CAPITOLUL I DISPOZITIVE ELECTRONICE PASIVE, TUBURI ELECTRONICE I SEMICONDUCTOARE 1.1. Circuite electronice pasive: 1.1.

1 Rezistorul Rezistorul este caracterizat printr-o relaie de proporionalitate ntre tensiunea aplicat la bornele sale i intensitatea curentului ce trece prin el (legea lui Ohm: I = U/R). Principalul parametru al unui rezistor este rezistena nominal. n practic se utilizeaz rezistoare cu valori ale rezistenelor standardizate. De obicei, fabricanii adopt un ir de valori (10, 11, 12, 13, 15, 16, 18, 20, 22, 24, 27, 30, 33, 36, 39, 43, 47, 51, 56, 62, 68, 75, 82, 91, 100) care, nmulite cu puteri ale lui 10, asigur rezistene n limitele 10 W - 10 MW. Prin combinarea (legare serie sau paralel) unora din aceste valori, se pot obine toate celelalte valori care lipsesc din serie. Alegerea s-a fcut innd seama de un alt principiu al rezistenelor: tolerana, care indic, n procente, precizia valorii nominale a rezistenei. Cu seria de valori dat mai sus, se asigur prin fabricare o abatere de cel mult 5% de la valoarea nominal nscris pe rezistor. Dac din serie se elimin valorile 11, 13, 16, 20, 24, 27, 30, 36, 43, 51, 62, 75 i 91 se obin valori care asigur o precizie de cel puin 10%, iar dac se pstreaz numai valorile 10, 15, 22, 23, 47, 68, 100, aceast serie are valori precizate cu o eroare de maxim 20%. Se poate verifica faptul c, pentru fiecare serie, o valoare plus toleran respectiv este egal (aproximativ) cu valoarea imediat superioar minus tolerana. De exemplu: 56 + 5% 62 5% 39 + 10% 47 10% 33 + 20% 47 20% Pentru cazuri deosebite, se construiesc i folosesc i rezistoare cu tolerane mai mici (2%, 1% i 0,5%). Pe fiecare rezistor, fabricantul nscrie obligatoriu valoarea nominal a rezistenei i tolerana. Aceasta se poate face fie n clar, fie utiliznd un cod literal, fie unul al culorilor. Codurile literale pot fi diferite n funcie de fabricant dar cel mai des ntlnit folosesc simbolurile: R - uniti K - kilo M - mega

F - toleran 1% G - toleran 2% I - toleran 5% K - toleran 10% M - toleran 20% De exemplu, notaia 1R5F semnific 1,5 toleran 1%, 4K7I - 4,7 k 5%, 2M2K - 2,2 M 10 %. Dac litera corespunztoare toleranei lipsete, sau dac aceasta nu este nscris n clar, ea se consider 20%. Codul culorilor utilizeaz benzi de diferite culori cu semnificaii bine precizate (figura 1.1.1). Prima band se consider cea care este cea mai apropiat de unul din capetele rezistorului.

. Fig.1.1.1. Primele dou benzi (I i II) reprezint cifre semnificative, a treia - numrul de zerouri (puterea lui 10 cu care se nmulete numrul citit pe primele dou benzi) i ultima - tolerana., conform celor prezentate n tabelul urmtor:

Rezistorul: reprezint un element pasiv de circuit u(t)=u(i(t),t) - caracteristica de tensiune i(t)=u(u(t),t) - caracteristica de curent Rezistorul reprezint un fir conductor care fiind parcurs de un curent electric degaj cldur. Nu produce cmp electromagnetic, nu conine surse de cmp electric strin.

Tipuri de rezistoare: 1)rezistorul liniar invariabil in timp i(t) R u(t)

Fig.1.1.2 u, i n acelai sens ecuaia de funcionare: u(t)=R i(t) unde: R(rezistena) i(t) = Gu (t); G - conductana i se msoar n -1 sau 1S=1-1 (Siemens) Nu ntotdeauna conductana reprezint inversul rezistenei (numai n curent continuu) Caracteristica tensiune-curent n cazul curentului liniar e reprezentat printr-o dreapt ce trece prin origine => tensiunea i curentul au aceeai form de variaie la bornele rezistorului. 0 i Fig.1.1.3 Dac rezistena tinde la 0 caracteristica devine u = 0 i ramura i devine un scurtcircuit, iar daca rezistena tinde la deci G0 atunci ramura devine o ramur deschis (deci ramura funcioneaz n gol). 2) rezistorul liniar variabil n timp numit i parametric i(t) R u(t) Fig.1.1.4. ec: u(t)=R(t)i(t) reprezentat n planul tensiune - curent 3) Rezistoare neliniare - caracteristica tensiune - curent nu este o dreapt Ecuaia de funcionare: a) f(u(t),i(t),t)=0 dac rezistorul este variabil n timp b) f(u(t),i(t))=0 dac rezistorul este invariabil in timp 0 i

Legarea n serie a rezistoarelor Considerm un numr de trei rezistene, R1, R2 i R3 legate n serie cuplate la o surs de tensiune U(figura 1.1.5). Prin circuitul format de cele trei rezistene alimentate la tensiunea U va trece un curent I.

Fig.1.1.5 Cderile de tensiune la bornele celor trei rezistene vor fi : U1 =IR1 ; U2= IR2 ; U3= IR3 ; U = IRech Dar U = U1+ U2 + U3 rezult IRech = IR1+ IR2 +IR3 Dup prelucrare rezult:

Rech = R1+ R2 + R3 (1.1.1)

Legarea n paralel a rezistoarelor Considerm un numr de trei rezistene, R1, R2 i R3 legate n paralel cuplate la o surs de tensiune U(figura 1.1.6).

Fig.1.1.6. Prin circuitul format de cele trei rezistene alimentate la tensiunea U va trece un curent I, care conform legii lui Kircoff se mparte n trei cureni I1, I2 i I3. Cderile de tensiune la bornele celor trei rezistene vor fi egale.
I1 = U , R1 I2 = U U U , I3 = ,I = dar I = I1+I2+I3 rezult: R2 R3 Rech 1 1 1 1 + + = dup prelucrare rezult R1 R2 R3 Rech

U U U U + + = sau R1 R2 R3 Rech

Rech =

R1 + R2 + R3 R1 R2 + R1 R3 + R2 R3

(1.1.2)

Not: Ecuaia de mai sus se poate generaliza pentru n rezistene legate n paralel. 1.1.2. Condensatorul Un condensator este un dipol care poate nmagazina energie electric, prin intermediul unui cmp electric. Un condensator este caracterizat de capacitatea C, care depinde de constanta dielectric a materialului izolant (permitivitatea electric), de suprafaa plcilor conductoare A i de distana d, dintre acestea, conform relaiei: (1.1.3) Simbolul unui condensator i sensurile de referin ale tensiunii i curentului (convenia pentru receptor) sunt:

Figura 1.1.7 - Reprezentarea simbolic a condensatorului i sensurile de referin Unitatea de msur a capacitii C a unui condensator este Farad ( ) i, innd cont de expresia anterioar, este intrinsec, pozitiv. n cazul n care elementul este n repaus, curentul ce parcurge un condensator este direct proporional cu derivata n raport cu timpul a tensiunii la bornele sale, multiplicat cu C: (1.1.4) Similar inductanei, o prim observaie ce se poate face, cu referire la expresia de mai sus, este c, n cazul n care tensiunea este constant n timp, curentul ce l parcurge este nul. Aceasta corespunde situaiei atingerii regimului permanent ntr-un circuit alimentat n curent continuu (DC); n aceast situaie, un

condensator este echivalent cu un circuit deschis, deoarece

Fig.1.1.8. n ceea ce privete puterea la bornele unui condensator, se poate scrie: (1.1.5) Similar unei inductane, semnul puterii la bornele unui condensator depinde de semnele tensiunii i ale derivatei acesteia; aceasta nseamn c un condensator poate absorbi sau furniza energie. Energia care parcurge condensatorul se poate calcula: , (1.1.6)

n care este energia nmagazinat la momentul . Considernd sensurile de referin ale tensiunii i curentului corespunztoare conveniei pentru receptor, se observ: dac (tensiunea la borne i derivata sa au acelai semn), condensatorul absoarbe energie, crescnd energia nmagazinat; dac (tensiunea la borne i derivata sa au semne diferite), condensatorul furnizeaz energie, restituind energia nmagazinat. Parametrii condensatoarelor Capacitatea nominal CN(F) reprezint valoarea capacitii care se dorete a se obine n procesul de fabricaie i se marcheaz n general pe corpul condensatorului. Tolerana t(%) reprezint abaterea reletiv maxim a valorii reale a condensatorului fa de valoarea sa nominal. Tensiunea nominal UN (V) este tensiunea continu maxim sau cea mai mare valoare efectiv a tensiunii alternative care se poate aplica n regim continuu de funcionare la bornele condensatorului.

Tangenta ungiului de pierderi tg, se definete ca raportul ntre puterea activ disipat de condensator i puterea reactiva acestuia. Dac se folosete circuitul echivalent al condensatorului prezentat n figura de mai jos tangenta unghiului de pierderi are expresia :

Fig.1.1.9

(1.1.7) Coeficientulde variaie cu temperastura (K-1) se definete prin relaia : (1.1.8) n cazul unei variaii liniare a capacitii cu temperatura se poate folosi relaia :

Unde mrimile au urmtoarea semnificaie : C25 valoarea capacitii la temperatura T25 (250 C) Rezistena de izolaie Riz() se definete ca raportul dintre tensiunea continu aplicat unui condesator i curentul ce strbate acel condensator la un minut dup aplicarea tensiunii. Intervalul temperaturilor de lucru (Tmin - Tmax)(0C), se definete ca intervalul de temperaturn care condensatorul poate funciona un timp ndelungat. Acest interval depinde n principal de natura dielectricului dar i de celelalte materiale utiliyate la realizarea condensatorului.

Elemente parazite L, R Orice condensator prezint elemente parazite de tip inductiv i rezistiv, elemente ce depind de structura constructiv i de materialele folosite. Se poate da urmtoarea schem echivalent pentru o clas mare de condensatoare :

Fig.1.1.10. Schema echivalent a unui condensator real Semnificaia elementelor din schema de mai sus este urmtoarea: rs rezistena armturilor i a rerminalelor ; L inductana armturilor i reminalalor ; Rp rezistena de pierdei n dielectic ; Riz rezistena de izolaie. Schema din figura a poate fi echivalat cu o schem serie unde R ES i CES au valorile date de relaiile :

Aceast modelare ne d o imagine asupra comportrii condensatorului n gama de frecven. Se observ c, la frecvene diferite, capacitatea echivalent C ES variaz. Este posibil ca, peste pulsaia de rezonan, caracterul capacitiv s se transformr n caracter inductiv (capacitate negativ).

Structura constructiv a condensatoarelor Condensatoare ceramice monostrat

Fig.1.1.11.

Condensatoare ceramice multistrat.

Fig.1.1.12. a) seciune ; b) cip neprotejat ; c) condensator protejat Condensator cu polistiren(stiroflex)

Fig.1.13. Marcarea condensatoarelor Condensatoarele se marcheaz fie n clar fie prin codul culorilor. La marcarea n clar conform figurii a) se marcheaz capacitatea nominal i tolerana. (C = 68 pF, t=+10%). Pentru indicarea tipului dielectricului se folosesc litere A,H, P, U pentru tipul I i X,Y, Z pentru tipul II. Cunoscnd tipul dielectricului putem extrage ceilali parametrii din catalog.

Fig.1.14 Marcarea prin codul culorilor se face conform figurii b). n figur sunt date 3 situaii posibile : marcarea cu 3,4 sau 5 bare colorate. Semnificaia cifrelor este urmtoarea : 1 coeficientul de variaie cu temperatura, 2 prima cifr semnificativ ; 3 a doua cifr semnificativ, 4 coeficientul de multiplicare ; 5 tolerana.

Legarea n serie a condensatoarelor Schema de legare este prezentat n figura. nr.1.1.15

Fig.1.1.15. Sarcina unui condensator este dat de relaia:

Q = C U unde:
C este capacitatea condensatorului i U este tensiunea de la bornele lui. n cazul legrii acestora n serie, n momentul ncrcrii acestora, curentul ce le strbate este acelai. Sarcina echivalent a celor trei condensatoare este dat de relaia:

Qech = Cech U Qech = Q1=Q2=Q3

In aceasta grupare fiecare condensator are aceiai sarcin Q datorit fenomenului de inducie electrostatic. Pe fiecare dintre cele trei condensatoare legate n serie va exista o cdere de tensiune. Suma cderilor de tensiune de la bornele celor trei condensatoare este:

U = U 1 + U2 + U3
Fiecare din condensatoarele legate n serie va avea o sarcin dat de relaiile:

Q1 = C1 U1; Q2 =C2 U2; Q3 =U3 C3

Din relaiile de mai sus deducem:
U = Qech Q U1 = 1 C ech C1 U2 = Q2 C2 U3 = Q3 rezult: C3

Qech Q1 Q2 Q3 1 1 1 1 sau dup prelucrare = + + = + + C ech C1 C 2 C 3 C ech C1 C 2 C 3

(1.1.9)

Deci

C ech =

C1 C 2 + C1 C 3 + C 2 C 3 C1 + C 2 + C 3

Legarea n paralel a condensatoarelor Schema de legare este prezentat n figura. nr.1.1.16.

Fig.1.1.16.

Sarcina unui condensator este dat de relaia:

Q = C U unde:
C este capacitatea condensatorului i U este tensiunea de la bornele lui. n cazul legrii acestora n serie, n momentul ncrcrii acestora, curentul ce le strbate este acelai In cazul acestui tip de grupare, se observ c fiecare condensator este conectat la aceiai diferen de potenial U i va avea corespunztor sarcina:

Q1 = C1 U; Q2 = C2 U; Q3 = C3 U;
Capacitatea echivalent ce trebuie determinat este capacitatea acelui condensator care - pus n locul gruprii i aplicndu - i- se diferena de potenial U - se ncarc cu o sarcin egal cu suma sarcinilor cu care s-au ncrcat condensatoarele din grupare: Deci la bornele AB vom avea:

Q = CU; unde Q = Q1 + Q2 + Q3
nlocuind vom obine:

CU = C1U + C2U + C3U

mprim relaia cu U si vom obine relaia: C = C1 + C2 + C3 (1.1.10) cu care se calculeaz capacitatea echivalenta a gruprii condensatoarelor n paralel. 1.1.3. Inductana O inductan ideal este un dipol care poate nmagazina energia prin intermediul unui cmp magnetic. Ea este realizat dintr-un anumit numr de spire de material bun conductor electric, care, cel mai adesea, nconjoar un circuit din material feromagnetic (bun conductor al cmpului magnetic), a crui funcie este de a concentra liniile de cmp magnetic induse de curentul ce parcurge bobina. O inductan este caracterizat de inductivitatea proprie L, care depinde de numrul de spire N i de reluctana magnetic a circuitului magnetic relaiei: , conform

(1.1.11) Simbolul unei inductane i sensurile de referin ale tensiunii i curentului (convenia pentru receptor) sunt:

Figura 1.1.17 - Reprezentarea simbolic a inductanei i sensurile de referin Unitatea de msur a inductivitii proprii L a unei inductiviti este Henry ( ) i, innd cont de expresia anterioar, este intrinsec, pozitiv. n cazul n care elementul este n repaus, tensiunea la bornele unei inductane este direct proporional cu derivata n raport cu timpul a curentului ce o parcurge, multiplicat cu L: (1.1.12) O prim observaie ce se poate face, cu referire la expresia de mai sus, este c, n cazul n care curentul este constant n timp, tensiunea la bornele unei inductane este nul. Aceasta corespunde situaiei atingerii regimului permanent ntr-un circuit alimentat n curent continuu (DC); n aceast situaie, o inductan este echivalent cu un conductor perfect (scurt-circuit), deoarece .

Fig.1.1.18 n ceea ce privete puterea la bornele unei inductane, se poate scrie: (1.1.13) Spre deosebire de expresia puterii la bornele unui rezistor, semnul puterii la bornele unei inductane, depinde de semnele curentului ce o parcurge i al derivatei acestuia n raport cu timpul; aceasta nseamn c o inductan poate absorbi sau furniza energie. Energia care parcurge inductana se poate calcula:

, n care

(1.1.14)

este energia nmagazinat la momentul . Considernd sensurile de referin ale tensiunii i curentului corespunztoare conveniei pentru receptor, se observ: dac (curentul i derivata lui au acelai semn), inductana absoarbe energie, crescnd energia nmagazinat; dac (curentul i derivata lui au semne diferite), inductana furnizeaz energie, restituind energia nmagazinat. n practic, datorit tehnologiei de realizare, cea mai mare parte a rezistoarelor real au i un anumit comportament inductiv, ceea ce nseamn c modelul real al uni rezistor se obine nseriind un rezistor ideal de valoare R a rezistenei, cu o inductan , aa cum se vede n figura de mai jos.

Figura 1.1.19- Schema echivalent a unui rezistor real O bobin este realizat dintr-un anumit numr de spire din material conductor, a crui conductivitate este foarte bun; chiar i aa, datorit rezistivitii materialului conductor, o bobin va avea i un caracter rezistiv. Un model real al unei bobine, se obine nseriind cu inductana L, un rezistor cu valoare mic a rezistenei , aa cum se vede n figura de mai jos.

Figura 1.1.20- Schema echivalent a unei bobine reale NOT - Modelele prezentate nu sunt unice; au fost considerate acele modele care, n contextul cursului de fa, pot explica majoritatea fenomenelor studiate. Pentru situaii particulare, sau pentru obinerea unor precizii mai mari, pot fi considerate modele mai complexe.

1.2. Emisia termoelectronic 1.2.1. Procedee de emisie a electronilor Descoperirea razelor catodice i manipularea lor, au permis scoaterea lor n spaiul din afara tubului de descrcare, prin "ferestre" subiri care separau spaiul din tub, de presiune sczut, de cel exterior, de presiune ridicat. Se putea deci lucra cu astfel de radiaii, n condiii relativ comode. Existau i alte fenomene care ulterior s-au dovedit emitoare de electroni. Astfel, n 1873, Gutrie a observat c metalele nclzite la rou se ncarc ntotdeauna negativ. n 1883, Edison constata c n tuburile lui vidate i cu filament, apare un curent electric ntre filament i un alt electrod introdus n balon dac filamentul se nclzete la rou. Acest curent nu putea fi explicat asemntor cu cel la razele catodice sau canal, deoarece n vidul naintat din tub, nu existau atomi sau molecule. n 1899, J.J.Thomson a msurat raportul q / m pentru "ionii" negativi emii cu ocazia nclzirii filamentului. El a constat c aceti ioni sunt de fapt identici cu cei din razele catodice, deci au fost identificai cu electronii. Din 1902, Richardson a nceput un studiu amnunit al emisiei de electroni de ctre metale i corpuri nclzite. Cu aceasta ocazie, el a trasat primele caracteristici "moderne" ale diodei cu vid n care a evideniat prezenta zonei neliniare la nceputul caracteristicii i a zonei de saturaie ctre sfritul acesteia. El a explicat aceasta emisie prin eliberarea electronilor prezeni n metale i care nu pot iei din cauza prezentei la suprafaa metalului a unui potenial de frnare. Acest potenial este rezultatul forei electrostatice imagine care apare cnd un corp neutru iniial, pierde o sarcina electric. *) Richardson a reuit s determine relaia care guverneaz emisia termoelectronic a unitii de arie a unui metal nclzit la temperatura T (absolut). Relaia presupune cunoaterea dependenei densitii de electroni din metal, de temperatur. Legea dedus de Richardson era de forma:

i = A *Tn exp (-(e*V0) / (k*T)) (1.2.1)

unde n este un exponent care are valoarea 1/2 n ipoteza independenei de temperatur a densitii de electroni din metalul nclzit i 2 dac aceasta densitate depinde de temperatur dup puterea 3/2 a temperaturii T. A este o constant de material, k - constanta lui Boltzmann, iar V0 este potenialul barierei de la suprafaa metalului. Electronul pentru a putea iei din metal, trebuie s efectueze lucrul mecanic eV0 .

Datele experimentale de atunci nu au putut hotr valoarea exponentului n, dar dup lucrrile lui M. von Laue, Dushman i Sommerfeld (bazate pe mecanica cuantica ), a rezultat c valoarea n = 2 este cea corect. n acelai timp s-a determinat i A = 120 Amper/cm2/grad. Msurtorile experimentale au artat ca valoarea lui A de mai sus, este cea ideal, cazurile reale indicnd valori mult mai mici:

iar valorile lucrului de extracie al electronului ( eV0 ) pentru cteva metale, este:

1.2.2. Emisia termoelectronic. Catozii tuburilor cu vid. Tuburile utilizate n amplificatoarele i oscilatoarele de radiofrecven de putere, numite n general tuburi de emisie trebuie s poat disipa puteri mari pe anozi (20W 100kW), funcionnd cu tensiuni anodice mari (0,5 25kV) n acord cu puterea furnizat, s suporte impulsuri de curent anodic cu amplitudini mari (10 1000A). Pentru puteri utile mici i medii (pn la 2kW), se folosesc triode, tetrode cu fascicul dirijat i pentode, iar la puteri mai mari numai triode i tetrode cu fascicul, deoarece grila supresoare a pentodelor nu permite ca anodul s disipe puteri mari. Tuburile de emisie au o construcie special, diferit de a tuburilor pentru semnale mici (tuburi de recepie). Funcionarea tuburilor electronice cu vid se bazeaz pe emiterea de electroni de ctre metalele nclzite, fenomen numit emisie termoelectronic sau primar. Exist i emisii electronice secundare, produse prin bombardarea unui metal cu electroni sau ioni rapizi (fenomen care apare uneori n tuburi, n mod accidental i nedorit) sau sub influena unui cmp electric foarte intens (emisie autoelectronic).

Fr a intra n detaliile expuse n cursul de fizic, reamintim c intensitatea curentului emis pe unitatea de suprafa a unui metal este cu att mai mare cu ct: - temperatura (T) este mai mare; - lucrul de extracie (W) este mai mic. Catozii tuburilor se realizeaz n special din wolfram, celelalte metale pure avnd capaciti de emisie mici. Wolframul are dou mari avantaje: poate fi nclzit la temperaturi foarte ridicate (Ttopire = 3655 K) i rezist foarte bine la bombardamentul ionilor pozitivi rapizi, reziduali n tuburi. Alte metale pure, n afar de W, nu se utilizeaz pentru construcia catozilor, din diverse motive: se oxideaz uor, au emisie slab, nu pot fi nclzite suficient, nu rezist la bombardamentul ionic, etc. S-a constatat c acoperind filamentele din W cu pelicule din alte metale se obin avantajele temperaturii ridicate suportate de W i ale capacitii de emisie mari a metalelor de acoperire. Dintre toate combinaiile, cea mai avantajoas const dintr-un filament din W pe care se formeaz o pelicul monomolecular din thoriu (Th). Astfel se obin catozii din wolfram thoriat, mult utilizai. Uneori, peste pelicula de Th, se formeaz i o pelicul de carbur de wolfram, pentru reducerea evaporrii thoriului. Se obin catozii din wolfram thoriat carburat. Catozii tuburilor de emisie sunt numai cu nclzire direct din W pur, lucreaz la 2500 2800 K i se folosesc la tuburile de puteri mari. Catozii din wolfram thoriat (eventual i carburat) lucreaz la 1800 2000 K i se folosesc la tuburile de puteri medii i mici (la puteri mari nu rezist bombardamentului ionic, tensiunile de lucru fiind foarte mari). S-a constatat c amestecurile din oxizii unor metale ca bariu i stroniu au emisii termoelectronice mari la temperaturi mici (sub 1200 K). Din astfel de oxizi se construiesc catozii cu nclzire indirect pentru tuburile de mic putere (de semnal mic), numite tuburi de recepie. Astfel de catozi nu se pot utiliza n tuburile de emisie, deoarece cmpul electric mare, creat de tensiunile anodice mari, smulge particule din

amestecul de oxizi, distrugnd catodul; n plus nu rezist la bombardamentul ionic. Eficienele diverilor catozi, n "curent emis (mA/cm 2) / putere consumat (W/cm2)", (deci n mA / W) sunt date n tabelul 1.2.2.

Constructiv, catozii pot fi (fig.1.2.1): - cu nclzire direct simple filamente nclzite; - cu nclzire indirect filamentele din W sunt izolate cu ceramic de suprafeele emisive, acoperite cu oxizi.

Fig. 1.2.1. Catozi pentru tuburi cu vid: a) cu nclzire direct; b) cu nclzire indirect

Catozii tuburilor au o durat de via limitat, determinat de reducerea emisiei pn la un procent (indicat de constructor) din valoarea iniial. n toate cazurile, scderea emisiei se datoreaz evaporrii substanei active, iar acest fenomen este cu att mai intens cu ct temperatura de lucru este mai ridicat, deci cu ct curentul de filament (I f), respectiv tensiunea de filament (Uf) sunt mai mari; o cretere cu 1% a U f reduce viaa tubului cu 13% i invers. Pe de alt parte, curentul emis de filament (curentul catodic Ic) este cu att mai mare cu ct temperatura este mai mare, deci cu ct I f i Uf, sunt mai mari.

Deoarece n funcionare necesitile de curent catodic variaz, este recomandabil s se reduc Uf n acord cu Ic necesar, prelungind astfel durata de utilizare a tubului. 1.2.3. Efectul fotoelectric Cmpul electromagnetic al undelor luminoase interacioneaz cu substanele asupra crora se proiecteaz. Interaciunea const din transferul energiei asupra particulelor subatomice, n special asupra electronilor. Electronii pot primi suficient energie care depete forele de atracie atomice, iar electronul prsete substana. Acest electron poart numele de fotoelectron iar emisia este denumit emisie fotoelectronic sau efect fotoelectric extern. S-a constatat experimental c numrul electronilor emii n unitatea de timp sub aciunea luminii este proporional cu fluxul de energie luminoas. Energia total pe care o primete un electron de la lumin este proporional cu frecvena radiaiei, i nu cu intensitatea fluxului, ceea ce a fcut necesar introducerea conceptului de cuante de energie i de foton, de ctre Plack i Einstein. 1.2.3.1. Efectul fotoelectric in semiconductori Dac un semiconductor este supus cmpului eletromagnetic al undelor luminoase, energia transportat de fotoni disloc electroni de la nivelul atomilor, rezultnd electroni, care se mic liber ca sarcini negative, i ioni, ca sarcini pozitive. Apar astfel purttori de sarcin, care produc scderea rezistentei electrice a semiconductorului, eveniment numit efect fotoelectric. Creterea conductibilitii este proporional cu fluxul luminos ncasat, dar nu este nelimitat, deoarece, o data cu generarea de purtatori de sarcin apare i fenomenul invers, de cuplare a electronilor liberi cu ionii.

Fig1. 2.2. Fotorezistena in circuit Efectul fotoelectric n semiconductori este intern, adic electronii nu prsesc semiconductorul. Energia necesar apariiei electronilor liberi este mai mic dect n cazul metalelor sau al efectului fotoelectric extern, aa nct apare i la energii (frecvene) mai mici, inclusiv sub efectul radiaiei infraroii.

Efectul fotoelectric n semiconductori st la baza construirii fotorezistenelor: un strat de semiconductor este cuplat ntr-un circuit cu o surs de alimentare i un microampermetru. La ntuneric, curentul ce trece prin circuit este foarte mic. Pe msur ce fluxul luminos incident crete, apar purttori de sarcin care duc la scderea rezistentei i deci la creterea curentului n circuit de sute sau chiar mii de ori. Fotorezistentele sunt utilizate n subansamblele de msur ale fluxului luminos (expunere) a aparatelor fotografice sau ca uniti independente (exponometre).

1.2.3.2. Fotoelementul Intr-o jonciune p-n exist un cmp electric la nivelul stratului de baraj, determinat de trecerea electronilor din partea n n partea p i a golurilor n sens invers.

Fig.1.2.3. Fotoelement in circuit Dac se ilumineaz jonciunea, n stratul de baraj apar purttori de sarcin prin efectul fotoelectric intern, iar electronii sunt mpini de ctre cmpul electric n partea n iar golurile n partea p. Aceasta se traduce prin apariia unui curent electric ntr-un circuit exterior, deci jonciunea devine o surs de tensiune i, de aceea, poart numele de fotoelement Fotoelementele sunt utilizate la construcia unor exponometre dar i la realizarea captatorilor digitali ai aparatelor fotografice sau video. 1.2.4. Dispozitive fotovoltaice n general, prin dispozitive optoelectronice se neleg dispozitivele care pot transforma, prin intermediul proceselor electronice, energia radiaiilor luminoase

n semnale electrice (sau energie electric), precum i dispozitivele care transform energia electric n radiaie luminoas (optic). Dup sensul de conversie, deosebim dou categorii de dispozitive optoelectronice: n prima categorie intr dispozitivele care transform energia radiaiei luminoase n semnale electrice: dac se urmrete punerea n eviden a radiaiei i msurarea intensitii dispozitivele se numesc fotodetectoare, iar dac se urmrete obinerea de energie electric, dispozitivele se numesc celule fotovoltaice. n cea de-a doua categorie sunt incluse dispozitivele care transform energia electric n radiaie optic - dispozitivele electroluminiscente i laserii cu jonciuni semiconductoare. Celulele fotovoltaice transform energia luminoas direct n energie electric, cu un randament relativ ridicat (>10%). Procesul de baz n aceste dispozitive este acela de generare de purttori de sarcin sub aciunea radiaiei electromagnetice Efectul fotovoltaic const n apariia unei tensiuni electromotoare ntr-un semiconductor iluminat. Interaciunea dintre un solid i undele electromagnetice determin, printre alte fenomene, absorbia radiaiei incidente. n cazul semiconductorilor, unul din mecanismele absorbiei const n tranziia unui electron din banda de valen n banda de conducie (n urma absorbiei unui foton). n consecin numrul purttorilor de sarcin liberi crete, ceea ce determin creterea conductivitii electrice, fenomen numit fotoconductibilitate (sau efect fotoelectric intern). Generarea perechilor electron-gol sub seciunea luminii este o condiie necesar pentru producerea efectului fotovoltaic dar nu i suficient. Noii purttori de sarcin trebuie s se redistribuie, determinnd apariia unei diferene de potenial ntre suprafaa iluminat i cea neiluminat. Redistribuirea poate fi determinat de: generarea neuniform a purttorilor de sarcin ntr-un semiconductor omogen (efectul Dember); un cmp intern local din semiconductor care poate fi realizat prin doparea diferit a semiconductorului (jonciune p-n); un gradient al timpului de via al purttorilor de sarcin; prezena unui cmp magnetic (efectul fotoelectromagnetic), etc. ntr-un semiconductor intrinsec, banda de conducie este nepopulat la 0K i este separat printr-o band interzis Eg de banda de valen ocupat. Diferena dintre valoarea maxim a energiei n banda de valen i valoarea minim n banda de conducie determin valoarea minim a intervalului de energie interzis. ntr-un semiconductor extrinsec, nivelele energetice ale impuritilor se gsesc n zona interzis, mai aproape de marginea inferioar a zonei de conducie

pentru atomii donori i n vecintatea marginii superioare a zonei de valen pentru atomii acceptori. Deoarece diferena de energie dintre nivelele impuritilor i marginea zonei de valen sau de conducie este mic (0,01 eV) chiar la temperatura camerei, energia termic este suficient pentru ionizarea acestor atomi. Acest lucru explic creterea conductibilitii electrice determinate de impuriti. Pentru majoritatea semiconductorilor intervalul de energie interzis Eg are valori ntre 0,2 i 2,3 eV. Deci vor produce tranziia electronului din B.V. n B.C. fotonii cu frecvene de cel puin:
= Eg h

(1.2.2)

Intervalului energetic 0,2 2,3 eV i corespunde intervalul de lungimi de und 6,2 0,5 m, deci fotonii din domeniul vizibil i infrarou sunt cei ce determin tranziia. Dac notm cu n0 i p0 concentraiile electronilor i golurilor n lipsa iluminrii i la echilibru termic, sub aciunea unui cmp electric E apare un curent de drift cu densitatea: (1.2.3) innd cont de legtura dintre vitezele vn i vp i mobilitile n i p ( vn = n E , v p = p E ) , se obine:
j = e( n0 n + p 0 p ) E = 0 E
j = j n + j p = n0 ev n + p 0 ev p

(1.2.4) (1.2.5)

deci

0 = e( n0 n + p 0 p )

Dac n urma iluminrii concentraiile electronilor i golurilor se modific cu n i p, n = p , schimbarea conductivitii va fi:
n n + p p (1 + b ) n = = 0 n0 n + p 0 p n0 b + p 0

(1.2.6)

n relaia (2.6) s-a notat b = n p . Notm cu coeficientul de absorbie definit ca raportul dintre cantitatea de energie absorbit de unitatea de volum n unitatea de timp i energia incident pe unitatea de suprafa n unitatea de timp. Se poate arta c atunci cnd d<<l (unde d grosimea stratului semiconductor) intensitatea radiaiei este uniform n prob i deci n i p nu variaz n prob. Dac ns d>>l, intensitatea radiaiei la distana z n prob este: I ( z ) = I 0 (1 ) e z (1.2.7)

unde este coeficientul de reflexie la suprafaa iluminat. n consecina va apare un gradient de concentraie care va determina apariia unor cureni de difuzie pentru goluri i electroni. Considernd o variaie liniar a concentraiei, densitile curenilor de difuzie sunt:
j n = eDn n z

(1.2.8) (1.2.9)

j p = eD p

p z

unde Dn i Dp sunt coeficieni de difuzie. Curentul total va fi suma dintre curentul de drift (3) n prezena iluminrii i cel de difuzie:
n p j z = e( n n + p p ) E z + e Dn Dp z z j z = e ( n n + p p ) E z + e ( D n D p ) n z

(1.2.10)

innd cont c: n = n0 + n , p = p0 + i n = p , rezult: (1.2.11)

Aadar, n circuit deschis (jz=0)ntre faa iluminat i cea neiluminat apare un cmp electric:
Ez =

(D

n z nn + p p
n

Dp )

(1.2.12)

i deci o diferen de potenial V. Dac Dn=Dp (atunci cnd n = p) atunci Ez=0 i V=0. ntr-o jonciune p-n, ca urmare a difuziei electronilor din domeniul n n domeniul p i difuziei golurilor n sens invers, apare un cmp electric n stratul de baraj i corespunztor o diferen de potenial (fig. 1.2.4).
p E + + + + n n

x x

p q x x

Fig.1.2.4 Acest cmp electric mpiedic continuarea difuziei i n acelai timp duce la apariia unor cureni de drift care se opun celor de difuzie. n stare de echilibru, curenii de difuzie vor fi egali cu cei de drift, astfel nct curentul rezultant va fi nul. Dac jonciunea p-n este iluminat, se vor crea perechi electron-gol n exces. Dac d>>l, fluxul de fotoni va varia exponenial cu adncimea, conform relaiei (1.2.7). Electronii n exces creai n regiunea p pot difuza prin jonciune i coboar bariera de potenial spre zona n. Golurile n exces create n zona n pot difuza i ele prin jonciune. Apare astfel o sarcin pozitiv pe faa p i una negativ pe faa n. Aceste densiti de sarcin micoreaz diferena de potenial de la j0 la j0 V. Ecuaia de curent tensiune este:
eV kT j = j0 1 e + jL

(1.2.13)

unde: j0 densitatea curentului invers la saturaie n absena iluminrii, V tensiunea aplicat jonciunii, k constanta lui Boltzmann, jL curentul de generare independent de V i direct proporional cu intensitatea iluminrii (determinat de perechile electron-gol generat de lumina incident). Relaia (1.2.12) este ilustrat n fig. 1.2.5, pentru iluminri diferite ale jonciunii. Pentru j=0 se obine din relaia (12) tensiunea n circuit deschis Voc: j kT Voc = ln(1 L ) (1.2.14) e j0 Curentul de scurt circuit se obine punnd condiia V=0 n relaia (1.2.14). Rezult: j sc = j L (1.2.15)
I

Voc
1 2 3 4

Isc

4> 3> 2> 1

Fig. 1. 1.5

1.2.5. Fotodioda Fotodioda este un dispozitiv optoelectronic realizat dintr-o jonciune pn sau un contact metal-semiconductor polarizat invers, cu regiunea de trecere excitat de un flux luminos. Simbolul, modul de polarizare i caracteristicile statice ale fotodiodei sunt prezentate n fig. 1.2.6.

b Fig.1.2.6

Caracteristica curent-tensiune reprezint cele trei zone n care poate funciona fotodioda: cadranul trei, n regim de polarizare invers extern sau regim de fotodiod n care curentul este proporional cu iluminarea. cadranul patru, n regim de polarizare exterioar nul sau regimul de fotoelement, n care prin fotodiod circul un curent dependent de fluxul luminos incident. cadranul unu adic polarizare direct n care fotodioda se comport ca o jonciune pn normal. Parametrii specifici unei fotodiode sunt: curentul de ntuneric ILo , este curentul prin fotodiod la iluminare nul; tensiunea invers maxim VR max , este tensiunea invers maxim ce o poate suporta fotodioda fr s apar multiplicarea curentului n avalan. rezistena dinamic la polarizare invers (1.2.16) sensibilitatea integral ce se poate defini astfel (1.2.17) sau:

(1.2.18) i reprezint variaia curentului la o variaie a fluxului luminos sau a iluminrii.

1.2.5. Fototranzistorul Principiul de funcionare a unui fototranzistor se bazeaz pe efectul fotoelectric intern: generarea de perechi electron-gol ntr-un semiconductor sub aciunea unei radiaiei electromagnetice cu lungimea de und n domeniul vizibil sau ultraviolet. Dac semiconductorul este supus unei diferene de potenial, atunci el va fi parcurs de un curent a crui intensitate va depinde de mrimea fluxului luminos incident. Intensitatea lui poate fi mrit prin utilizarea proprietii structurii de tranzistor de a amplifica curentul. Fototranzistorul (fig.1.2.7.a) este un tranzistor cu regiunea jonciunii emitor - baz expus iluminrii, astfel nct rolul diferenei de potenial dintre baz i emitor este jucat de fluxul luminos incident pe jonciunea emitoare. Generarea de perechi electron-gol contribuie la micorarea barierei de potenial a jonciunii i deschiderea ei mai mult sau mai puin, n funcie de numrul de fotoni incideni. Terminalul bazei poate lipsi sau, dac exist, el permite un control suplimentar al curentului de colector.

Fig.1.2.7. Caracteristicile de ieire ale unui fototranzistor sunt similare cu cele ale unui tranzistor obinuit, cu deosebirea c, n locul parametrului IB apare iluminarea sau fluxul luminos (fig.1.2.7.b).

Sensibilitatea integral a fototranzistorului este mai mare ca la fotodiode datorit amplificrii n curent . Parametrii fototranzistoarelor se aseamn cu ai fotodiodelor i ai tranzistoarelor obinuite. 1.2.6. Dioda luminiscent Este un dispozitiv fotoemitor fiind realizat dintr-o jonciune pn de construcie special, care emite radiaie luminoas pe seama energiei rezultate din recombinarea purttorilor de sarcin. Ea se polarizeaz direct, emind o lumin n spectrul vizibil, ce depinde de materialul semiconductorului utilizat i natura impuritilor. Se realizeaz de obicei din GaP cu impuriti de Zn (rou) sau N(verde). Simbolul, caracteristica curenttensiune i caracteristica spectral sunt prezentate n figura 1.2.8.

Fig.1.2.8 Parametrii specifici unei diode luminiscente sunt: intensitatea luminoas emis la un anumit curent direct lungimea de und la intensitate luminoas maxim P ; 1.2.7. Optocuplorul Optocuplorul este un dispozitiv optoelectronic obinut prin cuplarea optic a unui fotoemitor i a unui fotodetector. Cu ajutorul lui se poate realiza transferul unei comenzi cu izolare galvanic foarte bun ntre intrare i ieire. Cele mai utilizate optocuploare sunt realizate prin cuplare LED fototranzistor. Simbolul unui optocuplor mpreun cu caracteristica de transfer C F I =f(I ) sunt prezentate n figura 1.2.9.

Fig.1.2.9

1.2.8. Dispozitive indicatoare electro -optice Dispozitivele indicatoare electro-optice convertesc informaia electric ntr-o informaie de natur luminoasa. n cadrul acestor dispozitive, o importan deosebit o prezint dispozitivele de afiare alfa - numerice , dezvoltarea acestora fiind impus de extinderea msurrilor numerice. Exist o gam larg de dispozitive de afiare alfa-numerica, ns pentru aparatura de msurat prezint importan numai unele tipuri, care vor fi prezentate n continuare. Dup modul de realizare a cifrelor sau a altor caractere se disting: dispozitive fr sintetizarea caracterelor; dispozitive cu sintetizarea caracterelor, care la rndul lor pot fi cu segmente sau cu matrici. Dispozitivele cu sintetizarea caracterelor cu segmente pot fi cu: 7, 9 14 sau 16 segmente (figura 1.2.10). Dispozitivele cu sintetizarea caracterelor cu matrici conin matrici cu: 3x5 puncte, 4x7 puncte sau 5x7 puncte (figura 2.11). Prin iluminarea difereniat a segmentelor sau punctelor din matrici pot fi sintetizate diferite caractere alfanumerice.

Fig.1.2.10. Sintetizarea caracterelor cu segmente.

Fig.1.2.11. Sintetizarea caracteror cu matrici. Dintre cerinele impuse dispozitivelor de afiare alfa numerice se pot cita: preul de cost / digit mic;

 compatibilitate cu circuitele logice; putere consumat mic; tensiuni mici de alimentare; citirea la ntuneric i /sau n condiii de iluminare; distana i unghi de observare mari; durata mare de via. Principalele tipuri de dispozitive de afiare alfa-numerice sunt: 1. Tuburile Nixie sunt dispozitive de afiare fr sintetizarea caracterelor; ele permit vizualizarea diferitelor simboluri prin comanda descrcrii ntr-un gaz inert (neon). Constructiv sunt realizate din 10 catozi avnd forma cifrelor 0...9 i un anod sub forma de plasa ce nconjoar catozii. Dac ntre catod i anod se aplic o diferen de potenial mai mare dect o valoare numit tensiune de aprindere ( 60...70 V) se amorseaz descrcarea, intensitatea maxim fiind n jurul catodului. Principalul lor dezavantaj este tensiunea mare de alimentare. 2. Afisaele cu diode electroluminiscente (LED). Diodele electro-luminiscente sunt realizate cu arseniur de galiu, fosfor, eventual alte substane i au proprietatea ca n cazul n care sunt direct polarizate (U=1,6...3 V) emit unde luminoase de culoare roie, galben sau verde dup compoziia materialului din care sunt confecionate. Cu ajutorul lor se pot realiza sisteme de afiare cu segmente sau matrici (de regula de culoare roie). 3. Afisajele fluorescente cu vid sunt realizate cu tuburi cu vid cu mai muli anozi acoperii de un luminofor de culoare verde i un catod cald, ntre care se dispune o gril de comand. Dac pe gril se aplic o tensiune de circa 20 V, electronii ajung la anod, iar stratul de luminofor emite lumin verde (ochiul omenesc are sensibilitate maxima la verde). Acest sistem de afiare se construiete cu segmente. 4. Afisaj cu cristale lichide nematice. Anumite substane organice avnd molecule n form de bare, care pot fi ntr-o stare stabil ntre starea solid i lichid, se numesc cristale lichide. n aceste condiii ele au anumite proprieti electrice i optice. n straturi subiri (10 m), dac sunt polarizate electric cu tensiuni de ordinul volilor, ele se ordoneaz prezentnd transparen optic, putnd fi astfel folosite n sisteme de afiare pasiv (cu lumin exterioar), cu segmente sau mai nou, matricial. Au un consum energetic foarte redus (de ordinul W).

Fig.1.2.12. Constructia afiorului cu cristale lichide 5. Afiajul cu tub catodic / cinescop se folosete de obicei la sistemele complexe. Prin utilizarea unor generatoare de caractere sau editoare grafice care aplic simultan tensiuni pe intrrile x, y i z ale osciloscoapului, pe ecran pot fi obinute diferite caractere prin sintetizare. Acest sistem de afiare are un grad de complexitate mare i se utilizeaz mpreun cu sisteme de calcul.

1.3. Tuburi electronice 1.3.1. Dioda cu vid Dioda cu vid este un dispozitiv compus din doi electrozi dispui coaxial ntr-o incint vidat: catodul (emitorul electronic) filiform, plasat pe axa incintei i anodul (colectorul), de form cilindric. Catodul este nclzit la temperaturi ntre 700 0C i 1400 0C i, ca urmare, temperatura ridicat permite acestuia s emit, pe baza fenomenului de emisie electronic, electroni. nclzirea catodului se poate face direct, cnd catodul este un filament adus la incandescen prin trecerea unui curent electric prin el sau indirect, cnd catodul este un cilindru foarte subire, nclzit prin radiaie termic de la un filament aflat n interiorul su. Fenomenul de emisie termoelectronic are loc datorit creterii energiei cinetice de agitaie termic a electronilor liberi din solid pe seama energiei termice exterioare. Curentul de emisie crete cu creterea temperaturii. n vecintatea suprafeei nclzite se formeaz un nor de electroni care se agit haotic. Acest gaz electronic nu se ndeprteaz de suprafaa metalului deoarece electronii extrai las n metal o sarcin pozitiv, echivalent, care i atrage. Prin aplicarea unui cmp electric accelerator, peste o valoare critic a acestuia vor fi culei toi electronii din norul electronic, curentul de emisie atingnd valoarea de saturaie. Richardson i Dushman au stabilit c densitatea de curent a curentului de emisie este dat de:
(1.3.1)

unde W0 reprezint lucrul mecanic (energia) de extracie, care este o constant caracteristic materialului electronoemisiv, iar A o constant ce depinde de natura i starea suprafeei catodului. Folosind schema principial din figura 1.3.1, se pot trasa caracteristicile statice ale diodei(figura 1.3.2).

Fig.1.3.1. Schema diodei cu vid

Fig.1.3.2. Caracteristicile statice ale diodei

Aceste caracteristici prezint trei zone: - zona I (zona de lansare sau zona tensiunilor negative) curentul anodic IA este foarte mic i se poate neglija, el fiind datorat unui numr mic de electroni cu viteze iniiale mari, care pot nvinge cmpul electric frnant, ajungnd la anod. n practic, se consider c aceste caracteristici pornesc chiar din origine, zona I fiind foarte greu de pus n eviden. - zona a II-a (regiunea de sarcin spaial) este zona caracteristicii anodice unde este zona a II-a (regiunea de sarcin spaial) este zona caracteristicii anodice unde este valabil legea 3/2: (1.3.2) - zona a III-a (regiunea de saturaie). IA atinge valoarea maxim, conform relaiei Richardson i Dushman.

Pentru o diod se pot defini parametrii: - rezistena intern static (n curent continuu), R, (1.3.3) rezistena dinamic (n curent alternativ) Ri:

(1.3.4) 1.3.2. Trioda cu vid Const dintr-un balon vidat n care se afl 3 electrozi (fig. 1.3.3): un filament (F) nclzit, cu rol de catod (C); o gril (G) - o spiral sau sit n jurul catodului; un anod (A) colector de electroni n jurul grilei. In circuit, filamentul este nclzit electric de la o surs de nclzire sau de filament i este legat la polul negativ al unei surse de c.c. numit anodic, avnd deci rol de catod. La polul pozitiv al sursei anodice se conecteaz anodul, prin intermediul unei rezistene sau circuit de sarcin. Grila se polarizeaz la potenial negativ sau pozitiv fa de catod, dar ntotdeauna negativ fa de anod, de la o surs separat sau format cu un grup RC (autopolarizare).(Fig.1.3.4) Cnd filamentul este nclzit, emite electroni care sunt atrai de anod. Fluxul de electroni este controlat de cmpul electric gril catod, creat de tensiunea de gril. Grila este plasat aproape de catod astfel c tensiunea de gril influeneaz mult numrul de electroni care trec prin gril spre anod, formnd curentul anodic iA. O parte dintre electroni sunt captai de gril, chiar dac este negativ, formnd curentul de gril iG; cnd grila este negativ, iG este foarte mic iar cnd este pozitiv devine semnificativ. Dac grila este destul de negativ, curentul anodic este nul tubul este blocat.

Fig.1.3.3. Trioda cu vid, construcie i simbol

Fig.1.3.4. Polarizarea triodei

Curentul total de emisie (curentul catodic) este dat de relaia:

(1.3.5) unde uE este tensiunea echivalent anod-catod iar f - factorul de ptrundere al grilei. n general, iG este foarte mic deci iC iA. Pentru o triod, se pot trasa caracteristicile anodice, (1.3.6) i de gril (1.3.7) Caracteristicile anodice ale unei triode sunt, calitativ, aceleai cu ale unei diode. Caracteristicile de gril arat c acest al treilea electrod poate controla curentul anodic prin variaia potenialului aplicat pe el. Astfel, la valori negative (fa de catod, considerat la potenial nul) ale potenialului de gril, mai mari dect o valoare numit tensiune de stopare, curentul anodic este nul, deoarece cmpul electric de frnare, dintre gril i catod, este att de intens, nct nici un electron din norul electronic din jurul catodului nu are suficient energie pentru a-

l nvinge i a ajunge la anod. La valori peste tensiunea de stopare ale potenialului de gril, curentul anodic crete, la nceput mai lent, apoi liniar odat cu creterea acestui potenial, pn cnd se intr n regiunea de saturaie, cnd curentul anodic nu mai crete, ba chiar ncepe s scad uor, datorit faptului c grila este suficient de puternic pozitivat pentru a atrage ea nsui electroni, ceea ce nseamn creterea curentului de gril i, implicit scderea celui anodic.

Fig. 1.3.5. Caracteristicile curentului anodic la triode: a c. de gril, b c. anodice pentru tensiuni de gril negative, c c. anodice pentru tensiuni de gril pozitive Pentru poriunea liniar a caracteristicii de gril, a crei zone de mijloc se gsete de obicei la valori negative ale potenialului grilei, se pot defini parametrii triodei: panta S, rezistena intern Ri i factorul de amplificare, .

(1.3.8)
Cum iA = f(uA, uG), se poate scrie:

(1.3.9)
Pe de alt parte, ntruct

iA = IA + ia ; uA = UA + ua ; uG = UG + ug i deci diA = ia , duG = ug , duA = ua , (1.3.10)

(1.3.11) sau:

Riia = RiSug + ua = ug + ua (1.3.12)

Pentru montajul din figura 3.4, n lipsa semnalului alternativ de gril (ug = 0), mrimile electrice au expresiile: uG = Eg ; iA = IA ; uA = UA = EA RAIA (1.3.13) Mrimile de mai sus determin regimul static de funcionare a triodei. n prezena componentei alternative, ug = Ugmsint , mrimile au expresiile:

uG = EG + ug = EG + ug = Ugmsint iA = IA + ia = IA + ug = Iamsint
(1.3.14)

uA = UA + ua = EA ua = EA ug = Uamsint uA = EA RAiA = EA RA(IA + ia) = EA RAIA RAia = UA - ua

Deci,

(1.3.15)

(1.3.16)
Relaiile de mai sus permit nlocuirea schemelor reale ale circuitului cu triod cu circuiteechivalente. Astfel, relaia (1.3.15) conduce la schema echivalent cu generator de tensiune constant, cu t.e.m. egal cu ug i rezisten intern Ri, ce debiteaz pe o sarcin RA (figura 1.3.6.a) iar relaia (1.3.16) conduce la schema echivalent n care tubul apare ca generator de curent constant, Sug , cu rezistena intern Ri n paralel (figura 1.3.6.b).

Fig.1.3.6 Din relaiile (1.3.15) sau (1.3.16) i schemele echivalente rezult c amplificarea montajului, (1.3.17) Este dat de relaia:

(1.3.18) 1.3.3. Tetroda cu fascicule Este un tub cu 4 electrozi, foarte folosit n circuitele de RF de putere. In tetrode exist o a doua gril numit gril ecran (G2) plasat ntre grila de comand (G1) i anod. Ecranul izoleaz spaiul gril de comand catod de aciunea anodului i ca urmare curentul anodic este puin influenat de tensiunea anodic caracteristicile anodice n regiunea activ sunt aproape orizontale. Ecranul este pozitiv fa de grila de comand i negativ fa de anod. Ca urmare, la tensiuni anodice mici atrage electroni i curentul anodic scade acesta este efectul dinatron. Pentru reducerea acestui efect pn aproape de eliminare, se monteaz dou plci deflectoare iar spirele ecranului sunt coplanare cu spirele grilei de comand. Electronii se deplaseaz n fascicule i puini mai ajung pe ecran (fig. 3.7). Astfel s-a ajuns la tetroda cu fascicule, n present tubul cel mai utilizat n RF pentru puteri de 5-10 ... 250-400kW i frecvene pn la 200 400MHz (mai sus se folosesc triode de nalt frecven cu structur special, cu o parte din circuitele de sarcin incluse n tub).

Fig. 1.3.7. Tetroda cu fascicule: structur i simbol La tretrode curentul anodic depinde de 3 tensiuni: a grilei de comand (uG1), a grilei ecran (uG2) i anodic (uA): Grafic, dependena se exprim prin caracteristici statice ale curentului anodic (fig. 1.3.8): caracteristicile de gril (de comand): caracteristicile anodice:

Fig. 1.3.8. Caracteristicile curentului anodic la tetrode cu fascicul (de gril i anodice)

Fig. 1.3.9. Caracteristici ale curentului de ecran la tetrode Se observ influena redus a tensiunii anodice asupra curentului anodic, care este mult mai mult influenat de tensiunea ecranului. Ecranul fiind pozitiv, exist un curent de ecran (iG2) important; de regul se furnizeaz caracteristicile: care au aspectul din figura 1.3.9 Comparativ cu triodele, tetrodele au rezistena intern Ri din fig. 1.3.8.c, mult mai mare ( Ri triode = 1 ... 50k, Ri tetrode = 50 ... 500k ). Ca urmare, au i || = SRi mult mai mare. Consecina este c tetrodele asigur amplificri n tensiune i n putere mult mai mari dect triodele acesta este un avantaj esenial. Att n cazul tetrodelor, ct mai ales n al triodelor, curentul grilei de comand este mic, dar destul de mare n valori absolute pentru a trebui s fie luat n considerare la proiectare. De obicei se furnizeaz caracteristici de tipul:

la triode i

la tetrode. 1.3.4. Pentoda

Este un tub cu 5 electrozi: catod, anod, gril de comand (G1), gril ecran (G2) i gril supresoare (G3). Grila supresoare este plasat ntre anod i ecran i de regul este conectat la catod. Ca urmare, supresoarea izoleaz foarte bine spaiul catod gril de comand de anod. Curentul anodic depinde foarte puin de tensiunea anodic, depinde practic numai de tensiunea de comand (uG1) i de a ecranului (uG2). De aceea, caracteristicile anodice ale curentului anodic sunt practic orizontale. Urmarea este c Ri pentod este foarte mare (250k ... >1M) deci i amplificrile sunt foarte mari.

Fig. 1.3.10. Pentoda (simbolizare) 1.3.5. Construcia tuburilor electronice de emisie Tuburile utilizate n amplificatoarele i oscilatoarele de radiofrecven de putere, numite n general tuburi de emisie, trebuie s poat disipa pe anozi puteri mari (50W ... 100kW), funcionnd cu tensiuni anodice mari ( 1-2 ... 10-25kV) n acord cu puterea furnizat, s suporte impulsuri de curent anodic cu amplitudini mari (10 ... 200A). Pentru puteri utile mici i medii (pn la 2-3kW), se folosesc triode, tetrode cu fascicul dirijat i pentode iar la puteri mai mari numai triode i tetrode cu fascicul, deoarece grila supresoare a pentodelor nu permite ca anodul s disipe puteri mari. Tuburile de emisie au o construcie special, diferit de a tuburilor pentru semnale mici (tuburi de recepie). Catozii tuburilor de emisie sunt numai cu nclzire direct din wolfram sau wolfram thoriat; alte tipuri nu rezist la supranclzirile frecvente care apar cnd grila devine pozitiv i nu se pot folosi. [Durata de utilizare a catozilor depinde esenial de curentul de nclzire, deci de tensiunea de filament. O variaie de 5% a tensiunii determin njumtirea sau dublarea duratei de funcionare. Frecvent, productorii livreaz graficul curentului de

emisie al catodului n funcie de tensiunea de filament, nct utilizatorul i poate regla regimul n funcie de necesiti.] Grilele tuburilor de emisie se realizeaz din molibden, mai rar din tantal sau wolfram, deoarece trebuie s reziste la temperaturi mari, s disipe puteri mari, dat fiind c tuburile lucreaz adesea cu grile pozitivate i n consecin, curenii grilelor exist i sunt mari. Anozii tuburilor de emisie au construcia i modul de rcire n funcie de puterea disipat. Anozii tuburilor cu putere util pn la circa 2kW se execut din molibden sau tantal, eventual cu nervuri de rcire, fiind plasai, ca i ceilali electrozi, n interiorul balonului de sticl (fig. 6). Evacuarea cldurii se face n principal prin radiaie. Frecvent contactul la anod este n vrful tubului. Anozii tuburilor de putere medie i mare se execut din cupru i se plaseaz n exterior. Astfel, tuburile pot fi montate, cu anodul n jos, n radiatoare cu rcire prin ventilaie liber sau forat. La puteri foarte mari (peste circa 150kW) rcirea se face cu ap: radiatorul este plasat ntr-o incint cu ap care este adus la fierbere iar vaporii sunt circulai prin radiatoare unde se condenseaz iar apa rezultat este reintrodus n circuit. Balonul tuburilor de emisie de puteri mici este din sticl, tuburile se folosesc montate n socluri. Contactul de anod este separat, la una din extremiti. Tuburile actuale de puteri mari sunt realizate n construcii metalo-ceramice: balonul este metalic iar contactele sunt inelare, separate prin inele sau cilindri din ceramic care asigur etanare foarte bun. Asemena tuburi pot fi puternic nclzite pentru degazare, etanarea este perfect i nu necesit instalaii de vidare continu.

Fig. 1.3.11. Tetrod de mare putere (300kW) n execuie metalo ceramic (rcire cu ap) 1.3.6. Amplificatoare de RF cu tuburi de emisie 1.3.6.1. Principiile amplificatoarelor de RF cu tuburi. Sarcina tubului n ARF Ca orice dispozitiv activ n circuit, tuburile trebuie polarizate de la surse de tensiune continu: anodul se polarizeaz de la o surs anodic EA cu + pe anod; catodul este conectat la polul negativ () al susrsei anodice EA; grila (de comand) se polarizeaz ntotdeauna cu tensiune EG1 negativ (fa de catod); ecranul se polarizeaz cu tensiune pozitiv EG2; uzual EG2 = (0,25 ... 0,66)EA. Polarizarea anodului se poate face: Printr-un rezistor, semnalul variabil fiind colectat prin condensator acestea sunt amplificatoarele cu cuplaj RC fig. 1.3.12. Tensiunea variabil variaz n jurul valorii medii corespunztoare cderii de tensiune continu pe rezistorul de polarizare. Amplificatoarele de RF cu cuplaj RC sunt de band larg (video, de exemplu) i se folosesc numai pentru puteri mici.

Fig. 1.3.12. Amplificator RC cu triod: schem i diagrama semnalelor Prin bobin (bobin de oc sau bobina unui circuit rezonant, sau a unui transformator). In acest caz, tensiunea anodic variaz n jurul valorii EA fig. 1.3.13.

Fig. 1.3.13. Amplificator cu tetrod cu sarcin LC: schem i diagrama semnalelor Orice dispozitiv activ, din punct de vedere al semnalului, este echivalent la ieire cu o surs de tensiune real, comandat (cazul tuburilor) sau cu o surs de curent real, comandat (cazul tranzistoarelor). Sarcina dispozitivului activ, reprezentnd echivalentul electric al circuitului pe care se disip puterea util (de semnal), este n general un circuit R LC; n particular, ca n fig. 1.3.12, sarcina tubului poate fi o rezisten echivalent RA n paralel cu RL. In cazul ARF i mai ales al ARFP, sarcina real (antena, intrarea altui tub, ...) este cuplat prin circuite de adaptare cu elemente reactive (cu transformator inclus n circuit rezonant fig. 1.3.13, cu condensatoare sau cu circuite mai complicate). In

final, pentru sursa echivalent ieirii dispozitivului, sarcina este o rezisten echivalent RLech, existent numai pentru semnal. In cazul din fig. 1.3.13, La cu Ca formeaz un circuit care la rezonan este echivalent cu o rezisten de sarcin echivalent Ra rezultat din punerea n paralel a: rezistenei de pierderi a bobinei pL a R = QL rezistenei de pierderi a condensatorului

rezistena de sarcin reflectat

Rezistena de sarcin echivalent, vzut de tub (pe care debiteaz sursa echivalent ieirii dispozitivului) este: (1.3.19) De regul tan Ca << 1 (tan Ca << 1/QLa), RpC >> RpL, i cu bun aproximaie:

RLrefl

(1.3.20) In concluzie, sarcina dispozitivului activ n ARF, n condiii normale de funcionare (circuitul LC de la ieire rezonant la frecvena de lucru) se poate considera rezistiv rezistena echivalent Ra; n cazul ARF de band ngust, banda ocupat de semnal este destul de ngust pentr ca sarcina s rmn rezistiv (Ra) n toat banda; n cazul ARF de band larg, msurile de compensare a elementelor reactive asigur ca sarcina s rmn rezistiv n band; n toate cazurile, este vorba de o rezisten de sarcin echivalent.

Fig. 1.3.14. Sarcina echivalent din anodul tubului n ARF cu sarcin LC acordat 1.3.6.2. Caracteristici de sarcin la ARF cu tuburi Se consider ARF cu triod ca n fig. 1.3.15, cu caracteristici liniarizate ca n fig. 19. Sunt posibile 2 regimuri de funcionare: Regimul de funcionare liniar, n care polarizrile i nivelul semnalului de intrare sunt astfel nct tubul nu intr n blocare sau saturaie. Regimul de funcionare neliniar, n care polarizrile i nivelul semnalului de intrare sunt astfel nct tubul intr cel puin n blocare, eventua i n saturaie. Se va analiza funcionarea n cele dou regimuri.

Fig.1.3.15

1.3.6.3. ARF cu tubul n regim liniar In regim liniar, grila este polarizat n regiunea activ iar nivelul semnalului este destul de mic pentru ca prin tub s circule curent tot timpul. In acest caz, pentru semnal de intrare sinusoidal, curentul de ieire (anodic) i tensiunea anodic au componenta variabil sinusoidal. Frecvena fiind aceeai, sarcina tubului este rezistena echivalent Ra: (Ua, Ia amplitudinile componentelor variabile) Pentru analiz se vor considera caracteristicile statice liniarizate, descrise de ec. Deoarece constantele IA0c, EG0, EA0 se determin greu, se poate folosi tensiunea de gril de blocare la tensiunea sursei anodice EI G din figura 19. Din: rezult: dar pentru: rezult: i ecuaia caracteristicii: este ecuaia caracteristicilor statice liniarizate, valid att n planul iAuG i n planul iAuA.

Fig. 1.3.16. Caracteristici dinamice i forme de semnale n ARF cu triod n regim liniar cu sarcin acordat In lipsa semnalului, tubul polarizat cu EG i EA conduce curentul IA0 punctul de funcionare n lipsa semnalului este M (fig. 1.3.16). Dac semnalul de intrare (fig. 1.3.16) este sinusoidal, de forma: us (t) =Us cos( t) , tensiunea pe gril, curentul anodic i tensiunea anodic sunt: (1.3.21) n care componenta variabil a tensiunii anodice este determinat numai de componenta variabil a curentului anodic, adic: (1.3.22) In planul iAuA punctul de funcionare se deplaseaz pe o caracteristic dinamic liniar, ntre punctele A i B. Din (2.12) i (2.11) rezult ecuaia caracteristicii dinamice n planul iAuA: (1.3.23) este o dreapt (AMB) cu panta (dinamic) n regim liniar:

(1.3.24) In planul iAuG, rezult imediat ecuaia caracteristicii dinamice:

(1.3.25) este tot o dreapt (AMB), cu panta (1.3.26) 1.3.6.4. ARF cu tubul n regim neliniar In regim neliniar, tubul este blocat pe o durat din perioada semnalului de intrare. Ca urmare, curentul anodic are forma unor impulsuri sinusoidale cu o durat de conducie 2a fig. 20. Produsul 2a= 2a este unghiul de conducie. Curentul anodic are armonice: IA0 componenta de c.c., ia= I acost fundamentala, cos(2 ) 2 2 i2a = I2acos( t +) - armonica a 2a, ... Amplitudinele armonicelor depind se semiunghiul de conducie (a) i se pot exprima: n funcie de IAmax (fig. 1.14), cu coeficienii k(a): (1.3.27) n funcie de IA (fig. 1.14), cu coeficienii k(a): (1.3.28) Datorit circuitului acordat din anod, rezistena de sarcin echivalent Ra exist numai pentru fundamentala curentului; pentru celelalte componente sarcina este nul. Ca urmare, tensiunea anodic este: (1.3.29) Curentul anodic iA este de forma unui impuls sinusoidal cu deschidere 2a, amplitudine IA i valoarea maxim IAmax (fig. 2.14). Aadar, n domeniul timp curentul anodic este dat de relaiile:

(1.3.30) Se observ c la limitele blocrii (-a, +a) din (1.19), tensiunea anodic este: (1.3.31) Rezult ecuaiile ecuaiile caracteristicii dinamice n planul iAuA:

(1.3.32 ) Relaiile (1.3.32) sunt ecuaiile dreptei frnte DABC (fig. 1.3.16), format din segmentele: DAB, pe abscis, cnd tubul este n regiunea de blocare i BC, nclinat cu panta dinamic : , cnd tubul conduce (regiune activ).

Fig. 1.3.17. Impulsul de current anodic n regim neliniar

1.4. Tuburi speciale 1.4.1. Magnetronul 1.4.1.1. Elemente constructive i principiul de funcionare Magnetronul este un generator cu autoexcitaie, care convertete puterea continu sau n impulsuri a sursei de alimentare n. putere de microunde. Elementele componente sunt prezentate n fig.1.4.1. Conversia puterii are loc n spaiul de interaciune I aflat ntre blocul anodic A (confecionat din cupru) i catodul C ( realizat din oxizi de bariu, stroniu sau thor). Un cmp magnetic aproximativ uniform, paralel cu axa tubului exist n spaiul de interaciune. Catodul se alimenteaz de la o tensiune negativ n raport cu anodul care se pune la potenial zero (mas). In blocul anodic sunt practicate uri numr par de caviti rezonante R, cuplate la spaiul de interaciune printr-o fant. Forma i dimensiuni1e cavitilor rezonante sunt impuse de
funcionarea ct mai stabil la o anumit frecven

Fig.1.4.1. Elementele constructive ale magnetronului cu cavit rezonante

.

In fig.1.4.2. sunt ilustrate cteva rezonatoare n seciune transversal.

Fig.1.4.2. Tipuri de rezonatoare folosite la magnetroane Capetele rezonatoarelor sunt terminate n gol, ntr-o cavitate denumit spaiu de capt, unde liniile de flux se extind de l a un rezonator la altul. Cuplajul ntre rezonatori este crescut prin utilizarea unor bare conductoare S, cuplate alternativ la rezonatoare. Puterea de microunde se extrage de la un rezonator printr-o bucl de cuplaj L, care face parte din circuitul de ieire. Ansamblul cavitilor rezonante, spaiul de capt i circuitul de ieire alctuiete sistemul rezonant. Catodul se nclzete indirect de la un filament F, din tungsten sau molibden. Liniile coaxiale de alimentare ale filamentului sunt prevzute cu ocuri K, n scopul minimizrii radiaiei energiei de microunde. La fiecare capt al

catodului se afl un ecran H, din nichel, care nu permite electronilor de la catodul nclzit s se deplaseze paralel cu axa magnetronului. Sub aciunea cmpului magnetic continuu i a celui electric datorat sursei de alimentare, electronii emii de catod se deplaseaz n spaiul de interaciune, pe traiectorii epitrohoidale, pn la o distana maxim rb (fig.1.4.3.a). Ei se vor roti n jurul catodului asemenea butucului unei roi n jurul axului. Pe timpul acestei de deplasri,

Fig.1.4.3. Traiectoria electronilor nainte a) i dup aplicarea cmpului alternativ b) electronii induc n cavitile rezonante un cmp de microunde. n continuare are loc interaciunea ntre electroni i cmp, n urma creia, o parte din electroni sunt accelerai i se vor ntoarce la catod, iar restul vor fi frnai ponderat, se vor grupa (formnd "spie") i deplasa spre anod. (fig.4.3.b.). Prin frnare, electronii cedeaz energie cmpului, a crui amplitudine va crete. Dac viteza unghiular V cu care se rotesc "spiele" de electroni este egal cu viteza de schimbare a polaritii cmpului la rezonatori , atunci interaciunea va avea eficacitatea maxim, spiele cednd energie fiecrui rezonator ori de cte ori trec pe lng ele. Energia stocat se extrage de la un rezonator, care este cuplat funcional n inel cu ceilali . 1.4.1.2. Parametrii i caracteristici de funcionare Parametrii de baz ai magnetronului: puterea de ieire, randamentul total, frecventa de lucru i stabilitatea acesteia, depind de curentul anodic Ia, inducia B0,

tensiunea anodic Ua i impedana de sarcin Zs. Interdependena acestora este specific prin caracteristicile de funcionare i de sarcin. Caracteristicile de funcionare evaluate n regi de funcionare adaptat sunt caracteristici volt - amperice avnd ca parametrii inducia, puterea de ieire sau randamentul (fig.1.4.4).

Fig. 1.4.4. Caracteristicile de funcionare sarcin ale magnetronului

Fig.1.4.5. Caracteristicile de ale magnetronului

Caracteristicile de sarcin arat dependena puterii i a frecvenei generate de impedana de sarcin evaluat prin raportul de und staionar i faza coeficientului de reflexie (fig.1.4.5). Rezultatele msurtorilor se nscriu pe o diagram circular, constituind o diagram tip Reike. La magnetroanele actuale puterea de ieire este de 2,5-5 MW, n banda 0,4-3 GHz; 1 MW l a 10 GHz i 100 KW la 35 GHz. Randamentul total scade de l a 80% n gama decimetric la aproximativ 30% n zona milimetric. Timpul de bun funcionare uzual este de 1000 - 2000 ore dar poate ajunge pn l a 10.000 ore. Magnetroanele care lucreaz n regim de oscilaie continu (de exemplu pentru nclzirea prin microunde) sunt garantate ntre 2 i 10 ani. Acordul frecvenei la magnetroanele prevzute cu acionare mecanic este de 5-7% din frecvena central, iar la cele cu comand electromecanic 2-3%. Timpul de nclzire a1 filamentului este 2 - 10 minute i este absolut necesar naintea cuplrii tensiunii anodice (Ua = 0,8 - 10 KV). In timpul funcionrii (n regim de impulsuri sau oscilaie continu), ca urmare a energiei

electronilor c faz nefavorabil care ajung pe catod, tensiunea de filament se reduce la aproximativ o zecime din valoarea iniial sau chiar la zero.

1.4.2. Clistronul 1.4.2.1. Construcie i principiul de funcionare Clistronul reflex este un generator da semnal de mic putere utilizat de la 800 MHz pn la 220 GHz, are o construcie simpl, dimensiuni i greutate reduse. El genereaz un semnal cu frecvena stabil, reglabil electric sau mecanic, iar pe timpul funcionrii este puin influenat de temperatur, vibraii sau radiaii. Dispozitivul ilustrat n fig. 1.4.6, se compune din: circuitul de grupare al electronilor (catod K, electrod de accelerare EA, cavitate rezonant C.R.), un electrod pentru deflexia electronilor(reflector, R) i se alimenteaz de la dou surse da tensiune independente i cu polaritatea indicat. Sub aciunea cmpului static accelerator, electronii emii de catod ajung la nivelul primei grile C.R . cu viteza Curentu1.de convecie a1 electronilor, care trec iniial printre gri1ele C.R., determin un curent indus i o tensiune alternativ amorsat cu amplitudinea maxim corespunztoare componentei spectrale pe care este acordat cavitatea.

Fig.1.4.6 n continuare asupra electronilor care vor trece prin prima gril a cavitii va aciona cmpul alternativ (cu o amplitudine mult mai mic dect cea a

cmpului static) astfel c acetia, la prsirea grilei g2 a C.R. vor fi modulai n vitez. n spaiul C.R. reflector, purttorii de sarcin se deplaseaz n cmp frnat (fig.1.4.7.a), dup o traiectorie de tip parabolic n raport cu timpul(fig.1.4.7.b), i micoreaz viteza pn la 0 apoi se ntorc spre C.R. Electronul 1, maxim accelerat la nivelul g2 de tensiunea (Ua + M1U1) va ptrunde mai mult 2n spaiul C.R.- reflector, n raport cu electronii 2 i 3. Ca rezultat a1 modulrii n vitez dup prsirea C.R.- este posibil gruparea electronilor, n jurul celor neaccelerai de cmpul alternativ, determinnd modularea n densitate a curentului de convecie. Dac gruparea se realizeaz cnd electronii se ntorc spre C.R., la nivelul g2 i n cavitate exist cmp frnant, atunci ntre grile i vor micora viteza cednd energie cmpului de microunde, contribuind la ntreinerea oscilaiilor a cror energie este extras din rezonator prin bucl sau fant.

Fig.1.4.7. Distribuia de potenial a) i traiectoriile electronilor n clistron b) Grupul de electroni poate n cmpul frnant din C.R. dup una sau mai multe perioade T0 ale semnalului de microunde, numrul acestora determinnd. numrul n al , zonei de generare. Dac electronii reflectai ajung la g2 cnd n cavitate exist cmp accelerator atunci cmpul cedeaz energie i oscilaiile se amortizeaz rapid, clistronul nu mai genereaz. Condiia de sincronism se poate scrie sub forma general: (1.4.1) Dac timpul , ct electronii se deplaseaz n spaiul C.R.- reflector nu este egal cu cel dat de relaia (1.4.1), cmpul alternativ n cavitate nu mai are amplitudine maxim, puterea n cadrul zonei n de generare scade. In aceast situaie oscilaiile sunt forate s aib amplitudinea maxim dup perioade diferite de T0 i drept urmare apare o deplasare a frecvenei de lucru. Timpul depinde de gradientul de potenial creat de cele dou surse de alimentare (U a+ UR ); practic, cavitatea se alimenteaz la o tensiune constant, rezultnd c puterea i frecventa

oscilaiilor n cadrul unei zone de generare precum i stabilirea zonei n se face prin modificarea tensiunii de reflector.

1.4.1.2. Parametrii clistronului reflex Puterea pe fundamental se obine prin scrierea sub form complex a mrimilor iil i u1 (Iil respectiv El):

(1.4.2) ii are .valoare maxim, dac unghiul de zbor ( 0 = corespunde regimului optim exprimat n (4.1 ). Prin nlocuire rezult:

(1.4.3) Randamentul electronic maxim n cadrul unei zone de generare, are expresia:

(1.4.4) Funcia f = r Jl(r), de care depind puterea maxim i randamentul este ilustrat n fig.1.4.8 i are un maxim egal cu 1,25 pentru valoarea parametrului de grupare r = 2,41 Din relaiile 4.3 i 4.4 se constat o dependen invers proporional cu numrul n al zonei de generare. Din relaia 3, pentru r = 2,41 i la sincronism rezult:

Fig.1.4.8. Din relaiile 1.4.3 i 1.4.4 se constat o dependen invers proporional cu numrul n al zonei de generare. Din relaia 1.4.3, pentru r = 2,41 i la sincronism rezult:

(1.4.5) Gruparea este optim dac raportul U1/Ua este mic, de exemplu Ul< 0,l Ua,. Aceast condiie este valabil pentru n>7. Frecvena oscilaiilor se determin din condiia ca susceptana electronic Be s f i e egal i de semn contrar sumei susceptanei cavitii (Bc) i a sarcinii (Bs). n cazuri practice BS este neglijabil. In apropierea rezonanei, susceptana cavitii (a unui circuit derivaie) este: (1.4.6) iar partea imaginar din (1.4.6) : (1.4.7) Folosind notaia 0 = s + cu modificarea unghiului de zbor; condiia Be = -Bc conduce la:

(1.4.8) n care f, este frecvena de rezonan a cavitii, s , factorul de calitate n sarcin iar f diferena ntre frecvena generat i f0. Din (1.4.8) rezult c n cadrul unei zone, frecvena clistronului reflex are o variaie asemntoare cu a funciei tangent, Banda de frecvene a acordului electronic se definete ca diferena ntre frecvenele generate, n cadrul unei zone, la care puterea scade cu 3 dB fa de valoarea central. Valoarea-tipic a acestui parametru este 0.3 - 0.5 % din frecvena central. Banda de frecvene necesar a fi acoperit de clistronul reflex, folosit ca oscilator local, trebuie s f i e mai mare dect alunecarea de frecven a magnetronului din staiile de radiolocaie. Semnalul modulator se aplic pe reflector, suprapunndu-se peste o tensiune ce determin frecvena central de oscilaie. Curentul de reflector este foarte mic i datorat numai ionilor astfel c modularea se face cu un consum nesemnificativ de energie. Tensiunile de alimentare ale cavitii i reflectorului trebuie s fie foarte bine filtrare pentru a nu produce o modulaie parazit de amplitudine i frecven. Modificarea n limite mari a frecvenei generate se realizeaz prin acord mecanic care poate fi: inductiv, capacitiv sau cu o cavitate intermediar. Extragerea puterii se poate face prin bucl (la caviti externe) sau prin fant. Clistroanele reflex se utilizeaz n staiile de radiolocaie n calitate de oscilator local sau n circuitele de reglare automat a frecvenei, n generatoarele de semnal cu putere mic l a ieire etc. Ele se pot nlocui cu dispozitive semiconductoare n circuitele electronice n care parametrul principal este numai puterea generat. 1.4.3. Tubul cu und progresiv tip O 1.4.3.1. Construcia i principiul de funcionare Tubul de und cltoare (TUC) este un dispozitiv cu fascicul liniar , care funcioneaz pe principiul interaciunii de lung durat n raport cu durata semnalului de microunde. Intre curentul de convecie modulat n densitate i cmpul electromagnetic. Interaciunea este eficace dac vitezele de faz a cmpului i de deplasare a electronilor au aproximativ aceiai valoare, ceea ce impune utilizarea unor sisteme de ntrziere. Dup cum n procesul de funcionare se utilizeaz unda direct sau invers, T.U.C. se numesc tuburi .cu und progresiv (T.u.P.) respectiv tuburi cu und invers (T.U. I.).

Componenta electric a c.e.m. care interacioneaz poate fi longitudinal sau transversal, ceea ce conduce la o alt clasificare a T. U.C. de tip 0 sau M. In dispozitivele de tip 0, spre deosebire de cele de t i p M, cImpu1 static (electric i magnetic) nu intervine n procesul de funcionare. T.U.P. de t i p 0 (T.U.P.O. ) a fost descoperit n 1944 de R. Komphner, avnd ca sistem de ntrziere o spiral. Configuraia de baz a T.U.P.O. nu a cunoscut modificri eseniale de-a lungul anilor. El se utilizeaz ca amplificator de semnal mic i zgomot redus, sau amplificator de semnal mare, peste 100 KW n impuls. Coeficientul de amplificare este uzual ntre 20 i 40 dB, putnd ajunge pn la 60 dB. Banda instantanee se poate asigura pn la o decad (n general se lucreaz ntre 10% i7 0% din frecventa central). Dispozitivul, ilustrat n fig.1.4.9 se compune dintr-un balon de sticl n care sunt dispuse: tunul electronic (catod - K, electrozi de focalizare E F , anod de accelerare - A), spiral de ntrziere SI, atenuatori absorbani (Aa) i colectorul C.

Fig.1.4.9. Elemente constructive ale T.U.P.O. Introducerea i extragerea energiei se face prin linie coaxial. Solenoidul (S) menine focalizarea fascicolului de electroni pe timpul deplasrii prin centrul spiralei. Componenta electric longitudinal E, conduce la modularea n densitate a electronilor. In fig.1.4.10.a se observ c electronul 2 va fi accelerat, iar 4 va fi frnat, astfel nct va apare o grupare a electronilor n jurul punctelor de minim ale lui EZ, la trecerea acestuia de la pozitiv spre negativ (fig.1.4.10.b). ntr-o perioad a c.e.m., numrul electronilor accelerai este egal cu a1 celor frnai, deci energia cedat cmpului este nul. In timp, fasciculul de electroni i cmpul se deplaseaz spre colector. Dac viteza electronilor (vo) ar fi egal cu viteza de faz (vf) a c.e.m., atunci ar avea loc o grupare i mai puternic, iar interaciunea n ansamblu se va

face fr transfer energetic. In realitate v0 > vf i deci grupul de electroni (2,3,4 din fig. 1.4.10.a) va f i mereu n cmpul frnant a l lui E, cednd energie semnalului. Apare astfel un proces regenerativ n care cmpul, acum cu amplitudine mai mare, realizeaz o focalizare i mai puternic, iar n final se obine un semnal a crui amplitudine crete exponenial de-a lungul axei z . Gruparea electronilor este un proces continuu, efectundu-se pe tot parcursul spiralei.

1.4.3.2. Parametrii T.U.P.O. Amplificarea i banda instantanee T.U.K.0. se utilizeaz ca amplificatoare de putere mic i medie sau mare, n regim continuu sau n i m p u l suri i cu band larg sau ngust. Se consider c se lucreaz n band ngust dac banda de trecere este sub 10% din frecvena central. T.U.P.O. funcioneaz cu structuri rezonante, ceea ce-i asigur o band larg de frecvent. Banda n principiu este limitat de banda de trecere a sistemului de ntrziere, de dispersia sa, dependent de modificarea tensiunii de accelerare Ea. n cazul benzilor largi se impune utilizarea structurilor de .frnare cu dispersie mic. Dac dispersia nu afecteaz banda amplificarea depinde de produsul CN. Factorul lui Pierce

iar

(4.9) unde K este coeficientul de ncetinire a1 sistemului ( s/):

Din aceste dou relaii se constat c amplificarea variaz neliniar n frecven. La aceasta trebuie adugat reflexia de la intrarea i ieirea sistemului de ntrziere care face ca amplificarea s devin:

(1.4.10) n care:

este raportul semnalelor de l a ieire i intrare n absena fasciculului;

este amplificarea n modul i faz n absena reflexiilor. - tl, t2, rl i r2 sunt coeficienii de transmisie respectiv de reflexele la intrare i ieire. T.U.P.O. poate amplifica ntr-o band larg, ce poate depi o octav, dar n aceast band este imposibil de fcut adaptarea. 1.4.4. Descrctoare cu gaz 1.4.4.1. Construcia i principiul de funcionare Descrctoarele cu gaze sunt dispozitive reciproce utilizate la construcia comutatoarelor de anten ale instalaiilor de radiolocaie n scopul utilizrii unei singure antene pentru emisie i recepie. Trebuie astfel rezolvate urmtoarele probleme: cuplarea emitorului la anten i apoi blocarea legturii pe timpul recepiei, cu ajutorul unui descrctor serie DS, protecia receptorului pe durata emisiei energiei .foarte mari , cu un alt descrctor de blocare DB, precum i posibilitatea funcionrii pe antena echivalent. Descrctoarele se realizeaz din tronsoane de linie de transmisie formndu - se o cavitate rezonant n interiorul creia gazul se ionizeaz la trecerea c,e.m. cu o energie foarte mare, rezultnd un scurtcircuit n interiorul rezonatorului. Pe timpul recepiei, semnalul reflectat cu amplitudine mic nu reuete s iniieze ionizarea. Trecerea n stare de plasm a gazului se face ntr-un timp finit , n care o parte din energia de microunde n cazul DB, se poate transmite spre receptor, deteriornd dispozitivele semiconductoare. n scopul

micorrii acestor vrfuri de putere, n DB se introduce un electrod la care se aplic o tensiune continu Uo ce determin un cmp staionar E0. In acest mod rigiditatea dielectric este depit pe durata frontului anterior al radioimpulsului, iar puterea instantanee care trece este sub 1 W. In fig.10. sunt ilustrate elementele constructive ale unui descrctor cu electrod de amorsare. Cele dou perechi de conuri opuse la vrf i distane la /4 au o comportare capacitiv. In acelai plan transversal se dispun diafragme inductive realizndu-se astfel circuite rezonante decalate ntre ele i fa de diafragmele cu fant pentru cuplaj la /4. Descresctorul apare ca un filtru Fig.4.10. cu transformatori de impedan i asigur o band larg de trecere. Interiorul descrctorului se umple cu un amestec de argon cu vapori de ap sau amoniac la presiune sczut. Scurtcircuitul produs n planul electrodului de amorsare face s apar o tensiune maxim (dublul celei directe) la a1 doilea electrod i plasma apare aproape simultan n dou zone ale descrctorului.

Fig.1.4.10 Prin plasm , cmpul de microunde se propag cu o constant de atenuare foarte mare. Puterea care trece prin descrctor, pe timpul formrii plasmei, dei mic (n raport cu cea emis) poate deteriora receptorul n cazul cnd primele elemente sunt semiconductoare. Msurile de protecie ce se pot lua constau n introducerea a unuia sau mai multor limitatoare cu diode PIN rapide sau a T.U.P.O. La terminarea impulsului de nalt frecven, numrul de electroni N din plasm, scade fa de valoarea iniial N0, ca urmare a proceselor de difuzie i recombinare.

Timpul de revenire a1 descrctorului, de ordinul microsecundelor, afecteaz distana minim de aciune a radiolocatorului prin atenuarea semnalului recepionat. In stare neionizat, descrctorul se comport ca un filtru trece band cu atenuarea de inserie sub 0,5 dB. Electrodul descrctorului care nu este alimentat se poate utiliza pentru controlul periodic al calitii amestecului gazos. 1.4.4.2. Parametrii i aplicaii practice Factorul de calitate n sarcin. al descrctorului are valori cuprinse ntre 5 i 10, puterea de vrf pe care o poate comuta :lO KW- 1 MW pentru impulsuri cu raportul ntre durati i perioada repetiie la aproximativ 10 -3. Tensiunea pe electrodul de iniiere este de 300 - 700 V, timpul de revenire 2 15 s, iar cel de ionizare .complet de ordinul nanosecundelor. In scopul asigurrii unui timp mic de ionizare, n descrctoare se introduc particule radioactive, cu energie mic (de exemplu particule de tritiu). i timp de njumtire mare (peste 10 ani). In fig.1.4.11.a este ilustrat un comutator de anten cu dou descrctoare (serie, DS i de blocare, DB). Pe timpul emisiei, ambele descrctoare sunt ionizate, receptorul este blocat i semnalul se transmite l a anten. In cazul recepiei, semnalul se aplic receptorului, aflat la distanta (2k+l )g/4. DS creaz n planul DB o impedan nul, spre emitor semnalul recepionat neputndu se transmite ca urmare a scurtcircuitului virtual. In stare ionizat DB asigur o atenuare ntre 60 - 100 dB. Comutatorul din fig.1.4.11.b se realizeaz cu descrctoare duale, dispuse ntr-o pute mpreun cu dou cuploare de 3 dB. Aceast configuraie minimizeaz vrfurile de putere care trec prin descrctoare pn la ionizarea complet spre canalul de recepie. n cazul unei realizri simetrice, puterea rezidual se disip pe o sarcin adaptat(S.A.) Puterea semnalului recepionat care se transmite spre emitor este atenuat cu cel puin 20 dB.

Fig.1.4.11. Variante constructive ale comutatoarelor de anten cu descrctori

1.5. Dioda 1.51. Dioda semiconductoare 1.5.1.1. Noiuni teoretice

Dioda semiconductoare este o jonciune p-n, reprezentnd zona de trecere de la un semiconductor cu conducie de tip p la unul cu conducie de tip n n aceeai reea cristalin continu. Ca urmare a difuziei purttorilor majoritari dintr-o zon n alta, n proximitatea jonciunii se formeaz o sarcin fix pozitiv n zona n i negativ n zona p, ceea ce creeaz o barier de potenial ce se opune difuziei n continuare a purttorilor majoritari. La o temperatur constant, procesul devine staionar cnd curentul purttorilor majoritari (cu sensul de la zona p la n) devine egal ca valoare cu cel al purttorilor minoritari (cu sensul de la n la p):

La aplicarea unei tensiuni U, de polarizare direct (potenial mai mare) pe zona p (anod) sau invers, curentul purttorilor majoritari crete, respectiv scade, conform relaiei:

(1.5.1) unde e este sarcina electric a porttorilor (electroni sau goluri), k constanta Boltzman, T - temperatura absolut i U tensiunea (pozitiv sau negativ) aplicat pe diod. Curentul total va fi: I = Im + Is , adic:

(1.5..2) relaie care reprezint ecuaia diodei. Aceast relaie poate fi aproximat pe poriuni prin relaii mai simple:

(1.5.3)

O diod este caracterizat de mai muli parametri (date de catalog): coeficientul de temperatur:

(1.5.4) tensiunea invers de vrf repetitiv, VRRM tensiunea de strpungere, Ustr curentul direct maxim, Imax timpul de comutare invers, trr (timpul necesar trecerii diodei din stare de conducie n stare de blocare), etc. S considerm circuitul din figura 4.1. Putem scrie: (1.5.5)

Fig.1.5.1. Aceasta este o funcie liniar, reprezentat printr-o dreapt, n coordonate (I,U) numit dreap de sarcin. Intersecia acesteia, cu caracteristica diodei este un punct, P(U 0, I0), numit punct static de funcionare (PSF) (figura 1.5.2).

Fig.1.5.2. Dac variaia curentului sau a tensiunii este mic n raport cu componenta continu (valoarea medie) a respectivei mrimi, se spune c dioda funcioneaz la semnal mic. n acest caz, n jurul PSF, caracteristica diodei se poate aproxima cu o dreapt, astfel nct acest lucru permite determinarea rezistenei dinamice, definit ca:

(1.5.6)
Pentru un punct static de funcionare dat, la polarizare direct, rd se poate determina astfel:

(1.5.7)
Pentru t = 25 C, coeficientul lui U de la exponent are valoarea

i atunci: (1.5.8) de unde: (1.5.9) deci:

(1.5.10) pentru punctul static de funcionare de ordonat I0. 1.5.2. Dioda stabilizatoare (ZENER) 1.5.2.1. Noiuni teoretice O diod semiconductoare suport o anumit tensiune invers maxim, care, depit, duce la distrugerea jonciunii. Dioda stabilizatoare prezint un fenomen de strpungere nedistructiv, caracterizat prin creterea puternic a curentului invers, la o valoare aproape constant a tensiunii inverse pe jonciune, fenomen determinat n esen de dou efecte: Efectul Zener multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin electric. Efectul Zener se produce la tensiuni inverse ntre 2,7 V i 5 V cnd, datorit doprii puternice a zonelor n i p bariera de potenial este redus, fiind posibil trecerea purttorilor prin jonciune. n cazul unei dopri mai reduse se produce cellalt efect iar tensiunea de strpungere este peste 7 V. n acest caz, electronii sunt puternic accelerai n cmpul electric intens din jonciune i ciocnirile lor cu atomii din reea duc la formarea altor perechi electron-gol, prin repetarea acestui proces obinndu-se multiplicarea n avalan a purttorilor. O diod stabilizatoare (Zener) este folosit n aplicaii polarizate invers n regiunea de strpungere. Caracteristica diodei n aceast regiune este reprezentat n figura 1.5..3.

Fig.1.5.3. Se observ c, pentru un domeniu larg de valori ale curentului prin diod, tensiunea rmne practic constant, VZ. n fapt, se observ o uoar cretere a tensiunii odat cu creterea curentului, rezistena dinamic a diodei,
(1.5..11) avnd valori mici (120 ). Tensiunea VZ poate avea valori ntre civa voli pn la cteva sute de voli, valoarea exact fiind determinat de tehnologia de construcie a diodei. n aplicaiile practice, curentul invers prin dioda Zener nu trebuie s depeasc o valoare maxim, caracteristic diodei respective. Pentru uurina studiului teoretic, este util modelul liniar al diodei, n care caracteristica este aproximat conform figurii 4.4.a, schema echivalent fiind prezentat n figura 1.5.4.b.

Fig.1.5.4.
Principala aplicaie a diodei Zener este stabilizatorul de tensiune, care asigur o tensiune de sarcin constant n condiia variaiei ntre anumite limite a tensiunii de intrare i curentului de sarcin. Schema unui stabilizator simplu este cea din figura 1.5.5.a:

Fig.4.5.
Pentru ca us s fie practic egal cu uz este necesar dimensionarea corect a valorii R. Considernd modelul liniar al diodei, putem scrie:

(1.5.12) sau:

(1.5.13)
Ecuaia dreptei de sarcin este:

(1.5.14)
Cum u, iz i Rs variaz ntre anumite limite, valoarea lui R se va calcula utiliznd valorile medii ale celor trei mrimi sau se vor calcula limitele intervalului de valori ale lui R. Limitele lui iz sunt impuse de tipul diodei (I z min - valoarea minim a curentului la care se produce strpungerea, I z max - valoarea maxim a curentului invers), iar ale lui u i Rs de aplicaia practic n care se folosete dioda. Stabilizatorul de tensiune este caracterizat de doi parametri: factorul de stabilizare i rezistena la ieire. Variaia tensiunii pe dioda Zener poate fi produs de modificarea tensiunii de intrare, u i a curentului de sarcin, is.

Putem scrie:

(1.5.15)

(1.5.16)

(1.5.17)
Definim: factorul de stabilizare:

(1.5.18)
rezistena de ieire:

(1.5.19) Se vede c:

(1.5.20) Pentru ca stabilizatorul s fie eficient trebuie ca s s fie ct mai mare, iar r e ct mai mic.

1.5.3. Diodele detectoare Diodele detectoare sau amestectoare utilizeaz rezistena neliniar a contactului metal- semiconductor . n scopul asigurrii unor performane bune este necesar ca diodele s prezinte o rezisten serie i o capacitate a jonciunii de

valori mici precum i o injecie ct mai mic a purttorilor minoritari. Ultima condiie exclude utilizarea jonciunilor p-n n aplicaiile din gama microundelor. Dioda se realizeaz prin presarea unui conductor metalic pe suprafaa unui semiconductor. (fig.1.5.6 )

Fig.1.5.6. Conductorul metalic cu = 20 30 m se confecioneaz din wolfram, bronz fosforos, cupru sau zinc, iar metalul semiconductor poate fi Ge, Si au Ga Sa. Contactul efectiv se asigur prin aplicarea unui impuls scurt i puternic de curent obinndu-se o microinfuzie a impuritilor n zona respectiv. Cerinele de reproductibilitate i performane au condus la o metod perfecionat ca const n formarea unei reele de oxid pe suprafaa semiconductorului i realizarea jonciunii cu unul din orificii, cu un diametru sub 2 m. n afara contactului punctiform, jonciunea redresoare se mai poate forma prin depunerea unui contact metalic pe un strat epitaxial (fig.1.5.7 ) obinndu-se o barier cu Schottky.

Fig.1.5.7. Dioda cu barier Schottky. Caracteristica static curent tensiune a dispozitivului descris anterior esta descris de relaia: (1.5.21)

Unde n = 1,1 1,5 la dioda Schottky i n = 1,5 2 n cazul contactului punctiform iar Is este curentul la polarizare 0. Spre deosebire de jonciunea p-n, la dioda cu barier Schottky lipsete injecia purttorilor minoritari n semiconductor la polarizarea direct, ceea ce implic inexistena capacitii de difuzie i un timp de revenire foarte mic. Absena regiunii p conduce la scderea rezistenei serie. Rezisena jonciunii Rj este dat de relaia: (1.5.22) Unde n = 1,1 la diodele cu barier Schottky i n = 1,4 n cazl diodelor cu contact punctiform. Valoarea tipic de lucru al lui Rj se alege aproximativ 250 . Capacitatea de barier , dispus n paralel pe rezistena jonciunii, cnd dioda este polarizat se evalueaz cu relaia: (1.5.23) Grosimea barierei Schottky este n general W = 10 -2 m, iar pentru un semiconductor cu = 11 se obine o capacitate de barier de aproximativ 0,1 pF. Rezistena serie, rezistena semiconductorului prin care circul curent, este de forma: (1.5.24) Schema echivalent a contactului metal semiconductor este prezentat n figura 1.5.8, iar n figura 1.5.9, dependena rezistenei totale (Rj + Rs) de tensiunea exterioar de polarizare. Rezistena scade rapid cnd tensiunea de alimentare este pozitiv, pn cnd rezistena serie devine mai mare ca a jonciunii. DCP are o tensiune de deschidere mai mic, se realizeaz la un pre de cost sczut i se utilizeaz n circuitele de detecie sau schimbtoare de frecvent n care performanele nu sunt critice.

Fig.1.5..8. Pe baza schemei echivalente din figura 1.5.8. se poate deduce frecvena limit a dispozitivului.

(1.5.25) i respectiv factorul de calitate la frecvena f:

(1.5.26)

Fig.1.5.9. Variaia rezistenei diodelor cu tensiunea de polarizare n unele aplicaii se prefer transformarea n serie R1, C1, a elementelor paralel Rj, Cj.

(1.5.27)

(1.5.28) 1.5.4. Dioda PIN Dioda este realizat dintr-un material semiconductor aproximativ intrisec,pe care se realizeaz, separate, prin difuzie dou regiuni puternic dopate de tip n i p.(Fig.1.5.10)

Fig.1.5.10 Dimensiunile mici, comparative cu lungimea de und a cmpului aplicat , justific reprezentarea diodei printr-un circuit echivalent cu constante concentrate prezentat n figura 1.5.11.

Fig.1.5.11. Circuitul echivalent al diodei pin Rezistena Rs este suma rezistenei regiunilor p i n i a celei asociate contactelor ohmice a acestora. Ri i Ci reprezint rezistena i capacitatea stratului I. Regiunea srcit, funcie de tensiune i modific rezistena i reactana. Capacitatea Cj crete din cauza sarcinii stocate la extremitile regiunii. C d este datorat sarcinii stocate a fluxului de purttori. Pe timpul alternanei pozitive, electronii din regiunea n i golurile din regiunea p sunt injectate n stratul I, iar o parte din acetia vor fi extrai dup o semiperioad. Frecvena limit critic la polarizarea invers este dat de relaia:

(1.5.29)

Fig.1.5.12. Schema echivalent simplificat a diodei pin: a) la joas frecven; b) la nalt frecven i polarizare invers; c) la nalt frecven i polarizare direct. Frecvena de rezonan a circuitului rezonant serie, figura 1.5.12.b., este dat de relaia:

(1.5.30) La polarizarea direct, circuitul oscilant echivalent are frecvena de rezonan derivaie: (1.5.31) La polarizarea direct, curentul continuu prin diod este 10-200 mA. Componenta activ, mic, a admitanei arat c pe ea se va disipa o putere redus n comparaie cu puterea transmis prin circuitul n care aceasta se va monta.

(1.5.32) n majoritatea aplicaiilor practice de microunde, dioda PIN se analizeaz ca element reactiv, pierderile ocupnd locul secundar. Pentru frecvene sub 500 de MHz, dioda prezint o rezisten Rj , serie, mare, controlat prin curentul de polarizare. n microunde, principalele aplicaii cu dioda PIN sunt:comutatoare, limitatoare i defazoare. Ele se pot ntlni n reelele de antene fazate, etaje de intrare pentru protecia receptoarelor sau ale aparaturii de msur i control.

1.5.5. Dioda VARACTOR. Dioda varactor este un dispozitiv semiconductor utilizat ca element de circuit cu reactan variabil. Reactana variabil este asigurat de capacitatea jonciunii care se modific neliniar n raport cu tensiunea invers aplicat. Neliniaritatea confer dispozitivului posibilitatea de a funciona n circuite pentru: Comutarea sau modularea semnalelor de microunde; Generarea armonicelor semnalului aplicat; Amplificare parametric sau conversie superioar sau inferioar. Elementul activ este o jonciune cu geometrie bine definit (fig.1.5.13.) realizat prin difuzie. Suportul semiconductor trebuie s ndeplineasc condiiile: Mobilitate mare a purttorilor de sarcin; Constant dielectric mic; Limea benzii interzise mare; Energie de ionizare a impuritilor mic; bun conductivitate termic. Aceste caliti asigur: Rezisten electric mic; Capacitate minim; Cureni de saturaie mici; Posibilitatea de a funciona la temperaturi sczute(pentru micorarea coeficientului de zgomot la amplificatoarele parametrice); Bun disipare termic(cnd se lucreaz la nivele mari de putere). Ga As este semiconductorul care ndeplinete cel mai bine cerinele impuse mai sus. Tehnologia dificil i costisitoare a impus ca majoritatea dispozitivelor s fie realizate pe substrat de siliciu.

Fig. 1.5.13. a)Structura unei diode varactor. b) schema echivalent la polarizarea invers

Circuitul echivalent cnd dioda este polarizat invers(fig.1.5.13.b.) cuprinde capacitatea jonciunii, Cj, rezistena jonciunii, Rj, i rezistena serie, Rj, toate fiind dependente de polarizare. Dioda varactor funcioneaz normal polarizat invers. Rezistena jonciunii este de aproximativ 10 M i este neglijabil n comparaie cu rezistena capacitiv a jonciunii n domeniul microundelor. Prin ncapsulare, n schema echivalent se asociaz: Capacitatea capsulei (Cc); Capacitatea structurii(Cf); Inducana extremitilor(Ls). Analiza amnunit a circuitului diodei varactor este o problem sofisticat i de aceea, pentru aplicaiile practice, dispozitivul se caracterizeaz prin factorul de merit n regim static i dinamic. Astfel se definesc: 1. Frecvena de tiere limit la o tensiune specific U.

Fig.1.5.14. Schema echivalent simplificat a unei diode varactor ncapsulat

(1.5.33)

(1.5.34) 2. Factorul de calitate la o tensiune specific: (1.5.35) Unde f este frecvena de lucru n regim dinamic;

3. Frecvena de tiere dinamic(frecvena critic) ntre valorile extreme ala tensiunii de polarizare: (1.5.36) Cjmin se specific la tensiunea de strpungere, iar, Cjmax la o polarizare direct de 10 sau 100 mA. 4. Factorul de calitate dinamic: (1.5.37) Unde S1 este amplitudinea primei armonici ala elastanei(inversul capacitii), obinut prin dezvoltarea n serie Fourier a mrimii:

1.5.6. Dioda TUNEL Dioda tunel se deosebete de o diod semiconductoare prin concentraia mare de impuriti n cristalele n i p, deci are conductibilitate mare n sens invers. Grosimea regiunii de trecere este foarte ngust(de ordinul la 100). Dioda prezint o poriune cu rezisten negativ n caracteristica static pentru conducia n sens direct(fig. 1.5.15).

Fig.1.5.15 Ultima particularitate este cea mai important proprietate a diodei tunel. Ea se datorete efectului tunel. Efectul tunel este fenomenul prin care un electron care posed o energie mai mic dect cea corespunztoare barierei de potenial(Ub) reuete s treac totui dincolo de aceasta. Trecerea nu se face peste barier, ca la diodele obinuite, ci prin aceasta ca printr-un tunel.

Pe aceast poriune a caracteristicii statice, dioda tunel se prezint ca un dispozitiv activ, ceea ce permite folosirea sa ca element amplificator sau ca generator de oscilaii electrice. Avantajele diode tunel sunt legate de posibilitatea de funcionare la frecvene ridicate, n limite largi de temperatur, nivelul sczut al zgomotelor proprii, dimensiuni mici, slaba sensibilitate la radiaii nucleare, consum de energie redus, robustee mecanic i durat mare de funcionare. Parametrii principali ce caracterizeaz o diod tunel sunt: curentul maxim IM, curentul minim Im, i tensiunile corespunztoare u1 i u2, tensiunea u3 pentru care se obine curentul i= IM. O alt particularitate a diodelor tunel, este legat de valoarea mic a tensiunilor de polarizare i foarte bine stabilizate, care ridic unele greuti din punct de vedere practic. Schema echivalent pentru semnale mici Pentru cazul funcionrii n poriunea de rezisten negativ schema echivalent este prezentat n fig.1.5.16. Rezistena de pierderi r p variaz n limite largi i depinde de frecven ca urmare a efectului pelicular, conform relaiei.

Fig.1.5.16 (1.5.38) Unde: A un coeficient ce depinde de construcia diodei tunel, materiale utilizate; r0 rezistena de pierderi n curent continuu. Capacitatea jonciunii p-n (CD) este format din capacitatea de barier i cea de difuzie. Deoarece capacitatea de difuzie este foarte mic putem considera c CD este dat de capacitatea de barier

(1.5.39) Unde CB0 capacitatea de barier la echilibrul termic; UB potenialul barierei(UB 1V). n limitele poriunii cu rezisten negativ de la I M la Im variaia relativ a capacitii diodei tunel este:

(1.5.40) Rezistena diferenial negariv rn = du / di, este determinat de panta caracteristicii statice n punctul de funcionare, avnd valoarea minim n punctul de inflexiune A. Aceast valoare depinde de tipul diodei tunel. Pentru diodele tunel de foarte nalt frecven valoarea rezistenei negative este de ordinul zeilor de ohmi. Inductana bornelor(L) trebuie s fie ct mai mic deoarece datorit ei pot apare oscilaii parazite. Impedana diodei tunel, determinat din schema echivalent este:

(1.5.41) Care dup raionalizarea numitorului devine.

(1.5.42) Unde:

Pentru majoritatea diodelor tunel, inductana L se poate neglija. n acest caz schema echivalent devine:

Fig.1.5.17. Impedana acestei scheme este:

(1.5.43) Cele dou scheme vor fi echivalente dac este satisfcut egalitatea:

adic:

(1.5.44)

(1.5.45) unde:

(1.5.46)

(1.5.47) Din raportul relaiilor 1.5.44 i 1.5.45 rezult:

unde: (1.5.48) iar:

(1.5.49) rezistena echivalent rezult din relaia 1.5.43 :

(1.5.50) Dup prelucrare, relaia de mai sus devine:

(1.5.51) Diodele tunel se folosesc la realizarea amplificatoarelor de microunde cu nivel de zgomot mic.

Tranzistorul 1.6.1. Tranzistorul bipolar. 1.6.1.1.Structura i caracteristicile statice Tranzistorul bipolar este o structur de trei zone semiconductoare extrinseci (pnp sau npn) realizat ntr-un cristal semiconductor. Ea este prezentat schematic n fig.1.6.1.a i ceva mai aproape de structura real n fig.1.6.1.b. Fiecare zon are un contact ohmic cu cte un terminal exterior. Cele trei terminale se numesc emitor E, baz B i colector C. Denumirile sugereaz funcia pe care o ndeplinete fiecare dintre cele trei zone: emitorul este furnizorul principal de sarcini electrice, colectorul colecteaz sarcinile electrice iar baza poate controla cantitatea de sarcin care ajunge la colector. Dup acelai criteriu, cele dou jonciuni se numesc emitoare, respectiv colectoare.

Fig.1.6.1. O astfel de structur se numete bipolar deoarece la conducia electric particip sarcini electrice de ambele polariti, goluri i electroni, cu contribuii diferite la curent n funcie de tipul de tranzistor. n funcie de ordinea zonelor, tranzistorii bipolari pot fi de tip pnp sau npn. Simbolurile lor sunt prezentate n fig.1.6.2.

Fig.1.6.2. Din punct de vedere tehnologic structura de tranzistor are dou particulariti: 1 emitorul este mult mai puternic dopat dect baza

 lrgimea fizic a bazei este mult mai mic dect lungimea de difuzie a purttorilor majoritari din emitor (aprox. 10m) Pentru a exista conducie electric ntre emitor i colector, jonciunea emitoare trebuie polarizat n sens direct iar jonciunea colectoare n sens invers. Un circuit de polarizare a jonciunilor unui tranzistor de tip pnp este prezentat n fig.1.6.3.a. n practic polarizarea jonciunilor se face cu o singur surs de alimentare.

Fig.1.6.3. n fig.1.6.3.b se poate observa modul n care purttorii de sarcin din semiconductor contribuie la formarea curenilor exteriori msurabili: curentul de emitor - IE, curentul de colector IC i curentul de baz IB. Trebuie s subliniem nc odat faptul c la curentul prin tranzistor particip purttori de ambele polariti, n timp ce la curenii exteriori particip exclusiv electronii de conducie din metal. Golurile, care sunt purttorii majoritari n emitor, sunt accelerate n cmpul de polarizare direct a jonciunii emitoare i, n marea lor majoritate, vor traversa baza i vor fi preluate de cmpul electric de polarizare invers a jonciunii colectoare. Fraciunea din curentul de emitor care contribuie la formarea curentului de colector este notat cu . se numete factor de curent i valorile lui sunt foarte apropiate de 1: 99,097,0. Datorit slabei dopri a bazei i a lrgimii ei foarte mici, doar o mic parte din golurile care pleac din emitor se vor recombina cu electronii din baz. Curentul IE mpreun cu curentul de purttori minoritari, ICBo, care traverseaz jonciunea colectoare polarizat invers, vor forma curentul de colector, IC. Astfel, pot fi scrise urmtoarele relaii ntre curenii msurabili:

(1.6.1) (1.6.2) nlocuind expresia curentului de emitor (1.6.1) n relaia (1.6.2) i exprimnd curentul de colector, se obine: (1.6.3) Coeficientul de multiplicare a curentului de baz se noteaz cu i se numete factor de amplificare static (sau factor de amplificare a curentului continuu) i este supraunitar:

(1.6.4) Astfel, dependena curentului de colector de curentul de baz poate fi exprimat sub forma: (1.6.5) Relaia (5) indic dependena intensitii curentului de colector de intensitatea curentului de baz. De aici se poate vedea c tranzistorul bipolar este un element activ comandat n curent. Deoarece curentul de purttori minoritari ICBo este foarte mic (sub 1A), n practic se poate folosi cu bun aproximaie relaia:

Ecuaiile (1.6.1), (1.6.2) i (1.6.4) descriu funcionarea tranzistorului n curent continuu (regimul static) i, mpreun cu legile lui Kirchhoff, permit calcularea valorilor rezistenelor din circuitul exterior de polarizare, precum i a punctului static de funcionare caracterizat de patru parametrii: UBEo, IBo, UCEo i ICo. Tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol dac unul dintre terminalele sale va face parte att din circuitul de intrare ct i din cel de ieire. De regul, terminalul respectiv este conectat la borna de potenial nul (masa circuitului). Astfel, exist trei conexiuni posibile ale tranzistorului ntr-un circuit: 1 conexiunea emitor comun fig.1.6.4.a 2 conexiunea baz comun fig.1.6.4.b 3 conexiunea colector comun fig.1.6.4.c

Fig.1.6.4. Cele trei conexiuni au parametrii de intrare, ieire i de transfer diferii. Dintre ele, cea mai folosit este conexiunea emitor comun i de aceea n continuare ne vom axa n principal asupra ei, analiznd-o att n regim static ct i n regim dinamic.

Fig.1.6.5. Mrimile de intrare i cele de ieire pentru conexiunea emitor comun sunt prezentate n Fig.1.6.5. Modificarea valorii oricreia dintre ele conduce la modificarea celorlalte trei. Datorit acestui lucru nu mai putem vorbi despre o singur caracteristic volt-amperic, cum a fost n cazul diodei, ci de familii de caracteristici statice de intrare, ieire i de transfer. 1.6.1.2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar In cazul neglijarii rezistentelor domeniilor semiconductoare, tensiunile de polarizare se aplic direct pe jonciunile unui tranzistor numai la conexiunea BC. Ca urmare relaiile care dau dependena dintre curenii din tranzistor i tensiunile aplicate pe jonctiuni se pot aplica direct sub forma obinut doar la aceasta conexiune. In general, curenii dintr-un tranzistor real difer de curenii din tranzistorul intern, n primul rnd datorit faptului c tensiunile care ajung pe jonciuni difer de tensiunile aplicate ntre electrozi, iar asupra componentelor curenilor s-au fcut ipoteze simplificatoare cnd s-au dedus ecuatiile Ebers-Moll.

Aceste ecuatii sunt utile pentru a inelege forma real a dependentei curenilor din tranzistor de tensiunile aplicate ntre electrozi i pentru c pun in eviden parametrii fizici i constructivi i posibilitatea modificrii acestora n scopul realizrii unor anumite caracteristici pentru tranzistor. Pentru calcule practice ale circuitelor cu tranzistoare se utilizeaz caracteristicile statice ridicate experimental. Exista trei tipuri de caracteristici in TB: a. caracteristicile de intrare care coreleaz dou mrimi de intrare, parametru fiind o mrime de ieire; b. caracteristicile de transfer care coreleaz o marime de ieire cu una de intrare, ca parametru putnd fi, n principiu, oricare alt mrime; c. caracteristicile de ieire care coreleaz dou mrimi de ieire, parametru fiind o mrime de intrare. Intruct caracteristicile statice depind de tipul schemei de conectare, n cele ce urmeaz le prezentm pe cele corespunztoare conexiunii EC. 1.6.1.2.1. Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare in conexiunea EC Vom considera cazul unui TB npn de mic putere. In schema EC, tensiunile au ca nivel de referin potenialul emitorului. Ca mrimi de intrare avem: VBE = VEB si IB, iar ca mrimi de ieire pe VCE i IC. a) Caracteristici de intrare Considerm caracteristica IB = IB(VBE) cu VCE = ct. In figura 1.6.6 sunt reprezentate caracteristicile de intrare tipice pentru un TB cu Si.

Fig. 1.6.6 Caracteristica statica de intrare IB = IB(VBE) cu VCE = ct. (conexiune EC) Examinnd caracteristicile, observm c dac plecm de la VBE = 0 i mrind valoarea acestei tensiuni, curentul IB este practic nul pn la o anumit valoare VBED = (VBE,on = V ) numit tensiune de deschidere sau de prag. In jurul acestei valori curentul crete exponenial cu VBE, dup care variaia acestuia poate fi considerat practic liniar. Se definete rezistena diferenial de intrare a tranzistoruluiin montaj EC cu relaia:

(1.6.6) Trebuie remarcat c TB n montaj EC, datorit variaiilor mici al lui I B, posed o rezisten diferenial de intrare de valoare mare (mii de ) spre deosebire de cazul montajului BC pentru care Rin,BC are o valoare foarte mica (zeci de ). b) Caracteristici de transfer Consideram caracteristica IC = IC(IB) pentru VCE = ct. (fig. 1.6.7).

Fig. 1.6.7 Caracteristica de transfer (conexiune EC) IC = IC(IB) pentru VCE = ct. In regiunea valorilor medii ale curenilor dependena experimental IC = IC(IB) este cvasiliniar, astfel nct n zona acestor cureni (1.6.7) poate fi considerat constant. c) Caracteristici de ieire In figura 6.8 este reprezentat familia caracteristicilor experimentale de ieire IC = IC(VCE) cu IB = ct., caracteristice pentru un tranzistor npn.

Fig. 1.6.8. Caracteristicile de iesire IC = IC(VCE) cu IB = ct.

Caracteristica IB = 0 nu este, de fapt, limita regiunii de tiere. Pentru a bloca tranzistorul este necesar blocarea jonctiunii emitorului. In acest caz pentru TB IC este egal cu ICE0. Funcionarea TB n regim de saturaie este intlnit frecvent n circuitele digitale, deoarece n aceasta regiune se asigur o tensiune de ieire bine specificat care reprezint o stare logica. In circuitele analogice se evit n mod uzual regiunea de saturaie, deoarece factorul de amplificare al TB este foarte mic. Tensiuni tipice pe jonctiunile tranzistorului Considerm caracteristica de transfer IC = IC(VBE) pentru tranzistorul npn cu Ge, respectiv cu Si (fig.1.6.9).

a b Fig. 1.6.9. Valori tipice ale tensiunilor pe jonciunile tranzistorului npn Tensiune [V] VCE,sat Tip tranzistor Si Ge 0,2 0,1

VBE,sat = V 0,8 0,3

VBE,reg.activ 0,7 0,2

VBED (V ) 0,5 0,1

VBE,taiere 0,0 0,1

O alt caracteristic important a tranzistorului bipolar este caracteristica de transfer n tensiune, pe baza creia se definesc i regimurile posibile de funcionare ale lui. n fig.1.6.7.a este prezentat o schem posibil pentru trasarea acestei caracteristici iar n fig.1.6.7.b este artat aspectul ei.

Fig.1.6.7. Discuia asupra comportrii tranzistorului se poate face dac considerm comportamentul celor dou jonciuni asemntor comportamentului unor diode. Vom numi n continuare jonciunea emitoare drept dioda emitor, DE, iar jonciunea colectoare drept dioda colector, DC. Pentru tensiuni UBE mai mici dect tensiunea de deschidere a diodei emitor, ntre emitor i colector nu poate circula nici un curent, cderea de tensiune pe rezistena Rc este nul i UCE = Ec. n acest interval de tensiuni de intrare tranzistorul este blocat, ntre colector i emitor el acionnd ca un ntreruptor deschis. Odat cu creterea tensiunii de intrare, dioda emitor se va deschide i va permite curgerea electronilor ntre emitor i colector peste dioda colector polarizat invers. Tensiunea UCE va ncepe s scad foarte rapid, deoarece crete cderea de tensiune pe Rc, n condiiile n care tensiunea de alimentare, Ec, este pstrat constant Curentul de colector va crete i tensiunea UCE se va micora pn cnd se ajunge n regimul de saturaie (cantitatea de sarcin disponibil nu este nelimitat) n care ambele diode, emitor i colector, sunt n stare de conducie. Acest regim de lucru se numete saturat. n regimul saturat tensiunea ntre colector i emitor este foarte mic: Ea se numete tensiune colector-emitor de saturaie, UCEsat. Zona de tranziie dintre regimurile blocat i saturat se numete zona activ. n zona activ curentul de colector i tensiunea de ieire pot fi controlate de ctre tensiunea de intrare i implicit de ctre curentul de baz.

 regimul blocat regimul n zona activ

DE i DC - blocate, IC = 0, UCE = Ec DE conducie, DC blocat,

regimul saturat:

DE i DC conducie,

Regimul de funcionare n zona activ este folosit atunci cnd tranzistorul se afl ntr-o schem de prelucrare a semnalelor, de amplificare sau generatoare de oscilaii armonice. Atunci cnd tranzistorul trece foarte rapid prin zona activ, lucrnd ntre starea de blocare i cea de saturaie i invers, se spune despre el c lucreaz n regim de comutaie (n circuitele digitale, de exemplu). Regimurile de funcionare ale tranzistorului bipolar pot fi vizualizate i pe graficul reprezentnd familia de caracteristici IC = IC(UCE), aa cum se poate observa n fig.1.6.8.

Fig.1.6.8. Printre parametrii caracteristici ai unui tranzistor se afl i puterea maxim pe care el o poate disipa fr a atinge temperaturi la care s-ar distruge. Produsul ICUCE nu poate depi aceast valoare care este diferit n funcie de tipul de tranzistor. Zona n care puterea disipat pe tranzistor ar fi mai mare dect puterea maxim admis este i ea vizualizat pe reprezentarea grafic din fig.1.6.8. 1.6.1.3. Polarizarea tranzistorului bipolar Polarizarea cu divizor de tensiune n baz

Pentru a funciona n zona activ i a fi folosit ntr-o schem de amplificare de exemplu, jonciunile tranzistorului bipolar trebuie polarizate n curent continuu astfel nct jonciunea emitoare s fie polarizat direct iar jonciunea colectoare s fie polarizat invers. Polarizarea se face de la o singur surs de alimentare, existnd mai multe scheme folosite n acest scop. Una dintre cele mai utilizate scheme de polarizare n curent continuu este cea cu divizor de tensiune n baza tranzistorului, schem prezentat n fig.1.6.9.

Fig.1.6.9. Practic, problema se pune n felul urmtor: cunoatem tipul de tranzistor folosit i dorim polarizarea jonciunilor sale astfel nct el s lucreze ntr-un anumit punct static de funcionare. Evident, se cunoate i tensiunea de alimentare folosit. Pentru calcularea valorilor rezistenelor din circuitul de polarizare se folosesc pe de o parte ecuaiile de legtur dintre curenii care intr i ies din tranzistor, n care se poate neglija influena curentului ICBo mult mai mic dect ceilali cureni: (1.6.8) (1.6.9) (1.6.10) i pe de alt parte, ecuaiile pe care le scriem pe baza aplicrii legilor lui Kirchhoff n circuitul de polarizare: (1.6.11)

(6.12) (6.13) (6.14) Desigur, pare destul de complicat rezolvarea unui sistem de apte ecuaii n care s-ar putea s avem mai mult dect apte necunoscute. Practic ns lucrurile se pot simplifica dac tim cam n ce domenii de valori trebuie s se ncadreze valorile rezistenelor din circuitul de polarizare. Iat care sunt acestea: Valorile rezistenelor R1 i R2 sunt mai mari dect ale celorlalte pentru a consuma ct mai puin curent de la sursa de alimentare, dar totodat ele trebuie s asigure polarizarea bazei astfel nct jonciunea emitor s fie n stare de conducie (uzual 0,65V pentru Si). Valoarea rezistenei RE trebuie s fie ct mai mic posibil pentru a consuma ct mai puin. Teoretic ea poate s lipseasc i emitorul s fie conectat direct la mas. Practic ns ea este necesar pentru stabilizarea termic a punctului static de funcionare. Vom vedea acest lucru peste cteva paragrafe. Valoarea rezistenei din colectorul tranzistorului, Rc, reprezint i sarcina tranzistorului atunci cnd acesta lucreaz ca element activ n circuitele de amplificare sau prelucrare de semnale. Valoarea ei maxim este limitat de condiia de conducie a tranzistorului. Pentru o valoare prea mare, cderea de tensiune pe ea poate fi att de mare la un curent de colector mic nct s nu permit trecerea tranzistorului n stare de conducie. De cele mai multe ori, pentru a putea rezolva sistemul de ecuaii al circuitului de polarizare vom fi nevoii ca valoarea uneia dintre rezistene s o alegem pe baza observaiilor de mai sus. S aplicm aceste reguli de calcul a valorilor rezistenelor dintr-un circuit de polarizare n curent continuu a tranzistorului bipolar pe un exemplu concret. Presupunem c avem un tranzistor cu = 100, pe care dorim s-l polarizm n curent continuu astfel nct el s lucreze n zona activ avnd IC = 2mA, UCE = 5V i UEB = 0,65V. Tensiunea de alimentare este EC = 10V. Neglijnd curentul rezidual prin jonciunea baz-colector, din ecuaia (1.6.7) putem calcula curentul de baz: R1, zeci sute de k R2, k zeci de k Rc < 10k

1 Cunoscnd curentul de baz, din ecuaia (1.6.8) calculm curentul de emitor:

Rezistena de emitor o putem calcula din relaia recomandat anterior:

Din ecuaia (16.11) calculm valoarea rezistenei din colectorul tranzistorului:

Potenialul bazei fa de mas, VB = I2R2, putem s-l calculm din ecuaia (1.6.14): Alegnd pentru rezistena R2 valoarea:

se poate calcula valoarea curentului I2:

n sfrit, din ecuaiile (1.6.12) i (1.6.13) poate fi calculat valoarea rezistenei R

Avnd n vedere valorile standardizate ale rezistenelor de uz general, vom alege urmtoarele valori pentru cele patru rezistene de polarizare ale tranzistorului: RC = 2k, RE = 500, R1 = 47k i R2 = 10k. Ecuaia (1.6.3) poate fi rescris n modul urmtor:

(6.15) n care mrimile variabile sunt IC i UCE, celelalte fiind constante. Ea reprezint ecuaia dreptei de sarcin n curent continuu i va determina poziia punctului static de funcionare, aa dup cum se poate vedea n fig.1.6.10.

Fig.1.6.10. Din ea se poate observa c dac tensiunea de alimentare i valorile rezistenelor de polarizare sunt constante, poziia punctului static de funcionare poate fi schimbat modificnd mrimea curentului de baz. Aadar, punctul static de funcionare al tranzistorului se mai poate defini ca fiind intersecia dintre dreapta de sarcin n curent continuu i caracteristica de ieire corespunztoare unui curent de baz prestabilit.

1.6.1.4. Stabilizarea termic a punctului static de funcionare Conductibilitatea electric a materialelor semiconductoare este puternic dependent de temperatura mediului n care acestea lucreaz. O variaie de temperatur determin o variaie relativ mult mai mare a densitii de purttori minoritari dect variaia relativ a densitii de purttori majoritari. De aceea, n cazul tranzistorului bipolar, o cretere a temperaturii va determina o cretere

relativ semnificativ a curentului rezidual (curent de purttori minoritari) prin jonciunea baz colector, ICBo. Conform relaiei (1.6.2) aceasta va determina creterea curentului de colector care, la rndul ei va determina o cretere suplimentar a temperaturii jonciunii, dup care fenomenul se repet ca o reacie n lan, rezultnd fenomenul de ambalare termic. Procesul poate fi sintetizat n urmtoarea diagram:

Sigur c dac temperatura ambiant se va micora fenomenul nceteaz. Aceste variaii de temperatur vor determina i instabilitatea punctului static de funcionare, care este definit i de curentul de colector, IC. Pentru stabilizarea termic a punctului static de funcionare prezena rezistenelor RE i R2 n circuitul de polarizare a tranzistorului este obligatorie. Rolul lor n acest proces poate fi observat pe baza schemei simplificate prezentate n fig.1.6.11.

Fig.1.6.11. Prezena divizorului de tensiune n baza tranzistorului asigur un potenial relativ constant al bazei acestuia n raport cu masa, rezistenele fiind mult mai puin sensibile la variaiile de temperatur dect semiconductorii. Neglijnd contribuia curentului de baz, vom avea IC = IE. Aceasta nsemn c o cretere a curentului de colector, datorat creterii temperaturii, va determina o cretere asemntoare a curentului de emitor i implicit o cretere a cderii de tensiune pe rezistena RE. Deoarece potenialul bazei fa de mas este constant, tensiunea pe jonciunea emitor va trebui s scad. Scderea lui UBE va determina scderea curentului de emitor, deci i a celui de colector i fenomenul se atenueaz. Procesul poate fi sintetizat n urmtoarea diagram: De fapt, prezena rezistenei RE n circuitul de polarizare determin o reacie negativ n curent continuu. Ce este reacia n general i reacia negativ n particular vom vedea ceva mai trziu.

Polarizarea prin curentul de baz Polarizarea jonciunilor tranzistorului se poate realiza i fr divizor de tensiune n baz, folosindu-ne de existena curentului de baz. O astfel de schem de polarizare este prezentat n fig.1.6.12

Fig.1.6.12.

Din sistemul de ecuaii (1.6.8) (1.6.14), ecuaiile (1.6.12) i (6.14) vor fi nlocuite cu ecuaia: (6.16) Deoarece curentul de baz este foarte mic (A sau zeci de A), valoarea rezistenei R1 trebuie sa fie de cteva sute de k sau chiar 1 M, pentru a avea pe ea o cdere de tensiune care s asigure un potenial pe baz capabil s deschid jonciunea baz-emitor. Avantajul acestei modaliti de polarizare este acela c, n absena rezistenei R2, impedana de intrare este mai mare (n regim de variaii rezistenele R1 i R2 apar conectate n paralel la mas ne vom convinge de acest adevr ceva mai trziu). Dezavantajul este o stabilitate mai mic la variaiile de temperatur datorit absenei rezistenei R2. Importana curentului de baz n ecuaiile (1.6.11) (1.6.14), scrise pentru schema de polarizare din fig.1.6.9, am neglijat curentul de baz, IB, n raport cu cel de colector i cel de emitor. n multe situaii practice erorile provocate de aceast aproximaie sunt neglijabile. Dac ns tranzistorul se afl n conducie puternic, intensitatea curentului de baz ajunge la cteva zeci de A i influena sa asupra punctului static de funcionare nu mai poate fi neglijat. Aceast afirmaie poate demonstrat pe baza schemei concrete de polarizare cu divizor de tensiune n baz prezentat n fig.1.6.13.

Fig.1.6.13. Dac IB = 0, atunci potenialul fa de mas al bazei este:

Dac IB = 5 A, atunci potenialul fa de mas se va micora cu: o valoare care n prim aproximaie poate fi neglijat. Dac IB = 50 A, atunci potenialul fa de mas se va micora cu: o valoare care de data aceasta nu mai poate fi neglijat. Rmne deci la latitudinea proiectantului cnd poate neglija influena curentului de baz asupra punctului static de funcionare i cnd nu. 1.6.1.5. Regimul dinamic al tranzistorului bipolar Am vzut c tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol (vezi fig.1.6.5 pentru conexiunea emitor comun). n multe aplicaii practice, la intrarea cuadrupolului se aplic un semnal variabil n timp (n particular el poate fi i un semnal sinusoidal), tranzistorul fiind polarizat deja n curent continuu ntr-un punct de funcionare static. Astfel, peste potenialele statice (fixe) se vor suprapune i potenialele datorate cmpului variabil determinat de semnalul de intrare. Tranzistorul va fi supus simultan la dou regimuri de funcionare: regimul static, pe care l-am analizat anterior i regimul dinamic. Analiza regimului dinamic este o problem complex. Ea poate fi ns simplificat dac facem urmtoarele presupuneri:

 pe toat durat aplicrii semnalului variabil la intrare, punctul de funcionare nu prsete poriunea de caracteristic de transfer corespunztoare zonei active de funcionare (fig.1.6.7.b). 2 pe aceast poriune caracteristica de transfer este liniar. Deci, modelul pe care-l vom prezenta n continuare este unul liniar. n fig.1.6.14 este prezentat un tranzistor de tip npn n conexiune emitor comun, privit ca un cuadrupol.

Fig.1.6.14. Presupunem c el a fost polarizat n curent continuu ntr-un punct static de funcionare aflat n zona activ, caracterizat de valorile.: UBEo, IBo, UCEo i ICo. Presupunem de asemenea c la intrarea cuadrupolului apare la un moment dat o variaie a tensiunii dintre baza i emitorul tranzistorului, ube, datorat semnalului aplicat. Sensul sgeii ne indic faptul ca la momentul considerat potenialul variabil al bazei este mai mare dect cel al emitorului. Creterea de potenial se adaug potenialului static al bazei, ceea ce determin o cretere a curentului de baz cu valoarea ib. Creterea curentului de baz va determina creterea curentului de colector cu valoarea ic i variaia corespunztoare, uce, a tensiunii colector-emitor. Vom considera, ca i n cazul definirii parametrilor statici, drept variabile independente curentul de baz i tensiunea colector-emitor, astfel nct vom avea funciile: (1.6.17) (1.6.18) ]Difereniind cele dou funcii obinem:

(1.6.19)

(1.6.20) Pe baza ecuaiilor (1.618) i (1.6.19) se definesc parametrii h, sau parametrii hibrizi, pentru regimul dinamic al tranzistorului bipolar:

(1.6.21)

(1.6.22)

(1.6.23) (1.6.24) Pe baza ecuaiilor (1.6.19) i (1.6.20) se definesc parametrii h, sau parametrii hibrizi, pentru regimul dinamic al tranzistorului bipolar: (1.6.25) (1.6.26) Ecuaia (1.6.25) are semnificaia unei sume algebrice de tensiuni iar ecuaia (1.6.26) a unei sume algebrice de cureni. Cele dou ecuaii reprezint aplicarea legilor lui Kirchhoff pe intrarea, respectiv pe ieirea cuadrupolului tranzistor. Pornind de la ele poate fi construit schema electric echivalent din fig.1.6.15.

Fig.1.6.15. Analiznd acest schem i cunoscnd relaiile de definiie (1.6.21) (1.6.24) a parametrilor hibrizi, se pot stabili semnificaiile fizice ale acestora. Le menionm n continuare, mpreun cu ordinele lor de mrime: h11 impedana de intrare cu ieirea n scurtcircuit, sute - k h12 factorul de transfer invers n tensiune cu intrarea n gol, 10-3 10-4 h21 factorul de amplificare dinamic n curent cu ieirea n scurt, 101 102 h22 admitana de ieire cu intrarea n gol, 512210h Pentru a nu rmne cu impresia c tot ce am vzut pn acum este doar o teorie frumoas, trebuie s menionm faptul c parametrii h sunt mrimi caracteristice fiecrui tip de tranzistor i c ei sunt precizai n cataloage de ctre firmele productoare. Cunoscnd valorile lor concrete, pentru analizarea regimului dinamic al unui circuit care conine un tranzistor noi l putem nlocui cu schema din fig.6.16 rezultnd o schem echivalent a ntregului circuit. Aceast schem va conine doar elemente de circuit simple (surse de curent i tensiune, rezistene, condensatori, bobine) a cror comportare o cunoatem i putem face analiza teoretic a comportrii circuitului.

1.6.1.5.1. Circuitul echivalent natural - hibrid (Giacoletto)

Fig.1.6.16 Este cel mai utilizat circuit echivalent de semnal mic, valabil n toate conexiunile n care poate funciona tranzistorul bipolar. Elementele sale au

semnificaii fizice clare, nu depind de frecven i pot fi determinate uor experimental. Parametrii principali ai circuitului - hibrid sunt: Transconductana (panta): (1.6.27) Rezistena de intrare: (1.6.28) Rezistena de ieire: (1.6.29) unde: UA este tensiunea Early. Rezistena de reacie (colector-baz): (1.6.30) 1.6.1.5.2. Caracteristica de frecventa a TB Structura circuitului echivalent de semnal mic (fig.1.6.17) arat ca funcionarea TB este, n general, dependena de frecven. Pentru caracterizarea TB n raport cu frecvena se ia n considerare amplificarea de curent cu ieirea n scurtcircuit, care este, n general, un parametru complex, dependent de frecvena semnalului f (sau ). El se definete prin relaia: , (1.6.31) adic, este raportul dintre curentul de ieire din TB, care pentru conexiunea EC este Ic i curentul de intrare n TB care, pentru aceeai conexiune este Ib, cnd ieirea este scurtcircuitat (tensiunea de semnal colector-emitor nul), aa cum se prezinta n figura 1.6.17.

Fig. 1.6.17. Circuitul echivalent al TB prin scurtcircuitarea ieirii Datorit scurtcircuitului dintre c i e, C este conectat intre b i c, deci n paralel cu C , ceea ce nseamn c tensiunea pe C este Vbe i, de asemenea, curentul prin ro este nul. Rezult, aplicnd teorema I a lui Kirchhoff, c: IC = gmVbe j C Vbe = (gm j C )Vbe. (1.6.32) Dar pentru frecvenele de lucru ale TB gm >> C , deci IC gmVbe. (1.6.33) De asemenea, pentru c i e scurtcircuitate, avem:

Vbe =

. (1.6.34)

Din relaiile (1.6.32), (1.6.33) i (1.6.34) rezult:

. (1.6.35) Dar gmr = F = 0 = AI(0) este amplificarea la frecvene joase, deci:

. (1.6.36) Modulul amplificrii, ca funcie de frecven,

(1.6.37) constituie caracteristica de frecven a TB i este reprezentat grafic in figura 1.6.18.

Fig. 1.6.18. Caracteristica de frecven a TB Este de dorit ca aceasta caracteristic a TB s fie o dreapt paralel cu axa frecvenei, adica s nu depind de frecven pn la frecvene ct mai nalte, ceea ce ar arta c TB poate s amplifice constant semnale cuprinse ntr-un spectru larg de frecvene. Practic, este cvasiconstant (apropiat de 0) pn la frecvene de ordinul 104 106 Hz i apoi scade treptat.

1.6.1.5.3.Frecvene limit Pentru caracterizarea prin parametri numerici a calitii TB n ceea ce priveste comportarea sa cu frecvena se introduc aa-numitele frecvene limit. Ele trebuie s indeplineasc condiia de a fi uor de msurat i interpretabile fizic. Cele mai uzuale sunt:

o o o

frecventa f ; frecventa de taiere fT; frecventa c.

Frecvena feste frecventa la care scade la = 0,707 sau cu 3dB din valoarea lui 0. Aplicnd aceast definiie relaiei (6.37), avem:

, de unde

(1.6.38)

. (1.6.39) Relaia (36) devine:

. (1.6.40) La frecvene mai mari de 3-4 ori dect f relaia (1.6.40) devine:

= 0

. (1.6.41)

Frecvena de taiere fT este frecvena la care scade la valoarea 1. Intotdeauna fT >> f , deci este valabil relaia (1.6.41), obinnd:

= 0

=1

fT = 0 f . (1.6.42)

Frecvena f este frecventa la care

al amplificrii de curent cu ieirea n

scurtcircuit pentru conexiunea BC scade cu din valoarea 0 la joas frecven. Procednd ca n cazul determinrii lui f , se obtine: f 0f . (1.6.43) Prin urmare, f este mult mai mare dect f i de acelai ordin de marime cu frecvena de taiere fT.

1.7.Tranzistorul cu efect de cmp

1.7.1. Tranzistorul cu efect de cmp tec-j 1.7.1.1. Construcie i principiu de funcionare Consideram cazul TEC cu canal n. seciunea din figura 1.7.1. Structura sa este prezentat n

Fig.1.7.1. Structura prezentat n figura 1.7.1 pune n eviden urmtoarele zone: zonele n+ difuzate n stratul epitaxial n, una din ele numit surs, iar cealalt dren; zona p+ central numita gril sau poart care, impreun cu substratul p+ delimiteaz canalul n. In tranzistor iau natere dou jonciuni p - n, una ntre poart i canal, iar a doua ntre substrat i canal. Jonciunea poart canal este polarizat invers, iar grosimea regiunii de sarcin spaial asociat acestei jonciuni face c seciunea conductiv a canalului (regiunea n neutr) s fie mai mic dect distana dintre cele dou jonciuni. Aceast seciune este controlabil electric prin diferena de potenial care exist ntre poart i canal. In procesul de conducie electronii sunt emii de surs i colectai de dren. NOTA: i substratul p+ poate fi folosit c gril. Dac se leag la acelai potenial cu grila propriu-zis, cazul cel mai des ntlnit, atunci se obine un efect de cmp" aproximativ simetric fa de axa longitudinal a dispozitivului. Substratul poate fi folosit ns i c un al patrulea electrod de comand, caz n care se obine tetroda cu efect de cmp. TECJ are avantaje importante fa de TB, dintre care amintim: dependena de temperatur a caracteristicilor mai redus, deoarece n conducia TECJ nu mai intervin purttorii minoritari; rezistena de intrare (pe electrodul gril) foarte mare (sute sau mii de M ), datorit jonciunii grilei polarizate invers, lucru care este util n anumite aplicaii; inexistena tensiunii de decalaj, adic tensiune drensurs nul pentru curent de dren zero;

zgomot mai redus. C dezavantaje putem aminti: TEC nu amplific n curent, iar amplificarea n tensiune este mic n raport cu a TB. In circuitele electronice cu componente discrete, dar i n anumite circuite integrate (de exemplu, n anumite amplificatoare operaionale), TEC se ntlnete mpreun cu TB, exploatndu-se avantajele ambelor tipuri de tranzistoare. Tranzistoarele cu efect de cmp cu jonciune sunt reprezentate n figura 1.7.2.

Fig. 1.7.2. Simbolul TECJ: a) cu canal n; b) cu canal p Se remarc faptul c i n cazul TECJ sgeata desemneaz o jonciune p-n (sensul este de la semiconductorul p la semiconductorul n). Curentul de gril iG este foarte mic (de ordinul nanoamperilor) i va fi considerat practic nul. 1.7.1.2. Caracteristicile statice ale TECJ TECJ are urmtoarele tipuri de caracteristici statice:
o o

caracteristicile de ieire ID = ID(VDS) cu VGS = ct.; caracteristicile de transfer ID = ID(VGS) cu VDS = ct.

a) Modelul simetric idealizat Analiza funcionrii o facem pentru TECJ cu canal n, comportarea tranzistorului cu canal p fiind analoga. Pentru studiul funcionrii TECJ cu canal n, vom utiliza modelul simetric idealizat din figura 1.7.3.

Fig. 1.7.3. Modelul simetric idealizat al TECJ b) Funcionarea la tensiuni dren-surs mici Admind vDS 0, potenialul canalului n neutru este uniform i practic egal cu potenialul de referin (al lui S). Ca urmare, variaia lrgimii regiunii de sarcina spaial de-a lungul canalului va fi neglijabil, iar profilul canalului va fi uniform (fig. 1.7.3). Dac negativarea porii crete (vGS scade), atunci grosimea efectiva a canalului, 2b, scade, datorit mririi regiunii de sarcin spaial. Grosimea canalului devine nul pentru vGS = VP numit tensiune de prag sau de tiere (blocare). Plaja de tensiuni care corespunde funcionrii TECJ este: VP < vGS < V . (7.1) Limita superioar, V este tensiunea de deschidere a jonciunii p-n. In mod obinuit se asigura funcionarea la vGS < 0. Conductana G a canalului are expresia aproximativa

(1.7.2) unde G0 are semnificaia conductanei canalului la vGS = 0. Caracteristicile statice ID = ID(VDS) cu VGS = const., la VDS mic sunt date de relaia:

(1.7.3)

fiind reprezentate in figura 1.7.4. Caracteristic V GS = VP coincide cu axa orizontal

Fig. 1.7.4. Caracteristicile ID = ID(VDS) cu VGS = const. la VDS mic TECJ este folosit n regiunea liniar de la tensiuni VDS mici (orientativ sub 0,1 V), dar nu ca amplificator, ci ca rezisten controlat n tensiune. In aceast zon conductana dren-surs gd este identic cu conductana G a canalului i rezistenta drena-surs este rd = rd(VGS), unde VGS este tensiunea continu gril-surs. Pentru calcule practice se poate aproxima rd cu expresia empiric: , (1.7.4) unde r0 este rezistena pentru VGS = 0, iar K o constant a tranzistorului. c) Caracteristicile statice de dren In figura 1.7.5 sunt reprezentate caracteristicile experimentale de dren I D = ID(VDS) pentru VGS = ct. ale unui tranzistor cu canal n. Aceste caracteristici sunt liniare numai la tensiuni VDS foarte mici. Pentru tensiuni VDS mai mari se disting: o zona neliniar, o zona de saturaie in care ID este foarte slab dependent de VDS i o zon de strpungere, caracterizat printr-o cretere abrupt a curentului.

Fig. 1.7.5. Caracteristicile de dren Zona neliniar

Fig. 1.7.6. Profilul sarcinii spaiale din canal la o tensiune VDS < VDS,sat In figura 1.7.6. se arat o schi a profilului de sarcin spaial din canal la o tensiune VDS < VDS,sat, unde VDS,sat este tensiunea VDS la care apare saturaia curentului de drena. Potenialul canalului crete treptat de la surs la dren, polariznd invers din ce n ce mai puternic poriunea corespunztoare a jonciunii p-n poart-canal. Ca urmare canalul se ngusteaz treptat, pe msura ce ne apropiem de drena. Datorita neuniformitii grosimii canalului, acesta nu se mai comport ca o rezisten liniar. Acest lucru explic forma neliniar a caracteristicilor, curbarea acestora fiind in sensul creterii rezistentei deoarece cderea de tensiune VDS micoreaz seciunea conductiv a canalului. Zona de saturaie Urmarind mai departe o curba VGS = ct. in sensul creterii lui VDS, se constata c de la o anumita valoare I D nu mai creste apreciabil cu VDS. Aceasta corespunde saturaiei curentului. Prin definiie pentru VDS VDS,sat, ID = ID,sat.

Teoria arata c saturaia corespunde cazului n care canalul este strangulat lng dren. Aceasta strangulare apare cnd diferena de potenial intre poarta i extremitatea de lng drena a canalului este egala cu tensiunea de prag, adic: VGS VDS,sat = VP. (1.7.5) Forma ideala" a caracteristicilor de drena, cu delimitarea zonei de saturaie a curentului este data n figura 1.7.7

Fig. 1.7.7. Caracteristicile ideale" de drena Pentru VDS > VDS,sat profilul sarcinii spaiale din canal este cel din figura 1.7.8.

Fig. 1.7.8. Profilul sarcinii spaiale din canal pentru VDS > VDS,sat Zona de strpungere La tensiuni VDS mari apare o cretere abrupta a lui ID datorita strpungerii prin multiplicare n avalan care apare la captul de lng dren al jonciunii poarta-canal. Tensiunea de strpungere este V(BR)DS.

d) Caracteristica static de transfer Dispozitivul este folosit c amplificator in zona vDS > VDS,sat. In aceasta situatie iD = ID,sat, independent de vDS (vezi fig. 1.7.7). Ca urmare, tranzistorul, lucrnd n zona de saturaie a curentului, are o unic caracteristic de transfer ID = ID(VGS), independenta de VDS. Pentru calcule de circuit se folosete aproximaia parabolic (fig. 1.7.9): ID = ID,sat = IDSS unde IDSS = , (1.7.6) .

Fig. 1.7.9. Caracteristica de transfer a TECJ e) Efectul variaiei temperaturii Odat cu creterea temperaturii, IDSS scade datorita scderii mobilitii purttorilor de sarcin (o variaie relativ lent). De asemenea, V P scade cu temperatura, astfel c apar modificri ale cacteristicii de transfer ca in figura 1.7.10.

Fig. 1.7.10. Modificarea cu temperatura a caracteristicii de transfer Zona preferat de lucru a TECJ este cea de la cureni mari. Problema ambalrii termice nu se pune n cazul TECJ.

1.7.1.3. Polarizarea TECJ a) Schema de polarizare automata a porii este prezentat n figura 1.7.11.

Fig. 1.7.11. Polarizarea automat a porii Polarizarea automata a porii fa de sursa este asigurata de cderea de tensiune dat de curentul de sursa IS = ID pe rezistenta RS. Aceasta tensiune este aplicat pe poarta prin rezistenta RG, care are valori de ordinul M . Punctul static de funcionare (PSF), n planul caracteristicii de transfer poate fi determinat prin intersecia caracteristicii de transfer cu dreapta de polarizare a crei ecuaie este: VGS = RID, (1.7.7) aa cum se arata in figura 1.7.12.

Fig. 1.7.12. Determinarea punctului static de funcionare al TECJ, folosind caracteristic static de transfer Observatie. Punctul static de funcionare al TECJ poate fi determinat grafo-analitic folosind i caracteristicile statice de dren, prin intersecia cu dreapta static de sarcin. Datorita dispersiei caracteristicilor, caracteristica ID = ID(VGS) este ns nesigur. In figura 1.7.13 sunt reprezentate caracteristicile de transfer extreme, care au n vedere att dispersia de la un exemplar la celalalt, ct i variaia cu temperatura pentru un anumit tip de tranzistor.

Sa presupunem c variaia lui ID corespunztor punctului static de funcionare nu este tolerat dect intre IA i IB care determin punctele A i B pe caracteristicile limit. Ca urmare, linia de polarizare trebuie sa treac printre A i B, aa cum se vede n figura 1.7.13.

Fig. 1.7.13. Determinarea PSF al TECJ n condiiile cunoaterii unor limite ale curentului de drena b) Schema de polarizare cu divizor rezistiv pe poart Atunci cnd variaia ID = IB IA impusa este prea mic i nu se poate gsi o linie de polarizare care sa treac corect printre punctele A i B i in acelai timp prin origine, se folosete circuitul de polarizare modificat c in figura 1.7.14, a, pentru a asigura: VGS = VGG IDRS, (1.7.8)

unde VGG =

a b Fig. 1.7.14. Polarizarea cu divizor rezistiv a TECJ

Conform figurii 1.7.14.b, polarizarea tranzistorului respecta i condiia impus asupra lui ID al PSF i anume, c aceasta s fie cuprins intre IA i IB. 1.7.2. Tranzistorul cu efect de cmp cu grila izolata (tranzistorul mos) 1.7.2.1. Construcie i principiu de funcionare Tranzistorul MOS este un dispozitiv electronic la care conducia curentului electric se produce la suprafaa semiconductorului. Proprietile conductive ale suprafeei semiconductorului sunt controlate de un cmp electric ce ia natere ca urmare a aplicrii unei tensiuni pe electrodul poarta. In figura 1.7.15 este reprezentata structura unui tranzistor MOS.

Fig.1.7.15. Izolatorul folosit este un strat subire de oxid (SiO2) obinut prin oxidarea termic a suprafeei de Si. Poarta este realizat, de regul, din aluminiu, dar poate fi realizat i din alte materiale, ca de exemplu, Si policristalin puternic dopat. Conducia se realizeaz la suprafaa substratului de Si, ntre dou zone de tip opus substratului, cele dou zone numindu-se surs (S) i dren (D). In figura 1.7.15 substratul se consider de tip p, sursa i drena fiind de tip n+. Pentru a se putea stabili un curent electric ntre surs i dren, suprafaa semiconductorului trebuie inversat ca tip, adic s devin de tip n. In acest fel, la suprafaa apare un canal de tip n care leag sursa de dren. Inversarea tipului de conductivitate a suprafeei, precum i controlul rezistivitii canalului se face prin cmpul electric ce ia natere prin aplicarea tensiunii pe poart. Cnd electrodul poart este lsat n gol sau i se aplic o tensiune negativa (vGS < 0) n raport cu sursa, nu exist practic conducie ntre surs i dren, deoarece regiunile sursei i drenei, impreun cu regiunea din substratul semiconductor cuprins ntre aceste regiuni, formeaz dou jonciuni p - n legate n opoziie, astfel c, indiferent de polaritatea tensiunii aplicate intre surs i

dren, una din jonciuni va fi polarizat invers, blocnd calea de conducie ntre surs i dren. Cnd poarta este pozitivat (vGS > 0) fa de surs i dren, n stratul de oxid de sub electrodul poarta ia natere un cmp electric (fig. 1.7.16) orientat dinspre metal (gril) spre semiconductor (substrat), cmp care respinge de la interfa golurile, mrind concentraia electronilor minoritari. Peste o anumit valoare VP a tensiunii vGS, numit tensiune de prag, concentraia electronilor la interfa devine mai mare dect concentraia golurilor, adic s-a inversat tipul de conductibilitate. Stratul superficial de la interfa, n care, sub aciunea cmpului electric generat de tensiunea de gril, a fost inversat tipul de conductibilitate a semiconductorului (n cazul de fa de la plan) se numete strat de inversie sau canal indus (aici, canal n). Formndu-se stratul de inversie ntre D i S, cu acelai tip de conductibilitate ca i regiunile respective, se asigur conducia electric ntre dren i surs.

Fig. 1.7.16. Tranzistorul MOS cu grila pozitivata in raport cu sursa Aplicnd atunci o tensiune vDS, prin circuitul de dren va trece un curent i D cu sensul corespunztor polaritii lui vDS. Dac dup formarea canalului mrim tensiunea vGS, conductana canalului va crete, deoarece se mrete intensitatea cmpului electric i un numr mai mare de electroni se acumuleaz n canal. Prin urmare, conductana canalului va fi comandat de ctre v GS prin intermediul cmpului electric dintre gril i substrat. Cu alte cuvinte, curentul i D este controlat de tensiunea vGS cnd aceasta depete valoarea de prag VP. In jurul sursei, al drenei i al canalului apare o zona de sarcina spaial. Tipuri de tranzistoare MOS. Simboluri Tranzistorul MOS poate fi: cu canal indus de: tip n (fig. 1.7.17, a); tip p (fig. 1.7.17, b);

 cu canal iniial de: tip n (fig. 1.7.17, c); tip p (fig. 1.7.17, d). Spre deosebire de tranzistoarele MOS cu canal indus, tranzistoarele MOS mai pot fi i cu canal iniial. La acestea canalul exist chiar i cnd v GS = 0. Tensiunea aplicat grilei, n funcie de polaritate, poate mri sau micora conductana canalului.

a b c d Fig. 1.7.17. Tranzistorul MOS: a) cu canal indus de tip n; b) cu canal indus de tip p; c) cu canal initial de tip n; d) cu canal initial de tip p 1.7.2.2. Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS Consideram un tranzistor MOS cu canal indus de tip n. In figura 1.7.18 sunt reprezentate caracteristicile statice de ieire si de transfer.

a b Fig. 1.7.18. Caracteristicile statice: a) de iesire ID = ID(VDS) cu VGS = = ct.; b) de transfer ID = ID(VGS) cu VDS = ct. > VDS,sat Pentru a urmri aciunea tensiunii VDS asupra tranzistorului MOS vom face o reprezentare n seciune a acestuia pentru trei cazuri semnificative (fig. 1.7.19).

b c Fig. 1.19. Seciune prin tranzistorul MOS cu canal n pentru:

a) VGS > VP, VDS << VDS,sat; b) VGS > VP, VDS = VDS,sat; c) VGS > VP, VDS > VDS,sat In figura 1.7.19, a este reprezentat cazul cnd structurii i se aplic o tensiune VDS << VDS,sat, caz ce corespunde zonei liniare a caracteristicilor de ieire din fig. 1.7.18, a. Liniaritatea zonei se obine pentru valori ale lui V DS n jurul originii (cteva zecimi de volt). In aceasta zon tranzistorul MOS se comport ca o rezisten controlat n tensiune. Conductana canalului are expresia: G = (vGS VP), (1.7.9) iar curentul de drena: iD = GvDS = (vGS VP)vDS, (1.7.10) unde este un factor (panta conductanei) msurat n mS/V. Meninndu-l pe VGS constant la o valoare superioar lui VP i mrind VDS, se constat c ID nu mai crete proporional cu VDS ci cu o rat mai mic, ceea ce determin curbarea caracteristicii, iar la o anumit valoare VDS,sat, numit tensiune dren-surs de saturaie, curentul atinge o valoare limita ID,sat, numit curent de dren de saturaie i apoi nu mai crete practic cu VDS. De observat c fiecrui VGS i corespund o valoare proprie VDS,sat, respectiv un curent propriu ID,sat. Instalarea saturaiei se face la nchiderea canalului spre dren (punctul M) (fig. 1.7.19, b) i este reprezentat pe caracteristicile statice de ieire ca o zon aproape orizontal (fig. 1.7.18, a). In aceast zon ID = ID,sat (VGS VP)2, VDS VDS,sat. (1.7.11)

Se observ c ID,sat nu depinde practic de VDS. In planul caracteristicilor de ieire (fig. 7.18.a) am reprezentat prin curba trasat cu linie intrerupt, locul geometric al punctelor care verifica ecuaia: VGS VDS,sat = VP, (1.7.12) curba care limiteaz la stnga regiunea de saturaie. Creterea lent a curentului ID cu tensiunea VDS n regiunea de saturaie, evideniat experimental, este determinat de deplasarea spre stnga a punctului M (fig. 1.7.19, c). Micorndu-se lungimea canalului se mrete conductivitatea acestuia i implicit iD. La tensiuni de dren mari apare fenomenul de multiplicare in avalan a purttorilor de sarcin n regiunea de sarcin spaial a jonciunii dren-substrat, determinnd creterea brusc a curentului de dren, intrndu-se n zona de strpungere a caracteristicilor de ieire (fig. 1.7.18, a). In regiunea de saturaie, care este cea mai important n aplicaii, dependena ID = ID(VGS) se reduce practic la o singur curb, caracteristica de transfer prezentat n fig. 1.7.18, b. Pentru un tranzistor MOS cu canal iniial n caracteristica de transfer este reprezentat n figura 1.7.20.

Fig. 1.7.20. Caracteristica de transfer a unui tranzistor MOS cu canal iniial n

1.7.2.3. Polarizarea tranzistorului MOS a) Pentru tranzistoarele MOS cu canal indus se poate folosi un circuit de polarizare de tipul celui prezentat in figura 1.7.21, a.

a b Fig. 1.7.21. Polarizarea tranzistorului MOS a) cu canal indus; b) cu canal iniial

Tensiunea aplicat pe poart este determinat de divizorul rezistiv R1, R2: VGS = VDD , (1.7.13)

care introdus n relaia (1.7.17) va duce la determinarea lui ID. Tensiunea drensurs este atunci: VDS = VDD RDID, (1.7.14) rezultnd toate coordonatele punctului static de funcionare. b) Pentru tranzistoarele MOS cu canal iniial trebuie folosit un circuit de tipul celui din figura 1.7.21. b, deoarece acest tip de tranzistor necesita tensiuni VGS att pozitive ct si negative. Se obine: VGS = VDD RSID, (1.7.15)

care, combinat cu (1.7.11), duce la determinarea lui ID. Acest tip de polarizare se numete polarizare automat. Nota: Circuitele de polarizare a tranzistoarelor MOS nu au, de regula, sarcina stabilizarii termice a PSF, datorita dependentei slabe de temperatura a caracteristicilor statice.

1.7.2.4. Modelele de semnal mic In circuitele de amplificare tranzistorul MOS funcioneaz n regiunea de saturaie a caracteristicilor statice. a) Modelul de semnal mic pentru frecvente joase La frecvente joase se poate adopta ipoteza cvasistaionar, potrivit creia dependena ntre valorile instantanee ale mrimilor electrice este aceeai ca i n curent continuu, adic: iD (vGS VP)2, vDS > VDS,sat. (1.7.16)

Atunci:

. (1.7.17) Se definesc parametrii: Conductana mutuala (transconductana):

(1.7.18) Conductana de drena (de ieire):

. (1.7.19)

Rezistenta de drena

Valorile tipice pentru gm sunt cuprinse intre 1 i 10 mS, iar pentru r d ntre 10 si 100 k . Relaia (1.7.16) se poate transcrie n felul urmtor:

id gmvgs +

vds

(1.7.20)

Circuitul echivalent este cel din figura 1.7.22.

Fig. 1.7.22. Circuitul echivalent de semnal mic pentru frecvente joase b) Modelul de semnal mic pentru frecvente nalte La frecvente mari intervin capacitile structurii, C gs, Cgd si Cds. Circuitul echivalent este prezentat in figura 1.7.23.

Fig. 1.7.23. Circuitul echivalent de semnal mic pentru frecvente nalte

1.8. Tiristorul 1.8.1. Tiristorul bipolar 1.8.1.1. Consideraii teoretice Tiristorul este o structur pnpn prevzut cu un electrod de comand, denumit gril sau poart i notat pe schem cu GD (Gate = poart), fig.1.8.1.a.

Fig.1.8.1 Regiunile laterale sunt puternic dopate cu impuriti pe cnd cele centrale sunt slab dopate cu impuriti. Tiristorul va conduce curent electric numai de la regiunea exterioar de tip p, numit anod (A), la regiunea exterioar de tip n, numit catod (K). Cel de-al treilea electrod, numit gril sau poart si notat cu G, corespunde regiunii interne de tip p. Simbolul adoptat pentru tiristor este dat n fig. 1.8.1.c. Din structura tiristorului rezult c el are trei jonciuni: dou laterale, notate cu J1i J3 i una central notat cu J2, fig.1.8.1.a., cele trei jonciuni corespunznd unor diode D1, D2, D3 conectate ntr-o schem echivalent a tiristorului ca cea din fig.1.8.1.b.

Pentru analiza funcionrii se consider catodul drept origine a potenialelor, fig.1.8.2, i n funcie de polaritatea tensiunii UAK aplicat ntre anod i catod se disting dou situaii: 1. Dac se aplic o tensiune UAK < 0 (cu polaritatea pozitiv pe catod i cu cea negativ pe anod), n acest caz tiristorul se considera blocat, prin el circulnd totui un curent rezidual invers IR de valoare foarte mic. Creterea tensiunii U AK peste o anumit valoare notat cu UBR si numit tensiune de strpungere conduce la distrugerea tiristorului.

Fig.1.8.2 2. Dac se aplic tiristorului o tensiune UAK>0 (cu polaritatea pozitiv pe anod i cu cea negativ pe catod) tiristorul continu s rmn blocat deoarece cele doua jonciuni J1i J3 (respectiv diodele D1 si D3) vor fi polarizate direct iar jonciunea J2 (dioda D2) va fi polarizat invers. Totui n aceast situaie exist dou posibiliti ca tiristorul s intre n conducie, i anume: a) prin mrirea tensiunii UAK pn la valoarea tensiunii de autoaprindere, notat cu UB0 (care corespunde lui IG=0). Aceast metod de aprindere a tiristorului nu este recomandat deoarece n cazul unor folosiri repetate apare pericolul de distrugere a structurii semiconductorului. b) prin injectarea unui curent IG n electrodul de comand, fig.1.8.3.a.

Fig.1.8.3 n acest caz tiristorul se echivaleaz printr-o combinaie de dou tranzistoare complementare, conectate ca n fig.1.8.3.b. Tranzistorul pnp (T 1) este echivalent regiunilor p1n1p2 iar tranzistorul npn (T2) corespunde regiunilor n2p2n1. Astfel, regiunea n1 ndeplinete simultan funcia de baza a lui T1 si funcia de colector a lui T2, iar regiunea p2 joac rolul de baz a lui T2 i colector lui T3. Folosind circuitul echivalent se pot scrie relaiile: IA = IC1 + IC2 IK = IA + IG (1.8.1) Curenii IC1 si IC2 au expresiile: IC2 = M(2IK + IC0/2) IC1 = M (1IA + IC0/2) (1.8.2) (1.8.3)

unde: M factor de multiplicare ntr-o jonciune polarizata invers, acelai pentru ambele tranzistoare; 1,2 factori de transfer n curent ai celor dou tranzistoare; IC0 curentul rezidual al jonciunii centrale (curent care ar trece prin jonciune n absena celorlalte doua jonciuni). Eliminnd ntre cele patru ecuaii pe IC1, IC2 i IK rezulta:

(1.8.4) La tensiunile anodice inferioare celei de strpungere M=1 i curentul anodic are expresia:

(1.8.5) Amorsarea tiristorului are loc atunci cnd curentul anodic dat de relaia anterioar tinde s creasc la infinit, adic atunci cnd are loc condiia:

+ =1
1 2

n acest caz curentul anodic poate lua orice valoare, limitat doar de parametrii circuitului exterior, tiristorul trecnd n starea de conducie n salt. Dup amorsare, electrodul de comand (poarta) nu mai poate influena curentul prin tiristor deoarece IG << IA. Caracteristica static de funcionare a tiristorului, care reprezint dependena IA=f(UA), pe care sunt definii parametrii electrici statici mai importani, este dat n fig.4.

Fig.1.8.4. Pe aceasta caracteristica se pun in eviden: -caracteristica de blocare la polarizare direct (1), care corespunde situaiei n care tiristorul este polarizat direct (anodul pozitiv i catodul negativ) dar necomandat (IG =0). n acest caz tiristorul este blocat, curentul prin el fiind foarte mic. Dac se crete UAK curentul rmne n continuare redus, iar la atingerea valorii UB0 numit tensiune de autoaprindere, are loc intrarea n conducie a tiristorului. 0 -caracteristica de conducie (2) este valabil dup ce tiristorul a intrat n conducie. Curentul prin tiristor n momentul intrrii n conducie se numete curent de acroaj al tiristorului i se noteaz cu IL. Dup acest punct curentul prin

tiristor creste aproximativ liniar, cu o pant foarte mare, care reprezint rezistena circuitului n care tiristorul este montat i care limiteaz de fapt acest curent. 1 Scznd valoarea tensiunii la bornele tiristorului se va observa c, curentul prin tiristor se va menine nc sub valoarea de acroare IL si anume pn la punctul notat IH numit curent de meninere. Dac n continuare tensiunea la bornele tiristorului scade i mai mult, tiristorul se blocheaz ( IA=0). Tensiunea la care se blocheaz se noteaz cu UT0 i se numete tensiune de prag. 2 -caracteristica de blocare la polarizare inversa (3), numit i caracteristic invers. La o mrime a tensiunii inverse aplicate, notat cu UBR se produce strpungerea tiristorului. Caracteristica tiristorului prezint o poriune de rezisten negativa (AB), care nu poate fi parcursa lent nici pentru valori mai mari ale rezistenei de sarcin. Amorsarea unui tiristor pe poarta presupune cunoaterea caracteristicii de poarta i a limitrilor impuse jonciunii grila catod. In cataloage se prezint de obicei zone de amorsare sigur a unui tiristor pe caracteristicile de grila (conform fig.1.8.5.)

Fig.1.8.5. 1.8.1.2. Modalitati de amorsare a tiristorului. Amorsarea pe poart Tensiunea de amorsare are intenionat valori mari pentru a nu putea fi depit accidental de tensiunile din circuitele cu care se lucreaz. Astfel, fr curent de poart, tiristorul nu poate fi amorsat i el este echivalent ntre anod i catod cu un circuit ntrerupt. Amorsarea tiristorului trebuie s fie fcut numai la comanda n poart. Din figur se observ cum creterea curentului de poart

micoreaz valoarea tensiunii de amorsare. La o valoare a curentului de poart suficient de mare, caracteristica anod catod este identic practic cu aceea a unei diode, fr s se mai vad poriunea de "intoarcere". In aplicaiile practice curentul de poart nu se modific gradual. El este meninut nul dac nu vrem s amorsm tiristorul (ca n Fig. 1.8.6.a), iar n momentul n care am decis s-l trecem n conducie, curentul de poart este adus brusc la o valoare care s determine amorsarea sigur ( desenul b al figurii). Din circuit deschis, tiristorul devine brusc dioda i curentul ncepe s circule. Intreruperea ulterioar a curentului de poart, dei produce revenirea tensiunii de amorsare la o valoare foarte mare (Fig. 1.8.6.c.), nu poate bloca tiristorul deoarece nu afecteaz caracteristica in zona n care se gsete acum punctul de funcionare. Singura posibilitate de blocare este coborarea curentului anod-catod la valori sub curentul minim de meninere. In concluzie, tiristorul poate fi amorsat prin creterea curentului de poart dar nu se mai bloccheaz la revenirea la zero a curentului de poart. Blocarea tiristorului nu mai poate fi realizat dect prin aducerea la zero a curentului anodcatod, tocmai curentul comandat, care este de valoare mare. Din acest motiv, funcionarea sa nu este echivalent cu aceea a unui releu electromagnetic (ntrerupator mecanic controlat de bobina unui electromagnet) i el nu este utilizat, dect foarte rar, in circuitele decurent continuu.

aparitia unui curent in disparitia curentului de poarta coboara poarta readuce forma tiristorul este blocattensiunea tensiunea de amorsare initiala a caracteristicii este insuficientapentru punctul de functionare dar punctul de (tiristorul amorsare este obligat sa sara in ramine amorsat) a) punctul M (amorsare) functionare ramine in M b) c) Fig. 1.8.6. Amorsarea tiristorului prin creterea curentului de poart. In cazul regimului sinusoidal, ns, curenii trec automat prin valoarea nul de dou ori ntr-o perioad.Tiristorului i se spune (printr-un puls de curent n poart) cnd s se amorseze iar el se blocheaz singur la coborarea curentului

anod-catod la valoarea zero. Pentru 1 + 2 >1 rezult c IA >0, adic un tiristor se amorseaz necomandat cu att mai uor cu ct 1 i 2 sunt constructiv apropiai de unitate. 1. 1, 2 cresc odat cu creterea temperaturii: cu ct temperatura este mai mare exist o probabilitate mai mare spre amorsare necontrolat; 2. curenii inveri ICB01, ICB02 cresc odat cu creterea temperaturii: un tiristor se amorseaz necontrolat la temperaturi mai ridicate; 3. tensiunea de alimentare conduce att la creterea mrimilor ICB01, ICB02 ct i a marimilor 1, 2. Polarizarea invers a tiristorului convenional J1, J3 - polarizeaz invers; J2 - polarizeaz direct (bariere de potential).

(8.6) Tiristorul nu se poate amorsa necontrolat la polarizarea invers. Polarizarea direct a structurii avnd poarta conectat Dup intrarea in conducie nu mai este necesar existena tensiunii de poart.

1.8.1.3. Comportarea n regim dinamic Comportarea n regim dinamic a tiristorului depinde n mare masura de parametrii circuitului de sarcina si de comanda, de viteza de variatie a curentului si tensiunii si de temperatura jonctiunilor. Amorsarea tiristorului Amorsarea poate avea loc n trei moduri: - aplicnd un curent pe grila; - depasind tensiunea de amorsare Umax; - la o panta mare de crestere a tensiunii de polarizare directa a tiristorului. Prima metod corespunde unei amorsri fireti a tiristorului, iar ultimele dou se evit, fiind periculoase pentru structura tiristorului. Depirea tensiunii de autoamorsare Umax produce o cretere pronunat a curentului prin jonctiunea J2 i conduce la amorsarea tiristorului.

Acest mod de intrare n conducie este periculos, deoarece tensiunea mare aplicat pe tiristor determin un cmp electric puternic care, la rndul lui, produce strpungerea i distrugerea structurii semiconductoare. Prin urmare, nu este recomandabil amorsarea prin creterea tensiunii peste Umax. De asemenea, nu este recomandabil nici amorsarea tiristorului n urma creterii rapide a tensiunii de polarizare directa aplicat pe tiristor, adic la de valoare mare, deoarece produce supranclziri locale datorate curentului capacitiv proporional cu i capacitatea jonciunii J2 (ic=Cdu/dt). De obicei, panta creterii tensiunii este limitat la o valoare admisibil, la care n mod sigur tiristorul nu se amorseaz. Tensiunea aplicat are o limit inferioar sub care tiristorul nu se amorseaz, indiferent ct de mare este , deoarece amorsarea necesit o anumit cantitate de purttori de sarcin asigurat de tensiunea U A. Dac aceasta cantitate de sarcin nu exist n structur, nu poate avea loc amorsarea. La tiristoarele fabricate cu tehnologii obinuite, ordinul de marime pentru panta tensiunii este de V/s. Este de menionat c panta creterii tensiunii inverse, n sensul blocrii tiristorului, nu prezint nici un pericol pentru tiristor, dac tensiunea nu depeste valoarea maxim invers Uimax Amorsarea normal a tiristorului are loc atunci cnd dispozitivului polarizat direct i se aplic o tensiune direct de polarizare a jonciunii gril-catod. Densitatea de curent, datorat construciei specifice a jonciunii, nu este uniform pe toata suprafaa catodului. n apropierea electrodului de comand, densitatea purttorilor de sarcin, deci i a curentului, este mult mai mare. La nceputul amorsrii, curentul total al tiristorului circul printr-o zon redus n semiconductor. Datorit diferenei densitii purttorilor de sarcin, acetia vor difuza n restul structurii, astfel ca seciunea de conducie se va lrgi aproximativ cu o vitez de 0,1 mm/s. Tensiunea pe poart i curentul trebuie alese astfel nct s corespund zonei de aprindere sigur i funcie de circiutulde sarcin:

Fig.1.8.7 Pentru sarcina inductiv impulsul trebuie s fie mai lat, iar pentru sarcina rezistiv impulsul trebuie s fie mai ngust. Timpul de amorsare are trei componente: Timpul de ntrziere a amorsarii, t, este durata considerat de la nceputul impulsului de comand pn cnd jonctiunile J1, J3 polarizate direct ncep s injecteze purttori de sarcin n jonciunea J2, iar tensiunea anodic ncepe s scad brusc. Curentul anodic va crete. n cazul circuitelor profund inductive, amorsarea tiristorului poate fi urmarit doar dupa variaia tensiunii anodice. Acest timp are ordinul de mrime de ms i depinde de mai multe mrimi. Scade odat cu creterea amplitudinii impulsului de comand i cu creterea tensiunii directe pe tiristor aplicat nainte de amorsare. De asemenea, acest timp scade odat cu creterea temperaturii jonciunii. Cu ct panta impulsului de comand este mai mare, cu att t este mai redus. Timpul de comutare propriu-zis, tc, este durata n care jonctiunea J 2 se polarizeaz direct. n acest interval, tensiunea pe tiristor scade brusc. Timpul de comutare se reduce odat cu mrirea amplitudinii i pantei de cretere a impulsului de comand i cu cresterea temperaturii jonciunii. Acest timp este puternic influenat de caracterul circuitului exterior de sarcin. Datorit apariiei brute a unui curent i a unei tensiuni ridicate, valoarea instantanee a pierderilor la amorsare poate s ating limite foarte mari. Deoarece pierderile au loc ntr-un volum foarte mic, n structura dispozitivului apare o supranclzire local, ce poate s-l distrug. Pentru a limita pierderile la amorsare, se prescrie valoarea maxim admisibil a pantei de cretere a curentului. Valorile uzuale pentru (di/dt max)sunt de 20200 A/s.

Limitarea pantei curentului se face cu ajutorul unor inductane plasate n circuitul anodic, care ntrzie creterea curentului pn ce tiristorul va conduce pe o seciune mai mare. Dac la amorsare apar supranclziri locale, distribuia neuniform a temperaturii i a curentului poate persista. La frecvene de lucru ridicate, neuniformitatea distribuiilor poate s persiste i s perturbe conducia tiristorului. Timpul de stabilizare a amorsrii, ts, este durata n care tiristorul odat amorsat ajunge s conduc pe toata suprafaa transversal a structurii. Acest timp depinde, n primul rnd, de diametrul catodului i apoi de distana maxim dintre gril i catod. Amorsarea parazita (prin efect dU/dt) Numim amorsare parazit (necontrolat) prin efect dU/dt acea amorsare care are loc la o variaie rapid a tensiunii la bornele tiristorului fr ca tensiunea sa atinga tensiunea maxima de polarizare U<VFBO. Capabilitatea n dU/dt este parametru de catalog al tiristorului i reprezint viteza maxim de cretere a tensiunii de polarizare care poate fi suportat de tiristor fr a se deschide necontrolat.

Curentul ce apare prin structura n momentul punerii sub tensiune, acioneaz asupra ambelor tranzistoare n sensul creterii curenilor de baz. Amorsarea necontrolata prin efect dU/dt este mai rapid dect amorsarea prin comanda pe poart. Icj este proporional cu viteza de variaie a tensiunii la bornele tiristorului. Metode pentru imbuntirea capabilitii n dU/dt 1.externe (de schem) 2. interne (de structur) 1.externe C - se ncarc la apariia tensiunii. Grupul RC (dezavantaj: supraincrcarea tiristorului datorit descrrii condensatorului prin el).

Apare un rezistor suplimentar ntre p - k pentru schema prezentat mai sus: o parte din curent se scurge prin R. Rezult mrirea capabilitii n dU/dt. Dezavantaj: o parte din curentul iG se scurge spre k prin R. 2. interne prezena unturilor de catod echivalente cu rezistene Pentru tiristoarele mari exist pn la 200 unturi de catod. Dezavantaje: se mreste inutil suprafaa catodului; viteza de extindere a zonei iniiale n conducie scade (timpul de intrare n conducie creste); dac viteza de extindere a zonei de intrare n conducie scade, rezult c densitatea de curent crete. Vor apare distrugeri tehnice. Variaia rapida a curentului n tiristor La variaii mari ale curentului de sarcin pot apare densitati de curent mari n zona iniial de conducie. Dac aria iniial n conducie este redus sau dac viteza de extindere nu este suficient de mare densitatea de curent poate fi att de mare nct s duc la distrugerea intern a structurii. Exist parametrii de catalog di/dt - viteza maxim de cretere a curentului anodic pe care o poate suporta un tiristor pe durata amorsrii fr a se distruge prin efect di/dt. Metode de imbuntire: 1. externe - supracomanda: mrirea ariei iniiale in conducie; 2. interne

cretere maxim a curentului 1.Limitarea vitezei de variaie a curentului prin nserierea tiristorului cu o bobin: - se formeaz un circuit RLC serie caracterizat de pulsaie i de frecvena de rezonan. 2. Metoda cu amplificator de poart Td i Tp nu au aceeai putere (structura) Curentul iG aduce in conducie prima data pe Td astfel inct iAtd este egal cu curentul de grila a curentului principal, dup care Tp intr in conducie. Structura interdigizat (se pot obine variaii de 1000A/s) Blocarea tiristorului.

Blocarea const n anularea curentului prin tiristor. Pentru aceasta este nevoie de reducerea numrului purttorilor de sarcin n diferite seciuni ale structurii semiconductoare, n special n jonctiunea J2, pentru a elimina reacia de curent. Un tiristor poate fi blocat numai cnd curentul anodic scade sub valoarea Imin (fig. 8.4) n circuitele alimentate n curent continuu, tiristorul poate fi blocat, fie prin ntreruperea alimentrii, fie cu ajutorul unor circuite specializate, numite circuite de stingere. Ele pot funciona n dou moduri: - s unteze tiristorul, adic s preia curentul acestuia; - s aplice o tensiune invers, care produce un curent n sens invers curentului 1.8.1.4. Puterea disipat pe tiristor Pierderile de putere, care se produc ntr-un tiristor, au urmtoarea componen: a) Pierderile n regim de conducie direct. Este componenta principal a pierderilor. Deoarece cderea de tensiune pe un tiristor, n conducie este mic, pierderile sunt determinate de curentul anodic. n cataloagele firmelor productoare de tiristoare se gsesc, sub forma de diagrame sau grafice, pentru fiecare tipo-dimensiune, pierderile prin conducie, n funcie de valoarea medie a curentului pentru unde sinusoidale sau dreptunghiulare, la diferite unghiuri de amorsare. b) Pierderile n cazul tiristorului blocat, polarizat direct. Aceste pierderi sunt neglijabile deoarece curentul prin tiristor n stare de blocare este foarte mic (civa A sau mA). c) Pierderile la polarizare invers. i n acest caz valoarea pierderilor este nensemnat, pentru c la polarizare invers curentul este mic. d) Pierderile n circuitul de comand. Din punct de vedere al pierderilor totale sunt i acestea neglijabile, ns trebuie avut n vedere s nu se depaeasc valoarea medie, respectiv instantanee, indicat n catalog, altfel circuitul de comand poate fi distrus. e) Pierderile prin comutatie. Aceste pierderi sunt determinate de variaia n timp a curentului i tensiunii pe tiristor. Se poate considera c pierderile la blocare sunt neglijabile fa de pierderile la amorsare. Pierderile la amorsare trebuie luate n considerare nu pentru stabilirea pierderilor totale, ci pentru faptul c ele se produc ntr-un volum foarte redus din structu, iar temperatura acestei zone este foarte important pentru funcionarea i blocarea tiristorului. n cazul cnd pierderile prin comutaie nu produc depirea temperaturii maxime i frecvena de lucru nu este prea mare, aceste pierderi sunt neglijabile fa de pierderile prin conducie. Din cele prezentate mai sus se desprinde concluzia c pentru un tiristor sunt determinante pierderile n conducie direct. n cazul cnd exist i alte pierderi

suplimentare, acestea pot fi luate n considerare prin nmulirea pierderilor de conducie cu un coeficient corespunztor. Pierderile totale pot fi calculate din pierderile prin conducie, PT, cu o bun aproximatie, cu formula: unde surplusul de 10 % ia n considerare pierderile la amorsare, la blocare i n circuitul de comand. 1.8.2. Tiristorul cu blocare pe poart (turn-off thyristor, gto) Tiristorul cu blocare pe poart reunete avantajele tiristorului standard cu cele ale tranzistorului de comutaie de putere. Este o structur pnpn, care amorseaz prin aplicarea unei tensiuni pozitive ntre electrodul de comand i catod. Blocarea se realizeaz cu ajutorul unei tensiuni negative pe poart. Ca i un tiristor obisnuit, el este caracterizat de parametri i prezint un curent anodic maxim ce poate fi anulat printr-o tensiune de comand aplicat pe poart. Ctigul la blocare (turn-off gain) al tiristorului GTO este definit ca raportul dintre curentul anodic maxim i curentul de poart ce realizeaz blocarea tiristorului. Acest cstig are valori uzuale cuprinse ntre 3 si 5 uniti. Mecanismul folosit la blocarea GTO are n vedere forarea curentului anodic prin acele regiuni ale structurii semiconductoare unde procesul de multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin se face foarte greu. Ca rezultat, curentul anodic ncepe s scad. Orice inductan aflat n serie cu GTO are ca efet scderea lent a curentului i implicit blocarea greoaie a GTO. Pentru a nu ngreuna procesul de blocare, n paralel cu GTO, se plaseaz un circuit snubber (fig. 1.8.8,b), care constituie o cale alternant a curentului din circuitul inductanei. Totodat, circuitul de protecie limiteaz viteza de variaie a tensiunii anod-catod pe tiristor.

Fig.1.8.8. Semnalul de comand pentru ieirea din conducie trebuie s fie negativ; pentru blocarea lui GTO trebuie extras prin P un curent. Pentru a fi posibil acest lucru GTO are o structur intern diferit n comparaie cu tiristorul convenional rezult dispoziia portii i k pe suprafaa tiristorului. IGR> IC2 IB1 IC1 dac Ik<IH rezulta ieirea tiristorului din conducie. O fraciune important din Ik trebuie extras prin P; dac se neglijeaz curenii reziduali reazult relaii aproximative:

Definiia timpilor de comutare (in funcie de curenii de gril)

Fig.8.9 1.8.3. Tiristorul mos (mos controlled thyristor - mct) 1.8.3.1. Construcie i principiu de funcionare Tiristorul MOS este un dispozitiv electronic semiconductor care ofer avantajele GTO, fr s fie nevoie de condiiile cerute de acesta la blocare. Figura 1.8.10 reprezint schematic un tiristor MCT format din dou tranzistoare bipolare i dou tranzistoare MOS. Tranzistoarele bipolare Q1 i Q2 modeleaz tiristorul obinuit. Tranzistorul MOSFET Q4, cu canal n, conectat ntre baza lui Q1 i catod este folosit pentru aducerea n conducie a MCT. Tranzistorul Q3, cu canal p, conectat ntre baza lui Q2 i catod, prin comanda sa, realizeaz blocarea MCT. ntruct tranzistoarele MOSFET sunt complementare, Q4 este n conducie cnd terminalul G este pozitiv

n raport cu catodul, iar Q 3 este n conducie cnd terminalul G este negativ n raport cu catodul. Un model mai simplu pentru MCT este redat n fig. 1.8.10.b. Dispozitivul electronic intr n conducie printr-un impuls pozitiv aplicat pe G1, iar blocarea se face prin aducerea n conducie a tranzistorului Q3. Structura dispozitivului din figura 1.8.10.b. este detaliat n figura 1.8.10.c.

Fig.1.8.10 Tiristorul MOS: a) modelul cu dou tranzistoare MOS; b) modelul cu un tranzistor MOS; c) structura corespunztoare figurii b Caracteristica ID=f(VDS).

Fig.1.8.11. Schema de funcionare b) Caracteristici statice c) Caracteristica de transfer VDSS - tensiunea de dren de strpungere. Punctul de fucionare trebuie s fie numai n zona activ. Curentul de dren din zona activ nu depinde de VDS.

1.8.3.2. Domenii de utilizare in frecven MOSFET se utilizeaz pentru frecvene mai mari, de ordinul zecilor de kHz. Avantaje fa de TBP: - consum mai mic de putere pentru comand - timpi de comutare egali la aducerea (scoaterea din conductie) - conectarea extrem de uoar n paralel Disipnd mai mult energie rezistena dren surs va crete mai mult rezult scderea curentului IT1~ IT2 datorit faptului c rezitena dren - surs depinde n mod direct de temperatur. Din punct de vedere al curentului maxim se permite separarea capacitii echivalente a celor dou tranzistoare i permit evitarea oscilaiilor pe capacitatea de gril. Observm un tranzistor parazit bipolar n schema MOSFET. Pentru funcionarea sigur a tranzistorului MOSFET este necesar ca tranzistorul bipolar parazit s rmn permanent blocat. Tranzistorul parazit se poate deschide la o variaie rapid a tensiunii dren- surs. Pentru a preintmpina intrarea n conducie a tranzistorului npn ar trebui ca rezistena corp surs s fie ct mai redus. Rezult c zona sursei este format din insule printre care exist regiuni de tip p. Pentru tensiuni de polarizare mai mari rezult capacitate mai mic, iar pentru tensiuni de polarizare mai mici rezult capacitate mai mare. Circuitele de comand pentru TBP care sunt cu ieire bipolar n tensiune pot fi folosite i pentru comanda n MOSFET n cazul n care viteza de lucru este suficient de mare la TBP. 1.8.4. Dioda pnpn 1.8.4.1. Constructie. Simbol Dioda pnpn este o structur de siliciu monocristalin cu patru zone dopate alternativ cu impuriti acceptoare i donoare. Modelul structural unidimensional al acestui dispozitiv este prezentat in figura 1.8.12, a, iar n figura 1.8.12, b este prezentat simbolul acestuia.

a b Fig. 1.8.12. Dioda pnpn: a) modelul structural unidimensional; b) simbolul

Zonele extreme, mai puternic dopate, se numesc emitoare, iar zonele interioare, mai slab dopate, se numesc baze. Emitorul p1+ se numeste anod, iar emitorul n4+ se numeste catod. Jonciunile se afl la distane mici ntre ele, astfel c regiunile AJ3 i J1C s poat indeplini funcia de tranzistor. Alte denumiri utilizate pentru dioda pnpn sunt: dinistor, dioda Shocley, dioda cu patru straturi. 1.8.4.2. Caracteristica static Caracteristica static curent-tensiune a diodei pnpn este aratat n figura 1.8.13.

Fig. 1.8.13. Caracteristica statica curent-tensiune a diodei pnpn La polarizarea invers jonciunile J1 i J3 sunt alimentate invers, iar J2 direct i, ca urmare, curentul prin dispozitiv are valori mici de ordinul curentului invers printr-o jonciune pn. La o anumit tensiune invers V B curentul invers prin diod crete aproape abrupt datorit strpungerii prin multiplicare n avalan la jonciunea J1 sau J3. La polarizarea direct, dioda pnpn se comport ca elementele de comutaie, cu dou stri stabile. Una dintre aceste stri se caracterizeaz prin curent mic i rezisten mare, iar cealalt, prin tensiune i rezisten de valori mici. Crescnd tensiunea direct pe diod, curentul are valori mici, practic curentul invers al jonciunii centrale J2 alimentate invers. La o anumit tensiune de aprindere (de amorsare sau de ntoarcere), notat cu VB0, dispozitivul comut n cealalt stare, prin el trecnd un curent mare la o tensiune de ordinul a 1 V. (La tensiunea VB0 la jonciunea J2 apare fenomenul de multiplicare n avalan). Regiunea OA se numeste regiune de blocare, iar regiunea BC regiune de conducie. Portiunea intermediar AB, avnd rezistena dinamic negativ este instabil. Comutarea invers, care are loc atunci cnd curentul sau tensiunea scad

sub valorile de meninere" IH, respectiv VH, se face pe poriunea BO (punctat n fig. 1.8.13). Parametrii i caracteristicile statice depind puternic de temperatur. Dioda pnpn este utilizat n circuitele de comand a porii tiristoarelor, n circuitele de protecie la supratensiuni, n generatoarele de impulsuri de relaxare. Amorsarea diodei pnpn prin creterea tensiunii anodice reprezint modul normal de funcionare. Exist ns i moduri parazite de amorsare cum sunt cele prin efect dv/dt, adic prin variaia brusc a tensiunii anodice, care poate avea loc la tensiuni anodice mici, sau prin creterea temperaturii. 1.8.5. Diacul 1.8.5.1. Constructie. Simbol Diacul este un dispozitiv multijonciune care are proprietatile diodei pnpn n ambele sensuri de conducie. Dispozitivul are cinci straturi i patru jonciuni, reprezentate schematic n figura 1.8.14, a.

a b c Fig. 1.8.14. Diacul: a) structura; b) simbol; c) structura echivalenta Simbolul este cel din figura 1.8.14, b. Diacul poate fi considerat ca fiind realizat din dou structuri pnpn asezate antiparalel n acelai monocristal de siliciu (fig. 1.8.14 c). Diacul are conducie bidirecional, cei doi electrozi ntre care se stabileste curentul principal iT, fiind notai cu T1 si T2. 1.8.5.2. Funcionarea diacului La aplicarea unei tensiuni vT > 0, structura din dreapta (fig. 1.8.14, c) este polarizat direct, amorsarea dispozitivului avnd loc la o tensiune V BD (fig. 1.8.15). Cnd polaritatea tensiunii se inverseaz, intr n conducie la tensiunea VBR (fig. 1.8.15) structura din stnga (fig. 1.8.14, c). In figura 1.8.15 este prezentat caracteristica curent-tensiune a diacului.

Fig. 1.8.15. Caracteristica statica curent-tensiune a diacului Este de dorit ca VBD |VBR| VBO, deci caracteristica s fie simetric. Datorit conduciei sale bidirecionale, diacul se foloseste n circuitele de curent alternativ. Este un dispozitiv de putere mic, fiind folosit n circuitele de comand a tiristoarelor i a triacelor. 1.8.6. Triacul 1.8.6.1. Structur, simbol Triacul este un dispozitiv cu cinci straturi, echivalent cu dou tiristoare, aezate antiparalel n acelai monocristal de siliciu, avnd un singur electrod de comand. In figura 1.8.16, a este prezentat structura triacului, iar n figura 1.8.16.b este prezentat simbolul acestuia.

Fig. 1.8.16. Triacul: a) structura; b) simbol 1.8.6.2. Caracteristica tensiune curent

Caracteristica curent-tensiune pentru ambele sensuri aplicate n circuitul principal, are forma corespunztoare tiristorului polarizat n sens direct. Este ntlnit i sub denumirea de tiristor bidirecional. Caracteristica curent-tensiune este dat n figura 1.8.17.

Fig. 1.8.17. Caracteristica curent-tensiune a triacului Datorit conductibilitii bidirecionale, cei doi electrozi ntre care circul curentul principal iT se noteaz cu T1 i T2. Comanda pe poart se poate face cu semnale de ambele polariti pentru fiecare dintre cele dou sensuri ale curentului principal. Triacul se foloset in circuitele de comand i reglare a puterii de curent alternativ. Cu ajutorul triacelor se construiesc contactoare statice de curent alternativ.

Capitolul II CIRCUITE ELECTRONICE 2.1. Redresoare monofazate 2.1.1. Schema bloc a redresorului Redresoarele se construiesc pe baza schemei clasice, de redresor cuplat la reea prin transformator, sau fr transformator i a crui funcionare se bazeaz pe transformarea multipl a energiei electrice. Pentru nceput, s analizm schema tradiional, care se compune din urmtoarele: (figura 2.1.1): - T transformator ridictor sau cobortor de tensiune, n funcie de raportul dintre tensiunea la ieirea sursei de alimentare i tensiunea reelei; - R grup redresor, care servete la transformarea curentului alternativ n curent continuu (de sens unic); - F filtru pentru netezirea pulsaiilor tensiunii redresate; - ST stabilizator de tensiune continu, care asigur valoarea constant a tensiunii de ieire la variaia rezisten tei sarcinii, a tensiunii de alimentare, etc.

Fig.2.1.1. Schema bloc a sursei de tensiune continu de putere mic (a) i

diagramele de timp pentru tensiunile din surs

n figura 2.1.1 sunt reprezentate i diagramele tensiunii n diferite pri ale schemei redresorului pentru dou valori ale tensiunii de reea. Partea principal a dispozitivului este grupul redresor, ce conine un grup de elemente neliniare, cu conducie unilateral (ntr-un singur sens). Ca dispozitive redresoare, la sursele de alimentare de putere mic se folosesc de obicei diodele cu siliciu i, mai rar, cele cu germaniu. Celelalte elemente ale schemei pot s lipseasc n cazuri particulare.

2.1.2. Redresoare monofazate cu sarcin activ S analizm funcionarea redresorului monofazat cu punct de nul al transformatorului (figura 2.1.2.a). Cnd polaritatea tensiunii alternative este cea indicat n figura 2.1.2, pe dioda D1 se aplic tensiunea direct (plus la anod, minus la catod). Dioda D1 conduce curentul ia, care se nchide prin sarcina RS i seminfurarea superioar a secundarului transformatorului. Se consider c diodele sunt ideale, adic au cdere de tensiune nul la trecerea curentului direct prin acestea i curentul invers este nul cnd pe acestea se aplic tensiune invers. Astfel, se poate considera c anodul i catodul diodei sunt scurtcircuitate pentru curentul n sens direct, iar n cazul aplicrii pe diod a unei tensiuni inverse, circuitul acesteia se consider ntrerupt. n legtur cu aceast aproximare, tensiunea pe sarcina, ud, n semiperioada [0, ] (figura 2.1.2.b) se consider egal cu tensiunea la bornele semi-nfurrii superioare a secundarului transformatorului: ud(t) = e2(t). n acest timp, dioda D2 este polarizat invers i nu permite trecerea curentului. n a doua semiperioad, [, 2 ], datorit schimbrii polaritii tensiunii alternative n nfurrile secundare ale transformatorului, se deschide dioda D2 i pe sarcin se aplic tensiunea semi-nfurrii inferioare. n

continuare, lucrurile se repet periodic i, prin deschiderea succesiv a diodelor, tensiunea ud const din semisinusoide pozitive care se succed (figura 2.1.2.b).

Fig. 2.1.2 - Schema redresorului monoalternan cu nul i sarcin activ (a) i diagrama de timp pentru curenii i tensiunile redresorului (b)

Tensiunea pe sarcin, ud, este constant ca sens, dar nu este constant ca mrime. Pulsaia tensiunii, adic variaia acesteia, atest existenta unei componente variabile n curba tensiunii redresate i indic faptul c redresarea este incomplet. Cum tensiunea de ieire, ud, reprezint o funcie periodic, ea poate fi descompus n serie Fourier, adic sub forma: ud (t) = Ud + up(t), (2.1.1) (2.1.2) este componenta continu util sau valoarea medie a tensiunii pe o perioad a curbei ud, iar up(t) este componenta variabil egal u suma tuturor componentelor armonice. n figura 2.1.3 este reprezentat descompunerea grafic a curbei tensiunii ud(t) n dou componente. Se poate considera c, pe sarcin, acioneaz tensiunea constant ca mrime i form, Ud, distorsionat de componenta alternativ, up. Caracteristica de baz a tensiunii redresate este valoarea medie. Ea este egal cu nlimea dreptunghiului a crui suprafa este egal cu suprafaa limitat de curba tensiunii, axa absciselor i dou drepte verticale situate la distan egal cu o perioad (figura 2.1.3). n schema analizat, perioada tensiunii de ieire este egala cu , din care cauz, (2.1.3) unde = t. Avnd vedere c valoarea maxima a tensiunii pe sarcina, U dm, este egal cu amplitudinea E2m = 2 E2, unde E2 este valoarea efectiv a tensiunii e la bornele nfurrii secundare a transformatorului, rezult:
2

(2.1.4) Cea mai mare valoare a amplitudinii n curba tensiunii redresate o are armonica I, a crei frecventa p este de 2 ori mai mare dect frecvena tensiunii de alimentare. Aceasta armonic este cel mai greu de atenuat cu filtre, motiv pentru care, pe baza valorii acesteia, se face o apreciere asupra distorsionrii tensiunii redresate. n figura 2.1.3, cu linie punctat este reprezentata armonica I a componentei alternative a tensiunii redresate, up1, amplitudinea acesteia fiind Up1m. Pulsaia tensiunii redresate se caracterizeaz prin factorul de ondulaie, , egal cu raportul dintre amplitudinea tensiunii primei armonici a componentei alternative i valoarea tensiunii componentei continue: (2.1.5) Din descompunerea n serie Fourier a curbei tensiunii redresate, se obine formula:

(2.1.6)

unde m este factorul de multiplicare a frecvenei componentei alternative a tensiunii redresate n raport cu frecvena reelei, care depinde de schema de redresare i se numete pulsaia redresorului.

Fig. 2.1.3 Descompunerea grafic a tensiunii redresate n componenta continu i cea alternativ

Pentru redresoarele monofazate analizate, cum este cel din figura 2.1.2.a, m = 2, iar = 0,67. Pentru alegerea diodelor n schema din figura 2.1.2.a, se determin valoarea medie a curentului prin acestea. Pe baza diagramelor de timp din figura 2.1.2.b, se constat c:

(2.1.7) Pe dioda blocat, se aplic tensiunea a dou nfurri secundare. Din aceasta cauz, tensiunea invers maxim pe diod, avnd n vedere relaia (2.1.4), este: (2.1.8) Pe baza valorilor calculate ale lui Ia i Uinv, se aleg diodele convenabile. Puterea activ total transmis n sarcin, n schema din figura 2.1.2.a, este determinat de valoarea efectiv E2: (2.1.9) . Puterea activ transmis sub forma componentei continue a curentului, este determinat de valoarea medie Ud = 0,9E2 . Prin urmare, n schema din figura 2.1.2.a, o parte substanial din puterea activ se transmite n sarcin sub forma componentei alternative (neredresate), ceea ce confirm insuficiena redresrii. 2.1.3. Redresoare monofazate cu sarcina inductiv S analizm funcionarea redresorului monofazat n punte (figura 2.1.4.a). Pentru semiperioada pozitiv a tensiunii electromotoare e 2 (intervalul [0, ]) i pentru polaritatea indicat n figura 2.1.4.a, curentul redresat trece prin dioda D 1, sarcina Rs - Ls i dioda D4. Diodele D3 i D2 sunt polarizate invers i nu conduc curent. Prin schimbarea polaritii tensiunii alternative (intervalul [, 2 ]), se deschid diodele D2 i D3, ns curentul n sarcin i menine sensul anterior. Dac sarcina este activ (Ls = 0), atunci curentul Id repet forma tensiunii n sarcin. Curenii bobinelor primar i secundar, i 1 i i2 au forma sinusoidal (figura 2.1.4.b). Dac n circuitul sarcinii exist o inductan (Ls 0), ea se opune variaiei curentului n sarcin i acesta nu reuete s urmreasc tensiunea ud, astfel nct curentul Id se va netezi (figura 2.1.4.c). Cnd inductana este mare (XL = pLS > 10RS), datorit pulsaiilor mici, curentul n sarcin poate fi considerat constant (adic netezit total), caz n care transmiterea puterii active n sarcin de ctre componentele alternative ale curentului lipsete. n acest regim, curentul prin diode, ia, curentul i2 n secundar i

curentul i1 n dreptunghiulare.

primarul

transformatorului

capt

forma

impulsurilor

Fig. 2.1.4 - Schema redresorului monoalternan n punte (a) i diagrama de timp pentru curenii i tensiunile redresorului (b, c d)

n cazul sarcinii activ-inductive, durata strii de conducie a diodelor, l, ca i n cazul sarcinii active, rmne egala cu , motiv pentru care, n orice moment de timp, tensiunea pe sarcin repet forma tensiunii n secundar, e2 (figura 2.1.4.c), iar valoarea acesteia se determin din expresia (2.1.4). Calculul schemei de redresare n punte, care permite s se aleag tipul diodelor i s se determine parametrii transformatorului pe baza parametrilor cunoscui ai sarcinii, se face astfel: - Se neglijeaz pierderile n bobina de netezire LS, n diode i n transformator i se consider curentul sarcinii ca fiind netezit ideal: id(t) = Id. Valoarea medie a tensiunii de ieire la redresoarele cu nul i n punte se determin n cazul sarcinii inductive n acelai mod ca i n cazul sarcinii active i este egal cu: Din aceasta, se determin valoarea efectiva a tensiunii: E 2 = 1,11Ud. Pentru c s-a presupus c bobina nu are pierderi, valoarea medie a curentului n sarcin este

Diodele conduc pe durata unei semiperioade att pentru schema cu nul ct i pentru cea n punte, din care cauz Ia se poate calcula cu relaia 2.1.4. Valoarea maxima a curentului diodelor n cazul netezirii ideale este Iam = Id. La schema n punte, valoarea amplitudinii tensiunii inverse pe diode este egal cu amplitudinea

tensiunii e2, pentru c dioda blocat se cupleaz n paralel pe nfurarea transformatorului (prin dioda care conduce curent), i prin urmare:

(2.1.10) La schema n punte tensiunea invers pe diod pentru aceeai U d este de dou ori mai mic n comparaie cu schema de redresare cu nul. Pe baza valorilor Ia i Uinv, se aleg diodele necesare. La utilizarea transformatorului (la schema cu nul utilizarea acestuia este indispensabil, pe cnd la schema n punte el poate lipsi) este necesar cunoaterea puterii calculate a nfurrilor acestuia. La schema n punte, valoarea efectiv a curentului n nfurarea secundar, I2 punte, se determin avnd n vedere c id(t) = Id. Prin definiie: (2.1.11) Deoarece i2(t) = Id, prin nlocuire se obine: (2.1.12) Puterea calculat a secundarului la schema n punte este:

unde Pd este puterea n sarcin, egal cu UdId. La schema n punte, curenii i tensiunile n nfurrile primar i secundar au aceeai form, deci S1 punte = S2 punte. Puterea calculat a transformatorului la schema n punte n cazul sarcinii activ-inductive este:

(2.1.13) n mod similar, se poate analiza funcionarea n sarcina RL i pentru schema cu nul. Procesele de baz n ambele scheme sunt similare, deosebirea fiind numai c la schema cu nul tensiunea invers pe diode este de dou ori mai mare dect la schema n punte, iar curentul nfurrii secundare a transformatorului repet forma curentului diodei, Ia, i valoarea sa efectiv este:

(2.1.14) Rezultatele calculului parametrilor de baza ai schemelor de redresare cu nul i n punte la funcionarea n sarcina R i RL sunt prezentate n tabelul 2.1.1. Tabel 2.1.1 Parametrii principali ai redresoarelor monoalternan

Raportul de transformare la ambele scheme este:

Se pot trage urmtoarele concluzii: - La tensiuni de ieire relativ mici, cnd important este randamentul schemei (de exemplu, cnd Ud < 50 100 V), iar tensiunea invers aplicat pe diode nu prezint importan, este de preferat schema cu nul, la care curentul n sarcin trece printr-o singur dioda i, din aceasta cauz, pierderile sunt de dou ori mai mici; - n toate celelalte cazuri, este de preferat schema n punte, la care, atunci cnd exist transformator, acesta este mai simplu i puterea necesar este mai mic. Ultima situaie se explic prin faptul c prin nfurarea secundar curentul circul pe durata ntregii perioade, n timp ce, la schema cu nul, numai pe durata unei semiperioade. 2.1.4. Filtre pentru redresoare de mic putere La ieirea grupului redresor se cupleaz un filtru, care are rolul reducerii componentei alternative up. Componenta util constant, Ud, trebuie s fie transmis n sarcin pe ct posibil fr pierderi. Cele mai utilizate sunt filtrele de netezire de tipul L (figura 2.1.5.a), LC (figura 2.1.5.b), C (figura 2.1.5c) i RC (figura 2.1.5.d). Prin cuplarea filtrelor, se formeaz filtre multiple: LC-LC, C-RC, LC-RC, etc.

Fig. 2.1.5 Scheme de filtre de netezire (a d) i schema echivalent a filtrelor pentru componenta continu (e) i cea alternativ (f)

Mrimea caracteristica a unui filtru este factorul de netezire, egal cu raportul factorilor de ondulaie la intrarea, respectiv la ieirea filtrului:

(2.1.15) unde Ud este tensiunea de ieire a grupului redresor, U s,p1m este amplitudinea primei armonici a pulsaiilor la ieirea filtrului i Us este valoarea medie a tensiunii la ieirea filtrului. n figura 2.1.5.e este prezentat schema echivalent pentru componenta continu a filtrelor simple L i LC, unde r este rezistena activ a nfurrii bobinei filtrului. Tensiunea constant la ieirea filtrului este egal cu tensiunea pe ramura inferioar a divizorului compus din rezistentele r i RS:

(2.1.16) n figura 2.1.5.f este prezentat schema echivalent pentru componenta alternativ (armonica I, p = 2retea): ZS este impedana elementului serie a filtrului, iar ZP este impedana elementului paralel al filtrului, care include i rezistena de sarcin. Amplitudinea primei armonici a componentei alternative a tensiunii pe sarcin, USp1m este egal cu cderea de tensiune pe ZP datorit curentului alternativ Ip1m. Acesta depinde de tensiunea alternativ la intrarea filtrului, Up1m i de mrimile ZS i ZP. Cu ct este mai mare ZS i cu ct este mai mic ZP, cu att este mai mic componenta alternativ la ieire i este mai mare factorul de netezire. Pentru filtrul

de unde:

(2.1.17) Din aceasta, se obine factorul de netezire:

(2.1.18) n practic sunt adevrate relaiile: RS >> r i pL >> RS i atunci: (2.1.19) Se observ c la schemele ce funcioneaz cu cureni mari (cnd R S este mic), eficacitatea filtrrii creste. La filtrul LC, condensatorul unteaz sarcina n componenta alternativ, deoarece

din care cauz (2.1.20) i

(2.1.21) Din aceasta, cunoscnd , se determin LC.

LC

2.1.5. Funcionarea i calculul redresorului cu filtru capacitiv Cnd sarcina consum cureni relativ mici de la redresor, se folosesc de obicei filtre cu condensator. La cuplarea redresorului din fig. 2.1.6.a, tensiunea pe condensator i pe sarcin, ud, crete de la o perioad la alta (fig.2.1.6.b). n intervalele cnd e2 > Ud, de exemplu cnd 0 < < 1, dioda D1 se deschide i condensatorul se ncarc cu curentul de impuls ia1 (fig. 2.1.6.c).

Fig. 2.1.6 Schema redresorului monoalternan cu nul cu filtru capacitiv (a) i diagramele de timp ale tensiunilor si curenilor redresorului (b, c) Astfel, diferena tensiunilor e2 ud se aplic pe rezistena r, egal cu suma dintre rezistena diodei, a secundarului transformatorului i cea a primarului reflectat n secundar. Cnd e2 < ud i 1 < < 2, dioda se blocheaz i condensatorul se descarc parial pe sarcin. Pe msura creterii tensiunii u d, durata impulsului de curent de ncrcare a condensatorului se micoreaz, iar timpul de descrcare a condensatorului se mrete, din care motiv, dup un timp oarecare, tensiunea ud ncepe s oscileze n jurul valorii medii stabilizate U d. Datorita timpului scurt de conducie n regim stabilizat, valoarea amplitudinii curentului diodei Iam poate fi de 5 7 ori mai mare dect valoarea sa medie, I a (fig. 2.1.6.c). La cuplarea sursei de alimentare, aceast depire este i mai mare i, pentru limitarea saltului iniial al curentului de ncrcare a condensatorului, se introduce uneori o rezisten suplimentar de limitare, r care, mpreun cu condensatorul, formeaz filtrul RC (fig.2.1.5.f). Cu ct este mai mare rezistena de sarcin RS, cu att mai mare este constanta de timp a circuitului de ncrcare a condensatorului t = CRS i, de asemenea, Ud, care la mersul n gol (RS = ) este egal cu Ud = E2 = 2 E2. Odat cu creterea lui t, se micoreaz pulsaiile tensiunii de ieire. n acest fel, cnd sarcina redresorului este capacitiv, se pot distinge urmtoarele particulariti n comparaie cu redresorul cu sarcina activ: durata mic i amplitudinea mare a curentului anodic; creterea tensiunii de ieire; pulsaii mici ale tensiunii de ieire; dependena puternic a valorii medii a tensiunii de ieire n funcie de rezistenta sarcinii. Calculul redresorului cu filtru capacitiv se face astfel: o se neglijeaz pulsaiile tensiunii de ieire, avnd n vedere c redresorul funcioneaz la tensiunea constant U d (figura 2.1.7.a).

Pentru o asemenea aproximare, impulsul de curent anodic este simetric. o Se noteaz durata acestuia cu 2Q, unde unghiul Q se numete unghiul de tiere a curentului anodic. Valoarea instantanee a curentului anodic poate fi determinat pe baza cderii de tensiune e2 ud pe rezistorul r, prin care trece acest curent: (2.1.22)

Fig. 2.1.7 Diagramele de timp ale tensiunilor si curenilor n cazul funcionrii redresorului la tensiuni inverse (a) i dependena coeficienilor de calcul de parametrul A (b) Tensiunea la bornele nfurrii secundare a transformatorului este: iar tensiunea pe sarcin poate fi exprimat prin unghiul de tiere (fig.2.1.7.a). Se introduce n relaia (9) valoarea: Ud = 2 E2cosQ. Atunci:

Valoarea medie a curentului de sarcin este:

(2.1.23) unde A este un coeficient de calcul care depinde de Q. Din relaia (9.23), rezult:

Succesiunea de calcul a redresorului este urmtoarea: cunoscnd RS i r, se determin A; se calculeaz Q; se determin toi curenii i tensiunile n redresor. Pentru comoditatea calculului, se pot folosi coeficienii ajuttori B, F i D, care sunt funcii de coeficientul A. Relaiile de calcul pentru redresoarele monofazate au forma urmtoare:

Factorul de ondulaie al tensiunii de ieire se determin prin coeficientul H:

, unde C este exprimat n mF. n figura 2.1.7.b se prezint variaia coeficienilor B, D, F si H n funcie de coeficientul A. Redresoarele cu filtru capacitiv se recomand a fi utilizate pentru sarcini cu rezistena mare, cnd constanta de timp mare t = R SC se obine pentru valori relativ mici ale lui C. n acest caz se asigur componena armonic bun a tensiunii de ieire a redresorului.

Fig. 2.1.8 Schema dublorului de tensiune

O varietate constructiv a redresoarelor cu filtru C este cea a redresoarelor cu multiplicarea tensiunii, care se folosesc atunci cnd sarcina are rezisten mare. Aceste dispozitive permit obinerea n sarcin a tensiunilor de cteva ori mai mari n comparaie cu tensiunile furnizate de redresoarele analizate mai sus. n figura 2.1.8, este prezentat schema cu dublare de tensiune. Pe alternana pozitiv a tensiunii de reea, tensiunea pe anodul lui D 1 este pozitiv, dioda D1 este deschis i, prin aceasta, se ncarc condensatorul C1 pn la o tensiune apropiat de amplitudinea tensiunii reelei, 2 E1r. Descrcarea condensatorului C1 prin circuitul de sarcin are loc foarte ncet, pentru c acest circuit are rezistena mare. Cnd alternana tensiunii de reea este negativ, este deschis dioda D2 i condensatorul C2 se ncarc de asemenea pn la o tensiune apropiat de amplitudinea tensiunii reelei, 2 Er. n acest fel, tensiunea pe sarcin atinge U S = 2 2 Er. Multiplicatoarele de tensiune, care conin circuite suplimentare cu diode i condensatoare, permit obinerea de tensiuni i mai mari n sarcin.

2.2. Stabilizatoare 2.2.1. Consideraii generale Sursele de curent cu tranzistoare sunt utilizate att ca elemente de polarizare ct i ca sarcini active pentru etajele de amplificare, oferind avantaje deosebite. Utilizarea surselor de curent pentru polarizare duce la micorarea sensibilitii circuitului fa de variaiile tensiunii de alimentare i a derivei termice. n ceea ce privete aria de cip necesar pentru a asigura o valoare dat a curentului de polarizare, sursele de curent sunt de cele mai multe ori mai economice dect rezistoarele, n particular atunci cnd valoarea necesar a curentului de polarizare este mic. Utilizarea surselor de curent ca sarcin activ n amplificatoarele cu tranzistoare, duce datorit rezistenei incrementale mari la obinerea de ctiguri n tensiune mari pentru valori mici ale tensiunii surselor de alimentare. Astfel, un amplificator diferenial tipic cu rezistoare de sarcin n colectoare, are ctigul diferenial de semnal mic, de forma

Pentru a se obine un ctig Adm = 500 este necesar ca produsul RC IC s ia valoarea de 13 V i pentru o valoare uzual IC =100 A, rezult R C = 130k . Aceast variant prezint dou inconveniente majore: circuitul necesit o tensiune de alimentare de aproximativ 20 V pentru a avea o gam rezonabil a tensiunilor de mod comun la intrare pentru care tranzistoarele nu se satureaz; aria de cip ocupat va fi mare datorit celor dou rezistene de colector cu valoarea de 130k . Generatorul de curent real poate fi echivalat conform Fig. 2.2.1 cu o surs ideal de curent cuplat n paralel cu rezistena de ieire R0a generatorului real, sau cu o surs ideal de tensiune nseriat cu rezistena de ieire R0.

Fig.2.2.1 2.2.2. Surs de curent cu stabilizarea curentului n emitor

Fig. 2.2.2. Rezistorul R1 mpreun cu dioda Dz formeaz un stabilizator parametric de tensiune care fixeaz potenialul bazei tranzistorului T1 la valoarea Ub . Este necesar ca prin R1 s circule un curent I1care s asigure polarizarea diodei Zener dincolo de cot. R1 se dimensioneaz cu ajutorul relaiei

(2.2.1) Considerm cvasi-egalitatea curenilor de emitor i de colector :

(2.2.2) Deci curentul de colector va avea o valoare constant, fix i egal cu cea a curentului din emitor, care se poate calcula cu urmtoarea relaie:

(2.2.3) Din ecuaia de mai sus, se dimensioneaz rezistorul Re , pentru obinerea curentului Ic dorit. Acest tip de surs de curent este utilizat mai rar n amplificatoarele integrate, necesitnd o tensiune Ub , de regul de ordinul volilor, ceea ce induce o pierdere de tensiune la saturaie pe sursa de curent, de aproximativ aceeai valoare. Se observ c rezistena de sarcin, R1 , nu este conectat la mas, ci la borna pozitiv a sursei de alimentare. n cazul n care este necesar conectarea rezistenei de sarcin ctre minusul sursei de alimentare se va folosi schema dual cu tranzistor PNP i diod Zener conectat la plusul sursei. 2.2.3. Surs de curent cu dou tranzistoare bipolare Tranzistorul Q1 este conectat ca diod, obinndu-se condiia UCB=0 . n acest fel, la jonciunea colector baz nu exist injecie de curent i tranzistorul se comport ca i cum ar fi n RAN . Se pot neglija curenii reziduali ai jonciunilor. Se presupune c tranzistoarele sunt identice i c rezistena de ieire a tranzistorului Q2 este infinit.

Fig.2.2.3. Deoarece Q1 i Q2 au aceeai tensiune baz emitor, curenii lor de colector sunt egali, IC1 = IC2 . Scriind suma curenilor n colectorul lui Q1 se obine:

(2.2.4)

Dac F este suficient de mare, putem aproxima i deci curentul de colector al tranzistorului Q2 se consider egal cu I ref.

(2.2.5) Pentru tranzistoare diferite (n special conteaz ariile emitoarelor) valoarea curentului generat va fi diferit de valoarea curentului referin, aflndu-se ns ntr-un raport constant. n ecuaia anterioar s-a presupus independena I C fa de V CE. n realitate, crete odat cu V CE, conform relaiei urmtoare:

(2.2.6) unde V A, tensiunea Early, are pentru tranzistoarele npn cu siliciu valoarea tipic de 130 V. Unul dintre cei mai importani parametri de funcionare ai unei surse de curent, este rezistena de ieire la semnal mic, dat de modificarea valorii curentului generat funcie de variaiile de tensiune de pe terminalul de ieire. Importana acestui parametru este pus n eviden de faptul c att raportul de rejecie al modului comun (CMMRR) la un amplificator diferenial ct i ctigul unui circuit cu sarcin activ depind direct de valoarea sa. Calculul valorii tensiunii echivalente Thvenin:

(2.2.7) i a rezistenei de ieire

(2.2.8)

Circuitul prezentat n Fig. 10.3 are dezavantajul dependenei curentului generat fa de tensiunea de alimentare prin intermediul curentului de referin. n vederea eliminrii acestui dezavantaj se introduce n circuit o referin intern de tensiune, curentul generat depinznd de aceast tensiune. Se folosesc n mod uzual trei tipuri de surse interne de tensiune de referin: tensiunea V BE a unui tranzistor, tensiunea termic V T i tensiunea de strpungere a unei jonciuni B-E polarizat invers. Ultima variant prezint avantajul independenei fa de temperatur dar micoreaz plaja tensiunilor disponibile la ieire cu 7...8V i n plus introduce zgomotul de strpungere n avalan. n fig. 2.2.4 este prezentat o metod superioar ce const n utilizarea tehnicii de polarizare Bootstrap. Aceast metod prevede utilizarea unui curent de polarizare, obinut printr-o cale de reacie negativ chiar din

Fig.2.2.4. curentul de ieire. n figura 2.2.4 este prezentat un circuit care lucreaz cu reacie Bootstrap i folosete ca tensiune de referin tensiunea V BE.

Fig.2.2.5.

Tranzistoarele Q 1, Q 2 i rezistena R 1 impun dependena logaritmic a curentului I C2fa de I ref. Oglinda de curent format cu Q 4i Q5 impune egalitatea curenilor I C2i I ref. Dup cum rezult din figura 2.2.5 ambele condiii nu pot fi satisfcute dect n origine (ambii cureni nuli) sau n punctul static de funcionare A. Exist riscul ca la alimentare punctul static s se stabileasc n origine i pentru a nltura aceast alternativ se folosete circuitul de pornire (amorsare) format din R p i diodele D 1... D 5. Circuitul poate injecta curent n sarcina cuplat n colectorul lui 6 Q i / sau poate absorbi curent din sarcin, n colectorul lui Q 3. 2.2.4 Stabilizatoare de tensiune

Parametrii unui stabilizator de tensiune( fig 2.2.6) sunt tensiunea i curentul de intrare( u', i'), tensiunea de ieire( uo) i curentul de sarcin iL , prin sarcina RL. Valorile nominale se noteaz cu litere mari.

Fig. 2.2.6. Limitele de variaie( valoarem minim ,maxim) pentru tensiunea de intrare i curentul de sarcin se noteaz U im ,UiM respecliv ILm , ILM . Variaiile mrimilor electrice se noteaz cu ui, ii , u0 , iL .

Variaia incremental a tensiunii stabilizate u0 cu tensiunea de intrare i respectiv curentul de sarcin este descris de urmtorii parametri: - coeficientul de stabilizare:

(2.2.9) definit de curent de sarcin constant ; - rezistena de ieire

(2.2.10) Schema echivalent a stabilizatorului, privit de la bornele de ieire este aceea din figura 2.2.7. Este de dorit ca S s fie ct mai mare, iar R0 ct mai mic.

Fig. 2.2.7. Un alt coeficient de stabilizare, notat cu K i definit prin:

(2.2.11) pune n eviden influena rezistenei de sarcin. Se vede c poate fi calculate punnd R L n expresia lui K. Calculul dinamic al lui S se poate face cu ieirea stabilizatorului n gol. Randamentul stabilizatorului este dat de relaia:

(2.2.12) Caracteristica de ieire a unui stabilizator de tensiune este aproximativ orizontal cum se vede n figura 2.2.8. protejarea sursei se face prin limitarea curentului la o valoare fix, eventual programabil.

Fig.2.2.8. Exist i caracteristici cu limitare .,prin ntoarcere" a curentului de ieire, aa cum se arat n diagrama din figura 2.2.8 (dreapta ntrerupt). Prin ,,ntoarcerea" curentului se nelege o micorare a lui iL,. (curentul de ieire) astfel ca: (2.2.13) Pentru msurarea rezistenei interne a stabilizatorului de tensiune, notat cu RistU i definit prin:

(2.2.14) se folosete montajul reprezentat n schema din figura 2.2.9.a,u nde IL, este dat de diferena celor dou indicaii ale ampermetrului I pentru dou valori diferite, RL i R`L, ale sarcinii Pentru determinarea factorului de stabilizare, notat cu Fy, i definit prin:

(2.2.15) se folosete montajul reprezentat n schema din figura 10.9.b. Variaia de tensiune UL este indicat pe voltmetru V pentru dou valori diferite ala tensiunii de intrare(Ui i U`i) iar variaia de curent este dat de cele dou indicaii ale ampermetrului.

se folosete montajul indicat in figura 2.2.10.b. Variaia de tensiune UL, este indicat de voltmetrul Z pentru dou valori diferite ale tensiunii de intrare( U i i U'i,):

, iar variaia de curent este dat de cele dou indicaii ale ampermetrului Ai, la U i, i U'i,

Fig.2.2.9. 2.2.5. Stabilizatorul parametric n schema din figura 2.2.10.a dioda stabilizatoare de tensiune (dioda Zener) este exploatat n poriunea caracteristicii in care tensiunea la borne este aproximativ constant( fig . 2.2.10.b).

Fig. 2.2.10. Parametrii diodei sunt tensiunea nominal standardizat curentul minim, curentul maxim (determinat de puterea disipat maxim admisibil), coeficientul de variaie al tensiunii cu temperatura i rezistenta dinamica Rez. Ultimele dou mrimi depind decurentul de lucru I L. Variaia coeficientului de temperatur n funcie de tensiunea de stabilizare U z este indicat in figura 2.2.11.

Pentru {Uz > 6 V se pot pune n serie cu dioda Zener una sau mai multe diode pn deschise, pentru a asigura compensarea termic n jurul unui anumit curent de lucru.

Fig. 2.2.11. 2.2.6. Stabilizatoare electronice cu tranzistoare Se realizeaz dup o schem ca cea din figura 2.2.12, ce are repetor pe emitor (cu tranzistorul 7) intercalat ntre dioda Zener i sarcin. Acest amplificator de curent permite stabilizarea la variaii ale curentului de sarcin mult mai mari dect variaiile de curent admise de dioda Zener.

Fig. 2.2.12 In schema urmtoare din figura 2.2.13, dioda Zener DZ, este polarizat de generatorul de curent format de T, ,DZ, R2, i R3. n acest mod se reduce efectul variaiei tensiunii de intrare. n schemele cu reacie se asigur o stabilizare mai bun. Concomitent, tensiunea stabilizat este mai mare dect tensiunea pe dioda Zener folosit ca element de referin. Ca urmare, alegerea diodei se face n primul rnd pe criterii de coeficient de temperatur sau rezisten dinamic. In figura 2.2.14 este reprezentat schema bloc a stabilizatorului cu element de control (reglaj) serie. Schema din figura 2.2.15 este o schem de baz unde tranzistorul T 1 amplific diferena ntre un eantion al tensiunii de ieire i tensiunea de referin, culeas la bornele diodei DZ.

Fig.2.2.13

Fig.2.2.14

Fig.2.2.15. Variaiile curentului prin T1 se , transmit ns diodei DZ, provocnd modificarea nedorit a punctului de funcionare, deci a tensiunii de referin. Din acest motiv se prefer o alt schem, ca cea din figura 2.2.16, care utilizeaz un amplificator diferenial (cu tranzistoarele T1A i T1B) ca detector i amplificator de eroare.

Fig.2.2.16. In acest caz dioda de referin este ncrcat doar de curentul de baz al tranzistorului T1B. O alt ameliorare a schemei const n "prestabilizarea" alimentrii tranzistorlui amplificator. Aceasta se poate realiza printr- un generator de curent ca n figura 2.2.17. unde catodul diodei este la potenial constant, atunci cnd stabilizatorul funcioneaz corecst i U0 este constant. n aceiai schem se arat i utilizarea unei perechi Darlington pe post de tranzistor de control.

Fig. 2.2.17. 2.2.7. Stabilizatoare de tensiune cu amplificator operaional Se realizeaz dup schema din figura 2.2.18, care este, n fapt un amplificator cu reacie negativ la care amplificarea n bucla deschis este foarte mare. Reacia negativ de tensiune serie se aplic prin divizorul R1,R2. Tensiunea de referin apare la ieire amplificat:

Fig. 2.2.18 Sursa de referin lucreaz practic n gol, deoarece amplificatorul are o impedana de intrare foarte mare. Rezistena de ieire este i ea micorat prin reacie.

2.3. Oscilatoare armonice 2.3.1. Consideraii generale Prin oscilator se nelege un circuit neliniar, capabil s transforme o parte din energia de alimentare n curent continuu n energie a oscilaiilor furnizate la ieire. Spre deosebire de amplificatoare, oscilatoarele furnizeaz energie fr excitaie extern, se autoexcit; oscilaiile se autontrein. Orice radioemitor i practic orice radioreceptor include cel puin un oscilator, de regul cu ieire sinusoidal. De aceea, numai oscilatoarele sinusoidale vor fi discutate. Orice oscilator include un amplificator, un circuit de reacie i o surs de alimentare. Considernd reacia n tensiune, ca n Fig. 2.3.1, condiia de autooscilaie este: A k = 1. Rezult: condiia de amplitudine: A k = 1 , condiia de faz: n A k + = 2 (2.3.1)

Fig. 2.3.1. Modelul unui oscilator cu reacie In radioemitoarele actuale, se utilizeaz numai oscilatoare cu tranzistoare. Din marea varietate a oscilatoarelor tranzistorizate, n emitoare se folosesc numai acele tipuri care asigur o mare stabilitate a frecvenei. Cele mai rspndite sunt oscilatoarele cu cuar. Ca funcionare, oscilatoarele cu cuar se apropie, uneori pn la identificare, de oscilatoarele LC n trei puncte. De altfel, acestea sunt i cele mai stabile oscilatoare LC. 2.3.2. Oscilatoare tranzistorizate n trei puncte O succint prezentare a oscilatoarelor tranzistorizate este util pentru determinarea factorilor care determin stabilitatea frecvenei. In oscilatoare, tranzistorul poate fi privit ca diport, caracterizat prin admitane parametrii y , ca n Fig. 2.3.2, cu ecuaiile:

Fig. 2.3.2. Tranzistor modelat cu parametrii y (2.3.2)

(2.3.3) n regim neliniar (blocat - activ, activ - saturat), cnd limitarea amplitudinii oscilaiilor are loc prin intrarea n blocare sau saturaie a dispozitivului activ (autolimitare); n regim liniar (de semnal mic), cnd se folosesc circuite speciale pentru limitarea amplitudinii oscilaiilor.

Oscilatoarele cu autolimitare sunt de departe cele mai folosite. In aceste oscilatoare, cel puin dou mrimi (de obicei i i u ) nu variaz sinusoidal. Ca urmare, n relaiile (2.3.3), mrimile I0, Ii, U0 i Ui se refer la componentele fundamentale, armonice, ale curenilor i tensiunilor iar parametrii y sunt mediai pentru aceste componente. Astfel, dac c este semiunghiul de conducie al i0 i g0m este transconductana de semnal mic, admitana direct este:
i

(2.3.4) 1 coeficientul dezvoltrii Fourier Oscilatoarele n trei puncte se realizeaz conectnd tranzistorul la un diport format din trei impedane: Z1, Z2, Z3, (Fig. 2.3.3), ale cror reactane formeaz un circuit acordat cu Q mare. Uneori, n IF, se introduce i Z4, pentru compensarea defazajului introdus de tranzistor. In prim aproximaie, tranzistorul va fi considerat ca diport cu parametri y liniarizai prin mediere la fundamentala semnalelor. Neglijnd reacia intern yr incluznd yi n Z2 i y0 n Z1, se obine schema echivalent din fig. 2.3.3, n care:

(2.3.5) semnul corespunde sensului Icr

Fig. 2.3.3. Oscilator n 3 puncte: schem de principiu i schem echivalent cu tranzistor ideal Deoarece:

(2.3.6) condiiile de autooscilaie devin:

(2.3.7) 2.3.2.1. Frecvena de oscilaie Din condiia de autooscilaie (2.3.1), nlocuind Au i k din (2.3.5), rezult:

(2.3.8) unde Zs este impedana circuitului serie. Sub alta form:

(2.3.9) Z1 , Z 2 , Z 3 sunt componentele unui circuit rezonant cu Q mare i se pot face aproximaiile:

(2.3.10) La frecvene destul de joase pentru ca timpul de tranzit al purttorilor s fie neglijabil, g 0 m este real, deci i este real i: (2.3.11) (2.3.12) 1 i 2 pot avea numai valorile din (2.3.12), deci s poate avea numai valorile 0 sau -. Z1 , Z 2 , Z 3 fiind pasive, este realizabil numai s=0, aadar Z s este real, adic: s=0. (2.3.13)

Cu alte cuvinte, autooscilaiile se produc cu frecvena de rezonan a circuitului serie Z1, Z2, Z3. Relaia (2.3.13) este un alt mod de scriere a condiiei de faz pentru autooscilaie. Din (2.3.12): (2.3.14) ceea ce nsemn c X1 i X2 trebuie s fie de acelai fel: ambele inductive sau ambele capacitive iar X3 trebuie s fie de semn contrar: (2.3.15) (2.3.16) Conform relaiilor de mai sus, sunt posibile trei combinaii de componente reactive pentru oscilatoarele n trei puncte (Fig. 2.3.4)

Fig. 2.3.4. Circuitul rezonant la oscilatoere n 3 puncte: a Colpitts, b Hartley, c Clapp, d conectare la terminale n cele 3 conexiuni ale TB In oscilatoare TB poate fi utilizat n orice configuraie: EC, BC sau CC (Fig. 2.3.4), fiecare avnd avantaje i dezavantaje. Se pot utiliza TEC, n configuraii similare. Dac g 0 (tranzistorul introduce defazaj), oscilaiile se produc cu frecvena 0, diferit de frecvena de rezonan a circuitului rez. innd seama de (2.3.9) i (2.3.14): (2.3.17)

Deoarece stabilitatea frecvenei scade cu att mai mult cu ct |0 rez| este mai mare, uneori este bine s se introduc o reactan Z4 - Fig. 2.3.3, pentru compensarea g, nct oscilaiile s se produc cu 0 = rez. 2.3.2.2. Stabilitatea frecvenei la oscilatoare Stabilitatea frecvenei, msurat prin abaterea relativ f, poate fi determinat utiliznd ecuaia condiiei de faz pentru autooscilaii (2.3.9), dup care defazajul total , trebuie s fie: (2.3.18) Defazajul depinde de frecven i de valorile componenelor impedanelor i transconductanei, la rndul lor dependente de diferii factori. Dac unul din aceti factori notat , are o aciune destabilizatoare, modificndu-se de la 0 la = 0 + , acest factor poate fi explicitat n expresia defazajului, sub forma = (, ). Cnd se modific, condiia de autooscilaie nu poate fi realizat dect dac se modific i frecvena, de la 0 la = 0 + : (2.3.19) Orice modificare a frecvenei de rezonan apare cu aceeai valoare n semnalul generat, indiferent de Qs. Aceasta este o constatare foarte important, deoarece arat cum se reflect variaiile componentelor reactive ale circuitului rezonant n valoarea frecvenei generate. Deoarece: variaia frecvenei rez determinat de micile variaii ale componentelor este:

Pentru o bun stabilitate, n oscilatoare trebuie utilizate componente cu parametri constani, puin modificabili de factori externi ca: temperatur, umiditate, presiune etc. In particular, reducerea influenei temperaturii se poate realiza folosind condensatoare cu coeficient de temperatur (T(C)) egal i de semn opus cu al bobinei (T(L)), nct:

Variaiile lente ale frecvenei oscilaiilor au multiple cauze, printre care: modificarea parametrilor componentelor pasive din circuitul rezonant;

 modificarea unor parametri ai tranzistorului. Caracteristicile componentelor pasive sunt influenate de temperatur (cel mai important factor destabilizant), umiditate, presiune, solicitri mecanice (vibraii) etc. Aceti factori modific i reactanele parazite. Efectul temperaturii poate fi redus prin compensare (de exemplu fcnd T(C) T(L)) i eliminat prin termostatare. Efectele celorlali factori pot fi combtute prin ncapsulare ermetic i / sau impregnare. Tranzistorul influeneaz frecvena de oscilaie deoarece conductanele ( gi , gr , g0 ) i susceptanele ( bi , br , b0 ), fac parte din circuitul rezonant iar gm apare explicit n condiia de oscilaie. Variaia susceptanelor modific rez, iar conductanele cresc r s, reducnd Q s. Deoarece admitanele depind de capacitile jonciunilor, timpii de tranzit ai purttorilor i de modul n care acestea variaz cu iB i iC, nseamn c sunt influenate de temperatur, tensiuni de polarizare i de regimul de lucru (subexcitat / supraexcitat, semiunghi de conducie, ...). Temperatura tranzistorului poate varia att sub influena medlui ct i datorit puterii disipate pe tranzistor; este bine ca aceast putere s fie mic. Tensiunile de polarizare, de regul C E care asigur i B E , influeneaz direct parametrii echivaleni ai tranzistoarelor (n special capacitile jonciunilor); este bine ca alimentrile s fie stabilizate. In general, influena tranzistorului asupra frecvenei poate fi redus: stabiliznd sursa de alimentare, cuplndu-l slab cu circuitul rezonant, micornd puterea disipat pe jonciuni (reducnd amplitudinilor curenilor i tensiunilor), asigurnd limitarea amplitudinii prin blocare i nu prin saturaie sau i mai bine cu circuite speciale (care s menin dispozitivul n regiunea activ, n regim de semnal mic), ncapsulnd i/sau impregnnd ansamblul, termostatnd ntregul ansamblu.

2.3.3. Oscilatoare controlate cu cuar 2.3.3.1. Consideraii generale In prezent, pentru obinerea oscilaiilor cu frecven stabil de la circa 1kHz pn la peste 200MHz, de departe cele mai utilizate sunt oscilatoarele controlate cu cuar.

Cuarul este bioxid de siliciu cristalizat romboedric cu trei axe de simetrie - Fig. 2.3.5. Cuarul se gsete n natur sau poate fi crescut artificial. Din cristal se taie plcue paralelipipedice sau cilindrice, care se metalizeaz pe fee opuse i se utilizeaz ca rezonatori.

Fig.2.3.5. Schema echivalent a rezonatorului cu cuar In apropierea frecvenelor proprii, cuarul n circuite electrice se comport fa de semnale variabile ca un circuit RLC cu Q foarte mare, prezentnd efecte de tipul rezonanelor serie i paralel. Astfel, schema echivalent a rezonatorului cu cuar, n apropierea frecvenelor proprii, de rezonan, este ca n Fig. 2.3.6. Pentru fiecare frecven exist o schem echivalent, valid numai n jurul respectivei frecvene de rezonan. C1, L1, R1 sunt elementele echivalente intrinseci n jurul fundamentalei (C3, L3, R3 n jurul armonicei a 3-a; C5, L5, R5 n jurul armonicei a 5-a; etc.), determinate de cristal, depinznd de dimensiuni i de tietur. C1(3, 5, ...) este foarte mic (0,0001 ... 1pF), L1(3, 5, ...) este mare (rezult din valoarea frecvenei de rezonan) iar R1(3, 5, ...) are valori foarte diferite (x0,1 ... x100k). C0 este capacitatea echivalent extrinsec, care include: capacitatea condensatorului plan cu dielectric cuar format de armturi, capacitile dintre terminale, dintre terminale i capsul etc. Obinuit, C0 este 5 ... 30pF, funcie de grosimea plcuei, suprafaa armturilor, tipul capsulei. In lipsa datelor de catalog, pentru rezonatori n gama 1 50MHz, se poate admite C 0= 15 5pF (capsule miniatur i subminiatur), C 1 0,01pF i R 1 = 100 / f rez(MHz). In regim overtone, se admite:

Fig. 2.3.6. Schema echivalent a rezonatorului cu cuar: a pe fundamental, b, c pe armonica 3 i 5, d simbolizare Schemele echivalente din Fig. 2.3.6 i Qs au sens numai pentru frecvene de lucru foarte apropiate de frecvenele de rezonan ale circuitelor serie: (2.3.20) La frecvene deprtate de rezonan (joase i nalte), cristalul de cuar se comport ca o capacitate a condensatorului format din armturi i dielectric SiO2. In jurul rezonanei, comportarea este asemntoare cu a schemei echivalente din fig. 6.a. O asemenea schem prezint dou frecvene de rezonan: o frecven numit de rezonan serie, la care impedana dintre borne este rezistiv i mic, practic egal cu R1. Aceast frecven coincide practic cu rezonana serie a circuitului (2.3.21) frecven numit de rezonan paralel, la care impedana dintre borne este rezistiv i mare, practic egal cu QsR1. Aceast frecven coincide practic cu rezonana paralel a circuitului R1L1 n paralel cu C1 serie cu C0:

(2.3.22) Deoarece C1 << C0, 01 s i 02 sunt foarte apropiate:

Intre 01 i 02 cristalul se comport inductiv iar n afara intervalului capacitiv.

2.3.3.2. Oscilatoare n trei puncte cu cuar nlocuind inductana din circuitul rezonant al oscilatoarelor Colpitts sau Clapp se obine schema din Fig.2.3.7.a. Oscilatorul Colpitts cu cuar este, n diverse variante, cel mai folosit. nlocuind una din inductane n circuitul rezonant al oscilatorului Hartley se obin schemele din Fig. 2.3.7.b, c. Varianta din Fig. 2.3.7.c nu este utilizat din cauz c impedana componentei active n paralel cu cristalul este mic i determin reducerea Q ului. Varianta din Fig.2.3.7.b (oscilator Miller), este rar folosit, avnd unele dezavantaje.

Fig.2.3.7 La oscilatorului Colpitts cu cuar (Fig. 2.3.7.a), condiia de faz pentru autooscilaii este:

(2.3.23) Rezolvnd grafic condiia de faz (Fig.2.3.8), rezult dou soluii, 0 i `0 , corespunztoare interseciilor din A i B.

Fig. 2.3.8. Soluia grafic a condiiei de faz pentru autooscilaii la oscilatorul Colpitts cu cuar

In A, la 0 aproape de 01, |Zech(0)| este mult mai mic dect |Zech( 0)| din B. Ca urmare, condiia de amplitudine pentru autooscilaii se realizeaz mult mai uor la 0 01 s. La frecvena de oscilaie 0, C apare n serie cu cristalul

Se obine:

n B (ca i n A), defazajul introdus de cristal este /2 inductiv, dar n B X1, X2, Xech variaz cu frecvena n acelai sens. Ca urmare, oscilaiile n B sunt instabile (ca n B din Fig. 2.3.7). n B panta fazei este negativ, condiia / s / nu poate fi realizat. Nu exist oscilatoare cu cuar care s funcioneze la, sau foarte aproape de frecvena de rezonan paralel, la care impedana echivalent este maxim, fie din cauza pantei negative a fazei fie din cauza impedanei foarte mari. Expresia cristalul la rezonan paralel, utilizat de unii autori, se refer la faptul c, cristalul prezint o impedan echivalent mare, frecvena de oscilaie rmne ns aproape de a rezonanei serie.

2.3.3.3. Oscilatoare cu cuar pe calea de reacie In aceste oscilatoare cuarul este conectat n serie pe calea de reacie pozitiv a circuitului Fig. 2.3.9. Dispozitivul activ i sarcina acestuia sunt astfel nct defazajul introdus este aproape nul. Ca urmare, pentru autooscilaie cristalul trebuie s introduc un defazaj foarte mic. Cuarul, n serie cu Rg, formeaz cu RL un divizor. Tensiunea de reacie este maxim cnd |Zech| este minim. Cele dou condiii de oscilaie sunt ndeplinite la sau foarte aproape, de rezonana serie, deci 0 01 s. In aceste scheme, C0 constituie o cale de nchidere a reaciei pozitive pentru curenii cu frecvene mai mari dect 0. Ca urmare pot apare perturbaii, oscilaii parazite pe frecvene mari. Efectul poate fi eliminat cu o inductan n paralel cu cristalul sau prin neutrodinare.

Fig. 2.3.9. Oscilator cu rezonator cu cuar la rezonan serie 2.3.4. Bucla PLL 2.3.4.1. Principiile de funcionare ale PLL Bucla cu calare de faz este un sistem automat cu reacie pentru urmrirea fazei. Ca sistem automat, PLL are multiple aplicaii, dar principalul beneficiar rmn telecomunicaiile. Pentru abordarea sintezei indirecte a frecvenei este necesar cunoaterea principiilor de funcionare ale PLL. Dar, bucla cu faz calat este un circuit complicat, cu mai multe regimuri de funcionare - unele neliniare, cu o comportare specific la zgomotul de faz - aspect esenial n sinteza frecvenei. Discutarea cantitativ, chiar sumar, a tuturor aspectelor privind comportarea PLL de diverse tipuri, depete cadrul acestui capitol. In consecin, PLL vor fi prezentate calitativ, insistnd asupra aspectelor eseniale pentru sinteza frecvenei. Schema bloc a PLL, n forma cea mai simpl este ca n Fig. 2.3.10.

Fig. 2.3.10. Schema bloc a PLL Mrimile de intrare i de ieire sunt fazele semnalelor de intrare i de ieire i(t) i o(t). Calitativ, funcionarea PLL este astfel: comparatorul de faz CP furnizeaz o tensiune vd(t) proporional cu diferena fazelor; filtrul trece jos FTJ separ din vd(t) componenta continu (lent variabil) vc; oscilatorul controlat n tensiune OCT furnizeaz semnal cu frecvena comandat de tensiunea de comand vc. Sistemul este astfel nct, n regimul de lucru normal, numit regim de urmrire (a fazei): frecvenele de ieire i de intrare sunt egale: o = i;

ntre fazele de intrare i ieire se realizeaz o diferen constant i mic: o(t) i(t) = constant faza de ieire urmrete faza de intrare. Dac faza de ieire se modific de exemplu datorit schimbrii frecvenei o, se modific o(t) i(t), se schimb i tensiunea de comand vc, faza de ieire este forat s revin la valoarea iniial pentru ca o = i, o(t) i(t) = constant. Dac faza de intrare se schimb, de exemplu datorit variaiei frecvenei la i1: tensiunea de comand vc variaz modificnd frecventa OCT; frecvena de ieire devine egal cu noua frecven de intrare: o1 = i1; 2.3.4.2. Principiul multiplicrii de frecven cu PLL. Sinteza frecvenei cu PLL digitale (cu numrtoare digitale) se bazeaz pe principiul multiplicrii de frecven cu PLL.

Fig.2.3.11. Principiul multiplicrii frecvenei cu PLL Introducnd un divizor de frecven comandat (:N) ntre OCT i CP ca n Fig. 2.3.11, n calare: (2.3.24) , deci:

Dac N variaz de la Nmin = 1 la Nmax, se obine un sintetizor cu Nmax trepte, n pai fi. Dac fi se obine de la o surs de referin cu f, dup o divizare prin M rezult: (2.3.25) M poate fi de asemenea variabil, iar gama frecvenelor OCT este:

Cnd trebuie generate puine frecvene, cu pai mari (sute - mii Hz), procedeul de mai sus este direct aplicabil, rezultnd un sistem simplu. De ndat ce se pune problema obinerii unui numr mare de frecvene, cu pai mici, apar probleme dificile, legate de zgomot i durata stabilirii frecvenei - sistemele se complic, adesea foarte mult.

2.3.4.3. Sintetizor de frecven Sintetizoarele de frecven sunt echipamente capabile s furnizeze un numr mare de frecvene, cu stabilitate ridicat, utiliznd una sau cteva surse primare, de referin; frecvena generat se modific n trepte. Mai multe frecvene de emisie se pot obine cu un singur oscilator cu cuar, la care cristalele se pot schimba sau comuta manual; metoda este folosit cnd sunt necesare puine frecvene (cel mult 10 - 12), fixe i apropiate. Procedeul a fost perfecionat, astfel nct folosind cteva oscilatoare cu cuaruri comutabile, prin combinarea frecvenelor generate, se pot obine numeroase frecvene; aceasta tehnic, cunoscut sub numele de sinteza necoerent este practice neutilizat n prezent. Dezvoltarea telecomunicaiilor n primul rnd dar i a altor domenii ale electronicii, a solicitat realizarea unor surse de oscilaii cu performane ridicate, capabile s furnizeze foarte multe frecvene (peste 107), n pai mici (0,001 ... 100Hz) n game extinse de la frecvene joase (sub 1Hz) pn n UIF i SIF. Ca urmare, au aprut i s-au dezvoltat tehnici de sintez coerent, n numeroase variante, capabile s satisfac cerine tot mai pretenioase. Principalii parametri ai unui sintetizor sunt cei care l caracterizeaz ca surs de oscilaii cu frecven stabil: tipul i nivelul semnalelor, impedana de ieire, stabilitatea frecvenei, coninutul n armonice, zgomotele etc. Sinteza frecvenei se poate realiza prin trei tehnici fundamentale: tehnica sintezei necoerente, n care frecvenele se obin prin combinarea frecvenelor semnalelor generate de mai multe oscilatoare cu cristale de cuar comutabile; tehnica sintezei coerente, n care se folosete o singur surs de oscilaii de referin. Sinteza coerent poate fi realizat prin procedeele:

sinteza direct, n care frecvena sursei de referin este multiplicat i divizat iar produsele acestor operaii sunt combinate (mixate) pentru obinerea frecvenelor necesare; sinteza catalitic, n care frecvenele furnizate sunt armonice ale frecvenei referinei (eventual divizat), selectate prin heterodinare (dubl sau tripl mixare i filtrare); sinteza indirect, bazat pe utilizarea buclelor cu calare de faz (PLL); este procedeul cel mai utilizat n prezent. tehnica sintezei digitale directe, n care semnalul este sintetizat din trepte; prin filtrare se obine semnalul sinusoidal. Dintre tehnicile menionate, n prezent sunt mult folosite: sinteza indirect (cu PLL) i sinteza digital direct. 2.3.4.4. Sinteza de frecven indirect, cu bucle PLL Bucla cu calare de faz este un sistem automat cu reacie pentru urmrirea fazei. Ca istem automat, PLL are multiple aplicaii, dar principalul beneficiar rmn telecomunicaiile. Schema bloc a PLL, n forma cea mai simpl este ca n fig.20. Mrimile de intrare i de ieire sunt fazele semnalelor de intrare i de ieire i(t) i o(t).

Fig.2.3.12

Calitativ, funcionarea PLL este astfel: comparatorul de faz CP furnizeaz o tensiune vd(t) proporional cu diferena fazelor; filtrul trece jos FTJ separ din vd(t) componenta continu (lent variabil) vc; oscilatorul controlat n tensiune OCT furnizeaz semnal cu frecvena comandat de tensiunea de comand vc.

Sistemul este astfel nct, n regimul de lucru normal, numit regim de urmrire (a fazei): frecvenele de ieire i de intrare sunt egale: o = i; ntre fazele de intrare i ieire se realizeaz o diferen constant i mic: o(t) i(t) = constant faza de ieire urmrete faza de intrare. Dac faza de ieire se modific de exemplu datorit schimbrii frecvenei o, se modific o(t) i(t), se schimb i tensiunea de comand vc, faza de ieire este forat s revin la valoarea iniial pentru ca o = i, o(t) i(t) = constant. Dac faza de intrare se schimb, de exemplu datorit variaiei frecvenei la i1: tensiunea de comand vc variaz modificnd frecventa OCT; frecvena de ieire devine egal cu noua frecven de intrare: o1 = i1; diferena fazelor redevine constant, de obicei la alt valoare: o(t) i(t) = constant1. n concluzie, n regimul de urmrire, faza semnalului de ieire urmrete faza semnalului de intrare la diferen de o constant (n particular poate fi nul); se spune c bucla este calat. Din punct de vedere al naturii semnalelor vehiculate n sistem, PLL sunt de dou feluri: PLL analogice, la care: FTJ este un filtru analogic, vd i Vc sunt tensiuni, semnale electrice analogice. PLL analogice pot include circuite digitale, dar ct vreme FTJ este analogic iar vd i Vc sunt tensiuni, sistemul este analogic. PLL digitale (numerice), la care FTJ este numeric, mrimile vehiculate n sistem (vd i Vc) sunt cuvinte digitale i numai semnalele de intrare i ieire sunt analogice (tensiuni). 2.3.4.5. Principiile sintezei de frecven indirect Sinteza indirect a frecvenei se poate realiza utiliznd PLL "pur" analogice fr divizoare de frecven digitale, sau cu PLL (cu blocuri) digitale incluznd mai ales divizoare de frecven digitale; n prezent, al doilea procedeu este de departe cel mai utilizat.

Sinteza frecvenei cu PLL se bazeaz pe principiile buclei de translare a frecvenei i ale multiplicrii de frecven cu PLL. Principiul buclei de translare a frecvenei cu PLL Un circuit pentru translarea frecvenei cu PLL asigur deplasarea frecvenei de intrare fi n frecvena de ieire fo = fi + fm sau fo = fi fm, utiliznd un mixer cruia i se aplic fi i fm. Din fig. 21, cnd bucla este calat, rezult:

fi = f1 = f0 fm ; f0 = fi fm

Fig.2.3.13. Principiul buclei de translare a frecvenei In principiu, fi, fm i produsele de mixare de ordin nalt mfi, nfm (m, n > 1) nu apar la ieire. In realitate, n special apar fi i 2fi, datorit ondulaiilor tensiunii vc; pentru a le elimina, adesea sunt necesare msuri deosebite. De asemenea, frecvenele mai nalte pot apare datorit cuplajelor parazite. De regul, este necesar numai unul din produsele mixrii ( fi + fm sau fo = fi fm). Dac OCT nu poate oscila dect ntr-o band, nu este nici o problem. In caz contrar, sunt necesare msuri anume pentru a mpiedeca bucla s se caleze pe frecvena imagine (circuitele sunt complicate n general).

2.3.4.6. Sinteza frecvenei cu PLL cu blocuri digitale a. Sintetizoare cu o singur bucl n forma cea mai simpl, sinteza frecvenei cu PLL cu blocuri digitale se realizeaz folosind o singur bucl cu divizor de frecven comandat (programabil) n calea de reacie, ca n fig.2.3.14

Fig. 2.3.14 Sinteza frecvenei cu singur PLL Frecvena de ieire este:

n general factorul de divizare N este modificabil ntre limite Nmin Nmax (an-1, an-2, ... an-p - constani, an-p-1, an-p-2, ... a1, a0 - modificabili de la panou). Divizarea frecvenei de referin fr prin M = 105 ... 103 este necesar deoarece frecvenele comparate fi sunt n gama 100Hz ... 1kHz, n care este greu i costisitor s se construiasc generatoare stabile cu mare puritate spectral. De regul, fr se obine de la un generator cu cuar, termostatat sau nu, n gama 1 10MHz. Uneori M este modificabil (2 - 4 valori), pentru schimbarea frecvenei de comparaie fi care este i rezoluia (pasul) sintetizorului. b. Sintetizoare cu dou bucle cu calare de faz Reducerea (mbuntirea) rezoluiei unui sintetizor cu PLL se poate face utiliznd dou bucle, dup principiul din fig. 23.4.15. In calea de reacie a buclei principale s-a introdus un mixer, urmat de FTB care separ componenta diferenial din produsele de mixare; de regul se folosesc mixere dublu echilibrate care asigur rejecia frecvenelor de intrare. In final, conform relaiilor de pe figur:

Fig. 2.3.15. Sintetizor de frecven cu dou PLL Performanele unui asemenea sintetizor pot fi net superioare unui sistem cu o singur bucl. Astfel, zgomotul de JF determinat de bucla 2 poate fi sensibil redus, deoarece OCT2 funcioneaz ntr-o band ngust. Semnalul de la OCT2 dup divizorul prin P poate fi uor i bine filtrat. Pe de alt parte, zgomotul de IF, determinat de bucla (1), poate fi redus cu uurin, aranjnd corespunztor banda buclei, frecvena de comparaie fi1 fiind destul de mare. n plus, frecvenele de comparaie sunt mari i timpii de calare pot fi uor redui 1 ... 100ms. O problem deosebit apare din faptul c unele produse de mixare au frecvena n banda semnalului de ieire; pentru eliminarea acestor semnale sunt necesare filtre de rejecie, ecranarea mixerului etc. Este indicat ca, n prima etap de proiectare, s se analizeze frecvenele produselor de mixare, ale semnalelor furnizate de divizoare i multiplicatoare de frecven i s se aleag frecvenele de lucru astfel nct aceste produse s nu apar, pe ct posibil, n gama semnalului de ieire, eventual s poat fi uor filtrate.

2.4. Amplificatoare electronice 2.4.1. Amplificatoare electronice cu tranzistoare. 2.4.1.1. Consideraii generale Definit n modul cel mai general, un amplificator este un cuadripol la intrarea cruia dac se aplic un semnal variabil, la ieire se obine un semnal de aceeai form i frecven dar cu amplitudine mai mare. Este evident c sporul de putere la ieirea amplificatorului este obinut datorit unei surse de energie electric cu care este prevzut acesta. Amplificatoarele se pot realiza cu elemente amplificatoare semiconductoare adic cu tranzistoare bipolare i cu efect de cmp. n acelai scop se folosesc i circuitele integrate amplificatoare care ncorporeaz totalitatea componentelor de baz ale schemei electronice. Celula de baz cea mai simpl care realizeaz amplificarea se numete etaj amplificator. Semnalele electrice la intrarea amplificatoarelor pot fi variabile continuu, n mod particular sub forma oscilaiilor armonice, sau sub forma impulsurilor de polaritate diferit. Se poate considera c, n regimuri stabilizate, majoritatea mrimilor fizice sunt constante sau lent variabile, cum sunt, de exemplu, tensiunea i frecvena reelei. n regimuri tranzitorii i ndeosebi n caz de avarie, acelai mrimi se pot modifica rapid. Amplificatoarele care pot funciona att cu semnale variabile ct i cu semnale continue sau lent variabile sunt cele mai universale i deci i cele mai des utilizate n practic. Aceste amplificatoare se numesc de curent continuu, cu toate c ele amplific i componenta alternativ i, n marea lor majoritate, ele sunt amplificatoare de tensiune i nu de curent.

Fig. 2.4.1 Schema de cuplare cu emitor comun a tranzistorului bipolar

n figura 2.4.1 este prezentat schema amplificatorului cu emitor comun cu tranzistor de tipul n-p-n. Semnalul de intrare se aplic n baza tranzistorului sub forma tensiunii u i curentului i . Relaia u = f(u ) se numete caracteristica de transfer a etajului. Prin creterea lui u , crete curentul i , precum i curentul i , astfel: iC = (+1)ICB0 + iB. Ca rezultat, crete cderea de tensiune pe rezistorul RC i se micsoreaza tensiunea u = EC iCR. Cnd uCE ajunge la valoarea UCES, creterea n continuare lui uBE nu mai provoac modificarea tensiunii uCE i a curentului iC, care trece prin rezistena de sarcin RC (figura 2.4.2). n acest regim, pe rezistena de sarcin a RC se aplic tensiunea EC UCES i, din acest motiv, curentul de colector este egal cu
BE B CE BE BE B C CE

Fig. 2.4.2 Functia de transfer a amplificatorului cu tranzistor n montaj emitor comun

Caracteristica de transfer a etajului arat c prin variaia tensiunii uBE sau a curentului iB n circuitul de mic putere a sursei se semnal se pot modifica valorile curentului iC i tensiunii uCE din circuitul sursei EC de putere mai mare. Tensiunea uCE poate varia numai n limitele: UCES uCE EC, iar curentul iC n limitele:

care corespunde zonei a II-a pe caracteristica de transfer din figura 2.4.2. Pentru valori negative ale lui uBE i n zona I a caracteristicii de transfer, prin tranzistor trece numai curentul mic necomandat al jonctiunii baz-colector, iar n zona a IIIa, uCE = UCES, iar tranzistorul i pierde calitatea de amplificator. De asemenea, se constat din sectiunea a II-a c, prin creterea lui u BE, se micoreaz uCE. Amplificatorul la care variaia semnalului la ieire este de sens opus variaiei semnalului de la intrare se numete amplificator inversor. Regimurile de funcionare ale etajului de amplificare se numesc clase de amplificare i pot fi analizate pe baza caracteristicii de transfer. n figura 2.4.2, este reprezentat semnalul de intrare uint(t) de form oarecare cu ambele polariti i tensiunea

uCE(t) n diferite clase de amplificare. Clasa de amplificare B este caracterizat de egalitatea uBE = uint. Datorit neliniaritii caracteristicii de transfer a etajului n clasa B, la ieirea acestuia se transmite numai alternana pozitiv a semnalului, pentru uint > 0. Aceasta clas de amplificare se folosete atunci cnd este necesar amplificarea impulsurilor de o singur polaritate. n cazul aplicrii la intrare a unor semnale cu ambele alternane, forma acestuia la ieire este distorsionat, iar o parte a informaiei coninute n semnal este pierdut definitiv. n cazul funcionrii etajului n clasa de amplificare A, la intrarea acestuia se aplic, pe lng semnalul uint(t) i o tensiune constant, care deplaseaz punctul de lucru pe caracteristica de transfer, astfel nct:

uBE = uint + Ud.

Datorit tensiunii de deplasare, Ud, semnalul de intrare se poate reproduce n totalitate, fr distorsiuni de form, pentru c valoarea lui u corespunde n mod continuu zonei a II-a pe caracteristica de transfer. Regimul de repaus corespunde regimului de funcionare a amplificatorului cnd acestuia i se aplic tensiunea sursei de alimentare i tensiunea de deplasare, dar nu i o tensiune uint. n acest regim, uBE = UBEr i iB = IBr, iar uCE = UCEr. Cnd se aplic tensiunea uint negativ sau pozitiv, se micoreaz sau respectiv se mresc curenii iB i iC, precum i cderea de tensiune pe RC n mod corespunzator, astfel nct uCE = UCer + UCE, unde UCE = uies reprezint efectul de amplificare. n regimul de funcionare cu semnal mare la intrare, modificarea tensiunii de intrare cuprinde toate sectiunile caracteristicii de transfer (I III), iar forma semnalului transmis este distorsionat i limitat n amplitudine. Asemenea situaii sunt specifice n tehnica impulsurilor, unde limitarea amplitudinii impulsurilor dreptunghiulare nu are urmri semnificative. Alegerea clasei de amplificare i a regimului de repaus determin a nu numai forma semnalului transmis, dar i pierderile de putere care produc nclzirea tranzistorului, astfel:
BE

Pe diagrama din figura 2.4.2, cu linie punctat este reprezentat variatia puterii P n regim de repaus n funcie de tensiunea de deplasare, U Ber. Se constat c, alegerea valorii lui UBer n mijlocul seciunii a II-a pe caracteristica de transfer corespunde pierderilor maxime de putere n tranzistor.

2.4.1.2. Regimul de repaus la amplificatorul cu tranzistor n montaj cu emitor comun Pentru analiz, s considerm c etajul cu emitor comun funcioneaz n clasa de mplificare A. Schema din figura 2.4.3 conine suplimentar fa de schema din figura 2.4.1 rezistorul de sarcin din colector RS, la bornele cruia se culege tensiunea de ieire, uies, iar circuitul de intrare este reprezentat n mod conventional sub forma cuplrii n serie a dou surse de tensiune, uint i Ud.

Fig.2.4.3 Amplificator n montaj emitor comun

n figura 2.4.4 se prezint diagramele de timp ale tensiunilor i curenilor pentru etajul de amplificare cu emitor comun. Cnd uint = 0, n regimul de repaus, prin tranzistor circul curenii continui IBr, ICr, IEr, iar pe baza i pe colectorul tranzistorului se aplic tensiunile continue UBEr i UCEr 0. Pentru c, n regim de repaus, uies = 0, n circuitul sarcinii RS este necesar introducerea unei surse de tensiune continu pentru compensare: Ucomp = UCEr. La aplicarea tensiunii de intrare, curenii i tensiunile n tranzistor se modific cu valorile UBE = uint, IB, IC, IE, UCE = Uies, care sunt reprezentate n figura 2.4.4, pentru cazul cnd semnalul la intrare are o form oarecare. Valorile instantanee ale curenilor i tensiunilor n tranzistor se pot determina cu ajutorul metodei grafice, care reprezint una dintre metodele eficiente de analiz a circuitelor neliniare. Caracteristica de ieire a schemei din figura 2.4.3, care conine un singur element neliniar tranzistorul, se exprim astfel:

iC = f(uCE) pentru IB = ct.

(2.4.1)

Dac se consider c n circuitul de sarcin se cupleaz sursa de tensiune de compensare, Ucomp = UCEr, atunci, n regim de repaus, curentul de colector este:

(2.4.2)

Pentru rezolvarea sistemului de ecuaii se folosete metoda grafic, n care scop, pe familia caracteristicilor de ieire ale tranzistorului (figura 2.4.5), se traseaz dreapta de sarcin n curent continuu, descris de ecuaia (2.4.2). Astfel, se obine c, pentru i = 0, uCE = EC iar pentru uCE = 0,
C

. Prin aceste dou puncte stabilite se traseaz dreapta de sarcin. Intersecia dreptei de sarcin n curent continuu cu caracteristica de ieire a tranzistorului pentru i = IBr va corespunde soluiei sistemului de ecuaii, respectiv punctului de repaus, numit i punct static de functionare, O(UCEr, ICr) (figura 2.4.5). n general, condiia Ucomp = UCEr nu se ndeplinete i curentul de colector se mparte, trecnd i prin RS. n acest caz, partea schemei compuse din EC, RC, Ucomp, RS se nlocuiete cu rezistena i tensiunea echivalente, Rechiv i Eechiv, care se determin pe baza teoremei generatorului echivalent astfel:
B

Valorile lui Rechiv i Eechiv se introduc n locul lui RC i respectiv EC n ecuaia (2.4.2) i, pe aceast baz, se construiete dreapta de sarcin n curent continuu.

Fig. 2.4.4 Diagramele tensiunilor si curentilor n amplificatorul n montaj emitor comun

Analiza grafic a etajului n prezena semnalului la intrare se face n mod analog. n acest scop, se urmrete circuitul de trecere a curentului IC. Acest curent poate trece prin RC i EC, precum i prin Ucomp i RS. Avnd n vedere c rezistena surselor de tensiune continu la variaia curentului I, adic rezistena acestora n componenta alternativ a curentului este egal cu 0, se obine:

(2.4.3) n continuare, se rezolv sistemul ecuaiilor (2.4.1) i (2.4.3), n care scop, pe familia caracteristicilor de ieire ale tranzistorului (figura 12.5), se traseaz dreapta de sarcin n curent alternativ, AOB, prin punctul de repaus O, n concordan cu relaia (2.4.3). Pentru c dreapta AOB este mai nclinat dect dreapta de sarcin n curent continuu.

Fig. 2.4.5 Calculul grafic al etajului de amplificare cu tranzistor n montaj emitor comun; dreapta de sarcin i influena variaiei de temperatura asupra punctului de repaus

Prin creterea lui iB, punctul de lucru al etajului, determinat de valorile lui u i i , se deplaseaz n sus pe dreapta OA, curentul i C creste, iar tensiunea uCE scade. Prin micsorarea curentului bazei, punctul de lucru se deplaseaza pe dreapta OB, curentul iC scade, iar tensiunea uCE creste. Dreapta AOB reprezint traiectoria punctului de lucru a etajului. Metoda grafic de analiz permite studierea neliniaritii caracteristicilor tranzistorului si analiza aciunii semnalelor oarecare n orice clasa de amplificare. Metoda grafica este totusi greoaie i nu permite alegerea parametrilor elementelor constitutive ale etajului pe baza condiiilor initiale date. Calitatea esenial a metodei grafice de analiza const n aceea ca ofer o reprezentare concludent asupra funcionrii etajului ca schema cu elemente neliniare. Trebuie de remarcat faptul c, prin creterea temperaturii, crete valoarea lui Icr iar caracteristica de ieire se deplaseaz n sus prin meninerea egalitatii I B = IBr, asa cum se vede n figura 2.4.5 (reprezentare cu linie ntrerupt). Punctul de repaus se deplaseaz n sus pe linia de sarcin n curent continuu din punctul O n
CE C

O, ceea ce face ca modificarile de semnal s ias din zona a II-a a caracteristicii de transfer (figura 2.4.2), iar forma curbei semnalului s fie distorsionat (curba uies n cazul nclzirii n figura 2.4.5). Datorit acestui fapt, la amplificatoarele cu tranzistoare este necesar stabilizarea punctului de repaus. n mod practic nu se folosesc etaje cu tranzistoare fr msuri corespunztoare de stabilizare a punctului de repaus. Aceast stabilizare este de asemenea necesar i pentru prevenirea situaiilor n care, prin nlocuirea tranzistoarelor, se modific de regula regimurile de lucru, datorit faptului c marja de variaie a caracteristicilor tranzistoarelor este destul de mare n jurul datelor de catalog.

2.4.1.3. Schema echivalent i parametrii principali ai etajului amplificator cu tranzistor n montaj emitor comun Pentru calculul parametrilor de amplificare ai etajelor de amplificare se folosete metoda bazat pe liniarizarea caracteristicilor tranzistorului. Prin metoda liniarizrii caracteristicilor neliniare se pierd informaii despre elementul real i despre limitrile determinate de neliniaritate. Analiza amplificatoarelor se poate face numai pentru componentele alternative de curent i tensiune n clasa de amplificare A. Pentru calculul componentelor alternative, elementul de amplificare se nlocuiete cu schema liniar echivalent. n zona n care caracteristicile de ieire sunt paralele cu abscisa (figura 2.4.7.a), tranzistorul funcioneaz ca surs de curent iC, a crei variaie se poate scrie sub forma:

este rezistenta dinamic de ieire a tranzistorului cu emitor comun, determinat de panta caracteristicilor de ieire. Rezistenta rC* este de ordinul a 10 . n acest fel, circuitul de ieire, de colector al tranzistorului reprezint o surs de curent comandat, cu rezistenta intern egal cu rC*. Circuitul de intrare, din baza tranzistorului este descris de expresia:
4

unde rintE este rezistena dinamic de intrare a tranzistorului cu emitor comun, determinat de panta caracteristicilor de intrare ale tranzistorului, aa cum se arat n figura 2.4.7.b, pentru UCE > UCES. Pentru tranzistoarele de putere mic, aceast

rezisten are valoarea de ordinul 10 , iar pentru tranzistoarele de putere mare ea este mai mic. Schema echivalent a tranzistorului n curent alternativ este prezentata n figura 2.4.6. Aceast schem are o serie de avantaje fa de alte scheme echivalente (figura 2.4.7.a,b) prin faptul c parametrii ei se determin a relativ uor din caracteristicile tranzistorului, reprezentarea elementelor din schem corespunde unitilor de msur a mrimilor respective iar formulele de calcul sunt simple i corespund interpretarii fizice.
3

Fig.2.4.6 Schema echivalenta n curent alternativ a tranzistorului cu emitor comun

n tabelul 2.4.1 se arat corespondena dintre parametrii schemei echivalente din figura 12.6 i respectiv din figura 12.7.

Fig. 2.4.7 Schema echivalenta n curent alternativ a tranzistorului cu emitor comun: cu parametrii hibrizi (a); cu parametrii fizici (b)

Tabel .2.4.1 Corespondenta dintre parametrii schemei echivalente din figura 2.4.6, respectiv 2.4.7

Succesiunea de calcul pentru componentele variabile ale curenilor i tensiunilor etajului este urmtoarea: 1. Se nlocuiete tranzistorul cu schema sa echivalenta din figura 2.4.6;

2. Se nlocuiete partea linear a schemei etajului cu rezistentele echivalente pentru curentul alternativ, avnd n vedere c sursele de tensiune constant (EC, Ud, Ucomp) pentru componenta variabil a curentului au rezisten nul i deci, se, pot pune n scurt circuit. 3. Se calculeaz, pe baza schemei echivalente a etajului, parametrii electrici ai circuitului liniar, prin metodele cunoscute. n figura 2.4.8.a este prezentat schema echivalent a etajului cu emitor comun realizat pe baza figurii 2.4.3. La colectorul tranzistorului se cupleaz n paralel rezistoarele RC i RS (prin scurtcircuitarea Ucomp), la emitor se cupleaz rezistorul RE, iar ntre baz i punctele 1 i 2 se cupleaz sursa semnalului de intrare.

Fig. 2.4.8 Schema echivalenta n curent alternativ a etajului cu tranzistor cu emitor comun (a); schema echivalenta generalizata a amplificatorului (b)

Pe baza schemei echivalente din figura 2.4.8.a, se determin parametrii ce caracterizeaz calitile de amplificator ale etajului, fr a lua n considerare influenta lui rC*, datorit faptului c valoarea acesteia este mare: 1. Determinarea rezistentei de intrare

uint = IBrint E + IERE = IB[rint E + ( + 1)RE] pentru ca IE = IB + IC = ( + 1)IB. Astfel: Rint = rint E + ( + 1)RE (2.4.4) Cnd RE = 0, adic atunci cnd etajul amplificator nu are stabilizare a punctului de repaus, Rint = rint E. Valoarea lui Rint la etajele cu emitor comun de putere mic este de ordinul a 103 . 2. Determinarea amplificrii n tensiune n regim de mers n gol, adic

se face prin exprimarea tensiunii n functie de curenti, astfel:

(2.4.5) Cnd RE = 0,

valoarea lui Au0 este de ordinul a 102 la etajele la care RC >> RE. Relatia (2.4.5) arat c, prin mrirea lui RE, adic prin creterea stabilizrii punctului de repaus, amplificarea n tensiune scade mult. 3. Rezistenta de ieire Ries se determin pe baza teoremei generatorului echivalent. Aceast rezisten se msoar ntre bornele de ieire ale amplificatorului cnd sunt decuplate toate sursele de semnal, adic sunt ntrerupte sursele de tensiune i sursele de curent sunt scurtcircuitate. Se consider c uint = 0; atunci, IB = 0. Ries = RC (2.4.6) La amplificatoarele de putere mic, Ries este de ordinul a 103 . Cu ajutorul schemei echivalente generalizate din figura 2.4.8.b, se pot determina i ceilali parametri ai etajului de amplificare cu emitor comun, parametri derivai din Au0, Rint i Ries. Se consider c generatorul de semnal Eg are rezistena interna Rg. Amplificarea n tensiune a etajului cnd RS 0 se determin astfel:

(2.4.7) unde: int i ies sunt coeficienti care iau n considerare pierderea de semnal n circuitul de intrare pe rezisten ta Rg i respectiv n circuitul de ieire pe rezistena Ries. ntotdeauna deci: Au < Au0. Amplificarea etajului n curent se determin cu relaia: (2.4.8) Avnd n vedere c, la etajul de amplificare cu emitor comun, Au0 > 1, atunci Ai > 1. Amplificarea n putere este:

(2.4.9) Pentru obinerea amplificrii maxime n tensiune este necesar ca R int >> Rg i Ries << Rg. La etajele cu emitor comun este dificil ndeplinirea acestor condiii. Reacia negativ Pentru stabilizarea regimului de repaus se introduce o legtur invers (reacie), care const n transmiterea informaiei sau energiei de la ieirea etajului sau sistemului la intrarea acestuia. Cu ajutorul legturii inverse (reaciei) se pot obine scheme noi, cu caliti deosebite. Teoria legturilor inverse constituie baza teoriei reglrii automate. Semnalul de reacie depinde de unul din parametrii de ieire ai sistemului: tensiune, curent, frecven, etc. La intrarea sistemului are loc nsumarea semnalului de intrare i a semnalului de reacie. Dac aceste semnale se nsumeaz astfel nct tensiunile lor se nsumeaz algebric, atunci legtura invers se numete n serie. Dac se nsumeaz algebric curenii, atunci legtura invers este paralel. Dac la intrare se adun semnale de semne diferite (n opozi tie de faz), reacia este negativ, iar semnalul rezultat este mai mic dect semnalul ini tial de la intrare. n acest caz, semnalul la ieire se micoreaz, ns sporete stabilitatea mrimii de ieire. n cazul reaciei pozitive, la intrarea sistemului se aplic suma dintre semnalul de intrare i semnalul de reacie. Semnalul la ieire se mrete, dar stabilitatea parametrilor de ieire scade. Reactia pozitiv se foloseste pentru accelerarea proceselor tranzitorii, precum i n schemele generatoarelor i a instala tiilor cu funcionare n impulsuri. Pentru stabilizarea punctului de repaus al etajului cu emitor comun, se introduce n scheme acestuia rezistorul RE (figura 2.4.3), pe care cade tensiunea uE = iERE iCRE si care se aplica la intrarea tranzistorului astfel: Tensiunea uE reprezint semnalul de reacie, care este proporional cu curentul de ieire al tranzistorului, iE iC, adic, n cazul dat, reacia este n curent. La intrare, se produce scderea tensiunilor, din care motiv reacia este de tip serie i negativa. Conform relatiei (2.4.4), UBEr = Ud UEr se micoreaz, se reduce tensiunea direct pe jonciunea emitor-baz i, ca rezultat, se micoreaz curenii tranzistorului, IBr, ICr si I Er. Astfel, reacia stabilizeaz curenii tranzistorului n regim de repaus, cu att mai mult cu ct este mai mare RE, pentru c, n acest fel, crete semnalul de reacie. Stabilizarea punctului de repaus se face ns a cu pierderi. Astfel, cnd la intrarea etajului se aplic un semnal de intrare pozitiv sau negativ uint, se mresc sau se micoreaz curenii iE i iC, precum i cderea de tensiune pe RE, care

reprezint semnalul de reacie. Din expresia (2.4.4), se determin variaia de tensiune dintre baz i emitor: UBE = uint UE Tranzistorul se comand cu tensiunea , din care cauz IB, IC i UCE devin mai mici, se micoreaz astfel i uies i amplificarea etajului. Pentru limitarea aciunii negative a reaciei asupra amplificrii etajului, n practic se limiteaztensiunea UEr la nivelul de maximum 0,1EC, chiar dac i n acest caz aciunea reaciei este suficient de mare. Contradicia dintre cerinele de stabilitate a punctului de repaus i cele de obinere a unei amplificri ct mai mari se rezolv n etajul diferential. La alegerea punctului de repaus n clasa A este necesar eliminarea distorsiunilor semnalului, n care scop traiectoria punctului de lucru trebuie limitat la sectorul AOB din figura 2.4.5. n acest caz, puterea disipat pe tranzistor trebuie s fie minim. Pentru ndeplinirea acestor condiii este suficient alegerea urmtoare: (2.4.10) (2.4.11) unde UCES este valoarea tensiunii care corespunde interseciei sectorului de cretere rapid a caracteristicilor de iesire a tranzistorului (figura 2.4.7.a), Ucr este rezerva la deplasarea punctului de repaus O datorit nclzirii i Uies max este amplitudinea semnalului de ieire. Prin respectarea relaiilor (2.4.5) i (2.4.6), traiectoria punctului de lucru al etajului nu depete domeniul uC > UCES, IC > (_ + 1)ICB0, care corespunde sectorului II pe caracteristica de transfer din figura 2.42, att pentru temperaturi minime, ct i maxime. Cnd

Rezistenta din circuitul colectorului se determin din rezolvarea acestei ecuaii mpreun cu (2.4.6) astfel:

2.4.1.4. Amplificatorul diferenial Dup cum s-a artat, utilizarea etajelor cu emitor comun este dificil pentru c stabilizarea regimului de repaus cu ajutorul rezisten tei RE este nsoit de reducerea substanial a amplificrii etajului. De asemenea, cuplarea etajelor

de amplificare este nsoit de micorarea amplificrii datorit pierderilor pe elementele rezistive, pentru eliminarea scderii amplificrii fiind necesar utilizarea unei scheme cu surs de alimentare complex i costisitoare, totui n condiiile de existen a derivei nulului.

Fig. 2.4.9 Etaj simetric diferenial

Dificultile artate pot fi substanial reduse n etajul diferenial, a crui schem n forma cea mai simpl este prezentat n figura 2.4.9. Tranzistoarele T1, T2 i rezistoarele RC1 si RC2 formeaz o punte pe una din diagonalele creia se cupleaz sursele de alimentare +EC1 si EC2, iar pe cealalt diagonal cupleaz sarcina. Etajul diferenial se mai numete i etaj paralel. Parametrii superiori se pot ns obine n condiiile asigurrii simetriei nalte a punii. n etajul simetric, RC1 = RC2 = RC iar tranzistoarele trebuie s fie identice, condiie care se poate respecta prin realizarea tranzistoarelor pe un singur cristal i cu aceeai tehnologie, motiv pentru care etajele difereniale se utilizeaz n prezent numai sub forma sau n componenta circuitelor integrate. Regimul de repaus corespunde situaiei cnd uint1 = uint2 = 0. Tensiunea de deplasare la ambele tranzistoare este aceeai: U BEr1 = UBEr2 = UE iar UEr = EC + ( IEr1 + IEr2)RE < 0. Datorit faptului c tensiunile pozitive de deplasare pe bazele tranzistoarelor sunt egale, curenii vor fi egali: IBr1 = IBr2, ICr1 = ICr2 si IEr1 = IEr2. Curenii de colector dau natere la cderi de tensiune pe rezistoarele RC1 si RC2, din care motiv: UCEr1 = UCEr2 = EC1 ICr1RC1 UEr = EC ICr2RC2 UEr. La ieirea etajului, uies = UCE2 = UCE1 = 0. n acest etaj se realizeaz stabilizarea regimului de repaus. Dac prin nclzire ICr1 si ICr2 cresc, atunci crete i curentul IEr1 + IEr2, care trece prin rezistenta RE iar tensiunea UEr crete, UEr > 0. Tensiunea UBer1 = UBer2 = UEr se micoreaz, jonciunile baz - emitor ale

tranzistoarelor vor permite trecerea unui curent mai mic i, ca rezultat, curenii de colector ICr1 si Icr2 se vor stabiliza. Tensiunea UEr reprezint semnalul de reacie care stabilizeaz curentul total (IEr1+IEr2). La etajul diferenial, RE este mare, datorit crui fapt stabilizarea punctului de repaus se face cu mare precizie, astfel nct se poate considera c IEr1 + IEr2 = ct. adic prin rezistorul RE se transmite n schema etajului curent stabilizat. Funcionarea etajului nu se modific dac se nlocuiete RE cu o sursa corespunztoare de curent (IEr1 + IEr2). Pentru analiza derivei nulului, se consider c sursa de alimentare este instabil i c EC se modific prin cretere, astfel nct se mrete tensiunea pe colectoare cu valoarea UCE1 = UCE2. n acest caz, deriva nulului este zero, pentru c Uies = 0. Dac prin nclzire se mrete curentul de colector, IC1 = IC2, pentru c tranzistoarele sunt identice. n acest caz, UCE1 = UCE2, Uies = 0 i deriva nulului este de asemenea zero. n acest fel, orice modificare simetric ce apare n schem nu produce deriva nulului. Este de remarcat faptul c, n realitate, simetria elementelor componente ale schemei este totui relativ, astfel nct deriva nulului nu se anuleaz complet, ns ea devine att de mic, nct semnalul pe care l produce este mult mai mic dect semnalul de amplificat, ce se aplic la intrarea etajului diferenial. La analiza proprietilor de amplificare, se remarc faptul c etajul permite cuplarea surselor de semnal n diferite moduri: a) sursa de semnal se cupleaz ntre bazele tranzistoarelor, aa cum este reprezentat punctat n figura 2.4.9. La intrarea tranzistorului T1, se aplic uint1 = e/2. Dac e > 0. atunci, sub influena tensiunii pozitive pe baz, apare o variaie pozitiv IB1 si IC1 = ( + 1)IB1. Creterea curentului iC1, care trece prin RC1, micoreaz tensiunea uCE1, iar UCE1 < 0. La intrarea tranzistorului T2 se aplica tensiunea uies2 = e/2, care produce micorarea curentului n baz cu IB2 i micorarea curentului colectorului lui T2 cu IC2 = ( + 1)IB2. Tensiunea uCE1 se mrete: UCE > 0. Pe sarcin, tensiunea uies = UCE2 UCE1 = 2UCE2. n situaia cnd uint1 = uint2, IE1 = IE2 si, din acest motiv, iE1 + iE2 = ct., adic semnalul de reacie UE = 0, iar cderea de tensiune pe RE nu influeneaz asupra amplificrii. Se poate trage concluzia c, n etaj, este eliminat contradicia dintre necesitatea stabilizrii regimului de repaus i reducerea amplificrii, datorit reaciei negative. b) Sursa de semnal se cupleaz numai la intrarea lui T1: uint1 = e, iar intrarea celui de-al doilea tranzistor se scurtcircuiteaz: uint2 = 0. Sub influena semnalului de intrare, se modific curentul bazei cu IB1 > 0 cnd e > 0, crete iC1 i cderea de tensiune pe RC1 la colector UCE1 < 0.

Prin creterea lui iB1, se mrete i iE1. Reacia negativ corespunztoare curentului (iE1 + iE2) stabilizeaz acest curent, care trece prin rezistorul RE, adic iE1 + iE2 = ct., din care cauz IE2 = IE1. n acest fel, rezult IB2 = IB1, IC2 = IC1, UCE2 = UCE1. Pe sarcin, tensiunea de ieire este egal cu uies = UCE2 UCE1 > 0. Astfel, prin aplicarea semnalului util numai la o intrare, se modific tensiunile i curenii la ambele tranzistoare, datorit stabilizrii curentului iE1 + iE2. n acelai fel, se poate analiza i situaia cnd semnalul se aplic la intrarea tranzistorului T2: uint2 = e, iar uint1 = 0. Cnd e > 0, UCE1 > 0, UCE2 < 0, iar pe sarcina, uies = UCE2 UCE1 < 0.

Fig. 2.4.10 Schema echivalent n curent alternativ a etajului diferenial simetric

Prin aplicarea semnalului la intrarea lui T1, polaritatea semnalului de ieire corespunde cu polaritatea celui de la intrare, motiv pentru care intrarea lui T 1 se numete intrare neinversoare (direct). n cazul aplicrii semnalului la intrarea lui T2, polaritatea semnalului de ieire este invers celei a semnalului de la intrare, iar intrarea respectiv se numete intrare inversoare. c) la ambele intrri ale amplificatorului diferenial se pot cupla surse de semnal independente: uint1 si uint2, n regim de amplificare liniar de clas A. Tensiunea de ieire se poate determina prin metoda superpoziiei, pentru fiecare dintre semnale. Pentru aprecierea cantitativ a parametrilor de amplificare ai etajului diferenial se utilizeaz schema echivalenta n curent alternativ (figura 2.4.10). Pentru c suma curenilor iE1 i iE2 este constant, rezult c

astfel nct IB2 = IB1. Variaiile curentului de intrare Iint, datorate variaiilor tensiunii uint1 trec de la T1 la T2 circuitul lor nchizndu-se prin sursa de semnal uint2 (figura 2.4.9). Pe circuitul echivalent, acest traseu este marcat cu linie punctat. Aplicnd legea lui Ohm pentru acest circuit, se obine relaia:

(2.4.12) De aici : (2.4.13)

Cnd RS = , atunci: Astfel :

(2.4.14) Se confirm astfel din nou c circuitul de emitor, care servete pentru stabilizarea regimului de repaus, nu influeneaz amplificarea etajului diferenial. n aceste etaje, nu exist reacie n componenta alternativ. Prin compararea relaiilor (2.4.14) i (2.4.5), se constat c ele coincid, dac se consider c RE = 0. Din relaia (2.4.10), rezult c: (2.4.15) unde Iint = IB1. Comparnd relaia (2.4.15) cu relaia (2.4.4), se constat dublarea lui Rint, datorit trecerii curentului surselor de semnal prin ambele tranzistoare. Punnd U int1 = 0 i Uint2 = 0, se determin Ries. n cazul semnalelor de intrare nule, IB1 = 0 i IB2 = 0, rezistenta de ieire a etajului este: Ries = 2RC (2.4.16)

n aceast situaie, rezistena de ieire crete de dou ori n comparaie cu valoarea determinat cu relaia (2.4.9). Valorile obinute pentru A u0 (fr semnal la intrare) pentru Rint i Ries se utilizeaz pentru realizarea schemei echivalente generalizate a etajului diferenial (figura 2.4.11.b), la intrarea cruia se aplic diferena semnalelor uint1 uint2. Calculul parametrilor de amplificare ai etajului se face n continuare pe baza relaiilor 2.4.9 2.4.11. Etajul diferenial amplific diferena semnalelor de intrare i, din aceast cauz, semnalul la ieire este uies = Au(uint1 uint2) = 0, atunci cnd la ambele intrri ale etajului diferenial semnalele sunt egale: u int1 = uint2. n aceast situaie, amplificatorul funcioneaz n regim de semnale n faz.

Datorit faptului c etajul nu poate fi, n principiu, absolut simetric, n condiii reale, la ieirea acestuia n regim de semnale n faz se obine semnal diferit de zero: uies = Asuint, unde As este factorul de transfer pentru semnale n faz. Capacitatea de reducere a semnalelor n faz este caracterizat de factorul:

Datorit bunei simetrii a etajelor realizate sub form integrat, se obin valori Kred, sf = 80 100 dB.

Fig. 2.4.11 Scheme practice pentru etajele difereniale simetric (a) si asimetric (b)

n figura 2.4.11.a este prezentat schema etajului diferenial realizat n form integrat. Rezistena de valoare mare, RE, care este dificil de realizat n componena circuitului integrat, este nlocuit cu sursa de curent (iE1+iE2), realizat cu tranzistorul T3. n circuitul de emitor al acestuia, se introduce o rezisten R'E de valoare mic, ce asigur aplicarea pe jonciunea de emitor a semnalului de reacie negativ. La nclzire, crete tensiunea uE = iERE, sub influena creia curentul prin jonciunea baz-emitor a lui T3 scade. Dioda D servete, de asemenea, pentru stabilizarea curentului. Prin creterea temperaturii, tensiunea pe aceast diod i, ca urmare, i cea pe baza lui T3 se reduce, micorndu-se astfel curentul prin jonciunea baz - emitor a lui T3. Deficiena etajului diferenial const n lipsa punctului comun dintre sursele de semnal i sarcin. Aceasta deficien este eliminat n etajul diferenial asimetric din figura 2.4.11.b, la care semnalul se culege de pe colectorul lui T2. Schema aceasta are de asemenea stabilizarea punctului de repaus, pentru c iE1 + iE2 = ct., n condiiile cnd la aceasta nu exist a reacie n componenta alternativ, pentru ca nici circuitul de emitor nu influeneaz asupra amplificrii.

n amplificatoarele cu mai multe etaje, primul etaj se realizeaz sub forma etajului diferenial simetric, ce asigur amplificarea iniial a semnalului, practic fr deriv. Amplificarea ulterioar se poate obine ntr-un etaj diferenial asimetric.

2.4.1.5. Etajul amplificator cu tranzistor n montaj colector comun Aa cum s-a artat, etajul amplificator n montaj cu emitor comun nu permite obinerea unei amplificri superioare n tensiune, pentru care ar trebui ca Rint i Ries . Datorit valorii mici a lui Rint, aceste amplificatoare consum o putere semnificativ din sursa de alimentare. Valoarea mare a lui Ries nu permite funcionarea etajului n sarcin cu rezisten mic, datorit pierderii semnalului pe Ries. n etajul de amplificare cu tranzistor n montaj colector comun se pot obine valori mari ale lui R int pentru valori mici ale lui Ries. Acest avantaj se obine ns prin sacrificarea amplificrii, la aceste scheme aceasta fiind subunitar, Au < 1. Etajul cu colector comun nu permite amplificarea n tensiune a semnalului. Etajul se folose ste numai ca etaj auxiliar, de legtur ntre etajul cu emitor comun i sursa semnalului de mic putere (Rg este mare), sau cu rezisten de sarcin de mic valoare. Dei rolul acestui etaj este auxiliar, utilizarea sa este totui frecvent. Schema etajului cu colector comun este prezentat n figura 2.4.12.a. Colectorul tranzistorului este cuplat la sursa de alimentare E C. n circuitul de emitor se introduce rezistorul RE, care formeaz reacia negativ de stabilizare a punctului de repaus. n clasa A de amplificare, la intrare se aplic a tensiunea uint i tensiunea de deplasare, Ud. Sursa de semnal uint se leag ntre baz i mas, iar sarcina RS ntre emitor i mas. Schema cu colector comun se mai numete i repetor pe emitor.

Fig. 2.4.12 Etaj amplificator cu tranzistor n montaj colector comun (a) i schema sa echivalent n curent alternativ (b)

n regim de repaus, uint = 0; tensiunea Ud determin curentul IBr, n circuitul emitorului apare curentul IEr, care determin o cdere de tensiune pe RE. Este necesar ca, n regim de repaus, uies = 0, n circuitul de sarcin s se introduc

o surs de tensiune de compensare, Ucomp = UEr. n regim de repaus, pe jonciunea baz-emitor se aplic tensiunea UBEr = Ud UEr. Cnd semnalul de intrare uint este pozitiv sau negativ, curenii n baz i emitor se mresc sau se micoreaz i, n mod corespunztor, se modific i cderea de tensiune pe RE. Polaritatea semnalelor de intrare i ieire n schema cu colector comun coincid, etajul fiind amplificator neinversor. Pe jonctiunea baz-emitor a tranzistorului se aplic tensiunea de comand UBE = uint uies. Semnalul uies se aplic la intrare ca semnal de reacie negativ: Ur = uies. Pentru c, ntotdeauna tensiunea UBE este pozitiva, uies < uint, adica Au = uies/uint < 1. Schema echivalent a etajului cu colector comun este prezentat n figura 2.4.12.b. Parametrii de baz ai montajului se determin astfel: 1. Rezistenta de intrare,

(2.4.17) Cnd

este mare, Rint atinge valori de ordinul 104 . 2. Amplificarea n tensiune la mers n gol,

se determin prin exprimarea tensiunilor n funcie de cureni, astfel:

(2.4.18) Cum rint E << ( + 1)RE, Au0 1. 3. Rezistenta de ieire se determin pe baza teoremei generatorului echivalent; considera eg = 0. Atunci:

Pe baza schemei echivalente:

de unde:

(2.4.19) La etajele cu colector comun, Ries este de ordinul 10 102 . Ceilali parametri de amplificare pot fi determinai pe baza expresiilor (2.4.10) (2.4.12). Datorita faptului c semnalul de comand n schema cu colector comun este mic, forma semnalului transmis nu este distorsionat dect pentru tensiuni de intrare foarte mari, cnd amplitudinea semnalului este de (0,2 0,4)EC. 2.4.1.6. Amplificator cu tranzistor MOS Schema amplificatorului este prezentat mai jos.

Fig.2.4.13 Rezistenele RG1, RG2, RD i RS formeaz circuitul de polarizare al tranzistorului. Rolul circuitului de polarizare este de a polariza tranzistorul MOS n regiunea de saturaie. Condensatoarele CG i CL se numesc condensatoare de cuplare. Rolul lor este de a cupla n regim variabil generatorul de semnal Vg-Rg, respectiv rezistena de sarcin Rl la amplificator. n regim staionar, cele 2 dou condensatoare izoleaz amplificatorul de generatorul de semnal i de rezistena de sarcin, astfel nct punctul static de funcionare al tranzistorului nu este afectat de acestea. OBSERVAIE: deoarece n circuitul de mai sus exist 2 surse independente Vg i VCC, analiza acestuia se va realiza pe baza teoremei suprapunerii efectelor TSE. Aceasta este aplicabil numai dac circuitul este liniar. Singurul element de

circuit care ridic probleme este tranzistorul, deoarece acesta este un element de circuit neliniar i din acest motiv circuitul de mai sus NU este liniar. Totui, n anumite condiii restrictive dac considerm c tranzistorul funcioneaz n regim variabil de semnal mic, tranzistorul poate fi considerat un element de circuit liniar iar circuitul de mai sus devine un circuit liniar, caz n care se poate aplica TSE. 2.4.1.6.1. Analiza circuitului n regim variabil de semnal mic: Scopul este determinarea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului: Av amplificarea n tensiune a amplificatorului n gol (cnd acesta nu este conectat la rezistena de sarcin Rl i la generatorul de semnal Vg-Rg) Ri rezistena de intrare a amplificatorului Ro rezistena de ieire a amplificatorului Analiza circuitului n regim variabil de semnal mic este realizat pe baza unui circuit echivalent care modeleaz comportamentul circuitului iniial n regim variabil de semnal mic. Acest circuit se obine astfel: 1: n circuitul iniial, condensatoarele de cuplare (CG i CL) se nlocuiesc cu fire (scurtcircuite) ntre armturi (deoarece condensatoarele respective, fiind caracterizate de capaciti mari de ordinul microfarazilor - au reactana XC foarte mic zero la frecvena de analiz care este cel puin de ordinul hertzilor). 2: n circuitul iniial se pasivizeaz toate sursele continue independente. 3: tranzistorul se nlocuiete cu modelul su echivalent, valabil n regim variabil de semnal mic, n domeniul frecvenelor joase i medii. n cazul circuitului de mai sus condensatoarele CG i CL se scurtcircuiteaz, iar sursa de tensiune continu VCC se pasivizeaz (se nlocuiete cu un scurtciruit ntre + i -). Rezult circuitul intermediar de mai sus. Prin nlocuirea tranzistorului MOS cu modelul su echivalent, valabil n regim variabil de semnal mic, n domeniul frecvenelor joase i medii, va rezulta circuitul echivalent care modeleaz comportamentul circuitului iniial n regim variabil de semnal mic. Acesta este prezentat mai jos:

Fig.2.4.14 Panta tranzistorului MOS are valoarea: gM = 2 k ID (2.4.20) Determinarea amplificrii n tensiune a amplificatorului n gol (cnd acesta nu este conectat la rezistena de sarcin RL i la generatorul de semnal Vg-Rg). Formula de calcul pentru amplificarea n tensiune este:
AV = V0 Vi

(2.4.21)

Tensiunea Vo este tensiunea pe RD (n cazul n care RL nu exist n ciruit). Deoarece trebuie determinat un raport, mrimile implicate n acesta se vor exprima n funcie de o necunoscut comun acest necunoscut va fi Vgs. V0 = g M Vgs R D Aplicnd legea lui Ohm pentru RD rezult: Vi = Vgs + g M Vgs R S - Aplicnd TK2 pe bucla Vi, Vgs, Rs rezult: unde g M Vgs este curentul prin RS. Rezult:

AV =

V0 Vi

g M RD 1 + g M RS

(2.4.22)

Determinarea amplificrii n tensiune a circuitului cu generator de semnal i rezisten de sarcin. Schema amplificatorului i cea echivalent este prezentat n figura de mai jos:

Fig.2.4.15 Amplificarea se determin pe baza circuitului n care amplificatorului, modelat ca mai sus, i se aplic generatorul de semnal i rezistena de sarcin:

Fig.2.4.16 Formaula amplificrii este:

A vg = Vl Vg

(2.4.23)

Se observ c la ieire exist un divizor de tensiune: tensiunea AvVi se divide pe Ro i RL RL Vl = A v Vi RL + Ro Se observ c la intrare exist un divizor de tensiune: tensiunea Vg se divide pe Rg i Ri Ri R + Rg Vi = Vg Vg = i Vi R i + Rg Ri De unde:
A vg = RL Ri Av RL + Ro Ri + Rg

(2.4.24)

Ideal ar trebui ca Avg = Av, dar, datorit rapoartelor rezistive din faa lui Av, valoarea lui Av va fi mai mic dect a lui Avg. pentru ca Avg s fie egal cu Av ar trebui ca cele 2 rapoarte rezistive s fie unitare dar: 2.4.2. Amplificatorul operational Utilizarea circuitelor integrate este recomandabil chiar i n situaiile cnd, n soluii concrete, nu este utilizat n totalitate capacitatea acestora. Printre cele mai frecvent utilizate circuite integrate este i amplificatorul operaional, n care sunt concentrate calitile fundamentale ale schemelor de amplificare.

2.4.2.1. Amplificatorul operational neinversor cu reactie Amplificatoarele operaionale nu pot fi folosite ns singure n schemele de amplificare, datorit faptului c regiunea liniar AOB pe caracteristica de transfer este limitat de valori relativ mici ale tensiunilor

Prin creterea tensiunii de intrare n afara acestor limite, tensiunea de ieire nu se modific, cu alte cuvinte se constat distorsionarea neliniar a semnalului.

Fig. 2.4.17.Amplificator operaional neinversor cu reac tie negativ (a) i caracteristica sa de transfer (b)

De asemenea, amplificarea Au variaz n limite mari de la un exemplar la altul i ea depinde de regimul de funcionare, n special de temperatura de lucru, datorit dependenei puternice de temperatur a lui al tranzistoarelor care compun amplificatorul operaional. Pentru mbuntirea parametrilor dispozitivelor de amplificare cu amplificator operaional se foloseste reacia. n figura 2.4.17.a este reprezentat schema amplificatorului neinversor cu amplificator operaional. De la ieirea amplificatorului operaional se culege tensiunea pentru reacia negativ, care se aplic la intrarea inversoare a amplificatorului operaional. n acest fel, la intrarea neinversoare a amplificatorului operaional acioneaz tensiunea de intrare, uint, iar la intrarea inversoare tensiunea uri. Tensiunea la ieirea amplificatorului operaional este determinat de diferena (uint uri), iar reacia este negativ. Amplificarea se determin pe baza schemei din figura 2.4.17.a. n acest scop, se consider c RS >> Ries, Rint >> R1 i R2 >> Ries, condiii care sunt ndeplinite n amplificatorul operaional. Tensiunea de reacie este: (2.4.25)

Tensiunea de ieire se determin de diferena tensiunilor la intrarea amplificatorului operaional astfel: uies = Au(uint uri) = Au(uint uies) (2.4.26) n acest fel, amplificarea amplificatorului operaional cu reacie negativ este:

(2.4.27) Datorit faptului c la amplificatoarele operaionale Au este foarte mare, din expresia (12.27), pentru Au , se obine: (2.4.28) adic Auri este determinat numai de raportul rezistenelor i nu depinde de valoarea lui Au. n acest fel, introducerea reaciei negative permite stabilizarea amplificrii circuitului integrat. Astfel, dac Au se micoreaz, se micoreaz i uies i uri, crete diferena acestor valori, ceea ce face ca u ies s creasc, compensnd scderea iniial a tensiunii de ieire. Tensiunea la ieirea amplificatorului operaional uies Uies max, amplificarea circuitului integrat Au , de unde rezult c: (2.4.29) adic uint uri. n regim de amplificare liniar, tensiunea diferenial ntre intrrile amplificatorului operaional este foarte mic, iar aceast calitate apare n toate schemele de utilizare a amplificatorului operaional. Dei amplificarea schemei depinde numai de raportul rezisten telor R1 i R2, rezistena minim a lui R1 este limitat de capacitatea de sarcin a circuitului integrat. Pe de alt parte, valoarea maxim a lui R2 este limitat, ntruct curenii mici care trec prin rezistene de mare valoare sunt comparabili cu cei de intrare ai amplificatorului operaional i aceast situaie amplific influena faptului c amplificatorul operaional nu este ideal asupra funcionrii schemei. Practic, valoarea rezistentei R2 se gsete n limitele 103 10 . Stabilizarea amplificrii amplificatorului operaional datorit introducerii reaciei face ca rezistena de ieire a schemei din figura 2.4.17.a s fie mai mic dect rezistena de ieire a amplificatorului operaional nsui: Ries ri << Ries, ceea ce reprezint de asemenea o calitate obinut datorit reaciei. Rezistena de intrare a schemei din figura 2.4.17.a se determin cu relaia
6

(2.4.30)

unde iint este curentul diferenial dintre intrrile amplificatorului operaional:

Rint fiind rezistena de intrare a AO. Dat fiind c uint uri 0, iint 0, iar rezistena de intrare se mrete substanial: Rint ri >> Rint, ceea ce, de asemenea, reprezint o calitate datorat reaciei.

(2.4.31) Tensiunea de ieire a amplificatorului operaional este limitat de valorile Uies max. n schema din figura 17.a, regimul de amplificare liniar corespunde tensiunilor de intrare limitate de valorile:

Dat fiind c Auri << Au, caracteristica de transfer a amplificatorului operaional cu reacie negativ are un domeniu mare de amplificare liniara (figura 2.4.17.b). nclinarea caracteristicilor de transfer n sectorul liniar AOB este determinat de amplificarea Auri: linia 1 este trasat pentru Auri = 4, linia 2 pentru Auri = 10. n acest fel, introducerea reaciei negative permite lrgirea domeniului liniar al caracteristicilor de transfer i micorarea distorsiunilor neliniare.

Fig. 2.4.18 Forma semnalelor la intrarea si iesirea AO din figura 2.4.17 pentru diferite valori ale amplificarii

n figura 2.4.18 este prezentat forma tensiunii de intrare uint, care se aplic la intrarea AO din schema din figura 2.4.17.a i cea a tensiunii de ieire, uies, pentru diferite valori ale amplificrii Auri: Auri1 < Auri2 < Auri3. Lrgirea domeniului de amplificare liniar se obine datorit reducerii amplificrii.

2.4.2.2. Amplificatorul operational inversor cu reactie Schema amplificatorului operaional inversor cu reacie negativ este prezentat n figura 2.4.19. Semnalul de intrare i semnalul de reacie negativ se aplic la intrarea inversoare a amplificatorului operaional, unde are loc nsumarea curenilor iint i iri, adic se produce reacia negativ paralel. Pentru nsumarea curenilor este necesar eliminarea posibilitii de cuplare nemijlocit la intrarea amplificatorului operaional a surselor de alimentare, adic este necesar sa se asigure ca R1 0 si R2 0.

Fig.2.4.19 AO inversor cu reacie negativ (a) i caracteristica de transfer a acestuia (b)

Pentru determinarea parametrilor de amplificare, se consider c sunt satisfcute condiiile: RS >> Ries, Rint >> R1, Ries << R2, condiii care sunt realizate n mod obinuit n amplificatorul operaional. Pentru c la circuitele integrate: Rint , iint = iri = i. Tensiunea diferenial dintre intrrile amplificatorului operaional, u* este nul pe sectorul liniar al caracteristicii de transfer. Atunci:

(2.4.32) Amplificarea schemei din figura 12.19 se determina astfel:

(2.4.33) Semnul minus arat c polaritatea semnalelor la intrare i ieire este diferit, ele fiind n opoziie de faz, motiv pentru care montajul este inversor.

Amplificarea Auri_ << Au, dar Auri depinde numai de raportul rezistenelor, datorit crui fapt stabilitatea montajului este foarte mare. Rezistena de intrare a AO inversor este: (2.4.34) Folosind relaia (2.4.28), rezulta: Rint ri = R1. Deosebirea dintre amplificatorul operaional analizat i cel din figura 2.4.17.a const n faptul c valoarea rezistenei la intrare este finit. Prin stabilizarea amplificrii, rezistena de ieire se micoreaz, astfel nct Ries ri << Ries, ceea ce reprezint o calitate obinut datorit reaciei negative. (2.4.35) Cnd Au , Ries ri 0. Caracteristica de transfer a amplificatorului inversor este prezentat n figura 2.4.19.b. Ea se deosebete de caracteristica din figura 2.4.17.b prin aceea c este dispus n cadranele al II-lea i al IV-lea, ceea ce caracterizeaz schemele inversoare a polaritii semnalului. Zona liniar a caracteristicii este limitat de tensiunile

Pentru c Auri_ << Au, partea liniar a caracteristicii de transfer se lrgete datorit introducerii reaciei negative, iar semnalele de amplitudine mare se transmit fr distorsiuni. n acest mod, introducerea reaciei negative n schema amplificatorului operaional inversor permite mbuntirea parametrilor acestuia astfel: se mrete amplificarea, se micoreaz rezistena de ieire, se lrgete domeniul liniar al caracteristicii de transfer i se reduc distorsiunile n cazul semnalelor mari. Aceleai rezultate se obin i prin introducerea reaciei negative n amplificatoarele operaionale neinversoare cu singura deosebire referitoare la valoarea rezistenei de intrare. Deci, cu ajutorul reaciei negative, prin mbuntirea unui singur parametru de reducere a amplificrii, se pot mbunti ceilali parametri. n cazul cnd se dorete amplificarea puternic a semnalelor, se folosesc mai multe etaje de amplificare, fiecare dintre etaje fiind realizat cu amplificatoare operaionale cu reacie negativ. 2.4.3. Amplificatoare de radio frecven (ARF) 2.4.3.1. Consideraii generale Amplificatorul de radio frecven este un amplificator pe frecven fix - frecvena sau variabil format din mai multe

etaje de amplificare i filtre trece band (FTB). Amplificarea se realizeaz cu TB, TEC sau CI. Ca filtre trece band se folosesc circuite LC acordate, filtre piezoelectrice, filtre mecanice sau filtre active. Numrul de etaje din AFI depinde de amplificarea necesar, de frecvena de lucru i de lrgimea benzii de trecere. Pentru schema prezentat n figura 2.4.20 polarizarea TB se face prin ocurile de RF din colector ( SC) i din baz (SB), de la sursele EC i EB cu RB (EB cu RB este format din EC prin divizor rezistiv). Sarcina RL este cuplat prin circuit rezonant de adaptare, n acest caz considerat echivalent cu circuitul LLCL paralel, conectat prin C1 la colector. In paralel cu LL i CL apare rezistena (echivalent) RLe, format din rezistena de sarcin reflectat n paralel cu rezistenele de pierderi ale LL i CL; evident, RLe are sens numai pentru semnalele sinusoidale cu frecven egal sau foarte aproape de frecvena de rezonan a circuitului LC, obinuit frevena fundamentalei semnalului din colector 1.

Fig.2.4.20 Banda de trecere a amplificatorului reprezint domeniul de frecven n care amplificarea nu scade sub 3 dB fa de valoarea maxim (adic de 2 ori). Aceasta determin banda ntregului receptor i fidelitatea acestuia. Pentru a nu apare distorsiuni, trebuie ca banda ARF s fie mai mare dect banda semnalului Selectivitatea fa de canalul adiacent reprezint raportul (n dB) dintre amplificarea la frecvena medie din band i amplificarea la un anumit dezacord f, egal cu diferena ntre dou canale vecine: (2.4.36)

Coeficientul de rectangularitate al caracteristicii de amplificarefrecven se definete ca raportul dintre banda la o atenuare i banda la 3dB: (2.4.37) este mai apropiat de unitate, cu att AFI este mai

Cu ct kr selectiv. Banda de trecere i selectivitatea se impun prin gabaritul caracteristicii amplificare-frecven (fig. 2.4.21).

Fig.2.4.21

2.4.3.2. Amplificarea n tensiune Amplificarea n tensiune pe un etaj la frecvena de rezonan a circuitului (fi), de forma:

(2.4.38) Amplificarea n tensiune pe un etaj la o frecven oarecare (f) este de forma:

(2.4.39)

Capitolul III.

Circuite de impulsuri cu elemente passive

3.1.Circuite de difereniere (derivare) Schema circuitului RC derivator (de difereniere) este reprezentat n figura 13.1.a.

Fig. 13.1 Derivator (a) si diagramele de timp ale curenilor i tensiunilor n circuit (b) La intrare se cupleaz sursa de semnal dreptunghiular, uint. n momentul t1, tensiunea uint variaz n salt cu valoarea 2U m. n acest moment, aceast tensiune

se regsete n ntregime pe rezistorul R, deci uies = 2Um. n continuare, ncepe ncrcarea exponenial a condensatorului, uC crescnd de la zero spre valoarea 2Um i determinnd n acest fel scderea exponenial a tensiunii u ies pn la zero (n condiia n care constanta de ncrcare condensatorului, = RC este mai mic dect durata pulsului dreptunghiular aplicat la intrare). uies(t) = uint(t) uC(t). n momentul t2, uint scade brusc, tensiunea la ieire avnd i ea un salt, de la zero la 2Um. n continuare, condensatorul se descarc exponenial prin rezistorul R i se ncarc n sens invers, pn la tensiunea Um. n continuare, fenomenele se repet periodic. Astfel, pe rezistorul R se formeaz impulsuri exponeniale alternative, ale cror fronturi corespund fronturilor impulsurilor dreptunghiulare de intrare, uint. Durata acestor impulsuri depinde de constanta = RC, putnd fi apreciat la valoarea ti = (2 3) . Pentru t 0, uies corespunde valorii

Deseori, la ieire se folosesc diode pentru obinerea numai a impulsurilor de un anumit sens. Forma tensiunilor n circuit este prezentat n diagramele din figura 13.1.b. 3.2. Circuite de integrare Circuitul RC poate fi folosit i conform schemei din figura 2.a, caz n care uies = uC. Procesul de ncrcare a condensatorului este descris de ecuaia diferenial: (13.1) Soluia acesteia este: (13.2) unde UC(0) este tensiunea pe condensator la momentul t = 0 i = RC este constanta de timp a circuitului. Tensiunea pe condensator creste exponenial (integrare a curentului, figura 13.2.b).

Fig. 13.2 Utilizarea circuitului integrator n formatoarele de interval de timp (a) i diagramele de timp ale tensiunilor (b) n sistemele de impulsuri, circuitul din figura 13.2.a se completeaz deseori cu un comparator, K. La una din intrrile acestuia se aplic tensiunea de ieire a integratorului, uies, iar la cealalt se aplic o tensiune cu valoarea constant, E0 < E. n momentul t1, uies = uC = E0 i comparatorul comut. Blocul de impulsuri din figura 13.2.a formeaz intervalul de timp dintre momentul de nchidere a comutatorului (momentul t = 0) i momentul de acionare a comparatorului, t1 = ti. Acest interval de timp depinde de valorile E, U C(0), E0 i . Astfel, n momentul t1, relaia (13.2) se scrie sub forma:

Prin logaritmarea acestei expresii, se obine durata intervalului:

(13.3) 3.3. Linii de ntrziere Domeniul radioelectronic a impus realizarea unor dispozitive care s asigure ntrzierea unor semnale pe timpul prelucrrii acestora. Televiziunea, sistemele de telecomunicaii, sistemele de observaie prin unde electromagnetice (staii de radiolocaie de control aerian, staii pentru cercetri meteorologice, etc.) utilizeaz unele componente pasive speciale denumite liniile de ntrziere. Liniile de ntrziere trebuie s ndeplineasc urmtoarele condiii: - s nu deformeze semnalele; - s asigure propagare semnalelor cu pierderi minime; - s realizeze ntrzieri bine determinate i stabile n timp. n raport cu cerinele impuse, liniile de ntrziere se realizeaz din: - linii de transport energie (cabluri), care au parametrii liniari de circuit (L, C, R) i care realizeaz ntrzieri mici de pn la 10 s. Aceste linii se numesc linii cu constante distribuite; - bobine i condensatoare, care formeaz celule reactive conectate n cascad i care realizeaz ntrzieri de maxim 100 s; aceste linii se numesc linii cu constante concentrate;

materiale cu proprieti piezoelectrice, care pot asigura ntrzieri de pn la cteva mii de s. Aceste linii se numesc linii de ntrziere piezoelectrice. Liniile cu constante distribuite asigur cele mai mici distorsiuni, dimensiunile cresc direct proporional cu timpul de ntrziere. Pentru 1 s ntrziere sunt necesari 100 m de cablu. Din cauza dimensiunilor mari la care pot ajunge, liniile cu constante distribuite se utilizeaz pentru ntrzieri sub 10 s i ndeosebi pentru semnale cu frecvene foarte nalte. Pentru ntrzieri mai mari se confecioneaz cabluri speciale care au un miez conductor sub form de spiral, care asigur liniei o lungime mult mai mare i deci ntrzieri mai mari. Liniile cu constante concentrate, numite i linii artificiale, sunt formate din bobine i condensatoare grupate sub form de celule conectate n cascad. Asigur ntrzieri de pn la 100 s. Numrul de celule al liniei determin mrimea timpul de reinere (ntrziere) a semnalelor i mrimea atenurii semnalelor. n figura 13.3. sunt reprezentate dou tipuri de celule, celule de tipul T i de tipul , cu notaiile corespunztoare ale elementelor componente. Aceste celule se mai numesc celule de tipul k constant , deoarece produsul Z1Z2 reprezint o rezisten activ i deci nu depinde de frecven. Pentru:

(13.4) se determin:

(13.5)

Fig. 13.3. Celule reactive L C din compunerea liniilor de ntrziere cu constante concentrate Liniile de ntrziere piezoelectrice (ultrasonore), funcioneaz pe principiul efectului piezoelectric al unor materiale monocristaline sau policristaline. Liniile ultrasonore prezint dou pri distincte: - una care asigur transformarea semnalelor electrice n oscilaii mecanice - i alta care asigur ntrzierea semnalului prin propagare mecanic sub forma undelor elastice printr-un mediu de ntrziere Schema constructiv general a unei linii de ntrziere piezoelectrice este reprezentat n figura 13.4. Elementul care asigur transformarea semnalului n vibraie mecanic (und acustic), dispus la captul de intrare, i elementul care transform vibraia mecanic n semnal electric, dispus la ieirea liniei, poart denumirea de transductor. Aceste transductoare sunt realizate din cuar sau ceramic de tip PZT aflate n contact direct cu mediul de ntrziere. Mediul de ntrziere poate fi lichid sau solid.

Fig.13.4. Scheme constructive de linii de ntrziere piezoelectrice n cazul n care mediul de ntrziere este lichid, ca de exemplu mercur, acesta se afl ntr-un tub metalic (fig. 4.a.). Viteza de propagare a undei mecanice prin mercur este de 0,15 cm/s. Dac mediul este format din corpuri solide, ca de exemplu aliaje de magneziu, oel, sticl de corning sau cuar topit (fig.13.4.b.), acestea asigur o vitez de propagare a undei mecanice de ordinul 0,50 cm/s. Pentru reducerea dimensiunilor liniei de ntrziere, adesea se folosete principiul reflectrii undelor sonore de marginile mediului de ntrziere (conductorului de sunet).

3.3.1. Caracteristici electrice. Parametrii Pentru liniile de ntrziere cu constante concentrate, pe baza relaiilor (13.4.) i a configuraiei celulelor din fig. 13.3. se calculeaz impedana caracteristic i defazajul pentru cele dou tipuri de celule.

(13.6)

(13.7)

(13.8) unde: c - reprezint pulsaia de tiere a filtrului i are expresia:

(13.9) Zc reprezint impedana caracteristic a circuitelor rezonante serie i paralel, i are expresia:

(13.10) n figura 13.5. sunt reprezentate diagramele de variaie a defazajului, a impedanei caracteristice ale filtrului ZT i Z . Pentru impedanele caracteristice ZT i Z sunt mrimi reale, deci semnalul supus ntrzierii de ctre celulele din fig. 13.3. nu este distorsionat.

Fig. 13.5. Diagramele de variaie ale impedanei caracteristice a), defazajului b) i timpului de ntrziere c) pentru liniile de reinere Se poate demonstra c timpul de ntrziere ti -, reprezint derivata constantei de faz n raport cu frecvena, potrivit relaiei:

(13.11) n fig. 13.5.c. variaia constantei de faz este de la 0la n banda de trecere, iar timpul de ntrziere ti nu este constant cu frecvena. Pentru c = 0,5 creterea frecvenei este de 15%. Pentru ca linia s nu influeneze negativ asupra diferitelor frecvene ale spectrului, este necesar s se pstreze adaptarea ntre celule, ntre linie i sarcin i s se realizeze o ntrziere constant pentru toate frecvenele din spectrul semnalului. Linia se calculeaz astfel nct cea mai mare frecven a spectrului s nu depeasc jumtate din valoarea frecvenei de tiere. (13.12) unde: - reprezint pulsaia cea mai mare din spectru. (13.13) Pentru determinarea timpului de reinere introdus de o singur celul pentru o cretere a constantei de faz cu 15%, pentru c = 0,5, din relaia (11) rezult:

(13.14) Pentru un numr de n celule, timpul de reinere (ntrziere) total -Ti - se va determina cu relaia: (13.15) Prin nlocuirea relaiei (9.) n relaia (14) rezult timpul de ntrziere total -Ti -:

(13.16) Cunoscnd timpul total de ntrziere pe care trebuie s-l asigure linia de reinere, se pot calcula valorile elementelor liniei, n condiiile adaptrii acesteia cu sarcina: (13.17) Pentru reducerea cuplajelor inductive dintre bobinele liniei, bobinele celulelor se dispun la o distan mai mare ca lungimea bobinei sau se utilizeaz linii mai complexe formate din celule de tip m (figura 6.).

Fig. 13.6. Schemele de principiu pentru celule de tip m Linia de ntrziere cu constante concentrate este reprezentat n figura Linia de ntrziere cu constante concentrate este reprezentat n figura 13.7. Parametrii primari ai liniei sunt: numrul de celule n, inductana L i capacitatea C a fiecrui element. Pentru ntreaga linie se definesc parametrii totali: - inductana total: L0 = nL; - capacitatea total: C0 = nC. Linia de ntrziere cu constante concentrate prezint urmtoarele proprieti mai importante: - acumuleaz energie n cmpul electric al condensatoarelor sau n cmpul magnetic al bobinelor;

- cedeaz ntreaga energie unei sarcini adaptate cu impedana caracteristic a liniei (Rs = Zc); - ntrzie semnalul la ieire cu un anumit interval de timp de la aplicarea la intrarea liniei, interval de timp determinat de parametrii liniei. Pentru a nelege procesul fizic de funcionare a unei linii de ntrziere, considerm linia din figura 13.7.a., format din patru celule elementare, creia i se aplic un semnal de videofrecven de form dreptunghiular (fig. 13.7.b.) i care are conectat dup ultima celul o sarcin adaptat Rs . Linia este asemntoare unui sistem de circuite oscilante rezonante cuplate ntre ele. Semnalul aplicat la intrare determin ncrcare succesiv a celulelor cu energie, ncrcare care se desfoar dup o lege exponenial pe un interval de timp determinat de timpul necesar trecerii celulei de la starea descrcat la cea de ncrcat. Acesta este un proces tranzitoriu a crui durat determin durata de ntrziere a liniei. Dup ncrcarea primei celule cu energie de la surs, energie acumulat n condensatorul C1 , urmeaz procesul de ncrcare a celei de a doua celule prin acumularea energiei n condensatorul C2, i procesul continu pn la ultima celul. ncrcarea ultimului condensator C4 reprezint momentul de transfer a semnalului la sarcina Rs , proces care are loc cu o ntrziere ti conform relaiei (13.8). Banda de trecere a liniei de ntrziere are ca limit de frecven superioar, frecvena determinat cu relaia: (13.18) unde L i C sunt parametrii celulei elementare din care este alctuit linia.

Fig.13.7. Linie de ntrziere cu constante concentrate a) schema de principiu; b) diagrama de ntrziere a semnalului.

Pentru liniile de ntrziere piezoelectrice principalii parametrii care le caracterizeaz funcionarea, sunt urmtorii: - frecvena central de lucru fc -, este frecvena determinat de frecvena de rezonan elastic a celor dou transductoare piezoelectrice. Aceast frecven trebuie s coincid cu frecvena purttoarei de informaie a semnalului electric de comand; - banda de trecere Bt3dB -, este determinat n primul rnd de banda de trecere a fiecrui transductor piezoelectric. Aceasta limiteaz spectrul semnalului electric ntrziat fr distorsiuni; - pierderile de inserie Ai -, desemneaz fraciunea din puterea semnalului electric de comand disipat n dispozitiv sub form electric i elastic; - timpul de ntrziere; - tensiunea maxim de comand a dispozitivului; - atenuarea semnalelor parazite A0 - . 3.4. Transformatorul de impulsuri Este un transformator cu miez feromagnetic(fig.8) avnd urmtoarele destinaii: Mrirea sau micorarea amplitudinii impulsurilor; Schimbarea polaritii impulsurilor; Adaptarea de impedane; Cupajul ntre etajele unui amplificator de impulsuri; Decuplarea galvanic a sursei de impulsuri de circuitul de sarcin

Fig.13.8. Schema unui transformator de impulsuri 3.4.1. Parametrii i schema echivalent Dac n primarul transformatorului aplicm o tensiune u(t) i se neglijeaz valoarea rezistenei nfurrii primarului vom avea: (13.19) Unde: w1 numrul de spire al nfurrii primare;

 fluxul magnetic ce intersecteaz spirele nfurrii primare. Fluxul variaz n timp dup legea:

(13.20) Unde 0 este fluxul iniial la t =0. Tensiunea u 2 din nfurarea primar se determin cu: (13.21) Unde n=w2/w1 este raportul de transformare. Curentul din nfurarea secundar este : (13.22) Presupunnd c fluxul are distribuie uniform n seciunea S a miezului, ceea ce nseamn c inducia B este aceeai n orice punct, vom avea:

(13.23) Conform legii circuitului magnetic, n ipoteza c intensitatea cmpului H este aceeai n toate punctele liniei l a miezului, se poate scrie: Unde i1 i i2 sunt curenii din nfurarea primar i cea secundar. Sau: Hl=w1j unde: Este curentul de magnetizare. Raportul /j =L se numete inductana de magnetizare. Se observ c aceasta este practic egal cu inductana nfurrii primare L1: Inductana de magnetizare depinde att de geometria miezului i de numrul de spire w1 ct i de permeabilitatea miezului . (13.24) = 410-7 H/m

Se consider semnalul de intrare u 1(t) sub forma unor impulsuri dreptunghiulare de tensiune cu amplitudinea Um i durata ti. n acest caz, n timpul aciunii impulsului inductana B crete dup o lege liniar : (13.25) Deci n intervalul ti, B(t) variaz cu mrimea B: (13.26) Dac nainte de aplicarea acestui impuls, miezul era complet demagnetizat (B0=0), n momentul t = ti punctul de funcionare se deplaseaz de-a lungul curbei principale de magnetizare(fig. ) pn n poziia n care inducia este egal cu B 1= B. Variaia corespunztoare a intensitii cmpului magnetic este egal cu H1. Dup ncheierea impulsului, intensitatea cmpului magnetic scade ctre 0, iar inductana, datorit fenomenului histerezis, variaz pn la o valoare remanent, Br1. Sub aciunea impulsului urmtor, creterea inductanei va fi tot B i dup ncheierea sa se stabilete o nou valoare remanent a induciei B r1 > Br1. Dup cteva pulsuri, inducia remanent va ajunge la valoarea Br, situat pe ciclul limit histerezis. Acum impulsurile care se succed vor provoca magnetizarea miezului de-a lungul ciclului parial OA.

Fig.9. Procesul de stabilire a induciei n miezul transformatorului de impulsuri n regim permanent permeabilitatea este egal cu: (13.27) Permeabilitea magnetic n impuls este mult mai mic dect permeabilitatea static:

(13.28) De aceea inductana de magnetizare n impuls L este mult mai mic ca atunci cnd aplicm pe transformator o tensiune simetric.

Capitolul IV CIRCUITE DE IMPULSURI PENTRU TRANSFORMRI NELINIARE 4.1.Circuite basculante cu elemente discrete 4.1.1 Circuitul basculant astabil Circuitul basculant astabil cu cuplaj colector-baz este reprezentat n fig. 4.1,iar formele de und n diferite puncte ale schemei sunt prezentate n fig. 4.2

Fig. 4.1

Fig.4.2. Dac sunt ndeplinite condiiile: trev1 = tf1+ < T1 i trev2 < T2 se deduc duratele strilor cvasistabile ale circuitului: T1 = Rb1C2 ln 2(4.1) T2 = Rb2C1 ln 2(4.2) Timpii de revenire, pentru tensiunile din colectoare, vor fi: trev1 = tf1+ 2,3 Rc1C1 i trev2 = 2,3 Rc2C2 Frontul anterior al impulsului generat la ieirea colectorului tranzistorului Tb va fi abrupt, deoarece circuitul de rencrcare a capacitii C 2 este separat de circuitul de ieire prin dioda de izolare D. Frecvena impulsurilor generate va fi:
f = 1 T1 + T2

(4.3)

n starea de conducie, ambele tranzistoare lucreaz n regiunea de saturaie dac sunt ndeplinite condiiile: Vcc VBE 1 Vcc 2Vcc > + (4.4) R b1 1 R c1 R b2

Vcc VBE 1 Vcc Vcc VD 2Vcc > + + R b2 2 R'c2 R'' c2 R b1

(4.5)

n cazul n care saltul de tensiune negativ din baza tranzistorului depete tensiunea de strpungere, acesta se deschide ca o diod stabilizatoare de tensiune i modific (micoreaz) durata impulsului generat. 4.1.1.1. CBA realizate cu circuite TTL

Fig.4.3

Fig.4.4 Funcionare: dac la momentul t<t1 la intrarea porii P1 (punctul A) avem semnal logic 0, la ieire (punctul B) vom avea 1 logic, iar la ieirea porii P 2 vom avea 0 logic. Aadar, potenialul punctului A tinde s creasc spre V H,

condensatorul C ncrcndu-se prin rezistena R de la tensiunea din punctul B. La momentul t=t1 cnd VA=VT, (potenialul de prag al P1), ieirea porii P1 comut din 1 n 0, ceea ce determin comutarea ieirii porii P 2. Saltul de tensiune din D de la VL la VH se transmite prin capacitatea C n punctul A. Tensiunea din punctul A scade exponenial spre valoarea tensiunii V L de la ieirea porii P1, pe msur ce are loc descrcarea capacitii C prin R spre potentialul scazut al punctului B. La momentul t=t 2, VA=VT ceea ce determin din nou comutarea celor dou pori. Saltul de tensiune din punctul D se transmite prin capacitatea C n A. n continuare capacitatea se va ncrca prin rezistena R, iar potentialul din A va crete. Fenomenul continu att timp ct circuitul este sub tensiune.

4.1.1.2. CBA realizat cu trigger Schmitt

Fig.4.5

Fig.4.6

Condensatorul C se ncarc i se descarc prin rezistena R, tinznd spre nivelele tensiunii de ieire, dar la atingerea pragurilor de basculare VT1 i VT2 circuitul comut dintr-o stare n alta. Duratele strilor sunt:

T 1 = RC ln

V 0H - V T 2 V 0H - V T 1

T 2 = RC ln

V 0L - V T 1 V 0L - V T 2

Pentru circuitul integrat 413: T1 0,86RC T2 0,83RC 4.1.1.3.CBA realizate cu cristale de cuar i pori logice Cuarul este tiat dup anumite direcii cristalografice, este slefuit i i se depun electrozi metalici pe dou fee paralele. Din punct de vedere electric cristalul ofer o impedan cu proprieti de circuit rezonant. Oscilatoarele cu cuar realizate cu circuite CMOS asigur avantajul consumului de putere redus i a stabilitii frecvenei pe o gam larg a tensiunii de alimentare.

Fig.4.7

Oscilatorul fundamental conine un amplificator i o reea de reacie. Circuitul prezentat n figura, denumit i reea cu cuar, este indicat a fi utilizat mpreun cu un amplificator, care asigur un defazaj de 180 4.1.2. Circutul basculant monostabil Circuitul basculant monostabil cu cuplaj colector-baz are schema de principiu reprezentat n fig. 8 iar formele de und rezultate n diferite puncte, n urma aplicrii unui impuls de declanare, sunt reprezentate n fig. 4.9.

Fig. 4.8

Fig.4.9. n starea stabil (de ateptare), tranzistorul T2 este n conducie (deoarece are baza cuplat la un potenial pozitiv, V cc, prin rezistena Rb), de obicei, la saturaie, iar tranzistorul T1 este blocat datorit tensiunii de ieire V 0 care are o valoare mic, VCEsat i datorit tensiunii de polarizare V BB (negative). Aceast stare este condiionat de relaiile:
Vcc VBE Vcc VCEsat Vcc > = (4.6) Rb R 0 R0 (n absena unei sarcini care s ncarce suplimentar tranzistorul T2) R1 R2 VBB + VCEsat < VBE0 (4.7) R1 + R 2 R1 + R 2 unde VBE0 este tensiunea de deschidere a tranzistorului T1. n starea cvasistabil, obinut n urma unui impuls de declanare care provoac schimbarea strii tranzistoarelor, tranzistorul T2 este blocat datorit saltului de tensiune, negativ, de pe baza sa, transmis din colectorul tranzistorului T1 prin capacitatea C, iar tranzistorul T1 este n saturaie. Pentru ca tranzistorul T1 s funcioneze la saturaie, este necesar ndeplinirea condiiei:

1 Vcc VCEsat 2Vcc VBE Vcc VBE VBB + VBE + < min R c1 Rb R2 R1 + R c2

(14.8)

n starea cvasistabil, capacitatea C se ncarc de la sursa de alimentare Vcc prin rezistena Rb i prin tranzistorul T2 saturat i determin variaia tensiunii de pe baza tranzistorului T2 dup legea: VB2(t) = Vcc + (VBE - 2Vcc) exp(-t/) (4.9) cu: = Crb

Prin creterea tensiunii pe baza tranzistorului T2, se va atinge tensiunea de deschidere a acestuia. n urma deschiderii tranzistorului T2, tranzistorul T1 iese i el din saturaie i se nchide bucla de reacie pozitiv din circuit care duce la revenirea n starea iniial. Durata impulsului generat se calculeaz cu relaia: 2V VBE T = R bC ln cc 0,69R bC (4.10) Vcc VBE Impulsul de la ieirea circuitului (considerat la colectorul tranzistorului T2) va avea amplitudinea:

V0 =

R1 Vcc (4.11) R1 + R c2

i frontul cresctor: tf+ 2,3C1Rc2 Capacitatea C1, cuplat n paralel pe rezistena R1, are rolul de a accelera procesele de comutare ale tranzistorului T2. Timpul de revenire al schemei, necesar pentru rencrcarea capacitii C i pus n eviden pe tensiunea din colectorul tranzistorului T1, va fi: trev 2,3 nc1C Micorarea timpului de revenire al schemei se face prin micorarea rezistenei de colector Rcl (micorare limitat de ndeplinirea condiiei de saturaie a tranzistorului T1), prin divizarea rezistenei Rc1 n dou rezistene nseriate (dar se micoreaz i durata impulsului), prin introducerea unui circuit de limitare a excursiei de tensiune pe colectorul tranzistorului T1 (dar se micoreaz amplitudinea impulsului disponibil la aceast ieire i durata impulsului) sau prin cuplarea capacitii C la colectorul tranzistorului T 1 printr-un repetor pe emitor, ca n fig. 14.10. n acest ultim caz, timpul de revenire se micoreaz foarte mult, devenind: R +~ r trev = 23 , c1 3 r unde ~ 3 este rezistena de intrare a tranzistorului 3 T3, mediat, avnd n vedere modificarea curentului prin tranzistor.

Declanarea circuitului basculant monostabil se poate face fie cu impulsuri pozitive aplicate pe baza tranzistorului T1, blocat, obinute printr-un circuit de derivare i de limitare, ca n fig. 4.11.b, fie prin impulsuri negative, aplicate pe baza tranzistorului T2, saturat, obinute printr-un circuit de derivare i de limitare, ca n fig. 4.11.a. Duratele impulsurilor de declanare sunt determinate de timpul necesar scoaterii din saturaie a tranzistorului T 2 i deblocrii tranzistorului T1.

Fig. 4.10

a)

b) Fig.4.11. 4.1.2.1. CBM realizate cu pori TTL

Circuitul este realizat cu dou pori TTL de tip I-NU si un circuit RC. Circuitul este comandat pe frontul negativ al semnalului de declanare E

Fig.4.12 La aplicarea semnalului E, la ieirea primei pori P1 va exista un salt pozitiv care se transmite prin capacitatea C la intrarea porii P2, care iniial este polarizat la starea stabil, prin rezistena R, legat la mas. La venirea saltului pozitiv de tensiune pe intrarea portii P2 aceasta comut, saltul negativ de tensiune de la ieirea sa transferndu-se la intrarea porii P 1, care rmne n starea 1 logic; n timp, prin tranzistorul de ieire al portii capacitatea C se va descrca de la VCC spre mas. Cnd la intrarea porii P2 se atinge potenialul de prag de comutare, poarta va comuta n 1 logic, i coroborat cu ncetarea impulsului negativ de declanare, va face ca poarta P1 s treac n starea 0 logic, starea stabil a circuitului. Durata aproximativ a strii instabile este:

T si RCln

V OH +V IL - V OL VT

(4.12)

4.1.2.2.CBM realizate cu pori CMOS Circuitul este realizat cu dou pori CMOS de tip SAU-NU i un circuit RC. Circuitul este comandat pe frontul pozitiv al semnalului de declanare I Starea stabil a circuitului este cea n care ieirea Q este la 0 datorita rezistenei R legate la VDD Cnd la intrarea I se aplic un impuls pozitiv de declanare, poarta P 1 va prezenta la ieire un salt negativ de tensiune, care, prin intermediul capacitii C, va ajunge la intrarea lui P2 producnd comutarea acesteia n 1 logic. n continuare capacitatea C se va ncrca de la VDD, iar cnd potenialul pe bornele sale va ajunge la valoarea potenialului de prag de basculare, poarta P 2 va bascula n starea 0, starea stabil a circuitului. Durata strii instabile se determin cu formula: V DD T si RCln V DD - V T

(4.13)

Fig.4.13 4.1.3. Circuite basculante bistabile 4.1.3.1. consideratii generale Circuitele basculante bistabile se caracterizeaz prin existena a dou stri stabile, n care pot rmne un timp orict de lung. Bascularea dintr-o stare n alta declanat cu ajutorul unor impulsuri de comanda. Circuit bistabil: un exemplu de circuit secvenial (circuit definit prin faptul c ieirile sale au valori logice ce depind de o anumit secven a semnalelor care s-au manifestat anterior n circuit). Circuitele secveniale prezint deci posibilitatea stocrii informaiei (memorrii) Spre deosebire de circuitele secveniale, circuitele combinaionale, constnd din combinaii de pori logice, au ieiri care depind doar de intrrile prezente n acel moment. Schema de principiu se prezint n figura 4.14.

Fig.4.14 Etajele amplificatoare formate din tranzistoarele T1 i T2 sunt cuplate ntre ele prin elementele de reacie pozitiv constituite din divizoarele de tensiune R si r. O parte din tensiunea colector - emitor a unui tranzistor este transmisa n baza celuilalt transistor. 4.1.3.2. Funcionarea circuitului Dac are loc o cretere mic a curentului IC1, aceasta duce la micorarea tensiunii UC1, care este transmis prin divizorul R-r n baza tranzistorului T2. Scderea tensiunii UB2 va fi amplificat i inversat de tranzistor, astfel nct crete tensiunea UC2, iar aceast cretere va fi transmis n baza tranzistorului T 1 prin divizorul R-r. Prin urmare IC1 crete i mai mult. n consecin apare un proces de basculare, care se dezvolt n avalan: curentul IC1 crete i curentul IC2 scade, pna cnd T1 devine saturat, iar T2 blocat. Starea este stabil, deoarece bucla de reacie pozitiv este ntrerupt datorita starii de blocare a tranzistorului T2 Dou stri stabile: 1. T1 - conducie (saturat), T2 - blocat 2. T1 - blocat, T2 - conducie (saturat) Pentru ca CBB s funcioneze aa cum s-a artat mai sus, elementele sale trebuie dimensionate astfel nct s fie satisfcute urmtoarele condiii: 1). cnd T1 este blocat, T2 trebuie s fie saturat 2). cnd T1 este saturat, T2 trebuie s fie blocat 3). cnd T1 i T2 se gsesc n stare activ, amplificarea pe bucla de reacie pozitiv trebuie s fie supraunitar. Datorit simetriei circuitului, condiiile 1) i 2) sunt echivalente. n afar de acestea se poate demonstra c dac sunt satisfcute condiiile 1) i 2) atunci va fi satisfacut i condiia 3). n concluzie, condiia 1) este o condiie necesar i suficient pentru ca circuitul s funcioneze corect. Condiia 1) impune respectarea urmtoarelor inegaliti: UB1 0 I E IB2 IBs , unde I Bs = Cs C RC Condiia de blocare pentru T1 da relaiile: UB1 0, IC 0 = U B1 + E B U B1 r R
R r R EB R +r R +r

(4.14)
r EB IC0

U B1 = I Co

(4.15)

Pentru orice temperatur, rezult:

r EB I Comax

Condiia de saturaie pentru tranzistorul T2:

I B2

EC - E B R + RC r

R (

Pentru condiiile de extrem:

- 1) RC E B RC 1+ EC r
R (

(4.16)

R (

min - 1) RC E B RC 1+ min EC r

min - 1) RC I Comax 1 + min I Cs

(4.17)

4.1.3.3 Influena sarcinii asupra stabilitii strilor CBB Conectarea unei rezistene de sarcin la ieirea unui CBB poate avea o influen defavorabil asupra stabilitii strilor, pentru c modific rezistena echivalent din circuitul de colector, afectnd repartizarea tensiunilor. Rezistenta de sarcina poate fi conectata la una dintre ieiri, in paralel cu rezistenta RC (cazul Rs1), or in paralel cu tranzistorul T2 (cazul Rs2)

Fig.4.15. Dac rezistena de sarcina Rs1 este conectat, rezistenta echivalenta din colector devine:

(4.18) R'C< RC , deci curentul de colector este mai mare, curentul de baz de comanda trebuie sa fie mai mare. Este necesar curent de baz IB2 mai mare, prin urmare rezistena de cuplaj R trebuie micorat. Dac rezistena de sarcin scade sub limita unei valori minime (Rs1< Rsmin), atunci condiia de saturare a tranzistorului T 2, IB2ICs nu mai este ndeplinit. Cnd tranzistorul T2 este blocat, sarcina Rs1 nu are influen. Rezistenta de sarcina Rs2 este conectata Dac tranzistorul T2 este saturat, sarcina nu are practic influena ntruct rezistena de ieire a tranzistorului n regim de saturare este foarte mic. Cnd T2 este blocat, sarcina va determina scderea tensiunii de colector i deci a curentului de baz IB1 a tranzistorului saturat T1.

1 R C = RC // R s 1 = RC R s RC + R s 1

U C 2 =Rs

2 R R 2 E C R C = C s I 2 = U B C R s 2 + RC RC + R s 2

(4.19) poate fi neglijat, deasemenea RC<<RC deci:

I b 2 U c 2 R

2 - EB R C+R r

EB = I Co r

Deoarece UC2 < EC, pentru a mentine T1 saturat, este necesara micsorarea R. 4.1.3.4. Declanarea Circuitelor Basculante Bistabile Exist dou metode fundamentale de declanare a CBB: a). declanarea pe ci separate pentru fiecare tranzistor n parte (CBB de tip RS). b). declanarea pe o cale comun (CBB de tip T). CBB folosesc una din metodele de declanare de mai sus, sau ambele metode (CBB de tip RST sau JK). Impulsurile de declanare pot fi aplicate pe baza sau pe colectorul tranzistoarelor. Polaritatea impulsurilor de declanare poate fi att pozitiv ct i negativ. Semnalul de declanare nu are rolul propriu-zis de a determina el singur bascularea CBB, el are rolul de a iniia un proces regenerativ prin care circuitul s comute singur. Indiferent de tipul tranzistorului (pnp sau npn), declanarea cu impulsuri care comand blocarea tranzistorului conductor prezinta anumite avantaje: - sensibilitatea CBB este mare - energia impulsului necesar pentru a produce bascularea este mai mic Un CBB realizat cu tranzistoare npn va bascula n condiii optime dac se aplic un impuls negativ pe baza tranzistorului saturat Pentru a comanda un CBB att cu impulsuri, ct i cu nivele de tensiune circuitele de declanare conin de obicei un circuit de difereniere RC. Prin difereniere, apar att vrfuri pozitive ct i vrfuri negative, deci ar exista posibilitatea unei rebasculri nedorite. Pentru a evita aceast situaie, circuitele de difereniere sunt urmate de diode care mpiedic trecerea vrfurilor cu polaritatea nedorit. Declanarea pe ci separate pe baz Circuitul este n starea T1-saturat i T2-blocat. Dac se aplic un impuls de declanare la intrarea S de amplitudine Ec, acesta va fi difereniat de circuitul de difereniere R2C2. Dioda D2 va mpiedica trecerea vrfurilor pozitive i va permite trecerea vrfurilor negative de tensiune, care vor bloca i mai mult tranzistorul T 2. Bascularea nu are loc n acest caz.

Fig.4.17 Dac se aplic impulsul de declanare la intrarea R, vrfurile negative de tensiune ce ajung n baza tranzistorului T1 vor determina blocarea lui, deci bascularea CBB. Pentru ca n regim staionar s fie blocate ambele diode, se recomand polarizarea lor invers cu o tensiune EP. Valoarea acestei tensiuni se alege cu ceva mai mare dect tensiunea baz-emitor a tranzistorului saturat. Uneori nu se folosete o surs separat pentru polarizare, ci se formeaz o tensiune de valoare pozitiv, cu ajutorul unui divizor de tensiune alimentat cu tensiunea EC. n felul acesta, indiferent care este polaritatea impulsurilor la declanare, n baz vor ajunge numai vrfurile negative. Ele determin bascularea circuitului dac tranzistorul respectiv este conductor; n caz contrar nu au efect. Declanarea pe ci separate pe colector Circuitul de declanare este identic, semnalul de comanda este aplicat n colectoarele tranzistoarelor. Potenialul EC este folosit ca i tensiune pozitiv de polarizare pentru diode. Particularitate: n funcie de starea circuitului, una dintre diode este puternic blocat (polarizata cu o tensiune invers de aproximativ EC), iar cealalt este blocat cu o tensiune invers mic:
U Rc = E C - U C 2 E C - E C U Rc E C R RC + R R RC + R

Declanarea pe baze prezinta unele avantaje, pentru c permite obinerea unor frecvene de basculare mai mari i asigur o sensibilitate mai bun

Declanarea pe o cale comun pe baze Fie circuitul n starea: T1-saturat i T2-blocat Tensiunile n diferite puncte ale schemei au urmtoarele valori tipice (pentru tranzistoarele cu siliciu) : UC1=+0,1V; UB1=+0,7V; UB2=-0,1V Dioda D1 este conductoare, iar dioda D2 este blocat cu o tensiune invers mare. Impulsul de declanare T este difereniat de grupurile Rd 1, C1 i Rd2, C2. Impulsurile ascuite pozitive rezultate prin difereniere vor fi tiate de diodele D 1 si D2.

Fig.4.18 Dintre cele dou impulsuri negative rezultate prin difereniere, va putea trece numai cel care se aplic n catodul diodei conductoare D1, cellalt impuls nu va putea trece prin dioda blocat D2. Impulsul de comanda va determina comutarea circuitului, deoarece un puls negativ ascutit este aplicat pe baza tranzistorului conductor. Declanarea pe o cale comun pe colector Fie circuitul in starea: T1-saturat si T2-blocat Tensiunile in diferite puncte UC1=+0,1V; UC2+EC, UAEc Dioda D1 este blocat cu o tensiune invers aproximativ egal cu E C, n timp ce dioda D2 este blocat cu o tensiune invers mic, egal cu cderea de tensiune pe rezistena RC.

Fig.4.19 Impulsul de declanare aplicat la intrarea T este difereniat de circuitul de difereniere RdCd. Vrfurile negative de tensiune, rezultate prin difereniere (datorit polarizrii diodelor) pot ajunge numai pe colectorul tranzistorului blocat (saltul negativ de tensiune se transmite, n cazul de fa, prin dioda D2 n colectorul tranzistorului blocat T2) determinand deschiderea acestuia 4.1.3.5. CBB de tip S-R asincron

CBB RS cu pori SAU-NU CBB RS simetric cu pori SAU-NU Fig.4.20. Un bistabil simplu poate fi construit, din punct de vedere logic, prin introducerea unei bucle de reacie ntr-o reea de pori, fie pori SAU-NU, fie INU. Intrrile bistabilului se numesc S (set) i R (reset). Tabela de adevr a CBB RS S 1 0 0 1 R 0 1 0 1 Q+ 1 0 Q Intrri nepermise

4.1.3.6. CBB de tip SR sincrone Circuitele bistabile RS sincrone au dou intrri de date R i S, i o intrare de tact, T. Informaia de la intrrile de date R i S poate fi transmis spre bistabilul propriu-zis numai atunci cnd impulsului de tact are valoarea logica 1.

Fig.4.21. Bistabilul RS sincron are un semnal de ceas (intrrile R i S rmn asincrone), care controleaz evoluia circuitului. De asemenea are alte doua intrri, Sd- i Rd-, care acioneaz direct asupra ieirilor Q si Q- suprascriind intrrile R i S. 4.1.3.7. CBB RS master - slave CBB RS master - slave: menit a elimina neajunsurile legrii n cascad a mai multor CBB de tip RS (posibila nedeterminare a strilor fiecrui CBB) Primul CBB, numit CBB master este comandat de intrrile de date R i S, iar al doilea CBB din secven se numete CBB slave i este comandat de ieirile CBB master. Scurta descriere: - pe frontul pozitiv al impulsului de ceas, CBB master este deconectat de CBB slave, deoarece acestea nu pot comunica; pe acest front, intrrile S si R acioneaz asupra CBB master, determinnd basculrile corespunztoare - cnd semnalul de ceas trece din 1 in 0, pe frontul cazator, intrrile RS slave sunt conectate la master; ieirile master-ului comand starea slaveului In acest fel, doar un singur CBB este activ la un anumit moment, ieirile master-slave-ului fiind complet izolate de intrri. Folosind acest circuit, nedeterminarea logica pentru o secvena de CBB este evitata.

Fig.4.22.

4.2 Numrtoare Majoritatea sistemelor numerice conin circuite de numrare, destinaia acestora fiind determinarea unui numr de evenimente sau de intervale de timp. Ele sunt circuite logice secveniale care permit numrarea impulsurilor aplicate la intrare i memorarea lor. Ele pot fi utilizate i n alte scopuri, cum ar fi divizarea de frecventa. 4.2.1. Numrtoare asincrone Procedurile de numrare binara si zecimala si zecimala sunt ilustrate n figura 4.23 Folosind numai 4 ranguri binare (D, C, B i A), se poate numra de la 0000 pn la 1111 n sistemul binar, adic de la 0 la 15 n sistemul zecimal. Coloana A a tabelului corespunde rangului cel mai puin semnificativ, coloana D corespunznd celui mai semnificativ rang. Un dispozitiv de numrare care numr de la 0 la 15 trebuie s aib 16 stri de ieire, el numindu-se numrtor cu 4 ranguri. Schema funcional a unui numrtor cu 4 ranguri, alctuit din patru circuite basculante bistabile JK este prezentata n figura 4.23.a. n momentul iniial, starea ieirilor numrtorului corespunde numrului binar 0000 (numrtorul este ters CLEAR). La aplicarea impulsului de tact 1 la intrarea de sincronizare (CLK) a triggerului T1, acesta basculeaz (pe cderea impulsului) i la ieirea numrtorului apare numrul binar 0001. Al doilea impuls de tact basculeaz triggerul T1 n starea sa iniial (Q = 0), ceea ce, la rndul sau, determina bascularea triggerului T2 n starea Q = 1. La ieirea numrtorului apare numrul binar 0010. Numrtoarea continu n acest fel, cderea fiecrui impuls determinnd bascularea triggerului T1, T2 basculeaz de doua ori mai rar (o dat la dou impulsuri) i aa mai departe.

Figura 4.23 Succesiunea de numarare pentru numrtorul cu 4 ranguri

` Fig. 4.23 Numrtor cu 4 ranguri: schema logic (a) i diagramele de timp ale semnalelor (b)

Diagramele de timp din figura 4.23..b ilustreaz i ele funcionarea numrtorului la numrarea primelor 10 impulsuri. Deoarece fiecare trigger nu poate aciona direct dect asupra celui urmtor (de rang imediat superior), pentru bascularea tuturor triggerilor, adic pentru parcurgerea unui ciclu de numrare este necesar un anumit interval de timp.

Fig. 4.24 Schema numrtorului asincron decadic

Un alt numrtor asincron numrtorul decadic, construit pe baza schemei anterioare, este cel din figura 4.24, unde, n plus, este adugat un circuit SI-NU cu rol de tergere, adic de setare n stare 0 a tuturor triggerilor n momentul sosirii celui de-al zecelea impuls. Acest lucru se face innd cont c numrul 10 n forma binar este 1010, deci numai rangurile 1 si 3 trebuie setate n 0, celelalte fiind deja n aceasta stare. n acest fel, numrarea ncepe din nou, ciclul repetndu-se dup fiecare10 impulsuri. 4.2.2. Numrtoare sincrone Aceste numrtoare se folosesc pentru creterea vitezei de numarare. Schema unui numrtor sincron cu trei ranguri este prezentat n figura 4.25.a. Dac se analizeaz schema legturilor intrrilor de sincronizare ale triggerilor (CLK), se observ c acestea sunt legate n paralel. Impulsurile de tact se aplic nemijlocit la intrarea de sincronizare a fiecarui trigger. Succesiunea de numrare ntr-un ciclu este prezentat n tabelul din figura 4.25.b. Coloana A a tabelului corespunde rangului binar 0 (rangul unitilor), coloana B corespunde rangului zecilor i coloana C corespunde rangului sutelor. Pe baza schemei din figura. 4.25.a i a tabelului din figura 4.25.b, se poate face analiza complet a unui ciclu de functionare a numrtorului sincron cu trei ranguri.

Fig. 4.25 Numrtor sincron cu trei ranguri: schema logic (a) i tabelul succesiunii de numrare (b)

4.2.3. Numrtoare inverse Pn acum s-au analizat aa-numitele numrtoare directe, sau de acumulare, care numr n sens cresctor impulsurile de la intrare. Exist ns i situaii cnd este nevoie de o numrare n sens invers, descresctor, caz n care numrtorul se numete numrtor invers. Schema unui numrtor asincron invers cu trei ranguri este prezentat n figura 4.26.a, n tabelul din figura 4.26.b fiind prezentat succesiunea de numrare. Schema numrtorului este asemntoare cu cea a numrtorului direct, deosebirea constnd numai n metoda de transfer al semnalului de la triggerul T1 sa T2 i de la acesta la T 3. Intrarea de sincronizare (CLK) a fiecrui trigger este legat la ieirea complementar (Q ) a triggerului anterior. naintea nceperii numrrii, este necesar ca acesta s fie presetat n starea 111 (numrul zecimal 9), prin intermediul intrrii de preset (PS).

Fig. 4.26 Numrtor asincron invers cu 3 ranguri: schema (a) i succesiunea de numrare (b)

4.2.4. Numrtoare cu autooprire Numrtorul invers prezentat n paragraful anterior este un numrtor ciclic. Cu alte cuvinte, cnd acest numrtor trece n starea 000, el ncepe din nou numrarea de la numarul binar 111 i aa mai departe. n unele cazuri, este necesar ca numrtoarea s se opreasc atunci cnd s-a terminat seria de numrare.

Fig. 4.27 Numrtor invers cu 3 ranguri cu autooprire

Schema unui astfel de numrtor este prezentat n figura 4.27, ea fiind obinut plecnd de la schema din figura 4.26.a, la care se adaug un circuit SAU cu 3 intrri, care stabilete valoarea 0 la intrrile triggerului T1 (cel din stnga) atunci cnd la ieirile C, B A ale numrtorului apare semnalul 000. Acest numrtor poate ncepe un nou ciclu de numrare numai daca la intrarea de presetare se aplic nivelul logic 0. Utiliznd un element logic sau o combinaie de mai multe astfel de elemente, se poate completa schema oricrui numrtor, direct sau invers, pentru oprirea numrrii acestuia.

4.3. Registre de deplasare Acestea sunt circuite ce permit nscrierea (memorarea) unor informaii (valori logice) i transferarea la cerere a acestora. n funcie de modul de introducere i citire a datelor, (simultan n toate celulele registrului sau succesiv, poziie cu poziie), registrele pot fi: - cu scriere paralel (scrierea se face simultan n toate celulele) sau serie (scrierea se face succesiv, fiind comandat prin impulsurile de tact, cte unul pentru fiecare cifr binar - bit); - cu citire paralel sau serie. Prin combinarea acestor moduri de citire i scriere se pot obine registre cu scriere-citire de tip serie-serie, paralel-paralel, serie-paralel i paralel-serie. Modul de scriere-citire al acestora este artat n figura 15.6.

Fig. 4.28. Scrierea si citirea datelor la diferitele tipuri de num aratoare

Pentru construirea registrelor se folosesc bistabili D. Un exemplu de registru cu scriere serie cu patru celule este cel din figura 4.29. Pentru nscrierea informaiei, mai nti, la intrarea de reset (CL) se aplic un puls avnd ca efect trecerea tuturor ieirilor n starea logic 0 (stergere), dup care, la fiecare impuls de tact se aplic concomitent la intrare biii de informaie.

Fig. 2.29 Registru de deplasare cu scriere serial, cu 4 ranguri, realizat cu triggeri D

La primul impuls de tact, dac primul bit este 0 , iesirea Q 1 ramne 0, dac aceasta este 1, Q1 trece, de asemenea, n 1. La al doilea impuls de tact aceasta

valoare nscris la ieirea primului bistabil va fi transferata la ieirea celui de-al doilea bistabil, la iesirea primului fiind acum nscris valoarea de la intrare aplicat n timpul celui de-al doilea impuls de tact. Dup aplicarea celui de-al treilea impuls, i a celui de-al patrulea, primul bistabil va contine informaia transmis la intrare n timpul celui de-al patrulea impuls de tact, al doilea pe cea din timpul celui de-al treilea impuls, al treilea bistabil pe cea din timpul celui deal doilea impuls si al patrulea bistabil pe cea din timpul primului impuls. Astfel, la fiecare impuls de tact informaia nscris ntr-un bistabil se deplaseaz la urmtorul, astfel de registre numindu-se registre de deplasare. Funcionarea complet a circuitului studiat se poate analiza pe baza tabelului din figura 4.30. Figura 4.30. Funcionarea registrului de deplasare cu 4 ranguri

. Dac bistabilii sunt prevzuti i cu intrri de preset (PS), acestea se pot folosi la scrierea paralel a informaiei. Informaia este citit n mod serial, n ritmul impulsurilor de tact, la ieirea serie, sau paralel (figura 4.31)

Fig. 4.31 Registru de deplasare cu scriere paralel a, cu 4 ranguri

Unele registre permit deplasarea i n sens invers a informaiei, ele numindu-se registre reversibile. De asemenea, registrele construite n form a integrat pot fi mixte, permind accesul la intrare i/sau ieire att n format serie ct i paralel. Dup cum se poate constata, citirea serial este distructiv, informaia distrugndu-se n timpul acestui proces, n timp ce citirea paralel este nedistructiv. 4.4 Multiplexoare i Demultiplexoare n multe situaii este necesar sa fie transmise mai multe informaii pe acelasi canal. cum acest lucru nu se poate face simultan, se recurge la o partajare n timp a canalului, numit multiplexare, operaia invers fiind demultiplexarea. Multiplexorul selecteaz o iesire din n intrari (n=2, 4, 8 sau 16). Selecia liniei de ieire se face cu semnale de control. Multiplexoarele (MUX) se utilizeaz, de exemplu, n microprocesoare pentru transmiterea la una si aceiai intrare a mP a adreselor i/sau datelor (informaiei), ce permite micorarea considerabil a numarului de pini a circuitului integrat. n sistemele de comanda cu mP, multiplexoarele se monteaz la obiectele ndeprtate pentru a asigura transmiterea informaiei, pe unul i acelasi circuit, consecutiv de la mai multe traductoare. Implementarea schematica a circuitului unui MUX (simplificat pna la 4 intrari) este data n figura 4.32, obtinut prin sinteza functiei f conform expresiei:

Fig. 4.32 Schema logic pentru realizarea funciei logice

Un demultiplexor (DeMUX) ndeplinete funcia opusa unui MUX. El poate fi utilizat la convertirea unui sir de semnale numerice transmise serial, ntr-o form paralel. Linia de intrare purttoare de informaie) poate fi conectata la oricare dintre liniile de ieire, fiind dirijate de semnalele de comand. Existenta a n semnale de comnand determin existenta a 2n ieiri. Principiul de funcionare a DeMUXului poate fi prezentat utiliznd circuitul din fig. 15.10, n care avem: X intrare semnal informational; A intrare semnal de comand; Y0, Y1 ieiri. Circuitul conine dou pori AND i una NOT. Se poate observa c n cazul cnd A=0 semnalul de la informaional va ajunge la iesirea Y0, iar la A=1 iesirea Y1.

Fig.4.33

4.5.Dispozitive de memorare Majoritatea sistemelor numerice de calcul utilizeaz dispozitive de memorare de dou tipuri: memorie intern, de capacitate mic i viteza de operare mare i memorie extern, de capacitate mare i viteza de operare mai mic. Dispozitivele de memorare semiconductoare sunt de trei feluri: - dispozitive de memorie cu acces aleator (RAM Random Access Memory) - dispozitive de memorie permanent (ROM Read Only Memory) - dispozitive de memorie programabil (PROM Programmable Read) - Only Memory, EPROM - Erasable PROM, REPROM Reprogrammable - ROM) Memorii RAM Memoria RAM este un tip de memorie n care informaia poate fi memorat n timp, apelat n orice moment de timp, transferat, motiv pentru care se numete memorie cu acces aleator, sau memorie operativ. Memoria reprezint un grup de locaii, aflate la anumite adrese, n care se pot nscrie cuvinte, alctuite din cifre binare de mai multe ranguri (4, 8, 16, 32). Memoriile cu acces aleator nu pot fi utilizate la memorarea permanent a datelor, deoarece informaia nscris n aceste memorii se pierde la decuplarea sursei de alimentare a circuitelor de memorie respective. Memorii ROM- memorii programabile Acest tip de memorie permite doar citirea informaiei coninute n ea, tergerea i nscrierea altor informaii nefiind posibil. Organizarea acestor memorii este similar cu cea a memoriilor RAM. Celulele de memorie ale memoriilor ROM nu sunt circuite basculante bistabile, ci anumite circuite speciale, care, n procesul de fabricaie se stabilesc n stri logice 0 sau 1. Memoriile ROM se folosesc pentru pstrarea programelor de iniiere a pornirii calculatoarelor si a altor programe de sistem cu destinaie general. Aceste circuite de memorie sunt costisitoare, ca urmare ele fiind folosite numai unde sunt strict necesare (pstrarea datelor uzuale, programe, sisteme de codificare, generatoare de simboluri, etc.). O soluie a acestei probleme o constituie memoriile programabile, care pot fi fabricate n serii mari (nefiind impus o anumita comand), deci preul lor de cost poate fi sczut, comparativ cu cel al memoriilor ROM. Utilizatorul poate programa singur, n funcie de necesiti memoria respectiv i, dac ea este de tipul PROM, dup acest proces devine o memorie ROM obinuit. La memoriile EPROM i REPROM, informaia poate fi tears i apoi ele pot fi reprogramate, prin procedee specifice.

4.6. Sinteza funciilor booleene

4.6.1. Operaii i circuite logice elementare Algebra boolean, numit i algebra logicii binare, opereaz cu variabile care pot avea numai dou valori numerice, 0 i 1, crora le corespund valorile logice NU, FALS, sau NIMIC, respectiv DA, ADEVARAT, sau TOT. Operaiile logice de baz sunt urmtoarele: 1. negaia, complementul logic sau funcia logic NU (NOT) face c unei variabile binare A s i corespund variabila binar A , cu proprietatea: A A = 1 Tabelul de adevr a acestei funcii i simbolul dispozitivului care o realizeaz, numit inversor, sunt reprezentate n figura 4.34

Fig.4.34 Circuit inversor i tabelul de adevr al su

2. intersecia, produsul logic sau funcia logica I (AND), a crei tabel de adevr este dat n figura4.35, mpreun cu simbolul dispozitivului care o realizeaz. Funcia logica I realizeaz operaia: AB=Y

Fig. 4.35 Circuit logic I i tabelul sau de adevr

3. reuniunea, suma logic sau funcia logic SAU (OR), a crei tabel de adevr este dat n figura 4.36, mpreun cu simbolul dispozitivului care o realizeaz. Funcia logica I realizeaz operaia: A+B=Y

Fig. 4.36 Circuit logic SAU i tabelul de adevr al su

Aceste operaii logice au urmtoarele proprieti: 1. x + y + z = (x + y) + z = x + (y + z) 2. x (y + z) = (x y) + (x z) 3. x = x 4. x + y + z = x y z 5. x y z = x + y + z ]Ultimele dou relaii sunt cunoscute sub numele de teoremele lui de Morgan. Mai pot fi demonstrate i relaiile: 6. x + x + x + . . . = x 7. x x x . . . = x 8. x x = 0 9. x + 0 = x (element neutru fa de sum) 10. x 1 = x (element neutru fa de produs) 11. x + (x y) = x 12. x + ( x y) = x + y 4.6.2.Alte circuite logice mai des folosite 1. Circuitul logic I-NU Circuitul logic SI-NU (NAND) realizeaz operaia logic prin care se inverseaz operaia I: AB = Y Reprezentarea convenional este dat n figura 14.37.a. Alturi este dat i modul de obinere a operaiei din cele elementare (figura 4.37.b) i tabelul de adevr (figura 15.14.4.37.c). Caracteristica particular a circuitului I-NU const n faptul c, la ieirea acestuia, nivelul logic zero apare numai atunci cnd la toate intrrile sale se aplic semnal de nivelul logic 1.

Fig. 4.37 Circuit logic I-NU (a), sinteza lui (b) i tabelul de adevr (c)

2. Circuitul logic SAU-NU Circuitul logic SAU-NU (NOR) realizeaz operaia logic prin care se inverseaz operaia SAU: A+B=Y

Fig. 4.38 Circuit logic SAU-NU (a), sinteza lui (b) i tabelul de adevr (c)

Reprezentarea convenional este dat n figura 4.38.a. Alturi este dat i modul de obinere a operaiei din cele elementare (figura 4.38.b) i tabelul de adevr (figura 14.38.c). Caracteristica particular a circuitului I-NU const n faptul c, la ieirea acestuia, nivelul logic 1 apare numai atunci cnd la toate intrrile sale se aplic semnal de nivelul logic 0. 3. Circuitul logic SAU-EXCLUSIV Circuitul logic SAU-EXCLUSIV (XOR) este un circuit logic reprezentat n figura 14.39.a.

Fig. 4.39 Circuitele logice SAU-EXCLUSIV (a), SAU-NU-EXCLUSIV (b) i tabelul de adevr al lor (c)

Alturi este dat i tabelul de adevr (figura 14.39.c). El realizeaz operaia logic: AB=Y 4. Circuitul logic SAU-NU-EXCLUSIV (COINCIDENA) Circuitul logic SAU-NU-EXCLUSIV (XNOR) este un circuit logic reprezentat n figura 4.40. Alturi este dat i tabelul de adevr (figura 15.4.40). El realizeaz operaia logic: A B = Y Pentru obinerea altor funcii logice necesare n aplicaii, n practic este mai comod utilizarea unor circuite logice de baz. Astfel, pe baza circuitului logic SI-NU, se pot sintetiza toate celelalte funcii logice, aa cum se poate vedea n figura 4.40. Din acest motiv, circuitul logic SI-NU se mai numete poart a logic elementar, ea fiind realizat integrat, n numeroase variante constructive.

Fig.4.40 Sinteza funciilor logice folosind poarta logic elementar (circuitul logic SI-NU)

4.6.3. Circuite logice cu mai mult de dou intrri n unele situaii, circuitele analizate anterior pot dispune de mai multe intrri, aa cum este cazul exemplului urmtor, reprezentnd circuitul logic I cu trei intrri, expresia boolean a funciei realizate de acest circuit, reprezentarea lui i tabela de adevr fiind date n figura 15.4.41b. i n acest caz, circuitul poate fi sintetizat pe baza unor pori elementare (figura 4.41.e). n figura 4.41.g este artat sinteza cu pori elementare a circuitului SAU cu 4 intrri, simbolul i tabelul de adevr al acestui circuit fiind date n figura 4.41.c,d. Pentru sinteza circuitului SAU cu 3 intrri se folosesc circuite SAU cu 2 intrri (figura 4.41.h), care, la rndul lor pot fi sintetizate cu pori elementare. Sinteza circuitului SI cu 4 intrri este prezentat n figura 4.41.i.

Fig. 4.41 Circuite logice cu mai multe intrri i sinteza acestora

n practic, se folosesc circuite logice cu pn la 8 intrri i, mai rar, chiar mai multe, sinteza acestora realizndu-se analog situaiilor prezentate. Utilizarea porii inversoare pentru transformarea circuitelor logice Uneori, n anumite situaii, este mai comod transformarea circuitelor logice de baz, pentru obinerea altor funcii logice necesare n aplicaii. n figura 15.19 este prezentat un tabel reprezentnd modul de transformare a unui circuit dat n alt circuit, folosind poarta inversoare. Se constat c anumite funcii logice se pot obine n mai multe moduri. Astfel, circuitele SI-NU i SAU-NU se pot obine att prin inversarea intrrilor, ct i prin inversarea ieirilor, aa cum se poate vedea n figura 4.42.

Fig. 4.42 Transformarea circuitelor logice utiliznd pori inversoare

Circuitele logice se realizeaz sub form integrat, n familii, cum este cazul integratelor din familia bipolar, sau al celor din familia CMOS, aspectul exterior fiind determinat de tipul carcasei i de modul de dispunere a terminalelor. Cea mai rspndit variant constructiv este reprezentat n figura 14.43.a,b (capsul TO 116), dispunerea terminalelor fiind exemplificat n cazul circuitului TTL CDB 400 (7400), cuprinznd 4 pori elementare, n figura 4.43.c.

Fig. 4.43 Aspect exterior (a, b) i dispunerea terminalelor (c) la circuitul 7400

4.6.4. Utilizarea circuitelor logice binare pentru obinerea funciilor logice S considerm o expresie boolean, de exemplu, de forma:

pentru care se pune problema sintezei schemei care s realizeze funcia respectiv. Primul pas n acest proces este construirea schemei logice (figura 15.21.a,b).

Fig. 4.44 Sinteza schemei logice care realizeaz funcia

Al doilea pas este cel din figura 4.44.c. La prima intrare a circuitului SAU se introduce circuitul suplimentar SI cu dou intrri), una dintre acestea avnd cuplat o poart inversoare, n scopul formrii combinaiei . Apoi, pentru formarea combinaiei , la a doua intrare se adaug un alt circuit SI (figura 4.44.d) i, n acelai mod, pentru formarea combinaiei , la a treia intrare se adaug nc un circuit SI (figura .e). Un alt exemplu este cel prezentat n figura 4.45, pentru sinteza circuitului care realizeaz funcia logic: . Din exemplele analizate, se poate trage concluzia c, n general, sinteza circuitelor logice ncepe cu ieirea acestora i, prin operaii de tipul celor prezentate, se ajunge la intrarea lor.

Fig. 4.45 Sinteza schemei logice care realizeaz funcia:

Acest mod de sintez este ns greoi i are particulariti pentru fiecare situaie n parte. De aceea, este necesar gsirea unui algoritm care, prin aplicarea sa, s permit sinteza circuitelor, indiferent de cazul particular ntlnit. Pentru a construi un astfel de algoritm, s analizm mai nti modul de transformare a informaiei prezentate sub form de tabel de adevr n funcie logic boolean i invers.

Fig. 4.46 Obinerea funciei logice pe baza tabelului de adevr (a, b) i invers (c, d)

Astfel, pentru operaia logic al crei tabel de adevr este prezentat n figura 4.46.a, funcia logic este cea din figura 15.4.46.b, obinut astfel: valoarea 1 a funciei Y corespunde unui numr de dou a combinaii: A = 1 SI B = 1 SI C = 0, SAU A = 0 SI B = 0 SI C = 1. Problema invers const n stabilirea tabelului de adevr pe baza expresiei funciei booleene. Lund ca exemplu expresia:

se stabilesc mai nti combinaiile: A = 0 SI B = 1 SI C = 0 SAU A = 0 SI B = 0 SI C = 0 (figura 14.46.c) i apoi A = 0 SI B = 1 SI C = 0 SAU A = 0 SI B = 0 SI C = 0 SAU A = 1 SI B = 1 SI C = 1 (figura .d). n general, exprimarea funciilor logice de mai multe variabile se face sub forma unei sume logice de termeni P sau a unui produs de termeni S, aceste forme numindu-se forme canonice. Sa considerm urmtorul exemplu: se d functia de trei variabile A, B, C, al carei tabel de adevr este cel alturat.

Scrierea n form canonic cu termeni P sau S a funciei f(A, B, C) se face astfel: - pentru scrierea cu termeni P, se iau acele combina tii de variabile pentru care funcia ia valoarea 1, combinatiile fiind produse ale tuturor variabilelor, negate dac au valoarea 0 i respectiv nenegate dac au valoarea 1. - pentru scrierea cu termeni S se iau acele combina tii de variabile pentru care funcia ia valoarea 0, combinaiile fiind suma tuturor variabilelor, negate dac au valoarea 1, respectiv nenegate dac au valoarea 0. Astfel, pentru funcia a crei tabel de adevr este cea alaturat, formele canonice cu termeni P i S sunt:

Scrierea funciei sub form canonic permite implementarea ei ntr-o schema logic. n general, aceste scheme logice rezultate sunt destul de complicate. Pentru simplificarea lor, se poate face minimizarea funciei, pe baza relaiilor (6.5), (6.7), (6.8) si (6.14). Dac numrul variabilelor nu este prea mare, se poate folosi minimizarea prin metoda diagramelor Karnaugh, aceste fiind matrice cu 2n csute (n fiind numarul variabilelor), fiecare csu corespunznd unei anume combinatii de valori ale variabilelor i avnd nscris n ea valoarea combinaiei respective. Rezult c fiecrei csute i corespunde un termen P sau S (dup cum a fost exprimat funcia). Pentru funcia de mai sus, diagrama Karnaugh este cea de mai sus. Pentru minimizarea funciei, se procedeaz astfel: se grupeaz cmpurile adiacente avnd valoarea 1 n dreptunghiuri sau ptrate cu laturile egale cu una, dou sau patru csue, urmrindu-se ca toate cmpurile cu valoarea 1 s fie cuprinse n cel putin o grupare iar gruprile s aib suprafaa maxim. Funcia logic minimizat se obine prin nsumarea termenilor corespunztori grupurilor realizate.

Pentru funcii de dou variabile, diagrama Karnaugh are dimensiunea 2 2, pentru patru variabile 4 4 iar pentru cinci variabile se construiesc dou diagrame cu dimensiunea 4 4 pentru patru din cele cinci variabile, fiecare corespunznd uneia din cele dou stri ale celei de-a cincea variabile.

Fig. 4.47 Simplificarea unei expresii booleene: funcia logic (a), schema logic ce realizeaz funcia (b), tabelul de adevr (c), schema logic simplificat (d) i expresia funciei logice simplificate (e)

S considerm exemplul reprezentat n figura 14.47, n care se d func tia Y de forma 24.a i s construim diagrama Karnaugh pentru funcia dat (figura 15.24.a).

Fig. 4.47 Minimizarea unei funcii logice de dou variabile (a, b), trei variabile (c,d) i patru variabile (e, f), folosind diagrama Karnaugh

Aceasta se prelucreaz conform celor expuse mai sus pentru minimizarea funciei, aa cum se poate vedea n figura 14.47.b i se obine funcia minimizat. Pentru funcii de trei variabile, se procedeaz ca n exemplul din figura 4.47.c,d, iar pentru funcii de patru variabile se procedeaz ca n exemplul din figura 4.47.e,f. Exist i procedee mai puin generale de construcie a contururilor, aa cum se poate vedea n figura 14.48.a, unde diagrama se poate consider c fiind desfurarea unui cilindru dispus orizontal, astfel c marginea de sus se continu cu cea de jos. Astfel, pornind de la funcia:

se ajunge la funcia simplificat Y = B C . n mod similar, se poate face, unde este cazul i operaia echivalent, de nfurare a diagramei sub forma unui cilindru vertical i, bineneles, combinaia celor dou cazuri, aa cum se poate vedea n figura 25.b, unde funcia logic iniial,

se simplifica prin procedeul descris, sub forma . Aa cum am artat anterior, din motive practice, este comod ca schemele logice s fie sintetizate cu pori elementare SI-NU, pentru a reduce numrul variantelor de circuite logice utilizate n schem.

Fig. 15.4.48 Minimizarea funciilor logice n anumite situaii particulare

4.7 Microprocesoare Microprocesorul reprezint "creierul" unui calculator electronic, el fiind un circuit integrat pe scar foarte larg (VLSI), ce permite efectuarea operaiilor aritmetice i logice prin intermediul unui program. Schema-bloc a unui microprocesor este data n figura 15.26. Unitatea aritmetico-logic (UAL) este partea propriu-zis de efectuare a operaiilor aritmetice i logice. Operaia fundamental efectuat este adunarea, efectuat prin intermediul unor circuite semisumatoare. Scderea se face tot prin intermediul operaiei de adunare dar n locul numrului respectiv se adun complementul su. nmultirea se reduce la o adunare repetat iar mprirea se face prin scderi repetate. O component importanta a UAL este un registru special, acumulatorul care pstreaz iniial unul din operanzi i n final rezultatul operaiei. Alte circuite din UAL sunt indicatorii de

condiie care memoreaz condiiile specifice prin care trece sumatorul n urma efecturii operaiilor aritmetice i logice: indicatorul de transport (CY), indicatorul de rezultat zero (Z), indicatorul de semn (S), indicatorul de paritate (P), etc. O alt parte a microprocesorului o constituie registrele, conectate la magistrala de date prin intermediul unui multiplexor. Acestea sunt registre cu destinaie general, care pastreaz operanzi sau rezultate intermediare, registre de adresare, dintre care cel mai important este numrtorul de adrese (care conine adresa instructiunii care urmeaz sa fie executat), registre de instructiuni, etc. Blocul cel mai complex, cu rol de generare a secventei de semnale necesare pentru execuia fiecrei operaii, este unitatea de comand si control (UCC). Modul de lucru al microprocesorului este urmtorul: pentru executarea unui program se execut succesiv instruciunile aflate n zona de memorie-program. dupa executia unei instructiuni, numrtorul-program se incrementeaz cu o unitate dupa care, pentru execuia urmtoarei instructiuni, microprocesorul transmite pe magistrala de adrese adresa locaiei de memorie la care se afla nscris aceast instruciune, citete coninutul locaiei (instruciunea), l decodific, genernd apoi semnalele necesare pentru execuie. Astfel, microprocesorul parcurge repetat cicluri de extragere a instruciunii i execuie a ei, lucrnd secvenial (algoritmic), ritmul de efectuare a fiecrei operaii fiind dat de un generator de tact.

Fig.15.26. Schema bloc unui microprocesor Deci, elementul de baz al unui sistem de calcul este reprezentat de microprocesor ce este un circuit deosebit de complex, plasat de obicei pe placa de baz a sistemului de calcul. El este elementul ce asigur procesarea datelor, adic interpretarea, prelucrarea i controlul acestora, vizeaza sau supervizeaz transferurile de informai i controleaz activitatea general a celorlalte componente ce alctuiesc sistemul de calcul. Fiecare procesor este alcatuit intern din mai multe micromodule, interconectate prin intermediul unor ci de comunicaie, adevrate autostrzi informaionale, dotate cu mai multe benzi. Aceste ci de comunicaie sunt numite magistrale interne, care pot transfera date i instructiuni sau comenzi. Datele i instruciunile formeaz codul unui program ce este rulat pe un sistem de calcul i reprezint informaia care este procesat. Comenzile reprezint informaia ce ajut la aceste procesri, prin aciunile hard si soft pe care le determina. Procesorul unui sistem de calcul joac rolul unui adevarat motor, iar arhitectura lui se bazeaz pe 3 componente eseniale i anume: 1. motorul de execuie: reprezint componenta principal a procesorului, asigurnd prelucrarea instruciunilor i datelor necesare, prin intermediul unitii aritmetico-logice ncorporate, precum i furnizarea rezultatelor obinute n urma procesrilor fcute.

2. registrele interne: reprezint zone de memorie interne, de mici dimensiuni, a cror accesare, de catre UAL i celelalte module ale procesorului, este foarte rapid. Din punct de vedere fizic, registrele sunt circuite electronice realizate dintr-un numr mare de celule basculante bistabile (CBB) i au rolul de a primi, stoca si transfera informatia binar. n funcie de numrul de bii manevrati de un registru, acestia pot fi de 4, 8, 16, 32 sau 64 biti. O alt clasificare a registrelor se face dup natura elementului ce realizeaz funcia de memorare efectiv: registre statice, la care funcia de memorare este realizat de CBB-urile circuitului, prin setarea (valoarea 1) sau resetarea (valoarea 0) a acestora. registre dinamice, la care funcia de memorare este realizat de condensatoare, iar informaia este stocat sub forma de sarcin electric pe aceste condensatoare, existena sarcinii corespunznd valorii binare 1, iar absenta sarcinii corespunznd valorii binare 0. Registrele interne ale microprocesorului sunt clasificate i folosite de microprocesor astfel: registre de date (generale) sunt folosite pentru manipularea datelor. n general aceste registre sunt utilizate de instructiunile logice si aritmetice. registre de pointer i index sunt utilizate de ctre instruciunile pentru transfer de date, adresri indexate i stiv. registre de segment, folosite n accesrile de memorie i transferuri de date conin adresele de segment pentru program, date curente, extrasegment i stiv registrul indicator de instruciune indic instruciunea curent n cadrul unui program n curs de execuie. registrul de stare, prin intermediul cruia se poate verifica efectul execuiei anumitor instruciuni sau stri ale microprocesorului. 3. modulul interfata. Modulul interfa (controlerul de magistrala intern) reprezint dispozitivul ce controleaz transferurile de intrare/ieire (magistralele sistemului), lucrnd similar cu un controller extern de magistrala. El semaforizeaz aceste transferuri pe bus i genereaz ntr-o zon de memorie intern (buffer) o structur de tip stiv pentru reinerea instruciunilor ce vor fi procesate de modulul executor. Magistralele interne ale microprocesorului sunt ci de comunicaie ntre modulele ce alctuiesc intern microprocesorul, deosebit de rapide, cu limi de 8, 16, 32, 64, 128 sau 256 de bii, n funcie de microprocesor, realizate la nivel microscopic. Activitatea general a unui procesor folosete dou tehnici: - tehnica pipeline ce utilizeaz nlnuirea mai multor module ce vor prelucra n cascad o informaie (modulul M2 preia informaia de procesat de la modulul anterior M1, o prelucreaz i o trimite la modulul urmtor);

tehnica burst, o tehnic mai nou ce a impus introducerea n aceeai capsul cu procesorul a unei memorii tip SRAM numit memorie cache, cu rol de memorie buffer, pentru mrirea vitezei de lucru. 4.8. Microcontrolere

Microcontrolerul difer de un microprocesor n multe feluri. n primul rnd i cel mai important este funcionalitatea sa. Pentru a fi folosit, unui microprocesor trebuie s i se adauge alte componente ca memorie, sau componente pentru primirea i trimiterea de date. Pe scurt, aceasta nseamn c microprocesorul este inima calculatorului. Pe de alt parte, microcontrolerul este proiectat s fie toate acestea ntr-unul singur. Nu sunt necesare alte componente externe pentru aplicarea sa pentru c toate perifericele necesare sunt deja incluse n el. Astfel, economisim timpul i spaiul necesare pentru construirea de aparate. Schema bloc a unui microprocesor este prezenta n figura 15.27.

Fig.15.27

Unitatea de memorie Memoria este o parte a microcontrolerului a crei funcie este de a nmagazina date. Cel mai uor mod de a explica este de a-l descrie ca un dulap mare cu multe sertare. Dac presupunem c am marcat sertarele ntr-un asemenea fel nct s nu fie confundate, oricare din coninutul lor va fi atunci uor accesibil. Este suficient s se tie desemnarea sertarului i astfel coninutul lui ne va fi cunoscut n mod sigur.

Fig.15.28 Componentele de memorie sunt exact aa. Pentru o anumit intrare obinem coninutul unei anumite locaii de memorie adresate i aceasta este totul. Dou noi concepte ne sunt aduse: adresarea i locaia de memorie. Memoria const din toate locaiile de memorie, i adresarea nu este altceva dect selectarea uneia din ele. Aceasta nseamn c noi trebuie s selectm locaia de memorie la un capt, i la cellalt capt trebuie s ateptm coninutul acelei locaii. n afar de citirea dintr-o locaie de memorie, memoria trebuie de asemenea s permit scrierea n ea. Aceasta se face prin asigurarea unei linii adiionale numit linie de control. Vom desemna aceast linie ca R/W (citete /scrie). Linia de control este folosit n urmtorul fel: dac r/w=1, se face citirea, i dac opusul este adevrat atunci se face scrierea n locaia de memorie. Memoria este primul element, dar avem nevoie i de altele pentru ca microcontrolerul nostru s funcioneze. Unitatea de procesare central S adugm alte 3 locaii de memorie pentru un bloc specific ce va avea o capabilitate incorporat de nmulire, mprire, scdere i s-i mutm coninutul dintr-o locaie de memorie n alta. Partea pe care tocmai am adugat-o este numit "unitatea de procesare central" (CPU). Locaiile ei de memorie sunt numite regitri.

Regitrii sunt deci locaii de memorie al cror rol este de a ajuta prin executarea a variate operaii matematice sau a altor operaii cu date oriunde se vor fi gsit datele. S privim la situaia curent. Avem dou entiti independente (memoria i CPU) ce sunt interconectate, i astfel orice schimb de informaii este ascuns, ca i funcionalitatea sa. Dac, de exemplu, dorim s adugm coninutul a dou locaii de memorie i ntoarcem rezultatul napoi n memorie, vom avea nevoie de o conexiune ntre memorie i CPU. Mai simplu formulat, trebuie s avem o anumit "cale" prin care datele circul de la un bloc la altul.

Fig.15.29 Calea este numit "bus"- magistral. Fizic, el reprezint un grup de 8, 16, sau mai multe fire. Sunt dou tipuri de bus-uri: bus de adres i bus de date. Primul const din attea linii ct este cantitatea de memorie ce dorim s o adresm, iar cellalt este att de lat ct sunt datele, n cazul nostru 8 bii sau linia de conectare. Primul servete la transmiterea adreselor de la CPU la memorie, iar cel de al doilea la conectarea tuturor blocurilor din interiorul microcontrolerului.

Fig.15.30 n ceea ce privete funcionalitatea, situaia s-a mbuntit, dar o nou problem a aprut de asemenea: avem o unitate ce este capabil s lucreze singur, dar ce nu are nici un contact cu lumea de afar, sau cu noi! Pentru a nltura aceast deficien, s adugm un bloc ce conine cteva locaii de memorie al cror singur capt este conectat la bus-ul de date, iar cellalt are conexiune cu liniile de ieire la microcontroler ce pot fi vzute cu ochiul liber ca pini la componenta electronic. Unitatea intrare-ieire Aceste locaii ce tocmai le-am adugat sunt numite "porturi". Sunt diferite tipuri de porturi: intrare, ieire sau porturi pe dou-ci. Cnd se lucreaz cu porturi, mai nti de toate este necesar s se aleag cu ce port urmeaz s se lucreze, i apoi s se trimit date la, sau s se ia date de la port.

Fig.15.31 Cnd se lucreaz cu el portul se comport ca o locaie de memorie. Ceva este pur i simplu scris n sau citit din el, i este posibil de a remarca uor aceasta la pinii microcontrolerului. Comunicaia serial Cu aceasta am adugat la unitatea deja existent posibilitatea comunicrii cu lumea de afar. Totui, acest mod de comunicare are neajunsurile lui. Unul din neajunsurile de baz este numrul de linii ce trebuie s fie folosite pentru a transfera datele. Ce s-ar ntmpla dac acestea ar trebui transferate la distan de civa kilometri? Numrul de linii nmulit cu numrul de kilometri nu promite costuri eficiente pentru proiect. Nu ne rmne dect s reducem numrul de linii ntr-un aa fel nct s nu scdem funcionalitatea. S presupunem c lucrm doar cu 3 linii, i c o linie este folosit pentru trimiterea de date, alta pentru recepie i a treia este folosit ca o linie de referin att pentru partea de intrare ct i pentru partea de ieire. Pentru ca aceasta s funcioneze, trebuie s stabilim regulile de schimb ale datelor. Aceste reguli sunt numite protocol. Protocolul este de aceea definit n avans ca s nu fie nici o nenelegere ntre prile ce comunic una cu alta. De exemplu, dac un om vorbete n francez, i altul vorbete n englez, este puin probabil c ei se vor nelege repede i eficient unul cu altul. S presupunem c avem urmtorul protocol. Unitatea logic "1" este setat pe linia de transmisie pn ce ncepe transferul. Odat ce ncepe transferul, coborm linia de transmisie la "0" logic pentru o perioad de timp (pe care o vom desemna ca T), aa c partea receptoare va ti c sunt date de primit, aa c va activa mecanismul ei de recepie. S ne ntoarcem acum la partea de transmisie i s ncepem s punem zero-uri i unu-uri pe linia de transmisie n ordinea de la un bit a celei mai de jos valori la un bit a celei mai de sus valori. S lsm ca fiecare bit s rmn pe linie pentru o perioad de timp egal cu T, i la sfrit, sau dup al 8-lea bit, s aducem unitatea logic "1" napoi pe linie ce va marca sfritul

transmisiei unei date. Protocolul ce tocmai l-am descris este numit n literatura profesional NRZ (Non-Return to Zero).

Fig.15.31 Unitatea serial folosit pentru a trimite date, dar numai prin trei linii Pentru c avem linii separate de recepie i de transmitere, este posibil s recepionm i s transmitem date (informaii) n acelai timp. Blocul aa numit full-duplex mode ce permite acest mod de comunicare este numit blocul de comunicare serial. Spre deosebire de transmisia paralel, datele sunt mutate aici bit cu bit, sau ntr-o serie de bii, de unde vine i numele de comunicaie serial. Dup recepia de date trebuie s le citim din locaia de transmisie i s le nmagazinm n memorie n mod opus transmiterii unde procesul este invers. Datele circul din memorie prin bus ctre locaia de trimitere, i de acolo ctre unitatea de recepie conform protocolului. Unitatea timer Acum c avem comunicaia serial, putem recepiona, trimite i procesa date.

Fig.15.32

Totui, pentru noi ca s putem s l folosim n industrie mai avem nevoie de cteva blocuri. Unul din acestea este blocul timer care este important pentru noi pentru c ne d informaia de timp, durat, protocol etc. Unitatea de baz a timer-ului este un contor liber (free-run) care este de fapt un registru a crui valoare numeric crete cu unu la intervale egale, aa nct lundu-i valoarea dup intervalele T1 i T2 i pe baza diferenei lor s putem determina ct timp a trecut. Acesta este o parte foarte important a microcontrolerului al crui control cere cea mai mare parte a timpului nostru. Watchdog-ul nc un lucru ce necesit atenia noastr este funcionarea fr defecte a microcontrolerului n timpul funcionrii. S presupunem c urmare a unei anumite interferene (ce adesea se ntmpl n industrie) microcontrolerul nostru se oprete din executarea programului, sau i mai ru, ncepe s funcioneze incorect.

Fig.15.33 Bineneles, cnd aceasta se ntmpl cu un calculator, l resetm pur i simplu i va continua s lucreze. Totui, nu exist buton de resetare pe care s-l apsm n cazul microcontrolerului care s rezolve astfel problema noastr. Pentru a depi acest obstacol, avem nevoie de a introduce nc un bloc numit watchdogcinele de paz. Acest bloc este de fapt un alt contor liber (free-run) unde programul nostru trebuie s scrie un zero ori de cte ori se execut corect. n caz c programul se "nepenete", nu se va mai scrie zero, iar contorul se va reseta singur la atingerea valorii sale maxime. Aceasta va duce la rularea programului din nou, i corect de aceast dat pe toat durata. Acesta este un element important al fiecrui program ce trebuie s fie fiabil fr supravegherea omului.

Convertorul Analog-Digital Pentru c semnalele de la periferice sunt substanial diferite de cele pe care le poate nelege microcontrolerul (zero i unu), ele trebuie convertite ntr-un mod care s fie neles de microcontroler. Aceast sarcin este ndeplinit de un bloc pentru conversia analog-digital sau de un convertor AD. Acest bloc este

responsabil pentru convertirea unei informaii despre o anumit valoare analogic ntr-un numr binar i pentru a o urmri pe tot parcursul la un bloc CPU aa ca blocul CPU s o poat procesa.

Fig.15.34 Astfel microcontrolerul este acum terminat, i tot ce mai rmne de fcut este de a-l pune ntr-o component electronic unde va accesa blocurile interioare prin pinii exteriori. Imaginea de mai jos arat cum arat un microcontroler n interior. Bibliografie 1. Gh. Maxim, Dispozitive electronice vol.I i II, Rotaprint U.T. Iai 2. P. E. Gray i C. L. Searle, Bazele electronicii moderne vol.I i II, Editura Tehnic, 1973 (sau copie la Rotaprint-3vol., 1981)

3. P. R. Gray i R. G. Meyer, Circuite integrate analogice analiz i proiectare, Editura Tehnic, 1983 sau 1997 4. 5. 6. 7. 8. 9. E. Dasclu, s.a. Dispozitive i circuite electronice - culegere de probleme, E.D.P., 1982; ***, Dispozitive i circuite electronicendrumar de laborator, Rotaprint U.T. Iai, 1984 Circuite electronice, Dasclu, L. Turic, I. Hoffman, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1981 Circuite integrate liniare, A. M. Manolescu, A. Manolescu, I. Mihu, T. Murean, L. Turic, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1983 Circuite integrate digitale, Gh. S. tefan, I. V. Drghici, T. Murean, E. Barbu, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1983 Mircea Clugreanu i alii Electronic industrial EDP Bucureti 2001;