni.Din acest motiv SRAM este mai utilizat
cand este necesara o accesare rapida a memoriei si capacitatea memoriei
si consumul de resurse nu conteaza.
n realitate, memoria de tip SRAM este folosit cel mai adesea ca
memorie cache pe cnd DRAM-ul este uzual n PC-urile moderne, fiind
prezent n primul rnd ca memorie principal a oricrui sistem. De acest
din urm tip ne vom ocupa n continuare, enumernd tipurile uzuale de
DRAM prezente de-a lungul istoriei, toate concepute n scopul cresterii
performantelor DRAM-ului standard: FPM DRAM (Fast Page Mode
DRAM), EDO DRAM (Extended Data Out DRAM), BEDO RAM
(Burst EDO DRAM), RDRAM (Rambus DRAM), n prezent
7

impunndu-se SDRAM (Synchronous DRAM), cu variantele DDR

SDRAM (Double Data Rate SDRAM) si DDR2 SDRAM.
De asemenea, pentru plcile grafice au fost concepute mai multe
tipuri de memorie, printre care VRAM (Video RAM), WRAM
(Windows RAM), SGRAM (Synchronous Graphics RAM) si GDDR3,
ele fiind variante de DRAM (primele dou), SDRAM si respectiv
DDR2 SDRAM, optimizate pentru a fi folosite ca memorie video.
Dup perioada de nceput, cnd chip-urile de memorie se nfigeau
pur si simplu n placa de baz, primul model uzual a fost SIMM-ul pe
30 de pini, urmat de cel pe 72 de pini. SIMM (Single Inline Memory
Module), modulul prezentnd o ltime de band de 8 biti pentru prima
versiune si de 32 pentru cea de-a doua; dimensiunea fizic a SIMM-ului
pe 30 de pini este de dou ori mai mic dect n cazul celeilalte variante.
Diferentele de vitez dintre ele corespund perfect perioadei de
glorie: dac prima versiune era uzual pe timpul sistemelor 286 si 386,
SIMM-ul pe 72 de pini a stat la baza generatiei 486, Pentium si Pentium
Pro. Chip-urile folosite au fost de tip DRAM, FPM si, mai trziu, EDO
DRAM.
Urmasul lui SIMM s-a chemat DIMM (Dual Inline Memory
Module). Dup cum i spune si numele, el ofer o ltime de band de 64
de biti, dubl fat de SIMM-urile pe 72 de pini, avnd la baz un fel de
dual-channel intern, dac ni se permite comparatia.
Numrul de pini a fost de 168 sau de 184 de pini, n functie de tip:
SDRAM sau DDR SDRAM. A existat si un numr limitat de modele de
DIMM bazate pe EDO DRAM dar ele nu au avut succes pentru c
trecerea de la SIMM la DIMM a coincis cu cea de la EDO la SDRAM.
RIMM (Rambus Inline Memory Module) este modelul constructiv
al memoriilor RDRAM. Numrul de pini este de 184 (ca si la DDR
SDRAM) dar asemnrile se opresc aici, configuratia pinilor si modul
de lucru fiind total diferit. Mai sunt de amintit modulele SO-DIMM,
8

destinate calculatoarelor portabile, care detin un numr diferit de pini:

184 pentru SDRAM si 200 pentru DDR SDRAM.
Practic vorbind, montarea modulelor SIMM era o operatie greoaie
si necesita experient si ndemnare. Odat cu modulele DIMM (si
RIMM, care au acelasi sistem de prindere) chinul a fost dat uitrii,
oricine putnd monta o memorie, fiind necesar doar putin atentie.
Montarea invers a unui DIMM (care necesit, totusi, destul fort)
Timpul necesar care ii trebuie procesorului pentru a scrie un bit de
memorie este foarte important pentru calculator.Acest interval este
numit timp de acces.
Memoriile DRAM actuale au timpii de acces intre 61 si 80
nanosecunde.Memoria SRAM are timpul de acces de patru ori mai rapid
decat DRAM.
Memoria interna este impartita in locatii care au anumite adrese
care se refera la un singur bit sau adrese care sunt specificate la un grup
de biti.
Cand calculatorul executa o comanda de citire,o parte a
instructiunii specifica care parte a memoriei trebuie accesata.Adresa este
trimisa de processor catre memorie printr-un address bus. Cicuitele de
control folosesc adresele pentru a selecta bitii la locatia la din RAM.
Continutul acestora sunt trimise inapoi catre procesor printr-un
cicuit numit data path.La unele procesoare cale de date poate face direct
operatii aritmetice pe date din memorie,pe cand la altele,datele trebuie
mai intai sa treaca prin registre.
Memoriile RAM se realizeaza ata in tehnologie bipolara,cat si in
tehnologie MOS.
Celulelede memorie bipolare sunt de tip
static(retin informatia atata timp cat celula este alimentata la o sursa de
tensiune).Circuitele de memorie pot tip MOS pot fi statice,fie dinamice,
Memoriile MOS dinamice au urmatoarele avantaje fata de cele
statice :
9

- Puterea consumata in repaus este mult mai mica ;

- Numarul de tranzistoare pe celula de memorie este mult mai
mic.Se rot realeza memorii de capacitate mai mare pe cip,la un prt de
cost mai mic.
Memoriile RAM in tehnologia MOS au capatat o mare
raspandire datorita faptului ca sunt mai ieftine, tehnologic sunt mai
usoare de realizat,ocupa un volum de 5-6 ori mai mic decat al
memoriilor cu tranzistori bipolari.Viteza lor de lucru si timpul de acces
sunt intrucatva inferioare memoriilor cu tranzistoare bipolare,in schimb
consumul lor este mult mai mic.Memoriile RAM in tehnologiea TTL
utilizeaza de regula tranzistoare multiemitator.

Memoria RAM se clasifica in SRAM (Static) si DRAM (Dynamic).

SRAM, acest tip de memorie utilizeaza in structura celulei de
memorie 4
tranzistori si 2 rezistente. Schimbarea starii intre 0 si 1 se realizeaza prin
comutarea starii tranzistorilor. La citirea unei celule de memorie
informatia nu se pierde. Datorita utilizari matricei de tranzistori,
comutarea intre cele doua stari este foarte rapida.
DRAM are ca principiu constructiv celula de memorie formata
dintr-un tranzistor
si un condensator de capacitate mica. Schimbarea starii se face prin
incarcarea/descarcarea condensatorului. La fiecare citire a celulei,
condensatorul se descarca. Aceasta metoda de citire a memoriei este
denumita "citire distructiva". Din aceasta cauza celula de memorie
trebuie sa fie reincarcata dupa fiecare citire. O alta problema, care
micsoreaza performantele in ansamblu, este timpul de reimprospatare al
memoriei, care este o procedura obligatorie si are loc la fiecare 64 ms.
Reimprospatarea memoriei este o consecinta a principiului de
10

functionare al condensatoriilor. Acestia colecteaza electroni care se afla

in miscare la aplicarea unei tensiuni electrice, insa dupa o anumita
perioada de timp energia inmagazinata scade in intensitate datorita
pierderilor din dielectric. Aceste probleme de ordin tehnic conduc la
cresterea timpul de asteptare (latency) pentru folosirea memoriei.
Datorita raspindiri vaste a memoriei de tip DRAM, am sa
exemplific modul de functionare a celulei de memorie in baza acestei
tehnologii.
Celula de memorie, este cea mai mica unitate fizica a memoriei.
Este compusa din componente electronice discrete. Principiul de
functionare este in fapt modificarea starii logice intre 0 si 1 care la nivel
fizic, in functie de tehnologia utilizata, corespunde cu inmagazinarea
energiei electrice prin intermediul unui condensator (pentru DRAM), ori
cu reconfigurarea matricei de tranzistori (in cazul SRAM). Celula de
memorie din punct de vedere logic este tratat ca fiind un bit. Cea mai
mica unitate logica adresabila a memoriei este formata din opt biti si ia
denumirea byte.
Acesta ofera posibilitatea obtineri a 256 combinatii (caractere).
Prin gruparea a opt bytes se obtine un cuvint (word). Constructiv, din
motive ce tin de design, celulele de memorie sint organizate sub forma
unor matrici.
Pentru identificarea si accesarea celulelor de memorie, acestea
dispun de o adresa unica pentru fiecare celula in parte. Identificarea
celulei de memorie se face prin transmiterea adresei acesteia prin BUSul de adrese catre decodorul de adrese (format din decodoare pentru
linie si coloana), acesta identifica celula de memorie care corespunde
adresei primite si transmite continutul acesteia catre interfata de date iar
aceasta mai departe, catre BUS-ul de date.
Magistrala pentru adrese (BUS adrese) este conexiunea intre
chipset-ul placii de baza si memorie, aceasta este puntea de legatura prin
care adresele sunt transmise catre decodor.
11

Decodorul de adrese este format din decodorul de linie si cel de

coloana, acesta receptioneaza adresa celulei de memorie pe care o
imparte in doua, prima parte fiind transmisa catre decodorul de linie iar
a doua catre cel de coloana, astfel se identifica celula de memorie
corespunzatoare.
Matricea de memorie este structura prin care celulele de
memorie sunt ordonate pe linii si coloane.
Interfata pentru date contine un amplificator de semnal, acesta
receptioneaza informatiile stocate in celulele de memorie, amplifica
semnalul, reincarca memoria si transmite informatia prin BUS-ul de
date catre chipset (in cazul in care informatia este citita din memorie).
Pentru scriere procedeul se inverseaza.
Magistrala pentru date (BUS date) este conexiunea intre chipsetul placi de baza si memorie, aceasta ofera posibilitatea transmiterii
informatiilor ce trebuiesc prelucrate de catre procesor ori stocate in
memorie.
In general celulele de memorie nu pot fi accesate individual, din
acest motiv, constructiv matricea de memorie este incapsulata intr-un
chip. Chip-urile de memorie sunt asamblate pe un modul de memorie
(circuit imprimat) in numar de opt. Acestea sint conectate la magistrala
de adrese si la cea pentru date. Astfel se obtine o celula de memorie
virtuala, formata din 8 biti (1 byte). Modulele de memorie la randul lor
sint organizate in bancuri de memorie, acestea sunt conectate intre ele in
acelasi mod ca si chip-urile.
Daca luam ca exemplu un procesor ce lucreaza pe 16 biti si
vechile module de memorie de tip SIMM care functionau numai in
perechi. Ne punem intrebare, de ce cite doua?
Acest lucru se intimpla datorita procesorului, care are nevoie de 16
biti pentru a umple magistrala de date, avind in vedere ca un modul de
memorie detine numai 8 biti, doua astfel de module au fost conectate
12

intre ele, in acest mod sa obtinut o magistrala pentru date cu latimea de

16 biti.
Timpul de asteptare, pentru efectuarea tuturor operatiilor ce aduc
informatia in interfata pentru date este necesar un anumit timp, care este
identificat sub numele "latency". Astfel ca, pentru transmiterea adreselor
intre procesor, chipset si memorie se utilizeaza 2 cicluri de tact. Pentru
identificarea celulei de memorie se parcurg doua operatii. Identificarea
liniei din matrice, pentru care avem nevoie de 2/3 cicluri (in functie de
calitatea memoriei utilizata), aceasta perioada se numeste RAS (Row
Address Strobe) to CAS (Column Address Strobe) delay si identificarea
coloanei (CAS latency) pentru care se consuma aproximativ acelasi
timp ca si pentru prima operatie (2/3 cicluri). Pentru transmiterea
informatiei catre interfata de date se consuma 1 ciclu iar pentru ultima
operatie, transmiterea datelor catre chipset si apoi catre procesor, inca 2
cicluri.
Dupa transmiterea informatiilor, in cazul in care cererea emisa de
procesor este mai mai mare decit latimea magistralei pentru date,
urmatoarele cuvinte sint transmise catre procesor in modul rafala "burst
mode" la fiecare ciclu de tact, acest lucru este posibil datorita unui
numarator intern care identifica urmatoarea coloana si transmite catre
amplificator continutul.

Formate logice ale memoriei RAM

13

Pentru a mri performanele memoriei, proiectanii au dezvoltat o

serie de tehnologii care s depeasc aceste limite, orientndu-se
asupra modului n care sunt procesate datele intern moduri ce
constitue formatele logice ale memoriilor interne.
Cipurile SDRAM au un timp de acces de 10 ns, fiind utilizabile
pentru magistrale de memorie de 100 Mhz. Cipurile actuale au anumite
limite care reduc frecvena la aproape 66 Mhz; SDRAM-urile nu vor
opera la frecvene mai mari de 100 Mhz deoarece sloturile SIMM-urilor
devin nesigure la frecvene mai nalte.
Memoriile DDR (Double Data Rate) sunt realizate ntr-o
tehnologie SDRAM cu posibilitatea dublrii frecvenei de la 100 la 200
Mhz.
Memoriile EDRAM (Enhanced DRAM) fac DRAM-urile
companiei Ramtron mai rapide prin adugarea unor blocuri mici de
memorie cache static pe fiecare cip. Cache-ul opereaz la vitez nalt
(n mod obinuit 15 ns), astfel nct poate s acopere cererile de date ale
microprocesorului fr a aduga stri de ateptare generate de operaia
de remprosptare.
Memoria CDRAM (Cached DRAM) realizat de Mitsubishi
adaug o memorie cache pe fiecare cip utiliznd un model de tip
asociativ pe set; cipul iniial de 4 MB avea ncorporat o memorie cache
de 2 K i folosea dou buffere de cte un cuvnt (16 bii) pentru
transferul dintre cache i circuitele externe. Spre deosebire de EDRAM,
CDRAM permite att cache-ului ct i DRAM-ului principal s opereze
independent una de cealalt. Cache-ul este suficient de rapid pentru a
transfera date n mod burst la o frecven de 100 Mhz.
Modelul RDRAM (Rambus DRAM) al firmei cu acelai nume
folosete un cache RAM static de 2048 K cuplat la DRAM printr-o
magistral foarte larg, ce permite transferul unei pagini de memorie n
cache ntr-un singur ciclu. Cache-ul este destul de rapid, furniznd
datele la un timp de acces de 10 ns. Rata de transfer poate ajunge la 800
14

Mb/sec dublu fa de SDRAM. Modelul Rambus cere o modificare

radical a plcii de baz pe care se instaleaz, soclurile purtnd
denumirea de RIMM (Rambus In line Memory Module). Deocamdat
sunt utile pentru sisteme care includ integrare video.
Capacitile disponibile actual sunt de 64 MB, 128 MB i 256
MB/modul, dar exist potenial pentru crearea modulelor de 1 G i 2 G
care s funcioneze pe magistrale ale sistemului de 200 Mhz.
n locul unui bloc de memorie n care fiecare celul este adresat
de numrul liniei i coloanei, memoria MDRAM (Multibank DRAM)
produs de MoSys Incorporated desparte informaia stocat ntr-un
numr de bank-uri de memorie separate.

Deosebiri SRAM/DRAM
Principalul avantaj al memoriei dinamice (DRAM) este pretul
foarte redus pentru obtinerea unei celule. De altfel, acesta este si
singurul plus pe care aceasta memorie il are in comparatie cu SRAM. In
schimb performantele sint cu mult in urma memoriei statice (SRAM).
Datorita modului prin care se comuta intre starile 0 si 1 si a modului in
care se executa citirea celulei de memorie, SRAM nu are nevoie de
rescriere a datelor dupa ce acestea au fost citite si nici de
reimprospatarea celulei de memorie. Atfel ca timpii de acces sint mult
mai mici iar viteza la care acest tip de memorie lucreaza depaste cu mult
performantele memoriei dinamice. Datorita pretului de cost mare pentru
obtinerea unei celule SRAM, acest tip de memorie este utilizat numai
pentru fabricarea memoriei cache ce se implementeaza in placile de
baza sub denumirea de cache level 2 (L2) ori pentru memoria cache
level 1 (L1) ce este integrata in structura procesoarelor. Memoria cache
L1 functioneaza la aceasi frecventa cu cea a procesorului in timp ce
pentru memoria cache L2 frecventa de lucru este jumatate fata de
frecventa procesorului. Memoria cache a fost introdusa ca un artificiu
15

tehnologic, care trebuie sa suplineasca diferenta de frecventa dintre

procesor si memorie.
I.2.

Memoria ROM

Memoria ROM este in general utilizata pentru a stoca BIOS-ul

(Basic Input Output System) unui PC. In practica, o data cu evolutia
PC-urilor acest timp de memorie a suferit o serie de modificari care au
ca rezultat rescrierea/arderea "flash" de catre utilizator a BIOS-ului.
Scopul, evident, este de a actualiza functiile BIOS-ului pentru adaptarea
noilor cerinte si realizari hardware ,ori chiar pentru a repara unele
imperfectiuni de functionare.
Astfel ca in zilele noastre exista o multitudine de astfel de memorii
ROM programabile (PROM-Progamable Read Only Memory-,
EPROM-Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory-, etc)
prin diverse tehnici, mai mult sau mai putin avantajoase in functie de
gradul de complexitate al operarii acestora.
Componenta ROM-BIOS este livrata de catre firma producatoare a
calculatorului in memoria ROM a sistemului de calcul. Imediat ce se
porneste sistemul intra in lucru o rutina a acestei componente.Ca regula
generala ROM-BIOS egalizeaza toate diferentele constructive ale
sistemului de calcul fata de conventiile DOS.
16

Aceste memorii se realizeaza sub forma unor matrici de diode,

tranzistori bipolari sau tranzistori MOS, la care unele elementedin celule
nu sunt conectate sau lipsesc din schema, acest lucru exprimand una din
starile logice "0" sau "1".
Asa cum exista mai multe variante de memorii RAM, si memoriile
ROM sunt de mai multe feluri. Putem clasifica memoriile ROM astfel:

Memoria ROM ;

Memoria PROM ;

Memoria EPROM ;

Memoria EEPROM ;

Memoria FLASH .

Memoria ROM este in general utilizata pentru a stoca BIOSul (Basic Input Output System) unui PC. BIOS-ul este un program de
marime mica (<2 MB) fara de care computerul nu poate functiona,
acesta reprezinta interfata intre componentele din sistem si sistemul de
operare instalat (SO).
Este acea memorie nevolatila care este programata in momentul
fabricarii, cu ajutorul unei masti prin care se stabileste configuratia
circuitelor pe CIP. Aceasta face ca informatiile continute sa nu poata fi
modificate, ci doar citite.

17

Memoria PROM (Programmable Read-Only Memory)

este caracterizata de faptul ca se poate programa de catre utilizator o
singura data (nu se poate reprograma). Structura acestei memorii este
asemanatoare cu cea a memorie ROM. La memoriile bipolare,
deosebirea apare in faptul ca fiecare tranzistor este conectat prin
elemente fuzibile la linia de iesire. Trecerea unui tren de impulsuri de
curent mai mare prin aceste elemente (de obicei de 0,5 - 1 A) conduce la
arderea acestor elemente si la intreruperea conexiunii tranzistorului
corespondent cu iesirea memoriei.
Generarea acestor impulsuri este realizata cu ajutorul unui aparat
special numit programator, arderea elementelor fuzibile realizandu-se pe
rand, unul cate unul, conform cerintelor produsului software care
trebuie codificat in memoria PROM. Un element fuzibil o data ars, nu
poate fi refacut, aceasta ducand la ireversibilitatea programarii (in cel
mai bun caz se mai pot arde o parte din elmentele care au ramas intregi
in urma primei programari).
Memoria EPROM (Eraseable Programmable ROM)
elimina deazavantajul PROM-urilor de a fi utilizate (programate) numai
o singura data. Ea este realizata cu matrici de tranzistori MOS si se
programeaza prin aplicarea unei tensiuni (circa 5V), intre sursa si drena
tranzistorului, producandu-i astfel modificari, dar care, din fericire, sunt
reversibile. Refacerea starii initiale a memoriei (stergerea) se realizeaza
18

prin iluminarea ei cu raze ultraviolete. In acest scop, cipul de memorie

este prevazut cu o fereastra care permite iluminarea pastilei de siliciu.
Aceasta fereastra, pe timpul utilizarii memoriei, se acopera cu o eticheta
pentru a o proteja impotriva stergerii involuntare. Eticheta se scoate
doar cand se doreste stergerea si reprogramarea memoriei.
Memoria EEPROM (Electrically Eraseable
Programmable ROM) se aseamana cu memoria EPROM, cu diferenta
ca stergerea se realizeaza electric, prin aplicarea unei tensiuni mai mari
decat cea normala. Acest lucru permite stergerea si reprogramarea, fara
a fi necesara scoaterea din montajul in care a fost amplasata, precum si
stergerea si modificarea unui singur octet, in timp ce memoria EPROM
se sterge in totalitate. Memoriile EPROM se pot reprograma de un
numar finit de ori (in general, de zeci sau sute de mii de ori), lucru care
nu permite folosirea ei pe post de memorie utilizata in cadrul
calculatoarelor (intr-un PC memoria se poate modifica de mii de ori pe
secunda).
Memoria FLASH numita si FLASH ROM este o versiune
mai noua a memoriilor EEPROM. Spre deosebire de acestea, stergerea
si programarea memoriei flash se realizeaza folosind tensiunile de
alimentare dintr-un calculator si nu o tensiune speciala. Astfel, citirea si
scrierea (programarea) se realizeaza la tensiunea de +5V, iar stergerea
foloseste tensiunea de +12V, in general.
Memoria flash este, in general, impartita in blocuri. Pentru a
modifica datele unui bloc este suficient a se sterge blocul respectiv,
celelalte blocuri ramanand neschimbate. Stergerea blocului preuspune
ca valoarea zero logic sa se ragaseasca in toate celulele blocului. La
scriere, o celula isi poate schimba continutul din zero in unu, dar
revenirea in zero se poate face numai prin stergerea blocului. Scrierea,
ca si citirile se pot face, in general, in mod aleator.

19

Pe langa memoriile RAM si ROM, in special in primele generatii

de calculatoare, se poate intalni un alt tip de memorie: "memoria
virtuala". Aceasta a aparut din dorinta de a obtine o capacitate de
memorie mai mare in conditiile in care circuitele de memorii aveau
preturi foarte mari. Acest tip de memorie foloseste spatiul existent in
sistemele de stocare masiva a datelor (hard-disk-uri, unitati de banda).
Memoria virtuala este folosita pe o scara destul de larga, desi
performantele de viteza ale ei sunt foarte reduse.
Memoriile Rom sunt circuite de memorie ale caror continut este
programat la fabricare si nu poate fi schimbat de utilizator. Un exemplu
de celula de baza pentru un astfel de memorie este dat in figura de mai
jos:
Ea este constituita dintr-un tranzistor cu efect de camp a carui
tensiune de prag difera in functie de continutul informational al locatiei
respective .
Daca la aplicarea unui impuls pozitiv pe grila tranzistorul conduce
atunci el se comporta ca un scurtcircuit drena sursa , informatia inscrisa
fiind 0 logic; daca ramane blocat atunci avem 1 logic .Obtinerea unor
tranzisotare cu tensiuni de prag diferite se face printr-un strat de oxid de
grosime corespunzatoare intre grila tranzistorului si substrat
Exista si memorii ROM-PROGRAMABILE (PROM si EPROM).
Memoriile PROM sunt circuite de memorie al caror continut este
programat o singura data de utilizator.Dupa inscriere informatia nu mai
20

poate fi stearsa. Celula de memorie a unor astfel de circuite au la baza

un fuzibil din polisiliciu care este ars la programare .Celula de baza a
unei memorii PROM este realizata cu tranzistoare bipolare.Initial toate
fuzibilele memoriei sunt scurtcircuitate .
Programarea unei celule inseamna arderea fuzibilului din nodul
respectiv . Pentru programare se aplica impuls pozitiv pe baza ,iar linia
de bit DL se mentine la potential coborat .Curentul de emitor al
tranzistorului , suficient de mare , produce arderea fuzibilului F .
Programarea se face succesiv pe fiecare celula ,selectia unei celule
facandu-se prin liniile WL si DL.Memoriile EPROM se folosesc pentru
realizarea celulei de memorie un tranzistor cu efect de camp cu dubla
poarta (grila) ,una comanda si una izolata.
Daca pe poarta izolata este acumulata sarcina electrica negativa
atunci aplicarea unor tensiuni pozitive pe grila a doua(Vc) nu poate
aduce in stare de conductie tranzistorul. Daca pe poarta izolata nu este
acumulata o sarcina atunci aplicarea tensiunii pozitive pe Vc creaza un
camp care duce la formarea canalului n si la conductia tranzistorului .
Nivelul logic pe linia de bit este 1 cand tranzistorul este blocat si 0 cand
acesta conduce. Injectarea de sarcini negative pe grila izolata se face
prin aplicarea unei tensiuni drena , si o tensiune pozitiva pe grila .
Tensiunea Vds mare , duce la campul electric intern intens , trec prin
stratul de oxid foarte subtire si se acumuleaza in grila izolata .Pentru
stergereainformatiei din celula si revenirea in stare neprogramata
(tranzistor blocat)se expune circuitul la actiunea radiatiei ultraviolete .
Electronii din grila preiau energie de la radiatie si trec inapoi in substrat
prin stratul izolator.
Memoriile EEPROM folosesc un principiu asemanator , numai ca
pentru trecerea electronilor stratul izolator utilizeaza efectul tunel[1s] .
Structura tranzistorului de memorare si a unei celule de memorie este
data in figura de mai jos : Celula de memorie pentru acest tip de circuit
este formata din doua tranzistoare TEC obisnuit (T2) si tranzistorul
21

prezentat mai sus (T1) care este un TEC-MOS.Intr-o celula de memorie

stearsa , grila izolata este incarcata cu sarcina negativa si tranzistorul T1
este blocat.
Stergerea informatiei din celula se face astfel : se aplica tensiunea
pozitiva(+20 V) pe linia de selectie cuvant punand in conductie
tranzistorul T. Drena acestuia se conecteaza la potential zero si se aplica
+20V pe linia de programare .Datorita campului electric intern mare .
electronii care trec din substrat prin efect tunel si se acumuleaza in grila
izolata ,formand o sarcina negativa .
Inscrierea informatiei in celula se face aplicand +20V pe linia
selectie cuvant(WL) si +18V in drena tranzistorului T2 in timp ce linia
de programare este la potential zero .Campul electric format intre grila
si substrat (= substrat ,- grila ) smulge electroni din grila a doua , aceasta
acumuleaza sarcina pozitiva si tranzistorul T1 intra in conductie prin
formarea canalului n intre drena si sursa.
Programele aflate n ROM sunt livrate odat cu calculatorul i
alctuiesc aa numitul firmware. Calculatoarele din familia IBM PC
conin i o memorie CMOS (de tip RAM, alimentat n permanen de o
baterie pentru a nu-i pierde coninutul informaional. n aceast
memorie se stocheaz informaii referitoare la configuraia hardware a
sistemului electronic de calcul.Dac accesul la memorie este permis att
pentru citire ct i pentru scriere memoria se numete RAM (Random
Access Memory - memorie cu acces aleator).
Structura intern a unui cip de memorie ROM organizat pe 1024
cuvinte de cte 8 bii, adic 1K 8, este prezentat n figura urmatoare.
Matricea de memorie se construiete sub o form ct mai apropiat de
cea a unui ptrat. Liniile matricei sunt selectate cu ajutorul
decodificatorului cu 7 intrri de selecie, iar coloanele cu ajutorul celor
8 multiplexoare cu cte 3 intrri de selecie. Intrarea suplimentar CS
(Chip Select), activ pe 0 logic, pregtete cipul de memorie n vederea
22

unei operaii de citire a datelor. Prin dezactivare, acioneaz asupra

circuitelor din structur n scopul reducerii consumului.

Desenul mai conine i aspectul unui element din matricea de

memorie, dac aceasta este realizat n tehnologie MOS. Exist mai
multe tipuri constructive de memorie ROM. Memoriile ROM
programabile prin masc, sau mask ROM, sunt circuite la care harta
memoriei se introduce n procesul de fabricaie al circuitului integrat.
Ele se realizeaz la comand, n serie mare, pentru c realizarea unei
mti la cerere cost cteva mii de dolari. Memoriile PROM
(Programmable ROM) se fabric cu toi biii poziionai pe un anumit
nivel logic.
Exist ns posibilitatea ca utilizatorul s-i nscrie singur, acolo
unde dorete, valorile logice complementare. Acest lucru se face prin
arderea unui fuzibil, o pelicul subire de CrNi, care se vaporizeaz la
trecerea unui curent suficient de mare prin el. Programarea memoriei
const n selecia adresei i a liniei de date i aplicarea unui impuls de
tensiune (10-30V) pe un pin special de programare.
Evident c programarea nu se poate face dect o singur dat.
Memoriile EPROM (Erasable PROM) sunt programabile ca i PROMurile, dar de mai multe ori, pentru c ele pot fi terse prin expunere la
radiaii ultraviolete cu o lungime de und specific. Matricea de
memorie conine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection
MOS) adic tranzistoare care conin o poart metalic flotant, izolat
de substrat prin 107 m de 2 SiO . Prin aplicarea unui impuls negativ de
amplitudine mare pe dren, jonciunea pn constituit de dren i substrat
23

este strpuns prin avalan i, prin efect tunel, electronii sunt injectai
n poarta flotant. Numrul lor depinde de amplitudinea i durata
impulsului. Aceast sarcin electric stocat n poart determin crearea
unui canal p n substrat i tranzistorul conduce. Radiaia ultraviolet
creaz perechi electronigoluri i permite descrcarea porii ([Valachi,
1986]). ns izolaia nu este perfect i n timp se pierd electroni, dar se
pare c circa 70% din sarcin este regsit i dup 10 ani.
Fara sa ne dam seama memoria ROM este cea mai prezenta in viata
de zi cu zi; ea insemna defapt cipurile din diversele aparate electronice
si electrotehnice pe care le folosim (de ex. Telefoane mobile/fixe,
masina,aparat radio-tv, etc), in ea fiind scrise isntructiunile necesare pt o
functionare corecta a acestora, mai jos este o poza cu acestea, iar in
Anexa 2 este o schema a acestora.

Memoria ROM, cel mai des intalnit tip de memorie

24

25

26

CAPITOLUL II
II.

MEMORII EXTERNE

Orice alt form de memorie alta dect cea intern

intr n categoria memoriei externe sau secundare.
Memoria extern este format din dispozitive de stocare
diverse care sunt mult mai lente decat memoria interna
dar pot retine cantitati mari de date.
Datele continute de memoria extern a unui PC ce
ruleaz Windows devin accesibile prin accesarea locaiei
My Computer (Computerul meu) :

27

Dispozitive si medii de stocare

n general, prin dispozitiv de stocare se nelege un
dispozitiv ce aparin memoriei externe ale unui
calculator. Chiar dac i dispozitivele de memorie intern
sunt de asemena dispozitive de stocare, acest termen
vizeaz n special dispozitivele ce aparin memoriei
externe a unui calculator.
Mediul sau suportul de stocare este componenta fizic
a unui dispozitiv de stocare pe care ajung informaiile s
fie efectiv stocate.
Atunci cnd mediul de stocare nu poate fi separat de
restul componentelor ce alctuiesc dispozitivul de
stocare suntem n prezena unei forme de stocare fixe.
Hardisk-ul, de exemplu este un dispozitiv de stocare cu
mediu de stocare nedetasabil.Mediile de stocare
detaabile pot fi separate de dispozitivul de stocare i
folosite mpreun cu un alte dispozitive compatibile.
II.1. Tehnologii de stocare
Orice mediu de stocare trebuie s rein ntr-o form
sau alta de diverse cantiti de bii. Unele medii de
stocare pot reine cteva sute de bii (suficient pentru a
memora frecvenele posturilor radio favorite n cazul unui
echipament audio) iar alte medii pot stoca cantiti
absolut impresionante de bii, de oridinul miilor de
miliarde. Chiar dac n final scopul este acelai,
tehnologiile de stocare utilizate pot diferi foarte mult i
pot prezenta att avantaje ct i dezavantaje. Iat care
28

ar fi principale tehnologii folosite pentru a reine

informaia pe diverse medii de stocare.

Tehnolo Cum sunt reprezentai biii la

gie
nivel elementar
magnetic Biii sunt reprezenai sub forma

unor particule magnetizabile

ncrcate negativ sau pozitiv.
Exemple: hard disk-ul, discheta
obinuit, alte tipuri de dischete,
casetele i benzile magnetice
optic

Biii sunt reprezentai sub forma

unor puncte sau caviti
microscopice ce au rolul de reflecta
diferit lumina. Cu ajutorul unor
instrumente fotosenzitive prezena
sau absena unor astfel de
elemente poate fi interpretat sub
form de bii
Exemple: compact discul, DVD-ul,
mini discul

electroni Prezena sau absena unui curent

c
electric n anumite circuite, sau
mofidicarea strii anumitor
circuite(nchis-deschis) poate fi de
asemenea interpretat sub form
29

de bii.
Exemple: memoria RAM, cardurile
de memorie flash

II.2. Hard Disk-ul - Seiful datelor

Hard disk-ul sau discul dur este principalul dispozitiv
de stocare al unui calculator personal. Cea mai mare i
mai important parte a software-ului cu care lucreaz un
calculator zi de zi se afl stocat pe hard disk. Sistemul
de operare se afl stocat pe hard disk, majoritatea
programelor programelor pe care le folosii se afl
stocate pe hard disk, probabil i ultimul document pe
care l-ai creat se afl stocat tot pe hard disk.
Un calculator personal fr hard disk nu prezint prea
mare utiltate, avnd n vedere c majoritatea software-ul
este conceput s funcioneze n prezena unui hard disk.
Anatomia unui hard disk

30

1. Disc sau discuri neflexibile din metal (platane)

acoperite cu un strat de material magnetizabil. Aceste
discuri sunt nvrtite de un motor ce poate dezvolta o
vitez de rotaie de ordinul miilor de rotaii pe minut
(RPM). n prezent hard disk-urile obinuite sunt cotate la
viteze ce ncep de la 7200 de rotaii pe minut.
2. Bra deplasabil ce conine capul de
citire/scriere. n cazul n care un hard disk conine mai
multe platane suprapuse fiecare dintre acestea este
deservit de un cap de citire/scriere propriu. Activitatea de
citire /scriere produce un bzit specific datorit
fenomenelor magnetice implicate n stocarea i
accesarea datelor. Hard disk-urile au devenit cu timpul
din ce n ce mai silenioase, zgomotul produs n timpul
funcionrii fiind la unele modele aproape imperceptibil.
31

3. Un al doilea motor ce poate deplasa capul de

citire scriere n orice punct al suprafeei de stocare.
4. Parte electronic ce controleaz activitile de
citire/scriere i de transferare a datelor dinspre i ctre
calculator. n componena acestei pri intr i o cantitate
redus de memorie ultrarapid de tip cache.
5. Carcas din metal n care sunt ncapsulate
componentele mecanice i o parte din cele electronice.
Aceast carcas are rolul de a se comporta i ca un
radiator prelunnd caldura degajat de discurile ce se
rotesc la viteze foarte mari.
Pentru comparaie, banda unei casete audio se
deplaseaz pe sub capul de citire cu o vitez de
aproximativ 5-10 cm pe secund (~0,3 km/h), n timp
viteza de rotaie a discurilor unui hard disk depete i
136 km/h!

II.3.

Tipuri de hard disk-uri

n funcie de diametrul platanelor de stocare cele mai

comune tipuri de hardisk-ri sunt cele de 3.5 inch
respectiv 2.5 inch.
Hard disk-urile de 3.5 inch sunt cele mai rspndite
n rndul PC-urilor obinuite i se gasesc montate
interiorul unitii centrale. Un calculator obinuit nu este
limitat doar la un hard disk, acesta poate avea la
dispozitie de regul cel putin patru hard disk-uri interne,
numrula acestora putnd fi crescut prin adugara unor
plci de extensie.
32

Hard disk-urile de 2.5 inch deserversc n general

calculatoarele portabile dar i-au gsit utilitatea i n
interiorul altor echipamente electronice cum ar fi DVDRecordere, console, camere video, MP3 playere, etc.
Acest tip de hard disk-uri necesita o alimentare de doar
5V ceea ce reduce considerabil consumul de energie fata
de modelele de 3.5 inch care necesita 12V pentru a
functiona. Daca la capitolul consum de energie aceste
modele ies castigatoare, la capitolul performan model
de 3.5 inch dau dovad de o rat de transfer a datelor
superioar.

Pentru echipamentele portabile la fiecare milimetru

conteaz exist i hard disk-uri de 1.8 inch, cea mai
comun utilizare a acestor hard disk-uri o reprezint
foarte popularele playere iPod cu hard disk produse de
catre compania americana Apple.
II.4. Hard disk-uri interne i hard disk-uri externe

33

Hard disk-ul intern este gndit s functioneze n

interiorul unitii centrale. Putem scoate un hard disk
intern din unitatea central i il putem conecta la o alt
unitate compatibil dar nu este tocmai o soluie practic
avnd in vedere c hard disk-urile sunt dispozitive
sensibile la socuri. Pentru a transfera cantiti mari de
date i pentru portabilitate exist hard disk-urile externe.
Acestea ncapsuleaz ntr-o cutie, de regul metalic, un
hard disk obinuit de 3.5 sau 2.5 inch.

Hard disk-urile externe ce incorporeza un drive de 3.5

inch necesit i o surs de alimetare separat pe cand
cele echipate cu unitati de 2.5 inch se pot multumi si cu
cei 5V si 0.5A furnizati de portul USB. Conectarea unui
hard disk extern se realizeaz preponderent prin interfaa
USB, dar exist i soluii care folosesc interfaa FireWire,
eSATA (de la external SATA) sau chiar interfaa ethernet
pentru conectarea ntr-o reea de calculatoare.

34

Interfata de conectare

Interfata de conectare a unui hard disk din punct de

vedere al utilizatorului este reprezentat de cabluri si
porturi, adic locurile unde sunt introduse aceste cabluri.
Pentru ca un hard disk sa poat comunica cu un alt
echipament hardware este necesar ca cele dou
dispozitive s vorbeasc aceeai limb. Aceasta
presupune o anumit compatibilitate la nivel hardware i
software. La nivel hardware n cazul unei PC chip-ul
responsabil cu interconectarea hard disk-ului se afl
montat de regul pe placa de baz si poarta denumirea
de controler. Controlerul poate fi un chip dedicat doar
acestei funcii, cum e cel din imaginea de mai sus, dar n
general responsabilitatea comunicarii cu hard disk-ul
revine unui chip care ndeplinete mai multe funcii i
este capabil s comunice cu o gama mai larg de
dispozitive.

35

II.5. Discheta sau floppy

discul
Floppy discul sau discheta
(termen adoptat pentru a suna
asemntor cu caset [in engleza
diskette vs. cassette]) a
reprezentat un mediu de stocare
cheie pentru calculatoarele
personale de la apariia acestora i
pn spre sfritul anilor 90.
n lipsa unor soluii convenabile
de stocare (ca pre i eficien)
dischetele repezentau la nceputul
erei calculatoarelor personale
principalul mijloc de stocare i de
transport al datelor.
Primele floppy disc-uri au
aprut la nceputul anilor 70 sub
forma unor discuri flexibile din
material plastic cu un diametru de
8 inch. Acestor discuri le-au urmat
alte formate de dimensiuni mai
reduse i astfel mai practice pentru
un utilizator obinuit.
3.5 inch - cheia succesului
Dischetele sub forma n care se
prezint astzi au fost introduse pe
pia n anul 1982 de ctre
compania japonez SONY. Este puin probabil ca cineva care a
folosit un calculator pentru o vreme s nu fi folosit la un moment
dat i o dischet de 3.5 inch.
Inevitabil, discheta de 3.5 inch a cunoscut mai multe
standardizri, dar care nu mai prezint absolut nici o importan
din moment ce formatul HD (High Density - Densitate nalt) cu
36

o capacitate de de stocare de 1.44 MB reprezit cel mai comun

tip de dischet de sfritul anilor 80 ncoace.
Primele dischete de 3,5 inch permiteau stocarea tuturor
documentelor pe care le putea crea un utilizator obinuit cu
calculatorul la acea vreme, astzi finalitatea unei dischete este
cu totul alta. Spaiul de stocare de doar 1.44 megabaii permit
unei dischete s stocheze un document de cteva sute de
pagini, cteva fotografii, ori alte pachete de date de dimensiuni
reduse.
Pentru preul unei singure dischete (aproximativ 1 RON) un
compact disc ofer o capacitate de stocare de aproximativ 400
de ori mai mare, iar un DVD peste 3000 de ori mai mare. Nu
este greu de neles de ce dischetele sunt acum la final de
carier.

II.6. CD/DVD

Un DVD-RAM este un disc reinscriptibil din familia

DVD-urilor ce ofer un spaiu de stocare care se
comport ca o dischet imens din punct de vedere al
37

utilizatorului. Aceasta nseam c se pot terge i copia

fiiere direct din interfaa sistemului de operare fara sa
fie necesare programe specializate de scriere.
Windows XP/Vista, Mac OS X sau Linux suporta lucrul
direct cu discurile DVD-RAM, cu meniunea ca sub
Windows XP sunt suportate doar discurile formatate in
sistem FAT32. (instalnd softul InCD se mbuntete
suportul pentru DVD-RAM)
Ciclul de scrieri/rescrieri este de 100.000 de mii.
Acest tip de stocare prezint avantaje incontestabile
fa de standardele DVD-RW sau DVD+RW, dar face ca
acest tip de disc s fie incompatibil cu o parte din
echipamentele DVD-Player sau DVD-ROM, chiar i o
parte nsemnat dintre unitile de inscripionare fiind
strine de acest standard.
Totusi unii productori de seam precum Panasonic,
Hitachi, Toshiba sau LG Electronics promoveaz acest
standard.

38

Concluzii
Memoria intern este zona de stocare temporar a datelor ntr-un
calculator. Datele supuse prelucrrii sunt transformate n iruri de cifre 0
i 1. Tipuri de memorie: - ROM (Read Only Memory) - nu i pierde
coninutul la oprirea calculatorului, nu poate fi \"scris\" de ctre
utilizator, este de capacitate redus i este folosit pentru stocarea
informaiilor despre hardware, mici programe ce configureaz diverse
dispozitive - RAM (Random Access Memory) - este o memorie volatil
(se pierde la oprirea calculatorului), poate fi att citit ct i modificat
i este folosit pentru stocarea programelor i datelor, fiind considerat
principala memorie de lucru a calculatorului.
Memoria nu este numai interna ea fiind si externa, aceasta fiind
folosita pentru stocare datelor pentru o perioada mai lunga decat o
sesiune de lucru.Memoria extern reutilizabil prin prelucrri automate
cu calculatorul poate fi pe suport sensibil la cmpul magnetic (hard disk
i floppy disk) pe suport sensibil la lumin, ce lucreaz n mod optic cu
raze laser (CD-ROM, CD-R, CD-RW i DVD-ROM, DVD-RAM) i pe
suport magneto-optic
39

BIBLIOGRAFIE
Boian F. M., Sisteme de operare interactive, Ed. Libris,
Cluj Napoca, 1994
Cadar C., Gheorghi V., Tehnologia informaiei - manual
pentru clasa a IX-a, Ed. L&S Infomat, 1999
Cerchez E., erban M., Sisteme de calcul, manual pentru
clasa a IX-a, Ed. L&S Infomat, Bucureti, 1998
Cerchez E., erban M., Tehnologia informaiei, manual
pentru clasa a IX-a, Ed. L&S Infomat, Bucureti, 1999
Lica D., Onea E., Informatica, manual pentru clasa a IX-a,
Ed. L&S Infomat, 1999
40

41