Memorii semiconductoare

utilizate în calculatoare
Memoriile sunt circuite integrate pe scara larga sau foarte larga destinate
inmagazinarii unei cantitati foarte mare de informatie numerica binara.
Tipuri de memorii:

-ROM - (Read Only Memory) nevolatile (a caror continut se pastreaza si

dupa decuplarea tensiuni de alimentare) sunt memorii care in timpul
functionarii pot fi doar citite. Inscrierea informatiei intr-o astfel de memorie
se face intr-o etapa anterioara folosirii ei printr-o procedura care poarta
denumirea de programare,
-RAM (Random Access Memory sau RWM - Read-Write Memory) sunt
memorii volatile (informatia se pierde odata cu decuplarea tensiunii de
alimentare) cu acces aleator care pot fi atat citite cat si inscrise in timpul
functionarii.
Dupa tehnologia utilizata exista memorii:
-bipolare,
-MOS,
-CMOS,
-BiCMOS.
Dupa utilizare avem:
-memorii de program,
-memorii de date.
Parametrii principali:
- Timpul de acces la informatia din memorie - durata cuprinsa intre
momentul adresarii memoriei si momentul in care informatia memorata in
locatia adresata este disponibila la iesire. In general, memoriile bipolare au
un timp de acces (zeci ns) mai mic decat cele MOS.

Ghiță Lorena 9A nr.pag. 4

MEMORII ROM
Memoriile ROM pot fi intalnite in mai multe variante (tipuri):
- ROM - sunt memorii programate prin masca la producator. Adica informatia se scrie la
locul fabricatiei si nu poate fi modificata de utilizator. Utilizatorul este cel care furnizeaza
producatorului continutul memoriei. Pe baza acesteia producatorul realizeaza mastile.
- PROM - sunt memorii programabile la utilizator prin intreruperea sau realizarea unor
conexiuni interne folosind un dispozitiv denumit programator.
-EPROM - sunt memorii programabile care pot fi si sterse la utilizator, acestea fiind
practic memorii reprogramabile. Programarea se face electric cu ajutorul unui
programator iar stergerea se face prin expunerea la radiatie UV (ultravioleta).
Tehnologia folosita este MOS iar capsulele sunt prevazute cu o fereastra de cuart prin
care radiatia UV poate patrunde la structura de siliciu.
-OTPROM - sunt memorii programabile electric folosind tehnologia memoriilor EPROM
la care lipseste fereastra de cuart care permite stergerea si reprogramarea ulterioara.
Sunt memorii care pot fi inscrise o singura data ca si memoriile PROM.
- EEPROM - sunt memorii programabile (reprogramabile) care pot fi sterse electric.
Aceasta poate fi programata si in timpul functionarii.
Schema de principiu a unei memorii ROM

A0.An-1 - linii de adresa

W0.Wm-1 - linii de cuvant.

D0.Dk-1 - linii de date

Decodificatorul (DCD) decodifica codul de selectie, adresa, locatiei de memorie

accesate si activeaza linia de cuvant corespuinzatoare.
Prin activarea liniei de cuvant la iesirea codificatorului (CD) se obtine un cod ce
reprezinta tocmai informatia inmagazinata in locatia de memorie corespunzatoare liniei
de cuvant activate respectiv codului de adresa aplicat la intrarile de adresa.
In aceasta schema sediul informatiei memorata este tocmai codificatorul CD. DCD
poate fi in principiu identic pentru toate memoriile ROM. El nu contine
informatia ce urmeaza sa fie citita. Cuvantul binar obtinut la iesirea CD depinde de
structura codificatorului.
Deci inscrierea unui continut intr-o anumita locatie se face prin modificarea structurii
schemei codificatorului ce corespunde liniei de cuvant respective.

Ghiță Lorena 9A nr.pag. 4

Metode de inscriere a informatiei in codificatorul CD
A. Memorii ROM bipolare
Aceasta categorie de memorii ROM se produce in tehnologie bipolara. Dintre acestea
avem:
1. Memoria ROM - programabila prin masca
In acest caz se utilizeaza programarea1 prin masca. Aceasta se face la producator
folosind o lista a cuvintelor ce trebuiesc generate de CD pentru fiecare adresa, data de
utilizator. Memoria se produce cu CD nestructurat iar printr-o ultima masca se
adapteaza structura CD la cerintele utilizator2ului dupa care urmeaza incapsularea
memoriei. Continutul memoriei nu mai poate fi modificat de utilizator. Acest
procedeu este rentabil numai la un numar foarte mare de bucati.

Adresa Data

In figura se prezinta o parte redusa din structura CD (cea corespunzatoare unei singure
linii de cuvant LC), liniile de bit sunt comune tuturor LC.

Inscrierea lui 1010 se face prin metalizarea conexiunilor l 3 si l1. Astfel bazele
tranzistoarelor T3 si T1 sunt legate la linia de cuvant care atunci cand este activata se
afla la nivel 1 logic. Tranzistoarele lucreaza in regim de repetor si la iesirile D o3 si
Do1 avem nivelul 1 logic, iesirile Do2 si Do0 raman pe 0 logic. Metalizarile conexiunilor l3 si
l1 se realizeaza utilizand o masca adecvata.

1
Programare=Acțiunea de a programa si rezultatul ei
2
Utilizator=persoana care utilizeaza ceva,cel care utilizează,folosește
Ghiță Lorena 9A nr.pag. 4
2. Memoriilor PROM
Acestea sunt memorii standard realizate cu tranzistoare bipolare, programabile de catre
utilizator Utilizatorul foloseste un programator de memorii cu care poate scrie in
memorie informatia dorita, pentru fiecare linie de cuvant. Inainte de programare
(inscrierea informatiei) toti bitii de la iesirea codificatorului CD sunt pe 0
logic. Programarea se face prin intreruperea (vaporizarea) unor conexiuni fuzibile prin
impulsuri de curent generate in mod corespunzator de echipamentul de programare.
Intrerupand fuzibilul ce corespunde unei linii de bit, bitul respectiv va trece pe 1 logic
daca este activata (pe 1 logic). Fuzibilul f este format dintr-un strat conductiv cu
rezistivitate electrica relativ mare pentru ca la trecerea curentului de programare
fuzibilul sa se poata vaporiza prin efect termic. Curentul de programare Ip are valori de
ordinul zecilor sau chiar sutelor de mA.
Diodele Schottky evita ramificarea curentului de programare catre fuzibile care nu
trebuiesc intrerupte. Rezistentele R servesc la limitarea curentului prin tranzistor. In
stare neprogramata iesirile sunt pe 0-logic deoarece R>>rf. O iesire odata programata
pe "1" nu mai poate fi reprogramata pe "0". "Zerourile" in schimb mai pot fi programate
prin "arderea" in continuare a fuzibilelor corespunzatoare.

Sa presupunem ca dorim inscrierea cuvantului 1010. Pentru aceasta se selecteaza linia

de cuvant , ( =1) si se aplica la iesirile Do3 si Do1 impulsuri de curent de zeci sau sute
de mA pe un interval de cateva zeci sau sute de ms care vaporizeaza
fuzibilele f3 si f1 intrerupand in acest fel legaturile respective.

®µ£∞β M
Ă
R

Ghiță Lorena 9A nr.pag. 4

Ghiță Lorena 9A nr.pag. 4