LU C RAR EA N R .

4
MATERIALE OPTOELECTRONICE
1. Scopul lucrrii
Scopul acestei lucrri de laborator este cunoaterea unor materiale folosite n
optoelectronic, msurarea caracteristicilor unor dispozitive optoelectronice: diode
luminiscente (LED) i fototranzistoare, precum i prezentarea unor aplicaii ale
dispozitivelor optoelectronice cu placa de test EasyPIC 4.
2. Noiuni teoretice
Materialele semiconductoare utilizate, pentru realizarea dispozitivelor
optoelectronice, sunt prezentate n ANEXA 1 a lucrrii de laborator.
3. Scurt prezentare a aparaturii de msur i control
Aparatura de msur i control utilizat la aceast lucrare, conform figurii 1, este
urmtoarea :
3.1 GI este un generator de impulsuri TTL care asigur impulsurile de comand
necesare generatorului de trepte GT i care va fi utilizat n urmtoarele domenii:
20 200 s pentru vizualizri
0,2 2 s pentru msurtori de tensiune
3.2 GT este un generator de trepte de tensiune care furnizeaz 16 trepte la ieirea a,
8 trepte la ieirea b i o tensiune constant de cca 15V la ieirea +15V. Pentru a
realiza protecia componentelor supuse msurtorilor n serie cu ieirile a, b sunt
nseriate rezistene de limitare a curentului de 1K de care trebuie inut cont n
anumite cazuri.
3.3 VE este un multimetru de precizie 6 digii de tipul HM 8112-3 utilizat ca
voltmetru electronic cu autoscalare.
3.4 O este un osciloscop cu dou canale de tipul GOS 635G 35MHz i cu
posibilitatea de a lucra i n regim X-Y.
3.5 ME este montajul cu ajutorul cruia se vor face msurtorile i conine un LED
rou (LR), un LED verde (LV), dou LED-uri de infrarou (L1, L2) care au
caracteristici identice i dou fototranzistoare (F1, F2) deasemeni identice.
Notaiile folosite sunt cele care se gsesc inscripionate pe aparate iar semnele au
urmtoarele semnificaii:
fir cu conector de tip banan de 4mm sau cu pin de 1mm ;
borna de 4mm ;
LABORATORUL DE MATERIALE

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
borna de 1mm.
3.6 PC cu software pentru acionarea plcii de test cu microconttroler EasyPIC4
3.7 Placa de test cu microconttroler EasyPIC4
4. Desfurarea lucrrii
Montajul folosit pentru msurarea caracteristicilor unor dispozitive optoelectronice diode luminiscente (LED) i fototranzistoare este reprezentat n figura 1.

Figura 1. Schema general de msur

4.1 Modul general de lucru este urmtorul:
se realizeaz conectrile prevzute la fiecare punct n parte ntre ME, GT i O;
se realizeaz vizualizrile caracteristicilor specificate la fiecare punct;
se realizeaz msurtorile de tensiune conectnd VE n punctele specificate.

LABORATORUL DE MATERIALE

-2 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
4.2 Determinarea formei semnalelor GT i corelaia dintre ele
Se pornesc aparatele i se conecteaz canalul CH2 al osciloscopului (Y), prin sonda
1:1, la ieirea a a generatorului de trepte. Se trece osciloscopul n regim de baz de
timp declanat intern de ctre canalul CH2 i generatorul de impulsuri n regim de
vizualizare. Se acioneaz butoanele de reglaj ale osciloscopului pn se obine o
imagine stabil. Se vizualizeaz la osciloscop, forma de und pe care o d GT la
ieirea a.
Se conecteaz apoi ieirea b a GT la osciloscop, prin sonda 1:1 la canalul CH2 i se
vizualizeaz i forma acestei unde.
Corelaia dintre cele dou ieiri (a,b) ale GT se vizualizeaz prin conectarea lor
simultan la cte un canal al osciloscopului (a la CH1, b la CH2) cu sincronizarea
osciloscopului pe ieirea b i se traseaz graficele a=f(t) i b=f(t) cu respectarea
corelaiei temporale dintre ele.
Msurarea semnalelor GT poate fi executat i cu multimetru punnd conectori
generatorului la bornele multimetrului ( firul de mas la borna albastr i cel de
semnal la borna roie). Msurarea se execut n regim de tensiune VDC i cu tastele
GT CAF i Sursa apsate.
4.2.1 Pentru acionarea osciloscopului modulele, comutatoarele i butoanele de
control sunt urmtoarele :
a) Modulul VERTICAL este pentru desfurarea pe vertical a semnalului. Are
dou canale CH1, pentru desfurarea pe X i CH2, pentru desfurarea pe Y.
Pe acest modul sunt urmtoarele comutatoare i butoane :
VOLTS/div care care selecteaz sensibilitatea celor dou canale CH1 i CH2
ale osciloscopului;
MODE este comutatorul care selecteaz care dintre canale este afiat pe ecran
( CH1, CH2, DUAL i ADD) i n cazul de fa trebuie poziionat pe CH2;
AC, DC este butonul care stabilete modul n care se face declanarea i
trebuie poziionat pe DC, iar butonul GND este decuplat;
POSITION este un poteniometru care asigur deplasarea desfurrii pe
vertical, pe cele dou canale CH1 i CH2, pentru a vedea semnalul n
ntregime;
VAR sunt poteniometri de calibrare pe vertical, pe cele dou canale CH1 i
CH2, i sunt deplasai n poziia limit dreapta;
Butoanele CHOP i CH2 INV se pun pe poziia decuplat.
b) Modulul HORIZONTAL este pentru desfurarea pe orizontal a semnalului.
Pe acest modul sunt urmtoarele comutatoare i butoane :
LABORATORUL DE MATERIALE

-3 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
TIME/div. este comutatorul din care se regleaz viteza de variaie a bazei de
timp;
POSITION este un poteniometru care asigur deplasarea desfurrii pe
orizontal, pentru a vedea semnalul n ntregime;
X-Y butonul care asigur vizualizarea semnalului n regim x-y se pune pe
poziia cuplat, cnd este precizat n lucrarea de laborator;
X10 MAG este un buton care mrete baza de timp declanat de 10 ori, se
pune pe poziia decuplat ;
SWP/VAR poteniometru de calibrare care se pune pe poziia limit dreapta ;
SWP/UNCAL buton care se pune pe poziia decuplat.
c) Modulul TRIGGER selecteaz sursa de semnal de sincronizare intern sau
extern a osciloscopului.
Pe acest modul sunt urmtoarele comutatoare i butoane :
LEVEL este poteniometru cu ajutorul cruia se stabilete nivelul de
sincronizare i stabilitatea acesteia pe orizontal;
HOLDOFF este poteniometru cu ajutorul cruia se asigur intervalul
baleiajului pe orizontal;
COUPLING este comutatorul care selecteaz, modul n care se face
declanarea (AC,HF, REJ, TV, DC) i trebuie poziionat pe AC;
SOURCE este comutatorul care selecteaz sursa de semnal de sincronizare
( CH1, X-Y, CH2, LINE, EXT) i trebuie sa fie poziionat pe CH1, X-Y;
Butoanul SLOPE se poziioneaz pe + i butonul TRIG ALT. pe decuplat.
4.2.2 Msurarea tensiunilor continue cu un multimetru de precizie, 6 digii de
tipul HM 8112-3 se execut n felul urmtor:
Se cupleaz tensiunea de alimentare 220V/ 50Hz cu ajutorul comutatorului de
cuplare a tensiuni de pe panoul din spate al instrumentului, pe poziia ON. In
acest poziie va rmne pe durata msurtorilor un timp mai ndelungat iar
cuplarea aparatului se face cu butonul Standby de pe panoul frontal;
se cupleaz butonul LOCAL pentru lucrul multimetrului local;
pentru calibrare se cupleaz butonul ZERO , pentru a verifica nulul
aparatului i cnd se apas acest buton, cablurile de msur se scurtcircuiteaz
ntre ele;

LABORATORUL DE MATERIALE

-4 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
se apas butonul VDC pentru a msura tensiunea n curent continuu pn la
600V. Bornele de msur din stnga se ilumineaz. Borna roie este pentru (+)
i cea albastr este pentru (-). Msurarea se face n regim automat cu butonul
AUTO aprins;
butonul HOLD este pentru blocarea rezultatului pe display
4.3 Diode luminiscente
a) Caracteristica curent-tensiune
Se conecteaz succesiv ieirea a a GT la LR, LV, L1 cu GI pus n regim de
vizualizare i se vizualizeaz caracteristicile ia=f(ua) pentru cele trei diode. Pentru
aceasta este necesar ca osciloscopul s fie trecut n regim X-Y. Semnalul pentru axa
X (CH1) culegndu-se de anodul diodelor (bornele LR,LV,L1), iar cel pentru axa Y
(CH2) de pe borna B.
Se trece GI n regim de msur i cu ajutorul VE se msoar pe rnd tensiunile n
punctele LR, LV, L1(cel care este conectat n momentul respectiv) i n punctul B.
Msurtorile se fac pentru toate cele 16 trepte ale ieirii a. Rezultatele msurtorilor
se vor trece n tabelul 1.
Msurarea carateristici curent-tensiune poate fi executat i cu multimetru punnd
conectorii ntre punctul B i bornele multimetrului ( firul de mas la borna albastr i
cel de semnal la borna roie). Msurarea se execut n regim de tensiune VDC i cu
tastele CAF i Sursa apsate.
Aceast msurtoare cu multimetrul se face n paralel cu msurtorea caracteristicii
curent-tensiune, care se execut cu osciloscopul.
ATENIE notaiile UX ,UY se refer la tensiunea msurat la intarea X(CH1) sau
Y(CH2) a osciloscopului (i corespunztor i punctelor din ME conectate la acestea)
R1 = 100

Tabelul 1
Treapta

Dioda LI

Dioda LV

Dioda LR

Ux
Uy
ID = Uy/R1
UD = U x U y
Ux
Uy
ID = Uy/R1
UD = U x U y
Ux
Uy
ID = Uy/R1
UD = U x U y

9 10 ...

16

[mV]
[mV]
[mA]
[mV]
[mV]
[mV]
[mA]
[mV]
[mV]
[mV]
[mA]
[mV]

LABORATORUL DE MATERIALE

-5 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
Se calculeaz valorile curentului prin dioda luminiscent ID i tensiunea pe aceasta UD
folosind formulele din Tabelul 1.
Se traseaz pe acelai grafic caracteristicile I = f(UD) pentru cele 3 diode luminiscente
msurate i se noteaz diferenele dintre acestea.
b) Fluxul emis
Se ridic caracteristica emis = f(i) n unghiul solid 1,2 pentru dioda luminiscent cu
emisie n infrarou L1. Unghiul solid se modific prin modificarea distanei diod
luminiscent- fotodetector i anume cu ct aceast distan este mai mare, cu att
unghiul solid este mai mic. Aceasta nsemn c 1 2.
Pentru a putea msura fluxul emis se vor face urmtoarele conexiuni:
ieirea b a GT se conecteaz la una din intrrile L1, L2;
ieirea +15V a GT se conecteaz la una din intrrile F1, F2 (cea
corespunztoare diodei folosite) ;
intrarea Y (CH2) a osciloscopului se conecteaz n punctul A;
intrarea X (CH1) a osciloscopului se conecteaz n punctul B.
Pe osciloscop se va vedea n acest moment rspunsul fototranzistorului conectat la
fluxul emis de dioda respectiv si pe baza msurtorilor de curent de colector i a
diagramei din figura 2 se poate calcula fluxul emis de diod .
Pentru a putea efectua msurtorile se trece GI n regim de masur i se msoar
tensiunile UB si UA care se trec n tabelul 2.
Msurarea fluxului emis poate fi executat i cu multimetru punnd conectorii ntre
punctul A i bornele multimetrului ( firul de mas la borna albastr i cel de semnal
la borna roie). Msurarea se execut n regim de tensiune VDC i cu tastele CAF
i Sursa apsate.
Aceast msurtoare cu multimetrul se face n paralel cu msurtorea fluxului emis,
care se execut cu osciloscopul.
R1 = 100

Tabelul 2.
Treapta
UB
UA
IL1 = UB / R1
IF1 = UA / R2
1
UA
IF2 = UA / R2
2

R2 = 1,6 K
3

[mV]
[V]
[mA]
[mA]
[lx]
[V]
[mA]
[lx]

LABORATORUL DE MATERIALE

-6 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
Se traseaz pe acelai grafic caracteristicile = f (IL) n unghiul solid 1 i 2
pentru cele dou diode msurate i se noteaz diferenele ntre acestea.

Figura 2. Caracteristica =f(IC)

4.4 Fototranzistorul
Se ridic caracteristica IC= f(UCE)ct pentru fototranzistorul F1.
Pentru a realiza aceasta se fac urmtoarele conexiuni:
ieirea a a GT se conecteaz la intrarea F1 a ME;
ieirea b a GT se conecteaz la intrarea L1 a ME
intrarea Y (CH2) a osciloscopului se conecteaz la ieirea A a ME
intrarea X (CH1) a osciloscopului se conecteaz la intrarea F1 a ME
Cu GI n regim de vizualizare so observ pe ecranul osciloscopului setul de
caracteristici IC= f(UCE).
Se trece GI n regim de msur i se msoar punct cu punct tensiunea de la ieirea A
a ME, avnd grij ca sa se parcurg toate cele 128 de puncte. Rezultatele se trec n
tabelul 3.
Msurarea carateristici IC= f(UCE)ct, pentru fototranzistor, poate fi executat i cu
multimetru punnd conectorii ntre punctului A i F1 i bornele multimetrului ( firul
de mas la borna albastr i cel de semnal la borna roie). Msurarea se execut n
regim de tensiune VDC i cu tastele CAF i Sursa apsate.
Aceast msurtoare cu multimetrul se face n paralel cu msurtoarea caracteristicii
IC= f(UCE)ct care se execut cu osciloscopul.

LABORATORUL DE MATERIALE

-7 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________

Tabelul 3

R2 =1,6 K

Treapta
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =

1
Ua
UY
I C = UY / R 2
UCE
UY
I C = UY / R 2
UCE
Uy
I C = UY / R 2
UCE
UY
I C = UY / R 2
UCE
UY
I C = UY / R 2
UCE
UY
I C = UY / R 2
UCE
UY
I C = UY / R 2
UCE
UY
I C = UY / R 2
UCE

[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]

9 10 ... 16
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...

Valorile pentru tensiunea Ua se msoar n felul urmtor:

se conecteaz VE la borna a a GT;
se trece GI n regim de msur ;
se msoar cele 16 trepte de tensiune i se trec n tabel.
Tensiunea UCE se calculeaz cu relaia:
UCE= Ua-UY-RLxIc
( 1)
unde : RL=1K este rezistena de limitare a curentului din GT.
Valorile pentru IL1 i pentru L1 se iau din tabelul 2 i se reprezint grafic setul de
caracteristici IC=f(UCE)=ct.

LABORATORUL DE MATERIALE

-8 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________

4.5 Prezentarea unor aplicaii ale dispozitivelor optoelectronice cu placa de test

EasyPIC 4.
4.5.1 Verificarea plcii de test i cuplarea la PC
Se procedeaz n felul urmtor:
1.
Se verific vizual dac placa corespunde hardware foii de catalog
din ANEXA 2 a lucrrii de laborator. Switch-urile SW1 i SW2 se pun pe
poziia ON. Poziia jumper-elor trebuie s corespund foii de catalog din
ANEXA.
Pentru caractere alfanumerice pe afiorul LCD, jumper-ul JP12 se pune pe
CHAR., iar pentru grafic pe GRAPH.
2. Se cupleaz PC-ul cu parola student.
3. Placa de test EasyPIC4 se cuplez la PC cu cablul USB, la conectorul 1 de pe
plac. n acest fel asigurm, att alimentarea plcii de la sursa calculatorului,
ct i aplicaiile software.
4.5.2 Acionarea plcii de test EasyPIC 4
4.5.2.1 Pentru acionarea plcii de test folosim un program dedicat:
mikroElektronika-PicFLASH with microICD n felul urmtor:
1. La deschiderea ferestrei acestui program, n csua Device se introduce tipul
microcontroller-ului, respectiv: PIC 16F877A.
2. Pentru nscrierea programului n microcontroller n sistem hexazecimal se
apas tasta : Load HEX.
3. Se deschide ferestra Open a programului de test i parcurgem:
Local Disk;
(C:);
Program files;
Mikroelektronika;
MicroC;
Examples;
EasyPic 416F877A;
Examples sau Extra examples.
4. Se selecteaz unul din urmtoarele programe luate ca exemplu 7segdisplay1,
2 sau 3, Counter, LCDi Led_Blinking. n felul acesta vor fi
acionate afioarele cu apte segmente, afiorul LCD i LED-urile.
5. Dup selectare se deschide fereastra, cu programul luat ca exemplu, n format
HEX files.
LABORATORUL DE MATERIALE

-9 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
a) se inscripioneaz n microcontroller apsnd tasta Write. Dup ce s-a
inscripionat corect programul, placa execut secvena de test.
b) Dac dorim s modificm programul se apas pe csua RESET a
programului i se reia secvena de inscripionare de la capt. De
asemenea, putem introduce alt program parcurgnd acelai algoritm
descris mai sus.
4.5.2.2 Programul microC compiler for PIC
Pentru a inscripiona n limbaj MicroC , n microcontroller, diverse programe de
acionare a afioarelor cu 7 segmente, LCD i LED-urilor, de pe placa de test
EasyPic 4, se utilizeaz programul microC compiler for PIC i se procedeaz
n felul urmtor:
1. La deschiderea ferestrei acestui program, n csua Device se introduce
tipul microcontroller-ului, respectiv: PIC 16F877A i n csua Clock
008.000000 MHz.
2. n csua Project din bara superioar de comezi se acioneaz tasta New
Project care deschide fereastra New Project. n acest ferestr sunt
prezentate comenzile necesare pentru un nou program de acionare a plcii.
3. Dac dorim s folosim programele exemplu deja existente, atunci n csua
Project vom aciona tasta Open Project sau Recent Project.
4. La tasta Open Project se deschide ferestra de cutare a programului de test
Open. Apsm tasta Open pn cnd vom gsii programul de test
parcurgnd una din urmtoarele ci:
Local Disk;
(C:);
Program files;
Mikroelektronika;
MicroC;
Examples;
EasyPic 416F877A;
Examples sau.
5.

6.
7.

Se selecteaz unul din urmtoarele programe luate ca exemplu

7segdisplay1, 2 sau 3, Counter, LCDi Led_Blinking. n felul
acesta vor fi acionate afioarele cu apte segmente, i LED-urile. Pentru
afioarele LCD se apas pe Extra examples, GLCD, P16, P16F877A,
GLCD Test
Dup selectare se deschide fereastra cu programul luat ca exemplu n format
microC project (ppc). n cazul n care selectm 7segdisplay3 atunci va
apare programul Display7seg_03 pe care l selectm cu tasta Open.
Odat selectat programul exemplu el apare, comand cu comand, nscris n
programul microC compiler for PIC.
LABORATORUL DE MATERIALE

- 10 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
Se inscripioneaz n microcontroller prin programul mikroElektronikaPicFLASH [V7.04] with microICD apsnd n porgramul MicroC tasta
Tools i mE Programmer. Tasta mE Programmer activeaz
automat programul mikroElektronika-PicFLASH [V7.04] with
microICD i placa execut testul.
Dac dorim s modificm programul se apas pe csua RESET a
programului i se reia secvena de inscripionare de la capt. De asemenea,
putem introduce alt program parcurgnd acelai algoritm descris mai sus.

8.

9.

5. Coninutul referatului

scopul lucrrii ;
graficul reprezentnd corelaia dintre cele dou semnale date de GT ;
tabelul 1 i graficul I=f(UD) pentru cele trei diode msurate ;
tabelul 2 i graficul =f(IL) ;
tabelul 3 i graficul IC=f(UCE)=ct. ;
comentarii i concluzii privind aplicaiile dispozitivelor optoelectronice puse n
eviden cu placa de test EasyPIC4.

1) De ce se introduce jonciunea pn (partea activ a LED-ului) ntr-o calot

sferic realizat dintr-un material plastic i cum se alege acesta din punct de
vedere al indicelui de refracie ?
2) Dac un LED emite lumin cu lungimea de und 550 nm, care este energia
benzii interzise a materialului din care este realizat LED ul?
3) Dac un LED emite lumin cu lungimea de und 550 nm i un altul 600nm,
comparai valorile benzilor interzise corespunztoare materialelor din care sunt
realizate cele 2 LED-uri.
4) Se consider un LED pe GaAs. Banda interzis a GaAs este 1.42eV. Variaia
acesteia cu temperatura are loc dup legea

dE g
dT

4.5 10 4

eV
K

. S se

determine variaia lungimii de und emise dac temperature variaz cu 10C.

Soluie:
Eg

h c

La temperatura iniial,

h c 1.24 10 6 eV m

875nm .
Eg
1.42eV

LABORATORUL DE MATERIALE

- 11 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
d
d h c
h c dE g
m
nm

2
2.77 10 10
2.77

dT dT E g
K
K
E g dT

d
nm
T 2.77
10K 27.7nm
dT
K

Deoarece Eg scade cu temperatura, atunci lungimea de und crete cu temperatura.

5) Exemplificai materiale semiconductoare cu structur de benzi direct,
respectiv indirect.
6) Ce este electroluminescena?
7) Schema echivalent de semnal mic a unui LED.
8) Ce sunt diodele superluminescente ?
9) Care sunt cele dou configuraii de baz pentru structurile pentru LED-uri?
10) Exemplificai cel puin cinci aplicaii ale LED-urilor.

LABORATORUL DE MATERIALE

- 12 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________

ANEXA 1
Materiale semiconductoare utilizate pentru realizarea fotodiodelor.
Materialele semiconductoare utilizate pentru realizarea fotodiodelor sunt:
InP (Eg = 1.35 eV);
In1-xGaxAsyP1-y (Eg = 0.75 - 1.18 eV);
GaAs (Eg = 1.41 eV);
AlxGa1-xAs (Eg = 1.41 - 2.2 eV);
GaN (Eg = 3.44 eV);
GaP (Eg = 2.24 eV);
Si (Eg = 1.1 eV);
SnO2 (Eg " 3.6 - 3.8 eV).
Structuri monocristal utilizate n optoelectronic sunt prezentate n tabelul A1
Tabel A1
Cristal

Structur Constanta Dimensiunea

reelei
maxim a
plachetei

Al2O3

Hexag.

4.758

6" dia

MgO

Cubic

4.216

3" dia

MgAl2O4

Cubic

8.083

1.5" dia

ZnO

Hexag.

3.252

10x10mm

SiC(6H)

Hexag.

3.08

10x10mm

LiAlO2

Tantra

5.17

30mm dia

LiGaO2

Orthor.

5.406

30mm dia

LABORATORUL DE MATERIALE

- 13 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________

Figura A1 Monocristale pentru optoelectronic debitate sub diferite forme

O structur de fotodioda cu domeniul spectral 0.86 - 1.65 m este prezentat n figura
A2. Tehnologia de fabricare este epitaxia n faza lichid.

Figura A2 Structur de fotodioda cu domeniul spectral 0.86 - 1.65 m

Se urmrete explorarea metodelor de reducere a dislocaiilor i astfel obinerea de
materiale heteroepitaxiale din InGaAsP/InP destinate realizrii produselor
optoelectronice de nalt calitate pe substarturi de siliciu.
Aliajele InP i InGaAsP cu dimensiunea reelei acordat sunt materialele primare
pentru sistemele de telecomunicaii optoelectronice de mare vitez i tehnologia
LABORATORUL DE MATERIALE

- 14 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
materialelor InP-pe-Si vor permite fotonicii VLSI (Very Large Scale of Integration)
s devin o realitate.

Figura A3 Modul fotodiod cuplat la fibra optic

SAFIRUL - Al2O3 este disponibil cu diametrul maxim de 10". Safirul este folosit
ntr-o gam larg de aplicaii i este crescut prin cteva metode inclusiv Czochralski.

Figura A4 Aluminat de Lanthanum - LaAl03

LABORATORUL DE MATERIALE

- 15 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
Celula pseudo cubic, obinut prin metoda Czochralski, realizat la orice dimensiuni
pn la diametru de 3", Figura A5.

Figura A5 Celula pseudo cubic, obinut prin metoda Czochralski

n contextul acestei lucrri, prin optoelectronic nelegem numai dispozitivele
optoelectronice bazate pe semiconductoare, unde procesele de recombinare emit
lumin. Aceste proces de radiaie este numit emisie spontan a luminii, pentru c are
loc statistic fr alte ingrediente n afara electronilor i golurilor.
nc nu vom studia aici procesul opus absorbia luminii, fenomen important n
funcionarea fotodiodelor sau a celulelor solare. De asemenea transmisia luminii prin
ghidurile de und nu este considerat aici.

Figura A6 Structura de benzi pentru semiconductori cu banda a) direct, b) indirect

Am vzut c siliciul este un material indirect i c energia emis nu produce fotoni n
cantitate apreciabil i, ca urmare, nu este folosit n aplicaii pentru optoelectronic.
LABORATORUL DE MATERIALE

- 16 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
Aceasta este parial adevrat, pentru c aa cum vom vedea, exist semiconductoare
indirecte care emit suficient lumin pentru a fi folosite n aplicaii practice n
optoelectronic. Dar, nc o data, n general se folosesc materiale directe de la care se
ateapt ca recombinarea s aib ca rezultat emisia luminii. Aceasta conduce la unele
ntrebri cu caracter general care se refer la proprietile de material. Se examineaz
numai cteva dintre cele fundamentale.
Care este lungimea de und a radiaiei emise?
Dac lumina este produs prin recombinarea band-band, este valabil relaia:
i folosind relaia :

h EC EV

(1)

Cmat

(2)
cmat = viteza luminii n material = co/n, co = viteza luminii n vid i n = indicele de
refracie al materialului, se obine:

h c0
n

(3)

Dac recombinarea are loc ntre alte stri energetice, simplu, se nlocuiete E C - EV cu
E, diferena relevant de energie.
Pe LED-ul alimentat se gsete o tensiune direct de 1,1 la 1,5 V. Diodele emiatoare
de lumin cu lungimi de und mai mici (ex. 850 nm) au cderi de tensiune mai mari
i pe msur ce lungimea de und crete cderea de tensiune scade. Acest fenomen
poate fi pus n legtura cu energia Eg a benzii interzise a materialului LED-ului.
Ecuaia de mai jos definete energia benzii interzise Eg:
E g h c

(4)

Eg=hc/ = 1240eV, unde h este constanta lui Plank = 4.13 x 10-15 eVs (h =6.62610-34
Joules), c = viteza luminii = 2.998 x 108 m/s i = lungimea de und exprimat n
nm. Folosind aceast ecuaie, se poate calcula energia benzii interzise a unui LED,
tiind lungimea de und a radiaiei emise.
Cderea de tensiune pe diferite LED-uri, care funcioneaz la un curent de
aproximativ 20 mA:
INFRAROU: aprox 1.4-1.9V
ROU: aprox 1.8 V
GALBEN: aprox 2.0 V
VERDE: aprox 2.1 V
ALBASTRU: 3 to 3.6 V
ALB: 3 to 3.6 V
LABORATORUL DE MATERIALE

- 17 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
Alimentarea unui LED de la o surs DC se realizeaz de regul printr-o rezisten n
serie care limiteaz curentul la valoarea necesar pentru LED. Valoarea rezistorului
n ohmi, conectat n serie cu LED-ul este dat de relaia :
RS = (Va VacLED) / IacLED
(5)
Tabelul A2 Materiale optoelectronice uzuale i caracteristicile de baz
Lungimea de
Materialul
Energia Eg
und
GaP
2.24 eV
550 nm
AIAs
2.09 eV
590 nm
GaAs
1.42 eV
870 nm
InP
1.33 eV
930 nm
AIGaAs
1.42-1.61 eV
770-870 nm
InGaAsP
0.74-1.13 eV
1100-1670 nm
n tabelul de mai sus sunt date cteva materiale folosite n dispozitivele generatoare
fotonice, lungimea de und a radiaiei emise i energia corespunztoare benzii
interzise. Primele materiale, GaP si AlAs, sunt folosite la realizarea generatoarelor
fotonice n domeniul vizibil al spectrului. Urmtoarele trei materiale, GaAs, InP i
AlGaAs, sunt folosite pentru fabricarea generatoarelor fotonice n domeniul IR
apropiat al spectrului, cunoscut ca prim fereastr n comunicaiile pe fibr optic.
Ultimul material, InGaAsP, este folosit pentru emitoarele din domeniul IR,
cunoscut ca ferestrele doi i trei n comunicaiile pe fibr optic. Energia benzii
interzise corespunde energiei fotonilor emii i este n acelai timp un indiciu despre
cderea de tensiune asociat LED-ului, cnd este polarizat direct.
Un LED este o diod semiconductoare ce emite lumin la polarizarea direct a
jonciunii p-n. Acest efect este o form de electroluminescen. Astfel un LED face
conversia energiei electrice n energie luminoas.
n cazul LED-urilor, dar i al laserelor semiconductoare, dioda este direct polarizat:
ieirea radiaia luminoas crete exponenial cu tensiunea aplicat diodei (n cazul
unei diode ideale ignornd rezistena parazit) i este influenat de temperatura
factorul care apare la partea exponenial aceast dependen poate fi controlat
folosind un mecanism de reacie negativ pentru a obine curentul diodei independent
de temperatur.
Recombinarea electron-gol elibereaz o cuant de energie - un foton. Prin urmare,
pentru a face un semiconductor s radieze este necesar s susinem recombinarea
electron-gol.
Diferena este c n diodele obinuite, aceast recombinare elibereaz energie sub
form de cldur - nu sub form de lumin (adic ntr-un alt domeniu al spectrului).
ntr-un LED, aceste recombinri elibereaz energie sub form de lumin.
Recombinarea generatoare de caldur se numete neradiativ, n timp ce
recombinarea generatoare de lumina se numete radiativ. n realitate, n orice diod
LABORATORUL DE MATERIALE

- 18 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
au loc ambele tipuri de recombinri; cnd majoritatea recombinrilor sunt radiative,
avem un LED. Curentul direct injecteaza electroni n regiunea srcit de purttori,
unde ei se recombin cu golurile n mod radiativ sau neradiativ. Prin urmare,
recombinrile neradiative "consum" din electronii excitai necesari recombinrii
radiative, ceea ce scade eficiena procesului. Acest fapt este caracterizat prin eficiena
cuantic intern, int , parametru care arat ce fracie din numrut total de electroni
excitai produce fotoni. Explicaiile de mai sus justific caracteristica intrare-ieire a
unui LED prezentat n figura
Raionamentul de mai sus poate fi formalizat astfel: puterea luminoas, P, este
energia per secund, adic numrul de fotoni nmulit cu energia unui foton, Ep .
Numrul de fotoni este egal cu numrul de electroni injectai, N, nmulit cu eficiena
cuantic intern.
Timpul de via, , al purttorilor este timpul dintre momentul n care ei sunt injectai
n regiunea golit i momentul n care ei se recombin. Din acest motiv se mai
folosete i denumirea de timp de via de recombinare. Valorile sale variaz de la
nanosecunde la milisecunde. Trebuie fcut distincie ntre timpul de via radiativ,
r, i neradiativ, nr , astfel nct timpul de via se calculeaz cu relaia:
1/ = 1/r +1/nr

(6)

Eficiena cuantic intern, int , care arat ci fotoni sunt radiai n raport cu numrul
total de electroni injectai, poate fi calculat cu relaia:
int = /r

(7)

Timpul de cretere/descretere, tr , este definit ntre 10% i 90% din valoarea maxim
a pulsului, ca n Figura A7.

a)

b)

Figura A7 a) Definirea timpului de cretere/descretere; b) puterea de ieire.

Timpul de cretere/descretere este determinat de capacitatea LED-ului (C), de
amplitudinea treptei de curent de la intrare (Ip ) i de timpul de via () i se poate
calcula cu relaia :
LABORATORUL DE MATERIALE

- 19 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
tr = 2.2[ + (1.710-4 TC)/Ip]
(8)
unde : T este temperatura absolut n Kelvini (0C = 273K). Pentru o valoare mare a
lui Ip , al doilea termen devine neglijabil i timpul de cretere este determinat, n
ultim instan de timpul de via. Fabricanii prefer s msoare acest timp, valorile
tipice ncadrndu-se ntre 2 i 4 ns.
Banda de modulaie, BW, este intervalul de frecvene de modulaie n cadrul cruia
puterea electric detectat scade la -3dB. n cazul unui LED, aceasta este limitat de
timpul de via al purttorilor. Explicaia fizic a acestui principiu este urmtoarea:
presupunem c un electron este excitat n banda de conducie; lui i ia ns pn cnd
sa cad n banda de valen prin recombinare. n acest interval de timp nu se poate
modifica starea lui, astfel nct chiar dac se ntrerupe curentul direct, trebuie ateptat
ns pn cnd radiaia va nceta practic.

Figura A8 Diod semiconductoare

LABORATORUL DE MATERIALE

- 20 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________

Figura A9 Generarea luminii de o diod semiconductoare (este reprezentat doar

curentul de goluri n regiunea de tip N)
Ca i diodele, toate tranzistoarele sunt sensibile la lumin. Fototranzistoarele sunt
concepute special pentru a profita de acest fapt. Varianta cea mai comun este un
tranzistor NPN bipolar cu baza expuse. n acest caz, semnalul electric de intrare
aplicat pe baz este nlocuit de semnal electromagnetic luminos, deci, un
fototranzistor amplific variaiile de semnalului luminos de intrare. Fototranzistoarele
au funcie similar cu fotodiodele acestea au ctig mult mai mic, dar au timpi de
rspuns mai mici.

LABORATORUL DE MATERIALE

- 21 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
ANEXA 2
Descrierea plcii de test EasyPIC4
Placa de test EasyPIC4, conform foii de catalog prezentat n anex, are urmtoarele
componente principale:
1. Conector pentru alimentarea plcii de la o surs de alimentare extern cu tensiunea
de la 8V la 16V AC/DC.
2. Jumper pentru schimbarea alimentrii cu tensiune de la sursa extern, la sursa
calculatorului PC. Aceast tensiune este transmis prin conectorul USB la placa
de test.
3. Programator rapid i flexibil cu circuit mikroICD ( In Circiut Debugger).
Caracteristicile acestui circuit pot fi extinse. Prin downlodarea unui nou
software noi vom putea programa i circuite de generaii mai noi.
4. Loca pentru senzorul de temperatur DS 1820, care msoar temperature cu
precizie de 0,5C.
5. Conector de comunicaii RS232 cu TX i RX selectabil pentru utilizarea
unor microcontrollere de capacitatea mai mic.
6. Pentru prezentarea aplicaiilor plcii, fiecare din pinii RA0-RA5 sunt conectai i
pot fi utilizai pentru msurarea tensiuilor stabilite cu poteniometri P1 i P2.
7. Portul A este conectat la o reea de rezistoare folosite de switch-ul SW1. Dac
acest switch este pe poziia OFF, pinul apropiat n-are nici un resistor cuplat.
Aceasta este foarte important pentru utilizarea PORTULUI A n mod analog ca
un convertor A/D la fel ca un port digital I/O.
8. Setarea jumper-ului n poziia superioar pune tensiunea de pe pinii portului
apropiat pe 1 logic. Dac jumper-ul este setat pe poziia inferioar tensiunea de pe
pinii portului apropiat este pe 0 logic. Este foarte important s selectm poziia,
pentru un port dac ateptm la intrri 0 logic sau 1 logic.
9. Soclu pentru conectarea unui afior LCD cu 16 x 2 caractere, n mod de operare
de 4 bii.
10. Soclu pentru conectarea unui afior LCD cu 128 x 64 caractere, n mod de operare
de 8 bii.
11. Socluri pentru microcontrollere cu capsule DIP8, DIP14, DIP18, DIP20, DIP28 i
DIP40, pentru folosirea pe placa de test aproape a ntregii game de Microchip
Microconttrolere.
12. 36 butoane de control pentru fiecare pin al microcontroller-ului.
13. Putem alege cum apsm butonul, care va modifica tensiunea pe pinii micro
controllerului, fie n starea superioar, fie n cea inferioar.
14. Vedem semnalul pe fiecare pin cu ajutorul LED-urilor.
15. Afioare din 7 segmente n modul multiplex, pentru afiarea valorilor.
16. Comutator ON, OFF pentru LED-urile porturilor A,B,C,D i E. Putem schimba
LABORATORUL DE MATERIALE

- 22 -

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE

__________________________________________________________
portul a crui LED dorim s-l conectm. De asemenea, putem schimba digiii pe
care dorim s fie pe poziia deschis. n aplicaiile bine definite este important s
decuplm toate conexiunile care nu sunt necsare de la pinii microcontrollerului.
17. Acordul contrastului LCD.
18. Controlul sursei de alimentare.
19. Comunicaie USB pentru MCU.
20. Conector pentru tastatur.
21. Buton Reset al plcii de test.

LABORATORUL DE MATERIALE

- 23 -

CATEDRA TEF