Dispozitive Si Circuite Electronice 1

Universitatea Petru Maior
Facultatea de Inginerie
Catedra de Inginerie Electric
ef lucrri ing Germn Z
Dispozitive i circuite electronice I

Partea 1
Dispozitive electronice
Curs. Format electronic
Anul universitar 2005-2006
Germn Zoltn
Dispozitive electronice1 curs partea I
Cuprins
Introducere
1 DISPOZITIVE ELECTRONICE
1.1 Jonciunea p-n
1.1.1 Jonciunea p-n la echilibru termic
1.1.2 Caracteristica static a jonciunii p-n. Ecuaia diodei ideale
1.1.3 Strpungerea jonciunii p-n
1.1.4 Circuitul echivalent al jonciunii p-n
1.2.Diode semiconductoare
1.2.1 Diode redresoare. Caracteristica static. Funcionare
1.2.2 Diode varicap.
1.2.3 Diode stabilizatoare (ZENER) Caracteristica static. Funcionare. Stabilizator parametric.
1.3 Tranzistorul bipolar
1.3.1. Introducere. Simboluri. Tipuri de caracteristici.
1.3.2 Principiul de funcionare (efectul de tranzistor)
1.3.3 Componentele curenilor prin tranzistor
1.3.4 Descrierea funcionrii n regiunea activ normal (conexiunile BC, EC)
1.3.5 Modelul de semnal mare (EBERS - MOLL) al tranzistorului bipolar
1.3.6.Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
1.3.6.1. Caracteristicile statice n conexiunea baz comun (BC)
1.3.6.2. Caracteristicile statice n conexiune emitor comun (EC)
1.3.7 Polarizarea tranzistorului ntr-un punct dat de funcionare, n regiunea activ
1.3.8.Limitri n funcionare datorat variaiei temperaturii i disipaiei de putere
1.3.8.1 Variaia caracteristicilor electrice cu temperatura
1.3.8.2 Stabilizarea PSF n raport cu variaiile de temperatur
1.3.9.Tranzistorul bipolar n regim dinamic
1.3.9.1 Modelul de semnal mic. Circuit echivalent natural
1.3.9.2. Circuit echivalent cu parametri hibrizi
1.3.9.3 Exemplu de utilizare a circuitului echivalent. Etaj de amplificare cu emitorul comun
1.3.10 Caracteristica dinamic i limitarea amplitudinii semnalului
1.4 Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J)
1.4.1 Introducere. Simboluri.Notaii.Funcionare
1.4.2 Caracteristici statice de ieire i de transfer (canale n i p). Regim liniar. Regim de saturaie
1.4.3 Polarizarea TEC-J.Scheme de polarizare. Dreapta de sarcin. Punct static de funcionare
1.4.4 Modelul de semnal mic pentru TEC-J. Frecvene joase i nalte.
1.5 Tranzistorul cu efect de cmp tip "MOS" (TEC-MOS)
1.5.1.Introducere. Simboluri.Notaii.Funcionare. Tipuri de caracteristici.
1.5.2.Caracteristici statice de ieire i de transfer (canale n i p). Regim liniar. Regim de saturaie
1.5.3.Polarizarea TEC-MOS (canal iniial i indus). Scheme de polarizare pentru canal indus i
canal iniial. Dreapta de sarcin. Punct static de funcionare.
1.5.4.Model de semnal mic pentru TEC-MOS. Frecvene joase i nalte.
1.6 Dispozitive electronice uni- i multijonciune
1.6.1.Dioda pnpn. Caracteristica curent-tensiune
1.6.2 Tiristorul convenional. Caracteristica curent-tensiune. Amorsarea tiristorului. Blocarea
tiristorului. Aplicaii
1.6.2.Diacul, triacul. Caracteristici curent-tensiune. Amorsare. Blocare. Aplicaii
1.7 Dispozitive optoelectronice
1.7.1 Fotorezistena.
1.7.2 Fotoelementul. Fototranzistorul.Fotodioda. Fototiristorul
1.7.2.Dioda electroluminescent(LED).Optocuplorul.
2
Germn Zoltn
Introducere
Corpurile solide au o structur cristalin cu atomii i moleculele distribuite ntr-o reea regulat, n
care unitatea structural (cub, tetraedru, etc.) se repet periodic. Atomii situai n nodurile reelei cristaline
sunt legai ntre ei prin electronii de valen. Din punct de vedere electric, corpurile solide se mpart n trei
mari grupe:
-conductoare
-semiconductoare
-izolatoare
Aceast clasificare are la baz valoarea conductivitii electrice msurat la temperatura
camerei.La aceast temperatur se obin urmtoarele valori pentru conductivitate electric:
= (10 8 10 6 )(m )1 la materialele conductoare
= (10 5 10 9 )(m )1 la materialele semiconductoare

= (10 9 )(m )1
la materiale izolatoare
Dispozitivele electronice sunt acele componente ale circuitelor electronice a cror comportare se
bazeaz pe controlul micrii purttorilor de sarcin n corpul solid, n gaze sau n vid. Aproape toate
dispozitivele electronice folosesc conducia n corpul solid, de regul n semiconductoare. Prin controlul
micrii purttorilor de sarcin se nelege fie controlul injeciei de purttori de sarcini, fie controlul propriuzis, care se poate exercita prin cmpul electric care apare datorit unei diferene de potenial. Controlul
mrimii curentului electric se poate realiza i prin efectul unui flux luminos (fotoni) asupra numrului de
purttori de sarcin dintr-o anumit zon a dispozitivului electronic , care este cazul particular al
dispozitivelor optoelectronice
Circuitele electronice sunt de fapt circuite electrice care utilizeaz dispozitive electronice pentru
realizarea unor funcii cum ar fi:
-amplificarea, generarea unor oscilaii armonice, redresarea tensiunii alternative, stabilizarea
tensiunii, modulare/demodulare
Funciile electronice pot fi asociate la dou categorii mari de aplicaii: -controlul i conversia
energiei, -prelucrarea sau transmiterea semnalelor electrice purttoare de informaii
Dispozitivele electronice pot fi privite ca elemente ale circuitelor electronice,
ca urmare mrimile care apar la bornele acestora sunt tensiuni electrice i
cureni electrici. La dispozitivele mai simple cu dou borne, caracterizarea se
face prin legtura care exist ntre tensiunea aplicat i curentul rezultat, de
exemplu ca pe figura alturat:
Dependena poate fi o caracteristic static sau una dinamic dac apare
posibilitatea stocrii energiei electrice de ctre dispozitivul electronic.
La dispozitivele cu trei sau mai multe borne descrierea se poate face prin
relaiile care exist ntre patru mrimi electrice: doi cureni i dou tensiuni ,
deoarece al treilea curent se obine n funcie de ceilali doi.
Caracteristicile statice ce descriu complet funcionarea acestui dispozitiv cu trei borne sunt dou
funcii de dou variabile, de exemplu
i1 = i1 (u1 ,u 2 )
i2 = i 2 (u1 , u 2 )
Este interesant de remarcat c n majoritatea cazurilor proprietile de interes ale dispozitivelor

electronice pot fi descrise cu referire la caracteristicile statice.
3
Germn Zoltn
O prim proprietate a dispozitivelor electronice este caracterul lor neliniar. Toate dispozitivele
electronice au caracteristici statice neliniare. Caracteristica static a diodei semiconductoare, de exemplu,
permite redresarea unui semnal alternativ.
O a doua proprietate este caracterul parametric al unor dispozitive electronice. Un anumit
parametru al dispozitivului poate fi controlat electric. Rezistena tranzistorului cu efect de cmp ntre surs
i dren poate fi controlat de tensiunea aplicat ntre poart i surs.Aceast rezisten controlat poate fi
folosit n reglajul automat al amplificrii.
O a treia proprietate important pe care o prezint unele dispozitive electronice este caracterul lor
activ.Numim active acele dispozitive electronice care pot asigura transformarea puterii absorbite de la
sursele de alimentare n curent continuu n putere de semnal.
1.DISPOZITIVE ELECTRONICE
1.1 Jonciunea pn
Dispozitivele semiconductoare au n construcia lor regiuni ale reelei monocristaline cu diverse
impurificri att ca mrime a concentraiei ct i ca tip de impuritate (n-regiune tip donor, p-regiune tip
acceptor).Jonciunea pn reprezint o structur fizic realizat ntr-un monocristal care are dou regiuni
vecine, una de tip p alta de tip n.Intre aceste dou regiuni de conductibilitate electric diferit apare o
variaie a distribuiei impuritilor. Linia de demarcaie dintre cele dou regiuni se numete jonciune
metalurgic. Jonciunea pn are o importan esenial n funcionarea unei clase mari de dispozitive
electronice. Majoritatea dispozitivelor electronice semiconductoare conin una sau mai multe jonciuni.
Cunoaterea fenomenelor din jonciunea pn servete i la nelegerea unor fenomene cum sunt cele legate
de suprafaa semiconductorului, de contacte metalice, etc.
1.1.1
Jonciunea pn la echilibru termic
ntr-o jonciune pn aflat la echilibru termic concentraiile de purttori mobili de sarcin difer n
zona jonciunii metalurgice fa de valorile din structur datorit fenomenelor de difuzie a purttorilor mobili.
Astfel, golurile din regiunea p, aflate n concentraii mari, difuzeaz spre regiunea n unde concentraia lor
este foarte mic, aici ele se recombin datorit tendinei semiconductorului de tip n de a restabili echilibrul.
In mod similar electronii in zona n difuzeaz spre zona p. Procesele de difuzie ncep evident cu purttorii
aflai n apropierea jonciunii metalurgice. In zona p adiacent jonciunii metalurgice, prin plecarea golurilor
apare un exces de sarcin negativ datorit ionilor acceptori (sarcini fixe). Zona n din apropierea jonciunii
metalurgice capt o sarcin n exces pozitiv , prin acelai procedeu. Caurmare se stabilete un cmp
electric intern orientat de la regiunea n spre regiunea p. Acest cmp electric transport golurile dinspre
regiunea n spre regiunea p i electronii dinspre regiunea p spre regiunea n, deci n sens opus fluxurilor de
difuzie
Ca urmare, procesul de scdere a concentraiilor de purttori majoritari nu se continu pn la

uniformizarea concentraiilor (conform tendinei de difuzie), ci se autolimiteaz (prin generarea cmpului
electric intern) la valori care asigur echilibrul curenilor (fluxurilor) de difuzie i de cmp.Aceast situaie
corespunde unui curent electric nul prin structur, rezultat compatibil cu condiia de echilibru termic.
Germn Zoltn
1.1.2. Caracteristica static a jonciunii pn

Caracteristeica static desemneaz dependena curentului prin jonciune , de tensiunea aplicat
acesteia. Convenia de notaii prezentat pe figura este urmtoarea:
-polarizare direct pentru care U A > 0 I A > 0
-polarizare invers pentru care U A < 0 I A < 0
n polarizare direct se fac notaiile I A = I F i U A = U F , iar n
polarizare invers se noteaz I A = I R i U A = U R (directforward, invers-reverse)
Aplicarea unei polarizri directe duce la micorarea cmpului electric intern (sensul tensiunii aplicate este
contrar sensului cmpului intern de la echilibru termic). Aceasta duce la la micorarea curenilor de cmp i
mrirea curenilor de difuzie, rezultnd un curent IF nenul. Micorarea cmpului electric intern duce la
creterea concentraiei purttorilor mobili de sarcin datorit deplasarii golurilor spre regiunea n i a
electronilor spre regiunea p (n cantiti mai mari ca la echilibru termic). Acest proces se numete injecie
de purttori minoritari. Existena unui excedent de concentraii duce la preponderena fenomenelor de
recombinare.Recombinarea purttorilor mobili de sarcin are loc att n regiunile neutr ct i n interiorul
regiunii de trecere.
Aplicarea unei polarizri inverse mrete cmpul electric intern. Curenii de difuzie se vor micora
n favoarea curenilor de cmp. Concentraiile de electroni i goluri vor fi mai mici dect la echilibru termic
datorit cmpului electric intern crescut, care extrage golurile din regiunea n i electronii din regiunea p. ca
urmare vor predomina fenomenele de generare. Odat generat, perechea electron-gol este desprit prin
antrenarea de ctre cmp, a electronului i golului n sensuri contrare.Avnd n vedere cele prezentate mai
sus, se poate generaliza c n ambele regimuri de polarizare curentul prin jonciunea pn se datoreaz att
fenomenelor din regiunea de sarcin spaial, ct i celor din regiunile neutre.
Caracteristica static ideal a jonciunii pn are urmtoarea form matematic:
unde
qU A
I A = I O exp
1
mkT
q-sarcina electric, UA -tensiunea aplicat jonciunii, m -constant de material cu valori
ntre (1,2), k-constanta lui Boltzmann, T -temperatura absolut. Graficul caracteristicii
statice este :
U
qU A
I A = I O exp
1 = I O exp A 1
U T
mkT
n polarizare direct predomin fenomenele de difuzie, de obicei
valoarea tensiunii aplicate este mult mai mare ca tensiunea termic
mkT
astfel nct ecuaia poate fi aproximat cu:
U A >> U T =
q
qU A
I F = IO exp
mkT
(partea exponenial din cadranul I al caracteristicii statice)
Germn Zoltn
n polarizare invers, pentru tensiuni negative mult mai mari n valoare absolut ca tensiunea termic
mkT
U R >> U T =
q
curentul prin jonciune depinde foarte slab de tensiunea aplicat, avnd valoarea curentului de saturaie:
I R = IO
Datorit modului rapid de variaie a funciei exponeniale, se observ c ntr-un domeniu limitat de curent,
tensiunea pe jonciune n polarizare direct poate fi presupus constant, valoarea tipic a acesteia este
de 0,7V pentru Si, 0,3V pentru Ge, As.
1.1.3. Strpungerea jonciunii pn
Fenomenul electric de strpungere a jonciunii pn const n creterea puternic a curentului n
polarizare invers la o anumit tensiune, aa cum rezult din figura de mai jos. In dreptul tensiunii U BR
numite tensiune de strpungere, curentul invers I R tinde ctre infinit.
Dac circuitul electric exterior limiteaz curentul prin jonciune la o valoare care nu duce la
distrugerea structurii prin nclzire excesiv, fenomenul de strpungere este reversibil.
Strpungerea jonciunii poate fi explicat prin dou efecte, amndou fiind legate de valorile mari ale
intensitii cmpului electric la tensiuni inverse mari.
Multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin. La tensiuni inverse ridicate, cmpul electric din
regiunea de sarcin spaial atinge valori mari i imprim o energie crescut purttorilorde sarcin. In urma
ciocnirii cu atomii reelei cristaline, un purttor de sarcin poate avea energie suficient pentru a forma o
pereche electron gol prin ruperea unei legturi covalente.Aceti purttori de sarcin suplimentari sunt
antrenai la rndul lor de cmpul electric i n mod similar pot rupe legturi covalente, fenomenul ducnd la
o cretere nelimitat a curentului.Din punct de vedere cantitativ, prezena fenomenului de multiplicare este
luat n consideraie prin nmulirea valorii curentului invers I O (n absena acestui fenomen) cu un
coeficient M de multiplicare n avalan:
I R = M IO
Coeficientul M poate fi calculat cu o relaie empiric:
1
M=
n
UR
U
BR
unde n este un exponent cuprins ntre 4 i 7, valoarea sa depinznd de semiconductor.
Efectul Zener.Pentru concentraii mari de impuriti (>1018 cm-3) strapungerea jonciunii nu se mai face
prin multiplicare n avalan, ci prin efect Zener. Aceasta const n apariia unui numr crescut de purttori
de sarcin prin ruperea unor legturi covalente sub aciunea direct a cmpului electric.Efectul Zener apare
la un numr redus de tipuri de jonciuni i anume acelea cu tensiuni mici de strpungere (<5V).
Regiunea de strpungere a caracteristicii electrice (cadranul trei), unde tensiunea este practic
independent de valoarea curentului se numete i regiune de stabilizare.
Suprafaa semiconductorului poate juca un rol important n strpungerea jonciunii, imperfeciuni
majore i impuriti nedorite contribuie la o strpungere prematur.
6
Germn Zoltn
1.1.4 Circuitul echivalent al jonciunii pn

Circuitul echivalent pentru semnal mic este alctuit din rezistena intern Ri (care ine seama de
toate efectele staionare ale tuturor componentelor curentului) i din dou capaciti, Cb , capacitatea de
barier i Cd , capacitatea de difuzie. Acest circuit echivalent poate cpta forme particulare n funcie de
polarizarea de curent continuu a jonciunii.
1.2 Diode semiconductoare

Dioda este un dispozitiv electronic care prezinta conducie electric unilateral. Simbolul diodei
este reprezentat n figura de mai jos, terminalele dispozitivului se numesc anod (A), respectiv catod (C ).
Sensul direct de conducie este de la anod la catod.
Majoritatea diodelor semiconductoare este realizat pe baza jonciunii pn ntr-o mare varietate de
tipuri dup cum vom vedea n cele din urm.
1.2.1 Diode redresoare
Diodele redresoare se folosesc la transformarea curentului alternativ n curent continuu, de obicei
sunt utilizare la frecvene joase ( 50/60 Hz). Principalii parametri ale diodelor redresoare sunt curentul n
polarizare direct maxim admisibil ( I FM ) i tensiunea n polarizare inversa maxim admisibila ( U RM ) .
Realizrile actuale permit cureni direci pn la ordinul sutelor de amperi i tensiuni inverse de mii de voli.
1.2.2 Diode varicap

Diodele varicap servesc drept condensatoare cu capacitate variabil prin tensiunea (curentul)
invers aplicat unei jonciuni pn. Mrirea capacitii de barier (dominant fa de capacitatea de difuzie,
n cazul polarizrii inverse) se controleaz prin valoarea tensiunii inverse aplicate.
7
Germn Zoltn
1.2.3 Diode stabilizatoare (Zener)

Diodele stabilizatoare folosesc regiunea de strpungere (efect Zener) a caracteristicii statice n
vederea stabilizrii tensiunii continue. n vederea stabilizrii este necesar, ca n domeniul de stabilizare
rezistena diferenial rz sa fie ct mai mic (adica unei variatii mari de curent sa-i corespunda o variatie
foarte mic de tensiune), acest lucru este echivalent cu asigurarea unei tensiuni stabilizate U Z U BR ct
mai constante. De asemenea, este foarte important ca tensiunea de stabilizare sa depind ct mai slab de
temperatur.
! Aplicaie
n circuitul de pe figura de mai jos dioda este realizat pe baza unei jonciuni pn cu IO = 1A i m = 1 . S
se calculeze punctul static de funcionare al diodei.
Punctul static de funcionare ( I A ,U A ) rezult din rezolvarea sistemului de
ecuaii:
U A + RI A = U
qU A
I A = I O exp mkT 1
Rezolvarea acestei ecuaii duce la o ecuaie transcendent, de aceea vom prefera o rezolvare
iterativa, bazat pe aproximaii succesive. Se presupune iniial U A = 0 ; rezult atunci curentul de valoarea
U
= 10mA . Cu aceasta valoare a curentului se recalculeaz tensiunea pe diod:
R
kT I
U A = m ln A + 1 = 0.026 ln(104 + 1) = 0.239V
q IO
U U
Noua valoare a curentului este acum I A = A
= 9.76mA iar U A = 0.238V .
R
IA =
Aceste valori se retin ca fiind solutia problemei. Se

remarca convergenta rapida calculului iterativ.
Rezolvarea sistemului se poate face i grafic, dup
cum se vede pe figura alturat
Germn Zoltn
! Aplicaie
n circuitul serie din figura cele doua diode au IO1 = 1A i IO 2 = 9 A i se cere s se calculeze
tensiunile la bornele celor dou diode.
Diodele sunt polarizate invers la acelasi curent I A1 = I A 2 = I A ca urmare acest curent nu poate
depi valoarea celui mai mic dintre curenii de saturaie : I A1 = I A 2 = I A = 1A .
Tensiunea la bornele diodei D2
este U A2 =
kT I A
ln
+ 1 = 0.003V i poate fi neglijat. Atunci
q IO2
U A2 = U + RI A U = 200V deci practic ntreaga tensiune a sursei U se regsete pe dioda D2 .
mprirea inegal a tensiunii de alimentare ntre diodele D1 i D2 se regsete ilustrat n figura alturat,
fenomen ce este suparator deoarece diodele sunt puse n serie de obicei ntocmai pentru a suporta n
polarizare invers o tensiune mai mare dect poate suporta fiecare diod n parte.
! Aplicaie
Sa se calculeze tensiunile la bornele celor doua diode din figura de mai jos, diodele avnd aceleai
caracteristici ca n problema precedenta.
Neglijnd ntr-o prima aproximare, curentii prin diodele
polarizate invers se obine:
U
= 100A >> I O1 , I O 2 n aceste conditii :
2R
U
=
= 100V . Pe baza acestui calcul aproximativ
2R
I I1 I =
U R1 U R 2
se poate afirma ca prin diode circula curentii inversi:

IR1 = I O1 ; I R 2 = IO 2
se poate face un calcul mai exact al punctelor statice de funcionare cu ajutorul relatiilor:
UR1 + UR 2 = U
U R1
U
+ I O 1 = R 2 + IO 2 = I
R
R
Se obtin rezultatele:
U R1 = 104V ;U R 2 = 96V ; I = 105A
Acest circuit asigura o mpartire mai buna a tensiunii de alimentare ntre cele doua diode, rezistentele
acestea numindu-se rezistene de egalizare.
Germn Zoltn
! Aplicaie
n circuitul din figur diodele au IO1 = 2 pA i respectiv IO 2 = 8 pA . Caracteristicile lor se considera

a fi ideale , m=1. Se cere sa se calculeze curentii prin cele doua diode.
Diodele D1 i D2 sunt polarizate direct, caracteristica statica a grupului celor doua diode legate n paralel
este:
I = IO exp
qU a
; I = I O1 + IO 2
kT O
efectund un calcul iterativ (ca n prima aplicatie) se obine:

I 99.4mA;U A 0.6V
Curentul total I se divide prin fiecare dioda proportional cu curenii de saturaie:

I A1 = I
IO1
= 19.9mA; I A 2 = 79.5mA
I O1 + IO 2
Observatie. mprirea inegal a curenilor prin cele dou diode este nefavorabil, deoarece diodele sunt
puse n paralel pentru a nu fi suprasolicitate la curenti prea mari.
! Aplicatie
Circuitul din figura de mai jos nseriaz cu fiecare diod cte o rezistena mic, de 20 ; aceste
rezistene se numesc rezistene de egalizare. S se arate c, folosind aceleai diode ca n problema
precedent, curenii prin diode au valori apropiate.
Se face un calcul iterativ care pleaca de la VA1 = VA2 = 0. Atunci curentul I are valoarea:
I=
V
= 99mA
R1R2
R+
R1 + R2
10
Germn Zoltn
V A1 =
kT I A1
ln
= 0,622V
q
I 01
V A2 =
kT I A 2
ln
= 0,586V
q
I 02
iar Ia1 = IA2 = 49,5 mA. Atunci, tensiunile pe diode au valorile:
Cu aceste valori ale tensiunilor pe diode, curenii se recalculeaz cu relaiile:

VR + V A2 R V A1 ( R + R2 )
I A1 = 2
= 48,3mA
R1 R2 + R1 R + R2 R
I A2 =
VR1 + V A1 R V A2 ( R + R2 )
= 50,1mA
R1 R2 + R1 R + R2 R
Aceste valori ale curentului nu duc la modificri notabile ale tensiunilor pe diode i se rein ca soluii.
1.3. Tranzistorul bipolar
1.3.1. Introducere. Simboluri. Tipuri de caracteristici.
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic cu trei borne: emitor, baz, colector. Aceste trei
borne fac legtura la trei regiuni semiconductoare de conductibilitate diferit (n, p) ale aceluiai cristal
semiconductor. Se numete " bipolar" deoarece conducia este asigurat de dou tipuri de purttori de
sarcin cu sarcin de semn diferit: electroni i goluri. n figurile urmtoare se arat simbolurile grafice
corespunztoare celor dou structuri, npn i pnp. Sgeata din simbol corespunde jonciunii pn emitor-baz
(vrful sgeii merge ntotdeauna de la zona p spre zona n) i arat i sensul normal pozitiv al curentului
principal prin tranzistor.
Se pot defini trei cureni i trei tensiuni , dar pentru descrierea funcionrii nu sunt necesare toate
aceste ase mrimi. Tensiunile i curenii sunt legate prin realaia:
uCB = uCB + uEB

iE = iB + iC
Tranzistorul poate fi asimilat cu un nod n care suma algebric a curenilor este zero, deci numai dou
tensiuni i doi cureni sunt independeni. Alegerea mrimilor electrice care descriu comportarea
tranzistorului se poate face n moduri diferite.
11
Germn Zoltn
Criteriul este urmtorul: se consider tranzistorul ca un diport (cuadripol), adic un bloc cu dou intrri i cu
dou ieiri dar dat fiind faptul c tranzistorul are numai trei borne, una trebuie s fie comun intrrii i ieirii.
Borna comun definete conexiunea tranzistorului. De exemplu:
- emitor comun (EC)
- baz comun (BC)
- colector comun (CC)
Tipuri de caracteristici.
Pentru un tranzistor dat, curenii rezult atunci cnd se dau tensiunile aplicate pe jonciuni.
Alegnd de exemplu pentru exemplificare conexiunea baz comun (BC):
iE = iE ( uEB , uCB )
ic = ic ( uEB , uCB )
Grafic, aceste funcii de dou variabile corespund la dou familii de caracteristici. n descrierea
tranzistorului bipolar se folosesc caracteristici :
- de intrare: iE = iE (uEB ), uCB , iC parametri
- de transfer: iC = iC (uEB ), uCB ,i B parametri
- de ieire:
iC = iC (uCB ), uEB ,i B parametri
OBSERVAIE: tranzistorul va fi complet descris prin specificarea a dou seturi de caracteristici

independente. Pentru comoditate ns se folosesc, dup caz, toate tipurile de caracteristici de mai sus, att
n conexiune baz comun(BC), ct i n conexiunea emitor-comun (EC).
1.3.2 Principiul de funcionare (efectul de tranzistor)
Efectul de tranzistor va fi explicat pe schema unui tranzistor pnp de pe figura de mai jos, care
cuprinde dou jonciuni semiconductoare, jonciunea emitor-baz i jonciunea colector baz
Ecuaii de dispozitiv.
n funcionare normal, jonciunea colector-baz se polarizeaz invers iar

KT
jonciunea emitor-baz direct. Dac
uEB >>
, atunci iE este mare i uEB constant cu valori
q
tipice de ordinul 0.6-0.7 V (Si) sau 0.3-0.4 V (Ge).
Pentru ca dou astfel de jonciuni s satisfac cerinele funcionale ale unui tranzistor cuplarea lor
trebuie s satisfac dou condiii importante:
a. jonciunea emitorului s fie puternic asimetric (tip p+ n ) ca urmare iE va fi un curent de goluri.
b. baza s fie foarte subire n comparaie cu lungimea de difuzie a golurilor,astfel nct fluxul de
goluri s ajung practic n totalitate la colector, deci iE iC
Examinnd, de exemplu circuitul din figur, putem determina mrimile electrice:
12
Germn Zoltn
uEE = uEB + RE I E , uEB

uCC = uCB + RC I C
u uEB uEE
I E = EE
(u >> uEB )
RE
RE EE
I C IE iar uCB = uCC + RC I C . (calculul de mai sus e valabil dac uCB < 0 ).
Comportarea tranzistorului ca amplificator.Dac presupunem o mic variaie uEB , aceasta
provoac variaia lui iE iC , i a lui uCB
R
uCB C uEB
iar uEB va aprea "amplificat" dac RC < RE .
RE
Este de remarcat c rezultatul nu este edificator, deoarece aplicarea semnalului n serie cu sursa
de alimentare nu este deloc inspirat ( de obicei se "atac" printr-un condensator care blocheaz curentul
continuu dar permite trecerea semnalului alternativ).
qI
quEB iC
Considernd iC iE const . exp
= C = g m , unde I C este curentul continuu n
,
KT uEB KT
jurul cruia au loc variaiile produse de semnal, iar g m este panta (tansconductana) tranzistorului.
uCB = RC iC = g m RC u EB
deci amplificarea n tensiune este g mRC . Aceast amplificare poate lua valori mari. Deoarece iC iE
tranzistorul amplific n putere, adic transfer curentul din circuitul de intrare de rezisten mic n circuitul
de ieire de rezisten mare, de aici denumirea TRANSfer reZISTOR adic rezisten de transfer.
1.3.3 Componentele curenilor prin tranzistor
Vom considera un tranzistor pnp n conexiune baz comun polarizat normal, vom analiza separat
curenii de electroni i curenii de goluri la cele dou jonciuni
i E = i E , p + i E ,n
iCp = i E , p ir
iC = iC , p + I CB 0
O parte din curentul de electroni injectat de emitor n baz se pierde prin recombinare, ca urmare,
curentul de goluri injectate de emitor i colectatate de colector este iC , p . Curentul propriu al jonciunii
colectorului I CB0 este susinut de purttori minoritari, electroni i goluri ( curent rezidual ).
i B = i E iC = i E , p + i E ,n i E , p + ir I CB 0 = i E ,n + ir I CB 0
unde i E ,n este curentul propriu de electroni al jonciunii emitorului.
E =
Se definete eficiena emitorului :
13
iE ,p
iE
iE,p
i E , p + i E ,n
1)
Germn Zoltn
factorul de transport :
E =
iC , p
iE , p
iC, p
iC, p + ir
1)
i E = i E , p + i E ,n iC = E T i E + I CB 0 iC = F i E + I CB 0 unde F = E T este factorul de

amplificare n curent n sens direct, n conexiunea BC.
O alt condiie pentru funcionarea eficace al tranzistorului este ca I CB 0 0 ( s fie neglijabil ).
1.3.4 Descrierea funcionrii n regiunea activ normal
conexiunea BC (baz comun)

KT
KT
uEB >>
, uCB < 0 , uCB >>
iC = F iE + ICB 0 , unde F , ICB 0 sunt presupuse constante.
q
q
conexiunea EC (emitor comun)
u BB = u EB + RB I B
u CC = u CE + RC I C
Se va considera U EB const . nlocuind, obinem I C = T IB + ICE 0 unde T =
F
este factorul
1 F
ICB 0
= (F + 1)I CB 0 = IC
1 F
rezidual de colector n conexiunea EC (msurat cu baza n gol).
IB =0
de amplificare n curent (conexiunea EC), iar I CE 0 =
este curentul
Noul factor de amplificare n curent poate avea valori mari (sute, zeci ).
1.3.5 Modelul de semnal mare (EBERS - MOLL) al tranzistorului bipolar
a). modelul cu generatoare de curent controlate de curenii la borne
qu
Curentul de colector poate fi scris: iC = F iE I CB 0 exp CB 1 , unde primul termen este curentul
KT
injectat de emitor n jonciunea colectorului iar al doilea, curentul propriu al jonciunii colectorului.
O relaie similar poate fi scris fcnd bilanul curenilor la jonciunea emitorului, astfel:
qu
iE = R ( iC ) I EB 0 exp EB 1 sau
KT
qu
iE = RiC + I EB 0 exp EB 1
KT
unde R este un factor de amplificare n curent invers (intrare pe colector i ieire pe emitor) cu emitor
scurtcircuitat la baz iar I EB 0 este curentul de saturaie al jonciunii emitor-baz determinat cu colectorul n
gol.
14
Germn Zoltn
Figura de mai sus reprezint un circuit echivalent al tranzistorului care corespunde ecuaiilor
Ebers-Moll. Ea cuprinde generatoare de curent constant comandate de curenii la bornele dispozitivului.
b). Model cu generatoare de curent comandate de curenii prin diode
qu
iC = F iE I CB 0 exp CB 1
KT
Rezolvnd sistemul format
obinem un alt set de ecuaii
quEB
iE = RiC + I EB 0 exp
1
KT
Ebers-Moll:
qu
qu
iE = IES exp EB 1 R ICS exp CB 1
KT
KT
qu
qu
iC = F I ES exp EB 1 ICS exp CB 1
KT
KT
I EB 0
I CB 0
unde I ES =
;
I CS =
, iar I ES este curentul de saturaie al diodei emitor-baz
1 P R
1 F R
msurat cu colectorul scurtcircuitat la baz, iar I CS este curentul de saturaie al diodei colector-baz
determinat cu emitorul scurtcircuitat la baz. Circuitul echivalent coresponztor apare n figura alturat.
F IES = R ICS deci cei patru parametrii nu sunt independente.

c Modelarea tranzistorului n diverse regiuni de lucru
Modelul Ebers-Moll este valabil pentru orice polaritate a tensiunilor aplicate din exterior . Considerm
separat patru regiuni de lucru distincte care se deosebesc prin polaritatea tensiunilor aplicate din exterior.
regimul de blocare (de tiere) al unui tranzistor pnp este caracterizat de
KT
n modul)
uCB < 0 , uEB < 0 (ambele mari faa de
q
regimul normal de lucru (regiunea activ normal) uEB > 0 , uCB < 0 (jEB pd + jCB pi)
regimul inversat de lucru (regiunea activ invers)
uEB < 0 , uCB > 0
regimul de saturaie ( uEB > 0 , uCB > 0 ) ambele polarizate direct.
d. Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor npn
15
Germn Zoltn
Trecnd de la un tranzistor pnp la unul npn, vom aplica tensiuni de polaritate opus i vom obine cureni
de sens opus. Convenia de semn pentru cureni schimb n mod automat sensul normal pozitiv atunci
cnd se trece la tranzistorul npn.
uEB = uBE , uCB = uBC
1.3.6. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

1.3.6.1. Caracteristicile statice n conexiunea baz comun (BC)
caracteristicile de intrare
qu
qu
iE = IES exp EB 1 R I CS exp CB 1
KT
KT
qu
qu
iC = F I ES exp EB ICS exp CB 1
KT
KT
prima ecuaie poate fi interpretat ca iE = iE (uEB )
ca o caracteristic de intarare
qu
pentru uCB < 0 iE = IES exp EB 1
este o caracteristic de diod,
KT
KT
pentru
uCB < 0
uCB >>
obinem
q
qu
qu
iE = IES exp EB 1 + R ICS = IES exp EB IES (1 F )
KT
KT
Caracteristicile de transfer
iC = iC ( uEB )
Caracteristica de transfer este dat de ecuaia urmtoare ca iC = iC ( uEB )
qu
qu
iC = F I ES exp EB 1 ICS exp CB 1 pentru uCB = ct .
KT
KT
n funcionare normal ea difer foarte puin de caracteristica de intrare:
`
qu
qu
qu
iC F IES exp EB 1 + I CS = F IES exp EB + ICS (1 R ) F I ES exp EB
KT
KT
KT
16
Germn Zoltn
Caracteristicile de ieire
aceste caracteristici pot fi interpretate fie pentru iE = const fie pentru uEB = const
qu
iC = F iE I CB 0 exp CB 1
KT
qu
caracteristica iE = 0
este urmtoarea:
I C = ICB 0 exp CB 1
KT
iar pentru iE = ct . caracteristicile se obin prin translatarea curbei pe vertical pe distane egale:
pentru iE = 0 vom folosi ecuaia:
1.3.6.2. Caracteristicile statice n conexiune emitor comun (EC)

Prin scderea ecuaiilor
qu
qu
iE = IES exp EB 1 R ICS exp CB 1
KT
KT
qu
qu
iC = F I ES exp EB 1 ICS exp CB 1
KT
KT
obinem:
qu
q
iB = iE iC = (1 F ) I ES exp EB 1 + (1 F )ICS exp

uCE + uEB ) 1
(
KT
KT
ecuaie ce poate fi folosit pentru trasarea caracteristicilor de intrare
Caracteristicile de intrare
iB = iB (uEB ) pentru uCE = ct .
Caracteristica uCE = 0 este de asemenea de tip diod:
qu
iB = (1 F )IES + (1 R )I CS exp EB 1
KT
Caracteristica de transfer
ic = iC ( uEB )
pentru
uCE = ct.
qu
q
iC = F I ES exp EB 1 ICS exp

uCE + uEB ) 1
(
KT
KT
kT
dac uCE este suficient de negativ (pnp) i uEB >>
,atunci obinem caracteristica de transfer
q
qu
iC F IES exp EB .
KT
Deci se obine o caracteristic exponenial iC = iC (uEB) ceea ce este o trstur de baz a
tranzistorului bipolar.Forma exponenial a caracteristicii de transfer a tranzistorului n regiunea activ
normal (RAN) trebuie reinut deoarece ea este folosit ca atare n studiul comportrii neliniare a
tranzistorului n unele circuite electronice.
17
Germn Zoltn
Caracteristici de ieire
Cele mai folosite sunt iC =iC (-uCE ) pentru iB = ct.
F
I
iB CB 0
1 F
1 F
sau
exp KT ( uCE + uEB ) 1
F
q
iC = F iB ( F + 1)ICB 0 exp
uCE + uEB ) 1 ; F =
(
KT
1 F
iE = iC + iB iC =
n regiunea activ normal (RAN) uEB > 0, uEB = ct.Pentru uCB = uCE + uEB < 0,1 V de exemplu
iC F iB + (F + 1)ICB 0 = F IB + ICE 0 . Caracteristica iB = 0 nu este limita regiunii de tiere. Pentru a
bloca tranzistorul eset necesar s blocm jonciunea emitor - baz.
Curbele iB = const nu sunt orizontale, deoarece F depinde de limea bazei, de fapt curentul de
colector crete cu creterea tensiunii colector-emitor
1.3.7. Polarizarea tranzistorului ntr-un punct dat de funcionare, n regiunea activ
Dispersia parametrilor tranzistorului de la un exemplar la altul face ca s nu se poat pune baz pe
caracteristicile acestuia. Situaia este foarte dramatic pentru tranzistorul n conexiunea emitor comun
(EC), unde dispozitivul polarizat n regiunea activ normal poate fi caracterizat cu aproximaie de
parametrii uEB , F , ICB0 unde dispersia uEB este mic, dar dispersia lui F , ICB0 este foarte mare.
uBB = uEB + RB I B
uCC = uCE + RC I C (*)
I C = F I B + I CE 0
Punctul static de funcionare (PSF) se va gsi la intersecia caracteristicii iB = IB = ct. ,unde
uBB uEB
IB =
cu linia (*) care se numete dreapta de sarcin.
RB
18
Germn Zoltn
Pentru alt F , caracteristica iB = IB = ct. are alt

poziie i PSF se schimb.
Dac presupunem dreapta de sarcin dat , adic
tensiunea de alimentare i rezistena de colector
bine precizate, atunci fixarea (printr-o tehnic
oarecare) a valorii curentului nseamn de fapt
"imobilizarea" punctului de funcionare ntr-o poziie
bine determinat.
n continuare se prezint un circuit de polarizare cu rezisten n emitor, unde pentru simplitate

vom presupune vom presupune I CB 0 0 iC F i B , iE (F + 1)iB . Schema difer de schema
anterioar prin rezistena de emitor RE care introduce o "reacie negativ".
u BB = u EB + I B RB + I E RE = u EB + [RB + ( F + 1)RE ]I B
IC =
F (uBB uEB )
RB + (F + 1)RE
Se observ c IC , curentul de colector al tranzistorului presupus a funciona n regiunea activ normal,

este independent de polarizarea colectorului dac F # ,atunci IC devine independent de F , pentru
F
uBB uEB
(F + 1) RE >> RB la limit am putea pune RB = 0 # I E =
IC =
I ct . dar
F + 1 E
RE
aceast polarizare particular nu ne convine (RB = 0) deoarece semnalul care se aplic de obicei n baz
ar fi scurtcircuitat. Schemele practice folosesc o singur surs de alimentare , dup cum se vede pe figura
alturat:
Dimensionarea rezistenei RB ne conduce la valori mari, ceea ce nu satisface

condiiile enunate mai nainte, o soluie mai bun este divizorul rezistiv din
baz. Aplicnd teorema Thvenin la stnga punctelor a i b, obinem
echivalarea cu figura anterioar
uBB =
R2
u
R1 + R2 CC
R1R2
R1 + R2
Polarizarea tranzistorului cu generator de curent constant. n scheme practice apare frecvent acest mod de
polarizare. Un generator de curent constant este construit cu unu sau mai multe dispozitive electronice. O
schem simpl de generator de curent constant este cea de tranzistor cu rezisten n emitor i divizor de
polarizare a bazei, reprezentat pe figura de mai jos:
19
RB =
Germn Zoltn
I0 = IC I E =
uBB uEB
RE
! Aplicaie
n circuitul din figura de mai jos tranzistorul are tensiunea baz-emitor de 0.7V . Se cere s se
determine punctul static de funcionare i s se specifice regimul de funcionare
ntr-un caz simplificat se poate considera c I C I E , iar curentul de baz se poate neglija pe lng
curentul care circul prin divizorul rezistiv. Se calculeaz potenialul bazei:
R2
10
U BB =
U CC =
12 = 4V ; U BB = U BE + I E RE
30
R1 + R2
U U BE 4V 0.7V
3.3V
I E = I C = BB
=
=
= 1mA U CE = U CC I C (RE + RC ) = 12 1 8 = 4V
3.3k
3.3k
RE
Din aceste relaii rezult c tranzistorul bipolar se afl n regimul normal de funcionare, deoarece
(I C ,U CE ) se afl ntr-o poziie de mijloc ntre blocare i saturaie
! Aplicaie
n circuitul din figura de mai jos tranzistorul are = 100 i tensiunea baz-emitor de 0.7V . Se
cere s se determine punctul static de funcionare i s se specifice regimul de funcionare
20
Germn Zoltn
U C U BE I C
=
presupunnd I C >>> I B U C U CC I C RC
RB
I C RC U BE
I R
U U BE
, iar U CE = U C
C B + I C RC = U CC U BE I C = CC
RB
RB
RC +
IB =
IC
U CC
Cu valorile numerice din schem rezult
I C = 1.5mA i U CE
= U C = 4.5V , regim liniar.
1.3.8.Limitri n funcionare datorat variaiei temperaturii i disipaiei de putere

1.3.8.1 Variaia caracteristicilor electrice cu temperatura
Un tranzistor care funcioneaz n regiunea activ normal (RAN)poate fi caracterizat cu aproximaie de
parametrii uEB (uBE) , F , ICB0 .Pentru variaia lui uEB i ICB0 vom prelua rezultatele cunoscute de la
jonciunea pn:
uEB scade cu temperatura cu o rat de 2-2,5 mV/ 0C la iE = ct.
ICB0 crete cu temperatura dup o lege exponenial dificil de prezis (orientativ ICB0 se
dubleaz la fiecare cretere de circa 10 oC)
cnd nu este dat n catalog F variaia cu temperaturapoate fi estimat dup formula:
T T0
F F ( T ) = F (T0 )
T0 =25 0C , K =100 0C (Si) , 500C (Ge)
K
Pe baza acestora se poate vedea cum se modific caracteristicile statice cu creterea temperaturii.
1.3.8.2 Stabilizarea PSF n raport cu variaiile de temperatur
S considerm un tranzistor n conexiune emitor comun (EC), polarizat cu iB=IB=constant.
Punctul static de funcionare se va gsi la intersecia caracteristicii iB=IB cu dreapta de sarcin static.Dac
temperatura crete, caracteristicile se vor deplasa n sus i punctul static de funcionare se va deplasa i el
pe dreapta de sarcin spre cureni de colector mai mari. Pentru a reduce deplasarea punctului static ar fi
indicat ca circuitul s asigure o scdere a lui IB cu tendina de a menine curentul de colector constant
(IC=constant). Adic ar fi de dorit ca I B s scad cu creterea T ca s rmn curentul de colector IC = ct. ,
de aici rezult importana circuitului de polarizare n stabilizarea PSF. Vom prezenta n continuare una din
cele mai des ntlnite procedee de stabilizare a punctului static de funcionare.
Pentru ilustrare vom considera din nou schema de mai jos, ns fr a mai neglija de aceast dat
curentul rezidual al jonciunii baz-emitor ICBO .
uBB = RB IB + uBE ;
IC = F IB + (F +1)ICB0 + RE IE
IE =IB + IC = (F + 1)IB + (F + 1)ICB0
uBB - uBE = RBIB + RE (F + 1)IB + RE (F + 1)ICB0
uBB uBE
R ( + 1)I CB 0
IB =
E F
RB + (F + 1) RE RB + (F + 1)RE
I C = F I B + ( F + 1) I CB 0 =
=
F (u BB u BE ) F R E ( F + 1)I CB 0
+ ( F + 1) I CB 0 =
RB ( F + 1)RE
R B + ( F + 1)RE
F (u BB u BE )
(R B + R E ) I
+ ( F + 1)
CB 0
RB + ( F + 1)RE
R B + ( F + 1)R E
iar uCE = uCC - RCIC - REIE = uCC - (RC + RE )IC

21
Germn Zoltn
Stabilizarea PSF la variaia temperaturii se reduce la stabilizarea lui IC (tensiunea colector-emitor

rezult din relaiile de mai sus)
Creterea temperaturii duce la creterea curentului de colector IC prin intermediul tuturor celor trei
parametri (uBE , F , ICB0). Problema care se pune este, cum poate fi minimizat creterea lui IC prin
alegerea elementelor circuitului ?
Pentru a insensibiliza pe IC la variaiile lui F trebuie aleas o rezisten RB << (1 + F )RE
U BB uBE
RB
+ 1 + I CBO , ceea ce recomand circuitul cu divizor pe baz , n care se
RE
RE
poate asigura o valoare suficient de mic pentru RB . Pe de alt parte, deoarece

I C
F
=
uBE
RB + RE ( F + 1)
astfel avem: I C
se mai folosete i circuitul cu o singur rezisten n baz, deoarece la valori mari ai lui RB variaia de mai
sus devine mai mic.
1.3.9.Tranzistorul bipolar n regim dinamic
1.3.9.1 Modelul de semnal mic. Circuit echivalent natural
n stabilirea unui circuit echivalent de semnal mic nu ne va interesa dect funcionarea

tranzistorului n regiunea activ normal, acolo unde se pune problema de a amplifica semnalul (fr a
introduce distorsiuni ale formei acestuia)
factorul de modulare a grosimii bazei, g m -panta (transconductana) tranzistorului

g -conductana baz-emitor, CdE -capacitatea de difuzie (jonciunea emitorului)
Cb ' e = CdE + CbE CdE
1
= gb ' e = g
Cb ' c = CdE + Cbc Cbc
rb ' e
1
1
gce = gm =
rb ' c
rO
Capacitatea de barier poate fi practic neglijat pe lng capacitatea de difuzie n cazul n care jonciunea
emitorului este puternic deschis. Circuitul echivalent se numete natural, deoarece elementele sale au
fost deduse n strns legtur cu fenomenele fizice care au loc n dispozitiv.
gb ' c = gb ' e =
1.3.9.2. Circuit echivalent cu parametri hibrizi
Circuitul echivalent cu parametri hibrizi este echivalent cu circuitul echivalent natural, considernd efectul
ieirii neglijabil la intrare
1
1
; hr = 0; h f = gmr ; hO =
hi = r =
g
rO
22
Germn Zoltn
1.3.9.3 Exemplu de utilizare a circuitului echivalent. Etaj de amplificare cu emitorul comun.

Figura de mai jos arat un etaj de amplificare EC, caracteristica de transfer uO = uO ( uI ) , unde
uO este tensiunea de ieire. Presupunnd c:
uI ( t ) = U I + ui ( t )
Rspunsul n curent continuu se deduce uor de pe caracteristica de transfer U O = uO (U I ) , iar rspunsul

liniar al dispozitivului se poate calcula direct pe baza circuitului echivalent:
u0 (t ) = RCiC (t ) = RC gmub ' e (t )

ub ' e (t ) = ui (t )
AU =
uo (t ) gm RC ub ' e (t ) gmrb ' e RC

=
=
ui (t ) rb ' s + rb ' e
rb ' s + rb ' e
ui (t )
rb ' e
AI =
rb ' e
rb ' s + rb ' e
ic (t ) gmub ' e (t )
=
= gmrb ' e = F
ib (t )
gb ' c (t )
amplificatorul preia putere de la sursa de curent continuu (+UCC) i o transform n putere de curent
alternativ (de semnal)
bilanul energetic n circuitul de colector:
- n absena semnalului :
UCC = RCIC + uCE
UCC IC = RL IC2 + uCE IC
- n prezena semnalului alternativ, puterea de curent alternativ disipat pe RL trebuie s fie
1
R L I c 2 (IC - amplitudinea semnalului alternativ)
2
1
1
U CC I C = uCE I C R L I C 2 + R L I C 2 + R L I C 2
2
2
puterea medie disipat pe tranzistor se micoreaz la apariia semnalului exact cu puterea de curent
alternativ (util) debitat n sarcin.
acest fenomen este caracteristic funcionrii tranzistorului ca VENTIL DE COMAND care controleaz
pur i simplu puterea instantanee pe care sursa de curent continuu o debiteaz la un moment dat n
rezistena de sarcin.
randamentul crete cu amplitudinea semnalului.
23
Germn Zoltn
1.3.10 Caracteristica dinamic i limitarea amplitudinii semnalului
n figura de mai jos apare o schem practic de amplificator cu tranzistor bipolar n conexiune
emitor-comun (EC). Capacitile de cuplaj blocheaz componentele de curent continuu , lsnd s treac
semnalul variabil.
schema echivalent de curent alternativ
R ' L = ( RL RC ) adic legarea n paralel a celor dou rezistene
U CC = uCE + iC RC + iE RE uCE + ( RC + RE )iC

iC ( t ) = I C + ic ( t )
uCE ( t ) = U CE + uce ( t )
Punctul instantaneu de funcionare cu coordonatele iC(t), uCE(t) descrie aa-numita " CARACTERISTIC
DINAMIC", care nu mai coincide aici cu dreapta de sarcin static.
U CC = U CE + I C ( RC + RE ) + uce ( t ) + ( RC + RE )ic (t )
dac se liniarizeaz caracteristicile dispozitivului n jurul PSF (uCE, ICE) atunci valoarea medie a mrimilor
electrice nu depinde de amplitudinea semnalului deci este aceeai ca la semnal zero. (Punctul mediu de
funcionare n regim dinamic coincide cu puctul static de funcionare n absena semnalului.)
Se poate reprezenta locul geometric al punctului instantaneu de funcionare n planul (ic(t), uce(t)) plan
definit pe un sistem rectangular
uce ( t ) = R ' Lic (t )
caracteristica dinamic este de fapt un segment al acestei drepte, segment al crui lungime depinde de
amplitudinea semnalului dac admitem
ug ( t ) ube (t ) ug (t )
ib (t ) =
atunci o tensiune ug(t) sinusoidal # ib(t) sinusoidal.

RG
RG
Limitarea amplitudinii semnalului
Deoarece caracteristicile statice sunt imprecis cunoscute se prefer s se fac calcule aproximative
ignornd neliniaritatea dispozitivelor, admind
ic (t ) = IC cost , uce ( t ) = U CE cost , uce = R ' Lic (t ) , U 0 MAX = ucemax = U CE uCEsat
Pentru limitarea dispozitivului n regiunea de blocare se impune: Ic max = IC, U 0max = ucemax = R ' L IC , iar
limita este cea mai restrictiv dintre cele dou condiii .
24
Germn Zoltn
Alegerea punctului static de funcionare (PSF)

Caracteristica dinamic este limitat inferior de axa orizontal (tiere).Dac U O max este amplitudinea
U0
maxim impus semnalului, atunci:
I C > I cmin = max . Curentul maxim de lucru se dtermin lund
RC
U CC (U 0max + 0,5V )
U CEsat = 0.5V ca limitare pentru evitarea saturaiei. Se obine: I C < I C MAX =
RC + RE
! Aplicaie
n circuitul din figur tranzistorul bipolar are F = 0.99,U EB 0.2V i I CBO = 2 A . ntre ce
limite putem gsi punctul static de funcionare dac rezistenele din circuit au tolerane de 5% ?
n relaia : I C = F I E + ICBO vom lua F 1 i I CBO 0 . Pentru valorile nominale ale

rezistenelor se calculeaz:
U U EB 6 0.2
I C = I E = EE
=
= 2.9mA ; U CB = U CC + RC I C = 12 + 2 2.9 = 6.2V
2
RE
Limitele ntre care poate varia curentul prin tranzistor sunt:
U U EB 6 0.2
U U EB 6 0.2
I C max = I E max = EE
=
= 3.05mA ; I C min = I E min = EE
=
= 2.76mA
1.9
2.1
RE min
RE max
Valorile extreme ale tensiunii de colector se calculeaz astfel:
( U CB )max = U CC RC min I C min = 12 1.9 2.76 = 6.76V ,
( U CB )min = U CC RC max I C max = 12 2.1 3.05 = 5.60V
Locul geometric al punctelor de funcionare este reprezentat n figura de mai jos, unde mai sunt
reprezentate dreptele statice de funcionare pentru valorile extreme ale lui RC.
25
Germn Zoltn
! Aplicaie
n circuitul din figur tranzistorul npn are parametrii F = 0.99 ,R = 0.6 i I ES = 2 A . se cere
s se determine punctul static de funcionare ( IC ,U CE ) .
re;aiile:
n ipoteza funcionrii n regiunea activ normal tranzistorul este descris cu aproximaie de
I
qu
iC = F iB + I CBO ; iE = I ES exp BE ; I CBO = (1 F R ) I CS ; I CS = F ES
kT
R
Ecuaiile circuitului se obin aplicnd legile lui Kirchhoff circuitului de baz (care cuprinde jonciunea bazemitor) i respectiv circuitul de colector:
U BB = RBiB + U BE + RE iE ;
U CC = RCiC + U CE + RE iE
la care se mai adaug iE = iC + iB . Obinem astfel un sistem de cinci ecuaii cu cinci necunoscute
(I
, I B , I C ,U BE ,U CE ) , una din ecuaii fiind neliniar.

Vom estima IE presupunnd pentru nceput U BE 0 i I CBO 0 ;
IC =
IE =
F
I = F IB
1 F B
6
U BB
=
= 1mA
300
RB
+R
+3
F + 1 E 100
kT I E
ln
= 0.026 ln 500 = 016
. V . Aceasta valoare a lui UBE va fi considerat
q I ES
suficient de precis pentru calculul curenilor (ceea ce se poate verifica prin ncercri succesive). fr a mai
neglija de aceasta dat pe ICBO (calcul mai precis) obinem:
F (U BB U BE ) I CBO ( RE + RB )(F + 1)
IC =
+
= 1.03mA
RB + RE (F + 1)
RB + RE (F + 1)
apoi obinem: U BE =
Aproximnd I C IE obinem: U CE = U CC RC I C RE IE U CC (RC + RE )IC = 4.8V

Deoarece tensiunea colector-emitor este pozitiv i suficient de mare, tranzistorul nu este saturat
! Aplicaie
n circuitul din figura de mai jos tranzistorul are F cuprins ntre 100 i 200 , tensiunea baz-emitor
de 0.6V . Se cere s se determine poziia punctului static de funcionare n planul caracteristicilor de ieire
iC = iC ( uCE ) . Presupunnd RC variabil, s se determine plaja de valori pe care o poate lua astfel ca
tranzistorul s funcioneze n regiunea activ normal
26
Germn Zoltn
Cu o echivalare Thvenin la stnga bornelor A,B se obine circuitul echivalent din figura a doua,
unde:
R2
RR
10
10 20
U CC =
18 = 6V , RB = 1 2 =
= 6.66k
R1 + R2
R1 + R2
30
30
Se rezolv sistemul de ecuaii:
U BB = RB IB + U BE + Re Ie ;
I = I + I ;
E
B
C
;
I
=
I
F B
C
U CC = RC I C + U CE + RE I E ;
U BB =
cu necunoscutele: IE, IB, IC, UCE . Din primele trei ecuaii rezult expresia curentului de colector:
F (U BB U BE )
IC =
RB + (F + 1) RE
valoare independent de RC , att timp ct tranzistorul funcioneaz n regiunea activ normal.
Introducnd valori numerice se obine I c = 2.59 mA pentru F = 100
I c = 2.64mA pentru F = 200
Curentul de colector depinde foarte slab de factorul de amplificare n curent F Din punct de
vedere matematic, IC independent de factor de amplificare se asigur prin: (F + 1)RE >> RB
Aceasta echivaleaz cu neglijarea cderii de tensiune pe RB n circuitul baz-emitor. Ca urmare,
potenialul bazei fa de punctul de referin este aproximativ constant i egal cu UBB ,iar :
U U BE 6 0.6
I C IE BB
=
= 2.7 mA
RE
2
Cu ajutorul divizorului pe baz i al rezistenei din emitor, tranzistorul este polarizat la un curent constant,
aproximativ independent de tranzistor. Neglijnd curentul de baz fa de curentul de colector, obinem
aplicnd teorema a II-a a lui Kirchhoff:
U CC U CE + ( RC + RE )I C
care este ecuaia dreptei de sarcin reprezentete n figura de mai jos:
27
Germn Zoltn
Punctul static de funcionare se vagsi pe aceast dreapta de sarcin, la curenii cuprini ntre 2,59 i 2, 64
mA. Lund I C = 2,6mA U CE = 7,6V
RC min = 0 i RC max =
U CC U O
18 0,5
RE =
2 = 4 ,63k
IC max
2 ,64
Valoarea maxim se calculeaz astfel nct tensiunea colector-emitor la curent de colector de valoare
maxim s nu scad sub valoarea de saturaie, considerat n acest caz de o valoare acoperitoare de
0,5V.
1.4 Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune
1.4.1 Generalitti.Principii de funcionare.Simboluri. Noatii.
Tranzistoarele la care conduciaelectric este asigurat de un singur tip de purttor de sarcin se
ntlnesc n literatura de specialitate sub denumirea de tranzistoare unipolare sau tranzistoare cu efect de
cmp. Pentru aceste tranzistoare se foloseste curent prescurtarea de tranzistoare TEC sau FET (Field
Effect Transistor). Funcionarea lor se bazeaza pe variatia conductibilitatii unui "canal" dintr-un material
semiconductor, ale carui dimensiuni transversale sau concentratii de purtatori de sarcina mobili pot fi
controlate cu ajutorul cmpului electric transversal, creat ntre un electrod de comanda numit poarta (gate)
situat n vecinatatea canalului i masa semiconductorului unde este format sau indus acest canal.
Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune (TECJ) funcioneaz cu purttori majoritari (electroni n
canalul n , vezi figura de mai jos, respectiv goluri n canalul p)
Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune (TECJ) a fost propus de Schockley n 1952 i este n
esen un rezistor a crui seciune este controlat de grosimea regiunii sarcinii spaiale a unei jonciuni pn.
Termenul de efect de cmp este legat de existena cmpului electric n zona de sarcin spaial , cmp a
crui intensitate este determinat de tensiunea aplicat pe terminalul poart (gate).
Figura de mai jos arat un tranzistor cu efect de cmp cu jonciune realizat n construcie planarepitaxial. Conducia are loc ntr-un canal n ntre contactele surs (care emite electroni) i respectiv dren
(care i colecteaz). Electrodul denumit "poart" contacteaz zona difuzat p+ care mpreun cu substratul
p+ delimiteaz canalul n. Jonciunea pn poarta-canal este polarizata invers, iar grosimea regiunii de sarcina
spatiala asociata acestei jonciuni face ca sectiunea conductiva a canalului (regiunea n neutra) sa fie mai
mic dect distanta dintre cele doua jonciuni. Aceasta sectiune este controlabila electric prin diferenta de
potential care exista ntre poarta i canal.
Simboluri grafice
Observatie. i substratul p+ poate fi folosit ca electrod poarta. Dac este legat la acelasi potential cu
propriu-zisa, atunci se obine un "efect de cmp" aproximativ simetric fata de axa longitudinala a
dispozitivului. Dar substratul poate fi folosit ca un al patrulea electrod, independent, caz n care se obine
"tetroda cu efect de cmp".
Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune are avantaje importante fata de tranzistorul bipolar:
-dependenta de temperatura mai redusa a caracteristicilor (nu sunt purtatori minoritari)
-rezistena de intrare (pe electrodul poarta) foarte mare (sute, mii de M , pentru ca iG=0)
-inexistenta tensiunii de decalaj (tensiunea drena-sursa este zero la curent de drena zero)
28
Germn Zoltn
-zgomotul mai redus

Pe de alta parte TECJ nu amplifica n curent, iar amplificarea n tensiune este mai mic. De obicei n
circuitele electronice discrete se ntlneste i n combinatie cu tranzistorul bipolar (se exploateaza
avantajele ambelor tipuri de tranzistoare)
Trebuie remarcat faptul ca sageata din simbolul grafic i n acest caz desemneaza o jonciune pn (sensul
sagetii de la p la n). Curentul de poart este foarte mic (de ordinul nA) i va fi considerat practic nul.
Curentul de drena iD este normal pozitiv: intra n drena tranzistorului cu canal n (electrod care evacueaza
electroni) i iese din drena tranzistorului cu canl p. Curentul de surs este egal cu cel de dren.
1.4.2 Caracteristicile statice ale TECJ
a.Caracteristici de ieire iD = iD ( uDS ) cu
uGS = cons tan t
parametru
numite
i
caracteristici de dren. Pentru o anumit valoare a tensiunii poarta-surs, numite tensiunea de prag
U T (threshold), dac negativarea portii creste, grosimea efectiva a canalului scade i se anuleaza precum
i curentul de drena.
pentru tensiuni uDS mici cu uGS=constant caracteristicile sunt:
1
GS
uDS
iD = GO 1
UT
Aceste caracteristici sunt schiate pe figura de mai jos:

unde GO este conductanta canalului la tensiune poarta-sursa
nula.Liniile sunt trasate i n cadranul al treilea (dar numai pentru
tensiuni mici!) pentru a arata ca tranzistorul se comporta ca o
conductanta liniar i pentru tensiuni drena-sursa mici. TECJ este
folosit n regiunea liniar la tensiuni mici drena-sursa ca rezistena
controlata n tensiune. Aici conductanta drena-sursa este identica cu
conductanta canalului i rezistena drena-sursa este functie liniar de
tensiunea poarta-sursa aplicata.
r0
Pentru calcule practice se poate aproxima rezistena canalului cu expresia empirica: rd =
1 KU GS
unde r0 este rezistena pentru tensiune poarta-sursa nula, iar K este o constanta a tranzistorului.
Pentru valori mai mari ai tensiunii uDS avem urmtoarele caracteristici de drena:
Aceste caracteristici sunt liniare numai la tensiuni drenasursa foarte mici, pentru tensiuni mai mari, distingem a zona
neliniar, o zona de saturaie a curentului de drena (aici
curentul de drena depinde foarte slab de tensiunea drenasursa), dup care urmeaza o zona de cretere abrupta
(strapungere) a curentului, nemarcata pe grafic.
Zona neliniar este caracterizata de uDS < uDS , sat , unde uDS,sat este tensiunea la care apare
saturatia curentului de drena.
Zona de saturaie este caracterizata de faptul ca ID nu mai creste cu uDS. Prin definitie
uDS uDS , sat ,
iD = I D , sat
29
Germn Zoltn
Teoria arata ca saturatia corespunde momentului n care canalul este strangulat lnga drena. Aceasta
strangulare apare la rndul ei atunci cnd diferenta de potential ntre poarta i extremitatea de lnga drena
a canalului este egala cu tensiunea de prag, deci:
uGS uDS , sat = U T uDS , sat = uGS U T

Din grafic se vede cum uDS,sat creste cu uGS. La tensiuni mari uDS apare o cretere foarte puternica a lui iD
datorit strapungerii prin multiplicare n avalansa care apare la capatul de lnga drena al jonciunii poartacanal.
b.Caracteristicile de transfer sunt iD=iD(uGS). Dispozitivul este folosit ca amplificator n zona de
saturaie caracterizata de uDS > uDS , sat , unde iD este practic independent de uDS. Pentru calcule se
foloseste aproximatia parabolica a acestei caracteristici:
iD = iD , sat
u
= IDSS 1 GS
UT
Grafic, caracteristica static de transfer se prezint n figura

urmtoare. Zona preferat de lucru este cea de la cureni
mari, acolo unde i panta caracteristicii este mai mare. Aici
curentul scade cu creterea temperaturii (la U GS = const )
dar problema ambalrii termice nu se pune n cazul TECJ.
1.4.3 Polarizarea tranzistorului cu efect de cmp cu jonciune (TECJ)

Figura de mai jos prezint un circuit n care polarizarea porii fa de surs se asigur prin cderea
de tensiune dat de curentul de sursa iD pe rezistena RS. Aceasta tensiune este aplicata pe poarta prin
rezistena RG , care are valori de ordinul M .
Deoarece
uGS = RS iD punctul de funcionare n planul caracteristicii de transfer poate fi
determinat prin intersectia dreptei de mai sus numite dreapta de polarizare, ca n figura. datorit dispersiei
caracteristicilor (variatia tensiunii de prag la diferite cdispozitive), caracteristica iD = iD ( uGS ) este nsa
nesigura.. Pentru o polarizare corecta, bine determinata, linia de polarizare trebuie sa intersecteze
caracteristicile de transfer ntre punctele A,B, lucru deloc usor de realizat.
Atunci cnd este impus un domeniu foarte mic pentru variatia curentului de drena, se recomanda
polarizare cu divizor rezistiv pe poarta
30
Germn Zoltn
R2
U
R2 + R1 DD
asigurnd astfel o polarizare corect, respectnd limitele impuse, lucru imposibil de realizat cu schema
anterioar.
uGS = U GG iD RS
U GG =
1.4.4 Circuitul echivalent de semnal mic

La frecvene joase comportarea tranzistorului este cvasistaionar i modelul de semnal mic poate
fi dedus prin liniarizarea caracteristicilor n jurul unui punct de funcionare. Definirea parametrilor circuitului
echivalent se face plecnd de la:
iD = iD ( uGS , uDS )
difereniind:
diD =
trecnd la variaii finite (dar foarte mici):
iD
i
duGS + D duDS
uGS
uDS
iD = g muGS + gd uDS
definim panta sau transconductanta:
gm =
iD
uGS
u DS
iD
uGS
U DS
si conductanta de dren sau de ieire

gd =
iD
uDS
u GS
iD
uDS
=
u GS
1
rd
unde rd este rezistena de drena.
Dac tranzistorul este polarizat n regiunea activa normala, atunci panta gm i rezistena de drena
rd au valori mici. Valoarea maxim a pantei se poate calcula:
gm =
unde g m0 =
iD
uDS
iD
uGS
=
u DS
=
U GS = 0
2 IDSS
u
u
1 GS = gm 0 1 GS
UT
UT
UT
2 IDSS
> 0,U T < 0 este panta maxim la uGS=0
UT
Circuitul echivalent din figura de mai jos corespunde relaiei anterioare i este valabil la excursii suficient de
mici ale variabilelor n jurul punctului de funcionare.
31
Germn Zoltn
La frecvene nalte trebuie luate n considerare capacitile dintre electrozi, asa cum se indic n
figura de mai jos
Cgs este capacitatea de barier dintre poart i surs, iar Cgd capacitatea de barier dintre poart i
drena. Valorile obinuite pentru aceste capaciti sunt de ordinul 1-10 pF. Capacitatea dren-surs a
canalului Cds poate avea valori cuprinse ntre 0.1-1 pF. Datorit acestor capaciti n tranzistor apare o
reacie negativ intern iar amplificarea scade la frecvente nalte.
! Aplicaie
Se da circuitul din figur, unde tranzistorul cu efect de cmp este descris de legea:
2
u
iD = I DSS 1 GS
UT
cu I DSS = 9 mA i U T = 3V . ntre ce limite poate varia rezistena de dren astfel nct tranzistorul s
funcioneze n regiunea de saturaie ?
nlocuind uGS = RS iD
n Ecuaia caracteristicii de transfer, obinem: iD = 9 1 D

12
sau
iD2 8iD + 144 = 0 cu solutiile 36 mA i 4 mA. Evident, numai a doua solutie convine problemei. n
general. dintre cele doua solutii obtinute din Ecuaia de gradul doi n curentul de drena, pentru circuitul din
figura numai valoiarea cea mai mic este cea corecta. Pentru tensiunea poarta-sursa numai solutia
U T < uGS < 0 este corecta. n cazul de fata avem: U GS = Rs ID = 0.25 4 = 1V
Modificarea rezistentei de drena nu are nici un efect asupra curentului de drena.
U DS = U DD ID ( RD + RS ) = U DD + U GS ID RD
Impunnd condiia pentru saturaie:
U DS < U DSsat = U GS U T = 2V
obinem:
U + U GS U DSsat U DD + U T 16 3
RD < RD max = DD
=
=
= 3,25k
ID
ID
4
deci, rezistena de drena poate fi cuprinsa ntre
RD ( 0,3.25k)
32
Germn Zoltn
! Aplicaie
S se determine limitele ntre care variaz punctul static de funcionare al tranzistorului din figura
de mai jos, dac tensiunea de prag (UT) variaz ntre -4V i -3V, iar curentul IDSS ntre 12 mA i 9 mA.
Calculele se vor face pentru RD = 2 k i Rd = 2.7 k .
Pentru U T = 3V i I DSS = 9 mA calculul a fost facut n problema
precedenta i avem punctul de funcionare I D = 4 mA i U GS = 1V .
Atunci cnd UT i IDSS variaz, punctul static de funcionare se deplaseaza pe
dreapta de sarcina a portii uGS = RS iD . Cealalta extrema a punctului static de
funcionare se obine pentru U T = U T 1 = 4V i I DSS = IDSS1 = 12 mA
Se calculeaz: I D = 5.33mA;U GS = 1.33V . Tensiunea de dren se
calculeaz cu: U DS = U DD + U GS I D RD
Pentru RD = 2 k obinem U DS = 16 1 8 = 7V > U DSsat = 1 + 3 = 2V pentru primul punct de
funcionare i
U DS = 16 133
. 10.67 = 4V > U DSsat = 1.33 + 4 = 2.67V
pentru al doilea punct de funcionare.
Dac
RD = 2.7 k
obinem U Ds = 4.2V > U Dssat = 2V
n primul caz i
U DS = 0.28V < U DSsat = 2.67V . n acest al doilea caz tranzistorul cu efect cmp nu funcioneaz n
regiunea de saturaie. Ca urmare, nici caracteristica parabolic nu este valabil iar valorile determinate
anterior pentru ID i UGS (al doilea punct static de funcionare) nu sunt corecte. Dac exist dispersia
enunat atunci rezistena RD = 2.7 k nu este aleas corect.
1.5 Tranzistoare cu efect de cmp MOS
1.5.1 Generalitati.Principii de funcionare.Simboluri. Notatii
Tranzistorul MOS este un dispozitiv electronic bazat pe conducia curentului electric la suprafata
semiconductorului. Proprietile conductive ale suprafetei semiconductorului sunt controlate de un cmp
electric aplicat printr-un electrod izolat de semiconductor (poart). Aceste aspecte constructive definesc
familia tranzistoarelor cu efect de cmp cu poarta izolat sau, pe scurt, TEC-MIS (tranzistor cu efect de
cmp-metal-izolator-semiconductor). Izolatorul folosit este un strat subire de oxid (SiO2) crescut prin
oxidarea termic a suprafeei siliciului (de unde denumirea TEC-MOS, adic tranzistor cu efect de cmpmetal-oxid-semiconductor).
Poarta este realizat, de regul din aluminiu, dar poate fi realizat i din alte materiale, de exemplu
siliciu policristalin puternic dopat.
Conducia se realizeaz pe suprafaa substaratului de siliciu, ntre doua zone cu tip de
conductivitate opus celui al substratului; cele dou zone se numesc surs (S) i dren (D).
33
Germn Zoltn
n figur s-a considerat un substrat de tip n; n acest caz sursa i drena sunt de tip p. Pentru a se putea
stabili un curent electric ntre sursa i drena, suprafaa semiconductorului trebuie inversat ca tip de
conductivitate, adic s devin de dip p. n acest caz, la suprafaa apare un canal conductor, de tip p., care
leag sursa de dren. Inversarea tipului de conductivitate a suprafeei, precum i controlul rezistivitii
canalului se face de ctre poart. Simbolurile grafice pentru tranzistoare MOS cu canal n i p sunt
prezentate n continuare:
De obicei n aplicaii obinuite substratul se leag la surs, dar exist dispozitive la care substratul apare
ca un terminal separat. Se observ aceeai semnificaie pentru sgeata din simbolul grafic.
1.5.2 Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS
Fie un TEC-MOS cu canal n (cel cu canal p se descrie identic) la care substratul se leag la surs.
Tensiunile de poart UGS i de dren UDS sunt pozitive. Pentru tensiuni de poart mai mici de tensiunea de
prag UT nu apare canal la suprafata i ca urmare curentul de drena ID este nul.Dac tensiunea de poarta
depaseste valoarea de prag, ntre sursa i drena se formeaza un canal n care permite conduciacurentului
electric (cu att mai bine cu ct tensiunea UGS este mai mare).
Caracteristicile staice ale tranzistorului MOS reprezint dependena curentului de dren de tensiunile de
poart i de dren:
I D = I D (U GS ,U DS )
Caracteristicile de dren sau de ieire au aceeasi forma ca i n cazul TECJ, se pot deosebi o zon
cvasiliniar i a zona de saturaie:
Ecuaia caracteristicii statice n regiunea cvasiliniar este:
2
U DS
I D = 2 (U GS U T )U DS
,0 < U DS < U DS , sat
2
unde este un parametru constructiv al tranzistorului.

tensiunea de saturaie are forma aproximativ:
U DS , sat U GS U T
n zona de saturaie curentul de drena are o valoare constant n raport cu UDS pentru tensiuni mai mari ca
tensiunea de saturaie, i caracteristica static de transfer are urmtoarea form:
I D = (U GS U T ) ;U DS > U DS , sat
m
unde m este un coeficient cuprins ntre 1 i 2 , dar de obicei n calcule mai simple se utilizeaz:
I D = (U GS U T ) ;U DS > U DS , sat
2
34
Germn Zoltn
n figura de mai jos se reprezint aceast caracteristic pentru un tranzistor MOS cu canal n
Observaie. Din punctul de vedere al dependenei de
temperatur, tranzistorul MOS prezint avantaje deosebite fa
de tranzistoarele bipolare. La creterea temperaturii, curentul
de dren scade, dar dependena este foarte slab. Ca urmare
tranzistoarele MOS nu prezint fenomenele de strpungere
secundar i ambalare termic.
n figura urmtoare este prezentat caracteristica static de transfer pentr un TECMOS cu canal p
n cazul TECMOS cu canal p ambele tensiuni UGS, UDS sunt
negative. Aceste tranzistoare au canal indus prin aplicarea
unei tensiuni UGS mai mari dect valoarea de prag.
Unele tranzistoare prezint canal chiar la tensiuni poart-surs nule (U GS = 0) i se numesc

tranzistoare MOS cu canal iniial. Aceast situaie se ntlnete n special la tranzistoare cu canal n.
Un asemenea tranzistor poate lucra cu orice polaritate a tensiunii de poart. Dac tensiunea de poart este
pozitiv U GS > 0 , regimul se numete regim de mbogire datorit creterii concentraiei de electroni n
canal; dac tensiunea de poart este negativ U GS < 0 , regimul poart denumirea de regim de srcire i
duce la scderea concentraiei de electroni din canal pn la dispariia lui (la U GS = U T )
Caracteristicile de transfer pentru TECMOS cu canal iniial n i p sunt prezentate n figurile urmtoare:
TECMOS cu canal p iniial
TECMOS cu canal n iniial
1.5.3 Polarizarea TECMOS

alegerea unui anumit punct static de funcionare se face n functie de scopul dorit: obinerea unei
anumite pante, folosirea unei regiuni ct mai liniare a caracteristicilor, etc
Pentru tranzistoare MOS cu canal indus tensiunile de poarta i de drena au aceeasi polaritate. ca
urmare, pentru polarizare se poate folosi un circuit simplu, cu o singura sursa de curent continuu, cum se
vede pe figura:
R2
U GS = U DD
R1 + R2
pe baza caracteristicii de transfer se poate determina curentul ID; tensiunea
de dren este atunci:
U DS = U DD RD I D
35
Germn Zoltn
Tranzistoarele MOS cu canal iniial trebuie polarizate astfel nct tensiunea de poart s poat
cpta att valori pozitive ct i valori negative. n figura de mai jos se prezint un astfel de circuit de
polarizare, cu o singur surs de alimentare.
Tensiunea de poart se calculeaz cu relaia:
R2
U GS = U DD
RS ID
R1 + R2
Se observ posibilitatea realizrii ambelor semne pentru tensiunea de
poart. Circuitele de curent continuu ale tranzistoarelor MOS nu au, de
regul, sarcina stabilizrii termice a punctelor statice de funcionare,
datorit dependentei slabe de temperatur a caracteristicilor statice.
! Aplicaie
Tranzistorul MOS din figur are = 0.25 mA V 2 i U T = 4V . Se cere s se calculeze : U GS , I D ,U DS
Soluie:
UG =
R2
10
U DD
12 = 6V , unde U GS = U G = 6V
R1 + R2
10 + 10
I D = (U GS U T ) = 0.25 (6 4 ) = 1mA
2
U DS = U DD I D RD = 12 3 1 = 9V > U DSsat = U GS U T = 2V
Din rezultatele obinute se vede c tranzistorul MOS se afl n regim de saturaie ( U DS > U DSsat )
! Aplicaie
Tranzistorul MOS din figur are = 0.125 mA V 2 i U T = 2V . Se cere s se calculeze : U GS , I D ,U DS
Soluie:
UG =
R2
3
U DD
12 = 4V
R1 + R2
3+6
I D = (U GS U T ) = 0.125 (4 + 2) 2 = 4.5mA
2
U DS
U G = U GS + I D RS U GS = U G I D RS = 4 4.5 0.4 = 3.2V

= U DD I D ( RD + RS ) = 12 4.5 1.4 = 5.7V < U DSsat = U GS U T = 6V
Din rezultatele obinute se vede c tranzistorul MOS se afl n regim de saturaie ( U DS > U DSsat )
36
Germn Zoltn
1.5.4 Regim variabil de semnal mic.Schema echivalenta de semnal mic.

Utilizarea tranzistoarelor MOS n circuite de amplificare necesita stabilirea unei scheme
echivalente pentru regimul variabil de semnal mic. Tranzistorul MOS lucreaza n regiunea de saturaie.
Dac frecventa semnalului este joasa se poate adopta ipoteza cvasistationara, potrivit careia
dependenta ntre valorile instantanee ale marimilor electrice (iD , uGS , uDS ) este aceeasi ca n curent
continuu, conform relaiei:
iD = (uGS U T )
difereniind oinem:
diD =
iD
i
duGS + D duDS
uGS
uDS
notnd variaiile mici de semnal: duDS = ud , duGS = ug , diD = id , rezulta o relaie ntre componentele
variabile ale mrimilor electrice:
id = m(U GS U T )
m 1
ug + (U GS U T )
ud = gmug + ud
rd
uDS
unde s-au utilizat urmtoarele notatii:

gm panta tranzistorului la frecvente joase data de:
mI D
U GS U T
rd rezistena difereniala canalului n regiunea de saturaie:
gm = m(U GS U T )
m 1
1
I
m
= (U GS U T )
= D
rd
uDS uDS
Pe baza acestora se poate realiza schema echivalenta la semnale mici:
La frecvene nalte trebuie luate n considerare capacitile ntre electrozi, asa cum se indic n figura de
mai jos
37
Germn Zoltn
SINTEZA UNOR DISPOZITIVE ELECTRONICE FUNDAMENTALE

Denumire/
Simbol grafic
Tranzistor
pnp
bipolar
Tranzistor bipolar npn
Caracteristica de intrare
Caracteristica de transfer
C
o
m
a
n
d
n
p
u
t
e
r
e
TEC-J canal n
TEC-J canal p
TEC-MOS canal n iniial
C
o
m
a
n
d
TEC-MOS canal p iniial
t
e
n
s
i
u
n
e
TEC-MOS canal n indus
TEC-MOS canal p indus
38
Caracteristica de ieire
Germn Zoltn
1.6 Dispozitive multi- i unijonciune

1.6.1 Introducere
Dispozitivele multijonciune au trei sau mai multe jonciuni, au la baza structura pnpn, care are
patru straturi i trei jonciuni i care, datorit caracteristicii sale statice curent-tensiune cu dou stri stabile,
se folosete n circuitele de comutaie. Vor fi tratate n acest capitol urmtoarele dispozitive multijonciune:
dioda pnpn, tiristorul convenional, tiristorul tetroda, diacul, triacul.
Aceste dispozitive multijonciune sunt folosite n circuite de impulsuri, n circuite pentru conversia
energiei electrice, circuite de comutaie.
1.6.2 Dioda pnpn
Dioda pnpn este o structura de siliciu monocristalin cu patru zone alternativ dopate cu impuriti
acceptoare i donoare. n figura de mai jos este prezentet schematic modelul unidimensional al acestui
dispozitiv cu trei jonciuni (J1,J2,J3). Zonele extreme mai puternic dopate se numesc emitori, iar zonele
interioare se numesc baze. Emitor p1+ se mai numeste anod, iar emitorul n2+ catod. Jonciunile se afla la
distante mici ntre ele, astfel ca regiunile A-J3 i J1-C sa poata ndeplini functia de tranzistor. Dioda pnpn
se mai numeste i dioda Shockley, dinistor sau dioda cu patru straturi. Simbolul grafic al acestui dispozitiv,
precum i sensurile pozitive pentru curent i tensiune sunt prezentate n figura de mai jos:
Caracteristica statica este aratata n aceeasi figura:

n polarizare inversa jonciunile J1,J3 sunt alimentate invers, iar jonciunea J2 direct i ca urmare
curentul prin dispozitiv are valori mici, de ordinul curentului invers printr-o jonciune pn. La o anumita
valoare a tensiunii inverse UB (breakdown) curentul invers prin dioda creste foarte rapid datorit
strapungerii prin multiplicarea n avalansa a purtatorilor de sarcina a jonciunii J1 sau J3.
n polarizare direct avem doua stari stabile. una caracterizata prin curent mic i tensiune mare
(rezistena mare),de blocare, alta prin curent mare i tensiune mic (rezistena mic), de conductie.
Crescnd tensiunea direct pe dioda, curentul are valori mici, practic curentul invers al jonciunii centrale
polarizate invers. La o tensiune numita de aprindere (de amorasare) notata cu UBO dispozitivul comuta n
cealalta stare stare stabila, cea de conductie.Regiunea O-A se numeste regiune de blocare, iar regiunea BC de conductie. Portiunea intermediara A-B de rezistena dinamic negativa este instabila. Comutarea
inversa are loc atunci cnd curentul direct sau tensiunea direct scad sub valorile de mentinere IH,
respectiv UH.Pentru a studia fenomenele fizice din structuar diodei pnpn se adopta modelul lui Ebers, i
anume descompunerea structurii pnpn n doua tranzistoare T1 pnp i T2 npn conectate ca n figura de mai
jos:
iC1 = F 1iE 1 + I CB 01
iC 2 = F 2iE 2 + I CB 02
39
Germn Zoltn
unde F sunt factori de amplificare n curent direct, iar I CB 0 sunt curenii reziduali de colector.
Prin jonciunea centrala va trece curentul :
i A = iC1 + iC 2 = F 1i A + F 2i A + I O 2 , unde I O 2 = I CBO1 + I CBO 2 este curentul rezidual al jonciunii J2.

IO2
Din relatia anterioara rezulta:
iA =
de unde condiia de amorsare:
F 1 + F 2 = 1 .
1 ( F 1 + F 2 )
n momentul amorsrii, la jonciunea J2 apare multiplicarea n avalan a purttorilor, ce atrage dup sine
o cretere puternic a curentului iA.Tensiunea la care se realizeaz amorsarea este denumit tensiune de
autoamorsare, notat cu U B 0 . Amorsarea diodei pnpn prin creterea tensiunii anodice reprezint modul
normal de funcionare. Exista ns i moduri parazite de amorsare, prin creterea temperaturii sau printr-o
variaie brusc a tensiunii anodice, moduri ce trebuie evitate la o funcionare normal.
1.6.3 Diacul
Diacul (Diode alternating current) este un dispozitiv multijonciune care are proprietatile diodei
pnpn n ambele sensuri de conductie. Dispozitivul are cinci straturi i patru jonciuni, poate fi considerat ca
fiind realizat din doua structuri pnpn asezate antiparalel n acelasi monocristal de siliciu. Diacul are
conduvctibilitate bidirectionala, cei doi electrozi ntre care circula curentul principal iT se numesc terminal T1
i terminal T2.
La aplicarea unei tensiuni pozitive (vezi figura urmtoare) structura din dreapta este pola-rizata
direct, se amorseaza la o tensiune de amorasare naturala i are caracteristica din cadranul I.
Cnd polaritatea tensiunii se inverseaz, intr n conducie structura din stnga, rezultnd ramura
simetric a caracteristicii. Este de dorit ca tensiunile de amorsare s fie egale, pentru o caracteristic
simetric. Datorit caracteristicii bidirecionale, simetrice, diacul se folosete n circuitele de curent
alternativ, fiind un dispozitiv de putere mic, se utilizeaz n circuitele de comand ale tiristoarelor i
dispozitivelor triac.
1.6.4 Tiristorul conventional
Tiristorul este o structur pnpn prevzut cu electrod de comand prin conectarea zonei p
adiacente catodului, dup cum se vede pe figur:
Electrodul de comanda, poarta, G (gate), anod i catod sunt cele trei terminale ale tiristorului. Acest tiristor
se numeste "conventional" deoarece el constituie varianta cea mai des ntlnit.
40
Germn Zoltn
Amorsarea tiristorului se realizeaza prin injectarea unui curent pe poarta, la o tensiune mai mic
dect cea de autoamorsare sau la tensiunea de autoamorsare fara curent de poarta, mod utilizat foarte rar
sau deloc.
Denumirea de "tiristor" provine de la numele unui tubul electronic cu gaz cu funcionare
asemntoare numit tiratron (TIRatron transISTOR)
Analiza fenomenelor fizice ce au loc la amorasarea tiristorului prin injectarea unui curent de poart
se poate face echivalnd structura cu dou tranzistoare complementare , ca n cazul diodei pnpn, dup
cum se vede pe figura urmtoare:
Avem relatiile:
iC 2 = F 2 (iA + iG ) + ICB 02
iC1 = F 1iE 1 + I CB 01
prin jonciunea J2 circul curentul:
i A = F 1i A + F 2 (i A + iG ) + I CB 02 i A =
F 2iG + I O2
1 ( F 1 + F 2 )
Aceast relaie indic posibilitatea creterii nelimitate a curentului prin structur, dac este
ndeplinit condiia de amorsare, amorsarea poate avea loc la o tensiune anodica mai mic dect
tensiunea de autoamorsare. Procesele fizice sunt aceleai ca la amorsarea diodei pnpn, deosebirea fiind
ca iniierea amorsrii este provocat prin injectarea unui curent iG prin jonciunea J3 i nu prin creterea
tensiunii anodic. Dependena factorilor de curent de curentul prin dispozitiv st la baza procesului de
amorsare a tiristorului. Urmrind caracteristicile statice curent-tensiune, se observ c la cureni de poart
mai mari tensiunea de amorsare este mic, peste o anumit valoare a curentului de poart, amorsarea are
loc pe curba punctat, ca la o jonciune pn (tiristorul este de fapt o diod comandat).
n funcionare normal, tensiunea anodic trebuie s fie mai mic dect tensiunea de
autoaprindere UBO. Pentru comutare direct se aplic un curent de poart cruia i corespunde o tensiune
de aprindere UA<UBO.
n polarizare invers, tiristorul se comport ca o dioda pnpn, prin el trecnd un curent mic, iar la
tensiunea UB are loc strpungerea tiristorului.
Pentru a bloca tiristorul trebuie micorat curentul prin structur sub valoarea de meninere IH
(HOLD) (tensiunea la borne scade i ea sub valoarea de mentinere UH), deoarece dup amorsare, poarta
si pierde rolul de electrod de comand, n sensul c nu poate aciona i pentru blocarea tiristorului, totui
acest rol va fi reluat dar numai dup blocarea tiristorului.
Semnalul de comand pentru amorsarea tiristorului poate fi att semnal continuu ct i impulsuri
de polaritate corespunztoare. Comutarea direct i blocarea tiristorului au loc n timp finit, fiind legate de
procese fizice de injecie i extracie de purttori de sarcin.
Timpul de comutare direct creste cu temperatura i cu curentul anodic, dar scade cnd amplitudinea
semnalului de comand creste. Dac semnalul de comanda este un impuls, trebuie sa aib o durata
minima, timp de mentinere pe poarta, sub care comutarea nu are loc.Timpul de comutare inversa creste de
asemenea cu temperatura i curentul anodic i scade cnd amplitudinea semnalului de comutare creste.
Astfel, pentru blocare este suficient sa micorm tensiunea anodic sub valoarea de meninere, dar timpul
de comutare invers scade dac inversm polaritatea tensiunii pe anod.
Dac semnalul de blocare este un impuls, exist o durat minim a acestuia, numit timp de revenire pe
poart sub care blocarea nu are loc.n tiristoarele rapide timpii de comutare sunt de ordinul a cteva
microsecunde, iar timpul de blocare este n general mai mare dect cel de comutare direct.
41
Germn Zoltn
1.6.5 Tiristorul tetrod

Este un dispozitiv pnpn la care se contacteaz i cel de al patrulea strat, care are tot rol de
electrod de comand, de poart, numit poart anodic
Pe poarta catodic tiristorul tetrod poate fi amorsat ca i tiristorul convenional, prin aplicarea unei
tensiuni (curent) pozitive sau a unui impuls pozitiv, iar pe poart anodic dispozitivul se poate amorsa prin
aplicarea unei tensiuni sau a unui impuls negativ. Amorsarea pe poarta anodic necesit un curent de
comanda mai mare dect pe poarta catodic. Existena celei de a doua pori de comand extinde
posibilitile de utilizare ale tiristorului tetrod n raport cu acelea ale tiristorului convenional Tiristorul
tetrod are dezavantajul unor puteri disipate i al unor tensiuni de lucru relativ reduse.
1.6.6 Triacul
Triacul este un dispozitiv cu cinci straturi, echivalent cu dou tiristoare aezate antiparalel n
acelai monocristal de siliciu, avnd un singur electrod de comand (TRIode Alternating Current).
Caracteristica curent tensiune pentru ambele sensuri ale tensiunii aplicate n circuitul principal, are forma
corespunztoare tiristorului polarizat n sens direct.
Datorit conductibilitii bidirecionale, cei doi electrozi ntre care circul curentul principal iT se
numesc terminalul T1 i terminalul T2. Comanda pe poart se poate face cu semnale de ambele polariti
pentru fiecare dintre cele dou sensuri ale curentului principal.
Se disting patru moduri de funcionare:
modul I uT > 0, uG > 0
modul II uT > 0, uG < 0
modul III
uT < 0, uG < 0
modul IV
uT < 0, uG > 0
Triacul se foloseste n circuitele de reglare i comand a puterii de curent alternativ. tensiunea de
autoaprindere trebuie s fie mai mare dect valoarea de vrf aplicat triacului ntre cele dou terminale
pentru a asigura amorsarea dispozitivului pe poart la orice valoare instantanee a tensiunii de alimentare.
Comanda porii se face prin tensiune continu, tensiune alternativ redresat (nefiltrat), alternativ sau n
impulsuri. IPRS Baneas produce triace de 6 (de exemplu TB10N6 pentru 600V), respectiv 10 A,
(TB10N6), diace de 32, 38, 44, 50 V (DC32, DC38, DC44, DC50).
Pentru aplicaii de putere se recomand utilizarea triacelor cu radiator pentru eliminarea puterii
disipate.
42
Germn Zoltn
! Aplicaie
Pe schema de mai jos se reprezint o schema de variator de curent alternativ, realizat cu un triac,
comandat cu ajutorul unui diac.
Condensatorul C1 se ncarc pn la tensiunea de autoaprindere a diacului, moment n care diacul

se deschide asigurnd curentul de poart necesar amorsrii triacului. Puterea pe sarcin se variaz prin
variaia unghiului de conducie a triacului. Prin R1, se regleaz durata de ncrcare a condensatorului C1,,
iar R2 are rolul de a limita curentul prin diac, iar C2 are rol de filtrare.
1.7 Dispozitive optoelectronice
1.7.1 Generaliti. Clasificri
Dispozitivele optoelectronice reprezint o categorie de dispozitive electronice a caror funcionare
presupune existenta unei radiatii electromagnetice n domeniul optic Transformarea energiei radiatiei
electromagnetice n energie electric i invers se face n mod direct, fara intermediul altor forme de
energie. Fenomenele fizice fundamentale care stau la baza funcionarii dispozitivelor optoelectronice sunt
absorbtia radiatiei electromagnetice n corpul solid i recombinarea radiativa a purtatorilor de sarcina n
semiconductor. dispozitivele electronice se mpart n doua mari categorii:
-dispozitive bazate pe efectul fotoelectric intern
-dispozitive optoelectronice electroluminescente
1.7.2 Dispozitive optoelectronice bazate pe efectul fotoelectric intern
1.7.2.1 Fotorezistena
Fotorezistena este un rezistor realizat dintr-un material semiconductor, a carei rezistena depinde
de valoarea intensitatii fluxului luminos. Constructiv este realizata dintr-o placuta de material
semiconductor omogen, prevazuta cu capete cu contacte ohmice. o mArime importantA ce defineste
fotorezistena este rezistena de ntuneric, ca fiind rezistena la echilibru termic:
l
RO = O
, unde O este rezistivitatea n absenta iluminrii
wd
Pentru grosimi w mici se poate considera ca lumina este absorbita uniform n tot volumul
materialului. n urma absorbtiei, n semiconductor se genereaza perechi electron-gol care duc la
micsorarea rezistivitatii si, implicit a rezistentei. Conductanta fotorezistentei este direct proportionala cu
intensitatea fluxului luminos incident. Alte marimi ce definesc funcionarea fotorezistentei sunt:
43
Germn Zoltn
-pragul fotoelectric, adica lungimea de unda maxima pna la care efectul fotoelectric mai este
prezent
-inertia fotorezistentei, exprimata prin timpul necesar stabilirii valorilor stationare ale concentratiilor
purtatorilor mobili.
1.7.2.2 Fotodioda
Fotodioda este un dispozitiv optoelectronic realizat pe baza unei jonciuni pn sau a unui contact
metal-semiconductor, polarizat imvers. n conditii de ntuneric, curentul prin jonciune polarizata invers este
datorat perechilor electron-gol generate n interiorul regiunii de sarcina spatiala i n regiunile neutre.
n prezenta luminii apare o generare suplimentara de purtatori, deci un curent suplimentar IL ,
atunci curentul invers are expresia:
I R = IO + I L
Generarea de purtatori sub influenta luminii se face n tot volumul jonciunii unde lumina este
absorbita. Purtatorii de sarcina generati n regiunile neutre se deplaseaza spre regiunea de sarcina
spatiala prin curenti de cmp sau de difuzie, dar sunt supusi recombinrii.
n figura de mai jos se prezinta caracteristicile statice ale fotodiodei la diferite valori ale iluminarii:
qU A
I A = Io exp
1 I L
mkT
O alt caracteristic important a fotodiodei este caracteristica spectral, care indic rspunsul
relativ al fotodiodei n funcie de lungimea de und a radiaiei luminoase.
1.7.2.3 Fotoelementul
Fotoelementul este un dispozitiv optoelectronic care realizeaz conversia direct a energiei
luminoase n energie electric , prin apariia la borne a unei tensiuni electromotoare. Constructiv, se poate
spune, este identic cu fotodioda, doar c aria sa este mult mai mare pentru a putea oferi o suprafa mai
mare de iluminare i , deci o energie electric mai mare. ntruct de cele mai multe ori energia luminoas
este cea solar fotoelementele se mai numesc i baterii solare. Circuitul electric pentru aplicaii nu mai
cuprinde surse exterioare ci numai rezistena de sarcina.
Mrimea tensiunii electromotoare rezult din urmtoarea relaie: EFE = U FE

Puterea maxim ce se poate obine la ieire este n jur de 30 mW
44
I FE = 0
mkT
IL
ln 1 +
q
IO
Germn Zoltn
1.7.2.4 Fototranzistorul
Fototranzistorul este un dispozitiv optoelectronic, realizat pe o structur de tranzistor,
al crui curent de colector este comandat de un flux luminos.
Baza tranzistorului este nlocuit cu o suprafa care poate fi iluminat, asigurnd
astfel curentul de baz necesar. Cu toate acestea unele fototranzistoare sunt prevzute i
cu electrod de baz . Simbolul grafic este prezentat pe figura urmtoare, iar
caracteristicile sunt practic identice cu caracteristicile tranzistorului bipolar.
1.7.2.5 Fototiristorul
Fototiristorul este un dispozitiv optoelectronic realizat pe o structura de tiristor, a carui aprindere se
face sub actiunea unui flux luminos. i n acest caz tensiunea de amorsare scade cu creterea intensitatii
fluxului luminos
1.7.3 Dispozitive optoelectronice bazate pe emisia radiaiei luminoase
1.7.3.1 Dioda electroluminescent
Fenomenul de emisie a radiatiei luminoase se mai numeste i luminescenta. Emisia de lumina n
semiconductoare se datoreaza recombinarii radiative a purtatorilor de sarcina.
Dioda electroluminescenta (Light Emitting Diode), dioda LED, este realizata dintr-o jonciune pn polarizata
direct. luminescenta se realizeaza prin injectie de purtatori minoritari. simbolul grafic i caracteristicile
curent-tensiune, respectiv cele spectrale se prezinta n figura urmtoare:
Diodele electroluminescente sunt folosite ca simple indicatoare luminoase sau servesc la

realizarea elementelor de afisare, dar elementele de afisaj de dimensiuni reduse nu folosesc diode
separate, ci acestea se realizeaza integrat n aceeasi placuta de semiconductor (GaAs). n scopul
economisirii materialului semiconductor, dimensiunea reala a cifrei este foarte mic, pentru a fi usor
observabila deasupra structurii se monteaza lentile convergente, care maresc imaginea.
1.7.3.2 Optocuploare
Optocuplorul se obine prin interconectarea unei diode electroluminescente cu un fototranzistor
(fotodioda, fototiristor, fotoelement, etc) astfel nct semnalul electric ajuns pe dioda LED sa fie transferata
de aceasta catre fototranzistor.
De obicei randamente de transfer relativ ridicate se obtin n domeniul
frecventelor infrarosii. Optocuploarele pot fi utilizate pentru transfer de
semnale att de curent continuu, ct i de curent alternativ, frecventa
limita fiind ordinul zecilor de MHz.
45
Germn Zoltn
Receptoare foto
n schemele urmtoare se prezinta doua circuite simple, receptoare foto. n primul caz la apariia
fluxului luminos, fototranzistorul intra n saturaie, tensiunea de ieire fiind practic nula.
n al doilea caz , la apariia fluxului luminos tranzistorul intra n conductie, tensiunea de ieire va
avea valoare foarte apropiat de valoarea tensiunii de alimentare.
Pentru a obine valori mai mari pentru curentul de ieire, se poate utiliza nc un tranzistor bipolar
pentru un montaj Darlington.
46

Dispozitive Si Circuite Electronice 1

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive Si Circuite Electronice 1

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Universitatea Petru Maior

ef lucrri ing Germn Z

Dispozitive i circuite electronice I

Anul universitar 2005-2006

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

= (10 5 10 9 )(m )1 la materialele semiconductoare

Este interesant de remarcat c n majoritatea cazurilor proprietile de interes ale dispozitivelor

Dispozitive electronice1 curs partea I

Jonciunea pn la echilibru termic

Ca urmare, procesul de scdere a concentraiilor de purttori majoritari nu se continu pn la

Dispozitive electronice1 curs partea I

1.1.2. Caracteristica static a jonciunii pn

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

1.1.4 Circuitul echivalent al jonciunii pn

1.2 Diode semiconductoare

1.2.2 Diode varicap

Dispozitive electronice1 curs partea I

1.2.3 Diode stabilizatoare (Zener)

Aceste valori se retin ca fiind solutia problemei. Se

Dispozitive electronice1 curs partea I

U A2 = U + RI A U = 200V deci practic ntreaga tensiune a sursei U se regsete pe dioda D2 .

se poate afirma ca prin diode circula curentii inversi:

U R1 = 104V ;U R 2 = 96V ; I = 105A

Dispozitive electronice1 curs partea I

n circuitul din figur diodele au IO1 = 2 pA i respectiv IO 2 = 8 pA . Caracteristicile lor se considera

efectund un calcul iterativ (ca n prima aplicatie) se obine:

Curentul total I se divide prin fiecare dioda proportional cu curenii de saturaie:

Dispozitive electronice1 curs partea I

iar Ia1 = IA2 = 49,5 mA. Atunci, tensiunile pe diode au valorile:

Cu aceste valori ale tensiunilor pe diode, curenii se recalculeaz cu relaiile:

uCB = uCB + uEB

Dispozitive electronice1 curs partea I

iC = iC (uCB ), uEB ,i B parametri

OBSERVAIE: tranzistorul va fi complet descris prin specificarea a dou seturi de caracteristici

n funcionare normal, jonciunea colector-baz se polarizeaz invers iar

Dispozitive electronice1 curs partea I

uEE = uEB + RE I E , uEB

Se definete eficiena emitorului :

Dispozitive electronice1 curs partea I

i E = i E , p + i E ,n iC = E T i E + I CB 0 iC = F i E + I CB 0 unde F = E T este factorul de

conexiunea BC (baz comun)

Se va considera U EB const . nlocuind, obinem I C = T IB + ICE 0 unde T =

de amplificare n curent (conexiunea EC), iar I CE 0 =

Dispozitive electronice1 curs partea I

F IES = R ICS deci cei patru parametrii nu sunt independente.

Dispozitive electronice1 curs partea I

uEB = uBE , uCB = uBC

1.3.6. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

prima ecuaie poate fi interpretat ca iE = iE (uEB )

Caracteristica de transfer este dat de ecuaia urmtoare ca iC = iC ( uEB )

Dispozitive electronice1 curs partea I

1.3.6.2. Caracteristicile statice n conexiune emitor comun (EC)

iB = iE iC = (1 F ) I ES exp EB 1 + (1 F )ICS exp

iB = iB (uEB ) pentru uCE = ct .

Caracteristica uCE = 0 este de asemenea de tip diod:

iC = F I ES exp EB 1 ICS exp

Dispozitive electronice1 curs partea I

Dispozitive electronice1 curs partea I

Pentru alt F , caracteristica iB = IB = ct. are alt

n continuare se prezint un circuit de polarizare cu rezisten n emitor, unde pentru simplitate

Se observ c IC , curentul de colector al tranzistorului presupus a funciona n regiunea activ normal,

Dimensionarea rezistenei RB ne conduce la valori mari, ceea ce nu satisface