Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Curs Electronica
Curs Electronica
ELECTRONIC ANALOGIC
I DIGITAL
Conf.dr.ing. NICOLAE PTRCOIU
Asist.drd.ing. ADRIAN TOMU
An univ. 2009-2010
BIBLIOGARFIE
1.
Poanta Aron
2.
Poanta Aron
3.
4.
5.
Electronica industriala.
Universitatea Politehnica Timisoara, 1996
6.
7.
Patrascoiu Nicolae
An univ. 2009-2010
SCURT ISTORIC
Definiie.
nceputul n 1895 cnd s-a realizat prima transmisie la distan a undelor electromagnetice fr fir;
1906 trioda, primul amplificator descoperit de Lee de Forest, urmeaz pentoda, tetroda
bazele dispozitivelor construite n baza fenomenului de micare a electronilor n cristale sunt puse
odat cu prezentarea modelului energetic al electronului n cristale n 1930 Strult
Romnia
1905 telegrafia fr fir
1924 primul emitor radio
1954 televiziunea
An univ. 2009-2010
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
Def. Elementul de circuit
Def. Dispozitivul electronic
Def. Circuitul electronic
An univ. 2009-2010
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
de tensiune
surse
de curent
Elementele de circuit:
pasivi
receptori
1.1 Surse
ideali
Sursa de curent
Sursa de tensiune
Simbol
activi
>>
Simbol
>
U0
I0
I
Fig.1.1. Caracteristica static a
sursei de tensiune
dU
Ri =
=0
dI
An univ. 2009-2010
Fig.1.2. Caracteristica
sursei de tensiune
Ri =
I
static a
1
dU
=
dI
dI
dU
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2. Receptori
Receptorii sunt elemente de circuit ce primesc o anumit
energie la intrare, de valoare wi i o transfer ctre ieire la
valoarea we.
wi
Receptor
we
n funcie de raportul ntre cele dou energii, de intrare i ieire receptorii se clasific astfel:
wi > we receptor pasiv de circuit, caracterizat prin faptul c diferena dintre energii
wi we > 0 este datorat pierderilor pe aceste elemente
wi < we receptor activ, caracterizat prin faptul c diferena dintre energii we wi > 0 este preluat de
la o surs de alimentare, un astfel de receptor nu poate funciona fr aport energetic de la o surs
wi = we receptor ideal, ntlnit numai n modelarea dispozitivelor i circuitelor electronice
An univ. 2009-2010
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.1. Rezistorul
Simbol
Rezistor variabil
(poteniometru)
Rezistor fix
1k = 103 ,
1M = 103 k = 106 ,
1G = 103 M = 106 k = 109
Marcarea valorii
rezistenei electrice
pe corpul rezistorului
n clar
10k
150
4k7
Rezistor semivariabil
10 k
150
4,7 k
U
An univ. 2009-2010
aplicaii fundamentale
limitarea curentului
I=
U
; U = R I
R
R RN
T [%] =
RN R
RN
100
divizor de tensiune
I=
U
R1 + R2
U = R2 I =
R2
U
R1 + R2
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.1. Rezistorul, forme de prezentare
An univ. 2009-2010
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.2. Condensatorul
Simbol
fix
electrolitic
variabil
1mF = 10-3 F,
1F = 10-3 mF = 10-6 F,
1nF = 10-3 F = 10-6 mF = 10-9 F
1pF = 10-3 nF = 10-6 F = 10-9 mF = 10-12 F
20 F
50 V
+
n clar
semivariabil (trimer)
e
d
c
b
a
Pentru identificarea aplicaiilor tipice ale condensatoarelor se consider relaiile de definire a capacitii
electrice n raport cu sarcina Q
C=
i=
1
Q
U = Q
U
C
t
dQ
dQ = idt; Q = idt
dt
0
An univ. 2009-2010
1
U = idt
C0
XC =
i=
dQ d (C U )
dU
=
=C
;
dt
dt
dt
1
1
=
C 2 f C
i =C
dU
dt
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
An univ. 2009-2010
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.3. Bobina
Simbol
LV
cu miez
variabil
L
fixe
= Li
i
d d ( L i )
di
u=
=
= L ; u dt = L di
dt
dt
dt
L=
1
i = u dt
L0
u=
n curent alternativ bobina de
inductan L este caracterizat prin
reactana capacitiv XL
An univ. 2009-2010
d d ( L i )
di
di
=
=L ; u=L
dt
dt
dt
dt
XL = L = 2 f L
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
An univ. 2009-2010
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
1.2.4. Transformatorul
nfurare
primar
miez
magnetic
i1
u1
u2
nfurare
secundar
P2 = P1
Rs
u2 i 2 = u1 i1
deci:
2
Prin mprire cu i1 rezult
An univ. 2009-2010
u1
u 2 = R s i2
R S i 22 = u1 i1
i
1
R S 2 = u1
i1
i1
dar
1
= r1
i1
n1 u1 i 2
=
= =k
n2 u2 i1
R S k 2 = r1 deci
r1 =
1 2
k RS
1. ELEMENTE DE CIRCUIT
An univ. 2009-2010
Banda de conducie
Banda de conducie
Electron
Banda de valen
CONDUCTOR
Banda de valen
Banda de valen
SEMCONDUCTOR
IZOLATOR
Electron
liber
An univ. 2009-2010
Gol
x E
1 = 0
lp E 0
de unde
D2 :
x E
1 = 0
ln E 0
de unde
x
E = E 0 1
lp
x
E = E 0 1
ln
E = 0, x < l n
E = E 0 x + 1, l n x 0
E = E x 1, 0 < x l
0
p
ln
E = 0, x > l p
= C1 = 1
E x
E
+ E0 x = 0 x 2 + E0 x
=+ 0
lp 2
2l p
2
= E 0 x + E x = E 0 x 2 + E x
0
0
ln 2
2l n
= C2 = 2
An univ. 2009-2010
-1
0= 2 - 1
E E n
p
ES ES
+ -- +
U U
0 0-U0
0+U
U
An univ. 2009-2010
3. DIODE
3.1. Dioda semiconductoare
Definire
Structur
Structur
Redresoare:de putere mic, medie, mare
Diodele pot fi Detecie
Speciale:Zener, Varicap, Tunel, Pin, Gunn
D
caracteristica
static
caracteristica volt
ampermetric
U
E
I
I
I = Ii e U 1
polarizare
invers
polarizare
direct
teoretic
UST
experimental
II
U
U 0 = 0,2 0,3V pentru Ge 0
U 0 = 0,6 0,7 V pentru Si
U
Rd = T
I
An univ. 2009-2010
Simbol
I
caracteristica
static liniarizat
R d = tg sau
AdI I 1
dU
I = Iie
UT
U
UT
Ii e
Rd
U
UT
deci
1
1
dI
=
=
R d tgU
dU
dI
I
=
dU U T
dioda
ideal
si deci R d =
C
UT
I
3. DIODE
A
Rs
Unestab
R + Rs
max
Unestab
min
Unestab
Unestab
Iz
Iz min
Ustab
R
Iz max
Iz
R Rs
Rs
min
I z max
=
U
U
nestab
stab R + R
R + RS
s
R Rs
Rs
U stab =
I z min
U max
nestab
R + Rs
R + Rs
An univ. 2009-2010
Iz
Is
RS
Unestab = R I + Ustab
I = I z + Is = I z +
A PSF
Izmax
Simbol
Stabilizator parametric
Ustab
Ustab
Rs
U
Unestab = R Iz + stab + Ustab
Rs
R
Unestab = R Iz + + 1 Ustab
Rs
Rs
R Rs
Unestab
Iz
Ustab =
R + Rs
R + Rs
3. DIODE
An univ. 2009-2010
j1
p
j1
B
+
UBC
UEB
UBE
0
UBC
UBE
C
B
C
B
UCB
x
UBE
+
UCB
An univ. 2009-2010
B
+
j2
ICB 0
IB
IB
IE = IC
IC =
IC'
+ ICB 0
IC'
= <1
IE
IC' = IE
IC
Ecuaiile simplificate
IE = IC + IB
IC = IE + ICB 0
IE = IE + ICB 0 + IB
= 0.9 0.999
IC =
IB +
=
1
An univ. 2009-2010
IE = IC + IB = ( + 1) (IB + ICB 0 )
UBC
UEB
cazul ideal
/ : (1 )
IE (1 ) = IB + ICB 0
1
1
IE =
IB +
ICB 0
1
1
ICB 0 + ICB 0 =
IB + 1 +
ICB 0
1
1
IE = IC + IB
IC = IB
I = ( + 1) I
B
E
IC = IB + ( + 1) ICB 0
IC
dI i
0
dt
IB
dU i
0, i = 1 3
dt
U CE = U CB + U BE
UC
E
UBE
I E = IC + I B
IE
IC
E
B
UBE
IB
UCE
IE
UEB
IC
UCB
IE
B
UBE
IB
E
UCE
C
caracteristica de intrare
caracteristica de intrare
caracteristica de ieire
caracteristica de ieire
caracteristica de ieire
I B = f (U BE ) U ce =cons tan t
I C = f (U CE ) I B =cons tan t
An univ. 2009-2010
I E = f (U EB ) U CB =cons tan t
I C = f (U CB ) I E =cons tan t
I B = f (U BC ) U CE =cons tan t
I E = f (U EC ) I B =cons tan t
An univ. 2009-2010
UBE
e
e
U BE
UT
U BE
UT
U BE U BE
U T U T
= 1+
+
1!
2!
1+
U BE
UT
cuadripol
I1
U BE
+ UT
3!
U EB << U T
U1 = h11 I1 + h12U 2
I 2 = h21 I1 + h22U 2
U2
U1
E
rE
An univ. 2009-2010
UUBE
I E = I i e T 1
+ = 1 + U BE + 1 U BE
U T 2 U T
U BE
<< 1
UT
I2
D2
IE
dU i
0
dt
<<
rB
B
1 U BE
+
6 UT
U1
U 2 =0
h12U 2
I1
h11I1
U
h12 = 1 I1 =0 >
U2
I
U1 h21 = I2 U 2 =0
1
I2
h22 =
I =0
U2 1
h11 =
IB
I E = Ii
h22
<<
h21I1
U BE
UT
I2
U2
U
UCE
CE
II. A doua limitare se impune asupra
1
UCEstr
curentului de colector prin realizarea
UCEstr
condiiei IC IC max
+ EC
Pd max
III. A treia limitare se impune puterii Pd Pd max
IC =
dezvoltate n tranzistor
RC
UCE IC Pd max
UCE
EC
RC
IC
dreapta de sarcina
UCE
IC = IC max
IC max
hiperbola de disipatie
PSF
UCE max
An univ. 2009-2010
IC
UCE
EC
EC = RC IC + UCE
IC =
1
1
EC
UCE
RC
RC
dIC
dI
dI
= B + ( + 1) CB 0
dT
dT
dT
dI
dI
1 = B + ( + 1) CB 0
dIC
dI
C
1
S
/:
dICB 0
dIC
dT
dI
+1
1 B =
dIC
S
dIB
= 1
dIC
S=
+1
1
dIB
dIC
dIB = dIC
Prin schema de polarizare trebuie s se asigure i stabilizarea termic a poziiei punctului static de
funcionare. Din punct de vedere al polarizrii i stabilizrii termice exist urmtoarele scheme de polarizare:
polarizarea independent;
polarizarea cu reacie din colector;
polarizarea cu reacie din emitor;
polarizarea automat sau cu divizor rezistiv n baz.
Analiza acestor scheme din punct de vedere al polarizrii i stabilizrii termice presupune calculul mrimilor
electrice ce definesc poziia punctului static de funcionare adic valorile UCE0, IC0, IB0 i coeficientului de
stabilizare termic al schemei S
An univ. 2009-2010
RB
IB
RC
T
+ EC
IC
IB = IB 0 =
EC UBE
RB
UBE
EC = RB IB + UBE
dIB
=0
dIC
S=
+1
dI
1 B
dIC
= + 1 >> 1
Cunoscnd IB, n punctul static de funcionare IB0, pe baza ecuaiilor de funcionare ale tranzistorului se
poate determina valoarea curentului de colector, IC, n punctul static de funcionare, IC0
IC = IC 0 = IB 0 + ( + 1) ICB 0 IB 0
EC = RC IC + UCE
UCE = UCE 0 = EC RC IC 0
An univ. 2009-2010
IB =
1
RC
(EC UBE )
IC
RC + RB
RC + RB
UC
UBE
IC = IB
IB = IB 0 =
= (RC + RB ) IB + RC IC + UBE
I = IC + IB
I
IC
EC = RC (IC + IB ) + RB IB + UBE =
EC = RC I + RB IB + UBE
+
EC
S=
IB =
+1
1
dIB
dIC
+1
1+
RC
1
(EC UBE )
IB
RC + RB
RC + RB
EC UBE
RC ( + 1) + RB
dIB
RC
=
dIC
RC + RB
RC
RC + RB
RC EC UBE
=
IB 1 +
+
R
R
RC + RB
C
B
IC = IC 0 = IB 0 + ( + 1) ICB 0 IB 0
An univ. 2009-2010
UCE
IB =
1
RE
(EC UBE )
IC
RB + RE
RB + RE
IE
S=
RE
IC = IB
IB = IB 0 =
= (RB + RE ) IB + UBE + RE IC
IE = IB + IC
IB =
+1
1
dIB
dIC
dIB
RE
=
dIC
RB + RE
+1
1+
RC
RC + RB
RB
1
(EC UBE )
IB
RB + RE
RB + RE
EC UBE
RE ( + 1) + RB
RE
IB 1 +
RB + RE
IC = IC 0 = IB 0 + ( + 1) ICB 0 IB 0
An univ. 2009-2010
EC UBE
=
RB + RE
+ EC
R1
T
I1 IB
I2
EB
R2
I1 = I2 + IB
RC
UBE
IC
IE
RE
EC = R1I1 + R2I2
1
RE
RE
(
)
R
I
=
R
I
+
I
+
U
0
R
I
U
R
I
=
+
I
=
I
+
I
+
UBE
E
B
C
BE
2
2
2
2
E
E
BE
B
C
2
UCE
R2
R2
R2
I1 =
RE + R2
R
1
IB + E IC +
UBE
R2
R2
R2
EC = RE IB + RE IC + UBE +
R1
R
R
(RE + R2 ) IB + 1 RE IC + 1 UBE
R2
R2
R2
R + R2
R + R2
R + R2
EC = RE 1
IC + 1
UBE
+ R1 IB + RE 1
R
R
R
2
2
2
R2
x
0
R1 + R2
R2
EC UBE
RE
R1 + R2
IB =
I
R1 R2
R1 R2 C
RE +
RE +
R1 + R2
R1 + R2
An univ. 2009-2010
R2
R R
EC = RE + 1 2 IB + RE IC + UBE
R1 + R2
R1 + R2
dIB
RE
=
R R
dIC
RE + 1 2
R1 + R2
S=
+1
1
dIB
dIC
+1
1+
RE
R R
RE + 1 2
R1 + R2
R2
EC UBE
RE
R1 + R2
IB =
I
R1 R2
R1 R2 C
RE +
RE +
R1 + R2
R1 + R2
IC = IB
IC = IC 0 = IB 0 + ( + 1) ICB 0 IB 0
+ EC
RC
R1
T
R2
An univ. 2009-2010
IC
IE
RE
R2
EC UBE
RE
R1 + R2
IB =
I
R1 R2
R1 R2 B
RE +
RE +
R1 + R2
R1 + R2
IB = IB 0
R2
EC UBE
R1 + R2
=
R1 R2
+ ( + 1) RE
R1 + R2
UCE
IC
R1
I1
IB
UCE
UBE
Ii
ED
polarizat invers
+ EC jonciunea acesteia s fie de acelai tip cu cea a tranzistorului
RC
cele dou dispozitive se monteaz astfel nct s fie la aceiai temperatur
Aplicnd teorema I Kirchhoff i teorema II Kirchhoff pe circuitul baz emitor i
innd seama de ecuaiile de funcionare ale tranzistorului
RE
IE
EC = R1 I1 + UBE + RE IE
I1 = IB + Ii
IE = IC + IB
IC = IB + ( + 1) ICB 0
IC =
EC UBE
R1
+ ICB 0
I
+ 1 R1 + RE
+ 1 R1 + RE i
Ii =
An univ. 2009-2010
+ 1 R1 + RE
1
1
ICB 0
ICB 0 = 1 + 1 +
RE
RE
ICB 0
R1
I = 0
+ 1 R1 + RE i
EC = R1 (IB + IT ) + UBE
I1
IB T
I1 = IB + IT
1
1
E
IB = C
+ UBE
R1 RT R1
UBE
IT U
R
I
=
U
I
=
BE
T T
BE
T
RT
o
t
RT
RE
termistor
An univ. 2009-2010
CE
RE
Ri = RB E = RB
RB = R1 R2 =
CB
R1
IB
rB
rE
R2
RE
An univ. 2009-2010
CE
RC
CC
+EC
T - model
cu
parametrii
naturali
R1 R2
R1 + R2
Ri = rB + rE
RIB + RC >> rE
rB + rE << RB
Ri = rB + ( + 1) rE
I E = ( + 1) I B
rE = ( + 1) rE
AI = ?
AU = ?
RO = RC
RB
IB
IC
+
EC
RC
EC
RC
ICS
IC
T
A1
ICS =
IBS
IC IB
An univ. 2009-2010
IC = ICB 0
B1
UCE
U CES
EC UCES EC
=
RC
RC
I
EC
= CS =
RC
E1
IC = IB + ( + 1) ICB 0
EC U CE
IC = ICB 0
E2
td
IB1
t
IB2
ICmax
0,9ICmax
0,1ICmax
IC
tcd
tci
ts t c
tr
ti
t
t0 t1 t2 t3
t4
t 5 t6
IB = 0
UDS
UGS
gril surs
dren
j1
n
canal
ID
n
p
oxid de
siliciu
j1 SiO2
G
S
D
Canal iniial
S
D
G
S
canal p
An univ. 2009-2010
S
canal n
sau
DS U GS = ct
UGS1
UDS
Zona corespunztoare regiunii de saturaie corespunde unui curent de dren constant pentru UDS avnd valori mari. Funcionarea
tranzistorului n aceast zon are loc dac tensiunea de dren UDS depete valoarea tensiunii de dren de saturaie UDSS
2.
caracteristici de transfer
sau caracteristici de gril
ID
UDS3
IDS = K (UGS U p )
UDS2
UDS1
ID = f (UGS ) U
UGS
An univ. 2009-2010
DS
= ct
R1
RD
ID
R2
ED
R1 + R2
ED = RD ID + UDS
UGS 0 =
ID
CG
R
CD
UDS
ID =
ED UDS
RD RD
ID0
UGS
UDS0
CG
deoarece
IG = 0
UGS 0
R2
=
ED RS ID
R1 + R2
R
2
UDS
ED
+ED
R1
ID = IS
dreapta de
sarcin
UGS0
A
CD
ID
UDS
UGS
RS
CS
Nu este necesar ca circuitele de polarizare pentru MOSFET s realizeze i stabilizarea termic deoarece la
acest tip de tranzistor exist o dependen slab a caracteristicilor fa de variaiile de temperatur
An univ. 2009-2010
dID =
Se introduc
notaiile
gm
f
f
dUDS +
dUGS
UDS
UGS
f
ID
=
=
UGS UGS
U DS = cons tan t
1
f
ID
gd =
=
=
rd UDS UDS
ID = f (UDS ,UGS )
U GS = cons tan t
rd rezistena dinamic
Dac se consider regimul dinamic ca o succesiune de regimuri statice adic punctul static de funcionare i
schimb poziia din punctul de coordonate (UGSi, UDSi, IDi) ntr-un alt punct de coordonate (UGSj, UDSj, IDj)
tensiunile pe terminale avnd variaiile
ID
UGS=Ug
gmUg
Amplificator MOSFET
An univ. 2009-2010
IG
rd
Id = g m UGS +
D
UDS=Ud
1
UDS
rd
6. TRANZISTORUL UNIJONCIUNE
6.1. Structur, funcionare, caracteristici
B2
n
E
l1
rB1
B1
U =
IE
IB
UEB1
rB1
UB 2B1 = UB 2B1
rB
UB2B1
B11
T2
B1
IE
UEB1 = U + U0 = UP
UB2B1=
0
=
B 2 B 1 ct
IV
Ip
An univ. 2009-2010
rB1
IE = f (UEB1 ) U
rB = rB1 + rB 2
rB1
r
=
= B1
rB1 + rB 2 rB
T1
IB
B2
rB2
B2
l2
rB2
U1B2B1< U2B2B1<
U3B2B1
UEB1
UV
6. TRANZISTORUL UNIJONCIUNE
6.2. Aplicaie TUJ. Oscilatorul de relaxare
EB
IE
V
IV
EB
R
deapta de sarcin
M
P
Ip
EB
UC
+
-
ncrcare
tnc1
tnc2
tnc3
An univ. 2009-2010
IB2
IE
UEB1
UEB
UC
UC
EB
RB2
EB1
UP
UV
UC
UC
RB1
descrcare
URB1
t
tdesc
UP
IB1
RB
UB2B1
UC=UEB1
UV
tnc tdesc
T
y
t
A1
A2
A1
A2
structur
simbol
Utilizat pentru a produce pulsuri de curent necesare la amorsarea unor dispozitive de comutaie, cum sunt
tiristoarele si triacele
IA
+E
A
- UB0
IH
IB0
UREZ
IB0
IH
An univ. 2009-2010
A1
UA1A2
UB0
30 40 V
A2
T1
IE1=IA
T1
B
n
C
p
n
C
p
B
T2
n
E
IC1
I E1 = I A
Stingere
I B1 = I C 2
U AC = 0
I A < I0
I E 2 = I A + IG
I C1 = 1 I E1 + I CB 01 = 1 I A + I CB 01
I C 2 = 2 I E 2 + I CB 02 = 2 (I A + I G ) + I CB 02
I E1 = I C1 + I B1 = I C1+ I C 2
I + I CB 01 + I CB 02 2 I G + I CB 0
=
IA = 2 G
1 (1 + 2 )
1 (1 + 2 )
C
IA
IG
T2
I A = 1 I A + I CB 01 + 2 (I A + I G ) + I CB 02
IE2=IA+IG
An univ. 2009-2010
Pe baza ecuaiilor
tranzistorului bipolar
IB2=IC1+IG
IB1=IC2
UA
n-
E
p
p+
J3
J2
J1
UG
I A = f (U AC ) I G =ct.
IG = 0
UAC
UAC0
to
B
T TN
cu coeficient negativ de temperatur (NTC)
R = RN e
I
U
E
to
I
A
U
An univ. 2009-2010
I
U
An univ. 2009-2010
I = k U
I
E
An univ. 2009-2010
d
UH U H = k H
B
BI
d
An univ. 2009-2010
I[mA]
R
R0
1 > 2 > 3
2
3
U[V]
j
E
A
An univ. 2009-2010
I = f (U ) =ct
R
fotodiod
celul
solar
p n
jE
p
B
I C = f (U CE ) =ct
1
E
UCE
I=
0
Imax
Vout 0
Vcc
An univ. 2009-2010
Datorit consumului redus de energie, faptului c lumina generat este rece acest
Simbol A
C dispozitiv este utilizat n special ca element de semnalizare
a
f
ILED R
I LED = 15 mA
U = R I LED + U LED
i tensiunea nominal
ULE
U LED = 1,2 V
R=
PZ
anod comun
U U LED
I LED
catod comun
7 x LED
Optocuplorul
I
LED
An univ. 2009-2010
7 x LED
FT
d e
g h
9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.1. Definiii. Clasificri. Performane
tensiune
alternativ
tensiune
alternativ
cu
Transformator
amplitudine
(TR)
modificat
tensiune
continu
Redresor pulsatorie
(R)
Redresoarele monofazate
Performanele
sunt apreciate
prin
Dubl alternan
Cu priz median
n punte
P
Randamentul conversiei = u
Pa
1
Pa = u i d (t )
T 0
U dm
F=
U de
U dm
1
= u (t ) d (t )
T 0
An univ. 2009-2010
Circuit
stabilizare
Monofazate
Polifazate - cele mai utilizate sunt cele trifazate
Filtru
(F)
tensiune
continu
filtrat
1
u 2 (t ) d (t )
T 0
9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.2. Redresoare monoalternan
Ia
TR
U AC
+
u
+
D
u=
2U sin(t )
Ud
b)
Rs
U max
Ud
Ud
U de
U dm
c)
2
n2
unde RT = r2 + r1
Rezistena intern a circuitului de redresare Ri = R T + Rd
n1
R
2 U sin (t )
u
S
2 U sin (t )
u S = RS i =
i=
=
tensiunea pe RS
+
R
R
Ri + RS
Ri + RS
i
S
U dm
1
=
2
Deoarece Ri << RS
2
U de
2 RS U
RS
RS
2 U
1
2 U
(
)
(
)
2
sin
cos
t
d
t
0 Ri + RS
Ri
2 (Ri + RS )
Ri + RS
0
+1
RS
U
U dm
U
2 U
2 U
0,45
dm
=
U dm =
0,45 U I dm =
Ri + RS
RS
R i + R S (R i + R S )
1
(
)
=
u
d
t
S
0
2
RS
RS
1 1 cos(2t )
1
2
(
)
(
)
=
d(t ) =
U
sin
t
d
t
2 U2
2
+
2
R
R
2
(R i + R S )
i
S
RS
RS
U
U
1
1 1
1 1
=
U
(t ) sin (2t ) =
Ri
2 2
2
Ri + RS
0
0
Ri + RS 2
+1 2
Rs
An univ. 2009-2010
Deoarece Ri << RS
U de =
U
0,707 U
2
9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.2. Redresoare monoalternan (parametrii)
Factorul de form F i respectiv coeficientul de ondulaie
F=
U de
U
=
= 1,57
U dm
2 2 U 2
= F 2 1 = 1,57 2 1 1,21
Pentru determinarea randamentului este necesar calcularea puterii utile Pu i a puterii absorbite Pa
Pu = U dm I dm = RS I dm
1
Pa =
2
1
2 U 2
= RS
(Ri + RS )2 2
U2
1 2 U 2
2
0 u i d (t ) = 2 0 Ri + RS sin (t ) d (t ) = 2 (Ri + RS )
Pu
RS
4
4
1
= 2
= 2
Pa Ri + RS Ri + 1
RS
Se observ c dac Ri << RS se poate neglija raportul celor dou rezistene i se obine un randament 45 %
iar n cazul n care nu se poate neglija rezistena intern a redresorului Ri n raport cu rezistena de sarcin RS,
adic rezistena de sarcin are o valoare mic se obine un randament < 40 %, deci un randament mic al
conversiei.
Pentru alegerea diodei redresoare se ine seama de valoarea maxim (de vrf) a tensiunii inverse aplicate
diodei i egal cu valoarea de vrf a tensiunii din secundarul transformatorului U max = 2 U precum i de
valoarea curentului mediu prin diod Idm. Aceste dou valori sunt utilizate pentru alegerea diodei pe baza
datelor de catalog, astfel:
I 0 > I dm
Exemplu
An univ. 2009-2010
9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.2. Redresoare dubl alternan
D1
TR 1
u
0
u
Ud
D2
TR
D1
D2
Rs
D4
Ud
Ud
U max
Rs
Ud
U de
U dm
n2
unde RT = r2 + r1
Rezistena intern a circuitului de redresare Ri = RT +2 Rd
n1
R
2 U sin (t )
u
S
2 U sin (t )
u S = RS i =
i=
=
tensiunea pe RS
+
R
R
Ri + RS
Ri + RS
i
S
RS
RS
2 RS U
2 2 U
1
2 2 U
U dm = u S d (t ) =
2 sin (t ) d (t ) =
cos =
Ri
Ri + RS
0
0 Ri + RS
(Ri + RS )
+1
0
RS
2 2 U
U
2 2 U
U
Deoarece Ri << RS U dm =
0,9 U
I dm = dm =
0,9
1
U de
RS
RS
RS
2 RS
1 1 cos(2t )
(
)
(
)
U
t
d
t
U
=
d (t ) =
2
sin
2
R
R
0
+
2
(Ri + RS )
i
S
0
1
RS 2
2 RS
2 RS U
1 1
1 1
1
=
=
U
U
(t ) sin (2t ) =
R
Ri + RS
2
2
R
R
2
+
2
i
i
S
0
0
+1
Rs
An univ. 2009-2010
Deoarece Ri << RS
U de = U
9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.2. Redresoare dubl alternan (parametrii)
Factorul de form F i respectiv coeficientul de ondulaie
F=
U de
=U
=
1,11
U dm
2 2 U 2 2
= F 2 1 = 1,112 1 0,48
Pentru determinarea randamentului este necesar calcularea puterii utile Pu i a puterii absorbite Pa
2
Pu = U dm I dm = RS I dm = RS
Pa =
u i d (t ) =
(Ri + RS )
8 U 2
2 U 2
U2
2
(
)
(
)
sin
d
t
=
0 Ri + RS
Ri + RS
1
Pu
1
8 U 2 Ri + RS 8
1
=
= RS
Pa
Ri + 1
(Ri + RS )2 2 U 2
RS
Se observ c dac Ri << RS se poate neglija raportul celor dou rezistene i se obine un randament 81 %
iar n cazul n care nu se poate neglija rezistena intern a redresorului Ri n raport cu rezistena de sarcin RS,
adic rezistena de sarcin are o valoare mic se obine un randament < 80 %, deci un randament mult mai
bun dect al conversiei monoalternan.
Pentru alegerea diodei redresoare se ine seama de valoarea maxim (de vrf) a tensiunii inverse aplicate
diodei i egal cu valoarea de vrf a tensiunii din secundarul transformatorului U max = 2 U precum i de
valoarea curentului mediu prin diod Idm. Aceste dou valori sunt utilizate pentru alegerea diodei pe baza
datelor de catalog, astfel:
Pentru redresorul cu priz median
I 0 > I dm
An univ. 2009-2010
Exemplu 1
Exemplu 2
9. REDRESOARE MONOFAZATE
9.3. Redresoare comandate cu tiristoare
TR
U d = f ( ), f = 0
~ u, f
Th
DCG
Rs
Ud
Ud
U dm
1
=
2
U dm =0 =
U de
1
=
2
=U
2 U
2 U sin (t ) d (t ) =
sin (t ) d (t ) =
2
max
U dm = U dm =0
2 U
2U
(1 + 1) =
U min = U
dm =
dm
2 U m
2 U
2 U
2 U
cos(t ) =
+
cos =
(1 + cos )
2
2
2 U
=0
1 1 cos(2t )
1 1
1 1
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
U
t
d
t
U
d
t
U
t
t
2
sin
sin
2
2
2
2
2
1
1
1 sin 2
(
)
(
)
U
sin
2
sin
2
2
2
2 2
4
U
max
U de = U de =0 =
2
U min = U
de = = 0
de
An univ. 2009-2010
R
Ud
ic
Ud = R i +US
iS
iC
C
UC
Ud
dU S U S
dU S R
+ U S = R C
+
U d = R C
+ US +US
dt
RS
dt
RS
dU C
dU S
iC = C dt = C dt
i = iC + iS
iS = U S
RS
dU S R + RS
R C
+
U S = U d
dt
RS
R + RS
:
0
R RS
dU S
RS
RS
C
+US =
U d
R + RS
dt
R + RS
R RS
R + R C = T cons tan ta de timp a filtrului
S
Se introduc urmtoarele notaii
RS = k
coeficientul de transfer
R + RS
U S (t ) = k e
t
T
U d ,U S
1
T
2f
R Rs
1
C
R + Rs
2f
An univ. 2009-2010
dU S
+ U S = k U d
dt
US
Ud
U d (t )
R + RS 1
R RS 2f
Exemplu
Filtru
Ui
UZ
Stabilizator U s
U BE
IB
IZ
US
RS
1
U i + Ri iS + ST T
S
U S
iS =
RS
U S U BE (I E = iS ) U S = (RS iS )
R
1
U S = U i i U S
S
RS
T1
R5
IE1
I1
R2 U BE 2
I B1
iS
T2
R4
ui
T3
US
IB3
= U BE 3
UR
R5
UZ
US
U S U BE (I E = iS ) U S = (RS iS )
tg = Ri
iS
An univ. 2009-2010
U BE U = U Z U SC
U
I E = I i BE
UT
IC3
U BE = U Z U SC U
U S U BE (I E = iS ) US = (RS i )S
U S =
uS
U BE = U Z U S
UZ
U S
U S
U S
dU i +
diS +
dT
U i
iS
T
U i
R
= K = S 1 + i
U S
RS
RS
ui
U S = f (U i , iS , T )
dU S =
i1
iS
U S U BE (I E = iS ) US = (RS i )S
U BE 3 = U R U Z
Rg
ui
iS
uS
1.
RS
2.
3.
4.
An univ. 2009-2010
Ec I C
Rc
IC
IC
U CE
B'
B
fi
An univ. 2009-2010
f0
f
fS
+ Ec
+ Ec
RC1
R1
CB1
T1
R2
CC1
I2
I1
R3 R3
C2
U2
1 + h22 RS
I2 =
R4 RR4Ie12=Re 2 h
21 C
e 2 Ce 2
Ce1
RS
AI =
I2
h21
=
I1 1 + h22 RS
1 + h22 RS U 2
h21
RS
h11 (1 + h22 RS ) U 2
h + h h R
+ h12 U 2 = U 2 h12 11 11 22 S
h21
RS
h21 RS
h21 RS
U
AU = 2 =
U1 h11 (h12 h21 h11 h22 ) RS
h12 h21 h11 h22 = h
Zi =
I 2 (1 + h22 Rs ) = h21 I1
U1 =
U1 =
C2
U 2 = RS I 2
C 2 U = h I h R I
I 2 = h21 IC1 2+ h22
2
21 1
22
2
S
T2 T2
Re1
U1
U1 = h11 I1 + h12 U 2
21 I1 + h22 U 2
I 2R= hR
h11 + h Rs'
1 + h22 Rs'
An univ. 2009-2010
unde
Rs' = Rc Rs =
RC RS
RC + RS
AU =
Pentru h 0
Rs
h R
AU = 21 s =
h11
h11
h21 RS
U2
=
U1 h11 h RS
Ze =
h11 + Rg'
h22 Rg'
+ h
unde RG' = RG RB =
RG RB
RG + RB
Dif
IC
R1
Cb
A
u
EC
2
EC
1 2
k RS
An univ. 2009-2010
Re
U CE
Ce
TE
RS
AU =
h11
Rc =
R2
Dif
R1
Cb
k =
Rc
Rs
R2
Re
Ce
Amplificator in clasa B
Defazor
An univ. 2009-2010
Amplificator
Ur
= u ur
y = A
ur = y
Atenuator
= u y;
AU =
AU =
A e j A
(
1 A e
j A +
y
A
=
u 1 A
y = A (u y); y (1 A) = A u
A
y=
u
1 A
A = A e jA
= e
AU =
A e j A
) = 1 A e j
A e j A
=
1 A (cos + j sin )
+ Ec
1 2 A cos + ( A )2
An univ. 2009-2010
= (2 k + 1)
cos = 1
= 2 k
cos = 1
y
A
AU = =
u 1+ A
dA
dA U =
(1 + A )2
AU =
y
A
=
u 1 A
R1
RC1
R3
CC1
R2
Re1
R4 Re
2
Ce1
R5
CC 2
T2
T1
RC2
R6
y
Ce2
RC1
R1
U BE
I1
R2
I2
RC 2
R3
IB
IE
y1
R4
IE = IC + IB
y
RE 2
R1 + R E
R2
R1 + R 2
IC = IB
1
(u R 1 I B )
R1 + R 2
E C = R C11 I B + y1
R2
u U BE
R1 + R 2
+ y1
E C = R C1
R1 R 2
+RE
R1 + R 2
y1 = E C R C1
I B <<IC
u = R1 I2 + R1 I B + R 2 I 2
I2 =
R2
u U BE
R1 + R 2
IB =
R R
RE + 1 2
R1 + R 2
An univ. 2009-2010
R 2 I 2 = U BE + R E1 I E
E C = R C1 I C + y1
T2
R2
(u R 1 I B ) = U BE + I B R E
R1 + R 2
y1 = E C R C1
u = R 1 I1 + R 2 I 2
I1 = I 2 + I B
T1
RE1
+ EC
AU =
R2
u U BE
R1 + R 2
R1 R 2
+RE
R1 + R 2
dy1
=
du
R C1
R1 + R E
R2
R1 + R 2
RE = 0
AU =
dy1
=
du
AU =
R C1
RC1
R1
GCC
R5
R5
R2
R1 + R E
R1 + R 2
AU =
R C1
R1
1
+ RE
R
1
+1
R2
R 2 >> R 1
T3
R1
AU =
R C1
RE
R6
+ EC
T1
ctre
etajul
urmtor
R2
foarte mare
I C1 = 1 I B1 = 1 I B
I E1 = I B2 = (1 + 1) I B1 = (1 + 1) I B
I C 2 = 2 I B2 = ( 2 + 1 2 ) I B
I C = I C1 + I C 2
I C = I B = (1 + 2 + 1 2 ) I B
An univ. 2009-2010
= 1 + 2 + 1 2
+ EC
RC1
RB1 = RB 2 = RB
RB 2
RB1
u1
RC1 = RC 2 = RC
RC 2
T1
y2
y1
T2
RE1
R1
RE1 = RE 2 = RE
u2
RE 2
R2
y1 = AU 1 u1 =
RE
EC
y = y1 y2 =
y = AU u
I
ud
u
u+
I+
RC1
R
R
R
R
u1 + C 2 u 2 = C u1 + C u 2 = C (u1 u 2 )
R E1
RE 2
RE
RE
RE
V+
V
traseu comun
An univ. 2009-2010
RC1
u1
RE1
y2 = AU 2 u 2 =
RC 2
u2
RE 2
u+ u
2
y
u+ u
yC
uC
Ad
[dB]
AC
Parametrul
Amplificarea diferenial, Ad
Rezistena de intrare, Ri
Rezistena de intrare, Re
Cureni de intrare, I+, I
Rejecia modului comun, CMR
Tensiunea diferenial de intrare, ud
u = Z1 i1 + uiAO = Z1 i1
y = Z 2 i2 + uiAO = Z 2 i2
i1 + i2 = i = 0
Valori uzuale
105 106
106
102 103
10-9 A
60 100 dB
10-5 V
i1 = i2
i1 =
Z
1
i2 =
Z 2
Z1
i1
Valori ideale
0
0
0
u
y
=
Z1
Z2
Y(s) =
An univ. 2009-2010
Z2
AO
i =0
Ri = 0
y=
Z2
u
Z1
Z 2 (s)
U(s)
Z1 (s)
ui1 R1
ui 2 R2
uin Rn
i1
i2
i3
AO
R2
u
R1
An univ. 2009-2010
AO
R
i
i1
uC
AO
Amplificator neinversor
u
+
i
i2
i1
R1
AO
R2
b
i2 = i1 + i
i1 = i2
u = R1 i1 + uiA0 u = R1 i1
y = R i + R i
y = R2 i2 + R1 i1
2 2
1 1
y=
An univ. 2009-2010
R
R2
u + u = 1 + 2 u
R1
R1
AU =
R
y
= 1+ 2
u
R1