CUPRINS

INTRODUCERE.......................................................................................................3
CAPITOLUL 1. MEMORII DE TIP CACHE (CACHE MEMORY)......................5
Memorii de tip Cache (Cache memory)..........................................................5
1.1 Organizarea memoriei Cache.........................................................5
CAPITOLUL 2. MEMORII DE TIP ROM (READ-ONLY MEMORY)...............11
Memorii de tip ROM (Read-only memory)....................................................11
2.1 Memorii de tip PROM (Programabile ROM)...............................14
2.2 Memorii de tip EPROM (Programabile Electric PROM).............15
2.3 Memorii de tip EEPROM (Electrically Erasable PROM)............17
CAPITOLUL 3. MEMORII DE TIP RAM (RANDOM ACCES MEMORY)......20
Memorii de tip RAM (Random access memory)............................................20
3.1Memorie cu interfaţă asincron.................................................................21
3.1.1 Memorie de tip FPM (Fast Page Mode)...................................21
3.1.2 Memorie de tip EDO (Extended Data Out)................................22
3.1.3 Memorii de tip BEDO(Burst EDO)............................................22
3.2 Modulul DIMM (Dual Inline Memory Module)......................................22
3.3 Memorii cu interfaţă sincron...................................................................23
3.3.1 Memorii de tip SDRAM (Syncron Dynamic RAM).....................23
3.3.1 Memorii de tip DDR (Double data RAM)..................................24
3.3.1 Memorii de tip SRAM (Static RAM)...........................................25
3.4 Memoria CMOS(Complementary metal–oxide–semiconductor )...........26
CONCLUZIE..........................................................................................................27
BIBLIOGRAFIE.....................................................................................................29
 INTRODUCERE
În această lucrare de curs va fi analizată atît din punct de vedere logic, cît şi
fizic, memoria internă a pc-ului. În lucrarea dată vor fi descrise microschemele şi
cipurile de memorie care pot fi instalate în calculatorul dumneavoastră.
Toate calculatoarele personale folosesc trei tipuri de memorie: operaţională,
integrată şi externă (unităţi diferite). Memoria este necesară atât pentru datele de
ieşire cît şi pentru păstrarea rezultatelor. Este esenţială pentru interacţiunea cu
perifericele pentru computere şi chiar pentru a menţine imaginea vizibilă pe ecran.
Toată memoria calculatorului este împărţită în: memorie internă şi memorie
externă. În sistemele de calcul, lucrul cu memoria se bazează pe un concept foarte
simplu. În principiu, tot ce este necesar de la memoria calculatorului - de a păstra
un bit de informaţie, astfel încât, atunci cînd este nevoie de el să poată fi extras de
acolo.
Memoria operativă este destinată pentru stocarea diferitor informaţii, astfel
încît, ea presupune schimbarea conţinutului ei în procesul prelucrării de către
microprocesor a operaţiilor respective.
În calculatoarele cu arhitectură von Neuman (această categorie include
practic toate calculatoarele, inclusiv PC), memoria joacă un rol foarte important.
Anume în ea se conţin toate programele în proces şi datele lor. Procesul se
realizează de către procesorul central şi memoria operativă, celelalte componente a
oricărui sistem de calcul nu sunt implicate direct în procesul de calcul.
Memoria RAM este destinată pentru stocarea informaţiei variabilă, ea
permite schimbarea conţinutului său în timpul execuţiei procesului operaţii de
calcul asupra datelor. Aceasta înseamnă că procesorul poate alege (modul de
numeraţie ) din RAM, codul de comandă şi date, şi după procesare, stocarea în
RAM (modul de stocare) a rezultatului primit. În plus stocarea în memorie a
datelor noi pe locul celor vechi, care în acest caz nu mai există, astfel, memoria
RAM poate funcţiona în regimul de înregistre şi stocare a informaţiilor. Toate
programele, inclusiv jocurile, se procesează anume în memorie.

3
 Memoria ROM (Read Only Memory – memorie care poate fi doar citită) –
este un tip de memorie nevolatilă (informaţia conţinută de acest tip de memorie nu
se pierde la oprirea calculatorului). Este o memorie de tip special, care prin
construcţie nu permite programatorilor decît citirea unor informaţii înscrise aici de
constructorul calculatorului prin tehnici speciale. Programele aflate în ROM sunt
livrate odată cu calculatorul şi alcătuiesc aşa numitul firmware.
Memoria CACHE a procesorului este o memorie utilizată de către unitatea
centrală de prelucrare a unui computer pentru a reduce timpul mediu de acces la
memorie. Memoria cache este o memorie de mici capacităţi, mai rapidă, care
stochează copii ale datelor din locaţiile cele mai frecvent utilizate de memoria
principală. Atâta timp cât cele mai multe intrari sunt localizate de memorie cache
cu atît viteza medie a acceselor de memorie va fi mai mare decît accesarea datelor
din memoria principală.
În continuare se va prezenta mai pe larg modul de organizare şi funcţionare
a fiecărui tip de memorie.

4
CAPITOLUL 1. MEMORII DE TIP CACHE (CACHE MEMORY)
Memorii de tip Cache (Cache memory)
RAM după standardele de procesoare moderne are o viteză prea mică, şi
solicitînd date, procesorul trebuie să stagneze cîteva tacte pentru a pregăti datele.
Începînd cu procesoarele 80386, memoria operativă au început să o transforme în
memorie cache. Ideea de transformare în memorie cache constă în utilizarea unei
memorie de capacităţi mici (în comparaţie cu RAM) – şi cu viteza mai mare.
Capacităţi mici - din cauza motivelor tehnice şi economice, o cantitate mare de
memorie cache este prea scumpă. Această memorie deţine o copie a conţinutului
de RAM la care sunt efectuate în prezent cel mai intensive apeluri de către
procesor. Determinarea parţii conţinutului de RAM ce trebuie copiată la un
moment dat, trebui să determine cache controlerul. El poate face acest lucru pe
ipoteza de localizare a accesului la date şi de coerenţa preluarii comenzilor.
Memoria cache nu indică adrese adăugătoare a spaţiilor, prezenţa sa pentru
programe este neobservată.

1.1 Organizarea memoriei Cache

Conceptul memoria cache a apărut destul de devreme şi în prezent memoria
cache se conţine practic în orice clasă de calculatoare, chiar în unele calculatoare –
în cantităţi mari.
Valorile tipice ale parametrilor-cheie a memoriei cache pentru staţii de lucru
şi servere folosesc un set tipic de parametri folosit pentru a descrie memoria cache:
Mărimea blocului 4-128 biţi
Timpul localizare (hit time) 1-4 tacte de sincronizare
Pierderi la nelocalizare (miss penalty) 8-32 tacte de sincronizare
Timpul de acces – (access time) (6-10 tacte de sincronizare)
Timpul retrimiterii - (transfer time) (2-22 tacte de sincronizare)
Cota de nelocalizari (miss rate) 1%-20%
Marimea memoriei cache 4 Кbait - 16 Мbait
. Privim organizarea memoriei cache mult mai detailat, răspunzînd la
următoarele 4 întrbări despre ierarhia memoriei:

5
Plasarea blocurilor în memoria cache

Principiul de plasare a blocurilor în memoria cache este determinat de 3 tipuri

principale de organizare.

Dacă fiecare bloc din memoria principală are doar un loc fix unde ar putea să
apară în cache, atunci aşa memorie cache se numeşte memorie cache cu mapare
directă (direct mapped). Aceasta este cea mai simplă organizare a memoriei cache
în care la adresele blocurilor din memoria principală sunt utilizate blocurile cu un
nivel inferior de adresă. Astfel, toate blocurile din memoria principală, au aceeaşi
biţi semnificativi în adresa lor, primind un singur bloc din memorie cache, de
exemplu:

(adresa blocului în memoria cache) =(adresa blocului în memoria principală)

mod (numarul de blocuri în memoria cache)

În cazul în care un bloc de memorie principală se află oriunde pe cache, cache

se numeşte complet asociativ (full associative). În cazul în care un bloc de
memorie principală se pot afla pe un set limitat de locaţii în memoria cache,
memoria cache este numită set-asociativ (set associative). De obicei, setul este un
grup de două sau mai multe blocuri în cache. În cazul în care setul e format din n
blocuri, atunci acest aranjament se numeşte un set-asociativ cu n canale (n-way set
associative). Pentru a plasa blocul este necesar mai întâi să se definească setul.
Setul este definit de adresa LSB de bloc de memorie (index):

(Adresa unui set de cache) =

(Adresa unui bloc din memoria principală) mod (numărul de seturi din cache)

În continuare, blocul se poate plasa pe oricare locaţie din setul dat.

Gama de organizaţii cache posibile este foarte largă: memoria cache cu
mapare directă este pur şi simplu un singur canal cache set-asociativ, şi pe deplin
cache asociativ cu m blocuri poate fi numit m-canal set-asociativ. Procesoarele

6
moderne au tendinţa de a utiliza fie memorie cache cu mapare directă, sau două-
(patru-) canale de memorie cache set-asociativ.

Căutarea blocului aflat în memoria cache

Fiecarui bloc în memoria cache îi aparţine o etichetă, care indică, care bloc
din memoria principală îl reprezintă acest bloc în memoria cache. Aceste etichete,
de obicei, se compară cu adresa prelucrată de procesor a blocului de memorie în
acelaşi timp. În afară de aceasta, este necesar de a stabili dacă blocul de memorie
cache conţine informaţii fiabile sau utilizabile. Cea mai frecventă modalitate de a
rezolva această problemă este de a adăuga la etichetă - biţi de valabilitate (valid
bit).
Adresarea set-asociativ a memoriei cache este realizată prin divizarea
adresei furnizată de CPU în trei părţi: domeniul preanalizare este folosit pentru a
selecta biții într-un bloc de memorie cache, domeniul indice specifică numărul de
seturi, şi domeniul etichetă este folosit pentru comparaţie. Dacă dimensiunea totală
a memoriei cache va fi fixată, atunci creşterea gradului de asociativităţii va duce la
o creştere a numărului de blocuri în set, însă totodată se micşorarează
dimensiunile şi indicele de creştere a dimensiunii etichetei.

Substituirea unui cache bloc atunci când se întîmplă nelocalizare

În cazul în care apare o nelocalizare, controlerul memoriei cache trebuie să
aleagă o unitatea de înlocuire. Avantajul de la folosirea organizaţiei cu o mapare
directă constă în faptul, că soluţiile hardware sunt cele mai simple. Să nuselectăm
u nimic: la întîmplare se verifică doar un singur bloc şi numai aceast bloc poate fi
înlocuit. Cu o organizare de memorie cache complet asociativ sau set-asociativ,
există mai multe blocuri din care trebuie să aleagă un candidat, în cazul în care este
nelocalizare. Ca o regulă generală, pentru înlocuirea de blocuri se utilizează două
strategii principale: aleatoare şi LRU.
În primul caz, pentru a avea o distribuţie uniformă, blocurile candidate sunt
alese aleator. În unele sisteme, pentru a obţine un comportament reproductibil, care

7
este util, mai ales în timpul depanarii hardware, se folosește algoritmul de înlocuire
pseudo-aleator.
În al doilea caz, pentru a reduce şansa de a înlătura informaţii care ar putea
fi necesare în curând, toate trimiterile la blocurile sunt fixate. Se înlocuieşte acel
bloc, care nu a fost utilizat de cele mai multe ori (LRU - Least-Recently Used).
Avantajul metodei aleatoare constă în - mai uşor se implementează în
hardware. În cazul în care numărul de blocuri pentru a menţine traseul creşte, LRU
algoritmul devine tot mai costisitor şi de multe ori doar aproximativ.
Asociativitatea 2-canale 4- canale 8- canale
Marimea memoriei LRU, Random LRU, Random LRU, Random
cache
16 KB 5.18%, 5.69% 4.67%, 5.29% 4.39%, 4.96%
64 KB 1.88%, 2.01% 1.54%, 1.66% 1.39%, 1.53%
256 KB 1.15%, 1.17% 1.13%, 1.13% 1.12%, 1.12%

Ce se întâmplă în timpul înregistrării

La apelurile în memoria cache a programelor ce rulează în timp real sunt
predominate de tratamentul prin citire. Toate apelurile de comenzi sunt apeluri de
citirea şi majoritatea comenzilor nu se scriu în memorie. Operaţiunile de scriere, de
obicei, sunt mai puţin de 10% din traficul total de memorie. Dorinţa de a face mai
rapid, înseamnă optimizarea memoriei cache pentru îndeplinirea operaţiei de citire,
dar punerea în aplicare a prelucrării datelor de înaltă performanţă nu poate fi
neglijată viteza operaţiei de scriere.
Blocul din memoria cache poate fi citit în acelaşi timp, când se citeşte şi se
compară eticheta lui. Astfel, operaţia de citire a blocului începe imediat, îndată ce
adresa blocului devine disponibilă. Dacă are loc localizarea la citire, blocul este
trimis imediat la procesor. Dacă se întîmplă nelocalizare, apoi de la pre-cititul bloc
nu este nici un folos şi nici un rău.

8
 Foarte des organizarea memoriei cache în diferite maşini de calcul se diferă
prin strategia operaţiunii de scriere. Atunci cînd se efectuiază înscrierea în
memoria cache sunt două posibilităţi de bază:
scrierea secvenţială (write through, store through) – informaţia se înscrie în
două locuri: în blocul memoriei cache şi în blocul unui nivel mai jos a memoriei.
scrierea cu copiere inversă (write back, copy back, store in) – informaţia se
înscrie numai în blocul memoriei cache.
Cache-blocul modificat este scris in memoria principala numai atunci când
este înlocuit. Pentru a reduce frecvenţa de copiere a blocurilor la substituţie, de
obicei, de la fiecare bloc de memorie cache se asociază aşa-numitul bitul
modificării (dirty bit). Acest bit de stare indică dacă blocul a fost modificat, el este
situat în memoria cache. În cazul în care nu a fost modificat,atunci copierea
inversă este anulată, deoarece nivelul de jos conţine aceleaşi informaţii ca
memoria cache.
Ambele abordări la organizarea de scris au propriile avantaje şi dezavantaje.
Atunci când se înregistrează cu o copie inversă operaţiile de scriere sunt efectuate
cu o viteză egală cu viteza memoriei cache, şi câteva înregistrări în acelaşi bloc
necesită doar o singură înregistrare în memorie la un nivel inferior. Întrucât, în
acest caz, se apelează la memoria principală, mai puţin frecvent, în general
necesită o lăţime de bandă mai mică, ceea ce este foarte atractiv pentru sisteme cu
multiprocesoare. Cînd are loc scrierea secvenţială, nelocalizările în citire nu
afectează înregistrarea într-un nivel mai sus, şi, în plus, scrierea secvenţială este
mai uşor de implementat decît scrierea cu o copie inversă. Scrierea secvenţială are
deasemenea avantajul - memoria principală conţine o copie, cea mai recentă a
datelor. Acest lucru este important în sistemele multiprocesor, precum şi pentru
organizarea de intrare / ieşire.
Cînd procesorul aşteaptă încheierea înregistrării prin scrierea secvenţială,
se spune că el a fost suspendat pentru scris (write stall). Tehnica generală pentru a
minimiza întreruperile de înregistrare asociate cu folosirea memoriei tampon
(write buffer), carui îi permite procesorul de a continua instrucţiunile de executare

9
în timp ce se actualizează conţinutul memoriei. Trebuie remarcat faptul că
întreruperile de înregistrare pot apărea în cazul scrierii în memoria tampon.
La nelocalizare în timpul înregistrării, există două caracteristici
suplimentare:
adăugarea înregistrării în memoria cache (write allocate) (de asemenea,
numit eşantion de înregistrare (fetch on write)). Blocul se încărcă în cache, urmat
de acţiuni similare ce sunt efectuate în mod automat la executarea înregistrării în
localiție. Aceasta apare la o nelocalizare la citire.
de a nu plasa înregistrarea în memoria cache (cunoscut deasemenea ca o
înregistrare în jur (write around)). Blocul se modifică la un nivel inferior şi nu se
încarcă în memoria cache.
De obicei, în memoria cache, înregistrarea realizată cu o copie inversă, se
utilizează în cache la plasarea înregistrării (în speranţa că la înscrierea ulterioară în
acest bloc va fi localizată), iar memoria cache cu scriere secvenţială, nu este
deseori folosită la plasarea în memoria cache (deoarece înscrierea ulterioară în
acest bloc va merge în continuare în memorie).
Este destul de înţeles că performanţa calculatorului depinde direct de
procesor şi performanţă memorie operative. Performanţa teoretică (capacitatea)
memoriei este proporţională cu lungimea cuvîntului şi frecvenţa tactului slotului şi
invers proporţională cu durata totală a întrg ciclului. Pentru a îmbunătăţi această
performanţă se măreasc lăţimea de slot(de exemplu, de la P5, procesoare 32 biti au
64-bit sistem de slot) frecvenţa de ceas (66 MHz în cele din urmă a crescut la 100
cu o ţintă la 133 MHz şi mai mult). Aceasta, desigur, au tendinţa de a reduce
numărul de tacte pe întreg ciclu. În plus, slotul P6 permite procesorului, pentru a
seta interogarea de până la 16 tranzacţii concurente, astfel încît memoria este o
posibilitate teoretică de "maşină multiplă" de lucrări.

10
CAPITOLUL 2. MEMORII DE TIP ROM (READ-ONLY MEMORY)
Memorii de tip ROM (Read-only memory)

Memorie read-only (ROM) - este o clasă de memorii cu mediu de stocare,

utilizate în computere şi alte dispozitive electronice. Datele stocate în ROM nu pot
fi modificate, sau pot fi modificate numai lent sau cu dificultate, de aceea este
folosită în principal pentru a distribui firmware (software-ul care este foarte strâns
legat de hardware specifice, şi este puţin probabil să aibă nevoie de update-uri
frecvente).
În sensul strict al cuvântului, ROM se referă numai la ROM masca (cel mai
vechi tip de ROM de stat solid), care este fabricat cu datele dorite permanent
stocate în acesta, şi astfel nu pot fi modificate. În ciuda simplităţii de ROM masca,
economiile de scară şi programabilitate domeniul tehnologiilor reprogramabile se
face de multe ori mai flexibil şi mai ieftin, deci ROM masca este rar utilizată în
produse noi începând din 2007.
În ROM masca, datele sunt codificate fizic în circuit, astfel încât să poată fi
programată doar în timpul de fabricaţie. Acest lucru conduce la o serie de
dezavantaje grave:
1.Acesta este economic numai de a cumpăra ROM masca în cantităţi mari,
deoarece utilizatorii trebuie să incheie un contract cu o turnătorie pentru a produce
un design personalizat.
2.Timpul de răspuns dintre finalizarea design pentru un ROM mască şi
primirea produsului finit este lung, pentru acelaşi motiv.

11
 3.ROM masca este imposibil pentru muncă Read & Write, deoarece
designerii au frecvent nevoia de a modifica continutul memoriei și de ai rafina
designul.
4.În cazul în care un produs este livrat cu ROM masca defect, singura
modalitate de a repara aceasta este să se înlocuiască produsul fizic ROM.
ROM şi tehnologii, cum ar fi succesorul Flash sunt predominante în
domeniul sistemelor integrate. Acestea sunt în totul - de la roboti industriali la
aparate electrocasnice si electronice de larg consum (playere MP3, iPod, etc), toate
din care sunt proiectate pentru funcţii specifice, dar sunt bazate pe microprocesoare
de uz general, în cele mai multe cazuri. Cu software-ul de obicei strâns cuplate la
hardware, schimbările de program sunt rareori necesare în astfel de dispozitive
(cum ar fi hard disk-uri din motive de cost, mărimea, şi / sau consumul de energie).
Începând cu anul 2008, cel mai mult se produc Flash ROM, mai mult decât masca,
şi oferă unele mijloace pentru conectarea la un PC, pentru update de firmware, de
exemplu, un player audio digital ar putea fi actualizat pentru a accepta un format
de fişier nou (citind doar un format de tip WAWE poate fi reinoit pentru a citi un
format de tip MP3). Unii pasionaţi au profitat de această flexibilitate pentru a
reprograma produse de larg consum, pentru scopuri noi, de exemplu, proiectele
iPodLinux şi OpenWRT au permis utilizatorilor să ruleze distribuţii Linux full-
featured pe jucătorii lor, MP3 si routere wireless, respectiv.
În PC-urilor moderne, "ROM" (sau Flash) este utilizat pentru a stoca
firmware-ul de bază pentru procesul de bootsteep a procesorului principal, precum
şi de diferitele firmware-ul necesar pentru a controla dispozitivele intern autonom,
cum ar fi plăcile grafice, hard disk-uri, DVD-uri, ecrane TFT , etc, din sistem.
Astăzi, multe dintre aceste "read-only" - în special a BIOS-ului - sunt adesea
înlocuite cu memorie Flash pentru a permite reprogramarea. Pentru aceasta este
nevoie de un upgrade de firmware special destinat. Cu toate aceste simple şi
mature sub-sisteme (cum ar fi tastatura sau unele controlere de comunicare în
circuite integrate pe placa de bază) pot utiliza ROM masca sau OTP (o singura
data programabile).

12
 Memoria ROM este, de asemenea, utilă pentru stocarea de date binare
criptografice, deoarece face datele dificil pentru a fi înlocuite, care nu sunt dorite
de a fi schimbate, în scopul de a spori securitatea informaţiilor.
Clasic cipurile mască-ROM programate sunt circuite integrate care codifică
fizic datele să fie stocate, şi, astfel, este imposibil de a schimba conţinutul lor după
fabricare.

Fig 2. Memorie ROM

Alte tipuri de memorie non-volatile solid-state permit un anumit grad de

modificare:

13
2.1 Memorii de tip PROM (Programabile ROM)

Memorie programabilă read-only (PROM), sau ROM - un timp programabil

(OTP), pot fi scrise sau programate prin intermediul unui dispozitiv special numit
programator PROM. De obicei, aceste dispozitive foloseste tensiuni ridicate pentru
a distruge definitiv sau pentru a crea link-uri interne (siguranţe fuzibile sau
antifuzibile), în chip. Prin urmare, un PROM poate fi programat numai o singură
dată.
Celula bit este programată prin aplicarea unui impuls de înaltă tensiune( nu
se întâlnesc în timpul funcţionării normale) pe poarta şi substratul tranzistorului
subtire de oxid (în jur de 6V pentru oxid de 2 nm grosime, sau 30MV/cm), pentru
a strapunge în jos între poarta de oxid şi substrat. Tensiunea pozitivă pe poarta
tranzistorului face un canal de inversiune în substratul de mai jos de poartă,
provocând o tunelare a curentului prin oxid, producînd capcane suplimentare în
oxid, creşterea curentului prin oxid pîna la topire şi în cele din urmă, din oxid se
formează un canal conductiv de la poarta la substrat. Curentul necesar pentru a
forma canalul conductor este de aproximativ 100μA/100nm2 şi degradarea apare la
aproximativ 100μs sau mai puţin

14
 Fig 2.1 Memorie PROM

2.2 Memorii de tip EPROM (Programabile Electric PROM)

Lucrul cu ROM-uri şi PROMS poate fi o afacere risipitore. Chiar dacă

acestea sunt ieftine per cip, costul poate adăuga pînă în timp. Memoria poate fi
ştearsă programabilă de tip ROM. EPROM abordează acest aspect. Cipuri
EPROM pot fi rescrise de mai multe ori. Ştergerea un EPROM necesită un

15
instrument special care emite o anumită frecvenţă de raze ultraviolete (UV).
EPROM sunt configurate cu ajutorul unui programator EPROM care oferă
tensiune la niveluri specificate în funcţie de tipul de EPROM folosit.
EPROM are o grilă de coloane, rînduri şi celule la fiecare intersecţie a două
tranzistoare. Cele două tranzistoare sunt separate unul de altul printr-un strat
subţire de oxid. Unu dintre tranzistori este cunoscut ca poartă plutitoare şi altul ca
poartă de control. Link-ul poarţii plutitoareare este efectuat doar la rând (wordline)
şi trece prin poarta de control. Atâta timp cât acest link este în celulă, celula are
valoarea 1. Pentru ca celula să schimbe valoarea în 0, necesită un proces numit
Fowler-Nordheim tunel.
Tunelarea este folosită pentru a modifica plasarea electronilor în poarta
plutitoare. Tunelarea creează o descărcare de gestiune de electroni, care au
suficientă energie pentru a trece prin stratul de oxid de izolare şi se acumulează pe
poarta electrod. Când tensiune înaltă este eliminată, electronii sunt fixaţi pe
electrod. Datorită valorii ridicate a izolaţiei de oxid de siliciu din jurul poarţii,
sarcinile stocate nu pot fi uşor predispuse la scurgeri şi datele pot fi păstrate timp
de decenii. Sarcina electrică, de obicei, de 10-13 volţi, se aplică la poarta
plutitoare, sarcina vine de la coloană (bitline), intră în poarta plutitoare şi canale se
unesc.

Fig 2.2 Memoria EPROM

16
 Această reîncărcare provoacă tranzistorul cu poartă plutitoare să acţioneze
ca un tun de electroni. Electronii excitaţi sunt împinşi şi blocaţi, şi pe cealaltă parte
a stratului subţire de oxid, dându-i o sarcină negativă. Aceşti electronii încărcaţi
negativ acţionează ca o barieră între poarta de control şi poarta plutitoare. Un
dispozitiv, numit senzor de celulă monitorizează nivelul de încărcare care trece
prin poarta plutitoare. Dacă debitul prin poartă este mai mare decât 50 la sută din
încarcarea, are o valoarea 1. În cazul în care încarcarea care trece prin poartă scade
sub pragul de 50 de procente, modificările i-au valoarea 0. Un gol EPROM are
toate porţile deschise în totalitate, oferind fiecărei celule valoarea 1.
Un EPROM, care este lăsat în conformitate, prea mult timp poate deveni
supra-şters. Într-un astfel de caz, porţile plutitoare a EPROM-lui plutesc până la
punctul ca acestea nu mai sunt în măsură să deţină electroni la toate porţile.

2.3 Memorii de tip EEPROM (Electrically Erasable PROM)

Desi EPROM-urile sunt un pas mare de la PROM, în ceea ce priveşte

reutilizarea, ele încă mai necesită echipamente dedicate şi un proces de muncă
intensiv pentru a elimina şi reinstala de fiecare dată când o schimbare este
necesară. De asemenea, modificările nu pot fi făcute treptat la un EPROM; chipul
întreg trebuie să fie şters. Pot fi şterse electric memoriile programabile ROM. Cele
mai mari dezavantaje ale EPROM-urilor:
1.Chipurile nu trebuie evacuate pentru a fi rescrise.

17
 2.Cipurile nu trebuie să fie complet şters pentru a schimba o parte specifică
din ele.
3.Schimbarea conţinutului nu are nevoie de echipamente suplimentare
dedicate.
În loc de a folosi lumina ultravioletă, puteţi reveni la electroni în celulele de
un EEPROM normal cu aplicarea localizată a unui câmp electric la fiecare celulă.
Aceasta şterge celulele vizate de EEPROM, care pot fi apoi rescrise. EEPROM-
urile sunt schimbate, 1 octet la un moment dat, care le face reversibile, dar lente.
De fapt, cipurile EEPROM sunt prea lente pentru a fi utilizate în multe produse
care fac modificări rapide la datele stocate pe cip.
Producătorii au răspuns la această limitare cu memorie flash.

Memoria Flash este un tip de EEPROM care utilizează circuite cablate

pentru a şterge (prin aplicarea unui câmp electric) cipuri întregi sau secţiunile
predeterminate de blocurile-cip. Şterg aceste zone vizate de cip, care poate fi apoi
rescrise. Memorie flash funcţionează mult mai rapid decât EEPROM tradiţionale,

18
deoarece în loc de a şterge un octet la un moment dat, acesta şterge un bloc sau un
cip întreg, şi apoi îi rescrie electroni în celule. Un cip de memorie Flash poate
reveni la normal ("1"), prin aplicarea unui cîmp electric, o încarcarea mai mare de
tensiune.

Electrically alterable read-only memory (EAROM)

Este un tip de EEPROM care poate modifica un bit la un moment dat.

Scrierea este un proces foarte lent şi are nevoie din nou de tensiune mai mare (de
obicei, in jur de 12 V) decât este utilizat pentru acces de citire. EAROM sunt
destinate pentru aplicaţii utilizate rar şi doar parţial, EAROM pot fi utilizate ca
depozit de non-volatile pentru informaţii critice de configurare a sistemului; în
multe aplicaţii, EAROM a fost înlocuită de CMOS RAM furnizate de reţeaua
electrică şi de backup, cu o baterie cu litiu.

19
CAPITOLUL 3. MEMORII DE TIP RAM (RANDOM ACCES MEMORY)
Memorii de tip RAM (Random access memory)

Un timp îndelungat memoria scrisă cu acces aleator a fost memoria cu miez

magnetic, dezvoltată în 1970-1975, şi ulterior folosită în cele mai multe
calculatoare până la dezvoltarea de circuite statice si dinamice RAM integrate (la
sfârşitul anilor 1960 şi începutul anilor 1970). Înainte de aceasta, calculatoarele
utilizau relee, linie de întârziere / memorie întârziere, sau diferite tipuri de
aranjamente cu tuburi vidate, să pună în aplicare "principalele" funcţii de memorie
(de exemplu, sute sau mii de biţi), dintre care unele au fost cu acces aleator, unele
nu. Tamburul de memorie ar putea fi extins la un cost scăzut, dar recuperarea de
elemente de memorie non-secvenţiale necesare cunoştinţei aspectului fizic al
tamburului, pentru a optimiza viteza tranzistoarelor construit din triode, tub, vid, şi
mai târziu, din tranzistoare discrete, au fost folosite pentru memorii mici şi mai
rapide, cum ar fi celulele de registru cu acces aleator şi registrele. Înainte de
dezvoltarea de circuite integrate ROM, permanent (sau doar în citire), memorie cu
acces aleator a fost adesea construite, folosind matrici semiconductor, diode
conduse de decodoare de adresa, sau lichidare specială a planurilor de bază din
memorie.
Multe sisteme informatice au o ierarhie de memorie formată din registre
CPU, memoriile cache, SRAM, memoriile cache externe, DRAM, sisteme de
paginare, şi memorie virtuală sau spaţiu de schimb pe un hard disk . Acest set
întreg de memorie pot fi menţionate ca "RAM" de mulţi dezvoltatorii, chiar dacă
diferite subsisteme pot avea momente foarte diferite de acces, încălcând conceptul

20
original din spatele termenului acces aleator în RAM. Chiar şi într-un nivel de
ierarhie, cum ar fi DRAM, specifice rând, coloană,, rang bancă, canal, sau
organizarea componentelor face variabil timpul de acces, deşi nu în măsura în care
dispozitivul prin rotaţie de stocare sau bandă sunt variabile. Scopul general
utilizând o ierarhie de memorie, este de a obţine performanţe mai mari posibile
accesului dispozitivului minimizând în acelaşi timp costul total al sistemului de
memorie (în general, ierarhia de memorie urmează timpul de acces cu registrele
CPU rapid la partea de sus şi hard disk lent în partea de jos).

Memoria de tip RAM se împarete dupa interfaţă în două mari categorii:

3.1 Memorie cu interfaţă asincron

3.1.1 Memorie de tip FPM (Fast Page Mode)

Memoria FPM (Fast Page Mode) – regim rapid de paginare .

Caracteristica acestui tip de memorie o reprezintă facilitatea de a lucra cu pagini de
memorie. Este o schemă de optimizare foarte veche a lucrului memoriei, care este
bazată pe teorii, că accesul, de obicei, se realizează pe adrese succesive. Permite
împreună cu ciclul obişnuit (RAS#1, apoi CAS#2), să folosească scurtătură, unde
RAS# este fix, şi prin urmare încărcarea nu necesită timp. În prezent FPM – este
cel mai lent mod din cele utilizate la organizarea memoriei, însă, a fost recent
unica alegere pentru sistemele cu paritate.

11
RAS (Row Access Strobe) - înregistrare pentru accesarea liniei.Semnalul, transmis pe linia cipului RAS,
înseamnă că, prin segmentul de adrese se introduce adresa coloanei.
2CAS(Column Access Strobe) - înregistrare pentru accesarea coloanei.Semnalul, ce cade pe linia cipului CAS,
înseamnă că, prin segmentul de adrese se introduce adresa coloanei
2

21
 Fig 3.1.1 Sistem cu organizare în paginație a memoriei

3.1.2 Memorie de tip EDO (Extended Data Out)

Memorie EDO (Extended Data Out) – un alt tip de RAM cu interfaţă
asincron, utilizat pe scară largă în ultimii 3 ani. Reprezintă dezvoltarea în
continuare a modului FPM pe baza schemei “conveerilor” – liniile I/O rămîn un
interval de timp deschise pentru citirea datelor în procesul adresării catre
următoarea adresă, cea ce face organizarea ciclului de access mult mai optim.
Accesul la datele din celulele de memorie este mai rapid cu 10 – 15 % faţă de
FPM.

3.1.3 Memorii de tip BEDO(Burst EDO)

Memoria BEDO (Burst EDO) – este orientată pe transmiterea de pachete.
Aici adresa completă se inițializează doar la începutul setului de ciclu; următoarele
impulsuri de adrese CAS# nu se localizează, doar deduc datele – memoria deja
“cunoaște ”, care din următoarele adrese vor fi utilizate în set. Memoria BEDO nu
este utilizată pe scară largă fiindcă a fost înlocuită cu memoria dinamică syncron.

3.2 Modulul DIMM (Dual Inline Memory Module)

Modulul de memeorie DIMM (Dual Inline Memory Module) – modul de
memorie cu pini de contatct pe ambele parți. În modulul DIMM sunt 168 de pini,

22
care sunt așezați pe ambele părți a platei de memorie și despărțiți prin izolator.
Deasemenea pe plata de bază s-au făcut schimbări pentru portul DIMM. Trebuie de
menționat că porturile DIMM au o multe varietăți DRAM. Mai mult decît atît, pîna
nu demult modulele DIMM nu au avut mijloace de auto-configurare (față de
modulele SIMM (Single Inline Memory Module)). Deaceea pentru ușurarea
alegerii modulului necesar de către utilizator pentru placa de bază, diferite tipuri de
memorie au de la una pîna la trei taituri in placa de memorie. Aceste tăieturi previn
plasarea incorectă a plcaii de memorie pe placa de bază.

3.3 Memorii cu interfaţă sincron

3.3.1 Memorii de tip SDRAM (Dynamic RAM)

După compunerea semnalului, interfața SDRAM este foarte asemănătoare cu

memorie dinamică obișnuită în afară de intrările syncron, aici este portul de adrese
multiplicator, liniile RAS#,CAS#,WE (permisiune de scriere) și CS (alegerea
microschemelor) și, deasemenea liniile de date. Toate semnalele se selectează după
căderea pozitivă a impulsurilor syncronizate, o combinația de semnale de control
în fiecare ciclu codifică o comandă anumită. Cu ajutorul acestor comenzi se
organizează aceeași secvență de semnale interne RAS# și CAS#, care s-a prevăzut
și pentru memoria FPM.
Fiecare microschemă internă poate fi organizată ca un set din 4 celule cu linii
RAS# independente. Pentru începutul oricărui ciclu, adresarea către memorie
trebuie dată comanda ACT, care lansează formatarea internă RAS# pentru linia ce
o necesită celula aleasă.

23
 După oarecare număr de tacte se poate introduce comanda de citire RD sau de
scriere WR, în care se indică numărul coloanei primului ciclu din set. După această
comandă se lansează formatarea internă CAS#. Transmiterea datelor pentru
ciclurile de scriere și citire diferă.
La prima vedere, din această descriere nu se observă oarecare avantaje a
SDRAM în comparație cu BEDO. Însă interfața syncron în conformitate cu
organizarea internă de celule multiplă asigură posibilitatea de a îmbunătați
performanța memoriei în multiple recursuri.

Fig 3.3.1 Diagrama temporară de citire a memoriei

3.3.2 Memorii de tip DDR (Double data RAM)

Memoria DDR SDRAM (Dual Data Rate – viteză dublă a datelor) -

prezintă dezvoltarea SDRAM. Cum reiese din denumire, la microschemele DDR
SDRAM datele din interiorul pachetelor se transmit cu viteză dublă – ele se
comută pe ambele capete a syncro-impulsurilor. La frecvenţa de 100 MHz DDR
are o performanţă de vîrf de 200Mb/pin, ce în componenţa modulelor DIMM de
8-biti dau o performanţă de 1600 Mb/s. La frecvenţe înalte a tactelor (100 MHz)
dubla szyncronizare stabileşte cerinţe foarte mari faţă de timpul de reţinere a
diagramelor temporare. Pentru a îmbunătaţi precizia de syncronizare se întreprind
un şir de măsuri.

24
 Spre deosebire de SDRAM obişnuite, la care datele pentru scriere se
transmiteau odată cu comanda, în DDR SDRAM datele pentru scriere se transmit
cu reţinere la un tact. Însemnătatea CAS# Latency pot fi şi fracţionate
(CL=2, 2.5,3). Microschemele SDRAM pînă la folosirea directă trebuiau să fie
inţializate - în afară de celulele preîncărcate, ele trebuiau să fie programate cu
parametrii de configurare. În DDR SDRAM, din cauza configurarii legăturilor
între DLL (Delay Locked Loop), programarea este puţin mai complexă.

Fig 3.3.2 Buferizarea datelor cu interfaţă syncron DDR SDRAM

Deasemenea se pot enumera şi alte tipuri de memorie cum ar fi:

- MDRAM (Multibank DRAM) - SLDRAM (SyncLink DRAM)
- Rambus DRAM - SGRAM(Synchron Graphic RAM)
- DDR SDRAM II - DDR SDRAM III
care au la bază acelaşi principiu de funcţionare.
3.3.3 Memorii de tip SRAM (Static RAM)

25
 SRAM(Static RAM) - memorie statică - un alt tip de memorie RAM,
unitate de stocare de date care se află într-o stare de „închis/deschis” într-un
ansamblu de tranzistoare. Se foloseşte avantajul în conformitate cu memoria cache
de nivelul II. Celula SRAM este puţin mai complexă în comparaţie cu celula
DRAM, de aceea, viteza ridicată a SRAM-urilor se compensează cu preţul
acestora. Necătînd la consumul redus de energie, SRAM este volatilă.

3.4 Memoria CMOS (Complementary metal–oxide–semiconductor )

Memoria CMOS (Complementary metal–oxide–semiconductor ) -

dependentă de energie, memorie ce se rescrie; care în timpul lucrului aproape că
nu consumă energie. Plusul acestei memorii este - consumul redus de energie şi
viteza înaltă. În CMOS - se conţin parametri importanţi pentru lucrul
calculatorului, care utilizatorul le poate modifica pentru optimizarea lucrului
calculatorului. Se alimentează de la un acumulator de dimensiuni mici încorporat
pe placa de bază.
Acest tip de memorie CMOS, se mai descifrează şi în modul urmator
Central Motherboard Operating System, fiindcă din această memorie
calculatorul poate citi parametrii de pornire a echipamentelor necesare, şi de aici
putem opera cu majoritatea echipamentelor ce se conectează, sau sunt deja
conectate la calculator.

26
 CONCLUZIE

În urma cercetării temei ”Modul de funcţionare a memoriei interne”,

studiind diferite surse bibliografice, folosind internetul, am observat ca totuşi dacă
se ascund sub acelaşi nume „memorie”, totuşi nu sunt la fel memoria cache,
memoria statică SRAM şi memoria dinamică DRAM. Am arătat diferenţele dintre
ele: diferenţele principiului şi modului de funcţionare a fiecărui, avantajele unora şi
dezavantajele altora. De asemenea am relevat perspective şi tehnologii de
dezvoltare.
Lucrarea de faţă a fost divizată în trei capitole, în care fiecare capitol
studiindu-l ne vom da seama că acest lucruri ne sunt puţin cunoscute şi totodată
vom fi curioşi de a afla ce se ascunde sub aşa numitele „cipuri de memorie”.
În capitolul 1 am evidenţiat structura, principiul şi modul de funcţionare a
memoriei cache din procesor. Concluzionez că memoria cache este o componentă
fără de care calculatorul ar putea funcţiona, însă desemenea fără acest tip de
memorie calculatorul ar putea fi comparat cu o broasca ţestoasă, numai că din
metal, oricît de performante capacităţi nu ar avea (în lipsa memoriei cache).
În capitolul 2 am enumerat tipurile de memorie ROM şi am caracterizat
modurile de funcţionare a acestor tipuri, arătîndu-le avantajele şi dezavantajele
fiecarui tip de ROM în parte, astfel am concis în lucrarea dată ideile principale
despre aceste tipuri, descriindu-le şi exemplificîndu-le cu imagini. Dealtfel
memoria ROM dintr-un calculator PC, este componenta care stă la baza creării
unor componente funcţionale, cum ar fi BIOS-ul “inima” unei plăci de bază, şi
multe alte aparate elecronice sau electrice ce au un soft încorporat.
În capitolul 3, fiind şi cel mai mare capitol din această lucrare de curs, am
enumerat deasemenea tipurile de memorie RAM şi modul de funcţionare a

27
acestora. Am ataşat informaţie generală şi informaţii orientate către fiecare tip de
memorie pentru a crea un context pe înţelesul tuturor. Pot spune că memoria RAM
este acea parte componentă a calculatorului PC care “îi dă viaţă”, reeşind chiar şi
din denumira ei “memorie operativă”. Ea poate fi asociată cu reacţia corpului uman
la mediul înconjurător, la fel ca şi la om, nu este logic de a avea centura neagră la
artele marţiale, şi să ai puţină minte, e logic să ai o minte sănătoasă şi un corp
sănătos. Astfel şi calculatorul poate fi organizat, nu e logic de a avea o memorie
RAM de capacitate mare dacă nu posedăm un procesor destul de puternic în
capacităţi, unde memoria RAM ne deserveşte reacţia de răspuns la adresările
procesorului (creerului) către echipamentele calculatorului PC (ce poate fi
asemănat cu corpul). Memoria RAM e folosită întrun calculator PC doar pentru
creşterea operativităţii proceselor, deşi pentru un procesor performant cu capacitaţi
înalte, este recomandat o memorie RAM de capacităţi înalte pentru a evalua la
maxim configuraţiile soft şi hard a sistemului de calcul. Şi odată cu dezvoltarea
tehnologiilor IT se va dezvolta şi modul de functionare a memoriei interne, însă
principiul de funcţionare va rămîne acelaşi.
După părerea mea au fost atinse toate obiectivele de care am avut nevoie în
cadrul tezei: modul şi principiul de functionare a memoriei cache,memoriei ROM
şi memoriei RAM

28
 BIBLIOGRAFIE
1.Б.М. Каган
«Электронно вычислительные машины и системы.» Москва «Радио и связь»
1991г
2.А.Д. Смирнов
«Архитектура вычислительных систем» Москва «Радио и связь» 1990г.
3.Э.В. Евреинов, Ю.Т. Бутыльский, И.А. Мамзелев
«Цифровая и вычислительная техника» Москва «Радио и связь» 1991г.
4.Э.Танненбаум,Современные операционные системы, СПб: Питер, 2002
5.Р.Столлинз Операционные системы. М.: Вильямз, 2002.
6.Казарин О.В. Безопасность программного обеспечения компьютерных
систем. : Москва, МГУЛ, 2003.
7.Meniul Help al sistemului de operare Windows XP,Windows Seven.
8. http://www.wikipedia.org/
9. http://www.rusedu.info/
10. http://computer.damotvet.ru/
11. http://informatika.sch880.ru/

29
30