Sunteți pe pagina 1din 71

UNIVERSITATEA DIN PETROANI

CATEDRA AUTOMATIC, INFORMATIC APLICAT


I CALCULATOARE

ELECTRONIC ANALOGIC
I DIGITAL
Conf.dr.ing. NICOLAE PTRCOIU
Asist.drd.ing. ADRIAN TOMU

An univ. 2009-2010

BIBLIOGARFIE
1.

Poanta Aron

Dispozitive si circuite electronice Vol I.


Editura Universitatea Petrosani, 1997

2.

Poanta Aron

Dispozitive si circuite electronice Vol II.


Editura Universitatea Petrosani, 1997

3.

Poanta Aron, Patrascoiu Nicolae

Circuite si echipamente electronice in industrie.


Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1997

4.

Pop Emil, Poanta Aron

Electronic industrial. Indrumtor de laborator.


Editura Universitatea Petrosani, 1984

5.

Popescu Viorel, Lascu Dan

Electronica industriala.
Universitatea Politehnica Timisoara, 1996

6.

Anghel Sorin Dan

Circuite electronice analogice si digitale


Universitatea Babes Bolyai, Cluj-Napoca, 2006

7.

Patrascoiu Nicolae

Electronic analogic i digital


Curs pe suport magnetic. Universitatea din Petroani, 2008

An univ. 2009-2010

SCURT ISTORIC
Definiie.

vechime 115 ani

nceputul n 1895 cnd s-a realizat prima transmisie la distan a undelor electromagnetice fr fir;

se dezvolt rapid prin construirea de dispozitive electronice

1904 dioda cu vid descoperit de Fleming

1906 trioda, primul amplificator descoperit de Lee de Forest, urmeaz pentoda, tetroda

1924 dioda cu cristal descoperit de Losev

bazele dispozitivelor construite n baza fenomenului de micare a electronilor n cristale sunt puse
odat cu prezentarea modelului energetic al electronului n cristale n 1930 Strult

1947 efectul de tranzistor descoperit de Schokley

1948 tranzistorul descoperit de Barden i Brattain

1950-1960 se nlocuiesc tuburile cu dispozitive semiconductoare

dup 1960 cablaj imprimat

1964 Texas Instruments prima serie de circuite integrate

1974 microprocesoare Intel 8 bii

Romnia
1905 telegrafia fr fir
1924 primul emitor radio
1954 televiziunea

An univ. 2009-2010

1. ELEMENTE DE CIRCUIT
Def. Elementul de circuit
Def. Dispozitivul electronic
Def. Circuitul electronic

An univ. 2009-2010

1. ELEMENTE DE CIRCUIT
de tensiune
surse

de curent

Elementele de circuit:

pasivi
receptori

1.1 Surse

ideali
Sursa de curent

Sursa de tensiune
Simbol

activi

>>

Simbol

>

U0

I0

I
Fig.1.1. Caracteristica static a
sursei de tensiune

dU
Ri =
=0
dI
An univ. 2009-2010

Fig.1.2. Caracteristica
sursei de tensiune

Ri =

I
static a

1
dU
=

dI
dI
dU

1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2. Receptori
Receptorii sunt elemente de circuit ce primesc o anumit
energie la intrare, de valoare wi i o transfer ctre ieire la
valoarea we.

wi

Receptor

we

n funcie de raportul ntre cele dou energii, de intrare i ieire receptorii se clasific astfel:
wi > we receptor pasiv de circuit, caracterizat prin faptul c diferena dintre energii
wi we > 0 este datorat pierderilor pe aceste elemente
wi < we receptor activ, caracterizat prin faptul c diferena dintre energii we wi > 0 este preluat de
la o surs de alimentare, un astfel de receptor nu poate funciona fr aport energetic de la o surs
wi = we receptor ideal, ntlnit numai n modelarea dispozitivelor i circuitelor electronice

An univ. 2009-2010

1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.1. Rezistorul

Simbol

Rezistor variabil
(poteniometru)

Rezistor fix

1k = 103 ,
1M = 103 k = 106 ,
1G = 103 M = 106 k = 109

Rezistorul element pasiv de circuit


mrimea fizic rezisten electric R : [R]SI= (ohm)

Marcarea valorii
rezistenei electrice
pe corpul rezistorului

n clar

10k

150
4k7

Rezistor semivariabil

10 k
150
4,7 k

prin codul culorilor


poate lipsi

Valoarea marcat pe corpul rezistorului = valoarea nominal RN

Pd = R I 2 Pd = 0,125W; 0,25 W; 0,5W; 1W; 2W; 3W


I

U
An univ. 2009-2010

aplicaii fundamentale
limitarea curentului

I=

U
; U = R I
R

R RN

1 prima cifr semnificativ;


2 a doua cifr semnificativ;
3 a treia cifr semnificativ;
m multiplicator;
t tolerana;

T [%] =

RN R
RN

100

divizor de tensiune

I=

U
R1 + R2

U = R2 I =

R2
U
R1 + R2

1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.1. Rezistorul, forme de prezentare

An univ. 2009-2010

1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.2. Condensatorul
Simbol
fix

electrolitic

variabil

1mF = 10-3 F,
1F = 10-3 mF = 10-6 F,
1nF = 10-3 F = 10-6 mF = 10-9 F
1pF = 10-3 nF = 10-6 F = 10-9 mF = 10-12 F

Condensatorul element pasiv de circuit


mrimea fizic capacitatea electric C : [C]SI= F (farad)
Marcarea valorii
capacitatii electrice
pe corpul condensatorului

20 F
50 V
+

n clar

semivariabil (trimer)

e
d
c
b
a

prin codul culorilor

Pentru identificarea aplicaiilor tipice ale condensatoarelor se consider relaiile de definire a capacitii
electrice n raport cu sarcina Q

C=
i=

1
Q
U = Q
U
C
t

dQ
dQ = idt; Q = idt
dt
0

An univ. 2009-2010

1
U = idt
C0

n curent alternativ condensatorul


de capacitate C este caracterizat
prin reactana capacitiv XC

XC =

i=

dQ d (C U )
dU
=
=C
;
dt
dt
dt

1
1
=
C 2 f C

i =C

dU
dt

1. ELEMENTE DE CIRCUIT

An univ. 2009-2010

1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.3. Bobina
Simbol

LV

cu miez

variabil

L
fixe

Bobina element pasiv de circuit


mrimea fizic inductana electric L : [L]SI= F (henry)
Pentru identificarea aplicaiilor tipice ale condensatoarelor se consider relaiile de definire a capacitii
electrice n raport cu sarcina Q

= Li
i
d d ( L i )
di
u=
=
= L ; u dt = L di
dt
dt
dt
L=

1
i = u dt
L0

u=
n curent alternativ bobina de
inductan L este caracterizat prin
reactana capacitiv XL
An univ. 2009-2010

d d ( L i )
di
di
=
=L ; u=L
dt
dt
dt
dt

XL = L = 2 f L

1. ELEMENTE DE CIRCUIT

An univ. 2009-2010

1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.4. Transformatorul
nfurare
primar

miez
magnetic

i1

u1

u2

Considernd puterea P1 din primar, P2 puterea din secundar i


randamentul al transformatorului, care este o mrime
adimensional i subunitar ( 0,8) i avnd n vedere relaia
de definire a puterii P = u i electrice se poate scrie

nfurare
secundar

P2 = P1

Rs

u2 i 2 = u1 i1
deci:

2
Prin mprire cu i1 rezult

An univ. 2009-2010

u1

u 2 = R s i2

R S i 22 = u1 i1

i
1
R S 2 = u1
i1
i1

Avnd n vedere raportul de transformare


i introducnd mrimea

dar

1
= r1
i1

n1 u1 i 2
=
= =k
n2 u2 i1

R S k 2 = r1 deci

r1 =

1 2
k RS

1. ELEMENTE DE CIRCUIT

An univ. 2009-2010

2. ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR


Banda de conducie

Banda de conducie

Banda de conducie

Electron
Banda de valen
CONDUCTOR

Banda de valen

Banda de valen

SEMCONDUCTOR

IZOLATOR

Electron
liber

An univ. 2009-2010

Gol

2. ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR


= Edx
D1 :

x E

1 = 0
lp E 0

de unde

D2 :

x E

1 = 0
ln E 0

de unde

x
E = E 0 1
lp

x
E = E 0 1
ln

E = 0, x < l n

E = E 0 x + 1, l n x 0

E = E x 1, 0 < x l
0
p

ln

E = 0, x > l p

= C1 = 1

E x
E
+ E0 x = 0 x 2 + E0 x
=+ 0
lp 2
2l p

2
= E 0 x + E x = E 0 x 2 + E x
0
0

ln 2
2l n

= C2 = 2

An univ. 2009-2010

-1

0= 2 - 1

2. ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR

E E n
p

ES ES

+ -- +
U U

0 0-U0
0+U
U

An univ. 2009-2010

3. DIODE
3.1. Dioda semiconductoare
Definire
Structur

Structur
Redresoare:de putere mic, medie, mare
Diodele pot fi Detecie
Speciale:Zener, Varicap, Tunel, Pin, Gunn
D

caracteristica
static
caracteristica volt
ampermetric

U
E

I
I

I = Ii e U 1

polarizare
invers

polarizare
direct
teoretic

UST

experimental

II

U
U 0 = 0,2 0,3V pentru Ge 0
U 0 = 0,6 0,7 V pentru Si
U
Rd = T
I
An univ. 2009-2010

Simbol

I
caracteristica
static liniarizat

R d = tg sau

AdI I 1
dU

I = Iie

UT
U
UT

Ii e

Rd

U
UT

deci

1
1
dI
=
=
R d tgU
dU

dI
I
=
dU U T

dioda
ideal

si deci R d =

C
UT
I

3. DIODE
A

3.2. Dioda Zener

Rs
Unestab
R + Rs
max
Unestab
min
Unestab

Unestab

Iz

Iz min

Ustab
R

Iz max

Iz

R Rs
Rs

min
I z max
=

U
U
nestab
stab R + R
R + RS
s

R Rs
Rs
U stab =
I z min
U max

nestab

R + Rs
R + Rs

An univ. 2009-2010

Iz

Is
RS

Unestab = R I + Ustab
I = I z + Is = I z +

A PSF

Izmax

Simbol
Stabilizator parametric

Caracteristica static Structur


I
Polarizare invers Polarizare direct
Uzmax Uzmin
U
Izmin= 210 mA

Ustab

Ustab
Rs

U
Unestab = R Iz + stab + Ustab
Rs

R
Unestab = R Iz + + 1 Ustab
Rs
Rs
R Rs
Unestab
Iz
Ustab =
R + Rs
R + Rs

3. DIODE

An univ. 2009-2010

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.1. Structur i funcionare
j2

j1
p

j1

B
+

UBC

UEB

UBE

0
UBC

UBE

C
B

C
B

UCB
x

UBE

+
UCB

An univ. 2009-2010

B
+

j2

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.2. Ecuaiile de funcionare ale tranzistorului bipolar
p
n
p
IE
IC'
E
C
IE

ICB 0

IB
IB

IE = IC

IC =

IC'

+ ICB 0

IC'
= <1
IE

IC' = IE

IC

Ecuaiile simplificate

IE = IC + IB

IC = IE + ICB 0

IE = IE + ICB 0 + IB

= 0.9 0.999

IC =

IB +

=
1
An univ. 2009-2010

IE = IC + IB = ( + 1) (IB + ICB 0 )

UBC

UEB

cazul ideal

/ : (1 )
IE (1 ) = IB + ICB 0
1
1
IE =
IB +
ICB 0
1
1

ICB 0 + ICB 0 =

IB + 1 +
ICB 0
1
1

IE = IC + IB

IC = IB
I = ( + 1) I
B
E

IC = IB + ( + 1) ICB 0

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.3. Regimul static de funcionare al tranzistorului bipolar
UCB
B

IC

dI i
0
dt

IB

dU i
0, i = 1 3
dt

U CE = U CB + U BE

UC
E

UBE

I E = IC + I B

IE

IC

E
B
UBE

IB

UCE

IE

UEB

IC

UCB

IE
B
UBE

IB

E
UCE
C

Conex. emitor comun EC Conex. baz comun BC Conex. colector comun CC


caracteristica de intrare

caracteristica de intrare

caracteristica de intrare

caracteristica de ieire

caracteristica de ieire

caracteristica de ieire

I B = f (U BE ) U ce =cons tan t

I C = f (U CE ) I B =cons tan t

An univ. 2009-2010

I E = f (U EB ) U CB =cons tan t

I C = f (U CB ) I E =cons tan t

I B = f (U BC ) U CE =cons tan t

I E = f (U EC ) I B =cons tan t

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.3. Regimul static de funcionare al tranzistorului bipolar

An univ. 2009-2010

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


dI i
0,
dt

4.4 Regimul dinamic de funcionare al tranzistorului


D1

UBE

e
e

U BE
UT

U BE
UT

U BE U BE
U T U T
= 1+
+
1!
2!
1+

U BE
UT

cuadripol

I1

U BE

+ UT
3!

U EB << U T

U1 = h11 I1 + h12U 2

I 2 = h21 I1 + h22U 2

U2

U1
E

rE
An univ. 2009-2010

UUBE
I E = I i e T 1

+ = 1 + U BE + 1 U BE
U T 2 U T

U BE
<< 1
UT

I2

D2

IE

dU i
0
dt

<<
rB
B

1 U BE
+
6 UT

U1
U 2 =0
h12U 2
I1
h11I1
U
h12 = 1 I1 =0 >
U2
I
U1 h21 = I2 U 2 =0
1
I2
h22 =
I =0
U2 1
h11 =

IB

I E = Ii

h22
<<
h21I1

U BE
UT

I2
U2

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.5. Limitri n funcionarea tranzistorului
Principalele mrimi asupra valorilor crora se impun limitri sunt: tensiunea colectorul emitor, UCE; curentul
de colector IC; puterea dezvoltat pe tranzistor PD.
M
I. Depirea valorii maxime admise a IC = M ( IE + ICB 0 )
tensiunii UCE multiplicarea prin
UCE UCE max
1
1
M=
avalan a purttorilor de sarcin
n

U
UCE
CE
II. A doua limitare se impune asupra

1
UCEstr
curentului de colector prin realizarea
UCEstr
condiiei IC IC max
+ EC
Pd max
III. A treia limitare se impune puterii Pd Pd max
IC =
dezvoltate n tranzistor
RC
UCE IC Pd max
UCE

EC
RC

IC

dreapta de sarcina

UCE

IC = IC max

IC max

hiperbola de disipatie

PSF
UCE max

An univ. 2009-2010

UCE = UCE max

IC

UCE
EC

EC = RC IC + UCE

IC =

1
1
EC
UCE
RC
RC

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.6. Polarizarea i stabilizarea termic a tranzistorului
4.6.1. Definire
Polarizare
Stabilizare termic: aprecierea stabilizrii termice se face prin coeficient de stabilizare termic S = dIC
Se consider relaia de definire a curentului I = I + ( + 1) I
C
B
CB 0
de colector conform ecuaiilor de funcionare

dIC
dI
dI
= B + ( + 1) CB 0
dT
dT
dT
dI
dI
1 = B + ( + 1) CB 0
dIC
dI
C
1
S

/:

dICB 0

care prin derivare n raport cu


temperatura T

dIC
dT

dI
+1
1 B =
dIC
S

Se observ c pentru ndeplinirea condiiei la limit de stabilitate


termic absolut adic S = 1 este necesar ndeplinirea condiiei

dIB
= 1
dIC

S=

+1
1

dIB
dIC

dIB = dIC

Prin schema de polarizare trebuie s se asigure i stabilizarea termic a poziiei punctului static de
funcionare. Din punct de vedere al polarizrii i stabilizrii termice exist urmtoarele scheme de polarizare:
polarizarea independent;
polarizarea cu reacie din colector;
polarizarea cu reacie din emitor;
polarizarea automat sau cu divizor rezistiv n baz.
Analiza acestor scheme din punct de vedere al polarizrii i stabilizrii termice presupune calculul mrimilor
electrice ce definesc poziia punctului static de funcionare adic valorile UCE0, IC0, IB0 i coeficientului de
stabilizare termic al schemei S
An univ. 2009-2010

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.6. Polarizarea i stabilizarea termic a tranzistorului
4.6.2. Polarizarea independent
Aplicnd teorema II Kirchhoff pe circuitul baz emitor al tranzistorului

RB
IB

RC
T

+ EC

IC

IB = IB 0 =

EC UBE
RB

Valoarea curentului IB nu este determinat de variaia curentului IC deci


UC

UBE

EC = RB IB + UBE

dIB
=0
dIC

S=

+1

dI
1 B
dIC

= + 1 >> 1

Cunoscnd IB, n punctul static de funcionare IB0, pe baza ecuaiilor de funcionare ale tranzistorului se
poate determina valoarea curentului de colector, IC, n punctul static de funcionare, IC0

IC = IC 0 = IB 0 + ( + 1) ICB 0 IB 0

Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector emitor rezult

EC = RC IC + UCE
UCE = UCE 0 = EC RC IC 0

An univ. 2009-2010

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.6. Polarizarea i stabilizarea termic a tranzistorului
4.6.3. Polarizarea cu reacie din colector
Aplicnd teorema II Kirchhoff pe circuitul baz emitor al tranzistorului
RC
RB
IB

IB =

1
RC
(EC UBE )
IC
RC + RB
RC + RB

UC
UBE

IC = IB
IB = IB 0 =

= (RC + RB ) IB + RC IC + UBE

I = IC + IB

I
IC

EC = RC (IC + IB ) + RB IB + UBE =

EC = RC I + RB IB + UBE

+
EC

S=

IB =

+1
1

dIB
dIC

+1
1+

RC
1
(EC UBE )
IB
RC + RB
RC + RB

EC UBE
RC ( + 1) + RB

dIB
RC
=
dIC
RC + RB
RC
RC + RB

RC EC UBE
=
IB 1 +
+
R
R
RC + RB
C
B

IC = IC 0 = IB 0 + ( + 1) ICB 0 IB 0

Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector emitor rezult

EC = RC I + UCE = RC (IC + IB ) + UCE

UCE = UCE 0 = EC RC (IC 0 + IB 0 )

An univ. 2009-2010

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.6. Polarizarea i stabilizarea termic a tranzistorului
4.6.4. Polarizarea cu reacie din emitor
Aplicnd teorema II Kirchhoff pe circuitul baz emitor al tranzistorului
+ EC EC = RB IB + UBE + RE IE
EC = RB IB + UBE + RE (IB + IC ) =
RB
IC
IB T
UBE

UCE

IB =

1
RE
(EC UBE )
IC
RB + RE
RB + RE

IE

S=

RE

IC = IB
IB = IB 0 =

= (RB + RE ) IB + UBE + RE IC

IE = IB + IC

IB =

+1
1

dIB
dIC

dIB
RE
=
dIC
RB + RE
+1

1+

RC
RC + RB

RB
1
(EC UBE )
IB
RB + RE
RB + RE

EC UBE
RE ( + 1) + RB

RE
IB 1 +
RB + RE

IC = IC 0 = IB 0 + ( + 1) ICB 0 IB 0

Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector emitor rezult

EC = UCE + RE IE = UCE + RE (IC + IB )

UCE = UCE 0 = EC RE (IC 0 + IB 0 )

An univ. 2009-2010

EC UBE
=
RB + RE

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.6. Polarizarea i stabilizarea termic a tranzistorului
4.6.4. Polarizarea automat
Se aplic teoremele I Kirchhoff pe nodul din circuitul baz emitor al tranzistorului

+ EC

R1
T
I1 IB
I2
EB

R2

I1 = I2 + IB

RC

UBE

IC
IE
RE

i ochiurile de reea din circuitul baz emitor al tranzistorului

EC = R1I1 + R2I2

1
RE
RE
(
)
R

I
=
R

I
+
I
+
U
0
R
I
U
R
I
=
+

I
=

I
+

I
+
UBE
E
B
C
BE
2
2
2
2
E
E
BE
B
C
2
UCE
R2
R2
R2

I1 =

RE + R2
R
1
IB + E IC +
UBE
R2
R2
R2

EC = RE IB + RE IC + UBE +

R1
R
R
(RE + R2 ) IB + 1 RE IC + 1 UBE
R2
R2
R2

R + R2
R + R2
R + R2
EC = RE 1
IC + 1
UBE
+ R1 IB + RE 1
R
R
R

2
2
2
R2
x
0
R1 + R2

R2
EC UBE
RE
R1 + R2
IB =

I
R1 R2
R1 R2 C
RE +
RE +
R1 + R2
R1 + R2
An univ. 2009-2010

R2
R R
EC = RE + 1 2 IB + RE IC + UBE
R1 + R2
R1 + R2

dIB
RE
=
R R
dIC
RE + 1 2
R1 + R2

S=

+1
1

dIB
dIC

+1

1+

RE
R R
RE + 1 2
R1 + R2

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.6. Polarizarea i stabilizarea termic a tranzistorului
4.6.4. Polarizarea automat (continuare)

R2
EC UBE
RE
R1 + R2
IB =

I
R1 R2
R1 R2 C
RE +
RE +
R1 + R2
R1 + R2

IC = IB
IC = IC 0 = IB 0 + ( + 1) ICB 0 IB 0
+ EC

RC

R1
T

R2

An univ. 2009-2010

IC
IE
RE

R2
EC UBE
RE
R1 + R2
IB =

I
R1 R2
R1 R2 B
RE +
RE +
R1 + R2
R1 + R2

IB = IB 0

R2
EC UBE
R1 + R2
=
R1 R2
+ ( + 1) RE
R1 + R2

Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector emitor rezult

EC = RC IC + UCE + RE IE = RC IC + UCE + RE (IC + IB )

UCE

UCE = UCE 0 = EC (RC + RE ) IC 0 RE IB 0

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.6. Polarizarea i stabilizarea termic a tranzistorului
4.6.5. Metode neliniare de polarizare i stabilizare
Metodele neliniare de polarizare i stabilizare utilizeaz elemente neliniare a cror caracteristic este
dependent de temperatur, cele mai utilizate astfel de elemente fiind dioda i termistorul
Utilizarea diodelor
Rezistena R din schema de polarizare automat o diod D
2

IC
R1
I1

IB

UCE

UBE

Ii

ED

polarizat invers
+ EC jonciunea acesteia s fie de acelai tip cu cea a tranzistorului
RC
cele dou dispozitive se monteaz astfel nct s fie la aceiai temperatur
Aplicnd teorema I Kirchhoff i teorema II Kirchhoff pe circuitul baz emitor i
innd seama de ecuaiile de funcionare ale tranzistorului

RE
IE

EC = R1 I1 + UBE + RE IE

I1 = IB + Ii
IE = IC + IB

IC = IB + ( + 1) ICB 0

Eliminnd ntre aceste ecuaii curenii I1, IB i IE se obine


+1
+1
EC =
(R1 + RE ) IC
(R1 + RE ) ICB 0 + R1 Ii + UBE

IC =

EC UBE
R1
+ ICB 0

I
+ 1 R1 + RE
+ 1 R1 + RE i

Din aceast relaie se va obine curentul invers al diodei necesar compensrii

Ii =
An univ. 2009-2010

+ 1 R1 + RE
1
1
ICB 0

ICB 0 = 1 + 1 +

RE
RE

ICB 0

R1
I = 0
+ 1 R1 + RE i

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.6. Polarizarea i stabilizarea termic a tranzistorului
4.6.5. Metode neliniare de polarizare i stabilizare
Utilizarea termistorului
Schema reprezint o variant modificat a schemei de polarizare automat n care
divizorul rezistiv este format din rezistena R1 i termistorul RT iar n cazul
IC
+ EC considerat este eliminat rezistena R
E
RC
Aplicnd teorema II Kirchhoff i teorema I Kirchhoff pe circuitul baz emitor
R1
EC = R1 I1 + UBE

EC = R1 (IB + IT ) + UBE

I1
IB T
I1 = IB + IT
1
1
E

IB = C
+ UBE
R1 RT R1
UBE
IT U
R

I
=
U
I
=
BE
T T
BE
T
RT
o
t
RT
RE
termistor

An univ. 2009-2010

Creterea temperaturii determin creterea curentului de colector i scderea


rezistenei RT ceea ce va determina conform relaiei scderea curentului IB. La rndul
su scderea curentului IB determin pe baza ecuaiilor de funcionare ale
tranzistorului scderea deci compensare creterii curentului IC. Aceast schem
realizeaz o compensare mai pronunat a variaiei tensiunii UBE cu temperatura

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


Analiza unui amplificator elementar cu un tranzistor
+ EC Prin analiza acestui circuit se urmrete determinarea urmtoarelor :
RC
rezisten de intrare Ri,
rB
B
C
C
C
rezisten de ieire Ro,
R1
rE
amplificare n curent AI,
CB
IB
amplificare n tensiune AU.
T
R
R2 R1
R2

CE

RE

Ri = RB E = RB

{rB + [rE (RIB + RC ) ]}

RB = R1 R2 =

CB

R1

IB

rB

rE

R2
RE

An univ. 2009-2010

CE

RC
CC

+EC

T - model
cu
parametrii
naturali

R1 R2
R1 + R2

Ri = rB + rE

RIB + RC >> rE
rB + rE << RB

Ri = rB + ( + 1) rE

I E = ( + 1) I B
rE = ( + 1) rE

{RIB + [rE (rB + RB ) ]}


RIB + [rE (rB + RB ) >> RC ]
Ro = RC E = RC

AI = ?

AU = ?

RO = RC

4. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCIUNI


4.9. Regimul de comutaie al tranzistorului bipolar

RB

IB

IC

+
EC

RC

EC
RC

ICS

IC
T

A1

Starea de conducie a tranzistorului


corespunde funcionrii acestuia n zona de
saturaie sau la limita dintre zona activ
normal i zona de saturaie, punctul B
UCE = UCES = (0,2 0,5)V << EC

ICS =

IBS

Orict de mult ar crete curentul de baz


peste valoarea IBS curentul de colector
rmne la valoarea ICS

IC IB

An univ. 2009-2010

IC = ICB 0

B1

UCE

U CES

EC UCES EC
=
RC
RC
I
EC
= CS =

RC

Tranzistorul este blocat cnd ambele


jonciuni sunt polarizate invers, curentul
de colector al tranzistorului fiind
curentul invers al jonciunii colectorului

E1

Din ecuaiile de funcionare ale


I B = 0 tranzistorului

IC = IB + ( + 1) ICB 0

EC U CE

IC = ICB 0

E2

td

IB1
t

IB2
ICmax
0,9ICmax
0,1ICmax

IC

tcd

tci

ts t c

tr

ti
t
t0 t1 t2 t3

t4

t 5 t6

IB = 0

5. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP


5.1. Structur i funcionare
Dup modul de realizare tranzistorul cu efect de cmp poate fi:
tranzistor cu efect de cmp cu gril jonciune JFET,
tranzistor cu efect de cmp cu gril izolat prin oxid metalic MOSFET,
tranzistor cu efect de cmp cu straturi subiri TFET
Fa de tranzistorul bipolar, un tranzistor cu efect de cmp are cteva avantaje printre care:
admite tensiuni mai mari la terminale,
stabilitate bun fa de variaii de temperatur
datorit timpului de tranziie mai mic poate lucra la frecvene mai mari,
are mare imunitate la zgomote electrice,
are o construcie mai simpl.
Simboluri
Canal indus
D

UDS

UGS
gril surs

dren

j1

n
canal

ID

n
p

oxid de
siliciu
j1 SiO2

G
S
D

Canal iniial

S
D

G
S

canal p
An univ. 2009-2010

S
canal n

5. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP


dID
0
dt
Ca i n cazul tranzistorului bipolar i pentru tranzistorul cu efect de cmp regimul static este definit de dou
regiune
familii de caracteristici:
regiune de
regiune
de
nesaturat saturaie strpungere
ID
UGS3
1. caracteristici de ieire sau
UGS2
caracteristici de dren,
I = f (U )
ID ct

5.2. Regimul static al tranzistorului cu efect de cmp MOSFET

sau

DS U GS = ct

UGS1
UDS
Zona corespunztoare regiunii de saturaie corespunde unui curent de dren constant pentru UDS avnd valori mari. Funcionarea
tranzistorului n aceast zon are loc dac tensiunea de dren UDS depete valoarea tensiunii de dren de saturaie UDSS

(UDS > UDSS )

Valoarea constant a curentului de dren n aceast zon este dat de relaia:

2.

caracteristici de transfer
sau caracteristici de gril

ID

UDS3

IDS = K (UGS U p )

UDS2

UDS1
ID = f (UGS ) U

UGS

An univ. 2009-2010

DS

= ct

5. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP


5.2. Regimul static al tranzistorului cu efect de cmp MOSFET
Pentru polarizarea tranzistorilor cu efect de cmp MOSFET sunt utilizate dou principii
+ED

R1

RD

ID

R2
ED
R1 + R2
ED = RD ID + UDS

UGS 0 =

ID

CG
R

CD
UDS

ID =

ED UDS

RD RD

ID0

UGS

UDS0

Pentru MOSFET cu canal iniial la care tensiunea de grila UGS


poate avea att valori pozitive ct i negative se utilizeaz
schema de polarizare

CG

deoarece

IG = 0

UGS 0

R2
=
ED RS ID
R1 + R2

R
2

UDS
ED

+ED

R1

Avnd n vedere cderea de tensiune pe rezistena RS i faptul c

ID = IS

dreapta de
sarcin
UGS0
A

CD
ID
UDS
UGS
RS

CS

Nu este necesar ca circuitele de polarizare pentru MOSFET s realizeze i stabilizarea termic deoarece la
acest tip de tranzistor exist o dependen slab a caracteristicilor fa de variaiile de temperatur
An univ. 2009-2010

5. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP


5.3. Regimul dinamic al tranzistorului cu efect de cmp MOSFET
Regimul dinamic este caracterizat de variaii pronunate n raport cu timpul precum i
cu tensiunile dren surs UDS respectiv gril surs UGS ale curentului de dren ID

dID =

Prin derivare rezulta

Se introduc
notaiile

gm

f
f
dUDS +
dUGS
UDS
UGS

f
ID
=
=
UGS UGS

U DS = cons tan t

1
f
ID
gd =
=
=
rd UDS UDS

ID = f (UDS ,UGS )

dID = g m dUGS + gd dUDS


gm panta tranzistorului (transconductana)
gd conductana de dren

U GS = cons tan t

rd rezistena dinamic

Dac se consider regimul dinamic ca o succesiune de regimuri statice adic punctul static de funcionare i
schimb poziia din punctul de coordonate (UGSi, UDSi, IDi) ntr-un alt punct de coordonate (UGSj, UDSj, IDj)
tensiunile pe terminale avnd variaiile

UGS = UGSj UGSi

UDS = UDSj UDSi

i aceste puncte statice fiind pe caracteristica liniar


(gm i gd constante) se poate integra relaia rezultnd
G

Aceast relaie permite construirea


circuitului echivalent al MOSFET ului
pentru semnal mic i joas frecven

ID

UGS=Ug
gmUg

Amplificator MOSFET
An univ. 2009-2010

IG

rd

Id = g m UGS +
D

UDS=Ud

1
UDS
rd

6. TRANZISTORUL UNIJONCIUNE
6.1. Structur, funcionare, caracteristici
B2
n
E

l1
rB1
B1

U =

IE

IB

UEB1

rB1
UB 2B1 = UB 2B1
rB

UB2B1

B11

T2

polarizat invers dac UEB1 < U


polarizat direct dac UEB1 > U

B1
IE

UEB1 = U + U0 = UP

UB2B1=
0

=
B 2 B 1 ct

IV
Ip

An univ. 2009-2010

= 0,5 ... 0,8

Dac UB2B1 > 0 jonciune p n este:

rB1

Caracteristica static a TUJ este

IE = f (UEB1 ) U

rB = rB1 + rB 2
rB1
r
=
= B1
rB1 + rB 2 rB

T1

IB

B2
rB2

B2
l2
rB2

U1B2B1< U2B2B1<
U3B2B1
UEB1

UV

UP1 UP2 UP3

6. TRANZISTORUL UNIJONCIUNE
6.2. Aplicaie TUJ. Oscilatorul de relaxare
EB

IE
V

IV

EB
R

deapta de sarcin
M
P

Ip

EB

UC

+
-

ncrcare

tnc1
tnc2
tnc3

An univ. 2009-2010

IB2
IE
UEB1

UEB

UC

UC

EB

RB2

EB1

UP

UV

UC

UC

RB1

descrcare
URB1

t
tdesc

UP

IB1
RB

UB2B1

UC=UEB1

UV
tnc tdesc
T

y
t

7. DISPOZITIVE ELECTRONICE MULTIJONCIUNE


7.1. Diacul

A1

Definire, structur i simbol

A2

A1

A2

structur
simbol
Utilizat pentru a produce pulsuri de curent necesare la amorsarea unor dispozitive de comutaie, cum sunt
tiristoarele si triacele
IA

+E
A

- UB0

IH
IB0
UREZ
IB0
IH

An univ. 2009-2010

A1

UA1A2
UB0
30 40 V

A2

7. DISPOZITIVE ELECTRONICE MULTIJONCIUNE


7.2. Tiristorul
Definire, structur i simbol

T1
IE1=IA

T1

B
n

C
p

n
C

p
B

T2
n
E

IC1

I E1 = I A

Stingere

I B1 = I C 2

U AC = 0

I A < I0

I E 2 = I A + IG
I C1 = 1 I E1 + I CB 01 = 1 I A + I CB 01

I C 2 = 2 I E 2 + I CB 02 = 2 (I A + I G ) + I CB 02
I E1 = I C1 + I B1 = I C1+ I C 2

I + I CB 01 + I CB 02 2 I G + I CB 0
=
IA = 2 G
1 (1 + 2 )
1 (1 + 2 )

C
IA

IG

T2

I A = 1 I A + I CB 01 + 2 (I A + I G ) + I CB 02

IE2=IA+IG
An univ. 2009-2010

Pe baza ecuaiilor
tranzistorului bipolar

IB2=IC1+IG
IB1=IC2
UA

n-

Pe baza schemei echivalente

E
p

p+

J3

J2

prin circuitul anodic


Amorsare
prin circuitul grilei
UAC
IA
C
A
IG
UA
G
R
U
A

J1

UG

IG1 > IG2 > IG3


I0

I A = f (U AC ) I G =ct.

IG = 0
UAC
UAC0

8. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE SPECIALE


8.1.Termistorul
Definire. Simbol

to

n funcie de sensul de variaie al rezistenei cu temperatura termistoarele pot fi:


R
1 1
cu coeficient pozitiv de temperatur (PTC)
RN

B
T TN
cu coeficient negativ de temperatur (NTC)
R = RN e
I

U
E

to

I
A
U

An univ. 2009-2010

8. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE SPECIALE


8.2. Varistorul
Simbolul varistorului

I
U

An univ. 2009-2010

I = k U

8. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE SPECIALE


8.3. Generatorul Hall

I
E

An univ. 2009-2010

d
UH U H = k H
B

BI
d

8. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE OPTOELECTRONICE


Funcionarea se bazeaz pe relaia dintre proprietile unei jonciuni p n i un flux (vizibil sau n infrarou)
Dispozitive fotoreceptoare
Dispozitive fotoemitoare
8.4. Fotorezistena

An univ. 2009-2010

I[mA]

R
R0

1 > 2 > 3
2

3
U[V]

8. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE OPTOELECTRONICE


8.5. Fotodioda
I

j
E
A

An univ. 2009-2010

I = f (U ) =ct

R
fotodiod

celul
solar

8. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE OPTOELECTRONICE


8.6. Fototranzistorul
IC
C

p n
jE

p
B

I C = f (U CE ) =ct

1
E

UCE

I=
0
Imax

Vout 0
Vcc

An univ. 2009-2010

8. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE OPTOELECTRONICE


8.7. Dioda LED (Light Emitting Diode)

Datorit consumului redus de energie, faptului c lumina generat este rece acest
Simbol A
C dispozitiv este utilizat n special ca element de semnalizare
a
f

ILED R

I LED = 15 mA

U = R I LED + U LED

i tensiunea nominal

ULE

Considernd curentul nominal

U LED = 1,2 V

R=

PZ
anod comun

U U LED
I LED

catod comun
7 x LED

Optocuplorul

I
LED

An univ. 2009-2010

7 x LED

FT

d e

g h

9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.1. Definiii. Clasificri. Performane
tensiune
alternativ

tensiune
alternativ
cu
Transformator
amplitudine
(TR)
modificat

tensiune
continu
Redresor pulsatorie
(R)

n funcie de tipul dispozitivelor electronice utilizate

Redresoarele monofazate

Performanele
sunt apreciate
prin

Dubl alternan

Necomandate realizate cu diode


Comandate realizate cu tiristoare

Cu priz median
n punte

P
Randamentul conversiei = u
Pa

1
Pa = u i d (t )
T 0

forma de und a tensiunii redresate


valoarea medie a tensiunii redresate

Calitatea tensiunii redresate

U dm

F=

U de
U dm

1
= u (t ) d (t )
T 0

valoarea efectiv a tensiunii redresate U =


de
factorul de form

An univ. 2009-2010

Circuit
stabilizare

Monofazate
Polifazate - cele mai utilizate sunt cele trifazate

n funcie de numrul de faze redresate


Monoalternan

Filtru
(F)

tensiune
continu
filtrat

1
u 2 (t ) d (t )
T 0

9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.2. Redresoare monoalternan
Ia

TR

U AC

+
u

+
D

u=

2U sin(t )

Ud

b)

Rs

U max

Ud

Ud

U de
U dm

c)
2

n2
unde RT = r2 + r1
Rezistena intern a circuitului de redresare Ri = R T + Rd
n1
R
2 U sin (t )
u
S
2 U sin (t )
u S = RS i =
i=
=
tensiunea pe RS
+
R
R
Ri + RS
Ri + RS
i
S
U dm

1
=
2

Deoarece Ri << RS
2

U de

2 RS U
RS
RS
2 U
1
2 U
(
)
(
)
2
sin
cos

t
d
t

0 Ri + RS
Ri
2 (Ri + RS )
Ri + RS

0
+1
RS
U
U dm
U
2 U
2 U
0,45
dm
=
U dm =
0,45 U I dm =
Ri + RS
RS
R i + R S (R i + R S )

1
(
)

=
u
d
t

S
0
2

RS
RS
1 1 cos(2t )
1
2
(
)
(
)
=

d(t ) =
U
sin
t
d
t
2 U2
2
+

2
R
R
2
(R i + R S )
i
S

RS
RS
U
U
1
1 1
1 1

=
U
(t ) sin (2t ) =
Ri
2 2
2
Ri + RS
0
0
Ri + RS 2
+1 2
Rs

An univ. 2009-2010

Deoarece Ri << RS

U de =

U
0,707 U
2

9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.2. Redresoare monoalternan (parametrii)
Factorul de form F i respectiv coeficientul de ondulaie

F=

U de

U
=

= 1,57
U dm
2 2 U 2

= F 2 1 = 1,57 2 1 1,21
Pentru determinarea randamentului este necesar calcularea puterii utile Pu i a puterii absorbite Pa

Pu = U dm I dm = RS I dm
1
Pa =
2

1
2 U 2
= RS

(Ri + RS )2 2

U2
1 2 U 2
2
0 u i d (t ) = 2 0 Ri + RS sin (t ) d (t ) = 2 (Ri + RS )

Pu
RS
4
4
1
= 2
= 2
Pa Ri + RS Ri + 1
RS

Se observ c dac Ri << RS se poate neglija raportul celor dou rezistene i se obine un randament 45 %
iar n cazul n care nu se poate neglija rezistena intern a redresorului Ri n raport cu rezistena de sarcin RS,
adic rezistena de sarcin are o valoare mic se obine un randament < 40 %, deci un randament mic al
conversiei.
Pentru alegerea diodei redresoare se ine seama de valoarea maxim (de vrf) a tensiunii inverse aplicate
diodei i egal cu valoarea de vrf a tensiunii din secundarul transformatorului U max = 2 U precum i de
valoarea curentului mediu prin diod Idm. Aceste dou valori sunt utilizate pentru alegerea diodei pe baza
datelor de catalog, astfel:

U RWM > 2 U max

I 0 > I dm
Exemplu

An univ. 2009-2010

9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.2. Redresoare dubl alternan
D1

TR 1

u
0
u

Ud

D2

TR

D1

D2

Rs

D4

Ud

Ud

U max

Rs

Ud
U de
U dm

n2
unde RT = r2 + r1
Rezistena intern a circuitului de redresare Ri = RT +2 Rd
n1
R
2 U sin (t )
u
S
2 U sin (t )
u S = RS i =
i=
=
tensiunea pe RS
+
R
R
Ri + RS
Ri + RS
i
S

RS
RS
2 RS U
2 2 U
1
2 2 U
U dm = u S d (t ) =
2 sin (t ) d (t ) =
cos =

Ri
Ri + RS
0
0 Ri + RS
(Ri + RS )

+1
0
RS
2 2 U
U
2 2 U
U
Deoarece Ri << RS U dm =
0,9 U
I dm = dm =
0,9
1

U de

RS

RS

RS

2 RS
1 1 cos(2t )
(
)
(
)
U
t
d
t
U
=

d (t ) =
2
sin

2
R
R
0
+

2
(Ri + RS )
i
S
0
1

RS 2

2 RS
2 RS U
1 1
1 1
1
=

=
U
U
(t ) sin (2t ) =
R
Ri + RS
2
2
R
R
2
+
2
i
i
S
0
0
+1

Rs

An univ. 2009-2010

Deoarece Ri << RS

U de = U

9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.2. Redresoare dubl alternan (parametrii)
Factorul de form F i respectiv coeficientul de ondulaie

F=

U de

=U
=
1,11
U dm
2 2 U 2 2

= F 2 1 = 1,112 1 0,48
Pentru determinarea randamentului este necesar calcularea puterii utile Pu i a puterii absorbite Pa
2

Pu = U dm I dm = RS I dm = RS
Pa =

u i d (t ) =

(Ri + RS )

8 U 2

2 U 2
U2
2
(
)
(
)
sin

d
t
=
0 Ri + RS
Ri + RS
1

Pu
1
8 U 2 Ri + RS 8
1
=
= RS

Pa
Ri + 1
(Ri + RS )2 2 U 2
RS

Se observ c dac Ri << RS se poate neglija raportul celor dou rezistene i se obine un randament 81 %
iar n cazul n care nu se poate neglija rezistena intern a redresorului Ri n raport cu rezistena de sarcin RS,
adic rezistena de sarcin are o valoare mic se obine un randament < 80 %, deci un randament mult mai
bun dect al conversiei monoalternan.
Pentru alegerea diodei redresoare se ine seama de valoarea maxim (de vrf) a tensiunii inverse aplicate
diodei i egal cu valoarea de vrf a tensiunii din secundarul transformatorului U max = 2 U precum i de
valoarea curentului mediu prin diod Idm. Aceste dou valori sunt utilizate pentru alegerea diodei pe baza
datelor de catalog, astfel:
Pentru redresorul cu priz median

U RWM > 2 U max

I 0 > I dm
An univ. 2009-2010

Pentru redresorul n punte

U RWM > U max


I 0 > I dm

Exemplu 1
Exemplu 2

9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.3. Redresoare comandate cu tiristoare
TR
U d = f ( ), f = 0

~ u, f

Th

DCG

Rs

Ud

Ud

Pulsuri pt. amorsare

U dm

1
=
2

U dm =0 =

U de

1
=
2
=U

2 U
2 U sin (t ) d (t ) =
sin (t ) d (t ) =
2
max
U dm = U dm =0
2 U
2U
(1 + 1) =

U min = U
dm =
dm

2 U m
2 U
2 U
2 U
cos(t ) =
+
cos =
(1 + cos )
2
2

2 U

=0

1 1 cos(2t )
1 1
1 1
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
U
t
d
t
U
d
t
U
t
t

2
sin

sin
2


2
2
2
2

1
1
1 sin 2

(
)
(
)
U

sin
2

sin
2

2
2
2 2
4

U
max
U de = U de =0 =
2

U min = U
de = = 0
de
An univ. 2009-2010

10. CIRCUITE PENTRU FILTRAREA TENSIUNII REDRESATE


10.1.Filtrul cu condensator
Ri

R
Ud

ic

Ud = R i +US

iS
iC
C

UC

Ud

dU S U S
dU S R
+ U S = R C
+
U d = R C
+ US +US
dt
RS
dt
RS

dU C
dU S

iC = C dt = C dt
i = iC + iS

iS = U S

RS
dU S R + RS
R C
+
U S = U d
dt
RS
R + RS
:
0
R RS
dU S
RS
RS
C
+US =
U d
R + RS
dt
R + RS

R RS
R + R C = T cons tan ta de timp a filtrului

S
Se introduc urmtoarele notaii
RS = k
coeficientul de transfer
R + RS

Soluia ecuaiei difereniale

U S (t ) = k e

t
T

U d ,U S

1
T

2f

R Rs
1
C

R + Rs
2f

An univ. 2009-2010

dU S
+ U S = k U d
dt

US
Ud

U d (t )

Pentru o bun filtrare constanta de timp


trebuie s fie mai mare dect pulsaia
tensiunii redresat, astfel c se obine
succesiv

R + RS 1

R RS 2f

Exemplu

11. STABILIZATOARE DE TENSIUNE


Re dresor

Filtru

Ui

UZ

Stabilizator U s

U BE

IB
IZ

US

RS

1
U i + Ri iS + ST T
S
U S
iS =
RS

U S U BE (I E = iS ) U S = (RS iS )

R
1
U S = U i i U S
S
RS

T1

R5

IE1
I1

R2 U BE 2

I B1

iS

T2

R4

ui

T3

US

IB3

= U BE 3

UR

R5

UZ

US

U S U BE (I E = iS ) U S = (RS iS )

tg = Ri
iS
An univ. 2009-2010

U BE U = U Z U SC
U
I E = I i BE
UT

IC3

U BE = U Z U SC U

U S U BE (I E = iS ) US = (RS i )S

U S =

uS

U BE = U Z U S

UZ

U S
U S
U S
dU i +
diS +
dT
U i
iS
T

U i
R
= K = S 1 + i
U S
RS

RS
ui

U S = f (U i , iS , T )
dU S =

i1

iS

U S U BE (I E = iS ) US = (RS i )S

U BE 3 = U R U Z

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE


12.1. Definire. Clasificri. Parametrii
Amplificatoarele se clasific n raport cu diferite criterii, astfel:
Def.
ii

Rg
ui

iS
uS

1.
RS

n raport cu mrimea semnalelor de la intrare:


amplificatoare de semnal mic;
amplificatoare de semnal mare (de putere);

2.

n raport cu frecvena semnalului de la intrare:


amplificatoare de curent continuu (c.c.)
amplificatoare de joas frecven (JF) f < 100 kH.
amplificatoare de nalt, foarte nalt (FIF) i ultra nalt frecven (UIF) f =10 ... 15 GkH.

3.

n raport cu limea de band a semnalului aplicat prin limitele frecven inferioar fi i


frecven superioar fs:
amplificatoare de band ngust
amplificatoare de band larg

4.

n funcie de poziia punctului static de funcionare (P.S.F.) pe dreapta de sarcin pot fi


urmtoarele clase de amplificare:
clasa A:;
clasa B:
clasa C:

An univ. 2009-2010

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE


12.1. Definire. Clasificri. Parametrii

Ec I C
Rc

IC

IC

U CE

B'

Evaluarea performanelor unui amplificator:


parametrii de intrare: ui, Zi,
parametrii de ieire:ue, ie, Pe
parametrii de transfer: AU, AI, AP.
G[dB ] = 20 lg A
A
A0
A0
2

B
fi

An univ. 2009-2010

f0

f
fS

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE


12.2. Amplificatoare de semnal mic

+ Ec

+ Ec
RC1

R1
CB1

T1

R2

CC1
I2

I1

R3 R3

C2

U2

1 + h22 RS

I2 =
R4 RR4Ie12=Re 2 h
21 C
e 2 Ce 2

Ce1

RS

AI =

I2
h21
=
I1 1 + h22 RS

1 + h22 RS U 2

h21
RS

h11 (1 + h22 RS ) U 2
h + h h R

+ h12 U 2 = U 2 h12 11 11 22 S
h21
RS
h21 RS

h12 h21 RS h11 h11 h22 RS


U 2
h21 RS

h11 + (h12 h21 h11 h22 ) RS


U 2
h21 RS

h21 RS
U
AU = 2 =
U1 h11 (h12 h21 h11 h22 ) RS
h12 h21 h11 h22 = h
Zi =

I 2 (1 + h22 Rs ) = h21 I1

U1 =

U1 =

C2

U 2 = RS I 2

C 2 U = h I h R I
I 2 = h21 IC1 2+ h22
2
21 1
22
2
S

T2 T2

Re1

U1

U1 = h11 I1 + h12 U 2

21 I1 + h22 U 2
I 2R= hR

h11 + h Rs'
1 + h22 Rs'

An univ. 2009-2010

unde

Rs' = Rc Rs =

RC RS
RC + RS

AU =

Pentru h 0
Rs
h R
AU = 21 s =
h11
h11

h21 RS
U2
=
U1 h11 h RS

Ze =

h11 + Rg'
h22 Rg'

+ h

unde RG' = RG RB =

RG RB
RG + RB

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE


12.3. Amplificatoare de putere
12.3.1. Amplificatoare de putere de clasa A
Ec
Rc

Dif

IC

R1

Cb
A

u
EC
2

EC

1 2
k RS

An univ. 2009-2010

Re

U CE

Ce

TE

RS
AU =
h11

Rc =

R2

Dif

R1

Cb

k =

Rc
Rs

R2

Re
Ce

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE


12.3.2. Amplificatoare de putere n clasa B
Transformator defazor

Amplificator in clasa B
Defazor

An univ. 2009-2010

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE


12.4. Amplificatoare cu reacie
Comparator

Amplificator

Ur

= u ur

y = A
ur = y

Atenuator

= u y;

AU =
AU =

A e j A

(
1 A e

j A +

y
A
=
u 1 A

y = A (u y); y (1 A) = A u
A
y=
u
1 A

A = A e jA
= e

AU =

A e j A

) = 1 A e j

A e j A
=
1 A (cos + j sin )

+ Ec

1 2 A cos + ( A )2

dac semnalul de intrare u


i semnalul de reacie ur
sunt n antifaz
dac semnalul de intrare u
i semnalul de reacie ur
sunt n faz

An univ. 2009-2010

= (2 k + 1)
cos = 1
= 2 k
cos = 1

y
A
AU = =
u 1+ A
dA
dA U =
(1 + A )2

AU =

y
A
=
u 1 A

R1

RC1

R3

CC1

R2

Re1

R4 Re
2

Ce1

R5

CC 2

T2

T1

RC2

R6

y
Ce2

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE


12.5. Amplificatoare de curent continuu
IC

RC1
R1

U BE

I1
R2

I2

RC 2

R3

IB

IE

y1

R4

IE = IC + IB
y

RE 2

R1 + R E

R2
R1 + R 2

IC = IB

1
(u R 1 I B )
R1 + R 2

E C = R C11 I B + y1

R2
u U BE
R1 + R 2
+ y1
E C = R C1
R1 R 2
+RE
R1 + R 2
y1 = E C R C1

I B <<IC

u = R1 I2 + R1 I B + R 2 I 2
I2 =

R2
u U BE
R1 + R 2
IB =
R R
RE + 1 2
R1 + R 2

An univ. 2009-2010

R 2 I 2 = U BE + R E1 I E
E C = R C1 I C + y1

T2

R2
(u R 1 I B ) = U BE + I B R E
R1 + R 2

y1 = E C R C1

u = R 1 I1 + R 2 I 2

I1 = I 2 + I B

T1

RE1

+ EC

AU =

R2
u U BE
R1 + R 2
R1 R 2
+RE
R1 + R 2

dy1
=
du

R C1
R1 + R E

R2
R1 + R 2

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE


12.5. Amplificatoare de curent continuu (continuare)

RE = 0
AU =

dy1
=
du

AU =

R C1

RC1
R1

GCC

R5

R5

R2
R1 + R E
R1 + R 2
AU =

R C1

R1
1
+ RE
R

1
+1
R2

R 2 >> R 1

T3

R1

AU =

R C1
RE

R6

+ EC

T1

ctre
etajul
urmtor

R2

foarte mare

I C1 = 1 I B1 = 1 I B

I E1 = I B2 = (1 + 1) I B1 = (1 + 1) I B

I C 2 = 2 I B2 = ( 2 + 1 2 ) I B

I C = I C1 + I C 2

I C = I B = (1 + 2 + 1 2 ) I B

An univ. 2009-2010

= 1 + 2 + 1 2

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE


12.6. Amplificatoare difereniale i operaionale
12.6.1. Amplificatoare difereniale

Condiii impuse schemei

+ EC

RC1

RB1 = RB 2 = RB

RB 2

RB1
u1

RC1 = RC 2 = RC

RC 2

T1

y2

y1

T2

RE1

R1

RE1 = RE 2 = RE

u2
RE 2

R2

(R1 = R2 ) >> (RB1 = RB 2 )

1 = 2 cu valori foarte mari

y1 = AU 1 u1 =

RE

EC

y = y1 y2 =
y = AU u
I

ud
u
u+

I+

RC1
R
R
R
R
u1 + C 2 u 2 = C u1 + C u 2 = C (u1 u 2 )
R E1
RE 2
RE
RE
RE
V+

V
traseu comun

An univ. 2009-2010

RC1
u1
RE1

y2 = AU 2 u 2 =

RC 2
u2
RE 2

tensiunea diferenial de intrare: u d = u + u

factor de amplificarea diferenial: A d =

tensiunea de mod comun: u C =

factor de amplificare al tensiunii de mod comun: A C =

rejecia modului comun (CMR) exprimat n decibeli CMR =

u+ u
2

y
u+ u

yC
uC

Ad
[dB]
AC

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE


i2

12.6.2. Amplificatoare operaionale, AO


Amplificatorul operaional AO reprezint, n esen, un
amplificator diferenial urmat de un etaj de amplificare ce
realizeaz amplificarea semnalului diferenial y astfel nct
ieirea unui AO este nesimetric.

Parametrul
Amplificarea diferenial, Ad
Rezistena de intrare, Ri
Rezistena de intrare, Re
Cureni de intrare, I+, I
Rejecia modului comun, CMR
Tensiunea diferenial de intrare, ud

u = Z1 i1 + uiAO = Z1 i1
y = Z 2 i2 + uiAO = Z 2 i2

i1 + i2 = i = 0

Valori uzuale
105 106
106
102 103
10-9 A
60 100 dB
10-5 V

i1 = i2

i1 =
Z
1

i2 =
Z 2

Z1
i1

Valori ideale


0
0

0

u
y
=
Z1
Z2

Y(s) =

An univ. 2009-2010

Z2

AO

i =0
Ri = 0

y=

Z2
u
Z1

Z 2 (s)
U(s)
Z1 (s)

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE


12.6.2. Amplificatoare operaionale, aplicaii
Sumator

ui1 R1
ui 2 R2
uin Rn

i1
i2

i3

AO

nmulire cu o constant (amplificator inversor)

R2
u

R1

An univ. 2009-2010

AO

12. AMPLIFICATOARE ELECTRONICE


12.6.2. Amplificatoare operaionale, aplicaii
Integrator
i2

R
i

i1

uC
AO

Amplificator neinversor
u

+
i

i2

i1
R1

AO

R2
b

i2 = i1 + i

i1 = i2

u = R1 i1 + uiA0 u = R1 i1
y = R i + R i
y = R2 i2 + R1 i1
2 2
1 1

De unde prin nlocuiri se obine

y=

An univ. 2009-2010

R
R2
u + u = 1 + 2 u
R1
R1

AU =

R
y
= 1+ 2
u
R1