MINISTERUL EDUCAŢIEI NAȚIONALE INSPECTORATUL ŞCOLAR

JUDEŢEAN CONSTANŢA

COLEGIUL TEHNIC ENERGETIC CONSTANŢA

CALIFICAREA: TEHNICIAN ÎN AUTOMATIZĂRI

PROIECT
PENTRU SUSȚINEREA
EXAMENULUI DE CERTIFICARE A COMPETENŢELOR
PROFESIONALE
NIVEL 4

Dispozitive semiconductoare
utilizate in electronica de putere

ABSOLVENT
ÎNDRUMĂTOR
Vrânceanu Dan Gabriel prof. Gheorghe Chințoiu
Clasa a XII –a A

2017
1
 Cuprins

1. Cuprins 2
2. Argument 3
3. Capitolul I. Jonctiunea pn 4
4. Capitolul II. Elemente semiconductoare necomandate 7
5. Capitolul III. Elemente semiconductoare comandate 11
6. Anexe 17
7. Bibliografie 20

2
 Argument

Materialele semiconductoare au conductivitatea electrică intermediară între

materialele izolante şi materialele bune conductoare, iar cel mai folosit în
construcţia dispozitivelor semiconductoare este astăzi siliciul. Siliciul în stare pură
(numit şi intrinsec) este mai degrabă un material izolant, cu un număr mic de
purtători liberi existenţi în perechi, electroni şi goluri, număr care creste exponenţial
cu temperatura. Densitatea purtătorilor liberi poate fi mărită în mod artificial printr-
un proces de impurificare realizat în două variante din care rezultă două tipuri de
material semiconductor (materiale extrinseci). Primul este numit de tip n şi are un
număr crescut de electroni liberi numiţi şi purtători majoritari deoarece concomitent
există şi un număr mult mai mic de goluri, rezultate din procesul de generare
termică, numiţi purtători minoritari. Al doilea este numit de tip p şi are un număr
crescut de goluri libere pe lângă un număr mult mai mic de electroni.
Tehnologii speciale permit alăturarea intimă a celor două tipuri de materiale
semiconductoare p şi n. Se formează o structură denumită joncţiune p-n care are
proprietăţi speciale şi stă la baza majorităţii dispozitivelor semiconductoare şi
implicit a electronicii moderne. În esenţă joncţiunea p-n cu tensiune la borne se
comportă puternic neliniar în funcţie de semnul acesteia, dacă tensiunea are
polaritatea cu plus la zona p joncţiunea are o rezistenţă mică, în cazul opus are o
rezistenţă mare.
Am structurat proiectul în trei capitole (Jonctiunea PN, Elemente
semiconductoare necomandate, Elemente semiconductoare necomandate). La sfârșit
există două anexe: prima anexă cuprinde detalii despre marcarea si codificarea
dispozitivelor semiconductoare discrete, iar cea de a doua anexă ilustrează câteva
dispozitive semiconductoare de putere.

3
 CAPITOLUL I.
JONCTIUNEA PN

I.1 Jonctiunea pn nepolarizata

Jonctiunea pn reprezinta zona de contact dintre doua cristale

semiconductoare, unul de tip p si unul de tip n, avand o grosime foarte mica, de
circa 10-8...10-6 m; datorita faptului ca in zona ei se creaza un camp electric intern, se
obtine o bariera de potential, al carui efect principal consta in modificarea rezistentei
de trecere a jonctiunii, in functie de polarizarea exterioara a terminalelor cristalelor.
In figura 1. se arata schematic etapele de realizare a unei jonctiuni pn, din
doua cristale alaturate , unul de tip p (ce contine ioni acceptori notati A - si purtatori
pozitivi sau goluri) si unul de tip n (ce contine ioni donori D + si purtatori negativi,
adica electroni liberi). Dupa cum se vede in figura 1, a, ambele cristale sunt neutre
din punct de vedere electric, iar in interiorul lor electronii si golurile au o miscare
dezordonata.
In momentul lipirii fetelor cristalelor ( figura 1, b), datorita efectului de
difuzie, in primul moment electronii din cristalul de tip n tind sa treaca in cristalul
de tip p, iar golurile cristalului de tip p tind sa treaca in cristalul de tip n, zona de
difuzie avand o latime de circa 10-5...10-4 m.
Rezulta (figura 1, c) ca de o parte si de alta a suprafetei de separatie apar doua
regiuni incarcate, una cu sarcina negativa (in cristalul de tip p), si alta cu sarcina
pozitiva (in cristalul de tip n). In cele doua sarcini egale si de semn contrar, se
stabileste un camp electric intern E orientat dinspre cristalul de tip n catre cel de tip
p. Dupa momentul impurificarii celor doua regiuni ale semicunductoarelor se
realizeaza difuzia de majoritari din imediata apropiere a jonctiunii care intalninduse
se recombina rezultand o regiune saracita de sarcini electrice, caracterizata si printr-
un camp electric intern notat UO orientat de la n la p
p n p n p
n

a b c
fig. 1. Realizarea jonctiunii pn

4
 atom acceptor ionizat; atom donor izotop; „gol” electron
„liber”

I.2 Jonctiunea pn polarizata direct (figura 2,a)

Peste campul electric intern UO se suprapune in sens opus campul electric

extern U si rezulta o mixorare a latimii regiunii de trecere. Astfel majoritarii din p
(golurile) trec in n si majoritarii din n (electronii) trec in p. Suma algebrica a celor
doi curenti de difuzie formeaza un singur curent indreptat de la p la n numit curent
direct. El are valori mari(miliA).
Concluzie : Jonctiunea pn polarizata direct lasa sa treaca prin ea un curent mare,
comportanduse ca un intreruptor inchis.

fig.2 Polarizarea jonctiunilor :

a-in sens invers;  b- in sens direct

I.3 Jonctiunea pn polarizata invers (figura 2,b)

Peste câmpul electric intern UO se suprapune in acelas sens campul electric

extern U ceia ce determina o marire o regiunii de trecere. In acest caz este infibata
difuzia de purtatori majoritari fiind favorizata trecerea purtatorilor minoritari
(electroni de la p la n si goluri de la n la p). Suma algebrica a celor doi curenti invers
indreptati de la n la p. El are valori de ordinul (nanoA).
Concluzie : Jonctiunea pn polarizata invers nu lasa sa treaca prin ea decat un
curent extrem de mic ce poate fi neglijat, comportanduse ca un intreruptor deschis.
Pe de alta parte, cunoasterea fenomenelor din jonctiunea pn simplifica analiza
altor fenomene ce intervin in unele dispozitive semiconductoare (fenomene de
suprafata, contacte metalice, heterojonctiuni, etc).
In jonctiunea pn insa, concentratiile de goluri si de electronoi isi stabilesc la
echilibru o distributie in care curentilor de difuizie le vor corespunde curenti de
camp de aceias marime dar de sens contrar.
5
 In volumul regiuni p, ca intr-un semiconductor de tip p izolat, sarcina pozitiva a
golurilor este practic egala cu sarcina negativa a ionilor de impuritati acceptoare,
asigurand neutralitatea semiconductorului ; dar langa contact, scazand concentratia
de goluri si deci sarcina pozitiva, sarcina negativa a ionilor imobili ramane ca o
sarcina spatiala neta ; la fel scaderea concentratiei de electroni din regiunea n lasa in
urma o sarcina pozitiva ce se datoreste ionilor de impuritati donoare.
Campul electric ( sau bariera de potential U0 corespunzatoare) se opune difuziei
golurilor si electronilor si face ca la echilibru termic sa nu mai existe curent net prin
jonctiune. Orice curgere de sarcina prin jonctiune se limiteaza singura datorita
modificarii campului electric pe care o produce. De exemplu, daca se modifica
cancentratiile de purtatori prin modificarea temperaturii, se va modifica
corespunzator si campul electric.
In figura 3 a fost reprezentata diagrama energetica a unei jonctiuni pn la echilibru
termic. Diagramele energetice ala semiconductoarelor p respectiv n considerate
independente in spatiu, difera prin pozitia nivelurilor Fermi (figura 3.b). In diagrama
jonctiunii pn, aceasta fiind un sistem la echilibru termic, nivelul Fermi trebuie sa fie
constant in intreg sistemul. In schimb, extremitatile benzilor se curbeaza in
conformitate cu variatia energiei potentiale a electronilor.
Astfel, concentratia de goluri, egala cu p p0 in regiunea neutra din p, scade pana
cand devine pn0 in regiunea neutra din n; in acelas timp, W F-Wv’ constant in regiunea
neutra din p, creste pana cand se stabileste la valuarea constanta din regiunea neutra
n. De asemenea, se poate observa ca variatiile extremitatilor benzilor constitue
bariere de potential care se opun trecerii electronilor din n in p si respectiv trecerii
golurilor din p in n (energiile crescand in sus pentru electroni si in jos pentru goluri).
Inaltimile eU0 ale acestor bariere sunt date chiar de distanta dintre nivelurile Fermi
din semiconductoarele izolate, deoarece cu atat trebuie sa se curbeze benzile pentru
ca nivelurile Fermi sa ajunga la acelas nivel. Aceasta inaltime eU 0 va fi mai mica
decat largimea benzii interzise, dar de acelas ordin de marime.
Energia electronilor

a.semiconductorul n
b.semiconductorul p
Figura.3. Diagrama energetica a jonctiunii pn

6
 CAPITOLUL II
ELEMENTE SEMICONDUCTOARE NECOMANDATE

II.1 Dioda Semiconductoare

O jonctiune „pn” prevazuta la capete cu contacte metalice si introdusa intr-o

capsula metalica sau de PVC pentru a fi protejata de mediul exterior se numeste
dioda. Regiunea p se numeste ANOD si regiunea n se numest CATOD.
O dioda semiconductoare pote fi polarizata direct, rezistenta jonctiunii find foarte
mica, respectiv curentul prin dioda este limitat de elementele de circuit exterioare.
O dioda polarizata inversprezinta o rezistenta a jonctiuniimare, curentul prin ea
este blocat. Dioda nu conduce din punct de vedere electric, intreaga tensiune de
alimentare a diodei regasindu-se la bornele acesteia. Datorita cestei comportari
dioda poate fi folosita in circuitele de redresare (transformarea curentului alternativ
in curent continuu pulsatoriu sau filtrat).
In functie de structura jonctiunii, materialului de baza si posibilitatilor de
utilizare, diodele semiconductoare se intalnesc intr-o foarte mare varietate de tipuri,
astfel ca pentru anumite functiuni au simboluri grafice specifice.
La toate diodele triunghiul simbolului reprezinta cristalul de tip p, numit anod
(prin anologie cu electrodul echivalent functiilor din dioda cu vid), iar bara
reprezinta cristalul de tip n, numit catod, prin aceiasi analogie cu tubul electronic.
O dioda este scoasa din uz cand prezinta fie rezistenta mica in ambele sensuri
(este scurtcircuitata), fie rezistenta de valuare mare in ambele sensuri (cand este
intrerupta).

II.2 Tipuri de diode semiconductoare 

1. diode redresoare : asigura in cazul legarii la o sursa de curent alternativ,

trecerea curentului intr-un singur sens, deci obtinerea unui curent pulsatoriu
unidirectional care, filtrat caracteristicilor, devine curent continu.

2.diode de detectie : sunt diode cu contact punctiform (suprafata jonctiunii are

circa 10-10 m2), avand o capacitate proprie de circa 1pF. Ele se utilizeaza in
principal la demodularea undelor radio, cu frecvente mari si foarte
mari(f>100kHz).

3.dioda stabilizatoare : numite si diode Zener, au proprietatea de a nu se distruge

in zona de strapungere, cand mentin tensiunea la borne practic constanta, in timp
ce curentul invers prin diode are variatii importante. Pentru limitarea curentului

7
 invers la o valuare nepericuloasa. In serie cu dioda se monteaza totdeauna un
rezistor de o anumita valoare.

4.dioda varicap : au proprietetea de a prezenta o capacitate variabila intre

jonctiuni, atunci cand sunt polarizare invers cu tensiuni de ordinul zecilor de volti.
Valuarea capacitatii fiind de ordinul zecilor de picoF, ele se utilizeaza in special ca
elemente de acord, fara piese in miscare, ale circuitelor acordate la frecvente mai
mari de 10 Hz.

5.fotodiode : au in carcasa o portiune de cativa mm2 prin care un fascicul de

lumina poate ajunge in zona jonctiunii, ale carui regiuni p si n sunt impurificate
astfel in cat sa genereze un curent prin circuit, in cazul polarizarii inverse.
Curentul invers este proportional cu intensitatea fascicolului luminos, ceea ce
permite utilizarea fotodiodelor in aparatura de masura a luminii, la realizarea
traductoarelor utilizate in automatizari (bariere luminoase) etc. In functie de
materialul jonctiunilor, fotodiodele sunt sensibile la radiatii inflorosii, rosii,
galbene, verzi, violete si ultraviolete.

6.fotoelementele : au o suprafata mult mai mare a jonctiunii si a suprafetei

transparente a capsulei (chiar cativa cm2) decat fotodiodele. In momentul
iluminarii, zona jonctiunii incepe sa fie traversata de purtatori, iar daca intre
terminale este montat un rezistor, prin acesta incepe sa circule un curent, la borne
asigurandu-se o tensiune de ordinul zecilor de volti.
Prin urmare, fotoelementele sunt surse de energie electrica, a carei valori
(mica) este proporetionala cu energia luminoasa ce cade pe jonctiune. Astfel
permite utilizarea fotoelementelor in aparatura de masura a luminii, la transformarea
directa a energiei solare in energie electrica si in alte circuite de automatizare,
sensibile la lumina.

7.diodele luminescente (LED-uri) : sunt diode la care in zona jonctiunii se

produc radiatii inflarosii sau luminoase cind dioda, polarizeaza in sens direct, este
strabatut de un curent de cativa mA. In figura 4, sunt prezentate cateva variante
constructive de diode luminoase : simple (figura 4, a), cand se folosesc cu succes la
locul becurilor indicatoare, avand culorile de rosu, galben, portocaliu siverde,
grupate cate 7 sau 8 si formand elemente de 7 segmente (figura 4, b), utilizate in
toate cazurile unde se cer afisaje numerice, avind de regula culoare rosie. Pentru
calculatoare, ceasuri, aparate de masura numerice cu mai multe cifre se utilizeaza
ansambluri de 7 segmente, a caror comandă de „aprindere” se dă codificat (figura 4,
c). Pentru limitarea curentului se strabate un LED, se prevede in serie cu el un
rezistor ce limiteaza currentul la valuarea initiala in catalog. Pentru a functiona in
curent alternariv, deoarece strapungerea unui LED are loc la o valuare mica, se
monteaza in paralel cu el o dioda uzuala, pentru conductia celeilalte alternante ; in
acest caz iluminarea obtinuta are un puternic caracter stroboscopic.
8
 Capsula LED-urilor simple (figura 4, a) poate fi cilindrica, cubica, prismatica,
semisferica, avand suprafata emisa luminoasa sub forma de cerc, dreptunghi,
triunghi, patrat, ce poate fi mata sau transparenta. Daca in aceiasi capsula se
introduc, cu conectare antiparalel, doua jonctiuni emisive, de culori diferite, se obtin
LED-uri bicolore, ce la polarizare directa emit, de exemplu, rosu, iar la polarizarea
inversa, emit verde ; un astfel de LED, alimentat in curent alternativ cu frecventa
ridicata, emite succesiv lumina rosie si lumina verde, iar senzatia asupra ochiului
este de galben sau portocaliu. Astfel de LED-uri se utilizeaza la constructia
panourilor luminoase informationale, cand panoul apare in patru culori : rosu cand
alimentarea este directa in curent continuu, verde la alimentarea cu polaritate
inversa, galben la alimentarea in curent alternativ si negru la taierea alimentarii.

Fig. 4. Diode luminescente (variante constructive) :

a-simple ; b-grupate in 7 segmente ; c-bloc de afisaj numeric.

8.optocuploarele elelctrice: (figura 5) sunt formate dintr-o capsula care are intr-o
parte o dioda LED, ce trimite radiatii infrarosii, iar in partea cealalta o fotodioda sau
un fotoelement, sensibil la radiatiile inflarosii emise de LED. Aparitia unui curent
prin LED (deci o tensiune la intrarea optocuplorului) duce la emiterea de catre
acesta a unei radiatii inflarosii, ce, la randul ei, comanda elementul fotosensibil, care
permite aparitia unui curent in circuitul sau, la iesire. Intr-un anumit sens,
optocuploarele pot fi considerate relee care au intre circuitul de iutrare si cel de
iesire o separare galvanica, perfecta, rezistenta de izolatie dintre cele doua circuite
putand depasi 2000V.

Fig.5. Optocuplorul electronic

9
 II.3 Tranzistoare bipolare
Un astfel de tranzistor este constituit din trei domenii semiconductoare de
conductibilitate diferita, alternate in succesiune pnp sau npn. Semiconductoarele vecine
formeaza cate o jonctiune pn, care delimiteaza o singura regiune subtire, numita BAZA.
Grosimea bazei este mica, dar mai mare in comparatie cu lungimea de difuzie a
purtatorilor minoritari ; in aceasta situatie, jonctiunile lucreaza independent.
Celelalte doua regiuni se numesc EMITOR si COLECTOR, avand acelasi tip de
conductivitate, dar avand proprietati fizice si electrice diferite.
In functie de tipul semiconductorului ce formeaza cele trei zone, tranzistoarele sunt
de tip npn sau pnp, putând fi realizate atat cu germaniu, cât si cu siliciu. Reprezentarea
tranzistoarelor se prezinta in figura.6,a (sageata emitorului indica sensul real al
circuitului curentului prin dispozitiv).
Tranzistoarele se fabrica intr-o gama foarte larga de parametri, diferentiati atit prin
tensiune si curenti de lucru, cat si prin frecventa limita la care isi mai pot indeplini
functiile.

Fig.6. Tranzistoare bipolare

II.4 Circuite electrice cu tranzistoare bipolare

In circuitele electronice tranzistoarele se monteaza astfel, incat jonctiunea

emitorului sa fie polarizata direct, iar cea a colectorului sa fie polarizata invers.
In figura 7, a. tranzistorul de tip npn este montat intr-o conecsiune cu emitor
comun (EC), deoarece emitorul este electrodul comun dintre intrare si iesire. Prin
aplicarea unei tensiuni potrivite fata de masa la intrarea circuitului (U), prin rezistenta
de baza RB se stabileste un curent de baza I B, ce duce la aparitia purtatorilor in
cristalul bazei.
Orice tranzistor are o serie de caracteristici de iesire, in figura 7,b prezentandu-se
caracteristicile tranzistorului de tip BC 107, impreuna cu limitarea impusa in
functionare. In lipsa curentului de baza, curentul de colector este nul, deci
tranzistorul este echivalent cu un curent deschis ; se spune ca el este blocat, iar
tensiunea colectorului este egala cu tensiunea sursei de alimentare.
10
 Fig.7. Conectarea in
montaj EC a unui tranzistor npn:
a-schema electrica; b-diagrama tensiune-curent a funtionarii sale

CAPITOLUL III
ELEMENTE SEMICONDUCTOARE COMANDATE

III.1 Tiristorul

Tiristorul este tot un dispozitiv semiconductor, cu trei jonctiuni pn (fata de

una cat are dioda) si care are un electrod de comanda, numit poarta sau grila. Daca
pe anodul tiristorului se aplica un potential pozitiv, iar pe catod- unul negativ si pe
poarta nu se aplica nici un semna, tiristorul este blocat (rezistenta sa este extrem de
mare); aplicand un impuls pozitiv pe poarta, tiristorul se deblocheaza (se deschide,
se aprinde), rezistenta sa devenind practic nula. Dupa deschiderea tiristorului,
semnalul aplicat pe poarta nu mai are nici o influienta asupra functionarii
tiristorului. Tiristorul poate fi blocat din nou numai prin anularea sau inversarea
polaritatii tensiunii dintre anod si catod.
In figura 9 tiristorul poate conduce numai in semialternantele in care la borna
1 este polaritatea pozitiva a tensiunii u. Daca impulsul de comanda pe poarta se
aplica chiar la inceputul semialternantei pozitive, functionarea schemei este indicata
cu cea din figura 8. Daca impulsul de comanda este intarziat de unghiul α, tiristorul
se deschide mai tarziu, conduce doar o parte din semiperioada pozitiva, in
semiperioada negativa ramanand blocat.

Fig. 8 Scheme de redresare monoalternanta cu dioda

11
 Fig. 9 Schema de redresare
monoalternanta cu tiristor

Prin urmare, tensiunea redresata Ud (linia plina din figura 10,a) si curentul
mediu redresat (figura 10,b) sunt mai mici decat in cazul α=0. Unghiul α, masurat
din momentul in care tiristorul ar putea intra in conductie, pana in momentul
aplicarii impulsului de comanda, se numeste unghi de aprindere. Cu cat α este mai
mare, cu atat valorile medii ale curentului si tensiunii redresate sunt mai mici.
De remarcat ca in cazul in care circuitul de sarcina contine, in afara rezistentei
Rs si o inductanta Ls aceasta are ca efect ,,prelungirea’’ curentului si ca urmare,
tiristorul ramane deschis un anumit timp si in semialternanta negativa a tensiunii
anodice u (figura 10,c). Impulsul de comanda pe poarta trebuie sa fie sincronizat cu
tensiunea de alimentare. Aceasta sincronizare, precum si modificarea fazei
impulsului in raport cu tensiunea u se realizeaza cu circuite electronice speciale,
numite dispozitive de comanda pe grila.

Fig.10 Formarea tensiunii si curentului redresat in cazul unei scheme de redresare

monoalternanta cu tiristor
12
 Pentru alimentarea motoarelor de current continu cu redresoare se pot folosi
diferite posibilitati:
-alimentarea de la redresoare monofazate, care permit trecerea curentului in
ambele semialternante. Schemele de acest fel pot fi cu transformator cu punct
median (figura 11) sau scheme in punte (figura 12)
-alimentarea de la redresoare trifazate, care de asemenea pot fi cu transformator
trifazat cu punte neutru sau scheme trifazate in punte
La randul lor, stiind ca redresoarele cu elemente semiconductoare se pot
realize cu diode sau cu tiristoare, schemele de alimentare ale motoarelor de current
contiuu pot fi:
-cu redresoare necomandate, in care elementele componente sunt diode
semiconductoare;
-cu redresoare semiconductoare, in care elementele componente sunt diode
semiconductoare si tiristoare;
-cu redresoare comandate, in care elementele componente sunt numai tiristoare.

Fig.11 Schema de redresare biolternanta, Fig 12 Schema de redresare

cu alimentare de la un transformator bialternante, in punte
cu priza mediana

Pentru o mai buna orientare privind schema recomandabila a se folosi in

diferite situatii practice este necesar sa se faca cateva consideratii privind
functionarea schemelor mentionate. Astfel, in cazul schemei din figura 11, dioda D 1
in timpul unei semialternante (semiperioade), iar dioda D 2 in timpul celeilalte
semialternante, astfel incat forma tensiunii redresate aplicata la bornele motorului M
este cea indicată in figura 15,a. Este evident ca valoarea tensiunii redresoare medii
Ud in acest caz este mai mare ca in cazul redresarii simple.

13
 Fig. 13.Schema de redresare trifazata Fig. 14.Schema de redresare
cu alimentare de la un transformator cu nul trifazata in punte

In cazul schemelor din figura 12, in care dispozitivele semiconductoare pot fi

diode sau tiristoare, forma tensiunii redresoare este cea din figura 15,a, in cazul unei
punti necomandate (cu diode); ca in figura 15,b, in cazul unei punti comandate in
functie de marimea unghiului de comanda. Schema din figura 12 functioneaza
astfel: atunci cand polaritatea pozitiva a tensiunii alternative apare la borna 1,
conduc dispozitivele T1 si T4, iar cand polaritatea pozitiva a tensiunii este la borna 2,
conduc dispozitivele T3 si T2.
In felul acesta, la bornele motorului este aplicata tensiunea redresata U d, care
este constanta in cazul redresorului necomandat si reglabila in cazul redresorului
semicomandat (dispozitivele T1 si T4 sunt tiristoare; in figura 15,d pentru unchiul de
comanda α>900, tensiunea redresata Ud devine negativă).

Fig.15. Forma tensiunii redresate in cazul unui Fig.16. Forma tensiunii si curentului in
redresor bialternanta cu elemente componente cazul unui redresor trifazat cu
(b, c, d) si necomandat a elemente necomandate

14
 In cazul figurii 13, daca schema este necomandata, iar tensiunea alternativă
pe cele trei faze din secundarul transformatorului T r sunt u1, u2 si u3 (figura 16,a),
forma tensiunii redresate Udm este indicate in figura 16,b. se vede ca valoarea ei
medie este mai mare ca in cazul redresarii monoalternanta (figura 15,a ), iar forma
ei este mai apropiata de cea a tensiunii continue. In figura 17 sunt indicate formele
tensiunilor redresate pentru diferite valori ale unghiului de aprindere α, atunci cand
redresorul din figura 13 este comandat.
In cazul schemelor din figura 14, se obtine punte necomandata cand T1-T6
sunt diode, punte semicomandata cand T1-T3 sunt tiristoare, iar T4-T6 diode si punte
comandata cand T1-T6 sunt tiristoare. Formele tensiunilor redresate sunt
asemanatoare cu cele pentru redresorul din figura 13.

Fig.17. Forma tensiunii in cazul unui redresor trifazat cu elemente

componente pentru diferite valori ale unghiului de comanda

III.2 Contactoare Statice

O soluţie modernă pentru comutarea circuitelor cu aparate fără piese în

mişcare o reprezintă contactoarele statice. Acestea sunt, de fapt, structuri electronice
prin care curentul poate trece (sau nu) în funcţie de anumite comenzi date de
operator; aceste comenzi se traduc prin polarizarea corespunzătoare a dispozitivelor
electronice din componenţa contactorului (diode, tiristoare etc.).

III.2.a.Utilizari
 Comutarea frecventă şi silenţioasă a motoarelor

15
  Reglări de temperatură.
 Comanda iluminării
 Înlocuirea combinaţiilor stea-triunghi.
 Înlocuirea combinaţiilor contactor-inversor.
 Acţionarea pompelor:
 Acţionarea ventilatoarelor:
 Benzi transportoare
 Comanda semafoarelor.

Fig.18. Contactor static

III.2.b. Tipuri constructive:

 Contactoare statice monofazate pentru sarcini pur rezistive între 10 – 50 A

 Contactoare statice şi softstartere trifazate comandate bifazat (pentru 2,2
până la 11 kW şi prin comenzi speciale, chiar până la 22 kW) pentru sarcini
trifazate; aparatele dispun şi de o funcţie internă de reversare.

Avantaje:
Un contactor static realizează comutarea motoarelor în momentul optim şi
reduce şocurile de conectare, care conduc la oscilaţii de curent şi cuplu, ce pot fi de
20 de ori mai mari decât curentul nominal al motorului.

Anexa 1

16
 Marcarea si Codificarea Dispozitivelor Semiconductoare Discrete

Materialul de baza Functia de baza Numarul de serie Indicatii diverse

1 2 3 4
A= material cu A- dioda, de semnal, Trei cifre (100...999) O literea (fara
energie de actionare mica putere 2 -pentru componentele semnificatie
intre (0,6...1) eV- de B- dioda cu de uz curent codificata) indicand
ex. Ge (0,67 eV) capacitete variabila o litera (X, Y, Z, variante constructive.
(„varicap”) etc )3) si doua cifre Exceptie : R
B= idem, intre C- tranzistor de J.F., (10...99) („reverse”) –
(1,0...1,3) eV – de ex de mica putere - pentru componente polaretate inversa
PENTRU DIODE
Si (1,1 eV) D-tranzistor de J.F. de uz profesional
ZENER
de putere
-o litera – toleranta
C= idem peste 1,3 eV E-dioda tunel
tensiunii Zener (A-
– de ex Ga As (1,4 F-tranzistor de I.F.,
1% ; B-2% ; C-5% :
eV) de mica putere
D-10% ; E-15%) si
G- diverse
- doua cifre (separate
D= idem sub 0,6 eV componente
pren litera V
– ex In Sb (0,33 eV) (complecse sau
inlocuind virgula
deosebite)
zecimala) – tensiunea
R= material cu H- dispozitiv
Zener medie (in volti)
structura complexa semiconductor
- de ex in generatoare sensibil la camp
PENTRU DIODA
Hall sau celulele magnetic
REDRESOARE SI
fotoelectrice K- generator Hall (in
TIRISTOARE
(dispozitive fara circuit magnetic
-doua-trei cifre –
jonctiune) deschis)
tensiune inversa
L- tranzistor de I.F.,
repetitiva, de varf
de putere
(eventual, in stare
M- generator Hall (in
blocata) – in volti
circuit magnetic
- literaR (facultativ)
inchis)
-polaritate inversa
N- optocuplor
(tensiuni raportate la
17
 P-detector de radiatii anod)
Q- generator de
radiatii
R- dispozitiv de
comanda, in
comutatie, de mica
putere (de ex tiristor)
S-tranzistor de
comutatie, de mica
putere
T- dispozitiv de
comanda, in
comutatie, de
putere(de ex tiristor,
fototiristor)
U-tranzistor de
comutatie, de putere
X- dioda
multiplicatoare sau
varactor
Y- dioda redresoare
de putere
Z- dioda zener

Anexa 2

DIODĂ REDRESOARE DE PUTERE

18
 TRANZISTOR BIPOLAR DE PUTERE

TIRISTOARE DE PUTERE

BIBLIOGRAFIE

1. Autori : Alexandru Iulian, Traian Canescu ,Mihai Huhulescu, Canstantiu

Popescu, Dragos Simulescu, Aparate, echipamente si instalatii de electronica
industriala, Editura Didactica si Pedagogica ; R.A., Bucuresti, 1994.

19
2. Autor: Ing. Edmond Nicolau, ing. Mariana Belis, ing. Tiberiu Bocaniciu,
ing.Valentin Buiculescu, ing. Vergil A. Goian,ing. Mariana Goldhamer,
ing. Albert Goldhamer, Manualul inginerului electronist, Editura Tehnica
Bucuresti, 1979

3. Autori: Adriana Trifu, Radu Seefeld, Mircea Wardalla,Mirela Lie, Mihaela

Calin, Editura Tehnica, Electronica, automatica, informatica tehnologica
induxtriala

4.Autori: Mariana Robe, Flavia Boanta, Vasilica Popa, Marinela Dobre, Manual
pentru pregatirea de baza in domeniu electric, Editura Economica

20