Sunteți pe pagina 1din 7

Lucrarea de laborator nr.

1
Tema: Studiul diodelor semiconductoare i a schemelor n baza lor.
Scopul lucrrii: Familiarizarea cu metodele de ridicare a caracteristicilor voltamperice(CVA) pentru diverse diode semicoductoare , ridicarea parametrilor de baz a diodelor
i schemelor cu utilizarea lor.

Aparate i materiale: Generator funcional, multimetru, osciloscop surs de tensiune


curent continuu, rezistoare, diod semiconductoare.

Mersul lucrrii:
Lansai programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.

Experiena 1. Msurarea tensiunii i calcularea curentului care circula


prin diod la polarizare direct i indirect.
Construii figura 1

Figura 1. Polarizarea direct o diodei semiconductoare.

Tastai
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Msurm tensiunea la polarizare direct Udir, i calculm conform relaiei 1.1 curentul la
polarizare direct.
E U dir
I dir
R
(1.1)
Calculul
I dir =

EU dir 160.7793
=
=0.1217( A)
R
125

Tensiunea la polarizare direct este Udir= 0.7793V

curentul este Idir=0.1217 (A)

Construii figura 2

Figura 2. Polarizarea indirect o diodei semiconductoare.


Tastai
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Msurm tensiunea la polarizare indirect Uind, i calculm conform relaiei 1.2 curentul la
polarizare indirect.
E U ind
I ind
R
(1.2)
Calculul
EU ind 1616
=
=0( A)
R
125
Tensiunea la polarizare indirect este Uind= 16 V
curentul este Iind= 0 A
I ind =

Experiena 2. Msurarea curentului care circula prin diod la polarizare


direct i indirect.
Construii figura 3

Figura 3. Polarizarea direct o diodei semiconductoare.


Tastai
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Msuram curentul la polarizare direct Idir=0.1218 A .

Construii figura 4

Figura 4. Polarizarea indirect o diodei semiconductoare.


Tastai
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Msuram curentul la polarizare indirect Iind= 0 A.

Experiena 3. Msurarea rezistenei statice a diodei la polarizare direct


i indirect.
Construii figura 5

Figura 5. Polarizarea direct o diodei semiconductoare.


Tastai
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Msuram rezistena static a diodei la polarizare direct Rst . dir =77.93 M
Construii figura 6

Figura 6. Polarizarea indirect o diodei semiconductoare.


Tastai
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Msuram rezistena static a diodei la polarizare indirect Rst ind =0 .

Experiena 4. Msurarea tensiunii i curentului la polarizare direct i


indirect pentru trasarea CVA a diodei .
Construii figura 7

Figura 7. Polarizarea direct o diodei semiconductoare.


Tastai
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Valorile tensiunii de intrare le lum din tabelul 1.1 prezentat mai jos i tot n el
ntroducem datele msurate experimental.
Tabelul 1.1 Datele msurate pentru ramura direct a CVA
E,V
Udir , mV
0
0
0,5
499.6
1
679.4
1,5
703
2
715.4
2,5
723.7
3
730.1
3,5
735.2
4
739.5
4,5
743.1
5
746.3
Construii figura 8

Figura 8. Polarizarea indirect o diodei semiconductoare.


Tastai

pentru ca prin circuit s curg curentul.

Idir , mA
0
0.00295
2.564
6.376
10.28
14.21
18.16
22.12
26.08
30.05
34.03

Valorile tensiunii de intrare le lum din tabelul 1.2 prezentat mai jos i tot n el
ntroducem datele msurate experimental.
Tabelul 1.2 Datele msurate pentru ramura indirect a CVA
E,V
Uind , V
0
0
5
4.99
10
10
15
15
20
20
25
25
30
30
35
35
40
39.99

Iind , mA
0
0.0049
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.0399

Conform datelor obinute experimental construim CVA a diodei analizate innd cont de
faptul c ramura direct a CVA este n cadranul I a sistemului de coordonate , iar ramura
indirect n cadranul III.

Experiena 5.Obinerea CVA a diodei pe ecranul osciloscopului.


Construii figura 9

Figura 9. Instalaia experimental de ridicare a CVA de pe ecranul osciloscopului.


Tastai
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Salvai n lucrare caracteristica obinut pe ecranul osciloscopului i masurai tensiunea
de curbur Ucurb=704.97 mV.

Figura 10. Caracteristica pe ecranul osciloscopului.

Concluzie :
In urma efectuari lucrarii de laborator am studiat dioda semiconductoare la polarizare directa
si indirecta. Am stabilit ca la polarizare directa dioda conduce curent electric , avind
I dir =0.1218 A . Iar la polarizare indirecta dioda opune o rezistenta mare, ceea ce
inseamna ca I ind =0 A . Am conectat dioda semiconductoare la un generator oscilator ca
sa puem analiza CVA a diodei, ceea ce ne-a dat posibilitatea sa aflam ca U curb . =704.9 mV

S-ar putea să vă placă și