Memorii

Semicon
Circuite de memorie:

Un circuit de memorare este un circuit electronic care permite stocarea si regasirea

ductoar
unor informatii reprezentate sub forma binara care au fost anterior stocate.  Aceasta
implementare se poate realiza in mai multe moduri, in functie de suportul fizic utilizat
ca de exemplu: memorii magnetice, memorii optice, memorii semiconductoare. In

e
continuare ne vom referi numai la memoriile realizate cu dispozitive semiconductoare.

 - memorii cu citire si scriere de date, in aceasta categorie intra asa numitele memorii

cu acces aleator RAM (Random Access Memory) care permit citirea si inscrierea
unor noi date de catre sistemul care le utilizeaza. Pentru acest tip de memorie timpul
de acces este egal pentru orice adresa si ele pot fi selectate in orice ordine. Deoarece
memoriile RAM isi pierd continutul in lipsa alimentarii ele sunt memorii volatile.

 - memorii numai cu citire de date, in aceasta categorie intra memoriile ROM

(Read Only Memory), PROM (Programmable Read Only Memory), EPROM (Eraseabl
e Programmable Read Only Memory

1i
care pot fi
numai citite de catre sistemul care le utilizeaza, stergerea fiind posibila numai in cazul
memoriilor de tip EPROM, dar nu este efectuata de catre sistemul utilizator si nu este
1
Tudorache Gabriel- Clasa a 9 a F
selectiva in raport cu informatia inscrisa. De asemenea tot in aceasta categorie intra si
memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) care pot
fi atat citite cat si sterse in mod selectiv si reprogramate de catre sistemul care le
utilizeaza. Deoarece memoriile ROM nu isi pierd continutul in lipsa alimentarii ele se
numesc nevolatile.

Citirea informatiei stocate necesita furnizarea unor semnale privind locul unde se
gaseste aceasta informatie. Aceste semnale constituie intrari pentru circuitul de
memorie si se numesc adrese. Cuvintele binare memorate constituie date pentru acest
circuit si ele sunt semnale de intrare atunci cand se inscrie in memorie si semnale de
iesire atunci cand se citeste din memorie. Accesul la memorie se face la un moment
de timp bine determinat, care se comunica circuitului de memorie printr-un semnal.
Astfel circuitul de memorie impreuna cu conexiunile sale informationale are structura
din figura 7.1.

Selectia unui cuvânt din memorie se poate face liniar, utilizând un singur decodificator
sau prin coincidenta, utilizând doua decodificatoare 2 – unul pentru linii si altul pentru
coloane (figura 5.2). Selectia prin coincidenta este singura utilizata la memoriile de
capacitate mare. De exemplu în cazul unei memorii avânt o capacitate de 1 Mcuvânt,
sunt necesare 20 de linii de adresa, iar utilizarea unui singur DCD ar presupune ca
acesta sa aiba 1.048.576 linii de iesire, pe când utilizarea a doua DCD, fiecare cu 10
intrari, reduce numarul de linii de iesire pentru fiecare DCD la 1024. În figura 5.2
matricea de memorare este presupusa bidirectionala, la selectia prin coincidenta
cuvântul având o latime de 1 bit. În cazul des întâlnit în practica de cuvinte pe 4, 8
sau 16 biti modelul matricii de memorare bidirectional nu mai satisface si se utilizeaza
un model tridimensional.

Memoriile EPROM (Erasable PROM) sunt reprogramabile electric de catre utilizator.

Circuitele EPROM se sterg prin expunere la radiatii ultraviolete, permitând apoi o noua
înscriere.

2
Decodificatorul: este circuitul logic care activeaza una sau mai multe iesiri in functie de un cuvant de cod (adresa) aplicat la
intrare.
i