Memoria

RAM și
ROM
Denisa Ulici
Memoria Ram
Memoria cu acces aleator sau memoria RAM (engleză: Random
Access Memory, abreviat RAM) este denumirea generică pentru
orice tip de memorie de calculator care

• poate fi accesată aleatoriu, oferind acces direct la orice locație

sau adresă a ei, în orice ordine, chiar și la întâmplare,
• se implementează de obicei pe cipuri(circuite integrate)
electronice rapide și fără părți în mișcare (și nu pe dispozitive
magnetice sau optice precum discurile dure sau CD-urile).
 Memoria RAM

• Memoria RAM se mai numește și memorie vie. Memoria RAM de obicei mai poate fi exprimată ca o
memorie secundară a unui sistem informatic sau alte dispozitive și poate influenta performanta unui
sistem de calcul crescându-i-se viteza și performanțele sale în timp real. Timpul de acces la datele din
astfel de memorii este de obicei întotdeauna același, nedepinzând de poziția adresei de memorie
accesate (deci nu ca la benzile sau discurile magnetice, care necesită un timp variabil). Fiecare locație de
memorare dintr-o memorie cu acces aleatoriu are un mecanism separat de adresare și poate fi accesată
independent de celelalte locații. Deci, fiecare locație poate fi selectată aleatoriu și accesată direct.
Memoriile principale semiconductoare sunt în general de acest tip.
• Memoria RAM este o memorie volatilă a calculatorului pentru că datele stocate sunt pierdute în
momentul opririi calculatorului. Datele sunt scrise, șterse și scrise din nou, rezultând un ciclu de scriere-
ștergere determinat de necesitățile programelor care rulează într-un anumit moment. Există și memorii
RAM nevolatile, ca de exemplu ROM și flash. Avantajul memoriei RAM față de alte medii de stocare a
datelor constă în viteza de acces extrem de mare, fiind de mii de ori mai mare decât de exemplu cea a
unui un disc dur. Dar și prețul pe gigabyte este de circa 200 ori mai mare.
 Caracteristici:

• Memoriile RAM diferă între ele prin mai multe caracteristici:

• Capacitatea - sunt produse într-o serie tipică de valori: 256 MB, 512 MB, 1 GB, 2 GB, 4 GB, 8GB, 16 GB, indiferent
de tipul sau modelul constructiv.
• Numărul de pini - cele mai vechi module de memorie RAM, SRAM, aveau 168 pini, iar modelele DDR au: 184 pini
(DDR1), 240 pini (DDR2, DDR3), 288 pini (DDR4, DDR5).
• Frecvența și tensiunea de alimentare - memoria RAM este măsurată în câte cicluri pe secundă poate efectua,
fiecare citire și scriere se face pe un ciclu. Cu cât sunt mai multe cicluri pe secundă, cu atât mai multe date pot fi
stocate și citite: DDR3 (800-2666,6 MHz și 1,5 V), DDR4 (1600-3200 MHz și 1,2 V), DDR5 (4800-6400 MHz și 1,1 V).
• Rata de transfer și lărgimea de bandă - rata de transfer este cantitatea maximă de informații care poate fi
transferată în sau din memorie în unitatea de timp și este măsurata în biți pe secundă sau cuvinte pe secundă.
Lărgimea de bandă este dată în megatransfer (MT/s) sau gigatransfer (GT/s).
 Caracteristici

• Latența - timpii de latență ("latency timings"), au un impact major asupra performanței. Se scriu ca o înșiruire de 4 valori
(de ex. 3-4-4-8 , 4-4-4-12 , 5-5-5-15, etc.). Aceste valori semnifică în ordine :

• CAS Latency (Latență CAS) – este timpul scurs între momentul când controlerul memoriei solicită informațiile stocate
pe o coloană a unui rând și momentul când acestea sunt disponibile la pinii modulului; cu cât această latență este mai
mică, cu atât datele sunt disponibile mai repede.
• Ras-to-CAS Delay (întârzierea RAS la CAS) – timpul dintre activarea unui rând, cu ajutorul semnalului RAS (Row
Address Strobe) și activarea coloanei, cu ajutorul semnalului CAS, la intersecția cărora se găsește informația solicitată.
• RAS Precharge (timpul de preîncărcare RAS) – timpul necesar pentru terminarea accesului la un rând și începerea
accesării altui rând.
• Active to Precharge Delay (întârziere de la Activare la Preîncărcare) – reprezintă timpul minim cât rămâne activat
semnalul RAS, adică timpul de la inițierea activării rândului și sfârșitul accesării rândului (RAS Precharge). Este
valoarea cea mai mare, întrucât este mai mare decât suma timpului de accesare a rândului și a coloanei (RAS to
CAS + CAS Latency).
 Caracteristici

• Cu cât valorile latențelor sunt mai mici, cu atât modulul de memorie este mai performant (de ex. un modul 3-4-4-8 este mai rapid decât
unul 4-4-4-12).
• La acești timpi de latență se mai adaugă uneori valoarea 1T sau 2T, numita "Command Rate" (Rată de Comandă) și măsurată în cicli de
tact (1 sau 2 cicli). În mod similar un modul cu o valoare 1T este mai bun decât unul cu valoarea 2T.
• Fiabilitatea - este măsurată prin timpul mediu între defecte (MTBF – Mean Time Between Failures). În general, memoriile fără părți în
mișcare au o fiabilitate mult mai ridicată decât memoriile care implică o deplasare mecanică, precum discurile magnetice. Chiar și la
memoriile fără părți în mișcare apar probleme de fiabilitate, în particular atunci când se utilizează densități de memorare sau rate de
transfer foarte ridicate. Codurile detectoare și corectoare de erori pot crește fiabilitatea memoriei.
• Error correcting code (ECC) - această facilitate presupune circuite suplimentare implementate în modulul de memorie și permite
detectarea și corectarea erorilor ce pot apărea pe parcursul utilizării. În general, atât timp cât memoria nu este supusă unor situații
anormale de funcționare (frecvență, tensiune de alimentare sau temperatură în afara specificațiilor), ea oferă o stabilitate (siguranță)
extrem de apropiată de perfecțiune, arhisuficientă pentru un calculator obișnuit.
• Registered (Buffered) - un buffer este o zonă de memorie intermediară (memorie tampon) suplimentară care depozitează informația
înainte să fie transmisă controlerului, permițând verificarea riguroasă a acesteia. Memoriile de tip buffered sunt mai lente și extrem de
scumpe, folosirea lor fiind justificată doar în cazurile speciale când corectitudinea informațiilor prelucrate și stabilitatea sistemului este
esențială, de exemplu în cazul serverelor.
 Clasificare

• După modul de funcționare, există două tipuri principale de RAM:

• Memorie statică, Static RAM (SRAM)
• Memorie dinamică, Dynamic RAM (DRAM),
• diferențele constând în stabilitatea informațiilor.
 Memoria SRAM

• Memoria statică păstrează datele pentru o perioadă de timp nelimitată,

până în momentul în care ea este rescrisă, asemănător memorării pe
un mediu magnetic. Memoriile SRAM pot fi bipolare sau de tip MOS.
Memoria de tip SRAM este folosită cel mai adesea ca memorie intermediară
cache, în bufferele hard disk-urilor, și routerelor. Avantajele memoriei SRAM
sunt utilitatea crescută datorită modului de funcționare și viteza foarte
mare, iar ca dezavantaj prețul mult peste DRAM.
 Memoria DRAM

• Memoria dinamică necesită rescrierea periodică permanentă la fiecare câteva

fracțiuni de secundă, (tipic 2 ms), chiar dacă se menține tensiunea de alimentare,
altfel informațiile se pierd. DRAM-ul este utilizat în PC-urile moderne, în primul
rând ca memorie principală „de lucru”.
• Avantajul memoriei DRAM este simplitatea structurii: doar un tranzistor și
un condensator sunt necesare pe bit, spre deosebire de memoria SRAM care
necesită șase tranzistoare.
Memoria ROM
 Memoria ROM

• Memoria ROM (read-only memory) este un tip de memorie nevolatilă care în mod normal
poate fi doar citită, spre deosebire de RAM, care poate fi atât citită, cât și scrisă. Memoria
ROM este o clasă de suporturi de stocare utilizate în computere și alte
dispozitive electronice. Datele stocate în ROM nu pot fi modificate sau pot fi modificate
numai lent ori cu dificultate. De aceea, memoria ROM este folosită în principal pentru a
distribui firmware (softul strâns legat de hardul specific și puțin probabilă să aibă nevoie
frecvent de update)
 Utilizare

• Memoria ROM este folosită la anumite funcții în calculatoare din două motive principale:
• permanența: valorile stocate în ROM sunt totdeauna acolo, indiferent dacă este pornită sau nu. Memoria ROM
poate fi scoasă din calculator și stocată pentru o perioadă nedeterminată de timp și înlocuită, datele conținute
continuând să fie acolo. Din acest motiv se mai numește și memorie nevolatilă.
• securitatea: faptul că memoria ROM nu poate fi modificată ușor reprezintă un grad de securitate în privința
modificărilor accidentale sau rău intenționate ale conținutului. Astfel, nu este posibilă virusarea prin
intermediul memoriei ROM. (Tehnic, este posibilă cu EPROM, dar aceasta încă nu s-a întâmplat.)
• Memoria ROM este utilizată în principal pentru stocarea programelor de sistem care stau la dispoziție în orice
moment. Unul dintre ele este BIOS, stocat pe o memorie ROM, numită system BIOS ROM. Stocarea fiind pe
memoria ROM, programul este disponibil odată cu pornirea calculatorului pentru a introduce setările. Întrucât
scopul memoriei ROM este să nu fie modificată, apar situații în care este nevoie de schimarea conținutului
acesteia.
 Clasificare

• PROM (Programmable Read Only Memory) este similară cu memoria ROM, dar poate fi programată de utilizator, cu
ajutorul unui echipament special. Ceea ce este foarte util pentru companiile care își fac propriul ROM.
• EPROM (Erasable PROM) poate fi ștearsă prin expunere la radiații ultraviolete și poate fi rescrisă. Microcontrollerele
cu EPROM au un orificiu cu un mic geam de cuarț care permite ca cipul să fie expus la radiație ultravioletă. Nu este
posibilă alegerea unei părți pentru a fi ștearsă. Memoria poate fi ștearsă și rescrisă de un număr finit de ori.
• OTPROM (One Time Programmable ROM) este o memorie EPROM, dar cu cipul dispus într-o capsulă din material
plastic, fără orificiu, care este mult mai ieftină. Viteza este bună, dar aplicațiile sunt lipsite de flexibilitate.
• UVPROM sau Flash EPROM (Ultra Violet Programmable Read only Memory) sunt memorii programabile de utilizator.
Acestea se pot șterge punându-le într-o cameră cu ultraviolete. Au fost înlocuite de EEPROM care nu trebuie să fie
eliminate de pe dispozitiv pentru reprogramare.
• EEPROM(Electrically Erasable PROM) poate fi ștearsă electric de unitatea centrală cu ajutorul unui anumit soft, în
timpul funcționării. Este cel mai flexibil tip de memorie.
• memorie Flash este asemănătoare cu EPROM și EEPROM, dar nu necesită orificiu de ștergere.
 Instrumente de programare a memoriilor ROM

ISTORIC
• La început, cele mai multe memorii ROM erau fabricate având valorile 0 și 1
integrate în pastilă. Pastila reprezintă, de fapt, cipul din siliciu. Acestea se numesc
memorii ROM cu mască, deoarece datele sunt inscripționate în masca cu care este
realizată pastila ROM prin procedeul fotolitografic. Această metodă de fabricare
este economică dacă se fabrică sute sau mii de cipuri ROM cu exact aceleași
informații. Dacă însă trebuie sa se modifice un singur bit, trebuie să se refacă
masca, ceea ce este o operațiune costisitoare. Datorită costurilor și lipsei de
flexibilitate, în prezent aceste memorii ROM cu mască nu se mai folosesc.
 Programarea PROM

• Un PROM gol poate fi programat prin scriere. În mod normal, pentru aceasta, este necesar un aparat special
numit programator de dispozitive, programator de memorii ROM sau arzător de memorii ROM.
• Fiecare bit 1 binar poate fi considerat ca o siguranță fuzibilă intactă. Cele mai multe cipuri funcționează la 5
V, dar atunci când programăm un PROM, aplicăm o tensiune mai mare (de obicei 12 V) pe diferite adrese
din cadrul cipului. Această tensiune mai ridicată topește (arde) fuzibilele din locațiile pe care le alegem,
transformând orice 1 într-un 0. Deși putem transforma un 1 într-un 0, procesul este ireversibil (deci nu putem
reface un 1 dintr-un 0). Dispozitivul de programare analizează programul care urmează să fie scris în cip și
apoi schimbă selectiv biții 1 în 0 numai acolo unde este necesar. Din acest motiv, adeseori, cipurile ROM
sunt numite și OTP (One Time Programmable - programabile o singură dată). Ele pot fi programate o singură
dată și nu pot fi șterse niciodată. Operațiunea de programare a unui PROM durează de la câteva secunde la
câteva minute, în funcție de mărimea cipului și de algoritmul utilizat de către dispozitivul de programare.
 Programarea EPROM

• EPROM-urile sunt identice cu PROM-urile din punct de vedere funcțional și fizic, cu

excepția ferestrei din cuarț de deasupra pastilei. Scopul ferestrei este acela de a
permite luminii ultraviolete să ajungă la pastila cipului, deoarece EPROM-ul poate fi
șters prin expunere la o lumină ultravioletă intensă.
• Lumina ultravioletă șterge cipul prin provocarea unei reacții chimice care reface
fuzibilele prin topire. Astfel, toate 0-urile binare din cip devin l, iar cipul este readus
în starea inițială de fabricație, cu biți l în toate locațiile.
 Programarea EEPROM

• Memoriile EEPROM pot fi șterse și reprogramate chiar în placa cu circuite în care sunt
instalate, fară a necesita un echipament special. Folosind un EEPROM se poate șterge și
reprograma memoria ROM a plăcii de bază într-un calculator fără scoaterea cipului din
sistem sau chiar fără deschiderea carcasei.
• Cipul EEPROM (sau Flash ROM) poate fi identificat prin lipsa ferestrei de pe cip.
Modernizarea memorie ROM de tip EEPROM poate fi făcută cu ușurință, fără a fi nevoie
să schimbăm cipurile. În majoritatea cazurilor, programul ROM actualizat poate fi
descărcat de pe site-ul Web al producătorului plăcii de bază, după care este necesară
rularea unui program furnizat în mod special pentru actualizarea memoriei ROM.