Convertoare statice

CURS 2

1
 1.3. REGIMUL TERMIC

Temperatura cristalului semiconductor influenţează semnificativ comportarea diodei, în

orice regim de funcţionare. Acestă temperatură, denumită temperatura virtuală a
joncţiunii şi notată Tvj, este determinată de echilibrul între puterea dezvoltată şi puterea
disipată de diodă ;

Căldura se dezvoltă prin efectul Joule la trecerea curentului prin diodă ;

Căldura se disipă prin încălzirea elementelor componente (cristal semiconductor, capsulă

şi radiator) şi prin cedare către mediul ambiant, în principal prin radiatorul pe care este
montată capsula.

Radiatorul se montează pe o singură parte a capsulei (răcire unidirecţională) la diodele

mici, sau pe ambele feţe ale acesteia (răcire bidirecţională) la diodele de curenţi mari.

2
Studiul regimului termic permite

- alegerea radiatorului potrivit pentru a asigura funcţionarea diodei în limitele de

temperatură admise (-40°C…150°C), pentru un curent mediu dat ;
- determinarea temperaturii Tvj , pentru o configuraţie dată şi un curent mediu impus ;
- determinarea curentului mediu pentru o configuraţie dată şi o temperatură Tvj , impusă.

Studiul regimului termic (permanent sau tranzitoriu) se face cu ajutorul schemelor termice
echivalente, construite prin analogie cu schemele electrice.

3
 1.3.1. REGIMUL TERMIC PERMANENT

Schemele termice echivalente pentru studiul regimului termic permanent se construiesc numai cu
rezistenţe termice.

Rezistenţa termică reda modul în care un mediu transferă căldura. Rezistenţa termică Rth se
măsoară în [grd/W], aşa cum rezultă din relaţia de definiţie, similară cu teorema lui Ohm:

Rth = ∆T
P
unde:
- ∆T este diferenţa de temperatură între cele două puncte între care se consideră că
există o rezistenţă termică Rth ;
- P este puterea termică dezvoltată în sursa de căldură şi transmisă prin rezistenţa
termică respectivă
V =
= Τ
I ∆V ∆Θ P
∆V=RI R th ∆ Τ= R th P
R I P
R R th ΤA
V0 4
 REGIMUL TERMIC PERMANENT

Pentru diode cu răcire unidirecţională se construieşte schema termică echivalentă

Τ
vJ
R thJC (θ) R
P thCK RthKA ΤA ΤC
=
Τ vJ ΤC ΤK
P ΤK
ΤA

5
 REGIMUL TERMIC PERMANENT

Notatii:

TvJ temperatura virtuală a joncţiunii (a cristalului semiconductor);

TC temperatura capsulei ;
TK temperatura radiatorului (montat de obicei la catod) ;
TA temperatura mediului ambiant ;
RthJC (θ) rezistenţa termică dintre joncţiune şi capsulă, care este funcţie de
unghiul de conducţie θ, adică de unghiul electric care măsoară durata trecerii
curentului prin diodă ;
RthCK rezistenţa termică dintre capsulă şi radiator ;
RthKA rezistenţa termică dintre radiator şi mediul ambiant

6
 REGIMUL TERMIC PERMANENT

RthJC (θ) = RthJC DC + ∆r (θ)

∆r
[k/W]
0,064

θ
0,048
T

0,032

0,016 θ
T
0
30 60 90 120 150 180
θ [grd]

7
 REGIMUL TERMIC PERMANENT

( )
TvJ = T A + P ⋅ RthJC DC + ∆r (θ) + RthCK + RthKA = T A + P ⋅ RthJA

TC = T A + P ⋅ (RthCK + RthKA ) = T A + P ⋅ RthCA

8
 REGIMUL TERMIC PERMANENT

Pentru diode cu răcire bidirecţională, schema termică echivalentă are două ramuri : câte
una pentru fiecare direcţie de transmitere a căldurii.

R'thJC (θ) R'thCK R'thKA

P
= TJ TC TK TA

R''thJC (θ) R''thCK R''thKA

În realitate, variaţiile de temperatură nu sunt identice pe cele două feţe ale diodei, dar variaţiile
sunt aleatoare, în funcţie de condiţiile locale de răcire. Din acest motiv se face ipoteza
suplimentară că variaţia de temperatură este identică pe cele două feţe ale diodei şi .Rth = Rth' = Rth''
Prin legarea în paralel a rezistenţelor de pe cele două braţe ale schemei echivalente, rezultă o
valoare de două ori mai mică pentru rezistenţa termică totală, în cazul răcirii bidirecţionale.
În cataloage se dau rezistenţele termice pentru ambele moduri de răcire, la diodele pentru care
9
este cazul
 1.3.2. REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Schemele termice echivalente pentru studiul regimului termic tranzitoriu conţin rezistenţe şi
capacităţi termice. Capacităţile redau posibilitatea corpurilor de a înmagazina o anumită cantitate
de căldură. Schemele termice echivalente sunt formate din grupuri RthC, dar care nu au o
corespondenţă directă cu elementele constructive ale diodei. În cataloage sunt date, tabelat, valori
pentru rezistenţele rk şi constantele de timp τk=rkCk , k=1,2…5. Din cauza diferenţelor mari între
constantele de timp ale cristalului semiconductor (milisecunde) , capsulei (secunde) şi
radiatorului (minute), cel mai adesea este suficient să se ia în calcul numai schema echivalentă
dintre joncţiune şi capsulă.

T (t) r1 r2 rk
J T (t)
C

P(t)
C1 C2 ∆T (t) Ck
JC

Schema termică echivalentă pentru regim termic tranzitoriu

10
 REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Deoarece operarea cu un asemenea circuit echivalent este dificilă, se introduce noţiunea de

impedanţă termică tranzitorie echivalentă:

∆TJC (t )
Z thJCDC (t ) =
P

∆TJC (t) este diferenţa de temperatură între joncţiune şi capsulă, la momentul t, după
trecerea unui flux termic de amplitudine constantă P, un interval de timp t.
Z thJC DC P
Z thJC DC R
thJC DC

P t
0

Variaţia impedanţei termice (calitativ) la aplicarea unei trepte de putere .

11
 REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Practic, impedanţa termică se poate determina în două moduri :

prin calcul, cu relaţia urmatoare folosind rk şi τk date în tabelat, în fila de catalog:

k  −
t

Z thJC DC (t ) = ri 1 − e τi
∑ 

i =1 


din graficul dat în catalog pentru răcire uni sau bidirecţională

ZthJC DC
0,1 a)
[°C/W]
0,08
0,06
b)
0,04
0,02
t[s]
0,001 0,01 0,1 1 10 100

12
 REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Pentru o încărcare de scurtă durată, sau neperiodică, temperatura se calculează prin

metoda superpoziţiei, considerând că o răcire corespunde unei trepte de putere negativă .

p P t
t t1 t2
p 0

t P
0 t
t1 -P

P ZthJC DC (t-t 0)
∆ T JC

t1 t
t t2 -P Z thJC DC (t-t 1)
0

Calculul încălzirii prin metoda superpoziţiei

13
 REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Pulsul de putere de durată (t1-t0) se descompune în două trepte, una pozitivă (aplicată la
momentul t0) şi una negativă (aplicată la momentul t1).

0, t < t0

∆TJC (t ) =  P ⋅ Z thJC (t − t0 ), t0 ≤ t < t1
 P ⋅ Z (t − t ) − PZ
 thJC 1 0 thJCDC (t − t1 ), t ≥ t1

14
 1.4. PIERDERILE DE PUTERE IN
DIODE

În convertoarele statice de putere, regimul de funcţionare al dispozitivelor semiconductoare este

periodic. Din acest motiv, în calculele termice se foloseşte puterea (disipată) medie pe o perioadă.
Aceste pierderi se produc atunci când dioda este în conducţie, adică polarizată direct (PF), când
dioda este blocată, adică polarizată invers (PR) şi pe durata proceselor de comutaţie (PC) :

P = PF + PR + PC
Funcţie de frecvenţa cu care dioda comută în cadrul convertorului static, unele sau altele dintre
cele trei componente ale pierderilor devin mai mari sau mai mici. Pierderile în conducţie rămân
însă mereu cele mai importante.

15
 1.4.1. FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INDUSTRIALA

Pierderile cele mai importante se produc în conducţie. În stare blocată, curentul invers
este mult mai mic decât curentul direct, deci practic este neglijabil, iar durata comutaţiilor este
foarte mică în raport cu durata perioadei, deci iarăşi neglijabilă.

Se notează cu PFAV puterea medie, dezvoltată prin efect Joule, în dioda în conducţie,
adică polarizată direct. Prin definiţie :
T T tc
1 1 1
PFAV =
T ∫
0
pF d t =
T 0∫v F iF d t =
T 0∫v F iF d t

T: perioada de comutaţie a diodei ;

pF = vFiF : puterea instantanee dezvoltată de dioda în conducţie ;

tc =θ ⋅180°/ T :timpul de conducţie din fiecare perioadă.

16
FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INDUSTRIALA

vF = VT 0 + rT iF ⇒
T T T
1 1 1 2
PFAV =
T ∫ (V
0
T0 + rT i F ) iF d t = VT 0 ∫
T 0
iF d t + rT ∫
T 0
iF d t

2
PFAV = VT 0 I FAV + rT I FRMS (
= I FAV VT 0 + rT k 2f I FAV )
T
1 2 valoarea efectivă a
unde : T
0
∫iF d t = I FRMS curentului direct

I FRMS
kf = factorul de formă al curentului direct
I FAV

17
 FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INDUSTRIALA

Puterea dezvoltată depinde de:

- caracteristicile diodei (prin VT0 şi rT)
- de consumator (prin mărimea curentului absorbit)
- de schema convertorului (prin forma de undă a curentului).
exemplu de calcul

La intersecţia dreptelor trasate pornind de la datele cunoscute (IFAV =300A şi TA=40°C), rezultă
punctul A, căruia îi corespunde RthCA+∆r=0,2°C/W. De aici rezultă rezistenţa termică maximă a
radiatorului pe care trebuie montată dioda aleasă pentru realizarea convertorului static (şi pentru
care se cunosc RthJC DC , RthCK şi ∆r ) :

RthKA = ( RthCA + ∆r ) − (∆r + RthCK )

Verificarea condiţiilor : T A ≥ T A admis
I FAV ≥ I FAV real
certifică faptul că dioda şi radiatorul sunt corect alese şi permit funcţionarea convertorului în
condiţii mai grele decât cele impuse. Pentru prima condiţie se urmăreşte traseul β, iar pentru a
doua, traseul γ de pe nomograma din Fig.1.16. Alegând un radiator, astfel încât
RthCA+∆r=0,15°C/W, adică mai mică decât valoarea maximă obţinută, rezultă TA=57°C şi
18
IFAV=400A.
 FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INDUSTRIALA

Dimensionarea radiatorului pentru o diodă, care trebuie sa funcţioneze la o anume temperatură

ambiantă, fiind parcursă de un curent cu valoare medie şi formă de undă cunoscută

1500
PFAV o 180
o 0,04 R thCA +∆ r [o C/W] PFAV 180
o
o
[W] 120 0,05 [W] o 120
1250 90 o 90
o 0,06 o
o 60 o 60
θ=30 0,08 θ=30
1000
0,1
750 0,12 DC
γ 0,15
500 0,2
α,β 0,3 A
0,4
250 γ
0,8 θ T
α,β θ T α,γ β
0
200 400 600 0 40 80 120 0 200 400 600
I FAVM[A] TA [ C]
o
I FAVM[A]19
 FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INDUSTRIALA

Verificarea alegerii corecte a radiatorului se face prin calcul, cu relaţia

( )
TvJ = T A + P ⋅ RthJC DC + ∆r (θ) + RthCK + RthKA = T A + P ⋅ RthJA

din care trebuie să rezulte o temperatura virtuală a joncţiunii, TvJ <150°C.

20
 1.4.2. FUNCTIONAREA LA FRECVENTA JOASA

La frecvenţe joase, timpii de conducţie (tc) şi de blocare (tb) ai diodelor sunt mai lungi.
Din acest motiv, în regim stabilizat, temperatura virtuală a joncţiunii va varia în limite mai largi (
constituind o solicitare suplimentară a diodei, care determină obosirea termică a diodei. Mai
rezistente la acest regim de funcţionare sunt diodele cu contacte presate. Pe lângă condiţia deja
cunoscută, ca TvJmax=150°C, se impune condiţia suplimentară : ∆TvJmax=60°C.

p
tc
PFM PFAV = T PFM

t tb t
c T
∆T vJ

T vJ
t

21
 FUNCTIONAREA LA FRECVENTA JOASA

Calculul temperaturii se face considerând regimul de fucţionare ca o succesiune de regimuri

tranzitorii. Se lucrează cu puterea medie maximă la conducţie, PFM , definită prin relaţia

T
PFM = PFAV ⋅
tc

Se poate calcula TvJ şi ∆TvJ , pentru regimul stabilizat de funcţionare:

tc
−
k
1− e τi  t
−b 
∆TvJ = PFM ∑ ri 1 − e τ i 
−
T  
i =1
1− e τi  
tc
−
k τi
1− e
TvJ = TA + PFM ∑ i =1
ri
−
T
τi
1− e
Dimensionarea se poate face pornind fie de la TvJ=150°C , fie de la ∆TvJ=60°C şi verificând
cealaltă condiţie. La cererea utilizatorului, producătorii furnizează curbele de încărcare la
frecvenţe joase
22
 1.4.3. FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INALTA

La frecvenţe înalte, durata comutaţiei nu mai este neglijabilă în raport cu durata de

conducţie. În calculul termic, pentru puterea termică transmisă, se iau în consideraţie şi pierderile
de la revenirea în invers pe durata timpului de cădere tf, pentru că doar pe această durată atât
curentul, cât şi tensiunea au valori semnificative. Puterea medie totală ce trebuie transmisă către
mediul ambiant creşte:

P = PFAV + PQAV

- PFAV este puterea medie deja definită;

- PQAV este puterea medie dezvoltată la revenirea în invers (blocare) şi se
exprimă funcţie de energia WQ şi frecvenţa de comutaţie f
WQ
PQAV = = f ⋅ WQ
T
Energia WQ disipată la blocare se calculează prin integrare:
tf tf ts

∫ ∫ ∫
WQ = v ⋅ i ⋅ d t < VRM i ⋅ d t ≈ VRM i ⋅ d t = VRM ⋅ Qs
0 0 0

23
 FUNCTIONAREA LA FRECVENTA INALTA

PQAV reprezintă partea cea mai importantă a pierderilor în comutaţie PC . Pierderile la intrarea în
conducţie, cea de-a doua componentă a pierderilor în comutaţie PC , sunt neglijabile

În cataloage, pentru diodele rapide se dau nomograme pentru determinarea directă a pierderii
PQAV , cunoscând sarcina stocată Qs , frecvenţa de lucru f şi tensiunea inversă de lucru VR .

VR=100V 300V 500V

200V 400V 600V 700V 800V900V
1000V

f=40 kHz
35 kHz
30 kHz
25 kHz
20 kHz
15 kHz

10 kHz
5 kHz

1 10-1 0 5 10 15 20 25 30 35 40
QS[µ C] PQAV [W]

Pierderile în diodă pe durata de comutaţie 24

 1.5. MARIMI CARACTERISTICE ALE DIODELOR

Regimul normal de funcţionare la polarizare directă

Curentul nominal IFAVM este valoarea medie a celui mai mare curent, de forma unui puls semi-
sinusoidal, cu durata de 10 ms (unghi de conducţie de 180° electrice), care în regim permanent
determină o încălzire normală a carcasei (indicată de producător), în condiţii de răcire specificate.

Tensiunea de prag VT0

Rezistenţa dinamică rT

Tensiunea maximă directă VFM este căderea de tensiune maximă la bornele diodei, măsurată în
condiţii bine stabilite (la un curent direct şi o temperatură date).

Temperaturi maxime : temperatura virtuală a joncţiunii TvJ =150° C şi temperatura carcasei

TC=f(IFAV).

Rezistenţe termice : joncţiune-capsulă în curent continuu RthJC DC, capsulă-radiator

RthCK şi corecţia funcţie de unghiul de conducţie ∆r=f(θ)

25
 MARIMI CARACTERISTICE ALE DIODELOR

Regimul anormal de funcţionare la polarizare directă

Este un regim nerepetitiv, care constă în suprasolicitări în curent. Între două suprasarcini
succesive, dioda trebuie să aibă timpul necesar revenirii la temperatura normală. Parametrii
caracteristici sunt :

Curentul de suprasarcină previzibilă IF(OV) este valoarea medie a unui curent, de forma unui puls
semi-sinusoidal, cu durata de 10 ms (unghi de conductie de 180° electrice), care poate trece un
timp determinat prin diodă.

Curentul de suprasarcină accidentală IFSM este valoarea de vârf a unui curent, de forma unui
puls semi-sinusoidal, cu durata de 10 ms (unghi de conductie de 180° electrice), care poate trece
prin diodă, cu condiţia ca aceasta să nu fie polarizată invers înainte de un minut. Acest curent se
dă pentru două temperaturi ale joncţiunii TvJ=25°C şi 150°C.

Integrala Joule sau integrala de curent I2t măsoară capacitatea diodei de a

înmagazina o anumită cantitate de căldură, în regim de avarie. Se calculează
corespunător curentului IFSM pe o durată de 10 ms.

26
 MARIMI CARACTERISTICE ALE DIODELOR
10 ms
1 2
I 2t = ∫
2
I FSM sin 2 ω t ⋅ d t = I FSM 10 ⋅ 10 −3 [ A2 s ]
0
2

Pentru solicitări mai scurte de 10ms, integrala Joule se diminuează corespunzător, cu un factor kI

k I = I 2 t I 2 t(10ms )

kI 1

0,9
0,8

0,7
0,6
0,5

0,4
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
t[ms]

. Factorul de diminuare a integralei Joule funcţie de durata de conducţie, pentru dioda KS 6060
cu radiator TNF
27
 MARIMI CARACTERISTICE ALE DIODELOR

Aceşti parametri (IF(OV) , IFSM , I2t) indică posibilităţile diodei de a suporta un curent de
suprasarcină sau scurtcircuit până în momentul acţionării sistemului de protecţie, de obicei
siguranţe fuzibile. Parametrii diodei trebuie corelaţi cu cei ai siguranţei fuzibile, astfel încât
aceasta să acţioneze , adică să se ardă şi să întrerupă circuitul, înainte de distrugerea diodei .

28
 MARIMI CARACTERISTICE ALE DIODELOR

Regimul normal de funcţionare la polarizare inversă

Tensiunea inversă repetitivă maximă VRRM

Curentul invers maxim IRM,

Regimul anormal de funcţionare la polarizare inversă

Este un regim nerepetitiv, care constă în suprasolicitări în tensiune. Parametrul caracteristic este:

Tensiunea inversă accidentală maximă VRSM

a cărei depăşire, chiar şi pentru scurt timp, duce la străpungerea diodei

29
 MARIMI CARACTERISTICE ALE DIODELOR

Regimul de comutatie

Sarcina stocată Qs

Timpul de revenire în invers trr (se specifică numai pentru diodele rapide)

Viteza critică de creştere a curentului di/dt (se specifică numai pentru diodele rapide)
Depăşirea acestei viteze poate duce la distrugerea joncţiunii prin favorizarea
repartizării neuniforme a densităţii de curent în zona joncţiunii şi creşterea
excesivă a temperaturii în zonele cu densitate mare

Viteza critică de creştere a tensiunii inverse dv/dt (se specifică numai pentru diodele
rapide)

30
Gata cu dioda !!

Dar urmeaza tiristorul…

31
1. Tiristorul de putere.

32
 Tiristoarele de putere sunt dispozitive semiconductoare comandate, unidirecţionale în
curent şi bidirecţionale în tensiune. Spre deosebire de tranzistor, el poate rămâne în conducţie
şi după dispariţia semnalului de comandă, dacă este parcurs de un curent minim, numit curent de
menţinere.
J J J
1 2 3
A K A
+ - ++ - ++
K
p n p n

G
G
A K
+ - A K
+ -

G G

simbolul structura

33
 J1 J2 J
3
A K
++ - ++
p n p n

G
Există trei joncţiuni p-n între patru straturi semiconductoare:
- două exterioare (dopate p, respectiv n), puternic dopate (notate p++, respectiv n++),
permit vehicularea unui număr mare de purtători de sarcină liberi. Datorită lor, un tiristor de
putere poate suporta densităţi de curent medii de 60…100 A/cm2, valori necesare frecvent în
electronica de putere.
- doua mijlocii, slab dopate, în special cel n (notat din acest motiv n-), astfel încât
joncţiunile p-n, J1 şi J2 se realizează între un strat slab dopat şi unul puternic dopat. Astfel
aceste joncţiuni pot suporta tensiuni inverse mari, de 1…5 kV, fără să se străpungă.

Diferenţa mare de potenţial între anod şi catod se regăseşte practic în întregime pe stratul slab
dopat n-, strat în care se extinde zona de blocare (săracă în purtători de sarcină liberi) de la
joncţiunile p-n, J1 şi J2 ; din acest motiv, lăţimea zonei slab dopate n- este mai mare comparativ
cu lăţimea celorlalte zone (de exemplu 320µm, faţă de 100µm, lăţimea stratului p++, sau 35µm
lăţimea stratului n++).
34
 J1 J2 J
3
A K
++ - ++
p n p n

Tiristorul are trei electrozi :

- A numit anod, conectat la stratul dopat p++ ;

- K numit catod, conectat la stratul dopat n++ ;

- G numit poartă sau grilă, conectat la stratul dopat p+.

35
 2.1. PRINCIPIUL DE FUNCŢIONARE

vR vD vT
- i R+ + i D - + iT-

a) b) c)

a) polarizat invers, cu tensiunea exterioară UP aplicată cu borna pozitivă la catod şi cu

cea negativă la anod, situaţie în care mărimile caracteristice se notează cu indicele R (VR şi IR),
tiristorul este blocat şi asigură întreruperea circuitului;

b) polarizat direct şi fără tensiune de comandă, cu tensiunea UP aplicată cu borna

pozitivă la anod şi cu cea negativă la catod, situaţie în care mărimile caracteristice se notează cu
indicele D (VD şi ID), tiristorul este tot blocat şi asigură întreruperea circuitului

c) polarizat direct şi cu tensiune de comandă, cu două tensiuni exterioare : UP aplicată

cu borna pozitivă la anod şi cu cea negativă la catod şi UC aplicată cu borna pozitivă pe grilă şi
cu cea negativă la catod. În această situaţie, în care mărimile caracteristice se notează cu
indicele T (VT şi IT), tiristorul intră în conducţie şi asigură continuitatea circuitului. Tiristorul
trece în starea de conducţie dacă tensiunea UC asigură în circuitul poartă-catod un curent iG
36
superior unei valori date IGT, care este o mărime de catalog a tiristorului.
 + -
K1 vT RS
UP
iT J1 J2 J3

_ K
p++ n p n ++
A

G vG
iG K RG
+ - 2

UC

La polarizare directă, deci cu tensiunea UP aplicată ca în figura, cu întreruptorul K1 închis, dar în

absenţa semnalului de comandă (cu K2 deschis), joncţiunea J2 este polarizată invers. Aceasta
suportă tensiuni inverse comparabile cu joncţiunea J1 , deoarece stratul n- este cu 3-4 ordine de
mărime mai slab dopat decât stratul p. Cu cât stratul n- este mai slab dopat, cu atât el trebuie să
fie mai lat, pentru ca zona săracă în purtători de sarcină de la joncţiunea J2 să nu se extindă în
toată zona n- şi astfel să se producă scurtcircuitarea joncţiunilor J1 şi J2 .
Ca urmare, indiferent de polaritatea tensiunii UP , adică indiferent dacă tiristorul este polarizat
direct sau invers, acesta este blocat în absenţa semnalului de comandă. La polarizare inversă el
va fi parcurs de un curent invers IR , iar la polarizare directă de un curent direct ID , ambii de
valoare foarte scăzută.

37
 + -
K1 vT RS
UP
iT J1 J2 J3

_ K
p++ n p n ++
A

G vG
iG K RG
+ - 2

UC

La polarizare directă, dar în prezenţa semnalului de comandă deci cu întreruptoarele K1 şi K2

închise, tiristorul conduce, dacă IG >IGT.

Intrarea şi menţinerea în conducţie a tiristorului, chiar şi după întreruperea semnalului de

comandă se poate urmări pe schema urmatoare, în care tiristorul a fost desenat ca fiind format din
două tranzistoare echivalente:

38
 + -
K1 vT RS
UP
iT J1 J2 J3

_ K
p++ n p n ++
A

G vG
iG K RG
+ - 2

UC

+ -
RC K1 UP
VT
E2 B2 C2 A T2
A
p n p T2 I T=I E2
I T =IE2 I C2
IT
I B2
C1 B1 E1 I C1 T1 I E1
K K
T1 n p n X
I E1 id I B1
Y VG
G IG IG
R G K 2 UC Cb G
+ -

a) b)

Schema echivalentă a tiristorului, formată din două tranzistoare 39

 + -
RC K1 UP
VT
E2 B2 C2 A T2
A
p n p T2 I T=I E2
I T =IE2 I C2
IT
I B2
C1 B1 E1 I C1 T1 I E1
K K
T1 n p n X
I E1 id I B1
Y VG
G IG IG
R G K 2 UC Cb G
+ -

a) b)

Dacă întreruptorul K1 este închis, la închiderea lui K2 , curentul IG reprezintă semnal de comandă
pe bază pentru tranzistorul T1 , care are îndeplinite condiţiile de intrare în conducţie. Potenţialul
negativ al emitorului E1 se transmite colectorului C1. Curentul de colector IC1 reprezintă curentul
de bază pentru tranzistorul T2. Acest tranzistor va intra şi el în conducţie : potenţialul pozitiv al
emitorului E2 se transmite colectorului C2 ; curentul de colector IC2 este curentul de bază pentru
tranzistorul T1 şi deci poate prelua rolul curentului de comandă IG . Ca urmare, întreruptorul K2
se poate deschide şi curentul de comandă pe poarta tiristorului IG , se poate întrerupe, deoarece
cele două tranzistoare se comandă reciproc şi conducţia prin ansamblul format de ele, adică prin
tiristor, se automenţine.

40
 + -
RC K1 UP
VT
E2 B2 C2 A T2
A
p n p T2 I T=I E2
I T =IE2 I C2
IT
I B2
C1 B1 E1 I C1 T1 I E1
K K
T1 n p n X
I E1 id I B1
Y VG
G IG IG
R G K 2 UC Cb G
+ -

a) b)

Acest fenomen, numit reacţie internă de curent, poate fi iniţiat dacă prin tiristor trece un curent
mai mare decât curentul de acroşare, notat IL şi se menţine, la scăderea lentă a curentului până la
o valoare numită curent de menţinere, notat IH ; aşa cum s-a precizat, curentul de comandă trebuie
să îndeplinească anumite condiţii de amplitudine şi durată care vor fi detaliate

41
 + -
RC K1 UP
VT
E2 B2 C2 A T2
A
p n p T2 I T=I E2
I T =IE2 I C2
IT
I B2
C1 B1 E1 I C1 T1 I E1
K K
T1 n p n X
I E1 id I B1
Y VG
G IG IG
R G K 2 UC Cb G
+ -

a) b)

Legătura dintre curentul direct prin tiristor şi curentul de comandă :

- pentru tranzistorul T1 , care are purtători de sarcină majoritari negativi:

I C1 = α n I E1 + I CB 01
I B1 = (1 − α n ) I E1 − I CB 01
I E1 = I T + I G
I B1 = I C 2 + I G
42
 + -
RC K1 UP
VT
E2 B2 C2 A T2
A
p n p T2 I T=I E2
I T =IE2 I C2
IT
I B2
C1 B1 E1 I C1 T1 I E1
K K
T1 n p n X
I E1 id I B1
Y VG
G IG IG
R G K 2 UC Cb G
+ -

a) b)

- pentru tranzistorul T2 , care are purtători de sarcină majoritari pozitivi :

I C 2 = α p I T + I CB02

IT = I E2
Rezulta:
I B1 + I CB 01
I E1 =
1− αn
I + I G + I CB 01
IT + IG = C2
1 − αn 43
 + -
RC K1 UP
VT
E2 B2 C2 A T2
A
p n p T2 I T=I E2
I T =IE2 I C2
IT
I B2
C1 B1 E1 I C1 T1 I E1
K K
T1 n p n X
I E1 id I B1
Y VG
G IG IG
R G K 2 UC Cb G
+ -

a) b)

α p I T + I CB 02 + I G + I CB 01
IT + IG =
1− αn
Se notează ICB0 =I CB01 +I CB02

α n I G + I CB 0
IT =
1 − (α n + α p )

44
 Deoarece αnIG>>ICB0 , dacă se neglijează curentul ICB0 , se poate calcula câştigul în curent la
amorsarea tiristorului, Gon , definit ca raportul dintre curentul principal, IT şi curentul de
comandă, IG

IT αn
Gon = =
I G 1 − (α n + α p )

Coeficienţii αn şi αp depind de structura cristalului semiconductor, de temperatura de

lucru şi de curentul IT , aşa cum se vede în graficul de mai jos:
1
α
T3 αn
0,8

T1 T2 T1 < T2 < T3
0,6

0,4 T3 T2
αp
0,2
T1
I T [A]
0
-4 -2 0 2
10 10 10 10 45
 2.2. CARACTERISTICILE STATICE

- pentru circuitul de forţă i=f(v), care reprezintă variaţia curentului prin tiristor ca funcţie de
tensiunea la bornele acestuia ;

- pentru circuitul de comandă iG=f(vG).

46
2.2.1. Caracteristica statică a circuitului de forţă

IT 2
CI

I G =0
VRSM IL 4
IH
1
-VT VBR VRRM I DM VT
IRM VT0 VDRM V B0
I G =0 VDSM
3
CIII

-IT
47
 IT 2
CI

I G =0
VRSM IL 4
IH
1
-VT VBR VRRM I DM
VT
IRM VT0 VDRM V B0
I G =0 VDSM
3
CIII

-IT

La polarizare directă a tiristorului , dar în absenţa curentului de comandă (IG=0), punctul static
de funcţionare parcurge porţiunea 1 din cadranul CI. Tiristorul este blocat în direct, iar
caracteristica este de fapt caracteristica inversă a joncţiunii J2. În această situaţie, αn+αp«1 şi
prin tiristor trece un curent foarte mic, atâta timp cât tensiunea este inferioară tensiunii de
autoamorsare (tensiune de basculare), notată VB0 . La atingerea acestei tensiuni, începe procesul
de generare în avalanşă a purtătorilor de sarcină, purtători care suplinesc lipsa curentului de
comandă şi determină amorsarea tiristorului
Tiristorul parcurge rapid zona instabilă 4, de rezistenţă negativă, determinată de
creşterea foarte accentuată a numitorului ecuaţiei tiristorului 1-(αn+αp). Astfel, tiristorul trece în
zona 2 a caracteristicii statice care corespunde stării de conducţie şi se comportă asemănător cu
o diodă în conducţie : la curenţi mari (sute de amperi), căderile de tensiune sunt mici
(1… 2V).
48
 IT 2
CI

I G =0
VRSM IL 4
IH
1
-VT VBR V I DM VT
RRM

IRM VT0 VDRM V B0

I G =0 VDSM
3
CIII

-IT

Această comportare a tiristorului în absenţa curentului de comandă este posibilă, dar nu este
dorită şi utilă în convertoarele statice de putere. Tensiunea VB0 nu trebuie atinsă în cursul
funcţionării normale. Pe măsură ce curentul de comandă creşte, tensiunea VB0 scade. Pentru
IG=0 , în catalogul de tiristoare se indică tensiunea directă repetitivă maximă, notată VDRM ,
care reprezintă tensiunea maximă pe care tiristorul o poate bloca la polarizare directă în mod
repetitiv, fără să se producă fenomenul de autoamorsare.

49
 IT 2
CI

I G =0
VRSM IL 4
IH
1
-VT VBR V I DM VT
RRM

IRM VT0 VDRM V B0

I G =0 VDSM
3
CIII

-IT

Zona 2 a caracteristicii directe corespunde tiristorului în conducţie. În această stare tiristorul

ajunge dacă este străbătut de un curent direct mai mare decât curentul de acroşare (IT >IL ) şi
rămâne în conducţie dacă este străbătut de un curent direct mai mare decât curentul de menţinere
(IT >IH ) .

Ca şi la diode, caracteristica de conducţie este dependentă de temperatura de lucru a tiristorului

şi se aproximează cu o dreaptă definită de ecuaţia :

vT = VT 0 + rT iT

50
 IT 2
CI

I G =0
VRSM IL 4
IH
1
-VT VBR V I DM VT
RRM

IRM VT0 VDRM V B0

I G =0 VDSM
3
CIII

-IT

- rT este rezistenţa dinamică a tiristorului, dată în catalog şi definită prin

dvT
rT =
d iT

- VT0 este tensiunea de prag şi reprezintă punctul de intersecţie al caracteristicii de

conducţie cu abscisa, fără să aibă semnificaţie fizică, aşa cum are în cazul diodei

51
În cataloage, pentru fiecare tiristor sunt prezentate caracteristicile de conducţie, ca valori tipice şi
valori limită, pentru două temperaturi ale joncţiunii (25°C şi 125°C). Se observă că atât
rezistenţa diferenţială rT, cât şi tensiunea de prag sunt dependente de temperatura joncţiunii : rT
creşte, în timp ce VT0 scade cu creşterea temperaturii. În cataloage valorile rT şi VT0 sunt date
pentru joncţiunea la cald (125°C).

1000
a) T vj =25o C
800
IT
[A] 600
b) Tvj=125 o C
400

200

0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8
VT [V]

Caracteristica de conducţie a tiristorului T128N

52
 IT 2
CI

I G =0
VRSM IL 4
IH
1
-VT VBR V I DM VT
RRM

IRM VT0 VDRM VB0

I G =0 VDSM
3
CIII

-IT

La polarizare inversă a tiristorului, acesta se comportă ca o diodă polarizată invers. Ca urmare,

caracteristicile inverse ale tiristorului şi diodei sunt asemănătoare. În zona 3 tiristorul este blocat
în invers şi, la aplicarea tensiunii inverse, prin el trece un curent foarte mic, considerat neglijabil
în cadrul convertoarelor statice de putere. Tiristorul rămâne blocat indiferent de existenţa sau
absenţa curentului de comandă IG . Existenţa curentului modifică totuşi alura caracteristicii,
determinând o uşoară creştere a curentului invers, la aceeaşi tensiune inversă, deci o creştere a
puterii dezvoltate, putere inutilă din punctul de vedere al utilizatorului. Aşadar, existenţa
curentului de comandă trebuie evitată la polarizarea inversă a tiristorului.

53
La depăşirea tensiunii de străpungere VBR , apare multiplicarea prin avalanşă a purtătorilor şi, ca
urmare, creşterea puternică a curentului invers. Acesta determină creşterea puterii dezvoltate,
ceea ce are drept consecinţă distrugerea termică a tiristorului. În scopul evitării apariţiei acestui
fenomen, în cataloagele producătorilor de tiristoare nu este indicată tensiunea VBR , ci tensiunea
VRRM , numită tensiune inversă repetitivă maximă ; VRRM reprezintă valoarea de vârf a
tensiunii inverse ce poate fi aplicată tiristorului, periodic (repetitiv), fără ca el să se deterioreze.
Curentul invers corespunzător tensiunii VRRM este curentul invers maxim, notat IRM şi indicat
de asemenea în cataloage. Unii producători dau şi tensiunea VRSM , tensiunea inversă maximă
accidentală, care poate fi suportată de tiristor în mod singular, fără să se străpungă. Străpungerea
tiristorului este ireversibilă şi înseamnă distrugerea structurilor semiconductoare, acestea
pierzându-şi proprietatea de conducţie unidirecţională.

Caracteristica inversă depinde şi ea de temperatură, deoarece curentul invers este cauzat, în

principal, de energia furnizată electronilor prin agitaţie termică : deci la temperatură mai mare,
curentul invers este mai mare, pentru aceeaşi tensiune inversă aplicată la bornele tiristorului.
Această caracteristică nu se indică însă în catalog.

la polarizare directă în conducţie, curenţii sunt mari şi tensiunile mici, iar la polarizare
inversă şi în stare blocată în direct, curenţii sunt mici şi tensiunile mari.
54