Tehnologia structurilor dispozitivelor semiconductoare 5

III. TEHNOLOGIA STRUCTURILOR DISPOZITIVELOR

SEMICONDUCTOARE

1. Realizarea joncţiunilor prin metoda alierii

Alierea constă în acoperirea unei părţi din suprafaţa elementului sau aliajului semiconductor cu
elementul sau aliajul de impurificare şi încălzirea sistemului peste temperatura de topire a elementului
impuritate, cu condiţia ca această temperatură să fie mult mai mică decât temperatura de topire a
semiconductorului. În această operaţie o cantitate oarecare de material semiconductor se va dizolva în
topitura materialului impuritate. La răcire se vor separa cristalele de material semiconductor saturate cu
element de impuritate.
Alierea este metoda cea mai răspândită de fabricare a joncţiunilor datorită avantajelor pe care le
prezintă, ca: uşurinţa ataşării contactelor ohmice şi posibilitatea organizării unei producţii
semiautomatizate sau automatizate, obţinerea unor joncţiuni abrupte.
Alierea prezintă însă următoarele inconveniente:
- se realizează greu, pe suprafeţe mari, joncţiuni uniforme, mai ales pentru siliciu;
- la obţinerea unor regiuni înguste neimpurificate între două straturi cu concentraţii mai mari de
impuritate procesul de impuritate nu poate fi practic controlat;
- în cazul siliciului, eutecticele dintre siliciu şi elementele uzuale de impurificare sunt fragile.
a. Alegerea materialului de impurificare. Materialul de impurificare trebuie să îndeplinească
următoarele condiţii:
- să constituie pentru semiconductor o impuritate activă, adică să fie un element din grupa a III-a
sau a V-a a sistemului periodic sau un aliaj care conţine un asemenea element; forma materialului de
impuritate care se aplică pe suprafaţa semiconductorului poate fi sferică, cilindrică, foiţă etc.
- materialul de impurificare trebuie să formeze cu semiconductorul un aliaj a cărui temperatură de
topire să fie mai mică decât temperatura de topire a semiconductorului;
- coeficientul de distribuţie al elementului de impuritate şi solubilitatea în faza solidă să fie cât mai
mare;
- materialul de impurificare trebuie să aibă o presiune de vapori mică la temperatura de aliere,
astfel ca să nu se evapore şi totodată să umezească controlabil suportul semiconductor;
- coeficientul de dilatare termică a elementului impuritate trebuie să fie de acelaşi ordin de mărime
cu acel al semiconductorului pentru a evita apariţia tensiunilor interne;
- materialul de impurificare nu trebuie să dea naştere la capcane difuzabile care să micşoreze
durata de viaţă a purtătorilor minoritari.
Condiţiile indicate micşorează numărul elementelor ce pot fi folosite ca materiale de impurificare.
Fie ca element semiconductor germaniu cu conductibilitate de tip n. Pentru obţinerea unei joncţiuni pn va
trebui impurificat cu un element din grupa a III-a. Din elementele grupei a III-a Al, Ga şi In îndeplinesc
condiţiile indicate.
Datorită temperaturilor de topire necorespunzătoare, care creează greutăţi practice la aliere, Al şi
Ga nu se folosesc (la Al temperatura de topire este prea mare, iar la Ga prea mică). Cel mai indicat material
de impurificare rămâne astfel indiul. Pentru a remedia concentraţia mai scăzută a indiului în stratul
impurificat se adaugă 1% Ga, mărind astfel efectul de injecţie al purtătorilor.
Impurificarea siliciului de tip n se realizează satisfăcător cu Al sau, pentru obţinerea unor
proprietăţi mai bune, cu un aliaj B-Au-In-Ga. Pentru siliciu de tip p nu se folosesc elementele grupei a V-a
ale tabelului periodic deoarece siliciul formează eutectice fragile cu acestea şi, în plus, aceste elemente au
coeficienţi de dilatare termică nefavorabile. Se utilizează aliaje dintre elementul de impuritate şi un alt
element nesolubil în siliciul ca: aurul, staniul, plumbul şi argintul. Se realizează astfel aliaje binare Sn-Sb,
Pb-Sb, Sn-As, Pb-As, Au-Sb, Au-Ga şi aliaje ternare : Sn-Sb-Ni, Ag-Sb-Pb etc.
b. Determinarea condiţiilor impuse materialului semiconductor. Condiţiile impuse materialului
semiconductor se pot rezuma la:
- suprafaţa semiconductorului să fie plană şi lipsită de oxizi;
- structura cristalină a materialului semiconductor să fie cât mai perfectă;
Tehnologia structurilor dispozitivelor semiconductoare 6
- cristalul semiconductor să fie orientat precis pe direcţia cristalină a planului cu densitate atomică
mare.
Prima condiţie este utilă pentru a obţine o geometrie perfectă a joncţiunii. În cazul germaniului o
astfel de suprafaţă se obţine prin şlefuire şi decapare. În cazul siliciului realizarea unei astfel de suprafeţe
este mai dificilă din cauza reactivităţii ridicate a siliciului cu oxigenul. Oxidul de siliciu cu care se acoperă
monocristalul împiedică umezirea uniformă a suprafeţei. În acest caz sunt necesare măsuri suplimentare
care complică metodele de aliere ale siliciului.
Lipsa defectelor structurale ale reţelei cristaline ale semiconductorului duce la creşterea adâncimii
de pătrundere a materialului de impurificare.
Importanţa orientării cristalului asupra alierii a rezultat din experienţele făcute asupra alierii
indiului cu germaniul. Studiindu-se dizolvarea germaniului de către indiu topit, s-a observat că viteza cea
mai mică de dizolvare corespunde cazului când indiul este aşezat perpendicular pe planul cristalin (111) al
germaniului şi cea mai mare viteză se obţine la dizolvarea în planul (100).
Explicaţia este următoarea: planul cristalin este cel mai dens populat, atomii din acest plan fiind
legaţi între ei prin saturarea a trei legături. Cea de a patra, care face legătura cu celelalte planuri, poate fi
uşor înlăturată, rezultând astfel direcţia de penetraţie favorabilă.
La siliciu, diferenţa dintre adâncimile de pătrundere pentru cele două orientări cristaline (111) şi
(100) sunt mai puţin critice.
c. Alierea constă în trecerea ansamblului semiconductor-impuritate printr-un ciclu de temperatură.
Conform diagramei din figura 3.1 ciclul de temperatură cuprinde următoarele faze:
- încălzirea;
- temperatura de aliere;
- răcirea.
αlg
θ
(ºC)

III
φ
II IV αsg αsl

I
t (minute)
Fig. 3.1 Fazele de realizare a unei joncţiuni prin aliere Fig. 3.2 Schema tensiunilor superficiale la umezirea unui solid

În ciclul de încălzire, principala problemă care apare este umezirea semiconductorului de către
materialul de dopare. Gradul de umezire al oricărui solid se caracterizează prin unghiul de umezire (fig.
3.2) dat de relaţia :
 sg   sl
cos   , (3.1)
 lg
unde φ reprezintă tensiunile superficiale dintre fazele solidă, lichidă şi gazoasă.
Observăm că α este cu atât mai mic cu cât αsl şi αlg sunt mai mici.
Unghiul φ variază în timp odată cu creşterea temperaturii de la 90º (la începutul încălzirii) la o
valoare mai mică de 90º. Variaţia unghiului de umezire depinde de caracteristicile materialelor care se
aliază şi de mediul în care se efectuează alierea. Deoarece simultan cu umezirea are loc şi procesul de
dizolvare a semiconductorului (αsg şi αlg se vor modifica continuu) este necesar să se stabilească pe cale
experimentală curba de variaţie a lui φ cu temperatura.
Pentru îmbunătăţirea umezirii germaniului de către indiu se adaugă în indiu mici cantităţi de zinc
care nu modifică proprietăţile electrice deoarece, ca şi zincul, este acceptor.
Pentru prevenirea întinderii indiului pe germaniu se foloseşte o atmosferă uşor oxidantă sau se
realizează alierea într-o casetă specială. Pelicula de oxid acoperă materialul, împiedecându-l să se întindă.
Materialul folosit la confecţionarea casetei trebuie să îndeplinească următoarele condiţii:
- să nu impurifice semiconductorul;
- să poată fi prelucrat la dimensiunile dorite;
- să permită circulaţia gazului protector în care se află alierea;
Tehnologia structurilor dispozitivelor semiconductoare 7
- să asigure o presiune de contact suficientă pentru piesele ce se aliază;
- să asigure distribuţia dorită a gradientului de temperatură.
Pentru joncţiunile realizate de germaniu această casetă se realizează din grafit.
Temperatura de aliere este determinată de:
- alegerea porţiunii din diagrama de echilibru a componenţilor, astfel încât variaţiile mici de temperatură să
influenţeze puţin asupra concentraţiei de echilibru;
- asigurarea unei adâncimi de pătrundere a impurităţii impuse;
- evitarea formării termoacceptorilor, care pot transforma un material semiconductor de tip p în tip n.
Pentru germaniu aliat cu indiu, variaţia adâncimii joncţiunii xj în funcţie de timp pentru temperatura
de 540ºC este reprezentată în figura 3.3 se observă că după 11 minute adâncimea de pătrundere creşte lent.
Variaţia adâncimii de pătrundere a indiului în germaniu în funcţie de temperatură este indicată în figura 3.4
Ultima porţiune a ciclului este răcirea, viteza de răcire fiind un parametru important. O răcire
rapidă conduce la tensionarea probei şi la obţinerea unui profil neregulat al suprafeţei de separare. Viteza
de răcire se stabileşte în funcţie de proprietăţile urmărite prin impurificare, ea variind de la câteva sute de
grade pe minut până la câteva zecimi de grad pe minut în funcţie de natura sistemului semiconductor-
impuritate.

60
50
40

xj(μm)
160 30
20
120 10
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
80
xj(μm)

t (min)
40 Fig. 3.4 Variaţia adâncimii de pătrundere a
indiului în germaniu în funcţie de temperatură
200 300 400 500 (după [11]).
θ (ºC)
Fig. 3.3 Variaţia adâncimii de pătrundere a
indiului în germaniu în funcţie de timp la
temperatura de 540ºC (după [11]).
2. Metode de difuzie
După modul cum este adusă impuritatea la suprafaţa semiconductorului, difuzia se poate realiza
prin următoarele metode:
a. Difuzia de impurităţi din faza lichidă. În această metodă la suprafaţa semiconductorului se
realizează un echilibru fizico-chimic astfel că există o concentraţie constantă de difuzant. Acest echilibru
se realizează prin formarea unui aliaj sau prin reacţii chimice.
Aliajul se formează pe întreaga suprafaţă a semiconductorului cu o anumită concentraţie de
impuritate. Concentraţia superficială va fi determinată de coeficientul de distribuţie K care este constant la
temperatură constantă.
Reacţia chimică realizează la suprafaţă un compus impuritate-semiconductor (de obicei în prezenţa
unor pelicule de oxigen existente pe impuritate sau pe semiconductor). Difuzia materialului de
impurificare se realizează din acest compus. Se poate aproxima concentraţia de impuritate la suprafaţă ca
fiind constantă.
b. Difuzia din sursă de vapori. Mecanismul difuziei din sursă de vapori poate fi urmărit în figura
3.5. De-a lungul suprafeţei semiconductorului este transportat un gaz purtător cu viteza v. La suprafaţa
semiconductorului se realizează un echilibru vapori-solid. Acest echilibru este posibil dacă impuritatea
transportată de gazul purtător compensează cantitatea de impuritate ce difuzează în semiconductor.
Tehnologia structurilor dispozitivelor semiconductoare 8

Vapori
de impurităţi l
y

Semiconductor
z
Fig. 3.5 Schema difuziei din fază gazoasă

Deoarece gazul suferă pierderi în concentraţie de-a lungul axei x ca urmare a difuziei impurităţilor
în semiconductor, rezultă că concentraţia superficială nu este constantă. Studiul variaţiei concentraţiei de
impuritate difuzată se face prin rezolvarea ecuaţiilor difuziei în condiţiile respective la limită.
Dacă concentraţiile superficiale sunt mai mici sau curentul de impurităţi a ajuns într-o stare
staţionară prin existenţa continuă a unui exces, corelaţia dintre presiunea de vapori şi concentraţia
superficială poate fi neglijată, formându-se rapid un echilibru superficial.
Dacă echilibrul la suprafaţă este atins încet va exista o diferenţă între concentraţia superficială reală
şi concentraţia de echilibru Ne.
Pentru realizarea unei difuzii din fază de vapori, este necesară stabilirea unei concentraţii de
echilibru corespunzătoare solubilităţii impurităţilor în semiconductor. În cazul ideal, concentraţia de
echilibru este proporţională cu presiunea vaporilor. Prin controlul presiunii vaporilor, se va putea influenţa
direct asupra concentraţiei superficiale.
Vaporii de impurificare pot fi vapori ai elementului sau vaporii unui compus chimic al elementului
de impuritate, ca: oxid sau clorură.
c. Difuzia din faza solidă. În acest caz impuritatea se depune direct pe suprafaţa
semiconductorului. Se asigură astfel o concentraţie de echilibru constantă, eliminându-se fenomenul de
evaporare a impurităţii.
Distribuţia concentraţiei de impuritate se determină prin rezolvarea ecuaţiilor de difuzie ţinând
seama de condiţiile iniţiale şi de condiţiile de limită.

3. Procedee de difuzie
Difuzia în tub închis. Plăcuţele semiconductoare sunt introduse într-un tub închis, împreună cu
materialul difuzant. Ansamblul este încălzit într-un cuptor până la temperatura necesară pentru difuzie.
Concentraţia de impurităţi în semiconductor depinde de cantitatea de difuzant introdusă în capsulă, de
temperatura de difuzie, de natura difuziei şi de tipul difuzantului. Procesul de difuzie are loc de obicei în
vid. Avantajul metodei constă în posibilitatea utilizării unui cuptor pentru difuzia de impurităţi diferite în
plăcuţe semiconductoare. Metoda nu este folosită în cazul unei producţii de serie.
Difuzia în vid în tub deschis. Se foloseşte un cuptor tubular cu diametrul mai mare decât
necesităţile impuse de dimensiunile probei pentru obţinerea unor regiuni de temperatură cât mai omogene.
Cuptorul are două zone de temperatură cu un control riguros al temperaturii de difuzie (± 2%). Impuritatea
difuzantă este plasată în zona de temperatură joasă, temperatură ce asigură evaporarea impurităţii şi
menţinerea în cuptor a presiunii de vapori necesare. Plăcuţele de material semiconductor se plasează în
zona de temperatură mai înaltă, temperatură ce corespunde procesului de difuzie. Vaporii de impuritate
fiind antrenaţi de instalaţia de vid trec peste semiconductor şi difuzează în acesta. Metoda se aplică pentru
difuzia de impurităţi în germaniu. Nu se aplică la siliciu deoarece, în vid, la temperatură ridicată, viteza de
evaporare a siliciului este comparabilă cu viteza de pătrundere a difuzantului.
Tehnologia structurilor dispozitivelor semiconductoare 9
Difuzia cu gaz purtător în tub deschis. Este metoda cea mai folosită pentru siliciu. Instalaţia prin
care se realizează această difuzie este formată dintr-un cuptor cu mai multe zone de temperatură (fig. 3.6)
în interiorul căruia se introduce un tub de cuarţ. În zona cu temperatură joasă se introduce gazul purtător
(de obicei azot sau argon), gaz care trece peste impuritatea aflată tot în zona cu temperatură joasă
(temperatură la care se realizează evaporarea impurităţii). Impuritatea sub formă de vapori este antrenată
peste plăcuţele semiconductoare situate în zona de temperatură ridicată corespunzătoare procesului de
difuzie (1200...1300º pentru siliciu).

Fig. 3.6 Schiţa instalaţiei pentru

difuziune în tub deschis cu gaz
purtător :
1-tub de cuarţ; 2-impurităţi de dopare;
3-plachete de siliciu; 4- zona de difuzie
5-debitmetru.

Această metodă prezintă următoarele avantaje:

- este o metodă cu productivitatea ridicată;
- se poate realiza dubla difuzie pentru structuri de tranzistoare;
- se pot realiza difuzii localizate prin mascarea plăcuţei de siliciu cu oxid
În general obţinerea joncţiunilor prin metoda difuziei prezintă următoarele avantaje:
- se pot realiza joncţiuni plane şi lipsite de defecte pe suprafeţe mari;
- se poate realiza un control foarte riguros al adâncimii joncţiunilor;
- se poate realiza o difuzie dublă în scopul obţinerii unor structuri de tranzistoare cu grosimea bazei
foarte mică;
- se pot realiza joncţiuni gradate care prezintă tensiuni de străpungere ridicate şi capacităţi reduse;
- se pot realiza structuri pe loturi mari pe un disc semiconductor, din care ulterior se decupează
pastilele dispozitivelor;
- se pot obţine prin mascare selectivă cu oxizi difuzii strict localizate pe suprafaţa
semiconductorului.

4. Realizarea joncţiunilor prin epitaxie

Impurificarea semiconductorului prin epitaxie constă în crearea pe semiconductor, prin depunere
din fază gazoasă sau prin evaporare în vid, a unui strat de semiconductor monocristalin, strat care păstrează
orientarea cristalină a semiconductorului iniţial.
Avantajele metodelor epitaxiale constau în posibilitatea realizării cu precizie a unor straturi
impurificate de grosimi mici şi limitarea operaţiilor de şlefuire, decapare şi spălare a plăcilor
semiconductoare, operaţii necesare la impurificarea prin alte metode.
Dezavantajul metodelor de epitaxie constă în dificultatea realizării unor straturi uniforme pe
suprafeţe mari.
Procedeul de realizare a joncţiunilor folosind impurificarea prin epitaxie este următorul: pe un
suport mono cristalin semiconductor se creşte epitaxial un strat de material semiconductor de o puritate
mai mare decât suportul şi apoi un alt strat în care concentraţia purtătorilor este de tip opus. Se creează
astfel o joncţiune de tip n—i—p sau p—i—n.
Depunerea stratului prin epitaxie rezultă din descompunerea unui compus gazos al materialului
semiconductor, prin reacţii de descompunere sau prin reacţii pirolitice. Se folosesc halogenuri (cloruri şi
ioduri de germaniu şi siliciu) sau hidruri de germaniu sau siliciu.
În cazul folosirii iodurii de germaniu reacţia de disproporţie care are loc este
2 GeI2 ↔ Ge+GeI4
Tehnologia structurilor dispozitivelor semiconductoare 10
Suportul de germaniu este menţinut la o temperatură de aproximativ 400ºC, iar sursa are o
temperatură cu (120...150)º mai mare. Viteza de depunere a germaniului este de (1...15) μm/oră în funcţie
de concentraţia iodurii.
La temperatură ridicată tetraiodura se descompune şi, dacă suportul este menţinut la o temperatură
mai ridicată decât sursa, are lor depunerea epitaxială a siliciului.

Fig. 3.7 Schiţa instalaţiei de creştere epitaxial a germaniului:

1-tub de cuarţ; 2-rezistenţe de încălzire; 3-suport monocristalin; 4-suport pentru rezistenţele de încălzire;
5-sursă de material intrinsec; 6-sursă de material donor; 7-agent de transport.
În figura 3.7 este schiţată o instalaţie de impurificare prin epitaxie. Instalaţia este formată dintr-un
tub de cuarţ (1) închis etanş, în jurul căruia se află rezistenţa de încălzire (2), alimentată separat în scopul
realizării unor zone cu temperaturi diferite. Rezistenţele de încălzire au ca suport tubul (4).
În tubul de cuarţ se introduce suportul monocristalin (3), sursa de material intrinsec (5), sursa de
material donor (6) şi sursa care creează agentul de transport al materialului de depunere.
În tubul de cuarţ este creat vid sau este introdus un gaz de protecţie neutru. Tot ansamblul este
introdus într-un tub de protecţie (8) acoperit cu un manşon de argint ca reflector termic.
Instalaţia descrisă permite realizarea unor straturi p—i—n după următorului mecanism:
Se creează o temperatură de 550ºC în regiunea suportului monocristalin (Ge) în scopul obţinerii unei
„decapări termice”, pentru obţinerea unui strat superficial lipsit de oxizi sau de alte impurităţi. În restul
tubului temperatura este de 150...200ºC. După această decapare se coboară temperatura suportului la
300...400ºC şi se creşte temperatura la 500...600ºC în zona materialului intrinsec şi apoi în zona sursei de
material donor. Se va depune pe suportul de Ge p un strat de germaniu intrinsec şi apoi Ge n. Se creează
deci o joncţiune p—i—n. Introducând în tubul de cuarţ şi materialele acceptoare se pot obţine structuri mai
complexe.

5. Cazuri particulare:

5.1. Dioda cu contact punctiform

Diodele cu contact punctiform au o largă utilizare în circuitele de semnal mic (detecţie, circuite de
comunicaţie). Pentru realizarea acestor diode se foloseşte o plăcuţă de germaniu cu o rezistivitate ρ= 1...5Ω
cm, şlefuită prin mijloace mecanice şi decapată chimic. Aceste operaţii sunt necesare pentru obţinerea unei
suprafeţe netede, ceea ce micşorează suprafaţa de contact dintre plăcuţă şi anod (anodul având forma unui
vârf ascuţit). Plăcuţa de germaniu se lipeşte apoi de terminalul catod cu ajutorul unui aliaj de lipit.
Contactul cu plăcuţa semiconductoare se realizează printr-un fir ascuţit confecţionat dintr-un metal
suficient de rezistent (mecanic) şi elastic astfel ca să nu se deformeze la contactul cu plăcuţa
semiconductoare şi să realizeze o presiune mecanică suficientă pe acesta. Se utilizează, de obicei, un fir de
wolfram cu un diametru de 0,1 mm, care se sudează de terminalul anod şi căruia i se dă o formă în S sau C.
Ascuţirea firului la capătul de contact cu plăcuţa semiconductoare se face fie mecanic prin şlefuire, fie
electrochimic.
Tehnologia structurilor dispozitivelor semiconductoare 11

Fig. 3.8 Diodă cu contact punctiform

1 – înveliş de sticlă;
2 – terminal catod;
3 – fier de tungsten;
4 – pastilă de germaniu;
5 – terminal anod.

Cele două terminale ale diodei se introduc într-un înveliş de sticlă astfel încât vârful să vină în
contact cu suprafaţa plăcuţei semiconductoare (fig. 3.8). Urmează operaţia de formare a diodei care constă
în trecerea prin diodă a unor impulsuri de curent de valori mult mai mari decât cele admise (până la 1A) şi
durată de milisecunde sau zeci de milisecunde. Aceste impulsuri încălzesc regiunea de contact , încălzire
care provoacă o schimbare a tipului de conductibilitate în regiunea de contact. Apare deci o microjoncţiune
p—n. Diodele realizate după acest procedeu suportă un curent de până la 10 mA la o tensiune de 1V.
Tensiunea inversă nu depăşeşte 100V la un curent invers de 10...200 A .
În cazul folosirii acestor tipuri de diode în circuite de comunicaţie, îmbunătăţirea caracteristicilor
lor se realizează prin impurificarea plăcuţei de germaniu cu aur.

5.2. Dioda Schottky de putere

Dificultatea tehnologică majoră în obţinerea diodelor Schottky de putere o constituie realizarea
contactului metal-semiconductor.
Etapele tehnologice principale sunt următoarele
- creşterea epitaxială a unui start de tip n cu o concentraţie de impurităţi de 1015 ... 1016 cm-3 şi cu o
grosime de câţiva microni pe substrat de tip n+ de rezistivitate mică (2...5 mΩ cm) şi grosimea 150...200
μm care constituie un suport mecanic bun pentru procesările ulterioare;
- realizarea inelului de gardă – inelul de gardă constă dintr-o difuzie p+ selectivă şi are rolul de a reduce
efectele de margine (tehnică uzuală pentru reducerea intensităţii câmpului electric în regim de blocare la
marginea joncţiunii);
- realizarea contactului Schottky – prin depunerea în vid în condiţii de acurateţe deosebită a straturilor
metalice.
Contactul metalic constă în general dintr-o succesiune de straturi metalice având fiecare un rol bine
precizat. Primul metal depus pe stratul epitaxial este cromul sau molibdenul care conferă calităţi optime
contactului metal-semiconductor. Al doilea strat metalic (în general nichel) are un dublu rol: constituie un
strat metalic corespunzător din punct de vedere al interacţiunii cu aliajele uzuale de lipit folosite în
montajul pe capsulă şi un ecran ce evită contaminarea contactului metal-semiconductor cu compuşi din
aliaj care ar afecta calitatea contactului metal-semiconductor. Ultimul strat (în general argint) este folosit
pentru protejarea stratului de nichel împotriva oxidării;
- tratamentul termic – după depunerea straturilor metalice în vid, urmează tratamentul termic (în
atmosferă şi la temperaturi strict controlate) – tratament în timpul căruia se realizează contactul metalurgic
intim între semiconductor şi metal (prin formarea unor compuşi complecşi siliciu-metal). După tratamentul
termic urmează separarea structurilor din plachetă;
- montajul – pentru evitarea fenomenelor de oboseală termică, structura se lipeşte între doi electrozi de
molibden )coeficientul de dilatare al acestui metal este apropiat de cel al siliciului) cu ajutorul unor aliaje
adecvate (PbAgIn, PbSnAg, etc.). Ulterior, folosind aliaje de temperatură mai scăzută (LP60 sau SnAg) se
montează elementele metalice ale capsulei;
- încapsularea – se utilizează procedeele clasice de încapsulare (trecere metal-sticlă, capsulă metal-plastic)
aplicate la fabricaţia diodelor redresoare normale.

5.3. Diode redresoare

Tehnologia structurilor dispozitivelor semiconductoare 12
+
Diodele redresoare se construiesc de obicei din trei straturi: un strat p cu concentraţie mare de
impurităţi acceptoare, un strat s cu concentraţie foarte mică de impurităţi având o rezistivitate ρ =
30...300Ωcm şi un strat n+ cu concentraţie mare de impurităţi donoare. Joncţiunea apare la contactul cu
stratul n+ dacă s este de tip p şi la contactul p+ dacă s este de tipul n. Tensiunea de străpungere ridicată este
asigurată de regiunea s care la aplicarea unei tensiuni inverse se goleşte de purtătorii de sarcină mobili şi
devine o regiune de sarcină spaţială. În conducţia directă dioda prezintă o rezistenţă ohmică de valoare
mică datorită faptului că regiunea s este saturată de purtătorii de sarcină injectaţi din regiunea n+ sau p+.

p+ s n+

Fig. 3.9 Structura unei diode redresoare.

Acest tip de diodă poate fi realizat prin aliere, difuzie sau epitaxie. În cazul diodei cu germaniu
aliată regiunea p+ se realizează cu indiu, iar regiunea n+ cu un aliaj staniu-stibiu. Pentru diodele cu siliciu
aliate, regiunea p+ se realizează cu aluminiu, iar regiunea n+ cu un aliaj aur-stibiu.

5.4. Diode stabilizatoare, diode varicap, diode tunel, fotodiode

Tehnologia de fabricaţie a acestor tipuri de diode este similară cu cea a diodelor redresoare diferind
numai materialul semiconductor care are o concentraţie mai mare de impurităţi.
Pentru construcţia diodelor stabilizatoare se foloseşte siliciu puternic dopat (N = 1018...1016 cm-3 )
asigurând astfel o tensiune de străpungere scăzută (4...60V). Valoarea tensiunii de străpungere o dată atinsă
se păstrează aproximativ constantă, cu o eroare de 0,5...1,5%, la variaţii destul de mari ale curentului
invers.
Diodele varicap se construiesc astfel încât să se obţină valoarea şi legea de variaţie dorită a
capacităţii în funcţie de tensiune. Mărimile care permit acest lucru sunt suprafaţa joncţiunii şi distribuţia de
impurităţi.
Pentru diodele tunel se foloseşte un material semiconductor cu o concentraţie de impurităţi
N>1019/cm3, ceea ce corespunde unei rezistivităţi ρ = 0,001...0,003Ωcm. Joncţiunea se realizează prin
aliere. Condiţiile alierii precum şi elementul de dopare sunt astfel alese încât să se realizeze concentraţii
mari de impurităţi şi o trecere abruptă de la regiunea p la regiunea n+.
Pentru o bună funcţionare la frecvenţe foarte înalte, joncţiunea se corodează pe cale electronică
astfel încât suprafaţa ei să fie mică.
Fotodiodele sunt astfel construite încât lumina să pătrundă în dreptul joncţiunii (fig. 3.10). Radiaţia
luminoasă, ajungând în dreptul joncţiunii, generează purtători excedentari de sarcină care se vor deplasa
sub acţiunea câmpului electric creat de tensiunea aplicată diodei.

Fig. 3.10 Fotodiodă cu contact punctiform:

1 – pastilă de germaniu;
2 – lentilă;
3 – izolator;
4 – fir de tungsten;
5 – carcasa diodei (catod);
6 – terminal anod.