Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
L.L. Nr1 Dispozitive Electronice
L.L. Nr1 Dispozitive Electronice
1
Tema: Studiul diodelor semiconductoare i a schemelor n baza lor.
Scopul lucrrii: Familiarizarea cu metodele de ridicare a caracteristicilor voltamperice(CVA) pentru diverse diode semicoductoare , ridicarea parametrilor de baz a diodelor
i schemelor cu utilizarea lor.
Mersul lucrrii:
Lansai programul emulator ELECTRONICS WORKBENCH.
Tastai
pentru ca prin circuit s curg curentul.
Msurm tensiunea la polarizare direct Udir, i calculm conform relaiei 1.1 curentul la
polarizare direct.
E U dir
I dir
R
(1.1)
Calculul
I dir =
EU dir 160.7793
=
=0.1217( A)
R
125
Construii figura 2
Construii figura 4
Idir , mA
0
0.00295
2.564
6.376
10.28
14.21
18.16
22.12
26.08
30.05
34.03
Valorile tensiunii de intrare le lum din tabelul 1.2 prezentat mai jos i tot n el
ntroducem datele msurate experimental.
Tabelul 1.2 Datele msurate pentru ramura indirect a CVA
E,V
Uind , V
0
0
5
4.99
10
10
15
15
20
20
25
25
30
30
35
35
40
39.99
Iind , mA
0
0.0049
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
0.0399
Conform datelor obinute experimental construim CVA a diodei analizate innd cont de
faptul c ramura direct a CVA este n cadranul I a sistemului de coordonate , iar ramura
indirect n cadranul III.
Concluzie :
In urma efectuari lucrarii de laborator am studiat dioda semiconductoare la polarizare directa
si indirecta. Am stabilit ca la polarizare directa dioda conduce curent electric , avind
I dir =0.1218 A . Iar la polarizare indirecta dioda opune o rezistenta mare, ceea ce
inseamna ca I ind =0 A . Am conectat dioda semiconductoare la un generator oscilator ca
sa puem analiza CVA a diodei, ceea ce ne-a dat posibilitatea sa aflam ca U curb . =704.9 mV