Universitatea Politehnica Bucureşti

Departamentul de Matematică şi Fizică

Caracterizări electrice ale dispozitivelor de tip

MOS cu poartă dielectrică de permitivitate
mare crescută pe siliciu

- Teză de doctorat -

Conducător ştiinţific,

Prof. Dr. Constantin P. Cristescu

Bogdan Mereu

- Bucureşti, 2004 -
2
„Căci însăşi persistenţa lucrurilor, ordinea, poziţia, şi mişcarea lor, şi legătura reciprocă a celor

de la extremităţi prin cele din mijloc, nepăgubindu-se unele pe altele prin opoziţie, apoi

convergenţa părţilor în întreguri şi unirea deplină a întregurilor cu părţile, distincţia

neamestecată a părţilor însele între ele, după diferenţa caracteristică a fiecăreia, şi unirea fără

contopire într-o identitate neschimbată a întregurilor şi, ca să nu le spun pe toate, adunarea şi

deosebirea tuturor faţă de toate şi succesiunea inviolabilă a tuturor şi a fiecăreia după specia

proprie, necorupându-se nicidecum raţiunea proprie a firii şi neconfundându-se cu altceva şi

neconfundând nimic,

- arată clar că toate se susţin prin purtarea-de-grijă a lui Dumnezeu care le-a făcut.”

„...Fiindcă spre lucrare au fost făcute toate cele create, iar toată lucrarea este spre o ţintă

finală, ca să nu rămână nedesăvârşite.”

Sf. Maxim Mărturisitorul, Ambigua

3
4
Mulţumiri

La realizarea acestei lucrări au participat şi ajutat mai multe persoane. Dintre acestea, Prof.
Dr. Constantin P. Cristescu şi Dr. Marin Alexe au avut o contribuţie decisivă din punct de
vedere ştiinţific şi moral. Aş dori să le mulţumesc pe această cale.
De asemenea, aş dori să mulţumesc următorilor:
• Prof. Dr. Toni Boţilă, Dr. Lucian Pintilie, Dr. Ioana Pintilie, Dr. Eugenia Penţia,
George Sarau, Marian Lişcă şi Vioricăi Stancu din Laboratorul de Semiconductori
din INCDFM pentru ajutorul şi sfaturile date;
• Dr. Cristina Stan de la Universitatea Politehnica Bucureşti pentru ajutorul acordat
în simularea numerică;
• Dr. Athanasios Dimoulas şi membrilor grupului său din “Institute of Materials
Science, National Center for Scientific Research «Demokritos»", Atena, pentru
furnizarea probelor;
• J. C. Hooker and Z. Rittesma de la “Philips Research Leuven” pentru ajutorul
acordat în procesarea probelor;
• Dr. Roland Scholz de la “Max Planck Institut für Mikrostrukturephysik“, Halle,
pentru analiza de microscopie TEM;
• Prof. Dr. Horst Beige şi Dr. Martin Diestelhorst de la „Martin-Luther-Universität
Halle-Wittenberg“ pentru discuţiile utile avute în legătură cu dinamicile neliniare
din structurile cu straturi subţiri feroelectrice.
• Tuturor colaboratorilor din cadrul proiectului european INVEST (“Integration of
very high-k dielectrics with silicon CMOS technology”), sub auspiciile căruia s-au
desfăşurat cercetările.
Doresc să multumesc tuturor colegilor şi prietenilor mei de la INCDFM Măgurele şi “Max
Planck Institut für Mikrostrukturephysik“, Halle, pentru ajutorul şi sprijinul acordat în cursul
ultimilor trei ani.

5
6
Cuprins
1 Introducere .................................................................................................................. 9
2 Aspecte ale integrării dielectricilor de permitivitate mare în tehnologia CMOS.... 11
2.1 Limitări ale dioxidului de siliciu ca dielectric de poartă ....................................... 11
2.2 Alternative pentru creşterea în continuare a performanţelor
dispozitivelor MOSFET ........................................................................................ 15
2.3 Cerinţe ale integrării dielectricilor de permitivitate mare în tehnologia CMOS.... 17
3 Metode de caracterizare electrică a filmelor dielectrice subţiri .............................. 35
3.1 Studiul mecanismelor de transport electric prin filme izolatoare subţiri ............... 36
3.2 Analiza de semnal mic a dispozitivelor MOS ........................................................ 44
3.3 Capacitorul Metal-Oxid-Semiconductor la frecvenţe joase................................... 48
3.4 Capacitorul MOS la frecvenţe medii şi înalte ....................................................... 49
3.5 Metode de determinare a parametrilor dispozitivelor MOS cu ajutorul capacităţii52
4 Metode experimentale ............................................................................................... 71
4.1 Prepararea probelor ............................................................................................ 71
4.2 Aranjamente experimentale .................................................................................. 74
4.3 Prepararea probelor şi aranjamentul experimental al
măsurătorilor structurilor pseudo-MOS ............................................................... 76
5 Rezultate experimentale şi discuţii. Dispozitive de tip MOS cu oxizi de poartă de
permitivitate mare ..................................................................................................... 79
5.1 Oxidul de itriu Y2O3.............................................................................................. 80
5.2 Titanatul de stronţiu SrTiO3 ................................................................................. 97
5.3 Aluminatul de lantan LaAlO3...............................................................................104
5.4 Hafniatul de lantan La2Hf2O7 ..............................................................................112
6 Rezultate experimentale şi discuţii. Dinamici neliniare şi comportare haotică .....125
6.1 Dinamici neliniare în structuri Metal-Feroelectric-Metal....................................125
6.2 Model al structurii MIS într-un circuit serie RLC ................................................127
6.3 Oscilator intrinsec - structura MFS sub excitare de semnal mare ........................130
6.4 Rezultate experimentale, simulări numerice şi discuţii.........................................131
6.5 Concluzii .............................................................................................................144
7 Rezultate experimentale şi discuţii. Tranzistor cu efect de câmp pe bază de
structuri pseudo-MOS de tipul CdS/SiO2/Si ...........................................................147
7.1 Rezultate experimentale şi discuţii.......................................................................148
7.2 Concluzii .............................................................................................................152
8 Concluzii ...................................................................................................................153
8.1 Dispozitive de tip MOS cu oxizi de poartă de permitivitate mare .........................153
8.2 Dinamici neliniare şi comportare haotică............................................................157
8.3 Tranzistor cu efect de câmp pe bază de structuri pseudo-MOS
de tipul CdS/SiO2/Si ............................................................................................159
9 Anexe.........................................................................................................................161
ANEXA 1 – Fenomene de tunelare ..................................................................................161
ANEXA 2 – Teoriile emisiei termoionice şi difuziei .........................................................170
ANEXA 3 – Sarcina şi capacitatea de joasă frecvenţă a suprafeţei Si..............................174
ANEXA 4 – Aproximaţiile capacităţii suprafeţei Si la frecvenţe joase .............................181
ANEXA 5 – Capacitatea de înaltă frecvenţă a suprafeţei Si.............................................183
10 Referinţe bibliografice..............................................................................................187

7
8
1 Introducere

Industria microelectronică bazată pe tehnologia siliciului s-a aflat, încă din momentele
apariţiei sale în urmă cu peste patru decenii, într-o continuă dezvoltare. Criteriile care stau la
baza evaluării ascensiunii microelectronicii sunt performanţele dispozitivelor logice şi de
memorie. În vederea continuării îmbunătăţirii acestora va fi necesar în următorii ani să se
realizeze schimbări majore în tehnologiile siliciului.
În ceea ce priveşte tranzistorul MOSFET („Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-
Transistor” - MOSFET), aceste schimbări cuprind implementarea unor noi arhitecturi de
dispozitiv, înlocuirea polisiliciului ca electrod de poartă cu un electrod metalic sau schimbarea
dielectricului de poartă actual, dioxidul de siliciu, cu un material dielectric de permitivitate
mare. În scopul identificării celui mai potrivit dielectric de poartă şi a modalităţii de integrare
în tehnologia CMOS sunt necesare studii ale proprietăţilor structurale, termodinamice,
electrice ale straturilor subţiri în contact cu substratele de siliciu. În lucrarea de faţă se vor
prezenta rezultatele studiilor comportărilor electrice ale structurilor de tip Metal-Oxid-
Semiconductor (MOS) realizate pe baza unor oxizi de permitivitate mare (Y2O3, SrTiO3,
LaAlO3 şi La2Hf2O7). Investigaţiile au fost efectuate prin utilizarea metodelor clasice de
caracterizare a dispozitivelor MOS, şi anume analiza de semnal mic a impedanţei şi studiul
mecanismelor de conducţie.
Lucrarea este alcătuită din trei părţi distincte:
a) Studiul dielectricilor de poartă de mare permitivitate pentru aplicaţiile CMOS de
mică putere, după cum a fost arătat mai sus. Acestei teme îi sunt dedicate patru capitole:
• Capitolul 2, în care este descrisă problematica actuală a dielectricilor de poartă în
tehnologia CMOS. Este argumentată necesitatea înlocuirii SiO2 ca dielectric de
poartă şi sunt înfăţişate cerinţele pe care noul material trebuie să le îndeplinească
pentru o efectivă integrare în tehnologia CMOS;
• Capitolul 3 cuprinde pe scurt teoria dispozitivelor MOS, cu un accent deosebit pus
pe metodele de caracterizare utilizate în mod uzual pentru determinarea parametrilor
fizici de interes şi pentru evaluarea calităţii acestor dispozitive. Se descriu la început
tipurile principale de conducţie electrică prin straturile subţiri izolatoare, apoi
metodele analizei de semnal mic: metodele capacităţii, metoda conductanţei.
• Metodele şi aranjamentele experimentale utilizate pentru obţinerea rezultatelor de pe
parcursul întregii lucrări sunt descrise în capitolul 4.

9
 • Capitolul 5 este dedicat prezentarii investigaţiilor efectuate asupra a patru materiale
oxidice de permitivitate mare, enumerate mai sus. Pentru aceasta au fost utilizate
metodele experimentale expuse în capitolul 3.
Dintre materialele studiate hafniatul de lantan (La2Hf2O7) s-a dovedit a fi cel care
poate satisface în cea mai mare măsură cerinţele de integrare în tehnologia CMOS.
b) În continuare, capitolul 6 este dedicat analizei de semnal mare a structurilor de tip
Metal-Izolator-Semiconductor (MIS) şi a dinamicilor neliniare ce pot conduce la apariţia
haosului. Se va prezenta pe scurt şi fenomenul rezonanţei stocastice, identificat în sistem ca
origine a activării unor frecvenţe joase în spectrul de putere. Capitolul cuprinde câteva
consideraţii generale teoretice asupra comportării structurilor MIS în condiţii de excitare cu
semnale de mare amplitudine, realizate prin extinderea analizei clasice de semnal mic a
dispozitivelor MOS, prezentată în capitolele anterioare. Experimental, ca material izolator a
fost folosit titanatul de bismut (Bi4Ti3O12), un binecunoscut feroelectric. Se va arăta că analiza
de semnal mare poate dezvălui aspecte ale comportamentelor electrice care nu se manifestă în
cadrul unei inspecţii de tip clasic.
c) În capitolul 7 se va prezenta un model al structurilor de tip pseudo-MOS cu efect de
câmp pe bază de CdS ce au aplicaţii potenţiale în fotodetecţie. Sunt descrise atât
caracteristicile experimentale, tipice de tranzistor, cât şi cele ce nu prezintă saturarea
curenţilor de drenă şi se propune un model teoretic prin care curbele experimentale sunt bine
aproximate de cele teoretice în cazul folosirii unor valori corespunzătoare ale parametrilor din
sistem.
În ultimul capitol, al 8-lea, se află expuse concluziile rezultatelor prezentate în întreaga
lucrare.
Dispozitivele de tip MOS au oferit pentru o lungă perioadă de timp avantajul utilizării
ca instrument de studiu al proprietăţilor de bază ale materialelor constituiente, fiind în acelaşi
timp uşor de fabricat. De asemenea, pornind de la acestea s-au dezvoltat şi se pot dezvolta în
continuare o serie de alte dispozitive cu posibile aplicaţii în industria semiconductoare şi nu
numai.
Dacă lucrarea de faţă, ce cuprinde teme de cercetare din domenii diferite, va oferi
cititorilor fie şi numai o mică îmbogăţire a cunoştinţelor, atunci scopul ei se consideră a fi
atins.

10
2 Aspecte ale integrării dielectricilor de
permitivitate mare în tehnologia
CMOS

2.1 Limitări ale dioxidului de siliciu ca dielectric de poartă

Industria semiconductoare a cunoscut în ultimele decenii o dezvoltare spectaculoasă.

Răspândirea tot mai mare a informaticii în aproape toate sferele societăţii, încercarea de a
păstra ritmul dezvoltării în domeniu au influienţat cerinţele existente pe piaţa calculatoarelor.
Cele mai importante cerinţe se referă la creşterea vitezei de procesare a informaţiilor, la
scăderea răspândirii aplicaţiilor de mare putere şi la existenţa unor domenii lărgite de tensiune
pentru sursele de putere şi tensiunile de ieşire [1].

Unicitatea sistemului Si-SiO2

Dezvoltările tehnologice au facut ca prin utilizarea numai a unui număr limitat de materiale să
se reuşească obţinerea unor performanţe notabile, cum ar fi micşorarea lungimii porţii
tranzistorului MOSFET sub 50 nm şi a grosimii fizice a oxidului de poartă până la 1.2 nm în
cazul microprocesoarelor de generaţie 90 nm [2]. Acest lucru este datorat în principal
sistemului SiO2-Si care a permis evoluţia performanţelor circuitelor integrate prin integrarea
pe scară largă şi foarte largă fără modificarea conceptuală a dispozitivelor semiconductoare.
Avantajele principale ale dioxidului de siliciu sunt legate de modul relativ uşor de obţinere,
respectiv oxidarea termică a siliciului, care implică şi realizarea unui foarte bun control al
grosimii şi calităţii oxidului pe plachete de până la 300 mm diametru. Din punctul de vedere
al caracteristicilor fizico-chimice, interfaţa SiO2-Si este unică. Trecerea de la un material la
altul se face abrupt, interfaţa fiind plană la nivel monoatomic, iar densitatea de stări de
interfaţă poate fi coborâtă până la valori foarte mici, de ordinul 109 eV-1cm-2 [3]. Explicaţia
este dată de caracterul foarte flexibil al structurii SiO2. Diferenţa de densitate dintre cele două
materiale determină existenţa unui număr mai mare de legături atomice nesatisfăcute la
suprafaţa siliciului. De aceea la interfaţă legăturile nesatisfăcute ale siliciului se leagă unele cu
altele în perechi sau formează legături cu atomii de oxigen de la suprafaţa SiO2, fie singulare

11
fie prin realizarea unor poduri de oxigen între atomii de Si [4, 5]. Mai mult, prin injecţia de
hidrogen se pot pasiva şi alte legături nesaturate existente la interfaţă. Atomii de hidrogen
difuzează rapid prin stratul de SiO2 şi reacţionează cu atomii de siliciu [5]:
≡ Si '+ H ' →≡ Si − H . (2.1)
Alte avantaje ale sistemului Si-SiO2 constau în
(1) stabilitatea electrică a interfeţei;
(2) stabilitate termică la temperaturi înalte şi
(3) rezistenţa la străpungere dielectrică a SiO2 la câmpuri electrice mari de aproximativ
10 MV/cm. Din raţiuni de fiabilitate însă în practică nu se depăşesc 3,5 MV/cm [6].

Limitări ale SiO2 ca dielectric de poartă – curenţii de poartă

În ciuda marilor avantaje ale sistemului Si-SiO2, în noile generaţii de dispozitive MOSFET
trebuie să se ţină cont de limitările fizice ale dioxidului de siliciu ultrasubţire. Acestea pot fi
împărţite în două categorii:
a) Limitări datorate modificărilor parametrilor fizici ai SiO2. Investigaţii EELS
(electron energy loss spectroscopy) efectuate pe straturi ultrasubţiri de SiO2 crescute pe Si cu
grosimi cuprinse între 7 şi 15 Å au arătat că banda interzisă a structurii SiO2 (de aproximativ
9 eV în volum) se formează complet după numai 2 straturi atomice de la interfaţa cu Si [1, 7].
Într-un model propus de Neaton [8] se stabileşte o legătură directă între lărgimea benzii
interzise în SiO2 şi numărul de atomi de oxigen vecini de ordinul doi pentru un atom de
oxigen din strat. Astfel, în mod normal în volum un atom de oxigen are 6 vecini, dar atomii
situaţi la suprafaţa SiO2 nu pot avea şase atomi vecini de O. Numai începând cu cei situaţi în
al doilea strat atomic se poate considera că banda interzisă atinge valoarea de volum. Nivelul
la care este situat acest strat este dat de lungimea legăturii dintre atomii de Si situaţi la
suprafaţă si primul strat de oxigen (1,6 Å) plus distanţa medie dintre doi atomi de oxigen în
volumul dioxidului de siliciu (2,0-2,4 Å, depinzând de orientarea legăturilor). În total pentru o
singură interfaţă este necesară o grosime minimă de 3,6-4,0 Å, şi astfel se poate deduce că
pentru un strat ultrasubţire, unde există două interfeţe, grosimea minimă necesară formării
complete a benzii interzise este de 7-8 Å. Valoarea obţinută este în bun acord cu rezultatele
experimentale [7, 9] şi cu alte modele teoretice [10].
Pentru dispozitivele MOSFET o grosime a porţii SiO2 sub 8 Å ar determina apariţia
unor curenţi de poartă foarte mari datoraţi în principal tunelării directe prin bariera de
potenţial extrem de subţire şi de înălţime redusă. Nivelul mare al curenţilor de poartă nu
permit o funcţionare normală a tranzistorului construit cu straturi ultrasubţiri de 8 Å.
Pe de altă parte, măsurătorile de aliniere a benzilor de valenţă ale Si şi SiO2
(spectroscopie fotoelectronică de raze X - XPS) [11], a masei efective electronice de tunelare
(măsurători curent-tensiune I-V) [12] şi a lungimii de atenuare fotoelectronice [13] efectuate
pe straturi SiO2 cu grosimi de peste 20 Å au arătat că aceşti parametri rămân practic
neschimbaţi pentru domeniul de grosimi investigate.
b) Dioxidul de siliciu utilizat ca dielectric de poartă în tranzistoarele MOSFET este
limitat în grosime de cerinţele de operare ale circuitelor integrate. Pentru grosimi ale SiO2
mai mari de 13-15 Å s-a demonstrat posibilitatea de operare satisfăcatoare a tranzistorilor deşi
nivelul curenţilor de scurgere este mare, aproximativ 1-10 A/cm2 [14-19].
Pentru grosimi ale dielectricului de poartă de sub 13-14 Å puterea electrică disipată în
starea off a tranzistorului este comparabilă cu puterea activă, ceea ce este în contradicţie cu
însuşi principiul de bază al tranzistorului [20]. Realizarea unui dispozitiv MOSFET
operaţional în aceste condiţii devine imposibilă.

12
 S-a arătat că pentru grosimi ale SiO2 mai mici de tox=13-14 Å există o corespondenţă
foarte bună între caracteristicile măsurate şi cele simulate ale curentului de poartă [20].
Simularea a fost realizată presupunând o densitate a trapelor de interfaţă nulă şi o tensiune de
poartă de valoare Vg=-1,5 V. Aceasta demonstrează că mecanismul dominant de transport
electric prin dioxidul de siliciu ultrasubţire este tunelarea directă, tunelarea asistată de trape
având o influienţă neglijabilă. Prin urmare scăderea curenţilor de scurgere de poartă nu se
poate realiza prin micşorarea densităţii de trape la interfaţa Si-SiO2.

Consecinţele miniaturizării asupra dispozitivului MOSFET

Se va prezenta în continuare în mod succint modul în care este privită necesitatea micşorării
grosimii dielectricului de poartă din punctul de vedere al „designer”-lor circuitelor integrate şi
limitările ce apar din această perspectivă.
Se poate spune că prin miniaturizare performanţele circuitelor integrate se îmbunătăţesc
considerabil prin creşterea vitezei de comutare a tranzistorului, disipare mică de putere şi
ocuparea unor suprafeţe mici pe chip [6]. Modelul iniţial de miniaturizare a fost propus şi pus
în practică de cercetători ai IBM [21] şi constă în conservarea câmpului electric din
dielectricul de poartă. Pentru a realiza aceasta sunt micşorate cu acelaşi factor λ toate
mărimile geometrice şi tensiunile operaţionale ale dispozitivului MOSFET: lungimea
canalului L, lăţimea canalului W, adâncimile regiunilor de depleţie ale joncţiunilor dintre
sursă/drenă şi substrat xj, grosimea dielectricului de poartă d, tensiunile de drenă şi de prag
VD şi VT, iar concentraţia de dopanţi din substrat este crescută de λ ori. Prin acest concept de
miniaturizare efectele de canal scurt rămân sub control, curentul de drenă scade de λ ori,
timpul de comutare de asemenea scade de λ ori, iar puterea disipată de λ2 ori. În acest mod s-a
realizat tranzistorul de lungime a canalului 1 µm. Aplicarea în continuare a acestui model de
miniaturizare a întâmpinat o serie de greutăţi, printre care:
• Deviaţia de temperatură a tensiunii de prag VT cu aproximativ 1÷2 mV/°C, [22]
datorată dependenţei de temperatură a potenţialului Fermi. Aceasta determină apariţia
unei fluctuaţii a tensiunii de prag relativ mare, având în vedere domeniul larg de
temperatură (-55°C÷+125°C) pentru care dispozitivele sunt garantate.
• Scăderea tensiunii de prag determină o creştere importantă a curentului de drenă în
starea OFF a dispozitivului, comparativ cu curentul de drenă din starea ON. Valori ale
tensiunii de prag mai mici de 0.4÷0.5 V conduc la creşteri mari ale puterii disipate în
starea OFF.
• Adâncimea zonei de depleţie a joncţiunii nu scade în acelaşi ritm cu dimensiunile
fizice ale dispozitivului, ceea ce favorizează efectele nedorite de canal scurt.
• Printre cerinţele de proiectare ale circuitelor integrate se află şi stabilitatea funcţionării
în prezenţa zgomotului (ceea ce implică existenţa unei tensiuni de alimentare relativ
mari), precum şi menţinerea tensiunilor de alimentare la un nivel constant, determinat
de tipul de aplicaţie, cum ar fi Tranzistor-Tranzistor Logic (TTL cu o tensiune de
alimentare de 5 V) sau Low Voltage TTL (tensiune de alimentare de 3.3 V). Mai mult,
timpul de comutare, un parametru esenţial în definirea creşterii de performanţă a
MOSFET-ului, variază invers proporţional cu tensiunea de alimentare. Prin urmare se
observă existenţa unor cerinţe contradictorii (cf. şi punctelor anterioare).
Dezavantajele miniaturizării cu păstrarea unui câmp electric constant în dielectricul de poartă
au determinat apariţia unui nou concept de miniaturizare, şi anume legea de miniaturizare
generalizată [23]. În cazul acesta tensiunile se micşorează cu un factor mai mic decât factorul
geometric λ. Această soluţie de compromis între miniaturizarea cu păstrarea unui câmp

13
constant şi cea a unei tensiuni constante conduce la creşterea câmpurilor din dielectric şi a
celui de-a lungul canalului. Un câmp puternic în canal creşte energia electronilor (în cazul
nMOSFET-urilor), asa-numiţii electroni fierbinţi („hot electrons”), care pot genera perechi
electron-gol în substrat. Energia acestora poate fi atât de mare încât să depăşească bariera de
potenţial de la interfaţa Si-dielectric de poartă, pătrunzând în dielectric şi determinând
înrăutăţirea unor parametri de fiabilitate cum ar fi Time Dependent Dielectric Breakdown
(TDDB) şi degradarea dispozitivului indusă de purtători fierbinţi.

Curenţii de poartă şi aplicaţiile CMOS

Cerinţele de performanţă ale dispozitivelor MOSFET depind de tipul de aplicaţie vizat. Pentru
performanţe înalte este necesară o miniaturizare cât mai puternică, ceea ce înseamnă
dimensiuni cât mai reduse ale tranzistorului, grosimi mici ale dielectricului de poartă, curenţi
de scurgere importanţi şi prin urmare consum mare de putere electrică. Creşterea puterii
electrice este limitată în aplicaţiile de înaltă performanţă de capacitatea limitată de răcire prin
ventilarea aerului [24].
Un alt tip de cerinţă este operarea la un nivel scăzut de putere, asigurat de baterii
portabile. Scăderea tensiunii de alimentare reprezintă soluţia de micşorare a consumului, lucru
care a fost realizat în ultimii ani. Limitarea inferioară vine în acest caz din degradarea vitezei
de operare a tranzistoarelor datorată reducerii nivelului curentului de drenă. De asemenea,
curentul de poartă în domeniul de tensiuni de poartă de sub tensiunea de prag creşte, ceea ce
reprezintă un dezavantaj.
Curenţii de tunelare de poartă reprezintă o limită semnificativă a miniaturizării.
Densitatea curentului de poartă (A/cm2)

Tensiunea de poartă (V)

Fig. 2.1 Curenţii de tunelare calculaţi (linii) şi experimentali (puncte) prin dioxidul de siliciu ultrasubţire din
straturile de inversie. După [25] şi [26].

În cazul dioxidului de siliciu scurgerile de curent depăşesc limitele cerute pentru aplicaţiile
DRAM (Dynamic Random Access Memory) pentru grosimi ale dielectricului de poartă de
2,5-3 nm [25]. Pentru aplicaţiile logice de mare putere această limită se situează sub 2 nm.
După cum se poate observa în fig. 2.1, pentru o grosime a SiO2 de 2 nm curentul de scurgere
de poartă va fi de aproximativ 0,1 A/cm2 la o tensiune de poartă de 1,2 V. În cazul
dispozitivelor MOSFET proiectate convenţional, acest nivel de curent va contribui cu numai
câţiva miliwatt-i la consumul total al circuitului integrat, ceea ce poate reprezenta o problemă
numai pentru aplicaţiile de foarte mică putere. În privinţa nivelului de curent acceptabil pentru

14
aplicaţiile de mare putere, sunt autori care indică o limită superioară situată în domeniul 1-10
A/cm2 [27-29] sau chiar de 100 A/cm2 [18]. Dacă se presupune că se pot accepta curenţi de
scurgere cu un consum de putere de până la un nivel de 10% din puterea consumată totală,
valori de aproximativ 1000 A/cm2 sunt tolerabile pentru aplicaţii logice de foarte mare putere
[25].
După cum s-a arătat mai sus, grosimea minimă acceptabilă pentru SiO2 ca dielectric de
poartă este de 1.3-1.5 nm, care va fi atinsă în următoarea generaţie de procesoare. Pentru
îmbunătăţirea ulterioară a performanţelor atât ale chip-urilor destinate aplicaţiilor de mare
putere, cât mai ales a celor de consum redus, pentru care limita minimă a grosimii
dielectricului de poarta este atinsă, sunt necesare noi soluţii.

2.2 Alternative pentru creşterea în continuare a

performanţelor dispozitivelor MOSFET

Pentru creşterea densităţii tranzistoarelor pe chip, a vitezei de operare şi a capacităţii de

integrare există trei abordări diferite care pot fi urmate [25]:
a) Miniaturizarea în continuare a MOSFET-ului într-o manieră care să compenseze
păstrarea constantă a grosimii dielectricului de poartă. Acest lucru se poate realiza în două
moduri: prin reducerea cât de mult posibil a grosimii regiunii de depleţie în Si şi prin
îmbunătăţirea dopării de tip „halo”. Doparea de tip „halo” creează un profil de dopare în
treaptă la marginile regiunilor de drenă şi de sursă, ajutând la scăderea curentului sursă-drenă
în starea OFF şi crescând totodată capacitatea joncţiunii. Grosimea regiunii de depleţie poate
fi scăzută fie prin creşterea dopării substratului de Si fie prin polarizarea substratului în direct,
care însă conduc la curenţi mari în substrat.
b) Schimbarea structurii dispozitivului astfel încât miniaturizarea să poată fi continuată
chiar şi în cazul unei grosimi constante a dielectricului de poartă. Noul dispozitiv are o astfel
de arhitectură încât practic poarta înconjoară canalul. Varianta cea mai studiată este DG-FET
(„Double Gate Field Effect Transistor”) (fig. 2.2a), recent dezvoltându-se şi Tri Gate FET
(fig. 2.2b) [2].
S-a arătat că aceste geometrii neplanare au posibilităţi mai bune de miniaturizare în
comparaţie cu dispozitivul MOSFET convenţional [30, 31]. Un dezavantaj al acestor
dispozitive este nivelul ridicat de cuantificare al nivelelor energetice din zona canalului.
c) Reducerea curenţilor de poartă de tunelare se poate face prin utilizarea unui nou
dielectric de poartă cu o permitivitate relativă mare. Succesul noului material depinde de
realizarea unei uniformităţi a stratului depus, posibilitatea de integrare în tehnologia CMOS a
siliciului, existenţa unor reacţii minime şi controlabile cu Si sau electrodul de poartă, sarcini
fixe reduse în masa dielectricului, precum şi un nivel scăzut al trapelor la interfaţa cu Si. Este
posibilă de asemenea folosirea unor porţi metalice, în care caz metalele de poartă trebuie sa
aibă lucrurile de extracţie apropiate de cele ale polisiliciului de tip p şi n în scopul obţinerii
unor tensiuni de prag reduse.

15
 (a) (b)
Fig. 2.2 Dual-Gate Field Effect Transistor (a) şi Tri-Gate Field Effect Transistor (b), două noi arhitecturi de
dispozitiv realizate de Intel. După [2].

Un dielectric de poartă este caracterizat de trei grosimi:

- grosimea fizică tox;
- grosimea echivalentă de tunelare toxT, ce reprezintă grosimea dioxidului de siliciu care
ar păstra aceeaşi densitate de curenţi de tunelare de poartă ca şi oxidul înlocuitor;
- grosimea echivalentă a oxidului (toxC = EOT – equivalent oxide thickness), definită
prin grosimea stratului de SiO2 care ar prezenta o capacitate specifică egală cu cea a
oxidului.
Grosimea fizică a noului dielectric este mai mare decât grosimea minimă a SiO2 pentru toate
tipurile de aplicaţii. Cerinţa de bază care trebuie îndeplinită este găsirea unui dielectric de
poartă care pentru o grosime echivalentă de tunelare toxT egală cu cea minimă a SiO2
(specifică fiecărui tip de aplicaţie) să aibă o grosime echivalentă capacitivă toxC mult mai mică
decât grosimea minimă a SiO2. Îndeplinirea acestei cerinţe va permite continuarea
miniaturizării deoarece parametrul care se micşorează în miniaturizare nu mai este grosimea
fizică a dielectricului, ci grosimea echivalentă capacitivă, ce poate atinge valori din ce în ce
mai mici şi care păstrează factorul de scădere a densităţii de sarcină.
În continuare se vor discuta constrângerile existente asupra utilizării dielectricilor de
mare permitivitate chiar în cazul în care cerinţele de bază ale integrării în tehnologia CMOS
ar fi îndeplinite.
Pe măsură ce permitivitatea dielectricului de poartă creşte grosimea fizică devine din ce
în ce mai importantă, determinând creşterea dimensiunilor dispozitivului şi a penetrării
potenţialului de drenă în regiunile de sub poartă [32, 33].
S-a arătat că grosimea fizică a dielectricului de poartă trebuie să fie întotdeauna mai
mică decât adâncimea de depleţie în Si pentru a asigura o miniaturizare viabilă a
dispozitivului cu creşterea permitivităţii κ. Implicaţiile utilizării dielectricilor de permitivitate
mare asupra miniaturizării circuitelor integrate sunt prezentate sugestiv în fig. 2.3 [25, 33],
unde sunt indicate regimurile în care dielectricii de permitivitate mare pot contribui la
miniaturizarea circuitelor integrate.

16
 Grosimea izolaturului (nm)

Permitivitatea relativă

Fig. 2.3 Grafic de proiectare a unui dispozitiv MOSFET cu dielectrici de poartă de diferite permitivităţi. Fiecărei
valori a permitivităţii îi corespunde, pentru o lungime dată a canalului (curbele de lungime a porţii constantă) o
grosime fizică a dielectricului de poartă. Zona haşurată corespunde unor variante nedorite, cu lungime a porţii ce
nu satisface cerinţele de miniatirizare (partea superioară a graficului) sau cu valori foarte mari ale curenţilor de
scurgere (partea inferioară a graficului). Punctele reprezintă exemplificări ale unor dielectrici variaţi. După [33].

Regimurile de proiectare ale MOSFET-urilor sunt prezentate în figură ca o combinaţie de trei

parametri: permitivitatea şi grosimea dielectricului de poartă şi lungimea porţii. Oricare doi
din cei trei parametri determină în mod univoc pe al treilea. Regiunea haşurată (din zona
superioară a graficului) reprezintă regimurile de proiectare cu dimensiuni mari ale
tranzistorilor (grosime mare a izolatorului), ce nu corespund cerinţelor miniaturizării sau
curenţi foarte mari de scurgere (zona inferioară a graficului) care reprezintă, după cum s-a
arătat mai sus, un impediment în realizarea unui MOSFET funcţional. Zona accesibilă este
suprafaţa nehaşurată, în care se poate observa că lungimea porţii variază între aproximativ 19
nm (limita minimă ce se poate obţine cu dioxidul de siliciu) şi 15,5nm pentru o permitivitate
apropiată de 80. Acest regim ar putea mări miniaturizarea circuitelor integrate cu 20-30 %
[33] şi este maximum de progres în miniaturizare ce poate fi realizat prin utilizarea în condiţii
ideale a dielectricilor de permitivitate mare, ceea ce corespunde probabil unei singure noi
generaţii de procesoare.
Se speră ca prin combinarea noilor dielectrici de poartă cu arhitecturile de dispozitiv de
tip dual şi tri-gate să se poată continua miniaturizarea dincolo de barierele indicate mai sus.

2.3 Cerinţe ale integrării dielectricilor de permitivitate mare

în tehnologia CMOS

Progresul în miniaturizare evaluat anterior şi realizabil prin utilizarea dielectricilor de

permitivitate mare reprezintă deocamdată numai un progres potenţial. Implementarea noilor
materiale în producţia de serie întâmpină o serie de dificultăţi, fiind necesare satisfacerea unor
cerinţe minimale de integrare în tehnologia CMOS. Printre aceste cerinţe se numără [5, 34,
35]:
a) Dielectricul trebuie să aibă o permitivitate κ suficient de mare;
b) Să fie stabil în contact cu siliciul şi să suporte tratamente termice de ~900°C;

17
 c) Să aibă o bandă interzisă suficient de mare (ce puţin 4-5 eV) şi să existe o aliniere cât
mai simetrică a benzilor energetice ale materialului de poartă (fie polisiliciu, fie
metal), dielectricului şi siliciului pentru a limita curenţii de scurgere;
d) Să existe o densitate cât mai scăzută de trape la interfaţa dielectricului cu siliciul;
e) Să aibă o grosime echivalentă capacitivă EOT cât mai mică (sub 1 nm) la o grosime
echivalentă de tunelare egală cu cea minimă a SiO2 specifică aplicaţiei date [1, 36];
f) Mobilitatea purtătorilor minoritari în canal să fie cel puţin 90% din mobilitatea
purtătorilor din dispozitivele MOSFET pe bază de siliciu, ceea ce necesită o bună
calitate a interfeţei dielectric-siliciu;
g) Noile procese tehnologice de fabricare să se poată integra în tehnologia existentă
CMOS, iar producţia de dispozitive integrate să fie eficientă din punct de vedere
economic;
h) Să satisfacă cerinţele de fiabilitate necesare unei utilizări comerciale de durată.
În continuare vor fi luate în discuţie cele mai importante din criteriile enunţate mai sus
şi se va prezenta modul în care diferiţi dielectrici le satisfac.

2.3.1 Stabilitatea termodinamică

Selectarea dielectricilor pentru posibila utilizare ca dielectric de poartă în dispozitivele

MOSFET s-a făcut în primul rând ţinând cont de necesitatea existenţei unei permitivităţi mari
şi a stabilităţii în contact cu siliciul.
În prezent sunt cunoscuţi mulţi dielectrici cu permitivităţi relative mai mari de 3.9,
astfel încât sarcina de a identifica unul potrivit pentru un anumit tip de aplicaţie pare a fi
uşoară. Problema majoră care apare încă de la începutul selecţiei este faptul că majoritatea lor
nu sunt stabili în contact cu siliciul [34]. Dacă este posibil pentru bariera cinetică ce se
formează la interfaţa Si-dielectric să limiteze sau chiar să împiedice posibilele reacţii de la
interfaţă, temperatura pe care această interfaţă trebuie să o suporte în timpul procesării
MOSFET-ului este destul de mare, astfel încât stabilitatea termodinamică nu se mai poate
realiza în cele mai multe cazuri. Tratamentele termice de activare a dopanţilor implantaţi în
MOSFET-uri se fac în prezent la temperaturi de aproximativ 1000°C. Până în anul 2005, se
prevede ca temperatura să scadă la ∼900°C. Având în vedere existenţa unor temperaturi atât
de ridicate sunt necesare bariere cinetice mari pentru a preîntâmpina reacţia dintre siliciu şi un
dielectric care nu este stabil temodinamic în contact cu el.
Reacţiile dintre siliciu şi dielectric vor conduce cu siguranţă la imposibilitatea
îndeplinirii cerinţelor de funcţionare ale MOSFET-ului. Spre exemplu, în cazul în care un
produs de reacţie este un izolator cu o permitivitate redusă, grosimea echivalentă a oxidului va
creşte, ceea ce nu este de dorit. Dacă produsul de reacţie este un conductor, prezenţa lui va
ecrana câmpul electric aplicat şi va îngreuna inversarea regimului din Si de la interfaţă,
limitând considerabil performanţa MOSFET-ului. Mai mult, creşterea numărului de legături
chimice nesatisfăcute de la interfaţă (“dangling bonds”), care poate însoţi o reacţie, va creşte
densitatea de trape de interfaţă Dit.
Un mijloc natural de evitare a reacţiilor dintre un dielectric de mare permitivitate şi
siliciu este selectarea unui dielectric stabil termodinamic în contact cu siliciul. Ca alternativă,
se poate folosi ca dielectric de poartă un material incompatibil din acest punct de vedere cu Si,
dacă acesta este separat fizic de substratul de siliciul printr-un strat tampon care este stabil în
contact atât cu Si, cât şi cu dielectricul. Indiferent de soluţia adoptată, studiul dielectricilor de
mare permitivitate este un prim pas important pentru îndeplinirea obiectivelor propuse.

18
 Cercetările de stabilitate termodinamică în scopul identificării dielectricilor de poartă
alternativi (sau straturi tampon pentru aceştia) au cuprins toţi oxizii binari (de tipul MOx) şi
nitrurile binare (de tipul MNx) în contact cu Si. Ordonând dielectricii binari compatibili cu Si
după constanta dielectrică s-a observat că mult mai mulţi oxizi binari au κ mare în comparaţie
cu nitrurile binare [34].
Cei mai studiaţi dielectrici de permitivitate mare ca potenţiali dielectrici de poartă au
fost selectaţi dintre cei cu rezultate promiţătoare în dezvoltarea DRAM-urilor: Ta2O5, TiO2 şi
(Ba,Sr)TiO3. Toate aceste materiale sunt însă instabile din punct de vedere termodinamic în
contact cu Si la toate temperaturile din domeniul ce se întinde de la temperatura camerei la
1000°C. Ca exemplu, reacţia siliciului cu pentaoxidul de tantal este [37]:
13 ∆G1000
0
K =−413.332 kJ / mol
5
Si + Ta2O5  → 2TaSi2 + SiO2 (2.2)
2 2
unde ∆G01000K este modificarea în energia liberă Gibbs a sistemului când reacţia dintre
reactanţi şi produşi are loc în sensul indicat, toţi fiind consideraţi în starea standard (indicele
superior 0) la temperatura de 1000 K. Reacţii similare există între Si, pe de o parte, şi TiO2 şi
BaTiO3. Produşii de reacţie au permitivităţi mici (SiO2, SrSiO3, BaSiO3) şi, după cum s-a
menţionat mai sus, au efecte nedorite asupra performanţelor electrice ale dispozitivului
MOSFET. Observaţiile experimentale de reacţii interfaciale [38-45] sunt consistente cu
consideraţiile termodinamice.
Pentru identificarea materialelor ce pot fi folosite în aplicaţiile de poartă s-a dezvoltat o
metodă de eliminare dintre toţii oxizii existenţi a celor care reacţionează cu siliciul la
temperatura de 1000 K [34]. Astfel, mai întâi se propun câteva ipoteze simplificatoare. Se
consideră o interfaţă ideală între siliciu şi oxid, pentru care lipseşte o descriere detaliată şi
care este privită din punctul de vedere al unui experiment mental. Analiza termodinamică
presupune două ipoteze simplificatoare: i) include numai energiile libere de volum, energiile
de interfaţă se neglijează; ii) reacţiile ce implică speciile gazoase nu sunt considerate, la
interfaţa celor două solide neexistând spaţiu pentru speciile gazoase. În cazul dielectricilor
foarte subţiri ambele presupuneri sunt discutabile. Pe măsură ce stratul dielectric devine din
ce în ce mai subţire, energiile libere de interfaţă devin mai importante şi pot schimba semnul
energiei libere Gibbs ∆G, dacă această mărime este apropiată de zero. De asemenea, dacă
dielectricul este mai subţire este posibil ca anumite gaze (de exemplu SiO) să părăsească
interfaţa dielectric/Si şi să difuzeze prin filmul dielectric la temperaturi înalte [46]. Chiar dacă
presupunerile adoptate nu sunt în totalitate valabile, metoda serveşte la descoperirea
dielectricilor care nu sunt potriviţi şi de asemenea la identificarea celor mai buni candidaţi.
Metoda a mai fost folosită pentru a determina diagramele de fază M-Si-O pentru M=Ti, Zr,
Ta, Mo, and W [47-49]. A fost aplicată tuturor oxizilor binari radioactivi (MOx) [50] şi
nitrurilor (MNx) care sunt solizi în contact cu Si la 1000 K, precum şi pentru evaluarea
stabilităţii termodinamice a dielectricilor de poartă alternativi în contact cu electrozii de
poartă [51]. Baza metodei constă în faptul că orice reacţie dintre siliciu şi oxidul binar sau
nitrura binară luată în considerare care scade energia liberă Gibbs a sistemului elimină practic
posibilitatea ca dielectricul respectiv să înlocuiască SiO2 ca dielectric de poartă. Este
suficientă descoperirea unei singure reacţii posibile la interfaţă, indiferent de cât de favorabilă
este aceasta. Chiar dacă mai multe reacţii sunt posibile, câteva reacţii “cheie” pot fi
identificate prin considerarea diagramelor de fază metal-siliciu-(oxigen sau azot), sau M-Si-
O/N, după cum se poate observa în fig. 2.4 (a). Pentru ca oxidul sau nitrura binară să fie
stabilă în contact cu siliciul, compusul binar şi Si în diagrama de fază trebuie sa fie unite
printr-o linie. Determinarea existenţei acestei linii de legătură se face prin considerarea a două
reacţii. Aceste reacţii sunt prezentate în fig. 2.4 (b). Dacă în sistem au loc aceste reacţii, ceea

19
ce înseamnă că ∆G > 0 pentru ambele reacţii, atunci se verifică reacţii suplimentare în cazul
în care sistemul conţine mai mult de un oxid binar sau o nitrură binară sau conţine compuşi
ternari, dacă datele termodinamice necesare sunt disponibile [34, 50].
Trebuie subliniat că pentru un dielectric de poartă alternativ care este stabil
termodinamic în contact cu Si, interfaţa dielectric-Si nu este stabilă în toate condiţiile de
procesare. Reacţiile nedorite dintre un astfel de dielectric şi siliciu pot avea loc în două
situaţii: (1) reacţiile se produc într-un mediu cu exces de oxigen care poate difuza prin
dielectric şi oxida siliciul prin reacţia:
∆G0 =−730.256 kJ / mol
Si + Oxid de poarta stabil + O2 
1000 K
→ Oxid de poarta stabil + SiO2 (2.3)
sau (2) procesarea are loc într-un mediu (de ex. reducător) în care dielectricul de poartă se
descompune, iar un produs de descompunere reacţionează cu siliciul. Astfel de reacţii sunt
des întâlnite în cazul creşterii dielectricilor stabili pe siliciu [52-54] deoarece creşterea se face
în mod uzual cu oxigen în exces pentru a asigura oxidarea completă a dielectricului de poartă.

Fig. 2.4 (a) Trei tipuri de diagrame de fază M-Si-O (pentru sisteme fără faze ternare); (b) reacţii prin care se
identifică tipul de diagramă corespunzător sistemului. Stabilitatea termodinamică la interfaţa MOx/Si are loc
dacă există o linie de legătură între MOx şi Si. Numai una din cele trei tipuri de diagrame de fază M-Si-O are o
astfel de linie. Cele trei tipuri de diagrame M-Si-N sunt similare cu cele din figură, Si3N4 înlocuind SiO2.

Cantitatea de SiO2 formată depinde de cât de mult oxigen este transportat prin dielectric şi va
fi cea mai mare pentru materialele care sunt foarte permeabile pentru oxigen, cum ar fi câţiva
oxizi stabili în contact cu siliciul la temperaturi nu foarte înalte: HfO2 [55], ZrO2 [56, 57],
La2Hf2O7 [58]. În anumite cazuri (ex. HfO2) s-a observat că oxidarea siliciului la interfaţa Si-
dielectric este mai rapidă decât aceea care are loc pe suprafaţa liberă a SiO2. Faptul este
datorat producerii de oxigen atomic printr-o reacţie catalitică în stratul de dielectric [55] şi are

20
loc în special în cazurile în care oxizii sunt subţiri (stadiul incipient al creşterii dielectricului)
şi pentru temperaturi mari de creştere. Deşi interfaţa dielectric-Si este stabilă numai în
condiţii limitate de procesare (pentru un dielectric stabil termodinamic pe Si), un dielectric
care este instabil termodinamic în contact cu siliciul va rămâne instabil în orice condiţii de
procesare.
În urma analizelor datelor experimentale şi a calculelor teoretice s-a observat că sunt
mai puţine nitruri stabile sau potenţial stabile în contact cu Si în comparaţie cu oxizii. Dintre
nitruri, multe sunt conductoare. În timp ce pentru dielectricii de poartă conductorii stabili în
contact cu Si nu sunt de interes, ei pot fi utilizaţi ca electrozi în contact direct cu Si, cum ar fi
spre exemplu pentru DRAM-uri. Câteva din nitrurile conductoare şi aliajele lor stabile
termodinamic în contact cu Si sunt utilizate în aceaste aplicaţii. Nitrurile binare izolatoare
care sunt potenţial stabile în contact cu Si au constante dielectrice care sunt cuprinse între κ=5
şi κ=9.
Spre deosebire de nitrurile binare compatibile cu Si, toţi oxizii binari care sunt stabili
sau potenţial stabili în contact cu Si sunt izolatori. Constantele lor dielectrice au valori
cuprinse între κ=4 şi κ=24. Întrucât aceste valori sunt sensibil mai mari decât cele ale
nitrurilor binare, oxizii sunt mai promiţători decât nitrurile ca materiale alternative pentru
dielectricii de poartă. BaO are o constantă dielectrică chiar mai mare (κ=31) [59], iar
interfeţele BaO-Si sunt lipsite de produşi de reacţie, după cum a fost demonstrat experimental
[60], dar aceste interfeţe au fost crescute la temperaturi mici. Pentru temperaturi cuprinse în
domeniul 500-750°C, BaO reacţionează cu Si formând silicatul de bariu, în concordanţă cu
predicţiile termodinamice.

Extinderea la oxizii multicomponenţi

Oxizii multicomponenţi compatibili cu siliciul pot prezenta avantaje faţă de oxizii binari
pentru aplicaţiile dielectricilor de poartă. Ei pot avea constante dielectrice mai mari,
insolubilitate în apă sau permeabilitate scăzută pentru oxigen, care i-ar face mult mai potriviţ i
decât oxizii binari pentru aplicaţia dorită. Deşi sunt date insuficiente pentru o evaluare a
stabilităţii termodinamice a celor mai mulţi oxizi multicomponenţi în contact cu siliciul, toate
raportările despre cei care sunt compatibili cu Si se referă la oxizi ce cuprind constituienţi ai
oxizilor binari compatibili cu Si [50]. Acest fapt conduce la formularea unei reguli pentru
selectarea potenţialilor oxizi multicomponenţi: alegerea acelora alcătuiţi din combinaţii ale
oxizilor binari care sunt termodinamic compatibili cu Si.
Studiul oxizilor multicomponenţi trebuie să se facă fără eliminarea constituienţilor
oxidici binari care nu sunt solizi la 1000 K. Astfel de oxizi cu temperatură de topire scăzută
pot fi componenţi ai unui oxid multicomponent termodinamic stabil în contact cu siliciul. Cu
toate acestea, evaluarea reacţiilor de tipul celor prezentate în fig. 2.4 (b) au arătat că toţi aceşti
oxizi binari sunt instabili termodinamic în contact cu Si.
Permitivitatea oxizilor multicomponenţi a fost estimată folosind o metodă dezvoltată de
Shannon [34, 59] pentru a crea o listă a potenţialilor dielectrici „high-κ” compatibili cu Si.
Toate cele 32000 de structuri anorganice din baza de date a National Institute of Standards
and Technology (NIST) au fost luate în considerare, iar κ-urile calculate au fost ordonate
pentru a identifica potenţialii candidaţi pentru dielectricii alternativi de poartă
multicomponenţi. Pentru materialele cu cea mai mare constantă dielectrică estimată s-a căutat
în literatură valoarea măsurată a lui κ şi lărgimea optică a benzii interzise (Eg,optic). Rezultatele
sunt prezentate în fig. 2.5 [34]. Cercurile solide indică dielectricii de poartă alternativi pentru
care tensorul complet al permitivităţii a fost determinat. Întrucât κ este un tensor de ordinul

21
doi, valoarea lui poate varia cu orientarea în materialele noncubice. Domeniul de valori în
care se poate situa, funcţie de orientare, este indicat prin lărgimea liniei întrerupte dintre
cercurile solide din fig. 2.5 pentru fiecare component pentru care tensorul permitivităţii a fost
determinat. Regiunile haşurate indică lărgimea benzii stipulate de International Technology
Roadmap for Semiconductors: cel puţin 4 eV şi preferabil mai mare de 5 eV.

Largimea optica a benzii interzise (eV)

Permitivitatea electrică relativă

Fig. 2.5 Reprezentarea permitivităţii electrice κ în funcţie de lărgimea benzii interzise Eg,optic pentru dielectricii
de poartă alternativi care sunt potenţial stabili în contact cu Si. Materialele pentru care întregul tensor dielectric
este cunoscut sunt notate cu cercuri solide. Variaţia lui κ cu orientarea este indicată printr-o linie întreruptă ce
uneşte două cercuri solide, una indicând valoarea minimă a lui κ, iar alta valoarea sa maximă. Cercurile goale
indică materialele pentru care tensorul permitivităţii electrice nu este cunoscut. Regiunile haşurate prezintă
recomandările ITRS („International Technology Roadmap for Semiconductors”).

2.3.2 Piezoelectricitatea şi piroelectricitatea

Piezoelectricitatea şi piroelectricitatea (feroelectricitatea) dielectricilor sunt două caracteristici

incompatibile cu utilizarea în aplicaţiile de poartă. Aceste materiale se pot determina prin
stabilirea simetriei cristalografice şi astfel se pot elimina dintre posibilii înlocuitori ai
dioxidului de siliciu. Dintre oxizii binari ce au trecut de criteriul stabilităţii termodinamice,
numai BeO şi SiO2 în forma sa cristalină de α-cuarţ sunt piezoelectrici, iar BeO este
piroelectric [34]. De asemenea, există nitruri piezoelectrice compatibile cu Si, iar din acestea
câteva sunt piroelectrice : AlN, Si3N4 în starea cristalină şi Ge3N4.

2.3.3 Structura electronică, banda interzisă şi alinierea benzilor

Necesitatea ca noul oxid să formeze o interfaţă bună face ca prezenţa oxizilor policristalini în
contact cu Si să nu fie de dorit. Oxizii compatibili sunt fie epitaxiali, cu o potrivire a reţelei
lor cu cea a Si, fie amorfi.
Noii oxizi prezintă un grad mare de ionicitate al legăturii ionice în comparaţie cu SiO2.
Numarul de coordinaţie atomic (NC) şi legătura chimică determină nu numai dacă un solid
poate fi amorf sau nu, dar de asemenea şi structura sa electronică [5].
Fig. 2.6 compară NC atomice pentru diferiţi oxizi. În SiO2, Si formează patru legături
covalente direcţionale cu atomii de oxigen. Atomii de oxigen au NC egal cu doi, cu un unghi
de legătură mare şi o forţă de încovoiere a legăturii slabă. Coordinaţia medie mică ş i

22
rigiditatea scăzută a oxigenului când se află lângă Si permit dioxidului de siliciu să formeze o
stare sticloasă. În Al2O3, metalul formează legături polare cu şase atomi de oxigen în forma
cristalină α-Al2O3 (safir) şi cu un număr variabil de atomi de oxigen (între patru şi şase) în
faza sa amorfă. Al2O3 poate fi amorf, dar nu prezintă o stare la fel de sticloasă ca SiO2.
ZrO2 şi HfO2 formează cristale cubice cu structura fluoritului în care Zr şi Hf au NC
egal cu opt. Ei de asemenea formează cristale tetragonale şi ortorombice în care NC este
şapte. Prin studii de structură s-a arătat că Zr are NC de la şase la opt în oxizii şi sticlele sale
oxidice. Deşi Zr şi Si au ambele valenţa patru, legăturile Zr-O şi Si-O diferă. Legătura Zr-O
este mai ionică, nedirecţionată şi nu prezintă hibridizare sp3, în timp ce legătura Si-O din SiO2
este covalentă. La2O3 cristalin are o structură în care La are NC=7, iar Y2O3 are structura
bixbyt-ului în care Y are iarăşi NC=7.

Fig.2.6 Atomii de Si, Al, Zr, Y şi La cu numerele de coordinaţie în oxizi [5].

Legătura Si-O este ionică în proporţie de aproximativ 50%, în timp ce legatura de Al-O
este în proporţie de 60-70% ionică. Diferenţa principală constă în faptul că ionicitatea Si-O
este sub o anumită valoare critică, astfel încât legătura este cantitativ covalentă şi direcţională,
în timp ce legăturile celorlalţi oxizi sunt peste ionicitatea critică şi se comportă ca legături
ionice [61]. Aceşti oxizi ionici nu mai au legături direcţionale dar, spre deosebire de ioni ca
Na+, sarcina ionică este mare, astfel încât coordinaţia metalului exercită o influienţă puternică
asupra reţelei.
Oxizii de poartă au o structură electronică relativ similară. Cei mai mulţi sunt oxizi ai
metalelor tranziţionale. ZrO2 poate fi un exemplu. Configuraţia electronică a Zr este 5s24d2.
El donează cei patru electroni de valenţă către doi atomi de oxigen, rezultând un ion Zr4+ ş i
doi ioni O2-, astfel încât ambii au pături închise. Banda de valenţă superioară constă în stări 2p
ocupate ale oxigenului. Ionul Zr4+ are stări 4d libere, iar mai sus stări 5s goale [62, 63]. Banda
interzisă de 5.8 eV se întinde între stările 2p ale oxigenului şi stările 4d ale Zr şi este dată
aproximativ de diferenţa energiilor orbitalilor atomilor liberi, după sistematizarea lui Harrison
[64]. Astfel, elementele cu orbitali d mari (Zr sau La) au benzi interzise mai mari.

23
 ZrSiO4 este un compus intermediar între ZrO2 şi SiO2. Banda de valenţă superioară este
dată de stările 2p ale oxigenului. Prima bandă de conducţie la 6-8 eV este datorată stărilor d
ale Zr, iar peste 9 eV se află o bandă electronică ce provine din stările s, p ale Si. Legătura în
oxid nu este complet ionică, ci într-o proporţie de 60-70%.
În Al2O3 sau oxizii grupei II A structura electronică a atomului de metal este, pentru Al,
3s23p1. Electronii de pe aceste pături sunt donaţi oxigenului, formându-se Al3+ şi O2-. Stările
de valenţă superioare sunt din nou stările 2p ocupate ale oxigenului, în timp ce minimul benzii
de conducţie este dat de starea 3s a aluminiului. Banda interzisă este cuprinsă între starea 2p a
oxigenului şi 3s a Al. În aluminaţi, cum ar fi LaAlO3, banda interzisă este mai îngustă (∼5.1
eV), banda de conducţie aflându-se pe stările d ale La. Stările s, p ale Al formează o bandă de
conducţie mai înaltă.

Alinierea benzilor energetice („band offsets”)

O cerinţă cheie pentru un oxid alternativ de poartă este ca acesta să acţioneze ca un izolator,
să aibă un curent de poartă mic. În timp ce straturile mai groase împiedică tunelarea directă
prin oxid, conducţia poate încă avea loc prin excitarea electronilor sau golurilor prin emisie
Schottky în banda de conducţie sau în banda de valenţă. Alte mecanisme de transport pot
interveni, cum ar fi efectul Poole-Frenkel sau conducţia de „hopping”. În domeniul tensiunilor
de operare aşteptate pentru viitoarele dispozitive CMOS, scurgerea de curent este suficient de
mică dacă diferenţa dintre benzile de conducţie şi de valenţă ale dielectricului şi Si sunt
ambele mai mari decât 1 eV [5, 65]. Această cerinţă a fost foarte uşor de satisfăcut de către
SiO2 datorită benzii sale interzise de 9 eV. Dar pentru dielectricii de poartă alternativi criteriul
nu este trivial. Spre exemplu, SrTiO3 are o bandă interzisă de 3.3 eV. Ideal ar fi ca benzile
acestui oxid să fie aliniate simetric în raport cu cele două benzi ale Si pentru ca fiecare
diferenţă în benzile celor două materiale să fie mai mare decât 1 eV. În general, alinierea este
asimetrică. Această cerinţă restrânge alegerea care se poate face pentru oxidul de poartă,
deoarece mulţi oxizi au bariere electronice foarte mici.
Alinierea benzilor poate fi măsurată prin măsurători de fotoemisie care determină
diferenţa energetică dintre stările de energie maximă ale celor două benzi de valenţă, prin
fotoemisie internă care măsoară diferenţa energetică dintre banda de valenţă a Si şi banda de
conducţie a oxidului sau prin studiul caracteristicilor curent-tensiune la diverse temperaturi.
De asemenea, aceste mărimi au fost calculate [65]. Aceste calcule tratează oxizii ca
semiconductori de bandă largă, astfel încât calculul alinierii benzilor va fi similar cu cel
realizat pentru heterostructuri semiconductoare. Factorii ce determină alinierea sunt identici
cu cei care controlează alinierea benzilor la joncţiunile metal-semiconductor, sau înălţimile
barierelor Schottky (“Schottky Barrier Heights” – SBHs). Aceşti factori au fost dezbătuţi de-a
lungul anilor şi ideea care a fost acceptată este cea a prezenţei stărilor virtuale în banda
interzisă (“Virtual Gap States” – VIGs), cunoscute şi sub numele de stări induse de metal în
banda interzisă (“Metal Induced Gap States” – MIGs) în cazul interfeţelor cu metalele. O
suprafaţă ideală a semiconductorului prezintă legături nesatisfăcute (“dangling bonds”).
Acestea formează stări în banda interzisă a semiconductorului ce sunt localizate la interfaţă.
Când un metal este în contact cu un semiconductor, stările de tip “dangling bond” se întind
de-a lungul benzii interzise, dar sunt încă localizate la interfaţă, numindu-se VGSs. De
asemenea, în mod frecvent la interfaţa dintre un semiconductor şi un metal au loc reacţ ii
chimice ce introduc la rândul lor defecte cu nivele energetice în banda interzisă, denumite
nivele extrinseci.

24
 Alinierea benzilor la interfaţă este controlată de transferurile de sarcină ce au loc peste
interfaţă între stările electronice ale metalului şi VGSs, sau între VGSs ale fiecărui
semiconductor. VGSs sunt de tip “dangling bond”, astfel că ele sunt umplute pe jumătate.
VGSs au o “energie Fermi” până la care sunt umplute şi peste care sunt goale. Acesta se
numeşte nivel de neutralitate a sarcinii (“Charge Neutrality Level”–CNL). Transferul de
sarcină acţionează astfel încât să alinieze CNL al fiecărui material de pe fiecare parte a
interfeţei. CNL-ul siliciului este situat jos în banda sa interzisă, fiind la numai 0.2 eV
deasupra benzii de valenţă, în timp ce CNL-ul multor oxizi se poate situa destul de sus în
banda interzisă [65]. Astfel, alinierea Si şi a oxizilor tinde să genereze „offset”-uri mici ale
benzilor de conducţie. Pentru SrTiO3 se obţine valoarea zero. În fig. 2.7 sunt prezentate
„offset”-urile calculate de Robertson [65].
Aceste valori sunt în acord cu valorile experimentale [66-69]. Se poate observa că oxizii
de Zr, Hf, La, Y şi Al şi silicaţii Zr şi Hf au offset-ul benzii de conducţie mai mari de 1 eV.
Offset-urile pentru goluri sunt întotdeauna mai mari de 1 eV, astfel încât conducţia de goluri
este extrem de redusă.
Energia nivelului de neutralitate al sarcinii este determinată de forţe competitive. O
densitate mare de stări în banda de valenţă determină o deplasare în sus, iar o densitate mare
de stări în banda de conducţie determină o deplasare în jos a nivelului [65]. Stările de valenţă
sunt stări 2p ale oxigenului, iar stările din banda de conducţie sunt stări d sau s, p ale
metalului.
Raportul acestor stări este tocmai raportul dintre numărul atomilor de oxigen şi cel al
atomilor de metal, ceea ce reprezintă stoichiometria oxidului. Astfel, CNL depinde de valenţa
metalului. O valenţă mare a metalului îl deplasează înspre banda de conducţie. Cazurile în
care CNL este mare sunt într-adevăr cele care prezintă un raport mare al numerelor de atomi
de oxigen şi metal, cum ar SrTiO3 şi Ta2O5.

Fig. 2.7 Alinierea benzilor energetice ale unor oxizi pe Si [5, 65].

Pentru a obţine o aliniere convenabilă a benzilor de conducţie sunt posibile trei

abordări:

25
 a) valenţa metalului să fie mică, ceea ce se întâmplă pentru metalele din grupele II, III
sau IV;
b) să se evite perovskiţii care au un ion pasiv ce donează mai mulţi electroni;
c) să se folosească un oxid cu bandă interzisă mare.
Ultima abordare implică folosirea metalelor tranziţionale ce au stări d înalte, precum metalele
din grupa IIIB sau IVB, sau metale cu pătura 4d sau 5d incomplet ocupată, mai degrabă decât
metale cu pătura 3d incomplet ocupată. Acest criteriu selectează oxizii metalelor Zr, Hf, La,
Y, Al, Gd sau Pr. Este de remarcat faptul că prin constrângerea dată de alinierea benzilor se
selectează aceiaşi oxizi ca şi în cazul folosirii criteriului stabilităţii. Explicaţia constă în faptul
că o stare metalică d înaltă implică o energie de formare mare, obţinută la rândul ei de o
energie mare de transfer de sarcină care se produce la o temperatură relativ înaltă.

2.3.4 Cerinţe de compatibilitate electrică a dispozitivelor MOS cu

dielectrici de poartă de permitivitate mare

Un set important de cerinţe pentru dielectricii de permitivitate mare în vederea integrării în

tehnologia CMOS sunt determinate de parametrii electrici operaţionali ai tranzistorului.
Presupunând că se vor găsi soluţii pentru a asigura compatibilitatea chimică a unui nou
dielectric de permitivitate mare cu siliciul, stabilitatea termică a acestui strat fiind garantată,
iar problemele tehnice de procesare şi integrare pot fi depăşite, în final proprietăţile electrice
ale sistemului dielectric-Si vor determina posibilităţile de integrare în noile generaţii de
procesoare. Astfel, parametrii electrici ai noului tranzistor trebuie să corespundă cerinţelor
crescânde de performanţă ale industriei şi totodată să păstreze calităţile dispozitivelor pe bază
de dioxid de siliciu. De aceea, studiul proprietăţilor electrice ale sistemului dielectric de
permitivitate mare-siliciu prezintă o mare importamţă. Cerinţele de performanţă electrică
privesc cinci mari aspecte:

a) Densitatea de trape de la interfaţa Si-oxid

După cum s-a menţionat mai sus, printre proprietăţile remarcabile ale sistemului Si-SiO2 se
numără şi posibilitatea obţinerii unor valori mici de ordinul 109 cm-2eV-1 ale densităţii de
trape la interfaţă. Pentru tranzistoarele pe bază de oxizi de permitivitate mare această cerinţă
este indispensabilă pentru a asigura o tensiune de prag cât mai mică. O densitate mare de trape
la interfaţă produce alungirea caracteristicii capacitate-tensiune de poartă şi prin urmare creşte
tensiunea de prag, necesară instalării regimului de inversie puternică la suprafaţa siliciului. O
altă consecinţă negativă este şi micşorarea mobilitătii purtătorilor minoritari din canal ca
urmare a proceselor de împrăştiere pe defectele de la interfaţă.
Pentru a menţine o interfaţă de calitate înaltă şi o mobilitate apropiată de cea din
sistemul Si-SiO2 este necesar ca la interfaţă să nu existe faze diferite ale oxizilor metalici ş i
silicidelor sau o difuzie importantă (>1016 cm-3) a atomilor de metal în regiunea canalului
[70]. În afara acestor procese, pentru anumiţi oxizi (ZrO2, HfO2, La2O3, La2Hf2O7)
difuzivit ăţile oxigenului sunt cunoscute ca fiind mari, ceea ce determină crearea unor straturi
interfaciale de SiO2 sau compuşi conţinând SiO2 şi prin aceasta scăderea grosimii echivalente
a oxidului (EOT), un parametru esenţial pentru succesul dielectricilor de poartă alternativi.
Tratamentul termic în „forming gas” (tipic 90%N2:10%H2) folosit în tehnologia CMOS ca
tratament standard final prin care se pasivează trapele de interfaţă cu hidrogen poate induce
reducerea unor oxizi, instabili în prezenţa hidrogenului.

26
 O variantă ideală a dielectricului de poartă ar fi cea în care interfaţa ar fi formată din
câteva straturi atomice de Si-O (sau Si-N), iar deasupra acestuia ar fi depus un dielectric de
permitivitate mare. Stratul interfacial ar păstra calităţile foarte bune ale interfeţelor SiO2-Si
sau SiON-Si, în timp ce EOT-ul ar putea fi mult mai mic [70].

b) Densitatea de sarcini fixe din oxid

Raportul grosimilor straturilor de oxid de permitivitate mare faţă de grosimea unui strat
corespunzător de SiO2 într-un tranzistor MOS este egal cu raportul permitivităţilor relative ale
noilor oxizi şi SiO2-ului, presupunând că stratul interfacial are o grosime neglijabilă. Din
acest motiv comportarea în câmp electric a volumului de oxid prezintă o importanţă sporită
faţă de cazul bine studiat al stratului subţire de dioxid de siliciu. Injecţia de purtători în
dielectricul de poartă poate duce la crearea de noi defecte, acumularea de sarcină fixă în oxid
sau, pentru densitaţi suficient de mari, la tunelarea asistată de trape. Trapele din oxid pot fi
adânci, producând o deplasare ireversibilă a tensiunii de benzi netede atunci când sunt
încărcate sau superficiale, şi au ca rezultat apariţia hysteresis-ului în caracteristicile
capacitate-tensiune şi prin urmare conduc la deplasări reversibile ale tensiunii de benzi netede.
Deplasările acceptabile ale acesteia sunt de zeci de milivolţi într-o perioadă de câţiva ani [71].
Nivelul ce se doreşte a se obţine pentru densitatea de sarcini fixe în oxid este de ordinul
1010cm-2, care reprezintă valoarea tipică din dioxidul de siliciu [35]. Probabilitatea de captare
a sarcinilor în dielectricii alternativi este mult mai mare decât în SiO2 datorită nivelului mare
de defecte din aceşti oxizi. Dioxidul de siliciu, pe de altă parte, are puţine defecte formate în
timpul oxidării siliciului, iar nivelul de trape este mic atât timp cât nu sunt injectaţi electroni
energetici care sa creeze defecte. În general s-a observat că probabilitatea de captare a
sarcinilor în trapele din oxizii de permitivitate mare este cu 8-15 ordine de mărime mai mare
decât probabilitatea de captare din dioxidul de siliciu, ceea ce conduce la nivele inacceptabile
ale densităţilor de sarcină fixă, de ordinul a 1012cm-2eV-1 [71, 72].

c) Curenţii de poartă

Curenţii de poartă reprezintă un parametru esenţial. În dispozitivele pe bază de SiO2 valoarea

lor pentru o grosime a oxidului de 1.5 nm este de aproximativ 1 A/cm2 la o tensiune de poartă
aplicată de 1 V [72]. Aceşti curenţi sunt dominaţi complet de tunelarea Fowler-Nordheim
(FN), care denumeşte tunelarea electronilor sau golurilor printr-o barieră de potenţial
triunghiulară, precum şi de tunelarea directă a purtătorilor printr-o barieră de potenţial
trapezoidală. Ca urmare a stresului electric, o componentă importantă a curenţilor de tunelare
devine cea asistată de trape [35].
Prin înlocuirea stratului de SiO2 cu cel al unui dielectric alternativ de permitivitate mare
componentele de tunelare ale curenţilor de scurgere sunt reduse cu ordine de mărime, în cazul
dispozitivelor de capacitate echivalentă. În schimb emisia termoelectronică (Schottky) peste
barierele de potenţial micşorate de la interfeţe şi emisia Poole-Frenkel a sarcinilor fixe din
oxid în banda de conducţie a acestuia devin noi componente ce se cer luate în calcul pentru a
evalua în mod corect nivelul curenţilor de poartă prin dielectricii alternativi. Limitele acestora
sunt specifice fiecărui tip de aplicaţie şi sunt prezentate în raporturile periodice ale ITRS
(International Technology Roadmap for Semiconductors).
Înţelegerea mecanismelor de conducţie prin dispozitivele MOS devine mai dificilă
atunci când există şi un strat interfacial de dimensiune finită. Fiecare strat prezintă o aliniere a
benzilor diferită şi conducţia este în general favorizată în cazul injecţiei de electroni din

27
substratul de siliciu. Evaluarea cantitativă a curenţilor de scurgere este posibilă numai prin
efectuarea unor simulari numerice, tinând cont şi de nivelul ridicat de defecte de la interfaţa
stratului interfacial cu dielectricul de poartă propriu-zis.
Cerinţa pentru dielectricii alternativi este de a asigura un nivel mult mai mic al
curenţilor de poartă în comparaţie cu un dispozitiv pe bază de SiO2 având o capacitate
echivalentă. O comparaţie între curenţii din cele două dispozitive trebuie sa fie făcută cu
precauţie, întrucât tensiunile de benzi netede pot fi mult diferite în cele două cazuri. Astfel,
aplicarea corecţiilor care iau în considerare atât lucrul de extracţie al diferiţilor electrozi de
poartă ce sunt utilizaţi, cât şi sarcinile fixe din dielectricul de poartă sunt necesare, comparaţia
făcându-se între curenţii relativi la tensiunea de benzi netede [35].

d) Mobilitatea purtătorilor minoritari din canal

Una dintre cele mai dificile sarcini ale integrării dielectricilor de poartă alternativi în
tehnologia CMOS este obţinerea unei mobilităţi a purtătorilor minoritari din canal apropiată
de cea existentă în cazul MOSFET-urilor pe bază de SiO2. În fig. 2.8 sunt prezentate
mobilităţile efective ale electronilor minoritari în tranzistori realizaţi cu diferiţi dielectrici de
poartă, având ca electrozi de poartă aluminiul sau polisiliciul [71]. Metoda folosită pentru
măsurarea mobilităţilor se află expusă în Ref. [73]. Toate materialele prezentate în fig. 2.8 au
o mobilitate mai mică comparativ cu cea universală, reprezentată printr-un fit empiric al unor
tranzistori cu efect de câmp cu canal de tip n şi electrod de poartă de polisiliciu [74].
Explicaţia acestor valori reduse nu este clară [71], dar se poate constata că mobilitatea
depinde de materialele specifice şi de detaliile de procesare.

Fig. 2.8 Mobilitatea efectivă reprezentată în funcţie de câmpul electric de la interfaţa Si-oxid pentru tranzistori
FET realizaţi cu diferiţi dielectrici de poartă. Curba de mobilitate universală este prezentată spre comparaţie.
Electrozii de poartă utilizaţi au fost polisiliciul sau Al. După [71].

Captarea sarcinilor în dielectric joacă de asemenea un rol important în estimarea mobilităţii.

Într-un MOSFET, o sarcină plasată în dielectric la interfaţa cu electrodul de poartă conduce la
crearea unei sarcini imagine la interfaţa cu siliciul şi va induce inversia canalului. De
asemenea, dacă în interiorul dielectricului sunt captate sarcini de polaritate identică cu cea a
purtătorilor minoritari ai substratului, sarcina din stratul de inversie va fi supraestimată
deoarece o anumită cantitate din sarcina fixă captată în oxid este considerată ca aparţinând
stratului de inversie. În acest mod mobilitatea este subestimată, căci mobilitatea dedusă din
conductivitatea măsurată va corespunde unei concentraţii presupuse de purtători minoritari
din canal mai mare decât cea reală. Câmpul efectiv de la interfaţă va fi supraestimat, iar
instalarea unui câmp efectiv real la interfaţă care să producă o inversie puternică reală poate

28
produce străpungerea dielectricului. De aceea încercările de a compara mobilitatea în sistemul
Si-SiO2 cu cea din diferite sisteme Si-oxid este supusă erorii atât timp cât nu sunt disponibile
valori precise ale concentraţiei de purtători din stratul de inversie.
Există şi alte probleme legate de comportarea ionică a dielectricilor de permitivitate
mare. Cauza principală a permitivităţii mari în aceşti dielectrici este dată de creşterea
polarizabilităţii ionice [74]. Ca urmare, fononii optici longitudinali din dielectric au energii
mult mai mici decât în cazul SiO2, iar cuplarea electronilor cu fononii este mai puternică.
Împrăştierea electronilor pe aceşti fononi, denumită împrăştiere fononică de la distanţă, se
presupune a conduce la reducerea mobilităţii în cazul oxizilor ZrO2 şi HfO2 cu un factor de 3
[75]. În practică însă sarcinile captate în oxid sunt cele care limitează în cel mai înalt grad
mobilitatea purtătorilor din oxid prin împrăştierea coulombiană [71].

e) Fiabilitatea dispozitivelor MOSFET

Fiabilitatea izolatorului de poartă a fost întotdeauna o preocupare pentru toate generaţiile

tehnologice CMOS. În prezent chiar şi straturile ultrasubţiri de SiO2 îndeplinesc cerinţele de
fiabilitate ale utilizărilor comerciale. În privinţa dielectricilor de poartă de permitivitate mare,
studiile de fiabilitate sunt incipiente, iar comportarea acestora poate fi mult diferită faţă de cea
a dioxidului de siliciu.
Evaluările de fiabilitate ale oxizilor necesită efectuarea unor procese în doi paşi [35,
76]. Primul are ca scop măsurarea pe baze statistice a timpului necesar străpungerii dielectrice
(„Time Dependent Dielectric Breakdown”), iar în al doilea pas se realizează modele cât mai
corecte de accelerare a degradării prin stres care să echivaleze condiţiile de operare normale
ale produsului pe termen lung. Pentru primul pas se definesc cât mai precis condiţiile de
străpungere şi un tratament matematic consistent. Al doilea pas necesită cunoaşterea fizicii
mecanismului de degradare. Chiar în cazul SiO2 încă mai au loc dezbateri asupra detaliilor
mecanismului de degradare, în timp ce pentru dielectricii de permitivitate mare foarte puţine
studii sunt disponibile.
Dacă se consideră că straturile de dielectrici alternativi se degradează într-un mod
similar cu straturile SiO2, se pot face anumite predicţii despre cum ar trebui să arate
fiabilitatea intrinsecă a acestor oxizi. În SiO2 străpungerea apare după generarea de trape
încărcate cu sarcini şi realizarea prin percolaţie a unei căi de conducţie între anod şi catod
[77]. Dacă este încă valabil conceptul de percolaţie în cazul oxizilor alternativi, panta Weibull
β a distribuţiei timpului de străpungere trebuie să fie proporţională cu numărul de trape al
acelei căi, iar valorile pantei trebuie să crească cu grosimea fizică a oxidului. Interpretarea
datelor de fiabilitate existente a arătat că panta Weibull este mai mică, corespunzând unei
scăderi a fiabilităţii dispozitivelor. Pentru aceasta există două explicaţii posibile:
• Explicaţia intrinsecă: străpungerea dielectrică este determinată de trapele create prin
stres electric, iar conceptul de percolaţie este aplicabil. Valorile mai mici ale pantei
Weibull în straturile de oxizi alternativi pot fi explicate prin existenţa unui numar mai
mic de trape ce participă la străpungere. Acest lucru este posibil dacă raza trapelor este
mai mare în comparaţie cu trapele din SiO2. Explicatia este improbabilă, deoarece
distanţele atomice în dielectricii de permitivitate mare sunt similare cu cele din SiO2.
• Explicaţia extrinsecă: Străpungerea este declanşată de către defectele induse în timpul
procesării. Deşi valorile pantei Weibull sunt mici, modelul percolaţiei nu este
aplicabil. Această comportare este observată chiar pe arii mici, ceea ce înseamnă că
densitatea de defecte este foarte mare, de cel puţin 106 cm-2. În acest caz sunt necesare

29
 îmbunătăţiri ale proceselor tehnologice pentru eliminarea componentei dominante a
străpungerii dielectrice [35].
O altă problemă de fiabilitate a MOSFET-urilor pe bază de dielectrici alternativi este
degradarea oxidului de poartă datorată purtătorilor fierbinţi din canal. În cazul SiO2 acest tip
de degradare a fost evitat prin micşorarea tensiunilor de operare de la 5 V în cazul tehnologiei
CMOS de 0.5 µm la 1 V pentru tehnologia de 0.1 µm [35]. Astfel, câmpurile electrice din
zona drenei sunt suficient de scăzute pentru a limita considerabil injecţia de purtători
minoritari în dielectricul de poartă. Când oxizi alternativi sunt utilizaţi ca dielectrici de poartă,
datorită barierei scăzute de la interfaţa cu siliciul un numar mai mare de purtători din canal
vor putea depăşi această barieră şi vor induce degradarea oxidului.

Punctele a), b) şi c) din cerinţele de compatibilitate electrică prezentate anterior vor fi

discutate în amănunt în capitolul 4, unde se vor interpreta rezultatele experimentale şi se vor
evalua parametrii fizici de interes pentru câţiva oxizi de permitivitate mare.

2.3.5 Aspecte suplimentare ale integrării dielectricilor alternativi în

tehnologia CMOS

În afara cerinţelor de integrare prezentate mai sus, există o serie de alte aspecte importante ale
integrării oxizilor alternativi în tehnologia CMOS care vor fi discutate pe scurt în cele ce
urmează.

Morfologia filmului

Cei mai mulţi dielectrici de poartă studiaţi până în prezent sunt fie policristalini, fie filme
monocristaline. Obţinerea unui material care să conserve structura amorfă (sticloasă) în
timpul procesării ar constitui un avantaj. Aproape toţi oxizii de interes, cu excepţia Al2O3,
prezintă o fază cristalină ce se formează în condiţiile de procesare tehnologice. Pentru filmele
ultrasubţiri anumite limitări ale cristalizării pot fi obţinute [70].
Dielectricii de poartă policristalini sunt problematici întrucât frontierele grăunţilor
cristalini reprezintă puternice căi de scurgere a curenţilor, ceea ce înseamnă că straturile
interfaciale amorfe sunt necesare pentru a reduce nivelul curenţilor de poartă. De asemenea,
prin frontierele grăunţilor cristalini o difuzie puternică a dopanţilor din electrodul de poartă de
polisiliciu prin dielectric către zona canalului poate avea loc şi substratul de siliciu se poate
dopa suplimentar, conducând la o deplasare nedorită a tensiunii de prag a tranzistorului.
Prin creşterea oxizilor monocristalini prin metoda Molecular Beam Epitaxy (MBE) se
pot în principiu evita frontierele policristaline, obţinându-se în acelaşi timp şi o bună calitate a
interfeţei. Procesul de depunere trebuie să fie însă foarte bine controlat (control sub-
monostrat), acest lucru obţinându-se prin depunere în vid ultraînalt şi cu o eficienţă scăzută în
ceea ce priveşte viteza de procesare a plachetelor [70].

Problematica electrodului de poartă

Un alt aspect de interes este compatibilitatea dielectricului alternativ cu electrozii de poartă de

polisiliciu sau metal. Desigur, este mai convenabilă depunerea electrozilor de poli-Si, inclusiv
a celor de Si1-xGex ce permit atingerea unor nivele mai înalte de activare a borului [78, 79],
pentru că în acest mod condiţiile de implantare ce se pot modifica permit ajustarea la o

30
valoare dorită a tensiunii de prag pentru ambele tipuri de tranzistori, NMOS şi PMOS (cu
canal de tip n şi respectiv p). Mai mult, procesele tehnologice implicate sunt binecunoscute în
industrie [70].
Electrozii de polisiliciu în tehnologia uzuală CMOS devin din ce în ce mai
inconvenienţi pe măsură ce miniaturizarea dispozitivelor avansează. Există două probleme
majore care limitează aplicabilitatea polisiliciului ca electrod de poartă în urmatoarele
generaţii tehnologice: depleţia şi penetrarea dopantului (de ex. a borului) în substratul de
siliciu. Depleţia electrodului de poartă creşte cu scăderea grosimii dielectricului, deci cu
creşterea câmpului la interfaţa cu dielectricul (având în vedere scenariile de miniaturizare
discutate în secţiunea 2.1), iar capacitatea sistemului MOS scade, ceea ce reprezintă un efect
nedorit. Penetrarea dopantilor în substrat are loc ca urmare a tratamentelor termice de activare
a dopanţilor din electrodul de poartă şi creşte pe măsură ce grosimea dielectricului scade.
Porţile metalice reprezintă o soluţie pentru eliminarea efectelor de depleţie în polisiliciu,
a penetrării dopanţilor şi a constrângerilor de rezistenţă electrică. Predicţiile ITRS
(International Technology Roadmap for Semiconductors) din 2001 indică o schimbare a porţii
de polisiliciu în tehnologiile de sub 70 nm, care vor necesita un substitut metalic.
Încercările de a folosi porţi de polisiliciu depuse pe ZrO2 nu au reuşit [80]. Studii
ulterioare au arătat o stabilitate mai mare a polisiliciului depus pe HfO2 [81]. Un sistem
pseudobinar, cum ar fi un silicat în contact cu un electrod de polisiliciu are o stabilitate mai
mare, deoarece o cantitate suficientă de Si este deja conţinută în dielectricul de poartă [82].
Oxidul de aluminiu Al2O3 pare să fie stabil în contact cu polisiliciul în timpul proceselor
tehnologice CMOS [83, 84]. Cu toate acestea, difuzia borului şi fosforului prin straturile de
Al2O3 a fost pusă în evidenţă, ceea ce produce o deplasare considerabilă a tensiunilor de benzi
netede şi de prag [85].
Ca urmare se încearcă găsirea unor electrozi metalici care să fie stabili în contact cu
dielectricii alternativi. Pentru preîntâmpinarea reacţiilor de la interfaţa cu dielectricul de
poartă s-au folosit porţi metalice de nitrură de titan (TiN) sau platina (Pt).
Utilizarea electrozilor de metal are avantajul de a elimina necesitatea tratamentului de
temperatură înaltă folosit de obicei pentru activarea dopanţilor [10]. Pentru înlocuirea
electrozilor de polisiliciu cu electrozi metalici există două principale abordări: folosirea unui
metal cu un nivel Fermi situat în apropierea mijlocului benzii interzise a siliciului sau
folosirea a două metale cu nivele Fermi corespunzătoare nivelelor Fermi din volumul
substratului de siliciu (de tip p şi n).
Primele metale sunt denumite „midgap metals” (sau alte materiale conductoare, ca de
exemplu TiN) şi folosirea lor prezintă dezavantajul că tensiunea de prag pentru ambele tipuri
de tranzistori (PMOS sau NMOS) este de aproximativ 0.5 eV, jumătate din banda interzisă a
siliciului. Această valoare este prea mare pentru viitoarele dispozitive CMOS, întrucât
tensiunile de alimentare sunt ~1 V iar tensiunea de comandă (VG-VT) nu ar suficientă pentru
asigurarea unei operări corespunzătoare [70].
Prin a doua abordare se pot folosi pentru dispozitivele NMOS electrozi de Al, care ar
asigura o tensiune de prag de ~0.2 V, în timp ce pentru dispozitivele PMOS un metal cu un
lucru de extracţie mare cum ar fi Pt ar conduce la o tensiune de prag de valoare similară.
Aluminiul nu poate fi însă folosit, deoarece pentru majoritatea oxizilor la interfaţa cu poarta
se va forma un strat cu conţinut de Al2O3. Ca alternative se pot enumera două conductoare cu
lucruri de extracţie mici: Ta şi TaN. De asemenea, pentru dispozitivele PMOS platina (sau
alte metale nobile) nu este o soluţie deoarece nu poate fi procesată uşor, nu adera uşor pe
majoritatea dielectricilor şi are un cost ridicat. Alternativa poate consta într-un oxid metalic
conductor ca IrO2 sau RuO2, ambii studiaţi şi utilizaţi în aplicaţiile DRAM („Dynamic

31
Random Access Memory”), cu lucruri de extracţie mari şi cu posibilitatea de a fi corodaţi ş i
procesaţi ulterior conform tehnicilor standard. RuO2 a fost testat cu succes atât în
dispozitivele PMOS pe bază de SiO2 [86], cât şi în dispozitive cu ZrO2 şi silicat de Zr ca
dielectrici de poartă [51, 87]. De asemenea, a fost raportată realizarea unui dispozitiv CMOS
cu poartă dublă metalică de TiN (PMOS) şi TaSiN (NMOS) [88].
Un aspect esenţial în studiul electrozilor metalici este controlul lucrului de extracţie
după procesările inerente tehnologiei CMOS. În cazul compuşilor conductori, lucrul de
extracţie poate fi ajustat prin modificarea corespunzătoare a compoziţiei [70].

Compatibilitatea proceselor tehnologice

Un factor foarte important pentru determinarea calităţii finale a filmului şi a proprietăţilor

acestora este metoda de depunere a filmelor oxidice de permitivitate mare în cadrul procesului
tehnologic de fabricaţie. Metoda de depunere trebuie să fie compatibilă cu procesele CMOS
actuale sau de perspectivă şi în acelaşi timp să aibă costuri şi randamente comparabile.
Întrucât pentru toate metodele ce pot fi folosite condiţiile termodinamice sunt de neechilibru,
este de aşteptat ca proprietăţile filmelor depuse să difere de cele corespunzătoare unor condiţii
de echilibru. Studiul acestor metode este de aceea necesar, în cele ce urmează fiind prezentate
pe scurt principalele metode de obţinere a filmelor oxidice subţiri de permitivitate mare [1].
Metodele de depunere fizică în vapori (Physical Vapor Deposition – PVD), cum ar fi
cele prin „sputtering” sau evaporare, sunt mijloace potrivite pentru evaluarea materialelor
folosite ca dielectrici alternativi. Un mare dezavantaj al „sputtering”-ului este crearea de
defecte şi trape la interfaţa cu siliciul ca urmare a energiei înalte cu care atomii constituienţi ai
dielectricului lovesc suprafaţa substratului. Mai mult, morfologia filmelor obţinute prin aceste
metode nu pare potrivită cu tendinţa de miniaturizare continuă a dispozitivelor. Metodele de
depunere fizică în vapori în vid ultraînalt („Ultrahigh Vacuum Physical Vapor Deposition”
UHV-PVD), dezvoltate din „Molecular Beam Epitaxy” oferă câteva avantaje potenţiale: sunt
tehnici flexibile foarte potrivite pentru studiile de material şi asigură un nivel de puritate
chimică a filmelor care nu poate fi atins prin alte metode. Oxizii au fost crescuţi epitaxial în
mare măsură prin această metodă. Nu este însă din punct de vedere tehnologic verificată
pentru depunerea pe substraturi de siliciu, iar aspecte importante din punct de vedere
tehnologic, care privesc randamentele, rata de fabricaţie, densitatea de defecte, mărimea
plachetei sunt în mare măsură necunoscute [71].
Din aceste motive, depunerea chimică în vapori („Chemical Vapor Deposition” - CVD)
este mult mai potrivită pentru acoperirea uniformă a suprafeţelor dispozitivelor ce prezintă o
topologie din ce în ce mai complicată. Este o tehnică foarte uşor de adaptat din punct de
vedere al proceselor tehnologice. Flexibilitatea metodei este dată de variantele existente ş i
care pot fi utilizate în funcţie de cerinţele procesului: „metalorganic” CVD (MOCVD),
„atomic layer” CVD (ALCVD), „rapid thermal” CVD, „plasma enhanced” CVD (PECVD)
sau „remote plasma” CVD (RPCVD) [71]. Aceste metode oferă câteva avantaje, cum ar fi un
bun control al grosimilor (în special pe suprafeţe neplanare), o posibilitate de producţie în
serie compatibilă cu cerinţele industriei şi compatibilitatea cu tehnologia de procesare pe
plachete de 300 mm. În schimb CVD necesită un control cât mai exact al cineticii reacţiilor
chimice de la suprafaţă ce pot da naştere unor straturi interfaciale de compoziţie diferită.
Precursorii utilizaţi în procesul de depunere vor trebui aplicaţi într-un mod adecvat pe
suprafaţa substratului astfel încât să se evite prezenţa impurităţilor în film iar compoziţia
finală să fie controlabilă şi omogenă pe întreaga suprafaţă. O compoziţie graduală pentru
filmele dielectrice se poate dovedi foarte importantă în controlul formării stărilor de interfaţă

32
la un nivel comparabil cu cel din sistemul Si-SiO2. Aplicarea metodelor ALCVD („atomic
layer” CVD) pentru depunerea Al2O3 [89, 90], ZrO2 [90-97], HfO2 [95, 98, 99] şi silicaţi ai Hf
şi Zr [100] sunt încercări promiţătoare ce permit controlul formării filmelor strat atomic cu
strat atomic.
Metoda „Molecular Beam Epitaxy” (MBE) a fost folosită cu succes pentru depunerea
direct pe Si a unor oxizi de permitivitate în volum foarte mare, ca SrTiO3 [101]. Au fost
raportate grosimi echivalente ale oxidului de sub 1 nm, pentru o grosime fizică de 1.1 nm ş i
au fost îmbunătăţite substanţial performanţele tranzistorului cu titanat de strontiu folosit ca
dielectric de poartă [101-103]. Acest material poate fi crescut epitaxial direct pe siliciu şi se
pot obţine, datorită potrivirii reţelelor cristaline ale Si şi STO, interfeţe cu densităţi de trape de
valori foarte mici (6.4×1010 cm-2eV-1), comparabile cu cele din sistemul Si-SiO2, precum ş i
mobilităţi ale purtătorilor din canal de 220 şi 62 cm2V-1s-1, pentru tranzistori NMOS ş i
respectiv PMOS [104, 105]. Rezultate mai recente arată posibilitatea creşterii epitaxiale pe Si
(001) şi (110), cu o tranziţie cristalină de-a lungul interfeţei Si-SrTiO3, iar prin controlul
parametrilor de depunere se pot varia stoichiometriile filmelor, fiind posibilă totodată şi
inserţia unui strat amorf de SiO2 de grosime controlată la interfaţa cu Si [106]. Aplicaţiile
acestor structuri se întind dincolo de aplicaţiile de poartă pentru noile generaţii CMOS. Ele
sunt pseudo-substrate pe care se pot depune noi oxizi sau semiconductori pentru dispozitive
multifuncţionale, cum ar fi dispozitive piezoelectrice sau feroelectrice [106, 107].
Şi alţi oxizi de permitivitate mare, printre care Y2O3 [108, 109] şi ZrO2 (stabilizat cu
Y2O3) [110-112], au fost crescuţi prin MBE. Cu toate acestea, nu există încă un proces de
depunere prin MBE a acestor oxizi care să fie integrabil în tehnologia CMOS şi să asigure o
eficienţă a producţiei de dispozitive comparativă cu eficienţa producţiei dispozitivelor pe bază
de SiO2.

33
34
3 Metode de caracterizare electrică a
filmelor dielectrice subţiri

Pentru a evalua măsura în care dielectricii alternativi sunt potriviţi pentru utilizarea în
aplicaţiile de poartă, parametrii electrici ai tranzistorului fabricat pe baza noului material
trebuie determinaţi şi comparaţi cu cerinţele operaţionale ale dispozitivului MOSFET (Metal-
Oxid-Semiconductor Field Effect Transistor). Într-o primă fază este necesară cunoaşterea
proprietăţilor electrice ale filmelor oxidice subţiri depuse pe siliciu după care, considerând că
integrarea noului dielectric de poartă în tehnologia CMOS este realizată, urmează testarea
tranzistorului fabricat pe baza noului oxid prin măsurarea caracteristicilor de transfer, a
mobilităţii purtătorilor din canal, a vitezei de comutare şi a altor parametrii de interes în
proiectarea circuitelor integrate. De asemenea, fiabilitatea dispozitivelor trebuie testată prin
realizarea unor modele de accelerare a îmbătrânirii care să ţină cont de procesele fizice
particulare ce au loc în timpul stresului termoelectric la care este supus dielectricul de mare
permitivitate.
Scopul acestei lucrări este de a descrie proprietăţile electrice ale filmelor oxidice subţiri
de mare permitivitate depuse pe siliciu şi de a evalua măsura în care aceste proprietăţi
corespund cerinţelor operaţionale ale tranzistorului. Nu se vor prezenta caracterizări electrice
ale tranzistorului. Filmele subţiri sunt investigate prin măsurarea impedanţei capacitorilor
MOS (Metal-Oxid-Semiconductor) şi a dependenţelor curenţilor de poartă cuasi-statici de
tensiunea de poartă şi temperatură. Dispozitivele MOS au avantajul de a fi uşor de fabricat, de
manipulat şi de măsurat într-un aranjament experimental simplu.
Datele experimentale sunt interpretate cu ajutorul unor metode folosite mulţi ani în
caracterizarea capacitorilor MOS pe bază de dioxid de siliciu. Aceste metode se împart în
două mari categorii: metode de semnal mic şi metode de investigare a conducţiei electrice
prin structura MOS. Fiecare categorie de metode oferă informaţii asupra unor proprietăţ i
complementare ale structurii MOS. Astfel, prin metodele capacităţii şi conductanţei se pot
determina grosimea fizică şi cea echivalentă (EOT) a filmului izolator, constanta dielectrică a
acestuia, grosimea stratului interfacial, densităţile de trape şi secţiunile de captură ale acestora
la interfaţa Si cu oxidul. De asemenea, se estimează sarcina fixă din oxid şi se oferă o
descriere calitativă a uniformităţii filmului. Măsurătorile de conducţie electrică prin oxid
indică mecanismele de conducţie cele mai probabile, unii parametrii fizici ai heterostructurii
ca alinierea benzilor energetice ale oxidului cu siliciul şi electrodul de poartă, masele efective

35
ale electronilor şi golurilor în oxid şi de asemenea calitatea depunerii (existenţa unor defecte
majore, a „pin-hole”-urilor).
În acest capitol se vor prezenta pe scurt elemente de teoria sistemului MOS şi bazele
teoretice ale metodelor de investigaţie de semnal mic ale capacităţii şi conductanţei. De
asemenea, vor fi discutate mecanismele de conducţie electrică prin filmele izolatoare subţiri ş i
se vor indica parametrii fizici ai heterostructurii ce se pot extrage din datele experimentale.

3.1 Studiul mecanismelor de transport electric prin filme

izolatoare subţiri

Pentru o mai uşoară prezentare a transportului electric prin filmele dielectrice ale structurilor
MOS, în acest subcapitol se vor studia aceste filme în dispozitive de tip MIM. Principiile de
bază ale transpotului electric prin straturile izolatoare sunt aceleaşi în cele două cazuri.
Principalele mecanisme de transport electric prin filmele izolatoare subţiri în structuri
de tip Metal-Izolator-Semiconductor (MIM) sunt:
• tunelarea barierei de potenţial a izolatorului de către purtătorii de sarcină, electroni sau
goluri;
• tunelarea elastică sau inelastică asistată de trape;
• emisia termoionică asistată de câmp (Schottky) a purtătorilor peste bariera de potenţial
de la interfaţa izolatorului cu metalul sau cu semiconductorul;
• emisia Poole-Frenkel în câmp electric a purtătorilor din trapele de volum ale
izolatorului;
• conducţie limitată de sarcina spaţială.

3.1.1 Fenomene de tunelare prin filme izolatoare subţiri

Dacă un izolator este suficient de subţire sau conţine un număr mare de defecte, sau ambele
condiţii sunt satisfăcute, electronii pot tunela direct de la un electrod la altul, formând un
curent măsurabil fără a implica mişcarea purtătorilor prin benzile de conducţie sau de valenţă
ale izolatorului. Caracteristicile de tunelare curent-tensiune depind de procedurile de fabricare
ale filmelor, de proprietăţile interfeţelor formate de către film cu electrozii, de proprietăţile
intrinseci ale izolatorului, precum şi de lucrurile de extracţie ale electrozilor [113]. Este foarte
probabil ca tunelarea să aibă un caracter filamentar, densitatea de curent nefiind uniformă pe
suprafaţa electrodului, chiar atunci când se foloseşte o geometrie planară simetrică a
electrozilor [114, 115]. De aceea verificările experimentale ale modelelor teoretice pot
întâmpina dificultăţi majore. Multe lucrări, fie teoretice sau experimentale, au fost publicate în
încercarea de a oferi o explicaţie cantitativă a fenomenelor de tunelare şi a legăturilor acestora
cu diverse tehnici de fabricaţie ale unor dispozitive electronice. În continuare se vor prezenta
rezultatele unei metode teoretice pusă la punct de Simmons şi Stratton de obţinere a
expresiilor curenţilor de tunelare funcţie de tensiunea aplicată şi temperatură prin structuri de
tip MIM [113, 116-121].
O mare parte a fenomenelor de tunelare prin filmele izolatoare subţiri se pot aproxima
ca fiind de natură uni-dimensională, ipoteză care uşurează considerabil tratarea matematică.
Dacă bariera de potenţial care este tunelată se extinde în direcţia x, componentele impulsurilor

36
electronilor pe direcţiile y şi z, normale la direcţia de curgere a curentului, pot fi considerate
pur şi simplu ca nişte parametri fixaţi. Astfel, probabilitatea ca un electron cu energia Ex să
penetreze o barieră de potenţial de formă generalizată, având înălţimea ψ┬(x) şi lăţimea S2-S1,
după cum se poate observa din fig. A1.1 (vezi Anexa 1), poate fi calculată prin bine cunoscuta
aproximaţie WKB sau WKBJ (Wentzel-Kramers-Brillouin-Jeffreys) [113, 117]. Densitatea de
curent se exprimă ca o diferenţă între numărul de electroni cuasi-liberi din electrozii metalici
ce traversează bariera în cele două sensuri cu probabilitatea dependentă de energia
purtătorilor. Printr-o serie de aproximaţii şi calcule matematice (Anexa 1) se pot deduce
expresiile curentului la temperaturi foarte scăzute şi la temperaturi finite funcţie de înălţimea
medie a barierei de potenţial şi anumiţi parametri dependenţi de forma efectivă a barierei (în
cazul temperaturilor finite).
Pentru temperaturi foarte scăzute şi tensiuni mici se poate arăta că nu se poate discerne
între mecanismul conductiv de tunelare şi cel ohmic, conducţia în aceste condiţii fiind liniară
(ec. A1.21). O altă consecinţă importantă a acestui model este obţinerea unei dependenţe
pătratice de temperatură a raportului curenţilor ce curg prin film sub tensiune constantă la
temperaturile T>0 şi T≅0 K (ec. A1.31).
În cazul în care se consideră o barieră de potenţial rectangulară, rezultatele pot fi
particularizate, iar pentru tensiuni aplicate suficient de mari densitatea de curent este de forma
[116]:
 B
J = AF 2 exp −  (3.1)
 F
unde A şi B sunt exprimate în funcţie de constante universale, înălţimea barierei de potenţial ş i
masa efectivă a electronului în dielectric. La câmpuri electrice aplicate mari benzile
energetice ale dielectricului se înclină în mod apreciabil astfel încât bariera de potenţial văzută
de electroni este de formă triunghiulară şi dependenţa de tensiune a curentului creşte datorită
modificării sub câmp a grosimii barierei. Acest tip de tunelare poartă numele de tunelare
Fowler-Nordheim, iar rezultatul (3.1) a fost regăsit şi în alte lucrări folosind abordări diferite
şi, în plus, pentru structurile de tip MOS [122, 123]. Valorile constantelor A şi B sunt în aceste
cazuri:
q 3m m 1
A= = 1.54 × 10 − 6 (A/V2) (3.2)
16π hmoxφo
2
mox φ0
4 (2mox )
1/ 2
m 
1/ 2
B= φ03 / 2 = 6.83 × 107  ox  φ03 / 2 (V/cm) (3.3)
3 qh  m 
unde q este sarcina electronului, m este masa liberă a electronului, 2πh este constanta lui
Planck, mox este masa efectivă a electronului în dielectric, iar φ0 este bariera energetică
exprimată în eV (ec. 3.3) sau Joule (ec. 3.4).
Pentru determinarea înălţimii barierei, valorile experimentale ale curenţilor se reprezintă
în forma ln(J/F2) versus 1/F, reprezentarea Fowler-Nordheim, care pentru acest tip de tunelare
este liniară. Din panta reprezentării se poate extrage valoarea constantei B, prin urmare se
poate afla valoarea expresiei (mox/m)1/2ϕ03/2. Dacă masa efectivă a electronului este cunoscută
din determinări independente, se află înălţimea barierei ϕ0 [124, 125].
Pentru o mai bună aproximare a curenţilor de tunelare se poate aplica corecţia efectului
Schottky, sau forţa-imagine, a înălţimii şi grosimii barierei [117, 122, 126].
Simulări ale curenţilor de tunelare se pot realiza şi pentru câmpuri aplicate mici, caz în
care tunelarea barierei de potenţial de formă trapezoidală este denumită directă. Pentru aceasta

37
sunt necesare reprezentări numerice ale expresiilor mai complicate ale curenţilor de tunelare
direcţi.
Spre deosebire de alte mecanisme de conducţie fenomenul de tunelare este foarte slab
dependent de temperatură, ceea ce permite o identificare relativ uşoară.
Pentru o analiză cât mai corectă a curenţilor de tunelare trebuie luate în considerare
câteva aspecte care pot complica simpla interpretare a rezultatelor pe baza ecuaţiilor de mai
sus [113]:
1) Caracteristicile curent-tensiune ale unei probe depind de timpul de stocare şi de
condiţiile de stocare a probei (efectul de îmbătrânire), dependenţe care sunt probabil datorate
difuziei atomilor contraelectrodului de metal (electrod depus pe suprafaţa liberă a oxidului) în
filmul de oxid [127-129];
2) Interfaţa electrodului cu oxidul (controlată prin tehnica de depunere) şi interfaţa
contraelectrodului cu oxidul (controlată prin materialul ce este depus şi tehnica de depunere)
au o mare influienţă asupra caracteristicilor J-V de tunelare;
3) Din cauza penetrării câmpului în electrozi, caracteristicile J-V depind nu numai de
materialul electrodului şi de tehnica de depunere, ci şi de aria şi grosimea electrozilor [130];
4) Încălzirea locală ce se produce în timpul conducţiei electrice prin filmul subţire poate
juca un rol important în procesul de tunelare;
5) Presupunerea existenţei unei legi de dispersie energie-impuls de formă parabolică şi a
validităţii aproximaţiei masei efective a electronului din filmul izolator pot să nu fie corecte;
6) Curentul de tunelare este modificat substanţial dacă în filmul izolator sunt prezente
trape şi defecte ionice;
7) Interacţia electronilor ce tunelează cu fononii optici ai izolatorului pot determina o
puternică dependenţă de temperatură a curentului de tunelare, chiar în apropierea temperaturii
camerei [131, 132].

3.1.2 Emisia Schottky la contactul metal-semiconductor

Transportul electric prin izolatori şi semiconductori, atunci când se exclud fenomenele de

tunelare, poate fi încadrat în două mari categorii:
a) Transportul controlat de către masa solidului, şi care include curenţii limitaţi de
sarcina spaţială, transportul ohmic, conducţia prin hopping, conducţia controlată de defecte
prin emisie de tip Poole-Frenkel;
b) Transport limitat de barierele de potenţial existente fie la interfeţele electrod-izolator
(sau semiconductor), fie la heterojoncţiunile semiconductor-semiconductor sau izolator–
semiconductor.
Structura MOS conţine două interfeţe: electrod de poartă-oxid şi oxid-semiconductor.
Având în vedere că dielectricul de poartă are o grosime mică, este de aşteptat ca cele două
interfeţe să joace un rol foarte important în limitarea curentului prin dispozitiv. Din acest
motiv în continuare se vor prezenta fenomenele de transport ale electronilor peste bariera de
potenţial de tip metal-semiconductor.
Pentru semiconductorii de mobilitate mare, cum ar fi siliciul, transportul poate fi descris
de teoria emisiei termoionice. Pentru semiconductorii de mobilitate scăzută teoria difuziei este
mai adecvată. Cazul general este descris de teoria emisiei termoionice şi difuziei, o sinteză a
primelor [133].

38
Teoria emisiei termoionice

Teoria emisiei termoionice a fost dezvoltată de Bethe [133, 134] şi se bazează pe următoarele
presupuneri:
(1) Înălţimea barierei de potenţial qΦBn este mult mai mare decât kT;
(2) În zona de emisie electronică există o stare de echilibru termic;
(3) Curentul net de electroni de la interfaţă nu afectează starea de echilibru termic, astfel
încât se pot descrie două fluxuri de curent: unul din metal spre semiconductor, celălalt din
semiconductor spre metal, cu nivele cuasi-Fermi (imref) diferite.
În urma adoptării acestor presupuneri, densitatea de curent nu este dependentă de forma
barierei de potenţial, ci numai de înălţimea barierei.
Densitatea de curent care circulă din semiconductor spre metal se obţine prin integrarea
fluxurilor de electroni din banda de conducţie a semiconductorului cu energia mai mare decât
înălţimea barierei de potenţial ce traversează bariera în unitatea de timp. Se presupune că
legea de dispersie în semiconductor este pătratică (Anexa 2). Densitatea de curent care circulă
din metal în semiconductor este independentă de câmpul electric din joncţiunea de contact,
astfel ca dependenţa curentului total de tensiunea aplicată este de forma:
  qφ    qV  
J n =  A*T 2 exp − Bn  ⋅ exp  − 1
  kT    kT  
(3.4)
  qV  
= J ST exp  − 1
  kT  
 qφ 
J ST ≡ A*T 2 exp − Bn  (3.5)
 kT 
unde k este constanta lui Boltzman, T este temperatura, q este sarcina electronului, V este
tensiunea aplicată, ϕB este înălţimea barierei, A* este constanta lui Richardson care ţine cont
de corecţia masei efective considerată mărime tensorială:
4πqk 2 2 * * 2 * * 2 * * 1 / 2
A* =
h3
( )
l1 m y mz + l2 mz mx + l3 mx m y (3.6)
Aici h este constanta lui Planck, l1, l2 şi l3 sunt cosinuşii directori ai normalei pe planul de
emisie relativ la axele principale ale suprafeţei elipsoidului de energie constantă (în
reprezentarea energie-număr de undă pentru semiconductor), iar mx*, my* şi mz* sunt
componentele tensorului masei efective. Dacă mx=my=mz=m=masa electronului liber, A*=A=
120 A/(cm2K2). JST este densitatea de curent de saturare independentă de tensiune şi care se
observă în polarizarea inversă a contactului metal-semiconductor.

Teoria difuziei

Teoria difuziei dezvoltată de Schottky [135] se bazează pe următoarele ipoteze:

(1) înălţimea barierei este mult mai mare decât kT;
(2) efectul ciocnirilor electronilor în zona de sărăcire este inclus;
(3) concentraţiile de purtători în punctele x=0 şi x=w nu sunt afectate de curgerea de
curent, valorile lor fiind cele de echilibru; w este coordonata marginii regiunii sărăcite din
semiconductor;
(4) semiconductorul este nedegenerat.

39
 Densitatea de curent se exprimă ca suma dintre componentele de drift si difuzie (Anexa
2). Alegând în mod corespunzător condiţiile la limită şi considerând aproximaţia de depleţie,
rezultă:
 q 2 D N  q(V − V )2 N  1/ 2  qφ Bn   qV  
Jn ≅  n C

bi D
 exp − exp  − 1
 kT  εS   kT   kT  
(3.7)
  qV  
= J SD exp  − 1.
  kT  
unde, în plus faţă de mărimile din secţiunea anterioară, εS este permitivitatea
semiconductorului, Dn este coeficientul de difuzie al electronilor in semiconductor, ND este
concentraţia dopanţilor, NC este densitatea de stări din banda de conducţie, iar JSD este
curentul de saturaţie.
În teoria difuziei curentul dominant este cel de difuzie a electronilor ca purtători
majoritari în zona de depleţie de la suprafaţa semiconductorului, întrucât concentraţia de
electroni în această zonă depinde exponenţial de potenţialul ce ce variază pătratic în funcţie de
distanţa în semiconductor.

O sinteză a celor două abordări teoretice prezentate mai sus a fost făcută de Crowell ş i
Sze [133, 136]. Modelul emisiei termoionice şi difuziei se bazează pe condiţiile de frontieră
ale vitezei de recombinare termoionică vR din apropierea interfeţei metal-semiconductor.
Deoarece difuzia purtătorilor este puternic afectată de configuraţia de potenţial în regiunea în
care se produce difuzia, se include efectul Schottky de micşorare a înălţimii barierei în
descrierea energiei potenţiale a electronilor funcţie de distanţă. Expresia densităţii de curent
ce se obţine în cadrul acestui model este similară celor din teoriile emisiei termoionice şi a
teoriei difuziei. În plus, formula densităţii de curent se poate corecta luând în considerare
împrăştierea electronilor pe fononi optici la trecerea prin maximul energiei potenţiale, fapt
care determină împrăştierea înapoi a electronilor înspre semiconductor [137, 138]. Ca primă
aproximaţie a probabilităţii emisiei electronice peste maximul potenţialului se poate scrie
f p = exp( − x m / λ ) . De asemenea, distribuţia energetică a electronilor este distorsionată de la
forma distribuţiei Maxwell ca urmare a reflexiei cuantice a electronilor datorată barierei
Schottky şi a tunelării electronilor prin barieră [139, 140]. Raportul fQ dintre curentul care
curge prin barieră, corectat prin considerarea tunelării şi a reflexiei cuantice, şi cel în care
aceste efecte sunt neglijate depinde puternic de câmpul electric şi de energia electronului
măsurată de la potenţialul maxim.
Expresia completă a caracteristicii J-V când se iau în considerare fp şi fQ este:
  qV  
J = J S exp  − 1 (3.8)
  kT  
 qφ 
J S = A**T 2 exp − Bn  (3.9)
 kT 
unde
f p fQ
A** = . (3.10)
vR
1+ f p fQ
vD
este constanta lui Richarson efectivă corectată ce ia în considerare efectul împrăştierii pe
fononi şi tunelarea cuantică.

40
3.1.3 Determinări ale înălţimii barierei de potenţial prin măsurători
curent-tensiune
Polarizare directă
Pentru semiconductorii mediu dopaţi, caracteristica densitate curent-tensiune (J-V) în
polarizare directă este dată de ecuaţia (3.4) corectată cu efectul forţei imagine [133]:
 qφ   q(∆φ + V )  
J = A**T 2 exp − B 0 exp   − 1 (3.11)
 kT   kT 
φ B 0 este înălţimea asimptotică a barierei de potenţial pentru câmp aplicat nul, iar ∆φ este
micşorarea barierei Schottky datorată forţei imagine. Deoarece A**, constanta lui Richardson
efectivă corectată, şi ∆φ sunt dependente de tensiunea aplicată, caracteristica în direct J-V
este reprezentată de obicei sub forma:
 qφ   qV  
J = A * T 2 exp − B 0 exp  − 1 , (3.12)
 kT   nkT  
unde n este factorul de idealitate. Dacă V>3kT/q, atunci unitatea din acolada membrului drept
al ecuaţiei (3.12) se poate neglija. Deoarece membrii din dreapta ai ecuaţiilor (3.12) şi (3.11)
sunt egali, se găseşte pentru factorul de idealitate expresia:
(
 ∂∆φ kT ∂ ln A** 
n = 1 + +
) −1

∂V 
(3.13)
 ∂V q
Într-o reprezentare tip logJ-V se poate extrage valoarea factorului de idealitate din panta
fitului liniar, iar înălţimea barierei poate fi obţinută prin extrapolarea valorii liniare a densităţ ii
de curent la tensiunea zero, care este densitatea curentului de saturaţie:
kT  A * *T 2 
φ Bn = ln  . (3.14)
q  J S 
Valoarea lui φ Bn nu depinde puternic de constanta efectivă a lui Richardson.

Polarizare inversă
În cazul aplicării unei tensiuni inverse contactului metal-semiconductor (polaritate negativă
pe metal pentru un semiconductor de tip n), efectul dominant constă în micşorarea barierei
Schottky:
 qφ   q qE / 4πε S 
J R ≅ J S = A**T 2 exp − B 0  exp  (3.15)
 kT   kT 
 
unde
2qN D  kT 
E= V + Vbi − . (3.16)
εS  q 

Factorul de idealitate pentru polarizarea inversă

Referitor la ecuaţia (3.12), s-a pus în evidenţă faptul că factorii de idealitate nu sunt incluşi în
expresiile densităţii de curent. Pentru tensiuni directe mari, numai termenul exponenţial din
acoladă care conţine factorul de idealitate contează. Pentru tensiuni inverse mari, expresia

41
densităţii de curent conţine practic numai densitatea de curent de saturare JS care nu depinde
de n [141-144].
Pentru a preîntâmpina acest neajuns, se consideră dependenţa de tensiune a barierei de
potenţial. Înălţimea barierei depinde de tensiune prin efectul mai sus menţionat al forţei
imagine, prin căderile de tensiune pe straturile interfaciale ce pot exista între suprafeţele
metalului şi semiconductorului şi alte efecte posibile. Se presupune că dependenţa înălţimii
barierei de tensiune este liniară şi este dată de expresia:
φ B (V ) = φ B 0 + γV (3.17)
unde γ este pozitiv deoarece bariera de potenţial creşte cu creşterea tensiunii directe. Ecuaţia
(3.4) a teoriei emisiei termoionice, aplicabilă în acest caz, devine:
 qφ   γqV    qV  
J = A * T 2 exp − B 0  ⋅ exp  − ⋅ exp  − 1 . (3.18)
 kT   kT    kT  
Definiţia factorului de idealitate al diodei Schottky este în acest caz:
1 ∂φ
= 1− γ = 1− B , (3.19)
n ∂V
iar ecuaţia (3.18) poate fi scrisă ca
 qφ   qV    qV 
J = A * T 2 exp − B 0  ⋅ exp  ⋅ 1 − exp −  . (3.20)
 kT   nkT    kT 
Pentru determinarea lui n se reprezintă grafic datele experimentale sub forma
J
log versus V . (3.21)
 qV 
1 − exp − 
 kT 
Această reprezentare este o line dreaptă până la valoarea zero a tensiunii, ceea ce nu se
întâmpla în cazul ecuaţiei (3.12) din cauza termenului unitate din paranteză. Aceasta permite
determinarea factorului de idealitate n pe un domeniu mai mare de tensiuni [142, 143].
Factorul de idealitate este apropiat de unitate pentru contactele metal-semiconductor la
care efectele tunelării, reflexiei cuantice şi împrăştierii pe fononi optici nu sunt dominante, iar
densitatea de trape de la interfaţa metal-semiconductor nu are valori mari.

3.1.4 Conducţia ohmică şi emisia Poole-Frenkel

Defectele din filmele dielectrice au provenienţe multiple. Impurităţile din material, pe de o

parte, datorate tehnicilor de depunere, modului de stocare şi tratamentelor ulterioare care au
fost aplicate filmului, iar pe de altă parte proprietăţile intrinseci ale dielectricului, precum ş i
stresul mecanic, termic, radiativ sau electric la care este supus acesta. Defectele din material
se comportă din punct de vedere electric ca nişte trape, nivele energetice de tip donor sau
acceptor localizate în banda interzisă a materialului care pot capta purtătorii de sarcină din
benzile de valenţă şi de conducţie. Timpul în care aceşti purtători rămân captaţi variază de la
timpi foarte scurţi caracteristici de obicei trapelor apropiate de benzile energetice până la
timpi foarte lungi, cu probabilitate mică de emisie şi întâlniţi în special în cazul trapelor
adânci din banda interzisă. Uzual trapele sunt prezente în mod uniform în volumul
dielectricului, dar în cazul existenţei unor interfeţe în care se produc difuzii ale altor
componenţi sau chiar reacţii chimice între substanţele aflate în contact, zonele de interfaţă au
un număr sporit (sau scăzut) de trape.
Atunci când o sarcină electrică este captată de o astfel de trapă, pentru eliberarea ei este
necesară o cantitate de energie ce poate fi obţinută din energia de agitaţie termică, proces care

42
devine mult mai probabil dacă benzile energetice ale materialului sunt curbate de către un
câmp electric exterior. De aceea, în funcţie de valorile câmpului electric emisia purtătorilor
din trape este independentă sau dependentă de câmp, ceea ce defineşte două tipuri de
conducţie electrică.
Pentru câmpuri exterioare de valori scăzute şi trape situate foarte aproape de una din
benzile energetice ale dielectricului (trape de suprafaţă), emisia termică a purtătorilor în banda
energetică respectivă se produce cu mare probabilitate, astfel încât purtătorii petrec în medie
un timp lung în banda energetică. Aici, sub acţiunea câmpului purtătorii sunt mişcaţi cu o
viteză medie de deplasare care este limitată de procesele de împrăştieri ce au loc în reţea.
Considerând că timpul în care purtătorii sunt liberi nu depinde de câmpul electric aplicat, deci
echilibrul termic este prezent, singurul efect al câmpului este creşterea proporţională a vitezei
medii a purtătorilor, ceea duce la creşterea liniară a densităţii de curent cu tensiunea aplicată.
Acest regim liniar de conducţie prezent la câmpuri electrice mici se numeşte conducţie
ohmică şi este caracterizat de o dependenţă a densităţii de curent de tipul:
 E 
J ≈ FT 3 / 2 exp − g  (3.22)
 2kT 
unde F este câmpul electric extern din material, T este temperatura, k este constanta lui
Boltzmann şi Eg este energia de activare a trapelor de suprafaţă.
Pentru câmpuri electrice suficient de puternice, aşa după cum s-a arătat mai sus, benzile
energetice ale dielectricului se curbează iar barierele energetice ale purtătorilor din stările
localizate adânci din banda interzisă sunt micşorate, după cum se poate observa în fig. 3.1. În
acest caz avem o dependenţă a densităţii de curent de tipul [133]:

Fig. 3.1 Reprezentare uni-dimensională a modificării barierei de potenţial a purtătorilor captaţi în trape localizate
la o energie Eα sub banda de conducţie în prezenţa unui câmp electric extern F. Se observă o micşorare a barierei
α care este maximă în direcţia câmpului şi care favorizează emisia Poole-Frenkel a purtătorilor captaţi [145].

J = qµn0 F exp 
[
 − q Eα − (qF / πε )1 / 2 

] (3.23)
 kT 
unde q este sarcina electrică elementară, ε permitivitatea dielectricului, Eα nivelul energetic al
trapei, relativ la nivelul minim al benzii energetice, µ mobilitatea purtătorilor în material, iar
n0 concentraţia de volum a trapelor. Se observă şi în acest caz o dependenţă exponenţială de
temperatură a densităţii de curent. Printr-o reprezentare a curenţilor experimentali de forma :
J
ln   vs. F , (3.24)
F

43
o dependenţă liniară pune în evidenţă emisia Poole-Frenkel (P-F). Fenomenul este similar cu
cel de emisie Schottky a purtătorilor (ec. (3.15)), deosebirea constând în lipsa factorului 1/4
din termenul exponentului ce conţine câmpul electric. Aceasta se explică prin lipsa sarcinii
imagine din metal (în cazul emisiei P-F) ce se formează la emisia Schottky în momentul
pătrunderii unui purtător de sarcină din metal în semiconductor (dielectric). Distanţa între
sarcina reală şi sarcina imagine este egală cu dublul distanţei purtător-interfaţa dielectric-
metal. Pentru emisia P-F, în momentele ce urmează părăsirii trapei de către purtător, trapa
rămâne încărcată electric iar distanţa faţă de purtătorul emis este egală cu distanţa parcursă de
acesta în material, de două ori mai mică decât în cazul emisiei Schottky. Ca urmare, bariera de
potenţial va fi scăzută de patru ori mai mult [133]. O altă diferenţă constă în deosebirea
factorilor exponenţialei, aceştia fiind proporţionali pentru emisia P-F cu câmpul electric
extern F ce produce driftul purtătorilor în material într-o manieră similară cu cea din cazul
conducţiei ohmice. Pentru emisia Schottky conducţia este limitată numai de interfaţă, câmpul
aplicat influienţând numai înălţimea barierei şi nu transportul propriu-zis. În schimb, spre
deosebire de purtătorii captaţi în trape care au o energie fixă, în metal electronii sunt cuasi-
liberi, iar distribuţia în energie a lor poate fi aproximată cu distribuţia Maxwell, ceea ce
introduce o dependenţă de temperatură suplimentară: factorul T2 din (3.15). Datorită
dependenţelor similare în cele două cazuri, în practică este deseori dificil de identificat
mecanismul de conducţie. Se poate întâmpla ca ambele reprezentări (3.21) şi (3.24) să fie
liniare. În acest caz se determină constanta dielectrică electronică din pantele celor două
drepte şi se compară cu valorile raportate în literatură. Mecanismul de transport real este cel
care conduce la o valoare a constantei dielectrice electronice în concordanţă cu cea
determinată prin metode independente.
Spre deosebire de emisia Schottky, curentul de emisie P-F este practic independent de
materialul folosit ca electrod şi de polaritatea tensiunii aplicate [145]. Pentru a fi mecanismul
dominant, este necesar ca distanţa dintre electrozi să fie mare în comparaţie cu distanţa medie
în spaţiul real dintre două trape. De aici se poate concluziona că pentru filme de grosimi foarte
mici emisia P-F este puţin probabil să domine curenţii de scurgere. Pe de altă parte, oxizii de
permitivitate mare au în medie concentraţii de sarcini fixe în volum şi grosimi ale filmelor
subţiri mai mari decât în cazul SiO2, astfel încât în aceşti oxizi probabilitatea conducţiei P-F
creşte.
Alte abordări mai realiste ale emisiei P-F au fost prezentate independent în trecut de
Hartke [146] şi Jonscher [147]. Ei au introdus un model tridimensional şi au calculat emisia
Poole-Frenkel într-o emisferă centrată pe direcţia câmpului, presupunând o emisie constantă
în direcţia contrară câmpului. Hill [148], tratând conducţia de tip Poole-Frenkel în amorfi, a
luat în considerare conducţia multiplă pe centre coulombiene şi tunelarea asistată termic ce se
produce în apropierea vârfului barierei coborâte de potenţial.

3.2 Analiza de semnal mic a dispozitivelor MOS

Având în vedere cerinţele de funcţionare ale circuitelor integrate, comportările electrice ale
structurilor de tip Metal-Oxid-Semiconductor (MOS) în condiţii cât mai apropiate de cele ale
dispozitivelor finale constituie teste indispensabile pentru validarea oricărei schimbări ce are
loc în tehnologia CMOS.

44
 În subcapitolul anterior s-au prezentat mecanismele de bază ale transportului electric
prin filme izolatoare subţiri. Acestea definesc comportarea structurii MOS în regim de
staţionaritate, ce se realizează prin aplicarea unei tensiuni constante în timp pe electrozii
MOS-ului. Condiţiile de funcţionare ale unui tranzistor MOS sunt însă diferite. Funcţia sa
principală este de control al curenţilor în circuit, de a permite sau nu curgerea curentului între
două terminale (sursă şi drenă) prin acţiunea potenţialului aplicat asupra celui de-al treilea
terminal, poarta. Se poate spune astfel că tranzistorul acţionează ca o valvă electronică.
Prin caracterizarea electrică a capacitorului MOS se pot obţine informaţiile de bază
despre proprietăţile dielectricului de poartă depus pe siliciu. În plus, uşurinţa cu care se poate
realiza şi investiga electric capacitorul constituie avantaje suplimentare. Deşi tranzistorul final
va funcţiona în numai două stări de echilibru, ON şi OFF, pentru atingerea acestora este
necesar să se cunoască în mod cât mai precis densitaţile de sarcini fixe şi mobile din dielectric
şi densitatea de trape la interfaţa Si-dielectric. Determinarea acestor mărimi nu se poate face
însă numai prin măsurători electrice în tensiune continuă. Metodele utilizate sunt cele de
analiză a caracteristicilor electrice de semnal mic.
Prin analiza de semnal mic se înţelege studiul caracteristicilor electrice ce are loc în
condiţii de aplicare a unui semnal alternativ de mică amplitudine suprapus tensiunii continue
de polarizare. Întrucât aceste tipuri de măsurători sunt foarte răspândite în fizica electronică ş i
ingineria electrică, s-a introdus o nouă definiţie a stării de staţionaritate, care adaugă un plus
de generalitate înţelesului uzual din fizică de independenţă în timp a parametrilor sistemului.
Astfel, starea de staţionaritate cuprinde şi situaţiile în care parametrii sistemului variază
sinusoidal în timp cu o amplitudine constantă [149].
În acest capitol se vor prezenta metodele principale de caracterizare electrică de semnal
mic a dispozitivelor MOS. Măsuratorile vor determina direct capacitatea şi conductanţa
capacitorului situate în paralel. Analiza de semnal mic se va face prin considerarea unor
circuite echivalente specifice metodelor folosite.
În continuare se vor prezenta pe scurt teoriile capacităţilor de joasă şi înaltă frecvenţă,
cu ipotezele simplificatoare şi aproximaţiile folosite de obicei în practică [149].

3.2.1 Diagrama de benzi energetice a structurii MOS

Considerăm pentru început capacitorul MOS din punct de vedere al structurii de benzi
electronice. Diagrama de benzi este prezentată în fig. 3.2 pentru cazul în care izolatorul este
dioxidul de siliciu. Se observă că banda interzisă a dioxidului de siliciu este foarte mare
(~8.8eV), în timp ce în cazul siliciului este mult mai mică (1.12 eV). În figură sunt indicate
nivelele Fermi din Al si Si, iar barierele energetice pe care un electron le intalneşte la
interfeţele Si-SiO2 şi Al-SiO2 sunt destul de mari astfel încât curentul de poartă existent în
urma aplicării unui câmp extern este foarte mic, dacă se neglijează curenţii de încărcare ai
capacitorului.

3.2.2 Regimurile capacitorului MOS – descriere fenomenologică

Dacă pe electrodul de poartă se aplică din exterior o tensiune, starea de echilibru va fi atinsă
prin redistribuirea sarcinilor în interiorul siliciului şi pe poarta de metal.
Sarcina din stratul de metal se presupune că răspunde instantaneu variaţiilor de tensiune
în domeniul de frecvenţe de interes (0-10 MHz), deci nu există practic pierderi datorate
acestui strat. Stratul efectiv în care se situează sarcina în metal are o grosime foarte mică
(~1Å) ca urmare a densităţilor de purtători mari din metal. Astfel, contribuţia capacitivă a

45
acestui strat de la suprafaţă, în serie cu capacitatea oxidului şi cea a suprafeţei siliciului, este
nedetectabilă.

4.25 eV
3.2 eV 1.12 eV
EC
EF EF
8.8 eV EV

Aluminiu Siliciu tip p

SiO2

Fig. 3.2 Diagrama de benzi energetice a capacitorului MOS fără câmp extern aplicat pentru cazul în care
izolatorul este dioxidul de siliciu. Se indică bariera energetică dintre metal si SiO2 şi dintre siliciu şi SiO2.
Metalul este aluminiu, iar siliciul este de tip p.

Sarcina de suprafaţă din Si depinde de tensiunea de poartă aplicată structurii, de

grosimea, permitivitatea stratului de oxid şi de dopajul siliciului. Atunci când o tensiune
negativă se aplică pe poartă, sarcina negativă din metal atrage golurile de la suprafaţa Si,
formându-se un strat de acumulare în cazul siliciului de tip p. Grosimea acestui strat este
comparabilă cu lungimea Debye, având o valoare de aproximativ 100-1000 Å şi depinde de
tensiunea aplicată şi de dopaj.
Dacă tensiunea creşte, golurile sunt respinse de la suprafaţă. Întrucât produsul pn
trebuie să rămână constant, densitatea de sarcină negativă la suprafaţa siliciului creşte.
Aceasta constă din ionii acceptori negativi din stratul de sărăcire, denumit astfel deoarece
golurile, ca purtători majoritari, au fost îndepărtate din această regiune de suprafaţă. Pe
măsură ce tensiunea creşte, stratul de sărăcire se lărgeşte pentru a asigura tot mai multe sarcini
negative care să echilibreze sarcinile de pe poartă. În cele din urmă, crescând în continuare
tensiunea de poartă, densitatea de electroni din banda de conducţie creşte apreciabil, pentru a
menţine produsul pn constant. Aceşti electroni formează un strat de inversie subţire situat
foarte aproape de interfaţa Si-oxid, într-o regiune cu o grosime ce depinde de tensiunea
aplicată şi de dopajul siliciului şi al cărui domeniu de valori este între 30-300 Å. În spatele
stratului de inversie, înspre masa semiconductorului, stratul de sărăcire încă există, iar dincolo
de acesta în masa semiconductorului se află o regiune neutră din punct de vedere electric. O
data ce inversia s-a produs, orice creştere ulterioară a tensiunii de poartă este echilibrată
aproape în totalitate de apariţia unor electroni suplimentari în stratul de inversie în timp ce
grosimea regiunii sărăcite rămâne constantă.

3.2.3 Soluţia ecuaţiei Poisson

Pentru a rezolva ecuaţia Poisson pentru sistemul MOS, trebuie considerate un număr de
condiţii simplificatoare:

46
 a) Ecuaţia Poisson se rezolvă uni-dimensional pe direcţia perpendiculară planului
interfeţei oxid-Si. Efectele de margine sunt neglijabile, afectând o arie care este de
ordinul de mărime al grosimii oxidului, în timp ce diametrul porţii este cu ordine de
mărime mai mare decât aceasta. Alte efecte bi-dimensionale pot fi cauzate de trapele
de interfaţă încărcate şi de sarcinile fixe din oxid.
b) Se presupune că în siliciu concentraţia impurităţilor este uniformă până la suprafaţă.
Presupunerea nu este în mod precis conformă cu realitatea deoarece oxidarea termică
produce o redistribuire a concentraţiilor de impurităti la suprafaţa Si.
c) Ecuaţia Poisson se rezolvă pentru cazul nedegenerat. În cazul degenerat, concentraţia
de echilibru a purtătorilor liberi în Si este descrisă de statistica Fermi-Dirac.
Dispozitive precum MOSFET sau CCD nu operează în mod normal în domenii de
tensiuni de poartă care să inducă suprafaţa Si în degenerare. Mai mult decât atât, din
caracteristicile MOS în domeniul de tensiuni ce produc degenerarea se obţin destul de
puţine informaţii folositoare despre proprietăţile oxidului şi ale stratului interfacial. De
aceea se foloseşte statistica Boltzmann.
d) Ecuaţia Poisson se rezolvă utilizând o densitate de sarcină aproximativă. Sarcina
dopanţilor este tratată ca o distribuţie continuă, ignorându-se caracterul discret al
impurităţilor ionizate. Sarcinile electronilor şi ale golurilor sunt tratate în aproximaţia
câmpului self-consistent. Astfel încât fiecare electron sau gol este privit ca şi când s-ar
mişca într-un câmp mediu produs de media densităţii sarcinilor mobile plus câmpul
datorat densităţii sarcinilor ionice aproximate continue.
e) Cuantificarea de suprafaţă se neglijează. Aceasta nu afectează caracteristicile
capacitorului MOS decât în cazul unor grosimi foarte mici ale oxidului, când se aplică
tensiuni mari de poartă sau la temperaturi foarte scăzute.
f) Aproximaţia curbării benzilor. Aceasta aproximaţie presupune că densitatea de stări în
benzile de valenţă şi de conducţie ale semiconductorului nu se schimbă prin aplicarea
unui câmp electric. În aproximaţia curbării benzilor singurul efect al câmpului electric
este deplasarea tuturor nivelelor energetice din benzile de conducţie şi de valenţă cu o
cantitate constantă determinată de potenţialul existent în fiecare punct din siliciu.
Aproximaţia este valabilă într-un domeniu de temperaturi şi de câmpuri electrice care
sunt de interes pentru aplicaţiile multor dispozitive şi măsurători de capacitate ale
structurilor MOS. După cum s-a precizat în paragraful anterior, un caz în care
aproximaţia curbării benzilor nu este valabilă este cuantificarea de suprafaţă, în care
densitatea de stări este modificată de câmpul electric. Alt caz este dopajul foarte
puternic, unde numeroasele impuritaţi produc prelungiri ale benzilor energetice în
banda interzisă.
Rezolvarea ecuaţiei Poisson si obţinerea expresiilor exacte (în limitele aproximaţiilor de
mai sus) ale sarcinii şi capacităţii în semiconductor în funcţie de tensiunea de poartă se pot
găsi în Anexa 3. De asemenea în Anexa 3 sunt deduse curbura benzilor, câmpul electric de la
suprafaţa Si, sarcina din Si şi lărgimea maximă a regiunii de depleţie în cazul aproximaţiei de
golire.

47
3.3 Capacitorul Metal-Oxid-Semiconductor la frecvenţe joase

3.3.1 Capacitatea totală a sistemului MOS

Utilizând rezultatele din capitolul precedent, se va deduce caracteristica C-V de frecvenţă

joasă.
Pentru a măsura capacitatea ca funcţie de tensiunea de poartă atunci când sistemul se
găseşte într-o stare de staţionaritate (cuasi-echilibru), un semnal alternativ de mică
amplitudine se suprapune peste tensiunea de poartă ce polarizează structura MOS. Domeniul
de amplitudini al semnalului sinusoidal se alege în aşa fel încât răspunsul curentului să poată
fi considerat liniar sau, echivalent, capacitatea şi conductanţa măsurate să fie independente de
amplitudinea semnalului [149].
Folosind legea lui Gauss, putem scrie:
C ox [VG (t ) − ψ S (t )] = −QS (t ) , (3.25)
unde Cox≡εs/x0 este capacitatea oxidului pe unitatea de arie, x0 este grosimea oxidului, VG(t) ş i
ψs(t) sunt tensiunea de poartă şi curbura benzilor dependente de timp, iar QS(t) este densitatea
de sarcină de la suprafaţa siliciului. Ecuaţia (3.25) se aplică la orice moment de timp, chiar
dacă tensiunea de poartă variază în timp. Dacă se suprapune o tensiune alternativă de mică
amplitudine pe tensiunea de polarizare a porţii avem
VG (t ) = VG + δVG (t ) (3.26)
Deoarece tensiunea de poartă variază în timp, curbura benzilor va avea de asemenea o
componentă alternativă:
ψ S (t ) = ψ S + δψ S (t ) (3.27)
unde ψs este curbura de benzi independentă de timp ce se stabileşte atunci când se aplică VG.
De asemenea, va exista şi o variaţie de semnal mic a sarcinii de la suprafaţa
semiconductorului. Dacă este suficient de mică, se poate exprima printr-o dezvoltare în serie
Taylor în care se păstrează numai termenul liniar:
 dQS 
QS (t ) = QS [ψ S + δψ S (t )] = QS (ψ S ) +  δψ S (t ) (3.28)
 dψ S 
unde QS(ψs) este densitatea de sarcină de la suprafaţa siliciului stabilită de VG. Din (3.28)
rezultă:
dQS
δQ S (t ) = δψ S (t ) = −C S (ψ S )δψ S (t ) (3.29)
dψ S
unde capacitatea diferenţială de joasă frecvenţă pe unitatea de arie a Si este:
dQS
C S (ψ S ) ≡ − . (3.30)
dψ S
Ecuaţia (3.31) este valabilă numai la frecvenţe joase deoarece presupune că QS(t) este
dată de expresia de echilibru QS(ψs) prin substituţia (3.27). La frecvenţe mari presupunerea
încetează să mai fie valabilă deoarece densitatea de purtători minoritari nu poate urmări
schimbarea foarte rapidă a potenţialului astfel încât sistemul să atingă echilibrul.
Dacă se substituie (3.26), (3.27) şi (3.28) în (3.25) şi termenii independenţi de timp se
elimină scăzând (3.25) în cazul de echilibru, se obţine:

48
 C ox (δVG − δψ S ) = C S (ψ S )δψ S (3.31)
Prin rearanjarea termenilor avem
C ox
δψ S = δV G . (3.32)
C ox + C S (ψ S )
În final, capacitatea totală pe unitatea de arie C, care leagă δQS de tensiunea alternativă de
mică amplitudine, devine
δQ δQ δψ S C S (ψ S )C ox
C=− S =− S = (3.33)
δVG δψ S δVG C ox + C S (ψ S )
sau
1 1 1
= + . (3.34)
C C (ψ S ) C ox
Ecuaţia (3.34) exprimă capacitatea totală pe unitatea de arie a capacitorului MOS ca o
capacitate alcătuită dintr-o combinaţie de două capacitaţi în serie pe unitatea de arie, şi anume
cele ale Si şi oxidului.

3.3.2 Expresia teoretică a caracteristicii C-V la frecvenţe joase

Capacitatea diferenţială pe unitatea de arie ca funcţie de potenţialul de suprafaţă al Si se poate

calcula pentru cazul în care purtătorii minoritari urmează tensiunea de poartă alternativă la
toate valorile tensiunii de poartă (frecvenţe suficient de joase).
Aplicând definiţia capacităţii diferenţiale (3.30) şi relaţia dedusă pentru sarcina din
semiconductor (ec. A3.20) capacitatea suprafeţei siliciului pentru cazul unui dopaj de tip n
este:
− Sgn (u B − u S )C FBS (n S N D − p S N D − 1)
CS = (3.35)
2 [(u B − u S − 1) + nS N D + pS N D ]1 / 2
Parametrul CFBS=εs/λn se numeşte capacitatea de benzi netede („flat-band”) a Si.
Relaţiile simplificate deduse în Anexa 4 sunt importante pentru că se pot obţine
informaţii preţioase despre sistem prin măsurători efectuate în unul din aceste regimuri. Ec.
(3.35) trebuie utilizată fără simplificări în regiunile de tranziţie dintre acumulare şi sărăcire
sau dintre sărăcire şi inversie slabă.

3.4 Capacitorul MOS la frecvenţe medii şi înalte

Caracteristicile capacitorului MOS la frecvenţe medii şi înalte sunt determinate în principal de

răspunsul ambelor tipuri de purtători, minoritari şi majoritari, la tensiunea alternativă de
semnal mic superimpusă pe tensiunea de polarizare a porţii. Regiunea critică este inversia ş i
inversia puternică, după cum se va vedea mai jos.

3.4.1 Răspunsul purtătorilor majoritari

În regimurile de acumulare şi sărăcire capacitatea siliciului se datorează fluxului purtătorilor

majoritari care circulă la interfaţă şi la marginea regiunii de sărăcire, respectiv, ca răspuns la

49
tensiunea alternativă aplicată. Purtătorii majoritari vor urma tensiunea de poartă alternativă
atât timp cât perioada semnalului alternativ este mult mai mare decât timpul de relaxare
dielectrică al siliciului τD=Ωεs, unde Ω= rezistivitatea siliciului. Aceasta înseamnă că
purtătorii majoritari vor răspunde când 1/ω » τD, unde ω este pulsaţia semnalului alternativ.
Pentru o concentraţie de impurităţi donoare de aproximativ ND=1016 cm-3, se poate
estima timpul de răspuns al purtătorilor majoritari în regimul de sărăcire (lângă mijlocul
benzii interzise) la interfaţa cu oxidul τmaj≈10-6 s, iar la marginea zonei sărăcite τmaj≈10-12 s.
Acesta din urmă este aproximativ egal cu timpul de relaxare dielectrică. Rezultă că în zona
din banda interzisă a Si situată între midgap şi inversia slabă, pentru frecvenţele de interes
(1kHz-1MHz) răspunsul la semnalul alternativ este datorat numai purtătorilor majoritari de la
marginea regiunii sărăcite.

3.4.2 Răspunsul purtătorilor minoritari

În conformitate cu ceea ce s-a spus despre răspunsul purtătorilor majoritari, purtătorii

minoritari urmează tensiunea alternativă de mică amplitudine cât timp perioada semnalului
alternativ este mult mai mare decât timpul de răspuns al purtătorilor minoritari. Acesta din
urmă se situează, în Si la temperatura camerei, între 0.01 şi 1 sec. în inversie puternică.
Deoarece acest timp este destul de mare, capacitatea stratului de inversie va fi dependentă de
frecvenţă, excepţie făcând zona frecvenţelor mici. Această dependenţă se poate observa în fig.
3.3, care prezintă capacitatea măsurată în funcţie de tensiunea de poartă la 27°C şi având
frecvenţa semnalului de poartă ca parametru. Densitatea de stări de interfaţă este mică în
această probă, astfel încât zonele din acumulare şi sărăcire au fost identice la toate
frecvenţele. Se observă că măsurătoarea încetează a mai fi realizată în condiţii de echilibru
începând de la frecvenţe mai mari de 10 Hz. La aproximativ 1 kHz capacitatea în zona de
inversie puternică se saturează la o valoare minimă care este determinată de lărgimea maximă
a regiunii de sărăcire.
Capacitate (pF)

VG(V)
Fig. 3.3 Capacitatea ca funcţie de tensiune la 300 K, având frecvenţa ca parametru.Substratul este Si de tip n
(100). Diametrul porţii este 370 µm, concentraţia donorilor este 1.2 x 1016 cm-3, iar capacitatea stratului de oxid
este 2.84 x 10-8 F/cm2. După Goetzberger şi Nicollian [150].

Cele două extreme ale curbelor din fig. 3.3 reprezintă curba C-V de joasă frecvenţă
(pentru ν=10 Hz) şi curba C-V de înaltă frecvenţă (pentru ν=1000 Hz).
Răspunsul purtătorilor minoritari şi mecanismele prin care se produce acesta a fost
studiat amănunţit şi s-a stabilit că există trei mecanisme principale prin care purtătorii
minoritari sunt furnizaţi şi părăsesc stratul de inversie:

50
 a) generarea purtătorilor minoritari în contactul ohmic al substratului de Si, urmat de
difuzia prin regiunea cvasi-neutră şi apoi de driftul prin zona sărăcită [151];
b) generarea şi recombinarea purtătorilor minoritari în stratul sărăcit [152];
c) asigurarea purtătorilor minoritari din stratul de inversie existent în afara electrodului de
poartă (la interfaţa Si-oxid care nu se află sub electrodul de poartă) [150-152].
În funcţie de temperatură unul dintre cele trei mecanisme prezentate mai sus este cel
dominant. La temperatura camerei, generarea şi recombinarea determină timpul de răspuns al
purtătorilor minoritari din Si. La temperaturi mai ridicate (în jur de 140°C) difuzia începe să
devină dominantă. Temperatura exactă la care se produce tranziţia de la un mecanism la altul
la o tensiune de poartă dată depinde de densitatea de stări localizate din masa Si care au
nivelele în apropiere de mijlocul benzii interzise („midgap”), precum şi de concentraţia de
impurităţi donoare. Curentul de generare-recombinare creşte cu creşterea concentraţiilor de
stări localizate din apropierea mijlocului benzii interzise, care la rândul lor cresc cu dopajul,
ca urmare a contaminării sporite. Curentul de difuzie al purtătorilor minoritari creşte cu
scăderea dopajului deoarece în acest caz concentraţia de purtători minoritari creşte.
În ceea ce priveşte mecanismul de la pct. c), dacă o inversie puternică dincolo de poartă
există, aceasta domină celelalte două mecanisme la toate temperaturile de interes.
Stratul de inversie de dincolo de poartă se poate produce în mai multe cazuri:
i) datorită existenţei unei sarcini în stratul de oxid;
ii) crearea unui potenţial de-a lungul suprafeţei de oxid. Acest efect poate apare într-un
ambient cu umiditate mare;
iii) în urma existenţei unui potenţial aplicat asupra inter-conexiunilor metalice dintr-un
circuit integrat.

3.4.3 Calculul capacităţii de înaltă frecvenţă

Caracteristicile de joasă şi înaltă frecvenţă depind de felul în care purtătorii majoritari ş i

minoritari răspund la semnalul alternativ de mică amplitudine. Întrucât purtătorii majoritari
răspund la toate frecvenţele de interes şi în toate regimurile capacitorului, iar în acumulare,
sărăcire, şi în zona benzilor netede concentraţiile purtătorilor majoritari depăşesc cu mult pe
cele ale purtătorilor minoritari, cele două tipuri de caracteristici coincid în aceste regimuri. În
ceea ce priveşte regimurile de inversie slabă şi puternică, diferenţele apar şi sunt foarte mari,
deoarece purtătorii minoritari au o concentraţie foarte mare şi capacitatea asociată de
asemenea este mare. În curbele de joasă frecvenţă această capacitate contribuie la capacitatea
totală a MOS-ului, pe când în cazul curbelor de înaltă frecvenţă acest lucru nu se întâmplă.
Pentru a calcula capacitatea de înaltă frecvenţă se fac două presupuneri:
a) concentraţia de purtători minoritari este determinată de tensiunea de poartă de
polarizare şi nu depinde de semnalul alternativ suprapus;
b) purtătorii minoritari se pot mişca la suprafaţa Si ca răspuns la tensiunea alternativă,
astfel încât stratul de inversie se îngustează şi se lăţeşte în timpul unui ciclu complet
de semnal alternativ. Această schimbare de aranjament spaţial al purtătorilor
minoritari în stratul de inversie conservă concentraţia de suprafaţă din Si, modificând
numai distribuţia de-a lungul axei perpendiculare pe suprafaţa Si.
Deducerea capacităţii teoretice de înaltă frecvenţă pe baza acestor presupuneri este
prezentată în Anexa 5 cf. [149, 153, 154].

51
3.5 Metode de determinare a parametrilor dispozitivelor
MOS cu ajutorul capacităţii

3.5.1 Determinarea grosimii echivalente a oxidului (EOT), a grosimii

stratului interfacial şi a permitivităţii oxidului de poartă

Definiţia grosimii echivalente a oxidului a fost dată deja în capitolul 2. Determinarea acestei
mărimi se poate face, pentru cazul în care există un strat interfacial de dioxid de siliciu şi un
oxid de permitivitate mare, prin obţinerea caracteristicilor C-V a unei serii de probe preparate
în aceleaşi condiţii şi cu grosimi diferite ale stratului de oxid de mare permitivitate. Se
presupune că grosimea stratului interfacial rămâne constantă pentru toate probele. Astfel, din
formula:
ε SiO 2
EOT = t SiO 2 + t ox (3.36)
ε ox
se observă că prin reprezentarea grafică a diferitelor valori ale EOT funcţie de grosimea tox ş i
prin fitarea curbelor experimentale cu o dreaptă se poate obţine permitivitatea oxidului ş i
grosimea stratului interfacial de SiO2 din panta şi valoarea la tox=0 a fitului liniar, respectiv.
Valorile EOT se obţin prin măsurarea capacităţilor de înaltă frecvenţă în acumulare,
care sunt cu o bună aproximaţie egale cu capacitatea serie a straturilor de oxizi (Cacum). EOT
va fi atunci:
ε SiO 2
EOT = . (3.37)
C acum

3.5.2 Tensiunea de benzi netede („flat-band“)

Capacitorii MOS reali prezintă un potenţial de contact diferit de zero între electrodul de
poartă şi suprafaţa Si. Diferenţa lucrurilor de extracţie ale electrodului de poartă şi
substratului de Si, sarcinile fixe din oxid şi sarcina totală a trapelor de interfaţă determină
existenţa unui potenţial de contact diferit de zero între electrodul de poartă şi siliciu.

A) Diferenţa lucrurilor de extracţie

Lucrul de extracţie al unui material este energia minimă necesară unui electron pentru a părăsi
materialul în care se găseşte. Metalele au lucruri de extracţie diferite din cauza diferenţelor
dintre forţele de legătură ale electronilor cu miezul atomilor metalici. Lucrul de extracţie se
notează de obicei qφ şi se exprimă în eV, φ exprimându-se în V. Lucrurile de extracţie ale
unor metale tipice sunt prezentate în tabelul 3.1 [155].
Există de asemenea un lucru de extracţie al siliciului φSi. Acesta depinde de tipul
dopajului şi concentraţia acestuia şi se defineşte astfel:
E N
qϕ Si = χ + G + kT ln A (eV) (3.38)
2 ni
sau

52
 kT N A
ϕ Si ≅ 4.59 + ln (V) (3.39)
q ni
pentru Si de tip p, şi

Tabel 3.1 Lucrurile de extracţie ale unor metale [155, 156]

Lucrul de extracţie
Element Simbol chimic
(φm în eV)
Cesiu Cs 1.80
Magneziu Mg 3.70
Cadmiu Cd 4.10
Aluminiu Al 4.20
Fier Fe 4.30
Molibden Mo 4.60
Argint Ag 4.30
Cupru Cu 4.35
Mercur Hg 4.50
Nichel Ni 4.50
Crom Cr 4.60
Aur Au 4.80
Platină Pt 5.35
E N
qϕ Si = χ + G − kT ln D (eV) (3.40)
2 ni
sau
kT N D
ϕ Si ≅ 4.59 − ln (V) (3.41)
q ni
pentru Si de tip n, unde χ ≈4.05 eV este afinitatea electronică a Si. Aceasta este definit ă ca
energia necesară pentru a scoate un electron din Si de la nivelul minim al benzii de conducţie.
EG este mărimea benzii interzise din Si, care este dată de
4.73 ⋅ 10 −4
EG (T ) = 1.17 − (eV) (3.42)
T + 636
Pentru egalizarea nivelelor Fermi din electrodul de poartă şi siliciu, la scurtcircuitarea
capacitorului MOS se formează un câmp electric în oxidul de poartă care produce o curbare a
benzilor energetice ale siliciului la interfaţa cu oxidul. De aceea pentru netezirea benzilor este
necesară aplicarea unei tensiuni de poartă denumită tensiune de benzi netede („flat-band”),
egală cu diferenţa de potenţial dintre electrodul de poartă şi substratul de Si:
VFB = ϕ ms = ϕ m − ϕ Si . (3.43)
Existenţa unei tensiuni de benzi netede nenulă determină translaţia curbei C-V de-a
lungul axei tensiunii cu valoarea VFB.

B) Sarcinile din oxid

Pe lângă diferenţa dintre lucrurile de extracţie, sarcinile din oxid şi de la interfaţa Si-oxid
modifică la rândul lor tensiunea de benzi netede. Prezenţa acestora în dispozitivele MOS reale
este inevitabilă.

53
 În structurile MOS sarcinile sunt localizate în diferite zone ale dielectricului de poartă.
Interesul principal este stabilirea efectului lor asupra siliciului. De aceea concentraţiile sunt
definite în termeni de sarcini efective pe unitatea de arie. Într-o structură MOS cu poarta
menţinută la un potenţial fix, efectul sarcinii din oxid depinde nu numai de concentraţia sa,
dar şi de distanţa medie de la suprafaţa siliciului. Dacă toate sarcinile ar fi localizate la
interfaţa metal-dielectric, sarcinile imagine (de semn opus) vor apare în metal, iar efectul
asupra suprafeţei siliciului ar fi neglijabil. Invers, dacă sarcinile ar fi concentrate la interfaţa
Si-oxid sarcinile imagine se vor localiza în Si. Dacă sarcina din oxid este pozitivă ea va
contribui la sărăcirea şi inversia din siliciu (pentru Si de tip p) şi va determina o deplasare a
caracteristicii C-V înspre valorile negative ale tensiunii, în timp ce sarcinile negative produc
acumulare la suprafaţa Si şi determină deplasarea curbei C-V către valori pozitive ale
tensiunii. În cele mai multe cazuri distribuţia de sarcini nu este predictibilă şi este mai
convenabil să se definească o sarcină efectivă din oxid Qeff, ce se presupune că este localizată
la suprafaţa siliciului şi determină aceeaşi deplasare a curbei C-V ca şi sarcina reală din oxid.
Fie densitatea volumică de sarcină din oxid ρ(x), şi un strat din oxid de grosime ∆x, cu
densitatea de sarcină superficială σ= ρ(x)∆x (fig. 3.4).
Fie ∆QG densitatea de sarcină imagine de pe poartă şi ∆Qeff cea de la suprafaţa Si.
Principiul de neutralitate cere ca:
∆QG + ∆Qeff = σ (3.44)
De asemenea:
∆Qeff x1 = ∆QG x 2 = (σ − ∆Qeff ) x 2 (3.45)
unde x1 şi x2 sunt distanţele de la stratul încărcat la suprafaţa Si şi la electrodul de poartă,
respectiv. Ecuaţia (3.44) poate fi scrisă ca:
x2
∆Qeff = σ
x1 + x 2
sau
x
∆Qeff = 2 σ . (3.46)
t ox
Prin urmare ∆Qeff creşte pe măsură ce sarcinile sunt situate mai aproape de suprafaţa siliciului
şi descreşte când acestea se deplasează către electrodul de poartă. În absenţa unui electrod de
poartă sau când poarta este „în aer”, sarcinile din oxid îşi vor găsi imaginea în Si, iar Qeff≈Qox,
indiferent de distribuţia de sarcini.
Deplasarea tensiunii de benzi netede datorită sarcinii efective din oxid este dată de:
Qeff
∆VFB = − (3.47)
C ox
Aceasta este tensiunea de poartă necesară pentru a crea toată imaginea sarcinii din oxid în
electrodul de poartă, pe suprafaţa Si sarcina imagine fiind nulă.
Deplasarea totală a tensiunii de benzi netede de la valoarea zero, datorată ambelor
efecte considerate, diferenţa de lucru de extracţie şi prezenţa sarcinilor din oxid, este:
Qeff
VFB = ϕ ms −
C ox
sau
t
VFB = ϕ ms − Qeff ox . (3.48)
ε ox

54
Fig. 3.4 Modelul stratului de oxid încărcat electric prin care se introduce sarcina efectivă din oxid [155].

În cele mai multe cazuri singura contribuţie la instabilitatea tensiunii de prag, care reprezintă
tensiunea de poartă necesară instalării regimului de inversie, este variaţia sarcinii din oxid în
timpul operării dispozitivului, ce poate fi foarte probabilă în cazul oxizilor de mare
permitivitate, care pot prezenta modificări considerabile în timp ale densităţii de sarcini din
oxid. Studii detaliate ale densităţilor de sarcini fixe din oxid şi evoluţiei acestora în timpul
funcţionării dispozitivelor MOSFET sunt necesare pentru fiecare tip de oxid în parte.

Fig. 3.5 Deplasarea tensiunii de benzi netede datorată diferenţei între lucrurile de extracţie şi a existenţei sarcinii
efective din oxid [155].

Fig. 3.5 ilustrază contribuţia ambilor factori enunţaţi mai sus la deplasarea caracteristicii
C-V şi implicit a tensiunii de benzi netede.

C) Determinarea experimentală a tensiunii de benzi netede

O determinare aproximativă a tensiunii de benzi netede uşor de aplicat în practică se poate

face prin investigarea caracteristicii C-V de înaltă frecvenţă dacă se cunoaşte grosimea

55
oxidului de poartă. Din valoarea capacităţii măsurate în acumulare puternică se poate calcula
permitivitatea oxidului de poartă:
C t
ε ox = acum ox (3.49)
A
unde A este aria capacitorului, tox este grosimea oxidului şi Cacum este capacitatea măsurată în
acumulare puternică.
Capacitatea suprafeţei siliciului în regimul de benzi netede este dată de ec. (A4.5) sau
(A4.6), pentru Si de tip p sau n, respectiv. Din relaţia (3.34) se obţine capacitatea structurii
MOS în regiunea de benzi netede, unde Cox=Cacum şi C(ψS)=CFBS din A4.5 (A4.6). Această
valoare este citită pe caracteristica C-V experimentală, după care se determină tensiunea
corespondentă, care reprezintă tensiunea de benzi netede VFB.
Valoarea VFB este aproximativă, întrucât s-a presupus ca distribuţia impurităţilor la
suprafaţa Si este uniformă, iar capacitatea oxidului a fost subestimată prin neglijarea efectului
trapelor de interfaţă asupra capacităţii din acumulare. Pentru ca aceste trape sa nu răspundă
deloc semnalului alternativ sunt necesare măsurători la frecvenţe de peste 1MHz, care sunt
afectate de efectele parazite ale inductanţei serie.

3.5.3 Determinarea densităţii de trape de la interfaţa Si-dielectric de

poartă

Pentru determinarea densităţii de trape de la interfaţa siliciului cu dielectricul de poartă se pot

utiliza mai multe metode de semnal mic (cuasi-statice), dintre care cele mai cunoscute ş i
utilizate sunt:
A. Metoda capacităţii de înaltă frecvenţă (sau metoda Terman) [157];
B. Metoda capacităţii de joasă frecvenţă [158];
C. Metoda combinată a capacităţilor de înaltă şi de joasă frecvenţă [159];
D. Metoda Gray-Brown [160, 161];
E. Metoda conductanţei [149, 162].
În plus, se mai pot utiliza o serie de alte metode:
• Metode tranzitorii: „deep level transient spectroscopy (DLTS)”, „thermal dielectric
relaxation current”, „isothermal dielectric relaxation current”, „charge transfer loss in
a charged coupled device”;
• Măsurători de capacitate la temperatură joasă;
• „Charge pumping”;
• Metode optice.
În continuare se vor prezenta pe scurt metodele de semnal mic.

A. Metoda capacităţii de înaltă frecvenţă

În metoda capacităţii de înaltă frecvenţă, capacitatea este măsurată în funcţie de tensiunea de
poartă la o frecvenţă fixată suficient de mare astfel încât trapele de la interfaţă să nu răspundă
semnalului alternativ de mică amplitudine dar să urmeze schimbărilor foarte lente ale
tensiunii de poartă. Prin urmare, trapele de interfaţă nu contribuie în nici un fel la capacitatea
de înaltă frecvenţă a capacitorului MOS. Însă, datorită faptului că acestea răspund
schimbărilor tensiunii de poartă, caracteristica C-V va fi alungită de-a lungul axei tensiunii,
întrucât starea de ocupare a trapelor de interfaţă se schimbă pe măsură ce nivelul Fermi
traversează nivelele trapelor. Aceasta conduce la o variaţie de sarcină care se adaugă variaţiei

56
sarcinii fixe a stratului de depleţie (pentru regimul de depleţie). Valorile capacităţii sunt
identice cu cele ale unei curbe ideale, translatate pe axa tensiunii cu o cantitate aflată în
legatură directă cu sarcina netă totală a trapelor de interfaţă corespunzătoare tensiunii de
poartă respective. Astfel deplasarea curbei C-V nu se produce paralel cu axa tensiunii, ca în
cazul prezenţei sarcinilor fixe din oxid, ci are loc o distorsionare a caracteristicii C-V.
Distorsionarea există chiar în cazul în care distribuţia de trape de interfaţă este uniformă în
banda interzisă a Si. Dacă distribuţia de trape nu este uniformă, se produce o aplatizare
pronunţată a curbei C-V pentru tensiunile de poartă corespunzătoare unor nivele Fermi ce
traversează nivele de trape de interfaţă cu variaţie mare a densitaţii în banda interzisă [149,
157].
Pentru a obţine expresia capacităţii de înaltă frecvenţă se va deduce formula capacităţii
de joasă frecvenţă pentru un capacitor MOS cu trape de interfaţă.
Capacitatea de joasă frecvenţă este definită de ecuaţia:
dQ
C LF ≡ T (3.50)
dVG
unde sarcina totală pe unitatea de arie este
QT = −(Qs + Qit ) . (3.51)
Pe de alta parte se poate afirma că sarcina de pe electrodul de poartă este Cox (VG − ψ S ) , ψS
fiind potenţialul suprafeţei Si. Aceasta trebuie să fie egală în modul şi de semn contrar cu
sarcina totală din siliciu şi trapele de interfaţă:
Cox (VG − ψ S ) = −QS (ψ S ) − Qit (ψ S ) . (3.52)
Pentru o variaţie infinitezimală a tensiunii de poartă dVG se consideră o variaţie a tensiunii de
curbare a benzilor dψS, iar din ec. (3.52) rezultă:
C ox dVG = [C ox + Cit (ψ S ) + C S (ψ S )]dψ S , (3.53)
unde
Cit (ψ S ) ≡ − it
dQ
(3.54)
dψ S
şi
C S (ψ S ) ≡ − S
dQ
(3.55)
dψ S
sunt capacităţile trapelor de interfaţă şi suprafeţei siliciului, respectiv.
Din ec. (3.50)-(3.55) avem expresia capacităţii de joasă frecvenţă:
dQT dψ S
= (CS + Cit )
Cox
C LF = . (3.56)
dψ S dVG Cox + C S + Cit
Capacitatea de înaltă frecvenţă se scrie ţinând cont că trapele de interfaţă nu răspund
semnalului de mică amplitudine şi joasă frecvenţă, astfel încât Cit=0:
CC
C HF = S ox (3.57)
C S + Cox
Din ec. (3.57) se poate vedea că circuitul echivalent al capacitorului MOS la frecvenţe înalte
este format din două capacităţi situate în serie, capacitatea oxidului şi a suprafeţei siliciului.
Trapele de interfaţă nu sunt conţinute explicit în expresia capacitaţii, astfel încât valorile
acesteia sunt egale cu cele ale unei caracteristici ideale. Ceea ce diferă este curbura benzilor în
Si, care depinde în mod diferit de tensiunea de poartă. Cu alte cuvinte caracteristica
capacitate-tensiune la frecvenţă înaltă ar fi identică cu cea ideală dacă curbura benzilor ψs(VG)

57
ar fi identică. Cunoscând ψs corespunzătoare unei capacitaţi CHF într-o curba măsurată pentru
un capacitor ideal şi măsurând tensiunea de poartă VG la aceeaşi valoare a capacităţii se poate
obţine curba ψs(VG) pentru un capacitor MOS cu trape de interfaţă. Relaţia dintre curbura
benzilor şi tensiunea de poartă conţine toată informaţia despre densitatea trapelor de interfaţă
ce poate fi obţinută prin măsurători de capacitate la înaltă frecvenţă.
Pentru a obţine efectiv această dependenţă (ψs(VG)) se reprezintă capacitatea teoretică
de înaltă frecvenţă funcţie de curbura benzilor, ec. (3.57), unde CS este dat de ec. (A5.12).
Apoi pentru fiecare valoare a capacităţii CHF se gasesc valorile corespunzătoare ale lui ψs (din
curba teoretica) şi VG (din curba experimentală), care construiesc astfel caracteristica ψs(VG)
dorită. Din aceasta, grafic sau prin diferenţiere numerică, se determină diferenţiala dψs/dVG
care, prin înlocuire în ec. (3.53) poate exprima capacitatea trapelor de interfaţă:
 dψ  −1 
Cit (ψ S ) = Cox  S
 − 1 − CS (ψ S ) (3.58)
 G 
dV 
Capacitatea datorată trapelor de interfaţă se poate exprima în funcţie de densitatea acestora
pentru nivelul energetic corespunzător din banda interzisă a siliciului:
Cit (ψ S ) = qDit . (3.59)

B. Metoda capacităţii de joasă frecvenţă

În metoda capacităţii de joasă frecvenţă se măsoară capacitatea dispozitivului MOS la o
frecvenţă suficient de joasă astfel încât şi purtătorii minoritari şi trapele de interfaţă să
răspundă semnalului alternativ. Circuitul alternativ poate fi aproximat de capacitatea oxidului
în serie cu combinaţia paralelă a capacităţilor siliciului şi trapelor de interfaţă. Astfel avem:
1 1 1
= + (3.60)
C LF Cox C S + Cit
unde CLF este capacitatea de joasă frecvenţă măsurată la tensiuna de poartă VG. De aici
rezultă:
−1
 1 1 
Cit =  −  − CS , (3.61)
 C LF Cox 
unde Cox poate fi măsurată în acumulare puternică. CLF(VG) se poate măsura folosind metoda
de variaţie a tensiunii cu o rată constantă [155]. Capacitatea siliciului în funcţie de tensiunea
de poartă se obţine în două etape:
• CS se calculează în funcţie de curbura benzilor ψs cu ajutorul formulei (3.35) dacă
dopajul substratului este uniform. Dacă nu este uniform, atunci trebuie determinat
independent;
• Folosind caracteristica ψs(VG) se determină CS(VG) (metodele de obţinere a
dependenţei curburii benzilor de tensiunea de poartă se vor prezenta în următoarea
secţiune).
În final, din ec. (3.59) se obţine densitatea de trape de interfaţă funcţie de curbura benzilor,
ceea ce conduce la distribuţia acestei densităţi în banda interzisă a siliciului.

Caracteristica ψ s(VG)

Dependenţa curburii benzilor în siliciu de tensiunea de poartă este necesară pentru (1)
determinarea scalei energetice a nivelelor densităţii de trape de interfaţă şi a probabilităţilor de

58
captură ale acestora, (2) calculul probabilităţilor de captură a trapelor de interfaţă, (3)
identificarea domeniilor tensiunii de poartă corespunzătoare regimurilor de acumulare, benzi
netede, inversie slabă şi inversie puternică, (4) verificarea expresiei capacităţii suprafeţei
siliciului [149].
În continuare se vor prezenta câteva metode de determinare a dependenţei curburii
benzilor ψs de tensiunea de poartă VG. Această curbă va fi necesară pentru a obţine o
distribuţie a densităţii de trape la interfaţă în banda interzisă a siliciului.
Cele mai utilizate metode sunt:
1. Metoda Q-V
2. Metoda C-V
3. Metoda grafică a capacităţilor de înaltă frecvenţă teoretică şi experimentală

1. Metoda Q-V

Metoda Q-V este considerată cea mai precisă în determinarea dependenţei ψs(VG), aplicarea ei
prezentând însă inconveniente. Curba ψs(VG) se obţine direct prin măsurarea sarcinii de pe
capacitorul MOS ca funcţie de tensiunea de poartă. Ca şi în cazul metodei C-V, nu este
necesară cunoaşterea profilului dopajului din Si, a densităţii trapelor de interfaţă sau a
densităţii sarcinii din oxid.
Metoda se aplică în felul următor: se conectează în serie cu structura MOS un capacitor
standard Ci, apoi se aplică o tensiune constantă Va pe cele două capacitoare în serie.
Capacitatea structurii MOS este în paralel cu o capacitate (Cw) ce constă din capacitatea
„holder”-ului şi a cablurilor de conectare. După ce se stabileşte starea de echilibru, se citesc
valorile tensiunilor Va şi Vi (tensiunea ce cade pe capacitatea Ci, care de regulă se alege în jur
de 300 pF). Aceasta din urmă este transformată în sarcină folosind relaţia Q=CV. Pentru
fiecare valoare a tensiunii Va ce cade pe cele două capacitoare în serie, tensiunea se divide
între acestea astfel încât sarcina de pe Ci să fie egală cu cea de pe structura MOS plus sarcina
de pe capacitatea parazită Cw.
În fig. 3.6 este prezentată schema electrică utilizată pentru determinarea curbei Q-V.
Tensiunea de alimentare poate fi crescută pas cu pas sau printr-o rată constantă mică (~0.1
V/s) astfel încât sistemul să fie în echilibru în permanenţă.

Structura
CS Cit MOS
Cw
Cox

Va Electro- Voltmetru
Ci Vi
metru digital

Fig. 3.6 Aranjamentul experimental utilizat pentru măsurarea caracteristicii Q-V a unui capacitor MOS (după
Nicollian & Brews [149]).

Cantitativ, se poate scrie tensiunea de pe structura MOS ca diferenţă între cele două
valori măsurate Va şi Vi:
VG = Va − Vi . (3.62)

59
La început este necesară definirea unei stări bine precizate a sistemului. Aceasta se face prin
scurt-circuitarea tuturor capacităţilor din circuit astfel încât Va=Vi=0. În această condiţie pe
fiecare capacitate va exista o sarcină necunoscută determinată de diferenţele dintre lucrurile
de extracţie. Se definesc ∆Qi, ∆Qw şi ∆QG ca sarcinile de pe cele trei capacităţi relativ la
sarcinile iniţiale. Atunci prin conservarea sarcinii în nodul comun se poate scrie:
∆Qi = ∆Qw + ∆QG . (3.63)
Prin definiţie, capacităţile Ci şi Cw sunt:
∆Qi = CiVi (3.64)
∆Qw = Cw (Va − Vi ) . (3.65)
Substituind ec. (3.64) şi (3.65) în ec. (3.63) se obţine relaţia de bază a metodei Q-V:
∆QG = CiVi − Cw (Va − Vi ) . (3.66)
Ec. (3.66) exprimă sarcina de pe capacitorul MOS relativă la cea din starea de scurt-circuit în
funcţie de tensiunea de poartă (3.62). Prin diferenţiere numerică se poate obţine capacitatea de
joasă frecvenţă.
Singurele informaţii experimentale în metoda Q-V sunt valorile sarcinilor de pe
capacitorul MOS ∆QG în funcţie de tensiunea de poartă VG. Prin teorie se poate exprima
curbura benzilor ψs în funcţie de sarcina ∆QG. Integrând ecuaţia Poisson în oxidul de poartă
se obţine:
x
1 0
QG = Cox (ψ G − ψ S ) − ∫ xρot ( x )dx (3.67)
x0 0
unde ρot(x) este densitatea volumică a sarcinii captate la distanţa x în interiorul oxidului de la
interfaţa Si-SiO2, ψG=VG-Wms este potenţialul de poartă, iar Wms este diferenţa lucrurilor de
extracţie ale electrodului de poartă şi siliciului. Scriind (3.67) cu VG =0 (în formula curburii
benzilor) se obţine valoarea iniţială a sarcinii electrodului de poartă:
x

QG (0 ) = Cox [− Wms − ψ S (0)] − ∫ xρot ( x )dx

1 0
(3.68)
x0 0
unde ψs(0) este curbura benzilor pentru VG=0. Prin scăderea ec. (3.68) din (3.67) diferenţa de
sarcină de pe electrodul de poartă se exprimă astfel:
∆QG = Cox [VG − ψ S + ψ S (0)]. (3.69)
Înlocuind ec. (3.69) în ec. (3.66) rezultă curbura benzilor în siliciu în funcţie de tensiunea de
poartă:
 C  C 
ψ S = ψ S (0 ) + VG 1 + w  − Vi  i  . (3.70)
 Cox   Cox 
Se observă din ec. (3.70) că dependenţa ψs(VG) se obţine până la o constantă ψs(0) prin
variaţia tensiunii de alimentare Va (cf. ecuaţiei (3.62)).
Raportul capacităţilor Ci/Cox necesar în (3.70) se determină experimental prin
introducerea capacitorului MOS în acumulare puternică şi măsurarea tensiunilor Va şi Vi.
Atunci Ci/Cox=Va/Vi -1. Similar, Cw/Cox=(Va/Vi -1)/(V’a/V’i -1), unde V’a şi V’i sunt măsurate cu
capacitorul MOS neconectat. Toate măsurătorile trebuie efectuate după scurt-circuitarea
capacitorilor (Va=Vi=0) cu o precizie cât mai mare.

60
 2. Metoda C-V

Caracteristica capacităţii de joasă frecvenţă (capacitatea măsurată în condiţii de echilibru)

poate fi utilizată în determinarea curburii benzilor în siliciu în funcţie de tensiunea de poartă.
Prin diferenţierea ec. (3.69) în funcţie de VG se obţine:
dψ S C
= 1 − LF (3.71)
dVG Cox
unde CLF=dQG/dVG. Prin integrare avem:
 C 
VG

ψ S (VG ) − ψ S (VFB ) = ∫ 1 − LF dV , (3.72)

V FB 
Cox 
VFB fiind tensiunea de benzi netede, definită de condiţia ψs(VFB)=0. Integrala din (3.72) se
efectuează numeric pornind de la o tensiune de poartă arbitrar aleasă până la o tensiune
oarecare. Prin cunoaşterea independentă a tensiunii de benzi netede se poate realiza o
corespondenţă univocă între tensiunile de poartă şi de curbură a benzilor.

3. Metoda grafică a capacităţilor de înaltă frecvenţă teoretică şi experimentală

Această metodă a fost expusă în secţiunea A (Metoda capacităţii de înaltă frecvenţă).

C. Metoda combinată a capacităţilor de înaltă şi de joasă frecvenţă

Pentru a elimina calculul capacităţilor teoretice şi a măsurătorii profilului de dopare (când se

ia în considerare neuniformitatea dopării la suprafaţa Si) în determinarea densităţii de trape de
interfaţă se poate folosi o metodă ce combină caracteristicile C-V experimentale de joasă şi de
înaltă frecvenţă [159]. Folosind ec. (3.59) capacitatea suprafeţei siliciului se poate exprima în
funcţie de CHF:
C C
CS = ox HF (3.73)
Cox − C HF
Atunci ec. (3.61) devine:
−1 −1
 1 1   1 1 
Cit =  −  −  −  (3.74)
 C LF Cox   CHF Cox 
Capacitatea trapelor de interfaţă este obţinută în funcţie de tensiunea de poartă, iar o
poziţionare a distribuţiei densităţii de trape de interfaţă în banda interzisă a siliciului se poate
face prin compunerea cu inversul funcţiei ψs(VG).

D. Metoda Gray-Brown

Avantajul principal al acestei metode este determinarea densităţii de trape de interfaţă situate
în banda interzisă a Si în apropierea benzii purtătorilor majoritari, regiune în care metoda
conductanţei este dificil de aplicat şi interpretat. În metoda Gray-Brown se determină Dit prin
măsurarea caracteristicilor de înaltă frecvenţă la diferite temperaturi. Se consideră că
măsurătorile de capacitate sunt făcute la o frecvenţă suficient de înaltă astfel încât trapele de
interfaţă nu răspund semnalului alternativ. Astfel capacitatea măsurată constă din combinaţia
serie a capacităţii oxidului cu cea a stratului de depleţie din siliciu, capacitatea rezultantă fiind
independentă de temperatură şi corespunzând unei curburi a benzilor ce poate fi determinată.

61
Metoda se aplică astfel: se determină capacitatea dispozitivului MOS care corespunde unei
curburi date a benzilor din Si după care, ştiind că nivelul Fermi în Si se deplasează cu
temperatura, se determină tensiunile de poartă funcţie de temperatură ce trebuiesc aplicate
pentru a păstra constantă curbura benzilor. Prin deplasarea cu temperatura a nivelului Fermi în
banda interzisă a Si, deplasare ce se poate determina teoretic cu precizie în funcţie de
temperatură, nivelul Fermi balează trape de la interfaţa Si-oxid care îşi schimbă starea de
ocupare. Astfel cantitatea de sarcină pe interfaţă se modifică, fapt care schimbă în mod direct
tensiunea de poartă necesară păstrării unei curburi constante a benzilor.
Determinarea dependenţei tensiunii de poartă de temperatură (şi implicit de poziţia
nivelului Fermi în banda interzisă a Si) permite aşadar obţinerea densităţilor trapelor de
interfaţă în banda interzisă a siliciului.
Fixând ca referinţă a temperaturii temperatura T1, sarcină adăugată pe interfaţă la
temperatura T2 (>T1) este:
E F (T2 )

Cox [VG (T2 ) − VG (T1 )] = −q ∫ D (E )dE

it (3.75)
E F (T1 )

unde Cox este capacitatea oxidului, VG(T1) şi VG(T2) sunt tensiuni de poartă care produc
aceeaşi curbură a benzilor la temperaturile T1 şi T2, respectiv, iar EF(T1) şi EF(T2) sunt nivelele
Fermi în volumul siliciului la cele două temperaturi. Aici s-a considerat că trapele ocupate
sunt neutre, iar cele neocupate au sarcină pozitivă. Presupunând ca densitatea de trape nu se
schimbă cu temperatura, prin derivarea ec. (3.73) se obţine:
d [VG (T1 ) − VG (T2 )]  dEF (T2 ) 
−1

qDit = Cox  dT  . (3.76)

dT2  2 
Deşi oferă posibilitatea determinării distribuţiei Dit în apropiere de banda purtătorilor
majoritari, metoda Gray-Brown prezintă o serie de inconveniente:
• Este dificil de implementat experimental, întrucât sunt necesare multe puncte
experimentale pentru a realiza o diferenţiere numerică a tensiunii de poartă funcţie de
temperatură care să fie cât mai puţin afectată de erori;
• Profilul de dopare la suprafaţă este necunoscut, astfel încât capacităţile teoretice în
regiunea de benzi netede şi în regimul de acumulare nu sunt cunoscute cu o bună
aproximaţie;
• Neuniformităţile spaţiale ale sarcinilor împiedică obţinerea cu precizie a curburii
benzilor în siliciu;
• În special în apropierea regiunii de benzi netede este necesară utilizarea unei frecvenţe
suficient de înalte pentru ca trapele de interfaţă să nu răspundă. În acelaşi timp, cu
creşterea frecvenţei rezistenţele serie devin din ce în ce mai importante.

E. Metoda conductanţei

Metoda conductanţei constituie tehnica cea mai precisă de determinare a densităţii de trape la
interfaţa Si-oxid de poartă. Ceea ce experimental se determină este dependenţa de frecvenţă a
conductanţei capacitorului MOS.
Indiferent de frecvenţa tensiunii aplicate, curenţii d.c. de poartă contribuie într-un mod
semnificativ la conductanţa totală. Pentru anumite domenii de frecvenţe există însă fenomene
de rezonanţă care induc pierderi suplimentare, cum ar fi, pentru anumite grosimi ale oxizilor,
tunelarea purtătorilor prin dielectricul de poartă, captarea şi emisia purtătorilor majoritari pe
trapele de volum din siliciu, captarea şi emisia purtătorilor majoritari şi minoritari pe trapele

62
de interfaţă. Dintre toate, s-a demonstrat că schimbul de sarcini cu trapele de interfaţă se poate
pune în evidenţă experimental printr-o pregătire adecvată a experimentului.
Trapele de interfaţă sunt caracterizate de probabilităţi de captare şi de emisie a
purtătorilor, electroni şi goluri. Se consideră că emisia şi captarea se produc cu probabilitaţ i
egale. Pentru o concentraţie dată a purtătorilor situaţi la suprafaţa siliciului, procesele de
captare-emisie sunt descrise prin timpul de înjumătăţire a trapelor, denumit şi constantă de
timp. Aceasta este definită ca perioada medie de timp necesară relaxării unei fracţii de 1/e din
numărul total de trape de interfaţă de acelaşi tip care au fost iniţial depărtate de echilibru, cu o
stare de ocupare diferită de cea corespunzătoare echilibrului. Prin urmare, pentru o tensiune
de poartă dată trapele de interfaţă de un anumit tip vor răspunde unor semnale alternative de
perioadă comparabilă cu constanta de timp a trapelor. Acestea corespund frecvenţelor de
rezonanţă ale trapelor de interfaţă. În aceste condiţii schimburile de sarcină dintre trapele de
interfaţă şi banda energetică a purtătorilor majoritari vor produce pierderi adiţionale ce vor
trebui compensate de câmpurile electrice externe.
Pentru o descriere fenomenologică a proceselor care au loc in structura MOS
considerăm ca exemplu un substrat de siliciu de tip n. Electronii sunt priviţi ca un ansamblu
statistic, iar pierderile energetice reprezintă schimbări ale energiei medii a ansamblului. În
jumătatea pozitivă a perioadei semnalului alternativ sinusoidal aplicat banda de conducţie a
siliciului se mişcă către nivelul Fermi de la suprafaţa siliciului. Energia medie a electronilor la
suprafaţa siliciului creşte într-un timp extrem de scurt, de câteva ori timpul de relaxare
dielectrică, care este cu mai multe ordine de mărime (5-7 în SiO2) mai mic decât perioada
semnalului alternativ. Pentru frecvenţele corespunzătoare pierderilor datorate trapelor de
interfaţă, modificarea stării de ocupare ale acestor trape este un proces care rămâne în urma
semnalului alternativ. Astfel la suprafaţa siliciului se află trape neocupate cu electroni situate
energetic sub nivelul Fermi. Pierderile energetice au loc când electronii din banda de
conducţie cu energie medie mai mare decât cea corespunzătoare echilibrului termic sunt
capturaţi de trapele situate energetic sub nivelul Fermi. Aceşti electroni energetici se
termalizează într-un timp foarte scurt prin emisia de fononi în reţeaua cristalină a siliciului,
ceea ce produce încălzirea reţelei şi disipare de energie.
În jumătatea negativă a perioadei semnalului alternativ banda de conducţie a siliciului
se depărtează de nivelul Fermi de la suprafaţa Si. Electronii din trapele de interfaţă situate
imediat deasupra nivelului Fermi nu părăsesc imediat aceste trape, iar energia lor medie creşte
faţă de cea corespunzătoare electronilor cuasi-liberi din banda de conducţie a siliciului. Astfel,
odată cu emisia întârziată a electronilor din trapele de interfaţă, energia medie suplimentară
este transferată reţelei cristaline a Si prin termalizare, ceea ce duce din nou la încălzirea reţelei
şi disipare de energie.
Prin urmare, pe ambele alternanţe ale semnalului alternativ au loc pierderi energetice ce
trebuie compensate de energia câmpului aplicat şi care pot fi descrise formal printr-o
conductanţă echivalentă GP situată în paralel cu capacitatea stratului de depleţie din siliciu ş i
de asemenea cu capacitatea Cit corespunzătoare aceloraşi trape de interfaţă. Această capacitate
este definită de măsura în care trapele de interfaţă stochează sarcină în prezenţa unui câmp
electric alternativ.
Pentru frecvenţe ale semnalului care sunt foarte mari sau foarte mici, conductanţa
trapelor de interfaţă devine neglijabilă. La frecvenţe foarte mari nu există timp suficient
pentru schimbarea stării de ocupare a trapelor de interfaţă. Astfel că practic nu se produce
transfer de sarcină între aceste trape şi banda de conducţie a siliciului. Pentru frecvenţe foarte
mici stările de ocupare se modifică foarte rapid fără să se mai producă o depărtare de la

63
echilibru, energia medie a electronilor de la interfaţă rămânând constantă. Astfel că pierderile
energetice prin termalizare nu mai au loc.
O expresie cantitativă pentru admitanţa trapelor de interfaţă poate fi obţinută prin
modelarea trapelor de interfaţă utilizând modelul Shockley-Read-Hall. Considerând că trapele
de interfaţă se comportă conform ipotezelor acestui model, ele se pot caracteriza complet
cunoscând densitatea de trape şi probabilităţile de captură pentru electroni şi goluri.
Există câteva trepte de complexitate în modelarea matematică a impedanţei complexe
corespunzătoare trapelor de interfaţă. Astfel, se poate considera o distribuţie de tip delta a
trapelor de interfaţă în banda interzisă a siliciului, pe scurt trape de interfaţă monoenergetice.
Conductanţa paralelă şi capacitatea paralelă corespunzătoare regimului de depleţie au
expresiile [149, 163]:
GP CT ωτ
= (F/cm2)
( )
ω 1 + ωτ 2
(3.77)

CT
CP = CD + (F/cm2) (3.78)
1 + (ωτ )
2

unde CT = βqN T f 0 (1 − f 0 ) , CD este capacitatea stratului de depleţie din siliciu, ω este

frecvenţa unghiulară a semnalului aplicat, β = q / kT , NT este densitatea trapelor de interfaţă
de pe unitatea de arie, f0 este funcţia de distribuţie Fermi la echilibru a purtătorilor în trapele
de interfaţă, τ = f 0 /(cn ns ) este constanta de timp, ns concentraţia de electroni liberi în Si la
interfaţă, iar cn probabilitatea de captură a electronilor în trapele de interfaţă. În acest caz în
reprezentarea GP/ ω versus ωτ (curba (c) din fig. 3.7) se observă un „peak” a cărui lărgime
este determinată de caracterul statistic al constantei de timp şi de domeniul de frecvenţe în
care întârzierea proceselor de captare şi emisie din trapele de interfaţă faţă de semnalul
alternativ reprezintă o cantitate finită (nu este aproximativ zero, pentru frecvenţe foarte mici,
nici mult mai mare decât perioada semnalului alternativ).
Dacă distribuţia trapelor este continuă în energie de-a lungul benzii interzise a siliciului
şi trapele nu pot schimba sarcini între ele, pierderile în energie sunt datorate trapelor de la
interfaţă situate pe un interval în banda interzisă centrat în jurul punctului corespunzător unei
constante de timp apropiată ca valoare de perioada semnalului alternativ. Din acest motiv
peak-ul conductanţei este lărgit faţă de cazul unei distribuţii monoenergetice a trapelor (fig.
3.7b). Expresiile matematice ale conductanţei şi capacităţii trapelor de interfaţă sunt [149,
164]:
GP qDit (ϕ S )
ω
=
2ωτ n
[ ]
ln 1 + (ωτ n )
2
(3.79)

qD (ϕ )
CP = CD + it S arctan(ωτ n ) , (3.80)
ωτ n
unde qDit(ϕS) este densitatea trapelor corespunzător potenţialului ϕS de la suprafaţa Si.
Cazul cel mai general este cel în care se consideră o distribuţie continuă a trapelor la
interfaţa cu oxidul, iar în plus se ţine cont de fluctuaţiile spaţiale ale potenţialului de la
suprafaţa siliciului. Aceste fluctuaţii sunt produse de distribuţia aleatoare a sarcinilor din oxid
şi induc la rândul lor, printr-o dependenţă exponenţială, fluctuaţii ale constantelor de timp.
Variaţiile de densitate ale sarcinilor în oxid sunt de două feluri: de distanţă mică şi de distanţă
mare. În acest model interfaţa este împărţită în suprafeţe egale suficient de mici astfel încât
variaţiile de mare distanţă ale densităţii sarcinilor din oxid să fie neglijabile în interiorul unei
astfel de suprafeţe. Fluctuaţiile spaţiale de distanţă mică se pot cuantifica de exemplu pentru o
distribuţie Poisson a sarcinilor localizate din oxid.

64
 GP/ω (×10-9 F/cm2)

ωτ

Fig. 3.7. (a) Caracteristică experimentală a mărimii GP/ω versus log(ωτ) care arată dispersia constantelor de timp
reale; (b) Caracteristica (3.79) valabilă în cazul unei distribuţii continue a densităţii de trape de interfaţă în banda
interzisă a Si; (c) Caracteristica (3.77) a conductanţei pentru o distribuţie monoenergetică a trapelor de interfaţă
în banda interzisă a siliciului [149].

În general aceste variaţii se produc ca urmare a poziţionării fiecărei sarcini în parte în

apropierea interfeţei şi corespund unor contribuţii de multipol la curbura benzilor din siliciu.
Contribuţiile de multipol scad rapid cu distanţa în siliciu, astfel încât nu modifică grosimea de
depleţie şi nici capacitatea de depleţie, ceea ce conduce la modificări neglijabile ale
admitanţelor diferitelor suprafeţe. Acestea se pot astfel considera identice, corespunzând
curburii celei mai probabile a benzilor siliciului, cu o grosime a stratului de depleţie
determinată de valoarea curburii medii. Pe de altă parte, sarcinile de interfaţă sunt influienţate
de fluctuaţiile de distanţă mică. De aceea se efectuează pe fiecare suprafaţă o mediere a
admitanţei trapelor de interfaţă ponderată de distribuţia Poisson:
 (vS − vS )2 
P (vS ) =
1
exp −  (3.81)
2πσ S2  2σ S2 
unde vS şi 〈 vS〉 sunt curburile benzilor din punctul curent şi cea medie, respectiv, exprimate în
unităţi de (kT/q), iar σS este varianţa curburii benzilor, de asemenea în unităţi de (kT/q).
Ecuaţia (3.81) reprezintă deci expresia probabilităţii existenţei pentru o suprafaţă dată a unei
curburi a benrilor Si egală cu vS. Prin urmare, admitanţa totală se poate scrie:
YS = jω C P + GP (3.82)
cu expresiile conductanţei şi a capacităţii dezvoltate din (3.79) şi (3.80):
+∞
ln (1 + ω 2τ 2 )P (vS )dvS
GP q Dit
= ∫ (3.83)
ω 2 − ∞ ωτ
+∞
C P = CD (vS ) + q ∫ arctan(ωτ )P (vS )dvS
Dit
(3.84)
ωτ −∞
unde P(vS) este exprimat în ec. (3.81), CD (vS ) este capacitatea stratului de depleţie
corespunzătoare curburii celei mai probabile a benzilor siliciului la interfaţă, iar celelalte
mărimi au semnificaţiile prezentate anterior.

65
 Dacă se presupune că densitatea de trape de interfaţă şi probabilitate de captură a
purtătorilor majoritari nu variază semnificativ într-un interval energetic din banda interzisă a
Si egal cu deviaţia standard a curburii benzilor de aproximativ 2.5(kT/q) [162, 163], atunci Dit
poate fi scos în afara integralelor (3.83) şi (3.84). În plus, înlocuind (3.81), considerând ca Si
este de tip p, ştiind că τ p−1 = c p pS = c p N A exp(− vS ) , unde cp este probabilitatea de captură a
purtătorilor majoritari de catre trapele de interfaţă, pS este concentraţia de goluri la interfaţă ş i
notând ξ = ωτ p ≅ ω (c p N A ) exp ( vS ) , ec. (3.83) devine:
−1

+∞
 η2 
 exp(− η )ln (1 + ξ 2 exp 2η )dη ,
GP qDit
2 ∫
= exp  − 2 
(3.85)
ω 2ξ 2πσ S − ∞  2σ S 
unde η = vS − vS .
Ecuaţia (3.85) reprezintă expresia generală a dependenţei de frecvenţă a conductanţei ce
descrie pierderile în energie datorate trapelor de interfaţă. Prin ajustarea varianţei σS (ce
descrie fluctuaţiile potenţialului de suprafaţă), a parametrului ξ (dependent de probabilitatea
de captură pentru o curbură a benzilor dată) şi a densităţii de trape de interfaţă Dit se pot
reproduce cu mare acurateţe caracteristicile experimentale (fig. 3.7a). Simularea numerică de
a curbei GP/ ω vs. ω, metoda de fitare directă [3], poate fi folosită pentru realizarea celei mai
exacte determinări a densităţii Dit şi a probabilităţii de captură cp (sau echivalent a secţiunii de
captură σp=cp/v, unde v este viteza termică a purtătorilor). Din poziţionarea maximului lui
GP/ ω pe axa ω se determină cp, întrucât se poate arăta că punctul de maxim al ωτp este foarte
apropiat de 2.5 (cf. fig. 3.7a). Lărgimea peak-ului depinde numai de mărimea deviaţiei
standard sau a varianţei σS, care în plus influienţează şi înălţimea peak-ului. Dit de asemenea
este un parametru important al înălţimii peak-ului, astfel încât prin simulare numerică se pot
determina simultan şi aceste două mărimi.

A A
Cox

CS (ν) GP+j ωCit Cm Gm

A’ A’
(a) (b)
Fig. 3.8 (a) Circuitul echivalent al dispozitivului MOS, ce este compus din capacitatea oxidului Cox în serie cu
combinaţia paralelă a capacităţii suprafeţei siliciului corespunzătoare curburii medii a benzilor şi admitanţa
complexă a trapelor de interfaţă; (b) Admitanţa determinată experimental Ym=jωCm+Gm.

O metodă mai practică va fi prezentată în continuare. Considerăm ca datele

experimentale reprezintă caracteristici ale conductanţei în funcţie de frecvenţă în domeniul
50Hz–1MHz, având ca parametru tensiunea de poartă. Circuitul echivalent folosit este
prezentat în fig. 3.8a, alături de combinaţia paralelă a mărimilor măsurate, conductanţa ş i

66
capacitatea (fig. 3.8b). Ceea ce interesează este conductanţa trapelor de interfaţă GP. Prin
echivalarea admitanţei măsurate cu cea a circuitului echivalent se obţine, pentru partea reală:
GP ωCoxGm
= 2 (3.86)
ω Gm + ω 2 (Cox − Cm )2
unde Cox este măsurată în acumulare puternică. Ec. (3.86) reprezintă caracteristica
experimentală GP/ ω vs. ω.
Spre deosebire de lărgimea peak-ului curbei GP/ω vs. VG, care depinde de deviaţia
standard σS şi de Dit, lărgimea peak-ului din curba GP/ ω vs. ω depinde numai de σS. Pentru
determinarea deviaţiei standard σS, se reprezint ă GP/ ω vs. log(f), unde f este frecvenţa
semnalului, se determină frecvenţa peak-ului fp, apoi se determină din curba experimentală
valorile conductanţelor corespunzătoare frecvenţelor fp/n sau nfp, unde n este un număr
convenabil ales (fig. 3.9). Raporturile dintre aceste mărimi şi conductanţa peak-ului se pot
scrie conform ec. (3.85):
 GP  +∞
 η2 
 
 ω fp /n
[
∫− ∞  − 2σ S2  exp(− η )ln 1 + ξ p exp(2η ) / n dη
exp 2
]
2

= n +∞ (3.87)
 GP   η2 
  ∫ exp − 2σ S2  exp(− η )ln (1 + ξ p exp 2η )dη
2

 ω fp −∞

şi
 GP  +∞
 η2 

ω

∫ exp − [ ]
 exp(− η )ln 1 + n 2ξ p2 exp(2η ) dη
2 
  nf p 1 − ∞
=  2σ S  (3.88)
+∞
 GP   η2 
 exp(− η )ln (1 + ξ p exp 2η )dη
n
  ∫ exp − 2
2 
 ω fp −∞  2σ S 
unde ξ p = 2πf p (c p N A ) exp( vS ) . Singura dependenţă a membrilor din dreapta ai ec. (3.87) şi
−1

(3.88) este faţă de deviaţia standard σS [149]. O valoare uzual aleasă pentru n este 5, ceea ce
asigură o valoare mediană a valorilor GP/ ω între valoarea de peak şi zero. Dacă se reprezintă
grafic ec. (3.87) şi (3.88) funcţie de deviaţia standard (fig. 3.10), se poate determina deviaţia
standard corespunzătoare caracteristicilor experimentale GP/ ω.

Fig. 3.9 Caracteristică tipică GP/ω vs. log (frecvenţă) cu corecţia capacităţii oxidului (ec. (3.85), fp fiind
frecvenţa corespunzătoare „peak”-ului [165].

67
 σ (unităţi de kT/q)

Fig. 3.10 Reprezentarea grafică a raporturilor [〈GP〉/ω]1/5fp/[〈GP〉/ω]fp şi [〈GP〉/ω]5fp/[〈GP〉/ω]fp funcţie de deviaţia

standard σS a curburii benzilor, realizată după ec. (3.87) şi (3.88) [165].

Fig. 3.11 Graficul funcţiei universale (3.90) în funcţie de σS, ce este utilizat în determinarea densităţii de trape la
interfaţă Dit [149].

Asimetria curbelor GP/ ω vs. log(f) în raport cu frecvenţa de peak conduce la valori diferite ale
rapoartelor [〈 GP〉 /ω]1/5fp/[〈 GP〉 /ω]fp şi [〈 GP〉 /ω]5fp/[〈GP〉 /ω]fp pentru σS <1.8, după cum se poate
observa în fig. 3.10. Acest fapt se datorează influienţei funcţiei de distribuţie Fermi ca factor
de pondere al pierderilor. Pentru σS >1.8 ponderea dată de distribuţia Gauss (ec. (3.81)
domină, ceea ce determină existenţa unei simetrii în frecvenţă a caracteristicilor
experimentale.
Pentru a determina Dit se scrie ec. (3.85) cu ξp=ξ şi se obţine valoarea de „peak”
[〈 GP〉 /ω]fp:
+∞
 GP   η2 
 exp(− η )ln (1 + ξ p2 exp 2η )dη
qDit
2 ∫
  = exp  − 2 
(3.89)
 ω f 2ξ p 2πσ S − ∞  2σ S 
p

De aici rezultă:
 G 
Dit =  P  [ f D (σ S )q ]−1 (3.90)
 ω  fp
unde

68
 +∞
 η2 
f D (σ S ) =
1
2 ∫
exp − 2 
(
 exp(− η )ln 1 + ξ p2 exp 2η dη ) (3.91)
2ξ p 2πσ S − ∞  2σ S 
este o funcţie reprezentată în fig. 3.11. Cunoscând varianţa σS se poate determina grafic fD, iar
densitatea de trape de interfaţă rezultă din ec. (3.90).
Pentru a determina constanta de timp τp se va impune condiţia de maxim în ec. (3.85):
d  GP 
  =0 (3.92)
dξ  ω  f
P

Efectuând diferenţierea ec (3.85) şi rezolvând numeric, se poate obţine ξp funcţie de σS,

rezultat prezentat în fig. 3.12.

σ (unităţi de kT/q)
Fig. 3.12 Graficul ce reprezintă ξ p = ω p (c p N A ) exp(vS ) ca funcţie de σS. Prin cunoaşterea deviaţiei standard se
−1

determină mărimea ξp, ce permite obţinerea constantei de timp cu ajutorul relaţiei (3.93).

Cunoscând deviaţia standard din citirea graficului fig. 3.10, mărimea ξp poate fi determinată
cu ajutorul graficului fig. 3.12, după care din relaţia de definiţie rezultă constanta de timp:
ξp
τp = (3.93)
ωp
unde frecvenţa unghiulară ωp este determinată experimental.

69
70
4 Metode experimentale

Acest capitol este dedicat prezentării modului de preparare a probelor, aranjamentelor

experimentale folosite şi descrierii tipurilor de măsurători care s-au efectuat.

4.1 Prepararea probelor

4.1.1 Oxi dul de itriu (Y2O3)

Filme subţiri de Y2O3 au fost depuse la „Institute of Materials Science, National Center for
Scientific Research «Demokritos»" (NCSR), Atena, prin Molecular Beam Epitaxy (MBE) pe
substrate de siliciu (001) de tip n şi p cu rezistivităţi cuprinse între 1 şi 5 Ωcm [108, 166].
Creşterea oxidului a fost realizată într-o incintă de vid ultraînalt (UHV) la o presiune de
aproximativ 2×10-10 Torr, echipată cu un tun electronic şi celule de efuziune de temperatură
înaltă. Incinta a fost optimizată pentru creşterea prin MBE a Si şi a aliajelor semiconductoare
pe bază de Si.
Înainte de creştere, suprafaţa substratului a fost curăţată „in situ” prin desorbţia
dioxidului de siliciu nativ la o temperatură de aproximativ 770°C sub un flux de atomi de
siliciu de ≅1.5×1014 atomi/(cm2s) timp de 3 minute. Fluxul de atomi de Si reduce stratul de
SiO2 de la suprafaţă într-un strat cu o compoziţie deficientă în oxigen care poate fi îndepărtat
cu uşurinţă la temperaturi relativ scăzute. După desorbţie temperatura a fost scăzută la 450°C,
determinată ca temperatură optimă de creştere. Creşterea straturilor de oxid de itriu s-a
efectuat urmând câteva proceduri diferite, după cum se va arăta pe scurt în continuare:
A. Oxidul de itriu a fost depus prin evaporarea cu fascicul de electroni a unei ţinte de
Y2O3. Viteza de depunere a fost menţinută constantă la 0.5 Å. Grosimea finală a filmelor
studiate în prezenta lucrare a fost de 5 nm şi 6.5 nm.
În timpul creşterii oxidului singura sursă de oxigen a provenit din oxidul de itriu
disociat în urma bombardării cu electroni a ţintei. Presiunea parţială scăzută, ţinută la un nivel
de sub 10-8 Torr minimizează procesele de oxidare a substratului de siliciu.
O parte din probe au fost tratate după depunere timp de 30 min. în vid ultraînalt (UHV)
la următoarele temperaturi: 490°C, 550°C, 600°C şi 650°C.

71
 B. Creştere în plasmă de oxigen cu predepunere a unui strat de itriu. Un strat de 0.5
nm Y a fost depus pe substratul de Si tip p, după ce în prealabil a fost îndepărtat stratul de
oxid nativ. Ulterior oxidul de itriu a fost depus în prezenţa plasmei de oxigen la o temperatură
de 450°C. Investigaţiile RHEED şi HRTEM au arătat că filmul are o structură policristalină.
C. Creştere direct pe Si a Y2O3 în plasmă de oxigen. În cazul unei alte serii de probe
Y2O3 a fost crescut de la început în plasmă de oxigen. De asemenea, s-a determinat o structură
policristalină pentru aceste filme.
D. În încercarea de a obţine un strat epitaxial monodomeniu, s-au crescut filme de Y2O3
pe substrate de Si cu o orientare a suprafeţei de 4° sau 2° înclinare faţă de planul (001) al Si.
Procedura de desorbţie şi de creştere a oxidului a fost monitorizată prin Reflection
High-Energy Electron Diffraction (RHEED). Aceasta este o tehnică foarte eficientă de studiu
al suprafeţelor care poate pune uşor în evidenţă schimbările ce au loc în timp, inclusiv tranziţii
de fază. Un fascicul de electroni de mare energie atinge suprafaţa studiată sub un unghi de
incidenţă foarte mic şi pătrunde pe o distanţă apreciabilă în suprafaţa ţintei. Din cauza
unghiului foarte mic de incidenţă electronii pătrund însă numai prin câteva straturi atomice de
la suprafaţă. Electronii reflectaţi sunt înregistraţi pe un ecran fosforescent, unde formează o
imagine de difracţie cu ajutorul căreia se poate determina structura suprafeţei. După desorbţie,
imaginea RHEED indică pentru toate probele o reconstrucţie de tipul 2×1, specifică unei
suprafeţe curate de Si.

4.1.2 Titanatul de stronţiu (SrTiO3)

Filmele de titanat de stronţiu (SrTiO3) au fost crescute în Laboratorul IBM din Zürich într-o
incintă MBE concepută pentru realizarea epitaxiei oxizilor pe Si. Substratele probelor
investigate au fost de tip n, cu o rezistivitate cuprinsă între 0.15 şi 0.5 Ωcm. Pentru a curăţa
plachetele de Si s-au folosit reţetele RCA [167, 168], plachetele fiind pasivate înainte de
introducerea în cameră printr-o imersie în HF timp de 30 secunde. Diferitele elemente au fost
evaporate din surse metalice folosind tunuri electronice sau celule Knudsen în prezenţa
oxigenului molecular sau atomic generat de o sursă OAR HD25. Presiunea de lucru a variat
de la 5·10-10 Torr la 1·10-5 Torr. Pentru creşterea filmelor subţiri temperatura a fost variată
între temperatura camerei şi 650°C.

4.1.3 Aluminatul de lantan (LaAlO3)

Aluminatul de lantan (LAO) a fost crescut la NCSR, Atena, într-un sistem MBE echipat cu o
sursă de plasmă ce lucrează în domeniul radio-frecvenţelor (RF) pentru producerea oxigenului
atomic. Au fost folosite substrate de Si(001) cu o rezistivitate ρ>1 Ωcm, iniţial acoperite cu
un strat de 1.5 nm de SiO2 (Rapid Thermal Oxide – RTO). După ce iniţial s-a realizat o
degazare la temperatură scăzută în vid ultraînalt (UHV) timp de 2 ore, substratele au fost
aduse la o temperatură de 400°C pentru depunerea simultană a La, Al şi O atomic. Al a fost
evaporat cu o rată de ~0.09 Å/s folosind un tun electronic, în timp ce La a fost evaporat cu o
rată de ~0.18 Å/s folosind o celulă de efuziune de temperatură înaltă, astfel încât să se poată
depune straturi LAO stoichiometrice. Presiunea parţială a oxigenului în timpul creşterii a fost
de ~5 × 10-6 Torr. Prin difracţia electronilor reflectaţi de mare energie (RHEED) s-a arătat că
în filmele de LAO nu există o ordine cristalină pe distanţe mari, ceea ce sugerează existenţa
fazei amorfe. Grosimile nominale ale probelor investigate au fost de 4, 11 şi 14 nm.

72
4.1.4 Hafniatul de lantan (La2Hf2O7)

Hafniatul de lantan (LHO) a fost depus prin MBE într-un sistem DCA 600 la NCSR
„Demokritos”, Atena. Înainte de depunere o parte din substratele de Si (001) de tip p (ρ=2-5
Ω·cm) au fost oxidate (RTO) pentru a creşte un strat de SiO2 de grosime 15 Å. După un
tratament termic de 60 min. la 200°C într-o atmosferă de oxigen la o presiune de 2×10-6 Torr,
substratele au fost încălzite la temperatura de 550°C. Straturile LHO au fost depuse la această
temperatură prin evaporarea simultană a metalelor La şi Hf în prezenţa unui jet de oxigen
atomic. Acesta a fost produs de către o sursă de plasmă (Oxford Applied Research) operând la
o putere de 350 Watt în domeniul radiofrecvenţelor şi având un flux de oxigen molecular
echivalent cu o presiune în camera de depunere de 4×10-6 Torr. Hafniul a fost evaporat cu
ajutorul unui tun electronic cu o rată de 0.18 Å/s, în timp ce La a fost evaporat folosind o
celulă de efuziune cu creuzet de Ta la o temperatură de 1720°C, determinând o rată de
depunere de 0.3 Å/s. Aceste rate de depunere au fost alese astfel încât să se realizeze o
compoziţie stoichiometrică La:Hf=1:1, care a fost ulterior verificată prin analiză EDX
(„Energy Dispersive X-rays”) în microscoape de baleiere şi de transmisie electronică.
Grosimile filmelor de LHO au fost de 3, 7, 11 şi 14 nm. Pentru a verifica structura şi grosimea
straturilor depuse s-au efectuat analize HRTEM ale unor secţiuni din probe într-un microscop
JEM-4010 la 400 kV. Înainte de metalizare toate probele au fost supuse unor tratamente
termice la 420°C într-o atmosferă compusă de hidrogen şi azot (10%H2 + 90%N2), aşa-
numitul „Forming Gas Anneal” (FGA), timp de 30 min.

4.1.5 Titanatul de bismut (Bi3Ti4O12)

Pentru măsurătorile de semnal mare (cap. 6) s-au folosit structuri Metal-Feroelectric-

Semiconductor (MFS). Stratul feroelectric de titanat de bismut Bi4Ti3O12 (BIT) a fost depus
prin metoda sol-gel pe substrate de Si(100) de tip p cu rezistivitaţi cuprinse între 1 şi 10 Ωcm.
Grosimea filmelor (286+/-15 nm) a fost determinată prin microscopie electronică de
transmisie (Transmission Electron Microscopy – TEM), care a evidenţiat şi prezenţa unui
strat interfacial de SiO2 de aproximativ 6 nm. Analiza difracţiei razelor X (X-Ray Diffraction
– XRD) a arătat că structura filmului feroelectric este policristalină. Structura MFS a fost
definitivată prin evaporarea unui electrod de aluminiu pe stratul de titanat de bismut.

4.1.6 Procesarea ulterioară a probelor în vederea realizării măsurătorilor

electrice

Pentru a caracteriza din punct de vedere electric structurile crescute prin MBE pe Si s-
au realizat capacitoare MOS prin depunerea unor contacte metalice pe stratul de oxid
(contacte „faţă“) şi pe substratul de siliciu (contacte „spate“, în mod necesar ohmice).
Contactele metalice „faţă” au fost realizate prin evaporarea în vid la temperatura
camerei a unui strat de Al de 35 nm grosime pe oxidul de poartă. Depunerea s-a facut prin
utilizarea unei măşti metalice pentru definirea capacitoarelor de arie 0.275 mm2. 100 nm de
Al au fost evaporaţi în vid la temperatura camerei pe substratele de siliciu pentru a forma
contactul „spate”, după ce în prealabil dioxidul de siliciu nativ a fost îndepărtat în acid
fluorhidric de concentraţie 1%.
Pentru alte serii de probe contactele au fost realizate la „Philips Research Leuven”.
Contactul de poartă a fost definit prin depunerea prin evaporare termică a unor straturi de 50

73
nm de Mo pe filmul de LHO, urmată de litografierea şi corodarea umedă realizată prin
folosirea unei soluţii bazice diluate de APH (amoniac / apă oxigenată / apă) (1:1:4). Pe
suprafaţa oxidului de poartă au fost definite contacte de molibden pătratice şi rotunde, având
mărimea laturilor şi a diametrelor cuprinse între 30 µm şi 1 mm. 100 nm de Al a fost depus
prin evaporare pe substratele de Si pentru a realiza contactul metalic „spate”.

4.2 Aranjamente experimentale

4.2.1 Aranjamentul experimental al măsurătorilor de curent-tensiune (I-V)

Măsurătorile curent-tensiune (I-V) la temperatura camerei s-au efectuat folosind un

aranjament experimental care este prezentat schematic în fig. 4.1. Proba de măsurat se
introduce într-o cutie metalică care este conectată la masă şi asigură izolarea faţă de câmpurile
electromagnetice externe. Electrodul de poartă al structurii MOS este contactat electric cu
ajutorul unui vârf de wolfram acţionat de un micromanipulator mecanic ce permite un control
foarte bun al poziţiei vârfului. Astfel se minimizează stresul mecanic ce ar putea apare la
contactul vârfului cu electrodul de poartă. Contactul electric „spate” este realizat mecanic pe
toată suprafaţa probei între electrodul de aluminiu şi o placă de cupru, de pe care semnalul se
culege cu ajutorul unui alt vârf de wolfram acţionat de asemenea de un micromanipulator.

Vârf de wolfram Structura

Al sau Mo
Oxid

PC Sursă de
tensiune Si

Cutie metalică
Electrometru

Fig. 4.1 Schemă experimentală folosită în măsurătorile I-V.

În serie cu capacitorul MOS este conectat un electrometru digital de precizie Keithley

6517A ce poate măsura curenţi în domeniul 1 fA – 20 mA. Ca sursă de tensiune se foloseşte
sursa internă a electrometrului. Atât electrometrul cât şi sursa de tensiune sunt controlate de
un calculator care comandă succesiunea măsurătorilor şi achiziţionează datele. Măsurătorile I-
V sunt efectuate în regim cuasi-static. Pentru stabilirea unui astfel de regim după fiecare
modificare a valorii tensiunii se aşteaptă un timp, uzual între 6 şi 10 secunde, necesar pentru
ieşirea din regimul tranzitoriu şi stabilizarea curentului, după care electrometrul citeşte
valoarea curentului. Curenţii tranzitorii sunt în principal curenţii de deplasare ai dielectricului
de poartă.

74
 Măsurătorile de curent cu temperatura s-au efectuat în Laboratorul de Semiconductori
din cadrul INCDFM, Măgurele. Proba a fost introdusă într-o incintă criogenică ce permite un
control bun al temperaturii între 25 K şi 450 K, cu erori de ±0.1 K pe tot domeniul de
temperaturi. Contactele electrice între capacitoarele MOS şi circuitul extern au fost realizate
în acest caz cu ajutorul pastei de argint, evitându-se astfel apariţia stress-ului mecanic prin
variaţia temperaturii. Curentul a fost măsurat cu o eroare mai mică de 5% cu ajutorul unui
electrometru Keithley 6517A. S-au folosit timpi de întârziere de 6 sau 8 secunde după fiecare
modificare a tensiunii de poartă şi o creştere în treaptă a tensiunii aplicate de valoare mică
(0.02 V) pentru a realiza citirea curentului într-o stare de staţionaritate.

4.2.2 Aranjamentul experimental al măsurătorilor de impedanţă

Măsurătorile de capacitate şi conductanţă s-au efectuat folosind aranjamentul experimental

din fig. 4.2.
Analizor de impedanţă HP 4194A

PC

A A` B` B
Structura
MOS
Vârf de wolfram
Al sau Mo
Oxid
Si

Cutie metalică

Fig. 4.2 Schemă experimentală folosită în măsurătorile de impedanţă.

Proba este introdusă, ca şi în cazul măsurătorilor de curent, într-o incintă metalică prin care se
realizează ecranarea electromagnetică. Măsurătorile efectuate cu un analizor de impedanţă HP
4194A utilizează metoda celor 4 puncte. Analizorul injectează în probă un curent de formă
sinusoidal de mică amplitudine prin contactele A şi A` şi măsoară răspunsul în tensiune în
funcţie de timp, şi anume diferenţa de potenţial între punctele B şi B`. Astfel se obţine
impedanţa Z şi defazajul tensiunii faţă de curent θ. Prin prelucrarea algebrică ulterioară a
acestor informaţii, în funcţie de modelul de circuit selectat, analizorul furnizează direct

75
mărimile de interes. În cazul structurilor MOS modelul utilizat, ce are corespondent în
rezultatele teoretice (cf. cap. 3), este cel al combinaţiei paralele ale capacităţii şi conductanţei,
Cm şi Gm.
Cu ajutorul acestui aranjament experimental s-au efectuat două tipuri de măsurători: (1)
capacitatea paralelă şi conductanţa paralelă în funcţie de tensiunea de polarizare a porţii (C-V
şi G-V), având frecvenţa ca parametru fixat, (2) capacitatea paralelă şi conductanţa paralelă în
funcţie de frecvenţă pentru diferite valori ale tensiunii de poartă (C-f şi G-f). Analizorul de
impedanţă permite efectuarea acestor măsurători în diferite condiţii de măsură, ce se stabilesc
prin setarea anumitor parametri. Astfel, tensiunea de polarizare a porţii a fost programată să
varieze de la o valoare negativă dată până la o valoare pozitivă dată (aşa-numita baleiere
„up”), schimbările de tensiune fiind efectuate în paşi mici numai după ce o măsurătoare
completă de capacitate şi conductanţă a fost efectuată. Aceleaşi măsurători au fost efectuate ş i
pentru o baleiere „down” a tensiunii de polarizare, de la tensiunea maximă până la tensiunea
minimă. Măsurătorile s-au efectuat la diferite rate de variaţie a tensiunii de polarizare. Pentru
fiecare valoare a tensiunii de polarizare măsurătorile s-au facut prin setarea unor parametri ai
instrumentului prin care se poate reduce nivelul zgomotului, dar care necesită timpi de măsură
mai lungi. Amplitudinea semnalului alternativ aplicat, de 20 sau 30 mV, a fost aleasă astfel
încât să se încadreze în regimul de răspuns liniar al structurii MOS.
Măsurătorile C-f şi G-f s-au realizat într-un mod similar, prin baleierea frecvenţei în
scară logaritmică de la 100 Hz la 15 MHz pentru o tensiune de polarizare fixată.
Toate programele de achiziţie şi prelucrare parţială a datelor au fost realizate în limbajul
Test Point.

4.2.3 Aranjamentul experimental al măsurătorilor de semnal mare

Structurile Metal-Feroelectric-Semiconductor au fost investigate prin măsurarea răspunsurilor

în curent şi tensiune la excitaţiile sinusoidale de amplitudine mare (cap. 6). Aranjamentul
experimental este schiţat în fig. 4.3. În serie cu structura neliniară se află o rezistenţă liniară
R, o capacitate liniară C0 şi un generator de semnal HP8116A. Generatorul de semnal produce
semnale sinusoidale (până la o amplitudine maximă de 16 V) pe un larg spectru de frecvenţe.
Osciloscopul TDS 540A înregistrează, cu o rată de eşantionare de până la 1 GHz, tensiunea
de pe capacitorul liniar, ce este proporţională cu sarcina mobilă de pe structura MFS ş i
tensiunea de pe rezistorul liniar, ce este proporţională cu intensitatea curentului în circuit.

4.3 Prepararea probelor şi aranjamentul experimental al

măsurătorilor structurilor pseudo-MOS

Întrucât structurile pseudo-MOS au fost fabricate şi măsurate într-un mod sensibil diferit faţă
de straturile de mare permitivitate depuse prin MBE, în această secţiune vor fi prezentate
separat modalităţile de preparare a dispozitivelor de tip pseudo-MOS şi de realizare a
măsurătorilor electrice (care vor fi discutate în cap. 7).
Un strat de dioxid de siliciu SiO2 de aproximativ 150 nm a fost crescut pe un substrat de
Si de tip n monocristalin prin oxidare la 850°C într-o atmosferă de oxigen şi vapori de apă.
Filmele subţiri de sulfură de cadmiu CdS au fost depuse prin CBD („Chemical Bath
Deposition”) pe substratele obţinute în acest mod. Substanţele folosite pentru depunere au

76
fost: acetat de cadmiu, tiouree şi hidroxid de amoniu. Detalii despre procedura de depunere ş i
procesele chimice ce au loc sunt date în lucrările lui Penţia et al. [169] şi Petre et al. [170].
Osciloscop TDS 540A

PC

A A’ B B’
Structură MOS

Izolator
L
dD(t )
R D (t )
dt
C0 Si

Generator de semnal Al
HP 8116A
V0sin(ωt)
Fig. 4.3 Aranjament experimental folosit în măsurătorile de semnal mare (cap. 6).

Depunerea s-a efectuat la temperatura de 60°C timp de 60 min. Filmele depuse au fost tratate
termic în aer la 300°C timp de 60 min. Au fost obţinute straturi nanocristaline de aproximativ
70 nm grosime. Filmul de CdS a fost ulterior procesat prin fotolitografie, definindu-se o arie
de 2.5 mm×3.5 mm. Electrozi de aur au fost evaporaţi în vid pe suprafaţa de CdS, aria finală
activă fiind de 1.5 mm×1.5 mm. Aceşti doi electrozi vor fi denumiţi sursă şi drenă. Pe
întreaga suprafaţă-spate (a substratului de Si) a fost depus un electrod de Al care joacă rolul
electrodului de poartă. Schema structurii finale este prezentată în fig. 4.4, împreună cu schema
electrică experimentală folosită pentru realizarea măsurătorilor electrice. Aceste măsurători au
fost efectuate la temperatura camerei, dar probele au fost montate în interiorului unui criostat.
A fost aleasă această configuraţie pentru realizarea unei bune ecranări electrostatice a probei.
Tensiunea de drenă a fost aplicată cu ajutorul unui electrometru Keithley 6517A, în timp ce
pentru tensiunea de poartă a fost folosită o sursă de tensiune independentă Grundig 300N.

Fig. 4.4 Structura pseudo-MOS CdS/SiO2/Si, împreună cu schema electrică experimentală. Vd este tensiunea de
drenă, iar Vg este tensiunea de poartă. Lungimea tipică a canalului este de 1.5 mm.

77
78
5 Rezultate experimentale şi discuţii.
Dispozitive de tip MOS cu oxizi de
poartă de permitivitate mare

Structurile MOS cu oxizi de poartă de permitivitate mare au fost studiate din punct de vedere
structural şi electric pentru a se stabili mecanismele de conducţie electrică şi a realiza o
corelare a comportării electrice cu structura fizică şi modul de obţinere a structurii. Aceste
informaţii sunt de o mare importanţă în eventualitatea utilizării pe scară largă a acestor oxizi
în dispozitivele MOSFET ale noilor generaţii de microprocesoare.
Tunelarea, după cum s-a arătat în capitolul 2, constituie pentru dispozitivele actuale
fabricate pe bază de SiO2 principalul mecanism de conducţie. În cazul oxizilor de
permitivitate mare este necesară luarea în considerare şi a altor posibile mecanisme de
conducţie, ca urmare a complexităţii mult mai mari pe care sistemele oxid de mare
permitivitate-Si le au în comparaţie cu sistemul SiO2-Si. S-a arătat că banda interzisă a acestor
oxizi şi „band-offset”-urile lor cu siliciul şi electrozii de poartă sunt mai mici decât în cazul
dioxidului de siliciu, iar noile materiale pot prezenta densităţi mari de defecte în volum şi la
interfeţe. De aceea este foarte probabil ca efectele Schottky şi Poole-Frenkel să îşi facă simţită
prezenţa în conducţia electrică prin noile tipuri de structuri.
Întrucât puţine structuri MOS au avut grosimi ale dielectricului de poartă mai mici de 4
nm, nu s-au aplicat corecţii ale efectelor cuantice ce se manifestă în zona interfeţei şi în
prezenţa unor câmpuri electrice mari.
Posibil, probleme suplimentare pot fi create de fiabilitatea mai mică a acestor structuri,
în comparaţie cu cele alcătuite pe bază de dioxid de siliciu. Mecanismele de degradare ale
oxizilor de permitivitate mare sunt insuficient cunoscute, fiind necesară o tratare diferenţiată a
dielectricilor de poartă. Problemele de fiabilitate nu vor fi abordate însă în această lucrare.
Printre oxizii studiaţi se numără oxidul de itriu (Y2O3), titanatul de stronţiu (SrTiO3),
aluminatul de lantan (LaAlO3) şi hafniatul de lantan (La2Hf2O7). În continuare se vor prezenta
şi se vor discuta principalele rezultatele experimentale obţinute pe aceste materiale.

79
5.1 Oxidul de itriu Y2O3

Ca oxid al unui metal de tranziţie din grupa IIIB, oxidul de itriu (Y2O3) are o permitivitate
relativă destul de mare, aproximativ 16 [171] sau 18 [172], după cum s-a arătat şi în Cap. 2.
Pentru următoarea reacţie de oxidare:
Y2 O3 + Si → Y + SiO2 (5.1)
calculul termodinamic prezice o diferenţă dintre energiile libere Gibbs ale produşilor de
reacţie şi reactanţilor de aproximativ 117 kcal/mol la temperatura de 1000 K [50]. Aceasta
înseamnă că din punct de vedere termodinamic la interfaţa oxidului de itriu cu siliciul reacţia
(5.1) nu poate avea loc. Pe de altă parte, lipsa datelor termodinamice împiedică estimarea
diferenţelor de energii libere Gibbs în cazul altor reacţii posibile, cum ar fi:
Y2 O3 + Si → YSi2 + SiO2 (energia liberă a YSi2 este necunoscută) (5.2)
Y2 O3 + Si → Y + YSi x O y (energia liberă a YSixOy este necunoscută) (5.3)
Din acest motiv este necesară studierea prin diferite metode de caracterizare structurală ş i
electrică a interfeţei Si-Y2O3 tratată termic la diferite temperaturi.
Se cunoaşte că Y2O3 cristalizează în fază cubică [173], având grupul de simetrie Th7-Ia3
corespunzător structurii bixbyite a Mn2O3. Constanta de reţea este a=10.6 Å, care este
aproximativ egală cu dublul constantei de reţea a siliciului aSi=5.431 Å. Aceste valori indică
posibilitatea teoretică de creştere epitaxială cub-pe-cub a oxidului pe Si (001).

5.1.1 Rezultate experimentale şi discuţii

Caracterizările structurale realizate în cadrul proiectului INVEST la MPI, Halle, şi de

către colaboratorii de proiect din Atena au fost extrem de utile în încercarea de a interpreta
rezultatele măsurătorilor electrice. De aceea, în paralel cu investigaţiile electrice se vor
prezenta pe scurt caracterizările structurale realizate de către grupuri diferite.

Probe nesupuse tratamentului termic

În fig. 5.1 se prezintă o imagine de microscopie electronică de transmisie de înalt ă

rezoluţie (HRTEM), realizată la MPI Halle şi figura de difracţie a electronilor realizată în
timpul creşterii oxidului (in situ) [166].
În primul rând se observă prezenţa unui strat amorf neuniform la interfaţa Y2O3/Si,
având o grosime ce variază între 7 şi 15 Å. Având în vedere că substratul a fost curăţat
complet, se poate deduce că stratul amorf interfacial se formează în timpul creşterii Y2O3.
Acest strat poate fi SiO2, oxid de siliciu nestoichiometric (SiOx) sau silicat de itriu (Y-Si-O)
care se poate forma în timpul creşterii Y2O3 prin reacţia dintre Si şi Y, folosind oxigenul ce
difuzează din Y2O3 către interfaţă [108, 109, 174-176]. S-a arătat că filmele de Y2O3 crescute
pe siliciu în acest mod sunt deficiente în oxigen [177], ceea ce constituie un indiciu al
posibilei surse de atomi de oxigen necesari reacţiilor de formare a stratului intefacial.
Deoarece din punct de vedere termodinamic formarea SiO2 nu este favorabilă în sistemul
Y2O3-Si, eventuala existenţă a unui strat interfacial de dioxid de siliciu se poate explica prin
existenţa unor condiţii de neechilibru în timpul creşterii oxidului prin MBE.

80
Fig. 5.1 Imagine HRTEM realizată pe o secţiune transversală, corespunzătoare planului (110) din Si, a structurii
Y2O3/Si(001) netratate termic. În dreapta se află imaginea de difracţie TEM înregistrată în planul focal al
fasciculului de electroni transmişi. După [166].

La temperatura de creştere demonstrată ca optimă (450°C) filmul de oxid prezintă o

structură epitaxială de orientare unică Y2O3(110)//Si(001), fapt indicat de poziţionarea
spotului Y2O3(440) în raport cu Si(002) din figura de difracţie HRTEM (fig. 5.1 dreapta,
imaginea TEM din planul de focalizare). Această figură se regăseşte după o rotire de 90° a
fasciculului de electroni în jurul normalei substratului şi arată că filmul de Y2O3 are o
structură dublu-domeniu rotită. Maximele de difracţie (040) şi (222) ale Y2O3 corespund celor
două domenii. Acestea au o orientare laterală care corespunde direcţiei [001] din oxidul de
itriu paralelă cu direcţiile [1 1 0] şi [110] din Si (Y2O3 [001] //Si [1 1 0] şi Y2O3 [001] //Si [110] ,
respectiv) [108, 166].
Caracteristicile C-V şi G-V (electrod „faţă” de Mo) sunt prezentate în fig. 5.2 şi 5.3. Se
observă o comportare a capacităţii şi conductanţei în funcţie de tensiune care este similară
caracteristicilor C-V şi G-V ale dispozitivelor MOS clasice pe bază de SiO2. Această
constatare ne îndreptăţeşte să tratăm sistemul în lumina teoriilor MOS unanim acceptate în
cazul structurilor cu SiO2. În continuare se va proceda la fel cu toate rezultatele ce sunt
similare celor obţinute pe structurile clasice, fără a se mai menţiona aceasta în mod special. În
schimb, atunci când caracteristicile experimentale sunt atipice se vor discuta cauzele posibile
ale distorsionărilor.
În continuare se va face analiza caracteristicilor C-V şi G-V.
Grosimea echivalentă a oxidului (EOT), mărime definit ă în Cap. 2 (secţiunea 2.2),
dedusă din curbele C-V (fig. 5.2), este de 8 nm. Permitivitatea relativă efectivă calculată cu
ajutorul capacităţii din acumulare (pentru stratul de oxid de itriu plus stratul interfacial),
neglijând corecţiile cuantice, este de εef≅3.16, mai mică decât valoarea corespunzătoare
dioxidului de siliciu şi mult mai mică decât cea a Y2O3 raportată în literatură [171, 172].
Acest fapt are trei posibile explicaţii:
(i) la interfaţa Si-oxid stratul interfacial cu constantă dielectrică mică scade în mod
apreciabil valoarea capacităţii serie determinată experimental;
(ii) filmul de Y2O3 este deficient în oxigen, după cum s-a arătat mai sus, iar proprietăţile
dielectrice ale oxidului cu deficienţă de oxigen se schimbă, rezultând un film cu o
permitivitate scăzută;
(iii) este bine ştiut faptul că oxizii pământurilor rare sunt hidroscopici, că prin creşterea
ionicităţii în oxizii binari reacţiile acestora cu apa din atmosferă sunt mult mai probabile, dând
naştere unor straturi hidroxidice [178].

81
 -1
5.0x10
1 kHZ
-1

Capacitate (µF/cm )
4.0x10 10 kHz

2
100 kHz
3.0x10
-1 1 MHz

-1
2.0x10

-1
1.0x10

0.0

-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
Tensiune de poarta (V)

Fig. 5.2 Caracteristici ale capacităţii în funcţie de tensiune (C-V) ale probei nesupuse tratamentului termic.
Măsurătorile au fost efectuate după cum s-a arătat în Cap. 4.

Diferenţa dintre structurile contactate (Si amorf depus pe oxid) in-situ şi cele care au fost
expuse condiţiilor atmosferice a fost demonstrată clar într-o serie de publicaţii [179, 180].
Astfel, prin investigaţii TEM, EELS („Electron Energy Loss Spectroscopy”) şi MEIS
(„Medium Energy Ion Scattering”) s-a arătat că structurile expuse în aer conţin compuşi de
tipul SiOxHy la interfaţa Si cu oxidul, precum şi un exces de oxigen în Y2O3, datorat formării
unor compuşi hidroxidici în volum. Pe de altă parte, în structurile contactate nu a fost
detectată vreo urmă de SiOxHy. Ambele efecte (compuşi SiOxHy la interfaţă şi exces de O) pot
contribui la scăderea drastică a capacităţii structurii şi prin urmare a permitivităţii efective.
Totuşi, pâna în prezent nu a fost determinată cauza efectivă a valorilor mici ale permitivităţii
[178, 181].

Valorile tensiunii de benzi netede (tabelul 5.1) arată o variaţie uniformă a lui VFB cu
logaritmul frecvenţei. Se va propune în continuare o explicaţie acestui fapt.
În teoria dispozitivelor MOS se arată că deplasarea (translaţia) curbelor C-V de-a lungul
axei tensiunii este datorată modificării densităţilor de sarcini fixe din oxid (cf. secţiunii 3.5.2
B şi fig. 3.5).
Având în vedere că diferenţa lucrurilor de extracţie între electrodul de poartă de Mo şi
substratul de Si tip n folosit (cf. Cap. 4) este de aproximativ +0.3 eV, stiind expresia tensiunii
de benzi netede (ec. 3.48) şi valorile tensiunilor de benzi netede (negative) în acest caz, se
poate spune că în dielectric sunt prezente sarcini pozitive fixe, ce pot fi atribuite vacanţelor de
oxigen.
În ceea ce priveşte diferenţa dintre caracteristicile C-V măsurate la diverse frecvenţe
teoria MOS clasică arată că se produce o alungire a curbelor C-V la frecvenţe înalte de-a
lungul axei tensiunii, comparativ cu forma pe care o au la frecvenţe joase.

Tabel 5.1 Tensiunea de benzi netede în funcţie de frecvenţa semnalului alternativ dedusă din caracteristicile
prezentate în fig. 4.5.
Frecvenţa ν (kHz) 1 10 100 1000
Tensiunea de benzi
-1.29 -1.14 -0.99 -0.84
netede VFB (V)

82
 10
0 1 MHZ
100 kHz

Conductanta (S/cm )
2
10 kHz
10
-2 1 kHz

-4
1x10

-6
10

-8
10
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
Tensiune de poarta (V)

Fig. 5.3 Caracteristici ale conductanţei în funcţie de tensiune (G-V) ale probei nesupuse tratamentului termic.
Măsurătorile au fost efectuate după cum s-a arătat în Cap. 4.

Se va oferi în continuare o explicaţie cantitativă a acestei constatări experimentale

generale. Semnificaţia frecvenţelor înalte şi joase este aici diferită faţă de cea uzuală. Ş i
anume, se denumesc frecvenţe înalte acele frecvenţe ce aparţin domeniului în care trapele de
la interfaţa Si-oxid nu răspund semnalului alternativ, iar cele de joasă frecvenţă sunt cuprinse
în domeniul de frecvenţe în care o mare parte din trapele de interfaţă răspund acestui semnal.
Însă în ambele domenii de frecvenţe purtătorii minoritari din Si nu răspund semnalului
alternativ. Astfel, pentru o valoare dată a tensiunii de polarizare a porţii capacitatea suprafeţei
Si (CS) este identică pentru orice frecvenţă. Dacă se inspectează expresiile capacităţii de joasă
frecvenţă (ec. (3.58)) şi cea a capacităţii măsurate la frecvenţe înalte (ec. (3.57)) şi se ţine cont
de faptul că CS şi capacitatea oxidului Cox sunt constante, se constată că pentru o valoare
arbitrară a tensiunii de poartă capacitatea totală de joasă frecvenţă CLF este mai mare decât cea
de înaltă frecvenţă CHF. Ţinând cont de faptul că pentru extremele tensiunii de polarizare (Si
în acumulare puternică şi în inversie puternică) capacitatea totală tinde asimptotic spre
aceleaşi valori indiferent de frecvenţă, rezultă o formă a curbei C-V de înaltă frecvenţă care se
obţine din curba C-V de joasă frecvenţă prin alungirea acesteia de-a lungul axei tensiunii.
În cazul de faţă curbele C-V înregistrate la diferite frecvenţe (fig. 5.2) nu prezintă
alungirea tipică structurilor MOS pe bază de SiO2. Diferenţele în funcţie de frecvenţă constau
în deplasări uniforme, similare cu cele care ar avea loc în cazul modificărilor densităţii de
sarcini fixe din oxid. Însă în măsurătorile efectuate nu s-a înregistrat nici un histeresis, ceea ce
arată că densităţile de sarcini fixe din oxid nu se modifică în timp. Astfel încât deplasările
curbelor de la diferite frecvenţe nu pot fi explicate pe baza schimbării densităţii de sarcini din
oxid.
O posibilă explicaţie a acestei comportări atipice în funcţie de frecvenţă ar putea fi
oferită de existenţa unor trape de interfaţă monoenergetice situate în apropierea benzii de
valenţă a siliciului. Astfel, alungirea curbelor C-V de-a lungul axei tensiunii se face pe
porţiunea orizontală din regimul de inversie şi nu afectează forma acestora. Într-adevăr,
curbele de conductanţă (fig. 5.3) prezintă pentru frecvenţa de 1 MHz un vârf de conductanţă
în zona de inversie puternică (VG≅-2.8V) ce poate fi atribuit trapelor de interfaţă
monoenergetice. Faptul că nu se observă nici o modificare a capacităţii atunci când nivelul
Fermi trece prin dreptul acestor trape este datorat valorilor mici ale capacităţii stratului de
depleţie de la suprafaţa Si aflată în inversie puternică care, fiind o capacitate în serie, practic

83
controlează capacitatea totală măsurată. La frecvenţe joase trapele răspund rapid schimbărilor
semnalului alternativ, determinând apariţia unei capacităţi în paralel cu cea a suprafeţei
siliciului. Cu creşterea frecvenţei trapele răspund din ce în ce mai greu, astfel încât sarcina
acumulată produce o alungire a caracteristicii în zona de inversie. Această alungire este
similară cu cea descrisă în paragraful anterior, singura deosebire constând în domeniul de
tensiuni pe care se produce. Sensul deplasării arată că trapele de interfaţă pot fi de tip
acceptor, întrucât sarcina fixă efectivă de la interfaţă ce se adaugă sarcinii fixe din oxid este
negativă. Trapele din inversie sunt, după cum era de aşteptat, trape foarte rapide. Ele pot fi
stări localizate acceptoare în apropierea benzii de valenţă a Si la interfaţa cu oxidul sau chiar
în oxid în apropierea interfeţei.
Explicaţia dată este în acord cu valorile deplasării tensiunii de benzi netede (tabelul
5.1): acestea variază liniar cu logaritmul frecvenţei, sugerând o dependenţă exponenţială de
frecvenţă a concentraţiei de trape monoenergetice ce răspund semnalului alternativ. Această
concluzie este în acord cu expresiile constantei de timp ce defineşte răspunsul purtătorilor de
pe trapele de interfaţă (conform definiţiei constantei de timp τ din secţiunea 3.5.3, punctul E).

În fig. 5.3 se observă că, într-o reprezentare logaritmică, vârfurile conductanţei

corespunzătoare pierderilor energetice pe trapele de interfaţă din regiunea de depleţie din
banda interzisă a Si cresc uniform în mod considerabil. Vârful pierderilor la frecvenţa de 1
MHz este cu aproximativ trei ordine de mărime mai mare decât cel corespunzător frecvenţei
de 1 kHz, ceea ce înseamnă că şi aceste trape au o constantă mică de timp.

Corecţia efectului de rezistenţă serie

Pentru a înţelege asimetria caracteristicilor conductanţei în funcţie de tensiune (G-V,

fig. 5.3) de la frecvenţe înalte, şi anume existenţa platoului conductanţei din curba G-V de la
1 MHz şi VG>0, se va arăta care este efectul rezistenţei serie asupra măsurătorilor de
conductanţă si capacitate de înaltă frecvenţă (conform modelului prezentat în lucrarea lui
Nicollian şi Brews [149]).
Rezistenţa serie a fost calculată prin măsurarea capacităţii paralele Cma şi a conductanţei
paralele Gma în acumulare la o frecvenţă constantă. Considerând transformarea de circuit
pentru regiunea de acumulare cu capacitatea oxidului în serie cu rezistenţa serie, se obţine :
G
RS = 2 ma 2 2 (5.4)
Gma + ω Cma
Valoarea rezistenţei serie (5.4) este folosită pentru corectarea măsurătorilor C-V şi G-V
efectuate pe întregul de domeniu de tensiuni din acumulare în inversie. De această dată
circuitul echivalent constă din rezistenţa RS în serie cu combinaţia paralelă a capacităţii şi a
conductanţei corectate. Prin echivalarea acestui circuit cu unul în care rezistenţa serie este
eliminată se obţin capacitatea şi conductanţa corectate:
Ccor =
(Gm2 + ω 2Cm2 )Cm
(5.5)
a 2 + ω 2Cm2

Gcor =
(G
2
m + ω 2Cm2 )a
(5.6)
a + ω 2Cm2
2

unde a = Gm − (Gm2 + ω 2Cm2 )RS , Cm şi Gm sunt capacitatea şi conductanţa paralele măsurate

experimental.

84
 Se observă că cea mai mare influenţă a rezistenţei serie are loc la frecvenţe mari şi în
acumulare. Valorile ridicate ale conductanţei în acumulare la frecvenţe înalte sunt un efect al
rezistenţei serie, în timp ce la frecvenţe mai joase (1 kHz şi 10 kHz) este dominant alt
mecanism de pierderi electrice, şi anume transportul electric efectiv prin structură. Într-
adevăr, în fig. 5.4 se prezintă o curbă G-V tipică după aplicarea corecţiei rezistenţei serie la 1
MHz. Însă caracteristica corectată de la 10 kHz este puternic distorsionată în acumulare,
prezentând chiar valori negative (fig. 5.5), ceea ce demonstrează faptul că pierderile electrice,
mai mici decât cele de la frecvenţe mari, nu pot fi asociate aici efectului rezistenţei serie.
Trebuie să se menţioneze faptul că în urma corecţiei serie capacitatea rezultată Ccor are
valori superioare capacităţii măsurate, în special în zona de acumulare. Întrucât din
capacitatea în acumulare se extrage permitivitatea filmului dielectric, o astfel de corecţie este
absolut necesar să se aplice atunci când se realizează caracterizarea dielectrică la frecvenţe
mari.
-1
5,0x10
rezultat experimental
caracteristica corectata
Conductanta (S/cm )

-1
4,0x10
2

-1
3,0x10

-1
2,0x10

-1
1,0x10

0,0

-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
Tensiune de poarta (V)

Fig. 5.4 Corecţia de rezistenţă serie pentru curba de conductanţă de la 1 MHz.

-3
4,0x10
Conductanta (S/cm )
2

-3
2,0x10

0,0

-3
-2,0x10
rezultat experimental
caracteristica corectata
-3
-4,0x10
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
Tensiune de poarta (V)

Fig. 5.5 Corecţia de rezistenţă serie pentru curba de conductanţă de la 10 kHz.

Probe supuse tratamentelor termice

În scopul micşorării grosimii stratului interfacial, o parte din probele crescute la temperatura
optimă de 450°C au fost tratate după depunere timp de 30 min. în vid ultraînalt (UHV) la
următoarele temperaturi: 490°C, 550°C, 600°C şi 650°C.
Imaginea HRTEM a probei supuse tratamentului termic la 490°C (fig. 5.6 a) indică o
structură cristalină şi o orientare a straturilor epitaxiale identice cu cele ale probei nesupuse
tratamentului termic, în timp ce calitatea structurii este îmbunătăţită.

85
Fig. 5.6 Imagine HRTEM realizată pe o secţiune transversală corespunzătoare planului (110) din Si a structurii
Y2O3/Si(001) supusă tratamentului termic în UHV timp de 30 min.la (a) 490°C şi (b) 650°C. După [166].

Diferenţa cea mai importantă constă însă în existenţa unei interfeţe aproape abrupte în cazul
probei tratate, spre deosebire de interfaţa probei netratată termic. În timpul tratamentului
termic sistemul are îndeplinite condiţiile de atingere a echilibrului termic, barierele cinetice ce
se opun realizarii echilibrului la temperaturi scăzute putând fi învinse. Astfel stratul interfacial
SiOx/YSiO este redus la componentele iniţiale, Y2O3 şi Si.

3
0.20 2.0x10
G-"up"
G-"down"
Capacitate (µF/cm )

Conductanta (S/cm )
2

2
0.15 C-"up" 1.5x10
C-"down"
3
1.0x10
0.10

2
5.0x10
0.05

0.0
0.00
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.7 Caracteristici C-V şi G-V măsurate la o frecvenţă de 10 kHz ale probei tratate 30 minute la 550°C în
UHV. Substratul de siliciu este în acest caz de tip n, iar grosimea nominală a oxidului de 6.5 nm.

Probele tratate termic au fost de asemenea investigate electric (fig. 5.7-10). Proba
tratată termic la Ta=550°C prezintă o permitivitate relativă efectivă chiar mai mică (≅1.3)
decât proba netratată, ceea ce sugerează posibilitatea formării unui strat interfacial conductiv,
cu mare deficienţă de oxigen, care ecranează siliciul. Se observă un histeresis foarte mare al
tensiunii de benzi netede, de aproximativ 4 V. Această deplasare este relativă, depinzând de
rata de baleiere a tensiunii de poartă şi posibil de timpul de întârziere între cele două
măsurători (din inversie în acumulare şi invers). Oricum, sensul deplasării (înspre tensiuni
negative) indică o micşorare semnificativă a sarcinilor negative în acumulare, probabil
datorată migrării electronilor din stările localizate din oxid înspre electrodul de poartă.
Explicaţia este valabilă dacă în acelaşi timp injecţia în oxid a electronilor din stratul de
acumulare este redusă. De asemenea, o eventuală migraţie a oxigenului înspre electrodul de
poartă produce la rândul ei vacanţe de oxigen încărcate pozitiv. Un răspuns exact la această
problemă ar putea fi dat numai prin efectuarea unor caracterizări structurale complexe.

86
 Se poate spune că îmbunătăţirea caracteristicilor structurale în cazul acestui tip de
tratament nu produce şi o îmbunătăţire a proprietăţilor electrice şi dielectrice, ci dimpotrivă,
acestea din urmă se îndepărtează de ceea ce se urmăreşte.

-1
10
10 kHZ

Conductanta (S/cm )
2
-2
100 kHz
10 1 MHz
-3
10

-4
1x10

-5
1x10

-6
10

-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
Tensiune de poarta (V)

Fig. 5.8 Curbe experimentale ale conductanţei la trei frecvenţe diferite într-o reprezentare logaritmică obţinute
pe o probă tratată termic 30 minute în UHV la 550°C. Substratul de siliciu este de tip n, iar grosimea oxidului de
6.5 nm.

1.0
C-"up"
C-"down" 4
0.8

Conductanta (S/cm )
2
Capacitate (µF/cm )

G-"up"
2

G-"down"
0.6 3

0.4
2
0.2
1
0.0

-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.9 Caracteristici C-V şi G-V măsurate la o frecvenţă de 100 kHz ale probei tratate 30 minute la 650°C în
UHV. Substratul de siliciu este de tip p, iar grosimea oxidului de 5 nm.

Proba supusă unui tratament termic la 650°C a fost de asemenea investigată prin
microscopia de transmisie de înaltă rezoluţie (fig. 5.6 b). Oxidul de itriu reacţionează cu
siliciul, produsul de reacţie fiind silicatul de itriu YSi2. Acesta nucleează sub forma unor
insule de dimensiune laterală ≅6 nm în interiorul substratului de siliciu şi în zona interfeţei
Y2O3/Si [166], având o comportare similară cu cea întâlnită la probele obţinute prin creştere
MBE la temperaturi mai mari de 610°C.
Caracteristicile C-V şi G-V sunt atipice (fig. 5.9). Dependenţa de tensiune a
conductanţei indică existenţa unui strat cu proprietăţi izolatoare mai slabe. Curba capacităţii
este influienţată de valorile mari ale conductivităţii în special în acumulare, fapt care explică
scăderea capacităţii în această regiune şi existenţa „peak”-ului în regiunea de depleţie şi de
benzi netede. Capacitatea maximă corespunde unei permitivităţi relative de 5.02 şi a unui
EOT de 3.88 nm. Valoarea permitivităţii este cu siguranţă mai mare, întrucât capacitatea
oxidului trebuie măsurată în acumulare. Distorsionarea curbei C-V împiedică prin urmare

87
determinarea pe această cale a permitivităţii reale a stratului de Y2O3. Pe de altă parte, se
poate spune cu certitudine ca εox este mai mare la această probă decât la probele netratate
termic sau tratate la o temperatură mai scăzută, fapt ce poate fi coroborat cu scăderea
deficienţei în oxigen ce are loc prin migrarea oxigenului din stratul interfacial înspre oxidul de
itriu şi cu reducerea stratului interfacial.
În final, trebuie specificat că deşi constanta de reţea a Y2O3 este aproximativ dublul
celei a Si, nu s-a observat o creştere a Y2O3 având orientarea teoretic probabilă Y2O3(001)//Si
(001).
1
10
0 J @ +1 V T tr=600°C
10
J @ -1 V
Densitate de curent J (A/cm )
2

-1
10
Ttr=550°C
-2
10
Ttr=650°C
-3 T tr=490°C
10
-4
1x10
-5
1x10
-6
10
-7
10 Proba netratata
-8
10
-9
10
450 500 550 600 650
Ttr (°C)

Fig. 5.10 Curenţii de poartă înregistraţi la pentru tensiuni de polarizare de +1 V şi -1 V în funcţie de temperatura
tratamentelor termice Ttr.

Măsurătorile curenţilor în funcţie de temperatura de tratament termic la tensiuni de

poartă de +1 V şi -1 V sunt prezentate în fig 5.10. Proba cea mai puţin conductivă este cea
netratată, iar curenţii cresc cu temperatura de tratament până la o valoare maximă de aproape
1 A/cm2 la 600°C. Aceasta creştere este datorată scăderii continue a grosimii stratului
interfacial pâna la dispariţia completă a acestuia. Valoarea mai scăzută a curentului la
Ttr=650°C provine probabil din scăderea deficienţei atomilor de oxigen (şi a conductivităţii)
în Y2O3. Interpretarea exactă a evoluţiei curenţilor de poartă în funcţie de temperatura de
tratament termic este dificilă din cauza prezenţei unor factori competitivi (scăderea grosimii
stratului interfacial, pe de o parte, şi scăderea deficienţei în atomi de oxigen din film, pe de
altă parte) ce influenţează conducţia şi a căror pondere relativă nu este cunoscută.

5.1.2 Metode diferite de creştere ale filmelor de Y2O3 pe siliciu

Formarea stratului amorf interfacial în timpul creşterii în UHV prin MBE a oxidului de itriu
pe substrat de Si constituie una din problemele cele mai importante care limitează utilizarea
Y2O3 în aplicaţiile de poartă. În încercarea de a elimina acest strat s-au folosit două metode
diferite de creştere a oxidului de itriu: creştere în plasmă de oxigen cu predepunere a unui
strat de itriu şi creştere în plasmă de oxigen direct pe substrat. Filmele rezultante au în ambele
cazuri o structură policristalină.

Structuri cu predepunere a unui strat de itriu

Un strat de 0.5 nm Y a fost depus pe substratul de Si tip p, după ce în prealabil a fost

îndepărtat stratul de oxid nativ. Ulterior oxidul de itriu a fost depus în prezenţa plasmei de

88
oxigen la o temperatură de 450°C.

0,6
C-"up"
C-"down" 6,0x10-3

Conductanta (S/cm2)
Capacitate (µF/cm )
2
0,4 G-"up"
G-"down"
-3
4,0x10

0,2
-3
2,0x10

0,0 0,0

-3 -2 -1 0 1 2 3
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.11 Caracteristici C-V şi G-V realizate la frecvenţa de 10 kHz pentru o structură cu predepunere a unui
strat de itriu. Caracteristicile au fost corectate prin includerea corecţiei rezistenţei serie.

Permitivitatea relativă calculată folosind capacitatea în acumulare de la frecvenţa de 1

kHz (fig. 5.12) este de 3.5. Este posibil ca această valoare mică să fie datorată ecranării
produse de stratul conductiv de itriu care a fost depus iniţial pe substratul de siliciu şi care nu
s-a oxidat complet în timpul creşterii Y2O3. Acest fapt, la care se adaugă mobilitatea mare a
oxigenului în astfel de oxizi, poate contribui la apariţia unor deficienţe de oxigen în stratul de
oxid, mai ales la interfaţă.
În fig. 5.11 se observă un efect de histerezis în sensul acelor de ceasornic. Se poate
presupune că în timpul polarizării pozitive (suprafaţa Si de tip p în inversie) vacanţele de
oxigen din Y2O3 migrează spre interfaţă, mărind valoarea sarcinii efective pozitive („fixe”,
dacă se ia în considerare deplasarea lentă a vacanţelor). Aceste vacanţe de oxigen pot fi de
asemenea la originea efectelor observate în caracteristicile C-V şi G-V şi care vor fi
prezentate în paragraful următor. Concentraţia mărită de sarcini pozitive din apropierea
interfeţei poate fi cauza scăderii abia perceptibile a înălţimii „peak”-ului conductanţei la curba
G-„down” comparativ cu G-„up”, prima înregistrată. Aceste „peak”-uri sunt datorate emisiilor
şi capturilor de purtători majoritari, aici goluri, din banda de valenţă a Si de la suprafaţă de
către trapele de interfaţă. În acelaşi timp, trapele din oxid situate în apropierea interfeţei (până
la 5-10 Å în SiO2) pot să comunice cu banda purtătorilor majoritari prin tunelerea pe stările de
interfaţă sau chiar direct în banda de valenţă [182]. După cum este bine cunoscut, nivelul
curenţilor de tunelare depinde de produsul concentraţiilor stărilor iniţiale şi finale ce participă
la tunelare. În cazul de faţă stările localizate din apropierea interfeţei se micşorează ca
densitate când vacanţele de oxigen pozitiv încărcate migrează spre interfaţă.
Figurile 5.12 şi 5.13 prezintă anumite caracteristici, cum ar fi dispersia în frecvenţă a
valorilor maxime ale capacităţii, din acumulare (fig. 5.12), care vor fi discutate în continuare.
În fig. 5.12 sunt reprezentate caracteristici experimentale C-V având frecvenţa ca
parametru care arată o comportare similară structurilor MOS clasice. Pe măsura ce frecvenţa
creşte, curbele se deplasează înspre valori negative ale tensiunii şi se alungesc de-a lungul
axei tensiunii. Tendinţa de scădere semnificativă a valorilor din acumulare, mult mai
puternică faţă de cazul unei comportări normale, se păstrează şi după ce a fost inclusă corecţia
de rezistenţă serie, ceea ce poate avea două posibile explicaţii: (i) nivelul densităţii trapelor de
interfaţă este destul de ridicat, rezultând într-o capacitate comparabilă cu cea din acumulare a
suprafeţei siliciului. Aceasta explicaţie este mai puţin probabilă deoarece pierderile energetice

89
corespunzătoare trapelor de interfaţă (fig. 5.13) sunt comparabile cu valorile maxime ale
pierderilor pe trapele de interfaţă în cazurile probelor netratate termic şi tratate la temperatura
de 550°C (fig. 5.13 comparativ cu 5.3 şi 5.8, respectiv), în timp ce în aceste două cazuri nu
este prezentă dispersia în frecvenţă a capacităţii.

-1
5,0x10 1 kHZ
10 kHz

Capacitate (µF/cm )
2
-1
4,0x10 100 kHz
1 MHz
-1
3,0x10

-1
2,0x10

-1
1,0x10

0,0

-3 -2 -1 0 1 2 3
Tensiune de poarta (V)

Fig. 5.12 Caracteristici C-V având frecvenţa ca parametru pentru o structură cu predepunere a unui strat de itriu.
Valorile capacităţii au fost corectate prin includerea efectului rezistenţei serie.

1
-1
1 kHZ
10 10 kHz
Conductanta (S/cm )
2

-2
100 kHz
10 1 MHz
-3
10
-4
1x10
-5
1x10
-6
10
-7
10
-3 -2 -1 0 1 2 3
Tensiune de poarta (V)

Fig. 5.13 Caracteristicile conductanţei paralele în funcţie de tensiune, având frecvenţa ca parametru în cazul
structurii cu predepunere a unui strat de itriu. Valorile conductanţei au fost corectate prin includerea efectului
rezistenţei serie.

A doua posibilitate constă în (ii) prezenţa unui mecanism de pierdere de origine diferită. Dacă
în interiorul volumului oxidului (mai mult sau mai putin apropiat de interfaţa cu Si) se află
defecte ce constituie trape de electroni de tip donor (posibil vacanţe de oxigen) cu timpi de
răspuns corespunzători unor frecvenţe de ordinul megahertz-lor, atunci la frecvenţe mici de
aproximativ 1kHz aceste trape vor urmări foarte rapid semnalul alternativ şi deci vor contribui
la capacitatea totală a stratului de oxid cu o capacitate paralelă, întrucât se află în volumul
oxidului. Pe măsură ce frecvenţa creşte, ca parametru în măsurătorile C-V şi G-V, răspunsul
electronilor situaţi pe aceste trape va fi din ce în ce mai slab, întrucât aceştia încep să
urmărească din ce în ce mai greu semnalul alternativ. Capacitatea corespunzătoare se va
diminua, în timp ce în caracteristica conductanţei G-V pierderea datorată acestor trape va
începe sa-şi facă simţită prezenţa. Într-adevăr, în fig. 5.12 se observă o scădere a capacităţii în
acumulare cu creşterea frecvenţei (în acumulare măsurându-se capacitatea totală a stratului de
oxid). În curbele G-V (fig. 5.13) se observă o lărgire a „peak”-urilor cu creşterea frecvenţei ş i

90
o modificare uşoară a formei dependenţei de tensiune în apropierea valorii de -2 V (faţă de
curba de la 1 kHZ), fapt care sugerează existenţa unui „peak” dublu la frecvenţe mari. În
acelaşi timp la frecvenţe mari (de ex. 1 MHZ) trapele vor rămâne cel mai probabil neocupate
cu electroni, încărcate pozitiv, ceea ce va produce o deplasare a tensiunii de benzi netede către
tensiuni negative.

0,30
-1
5,0x10
0,25
C necorectat

Conductanta (S/cm )
-1
Capacitate (µF/cm )

2
4,0x10
2

0,20 C corectat
G necorectat 3,0x10
-1

0,15 G corectat
-1
0,10 2,0x10

0,05 1,0x10-1

0,00 0,0

-0,05 -1,0x10-1
-3 -2 -1 0 1 2 3
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.14 Caracteristici C-V şi G-V ale probei cu predepunerea unui strat de itriu măsurate la frevenţa de 1 MHz
care ilustrează efectul rezistenţei serie. În corectarea curbelor C-V şi G-V s-a luat în considerare o rezistenţă
serie egală cu 673.43 ohm.

0,30
-1
5,0x10
0,25
Conductanta (S/cm )
2
Capacitate (µF/cm )

C necorectat
2

-1
4,0x10
0,20 C corectat
G necorectat 3,0x10
-1

0,15 G corectat
-1
0,10 2,0x10

-1
0,05 1,0x10

0,00 0,0

-3 -2 -1 0 1 2 3
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.15 Caracteristici C-V şi G-V ale probei cu predepunerea unui strat de itriu măsurate la o frevenţă de 1
MHz care ilustrează efectul rezistenţei serie. În corectarea curbelor C-V şi G-V s-a luat în considerare o
rezistenţă serie egală cu 657ohm.

Caracteristicile de capacitate şi conductanţă discutate mai sus au fost corectate prin

includerea efectului rezistenţei serie. Diferenţele faţă de datele experimentale neprelucrate
sunt prezentate în fig. 5.14 şi corespund unei valori a lui RS calculate de 673.43 ohm, conform

91
ec. (5.4). Se observă că în acumulare puternică conductanţa devine negativă, ceea ce nu poate
avea semnficaţie fizică.
O explicaţie a valorilor negative ale conductanţei ar putea fi neglijarea în corecţia
rezistenţei serie a conductanţei MOS datorată curenţilor de poartă. Prin includerea în model ş i
a acestei componente rezistenţa serie scade ca valoare. Întrucât este greu de estimat mărimea
conductanţei datorată curenţilor de poartă, prin introducerea unei rezistenţe având o valoare
cu puţin mai mică faţă de cea calculată (657 ohm faţă de 673.43 ohm) s-a obţinut o corecţie a
conductanţei paralele de curent alternativ care este în concordanţă cu predicţiile teoretice (fig.
5.15), cu valori pozitive pe întreg domeniul de tensiuni şi având un „peak” relativ simetric. În
acelaşi timp, capacitatea corectată în acumulare este de peste 7 ori mai mare la această
frecvenţă.

Structuri cu creştere direct pe Si a Y2O3 în plasmă de oxigen

În cazul unei alte serii de probe Y2O3 a fost crescut de la început în plasmă de oxigen.
Curenţii de poartă prin această structură sunt mici, 6×10-10 A/cm2 la VG=+1V şi 4×10-9 A/cm2
la VG=-1V (fig. 5.16).
Curbele C-V şi G-V prezintă histerezis în sensul orar (fig. 5.17) şi o deplasare a
tensiunii de benzi netede de aproximativ 0.36 V. Având în vedere că structura cu predepunere
de itriu are un histerezis de acelaşi tip şi o deplasare a tensiunii de benzi netede de 0.33 V (fig.
5.11), în timp ce frecvenţa semnalului alternativ şi condiţiile de măsură în cele două cazuri au
fost identice şi că în cazul precedent s-a presupus existenţa unor vacanţe de oxigen mobile
care se află la originea histeresis-ului, se poate presupune că aceleaşi tipuri de defecte se
întâlnesc şi în cazul structurilor cu oxizi crescuţi direct pe siliciu. Pe de altă parte, tensiunea
de benzi netede diferă la cele două structuri cu aproximativ 1 V.
Creşterea în plasmă de oxigen încă de la început pare să introducă defecte încărcate
pozitiv la interfaţa dielectric-Si datorită energiilor mari cu care atomii de oxigen din plasmă
lovesc suprafaţa Si. Acestea sunt sarcini fixe, spre deosebire de cele (presupuse vacanţe de
oxigen) care produc histerezis-ul.
O altă deosebire faţă de cazul în care s-a predepus un strat de itriu constă în dependenţa
de frecvenţă foarte mică a valorilor capacităţii în acumulare (corectate de rezistenţa serie)
pentru structurile cu Y2O3 depus direct pe Si (fig. 5.18). Este posibil ca trapele create de
vacanţele de oxigen să fie ecranate prin creşterea barierei energetice pentru goluri de către
stratul sarcinilor pozitive de la interfaţă şi astfel capacitatea paralelă despre care s-a vorbit mai
sus nu mai este efectivă. Permitivitatea relativă calculată este de 3.65.
În schimb, structura cu oxidul crescut prin bombardarea unei ţinte de ceramică
sinterizată prezintă caracteristici C-V şi G-V similare în toate privinţele cu cele ale structurii
cu Y2O3 crescut direct pe Si, cu excepţia celor datorate tipului diferit de substrat folosit (fig.
5.2-3 şi respectiv fig. 5.18-19). Valorile calculate ale permitivităţii sunt de asemenea
apropiate, 3.16 şi 3.65.

Structuri cu Y2O3 crescut pe substrate de Si neorientate

După cum s-a arătat în secţiunea 5.1.1, filmele cristaline de Y2O3 cresc heteroepitaxial
pe Si(001) la o temperatură optimizată de creştere de 450°C cu o orientare nefavorabilă Y2O3
(110)//Si(001) şi o microstructură complexă de domenii rotite, ceea ce reprezintă un potenţial
dezavantaj din punctul de vedere al implicaţiilor asupra caracteristicilor electrice.

92
 1x1

Densitatea de curent (A/cm )

2
-2
1x10
-4
1x10
-6
1x10
-8
1x10
-10
1x10
-12
10
-14
10
-10 -5 0 5 10
Tensiune de poarta (V)

Fig. 5.16 Densitatea de curent de poartă pentru proba cu oxidul de itriu crescut în plasmă de oxigen direct pe
substratul de Si de tip p.

0.006
0.6 0.005

Conductanta (S/cm )
2
Capacitate (µF/cm )
2

C-"up" 0.004
0.4 C-"down"
0.003
G-"up"
G-"down"
0.002
0.2
0.001

0.0 0.000

-0.001
-3 -2 -1 0 1
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.17 Caracteristici C-V şi G-V la frecvenţa de 10 kHz pentru o proba cu oxidul de itriu crescut în plasmă de
oxigen direct pe substratul de Si de tip p. Valorile capacităţii şi conductanţei au fost corectate prin includerea
efectului rezistenţei serie.

0,6

0,5 1 kHz
Capacitate (µF/cm )
2

10 kHZ
0,4 100 kHz
1 MHz
0,3

0,2

0,1

0,0

-3 -2 -1 0 1
Tensiune de poarta (V)

Fig. 5.18 Caracteristici C-V ale structurii cu filmul de Y2O3 crescut direct pe Si tip p în plasmă de oxigen.
Valorile capacităţii au fost corectate prin includerea efectului rezistenţei serie.

93
 10
1 1 kHZ
10 kHz

Conductanta (S/cm )
2
-1
10 100 kHz
-2 1 MHz
10
-3
10
-4
1x10
-5
1x10
-6
10
-7
10
-3 -2 -1 0 1 2
Tensiune de poarta (V)

Fig. 5.19 Caracteristici ale G-V ale probei cu oxidul crescut în plasma de oxigen direct pe Si măsurate la patru
frecvenţe diferite. Valorile conductanţei au fost corectate prin includerea efectului rezistenţei serie.

În încercarea de a obţine un strat epitaxial monodomeniu, grupul de la Atena a folosit

substrate de Si cu o orientare a suprafeţei ce diferă cu 4° sau 2° faţă de planul (001) al Si
[174], urmând o idee pusă în practică cu succes în cazul Gd2O3, conform căreia prezenţa unor
domenii rotite în oxid poate fi evitată prin creşterea pe substrate neorientate [179].
Caracterizările structurale ale filmelor de Y2O3 crescute pe substrate de Si(001) neorientate cu
4° indică într-adevăr existenţa unor filme epitaxiale (monocristaline) mult îmbunătăţite din
punct de vedere structural faţă de cazurile prezentate anterior [174]. Orientarea filmului este
aici tot Y2O3 (110)//Si (001).
Cu toate acestea, proprietăţile lor electrice sunt necorespunzătoare, nereuşindu-se
obţinerea unor caracteristici de capacitate şi conductanţă similare celor ale capacitoarelor
MOS clasice pe bază de SiO2. Această constatare a determinat reconsiderarea rolului pe care
calitatea structurală a filmelor îl are în determinarea unor proprietăţi electrice bune. Un film
epitaxial monocristalin de foarte bună calitate poate prezenta instabilităţi puternice din punct
de vedere electric, pe când unele filme amorfe se vor dovedi mai performante din punct de
vedere electric.

5.1.3 Studiul mecanismelor de transport electric prin oxidul de itriu

crescut epitaxial pe Si

În continuare se vor studia mecanismele de conducţie prin structura Al(35 nm)/Y2O3(5 nm)/Si
de tip n netratată şi tratată termic (înainte de realizarea metalizării) pentru 30 minute în UHV
la 490°C [183].
După cum s-a prezentat în capitolul 3, dacă se presupune o barieră de potenţial
dreptunghiulară, se pot distinge două mecanisme de tunelare prin structuri de tip MIM sau
MOS: tunelare directă şi tunelare Fowler-Nordheim. Mecanismul dominant depinde de
grosimea dielectricului, de „band-offset”-uri şi de câmpul aplicat. Tunelarea directă are loc
numai prin dielectricii foarte subţiri. În acest caz electronii tunelează prin dielectric şi ajung în
cel de-al doilea electrod fară a traversa banda de conducţie a dielectricului (fig. 5.20a).
Curentul are aici o dependenţă slabă de câmpul electric.

94
 JDIRECT JFowler-Nordheim
EFM EFM
VG EC
VG
EFS
EV EC
Fox Fox
Electrod EFS
de poartă EV
Si tip p Electrod
de poartă Si tip p

(a) (b)
Fig. 5.20 Diagramele benzilor energetice pentru cazurile: (a) tunelare directă; (b) tunelare Fowler-Norhheim (Si
tip p).

Tunelarea Fowler-Nordheim (F-N) are loc în cazul unor valori mari ale tensiunii de
poartă. Electronii traversează o barieră triunghiulară şi ocupă stările permise din banda de
conducţie a oxidului, fiind atraşi ulterior de către câmp înspre interfaţa oxid-siliciu (fig.
5.20b). Densitatea curentului în cazul conducţiei Fowler-Nordheim este exprimată cantitativ
cu ajutorul ecuaţiilor (3.1), (3.2) şi (3.3).
Datele experimentale sunt prezentate sub forma reprezentărilor F-N pentru cele două
probe măsurate în fig. 5.21a (proba netratată) şi în fig. 5.21b (proba tratată la 490°C).

-12
-12.5
-14 -15.4
-13
-13.0 -15.6
log(J/E ) (A/V )
2
log (J/E 2)

-14 -15.8
-13.5 -16
2
log(J/E ) (A/V )

-16.0
log(J/E ) (A/V )

2
2

-15 -14.0 -16.2

-16.4
-18
2
2

-16 -14.5 -7
2.0x10
-7
2.5x10 3.0x10
-7
-7 -7 -7
1.0x10 1.5x10 2.0x10 2.5x10
-7

1/E (cm/V) 1/E (cm/V)

-17
-20
-18
Proba netratata Proba tratata la 490°C
-19 -22
-7 -6 -6 -6
0.0 5.0x10
-7
1.0x10
-6
1.5x10
-6 0.0 5.0x10 1.0x10 1.5x10 2.0x10
1/E (cm/V) 1/E (cm/V)

(a) (b)
Fig. 5.21 Reprezentarea Fowler-Nordheim a măsurătorilor I-V efectuate asupra capacitorilor MOS ce conţin
Y2O3 crescut epitaxial ca dielectric de poartă şi electrozi de Al pentru (a) proba netratată şi (b) proba tratată la
490°C. Ferestrele indică curenţii în următoarele domenii de tensiuni (după cuasi-breakdown): (a) -2.1 V ÷ -3.18
V şi (b) -2.06 V ÷ -5.26 V.

Tabelul 5.2 prezintă înălţimea barierelor de potenţial calculate din reprezentările F-N pentru
ambele polarităţi ale tensiunilor de poartă. Dreapta care aproximează datele experimentale din
reprezentarea F-N permite în realitate obţinerea produsului (mox / m0 )1/ 2 ⋅ φ B . Pentru a extrage
înălţimea barierei este necesar să se estimeze raportul mox/m0. Masa efectivă a electronilor în
SiO2 este cunoscută, dar pentru alţi oxizi cum ar fi Y2O3 ea nu a fost determinată precis.

95
Raportările despre masele efective ale oxizilor cuprind un domeniu larg de valori, de la 0.1m0
până la 15m0. Se stie că masa efectivă a electronului în banda de conducţie a unui oxid
depinde de gradul de îndepărtare a reţelei reale de structura perfectă cristalină, precum şi de
scala de timp a experimentului. Pentru procesele rapide, cum ar fi tunelarea, este posibil ca
reţeaua să nu aibă timp de răspuns suficient, pe când în cazul unui electron ce traversează
oxidul cu o energie cinetică suficient de scăzută acesta se mişcă ca un polaron, care este mai
greu. Pentru cazul studiat s-a presupus că masa efectivă a electronului are o valoare cuprinsă
în intervalul de la 0.1m0 la 0.6m0. Se poate observa că pentru mox=0.1m0, atunci când poarta
este polarizată pozitiv (potenţialul pozitiv este aplicat pe electrodul de poartă) bariera de
potenţial, care reprezintă „band offset”-ul benzilor de conducţie ale Si şi Y2O3, este de 2.37
eV. Această valoare este în acord cu estimarea teoretică a lui Robertson [184].
S-a observat că în cazul probei tratate bariera de potenţial scade.

Tabelul 5.2: Înalţimile barierelor de potenţial calculate din reprezentările Fowler-Nordheim

As-grown mox/m0=0.1 mox/m0=0.2 mox/m0=0.3 mox/m0=0.4 mox/m0=0.5 mox/m0=0.6
Y2O3 (-) (eV):
1.757 1.395 1.218 1.107 1.028 0.967
Al-Y2O3
Y2O3 (+) (eV):
2.37 1.878 1.641 1.491 1.385 1.303
Si-Y2O3

În continuare se vor face două observaţii suplimentare pe marginea datelor

experimentale prezentate în fig. 5.21:
i) Curentul indică o creştere în treaptă cu aproximativ patru ordine de mărime la
tensiunea de poartă aplicată de -2.08 V pentru proba netratată şi la -1.8 V pentru proba tratată.
Se cunoaşte că stratul de SiO2 de la interfaţa oxidului cu Si are o bandă interzisă foarte mare,
de 9 eV [133] şi este foarte subţire, astfel încât o mare parte din tensiunea de poartă este
aplicată pe acest strat interfacial de SiO2, iar câmpul electric ce se formează poate atinge
valori care conduc la străpungerea dielectrică. Tensiunea de străpungere a SiO2 pentru proba
netratată este mai mare decât cea pentru proba tratată, în concordanţă cu descreşterea grosimii
stratului interfacial după tratament. În concluzie tunelarea F-N care se produce numai după
străpungerea SiO2 se consideră că are loc numai prin stratul de oxid de itriu.
ii) În reprezentarea F-N (insert-ul fig. 5.21a) se observă o oscilaţie suprapusă
comportamentului liniar aşteptat. Această oscilaţie a fost atribuită interferenţei cuantice a
electronilor. După tunelarea barierei triunghiulare electronii ocupă stările permise din banda
de conducţie a oxidului, parcurg restul distanţei până la interfaţa opusă fără să fie împrăştiaţ i
şi în final sunt reflectaţi la interfaţa oxid-semiconductor datorită modificării abrupte a
potenţialului. Interferenţa funcţiilor de undă ale electronilor balistici incidenţi cu funcţiile de
undă ale celor reflectaţi depinde puternic de rugozitatea interfeţei. Se presupune că
tratamentul termic a indus o rugozitate crescută interfeţei şi a distrus coerenţa undelor
electronice reflectate, în acelaşi timp distrugând şi interferenta electronilor. Acest lucru se
observă în fig. 5.21b, unde oscilaţia a dispărut. Reprezentarea F-N a datelor experimentale din
domeniul de tensiuni în care se produce tunelarea F-N este depărtată de linia dreaptă
caracteristică acestui tip de tunelare.

5.1.4 Y2O3 - concluzii

Au fost investigate din punct de vedere electric structuri de tip MOS având Y2O3 ca dielectric
de poartă. Oxidul a fost crescut prin MBE în patru modalităţi diferite:

96
 (i) evaporarea Y2O3 prin bombardarea cu electroni a unei ţinte de Y2O3 aflată sub
formă de ceramică sinterizată urmată de depunerea pe un substrat de Si(001).
(ii) depunerea iniţială a unui strat de itriu de 0.5 nm urmată de creşterea Y2O3 în plasmă
de oxigen.
(iii) creşterea directă a Y2O3 pe substratul de Si în plasmă de oxigen.
(iv) evaporarea Y2O3 pe substrate de Si având planul suprafeţei înclinat (suprafaţă
neorientată) cu 4° sau 2° faţă de planul (001) al Si.
S-a arătat că la interfaţa Si-oxid apare un strat amorf (SiOx, SiO2 sau Y-Si-O). Acest
strat conduce la o creştere însemnată a EOT-ului şi din acest motiv s-au efectuat tratamente
termice în UHV pentru micşorarea grosimii sau chiar eliminarea lui. Caracterizarile
structurale au arătat că într-adevăr acest strat poate fi eliminat prin efectuarea unor tratamente
în UHV la temperaturi de peste 490°C.
Foarte probabila deficienţă de oxigen în stratul de oxid de itriu se poate afla la originea
valorilor relativ scăzute ale permitivităţilor. Acesta este un alt factor ce creşte grosimea
echivalentă a oxidului (EOT). Tratamentele termice în UHV micşorează această deficienţă
prin disocierea stratului interfacial amorf şi migrarea oxigenului ce intră în compoziţia
acestuia înspre volumul oxidului. Totuşi rezultatul final este departe de aşteptări,
permitivitatea relativă (deşi crescută) rămânând în continuare mică. Mai mult, dispariţia
stratului interfacial cu bune proprietăţi izolatoare determină creşterea curenţilor de poartă, ce
pot atinge valori care să distorsioneze caracteristicile electrice de bază ale dispozitivelor
MOS. Modificările structurale, cum ar fi existenţa unui domeniu dublu rotit la proba netratată
şi a unor faze de silicaţi de itriu în cazul structurilor tratate la peste 550°C pot conduce de
asemenea la creşteri importante ale curenţilor de poartă.
În scopul creşterii performanţelor electrice (scăderea EOT-ului) s-a căutat să se evite
din momentul creşterii filmului formarea stratului interfacial, sau cu alte cuvinte s-a încercat
obţinerea unui strat stoichiometric Y2O3. Metoda (ii) de depunere a urmărit realizarea acestui
lucru.
Prin metoda (iii) de creştere nu s-au înregistrat îmbunătăţiri ale proprietăţilor electrice,
care sunt similare cu cele ale structurilor crescute prin evaporare (metoda (i)). Se observă doar
o mărire a densităţii de sarcini fixe din oxid, probabil datorată inducerii de către plasmă a unor
defecte în apropierea interfeţei.
Metoda (iv) oferă o calitate foarte bună a stratului epitaxial, care este monocristalin
având şi o bună interfaţă, după cum indică analiza structurală. Din punct de vedere electric
însă aceste structuri se dovedesc de o calitate mult mai slabă comparativ cu cele de mai sus.
În concluzie, deşi prin alegerea unor condiţii de creştere potrivite şi a unor tratamente
ulterioare optime calităţile structurale şi electrice ale Y2O3 crescut pe Si pot fi îmbunătăţite,
prin investigaţiile realizate până în prezent se poate afirma că metodele de creştere folosite nu
permit integrarea în tehnologia CMOS a dielectricilor de poartă pe bază de oxid de itriu.

5.2 Titanatul de stronţiu SrTiO3

Titanatul de stronţiu SrTiO3 (STO) este unul dintre cei mai promiţători candidaţi pentru
înlocuirea SiO2 ca dielectric de poartă în tehnologia CMOS. Structura sa cristalografică este
de tip perovskit, celulă elementară simplu cubică, cu o constantă de reţea de 3.905 Å ce diferă

97
cu numai ≅1.7% faţă de constanta de reţea a siliciului (aSi=5.431 Å). Permitivitatea relativă
este de aproximativ 300 în volum la temperatura camerei.
S-a demonstrat că pe substrate de Si pot fi crescute filme subţiri de SrTiO3
monocristaline prin Molecular Beam Epitaxy (MBE). Pe aceste structuri se pot obţine
densităţi ale stărilor de interfaţă de aproximativ 6.4·1010 cm-2·eV-1 [101]. Titanatul de stronţiu
este primul oxid care a fost crescut epitaxial (MBE) cu succes pe Si urmând o procedură de
formare a interfeţei de cinci monostraturi atomice ce are la bază principiul minimizării
energetice la interfaţă după fiecare depunere a monostraturilor [60]. Rezultatul, fără a putea fi
reprodus însă, a constat în obţinerea unei grosimi echivalente a oxidului EOT<10 Å, împreună
cu o interfaţă STO-Si curată. Această realizare a impulsionat investigarea creşterilor
epitaxiale pe Si nu numai a titanatului de stronţiu, ci şi a altor oxizi pentru care există
potrivire a reţelelor lor cristaline cu cea a Si şi care prezintă de asemenea stabilitate
termodinamică la interfaţă.
În ceea ce priveşte însă titanatul de stronţiu, marele său dezavantaj constă în existenţa
unui puternic curent de poartă prin structurile de tip MOS pe bază de STO. Calculele de benzi
energetice ale structurilor de titanat de stronţiu depuse pe substrate de Si şi cu electrozi
metalici sugerează prezenţa unei emisii Schottky puternice peste barierele de potenţial [184].
Metodele de fotoemisie indică valori ale „offset”-urilor benzilor de conducţie şi de
valenţă la interfaţa Si/STO de 0.1±0.1 eV şi -2.12±0.08 eV respectiv, pentru Si de tip n [66].
Valoarea calculată a înălţimii barierei de potenţial pentru electronii din Al la interfaţa Al/STO
este 0.53 eV [185], iar determinările experimentale sunt mai mici: ~0.4 eV [186].

5.2.1 Permitivitatea relativă şi proprietăţile dielectrice

Iniţial s-au investigat proprietăţile dielectrice prin măsurători de capacitate-conductanţă în

funcţie de tensiunea de poartă. Permitivitatea relativă extrasă este de aproximativ 9.43, iar
valoarea EOT de 4.55 nm pentru un strat de oxid de 11 nm depus pe un substrat de Si de tip n
(fig. 5.22). Tensiunea de benzi netede dedusă este de -0.41 V, iar dacă se ia în considerare
diferenţa lucrurilor de extracţie ale Al şi Si folosit se obţine o densitate de sarcini efective
pozitive fixe în film de aproximativ 1.3×109 cm-2, ceea ce reprezintă o valoare mică în
comparaţie cu ceea ce s-a obţinut în cazul altor oxizi.
Întrucât problema principală a titanatului de stronţiu este existenţa unor „band-offset”-
uri scăzute la interfeţele cu electrozii de poartă şi Si, în cazul acestui material s-a pus accentul
pe determinarea barierelor energetice de la cele două interfeţe. În acest scop s-au investigat
mecanismele de conducţie electrică prin structuri de tip Al/SrTiO3/Si [168]. Detalii asupra
preparării probelor, aranjamentelor experimentale şi măsurătorilor efectuate se pot găsi în
capitolul 4.
Pentru început se vor prezenta pe scurt principalele modele teoretice ale barierelor
energetice de la interfeţele metal-semiconductor.

98
 -4
8.0x10
0.8 C-down -4
C-up 7.0x10

Conductanta (S/cm2)
-4

Capacitate (µF/cm )
G-down 6.0x10

2
0.6 G-up -4
5.0x10
-4
4.0x10
0.4
-4
3.0x10
-4
0.2 2.0x10
-4
1.0x10
0.0 0.0
-4
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
-1.0x10
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.22 Caracteristicile C-V şi G-V măsurate la frecvenţa de 1 kHz în cazul unei structuri Al(35 nm)/STO(11
nm)/Si de tip n cu o rezistivitate de 0.15-0.5 Ωcm.

5.2.2 Dependenţa de temperatură a barierei de potenţial la interfaţa metal-

semiconductor

În cadrul teoriei clasice a contactului metal-semiconductor s-a presupus că înălţimea

barierelor de potenţial φ n este determinată de doi factori:
1. Bariera Schottky (SBH): diferenţa dintre lucrul de extracţie al metalului Φm ş i
afinitatea electronică (EA) a semiconductorului χs;
2. Stările de interfaţă [187-189]. Aceste stări, situate în banda interzisă a
semiconductorului, sunt ocupate parţial de sarcini transferate din metal care crează un
dipol ce reduce SBH a electronului la:
φ n = S (Φ m − Φ S ) + (Φ S − χ S ) (5.7)
unde Φs este nivelul de neutralitate a sarcinii (CNL-„charge neutrality level”) care este definit
astfel: dacă toate nivelele energetice situate sub Φs sunt ocupate cu electroni, iar toate nivelele
de deasupra lui Φs sunt neocupate de electroni atunci suprafaţa este neutră din punct de vedere
electric. Dacă există nivele neocupate de electroni sub Φs, atunci suprafaţa este pozitiv
încărcată. Similar, dacă deasupra lui Φs există stări de interfaţă ocupate de electroni, atunci
interfaţa este încărcată negativ. S este parametrul de pantă („slope parameter”) care în
aproximaţia liniară are expresia:
1
S= (5.8)
q 2 Nδ
1+
ε ox
unde q este sarcina elementară, εox este permitivitatea statică a oxidului, N este densitatea
stărilor de interfaţă pe unitatea de arie şi δ reprezintă extinderea spaţială a lor în
semiconductor.
Dacă se presupune că parametrul de pantă depinde de temperatură, că mărimea calculată
φ 0 = E g + χ S − Φ S este independentă de temperatură [65, 187] şi dacă se neglijează forţa
imagine, se poate scrie:
∂φ n ∂S ∂ ∂E
= ⋅ (Φ m − Φ S ) + S ⋅ (Φ m − χ S ) + (1 − S ) ⋅ g . (5.9)
∂T ∂T ∂T ∂T

99
Considerând de asemenea că dependenţele de temperatură ale mărimii (Φm-χs) şi a benzii
interzise a semiconductorului sunt aproximativ egale, rezultă [168]:
∂S  ∂φ n  ∂E g  1
=   − ⋅ (5.10)
∂T  ∂T  exp ∂T  Φ m − Φ S
În ecuaţia (5.10) primul termen din paranteza membrului drept este variaţia determinată
experimental a înălţimii barierei cu temperatura, Φm(Al)=4.28eV [156], ΦS=2.6 eV [65], iar
dependenţa de temperatură a mărimii benzii interzise a STO este [186]:
E g (T ) = 3.3eV − (6 ⋅ 10 −4 eVK ) ⋅ T . (5.11)
Se observă din ecuaţia (5.11) că prima derivată a expresiei benzii interzise în funcţie de
temperatură este o constantă. Ecuaţia (5.11) poate fi folosită pentru a calcula dependenţa
parametrului pantei de temperatură folosind determinările experimentale ale înălţimii barierei
de potenţial de la diferite temperaturi şi valoarea raportată a lui S de la temperatura camerei:
S=0.28 [65]. Empiric, Monch a găsit că S poate fi scris astfel [188, 189]:
1
S= (5.12)
1 + 0.1 ⋅ (ε ∞ − 1) 2
unde ε∞ este permitivitatea relativă de înaltă frecvenţă (electronică) a oxidului. S-a sugerat că
dependenţa lui S de ε∞ se produce din cauza dependenţei lui Nδ din (5.8) de (ε∞-1)1.9 [190].
Cu ajutorul ecuaţiilor (5.10) şi (5.12) se poate stabili dependenţa de temperatură a
permitivităţii relative de înaltă frecvenţă a oxidului.

5.2.3 Dependenţa de temperatură a transportului electric prin straturi

subţiri de STO depuse pe Si. Rezultate şi discuţii

În cazul electronilor ce se deplasează din metal înspre oxid şi pentru temperaturi mai mari de
100 K datele experimentale sunt într-un acord foarte bun cu teoria emisiei Schottky
modificată pentru luarea în considerare a mecanismelor de transport ce concurează emisia
Schottky în polarizare inversă (secţiunea 3.1.3, ec. (3.20) pentru tensiuni inverse qV>kT)
[141-144]:
 qV   qV 
J exp  = J 0 exp  (5.13)
 kT   nkT 
unde
 qφ 
J 0 = A * T 2 exp − n  (5.14)
 kT 
este densitatea curentului de saturaţie, n este factorul de idealitate definit în secţiunea 3.1.3, V
este tensiunea de poartă aplicată, A* este constanta lui Richardson a cărei valoare pentru STO
a fost considerată 48.7·10-6 A/(cm2K2) [186], k este constanta lui Boltzmann, T este
temperatura absolută şi q este sarcina electronului.
În fig. 5.23 se observă o dependenţă pronunţată de temperatură a curenţilor de pe
ramura negativă a tensiunii de poartă.
Pentru a obţine factorii de idealitate n şi înălţimile barierelor de potenţial pentru
electronii din metal de la interfaţa Al/STO la diferite temperaturi se foloseşte reprezentarea
Schottky modificată dată de expresia (3.21) în care se neglijează unitatea când condiţia
qV>kT este îndeplinită (fig. 5.24). Bariera de potenţial creşte cuasi-liniar cu temperatura de la
valoarea de 0.26 eV (T=130 K) la 0.53 eV (T=290 K). Valorile celor doi parametri de interes
sunt prezentate în tabelul 5.3 şi fig. 5.25-5.26.

100
 2
40 K
0 75 K
100 K
-2 130 K
160 K

log(J) (A/cm )
200 K

2
-4 230 K
260 K
-6

-8

-10

-12

-14
-6 -4 -2 0 2 4 6
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.23 Caracteristicile experimentale I-V măsurate la diverse temperaturi din domeniul 40 K – 260 K.

-50
)

290 K
qV/KT

-100
log(J*e

260 K
-150
200 K
-200 160 K
130 K
-250

-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.24 Caracteristici I-V cu temperatura prezentate în reprezentarea Schottky modificată (3.21) în care se
neglijează unitatea pentru qV>kT. Din panta curbei se extrage factorul de idealitate n, iar din valoarea densităţii
de curent la V=0 se determină bariera de potenţial pentru electronii din Al la interfaţa cu titanatul de stronţiu.

Tabelul 5.3. Factorii de idealitate n şi înălţimile barierei de potenţial de la interfaţa Al/STO la diferite
temperaturi.
T=130 K T=160 K T=200 K T=260 K T=290 K
n 1.00952 1.01286 1.01989 1.0324 1.0318
φ n (eV) 0.26 0.315 0.392 0.472 0.527
Din fitul liniar al înălţimilor barierelor determinate experimental în funcţie de
temperatură se obţine mărimea (∂φ n / ∂T ) exp = 1.63 ⋅10 −3 eV/K. Folosind ecuaţia (5.10) rezultă:
S (T ) = 1.3274 ⋅10 −3 ⋅ T − 0.11822 , (5.15)
luând S(300 K)=0.28 [65]. Din ecuaţia (5.12) se determină dependenţa de temperatură a
permitivităţii relative de înaltă frecvenţă (fig. 5.26).
Permitivitatea relativă de înaltă frecvenţă a titanatului de stronţiu ar trebui să nu varieze
atât de puternic cu temperatura, aşa cum variază permitivitatea statică. Aceste valori de înaltă
frecvenţă s-au extras presupunând că teoria contactelor metal-semiconductor se aplică ş i
acestui sistem, iar înălţimea barierei de potenţial extrasă din reprezentarea Schottky
modificată este reală.

101
 1.50

Inaltimea barierei Al-STO (eV)

Inaltimea barierei de potential Al-STO (eV)
Fitul liniar al barierei
0.5

Factorul de idealitate n
Fact orul de ide alitate n
Axa ideala n=1 1.25

0.4
1.00

0.3 0.75

0.50
120 160 200 240 280
Temperatura (K)

Fig. 5.25 Înălţimea barierei de potenţial (pătrate) şi factorul de idealitate funcţie de temperatură: linia întreruptă
are valoarea unităţii pe scala factorului de idealitate, iar dreapta punct şi linie este aproximaţia liniară a
dependenţei de temperatură a barierei de potenţial.

40
0.3
Permitivitatea relativa I.F.

Parametrul de panta S(T)

30
0.2
20
0.1
10

0.0
0
100 150 200 250 300
Temperatura (K)

Fig. 5.26 Parametrul de pantă (linia întreruptă) şi permitivitatea relativă de înaltă frecvenţă (linia continuă) în
funcţie de temperatură, determinate cu ajutorul ecuaţiilor (5.10) şi (5.12).

Teoria dezvoltată de Cowley şi Sze [187] pentru contactele metal-semiconductor poate să nu

fie valabilă pentru cazul în care oxizii sunt trataţi ca semiconductori de bandă interzisă mare.
Pentru a clarifica această problemă este necesară realizarea unor experimente independente de
determinare a dependenţei permitivităţii electronice de temperatură. Aceasta va trebui
comparată cu rezultatele prezentate mai sus, bazate pe modelul Cowley-Sze al contactului
metal-semiconductor.
Valorile curentului în funcţie de tensiune sunt constante şi afectate de zgomot pentru
T<100 K şi V<0. Tunelarea F-N nu este prezentă la aceste temperaturi, ceea ce constituie o
indicaţie a existenţei unei bariere de potential groase.
În cazul electronilor injectaţi din banda de conducţie a siliciului, curba experimentală de
la 40 K (fig. 5.27) indică prezenţa unei tunelări Fowler-Nordheim într-un domeniu restrâns de
tensiuni de poartă. Înălţimea barierei de potenţial de la interfaţa Si/STO extrasă din fitul liniar
din domeniul câmpurilor medii este de 0.072 eV.
S-a presupus că masa efectivă a electronilor în STO este meff=10m0 [191], unde m0 este
masa electronului liber. Este posibil ca la câmpuri mari să se deschidă noi canale de conducţie
electrică, cum ar fi tunelarea inelastică pe stări localizate din oxid, care conduc la o creştere

102
mai puternică a curentului cu tensiunea de poartă. La această temperatură contribuţia emisiei
Schottky este putin semnificativă, cu exceptia cazurilor în care câmpurile din oxid sunt foarte
puternice.

-16

-18

log(J/E ) (A/V )
2
2
-20

-22

-24
2 3 4 5 6 7 8 9 10
7
1/E (cm/V x 10 )

Fig. 5.27 Curba experimentală de la 40 K pentru tensiuni de poartă pozitive într-o reprezentare Fowler-
Nordheim; linia întreruptă este fitul liniar al curbei obţinute la câmpuri electrice medii.

5.2.4 Concluzii SrTiO3

Permitivitatea titanatului de stronţiu, extrasă din măsurătorile de capacitate, este de

aproximativ 9.4.
În cazul acestui material investigaţiile s-au axat pe determinarea barierelor energetice de
la cele două interfeţe deoarece principalul dezavantaj al materialului îl constituie existenţa
unor „band-offset”-uri mici ale benzilor energetice cu cele ale Si şi electrozilor metalici de
poartă. În acest scop s-au investigat mecanismele de conducţie electrică prin structuri de tip
Al/SrTiO3/Si [168].
Mecanismele de conducţie electrică prin structurile Al/SrTiO3/Si de tip n au fost
studiate prin realizarea de măsurători I-V pe un domeniu de temperaturi cuprins între 40 K ş i
290 K.
S-a observat că pentru polarizări negative ale electrodului de poartă mecanismul de
conducţie pentru temperaturi mai mari de 100 K este emisia Schottky. Înălţimea barierei de
potenţial de la interfaţa Al/STO a fost determinată în funcţie de temperatură. Această
dependenţă este cuasi-liniară, având ca valoare minimă determinată 0.26 eV la 40 K, iar cea
maximă 0.53 eV la 290 K.
Pe de altă parte, s-a realizat o extindere a modelului clasic Cowley şi Sze al contactului
metal-semiconductor prin includerea dependenţei de temperatură a parametrului de pantă
definit în cadrul modelului clasic. Acest rezultat a fost aplicat valorilor barierelor determinate
experimental. Dependenţa de temperatură obţinută pe această cale a permitivităţii electronice
relative a titanatului de stronţiu este în concordanţă cu dependenţele permitivităţilor
titanatului de stronţiu raportate în literatură. Totuşi, valorile permitivităţii electronice a STO
arată o dependenţă de temperatură mai puternică decât era de aşteptat. Aceasta pune în
discuţie valabilitatea aplicării teoriei clasice a contactului metal-semiconductor la sistemele
metal-oxid tratat ca semiconductor de bandă interzisă mare.
În cazul polarizării pozitive a electrodului de poartă, a fost detectat un posibil mecanism
de tunelare Fowler-Nordheim la 40 K şi câmpuri electrice medii, cu o înălţime extrasă a

103
barierei de potenţial la interfaţa STO/Si de 0.07 eV. Emisia Schottky si tunelarea inelastică pe
defectele din oxid sunt posibile mecanisme de conducţie competitoare la câmpuri mari ş i
temperaturi înalte. Aceste valori experimentale ale înălţimilor barierelor de potenţial sunt în
bună concordanţă cu acelea prezise de Robertson et al. [65, 184, 185].
Din studiul straturilor subţiri de STO crescute pe Si reiese că principalul dezavantaj al
acestui oxid este datorat barierelor scăzute de potenţial ce există la interfeţele cu electrodul de
poartă şi Si. De aceea STO este privit ca un material model prin care se pot studia modalităţile
optime de creştere epitaxială a oxizilor pe substrate de siliciu.
Posibilitatea realizării cu succes a unor straturi dipolare la care să determine o creştere a
„band offset”-urilor la interfaţa cu Si şi electrodul de poartă (aşa-numitul „band engineering”
cu aplicaţii mult mai extinse) poate conduce la rezultate practice foarte valoroase.

5.3 Aluminatul de lantan LaAlO3

Pentru aluminatul de lantan LaAlO3 (LAO) au fost raportate valori ale permitivităţii relative
situate în intervalul 20-26 [192-195]. Acest material are o banda interzisă de aproximativ 5
eV şi este stabil din punct de vedere termodinamic în contact cu Si până la o temperatură de
aproximativ 2100°C. La 500°C însă are loc o tranziţie din faza cubică în faza trigonală, ceea
ce reprezintă un dezavantaj pentru că împiedică păstrarea unei bune calităţi structurale a
filmelor de LAO [196].
În afară de posibila utilizare ca dielectric de poartă în tehnologia CMOS, o altă aplicaţie
importantă constă în folosirea LAO ca strat tampon între un film subţire feroelectric ş i
substratul de Si pentru heterostructurile MFIS (Metal-Feroelectric-Izolator-Semiconductor)
[194]. Pentru aceasta sunt necesare studii suplimentare ale proprietăţilor filmelor de LAO
crescute pe Si.
În continuare se vor prezenta principalele rezultate ale investigaţiilor electrice efectuate
asupra filmelor subţiri de LAO depuse pe Si.

5.3.1 Permitivitatea relativă şi proprietăţile dielectrice

Permitivitatea relativă a LAO dedusă din caracteristica C-V (fig. 5.28) indică o valoare destul
de mare, 28.4. Aceasta a fost extrasă prin includerea corecţiei rezistenţei serie, neglijându-se
totodată corecţiile cuantice ale capacităţii. Structura a avut o grosime a stratului dielectric de
aproximativ 5.5 nm, din care 4 nm aluminat de lantan şi 1.5 nm SiO2. Aria probei investigate
a fost de 256×10-6 cm2, iar măsurătoarea s-a facut prin baleierea tensiunii de poartă din
acumulare înspre inversie. Măsurătoarea efectuată prin baleierea inversă a tensiunii arată
existenţa unui histerezis mic (aprox. 0.1 V) având sensul orar. Valoarea destul de mare a
permitivităţii, ce depăşeşte raportările din literatură, poate fi datorată influienţei curenţilor
mari de poartă existenţi la tensiuni negative. Se poate într-adevăr observa în curba C-V
prezenţa unui umăr la aproximativ -0.5 V. La tensiuni negative mai mari creşterea capacităţ ii
poate fi atribuită parţial curenţilor puternici de poartă.

104
5.3.2 Densitatea de trape la interfaţă Dit

În vederea determinării densităţilor de trape Dit de la interfaţa Si/SiO2 şi a constantelor de

timp ale acestora s-a folosit metoda conductanţei descrisă la sfârsitul capitolului 3. Structurile
având o grosime a aluminatului de lantan de 4 şi respectiv 11 nm au fost caracterizate din
punctul de vedere al spectrului în frecvenţă al pierderilor electrice (fig. 5.29). După ce în
prealabil din caracteristicile C-V s-au determinat valorile în acumulare ale capacitaţii
structurii şi tensiunea de benzi netede, conductanţa în funcţie de frecvenţă a fost măsurată
pentru diferite tensiuni de poartă corespunzătoare regimului de depleţie de la suprafata Si.

-2
2.5x10
Capacitatea corectata
Capacitatea masurata -2
1.5 2.0x10

Conductanta (S/cm2)
Capacitate (µF/cm )
2

Conductanta corectata
Conductanta masurata 1.5x10
-2

1.0
-2
1.0x10
0.5
5.0x10-3

0.0 0.0

-2 -1 0 1 2
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.28 Caracteristicile C-V şi G-V ale structurii Mo/LAO(4nm)/SiO2(1.5)/Si măsurată la o tensiune de 10
kHz. Valorile capacităţii şi conductanţei au fost corectate prin includerea efectului resistenţei serie.

Constantele de timp ale trapelor de interfaţă şi densităţile de trape de interfaţă calculate

prin considerarea „peak”-ului GP/ω şi a valorii GP/ω la frecvenţele 5×fp şi respectiv fp/5 (cf.
metodei descrise în cap. 3) sunt prezentate în tabelele 5.4 şi 5.5, pentru structurile având
grosimi ale filmului de LAO de 11 nm şi 4 nm, respectiv. Aici fp reprezintă frecvenţa peak-
ului GP/ω.
Exprimarea distribuţiei Dit în banda interzisă a Si nu a fost posibilă întrucât curenţii de
poartă de valoare mare nu au permis realizarea unor măsurători cuasi-statice (metoda Q-V)
prin care să se determine dependenţa potenţialului de la suprafaţa Si de tensiunea de poartă
ψS(VG).
Valorile apropiate ale densităţii de trape determinate prin considerarea pierderilor
electrice la 5fp şi fp/5 (Dit5fp şi Ditfp/5, respectiv) arată că într-adevăr originea acestor pierderi
electrice constă în schimbul de purtători de sarcină dintre trapele de interfaţă şi banda
purtătorilor majoritari din Si (aici banda de valenţă), conform prezicerilor teoretice ale
modelului distribuţiei continue de trape la interfaţă care include şi fluctuaţia potenţialului de
la suprafaţa Si [162].
Minimul Dit măsurat în regiunea de depleţie (între mijlocul benzii interzise şi nivelul
Fermi din volumul Si) este de 6.3×1011 eV-1cm-2 pentru structura cu filmul LAO de grosime
11 nm şi 4.74×1012 eV-1cm-2 în cazul structurii cu filmul LAO de grosime 4 nm. Diferenţa
este de aproape un ordin de mărime şi este opusă tendinţei observate în cazul structurilor cu
La2Hf2O7 (LHO). O discuţie amănunţită despre influienţa proceselor de creştere şi tratare a
structurilor asupra calităţii interfeţei se va face atunci când se vor analiza rezultatele obţinute
pe structurile LHO.

105
 12.0
VG = 0.1 V
10.0 VG = 0.15 V
VG = 0.2 V
VG = 0.25 V
8.0 VG = 0.3 V

Gp/ ω (pF)
6.0

4.0

2.0

0.0
2 3 4 5 6 7
10 10 10 10 10 10
Frecventa (Hz)

Fig. 5.29 Partea reală (normată la frecvenţa unghiulară) a admitanţei corespunzătoare trapelor de interfaţă pentru
structura având o grosime a LAO de 11 nm.

Tabelul 5.4. Constantele de timp τP şi densităţile de trape de interfaţă Dit obţinute prin utilizarea metodei
conductanţei pentru structura cu o grosime a filmului de LAO de 11 nm pentru diferite tensiuni de poartă VG.
Aria structurii măsurate a fost de 256×10-6 cm2.
VG(V) 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3
Ditfp/5
7.63 7.53 - -
(×1011 eV-1cm-2)
Dit5fp
6.3 7.53 8.96 6.91 7.19
(×1011 eV-1cm-2)
τp(µs) 45.6(5fp) 452 497 505 938

Tabelul 5.5 Constantele de timp τP şi densităţile de trape de interfaţă Dit obţinute prin utilizarea metodei
conductanţei pentru structura cu o grosime a filmului de LAO de 4 nm pentru diferite tensiuni de poartă VG. Aria
structurii măsurate a fost de 400×10-6 cm2.
VG(V) -0.5 -0.4 -0.3 -0.3
Ditfp/5
19.8 12.7 - -
(×10 eV-1cm-2)
12

Dit5fp
- 19.4 6.42 4.74
(×1012 eV-1cm-2)
τp(µs) 25.46 35.25 64.4 130.2
(fp/5)

5.3.3 Particularităţi ale transportului electric prin filmele de LAO

Dependenţele de temperatură ale curenţilor de poartă pentru structurile cu filme LAO de

grosimi 4 nm şi 11 nm sunt prezentate în fig. 5.30 şi 5.31, respectiv. Transportul electric prin
structură în cazul injecţiei de poartă (tensiuni negative) este dominat de componenta
curentului de defecte din filmele dielectrice. Dependenţele de temperatură şi tensiune (la
tensiuni mici de poartă) sunt greu de cuantificat, comportamentul structurii evidenţiind un
grad înalt de complexitate al mecanismelor de conducţie. Este posibilă existenţa tunelării
asistată de trape, ca şi a fenomenelor de emisie Poole-Frenkel pentru defecte multiple [197,
198]. La tensiuni de poartă negative mari diferenţa între caracteristicile experimentale

106
înregistrate la diferite temperaturi scade, în special în cazul structurii cu o grosime a filmului
LAO de 11 nm, astfel încât se poate presupune că în acest domeniu de tensiuni transportul
electric este dominat de componenta de tunelare. Depărtată de grupul caracteristicilor I-V de
la tensiuni negative care prezintă o tendinţă de creştere cu temperatura oarecum constantă,
curba curenţilor de la T=26 K (fig. 5.30) indică valori cu aproximativ 3 ordine de mărime mai
mici decât curenţii măsuraţi la 60 K. O posibilă explicaţie a acestei discrepanţe ar fi o
modificare de structură în filmul de LAO la temperaturi mai mici de 50 K. O tranziţie de fază
ar schimba atât permitivitatea electronică, cât şi valorile band-offset-ului benzii de conducţie a
LAO cu banda de conducţie a electrodului de poartă.
Densitate de curent - log (J) (A/cm )
2

0
26 K 180 K
-2 60 K 210 K
90 K 240 K
-4 120 K 270 K
150 K 300 K
-6

-8

-10

-12

-14
-4 -2 0 2 4 6
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.30 Densităţile curenţilor de poartă prin structura cu o grosime a filmului LAO de 4 nm. Curenţii au fost
măsuraţi în funcţie de tensiunea de poartă la diferite temperaturi din domeniul 26 K – 300 K.

Făcând o comparaţie între caracteristicile experimentale de la temperatura camerei

măsurate pe cele două structuri se observă practic că nu există diferenţe de valori, atât pe
ramura tensiunilor de poartă pozitive, cât şi pe cea negativă. Având în vedere că o structură
suplimentară, cu o grosime a oxidului de 14 nm a fost de asemenea măsurată, iar curenţii
înregistraţi au avut valori cu mult prea mari pentru a se putea realiza o corelaţie între
parametrii nominali ai structurii şi rezultatele experimentale, se poate deduce că straturile
LAO prezintă o rugozitate mare care se accentuează cu creşterea grosimii. Apariţia unor „pin-
hole”-uri este astfel destul de probabilă, iar transportul electric prin strat devine filamentar ş i
slab dependent de grosimea oxidului.
În continuare vor fi prezentate rezultatele investigaţiilor mai detaliate realizate asupra
structurii de tip MOS cu stratul LAO de grosime 11 nm.
Pentru temperaturi mai mari de 240 K şi în cazul tensiunilor de poartă pozitive se
observă o saturare a curentului la aproximativ +0.5 V, în timp ce în cazul temperaturilor mai
mici curentul este la nivelul zgomotului pe întregul domeniu de tensiuni pozitive. Acest tip de
comportament nu este tipic pentru structurile MOS în care curentul este controlat de stratul
dielectric. Pentru structura studiată LAO/SiO2 ar fi fost de aşteptat prezenţa unei asimetrii
opuse în curent ale ramurilor pozitive şi negative ale tensiunilor de poartă [199]. Electronii
injectaţi din electrodul de poartă tunelează prin filmul de LAO (iniţial are loc tunelare directă,
iar cu creşterea ulterioară a tensiunii tunelarea devine de tip Fowler-Nordheim), după care
tunelează direct prin stratul interfacial de SiO2 (fig. 5.32a). Astfel, curentul total este
determinat de produsul a două probabilităţi de tunelare.

107
 2

Densitate de curent - log (J) (A/cm )

2
0
-2

-4
T =49.9 K
-6 T =80 K
T =120 K
-8 T =150 K
T =180 K
-10
T =240 K
T =270 K
-12
T =293 K
-14
-4 -2 0 2 4 6
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.31 Densităţile de curenţi de poartă prin structura cu o grosime a filmului LAO de 11 nm. Curenţii au fost
măsuraţi în funcţie de tensiunea de poartă la diferite temperaturi din domeniul 49.9 K – 293 K.

JFN JDIRECT JDIRECT

EFM E

qVG EC E
qVG EV
EFS EFM
EV

Electrod de LAO Si tip p

poartă Electrod de Si tip p
poartă LAO
SiO2
SiO2
Fig. 5.32 Diagramele energetice ce descriu calitativ injectiile electronilor din electrodul de poartă (a) şi din
substrat (b) într-o structură de LAO/SiO2/Si tip p.

În cazul injecţiei electronilor din substratul de Si (fig. 5.32b) se produce o înclinare

puternică a benzilor SiO2, mai mare decât înclinarea ce se produce în stratul de LHO cu un
factor egal cu raportul permitivităţilor LAO şi SiO2. Aceeaşi înclinare se produce şi în cazul
injecţiei din metal a electronilor, dar efectul este complet diferit. Electronii din substrat au în
faţă o barieră de SiO2 pe care o pot tunela relativ uşor, având în vedere grosimea stratului
interfacial. După tunelare electronii pătrund în banda de conducţie a LAO şi sunt purtaţi de
câmp până la intrarea în metal. Curentul total este aici limitat numai de probabilitatea de
tunelare prin SiO2, dacă se consideră că există un număr suficient de electroni la suprafaţa Si.
De aceea curentul de injecţie din substrat (ramura pozitivă a tensiunii de poartă) ar
trebui să fie mult mai mare decât cel de injecţie din metal (ramura negativă a tensiunii de
poartă).
Explicaţia care se propune pentru comportamentul observat în fig. 5.31 se bazează pe
efectele de neechilibru care apar în dispozitivele de tip MOS în anumite condiţii
experimentale: substratul de Si relativ slab dopat, grosime mică a oxidului, temperaturi mici ş i
măsurători efectuate în absenţa luminii.

108
 Presupunerile implicite care se fac în ceea ce priveşte structura investigată constau în:
(1) existenţa unui curent de injecţie electronică din substrat care nu este limitat de cele două
straturi de oxid, ci dimpotrivă este limitat de însăşi sursa lui, şi anume generarea purtătorilor
minoritari care are loc în semiconductor şi (2) curentul de goluri este neglijabil. Ultima
supoziţie se bazează pe observaţia generală care a fost amintită în lucrare, şi anume existenţa
unui „band-offset” între benzile de valenţă ale Si şi oxidului cu mult mai mare decât „band-
offset”-ul corespunzător benzilor de conducţie. De asemenea, diferenţa între minimul benzii
de conducţie al oxidului şi nivelul Fermi în metal este în mod constant mai mare decât
diferenţa între nivelul Fermi al electrodului metalic şi maximul benzii de valenţă [5].
Teoria fenomenelor de neechilibru în structurile MOS a fost prezentată pentru prima
dată de Clarke şi Shewchun [200]. Pentru un substrat de Si de tip p şi în absenţa unui curent
de goluri semnificativ, electronii ca purtători minoritari constituie curentul principal prin
structură. Astfel, curentul de saturare înregistrat în ramura tensiunilor pozitive ale
caracteristicilor I-V din fig. 5.31 este un curent de electroni. Concentraţia electronilor în
banda de conducţie a Si în apropierea interfeţei este o concentraţie de neechilibru, mai mică
decât valoarea de echilibru n0 = ni2/NA, ceea ce creează o regiune de neechilibru pentru
purtătorii minoritari care se extinde în volumul Si pe o distanţă We. În această regiune nivelul
Fermi pentru goluri φh, identic în primă aproximaţie cu nivelul Fermi de echilibru din
volumul Si, EFS, este diferit de nivelul cuasi-Fermi de electroni φe (imref) (fig. 5.33). Acesta
din urmă are o valoare mai mică, egală şi determinată de nivelul Fermi din electrodul metalic,
de care este fixat [201]. Pe de altă parte, pe măsură ce tensiunea de poartă creşte, zona de
depleţie a purtătorilor majoritari preia surplusul de tensiune şi în acest mod adâncimea zonei
de depleţie adâncă Wd se măreşte înspre interiorul Si. Trebuie menţionat deci că lărgimea
zonei de neechilibru We este diferită de adâncimea zonei de depleţie Wd şi este independentă
de tensiunea de poartă aplicată (depinde numai de timpul efectiv de viaţă al electronului).
Nivelul imref este fixat de nivelul Fermi din metal, ceea ce înseamnă că EFS-φe=VG.
Curentul de electroni de saturare este o sumă a curenţilor de generare din regiunile de
neechilibru şi a celui de difuzie din zona neutră din Si [133]:
Dn ni qn W
JS = q + i (5.16)
τn NA τe
unde q este sarcina elementară, Dn=(kT/q)µ n este coeficientul de difuzie pentru electroni, µ n
este mobilitatea electronilor în Si, T este temperatura absolută, τn=(n0-n)/U şi τe=ni/U sunt
timpul de viată al electronului şi timpul efectiv de viaţă al electronului, respectiv; n0 and n
sunt concentraţiile de electroni la echilibru şi neechilibru, respectiv; U este rata de generare
netă, NA este concentraţia de dopanţi acceptori din Si, W este adâncimea din Si măsurată de la
suprafaţă ce defineşte regiunea din care electronii generaţi sunt colectaţi, iar ni este
concentraţia intrinsecă în Si.
În apropierea temperaturii camerei curentul de generare domină, în timp ce curentul de
difuzie poate fi neglijat [133]. Considerând că timpul de viaţă efectiv al electronilor este slab
dependent de temperatură, atunci curentul de saturare depinde de temperatură prin intermediul
concentraţiei intrinseci din Si:
Dn ni kT 1 1  E 
JS ≅ q = J S = q µn N C NV exp − g 
τ n NA q τn NA  2kT 
(5.17)
qµ n k 1  Eg 
= 6.85 ⋅10 ⋅ T exp −
15 2

τn NA  2kT 

109
 ϕh
EC

JDIRECT EFS
EV
qVG
ϕe
EFM We

LAO Wd
Electrod de
poartă

Si tip p
SiO2

Fig. 5.33 Diagrama de benzi energetice propusă pentru a explica comportarea electrică a capacitorului MOS pe
bază de aluminat de lantan în condiţiile injecţiei din substrat.

Dacă se reprezintă curentul de saturare în funcţie de inversul temperaturii într-o scară

semilogaritmică (fig. 5.34) pentru temperaturi de peste 240 K se observă o dependenţă liniară.
Dacă panta extrasă se egalează cu Eg/2k (conform ec. 5.17) şi dacă se neglijează dependenţa
pătratică de temperatură se obţine Eg=1.11 eV, care este valoarea exactă a benzii interzise a Si
la temperatura camerei. Acest rezultat este o confirmare a supoziţiilor referitoare la condiţiile
de neechilibru prezente în Si în timpul injecţiei electronilor din substrat.
Ulterior s-au efectuat şi măsurători de capacitate pe aceeaşi structură (fig. 5.35).
Valoarea în acumulare este mult mai mică faţă de cele măsurate pe alte structuri. O posibilă
explicaţie a acestei diferenţe este prezenţa unor produşi de reacţie (reacţie ce poate avea loc
între oxid şi siliciu) în anumite zone de la interfaţă de permitivitate foarte scăzută. Această
problemă însă a rămas nesoluţionată.
Pe de altă parte, pentru tensiuni de poartă pozitive se constată intrarea siliciului într-un
regim de depleţie adâncă, ceea ce se poate dovedi prin prezenţa unei caracteristici liniare a
curbei experimentale în reprezentarea 1/C2 vs. VG (fig. 5.35b). În mod normal depleţia adâncă
are loc în condiţiile existenţei unui substrat de Si pur, cu extrem de puţine defecte care să
inducă trape adânci în banda interzisă a Si. Aceste trape adânci acţionează ca centri de
recombinare şi determină, în cazul unei deficienţe de concentraţie a golurilor în banda de
valenţă, revenirea într-un timp scurt la concentraţia de echilibru prin generarea rapidă de
purtători (perechi electroni-gol). A doua condiţie este existenţa unei viteze de baleiere rapide
înspre depleţie, lucru ce se realizează în special în cazul măsurătorilor down – baleiere dinspre
inversie înspre acumulare. În acest caz tensiunea pozitivă se aplică ca un semnal puls, după
care are loc măsurătoarea. Măsurătorile up (dinspre acumulare înspre inversie) se pot face
însă cu o creştere progresivă, lentă a tensiunii de poartă, ceea ce permite generarea suficientă
a purtătorilor minoritari astfel încât stratul de inversie să se formeze.
În acest mod s-a efectuat şi măsurătoarea prezentată în fig. 5.35a. Faptul că în ambele
baleieri Si a intrat în depleţie adâncă arată că lipsa stratului de electroni de inversie de la

110
interfaţă nu se datorează timpului lung de generare a electronilor, ci mai degrabă lipsei unei
bariere efective la interfaţă.

-6

log(JS) (A/cm )
2
-8

-10

-12

2 4 6 8 10 12 14
-1
1000/T (K )

Fig. 5.34 Repretentare semilogaritmică a variaţiei curentului de saturare cu inversul temperaturii. Tensiunea de
poartă la care s-au înregistrat valorile curenţilor de saturare reprezentaţi în figură a fost de +2 V.
4
1x10
3
9x10 2
Capacitate (pF/cm )

Cup (pF/cm )
2

1/C (up) (cm /pF )

2 -8
2

3 Cd own (pF/cm ) 8.0x10

8x10
4

3
7x10
3 -8
6x10 6.0x10
3
5x10
2

3
4x10 -8
4.0x10
3
3x10
-2 -1 0 1 2 3 4 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
Tensiunea de poarta (V) Tensiunea de poarta (V)

(a) (b)
Fig. 5.35 Caracteristicile C-V măsurate la 10 kHz pentru ambele sensuri de baleiere ale tensiunii de poartă (a) şi
reprezentarea 1/C2 în funcţie de tensiunea de poartă pentru tensiuni pozitive şi baleiere up - dinspre acumulare
spre inversie (b).

Fixarea nivelului cuasi-Fermi electronic de către nivelul Fermi al electrodului metalic („Fermi
level pinning”) implică tocmai imposibilitatea formării unui strat de inversie puternică la
interfaţă [201, 202], iar curbura benzilor şi concentraţia de electroni la interfaţă rămâne
constantă. Proeminenţa ce se observă la ~1.5 V poate fi atribuită nu unor stări de interfaţă care
contribuie la capacitatea totală, ci momentului în care această fixare a nivelelor Fermi
încetează să mai acţioneze (în timpul baleierii down), iar stratul de inversie de la interfaţă
începe să răspundă semnalului de poartă, conducând astfel la apariţia unei capacităţi ce
contribuie la capacitatea totală măsurată [202]. Stratul de inversie răspunde semnalelor
alternative de frecvenţe mari deoarece tunelarea electronilor prin straturile oxidice este încă
suficient de mare. La baleierea în continuare a tensiunii de poartă înspre depleţie, zona de
benzi netede şi acumulare comportarea capacităţii totale este conformă cu teoria clasică MOS.

5.3.4 Concluzii LaAlO3

În concluzie, se poate spune că aluminatul de lantan LaAlO3 prezintă o permitivitate

electrică relativă mare (28) şi are o densitate de trape la interfaţă de ordinul a 6×1011 eV-1cm-2,

111
care prin tratamente termice adecvate ar putea fi îmbunătăţită. Dezavantajul acestui material
constă în existenţa unei neomogenităţi spaţiale accentuate a filmelor subţiri depuse pe Si ş i
prezenţa unor defecte importante în filmele depuse pe straturi interfaciale de SiO2. Aceşti
factori determină o inconsistenţă în corelarea curenţilor de poartă cu grosimea stratului de
dielectric. Straturile uniforme conduc la scăderea apreciabilă a curenţilor de poartă cu
grosimea. Observaţiile experimentale arată însă că pentru grosimi de 4 şi 11 nm curenţii au
valori apropiate, iar în cazul straturilor de 14 nm curenţii de poartă sunt foarte mari. Altă
consecinţă a acestui fapt este dependenţa mărimilor specifice (capacitate şi conductanţă pe
unitate de arie) de aria dispozitivelor măsurate. S-a determinat o tranziţie critică a valorilor
capacităţii pentru ariile dispozitivelor situate între 8.1×10-5 cm2 şi 4.4×10-4 cm2, ceea ce
determină o scădere considerabilă a fiabilităţii acestor dispozitive.
Curenţii mari de scurgere împiedică de asemenea realizarea unor determinări exacte ale
parametrilor de material şi depărtează în mod considerabil comportarea electrică înregistrată
de cerinţele dielectricilor de poartă de mare permitivitate.

5.4 Hafniatul de lantan La 2Hf 2O7

Hafniatul de lantan La2Hf2O7 (LHO) are, în forma sa cristalină, o structură cubică cu grupul
de simetrie Fd3m [203], similar cu cel al siliciului. Constanta de reţea a LHO este de
aproximativ două ori mai mare decât cea a Si, diferenţa fiind de -0.74% la temperatura
camerei, scăzând la zero în apropierea temperaturii de 800°C. De aceea s-a considerat că este
potrivit pentru o creştere epitaxială pe Si(001). În plus, ionul La3+ prezintă o polarizabilitate
mare, de aproximativ 6.07 Å3 [59], astfel încât contribuţia electronică la constanta dielectrică
este de asteptat să aibă o pondere însemnată.
Straturile de hafniat de lantan studiate au o structură amorfă. Cerinţa de bază pentru
aceşti oxizi este stabilitatea structurală la temperaturi mari, întâlnite în cursul proceselor
tehnologice CMOS. S-a arătat că introducerea La în HfO2 creşte temperatura de cristalizare la
peste 950°C [204]

5.4.1 Permitivitatea relativă şi proprietăţile dielectrice

Caracteristicile C-V şi G-V de înaltă frecvenţă au fost obţinute într-un mod asemănător celui
utilizat în cazul celorlalte materiale investigate, şi anume considerând un circuit electric cu
capacitatea şi conductanţa situate în paralel.
Pentru aceste structuri s-a observat o comportare neobişnuită. Primele măsurători ale
unei structuri date arată valori foarte scăzute ale capacităţii pe tot domeniul de tensiuni. Acest
fapt indică prezenţa unui puternic strat de inversie la suprafaţa Si, care este probabil datorat
unei concentraţii însemnate de sarcini pozitive fie în stratul de LHO sau SiO2 sau la interfaţa
acestora. După un puternic stres electric aplicat structurii caracteristicile capacităţii devin
caracteristici tipice capacitoarelor MOS. Este posibil ca vacanţele de oxigen, despre care se
cunoaşte că poartă sarcină pozitivă, sa fie responsabile pentru această comportare. Faptul că
sarcinile nu migrează în prezenţa unui câmp electric mediu, ci este necesară aplicarea unui
câmp puternic arată că aceste sarcini sunt captate prin legături relativ puternice ce pot fi rupte
numai în câmpuri electrice mari. De asemenea, schimbarea bruscă a comportării electrice
sugerează existenţa unui răspuns coerent al sarcinilor pozitive.

112
 În cazul structurii cu o grosime a stratului de oxid de 7 nm s-a măsurat şi diferenţa de
fază dintre curent şi tensiune (fig. 5.36). Prin aceasta se obţin informaţii cu privire la influenţa
conductivităţii probei asupra valorilor capacităţii. Astfel, unghiul de defazaj al curentului faţă
de tensiune în cazul ideal este de 90°. În cazul real acesta este mai mic. Cu cât unghiul de
defazaj scade, cu atât conductivitatea are o pondere mai mare în admitanţa totală. În
acumulare în mod uzual conductivitatea datorată curenţilor de poartă creşte, unghiul de
defazaj scade şi valoarea măsurată a capacităţii de acumulare (din care derivă în mod direct
capacitatea straturilor dielectrice şi permitivităţile deduse) este mai mare decât cea reală. De
aceea pentru probe ce prezintă curenţi de poartă mari este necesară măsurarea defazajului
pentru extragerea unei valori corecte a capacităţii în acumulare.
În fig. 5.36 se observă, în conformitate cu ceea ce s-a arătat mai sus, că tensiunea de
benzi netede este deplasată înspre valori negative ale tensiunii de poartă, deplasarea
menţinându-şi sensul şi după luarea în considerare a diferenţei lucrurilor de extracţie ale
electrodului de poartă de Mo (4.6 eV) [156] şi a substratului de Si de tip p (4.99 eV).

1.4 100

1.2
Capacitatea (µF/cm )

Unghiul de defazaj (°)

2

1.0 80

0.8
60
0.6

0.4
40
0.2

0.0
20
-1.5 -1.0 -0.5 0.0
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.36 Caracteristicile C-V şi ale unghiului de defazaj între curent şi tensiune măsurate la o frecvenţă de 1kHz
pe o probă MOS având ca dielectric de poartă hafniatul de lantan LHO cu o grosime nominală de 7 nm.

Aceasta implică existenţa unor sarcini fixe nete pozitive în oxid. În regiunea de depleţie
scăderea defazajului se datorează conductanţei trapelor de interfaţă, iar în acumulare ş i
inversie puternică defazaje apropiate de 90° indică o influienţă slabă a curentului de poartă
asupra valorilor capacităţii în acumulare şi inversie, respectiv.
Pentru a obţine permitivitatea relativă a filmului de LHO s-a efectuat o analiză TEM pe
aceeaşi structură cu o grosime nominală a oxidului de 7 nm. Din imaginea TEM (fig. 5.37) se
observă o bună calitate a interfeţelor Si-SiO2 şi SiO2-LHO, precum şi faptul că straturile de
LHO şi cel interfacial (SiO2) au o structură amorfă.
Grosimile straturilor oxidice determinate cu precizie din fig. 5.37 sunt de 15.7 Å (SiO2)
şi 57 Å (LHO). Stratul interfacial are o grosime foarte apropiată de cea a stratului iniţial (15
Å), însă filmul LHO este mai subţire decât grosimea ţintă stabilită în procesele de creştere.
Prin luarea în calcul a grosimilor fizice obţinute prin analiza TEM, a capacităţii totale a
structurii determinată experimental (fig. 5.36) şi prin considerarea capacităţii totale a
sistemului ca fiind constituită din două capacităţi serie corespunzătoare straturilor oxidice, s-a
obţinut o valoare a permitivităţii relative a filmului de LHO egală cu 19 (+/-2.2).
Calculul permitivităţii relative a filmului LHO şi grosimea stratului interfacial a fost
determinată de asemenea prin metoda expusă în secţiunea 3.5.1 folosind în calcul valorile
nominale ale grosimilor filmelor LHO. Dependenţa EOT vs. tLHO este prezentată în fig. 5.38.

113
Aproximaţia liniară a fost efectuată prin considerarea rezultatelor pentru structurile cu grosimi
ale filmului LHO de 7, 11 şi 14 nm.

Fig. 5.37 Imagine de microscopie cu transmisie electronică (TEM) printr-o secţiune a unei structuri
La2Hf2O7/SiO2/Si cu o grosime nominală a filmului LHO de 7 nm.

Valoarea EOT corespunzătoare grosimii de 3 nm este mai mare decât valoarea

aproximaţiei liniare la 3 nm. Acest lucru poate fi datorat efectelor cuantice care determină în
cazul dielectricilor de poartă de sub 4 nm o creştere a grosimii efective a acestora. Se poate
observa că aproximaţia liniară a EOT ar avea aceeaşi valoare cu determinarea experimentală
dacă s-ar considera o grosime efectivă a oxidului de poartă de 4 nm. În aceste condiţii s-a
obţinut din grafic o grosime a stratului interfacial de 15.2 Å. Aceasta este foarte apropiată de
15.7 Å conform imaginii TEM (fig. 5.37) şi 1.5 Å conform valorii initiale a oxidului RTO
măsurată prin investigaţie TEM pe plachete din acelaşi lot pe care nu s-a depus LHO.

4.0

3.5

3.0
EOT (nm)

2.5

2.0

1.5

1.0
0 2 4 6 8 10 12 14
Grosimea La 2Hf2O7 (nm)

Fig. 5.38 Dependenţa grosimii echivalente a oxidului (EOT) de grosimea nominală a filmelor de LHO,
determinată cu ajutorul valorii experimentale a capacităţii în acumulare. Nu s-au efectuat corecţii cuantice.

Permitivitatea relativă a LHO a rezultat 22.8 (+/-1). Diferenţa faţă de valoarea mai realist ă
dedusă cu ajutorul fig. 5.37 provine din diferenţele de grosimi ale filmului de LHO. Dacă
pentru filmele de 7, 11 şi 14 nm grosime nominală se consideră că grosimea reală a acestora
este mai mică cu un factor de 70/57 (raportul găsit pentru proba de 7 nm investigată în fig.
5.37), din panta aproximaţiei liniare εSiO2/εLHO (cf. ec. 3.36) ar rezulta o valoare a
permitivităţii relative de 18.99, care este practic egală cu cea determinată mai sus. Mai mult,
grosimea stratului interfacial ar deveni 1.56 Å de asemenea egală cu cea determinată direct

114
din imaginea TEM. Prin urmare, se poate concluziona ca permitivitatea relativă a straturilor
subţiri de LHO este de 19.
Estimările de densităţi de sarcini fixe efectuate asupra structurilor cu oxizi de diferite
grosimi arată că această mărime fizică pare independentă de grosimea oxidului. Pentru toate
cele patru probe densitatea de sarcină fixă este de ordinul de mărime a 1012 cm-2, însă în cazul
filmelor de 3 şi 11 nm grosime sarcina netă este negativă, iar pentru structurile cu filmul LHO
de 7 şi 14 nm sarcina netă este pozitivă. De asemenea, determinarea acestor densităţi nu se
poate face cu precizie mare întrucât extragerea valorilor tensiunii de benzi netede este supusă
unor erori însemnate.

5.4.2 Densitatea de trape la interfaţă Dit

Evaluarea densităţii trapelor de interfaţă şi a constantelor de timp pentru diferite valori ale
tensiunilor de poartă ce induc un regim de depleţie la suprafaţa Si a fost făcută cu ajutorul
metodei conductanţei [149, 162], ale cărei principii au fost prezentate în secţiunea 3.5.4. Din
caracteristica conductanţei normată la pulsaţie (GP/ω vs. ω/2π) a fost determinată valoarea
frecvenţei de peak fp. Conductanţa GP a fost determinată din valorile experimentale în modul
următor: din impedanţa măsurată a fost scăzută reactanţa oxidului (-1/ωCox), rezultatul a fost
transformat într-o admitanţă (Y=1/Z) a cărei parte reală reprezintă GP (cf. circuitului
echivalent din fig. 3.8). Prin modificarea tensiunii de poartă corespunzătoare regimului de
depleţie se poate obţine caracteristica Dit funcţie de tensiunea de poartă. Distribuţia Dit în
banda interzisă a Si nu a putut fi determinată datorită dificultăţilor de aplicare a metodei Q-V
în prezenţa unor curenţi mari de poartă. O excepţie o constituie structura cu filmul LHO de 14
nm.
În fig. 5.39-5.42 se prezintă caracteristicile experimentale GP/ω vs. ω/2π pentru cele
patru probe investigate.

Vg=-0.3 V
10.0
Vg=-0.25 V
Vg=-0.2 V
Vg=-0.15 V
Vg=-0.1 V
Gp/ ω (pF)

5.0

0.0

-5.0
102 103 10 4 105 106 107
Frecventa (Hz)

Fig. 5.39 Caracteristicile experimentale GP/ω vs. ω/2π pentru structura LHO(3nm)/SiO2/(1.5nm)/Si tip p.

În fig. 5.43 este prezentată curba densităţilor de trape la interfaţă în funcţie de potenţialul de la
suprafaţa Si ce are ca referinţă mijlocul benzii interzise („midgap”). Graficul inserat în
dreapta sus este curba experimentală a potenţialului de la suprafaţa Si în funcţie de tensiunea
de poartă, obţinută prin metoda Q-V (cf. metodei prezentate în secţiunea 3.5.3).
Tabelele 5.6-5.9 prezintă valorile densităţilor de trape de interfaţă şi ale constantelor de
timp obţinute pe cele patru structuri. Pentru extragerea Dit au fost folosite două seturi de date:
Ditfp/5 determinate cu ajutorul valorii GP/ω de la frecvenţa „peak”-ului fp şi a lui GP/ω de la

115
frecvenţa fp/5 şi densiăţile Dit5fp determinate prin folosirea aceleiaşi valori GP/ω la fp şi a lui
GP/ω la 5fp (cf. principiului metodei prezentat în secţiunea 3.5.3) [149].

45.0
Vg=-1.5 V
40.0
Vg=-1.4 V
35.0 Vg=-1.3 V
Vg=-1.2 V
30.0 Vg=-1.1 V
Vg=-1.0 V

Gp/ ω (pF)
25.0 Vg=-0.9 V

20.0

15.0

10.0

5.0

0.0
1 2 3 4 5 6 7 8
10 10 10 10 10 10 10 10
Frecventa (Hz)

Fig. 5.40 Caracteristicile experimentale GP/ω vs. ω/2π pentru structura LHO(7nm)/SiO2/(1.5nm)/Si tip p.

80.0

60.0

40.0
Gp/ ω (pF)

20.0

0.0

Domeniu tensiunilor de poarta: (-0.1;+0.6) V

-20.0 Pasul tensiunii de poarta: 0.05 V

102 103 104 105 106 107 108

Frecventa (Hz)

Fig. 5.41 Caracteristicile experimentale GP/ω vs. ω/2π pentru structura LHO(11nm)/SiO2/(1.5nm)/Si tip p.

40 VG=-0.6 V
VG=-0.5 V
VG=-0.4 V
30
VG=-0.3 V
Gp / ω (pF)

20

10

3 4 5 6 7
10 10 10 10 10
Frecventa (Hz)

Fig. 5.42 Caracteristicile experimentale GP/ω vs. ω/2π pentru structura LHO(14nm)/SiO2/(1.5nm)/Si tip p.

116
 0.2
13
1 .2x1 0 0.1

ΨSi (V)
0.0
-0.1
13
1 .0x1 0 -0.2

Dit (eV cm )
-2
-0.3
-2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5

-1
12 Tensiunea de poarta (V)
8 .0x1 0

12
6 .0x1 0

12
4 .0x1 0
-0.40 -0.35 -0.3 0
Potentialul suprafetei Si fata de midgap (eV)

Fig. 5.43 Variaţia densităţii de trape la interfaţă în zona de depleţie a benzii interzise a Si.

Tabelul 5.6 Constantele de timp τP şi densităţile de trape de interfaţă Dit extrase prin metoda conductanţei pentru
structura cu o grosime a filmului de LHO de 3 nm pentru diferite tensiuni de poartă VG. Aria structurii măsurate
a fost de 400×10-6 cm2.
VG (V) -0.3 -0.25 -0.2
Ditfp/5
3.82 3.65 -
(×1010eV-1 cm-2)
Dit5fp
3.79 3.53 3.37
(×10 eV-1 cm-2)
10

τp(µs) 14.7 65 272

Tabelul 5.7 Constantele de timp τP şi densităţile de trape de interfaţă Dit extrase prin metoda conductanţei pentru
structura cu o grosime a filmului de LHO de 7 nm pentru diferite tensiuni de poartă VG. Aria structurii măsurate
a fost de 256×10-6 cm2.
VG(V) -1.5 -1.4 -1.3
Ditfp/5
1.83 1.76 -
(×1012 eV-1cm-2)
Dit5fp
1.65 1.53 1.53
(×10 eV-1cm-2)
12

τp(µs) 0.94(fp/5) 1.96(fp/5) 3.61

Tabelul 5.8 Constantele de timp τP şi densităţile de trape de interfaţă Dit extrase prin metoda conductanţei pentru
structura cu o grosime a filmului de LHO de 11 nm pentru diferite tensiuni de poartă VG. Aria structurii măsurate
a fost de 256×10-6 cm2.
VG(V) 0.15 0.2 0.25
Ditfp/5
3.54 3.35 3.49
(×10 eV-1cm-2)
12

Dit5fp
3.29 3.18 3.16
(×1012 eV-1cm-2)
τp(µs) 6.46(fp/5) 16.76(fp/5) 497(fp/5)

117
Tabelul 5.9 Constantele de timp τP şi densităţile de trape de interfaţă Dit extrase prin metoda conductanţei pentru
structura cu o grosime a filmului de LHO de 14 nm pentru diferite tensiuni de poartă VG. Aria structurii măsurate
a fost de 64×10-6 cm2.
VG(V) -0.6 -0.5 -0.4 -0.3
Ψs(V) -0.0325 0.0176 0.059 0.0915
Ditfp/5
12.08 8.91 - -
(×1012 eV-1cm-2)
Dit5fp
11.2 9.28 7.07 4.74
(×1012 eV-1cm-2)
τp(µs) 0.77 2.68 23.9 130.2

Datorită deplasării frecvenţei de „peak” înspre frecvenţe joase atunci când suprafaţa Si este
introdusă în depleţie din ce în ce mai adâncă, în unele cazuri nu a putut fi determinată
frecvenţa fp/5. Incertidudinea în determinarea acesteia a fost crescută şi de zgomotul puternic
(probabil zgomot de tip 1/f) prezent la frecvenţe joase. Cu toate acestea, în cazul punctelor
experimentale (determinate de tensiuni de poartă fixate) în care cele două seturi de date au
putut fi obţinute s-a constatat că există o foarte mică diferenţă între valorile corespunzătoare
ale acestora, Ditfp/5 şi Dit5fp. Prin aceasta se arată că „peak”-urile din datele experimentale ale
conductanţei pot fi interpretate în mod consistent în cadrul teoriei pierderilor electrice datorate
schimburilor de sarcină dintre trapele de interfaţă şi banda purtătorilor majoritari din Si, cf.
[162]. Acest model presupune, după cum a mai fost amintit în cadrul lucrării, existenţa unei
distribuţii continue în energie a trapelor de la interfaţa Si-oxid şi de asemenea ţine cont de
fluctuaţiile de potenţial de la suprafaţa Si datorate caracterului punctiform al sarcinilor în oxid
şi la interfaţă.
După cum se poate observa în cazul structurii cu stratul de oxid cel mai subţire (fig.
5.39), la frecvenţe de peste 1 MHz conductanţa prezintă o creştere puternică. Acest efect este
cel mai probabil datorat rezistenţei serie. Un al doilea peak se suprapune creşterii uniforme a
conductanţei în apropierea mijlocului benzii interzise, iar acesta poate fi datorat unei stări de
interfaţă cu o probabilitate mare de captură, ceea ce implică o constantă mică de timp şi un
răspuns efectiv la frecvenţe mari. Ambele efecte (de rezistenţă serie şi „peak”-ul de înalt ă
frecvenţă) se observă numai pentru structurile cu cele mai mici valori ale densităţii de trape de
interfaţă (fig. 5.39), în timp ce în cazul structurilor ce prezintă valori Dit mari efectele sunt
mascate de valorile mari ale conductanţei datorate trapelor de interfaţă (fig. 5.42).
Valorile minime din zonele de depleţie investigate ale densităţii de trape de interfaţă
sunt reprezentate în fig. 5.44 în funcţie de grosimea filmelor de LHO.
Se observă o creştere aproximativ liniară a Dit cu grosimea LHO. Acest comportament
se consideră că este determinat de timpul de depunere al oxidului întrucât toţi ceilalţ i
parametrii de depunere au fost ţinuţi constanţi pentru toate structurile. Interpretarea acestui
rezultat nu este univocă. În continuare se vor prezenta trei posibile explicaţii, cu exemplificări
ale unor situaţii asemănătoare întâlnite în literatură [205].
1. În lucrarea lui Houssa et al. [92] se arată că densitatea de trape de la interfaţa SiOx-Si
în cadrul structurilor ZrO2/SiOx/Si creşte cu temperatura tratamentelor termice. Aceste
tratamente au fost făcute pe perioade constante de timp la diferite temperaturi în
atmosferă de oxigen umed. În cazul structurilor LHO depuse pe Si, substratele au fost
tratate identic în atmosferă de oxigen înainte de depunere, iar în timpul depunerii
presiunea parţială de oxigen, identică pentru toate structurile, a fost prezentă în camera
de creştere un timp de expunere direct proporţional cu grosimea filmului de LHO. S-a

118
 găsit că Dit a crescut cu timpul de expunere la presiunea parţială a oxigenului în
condiţii de temperatură constantă.

50

Ditmin (10 eV cm )
-2
40

-1
30

11 20

10

0
2 4 6 8 10 12 14
Grosimea LHO (nm)

Fig. 5.44 Densitatea de trape la interfaţă reprezentată în funcţie de grosimea filmului de LHO [205].

Structurile amorfe de LHO, prin definiţie nestoichiometrice, permit difuzia ionilor de

oxigen la o temperatură de 550°C. Speciile de oxigen (atomic sau molecular) pot
ajunge astfel la interfaţa Si-SiO2 şi depasiva centrii de pe interfaţă sau pot produce
stări de interfaţă suplimentare [92].
2. Creşterea Dit cu timpul de procesare este determinată de formarea unei noi interfeţe Si-
SiO2 prin oxidarea Si în timpul procesului de creştere. Datorită temperaturii relativ
scăzute de creştere (550°C) calitatea noii interfeţe este mai mică decât cea care se
obţine în procesul RTO („rapid thermal oxidizing”). Flexibilitatea reţelei SiO2 la
interfaţă este mai mică la 550°C, iar pasivarea legăturilor nesatisfăcute ale Si de către
oxigen sau chiar prin împerecherea legăturilor siliciului la interfaţă nu se poate realiza
în mod complet. Energia liberă Gibbs minimă a sistemului la interfaţă nu este atinsă,
iar procesele de relaxare devin mai dificile. Pe măsură ce timpul de expunere creşte
degradarea interfeţei se măreşte conducând la creşterea Dit.
3. O variantă alternativă celei expuse la pct. 2 este procesul contrar al reducerii SiO2 de
către vacanţele de oxigen. Aceasta s-ar produce dacă LHO ar avea o afinitate pentru
oxigen mai mare decât SiO2. Aşa cum a fost arătat de către Copel et al. [206] şi Wang
et al. [207], combinaţia condiţiilor de mobilitate mare a vacanţelor de oxigen ş i
afinitatea puternică pentru oxigen în oxizii metalici poate conduce la o instabilitate
intrinsecă a oxizilor metalici depuşi pe straturi subţiri de SiO2 chiar la temperaturi de
depunere relativ scăzute (500°C). Măsura în care stratul interfacial este redus depinde
direct proporţional de timpul de depunere. Produşii de reacţie sunt atomi de Si
incomplet oxidaţi ce pot înrăutăţi proprietăţile electrice ale interfeţei. Dependenţa Dit
de grosimea LHO (implicit de timpul de depunere) care se observă în fig. 5.44
confirmă într-adevăr această ipoteză. Trebuie menţionat că în cazul de faţă presiunea
parţială a oxigenului în camera de depunere (4×10-6Torr) a fost chiar mai mică decât
cea utilizată pentru depunerea HfO2 în Ref. [206], ceea ce în principiu ar favoriza
formarea într-un număr mai mare a vacanţelor de oxigen.
În scopul identificării mecanismului real responsabil pentru comportarea observată este
necesar să se efectueze noi investigaţii structurale şi electrice ale filmelor de LHO depuse pe
Si. Acestea ar putea pune în evidenţă şi unele posibile reacţii chimice dintre Si şi oxid la
interfaţă.

119
 Cele mai mici valori ale Dit, obţinute pe structura cu grosimea LHO de 3 nm, au fost de
4×10 eV-1cm-2, comparabile cu densităţile uzual întâlnite în dispozitivele pe bază de SiO2.
10

Acest fapt este în conformitate cu supoziţia că interfaţa este de tipul Si-SiO2. După cum a fost
arătat de Preier [182], adâncimea maximă în oxid de la interfaţă până la care defectele de
volum din SiO2 se manifestă ca stări de interfaţă este de 5-10 Å. Întrucât grosimea stratului
interfacial este de 1.5 nm se poate spune ca defectele de la interfaţa SiO2-LHO şi cele din
volumul LHO nu contribuie la densitatea de trape de interfaţă măsurată.
Se poate presupune că pentru o grosime suficientă a stratului de LHO creşterea Dit va
fi mai slabă şi se va ajunge chiar la o saturare din cauza unei posibile saturări în generarea
trapelor de interfaţă sau a micşorării difuziei de oxigen prin straturile din ce în ce mai groase
de oxid. Pragul de saturare va depinde de temperatura de depunere sau/şi de mecanismul
efectiv prin care se generează trape de interfaţă active.

5.4.3 Pierderi electrice atipice

O serie de date experimentale au evidenţiat comportări ale caracteristicilor conductanţei care

nu pot fi explicate conform teoriei pierderilor pe trapele de interfaţă ce include şi efectul
fluctuaţiei potenţialului de la suprafaţa Si (fig. 5.40 şi 5.45). Aceste rezultate au fost obţinute
atât pe structuri cu stratul LHO depus pe SiO2 (fig. 5.40), cât mai ales pe structuri cu filmul
oxidic depus direct pe substratul de Si (fig. 5.45).
Caracteristicile conductanţei indică existenţa unui maxim în frecvenţă care nu depinde
de tensiunea de poartă. Într-o reprezentare semilogaritmică se poate observa o dependenţă
liniară a frecvenţelor de peak (fp) cu tensiunea de poartă (fig. 5.46). De asemenea, lărgimea
peak-urilor este cu mult mai mică decât cea corespunzătoare peak-urilor datorate pierderilor
pe trapele de interfaţă (cf. fig. 5.40, unde se observă ambele efecte).

0.7
0.6 V G=-0.5 V
V G=-0.45 V
0.5 V G=-0.4 V
GP/ω (µF/cm )
2

V G=-0.35 V
0.4 V G=-0.3 V
0.3
0.2
0.1
0.0
2 3 4 5 6
10 10 10 10 10
Frecventa (Hz)

Fig. 5.45 Pierderi electrice atipice înregistrate pe o structură cu un strat LHO în grosime de 4 nm depus direct pe
substratul de Si.

S-a încercat de aceea realizarea unei fitări cu funcţia de pierdere electrică pe trape de interfaţă
monoenergetice (ec. (3.77)). Deşi expresia (3.77) pare să aproximeze destul de bine
caracteristica experimentală (fig. 5.47), nu se poate totuşi concluziona că aceste pierderi
electrice s-ar datora proceselor de emisie-captare a purtătorilor majoritari de la suprafaţa Si pe
trapele de interfaţă monoenergetice. Aceasta întrucât în domeniul de tensiuni de poartă folosit
ar trebui să existe dependenţe notabile de tensiune ale valorii de „peak”. Mai mult, s-a arătat
că acest model nu corespunde situaţiilor reale [149].

120
 S-a încercat găsirea unor explicaţii ale acestor comportări prin luarea în considerare a
diverselor modele de pierderi electrice în structuri MOS existente în literatura de specialitate:
™ Pentru densităţi mari de trape în volumul Si („bulk”) s-a arătat că se produc pierderi
electrice ce sunt independente de tensiunea de poartă aplicată, atât în valoarea maximă
cât şi în frecvenţa „peak”-ului [208]. Prin acest model nu poate fi însă explicată
dependenţa frecvenţei de „peak” de tensiunea de poartă aplicată (fig. 5.46).
™ Începând cu articolul lui Preier [182], s-a încercat în paralel să se explice pierderile
electrice tipice din MOS-uri pe baza fenomenelor de tunelare a purtătorilor de sarcină
din şi înspre trapele din oxid situate în apropierea interfeţei cu Si. De asemenea, s-au
construit modele care să înglobeze ambele fenomene, cum ar fi modelul de tunelare
extins [209]. Comparând predicţiile acestor modele cu datele experimentale obţinute
pe structurile MOS având LHO ca oxid de poartă, se observă două discrepanţe:
modelul prezice o formă asimetrică a caracteristicii conductanţei vs. log(frecvenţă).
De asemenea, maximul pierderii electrice este în cadrul acestui model dependent de
constanta de timp definită prin luarea în considerare a tunelării. Valoarea acesteia
depinde de concentraţia de purtători majoritari de la suprafaţa Si, care este la rândul ei
o funcţie de tensiunea de poartă aplicată. Astfel încât maximul conductanţei ar trebui
să fie dependent de VG, ceea ce nu se întâmplă în cazul datelor experimentale
investigate.
™ Modelul de admitanţă al barierelor de potenţial [149] (pag. 228) este un model ce se
poate aplica unor sisteme cu pierderi electrice de origine diferită: molecule polare la
interfaţa Si-SiO2, mişcare a ionilor între poziţii cuasi-stabile relativ apropiate una de
alta (aşa-numitele modele de „bond-flexing”), electroni ce se pot mişca între trape
alăturate ca răspuns la tensiuni alternative aplicate pe poartă. Pierderile în toate aceste
cazuri pot fi exprimate prin expresia:
GP qZ ωτ
= βNT (5.18)
ω 2 1 + ω 2τ 2
unde β = q / kT şi NT=densitatea defectelor. Se observă că în ec. (5.18) conductanţa
prezintă aceeaşi dependenţă de frecvenţă ca şi în ec. (3.77), care fitează foarte bine
datele experimentale, după cum sepoate observa în fig. 5.47. Pentru a verifica ş i
dependenţa de temperatură din ec. (5.18), s-au efectuat măsurători ale conductanţei la
diferite temperaturi: 50°C, 65°C, 80°C şi 85°C (fig. 5.48).

4.0

3.5
log(fp)(s )
-1

3.0

2.5
-0.50 -0.45 -0.40 -0.35 -0.30
Tensiunea de poarta (V)

Fig. 5.46 Dependenţa frecvenţei de „peak” (fp) a pierderilor electrice prezentate in fig. 5.45 de tensiunea de
poartă.

121
 VG=-0.5 V
70
GP/ω experiment
CTωτ/(1+ω τ ) fit
2 2
60
50 CT=131.39 pF
-5

GP / ω (pF)
τ=2*10 sec
40
30
20
10
0
-10
2 3 4 5 6 7 8 9
10 10 10 10 10 10 10 10
-1
ω (s )

Fig. 5.47 Fitarea pierderilor electrice atipice cu o funcţie de tipul (3.77).

În fig. 5.48 se observă că valoarea maximă a conductanţei este independentă de temperatură,

contrar predicţiilor modelului de admitanţă al barierelor de potenţial. Rezultă prin urmare că
nici acest model nu explică într-un mod satisfăcător comportamentul electric observat.
T = 50°C T = 65°C
35.0 VG=-0.3 V 35.0 VG=-0.55 V
VG=-0.35 V VG=-0.6 V
30.0 30.0
VG=-0.4 V VG=-0.65 V
25.0 VG=-0.45 V 25.0 VG=-0.7 V
Gp/ ω (pF)

Gp/ ω (pF)

VG=-0.5 V VG=-0.75 V
20.0
VG=-0.55 V 20.0 VG=-0.8 V
15.0 15.0
10.0 10.0
5.0 5.0
0.0 0.0
1 2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 4 5 6 7 8
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
Frecventa (Hz) Frecventa (Hz)

(a) (b)

T = 80°C T = 95°C
35.0 VG=-0.55 V 35.0 VG=-1.25 V
VG=-0.6 V VG=-1.2 V
30.0 VG=-0.65 V 30.0
VG=-1.15 V
25.0 VG=-0.7 V
25.0 VG=-1.1 V
Gp/ ω (pF)

VG=-0.75 V
Gp/ ω (pF)

20.0 VG=-1.05 V
VG=-0.8 V 20.0 VG=-1.0 V
15.0 VG=-0.85 V
15.0 VG=-1.95 V
VG=-0.9 V
10.0
10.0
5.0
5.0
0.0
0.0
-5.0 1 2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 4 5 6 7 8
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
Frecventa (Hz) Frecventa (Hz)

(c) (d)
Fig. 5.48 Caracteristica GP/ω vs. ω măsurată la (a) 50°C; (b) 65°C; (c) 80°C şi 95°C în cazul unei structuri MOS
având LHO (4 nm) ca dielectric de poartă.

Faptul că forma caracteristicii pierderilor electrice de acest gen nu depinde de tensiunea

de poartă aplicată sugerează un mecanism care nu este legat de concentraţiile de purtători de
la suprafaţa Si. Astfel de mecanisme se întâlnesc în pierderile dielectrice şi din punct de
vedere matematic se exprimă prin relaţiile Debye:

122
 ωτ
≈ ε 0 [ε (0) − ε ∞ ]
GP
(5.19)
ω 1 + ω 2τ 2
unde ε0, ε(0) şi ε∞ sunt permitivitatea absolută a vidului, permitivitatea relativă statică a
dielectricului şi permitivitatea relativă electronică, respectiv. O posibilă dependenţă de
temperatură a conductanţei din ec. (5.19) are loc prin intermediul permitivităţii relative ionice
şi este practic neobservabilă în domeniul de temperaturi în care s-au realizat măsurătorile.
Trebuie menţionat că o astfel de componentă dielectrică a pierderilor s-ar putea datora unor
dipoli situaţi la interfata Si-oxid, întrucât conductanţele experimentale prezentate sunt în serie
cu capacitatea oxidului, după cum a fost descris în secţiunea 5.4.3.

5.4.4 Concluzii La2Hf2O7

Hafniatul de lantan este unul din cele mai promiţătoare materiale pentru aplicaţiile de poartă.
Permitivitatea electrică măsurată şi confirmată a straturilor amorfe crescute prin MBE este de
aproximativ 19. În cazul existenţei unor straturi precrescute de oxid de Si, valori de ordinul a
4×1010 eV-1 cm-2 pentru densitatea de trape la interfaţă au fost obţinute. O dependenţă liniară a
acestei mărimi în funcţie de grosimea LHO a fost pusă în legatură cu afinitatea relativă pentru
oxigen a LHO şi SiO2. Dacă afinitatea SiO2 este mai mare, atunci o nouă interfaţă Si-SiO2 se
formează la temperatura de 450°C, ceea ce dă naştere unor noi stări localizate la interfaţă.
Dacă afinitatea LHO pentru oxigen este mai mare decât cea a SiO2 atunci stratul interfacial
este redus în timpul creşterii LHO, aşa cum s-a observat în cazul oxidului de hafniu [206]. Ca
urmare, legăturile de Si rămase nesatisfăcute devin trape de interfaţă pentru electroni.
Un fenomen atipic structurilor de tip MOS a fost observat în stectrele de frecvenţă ale
conductanţei. Spre deosebire de pierderile electrice pe trapele de interfaţă, înălţimile „peak”-
urilor pierderilor atipice sunt independente de tensiunea de poartă şi de temperatură (în
domeniul 25°C-100°C), iar logaritmul frecvenţei de „peak” are o dependenţă liniară de
tensiunea de poartă. Singurul model care pare a explica în mod satisfăcător aceste observaţ ii
experimentale este cel a pierderilor dielectrice de tip Debye, inclusiv prin fitarea curbelor
experimentale cu expresia matematică a pierderilor.

123
124
6 Rezultate experimentale şi discuţii.
Dinamici neliniare şi comportare
haotică

În mod uzual structurile de tip Metal-Izolator-Semiconductor (MIS) sunt investigate, aşa după
cum s-a arătat şi s-a procedat în precedentele secţiuni ale lucrării, prin analiza de semnal mic
sau prin măsurători de transport electric în condiţii cuasi-statice. Determinarea parametrilor
fizici ai structurilor MOS se realizează preponderent prin astfel de metode de investigaţie.
Prin analiza de semnal mare a sistemelor neliniare se obţin comportamente complexe
ale variabilelor din sistem, ce pot conduce la tranziţii către haos. În sistemele deterministe,
cum este cel studiat în această lucrare, acesta este denumit pentru o mai mare claritate haos
determinist. Există o literatură foarte bogată ce tratează fenomenul haosului în sisteme din
cele mai diferite [210]. Deşi iniţial interesul pentru acest domeniu a fost pur academic,
ulterior s-au pus în evidenţă unele implicaţii negative pe care fenomenele haotice le pot avea
asupra fiabilităţii unor sisteme (îndeosebi mecanice). De aceea a fost necesară elaborarea unei
teorii de control al haosului [211] pe baza căreia s-au putut imagina chiar unele aplicaţii, cum
ar fi transmiterea codată pe baze haotice a informaţiilor [212].
În acest capitol se vor studia fenomenele şi comportările ce se întâlnesc în structurile de
tip MFS ca urmare a utilizării unor amplitudini mari a semnalului sursă de tip armonic. Pentru
început se vor prezenta unele aspecte specifice analizei de semnal mare a materialelor
feroelectrice. Pornind de la modelele existente pentru structurile Metal-Feroelectric-Metal
(MFM) şi Metal-Oxid-Semiconductor (MOS), se vor investiga particularitaţile sistemului
Metal-Feroelectric-Semiconductor (MFS) din punct de vedere teoretic, ulterior discutându-se
rezultatele experimentale.

6.1 Dinamici neliniare în structuri Metal-Feroelectric-Metal

Printre domeniile din cadrul fizicii corpului solid în care comportările de tip haotic au fost
puse în evidenţă se numără cel al materialelor feroelectrice. Acestea sunt caracterizate de
existenţa a două sau mai multe stări orientaţionale de polarizare spontană în absenţa câmpului

125
electric. Feroelectricul poate fi antrenat într-una sau alta din aceste stări de către un câmp
electric adecvat, care poartă denumirea de câmp coercitiv. Zonele din material care prezintă o
polarizare punctiformă identică în orice moment se numesc domenii feroelectrice. Comutarea
domeniilor feroelectrice în diferitele sale stări a fost modelată folosind fie abordări teoretice
[213], fie predominant empirice (de ex. cea din lucrarea lui Massoud [214]).
De cele mai multe ori feroelectricii prezintă două stări echivalente simetrice de
polarizare spontană. O explicaţie fenomenologică a comportării în câmp electric este oferit ă
de către teoria Landau a tranziţiilor de fază [213], care descrie tranziţiile de fază cu ajutorul
energiei libere Gibbs:
α γ
G (T , D ) = D2 + D 4 + ... (6.1)
2 4
unde α = β (T − TC ) şi β, γ >0. D reprezintă inducţia electrică, sau sarcina totală mobilă de pe
suprafeţele contactate ale stratului ferroelectric. Diferenţierea potenţialului G în raport cu
inducţia electrică în condiţii de temperatură constantă conduce la o dependenţă neliniară a
câmpului electric de sarcina mobilă [215]:
∂G (T , D)
FNL = = αD + γD 3 + ... (6.2)
∂D
Comutarea domeniilor între diferitele stări de polarizare atunci când un câmp electric este
aplicat determină apariţia unui histerezis în caracteristica D(FNL). Dacă această puternică
neliniaritate este cuplată cu comportarea armonică predictibilă a unui circuit serie RLC se
obţin evoluţii complexe ale variabilelor sistemului (tensiuni, current), ce pot conduce la
bifurcaţii şi haos determinist.
Analiza neliniară a seriilor temporale obţinute în cazul sulfatului triglicinic (”triglycine
sulphate” – TGS) [215, 216] şi fosfatului biacid de potasiu (KH2PO4 – KDP) [217, 218] au
demonstrat în aceste sisteme prezenţa scenariului Feigenbaum de tranziţie către haos. Din
punctul de vedere al modelării matematice, circuitul liniar RLC serie excitat de către o sursă
de tensiune alternativă armonică, cu structura Metal-Feroelectric-Metal (MFM) conectată în
serie ce joacă rolul elementului neliniar, a fost descrisă cu ajutorul unei ecuaţii diferenţiale de
ordinul II de tip Duffing:
LD″ + RD′ + + αt f D + γt f D 3 = V0 sin (ωt )
D
(6.3)
C0
Este cunoscută evoluţia spre haos prin dublare de perioadă (Feigenbaum) a soluţiei-
traiectorie în cazul acestei ecuaţii [219].
Pe de altă parte, comparaţia dintre portretele de fază experimentale într-o cascadă de
dublari de perioadă şi cele obţinute prin simulările numerice ale soluţiilor ecuaţiei Duffing au
demonstrat într-adevăr existenţa unei similitudini calitative între cele două seturi de serii
temporale. Coeficienţii potenţialului Landau generalizat (α şi γ) utilizaţi în modelare diferă
însă considerabil de coeficienţii liniar şi neliniar determinaţi prin măsurarea deplasării
frecvenţei de rezonanţă în acelaşi circuit, dacă feroelectricul investigat (i.e. TGS) se află în
starea paraelectrică sau dacă comutarea domeniilor este evitată prin folosirea unor amplitudini
mici ale semnalului de excitare [215]. În acelaşi timp, se cunoaşte că teoria Landau nu descrie
întru-totul corect procesul de comutare al domeniilor feroelectrice [220], deoarece comutarea
este în principiu un fenomen de neechilibru care este influienţat puternic de proprietăţile
specifice ale materialului studiat. Astfel, descrierea sistemului oferită de ecuaţia Duffing
constituie numai o aproximaţie satisfacătoare pentru evoluţiile temporale ale variabilelor de
bază.

126
 Dacă în locul structurilor MFM se utilizează structuri de tipul Metal-Feroelectric-
Semiconductor (MFS), complexitatea sistemului creşte datorită prezenţei în sistem a unei noi
neliniarităţi, după cum se va arăta mai jos. Ca atare, şi evoluţiile temporale ale variabilelor
sistemului sunt în mod potenţial de o complexitate mai mare.

Pentru început va fi prezentat un model simplificat al sistemului MOS în serie cu un

circuit serie RLC care ia în considerare asimetria căderii de tensiune pe stratul subţire izolator
pentru cele două alternanţe ale tensiunii de excitare. Comportarea neliniară a structurilor de
tip MFS va fi modelată prin descrierea feroelectricului în cadrul teoriei Landau a tranziţiilor
de fază. Apoi se va argumenta din punct de vedere fenomenologic posibila existenţă în circuit
a unui oscilator independent intrinsec. Un model aproximativ ce porneşte de la ecuaţia de tip
Duffing şi pe baza căruia se va modela numeric evoluţia sistemului va fi prezentat ulterior,
urmat de un model alternativ ce ia în considerare cuplajul acestui oscilator cu circuitul RLC.
În final se va prezenta o altă variantă de cuplaj între două sisteme diferite din
aranjamentul experimental utilizat, susţinută de rezultatele experimentale. Acesta este cuplajul
de tip acusto-electric pus în evidenţă prin fenomenul de rezonanţă stocastică.

6.2 Model al structurii MIS într-un circuit serie RLC

6.2.1 Izolator neferoelectric

Se va considera circuitul prezentat schematic în fig. 6.1.

Structură MOS

Izolator
L
dD(t )
R D (t )
dt
C0
Si

V0sin(ωt)
Al

Fig. 6.1 Aranjamentul experimental ce constă dintr-un circuit serie RLC în serie cu structura MOS, ce joacă rolul
elementului neliniar în circuit.

Dacă se scrie distribuţia căderilor de tensiune în circuit se obţine o ecuaţie de tipul:

LD′′(t ) + RD′(t ) + D (t ) / C0 + VMOS (t ) = V0 sin (ωt ) (6.4)
unde
VMOS (t ) = VFB + Vox (t ) + ψ S (t ) , (6.5)
V0 este amplitudinea semnalului armonic de excitare, ω este frecvenţa sa unghiulară, R, L şi
C0 sunt elementele liniare din circuit, rezistenţa, inductanţa şi capacitatea, respectiv. Vox este
căderea de tensiune pe stratul izolator, VFB este tensiunea de benzi netede, iar ψS este
potenţialul la suprafaţa Si. Variabila din sistem este sarcina mobilă de pe armăturile
capacitorului (sau inducţia electrică) D.

127
 Tensiunea ce cade pe stratul izolator este:
Vox (t ) = D(t ) / Cox (6.6)
unde Cox este capacitatea stratului izolator.
Potenţialul de la suprafaţa Si depinde de regimul existent la suprafaţă: acumulare,
depleţie sau inversie. Dacă Si este de tip p, iar semnalul aplicat este de mare amplitudine ş i
frecvenţă înaltă, în jumătatea pozitivă a ciclului tensiunii alternative aplicate singurul regim
existent la suprafaţa Si va fi cel de depleţie adâncă (fig. 6.2b). La frecvenţe de peste 1 kHz şi
la temperatura camerei purtătorii minoritari din Si cu un timp de răspuns relativ lung nu pot
urmări schimbările rapide ale tensiunii aplicate şi ca urmare stratul de inversie de la suprafaţa
Si nu se formează.
Folosind aproximaţia de sărăcire (cf. Anexei 3, paragraf 3.3) pentru descrierea
cantitativă în regimul de depleţie adâncă (fig. 6.2b) avem următoarea expresie a căderii de
tensiune pe Si în funcţie de sarcina mobilă:
D2
ψ S( + ) = (6.7)
2ε S qN A
unde NA este concentraţia de impurităţi acceptoare din Si, considerată uniformă la suprafaţa

Vox Vox
EC
EFM ψSi ψSi
EFS
VG EC EV
VG Regiune de
EFS Fd
depleţie adâncă
Fa EV E
Wd
Electrod
de poartă Electrod de
Si tip p poartă Si tip p

Bi4Ti3O12 Bi4Ti3O12
(a) (b)
Fig. 6.2 Regimurile de la suprafaţa Si în cazul celor două ramuri ale semnalului de excitare alternativ: (a) pentru
VG>0, acumulare; (b) pentru VG<0, depleţie adâncă.

Si, q este sarcina elementară, εS este permitivitatea Si, D = qN A w este sarcina fixă din
regiunea de depleţie a cărei adâncime este w. Aici s-a folosit aceeaşi notaţie cu cea a variabilei
din sistem (D) întrucât aceasta constituie sarcina capacitorului MOS de pe contactul
(armătura) Si.
În jumătatea negativă a ciclului tensiunii alternative aplicate Si este în regim de
acumulare (fig. 6.2a). Conform teoriei exacte a structurilor MOS, câmpul electric din
apropierea interfeţei are următoarea expresie [149]:
F 2 ( x ) qni exp(βEF )
= {βψ (x )[1 − exp(− 2βEF )] + exp[− βψ (x )]
2 βε S
+ exp[β (ψ ( x ) − 2 EF )] − exp(− 2 βEF ) − 1} (6.8)
10 -3
unde EF este nivelul Fermi în Si, ni=1.45×10 cm este concentraţia intrinsecă din Si,
β=q/kT, k= constanta lui Boltzmann şi T= temperatura absolută. Originea axei Ox este situată

128
pe interfaţă, iar direcţia pozitivă este normală la interfaţă şi are sensul îndreptat înspre
volumul Si. Câmpul electric de la interfaţa Si-izolator are o expresie similară FS, cu
potenţialul Si la interfaţă (sau curbura benzilor) ψS înlocuind potenţialul ψ(x):
FS( − ) 2 ( x ) qni exp (βEF )
= {βψ S [1 − exp(− 2 βEF )] + exp[− βψ S ]
2 βε S
+ exp[β (ψ S − 2 EF )] − exp(− 2 βEF ) − 1} (6.9)
Dacă se ţine cont de faptul că amplitudinea semnalului alternativ este mare, iar ψS<0 (semn
identic cu cel al tensiunii aplicate pe ramura negativă a perioadei), (6.9) se poate aproxima cu:
FS( − ) 2 qni exp (βEF )
2
≅
βε S
{ [ ] }
exp β ψ S( − ) − 1 (6.10)

În (6.10) s-au neglijat termenii exp[β (ψ S − 2 EF )] , care tinde exponenţial către zero,
exp(− 2 βEF ) , ce este constant şi βψ S [1 − exp (− 2 βEF )] , care are o dependenţă liniară de
[ ]
potenţialul ψS şi poate fi astfel neglijat în comparaţie cu termenul exp β ψ S( − ) , care creşte
exponential cu ψS. În paranteza membrului drept a ec. (6.10) a fost păstrată unitatea pentru a
respecta o condiţie la limită, şi anume câmpul electric la interfaţă care trebuie să fie nul pentru
o curbură de benzi nulă. Aceeaşi condiţie este respectată şi de ec. (6.7), ceea ce asigură o
continuitate a potenţialului aproximat în origine.
Din ec. (6.10) rezultă :
1  εS β FS( − ) 2 
ψ S( − ) ≅ ln 1 +
β  qni exp (βEF ) 2 
(6.11)

Câmpul electric la interfaţă este determinat de sarcina totală din Si prin legea lui Gauss:
D = ε S FS( − ) (6.12)
Se va adopta următoarea convenţie de semn pentru variabila sistemului (sarcina mobila
D): aceasta este considerată pozitivă dacă sarcina netă din Si este pozitivă.
Atunci prin combinarea ec. (6.11) şi (6.12) se poate scrie expresia potenţialului la
interfaţă pentru ramura negativă a semnalului aplicat:
1  β 
ψ S( −) ≅ ln 1 + D2  (6.13)
β  2ε S qni exp (βEF ) 
Prin înlocuirea diferitelor mărimi din ecuaţiile (6.5), (6.6), (6.7) şi (6.13) în ec. (6.4) se
obţine o ecuaţie diferenţială ordinară de ordinul II pentru inducţia electrică:
 D2 
 2ε qN , D ≤ 0 
 1 1   S A 
LD′′(t ) + RD′(t ) + D +  +   = V0 sin (ωt ) − VFB (6.14)
 C0 Cox   1 ln  β 
D 2 + 1, D > 0
 β  2qniε S e βE F  
 

6.2.2 Izolator feroelectric

Se va considera acum cazul în care izolatorul este un material feroelectric. Ţinând cont de
comentariile din secţiunea 6.1, de faptul că pe stratul feroelectric căderea de tensiune este
FNLtF şi stiind că dependenţa câmpului electric din izolator de sarcina mobilă este dată de ec.
(6.2), ecuaţia (6.14) se transformă în :

129
  D(t )2 
 ,D≤0 
 1   2ε S qN A 
LD (t ) + RD (t ) +  + αt f  D(t ) + γt f D (t ) + 
′
′ ′   3
 = V0 sin (ωt ) − VFB
(6.15)
 C0   ln  β 
D(t ) + 1, D > 0
1 2
 β  2qni ε S e βEF 
   
Ecuaţia (6.15) va fi rezolvată numeric, iar traiectoriile-soluţie reprezentate într-un plot
bidimensional D(t+τ) vs. D(t) vor fi comparate cu rezultatele experimentale. Acest tip de
reprezentare se numeşte portret de fază, iar mărimea τ este un timp de întârziere ce se va alege
astfel încât reprezentarea grafică sa nu fie distorsionată [210].

6.3 Oscilator intrinsec - structura MFS sub excitare de

semnal mare

În capitolele anterioare s-au discutat diferite aspecte legate de stările localizate de interfaţă.
Acestea sunt caracterizate de nivelul energetic corespondent din banda interzisă a Si şi de
secţiunea eficace de captură, care împreună determină comportarea electrică a trapelor de
interfaţă. Pentru semnalele de excitare de mică amplitudine frecvenţa de rezonanţă este bine
definită. În cazul semnalelor de mare amplitudine şi pentru frecvenţe diferite de cele de
rezonanţă stările de interfaţă se află în condiţii puternice de neechilibru.
Pentru frecvenţe de excitaţie mult mai mari decât cele de rezonanţă sau în cazul
comutării domeniilor feroelectrice nivelul Fermi din Si nu va corespunde cu nivelul de
ocupare a trapelor de interfaţă (fig. 6.3). Acest lucru se va întâmpla atât pentru tranziţia din
regimul de benzi netede către acumulare (fig. 6.3a şi b), cât şi pentru tranziţia către regimul de
depleţie adâncă (fig. 6.3c şi d). În regimul de acumulare comutarea domeniilor feroelectrice se
poate realiza mult mai rapid deoarece la o tensiune dată aplicată pe structură în regimul de
acumulare câmpul electric în feroelectric este mai mare. Distribuţia tensiunilor pe Si ş i
feroelectric este, după cum s-a arătat mai sus, puternic asimetrică. Se poate întâmpla ca în
depleţie adâncă câmpul din feroelectric sa nu atingă câmpul coercitiv, pe când în acumulare
domeniile feroelectrice se pot alinia după tensiunea aplicată. În această situaţie pe ramura
pozitivă a semnalului aplicat depleţia adâncă nu se va instala la suprafaţa Si sau va fi mult
redusă, întrucât polarizarea din acumulare va îngreuna tranziţia Si de la interfaţă spre regimul
de depleţie.
Dacă tensiunea aplicată are o amplitudine suficient de ridicată, atunci comutarea
feroelectricului se poate produce pe ambele alternanţe ale semnalului sursă, iar oscilatorul
intrinsec are condiţii mult mai favorabile de manifestare.
Semnul distinctiv al prezenţei acestui oscilator îl poate oferi în spectrul de putere al
datelor experimentale existenţa unei frecvenţe independente de frecvenţa semnalului aplicat ş i
care în acelaşi timp corespunde cu frecvenţele de rezonanţă în măsuratorile clasice ale
conductanţei în structurile MOS.

130
 Vox

ψSi=0 EFM
EFM
+ EC +

VFB + VG + EC
+ EFS +

FFB EFS
EV
Electrod Fa EV
〈τ〉
de poartă Electrod de
Si tip p poartă
Si tip p

Bi4Ti3O12 Bi4Ti3O12
(a) (b)
Vox
+
+ EC
ψSi=0 EFS
EFM + EC
+ EV
VFB +
VG
EFS Fd
FFB EV EFM 〈τ〉
Electrod de
poartă
Si tip p Electrod de
poartă Si tip p

Bi4Ti3O12 Bi4Ti3O12
(c) (d)
Fig. 6.3 Diagramele de benzi energetice ale structurii MFS în cazul aplicării unor semnale de excitare de mare
amplitudine. Se indică prezenţa unor stări de neechilibru la interfaţă în cazul tranziţiilor de la regimul de benzi
netede către acumulare (a şi b) sau către depleţie adâncă (c şi d).

6.4 Rezultate experimentale, simulări numerice şi discuţii

În funcţie de parametrii aleşi ai circuitului (rezistenţa, capacitatea liniară şi inductanţa

care se comportă liniar în domeniul de frecvenţe utilizat), seturile de serii temporale au fost
înregistrate prin variaţia frecvenţei la tensiuni de excitare constante şi invers, prin variaţia
amplitudinii tensiunii de excitare la frecvenţe constante.
Au fost astfel identificate o serie de dinamici distincte ale sistemului dinamic studiat. S-
a putut recunoaşte scenariul Feigenbaum de tranziţie către haos în diferite variante. De
asemenea, a fost pusă în evidenţă o a doua frecvenţă independentă în sistem, ceea ce a
determinat apariţia unei evoluţii de tip tor în spaţiul fazelor. O a treia frecvenţă, de
aproximativ 31 kHz, a fost identificată, dar ponderea spectrală a acesteia este mică, astfel

131
încât orbitele cuasi-periodice cu trei frecvenţe independente sau scenariul de tranziţie către
haos Newhouse-Takens-Ruelle nu au putut fi observate.

6.4.1 Scenariul Feigenbaum de tranziţie către haos - prin dublare de

perioadă

Elementele liniare de circuit au fost alese astfel: rezistenţa liniară R=400 Ω, capacitatea liniară
C0=1.58 nF, inductanţa L=4.8 mH. A fost trasat cu ajutorul analizorului de impedanţă
HP4194A spectrul în frecvenţă al inductanţei. Caracteristica obţinută arată o constanţă a
valorilor inductanţei pe întreg spectrul de frecvenţe folosit:
L(253KHz ) − L(39.9 KHz )
< 7.9% (6.16)
L(253kHz )
astfel încât inductanţă a fost considerată liniară cu o foarte bună aproximaţie. Rezonanţa
elementului inductiv de la f=858.7 kHz conduce la o comportare puternic neliniară în
domeniul de frecvenţe f=0.5-1.7 MHz.
Au fost de asemenea înregistrate caracteristicile de semnal mic ale capacităţii structurii
MFS. Acestea sunt caracteristici de tip MOS, cu valori ale capacităţii ce variază de la
aproximativ 20 pF în inversie puternică (în cazul măsuratorilor de semnal mare acest regim nu
este atins, iar capacitatea minimă este cea din depleţie adâncă, mult mai mică decât 20 pF)
până la aproximativ 950 pF în acumulare.
Au fost obţinute experimental seriile temporale ale sarcinii electrice de pe capacitorul
liniar, care, în condiţiile frecvenţelor mari folosite şi a scurgerilor de curent cuasi-nule de pe
structura MFS, poate fi considerată identică cu sarcina de pe structura MFS. Toţi parametrii
sistemului au fost menţinuţi constanţi, cu excepţia amplitudinii tensiunii de excitare, care a
fost crescută progresiv de la 5 V la 13.6 V. Au fost reţinute seriile temporale distincte ş i
reprezentative pentru evoluţia dinamicii sistemului. Tensiunea de pe capacitorul liniar, ce
măsoară în mod direct sarcina electrică, a fost înregistrată cu o frecvenţă de eşantionare de 10
MHz (pentru seriile temporale corespunzătoare tensiunilor de excitare de 5 V, 7.4 V şi 8.35
V) şi 25 MHz (în cazul tensiunilor de excitare de 8.69 V, 8.9 V şi 13.6 V). Pentru construirea
portretelor de fază s-au încercat diferite valori ale întârzierii dintre semnalele de pe ordonată
şi abscisă. Dacă τ=1 µs, portretul de fază este echilibrat. Pentru valori ale timpului de
întârziere mai mari şi mai mici, caracteristica obţinută este distorsionată. Deşi reprezentarea
tridimensională arată clar că dimensiunea „embedding space” este mai mare sau egală cu 3,
pentru evidenţierea scenariului Feigenbaum este suficientă realizarea unei reprezentări
bidimensionale şi a spectrului de putere.

4
10
3
V G= 5 V VG= 5 V
2.0x10 10
2

0
10
0.0
Spectrul de putere
In+10

-2
10
3
-2.0x10 -4
1x10

-6
3
10
-4.0x10
-8
10
f1 = 129.4 kH z
3
-6.0x10 10
-10
3 3 3 3
-6.0x10 -4.0x10 -2.0x10 0.0 2.0x10 4 5 6
10 10 10
Tensiune pe C0(u.a.) - In Frecv enta (Hz)

132
 4 VG= 7.4 V 4
1.0x10 10
VG= 7.4 V
2
5.0x10
3
10

Spectrul de putere
0.0
100
In+10

10-2
3
-5.0x10
-4
1x10
4
-1.0x10 -6
10
4 -8
-1.5x10 10 f 1 = 129.4 kHz
-10
4 4 3
0.0 3 4
10 4 5 6
-1.5x10 -1.0x10 -5 .0x10 5 .0x10 1.0x10
10 10 10
Tensiune pe C0(u.a.) - In Frecventa (Hz)

f1 / 2
V G= 8.35 V
4
1.5x10
4 10
V G= 8.35 V
2
4
10
1.0x10

S pectrul de putere
10 0
3
5.0x10
-2
10
In+10

0.0 -4
1x10
3 -6
-5.0x10 10
4 -8
-1.0x10 10 f1 = 129.4 kHz
-1 0
4 3 3 4 4
10 4 5 6
-1.0x10 -5.0x10 0.0 5.0x10 1.0x10 1.5x10 10 10 10
Tensiune pe C0(u.a.) - In Frecventa (Hz)

VG= 8.6 9 V 1 05 f1 / 2
4
1.5x10 f1 / 4
3 VG= 8.69 V
10
4
1.0x10
1
Spectrul de putere

10
3
5.0x10
-1
In+25

10
0.0
-3
10
3
-5.0x10
1x10 -5
4
-1.0x10
10 -7 f 1 = 129.4 kHz
4
-1.5x10
4 4 3 3 4 4
10 -9
-1.5x10 -1.0x10 -5.0x10 0.0 5.0x10 1 .0x1 0 1.5 x10 10 5 10 6 10 7
Tensiune pe C0(u.a.) - In Frecv enta (Hz)

VG = 8.9 V
1 .5x104 104
VG = 8.9 V
2
1 .0x10
4 10
0
Spectr ul de putere

5 .0x10
3 10
In+25

-2
0.0 10
-4 f1 / 2
3 1x10
-5 .0x10

4 10-6
-1 .0x10
10
-8 f1 = 129.4 kHz
4
-1 .5x10
-10
4 4 3 3 4 4 10
-1.5x10 -1.0x10 -5.0x10 0.0 5.0x10 1.0x10 1.5x10 105 10 6 10 7
Tensiune pe C0(u.a.) - In Frecventa (Hz)

133
 4 V G= 13.6 V
2x10 4
10
VG = 13.6 V
2
4 10
1x10

Spectrul de putere
0
10
In+25

0 -2
10 f1 / 2
-4
1x10
4
-1x10
-6
10 f 1 = 129.4 kH z
4 -8
-2x10 10

4 4
0 4 4 10-1 0
-2x10 -1x10 1x10 2x1 0 5 6 7
10 10 10
Tensiune pe C0(u.a.) - In Frecventa (Hz)

Fig. 6.4 Portrete de fază (i.e. In+k vs. In) -graficele din stânga- construite pe baza seriilor temporale de tensiuni
înregistrate pe capacitorul liniar C0. Seturile de date experimentale ilustrează evoluţia spre haos prin dublare de
perioadă (scenariul Feigenbaum), după cum se poate observa în graficele corespunzătoare din dreapta, ce
reprezintă transformatele Fourier rapide („Fast Fourier Transform” – FFT), calculate prin utilizarea unei funcţii
fereastră de tip Hanning. Toţi parametrii experimentali au fost menţinuţi constanţi, cu excepţia amplitudinii
tensiunii de excitare, care creşte progresiv, având valorile indicate în figuri. Frecvenţa la care s-au efectuat
măsurătorile a fost de 129.4 kHz.

Se observă clar din fig. 6.4 atât prin inspecţia vizuală a portretelor de fază cât şi prin
identificarea frecvenţelor dominante că sistemul evoluează spre haos prin scenariul de dublare
a perioadei. Bifurcaţiile în sistem apar pentru valori intermediare ale tensiunii de excitare. Un
fenomen de histerezis al tensiunilor de bifurcaţie a împiedicat identificarea cu precizie a
acestora. Temperatura sistemului investigat este cea a camerei şi nu a fost controlată. Este
posibil ca aceasta să varieze în timpul măsurătorilor şi să influienţeze valorile efective ale
unor parametri ai sistemului. Astfel, regimul tranzitoriu (din punctul de vedere al valorilor
temperaturii) poate induce un fenomen de histerezis în comportarea electrică a sistemului.
În continuare, creşterea tensiunii de poartă la 9.05 V conduce la apariţia unei ferestre de
perioadă 3, apoi haos şi din nou o succesiune de bifurcaţii şi evoluţie spre haos (întâlnit la
VG=13.6 V) prin dublare de perioadă (perioade 2n). În continuare apare perioadă 3 şi perioadă
6. Astfel, scenariul clasic de dublare de perioadă este întrerupt de regimuri mai complexe,
caracterizate de evoluţii spre haos prin dublarea unor multipli de perioadă fundamentală
(perioade k×2n).

Simulări numerice

A. Utilizând modelul prezentat în secţiunea 6.2.2, a fost simulată numeric soluţia

traiectorie a ecuaţiei 6.15 cu ajutorul programului Dynamic Solver.
-2
3x10
0 1x10
V 0= 148 V
2x10 0 -4 V 0= 148 V
1x10
0
1x10
Spectrul de putere

-6
0 1x10
In+20

0
-1x10 -8
1x10
0
-2x10
-10
-3x10
0 1x10
0 f1
-4x10 -12
10
0
-5x10
-14
0 0 0
-5x10 -4x10 -3x10 -2x10 -1x10
0 0
0 1x10 2x10
0 0
3x10
0 10
0.1 1 10
Tensiune pe C0(u.a.) - In Frecventa (Hz)

134
 0
3x10 V 0= 153 V f1 / 2
1x10 -3
2x100 V0=153
-5
1x10
0 1x10

Spectrul de putere
0
1x10 -7
In+20

0
-1x10
-9
0
1x10
-2x10
0 -11
-3x10 1x10
f1
0
-4x10
1x10 -13
0
-5x10
-15
0 0 0
-5x10 -4x10 -3x10 -2x10 -1x10
0 0
0 1x10
0
2x10
0
3x10
0 10
0.1 1 10
Tensiune pe C0(u.a.) - In Frecventa (Hz)

-2
1x10
0
3x10
V0 = 155 V 0= 155
-4
f1 / 4
2x100 1x10
0
1x10

Spectrul de putere
-6
1x10
0
In+20

0 -8
-1x10 1x10
0
-2x10
-10
0 1x10
-3x10
0
f1 / 2 f1
-4x10 -12
10
0
-5x10
-14
0 0 0
-5x10 -4x10 -3x10 -2x10 -1x10
0 0
0 1x10
0 0
2x10 3x10
0 10
0.1 1 10
Tensiune pe C0(u.a.) - In Frecventa (Hz)

0
3x10
V0 = 1 57
2x100
V 0= 155
1x10-5
0
1x10
Spectru de putere

0 1x10 -10
In+20

0
-1x10
0 -15
-2x10 10
0
-3x10
-20
-4x10
0
1x10
0
-5x10
-25
0 0 0
-5x10 -4x10 -3x10 -2x10 -1x10
0 0
0 0
1x1 0 2 x10
0
3x10
0 10
0.1 1 10
Tensiune pe C0(u.a.) - In Frecventa (Hz)

Fig. 6.5 Portrete de fază ale sistemului dinamic descris de ec. (6.15). Simulările numerice indică o evoluţie spre
haos prin dublare de perioadă, similară celei observate experimental.

Se remarcă similaritatea caracteristicilor simulate numeric cu cele obţinute experimental (fig.

6.5 şi 6.4, respectiv). Evoluţiile sarcinii electrice în circuit se încadrează, în primele faze ale
scenariului, în traiectorii închise cu trei bucle. Experimental s-au obţinut şi traiectorii cu două
bucle care urmează acelaşi scenariu de tranziţie către haos prin dublare de perioadă (fig. 6.6).
Aceste caracteristici sunt periodice de perioadă egală cu cea a semnalului de excitare, nefiind,
aşa după cum s-ar putea crede, de perioadă trei. Din punct de vedere numeric s-a putut reface
acelaşi scenariu de evoluţie în cazul traiectoriilor ciclice cu două bucle. Aceste asimetrii sunt
puse pe seama asimetriilor despre care s-a discutat în secţiunile precedente, în principal cea
datorată distribuţiilor diferite de căderi de tensiune pe Si şi feroelectric în cazul celor două
alternanţe ale semnalului de excitare. S-au obţinut de asemenea şi traiectorii uni-bucle.

135
 V G = 10.3 V
4
2x10 f=161.7 kHz

4
1x10

In+10
0

4
-1x10

4 4 4
-1x10 0 1x10 2x10
Tensiune pe C0(u.a.) - In

Fig. 6.6 Caracteristică experimentală cu două bucle de perioadă egală cu perioada semnalului de excitare.
Pornind de la aceasta, prin variaţia tensiunii s-a reprodus scenariul de tranziţie spre haos prin dublare de
perioadă.

Aceleaşi tip de rezultate (care nu sunt arătate aici) au fost obţinute experimental ş i
reproduse numeric şi în cazul variaţiei frecvenţei cu tensiunea de excitare constantă.
Realizarea acestor suprapuneri foarte bune ale rezultatelor experimentale cu cele ale
modelului teoretic (fig. 6.4 şi 6.5, respectiv) permite evaluarea unor parametri inaccesibili
unei măsurări directe, cum ar fi coeficienţii potenţialului Landau generalizat α şi γ.

B. Model alternativ al oscilatorilor cuplaţi. Evoluţia spre haos prin dublarea de

perioadă poate fi descrisă, alternativ, cu ajutorul a doi oscilatori cuplaţi de tip Duffing [218].
Unul dintre ei modelează circuitul RLC având structura MFS ce joacă rolul de element
neliniar de circuit, iar celălalt reprezintă un al doilea oscilator în circuit. Procesele de captură-
emisie a purtătorilor de pe stările de interfaţă (descrise în secţiunea 6.3) pot fi considerate ca
un oscilator secundar în sistem. Atunci evoluţia temporală a celor doi oscilatori cuplaţi de tip
Duffing se poate descrie în modul următor [221]:
x' ' (t ) − a1 x (t )[1 − mx 2 (t )] + b1 x ' (t ) − d1 y (t ) = c1 sin (ωt )
(6.17)
y ' ' (t ) − a2 y (t )[1 − ny 2 (t )] + b2 y ' (t ) − d 2 x (t ) = c 2 sin (ωt − ϕ 0 )
Simulările numerice realizate cu ajutorul acestui sistem de ecuaţii sunt prezentate în fig. 6.7.
Valorile parametrilor utilizaţi au fost: a1 =1; a2 =0.5; b1 =0.2; b2 0.1; m = 3.1; n=1; c1 = c2 = c
şi ϕ0=0. S-a considerat o cuplare simetrică cu un parametru de cuplaj d1 = d2 = 0.1.

136
Fig. 6.7 Spectre FFT: serii temporale experimentale (stânga) şi seriile simulate corespunzatoare (dreapta).
Valorile amplitudinii semnalului de excitare (A) şi ale parametrului de control (c) sunt indicate pe fiecare grafic.

Se observă că simulările numerice reproduc cu bună aproximaţie spectrele de putere

experimentale, şi anume succesiunea de bifurcaţii care conduc în cele din urmă la evoluţii
haotice ale variabilei în sistem. Datorită utilizării unei ecuaţii diferenţiale ce nu exprimă în
mod exact evoluţia celui de-al doilea oscilator, corespondenţele rezultatelor experimentale cu
simulările numerice sunt numai calitative.

6.4.2 Evoluţii de tip tor ale sistemului dinamic

Alte seturi de date experimentale, calitativ diferite, au fost obţinute prin utilizarea unor
parametri diferiti în sistem: C0=1 nF, R=130 Ω, L=4.783 mH. Aceste rezultate indică o
evoluţie a sistemului de tip tor în spaţiul fazelor. Experimental au fost puse în evidenţă cel
puţin două frecvenţe independente în spectrele de putere.

137
A. Rezultate experimentale

În fig. 6.8 şi 6.9 sunt prezentate rezultate experimentale sub forma portretelor de fază
In+k vs. In vs. In+2k şi a spectrelor de putere corespunzătoare. In este a „n”-a valoare a variabilei
(aici tensiunea ce cade pe capacitatea liniară) din seria temporală considerată. S-a demonstrat
că o astfel de reprezentare reconstruieşte cu precizie spaţiul fazelor unui sistem dinamic dacă
timpul τ=kTe, unde Te este perioada de eşantionare, este ales corespunzător [210].

4
10
2
10
10 000
0

Spectrul de putere
5 000
10
In+20

-2
0 10
-4
-5 000 1x10

- 10000 -6
-150 00 10
- 15000 -10000
-10 000 -5000
In (t
en s
- 5000
0
0 10 -8
5000
iun 5 000
10000 f 1=15 6.5 kHz
e 10000
10

pe 150 00 15000
10
-10
n+

C
I

4 5 6
0 ) (a 10 10 10
.u.) Frecventa (Hz)

2 f1
4
10
2
20000
10
f3=3.125 MHz
0
Spectrul de putere

10000
10
I n+100

-2
0
10
-4
- 10000
1x10
-6
- 20000 10 f2=3.052 kHz
- 30000
-300 00 -2 0000 -8 f1=161.743 kHz
In (t
-20000 -1000 0 10
- 10000
en s 0
0
iu 1 0000
10000
50

-10
ne 20000 10
n+

p 20000
I

eC 104 105 10 6 10 7
0 ) (a
.u .) Frecventa (Hz)

3
2 f1
10
10000
10
1
10 f2 f 3=3.125 MHz
5000
Spectrul de putere
In+100

10 -1
0
-3
10
-5000
-5
1x10 f 2 =3.052 kHz
-15000
-10000
-15000 -10000
In (t -100 00-5000 0
-5000
10
-7
en
siu 0 5000 f1 =167.847 kHz
ne 5000
10000
0

pe
+5

10000
C 10 -9
I

15000
n

0 ) (a
15000 4
.u. 10 105 10 6 10 7
) Frecventa (Hz)

Fig. 6.8 Portrete de fază (stânga) şi spectre de putere (dreapta) ale seriilor temporale ce indică prezenţa în sistem
a trei frecvenţe independente.

Se observă în fig. 6.8 existenţa unei frecvenţe joase care este promovată într-un
domeniu de frecvenţe de excitare în care se presupune că se realizează cuplajul energetic al
sursei de tensiune cu un mod de oscilaţie a cărui frecvenţă depinde uşor de frecvenţa de

138
excitare. Astfel în spaţiul fazelor reconstruit se obţine un tor, bine-cunoscut în cazul
sistemelor dinamice cu frecvenţe incomensurabile.
În cazul datelor experimentale prezentate în fig. 6.8 perioada de eşantionare a fost de 2
µs (seriile temporale înregistrate la frecvenţele 175.78 kHz, 161.74 kHz şi 167.85 kHz), 5 µs
(seria temporală de la 186.77 kHz) şi 10 µs (seria temporală de la 156.5 kHz). Pentru a pune
mai uşor în evidenţă oscilaţiile de joasă frecvenţă au fost înregistrate serii temporale cu o
perioadă de eşantionare mai mare (100 µs) (fig. 6.9).
5 f 1=89.6 kHz
1x10
3
1x10
20000
1
1x10
2 f2

Spectrul de putere
-1 31.5 kHz
15000 1x10
-3
1x10
In+2

10000
-5
1x10
5000 -7
1x10
20000
f2=5.5 8 kHz
5000 15000 1x10 -9
I - 10000 10000
n T
ens 15000
5000 10
-11
i un 20000 I n+1 2 3 4 5
ep 10 10 10 10
eC
0
Fre cventa (Hz)

f 1=91.58 kHz
4
1x10

15000 1x102 2 f2
3 1.5 kHz
0
1x10
Spectrul de putere

10000
-2
1x10
5000
I n+2

-4
1x10
0
-6
1x10
-5000
-8
-10000 1x10 f 2=4.67 kHz
-5000
In

0 -10
-t

15 000
1x10
en

5000
10000
siu

10000 500 0 -12

0 10
ne

1 5000 -5000 102 10 3 104 105

pe

-10000
I n+ 1 Frecventa (Hz)
C0

5 f 1= 98.5 kHz
1x10
3 f 2= 4.6 kHz
1x10
1 3 1.25 kHz
15000 1x10
Spectrul de putere

-1
1x10
10000
-3
1x10
5000 -5
In+2

1x10
-7
0 1x10
f 2 / 2 = 2.29 kHz
-9
-5000
1x10
15000
-5000
0
10000 10-1 1
5000 5000
In -
Ten 10000 0
10
-1 3
siu 15000 2 3 4 5
ne
pe 20000
-5000
I n+ 1 10 10 10 10
C Frecventa (Hz)
0

Fig. 6.9 Serii temporale eşantionate la 100 µs, în care se observă prezenţa unui mod de oscilaţie de frecvenţă
joasă în spectrele de putere (graficele din dreapta).

În spectrele de putere din fig. 6.9 se poate observa de asemenea o a treia frecvenţă, care
este invariantă: 31.5 kHz. Aceasta este legată fie de o constantă de timp medie a purtătorilor
majoritari din Si de pe trapele de interfaţă (după cum s-a discutat în secţiunea 6.3) sau de un
anumit proces de relaxare dielectrică existent în feroelectric (cf. Huanosta et al.[222] ş i
Macedo et al. [223]). Perturbaţia datorată acestei oscilaţii suplimentare este de mică

139
amplitudine, astfel încât torul nu este destabilizat şi sistemul nu evoluează spre haos prin
quasi-periodicitate. Stabilitatea traiectoriilor quasi-periodice cu trei frecvenţe independente a
fost demonstrată de Grebogi et al. [224].

B. Rezonanţa stocastică indusă de haos în structuri MFS

Rezonanţa stocastică (RS) este un fenomen care se produce în sisteme ce pot fi descrise
uzual prin potenţiale de tipul U ( x) = − ax 2 + bx 4 , care prezintă două stări stabile S1 şi S2
corespunzând zonelor de potenţial minim. Un semnal periodic extern de amplitudine relativ
mică aplicat sistemului nu va produce tranziţii între cele două stări stabile, ci numai mici
oscilaţii în jurul acestora. În acelaşi timp întreaga diagramă de potenţial se va înclina ca
urmare a energiei externe periodice aplicate. Dacă în aceste condiţii nivelul zgomotului din
sistem va creşte prin suprapunerea unui zgomot aplicat din exterior, atunci în momentele în
care starea S1 se află la o energie potenţială superioară stării S2 probabilitatea de tranziţie a
sistemului din S1 în S2 va creşte, asistată fiind de zgomot. Acelaşi lucru se va întâmpla şi în a
doua jumătate a perioadei semnalului extern aplicat, de această dată probabilitatea de tranziţie
din starea S2 în starea S1 fiind mai mare. Dacă nivelul zgomotului va creşte în continuare,
probabilit ăţile de tranziţie în cele două sensuri vor deveni sensibil egale pe toată durata
perioadei semnalului aplicat. Ca urmare, în cazul unor nivele de zgomot medii tranziţiile în
fază cu semnalul periodic extern vor fi favorizate, iar raportul semnal/zgomot va prezenta un
maxim ca funcţie de nivelul zgomotului.
RS este un fenomen întâlnit într-o mare varietate de sisteme fizice, chimice şi biologice.
Propus iniţial într-o lucrare a lui Benzi et al. [225] pentru explicarea periodicităţii erelor
glaciare, a fost ulterior identificat în dispozitive electronice [226], în diode tunel [227-229] ş i
chiar în domeniul stiinţelor neurologice [230, 231].
Semnalul stocastic necesar pentru apariţia RS nu este limitat la zgomot [232]. S-a arătat
prin investigaţii numerice că semnale haotice externe sau intrinseci pot înlocui zgomotul în
sistemele ce prezintă RS. Un semnal haotic extern aplicat unui oscilator Duffing conectat la o
sursă periodică externă şi aflat într-un regim corespunzător unei secvenţe de dublare de
perioadă conduce la tranziţii între cei doi atractori specifici ai sistemului dinamic [233, 234].
Pe de altă parte, prin utilizarea dinamicii haotice intrinseci a unei hărţi neliniare dintr-o zonă a
spaţiului fazelor caracterizată de o criză de intersectare a benzilor de evoluţie dinamică s-a
reuşit să se activeze un proces de tranziţie ce poate fi sincronizat cu un semnal de mică
amplitudine [235]. O observaţie experimentală a fenomenului RS determinat de intrarea
sistemului într-un regim haotic a fost realizată în germaniu de tip p impurificat cu Au [236].
O altă extensie importantă a fenomenului este RS în sisteme neliniare cuplate. Două
sisteme bistabile cuplate care au fost investigate au arătat o rezonanţă clară a răspunsului
periodic pentru o variaţie uşoară a constantelor de cuplaj sau a intensităţii zgomotului [237].
În prezenta secţiune se vor prezenta rezultate experimentale ce susţin ipoteza prezenţei
fenomenului de rezonanţă stocastică în structurile MFS investigate electric conform descrierii
din cap. 4 (cf. de asemenea fig. 6.1).
S-a specificat mai sus că tranziţia spre haos prin secvenţa dublării de perioadă s-a
obţinut în cazul menţinerii constante a frecvenţei de excitare prin variaţia tensiunii de
alimentare (fig. 6.4 şi 6.7), precum şi pentru variaţia frecvenţei de excitare la o tensiune
constantă. În ambele cazuri s-a observat persistenţa comportării haotice pentru un domeniu
larg al frecvenţelor semnalului de excitare.

140
 5
1x10 5 1x10
3 3
1x10 1x10
1x10 1x10
Spectrul de putere

Spectrul de putere
-1 -1
1x10 1x10
-3 -3
1x10 1x10
1x10-5 1x10
-5

-7
1x10 1x10-7 f1/2
-9 -9
1x10 (a) f 1=104.7 kHz 1x10 (b) f1=99.5 kHz
- 11 - 11
10 3 4 5 6 10 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10 10 10
Frecventa (Hz) Frecventa (Hz)

1x10 5 1x10 5
3 3
1x10 1x10
1x10 1x10

Spectrul de putere
Spectrul de putere

-1 -1
1x10 1x10
-3 -3
1x10 f 1=1.5 kHz 1x10
-5
1x10 1x10- 5
1x10
-7
1x10- 7 f2=1.8 kHz
-9 -9
1x10 (c) f1=94.3 kHz 1x10 (d) f1=92.5 kHz
- 11 -11
10 3 4 5 6
10
10 10 10 10 103 10 4 105 106
Frecventa (Hz) Frecventa (Hz)

5
4
1x10
1x10 3
2 1x10
1x10
1x10
1x1 SP
Spectrul de putere
Spectrul de putere

-1
1x10
-2 1x10
-3
1x10
-4 1x10 NP
-6 -5
1x10 1x10
f2=3.052 kHz
1x10
-8
1x10 -7
- 10 -9
f1=83.618 kHz
1x10 (e) f1=84.84 kHz 1x10 (f) f 2=3.66 kHz
- 12 -11
10 10
10 3 10 4 105 106 10
3
10
4
10
5
10
6

Frecventa (Hz) F recventa (Hz)

Fig. 6.10 Spectre de putere ce ilustrează cazuri în care s-au înregistrat diferite valori ale raportului
semnal/zgomot. Graficele diferă prin frecvenţa semnalului de excitare. Amplitudinea tensiunii aplicate a fost de
12 V.

În fig. 6.10 a şi b este prezentată o secvenţă de dublare de perioadei semnalului de

excitare. Experimental s-a observat şi perioada 4, însă traiectoria a evoluat rapid către o
comportare haotică, aşa cum se poate vedea în fig. 6.10c, astfel încât achiziţia unei serii
temporale care să prezinte perioada 4 nu a fost posibilă în această secvenţă. Se presupune că
valorile frecvenţei corespunzătoare perioadei 4 şi cea a instaurării haosului în sistem sunt atât
de apropiate, încât fluctuaţia inerentă a frecvenţei sursei s-a suprapus peste ambele valori. Ca
urmare trecerea la regimul haotic s-a realizat fără a fi necesară modificarea în continuare a
frecvenţei de excitare.

141
 Se poate presupune că promovarea frecvenţei joase în spectrele de putere, remarcată
mai sus (fig. 6.9) este legată şi chiar declanşată de instaurarea regimului dinamic haotic în
sistem [238].
La fel ca şi zgomotul, spectrul de putere al haosului este caracterizat de o bandă largă de
frecvenţe activate în sistem. De aceea a apărut ipoteza existenţei fenomenului de rezonanţă
stocastică în sistemul studiat. În continuare se va echivala nivelul puterii spectrale a haosului
cu nivelul de zgomot. Pentru a testa ipoteza RS s-au calculat şi reprezentat în fig. 6.11
raportul semnal / zgomot, definit astfel [232]:
S S 
= 10 log P  (6.18)
N  NP 
în funcţie de nivelul de zgomot log(NP), reprezentat într-o scară logaritmică. Prin utilizarea
unei scări logaritmice a nivelului de zgomot vizibilitatea maximului raportului semnal
/zgomot este considerabil mărită. În ec. (6.18) prin SP s-a notat puterea spectrală a frecvenţei
joase promovate (f2), iar prin NP puterea spectrală a zgomotului corespunzătoare aceleiaş i
frecvenţe, măsurată faţă de un nivel de referinţă ales. Prezentarea schematică a acestor mărimi
este facută în fig. 6.10f.
Reprezentarea 6.11 prezintă o remarcabilă similaritate cu caracteristicile echivalente ce
indică prezenţa fenomenului de rezonanţă stocastică, întâlnit în sisteme mai convenţionale din
acest punct de vedere (cf. Ref. [232] şi a lucrărilor citate). Această constatare experimentală
este considerată o dovadă puternică ce sprijine ipoteza lansată mai sus, şi anume faptul că în
sistemul studiat frecvenţele joase sunt promovate prin rezonanţa stocastică.

70
Nivelul raportului semnal/zgomot

60

50

40

30

20

10

0
-4 -3 -2 -1 0 1 2
Nivelul de "zgomot"

Fig. 6.11 Punctele experimentale ale raportului semnal/zgomot în funcţie de nivelul de „zgomot” din sistem.
Unităţile de măsură au fost definite în text. Linia continuă este trasată numai pentru ghidarea ochiului.

În privinţa naturii fizice a frecvenţelor joase promovate în sistem se propun două

interpretări:
1. Dacă în sistem există un cuplaj între doi oscilatori diferiţi [218]: pe de o parte
circuitul electric descris prin elementele de circuit obişnuite (capacitate liniară, rezistenţă,
inductanţă şi sursă de tensiune, la care se adaugă capacitatea neliniară), iar pe de altă parte
sistemul mecanic al structurii MFS, atunci se poate considera că frecvenţele joase sunt
promovate în sistem atunci când în spectrul primului oscilator îşi face simţită prezenţa într-o
măsură semnificativă frecvenţa de rezonanţă elastică a structurii MFS. Cei doi oscilatori sunt
cuplaţi în primă instanţă prin efectul piezoelectric invers. Prin aplicarea unui semnal-sursă

142
armonic filmului feroelectric, vibraţiile induse în acesta conduc, prin compunerea
contribuţiilor cristalitelor la excitarea unui mod propriu transversal de vibraţie (de frecvenţă
mai joasă) al filmului de BIT şi suprafeţei Si. Acesta, la rândul lui, prin efectul piezoelectric
direct induce o componentă electrică în feroelectric cu frecvenţă identică, observabilă în
spectrul de putere al tensiunilor înregistrate experimental.
2. O altă posibilă origine a frecvenţei joase promovate în spectrele de putere
experimentale o constituie prezenţa în spaţiul fazelor a doi atractori distincţi, care în anumite
condiţii experimentale pot comunica printr-o excursie continuă a punctului curent ce defineşte
starea sistemului. Din punct de vedere fizic, primul atractor este reprezentat de domeniul
spaţiului fazelor în care sistemul evoluează fără comutarea domeniilor feroelectrice din filmul
de BIT. Acesta se întinde în apropierea originii, nefiind însă simetric fată de aceasta din cauza
asimetriilor structurii ce se comportă similar cu o structură MOS. Al doilea atractor apare în
momentul în care substratul de Si se află în acumulare. Se cunoaşte faptul că mărimea
câmpului electric din filmul feroelectric din aceste momente este mai mare decât câmpul din
feroelectric existent în regimul de depleţie completă. Atractorul apare în cazul în care câmpul
este suficient de mare astfel încât să producă comutarea domeniilor feroelectrice. Întrucât
câmpul de pe ramura perioadei semnalului aplicat corespunzătoare depleţiei adânci nu este
atât de puternic încât să producă o recomutare în sens opus a domeniilor feroelectrice, aceste
domenii rămân orientate preferenţial pe durata întregului ciclu al semnalului sursă. Ca urmare,
tensiunea medie ce cade pe structura MFS într-un ciclu este diferită de zero. În consecinţă ş i
tensiunea de pe capacitatea liniară, cea care este măsurată experimental, are o medie vizibil
diferită de zero.
Într-adevăr, aceşti doi atractori au fost observaţi experimental în cazuri în care
traiectoria era capturată într-unul din ei. În datele experimentale prezentate mai sus însă
traiectoria efectuează o excursie între cei doi atractori într-un timp corespunzător frecvenţei
joase promovate. Se bănuieşte că aceste excursii sunt posibile datorită unor particularităţi ale
fenomenului de comutare a domeniilor feroelectrice. Pentru nivele ale câmpurilor electrice
din momentele în care Si este în depleţie adâncă ce nu depăşesc cu mult câmpul coercitiv,
toate domeniile comută rapid. Pe de altă parte, timpul scurt de aplicare a câmpului coercitiv
nu permite furnizarea sarcinii compensatoare cerută de câmpurile interne din domenii. Cu alte
cuvente timpul de relaxare este mai mare decât timpul de aplicare a câmpului coercitiv. Ca
urmare, o parte din domenii, pentru care ecranarea cu sarcină din exterior nu s-a produs revin
la polarizarea avută anterior. Aceste depolarizări parţiale produc o deplasare a ciclurilor din
spaţiul fazelor înspre ciclul limită al atractorului iniţial.

Studii ulterioare detaliate sunt necesare pentru confirmarea uneia sau alteia din cele
două posibile explicaţii prezentate mai sus.
Un aspect experimental interesant constă în variaţia uşoară a componentei de frecvenţă
joasă din spectrul de putere cu variaţia frecvenţei de excitare. Dacă interpretarea acestei
frecvenţe pe baza rezonanţelor mecanice din structură cu greu poate oferi o explicaţie
satisfăcătoare acestui fenomen, în schimb prin modelul celor doi atractori promovarea
frecvenţei joase f2 poate fi pusă pe seama complexităţii fenomenelor de comutare din filmul
feroelectric.

143
6.5 Concluzii

În capitolul de faţă a fost studiat un sistem ce constă dintr-un circuit serie RLC excitat de
către o sursă de tensiune armonică, căruia i s-a ataşat în serie structura Metal-Feroelectric-
Semiconductor (MFS) care joacă rolul elementului de circuit neliniar.
Rezultatele analizei de semnal mare a structurilor de tip MFS vor fi prezentate în
continuare.
a) S-au realizat două modele cantitative de evoluţie în timp a variabilelor sistemului:
9 Prima modelare are la bază unele aproximaţii clasice, cum ar fi aproximaţiile teoriei
exacte ale structurii MOS (prezentată succint în secţiunea 3 a Anexei 3) şi teoria
Landau a tranziţiilor de fază ce modelează matematic comportarea feroelectricilor
în câmp electric. Variabila sistemului este inducţia electrică din structura MFS (sau
sarcina mobilă din circuit). Modelul a condus la o ecuaţie diferenţială ordinară de
ordinul doi dezvoltată pe baza ecuaţiei Duffing. Simulările numerice realizate
pornind de la această ecuaţie sunt în bun acord cu rezultatele experimentale.
9 A doua modelare se bazează pe ideea prezenţei unui oscilator intrinsec în sistem,
determinat de stările localizate de interfaţă. Prezenţa oscilatorului intrinsec a fost cu
mare probabilitate identificată în sistem prin identificarea unei frecvenţe invariante
în sistem (la aproximativ 31 kHz). Puterea spectrală a acestei frecvenţe este însă
prea mică pentru a putea conduce sistemul către un scenariu de tip Newhouse-
Takens-Ruelle de tranziţie spre haos.Modelarea cuplării acestui oscilator intrinsec
cu cel al circuitului s-a facut prin considerarea unui sistem de ecuaţii Duffing
cuplate. Rezultatele simulării numerice sunt în bun acord calitativ cu datele
experimentale [221].
b) Prin investigarea seriilor temporale experimentale au fost scoase în evidenţă
comportamente electrice complexe, ce cuprind serii de bifurcaţii ale orbitelor periodice
simple, cu două bucle sau cu trei bucle, urmate de evoluţii spre haos, precum şi evoluţii spre
haos prin dublarea unor multipli de perioadă fundamentală (perioade k×2n). Acestea au fost
reproduse prin simularea numerică, conform primului model prezentat la pct. a. Existenţa
acestor dinamici complexe este pusă pe seama prezenţei unor asimetrii puternice în sistem,
cum ar fi cea datorată distribuţiilor diferite de căderi de tensiune pe stratul feroelectric şi Si în
cele două regimuri de la suprafaţa Si: acumulare şi depleţie adâncă.
c) Serii temporale experimentale înregistrate în cazul utilizării unui set diferit de
parametri ai sistemului indică prezenţa torilor în reprezentările de tip portret de fază. S-a
identificat în sistem o frecvenţă independentă. Aceasta are o valoare mică (câţiva kHz) şi este
slab dependentă de frecvenţa de excitare.
S-a propus un scenariu de promovare a acestei componente de joasă frecvenţă din
spectrul de putere. Dacă iniţial, prin variaţia frecvenţei la amplitudine constantă se instaurează
haosul printr-o evoluţie Feigenbaum (dublare de perioadă), frecvenţa joasă poate fi promovată
prin fenomenul rezonanţei stocastice. Aici comportarea haotică este echivalată cu zgomotul
din punctul de vedere al spectrului larg de frecvenţe acoperite. Rezonanţa stocastică a fost
pusă în evidenţă prin reprezentarea raportului semnal/zgomot în funcţie de nivelul
„zgomotului” din sistem, al componentei spectrale haotice corespunzătoare frecvenţei joase.
Ceea ce s-a obţinut este un „peak” similar cu rezultatele clasice ale rezonanţei stocastice
[238].

144
 În ceea ce priveşte originea fizică a frecvenţei joase din spectrul de putere au fost
propuse două interpretări:
• Se presupune că este datorată cuplajului realizat prin efectele piezoelectrice direct ş i
invers ale polarizarii stratului feroelectric cu modurile proprii transversale de vibraţii
elastice ale structurii MFS.
• S-a arătat că în spaţiul fazelor al sistemului dinamic pot coexista doi atractori care în
anumite condiţii sunt vizitaţi periodic de către punctul curent al stării sistemului cu o
frecvenţă egală cu cea pusă în evidenţă în spectrul de putere. Spre deosebire de prima
interpretare, modelul atractorilor nu exclude existenţa unei dependenţe slabe a acestei
componente spectrale de frecvenţa de excitare, fapt observat experimental. Această
constatare experimentală nu are deocamdată o explicaţie satisfăcătoare.

Analiza de semnal mare a structurilor de tip MFS a scos în evidenţă fenomene ce nu

sunt cu claritate identificate prin analiza de semnal mic. Rezonanţele joase descoperite pot fi
puse în legătură şi cu pierderile electrice atipice întâlnite în cadrul studiului dielectricilor de
permitivitate mare (cap. 5, secţiunea 5.4.4), care se produc la frecvenţe similare. Măsurătorile
de conductivitate (similare celor efectuate asupra structurilor MOS având ca dielectric
aluminatul de lantan LaAlO3 şi hafniatul de lantan La2Hf2O7) efectuate pe structurile MFS cu
titanat de bismut au arătat că acelaşi fenomen, pierderile electrice atipice, este prezent şi în
acest caz.
Sistemul studiat constituie prin asimetria evoluţiilor sale un instrument bun de
investigare a dinamicii de comutare a filmelor feroelectrice. Studiul proprietăţilor electrice ale
structurilor de tip MFM se dovedeşte limitat în această privinţă.

145
146
7 Rezultate experimentale şi discuţii.
Tranzistor cu efect de câmp pe bază
de structuri pseudo-MOS de tipul
CdS/SiO2/Si

Sulfura de cadmiu (CdS) este un bine-cunoscut semiconductor compus A2B6 cu bune

proprietăţi fotoconductive în domeniul vizibil al spectrului electromagnetic (400-600 nm)
[239]. Structuri şi dispozitive semiconductoare de diferite tipuri bazate pe CdS au fost
realizate şi caracterizate, cum ar fi tranzistorii cu efect de câmp cu filme subţiri („Thin Film
Transistors”-TFT) [240]. Acest tip de dispozitiv este folosit la realizarea ecranelor plate ş i
tehnologia stocării informaţiei. Printre numeroasele metode folosite la prepararea filmelor de
CdS se numără şi depunerea chimică („Chemical Bath Deposition”-CBD), care este una
dintre cele mai atractive datorită costurilor scăzute, a uşurinţei aplicării şi a variatelor
posibilităţi de depunere şi dopare pe diferite substrate. Astfel, heterostructuri diverse cu
proprietăţi fizice interesante pot fi proiectate, realizate şi testate. În particular pot fi uşor
fabricate dispozitive cu efect de câmp prin depunerea unui film subţire de CdS pe un substrat
SiO2/Si. Aceste tipuri de dispozitive îşi pot găsi aplicaţii în domeniul fotodetecţiei. Astfel de
structuri au fost deja realizate şi s-a arătat că prezintă foarte bune caracteristici tipice de
tranzistor [240].
În încercarea de a se obţine fotodetectori eficienţi cu aplicaţii în comunicaţiile de lungă
distanţă bazate pe fibre optice, care au ca cerinţă operarea în domeniul radiaţiilor cu lungimi
de undă situate între 1.3 şi 1.55 µm, s-au investigat şi altfel de structuri, cum ar fi cele bazate
pe CdxPb1-xS, preparate de asemenea prin metoda CBD [241]. Prin variaţia concentraţiei
relative a cadmiului şi plumbului (0<x<1) se poate varia mărimea benzii interzise a straturilor
subţiri de CdxPb1-xS între cea a PbS (0.4 eV, corespunzătoare unei lungimi de undă în
domeniul infraroşu de 3.1 µm) şi cea a CdS (aprox. 2.4 eV, corespunzătoare luminii vizibile
cu λ≈0.52 µm).
În acest capitol se vor prezenta numai rezultatele experimentale realizate pe TFT-uri pe
bază de CdS şi de asemenea un model teoretic ce încearcă să ofere o descriere cât mai
apropiată de realitate a comportărilor electrice din sistem. Domeniile de semnale investigate
sunt restricţionate la o polarizare pozitivă a porţii, fără ca prin aceasta generalitatea abordării
să fie restrânsă. Toate dispozitivele sunt de tip tranzistor cu canal electronic în regimul de

147
acumulare pentru tensiuni de drenă (VD) şi de poartă (VG) pozitive. Pentru VD<0 şi VG>0
caracteristicile electrice nu sunt simetrice relativ la axa curenţilor. În acest caz se va arăta că
dominantă este conducţia limitată de sarcina spaţială (SCLC). Caracteristicile electrice curent
de drenă ID în funcţie de tensiunea de drenă au fost realizate în condiţii de întuneric.

7.1 Rezultate experimentale şi discuţii

Curbele experimentale ale curentului de drenă în funcţie de tensiunea de drenă (Id-Vd) au fost
obţinute în întuneric pentru tensiuni de poartă diferite. Caracteristicile experimentale sunt
prezentate în fig. 7.1 [242]. Măsurătorile au fost efectuate pentru valori atât pozitive cât ş i
negative ale tensiunii de drenă. După cum se poate observa, caracteristici tipice de tranzistor
se obţin pentru Vd>0. Curentul creşte şi se saturează la o anumita valoare Vd ce depinde de
tensiunea de poartă. Pentru teniuni de drenă negative curentul creşte de asemenea, însă nu
există saturare. Astfel, comportarea electrică nu este simetrică faţă de semnul tensiunii de
drenă.

0
Curentul de drena (nA)

-20

-40
0

-2
-60
Drain current (nA)

-4

-6
-80 0V
-8 0V
5V -10
5V
-100 10V
-12
0 100 200 300 400
10V 2
Vd
-120
-20 -15 -10 -5 0
Tensiunea de drena (V)
(a)

90
15V
Curentul de drena (pA)

75

10V
60

45

30
5V
15
0V
0
0 5 10 15 20
Tensiunea de drena (V)
(b)
Fig. 7.1 Caracteristicile curentului de drenă de întuneric măsurate pentru diferite valori ale tensiunii de poartă
Vg, care sunt indicate în figuri. (a) pentru Vd<0 (în inset se poate observa dependenţa liniară în reprezentarea Id
vs. Vd2); (b) pentru Vd>0.

148
În scopul realizării unui model care să explice rezultatele experimentale este necesar să se
adopte câteva presupuneri şi aproximaţii:
(a) Substratul de Si se consideră că are o densitate uniformă a impurităţilor donoare,
de aproximativ 2×1015 cm-3;
(b) SiO2 este un izolator perfect, iar curenţii de poartă sunt neglijabili;
(c) Filmul de CdS este de tip n şi policristalin, cu o distribuţie uniformă a centrilor
donori de aproximativ 1014 cm-3, după cum a fost estimat prin măsurători de rezistivitate
efectuate asupra filmelor depuse în aceleaşi condiţii pe substrate de sticlă. A fost considerată o
mobilitate a purtătorilor de aproximativ 3 cm2/Vs [170];
(d) Prezenţa altor tipuri de sarcini, cum ar fi sarcinile capturate la interfeţele SiO2/Si ş i
CdS/SiO2 şi sarcinile fixe/mobile din volumul oxidului, este neglijată. Prin adoptarea acestei
aproximaţii se poate aplica conservarea inducţiei electrice D.
Pentru a studia regimurile ce pot fi întâlnite în filmul de CdS anumite mărimi specifice
trebuie calculate. Grosimea maximă a regiunii de depleţie în interiorul filmului de CdS este
determinată de concentraţia impurităţilor donoare conform ecuaţiei (cf. Sze[133], pag. 373):
N 
4ε 0ε CdS kT ln  D ,CdS 
 ni ,CdS 
Wmax = , (7.1)
q 2 N D ,CdS
unde ε0 este permitivitatea vidului, εCdS =5.4 este permitivitatea relativă a CdS, k este
constanta lui Boltzmann, T este temperatura, q este sarcina elementară, iar ni,CdS este
concentraţia intrinsecă de purtători în filmul de CdS. Pentru lărgimea maximă a regiunii de
depleţie s-a obţinut o valoare de aproximativ 6 µm. Aceasta este mult mai mare decât
grosimea filmului. Stratul de CdS este depletat când pe electrodul de poartă sunt aplicate
tensiuni negative. În acest caz, pentru tensiuni de drenă nule, substratul de Si se află în regim
de acumulare la interfaţa cu SiO2, astfel încât căderea de tensiune în Si este neglijabilă iar
tensiunea de poartă aplicată este împărţită între stratul de oxid şi filmul de CdS:
Vg ≈ Eox X ox + VCdS (7.2)
unde Eox este câmpul electric din oxid, Xox este grosimea oxidului (aproximativ 150 nm) ş i
VCdS este căderea de tensiune pe stratul de CdS. Curbura benzilor în CdS la interfaţa cu SiO2
în aproximaţia de golire este [133]:
qN D,CdS 2
VCdS = w (7.3)
2ε 0ε CdS
unde w este lărgimea regiunii golite corespunzătoare unei tensiuni de poartă Vg. Aplicând
legea conservării inducţiei electrice la interfaţa CdS/SiO2 (εoxEox = εCdSECdS), considerând
câmpul electric la interfaţă ECdS = qND,CdSw/εCdS şi înlocuind mărimile Eox şi Vg în ecuaţia
(7.2) se obţine o ecuaţie de gradul II în necunoscuta w:
ε 2ε CdS
w2 + 2 CdS X ox w − Vg = 0 (7.4)
ε ox qN D ,CdS
Prin rezolvarea ec. (7.4) se poate arăta că o lărgime de depleţie de 70 nm (ceea ce constituie
grosimea filmului) corespunde unei tensiuni de poartă de numai 2 mV. Astfel, se presupune
că stratul de CdS este complet golit chiar pentru tensiuni negative de poartă foarte mici. Mai
mult, se consideră că starea de acumulare se atinge rapid, deoarece filmele subţiri investigate
sunt de rezistivitate mare.

149
 Comportările ramurilor negative şi pozitive ale curentului de drenă (fig. 7.1 (a) şi (b))
vor fi discutate în cele ce urmează.

7.1.1 Tensiune de drenă negativă

Tensiunea de drenă este considerată negativă când polaritatea negativă este aplicată pe drenă.
Dacă se reprezintă curentul de drenă prin stratul de CdS în funcţie de pătratul tensiunii de
drenă aplicate (cf. insert-ului din fig. 7.1a) se observă o dependenţă liniară. Aceasta indică
prezenţa curenţilor limitaţi de sarcină spaţială (SCLC), un regim de transport electric des
întâlnit în filme semiconductoare de mare rezistivitate [113]. Contactul prin care se realizează
injecţia este cel al drenei, astfel încât prin structură de va stabili un gradient de concentraţie
pentru electroni. Ambele tensiuni (Vd<0 şi Vg>0) vor contribui la acumularea electronilor la
interfaţă, lăsând volumul filmului parţial golit şi favorizând apariţia curenţilor SCL (fig. 7.2a).
Expresia densităţii de curent în cazul curenţilor limitaţi de sarcină spaţială este:
9 Vd2
J = ε 0ε CdS µ n ,CdSθ 3 (7.5)
8 d eff
unde µn,CdS este mobilitatea electronilor în CdS, θ este raportul dintre concentraţia purtătorilor
liberi şi concentraţia totală de purtători (liberi şi capturaţi în trape), θ= nCdS/(nCdS + nt,CdS). deff
poate fi privit ca lungimea filmului în care limitarea de curent este datorată sarcinii spaţiale.
În cazul de faţă se poate considera că această lungime este egală cu distanţa dintre sursă ş i
drenă (1.5 mm).

(a) (b)

(c)
Fig. 7.2 O schiţă a tranzistorului cu efect de câmp pe bază de CdS în diferite regimuri de funcţionare: (a) Vd<0;
(b) Vg>Vd>0; şi (c) Vd>Vg>0 (condiţii de saturare). Vg>0 în toate cazurile. ”Acc.“ desemnează regimul de
acumulare, în timp ce ”Dep.“ desemnează regimul de depleţie.

150
Produsul µn,CdSθ poate fi evaluat prin măsurarea pantei caracteristicii liniare I versus Vd2. O
valoare de aproximativ 5.6 cm2/Vs se obţine pentru Vg=0, iar 7.8 cm2/Vs corespunde tensiunii
de poartă Vg=10 V. Aria contactelor prin care se realizează injecţia de purtători este
considerată egală cu aria contactelor drenei şi sursei. Considerând că θ nu variază foarte mult
cu tensiunea de poartă, se poate concluziona că mobilitatea creşte uşor cu Vg. Această
constatare este în acord cu rezultatele altor investigaţii [243, 244].

7.1.2 Tensiune de drenă pozitivă

În cazul tensiunilor de drenă pozitive mai mici decât tensiunea de poartă filmul de CdS este în
regim de acumulare. Electronii sunt injectaţi din contactul de sursă (care are un potenţial
negativ în comparaţie cu drena), apoi sunt colectaţi de către drenă. Regiunea golită se va
deplasa dinspre suprafaţă către interfaţa CdS/SiO2 pe măsură ce tensiunea de drenă creşte (cf.
fig. 7.2b şi c). Conducţia în film este încă limitată de sarcina spaţială dar regiunea din filmul
semiconductor în care se produce efectiv limitarea (deff) este dependentă de valorile
tensiunilor de drenă şi poartă. Pentru lungimea efectivă a regiunii de sarcină spaţială a fost
dedusă o formulă empirică:
  Vd  
2/3

deff = L  xmin + ( xmax − xmin )    (7.6)

  Vg  
   
unde xmaxL este extensia maximă a regiunii SCLC, iar xminL este întinderea minimă a acesteia.
Lungimea efectivă a regiunii de sarcină spaţială a fost dedusă din următoare considerente:
(1) Densitatea curenţilor de drenă înregistrată experimental se saturează cu tensiunea de
drenă ;
(2) Curentul SCL este dependent de lungimea regiunii de sarcină spaţială şi de tensiunea
de drenă aplicată prin intermediul expresiei Vd2/deff3.

90
15V
75
Drain current (pA)

60 10V

45

30
5V
15

0
0 5 10 15 20
Drain voltage (V)

Fig. 7.3 Caracteristici teoretice ale curentului de drenă obţinute prin reprezentarea ec. (7.5) şi (7.6) pentru valori
diferite ale tensiunii de poartă Vg.

Pentru tensiuni mari de drenă densitatea curentului saturat este independentă de Vd. Această
observaţie conduce la o dependenţă a lungimii deff de puterea 2/3 a tensiunii de drenă Vd.
Dependenţa de tensiunea de poartă a fost aleasă astfel încât curentul de drenă să crească cu
tensiunea de poartă şi în acelaşi timp să se producă saturarea curentului pentru Vd=Vg. Când
regiunea golită ajunge la suprafaţă (ceea ce se întâmplă la Vd>Vg) curentul se saturează (fig.

151
7.2c). Dependenţa teoretică a curentului de drenă se obţine prin înlocuirea lungimii deff din ec.
(7.6) în ec. (7.5). A fost ales xmax=1 când deff este egal cu lungimea filmului la Vd=Vg. Astfel
parametrul de fitare va fi produsul µn,CdSθ şi xmin. Curbele teoretice obţinute în acest mod sunt
prezentate în fig. 7.3.
Pentru xmin a fost aleasă o valoare de 0.1, iar µn,CdSθ = 10-1 cm2/Vs. Aceasta valoare
este diferită faţă de cazul tensiunilor de drenă negative. Considerând că mobilitatea este
aceeaşi se poate concluziona că ocuparea trapelor este diferită când filmul este în acumulare
sau în depleţie. Creşterea densităţii de electroni capturaţi pentru Vd>0 constituie o posibilă
explicaţie pentru valorile mai mici ale curentului de drenă în comparaţie cu cazul tensiunilor
de drenă negative. Este interesant de observat că scăderea curentului este de aproximativ două
ordine de mărime, aproape identică cu scăderea produsului µn,CdSθ.

7.2 Concluzii

Pornind de la structurile simple de tip MOS se pot concepe noi dispozitive cu aplicaţii variate.
Un exemplu de acest fel este dat în acest capitol [242].
Structuri pseudo-MOS CdS/SiO2/Si, în care substratul de siliciu joacă rolul electrodului
metalic, au potenţiale aplicaţii în detecţia optică din domeniul vizibil cu lungimi de undă ale
radiaţiei electromagnetice (λ<500 nm) corespunzătoare lărgimii benzii interzise a CdS.
Dispozitivele au fost realizate prin depunerea electrozilor de drenă şi sursă pe CdS, ca
electrod de poartă fiind utilizat Si contactat ohmic pe spate cu Al.
Caracteristicile curentului de drenă în întuneric pentru tensiuni de drenă pozitive
corespund comportării normale a unui tranzistor cu efect de câmp, iar pentru tensiuni de drenă
negative curentul de drenă este limitat de sarcina spaţială. Pornind de la caracteristicile
experimentale şi particularităţile acestora a fost dedusă o expresie empirică a curentului de
drenă prin considerarea unei dependenţe a lungimii regiunii de sarcină spaţială de tensiunile
aplicate de drenă şi poartă. Caracteristicile teoretice reproduc cu bună aproximaţie datele
experimentale.
Metoda de depunere chimică CBD a semiconductorilor anorganici, cum ar fi CdS,
reprezintă o tehnică avantajoasă ce poate fi utilizată la fabricarea cu costuri reduse a
diferitelor dispozitive electronice de arie mare.

152
8 Concluzii

Lucrarea este alcătuită din trei părţi principale, corespunzătoare celor trei domenii de
investigaţie a structurilor de tip MOS care au fost abordate: studiul dielectricilor de poartă de
mare permitivitate pentru aplicaţiile CMOS, analiza de semnal mare a structurilor de tip
Metal-Izolator-Semiconductor (MIS) şi studiul dinamicilor neliniare ale acestora şi modelarea
structurilor de tip pseudo-MOS cu efect de câmp.

8.1 Dispozitive de tip MOS cu oxizi de poartă de

permitivitate mare

Oxizii de poartă de mare permitivitate au fost investigaţi cu ajutorul metodelor analizei de

semnal mic prezentate în capitolul 3, precum şi prin studierea mecanismelor de conducţie
electrică prin structurile MOS. În final se pot trage următoarele concluzii cu privire la
proprietăţile acestor materiale şi la posibila utilizare ca dielectrici de poartă în tehnologia
CMOS:

8.1.1 Oxidul de itriu Y2O3

Oxidul de itriu a fost crescut prin Molecular Beam Epitaxy (MBE) la NCSR „Demokritos”,
Atena, în patru modalităţi diferite :
(i) evaporarea Y2O3 prin bombardarea cu electroni a unei ţinte de Y2O3 aflată sub formă
de ceramică sinterizată urmată de depunerea pe un substrat de Si(001).
(ii) depunerea iniţială a unui strat de itriu de 0.5 nm urmată de creşterea Y2O3 în plasmă de
oxigen.
(iii) creşterea directă a Y2O3 pe substratul de Si în plasmă de oxigen.
(iv) evaporarea Y2O3 pe substrate de Si având planul suprafeţei înclinat (suprafaţă
neorientată) cu 4° sau 2° faţă de planul (001) al Si.
În cazul procedurii iniţiale (i) Y2O3 a fost crescut epitaxial pe Si, prezentând o structură
cristalină Y2O3(110)//Si(001) dublu domeniu rotită [166]. Creşterea de tip epitaxial
Y2O3(001)//Si(001), teoretic favorizată de potrivirea constantelor de reţea ale Si şi Y2O3, nu a

153
fost observată. S-a determinat Tg=450°C ca temperatură optimă de creştere. S-a arătat că la
interfaţa Si-oxid apare un strat amorf (SiOx, SiO2 sau Y-Si-O). Acest strat conduce la o
creştere însemnată a EOT-ului şi din acest motiv s-au efectuat tratamente termice în UHV
pentru micşorarea grosimii sau chiar eliminarea lui. Caracterizarile structurale au arătat că
într-adevăr acest strat poate fi eliminat prin efectuarea unor tratamente în UHV la temperaturi
de peste 490°C.
În urma caracterizării electrice (investigaţii ale capacităţii şi conductanţei) a structurilor
Y2O3/Si nesupuse tratamentului termic se pot face urmatoarele observaţii:
o Permitivitatea efectivă este mică (3.16), mai mică decât cea corespunzătoare SiO2 ş i
mult mai mică decât cea raportată a filmelor subţiri de Y2O3, fapt pentru care s-au
găsit câteva explicaţii posibile: existenţa unui strat interfacial de mică permitivitate
(SiOx sau YSiO), deficienţa in oxigen a filmului oxidic sau prezenţa unor straturi
hidroxidice (de tipul SiOxHy) la interfaţa Si cu oxidul [179, 180]. Totuşi, pâna în
prezent nu a fost determinată cauza efectivă a valorilor mici ale permitivităţii [178,
181].
o Deplasarea spre valori negative a tensiunii de benzi netede sugerează existenţa unor
sarcini fixe pozitive în oxid, ceea ce este în acord cu presupunerea existenţei unei
deficienţe de oxigen în oxidul de itriu.
o Trapele de interfaţă corespunzătoare unei distribuţii continue în energie din regiunea
de depleţie sunt trape rapide, care răspund în mod semnificativ unor frecvenţe de
aproximativ 1 MHz.
o În apropierea marginii superioare a benzii de valenţă a siliciului (în banda interzisă
sau chiar în interiorul benzii de valenţă), la interfaţă sau în oxid în apropierea
interfeţei există stări localizate acceptoare monoenergetice sau cu o distribuţie
îngustă în energie.
Foarte probabila deficienţă de oxigen în stratul de oxid de itriu se poate afla, după cum
s-a sugerat mai sus, la originea valorilor relative scăzute ale permitivităţii ale acestor filme.
Acesta este un alt factor ce creşte grosimea echivalentă a oxidului (EOT). Tratamentele
termice în UHV micşorează această deficienţă prin disocierea stratului interfacial amorf ş i
migrarea oxigenului ce intră în compoziţia acestuia înspre volumul oxidului. Totuşi rezultatul
final este departe de aşteptări, permitivitatea relativă (deşi crescută) rămânând în continuare
mică. Mai mult, dispariţia stratului interfacial cu bune proprietăţi izolatoare determină
creşterea curenţilor de poartă, ce pot atinge valori care să distorsioneze caracteristicile
electrice de bază ale dispozitivelor MOS. Modificările structurale, cum ar fi existenţa
domeniului dublu rotit la proba netratată şi a unor faze de silicaţi de itriu în cazul structurilor
tratate la peste 550°C pot conduce de asemenea la creşteri importante ale curenţilor de poartă.
În scopul creşterii performanţelor electrice (creşterea valorii EOT-ului) s-a căutat să se
evite din momentul creşterii filmului formarea stratului interfacial, sau cu alte cuvinte s-a
încercat obţinerea unui strat stoichiometric Y2O3. Metoda (ii) de depunere a urmărit realizarea
acestui lucru. Din punct de vedere electric, capacitatea acestor structuri devine puternic
dependentă de frecvenţă prin posibila apariţie a unei capacităţi suplimentare în oxid,
dependentă de frecvenţă. În acelaşi timp, nivelul densităţii trapelor de interfaţă, proporţional
cu „peak”-ul conductanţei, este similar pentru toate probele studiate (inclusiv cele tratate
termic şi crescute prin metodele (ii) şi (iii)). Aceste două constatări conduc la concluzia că
structura Si-Y2O3 în zona interfeţei creşte în complexitate, fiind posibilă apariţia unui strat
conductiv care prin ecranarea Si scade permitivitatea relativă determinată din măsurătorile de
capacitate.

154
 Prin metoda (iii) de creştere nu s-au înregistrat îmbunătăţiri ale proprietăţilor electrice,
care sunt similare cu cele ale structurilor crescute prin evaporare (metoda (i)). Se observă doar
o mărire a densităţii de sarcini fixe din oxid, probabil datorată inducerii de către plasma de
oxigen a unor defecte în apropierea interfeţei.
Metoda (iv) oferă o calitate foarte bună a stratului epitaxial, care este monocristalin
având şi o bună interfaţă, după cum indică analiza structurală. Din punct de vedere electric
însă aceste structuri se dovedesc de o calitate mult mai slabă comparativ cu cele de mai sus.
Studiul transportului electric prin structurile MOS pe bază de oxid de itriu [183] a arătat
că în cazul utilizării unei mase efective scăzute a electronului în oxid (0.1m0) se obţine un
„band-offset” al benzilor de conducţie ale Si şi Y2O3 de aprox. 2.37 eV, în concordanţă cu
predicţiile teoretice [184]. S-a asociat creşterea bruscă a curentului de poartă în unele structuri
cu o străpungere dielectrică numai a stratului interfacial, ulterior conducţia electrică prin Y2O3
fiind de tip tunelare Fowler-Nordheim. Probele netratate termic au arătat un fenomen
interesant, întâlnit în trecut în investigaţiile conducţiei electrice prin straturi ultrasubţiri de
SiO2 [245]. Este vorba de oscilaţii ale curentului într-o reprezentare de tip Fowler-Nordheim,
datorate interferenţei cuantice a electronilor balistici din banda de conducţie a oxidului.
În concluzie, deşi prin alegerea unor condiţii de creştere potrivite şi a unor tratamente
ulterioare optime calităţile structurale şi electrice ale Y2O3 crescut pe Si pot fi îmbunătăţite,
prin investigaţiile realizate până în prezent se poate afirma că metodele de creştere folosite nu
permit integrarea în tehnologia CMOS a dielectricilor de poartă pe bază de oxid de itriu.

8.1.2 Titanatul de stronţiu SrTiO3

Titanatul de stronţiu a fost crescut prin Molecular Beam Epitaxy (MBE) în laboratirul IBM
din Zürich.
Permitivitatea SrTiO3, extrasă din măsurătorile de capacitate, este de aproximativ 9.4.
În cazul acestui material investigaţiile s-au axat pe determinarea barierelor energetice de
la cele două interfeţe deoarece principalul dezavantaj al SrTiO3 îl constituie existenţa unor
„band-offset”-uri mici ale benzilor energetice cu cele ale Si şi electrozilor metalici de poartă.
În acest scop s-au investigat mecanismele de conducţie electrică prin structuri de tip
Al/SrTiO3/Si [168] prin efectuarea de măsurători I-V pe un domeniu de temperaturi cuprins
între 40 K şi 290 K.
S-a observat că pentru polarizări negative ale electrodului de poartă mecanismul de
conducţie pentru temperaturi mai mari de 100 K este emisia Schottky. Înălţimea barierei de
potenţial de la interfaţa Al/STO a fost determinată în funcţie de temperatură. Această
dependenţă este cuasi-liniară, având ca valoare minimă determinată 0.26 eV la 40 K, iar cea
maximă 0.53 eV la 290 K.
Pe de altă parte, s-a realizat o extindere a modelului clasic Cowley şi Sze al contactului
metal-semiconductor prin includerea dependenţei de temperatură a parametrului de pantă
definit în cadrul modelului clasic. Acest rezultat a fost aplicat valorilor barierelor determinate
experimental. Dependenţa de temperatură a permitivităţii electronice relative a titanatului de
stronţiu obţinută pe această cale este în concordanţă cu dependenţele permitivităţilor
titanatului de stronţiu raportate în literatură. Totuşi, valorile permitivităţii electronice a STO
arată o dependenţă de temperatură mai puternică decât era de aşteptat. Aceasta pune în
discuţie valabilitatea aplicării teoriei clasice a contactului metal-semiconductor la sistemele
metal-oxid tratat ca semiconductor de bandă interzisă mare.
În cazul polarizării pozitive a electrodului de poartă, a fost detectat un posibil mecanism
de tunelare Fowler-Nordheim la 40 K şi câmpuri electrice medii, cu o înălţime extrasă a

155
barierei de potenţial la interfaţa STO/Si de 0.07 eV. Emisia Schottky si tunelarea inelastică pe
defectele din oxid sunt posibile mecanisme de conducţie competitoare la câmpuri mari ş i
temperaturi înalte. Aceste valori experimentale ale înălţimilor barierelor de potenţial sunt în
bună concordanţă cu acelea prezise de Robertson et al. [65, 184, 185].
Din studiul straturilor subţiri de STO crescute pe Si reiese că principalul dezavantaj al
acestui oxid este datorat barierelor scăzute de potenţial ce există la interfeţele cu electrodul de
poartă şi Si. De aceea STO este privit ca un material model prin care se pot studia modalităţile
optime de creştere epitaxială a oxizilor pe substrate de siliciu.
Posibilitatea realizării cu succes a unor straturi dipolare la interfaţă care să determine o
creştere a „band offset”-urilor la interfaţa cu Si şi electrodul de poartă (aşa-numitul „band
engineering” cu aplicaţii mult mai extinse) poate conduce la rezultate practice foarte
valoroase.

8.1.3 Aluminatul de lantan LaAlO3

Aluminatul de lantan a fost crescut la NCSR „Demokritos”, Atena. Structura straturilor

subţiri investigate este amorfă. Permitivitatea electrică relativă a LaAlO3 este mare, de
aproximativ 28, şi are o densitate de trape la interfaţă de ordinul a 6×1011 eV-1cm-2, care prin
tratamente termice adecvate ar putea fi îmbunătăţită.
Transportul electric prin structură în cazul injecţiei de poartă (tensiuni negative) este
dominat de componenta curentului de defecte din filmele dielectrice. Dependenţele de
temperatură şi tensiune la tensiuni mici de poartă sunt greu de cuantificat, comportamentul
structurii evidenţiind un grad înalt de complexitate al mecanismelor de conducţie. În cazul
injectiei de poartă puternică curenţii de tunelare sunt dominanţi.
Prin investigarea transportului electric în cazul injecţiei electronice din substrat a fost
arătat că structura intră într-un regim de neechilibru, cu o saturare în tensiune a curentului
relativ rapidă pe tot domeniul de temperaturi în care s-au realizat măsurătorile [246]. Curenţii
de saturare sunt controlaţi nu de către straturile dielectrice izolatoare, după cum se întâmplă în
regimurile de echilibru, ci de către rata de generare a purtătorilor minoritari în siliciu. Această
supoziţie permite o interpretare corectă, chiar din punct de vedere cantitativ, a rezultatelor
atipice înregistrate. Printre care se numără: existenţa unei dependenţe de temperatură a
curenţilor de saturare din care se regăseşte valoarea exactă a benzii interzise a Si, regimul de
depleţie adâncă din Si pus în evidenţă prin măsurătorile de capacitate, fixarea („pinning”-ul)
nivelului Fermi din Si de către nivelul Fermi al electrodului de poartă.
Dezavantajul acestui material constă în existenţa unei neomogenităţi spaţiale accentuate
a filmelor subţiri depuse pe Si şi prezenţa unor defecte importante în filmele depuse pe
straturi interfaciale de SiO2. Aceşti factori determină o inconsistenţă în corelarea curenţilor de
poartă cu grosimea stratului dielectric. Uzual, curenţii de poartă prin straturile uniforme scad
apreciabil cu creşterea grosimii straturilor. Observaţiile experimentale arată însă că pentru
grosimi de 4 şi 11 nm curenţii au valori apropiate, iar în cazul straturilor de 14 nm curenţii de
poartă sunt foarte mari, fapt care nu se poate explica decât dacă se presupune o calitate
scăzută a straturilor oxidice. Tot din acest motiv mărimile electrice măsurate specifice
(capacitate şi conductanţă pe unitate de arie) depind de aria dispozitivelor. S-a determinat o
tranziţie critică a valorilor capacităţii pentru ariile dispozitivelor situate între 8.1×10-5 cm2 ş i
4.4×10-4 cm2, ceea ce determină o scădere considerabilă a fiabilităţii acestor dispozitive.
Curenţii mari de scurgere împiedică de asemenea realizarea unor determinări exacte ale
parametrilor de material şi depărtează în mod considerabil comportarea electrică înregistrată
de cerinţele dielectricilor de poartă de mare permitivitate.

156
8.1.4 Hafniatul de lantan La2Hf2O7

Hafniatul de lantan La2Hf2O7 (LHO) este unul din cei mai promiţători oxizi pentru aplicaţiile
de poartă din tehnologia CMOS. Permitivitatea electrică măsurată şi confirmată a straturilor
amorfe crescute prin MBE este de aproximativ 19. În cazul existenţei unor straturi precrescute
de oxid de Si, valori de ordinul a 4×1010 eV-1 cm-2 pentru densitatea de trape la interfaţă au
fost obţinute, similare cu cele ale dispozitivelor pe bază de SiO2.
Densităţile de trape de interfaţă Dit, determinate cu ajutorul metodei conductanţei, arată
o dependenţă liniară a acestei mărimi în funcţie de grosimea LHO. Întrucât în procesarea
structurilor cu diferite grosimi ale oxidului acestea au fost expuse unui flux de oxigen în
camera de creştere un timp proporţional cu grosimea nominală a oxidului, celelalte condiţii de
procesare fiind identice, s-a presupus că nivelul densităţii trapelor de interfaţă este legat în
mod direct de tipul de expunere al probelor în atmosfera de oxigen. S-au oferit câteva
explicaţii posibile pentru formarea trapelor de interfaţă în aceste condiţii [205]. În funcţie de
mărimile relative ale afinităţii pentru oxigen ale LHO şi SiO2 s-au considerat următoarele
procese: dacă afinitatea SiO2 este mai mare, atunci o nouă interfaţă Si-SiO2 se formează la
temperatura de 450°C, ceea ce dă naştere unor noi stări localizate la interfaţă. Dacă afinitatea
LHO pentru oxigen este mai mare decât cea a SiO2 atunci stratul interfacial este redus în
timpul creşterii LHO, aşa cum s-a observat în cazul oxidului de hafniu [206]. Ca urmare,
legăturile de Si rămase nesatisfăcute conduc la apariţia unor noi trape de interfaţă pentru
electroni.
Un fenomen atipic structurilor de tip MOS a fost observat în spectrele de frecvenţă ale
conductanţei. Spre deosebire de pierderile electrice pe trapele de interfaţă, înălţimile „peak”-
urilor pierderilor atipice sunt independente de tensiunea de poartă şi de temperatură (în
domeniul 25°C-100°C), iar logaritmul frecvenţei de „peak” prezintă o dependenţă liniară de
tensiunea de poartă. S-a încercat să se interpreteze aceste observaţii experimentale pe baza
modelelor din literatură de pierderi electrice în structurile de tip MOS. Singurul model care
pare a oferi o explicaţie satisfăcătoaree este cel a pierderilor dielectrice de tip Debye, celelalte
prezentând neconcordanţe evidente.
Rezultatele obţinute în ultima perioadă sunt încurajatoare în ceea ce priveşte
posibilitatea utilizării hafniatului de lantan în aplicaţiile de poartă de mică putere din
tehnologia CMOS. În cadrul proiectului INVEST au fost fabricate dispozitive MOS pe bază
de hafniat de lantan cu valori ale grosimii echivalente a oxidului (EOT) de sub 1 nm, cerinţă
indispensabilă pentru înlocuirea SiO2 în tranzistoarele noilor generaţii tehnologice. Pentru a se
realiza efectiv acest proces, este necesară însă testarea mobilităţii şi a fiabilităţii dispozitivelor
finale MOSFET pe bază de LHO.

8.2 Dinamici neliniare şi comportare haotică

În capitolul de faţă a fost studiat un sistem ce constă dintr-un circuit serie RLC excitat de
către o sursă de tensiune armonică, căruia i s-a ataşat în serie structura Metal-Feroelectric-
Semiconductor (MFS) care joacă rolul elementului de circuit neliniar.

157
 Rezultatele analizei de semnal mare a structurilor de tip MFS vor fi prezentate în
continuare.
a) S-au realizat două modele cantitative de evoluţie în timp a variabilelor sistemului:
9 Prima modelare are la bază unele aproximaţii clasice, cum ar fi aproximaţiile teoriei
exacte ale structurii MOS (prezentată succint în secţiunea 3 a Anexei 3) şi teoria
Landau a tranziţiilor de fază ce modelează matematic comportarea feroelectricilor
în câmp electric. Variabila sistemului este inducţia electrică din structura MFS (sau
sarcina mobilă din circuit). Modelul a condus la o ecuaţie diferenţială ordinară de
ordinul doi dezvoltată pe baza ecuaţiei Duffing. Simulările numerice realizate
pornind de la această ecuaţie sunt în bun acord cu rezultatele experimentale.
9 A doua modelare se bazează pe ideea prezenţei unui oscilator intrinsec în sistem,
determinat de stările localizate de interfaţă. Prezenţa oscilatorului intrinsec a fost cu
mare probabilitate identificată în sistem prin identificarea unei frecvenţe invariante
în spectrul de frecvenţe (la aproximativ 31 kHz). Puterea spectrală a acestei
frecvenţe este însă prea mică pentru a putea conduce sistemul către un scenariu de
tip Newhouse-Takens-Ruelle de tranziţie spre haos. Modelarea cuplării acestui
oscilator intrinsec cu cel al circuitului s-a facut prin considerarea unui sistem de
ecuaţii Duffing cuplate. Rezultatele simulării numerice sunt în bun acord calitativ
cu datele experimentale [221].
b) Prin investigarea seriilor temporale experimentale au fost scoase în evidenţă
comportamente electrice complexe, ce cuprind serii de bifurcaţii ale orbitelor periodice
simple, cu două bucle sau cu trei bucle, urmate de evoluţii spre haos, precum şi evoluţii spre
haos prin dublarea unor multipli de perioadă fundamentală (perioade k×2n). Acestea au fost
reproduse prin simularea numerică, conform primului model prezentat la pct. a. Existenţa
acestor dinamici complexe este pusă pe seama prezenţei unor asimetrii puternice în sistem,
cum ar fi cea datorată distribuţiilor diferite de căderi de tensiune pe stratul feroelectric şi Si în
cele două regimuri de la suprafaţa Si: acumulare şi depleţie adâncă.
c) Serii temporale experimentale înregistrate în cazul utilizării unui set diferit de
parametri ai sistemului indică prezenţa torilor în reprezentările de tip portret de fază. S-a
identificat în spectrul de frecvenţe prezenţa unei frecvenţe suplimentare de putere mare.
Aceasta are o valoare mică (câţiva kHz) şi este slab dependentă de frecvenţa de excitare.
S-a propus un scenariu de promovare a acestei componente de joasă frecvenţă din
spectrul de putere. Dacă iniţial, prin variaţia frecvenţei la amplitudine constantă se instaurează
haosul printr-o evoluţie Feigenbaum (dublare de perioadă), frecvenţa joasă poate fi promovată
prin fenomenul rezonanţei stocastice. Aici comportarea haotică este echivalată cu zgomotul
din punctul de vedere al spectrului larg de frecvenţe acoperit. Rezonanţa stocastică a fost pusă
în evidenţă prin reprezentarea raportului semnal/zgomot în funcţie de nivelul „zgomotului”
din sistem, al componentei spectrale haotice corespunzătoare frecvenţei joase. Ceea ce s-a
obţinut este un „peak” similar cu rezultatele clasice ale rezonanţei stocastice [238].
În ceea ce priveşte originea fizică a frecvenţei joase din spectrul de putere au fost
propuse două interpretări:
• Se presupune că este datorată cuplajului realizat prin efectele piezoelectrice direct ş i
invers ale polarizarii stratului feroelectric cu modurile proprii transversale de vibraţii
elastice ale structurii MFS.
• S-a arătat că în spaţiul fazelor al sistemului dinamic pot coexista doi atractori care în
anumite condiţii sunt vizitaţi periodic de către punctul curent al stării sistemului cu o
frecvenţă egală cu cea pusă în evidenţă în spectrul de putere. Spre deosebire de prima
interpretare, modelul atractorilor nu exclude existenţa unei dependenţe slabe a acestei

158
 componente spectrale de frecvenţa de excitare, fapt observat experimental. Această
constatare experimentală nu are deocamdată o explicaţie satisfăcătoare.
Analiza de semnal mare a structurilor de tip MFS a scos în evidenţă fenomene ce nu
sunt cu claritate identificate prin analiza de semnal mic. Rezonanţele joase descoperite pot fi
puse în legătură şi cu pierderile electrice atipice întâlnite în cadrul studiului dielectricilor de
permitivitate mare (cap. 5, secţiunea 5.4.4), care se produc la frecvenţe similare. Măsurătorile
de conductivitate (similare celor efectuate asupra structurilor MOS având ca dielectric
aluminatul de lantan LaAlO3 şi hafniatul de lantan La2Hf2O7) efectuate pe structurile MFS cu
titanat de bismut au arătat că acelaşi fenomen, pierderile electrice atipice, este prezent şi în
acest caz.
Sistemul studiat constituie prin asimetria evoluţiilor sale un instrument bun de
investigare a dinamicii de comutare a filmelor feroelectrice. Studiul proprietăţilor electrice ale
structurilor de tip MFM se dovedeşte limitat în această privinţă.

8.3 Tranzistor cu efect de câmp pe bază de structuri pseudo-

MOS de tipul CdS/SiO2/Si

Pornind de la structurile simple de tip MOS se pot concepe noi dispozitive cu aplicaţii variate.
Un exemplu de acest fel este dat în acest capitol [242].
Structuri pseudo-MOS CdS/SiO2/Si, în care substratul de siliciu joacă rolul electrodului
metalic, au potenţiale aplicaţii în detecţia optică din domeniul vizibil cu lungimi de undă ale
radiaţiei electromagnetice (λ<500 nm) corespunzătoare lărgimii benzii interzise a CdS.
Efectul de câmp din structurile pseudo-MOS poate creşte eficienţa detecţiei radiaţiei
luminoase. Pentru o mai bună optimizare a acestor dispozitive este necesară înţelegerea
rolului pe care diferiţi parametri ai sistemului îl joacă în procesele de apariţie a semnalului
electric ca efect a impulsurilor luminoase. De aceea au fost efectuate experimente şi s-a
încercat ulterior să se realizeze un model al structurii în absenţa radiaţiei. Dispozitivele au fost
realizate prin depunerea electrozilor de drenă şi sursă pe CdS, ca electrod de poartă fiind
utilizat Si contactat ohmic pe spate cu Al.
Caracteristicile curentului de drenă în întuneric pentru tensiuni de drenă pozitive
corespund comportării normale a unui tranzistor cu efect de câmp, iar pentru tensiuni de drenă
negative curentul de drenă este limitat de sarcina spaţială. Pornind de la caracteristicile
experimentale şi particularităţile acestora a fost dedusă o expresie empirică a curentului de
drenă prin considerarea unei dependenţe a lungimii regiunii de sarcină spaţială de tensiunile
aplicate de drenă şi poartă. Caracteristicile teoretice reproduc cu bună aproximaţie datele
experimentale.
Dispozitive de tip MOS bazate pe materiale diferite (CdxPb1-xS, spre exemplu) pot fi
utilizate de asemenea pentru aplicaţii în fotodetecţia radiaţiilor ce acoperă un larg domeniu de
lungimi de undă (0.5 µm - 3.1 µm) [241].
Metoda de depunere chimică CBD a semiconductorilor anorganici, cum ar fi CdS,
reprezintă o tehnică avantajoasă ce poate fi utilizată la fabricarea cu costuri reduse a
diferitelor dispozitive electronice de arie mare.

159
160
9 Anexe

ANEXA 1 – Fenomene de tunelare

A1. Bariera de potenţial generalizată

Pentru calculul densităţii de curent prin structura MIM, în cadrul aproximaţiilor

enunţate în text (paragraful 3.1.1), se exprimă numărul electronilor ce tunelează în unitatea de
timp din electrodul 1 în electrodul 2, după cum este reprezentat în fig. A1.1, prin relaţia:
∞
4πm m
E

N1 = 3 ∫ DT ( E x )dE x ∫ f ( E )dE r (A1.1)

h 0 0
şi numărul de electroni ce tunelează în unitatea de timp din electrodul 2 în electrodul 1 prin:
∞
4πm m
E

N 2 = 3 ∫ DT ( E x )dE x ∫ f ( E + eV )dEr (A1.2)

h 0 0
Densitatea de curent ce reprezintă curentul net de electroni ce curg din electrodul 1 în
electrodul 2 prin bariera de potenţial a izolatorului este [117]:
Em

J = q ( N 1 − N 2 ) = ∫ DT ( E x )ξ dE x (A1.3)
0
unde Em este energia maximă a electronilor în electrod, DT(Ex) este probabilitatea ca un
electron situat pe nivelul energetic Ex să poată penetra o barieră de potenţial de înălţime ψT ş i
grosime S2-S1, care este determinată pe baza aproximaţiei WKBJ:
 4π S2 
DT ( E x ) = exp − ∫ 2m[ψ T ( x) − E x ]dx  . (A1.4)
 h S 
 1 
ξ este funcţia „supply”, iar ξdEx reprezintă diferenţa dintre numărul de electroni incident pe
bariera de potenţial dinspre electrodul 1 şi numărul de electroni incident pe bariera de
potenţial dinspre electrodul 2 în unitatea de timp şi pe unitatea de suprafaţă. ξ este dat de:
ξ = ξ1 − ξ 2 (A1.5)
∞
4πmq
ξ1 = 3 ∫ f ( E )dEr (A1.6)
h 0

161
 ∞
4πmq
ξ 2 = 3 ∫ f ( E + qV )dEr (A1.7)
h 0

Fig. A1.1 Barieră de potenţial generalizată pentru un sistem metal-film izolator-metal. Lăţimea barierei ce este
tunelată de electronii situaţi pe nivelul energetic Ex este S2-S1.

şi
1
E= m(v x2 + v 2y + v z2 ) (A1.8)
2
1
Er = m(v 2y + v z2 ) (A1.9)
2
Pentru o barieră generalizată, înălţimea barierei poate fi scrisă ca:
ψ T ( x) = ϕ1 + ψ ( x) (A1.10)
Substituind relaţia (A1.10) în (A1.4) şi simplificând-o, se obţine [117]:
[
DT ( E x ) ≅ exp − C (ϕ1 + φ med − E x )1 / 2] (A1.11)
unde
4π
C= (2m)1 / 2 β S 2 − S1 (A1.12)
h
S2
1
S 2 − S1 S∫1
φ med = ψ ( x)dx (A1.13)

S2 2
1  _

β =1−
_ 2 ∫S   dx
g − g (A1.14)
8 g S 2 − S1 1

_ S2
1
g=
S 2 − S1 ∫ g ( x)dx
S1 (A1.15)
g ( x ) = ψ T ( x) − E x
Se pot distinge următoarele cazuri:

162
 a) T=0

Atunci ecuaţiile (A1.5)-(A1.7) devin:

4πmq
ξ1 = 3 (ϕ1 − E x ) (A1.16)
h
4πmq
ξ 2 = 3 (ϕ1 − E x − qV ) (A1.17)
h
 4πmq
 h 3 (qV ), pentru 0 < E x < ϕ1 − qV

 4πmq
ξ = ξ1 − ξ 2 =  3 (ϕ1 − E x ), pentru ϕ1 − qV < E x < ϕ1 (A1.18)
 h
0, pentru E x > ϕ1


Prin substituţia ecuaţiilor (A1.11) şi (A1.18) în ecuaţia (A1.3) rezultă:
{
J ≅ J 0 ϕ med exp (− Cϕ med
1/ 2
[ ]}
) − (ϕ med + qV )exp − C (ϕ med + qV )1 / 2 (A1.19)
unde
J0 =
q
(β S 2 − S1 )−2 . (A1.20)
2πh
Ecuaţia (A1.19) poate fi aplicată unei bariere de potenţial de formă arbitrară, dacă valoarea
medie a barierei φmed este cunoscută. Dacă se cunoaşte curba experimentală J-V, atunci φmed
poate fi determinată. Primul termen din membrul drept al ec. (A1.19) poate fi interpretat drept
curgerea curentului din electrodul 1 în electrodul 2, iar cel de-al doilea termen curgerea
curentului din electrodul 2 în electrodul 1. Pentru tensiuni aplicate mici, qV→0, β≈1,ş i
φmed»qV, atunci ec. (A1.19) devine
 Cφ 1 / 2 
J ≅ J 0 qV  med − 1 exp (− Cφ med 1/ 2
) (A1.21)
 2 
din care se observă că J este o funcţie liniară de V pentru tensiuni foarte mici. La T≅0 K sau la
o temperatură fixată nu este posibil ca folosind numai valorile curentului la tensiuni foarte
mici să se determine dacă se produce tunelare a electronilor prin bariera de potenţial sau
există şi un alt mecanism de transport competitiv.

b) T>0

În cazul acesta ecuaţiile (A1.6) şi (A1.7) devin:

4πmqkT  E − Ex 
ξ1 = ln 1 + exp Fmi  (A1.22)
 
3
h kT
şi
4πmqkT  E − Ex − qV 
ξ2 = ln 1 + exp Fmi  (A1.23)

3
h kT
Presupunând că numai electronii cu energii apropiate de EFm1 formează curentul, atunci
integrala din ec. (A1.4) poate fi dezvoltată în serie în jurul punctului EFm1, variabila fiind:
θ x = E Em1 − E x = ϕ 1 − E x (A1.24)
Dezvoltarea în serie Taylor a ec. (A1.4) este:

163
 ln DT ( E x ) = − (b1 + c1θ x + f1θ x2 + ...) (A1.25)
unde
4π (2m )
1/ 2 S2
b1 = ∫ [ϕ + ψ ( x) − E x ] dx
1/ 2
1 (A1.26)
h S1

2π (2m )
1 / 2 S2

∫ [ϕ + ψ ( x) − E x ]
−1 / 2
c1 = 1 dx (A1.27)
h S1

care depind de V prin dependenţa lui ψ(x) de V. În cele mai multe cazuri termenele pătratic ş i
de ordine superioare pot fi neglijate [247]:
1 − c1kT > kT (2 f1 )
1/ 2
(A1.28)
Aplicând ec. (A1.3) se obţine:
  ϕ − Ex  
 1 + exp 1  
4πmqkT
Em

exp{− [b1 + c1 (ϕ 1 − E x )]}ln   kT   dE

J=
h 3 ∫   ϕ − E − qV  
x (A1.29)
1 + exp 
0 1 x

  kT 

Fig. A1.2 Dependenţa de temperatură a densităţii curentului de tunelare în sistemul Al-Al2O3-Al, în care oxidul
are o grosime de 30Å: (a) probă supusă unei tensiuni de 0.5 V; (b) probă supusă unei tensiuni de 0.05 V.
Punctele sunt rezultate experimental, iar curbele sunt reprezentările formulei (A1.30) [248].

După integrare avem [121]:

4πmq πc1kT
J = 3 exp(− b1 )[1 − exp(− c1V )] (A1.30)
h c1 sin πc1kT
Astfel, pentru o tensiune aplicată constantă, raportul curenţilor de tunelare printr-un film
izolator subţire de la temperaturile T>0 şi T=0 este:
J (T > 0) πc1kT πc1kT 1
= ≅ ≅ 1 + (πc1kT ) 2 (A1.31)
J (T = 0) sin πc1kT 1 6
πc1kT − (πc1kT ) + ...
3

3!
Dependenţa pătratică a curentului de temperatură este o caracteristică a proceselor de tunelare.
Fig. A1.2 arată că între rezultatele experimentale şi ec. (A1.30) există o bună
concordanţă pentru dependenţa curentului de tunelare de temperatură, în cazul tunelării printr-
un film subţire de Al2O3. Trebuie accentuat faptul că expresia (A1.30) se aplică curenţilor de
tunelare printr-o barieră de potenţial de formă arbitrară.

164
A2. Bariera de potenţial dreptunghiulară

a. Structura metal-izolator-metal (MIM) cu electrozi diferiţi

Dacă în structura metal-izolator-metal (MIM) cei doi electrozi sunt diferiţi, atunci în
interiorul izolatorului se va stabili un câmp electric intrinsec Fi datorită diferenţei dintre
potenţialele de contact, după cum se poate observa în fig. A1.3.

Structură nepolarizată
Fig. A1.3 Barieră de potenţial dreptunghiulară pentru o structură MIM cu electrozi diferiţi şi fără tensiune
externă aplicată.

(a) (b)
Fig. A1.4 Barieră de potenţial dreptunghiulară pentru o structură MIM cu electrozi diferiţi şi cu o tensiune
aplicată V < φ1 / q (a) în invers şi (b) în direct.

(a) (b)
Fig. A1.5 Barieră de potenţial dreptunghiulară pentru o structură MIM cu electrozi diferiţi şi cu o tensiune
aplicată V > φ1 / q (a) în invers şi (b) în direct.

165
Fig. A1.6 Barieră de potenţial dreptunghiulară pentru o structură MIM cu acelaşi tip de electrozi şi fără tensiune
externă aplicată.

Acest câmp electric intrinsec este dat de expresia:

φ − φ m1 φ 2 − φ1 ∆φ
Fi = m 2 = = . (A1.32)
qS qS qS
Efectul acestui câmp este acela de a produce o barieră de potenţial asimetrică
φ 2 = φ1 + ∆φ (A1.33)
Ecuaţiile (A.11)-(A1.15), (A1.19) şi (A1.20) se pot particulariza pentru cazul barierei de
potenţial dreptungiulare asimetrice. Ecuaţiile se pot scrie distinct pentru diferite domenii de
valori ale tensiunii aplicate.

(a) (b)

Fig. A1.7 Barieră de potenţial dreptunghiulară pentru o structură MIM cu acelaşi tip de electrozi şi cu tensiune
externă aplicată: (a) V < φ 0 / q şi (b) V > φ0 / q .

A) Domeniul de tensiuni mici: V≅ 0

Pentru acest caz avem:

S 2 − S1 = S (A1.34)

166
 φ1 + φ 2
φ med = (A1.35)
2
Din ec. (A1.12) şi (A1.21) se obţine:
q2   4πS  
J = 2 m(φ1 + φ 2 )V exp −   m(φ1 + φ 2 )  (A1.36)
Sh   h  
Relaţia (A1.36) arată că la tensiuni mici dependenţa J-V este liniară.

B) Domeniul de tensiuni medii: 0<V<Φ1/q

Pentru acest domeniu de tensiuni curentul de tunelare depinde de polaritatea

semnalului aplicat electrozilor. Simmons [116] defineşte structura MIM ca fiind polarizată în
invers când curentul net de electroni tunelează din electrodul cu lucru de extracţie mai mic în
electrodul cu lucru de extracţie mare sau, cu alte cuvinte, când electrodul cu lucru de extracţie
mic se află la un potenţial mai mic decât cel de-al doilea electrod, după cum se poate observa
în fig. A1.4. Pentru o polarizare opusă, structura MIM se defineşte ca fiind polarizată direct.

(i) Polarizare în invers

S 2 − S1 = S (A1.37)
φ1 + φ 2 − qV
φ med = (A1.38)
2
Prin substituţia ec. (A1.37) şi (A1.38) în (A1.19) se obţine:
q    4πβS  
J= (φ + φ 2 − qV ) exp  − 
2  1
 m(φ1 + φ 2 − qV ) 
4πh(βS )    h  
(A1.39)
  4πβS  
- (φ1 + φ 2 + qV ) exp −   m(φ1 + φ 2 + qV )  
  h  
unde β este (ec. (A1.14)):
(qV ) 2
β =1− 2
(A1.40)
1 1 
96 (φ1 + φ 2 ) + φ1 − E x − qV 
2 2 
valorile lui β fiind între 0.96 şi 1 pentru cele mai multe cazuri. Pentru tensiunile cuprinse în
intervalul 0<V<Φ2/q se poate considera cu o bună aproximaţie că β=1.

(ii) Polarizare în direct

În acest caz se pot aplica ecuaţiile (A1.37)-(A1.39), care sunt valabile pentru intervalul
de tensiuni 0<V<Φ1/q. Pentru aceste tensiuni curentul este deci independent de polaritate. S-a
presupus că φ 2 > φ1 .

C) Domeniul de tensiuni mari: V>Φ1/q

(i) Polarizare în invers

167
 Sφ1
∆S = S 2 − S1 = (A1.41)
qV − ∆φ
φ1
φ med = (A1.42)
2
Din substituţia ecuaţiilor (A1.41) şi (A1.42) în ec. (A1.19) rezultă:
q(qV − ∆φ ) 2   4πm1/ 2 βSφ13 / 2   2qV 
J1 = exp  −  − 1 + φ 
4πhφ1 ( βS ) 2   h(qV − ∆φ )   1 
(A1.43)
  4πm1/2 β  Sφ13 / 2 [1 + (2qV φ1 )]1 / 2  
× exp -    

  h  qV − ∆φ  
unde β, din ec. (A1.14) este egal cu 23/24.

(ii) Polarizare în direct

Sφ 2
∆S = S 2 − S1 = (A1.44)
qV + ∆φ
φ2
φ med = (A1.45)
2
23
β= (A1.46)
24
Prin substituţia ecuaţiilor (A1.44)-(A1.46) în ec. (A1.19) rezultă:
1.1q (qV + ∆φ ) 2   23πm1/ 2 Sφ 23 / 2   2qV 
J2 = exp −
φ  − 1 + φ 
4πhφ 2 S 2   6 h ( qV + ∆ )   2 
(A1.47)
 23πm1/2  Sφ 23 / 2 [1 + (2qV / φ 2 )]1 / 2  
× exp  -   
 6h  qV + ∆φ 
 
Se poate observa că termenii secunzi din ecuaţiile (A1.43) şi (A1.47) se pot neglija atunci
când V»∆Φ/q, aceste ecuaţii reducându-se apoi la forma ecuaţiei Fowler-Nordheim pentru
emisia în câmp:
 B
J = AF 2 exp −  (A1.48)
 F
unde A şi B sunt constante pentru sistemul MIM studiat, iar F=V/S.

b. Structura metal-izolator-metal (MIM) cu electrozi de acelaşi fel

Prin aplicarea condiţiei φ1 = φ 2 = φ 0 , şi prin urmare ∆φ = 0 , toate ecuaţiile din

secţiunea A2.a sunt valabile în cazul electrozilor de acelaşi fel (fig. A1.6 şi A1.7):

A) Domeniul de tensiuni mici: V≅ 0

S 2 − S1 = S (A1.49)
φ med = φ 0 (A1.50)

168
 2mφ 0  q    4πS  
2

J=   exp −   2mφ 0  (A1.51)

S  h   h  

B) Domeniul de tensiuni medii: 0<V<Φ0/q

S 2 − S1 = S (A1.52)
qV
φ med = φ 0 − (A1.53)
2
(qV ) 2
β = 1− 2
≅1 (A1.54)
 1 
96ψ 1 + φ 0 + φ1 − E x − qV 
 2 
q  qV   4πβS  qV 
J= (φ −
2  0
) exp −   2m φ 0 − 
4πh(βS )  2   h  2 
(A1.55)
 qV    4πβS  qV  
- φ0 +  exp −   2m φ0 + 
 2    h  2  

C) Domeniul de tensiuni mari: V»Φ0/q

Sφ 0
S 2 − S1 ≅ (A1.56)
qV
φ med ≅ φ 0 / 2 (A1.57)
β = 23 / 24 (A1.58)
2.2q 3V 2   8πS   2qV 
J1 = exp − (2m)1 / 2 φ03 / 2  − 1 − 
8πhS φ0   2.96hqV
2
  φ0 
. (A1.59)
 8πS  2qV 
3/ 2
 
× exp - (2m)1 / 2φ03 / 2 1 +  
 2.96hqV  φ0   

169
ANEXA 2 – Teoriile emisiei termoionice şi difuziei

A. Emisia termoionică

Densitatea de curent din semiconductor spre metal Js→m este dată de concentraţia electronilor
ce posedă o energie suficientă pentru a depăşi bariera de potenţial şi a o traversa în direcţia
axei x:
∞
J s →m = ∫ qv dn
E F + qφ B
x (A2.1)

unde E F + qφ B este minimul de energie necesară unui electron pentru a pătrunde în metal, iar
vx este viteza electronului pe direcţia de transport, care este perpendiculară pe suprafaţa
contactului. Densitatea de electroni care au energia cuprinsă într-un interval infinitezimal
( E , E + dE ) este dată de:
dn = N ( E ) F ( E )dE
4π (2m * ) 3 / 2  E − EC + qVn  (A2.2)
= E − EC exp − dE
 
3
h kT
unde N(E) şi F(E) sunt densitatea de stări şi funcţia de distribuţie, respectiv; m* este masa
efectivă a electronului în semiconductor, iar qVn=Ec-EF.
Dacă se presupune că întreaga energie a electronilor care depăşeşte nivelul minim
energetic al benzii de conducţie este energie cinetică, atunci:
m *v 2
E − EC = (A2.3)
2
dE = m*vdv (A2.4)
m*
E − EC = v . (A2.5)
2
Substituind ecuaţiile (A2.3)-(A2.5) în (A2.2) se obţine:
3
 m*   qV   m *v 2 
dn = 2  exp − n  exp − (4πv 2 dv ) . (A2.6)
 h  kT   2 kT 
Ecuaţia (A2.6) exprimă numărul de electroni pe unitatea de volum care au vitezele cuprinse în
intervalul (v, v + dv) şi distribuite în toate direcţiile. Dacă se descompune viteza după direcţia
de transport a electronilor (x) şi după două direcţii din planul perpendicular, avem:
v 2 = v x2 + v 2y + v z2 (A2.7)
Aplicând transformarea 4πv 2 dv = dv x dv y dv z , din ecuaţiile (A2.1), (A2.6) şi (A2.7) se obţine:

170
  m* v 2y 
3 ∞ ∞
 m*   qV   m *v x2 
J s →m = 2q  exp − n  ∫ v x exp − dv x ∫ exp −  dv y
 h   kT  v0 x  
 2kT  −∞  2kT 
∞
 m *v z2 
× ∫ exp − dv z (A2.8)
−∞  2kT 
 4πqm * k 2  2  qVn   m *vox2 
=  
T exp  −  exp  − 
 kT 
3
 h   2kT 
Viteza vox este viteza minimă necesară pe direcţia x pentru a depăşi bariera şi este dată de:
1 * 2
m vox = q(Vbi − V ) (A2.9)
2
unde Vbi este potenţialul intern existent în cazul unei tensiuni aplicate nule (fig. A2.1).

qVbi
qϕB
EC
EF

EV

W
Fig. A2.1 Diagrama de benzi a contactului metal-semiconductor atunci când suprafaţele metalului şi
semiconductorului se consideră în contact şi când sunt luate în considerare stările de interfaţă. După Sze[133].

Substituind ec. (A2.9) în (A2.8) rezultă:

 4πqm * k 2  2  q(Vn + Vbi )   qV 
J =  T exp −  exp 
   kT 
3
 h  kT
(A2.10)
 qφ   qV 
= A T exp − B  exp
* 2

 kT   kT 
unde φ B este înălţimea barierei, fiind egală cu suma dintre Vn şi Vbi, şi
4πqm*k 2
A =
*
(A2.11)
h3
este constanta lui Richardson efectivă pentru emisie termoionică, care nu include efectele
împrăştierii fononilor optici şi reflexia cuantică. Pentru electronii liberi constanta lui
Richardson A este 120 A/(cm2K2). Când efectul forţei imagine este considerat, înălţimea
barierei din ec. (A2.10) este redusă cu ∆φ .
În cazul semiconductorilor în care masa efectivă a electronilor în minimul energetic al
benzii de conducţie este izotropă, A*/A=m*/m0, unde m* şi m0 sunt masa efectivă a
electronului şi masa electronului liber, respectiv. Pentru semiconductorii cu văi multiple,
constanta lui Richardson A* asociată unui singur minim energetic este dată de [249]:
A1*
A m0
= (l1 m y mz + l2 mz mx + l3 mx m y )
1 2 * * 2 * * 2 * * 1/ 2
(A2.12)

171
unde l1, l2 şi l3 sunt cosinuşii directori ai normalei pe planul de emisie relativ la axele
principale ale elipsoidului, iar mx*, my* şi mz* sunt componentele tensorului masei efective.
Dacă echilibrul termic este îndeplinit (V=0) curenţii care trec bariera în ambele direcţii
trebuie să fie egali. Densitatea de curent ce curge din metal în semiconductor la tensiune
aplicată nulă este
 qφ 
J m→s = − A*T 2 exp − Bn  (A2.13)
 kT 
Atunci când se aplică o tensiune asupra contactului metal-semiconductor bariera pentru
electronii din metal rămâne neschimbată, iar curentul de electroni care trece din metal în
semiconductor este de asemenea neschimbat.
Densitatea totală de curent ce traversează bariera de potenţial este egală cu suma dintre
curenţii exprimaţi prin ec. (A2.10) şi (A2.13):
  qφ    qV  
J n =  A*T 2 exp − Bn  ⋅ exp  − 1
  kT    kT  
(A2.14)
  qV  
= J ST exp  − 1
  kT  
unde
 qφ 
J ST ≡ A*T 2 exp − Bn  . (A2.15)
 kT 
Ecuaţia (A2.14) este similară cu ecuaţia de transport pentru joncţiunile p-n, expresia pentru
curentul de saturare JST fiind însă diferită.

B. Teoria difuziei

Curentul în regiunea de sărăcire de la suprafaţa semiconductorului depinde de câmpul local ş i

de gradientul concentraţiei de purtători şi se poate exprima astfel:
 ∂n   qn( x) ∂V ( x ) ∂n 
J x = J n = q n( x) µE + Dn  = qDn − +  (A2.16)
 ∂x   kT ∂x ∂x 
În condiţii de staţionaritate densitatea de curent este independentă de coordonata x, iar ecuaţia
(A2.16) poate fi integrată folosind exp[− qV ( x) / kT ] ca factor de integrare. Atunci ec.
(A2.16) devine:
w
W
 qV ( x )    qV ( x)  
J n ∫ exp −  dx = qDn  n ( x ) exp − kT   (A2.17)
0  kT  0
iar condiţiile la limită sunt:
qV (0) = − q (Vn + Vbi ) = − qφ Bn
qV ( w) = − qVn − qV
 E (0) − E F   qφ 
n(0) = N C exp  − C  = N C exp − Bn  (A2.18)
 kT   kT 
 qV 
n( w) = n = N C exp − n 
 kT 
Prin substituţia ec. (A2.18) în (A2.17) se obţine:

172
  qV 
exp  −1
J n = qN C Dn w  kT 
(A2.19)
 qV ( x) 
∫0 exp − kT dx
Pentru barierele Schottky, neglijând efectul forţei imagine, distribuţia de potenţial este
dată de:
q2ND  x2 
qV ( x) =  wx −  − qφ Bn . (A2.20)
εS  2 
Substituind (A2.20) în (A2.19) şi exprimând w în funcţie de Vbi+V, densitatea de curent poate
fi scrisă astfel:
 q 2 D N  q(V − V )2 N  1/ 2  qφ Bn   qV  
Jn ≅  n C

bi D
 exp − exp  − 1
 kT  εS   kT   kT  
(A2.21)
  qV  
= J SD exp  − 1.
  kT  
Expresiile densităţilor de curent obţinute prin teoriile emisiei termoionice şi a difuziei,
(A2.14) şi (A2.21), sunt similare. Densitatea curentului de saturare JSD pentru teoria difuziei
variază mult mai rapid cu tensiunea dar este mai puţin dependentă de temperatură în
comparaţie cu densitatea curentului de saturaţie JST.

173
ANEXA 3 – Sarcina şi capacitatea de joasă frecvenţă a
suprafeţei Si

A3.1 Ecuaţia Poisson

Pentru formularea şi rezolvarea ecuaţiei Poisson se adoptă aproximaţiile enunţate în secţiunea

3.2.4 şi se tratează siliciul ca un cristal semi-infinit, omogen şi aflat în echilibru termic.
Suprafaţa Si este reprezentată de planul x=0, iar direcţia pozitivă este cea înspre volumul
acestuia. Problema ce se pune este uni-dimensională, astfel încât potenţialul depinde numai de
x. Potenţialul de suprafaţă ca funcţie de x este dat de
d 2φ ( x) ρ ( x)
=− (A3.1)
dx 2
εs
unde ρ(x) este densitatea de sarcină (C/cm3) alcătuită din donori şi acceptori ionizaţi imobili,
precum şi din purtători mobili (electroni şi goluri), iar εs=1.04·10-12 F/cm este permitivitatea
siliciului. Astfel densitatea de sarcină poate fi scrisă ca:
ρ ( x ) = q[ p ( x ) − n( x) + N D − N A ] , (A3.2)
iar ec. (A3.1) devine
d 2φ ( x) − q[ p ( x) − n( x) + N D − N A ]
= (A3.3)
dx 2 εs
Condiţia de neutralitate a sarcinii trebuie să fie valabilă în volumul semiconductorului
astfel încât în punctele depărtate de suprafaţă unde φ (∞) = φ B avem ρ ( x ) = 0 . Ecuaţia (A3.2)
exprimată în masa Si ( x → ∞ ) devine:
N D − N A = n (∞ ) − p (∞ ) . (A3.4)
Se cunoaşte din statistica semiconductorilor nedegeneraţi că densităţile de sarcini sunt date de
expresiile:
n( x) = ni exp[u ( x )] = N D exp[v ( x)]
(A3.5)
p( x) = ni exp[− u ( x)] = N A exp[− v ( x)]
qφ ( x)
unde s-au notat φ ( x ) = ( E F − Ei ( x)) / q , ψ ( x) = φ ( x ) − φ B , φ B = φ ( x → ∞) u ( x) = ,
kT
q[φ ( x ) − φB ] qψ ( x)
v( x) = = , Ei= nivelul intrinsec din Si.
kT kT
Atunci ecuaţia (A3.4) poate fi scrisă astfel:
N D − N A = ni [exp(u B ) − exp( −u B )] = 2ni sinh( u B ) . (A3.6)
Diferenţa dintre concentraţiile de purtători liberi ca funcţie de x este:
n( x) − p( x ) = 2ni sinh [u ( x )] (A3.7)
Substituind (A3.6) şi (A3.7) în (A3.3) rezultă:
d 2 u ( x) sinh [u ( x)] − sinh( u B )
= (A3.8)
dx 2 λi 2

174
ceea ce reprezintă ecuaţia Poisson în formă adimensională. Mărimea λi se numeşte lungimea
Debye intrinsecă şi se defineşte ca [250]:
1/ 2
 ε kT 
λi =  s 2  (A3.9)
 2q ni 
Valoarea λi la T=290°C este 2.84×10-3 cm, folosindu-se ni=1010 cm-3. Forma complicată a
ecuaţiei (A3.8) se datorează interdependenţei mutuale între densitatea de purtători ca funcţie
de potenţial prin relaţiile Maxwell (A3.5) şi potenţialul dependent de densitatea de purtători
liberi prin ecuaţia Poisson. Condiţiile la limită sunt: la suprafaţă (x=0), u=us, iar în masa
semiconductorului (x→∞), u=uB.
Pentru a integra (A3.8) se va folosi factorul de integrare:
du  d 2 u 
2
d  du 
  = 2  2  (A3.10)
dx  dx  dx  dx 
Multlipicându-se (A3.8) cu 2 du/dx se obţine:
du  d 2 u  2
2
du d  du 
2  2  = 2 [sinh u ( x) − sinh u B ] =   (A3.11)
dx  dx  λi dx dx  dx 
Se integrează de la suprafaţă către masa semiconductorului:
2 uB
 du 
0

∫ [sinh u( x) − sinh u ]du

2
∫ d  = 2
du S / dx 
dx  λi uS
B (A3.12)

unde du s dx = (q kT )Fs , Fs fiind câmpul de la suprafaţa semiconductorului. Dacă se

integrează fiecare termen din ec. (A3.12) rezultă:
2 2
 du   qFs 
0

∫F  dx   kT  ,
d = − (A3.13)
S
uB

∫ sinh u( x)du = cosh u

uS
S − cosh u B (A3.14)

şi
uB

sinh u B ∫ du = (u B − u s ) sinh u B . (A3.15)

uS

Rezultatul integrării este

Fs = 2 ⋅ Sgn (u B − u s )
kT
{[u B − u s ]sinh u B − [cosh u B − cosh u s ]}1 / 2 . (A3.16)
qλi
Pentru us<uB, Sgn(uB-us) este pozitiv, iar pentru us>uB, Sgn(uB-us) este negativ. De asemenea,
procedând similar se poate obţine expresia câmpului în regiunea sărăcită de purtători prin
integrarea ec. (A3.12) dintr-un punct x din interiorul regiunii sărăcite până în masa
semiconductorului. Rezultatul este:
Fs ( x ) = 2 ⋅ Sgn (u B − u s )
kT
{[u B − u( x)]sinh u B − [cosh u B − cosh u( x)]}1 / 2 (A3.17)
qλi
Pentru a simplifica scrierea lui (A3.16) se scrie:
F (u s , u B )
kT
Fs = Sgn (u B − u s ) (A3.18)
qλi
unde F(us,uB) este un câmp electric adimensional care are expresia:

175
 F (u s , u B ) = 2 ⋅ {[u B − u s ]sinh u B − [cosh u B − cosh u s ]}
1/ 2
(A3.19)
Pentru a obţine sarcina pe unitatea de suprafaţă se foloseşte legea lui Gauss:
 kT 
Qs = ε s Fs = Sgn (u B − u s )C 0   F (u s , u B ) (A3.20)
 q 
unde C0=εs/λi este capacitatea efectivă a semiconductorului pe unitatea de arie.

Fig. A3.1 Reprezentarea grafică a relaţiei (A3.20), care arată dependenţa modulului densităţii de sarcină la
suprafaţă │Qs│ din Si de potenţialul de la interfaţa Si-SiO2. Si este de tip p, NA=4×1015 cm-2, T=300 K, iar φB= -
ln(NA/ni ) = 0.335 V. După Sze [133].

A3.2 Potenţialul la suprafaţa siliciului

Pentru a calcula forma suprafeţei de potenţial şi lărgimea stratului sarăcit de purtători de la

suprafaţa siliciului, scriem câmpul în semiconductor ca:
kT  du 
F ( x) =   (A3.21)
q  dx 
Dacă se foloseşte ec. (A3.17) şi (A3.18), (A3.21) devine:
= F (u , u B )
du 1
(A3.22)
dx λi
Rezolvând ecuaţia rezultă:
x u du
λi u∫S F (u, u B )
= . (A3.23)

Prin integrarea lui (A3.23) se obţine dependenţa dorită a potenţialului de distanţă într-
o formă ce leagă cantităţile adimensionale x/λi şi u. Această integrare trebuie să se facă
numeric, în cazul general. Dacă uB=0 (cazul intrinsec), (A3.23) devine:
x u du  tanh(u S / 4) 
=∫ = ln  . (A3.24)
λi uS (cosh u − 1) 1/ 2
 tanh(u / 4) 

A3.3 Aproximaţia de sărăcire

Prin aproximaţia de sărăcire distribuţia purtătorilor liberi din regiunea de tranziţie dintre
regiunea sărăcită şi cea neutră se consideră a fi funcţia treaptă. Aceasta înseamnă că p=n=0 în

176
regiunea sărăcită, iar în regiunea imediat următoare înspre masa semiconductorului există
neutralitate electrică. Aproximaţia de sărăcire uşurează in mod considerabil rezolvarea
ecuaţiei Poisson în zona sărăcirii şi este frecvent folosită în fizica dispozitivelor MOS.
Fig. A3.2 prezintă densitatea totală de sarcină ca funcţie de distanţa de la suprafaţa
siliciului.

Fig. A3.2 Densitatea de sarcină la suprafaţa siliciului în reprezentarea exactă (linie întreruptă) şi în aproximaţia
de golire. Lărgimea stratului de golire este w.

Se indică de asemenea densitatea de sarcină conform aproximaţiei de golire. În vecinătatea

marginii stratului de golire densitatea reală de sarcină nu este dată de funcţia treaptă, pentru că
tranziţia de la zona sărăcită la zona neutră se produce pe o distanţă finit ă, comparabilă ca
mărime cu lungimea Debye extrinsecă. Această lungime este o caracteristică a
semiconductorului cu un nivel de dopaj dat, reprezentând lungimea de ecranare a unei mici
sarcini. Deoarece lungimea Debye extrinsecă variază ca NB1/2, unde NB este concentraţia de
impurităţi dopante, distribuţia de sarcini aproximează funcţia treaptă cu atât mai mult cu cât
NB este mai mare, iar aproximaţia de golire devine mai exactă. Astfel în fig. A3.2, pe măsură
ce concentraţia de dopanţi creşte, tranziţia de la regiunea golită la cea neutră se face mai
abrupt.
În general, concentraţia de impurităţi nu este constantă în interiorul semiconductorului,
mai ales în apropierea suprafeţei acestuia. Neuniformităţile sunt în mare parte datorate
tratamentelor termice de activare a dopanţilor din Si, care au loc în decursul procesului
tehnologic CMOS la temperaturi de peste 1000°C şi pentru timpi scurţi. De asemenea, atunci
când doparea se face prin implantare, este obţinută o distribuţie neuniformă la suprafaţa Si.
De aceea, se vor considera cele două cazuri pentru aplicarea aproximaţiei de golire, şi anume
mai întâi distribuţia neuniformă de impurităţi, după care cazul cel mai simplu şi cel mai
utilizat al unei distribuţii constante va simplifica expresiile potenţialului şi a câmpului electric
în regiunea golită.

A. Cazul general-Distribuţia de impurităţi neuniformă

Densitatea de sarcină în regiunea sărăcită are forma:

ρ ( x ) = q[N D ( x ) − N A ( x )] (A3.25)
iar ecuaţia Poisson (A3.3) devine:
d 2φ ( x ) q[N D ( x) − N A ( x)]
=− . (A3.26)
dx 2
εs
Rezolvând (A3.26) se obţine curbura benzilor în funcţie de coordonata x. Se va face o
transformare de variabilă: ψ ( x) = φ ( x ) − φ B , astfel încât (A3.26) devine:

177
 d 2ψ ( x) q[N D ( x ) − N A ( x )]
=− . (A3.27)
dx 2
εs
Integrând (A3.27) dinspre masa semiconductorului spre suprafaţă rezultă:
 dψ ( x )  q
[ ]
F ( x) x

∫0  dx  ε S ∫w N A ( x ) − N D ( x ) dx
  = , ' '
d (A3.28)

unde w este lărgimea stratului de golire. Prin integrarea membrului stâng al ec. (A3.28) se
obţine câmpul electric:

[ ]
x
q
F ( x) = ∫ N A ( x ) − N D ( x ) dx .
, ' '
(A3.29)
εS w
Pentru a evalua (A3.29), dependenţa funcţională specifică a concentraţiilor de impurităţi de
coordonata x trebuie cunoscută. În cazul general, potenţialul în regiunea de golire este obţinut
prin integrarea ec. (A3.29):
ψ ( x)
[ ]
x x ''
q
∫ = ψ = ∫ ∫ N A ( x ) − N D ( x' ) dx'dx' '
,
F ( x ' ) dx ' ( x ) (A3.30)
0
εS w w
Schimbând ordinea de integrare în membrul drept al ec. (A3.30) avem:
x
ψ ( x) = ∫ dx' ( x − x ' )[N A ( x' ) − N D ( x ' )] .
q
(A3.31)
εS w

B. Caz particular – Distribuţia uniformă de impurităţi

Pentru o distribuţie de impurităţi uniformă, q( N A − N D ) = constant şi (A3.29) poate fi

scrisă astfel:
x
q
F ( x) = ( N A − N D ) ∫ dx' . (A3.32)
εS w
Integrând (A3.32) rezultă:
q
F ( x) = ( N A − N D )( x − w) . (A3.33)
εS
Câmpul de la suprafaţa siliciului (x=0) este:
q
FS = − ( N A − N D ) w . (A3.34)
εS
Din ec. (A3.33) şi (A3.34) se observă descreşterea liniară a câmpului în regiunea golită a Si
de la valoarea de suprafaţă Fs la zero în punctul x=w, marginea regiunii sărăcite. Substituind
(A3.33) în (A3.31) şi integrând de la marginea regiunii golite către suprafaţă avem:
ψ ( x) x
q
∫ F ( x' )dx' = ( N A − N D )∫ ( x'− w)dx' .
0
εS w
(A3.35)

Rezultatul integrării în (A3.35) este:

1 q
ψ ( x) = ( N A − N D )(w − x) 2 . (A3.36)
2 εS
La suprafaţă x=0 şi (A3.36) devine:
1 q
ψS = ( N A − N D )w2 . (A3.37)
2 εS

178
Pentru Si tip n ND>NA şi ψ S < 0 , în timp ce pentru Si tip p, NA>ND iar ψ S > 0 . Din (A3.36)
şi (A3.37) se poate scrie
2
 x
ψ ( x) = ψ S 1 −  . (A3.38)
 w
Ecuaţiile (A3.36) şi (A3.38) arată că în regiunea de golire curbarea benzilor are o formă
parabolică şi variază de la valoarea ψ S la suprafaţă la zero în masa semiconductorului.

Lărgimea maximă a regiunii golite

Una din aplicaţiile importante ale aproximaţiei de golire o constituie estimarea

lărgimii maxime a regiunii golite din Si (numită şi regiunea de sarcină spaţială). Lărgimea
regiunii golite creşte cu creşterea câmpului aplicat până când suprafaţa Si devine puternic
inversată. Din acel moment lărgimea stratului creşte mult mai slab cu creşterea în continuare a
câmpului deoarece stratul de inversie de la suprafaţă ecranează Si contra unei creşteri
ulterioare a câmpului în zona de golire. Aceasta înseamnă că aproape toate liniile de câmp ce
apar în urma creşterii câmpului în dielectricul de poartă se termină pe sarcinile din stratul de
inversie.
Dacă se consideră că inversia slabă apare atunci când nivelul intrinsec la suprafaţa
siliciului atinge nivelul Fermi din siliciu (şi deci concentraţiile libere de electroni şi goluri
sunt egale), iar inversia puternică atunci când nivelul Fermi din siliciu la suprafaţă se situează
în banda interzisă la aceeaşi distanţă faţă de nivelul intrinsec cu distanţa dintre cele două
nivele în masa semiconductorului, dar de cealaltă parte a nivelului intrinsec, avem urmatoarea
condiţie de existenţă a inversiei puternice:
ψ S (inv ) = 2φ B = 2( Ei − E FS ) (A3.39)
şi atunci (A3.37) devine:
1 q
2φ B = ( N A − N D ) wmax
2
(A3.40)
2 εS
de unde (neglijând grosimea stratului de inversie):
4ε S φ B
wmax = . (A3.41)
q( N A − N D )
Dacă se introduc lungimile Debye extrinseci:
1/ 2
 ε kT 
λn ≡  2s  (A3.42)
 q ND 
şi
1/ 2
 ε kT 
λ p ≡  2s  , (A3.43)
q NA 
pentru siliciul de tip n (ND » NA şi ψS<0) şi, respectiv de tip p (NA » ND şi ψS>0), lărgimile
maxime ale stratului de golire au expresiile:
 2 qφ B 
1/ 2

wmax = 21 / 2 λn (−vB )1 / 2 = 21 / 2 λn  −  (A3.44)

 kT 
 2 qφ B 
1/ 2

wmax = 21 / 2 λ p (vB )1 / 2 = 21 / 2 λ p   . (A3.45)

 kT 

179
Se observă că singurele dependenţe ale lui wmax sunt de temperatură şi nivelul dopajului în Si.

Calculul sarcinii de suprafaţă în aproximaţia de golire

Sarcina în stratul golit de la suprafaţă este:

QS = ε S FS . (A3.46)
Substituind (A3.34) în (A3.46) obţinem:
QS = − q( N D − N A ) w . (A3.47)
Pentru a determina QS în funcţie de ψs se rezolvă (A3.37) determinându-se w şi se înlocuieşte
în (A.47):
QS = −[2ε S q ( N A − N D )ψ S ] .
1/ 2
(A3.48)
Aceste ecuaţii se pot aplica pentru determinarea concentraţiilor de purtători liberi din stratul
de golire în funcţie de grosimea stratului şi curbura benzilor.

180
ANEXA 4 – Aproximaţiile capacităţii suprafeţei Si la
frecvenţe joase

a) Zona de benzi netede („flat-bands”): vS=0

În zona de benzi netede ps/ND=0. Atunci (3.35) devine

− Sgn (u B − u S )C FBS (n S N D − 1)
CS = (A4.1)
2 [(u B − u S − 1) + nS N D ]1 / 2
Aici vS=0. Din ns/ND=exp(vs) rezultă ns=ND. Dacă aceste valori sunt introduse în (A4.1) avem
o nedeterminare de tipul 0/0. De aceea, pentru a calcula capacitatea de benzi netede
exponenţiala din (A3.5) trebuie dezvoltată în serie Taylor în punctul vS=0.
Se scrie mai întâi (A4.1) în funcţie de vs :
− Sgn (v S )C FBS exp(v S ) − 1
CS = (A4.2)
2 [(−vS − 1) + exp(v S )]1 / 2
Dezvoltarea în termeni în jurul lui vS=0 este:
2
v
exp(v S ) = 1 + v S + S + ... (A4.3)
2
Substituind (A4.3) în (A4.2) rezultă:
v 
C S = C FBS  S + 1 . (A4.4)
 2 
Pentru vS=0 capacitatea siliciului este:
C S = C FBS
εS (A4.5)
C FBS =
λp
pentru Si de tip p şi
εS
CS = (A4.6)
λn
pentru Si de tip n.

b) Acumulare puternică

În acumulare puternică ns/ND » ps/ND, ns/ND » 1 şi ns/ND »│uB-uS-1│, astfel încât

(3.35) devine:
1/ 2
C n  C v 
C S = FBS  S  = FBS exp S  = C A ; vS>0 (A4.7)
2  ND  2  2
C −v 
C S = FBS exp S  = C A ; vS<0. (A4.8)
2  2 

181
 c) Sărăcire (│vS│≤│uB│)

În sărăcire, ns/ND = ps/ND=0, şi dacă folosim us=uB+vs, (3.35) devine

C ε
C S = FBS (−v S − 1) −1 / 2 = S = C D (A4.9)
2 w
Ecuaţia (A4.9) se aplică pentru ambele tipuri de Si.

d) Inversie puternică (│vS│≥2│uB│)

În cele din urmă, în inversia puternică pS/ND » ns/ND şi pS/ND » (uB-uS-1). Atunci
1/ 2
C  p  C n −v
C S = FBS  S  = FBS i exp S = C I vS<0 (Si tip n) (A4.10)
2  ND  2 ND 2
C n v
C S = FBS i exp S = C I vS<0 (Si tip p). (A4.11)
2 NA 2
Se observă că în acumulare şi inversie puternică există o dependenţă exponenţială a
capacităţii funcţie de curbura de benzi, valorile aproximative folosite fiind foarte apropiate de
valorile reale. În sărăcire capacitatea Si depinde liniar de rădăcina pătrată a lui vS.

182
ANEXA 5 – Capacitatea de înaltă frecvenţă a suprafeţei Si

Conform aproximaţiilor prezentate în secţiunea 3.4.3 [153, 154], o soluţie exactă a

ecuaţiei Poisson necesită integrarea numerică, iar aproximaţia ce poate fi introdusă induce
erori de cel mult 1.5% în inversie şi este neglijabilă în celelalte regiuni. Calculul se va face
considerând un capacitor cu substrat de tip p, procedura fiind similară cu cea folosită la
deducerea capacităţii de joasă frecvenţă (Anexa 3), cu excepţia faptului că redistribuirea
sarcinii electronice în stratul de inversie este luată în considerare, iar numărul de sarcini din
acest strat se consideră determinat numai de tensiunea de polarizare a porţii.
Ca urmare a existenţei unor sarcini de semn opus care reacţionează la semnalul
alternativ în stratul de inversie şi la marginea zonei de sărăcire, atunci când stratul de inversie
se lărgeşte, zona de sărăcire se îngustează şi invers.
Dacă stratul de inversie se îngustează, electronii se vor aşeza, conform principiului lui
Pauli, pe nivele energetice superioare în banda de conducţie a Si, la interfaţa cu oxidul. Invers,
în cazul lărgirii stratului de inversie un număr mai mic de electroni se află situaţi în aceeaş i
regiune din spaţiu, deci în ansamblu ei se situeaza pe nivele energetice mai scăzute în banda
de conducţie. Descrierea acestui comportament poate fi facută prin considerarea unei
componente alternative a nivelului Fermi. Acest nivel cuasi-Fermi alternează în fază cu
tensiunea alternativă aplicată astfel încât determină nivelul de ocupare a stărilor din banda de
conducţie, menţinând în acelaşi timp constant numărul de sarcini pe unitatea de suprafaţă în
stratul de inversie. Nivelul alternativ cuasi-Fermi EFn este considerat uniform spaţial în zonele
stratului de inversie în care densitatea purtătorilor este mare. Această presupunere introduce
erori neglijabile. Baccarani şi Severi [153] au calculat exact nivelul cuasi-Fermi, ţinând cont
de neuniformitatea spaţială şi au găsit că EFn este spaţial uniform începând de la suprafaţa Si
până în punctul în care concentraţia de purtători minoritari n(x,t) ajunge la nivelul ni. Dincolo
de acest punct, EFn converge rapid către EFp. În regiunea de convergenţă şi mai departe înspre
masa semiconductorului densitatea de electroni este atât de mică încât variaţia spaţială a lui
EFn are un efect foarte mic asupra capacităţii de suprafaţă.
Nivelul cuasi-Fermi al golurilor este considerat uniform spaţial în tot volumul
substratului de Si. Deoarece golurile sunt purtători majoritari, ei sunt în echilibru termic astfel
încât nivelul cuasi-Fermi de goluri este identic cu nivelul Fermi din masa semiconductorului.
Întrucât EFn este o mărime alternativă, aceasta va avea componente în fază şi în
antifază cu tensiunea alternativă. Se poate arăta că pe o distanţă similară cu cea de la suprafaţa
Si în care EFn este constant, EFn este de asemenea în fază cu tensiunea alternativă de poartă.
Astfel, faza lui EFn poate fi neglijată fără o eroare semnificativă.
Densitatea electronică se calculează prin expresia:
∞
 qψ ( x, t ) + E Fn (t )   E 
n( x, t ) = exp 
 kT  ∫
 EC
N C ( E ) exp − dE
 kT 
(A5.1)

unde NC(E) este densitatea de stări cu energia cuprinsă între E şi E+dE din banda de
conducţie, EC este nivelul marginii inferioare a benzii de conducţie şi ψ(x,t) este curbarea
benzilor din punctul x la momentul t. Dacă integrala din (A5.1) este egală cu
ni exp( − Ei / kT ) , iar v( x, t ) = (kT / q )ψ ( x, t ) şi u Fn ≡ ( E Fn − Ei ) kT , densitatea de sarcină pe
unitatea de volum în Si de tip p este:

183
 ρ = q[ p − N A − n] = ni {exp( −u B )[exp( −v) − 1] − exp(v + u Fn )} (A5.2)
iar ecuaţia Poisson se poate scrie:
d 2 v 1 − exp( −v ) + exp(v + u Fn + u B )
= (A5.3)
dx 2 λp2
Deoarece uFn este o constantă independentă de x, (A5.3) poate fi integrată uşor între v=0 ş i
v=vS. Pentru a face aceasta se urmează aceeaşi procedură ca în Anexa 3 şi rezultă câmpul
electric adimensional de la suprafaţa Si:
F (v , u , u )
dv
=
2
{v S + exp( −v S ) − 1 + exp(u B + u Fn )[exp( vS ) − 1]}1 / 2 = S Fn B (A5.4)
dx x =0 λ p λp
Se introduc mărimile de semnal mic:
u Fn = u B + δu Fn
(A5.5)
v S = v SO + δv S
unde vso este curbura benzilor determinată de tensiunea constantă de polarizare a porţii, iar δvs
este partea alternativă a curburii benzilor la x=0. Capacitatea de suprafaţă a Si este:
δ  dv 
CS = ε S   . (A5.6)
δv S  dx  x =0
Derivând (A5.4), capacitatea este (pentru vs>0):
  ni  
2
 δu   
C FBS 1 − exp(− v S ) +   (exp(v S ) − 1)1 − Fn  + 1 
  NA    δv S   
CS = (A5.7)
F (v S , u B , u B )
unde C FBS = ε S λ −p1 . În obţinerea expresiei (A5.7) aproximaţia de semnal mic u Fn ≈ u B (din
(A5.5)) a fost utilizată.
Se defineşte mărimea Qn, ce reprezintă densitatea de purtători minoritari în exces faţă
de densitatea din masa semiconductorului nB:
∞
Qn = q ∫ [n( x) − n B ]dx (A5.8)
0
Întrucât masa semiconductorului se consideră că este în echilibru termic, condiţia de echilibru
termic se poate aplica şi n B = ni2 N A = ni exp(u B ) . Dacă se foloseşte ec. (A5.1), (A5.8)
devine:
∞
Qn = qni ∫ {exp[v( x) + u Fn ] − exp(u B )}dx (A5.9)
0
Pentru a calcula sarcina electronică determinată numai de tensiunea constantă de polarizare a
porţii, fără influienţa semnalului alternativ, se va folosi aceeaşi relaţie pentru nB ca şi în ec.
(A5.9), iar n( x) = ni2 / p ( x ) , unde p(x) este dat de (A3.5). Astfel avem:
∞
Qn = qni ∫ {exp[v 0 ( x) + u B ] − exp(u B )}dx (A5.10)
0
unde v0(x) este curbarea benzilor în punctul x determinată numai de tensiunea constantă a
porţii. Constrângerea ce exprimă conservarea sarcinii de suprafaţă se scrie egalând ecuaţiile
(A5.9) şi (A5.10):

184
 ∞ ∞

∫ {exp[v( x) + u ] − exp(u )}dx = ∫ {exp[v

0
Fn B
0
0 ( x) + u B ] − exp(u B )}dx (A5.11)

Introducând expresiile de semnal mic (A5.5), se poate arăta că:

  ni  
2
∆  
C FBS 1 − exp( −v S 0 ) +   (exp(v S 0 ) − 1) + 1 
  NA   1 + ∆ 

CS = (A5.12)
F (v S 0 , u B )
unde s-a folosit:
δu Fn 1
= (A5.13)
δv S 1 + ∆
F (v S 0 , u B )  S 0  exp(v S ) − exp( −v S ) − 2v S  
v

∆≈  ∫ dv S   − 1 (A5.14)
exp(v S 0 ) − 1  0  F 3 (v S , u B )  
F (v S 0 , u B ) ≡ F (v S , u B , u B ) (A5.15)
Ecuaţia (A5.12) reprezintă o expresie precisă a capacităţii de înaltă frecvenţă.
Caracteristica se obţine prin integrarea numerică a ec. (A5.14) şi înlocuirea acesteia în ec.
(A5.12).
În regiunea în care vS0<2uB purtătorii minoritari la suprafaţă pot fi neglijaţi, astfel încât
termenul al treilea din acolada ec. (A5.12) se poate neglija şi atunci:
C [1 − exp( −v S 0 )]
C S = FBS . (A5.16)
F (v S 0 , u B )
Pe de altă parte, în inversie puternică δu Fn δv S 0 are o valoare apropiată de unitate, şi de aceea
∆«1, iar expresia capacităţii substratului de Si la înaltă frecvenţă (A5.12) devine:
  ni 
2

C FBS 1 − exp( −v S 0 ) +   [(exp(v S 0 ) − 1)∆ + 1]
  NA  
CS = . (A5.17)
F (v S 0 , u B )

185
186
10 Referinţe bibliografice

[1]. Wilk, GD, Wallace, RM, and Anthony, JM, Journal of Applied Physics, 89, 5243-5275,
2001.
[2]. Website-INTEL, http://www.intel.com/research/silicon/micron.htm, 2003.
[3]. Declerck, G, Vanovers, R, and Broux, G, Solid-State Electronics, 16, 1451-1460, 1973.
[4]. Tu, Y and Tersoff, J, Physical Review Letters, 84, 4393-4396, 2000.
[5]. Robertson, J, MRS Bulletin, 27, 217-221, 2002.
[6]. Hori, T, Gate dielectrics and MOS ULSIs : principles, technologies and applications, 1st
ed. Berlin: Springer, 1997.
[7]. Muller, DA, Sorsch, T, Moccio, S, Baumann, FH, Evans-Lutterodt, K, and Timp, G,
Nature, 399, 758-761, 1999.
[8]. Neaton, JB, Muller, DA, and Ashcroft, NW, Physical Review Letters, 85, 1298-1301,
2000.
[9]. Muller, DA, "Gate dielectric metrology using advanced TEM measurements," in
Characterization and Metrology for ULSI Technology 2000, International
Conference, vol. 550, Aip Conference Proceedings, 2001, pp. 500-505.
[10]. Chatterjee, A, Chapman, RA, Joyner, K, Otobe, M, Hattangady, S, Bevan, M, Brown,
GA, Yang, H, He, Q, Rogers, D, Fang, SJ, Kraft, R, Rotondaro, ALP, Terry, M,
Brennan, K, Aur, SW, Hu, JC, Tsai, HL, Jones, P, Wilk, G, Aoki, M, Rodder, M, and
Chen, IC, "CMOS Metal Replacement Gate Transistors using tantalum pentoxide gate
insulator," in International Electron Devices Meeting 1998 - Technical Digest. New
York: IEEE, 1998, pp. 777-780.
[11]. Alay, JL and Hirose, M, Journal of Applied Physics, 81, 1606-1608, 1997.
[12]. Brar, B, Wilk, GD, and Seabaugh, AC, Applied Physics Letters, 69, 2728-2730, 1996.
[13]. Lu, ZH, McCaffrey, JP, Brar, B, Wilk, GD, Wallace, RM, Feldman, LC, and Tay, SP,
Applied Physics Letters, 71, 2764-2766, 1997.
[14]. Momose, HS, Ono, M, Yoshitomi, T, Ohguro, T, Nakamura, S, Saito, M, and Iwai, H,
IEEE Transactions on Electron Devices, 43, 1233-1242, 1996.
[15]. Timp, G, Agarwal, A, Baumann, FH, Boone, T, Buonanno, M, Cirelli, R, Donnelly, V,
Foad, M, Grant, D, Green, M, Gossmann, H, Hillenius, S, Jackson, J, Jacobson, D,
Kleiman, R, Kornblit, A, Klemens, F, Lee, JTC, Mansfield, W, Moccio, S, Murrell, A,
O'Malley, M, Rosamilia, J, Sapjeta, J, Silverman, P, Sorsch, T, Tai, WW, Tennant, D,
Vuong, H, and Weir, B, "Low leakage, ultra-thin gate oxides for extremely high
performance sub-100nm nMOSFETs," in International Electron Devices Meeting -
1997, Technical Digest. New York: IEEE, 1997, pp. 930-932.

187
[16]. Timp, G, Bourdelle, KK, Bower, JE, Baumann, FH, Boone, T, Cirelli, R, Evans-
Lutterodt, K, Garno, J, Ghetti, A, Gossmann, H, Green, M, Jacobson, D, Kim, Y,
Kleiman, R, Klemens, F, Kornblit, A, Lochstampfor, C, Mansfield, W, Moccio, S,
Muller, DA, Ocola, LE, O'Malley, ML, Rosamilia, J, Sapjeta, J, Silverman, P, Sorsch,
T, Tennant, DM, Timp, W, and Weir, BE, "Progress toward 10nm CMOS devices," in
International Electron Devices Meeting 1998 - Technical Digest. New York: IEEE,
1998, pp. 615-618.
[17]. Yu, B, Wang, HH, Riccobene, C, Xiang, Q, and Lin, MR, "Limits of gate-oxide scaling
in nano-transistors," in 2000 Symposium on VLSI Technology, Digest of Technical
Papers. New York: IEEE, 2000, pp. 90-91.
[18]. Ghani, T, Mistry, K, Packan, P, Thompson, S, Stettler, M, Tyagi, S, and Bohr, M,
"Scaling challenges and device design requirements for high performance sub-50 nm
gate length planar CMOS transistors," in 2000 Symposium on VLSI Technology,
Digest of Technical Papers. New York: IEEE, 2000, pp. 174-175.
[19]. Chau, R, Kavalieros, J, Roberds, B, Schenker, R, Lionberger, D, Barlage, D, Doyle, B,
Arghavani, R, Murthy, A, and Dewey, G, "30nm physical gate length CMOS
transistors with 1.0 ps n-MOS and 1.7 ps p-MOS gate delays," in International
Electron Devices Meeting 2000, Technical Digest. New York: IEEE, 2000, pp. 45-48.
[20]. Timp, G, Bude, J, Baumann, F, Bourdelle, KK, Boone, T, Garno, J, Ghetti, A, Green, M,
Gossmann, H, Kim, Y, Kleiman, R, Kornblit, A, Klemens, F, Moccio, S, Muller, D,
Rosamilia, J, Silverman, P, Sorsch, T, Timp, W, Tennant, D, Tung, R, and Weir, B,
Microelectronics Reliability, 40, 557-562, 2000.
[21]. Dennard, RH, Gaenssle, FH, Yu, HN, Rideout, VL, Bassous, E, and Leblanc, AR, IEEE
Journal of Solid-State Circuits, SC 9, 256-268, 1974.
[22]. Tzou, JJ, Yao, CC, Cheung, R, and Chan, H, IEEE Electron Device Letters, 6, 250-252,
1985.
[23]. Baccarani, G, Wordeman, MR, and Dennard, RH, IEEE Transactions on Electron
Devices, 31, 452-462, 1984.
[24]. Iwai, H and Momose, HS, Microelectronic Engineering, 39, 7-30, 1997.
[25]. Frank, DJ, Dennard, RH, Nowak, E, Solomon, PM, Taur, Y, and Wong, HSP,
Proceedings of the IEEE, 89, 259-288, 2001.
[26]. Lo, SH, Buchanan, DA, Taur, Y, and Wang, W, IEEE Electron Device Letters, 18, 209-
211, 1997.
[27]. Lo, SH, Buchanan, DA, Taur, Y, Han, LK, and Wu, E, "Modeling and characterization
of n(+)- and p(+)-polysilicon-gated ultra thin oxides (21-26 angstrom)," in 1997
Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers. Tokyo: JAPAN
SOCIETY APPLIED PHYSICS, 1997, pp. 149-150.
[28]. Taur, Y, Mii, YJ, Frank, DJ, Wong, HS, Buchanan, DA, Wind, SJ, Rishton, SA,
Saihalasz, GA, and Nowak, EJ, IBM Journal of Research and Development, 39, 245-
260, 1995.
[29]. Taur, Y, Wann, CH, and Frank, DJ, "25 nm CMOS design considerations," in
International Electron Devices Meeting 1998 - Technical Digest. New York: IEEE,
1998, pp. 789-792.
[30]. Wong, HSP, Frank, DJ, and Solomon, PM, "Device design considerations for double-
gate, ground-plane, and single- gated ultra-thin SOI MOSFET's at the 25 nm channel
length generation," in International Electron Devices Meeting 1998 - Technical
Digest. New York: IEEE, 1998, pp. 407-410.

188
[31]. Doyle, BS, Datta, S, Doczy, M, Hareland, S, Jin, B, Kavalieros, J, Linton, T, Murthy, A,
Rios, R, and Chau, R, IEEE Electron Device Letters, 24, 263-265, 2003.
[32]. Frank, DJ, Taur, Y, and Wong, HSP, IEEE Electron Device Letters, 19, 385-387, 1998.
[33]. Frank, DJ and Wong, HSP, Superlattices Microstruct., 28, 485-491, 2000.
[34]. Schlom, DG and Haeni, JH, MRS Bulletin, 27, 198-204, 2002.
[35]. Degraeve, R, Cartier, E, Kauerauf, T, Carter, R, Pantisano, L, Kerber, A, and
Groeseneken, G, MRS Bulletin, 27, 222-225, 2002.
[36]. Kingon, AI, Maria, JP, and Streiffer, SK, Nature, 406, 1032-1038, 2000.
[37]. Barin, I, Thermochemical Data of Pure Substances, 3 ed. Weinheim: VCH, 1995.
[38]. Zaima, S, Furuta, T, Yasuda, Y, and Iida, M, Journal of the Electrochemical Society,
137, 1297-1300, 1990.
[39]. Alers, GB, Werder, DJ, Chabal, Y, Lu, HC, Gusev, EP, Garfunkel, E, Gustafsson, T, and
Urdahl, RS, Applied Physics Letters, 73, 1517-1519, 1998.
[40]. Mao, AY, Son, KA, White, JM, Kwong, DL, Roberts, DA, and Vrtis, RN, Journal of
Vacuum Science & Technology A-Vacuum Surfaces and Films, 17, 954-960, 1999.
[41]. Gilmer, DC, Colombo, DG, Taylor, CJ, Roberts, J, Haugstad, G, Campbell, SA, Kim,
HS, Wilk, GD, Gribelyuk, M, and Gladfelter, WL, Chemical Vapor Deposition, 4, 9-
11, 1998.
[42]. Pennebaker, WB, IBM Journal of Research and Development, 13, 686-695, 1969.
[43]. Panitz, JKG and Hu, CC, Journal of Vacuum Science & Technology, 16, 315-318, 1979.
[44]. Dharmadhikari, VS and Grannemann, WW, Journal of Vacuum Science & Technology
A-Vacuum Surfaces and Films, 1, 483-485, 1983.
[45]. Nagata, H, Tsukahara, T, Gonda, S, Yoshimoto, M, and Koinuma, H, Japanese Journal
of Applied Physics Part 2-Letters, 30, L1136-L1138, 1991.
[46]. Jeon, TS, White, JM, and Kwong, DL, Applied Physics Letters, 78, 368-370, 2001.
[47]. Beyers, R, Kim, KB, and Sinclair, R, Journal of Applied Physics, 61, 2195-2202, 1987.
[48]. Beyers, R, Sinclair, R, and Thomas, ME, Journal of Vacuum Science & Technology B,
2, 781-784, 1984.
[49]. Beyers, R, Journal of Applied Physics, 56, 147-152, 1984.
[50]. Hubbard, KJ and Schlom, DG, Journal of Materials Research, 11, 2757-2776, 1996.
[51]. Zhong, HC, Heuss, G, Suh, YS, Misra, V, and Hong, SN, Journal of Electronic
Materials, 30, 1493-1498, 2001.
[52]. Fenner, DB, Viano, AM, Fork, DK, Connell, GAN, Boyce, JB, Ponce, FA, and
Tramontana, JC, Journal of Applied Physics, 69, 2176-2182, 1991.
[53]. Behner, H, Wecker, J, Matthee, T, and Samwer, K, Surface and Interface Analysis, 18,
685-690, 1992.
[54]. Matthee, T, Wecker, J, Behner, H, Friedl, G, Eibl, O, and Samwer, K, Applied Physics
Letters, 61, 1240-1242, 1992.
[55]. Miyata, N, Ichikawa, M, Nabatame, T, Horikawa, T, and Toriumi, A, Japanese Journal
of Applied Physics Part 2-Letters, 42, L138-L140, 2003.
[56]. Busch, BW, Schulte, WH, Garfunkel, E, Gustafsson, T, Qi, W, Nieh, R, and Lee, J,
Physical Review B, 62, R13290-R13293, 2000.
[57]. Watanabe, H, Applied Physics Letters, 78, 3803-3805, 2001.
[58]. Volchenkova, ZS and Zubankova, DS, Inorganic Materials, 18, 1737-1741, 1982.
[59]. Shannon, RD, Journal of Applied Physics, 73, 348-366, 1993.
[60]. McKee, RA, Walker, FJ, and Chisholm, MF, Physical Review Letters, 81, 3014-3017,
1998.
[61]. Lucovsky, G, Journal of Vacuum Science & Technology A, 19, 1553-1561, 2001.

189
[62]. French, RH, Glass, SJ, Ohuchi, FS, Xu, YN, and Ching, WY, Physical Review B, 49,
5133-5141, 1994.
[63]. Demkov, A, von Allmen, P, and Wang, J, Physica Status Solidi B-Basic Research, 226,
VII-VII, 2001.
[64]. Harrison, WA, Elementary Electronic Structure. Singapore: World Scientific, 1999.
[65]. Robertson, J, Journal of Vacuum Science & Technology B, 18, 1785-1791, 2000.
[66]. Chambers, SA, Liang, Y, Yu, Z, Droopad, R, Ramdani, J, and Eisenbeiser, K, Applied
Physics Letters, 77, 1662-1664, 2000.
[67]. Miyazaki, S, Journal of Vacuum Science & Technology B, 19, 2212-2216, 2001.
[68]. Ludeke, R, Cuberes, MT, and Cartier, E, Applied Physics Letters, 76, 2886-2888, 2000.
[69]. Afanas'ev, VV, Houssa, M, Stesmans, A, and Heyns, MM, Applied Physics Letters, 78,
3073-3075, 2001.
[70]. Wallace, RM and Wilk, G, MRS Bulletin, 27, 192-197, 2002.
[71]. Guha, S, Gusev, E, Copel, M, Ragnarsson, LA, and Buchanan, DA, MRS Bulletin, 27,
226-229, 2002.
[72]. Wallace, RM and Wilk, G, MRS Bulletin, 27, 186-187, 2002.
[73]. Ragnarsson, LA, Guha, S, Bojarczuk, NA, Cartier, E, Fischetti, MV, Rim, K, and
Karasinski, J, IEEE Electron Device Letters, 22, 490-492, 2001.
[74]. Takagi, S, Toriumi, A, Iwase, M, and Tango, H, IEEE Transactions on Electron
Devices, 41, 2357-2362, 1994.
[75]. Fischetti, MV, Neumayer, DA, and Cartier, EA, Journal of Applied Physics, 90, 4587-
4608, 2001.
[76]. Degraeve, R, Kaczer, B, and Groeseneken, G, Microelectronics Reliability, 39, 1445-
1460, 1999.
[77]. Degraeve, R, Groeseneken, G, Bellens, R, Ogier, JL, Depas, M, Roussel, PJ, and Maes,
HE, IEEE Transactions on Electron Devices, 45, 904-911, 1998.
[78]. King, TJ, McVittie, JP, Saraswat, KC, and Pfiester, JR, IEEE Transactions on Electron
Devices, 41, 228-232, 1994.
[79]. Uejima, K, Yamamoto, T, and Mogami, T, "Highly reliable poly-SiGe/amorphous-Si
gate CMOS," in International Electron Devices Meeting 2000, Technical Digest. New
York: IEEE, 2000, pp. 445-448.
[80]. Lee, CH, Luan, HF, Bai, WP, Lee, SJ, Jeon, TS, Senzaki, Y, Roberts, D, and Kwong,
DL, "MOS characteristics of ultra thin rapid thermal CVD ZrO2 and Zr silicate gate
dielectrics," in International Electron Devices Meeting 2000, Technical Digest. New
York: IEEE, 2000, pp. 27-30.
[81]. Onishi, K, Kang, L, Choi, R, Dharmarajan, E, Gopalan, S, Jeon, Y, Kang, CS, Lee, BH,
Nieh, R, and Lee, JC, "Dopant penetration effects on polysilicon gate HfO2
MOSFET's," in 2001 Symposium on VLSI Technology, Digest of Technical Papers.
Tokyo 110: JAPAN SOCIETY APPLIED ELECTROMAGNETICS &
MECHANICS, 2001, pp. 131-132.
[82]. Wilk, GD, Wallace, RM, and Anthony, JM, Journal of Applied Physics, 87, 484-492,
2000.
[83]. Park, DG, Cho, HJ, Lim, C, Yeo, IS, Roh, JS, Kim, CT, and Hwang, JM,
"Characteristics of Al2O3 gate dielectric prepared by atomic layer deposition for giga
scale CMOS DRAM devices," in 2000 Symposium on VLSI Technology, Digest of
Technical Papers. New York: IEEE, 2000, pp. 46-47.
[84]. Buchanan, DA, Gusev, EP, Cartier, E, Okorn-Schmidt, H, Rim, K, Gribelyuk, MA,
Mocuta, A, Ajmera, A, Copel, M, Guha, S, Bojarczuk, N, Callegari, A, D'Emic, C,

190
 Kozlowski, P, Chan, K, Fleming, RJ, Jamison, PC, Brown, J, and Arndt, R, "80 nm
poly-silicon gated n-FETs with ultra-thin Al2O3 gate dielectric for ULSI
applications," in International Electron Devices Meeting 2000, Technical Digest. New
York: IEEE, 2000, pp. 223-226.
[85]. Park, DG, Cho, HJ, Yeo, IS, Roh, JS, and Hwang, JM, Applied Physics Letters, 77,
2207-2209, 2000.
[86]. Zhong, HC, Heuss, G, and Misra, V, IEEE Electron Device Letters, 21, 593-595, 2000.
[87]. Zhong, HC, Heuss, G, Misra, V, Luan, HF, Lee, CH, and Kwong, DL, Applied Physics
Letters, 78, 1134-1136, 2001.
[88]. Samavedam, SB, La, LB, Smith, J, Dakshina-Murthy, S, Luckowski, E, Schaeffer, J,
Zavala, M, Martin, R, Dhandapani, V, Triyoso, D, Tseng, HH, Tobin, PJ, Gilmer, DC,
Hobbs, C, Taylor, WJ, Grant, JM, Hegde, RI, Mogab, J, Thomas, C, Abramowitz, P,
Moosa, M, Conner, J, Jiang, J, Arunachalam, V, Sadd, M, Nguyen, BY, and White, B,
"Dual-metal gate CMOS with HfO2 gate dielectric," in International Electron Devices
2002 Meeting, Technical Digest. New York: IEEE, 2002, pp. 433-436.
[89]. Gusev, EP, Copel, M, Cartier, E, Baumvol, IJR, Krug, C, and Gribelyuk, MA, Applied
Physics Letters, 76, 176-178, 2000.
[90]. Tsai, W, Carter, RJ, Nohira, H, Caymax, M, Conard, T, Cosnier, W, DeGendt, S, Heyns,
M, Petry, J, Richard, O, Vandervorst, W, Young, E, Zhao, C, Maes, J, Tuominen, M,
Schulte, WH, Garfunkel, E, and Gustafsson, T, Microelectronic Engineering, 65, 259-
272, 2003.
[91]. Copel, M, Gribelyuk, M, and Gusev, E, Applied Physics Letters, 76, 436-438, 2000.
[92]. Houssa, M, Afanas'ev, VV, Stesmans, A, and Heyns, MM, Applied Physics Letters, 77,
1885-1887, 2000.
[93]. Smith, RC, Hoilien, N, Taylor, CJ, Ma, TZ, Campbell, SA, Roberts, JT, Copel, M,
Buchanan, DA, Gribelyuk, M, and Gladfelter, WL, Journal of the Electrochemical
Society, 147, 3472-3476, 2000.
[94]. Perkins, CM, Triplett, BB, McIntyre, PC, Saraswat, KC, Haukka, S, and Tuominen, M,
Applied Physics Letters, 78, 2357-2359, 2001.
[95]. Raghu, P, Rana, N, Yim, C, Shero, E, and Shadman, F, Journal of the Electrochemical
Society, 150, F186-F193, 2003.
[96]. Rana, N, Raghu, P, Shero, E, and Shadman, F, Applied Surface Science, 205, 160-175,
2003.
[97]. Ferrari, S, Dekadjevi, DT, Spiga, S, Tallarida, G, Wiemer, C, and Fanciulli, M, Journal
of Non-Crystalline Solids, 303, 29-34, 2002.
[98]. Joo, MS, Cho, BJ, Yeo, CC, Wu, N, Yu, HY, Zhu, CX, Li, MF, Kwong, DL, and
Balasubramanian, N, Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters, 42, L220-
L222, 2003.
[99]. Gusev, EP, Cabral, C, Copel, M, D'Emic, C, and Gribelyuk, M, Microelectronic
Engineering, 69, 145-151, 2003.
[100]. Vainonen-Ahlgren, E, Tois, E, Ahlgren, T, Khriachtchev, L, Marles, J, Haukka, S, and
Tuominen, M, Computational Materials Science, 27, 65-69, 2003.
[101]. Eisenbeiser, K, Finder, JM, Yu, Z, Ramdani, J, Curless, JA, Hallmark, JA, Droopad, R,
Ooms, WJ, Salem, L, Bradshaw, S, and Overgaard, CD, Applied Physics Letters, 76,
1324-1326, 2000.
[102]. Yu, Z, Ramdani, J, Curless, JA, Finder, JM, Overgaard, CD, Droopad, R, Eisenbeiser,
KW, Hallmark, JA, Ooms, WJ, Conner, JR, and Kaushik, VS, Journal of Vacuum
Science & Technology B, 18, 1653-1657, 2000.

191
[103]. Yu, Z, Ramdani, J, Curless, JA, Overgaard, CD, Finder, JM, Droopad, R, Eisenbeiser,
KW, Hallmark, JA, Ooms, WJ, and Kaushik, VS, Journal of Vacuum Science &
Technology B, 18, 2139-2145, 2000.
[104]. Droopad, R, Yu, Z, Ramdani, J, Hilt, L, Curless, J, Overgaard, C, Edwards, JL, Finder,
J, Eisenbeiser, K, and Ooms, W, Materials Science and Engineering B-Solid State
Materials for Advanced Technology, 87, 292-296, 2001.
[105]. Droopad, R, Yu, ZY, Ramdani, J, Hilt, L, Curless, J, Overgaard, C, Edwards, JL,
Finder, J, Eisenbeiser, K, Wang, J, Kaushik, V, Ngyuen, BY, and Ooms, B, Journal of
Crystal Growth, 227, 936-943, 2001.
[106]. Droopad, R, Yu, ZY, Li, H, Liang, Y, Overgaard, C, Demkov, A, Zhang, XD, Moore,
K, Eisenbeiser, K, Hu, M, Curless, J, and Finder, J, Journal of Crystal Growth, 251,
638-644, 2003.
[107]. Eisenbeiser, K, Droopad, R, Yu, Z, Overgaard, C, Kulik, J, Finder, J, Smith, SM,
Voight, S, and Penunuri, D, Journal of Electronic Materials, 32, 868-871, 2003.
[108]. Dimoulas, A, Travlos, A, Vellianitis, G, Boukos, N, and Argyropoulos, K, Journal of
Applied Physics, 90, 4224-4230, 2001.
[109]. Dimoulas, A, Vellianitis, G, Travlos, A, Ioannou-Sougleridis, V, and Nassiopoulou,
AG, Journal of Applied Physics, 92, 426-431, 2002.
[110]. Wang, SJ, Ong, CK, Xu, SY, Chen, P, Tjiu, WC, Chai, JW, Huan, ACH, Yoo, WJ,
Lim, JS, Feng, W, and Choi, WK, Applied Physics Letters, 78, 1604-1606, 2001.
[111]. Wang, SJ and Ong, CK, Applied Physics Letters, 80, 2541-2543, 2002.
[112]. Wang, SJ and Ong, CK, Semiconductor Science and Technology, 18, 154-157, 2003.
[113]. Kao, KC, Hwang, W., Electrical Transport in Solids. Oxford: Pergamon Press, 1981.
[114]. Hwang, W and Kao, KC, Journal of Chemical Physics, 60, 3845-3855, 1974.
[115]. Kao, KC, IEEE Transactions on Electrical Insulation, 11, 121-128, 1976.
[116]. Simmons, JG, Journal of Applied Physics, 34, 2581-2590, 1963.
[117]. Simmons, JG, Journal of Applied Physics, 34, 1793-1803, 1963.
[118]. Simmons, JG, Journal of Applied Physics, 34, 238-239, 1963.
[119]. Simmons, JG, Journal of Applied Physics, 35, 2655-2658, 1964.
[120]. Simmons, JG, Journal of Applied Physics, 35, 2472-2481, 1964.
[121]. Stratton, R, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 23, 1177-1190, 1962.
[122]. Lenzling.M and Snow, EH, Journal of Applied Physics, 40, 278-283, 1969.
[123]. Weinberg, ZA, Journal of Applied Physics, 53, 5052-5056, 1982.
[124]. Chanana, RK, McDonald, K, Di Ventra, M, Pantelides, ST, Feldman, LC, Chung, GY,
Tin, CC, Williams, JR, and Weller, RA, Applied Physics Letters, 77, 2560-2562, 2000.
[125]. Chiou, YL, Gambino, JP, and Mohammad, M, Solid-State Electronics, 45, 1787-1791,
2001.
[126]. Braunstein, AI, Braunstein, M, and Picus, GS, Applied Physics Letters, 8, 95-98, 1966.
[127]. Pollack, SR and Morris, CE, Solid State Communications, 2, 21-22, 1964.
[128]. Handy, RM, Physical Review, 126, 1968-1973, 1962.
[129]. Fisher, JC and Giaever, I, Journal of Applied Physics, 32, 172-&, 1961.
[130]. Simmons, JG, Physical Review Letters, 15, 967-968, 1965.
[131]. Emtage, PR, Journal of Applied Physics, 38, 1820-1825, 1967.
[132]. Savoye, ED and Anderson, DE, Journal of Applied Physics, 38, 3245-3265, 1967.
[133]. Sze, SM, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. New York: John Wiley & Sons,
1981.
[134]. Bethe, H, MIT Radiat. Lab. Rep., 43, 12, 1942.
[135]. Schottky, W, Naturwissenschaften, 26, 843, 1938.

192
[136]. Crowell, CR and Sze, SM, Solid-State Electronics, 9, 1035-1048, 1966.
[137]. Crowell, CR and Sze, SM, Solid-State Electronics, 8, 979-990, 1965.
[138]. Kao, CW, Anderson, CL, and Crowell, CR, Surface Science, 95, 321-339, 1980.
[139]. Crowell, CR and Sze, SM, Journal of Applied Physics, 37, 2683-2689, 1966.
[140]. Chang, CY and Sze, SM, Solid-State Electronics, 13, 727-740, 1970.
[141]. Rhoderick, EH, Iee Proceedings-I Communications Speech and Vision, 129, 1-14,
1982.
[142]. Waldrop, JR, Applied Physics Letters, 44, 1002-1004, 1984.
[143]. Schroder, DK, Semiconductor Material and Device Characterization, 2nd ed. New
York: John Wiley&Sons, 1988.
[144]. Averine, S, Chan, YC, and Lam, YL, Applied Physics Letters, 77, 274-276, 2000.
[145]. Antula, J, Journal of Applied Physics, 43, 4663-4668, 1972.
[146]. Hartke, JL, Journal of Applied Physics, 39, 4871-4873, 1968.
[147]. Jonscher, AK, Thin Solid Films, 1, 213-234, 1967.
[148]. Hill, RM, Philosophical Magazine, 23, 59-86, 1971.
[149]. Nicollian, EH and Brews, JR, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and
Technology, 1st ed. New York: John Wiley & Sons, 1982.
[150]. Goetzberger, A and Nicollian, EH, Bell System Technical Journal, 46, 513-&, 1967.
[151]. Garrett, CGB, Physical Review, 107, 478-487, 1957.
[152]. Hofstein, SR and Warfield, G, Solid-State Electronics, 8, 321-341, 1965.
[153]. Baccarani, G and Severi, M, IEEE Transactions on Electron Devices, ED21, 122-125,
1974.
[154]. Brews, JR, Journal of Applied Physics, 45, 1276-1279, 1974.
[155]. El-Kareh, B, Bombard, R.J., Introduction to VLSI silicon devices - Physics, Technology
and Characterization. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1986.
[156]. Michaelson, HB, Journal of Applied Physics, 48, 4729-4733, 1977.
[157]. Terman, LM, Solid-State Electronics, 5, 285-299, 1962.
[158]. Berglund, CN, IEEE Transactions on Electron Devices, ED13, 701-&, 1966.
[159]. Castagne, R and Vapaille, A, Surface Science, 28, 157-193, 1971.
[160]. Brown, DM and Gray, PV, Journal of the Electrochemical Society, 115, 760-&, 1968.
[161]. Gray, PV and Brown, DM, Applied Physics Letters, 8, 31-33, 1966.
[162]. Nicollian, EH and Goetzberger, A, Bell System Technical Journal, 46, 1055-&, 1967.
[163]. Nicollian, EH and Goetzberger. A, Applied Physics Letters, 7, 216-219, 1965.
[164]. Lehovec, K, Applied Physics Letters, 8, 48-50, 1966.
[165]. Nicollian, EH, Goetzberger, A, and Lopez, AD, Solid-State Electronics, 12, 937-944,
1969.
[166]. Vellianitis, G, Apostolopoulos, G, Dimoulas, A, Argyropoulos, K, Mereu, B, Scholz,
R, Alexe, M, and Hooker, JC, "Structural quality and electrical behavior of epitaxial
high-K Y2O3/Si(001)," in Crystalline Oxide-Silicon Heterostructures and Oxide
Optoelectronics, vol. 747, Materials Research Society Symposium Proceedings.
Warrendale: MATERIALS RESEARCH SOCIETY, 2003, pp. 177-182.
[167]. Kern, WE, Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology. Park Ridge, NJ:
Noyes Publications, 1993.
[168]. Mereu, B, Sarău, G, and Alexe, M, "Conduction mechanisms in SrTiO3 thin films on
silicon," in Crystalline Oxide-Silicon Heterostructures and Oxide Optoelectronics,
vol. 747, Materials Research Society Symposium Proceedings. Warrendale:
MATERIALS RESEARCH SOCIETY, 2003, pp. 165-170.

193
[169]. Penţia, E, Pintilie, L, Pintilie, I, and Boţilă, T, Journal of Optoelectronics and
Advanced Materials, 2, 593-601, 2000.
[170]. Petre, D, Pintilie, I, Penţia, E, and Boţilă, T, Materials Science and Engineering B-
Solid State Materials for Advanced Technology, 58, 238-243, 1999.
[171]. Cranton, WM, Spink, DM, Stevens, R, and Thomas, CB, Thin Solid Films, 226, 156-
160, 1993.
[172]. Guha, S, Cartier, E, Gribelyuk, MA, Bojarczuk, NA, and Copel, MC, Applied Physics
Letters, 77, 2710-2712, 2000.
[173]. Ernst, T, Inorganic Crystals, Landolt-Boerstein, vol. 1, Part 4. Berlin: Springer-Verlag,
1955.
[174]. Apostolopoulos, G, Vellianitis, G, Dimoulas, A, Alexe, M, Scholz, R, Fanciulli, M,
Dekadjevi, DT, and Wiemer, C, Applied Physics Letters, 81, 3549-3551, 2002.
[175]. Shutthanandan, V, Thevuthasan, S, Liang, Y, Adams, EM, Yu, Z, and Droopad, R,
Applied Physics Letters, 80, 1803-1805, 2002.
[176]. Ramdani, J, Droopad, R, Yu, Z, Curless, JA, Overgaard, CD, Finder, J, Eisenbeiser, K,
Hallmark, JA, Ooms, WJ, Kaushik, V, Alluri, P, and Pietambaram, S, Applied Surface
Science, 159, 127-133, 2000.
[177]. Travlos, A, Boukos, N, Apostolopoulos, G, and Dimoulas, A, Applied Physics Letters,
82, 4053-4055, 2003.
[178]. Busch, BW, Pluchery, O, Chabal, YJ, Muller, DA, Opila, RL, Kwo, JR, and Garfunkel,
E, MRS Bulletin, 27, 206-211, 2002.
[179]. Kwo, J, Hong, M, Kortan, AR, Queeney, KL, Chabal, YJ, Opila, RL, Muller, DA, Chu,
SNG, Sapjeta, BJ, Lay, TS, Mannaerts, JP, Boone, T, Krautter, HW, Krajewski, JJ,
Sergnt, AM, and Rosamilia, JM, Journal of Applied Physics, 89, 3920-3927, 2001.
[180]. Busch, BW, Kwo, J, Hong, M, Mannaerts, JP, Sapjeta, BJ, Schulte, WH, Garfunkel, E,
and Gustafsson, T, Applied Physics Letters, 79, 2447-2449, 2001.
[181]. Ioannou-Sougleridis, V, Vellianitis, G, and Dimoulas, A, Journal of Applied Physics,
93, 3982-3989, 2003.
[182]. Preier, H, Applied Physics Letters, 10, 361-363, 1967.
[183]. Mereu, B, Vellianitis, G, Apostolopoulos, G, Dimoulas, A, and Alexe, A, "Fowler-
Nordheim tunneling in epitaxial yttrium oxide on silicon for high-k gate applications,"
in Cas: 2002 International Semiconductor Conference, Vols 1 and 2, Proceedings.
New York: IEEE, 2001, pp. 309-312.
[184]. Robertson, J, Applied Surface Science, 190, 2-10, 2002.
[185]. Robertson, J and Chen, CW, Applied Physics Letters, 74, 1168-1170, 1999.
[186]. Dietz, GW, Antpohler, W, Klee, M, and Waser, R, Journal of Applied Physics, 78,
6113-6121, 1995.
[187]. Cowley, AM and Sze, SM, Journal of Applied Physics, 36, 3212-3220, 1965.
[188]. Monch, W, Physical Review Letters, 58, 1260-1263, 1987.
[189]. Monch, W, Surface Science, 300, 928-944, 1994.
[190]. Monch, W, Applied Surface Science, 92, 367-371, 1996.
[191]. Frederikse, HPR, Thurber, WR, and Hosler, WR, Physical Review A-General Physics,
134, A442-445, 1964.
[192]. Samara, GA, Journal of Applied Physics, 68, 4214-4219, 1990.
[193]. Park, BE and Ishiwara, H, Applied Physics Letters, 79, 806-808, 2001.
[194]. Park, BE and Ishiwara, H, Applied Physics Letters, 82, 1197-1199, 2003.
[195]. Takemoto, JH, Jackson, CM, Hu, R, Burch, JF, Daly, KP, and Simon, RW, IEEE
Transactions on Magnetics, 27, 2549-2552, 1991.

194
[196]. Sung, GY, Kang, KY, and Park, SC, Journal of the American Ceramic Society, 74,
437-439, 1991.
[197]. Fleming, RM, Lang, DV, Jones, CDW, Steigerwald, ML, Murphy, DW, Alers, GB,
Wong, YH, van Dover, RB, Kwo, JR, and Sergent, AM, Journal of Applied Physics,
88, 850-862, 2000.
[198]. Houssa, M, Tuominen, M, Naili, M, Afanas'ev, V, Stesmans, A, Haukka, S, and Heyns,
MM, Journal of Applied Physics, 87, 8615-8620, 2000.
[199]. Kauerauf, T, Degraeve, R, Cartier, E, Govoreanu, B, Blomme, P, Kaczer, B, Pantisano,
L, Kerber, A, and Groeseneken, G, "Towards understanding degradation and
breakdown of SiO2/high-k stacks," in International Electron Devices 2002 Meeting,
Technical Digest, 2002, pp. 521-524.
[200]. Clarke, RA and Shewchun, J, Solid-State Electronics, 14, 957-973, 1971.
[201]. Green, MA, King, FD, and Shewchun, J, Solid-State Electronics, 17, 551-561, 1974.
[202]. Green, MA and Shewchun, J, Journal of Applied Physics, 46, 5185-5190, 1975.
[203]. Minervini, L, Grimes, RW, and Sickafus, KE, Journal of the American Ceramic
Society, 83, 1873-1878, 2000.
[204]. Ushakov S. V., BCE, Navrotsky A., will be published in J. Mat. Res.
[205]. Mereu, B, Dimoulas, A, Vellianitis, G, Apostolopoulos, G, Scholz, R, and Alexe, M,
Applied Physics A: Materials Science & Processing, Published electronically - journal
website, 2004.
[206]. Copel, M and Reuter, MC, Applied Physics Letters, 83, 3398-3400, 2003.
[207]. Wang, SJ, Lim, PC, Huan, ACH, Liu, CL, Chai, JW, Chow, SY, Pan, JS, Li, Q, and
Ong, CK, Applied Physics Letters, 82, 2047-2049, 2003.
[208]. Brunson, KM, Sands, D, Thomas, CB, and Reehal, HS, Journal of Applied Physics, 62,
185-189, 1987.
[209]. Sands, D, Brunson, KM, and Thomas, CB, Solid-State Electronics, 30, 543-548, 1987.
[210]. Schuster, HG, Deterministic chaos - An introduction, third ed. Weinheim, New York:
VCH Verlagsgesellschaft mbH, 1995.
[211]. Ott, E, Grebogi, C, and Yorke, JA, Physical Review Letters, 64, 1196-1199, 1990.
[212]. Cristescu, CP and Mereu, B, Scientific Bulletin of University "Politehnica" of
Bucharest, Series A, 62, 81-92, 2000.
[213]. Landau L.D., L, E.M., Lehrbuch der Theoretischen Physik, Band V: Statistische
Physik, TEIL ! Berlin: Akademie-Verlag, 1979.
[214]. Massoud, HZ, Microelectronic Engineering, 36, 95-98, 1997.
[215]. Hegger, R, Kantz, H, Schmuser, F, Diestelhorst, M, Kapsch, RP, and Beige, H, Chaos,
8, 727-736, 1998.
[216]. Kapsch, RP, Kantz, H, Hegger, R, and Diestelhorst, M, International Journal of
Bifurcation and Chaos, 11, 1019-1034, 2001.
[217]. Huang, JY and Kim, JJ, Physical Review B, 34, 8122-8124, 1986.
[218]. Shin, JC, Physical Review E, 60, 5394-5401, 1999.
[219]. Novak, S and Frehlich, RG, Physical Review A, 26, 3660-3663, 1982.
[220]. Lines, ME, Glass, A.M., Principles and Applications of Ferroelectrics and Related
Materials. New York: Oxford University Press, 1979.
[221]. Mereu, B, Alexe, M, Diestelhorst, M, Cristescu, CP, and Stan, C, will be published in
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials., 2004.
[222]. Huanosta, A, Alvarezfregoso, O, Amano, E, Tabaresmunoz, C, Mendozaalvarez, ME,
and Mendozaalvarez, JG, Journal of Applied Physics, 69, 404-408, 1991.

195
[223]. Macedo, ZS, Ferrari, CR, and Hernandes, AC, Journal of the European Ceramic
Society, 24, 2567-2574, 2004.
[224]. Grebogi, C, Ott, E, and Yorke, JA, Physical Review Letters, 51, 339-342, 1983.
[225]. Benzi, R, Sutera, A, and Vulpiani, A, Journal of Physics a-Mathematical and General,
14, L453-L457, 1981.
[226]. Fauve, S and Heslot, F, Physics Letters A, 97, 5-7, 1983.
[227]. Mantegna, RN and Spagnolo, B, Physical Review Letters, 76, 563-566, 1996.
[228]. Mantegna, RN and Spagnolo, B, Nuovo Cimento Della Societa Italiana Di Fisica D-
Condensed Matter Atomic Molecular and Chemical Physics Fluids Plasmas
Biophysics, 17, 873-881, 1995.
[229]. Mantegna, RN and Spagnolo, B, Physical Review E, 49, R1792-R1795, 1994.
[230]. Douglass, JK, Wilkens, L, Pantazelou, E, and Moss, F, Nature, 365, 337-340, 1993.
[231]. Levin, JE and Miller, JP, Nature, 380, 165-168, 1996.
[232]. Gammaitoni, L, Hanggi, P, Jung, P, and Marchesoni, F, Reviews of Modern Physics,
70, 223-287, 1998.
[233]. Carroll, TL and Pecora, LM, Physical Review E, 47, 3941-3947, 1993.
[234]. Carroll, TL and Pecora, LM, Physical Review Letters, 70, 576-579, 1993.
[235]. Anishchenko, VS, Neiman, AB, and Safanova, MA, Journal of Statistical Physics, 70,
183-196, 1993.
[236]. Kamilov, IK, Aliev, KM, Ibragimov, KO, and Abakarova, NS, Technical Physics
Letters, 30, 141-143, 2004.
[237]. Neiman, A and Schimanskygeier, L, Physics Letters A, 197, 379-386, 1995.
[238]. Mereu, B, Physical Review E, submitted, 2004.
[239]. Dona, JM and Herrera, J, Journal of the Electrochemical Society, 144, 4091-4098,
1997.
[240]. Schon, JH, Schenker, O, and Batlogg, B, Thin Solid Films, 385, 271-274, 2001.
[241]. Penţia, E, Drăghici, V, Sarău, G, Mereu, B, Pintilie, L, Sava, F, and Popescu, M, will
be published in Journal of the Electrochemical Society, 2004.
[242]. Mereu, B, Sarău, G, Penţia, E, Drăghici, V, Lişcă, A, Boţilă, I, and Pintilie, L,
Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology,
109, 260-263, 2004.
[243]. Refioglu, HI and Demassa, TA, Journal of Applied Physics, 47, 560-564, 1976.
[244]. Waxman, A, Henrich, VE, Shallcross, FV, Borkan, H, and Weimer, PK, Journal of
Applied Physics, 36, 168-175, 1965.
[245]. Fischetti, MV, Dimaria, DJ, Dori, L, Batey, J, Tierney, E, and Stasiak, J, Physical
Review B, 35, 4404-4415, 1987.
[246]. Mereu, B, Sarău, G, Dimoulas, A, Apostolopoulos, G, Pintilie, I, Boţilă, T, Pintilie, L,
and Alexe, M, Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for
Advanced Technology, 109, 94-98, 2004.
[247]. Murphy, EL and Good, RH, Physical Review, 102, 1464-1473, 1956.
[248]. Hartman, TE and Chivian, JS, Physical Review A-General Physics, 134, A1094-
A1101, 1964.
[249]. Crowell, CR, Solid-State Electronics, 8, 395-399, 1965.
[250]. Shockley, W, Bell System Technical Journal, 28, 435-489, 1949.

196