Sunteți pe pagina 1din 271

CUPRINS

INTRODUCERE ...................................................................................................................... 4
PARTEA I - NOIUNI TEORETICE FUNDAMENTALE .............................................. 7
1. UNDE ELECTROMAGNETICE ........................................................................................ 8
1.1. Ecuaiile lui Maxwell. Cmp electromagnetic ................................................. 8
1.1.1. Ecuaiile lui Maxwell ................................................................................................8
1.1.2. Cmp electromagnetic; energia cmpului electromagnetic .......................................9
1.2. Unda electromagnetic. Ecuaia de propagare. Proprieti .......................... 10
1.2.1. Ecuaia de propagare a undelor electromagnetice ................................................... 10
1.2.2. Proprietile undelor electromagnetice ................................................................... 11
1.2.3. Spectrul undelor electromagnetice .......................................................................... 14
1.2.4. Starea de polarizare a undelor electromagnetice ..................................................... 21
1.3. Reflexia i refracia undelor electromagnetice .............................................. 25
1.4. Formulele lui Fresnel ..................................................................................... 27
1.4.1. Consecine ale formulelor lui Fresnel ..................................................................... 30
1.5. Absorbia, difuzia i dispersia luminii ............................................................ 39
1.5.1. Absorbia luminii .................................................................................................... 39
1.5.2. Difuzia (mprtierea) luminii ................................................................................ 41
1.5.3. Dispersia luminii..................................................................................................... 42
1.6. Birefringena .................................................................................................. 50
1.7. Fenomene optice neliniare ............................................................................. 53
1.7.1. Consideraii generale .............................................................................................. 53
1.7.2. Generarea armonicii a doua .................................................................................... 57
1.7.3. Armonici superioare ............................................................................................... 59
1.7.4. Oscilaii optice parametrice .................................................................................... 60
2. EMISIA STIMULAT A RADIAIEI ELECTROMAGNETICE. EFECTUL LASER .................. 62
2.1. Emisia stimulat a radiaiei electromagnetice ............................................... 62
2.2. Proprietile radiaiei laser ........................................................................... 67
2.2.1. Monocromaticitatea ................................................................................................ 67
2.2.2. Coerena .................................................................................................................. 67
2.2.3. Directivitatea .......................................................................................................... 68
2.2.4. Intensitatea .............................................................................................................. 68
2.3. Laseri cu mai multe niveluri energetice ......................................................... 69
2.3.1. Laserul cu trei niveluri ............................................................................................ 69
2.3.2. Laserul cu patru niveluri ......................................................................................... 69
2.4. Sistemul laser ................................................................................................. 70
2.4.1. Mediul activ laser ................................................................................................... 71
2.4.2. Mecanismul de excitaie ......................................................................................... 72
2.4.3. Mecanismul de reacie ............................................................................................ 74
2.4.4. Cuplajul de ieire .................................................................................................... 74
2.5. Caviti optice i moduri laser ....................................................................... 75
2.5.1. Unde staionare ....................................................................................................... 75
2.5.2. Moduri longitudinale n laser .................................................................................. 77
2.5.3. Moduri transversale n laser .................................................................................... 81
2.5.4. Caviti optice specifice laserilor ............................................................................ 82
2.5.5. Criteriul stabilitii cavitii .................................................................................... 86
2.6. Tipuri de laseri ............................................................................................... 88
3. GHIDUL DE UND DIELECTRIC CIRCULAR ................................................................. 90
3.1. Concepte i terminologie ................................................................................ 90
2
3.2. Moduri n fibra optic .................................................................................... 92
3.3. Fibra monomod .............................................................................................. 95
3.4. Metoda WKB i cmpuri n nveli ................................................................. 98
3.5. Dispersia intramodal i dispersia intermodal .......................................... 102
3.6. Perturbaii n ghidul de und ....................................................................... 107
4. FENOMENE OPTICE N SEMICONDUCTORI ................................................................ 110
4.1. Efectul fotoelectric intern ............................................................................. 110
4.2. Gropi de potenial cuantice semiconductoare .............................................. 113
PARTEA A II-A DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE ......................................... 118
5. FIBRE OPTICE .......................................................................................................... 119
5.1. Proprieti; propagarea luminii n fibra optic ........................................... 119
5.1.1. Noiuni de baz ..................................................................................................... 119
5.1.2. Propagarea luminii n fibra optic cu profilul indicelui n treapt ........................ 124
5.1.3. Propagarea luminii n fibra optic cu profilul indicelui n gradient ...................... 125
5.1.4. Tipuri de und (moduri) n conductorul optic ....................................................... 126
5.2. Parametrii de baz ai conductoarelor optice ............................................... 129
5.2.1. Frecvena i lungimea de und critice ................................................................... 130
5.2.2. Atenuarea n conductoarele optice ........................................................................ 131
5.2.3. Dispersia semnalului n conductoarele optice ....................................................... 133
5.3. Fabricarea i proprietile fibrelor optice ................................................... 137
5.3.1. Tehnici de topire ................................................................................................... 138
5.3.2. Prepararea fibrelor bogate n oxid de siliciu ......................................................... 140
5.3.3. Absorbia i difuzia ............................................................................................... 144
5.3.4. Caracteristici ale indicelui de refracie.................................................................. 147
5.3.5. Rezistena la rupere a fibrei .................................................................................. 151
6. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE SEMICONDUCTOARE ............................................ 155
6.1. Dispozitive receptoare de radiaie electromagnetic ................................... 155
6.1.1. Noiuni generale ................................................................................................... 155
6.1.2. Fotorezistori .......................................................................................................... 156
6.1.3. Fotodiode. Fotoelemente ...................................................................................... 157
6.1.4. Celule solare ......................................................................................................... 160
6.1.5. Fotodiode p-i-n ..................................................................................................... 167
6.1.6. Fotodiode cu avalan........................................................................................... 170
6.1.7. Fotodiode cu avalan cu heterojonciune ............................................................ 172
6.1.8. Dispozitive cu cuplare (transfer) de sarcin (CCD) .............................................. 173
6.1.9. Fototranzistori ....................................................................................................... 174
6.1.10. Optocuploare ................................................................................................... 174
6.1.11. Mrimi caracteristice fotodetectorilor ............................................................. 174
6.1.12. Limitarea performanelor detectorilor. Zgomotul ............................................ 176
6.2. Dispozitive emitoare de radiaie electromagnetic ................................... 178
6.2.1. Diode luminescente .............................................................................................. 178
6.2.2. Laseri cu semiconductori ...................................................................................... 183
6.2.3. Diode laser ............................................................................................................ 185
6.2.4. Lungimea de und a radiaiei diodelor laser ......................................................... 191
6.2.5. Caracteristici ale fasciculului laser ....................................................................... 192
6.2.6. Diode laser cu dubl heterostructur ..................................................................... 196
6.2.7. Laseri cu gropi de potenial cuantice i laseri cu centri cuantici ........................... 200
6.2.8. Laseri cu reacie distribuit ................................................................................... 203
6.2.9. Laseri cu emisie prin suprafaa unei caviti verticale .......................................... 204
6.3. Modulatoare optice ...................................................................................... 212
6.3.1. Modulatoare electro-optice ................................................................................... 213
6.3.2. Modulatoare acousto-optice .................................................................................. 217
6.4. Multiplexoare i demultiplexoare ................................................................. 218
3
6.4.1. Filtre n straturi subiri .......................................................................................... 218
6.4.2. Reele Bragg gravate n fibr ................................................................................ 218
6.4.3. AWG .................................................................................................................... 218
6.5. Amplificatoare optice ................................................................................... 219
6.5.1. Amplificatoare cu fibr dopat cu erbiu ............................................................... 219
6.5.2. Amplificatoare Raman .......................................................................................... 221
6.5.3. Laseri de pompaj .................................................................................................. 221
6.6. Divizoare i multiplicatoare de frecven .................................................... 221
PARTEA A III-A SISTEME OPTOELECTRONICE ................................................ 222
7. SISTEME DE COMUNICAIE OPTIC ......................................................................... 223
7.1. Canalul de comunicaie optic ..................................................................... 223
7.1.1. Emitorul ............................................................................................................. 224
7.1.2. Receptorul............................................................................................................. 227
7.1.3. Dispozitive de cuplare i mbinare ........................................................................ 229
7.1.4. Parametri ai sistemului de comunicaie ................................................................ 230
7.1.5. Consideraii asupra sistemului de comunicaie ..................................................... 230
7.2. Utilizarea benzii fibrei optice de ctre mai muli utilizatori ........................ 234
7.2.1. Utilizarea n comun a mediului de transmisie. Multiplexarea ............................... 234
7.2.2. Multiplexarea prin divizare n timp (TDM) pe cabluri de fibr optic .................. 235
7.2.3. Multiplexarea prin divizarea n lungime de und (WDM) pe cabluri de fibr optic
236
8. ELEMENTE DE OPTIC INTEGRAT .......................................................................... 238
9. SENZORI CU FIBR OPTIC ...................................................................................... 239
10. STOCAREA OPTIC A INFORMAIEI .................................................................... 248
10.1. Construcia compact-discurilor; codificarea datelor ................................... 248
10.2. Tipuri de compact-discuri ............................................................................ 252
10.3. Standarde pentru CD ................................................................................... 263
BIBLIOGRAFIE ............................................................................................................. 266

4
Introducere
Optoelectronica este o disciplin aflat n plin evoluie, care descrie
fenomene i aplicaii ce implic att electronica, dar i optica, adic electroni
i fotoni. n ultimii 30-40 de ani au avut loc progrese uriae n
optoelectronic, datorit n primul rnd dezvoltrii rapide a reelelor de
comunicaii optice. Dei acestea reprezint o aplicaie important a
optoelectronicii, ea nu este singura. Exist numeroase altele, dintre care
majoritatea sunt deja la dispoziia publicului larg: aparatur de redare i
nregistrare CD i DVD, monitoare i dispozitive de afiare, camere digitale,
dispozitive n infrarou etc. Nu exist o distincie clar ntre termenii
optoelectronic i fotonic, dei cel din urm privete fenomenele i
aplicaiile care implic fotoni, fr o legtur obligatorie cu electronica.
n prezent, optoelectronica privete mai multe categorii funcionale,
dintre care cele mai importante sunt:
- generarea luminii,
- modularea luminii,
- transmisia luminii i conectarea ntre diverse dispozitive,
- amplificarea luminii,
- comutarea luminii,
- izolarea luminii,
- filtrarea luminii,
- multiplexarea i demultiplexarea n lungime de und a luminii,
- detecia luminii
Dispozitivele corespunztoare care implementeaz aceste funcii sunt
emitoare (surse) de lumin, modulatoare (moduleaz lumina conform
informaiei codate aplicate la terminalul de intrare electric), ghiduri de und,
conectoare (permit cuplarea ntre diferite medii de propagare a luminii sau
alte dispozitive i componente n mod eficient i sigur), amplificatoare optice
(amplific semnalul optic ce a fost atenuat ca urmare a propagrii prin mediul
de transmisie), comutatoare optice (permit liniei optice s fie comutat la
diferite locaii, de exemplu cnd apare o ntrerupere pe calea normal i este
nevoie de comutarea pe o legtur de rezerv), izolatoare optice (permit
semnalului optic s se propage numai ntr-un singur sens, prevenind
ntoarcerea semnalului amplificat spre emitor), filtre optice (permit trecerea
unei radiaii luminoase de o anumit lungime de und sau, dimpotriv,
blocarea trecerii alteia), multiplexoare i demultiplexoare, detectoare i altele.



O segmentare n trei funcii optoelectronice permite studiul celei mai
mari pri a componentelor optoelectronice:
5




Dintre aplicaiile cele mai importante ale optoelectronicii, se pot
sublinia cteva, aa cum se poate vedea n schema de mai jos:



Una dintre aplicaiile cele mai importante ale optoelectronicii este
reprezentat de telecomunicaiile optice. Nevoia de noi servicii face ca acest
domeniu s avanseze permanent, n scopul dezvoltrii unor reele
metropolitane i locale eficiente.
Reelele sunt astzi clasificate n funcie de distana geografic pe
care acestea o acoper:
Funcii optice
Emisie optic
(IR, vizibil, UV)
Prelucrarea
informaiei optice
Detecie i
imagistic
Diode laser, LED,
VCSEL, ecrane plate
(OLED, LCD,
plasm, micropuncte)
Matrice de comutaie,
comutatoare optice,
MUX/DEMUX,
amplificatoare optice
CCD, CMOS, matrice
de detecie IR,
microbolometre
Telecomunicaii
optice
Domeniul militar
i spaial
Tehnologia i
tratarea
informaiei
OPTOELECTRONICA
Telecomunicaii
optice
6
reele de distan foarte lung (> 600 km)
reele de distan lung (500 600 km ntre regeneratoarele de semnal)
reele metropolitane DWDM (pn la 150 km)
reele intermediare (40 80 km)
reele de distan foarte scurt (2 40 km)
reele de distan foarte scurt (< 2 km)
Construcia reelelor metropolitane este considerat n prezent sectorul
cel mai activ n domeniul telecomunicaiilor optice. Principalele dezvoltri n
curs pentru a rspunde nevoilor reelelor metropolitane sunt :
1. Dezvoltarea dispozitivelor VCSEL. n prezent, acestea emit la 850 i
1300 nm i sunt, din acest motiv, rezervate pentru reelele de distan
scurt de tip MAN sau LAN. Sursele la 1550 nm sunt rezervate
pentru reelele WAN. Rmn totui unele probleme de rezolvat, cum
ar fi: emisia la 1550 nm, polarizarea rotatorie, puterea mic.
2. Dezvoltarea sistemelor CWDM. Costul sczut al acestei tehnologii
este o alternativ interesant la DWDM pentru aplicaiile
metropolitane. Spaieirea tipic a canalelor CWDM est de 20 nm
pentru un numr de canale sub 16. Diferena de cost fa de DWDM
est de ordinul 4 5.
3. Optica integrat pe sticl
7






Partea I - Noiuni teoretice
fundamentale
8
1. Unde electromagnetice
1.1. Ecuaiile lui Maxwell. Cmp electromagnetic
1.1.1. Ecuaiile lui Maxwell
Ecuaiile lui Maxwell descriu fenomenele electrice i magnetice i au
urmtoarele forme locale i integrale:
1) Ecuaia Maxwell-Faraday (legea induciei electromagnetice)
} }
I
=
c
c
= V =
I S
S d B
dt
d
l d E ;
t
B
E E rot


(1. 1)
2) Ecuaia Maxwell-Ampre (legea induciei magnetoelectrice)
} } }
I I
+ =
c
c
+ = V =
I S S
S d D
dt
d
S d j l d H ;
t
D
j H H rot


(1. 2)
3) Legea lui Gauss a fluxului electric
} }
= = V =
V S
dV S d D ; D D div

(1. 3)
4) Legea lui Gauss a fluxului magnetic
0 S d B ; 0 B B div
S
= = V =
}

(1. 4)
Acestor ecuaii li se asociaz relaiile de material n medii liniare,
omogene i izotrope, de forma:
( ) E E E 1 P E D
r 0 e 0 0

c = c c = _ + c = + c = (1. 5)
( ) ( ) H H H 1 M H B
r 0 m 0 0

= = _ + = + = (1. 6)
unde E P
e 0

_ c = este polarizarea electric, H M
m

_ = este magnetizarea
local, _
e
, _
m
susceptibilitile electric, respectiv magnetic ale mediului, c
permitivitatea electric, permeabilitatea magnetic, H , E

- intensitile
cmpului electric, respectiv magnetic i B , D

- inducia electric, respectiv
magnetic.
De asemenea, trebuie adugate i relaiile:
E j

o = (1. 7)
2 2
j E
dt dv
dW
= o =

(1. 8)
Prima relaie reprezint forma local a legii lui Ohm n absena surselor
de tensiune iar cea de-a doua forma local a legii Joule-Lenz, n care

= o
1

este conductivitatea electric a mediului i j densitatea de curent.
9
Relaiile anterioare permit determinarea mrimilor care caracterizeaz
cmpul electric ) D , E (

i magnetic ) B , H (

n funcie de condiiile iniiale,
condiiile la limit (de frontier) i de caracteristicile electrice i magnetice
ale mediului considerat.
1.1.2. Cmp electromagnetic; energia cmpului electromagnetic
Dac un sistem de sarcini electrice genereaz un cmp electric,
respectiv magnetic, variabile n timp, aceste cmpuri se genereaz reciproc
(cmp electromagnetic). Acest ansamblu de cmpuri variabile n timp se
propag din aproape n aproape printr-un mediu de propagare (sau prin vid)
sub forma unui fenomen periodic n spaiu i n timp, numit und
electromagnetic.
S scriem ecuaiile lui Maxwell sub forma:
t
H
t
B
E rot ;
t
E
j
t
D
j H rot
c
c
=
c
c
=
c
c
c + =
c
c
+ =


(1. 9)
Densitatea volumic de energie a cmpului electromagnetic este dat
de relaia:
( )
2 2
m e
H E
2
1
w w
dV
dW
w + c = + = = (1. 10)
Energia cmpului electromagnetic dintr-un volum V, mrginit de
suprafaa fix E, este, n regim variabil:
( )
}
+ c =
V
2 2
dV H E
2
1
W (1. 11)
Viteza de variaie n timp a energiei cmpului electromagnetic din
volumul V este:
( ) dV
t
H
H
t
E
E dV H E
2
1
t t
W
V V
2 2

|
|
.
|

\
|
c
c
+
c
c
c =
(

+ c
c
c
=
c
c

} }


nlocuind n relaia de mai sus expresiile:
E
H j
t
c
c = V
c
,
H
E
t
c
= V
c
i
( )
E H H E E H V V = V , se obine:
( ) ( )
( )
rad J
V
2
V V
2
V V V
P P S d S dV j dV S dV j
H E dV E j dV E H E j H E
t
W
+ = + = V + =
= V + = V V =
c
c

} } } }
} } }
E


(1.12)
unde j j
1
E

=
o
= ; j
2
reprezint densitatea volumic a puterii disipate
prin efect Joule iar H E S

= este vectorul Poynting, care reprezint
10
densitatea fluxului de energie radiat (energia transportat pe direcia
normal prin unitatea de suprafa a suprafeei E, n unitatea de timp).
Cum
}
=
V
dV w W , rezult: ( )
} } }
V + =
c
c

V V V
2
dV S dV j dV
t
w

,
adic:
2
j S
t
w
= V +
c
c

(1. 13)
Relaia de mai sus reprezint forma diferenial (local) a legii
conservrii energiei cmpului electromagnetic.

1.2. Unda electromagnetic. Ecuaia de propagare. Proprieti
1.2.1. Ecuaia de propagare a undelor electromagnetice
Fie sistemul ecuaiilor lui Maxwell pentru medii neutre ( = 0):
t
E
E H ;
t
H
E ; 0 H ; 0 E
c
c
c + o = V
c
c
= V = V = V


(1. 14)
Aplicnd operatorul rotor (V) celei de-a treia ecuaii din cele de mai
sus i folosind identitatea ( ) ( ) a a a

A V V = V V , rezult:
( ) ( ) ( ) H
t t
H
E E E


V
c
c
=
|
|
.
|

\
|
c
c
V = A V V = V V
nlocuind n relaia de mai sus expresiile lui H i E

V V din
ecuaiile lui Maxwell (1.14), rezult:
t
E
t
E
E
2
2
c
c
o =
c
c
c A

(1. 15)
n mod similar, ( ) ( ) ( ) E
t
E H H H

V
c
c
c + V o = A V V = V V
i nlocuind n relaia de mai sus expresiile lui E i H

V V din ecuaiile lui
Maxwell (1.14), rezult:
t
H
t
H
H
2
2
c
c
o =
c
c
c A

(1. 16)
Dac mediul este dielectric (o = 0), relaiile (1.15), respectiv (1.16)
devin:
0
t
H
H ; 0
t
E
E
2
2
2
2
=
c
c
c A =
c
c
c A

(1. 17)
Se constat cu uurin c relaiile (1.17) sunt formal identice cu
ecuaia undei armonice plane, 0
t v
1
2
2
2
=
c
+ c
A+ , cu soluii de forma:
11
( )
( ) r k t i
0
e t , r

e
+ = + sau ( ) ( ) r k t cos t , r
0

e + = + ,
descriind propagarea spaio-temporal a mrimii asupra creia acioneaz
operatorul ( H sau E

).
Rezult deci c aceste ecuaii descriu propagarea cmpului
electromagnetic (ansamblul de cmpuri electrice i magnetice) n mediul
caracterizat de c i sub forma unei unde electromagnetice.
Viteza de propagare a undei electromagnetice, v, se determin din condiia:
c
= = c
1
v
v
1
2
(1. 18)
Expresia vitezei de propagare poate fi scris i sub forma:
r r 0 0 r r
c 1 1
v
c
=
c c
=
c
= , unde
8
0 0
10 3
1
c ~
c
= m/s (1. 19)
este viteza de propagare a undei electromagnetice n vid.
Se definete indicele de refracie al unui mediu oarecare sub forma:
r r
v
c
n c = = (1. 20)
n cazul cnd mediul este diamagnetic (
r
= 1), expresia indicelui de
refracie este:
r
n c = (1. 21)
Soluiile ecuaiei undelor pentru cmpurile E

i H

sunt:
( )
( ) r k t i
0
e E t , r E

e
= sau ( ) ( ) r k t cos E t , r E
0

e = (1. 22)
( )
( ) r k t i
0
e H t , r H

e
= sau ( ) ( ) r k t cos H t , r H
0

e = (1. 23)
unde
u
v
u
2
k

e
=

t
= (1. 24)
este vectorul de und, u

versorul direciei de propagare a undei i = vT =


=
v
v
lungimea de und a undei.
1.2.2. Proprietile undelor electromagnetice
Fie o funcie de forma: ( )
( )
( )
t i
0
r k t i
0
e r e t , r
e e
+ = + = +

. S
enumerm cteva din proprietile acesteia:
1) ( ) ( ) + e = + e =
c
+ c
+ e = + e =
c
+ c
e

2
2
2
2
t i
0
i
t
; i e r i
t

12
2) aplicarea operatorului V asupra funciei +

nseamn multiplicarea
acesteia cu factorul k i


Astfel, dac:
( )
( ) ( )
z y x z y x
z y x
k z k y k x t i
z 0 z
k z k y k x t i
y 0 y
k z k y k x t i
x 0 x z z y y x x
e u e u
e u u u u
e e
e
+ + + +
+ + = + + + + + = +


unde
z y x
u , u , u

sunt versorii axelor Ox, Oy, respectiv Oz, atunci:
y
x z
x x y y z z
ik ik i k i k
x y z
c+
c+ c+
V + = + + = + + + = +
c c c

Deci, + = + V

k i . n mod asemntor, se poate arta c
+ = + V

k i
3) Soluiile ecuaiilor lui Maxwell, E

i H

fiind de forma funciei +

,
aceste ecuaii, n cazul mediilor neutre i dielectrice, devin:
0 E k i 0 E = = V

(1. 25)
0 H k i 0 H = = V

(1. 26)
H E k
t
H
E

e =
c
c
= V (1. 27)
E H k
t
E
H

c e =
c
c
c = V (1. 28)
Analiznd relaiile de mai sus, rezult c vectorii k

, E

i H

sunt
perpendiculari unul pe cellalt, formnd un triedru ortogonal, ceea ce confer
urmtoarele proprieti undelor electromagnetice:
Undele electromagnetice sunt unde transversale (direcia de oscilaie a
vectorilor E

i H

este perpendicular pe direcia de propagare, care este


cea a vectorului de und, k

).
De exemplu, din relaia (1.27) rezult:
E
u
E
u
v
E
k
H

c
=
e
e
=
e
= , deci
E u H

c
= (1. 29)
Analog, din relaia (1.28), se obine:
H u E

= (1. 30)
Mrimea:
13
c

= =
H
E
Z (1. 31)
se numete impedana mediului i are n vid valoarea O t =
c

= 120 Z
0
0
0
.
Vectorii E

i H

oscileaz n faz.
Energia undei este distribuit n mod egal ntre componentele
electric i magnetic.
n modul, relaia (1.27) se scrie:
H E E H E
v
H kE = c c e =
e
e =
De aici, rezult c densitatea volumic de energie a cmpului electric,
respectiv a cmpului magnetic se afl n relaia:
2
H
w
2
E
w
2
m
2
e

= =
c
= (1. 32)
( )
2 2 2 2
m e em
H E H E
2
1
w w w = c = + c = + = (1. 33)
Proprietile undelor electromagnetice sunt reprezentate n figura 1.1.


Figura 1. 1 Reprezentare grafic a unei unde electromagnetice

Vectorul Poynting, H E S

= , are direcia versorului u al direciei de
propagare, fapt ce rezult din relaia (1.29)
14
Se definete intensitatea undei electromagnetice ca fiind numeric egal
cu energia electromagnetic ce strbate n unitatea de timp unitatea de
suprafa perpendicular pe direcia de propagare:
w v
dV
dW v
dt v dS
dW v
dt dS
dW
I
n n
=

= = (1. 34)
innd cont i de relaia (1.33), se obine:
S H E E H E
E
H
E E
1
I
2 2 2

= = = =

c
= c
c
= (1. 35)
Relaia de mai sus ne arat semnificaia fizic a vectorului Poynting,
modului acestuia fiind egal cu intensitatea undei electromagnetice.
n cazul unei unde armonice plane, ( ) ( ) r k t cos E t , r E
0

e = ,
intensitatea undei are expresia:
( ) r k t cos E I
2 2
0

c
= (1. 36)
Aceasta reprezint valoarea instantanee, valoarea medie fiind:
2
0
E
2
1
I

c
= (1. 37)
Pentru diferite cazuri particulare, cunoscnd caracteristicile mediului,
c, , o, se poate rezolva ecuaia de propagare i se poate gsi forma specific
a funciei de und, pentru mediul respectiv. n cele mai multe cazuri, pentru
medii cu structur mai complex (neomogene, anizotrope etc.), din punct de
vedere practic soluiile sunt mai dificil de calculat, fiind necesar utilizarea
unor metode aproximative sau numerice, pe calculator.
1.2.3. Spectrul undelor electromagnetice
ntr-o clasificare foarte des utilizat, spectrul undelor
electromagnetice este reprezentat ntr-o scar logaritmic n funcie de
frecven i, n paralel, n funcie de lungimea de und, aa cum se poate
vedea n figura 1.2.
Avnd n vedere modul de producere al lor, limitele dintre diferite
categorii de unde nu sunt precise, existnd suprapuneri, ca urmare a faptului
c anumite unde electromagnetice sunt produse de surse diferite. Spectrul
undelor electromagnetice nu are limite superioare sau inferioare dar, n
general, cnd se face o clasificare a acestora, ne referim numai la domeniile
accesibile n prezent, care sunt limitate. Astfel, deosebim:
1. Unde radio, cu lungimi de und ntre civa km pn la 1 m (dup unele
clasificri, pn la 30 cm) i frecvene ntre 10
4
Hz i 0,310
9
Hz
(respectiv 10
9
Hz) sunt produse n instalaii electronice, fiind utilizate n
15
special n radio i televiziune. Se submpart n unde lungi, medii, scurte i
ultrascurte.


Figura 1. 2 Spectrul undelor electromagnetice

2. Microunde, care ocup n spectrul electromagnetic domeniul de
frecvene cuprinse ntre 300 MHz (1 GHz, dup alte clasificri) i 300
8

7

6

5

4

3

2

1

0

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

-10

-11

-12

-13

-14

8

7

6

5

4

3

2

1

0

10

11

12

13

9

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

lg v (v[Hz]) lg ([m])

unde milimetrice

unde centimetrice
unde decimetrice

unde ultrascurte

unde scurte

unde medii
unde lungi

frecvene acustice

m
i
c
r
o
u
n
d
e


c.a. industrial

u
n
d
e

r
a
d
i
o


u
n
d
e

h
e
r
t
z
i
e
n
e


radiaii vizibile

radiaii ultraviolete

radiaii infraroii

d
o
m
e
n
i
u
l

o
p
t
i
c


radiaii

radiaii X

16
GHz, lungimea de und corespunztoare acestui interval de frecvene
variind ntre 1 m i 1 mm. n funcie de lungimea de und se submpart n
unde decimetrice, centimetrice i milimetrice.
Originea termenului de microunde s-a pierdut, el fiind probabil
folosit prima dat n timpul celui de-al doilea rzboi mondial, pentru a
descrie undele de lungimi de und mai mici de 30 cm, adic de valori mult
mai mici dect cele folosite (la acea dat) pentru telecomunicaii.
Interesul pentru acest tip de unde electromagnetice s-a dezvoltat n
momentul cnd s-a constatat c ele sunt mai uor de controlat dect cele de
lungimi de und mai mari deoarece, cu antene de dimensiuni mici, aceste
unde pot fi foarte bine direcionate. n acest fel, energia undei poate fi
concentrat uor ntr-un fascicul ngust, foarte direcionat. Pe de alt parte,
capacitatea canalului de transmisie prin microunde crete i ea, pe msura
valorii mai mari a frecvenei. Cele dou caracteristici au dus la folosirea
microundelor n primul rnd n sistemele de radiolocaie i, apoi n
comunicaiile telefonice.
Regiunea microundelor poate fi definit pe baza tipului de spectre la
care se adapteaz cel mai bine. Astfel, dac regiunea vizibil i UV din
spectrul undelor electromagnetice se caracterizeaz prin faptul c tranziiile
dintre strile energetice electronice din substan sunt msurabile direct iar
energiile de vibraie i rotaie ale moleculelor sunt observate numai ca efecte
perturbatoare, n regiunea infraroie spectrele de vibraie se observ direct, cu
energiile de rotaie observate de obicei ca perturbaii ale spectrelor de
vibraie, iar n regiunea microundelor tranziiile dintre nivelurile energetice
de rotaie ale moleculelor sunt observate direct, cu efecte nucleare aprnd ca
perturbaii de ordinul I.
Interaciunea microundelor cu substana este practic determinat de
mecanismul de absorbie dielectric, aceasta fiind datorat interaciunilor
dintre molecule sau elemente moleculare polare. Sub aciunea unui cmp
electric, acestea tind s se orienteze pe direcia cmpului, tendin uor de
mplinit pentru cmpuri constante sau lent variabile dar practic imposibil de
realizat n cazul cmpurilor de frecven foarte mare (infrarou ) ntre
aceste dou situaii extreme, exist un domeniu de frecvene la care cuplajul
dipolar ntre moleculele polare d natere unei dezordini intermoleculare
crescute, n special cnd distanele intermoleculare sunt mici. Acesta este
domeniul de relaxare dielectric, n care mecanismul de dezordine se traduce
printr-o absorbie dielectric intens, de ctre substana dipolar, a energiei
vehiculate de cmpul electromagnetic. Densitatea volumic de putere
absorbit, deci disipat n cldur, este proporional cu frecvena undei
electromagnetice i cu ptratul valorii efective a intensitii componentei
electrice a acesteia i depinde de substana absorbant prin intermediul
coeficientului de absorbie.
17
n general, frecvenele undelor electromagnetice corespunznd
relaxrii dielectrice au valori cuprinse ntre civa MHz i 100 GHz, n
funcie de natura moleculelor i starea lor de legtur la un substrat. Cazul
apei este n mod particular remarcabil. Pe de o parte, permitivitatea i
coeficientul su de absorbie au valori ridicate i, pe de alt parte, banda sa de
frecvene de absorbie prin relaxare este foarte ntins, n funcie de starea de
agregare: de la civa kHz pentru ghea, stare n care molecula de ap este
blocat, pn la civa GHz pentru apa n stare lichid, scznd din nou
pentru apa n stare gazoas.
Microundele au fost utilizate prima dat n radiolocaie n timpul celui
de-al doilea rzboi mondial. Aplicaiile microundelor s-au limitat pn de
curnd la dou aspecte. Primul este cel referitor la utilizarea microundelor n
sistemele de radiolocaie iar cel de-al doilea la utilizarea acestora la
construcia aa-numitelor cuptoare cu microunde, n varianta electrocasnic
sau cea industrial, pentru tratamente termice. n cuptoarele cu microunde,
acestea sunt generate de o surs (magnetron) i emise sub forma unui fascicul
dirijat spre palele unui ventilator, care reflect i mprtie acete radiaii n
incint. Microundele sunt reflectate de suprafeele metalice dar materialele
plastice, sticla, hrtia sunt transparente fa de acestea.
n ultimul timp domeniul de aplicaii s-a lrgit foarte mult, n primul
rnd prin folosirea microundelor n telecomunicaii (telefonie celular,
televiziune, comunicaii prin satelii), dar i n alte direcii, cum ar fi
aplicaiile medicale, pentru diagnosticare sau ca alternativ la unele metode
chirurgicale. Microundele pot determina scderea poluanilor din aer, pot fi
folosite ca dezinfectant, pot ameliora calitile solvenilor i pot fi folosite
pentru curarea unor soluri contaminate. n domeniul tiinei materialelor,
microundele sunt utilizate la fabricarea calcopiritei (semiconductor pe baz
de cupru), sau pentru extragerea unor probe de materiale pentru analize.
O aplicaie de viitor este n transportul energiei electrice fr linie de
transport, prin convertirea curentului electric alternativ 50 Hz n
hiperfrecvene (microunde) la 2,5 GHz i emiterea unui fascicul de und spre
o anten receptoare. Experienele efectuate de o echip francez de la
Universitatea din Runion au permis transmiterea la o distan de 100 m a
unei densiti de putere de 5 mW/cm
2
, ceea ce nsemn un randament de
60%. Randamentul total al procesului, innd cont de pierderile la conversia
c.a.-microunde i invers, este de 20 %.
Microundele trec practic fr pierderi prin atmosfera umed, ploaie,
fum etc. ceea ce permite, de altfel utilizarea lor n telecomunicaii. De
asemenea, ele trec prin ionosfer (care reflect undele radio), fiind, n acest
fel, utile n comunicaiile prin satelii sau n sisteme speciale, folosind
fascicule maser, utilizate imagistica radiometric pentru observarea suprafeei
terestre din spaiul cosmic Studii teoretice i experimentale precum i
18
simulri pe calculator au artat c exist anumite ferestre optime (35 GHz, 94
GHz i 140 GHz) pentru a obine maximul de eficacitate al unor astfel de
sisteme.
3. Radiaia infraroie are lungimi de und cuprinse n domeniul (10
-3

7,810
-7
) m, respectiv frecvena n domeniul (310
11
410
14
) Hz.
Domeniul se submparte n: infraroul ndeprtat (10
-3
310
-5
) m,
infraroul mijlociu (310
-5
310
-6
) m i infraroul apropiat (310
-6

7,810
-7
) m. Aceste radiaii sunt generate ca urmare a vibraiilor i
rotaiilor moleculare de corpurile calde (radiaie termic) dar domeniul
infrarou ndeprtat este n prezent accesibil i instalaiilor electronice
care genereaz unde submilimetrice.
Existena radiaiilor infraroii a fost prezis nc din 1660, de ctre
Isaac Newton dar punerea n eviden pentru prima dat i aparine
descoperitorului planetei Uranus, William Herschel, n 1800, pe baza unor
studii anterioare ale francezilor Armand Hipolyte, Luis Fizeau i Jean B.
Foucault, iar primele aplicaii n domeniul imaginilor n infrarou au fost
experimentate prin anii 1910 de ctre englezul Wood.
Radiaia infraroie este emis de substane ca urmare a vibraiilor i
rotaiilor moleculare produse de agitaia termic. Din aceast cauz acest tip
de radiaie mai este numit i radiaie termic dar trebuie s subliniem faptul
c, n realitate, radiaia termic nu este limitat la o regiune de lungimi de
und particular sau la un anumit tip particular de spectru. Utilizarea
termenului de radiaie termic este datorat faptului c el definete energia
emis sau absorbit numai ca urmare a echilibrului termic al sistemului. Nu
vom intra aici n detalii referitoare la radiaia corpului negru i ne vom limita
la aminti legea radiaiei a lui Planck:
( )
1 e
1 h c 2
T , w
kT
ch 5
2

t
=

(1. 38)
care descrie dependena de temperatur a densitii fluxului de radiaie a
corpului negru, w(, T). Aceast dependen prezint un maxim cu att mai
pronunat cu ct temperatura este mai mare. Pe de alt parte, acest maxim
respect legea deplasrii, a lui Wien:

max
T = constant
unde
max
este lungimea de und la care densitatea fluxului de radiaie este
maxim. La temperaturi obinuite, maximul se gsete n domeniul infrarou.
Ceea ce este de subliniat n privina radiaiei termice este faptul c ea
prezint un spectru continuu., ca urmare a numrului mare de oscilatori din
ansamblul emitor, care oscileaz cu energii distribuite conform legii de
distribuie Boltzmann.
19
O regiune spectral n domeniul infrarou, foarte important prin
prisma aplicaiilor, este cea ntre 8 i 12 m. n acest domeniu, radiaia
respectiv nu este absorbit de cea, nori sau fum, ceea ce face ca aceast
radiaie s poat fi folosit n obinerea imaginilor n infrarou. Drept
material fotosensibil n acest domeniu, este folosit de mai mult timp un aliaj
de mercur, cadmiu i telur, cu ajutorul cruia sunt realizate aa-numitele
detectoare MCT. Costul unor astfel de dispozitive este ns foarte ridicat,
astfel c au fost cutate i alte posibiliti. O alternativ o reprezint
structurile mixte de GaAs i AlGaAs
2
, substane care au aceeai structur
cristalin dar structur electronic diferit. Din aceast cauz, astfel de
structuri de straturi succesive foarte subiri din cele dou substane prezint
proprieti de absorbie foarte bune n infrarou. Structura energetic
electronic a acestor materiale (numite structuri cu barier de potenial
multicuantic), poate fi controlat prin structura straturilor respective.
Singurul inconvenient este faptul c funcionarea unor astfel de dispozitive de
captare n infrarou trebuie s aib loc la temperaturi joase (~ 60 K) ceea ce
impune rcirea lor prin sisteme criogenice costisitoare, folosind heliu lichid.
O realizare recent permite ridicarea temperaturii pn la 77 K, ceea ce
permite utilizarea azotului lichid, mult mai ieftin.
n afara aplicaiilor n domeniul imaginilor n infrarou, acest tip de
radiaie electromagnetic are i alte aplicaii. Astfel, n medicin, radiaia
infraroie este utilizat n tratarea unor afeciuni dermatologice,
reumatologice sau n recuperare, pe baza efectului termic produs n esutul
iradiat.
Materialele bune reflecttoare ale radiaiei infraroii, cum ar fi
straturile subiri de metale (aur), sunt utilizate la fabricarea geamurilor sau a
altor materiale de construcie folosite la cldiri n zone calde.
n industrie, radiaia infraroie este utilizat la cuptoarele destinate n
special pentru uscri rapide.
O aplicaie important este cea care utilizeaz radiaia infraroie
pentru comanda la distan sau la senzorii termici, bazai n funcionarea lor
pe faptul c orice corp emite o radiaie termic ce l deosebete de altul,
pentru c energia emis i distribuia ei spectral depinde att de temperatura
corpului, ct i de natura materialului din care este fcut. Senzorii termici
detecteaz diferenele n radiaia primit de la diferite corpuri; cum acestea
sunt adesea considerabile, o imagine n infrarou poate avea o gam larg de
contraste.
n sfrit, s amintim aici utilitatea radiaiilor infraroii n astronomie
i astrofizic.
Domeniul infrarou este unul dintre cele mai utile domenii spectrale
n identificarea compoziiei unui corp, deoarece n acest caz este vorba att de
energie absorbit, ct i emis (n cantiti egale dac acesta se afl n
20
echilibru termic). Astfel, plantele reflect mult mai mult energie n domeniul
infrarou dect n cel vizibil, putndu-se determina mult mai uor anumite
proprieti ale acestora analiznd radiaia infraroie emis. Aceasta poate fi
util i n alte situaii, cum este cazul rocilor i mineralelor, cnd ea aduce
informaii utile n clasificarea anumitor roci. De exemplu, se poate detecta
prezena materialelor argiloase printre alte minerale (fapt important n
exploatarea minereurilor de aur i argint).
4. Radiaia vizibil (lumina) este un domeniu foarte ngust al spectrului
electromagnetic, avnd n limitele (7,810
7
3,810
7
) m. Aceste
radiaii sunt produse de dezexcitrile atomice i moleculare.
5. Radiaia ultraviolet este un domeniu cu n limitele (3,810
7
610
10
)
m, fiind produs n general de acelai tip de surse ca i radiaia vizibil.
6. Radiaia X (Roentgen) are un domeniu al lungimilor de und n limitele
(10
9
610
12
) m i poate fi produs la interaciunea particulelor
electrizate de energii mari (electroni accelerai la tensiuni de ordinul 10
4

10
5
V) cu nveliul electronic al atomilor (radiaie X caracteristic, cu
spectru discret) sau cu nucleele acestora (radiaie X de frnare, cu spectru
continuu)
7. Radiaia este emis de nucleele substanelor radioactive sau n anumite
reacii nucleare i are lungimi de und n domeniul (10
10
10
14
) m
Este de remarcat faptul c nu exist un standard unic de clasificare i
mprire a benzilor de unde electromagnetice, mai ales n spectrul utilizat n
telecomunicaii. Astfel, firma Hewlwtt-Packard folosete propriul sistem de
clasificare, prezentat n tabelul 1.1:

Tabel 1.1 Clasificarea undelor electromagnetice n sistemul Hewlwtt-
Packard
Banda Frecvena (GHz) Banda Frecvena GHz)
L 1 2,6 P 12,4 18
S 2,6 3,95 N 15 22
G 3,95 5,85 Ku 15,3 18
J 4,9 7,05 K 18 26,5
H 5,3 8,2 R 25,5 40
X 7,05 10 milimetrice 30 300
M 10 15 submilimetrice > 300

O mprire a domeniului de la grania dintre microunde i radiaia
infraroie, destul de utilizat, este cea din tabelul 1.2:


21
Tabel 1.2 Clasificarea undelor electromagnetice la limita dintre microunde
i radiaia infraroie
Banda Frecvena (Hz)
(m)
Infrarou ndeprtat
> 610
12
< 510
-5
Unde submilimetrice
310
11
610
12
510
-5
10
-3
Unde milimetrice
310
10
310
11

10
-3
10
-2


Analiznd cele de mai sus, este evident faptul c spectrul
electromagnetic se poate mpri n trei pri principale:
1. domeniul radiaiilor de energii mari (tipul corpuscular), provenite din
procese nucleare, situat la frecvene mari;
2. domeniul undelor radio i microundelor (tipul ondulatoriu), generate n
instalaii electronice, situat la lungimi de und mari;
3. domeniul optic (radiaii infraroii, vizibile i ultraviolete), situat ntre
celelalte dou domenii mai sus amintite i prezentnd ambele caractere
(corpuscular i ondulatoriu); gruparea acestor tipuri de radiaii
electromagnetice n domeniul optic are ca baz att modul comun de
generare (procese atomice i moleculare) ct i tehnicile experimentale
comune.
1.2.4. Starea de polarizare a undelor electromagnetice
Dac n timpul propagrii undei planele de oscilaie ale vectorilor E
i H ai undei electromagnetice rmn aceleai (nu se modific n timp), unda
este o und liniar (plan) polarizat. Planul de oscilaie al vectorului E se
numete plan de vibraie, iar planul de oscilaie al vectorului H se numete
plan de polarizare.
Fie Oz direcia de propagare a undei electromagnetice. Vectorul E
(vectorul luminos) oscileaz perpendicular pe direcia de propagare.


Figura 1. 3 Descompunerea intensitii cmpului electric n planul transversal
22
Proiecia acestui vector n planul xOy se poate descompune pe
direciile Ox i Oy (figura 1.3), iar oscilaiile pe aceste direcii sunt n general
defazate ntre ele cu un unghi oarecare, . Atunci,
E
x
= E
0x
coset ; E
y
= E
0y
cos(et + ) (1. 39)
unde E
0x
i E
0y
reprezint amplitudinile componentelor vectorului E pe
direciile Ox, respectiv Oy.
Din relaiile (1.39) rezult:
= e e = = e sin
E
E
1 cos
E
E
sin t sin cos t cos
E
E
;
E
E
t cos
2
x 0
2
x
x 0
x
y 0
y
x 0
x
Regrupnd termenii i ridicnd relaia la ptrat, se obine:

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|

2
x 0
x
2
x 0
x
y 0
y
sin
E
E
1 cos
E
E
E
E

Rezult:
= +
2
y 0 x 0
y x
2
x 0
2
x
2
y 0
2
y
sin cos
E E
E E
2
E
E
E
E
(1. 40)
Relaia de mai sus este din punct de vedere formal ecuaia unei elipse
care reprezint proiecia n planul (xOy) a curbei descrise de vrful vectorului
E

n timpul propagrii (figura 1.4). Elipsa este nscris ntr-un dreptunghi cu


laturile paralele cu axele i avnd lungimea egal cu 2E
0x
, respectiv 2E
0y
,
axele elipsei fiind rotite cu unghiul u fa de axele de coordonate.


Figura 1. 4 - Proiecia n planul (xOy) a curbei descrise de vrful vectorului E


n timpul propagrii

Unda pentru care proiecia vrfului vectorului E

descrie o elips ntr-


un plan perpendicular pe direcia de propagare se numete und polarizat
eliptic. Forma i orientarea elipsei depind de amplitudinile E
0x
i E
0y
i de
defazajul dintre oscilaiile pe cele dou axe, Ox i Oy.
23
Cazuri particulare
1. = 2mt (m = 0, 1 , 2 , 3 , .), sin = 0, cos = 1 i rezult:
x
x 0
y 0
y
2
y 0
x
y 0
y
E
E
E
E 0
E
E
E
E
= =
|
|
.
|

\
|

aceasta reprezentnd ecuaia unei drepte din cadranele 1 i 3, de pant
x 0
y 0
E
E
tg = o . n acest caz, unda este o und liniar polarizat (figura 1.5).


Figura 1. 5 Und polarizat liniar

2. = (2m + 1)t (m = 0, 1 , 2 , 3 , .), sin = 0, cos = 1 i
rezult:
x
x 0
y 0
y
2
y 0
x
y 0
y
E
E
E
E 0
E
E
E
E
= =
|
|
.
|

\
|
+ ,
aceasta reprezentnd ecuaia unei drepte din cadranele 2 i 4, de pant
x 0
y 0
E
E
) ( tg = o . n acest caz, unda este tot o und liniar polarizat (figura
1.5, segmentul punctat).
3. ( )
2
1 m 2
t
+ = (m = 0, 1 , 2 , 3 , .), sin = 1, cos = 0 i
rezult: 1
E
E
E
E
2
x 0
2
x
2
y 0
2
y
= + , aceasta reprezentnd ecuaia unei elipse cu axele
pe direcia axelor de coordonate (figura 1.6). n acest caz, dac
2
t
= ,
E
0x
E
0y
y
x
o
o
E
E
24
unda este o und polarizat eliptic drept iar dac
2
3t
= , unda este o
und polarizat eliptic stng.


Figura 1. 6 Und polarizat eliptic

4. Dac E
0x
= E
0y
= E
0
, se obine E
x
2
+ E
y
2
= = E
0
2
, care este ecuaia unui
cerc, unda fiind o und circular polarizat.
Dac vectorul E

al undei oscileaz n mod egal pe toate direciile


situate ntr-un plan perpendicular pe direcia de propagare, unda
electromagnetic este o und nepolarizat (figura 1.7).


Figura 1. 7 Und nepolarizat

Din interaciunea luminii cu diferite sisteme optice se poate obine o
und parial polarizat (figura 1.8), la care exist o direcie de oscilaie
privilegiat (1 1), fa de direcia perpendicular (2 2). Dac I
1
i I
2
sunt
intensitile componentelor undei care oscileaz pe direcia (1 1), respectiv
(2 2), se definete gradul de polarizare:
E
0x
E
0y
y
x
E
25
2 1
2 1
I I
I I
P
+

= (1. 41)
Lumina natural emis de Soare, surse incandescente, tuburi de
descrcare n gaze este nepolarizat. Atomii emit lumin un timp foarte
scurt (10
8
s), la momente ntmpltoare. Ei pot fi considerai drept dipoli
oscilani care emit o und de durat finit (tren de und), n care vectorul E


este paralel cu axa dipolului. Fiecare tren de und (und elementar) emis de
un atom este o und polarizat liniar. Sursele naturale conin un numr foarte
mare de dipoli care emit trenuri de und n mod haotic i ale cror axe sunt
orientate izotrop n spaiu. Ca urmare, este evident c lumina natural este o
suprapunere de unde elementare emise de dipolii sursei i este deci
nepolarizat.


Figura 1. 8 Und parial polarizat

Dac P = 0, I
1
= I
2
, lumina este nepolarizat, iar dac P = 1, I
2
= 0,
lumina este total (liniar) polarizat; pentru 0 < P < 1 lumina este parial
polarizat.

1.3. Reflexia i refracia undelor electromagnetice
S considerm suprafaa E, ce separ dou medii omogene, izotrope,
liniare i semi-infinite, cu constantele de mediu c
1
,
1
, respectiv c
2
,
2
; la
frecvene optice,
1
~ 1 i
r
n c ~ . Dac pe suprafaa de separare nu exist
cureni i sarcini electrice, componentele tangeniale (paralele cu suprafaa de
separare) ale vectorilor se conserv.
Fie undele incident, reflectat i transmis, ale cror ecuaii sunt:
- ecuaia undei incidente:
( ) r k t i
0
e E E


e
=
- ecuaia undei reflectate:
( ) r k t i
0
e E E


' e'
' = ' (1. 42)
- ecuaia undei transmise:
( ) r k t i
0
e E E


' ' e' '
' ' = ' '
2
1
2
1
26
Vectorii intensitate a cmpului magnetic ai celor trei unde sunt:
( ) ( ) ( ) E u H ; E u H ; E u H
1
1
1
1
1
1
' ' ' '

c
= ' ' ' '

c
= '

c
=

(1. 43)
unde u , u , u ' ' '

sunt versorii direciilor de propagare ai undelor incident,
reflectat, respectiv transmis.
n modul, relaiile (1..43) pot fi scrise sub forma:
H ~ n
1
E; H ~ n
1
E; H ~ n
1
E (1. 44)
Planul determinat de direcia undei incidente i normala la suprafaa
de separare, E, se numete plan de inciden. Vectorii E

i H

pot fi
descompui n componente paralele cu planul de inciden (E
p
, H
p
) i
perpendiculare pe planul de inciden (E
s
, H
s
):
p s p s p s
p s p s p s
H H H ; H H H ; H H H
E E E ; E E E ; E E E
' ' + ' ' = ' ' ' + ' = ' + =
' ' + ' ' = ' ' ' + ' = ' + =



Fie componentele E
s
ale undei luminoase n cazul cnd undele
incident, reflectat i transmis formeaz unghiurile o, o i o cu normala
la suprafaa E n punctul de inciden (figura 1.9). Folosim un sistem de
coordonate avnd originea n punctul de inciden, axa Oz orientat pe
direcia normalei la suprafaa E, axa Ox tangent la suprafaa E, axa i
coninut n planul de inciden i axa Oy normal la planul de inciden
(planul xOz este deci planul de inciden).


Figura 1. 9 Componentele normal i paralel cu planul de inciden ale
undelor luminoase incident, reflectat i transmis

Conservarea componentei tangeniale a vectorului luminos, E,
impune ca:
(E
s
+ E
s
)
E
= (E
s
)
E
(1. 45)
( ) ( ) ( ) r k t i
s 0
r k t i
s 0
r k t i
s 0
e E e E e E

' ' e' ' ' e' e


' ' = ' + (1. 46)
27
Amplitudinile E
os
, E'
os
i E''
os
fiind constante, relaia (1.46) poate fi
adevrat la orice moment t i n orice punct de pe suprafaa E (orice r

),
numai dac exponenii sunt egali, adic:
r k t r k t r k t

' ' e' ' = ' e' = e (1. 47)


ceea ce implic:
- e = e' = e'' (frecvena undei nu se modific la reflexie i refracie)
- r k r k r k

' ' = ' = , ceea ce se mai poate scrie sub forma:


r u
v
r u
v
r u
v
2 1 1

' '
e
= '
e
=
e
(1. 48)
sau
r u
v
v
r u r u
2
1

' ' = ' = (1. 49)
Fie P( r

) e E un punct de pe axa Oy, ceea ce nseamn c


y
u y r

= .
Din relaia (1.49), innd cont de expresia lui r , rezult:
y
2
1
y y
u u
v
v
u u u u

' ' = ' =
Dar 0 u u
y
=

pentru c Oy u

ceea ce nseamn c i Oy u '

,
Oy u ' '

, adic att u

ct i u'

i u ' '

sunt n planul xOz. Altfel spus:


Undele incident, reflectat i transmis sunt coplanare.
Dac punctul din planul de inciden se alege pe axa Ox, atunci
x
u x r

= i din (1.49) rezult:
x x
u u u u

' = cos(90 o) =cos(90 o) o = o, aceasta
reprezentnd a doua lege a reflexiei:
Unghiul de inciden este egal cu unghiul de reflexie.
Pe de alt parte,
x
2
1
x
u u
v
v
u u

' ' = cos(90 o) =cos(90 o), deci:
. ct n
n
n
v
v
r sin
i sin
sin
sin
1
2
2
1
= = = = =
o ' '
o
a doua lege a refraciei.
Raportul dintre sinusul unghiului de inciden i sinusul unghiului de
refracie este constant, pentru dou medii omogene i izotrope.

1.4. Formulele lui Fresnel
Formulele lui Fresnel stabilesc relaii ntre amplitudinile i energiile
undelor incident, reflectat i transmis la suprafaa de separare dintre dou
medii.
28
Ecuaiile undelor sunt date de (1.43) i (1.44). Considerm unda
incident nepolarizat ca fiind rezultanta a dou unde plane care se propag
cu aceeai vitez, n aceeai direcie, polarizate n plane perpendiculare (E
p

paralel, respectiv E
s
perpendicular pe planul de inciden.
1. Vectorul E

este coninut n planul de inciden (E


p
i H
s
)
Fie amplitudinile undelor E
p
i H
s
: E
0
, E
0
, E
0
, respectiv H
0
, H
0
,
H
0
, cu H
0s
~ n
1


E
0p
, H
0s
~ n
1
E
0p
, H
0s
~ n
2
E
0p
.


Figura 1. 10

Conform figurii 1.10, conservarea componentelor tangeniale (din
planul xOy) se scrie astfel:
E
0
cos i E
0
cos i = E
0

cos r
H
0
+ H
0
= H
0
n
1
E
0
+ n
1
E
0
= n
2
E
0

E
0
cos i E
0
cos i = E
0

cos r
n
1
E
0
+ n
1
E
0
= n
2
E
0
(1. 50)

Folosind legea refraciei, n
1
sini = n
2
sinr , relaiile (1.50) devin:

' ' = ' ' = ' +


' ' = '
r sin
i sin
E
n
n
E E E
i cos
r cos
E E E
0
1
2
0 0 0
0 0 0
(1. 51)
Prin mprirea celor dou relaii de mai sus, se obine:
i 2 sin
r 2 sin
i sin i cos
r sin r cos
E E
E E
0 0
0 0
=

=
' +
'

( ) ( )
( ) ( ) r i cos r i sin 2
r i cos r i sin 2
E
r 2 sin i 2 sin
r 2 sin i 2 sin
E E
0 0 0
+
+
=
+

= '
29
de unde se poate exprima amplitudinea undei transmise:
( )
( )
p 0 p 0
E
r i tg
r i tg
E
+

= '
(1. 52)
Prin adunarea celor dou relaii din sistemul (1.51) rezult:
( ) ( )
i cos r sin
r i cos r i sin
E
i cos r sin
i 2 sin r 2 sin
2
E
r sin
i sin
i cos
r cos
E E 2
0
0
0 0

+
' ' =

' '
=
|
.
|

\
|
+ ' ' =
De aici rezult:
( ) ( )
p 0 p 0
E
r i cos r i sin
i cos r sin 2
E
+

= ' ' (1. 53)
Rezultate analoage se obin i pentru componentele vectorului H
s
.
2. Vectorul E

este perpendicular pe planul de inciden (E


p
i H
s
)
Conform figurii 1.11., conservarea componentelor tangeniale ale
vectorilor E

i H

se scrie:
E
0
+ E
0
= E
0

H
0
cos i H
0
cos i = H
0

cos r
innd cont de relaiile dintre componenta magnetic i cea electric:
H
0p
~ n
1
E
0s
; H
0p
~ n
1
E
0s
;
H
0p
~ n
1
E
0s

a doua din relaiile de mai sus se poate scrie sub forma:
(n
1
E
0
n
1
E
0
)cos

i = n
2
E
0
E
0
E
0
=
0
cos r sini
E
cosi sin r
''

Figura 1. 11

Formm sistemul:

' ' = '


' ' = ' +
r sin
i sin
i cos
r cos
E E E
E E E
0 0 0
0 0 0
(1. 54)
30
Adunm cele dou ecuaii ale sistemului (1.54):
( )
i cos r sin
r i sin
E
i cos r sin
r cos i sin
1 E E 2
0 0 0

+
' ' =
|
.
|

\
|

+ ' ' =
( )
s 0 s 0
E
r i sin
i cos r sin
2 E
+

= ' ' (1. 55)


nlocuind relaia (1.55) n prima ecuaie a sistemului (1.54) se obine:
( ) ( ) r i sin
r cos i sin i cos r sin
E 1
r i sin
i cos r sin 2
E E
0 0 0
+

=
|
|
.
|

\
|

+

= '
De aici,
( )
( )
s 0 s 0
E
r i sin
r i sin
E
+

= ' (1. 56)


Rezultate analoage se obin i pentru componentele vectorului H
p
.
3. Incidena normal
n acest caz, i = r = 90, cos i = cos r = 1 ; nu se poate defini planul
de inciden, rezultnd aceleai relaii pentru E
p
i E
s
. innd cont de legea a
doua a refraciei, putem scrie:
( )
0
1
2
1
2
0 0 0
E
n
n
1
n
n
1
i cos r cos
r sin
i sin
r cos
r sin
i sin
i cos
E
r i sin
r cos i sin i cos r sin
E E
+

=
+

=
+

= '
Deci:
0
1 2
1 2
0
E
n n
n n
E
+

= '
(1. 57)
0
1
2
0 0 0
E
1
n
n
2
i cos r cos
r sin
i sin
i cos 2
E
i cos r sin r cos i sin
i cos r sin 2
E E
+
=
+
=
+

= ' '
0
1 2
1
0
E
n n
n 2
E
+
= ' '
(1. 58)
Relaiile (1.52), (1.53), (1.55), (1.56) (1.57) i (1.58) poart numele de
formulele lui Fresnel.
1.4.1. Consecine ale formulelor lui Fresnel
- Saltul de faz al undei la reflexie
Dac n
2
> n
1
(i > r), din expresia lui E'
0
al undei reflectate (relaiile
1.52, 1.55, 1.57) se observ c acesta are semn contrar fa de E
0
al undei
incidente, ceea ce nseamn c unda reflectat i schimb sensul de oscilaie,
31
adic sufer un salt de faz egal cu t, echivalnd cu o parcurgere de ctre
und a unei distane suplimentare egal cu /2 (pierdere de /2).
Dac n
2
< n
1
sensul de oscilaie se pstreaz i nu are loc o schimbare
de faz la reflexie.
n cazul undei transmise, din expresia lui E
0
(relaiile 1.53, 1.56,
1.58) se observ c ntotdeauna amplitudinea undei transmise are acelai
semn cu cea a undei incidente, deci la refracie nu se produce un salt de faz
sau o schimbare a sensului de oscilaie.
- Coeficienii lui Fresnel
Aceti coeficieni se exprim prin rapoarte de amplitudini ale undelor
reflectat, transmis i incident. Astfel, coeficienii de reflexie au expresiile:
( )
( )
( )
( ) r i sin
r i sin
E
E
r ;
r i tg
r i tg
E
E
r
s 0
s 0
s
p 0
p 0
p
+

=
'
=
+

=
'
= (1. 59)
iar pentru incidena normal:
2 1
2 1
0
0
n n
n n
E
E
r
+

=
'
= (1. 60)
Coeficienii de transmisie au expresiile:
( ) ( ) ( ) r i sin
i cos r sin 2
E
E
t ;
r i cos r i sin
i cos r sin 2
E
E
t
s 0
s 0
s
p 0
p 0
p
+

=
' '
=
+

=
' '
= (1. 61)
La inciden normal,
2 1
1
0
0
n n
n 2
E
E
t
+
=
' '
= (1. 62)
- Polarizarea luminii prin reflexie i refracie
S considerm c o und luminoas sufer fenomenul de reflexie n
condiia n care i + r = 90. Atunci:
i tg
i cos
i sin
i
2
sin
i sin
r sin
i sin
n
n
1
2
= =
|
.
|

\
|

t
= =
n acest caz, unghiul de inciden, notat cu i
B
se numete unghi
Brewster i este dat de:
1
2
B
n
n
i tg = (1. 63)
Relaia de mai sus reprezint legea lui Brewster, care exprim
valoarea unghiului de inciden al unei unde, pentru care unda reflectat este
total polarizat.
Astfel, la inciden brewsterian, componenta paralel cu planul de
inciden a undei reflectate se anuleaz:
32
( )
( )
( )
0
2
tg
r i tg
E
r i tg
r i tg
E
p 0 p 0

t

=
+

= '
n timp ce E
0s
= 0, deci pentru i = i
B
unda reflectat este total polarizat ntr-
un plan perpendicular pe planul de inciden.
Calculnd n acest caz gradul de polarizare, valoarea lui este:
1
E E
E E
P
p 0 s 0
p 0 s 0
=
' + '
' '
=
ceea ce arat polarizarea total a undei.
S considerm o und incident nepolarizat (E
0s
= E
0p
); se pot
deosebi mai multe situaii:
- i = r = 0 (inciden normal)
( )
( )
( )
( )
( )
( )
1
0 cos
0 cos
r i cos
r i cos
r i sin
r i sin
r i tg
r i tg
E
E
s 0
p 0
= =

+
=
(

=
'
'
; P = 0
n acest caz unda reflectat este nepolarizat.
- 0 < i < 90 , i = i
B
.
( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
1
r i cos r i cos
r i cos r i cos
P ; 1
r i cos
r i cos
E
E
s 0
p 0
<
+ +
+
= <

+
=
'
'

n acest caz unda reflectat este parial polarizat ntr-un plan
perpendicular pe planul de inciden.
- i = i
B
unda reflectat este total polarizat ntr-un plan perpendicular
pe planul de inciden.
- i = 90 (inciden razant)
( )
( )
1
r sin
r sin
r 90 cos
r 90 cos
E
E
s 0
p 0
= =

+
=
'
'
; P = 0
Ca i n cazul incidenei normale, unda reflectat este nepolarizat.
Pentru unda refractat putem scrie:
( ) ( ) ( ) ( ) r i cos
1
r i sin
i cos r sin 2
r i cos r i sin
i cos r sin 2
E
E
s 0
p 0

=
(

+

=
' '
' '

- i = r = 0 (inciden normal)
1
0 cos
1
E
E
s 0
p 0
= =
' '
' '
; P = 0
La inciden normal unda transmis este nepolarizat.
- 0 < i < 90
( )
1
r i cos
1
E
E
s 0
p 0
>

=
' '
' '
; 0 < P < 1
Unda refractat este parial polarizat n planul de inciden
33
Se poate constata din cele de mai sus c prin refracie nu se poate
obine lumin total polarizat. Se poate totui crete gradul de polarizare prin
refracii multiple. Astfel, este evident c, dup n refracii identice:
( ) | |
n
s 0
p 0
r i cos
1
E
E

=
' '
' '

Pentru n suficient de mare,
( ) | |
1
1
E
E
1
E
E
E E
E E
P ; 1
r i cos
1
E
E
s 0
p 0
s 0
p 0
s 0 p 0
s 0 p 0
n
s 0
p 0

+
' '
' '

' '
' '
=
' ' + ' '
' ' ' '
= >>

=
' '
' '

- Distribuia energiei undei la suprafaa de separare dintre dou
medii diferite
Definim fluxul energetic al unei unde ca fiind numeric egal cu energia
ce strbate n unitatea de timp o suprafa oarecare, orientat normal la
direcia de propagare. innd cont de aceast definiie precum i de relaiile
(1.34) i (1.35), putem scrie:
n
2
0 n
2
n n
S E n ~ S E S H E S I
dt
dW

c
= = = = u


Definim reflectana sau factorul de reflexie prin relaia:
u
u'
= R (1. 64)
i transmitana sau factorul de transmisie prin relaia:
u
u ' '
= T (1. 65)
unde u, u i u reprezint fluxul undei incidente, reflectate, respectiv
refractate (transmise).

Figura 1. 12 - Suprafeele normale ale undelor incident, reflectat i transmis

Din figura 1.12 se pot exprima relaiile ntre suprafeele normale ale
undelor incident, reflectat i transmis, corespunztoare unei suprafee S
0

de pe suprafaa de separare dintre cele dou medii:
34
S = S = S
0
cos i ; S = S
0
cos r
de unde rezult:
2
incident 0
2
reflectat 0
2
0
2
0
2
0 1
2
0 1
E
E
E
E
S E n
S E n
R =
'
=

' '
= (1. 66)
2
incident 0 1
2
reflectat 0 2
2
0 1
2
0 2
2
0 1
2
0 2
E i cos n
E r cos n
E i cos n
E r cos n
S E n
S E n
T


=

' '
=

' ' ' '
= (1. 67)
La inciden normal:
2
1 2
1 2 2
2
0
2
0
n n
n n
r
E
E
R
|
|
.
|

\
|
+

= =
'
== (1. 68)
( )
2
2 1
2 1
2
2 1
1
1
2 2
1
2
2
0 1
2
0 2
n n
n n 4
n n
n 2
n
n
t
n
n
E 0 cos n
E 0 cos n
T
+

=
|
|
.
|

\
|
+
= =

' '
= (1. 69)
Se poate constata cu uurin c R + T = 1.
La inciden oarecare, se definesc reflectana i transmitana pentru
componentele s i p ale undelor:
( )
( )
( )
( )
2
2
s
2
s 0
2
s 0
s
2
2
p
2
p 0
2
p 0
p
r i sin
r i sin
r
E
E
R ;
r i tg
r i tg
r
E
E
R
(

= =
'
=
(

= =
'
= (1. 70)
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) r i sin
r 2 sin i 2 sin
r i sin
i cos r sin 2
i cos
r cos
r sin
i sin
t
i cos n
r cos n
T
r i cos r i sin
r 2 sin i 2 sin
r i cos r i sin
i cos r sin 2
i cos
r cos
r sin
i sin
t
i cos n
r cos n
T
2
2
2
s
1
2
s
2 2
2
2
p
1
2
p
+

=
(

=
+

=
(

+

=

=
(1. 71)
Dac n
2
< n
1
,

atunci i < r. Pentru r = 90 , i = (figura 1.13). Acest
unghi, , se numete unghi limit.
sin

=
2
1
n
n
(1. 72)
Figura 1. 13 Reflexia total
35
Reprezentarea grafic a variaiei reflectanei i transmitanei n funcie
de unghiul de inciden este dat n figurile 1.14 (cazul n
2
> n
1
) i 1.15 (cazul
n
1
> n
2
).

Figura 1. 14 Variaia reflectanei i transmitanei n funcie de unghiul de
inciden (cazul n
2
> n
1
)

Se observ c la i = i
B
lumina este total polarizat (R
p
= 0) prin
reflexie, dar u
refl
> u
transmis
(T > R); din punct de vedere energetic este
preferabil polarizarea prin refracie multipl sau prin birefringen.


Figura 1. 15 Variaia reflectanei i transmitanei n funcie de unghiul de
inciden (cazul n
2
< n
1
)

- Reflexia pe metale (medii absorbante)
La interaciunea undelor electromagnetice cu o suprafa metalic, n
metal apar cureni de conducie (o = 0, E j

o = ) datorit deplasrii
electronilor liberi din metal sub aciunea cmpului electric E al undei;
36
curenii formai conduc la degajarea de cldur prin efect Joule, ceea ce
produce amortizarea (micorarea energiei) undei electromagnetice, adic un
fenomen de absorbie. Cum unda transmis n metal este puternic absorbit,
este evident c atenie merit s fie acordat undei reflectate de o suprafa
metalic. Considernd o und incident provenind din vid, indicele de
refracie al metalelor se exprim printr-un numr complex, la a crei expresie
putem ajunge astfel: fie o und electromagnetic avnd vectorul cmp
electric, E

orientat pe axa Ox i vectorul cmp magnetic, H

, orientat pe axa
Oy, direcia de propagare fiind cea a axei Oz.

=
=
=
=

=
=
=
=
|
.
|

\
|
e
|
.
|

\
|
e
0 H
e H H
0 H
H ;
0 E
0 E
e E E
E
z
c
n
~
z t i
0 y
x
z
y
c
n
~
z t i
0 x

(1. 73)
unde e = 2tc/ - pulsaia oscilaiei, indicele de refracie complex al
mediului,
o o
c c = viteza de propagare a undei electromagnetice n vid.
Dac o este diferit de zero, ecuaia de propagare a vectorului E

are forma:
t
E
t
E
z
E
2
2
2
2
c
c
o +
c
c
c =
c
c


i, n cazul considerat, se poate scrie:
t
E
t
E
z
E
x
2
x
2
2
x
2
c
c
o +
c
c
c =
c
c
.
Avnd n vedere expresia lui E
x
, din (1.73), derivatele sale sunt:
x
x
x
2
2
x
2
x
2
2
2
2
x
2
E i
t
E
; E
t
E
; E
c
n
~
z
E
e =
c
c
e =
c
c
e =
c
c

i rezult: eo + ce = e i
c
n
~
2
2
2
2
, de unde,
|
.
|

\
|
e
o
c =
e
o
c = i c
c
i c n
~ 2
2
2 2
(1. 74)
n forma sa complex indicele de refracie are expresia:
= n ik
Partea real, n, este indicele de refracie al mediului, iar partea
imaginar, k, reprezint indicele de atenuare al mediului, caracteriznd
capacitatea de absorbie a acestuia. Prin ridicare la ptrat se obine:

2
= n
2
k
2
2ikn
Comparnd expresia de mai sus cu relaia (2.74), se constat c:
e
o = k c = k
2
c
n ; c n
2
2 2 2

37
de unde:
.
2
c
;
2
c
n
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
(
(

c
e
o
+ c

= k
(
(

c +
e
o
+ c

= (1. 75)
Folosim relaiile lui Fresnel n care introducem valoarea complex, ,
a indicelui de refracie, factorul de reflexie la inciden normal este dat de:
( )
( )
( )
( )
( )
( )
2
2
2
2
n 1
n 1
i n 1
i n 1
i n 1
i n 1
* r r R
k + +
k +
=
k +
k

k + +
k +
= = (1. 76)
Se poate constata c factorul de reflexie al suprafeei metalice este
mai mare dect cel al unei suprafee dielectrice, pentru care k = 0.
n cazul metalelor, conductivitatea electric, o este mare i atunci
e
o
<< c , de unde:
0
2
2 2
2 2
c
n
ec
o
=
e
o
= k ~ (1. 77)
astfel nct coeficientul de reflexie pentru metale n domeniul optic este:
o
t
=
o
e
= ~
c
4
2 1
c
2
2 1
n
2
1 R
2
(1. 78)
Astfel, intensitatea radiaiei reflectate de metale crete odat cu
creterea indicelui de refracie n, adic atunci cnd conductivitatea electric,
o este mare (de exemplu metale alcaline i metale nobile), ceea ce nseamn
c rezistivitatea, = 1/o, este mic, pierderile prin efect Joule fiind i ele
mici i R 1.
De asemenea, coeficientul de reflexie crete cu lungimea de und ;
de exemplu, argintul nu este un material slab reflecttor n domeniul
ultraviolet i violet, devenind un bun reflecttor n domeniul rou i infrarou
(figura 1.16).

Figura 1. 16 Variaia coeficientului de reflexie n funcie de lungimea de und
pentru argint

n general, amplitudinea oscilaiei vectorului intensitii cmpului
electric, care reprezint oscilaia optic, se poate determina astfel:
38
z
c
z
c
n
t i
0 x
e e E E

ek
|
.
|

\
|
e
= (1. 79)
Indicele de refracie n determin faza undei care se propag cu viteza
v = c/n, n timp ce indicele de atenuare, k, determin amplitudinea acesteia.
Intensitatea undei este:
z k 2
0
z
c
2
2
0
*
x x
e E e E E E I

ek

= = = (1. 80)
unde k

- este coeficientul de absorbie al mediului.


k

t
=
ek
=

4
c
2
k (1. 81)
Mediul este cu att mai transparent cu ct este mai mic valoarea lui
k

, deci cu ct este mai mic indicele de atenuare k. n acest fel, indicele


complex de refracie, = n ik caracterizeaz total proprietile optice ale
mediului de propagare.
Amplitudinea undei electromagnetice este atenuat de e ori n mediul
de propagare dup ce unda parcurge prin acesta o distan:
tk

=
4
z
0
(1. 82)
Aceast mrime se numete adncime de ptrundere (figura 1.17).

Figura 1. 17 Adncimea de ptrundere

Prin reflexia pe suprafee metalice nu se obine lumin liniar
polarizat; factorul de reflexie R
p
este diferit de zero pentru orice unghi de
inciden i; exist un unghi de inciden, i
p
(unghi principal) pentru care R
p

este minim, dar nenul (figura 1.18).
Reflexia pe o suprafa metalic produce un defazaj ntre
componentele s i p ale undei, astfel nct lumina incident liniar polarizat
devine prin reflexie polarizat eliptic. Pe aceast proprietate se bazeaz
elipsometria, metod nedistructiv, foarte precis de studiu al proprietilor
suprafeelor unor materiale. Ea const n determinarea strii de polarizare a
undelor reflectate de suprafee. Prin studiul straturilor subiri metalice depuse
39
pe o suprafa se pot determina indici de refracie cu o precizie de 10
-5
i
grosimea straturilor cu o precizie de fraciuni de .


Figura 1. 18 Variaia coeficientului de reflexie n funcie de unghiul de
inciden pentru suprafee metalice

1.5. Absorbia, difuzia i dispersia luminii
1.5.1. Absorbia luminii
Lumina este absorbit la trecerea prin medii optice, n sensul c unda
luminoas pierde energie la parcurgerea mediului respectiv.
Absorbia are un caracter selectiv, ea depinznd de natura mediului
absorbant i de lungimea de und a undei luminoase, astfel, sticla nu
absoarbe radiaiile vizibile, dar absoarbe radiaiile infraroii i ultraviolete,
atmosfera prezint cteva ferestre de transparen n vizibil, domeniul radio
i o parte a domeniului infrarou - , pentru observaii astronomice n
domeniile de absorbie receptorii trebuind s fie situai n spaiul extra-
atmosferic.
Absorbia explic culoarea corpurilor: astfel, corpurile transparente
(filtre) absorb radiaiile de toate lungimile de und cu excepia celor care
determin culoarea filtrului, n timp ce corpurile opace absorb toate lungimile
de und cu excepia celor reflectate i care determin culoarea corpului.
Scderea dI a intensitii luminii la strbaterea unui strat absorbant
elementar de grosime d (figura 1.19) este proporional cu grosimea
stratului absorbant, cu intensitatea iniial a fasciculului i depinde de natura
mediului i de lungimea de und a luminii.

40
Figura 1. 19 Absorbia luminii

dI ~ I , dI ~ d dI = k

Id (1. 83)
l
0
I l
l
0 I 0
I dI dI
k d ; k d ; ln k
I I I

= = =
} }

k
l 0
I I e


= (1. 84)
Relaia (1.84) reprezint legea Bouguer-Lambert, unde I
l
i I
0
sunt
intensitile fasciculului incident, respectiv emergent din mediul absorbant de
grosime i k

coeficientul de absorbie care depinde de lungimea de und i


de natura mediului absorbant. Aceast relaie, dedus aici din considerente
experimentale, este echivalent cu relaia (1.80), dedus pe cale teoretic.
n cazul soluiilor, trebuie s se in seama i de concentraia acestora,
avnd n vedere faptul c absorbia depinde i de acest factor. Dac se
neglijeaz efectul solventului, intensitatea luminii dup parcurgerea unui strat
de grosime l dintr-o soluie de concentraie c, este:
c
l 0
I I e

c
= (1. 85)
unde c

este coeficientul de extincie natural iar c concentraia soluiei.


Relaia (1.85) reprezint legea lui Beer, care se aplic la absorbia
luminii de ctre soluii.
k l c
c solutie 0 l
k
solvent 0 0
I I e e I
e
I I I e
c
c


= = =


Raportul:
0
l
I
I
= t (1. 86)
se numete coeficient de transmisie, iar mrimea:
0
l
I
I
lg
1
lg E =
t
= (1. 87)
se numete extincie. Aceste dou mrimi sunt folosite la studiul
experimental al absorbiei.
dl
l
I
l
I
0 I
41
1.5.2. Difuzia (mprtierea) luminii
Difuzia este fenomenul datorit cruia razele de lumin care sunt
invizibile ntr-un mediu transparent, devin vizibile dac n mediu se afl
impuriti microscopice (praf, fum, suspensii).
Fenomenul se explic prin producerea undelor secundare n mediul
difuzant, a cror direcie este diferit de a undei primare. Cnd frecvena
undelor secundare este aceeai cu a undei primare, difuzia se numete difuzie
elastic (difuzie Rayleigh), iar cnd frecvena undelor secundare este diferit
de a undelor primare, difuzia se numete difuzie inelastic.
Difuzia este produs de neomogeniti sau fluctuaii de densitate care
apar n medii, avnd ntinderi de ordinul 0,1 10 . Datorit transferului de
energie ctre undele secundare, intensitatea undei primare scade. Notnd cu
k coeficientul de extincie datorat difuziei i considernd i absorbia undei,
legea de atenuare a undei luminoase se scrie:
( ) k k
l 0
I I e

' +
= (1. 88)
Difuzia n medii tulburi
Mediile tulburi conin particule fine n suspensie (fum, praf, cea,
emulsii).
Dac dimensiunile particulelor n suspensie sunt de dimensiuni sub
/10, se constat urmtoarele:
- cnd lumina incident este liniar polarizat, lumina difuzat este de
asemenea liniar polarizat

Figura 1. 20 Difuzia luminii

- cnd lumina incident este nepolarizat, lumina difuzat pe direcia
luminii incidente este nepolarizat; lumina difuzat la 90 este liniar
polarizat cu vectorul luminos ntr-un plan perpendicular pe planul
determinat de direcia undei incidente i cea a undei difuzate; pentru
unghiuri de difuzie ntre 0 i 90, lumina difuzat este parial polarizat
n acelai plan (figura 1.20)
- intensitatea luminii difuzate depinde de unghiul de difuzie, aa cum se
poate vedea n figura 1.21; ea este maxim pe direcia razei incidente i
minim pe direcia perpendicular pe aceasta, conform relaiei:

90
0
42
I
dif
= I
0
(1 + cos
2
u) (1. 89)

Figura 1. 21 Dependena luminii difuzate de unghiul de difuzie

- intensitatea luminii difuzate la 90 este invers proporional cu puterea a
patra a lungimii de und (intensitatea undelor secundare este
proporional cu acceleraia sarcinilor puse n micare de oscilaie
de unda incident, a ~ e
2
, I ~ a
2
~ e
2
~
4
1

).
- cnd diametrul particulelor difuzante este mai mare sau egal cu lungimea
de und, intensitatea luminii difuzate este invers proporional cu puterea
a doua a lungimii de und (difuzie Mie) i scade cu dimensiunea
particulelor difuzante.
Difuzia molecular
Acest tip de difuzie se produce n medii omogene (fr particule n
suspensie), n special n lichide i gaze. Acestea difuzeaz lumina mult mai
puin dect mediile tulburi (este difuzat 10
-6
10
-7
din intensitatea luminii
incidente) Cauza acestui tip de difuzie o reprezint fluctuaiile de densitate
care determin variaii ale permitivitii i neregulariti n orientarea
moleculelor.
Culoarea albastr a cerului este datorat difuziei luminii solare,
cauzat de fluctuaiile de densitate ale aerului atmosferic, explicaia fiind
urmtoarea: cum intensitatea luminii difuzate este invers proporional cu
puterea a patra a lungimii de und (difuzie Rayleigh) i cum lungimea de
und a radiaiei albastre este mai mic dect cea a radiaiei roii, rezult c
intensitatea radiaiei difuzate n domeniul albastru este mai mare dect cea
radiaiei difuzate n domeniul rou. Dac n atmosfer exist particule n
suspensie (praf, picturi de ap), predomin difuzia Mie.
1.5.3. Dispersia luminii
Dispersia este fenomenul de dependen a vitezei de propagare (i
deci a indicelui de refracie) a luminii de lungimea de und (frecvena)
acesteia.
Fenomenul a fost pus n eviden de ctre Newton, prin
descompunerea luminii albe la trecerea printr-o prism optic; n acest caz,
unghiul de emergen al razei de lumin i unghiul de deviere a acesteia fa
de direcia iniial sunt dependente de indicele de refracie al materialului din
43
care este confecionat prisma i, deci, de lungimea de und a radiaiei
luminoase. Conform unei relaii a lui Cauchy, dispersia se exprim prin:
+

+ =
4 2
2
C B
A n (1. 90)
unde A, B, C, sunt constante care depind de natura mediului.
Se definete dispersia mediului ca fiind:

=
d
dn
D (1. 91)
Se mai folosesc mrimile:
- dispersia medie:
An = n
F
n
C
(1. 92)
- coeficientul de dispersie numrul lui Abb:
C F
D
n n
1 n

= v (1. 93)
- dispersia relativ (puterea de dispersie):
1 n
n n 1
D
D
C F
r

=
v
= (1. 94)
unde n
D
este indicele de refracie al mediului pentru radiaia galben a
sodiului (5890 ), n
F
este indicele de refracie al mediului pentru radiaia
albastr a H (4860 ) i n
C
este indicele de refracie al mediului pentru
radiaia roie a H (6560 ).
Figura 1. 22 Dependena indicelui de refracie de lungimea de und: dispersie
normal (a) i anormal (b)

n domeniul vizibil, majoritatea substanelor prezint o scdere
continu a indicelui de refracie odat cu creterea lungimii de und (cretere
a indicelui de refracie odat cu creterea frecvenei); n acest caz avem de-a
44
face cu aa-numita dispersie normal (figura 1.22a), la care 0
d
dn
<

sau
0
d
dn
>
v
.
Unele substane (soluie de iod, fuxin, cianin) prezint ns o
discontinuitate n variaia indicelui de refracie cu lungimea de und (sau cu
frecvena), aprnd un salt brusc al lui n, ntr-o regiune n care 0
d
dn
>

,
respectiv 0
d
dn
<
v
, fenomenul fiind cunoscut sub numele de dispersie
anormal (figura 1.22.b). Regiunea de dispersie anormal este situat n
domeniul rou pentru fuxin, albastru pentru cianin etc. n figura 1.22 este
reprezentat variaia cu lungimea de und a indicelui de refracie, n i a
indicelui de atenuare, k, pentru materiale cu dispersie normal (a) i dispersie
anormal (b).
n domeniul de dispersie anormal, substanele prezint o absorbie
intens de energie de la unda luminoas, datorat unui proces de rezonan
ntre oscilaiile vectorului E

al undei i oscilaiile proprii ale sistemelor de


sarcini electrice din atomi i molecule.
Este interesant s stabilim relaia care exprim dependena indicelui
de refracie de frecven. innd cont i de absorbie, indicele de refracie
este un numr complex, = n + ik n care cei doi termeni depind de
frecven.
n dielectrici, absorbia este mult mai redus dect n metale (un strat
de crbune de 10 m este transparent, n timp ce un strat de 1 m de metal
absoarbe 90 % din fasciculul incident). ntr-un mediu omogen, izotrop i
liniar, inducia cmpului electric este:
E P E D
r 0 0

c c = + c = (1. 95)
unde P

este momentul dipolar al unitii de volum sau polarizarea


dielectricului.
La frecvene optice,
r
n c = , deci
E
P
1
E
P E
n
0 0
0 2
r
c
+ =
c
+ c
= = c sau:
E
P
1 n
0
2
c
= (1. 96)
Fie N oscilatori n unitatea de volum, polarizarea fiind r e N P

= .
Fiecare oscilator este reprezentat de un electron asupra cruia acioneaz:
- o for de tip elastic ( r k F
e

= )
- o for de amortizare, proporional cu viteza (
-
= r g F
r

)
45
- o for electric din partea cmpului electric efectiv, format de cmpul
undei luminoase i cmpul electric produs de dipolii din substan:
0
ef
3
P
E E
c
+ =


(1. 97)
Sub aciunea cmpului efectiv, electronii efectueaz oscilaii forate
(
ef ef
E e F

= ). Ecuaia de micare a acestora este:
ef r e
F F F a m

+ + = , sau:
|
|
.
|

\
|
c
+ + =
- - -
0
3
P
E e r k r g r m


(1. 98)
mprind la m, cu notaiile:
2
m
k
;
m
g
e = = (1. 99)
unde este factorul de amortizare i e pulsaia oscilaiilor libere ale
electronilor, relaia devine:
|
|
.
|

\
|
c
+ = e + +
- - -
0
2
3
P
E
m
e
r r r


; nmulind cu Ne,
rezult:
|
|
.
|

\
|
c
+ = e + +
- - -
0
2
2
3
P
E
m
Ne
P P P


(1. 100)
P

i E

sunt de forma:
t i
0
t i
0
e E E ; e P P
e e
= =

; atunci:
( ) P e P i P ; P i e P P
2 t i
0
2
t i
0

e = e = e = =
e
- -
e
-

unde e este pulsaia undei luminoase. Se obine:
( )
m 3
Ne
P
m
Ne
E i P
0
2 2
2 2
0
c
+ = e + e e

, sau:
m
Ne
E i
m 3
Ne
P
2
2
0
2
2
0
=
|
|
.
|

\
|
e + e
c
e

(1. 101)
de unde:
e + e
c
e
c
=
c
=
i
m 3
Ne
m
Ne
E
P
1 n
2
0
2
2
0
0
2
0
2
(1. 102)
Se observ c mrimea:
. const
N
1
2 n
1 n
2
2
=
+

(1. 103)
nu depinde de numrul de atomi din unitatea de volum.
46
Relaia (1.103) este cunoscut sub numele de formula Lorentz-
Lorentz. Cum N ~ ( - densitatea mediului), rezult c mrimea

=
1
2 n
1 n
R
2
2
(1. 104)
numit refracie molar, este constant (are aceeai valoare la o frecven
dat, nedepinznd de densitatea i de starea de agregare a substanei, ci numai
de lungimea de und a radiaiei luminoase).
n regiunea de transparen a substanei, la frecvene mult diferite de
cele la care substana prezint absorbie, termenul de absorbie ie este
neglijabil i, cu notaia:
m 3
Ne
0
2
2
0
2
e
c
e = e (1. 105)
unde e
e
reprezint pulsaia efectiv de rezonan a electronilor, rezult:
2 2
e
0
2
2
m
Ne
1 n
e e
c
+ = (1. 106)
Dup cum se constat din relaia (1.105), n crete la creterea lui e
deci avem de-a face cu o dispersie normal. n domeniul vizibil, e << e
e
i
se consider numai ramura din stnga a reprezentrii grafice din figura 1.23
(dispersia normal).

Figura 1. 23 Variaia indicelui de refracie n funcie de frecven

Se poate scrie:
=
|
.
|

\
|

+ =
|
|
.
|

\
|
e
e
e
+ =
e e
+ =
2
e
2
e
2
2
e
2
e
2
1
b
1
1
a
1
a
1 n
|
|
.
|

\
|

+ + ~
(
(

|
.
|

\
|

+ =

2
2
e
1
2
e
1 b 1 1 b 1 pentru
e
<<
47
deci se obine o relaie de forma
2
2
B
A n

+ = , adic formula Cauchy pentru


dispersia normal, n care n scade la creterea lungimii de und iar A i B
sunt constante ce depind de natura mediului dispersiv.
Dac n unitatea de volum a mediului exist N molecule, fiecare
coninnd f
j
oscilatori cu frecvena e
j
i coeficientul de absorbie
j
,
polarizarea mediului este

= =
j
j j
j
j
r e f N P P

i atunci:

e + e e c
=
e + e
c
e
c
=
j j
j
2 2
ej
j
0
2
j
2
0
j
2
2
j
j
0
2
2
i
f
m
Ne
i
m 3
f Ne
f
m
Ne
1 n (1. 107)
unde
m 3
f Ne
0
j
2
2
j
2
ej
c
e = e este pulsaia efectiv de rezonan a oscilatorului j;
f
j
, numit tria oscilatorului, are o interpretare cuantic.
Rezult refracia molar, . const
N
1
2 n
1 n
2
2
=
+


n cazul dispersiei n gaze, n domeniul ndeprtat de absorbie,
avem e
ej
>>
j
e; cum pentru gaze n are valori foarte apropiate de 1,
n
2
1 = (n + 1)(n 1) ~ 2(n 1)
i


e e c
=
j
2 2
ej
j
0
2
~ N ~
f
m 2
Ne
1 n , relaie confirmat experimental.
Domeniul de absorbie
Considerm cazul oscilatorilor (electroni) cu aceeai frecven proprie
de rezonan e
e
.
e + e e

c
=
i
1
m
Ne
1 n
2 2
e 0
2
2
(1.108)
Dac pulsaia undei este apropiat de e
e
, se poate face aproximaia:
e
e
2
e
2
= (e
e
+ e)(e
e
e) ~ 2e
e
(e
e
e)
i termenul ie se aproximeaz cu ie
e
. Rezult:
( ) + e e

e c
=
i 2
1
m
Ne
1 n
e e 0
2
2
(1.109)
Pentru dielectrici, n nu este mult diferit de 1 i:
n
2
1 = (n + 1)(n 1) ~ 2(n 1)
Rezult:
48
( )
( )
( )
( )
( ) ( )
2 2
e
2
2
0 e e 0 e
e
2 2
e
2 2
2 2
0 e 0 e
e e
2 i
Ne 1 Ne
n 1 1
2 m 2 i 2 m
4
Ne Ne
1 i
m 2 m
4 4
e e
= + = + =
c e e e + c e
e e +
e e

= +
c e c e
e e + e e +
(1.110)
fiind un numr complex de forma = n - ik, n apropierea frecvenei de
rezonan a electronilor din substan, n i k sunt funcii de e:
- Indicele de refracie:
( )
( )
( )
4
m 4
Ne
1
4
m
Ne
1 n
2
2
0 0
2
2
2
e
e
e 0
2

+ e A
e A

e c
+ ~
+ e e
e e

e c
+ = e (1.111)
- Indicele de atenuare:
( )
( )
( )
4
2
m 4
Ne
4
m
Ne
2
2
0 0
2
2
2
e
e 0
2

+ e A

e c
=
+ e e

e c
= e k (1.112)
Dependenele n(e) i k(e) n apropierea rezonanei sunt reprezentate
n figura 1.24.
n jurul frecvenei de rezonan e
e
exist o regiune (un interval)
pentru care
e d
dn
< 0 (dispersie anormal) i un maxim pronunat al indicelui
de atenuare k(e), care exprim o absorbie pronunat a undei la aceast
frecven. Pulsaia de rezonan, e
e
este caracteristic a substanei.

Figura 1. 24 Dependenele n(e) i k(e) n apropierea rezonanei

49
Forma curbei k(e) se numete lorentzian, avnd semi-lrgimea
2

= e A ; frecvenele corespunztoare semi-lrgimii Ae definesc o band de


absorbie, caracteristic substanelor absorbante, pentru care acestea prezint
i o dispersie anormal.

Figura 1. 25 Dependenele n(e) i k(e) n apropierea rezonanei n cazul mai
multor oscilatori cu diferite frecvene de rezonan

n cazul mai multor oscilatori cu diferite frecvene de rezonan,
dependena indicelui de refracie i a indicelui de atenuare de frecven de e)
este reprezentat n figura 1.25, care arat c exist mai multe benzi de
absorbie i de dispersie anormal.
Absorbia undei electromagnetice conduce la o amortizare a
amplitudinii sale.
Pentru o und ce se propag n direcia z, z este drumul optic iar
ecuaia undei este :
( )
( ) ( ) ( ) knz t i z k
0
z ik z kn t i
0
z n
~
k t i
0
e e E e E e E t , z E
e k k + e e
= = = (1.113)
Amplitudinea undei este:
z
2
0
z k
0
e E e E
k

k
= (1.114)
i ea scade exponenial cu distana z (amortizare).
Intensitatea undei fiind proporional cu ptratul amplitudinii, rezult:
z k
0
z
4
0 e
e I e I I

tk

= = (1.115)
Relaia (1.115) este legea absorbiei, k

fiind coeficientul de absorbie.



50
1.6. Birefringena
Acest fenomen const n dedublarea unei raze de lumin la trecerea
printr-un mediu anizotrop (cum este cazul calcitului CaCl
3
numit i spat
de Islanda). Calcitul cristalizeaz n sistemul romboedric, cu unghiul dintre
muchii de aproximativ 102 (figura 1.26).


Figura 1. 266 Celula elementar a cristalului de calcit

Exist o ax de simetrie a cristalului, OO, numit ax optic, cu
proprietatea c, la propagarea luminii pe direcia acestei axe, fenomenul de
birefringen nu se observ.
Cristalele care au o singur ax optic se numesc cristale uniaxe i din
aceast categorie fac parte cristalele care cristalizeaz n sistemele ptratic,
hexagonal sau romboedric. Exist i cristale care prezint dou axe optice,
cum sunt cele care cristalizeaz n sistemele monoclinic, triclinic i
ortorombic i care se numesc cristale biaxe.
Birefringena se manifest prin scindarea unei raze de lumin
incidente n dou raze refractate, numite raz ordinar, respectiv raz
extraordinar. Planul determinat de axa optic i raza incident se numete
planul seciunii principale (figura 1.27).


Figura 1. 277 Scindarea unei raze de lumin incidente n raza ordinar (O) i,
raza extraordinar (E) la trecerea printr-un cristal birefringent

O
102
O
O
O
E
O
51
Raza ordinar (O) i extraordinar (E) sunt polarizate liniar n plane
perpendiculare: raza extraordinar n planul seciunii principale i raza
ordinar ntr-un plan perpendicular pe planul seciunii principale.(figura
1.27). Planele de vibraie ale razelor ordinar i extraordinar se numesc
plane neutre ale cristalului. La rotaia cristalului n jurul razei incidente, raza
ordinar i pstreaz direcia de propagare, iar raza extraordinar se rotete
odat cu planul seciunii principale n jurul razei ordinare.
ntr-un cristal, viteza de propagare a razei ordinare este constant
(v
o
= constant) iar viteza razei extraordinare, v
e
, depinde de direcia de
propagare a acestei raze.
Cristalele pentru care v
e
s v
o
(n
e
> n
o
) se numesc cristale pozitive i,
n domeniul vizibil al radiaiilor electromagnetice din grupul lor fac parte
cuarul, calomelul, zirconiul etc., iar cristalele pentru care v
e
> v
o
(n
e
s n
o
) se
numesc cristale negative, din al cror grup (n vizibil) fac parte: calcitul,
turmalina, apatitul etc. mprirea n cristale pozitive i negative nu are un
caracter absolut, ci depinde de lungimea de und a radiaiei. Pentru fiecare
cristal anizotrop exist o lungime de und critic,
critic
, la care birefringena
nu se mai produce i care separ domeniul pozitiv de cel negativ.


Figura 1. 288 Elipsoizii vitezelor i ai indicilor de refracie pentru cristale
pozitive (a) i cristale negative (b)
O

O

a) - cristale pozitive

O

v
e


O

v
o


n
e


n
o


O

O

b) - cristale negative
O

v
e


O

v
o


n
e


n
o


52

n funcie de direcia de propagare prin cristal, vrfurile vectorilor v
e

i v
o
sunt situate pe suprafaa unor elipsoizi (elipsoizii vitezelor) i, analog,
valorile indicilor de refracie , n
e
i n
o
determin elipsoizii indicilor de
refracie (figura 1.28). Diferena:
An = n
e
n
o
(1.116)
se numete birefringen.
Pentru explicarea calitativ a fenomenului de birefringen, se poate
aplica principiul lui Huygens-Fresnel (figura 1.29.a), care afirm c: orice
punct din mediu, atins de o und este o surs secundar de unde sferice;
frontul de und la un moment dat poate fi considerat ca reprezentnd
nfurtoarea (tangenta comun) suprafeelor de und ale undelor
secundare provenite din toate punctele de pe suprafaa de und dintr-un
moment anterior.
n timpul At, ct dureaz refracia (figura 1.29.b), unda incident
strbate distana AB = v
1
At n primul mediu, iar unda refractat distana
IC = v
2
At n al doilea mediu. Direciile normale la IA i BC reprezint
direciile de propagare ale undelor incident, respectiv refractat, care fac
unghiurile I, respectiv r cu direcia normal la suprafaa de separare dintre
cele dou medii.


Figura 1. 299 Reprezentare grafic a principiului lui Huygens (a); explicarea
fenomenului de birefringen (b)

Dac al doilea mediu este birefringent, v
2o
= v
2e
i unghiurile de
refracie ale razelor ordinar i extraordinar sunt diferite, deci se produce
dedublarea razei transmise:
1 1
o e
2o 2e
n n
sin r sini sin r sini
n n
= = =
C

E(t)

I

A

r

i

(n)

E (t + At)
a)

B

b)

53
1.7. Fenomene optice neliniare
1.7.1. Consideraii generale
Dac examinm diferitele procese elementare de interacie dintre
radiaia electromagnetic i mediul de propagare, constatm c ele constau
din emisia sau absorbia fotonilor, nsoite de tranziii cuantice ale
electronilor din substan. Aceste procese se pot deosebi (clasifica) n funcie
de numrul de fotoni care intervin:
1. Procese cu un foton. Astfel de procese sunt absorbia unui foton, emisia
spontan sau emisia stimulat a unui foton. Diferena energiilor celor
dou niveluri energetice ntre care are loc tranziia este egal cu energia
fotonului (hv = E
f
E
i
).
2. Procese cu doi fotoni. Aceste procese presupun existena unei stri
energetice intermediare ntre cea iniial i cea final. Se deosebesc:
- absorbia succesiv a doi fotoni;
- emisia succesiv a doi fotoni; este procesul invers celui anterior; n
ambele cazuri, se respect relaia: 2hv = E
f
E
i

- difuzia Raman; const n absorbia unui foton de energie mai mare
(hv
1
) i emisia unuia de energie mai mic (hv
2
< hv
1
) sau, dimpotriv,
a unui foton de energie mai mic (hv
1
) i emisia unuia de energie mai
mare (hv
2
> hv
1
); este valabil relaia: hv
1
hv
2
= E
f
E
i

- difuzia Rayleigh (difuzia coerent); const n absorbia unui foton i
emisia altuia, de energie egal cu a celui absorbit (hv
1
= hv
2
); n acest
caz nu se produce o tranziie energetic.
3. Procese multifotonice. Aceste procese presupun existena mai multor
stri energetice intermediare ntre cea iniial i cea final. Ele pot fi:
- difuzii Raman cu mai muli fotoni;
- procese coerente (n care nu are loc o tranziie energetic); acestea, la
rndul lor pot fi de dou feluri:
a) generare parametric: proces de transformare a unei radiaii de
frecven v n dou (sau mai multe) radiaii de frecvene v
1
, v
2

(v = v
1
+ v
2
+ )
b) generarea armonicilor: proces de absorbie a n fotoni de energii
egale i emisia unuia cu energia (i frecvena) egal cu de n ori
energia unuia din fotonii absorbii v = nv
1

Cnd un fascicul de lumin suficient de puternic strbate un mediu, se
pot produce n plus unele efecte optice neliniare, cum sunt:
1. Redresarea optic. n mediu apare un cmp electric static cu o intensitate
proporional cu cea a undei luminoase.
2. Generarea armonicilor optice. n mediul strbtut de o radiaie de
pulsaie e apar unde luminoase de pulsaii 2e (armonica I), 3e (armonica
a II-a) etc.
54
3. Generarea parametric. Pe baza unei fraciuni din energia undei
luminoase de pulsaie e, n mediul strbtut sunt excitate noi unde
luminoase de pulsaie e
1
i e e
1
. Se poate obine un acord continuu al
pulsaiei e
1
n limitele (0, e).
4. Autofocalizarea fasciculului de lumin. Dac intensitatea undei
luminoase atinge o valoare de prag, se constat contracia fasciculului
luminos, prin contrast cu propagarea unui fascicul ntr-un mediu ordinar,
n care acesta se lrgete. n locul disiprii, energia fasciculului se
concentreaz n limitele unui canal suficient de ngust.
5. Difuzia stimulat a luminii. Acest fenomen se manifest n diferite
moduri: difuzia Raman-Mandelstam-Landsberg stimulat (RMLS),
difuzia Mandelstam-Brillouin stimulat (MBS). Cnd intensitatea undei
luminoase de pulsaie e atinge o anumit valoare de prag, n mediu are
loc o excitare, fie a vibraiilor intramoleculare intense (RMLS), fie a
modurilor acustice intense (MBS). Interaciunea dintre unda luminoas i
astfel de tipuri de micare are drept efect apariia undelor luminoase
suplimentare (unde-satelit), de pulsaie e ne
1
, unde n = 1, 2, 3, i
e
1
este frecvena caracteristic a vibraiilor intramoleculare sau a
vibraiilor normale ale reelei cristaline. n general, apar mai multe unde-
satelit, a cror intensitate este comparabil cu cea a undei iniiale.
6. Dispariia pragului rou al efectului fotoelectric. Dac intensitatea undei
luminoase are o valoare suficient de mare, efectul fotoelectric extern se
produce i la frecvene care sunt de mai multe ori mai mici dect pragul
rou, de pulsaie e
0
.
7. Opacizarea mediului. Un mediu optic transparent la o radiaie relativ
puin intens devine opac la aceeai radiaie dar de intensitate mult mai
mare.
8. Transparentizarea mediului. Un mediu optic opac la o radiaie relativ
puin intens devine transparent la aceeai radiaie dar de intensitate mult
mai mare.
9. Efectul de saturare. Cnd o radiaie luminoas se propag ntr-un mediu
coninnd centri de inversie de populaie, ea poate fi amplificat dac
procesul de emisie stimulat este preponderent fa de cel de absorbie. Pe
msur ce intensitatea radiaiei crete, populaiile nivelurilor energetice
ntre care au loc tranziiile se egaleaz i se observ un efect de saturaie:
creterea intensitii radiaiei se ncetinete i n final nceteaz.
Primul efect optic neliniar a fost observat n 1961: iradiind cu o
radiaie provenind de la un laser cu rubin ( = 680 nm, rou) un cristal de
cuar, acesta re-emite o radiaie ultraviolet, cu o lungime de und de 340 nm,
deci o frecven dubl fa de cea a radiaiei excitatoare. Acesta este efectul
de dublare de frecven (generarea armonicii a doua).
55
Creterea frecvenei radiaiei electromagnetice prin dublarea de
frecven are numeroase aplicaii n domeniul telecomunicaiilor i al stocrii
i prelucrrii informaiei.
Interacia radiaiei electromagnetice cu un mediu are loc n principal
prin intermediul momentului electric dipolar al acestuia, care depinde de
intensitatea cmpului electric exterior aplicat printr-o relaie de forma:
P = P
0
+ oE + |E
2
+ E
3
+ . (1.117)
Primul termen, P
0
, corespunde polarizrii intrinseci a mediului,
ceilali termeni corespund polarizrii induse. Termenul de gradul I reprezint
polarizarea liniar, o fiind o constant de material numit polarizabilitate
liniar., | i (nu se utilizeaz ali termeni de ordin superior) fiind numii
hiperpolarizabilitate ptratic, respectiv cubic.
La intensiti relativ mici ale radiaiei, numai termenul liniar
determin comportarea optic a materialului (indicele de refracie al
acestuia). Domeniul opticii neliniare privete situaiile cnd termenii de ordin
superior nu mai pot fi neglijai (intensiti mari ale radiaiei).
Evident, n procesul descris, referitor la dublarea de frecven, este
vorba de un efect neliniar ptratic. Dac E are expresia E = E
0
coset,
P ~ E
2
~ cos
2
et = (1 + cos2et)/2. Cu ct | este mai mare, cu att intensitatea
radiaiei re-emise, cu frecven dubl fa de cea a radiaiei incidente, va fi
mai mare. Analog se petrec lucrurile i pentru termenul cubic.
Cele mai cunoscute substane anorganice cu proprieti neliniare sunt
fosfatul de potasiu (KH
2
PO
4
) i niobatul de litiu (LiNbO
3
). Dei ele sunt larg
utilizate n dispozitive optoelectronice, n prezent tind s fie nlocuite cu
materiale organice, cu proprieti neliniare mai bune (hiperpolarizabiliti
mai mari). Dintre acestea, o clas important, cu perspective promitoare
este cea a compuilor organici conjugai, ale cror molecule prezint o
structur de forma unei succesiuni de legturi carbon-carbon, alternativ
simple i duble. Ele au o mare flexibilitate chimic, prezint un rspuns
extrem de rapid (sub de 10
12
s). i au coeficienii | i mult mai mari dect
substanele optic neliniare anorganice. Dac o structur de tip polien
conjugat posed la un capt o grupare electrono-donoare i la cellalt o
grupare electrono-acceptoare, ea prezint o valoare foarte mare a lui |. n
funcie de Ar (parametrul structurii, egal cu media diferenelor lungimilor
legturilor consecutive) | poate avea diferite valori, cu un maxim pentru o
valoare Ar = 3 5 pm. Pe de alt parte, cu ct lanul polienic este mai lung,
cu att efectul neliniar este mai puternic. Aplicaia principal a acestor
materiale, cunoscute sub numele de poliene push-pull este n modulaia
electrooptic i n schimbarea de frecven a radiaiei electromagnetice.
Efectele neliniare sunt, dup cum s-a artat mai sus, fenomene
complet diferite de cele ale opticii clasice: este vorba de transformarea unei
56
radiaii de o anumit lungime de und ntr-o radiaie cu alt lungime de und.
Aceast transformare este complet diferit de cea pe care o sufer, de
exemplu, lumina alb cnd trece printr-o bucat de sticl colorat i la ieire
apare lumin de acea culoare. Radiaia de culoarea respectiv era deja
prezent n lumina alb nainte ca aceasta s strbat bucata de sticl. Aceasta
doar filtreaz radiaiile componente i nu genereaz o radiaie cu o nou
lungime de und.
Pentru a da o explicaie intuitiv, dei mai puin riguroas a
fenomenelor neliniare s considerm electronii din cristalele dielectrice.
Acetia se gsesc n gropi de potenial, care i capteaz n anumite poziii n
cristal, ca i cum ei ar fi cuplai cu nodurile reelei cristaline prin intermediul
unor resorturi. Dac o for exterioar i scoate din poziia de echilibru, ei
sunt atrai de aceste resorturi cu o for proporional cu deplasarea. Fa de
poziia de echilibru.
Cmpul electric al unei radiaii electromagnetice care trece prin cristal
exercit o for asupra electronilor, scondu-i din poziiile lor de echilibru.
ntr-un material optic obinuit (adic liniar), electronii oscileaz n jurul
poziiilor lor de echilibru cu frecvena acestui cmp electric. Dar o sarcin
electric aflat n oscilaie emite la rndul ei radiaie electromagnetic de
frecven egal cu frecvena de oscilaie, astfel c aceti electroni din cristal
genereaz radiaie electromagnetic de frecvena radiaiei electromagnetice
iniiale. Aceasta este o explicaie intuitiv a faptului c lumina se propag cu
vitez mai mic ntr-un cristal sau orice mediu dielectric dect n vid. O
parte din energia undei este convertit n energie de oscilaie a electronilor i
aceast energie este apoi reconvertit n energie a undei emise. Efectul total
este o ntrziere a propagrii energiei n cristal.
Un material neliniar difer fa de unul liniar prin faptul c fora de
revenire la scoaterea electronilor din poziia de echilibru nu este
proporional cu deplasarea, astfel c oscilaiile acestora sub aciunea
radiaiei electromagnetice incidente nu mai au loc la frecvena acesteia, ci la
alte frecvene, radiaia re-emis avnd deci i ea alte frecvene.
Valoarea acestor frecvene (i lungimi de und) este determinat de
legea conservrii energiei: energia noilor fotoni generai de interacia
neliniar trebuie s fie egal cu energia fotonilor iniiali.
Un exemplu de proces neliniar este mixarea optic, n care doi fotoni
de lungimi de und diferite,
1
i
2
, se combin ntr-un singur foton de
lungime de und mai mic,
3
. Conform legii conservrii energiei,

1 2 3
hc hc hc
+ =

(1.118)
Astfel, noua lungime de und este:
57
1 2
3
1 2

=
+
(1.119)
Pn acum s-au menionat dou dintre cele trei cerine de producere a
efectelor optice neliniare: radiaia electromagnetic incident de intensitate
mare i conservarea energiei. A treia este conservarea impulsului.
1.7.2. Generarea armonicii a doua
Un exemplu clasic de astfel de proces este cel n care radiaia verde,
de lungime de und de 532 nm este generat de un fascicul de radiaie
infraroie de 1,06 m, provenit de la un laser cu Nd:YAG. n acest caz, o
parte din radiaia de 1,06 m, la trecerea printr-un cristal neliniar, este
convertit n radiaie de lungime de und egal cu jumtate din cea a radiaiei
iniiale.
Generarea armonicii a doua, sau dublarea de frecven este cel mai
comun i, probabil, cel mai important exemplu de fenomen optic neliniar.
Definind randamentul de conversie ca raport dintre puterea radiaiei
generate, P
g
i puterea radiaiei incidente, P
i
,

g
i
P
P
q= (1.120)
se poate constata c, n cazul dublrii de frecven, acesta depinde de mai
muli factori, conform relaiei de proporionalitate:

( )
2
2
A2 i
2
i
P P sin
P A
(
A
~ (
A
(

(1.121)
unde P
A2
este puterea armonicii a doua, este lungimea cristalului neliniar,
P
i
este puterea radiaiei incidente (fundamentala), A este aria seciunii
transversale a fasciculului n cristalul neliniar i expresia din paranteza
dreapt este factorul de faz, ce poate avea valori ntre 0 i 1 (A este
defazarea dintre unda incident i cea generat n efectul optic neliniar).
Relaia de mai sus permite gsirea condiiilor n care randamentul de
conversie poate fi maxim la generarea armonicii a doua, n funcie de
condiiile de realizare a procesului: un parcurs mai lung n cristalul neliniar, o
putere a radiaiei incidente mai mare i o focalizare a fasciculului. Evident,
exist anumite limitri. Puterea radiaiei incidente, ca i focalizarea acesteia
nu pot crete excesiv, pentru c astfel se poate distruge cristalul neliniar. Pe
de alt parte, un fascicul ngust (puternic focalizat) are o divergen mai mare
dect unul nefocalizat. Dar un fascicul divergent este mai puin eficient
pentru generarea armonicii a doua, dect unul colimat, ntruct factorul de
faz scade.
Aa cum se poate constata din relaia (1.120), defazarea dintre unda
incident i cea generat este un factor esenial i nu numai n procesul
58
generrii armonicii a doua, dar n orice alt proces optic neliniar, pentru c ea
produce o interferen distructiv, ceea ce are drept rezultat anularea radiaiei
generate.
Astfel, dac exist o defazare dintre unda incident i cea generat
ntr-un anumit punct din cristal, aceasta face ca ntr-un alt punct, defazarea s
fie diferit, astfel c interferena dintre undele generate n diferite puncte din
cristal s fie una distructiv.
Undele generate nu sunt n faz unele cu altele datorit fenomenului
de dispersie, care se produce n cristal, datorit variaiei indicelui de refracie
cu lungimea de und a radiaiei. Astfel, dei frecvena radiaiei generate este
exact dublul frecvenei radiaiei incidente, lungimea de und nu este, n
cristal, exact jumtate. Ca urmare, diferena de faz dintre radiaia incident
i cea generat crete pe msur ce acestea se propag mpreun n cristalul
neliniar, ajungnd ca la un moment dat unda generat ntr-un punct B, s fie
defazat cu 180 fa de unda incident i, deci fa de unda generat iniial,
n punctul A (figura 1.30).



Figura 1. 30 Unda (polarizat orizontal) generat n punctul A este n opoziie
de faz cu cea generat n punctul B (reprezentat punctat). Unda incident
este polarizat vertical

Soluia pentru obinerea unei defazri nule (sinfazare) ntre unda
incident i cea generat este alegerea unui cristal birefringent, al crui indice
de refracie este diferit, n funcie de direcie. Astfel, dispersia este
compensat de birefringen.
n acest caz, este esenial faptul c planul de polarizare al undei
generate este perpendicular pe planul de polarizare al undei incidente. Astfel,
unda incident i cea generat au lungimi de und diferite, deci cristalul
prezint indici de refracie diferii pentru ele. Pe de alt parte, cele dou unde
sunt polarizate n plane perpendiculare, astfel c birefringena cristalului
determin indici de refracie diferii. Aranjnd n aa fel ca aceste dou efecte
s se compenseze exact, se poate obine ca diferena de indici de refracie
datorat dispersiei s fie compensat exact de diferena de indici de refracie
59
datorat birefringenei. Rezultatul este c pentru ambele unde indicele de
refracie rezultat este acelai, astfel nct unda generat va fi n faz cu cea
incident n orice punct din cristal i, deci, nu va exista o diferen de faz
ntre undele generate n diferite puncte, astfel c interferena acestora va fi
una constructiv.
n practic se alege un cristal cu proprietile neliniare
corespunztoare i apoi se acord birefringena sa printr-una din cele dou
metode descrise n continuare.
Prima este acordul prin variaia de temperatur, care se bazeaz pe
dependena de temperatur a indicelui de refracie al unor cristale. Cristalul
este plasat ntr-un cuptor (sau criostat) i nclzit (sau rcit) la o temperatur
la care birefringena sa compenseaz exact efectul dispersiei.
A doua metod, acordul prin variaia unghiului, se folosete pentru
cristalele al cror indice de refracie nu depinde de temperatur. Valoarea
birefringenei depinde de unghiul fcut de direcia de propagare a radiaiei n
cristal cu axa optic principal a acestuia, astfel c se poate roti cristalul,
astfel nct s se obin birefringena necesar compensrii efectului
dispersiei.
1.7.3. Armonici superioare
Armonica a treia poate fi generat cu un dispozitiv identic cu cel
pentru generarea armonicii a doua (figura 1.31.a), dar cerinele privitoare la
sinfazarea undei generate cu cea incident face imposibil acest proces ntr-o
singur etap ntr-un cristal, astfel c este comun procesul n dou etape. Aa
cum se vede n figura 1.31.b, mai nti este generat a doua armonic ntr-un
cristal i apoi aceasta este mixat cu fundamentala ntr-un al doilea cristal,
pentru a produce armonica a treia.



Figura 1. 31 - a) Generarea direct a armonicii a treia; b) Generarea n
dou etape a armonicii a treia

60
Pot fi generate i armonicile a patra, a cincea i de ordin superior, dar
randamentul acestor procese este n general mic.
1.7.4. Oscilaii optice parametrice
Pn acum, toate procesele neliniare discutate au implicat combinarea
energiei mai multor fotoni ntr-un singur foton, de energie mai mare (lungime
de und mai mic). Dar procesul se poate desfura i altfel: energia unui
foton se poate diviza i distribui pentru doi noi fotoni. Este cazul procesului
care are loc ntr-un oscilator optic parametric (figura 1.32).



Figura 1. 32 Generarea optic parametric a dou radiaii

Conservarea energiei impune ca:

1 2 3
hc hc hc
= +

(1.122)
Spre deosebire de alte exemple de efecte optice neliniare discutate, un
oscilator optic parametric trebuie s dispun de oglinzi care, ca la un laser, s
formeze un rezonator optic. Figura 1.33 prezint un oscilator optic parametric
rezonant, n care doar o und (numit und ghidat), de o anumit lungime de
und, este reflectat de oglinzi. ntr-un oscilator optic parametric dublu
rezonant, att unda de pompaj, de lungime de und
1
, ct i unda ghidat, de
lungime de und
3
sunt reflectate i numai semnalul de lungime de und
2

este transmis.



Figura 1. 33 Oscilator optic parametric rezonant

Lungimea de und
2
este determinat de relaia:

1 3
2
3 1

=

(1.123)
61
Totui,
2
nu este unic determinat de relaia (1.123), deoarece
3

poate avea orice valoare, ceea ce nseamn c oscilatorul optic parametric
poate genera radiaie de mai multe lungimi de und. Acest lucru este posibil
ns cu o restricie: o singur radiaie, de o anumit lungime de und poate fi
generat la un moment dat, deoarece numai o singur und poate fi n faz cu
cea incident. Aceast capacitate a oscilatorului optic parametric de a genera
unde de mai multe lungimi de und l face foarte important: el poate fi
acordat pentru a genera radiaia de lungime de und dorit.
Lungimea de und la care se obine sinfazarea poate fi modificat prin
ajustarea temperaturii cristalului neliniar, sau a unghiului dintre direcia
radiaiei incidente i axa optic a cristalului.
62
2. Emisia stimulat a radiaiei electromagnetice.
Efectul laser
2.1. Emisia stimulat a radiaiei electromagnetice
Una dintre descoperirile de o deosebit importan, cu aplicaii n multe
domenii de activitate, este laserul, care a fost realizat n anul 1960 de ctre
Maiman (laserul cu rubin), apoi n 1961 de ctre Javan (laserul cu He-Ne), n
anul 1962 fiind pus la punct i n ara noastr, la Institutul de Fizic Atomic,
de un colectiv condus de profesorul Agrbiceanu.
Termenul de LASER este acronimul cuvintelor n limba englez:
Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation
1
, i ne arat c
aceste dispozitive permit fie amplificarea, fie generarea i amplificarea
radiaiei luminoase, pe baza procesului de emisie stimulat.
Primele dispozitive de generare i amplificare a radiaiei au fost
realizate n anul 1954 de ctre Gordon, Zeiger i Townes n S.U.A. i de ctre
Basov i Prohorov n Rusia. Acestea au fost dispozitive de tip MASER
(Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation).
Pentru a explica modul de emisie a radiaiei laser, vom face o
descriere sumar a fenomenelor, bazndu-ne pe ideile dezvoltate nc din
1916 de ctre Einstein, cu privire la emisia i absorbia radiaiei
electromagnetice n sisteme cuantice.
S considerm un sistem alctuit din atomi identici, aflat ntr-o
incint, n echilibru termodinamic la temperatura T; atomii sunt considerai
independeni (nu interacioneaz reciproc), dar sistemul interacioneaz cu
radiaia termic de echilibru din interiorul incintei, cu care este n echilibru.
Pentru simplificare, considerm dou niveluri energetice atomice
nedegenerate (figura 2.7), crora le corespund energiile W
n
i W
m
(W
n
<
W
m
), respectiv strile cuantice caracterizate prin numerele cuantice n i m, pe
care le vom numi starea n, fundamental i starea m, excitat.


Fig. 2. 1 Schema tranziiilor ntr-un sistem cu dou niveluri energetice


1
Amplificarea luminii prin emisie stimulat a radiaiei
63
Un atom aflat n starea n poate absorbi radiaie cu frecvena v
mn
(un
foton de energie hv
mn
) trecnd n starea m, n timp ce un atom aflat n starea
m, la trecerea n starea n, va emite radiaie cu frecvena v
mn
.
La echilibru, radiaia emis i cea absorbit de sistemul de atomi sunt
identice, energia i frecvena fotonului emis sau absorbit fiind i ele identice:
hv
mn
= W
m
W
n
(2. 1)
Deci tranziiile din starea n n starea m au loc prin absorbia radiaiei
electromagnetice. Tranziiile n sens invers au loc pe dou ci. O prim cale
este aceea a tranziiilor spontane. Orice sistem cuantic rmne ntr-o stare
excitat un timp limitat, dup care el se dezexcit trecnd n starea
fundamental, ca urmare a tendinei generale de trecere ntr-o stare de
echilibru, caracterizat de energie minim. Acest fenomen se ntmpl i cu
atomii excitai. Probabilitatea de dezexcitare a unui atom n unitatea de timp
este dat de expresia:
1 dN
p
N dt
=

(2. 2)
unde N este numrul atomilor aflai n stare excitat la momentul de timp t.
Din relaia de mai sus, rezult:
dN = Npdt, care, prin integrare de la momentul iniial (t
0
= 0) pn la
momentul t, ne d:
p t
0
N N e

= (2. 3)
Acest lucru nseamn c numrul atomilor aflai n stare excitat
scade exponenial n timp ca urmare a dezexcitrilor spontane.
Timpul de via mediu n starea excitat este dat de:
0 0
1 1
tpN dt
N p

t = =
}
(2. 4)
Atunci, relaia (2.3) se mai scrie:
t
0
N N e

t
=

(2. 5)
Pentru majoritatea strilor excitate, timpul de via mediu este de
ordinul a 10
8
10
10
s, dar exist anumite stri, numite stri metastabile,
pentru care timpul de via mediu este mult mai mare (comparativ cu cel al
strilor normale), de ordinul a 10
4
10
5
s. Importana acestor stri
metastabile se va vedea n mai departe.
Radiaia emis prin dezexcitri spontane nu poate avea intensiti
mari, deoarece doar o mic fraciune din numrul total de atomi aflai n stare
excitat se dezexcit la un moment dat. Pentru a obine o intensitate mare,
este necesar ca acest numr s fie mare, ceea ce se poate obine prin
dezexcitarea stimulat, proces prin care, n prezenta unei radiaii exterioare
64
de frecven v
mn
, atomii sistemului se vor dezexcita toi, practic n acelai
moment de timp.
ntr-un ansamblu de atomi excitai, procesele de dezexcitare a
acestora pot fi provocate (stimulate, induse) printr-o intervenie din exterior.
Aceasta poate fi reprezentat de o radiaie electromagnetic incident, fotonii
acesteia stimulnd atomii excitai s revin pe un nivel energetic inferior, prin
emisia unui alt foton. Probabilitatea acestui proces depinde de adaptarea
dintre energia fotonului incident i diferena de energie dintre cele dou
niveluri ntre care are loc tranziia (acest proces este similar celui de
absorbie, putnd fi privit ca o absorbie negativ).
n general, fotonul care este emis n procesul de emisie stimulat este
identic cu fotonul incident. Amndoi au:
lungimi de und (i, deci, frecvene) identice monocromaticitate
direcii n spaiu identice direcionalitate
faze identice coeren
Acestea sunt, dup cum se va vedea, proprietile radiaiei laser.
Fotonul incident nu sufer nici o transformare ca rezultat al procesului
de emisie stimulat. De fapt, ca rezultat al acestui proces, se obin doi fotoni
identici, provenii din fotonul incident i starea excitat. Apare astfel posibil
o amplificare n sensul c numrul de fotoni crete. Acesta este procesul care
d numele de LASER: amplificarea luminii prin emisie stimulat a radiaiei.



Fig. 2. 2 Procese posibile la interaciunea fotonilor cu atomii: a) absorbie;
b) emisie spontan; c) emisie stimulat
65
O explicaie simpl a emisiei stimulate este aceea c fotonul incident
reprezint un cmp electromagnetic care oscileaz n timp i spaiu. Acest
cmp foreaz atomul excitat s oscileze cu aceeai frecven i faz, ceea ce
nseamn c atomul nu poate oscila liber, ci este forat s oscileze coerent cu
fotonul incident.
Sintetiznd, procesele posibile la interaciunea dintre fotoni i atomi
sunt (aa cum este ilustrat n figura 2.2):
absorbia fotonilor (figura 2.2.a)
emisia spontan a unui foton (figura 2.2.b)
emisia stimulat a unui foton (figura 2.2.c)
Pentru un sistem aflat n echilibru termodinamic la temperatura T,
densitatea de energie a radiaiei pe unitatea de interval de frecven
corespunztoare frecvenei de tranziie, v
mn
, este:
2
3 h
kT
8 h
c
e 1
v
v
tv v
=



(2. 6)
Conform teoriei lui Einstein, probabilitatea de tranziie din starea n n
starea m n unitatea de timp (probabilitatea de absorbie) este:
p
nm
= B
nm

v


(2. 7)
iar probabilitatea de tranziie din starea m n starea n n unitatea de timp
(probabilitatea de emisie) este:
p
mn
= A
mn
+ B
mn

v


(2. 8)
unde primul termen, A
mn
, corespunde emisiei spontane iar al doilea emisiei
stimulate.
La echilibru termodinamic, numrul mediu de atomi aflai n strile n
respectiv m este dat de distribuia Boltzmann:
n m
W W
kT kT
n m
N C e ; N C e

= =
Prin mprirea celor dou relaii, se obine:
m n mn
W W h
kT kT
m n n
N N e N e
v

= = (2. 9)
unde k este constanta lui Boltzmann.
Condiia de echilibru termodinamic se exprim prin faptul c numrul
de tranziii n unitatea de timp din starea n n starea m este egal cu numrul
de tranziii n unitatea de timp din starea m n starea n:
p
nm
N
n
= p
mn
N
m
B
nm
N
n
= (A
mn
+ B
mn

v
)N
m
(2. 10)
Coeficienii A
mn
, B
mn
i B
nm
poart numele de coeficienii lui Einstein
pentru emisia spontan, respectiv pentru emisia sau absorbia indus
(stimulat) . Din relaiile (2.23) i (2.24), rezult:
66
h
kT
mn
h
kT
nm mn
A e
B B e
v

v
v

=



(2. 11)
Expresiile (2.20) i (2.25) ale lui
v
coincid numai dac
B
mn
= B
nm


(2. 12)
i
3
mn mn
3
8 h
A B
c
t v
=

(2. 13)
n conformitate cu teoria lui Einstein, energia radiaiei absorbite n
intervalul de timp dt de ctre sistemul de atomi n mediul utilizat este:
dW
a
= N
n
B
nm
(v
nm
)hv
nm
dt

(2. 14)
Energia radiaiei emise spontan n acelai interval de timp este:
dW
s
= N
m
A
mn
hv
mn
dt

(2. 15)
iar energia radiaiei emise stimulat (indus) este:
dW
i
= N
m
B
mn
(v
mn
)hv
mn
dt

(2. 16)
Pentru a obine amplificarea radiaiei, este necesar ca energia radiaiei
emise s depeasc pe cea a radiaiei absorbite, adic:
dW = (N
m
N
n
)B
mn
(v
mn
)hv
mn
dt + N
m
A
mn
hv
mn
dt > 0 (2. 17)
Satisfacerea relaiei de mai sus impune condiia:
N
m
N
n
> 0

(2. 18)
adic numrul de atomi aflai n starea de energie superioar trebuie s-l
depeasc pe cel al atomilor aflai n starea de energie inferioar.
Condiia (2.32) nu poate fi satisfcut n mod natural. n conformitate
cu relaia (2.23), la echilibru termic, numrul atomilor aflai ntr-o stare de
energie superioar este mai mic dect cel al atomilor aflai ntr-o stare de
energie mai mic.
Realizarea amplificrii, adic ndeplinirea condiiei (2.32), care poart
numele de inversie de populaie ntre nivelurile energetice considerate,
implic urmtorul aspect: exprimnd temperatura absolut din relaia (2.23),
obinem relaia:
m n
m
n
W W
T
N
k ln
N



(2. 19)
Cum W
m
> W
n
, dac se realizeaz inversia de populaie, adic dac
N
m
> N
n
, rezult c T < 0. Din punct de vedere termodinamic, acest rezultat
nu are sens, pentru c temperatura, definit termodinamic numai pentru stri
de echilibru, nu poate avea valori negative. Interpretarea poate fi fcut ns
n cadrul fizicii statistice, n cadrul creia aceast situaie, de temperatur
absolut negativ, corespunde unei stri de neechilibru. Este evident atunci c
inversia populaiilor nu poate fi obinut dect prin factori exteriori
67
sistemului. Un astfel de mediu, n care, prin intermediul unor factori
exteriori, s-a realizat inversia populaiilor ntre dou niveluri energetice, se
numete mediu activ laser.
Am vzut deci c, pentru a obine o amplificare a radiaiei
electromagnetice, trebuie realizat emisia stimulat a radiaiei ntr-un mediu
n care s-a realizat inversia de populaie (mediu activ).
Efectul laser const n amplificarea sau generarea radiaiei
electromagnetice pe baza procesului de emisie stimulat ntr-un mediu n
care s-a realizat inversia populaiilor.
2.2. Proprietile radiaiei laser
2.2.1. Monocromaticitatea
Aceast proprietate este determinat de nsui procesul de amplificare
din mediul activ, de numrul de moduri pe care lucreaz rezonatorul i de
inversia de populaie realizat.
Se calculeaz c, n cazul oscilaiei cavitii pe un singur mod,
lrgimea liniei laser emise, Av
laser
, este dat de relaia:
( )
2
c
m 0
laser
m n
2
N h
P N N
t Av
v
Av =


(2. 20)
n care v
0
este frecvena central a liniei Doppler, Av
c
- lrgimea unui mod de
cavitate iar P - puterea emis n modul dat. Pentru laserul cu He-Ne, avnd
lungimea L = 1 m, rezult Av
r
~ 150 MHz, Av
0
~ 1 GHz i, dac P ~ 1 mW se
obine Av
laser
~ 10
2
Hz. Se observ aadar monocromaticitatea extrem de
pronunat a radiaiei laser fa de radiaia Doppler emis de sursele obinuite
(~ 10
17
fa de ~ 10
6
).
n cazul cnd laserul lucreaz pe mai multe moduri,
monocromaticitatea va fi mai slab, totui mult mai bun dect pentru sursele
obinuite.
2.2.2. Coerena
Conceptul de coeren este strns legat de cel de monocromaticitate.
n cazul surselor de lumin obinuite, undele emise sunt n general
necoerente, deoarece dou puncte diferite ale unei asemenea surse emit unde
ale cror faze nu prezint nici o corelaie. Laserii reprezint ns surse de
lumin deosebite din acest punct de vedere. Procesul de amplificare prin
emisie stimulat face ca toi atomii excitai s emit n corelaie de faz (de
fapt, n faz), aa nct lumina emis prezint un grad de coeren foarte
ridicat. Timpul n care este emis unda laser nu mai este echivalentul
timpului de emisie spontan, At, deoarece aceast und nu mai este emis
spontan ci stimulat. De aceea, n cazul laserului, timpul de coeren nu mai
68
poate fi definit fa de At sau Av
spontan
adic, conform relaiei de
nedeterminare:
AWAt >

(2. 21)
El trebuie definit n raport cu lrgimea Av
indus
, prin relaia:
laser
1
At ~
Av

(2. 22)
iar lungimea de coeren, prin relaia:
laser
c
L c A = At =
Av

(2. 23)
Deoarece Av
laser
este foarte mic fa de Av
spontan
, timpul de coeren,
respectiv lungimea de coeren pentru radiaia laser sunt foarte mari.
2.2.3. Directivitatea
Sursele obinuite emit lumin ntr-un unghi solid de 4t, deci cu o divergen
foarte mare. Caracterul emisiei radiaiei laser (lumina emis stimulat se
propag de-a lungul axei cavitii) face ca aceasta s prezinte o divergen
extrem de sczut, datorat doar unor fenomene parazite, ca difracia la
marginile oglinzilor, defectele acestora etc.
Proprietile de monocromaticitate, coeren i directivitate ale
radiaiei laser fac ca acest dispozitiv s fie echivalent cu o surs de lumin
punctual, a crei und este colimat, dei suprafaa emisiv a unui laser are
o ntindere apreciabil.
2.2.4. Intensitatea
Este evident c i aceast proprietate este determinat de procesul de
generare, specific laserului. Acumularea atomilor pe nivelul energetic
superior, stimularea lor aproape simultan precum i propagarea
unidirecional a undei amplificate sunt factori care condiioneaz o und
laser foarte intens. Compararea intensitii undei laser cu cea emis de Soare
(ce poate fi asimilat cu un corp negru avnd temperatura de 6000 C), ne
poate da o imagine asupra acesteia. Astfel, innd seama c puterea undei
emise de un laser cu o suprafa de 0,2 cm
2
ntr-un timp de 10
3
s ntr-un
unghi solid de 10
2
srd ntr-un interval spectral de 7 pm este de 1 kW iar
puterea radiaiei solare n aceleai condiii este de numai 210
7
W, rezult un
raport de 510
9
ntre intensitatea radiaiei laser i cea a radiaiei emise de
Soare. Acest raport devine cu att mai remarcabil cu ct monocromaticitatea
i directivitatea radiaiei laser sunt mai pronunate.
69
2.3. Laseri cu mai multe niveluri energetice
2.3.1. Laserul cu trei niveluri
Diagrama nivelurilor energetice pentru laserul cu trei niveluri
energetice este prezentat n figura 2.3. Cele dou niveluri energetice ntre
care are loc tranziia laser sunt nivelul fundamental (E
1
), i nivelul metastabil
(E
2
).
Inversia populaiilor se realizeaz prin pompaj optic, prin care atomii
sunt excitai pe nivelul E
3
, cu radiaie cu frecvena v
e
= (E
3
E
1
)/h. Acetia
rmn n aceast stare un timp mediu de ordinul 10
8
s, dup care se
dezexcit printr-o tranziie neradiativ pe nivelul energetic metastabil E
2
.
Cum timpul de via mediu al nivelului metastabil este relativ lung (de
ordinul a 10
3
10
4
s, n scurt timp de la nceperea pompajului, atomii se
vor acumula ntr-un numr mare (peste 50% din numrul total) pe acest nivel,
realizndu-se astfel inversia populaiilor. n acest moment, primii fotoni
provenii din dezexcitarea spontan a atomilor de pe nivelul E
2
vor induce
dezexcitarea n mas a tuturor celorlali atomi, avnd astfel loc emisia
stimulat, deci producerea efectul laser. Emisia Radiaiei are loc n pulsuri, la
intervale de timp necesare pentru refacerea populaiei majoritare pe nivelul
metastabil.



Fig. 2.3 Diagrama nivelurilor energetice pentru laserul cu trei niveluri

2.3.2. Laserul cu patru niveluri
Diagrama nivelurilor energetice pentru un laser cu patru niveluri este
dat n figura 2.4, unde nu a mai fost reprezentat procesul de emisie spontan.
70
Comparativ cu diagrama echivalent a laserului cu trei niveluri, n acest caz
apare un nivel energetic suplimentar, E
2
, deasupra nivelului fundamental.
Acest nivel are un timp de via mediu foarte scurt. Operaia de pompaj a
laserului cu patru niveluri este similar celei de la laserul cu trei niveluri, prin
utilizarea unui nivel metastabil, E
3
.



Fig. 2.4 Diagrama nivelurilor energetice pentru laserul cu patru niveluri

Avantajul laserului cu patru niveluri este populaia sczut a nivelului
energetic E
2
. Pentru a crea inversia populaiilor, nu este necesar pomparea a
mai mult de 50% din totalul atomilor din sistem pe nivelul superior.
Populaia de pe nivelul E
2
, N
2
(t), scade prin dezexcitarea rapid n starea
fundamental, astfel c, practic, cest nivel este gol. Astfel, este posibil o
operare continu a laserului cu patru niveluri, chiar i cnd 99% din atomi
rmn n starea fundamental.

2.4. Sistemul laser
Laserul este un sistem similar unui oscilator electronic. Acesta este a
sistem care produce oscilaii pe baza principiului reaciei pozitive (feed-
back).
Orice oscilator are patru pri principale (figura 2.5):
1. Amplificator.
2. Bucl de reacie pozitiv.
3. Cuplaj de ieire.
4. Surs de energie.
71



Fig. 2.5 Schema bloc a unui oscilator electronic

Prin analogie cu oscilatorul electronic, laserul poate fi descris ca fiind
compus din patru uniti structurale (figura 2.6):
1. Mediul activ, care reprezint un amplificator optic.
2. Mecanismul de excitare
3. Bucla de reacie pozitiv optic
4. Cuplajul de ieire, care permite radiaiei electromagnetice s ias din
dispozitivul laser.



Fig. 2.5 Sistemul laser

2.4.1. Mediul activ laser
Mediul activ este un ansamblu de atomi sau molecule, care poate fi
excitat ntr-o situaie de inversie a populaiilor i din care radiaia
electromagnetic poate fi extras prin emisie stimulat. El se poate afla n
orice stare de agregare: solid, lichid, gazoas sau plasm.
Mediul activ determin lungimile de und posibile ale radiaiei
electromagnetice care poate fi emis de laser. Aceste lungimi de und sunt
determinate de tranziiile laser specifice ntre nivelurile energetice din acest
material.
Numrul materialelor folosite ca mediu activ laser este de cteva sute
i el continu s creasc mereu. Dei, pentru simplificare, se consider c
mediul activ este alctuit din atomi, n realitate acesta poate fi compus fie din
atomi, fie din molecule, ioni etc., conform cu tipul laserului.
72
2.4.2. Mecanismul de excitaie
Mecanismul de excitare este sursa de energie care duce atomii din
mediul activ n starea excitat, crendu-se astfel inversia populaiilor.
Conform legii conservrii energiei, radiaia electromagnetic de ieire
a laserului are o energie ntotdeauna mai mic dect energia de intrare,
furnizat de mecanismul de excitare. Exist laseri cu randament chiar mai
mic de 1 %, dar i alii cu randament foarte apropiat de 100 %.
Principalele tipuri de mecanism de excitare sunt:
a) Pompaj optic - excitare prin fotoni
n laserii cu mediu activ solid sau lichid, se obinuiete ca energia de
excitare s fie furnizat sub form de radiaie electromagnetic (fotoni) care
sunt absorbii n mediul activ.
Sursa de radiaie electromagnetic poate fi de diferite feluri:
- lmpi flash, care sunt construite dintr-un tub de cuar umplut cu gaz la
presiune sczut; de obicei, se utilizeaz xenonul, dar uneori, cnd este
necesar energie n cantitate mai mare, sunt utilizate alte gaze inerte, cu
mase atomice mai mici, cum sunt kriptonul sau heliul.
- alt laser
- orice alt surs de lumin, cum este lumina solar.
b) Excitarea electric a gazului
Cnd mediul activ este n stare gazoas, cel mai bun tip de excitare
este prin descrcare electric n gaz (figura 2.6).



Fig. 2.6 Excitarea electric a laserului cu gaz

Gazul din tub este neutru din punct de vedere electric i att timp ct
nu i este furnizat energie din exterior, majoritatea moleculelor sale sunt n
starea fundamental.
Cnd pe electrozii din tub este aplicat o tensiune electric nalt (cel
puin egal cu o valoare constant, caracteristic tipului de gaz i numit
tensiune de aprindere), din catod sunt emii electroni, care sunt accelerai
73
spre anod. n drumul lor, aceti electroni ciocnesc moleculele gazului, crora
le transfer energie. Astfel, moleculele gazului trec n stare excitat.
Pentru iniierea descrcrii, este necesar o tensiune mai mare (tensiunea de
aprindere) dect cea necesar pentru meninerea descrcrii (tensiunea de
ardere). Din aceast cauz, pentru iniierea descrcrii, este aplicat un puls de
nalt tensiune preliminar (comutatorul K n poziia 2, n figura 4.3), dup
care tensiunea este sczut la valoarea de ardere (comutatorul K n poziia 1).
Rezistorul de balast R este utilizat pentru limitarea curentului n tub n timpul
descrcrii. Deoarece condiiile corecte pentru excitarea direct a gazului din
laserul cu gaz sunt dificil de gsit, se utilizeaz o variant a acestei metode,
aa cum este descris n continuare.
c) Ciocniri ntre atomi sau molecule
Acesta este mecanismul de excitare standard n laserii cu gaz, cum
sunt laserul cu He-Ne, sau laserul cu CO
2
. n metoda de fa, n tubul
laserului se gsesc cel puin dou gaze. Un gaz primete energie din
ciocnirile electronii liberi accelerai cu moleculele sau atomii si, iar al doilea
gaz primete energie din ciocniri ale moleculelor sau atomilor si cu
moleculele sau atomii excitai ai primului gaz.



Fig. 2.7 Diagrama nivelurilor energetice ale laserului cu He-Ne

Figura 2.7 prezint diagrama nivelurilor energetice ale laserului cu
He-Ne, cu tranziiile posibile. Masa atomului de heliu este aproximativ o
cincime din masa atomului de neon. Cantitatea de heliu din tub este de
aproximativ 6 ori mai mare dect cantitatea de neon. Astfel, atomii de heliu
au o probabilitate mai mare de a primi energie de la electronii accelerai i de
a trece pe nivelurile energetice excitate E
3
i E
5
.
Atomii de neon au dou niveluri energetice excitate (E
3
i E
5
), care
sunt foarte apropiate de nivelurile energetice excitate ale atomilor de heliu.
74
Atomii de heliu excitai transfer energia lor de excitare ctre atomii de neon
prin ciocniri (o astfel de excitare se numete excitare la rezonan).
Energia radiaiei laserului cu He-Ne este emis la lungimi de und
care corespund diferenei de energie ntre niveluri:
E
5
E
4

1
= 3,391 m
E
5
E
2

2
= 0,632 m
E
3
E
2

3
= 1,152 m
d) Excitare chimic
n acest tip de excitare, energia de excitare este furnizat de o reacie
chimic ntre doi atomi sau molecule (aa cum se va arta n paragraful
7.1.9).
e) Excitare prin curent electric (n diode laser).
2.4.3. Mecanismul de reacie
Mecanismul de reacie este sistemul prin care o parte din radiaia laser
produs este ntoars napoi, n mediul activ. De obicei, reacia pozitiv este
obinut utiliznd oglinzi la ambele extremiti ale mediului activ. Acestea
sunt aliniate astfel nct radiaia se reflect ntre ele de mai multe ori. Se
creeaz astfel o cavitate optic.
De obicei, o oglind are o reflectan de 100%, astfel nct ntreaga
radiaie ce cade pe ea este reflectat n mediul activ. Cealalt oglind este
parial reflectant (10% 99%), n funcie de tipul laserului. Partea din
radiaie care nu este reflectat n cavitatea optic este transmis n exterior,
reprezentnd radiaia laser emis de dispozitiv.
Reacia permite fiecrui foton s treac de mai multe ori prin mediul
activ, astfel nct s se obin o amplificare suficient.
Datorit mecanismului de reacie, numai fotoni care se propag ntre
oglinzi i se reflect pe acestea rmn n mediul activ, ceea ce asigur
direcionalitatea foarte bun a fasciculului laser de ieire.
2.4.4. Cuplajul de ieire
Cuplajul de ieire este calea prin care se transmite radiaia
electromagnetic laser n exterior. Cuplajul de ieire standard utilizeaz o
oglind parial reflecttoare. Partea din fascicul care nu este reflectat napoi
n mediul activ, este transmis n exterior.
La un laser cu und continu (in care radiaia este emis continuu), cea
mai mare parte a radiaiei este reflectat napoi n cavitate i numai un mic
procent din ea este transmis n exterior. La anumii laseri n pulsuri, cea mai
mare parte a radiaiei din cavitate este transmis n exterior la un anumit
moment, sub forma unui puls.

75
2.5. Caviti optice i moduri laser
2.5.1. Unde staionare
Unda staionar este rezultatul unui proces particular de interferen a
dou unde, atunci cnd acestea au aceeai frecven i aceeai amplitudine i
se propag pe aceeai direcie, n sensuri opuse.
Aa cum este cunoscut din teoria undelor, cnd dou unde cu amplitudini
egale i aceeai frecven se propag pe aceeai direcie n sensuri opuse, din
interferena lor rezult o und care apare ca i cum ar fi imobil n spaiu o
und staionar (figura 2.8).



Fig. 2.8 Formarea unei unde staionare din interferena a dou unde ce se
propag n sensuri opuse

n figura 2.8, curbele reprezint limita de oscilaie a punctelor de pe
traiectoria undelor; astfel, punctele care oscileaz cu amplitudine minim
(nul) se numesc noduri, iar cele care oscileaz cu amplitudine maxim se
numesc ventre
Distana dintre dou noduri consecutive sau cea dintre dou ventre
consecutive este jumtate din lungimea de und a undelor care interfer.
ntr-un laser, cavitatea optic este creat ntre cele dou oglinzi de la
extremitile mediului activ. Aceste oglinzi au dou roluri:
- mresc lungimea mediului activ, prin reflexiile multiple ale fasciculului
laser ntre ele;
- determin condiiile la limit pentru cmpul electromagnetic n cavitatea
laser .
O cavitate cu dou oglinzi se numete rezonator Fabry-Perot. Axa ce
unete centrele acestor oglinzi, perpendicular pe ele, se numete axa optic a
laserului. Fasciculul laser este emis n exterior pe direcia axei optice.
n cavitatea laser, unda electromagnetic, este reflectat ntre oglinzi,
astfel c, n orice moment, dou unde de aceeai frecven i amplitudine se
propag n sensuri opuse, ceea ce constituie condiia pentru producerea unei
unde staionare.
ntruct prin reflexii multiple, la un moment dat, n cavitate nu se
gsesc doar dou unde, pentru formarea unei unde staionare prin reflexii
multiple, trebuie ca diferena de faz dintre undele reflectate consecutiv s fie
76
constant. Acest lucru este asigurat dac drumul optic de la o oglind la
cealalt este un multiplu ntreg al lungimii de und.
Cum distana dintre oglinzi (L) este constant, lungimile de und
posibile, care creeaz unde staionare, trebuie s ndeplineasc condiia:

m
=
2L
m


(2. 24)
unde L este lungimea cavitii optice, m numrul (ordinul) modului, care este
egal cu numrul semilungimilor de und cuprinse n interiorul cavitii optice
i
m
lungimea de und a modului m.
Primul mod conine o semilungime de und, al doilea mod dou
semilungimi de und i aa mai departe.
Lungimea de und a modului laser (
m
) este msurat n mediul activ.
n substan, lungimea de und (
m
) a unei unde este egal cu:

m
=
0
n



(2. 25)
unde
0
este lungimea de und a luminii n vid i n indicele de refracie al
mediului activ. Cum viteza luminii n vid, c are expresia:
c =
0
v = n
m
v
m


(2. 26)
frecvena modului longitudinal este:
v
m
=
m
c
n


(2. 27)
nlocuind relaia (2.24) n (2.27), rezult:
v
m
=
c
m
2nL


(2. 28)
Valoarea:
v
1
=
c
2nL


(2. 29)
reprezint primul mod de oscilaie posibil pentru cavitatea optic respectiv.
Acest mod se numete mod longitudinal fundamental i lui i
corespunde frecvena fundamental a cavitii optice.
Frecvena fiecrui mod laser este egal cu un multiplu ntreg (ordinul
modului, m) al frecvenei fundamentale a modului longitudinal fundamental.
Diferena dintre frecvenele modurilor consecutive, numit i distan
intermodal, este egal cu frecvena fundamental a cavitii:
Av =
c
2nL


(2. 30)
Pentru nelegerea mai uoar a aspectelor legate de modurile cavitii
laser, se poate apela la o analogie cu modurile de oscilaie ale unei coarde
vibrante (figura 2.9). Acestea sunt echivalente cu modurile longitudinale
laser, care sunt moduri de-a lungul axei optice a laserului. Condiia necesar
77
pentru formarea acestor unde staionare este existena unui nod la fiecare
extremitate (oglind) a cavitii.
n toate discuiile de pn acum, s-a considerat c indicele de refracie
n este constant n cavitatea optic. Aceast presupunere nseamn c
lungimea mediului activ este egal cu lungimea cavitii optice.
Exist laseri n care oglinzile nu sunt plasate la extremitile mediului
activ, astfel c L
1
nu este egal cu lungimea cavitii, L. n astfel de cazuri,
fiecare seciune a cavitii este calculat separat, cu indicele de refracie
corespunztor:
Av
M
=
1 1 2 2
c
2n L 2n L +


(2. 31)



Fig. 2.9 Primele trei moduri longitudinale ntr-o cavitate optic de lungime L

2.5.2. Moduri longitudinale n laser
Din totalitatea radiaiilor de frecvene posibile, numai acelea care
ndeplinesc o alt condiie vor putea fi emise de laser i anume acele
78
frecvene (moduri) sunt amplificate peste o valoare minim, pentru depirea
absorbiei. Aceast amplificare minim este definit ca prag al efectului laser.
Condiia de amplificare minim nseamn c amplificarea este egal cu
pierderile, astfel nct amplificarea total n bucl nchis (ctigul) n
cavitate este A = 1.
n figura 2.10, curba amplificrii n mediul activ n funcie de
frecven este reprezentat mpreun cu pragul efectului laser i modurile
longitudinale posibile ale laserului. nlimea fiecrei linii laser depinde de
pierderile n bucl nchis n cavitate, inclusiv radiaia emis prin cuplajul de
ieire. Forma i proprietile curbei amplificrii sunt explicate n capitolul
urmtor. Regiunea haurat de sub curb i deasupra pragului efectului laser
include domeniul n care se poate produce efectul laser. Amplitudinea curbei
amplificrii depinde de lungimea mediului activ i de excitarea acestuia.
Modurile longitudinale posibil ale laserului sunt marcate ca linii
perpendiculare echidistante.



Fig. 2.10 Curba amplificrii unui laser

Condiia de formare a undelor staionare pentru moduri longitudinale
este determinat de lungimea cavitii i indicele su de refracie. n figura
2.10, numai 5 frecvene dintre cele permise n cavitate, sunt deasupra
pragului efectului laser, astfel c numai aceste 5 frecvene pot exista n
radiaia de la ieirea laserului.
Numrul modurilor longitudinale optice
n figura 2.11 este prezentat distribuia spectral a liniilor spectrale
ale radiaiei emise de laser, descrise n figura 2.10.
79
n acest exemplu, la ieire sunt permise 5 frecvene, echidistanate, cu
valoarea numit distan intermodal: Av
M
=
c
2nL
.



Fig. 2.11 Distribuia spectral a liniilor spectrale laser

Curba amplificrii (a ctigului) este o reprezentare grafic a
amplificrii n funcie de frecven i ea descrie lrgimea liniei de
fluorescen. Lrgimea liniei de fluorescen, ov
L
a unui laser este lrgimea
curbei amplificrii la jumtate din amplitudine. Ea determin lrgimea
maxim a tuturor liniilor spectrale laser emise. Numrul aproximativ al
modurilor laser posibile, N este dat de raportul dintre lrgimea liniei de
fluorescen i distana dintre dou moduri consecutive:
N =
L
M
ov
Av

(2. 32)
Modul n care se poate controla numrul modurilor longitudinale ntr-
un laser este prin controlul lungimii cavitii laser . Acesta poate fi fcut n
dou feluri:
- prin variaia lungimii cavitii deplasnd fizic oglinzile n alt poziie
- prin dublarea lungimii cavitii, ceea ce reduce la jumtate distana ntre
modurile longitudinale consecutive, deci numrul modurilor laser posibil
sub curba de fluorescen se dubleaz.
Este evident c un singur mod laser poate fi obinut prin reducerea
lungimii cavitii, astfel nct sub curba de fluorescen, cu condiia A > 1, va
rmne un singur mod longitudinal. La o astfel de operare a laserului, n
condiia monomod, distana exact dintre oglinzi este critic, deoarece, dac
nu sunt moduri care s ndeplineasc condiiile, efectul laser nu are loc.
Dezavantajul acestei metode este c o lungime scurt a cavitii limiteaz
puterea de ieire a laserului.
80
Adugarea unei oglinzi suplimentare n cavitatea laser (figura 2.12)
este o metod care determin obinerea concomitent a dou lungimi ale
cavitii: L
1
, i L
2
. Lungimea L
1
este aleas astfel nct un singur mod
longitudinal se va gsi sub curba de fluorescen a laserului. Laserul ca
sistem, trebuie s ndeplineasc condiiile de funcionare pentru ambele
caviti. Acest aranjament necesit poziii strict stabile pentru oglinzi i este
utilizat ori de cte ori este necesar obinerea unei puteri mari la operarea
monomod, n special n laserii cu corp solid.



Fig. 2.12 Funcionarea unui laser monomod cu 3 oglinzi

Diferena dintre modurile longitudinale consecutive
Importana modurilor optice longitudinale ale laserului este determinat
de aplicaia specific n care este utilizat acesta.
n majoritatea aplicaiilor de putere, pentru prelucrarea materialelor sau
chirurgie medical, laserul este utilizat ca un mijloc pentru transferul energiei
spre int. Din aceast cauz, numrul modurilor longitudinale laser nu are
nici o importan.
n aplicaiile unde interferena radiaiei electromagnetice este
important, de exemplu n holografie, sau msurri interferometrice,
modurile longitudinale sunt foarte importante. n aceste aplicaii, lungimea de
coeren a radiaiei este o proprietate important i ea este determinat de
lrgimea liniei spectrale a radiaiei laser (invers proporional cu ea). n
aceste aplicaii, este utilizat un laser monomod i se folosesc tehnici speciale
de reducere a lrgimii liniei, crescnd astfel lungimea de coeren. n aplicaii
spectroscopice i fotochimice, este necesar o lungime de und foarte bine
definit. Aceasta se poate obine prin operarea laserului n regim monomod i
controlul lungimii cavitii, astfel nct acest mod s opereze exact la
lungimea de und necesar. Structura modurilor longitudinale laser este
critic pentru aceste aplicaii.
Cnd sunt necesare pulsuri scurte de mare putere, este utilizat operarea
n mode locking (blocare a modului). Acest proces determin interferena
81
constructiv ntre toate modurile din cavitatea laser . Pentru aceste aplicaii,
structura modurilor longitudinale laser este important.
Dei majoritatea laserilor lucreaz n regimul multimod, ei sunt
considerai ca surse monocromatice, deoarece diferena ntre lungimile de
und ale modurilor longitudinale consecutive este foarte mic. De exemplu,
pentru un laser cu of He-Ne cu lungimea cavitii de 50 cm, dac lungimea
de und a modului m este exact
m
= 632,8 nm, lungimea de und modului
m + 1 este
m+1
= 632,7996 nm i diferena dintre lungimile de und ale
modurilor longitudinale consecutive este deci 410
13
m. O astfel de diferen
foarte mic permite aproximaia care se face practic prin considerarea
radiaiei laser ca radiaie monocromatic.
2.5.3. Moduri transversale n laser
n discuiile anterioare a fost examinat distribuia intensitii radiaiei
de-a lungul axei optice a laserului. Modurile longitudinale au fost descrise ca
unde staionare ntre oglinzile laserului.


Fig. 2.13 Moduri electromagnetice transversale n laser

Este important ns i analiza distribuiei transversale a intensitii
radiaiei, ntr-o seciune transversal a fasciculului, perpendicular pe axa
82
optic a laserului. Aceste moduri transversale sunt determinate de lrgimea
cavitii, care permite formarea ctorva moduri transversale n cavitatea laser.
O uoar nealiniere a oglinzilor laserului determin lungimi diferite
ale drumului pentru diferite raze n cavitate. Astfel, distribuia intensitii
nu este o distribuie gaussian perfect.
n seciune transversal, radiaia laser are o distribuie specific, n
regiuni de intensitate mare i regiuni cu intensitate nul. Figura 2.13 prezint
distribuia de energie a primelor cteva moduri electromagnetice transversale.
Zonele ntunecate marcheaz locurile unde radiaia laser are intensitate
maxim.
Forma distribuiei energiei n seciunea transversal a fasciculului
reprezint modurile transversale electromagnetice (TEM).
Fiecare mod transversal (TEM) este marcat cu doi indici: TEM
mn
,
unde m i n sunt numere ntregi. Considernd c fasciculul se propag de-a
lungul axei Oz, m reprezint numrul punctelor de iluminare nul (ntre
regiunile luminoase) de-a lungul axei Ox i n este numrul punctelor de
iluminare nul (ntre regiunile luminoase) de-a lungul axei Oy.
Este un mod transversal care nu se potrivete acestei clasificri i el
are un nume special (conform formei sale) datorit importanei sale: bagel.
El este compus din modurile TEM
01
i TEM
10
oscilnd mpreun (figura
5.6.i).
2.5.4. Caviti optice specifice laserilor
n orice cavitate laser sunt cel puin dou oglinzi la capetele acesteia.
Aceste oglinzi sunt plasate fa n fa i centrele lor se afl pe axa optic a
laserului. Distana ntre oglinzi determin lungimea cavitii optice a
laserului, L. Sunt diferite forme de oglinzi, cu diferite distane ntre ele. O
cavitate optic specific este determinat de mediul activ utilizat, de puterea
optic n el i de aplicaia specific.
Cteva importante definiii pentru cavitatea optic sunt prezentate n
continuare.
Cavitate optic - Cavitate laser - Regiunea dintre oglinzile de la captul
laserului.
Ax optic - Linia imaginar ce trece prin centrul oglinzilor i
perpendicular pe ele.
Apertur Factor ce limiteaz diametrul fasciculului n cavitatea laser .
De regul, apertura este determinat de diametrul mediului activ, dar n
unii laseri este introdus o fant circular mic (pinhole) n cavitatea laser
pentru a limita diametrul fasciculului.
Pierderi n cavitatea optic - Includ toate radiaiile ce lipsesc la ieirea
laserului
Pierderile n cavitatea optic pot fi determinate de:
83
- nealinierea oglinzilor laserului - cnd oglinzile cavitii nu sunt aliniate
exact perpendicular pe axa laserului i paralel una cu cealalt, radiaia n
cavitate nu va fi confinat la reflexiile ntre oglinzi.
- absorbia, dispersia i pierderile n elementele optice - cum elementele
optice nu sunt ideale, fiecare interacie cu un element optic n cavitate
determin anumite pierderi.
- difracia la fiecare trecere a fasciculului laser printr-o apertur
limitatoare, acesta se difract.
Orice cavitate optic are dou oglinzi cu razele de curbur R
1
i R
2
.
Doi parametri determin structura cavitii optice:
- volumul modului laser n interiorul mediului activ.
- stabilitatea cavitii optice.
n continuare sunt descrise principalele tipuri de caviti optice:
1. Cavitate optic plan-paralel
Figura 2.14 descrie cavitatea optic plan-paralel.



Fig. 2.14 Cavitate optic plan-paralel

La ambele capete sunt oglinzi plane (R
1
= , R
2
= ), paralele una
cu alta i perpendiculare pe axa optic a laserului.
Avantaje:
Utilizarea optim a ntregului volum al mediului activ. Ca urmare, este
utilizat n laseri n pulsuri, care necesit energie maxim.
Nefocalizarea radiaiei laser n cavitatea optic. n laserii de mare putere,
o astfel de focalizare poate determina strpungerea electric sau
deteriorarea elementelor optice.
Dezavantaje:
Pierderi mari prin difracie.
Foarte mare sensibilitate la nealiniere i, ca urmare foarte dificil de lucrat
cu astfel de laseri.
2. Cavitate circular concentric (sferic)
Figura 2.15 descrie cavitatea optic circular concentric. La ambele
capete se afl oglinzi sferice cu aceeai raz. Distana ntre vrfurile
oglinzilor este egal cu dublul razei de curbur a fiecreia (R
1
= R
2
= L/2).
Acest aranjament determin focalizarea fasciculului n centrul cavitii.
Proprietile acestei caviti sunt opuse acelora ale cavitii plan-
paralele.
84



Fig. 2.15 Cavitate circular concentric

Avantaje:
Foarte mic sensibilitate la nealiniere. Astfel, alinierea este foarte uor de
fcut.
Pierderi mici prin difracie.
Dezavantaje:
Utilizarea limitat a volumului mediului activ. Se utilizeaz n pompajul
optic al laserilor cu regim continuu cu colorani. n aceti laseri,
colorantul lichid curge n regiunea de focalizare a fasciculului (direcia de
curgere este perpendicular pe axa optic a laserului). Astfel, pentru
pompaj este utilizat o foarte mare densitate de putere.
Focalizare maxim a radiaiei laser n cavitatea optic. O astfel de
focalizare poate determina strpungerea electric sau deteriorarea
elementelor optice.
3. Cavitate confocal
Aceast cavitate este un compromis ntre cavitile optice plan-paralel
i cele circulare. La capetele mediului activ sunt oglinzi sferice cu aceeai
raz. Distana ntre vrful oglinzilor este egal cu raza of curbur a fiecreia
dintre ele (R
1
= R
2
= L). Acest aranjament determin o mult mai slab
focalizare a fasciculului n centrul cavitii.



Fig. 2.16 Cavitate optic confocal

Avantaje:
Slab sensibilitate la nealiniere, deci simplu de aliniat.
Pierderi prin difracie mici.
Focalizare nu prea mare n cavitate.
Utilizare medie a volumului mediului activ.
Principala diferen ntre cavitatea confocal i cavitatea sferic este
aceea c n cavitatea confocal, focarul fiecrei oglinzi este n centrul
85
cavitii, n timp ce n cavitatea sferic, centrul de curbur al oglinzilor este
n centrul cavitii.
4. Cavitate cu raza de curbur a oglinzilor mai mare dect lungimea
cavitii
Aceast cavitate este un compromis mai bun dect cavitata confocal
ntre cavitile optice plan-paralel i circular. Oglinzile sferice au razele de
curbur mari (nu neaprat egale). Distana ntre vrfurile oglinzilor este mult
mai mic dect raza de curbur a fiecreia (R
1
, R
2
>> L). Acest aranjament
determin o focalizare mult mai mic a fasciculului n centrul cavitii.



Fig. 2.17 Cavitate cu raza de curbur a oglinzilor mai mare dect lungimea
cavitii

Avantaje:
Sensibilitate medie la nealiniere.
Pierderi prin difracie medii.
Focalizarea fasciculului medie n cavitate.
Bun utilizare a volumului mediului activ
5. Cavitate emisferic
Cavitatea este creat de o oglind plan i o oglind sferic cu raza de
curbur egal cu lungimea cavitii.



Fig. 2.18 Cavitate emisferic

Aceast cavitate este similar ca proprieti cavitii optice circulare,
cu avantajul preului sczut al oglinzii plane.
Majoritatea laserilor cu He-Ne utilizeaz aceast cavitate care are
pierderi prin difracie mici i este relativ uor de aliniat.
Avantaje:
Slab sensibilitate la nealiniere.
Pierderi prin difracie mici.
6. Cavitate emisferic cu lungime mai mare dect raza de curbur

86


Fig. 2.19 Cavitate emisferic cu lungime mai mare dect raza de curbur

Cavitatea este creat de o oglind plan i o oglind sferic cu raza de
curbur mulz mai mare dect lungimea cavitii.
Aceast cavitate este similar n proprieti cu cavitatea confocal, cu
avantajul preului sczut al oglinzii plane.
7. Rezonator instabil
Un exemplu pentru o astfel de cavitate este aranjamentul convex-
concav de oglinzi sferice din figura 2.20.



Fig. 2.20 Exemplu de cavitate instabil

Oglind concav este mare i raza sa de curbur este mai mare dect
lungimea cavitii. Oglinda convex este mic i raza sa de curbur este mic.
ntr-o astfel de cavitate nu este creat nici o structur de unde staionare.
Radiaia nu se propag pe acelai drum ntre oglinzi. Centrul de curbur al
ambelor oglinzi este comun.
Avantaje:
Volum mare al modurilor n mediul activ.
Toat puterea din interiorul cavitii este emis n afara laserului.
Radiaia laser este emis n exteriorul laserului n jurul marginilor oglinzii
mici. Aceast cavitate este utilizat n laseri de mare putere, care nu pot
utiliza cuplajul de ieire standard.
Dezavantaje:
Forma fasciculului are o gaur n mijloc.
2.5.5. Criteriul stabilitii cavitii
O cavitate stabil este o cavitate n care radiaia este captat n
interiorul cavitii, crend unde staionare n timpul propagrii fasciculului
ntre oglinzi. Geometria cavitii determin dac cavitatea este stabil sau nu.
Este posibil utilizarea unui rezonator instabil numai dac mediul activ are o
amplificare mare, deoarece fasciculul trece prin mediul activ de mai puine
87
ori dect n cavitatea stabil. Pentru determinarea stabilitii unei caviti,
trebuie definit un criteriu de stabilitate.
Mai nti, este definit un parametru geometric pentru fiecare oglind:
1 2
1 2
L L
g 1 ; g 1
R R
= =

(2. 33)
O reprezentare grafic a parametrilor geometrici este descris n
figura 2.21.



Fig. 2.21 Reprezentare grafic a parametrilor geometrici

O cavitate este stabil dac:
0 < g
1
g
2
< 1

(2. 34)



Fig. 2.22 Diagrama de stabilitate a cavitilor laser
88

Criteriul de stabilitate pentru cavitatea laser este deci relaia (2.34). Se
poate da i o reprezentare grafic a acestui criteriu. n diagrama de stabilitate
(figura 2.22), parametrii geometrici ai oglinzilor sunt the axele Ox i Oy.
n diagrama de stabilitate, regiunea haurat marcheaz aria de
stabilitate. Aceasta este delimitat de dou arce de hiperbol, definite de
criteriul de stabilitate. Pe diagram sunt marcate cteva caviti mai des
ntlnite.
O cavitate este stabil dac centrul de curbur al uneia dintre oglinzi,
sau poziia oglinzii nsi, dar nu amndou, sunt ntre a doua oglind i
centrul su de curbur.
Pentru caviti aflate la marginea regiunii de stabilitate, produsul g
1
g
2

este egal cu 0 sau 1.

2.6. Tipuri de laseri
Laserii pot fi clasificai n trei categorii principale: laseri cu emisie
continu (continuous wave CW), laseri cu emisie n pulsuri i laseri
ultrarapizi. Unele materiale, cum sunt rubinul i excimerii cu gaze rare i
halogeni (ArF, XeCl) susin aciunea laser pentru doar o scurt
perioad. Dac durata pulsului este suficient de mare (~ s), construcia
laserului este similar cu cea a unui laser CW. Totui, muli laseri n pulsuri
sunt proiectai pentru o durat a pulsului de cteva ns. n acest caz, lumina nu
poate face multe cicluri de propagare ntre oglinzile cavitii n decursul unui
puls. Cavitile rezonante utilizate n laserii CW nu pot controla astfel de
laseri. Pulsul se stinge nainte de obinerea condiiilor de echilibru. Astfel,
dei n laserii n pulsuri se utilizeaz n continuare dou oglinzi, pentru
definirea direciei de amplificare maxim, acestea nu acioneaz ca o cavitate
rezonant. n acest scop, metoda uzual de control i acord al lungimii de
und este o reea de difracie.
Unii laseri n pulsuri, cum este laserul cu Nd:YAG (neodymium yttrium
aluminum garnet), care utilizeaz ca mediu activ ioni de neodim (Nd), plasai
ntr-un mediu gazd, alctuit dintr-un granat de ytriu i aluminiu, poate fi
operat cu un dispozitiv intracavitar, numit Q-switch, care acioneaz ca un
obturator optic rapid. Lumina nu poate trece prin el dect dac este activat, de
obicei printr-un puls de nalt tensiune. Iniial, obturatorul este nchis. La
momentul oportun, el este deschis i energia nmagazinat n mediul activ
este emis sub forma unui puls foarte scurt. Acest mod de operare poate
scurta durata unui puls normal de cteva ordine de mrime. Puterea de vrf a
laserului n pulsuri este proporional cu energia pulsului raportat la durata
acestuia. Din aceast cauz, modul de operare Q-switching poate determina
creterea puterii de vrf cu cteva ordine de mrime. Puritatea lungimii de
89
und a laserilor Q-switched este dificil de controlat, datorit combinaiei de
putere de vrf foarte mare i durata foarte scurt a pulsului. Pentru rezolvarea
acestei probleme, adesea este pus n serie cu unul, sau mai multe
amplificatoare, un oscilator de mic putere, bine controlat.
Laserii CW pot produce mai multe moduri longitudinale. Dac
cavitatea este pulsatorie sau oscilant, este posibil blocarea acestor moduri
mpreun (mode-lock). Interferena rezultat face ca undele luminoase ce se
propag n cavitate s se comaseze ntr-un puls foarte scurt (un pachet de
unde). De fiecare dat cnd acest puls ajunge la cuplajul de ieire, laserul
emite o parte din acest puls. Frecvena de repetiie a pulsurilor este
determinat de timpul necesar pulsului pentru a parcurge o dat cavitatea. Cu
ct interfer mai multe moduri, cu att este mai scurd durata
pulsului. Aceasta este invers proporional cu banda amplificrii mediului
activ laser. Materialele utilizate de obicei pentru laserii acordabili, care
produc pulsurile mode-locked cele mai scurte sunt de tipul safir dopat cu
titan. Se pot obine astfel pulsuri cu durata de ordinul a 20 fs, cu frecvena
pulsurilor de 100 MHz i puteri de vrf pn la 1 MW.

90
3. Ghidul de und dielectric circular
3.1. Concepte i terminologie
Teoria ghidului de und ideal neperturbat, care formeaz baza tuturor
problemelor practice ale propagrii n fibra optic merit o discuie mai
detaliat. Ghidul de und ideal este drept, cilindric, simetric i are un nveli
de grosime infinit. Structura i caracteristicile sale nu variaz de-a lungul
axei z. n cel mai simplu caz, ghidul este confecionat dint-un material fr
atenuri i fr dispersii. Indicele de refracie, n(r), scade de-a lungul razei r
de la o valoare maxim, n
1
, n centru, pn la o valoare constant, n
0
, dincolo
de raza a a miezului, aa cum se arat n figura 3.1.
Profilul variaiei indicelui de refracie este convenional definit de:
n
2
(r) =
2
1
n [1 2Af(r)] (3. 1)
unde funcia f(r) crete de la f(0) = 0 la f(a) = 1 i este constant pentru r > a.
Variaia relativ de indice dintre miez i nveli este:
A =
2 2
1 0 1 0
2
1 1
n n n n
2n n

~ (3. 2)
i este cu mult mai mic dect unitatea (de ordinul a cteva procente) pentru
fibre de comunicaii. O valoare de 4 % este considerat tehnologic dificil;
1% este valoarea tipic.


Fig. 3. 1 - Indicele de refracie n
2
(r) i nivelurile de mod (|/k)
2
, pentru o fibr
multimod cu profil cu gradient de indice

Dei definit pentru ghidul cu profilul indicelui n treapt, conceptul
aperturii numerice este valabil pentru orice profil. Din relaiile (3.1) i (3.3),
se poate scrie:
NA ~ n
1
2A (3. 3)
Deci NA este de ordinul 10
1
. Mai precis, conul de raze trapate de o
fibr cu NA = 0,2 (A = 0,01; n
1
= 1,46) are o apertur unghiular de numai
91
11,5. Aceast capacitate de ghidare limitat este adecvat pentru aplicaiile
n comunicaii. n acord cu descrierea procesului de propagare, sunt permise
un numr de simplificri semnificative, care au condus la teoria ghidrii
slabe a ghidului de und dielectric, cu aplicaii speciale n fibrele de
comunicaii. Discuia urmtoare este limitat la aceast teorie simplificat.
Pentru o trecere conceptual de la noiunea de raz la cea de unde
optice, se consider o und plan monocromatic propagndu-se n direcia
razei. S lsm constanta propagrii n vid la k =
2t

, unde este lungimea


de und n vid. Fie u unghiul dintre raz i axa fibrei la o distan r fa de
aceasta. Constanta de propagare a undei la r este n(r)k. Interferena
constructiv apare ntre undele care au o vitez de faz comun n direcia z
sau, echivalent, o component z.
| = nkcos u (3. 4)
Modelul cmpului nodal rezultat este invariant, cu excepia unei
dependene periodice de z, de forma exp( i|z), care l identific pe | ca fiind
constanta de propagare a modului. Ecuaia (3.4) definete grupul sau
congruena razelor care reprezint un anumit mod.
Unghiuri u mici (de ordinul A pentru structuri de ghidare slab)
implic faptul c toi vectorii de propagare sunt orientai cu precdere nainte.
Legile reflexiei ale lui Fresnel arat c, n aceste condiii, refleciile sunt
independente de polarizare. La fel, teoria modurilor de propagare arat c
propagarea predominant nainte implic componente predominant
transversale ale cmpului i c modurile electromagnetice transversale
rezultante (TEM) pot fi separate n dou componente polarizate liniar; bine-
cunoscutele moduri laser TEM sunt exemple tipice. Pentru moduri de acest
fel, toate componentele cmpului pot fi obinute ca derivnd dintr-o
component dominant transversal a vectorului cmp electric, care la rndul
ei rezult dintr-o soluie a ecuaiei de und scalare.
Condiia TEM este ndeplinit doar aproximativ n fibre cu ghidare
slab. Astfel, modurile polarizate liniar (LP) nu sunt moduri ale acestor fibre
n sens riguros, cu excepia celui fundamental sau a celor de ordin foarte mic.
Modurile exacte sunt notate HE sau EH, n funcie de natura micii
componente a cmpului longitudinal. n fibrele cu ghidare slab, perechile
HE-EH exist i sunt aproape degenerate (adic au aproape aceeai constant
de propagare). O suprapunere a cmpului fiecrei perechi produce moduri
LP. Pe distane mari, diferene nensemnate ntre constantele de propagare
HE i EH modific suprapunerea cmpurilor. n orice caz, acolo unde
intensitatea (densitatea de putere) este mai important dect vectorii de cmp,
ca n cazul detectoarelor (contoarelor) de fotoni aplicate exclusiv n sistemele
92
optice de comunicare n prezent, modurile LP conin toate informaiile
relevante.
n mod obinuit, descrierea ordinelor unghiulare i radiale ale
modurilor circulare simetrice se face utiliznd indicii v, respectiv . Cu toate
acestea, definiiile folosite n literatur difer de la caz la caz. Urmtorul tabel
de coresponden ofer o lmurire a notaiilor utilizate.

Tabel 3.1 corespondena notrii modurilor de propagare n ghiduri de und
TEM
00
LP
01
HE
11
TEM
v,
LP
v,+1
HE
v+1,+1
EH
v1, +1

Singurul caz n care controlul modului polarizrii este important
privete structurile de straturi subiri, care pot fi folosite la procesarea
semnalelor optice. Aceste structuri sunt sensibile la tipul de mod i la
polarizare. Cnd astfel de procese devin posibile, transmiterea stabil a unui
mod polarizat devine o necesitate. Din fericire, cazul monomodului este
singurul caz n care soluiile scalare (LP) descriu un mod natural i nu o
suprapunere de moduri.
3.2. Moduri n fibra optic
Considernd distribuia indicelui de refracie de forma (3.1) ntr-un
cilindru dielectric omogen circular i folosind coordonatele cilindrice r, , z,
n condiiile de ghidare slab discutate anterior (A << 1), ecuaia vectorial a
undei ce descrie riguros condiiile cmpului poate fi separat n trei ecuaii de
und scalare de forma:
[V
2
+ n
2
(r)k
2
] = 0 (3. 5)
unde V este operatorul laplaceian i pot fi oricare din componentele
carteziene ale vectorilor electric sau magnetic.
De exemplu, dac este componenta dominant transversal a
cmpului electric:
= E(r)
cos
sin
v

`
v
)
exp( i|z) (3. 6)
Dependena periodic de conform cu cos v sau sin v conduce la
un mod de ordin radial v. Introducnd soluia particular (3.6) n (3.5),
rezult ecuaia diferenial de forma:

2
r
1 d d
r
r dr dr
(
| |
+ k
| (
\ .

E = 0 (3. 7)
unde

2
r
k = n
2
k
2
|
2

2
2
r
v
(3. 8)
93
corespunde componentei radiale a vectorului de und local pe direcia razei.
Cum | este n acelai timp componenta z a vectorului de und i constanta de
propagare a modului, v/r corespunde coordonatei .
Ecuaia (3.5) este formal identic cu ecuaia Klein-Gordon, care
descrie funcia de und cuantic a unei particule de mas de repaus nul i cu
spinul nul sub aciunea unui cmp cu un potenial cu o dependen radial,
](r). Astfel, cazul profilului indicelui n treapt conduce la un formalism
identic cu acela (bidimensional) al unei bariere de potenial, n timp ce
profilul parabolic corespunde cazului oscilatorului armonic.
Profilurile aproximnd variaia parabolic a indicelui de refracie
reduc distorsionarea semnalului n fibre multimodale cu mai multe ordine de
mrime n comparaie cu fibrele cu profil n treapt i de aceea joac un rol
important n comunicaiile optice la distane mari. Din nefericire, o soluie a
cmpului de form nchis pentru profil parabolic este disponibil doar
pentru f =
2
r
a
| |
|
\ .
extinzndu-se dincolo de r = a, dup cum arat linia punctat
din figura 2.1, i nu trunchiat la o valoare constant dincolo de r = a, ca n
majoritatea structurilor practice. Majoritatea modurilor la limita de separare
dintre miez i nveli n astfel de structuri practice pot fi bine aproximate de
modurile corespunztoare pentru un profil cu f(r) cu extindere nelimitat, n
domeniul a cteva lungimi de und dincolo de r = a.
Ecuaia (3.7) cu n(r) din (2.1) i f =
2
r
a
| |
|
\ .
are soluiile:
E =
2 2
2
2 2
r r r
V L V exp V
a a 2a
v
v
v

| | | |
| |

| | |
\ .
\ . \ .
(3. 9)
unde L
v

reprezint polinoamele generalizate Laguerre de ordin v i grad


i:
V = ak
2 2
1 0
n n (3. 10)
este un parametru de structur, numit de obicei parametrul V al fibrei sau
frecvena normalizat. Parametrul V mbin cei trei parametri semnificativi:
lungimea de und , raza miezului, a i apertura numeric a fibrei.
Combinaia dintre (3.6) i (3.9) realizeaz o descriere complet pentru
componenta cmpului dominant transversal a modului LP
v,+1
. Ea este
asociat cu o constant de propagare:
| = n
1
k
( )
4 2 1
1
V
A +v +
(3. 11)
94
Urmnd descrierile obinuite din mecanica cuantic, s-a introdus
raportul
2
2
k
|
pentru diferite valori (v, ) ca stri posibile n reprezentarea
profilului din figura 3.1. Pentru profilul parabolic, relaia (3.11) determin
V/2 stri posibile ntre
2
1
n i
2
0
n , starea cea mai joas (| cel mai mare) fiind
ocupat de modurile fundamentale. Populaia de moduri n stri superioare
crete aproximativ proporional cu ordinul, cea mai nalt stare fiind ocupat
de V/4 moduri. Numrnd toate strile distincte de polarizare i variaie
unghiular (sin v sau cos v), se poate ajunge la aproximativ M = V
2
/4
moduri independente ghidate de fibra parabolic. O fibr tipic pentru
aplicaii n comunicaii poate avea r = 25 m i NA = 0,2. La = 1 m,
rezult V = 31,4 i M = 247.
Motivul principal pentru care indicele nveliului este pstrat constant
n fibrele utilizate n practic este dificultatea tehnologic de obinere a
diferenelor mari de indice de refracie ntr-o structur din sticl fr a
introduce tensiuni interne sau alte probleme. Din aceast cauz, cea mai mare
parte din variaia de indice realizabil este rezervat miezului, care trebuie s
suporte un numr de moduri suficient de mare. nveliul este necesar mai
mult pentru a izola modurile de interferene exterioare (contaminarea de
suprafa). Dup cum se va arta, aceasta se poate face cu un strat de sticl
suficient de subire (i transparent), de indice uniform. n fibrele utilizate n
practic, profilul de gradient al miezului se continu cu profilul de indice
constant al nveliului ntr-un mod determinat obinuit de difuzia care are loc
ntre miez i nveli, n timpul procesului de fabricaie, cu temperaturi
variabile. Descrierea din figura 3.1, cu stoparea brusc a variaiei indicelui de
refracie la suprafaa de separare dintre miez i nveli trebuie deci s fie
neleas ca o aproximaie (idealizare) a condiiilor reale.
Pentru descrierea soluiilor cmpului n cazul profilului de variaia a
indicelui de refracie de forma din figura 3.1, se pot folosi funciile Hankel
modificate K
v
(r), n nveli, unde:
=
2 2 2
2
n k | (3. 12)
este numit parametrul de descretere al nveliului.
Din numeroase motive, funciile Hankel modificate descresc dup o
lege exponenial: exp(r). Aceast descretere este oarecum mai redus
dect cea indicat de (3.9), pentru r > a. Pentru a determina soluiile complete
ale cmpului i constantele de propagare pentru profilul din figura 3.1,
trebuie ca soluiile la limit s coincid: componentele cmpului tangenial al
miezului trebuie s fie egale cu cele ale nveliului la r = a; apoi se rezolv
acest sistem de ecuaii cu |.
95
Un exemplu de astfel de formalism este dat de profilul cu indice n
treapt. n acest caz, cmpurile n miez au forma J
v
(kr), unde:
k =
2 2 2
1
n k | (3. 13)
este componenta transversal a vectorului de und introdus anterior.
n aproximaia ghidrii slabe, condiiile de coinciden la limit a
soluiilor impun continuitatea componentelor transversale i a derivatelor lor
la interfa. Folosind relaiile cunoscute ale funciilor Bessel, se poate obine
o ecuaie cu valori proprii de forma:

( )
( )
( )
( )
1 1
J a K a
J a K a
v v
v v
k
k =
k
(3. 14)
care, mpreun cu (3.12) i (3.13) determin constantele de propagare ale
modurilor de ordin v. Din cauza naturii oscilatorii a funciilor Bessel J
v
,
fiecare interval dintre zerourile succesive ale acestor funcii Bessel determin
o soluie de moduri independent, asociat cu un diferit. Pentru mare
(stri inferioare, departe de cele mai nalte suportate de structur), soluia
coincide cu zeroul lui J
v
i este independent de distribuia indicelui
nveliului.
Pentru a determina caracteristicile modurilor cu ordine apropiate de
maximul suportat de aceast structur nu se poate evita rezolvarea unei
ecuaii cu valori proprii de forma (3.13). Sunt dou cazuri de importan
practic. Unul privete distorsionarea semnalului datorat modurilor de
ordinele cele mai nalte n fibrele multimod, iar cellalt privete cazul
structurilor monomod i oligomod, care par s ctige importan ca medii de
propagare de band larg. Din pcate, multe profiluri gradient de interes
practic nu au soluii analitice cunoscute, astfel metoda descris nefiind
aplicabil.
3.3. Fibra monomod
Distorsionarea semnalului provocat de diferene de ntrziere dintre
moduri diferite poate fi evitat doar dac n fibr se propag un singur mod.
Din pcate, se dovedete a fi greu din punct de vedere tehnologic s se excite
i s se transmit numai un singur mod ntr-o fibr multimod. Transformarea
modal cauzat de neadaptarea de intrare sau de imperfeciuni ale fibrei este
greu de evitat. Pentru a fi absolut siguri c semnalul se propag printr-un
singur mod, ghidul de und trebuie proiectat astfel nct s transmit doar un
mod i s atenueze toate celelalte moduri prin absorbie sau radiaie. Din
figura 3.1 i din discuia din paragraful anterior, este clar c acest lucru poate
fi fcut prin trunchierea profilului indicelui de refracie la o variaie de indice
suficient de mic, astfel nct numai o stare s fie suportat.
Pentru a afla valoarea exact la care starea a doua va deveni posibil,
se consider profilul de indice n treapt i relaia (3.14). n aceste condiii,
96
starea a doua este definit de v = 1 i are = 0. Se folosete apoi semnul
minus pentru valoarea cea mai sczut posibil i se afl J
0
(ka) = 0 ca
soluie a ecuaiei (3.14). Cel mai mic zero al lui J
0
este ka = 2,405. Se pune |
= n
0
k n (3.14) i se obine:
V
c
= 2,405 (3. 15)
pentru parametrul V critic al unei fibre cu indice n treapt care este limitat
la modul fundamental. O fibr tipic de acest fel poate avea A = 0,001i deci
o raz a miezului de 6 m la = 1 m. Raza miezului este de aproximativ
patru ori mai mic dect cea a unei fibre multimod tipice, fapt important
atunci cnd astfel de fibre trebuie s fie mbinate n teren. Diferena de indice
este de aproximativ un ordin de mrime mai mic dect cea al unei fibre
multimod, ceea ce provoac unele dificulti n procesul fabricrii fibrelor.
Din cauza diferenelor mici de indice, modul fundamental a fibrelor
monomod ptrunde n nveli mai adnc dect majoritatea modurilor ntr-o
fibr multimod.
Cmpul n nveli este dat de K
0
(r), cu = 1,7/a pentru V = 2,405.
Pentru o argumentare mai clar, funcia Bessel K se comport ca exp(r) i
puterea scade cu un ordin de mrime pentru fiecare 1,15/ = 4 m, cnd a = 6
m i V = 2,405. Este instructiv s se calculeze cazul atenurilor maxime
suferite de modul fundamental, dac un strat cu atenuri nconjoar nveliul
la o raz b. Se gsete:
o =
( )
2
2
1
8, 7 a
exp 2 a b
n kV
| | k
(
|

\ .
(3. 16)
unde o este atenuarea, exprimat n dB, ntr-o structur ideal dreapt,
atenuare a crei valoare este de 1 dB/km pentru b = 6a = 36 m. Este
necesar o marj suplimentar pentru a evita creterea pierderilor n
seciunile curbate ale fibrelor.
Estimrile de mai sus arat c pentru fibrele monomod este esenial
existena unui nveli gros cu pierderi reduse. Ca o consecin, seciunea
transversal total a fibrei precum i cea a poriunii ce necesit o transparen
maxim, au mrimi comparabile n fibre monomod i multimod.
Cnd b este de 68 ori mai mare dect raza miezului, parametrul V
poate crete peste 2,404, deoarece modul imediat superior sufer atenuri de
ordinul ctorva dB/m n stratul cu pierderi exterior, ca rezultat al valorii mici
a parametrului . Excitaii sau conversii nedorite n acest mod vor fi astfel
atenuate rapid. Pragul de atenuare dintre modurile dorite i cele nedorite
poate fi crescut substanial cu ajutorul unui nveli cu dou trepte (aa-
numitul profil W, figura 3.2). n timp ce starea fundamental este complet
suportat i poate avea pierderi orict de mici n nveli (pentru b mare),
starea a doua permite pierderi prin radiaie n stratul de barier dintre a
1
i a
2

97
i radiaia liber n mediul nconjurtor. Acest mod de proiectare a fibrei
poate fi folosit pentru reducerea grosimii totale a nveliului, necesar
transmiterii cu atenuri mici.
Deseori este util o descriere simpl aproximativ a modului unei fibre
monomod, chiar dac aceast descriere nu este riguroas. S-a gsit c o
expresie gaussian de forma exp
2
r
w
(
| |

(
|
\ .
(

, cu:

w
a
= 0,65 + 1,62V
3
2

(3. 17)
descrie cu o bun acuratee cmpul modului fundamental al unei fibre
monomod tipice cu indice n treapt.
Pentru V = 2,405, w are valoarea w = 1,08a. Raza modal w
determin mai exact atenurile n mbinri dect raza miezului.


Fig. 3. 2 - Nivelurile indicelui de refracie i ale modurilor pentru o fibr
monomod cu profil W

Contrar operrii multimod, nu este nici un motiv evident pentru
proiectarea fibrelor monomod cu un profil gradient, dar un astfel de profil nu
prezint dezavantaje evidente. Difuzia de-a lungul interfeei miez-nveli
provoac deseori un schimb de constitueni ntr-o regiune groas de civa
m de o parte i de alta a interfeei, astfel c profilul este n gradient prin
fora mprejurrilor. S-a gsit:
V
c
= 2,405
2
1
g
+ (3. 18)
98
valoarea critic a parametrului V ce determin operarea monomod ntr-o fibr
avnd funciile de profil f =
g
r
a
| |
|
\ .
trunchiate la r = a.
Din acest motiv, gradientul parabolic determin creterea valorii
critice a lui V cu 2 . Distribuia cmpului poate fi acum aproximat prin:

3
w 1 1
1, 41 0, 23
a
V
V
= + (3. 19)
La valoarea critic V
c
,
w
a
= 0,8, dar w nsui este de 1,13 ori mai
mare dect n cazul profilului n treapt pentru aceeai diferen de indice de
refracie A. S-a gsit c atenuarea la mbinri, provocat de fibra imperfect
aliniat este aproximativ egal cu
2
d
w
| |
|
\ .
pentru o deplasare axial d a prilor
mbinate i cu (kwo)
2
, pentru o nclinare cu unghiul o (radiani) ntre axele
prilor mbinate. S-a artat de asemenea c aceast relaie rmne valabil cu
o bun acuratee pentru multe forme de profil, inclusiv acelea cu un nveli
din dou straturi i c proiectarea profilului optic trebuie s ia n considerare
nu doar problema mbinrii, ci i pierderile la curburi. O alt abordare cu
posibile beneficii este fibra dublu-modal proiectat s egalizeze vitezele de
grup ale celor dou moduri de propagare la lungimea de und de lucru.
Abordarea ar mri toleranele restriciilor de mbinare i de curbur.
3.4. Metoda WKB i cmpuri n nveli
O metod analitic foarte util pentru obinerea soluiilor aproximative
ale modurilor pentru fibre multimod cu profiluri gradient arbitrare este
metoda WKB, denumit astfel dup Wenzel, Kramers i Brillouin. Aceasta
este o aproximare a soluiilor exacte ale cmpului de acelai ordin cu optica
geometric, cu bune rezultate atunci cnd indicele de refacie variaz foarte
puin pe distane de ordinul lungimii de und. Pentru a gsi funcia cmpului
radial, E(r), pentru un mod de ordin v n profilul gradient (figura 3.3), se
consider componenta radial a vectorului de und local, definit de (3.8).

99


Fig. 3. 3 - Reprezentarea grafic a lui k
2
r
(r) i soluia WKB corespunztoare; r
1

i r
2
indic localizarea causticelor

n termenii opticii geometrice, o component real pozitiv k
r
este
asociat cu o raz propagndu-se spre exterior i atingnd un punct de
maxim deprtare r = r
2
, n care k
r
se anuleaz. Dup ntoarcerea n interior,
se repet acelai comportament la r = r
1
. Punctele de ntoarcere, sau caustice,
la r = r
1
i r = r
2
separ regiuni de comportare evanescent i oscilatorie a
cmpului, aa cum se poate vedea n partea de jos a figurii 3.3. Soluiile
ecuaiei (3.7) sunt de forma:

1 2
r r
r r r r
C C
exp i dr exp i dr
| | | |
k + k
| |
k k
\ . \ .
} }
(3. 20)
i ele trebuie s fie continue la r =0, r
1
, r
2
, a i .
Pentru o funcie cu profil infinit f(r), aa cum este reprezentat cu linie
ntrerupt n figura 3.1, se elimin cerina de continuitate la r = a i condiiile
la r = 0 i r = (anularea cmpului pentru r ) determin faza funciei
oscilatorii (cos) ntre r
1
i r
2
. S-a gsit:

2
1
r
r
r
1
dr
2
| |
k = + t
|
\ .
}
(3. 21)
unde este acelai numr de mod radial ce determin numrul maximelor
cmpului oscilator n direcie radial. Ecuaia (3.21) poate fi rezolvat
analitic pentru profilul parabolic infinit introducnd (3.8) i (3.1) cu f =
2
r
a
| |
|
\ .

100
n (3.21) i integrnd dup r. Rezultatul este identic cu (3.11), ceea ce indic
faptul c metoda WKB este surprinztor de exact, cel puin pentru
profilurile aproximativ parabolice.
O aproximare a distribuiei modurilor n strile de diferite valori ale
lui | decurge din:

2
1
2
g
2 2
1
1
n k m
M 2
+
| | |

|
|
=
| A
|
\ .
(3. 22)
unde M =
2
V
2
2
1
g
+
este numrul total de moduri ghidate i m este numrul de
moduri avnd constante de propagare mai mari dect |.
Condiia parabolic g = 2 conduce la M =
2
V
4
, dup cum s-a discutat
mai nainte. Profilul n treapt are g = i suport
2
V
2
moduri. Parametrul
V
2
1
g
+
pare a avea o natur invariant pentru toate profilurile g, chiar pentru
moduri de ordin mai sczut, dup cum este evident din (3.18).
S-a artat c, dac funcia f(r) este trunchiat astfel nct s capete o
valoare constant la r > a, c soluia evanescent ntre r
2
i a se modific uor
i influeneaz la rndul ei variaia total a fazei ntre r
1
i r
2
. Ca rezultat,
relaia (3.21) trebuie modificat. Dup cum s-a menionat anterior, efectul
este semnificativ doar pentru numere apropiate de valoarea maxim.
Considernd profilul trunchiat din figura 3.3, se gsete c parametrul
de descretere

2
2
2
r
v
+ (3. 23)
n nveli poate avea o valoare pozitiv semnificativ, chiar cnd | = n
2
k.
Aceasta nseamn o scdere rapid a cmpului n nveli i deci
ghidarea eficient pentru moduri care fuseser considerate ca fiind ghidate
limitat n paragrafele anterioare. Chiar atunci cnd | < n
2
k, parametrul de
descretere poate fi pozitiv, dei doar pentru raze mai mici dect:
101
r
2
=v
2 2 2
2
n k
v
|
(3. 24)
Raza definete o a treia caustic dincolo de care exist condiii de
existen a cmpului oscilant. Situaia este asemntoare cu ceea a strii 2
din figura 3.2, care are dou regiuni de propagare separate de bariera
nveliului. n acest caz, bariera nveliului este provocat de componenta
unghiular a vectorului de und. S-a identificat existena acestor moduri,
numite moduri cu atenuare i s-a dedus atenuarea lor n fibre cu indice n
treapt. S-au calculat aceiai coeficieni pentru un profil parabolic i s-a artat
c ei sunt de forma (3.16) avnd ca argument al exponenialei o integral a
parametrului de descretere pe domeniul barierei nveliului.
Rezultatele sunt ilustrate n figura 3.4. Aceast figur reprezint aa-
numitul plan al numrului modal, n care orice pereche (, v) este
reprezentat printr-un punct. Linia continu arat limita de ghidare pentru
profiluri parabolice cum a fost calculat din condiia ca | n (3.11) s fie egal
cu n
2
k. Modurile cu atenuri cu atenuri de 1 dB/km sunt reprezentate de-a
lungul liniei continue cu puncte negre.
Aceast atenuare a fost calculat pentru o fibr de comunicaii cu raza
miezului de 25 m, o variaie relativ a indicelui de refracie de 0,01 i o
lungime de und de 1 m. Suprafaa dintre linia cu puncte negre i linia
continu reprezint numrul de moduri cu atenuare care trebuie luat n
considerare la transmisia la distane mari.
Prin comparaie, triunghiul de sub linia continu corespunde
numrului de moduri ghidate riguros. Dup cum se vede, procentul de
moduri cu atenuare este foarte mic. Totui, tehnicile de msurare folosind
fibre de civa metri lungime trebuie s ia n considerare influena modurilor
cu atenuare.

102

Fig. 3. 4 - Planul numrului modal pentru o fibr multimod de profil parabolic,
avnd raza miezului a = 25 m, raza exterioar b = 50 m, o variaie relativ de
indice de refracie A = 0,01 i atenuare n nveli de 1 dB/km ( = 1 m)

Chiar i modurile ghidate sufer o atenuare n nveli cnd exist un
strat de atenuare la o raz b finit. Analog cu (3.16), coeficientul de atenuare
este dependent exponenial de integrala parametrului de descretere (3.23) n
regiunea dintre a i b. Rezultatul este indicat de linia ntrerupt din figura 3.4
pentru o fibr tipic de comunicaii. Astfel de fibre au o teac (jachet) de
plastic colorat ce nconjoar nveliul, cu scopul de a preveni interferena
dintre diferitele fibre din cablu. Atenuarea n teac este tipic de ordinul a
civa dB/m, adic cu nou ordine de mrime mai mare dect coeficientul
de atenuare din fibr. Pentru b/a = 2, este eliminat un mic procent de din
procesul de transmisie, dar aceast atenuare este, de obicei, acceptabil n
schimbul economiei de material. Dac a = 25 m, diametrul total al fibrei
este de 100 m.
3.5. Dispersia intramodal i dispersia intermodal
Distorsionarea semnalului este provocat, n principal, dou
fenomene. Din cauza dependenei lungimii de und de constantele de
propagare, diferitele componente ale purttorului optic multicromatic sufer
diferite ntrzieri, provocnd lrgirea impulsului iniial de lumin pe
parcursul transmisiei. Acest efect este numit dispersie cromatic. Ea se
produce asupra fiecrui mod individual, dei cu o mic diferen de mrime
i, de aceea, mai este numit dispersie intramodal. Al doilea fenomen este
limitat la fibrele multimod i rezult din diferenele de ntrziere dintre
moduri diferite, fiind numit dispersie intermodal sau dispersie de mod. n
103
acest context, ambele fenomene implic un concept de suprapunere liniar de
puteri.
Timpul necesar sosirii unui puls de lumin transmis printr-un mod cu
constanta de propagare | la o distan L este:
T =
d d
L L
d d
| |
=
e e
(3. 25)
unde e este frecvena optic.
Dispersia cromatic poate fi calculat astfel: dac densitatea de putere
a sursei este p(), momentul de ordinul i al pulsului de ieire produs de un
mod este:
S
i
=
i
T p( )d
+


}
(3. 26)
Aici, S
0
reprezint energia total de ieire, S
1
/S
0
timpul mediu de
sosire i:
t
c
=
2
2 1
2
0 0
S S
S S
| |

|
\ .
(3. 27)
lrgirea pulsului provocat de dispersia cromatic.
Lrgimea t a impulsului de rspuns, h(T) al fibrei (rspuns pentru un
puls de intrare de tip funcie o) este n general acceptat ca prim parametru de
calitate, caracteriznd dispersia canalului optic. Lrgimea de band a benzii
de baz,
B
t
=
1
8t
(3. 28)
este legat, prin definiie, cu t, dar reprezint de obicei o bun aproximare a
lrgimii de band posibil de obinut.
Ca un exemplu, s considerm profilul n treapt fr trunchiere (linia
ntrerupt din figura 3.1) ce are constanta de propagare (3.11). Diferenierea
n funcie de conform cu (3.25) i dezvoltarea n serie n funcie de A duce
la:
T = ( )
1 1
1
dn n L d
n 2 1
c d V d
A
(
+ + v +
(


(3. 29)
pentru primii doi termeni, unde c este viteza luminii n vid. n cazul cnd
caracteristicile de dispersie ale indicelui de refracie ar fi aceleai pentru toate
valorile lui r, dA/d s-ar anula i toate modurile ar avea aceeai ntrziere de
grup, LN
1
/c, unde:
N
1
= n
1

1
dn
d
(3. 30)
este numit de obicei indicele de grup al materialului.
104
Cu alte cuvinte, profilul n treapt va egaliza toate ntrzierile modale.
Trunchierea profilului modific relaia (3.29), astfel nct modurile cu
niveluri n apropierea nveliului au termeni adiionali importani. Din
fericire, aceste moduri sunt de obicei pierdute n fibre multimod. n fibre
monomod este necesar un calcul mai exact al lui |().
Termenii adiionali care nu apar n (3.29) pot schimba lrgimea
pulsului t
c
n fibra monomod cu pn la 5 ps/km pe nm.
Calcularea momentelor S
i
ale rspunsului la impuls, h(T) al unei fibre
multimod necesit cunoaterea lui T
v
() pentru toate valorile i v i a
distribuiei energiei la ieire, W
v
, pentru diferitele moduri. Pentru a ajunge la
momentele lui h(T), trebuie s se calculeze (3.26) pentru fiecare mod, s se
multiplice rezultatul cu W
v
i s se realizeze o dubl nsumare dup i v.
Aceast abordare este direct, dar complicat. Pentru simplificarea
problemei, de obicei se consider c contribuia cromatic determinat de
(3.27) este independent de v i . Aceasta este o presupunere rezonabil,
deoarece dispersia cromatic este determinat n primul rnd de dependena
lungimii de und de indicele de refracie, care este aproape acelai pentru
toate modurile. Cu aceast presupunere, mai este nevoie doar de cunoaterea
timpului mediu de sosire, S
1
/S
0
pentru fiecare mod, care se poate calcula
aproximativ din (3.25) la lungimea de und central,
0
, cu | lund toate
valorile posibile.
Dac exactitatea soluiei WKB este suficient, se poate calcula T
gn,

prin diferenierea lui (3.21) n funcie de | i k i evaluarea expresiei:
T
v,
=
L
c k
c c|
c c
(3. 31)
unde c viteza luminii n vid.
Folosind aceast ecuaie, s-a calculat rspunsul la impuls h(T), direct
pentru profiluri cu f =
g
r
a
| |
|
\ .
,
dg
d
= 0,
d
d
A

= 0.
Renunnd la condiia
d
d
A

= 0, s-au extins rezultatele pentru o clas


mai general de profiluri:
n
2
(r) = n
2
1
[1 F(r)] (3. 32)
pentru care ntrzierea de grup, T
v,
poate fi scris sub forma:
T =
1 1
1
LN n k 1 1
1
c D D n k
( |
| |
+
( |
|
\ .

(3. 33)
unde F i A satisfac ecuaia diferenial:
105

1
1
n F F
r D
r N
c c
+
c c
2(D 1)F = 0 (3. 34)
cu N
1
din (3.30).
Folosirea soluiei particulare F

()F
r
(r) conduce la un profil de forma
F = 2A()
g
r
a
| |
|
\ .
, cu:
g = 2(D 1) D
1
1
n d
N d
A
A
(3. 35)
n acest caz, se poate introduce (3.22) n (3.33) i dezvolta T n serie
de puteri ale lui A, pentru a afla:
T =
g
2 g
1
LN 1 1 m
1
c 2 D M
+
(
| | | |
(
+ A
| |
(
\ . \ .

(3. 36)
pentru primii doi termeni ai dezvoltrii.
Egalizarea ntrzierii se produce pentru D = 2 i astfel T este
independent de ordinul modului, m. Deci, profilul ar trebui s fie proiectat
pentru a avea un exponent:
g
0
= 2 2
1
1
n d
N d
A
A
(3. 37)
Dac A este independent de , profilul optic devine parabolic, dar
pentru majoritatea fibrelor termenul de corecie din (3.37) nu poate fi
neglijat.
Termenii de ordinul A
2
determin diferene ntre diferitele ntrzieri,
T(m). Aceti termeni sunt mai puin siguri dect rezultatele de ordinul I,
datorit aproximaiilor implicate n utilizarea ecuaiei de und scalare, a
metodei WKB i a funciei profilului infinit.
Pentru a calcula rspunsul impulsului h(T), trebuie cunoscut numrul
de moduri, dm, n intervalul de timp dT i fraciunea de energie, W
,v
,
asociat acestor moduri. Considernd o distribuie de energie uniform pentru
toate modurile (W
,v
= 1), se obine:
h(T) =
2 g 2
g g
1 0 1
dm
c g 2 g 2 Tc
dT
1
M LN g g g LN
+
+ +
=
A
(3. 38)
pentru
( )
0
1
g g
Tc
1
LN g 2

< A
+
i h(T) = 0.
Figura 3.5 reprezint h(T) pentru un numr de profiluri. Dac g > g
0
,
modurile de ordin superior sosesc mai trziu dect modul fundamental i
dac g < g
0
, ele sosesc mai devreme.
106


Fig. 3. 5 - Rspunsul la impuls al fibrelor ideale multimod cu profil de forma
f=
g
r
a
| |
|
\ .


n practic, multe dintre presupunerile fcute aici nu sunt pe deplin
justificate. n primul, rnd rspunsul la impuls nu depinde numai de
densitatea modurilor, dar i de energia W
,v
pe care aceste moduri o
transport la captul fibrei. Aceast energie depinde la rndul ei de excitaia
modului la intrare, de variaia pierderilor n funcie de ordinul modului i, n
multe cazuri, de schimbul de energie dintre moduri.
n al doilea rnd, teoria neglijeaz modurile cu atenuare. ntrzierea
modurilor cu atenuare i a modurilor cu constante de propagare aproximativ
egale cu n
0
k nu poate fi calculat din relaiile simplificate de mai sus,
necesitnd o descriere de profil trunchiat.
n al treilea rnd, chiar mici abateri de la forma profilului duc la
diferene de ntrziere pentru diferitele moduri ale aceluiai grup m, astfel
nct una i aceeai fibr poate avea moduri de ordin superior precednd sau
urmnd modului fundamental.
Pe de alt parte, s-au verificat majoritatea prevederilor fcute de
aceast descriere a ntrzierii modale i au artat ct este de critic i exact este
o proiectare a profilului cu g = g
0
. O evaluare exact a (3.37) necesit o
cunoatere exact a indicelui de refracie al diferitelor materiale ale fibrelor
folosite pentru formarea miezului i a nveliului n ntreg domeniul spectral
de lungimi de und al posibilelor utilizri ale fibrei.
107
3.6. Perturbaii n ghidul de und
Pentru moduri care se propag independent, ghidul de und trebuie s
fie uniform n direcia z. Nu este nevoie ca el s fie drept. O fibr care se
curbeaz cu o raz de curbur constant R
0
suport propriul su grup de
moduri. Aceste moduri au caracteristici de moduri cu atenuare dar modurile
sunt independente n sensul c ele se propag fr schimb de energie odat ce
au fost excitate corespunztor. Pierderile rezult din faptul c viteza de faz
local a unui mod dat trebuie s creasc spre exteriorul curburii pentru a
menine un front de und de faz constant pe planele radiale. Acest lucru
este echivalent cu un nivel de nclinare | (n figura 3.3) descrescnd ca |
0
R
R

cu distana R de la axa de curbur. Ca rezultat, vectorul und radial devine
real i condiiile de propagare exist dincolo de punctul unde
2
2
0
2
R
R r
| v | |
+
|
\ .

intersecteaz profilul
2 2
0
n k (figura 3.3).
Atenuarea este din de forma (3.16), cu argumentul exponenialei
rezultnd dintr-o integrare a parametrului de descretere pe domeniul
barierei. Se gsesc astfel soluii de cmp aproximative ntr-un sistem de
coordonate toroidal i se constat c pentru ghidri slab curbate parabolic,
coordonatele cilindrice pot fi folosite pentru a separa ecuaiile de forma (3.5).
n practic, raza de curbur de-a lungul ghidului este foarte rar
constant, variind n mrime i direcie. Pentru variaii slabe, fenomenul
pierderilor este cel discutat mai sus. Pierderile depind exponenial de curbura
local,
0
1
R
= (z) i trebuie integrate pe lungimea ghidului.
Curbura (z) este de obicei o funcie aleatoare, descris cel mai bine
de densitatea spectral medie, I(O), O fiind frecvena spaial a unei
componente de curbur date de-a lungul lui z. Dac O este egal cu diferena
dintre constantele de propagare a dou moduri ale ghidului, ar putea avea loc
un schimb de energie ntre aceste moduri. Rata schimbului de energie este
proporional cu I(O) i cu coeficienii de cuplare derivai de la distribuiile
cmpului celor dou moduri. Tranziiile energetice permise au coeficieni de
cuplare nenuli. Ca i pentru oscilatorul armonic n mecanica cuantic,
tranziiile permise pentru profilul parabolic sunt cele asociate cu o schimbare
de o unitate n momentul cinetic. Deci, dv = 1. Cum pentru cellalt numr
modal, d = 0, dv, rezult cu o diferen minim:
d| =
2
a
A
(3. 39)
dedus din (3.11).
108
n locul acestei diferene, este deseori folosit n literatur lungimea
de und de bti, A =
2
d
t
|
. Pentru o fibr parabolic cu A = 1,2 % i a = 25
m, se gsete lungimea de und de bti maxim A
max
= 2ta 2A = 1 mm.
n termenii opticii geometrice, A coincide cu perioada drumului optic asociat
cu v i . Combinaiile modurilor cu alte diferene d au lungimi de und de
bti mai mici dect A
max
.
Fibrele mbrcate ntr-un material moale de plastic rezist la
deformri de periodiciti mici, din cauza rigiditi inerente. Acest fenomen
filtreaz componentele I(O) peste frecvenele:
O =
4 p
g
E
E
b
(3. 40)
Aici E
p
i E
g
sunt modulele elastice ale materialului plastic i
respectiv sticlei din care este confecionat fibra, iar b este raza exterioar a
fibrei. Pentru o fibr bine nvelit n teac, cu
p
g
E
E
= 100 i b = 100 m, se
obine
c
2t
O
= 1 mm. Drept rezultat, perechile de moduri cu lungimi de und de
bti mai mici de 1 mm sufer cuplaje slabe. Componentele de curbur din
vecintatea lui A
max
sunt numite micro-ndoituri (micro-curburi). Trebuie
subliniat faptul c procesul de cuplare rezultant are loc doar pentru moduri
vecine. Relaiile corespunztoare pentru profilurile de indice neparabolice
sunt mai complicate, dar rezultatele sunt foarte asemntoare.
Ecuaiile undelor cuplate care determin amplitudini modale la
captul unui ghid perturbat pot fi convertite ntr-un sistem de ecuaii de
cuplare dac procesul cuplajului este slab i poate fi descris ca un proces
staionar aleator. Pentru un cuplaj dominant ntre modurile vecine, scurgerea
de energie ntre moduri poate fi descris ca un fenomen de difuzie. Aplicnd
conceptul de continuu discutat anterior, se ajunge la o singur ecuaie
diferenial ce descrie procesul scurgerii energetice.
Pentru profilul parabolic, puterea P ntr-un grup de moduri
caracterizate de parametrul de ordine u =
4
2V m , rezult din ecuaia:
C
1 P
u
u u u
c c
| |
|
c c
\ .
= o(u)P + T(u)
P P
t z
c c
+
c c
(3. 41)
cu:
109
C =
( )
2
ka
2
32 a
| |
A
I
|
|
\ .
(3. 42)
Indiferent de distribuia la intrare, oricum procesele de cuplare i de
pierderi implicate eventual, stabilesc un echilibru dinamic, caracterizat de
ordinul cel mai sczut al valorilor proprii ale ecuaiei (3.41) independente de
timp. Soluia ecuaiei (3.41) dependente de timp produce n aceste limite un
rspuns la impuls a crei lrgime o

crete cu rdcina ptrat a lungimii


fibrei. Aceast comportare difer favorabil fa de dependena liniar de
lungime a lui o n absena cuplajului.
Mai exact, mbuntirea lrgimii impulsului, o

/o datorat
schimbului de energie pe lungimea L n condiii de echilibru este determinat
de pierderile suplimentare o
0
L rezultate din acelai proces, conform ecuaiei:
o
0
L
2

o
| |
|
o
\ .
= constant (3. 43)
Constanta depinde de forma profilului, de parametrul de cuplare i de
funcia de atenuare o(u).
O relaie care difer de (3.39) printr-un factor apropiat de unitate
poate fi derivat pentru lungimea de und de bti asociat cu schimbul de
energie dintre modul fundamental i modul cu atenuare de ordinul cel mai
mic al fibrei monomod. n acest caz, valorile tipice sunt A = 0,1 % i a = 8
m i astfel A este tot de ordinul 1 mm. Cum fibrele monomod necesit o
teac mai groas dect fibrele multimod, diametrul exterior i rigiditatea
ambelor tipuri de fibre sunt foarte asemntoare. Chiar i coeficienii care
determin funciile de atenuare finale sunt comparabili n ciuda diferenelor
dintre procesele de atenuare n stratul de protecie. Ca rezultat, ambele
structuri de fibr au sensibiliti la parametrii cablului, care au aceleai ordine
de mrime i depind foarte mult de proiectarea specific.

110
4. Fenomene optice n semiconductori
4.1. Efectul fotoelectric intern
Dac asupra unui material semiconductor cade o radiaie
electromagnetic, o parte din aceasta este absorbit, restul fiind reflectat sau
transmis. Interacia radiaiei electromagnetice cu semiconductorul poate
consta n absorbia energiei fotonilor de ctre electroni, care poate avea drept
consecin, atunci cnd energia fotonilor absorbii este cel puin egal cu
energia de extracie, emisia n exterior a unui flux de electroni, fenomen
cunoscut sub numele de efect fotoelectric extern. Dac energia fotonilor
absorbii este mai mic dect energia de extracie, se poate produce, prin mai
multe mecanisme, efectul fotoelectric intern, care const n crearea n
semiconductor a unor purttori de sarcin electric liberi n exces, fapt ce
duce, evident, la creterea conductivitii electrice a acestuia (figura 4.1).

Fig. 4. 1 Schema energetic i procesele optice care au loc ntr-un
semiconductor

Unul din mecanismele de producere a efectului fotoelectric intern este
generarea optic intrinsec a perechilor electron liber-gol, ca urmare a
excitrii, prin absorbia fotonilor, a unora din electronii din banda de valen
i trecerea lor n banda de conducie, concomitent cu apariia unor goluri n
banda de valen. Acest fenomen se poate produce indiferent de tipul
semiconductorului cu condiia ca energia fotonului s fie cel puin egal cu
lrgimea benzii interzise, adic: hv
1
> E
g
, ceea ce impune pentru lungimea
de und a radiaiei electromagnetice, o valoare maxim, numit lungime de
und de prag:
111

g
m
E
hc
= (4. 1)
Un alt mecanism de producere a efectului fotoelectric intern este cel
de generare optic extrinsec, prin excitarea electronilor din banda de
valen pe nivelul acceptor, cu apariia corespunztoare a unor goluri n
banda de valen sau prin excitarea electronilor de pe nivelul donor n banda
de conducie (figura 4.1). Evident, acest mecanism se poate produce numai n
semiconductorii dopai, la care exist nivelurile energetice discrete donor
i/sau acceptor.
Condiia necesar producerii fenomenului este ca energia fotonului
absorbit s fie cel puin egal cu energia de activare, adic:
hv
2
> W
C
W
D

pentru generarea optic extrinsec a electronilor de conducie, respectiv:
hv
3
> W
A
W
V

pentru generarea optic extrinsec a golurilor. i n aceste cazuri se poate
scrie o relaie asemntoare relaiei 4.1, care s exprime lungimea de und
maxim necesar producerii fenomenului.
Fenomenele descrise mai sus sunt reprezentate schematic n figura
4.1. n tabelul 4.1 sunt date valorile lungimii de und de prag pentru siliciu
sau germaniu dopat cu diferite impuriti.

Tabel 4.1 - Valoarea lungimii de und de prag pentru diferii semiconductori

impurit. B Al Ga In Bi As P Sb Cu Sn -

m

(m)
semicon-
ductor
Si 28 18 17 8 18 23 28 29 1,1
Ge 108 104 30 38 1,8

Se vede c lungimea de und de prag este mai mic pentru
semiconductorii puri, dect pentru aceiai semiconductori dopai, lucru de
altfel simplu de explicat. n schimb, la acetia fenomenul de generare optic
nu se poate petrece dect la temperaturi sczute (~ 10 K), la temperaturi
medii impuritile fiind deja ionizate prin fenomenul de generare termic.
Procesul de generare optic nu se produce n mod uniform n tot
volumul semiconductorului, acesta fiind cu att mai intens, cu ct el se
produce mai aproape de suprafa.
O caracteristic important a structurii de benzi a energiei, care nu
este inclus n schema simplificat din figura 4.1, este aceea c att limita
inferioar a benzii de valen, W
V
, ct i limita inferioar a benzii de
conducie, W
C
, nu sunt constante, ci depind de direcia vectorului de und, k .
Dac W
V
are maximul la acelai k la care W
C
este minim, se spune c
112
semiconductorul este un semiconductor cu band interzis direct. Dac nu,
semiconductorul este cu band interzis indirect. Aceast diferen este
important pentru dispozitivele optoelectronice, ntruct materialele cu band
interzis direct prezint o absorbie i emisie a luminii mai eficiente.
Exemple de semiconductori cu band interzis direct sunt GaAs, InP, GaP,
GaN, n timp ce Si, Ge i SiC sunt semiconductori cu band interzis
indirect.
Viteza de absorbie a fotonilor la o adncime x n semiconductor
(numrul de fotoni absorbii n unitatea de timp i n unitatea de volum) este
dat de relaia:
A = oI(x) = oI
0
e
ox
(4. 2)
unde o este coeficientul de absorbie, ce depinde de energia de activare sau
de lrgimea benzii interzise (n funcie de mecanismul de absorbie), I(x) este
intensitatea radiaiei la adncimea x n semiconductor iar I
0
este intensitatea
radiaiei la suprafaa acestuia.
Nu toi fotonii absorbii produc generarea optic a unor purttori; pe
de alt parte, este posibil ca un singur foton s genereze mai muli purttori.
Din aceast cauz, viteza de generare a purttorilor sub aciunea
radiaiei electromagnetice absorbite este doar proporional cu viteza de
absorbie: G = qA, unde q este randamentul de generare (randament
cuantic), definit ca numrul mediu de purttori de un anumit tip, generai prin
absorbia unui singur foton. Atunci,
G(x) = qoI(x) = qoI
0
e
ox
= G
0
e
ox
(4. 3)
Din relaia de mai sus, se vede c viteza de generare optic a
purttorilor scade exponenial cu adncimea n semiconductor, ceea ce
nseamn c procesul de generare optic este semnificativ doar ntr-un strat
subire de la suprafaa semiconductorului.
Dup cum s-a artat anterior, fenomenul de generare este compensat
de fenomenul invers, de recombinare. La un flux constant al radiaiei
incidente se stabilete un echilibru dinamic ntre cele dou fenomene, la care
R = G, astfel nct concentraia purttorilor de sarcin n exces rmne
constant (An = Rt
n
i Ap = Rt
p
), adugndu-se celei de echilibru. Acest
lucru duce la creterea conductivitii semiconductorului:
o = e[
n
(n + An) +
p
(p + Ap)] =
= e(
n
n +
p
p) + e(
n
An +
p
Ap) = o
0
+ o
f
(4. 4)
unde o
0
este conductivitatea la ntuneric i o
f
este fotoconductivitatea
semiconductorului.
n anumite situaii, se poate produce recombinarea radiativ a
purttorilor, care este un fenomen invers celui de absorbie a radiaiei
electromagnetice. Dac procesul de recombinare radiativ are loc lent (durata
113
de 110
4

s), fenomenul de emisie optic se numete fosforescen iar dac el
are loc rapid (10
5
10
8
s), emisia optic se numete fluorescen.
n fapt, este vorba de tranziia electronic de pe un nivel energetic
superior, W
i
, pe un nivel energetic inferior, W
f
,
avnd ca urmare emisia unui
foton de energie hv = W
i
W
f
. Mecanismele prin care poate avea loc emisia
optic sunt:
- recombinarea radiativ direct, adic trecerea unui electron de
conducie direct n banda de valen i emisia unui foton;
- recombinarea radiativ indirect, cnd trecerea electronului de
conducie n banda de valen nu se face direct ci prin intermediul unui
nivel energetic discret existent n banda interzis, corespunztor unei stri
locale, ceea ce determin emisia a doi fotoni, evident cu respectarea
conservrii energiei; acest caz are ns o probabilitate de producere mult
mai mic dect recombinarea radiativ direct.
- recombinarea radiativ prin alipire, care, spre deosebire de celelalte
dou tipuri de recombinare radiativ, se produce numai n
semiconductorii extrinseci i const n captarea de ctre un ion de
impuritate a unui purttor de semn contrar i emisia unui foton.

4.2. Gropi de potenial cuantice semiconductoare
Printre structurile cele mai promitoare ale tehnologiilor moderne
sunt gropile de potenial cuantice. Prin bogia comportamentului lor la
solicitrile la care sunt supuse, semiconductoarele sunt materialele-cheie ale
tehnicilor actuale. Sub efectul cmpurilor electrice, magnetice sau
electromagnetice, semiconductoarele produc o reacie simptomatic precis,
care face din acestea elemente de prim alegere n tehnicile de comunicaie,
dar i n alte domenii. Comportamentele coerente ce au loc n ele fac din
acestea amplificatoare optice ideale, adic laseri sau detectori extrem de
eficieni n reelele de comunicaii.
O groap de potenial cuantic const fizic dintr-un strat cu grosimea
de ordinul a 10 nm dintr-un semiconductor, plasat ntre dou straturi groase
dintr-un alt semiconductor. Printr-o alegere judicioas a materialelor, se pot
capta electroni n interiorul stratului subire, care devine zona activ a probei.
Se pot capta electroni i n structuri unidimensionale, numite fire, sau linii
cuantice, sau zero-dimensionale, centre, sau puncte cuantice.
Strile energetice din aceeai band energetic, de valen, de
conducie, sau alta, se disting ntre ele prin vectorul de und al strii. Acest
parametru poate fi asociat unui impuls sau unei viteze. ntr-o diagram n
care energia este reprezentat n funcie de vectorul de und, strile
energetice din band se dispun n prim aproximaie pe parabole (figura 1).
n semiconductoare, mrimea benzii interzise care separ banda de valen de
114
banda de conducie depinde de compoziia materialului. Dac se dorete
confinarea electronilor, este suficient deci s se aleag un semiconductor
(GaAs, de exemplu) a crui band interzis este mai ngust dect cea a
materialului nconjurtor (Al
0,4
Ga
0,6
As). Se injecteaz electroni excitai n
zona activ (groap), pur i simplu prin aducerea lor la o energie intermediar
ntre energiile benzilor interzise ale celor dou materiale prezente (figura 2).
Pentru a crea componente optoelectronice extrem de rapide i performante,
este necesar o cunoatere profund a dinamicii electronilor. Cnd un foton
traverseaz stratul activ ce constituie groapa cuantic, el poate fi absorbit de
un electron din banda de valen care, cu aceast energie, ajunge n banda de
conducie. Excitarea printr-un impuls laser a unui electron din banda de
valen n banda de conducie este ilustrat n figura 1. Locul vacant lsat n
banda de valen de electronul excitat poate fi considerat ca o cvasi-particul,
golul.
Pentru fiecare valoare a vectorului de und, se urmrete evoluia
numrului mediu de electroni n banda de conducie i de goluri n banda de
valen, ca i evoluia polarizrii eantionului. Polarizarea este o variabil-
cheie - dei puin intuitiv - a sistemului, deoarece prin intermediul su, n
prim instan, particulele interacioneaz cu pulsul laser. Este vorba de
aceeai proprietate care este utilizat n straturile polarizante ale ochelarilor
de soare i ale obiectivelor fotografice pentru eliminarea reflexiilor.


Fig. 4. 2 Energia marginilor benzilor de conducie i de valen ale unei gropi
cuantice n funcie de vectorul de und

115
Impulsul laser genereaz o populaie de electroni i goluri, conform
figurii 4.2. Aceste particule interacioneaz electrostatic. Exist dou niveluri
de aciune a interaciei coulombiene. La primul nivel, electroni i golurile se
atrag deoarece sunt de sarcini opuse i se asociaz n cupluri cum o fac
protonul i electronul formnd atomul de hidrogen. Asociaia dintre electron
i gol este numit exciton. Este vorba de o stare favorabil energetic pentru
particulele sistemului. La al doilea nivel de interacie, particulele sufer
ciocniri ntre ele.




Fig. 4. 3 Energia la marginea benzii de conducie a unei gropi cuantice

Particulele excitate pot de asemenea s piard energia lor prin
disiparea ei sub form de vibraii ale reelei cristaline a semiconductorului. Pe
termen lung, electronii se recombin cu golurile, emind fotoni.
Prin absorbia fotonilor unui puls laser, populaiile de electroni i
goluri se mresc n benzile respective (partea dreapt a figurii).
Electronii se gsesc confinai n zona mai adncit din mijloc, a crei
energie este mai sczut.
La trecerea prin groap, pulsul laser este parial absorbit prin generarea
perechilor electroni-goluri. Experimental, se msoar coeficientul de
absorbie, care se reprezint n funcie de energie. El descrie n ce proporie
numrul fotonilor de energie dat este utilizat la trecerea sa prin groapa
cuantic.
Este de notat c atunci cnd nici o interacie coulombian nu are loc,
nici un foton de energie inferioar lrgimii benzii interzise nu este absorbit,
n timp ce un foton a crui energie este superioar acesteia este absorbit.
Spectrul de absorbie se prezint deci n treapt, avnd valoarea zero
sub valoarea lrgimii benzii interzise i o constant peste aceast valoare.
Cnd se produce interacia coulombian, formarea excitonilor de
energie favorabil va fi responsabil de apariia unui pic al coeficientului de
absorbie sub energia lrgimii benzii interzise. S-a artat c interacia cu
fononii optici creeaz o uoar scdere a nivelului platoului de absorbie. S-a
artat de asemenea c atunci cnd dou pulsuri laser n opoziie de faz se
succed n prob, al doilea puls distruge n bun parte polarizarea creat de
116
primul. Starea final a probei este cea a unui sistem n care populaiile de
electroni i de goluri, care prezint puternice oscilaii n funcie de energie, se
gsesc ntr-o stare nc fierbinte, departe de situaia staionar, dar n care
polarizarea este deja aproape suprimat.
Un punct cuantic este un sistem cuantic capabil s confineze un
singur electron, sau civa i n care electronii ocup stri energetice discrete,
aa cum se ntmpl ntr-un atom.
Punctele cuantice au mai fost numite i atomi artificiali, iar
capacitatea de a controla strile energetice ale electronilor prin aplicarea unei
tensiuni a dus la ideea exotic a unui material a crui natur chimic ar putea
fi modificat dup dorin, fcndu-l s imite diferite elemente, adic efectiv
o substan programabil. Orict de fantezist pare ideea, ea este de fapt cu
totul real, dei precizia necesar pentru a face astfel de materiale este n
prezent dincolo de posibilitile noastre.
Sunt trei metode principale de fabricare a punctelor cuantice. Una
dintre ele implic creterea punctelor cuantice ntr-un recipient. Iniial,
punctele cuantice erau crescute n semiconductori ca selenura de cadmiu
(CdSe) sau telura de cadmium (CdTe), dar n prezent se fabric puncte
cuantice din aproape toi semiconductorii ca i din multe metale (Au, Ag, Ni,
Co etc.) i dielectrici. Semiconductorii cu puncte cuantice au o proprietate
interesant: culoarea lor depinde de dimensiunea punctelor, astfel c este
posibil utilizarea unei singure substane chimice i obinerea unor structuri
cu o larg varietate de culori, pur i simplu prin modificarea dimensiunii
punctelor. Metalele cu puncte cuantice au un domeniu larg de proprieti
electrice, magnetice i catalitice interesante. Arhitectura acestor puncte
crescute chimic este foarte sofisticat, cu structuri n straturi (onion-like),
formate prin acoperirea unui material cu altul. Aceste structuri pot fi utilizate
pentru a ecrana un punct sensibil chimic sau electric fa de un mediu
nconjurtor nefavorabil. Semiconductorii cu puncte cuantice i gsesc
utilizri n aplicaiile de imagistic biologice, iar metalele magnetice cu
puncte cuantice promit aplicaii interesante ca medii de nregistrare.
Celelalte dou tehnici de fabricare a punctelor cuantice creeaz puncte
cuantice la sau n apropierea suprafeei unui cristal semiconductor. La
nceput, astfel de puncte cuantice erau obinute prin creterea unei
heterostructuri semiconductoare (un strat dintr-un semiconductor plasat ntre
dou alte straturi dintr-un alt semiconductor). Dac stratul din mijloc este
suficient de subire, de aproximativ 10 nm sau mai puin, electronii nu se mai
pot deplasa vertical n modul clasic i sunt efectiv trapai (captai) n aceast
dimensiune. O astfel de structur este numit, aa cum s-a vzut, groap
cuantic (quantum well).
S ne imaginm acum o felie subire din aceast structur,
constituind o band foarte subire din acest sandvi. Electronii sunt trapai
117
acum ntr-o a doua dimensiune. Aceast structur este un fir cuantic
(quantum wire). Firele cuantice se folosesc n construcia laserilor,
conferindu-le acestora viteze de comutare foarte mari, sau pot fi folosite ca
ghiduri de und.
Continund cu procesul de tiere a unei felii subiri i pe a treia
dimensiune, electronii sunt acum confinai n trei dimensiuni, obinndu-se
astfel un punct cuantic. Neavnd unde s se deplaseze, ei se comport aa
cum o fac ntr-un atom, unde sufer constrngeri asemntoare.
La nceput, s-a utilizat un proces litografic pentru a crea o structur
bidimensional care s poat fi apoi gravat pentru a izola un punct cuantic.
Totui, aceste puncte cuantice aveau dimensiuni de ordinul nanometrilor
numai ntr-o dimensiune grosimea stratului semiconductor utilizat pentru
traparea electronilor n punct. Celelalte dou dimensiuni erau limitate de
rezoluia litografiei i puteau ajunge la valori de ordinul a 1 m. Aceasta duce
la faptul c studiile electrice efectuate asupra acestor puncte trebuiau s aib
loc la temperaturi extrem de sczute (miimi de Kelvin peste zero absolut),
pentru a nghea efectele termice.
Mai trziu, (a treia metod), s-a trecut la creterea unor puncte auto-
asamblate prin depunerea unui material semiconductor cu o constant de
reea mai mare pe un semiconductor cu o constant de reea mai mic (acest
procedeu este numit cretere epitaxial tensionat). Sisteme tipice sunt
germaniul (Ge) pe siliciu (Si) i arsenura de indiu (InAs) pe arsenura de galiu
(GaAs). Aceste puncte auto-asamblate au fost utilizate la fabricarea laserilor
cu puncte cuantice. De curnd s-au crescut puncte cuantice n fosfur de
indiu pe un strat semiconductor p dup care s-a aplicat deasupra un strat
semiconductor n. A rezultat un dispozitiv capabil s genereze fotoni
individuali. Un dispozitiv similar a fost utilizat pentru realizarea unui
detector de fotoni individuali.
Semiconductorii cu puncte cuantice prezint fenomenul de fluorescen
la frecvene foarte precise, stimulai fie electric, fie cu radiaii cu o foarte
larg gam de lungimi de und, astfel nct ei absorb radiaie la o anumit
frecven, dar continu s emit la o frecven specific, dictat de
dimensiunea punctelor.
118






Partea a II-a Dispozitive
optoelectronice
119
5. Fibre optice
5.1. Proprieti; propagarea luminii n fibra optic
5.1.1. Noiuni de baz
Interesul pentru utilizarea luminii ca purttor de informaie dateaz
din timpuri strvechi, dar sursele optice de lumin necoerent sunt de cele
mai multe ori nefolositoare pentru comunicaii, datorit benzii spectrale largi,
a dificultilor de direcionare a fasciculului i de modulare a acestuia. n
plus, utilizarea sistemelor de comunicaii optice avnd ca mediu de propagare
atmosfera este practic imposibil datorit atenurii rapide a undelor
luminoase.
Primul patent pentru comunicaii optice ghidate prin sticl a fost
obinut de firma AT&T n 1934. Totui, la acel timp, practic nu existau
materiale pentru a fabrica o fibr optic din sticl (sau alt tip de material
transparent) cu o atenuare suficient de mic pentru a realiza practic
comunicaii ghidate optic.
Realizarea n 1959-1961 a surselor coerente de lumin (laser) a
reprezentat un puternic impuls n cercetrile pentru punerea la punct a unor
sisteme optice de comunicaii la care purttoarea de informaie este unda
luminoas. Iniial, distanele de transmisie erau foarte scurte, dar pe msur
ce tehnicile de fabricare a sticlei foarte pure s-au perfecionat n deceniul 7 al
secolului trecut, a devenit posibil utilizarea fibrelor optice drept mediu
practic de transmisie. n acelai timp, dezvoltarea dispozitivelor
semiconductoare ca surse de lumin i detectori a permis ca n jurul anului
1980 s se pun la punct sisteme pe baz de fibr optic de ntindere mare.
ntre 1968 i 1970 atenuarea fibrei optice din sticl s-a redus de la
peste 1000 dB/km la mai puin de 20 dB/km. Continua scdere a atenurii n
anii 70 a permis realizarea unor comunicaii optice practice utiliznd fibra
optic de sticl. n anii 1980 i 1990, s-a obinut fibra optic din plastic cu
cost redus i fibra optic din cuar mbrcat cu plastic (Plastic Clad Silica
PCS).
Fibrele optice ofer numeroase avantaje n comparaie cu cablurile
electrice. Astfel, ele permit transmiterea unor semnale cu pierderi energetice
mult mai mici dect cablurile de cupru i cu o band de frecvene mult mai
larg. Aceasta nseamn c fibrele optice pot transmite mai multe canale de
informaie la distane mai mari i cu mai puine dispozitive de amplificare i
regenerare a semnalului. Cablurile de fibre optice sunt mult mai uoare i mai
subiri dect cele de cupru, pentru aceeai lrgime de band, ceea ce face mai
uoar i instalarea acestora.
Un alt avantaj foarte important este acela c fibrele optice sunt mult
mai sigure din punctul de vedere al proteciei informaiei.. Ele sunt imune la
120
interferena electromagnetic de la liniile de transport electric, semnalele
radio, sistemele de aprindere electronic auto, sistemele de iluminare etc. i
pot fi plasate n siguran n medii explozive sau inflamabile, fr risc de
aprindere.
Dei cablul coaxial de cupru poate asigura necesarul de lrgime de
band pentru multe aplicaii, chiar i n acest caz este de preferat folosirea
cablului optic, deoarece un sistem bazat pe cupru consum cu mult mai mult
energie electric, chiar i numai pentru transportul semnalelor,
Fibra optic are totui i unele dezavantaje. Astfel, dei materia prim
pentru fabricarea fibrelor optice, nisipul, este abundent i ieftin, fibrele
optice rmn mai scumpe pe unitatea de lungime dect cablurile de cupru.
Trebuie ns spus c o fibr optic poate transmite mult mai multe semnale
dect un cablu de cupru, iar distanele mari de transmisie nseamn c sunt
necesare mai puine dispozitive repetoare i amplificatoare.
Fibrele optice nu pot fi cuplate una cu alta la fel de uor precum
cablul de cupru i necesit o pregtire mai nalt a personalului i echipament
de cuplare i msurare mai scump.
Fibrele optice au numeroase domenii de utilizare, dintre care cele mai
importante sunt:
Telecomunicaii fibrele optice reprezint n prezent legtura standard
ntre substaiile telefonice.
Reele locale (LAN) - fibra multimod este de obicei utilizat drept
coloana vertebral a reelei pentru transportul semnalelor ntre hub-
urile reelei, de unde acestea sunt transmise prin cabluri de cupru pn la
terminale; chiar i aceste legturi sunt realizate uneori prin cabluri optice
Televiziunea prin cablu (CATV) aa cum s-a menionat anterior,
reelele de TV domestice utilizeaz fibre optice datorit consumului
energetic foarte sczut
Sisteme de televiziune n circuit nchis (CCTV) acesta utilizeaz fibrele
optice datorit inerentei securiti a acestora, ca i a celorlalte avantaje
menionate
Senzori cu fibr optic n ultimii ani au fost realizate progrese
considerabile n utilizarea fibrelor optice n acest scop; concentraiile de
gaze sau de alte substane chimice, presiunea, temperatura sau viteza de
rotaie pot fi toate determinate prin folosirea unor senzori cu fibr optic
Medicin
Fibra optic reprezint un ghid de und care permite propagarea
luminii n condiii optime, bazndu-se n funcionarea sa pe principiul
reflexiei totale interne. Ea este format n principiu dintr-un cilindru de
material dielectric transparent, cu indicele de refracie mai mare dect cel al
mediului exterior.
121
Reducerea atenurii n fibra optic (de la 1000 dB/km n 1960 la sub
0,2 dB/km n prezent) i dezvoltarea altor dispozitive optoelectronice (n
special laserul i dioda electroluminescent cu semiconductori emind n
domeniul spectral la care fibra prezint o absorbie minim) au permis
dezvoltarea foarte rapid a aplicaiilor fibrelor optice, n special n
telecomunicaii, tehnica de calcul i medicin.
Conductorul optic cel mai simplu este constituit dintr-un fir subire de
seciune circular, cu o structur transversal compus dintr-un miez cu
indicele de refracie n
1
=
1
c i un strat de acoperire (cladding), cu indicele
de refracie n
2
=
2
c < n
1
, unde c
1
i c
2
sunt permitivitile electrice relative
ale materialelor utilizate pentru confecionarea miezului i respectiv
nveliului. Prin miez se transmite energia electromagnetic sub forma undei
luminoase, din care motiv el este realizat din material cu pierderi optice mici
(cuar, sticl pur, materiale plastice). nveliul este destinat crerii
condiiilor optime de reflexie pe suprafaa de separare miez-nveli i pentru
reducerea radiaiei energiei n mediul ambiant. n nveli se accept pierderi
mari, motiv pentru care acesta este realizat din sticl sau mas plastic.
Pentru protecia mpotriva influenelor exterioare, optice sau mecanice, peste
nveliul conductorului optic se depune un strat de acoperire pe baz de
polimer (jachet). Seciunea transversal a fibrei i repartiia valorilor
indicelui de refracie n este reprezentat n figura 5.1.

Fig. 5. 1 - Seciuni transversale i repartiia indicilor de refracie n fibra
optic: a fibr optic cu profilul indicelui de refracie n treapt: b fibr
optic cu profilul indicelui de refracie n gradient

n funcie de modul de variaie a indicelui n de refracie pe o direcie
radial a fibrei, exist dou tipuri de fibre optice: cu profilul indicelui de
refracie n treapt i cu profilul indicelui de refracie n gradient. Fibrele cu
profilul indicelui n treapt (figura 5.1.a) au valoarea indicelui de refracie
122
constant de-a lungul direciei radiale, treapta de variaie fiind la suprafaa de
separare dintre miez i nveli. La fibra cu profilul indicelui n gradient
(figura 5.1.b), indicele de refracie se modific (scade) continuu de la centru
spre marginea miezului. Propagarea razelor n aceste dou tipuri de
conductoare optice este diferit.
Fibra optic are un diametru foarte mic. Figura 5.2 prezint
dimensiunile seciunilor transversale (diametrul) miezului i nveliului
pentru patru tipuri de fibre optice utilizate n mod obinuit. Dimensiunile din
aceast figur sunt date n microni (1m = 10
6
m). Pentru comparaie,
diametrul firului de pr uman este de 100 m.


Fig. 5. 2 Dimensiuni tipice ale fibrelor optice

De obicei, dimensiunile fibrelor optice sunt exprimate sub forma a/b,
unde a este diametrul miezului (n m) i b diametrul nveliului. Astfel,
primul tip de fibr din figura 5.2 este o fibr 8/125, al doilea 50/125, al treilea
62,5/125 i al patrulea 100/140. Cu ct miezul are un diametru mai mare, cu
att energia radiaiei luminoase care poate fi cuplat n fibr din unghiul de
acceptan (trapare) este mai mare. Dei, n principiu, acest lucru este un
aspect pozitiv, n practic un diametru prea mare al miezului poate face ca
lumina ptruns n fibr s determine probleme de saturare a receptorului.
Fibra de tip 8/125 este folosit de obicei cnd conexiunea prin fibr optic
opereaz cu propagare monomod, celelalte tipuri fiind folosite la operarea
multimod.
Din punct de vedere al compoziiei, sau a materialului din care sunt
confecionate fibrele optice, acestea sunt de trei tipuri: fibre din sticl, plastic
8
125
50
125
62,5
125
100
140
1) 2)
3) 4)
123
i sticl acoperit cu plastic (PCS). Ele difer din punct de vedere al atenurii
i costului.
Fibra optic din sticl are atenuarea cea mai mic, dar i costul cel
mai mare. Sticla utilizat este din dioxid de siliciu (cuar topit) foarte pur i
foarte transparent. n procesul de fabricaie, n sticl sunt adugate impuriti,
pentru a obine indicii de refracie dorii. Germaniul sau fosforul sunt folosii
pentru a crete indicele de refracie, n timp ce borul sau fluorul sunt folosii
pentru scderea acestuia.
Fibra optic din plastic are cea mai mare atenuare, dar i cel mai
sczut cost. Ea are att miezul, ct i nveliul din material plastic i este
foarte groas, cu dimensiuni tipice de 480/500, 735/750 i 980/1000. De
obicei, miezul este din polimetilmetacrilat (PMMA) i nveliul dintr-un
fluoropolimer.
Fibra optic din sticl acoperit cu plastic are atenuarea i costul la
valori intermediare ntre cele ale tipurilor anterioare i este alctuit dintr-un
miez de sticl, acoperit cu un nveli din plastic (de obicei, un elastomer
siliconic). Standardul acceptat are dimensiunile: miez 200 m, nveli
380 m, jachet 600 m.
Fibrele optice trebuie confecionate din materiale care, pe lng
dispersie i atenuare minime la lungimea de und de lucru, trebuie s prezinte
i alte proprieti importante, cum sunt: ductilitatea, transparena i indicele
de refracie cu o anumit valoare impus. Din aceast cauz, doar un numr
redus de materiale pot fi folosite n acest scop: sticlele, materialele plastice i
unele lichide. Dintre acestea, lichidele prezint dificulti tehnice mari n
utilizare, astfel c, n practic, se folosesc:
- fibre din SiO
2
cu miez dopat cu oxid de germaniu, utilizate ca fibre
multimod n treapt sau gradient al indicelui de refracie sau fibre
monomod, la lungimi de und ntre 0,8 1,6 m i atenuare minim ntre
0,2 2 dB/km, cu un minim la 1,55 m; ele au o rezisten mecanic bun
i sunt utilizate pentru transmisii la distane medii i lungi;
- fibre optice din materiale plastice, din diferite materiale polimerice
(polimetil-metacrilat, polistiren etc.), care prezint avantajul de a putea fi
confecionate cu diametre mari ale miezului (0,5 1,5 mm), au apertur
numeric mare (0,4 0,6), maleabilitate, mas redus, rezisten mecanic
mare, necesitnd conectic i racorduri simple, costul unor astfel de
sisteme fiind sczut; dezavantajele principale sunt transparena doar n
domeniul vizibil i atenuarea mai mare (0,1 0,2 dB/m); sunt utilizate
numai n sisteme de comunicaii la distan mic (< 50 m) precum i n
transmiterea i vizualizarea imaginilor (endoscopie, microscopie etc.);
- fibre de sticle fluorate (amestecuri sticloase de diverse fluoruri: de
zirconiu, bariu, aluminiu, lantan etc.), care au o fereastr de transmisie n
infraroul mijlociu (2 5 m) i un minim de atenuare foarte pronunat
124
(teoretic < 0,01 dB/km la 2,65 m, practic, limitat de posibilitile
tehnologice actuale la 1 dB/km la 2,5 m); prezint o slab rezisten
mecanic i un cost ridicat;
- fibre de sticl cu compui de sulf, seleniu, telur, cu transparen n
infraroul ndeprtat (atenuare de 1 dB/km la 10,6 m); n prezent
utilizarea acestui tip de fibr optic este foarte limitat.
5.1.2. Propagarea luminii n fibra optic cu profilul indicelui n
treapt
S considerm c n centrul seciunii transversale de la unul din
capetele conductorului optic (figura 5.3) cade fasciculul u
1
sub unghiul
i

fa de axul conductorului. Pe baza legilor opticii geometrice, ntr-un punct
oarecare A de pe suprafaa de separare dintre miez i nveli coexist raza
incident, care face unghiul
i
cu normala la suprafaa de separare, raza
reflectat sub unghiul
0
=
i
i raza refractat sub unghiul
r
. Raza
refractat, la rndul ei va suferi o reflexie n punctul B pe suprafaa de
separare dintre nveli i stratul de acoperire. n acest fel, n conductorul optic
exist trei tipuri de raze (unde) i anume: n miez (1), n nveli (2) i n
stratul de acoperire (3).

Fig. 5. 3 Traiectoriile razelor n conductorul optic n trepte: 1 unda n miez;
2 unda n nveli; 3 unda n stratul de acoperire

Pentru propagarea efectiv i eliminarea (reducerea) transferului
energiei n stratul de acoperire i deci n spaiul nconjurtor, este necesar ca
undele 2 i 3 s fie eliminate. Acest lucru se obine dac se ndeplinete
condiia de reflexie total pe suprafaa de separare dintre dou medii i
anume:
125
1) transferul fasciculelor se face dintr-un mediu cu densitate optic mai mare
ntr-un mediu cu densitate optic mai mic , adic n
1
> n
2
;
2) unghiul de inciden
i
este mai mare dect o anumit valoare,
corespunztoare reflexiei totale interne (unghi limit), care se determin
din relaia:
2
1
n
sin
n
u = (5. 1)
Cnd i > u (raza u
2
din figura 5.3), energia care ajunge n miez se
reflect total i se propag n zig-zag prin conductorul optic.
Regimul de reflexie intern total se respect dac la intrarea n
conductorul optic fasciculul de lumin cade n limitele unghiului solid u
a
.
Acest unghi se numete apertur. Pentru caracterizarea conductorului optic
se folosete de obicei apertura numeric, sub forma:
AN = sin u
a
=
2 2
1 2
n n (5. 2)
De aceast valoare depind eficiena de trapare a radiaiei n conductor,
pierderile la micro-ndoituri precum i ali parametri ai conductorului optic.
5.1.3. Propagarea luminii n fibra optic cu profilul indicelui n
gradient
n conductorul de tip gradient razele nu se reflect sub forma unor
linii frnte, ci se curbeaz pe direcia gradientului indicelui de refracie
(figura 5.4).


Fig. 5. 4 Traiectoria razelor n conductorul optic de tip gradient: 1-unda n
miez; 2-unda n nveli; 3-unda de emisie

Datorit acestui lucru, razele aflate n interiorul unghiului de apertur
se propag n interiorul miezului pe traiectorii de tip und. Cnd
1
este mai
mare dect unghiul de apertur vor aprea raze att n nveli (2) ct i de
radiaie (3). Particularitatea caracteristic a conductorului de tip gradient
const n faptul c distorsiunile semnalelor transmise sunt mai mici.
126
5.1.4. Tipuri de und (moduri) n conductorul optic
Considernd conductorul optic ca un ghid de und dielectric i avnd
n vedere proprietile de und ale luminii, s-a stabilit c, din multitudinea de
raze luminoase existente n limitele unghiului de apertur, pentru conductorul
optic considerat, numai un numr limitat de raze, cu valori discrete de
unghiuri, pot forma unde direcionate, de un tip determinat, care se numesc
moduri de und. Din punct de vedere fizic, acest fenomen se poate explica
prin interferena unor unde cu traiectorii de propagare diferite. Modurile
existente n conductorul optic se caracterizeaz prin faptul c, dup dou
reflexii succesive pe suprafaa de separare dintre miez i nveli, razele ajung
n faz i se nsumeaz aritmetic. Pentru alte unghiuri, condiiile de faz nu se
ndeplinesc, motiv pentru care undele interfer astfel nct ele se atenueaz
reciproc.
n conductorul optic de seciune circular, ca i n ghidul de und
circular dielectric, pot exista unde mixte de tipul HE sau EH. Dintre acestea,
unda de baz este HE
11
. Fiecare mod are o structur a cmpului
electromagnetic caracteristic pentru acesta precum i viteze de faz i de
grup specifice.
n funcie de numrul undelor (modurilor) care se propag la
frecvena de lucru, conductoarele optice se mpart n conductoare monomod
i multimod. Numrul de moduri depinde de raportul dintre diametrul
miezului, d i lungimea de und de lucru, . Cnd d ~ , n seciunea
transversal a miezului ncape numai o singur und, adic se constat
numai regimul de funcionare monomod; n cazul cnd d > , apare regimul
de funcionare multimod.
Conductoarele optice monomod au caracteristici electrice superioare
conductoarelor multimod ns, datorit diametrului mic al miezului
conductorului, acestea sunt mai puin fiabile i au pierderi mai mari la
traparea fasciculului n conductor. Numrul de moduri la conductoarele
optice de gradient este aproape de 2 ori mai mic n comparaie cu conductorul
cu dou straturi n treapt pentru aceleai dimensiuni geometrice i valori ale
lui n
1
i n
2
. Caracteristicile electrice ale conductoarelor de gradient sunt
superioare celor n treapt.
Pentru o fibr optic dat, numrul de moduri de propagare posibile
depinde de dimensiunile fibrei i de modul de variaie a indicelui de refracie
n miez pe direcie radial. n principal, sunt trei posibiliti (figura 5.5).
Prima situaie corespunde propagrii monomod, cu un profil al
indicelui de refracie n treapt. Diametrul miezului este mult mai mic fa de
cel al nveliului. Tipic, nveliul este de zece ori mai gros dect miezul.
Astfel, cnd lumina intr n fibra optic, ea se propag sub forma unei
singure raze, modul de ordinal cel mai mic. Modurile de ordin superior sunt
absente, ceea ce face ca pierderile de energie sub form de cldur s fie
127
neglijabile i atenuarea este nesemnificativ. Dispersia temporal este, de
asemenea, foarte redus.


Fig. 5. 5 Tipuri de propagare n fibra optic

Propagarea monomod este posibil numai la lungimi de und peste o
valoare specific, numit lungime de und de tiere. Dispersia temporal
sczut nseamn o band mai larg, aceasta fiind tipic de ordinul 50 100
GHz/km. Totui, fibra optic monomod este cea mai costisitoare, motiv
pentru care se utilizeaz n special n reele de arie larg, pe distane de pn
la 100 km. Diametrul miezului pentru acest tip de fibr optic este n
domeniul 5 10 m. Fibra optic monomod se fabric din sticl, deoarece,
datorit grosimii mici a miezului, plasticul nu poate fi utilizat.
A doua situaie, corespunde propagrii multimod cu un profil de
indice de refracie n treapt. Diametrul miezului este relative mare, ca i
discontinuitatea n indicele de refracie. Ca urmare, cnd lumina ntr n fibra
optic, ea se propag sub forma unor raze (moduri) multiple. Modul de
ordinul cel mai mic se propag rectiliniu, pe direcia axei fibrei. Modurile de
128
ordin superior se propag prin reflexii succesive, cu att mai multe pe
unitatea de lungime, cu ct ordinul este mai mare.

Tabel 5.1 Caracteristicile de atenuare i band pentru diferite fibre optice
Mod Material Profil al
indicelui
de refracie
(m) Dimens.
(m)
Aten.
dB/km
Band
(MHz/km)
Multimod Sticl Treapt 800 62,5/125 5,0 6
Multimod Sticl Treapt 850 62,5/125 4,0 6
Multimod Sticl Gradient 850 62,5/125 3,3 200
Multimod Sticl Gradient 850 50/125 2,7 600
Multimod Sticl Gradient 1300 62,5/125 0,9 800
Multimod Sticl Gradient 1300 50/125 0,7 1500
Multimod Sticl Gradient 850 85/125 2,8 200
Multimod Sticl Gradient 1300 85/125 0,7 400
Multimod Sticl Gradient 1550 85/125 0,4 500
Multimod Sticl Gradient 850 100/140 3,5 300
Multimod Sticl Gradient 1300 100/140 1,5 500
Multimod Sticl Gradient 1550 100/140 0,9 500
Multimod Plastic Treapt 650 485/500 240 5 680
Multimod Plastic Treapt 650 735/750 230 5 680
Multimod Plastic Treapt 650 980/1000 220 5 680
Multimod PCS Treapt 790 200/350 10 20
Monomod Sticl Treapt 650 3,7/80 sau
125
10 600
Monomod Sticl Treapt 850 5/80 sau
125
2,3 1000
Monomod Sticl Treapt 1300 9,3/125 0,5

Monomod Sticl Treapt 1550 8,1/125 0,2


Pulsul de ieire este semnificativ atenuat fa de pulsul de intrare. El
sufer, de asemenea, o semnificativ dispersie temporal, datorit faptului c
traiectoriile diferitelor moduri care se propag prin fibr sunt diferite ca
lungime i, deci, radiaiile corespunztoare ajung la captul fibrei la momente
diferite.
Fibra optic multimod cu profil al indicelui n treapt este deci
caracterizat de atenuare i dispersie temporal mari. Datorit costului redus,
este totui atractiv n special pentru legturi la distane de pn la 5 km. De
obicei, are un diametru al miezului de 100 970 m.
O formul experimental care d numrul de moduri ntr-o fibr cu
profil al indicelui n treapt este urmtoarea:
129
N ~
2
2 2
1 2
2
N d n n
t
| |
~
|

\ .
(5. 3)
A treia situaie corespunde propagrii multimod cu un profil al
indicelui de refracie n gradient. Aici, variaia indicelui de refracie este
gradual n direcie radial, scznd treptat de la miez la nveli, fr
discontinuitate brusc n valoarea indicilor de refracie din miez i nveli.
Dimensiunea miezului este mult mai mare dect la fibra monomod cu indice
n treapt. Totui, traiectoriile modurilor sunt oarecum confinate, motiv
pentru care atenuarea este mai limitat fa de cea a fibrei cu indice n treapt.
Dispersia este, de asemenea, mai mic.
Fibr optic multimod cu profil al indicelui n gradient este
caracterizat ca avnd proprieti de atenuare i dispersie ntre cele ale
celorlalte dou tipuri. Diametrul miezului este tipic de 50, 62,5 i 85 m.
Acest tip de fibr optic este extrem de popular n aplicaii privind
comunicaiile de date ; n particular, fibra optic 62,5/125 este cea mai
popular i cea mai utilizat n aceste aplicaii. Sticla este n general utilizat
pentru fabricarea fibrei optice multimod cu indice n gradient.
Tabelul 5.1 prezint caracteristicile de atenuare i band pentru
diferite fibre optice.

5.2. Parametrii de baz ai conductoarelor optice
Spre deosebire de sistemele de ghidare cu dou conductoare, la
conductoarele optice, ca i la ghidurile de und, nu se pot determina univoc
majoritatea parametrilor electrici precum i mprirea lor n parametri
primari i secundari. Aceast situaie este cauzat de faptul c parametrii
conductorului optic depind de frecvena de lucru (de lungimea de und), de
metoda de excitare, de numrul de moduri. Cu toate acestea, se pot considera
ca parametri primari: dimensiunile geometrice ale miezului i nveliului,
indicii de refracie ai acestora n
1
i n
2
, diferena relativ a indicilor de
refracie,
1 2
1
n n
n

A = , tipul de und (modul) care se propag n conductorul


optic.
Pentru conductoarele multimod, diametrul miezului este de obicei de
cel puin 50 m, iar diametrul nveliului de 125 m. Diametrul miezului la
conductorul monomod se alege astfel nct s se asigure propagarea unui
singur mod de baz. Aceast condiie se asigur dac frecvena normat de
lucru, care are expresia:
V =
d AN t

(5. 4)
130
unde d este diametrul miezului, AN apertura numeric, lungimea de und
de lucru, satisface urmtoarele condiii:
- V < 2,405 pentru conductorul cu dou straturi n treapt;
- V < 3,53 pentru conductorul de gradient cu variaie parabolic a indicelui
de refracie.
Diferena relativ a indicilor de refracie, A, are de obicei valori
cuprinse ntre 0,01 i 0,003.
Parametrii electrici ce caracterizeaz transmisia semnalelor n
conductoare optice sunt: frecvena i lungimea de und critice, atenuarea,
dispersia semnalului.
5.2.1. Frecvena i lungimea de und critice
Ca oricare ghid de und, conductorul optic este caracterizat de
lungimea de und critic i frecvena critic. Acestea pot fi determinate prin
utilizarea expresiei sin u =
2
1
n
n
pentru unghiul de reflexie total intern i de
relaia dintre lungimea de und i diametrul conductorului, d: cos u =
d

.
Din aceste dou relaii, rezult:
cos u =
2
2
1
n
1
n
| |

|
\ .
(5. 5)
n acest fel, se obine valoarea lungimii de und critice a undei de
baz n conductorul optic sub forma:

cr
= d
2
2
1
n
1
n
| |

|
\ .
(5. 6)
Frecvena critic este egal cu:
f
cr
=
g
2 2
cr
1 2
v
c
d n n
=


(5. 7)
unde: v
g
=
1
c
n
este viteza de grup de propagare a undei n miez, iar c este
viteza luminii n vid.
Dac n aceste formule se introduce parametrul P
mn
/t, ce
caracterizeaz tipul de und (modul) care este dirijat n conductorul optic,
atunci n final se obine:
131

cr
=
2 2
1 2
mn 1
d n n
P n
t

(5. 8)
f
cr
=
mn
2 2
1 2
P c
d n n

t
(5. 9)
Pentru unele tipuri de und (moduri) parametrul P
mn
este prezentat n
tabelul 5.2, unde n caracterizeaz numrul de schimbri ale cmpului pe
diametrul conductorului optic, iar m pe perimetru.
Existena frecvenei critice n conductorul optic arat c acesta, ca
oricare alt ghid de und, se comport similar unui filtru de frecvene nalte:
prin conductorul optic este posibil transmisia undelor a cror lungime de
und este mai mic dect
cr
.

Tabel 5.2 Valoarea parametrului P
mn
pentru conductorul optic circular
m
P
mn
Tipul
undei
n = 1 n = 2 n = 3
0 2,405 5,520 8,654 EH
1 0 3,832 7,016 HE
1 3,832 7,016 10,173 EH
2 2,405 5,538 8,665 HE
2 5,136 8,417 11,690 EH

5.2.2. Atenuarea n conductoarele optice
Atenuarea undei care se propag este determinat de pierderile de
energie electromagnetic. Exist dou cauze principale de pierderi n
conductoarele optice: absorbia i difuzia energiei.
Absorbia radiaiei electromagnetice se produce ca urmare a
interaciunii dintre fotonii componeni ai fasciculului de radiaie cu electronii
din mediul de propagare. n fibra optic se ntlnesc trei tipuri de absorbie:
- absorbii fotonice urmate de tranziii electronice ntre benzile de energie
situate n domeniul ultraviolet (ca urmare a acestora, fibrele optice sunt
opace n acest domeniu spectral);
- absorbii fotonice excitnd vibraii moleculare n siliciu, care prezint un
spectru complex n IR (numeroase picuri de absorbie ntre 2 i 25 m); ca
urmare a acestor procese, atenuarea n fibra optic din sticl crete rapid
pentru lungimi de und mai mari dect 1,7 m, aceast valoare limit fiind
ns mai ridicat pentru fibrele din materiale cum sunt halogenurile;
- absorbii pe impuriti: ioni ai metalelor de tranziie i ioni OH, provenind
din urme de ap; picul de absorbie cel mai important, datorat ionilor OH,
este situat la 1,39 m, ceea ce impune o concentraie rezidual maxim n
ap de ordinul a 10
7
.
132
Pierderile de absorbie se produc deci fie prin absorbia proprie n
materialul miezului, fie prin absorbia datorat existenei n miez a unor
impuriti, cum sunt ionii oxizilor metalici sau grupri hidroxilice.
Atenuarea datorat absorbiei proprii n miez, o
ap
[dB/km] este legat
de pierderile dielectrice din materialul conductorului optic i poate fi
calculat cu formula:
o
ap
= 8,6910
9

1 1
n tg o

[dB/km] (5. 10)


unde

este

lungimea de und de lucru n m i tg o
1
tangenta unghiului
pierderilor dielectrice, care, pentru materialele utilizate n prezent, are valori
de (0,5 1,0)10
10
.
Pierderile de energie datorate impuritilor (caracterizate de
coeficientul de atenuare o
ai
) depind substanial de puritatea materialului i
pot depi de cteva ori pierderile proprii, datorate materialului.
Experimental, se constat existena unor maxime de absorbie caracteristice
fiecrui tip de impuriti. De exemplu, se observ un maxim de absorbie la
lungimea de und de 0,95 m, datorat ionilor gruprilor hidroxilice.



Fig. 5. 6 Caracteristica de atenuare n conductorul optic monomod

n prezent, s-au obinut conductori optici din sticl de cuar, aliat cu
germaniu, fosfor sau bor cu pierderi mai mici de 0,1dB/km. n cuar,
lungimea de und a picului fundamental de atenuare (absorbia maxim),
datorat ionilor (OH)

este la 2,7 m, alte picuri fiind la lungimile de und


133
(care determin benzile de absorbie respective) de 1,39 m, 1,24 m, 950
nm i 720 nm. ntre aceste benzi se gsesc ferestre de atenuare minim.
Aceste regiuni spectrale sunt la 850 nm (prima fereastr), 1300 nm (a doua
fereastr) i 1550 nm (a treia fereastr), aa cum se poate vedea n figura 5.6.
Regiunile respective sunt utilizate pentru transmisia informaiilor (tehnologia
comunicaiilor).
Alte substane folosite ca impuriti pot fi ioni metalici, precum Cr
3+
,
Fe
2+
i Cu
2+
. Benzile de absorbie asociate acestora sunt ntre 500 nm i 1000
nm.
Difuzia energiei optice este cauzat de neomogenitile conductorului
optic, ale cror dimensiuni sunt mai mici dect lungimea de und, precum i
de fluctuaiile termice ale indicelui de refracie. Dintre mecanismele de
difuzie, cea mai important este difuzia Rayleigh, prezent n toate tipurile de
fibre optice i care nu depinde de intensitatea cmpului de radiaie incident,
fiind cauzat de variaii ale compoziiei sau densitii mediului optic, de
separaii de faz ale acestuia etc.
Pierderile datorate difuziei Rayleigh sunt caracterizate de un
coeficient de atenuare o
d
[dB/km], dependent de materialul conductorului i
de lungimea de und (proporional
2
cu
4
). n afara acestor pierderi, mai
exist i pierderile de cablu (caracterizate de coeficientul de atenuare o
k
),
datorate diferitelor variaii ale geometriei conductorului, existentei mufelor
de cuplare, ndoiturilor i microndoiturilor
3
. Ca rezultat, se obine
coeficientul total de atenuare sub forma:
o = o
ap
+ o
ai
+ o
d
+ o
k
~ 2,5o
ap
(5. 11)

n scopul aprecierii calitative a pierderilor, n figura 5.6 se prezint
dependena experimental de frecven a coeficientului de atenuare pentru
conductorul monomod cu parametrii d = 9,6 m, A = 0,0028, realizat din
sticl de silicat dopat cu germaniu.
Din analiza acestui grafic, rezult c este posibil utilizarea
domeniilor lungimilor de und de 1,3 i 1,55 m pentru liniile de comunicaii
din fibr optic.
5.2.3. Dispersia semnalului n conductoarele optice
ntruct conductoarele optice sunt sisteme liniare n raport cu
intensitatea semnalelor la intrare i ieire, ele pot fi reprezentate sub forma
cuadripolului echivalent, iar proprietile lor pot fi descrise cu ajutorul

2
Conform teoriei Rayleigh a difuziei, intensitatea luminii mprtiate (difuzate) este
proporional cu puterea a patra a frecvenei: I = Cf
4
=
4
C

.
3
Este vorba n primul rnd de pierderile prin radiaia de curbur a fibrei i prin radiaia
extern (datorat faptului c o parte a radiaiei nu se propag prin miez ci este captat n
nveli sau exteriorul fibrei, unde sufer atenuri).
134
funciei complexe de transfer, H(ie) i a caracteristicii de impuls g(t), cum se
procedeaz la linia format din doi conductori. Pe baza acestor caracteristici
se pot calcula semnalele primare posibile i cu ce calitate pot fi transmise
acestea prin conductorul optic. n majoritatea cazurilor este ns suficient
cunoaterea benzii de trecere, Af , determinate de obicei la nivelul jumtii
din valoarea maxim a lui H(e) precum i a duratei ptratice medii a
caracteristicii de impuls, o, calculate prin metoda dreptunghiului echivalent.
La conductoarele optice, spre deosebire de linia cu doi conductori, Af
i o depind nu numai de parametrii conductorului optic dar i de lungimea
acestuia, astfel c, prin creterea lungimii, se micoreaz banda de trecere Af
i se mrete durata ptratic medie a caracteristicii de impuls, o. Acest lucru
face s creasc distorsiunile liniare ale semnalelor transmise. Astfel, la
transmiterea semnalelor n impuls, aa cum se vede din figura 5.7, se mrete
durata impulsurilor recepionate, care se lrgesc.
Peste o anumit lungime a conductorului optic, se observ c dou
impulsuri transmise distinct sunt recepionate ca unul singur. Acest fapt, este
datorat lrgirii pulsului odat cu creterea distanei parcurse, fenomen datorat
dispersiei semnalului n conductorul optic.
Dispersia limiteaz banda frecvenelor transmise prin conductor i, n
mod corespunztor, a duratei minime a semnalelor n impuls.


Fig. 5. 7 Trecerea semnalelor n impuls prin conductorul optic

Valoarea numeric a dispersiei este egal cu durata ptratic medie a
caracteristicii de impuls, o. Aceast valoare poate fi de asemenea determinat
ca diferena ptratic medie a duratelor semnalelor n impuls la intrarea i
ieirea conductorului optic astfel:
o =
ies int
2 2
i i
t t (5. 12)
unde valoarea duratelor impulsurilor se determin la nivelul de jumtate din
amplitudine.
Dispersia se poate produce pe dou ci:
1. Dispersia intramodal (cromatic) se produce pentru fiecare mod n
parte, ca urmare a diferenei dintre viteza de faz i cea de grup a undei.
135
Ea este datorat pe de o parte mediului optic al fibrei (dispersie de
material) i, pe de alt parte, ghidului, mai exact caracteristicilor
geometrice ale acestuia (dispersia de ghid).
2. Dispersia intermodal, ntlnit la fibrele optice multimod, este datorat
faptului c diferitele moduri de propagare nu au aceeai traiectorie i nici
aceeai vitez de propagare. Astfel, un impuls luminos injectat n fibr se
va lrgi pe msur ce se propag la distane din ce n ce mai mari, ceea ce
nseamn c, la un moment dat, dou astfel de impulsuri succesive vor
ajunge s se suprapun, fapt care duce la o pierdere de informaie. Fibrele
optice monomod nu prezint acest tip de dispersie, motiv pentru care ele
sunt utilizate n transmisiile la mare distan.
Dispersia total a unei fibre optice este dat de suprapunerea celor
dou tipuri de dispersie. n fibrele monomod, se poate obine o compensare
ntre dispersia de material i dispersia de ghid, astfel c, pentru anumite
lungimi de und, dispersia total este nul sau foarte mic. Astfel, pentru
fibrele din sticl (SiO
2
), dispersia devine nul la = 1,37 m. Utiliznd
profiluri de variaie radial a indicelui de refracie corespunztoare, se pot
obine fibre cu dispersie nul la dou valori ale lungimii de und, ntre care
dispersia are o valoare foarte mic (aa-numitele fibre n W).
Un alt tip de dispersie este dispersia neliniar, care se manifest peste
un anumit nivel de intensitate i este datorat faptului c indicele de refracie
al mediului, peste acest nivel, variaz n funcie de intensitate, ceea ce
nseamn c semnalele de intensitate mai mic se propag cu vitez diferite
de cea a semnalelor de intensiti mari.
Tipurile de dispersie a semnalului (dispersie de ghid, dispersia de
material i dispersia intermodal) se evideniaz diferit n tipuri diverse de
conductoare optice. Proprietile de dispersie mediate sunt prezentate n
tabelul 5.3, unde se arat i cauzele fizice pentru fiecare tip de dispersie. Din
datele prezentate rezult urmtoarele:
- n conductoarele monomod nu exist dispersie intermodal i este
posibil compensarea reciproc a dispersiilor de und i de material,
pentru c distorsiunile de faz care provoac aceste dispersii sunt
aproximativ egale ca mrime, dar de semn contrar;
- n conductoarele multimod cu profil n treapt este dominant dispersia
intermodal, care depete cu un ordin de mrime alte tipuri de
dispersie i care are valori mari (20 50) ns/km;
- n conductoarele de gradient se produce egalizarea timpului de propagare
al diferitelor moduri i determinant este dispersia de material.

Tabel 5.3 Proprietile de dispersie la unele conductoare optice
Tipul Cauza fizic
Profil n treapt Profil gradient
136
dispersiei a dispersiei fibr
multimod
fibr monomod
o
mod

dispersie de
mod sau de
und
[ns/km]
viteza de faz
a modului de
propagare
depinde de
frecven
valoare
mic
exist
posibilitatea
compensrii
reciproce cu cea
de material, prin
nsumare
valoare mic
o
mat

dispersie de
material
[ns/km]
indicele de
refracie al
materialului
conductorului
optic depinde
de frecven
2 5 13 0,1 2
o
inter

dispersie
intermodal
[ns/km]
diferitele
moduri au
viteze diferite
de grup
20 50 - 0,1 0,3 (laser)
2 4 (diode
luminescente)
Banda de trecere
Af
r
, MHz (radio)
Af
v
, MHz (video)

40 100
20 50

600 2000
300 1000

50 1000
250 500

Dispersia nsumat a semnalului n conductorul optic este:
o =
2 2
int er mod mod mat
( ) o + o + o (5. 13)
Datorit faptului c, din motive tehnologice, proprietile de
omogenitate i de profil nu pot fi meninute constante pe toat lungimea
conductorului, dispersiile calculate conform tabelului sunt diferite de cele
experimentale.
Practic, pentru determinarea dispersiei se poate folosi tabelul i datele
tehnice ale conductorului concret. Pentru calculul dispersiei semnalului, o

n
conductorul cu lungimea , se poate folosi relaia urmtoare:
o

= o
0

| |
|
\ .
(5. 14)
unde o
0
este dispersia semnalului n conductorul cu lungimea
0
i indicele
dependenei dispersiei de lungimea conductorului.
Valoarea teoretic a lui este 0,5, iar n practic este 0,5 1. La
calcularea dispersiei n conductorul multimod se recomand folosirea valorii
= 0,5, iar pentru conductorul monomod cu gradient = 0,5 1. Banda de
trecere a conductorului este legat de dispersie prin formula:
- pentru frecvene radio: Af
radio
~ 2/o (5. 15)
- pentru frecvene video: Af
video
~ 1/o (5. 16)
137
Ca i dispersia, banda de frecven variaz n limite mari, de la 20
MHzkm pn la 1 2 GHzkm i este determinat att de tipul conductorului
optic, ct i de sursa de radiaie optic.
O asemenea valoare pentru dispersie se obine pentru lungimea
conductorului de: =
0

1
l
0

| | o
|
o
\ .
. Pentru conductorul multimod, pentru = 0,5
i
0
= 1 km, rezult
r
= 8,16 km, iar pentru conductorul de gradient ( = 1 i

0
= 1 km),
r
= 33,3 km.
n acest fel se obine lungimea sectorului regenerativ:
- pentru conductorul multimod aceast lungime este limitat de dispersia
semnalului i este egal cu 8,16 km;
- pentru conductorul de gradient este limitat de atenuarea semnalului i
este egal cu 14,85 km.
Astfel, rezult c distana de transmisie pe conductorul optic este
limitat nu numai de atenuare, dar i de dispersia semnalului. De obicei, la
conductoarele multimod, factorul de limitare a lungimii este dispersia
semnalului iar la conductoarele monomod atenuarea.
Din considerentele prezentate mai sus, legate de fenomenele de
dispersie i atenuare n fibra optic, dar i n funcie de performanele
dispozitivelor optoelectronice, s-au conturat trei domenii (ferestre) de
transmisie utilizate n comunicaiile optice:
1. 0,8 m < < 0,9 m.
Acest domeniu nu prezint un minim de atenuare sau dispersie
(atenuarea fiind de 2 3 dB/km) ci un optim de utilizare a materialelor
cele mai des folosite (SiO
2
i GaAs), pentru care tehnologia este cel mai
bine pus la punct.
2. = 1,3
Aceast fereastr este situat la un minim relativ de atenuare (0,4 0,5
dB/km) i la un minim de dispersie cromatic.
3. = 1,55 m
n aceast fereastr se obine minimul absolut al atenurii (0,15 0,2
dB/km) ns dispersia cromatic se poate reduce numai folosind
tehnologii costisitoare i foarte moderne.

5.3. Fabricarea i proprietile fibrelor optice
Pe baza discuiilor anterioare, rezult c o variaie a indicelui de
refracie n fibr i de aici disponibilitatea a cel puin dou materiale de sticl
diferite pare o necesitate fundamental n fabricarea fibrei de sticl pentru
transmisia luminoas. Acesta este un adevr general.
138
Majoritatea fibrelor confecionate n totalitate din sticl, sunt fcute
prin dou tehnici diferite. Prima se refer la sticle rafinate i prelucrate n
stare topit, a doua la sticle bogate n silicai, cu au temperatura de topire prea
mare pentru a permite prelucrarea convenional a topiturii.
5.3.1. Tehnici de topire
Sistemele tipice, din sticle cu punct de topire sczut, sunt silicaii
sodo-calcici, germano-silicaii i diferiii boro-silicai. Variaia indicelui de
refracie este obinut printr-o schimbare n compoziia diferiilor componeni
sau prin schimbul ionic n faza de topitur. Aceste sticle ofer o mare
flexibilitate n alegerea proprietilor optice, mecanice i chimice, dar
deoarece sunt topite n creuzete n stare de pudr, obinerea unei contaminri
foarte sczute i deci obinerea unor pierderi reduse s-a dovedit dificil. Pe de
alt parte, obinerea fibrei din starea de topitur prin orificiile din partea
inferioar a celor dou creuzete concentrice este un proces de producie
continuu, care poate fi adus la un grad nalt de automatizare.
Materialele iniiale sunt fie oxizi, fie componente care se descompun
n oxizi n timpul topirii sticlei. Este esenial o puritate iniial foarte
ridicat, purificarea reprezentnd o mare parte a costurilor de materiale. Sunt
recomandate tehnici combinate de filtrare fin, precipitare, coprecipitare,
extracie ulterioar a solventului, recristalizare i uscare final n vid, pentru
nlturarea ionilor reziduali de OH

.
Introducerea contaminanilor adiionali trebuie s fie evitat n timpul
topirii pudrei iniiale. O surs important de contaminare sunt creuzetele n
care sticla este topit, rafinat i n final tras n fibre. Creuzetele de platin i
de siliciu topit au fost utilizate cu succes. Totui, s-a observat o cretere
gradual n coninutul de impuriti cnd topitura este meninut n creuzete
de platin la temperaturi nalte pentru mai mult timp. Din aceast cauz,
creuzetele de cuar sunt preferate de obicei pentru procesul iniial de topire n
timp ce creuzetele mai complicate, concentrice, folosite n tragerea fibrelor
sunt fcute din platin.

139

Fig. 5. 8 Dispozitiv cu dou creuzete pentru obinerea fibrelor cu indice de
refracie n gradient prin difuzie

Sticla este omogenizat i uscat prin barbotare cu gaze n timpul
topirii. n timpul acestui proces, topitura trebuie s fie aprat de pulberi n
suspensie, provenite din procesul de topire, sau prezente ca o contaminare
atmosferic. Sticla este, apoi tras n tije lungi, alimentate din cele dou
creuzete concentrice (figura 5.8).
Aceasta are loc de obicei ntr-un cuptor vertical, capabil de nclzirea
creuzetelor la o temperatur ntre 8001200 C. Aceast temperatur i
viscozitile sticlei determin curgerea gravitaional a miezului i a
nveliului din sticl prin orificiile concentrice din partea inferioar a
creuzetelor, unde fibra de sticl ce se rcete rapid este nfurat pe un
tambur n rotaie (figura 5.9).


Fig. 5. 9 Schema unui aparat de tras fibre cu monitor de grosime i dispozitiv
de aplicare a jachetei

Dispozitivul a fost perfecionat pentru obinerea fibrelor cu indice de
refracie n gradient, prin prelungirea creuzetului exterior cu un tub prin care
miezul topit i nveliul curg mpreun la temperatur ridicat nainte de
rcirea n dispozitivul de tragere. Difuzia ionic dintre cele dou tipuri de
sticle produce un gradient de indice ntre miez i nveli. Profilul indicelui
140
poate fi influenat de lungimea tubului de tragere, de viteza de tragere, de
temperatur, i de alegerea constituenilor de difuzie.
Folosind sticl pe baz de boro-silicat, care are o temperatur de
topire sczut i la care impuritile metalelor de tranziie provoac pierderi
mai reduse dect n alte tipuri de sticl, s-au obinut fibre cu caliti foarte
bune. Adugnd taliu n topitura miezului, se poate obine o cretere de
indice de refracie de la 1,51 la 1,55 n boro-silicat.
Difuzia de taliu i sodiu care are loc ntre miez i nveli, aa cum s-a
artat anterior, produce profilul de indice de refracie dorit. Cele mai bune
fibre obinute n acest fel au un diametru de 60 m, apertura numeric de 0,2,
atenuri de 56 dB/km i o lrgime de band de 1 GHz/km. Rezultate
asemntoare se obin i n cazul fibrelor pe baza germano-silicailor sodo-
calcici. n aceste fibre, ntre miez i nveli are loc un proces de difuzie de
ioni de Na i K pe parcursul procesului de tragere. Pierderile minime apar n
domeniul lungimilor de und n jurul a 800 nm i sunt determinate n
principal de impuritile metalelor de tranziie, n special Fe, Ni, Cu i Cr. La
atenuare contribuie i difuzia Rayleigh (1 2 dB/km) i contaminarea cu
radicali OH. Acetia produc o cretere brusc a atenurilor pn la 10 dB/km
la 950 nm n toate sticlele cu punct de topire sczut.
O tehnic de separare a impuritilor metalelor de tranziie din sticla
folosit ca materie prim iniial folosete tije de sticl boro-silicat alcalin
care se separ ntr-o faz bogat n dioxid de siliciu, rezistent la acid i o a
doua faz solubil n acid, dup un tratament termic. Cea de-a doua faz
conine majoritatea impuritilor metalelor de tranziie. Aceast faz se
dizolv ntr-un acid diluat, tija poroas rmas este introdus ntr-o soluie
dopant, dup care este uscat i nclzit n vid.
Principalele avantaje ale tehnicilor bazate pe materiale cu punct de
topire sczut sunt oportunitile de rafinare ieftin i tragerea continu n fire.
n general, fibrele din sticl compozit au o apertur numeric mai mare i
pierderi mai mari dect fibrele bogate n silicai, nsuiri care le fac s fie mai
potrivite pentru sisteme de transmitere scurte.
5.3.2. Prepararea fibrelor bogate n oxid de siliciu
Cuar de cea mai mare transparen poate fi preparat din compui
volatili de siliciu, de nalt puritate, cum sunt SiCl
4
sau silanii. Pentru
creterea indicelui de refracie, se adaug reactivi similari din faz de vapori,
coninnd Ge, Ti sau P. Pentru scderea indicelui de refracie, se adaug
compui coninnd B sau F. Unii dintre aceti compui volatili, ca SiCl
4
i
GeCl
4
sunt disponibili ntr-o stare de puritate nalt, n virtutea utilizrii lor
largi n procesele de fabricare a dispozitivelor semiconductoare. Presiunea
vaporilor saturani ai acestor cloruri depete pe aceea a vaporilor saturani
141
ai clorurilor metalelor de tranziie de mai multe ordine de mrime, ceea ce
permite separarea impuritilor acestor metale.
Se folosesc mai multe tehnici de depoziie din faz de vapori care
produc sticle bogate n silicai. Dintre ele, hidroliza n flacr i depunerea
chimic din stare de vapori produc materiale de cea mai mare puritate.
Procesul de hidroliz n flacr const n introducerea de SiCl
4
n
flacra unui arztor pentru a produce sticl de puritate mare, conform
reaciei:
SiCl
4
+ 2H
2
O SiO
2
+ 4HCl (5. 17)
Se obine o funingine alb de particule de SiO
2
, (de unde numele
acestei tehnici de proces funingine), care este colectat i vitrificat, astfel
ca s formeze sticl. Schema unui dispozitiv de tragere a fibrelor prin acest
procedeu este reprezentat n figura 5.10.


Fig. 5. 10 Proces de depunere axial din faz de vapori

Un dezavantaj al procesului este expunerea SiO
2
la vaporii de ap n
flacr, aa cum rezult chiar din (5.17). Dup cum s-a discutat anterior, chiar
cantiti mici de ioni OH

determin absorbii intolerabile la diferite lungimi


de und. Pentru a reduce coninutul de OH

, se spal tija poroas cu oxigen


i vapori de SOCl
2
la 800 C, pentru a produce reacia:
H
2
O + SOCl
2
2HCl| + SO
2
+ (5. 18)
142
Acest tratament reduce concentraia OH

de la 30 pri pe milion
(ppm) la 0,5 ppm i permite obinerea unor fibre avnd atenuri de maxim 1
dB/km (la 1200 nm).
Contaminarea substanial sczut cu OH

poate fi obinut prin tehnici


legate de depunerea chimic din faz de vapori. Acest procedeu este folosit
de obicei pentru producerea peliculelor protectoare de SiO
2
n dispozitive
semiconductoare cu siliciu. Oxigenul i SiH
4
diluate cu gaze inerte sunt aduse
n contact cu suprafaa de siliciu nclzit, unde formeaz o pelicul sticloas
transparent de silica, de civa m grosime. Reacia este eterogen (necesit
o suprafa pentru a avea loc) i produce pelicule bune doar atunci cnd rata
de depunere este mic.
Un proces substanial mai rapid este cel cunoscut sub numele de
depunere chimic modificat din faz de vapori. Un jet de reactani n faz de
vapori este trecut printr-un tub de cuar n rotaie, unde este creat o zon
fierbinte, la temperaturi suficient de nalte pentru a induce o reacie omogen
n volumul gazului. (figura 5.11). Particulele formate n timpul acestei reacii
trec sunt antrenate de curentul de gaz i sunt depozitate pe pereii tubului prin
termoforez.


Fig. 5.11 Schema procesului modificat de depunere chimic din faz de vapori

Deplasnd zona fierbinte (creat de o flacr de H
2
i O
2
) nainte i
napoi de-a lungul tubului, particulele depuse se topesc strat cu strat i se
transform n pelicule transparente de sticl. Concentraiile crescute ale
143
reactanilor, temperatura crescut i timpul de reacie determin o cretere de
sute de ori a ratei de depunere fa de depunerea din faz de vapori obinuit.
Este nevoie de aproximativ 10 g de dioxid de siliciu pentru a produce
1 km de miez de fibr, cu diametrul de 60 m. Creterea temperaturii peste
cea posibil la depunerea chimic din faz de vapori permite folosirea
halogenurilor n loc de hidruri i conduce la reacia:
SiCl
4
+ O
2
SiO
2
+ 2Cl
2
| (5. 19)
Absena hidrogenului din aceast reacie face posibil un control strict
al contaminrii cu OH

.
Dup ce este depus suficient material n tubul ce se rotete, se obine o
tij solid prin creterea temperaturii zonei fierbini. Fibra tras din aceast
tij are un miez format din material depus din faz de vapori i un nveli
format din materialul tubului iniial. Astfel de tuburi sunt fabricate de obicei
prin topirea cuarului natural pulverizat, care este mai ieftin, dar nu att de
pur ca halogenurile folosite la depunerea din faz de vapori. Ele conin de
obicei peste 200 ppm OH

. Pentru a preveni aceast contaminare a nveliului


de la difuzia n miez n timpul depunerii i tragerii, mai nti este depozitat un
strat barier, de 6 m, de dioxid de siliciu cu indice de refracie sczut pe
peretele tubului, nainte ca straturile ce constituie miezul s fie depuse.
Aa cum se vede n figura 5.11, zona fierbinte, de temperatur ntre
1400 i 1700 C, este produs n general de unul sau mai multe arztoare cu
oxigen i hidrogen, aranjate n exterior n jurul tubului. O alt metod
folosete o plasm de presiune sczut cu microunde. Sunt depozitate n
succesiune rapid peste 3000 de straturi de grosime sub 1 m prin deplasarea
rapid a zonei calde nainte i napoi de-a lungul tubului care, el nsui nu
este nclzit de plasm. Rata posibil de depunere este comparabil cu cea
obinut cu arztoare.
Aparatul de tragere pentru fibrele bogate n dioxid de siliciu este
identic cu cel din figura 5.9. Se utilizeaz cuptoare de temperaturi nalte cu
elemente rezistive de grafit, tungsten i zirconiu. Contaminarea sticlei cu praf
sau cu evaporarea din elementele de nclzire poate fi evitat asigurnd o
curgere laminar a unui gaz inert pur n zona fierbinte. Viteza de tragere ce se
poate obine atinge 10 m/s, utiliznd un cuptor de inducie cu zirconiu.
Totui, pentru un mai bun control al diametrului, sunt mai potrivite viteze de
ordinul 2 m/s. Dac se folosete msurarea n timp real a diametrului o
reacie de control, variaia diametrului poate fi redus la 0,5 %. Folosirea
laserilor cu CO
2
disponibili comercial n locul cuptoarelor de tragere
convenionale are avantajul unei linii curate i al unui control instantaneu.
Aceste caracteristici determin o rezisten i o uniformitate mai mari pentru
fibra tras. Totui, viteza de tragere, esenial n procesul de fabricaie, este
limitat de puterea total disponibil de nclzire a laserului, o limit pe care
elementele de nclzire convenionale nu o au.
144
Modificatorii dioxidului de siliciu folosii cu succes n fabricarea
fibrelor cu pierderi sczute sunt B
2
O
3
, GeO
2
, P
2
O
5
. Boro-silicaii i fluoro-
silicaii au un indice de refracie mai sczut dect dioxidul de siliciu i, de
aceea, sunt folosii mpreun cu SiO
2
, ca materiale pentru nveli. Germano-
silicaii sunt sticle stabile cu indici de refracie substanial mai mari dect cel
al SiO
2
. Acum sunt folosii ca material de baz pentru miez, cu adausuri mici
de B
2
O
3
sau P
2
O
5
, care au o influen important n atenuarea variaiilor de
temperatur, viscozitii i conduciei termice. Cum limita absorbiei n
infrarou a B
2
O
3
se extinde la lungimi de und mai mici dect cea a P
2
O
3
,
acesta din urm este preferat la fabricarea fibrelor pentru domenii de lungimi
de und mai mari. S-a gsit c adiia a 0,5 mol % de P
2
O
3
n dioxid de siliciu
cu 6 % GeO
2
, nu numai c reduce mprtierea compoziiei, de obicei
ntlnit la germano-silicai, dar reduce i temperatura de depunere cu 200
C, astfel c difuzia exterioar a GeO
2
ntre etapele de depunere a fost redus
substanial. Acest ultim efect provoac o structur n valuri suprapus peste
profilul indicelui de refracie, cu o perioad egal cu grosimea stratului (510
m). O fibr astfel fabricat are un diametru de 60 m, o apertur numeric
de 0,21, o atenuare minim de 0,34 dB/km la 1,55 m i o band maxim de
1,7 GHz/km la 0,83 m.
5.3.3. Absorbia i difuzia
Transmisia optic are avantajul unei ferestre ntre limita dinspre
ultraviolet a marginii benzii electronice i limita dinspre infrarou a benzilor
de vibraie. n interiorul acestei ferestre, de la aproximativ 600 nm la 1600
nm, absorbia intrinsec este mic dac impuritile metalice i ionii OH

au
fost eliminate. n principal, atenuarea intrinsec este cauzat de difuzia
Rayleigh pe fluctuaiile de densitate i concentraie ngheate n reeaua
sticlei.
ntr-o sticl cu un singur component, ca de exemplu SiO
2
, apar doar
fluctuaii de densitate, ce depind de temperatura fictiv, u
F
i de
compresibilitatea izoterm, B
C
la acea temperatur. Mai exact, fluctuaia
ptratic medie a densitii este proporional cu B
C
k
B
u
F
, unde k
B
este
constanta lui Boltzmann. O modificare a densitii provoac o schimbare n
permitivitatea electric relativ, c
r
, proporional cu c
2
i cu coeficientul
fotoelastic C
F
. Cum toate fluctuaiile se extind pe distane mici, comparabile
cu lungimea de und, atenuarea suferit de propagarea unei unde plane n
acest mediu respect formula de difuzie a lui Rayleigh, care ia forma:
o
S
=
3
2
F
4
8
C
3l
t
n
8
B
C
k
B
u
F
(5. 20)
Pentru SiO
2
, rezult o
S
= 0,8 dB/km la 1000 nm (figura 5.12).
Dac exist un al doilea constituent n sticl, trebuie s fie adugat un
termen de atenuare suplimentar, proporional cu fluctuaia medie ptratic a
145
densitii dopantului. Un procent de 1 % de GeO
2
, de exemplu, adugat la
SiO
2
crete coeficientul de atenuare Rayleigh o
S
cu peste 10 %. n multe
cazuri, componentul adugat modific unul sau mai muli parametri care
determin relaia (5.19). Astfel, chiar dac doparea cu P
2
O
5
introduce o
fluctuaie adiional de compoziie, adugarea de P
2
O
5
la germano-silicat
reduce atenuarea Rayleigh total deoarece se reduce temperatura fictiv. Ca o
regul, compoziia de GeO
2
sau GeO
2
-B
2
O
3
adugat la SiO
2
n concentraii
care mresc indicele de refracie cu 1 % dubleaz atenuarea Rayleigh a
silicatului, n timp ce compoziia de GeO
2
-P
2
O
5
care crete indicele de
refracie cu aceeai valoare, determin o cretere a atenurii Rayleigh n
silicat cu numai 50 %.


Fig. 5. 12 Spectrul de atenuare intrinsec, msurat pentru: A germano-
silicai dopai cu B
2
O
3
; B silicai dopai cu P
2
O
5
; C germano-silicai dopai
cu P
2
O
5


Alte efecte de mprtiere implic interacii neliniare ale fotonilor cu
materialul sticlos, care depind esenialmente de densitatea de putere. Cele
mai importante sunt difuzia Raman stimulat i retro-mprtierea Brillouin.
Densitile de putere de prag peste care aceste efecte devin semnificative
prezint o limit a puterii semnalului care poate fi folosit n sistemele de
comunicaie. Pentru o fibr monomod tipic i o radiaie luminoas coerent,
146
difuzia stimulat Brillouin apare la niveluri de putere mici, de ordinul a 10
mW. Acest prag crete liniar cu creterea lrgimii spectrale a sursei pn la n
jur de 1 W la o lrgime de band de 0,1 nm, pentru care pragurile Raman i
Brillouin apar la aproximativ aceeai densitate de putere. Chiar i pentru
spectre mai largi, mprtierea Raman este efectul limitator, cu pragul de
aproximativ 1 W putere pentru fibra monomod tipic.
Curbele ntrerupte din figura 5.12 reprezint marginea benzilor de
absorbie n infrarou a fosfo-silicailor i germano-silicailor cu sau fr
B
2
O
5
. Benzile de absorbie sunt provocate de modurile vibraionale ale
legturilor de oxigen n reeaua de sticl i diferite combinaii i benzi
armonice asociate cu ele. n general, lungimea de und de rezonan
vibraional crete cu creterea masei perechilor cation-oxigen aflate n
vibraie. Astfel, Ge sau P, care sunt mai grele dect Si, determin deplasarea
benzii de absorbie mai departe n infrarou, n timp ce B are efect opus.
Aceste tendine sunt evidente n reprezentrile datelor experimentale din
figura 5.12. Limita benzii de absorbie urmeaz o dependen aproximativ
exponenial de energia fotonilor.
Figura 5.12 arat c atenuarea minim n fibre fr impuriti este
determinat de intersecia atenurii prin difuzie cu atenuarea prin absorbia n
infrarou i, n funcie de compoziie, scade n domeniul lungimilor de und
de 1000 1600 nm. Pierderile cele mai mici, de 0,34 dB/km n jurul a 1600
nm, s-au obinut cu germano-silicai dopai cu fosfor. Aceste fibre au fost
preparate prin procesul de depunere din faz de vapori modificat.

Tabel 5.4 Rata de absorbie a sticlelor impurificate cu ioni metalici i
lungimea de und la care absorbia este maxim
Impuritate (nm) o (dB/km)
Cr
3+
625 1,6
Co
2+
685 0,1
Cu
2+
850 1,1
Fe
2+
1100 0,68
Fe
3+
< 400 0,15
Ni
2+
650 0,1
Mn
2+
460 0,2
V
4+
725 2,7

147
Atenuarea n fibre preparate prin tehnici convenionale de topire este
determinat de impuritile metalelor tranziionale. Tabelul 5.4 prezint
atenuarea de absorbie cauzat de civa dintre ionii metalici comuni gsii n
sticl, (la o concentraie de o parte la un miliard).
Aceste pierderi de absorbie rezult att din tranziiile electronice n
interiorul stratului d al acestor ioni (Co
2+
), ct i din tranziiile cu transfer
sarcin la ali ioni (Fe
3+
, Cr
6+
). n general, ele afecteaz un domeniu de
lungimi de und larg n vecintatea lungimii de und centrale din n tabelul
5.4. Impuritile metalelor tranziionale din materialele iniiale folosite pentru
fibrele trase din topitur sunt n concentraii tipice de ordinul a 1 10 ppb,
cauznd pierderi ntre 1 i 10 dB/km. Nivelul de impurificare al halogenurilor
folosite n tehnicile de depunere din faz de vapori este de obicei de 1 sau 2
ordine de mrime mai sczut.
Prezena hidrogenului n SiO
2
provoac vibraii de ncovoiere (v
1
) i
alungire (v
3
) ale gruprilor OH care sunt strns legate n reeaua SiO
2
. Ca
rezultat, pierderile de absorbie la aceste rezonane ca i la combinaii i
armonici sunt mari. Figura 12 arat spectrul pierderilor n fibre ce conin ntre
10 i 1000 ppm de ap. n timp ce majoritatea rezonanelor sunt foarte
ascuite, exist ferestre nguste neafectate de absorbia gruprilor OH, la 1300
i 1500 nm, n condiia ca impuritile de OH sunt reduse sub 100 ppb.
Transparena fibrelor de sticl poate fi afectat de radiaiile . Radiaia
cosmic genereaz o expunere tipic de aproximativ 1 rad pe an. Instalaiile
de comunicaii pot astfel acumula 20 40 rad n timpul vieii lor. S-a
constatat c aceast doz dubleaz i chiar mai mult atenuarea unora dintre
fibrele din germano-silicai cu pierderi mici la 820 nm. Efectul scade cu
creterea lungimii de und. S-a constatat de asemenea c, dup expunerea
fibrelor din B
2
O
3
dopat cu germano-silicat la radiaie n pulsuri, cu doza de
3700 rad, acestea sufer creteri catastrofale ale pierderilor, care ns scad
substanial dup cteva secunde.
5.3.4. Caracteristici ale indicelui de refracie
Benzile de absorbie electronice i vibraionale la ambele capete ale
ferestrei de transmisie ale ghidurilor de und din sticl determin indicele de
refracie n interiorul ferestrei, datorit radiaiilor Kramers-Kroning, dintre
absorbie i permitivitate. Suprapunerea ambelor contribuii conduce la un
punct de inflexiune a funciei n() la lungimea de und
0
n infrarou. n
silicai, punctul de inflexiune este n vecintatea punctului de absorbie
minim. Modificatorii silicatului care deplaseaz marginea benzii infraroii
deplaseaz de asemenea i lungimea de und de inflexiune,
0
n acelai sens.
Pentru a nelege semnificaia punctului de inflexiune, trebuie amintit
faptul c ntrzierea de grup T, conform relaiei (3.25), implic prima
derivat, sau panta funciei n(). Dispersia cromatic apare pentru variaii ale
148
acestei pante n banda de lungimi de und a sursei. Cum variaia pantei este
cea mai mic n jurul punctului de inflexiune, lucrul la
0
minimizeaz
dispersia cromatic.
S considerm cazul simplificat al unei fibre cu profil n treapt,
avnd ntrzierea de grup (3.29), dar
d
d
A

= 0. Se dezvolt n serie Taylor:


T =
( )
0
0
2
1 1
1 0 0
2
dn d n L
n
c d d


| |
|
|

\ .
(5. 21)
relaia (3.29) la =
0
pentru a evalua (3.26). Se consider o surs cu un
spectru gaussian la
1
cu abaterea standard o
1
. Lrgimea pulsului dup
transmitere la o distan L, poate fi aflat din (3.27) i este:
t
c
= ( )
0
2
2
2
1
1 0
2
d n L
2 4
2c d

o o +

(5. 22)
Efectului are un minim la
1
=
0
.
Dezvoltarea Taylor (5.21) este exact n vecintatea lui
0
, unde
2
2
1 d n
2c d
= 100 s/m
3
pentru germano-silicat. Spectrul unei diode luminescente
care lucreaz la
0
este aproape gaussian i n mod tipic, are o lrgime a
spectrului de o
A
= 40 nm. Astfel, produsul lungimeband maxim, definit de
relaia (3.28) este n jurul a 1 GHzkm descrescnd sub 0,5 GHzkm dac
lungimea de und a sursei,
1
deviaz de la
0
cu mai mult de 50 nm. Sursele
cu GaAlAs funcioneaz la o lungime de und n jur de 850 nm, unde
produsul lungimeband ce poate fi obinut cu diode luminescente este sunt
peste 100 MHzkm.


Fig. 5. 13 Indicele de refracie n al silicatului dopat cu diferii oxizi
149

Lrgimea spectral a radiaiei emise de laserii cu semiconductori este
de unul sau dou ordine de mrime mai mic dect cea a diodelor
luminescente ceea ce determin creterea corespunztoare a lrgimii benzii
canalului optic. n acest caz, este de presupus c performana fibrelor
multimod este limitat de diferenele de ntrziere modal care limiteaz
produsul lungimeband la 3 GHzkm. Cum s-a menionat anterior, relaia
(5.22) nu este aplicabil pentru fibre monomod, pentru care trunchierea
profilului indicelui de refracie trebuie luat n seam. Aceste efecte
deplaseaz punctul de dispersie cromatic minim spre lungimi de und mai
mari.
Exist unele incertitudini cu privire la variaia de indice exact
permis de modificatorii importani din silicat, B
2
O
3
, GeO
2
i P
2
O
5
. n mod
deosebit, boro-silicaii prezint efecte mai reduse, astfel nct indicele de
refracie depinde de istoria termic a probei. Din acest motiv, msurtorile
de indici de refracie obinute direct de la probe de fibre trebuie considerate a
fi cele mai pertinente n contextul acestui subiect. Figura 5.13 prezint
rezultatele obinute din msurtorile de indici de refracie ai fibrelor la sau n
jurul lungimii de und a liniei D a sodiului. Se constat o variaie liniar a
indicelui n funcie de concentraia de moduri.
Pentru a proiecta cel mai bun profil de indice pentru o lungime de
und de lucru dat, trebuie determinat exponentul profilului, conform cu
(3.37). Aceasta impune date asemntoare cu cele din figura 5.13 pentru
lungimi de und de pn la 1600 nm. Figura 5.14 arat rezultatele obinute
pentru cele trei importante sisteme binare de dioxid de siliciu.

Fig. 5. 14 Exponentul optim al profilului, g
0
, pentru sisteme binare de dioxid
de siliciu

150
Descrierea prin relaia (3.35) nu este aplicabil strict la sistemele de
silicai de mai sus, deoarece ea impune ca F s fie separabil n forma
F

()F
r
(r). Dac relaia (3.37) depinde de compoziie i, ca urmare i de r,
aceast separare nu este ndeplinit n totalitate.
O problem important n proiectarea cablurilor de fibre cu largi
aplicaii este variaia lui g
0
n domeniul lungimilor de und de interes, ceea ce
este evident n figura 5.14. De exemplu, o fibr de germano-silicat proiectat
pentru ceea mai bun performan la 800 nm, are un exponent de profil care
are o abatere de 10 % la 1600 nm. Lrgimea benzii la aceast lungime de
und este de aceea cu aproximativ un ordin de mrime mai mic dect la
lungimea de und pentru care fibra a fost proiectat.
S-au studiat profiluri ale miezului proiectate pentru compoziii
ternare, ncercndu-se alegerea unui raport de concentraie R
c
a oxizilor (de
exemplu, GeO
2
cu P
2
O
5
) astfel nct g
0
() s aib o dependen minim de
lungimea de und n domeniul lungimilor de und de interes. Pentru o
compoziie ternar dat, ei au gsit dou valori R
c
posibile, fiecare asociat
cu un exponent g
0
diferit. Avnd n vedere c suma a dou soluii de forma
(3.35) este o i ea o soluie a lui (3.34), s-a sugerat combinarea celor dou
soluii pentru a ctiga un grad adiional de libertate util, de exemplu, n
realizarea unei variaii mari de indice. n funcie de scop, aceast proiectare
poate permite o egalitate foarte bun pe un domeniu larg de lungimi de und
sau la dou lungimi de und specifice, la care are loc funcionarea sistemelor.
Performana fabricrii fibrelor n ceea ce privete lrgimea de band
rmne ns cu un ordin de mrime mai mic fa de cei 50 GHzkm
prevzui teoretic ca fiind posibil de realizat. Chiar cu depunerea radial din
faz de vapori, care, n general, permite cel mai bun control, apar dou
perturbri de interes, care sunt produse n procesul de fabricaie. Una este
scderea indicelui miezului, provocat de volatilizarea dopantului n procesul
de formare a fibrei n tubul iniial la procesul de depunere chimic modificat
din faz de vapori. Destul de des, scderea se extinde la 1/10 din raza
miezului i atinge valoarea indicelui nveliului n centru.
Celelalte perturbaii sunt de tipul unor striaii concentrice de indice,
cauzate de volatilizarea dopantului ntre depunerile radiale succesive.
Striaiile tind s aib o periodicitate radial, dependent de numrul i
grosimea straturilor depuse. Cum i cmpul modurilor n fibr prezint de
asemenea o periodicitate radial proprie (figura 3.3), perturbaia critic a
rspunsului la impulsul transmis apare cnd exist multe moduri cu
periodicitatea apropiat de periodicitatea indicelui de refracie. Acest cel mai
ru caz se ntmpl atunci cnd striaiile indicelui sunt spaiate la
NA

n
miezul fibrei. n acest caz, teoria prevede reducerea benzii la 100 MHz/km la
variaii de indice de numai 0,01A ntr-un profil altfel perfect.
151
5.3.5. Rezistena la rupere a fibrei
Rezistena teoretic la rupere a sticlei este determinat de forele de
legtur dintre atomii constitueni. S-a estimat aceast rezisten ca fiind o
treime din modulul de elasticitate la ntindere, E = 72 GN/m
2
pentru sticl
topit (o astfel de solicitare rezult atunci cnd de o fibr de diametru 110 m
este atrnat o mas de 1 kg). Dei experimental s-au determinat valori ale
rezistenei la rupere de pn la 0,2E, n probe de lungimi mici, protejate cu
grij, majoritatea fibrelor nu prezint rezistene la rupere n apropierea acestei
valori.
Dac exist o fisur n material, n jurul acestui defect apar
concentrri locale ale tensiunilor. ntr-un metal, prin deformarea plastic are
loc modificarea formei fisurii pentru a reduce concentraia de tensiuni. n
schimb, n fibrele de sticl se produce o rupere secvenial a legturilor
atomice locale la marginea unei fracturi de la suprafa cnd tensiunea local
atinge valoarea teoretic a tensiunii de rupere. Acest proces determin o
lrgire accelerat a fisurii.
Pentru o fisur semicircular normal pe axa fibrei, de raz , efortul
unitar critic, o
c
este:
o
c
= 0,89k
c
(5. 23)
unde k
c
= 0,8 MN/m
3/2
pentru dioxid de siliciu.
Desigur, mrimea i forma fisurii sunt valori statistice. De exemplu,
dac o mostr de fibr se rupe la 3,5 GN/m
2
, relaia (5.23) indic numai
faptul c fisura cea mai mare sau critic avea o dimensiune n jurul a 30 nm.
Considernd un model de legturi n lan, de rezistene la rupere
inegale, se poate gsi probabilitatea ca o prob de lungime s se rup la
aplicarea unui efort unitar mai mic sau egal cu o:
F(o, ) = 1
( ) H
e
o
(5. 24)
unde H(o) reprezint distribuia tensiunilor n legturi.
Cum numai distribuia la margini, pentru o mic (legturi slabe) este
relevant, este de ateptat o dependen pentru marginile lui H(o) de forma
unei funcii putere. Reprezentnd H n funcie de o ntr-un grafic logaritmic,
graficul este o linie dreapt (figura 5.15). Acest fapt sugereaz prezena mai
multor distribuii de fracturi rezultate din diferite fenomene, unele probabil
aprute dup fabricaie.
Figura 5.15 prezint un grafic H = ln(1 F) n funcie de o i
pentru fibre fabricate n condiii controlate, de laborator. Panta abrupt indic
o distribuie aproximativ constant a tensiunilor (i a mrimii fisurilor) care
este caracteristica unei fibre de rezisten mare. Datele au fost obinute pentru
fibre standard, de 20 m lungime, dar pot fi modificate, astfel nct s
determine probabilitatea de rupere la lungimi mai mari. n particular pentru
152
aceast fibr, de exemplu probabilitatea de rupere de 1 % pentru probe de 1
km se obine la un efort unitar de 3,5 GN/m
2
.
Pentru a obine o astfel de rezisten la rupere, tija preformat trebuie
s aib o bun calitate a suprafeei i trebuie s fie bine lustruit, pentru a
nltura fisurile superficiale. Atmosfera din cuptor trebuie s fie curat i bine
controlat. Pentru producerea fibrelor cu caracteristicile artate n figura 5.15
au fost folosite cuptoare cu inducie cu senzori de zirconiu i laseri cu CO
2
.
Suprafaa fibrei trebuie s fie protejat imediat dup tragere, printr-un nveli
din plastic (teac, jachet), care este aplicat pe loc (on-line) (figura 5.9).
Dispozitivul de aplicare a tecii i n special marginea inferioar a tubului prin
care trece fibra trebuie proiectate n aa fel nct s nu deterioreze fibra.


Fig. 5. 15 Probabilitatea cumulat de rupere a fibrelor optice de rezisten
mare pentru lungimi standard de 20 m (linia continu) i 100 m (linia
ntrerupt)

Multe fibre fabricate pe scar larg sunt lipsite de caracteristicile de
rezisten definite n figura 5.15. Ca rezultat, o estimare a rezistenei fibrelor
de lungime mare din testri de probe scurte nu este sigur. Majoritatea
fibrelor pentru comunicaii sunt de aceea supuse unui test la o tensiune de
siguran, o
S
, care depete orice tensiune presupus n fabricarea i
instalarea ulterioar a cablului, dar care este mult sub tensiunea critic.
Fibrele care nu trec acest test sunt respinse.
153
Din nefericire, fibrele pot suferi fisuri ulterior, sub aciunea unor
tensiuni statice mai mici dect tensiunea de siguran, o
F
, dac aceste tensiuni
acioneaz un timp suficient de lung. Acest fenomen este cunoscut sub
numele de oboseal static i este accelerat de prezena ionilor OH

pe
suprafaa fibrei. Fenomenul se poate explica printr-un mecanism de
coroziune prin tensiune, care controleaz rata creterii fisurilor existente
iniial. Conform teoriei acestui mecanism, o prob care este de presupus s se
rup la o
c
, la testarea dinamic se va rupe la o < o
c
dup un timp:
T = T
0

C
e
o
q
o
(5. 25)
unde T
0
i q sunt constante de material care n prim instan numai de
temperatura i umiditatea ambientale. Pentru dioxid de siliciu la umiditate 97
% i 20 C, pe cale empiric s-a gsit c T
0
este de ordinul 10
10
ani i q = 66.
Folosind valoarea limit inferioar, o
S
< o
c
pentru probe testate la rezisten,
se gsete timpul de via minim estimat al unei fibre supuse unei tensiuni
statice o, prin nlocuirea lui o
c
cu o
s
n relaia (5.24). O fibr testat la
valoarea o
s
= 0,35 GN/m
2
, de exemplu, ar trebui s reziste la o tensiune
static de 0,12 GN/m
2
timp de cel puin un an.
n prezent, cablurile de fibre sunt proiectate n general cu componente
de tensiune pentru protecia fibrelor de comunicaie la orice suprasarcin de
ntindere. Fibrele sunt, de asemenea, proiectate pentru a pstra la o valoare
minim tensiunea la care sunt supuse n seciuni curbate ale cablurilor. n
acest fel, valorile tensiunii statice pot fi pstrate mult sub 0,12 GN/m
2
.
Stratul de protecie aplicat trebuie s fie tare i fr pori. n acelai
timp, trebuie s fie neted i flexibil, pentru a preveni formarea micro-
ndoiturilor de-a lungul fibrei, ceea ce ar crete atenuarea luminii. n prezent,
jachetele aplicate n procesul de fabricaie sunt de obicei netede i moi,
oferind numai o protecie mecanic limitat, la mnuirea imediat i
depozitare. Ele sunt fcute din silicon, copolimer polietilen-poliacetat de
vinil sau epoxi-acrilat, polimerizat ntr-un strat subire sub aciunea
fasciculelor de electroni sau radiaie ultraviolet. Aceste materiale, ca orice
alt polimer plastic, asigur o protecie redus contra umiditii. Totui, silanul
adugat poli-epoxi-acrilatului poate modifica interfaa plastic-dioxid de
siliciu i inhiba reacia apei cu suprafaa sticlei. Ca rezultat, oboseala static
poate fi ntrziat.
Fragilitatea ducnd la fisurarea sticlei poate deveni ns un avantaj
pentru producerea capetelor de fibr plate pentru mbinri. Cnd la o fisur
superficial este atins tensiunea critic, n materialul normal se propag un
front de fisurare. Tensiunea din imediata apropiere a frontului de fisurare
continu s creasc n timpul acestui proces pn cnd efectele elastice
neliniare ncep s predomine, la aproximativ de 3 ori valoarea critic a
tensiunii. Dincolo de acest punct, suprafaa fisurii, pn acum plat, capt o
154
form neregulat. Cnd ncepe formarea acesteia, dimensiunile fisurii au
crescut de 9 ori fa de dimensiunile iniiale, aa cum rezult din relaia 5.23.
Astfel, pentru a rupe o fibr cu fisuri fr suprafee neregulate sub aciunea
unei tensiuni de ntindere uniforme, fisura iniial trebuie s msoare 1/9 din
diametrul fibrei. Pentru a reduce mrimea necesar a fisurii, este necesar o
tensiune de ntindere neuniform, astfel nct tensiunea de ntindere s scad
dincolo de locul fisurii. Acest lucru poate fi realizat prin ndoirea fibrei
ntinse pe un mosor corespunztor. n acest fel, fibrele cu diametre de pn la
157 m pot fi rupte fr a cpta suprafee neuniforme folosind o fisur
iniial de 6 m. Fisura este creat prin zgriere cu un vrf de diamant sau de
grafit. Raza mosorului n acest caz trebuie s fie de 100 nm.
155
6. Dispozitive optoelectronice semiconductoare
6.1. Dispozitive receptoare de radiaie electromagnetic
6.1.1. Noiuni generale
n ciuda spectrului foarte larg al radiaiei electromagnetice, n prezent
s-au pus la punct detectori pentru toate domeniile spectrale, funcionarea
acestora fiind ns foarte specializat, pentru un anumit domeniu, ca urmare a
caracteristicilor specifice de interaciune dintre un anumit tip de radiaie
electromagnetic i substan.
Detectorii de radiaii electromagnetice se pot clasifica dup mai multe
criterii.
Astfel, dup modul n care este procesat informaia primit prin
intermediul radiaiei, detectorii sunt de dou feluri:
- detectori cu rspuns incoerent, la care, n procesul de detecie se pierde
informaia asupra fazei i frecvenei radiaiei detectate;
- detectori cu rspuns coerent, la care, n procesul de detecie, informaia
asupra fazei i frecvenei radiaiei detectate se pstreaz.
Un alt criteriu de clasificare este cel al mecanismului de interacie a
radiaiei cu substana, conform cruia detectorii se clasific n:
- detectori fotonici, n care fotonii interacioneaz direct cu electronii din
material, producndu-se diferite efecte fotonice;
- detectori termici, n care radiaia produce nclzirea materialului
detectorului; din aceast categorie fac parte termistorul, bolometrul,
detectorul piroelectric, detectorul termoelectric, detectorul piromagnetic
i altele;
- detectori pe baz de interacie de und; din aceast categorie fac parte
detectorul heterodin, care, funcionnd pe principiul heterodinrii
convertete unda incident ntr-o alta, cu frecven mai joas, n
domeniul radio sau microunde i amplificatorul parametric n care sunt
mixate dou radiaii coerente, rezultnd o radiaie cu frecvena egal cu
suma sau diferena frecvenelor celor dou radiaii iniiale.
Primele dou categorii sunt detectori cu rspuns incoerent, n timp ce
a treia categorie reprezint detectori cu rspuns coerent.
n ceea ce privete efectele fotonice, pe baza crora funcioneaz
prima categorie de detectori, ele constau n interaciuni directe ale radiaiei
(fotonilor) cu electronii materialului, ele putnd fi interne, cnd electronii
excitai rmn in interiorul materialului sau externe, cnd acetia sunt emii
n exterior.
Efectele fotonice interne, care pot avea loc n semiconductori, se pot
clasifica, la rndul lor, n trei categorii:
156
- generare de purttori de neechilibru, caz n care pot fi generai
purttori de sarcin electric liberi, de nechilibru, prin procese
asemntoare cu cele de generare termic. Ca urmare a acestor procese,
se produc dou efecte care sunt: fotoconductivitatea intrinsec sau
extrinsec (creterea conductivitii sub aciunea radiaiilor) i efectul
fotovoltaic (apariia unei tensiuni fotoelectrice datorit unui cmp
electric intern care separ perechile de electron-gol generate de radiaie)
- interaciunea fotonilor incideni cu purttorii liberi
- interacii localizate (sub aciunea radiaiei incidente, electronii sunt
excitai pe stri energetice localizate), aa cum este cazul proceselor care
au loc n luminofori, filme fotografice i detectori cuantici n infrarou.
6.1.2. Fotorezistori
Fotorezistorul este un dispozitiv semiconductor a crui rezisten
electric se modific sub aciunea radiaiei electromagnetice incidente. El
poate fi construit din semiconductor intrinsec sau extrinsec i funcioneaz pe
baza fenomenului de generare optic ce duce, aa cum s-a vzut, la
modificarea conductivitii materialului i deci a rezistenei sale. Structura
unui astfel de dispozitiv este prezentat n figura 2.2.

Fig. 6. 1 Structura unui fotorezistor

n scurtcircuit, iluminat cu o radiaie incident avnd fluxul u,
fotorezistorul este strbtut de un curent:
I
sc
= eAqau

(6. 1)
unde A este aria suprafeei fotorezistorului, q randamentul cuantic, u fluxul
de radiaie incident. i a coeficientul de amplificare al fotorezistorului.
Acesta din urm, se definete ca raportul dintre numrul purttorilor de
sarcin electric liberi din circuitul exterior i cel al purttorilor generai de
radiaie sau ca raportul dintre timpul de via, t, al purttorilor (majoritari) i
timpul de tranzit, t
T
al acestora ntre electrozii fotorezistorului:
a =
2
T
V
t
t t
=

(6. 2)
unde este distana dintre electrozi i V este diferena de potenial dintre
acetia.
Elect rod transparent
V
u
Elect rod opac
Semiconductor
157
Pentru cazul cnd radiaia incident este modulat, curentul de
scurtcircuit este dat de relaia:
( )
( )
2 2 2
sc
sc
4 1
0 I
I
t v t +
= v (6. 3)
unde v este frecvena de modulare.
Frecvena v
0
= 1/2tt , la care curentul de scurtcircuit scade de 2 ori
din valoarea I
sc
(0) reprezint frecvena de tiere a fotorezistorului.
Se poate constata c produsul ov
0
este o constant a dispozitivului
pentru o tensiune de polarizare dat, ceea ce nseamn c, la creterea
coeficientului de amplificare, scade frecvena de tiere i invers.
O caracteristic foarte important a unui fotorezistor este curba
spectral de rspuns, R = R(), n funcie de care se stabilete domeniul de
utilizare a dispozitivului respectiv. De asemenea, raportul o/o
0
este o mrime
caracteristic ce ne arat sensibilitatea dispozitivului la aciunea radiaiei
incidente.
Cele mai utilizate materiale pentru construirea de fotorezistori sunt
sulfurile, selenurile i telurile unor elemente, ca i compui de tipul A
3
B
5
;
astfel, , pentru vizibil i ultravioletul apropiat, cele mai utilizate materiale
sunt: CdS, CdSe, Tl
2
S iar pentru infrarou: PbS, PbSe, PbTe, InSb.
Aplicaia de baz a fotorezistorilor este cea de convertor optoelectric.
6.1.3. Fotodiode. Fotoelemente
Sub aciunea radiaiei electromagnetice incidente, n semiconductor
are loc generarea unor purttori de neechilibru care, ntr-o jonciune p-n
determin apariia unui curent suplimentar fa de curentul de polarizare,
numit fotocurent, de intensitate I
L
, dat de o expresie de forma:
I
L
=
e
h
qu
v
(6. 4)
unde e este sarcina electric elementar, q eficiena cuantic (numrul de
purttori generai de un foton absorbit), h constanta Planck, u fluxul
radiaiei incidente i v frecvena acesteia, mai mare sau cel puin egal cu
frecvena de prag.
n aceste condiii, curentul electric total prin diod are expresia:
L
kT
eV
s
I 1 e I I
|
|
.
|

\
|
= (6. 5)
Se poate constata c, n scurtcircuit (fr polarizare exterioar, V = 0),
prin diod circul un curent egal cu fotocurentul, I = I
L
. Un astfel de
dispozitiv, posednd o jonciune p - n sensibil la radiaia electromagnetic,
se numete fotodiod.
158
De obicei, fotodioda se folosete n circuite electronice ca traductor
optic, permind comanda curentului electric din circuit prin intermediul unui
flux luminos, aa cum se poate vedea n figura 2.3.a. Ea se mai poate folosi i
n circuite de msurare a mrimilor fotometrice (fotometre, luxmetre,
exponometre), caz n care la bornele fotodiodei se leag un galvanometru
(figura 6.2.b) ce msoar direct fotocurentul proporional cu fluxul incident
i, deci cu iluminarea. Puterea debitat de o fotodiod este mic.


Fig. 6. 2 Scheme de utilizare a fotodiodei: traductor optic (a); detector pentru
msurarea unor mrimi fotometrice (b)

Dac jonciunea fotosensibil este n circuit deschis (I = 0), atunci se
constat c, sub aciunea radiaiei electromagnetice, la bornele acesteia apare
o tensiune electromotoare, V
L
,
avnd expresia:
|
|
.
|

\
|
+ =
s
L
L
I
I
1
e
kT
V (6. 6)
n acest caz, dispozitivul se numete fotoelement, celul fotovoltaic
sau celul solar, reprezentnd o surs de tensiune electromotoare ce
convertete direct energia luminoas n energie electric. Pentru o eficien
ct mai mare, fotoelementele trebuie s aib o suprafa de recepie a luminii
ct mai mare (mult mai mare dect cea a unei fotodiode). Puterea debitat n
mod obinuit de un fotoelement este de ordinul a 10
-2

W iar randamentul de
conversie (raportul dintre puterea electric disipat i fluxul energetic
incident) atinge 21% utiliznd GaAs, 18% utiliznd Si i 10 % pentru CdS.
Caracteristica curent-tensiune a unei jonciuni p n fotosensibile este
reprezentat n figura 6.3, la diferite valori ale fluxului radiaiei incidente. La
valoarea u = 0, caracteristica este cea a unei diode semiconductoare
obinuite. Cum sensul fotocurentului I
L
este invers curentului de difuzie
caracteristic unei diode polarizate direct, curentul invers prin fotodiod crete
odat cu creterea fluxului radiaiei incidente. Cadranul III corespunde
159
regimului de fotodiod, reprezentnd funcionarea dispozitivului la polarizare
invers, n timp ce cadranul IV corespunde regimului de fotoelement.


Fig. 6. 3 Caracteristica curent-tensiune a unei jonciuni p-n fotosensibile

Evident, att fotodiodele ct i fotoelementele trebuie construite n
capsule transparente n domeniul spectral al radiaiei electromagnetice la care
ele funcioneaz. Construcia trebuie s asigure ca marea majoritate a
fotonilor radiaiei incidente s ajung n regiunea jonciunii p n.
Caracteristicile primare ale unei fotodiode sunt rspunsul, curentul la
ntuneric i banda de trecere. Rspunsul este dat de raportul dintre
fotocurentul I
L
i puterea optic incident, P
0
. Fotocurentul maxim ntr-o
fotodiod este date de:
I
L max
=
0
e
P
hv
(6. 7)
unde P
0
este puterea optic incident.
Acest fotocurent maxim se obine cnd fiecare foton incident creeaz
o pereche electron-gol, care contribuie la fotocurent. Fotocurentul n prezena
unei reflecii R la suprafaa fotodiodei i a unei absorbii pe grosimea d n
materialul cu un coeficient de absorbie o este dat de:
I
L
=
( )( )
d
in
eP
1 R 1 e
h
o

v
(6. 8)
Fotocurentul este redus i mai mult dac perechile electron-gol
fotogenerate se recombin n fotodiod n loc s ajung n regiunile unde
aceti purttori sunt majoritari.
Curentul la ntuneric este curentul prin diod n absena luminii. n
mod evident, el limiteaz puterea minim detectat de fotodiod, deoarece un
fotocurent mult mai mic dect curentul de ntuneric este dificil de msurat.
Totui, adevrata limitare este dat de zgomotul de alice, generat de curentul
prin diod (relaia 6.17).

I
u = 0
V
u
2
> u
1

u
1

160
6.1.4. Celule solare
Celulele solare sunt, de obicei, iluminate cu lumin solar i sunt
folosite pentru conversia energiei solare n energie electric. Energia solar
este sub forma radiaiei electromagnetice, mai exact de tipul radiaiei
corpului negru. Spectrul Soarelui este de tipul celui emis de un corp negru la
o temperatur de 5800 K, avnd un maxim la 0,8 eV. O parte semnificativ a
energiei emise este n domeniul vizibil (400 - 700 nm). Densitatea de putere
este aproximativ 100 mW/cm
2
.
Doar o parte din spectrul luminii solare ajunge la suprafaa
Pmntului. Fenomenele de mprtiere i absorbie n atmosfer i unghiul
de inciden afecteaz densitatea de putere incident. De aceea, densitatea de
putere disponibil depinde de momentul zilei, de anotimp i de latitudinea
locaiei.
Din lumina solar care ajunge la suprafaa celulei solare, doar fotonii
cu energie mai mare dect lrgimea benzii interzise a semiconductorului
genereaz perechi electron-gol. Eficiena total a conversiei de energie a
celulelor solare mono-cristaline are valori ntre 10 i 30 %, determinnd o
densitate de putere electric de 10 30 mW/cm
2
.
Determinarea puterii maxime a unei celule solare este ilustrat de
figura 6.4. Puterea generat depinde de celula solar nsi i de sarcina
conectat la ea.



Fig. 6. 4 Caracteristicile (I-V) i (P-V) ale unei celule solare cu un fotocurent
de 1 mA

Curentul i puterea n funcie de tensiunea de polarizare a diodei sunt
reprezentate n figura 6.4 pentru o celul obinuit, cu un fotocurent de 1 mA
(n fapt, regiunea din cadranul IV al graficului din figura 6.3).
161
Puterea electric furnizat de celul este dat de produsul dintre
tensiunea la bornele acesteia, V i curentul prin ea, I i, la nceput, ea crete
liniar cu tensiunea, dar scade rapid la zero n jurul tensiunii de deschidere.
Puterea maxim este obinut la tensiunea V
m
i curentul I
m
.
Suprafaa haurat este numeric egal cu puterea generat de celula
solar. Punctele marcate pe grafic indic tensiunea V
m
i curentul I
m
, pentru
care este generat puterea maxim, P
m
.
Factorul de umplere, m, al celulei solare este definit ca raportul dintre
puterea maxim a celulei i produsul dintre tensiunea n circuit deschis, V
L
i
curentul de scurtcircuit (fotocurentul), I
L
:

m m
L L
I V
m
I V
= (6. 9)
Conversia fotovoltaic pe scar larg necesit componente ce vor
opera cu celule fotovoltaice care formeaz un sistem. n plus, sunt necesare i
alte componente ce vor fi incluse n acest sistem de conversie a energiei:
dispozitive de orientare a suprafeei, concentratori de radiaie solar, mijloace
de stocare a energiei, echipamente de condiionare a puterii pentru adaptarea
ncrcrii, convertoare de curent continuu n curent alternativ i
transformatoare de tensiune. Unele dintre aceste componente au nevoie de
dezvoltri viitoare i de reduceri ale costului nainte ca sistemul fotovoltaic s
devin practic pentru utilizarea pe scar larg.
Dintre aceste componente, celula fotovoltaic este elementul cheie al
unui sistem energetic solar i este cea mai important problem. Reduceri de
cost de 2-3 ori ale celulelor fotovoltaice sunt necesare nainte ca acestea s
devin practice.
Exist foarte mult literatur care trateaz despre efectul fotovoltaic i
despre principiile funcionrii celulelor fotovoltaice. O celul fotovoltaic
poate fi definit ca un dispozitiv care genereaz perechi de purttori de
sarcini negative i pozitive prin absorbia luminii, permite transportul acestor
purttori (n general prin difuzie) ntr-o zon de discontinuitate din vecintate
ntr-o structur sau regiune unde exist o barier de potenial i unde sarcinile
negative i cele pozitive sunt separate prin aciunea unui cmp electric,
furniznd astfel un mijloc de colectare a sarcinilor i conducerea lor printr-un
circuit extern. Figura 6.5 ilustreaz prile eseniale ale unei celule
fotovoltaice.
De obicei, pentru materialele absorbante de lumin este folosit un
cristal semiconductor cu o structur perfect i chimic relativ pur. Un
semiconductor pur permite sarcinilor pozitive i negative generate s migreze
la o distan finit, necesar pentru a ajunge, sub influena cmpului electric,
n apropierea zonei de discontinuitate (stratul de baraj al jonciunii p-n) fr a
se recombina. ntr-un semiconductor puternic absorbant, lumina va fi
absorbit generndu-se (generare optic intrinsec) purttori de sarcin
162
electric ntr-o regiune limitat n adncime. Astfel de semiconductori cu
absorban nalt pot fi mai puin puri i, n consecin, o lungime de difuzie
mai sczut, n timp ce zona de discontinuitate poate fi localizat mai
aproape de regiunea unde sunt generate sarcinile.


Fig. 6. 5 Structura unei celule fotovoltaice

Cel mai comun mecanism de separare a sarcinilor este bariera
potenial asociat cu o jonciune p-n. O celul solar cu un monocristal de
siliciu este un exemplu clasic de celul solar cu jonciune p-n. n general,
este format prin difuzia unor impuriti dopante convenabile n masa
cristalului semiconductor de siliciu, pentru a obine jonciunea p-n. Regiunea
de tranziie de la tipul p la tipul n de conducie este o homojonciune p-n.
Heterojonciunea p-n este o structur similar homojonciunii p-n, cu
excepia faptului c regiunile n i p sunt dou materiale semiconductoare
diferite. Celula solar CdS este o celul cu o heterojonciune cu Cu
2
S/CdS.
O caracteristic important a semiconductorului absorbant de lumin
este banda interzis. Aceasta are o lrgime E
g
, egal cu energia minim pe
care un foton trebuie s o aib pentru a genera o pereche electron-gol. Fotonii
care au energie mai mic nu vor fi absorbii prin astfel de procese i, de
aceea, nu pot contribui la generarea de purttori de sarcin electric. Fotonii
care au o energie mai mare dect E
g
vor fi absorbii i vor genera purttori de
sarcin electric, energia n exces peste energia E
g
transformndu-se n
cldur.
Cu ct este mai mare E
g
, cu att numrul perechilor de purttori
generai de o surs de lumin cu spectru larg, cum este Soarele este mai mic,
dar cu att este mai mare energia asociat fiecruia. Cu ct este mai mic E
g
,
cu att numrul perechilor de purttori generai este mai mare i cu att este
mai mic energia asociat fiecruia. Pentru o surs de lumin dat, exist o
valoare optim lrgimii benzii interzise care va determina rspunsul maxim
posibil al unei celule fotovoltaice.
Anod
Catod
Strat
de baraj
Circuit electric
exterior
Flux de
fotoni
163
S-a calculat eficiena maxim posibil a conversiei, care poate fi
obinut la celulele fotovoltaice cu materiale semiconductoare din lumin
solar. Tabelul 6.1 prezint aceste rezultate pentru unele materiale
semiconductoare de interes, precum i lrgimea benzii interzise a acestora.
Rspunsul electric al unei celule solare variaz n funcie de
intensitatea i coninutul spectral al luminii incidente, de temperatura celulei
i impedana sarcinii conectate la terminalele celulei. Pentru comparaie,
celulele proiectate pentru uzul terestru sunt n general testate n lumin
echivalent luminii solare normale la nivelul mrii ntr-o zi senin cu Soarele
la amiaz i cu temperatura normal a celulei ( n jur de 25
o
C). Densitatea de
energie incident n aceste condiii este de aproximativ de 100 mW/cm
2
.

Tabel 6.1 Lrgimea benzii interzise i eficiena maxim pentru celule
semiconductoare fotovoltaice (n lumina solar, la suprafaa Pmntului)
Material E
g
(eV) Eficien maxim
Cu
2
S 1,05 19,7
Si 1,12 20,3
InP 1,25 22,4
GaAs 1,35 23,7
CdTe 1,45 26,5
GaP 2,23 ~ 13
CdS 2,42 ~ 10

Celula solar clasic este o jonciune p-n de arie mare, care poate
converti energia radiaiei solare direct n energie electric. Procesul de
conversie a unei celule solare poate fi descris de o jonciune p-n polarizat
invers, legat n paralel cu o surs de curent constant generat de lumin (I
L
).
Curentul total I a unui astfel de dispozitiv ideal poate fi exprimat de relaia
(6.5):
L
kT
eV
s
I 1 e I I
|
|
.
|

\
|
=
unde I
s
este curentul invers de saturaie, iar V este cderea de tensiune la
bornele sarcinii.
Primul termen din membrul drept al ecuaiei (6.5) este curentul ideal
al unei diode semiconductoare (I
d1
), reprezentnd curentul de difuzie care
trece prin diod cnd o tensiune de polarizare direct reduce nlimea
barierei de potenial n jonciune, permind purttorilor majoritari s
traverseze jonciunea i s difuzeze ca purttori minoritari.
164
ntr-o diod real unii purttori se pierd n regiunea de difuzie, ca
rezultat al recombinrii i captrii lor n reea, ceea ce determin o corecie a
curentului total direct, I
d2
, dat de:
I
d
= I
s
eV
nkT
e 1
| |

|
\ .
(6. 10)
unde n este factorul de diod, caracteristic jonciunii respective (> 2).
Rezultatul recombinrii este reducerea eficienei celulei. n plus, ntr-
o celul solar este ntotdeauna prezent o rezisten intrinsec serie, R
S
,
datorat n principal rezistenei regiunii de difuzie. Rezistena de baz a
regiunii i contactele sunt alte cauze ale rezistenei serie. De aceea, tensiunea
de ieire difer de tensiunea jonciunii cu valoarea IR
S
.
Curentul de unt (sau de pierderi) rezult din imperfeciuni care
unteaz jonciunea, n special la margini, unde se formeaz cu uurin ci
de conducie superficiale. Acest efect este reprezentat printr-o rezisten unt,
R
SH
, de-a lungul jonciunii. De aceea, curentul final al unei celule solare este
dat de:
I = I
s
( )
S
e V IR
nkT
e 1

(
(

+
S
SH
V IR
R
| |
|
\ .
I
L
(6. 11)
Prin alegerea adecvat a sarcinii, se poate obine o putere maxim n
jur de 80 % din produsul I
L
V
L
.
Prezena centrilor de recombinare n cristal i rezistena unt reduc
bineneles mrimea lui V
L
.
n plus fa de V
L
i I
L
, din caracteristicile IV ale unei celule solare
pot fi obinute puterea maxim, P
m
, randamentul de conversie, q i factorul
de umplere, m.
Randamentul celulei este dat de raportul dintre puterea maxim de
ieire i puterea radiaiei incidente (P
in
~ 100 mW/cm
2
n condiiile amintite
mai sus) i e dat de:
q =
m L L
in in
P mV I
P P
= (6. 12)
Dup cum se vede din discuia de mai sus, pentru un randament
superior, rezistena serie, rezistena unt i centrii de recombinare trebuie s
fie redui la minim. De aceea, defectele punctiforme, impuritile active
electric, incluziunile i precipitatele afecteaz performanele celulei.
Proiectarea unei celule solare optimizate implic luarea n
considerare, pe de o parte a caracteristicilor sistemului i performanelor
celulei, iar pe de alta a costurilor materialelor i procesului de fabricare. n
timp ce cerinele de proiectare variaz n funcie de diferitele scopuri de
aplicare, detaliile specifice de proiectare a celulelor sunt strns legate de
procesele tehnologice de fabricaie.
165


Fig. 6. 6 Construcia unei celule solare din siliciu monocristalin

Cea mai simpl celul de siliciu const ntr-o jonciune superficial, n
contact direct cu o regiune de baz, n care perechile de purttori se formeaz
la absorbia luminii. Sunt necesare contacte electrice externe la aceste
regiuni. Pentru mbuntirea performantelor celulei, se folosesc elemente de
proiectare adiionale, cum sunt:
- un strat de material antireflectorizant, depus pe suprafaa frontal, pentru
creterea procentului intensitii luminii incidente care intr n celul;
- contact metalizat pe suprafaa posterioar, cu rol suplimentar de reflexie
optic, n scopul creterii grosimii efective a celulei;
- o jonciune de cmp superficial posterior, pentru creterea tensiunii i
curentului de ieire;
- structur cu impurificare gradat, pentru mbuntirea eficienei de
colectare a purttorilor.
Construcia unei celule solare cu CdS cu expunere posterioar este
reprezentat n figura 6.7.
n principiu, ea este asemntoare cu cea a celulei cu expunere
frontal, cu excepia faptului c substratul este transparent iar electrodul
pozitiv nu este transparent i, de aceea, lumina intr n celul prin substrat i
apoi ajunge la pelicula de CdS, n loc s fie direct incident pe stratul de
Cu
2
S. n mod obinuit, celulele cu expunere posterioar sunt fcute pe
substraturi de sticl conductoare cu pelicul de CdS format prin proces de
pulverizare pirolitic.
Contact frontal
Vedere de sus
Vedere lateral
Contact frontal
jonciune p-n
Contact posterior
p
+

n
+

p
hv
Cmp superficial posterior
166

Fig.6. 7 Construcia unei celule solare cu CdS cu expunere posterioar

Celulele cu expunere posterioar cu cost redus, realizate n producia
de mas, sunt fabricate conform unui proces n care nveliul conductor din
SnO
2
, pelicula subire de CdS i stratul de Cu
2
S sunt toate formate prin
depunere pirolitic pe un strat lung i continuu de sticl. Acesta este tiat apoi
n uniti modulare de lungime fix, pentru delimitarea celulelor individuale
i pentru depunerea electrozilor i ncapsularea final.
Ca substrat pentru celulele cu expunere posterioar este folosit sticla
sodic, fr coninut de fier, pentru a reduce absorbia de lumin n sticl.
Cum substratul de sticl este partea structural principal a dispozitivelor cu
celule cu expunere posterioar, acesta trebuie s fie destul de gros pentru a
susine fizic dispozitivul pentru perioade lungi de expunere n mediul
exterior. Valoarea uzual a grosimii sticlei este de aproximativ 0,3 mm.
Grosimea este foarte important pentru c substratul de sticl n sine
reprezint mai mult de o jumtate din costul final estimat al panoului solar.
Cele mai bune celule cu pelicul de CdS cu expunere posterioar
implic straturi fine de SnO
2
, cu o textur neted avnd o mrime a
granulelor de aproximativ 0,1 m. La temperaturile relativ nalte cerute de
depunerea pirolitic, este de ateptat ca urme de impuriti din sticl s difuze
n stratul de SnO
2
i Sn i urme de impuriti din stratul de SnO
2
s difuze n
stratul de CdS i chiar dincolo de limitele regiunii de jonciune. De aceea,
compoziia i puritatea substratului i ale variatelor soluii pulverizate au un
efect asupra proprietilor optice i electrice ale celulelor i trebuie controlate
cu atenie.
Celulele cu pelicul de CdS cu expunere posterioar mai moderne
folosesc un strat dublu de CdS, format prin descompunerea pirolitic a
sticl
electrod negativ din SO
x

CdS puternic dopat
CdS nedopat
Pb (2,0 m)
Cu (0,7 m)
Cu
2
S
Cu colector
+ +
167
soluiilor pulverizate de sruri de cadmiu. Primul strat din apropierea stratului
de SnO
2
este puternic dopat cu aluminiu. Acest strat este foarte bun
conductor electric i are structura cristalin necesar. Al doilea strat nu este
dopat i de aceea are o rezisten electric mai mare. Ambele straturi nu
prezint structura de granule piramidale, care este caracteristic celulelor cu
expunere frontal i granulele sunt mai fine ca mrime dect cele ale acestora
din urm. Granulele superficiale au aproximativ 0,4 m n diametru.
Peliculele sunt mult mai subiri, de ordinul 13 m, pentru fiecare din cele
dou straturi CdS. O alt diferen e aceea c suprafaa peliculei de CdS
folosite pentru celulele cu expunere posterioar nu este texturat.
Stratul de Cu
2
S poate fi format n mai multe feluri. Celulele cu
tensiunea de ieire cea mai nalt sunt fabricate folosind procese de schimb
de ioni n soluii, dei producia de mas presupune un proces de pulverizare
pirolitic. Stratul de Cu
2
S al celulei cu expunere posterioar este de dou-trei
ori mai gros dect la celula cu expunere frontal, dar, cum se constat doar o
uoar ptrundere a Cu
2
S n pelicula de CdS, grosimea efectiv este
aproximativ aceeai.
Cuprul evaporat n vid este folosit drept contact pozitiv al celulei.
Acesta este o arie de contact care acoper toat suprafaa stratului de Cu
2
S,
ceea ce este posibil pentru celula cu expunere posterioar, ntruct iluminarea
se face prin faa opus. Cuprul are o grosime mai mic de un micron i este
precedat de strat i mai subire de plumb, de asemenea depus n vid. Rolul
plumbului este n primul rnd acela de a proteja cuprul de factorii
atmosferici.
Celulele solare cu pelicul din CdS cu expunere posterioar au o
eficien medie de aproximativ 4,9 % n lumina solar, ajungnd pn la 5,7
%. Curentul de scurtcircuit ajunge la 1820 mA/cm
2
, iar tensiunea de circuit
deschis este de 0,36 0,41 V. Rspunsul celulei este n principal la lungimi
de und ntre 0,53 1,05 m. Datorit modului de operare a celulelor cu
expunere posterioar, lungimile de und sub 0,53 m sunt absorbite n CdS.
Durata de via a purttorilor minoritari din CdS este prea mic pentru a se
colecta o cantitate apreciabil din zona n a jonciunii.
Celula cu expunere posterioar din CdS depozitat pirolitic se afl n
centrul unor studii intensive i eforturi de dezvoltare i de mbuntire a
performanelor de ieire. mbuntirile ar putea rezulta din tensiuni mai mari
de circuit deschis (0,4 V), din scderea pierderilor optice (n substratul de
sticl, stratul de SnO
2
i pelicula de CdS) i prin mbuntirea absorbiei n
stratul de Cu
2
S. Este posibil dublarea eficienei de conversie.
6.1.5. Fotodiode p-i-n
Dezavantajul principal al fotodiodelor p-n const n faptul c
absorbia are loc numai n stratul de baraj, care este foarte subire.
168
Figura 6.8.a prezint schematic structura unei fotodiode p-i-n, care are
o regiune puternic dopat de semiconductor de tip p, o regiune larg
intrinsec (i) i o regiune puternic dopat de tip n. Stratul intrinsec este mult
mai gros dect regiunile p i n, de obicei grosimea sa fiind de 5 50 m.
Figurile 6.8.b i 6.8.c prezint densitatea de sarcin spaial net i
cmpul electric intern de-a lungul dispozitivului. n stratul i-Si apare un cmp
electric intern uniform, E
0
, orientat de la ionii donori pozitivi n regiunea n la
ionii negativi acceptori din regiunea p (figura 6.8.c). n mod obinuit,
detectorul p-i-n este polarizat invers (figura 6.8.d). Tensiunea aplicat cade
pe regiunea rezistiv intrinsec i determin creterea cmpului electric intern
la valoarea E = E
0
+ V/w, unde w este lrgimea regiunii intrinseci.
Cnd un foton cu energia mai mare dect lrgimea benzii interzise,
E
g
, cade pe jonciune, el este absorbit n regiunea intrinsec (regiunea p este
foarte subire) i genereaz o pereche electron liber-gol. De obicei, energia
fotonului este astfel nct fotogenerarea are loc n stratul intrinsec. Cmpul
electric separ electronii i golurile i i conduce n sensuri opuse pn cnd
ajung n regiunile neutre (figura 6.8.d). Aceast deplasare genereaz un
fotocurent I
f
n circuitul exterior, acesta reprezentnd semnalul electric.
Structura fotodiodei p-i-n prezentat n figura 6.8.a este, desigur, idealizat.
n realitate, stratul i-Si are o oarecare dopare. De exemplu, dac acest strat
are o slab dopare de tip n, el este notat ca fiind stratul v, iar structura este de
tip p
+
vn
+
. Stratul v devine astfel un strat de srcire cu o mic concentraie de
donori pozitivi. n acest caz, cmpul intern nu este uniform de-a lungul
structurii fotodiodei. El este maxim la jonciunea p
+
v i scade lent n stratul
v-Si, pentru a atinge un minim la stratul n
+
. Cu o bun aproximaie, se poate
totui considera stratul v-Si ca un strat i-Si.
Fotodiodele p-i-n au un numr de avantaje clare fa de fotodiodele p-
n obinuite. Avnd o regiune de srcire mai larg, ele au o eficien cuantic
mai bun. Capacitatea regiunii de srcire este mult mai mic dect cea a
jonciunii p-n i relativ independent de tensiunea de polarizare invers. n
consecin constanta de timp RC asociat cu capacitatea regiunii de srcire
C este mic dac rezistena extern R n figura 6.8.d este mic. n plus, pe
dioda p-i-n pot fi aplicate tensiuni de polarizare invers mai mari dect pe
jonciunea p-n fr a se produce strpungerea. Viteza unei fotodiode p-i-n
este n mod normal limitat de timpul de tranzit al celor mai leni purttori de
sarcin fotogenerai. Ea crete cu tensiunea de polarizare invers pn cnd
viteza de drift a purttorilor se satureaz.
Fotodioda p-i-n este probabil unul dintre cei mai populari
fotodetectori utilizai n aplicaiile optoelectronice, datorit vitezei de lucru
mari i a rspunsului bun.

169

Fig. 6. 8 a) - schema structurii unei fotodiode p-i-n ideale; b) - densitatea de
sarcin spaial net n fotodiod; c) - cmpul electric intern n fotodiod; d) -
fotodioda p-i-n polarizat invers pentru fotodetecie

170
6.1.6. Fotodiode cu avalan
O limitare a fotodiodei p-i-n este lipsa amplificrii interne un foton
incident produce o singur pereche electron-gol. Aplicaiile legate de fluxuri
slabe de lumin necesit detectori cu amplificare intern, pentru ridicarea
nivelului semnalului peste nivelul de zgomot al dispozitivelor electronice
care urmeaz. Muli ani, totui, singurul dispozitiv care putea asigura aceast
amplificare a fost fotomultiplicatorul, funcionnd pe baza efectului electric
extern. Dei acesta ofer o amplificare mare, el are un anumit numr de
limitri practice: este un tub vidat voluminos, genereaz cldur i, comparat
cu o fotodiod, prezint o liniaritate limitat, un domeniu ngust al
rspunsului spectral i un randament electric sczut (< 25%).
Fotodiodele cu avalan (Avalanche Fotodiode APD) ofer o
alternativ pentru majoritatea aplicaiilor fotomultiplicatorului, fiind larg
utilizate n diferite aplicaii optoelectronice, n special n comunicaiile
optice, datorit vitezei de lucru mari i amplificrii interne. O schem
simplificat a structurii unei diode cu avalan este prezentat n figura 6.9.a.
Zona n este subire i este partea care este iluminat printr-o fereastr. n
continuarea stratului n sunt trei straturi de tip p, cu diferite niveluri de dopare,
astfel nct distribuia cmpului de-a lungul structurii s fie cea dorit. Primul
este un strat subire de tip p, al doilea este un strat gros de tip p slab dopat
(aproape intrinsec), stratul . Iar al treilea este un strat p puternic dopat.
Dioda este polarizat invers pentru a crete cmpul n regiunile de srcire.
Distribuia de sarcin spaial net n diod, datorat ionilor de impuriti
dopante este prezentat n figura 6.9.b. La polarizare nul, n regiunea p (ntre
n
+
p), n mod normal regiunea de srcire nu se extinde n acest strat. Cnd
ns este aplicat o tensiune de polarizare invers suficient de mare, regiunea
de srcire n stratul p se lrgete i ptrunde n stratul t. Cmpul se extinde
de la impuritile donoare cu sarcin pozitiv din stratul subire de srcire
din zona n
+
, pn la impuritile acceptoare cu sarcin negativ din strat
subire de srcire din zona p
+
.
Variaia cmpului n diod este reprezentat n figura 6.9.c. Liniile de
cmp pornesc de la ionii pozitivi i ajung la ionii negativi care exist n
straturile p, i p
+
. Aceasta nseamn c E este maxim la jonciunea n
+
p, apoi
descrete lent n stratul p. n stratul t, el descrete doar foarte puin, ntruct
densitatea de sarcin spaial este mic. Cmpul se anuleaz la captul zonei
de srcire n zona p
+
.
Absorbia fotonilor i n consecin fotogenerarea au loc n principal
n stratul t. Cmpul aproximativ uniform de aici separ perechile de purttori
i i orienteaz la viteze aproape de valoarea de saturaie spre zonele n
+
,
respectiv p
+
. Cnd electronii de conducie ajung la stratul p, ei ntlnesc aici
un cmp i mai mare i n consecin acumuleaz suficient energie cinetic
171
(mai mare dect E
g
) pentru a produce ionizri prin ciocnirea nodurilor reelei
semiconductoare de Si i a forma perechi de purttori.


Fig. 6. 9 a) - ilustrare schematic a structurii unei fotodiode cu avalan
polarizat pentru amplificarea n avalan; b) densitatea de sarcin spaial
n fotodiod; c) distribuia cmpului electric n diod

172
Acetia, la rndul lor, pot fi de asemenea accelerai de cmpul nalt n
aceast regiune la suficient de mari energii cinetice pentru a produce n
continuare aceleai procese de ionizare prin ciocnire i generare de perechi
electron-gol, ceea ce conduce la o avalan de astfel de procese. Astfel, de la
un singur electron care intr n stratul p, se poate genera un mare numr de
perechi electron-gol, toi acetia contribuind la fotocurentul total. Fotodioda
posed mecanism de amplificare intern, n care o singur absorbie de foton
conduce la un mare numr de perechi electron-gol generate. De aceea,
fotocurentul n prezena multiplicrii n avalan corespunde unui randament
cuantic efectiv mai mare dect unitatea.
Motivul pentru care procesul de fotogenerare este pstrat n interiorul
regiunii t i este separat de regiunea p, n care are loc multiplicarea n
avalan a purttorilor este faptul c multiplicarea n avalan este un proces
statistic, ceea ce duce la fluctuaii ale generrii de purttori, care la rndul lor
duc la un zgomot n exces n fotocurent. Acesta este minimizat dac ionizarea
prin ciocnire este limitat la purttorii cu cel mai mare randament de ionizare
prin ciocnire, care n Si sunt electronii.
6.1.7. Fotodiode cu avalan cu heterojonciune
Fotodiodele cu avalan cu heterojonciune bazat pe compui III-V
s-au dezvoltat pentru utilizarea n comunicaii optice la lungimile de und de
1,3 m i 1,55 m. Ca i la dispozitivele descrise n paragraful anterior,
regiunea de absorbie i fotogenerare este separat de regiunea de
multiplicare n avalan. Absorbia i multiplicarea separate sunt tipice unei
heterostructuri, aa cum se poate vedea n figura 6.10, unde este considerat
cazul structurii InGaAs-InP, cu lrgimi ale benzii interzise diferite. InP are o
band interzis mai larg dect InGaAs. Tipul de impurificare p sau n a InP
este indicat prin majuscule, P i N. Stratul principal de srcire este ntre
straturile P
+
-InP i N-InP, adic acolo unde cmpul este cel mai intens. La o
polarizare invers suficient de mare stratul de srcire din stratul n-InGaAs
ajunge pn n stratul N-InP. Cmpul n stratul de srcire din n-InGaAs nu
este att de intens ca n stratul N-InP. Dei fotonii cu lungime de und mare
sunt incideni pe faa InP, ei nu sunt absorbii n InP, ntruct energia
fotonilor este mai mic dect lrgimea benzii interzise a InP (E
g
= 1,35 eV).
Fotonii trec prin stratul de InP i sunt absorbii n straturile n-InGaAs.
Cmpul n stratul n-InGaAs conduce golurile spre regiunea de multiplicare,
unde ionizarea prin ciocniri multiplic purttorii. Golurile fotogenerate care
se deplaseaz de la stratul n-InGaAs spre stratul N-InP sunt captate la
interfa deoarece aici este cretere abrupt n lrgimea benzii interzise i o
variaie brusc E
v
n valoarea lui E
v
(limita superioar a benzii de valen)
ntre cei doi semiconductori i golurile nu pot depi uor bariera de potenial
E
v
. Aceast problem este depit prin utilizarea unor straturi subiri de
173
InGaAsP de tip n cu lrgimi ale benzii interzise medii pentru a asigura o
tranziie gradat de la InGaAs la InP. Practic E
v
este defalcat n mai multe
trepte. Ambele straturi InP sunt crescute epitaxial pe un substrat InP.
Substratul nsui nu este utilizat direct pentru formarea jonciunii P-N pentru
evitarea defectelor (dislocaii, de exemplu) din substrat care se pot propaga n
regiunea de multiplicare, scznd performanele dispozitivului.


Fig. 6. 10 Schem simplificat a unei fotodiode cu avalan cu heterojonciune
InGaAs-InP

6.1.8. Dispozitive cu cuplare (transfer) de sarcin (CCD)
O categorie important de detectori de radiaie electromagnetic este
cea a dispozitivelor cu cuplare (transfer) de sarcin (CCD din expresia n
englez: charge-coupled device). Acestea sunt structuri MOS distribuite sub
forma unei matrie, utilizate ca senzori de imagine.
174
6.1.9. Fototranzistori
Fototranzistorul este un dispozitiv asemntor cu tranzistorul bipolar,
realizat din Si, Ge sau GaAs, a crui comand se realizeaz pe cale optic, de
ctre un flux luminos ce cade pe regiunea bazei.
Fototranzistorul funcioneaz (de regul) cu baza n gol i este
ncapsulat ntr-o capsul prevzut cu o fereastr care permite iluminarea
bazei de ctre radiaia incident.
Fototranzistorul are simbolul specificat n fig. 6.11.a. Caracteristicile
I
C
V
CE
ale fototranzistorului sunt date n fig. 6.11.b. Curentul prin
fototranzistor crete cu iluminarea, ca rezultat al generrii de perechi
electron-gol, ca urmare a energiei primite din exterior.


Fig. 6. 11 a) - simbolul fototranzistorului; b) - caracteristica fototranzistorului

Aceste dispozitive au o sensibilitate mai mare, datorit amplificrii,
avnd ns un curent de ntuneric mult mai mare dect al unei fotodiode.
6.1.10. Optocuploare
n optoelectronic sunt utilizate i dispozitive numite optocuploare,
alctuite dintr-un fotoemitor, cuplat cu un fotoreceptor prin intermediul
unui mediu optic, ambele elemente fiind montate n aceeai capsul, avnd
principalul avantaj de a separa electric circuitul de intrare de cel de ieire.
Cele mai utilizate variante de optocuploare sunt cele realizate dintr-o
diod electroluminescent pe baz de GaAs i o fotodiod sau un
fototranzistor cu Si, funcionnd n domeniul ~ 900 nm.
6.1.11. Mrimi caracteristice fotodetectorilor
Sunt mai multe mrimi caracteristice importante care caracterizeaz
performana unui fotodetector.
- Randamentul cuantic intern al fotodetectorului este numrul
perechilor de electron liber-gol fotogenerate de un foton absorbit (i nu de
un foton incident pe dispozitiv). Deoarece randamentul cuantic intern este
definit pe un foton absorbit, el este mai mare dect randamentul cuantic
extern, care este definit pe un foton incident; nu toi fotonii incideni sunt
absorbii.
175
- Randamentul cuantic extern al fotodetectorului este definit ca numrul
perechilor electron liber-electron colectate pentru un foton incident. Nu
toi fotonii incident sunt absorbii pentru a crea perechi electron liber-gol
care pot fi colectate pentru a crea un fotocurent.
Fotocurentul I
L
msurat n circuitul extern este datorat fluxului de
electron spre terminalele dispozitivului. Numrul de electroni colectai pe
secund este I
L
/e. Dac P
0
este puterea optic incident, atunci numrul
fotonilor incideni n unitatea de timp pe dispozitiv este P
0
/hv. Atunci,
randamentul cuantic extern poate fi definit cu expresia:
q =
L
0
I h
P e
v

(6. 13)
unde h este constanta Planck, e este sarcina electric elementar i v este
frecvena radiaiei incidente. Nu toi fotonii absorbii pot fotogenera perechi
electron liber-gol care pot fi colectai. Unele dintre acetia pot disprea prin
recombinare fr contribuie la fotocurent sau s fie imediat captai. n plus,
dac grosimea semiconductorului este comparabil cu adncimea de
ptrundere 1/, (unde este coeficientul de absorbie al materialului), atunci
nu toi fotonii vor fi absorbii. Randamentul cuantic extern al dispozitivului
QE este de aceea ntotdeauna mai mic dect unitatea. El depinde de
coeficientul de absorbie al semiconductorului la lungimea de und de interes
i de structura dispozitivului i poate fi crescut prin reducerea reflexiilor la
suprafaa semiconductorului, prin creterea absorbiei n stratul de baraj i
prin prevenirea recombinrilor sau captrilor de purttori nainte ca ei s fie
colectai.
- Rspunsul R descrie dependena semnalului (tensiune sau curent) la
ieirea detectorului de lungimea de und (sau frecvena) radiaiei
incidente. El se exprim prin raportarea fotocurentului la unitatea de
putere radiant incident pe intervalul unitar de lungime de und. R
depinde de randamentul cuantic extern i de lungimea de und a radiaiei
incidente.
R =
e
h
q
v
(6. 14)
unde este randamentul cuantic extern, care depinde de lungimea de und
a luminii incidente i v este frecvena acesteia. De aceea, rspunsul depinde
clar de lungimea de und. R mai este numit i rspuns spectral, sau
sensibilitate radiant.

176

Fig. 6.12 Rspunsul spectral al unui fotodetector (ideal) comparat cu cel al
unui detector termic

n figura 6.12 se prezint rspunsul spectral al detectorului fotonic,
respectiv termic ideal. Se constat c, n timp ce rspunsul detectorului
termic este practic constant n ntreg spectrul de radiaie, nedepinznd de
lungimea de und a radiaiei incidente, rspunsul spectral al detectorului
fotonic crete liniar cu lungimea de und pn la o lungime de und de prag,

0
, la care scade brusc la zero, peste acest prag detectorul nemaifiind sensibil.

0
reprezint pragul de producere a efectului fotoelectric n detector.
- puterea echivalent de zgomot (NEP - Noise Equivalent Power), P
N
, este
puterea radiaiei incidente pe detector care determin un semnal la ieire
egal cu semnalul de zgomot. P
N
este direct proporional cu rdcina
ptrat a benzii de frecven a detectorului, depinznd i de aria
detectorului.
- detectivitatea reprezint raportul semnal-zgomot pe intervalul unitar de
frecven:
z
s
v
v
P
B A
D

= (6. 15)
unde A este aria detectorului, B - lrgimea benzii de frecven, P - puterea
radiaiei incidente i (v
s
/v
z
) - raportul semnal-zgomot global al detectorului.
- timpul de rspuns, cu valori de ordinul 10
-7
10
-10
s este o caracteristic
important a detectorului, el determinnd limitele frecvenei de modulare a
radiaiei. Se poate determina cu formula t = 1/2tv
0
unde v
0
este frecvena
de modulare a radiaiei la care semnalul detectorului se reduce de 1,42 ori
fa de valoarea de la frecvena de modulare nul.
6.1.12. Limitarea performanelor detectorilor. Zgomotul
Performanele fotodetectorilor sunt limitate de anumii factori, interni
sau externi. Cel mai important factor intern este zgomotul intern, care poate fi
datorat mai multor fenomene:
177
- zgomotul Johnson este datorat fluctuaiilor energiei (i deci, vitezei)
purttorilor de sarcin liberi din detector. Tensiunea de zgomot Johnson
este dat de relaia:
U
x
=
2
z
u = 4kTRB (6. 16)
unde B este banda de frecven, R - rezistena detectorului, T - temperatura
absolut, k - constanta Boltzmann, medierea fcndu-se n unitatea de timp.
U
x
este acelai, indiferent dac detectorul este polarizat sau nu.
- zgomotul de alice este datorat fluctuaiilor concentraiei purttorilor de
sarcin electric liberi i apare n prezena polarizrii. Pentru o fotodiod,
curentul datorat zgomotului de alice este dat de relaia:
eIB 2 i I
2
A A
= = (6. 17)
unde I este curentul prin diod (inclusiv fotocurentul), e este sarcina electric
a electronului i B este banda de trecere a diodei, care este afectat de timpul
de tranzit al purttorilor foto-generai prin diod i de capacitatea diodei
(timpul de tranzit determin banda intrinsec, n timp ce capacitatea
mpreun cu impedana amplificatorului sau a liniei de transmisie conectate
la diod determin o ntrziere parazit, RC.
- zgomotul de generare-recombinare este datorat fluctuaiilor n ratele de
generare i recombinare, ceea ce determin fluctuaii n concentraia
purttorilor.
- zgomotul de scnteiere, care apare n mod special la detectorii n infrarou
la frecvene joase, este datorat strilor de suprafa.
n afara zgomotului intern, la detectori mai intervin i alte tipuri de
zgomote, n special zgomotul de fond i zgomotul amplificatorului. Primul
dintre acestea este datorat mediului nconjurtor, n primul rnd radiaiei
electromagnetice (alta dect cea care trebuie detectat) provenite din
exteriorul detectorului.
Evident, performanele detectorilor sunt limitate de efectele
cumulative ale diferitelor tipuri de zgomote, astfel nct, pentru un detector
dat, este caracteristic puterea minim a radiaiei ce poate fi detectat,
considerat a fi puterea echivalent de zgomot, mrime definit anterior.
Practic, n general se impune condiia ca puterea minim a radiaiei
detectate s fie limitat de zgomotul de fond, ceea ce impune ca puterile
echivalente de zgomot datorate celorlalte tipuri de zgomote s fie mult mai
mici dect puterea echivalent a zgomotului de fond. Pentru a se realiza
aceast condiie, este necesar ca randamentul cuantic s tind spre valoarea
unitar i banda de frecven n care se msoar semnalul s fie ct mai
ngust, ceea ce impune i funcionarea sub o temperatur limit.
Se arat c, pentru ca performanele fotodetectorului s fie limitate de
zgomotul de fond, este necesar ndeplinirea condiiei:
178
f
2
2
e
kT
RA
u
>> q o (6. 18)
unde o este coeficientul de amplificare al fotodetectorului (la fotodiode el
este unitar), q - randamentul cuantic, R - rezistena fotodetectorului, A - aria
acestuia i u
f
fluxul radiaiei de fond.

6.2. Dispozitive emitoare de radiaie electromagnetic
6.2.1. Diode luminescente
Dioda luminescent (numit i LED
4
) are la baza funcionrii sale
fenomenul de electroluminescen, care const n emiterea de radiaie
luminoas sub aciunea curentului electric. Dispozitivul este deci o diod
semiconductoare n care jonciunea p - n este polarizat direct cu o tensiune
suficient pentru a excita electronii din banda de valen, astfel ca apoi, prin
tranziia din banda de conducie sau de pe nivelurile de impuriti n banda de
valen sau pe nivelurile de impuriti, s se produc fenomenul de
recombinare radiativ. Este necesar ca aceasta s se produc cu o
probabilitate suficient de mare (n comparaie cu recombinrile neradiative)
pentru a se obine un randament de conversie a energiei electrice n energie
luminoas suficient de bun. Cele mai bune materiale semiconductoare, din
acest punct de vedere, sunt cele compuse, de tipul SiC i de tipul III-V, cum
sunt GaAs, GaP. Pentru ca radiaia emis s fie n domeniul vizibil, este
necesar ca diferena dintre nivelurile energetice ntre care ale loc tranziia
electronilor s fie mai mare dect 1,7 eV. Lrgimea benzii interzise a GaAs
este de 1,43 eV, ceea ce face ca radiaia emis n acest caz s fie n domeniul
infrarou ( = 920 nm), n timp ce lrgimea benzii interzise a GaP este de 2,1
eV, astfel nct radiaia emis este n domeniul vizibil, verde ( = 560 nm).
Dac se realizeaz o soluie solid a celor dou materiale, se pot obine
radiaii de diferite culori, ntruct lrgimea benzii interzise depinde de
proporia celor dou materiale n soluie. Cteva exemple sunt date n tabelul
6.2.

Tabel 6.2 Domeniul spectral de emisie al unor semiconductori
Semiconductor
(nm)
Domeniu spectral
GaAs 920 infrarou
0,6GaAs - 0,4GaP
660 rou
0,5GaAs - 0,5GaP
610 portocaliu

4
Diodele luminescente mai sunt cunoscute i sub numele de LED-uri, denumire care vine de
la iniialele cuvintelor Light Emitting Diode, care, n limba englez nseamn diod
emitoare de lumin
179
0,2GaAs - 0,8GaP
590 galben
GaP 560 verde

Dei domeniul spectral n care emit diodele luminescente este ngust,
lumina emis nu este totui monocromatic, lrgimea benzii emise fiind
destul de mare. Parametrii electrici mai importani ai diodelor luminescente
sunt:
- tensiunea de deschidere a jonciunii p-n polarizate direct (1,2 3 V)
- curentul maxim (10 50 mA)
- tensiunea invers admis (3 10 V)
Pentru ca dioda s emit lumin, ea trebuie polarizat direct, prin
nserierea unui rezistor de limitare a curentului.
O diod luminescent este n esen o diod tipic cu jonciune p-n,
realizat dintr-un semiconductor cu band interzis direct, de exemplu
GaAs, n care recombinarea unei perechi electron-gol are drept rezultat
emisia unui foton. Energia fotonului emis, hv, este aproximativ egal cu
energia corespunztoare lrgimii benzii interzise, E
g


Fig. 6.13 Diagrama structurii benzilor energetice a unei jonciuni p-n (zona n
puternic dopat); a) - jonciune nepolarizat; b) - jonciune polarizat direct

Figura 6.13.a prezint diagrama benzilor energetice pentru o jonciune
nepolarizat, n care zona n este mai puternic dopat dect zona p. Nivelul
Fermi, E
F
, este constant n toat jonciunea, rezultat al condiiei de echilibru
cnd jonciunea nu este polarizat. Regiunea de srcire (stratul de baraj) se
extinde n majoritate n zona p. Apare o barier de potenial, eV
0
, de la E
C
n
zona n la E
C
n zona p, unde V
0
este aa-numitul potenial de contact,
180
determinat de cmpul electric intern al stratului de baraj. Aceast barier de
potenial mpiedic difuzia electronilor din zona n n zona p.
Dac se aplic o tensiune de polarizare direct, V, potenialul de
contact se reduce la V
0
V
,
ceea ce permite mai multor electroni din zona n
s difuzeze n zona p, adic acetia sunt injectai n zona p, aa cum se poate
vedea n figura 6.13.b. Componenta injeciei de goluri din zona p n zona n
este mult mai mic dect cea a injeciei de electroni. Recombinarea
electronilor injectai n regiunea de srcire i n interiorul unui volum ce se
extinde pe o distan egal cu lungimea de difuzie a electronilor n zona p are
ca rezultat emisia fotonilor. Fenomenul de emisie a luminii din recombinarea
perechilor electron-gol ca rezultat al injeciei purttorilor minoritari se
numete electroluminescen de injecie.

Tabel 6.3 Diferite materiale semiconductoare, lungimile de und de emisie,
randamente externe tipice. (D = band interzis direct, I = band interzis
indirect)
Semiconductor Band
interzis
(nm)
q
ext

(%)
Obs.
GaAs D 870 900 10 infrarou (IR)
Al
x
Ga
1x
As
(0< x < 0.4)
D 640 870 3 20 rou spre IR
In
1x
Ga
x
As
y
P
1y

(y 2,20x, 0 < x < 0,47)
D 1 1,6 m > 10
LED-uri n
comunicaii
Aliaje InGaN D
430 460
500 530
1 2
3 5
albastru
verde
InGaN/GaN (Quantum
Well)
D 450 530 > 5
albastru -
verde
SiC I 460 470 0,02 albastru
In
0,49
Al
x
Ga
0,51x
P D 590 630 1 10
galben,
verde, rou
GaAs
1y
P
y
(y < 0,45) D 630 870 < 1 rou - IR
GaAs
1y
P
y
(y > 0,45)
(N or Zn, O doping
I 560 700 < 1
rou,
portocaliu,
galben
GaP (Zn-O) I 700 2 3 rou
GaP (N) I 565 < 1 verde

Datorit naturii statistice a proceselor de recombinare dintre electroni
i goluri, fotonii sunt emii n direcii aleatoare; ei rezult din procese de
emisie spontan. Structura unei LED trebuie s fie astfel nct fotonii emii
s poat iei din dispozitiv fr a fi reabsorbii de materialul semiconductor.
181
Aceasta nseamn c zona p trebuie s fie suficient de ngust, sau trebuie
utilizate dispozitive cu heterostructur.
Randamentul extern, q
ext
, al unei LED msoar eficiena conversiei
energiei electrice n energie luminoas emis n exterior. El include
randamentul intern al proceselor de recombinare radiativ, q
int
i eficiena
extraciei fotonului din dispozitiv. Puterea electric de intrare a unei LED
este, evident dat de produsul dintre curentul I prin diod i tensiunea de
polarizare a acesteia (IV). Dac P
out
este puterea optic emis de dispozitiv,
atunci randamentul extern este P
out
/(IV); unele valori tipice sunt date n
tabelul 6.3. Pentru semiconductorii cu band interzis indirect q
ext
este n
general mai mic dect 1%, n timp ce pentru semiconductorii cu band
interzis direct, cu o structur corect, q
ext
poate fi considerabil mai mare (>
10%). Tabelul 6.3 prezint domeniile tipice ale lungimilor de und ale
diferitelor tipuri de LED.
O heterojonciune este o jonciune ntre dou semiconductoare cu
lrgimea benzii interzise diferit. Pentru a se obine o cretere a intensitii
luminii emise, LED-urile sunt construite n structuri de duble heterojonciuni.
Figura 6.14.a prezint un dispozitiv cu doubl heterostructur, alctuit din
dou jonciuni ntre materiale semiconductoare diferite, cu lrgimi ale benzii
interzise diferite. n acest caz, semiconductorii sunt AlGaAs, cu E
g
2 eV i
GaAs, cu E
g
1,4 eV. Dubla heterostructur din figura 6.14.a are o
heterojonciune ntre zona n-AlGaAs i zona p-GaAs. O a doua
heterojonciune se formeaz ntre zona p-GaAs i zona p-AlGaAs. Zona p-
GaAs este un strat subire, tipic o fraciune de micron i este dopat slab.
O diagram simplificat a structurii energetice a dispozitivului n
absena unei tensiuni de polarizare este prezentat n figura 6.14.ab. Nivelul
Fermi E
F
este continuu n ntreaga structur. Bariera de potenial eV
0
pentru
electronii din BC a zonei n-AlGaAs se opune difuziei acestora n zona p-
GaAs. La jonciunea dintre zona p-GaAs i zona p-AlGaAs apare un salt E
C

n valoarea lui E
C
. Acest salt este efectiv o barier de potenial care mpiedic
orice electron din BC a zonei p-GaAs s treac n BC a zonei p-AlGaAs.
(exist, de asemenea i un salt E
V
, dar este mic i nu este reprezentat n
figur).
Cnd este aplicat o tensiune de polarizare direct, cea mai mare parte
a acesteia cade ntre zona n-AlGaAs i zona p-GaAs i reduce bariera de
potenial eV
0
, exact ca la jonciunea p-n normal. Aceasta permite
electronilor din BC a zonei n-AlGaAs s fie injectai n BC a zonei p-GaAs
(figura 6.14.c). Aceti electroni sunt totui confinai (captai), n BC a zonei
p-GaAs, ntruct aici este o barier de potenial, E
C
, ntre zonele p-GaAs i
p-AlGaAs.
Straturile cu band interzis larg p-AlGaAs acioneaz ca straturi de
confinare, care limiteaz accesul electronilor injectai doar n stratul p-GaAs.
182
Recombinarea electronilor injectai cu golurile deja prezente n acest strat p-
GaAs are drept rezultat emisia spontan de fotoni. Stratul p-GaAs este numit
strat activ, deoarece acesta este stratul n care este generat lumina. Cum
lrgimea benzii interzise a AlGaAs este mai mare dect a GaAs, fotonii emii
nu vor fi reabsorbii la ieirea din stratul activ i astfel pot ajunge la suprafaa
dispozitivului (figura 6.14.d).


Fig. 6.14 a) - Heterostructur dubl a unei LED; o diod cu heterostructur
dubl are dou jonciuni care se formeaz ntre doi semiconductori cu lrgime
a benzii interzise diferit (GaAs i AlGaAs); b) - diagram simplificat a
structurii de benzi energetice; c) - polarizare direct; d) - ilustrare schematic a
183
fotonilor care nu se recombin n stratul AlGaAs i sunt emii n exteriorul
dispozitivului

Spectrul radiaiei emise este determinat de spectrul energetic al
electronilor din BC i de cel al golurilor din BV n regiunea activ. Cum
acesta este n ambele cazuri de ordinul 2kT (unde k este constanta Boltzmann
i T temperatura absolut), lrgimea liniei spectrale a emisiei corespunde
unui spectru energetic de civa kT. La creterea temperaturii, lrgimea
liniei, , devine mai mare i maximul emisiei se deplaseaz spre lungimi de
und mai mari, deoarece lrgimea benzii interzise, E
g
scade cu temperatura
(figura 6.15)


Fig. 6.15 Spectrul de emisie al unei LED cu AlGaAs (valori normalizate fa
de maximul de emisie la 25C)

6.2.2. Laseri cu semiconductori
Laserii cu semiconductori ocup n prezent aproximativ 70% din piaa
total a laserilor, ceea ce nseamn c ei prezint avantaje importante, dar i
limitri care i mpiedic s ocupe totalitatea pieei.
Trsturile specifice ale laserilor cu semiconductori pot fi rezumate
simplu astfel:
densitatea atomilor activi este cea a substanei condensate i nu cea a
atomilor dopani, ai unui lichid sau ai unui gaz. Aceast densitate asigur
amplificri gigantice i construcia unor dispozitive compacte;
mecanismul de conversie electron-foton est foarte eficace, ca urmare a
controlului eficient al fabricrii heterostructurilor semiconductoare, de o
184
mare puritate, fr defecte. n consecin, randementul este foarte mare,
putnd atinge 70%;
fabricarea de natur colectiv a dispozitivelor (consecin, de asemenea, a
compactitii lor) de ctre industria semiconductorilor duce la costuri de
producie mici, ntr-o spiral vertiginoas odat cu dezvoltarea pe scar larg
a pieei;
diferitele materiale accesibile i ingineria structurii benzii interzise permit
realizarea laserilor de lungimi de und corespunztoare ntr-o anumit gam;
se dispune astfel pe pia de laseri cu semiconductori cu lungimi de und
ntre rou i infrarou pn la 2 m i chiar n domeniul albastru, sau
infraroul mediu;
n ce privete limitrile lor, laserii cu semiconductori sunt laseri de
energie mic, explicat natural prin compactitatea dispozitivelor i puterea
limitat pe care o pot suporta ntr-un volum att de mic, pe de o parte i, pe
de alt parte, printr-un timp de via radiativ scurt i deci o incapacitate de a
stoca energie.
Alte puncte slabe ale laserilor cu semiconductori sunt, pe de o parte
calitatea mediocr a fasciculului (n comparaie cu cea de la laserii cu solid
sau gaz) i, pe de alt parte, domeniile de lungime de und nc puin
acoperite de diodele laseri: n primul rnd, verde, albastru sau UV, domenii
spectrale n care performanele laserilor cu semiconductori sunt nc slabe.
n privina perspectivelor, diodele laser sunt nc departe de a-i demonstra
toate posibilitile. Cucerirea noilor domenii spectrale face obiectul unei
cercetri foarte intense pentru aplicaii de stocarea informaiei, imprimarea
laser, sau de imagistic laser. Aceast cercetare est dificil, cci emisia n
domeniul albastru presupune utilizarea semiconductorilor cu band interzis
mare (cum este GaN), mai puin stpnit dect cea a semiconductorilor
depui pe GaAs sau InP. De cealalt parte a spectrului, n IR mediu,
materialele pe baz de antimoniu prezint performane n cretere rapid
pentru lungimi de und situate ntre 2 et 3 m. Dincolo de acest domeniu,
laserii n cascad cuantic, aprui recent, ofer o gam foarte extins de
lungimi de und accessibile, ntre 4 et peste 15 m.
Efectul laser poate fi obinut, n anumite condiii, i n materialele
semiconductoare, n care inversia de populaie se realizeaz fie prin pompaj
optic, fie prin pompaj cu fascicul de electroni, fie electric.
Pompajul optic este utilizat pentru obinerea inversiei de populaie
ntr-un semiconductor cu care este dificil s se realizeze o jonciune p-n i el
se realizeaz prin iradierea semiconductorului respectiv (omogen) cu o
radiaie provenit de la un alt laser, cnd are loc n semiconductor generarea
optic de perechi electron-gol. Astfel, un semiconductor omogen InSb,
excitat cu radiaie provenit de la un laser GaAs cu jonciune, cu = 840 nm,
emite o radiaie laser cu = 5300 nm iar un semiconductor omogen CdSe,
185
excitat cu radiaie cu = 632,8 nm, provenit de la un laser cu He-Ne, emite
o radiaie laser cu = 690 nm.
Efect laser se poate obine i prin bombardarea unui semiconductor cu
un fascicul de electroni de energie mare (~ 200 keV), metod folosit n
special pentru semiconductori cu o lrgime a benzii interzise mare (ZnS,
CdS), care, evident, vor genera radiaie laser cu frecven mare, n domeniul
ultraviolet.
Inversia de populaie realizat pe cale electric se poate produce n
dou moduri: prin ionizare prin ciocniri n cmp electric intens sau prin
injecie la zona de contact.
Este cunoscut faptul c, sub aciunea unui cmp electric intens,
purttorii de sarcin electric liberi sunt accelerai, cptnd suficient
energie pentru a genera alte perechi de purttori, astfel avnd loc o
multiplicare n avalan a purttorilor care se recombin radiativ. Utiliznd
structuri de tip pp
+
p din GaAs, se poate obine o radiaie laser plasnd
structura ntr-o cavitate Fabry-Perot. Radiaia este emis prin recombinarea
coerent n zona p
+
a electronilor generai prin multiplicarea n avalan n
zona p de rezistivitate mare.
A doua metod de realizare a inversiei de populaie pe cale electric,
aceea de injecie la zona de contact, se poate obine n jonciuni p-n polarizate
direct, n structuri metal-semiconductor, sau n structuri MOS.
Laserul cu jonciune p-n sau dioda laser este un dispozitiv realizat
dintr-o jonciune p-n cu dopare puternic n ambele regiuni. Polariznd direct
jonciunea, n zona stratului de baraj se produce o inversie de populaie.
Laserul cu semiconductor se deosebete esenial de alte tipuri de laser,
prin urmtoarele caracteristici:
- tranziiile radiative au loc n laserul cu semiconductor nu ntre niveluri
energetice discrete, ca la ceilali laseri, ci ntre benzi energetice, n funcie
de structura de benzi a semiconductorului;
- dimensiunile geometrice ale laserului cu semiconductor sunt foarte mici;
- caracteristicile spectrale i spaiale ale fasciculului laser emis de un laser
cu semiconductor depind substanial de proprietile materialului
semiconductor utilizat; monocromaticitatea radiaiei laser este mai puin
pronunat, coerena i direcionalitatea fasciculului fiind de asemenea
mai slabe fa de alte tipuri de laseri.
6.2.3. Diode laser
Condiia necesar pentru ca un semiconductor s devin o surs de
radiaie stimulat este aceea ca s se realizeze situaia de inversie de
populaie, adic situaia n care numrul de electroni aflai n stri energetice
superioare, din banda de conducie, s fie mai mare dect numrul
186
electronilor aflai n stri energetice cu energie mai joas, situate n banda de
valen.
Aa cum s-a artat anterior, pentru a obine inversia de populaie, se
utilizeaz diferite metode, dintre care cea mai des utilizat este aceea de
excitare prin injecia purttorilor n jonciunea p n.
Pentru construcia diodelor laser (laseri cu semiconductori
funcionnd prin injecie) sunt folosite materiale semiconductoare cu benzi
aliniate, astfel nct s predomine tranziiile optice directe, la care absorbia
optic este puternic, deci i coeficientul de amplificare optic este mai mare
n comparaie cu tranziiile optice indirecte i care, fiind procese optice de
ordinul doi (n care particip i cea de-a treia particul un fonon sau alt
centru de mprtiere), au un coeficient de absorbie mult mai mic.
Materialele cele mai folosite n acest scop sunt compuii semiconductori, mai
ales de tipul A
III
B
V
, cum sunt: GaAs, GaP, GaAs
x
P
1-x
, InP, InAs etc.,
caracterizai prin tranziii optice directe.
Procesele care au loc sunt ilustrate schematic n figura 6.16, n care
este reprezentat structura energetic a semiconductorului n care s-a realizat
starea de inversie de populaie.

Fig. 6.16 Schema tranziiilor ntr-un semiconductor

Se observ c, spre deosebire de semiconductorul aflat n stare de
echilibru, la care toate strile energetice din banda de valen sunt ocupate (la
0 K) iar cele din banda de conducie sunt libere, n cazul realizrii inversiei
de populaie, care este o stare de cvasi-echilibru la T = 0 K, prin aciunea
unor factori externi banda de valen are stri energetice neocupate ntre
nivelul Fermi, F
P
i limita superioar a benzii de valen, W
V
iar banda de
conducie are strile energetice ocupate pn la nivelul Fermi, F
n
. Sistemul
fiind n cvasi-echilibru, mult mai probabile sunt tranziiile electronilor din
F
n

F
p

W
C

W
V

E
g

stri ocupate
hv
stri libere
e
m
i
s
i
e

a
b
s
o
r
b

i
e

B.C.
B.V.
187
banda de conducie n banda de valen, nsoite de emisia stimulat a
radiaiei (n urma recombinrii radiative, cu fotoni de energie: hv >
g
,
dect absorbia fotonilor n semiconductor (deoarece fotonii incideni nu au la
dispoziie electroni n banda de valen pentru a-i determina s treac n
banda de conducie, nivelurile energetice din aceasta din urm fiind deja
ocupate pn la nivelul Fermi, F
n
. Este evident c att gradul de inversie de
populaie, ct i rata de recombinare radiativ sunt cu att mai mari, cu ct
concentraia purttorilor este mai mare, deci cu ct semiconductorul are un
grad mai mare de dopare; de aceea, laserii cu semiconductori cu injecie se
realizeaz cu jonciuni p-n puternic dopate (pn la nivelul de degenerare).
Aa cum este cunoscut, distribuia dup energii a purttorilor de
sarcin n condiii de neechilibru se poate descrie cu ajutorul funciei de
distribuie Fermi-Dirac, n care energia nivelului Fermi, F, este nlocuit cu
energia cvasi-nivelurilor Fermi F
n
, respectiv F
p
, pentru electroni i, respectiv
goluri, adic:
( )
n
C
F
kT
1
f
e 1
c
c =
+
(6. 19)
( )
p
V
F
kT
1
f
e 1
c
c =
+

(6. 20)
n relaiile 6.18 i 6.20, f
C
(c) i f
V
(c) sunt funciile de distribuie
pentru electronii din banda de conducie i, respectiv, din banda de valen n
condiii de neechilibru. Intensitatea procesului de emisie fotonic, adic
intensitatea fasciculului laser, este determinat de numrul proceselor de
tranziie a electronilor din stri de energie superioare (c, din banda de
conducie) n strile de energie inferioare (c hv, din banda de valen).
Dac N
C
(c) i N
V
(c) reprezint densitile de stri energetice din
banda de conducie, respectiv din banda de valen, intensitatea procesului de
emisie este proporional cu produsul dintre densitatea de stri energetice
ocupate din banda de conducie, N
C
(c)f
C
(c) i densitatea de stri libere din
banda de valen, N
V
(c hv)[1 f
V
(c hv)]. Astfel, pentru intensitatea total
a proceselor de emisie, rezult probabilitatea total de emisie:
p
e
~ N
C
(c)f
C
(c)N
V
(c hv)[1 f
V
(c hv)]dc (6. 21)
Analog, pentru intensitatea total a proceselor de absorbie, se poate
scrie probabilitatea:
p
a
~ N
V
(c hv)f
V
(c hv) N
C
(c)[1 f
C
(c)]dc (6. 22)
Expresiile 6.21 i 6.22 au acelai coeficient de proporionalitate, legat
de probabilitile de tranziie band band. Pentru a avea loc fenomenul de
amplificare a radiaiei este necesar ca p
e
> p
a
i, ca urmare, din relaiile 6.21
i 6.22, rezult:
F
n
F
p
> hv (6. 23)
188
Relaia 6.23 reprezint condiia ca intensitatea tranziiilor band-
band cu emisie stimulat s fie mai mare dect intensitatea tranziiilor cu
absorbie de fotoni. Dac semiconductorul conine impuriti n banda
interzis (cum este cazul diodelor laser), iar nivelul energetic al impuritilor
reprezint fie starea iniial fie starea final pe care au loc tranziiile, atunci n
relaia 6.23 se utilizeaz cvasi-nivelul Fermi pentru nivelul impuritilor cu
coeficientul corespunztor de degenerare.
Cel mai utilizat semiconductor pentru construcia laserilor cu injecie
cu homojonciuni p-n este arseniura de galiu (GaAs). Construcia se
realizeaz astfel: Se folosete un mic monocristal, cu lungimea de cteva
zecimi de mm, din GaAs, de form cubic sau paralelipipedic (figura 6.17),
dopat cu impuriti donoare (Se, Te etc.), n care, ntr-o regiune se difuzeaz
apoi impuriti acceptoare (Zn, Cd etc.), n concentraie mai mare.

Fig. 6.17 Structura constructiv a unei diode laser

La zona de contact dintre regiunea dopat cu impuriti donoare i cea
n care s-au difuzat impuriti acceptoare se formeaz homojonciunea p-n,
structura de benzi a acesteia fiind reprezentat n figura 6.18.a. Datorit
doprii puternice a ambelor regiuni, necesar obinerii unui grad ridicat de
inversie de populaii, aceast structur este asemntoare celei a unei diode
tunel, adic nivelul Fermi este situat n banda de conducie n zona n i n
banda de valen n zona p. La aplicarea unei tensiuni de polarizare direct
(figura 6.18. b), nivelurile Fermi n cele dou regiuni se distaneaz cu
valoarea eV, unde V este tensiunea aplicat. Bariera de potenial a stratului
de baraj scade i se produce fenomenul de injecie, care este cu att mai
intens, cu ct V este mai mare i n mod corespunztor va fi mai intens i
curentul prin jonciunea p-n.
Electronii din zona n trec prin bariera (mai sczut) de potenial n
zona p, n strile libere din banda de valen, ceea ce determin emisia
fotonilor cu energia hv. Recombinarea purttorilor cu emisie spontan sau
stimulat de radiaie are loc cu o probabilitate mare dac n vecintatea
strat metalic (anod)
electrod metalic (catod)
strat de baraj
(mediu activ laser)
hv
n
p
189
aceluiai punct se realizeaz concentraii mari de purttori de neechilibru, aa
cum se ntmpl i n cazul fenomenului de injecie n regiunea de sarcin
spaial (stratul de baraj). Ca urmare, recombinarea radiativ are loc chiar n
aceast regiune de sarcin spaial. n aceast regiune, electronii care
difuzeaz ntr-un sens se recombin cu golurile care difuzeaz n sens invers,
n urma acestui proces rezultnd un flux de fotoni emii din stratul de baraj
care constituie n acest caz mediul activ laser.

Fig. 6.18 Structura benzilor energetice n dioda laser n lipsa polarizrii (a) i
n prezena acesteia (b)

Grosimea stratului de baraj este n general de ordinul de mrime al
lungimii de difuzie. Rata de recombinare radiativ poate fi mrit prin
asigurarea condiiilor ca fotonii generai s parcurg de mai multe ori
regiunea activ n planul jonciunii.
La cureni de injecie mici, jonciunea se comport ca o diod
luminescent obinuit, emind o radiaie necoerent, avnd un interval
spectral mai larg (~ 100 nm) i o divergen mare pe direcia de emisie.
La cureni de injecie mai mari, peste valoarea de prag, radiaia devine
coerent, foarte intens, cu un interval spectral ngust i cu o divergen mic
a fasciculului emis, avnd toate calitile unei radiaii laser.
Un parametru important al laserilor cu injecie cu jonciune p-n este
randamentul cuantic intern, q
i
, definit ca raportul dintre probabilitatea de
recombinare radiativ, P
rr
i probabilitatea total de recombinare, P
rt
.
rr
i
rt
P
P
q = (6. 24)
P
rr
i P
rt
depind de timpii de via efectivi ai perechilor electron-gol
care se recombin radiativ, t
rr
sau neradiativ, t
rn
. Timpul total de via efectiv
este dat de:
E g

E
Fn

E
Fp


a

E C

E
V

h
v
b

E
F


E g

eV

E C

E V

190
rt
rr rn
1 1 1
P = + =
t t t
(6. 25)
Atunci:
rr rn
i
rt rr rn
P
P
t
q = =
t + t
(6. 26)
Diodele laser produc un fascicul de calitate inferioar celor produse
de alte tipuri de laseri. Acest fascicul este destul de divergent, eliptic i
astigmatic. De obicei, aceste deficiene sunt corectate prin utilizarea
diferitelor sisteme optice corectoare.
Temperatura joac un rol important n diodele laser. Lungimea de
und, puterea, zgomotul de fond al fasciculului, structura modal i timpul de
via al laserului sunt toate dependente de temperatur. Cele mai sofisticate
sisteme de control activ al temperaturii conin un dispozitiv Peltier i un
ventilator ncorporat. Aceste sisteme stabilizeaz caracteristicile spectrale,
reduc zgomotul de fond al fasciculului i maximizeaz viaa dispozitivului.
Pentru a obine efectul laser ntr-o jonciune p-n, aceasta trebuie
polarizat direct i adus la un nivel de injecie suficient de mare.
Crescnd curentul de injecie, se observ apariia unei emisii de
radiaie cu spectru larg (~ 100 nm), incoerent i cu divergen mare pe
direcia de propagare, datorat proceselor de recombinare radiativ spontan,
caracteristic diodelor luminescente.
Cnd curentul de injecie depete o anumit valoare, numit curent
de prag, apare fenomenul de recombinare radiativ stimulat, nsoit de
emisia unei radiaii de tip laser.
Primele diode laser, dezvoltate la nceputul anilor 60 din secolul
trecut, au fost construite cu homojonciuni, cu structura tipic a unei diode
semiconductoare obinuite. Ele necesitau ns un curent intens pentru
meninerea inversiei de populaie i cldura generat de acesta distrugea rapid
dispozitivul.
Pentru reducerea curentului i cldurii degajate, meninnd totodat
inversia de populaie, diodele laser moderne comprim emisia stimulat ntr-
o mic regiune. Astfel, densitatea de curent rmne suficient de mare pentru
meninerea inversiei de populaie, dar curentul total nu supranclzete
laserul. Sunt dou moduri prin care se poate realiza acest lucru: creterea
densitii purttorilor de sarcin i creterea densitii puterii optice
intracavitare.
Ambele metode implic tehnici sofisticate de fabricaie a
semiconductorilor, care au evoluat n ultimii 40 de ani. Ele permit obinerea
unor structuri complexe, prin creterea, practic molecul cu molecul. Astzi,
metode ca epitaxia cu fascicule moleculare i depunerea din faz de vapori
191
metal-organic permit crearea unor structuri semiconductoare care au grosimi
de numai civa atomi.
Un mod de a crete densitatea purttorilor de sarcin este utilizarea
unui electrod sub forma unei benzi nguste (fii), aa cum se poate vedea n
figura urmtoare. n locul injectrii curentului pe o arie mare a suprafeei
diodei, curentul este injectat numai de-a lungul benzii nguste, rezultnd o
mult mai mare concentraie a purttorilor de sarcin n diod(figura 6.19).
Laserul confineaz curentul ntr-o mic regiune (confinarea curentului
n planul jonciunii) i de asemenea, confineaz fotonii generai perpendicular
pe planul jonciunii, datorit proiectrii de tip dubl heterostructur.
Electronii i golurile se recombin ntr-o regiune ngust de grosime d i
materialul are acolo un indice de refracie mai mare dect materialul de
deasupra sau de sub el. Aceasta nseamn c fotonii sunt reflectai de
interfaa dintre materiale, fiind deci confinai n regiunea de grosime d.



Fig. 6.19 Diod laser cu un electrod n forma unei fii nguste pentru a
restriciona fluxul curentului ntr-o regiune ngust i o dubl heterostructur
pentru confinarea fotonilor

O metod mai sofisticat de cretere a densitii purttorilor de sarcin
implic natura cuantic a acestor purttori n regiuni foarte subiri. Dac
dimensiunea d este foarte mic, de civa zeci de nanometri, efectele cuantice
devin importante i purttorii de sarcin sunt captai n aceast regiune
subire. Astfel de structuri se numesc gropi cuantice i sunt frecvent utilizate
n laserii cu semiconductori moderni (a se vedea paragraful 6.2.7).
6.2.4. Lungimea de und a radiaiei diodelor laser
Lungimea de und a radiaiei emise de o diod laser depinde de
energia eliberat sub forma unui foton cnd se recombin un electron i un
gol, care este egal, n principiu, cu lrgimea benzii interzise. Pentru
semiconductorii compui din dou elemente (binari), lrgimea benzii
interzise este fixat la o valoare dat. De exemplu, lrgimea benzii interzise a
192
GaAs corespunde unei lungimi de und a fotonului de 870 nm. Pentru
semiconductorii compui din trei (ternari) sau patru (cuaternari) elemente,
lrgimea benzii interzise depinde de concentraia relativ a elementelor.
Arseniura de galiu i aluminiu (GaAlAs) are o lrgime a benzii interzise
corespunznd unor lungimi de und ale fotonilor de la 900 la 620 nm, astfel
c lungimea de und a radiaiei unui laser cu GaAlAs poate fi modificat prin
modificarea cantitilor relative de galiu, aluminiu i arsen n cristal.
Domeniul lungimilor de und variaz de la 620 la 900 nm n teorie, sau de la
aproximativ 750 la aproximativ 850 nm n dispozitivele practice. Lungimi de
und mai scurte, n domeniul albastru, sau chiar n ultraviolet, se pot obine
utiliznd compui pe baz de azotur de galiu.
Se pot crea semiconductori ternari i cuaternari cu lrgimi ale benzii
interzise ntr-un domeniu larg, corespunznd fotonilor din infraroul mijlociu
(civa m) pn n ultraviolet. Nu se pot construi ns laseri cu muli dintre
aceti compui, deoarece constanta reelei compusului trebuie s fie foarte
apropiat de cea a substratului. Arseniura de galiu (GaAs) i fosfura de indiu
(InP) sunt dou dintre cele mai bune substraturi i cerina de potrivire a
constantei reelei compusului cu cea a unuia dintre aceste cristale limiteaz
lungimile de und disponibile pentru diodele laser.
n afar de GaAlAs, laserii cu semiconductori pot fi construii cu
AlGaInP (ale crui lungimi de und sunt n domeniul 650 680 nm),
InGaAsP (1,1 1,65 m) i InGaAsSb (1,7 4,3 m). Mai recent, compuii
GaN au permis construirea unor diode laser n domeniul albastru, sau chiar
ultraviolet. Ali laseri cu semiconductori, pe baz de aa-numiii compui cu
sruri de plumb, includ PbSnTe (6 25 m) i PbEuSeTe (2 4 m).
6.2.5. Caracteristici ale fasciculului laser
Anumite aspecte trebuie avute n vedere cnd se folosete acest tip de
laser, n mod special datorit anumitor imperfeciuni ale fasciculului, dintre
care dou sunt mai importante:
1) Circularitatea
Seciunea transversal eliptic a fasciculului este o consecin a formei
rectangulare a faetei de emisie a diodei laser. Aceast caracteristic nu d
posibilitatea colimrii totale a fasciculului, fiind astfel posibil doar o
cvazicolimare.
Teoria optic ondulatorie arat c un fascicul trecnd printr-o mic
deschidere are ntr-o anumit direcie un unghi de divergen total, u, dat de
relaia:
d
4
t

= u

(6. 27)
unde este lungimea de und i d este dimensiunea faetei de emisie pe
direcia respectiv.
193
Diferena dintre u
x
i u
y
determin o seciune transversal eliptic a
fasciculului emis de diodele laser (figura 6.20). O caracterizare general din
acest punct de vedere este imposibil ca urmare a diferenelor i naturii
individuale a diodelor laser. n general, raportul d
x
/d
y
poate varia ntre 3 i
100, avnd n vedere c d
y
~ 1 m i d
x
~ 3 100 m.


Fig. 6.20 Distribuia spaial a fasciculului laser

2) Astigmatismul
Astigmatismul este un alt rezultat al formei rectangulare a faetei
emitoare a diodei laser.


Fig. 6.21 Astigmatismul fasciculului laser

Aa cum se poate vedea n figura 6.21, fasciculul emis de o mic
faet este echivalent cu un fascicul emis de o surs punctiform imaginar, a
crei poziie poate fi localizat trasnd prelungirile direciilor ce limiteaz
fasciculul (i care fac unghiul u ntre ele). Se poate constata imediat c P
x

este localizat n spatele lui P
y
, deoarece u
x
este mai mic dect u
y
. Cu ct
d
x

d
y

u
x

u
y

d
x

d
y

u
x
> u
x

u
y

d
x
> d
y

u
x

P
x

P
y

194
diferena dintre d
x
i d
y
este mai mare, cu att distana dintre Px i Py este i
ea mai mare.
Acest fenomen este numit astigmatism, distana dintre P
x
i P
y
fiind
exprimarea cantitativ (numeric) a acestuia.
Existena astigmatismului nseamn c atunci cnd se utilizeaz o
singur lentil convergent, fasciculul poate fi colimat pe o singur direcie,
fie direcia x fie direcia y, din cauz c P
x
i P
y
nu pot fi simultan n focarul
lentilei colimatoare.
Pentru corectarea acestor imperfeciuni, se folosesc diferite metode.
Cea mai comun metod pentru circularizarea fasciculului eliptic este
utilizarea unei perechi de prisme de corecie, aa cum se poate vedea n figura
6.22. Prismele pot lrgi sau ngusta dimensiunea fasciculului pe o anumit
direcie, pstrnd-o neschimbat pe alte direcii. Valoarea cu care are loc
lrgirea sau ngustarea fasciculului poate fi ajustat prim modificarea
unghiului dintre cele dou prisme. Prin ajustarea corespunztoare a unghiului
dintre prisme i utilizarea unei aperturi circulare, este posibil circularizarea
unui fascicul eliptic.


Fig. 6.22 Circularizarea fasciculului laser cu prisme de corecie

Pentru corectarea astigmatismului, cea mai comun metod este
utilizarea unor lentile cilindrice foarte slabe dup lentilele de colimare, aa
cum se poate vedea n figura 6.23. Cnd orientarea i distana focal a
lentilelor cilindrice sunt corecte, aceast metod permite colimarea
fasciculului n direcia u
y
, fr alterarea acestuia pe direcia u
x
.
Avantajele acestor metode sunt:
1. uurina lucrului, nefiind necesare ajustri complicate;
2. pierderi de putere mici, singurele pierderi fiind prin reflexii la suprafaa
prismelor i lentilelor; pierderea total este de aproximativ 30% 50%,
dac suprafeele sunt acoperite cu straturi antireflex;
3. pre sczut.
Dezavantajele sunt:
195
1. distorsionarea mare a frontului de und al fasciculului i dispersia
puternic a luminii; deoarece fasciculul trebuie s treac prin opt
suprafee de sticl, defectele acestora reduc puternic calitatea
fasciculului;
2. astigmatismul rezidual; mrimea astigmatismului variaz chiar i de la o
diod la alta de acelai tip i de obicei ia valori ntre civa m i cteva
zeci de m.


Fig. 6.23 Corectarea astigmatismului cu lentile cilindrice

O metod alternativ, care realizeaz att circularizarea fasciculului
eliptic, ct i corectarea astigmatismului, este utilizarea unei buci de fibr
optic monomod aa cum se prezint n figura 6.24. Fasciculul laser este
cuplat prin intermediul a dou lentile colimatoare la o fibr monomod i
fasciculul de ieire din fibr este colimat de o a treia lentil colimatoare.
Lungimea fibrei trebuie s fie mult mai mare dect lungimea de und
a radiaiei emise de dioda laser. n acest fel, calitatea i caracteristicile
spaiale ale fasciculului de ieire din fibr pot fi determinate total de calitatea
suprafeei i forma captului fibrei prin care iese fasciculul. Astfel, seciunea
transversal eliptic i astigmatismul fasciculului nainte de intrarea n fibr,
care variaz de la o diod la alta, nu afecteaz caracteristicile spaiale ale
fasciculului de ieire din fibr.
196
Fibra are o seciune circular transversal i un diametru constante.
Ca urmare, fasciculul de ieire are o seciune transversal circular. Cu alte
cuvinte, el este lipsit de astigmatism.
Avantajele utilizrii acestei metode sunt:
1. distorsionare a frontului de und i dispersie a luminii reduse; calitatea
frontului de und i nivelul de dispersie a fasciculului colimat sunt
afectate numai de calitatea a trei suprafee de sticl;
2. astigmatism rezidual inexistent.
Dezavantajele sunt:
1. pierderi de putere mari; cum o fibr monomod are grosimea de numai
civa m, cuplajul optic dintre fascicul i fibr nu este eficient. Pierderea
de putere rezultat n sistem este de obicei ntre 50% 70%;
2. pre ridicat; dificultatea cuplrii fasciculului la o fibr att de subire duce
la creterea preului prilor mecanice; de asemenea, pentru compensarea
pierderii de putere optic, este necesar o putere mai mare a diodei laser;
3. dimensiuni mai mari.


Fig. 6.24 Corectarea astigmatismului i circularizarea fasciculului laser cu
fibr optic

6.2.6. Diode laser cu dubl heterostructur
Toate diodele laser semiconductoare practice sunt fie bazate pe duble
heterostructuri, fie pe structuri cu gropi de potenial cuantice (quantum
wells). O structur i diagrama simplificat a benzilor energetice la polarizare
direct a diodei laser cu dubl heterostructur sunt prezentate n figura 6.25.b
i 6.25.c, ele fiind similare cu cele ale unei LED.
197
n acest caz, semiconductorii sunt tot AlGaAs, cu E
g
2 eV i GaAs,
cu E
g
1,4 eV. Regiunea p-GaAs este un strat subire, tipic 0,1 0,2 m i
constituie stratul activ, n care au loc emisii stimulate i, ca urmare, se
produce amplificarea optic. Ambele regiuni, p-GaAs i p-AlGaAs sunt de
tip p cu dopare puternic i sunt degenerate, cu nivelul Fermi n banda de
valen.


Fig. 6.25 Principiul de funcionare al unei diode laser cu dubl
heterostructur. a) - densitatea de stri i distribuia energetic a electronilor i
golurilor n BC i BV ale stratului activ i recombinarea stimulat de fotoni a
electronilor i golurilor; b) - structura diodei laser cu dubl heterojonciune (cu
GaAs i AlGaAs); c) - diagrama simplificat a benzilor energetice la polarizare
direct de valoare mare; efectul laser are loc n stratul activ p-GaAs
198
Cnd este aplicat o tensiune de polarizare suficient de mare, E
C
a
stratului n-AlGaAs se deplaseaz deasupra valorii E
C
a stratului p-GaAs, ceea
ce conduce la o larg injecie de electroni din BC a stratului n-AlGaAs n BC
a stratului p-GaAs, aa cum se vede n figura 6.25.c. Aceti electroni sunt
confinai n BC a zonei p-GaAs, deoarece ntre stratul p-GaAs i stratul p-
GaAsAl exist o barier de potenial E
C
, datorat modificrii lrgimii benzii
interzise. Confinarea ntr-un mic volum a purttorilor de sarcin injectai
asigur concentraia necesar a acestora. Stratul n care are loc confinarea
este un strat cu o band interzis mai larg dect a stratului activ i adiacent
acestuia, n care sunt confinai purttorii minoritari injectai.
Stratul p-GaAs este dopat pn la nivelul de degenerare. Astfel, BV este
plin de goluri, adic are toate strile electronice goale deasupra nivelului
Fermi E
Fp
n acest strat.
Polarizarea de valoare suficient injecteaz o mare concentraie de
electroni din stratul n-AlGaAs n BC a stratului p-GaAs. n consecin, aa
cum se vede n figura 6.25.a, n BC se gsete o concentraie mare de goluri
i stri complet goale n partea superioar a BV, ceea ce nseamn c aici se
produce o inversie de populaie. Un foton incident cu o energie hv
0
cu puin
mai mare dect E
g
poate stimula un electron de conducie din stratul p-GaAs
s treac din BC n BV, emind un foton prin emisie stimulat. O astfel de
tranziie este o recombinare electron-gol stimulat fotonic. Astfel, o avalan
de emisii stimulate n stratul activ asigur o amplificare optic a fotonilor cu
energia hv
0
n acest strat. Amplificarea depinde de msura inversiei de
populaie i deci de curentul direct prin diod. Exist un curent de prag, I
p
,
sub care nu se produce emisie stimulat i deci nici amplificare optic (figura
6.26).


Fig. 6.26 Caracteristici de ieire tipice (puterea radiaiei emise n funcie de
curentul de polarizare direct) pentru o LED i o diod laser
199

Orice emisie sub I
p
este datorat emisiei spontane i dispozitivul
lucreaz ca LED. Figura 6.26 compar caracteristicile de ieire ale unei diode
laser i ale unei LED.
Pentru construirea unui laser semiconductor cu o emisie autontreinut
consistent, stratul activ trebuie ncorporat ntr-o cavitate optic. Acesta,
avnd extremiti reflecttoare, reflect fotonii coereni i favorizeaz
interferena constructiv a acestora n cavitate, ceea ce conduce la o
amplificare a oscilaiilor electromagnetice de nalt energie. O parte din
aceast energie este extras n exterior, ca urmare a faptului c una din
extremitile reflecttoare ale cavitii este parial transparent. De exemplu,
o variant de cavitate optic are o oglind dielectric la o extremitate a
cristalului semiconductor i cealalt extremitate a cristalului este lustruit. n
plus, semiconductorii cu band interzis mai mare au n general indici de
refracie mai mici, ceea ce nseamn c AlGaAs are un indice de refracie mai
mic dect GaAs. Modificarea n valoarea indicelui de refracie definete un
ghid de und optic dielectric care confineaz fotonii n regiunea activ a
cavitii optice i prin aceasta reduce pierderile de fotoni i crete
concentraia de fotoni. Aceast cretere a concentraiei de fotoni crete rata
emisiilor stimulate i eficiena laserului.


Fig. 6.27 Seciune printr-o diod laser cu dubl heterostructur ngropat

Dioda laser cu dubl heterostructur ngropat (buried heterostructure
laser diode) este un bun exemplu de dispozitiv semiconductor laser cu dubl
heterostructur ce are o regiune activ ngropat n dispozitiv astfel nct
este nconjurat de materiale cu indice de refracie sczut, fcnd din
regiunea activ un ghid de und (figura 6.27). Deoarece stratul activ este
nconjurat de AlGaAs de indice de refracie mai sczut, el se comport ca un
ghid de und dielectric, asigurnd ca fotonii s fie confinai n regiunea
activ, ceea ce crete rata emisiilor stimulate i astfel randamentul diodei.
Astfel de diode sunt numite diode cu ghid de indice (index guided diodes).
200
Dac heterostructura ngropat are dimensiunile potrivite comparativ cu
lungimea de und a radiaiei, atunci numai modul fundamental poate exista n
structura ghidului de und. Acesta este cazul diodei laser monomod (single
mode laser diode).
Diodele laser bazate pe GaAs i AlGaAs sunt potrivite pentru emisie
la lungimi de und n jurul a 900 nm. Pentru lucrul n domeniul lungimilor de
und pentru comunicaii optice (1,3 i 1,55 m), heterostructurile tipice se
bazeaz pe InP (substrat) i aliaje cuaternare InGaAsP, acestea avnd o band
interzis mai ngust dect cea a InP i un indice de refracie mai mare.
Compoziia aliajului de InGaAsP este ajustat pentru a obine banda interzis
necesar pentru straturile activ i de confinare.
6.2.7. Laseri cu gropi de potenial cuantice i laseri cu centri
cuantici
Un laser cu groap de potenial cuantic (Quantum Well Laser QWL)
are de obicei un strat foarte subire, tipic mai subire de 50 nm, dintr-un
semiconductor cu band interzis ngust, cum este GaAs, plasat ntre dou
straturi de semiconductori cu band interzis mai larg, cu este AlGaAs.
Aceasta reprezint un dispozitiv cu heterostructur, schematizat n figura
6.28.a. Cum lrgimea benzii interzise, E
g
, se modific la interfa, aici apar
discontinuiti n valoarea lui E
C
i E
V
. Acestea, AE
C
i AE
V
, depind de
materialele semiconductoare i de doparea acestora. n cazul heterostructurii
GaAs/AlGaAs, care este prezentat n figura 6.28.b, AE
C
este mai mare dect
AE
V
. Datorit barierei de potenial AE
C
, electronii de conducie din stratul
subire de GaAs sunt confinai n direcia z.
Aceast lungime de confinare, d, este aa de mic, nct electronul poate
fi considerat ca fiind ntr-o groap de potenial unidimensional pe direcia z,
dar liber n planul xOy. Electronii din BV a stratului de GaAs formeaz un
gaz bi-dimensional. Electronii de conducie n groapa de potenial GaAs pot
avea energii permise cu valorile E
1
, E
2
, E
2
, peste valoarea E
C
i golurile
pot avea energii permise cu valorile E
1
, E
2
, E
2
, sub valoarea E
V
, datorit
cuantificrii pe direcia z (energia datorat micrilor electronilor pe direciile
x i y este mic i se adaug la E
1
, E
2
, E
2
, ). Densitatea strilor electronice
pentru un sistem electronic bidimensional nu este aceeai ca cea din masa
semiconductorului. Pentru o concentraie de electroni dat, n, densitatea de
stri, g(E), adic numrul strilor cuantice pe unitatea de energie i pe
unitatea de volum, este constant i nu depinde de energie.
g(E) este constant la ntre E
1
i E
2
, unde crete n salt i rmne iari
constant, pn la E
3
, cnd crete din nou n salt etc. Densitatea de stri n BV
are o comportare similar.
Cum la E
1
densitatea de stri este finit i substanial, electronii din BC
nu au o dispersare mare n valorile energiei. n masa semiconductorului ns,
201
densitatea de stri la E
C
este zero i crete lent cu energia (ca i E), ceea ce
nseamn c valorile energiei electronilor sunt mai mprtiate n BC. O mare
concentraie de electroni poate fi uor obinut la E
1
, ceea nu este cazul n
masa de semiconductor. n mod asemntor, majoritatea golurilor n BV are
energia n jurul lui E
1
. La o polarizare direct, electronii sunt injectai n BC
a stratului de GaAs, strat care servete drept strat activ.



Fig. 6.28 Un dispozitiv cu groap de potenial cuantic (QW). a) - structura
schematic a dispozitivului; b) structura energetic a electronilor de
conducie confinai n stratul de GaAs n direcia z pe o lungime foarte mic, d;
c) densitatea de stri a unui dispozitiv bidimensional QW.
202

Electronii injectai populeaz cu uurin numrul mare de stri la E
1
,
ceea ce nseamn c la E
1
concentraia de electroni crete rapid cu creterea
curentului i astfel inversia de populaie are loc rapid, fr nevoia unui curent
mare. Tranziiile stimulate ale electronilor ntre E
1
i E
1
conduc la o emisie
laser. Densitatea de curent de prag pentru realizarea inversiei de populaie i
a emisiei laser este redus n mod evident fa de cea a diodelor cu dubl
heterostructur de aproximativ 10 ori. Laserii cu gropi de potenial multiple
(multiple quantum well laser MQWL) au mai mult de o groap de potenial,
acestea formnd o structur periodic (figura 6.29). Straturile cu benzi
interzise de lrgime mai mic sunt straturile active, unde au loc confinarea
electronilor i tranziiile acestora nsoite de emisiile stimulate, n timp ce
straturile cu benzi interzise mai largi sunt straturi barier.


Fig. 6.29 O structur de dispozitiv cu gropi de potenial multiple

n prezent, un interes deosebit l prezint dezvoltarea dispozitivelor laser
cu centri cuantici (quantum dot lasers QDL). Acestea sunt alctuite din
cristale cu dimensiuni att de mici, nct electronii de conducie sunt
confinai pe toate cele trei direcii, x, y, z.. Energia electronilor n centrul
cuantic este cuantificat ntr-un mod asemntor cu situaia de la o groap de
potenial finit tridimensional. Efectele cuantice devin efective atunci cnd
dimensiunea cristalului este de civa nm, tipic mai puin de 10 nm. Efectele
de cuantificare asociate cu microcristale de semiconductori binari II-VI (cum
sunt CdS, CdSe, ZnS etc) sunt deja bine cunoscute. Centrii cuantici n InAs
de dimensiuni de ordinul a 10 nm pot forma structuri auto-organizate cnd
InAs este crescut pe substraturi de GaAs. Nepotrivirea dintre cele dou
cristale foreaz InAs s se grupeze ntr-un foarte mic cristal. Prepararea
dispozitivelor laser cu centri cuantici utile tehnologic este nc n stadiul de
203
intense cercetri. Acestea au anumite avantaje n comparaie cu dispozitivele
laser cu gropi de potenial cuantice. Astfel, QDL au densitatea de curent de
prag cea mai mic dintre toate dispozitivele descrise pn acum i spectrul de
emisie cel mai ngust. n plus, curentul de prag prezint o mult mai slab
dependen de temperatur dect la QWL.
6.2.8. Laseri cu reacie distribuit
Ideal, spectrul radiaiei emise de ctre un dispozitiv laser trebuie s fie
ct mai ngust posibil, ceea ce nseamn n general c, ntr-un laser avnd la
baz o cavitate Fabry-Perrot, trebuie s fie permis existena unui singur mod
i trebuie reduse pierderile n cavitate ca urmare a reflexiile pe suprafeele de
la extremitile cavitii. Exist diferite dispozitive care au un spectru cu
puritate modal foarte ridicat. Dintre acestea, unul dintre cele mai
importante este laserul cu reacie distribuit (distributed feedback laser
DFBL). ntr-un laser cu cavitate Fabry-Perrot, feele cristalului asigur
feedback-ul optic necesar n cavitate pentru a asigura concentraia de fotoni.
n laserul DFB, aa cum se vede n figura 6.30.a, se afl un strat striat
(canelat), numit strat de ghidaj, peste stratul activ; radiaia se propag n
spaiul dintre stratul activ i stratul de ghidaj, ale crui striaii acioneaz ca o
reacie optic pe lungimea cavitii prin producerea unor reflexii pariale
(asemntor cu reflexia selectiv pe o reea de difracie). Astfel, feedback-ul
optic este distribuit pe toat lungimea cavitii.


Fig. 6.30 a) - structur laser cu reacie distribuit; b) emisie laser ideal; c)
spectru de emisie tipic pentru un laser cu reacie distribuit

n structura DFB, undele ce se propag sunt reflectate parial i
periodic. Undele care se propag la stnga sau la dreapta se pot cupla coerent
204
pentru construcia unui mod numai dac frecvena lor este relaionat cu
perioada striaiilor, . Modurile DFB permise nu sunt exact la lungimea de
und dat de condiia Bragg,
B
, dar sunt simetric dispuse fa de aceasta.
Pragul amplificrii pentru modurile superioare este att de mare, nct
efectiv doar modul de ordinul cel mai mic sufer efectul laser. Un dispozitiv
perfect simetric are dou moduri egal distanate plasate de o parte i de alta a
lui
B
(figura 6.30.b). n realitate, inevitabila asimetrie introdus n procesul
de fabricaie conduce la un singur mod. n prezent, diodele laser DFB pentru
canalul de comunicaie optic la 1,55 m prezint lrgimi spectrale ale
semnalului emis de ordinul a 0,1 nm.
6.2.9. Laseri cu emisie prin suprafaa unei caviti verticale
Una din problemele fundamentale ale diodelor laser este fasciculul
puternic divergent, eliptic al acestora. Dei divergena poate fi corectat cu
sisteme optice, inerenta problem a sursei mici, eliptice nu poate fi niciodat
rezolvat complet. Diodele laser au i alte limitri fundamentale. Dei sunt
extrem de mici, cavitatea rezonatoare a lor este totui de ordinul a sute de
micrometri n lungime, suficient pentru a suporta moduri longitudinale
multiple. Dac lrgimea benzii laserului nu este redus artificial, se produce o
instabilitate att n amplitudinea, ct i n frecvena radiaiei laser. n plus,
deoarece fasciculul laser emerge din muchia (bordura) cristalului tiat, iar
acesta nu este tiat pn la sfritul procesului de fabricare, nu este posibil
testarea optic a dispozitivelor n timpul fabricrii. Acest lucru determin
creterea preului de fabricare a dispozitivelor.



Fig. 6.31 ntr-o structur VCSEL (b), rezonatorul este vertical i lumina
emerge din suprafaa laserului i nu din muchia acestuia, ca la dioda laser
convenional (a)
205

n sfrit, dei pot fi fabricate structuri monolitice bidimensionale de
diode laser, procesul este extrem de dificil i nu se ntrevede un viitor
apropiat la care preul de fabricare s fie convenabil.
Laserul cu cavitate vertical i emisie de suprafa (vertical cavity,
surface-emitting laser - VCSEL, pronunat vixel) permite depirea acestor
probleme. La diodele laser convenionale, cavitatea rezonatoare este n planul
orizontal (figura 6.31.a). La un VCSEL, cavitatea este pe direcia vertical
(figura 6.31.b), iar oglinzile sunt localizate deasupra i sub zona de inversie a
populaiei, n loc de o parte i de alta a acesteia. Dioda laser convenional
(cu cavitate orizontal) este un emitor pe muchie, n timp ce dioda laser cu
cavitate vertical este un emitor de suprafa.
Se pot observa cu uurin avantajele unei astfel de proiectri, care
elimin problema fasciculului divergent, eliptic, determinat de o suprafa de
emisie mic i neregulat a unui emitor pe muchie. Aria de emisie a
emitorului de suprafa este rotund i mult mai mare.
Este evident c rezonatorul unui VCSEL este mai scurt dect cel al
unui laser convenional. De fapt, este att de scurt, nct distana dintre
modurile longitudinale este prea mare pentru ca mai mult de un mod s poat
oscila. (modurile longitudinale sunt distanate cu valoarea c/2). Astfel,
instabilitatea laserilor convenionali este eliminat.
Mai mult de att, dificultile de fabricare sunt reduse, deoarece este
posibil testarea optic a unei plachete cu VCSEL n timpul procesului de
fabricaie. Se pot obine densiti foarte mari, de zeci de milioane de diode pe
o astfel de plachet, scznd astfel preul diodelor individuale. i structurile
bidimensionale de astfel de diode pot fi fabricate mai uor, cu un pre mai
mic.
Aa cum se poate vedea n figura anterioar, VCSEL au axa cavitii
optice de-a lungul direciei fluxului de curent, spre deosebire de diodele laser
convenionale, la care aceasta este perpendicular pe fluxul de curent.
Lrgimea regiunii active este foarte mic n comparaie cu dimensiunile
laterale, astfel nct radiaia emerge de la suprafaa cavitii i nu de pe
muchia ngust a acesteia (figura 6.32). Reflectoarele de la capetele cavitii
sunt oglinzi dielectrice, alctuite multistraturi cu lame sfert de und la care
indicele de refracie alterneaz (n
1
i n
2
). Acestea asigur un grad ridicat de
reflectan selectiv la o anumit lungime de und dac grosimile straturilor
alternante, d
1
i d
2
i indicii de refracie n
1
i n
2
satisfac condiia:
n
1
d
1
+ n
2
d
2
=
2

(6. 28)
ceea ce conduce la o interferen constructiv a tuturor undelor parial
reflectate la interfee.
206
Cum unda este reflectat datorit unei variaii periodice a indicelui de
refracie, oglinda dielectric este n esen un reflector Bragg distribuit.
Reflectana ridicat a acestor oglinzi este necesar deoarece lungimea
cavitii foarte scurt reduce amplificarea optic a stratului activ. Pentru a
obine reflectana necesar (~ 99%), numrul straturilor alternante este de 20
30. ntreaga cavitate optic este vertical dac se pstreaz curentul la fel
ca la cavitatea unei diode laser convenionale.



Fig. 6.32 Schem simplificat a unei structuri VCSEL

Stratul activ este n general foarte subire (< 0,1 m) i de preferat
este o structur cu gropi de potenial multiple (MQW) pentru a obine un
curent de prag convenabil. Straturile semiconductoare necesare sunt crescute
prin cretere epitaxial pe un substrat convenabil, care este transparent la
lungimea de und de emisie. De exemplu, un dispozitiv VCSEL care emite la
980 nm are stratul activ din InGaAs i substratul din GaAs (transparent la
980 nm). Oglinzile dielectrice sunt straturi alternante de AlGaAs cu
compoziie diferit i deci cu band interzis de lrgime diferit i cu indice
de refracie diferit. Cavitatea vertical este de obicei circular n seciune
transversal, astfel nct fasciculul emis are o seciune transversal circular,
ceea ce este un avantaj.
nlimea cavitii verticale poate fi de civa microni. Aadar,
separarea modurilor longitudinale este suficient de bun pentru a permite
207
lucrul unui singur mod longitudinal. Totui, pot aprea unul sau mai multe
moduri laterale (transversale), n funcie de dimensiunea lateral a cavitii.
n practic apare un singur mod lateral n spectrul de ieire pentru diametre
ale cavitii mai mici de aproximativ 8 m. Diferitele tipuri de VCSEL
fabricate au diferite moduri laterale, dar lrgimea spectrului rmne numai de
aproximativ 0,5 nm, substanial mai mic dect la o diod laser convenional
longitudinal multimod. Cu dimensiuni ale cavitii de ordinul micronilor, un
astfel de laser este cunoscut sub numele de microlaser. Unul dintre cele mai
importante avantaje ale microlaserilor este acela c ei pot fi aranjai pentru a
forma o matrice emitoare care este surs laser cu o suprafa de emisie
mare. Astfel de structuri au importante posibile aplicaii n interconectarea
optic i n tehnologiile calculatoarelor optice. n plus, ele pot furniza puteri
optice mai mari (de ordinul a civa W) dect o singur diod laser
convenional.
Laserul cu emisie la suprafaa unei caviti verticale are multe
avantaje fa de laserii cu emisie pe muchie. Proiectarea sa permite chipurilor
s fie fabricate i testate pe un singur soclu. Pot fi obinute cmpuri largi de
dispozitive astfel nct devin posibile aplicaii cum sunt reelele neuronale
optice. n industria telecomunicaiilor, profilul fasciculului monomod,
uniform, obinut cu un dispozitiv VCSEL este de dorit pentru cuplarea n
fibrele optice. Totui, concomitent cu aceste avantaje, apar unele probleme,
n special la fabricare i la lucrul la puteri mari.


Fig. 6.33 VCSEL cu reflector metalic
208

Primele dispozitive VCSEL au fost fabricate n 1965 de Melngailis i
constau dintr-o jonciune n
+
pp
+
de InSb. Rcit la 10 K i supus unui cmp
magnetic pentru a confina purttorii, dispozitivul emitea radiaie coerent la o
lungime de und de aproximativ 5,2 m. Mai trziu, au fost puse la punct i
alte dispozitive asemntoare, cu emisie n infraroul apropiat, pentru
telecomunicaiii la lungimea de und de 1,5 m. Aceste prime dispozitive
VCSEL aveau oglinzi metalice care aveau ca rezultat densiti de curent de
prag ridicate (44 kA/cm
2
) i erau rcite utiliznd azot lichid (figura 6.33).
Oglinzi epitaxiale pentru dispozitive VCSEL cu GaAs/AlGaAs au
fost realizate ncepnd cu 1983, iar dispozitive VCSEL n pulsuri la
temperatura camerei un an mai trziu. Reducerea densitii de curent de prag
a fost legat de reducerea volumului activ al cavitii. n prezent,
dispozitivele VCSEL cu GaAs/AlGaAs au cureni de prag de aproximativ 40
A.
Exist mai multe tipuri de structur VCSEL, dar toate au anumite
aspecte comune. Lungimea cavitii dispozitivelor VCSEL este foarte scurt,
tipic de 1 pn la 3 ori lungimea de und a luminii emise. Ca rezultat, la o
singur parcurgere a cavitii, un foton are o mic ans de a declana un
proces de emisie stimulat la densiti de purttori sczute. De aceea,
dispozitivele VCSEL necesit oglinzi cu reflectan foarte mare pentru a fi
eficiente.


Fig. 6.34 VCSEL cu groap gravat
209

La laserii cu cavitate Fabry-Perot, reflectana feelor cavitii este de
aproximativ 30%. Pentru VCSEL, reflectana necesar pentru cureni de prag
sczui este mai mare de 99,9%. O reflectan att de mare nu poate fi
obinut prin utilizarea oglinzilor metalice. Dispozitivele VCSEL utilizeaz
reflectori Bragg distribuii (Distributed Bragg Reflectors DBR). Acetia
sunt formai aezarea unor straturi alternante de materiale semiconductoare
sau dielectrice cu o diferen n indicele de refracie. La dispersia minim
pentru fibrele optice, materialele semiconductoare utilizate pentru DBR au o
mic diferen n indicele de refracie, de aceea sunt necesare un numr mare
de straturi. Cum straturile DBR sunt i conductoare ale curentului n
dispozitiv, mai multe straturi duc la creterea rezistenei electrice a acestuia;
de aici, creterea disiprii de cldur poate deveni o problem dac
dispozitivul nu este proiectat corect. Unele dintre tipurile de VCSEL sunt
prezentate n continuare, n ordinea evoluiei acestora.


Fig. 6.35 VCSEL cu born aerian

n prezent, cele mai multe dispozitive VCSEL utilizeaz caviti cu
gropi de potenial cuantice. Prin depunerea unui strat subire de
semiconductor cu o band interzis mai mic, se poate nu numai defini o
regiune pentru a se produce recombinarea, dar se pot controla i proprietile
optice ale dispozitivului. Puterea obinut de la o singur groap de potenial
210
cuantic este mic. Pot fi create multiple gropi de potenial n cavitate pentru
a crete puterea obinut. Poziia gropii de potenial cuantice este crucial
pentru maximizarea amplificrii dispozitivului.
Lungimea redus a cavitii n dispozitivele VCSEL i adugarea
gropii de potenial cuantice reduce semnificativ probabilitatea emisiei
stimulate la parcurgerea o singur dat a cavitii. Lumina n cavitate trebuie
s fie reflectat napoi n cavitate de mai multe ori dect la un laser cu
cavitate Fabry-Perot. Timpul mediu pe care fotonii l petrec n cavitate este
numit timp mediu de via al fotonului. Reflectana oglinzilor trebuie s fie
foarte mare pentru a crete timpul mediu de via al fotonului i deci timpul
de interacie cu strile electronice excitate. Calculul d o valoare minim a
reflectanei de 99,95%. Oglinzile metalice sunt limitate la o reflectan de
aproximativ 98% i astfel, pentru astfel de regiuni active mic sunt inutile.
Materialele dielectrice i semiconductoare au un coeficient de absorbie
foarte mic pentru fotoni cu energii sub lrgimea benzii interzise a
materialului. Dac dou materiale dielectrice cu un indice de refracie diferit
sunt plasate mpreun pentru a forma o jonciune, lumina va fi reflectat la
suprafaa discontinuitii. Cantitatea de lumin reflectat de astfel de
discontinuiti este mic. Totui, dac straturile alternante de semiconductor
sau dielectric sunt stratificate periodic, fiecare strat avnd o grosime optic de
(/4)n, refleciile pe fiecare discontinuitate se vor adiiona n pentru a
produce o reflectan mare. Se obine astfel un reflector Bragg distribuit.


Fig. 6.36 VCSEL ngropat prin recretere epitaxial

211
Numrul straturilor necesare pentru a produce oglind cu reflectan
foarte mare la o lungime de und particular este determinat de diferena
dintre indicii de refracie ai materialelor straturilor alternante. De asemenea,
trebuie avut n vedere i constanta reelei materialelor, care trebuie s fie
asemntoare, diferenele la zonele de separare trebuind s fie sub 1%, pentru
a evita fisurile datorate tensiunilor mecanice din reea. Fiind dat indicele de
refracie al substratului, n
s
i cel al materialului nconjurtor (de obicei aer),
n
0
, ca i cei ai straturilor semiconductoare alternante, n
1
i n
2
, pentru un
numr dat de perioade, m, reflectana este dat de:
R =
2
2m
s 1
0 2
2m
s 1
0 2
n n
1
n n
n n
1
n n
(
| |
(
|
( \ .
(
| |
(
+
|
(
\ .

(6. 29)
Oglinzile pentru dispozitive cu lungimi de und mari trebuie
proiectate cu grij. Cele mai importante consideraii sunt legate de alegerea
materialelor utilizate pentru fabricarea straturilor Bragg. Acestea trebuie s
fie crescute utiliznd materiale cu reea care se potrivete cu cea a
materialului cavitii dispozitivului. Pentru dispozitive care lucreaz la
lungimi de und mari, alegerea tradiional a materialelor este GaAsInP/InP.
Totui, contrastul dintre aceste dou materiale este foarte mic. De aceea, este
necesar un mare numr de straturi alternante pentru a obine reflectanele
mari cerute la dispozitivele VCSEL. Fiecare strat de semiconductor crete
rezistena dispozitivului i curentul de prag, astfel c este important
minimizarea numrului necesar de straturi. Oglinzi cu reflectan mare pot fi
fabricate i din materiale dielectrice, cele mai obinuite fiind ZnSe/MgF i
Si/SiO
2
. Dielectricii au un contrast de indice de refracie ridicat, pot fi depui
utiliznd tehnici de temperatur sczut i nu conduc curentul electric. n
plus, n general, ei nu sunt conductori buni de cldur.
Odat cu reducerea dimensiunilor cavitii, se poate reduce i curentul
de prag al dispozitivului VCSEL prin limitarea suprafeei seciunii
transversale a cavitii n care are loc amplificarea. Sunt mai multe metode
utilizate n mod curent n dispozitivele VCSEL. O metod simpl este aceea
de a grava o groap sub stratul activ (figura 6.34). Marea diferen n indicele
de refracie dintre aer i materialul dispozitivului acioneaz pentru a ghida
lumina emis. Problemele cu acest tip de structur sunt pierderile de purttori
datorate recombinrilor superficiale la pereii gropii i disiparea slab a
cldurii din cavitatea laser. O alt tehnic pentru confinarea curentului este
implantarea ionic. Prin implantarea selectiv a ionilor ntr-un
semiconductor, acesta poate fi transformat ntr-un material izolator. Cel mai
adesea sunt utilizai protoni, dar i alte specii ionice, incluznd F
+
, O
+
, N
+
i
212
H
+
au fost ncercate. Bombardarea semiconductorului cu ioni tinde ns s
distrug structura cristalin a materialului implantat i ca atare tehnica trebuie
utilizat cu precauie n apropierea stratului activ.
Puterea optic de ieire este:
P
out
=
h
q
v
q[I I
p
(I, T
jonct
)] (6. 30)
unde q depinde de doi factori:
- randamentul injeciei de curent pentru fracia de purttori injectai
care contribuie la procesul de emisie (unii purttori se pot recombina
n regiunile de confinare nedopate, unde purttorii nu interacioneaz
cu cmpul optic) i
- randamentul optic pentru fracia de fotoni generai care sunt transmii
n exteriorul cavitii.
Este de notat faptul c I
p
, curentul de prag depinde de curentul de injecie
ca i de temperatura jonciunii. T
jonct
.
Randamentul cuantic diferenial este deci dependent de curent:
q(I) =
p
out
dI
dP q
1
h dI dI
| |
= q
|
v
\ .
(6. 31)
Se vede c q(I) poate fi negativ dac dI
p
/dI > 1. Graficul puterii optice de
ieire n funcie de curentul de injecie va avea o pant negativ.

6.3. Modulatoare optice
Modulaia luminii este procesul prin care are loc modificarea unuia
din parametrii purttoarei optice: amplitudinea, frecvena sau faza. Se
utilizeaz de asemenea modulaia intensitii, la care, n locul modificrii
amplitudinii, se produce modificarea ptratului acesteia, deci modificarea
intensitii. Exist diferite tipuri de modulatoare, care permit realizarea
tipului de modulaie dorit.
Pentru diodele luminescente i laserii cu semiconductori, n cazul
modulaiei intensitii nu sunt necesare modulatoare externe speciale.
Tensiunea de modulaie polarizeaz dispozitivul, comandnd injecia
electronilor n jonciunea p-n i variaia n limite mari a intensitii radiaiei
(figura 6.37).
Obinerea caracteristicilor de modulaie liniare la modulatoarele optice este
dificil. La modulaia analogic este necesar i realizarea liniaritii la
retranslatoare, motiv pentru care se utilizeaz n principal tipurile discrete de
modulaie: manipulaia de amplitudine i manipulaia polarizare. Datorit
acestui fapt, semnalele primare analogice se transmit n sistemele optice n
form numeric sau de impuls, la care impulsul de modulaie capt valori
discrete ale fazei.
213
Modulaia luminii se poate realiza direct (intern), sau indirect (extern).
Modulaia direct se realizeaz prin modularea curentului printr-un dispozitiv
fotoemisiv, cum este o LED sau o diod laser. La modulaia direct,
intensitatea luminii generate este controlat de un semnal electric. Modulaia
direct este larg utilizat n comunicaiile optic. Ea sunt anumite
caracteristici. Astfel, nu este posibil obinerea unei modulaii de vitez mare,
tipic mai mult de 10 GHz. Motivul este acela c modulaia este limitat de
timpul de relaxare asociat cu purttorii de sarcin i cu fotonii. Pe de alt
parte, modulaia introduce fenomenul de chirping, prin care frecvena
pulsurilor de lumin variaz pe durata semnalului.


Fig. 6.37 Caracteristicile tipice de modulaie (putere de emisie curent) ale
surselor de radiaie: 1 - laser cu semiconductor; 2 - diod luminescent

Modulaia extern implic modularea unei caracteristici a luminii:
intensitatea, faza, frecvena sau polarizarea, atunci cnd lumina trece prin
modulator. Exist diferite tipuri de modulatori, bazai pe un anumit efect
fizic, cele mai importante fiind efectul electro-optic, efectul acousto-optic,
efectul magneto-optic i efectul de electro-absorbie bazat pe gropi cuantice
multiple.
6.3.1. Modulatoare electro-optice
Efectele electrooptice constau n modificri ale indicelui de refracie
al unui material induse de aplicarea unui cmp electric extern, care deci
214
moduleaz proprietile optice; cmpul aplicat nu este cmpul electric al
unei unde luminoase ci un cmp extern separat. Un astfel de cmp extern se
poate aplica prin plasarea unor electrozi pe feele opuse ale unui cristal i
conectarea acestora la o surs de t.e.m. Prezena unui astfel de cmp
distorsioneaz micrile electronilor din atomi sau a moleculelor n substan,
sau distorsioneaz structura cristalin, rezultnd modificri n proprietile
optice. De exemplu, un cmp extern aplicat poate determina ca un cristal
optic izotrop, cum este GaAs, s devin birefringent. n acest caz, cmpul
induce axe optice principale n cristal. De obicei, modificrile indicelui de
refracie sunt mici. Frecvena cmpului aplicat trebuie s fie de o astfel de
valoare, astfel nct cmpul s apar ca fiind static pe intervalul de timp
necesar ca mediul s-i modifice proprietile, ceea ce corespunde timpului
necesar ca lumina s traverseze substana. Efectele electro-optice sunt
clasificate n dou categorii: efecte de ordinul I i efecte de ordinul al doilea.
Dac se consider indicele de refracie n ca fiind funcie de cmpul electric
aplicat, E, adic n = n(E), aceast expresie se poate dezvolta n serie Taylor.
Noul indice de refracie n este atunci:
n = n + a
1
E + a
2
E
2
+ (6. 32)
unde coeficienii a
1
i a
2
a1 i sunt numii coeficientul efectului electro-optic
liniar, respectiv coeficientul efectului electro-optic ptratic.
Termenii de ordin superior n dezvoltarea n serie Taylor sunt n
general foarte mici i efectele lor neglijabile pentru majoritatea cmpurilor de
interes practic. Modificarea lui n datorat primului termen este numit efect
Pockels. Modificarea lui n datorat termenului de ordinul al doilea este
numit efect Kerr i coeficientul a
2
este n general scris sub forma K, unde
K este numit coeficient Kerr. Astfel, cele dou efecte sunt exprimate prin
An = a
1
E (6. 33)
respectiv
An = a
2
E
2
= (K)E
2
(6. 34)
Toate materialele prezint efectul Kerr, n schimb numai unele
materiale cristaline prezint efectul Pockels. Astfel, a
1
= 0 pentru toate
materialele necristaline (cum sunt sticlele i lichidele). De asemenea, dac
structura cristalin are un centru of simetrie, atunci a
1
este tot zero. Numai
cristalele care nu au centre de simetrie prezint efectul Pockels. Ca un
exemplu, un cristal de NaCl nu prezint efectul Pockels, dar un cristal de
GaAs prezint acest efect.
Unul dintre cele mai simple exemple de aplicaie n optoelectronic a
efectului Pockels este modulatorul de polarizare, prezentat n figura 6.38 i
care este realizat dintr-un ghid de und ncastrat, obinut prin implantarea
unui substrat de LiNbO
3
cu atomi de Ti care cresc indicele de refracie al
materialului. Doi electrozi coplanari sub form de band sunt depui de-a
215
lungul ghidului de und, de o parte i de alta a acestuia, permind aplicarea
unui cmp E
a
, perpendicular pe direcia de propagare a luminii, z.


Figura 6.38 a) Modulator cu celul Pockels; b) seciune transversal a
aceluiai dispozitiv

Tensiunea extern de modulaie, V(t) este aplicat ntre electrozii
coplanari i, n virtutea efectului Pockels, induce o variaie n a indicelui de
refracie i deci o variaie de faz dependent de tensiune, a luminii.
Reprezentnd propagarea luminii de-a lungul ghidului sub forma a dou
componente ortogonale, E
x
pe direcia x i E
y
pe direcia y, cele dou
componente sufer modificri de faz simetrice. Defazarea ntre
componentele E
x
i E
y
este proporional cu variaia indicelui de refracie,
deci cu cmpul aplicat. Totui, cmpul aplicat nu este uniform ntre electrozi
i, n consecin, nu toate liniile cmpului aplicat sunt n interiorul ghidului
de und. Efectul electro-optic se produce n toat regiunea de suprapunere
spaial dintre cmpul aplicat i cmpurile optic. Totui, este proporional
cu V/d (cmpul aparent aplicat), i cu lungimea L a canalului (figura 6.38).
Rezult deci c dispozitivul este un modulator de faz; este
modulat de V(t). De exemplu, dac tensiunea induce o defazare de /2, atunci
o radiaie liniar polarizat la un unghi de 45 fa de axa x poate fi
transformat ntr-o radiaie circular polarizat. Tensiunea necesar pentru a
produce o defazare = este numit tensiune seminund, V
/2
. La = 1,5
216
m, pentru un modulator ca n figura 6.38, cu d 10 m, V
/2
L 35 Vcm.
De exemplu, un modulator cu L = 2 cm are o tensiune semiund V
/2
= 17,5
V. Prin comparare, pentru un modulator de LiNbO
3
la care propagarea
luminii se face pe direcia y iar cmpul este aplicat pe direcia z, V
/2
L 5
Vcm.
Modulatorul Mach-Zender este un dispozitiv electro-optic pe baz de
LiNbO
3
n care transmitana luminii este controlat printr-o tensiune extern.
Dispozitivul utilizeaz efectul Pockels n LiNbO
3
i interferena dintre unde
care au o diferen de faz relativ, indus de o tensiune extern aplicat.
Dispozitivul convertete defazarea indus ntr-o variaie de amplitudine prin
utilizarea unui interferometru n care interfer dou unde de aceeai frecven
dar de faze diferite.


Figura 6.39 Modulator de intensitate optic integrat Mach-Zender

Aa cum se poate vedea n figura 6.39, dispozitivul are implantat un
ghid de und monomod ntr-un substrat de LiNbO
3
(sau alt material electro-
optic), n geometria artat. Ghidul de und de la intrare, C, se bifurc n
dou ramuri, A i B, care ulterior se unesc ntr-o singur ramur. D, care
constituie ramura de ieire. n cazul ideal, puterea optic a undei luminoase
de la intrare este egal divizat pe ramurile A i B, astfel nct cmpul electric
al undei este divizat cu un factor 2 pe fiecare ramur. Structura acioneaz
ca un interferometru deoarece cele dou unde care se propag prin ramurile A
i B interfer la ieirea D i amplitudinea undei la ieire depinde de diferena
de faz (diferena de drum optic) dintre undele din cele dou ramuri. Aa cum
se vede n figura 24, cmpul extern aplicat n ramura A este de sens opus cu
cel aplicat n ramura B. Variaiile indicelui de refracie sunt n consecin
opuse, ceea ce nseamn c i modificrile fazelor n ramurile A i B sunt
opuse. De exemplu, dac un cmp electric extern aplicat induce o variaie a
fazei de /2 n ramura A, n ramura B ea va fi de /2, astfel nct undele din
ramurile A i B vor fi defazate cu . Aceste dou unde interfer apoi
distructiv i se anuleaz reciproc, intensitatea la ieire fiind zero. Cum
217
tensiunea exterioar aplicat controleaz diferena de faz dintre cele dou
unde, A i B la ieire, aceasta controleaz deci i intensitatea luminii la ieire,
dei relaia nu este liniar. n practic, pierderile n jonciuni i scindarea
inegal au ca rezultat scderea performanelor modulatorului; undele din
ramurile A i B nu se anuleaz complet cnd A = .
6.3.2. Modulatoare acousto-optice
Modulatoarele acousto-optice se bazeaz pe efectul fotoeleastic, n
care o solicitare mecanic exercitat asupra unui cristal induce modificri ale
indicelui de refracie n al acestuia. Relaia dintre solicitarea mecanic i
indicele de refracie este destul de complicat, deoarece trebuie considerat
efectul unei solicitri S pe o direcie n cristal asupra variaiei induse n n
pentru o direcie particular de propagare a luminii i o polarizare specific.
ntr-o prim aproximaie, efectul fotoeleastic poate fi considerat liniar,
variaia n indus fiind proporional cu mrimea solicitrii mecanice, S.
Se pot genera unde acustice sau ultrasonice la suprafaa unui cristal
piezoelectric (cum este LiNbO
3
) prin plasarea unor electrozi ntreptruni pe
suprafaa sa, aa cum se poate vedea n figura 6.40 i prin aplicarea pe acetia
a unei tensiuni sinusoidale de frecvene radio. Efectul piezoelectric este
fenomenul de generare a unei tensiuni mecanice ntr-un cristal prin aplicarea
unui cmp electric extern. Tensiunea variabil aplicat pe electrozi va genera
astfel o und acustic superficial prin intermediul efectului piezoelectric.


Figura 6.40 Modulator acusto-optic

Aceste unde acustice se propag prin dilatri i comprimri regiunilor
superficiale ale cristalului, care duc la o variaie periodic a densitii i de
218
aici la o variaie periodic a indicelui de refracie, sincronizat cu
amplitudinea undei acustice. Rezultatul const ntr-un fel de reea de
difracie care se creeaz la suprafaa cristalului datorit undei acustice.
Aceasta produce difracia fasciculului optic i permite modularea unghiului i
intensitii undei difractate prin amplitudinea i frecvena semnalului RF
aplicat. Apare o modificare n frecvena fasciculului difractat, cu o valoare ce
corespunde frecvenei acustice.

6.4. Multiplexoare i demultiplexoare
Multiplexoarele combin mai multe semnale de diferite lungimi de
und, provenite de la mai multe surse laser. Aceste semnale sunt transmise
printr-o fibr optic, ntr-un singur fascicul luminos. Demultiplexoarele
separ acest fascicul luminos incident n semnale de lungimi de und
individuale, care sunt apoi trimise spre detectori. Realizarea lor se bazeaz pe
utilizarea filtrelor i reelelor de difracie. Se folosesc n principal trei
tehnologii: filtre n straturi subiri, reele Bragg gravate n fibr (FBG) i
Arrayed Waveguide Gratings (AWG).
6.4.1. Filtre n straturi subiri
Aceste filtre sunt cel mai rspndite n sistemele MUX/DEMUX
DWDM cu un numr mic de canale i se bazeaz pe principiul interferenei
create datorit unei acoperiri n strat subire, pe un substrat de sticl.
n prezent, aceast tehnologie este complet matur i ofer o
stabilitate perfect n temperatur, ca i o bun izolaie ntre canale. Totui,
aceste filtre necesit modaliti de fabricaie complexe, cnd numrul de
canale devine important. La mai mult de 32 canale, realizarea lor devine
cvasi-imposibil.
6.4.2. Reele Bragg gravate n fibr
Aceast tehnologie est rezultatul unei fibre monomod de-a lungul
miezului creia este gravat o reea de difracie. Modificarea periodic a
indicelui de refracie permite funcia de filtraj prin eliminarea anumitor
lungimi de und, altele traversnd reeaua cu un minim de atenuare.
Reeaua de difracie este fabricat prin expunerea fibrei la aciunea
unui puternic fascicul ultraviolet, numit fotoinscriptor.
6.4.3. AWG
AWG sunt ghiduri de und n siliciu sau n dioxid de siliciu, fabricate
pe un substrat semiconductor standard. Semnalul luminos incident este
divizat de mai multe ori de un cuplor i fiecare semnal individual trece prin
ghiduri de und curbate. Fiecare ghid de und are o lungime cu puin diferit
de a celuilalt, ceea ce determin un timp de parcurs diferit n AWG.
219
Aceast ntrziere a luminii n fiecare ghid de und provoac
interferene i structuri de difracie n cuplorul de ieire. n final, semnalele
de fiecare lungime de und emerg separat din cuplorul de ieire.
AWG prezint avantajul de a fi capabile s separe eficient un foarte
mare numr de semnale de lungimi de und diferite i sunt utilizate n
sisteme DWDM care integreaz o foarte mare densitate de canale.

6.5. Amplificatoare optice
Exist mai multe tipuri de amplificatoare: EDFA, amplificatoare Raman
(amplificare activ pe toat lungimea fibrei), laseri de pompaj, EDWA, SOA
etc.
6.5.1. Amplificatoare cu fibr dopat cu erbiu
Modulele amplificatoare cu fibr dopat cu erbiu (Erbium-Doped Fiber
Amplifier EDFA) sunt utilizate pentru amplificarea semnalelor luminoase
prezente ntr-o fibr optic. Acestea primesc la intrare un semnal luminos de
amplitudine mic i l amplific respectnd domeniul optic al acestuia.
Modulele EDFA utilizeaz laseri de pompaj pentru excitarea unui material
dopat cu erbiu, aflat chiar n fibr, care restituie aceast energie de pompaj
amplificnd semnalul luminos prezent n aceasta. Sistemele EDFA sunt
constituite din mai multe platforme de tratare a semnalelor, incluznd sisteme
de compensare n dispersie, de atenuare variabil i de egalizare a
amplificrii.



Figura 6.41 Schema benzilor energetice ale erbiului i tranziiile care pot avea
loc ntre acestea
220

Deci, EDFA este un tip de amplificator optic, utilizat pentru creterea
intensitii semnalelor optice transportate prin fibr optic n sistemele de
comunicaii. El este alctuit dintr-o fibr al crui miez este puternic dopat cu
ioni de erbiu i funcioneaz pe baza fenomenului de emisie stimulat.
Lucreaz n banda C (1530-1560 nm) i L (1570-1610 nm). Este folosit
erbiul, deoarece acesta are cteva proprieti importante, care l fac s
constituie o alegere excelent pentru un amplificator optic. Ionii de erbiu
(Er
3+
) au niveluri cuantice care permit stimularea pentru emisia n banda de
1540 nm, care este banda cu pierderile de putere cele mai mici n majoritatea
fibrelor pe baz de oxid de siliciu. Nivelurile cuantice ale erbiului permit, de
asemenea, ca acesta s fie excitat cu un semnal optic att la 980 nm, ct i la
1480 nm, amndou putnd fi transmise prin fibra optic pe baz de oxid de
siliciu fr pierderi mari. Pentru nelegerea funcionrii unui EDFA
nelegerea funcionrii amplificatorului optic cu fibr dopat cu erbiu
poate fi neleas foarte uor, pe baza analizei schemei din figura 6.41.


Figura 6.42 Diagrama-bloc a unui EDFA

n figura 6.42 este prezentat diagrama-bloc a unui EDFA, iar n
figura 6.43, principalele caracteristici ale EDFA, amplificarea i zgomotul, n
banda de lucru a amplificatorului.


221

Figura 6.43 Caracteristicile a unui EDFA

Avantajele EDFA sunt: disponibilitate comercial n banda C i banda
L, insensibilitate la starea de polarizare a luminii, amplificare mare, zgomot
redus (4,5 6 dB), lipsa distorsiunilor la fluxuri de date mari, amplificarea
simultan a semnalelor multiplexate prin divizarea lungimii de und,
imunitate la interferene ntre canalele de multiplexare, nu necesit
electronic de vitez mare, independena vitezei de transmisie (bit rate
transparency).
6.5.2. Amplificatoare Raman
Amplificarea Raman est activ pe toat lungimea fibrei optice, pe
distane putnd atinge 10 km, fapt ce o deosebete de amplificarea de tip
EDFA, care nu este activ dect pe civa metri n jurul dispozitivului.
Modulele amplificatoare Raman necesit utilizarea de componente de tip
FBG, izolatoare, cuploare sau alte componente pasive.
6.5.3. Laseri de pompaj
Laserii de pompaj sunt laseri cu semiconductori, utilizai pentru
amplificarea semnalelor optice. Ei sunt caracterizai de puteri mari (300
400 mW).
Laserii de pompaj funcioneaz la 980 nm sau 1480 nm. Randamentul
laserilor la 980 nm nu este nc suficient pentru a se putea obine puteri mari.
n schimb, laserii de pompaj la 1480 nm sunt produi i folosii pe scar
larg.
Modulele de amplificare sunt utilizate n cea mai mare parte pentru
reele optice de mare distan, n scopul regenerrii semnalelor.

6.6. Divizoare i multiplicatoare de frecven

222









Partea a III-a Sisteme
optoelectronice


223
7. Sisteme de comunicaie optic
7.1. Canalul de comunicaie optic
O descriere complet a canalului de comunicaie optic include nu
numai mediul de transmisie ci i sursa optic, eventual un modulator i
receptorul (fotodetectorul). n cel mai simplu caz, semnalul de ieire al sursei
este modulat direct de semnal, de exemplu prin variaia curentului injectat n
jonciunea p-n a unei diode semiconductoare. Recombinarea purttorilor n
jonciune conduce la emisia de fotoni, care reproduce concentraia
purttorilor. La cellalt capt al canalului, fotonii incideni n fotodetector
genereaz perechi de electroni-goluri, care, la rndul lor, produc un
fotocurent proporional cu densitatea de fotoni. Curentul injectat la surs i
fotocurentul la detector sunt cele dou variabile msurabile direct care
definesc canalul optic.


Fig. 7. 1 Canalul de comunicaie optic

Adesea, aceast definire riguroas exclude cteva fenomene specifice
sursei. Astfel, de exemplu, canalul optic este considerat liniar, n timp ce
toate caracteristicile transmisiei sunt independente de amplitudinea
semnalului (densitatea de fotoni) dei curenii de intrare i ieire pot fi legai
printr-o relaie neliniar din cauza pragului efectelor de saturaie n surs.
Aceast definiie este convenabil deoarece permite descrierea cii de
transmisie dispersive att n domeniul de timp, ct i n cel al frecvenelor, n
224
care ce dou sunt legate prin transformri Fourier simple. Presupunerea de
liniaritate este satisfcut cu suficient exactitate sub pragul proceselor de
mprtiere stimulat.
Un efect care influeneaz indirect liniaritatea este schimbarea n
distribuia spectral a semnalului luminos n funcie de amplitudinea
semnalului. Laserii cu semiconductori tind s oscileze ntr-un numr de
rezonane distribuite la intervale egale sub aciunea radiaiei stimulatoare dar
rmn numai una sau cteva, odat ce emisia stimulat se desfoar la
niveluri nalte. Aceast limitare spectral afecteaz dispersia cromatic, astfel
nct caracteristicile de transmisie devin dependente indirect de amplitudinea
semnalului. n general acest efect este mic.
Dac pierderile n canal variaz n timp, poate rezulta un fading sau
zgomot depinznd de scala de timp implicat. De exemplu, cele dou moduri
de polarizare ortogonal care se propag ntr-o fibr monomod interfer ntr-
un fel care depinde critic de drumul fibrei i de temperatura sa i conduce la
un fading ntr-un receptor sensibil la polarizare. Problema poate fi soluionat
prin proiectarea unei fibre birefringente. S-a observat un fading similar cu
zgomotul n fibre multimod folosite pentru transmisia radiaiilor laser.
Efectul a fost atribuit surselor de pierderi localizate n punctele de mbinare.
Influena acestor discontinuiti scade odat cu creterea distanei fa de
surs. Experiena sugereaz fie efectele de interferen n fibr, fie efectele de
auto-blocare n surs, determinate de reflexia sporadic din canal. Ambele
efecte variaz odat cu temperatura i micrile fibrelor.
Interferena poate aprea atunci cnd diferenele de ntrziere dintre
moduri sunt mai mici dect timpul de coeren n semnalul optic de intrare.
Timpul de coeren al unei singure rezonane ntr-un laser cu semiconductor
este determinat de stabilitatea cavitii i este de ordinul 10 ps. Efectele de
interferen pot de aceea s apar n fibre multimod cu o lungime de peste 1
km sau mai mult.
Pe lng zgomotul indus n canal discutat mai sus, exist i alte surse
de zgomot, cel mai evident fiind zgomotul de cuantificare, rezultat din natura
discret a fotonilor transmii.
7.1.1. Emitorul
Emitorul unui sistem de comunicaii optice are n componena sa, n
primul rnd un dispozitiv emitor de lumin, care trebuie s ndeplineasc
dou condiii. n primul rnd, trebuie s se poat cupla la fibra optic. n al
doilea rnd, trebuie s permit modularea luminii. Generic, un astfel de
dispozitiv este un traductor electro-optic.
Sunt cteva caracteristici generale care trebuie asigurate de un bun
dispozitiv emitor de lumin. Astfel, dimensiunile fizic trebuie s fie
compatibile cu dimensiunea fibrei optice utilizate, ceea ce nseamn c el
trebuie s emit lumina ntr-un con cu diametrul seciunii transversale de 8-
225
100 m. De asemenea, el trebuie s genereze suficient putere optic, pentru
a asigura o rat de erori (bit error rate BER) corespunztoare. n plus,
dispozitivul trebuie s asigure o eficien bun n cuplarea luminii generate n
fibra optic, o liniaritate suficient de bun, pentru a preveni generarea
armonicilor i distorsiunea de intermodulaie i s asigure o vitez de
modulaie suficient pentru scopul propus.
Toate aceste cerine pot fi satisfcute de diode semiconductoare cu
jonciune, emitoare de lumin, care sunt de dou tipuri: diode emitoare de
lumin (light emitting diode LED) i diode laser (lase diode LD). Cu mici
excepii, diodele laser au avantaje fa de LED-uri n urmtoarele privine:
- pot fi modulate la viteze mai mari
- pot produce o putere optic mai mare
- au o eficien de cuplare la fibra optic mai mare
i LED-urile prezint unele avantaje fa de diodele laser: fiabilitate
mai mare, liniaritate mai bun, pre de cost mai sczut.
O diferen esenial privind semnalul de ieire, ntre LED i LD este
domeniul lungimilor de und n care este distribuit puterea optic, adic
domeniul spectral de emisie. Figura 7.2 ilustreaz lrgimea spectral a
semnalului emis de cele dou dispozitive. Puterea optic generat de fiecare
dispozitiv este proporional cu aria de sub curb. O diod laser are
ntotdeauna un domeniu spectral mai ngust dect cel al LED-urilor, valoarea
propriu-zis depinznd de detaliile structurii diodei respective i de
materialul semiconductor. Totui, valorile tipice ale lrgimii domeniului
spectral de emisie pentru un LED sunt n jurul a 40 nm pentru lucrul la 850
nm i 80 nm pentru lucrul la 1310 nm. Valorile tipice pentru o diod laser
sunt de 1 nm pentru lucrul la 850 nm i 3 nm pentru lucrul la 1310 nm.


Fig. 7.2 Lrgimile spectrale la LED i dioda laser

Dispozitivele emitoare de lumin trebuie s aib o fereastr
transparent pentru a transmite lumina n fibra optic. Ele sunt echipate fie cu
un dispozitiv special de cuplare la fibra optic (pigtail), fie cu o fereastr
226
transparent din plastic sau sticl, care poate avea i o microlentil care s
ajute la focalizarea luminii n fibra optic.
Funcia de modulaie poate fi asigurat prin diferite metode:
modulaia n intensitate (Intensity Modulation IM), modulaia de frecven
(Frecven Modulation FM), modulaia de faz (Phase Modulation M) i
modulaia de polarizare (Polarization Modulation PM). n cazul semnalelor
discrete, de obicei, n locul termenului modulaie se utilizeaz termenul
manipulaie (shift keying). Astfel, pentru semnalele discrete, modulaia n
intensitate este numit manipulaie de amplitudine (Amplitude Shift Keying
ASK) sau, n cazul semnalelor digitale, manipulaie da-nu (On-Off Keying
OOK).
Semnalul optic modulat este dat de:
E
s
(t) = E
0
m(t)cos

(2tf
s
t) (7. 1)
unde m(t) este semnalul modulator, care conine informaia i f
s
este
frecvena semnalului purttor.



Fig. 7.3 Dou metode pentru modulaia cu LED sau diode laser

Modulaia n intensitate este utilizat practic universal n legturile
prin fibr optic, deoarece se potrivete foarte bine cu modul de lucru att al
LED-urilor, ct i al diodelor laser. Purttoarea pe care acestea o genereaz
este uor de modulat cu aceast tehnic. Puterea radiaiei emise (uneori
numit radian) este proporional cu intensitatea curentului ce trece prin
dispozitivul emitor i astfel puterea optic ia forma curentului. Dac acesta
este de forma m(t), reprezentnd informaia binar, semnalul optic rezultat va
fi un semnal intermitent. Situaia este ilustrat n figura 7.2 i figura 7.3.
Prima dintre aceste figuri prezint circuitele de baz pentru modulaia n
intensitate ale dispozitivelor emitoare de lumin (LED sau diod laser
227
LD). A doua ilustreaz curentul de intrare, reprezentnd informaia, i
semnalul optic rezultat, generat i furnizat n fibra optic, m(t).



Fig. 7.3 Curentul de intrare, reprezentnd forma semnalului modulat, m(t)

7.1.2. Receptorul
Receptorul sistemului de comunicaii optice ndeplinete dou funcii.
Prima este detectarea luminii i conversia acesteia ntr-un semnal electric. A
doua este demodularea semnalului pentru a extrage informaia.


Fig. 7.4 Exemplu de diagram bloc - primul etaj a unui receptor

Detectarea luminii este realizat de o fotodiod, o diod p-i-n, sau o
fotodiod cu avalan (APD). De obicei, fotodiodele au o suprafa mare
fotosensibil, care poate fi de mai multe sute de microni n diametru, ceea ce
face ca s nu fie necesare precauii speciale la centrarea fibrei n conectorul
receptorului i face preocuprile de aliniament mult mai puin critice dect
cele de la emitorul optic.
n general, semnalul optic i curentul electric rezultat din conversie au
amplitudini mici. Ca urmare, circuitele fotodiodei trebuie s fie urmate de
unul sau mai multe etaje de amplificare. De asemenea, se mai pot folosi filtre
i egalizatoare pentru a forma i corecta semnalul electric purttor de
0 1 0 0 0 1 0
1
m(t)
t
228
informaie. Toate aceste circuite active din receptor reprezint o surs de
zgomot, care poate afecta procesul de demodulaie. Figura 7.4 prezint
circuitul simplificat al unui receptor, iar figura 7.5 schema detaliat a unui
receptor analog (figura 7.5.a), respectiv digital (figura 7.5.b).


Fig. 7.5 Schema unui receptor analog (a), respectiv digital (b)

Ca i n cazul emitoarelor, receptoarele optice sunt disponibile i n
versiunea analogic i n cea digital. Ambele tipuri folosesc de obicei un etaj
preamplificator analog, urmat de un etaj de ieire analog, respectiv digital, n
funcie de tipul receptorului.
n figura 7.5.a este prezentat schema simplificat a unui receptor
analog, la care primul etaj este un amplificator operaional, conectat ca un
convertor curent-tensiune. Acest etaj primete curentul slab provenit de la
fotodiod i l convertete n tensiune, de obicei de ordinul a civa milivoli.
Urmtorul etaj este un simplu amplificator operaional de tensiune, n care
semnalul este amplificat la nivelul dorit.
Figura 7.5.b prezint schema simplificat a unui receptor digital. Ca i
n cazul receptorului analog, primul etaj este un convertor curent-tensiune.
229
Ieirea acestui etaj este cuplat la un comparator de tensiune, care produce un
semnal de ieire curat, cu un timp de cretere scurt al pulsurilor. Ajustarea
nivelului de declanare, cnd este prezent, este utilizat pentru reglarea
punctului pe semnalul analog n care comparatorul comut. Aceasta permite
simetria semnalului digital refcut signal, pentru ca acesta s poat fi
rectificat cu precizia dorit.
Este important de subliniat faptul c, n timp ce cablul de fibr optic
este imun la toate formele de interferen, receptorul electronic nu este, motiv
pentru care sunt necesare precauii normale, ca ecranarea i legarea la
pmnt.
Receptorul poate ncorpora un numr de alte funcii: generarea unui
semnal de tact (n cazul comunicaiilor sincrone) decodarea informaiei,
detectarea erorilor i regenerarea. Un receptor complet trebuie s aib o
detectabilitate ridicat (pentru a detecta semnalele optice de nivel sczut
provenite din fibra optic), band larg sau timp de cretere scurt (pentru un
rspuns suficient de rapid, necesar demodulrii datelor digitale la vitez
mare) i zgomot redus, pentru o rat de erori (bit error rate BER) ct mai
sczut.
n majoritatea aplicaiilor, elementul preferat este dioda PIN, datorit
faptului c poate fi alimentat de la o surs standard, tipic ntre 5 i 15 V.
Dispozitivele APD au o mult mai bun sensibilitate i o band de
dou ori mai larg. Totui, ele nu pot fi utilizate cu o surs de 5V. De
asemenea, ele necesit o surs de alimentare foarte bine stabilizat, ceea ce
crete mult costul sistemelor care utilizeaz APD.
7.1.3. Dispozitive de cuplare i mbinare
Conectorul este un dispozitiv mecanic montat la captul unei fibre
optice, al unei surse de lumin, sau receptor. El permite adaptarea la un
dispozitiv similar. Caracteristica esenial ce l deosebete de dispozitivele de
mbinare (splicing), este faptul c poate fi ataat i detaat cu uurin, adic
este deconectabil. Sunt mai multe tipuri diferite de conectoare.
Fibrele optice trebuie mbinate unele cu altele din mai multe motive.
Unul este acela al necesitii de a realiza o legtur de o anumit lungime.
Cum fabricanii ofer cabluri optice cu lungimi de 1 6 km, legturile mai
lungi impun n mod evident mbinarea fibrelor optice. Conectarea a dou
fibre optice necesit o aliniere precis. Sunt dou tipuri principale de
mbinri: mecanic i prin topire. mbinarea mecanic este comod de aplicat,
necesitnd puine instrumente, dar implicnd i pierderi de aproximativ 0,2
dB. Cel de-al doilea tip de mbinare utilizeaz un arc electric pentru a suda
dou fibre optice, alinierea fiind asigurat prin controlul computerizat;
pierderile sunt de 0,05 dB.
230
7.1.4. Parametri ai sistemului de comunicaie
Pierderi
Pierderile P
i
sunt exprimate n decibeli (dB) la fiecare lungime de und
i
,
prin relaia:
P
i
= 10
i
0
lg
u
u
(7. 2)
unde u
i
este puterea optic injectat n linia de transmisie i u
0
este puterea
incident la
i
.
Diafonie
La cellalt capt al fibrei, semnalele la diferite lungimi de und sunt
separate de un demultiplexor care, la fel ca multiplexorul, trebuie s aib
pierderi minime. Diafonia optic, D
ij
, ntre canalul i i canalul j, este:
D
ij
= 10
ij
jj
lg
u
u
(7. 3)
unde u
ij
este puterea optic rezidual a canalului i la lungimea de und
i
n
canalul j i u
jj
puterea optic de ieire n canalul j la lungimea de und
j
.
Diafonia optic total n canalul j este:
D
j
= 10
ij
i j
jj
lg
=
| | u
|
|
u
|
\ .

(7. 4)
Acest defect este datorat numai demultiplexorului cnd sunt folosite
surse cu lrgimi spectrale mult mai mici dect banda de trecere spectral a
multiplexorului.
7.1.5. Consideraii asupra sistemului de comunicaie
Banda finit, B
c
, a purttorilor optici impune anumite constrngeri asupra
tehnicilor de transmisie posibile. Cnd se produc fluctuaii de amplitudine a
purttorilor cu constante de timp mai mici de
c
1
B
, banda mesajului, B
m
, care
poate fi transmis trebuie s fie mai mic dect B
c
. Folosind un receptor cu o
band B
R
= B
m
, se poate obine o medie a celor mai rapide fluctuaii de
amplitudine. Principiul acestui proces de detecie a fost discutat anterior.
Variabila Q(t) mediat pe intervale de timp de lungime 1/2B
R
a fost folosit
ca descrierea msurabil a anvelopei optice.
O metod de transmitere mai direct dect codificarea optic ar putea
consta dintr-o modulaie a anvelopei de forma:
Q(t) = Q [1 + s(t)] (7. 5)
unde s(t) este un mesaj avnd amplitudinea pulsului unitar media nul i
banda B
R
.
231
De exemplu, s(t) ar putea fi un semnal vocal (o convorbire telefonic)
sau un mesaj video (de televiziune). n orice semnal de acest fel, zgomotul
trebuie s fie foarte mic pentru a asigura recepia adecvat n prezena
semnalelor slabe. Pentru video, de exemplu, puterea maxim a semnalului n
puls trebuie s fie cu 46 ordine de mrime mai mare dect zgomotul la
semnale de amplitudine mic. n termeni relativi la fotoperechi primare,
puterea semnalului n puls este
2
Q (
2
), n timp ce zgomotul pentru un semnal
s(t) foarte slab poate fi aproximat de abaterea
2
Q (
2
) + j
2
a distribuiei
Gauss. Pentru amplificatoare tipice cu tranzistori bipolari j = 100 i, deci, cel
puin Q = 10
5
10
6
perechi trebuie s fie produse. Multiplicarea n avalan
este de mic valoare n aceste condiii de raport semnal-zgomot mare, n timp
ce abaterea zgomotului cuantic, Q , este de acelai ordin de mrime ca
abaterea zgomotului Johnson, j
2
. n cazul unor semnale video de 5 MHz, este
necesar o putere optic de 1 W pentru producerea a aproximativ 10
6

perechi necesare.
Pe lng acest lucru, forma modulaiei impune condiii stricte asupra
liniaritii canalului i asupra particularitilor sursei, att timp ct chiar
neliniariti foarte mici produc armonici intolerabile ale semnalului. Cele mai
critice pot fi evitate cu forme de modulaie mai sofisticate.
Figura 7.5 reprezint nivelurile puterii optice disponibile de la surse
tipice i nivelurile de putere necesare n cazul transmiterii video analogice cu
raport semnal-zgomot ntre 10
4
10
6
. Este de asemenea, reprezentat i
puterea necesar pentru recepia digital, calculat n paragraful 4.1.
Transmisiunea digital a semnalelor audio sau video necesit o band de
aproximativ 8 ori mai mare dect pentru transmisia analogic.
Un semnal video este aproximativ echivalent cu 1000 de semnale
audio. Deci, un semnal video de 5 MHz sau 1000 semnale audio trebuie
comparate cu un mesaj digital de 80 Mbit/s. Figura 7.5 arat c aceast
informaie poate fi transmis printr-un canal laser digital avnd pierderi de 50
dB, printr-un un canal laser analogic sau LED digital, cu pierderi de 30 dB,
sau printr-un canal LED analogic cu pierderi de 15 dB.
Sistemele optice analogice cu band ngust trebuie desigur s fie
comparate cu sistemele de transmisie prin cablu coaxial, care admit de
asemenea o pierdere de semnal 30 dB sau mai mult pe canalul de transmisie.
n contrast pierderile n fibre, pierderile n cablul coaxial variaz n general
foarte mult n funcie de banda mesajului, astfel nct n receptor este
necesar o egalizare corect.
Transmisia digital audio prin perechi de fibre este folosit n reelele
telefonice deoarece ea permite refacerea repetat a semnalelor cu o scdere a
calitii neglijabil. Semnalele tipice 24 audio sunt codificate n formatul dat
232
de modulaia n puls codificat, multiplexate i transmise pe aceeai pereche
de fire. Pentru o capacitate informaional de peste 500 de circuite audio, sau
pentru unul sau mai multe circuite digitale video, canalul din fibr are un
avantaj evident fa de cablul coaxial datorit benzii de transmisie largi i
caracteristicilor de pierderi uniforme. Semnalele video, audio i de date pot fi
combinate pe acelai cablu de fibre optice.


Fig. 7.5 Puterea optic medie disponibil de la surse de lumin tipice i cea
necesar fotoreceptorilor la transmisia analogic i digital

Datorit disponibilitii surselor de GaAs, dezvoltarea iniial a
sistemelor de transmisie prin fibre optice s-a concentrat n banda de lungimi
de und dintre 800 i 900 nm, unde pierderile fibrei sunt de 36 dB/km.
Distanele de transmisie erau limitate de aceast pierdere la valori de pn la
816 km pentru canalele digitale cu laser lucrnd n domeniul 50 Mbit/s.
Trecerea la domeniul 1300 nm, unde pierderea scade sub 1 dB/km i banda
canalului depete 1 GHz/km, chiar i pentru surse LED, a extins foarte mult
domeniul i potenialul sistemului de comunicaie prin fibre optice. Pe baza
datelor din figura 7.5, distana posibil de transmisie pentru sisteme digitale
cu LED ntre 30 300 Mbit/s este limitat de banda de transmisie
(aproximativ 1 GHz/km) la aproximativ (B
m
)
1
GHz/km dac pierderea n
233
fibra instalat este de maxim 1,5 dB/km. Deci, 140 Mbit/s pot fi transmii la
o distan de 14 km fr regenerare. Semnalele generate de laser transmise
prin fibre monomod permit transmiterea fr refacerea semnalului pe distane
depind 50 km.
n general, pentru a transmite informaii este nevoie ca raportul
semnal/zgomot s nu scad sub un anumit prag. n cazul comunicaiilor prin
fibre optice, comunicaii digitale, cum standardul obinuit impune o rat de
erori de 1/10
9
bii, este necesar ca semnalul util s nu scad sub nivelul de
500 fotoni/bit (pentru o radiaie infraroie cu lungimea de und 1,5 m).
Considernd puterea optic medie a unei diode laser de ordinul a 1 mW
(nsemnnd 10
16
fotoni pe secund), la un debit de informaie de 1 Gbit/s
corespunde un numr de 10
7
fotoni pe bit, ceea ce duce la faptul c, la o
transparen de 95 %, pragul de 500 fotoni pe bit este atins dup o distan de
ordinul a 200 km.
Pentru extinderea distanei peste aceste valori, se folosesc repetoare
optoelectronice. Acestea sunt alctuite dintr-o fotodiod care convertete
semnalul optic ntr-unul electric, un amplificator (amplificarea este nsoit i
de refacerea formei semnalului i filtrajul zgomotului), un circuit basculant i
o diod laser pentru conversia semnalului electric n semnal optic. Aceste
repetoare determin ns o limitare a debitului maxim transmis, limitare
impus de electronica folosit n construcia acestora.
Din aceast cauz, repetitoarele optoelectronice au nceput s fie
nlocuite, ncepnd cu sfritul anilor 80, de amplificatoare optice cu fibr de
sticl dopat cu erbiu, care funcioneaz pe un principiu analog cu cel al
laserului (amplificare stimulat a radiaiei). Amplificarea este datorat
dezexcitrii stimulate a ionilor de erbiu, inversia de populaie fiind realizat
prin pompajul optic cu ajutorul unei diode laser cu lungimea de und de 0,98
m sau 1,48 m. Se pot obine amplificri n putere de ordinul a 10
2
10
4
.
Avantajul acestor sisteme este c se elimin conversia optic-electric i invers,
care impune limitri severe. Pe de alt parte, cu astfel de dispozitive, mai
multe canale optice de lungimi de und diferite pot fi amplificate simultan.
Amplificatoarele optice au cteva caliti eseniale: insensibilitatea la
tipul de polarizare a undei electromagnetice, absena distorsiunilor la
amplificare, compatibilitatea cu fibrele optice standard (lipsa reflexiilor
parazite), pierderi energetice minime la conexiuni, zgomot redus,
insensibilitate la variaii de temperatur ntr-un domeniu larg ( 40 C + 60
C), band de frecvene larg (100 3000 GHz).
Un alt aspect al modernizrii transmisiilor prin fibre optice este cel
referitor la nlocuirea multiplexrii temporale, realizate electronic, avnd
limitri tehnologice sau economice, cu multiplexarea n lungime de und
(Wavelength-Division Multiplexing WDM), la care realizarea practic este
234
efectuat de componente optice pasive, n mod asemntor cu
descompunerea culorilor la trecerea printr-o prism optic.
Aceste tehnici au totui i ele limitri (10 Gbit/s la distane de cel mult
10000 km) datorit fenomenelor de dispersie (cromatic, neliniar etc.).
Dispersia cromatic duce la limitarea debitului prin faptul c, cu ct
acesta este mai ridicat, cu att impulsurile sunt mai scurte i mai apropiate
unele de altele, ducnd pn la suprapunerea acestora i la imposibilitatea
decelrii lor individuale.
Dispersia neliniar nu permite creterea arbitrar a energiei
semnalului pentru a diminua rata erorilor; peste un anumit prag al intensitii,
efectul dispersiei liniare duce la creterea acestei rate.
Soluia depirii acestor limitri vine din partea transmisiei solitonice.
Impulsul luminos (pachetul de unde) este constituit din mai multe unde
sinusoidale (moduri), fiecare caracterizat de o anumit amplitudine i o
anumit frecven. Ca urmare a dispersiei cromatice, n timp pachetul de
unde tinde s se destrame (are loc lrgirea temporal a lui). La intensiti
suficient de mari, se produce efectul electrooptic ptratic (efectul Kerr), care
face ca indicele de refracie al materialului (i, deci, viteza de propagare a
undei) s depind de intensitate. Dac acest efect este exploatat de aa natur
nct el s compenseze exact efectul de dispersie cromatic, impulsul se
propag fr deformare, conservndu-i integritatea: aceasta este unda
solitar sau solitonul. Comunicaiile solitonice au atins debite de 20 100
Gbit/s, fa de cele clasice, care sunt limitate la maxim 10 Gbit/s.
Alte limitri n funcionarea sistemelor de comunicaii prin fibre
optice sunt cele legate de fluctuaiile statistice n intensitatea semnalului, care
determin un zgomot de fond parazit.

7.2. Utilizarea benzii fibrei optice de ctre mai muli utilizatori
7.2.1. Utilizarea n comun a mediului de transmisie. Multiplexarea
Imensa lrgime de band pe care o asigur comunicaia prin fibr
optic ar fi utilizat cu totul neeconomic dac ea ar fi folosit pentru o
singur necesitate particular de comunicaie. Mult mai eficient este
utilizarea n comun a sistemului de comunicaie, pentru mai multe scopuri.
Tehnica utilizat pentru a obine acest lucru este numit multiplexare. Ea nu
este specific sistemelor de comunicaie prin fibr optic, ci se poate folosi
pentru orice mediu de transmisie (cablu, microunde etc.) unde banda
disponibil depete cu mult nevoile unei comunicaii individuale.
Conceptual, multiplexarea este ilustrat n Figura 7.6. Aceasta prezint n
perechi surs-utilizator. Exist un multiplexor (MUX), care preia datele
provenind de la cele n surse (S
1
, S
2
, , S
n
) i le combin ntr-un flux comun,
pe care l trimite prin fibra optic la cei n utilizatori (R
1
, R
2
, R
n
). La
235
cellalt capt al sistemului de comunicaie, demultiplexorul (DEMUX) preia
fluxul de informaii din fibr, separ diferitele date i le transmite spre
utilizatorul corespunztor.
Conexiunile de la surse la multiplexor i de la demultiplexor la
utilizatori se numesc circuite de capt (tail circuit), iar cea dinte multiplexor
i demultiplexor (fibra optic, n acest caz), este numit legtur compus,
mixt (composite link). Perechile surs-utilizator nu trebuie s fie obligatoriu
de acelai tip. Ele pot fi tipuri total diferite de echipamente de date, servind
unor aplicaii diferite i cu caracteristici de vitez diferit.
Sunt dou tehnici pentru realizarea multiplexrii n sistemele de
comunicaii prin fibr optic. Acestea sunt multiplexarea prin divizare n
timp (Time Division Multiplexing TDM) i multiplexarea prin divizare n
lungime de und (Wavelength Division Multiplexing WDM).


Fig. 7.6 Schem conceptual a procesului de multiplexare. O singur fibr
optic este folosit n comun de mai multe canale de comunicaie optic

7.2.2. Multiplexarea prin divizare n timp (TDM) pe cabluri de
fibr optic
n TDM, a multitudine de legturi de comunicaie, fiecare pentru o
pereche surs-utilizator dat, mpart acelai cablu de fibr optic n timp.
Multiplexorul stabilete o secven continu de intervale de timp, utiliznd un
ceas. Durata acestora depinde de un numr de diferii factori de proiectare,
cel mai important fiind viteza de transmisie necesar pentru diferitele
legturi. Fiecare legtur de comunicaie este alocat unui interval de timp
specific, un canal TDM, pe parcursul cruia este permis trimiterea de date
de la surs la utilizator. n acest timp, nici unei alte legturi nu i este permis
transmisia de date. Multiplexorul preia datele de la sursele conectate la el, le
ncarc n canalul TDM corespunztor, iar la cellalt capt al cablului,
demultiplexorul descarc datele din fiecare canal i le trimite la utilizatorul
corespunztor.

MUX

DEMUX
S
1
S
2
S
n
R
1
R
2
R
n
fibr optic
236
7.2.3. Multiplexarea prin divizarea n lungime de und (WDM) pe
cabluri de fibr optic
Telecomunicaiile optice permit transmisia unor semnale analoage sau
digitale de pn la civa GHz sau Gb/s pe o und purttoare de foarte nalt
frecven, tipic 186 196 THz. n fapt, viteza de transmisie a datelor poate fi
crescut mai mult, folosind mai multe unde purttoare care se propag fr
vreo interaciune semnificativ n aceeai fibr. Este evident c fiecare
frecven corespunde unei lungimi de und diferite. Aceast tehnic se
numete multiplexare prin divizarea frecvenei (Frequency Division
Multiplexing FDM) sau multiplexare prin divizarea lungimii de und
(Wavelength Division Multiplexing WDM). Cel de-al doilea termen este
preferat de obicei, n majoritatea cazurilor. Multiplexarea prin divizarea
dens a lungimii de und (Dense Wavelength Division Multiplexing
DWDM) este rezervat pentru o spaiere foarte strns a frecvenei (tipic, mai
puin de 100 GHz, corespunztor la 0,8 nm la lungimi de und n jurul valorii
de 1,5 m).
n WDM (figura 7.7), o multitudine de legturi de comunicaie,
fiecare pentru o pereche surs-utilizator dat, mpart acelai cablu de fibr
optic pe baza divizrii n lungime de und. Datele de la fiecare surs sunt
atribuite unei lungimi de und optice. Multiplexorul conine circuite de
modulaie i transmisie i moduleaz fiecare canal de date de la fiecare surs.


Fig. 7.7 Schem conceptual a procesului de multiplexare prin divizarea
lungimii de und

Dup procesul de modulaie, semnalul optic rezultat, generat pentru
fiecare canal de date de la fiecare surs, este plasat pe o purttoare de
lungime de und atribuit. Apoi, multiplexorul cupleaz totalitatea
semnalelor optice generate, pentru toate canalele de date de la surse, n cablul
de fibr optic. Aceste semnale optice de lungime de und diferit se propag
simultan, spre deosebire de TDM.

MUX

DMX

n fibr optic
237
La utilizator, demultiplexorul primete aceste semnale optice simultan
i le separ conform diferitelor lungimi de und (operaia de demultiplexare),
corespunztor diferitelor canale de date surs-utilizator. Acestea sunt n
continuare demodulate i furnizate utilizatorilor respectivi.
WDM a primit o imens atenie n contextul problemelor legate de
reelele de arie larg (Wide Area Networks WAN). Att sistemele de
televiziune prin cablu (CATV), ct i cele de telecomunicaie utilizeaz din
ce n ce mai mult WDM pentru a mri capacitatea reelelor de fibr optic
instalate. n mediul WAN, multiplicitatea canalelor printr-o singur fibr a
crescut imens prin utilizarea WDM. Aceast cretere a dus la termenul
multiplexare prin divizarea dens n lungime de und (DWDM), pentru a
descrie noile tehnici WDM utilizate.
Conceptul de multiplexare optic dateaz din anii 50 ai secolului XX
i ea reprezint o transpunere a tehnicilor folosite n telecomunicaiile clasice
cu semnale electronice. Primele componente practice pentru multiplexare au
fost propuse prima dat n anii 70.
n prezent, majoritatea reelelor instalate utilizeaz o separare ntre
canale de 0,8 nm. Standardul Uniunii Internaionale de Telecomunicaii
(International Telecommunication Union ITU) propune o gril de frecvene
cu separare de 100 GHz (aproximativ 0,8 nm), cu multipli i submultipli. La
o prim privire, o fibr fr OH ar permite 1.000 de canale la spaiere de 50
GHz. Desigur, sunt unele limitri care apar. Principala problem este
diafonia (crosstalk), datorat defectelor tehnice n demultiplexor, dar i
problemelor fizice, cum este conversia lungimii de und de-a lungul fibrei
prin FWM, SBS, SRS, sau alte efecte neliniare.

238
8. Elemente de optic integrat

239
9. Senzori cu fibr optic
Senzorii cu fibr optic sunt adesea grupai n dou clase: senzori cu
fibr optic extrinseci, sau hibrizi i senzori cu fibr optic intrinseci, sau
integrali. Figura 9.1 ilustreaz cazul unui senzor cu fibr optic extrinsec sau
hibrid.



Fig. 9. 2 Senzor cu fibr optic extrinsec

n acest caz, o fibr optic duce spre o cutie neagr, care imprim
informaia n fasciculul de lumin transmis prin fibr, ca rspuns la un
fenomen din mediul nconjurtor. Informaia poate fi imprimat ca
intensitate, faz, frecven, polarizare, coninut spectral sau alte metode. O
fibr optic transmite apoi lumina cu informaia imprimat spre un procesor
optic i/sau electronic. n unele cazuri, fibra optic de intrare acioneaz i ca
fibr de ieire.
Senzorul cu fibr optic intrinsec, sau integral, prezentat n figura 9.2,
utilizeaz o fibr optic pentru a transmite fasciculul de lumin i fenomenul
din mediul nconjurtor imprim informaia n acesta n timp ce este n fibr.



Fig. 9. 2 Senzor cu fibr optic intrinsec, n care fasciculul de lumin ce se
propag prin fibra optic este modulat de fenomenul din mediul nconjurtor

Fiecare dintre aceste clase au, la rndul lor, mai multe subclase.
n unele cazuri, cel mai simplu tip de senzor cu fibr optic este tipul
hibrid, care se bazeaz pe modulaia de intensitate. Figura 9.3 prezint un
senzor de vibraie sau nchidere, care const din dou fibre optice care sunt
240
inute una n apropierea celeilalte. Lumina este injectat n una dintre fibrele
optice i cnd iese, este expandat ntr-un con de lumin al crui unghi
depinde de diferena dintre indicele de refracie al miezului i nveliului
fibrei optice. Cantitatea de lumin captat de cea de-a doua fibr optic
depinde de unghiul su de acceptan i de distana d dintre fibre. Cnd
distana d este modificat, rezult o modulaie de intensitate a luminii captate.


Fig. 9. 3 Senzor de vibraie i nchidere

O variant a acestui tip de senzor este prezentat n figura 9.4. Aici
este utilizat o oglind care este montat flexibil, pentru a rspunde unui
efect extern, cum ar fi presiunea. Cnd poziia oglinzii se modific, separarea
dintre fibrele optice se modific, avnd drept rezultat modulaia de
intensitate. Aceste tipuri de senzori sunt utili pentru aplicaii cum sunt
nchiderea uilor i ferestrelor.



Fig. 9. 4 Senzor cu oglind flexibil

Prin aranjarea a dou fibre optice n paralel, poate fi configurat un
senzor simplu de translaie, ca n figura 9.5. Ieirea de la cei doi detectori
poate fi proporionat pentru a determina poziia de translaie a fibrei de
intrare.

241


Fig. 9. 5 Senzor de translaie cu fibr optic

S-au dezvoltat senzori cu fibr optic de poziie de rotaie i liniar,
care au ca scop eliminarea interferenelor electromagnetice pentru a
perfeciona protecia a reduce nevoia de ecranare i, deci, gabaritul. Figura
9.6 prezint un senzor de poziie de rotaie care const dintr-o plac codat,
cu zone de reflectan variabil, plasate astfel ca fiecare poziie are un cod
unic. O serie de fibre optice sunt utilizate pentru a determina prezena sau
absena unei anumite zone.



Fig. 9. 3 Senzor de poziie de rotaie bazat pe msurarea reflectanei unor
zone ntunecate i luminoase

Un exemplu de senzor de poziie liniar utiliznd multiplexarea prin
divizarea lungimii de und este ilustrat n figura 9.7. Aici, o surs de lumin
de band larg, care poate fi o diod emitoare de lumin (LED) este
utilizat pentru a cupla lumina n sistem. O singur fibr optic este utilizat
pentru a transmite fasciculul de lumin pn la elementul de multiplexare
prin divizarea lungimii de und (WDM) care mparte lumina n fibre
separate, care sunt utilizate pentru a interoga o cartel de codare i determina
poziia liniar. Dreptunghiurile de pe cartel reprezint zone de mare
reflectan, iar restul suprafeei are o reflectan sczut. Semnalele reflectate
sunt apoi recombinate i separate printr-un al doilea element de multiplexare
prin divizarea lungimii de und, astfel nct fiecare semnal este citit de un
detector separat.

242


Fig. 9. 7 Senzor de poziie liniar utiliznd multiplexarea prin divizarea
lungimii de und

O a doua metod de interogare la un senzor de poziie utiliznd o
singur fibr optic este metoda multiplexare prin divizarea timpului (TDM).
n figura 9.8, sursa de lumin este pulsant. Pulsurile de lumin se propag
prin fibra optic i se mpart prin multiple fibre de interogare. Fiecare dintre
aceste fibre este aranjat astfel ca ele s aib linii de ntrziere care separ
semnalul de ntoarcere de la cartela de codare printr-un interval de timp care
este mai lung dect durata pulsului. Cnd semnalele de ntoarcere sunt
recombinate pe detector, rezultatul este un semnal codat corespunznd
poziiei cartelei de codare.



Fig. 9. 8 Senzor de poziie liniar utiliznd multiplexarea prin divizarea
timpului

Principalele avantaje ale senzorilor de poziie cu fibr sunt imunitatea
la interferenele electromagnetice i gabaritul redus.
O alt clas de senzori cu fibr optic bazai pe msurarea intensitii
este cea care folosete principiul reflexiei totale. n cazul senzorului din
figura 9.8, lumina se propag prin miezul fibrei i ajunge la captul nclinat al
243
acesteia. Dac mediul n care este plasat captul fibrei are un indice de
refracie suficient de mic, atunci practic toat lumina este reflectat i se
ntoarce n fibr. Dac indicele de refracie al mediului se apropie de cel al
sticlei, o parte din lumin se propag n afara fibrei optice i este pierdut,
rezultnd o modulaie de intensitate.



Fig. 9. 9 Senzor cu fibr pentru msurri de presiune/indice de refracie

Acest tip de senzor poate fi utilizat pentru msurarea presiunii sau a
modificrii indicelui de refracie ntr-un lichid sau gel cu o acuratee de 10%.
Aceast metod poate fi folosit i pentru msurarea nivelului unui lichid aa
cum se prezint situaia din figura 9.10.



Fig. 9. 10 Senzor cu fibr pentru msurri de nivel al lichidului

Confinarea propagrii fasciculului de lumin n regiunea miezului
fibrelor i transferul de putere ntre dou miezuri de fibr plasate foarte
apropiat pot fi utilizate pentru obinerea unor senzori cu fibr bazai pe
evanescen. Figura 9.11 ilustreaz un astfel de senzor. Pentru o fibr optic
monomod, distana dintre miezurile fibrelor este de ordinul a 10 20 m.

244


Fig. 9. 11 Senzor cu fibr optic bazat pe evanescen

Cnd este utilizat o fibr monomod, apare o scurgere considerabil
de energie din fasciculul de lumin n jurul regiunii miezului, n nveli sau n
mediul din jur. Dac un al doilea miez de fibr este plasat n regiunea de
evanescen a primului, apare o tendin de cuplare a miezurilor adiacente.
Cuplajul depinde de un numr de parametri, printre care lungimea de und a
luminii, indicele de refracie relativ al mediului n care sunt plasate miezurile
de fibr, distana dintre miezuri i lungimea de interacie. Acest tip de senzor
cu fibr poate fi utilizat pentru msurarea lungimii de und, a indicelui de
refracie i observarea unor fenomene din mediul nconjurtor acionnd
asupra mediului din jurul miezului (temperatur, presiune i tensiuni
mecanice). Dificultatea la acest tip de senzor, care este comun mai multor
senzori cu fibr, este optimizarea proiectrii, astfel nct s fie detectai
numai parametrii dorii.



Fig. 9. 12 Senzor cu fibr optic bazat pe evanescen

Un alt mod n care lumina se poate pierde din fibra optic este atunci
cnd raza de curbur a fibrei depete unghiul critic necesar pentru
confinarea luminii n zona miezului i apare o scurgere n nveli. Micro-
ndoiturile locale ale fibrei pot determina astfel o modulaie de intensitate a
245
luminii ce se propag prin fibra optic. Au fost construii senzori cu fibr
bazai pe micro-ndoituri, pentru detecia vibraiilor, presiunii i a altor
mrimi caracteristice fenomenelor din mediul nconjurtor. Figura 9.12
prezint un dispozitiv tipic, constnd dintr-o surs de lumin, o seciune de
fibr optic poziionat ntr-un traductor cu micro-ndoituri, proiectat s
moduleze intensitatea luminii ca rspuns la un fenomen din mediul
nconjurtor i un detector.
Un ultim exemplu de senzor bazat pe intensitate este dispozitivul cu
reea, prezentat n figura 9.13. Aici, un fascicul de lumin este colimat de o
lentil i trece printr-un sistem cu dubl reea. Una din reele este fix, iar
cealalt este mobil. Rezult modificri n intensitatea semnalului modulat la
ieirea din fibra optic, care sunt n funcie de acceleraia cu care se modific
poziia relativ a reelelor.



Fig. 9. 13 Senzor de intensitate cu fibr, cu reea, pentru msurarea
vibraiilor sau acceleraiei

O limitare a acestui tip de dispozitiv este datorat modificrilor n
sensibilitatea senzorului cnd reelele se deplaseaz din poziia de
transparen total n cea de opacitate total.
O categorie distinct de senzori este cea a senzorilor spectrali cu fibr
optic, care se bazeaz pe modularea n lungime de und a unui fascicul de
lumin, de ctre un fenomen din mediul nconjurtor. Exemple de astfel de
tipuri de senzori includ pe cei bazai pe radiaia corpului negru, absorbie,
fluorescen, etaloane i reele dispersive.
Unul dintre cei mai simpli senzori de acest tip este cel descris n
figura 9.14. O cavitate cu rol de corp negru este plasat la captul unei fibre
optice. Cnd temperatura cavitii crete, ea ncepe s radieze i acioneaz
ca o surs de lumin.

246


Fig. 9. 14 Senzor spectral ce permite msurarea temperaturii

Senzorul utilizeaz detectori n combinaie cu filtre de band ngust
pentru determinarea profilului radiaiei, din care se obine temperatura (la
peste 300 C). Performana i precizia acestui tip de senzor sunt mai bune
temperaturi mai mari i scade drastic la temperaturi n jurul a 200 C, datorit
raportului semnal-zgomot mic.
Un alt tip de senzor spectral de temperatur este prezentat n figura
9.15 i este bazat pe absorbie. n acest caz, este utilizat o prob din GaAs,
n combinaie cu surs de lumin de band larg i fibre optice. Profilul de
absorbie al probei este dependent de temperatur i poate fi utilizat pentru a
determina temperatura.



Fig. 9. 15 Senzor cu fibr optic bazat pe absorbana variabil a unui
material (GaAs), care permite msurarea temperaturii i presiunii

Senzorii cu fibr bazai pe fluorescen sunt larg utilizai pentru
aplicaii medicale, n chimie i pentru msurarea unor parametri fizici, ca
temperatura, viscozitatea i umiditatea. Sunt diferite configuraii pentru aceti
senzori, dintre care una este cea a senzorului n care lumina se propag prin
fibr spre o prob de material fluorescent plasat la captul acesteia. Semnalul
fluorescent rezultat este captat de aceeai fibr i direcionat napoi, spre un
demodulator de ieire. Sursele de lumin pot fi n pulsuri i sunt disponibile
probe al cror rspuns depinde de viteza de scdere a intensitii pulsului de
lumin.
247
n modul continuu, pot fi monitorizai parametri ca viscozitatea,
coninutul de vapori de ap, procentul de coninut de fibr de carbon n
materialele compozite epoxy i termoplastice.
O variant este cea care utilizeaz proprietile de evanescen ale
fibrei prin gravarea regiunilor din nveliul fibrei i umplerea golurilor cu
material fluorescent.
Sunt n uz, de asemenea, senzori cu fibr optic interferometerici.
Senzori cu fibr optic s-au dezvoltat i utilizat n dou direcii
majore. Prima este ca nlocuitor direct pentru senzorii existeni, unde
senzorul cu fibr ofer avantajul de performan semnificativ mbuntit,
fiabilitate, siguran i/sau cost.
Astfel, se urmrete nlocuirea tehnologiei convenionale cu senzori
electronici prin tehnologii cu senzori cu fibr optic, ce ofer senzori cu
imunitate relativ la interferene electromagnetice, reduceri semnificative n
gabarit i siguran n funcionare crescut.
A doua direcie de dezvoltare a senzorilor cu fibr optic este n
domeniile de aplicaie noi.
n industrie, senzorii cu fibr s-au dezvoltat n special pentru procesul
de control. O alt arie n care senzorii cu fibr optic sunt utilizai pe scar
larg este domeniul medicinii, unde acetia sunt utilizai pentru msurarea
unor parametri i a nivelului de dozare a unor medicamente. Deoarece aceti
senzori sunt complet pasivi, ei tind s nlocuiasc rapid alte tipuri de senzori
n acest domeniu. Industria de automobile, cea de construcii i alte domenii
tradiionale de utilizare a senzorilor rmn nc dependente de tehnicile
clasice, n principal datorit costurilor, dar o schimbare a situaiei este de
ateptat ca urmare a perfecionrilor n optoelectronic, ce continu s aib
loc.
248
10. Stocarea optic a informaiei
10.1. Construcia compact-discurilor; codificarea datelor
Un compact disc (disc optic) are un diametru de 120 mm (~ 4,72 inci)
sau 80 mm (~ 3,15 inci) i o grosime de 1,2 mm. Gaura central are un
diametru de 15 mm. Discul este confecionat din policarbonat (un material
plastic transparent) i datele sunt nscrise pe una din suprafee. Aceasta este
acoperit cu un strat subire de aluminiu, care reflect lumina i permite
citirea informaiei inscripionate cu ajutorul unui laser n unitatea CD.
Informaia este stocat sub forma unei structuri de adncituri microscopice
inscripionate pe spiral care pleac din centrul discului i ajunge la marginea
acestuia. Pentru evitarea prejudicierii stratului metalic, peste acesta este
aplicat un lac protector.
nainte de fabricarea n serie a discului, trebuie realizat iniial un
exemplar master, prin aa-numitul proces de mastering Se ncepe cu
pregtirea datelor. Diferitele fiiere i date sunt aranjate n structuri logice,
conform standardelor industriale, este generat apoi o imagine a CD-ROM-
ului, sunt adugate informaii de sincronizare, un header i coduri pentru
detectarea i corectarea erorilor. Pentru toat informaia ce urmez a fi
stocat pe compact disc este creat un fiier imagine, care este scris pe o band
magnetic. Cea mai convenabil cale pentru a testa un CD nainte ca el s fie
produs ntr-un mare numr de exemplare este producerea unui CD-R, care
poate reprezenta baza produciei CD-ului.
n procesul de mastering, informaia este transferat de ctre un
dispozitiv de nregistrare laser (Laser Burn Recorder - LBR) pe stratul
fotosensibil depus pe un disc de sticl numit glass master. Acest proces
special este numit imaging. Imediat dup expunerea laser, discul de sticl
master este developat prin aplicarea pe suprafaa masterului a unei substane
de developare, astfel nct n stratul fotosensibil este gravat modelul
adnciturilor. Masterul de sticl este pregtit pentru etapa urmtoare de
producie prin depunerea unui strat de argint pe suprafaa fotosensibil. n
acest moment, masterul de sticl are trei straturi: sticla, fotorezistul cu
modelul de adncituri i stratul de argint. n final, ntr-o baie de acoperire,
masterul este acoperit cu un strat de nichel. Stratul de nichel formeaz
discul-tat (father part), care este apoi separat de masterul de sticl i
reprezint o imagine oglind a acestuia; n locul adnciturilor, pe suprafa
apar mici ridicturi. Din acest disc-tat este produs discul-mam, din care
se obin mai multe discuri-fii, care sunt copii (imagini) ale discului-tat.
Matria pentru producerea CD-urilor este discul-tat sau un disc-fiu. Ea este
plasat ntr-o main de injectat mase plastice, unde, pe suprafaa ei se toarn
un strat de policarbonat. Apoi, discul de policarbonat obinut este acoperit cu
249
un strat metalic, astfel nct pe suprafaa de policarbonat este creat modelul
de adncituri, corespunznd masterului. Apoi este aplicat un lac protector.
Deci, diferitele stadii ale producerii unui CD sunt: dezvoltarea
aplicaiei; pregtirea datelor; pre-mastering; mastering; multiplicare;
etichetare; ambalare.
Toate dispozitivele de stocare optic utilizeaz pentru citirea
informaiei de pe disc un fascicul laser. Acest fascicul este generat de un mic
laser cu GaAs. Pentru citirea informaiei, fasciculul laser este focalizat pe
spirala cu adncituri de pe disc. Lumina este reflectat n moduri diferite de
adncituri i de zona plan dintre acestea. La ntlnirea unei adncituri,
lumina este difractat, n timp ce lumina ce cade pe zona plan dintre
adncituri este reflectat i poate fi detectat de un fotodetector. Pentru a citi
informaia de pe disc, raza laser trebuie s fie focalizat ntr-un spot circular
de dimensiuni foarte mici. Adnciturile au o lime de 0,6 m i adncimea
de 0,12 m, lungimea adnciturilor sau a zonelor plane dintre ele putnd fi de
0,833 3,56 m. Astfel, densitatea pistelor este de aproximativ 16000
urme/inci (tracks per inch - tpi). Pentru comparaie, un floppy-disc are 96 tpi
i un hard-disc cteva sute. Lungimea pistei unui disc de 120 mm este de
aproximativ 6,5 km.
Exist dou tehnici de scriere i citire a informaiei stocate optic.
Aceste tehnici sunt numite CLV i CAV, fiind utilizate iniial pentru diferite
tipuri de video-disc.
CAV (Constant Angular Velocity) este tehnica n care discul se
rotete cu o vitez de rotaie constant, de 1800 rotaii/min (rpm) pentru
standardul NTSC, sau 1500 rpm pentru PAL i SECAM. Astfel, pe fiecare
fa a unui video-disc pot fi stocate 36 de minute de informaie video. Pista
CAV nu este continu de la centru spre exterior ntr-o singur linie; sunt mai
multe piste, aranjate sub form de inele concentrice cresctoare n diametru
de la centru spre exterior. Fiecare pist stocheaz o imagine video. Video-
discul CAV este utilizat pentru aplicaii interactive.
CLV (Constant Liniar Velocity) este tehnica n care discul nu se
rotete cu o vitez constant, ci variabil, n aa fel nct fasciculul laser
parcurge pista i citete informaia cu vitez liniar constant. Astfel, cnd
fasciculul laser este localizat spre centrul discului, acesta se rotete cu vitez
mai mare, n timp ce atunci cd fasciculul laser citete o zon aflat spre
exteriorul discului, acesta se rotete cu o vitez mai mic. Viteza de rotaie a
unui disc CLV variaz ntre 500 i 1800 rpm (spectrul de la cea mai mic la
cea mai mare vitez depinde de sistemul video, NTSC, PAL sau SECAM).
CLV permite nregistrarea a aproximativ 60 minute de informaie video pe o
fa a video-discului. Exist ns i dezavantaje ale acestei tehnici: nu se
poate avea acces aleatoriu la o imagine oarecare, nu se pot reda imagini cu
250
ncetinitorul sau cu derulare rapid i nu se poate obine o imagine static
(stop-cadru).
Pe un video-disc sunt nregistrate semnale analoage. n schimb,
informaia pe un compact disc este stocat complet digital. Astfel, avantajul
capacitii mai mari a CLV poate fi combinat cu accesul aleatoriu la orice
informaie de pe disc. Toate compact-discurile opereaz cu tehnica CLV.
Viteza de rotaie variaz ntre 200 i 500 rpm. Timpul mediu de acces la
informaia de pe un compact disc este mare (n comparaie cu un harddisk)
deoarece este necesar un anumit timp pentru ajustarea vitezei de rotaie
corespunztoare locaiei citite. Unitile CD-ROM de calitate au un timp
mediu de acces de sub 300 ms.
Aparent, s-ar putea crede c este foarte simplu de codificat informaia
pe un compact disc: 1 pentru adncituri i 0 pentru zona plan, sau invers. n
realitate, lucrurile nu stau chiar aa: adnciturile, ca i zonele plane reprezint
0 logic, iar 1 logic reprezint tranziia de la o adncitur la o zon plan sau
invers. Lungimea adnciturilor i a zonelor plane indic numrul de zerouri.
Reprezentarea biilor printr-un model de adncituri i zone plane
necesit utilizarea aa-numiilor bii-canal (channel-bits). Prin codificarea
unei succesiuni de bii utiliznd adncituri i zone plane este imposibil s se
reprezinte succesiuni de 1. Chiar i prin utilizarea celor mai scurte adncituri
i zone plane posibile, vor fi mereu doi 0 ntre doi 1. Dac tranziiile ar fi mai
apropiate, ele nu ar putea fi citite de fasciculul laser sau ar conduce la erori
mari. Din acest motiv, 1 byte de informaie nu poate fi reprezentat doar de 8
bii. 1 byte de informaie poate reprezenta 2
8
= 256 valori diferite. Pentru a
obine 256 de combinaii diferite de bii pentru reprezentarea a 256 valori este
nevoie de 14 bii-canal, ceea ce nseamn minimul necesar pentru
reprezentarea a 8 bii-utilizator pe un CD. Astfel, la citire este nevoie de un
tabel pentru convertirea modelului de 14 bii-canal n 8 bii-utilizator pentru 1
byte. Pe de alt parte, cnd se produce un CD, cei 8 bii ai fiecrui byte
trebuie s fie transformai n 14 bii-canal. Aceast transformare este numit
modulaie 8-14 (Eight to Fourteen Modulation - EFM).
Rmne, totui, o problem. Dac se reprezint un byte cu 14 bii-
canal i la sfritul acestuia este un 1, acesta ar putea fi situat prea aproape de
succesiunea de bii urmtoare, a celor 14 bii-canal, care ar putea ncepe tot
cu 1. De aceea, trebuie s fie plasai civa bii ntre simbolurile a doi bii-
canal succesivi. Pentru rezolvarea acestei probleme, sunt utilizai 3 bii de
legtur (merge-bits). n total, sunt necesari 14 + 3 bii-canal pentru a
reprezenta 1 byte pe un CD.
ntotdeauna sunt mpachetai cte 24 baii-utilizator ntr-un pachet
numit cadru (frame). Cadrele sunt unitile de baz de stocare a datelor pe
disc. Un cadru nu const ns numai din aceti 24 baii-utilizator. El mai
251
conine i o structur de sincronizare pentru aliniere, constnd din 24 bii-
canal plus 3 bii de legtur.
ntr-un cadru se mai afl 1 bait de informaie pentru aa-numitele sub-
canale, i nc 8 baii pentru detectarea i corectarea erorilor.
Astfel, un cadru este alctuit din:
- blocul de sincronizare (sync pattern) 24+3 channel-bits
- blocul de cod sub-canal 1(14+3) channel-bits
- blocul de date utilizator 24(14+3) channel-bits
- blocul de detecie i corecie a erorilor 8(14+3) channel-bits
Pentru un cadru sunt utilizai n total 588 bii-canal. Cnd se citete
informaia de pe un compact disc, unitatea elimin mai nti cei 27 bii de
sincronizare. Cei 561 bii-canal rmai sunt convertii printr-o modulaie 8-14
invers n 33 baii [561/(14+3)=33]. Unul dintre acetia, baitul de sub-cod,
este trimis la un decodificator special, iar 8 baii sunt utilizai pentru detecia
i corecia erorilor. Orice CD player sau CD-ROM au un dispozitiv special
pentru detecia i corecia erorilor, care utilizeaz aceti 8 baii. Dac nu sunt
erori, sau dup corectarea datelor, aceti 8 baii sunt descrcai. Astfel, rmn
24 baii utili, de date ntr-un cadru. 98 de cadre formeaz un sector (bloc), cu
2352 baii (98 cadre 24 baii). Majoritatea formatelor de CD difer prin
subdivizarea sectoarelor. Sectoarele se succed cte 75 pe secund. Informaia
pe disc este adresat n minute, secunde i sectoare (mm:ss:ss).
Toate formatele de CD, adic CD-DA, CD-ROM, CD-ROM/XA, CD-
I etc., utilizeaz 9 baii din cei 33 ai unui cadru astfel: un bait de cotrol al
sub-canalului i 8 pentru detecia i corecia erorilor.
Pe un CD se ntlnesc dou tipuri diferite de erori. n primul rnd,
erorile se pot produce n timpul procesului de fabricaie: mici bule de aer sau
impuriti microscopice n policarbonat pot afecta propagarea fasciculului
laser. Standardul admite 250 erori/s. Alte erori pot fi determinate de
amprente, zgrieturi, sau pete. Erorile sunt eliminate printr-un sistem special
de corectare a erorilor. Toate metodele de corectare a erorilor sunt bazate pe
informaia redundant, n combinaie cu algoritmi matematici specifici pentru
detectarea erorilor i pentru reconstrucia valorilor datelor originale.
Schemele pentru detecia i corecia erorilor se numesc EDC (error detection
code), ECC (error correction code), i EDAC (error detection i correction
code). Codul de detecie a erorilor (EDC) pentru CD este bazat pe un bine-
cunoscut cod de corectare a erorilor, numit Reed Solomon Code. Playerele
CD audio, ca i unitile CD-ROM, utilizeaz o schem de corecie intern,
numit Cross Interleaved Reed Solomon Code (CIRC). Decodorul este
integrat n hardware. Aceast corecie a erorilor este foarte eficient: maxim
o eroare necorectat la 109 baii pe un CD audio. Pentru stocarea datelor pe
un CD-ROM este necesar o corecie adiional a erorilor, numit Layered
ECC (cod de corecie a erorilor stratificat); baiii pentru aceasta sunt
252
transmii mpreun cu datele din sectorul de utilizator. Codul Layered ECC
este decodat prin mijloace hardware sau software.

10.2. Tipuri de compact-discuri
1. CD-Digital Audio (CD-DA)
CD Digital Audio (CD-DA) a fost definit n 1982 n Cartea Roie de
ctre Philips i Sony. Un sector CD-DA are 2352 baii de date de utilizator.
Pistele sunt adresate n minute, secunde i sectoare. Informaia de adres este
stocat n subcanalul Q. Timpul maxim de rulare a unui CD de 12 cm este de
74 minute, respectiv 21 minute pentru un CD de 8 cm. Pentru adresarea unui
CD audio sunt dou moduri de msurare a timpului de adresare:
- ATime, adic timp absolut (absolute time), care este msurat de la
pornirea discului;
- Track Relative Time, adic timpul relativ al pistei, care este msurat de la
nceputul pistei.
Cele 99 piste de pe un disc pot fi accesate direct de ctre un CD-DA
player. O pist este o secven continu de date. Fiecare pist trebuie s
conin cel puin 4 secunde (adic 300 sectoare, ntruct o secund este
divizat n 75 sectoare). Pentru o pist poate fi utilizat la maxim ntregul CD.
O singur melodie sau secven muzical este atribuit unei piste pe CD-DA.
Pe un CD-DA, toi cei 2352 baii ai unui sector sunt date de utilizator, astfel
nct 2353 baii multiplicai cu 75 sectoare (176400 baii) sunt transferai
ntr-o secund, ceea ce nseamn aproximativ 1,41 Mb/s.
Pentru fiecare sector i 2352 baii de date de utilizator, sunt stocai
882 de baii adiionali: 784 pentru codul de detecie i corecie a erorilor
(CIRC) i 98 baii de control. Fiecare bit al unui bait de control este desemnat
printr-o liter: P, Q, R, S, T, U, V, i W. Primul bit este bitul P, al doilea Q i
aa mai departe. Succesiunea de date rezultnd din primul bit al tuturor celor
98 de baii de control este numit sub-canalul P, iar succesiunea tuturor
biilor din poziia a doua, sub-canalul Q. Al treilea sub-canal combin biii
R, S, T, U, V i W ntr-un cuvnt de 6 bii i succesiunea acestora, rezultnd
din cei 98 baii de control, este numit sub-canalul R-W. Sub-canalul P are
un marcaj (flag) ce indic nceputul datelor audio n pist. Sub-canalul Q d
codul de timp, ATime i Pist Relative Time. n blocul de nceput (lead-in)
de pe disc, acest sub-canal conine Cuprinsul (Table of Contents - TOC).
72 dintre cei 98 bii ai sub-canalului Q sunt utilizai pentru informaii, ceilali
pentru sincronizare, control i corectarea erorilor (pentru sub-canale). Pe
lng biii de sincronizare, control i corectarea erorilor, sub-canalul R-W
poate include date de utilizator (64 cuvinte de 6 bii pe sector) pentru
informaie adiional. Acest lucru este permis numai de specificaiile din
Cartea Roie (pentru CD-DA), n timp ce Cartea Galben impune ca aceti
253
bii s fie 0. Pe un CD audio, sub-canalul R-W este uneori utilizat pentru date
grafice sau MIDI. (MIDI = Musical Instrument Digital Interface, reprezint
un protocol standard pentru comunicarea ntre instrumente muzicale
electronice i computere). Aceste discuri sunt numite CD+G (Compact disc
plus graphics) or CD+MIDI, i pot fi redate de un player special mpreun cu
un aparat TV i o combin hi-fi.
2. CD-ROM
Imediat dup definirea standardului CD audio, s-a neles c acest
mediu de stocare pentru cantiti imense de date audio ar putea fi utilizat i
pentru stocarea datelor de computer. Totui, el a trebuit s fie adaptat pentru
aceasta. Astfel, n 1984, Cartea Galben a firmelor Philips i Sony a definit
standardul CD-ROM pentru stocarea datelor de computer. S-au introdus dou
noi tipuri de sectoare: Mode 1, pentru stocarea datelor de computer i Mode
2, pentru datele audio sau video/grafic comprimate.
n primul rnd, datele de computer necesit un acces mai precis dect
acela al pistelor unui CD audio. Pe un CD audio sunt accesate 99 de piste, n
timp ce pe un CD-ROM pot fi mii de fiiere de date care trebuie s fie
accesate. Astfel, ambele formate, Mode 1 i Mode 2, utilizeaz anumii baii
la nceputul sectorului pentru o adresare precis. Primii 12 baii sunt baii de
sincronizare pentru separarea sectoarelor. Urmtorii patru baii sunt baii de
header. Trei dintre ei sunt utilizai pentru adresare, iar al patrulea este baitul
de mod, care marcheaz modul utilizat de sectoarele pistei.
Sectoarele de Mode 1 au 2048 baii de date de utilizator. Sectorul
poate fi divizat n blocuri logice. Pot fi utilizate diferite blocuri logice:
blocuri de 512, 1024 sau 2048 baii. Mrimea unui bloc logic nu poate fi mai
mare dect mrimea sectorului.
Sectoarele sunt cele mai mici pri adresabile ale unui CD-ROM care
pot fi accesate independent de alte pri adresabile ale ariei nregistrate.
Totui, pot fi accesate i blocuri logice mai mici, prin intermediul unui sector.
Baiii de adres a header-ului indic minute, secunde i informaie adiional
pentru blocuri. Prin aceast informaie poate fi identificat numrul blocului
logic (Logical Block Number - LBN). Primul sector fizic ce poate fi accesat
este sectorul 00:02:00. Acest sector conine LBN 0. Dac sunt blocuri de 512
baii, 18000 blocuri fac un minut, 300 fac o secund i 4 fac un sector. Astfel,
se poate obine adresa blocului logic printr-un algoritm simplu. Totui, n
acest caz, trebuie sczute 600 blocuri, deoarece adresa primului sector este
00:02:00 (2 secunde nseamn 600 blocuri).
CD-ROM Mode conine codul de detecie i corecie a erorilor
(CIRC) al unui CD audio. Totui, deoarece datele de computer necesit un
nivel mai ridicat al integritii datelor este implementat n CIRC un cod
adiional de detecie i corecie a erorilor, numit Layered EDC/ECC. Acesta
necesit civa baii din sector dup datele de utilizator: 4 baii pentru detecia
254
erorilor i 276 baii pentru corecia acestora. ntre baiii pentru detecia
erorilor i cei pentru corecia acestora sunt 8 baii neutilizai. Acetia sunt
redefinii n specificaiile CD-ROM/XA i CD-I.
CD-ROM Mode 2 nu conine o schem adiional pentru detecia i
corecia erorilor, astfel nct toi cei 2336 baii de dup baiii de sincronizare
i header sunt baii de utilizator.
Sectoarele Mode 1 i Mode 2 ale unui of CD-DA sau CD-ROM au
aceeai mrime, dar cantitatea de date utilizator care poate fi stocat difer
considerabil, datorit utilizrii baiilor de sincronizare, header, detecia i
corecia erorilor. CD audio utilizeaz toi baiii unui sector (2352) pentru date
de utilizator, blocurile unui CD-ROM Mode 1 au 2048, iar Mode 2 au 2336
de date de utilizator. De aceea, ratele de transfer al datelor sunt diferite
(aproximativ 1,22 Mb/s pentru Mode 1 i aproximativ 1,4 Mb/s pentru Mode
2). Dei Mode 2 are o rat de transfer mai ridicat i mai mult spaiu pentru
date de utilizator, el nu este utilizat foarte des, cu excepia tipurilor CD-
ROM/XA i CD-I (care sunt ntotdeauna Mode 2).
Mode 2 poate fi citit i de uniti CD-ROM normale, dar este necesar
utilizarea unui software special.
3. CD mixt
Dac sunt necesare secvene audio de nalt nivel, pistele CD-ROM i
CD audio pot fi mixate pe un compact disc. Un CD are cadre, sectoare i
piste. Pistele nu pot conine tipuri diferite de sectoare, dar CD-ul poate avea
diferite de piste. De obicei, prima pist a unui CD mixt (Mixed Mode CD)
este o pist CD-ROM Mode 1 i urmtoarele sunt piste CD-DA.
n general, exist o limitare important pentru CD mixt. O unitate
CD-ROM poate s citeasc pistele doar pe rnd, una dup alta, iar cnd este
citit o pist audio, alte tipuri de date nu pot fi transmise de la unitatea CD-
ROM. Sunt dou metode obinuite pentru a rezolva aceast problem. Prima
este utilizarea unitii CD-ROM ca un player CD audio i transferarea
dinainte a programului de aplicaie i a datelor pe harddisk. Calculatorul
poate astfel s citeasc informaia program din memorie i s acceseze
continuu datele audio. Pentru a face acest lucru, calculatorul trebuie s
dispun de memorie suficient i spaiu liber pe harddisk. Alternativa este
citirea informaiei program din memoria calculatorului nainte de accesarea
datelor audio, dar aceast metod atrage dup sine ntreruperea semnalului
audio cnd urmtoarea poriune de date trebuie s fie citit.
Pistele audio de pe un CD mixt pot fi adresate n dou moduri diferite:
utiliznd ATime, sau Pist Relative Time. n cele mai multe cazuri de
utilizeaz Pist Relative Time, deoarece la adresarea ATime, fiecare accesare
audio necesit re-sincronizarea dac volumul datelor pistelor CD-ROM Mode
1 s-a schimbat n timpul procesului de producie. Chiar dac pistele audio pot
fi redate cu un player CD audio, CD mixte nu trebuie s fie utilizate pe astfel
255
de dispozitive, deoarece n acest fel pot fi accesate i pistele CD-ROM, ceea
ce ar putea duce la distrugerea dispozitivului de redare.
4. CD-ROM/XA
Prima form a specificaiilor pentru CD-ROM/XA (Compact Disc-
Read Only Memory/eXtended Architecture) a fost introdus de Philips, Sony
i Microsoft n septembrie 1989, iar descrierea final a sistemului (Final
System Description) a urmat n martie 1991. Totui, probabil nu aceasta va fi
adevrata descriere final, ntruct CD-ROM/XA de nivelul 3 trebuie s
integreze formatul MPEG i alte specificaii viitoare pentru identificarea
sistemului de operare gazd (GOE, Generic Operation Environments). Cum
CD-ROM/XA nu este n realitate un nou standard, ci o extensie a Crii
Galbene i a definiiilor pentru CD-ROM, specificaiile sunt numite uneori i
Cartea Galben Extins (Extended YellowBook). Extensiile sunt legate de
specificaiile CD-I din Cartea Verde. Datorit acestor relaii i faptului c
CD-ROM/XA poate constitui o punte ntre sistemele de computer bazate pe
XA i player-ele bazate pe CD-I, acest standard este adesea privit ca veriga
lips pentru producerea de discuri care s poat fi rulate pe platforme diferite,
pentru pieele industriale i de consum.
Pistele XA pot conine date codificate binar, dar i date video i
grafice, date n format text i date audio comprimate. Alte formate de CD
utilizeaz numai un singur format de sector, ntr-o singur pist. XA poate
utiliza dou formate de sector diferite ntr-o pist. Astfel, un sector poate fi
urmat de altul, de tip diferit. Cele dou formate de sector XA sunt numite
format 1 i 2 (Form 1 i Form 2). Utilizarea unuia sau a celuilalt depinde de
coninut. Sectoarele de format 1 sunt utilizate pentru date de calculator. Ca i
sectoarele CD-ROM Mode 1, ele pot avea un Layered EDC adiional,
utiliznd primii 12 baii pentru un modul de sincronizare i urmtorii 4 baii
pentru date de header (adresare i descrierea modului). Ca i CD-ROM Mode
1, fiecare sector format 1 conine 2048 baii de utilizator. Totui, spre
deosebire de CD-ROM Mode 1, la sectoarele format 1 este adugat un
subheader dup baiii de header i nu mai exist baii neutilizai ntre codul
de detecie a erorilor codul de corecie a erorilor. EDC i ECC sunt plasate
mpreun i astfel cei 8 baii neutilizai n formatul anterior pot fi utilizai
pentru subheader. Sectoarele CD-ROM/XA format 1 conin date de
computer. Sectoarele format 2 sunt aranjate n acelai mod ca sectoarele
format 1, cu excepia faptului c lipsete ECC. La sfritul datelor de
utilizator din sector este rezervat un cmp de 4 baii, care poate fi utilizat
pentru controlul calitii n timpul procesului de fabricare a discului, caz n
care se utilizeaz acelai algoritm EDC ca i pentru sectoarele format 1. n
caz contrar, aceti baii sunt setai la zero.
Att sectoarele de format 1, ct i de format 2 utilizeaz 8 baii pentru
un subheader care specific datele de utilizator care urmeaz. Deoarece
256
diferite sectoare, cu coninut diferit pot fi stocate ntr-o manier ntreesut,
primul bait din subheader este un numr pentru identificarea sectoarelor
ntreesute din cadrul unui anumit fiier. Un fiier ntreesut poate conine
diferite pri de informaie, care pot fi redate combinat sau separat. Al doilea
bait din subheader este un numr pentru selecia n timp real a informaiei.
Pentru sectoare audio sunt utilizate numerele de la 0 la 15, iar pentru sectoare
video sau de date de calculator sunt utilizate numerele de la 0 la 31.
Urmtorul bait definete atributele globale ale sectorului i este numit baitul
de submod. Fiecare bit poate fi setat ca un marker (flag), de exemplu pentru a
indica tipul informaiei (video, audio), pentru a marca ultimul sector al
fiierului (End Of File - EOF) sau ultimul sector al nregistrrii (End Of
Record - EOR) i pentru a fixa modul n timp real. Utilizarea sectoarelor n
mod timp real nseamn c sincronizarea citirii datelor este mult mai
important dect integritatea acestora, astfel nct corecia erorilor este
efectuat numai dac sincronizarea datelor nu este afectat. Aceasta este o
caracteristic important cnd se utilizeaz date bazate pe timp, cum sunt
fluxurile de date audio. Ar fi de-a dreptul enervant pentru asculttor dac
fluxul de date ar fi ntrerupt la detectarea fiecrui bit eronat, a crui
transmitere ar rmne totui probabil neobservat. Baitul de submod este
urmat de un bait pentru codificarea informaiei, care definete detaliile tipului
de date localizate n zona de utilizator a sectorului: tipul datelor audio (stereo
sau mono), rezoluia i tipul codificrii video etc. Pentru evitarea pierderilor
de date, informaia din primii patru baii din subheader este repetat n baiii
5 - 8. Este posibil mixarea pe un CD a pistelor CD-ROM/XA, CD Mode 1 i
CD audio, caz n care pista CD Mode 1 pist trebuie s fie prima pe disc,
urmat de o pist CD-ROM/XA i una CD audio.
CD-ROM/XA ofer un numr de avantaje n comparaie cu CD-ROM
Mode 1, care devin importante cnd se utilizeaz date dependente de timp n
aplicaiile multimedia, deoarece datele de calculator i datele audio
comprimate pot fi citite astfel de pe aceeai pist.
Pe un CD-ROM normal, unele fiiere de pe pistele Mode 1 sunt citite
i stocate n memoria computerului sau trecute pe harddisk nainte ca
aplicaia s poat fi lansat. Astfel, este necesar un timp, care poate dura
cteva secunde i uneori chiar minute, nainte ca utilizatorul s primeasc
primele informaii.
La utilizarea unui CD-ROM/XA, fiierele ntreesute pot fi citite n
paralel, n acelai timp. Sunt citite doar acele pri care sunt necesare n
momentul respectiv. Utilizatorul obine informaia n timp util i nu sunt
necesare intervale lungi de timp de ateptare. Datele audio pot fi separate de
un controler la citirea discului, decomprimate i redate cu sisteme adecvate.
Doar datele necesare sunt transmise prin magistrala de date a calculatorului.
257
Ca i CD-ROM Mode 1, sectoarele format 1 admit o rat de transfer al
datelor de 1,2 Mb/s; la sectoarele format 2, rata crete la aproximativ 1,4
Mb/s, un sector fiind citit n 1/75 s i avnd n plus 276 baii de date de
utilizator, ceea ce nseamn transmiterea a 20 KB de date de utilizator pe
secund n plus.
Pentru producerea unui CD-ROM/XA este necesar un software
special, care suport ntreeserea fiierelor n diferite sectoare. n plus, este
necesar un controler special pentru citirea informaiei ntreesute de pe disc.
5. CD-I
Standardul CD-I a fost descris n 1987 de Philips i Sony n Cartea
Verde. Sectoarele unui CD-I sunt identice cu cele ale unui CD-ROM/XA i
sunt la fel, n format 1 i 2. CD-I permit ntreeserea sectoarelor i fiierelor
n acelai mod ca la CD-ROM/XA. Din multe puncte de vedere, s-ar putea
spune c CD-I este un tip special de CD-ROM/XA pentru utilizarea n
dispozitive ale industriei electronice casnice. De aceea, specificaiile nu
descriu doar formatul sectoarelor, dar i sistemul de operare, numit CD-
RTOS, pe care se bazeaz CD-I. Acesta este derivat din OS-9. Playerele CD-
I folosesc un microprocesor 68070 Motorola, fiind de obicei montate ntr-un
lan hi-fi i putnd citi i CD audio, CD foto, CD+G, utiliznd structuri
interactive i medii diferite: text, audio, grafic, animaii, video. Standardul
CD-I specific formate audio i video. Ele sunt de trei niveluri diferite pentru
audio; nivelurile B i C sunt suportate i de CD-ROM/XA. Pentru rezoluia
video pe CD-I sunt definite trei niveluri: normal, dublu i nalt. Rezoluia
normal pentru TV NTSC 525 linii este 384 orizontal 240 vertical, iar
pentru sistemele PAL 625 linii 384 280. Dubla rezoluie are o rezoluie
orizontal dubl i rezoluie vertical normal, iar n rezoluia nalt ambele
rezoluii, orizontal i vertical sunt duble.
6. CD-I Ready
Un disc numit CD-I Ready este (virtual) un CD audio normal, cu
anumite caracteristici suplimentare, care pot fi redate numai cu player-e CD-
I. Cartea Roie permite productorului s stabileasc anumii indici pe un
CD-DA. Dac acest mod este suportat de dispozitiv, player-ul poate sri
anumite zone marcate pe pist. De obicei sunt utilizai numai doi indici:
index 0 i index 1. Index 0 este localizat naintea zonei de tcere audio la
nceputul unei piste, iar index 1 marcheaz nceputul unei piste audio.
Tcerea audio dureaz 2 3 secunde. Index 0 pentru prima pist nu este
niciodat utilizat de player-ele CD audio. Pe prima pist la nceputul fiecrui
disc i Index 1 este ntotdeauna srit. CD-I Ready utilizeaz o zon de tcere
mai larg ntre index 0 i index 1, n care, naintea pistei 1 este plasat o pist
CD-I care poate fi recunoscut doar de un player CD-I. Player-ele CD audio
normale ignor aceast zon, discul fiind citit ca un CD audio normal. Player-
ele CD-I pot identifica disc prin adresa de start. Dac adresa primei piste este
258
mai mic de 30 secunde, este vorba de un CD audio normal, n caz contrar
locul unde pot fi citite fiierele CD-I este scris n sectorul de date 00:02:16.
Informaia este ncrcat n memoria RAM a player-ului naintea nceperii
redrii audio i apoi redat. n acest fel, CD-I Ready poate fi privit ca un CD
mixt utiliznd CD-I i CD-DA.
7. CD multisesiune
Termenul de CD multisesiune a fost utilizat pentru prima dat pentru
CD Foto Kodak, care stocheaz imagini de film. Astfel, ntr-o prim sesiune
sunt stocate imaginile unui film i, dac mai rmne spaiu, acesta poate fi
folosit pentru o nou sesiune. Fiecare sesiune are propriile bloc lead-in,
spaiu de date i bloc lead-out. Acest mod de scriere a unui CD permite
scrierea de noi date la momente diferite de timp. Adugnd sesiuni nchise
permite utilizatorului s citeasc discul ca un CD-ROM n uniti CD
obinuite. Pentru scrierea blocurilor lead-in i lead-out pentru fiecare sesiune
necesit ns o capacitate de stocare (aproximativ 20 MB), astfel nct, dac
sunt prea multe sesiuni, devine mai avantajoas scrierea discului o singur
dat. Acest mod de scriere poate fi ns utilizat i pentru scrierea sesiunilor pe
un CD multisesiune, ceea ce nseamn c o sesiune este scris continuu, de la
blocul lead-in la blocul lead-aut, cu avantajul c subcanalele P i Q sunt
disponibile.
Alte moduri de transfer de date pe un CD-R sunt scrierea pist cu
pist (track by track) sau scrierea sector cu sector, Dar n acest caz datele
nscrise sunt accesibile numai pentru aplicaia particular folosit n procesul
de fabricare a discului. Prin adugarea n momentul finalizrii a structurilor
ISO 9660, este posibil ns ca discurile scrise pist cu pist s poat fi citite
de uniti CD normale. Pentru fiecare bloc n modul de scriere pist cu pist
sunt necesari 14336, dar aceasta nu reprezint o risip a capacitii, n
comparaie cu scrierea unor mici sesiuni multiple.
Scrierea sector cu sector este numit scriere incremental a pachetelor
(incremental packet writing), mod suportat numai de unitile CD mai noi.
8. CD-Extra
Avantajele discurilor multisesiune au fost utilizate iniial de CD-I
ready. Metoda descris mai sus a fost doar un mod de producere a CD-I
ready. Dezavantajul acestei metode era acela c utilizatorul ar fi putut accesa
datele de pe CD-I utiliznd funcia de redare a unui audio player, ceea ce ar fi
putut distruge lanul audio. Astfel, s-a utilizat o alt metod, cu dou sesiuni,
una pentru pistele audio pist, a doua pentru date CD-I. Deoarece player-ele
audio nu pot citi sesiuni multiple, ele pot accesa doar prima sesiune, de tip
audio. Aceeai problem apare i la utilizarea unui CD mixt. Prima pist este
o pist de date, care nu trebuie citit de un player audio. Pentru a evita aceste
probleme, conceptul de CD multisesiune a fost transferat la CD-ul mixt,
rezultnd un produs nou, numit CD-Extra. Tehnic, CD-Extra combin pistele
259
normale de CD audio cu pistele de date de CD-ROM/XA pe un disc de 12 cm
i este similar cu CD mixt.
Dar player-ele audio pot accesa numai prima sesiune, incluznd
pistele audio, n timp ce unitile CD-ROM multisesiune pot citi i informaia
din a doua sesiune, aflat n zona exterioar a discului. O astfel de informaie
poate fi de tipul video clip, text al melodiilor, biografii ale artitilor,
fotografii, animaie, aplicaii multimedia complete. Utiliznd conceptul de
bridge disc, a doua sesiune poate conine de asemenea date CD-I. CD-Extra
care ruleaz pe un player audio sau CD-I, ca i pe uniti echipnd un PC sau
un computer Apple Macintosh sunt numite Rainbow CD (CD curcubeu),
deoarece conin piste conforme cu specificaiile Crii Roii (CD audio),
Crii Galbene (CD-ROM) i Crii Verzi (CD-I).
Discurile CD-Extra pot conine un fiier numit AUTORUN.INF,
localizat n directorul rdcin. Acesta conine informaie cu privire la
diferitele platforme de computer care pot executa aplicaiile de pe disc i are
rolul de a porni aceste aplicaii cnd discul este introdus n unitatea CD-
ROM. CD-Extra este suportat de Microsoft Windows 9x i OS Apple
Macintosh.
9. Bridge-Discul
Bridge-discurile sunt discuri coninnd informaie care poate fi citit
pe uniti CD-ROM/XA ce echipeaz un calculator, ca i cu CD-I player-e.
Datorit caracterului identic al sectoarelor i unor formate audio i video,
bridge-discurile pot stoca date accesibile prin ambele sisteme (dei sunt
necesare programe diferite, depinznd de diferitele sisteme de operare). Toate
pistele de pe bridge-discuri trebuie s fie piste Mode 2. Specificaiile pentru
bridge discuri, aflate n Cartea Alb, au fost stabilite n octombrie 1991.
Pentru producerea bridge discurilor este necesar un software special. Un
bine-cunoscut exemplu de bridge disc este Kodak Foto CD, care ruleaz pe
un player CD-I, ca i pe un sistem XA (i, bineneles, pe un player Foto CD).
10. CD-R, CD-MO i CD-RW
Toate CD-urile descrise pn acum sunt discuri read only, ceea ce
nseamn c ele pot fi doar citite uc player-e CD i uniti CD-ROM, dar
informaia nu poare fi scris i stocat pe astfel de discuri, cu excepia
mijloacelor speciale de fabricaie. Fabricarea acestor CD Read-Only cu
maini de injectat materiale plastice, cnd se pot realiza un mare numr de
copii are anumite avantaje, n sensul c discurile pot fi produse foarte repede
i la un pre sczut. Sunt ns i dezavantaje, dac numrul copiilor este mic.
n acest caz, o singur copie devine foarte scump, iar procesul de producie
este complicat i consum prea mult timp. Astfel, pentru un numr mic de
copii, ar fi mai avantajos de a scrie direct pe un disc.
S-au dezvoltat diferite metode de scriere pe un mediu de stocare
optic, dar n general sunt dou tipuri de discuri. Pe aa-numitele discuri
260
WORM (Write Once-Read Many), informaia poate fi scris o singur dat,
procesul de scriere nefiind reversibil. Discurile MO (Magneto-Optical) sunt
reinscriptibile, astfel c informaia poate fi scris, tears i nlocuit cu alta.
Cea mai cunoscut technologie pentru discurile WORM a fost pus la punct
de compania japonez Taiyo Yuden. Construcia unui astfel de disc WORM
este similar cu cea a unui CD normal. Pe un disc de policarbonat se depune
un strat subire de colorant organic (cianur sau ftalocianur). Fasciculul laser
determin schimbarea unor proprieti ale stratului de colorant n privina
absorbiei luminii. Peste stratul de colorant se depune un strat reflecttor de
metal auriu (considerat a avea proprieti mai bune dect cele ale
aluminiului). Stratul metalic este acoperit de un lac protector. Discul este
preformat. Pe stratul de policarbonat este creat o spiral de 0,7 m care
arat drumul de parcurs. De asemenea trebuie s fie disponibil i o
anumit informaie cu privire la viteza discului CLV, deoarece viteza de
rotaie depinde de locul unde scrie fasciculul laser pe disc. Astfel, pista are
definite mici forme ondulatorii, a cror frecven trebuie s fie meninut la
22,05 kHz n timpul nregistrrii. Exist de asemenea i o modulaie n
frecven, care indic poziia fasciculului laser i d o informaie codificat n
timp (ATIP - Absolute Time in Pregroove). La nceputul discului, nainte de
blocul Lead-In, se afl o zon numit zon de calibrare a puterii (Power
Calibration Area - PCA) pentru aliniere i o zon numit zon de memorie
program (Program Memory Area - PMA) care conine numrul pistelor
nregistrrilor, inclusiv timpul de start i stop al acestora. Zona PMA este
utilizat pentru discurile nregistrate parial. Un disc WORM care corespunde
standardului CD a fost definit de Philips i Sony n noiembrie 1990 n Cartea
Portocalie. Conform acestui standard, un CD-R sau CD-WO poate fi citit de
o unitate CD-ROM standard sau de un player audio. Totui, deoarece un CD-
R poate fi scris doar o dat, Cartea Portocalie permite prezena unor sesiuni
multiple pe CD, fiecare avnd propriile blocuri Lead-In, Program area, i
Lead-out. Astfel, dup stocarea datelor i terminarea primei sesiuni, o alt
sesiune cu date suplimentare poate fi nregistrat ulterior. n fiecare Lead-In
este scris coninutul (TOC - Table of Contents); ultimul Lead-In conine
actualizarea ntregului disc. ncepnd cu 1992, majoritatea unitilor CD de
pe pia sunt capabile s citeasc sesiuni multiple.
Exist i un alt mod de scriere pe un disc. Discurile magneto-optice
(MO) au un strat de aliaj de ferit de terbiu i cobalt. Metoda MO de scriere
modific i ea caracteristicile optice ale unor puncte de pe suprafaa discului,
astfel nct fasciculul laser de citire este reflectat ntr-o manier diferit dect
celelalte zone. Citirea unui disc MO se bazeaz pe efectul Kerr, astfel c
lumina polarizat liniar este influenat de un cmp magnetic, planul de
polarizare fiind rotit. Scrierea pe disc are loc cu un fascicul laser de putere,
care este focalizat ntr-un spot foarte mic, care nclzete aliajul la o
261
temperatur la care proprietile feromagnetice ale acestuia se pierd. Aceast
temperatur este numit temperatur Curie. Pe cealalt parte a discului se
gsete un electromagnet, care magnetizeaz stratul de aliaj n zona de citire.
Dac aceasta a fost nclzit pn la temperatura Curie, nu mai are proprieti
magnetice, astfel c la citirea cu un fascicul laser de putere mic planul de
polarizare a luminii nu este rotit n aceste zone. Rotirea planului de polarizare
este detectat cu un fotodetector.
Pe pia au aprut mai multe formate MO diferite, care nu sunt
compatibile. Pentru a standardiza aceste formate s-au stabilit specificaiile n
Cartea Portocalie. Totui, datorit tipului caracteristic de stocare optic, CD-
MO nu pot fi citite de unitile CD-ROM normale sau de player-e CD.
CD-RW, sau compact-discul reinscriptibil, lansat n 1997, se bazeaz
pe o tehnic de transformare de faz a unui material. Iniial unitile CD-
ROM nu puteau citi CD-RW, deoarece, n timp ce reflectana unui CD-R i a
unui CD-ROM este definit a fi cel puin de 65 70 %, reflectana unui CD-
RW este de doar 15 20 %. La citirea acestor medii de stocare, unitile CD
normale trebuie s-i modifice valorile reflectanei, pentru a putea distinge
zonele reflecttoare de celel nereflecttoare.
Stratul ce conine informaia pe disc este constituit dintr-un aliaj de
argint, indiu, antimoniu i telur (Ag-In-Sb-Te). n faza iniial, acest strat este
amorf. Prin nclzirea unei mici zone, cu un fascicul laser de putere mare,
aceasta trece ntr-o faz cristalin. Citirea datelor pe disc se face cu un
fascicul laser de putere mic, ce este reflectat de zonele cristaline i difuzat
de cele amorfe. Lumina reflectat este detectat de o fotodiod. Stratul de
aliaj poate reveni la starea amorf iniial prin nclzirea cu un fascicul laser
pn la o anumit temperatur, diferit de cea la care a avut loc trecerea n
aceast stare.
Capacitatea unui CD-RW este de aproximativ 680 MB. Cu toate c
Matsushita a demonstrat c transformarea de faz se poate produce de mai
mult de 1 milion de ori n ciclurile de rescriere, aceast tehnic are practic o
capacitate limitat de reinscripionare, depinznd de complexitatea aliajului.
Creterea performanelor duce ns la creterea preului, astfel c meninerea
acestuia la un nivel rezonabil face ca CD-RW disponibile s aib o limitare
de aproximativ 10000 cicluri de reinscripionare. De asemenea, a fost
necesar i modificarea standardelor ISO 9660 i un nou software pentru
compatibilizarea CD-RW cu unitile CD normale.
11. Minidiscul
Minidiscul, lansat pe pia de Sony n 1992, este adesea considerat un
CD, dar n realitate nu este aa. El este un disc MO, care nu se conformeaz
cu standardele CD i nici mcar cu specificaiile MO din Cartea Portocalie.
Acest disc are un diametru de 2,5 inci i este acoperit de un nveli de
material plastic, precum un floppy-disk de 3,5 inci. El este utilizat pentru
262
nregistrri i redri audio n dispozitive electronice casnice, dar n viitor i se
prevede o larg utilizare n stocarea datelor, mai ales de tip multimedia.
12. CD Text
CD Text este o variant a formatului CD Digital Audio convenional,
care ofer n plus utilizatorului informaie de tip text (titlul albumului,
numele artistului, titlurile cntecelor, numele compozitorilor, aranjorilor,
productorilor etc.).
13. DVD
n septembrie 1995 s-a propus i s-a acceptat un format unic pentru
noua generaie de discuri optice n format de nalt densitate. Pn atunci
existau dou propuneri concurente: Multimedia CD (MMCD), al unui grup
de companii condus de Philips i Sony i Super Density Disc (SDD), care a
fost introdus de un consoriu numit SD Alliance, condus de Toshiba,
Matsushita, i Time Warner.
O privire asupra detaliilor tehnice ale unui DVD arat c principalele
caracteristici ale unui astfel de disc au fost adoptate din varianta SD. Discul
este format prin alipirea a dou discuri de grosime de 0,6 mm. Avantajul unui
disc dublu este creterea valorilor mrimilor caracteristice ale birefringenei,
avnd ca rezultat reducerea aberaiilor optice n domeniul spectral al luminii
fasciculului laser. Pentru creterea densitii pistelor i alocarea unei zone de
dimensiuni mai mici pentru adnciturile de pe disc, lungimea de und a
fasciculului laser a fost redus de la 780 nm, pentru CD-ul obinuit, la maxim
650 nm. A fost necesar i modificarea sistemului optic. Apertura numeric a
acestuia a fost mrit substanial, de la 0,45 la 0,60. Aceste modificri au
permis creterea de patru ori a densitii informaiei pe disc. n comparaie cu
un CD obinuit, structura header-ului a fost modificat, eliminndu-se
subcodul i utilizndu-se mai puini bii de paritate. Discul de nalt densitate
are o schem de corecie de erori mai eficient dect CD-ul obinuit i
utilizeaz un alt tip de modulaie. Aa cum s-a artat, CD-ul se bazeaz pe
modulaia EFM, la care, ca urmare a modului n care este stocat informaia,
8 bii sunt reprezentai prin 14 bii canal propriu-zii i 3 bii de legtur,
adic 17 bii canal reprezint 8 bii de informaie. Sunt mai multe moduri
efective de codificare a informaiei, cu raportul 8:16 i 8:15, care au fost
propuse de Philips i Toshiba pentru discul de nalt densitate. Rezultatul
tuturor acestor modificri este o capacitate de mai mult de apte ori mai mare
dect cea a CD-ului obinuit. Primul disc de nalt densitate al firmei Toshiba
(Super Density Disc - SDD) avea o capacitate de 5 GB, utiliznd modulaia
8:15. Din motive de siguran mrit, noul DVD a modificat metoda de
modulaie la 8:16, stabilind un bit special pentru creterea siguranei, ceea ce
duce ns la scderea capacitii de la 5 GB la 4,7 GB pe fiecare strat de
stocare a informaiei.
263
Sistemul DVD este compatibil cu formatele existente de CD, utiliznd
un sistem special de focalizare dubl pentru citirea discului. Prima aplicaie
este distribuirea filmelor pe astfel de discuri, utiliznd tehnologia de
comprimare MPEG-2. Au aprut i soluiile tehnice pentru discuri
inscriptibile i reinscriptibile bazate pe straturi de colorant organic tehnologia
transformrii de faz.
10.3. Standarde pentru CD
Cnd este utilizat un CD ca mediu de stocare a datelor, este necesar
un sistem pentru accesul fiierelor i datelor, permind organizarea fiierelor
n directoare i subdirectoare. La nceputul folosirii tehnologiei CD-ROM nu
exista un standard de sistem de fiiere care s permit accesul sub sisteme de
operare diferite. De aceea, productorii i-au creat propriile sisteme, prin
adaptarea sau direct a celor existente, cum ar fi MS-DOS sau Macintosh
HFS (Hierarchical File System). n acest caz, discurile pot fi citite doar de
sistemul de operare respectiv. Curnd s-a dovedit c este necesar un sistem
de fiiere multi-platform. Reprezentanii industriei electronice casnice i de
computere au format un grup numit High Sierra Group (HSG), dup
numele hotelului din Nevada unde acesta s-a reunit prima dat n noiembrie
1985, cnd s-a fcut i prima propunere de standardizare. n 1986 s-a renunat
la propunerea HSG i s-a trecut la conceperea unui standard ISO
(International Organization for Standardization). n 1988 s-a adoptat
standardul internaional ISO 9660, privind procesarea informaiei volumul
i structura de fiiere ale unui CD-Rom pentru schimbul de informaie
(Information processing - Volume i file structure of CD-ROM for
information interchange). ntre ISO 9660 i propunerea HSG exist unele
diferene minore.
Software-ul care permite unui computer cu sistem de operare MS-
DOS s citeasc discuri n standard ISO 9660 este numit MSCDEX.EXE
(Microsoft CD-ROM Extensions). Acest program este desemnat din fiierul
AUTOEXEC.BAT, exist i un alt driver hardware specific pentru unitatea
CD-ROM n fiierul CONFIG.SYS. Un driver CD-ROM pentru un PC
multimedia necesit un fiier MSCDEX n varianta minim 2.2. Un driver
special este necesar de asemenea pentru Apple Macintosh. Totui, pentru
familia Macintosh exist i diferite discuri utiliznd HFS. Pentru a permite un
suport complet al standardului ISO 9660 de ctre sistemele UNIX, la
nceputul anilor 90 s-a format Rock Ridge Group (grupul reprezentanilor
industriei), care a renunat la RRIP (Rock Ridge Interchange Protocol) i a
adoptat un standard corespunztor. Discurile conforme cu standardul Rock
Ridge sunt complet compatibile cu standardul ISO 9660.
Avantajul standardului ISO 9660 este c acesta permite accesarea
datelor de pe un CD de ctre diferite sisteme de operare. Bineneles, este
264
nevoie de programe executabile diferite pentru sisteme de operare diferite (de
exemplu, un program pentru UNIX, altul pentru Apple i un al treilea pentru
MS-DOS), dar rulnd aceste programe, aceleai fiiere de date pot fi accesate
de sisteme diferite. ISO 9660 este un sistem de fiiere ierarhic ca MS-DOS i
definete directoare, subdirectoare i ci. Ramificarea ierarhiei directoarelor
nu poate fi mai mare de 8 niveluri. Pentru identificatorii de fiiere i
directoare (File i Directory Identifiers) se utilizeaz litere majuscule de la A
la Z, cifre de la 0 la 9 i semnul _. Lungimea maxim a unui nume este de
8 caractere, cu extensia de 3 caractere. Aceste restricii sunt stabilite pentru
nivelul 1 de transfer (Interchange Level 1), cel mai utilizat de discurile ISO
9660. Exist i nivelurile de transfer 2 i 3, fr aceste restricii pentru
numele fiierelor. Majoritatea discurilor sunt n prezent conforme cu
standardul ISO 9660. De asemenea, extensiile i dezvoltrile ulterioare ale
CD-ROM descrise anterior se bazeaz pe sistemul de fiiere definit de ISO
9660, dei au fost necesare unele modificri i adaptri, de exemplu pentru
CD-R multisesiune.
n ultimii ani, multe aplicaii multimedia au aprut ca CD-uri hibrid,
pentru utilizarea pe mai mult de un singur sistem de operare, de exemplu
Apple HFS i ISO 9660. n acest caz, fiierele de date care pot fi citite i
interpretate sub sisteme de operare diferite pot fi stocate o singur dat (de
exemplu fiierele de tip TIFF, JPEG sau MPEG) i utilizate n comun de
aplicaiile pentru sisteme de operare diferite.
Sistemele de operare moderne au sisteme de fiiere care permit nume
lungi ale fiierelor. Sistemul de fiiere al lui Microsoft, Joliet File System,
mbuntete specificaiile ISO-9660 i permite nume de fiiere de pn la
64 de caractere. Sunt permise, de asemenea, caractere ale oricrei limbi.
Lungimea numelui complet al unui fiier, incluznd structura de directoare,
este limitat la 120 caractere.
Pentru suportul unor noi caracteristici de scriere a unui CD, s-au
dezvoltat noi specificaii pentru sisteme de fiiere, cum este ISO 13490. De
asemenea, s-au propus noi standarde pentru suportul aa-numitelor bootable
CD, permind productorilor de CD-ROM s mpacheteze aplicaia i
mediul sistemului de operare pe disc, astfel ca acesta s ruleze utiliznd toate
informaiile necesare direct de pe CD. Sistemul de specificaii ale formatului
bootable CD-ROM, propus de CD/OS Association n 1995 este numit "El
Torito".
Formatul de disc universal
UDF (Universal Disk Format) este un format logic pentru toate
tipurile de disc optic. n timp ce standardul actual pentru unitile CD-ROM
care lucreaz pe platforme Windows, ISO 9660, a fost conceput sub o form
suficient de simpl pentru ca orice sistem de operare s poat citi CD-ul,
UDF este suficient de flexibil pentru a asigura cerinele sistemelor de operare
265
moderne, incluznd uniti i fiiere foarte mari, nume lungi, seturi de
caractere strine, atribute de securitate i multe altele.
UDF este bazat pe standardul ECMA 167, Volume i File Structure
for Write-Once i Rewritable Media using Non-Sequential Recording for
Information Interchange (structura de volume i fiiere pentru medii de
stocare i reinscripionare utiliznd nregistrarea ne-secvenial pentru
transferul informaiei), stabilit de European Computer Manufacturers
Association (ECMA). ntr-un anumit sens, acest standard este echivalentul
standardului ISO 9660, dar difer de acesta n dou moduri importante. n
primul rnd, ofer o mult mai mare funcionalitate, n principal datorit
nevoilor utilizatorului pentru un suport crescut al setului de caractere i
caracteristici superioare ale sistemului de fiiere. n al doilea rnd, recunoate
nevoile separate privind bootarea, structura de volum i cea de fiiere. n loc
de a lega aceste funcii diferite mpreun, ECMA 167 separ cu grij aceste
funcii n pri distincte i descrie n detaliu cum lucreaz mpreun. ECMA
167 a fost adoptat mai trziu de International Standards Organization ca
strandardul ISO 13346.
Specificaiile UDF ale Optical Storage Association (OSTA)sunt o
implementare a standardului ECMA 167/ISO 13346, care definete de fapt
acele domenii din standardul ECMA care sunt lsate la nelegerea dintre
sistemele de origine i cele de recepie a informaiei. OSTA este un grup cu
mai mult de 30 de membri, printre care Hewlett-Packard i Toshiba. Scopul
primordial al OSTA UDF este maximizarea schimbului de date i
minimizarea costului i complexitii implementrii standardului ISO 13346.
Pentru a realiza acest lucru, sunt definite anumite Domenii. Un domeniu
definete reguli i restricii n utilizarea standardului ISO 13346. OSTA UDF
definete domeniul OSTA UDF Compliant.

266
BIBLIOGRAFIE

1. Adams M. J., An Introduction to Optical Waveguides, John Wiley i Sons, New York,
1981
2. Akimov D.A., et.al., Elementary classical analysis of optical harmonic generation i
four-wave mixing n strong light fields, SPIE Proceedings Vol. 2796, 1996, pp.167-178
3. Alferov Zh. I. et al. Fiz. Tekh. Polyprov, 4, 1826, 1970
4. Ando H. et al. IEEE J. Quantum Electron., QE-14, 804, 1978
5. Auyeung I., Yariv A., IEEE J. Quantum Electron., QE-14, 347, 1978
6. Becker R.A., Commercially available integrated optics products and services, SPIE,
vol. 993, p. 246, 1988
7. Bernekorn P., Karlsson, A., Krostensson, G., Journal of Electromagnetic Waves i
Applications, Vol. 10, No.9, p.1263, 1996
8. Bernini U. et al. Appl. Opt. 32,1229, 1993
9. Bhattacharya P., Semiconductor Optoelectronic Devices, Second Edition, Upper Saddle
River, NJ: Prentice Hall, 1997
10. Bimberg D., Ledentsov N., Quantum dots: lasers and amplifiers, J. Phys.: Condens.
Matter, 15, p. 1063-1076, 2003
11. Bogatov A.P. et al. Sov. J. Quantum Electron., 4, 1281, 1975
12. Boyd R. W., Nonlinear optics, Academic Press, NY, 1992
13. Braun D., Semiconducting Polymers LEDs n Materials Today, June, Kidlington, UK,
Elsevier Ltd., pp. 32-39, 2002
14. Chartrain, M., Micro-ondes et hautes frquences, Cours, CFE, France, 1991
15. Chuang, S. L., Physics of Optoelectronic Devices, John Wiley, 1995
16. Cohen L.G., et al., Bell System Tech. J., 57, 1653, 1978
17. Cone G., Optica electromagnetic a mediilor anizotrope, Ed. Tehnic, Bucureti, 1990
18. Chew W.C., Waves i Fields n Inhomogeneous Media, Piscataway N.Y. IEEE Press
1995
19. Davis C.C., Lasers i Electro-Optics: Fundamentals i Engineering, Cambridge, UK,
Cambridge University Press, 1996
20. Desurvire, E., Physics Today, p.20, ian. 1994
21. Dmitriev V. G., et al., Handbook of Nonlinear Optical Crystals, Springer-Verlag, 1991
22. Dutton H.J.R., Understanding Optical Communications, Upper Saddle River, NJ:
Prentice Hall, 1998
23. Eitel S., et al., Highly uniform vertical-cavity surface-emitting lasers integrated with
microlens arrays, Phot. Tech. Lett., vol. 12, no. 5, pp. 459-461, 2000
24. Emsley M. K., Dosunmu O., nl M. S., High-Speed Resonant-Cavity-Enhanced Silicon
Photodetectors on Reflecting Silicon-On-Insulator Substrates, IEEE Photonics
Technology Letters, Vol. 14, No. 4, april 2002
25. Esener S. C., et al., WTEC Panel on the The Future of Data Storage Technologies,
INTERNATIONAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE, June 1999
26. Feynman, R.P., QED The Strange Theory of Light i Matter, Princetown Press
University, Princetown, New Jersey, 1985
27. Fiumara, V., et al., IEEE Microwave i Guided Wave Letters, Vol. 12, No.9, p. 2637,
1998
28. Fox A.G., Li T, Bell System Tech. J., 40, 453, 1961
29. Fox M., Optoelectronics n Quantum Wells n Contemporary Physics, 37, 111-125,
1996
30. Fox M., Optical Properties of Solids, Oxford: Oxford University Press, 2001
267
31. French P.M.W., Ultrafast Solid State Lasers n Contemporary Physics, 37, 283-301,
1996
32. Fukuda M., Optical Semiconductor Devices, New York, NY: Wiley i Sons, Inc., 1999
33. Gavril H., Centea O. - Teoria modern a cmpului electromagnetic i aplicaii Ed.
ALL, Bucureti 1998
34. Getty J. T., et al., CW Operation of 1.55-_m Bipolar Cascade Laser With Record
Differential Efficiency, Low Threshold, and 50- Matching, IEEE Photonics
Technology Letters, Vol. 15, no. 11, november 2003.
35. Ghatak A.K., Thyagarajan K., Optical Electronics, Cambridge, UK: Cambridge
University Press, 1989
36. Gherbanovschi N., Stoican O.S., Electronica fizic i aplicaii, Editura Academiei,
Bucureti, 1994
37. Glass A.M., Fiber optics, Physics Today, oct. 1993
38. Gloge D., Appl. Opt., 10, 2252, 1971
39. Gloge D., Marcatili E.A.J., Bell System Tech. J., 52, 1563, 1973
40. Gloge D, IEEE Trans. Microwave Theory Techniques, MTT-23, 106, 1975
41. Gloge D, Bell System Tech. J., 54, 245-62 1975
42. Goff D. R., Fiber optic reference guide, Butterworth-Heinemann,
Newton, 1996
43. Goldman R. S., Nanoprobing of semiconductor heterointerfaces: quantum dots, alloys
and diffusion, J. Phys. D: Appl. Phys. 37, p.163-178, 2004
44. Goralski W., Optical Networking & WDM, Osborne/McGraw-Hill, Berkeley, 2001
45. Gould P., Fotonics: Practically There? n Materials Today, September, Kidlington, UK:
Elsevier Ltd., pp. 32-37, 2002
46. Green, Lynne D., Fiber Optic Communications, CRC Press, Boca Raton, FL, 1993
47. Green, P., Fiber Optics Networks, Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1993
48. Hall et. al., Phys. Rev. Lett. 9, 366, 1962
49. Hamaide, J.-P. Chesnoy J., Lourtioz J.-M., Solitons optiques et tlcommunications
transocaniques, Images de la physique, 1993, supplment au Courrier du CNRS
50. Hartman R.L., et al. Appl. Phys. Lett., 31, 756, 1977
51. Hauss, H.A., IEEE Spectrum, p.48 may, 1993
52. Hawkes J., Latimer I., Lasers: theory i practice, Prentice Hall, Englewood Cliffs, N.J.,
1995
53. Hayashi I et al., Appl. Phys. Lett., 17, 109, 1970
54. Hecht J., The Laser Guidebook, 2nd ed., New York: McGraw-Hill, 1991
55. Hecht J., Mitigating neliniar effects este essential to long-haul transmission systems,
Laser Focus, Vol.. 38 (May), 155-162. 2002
56. Hecht J., Understanding Fiber Optics, Fourth Edition, Prentice Hall, 2002
57. Henini M., Quantum Dot Nanostructures n Materials Today, June, Kidlington, UK:
Elsevier Ltd., pp. 48-53, 2002
58. Hermier J. P., Quantum noise in VCSELs, New Journal of Physics, 2, 26, p.1-26, 2000
59. Herzig H.P., Ed., Micro-Optics. Elements, Systems i Applications. London: Taylor &
Francis, 1997
60. Hitz B., Ewing J.J., Hecht J., Introduction to Laser Technology, Third Edition,
Piscataway, NJ: IEEE Press, 2001
61. Hsieh J.J., Appl. Phys. Lett., 28, 283, 1976
62. Huffaker D. L. et al., Sub-40mA continuous-wave lasing n an oxidized vertical cavity
surface-emitting laser with dielectric mirrors, IEEE Foton. Tech. Lett. 8 , pp 974-76,
1996
63. Kaiser P., et al. Bell System Tech. J., 52, 265, 1973
64. Kao K.C., Hockham G.A., Proc. IEEE, 133, 1151, 1966
268
65. Kapron et al., Appl. Phys. Lett., 17, 423, 1970
66. Kartalopoulos S., Introduction to DWDM Technology (Data n a rainbow), Piscataway,
NJ, Wiley-IEEE Press., 2000
67. Kasap S.O., Optoelectronics i Fotonics: Principles i Practices, Upper Saddle River,
NJ: Prentice Hall, 2001
68. Kawakami S., Nishizawa I., IEEE Trans. Microwave Theory Techniques, MTT-16, 814,
1968
69. Kawakami S., Nishida S., IEEE J. Quantum Electron., QE-10, 879, 1974
70. Keiser G., Optical Fiber Communications, 3rd edition, Prentice-Hall, 2000
71. Kimukin I., InGaAs-Based High-Performance p-i-n Photodiodes, IEEE Photonics
Techmology Letters, Vol. 14, No. 3, March 2002
72. Kirkendall C. K., Dandridge A., Overview of high performance fibre-optic sensing, J.
Phys. D: Appl. Phys. 37, p. 197-216, 2004
73. Koizumi K., et al., Appl. Opt., 13, 225, 1974
74. Kompfner R., Science, 150, 149, 1965
75. Koren B., Photodiodes, SPIEs OE magayine, august 2001
76. Krishnamoorthy Ashok V., Goossen Keith W., Optoelectronic-VLSI: Fotonics Integrated
with VLSI Circuits, IEEE JSTQE, 4(6), 1998
77. Laude J-P., DWDM Fundamentals, Components, and Applications, Artech House, Inc.,
Norwood, 2002
78. Lazay D.P, French W.G., Topical Meeting of Optical Fiber Communication (New York:
Opt. Soc. AM.) WC3, 1979
79. Leijtens X., Developments in Photonic Integrated Circuits for WDM Applications,
Proceedings of SPIE, Vol. 5247, p. 19-25, 2003
80. Lemonick M.D., The light at the edge of the universe, Princetown University Press, 1995
81. Lewin L., IEEE Trans. Microwave Theory Techniques, MTT-22, 718, 1974
82. Lindstrom A., Optical Fiber: Where este It headed? Fotonics Spectra, Vol. 36, April,
pp. 68-72, 2002
83. Lipson S.G., Lipson H., Tannhauser D.S., Optical Physics, Cambridge University Press,
1995
84. MacChsney J.B. et al., Proc. 10th Int. Conf. of Glass, pp 6-40, 1974
85. Maghiar T, Clugreanu M, Stnescu C, Bondor K., Electronic industrial, Editura
Universitii din Oradea, 2001
86. Maghiar T., Clugreanu M., Stnescu C., Bondor K., Transmisia semnalelor, Editura
Universitii din Oradea, 2001
87. Marcatili E.A.J., Miller S.E., Bell System Tech. J., 48, 2161, 1969
88. Marcatili E.A.J., Bell System Tech. J., 56, 49, 1977
89. Marcuse D., Bell System Tech. J., 49, 1695, 1970
90. Marcuse D., Theory of Dielectric Optical Waveguides, New York, Academic Press, 1974
91. Marcuse D., Bell System Tech. J., 55, 777, 1976
92. Marcuse D., Bell System Tech. J., 56, 703, 1977
93. Mateescu A., Electronique, physique et signal pour les tlcommunications, Editura
Tehnic, Bucureti, 1997
94. Maurer S.J., Felsen L.B., IEEE Trans. Microwave Theory Techniques, MTT-18, 584,
1970
95. Melchior H. et al. Proc. IEEE, 58, 1466, 1970
96. Melngailis I., Longitudinal injection-plasma laser of InSb , Applied Physics Letters, 6,
no.3, pp 59-60, 1965
97. Miller J. L., Friedman E., Optical Communications Rules of Thumb, McGraw-Hill, 2003
98. Miller D.A.B., Quantum Well Optoelectronic Switching Devices n International J.
High Speed Electronics (Singapore: World Scientific), 1, 19-46, 1990
269
99. Miller S.E., Bell System Tech. J., 44, 2017-64, 1965
100. Miller S.E., Science, 170, 685, 1970
101. Miller S.E., Tillotson L.C., Appl. Opt., 5, 1538, 1966
102. Mynbaev D.K., Scheiner L.L., Fiber Optic Communications Technology, Prentice-
Hall, 2001
103. Mohammad S.N., Morko H., Light Emitting Diodes n Wiley Encyclopedia of
Electrical Engineering i Electronics Engineering (Ed. J. Webster) Vol. 11, New York,
NY: Wiley i Sons Inc., pp. 315-326, 1999
104. Mollenauer L.F., Optics i Fotonics News, p.15, apr. 1994
105. Morin V., Fiber Amplifiers Make Steady Gains, Fotonics Spectra, Vol. 32, May,
pp. 146-150, 1998
106. Morko H., Mohammad S. N., High Luminosity Gallium Nitride Blue i Blue-
Green Light Emitting Diodes n Science Magazine, 267, 51-55, 1995
107. Moss T.S., Optical Properties of Semiconductors, Butterworth Publications,
London, 1995
108. Murata, Hiroshi, Handbook of Optical Fibers i Cables, Second Edition, Marcel
Dekker Inc, 1996.
109. Nakamura S., A bright future for blue/green LEDs n IEEE Circuits i Devices,
11, 1923, 1995
110. Okamoto K., Okoshi T., IEEE Trans. Microwave Theory Techniques, MTT-24,
416, 1976
111. Olshanshy R., Keck D.B., Appl. Opt., 15, 483, 1976
112. Olshansky R., Appl. Opt., 15, 782, 1976
113. Olshansky R., Appl. Opt., 16, 2171, 1977
114. Osanai H., Electrochemical Society Meeting. extended Abstracts, p. 367, 1978
115. Palais, Joseph C., Fiber Optic Communications, Third Edition, Prentice Hall,
Englewood Cliffs, NJ, 1992
116. Paul D. J., Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and
circuits, Semicond. Sci. Technol. 19, p.75-108, 2004
117. Pavesi L., Will silicon be the photonic material of the third millenium?, J. Phys.:
Condens. Matter, 15, 1169-1196, 2003
118. Pollock C.R., Introduction to Optoelectronics, Burr Ridge, IL: McGraw-Hill, 1995
119. Popescu, I.M., Teoria electromagnetic macroscopic a luminii, Ed. tiinific i
Enciclopedic, Bucureti, 1986
120. Prior K., The Development of II-VI Semiconductors for Blue Diode lasers n
Contemporary Physics, 37, 345-358, 1996
121. Ramaswami R., Sivarajan K. N., Optical Networks - A Practical Perspective,
Second Edition, Academic Press, London, 2002
122. Ridley B. K., Quantum Process in Semiconductors, Oxford Science Publications,
1988
123. Rieke G.H., Detection of light: from the ultraviolet to the submillimeter, Cambridge
University Press, 1994
124. Rogers A., Essentials of Optoelectronics, London: Chapman i Hall, 1997
125. Routledge G., Lighting the way to a low energia future, n IEE Review, September
2002, pp. 21-25
126. Russell St. J., Archambault P. L., Reekie L., "Fiber Gratings", Physics World,
October 1993
127. Sakai J., Kimura T., Opt. Lett., 1, 169, 1978
128. Schroeder J., et al., J. Am. Ceram. Soc., 56, 510, 1973
129. Schwab A. J., Compatibilitatea electromagnetic, Editura Tehnic, Bucureti, 1996
130. Schwalow A.L., Townes C.H., Phys. Rev., 112, 1940, 1958
270
131. Seekamp J., et al., Nanoimprinted passive optical devices, Nanotechnology, 13,
581586, 2002
132. Senior J. M., Optical Fibre Communications: Principle i Practice,2nd Edition,
Prentice-Hall, 1992
133. Shimada S., Ishio H., Optical Ampliers i their Applications, John Wiley i Sons,
1994
134. Simmons J.H., Potter K. S., Optical Materials, San Diego, CA: Academic Press,
2000
135. Sircar, P., Arvind, V., Journal of Electromagnetic Waves i Applications, Vol. 11,
No.9, p.1213, 1997
136. Sladen F.M.E., et al., Proc. 4th Europ. Conf. on Optical Communication, Geneva, p.
48, 1978
137. Smith F.G., King T.A., Optics i Fotonics, An Introduction, Chichester, UK: Wiley
i Sons Ltd. (UK), 2000
138. Smith R.G., Appl. Opt., 11, 2489-94, 1972
139. Snitzer E., J. Opt. Soc. Am., 51, 491, 1961
140. Snyder A.W., IEEE Trans. Microwave Theory Techniques, MTT-17, 1130, 1969
141. Snyder A.W., Mitchell D.J. J. Opt. Soc. Am., 64, 599, 1974
142. Spnulescu I., Dispozitive semiconductoare i circuite integrate analogice, Editura
Victor, Bucureti, 1998
143. Steinmeyer G., A review of ultrafast optics and optoelectronics, J. Opt. A: Pure
Appl. Opt. 5, p1-15, 2003
144. Sterling, Donald J., Technician's Guide to Fiber Optics, Second Edition, Delmar
Publishers, Inc. Albany, NY, 1993
145. Strite S., Unlu M.S., Tunable photodetectors and light-emitting diodes for
wavelength division multiplexing, Electronics Letters, 13th april 1995, Vol. 31, No. 8,
p. 672-574
146. Syms R.R., Moore D.F., Optical MEMS for Telecoms n Materials Today, July-
August, Kidlington, UK: Elsevier Ltd., pp. 26-35, 2002
147. Sysms R., Cozens J., Optical Guided Waves i Devices, London: McGraw-Hill
Book Company, 1992
148. Takahashi S., Kawashima T., Digest Int. Conf. on Integrated Optics i Optical
Telecommunication, Osaka (Tokyo: IEEE Japan), p. 621, 1977
149. Takahashi Y., et al., Silicon single-electron devices, J. Phys.: Condens. Matter
14, p.995-1033, 2002
150. Tanaka S. et al., Electron Lett., 11, 153, 1975
151. Thompson G. H. B., Physics of Semiconductor Laser Devices, John Wiley i Sons,
New York, 1980
152. Tomasetta L.R. et al., IEEE J. Quantum Electron., QE-14, 800, 1978
153. Tropper A. C., et al., Vertical-external-cavity semiconductor lasers, J. Phys. D:
Appl. Phys. 37, p75-85, 2004
154. ugulea, A., Cmpul electromagnetic, Ed. Tehnic, Bucureti 1994
155. Uchida et al., IEEE J. Quantum Electron., QE-5, 800, 1969
156. Udd E., editor, Fiber Optic Sensors: An Introduction for Engineers and Scientists,
Wiley, New York, 1991
157. Udd E., editor, Fiber Optic Sensors, Proceedings of SPIE, CR-44, 1992
158. Udd E., Editor, Fly-by-Light, Proceedings of SPIE, Vol. 2295, 1994
159. Udd E., editor, Fiber Optic Smart Structures, Wiley, New York, 1995
160. Ungar S., Fibre OpticsTheory and Applications, John Wiley, New York, 1990
161. Unlu M. S., Emsley M. K., Dosunmu O. I., High-speed Si resonant cavity
enhanced photodetectors and arrays, J. Vac. Sci. Technol. A 22.3., May-Jun 2004
271
162. Vander Vorst A., Transmission, propagation et rayonnement, De Boeck Universit,
1995
163. Vannes A. B. et al., Lasers et industries de transformation, Technique et
documentation Lavoisier, Paris, 1996
164. Whitaker J.C., The Electronics Handbook, Boca Raton, FL: CRC Press, chapters
5760, 1996
165. Wilson J., Hawkes J., Optoelectronics, An Introduction, Third Edition, London:
Prentice Hall Europe, 1998
166. Wilson M., Kannagara K., Smith G., Simmons M. i Raguse B., Nanotechnology,
Sydney, Australia: UNSW Press, 2002
167. Wolfbeis O. S. , Greguss P., editors, Biochemical and Medical Sensors, Proceedings
of SPIE, Vol. 2085, 1993
168. Wood D., Optoelectronic semiconductor devices, Prentice Hall International Series
n Optoelectronics, Prentice Hall, New York, 1994
169. Xu, J., Gao, X., Canadian Journal of Physics, vol. 72, No. 1 & 2, p. 30-32, 1994
170. Zu F.T.S., Khoo I.C., Principles of optical engineering, John Wiley & Sons, 1990
171. Yamamoto Y., Mukai T., Fundamental of optical ampliers, Opt. Quantum
Electronics, Vol. QE-21, pp. S1S14, 1989
172. Yariv A., Pochi Yeh, Optical Waves in Crystals, John Wiley and Sons, 1984
173. Yariv A., Optical Electronics, 3rd Edition, Holt-Saunders, 1985
174. Yariv A., Optical Electronics n Modern Communications, New York, NY: Oxford
University Press, 1997
175. Yeh C., Applied Fotonics San Diego, CA: Academic Press, 1994
176. Yoshida K., et al., Electron. Lett., 13, 608, 1977
177. * * * Laser Diode Systems i Components Product selection catalog Power
Technology Incorporated, 1996
178. Introducing DWDM:
http://www.cisco.com/univercd/cc/td/doc/product/mels/dwdm/dwdm_fns.htm
179. Fundamentals of DWDM Technology:
http://www.cisco.com/univercd/cc/td/doc/product/mels/dwdm/dwdm_ovr.htm
180. Dense Wavelength Division Multiplexing (DWDM):
http://www.iec.org/online/tutorials/dwdm
181. Dense Wavelength Division Multiplexing (DWDM) Testing:
http://www.iec.org/online/tutorials/dwdm_test
182. Tout sur la fibre optique: http://www.unige.ch/seinf/jfl/fibre/welcome.html
183. Laboratoire de fibres optiques: http://opt-fibres.phys.polymtl.ca/
184. http://cqd.ece.nwu.edu/annualreport/alfree.pdf
185. http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/bandstr.html
186. http://www-ncce.ceg.uiuc.edu/tutorials/crystal_structures/gaas.html
187. http://britneyspears.ac/fplasers.htm
188. www.soton.ac.uk
189. www.photon-x.net/tech/edfa.htm
190. www.webopedia.com
191. www.mse.vt.edu
192. http://www.ecma.ch
193. http://www.CeQuadrat.com
194. http://www.cisco.com/univercd/cc/td/doc/product/mels/dwdm/dwdmfns.pdf
195. http://www.ee.ucl.ac.uk/lcs/papers99/dbojic.pdf