Dispozitive Si Circuite Electronice 1

Universitatea Petru Maior Facultatea de Inginerie Catedra de Inginerie Electric!
"ef lucr!ri ing Germn Z
Dispozitive !i circuite electronice I Partea 1 Dispozitive electronice

Curs. Format electronic
Anul universitar 2005-2006
Germn Zoltn
Dispozitive electronice1 curs partea I
Cuprins
Introducere 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE 1.1 Jonc!iunea p-n 1.1.1 Jonc#iunea p-n la echilibru termic 1.1.2 Caracteristica static! a jonc#iunii p-n. Ecua#ia diodei ideale 1.1.3 Str!pungerea jonc#iunii p-n 1.1.4 Circuitul echivalent al jonc#iunii p-n 1.2.Diode semiconductoare 1.2.1 Diode redresoare. Caracteristica static!. Func#ionare 1.2.2 Diode varicap. 1.2.3 Diode stabilizatoare (ZENER) Caracteristica static!. Func#ionare. Stabilizator parametric. 1.3 Tranzistorul bipolar 1.3.1. Introducere. Simboluri. Tipuri de caracteristici. 1.3.2 Principiul de func!ionare (efectul de tranzistor) 1.3.3 Componentele curen!ilor prin tranzistor 1.3.4 Descrierea func!ion"rii n regiunea activ" normal" (conexiunile BC, EC) 1.3.5 Modelul de semnal mare (EBERS - MOLL) al tranzistorului bipolar 1.3.6.Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar 1.3.6.1. Caracteristicile statice n conexiunea baz" comun" (BC) 1.3.6.2. Caracteristicile statice n conexiune emitor comun (EC) 1.3.7 Polarizarea tranzistorului ntr-un punct dat de func!ionare, n regiunea activ" 1.3.8.Limit"ri n func!ionare datorat" varia!iei temperaturii #i disipa!iei de putere 1.3.8.1 Varia!ia caracteristicilor electrice cu temperatura 1.3.8.2 Stabilizarea PSF n raport cu varia#iile de temperatur! 1.3.9.Tranzistorul bipolar n regim dinamic 1.3.9.1 Modelul de semnal mic. Circuit echivalent natural 1.3.9.2. Circuit echivalent cu parametri hibrizi 1.3.9.3 Exemplu de utilizare a circuitului echivalent. Etaj de amplificare cu emitorul comun 1.3.10 Caracteristica dinamic" #i limitarea amplitudinii semnalului 1.4 Tranzistorul cu efect de cmp cu jonc!iune (TEC-J) 1.4.1 Introducere. Simboluri.Nota#ii.Func#ionare 1.4.2 Caracteristici statice de ie$ire $i de transfer (canale n $i p). Regim liniar. Regim de satura#ie 1.4.3 Polarizarea TEC-J.Scheme de polarizare. Dreapta de sarcin!. Punct static de func#ionare 1.4.4 Modelul de semnal mic pentru TEC-J. Frecven#e joase $i nalte. 1.5 Tranzistorul cu efect de cmp tip "MOS" (TEC-MOS) 1.5.1.Introducere. Simboluri.Nota#ii.Func#ionare. Tipuri de caracteristici. 1.5.2.Caracteristici statice de ie$ire $i de transfer (canale n $i p). Regim liniar. Regim de satura#ie 1.5.3.Polarizarea TEC-MOS (canal ini#ial $i indus). Scheme de polarizare pentru canal indus $i canal ini#ial. Dreapta de sarcin!. Punct static de func#ionare. 1.5.4.Model de semnal mic pentru TEC-MOS. Frecven#e joase $i nalte. 1.6 Dispozitive electronice uni- "i multijonc!iune 1.6.1.Dioda pnpn. Caracteristica curent-tensiune 1.6.2 Tiristorul conven#ional. Caracteristica curent-tensiune. Amorsarea tiristorului. Blocarea tiristorului. Aplica#ii 1.6.2.Diacul, triacul. Caracteristici curent-tensiune. Amorsare. Blocare. Aplica#ii 1.7 Dispozitive optoelectronice 1.7.1 Fotorezisten#a. 1.7.2 Fotoelementul. Fototranzistorul.Fotodioda. Fototiristorul 1.7.2.Dioda electroluminescent!(LED).Optocuplorul.
2
Germn Zoltn
Introducere Corpurile solide au o structur! cristalin! cu atomii $i moleculele distribuite ntr-o re#ea regulat!, n care unitatea structural! (cub, tetraedru, etc.) se repet! periodic. Atomii situa#i n nodurile re#elei cristaline sunt lega#i ntre ei prin electronii de valen#!. Din punct de vedere electric, corpurile solide se mpart n trei mari grupe: -conductoare -semiconductoare -izolatoare Aceast! clasificare are la baz! valoarea conductivit!#ii electrice m!surat! la temperatura camerei.La aceast! temperatur! se ob#in urm!toarele valori pentru conductivitate electric!: = (10 8 10 6 )(m )1 la materialele conductoare
Dispozitivele electronice sunt acele componente ale circuitelor electronice a c!ror comportare se bazeaz! pe controlul mi$c!rii purt!torilor de sarcin! n corpul solid, n gaze sau n vid. Aproape toate dispozitivele electronice folosesc conduc#ia n corpul solid, de regul! n semiconductoare. Prin controlul mi#c!rii purt!torilor de sarcin! se n#elege fie controlul injec#iei de purt!tori de sarcini, fie controlul propriuzis, care se poate exercita prin cmpul electric care apare datorit! unei diferen#e de poten#ial. Controlul m!rimii curentului electric se poate realiza $i prin efectul unui flux luminos (fotoni) asupra num!rului de purt!tori de sarcin! dintr-o anumit! zon! a dispozitivului electronic , care este cazul particular al dispozitivelor optoelectronice Circuitele electronice sunt de fapt circuite electrice care utilizeaz! dispozitive electronice pentru realizarea unor func#ii cum ar fi: -amplificarea, generarea unor oscila#ii armonice, redresarea tensiunii alternative, stabilizarea tensiunii, modulare/demodulare Func#iile electronice pot fi asociate la dou! categorii mari de aplica#ii: -controlul $i conversia energiei, -prelucrarea sau transmiterea semnalelor electrice purt!toare de informa#ii Dispozitivele electronice pot fi privite ca elemente ale circuitelor electronice, ca urmare m!rimile care apar la bornele acestora sunt tensiuni electrice $i curen#i electrici. La dispozitivele mai simple cu dou! borne, caracterizarea se face prin leg!tura care exist! ntre tensiunea aplicat! $i curentul rezultat, de exemplu ca pe figura al!turat!: Dependen#a poate fi o caracteristic! static! sau una dinamic! dac! apare posibilitatea stoc!rii energiei electrice de c!tre dispozitivul electronic. La dispozitivele cu trei sau mai multe borne descrierea se poate face prin rela#iile care exist! ntre patru m!rimi electrice: doi curen#i $i dou! tensiuni , deoarece al treilea curent se ob#ine n func#ie de ceilal#i doi. Caracteristicile statice ce descriu complet func#ionarea acestui dispozitiv cu trei borne sunt dou! func#ii de dou! variabile, de exemplu
= (10 5 10 9 )(m )1 la materialele semiconductoare = (10 9 )(m )1 la materiale izolatoare
i1 = i1 (u1 , u 2 )
i2 = i 2 (u1 , u 2 )
Este interesant de remarcat c! n majoritatea cazurilor propriet!#ile de interes ale dispozitivelor electronice pot fi descrise cu referire la caracteristicile statice.
3
Germn Zoltn
O prim! proprietate a dispozitivelor electronice este caracterul lor neliniar. Toate dispozitivele electronice au caracteristici statice neliniare. Caracteristica static! a diodei semiconductoare, de exemplu, permite redresarea unui semnal alternativ. O a doua proprietate este caracterul parametric al unor dispozitive electronice. Un anumit parametru al dispozitivului poate fi controlat electric. Rezisten#a tranzistorului cu efect de cmp ntre surs! $i dren! poate fi controlat! de tensiunea aplicat! ntre poart! $i surs!.Aceast! rezisten#! controlat! poate fi folosit! n reglajul automat al amplific!rii. O a treia proprietate important! pe care o prezint! unele dispozitive electronice este caracterul lor activ.Numim active acele dispozitive electronice care pot asigura transformarea puterii absorbite de la sursele de alimentare n curent continuu n putere de semnal. 1.DISPOZITIVE ELECTRONICE 1.1 Jonc!iunea pn Dispozitivele semiconductoare au n construc#ia lor regiuni ale re#elei monocristaline cu diverse impurific!ri att ca m!rime a concentra#iei ct $i ca tip de impuritate (n-regiune tip donor, p-regiune tip acceptor).Jonc#iunea pn reprezint! o structur! fizic! realizat! ntr-un monocristal care are dou! regiuni vecine, una de tip p alta de tip n.Intre aceste dou! regiuni de conductibilitate electric! diferit! apare o varia#ie a distribu#iei impurit!#ilor. Linia de demarca#ie dintre cele dou! regiuni se nume$te jonc"iune metalurgic!. Jonc#iunea pn are o importan#! esen#ial! n func#ionarea unei clase mari de dispozitive electronice. Majoritatea dispozitivelor electronice semiconductoare con#in una sau mai multe jonc#iuni. Cunoa$terea fenomenelor din jonc#iunea pn serve$te $i la n#elegerea unor fenomene cum sunt cele legate de suprafa#a semiconductorului, de contacte metalice, etc. 1.1.1 Jonc!iunea pn la echilibru termic
ntr-o jonc#iune pn aflat! la echilibru termic concentra#iile de purt!tori mobili de sarcin! difer! n zona jonc#iunii metalurgice fa#! de valorile din structur! datorit! fenomenelor de difuzie a purt!torilor mobili. Astfel, golurile din regiunea p, aflate n concentra#ii mari, difuzeaz! spre regiunea n unde concentra#ia lor este foarte mic!, aici ele se recombin! datorit! tendin#ei semiconductorului de tip n de a restabili echilibrul. In mod similar electronii in zona n difuzeaz! spre zona p. Procesele de difuzie ncep evident cu purt!torii afla#i n apropierea jonc#iunii metalurgice. In zona p adiacent! jonc#iunii metalurgice, prin plecarea golurilor apare un exces de sarcin! negativ! datorit! ionilor acceptori (sarcini fixe). Zona n din apropierea jonc#iunii metalurgice cap!t! o sarcin! n exces pozitiv! , prin acela$i procedeu. Caurmare se stabile$te un cmp electric intern orientat de la regiunea n spre regiunea p. Acest cmp electric transport! golurile dinspre regiunea n spre regiunea p $i electronii dinspre regiunea p spre regiunea n, deci n sens opus fluxurilor de difuzie
Ca urmare, procesul de sc!dere a concentra#iilor de purt!tori majoritari nu se continu! pn! la uniformizarea concentra#iilor (conform tendin#ei de difuzie), ci se autolimiteaz! (prin generarea cmpului electric intern) la valori care asigur! echilibrul curen#ilor (fluxurilor) de difuzie $i de cmp.Aceast! situa#ie corespunde unui curent electric nul prin structur!, rezultat compatibil cu condi#ia de echilibru termic.
Germn Zoltn
1.1.2. Caracteristica static# a jonc!iunii pn Caracteristeica static! desemneaz! dependen#a curentului prin jonc#iune , de tensiunea aplicat! acesteia. Conven#ia de nota#ii prezentat! pe figura este urm!toarea: -polarizare direct! pentru care U A > 0 I A > 0 -polarizare invers! pentru care U A < 0 I A < 0 n polarizare direct! se fac nota#iile I A = I F $i U A = U F , iar n polarizare invers! se noteaz! I A = I R $i U A = U R (directforward, invers-reverse) Aplicarea unei polariz!ri directe duce la mic$orarea cmpului electric intern (sensul tensiunii aplicate este contrar sensului cmpului intern de la echilibru termic). Aceasta duce la la mic$orarea curen#ilor de cmp $i m!rirea curen#ilor de difuzie, rezultnd un curent IF nenul. Mic$orarea cmpului electric intern duce la cre$terea concentra#iei purt!torilor mobili de sarcin! datorit! deplasarii golurilor spre regiunea n $i a electronilor spre regiunea p (n cantit!#i mai mari ca la echilibru termic). Acest proces se nume$te injec"ie de purt!tori minoritari. Existen#a unui excedent de concentra#ii duce la preponderen#a fenomenelor de recombinare.Recombinarea purt!torilor mobili de sarcin! are loc att n regiunile neutr ct $i n interiorul regiunii de trecere. Aplicarea unei polariz!ri inverse m!re$te cmpul electric intern. Curen#ii de difuzie se vor mic$ora n favoarea curen#ilor de cmp. Concentra#iile de electroni $i goluri vor fi mai mici dect la echilibru termic datorit! cmpului electric intern crescut, care extrage golurile din regiunea n $i electronii din regiunea p. ca urmare vor predomina fenomenele de generare. Odat! generat!, perechea electron-gol este desp!r#it! prin antrenarea de c!tre cmp, a electronului $i golului n sensuri contrare.Avnd n vedere cele prezentate mai sus, se poate generaliza c! n ambele regimuri de polarizare curentul prin jonc#iunea pn se datoreaz! att fenomenelor din regiunea de sarcin! spa#ial!, ct $i celor din regiunile neutre. Caracteristica static! ideal! a jonc#iunii pn are urm!toarea form! matematic!: & , qU A ) # I A = I O $exp* ' 1! % + mkT ( " q-sarcina electric!, UA -tensiunea aplicat! jonc#iunii, m -constant! de material cu valori ntre (1,2), k-constanta lui Boltzmann, T -temperatura absolut!. Graficul caracteristicii statice este :
unde
& ,UA ) # & , qU A ) # I A = I O $exp* ' 1! = I O $exp* *U ' ' 1! $ % + mkT ( " T + ( ! % " n polarizare direct! predomin! fenomenele de difuzie, de obicei valoarea tensiunii aplicate este mult mai mare ca tensiunea termic! mkT astfel nct ecua#ia poate fi aproximat! cu: U A >> U T = q , qU A ) I F = IO exp* ' + mkT ( (partea exponen#ial! din cadranul I al caracteristicii statice)
Germn Zoltn
n polarizare invers!, pentru tensiuni negative mult mai mari n valoare absolut! ca tensiunea termic! mkT U R >> U T = q curentul prin jonc#iune depinde foarte slab de tensiunea aplicat!, avnd valoarea curentului de satura#ie: I R = IO Datorit! modului rapid de varia#ie a func#iei exponen#iale, se observ! c! ntr-un domeniu limitat de curent, tensiunea pe jonc#iune n polarizare direct! poate fi presupus! constant!, valoarea tipic! a acesteia este de 0,7V pentru Si, 0,3V pentru Ge, As.
1.1.3. Str#pungerea jonc!iunii pn Fenomenul electric de str!pungere a jonc#iunii pn const! n cre$terea puternic! a curentului n polarizare invers! la o anumit! tensiune, a$a cum rezult! din figura de mai jos. In dreptul tensiunii U BR numite tensiune de str!pungere, curentul invers I R tinde c !tre infinit.
Dac! circuitul electric exterior limiteaz! curentul prin jonc#iune la o valoare care nu duce la distrugerea structurii prin nc!lzire excesiv!, fenomenul de str!pungere este reversibil. Str!pungerea jonc#iunii poate fi explicat! prin dou! efecte, amndou! fiind legate de valorile mari ale intensit!#ii cmpului electric la tensiuni inverse mari. Multiplicarea n avalan"# a purt#torilor de sarcin#. La tensiuni inverse ridicate, cmpul electric din regiunea de sarcin! spa#ial! atinge valori mari $i imprim! o energie crescut! purt!torilorde sarcin!. In urma ciocnirii cu atomii re#elei cristaline, un purt!tor de sarcin! poate avea energie suficient! pentru a forma o pereche electron gol prin ruperea unei leg!turi covalente.Ace$ti purt!tori de sarcin! suplimentari sunt antrena#i la rndul lor de cmpul electric $i n mod similar pot rupe leg!turi covalente, fenomenul ducnd la o cre$tere nelimitat! a curentului.Din punct de vedere cantitativ, prezen#a fenomenului de multiplicare este luat n considera#ie prin nmul#irea valorii curentului invers I O (n absen#a acestui fenomen) cu un coeficient M de multiplicare n avalan$!: I R = M IO Coeficientul M poate fi calculat cu o rela#ie empiric!: 1 M= n , UR ) ' 1* *U ' + BR ( unde n este un exponent cuprins ntre 4 $i 7, valoarea sa depinznd de semiconductor. Efectul Zener.Pentru concentra#ii mari de impurit!#i (>1018 cm-3) strapungerea jonc#iunii nu se mai face prin multiplicare n avalan$!, ci prin efect Zener. Aceasta const! n apari#ia unui num!r crescut de purt!tori de sarcin! prin ruperea unor leg!turi covalente sub ac#iunea direct! a cmpului electric.Efectul Zener apare la un num!r redus de tipuri de jonc#iuni $i anume acelea cu tensiuni mici de str!pungere (<5V). Regiunea de str!pungere a caracteristicii electrice (cadranul trei), unde tensiunea este practic independent! de valoarea curentului se nume$te $i regiune de stabilizare. Suprafa#a semiconductorului poate juca un rol important n str!pungerea jonc#iunii, imperfec#iuni majore $i impurit!#i nedorite contribuie la o str!pungere prematur!.
6
Germn Zoltn
1.1.4 Circuitul echivalent al jonc!iunii pn Circuitul echivalent pentru semnal mic este alc!tuit din rezisten#a intern! Ri (care #ine seama de toate efectele sta#ionare ale tuturor componentelor curentului) $i din dou! capacit!#i, Cb , capacitatea de barier! $i Cd , capacitatea de difuzie. Acest circuit echivalent poate c!p!ta forme particulare n func#ie de polarizarea de curent continuu a jonc#iunii.
1.2 Diode semiconductoare Dioda este un dispozitiv electronic care prezinta conduc#ie electric! unilateral!. Simbolul diodei este reprezentat n figura de mai jos, terminalele dispozitivului se numesc anod (A), respectiv catod (C ). Sensul direct de conduc#ie este de la anod la catod.
Majoritatea diodelor semiconductoare este realizat! pe baza jonc#iunii pn ntr-o mare varietate de tipuri dup! cum vom vedea n cele din urm!. 1.2.1 Diode redresoare Diodele redresoare se folosesc la transformarea curentului alternativ n curent continuu, de obicei sunt utilizare la frecven#e joase ( 50/60 Hz). Principalii parametri ale diodelor redresoare sunt curentul n polarizare direct! maxim admisibil ( I FM ) $i tensiunea n polarizare inversa maxim admisibila ( U RM ) . Realiz!rile actuale permit curen#i direc#i pn! la ordinul sutelor de amperi $i tensiuni inverse de mii de vol#i.
1.2.2 Diode varicap Diodele varicap servesc drept condensatoare cu capacitate variabil! prin tensiunea (curentul) invers! aplicat! unei jonc#iuni pn. M!rirea capacit!#ii de barier! (dominant! fa#! de capacitatea de difuzie, n cazul polariz!rii inverse) se controleaz! prin valoarea tensiunii inverse aplicate.
7
Germn Zoltn
1.2.3 Diode stabilizatoare (Zener) Diodele stabilizatoare folosesc regiunea de str!pungere (efect Zener) a caracteristicii statice n vederea stabiliz!rii tensiunii continue. n vederea stabiliz!rii este necesar, ca n domeniul de stabilizare rezisten#a diferen#ial! rz sa fie ct mai mic! (adica unei variatii mari de curent sa-i corespunda o variatie foarte mic! de tensiune), acest lucru este echivalent cu asigurarea unei tensiuni stabilizate U Z U BR ct mai constante. De asemenea, este foarte important ca tensiunea de stabilizare sa depind! ct mai slab de temperatur!.
!" Aplica!ie n circuitul de pe figura de mai jos dioda este realizat! pe baza unei jonc#iuni pn cu IO = 1A $i m = 1 . S! se calculeze punctul static de func#ionare al diodei. Punctul static de func#ionare ( I A ,U A ) rezult! din rezolvarea sistemului de ecua#ii:
-U A + RI A = U / & , qU A ) # . ' 1! /I A = I O $ exp* % + mkT ( " 0
Rezolvarea acestei ecua#ii duce la o ecua#ie transcendent!, de aceea vom prefera o rezolvare iterativa, bazat! pe aproxima#ii succesive. Se presupune ini#ial U A = 0 ; rezult! atunci curentul de valoarea
U = 10mA . Cu aceasta valoare a curentului se recalculeaz! tensiunea pe diod!: R ) kT , I U A = m ln* A + 1' = 0.026 ln(104 + 1) = 0.239V q + IO ( U U Noua valoare a curentului este acum I A = A = 9.76mA iar U A = 0.238V . R IA =
Aceste valori se retin ca fiind solutia problemei. Se remarca convergenta rapida calculului iterativ. Rezolvarea sistemului se poate face $i grafic, dup! cum se vede pe figura al!turat!
Germn Zoltn
!" Aplica!ie
n circuitul serie din figura cele doua diode au IO1 = 1A $i IO 2 = 9 A $i se cere s! se calculeze tensiunile la bornele celor dou! diode.
Diodele sunt polarizate invers la acelasi curent I A1 = I A 2 = I A ca urmare acest curent nu poate dep!$i valoarea celui mai mic dintre curen#ii de satura#ie : I A1 = I A 2 = I A = 1A . Tensiunea la bornele diodei D2 este U A2 =
kT , I A ) ln* + 1' = 0.003V $i poate fi neglijat!. Atunci q + IO2 (
mp!r#irea inegal! a tensiunii de alimentare ntre diodele D1 $i D2 se reg!se$te ilustrat n figura al!turat!, fenomen ce este suparator deoarece diodele sunt puse n serie de obicei ntocmai pentru a suporta n polarizare invers! o tensiune mai mare dect poate suporta fiecare diod! n parte.
!" Aplica!ie Sa se calculeze tensiunile la bornele celor doua diode din figura de mai jos, diodele avnd acelea$i caracteristici ca n problema precedenta. Neglijnd ntr-o prima aproximare, curentii prin diodele polarizate invers se ob#ine:
I I1 I = U R1 U R 2 U = 100A >> I O1 , I O 2 n aceste conditii : 2R U = = 100V . Pe baza acestui calcul aproximativ 2R IR1 = I O1 ; I R 2 = IO 2
U A2 = U + RI A U = 200V deci practic ntreaga tensiune a sursei U se reg!se$te pe dioda D2 .
se poate afirma ca prin diode circula curentii inversi:
se poate face un calcul mai exact al punctelor statice de func#ionare cu ajutorul relatiilor:
UR1 + UR 2 = U U R1 U + I O 1 = R 2 + IO 2 = I R R
Se obtin rezultatele:
U R1 = 104V ;U R 2 = 96V ; I = 105A
Acest circuit asigura o mpartire mai buna a tensiunii de alimentare ntre cele doua diode, rezistentele acestea numindu-se rezisten"e de egalizare.
Germn Zoltn
!" Aplica!ie
n circuitul din figur! diodele au IO1 = 2 pA $i respectiv IO 2 = 8 pA . Caracteristicile lor se considera a fi ideale , m=1. Se cere sa se calculeze curentii prin cele doua diode.
Diodele D1 $i D2 sunt polarizate direct, caracteristica statica a grupului celor doua diode legate n paralel este:
I = IO exp qU a ; I = I O1 + IO 2 kT O
efectund un calcul iterativ (ca n prima aplicatie) se ob#ine:

I 99.4mA;U A 0.6V
Curentul total I se divide prin fiecare dioda proportional cu curen#ii de satura#ie:

I A1 = I IO1 = 19.9mA; I A 2 = 79.5mA I O1 + IO 2
Observatie. mp!r#irea inegal! a curen#ilor prin cele dou! diode este nefavorabil!, deoarece diodele sunt puse n paralel pentru a nu fi suprasolicitate la curenti prea mari. !" Aplicatie Circuitul din figura de mai jos nseriaz! cu fiecare diod! cte o rezisten#a mic!, de 20 ; aceste rezisten#e se numesc rezisten#e de egalizare. S! se arate c!, folosind acelea$i diode ca n problema precedent!, curen#ii prin diode au valori apropiate.
Se face un calcul iterativ care pleaca de la VA1 = VA2 = 0. Atunci curentul I are valoarea:
I= V = 99mA R1R2 R+ R1 + R2
10
Germn Zoltn
V A1 =
iar Ia1 = IA2 = 49,5 mA. Atunci, tensiunile pe diode au valorile:

V A2 =
kT I A1 ln = 0,622V q I 01 kT I A 2 ln = 0,586V q I 02
Cu aceste valori ale tensiunilor pe diode, curen#ii se recalculeaz! cu rela#iile: VR + V A2 R V A1 ( R + R2 ) I A1 = 2 = 48,3mA R1 R2 + R1 R + R2 R
I A2 =
VR1 + V A1 R V A2 ( R + R2 ) = 50,1mA R1 R2 + R1 R + R2 R
Aceste valori ale curentului nu duc la modific!ri notabile ale tensiunilor pe diode $i se re#in ca solu#ii. 1.3. Tranzistorul bipolar 1.3.1. Introducere. Simboluri. Tipuri de caracteristici. Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic cu trei borne: emitor, baz", colector. Aceste trei borne fac leg"tura la trei regiuni semiconductoare de conductibilitate diferit" (n, p) ale aceluia#i cristal semiconductor. Se nume#te " bipolar" deoarece conduc!ia este asigurat" de dou" tipuri de purt"tori de sarcin" cu sarcin" de semn diferit: electroni #i goluri. n figurile urm"toare se arat" simbolurile grafice corespunz"toare celor dou" structuri, npn #i pnp. S"geata din simbol corespunde jonc!iunii pn emitor-baz" (vrful s!ge!ii merge ntotdeauna de la zona p spre zona n) $i arat" #i sensul normal pozitiv al curentului principal prin tranzistor.
Se pot defini trei curen!i #i trei tensiuni , dar pentru descrierea func!ion"rii nu sunt necesare toate aceste #ase m"rimi. Tensiunile #i curen!ii sunt legate prin reala!ia:
uCB = uCB + uEB iE = iB + iC
Tranzistorul poate fi asimilat cu un nod n care suma algebric" a curen!ilor este zero, deci numai dou" tensiuni #i doi curen!i sunt independen!i. Alegerea m"rimilor electrice care descriu comportarea tranzistorului se poate face n moduri diferite.
11
Germn Zoltn
Criteriul este urm"torul: se consider" tranzistorul ca un diport (cuadripol), adic" un bloc cu dou" intr"ri #i cu dou" ie#iri dar dat fiind faptul c" tranzistorul are numai trei borne, una trebuie s" fie comun" intr"rii #i ie#irii. Borna comun" define#te conexiunea tranzistorului. De exemplu: - emitor comun (EC) - baz" comun" (BC) - colector comun (CC) Tipuri de caracteristici. Pentru un tranzistor dat, curen!ii rezult" atunci cnd se dau tensiunile aplicate pe jonc!iuni. Alegnd de exemplu pentru exemplificare conexiunea baz" comun" (BC):
iE = iE ( uEB , uCB ) ic = ic ( uEB , uCB )
Grafic, aceste func!ii de dou" variabile corespund la dou" familii de caracteristici. n descrierea tranzistorului bipolar se folosesc caracteristici : - de intrare: iE = iE (uEB ), uCB , iC parametri - de transfer: iC = iC (uEB ), uCB ,i B parametri - de ie#ire:
iC = iC (uCB ), uEB ,i B parametri
OBSERVA$IE: tranzistorul va fi complet descris prin specificarea a dou" seturi de caracteristici independente. Pentru comoditate ns" se folosesc, dup" caz, toate tipurile de caracteristici de mai sus, att n conexiune baz" comun!(BC), ct #i n conexiunea emitor-comun (EC). 1.3.2 Principiul de func!ionare (efectul de tranzistor) Efectul de tranzistor va fi explicat pe schema unui tranzistor pnp de pe figura de mai jos, care cuprinde dou" jonc!iuni semiconductoare, jonc!iunea emitor-baz" #i jonc!iunea colector baz"
n func!ionare normal", jonc!iunea colector-baz" se polarizeaz" invers iar KT jonc!iunea emitor-baz" direct. Dac" uEB !! , atunci iE este mare #i uEB constant cu valori q tipice de ordinul 0.6-0.7 V (Si) sau 0.3-0.4 V (Ge). Pentru ca dou" astfel de jonc!iuni s" satisfac" cerin!ele func!ionale ale unui tranzistor cuplarea lor trebuie s" satisfac" dou" condi!ii importante: a. jonc!iunea emitorului s" fie puternic asimetric" (tip p+ n ) ca urmare iE va fi un curent de goluri. b. baza s" fie foarte sub!ire n compara!ie cu lungimea de difuzie a golurilor,astfel nct fluxul de goluri s" ajung" practic n totalitate la colector, deci iE iC Examinnd, de exemplu circuitul din figur", putem determina m"rimile electrice:
12
Ecua!ii de dispozitiv.
Germn Zoltn
uEE = uEB + RE I E , uEB uCC = uCB + RC I C u uEB uEE I E = EE (u >> uEB ) RE RE EE I C IE iar uCB = uCC + RC I C . (calculul de mai sus e valabil dac" uCB < 0 ). Comportarea tranzistorului ca amplificator.Dac" presupunem o mic" varia!ie uEB , aceasta provoac" varia!ia lui iE iC , #i a lui uCB R uCB C uEB iar uEB va ap"rea "amplificat" dac" RC < RE . RE Este de remarcat c" rezultatul nu este edificator, deoarece aplicarea semnalului n serie cu sursa de alimentare nu este deloc inspirat" ( de obicei se "atac"" printr-un condensator care blocheaz" curentul continuu dar permite trecerea semnalului alternativ). qI , quEB ) iC Considernd iC iE const . exp* = C = g m , unde I C este curentul continuu n ', + KT ( uEB KT jurul c"ruia au loc varia!iile produse de semnal, iar g m este panta (tansconductan!a) tranzistorului. uCB = RC iC = g m RC u EB
deci amplificarea n tensiune este g mRC . Aceast" amplificare poate lua valori mari. Deoarece iC iE tranzistorul amplific" n putere, adic" transfer" curentul din circuitul de intrare de rezisten!" mic" n circuitul de ie#ire de rezisten!" mare, de aici denumirea TRANSfer reZISTOR adic" rezisten!" de transfer. 1.3.3 Componentele curen!ilor prin tranzistor Vom considera un tranzistor pnp n conexiune baz" comun" polarizat normal, vom analiza separat curen!ii de electroni #i curen!ii de goluri la cele dou" jonc!iuni
i E = i E , p + i E ,n iCp = i E , p ir iC = iC , p + I CB 0
O parte din curentul de electroni injectat de emitor n baz" se pierde prin recombinare, ca urmare, curentul de goluri injectate de emitor #i colectatate de colector este iC , p . Curentul propriu al jonc!iunii colectorului I CB 0 este sus!inut de purt"tori minoritari, electroni #i goluri ( curent rezidual ).
i B = i E iC = i E , p + i E ,n i E , p + ir I CB 0 = i E ,n + ir I CB 0
unde i E ,n este curentul propriu de electroni al jonc!iunii emitorului. Se define#te eficien!a emitorului :
E =
iE ,p iE
iE,p i E , p + i E ,n
1)
13
Germn Zoltn
factorul de transport :
E =
iC , p iE , p
iC, p iC, p + ir
1)
i E = i E , p + i E ,n 1 iC = E T i E + I CB 0 1 iC = F i E + I CB 0 unde F = E T este factorul de amplificare n curent n sens direct, n conexiunea BC. O alt" condi!ie pentru func!ionarea eficace al tranzistorului este ca I CB 0 0 ( s" fie neglijabil ).
1.3.4 Descrierea func!ion"rii n regiunea activ" normal"
conexiunea BC (baz# comun#) KT KT uEB >> , uCB < 0 , uCB >> iC = F iE + ICB 0 , unde F , ICB 0 sunt presupuse constante. q q conexiunea EC (emitor comun) u BB = u EB + RB I B u CC = u CE + RC I C
Se va considera U EB const . nlocuind, ob!inem I C = T IB + ICE 0 unde T = de amplificare n curent (conexiunea EC), iar I CE 0 =
F este factorul 1 F
IB =0
ICB 0 = (F + 1)I CB 0 = IC 1 F rezidual de colector n conexiunea EC (m"surat cu baza n gol).

Noul factor de amplificare n curent poate avea valori mari (sute, zeci ).
este curentul
1.3.5 Modelul de semnal mare (EBERS - MOLL) al tranzistorului bipolar a). modelul cu generatoare de curent controlate de curen!ii la borne
& , qu ) # Curentul de colector poate fi scris: iC = F iE I CB 0 $ exp* CB ' 1! , unde primul termen este curentul % + KT ( " injectat de emitor n jonc!iunea colectorului iar al doilea, curentul propriu al jonc!iunii colectorului. O rela!ie similar" poate fi scris" f"cnd bilan!ul curen!ilor la jonc!iunea emitorului, astfel: & , qu ) # iE = R ( iC ) I EB 0 $ exp* EB ' 1! sau % + KT ( " & , qu ) # iE = RiC + I EB 0 $ exp* EB ' 1! % + KT ( "
unde R este un factor de amplificare n curent invers (intrare pe colector #i ie#ire pe emitor) cu emitor scurtcircuitat la baz" iar I EB 0 este curentul de satura!ie al jonc!iunii emitor-baz" determinat cu colectorul n gol.
14
Germn Zoltn
Figura de mai sus reprezint" un circuit echivalent al tranzistorului care corespunde ecua!iilor Ebers-Moll. Ea cuprinde generatoare de curent constant comandate de curen!ii la bornele dispozitivului. b). Model cu generatoare de curent comandate de curen!ii prin diode & , qu ) # iC = F iE I CB 0 $ exp* CB ' 1! % + KT ( " Rezolvnd sistemul format ob!inem un alt set de ecua!ii & , quEB ) # iE = RiC + I EB 0 $ exp* ' 1! % + KT ( " Ebers-Moll:
& , qu ) # & , qu ) # iE = IES $ exp* EB ' 1! R ICS $ exp* CB ' 1! % + KT ( " % + KT ( " & , qu ) # & , qu ) # iC = F I ES $ exp* EB ' 1! ICS $ exp* CB ' 1! % + KT ( " % + KT ( " I EB 0 I CB 0 unde I ES = ; I CS = , iar I ES este curentul de satura!ie al diodei emitor-baz" 1 P R 1 F R m"surat cu colectorul scurtcircuitat la baz", iar I CS este curentul de satura!ie al diodei colector-baz" determinat cu emitorul scurtcircuitat la baz". Circuitul echivalent coresponz"tor apare n figura al"turat".
F IES = R ICS deci cei patru parametrii nu sunt independente.

c Modelarea tranzistorului n diverse regiuni de lucru Modelul Ebers-Moll este valabil pentru orice polaritate a tensiunilor aplicate din exterior . Consider"m separat patru regiuni de lucru distincte care se deosebesc prin polaritatea tensiunilor aplicate din exterior. regimul de blocare (de t"iere) al unui tranzistor pnp este caracterizat de KT n modul) uCB < 0 , uEB < 0 (ambele mari fa!a de q regimul normal de lucru (regiunea activ" normal") uEB > 0 , uCB < 0 (jEB pd + jCB pi) regimul inversat de lucru (regiunea activ" invers") uEB < 0 , uCB > 0 regimul de satura!ie ( uEB > 0 , uCB > 0 ) ambele polarizate direct. d. Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor npn
15
Germn Zoltn
Trecnd de la un tranzistor pnp la unul npn, vom aplica tensiuni de polaritate opus" #i vom ob!ine curen!i de sens opus. Conven!ia de semn pentru curen!i schimb" n mod automat sensul normal pozitiv atunci cnd se trece la tranzistorul npn.
uEB = uBE , uCB = uBC
1.3.6. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar 1.3.6.1. Caracteristicile statice n conexiunea baz" comun" (BC)
caracteristicile de intrare
& , qu ) # & , qu ) # iE = IES $exp* EB ' 1! R I CS $exp* CB ' 1! % + KT ( " % + KT ( " & , qu ) # & , qu ) # iC = F I ES $ exp* EB ' ! ICS $ exp* CB ' 1! % + KT ( " % + KT ( "
prima ecua!ie poate fi interpretat" ca iE = iE (uEB )
ca o caracteristic" de intarare
& , qu ) # pentru uCB < 0 iE = IES $ exp* EB ' 1! este o caracteristic" de diod", % + KT ( " KT pentru uCB < 0 uCB >> ob!inem q & , qu ) # & , qu ) # iE = IES $ exp* EB ' 1! + R ICS = IES $ exp* EB ' ! IES (1 F ) + ( KT % + KT ( " % "
Caracteristicile de transfer
Caracteristica de transfer este dat" de ecua!ia urm"toare ca iC = iC ( uEB )
iC = iC ( uEB )
& , qu ) # & , qu ) # iC = F I ES $ exp* EB ' 1! ICS $ exp* CB ' 1! pentru uCB = ct . % + KT ( " % + KT ( " n func!ionare normal" ea difer" foarte pu!in de caracteristica de intrare: ` & , qu ) # & , qu ) # qu iC F IES $ exp* EB ' 1! + I CS = F IES $ exp* EB ' ! + ICS (1 R ) F I ES exp EB KT % + KT ( " % + KT ( "
16
Germn Zoltn
Caracteristicile de ie#ire
aceste caracteristici pot fi interpretate fie pentru iE = const fie pentru uEB = const
& , qu ) # iC = F iE I CB 0 $exp* CB ' 1! % + KT ( " & , qu ) # caracteristica iE = 0 este urm"toarea: I C = ICB 0 $ exp* CB ' 1! % + KT ( " iar pentru iE = ct . caracteristicile se ob!in prin translatarea curbei pe vertical" pe distan!e egale:
pentru iE = 0 vom folosi ecua!ia:
1.3.6.2. Caracteristicile statice n conexiune emitor comun (EC) Prin sc"derea ecua!iilor
& , qu ) # & , qu ) # iE = IES $ exp* EB ' 1! R ICS $ exp* CB ' 1! % + KT ( " % + KT ( " & , qu ) # & , qu ) # iC = F I ES $ exp* EB ' 1! ICS $ exp* CB ' 1! % + KT ( " % + KT ( "
ob!inem:
& , qu ) # q & # iB = iE iC = (1 F ) I ES $exp* EB ' 1! + (1 F )ICS $ exp uCE + uEB ) 1! ( KT % " % + KT ( " ecua!ie ce poate fi folosit" pentru trasarea caracteristicilor de intrare
Caracteristicile de intrare
iB = iB (uEB ) pentru uCE = ct .
Caracteristica uCE = 0 este de asemenea de tip diod":
& , qu ) # iB = (1 F )IES + (1 R )I CS $exp* EB ' 1! % + KT ( "
Caracteristica de transfer
ic = iC ( uEB )
pentru
uCE = ct.
& , qu ) # q & # iC = F I ES $ exp* EB ' 1! ICS $ exp uCE + uEB ) 1! ( KT % " % + KT ( " kT dac" uCE este suficient de negativ" (pnp) #i uEB >> ,atunci ob!inem caracteristica de transfer q , qu ) iC F IES exp* EB ' . + KT ( Deci se ob!ine o caracteristic" exponen!ial" iC = iC (uEB) ceea ce este o tr"s"tur" de baz" a tranzistorului bipolar.Forma exponen!ial" a caracteristicii de transfer a tranzistorului n regiunea activ" normal" (RAN) trebuie re!inut" deoarece ea este folosit" ca atare n studiul comport"rii neliniare a tranzistorului n unele circuite electronice.
17
Germn Zoltn
Caracteristici de ie#ire
Cele mai folosite sunt iC =iC (-uCE ) pentru iB = ct.
iE = iC + iB iC =
q & # exp uCE + uEB ) 1! sau ( $ KT % " F q # & iC = F iB ( F + 1)ICB 0 $ exp uCE + uEB ) 1! ; F = ( KT 1 F " %
F I iB CB 0 1 F 1 F
n regiunea activ" normal" (RAN) uEB > 0, uEB = ct.Pentru uCB = uCE + uEB < 0,1 V de exemplu iC F iB + (F + 1)ICB 0 = F IB + ICE 0 . Caracteristica iB = 0 nu este limita regiunii de t"iere. Pentru a bloca tranzistorul eset necesar s" bloc"m jonc!iunea emitor - baz".
Curbele iB = const nu sunt orizontale, deoarece F depinde de l"!imea bazei, de fapt curentul de colector cre#te cu cre#terea tensiunii colector-emitor 1.3.7. Polarizarea tranzistorului ntr-un punct dat de func!ionare, n regiunea activ" Dispersia parametrilor tranzistorului de la un exemplar la altul face ca s" nu se poat" pune baz" pe caracteristicile acestuia. Situa!ia este foarte dramatic" pentru tranzistorul n conexiunea emitor comun (EC), unde dispozitivul polarizat n regiunea activ" normal" poate fi caracterizat cu aproxima!ie de parametrii uEB , F , ICB0 unde dispersia uEB este mic", dar dispersia lui F , ICB0 este foarte mare.
uBB = uEB + RB I B uCC = uCE + RC I C (*) I C = F I B + I CE 0

Punctul static de func!ionare (PSF) se va g"si la intersec!ia caracteristicii iB = IB = ct. ,unde uBB uEB IB = cu linia (*) care se nume#te dreapta de sarcin". RB
18
Germn Zoltn
Pentru alt F , caracteristica iB = IB = ct. are alt" pozi!ie #i PSF se schimb". Dac" presupunem dreapta de sarcin" dat" , adic" tensiunea de alimentare #i rezisten!a de colector bine precizate, atunci fixarea (printr-o tehnic" oarecare) a valorii curentului nseamn" de fapt "imobilizarea" punctului de func!ionare ntr-o pozi!ie bine determinat".
n continuare se prezint" un circuit de polarizare cu rezisten!" n emitor, unde pentru simplitate vom presupune vom presupune I CB 0 0 iC F i B , iE (F + 1)iB . Schema difer" de schema anterioar" prin rezisten!a de emitor RE care introduce o "reac!ie negativ"".
u BB = u EB + I B RB + I E RE = u EB + [RB + ( F + 1)RE ]I B IC = RB + (F + 1)RE
F (uBB uEB )
Se observ" c" IC , curentul de colector al tranzistorului presupus a func!iona n regiunea activ" normal", este independent de polarizarea colectorului dac" F # ,atunci IC devine independent de F , pentru F uBB uEB (F + 1) RE >> RB la limit" am putea pune RB = 0 # I E = IC = I ct . dar F + 1 E RE aceast" polarizare particular" nu ne convine (RB = 0) deoarece semnalul care se aplic" de obicei n baz" ar fi scurtcircuitat. Schemele practice folosesc o singur" surs" de alimentare , dup! cum se vede pe figura al"turat":
Dimensionarea rezisten!ei RB ne conduce la valori mari, ceea ce nu satisface condi!iile enun!ate mai nainte, o solu!ie mai bun" este divizorul rezistiv din baz". Aplicnd teorema Thvenin la stnga punctelor a #i b, ob!inem echivalarea cu figura anterioar"
uBB = RB =
R2 u R1 + R2 CC
R1R2 R1 + R2 Polarizarea tranzistorului cu generator de curent constant. n scheme practice apare frecvent acest mod de polarizare. Un generator de curent constant este construit cu unu sau mai multe dispozitive electronice. O schem" simpl" de generator de curent constant este cea de tranzistor cu rezisten!" n emitor #i divizor de polarizare a bazei, reprezentat" pe figura de mai jos:
19
Germn Zoltn
I0 = IC I E =
!" Aplica!ie
uBB uEB RE
n circuitul din figura de mai jos tranzistorul are tensiunea baz"-emitor de 0.7V . Se cere s" se determine punctul static de func!ionare $i s! se specifice regimul de func#ionare
ntr-un caz simplificat se poate considera c! I C I E , iar curentul de baz! se poate neglija pe lng! curentul care circul! prin divizorul rezistiv. Se calculeaz! poten#ialul bazei: R2 10 U BB = U CC = 12 = 4V ; U BB = U BE + I E RE 30 R1 + R2 U U BE 4V 0.7V 3.3V I E = I C = BB = = = 1mA U CE = U CC I C (RE + RC ) = 12 1 8 = 4V 3.3k 3.3k RE Din aceste rela#ii rezult! c! tranzistorul bipolar se afl! n regimul normal de func#ionare, deoarece (I C ,U CE ) se afl! ntr-o pozi#ie de mijloc ntre blocare $i satura#ie !" Aplica!ie
n circuitul din figura de mai jos tranzistorul are = 100 $i tensiunea baz"-emitor de 0.7V . Se cere s" se determine punctul static de func!ionare $i s! se specifice regimul de func#ionare
20
Germn Zoltn
IB =
IC
U CC
U C U BE I C = presupunnd I C >>> I B U C U CC I C RC RB I C RC U BE I R U U BE , iar U CE = U C C B + I C RC = U CC U BE I C = CC RB RB RC + I C = 1.5mA $i U CE
Cu valorile numerice din schem! rezult!
= U C = 4.5V , regim liniar.
1.3.8.Limit"ri n func!ionare datorat" varia!iei temperaturii #i disipa!iei de putere 1.3.8.1 Varia!ia caracteristicilor electrice cu temperatura Un tranzistor care func!ioneaz" n regiunea activ" normal" (RAN)poate fi caracterizat cu aproxima!ie de parametrii uEB (uBE) , F , ICB0 .Pentru varia!ia lui uEB #i ICB0 vom prelua rezultatele cunoscute de la jonc!iunea pn: uEB scade cu temperatura cu o rat" de 2-2,5 mV/ 0C la iE = ct. ICB0 cre#te cu temperatura dup" o lege exponen!ial" dificil de prezis (orientativ ICB0 se dubleaz" la fiecare cre#tere de circa 10 oC) cnd nu este dat" n catalog F varia!ia cu temperaturapoate fi estimat" dup" formula: & T T0 # F F ( T ) = F (T0 ) $ T0 =25 0C , K =100 0C (Si) , 500C (Ge) " % K ! Pe baza acestora se poate vedea cum se modific" caracteristicile statice cu cre#terea temperaturii. 1.3.8.2 Stabilizarea PSF n raport cu varia!iile de temperatur# S" consider!m un tranzistor n conexiune emitor comun (EC), polarizat cu iB=IB=constant. Punctul static de func!ionare se va g!si la intersec#ia caracteristicii iB=IB cu dreapta de sarcin" static".Dac" temperatura cre#te, caracteristicile se vor deplasa n sus #i punctul static de func!ionare se va deplasa #i el pe dreapta de sarcin" spre curen#i de colector mai mari. Pentru a reduce deplasarea punctului static ar fi indicat ca circuitul s" asigure o sc"dere a lui IB cu tendin!a de a men!ine curentul de colector constant (IC=constant). Adic" ar fi de dorit ca I B s! scad! cu cre$terea T ca s" r"mn" curentul de colector IC = ct. , de aici rezult" importan!a circuitului de polarizare n stabilizarea PSF. Vom prezenta n continuare una din cele mai des ntlnite procedee de stabilizare a punctului static de func!ionare. Pentru ilustrare vom considera din nou schema de mai jos, ns" f"r" a mai neglija de aceast" dat" curentul rezidual al jonc!iunii baz"-emitor ICBO . uBB = RB IB + uBE ; IC = F IB + (F +1)ICB0 + RE IE IE =IB + IC = (F + 1)IB + (F + 1)ICB0 uBB - uBE = RBIB + RE (F + 1)IB + RE (F + 1)ICB0 uBB uBE R ( + 1)I CB 0 IB = E F RB + (F + 1) RE RB + (F + 1)RE
I C = F I B + ( F + 1) I CB 0 = =
F (u BB u BE ) (R B + R E ) I + ( F + 1) CB 0 RB + ( F + 1)RE R B + ( F + 1)R E
F (u BB u BE ) F R E ( F + 1)I CB 0 + ( F + 1) I CB 0 = RB ( F + 1)RE R B + ( F + 1)RE
iar uCE = uCC - RCIC - REIE = uCC - (RC + RE )IC

21
Germn Zoltn
Stabilizarea PSF la varia!ia temperaturii se reduce la stabilizarea lui IC (tensiunea colector-emitor rezult" din rela!iile de mai sus) Cre#terea temperaturii duce la cre#terea curentului de colector IC prin intermediul tuturor celor trei parametri (uBE , F , ICB0). Problema care se pune este, cum poate fi minimizat" cre#terea lui IC prin alegerea elementelor circuitului ? Pentru a insensibiliza pe IC la varia!iile lui F trebuie aleas" o rezisten!" RB << (1 + F )RE
astfel avem: I C
U BB uBE , RB ) + * 1 + ' I CBO , ceea ce recomand" circuitul cu divizor pe baz" , n care se RE RE ( + poate asigura o valoare suficient de mic" pentru RB . Pe de alt" parte, deoarece I C F = uBE RB + RE ( F + 1)
se mai folose#te #i circuitul cu o singur" rezisten!" n baz", deoarece la valori mari ai lui RB varia!ia de mai sus devine mai mic". 1.3.9.Tranzistorul bipolar n regim dinamic 1.3.9.1 Modelul de semnal mic. Circuit echivalent natural
n stabilirea unui circuit echivalent de semnal mic nu ne va interesa dect func!ionarea tranzistorului n regiunea activ" normal", acolo unde se pune problema de a amplifica semnalul (f"r" a introduce distorsiuni ale formei acestuia)
factorul de modulare a grosimii bazei, g m -panta (transconductan!a) tranzistorului g -conductan!a baz"-emitor, CdE -capacitatea de difuzie (jonc!iunea emitorului) Cb ' e = CdE + CbE CdE 1 = gb ' e = g Cb ' c = CdE + Cbc Cbc rb ' e
1 1 gce = gm = rb ' c rO Capacitatea de barier" poate fi practic neglijat" pe lng" capacitatea de difuzie n cazul n care jonc!iunea emitorului este puternic deschis". Circuitul echivalent se nume#te natural, deoarece elementele sale au fost deduse n strns" leg"tur" cu fenomenele fizice care au loc n dispozitiv.
gb ' c = gb ' e =
1.3.9.2. Circuit echivalent cu parametri hibrizi
Circuitul echivalent cu parametri hibrizi este echivalent cu circuitul echivalent natural, considernd efectul ie#irii neglijabil la intrare 1 1 ; hr = 0; h f = gmr ; hO = hi = r = g rO
22
Germn Zoltn
1.3.9.3 Exemplu de utilizare a circuitului echivalent. Etaj de amplificare cu emitorul comun. Figura de mai jos arat" un etaj de amplificare EC, caracteristica de transfer uO = uO ( uI ) , unde uO este tensiunea de ie#ire. Presupunnd c":
uI ( t ) = U I + ui ( t )
R"spunsul n curent continuu se deduce u#or de pe caracteristica de transfer U O = uO (U I ) , iar r"spunsul liniar al dispozitivului se poate calcula direct pe baza circuitului echivalent:
u0 (t ) = RCiC (t ) = RC gmub ' e (t ) ub ' e (t ) = ui (t ) uo (t ) gm RC ub ' e (t ) gmrb ' e RC = = ui (t ) rb ' s + rb ' e rb ' s + rb ' e ui (t ) rb ' e rb ' s + rb ' e rb ' e
AU =
AI =
ic (t ) gmub ' e (t ) = = gmrb ' e = F ib (t ) gb ' c (t )
amplificatorul preia putere de la sursa de curent continuu (+UCC) #i o transform" n putere de curent alternativ (de semnal) bilan!ul energetic n circuitul de colector: - n absen!a semnalului : UCC = RCIC + uCE UCC IC = RL IC2 + uCE IC - n prezen!a semnalului alternativ, puterea de curent alternativ disipat" pe RL trebuie s" fie 1 R L I c 2 (IC - amplitudinea semnalului alternativ) 2 1 1 U CC I C = uCE I C R L I C 2 + R L I C 2 + R L I C 2 2 2 puterea medie disipat" pe tranzistor se mic#oreaz" la apari!ia semnalului exact cu puterea de curent alternativ (util") debitat" n sarcin". acest fenomen este caracteristic func!ion"rii tranzistorului ca VENTIL DE COMAND" care controleaz" pur #i simplu puterea instantanee pe care sursa de curent continuu o debiteaz" la un moment dat n rezisten!a de sarcin". randamentul cre#te cu amplitudinea semnalului.
23
Germn Zoltn
1.3.10 Caracteristica dinamic" #i limitarea amplitudinii semnalului
n figura de mai jos apare o schem" practic" de amplificator cu tranzistor bipolar n conexiune emitor-comun (EC). Capacit"!ile de cuplaj blocheaz" componentele de curent continuu , l"snd s" treac" semnalul variabil.
schema echivalent" de curent alternativ
U CC = uCE + iC RC + iE RE uCE + ( RC + RE )iC iC ( t ) = I C + ic ( t ) uCE ( t ) = U CE + uce ( t ) Punctul instantaneu de func!ionare cu coordonatele iC(t), uCE(t) descrie a#a-numita " CARACTERISTIC" DINAMIC%", care nu mai coincide aici cu dreapta de sarcin" static". U CC = U CE + I C ( RC + RE ) + uce ( t ) + ( RC + RE )ic (t )
R ' L = ( RL RC ) adic" legarea n paralel a celor dou" rezisten!e
dac" se liniarizeaz" caracteristicile dispozitivului n jurul PSF (uCE, ICE) atunci valoarea medie a m"rimilor electrice nu depinde de amplitudinea semnalului deci este aceea#i ca la semnal zero. (Punctul mediu de func!ionare n regim dinamic coincide cu puctul static de func!ionare n absen!a semnalului.) Se poate reprezenta locul geometric al punctului instantaneu de func!ionare n planul (ic(t), uce(t)) plan definit pe un sistem rectangular uce ( t ) = R ' Lic (t ) caracteristica dinamic" este de fapt un segment al acestei drepte, segment al c"rui lungime depinde de amplitudinea semnalului dac" admitem ug ( t ) ube (t ) ug (t ) ib (t ) = atunci o tensiune ug(t) sinusoidal" # ib(t) sinusoidal. RG RG Limitarea amplitudinii semnalului
Deoarece caracteristicile statice sunt imprecis cunoscute se prefer" s" se fac" calcule aproximative ignor"nd neliniaritatea dispozitivelor, admi!"nd ic (t ) = IC cost , uce ( t ) = U CE cost , uce = R ' Lic (t ) , U 0 MAX = ucemax = U CE uCEsat Pentru limitarea dispozitivului n regiunea de blocare se impune: Ic max = IC, U 0max = ucemax = R ' L IC , iar limita este cea mai restrictiv" dintre cele dou" condi!ii .
24
Germn Zoltn
Alegerea punctului static de func!ionare (PSF) Caracteristica dinamic" este limitat" inferior de axa orizontal" (t"iere).Dac" U O max este amplitudinea U0 maxim" impus" semnalului, atunci: I C > I cmin = max . Curentul maxim de lucru se dtermin" lund RC U CC (U 0max + 0,5V ) U CEsat = 0.5V ca limitare pentru evitarea satura!iei. Se ob!ine: I C < I C MAX = RC + RE
!" Aplica!ie
n circuitul din figur" tranzistorul bipolar are F = 0.99,U EB 0.2V #i I CBO = 2 A . ntre ce limite putem g"si punctul static de func!ionare dac" rezisten!ele din circuit au toleran!e de 5% ?
n rela!ia : I C = F I E + ICBO vom lua F 1 #i I CBO 0 . Pentru valorile nominale ale rezisten!elor se calculeaz": U U EB 6 0.2 I C = I E = EE = = 2.9mA ; U CB = U CC + RC I C = 12 + 2 2.9 = 6.2V 2 RE Limitele ntre care poate varia curentul prin tranzistor sunt: U U EB 6 0.2 U U EB 6 0.2 I C max = I E max = EE = = 3.05mA ; I C min = I E min = EE = = 2.76mA 1.9 2.1 RE min RE max Valorile extreme ale tensiunii de colector se calculeaz" astfel: ( U CB )max = U CC RC min I C min = 12 1.9 2.76 = 6.76V , ( U CB )min = U CC RC max I C max = 12 2.1 3.05 = 5.60V Locul geometric al punctelor de func!ionare este reprezentat n figura de mai jos, unde mai sunt reprezentate dreptele statice de func!ionare pentru valorile extreme ale lui RC.
25
Germn Zoltn
!" Aplica!ie s" se determine punctul static de func!ionare ( IC ,U CE ) .
n circuitul din figur" tranzistorul npn are parametrii F = 0.99 ,R = 0.6 #i I ES = 2 A . se cere
re;a!iile:
n ipoteza func!ion"rii n regiunea activ" normal" tranzistorul este descris cu aproxima!ie de
I , qu ) iC = F iB + I CBO ; iE = I ES exp* BE ' ; I CBO = (1 F R ) I CS ; I CS = F ES + kT ( R

Ecua!iile circuitului se ob!in aplicnd legile lui Kirchhoff circuitului de baz" (care cuprinde jonc!iunea baz"emitor) #i respectiv circuitul de colector: U BB = RBiB + U BE + RE iE ;
U CC = RCiC + U CE + RE iE la care se mai adaug" iE = iC + iB . Ob!inem astfel un sistem de cinci ecua!ii cu cinci necunoscute
(I
, I B , I C ,U BE ,U CE ) , una din ecua!ii fiind neliniar". Vom estima IE presupunnd pentru nceput U BE 0 #i I CBO 0 ;
IC =
IE =
F I = F IB 1 F B
6 U BB = = 1mA 300 RB +R +3 F + 1 E 100
kT I E ln = 0.026 ln 500 = 016 . V . Aceasta valoare a lui UBE va fi considerat" q I ES suficient de precis" pentru calculul curen!ilor (ceea ce se poate verifica prin ncerc"ri succesive). f"r" a mai neglija de aceasta dat" pe ICBO (calcul mai precis) ob!inem: F (U BB U BE ) I CBO ( RE + RB )(F + 1) IC = + = 1.03mA RB + RE (F + 1) RB + RE (F + 1)
apoi ob!inem: U BE = Aproximnd I C IE ob!inem: U CE = U CC RC I C RE IE U CC (RC + RE )IC = 4.8V Deoarece tensiunea colector-emitor este pozitiv" #i suficient de mare, tranzistorul nu este saturat !" Aplica!ie
iC = iC ( uCE ) . Presupunnd RC variabil, s" se determine plaja de valori pe care o poate lua astfel ca tranzistorul s" func!ioneze n regiunea activ" normal"
26
n circuitul din figura de mai jos tranzistorul are F cuprins ntre 100 #i 200 , tensiunea baz"-emitor de 0.6V . Se cere s" se determine pozi!ia punctului static de func!ionare n planul caracteristicilor de ie#ire
Germn Zoltn
Cu o echivalare Thvenin la stnga bornelor A,B se ob!ine circuitul echivalent din figura a doua, unde:
R2 RR 10 10 20 U CC = 18 = 6V , RB = 1 2 = = 6.66k R1 + R2 R1 + R2 30 30 Se rezolv" sistemul de ecua!ii: -U BB = RB IB + U BE + Re Ie ; /I = I + I ; /E B C . ; I = I F B /C / 0U CC = RC I C + U CE + RE I E ; U BB =

cu necunoscutele: IE, IB, IC, UCE . Din primele trei ecua!ii rezult" expresia curentului de colector: F (U BB U BE ) IC = RB + (F + 1) RE valoare independent" de RC , att timp ct tranzistorul func!ioneaz" n regiunea activ" normal". Introducnd valori numerice se ob!ine I c = 2.59 mA pentru F = 100 I c = 2.64mA pentru F = 200 Curentul de colector depinde foarte slab de factorul de amplificare n curent F Din punct de vedere matematic, IC independent de factor de amplificare se asigur" prin: (F + 1)RE >> RB Aceasta echivaleaz" cu neglijarea c"derii de tensiune pe RB n circuitul baz"-emitor. Ca urmare, poten!ialul bazei fa!" de punctul de referin!" este aproximativ constant #i egal cu UBB ,iar : U U BE 6 0.6 I C IE BB = = 2.7 mA RE 2 Cu ajutorul divizorului pe baz" #i al rezisten!ei din emitor, tranzistorul este polarizat la un curent constant, aproximativ independent de tranzistor. Neglijnd curentul de baz" fa!" de curentul de colector, ob!inem aplicnd teorema a II-a a lui Kirchhoff: U CC U CE + ( RC + RE )I C care este ecua!ia dreptei de sarcin" reprezentete n figura de mai jos:
27
Germn Zoltn
Punctul static de func!ionare se vag"si pe aceast" dreapta de sarcin", la curen!ii cuprin#i ntre 2,59 #i 2, 64 mA. Lund I C = 2,6mA U CE = 7,6V
RC min = 0 #i RC max =
U CC U O 18 0,5 RE = 2 = 4 ,63k IC max 2 ,64
Valoarea maxim" se calculeaz" astfel nct tensiunea colector-emitor la curent de colector de valoare maxim" s" nu scad" sub valoarea de satura!ie, considerat" n acest caz de o valoare acoperitoare de 0,5V. 1.4 Tranzistoare cu efect de cmp cu jonc!iune 1.4.1 Generalit#ti.Principii de func!ionare.Simboluri. No!atii. Tranzistoarele la care conduc#iaelectric! este asigurat! de un singur tip de purt!tor de sarcin! se ntlnesc n literatura de specialitate sub denumirea de tranzistoare unipolare sau tranzistoare cu efect de cmp. Pentru aceste tranzistoare se foloseste curent prescurtarea de tranzistoare TEC sau FET (Field Effect Transistor). Func#ionarea lor se bazeaza pe variatia conductibilitatii unui "canal" dintr-un material semiconductor, ale carui dimensiuni transversale sau concentratii de purtatori de sarcina mobili pot fi controlate cu ajutorul cmpului electric transversal, creat ntre un electrod de comanda numit poarta (gate) situat n vecinatatea canalului $i masa semiconductorului unde este format sau indus acest canal. Tranzistorul cu efect de cmp cu jonc#iune (TECJ) func#ioneaz! cu purt!tori majoritari (electroni n canalul n , vezi figura de mai jos, respectiv goluri n canalul p) Tranzistorul cu efect de cmp cu jonc#iune (TECJ) a fost propus de Schockley n 1952 $i este n esen#! un rezistor a c!rui sec#iune este controlat! de grosimea regiunii sarcinii spa#iale a unei jonc#iuni pn. Termenul de efect de cmp este legat de existen#a cmpului electric n zona de sarcin! spa#ial! , cmp a c!rui intensitate este determinat! de tensiunea aplicat! pe terminalul poart! (gate). Figura de mai jos arat! un tranzistor cu efect de cmp cu jonc#iune realizat n construc#ie planarepitaxial!. Conduc#ia are loc ntr-un canal n ntre contactele surs! (care emite electroni) $i respectiv dren! (care i colecteaz!). Electrodul denumit "poart!" contacteaz! zona difuzat! p+ care mpreun! cu substratul p+ delimiteaz! canalul n. Jonc#iunea pn poarta-canal este polarizata invers, iar grosimea regiunii de sarcina spatiala asociata acestei jonc#iuni face ca sectiunea conductiva a canalului (regiunea n neutra) sa fie mai mic! dect distanta dintre cele doua jonc#iuni. Aceasta sectiune este controlabila electric prin diferenta de potential care exista ntre poarta $i canal. Simboluri grafice
Observatie. $i substratul p+ poate fi folosit ca electrod poarta. Dac! este legat la acelasi potential cu propriu-zisa, atunci se ob#ine un "efect de cmp" aproximativ simetric fata de axa longitudinala a dispozitivului. Dar substratul poate fi folosit ca un al patrulea electrod, independent, caz n care se ob#ine "tetroda cu efect de cmp". Tranzistorul cu efect de cmp cu jonc#iune are avantaje importante fata de tranzistorul bipolar: -dependenta de temperatura mai redusa a caracteristicilor (nu sunt purtatori minoritari) -rezisten#a de intrare (pe electrodul poarta) foarte mare (sute, mii de M , pentru ca iG=0) -inexistenta tensiunii de decalaj (tensiunea drena-sursa este zero la curent de drena zero)
28
Germn Zoltn
-zgomotul mai redus Pe de alta parte TECJ nu amplifica n curent, iar amplificarea n tensiune este mai mic!. De obicei n circuitele electronice discrete se ntlneste $i n combinatie cu tranzistorul bipolar (se exploateaza avantajele ambelor tipuri de tranzistoare) Trebuie remarcat faptul ca sageata din simbolul grafic $i n acest caz desemneaza o jonc#iune pn (sensul sagetii de la p la n). Curentul de poart! este foarte mic (de ordinul nA) $i va fi considerat practic nul. Curentul de drena iD este normal pozitiv: intra n drena tranzistorului cu canal n (electrod care evacueaza electroni) $i iese din drena tranzistorului cu canl p. Curentul de surs! este egal cu cel de dren!. 1.4.2 Caracteristicile statice ale TECJ a.Caracteristici de ie#ire iD = iD ( uDS ) cu uGS = cons tan t parametru numite $i caracteristici de dren!. Pentru o anumit! valoare a tensiunii poarta-surs!, numite tensiunea de prag U T (threshold), dac! negativarea portii creste, grosimea efectiva a canalului scade $i se anuleaza precum $i curentul de drena. pentru tensiuni uDS mici cu uGS=constant caracteristicile sunt: 1 & # 2 , ) u $ GS ' ! iD = GO $1 * u + U T ( ! DS $ ! % " Aceste caracteristici sunt schi#ate pe figura de mai jos: unde GO este conductanta canalului la tensiune poarta-sursa nula.Liniile sunt trasate $i n cadranul al treilea (dar numai pentru tensiuni mici!) pentru a arata ca tranzistorul se comporta ca o conductanta liniar! $i pentru tensiuni drena-sursa mici. TECJ este folosit n regiunea liniar! la tensiuni mici drena-sursa ca rezisten#a controlata n tensiune. Aici conductanta drena-sursa este identica cu conductanta canalului $i rezisten#a drena-sursa este functie liniar! de tensiunea poarta-sursa aplicata. r0 Pentru calcule practice se poate aproxima rezisten#a canalului cu expresia empirica: rd = 1 KU GS unde r0 este rezisten#a pentru tensiune poarta-sursa nula, iar K este o constanta a tranzistorului. Pentru valori mai mari ai tensiunii uDS avem urm!toarele caracteristici de drena: Aceste caracteristici sunt liniare numai la tensiuni drenasursa foarte mici, pentru tensiuni mai mari, distingem a zona neliniar!, o zona de satura#ie a curentului de drena (aici curentul de drena depinde foarte slab de tensiunea drenasursa), dup! care urmeaza o zona de cre$tere abrupta (strapungere) a curentului, nemarcata pe grafic.
Zona neliniar! este caracterizata de uDS < uDS , sat , unde uDS,sat este tensiunea la care apare saturatia curentului de drena. Zona de satura"ie este caracterizata de faptul ca ID nu mai creste cu uDS. Prin definitie uDS uDS , sat , iD = I D , sat
29
Germn Zoltn
Teoria arata ca saturatia corespunde momentului n care canalul este strangulat lnga drena. Aceasta strangulare apare la rndul ei atunci cnd diferenta de potential ntre poarta $i extremitatea de lnga drena a canalului este egala cu tensiunea de prag, deci:
uGS uDS , sat = U T uDS , sat = uGS U T

Din grafic se vede cum uDS,sat creste cu uGS. La tensiuni mari uDS apare o cre$tere foarte puternica a lui iD datorit! strapungerii prin multiplicare n avalansa care apare la capatul de lnga drena al jonc#iunii poartacanal. b.Caracteristicile de transfer sunt iD=iD(uGS). Dispozitivul este folosit ca amplificator n zona de satura#ie caracterizata de uDS > uDS , sat , unde iD este practic independent de uDS. Pentru calcule se foloseste aproximatia parabolica a acestei caracteristici:
iD = iD , sat
, u ) = IDSS * 1 GS ' UT ( +
Grafic, caracteristica static! de transfer se prezint! n figura urm!toare. Zona preferat! de lucru este cea de la curen#i mari, acolo unde $i panta caracteristicii este mai mare. Aici curentul scade cu cre$terea temperaturii (la U GS = const ) dar problema ambal!rii termice nu se pune n cazul TECJ.
1.4.3 Polarizarea tranzistorului cu efect de cmp cu jonc!iune (TECJ) Figura de mai jos prezint! un circuit n care polarizarea por#ii fa#! de surs! se asigur! prin c!derea de tensiune dat! de curentul de sursa iD pe rezisten#a RS. Aceasta tensiune este aplicata pe poarta prin rezisten#a RG , care are valori de ordinul M .
caracteristicilor (variatia tensiunii de prag la diferite cdispozitive), caracteristica iD = iD ( uGS ) este nsa nesigura.. Pentru o polarizare corecta, bine determinata, linia de polarizare trebuie sa intersecteze caracteristicile de transfer ntre punctele A,B, lucru deloc usor de realizat. Atunci cnd este impus un domeniu foarte mic pentru variatia curentului de drena, se recomanda polarizare cu divizor rezistiv pe poarta
Deoarece uGS = RS iD punctul de func#ionare n planul caracteristicii de transfer poate fi determinat prin intersectia dreptei de mai sus numite dreapta de polarizare, ca n figura. datorit! dispersiei
30
Germn Zoltn
R2 U R2 + R1 DD asigurnd astfel o polarizare corect!, respectnd limitele impuse, lucru imposibil de realizat cu schema anterioar!. uGS = U GG iD RS U GG =
1.4.4 Circuitul echivalent de semnal mic La frecven#e joase comportarea tranzistorului este cvasista#ionar! $i modelul de semnal mic poate fi dedus prin liniarizarea caracteristicilor n jurul unui punct de func#ionare. Definirea parametrilor circuitului echivalent se face plecnd de la: diferen#iind:
iD = iD ( uGS , uDS )
diD =
trecnd la varia#ii finite (dar foarte mici): definim panta sau transconductan"ta:
iD i duGS + D duDS uGS uDS
iD = g muGS + gd uDS
gm =
iD uGS
u GS
u DS
iD uGS =
u GS
U DS
si conductan"ta de dren! sau de ie#ire

gd =
iD uDS
iD uDS
1 rd
unde rd este rezisten#a de drena.
Dac! tranzistorul este polarizat n regiunea activa normala, atunci panta gm $i rezisten#a de drena rd au valori mici. Valoarea maxim! a pantei se poate calcula:
gm =
unde g m0 =
iD uDS
=
u DS
, 2 IDSS , u ) u ) * 1 GS ' = gm 0 * 1 GS ' UT + UT ( UT ( +
iD uGS
=
U GS = 0
2 IDSS > 0,U T < 0 este panta maxim! la uGS=0 UT
Circuitul echivalent din figura de mai jos corespunde rela#iei anterioare $i este valabil la excursii suficient de mici ale variabilelor n jurul punctului de func#ionare.
31
Germn Zoltn
La frecven#e nalte trebuie luate n considerare capacit!#ile dintre electrozi, asa cum se indic! n figura de mai jos
Cgs este capacitatea de barier! dintre poart! $i surs!, iar Cgd capacitatea de barier! dintre poart! $i drena. Valorile obi$nuite pentru aceste capacit!#i sunt de ordinul 1-10 pF. Capacitatea dren!-surs! a canalului Cds poate avea valori cuprinse ntre 0.1-1 pF. Datorit! acestor capacit!#i n tranzistor apare o reac#ie negativ! intern! iar amplificarea scade la frecvente nalte. !" Aplica!ie Se da circuitul din figur!, unde tranzistorul cu efect de cmp este descris de legea:
2
, u ) iD = I DSS * 1 GS ' UT ( + cu I DSS = 9 mA $i U T = 3V . ntre ce limite poate varia rezisten#a de dren! astfel nct tranzistorul s! func#ioneze n regiunea de satura#ie ?
nlocuind uGS = RS iD
i ) , n Ecua#ia caracteristicii de transfer, ob#inem: iD = 9* 1 D ' + 12 (
sau
U DS = U DD ID ( RD + RS ) = U DD + U GS ID RD Impunnd condi#ia pentru satura#ie: U DS < U DSsat = U GS U T = 2V ob#inem: U + U GS U DSsat U DD + U T 16 3 RD < RD max = DD = = = 3,25k ID ID 4
deci, rezisten#a de drena poate fi cuprinsa ntre
2 iD 8iD + 144 = 0 cu solutiile 36 mA $i 4 mA. Evident, numai a doua solutie convine problemei. n general. dintre cele doua solutii obtinute din Ecua#ia de gradul doi n curentul de drena, pentru circuitul din figura numai valoiarea cea mai mic! este cea corecta. Pentru tensiunea poarta-sursa numai solutia U T < uGS < 0 este corecta. n cazul de fata avem: U GS = Rs ID = 0.25 4 = 1V Modificarea rezistentei de drena nu are nici un efect asupra curentului de drena.
RD ( 0,3.25k)
32
Germn Zoltn
!" Aplica!ie S! se determine limitele ntre care variaz! punctul static de func#ionare al tranzistorului din figura de mai jos, dac! tensiunea de prag (UT) variaz! ntre -4V $i -3V, iar curentul IDSS ntre 12 mA $i 9 mA. Calculele se vor face pentru RD = 2 k $i Rd = 2.7 k . Pentru U T = 3V $i I DSS = 9 mA calculul a fost facut n problema precedenta $i avem punctul de func#ionare I D = 4 mA $i U GS = 1V . Atunci cnd UT $i IDSS variaz!, punctul static de func#ionare se deplaseaza pe dreapta de sarcina a portii uGS = RS iD . Cealalta extrema a punctului static de func#ionare se ob#ine pentru U T = U T 1 = 4V $i I DSS = IDSS1 = 12 mA Se calculeaz!: I D = 5.33mA;U GS = 1.33V . Tensiunea de dren! se calculeaz! cu: U DS = U DD + U GS I D RD Pentru RD = 2 k ob#inem U DS = 16 1 8 = 7V > U DSsat = 1 + 3 = 2V pentru primul punct de func#ionare $i U DS = 16 133 . 10.67 = 4V > U DSsat = 1.33 + 4 = 2.67V pentru al doilea punct de func#ionare. Dac! RD = 2.7 k ob#inem U Ds = 4.2V > U Dssat = 2V n primul caz $i U DS = 0.28V < U DSsat = 2.67V . n acest al doilea caz tranzistorul cu efect cmp nu func#ioneaz! n regiunea de satura#ie. Ca urmare, nici caracteristica parabolic! nu este valabil! iar valorile determinate anterior pentru ID $i UGS (al doilea punct static de func#ionare) nu sunt corecte. Dac! exist! dispersia enun#at! atunci rezisten#a RD = 2.7 k nu este aleas! corect. 1.5 Tranzistoare cu efect de cmp MOS 1.5.1 Generalitati.Principii de func!ionare.Simboluri. Notatii Tranzistorul MOS este un dispozitiv electronic bazat pe conduc#ia curentului electric la suprafata semiconductorului. Propriet!#ile conductive ale suprafetei semiconductorului sunt controlate de un cmp electric aplicat printr-un electrod izolat de semiconductor (poart!). Aceste aspecte constructive definesc familia tranzistoarelor cu efect de cmp cu poarta izolat! sau, pe scurt, TEC-MIS (tranzistor cu efect de cmp-metal-izolator-semiconductor). Izolatorul folosit este un strat sub#ire de oxid (SiO2) crescut prin oxidarea termic! a suprafe#ei siliciului (de unde denumirea TEC-MOS, adic! tranzistor cu efect de cmpmetal-oxid-semiconductor). Poarta este realizat!, de regul! din aluminiu, dar poate fi realizat! $i din alte materiale, de exemplu siliciu policristalin puternic dopat. Conduc#ia se realizeaz! pe suprafa#a substaratului de siliciu, ntre doua zone cu tip de conductivitate opus celui al substratului; cele dou! zone se numesc surs! (S) $i dren! (D).
33
Germn Zoltn
n figur! s-a considerat un substrat de tip n; n acest caz sursa $i drena sunt de tip p. Pentru a se putea stabili un curent electric ntre sursa $i drena, suprafa#a semiconductorului trebuie inversat! ca tip de conductivitate, adic! s! devin! de dip p. n acest caz, la suprafa#a apare un canal conductor, de tip p., care leag! sursa de dren!. Inversarea tipului de conductivitate a suprafe#ei, precum $i controlul rezistivit!#ii canalului se face de c!tre poart!. Simbolurile grafice pentru tranzistoare MOS cu canal n $i p sunt prezentate n continuare:
De obicei n aplica#ii obi$nuite substratul se leag! la surs!, dar exist! dispozitive la care substratul apare ca un terminal separat. Se observ! aceea$i semnifica#ie pentru s!geata din simbolul grafic. 1.5.2 Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS Fie un TEC-MOS cu canal n (cel cu canal p se descrie identic) la care substratul se leag! la surs!. Tensiunile de poart! UGS $i de dren! UDS sunt pozitive. Pentru tensiuni de poart! mai mici de tensiunea de prag UT nu apare canal la suprafata $i ca urmare curentul de drena ID este nul.Dac! tensiunea de poarta depaseste valoarea de prag, ntre sursa $i drena se formeaza un canal n care permite conduc#iacurentului electric (cu att mai bine cu ct tensiunea UGS este mai mare). Caracteristicile staice ale tranzistorului MOS reprezint! dependen#a curentului de dren! de tensiunile de poart! $i de dren!: I D = I D (U GS ,U DS ) Caracteristicile de dren! sau de ie#ire au aceeasi forma ca $i n cazul TECJ, se pot deosebi o zon! cvasiliniar! $i a zona de satura#ie: Ecua#ia caracteristicii statice n regiunea cvasiliniar! este: 2 & # U DS I D = 2 $(U GS U T )U DS ! ,0 < U DS < U DS , sat 2 " % unde este un parametru constructiv al tranzistorului. tensiunea de satura#ie are forma aproximativ!:
U DS , sat U GS U T
n zona de satura#ie curentul de drena are o valoare constant! n raport cu UDS pentru tensiuni mai mari ca tensiunea de satura#ie, $i caracteristica static! de transfer are urm!toarea form!:
I D = (U GS U T ) ;U DS > U DS , sat
m
unde m este un coeficient cuprins ntre 1 $i 2 , dar de obicei n calcule mai simple se utilizeaz!:
I D = (U GS U T ) ;U DS > U DS , sat
2
34
Germn Zoltn
n figura de mai jos se reprezint! aceast! caracteristic! pentru un tranzistor MOS cu canal n Observa!ie. Din punctul de vedere al dependen#ei de temperatur!, tranzistorul MOS prezint! avantaje deosebite fa#! de tranzistoarele bipolare. La cre$terea temperaturii, curentul de dren! scade, dar dependen#a este foarte slab!. Ca urmare tranzistoarele MOS nu prezint! fenomenele de str!pungere secundar! $i ambalare termic!. n figura urm!toare este prezentat! caracteristica static! de transfer pentr un TECMOS cu canal p n cazul TECMOS cu canal p ambele tensiuni UGS, UDS sunt negative. Aceste tranzistoare au canal indus prin aplicarea unei tensiuni UGS mai mari dect valoarea de prag.
Unele tranzistoare prezint! canal chiar la tensiuni poart!-surs! nule (U GS = 0) $i se numesc tranzistoare MOS cu canal ini"ial. Aceast! situa#ie se ntlne$te n special la tranzistoare cu canal n. Un asemenea tranzistor poate lucra cu orice polaritate a tensiunii de poart!. Dac! tensiunea de poart! este pozitiv! U GS > 0 , regimul se nume$te regim de mbog!#ire datorit! cre$terii concentra#iei de electroni n canal; dac! tensiunea de poart! este negativ! U GS < 0 , regimul poart! denumirea de regim de s!r!cire $i duce la sc!derea concentra#iei de electroni din canal pn! la dispari#ia lui (la U GS = U T ) Caracteristicile de transfer pentru TECMOS cu canal ini#ial n $i p sunt prezentate n figurile urm!toare: TECMOS cu canal p ini#ial TECMOS cu canal n ini#ial
1.5.3 Polarizarea TECMOS alegerea unui anumit punct static de func#ionare se face n functie de scopul dorit: ob#inerea unei anumite pante, folosirea unei regiuni ct mai liniare a caracteristicilor, etc Pentru tranzistoare MOS cu canal indus tensiunile de poarta $i de drena au aceeasi polaritate. ca urmare, pentru polarizare se poate folosi un circuit simplu, cu o singura sursa de curent continuu, cum se vede pe figura: R2 U GS = U DD R1 + R2 pe baza caracteristicii de transfer se poate determina curentul ID; tensiunea de dren! este atunci:
U DS = U DD RD I D
35
Germn Zoltn
Tranzistoarele MOS cu canal ini#ial trebuie polarizate astfel nct tensiunea de poart! s! poat! c!p!ta att valori pozitive ct $i valori negative. n figura de mai jos se prezint! un astfel de circuit de polarizare, cu o singur! surs! de alimentare. Tensiunea de poart! se calculeaz! cu rela#ia: R2 U GS = U DD RS ID R1 + R2 Se observ! posibilitatea realiz!rii ambelor semne pentru tensiunea de poart!. Circuitele de curent continuu ale tranzistoarelor MOS nu au, de regul!, sarcina stabiliz!rii termice a punctelor statice de func#ionare, datorit! dependentei slabe de temperatur! a caracteristicilor statice.
!" Aplica!ie Tranzistorul MOS din figur! are = 0.25 mA V 2 $i U T = 4V . Se cere s! se calculeze : U GS , I D ,U DS Solu#ie:
UG =
R2 10 U DD 12 = 6V , unde U GS = U G = 6V R1 + R2 10 + 10
I D = (U GS U T ) = 0.25 (6 4 ) = 1mA
2 2
U DS = U DD I D RD = 12 3 1 = 9V > U DSsat = U GS U T = 2V
Din rezultatele ob#inute se vede c! tranzistorul MOS se afl! n regim de satura#ie ( U DS > U DSsat ) !" Aplica!ie Tranzistorul MOS din figur! are = 0.125 mA V 2 $i U T = 2V . Se cere s! se calculeze : U GS , I D ,U DS Solu#ie:
UG =
I D = (U GS U T ) = 0.125 (4 + 2) 2 = 4.5mA
2
R2 3 U DD 12 = 4V R1 + R2 3+6
U DS
U G = U GS + I D RS U GS = U G I D RS = 4 4.5 0.4 = 3.2V = U DD I D ( RD + RS ) = 12 4.5 1.4 = 5.7V < U DSsat = U GS U T = 6V
Din rezultatele ob#inute se vede c! tranzistorul MOS se afl! n regim de satura#ie ( U DS > U DSsat )
36
Germn Zoltn
1.5.4 Regim variabil de semnal mic.Schema echivalenta de semnal mic. Utilizarea tranzistoarelor MOS n circuite de amplificare necesita stabilirea unei scheme echivalente pentru regimul variabil de semnal mic. Tranzistorul MOS lucreaza n regiunea de satura#ie. Dac! frecventa semnalului este joasa se poate adopta ipoteza cvasistationara, potrivit careia dependenta ntre valorile instantanee ale marimilor electrice (iD , uGS , uDS ) este aceeasi ca n curent continuu, conform rela#iei: diferen#iind o#inem:
iD = (uGS U T )
diD =
iD i duGS + D duDS uGS uDS
notnd varia#iile mici de semnal: duDS = ud , duGS = ug , diD = id , rezulta o rela#ie ntre componentele variabile ale m!rimilor electrice:
id = m(U GS U T )
unde s-au utilizat urm!toarele notatii:
m 1
ug + (U GS U T )
1 ud = gmug + ud rd uDS
gm panta tranzistorului la frecvente joase data de:
mI D U GS U T rd rezisten#a diferen#ial!a canalului n regiunea de satura#ie: gm = m(U GS U T )

m 1
1 I m = (U GS U T ) = D rd uDS uDS
Pe baza acestora se poate realiza schema echivalenta la semnale mici:
La frecven#e nalte trebuie luate n considerare capacit!#ile ntre electrozi, asa cum se indic! n figura de mai jos
37
Germn Zoltn
SINTEZA UNOR DISPOZITIVE ELECTRONICE FUNDAMENTALE

Denumire/ Simbol grafic Caracteristica de intrare
C o m a n d " n p u t e r e
Caracteristica de transfer
Caracteristica de ie"ire
Tranzistor pnp
bipolar
Tranzistor bipolar npn
TEC-J canal n
TEC-J canal p
C o m a n d # n t e n s i u n e
TEC-MOS canal n ini!ial
TEC-MOS canal p ini!ial
TEC-MOS canal n indus
TEC-MOS canal p indus
38
Germn Zoltn
1.6 Dispozitive multi- "i unijonc!iune 1.6.1 Introducere Dispozitivele multijonc#iune au trei sau mai multe jonc#iuni, au la baza structura pnpn, care are patru straturi $i trei jonc#iuni $i care, datorit! caracteristicii sale statice curent-tensiune cu dou! st!ri stabile, se folose$te n circuitele de comuta#ie. Vor fi tratate n acest capitol urm!toarele dispozitive multijonc#iune: dioda pnpn, tiristorul conven#ional, tiristorul tetroda, diacul, triacul. Aceste dispozitive multijonc#iune sunt folosite n circuite de impulsuri, n circuite pentru conversia energiei electrice, circuite de comuta#ie. 1.6.2 Dioda pnpn Dioda pnpn este o structura de siliciu monocristalin cu patru zone alternativ dopate cu impurit!#i acceptoare $i donoare. n figura de mai jos este prezentet schematic modelul unidimensional al acestui dispozitiv cu trei jonc#iuni (J1,J2,J3). Zonele extreme mai puternic dopate se numesc emitori, iar zonele interioare se numesc baze. Emitor p1+ se mai numeste anod, iar emitorul n2+ catod. Jonc#iunile se afla la distante mici ntre ele, astfel ca regiunile A-J3 $i J1-C sa poata ndeplini functia de tranzistor. Dioda pnpn se mai numeste $i dioda Shockley, dinistor sau dioda cu patru straturi. Simbolul grafic al acestui dispozitiv, precum $i sensurile pozitive pentru curent $i tensiune sunt prezentate n figura de mai jos:
Caracteristica statica este aratata n aceeasi figura: n polarizare inversa jonc#iunile J1,J3 sunt alimentate invers, iar jonc#iunea J2 direct $i ca urmare curentul prin dispozitiv are valori mici, de ordinul curentului invers printr-o jonc#iune pn. La o anumita valoare a tensiunii inverse UB (breakdown) curentul invers prin dioda creste foarte rapid datorit! strapungerii prin multiplicarea n avalansa a purtatorilor de sarcina a jonc#iunii J1 sau J3. n polarizare direct! avem doua stari stabile. una caracterizata prin curent mic $i tensiune mare (rezisten#a mare),de blocare, alta prin curent mare $i tensiune mic! (rezisten#a mic!), de conductie. Crescnd tensiunea direct! pe dioda, curentul are valori mici, practic curentul invers al jonc#iunii centrale polarizate invers. La o tensiune numita de aprindere (de amorasare) notata cu UBO dispozitivul comuta n cealalta stare stare stabila, cea de conductie.Regiunea O-A se numeste regiune de blocare, iar regiunea BC de conductie. Portiunea intermediara A-B de rezisten#a dinamic! negativa este instabila. Comutarea inversa are loc atunci cnd curentul direct sau tensiunea direct! scad sub valorile de mentinere IH, respectiv UH.Pentru a studia fenomenele fizice din structuar diodei pnpn se adopta modelul lui Ebers, $i anume descompunerea structurii pnpn n doua tranzistoare T1 pnp $i T2 npn conectate ca n figura de mai jos:
iC1 = F 1iE 1 + I CB 01 iC 2 = F 2iE 2 + I CB 02
39
Germn Zoltn
unde F sunt factori de amplificare n curent direct, iar I CB 0 sunt curen#ii reziduali de colector. Prin jonc#iunea centrala va trece curentul :
i A = iC1 + iC 2 = F 1i A + F 2i A + I O 2 , unde I O 2 = I CBO1 + I CBO 2 este curentul rezidual al jonc#iunii J2. IO2 Din relatia anterioara rezulta: iA = de unde condi#ia de amorsare: F 1 + F 2 = 1 . 1 ( F 1 + F 2 ) n momentul amors!rii, la jonc#iunea J2 apare multiplicarea n avalan$! a purt!torilor, ce atrage dup! sine o cre$tere puternic! a curentului iA.Tensiunea la care se realizeaz! amorsarea este denumit! tensiune de autoamorsare, notat! cu U B 0 . Amorsarea diodei pnpn prin cre$terea tensiunii anodice reprezint! modul normal de func#ionare. Exista ns! $i moduri parazite de amorsare, prin cre$terea temperaturii sau printr-o varia#ie brusc! a tensiunii anodice, moduri ce trebuie evitate la o func#ionare normal!.
1.6.3 Diacul Diacul (Diode alternating current) este un dispozitiv multijonc#iune care are proprietatile diodei pnpn n ambele sensuri de conductie. Dispozitivul are cinci straturi $i patru jonc#iuni, poate fi considerat ca fiind realizat din doua structuri pnpn asezate antiparalel n acelasi monocristal de siliciu. Diacul are conduvctibilitate bidirectionala, cei doi electrozi ntre care circula curentul principal iT se numesc terminal T1 $i terminal T2. La aplicarea unei tensiuni pozitive (vezi figura urm!toare) structura din dreapta este pola-rizata direct, se amorseaza la o tensiune de amorasare naturala $i are caracteristica din cadranul I.
Cnd polaritatea tensiunii se inverseaz!, intr! n conduc#ie structura din stnga, rezultnd ramura simetric! a caracteristicii. Este de dorit ca tensiunile de amorsare s! fie egale, pentru o caracteristic! simetric!. Datorit! caracteristicii bidirec#ionale, simetrice, diacul se folose$te n circuitele de curent alternativ, fiind un dispozitiv de putere mic!, se utilizeaz! n circuitele de comand! ale tiristoarelor $i dispozitivelor triac. 1.6.4 Tiristorul conventional Tiristorul este o structur! pnpn prev!zut! cu electrod de comand! prin conectarea zonei p adiacente catodului, dup! cum se vede pe figur!:
Electrodul de comanda, poarta, G (gate), anod $i catod sunt cele trei terminale ale tiristorului. Acest tiristor se numeste "conventional" deoarece el constituie varianta cea mai des ntlnit!.
40
Germn Zoltn
Amorsarea tiristorului se realizeaza prin injectarea unui curent pe poarta, la o tensiune mai mic! dect cea de autoamorsare sau la tensiunea de autoamorsare fara curent de poarta, mod utilizat foarte rar sau deloc. Denumirea de "tiristor" provine de la numele unui tubul electronic cu gaz cu func#ionare asem!n!toare numit tiratron (TIRatron transISTOR) Analiza fenomenelor fizice ce au loc la amorasarea tiristorului prin injectarea unui curent de poart! se poate face echivalnd structura cu dou! tranzistoare complementare , ca n cazul diodei pnpn, dup! cum se vede pe figura urm!toare:
Avem relatiile:
iC 2 = F 2 (iA + iG ) + ICB 02 iC1 = F 1iE 1 + I CB 01
prin jonc#iunea J2 circul! curentul:
i A = F 1i A + F 2 (i A + iG ) + I CB 02 i A =
F 2iG + I O2 1 ( F 1 + F 2 )
Aceast! rela#ie indic! posibilitatea cre$terii nelimitate a curentului prin structur!, dac! este ndeplinit! condi#ia de amorsare, amorsarea poate avea loc la o tensiune anodica mai mic! dect tensiunea de autoamorsare. Procesele fizice sunt acelea$i ca la amorsarea diodei pnpn, deosebirea fiind ca ini#ierea amors!rii este provocat! prin injectarea unui curent iG prin jonc#iunea J3 $i nu prin cre$terea tensiunii anodic. Dependen#a factorilor de curent de curentul prin dispozitiv st! la baza procesului de amorsare a tiristorului. Urm!rind caracteristicile statice curent-tensiune, se observ! c! la curen#i de poart! mai mari tensiunea de amorsare este mic!, peste o anumit! valoare a curentului de poart!, amorsarea are loc pe curba punctat!, ca la o jonc#iune pn (tiristorul este de fapt o diod! comandat!). n func#ionare normal!, tensiunea anodic! trebuie s! fie mai mic! dect tensiunea de autoaprindere UBO. Pentru comutare direct! se aplic! un curent de poart! c!ruia i corespunde o tensiune de aprindere UA<UBO. n polarizare invers!, tiristorul se comport! ca o dioda pnpn, prin el trecnd un curent mic, iar la tensiunea UB are loc str!pungerea tiristorului. Pentru a bloca tiristorul trebuie mic$orat curentul prin structur! sub valoarea de men#inere IH (HOLD) (tensiunea la borne scade $i ea sub valoarea de mentinere UH), deoarece dup! amorsare, poarta si pierde rolul de electrod de comand!, n sensul c! nu poate ac#iona $i pentru blocarea tiristorului, totu$i acest rol va fi reluat dar numai dup! blocarea tiristorului. Semnalul de comand! pentru amorsarea tiristorului poate fi att semnal continuu ct $i impulsuri de polaritate corespunz!toare. Comutarea direct! $i blocarea tiristorului au loc n timp finit, fiind legate de procese fizice de injec#ie $i extrac#ie de purt!tori de sarcin!. Timpul de comutare direct! creste cu temperatura $i cu curentul anodic, dar scade cnd amplitudinea semnalului de comand creste. Dac! semnalul de comanda este un impuls, trebuie sa aib! o durata minima, timp de mentinere pe poarta, sub care comutarea nu are loc.Timpul de comutare inversa creste de asemenea cu temperatura $i curentul anodic $i scade cnd amplitudinea semnalului de comutare creste. Astfel, pentru blocare este suficient sa mic$or!m tensiunea anodic! sub valoarea de men#inere, dar timpul de comutare invers! scade dac! invers!m polaritatea tensiunii pe anod. Dac! semnalul de blocare este un impuls, exist! o durat! minim! a acestuia, numit! timp de revenire pe poart! sub care blocarea nu are loc.n tiristoarele rapide timpii de comutare sunt de ordinul a cteva microsecunde, iar timpul de blocare este n general mai mare dect cel de comutare direct!.
41
Germn Zoltn
1.6.5 Tiristorul tetrod# Este un dispozitiv pnpn la care se contacteaz! $i cel de al patrulea strat, care are tot rol de electrod de comand!, de poart!, numit poart! anodic!
Pe poarta catodic! tiristorul tetrod! poate fi amorsat ca $i tiristorul conven#ional, prin aplicarea unei tensiuni (curent) pozitive sau a unui impuls pozitiv, iar pe poart! anodic! dispozitivul se poate amorsa prin aplicarea unei tensiuni sau a unui impuls negativ. Amorsarea pe poarta anodic! necesit! un curent de comanda mai mare dect pe poarta catodic!. Existen#a celei de a doua por#i de comand! extinde posibilit!#ile de utilizare ale tiristorului tetrod! n raport cu acelea ale tiristorului conven#ional Tiristorul tetrod! are dezavantajul unor puteri disipate $i al unor tensiuni de lucru relativ reduse. 1.6.6 Triacul Triacul este un dispozitiv cu cinci straturi, echivalent cu dou! tiristoare a$ezate antiparalel n acela$i monocristal de siliciu, avnd un singur electrod de comand! (TRIode Alternating Current). Caracteristica curent tensiune pentru ambele sensuri ale tensiunii aplicate n circuitul principal, are forma corespunz!toare tiristorului polarizat n sens direct.
Datorit! conductibilit!#ii bidirec#ionale, cei doi electrozi ntre care circul! curentul principal iT se numesc terminalul T1 $i terminalul T2. Comanda pe poart! se poate face cu semnale de ambele polarit!#i pentru fiecare dintre cele dou! sensuri ale curentului principal. Se disting patru moduri de func#ionare: modul I uT > 0, uG > 0 modul II uT > 0, uG < 0 modul III uT < 0, uG < 0 modul IV uT < 0, uG > 0 Triacul se foloseste n circuitele de reglare $i comand! a puterii de curent alternativ. tensiunea de autoaprindere trebuie s! fie mai mare dect valoarea de vrf aplicat! triacului ntre cele dou! terminale pentru a asigura amorsarea dispozitivului pe poart! la orice valoare instantanee a tensiunii de alimentare. Comanda por#ii se face prin tensiune continu!, tensiune alternativ! redresat! (nefiltrat!), alternativ! sau n impulsuri. IPRS Baneas! produce triace de 6 (de exemplu TB10N6 pentru 600V), respectiv 10 A, (TB10N6), diace de 32, 38, 44, 50 V (DC32, DC38, DC44, DC50). Pentru aplica#ii de putere se recomand! utilizarea triacelor cu radiator pentru eliminarea puterii disipate.
42
Germn Zoltn
!" Aplica!ie Pe schema de mai jos se reprezint! o schema de variator de curent alternativ, realizat cu un triac, comandat cu ajutorul unui diac.
Condensatorul C1 se ncarc! pn! la tensiunea de autoaprindere a diacului, moment n care diacul se deschide asigurnd curentul de poart! necesar amors!rii triacului. Puterea pe sarcin! se variaz! prin varia#ia unghiului de conduc#ie a triacului. Prin R1, se regleaz! durata de nc!rcare a condensatorului C1,, iar R2 are rolul de a limita curentul prin diac, iar C2 are rol de filtrare. 1.7 Dispozitive optoelectronice 1.7.1 Generalit#!i. Clasific#ri Dispozitivele optoelectronice reprezint! o categorie de dispozitive electronice a caror func#ionare presupune existenta unei radiatii electromagnetice n domeniul optic Transformarea energiei radiatiei electromagnetice n energie electric! $i invers se face n mod direct, fara intermediul altor forme de energie. Fenomenele fizice fundamentale care stau la baza func#ionarii dispozitivelor optoelectronice sunt absorbtia radiatiei electromagnetice n corpul solid $i recombinarea radiativa a purtatorilor de sarcina n semiconductor. dispozitivele electronice se mpart n doua mari categorii: -dispozitive bazate pe efectul fotoelectric intern -dispozitive optoelectronice electroluminescente 1.7.2 Dispozitive optoelectronice bazate pe efectul fotoelectric intern 1.7.2.1 Fotorezisten!a Fotorezisten#a este un rezistor realizat dintr-un material semiconductor, a carei rezisten#a depinde de valoarea intensitatii fluxului luminos. Constructiv este realizata dintr-o placuta de material semiconductor omogen, prevazuta cu capete cu contacte ohmice. o mArime importantA ce defineste fotorezisten#a este rezisten#a de ntuneric, ca fiind rezisten#a la echilibru termic: l RO = O , unde O este rezistivitatea n absenta ilumin!rii wd
Pentru grosimi w mici se poate considera ca lumina este absorbita uniform n tot volumul materialului. n urma absorbtiei, n semiconductor se genereaza perechi electron-gol care duc la micsorarea rezistivitatii si, implicit a rezistentei. Conductanta fotorezistentei este direct proportionala cu intensitatea fluxului luminos incident. Alte marimi ce definesc func#ionarea fotorezistentei sunt:
43
Germn Zoltn
-pragul fotoelectric, adica lungimea de unda maxima pna la care efectul fotoelectric mai este -inertia fotorezistentei, exprimata prin timpul necesar stabilirii valorilor stationare ale concentratiilor purtatorilor mobili. 1.7.2.2 Fotodioda Fotodioda este un dispozitiv optoelectronic realizat pe baza unei jonc#iuni pn sau a unui contact metal-semiconductor, polarizat imvers. n conditii de ntuneric, curentul prin jonc#iune polarizata invers este datorat perechilor electron-gol generate n interiorul regiunii de sarcina spatiala $i n regiunile neutre. n prezenta luminii apare o generare suplimentara de purtatori, deci un curent suplimentar IL , atunci curentul invers are expresia: I R = IO + I L Generarea de purtatori sub influenta luminii se face n tot volumul jonc#iunii unde lumina este absorbita. Purtatorii de sarcina generati n regiunile neutre se deplaseaza spre regiunea de sarcina spatiala prin curenti de cmp sau de difuzie, dar sunt supusi recombin!rii. n figura de mai jos se prezinta caracteristicile statice ale fotodiodei la diferite valori ale iluminarii: prezent
& , qU A ) # I A = Io $ exp* ' 1! I L % + mkT ( "

O alt! caracteristic! important! a fotodiodei este caracteristica spectral!, care indic! r!spunsul relativ al fotodiodei n func#ie de lungimea de und! a radia#iei luminoase. 1.7.2.3 Fotoelementul Fotoelementul este un dispozitiv optoelectronic care realizeaz! conversia direct! a energiei luminoase n energie electric! , prin apari#ia la borne a unei tensiuni electromotoare. Constructiv, se poate spune, este identic cu fotodioda, doar c! aria sa este mult mai mare pentru a putea oferi o suprafa#! mai mare de iluminare $i , deci o energie electric! mai mare. ntruct de cele mai multe ori energia luminoas! este cea solar! fotoelementele se mai numesc $i baterii solare. Circuitul electric pentru aplica#ii nu mai cuprinde surse exterioare ci numai rezisten#a de sarcina.
M!rimea tensiunii electromotoare rezult! din urm!toarea rela#ie: EFE = U FE Puterea maxim! ce se poate ob#ine la ie$ire este n jur de 30 mW
44
I FE = 0
mkT , IL ) ln* 1 + ' q IO ( +
Germn Zoltn
1.7.2.4 Fototranzistorul Fototranzistorul este un dispozitiv optoelectronic, realizat pe o structur! de tranzistor, al c!rui curent de colector este comandat de un flux luminos. Baza tranzistorului este nlocuit! cu o suprafa#! care poate fi iluminat!, asigurnd astfel curentul de baz! necesar. Cu toate acestea unele fototranzistoare sunt prev!zute $i cu electrod de baz! . Simbolul grafic este prezentat pe figura urm!toare, iar caracteristicile sunt practic identice cu caracteristicile tranzistorului bipolar. 1.7.2.5 Fototiristorul Fototiristorul este un dispozitiv optoelectronic realizat pe o structura de tiristor, a carui aprindere se face sub actiunea unui flux luminos. "i n acest caz tensiunea de amorsare scade cu cre$terea intensitatii fluxului luminos 1.7.3 Dispozitive optoelectronice bazate pe emisia radia!iei luminoase 1.7.3.1 Dioda electroluminescent# Fenomenul de emisie a radiatiei luminoase se mai numeste $i luminescenta. Emisia de lumina n semiconductoare se datoreaza recombinarii radiative a purtatorilor de sarcina. Dioda electroluminescenta (Light Emitting Diode), dioda LED, este realizata dintr-o jonc#iune pn polarizata direct. luminescenta se realizeaza prin injectie de purtatori minoritari. simbolul grafic $i caracteristicile curent-tensiune, respectiv cele spectrale se prezinta n figura urm!toare:
Diodele electroluminescente sunt folosite ca simple indicatoare luminoase sau servesc la realizarea elementelor de afisare, dar elementele de afisaj de dimensiuni reduse nu folosesc diode separate, ci acestea se realizeaza integrat n aceeasi placuta de semiconductor (GaAs). n scopul economisirii materialului semiconductor, dimensiunea reala a cifrei este foarte mic!, pentru a fi usor observabila deasupra structurii se monteaza lentile convergente, care maresc imaginea. 1.7.3.2 Optocuploare Optocuplorul se ob#ine prin interconectarea unei diode electroluminescente cu un fototranzistor (fotodioda, fototiristor, fotoelement, etc) astfel nct semnalul electric ajuns pe dioda LED sa fie transferata de aceasta catre fototranzistor. De obicei randamente de transfer relativ ridicate se obtin n domeniul frecventelor infrarosii. Optocuploarele pot fi utilizate pentru transfer de semnale att de curent continuu, ct $i de curent alternativ, frecventa limita fiind ordinul zecilor de MHz.
45
Germn Zoltn
Receptoare foto
n schemele urm!toare se prezinta doua circuite simple, receptoare foto. n primul caz la apari#ia fluxului luminos, fototranzistorul intra n satura#ie, tensiunea de ie$ire fiind practic nula. n al doilea caz , la apari#ia fluxului luminos tranzistorul intra n conductie, tensiunea de ie$ire va avea valoare foarte apropiat! de valoarea tensiunii de alimentare. Pentru a ob#ine valori mai mari pentru curentul de ie$ire, se poate utiliza nc! un tranzistor bipolar pentru un montaj Darlington.
46

Dispozitive Si Circuite Electronice 1

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive Si Circuite Electronice 1

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Universitatea Petru Maior Facultatea de Inginerie Catedra de Inginerie Electric!

"ef lucr!ri ing Germn Z

Dispozitive !i circuite electronice I Partea 1 Dispozitive electronice

Anul universitar 2005-2006

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

= (10 5 10 9 )(m )1 la materialele semiconductoare = (10 9 )(m )1 la materiale izolatoare

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

U A2 = U + RI A U = 200V deci practic ntreaga tensiune a sursei U se reg!se$te pe dioda D2 .

se poate afirma ca prin diode circula curentii inversi:

U R1 = 104V ;U R 2 = 96V ; I = 105A

Dispozitive electronice1 curs partea I

efectund un calcul iterativ (ca n prima aplicatie) se ob#ine:

Curentul total I se divide prin fiecare dioda proportional cu curen#ii de satura#ie:

Dispozitive electronice1 curs partea I

iar Ia1 = IA2 = 49,5 mA. Atunci, tensiunile pe diode au valorile:

Cu aceste valori ale tensiunilor pe diode, curen#ii se recalculeaz! cu rela#iile: VR + V A2 R V A1 ( R + R2 ) I A1 = 2 = 48,3mA R1 R2 + R1 R + R2 R

uCB = uCB + uEB iE = iB + iC

Dispozitive electronice1 curs partea I

iC = iC (uCB ), uEB ,i B parametri

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

ICB 0 = (F + 1)I CB 0 = IC 1 F rezidual de colector n conexiunea EC (m"surat cu baza n gol).

Dispozitive electronice1 curs partea I

F IES = R ICS deci cei patru parametrii nu sunt independente.

Dispozitive electronice1 curs partea I

uEB = uBE , uCB = uBC

prima ecua!ie poate fi interpretat" ca iE = iE (uEB )

Caracteristica de transfer este dat" de ecua!ia urm"toare ca iC = iC ( uEB )

Dispozitive electronice1 curs partea I

iB = iB (uEB ) pentru uCE = ct .

Caracteristica uCE = 0 este de asemenea de tip diod":

& , qu ) # iB = (1 F )IES + (1 R )I CS $exp* EB ' 1! % + KT ( "

Dispozitive electronice1 curs partea I

uBB = uEB + RB I B uCC = uCE + RC I C (*) I C = F I B + I CE 0

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

U C U BE I C = presupunnd I C >>> I B U C U CC I C RC RB I C RC U BE I R U U BE , iar U CE = U C C B + I C RC = U CC U BE I C = CC RB RB RC + I C = 1.5mA $i U CE

Cu valorile numerice din schem! rezult!

= U C = 4.5V , regim liniar.

F (u BB u BE ) F R E ( F + 1)I CB 0 + ( F + 1) I CB 0 = RB ( F + 1)RE R B + ( F + 1)RE

iar uCE = uCC - RCIC - REIE = uCC - (RC + RE )IC

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

ic (t ) gmub ' e (t ) = = gmrb ' e = F ib (t ) gb ' c (t )

Dispozitive electronice1 curs partea I

1.3.10 Caracteristica dinamic" #i limitarea amplitudinii semnalului

schema echivalent" de curent alternativ

R ' L = ( RL RC ) adic" legarea n paralel a celor dou" rezisten!e

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

!" Aplica!ie s" se determine punctul static de func!ionare ( IC ,U CE ) .

n ipoteza func!ion"rii n regiunea activ" normal" tranzistorul este descris cu aproxima!ie de

I , qu ) iC = F iB + I CBO ; iE = I ES exp* BE ' ; I CBO = (1 F R ) I CS ; I CS = F ES + kT ( R

6 U BB = = 1mA 300 RB +R +3 F + 1 E 100

Dispozitive electronice1 curs partea I

R2 RR 10 10 20 U CC = 18 = 6V , RB = 1 2 = = 6.66k R1 + R2 R1 + R2 30 30 Se rezolv" sistemul de ecua!ii: -U BB = RB IB + U BE + Re Ie ; /I = I + I ; /E B C . ; I = I F B /C / 0U CC = RC I C + U CE + RE I E ; U BB =

Dispozitive electronice1 curs partea I