CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

1. Oglinda simplă de curent cu tranzistoare MOS

Schema de test (ogl-simpla-MOS.asc):

Exerciţii propuse:

1. Dimensionaţi tranzistoarele din oglindă pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare
de 30μA şi Vod de 200mV.
2. Verificaţi PSF ale componentelor şi determinaţi rezistenţa de intrare respectiv ieşire. Utili-
zaţi formula de calcul de la curs şi parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Completaţi
următorul tabel pentru oglinda NMOS:

VGS VDS ID Vod VTh gm gDS

Mn1
Mn2

3. Demonstraţi prin simulare că dacă tranzistoarele sunt identice, iar oglinda este echilibrată în
tensiune (VDS1=VDS2), atunci eroarea factorului de reflexie tinde la zero.
4. Simulaţi variaţia factorului de reflexie (n=Id(Mn2)/Id(Mn1)) cu dezechilibrul tensiunilor
drenă-sursă VDS2-VDS1=Vout-Vin.
5. Simulaţi caracteristica de ieşire a oglinzii, măsuraţi rezistenţa de ieşire în jurul PSF şi deter-
minaţi valoarea aproximativă a Vo-min.
6. Simulaţi caracteristica de intrare a oglinzii şi măsuraţi rezistenţa de intrare în jurul PSF.
7. Repetaţi exerciţiile 1-6 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

2. Oglinda de curent cascodă cu tranzistoare MOS

Schema de test (ogl-cascoda-MOS.asc):

1
 CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

Exerciţii propuse:

8. Dimensionaţi tranzistoarele din oglindă pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare
de 30μA şi Vod de 200mV.
9. Verificaţi PSF ale componentelor şi determinaţi rezistenţa de intrare respectiv ieşire. Utili-
zaţi formula de calcul de la curs şi parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Cât este ten-
siunea minimă admisă la ieşirea oglinzii? Completaţi următorul tabel pentru oglinda NMOS:

VGS VDS ID Vod VTh gm gDS

Mn1
Mn2
Mn3
Mn4

10. Demonstraţi prin simulare că dacă tranzistoarele sunt identice factorul de reflexie tinde spre
unitate chiar dacă oglinda nu este echilibrată în tensiune (Vin≠Vout). Ce rol au tranzistoarele
cascodă?
11. Simulaţi variaţia factorului de reflexie (n=ID(Mn4)/I(I1)) cu dezechilibrul tensiunilor de in-
trare și de ieșire.
12. Simulaţi caracteristica de ieşire a oglinzii, măsuraţi rezistenţa de ieşire în jurul PSF şi deter-
minaţi valoarea aproximativă a Vo-min.
13. Simulaţi caracteristica de intrare a oglinzii şi măsuraţi rezistenţa de intrare în jurul PSF.
14. Repetaţi exerciţiile 8-13 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

3. Oglinda de curent cascodă de joasă tensiune cu tranzistoare MOS

Schema de test (ogl-cascodaLV-MOS.asc):

Exerciţii propuse:

15. Dimensionaţi tranzistoarele din oglindă pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare
de 30μA şi Vod de 200mV.

La dimensionare se ține cont de faptul că toate tranzistoarele, cu excepția M n6 vor fi polarizate în

regim saturat. Dacă factorul de reflexie este unitar, atunci curentul de intrare în oglindă va fi egal cu
curentul de ieșire. Astfel, toate tranzistoarele vor fi parcurse de aceleași curent de 30µA. Tensiunile
Vod fiind deasmenea identice, toate tranzistoarele vor avea aceeași geometrie. La determinarea geo-
metriei se iau în calcul parametrii punctului static de funcționare de referință.

2
 CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

ID W/L Vod VTh

NMOS 50µA 5µ/1µ 240mV 450mV
PMOS 50µA 15µ/1µ 257mV 450mV

Procedura de scalare a PSF duce la următorii parametrii pentru tranzistoarele saturate:

2
W  W  I V  5 30 240  2 4.3μ
     D   od  ref       
 L  L  ref I D  ref  Vod  1 50  200  1μ
 2
 AS  AD  W  0.2μ  0.86pm
 PS  PD  2
 W  0.2μ   9μm

Tranzistorul Mn6 va fi polarizat în regim liniar, constrângere datorată topologiei circuitului. Geo-
metria tranzistorului se determină considerând rezistența echivalentă drenă-sursă în regim liniar.
Căderea de tensiune VDS6 a tranzistorului Mn6 va fi aproximativ egală cu VDS1 a tranzistoarelor Mn1
şi Mn2. Totodată, pentru funcţionarea corectă a oglinzii este necesar ca tranzistoarele Mn1 și Mn2 să
fie saturate, adică VDS1≥Vod1 şi VDS3≥Vod3, iar VGS1=VDS1+VDS3. Tensiunea grilă-sursă VGS1 a tranzis-
torului Mn1 va fi

VGS 1  Vod 1  VTh1  200mV  450mV  650mV

Din condiția de saturație a Mn1 rezultă

VDS1  Vod 1  VDS1  1.5  Vod 1  300mV  VDS 3  VGS 1  VDS 1  350mV

Totodată

Vcasn  VGS 3  VDS1  Vod 3  VTh3  V  VDS1  200mV  450mV  100mV  300mV  1.05V 
 Vod 6  VGS 6  VTh 6  Vcasn  VTh 6  1.05V  450mV  600mV

Căderile de tensiune VDS1, VDS2 și VDS6 sunt aproximativ egale ca efect al tranzistoarelor cascodă.
Astfel, rezistența echivalentă drenă-sursă a lui Mn6 este dată de legea lui Ohm (se aplică numai în
regim liniar deoarece tranzistorul este o rezistență comandată)

VDS 6 300mV
rDS 6lin    10kΩ
I1 30μA

Știind că rezistența echivalentă în regim liniar este dată de ecuația

VDS L
rDS 6  lin  
ID  V ,
 CoxW  Vod  DS 
 2 

se calculează geometria necesară din formula

Wn 6 1

Ln 6  V 
 Cox rDS 6  lin  Vod 6  DS 6 
 2 

Constanta de proces µCox se obține din tabelul cu PSF de referință

3
 CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

2 I D  ref Lref μA
 Cox  2
 347
Wref V od  ref V2

Înlocuirea parametrilor conduce la raportul Wn6/Ln6=0.64=1.3µ/2µ. Parametrii de arie și peri-

metru ai tranzistorului Mn6 vor fi AS=AD=0.26pm2 și PS=PD=3µm.

16. Verificaţi punctele statice de funcționare ale tranzistoarelor. Ajustați parametrii geometrici
astfel încât PSF simulate să corespundă cu cele impuse în specificații. Completați tabelul de
mai jos cu parametrii specifici fiecărui tranzistor.

Se rulează o analiză a punctelor statice de funcționare (.OP). După terminarea simulării se acce-
sează fișierul de ieșire (View→Spice Error Log sau combinația de taste CTRL+L) și se citesc para-
metrii ceruți. Din căderile de tensiune și PSF ale tranzistorului Mn6 se observă că geometria acestuia
necesită ajustare. Modificând iterativ W6, L6, AS, AD, PS și PD până când tensiunile ajung la valori-
le cerute, se obține geometria finală cu parametrii W6/L6=1.8µ/2µ, AS=AD=0.36pm2, PS=PD=4 µm.

VGS VDS ID Vod VTh gm gDS

Mn1 671mV 301mV 30µA 207mV 450mV 222µS 5.86µS
Mn2 671mV 304mV 30µA 207mV 450mV 222µS 5.67µS
Mn3 760mV 370mV 30µA 214mV 531mV 218µS 3.7µS
Mn4 757mV 696mV 30µA 211mV 532mV 221µS 2.63µS
Mn5 757mV 757mV 30µA 210mV 532mV 221mV 2.6µS
Mn6 1.06V 305mV 30µA 509mV 422mV - 0.563µS

17. Determinaţi rezistenţa de intrare respectiv ieşire. Utilizaţi formula de calcul de la curs şi pa-
rametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Estimați tensiunea minimă admisă la ieşirea oglin-
zii.

Rezistența de intrare se calculează din următoarea formulă

1 1
Rin    4.5kΩ
g m1 222μS

Rezistența de ieșire va fi

1 1 gm4
Rout  rDS 2  rDS 4  g m 4 rDS 2 rDS 4     15.44MΩ
g DS 2 g DS 4 g DS 2 g DS 4

Tensiunea minimă admisă la ieșire este

Vo  min  Vod 2  Vod 4  207mV  211mV  420mV

18. Simulaţi variaţia factorului de reflexie cu dezechilibrul tensiunilor de intrare și de ieșire.

Pentru a simula variația factorului de reflexie, definit ca și raportul dintre Iout și Iin, se rulează o
analiză .DC, în care sursa Voutn influențează curentul de ieșire, în timp ce curentul de intrare rămâne
constant. Se crează profilul de simulare astfel încât sursa Voutn să se modifice liniar între 0V și 3V
cu un pas de 1mV. Comanda Spice de pe schemă va fi .dc Voutn 0 3 1m.
După rularea simulării, în fereastra grafică se afișează factorul de reflexie ca și raportul dintre

4
 CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

curentul Iout=Id(Mn4) și Iin=Id(Mn3). Pentru a pune în evidență dependența factorului de reflexie de

dezechilibrul în tensiune dintre ieșirea și intrarea oglinzii, se schimbă variabila de pe axa Ox cu di-
ferența V(outn)-V(inn). Din curba obținută se observă că factorul de relfexie este unitar atunci când
oglinda este echilibrată. Deasemenea, factorul de reflexie se va menține unitar și la tensiuni de dez-
echilibru diferite de zero datorită tranzistoarelor cascodă, care prin tensiunile lor grilă-sursă asigură
echilibrul oglinzii fundamentale Mn1-Mn2. La tensiuni de dezechilibru negative tensiunea de ieșire a
oglinzii nu respectă Vo-min, astfel încât tranzistoarele Mn2 și Mn4 nu pot fi polarizate în regim saturat,
iar curentul de ieșire devine dependent de Voutn.

19. Simulaţi caracteristica de ieşire a oglinzii, măsuraţi rezistenţa de ieşire în jurul PSF şi deter-
minaţi valoarea aproximativă a Vomin.

Caracteristica de ieșire rezultă simplu din exercițiul precedent dacă variabila pe axa Oy va fi cu-
rentul de ieșire Id(Mn4), iar variabila pe axa Ox va fi tensiunea de ieșire V(outn).

Rezistența de ieșire se măsoară poziționând cele două cursoare în jurul punctului static de func-
ționare definit de tensiunea Voutn=1V și curentul de ieșire Iout=30µA. Din fereastra de măsurare se
citește panta caracteristicii (Slope), rezistența de ieșire fiind

1
Rout   19.6MΩ
Slope

Diferența față de valoarea calculată la analiza punctului static de funcționare este dată de trans-
conductanța de substrat gmb4 al tranzistorului Mn4 care a fost neglijată, dar contribuie totuși la defini-
ția curentului de drenă.

20. Simulaţi caracteristica de intrare a oglinzii şi măsuraţi rezistenţa de intrare în jurul PSF.

5
 CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

Variația sursei Voutn nu influențează ramura de intrare a oglinzii. Astfel, pentru a găsi caracteris-
tica de intrare se modifică liniar curentul de intrare Iin furnizat de sursa I1. În profilul de simulare se
schimbă sursa în mod corespunzător, limitele de variație fiind de la 0 la 60µA cu pasul de 10nA.
Comanda Spice de pe schemă devine .dc I1 0 60u 10n.
După rularea simulări în primul pas se ajustează variabila de pe axa Oy afișând curentul de in-
trare Id(Mn3). În al doilea pas se schimbă variabila de la axa Ox în tensiunea de intrare V(inn).

Panta caracteristicii se măsoară poziționând cursoarele în jurul punctului static de funcționare

definit de curentul de intrare de 30µA și citind parametrul Slope din fereastra de măsurare. Rezis-
tența de intrare a oglinzii se calculează

1 1 1
Rin     4.6kΩ
Slope g m1 217μS

Valoarea de mai sus a Rin corespunde aproximativ cu cea determinată prin calcul la analiza PSF.
Precizia de calcul este influențată de poziționarea cursoarelor și aproximarea variațiilor infinitezi-
male impuse de definiția transconductanței (∂ID/∂VGS).

21. Repetaţi exerciţiile 15-20 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

4. Oglinda de curent Wilson asimetrică

Schema de test (ogl-wilson-asim-MOS.asc):

Exerciţii propuse:

6
 CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

22. Dimensionaţi tranzistoarele din oglindă pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare
de 30μA şi Vod de 200mV.
23. Verificaţi PSF ale componentelor şi determinaţi rezistenţa de intrare respectiv ieşire. Utili-
zaţi formula de calcul de la curs şi parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Cât este ten-
siunea minimă admisă la ieşirea oglinzii? Completaţi următorul tabel pentru oglinda NMOS:

VGS VDS ID Vod VTh gm gDS

Mn1
Mn2
Mn3

24. Demonstraţi prin simulare că dacă tranzistoarele sunt identice, eroarea factorului de reflexie
nu se reduce, chiar dacă oglinda este echilibrată în tensiune. Explicaţi motivul.
25. Simulaţi variaţia factorului de reflexie (n=Id(Mn3)/Id(Mn1)) cu dezechilibrul tensiunilor de
intrare și de ieșire. Se observă eroarea sistematică a factorului de reflexie.
26. Simulaţi caracteristica de ieşire a oglinzii, măsuraţi rezistenţa de ieşire în jurul PSF şi deter-
minaţi valoarea aproximativă a Vo-min.
27. Simulaţi caracteristica de intrare a oglinzii şi măsuraţi rezistenţa de intrare în jurul PSF.
28. Repetaţi exerciţiile 22-27 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

5. Oglinda de curent Wilson echilibrată

Schema de test (ogl-wilson-MOS.asc):

Exerciţii propuse:

29. Dimensionaţi tranzistoarele din oglindă pentru un factor de reflexie unitar, curent de intrare
de 30μA şi Vod de 200mV.
30. Verificaţi PSF ale componentelor şi determinaţi rezistenţa de intrare respectiv ieşire. Utili-
zaţi formula de calcul de la curs şi parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor. Cât este ten-
siunea minimă admisă la ieşirea oglinzii? Completaţi următorul tabel pentru oglinda NMOS:

VGS VDS ID Vod VTh gm gDS

Mn1
Mn2
Mn3
Mn4

7
 CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

31. Demonstraţi prin simulare că dacă tranzistoarele sunt identice, factorul de reflexie tinde la
unitate chiar dacă oglinda nu este echilibrată în tensiune. Care este rolul tranzistoarelor
cascodă?
32. Simulaţi variaţia factorului de reflexie (n=Id(Mn4)/Id(Mn3)) cu dezechilibrul tensiunilor de
intrare și de ieșire.
33. Simulaţi caracteristica de ieşire a oglinzii, măsuraţi rezistenţa de ieşire în jurul PSF şi deter-
minaţi valoarea aproximativă a Vo-min.
34. Simulaţi caracteristica de intrare a oglinzii şi măsuraţi rezistenţa de intrare în jurul PSF.
35. Repetaţi exerciţiile 29-34 pentru varianta cu tranzistoare PMOS.

6. Oglinda de curent simplă cu tranzistoare bipolare

Schema de test (ogl-simpla-BJT.asc):

Exerciţii propuse:

36. Simulați punctele statice de funcționare ale tranzistoarelor PNP din schemă. Completați ur-
mătorul tabel cu parametrii fiecărui tranzistor:

VEB VEC IC IB β gm rBE rCE

Qp1 646mV 646mV 29.2µA 409nA 71.4 1.05mS 64kΩ 1.82MΩ
Qp2 646mV 1V 29.4µA 409nA 71.9 1.05mS 64kΩ 1.82MΩ

Punctele statice de funcționare ale tranzistoarelor se obțin rulând o analiză de tip .OP. După cre-
area profilului corespunzător de simulare și rularea analizei se accesează fișierul de ieșire și se ci-
tesc pe rând parametrii pentru fiecare tranzistor.

37. Echilibraţi oglinda în tensiune şi aflaţi valoarea amplificării în curent β pentru tranzistoare
din eroarea factorului de reflexie. Comparați rezultatul cu cel din tabelul de la exercițiul 36.

Echilibrarea oglinzii se face egalând tensiunile de intrare și de ieșire. Din simularea PSF rezultă
că tensiunea de intrare a oglinzii este Vin=VEBp1, iar tensiunea de ieșire este Vout=VECp2. Pentru a ega-
la Vin cu Vout se reglează sursa de tensiune Voutp la valoarea VCC-Vin=3V-646mV=2.354V. După o
nouă rulare a simulării .OP se poate determina factorul de reflexie a oglinzii din raportul

I out I Cp 2 29.18μA
n    0.973
I in I2 30μA

Ținând cont de faptul că oglinda este echilibrată în tensiune (VECp1=VECp2), din dependența fac-
torului de reflexie de amplificarea în curent β a tranzistoarelor se deduce expresia lui β

8
 CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

 2n 2  0.973
n     72.1
 2 1  n 1  0.973

Această valoare este apropiată de cea calculată de simulator la analiza PSF și trecută în tabelul
cu parametrii tranzistoarelor Qp1 și Qp2.

38. Calculaţi rezistenţele de intrare şi de ieşire utilizând ecuaţiile de la curs şi parametrii de sem-
nal mic ai tranzistoarelor.

Rezistența de intrare a oglinzii se calculează conform ecuației

1 1
Rin    952 
g m1 1.05mS

Rezistența de ieșire este Rout=rCE2=1.82MΩ.

39. Simulaţi caracteristica de ieşire a oglinzii, măsuraţi rezistenţa de ieşire în jurul PSF şi deter-
minaţi valoarea aproximativă a Vo-min.

Caracteristica de ieșire se obține printr-o analiză .DC în care tensiunea de ieșire a oglinzii se mo-
difică liniar. Variabila modificată în simulare va fi sursa Voutp, valorile date de aceasta variind de la
0V la 3V cu un pas de 1mV. Comanda Spice corespunzătoare va fi .dc Voutp 0 3 1m. După termina-
rea analizei, în fereastra grafică se afișează –Ic(Qp2). Semnul negativ este necesar datorită conven-
ției de semne. În pasul al doilea se schimbă variabila de pe axa Ox în 3-V(outp).

Atașând ambele cursoare curbei afișate se măsoară panta caracteristicii în jurul PSF dat de tensi-
unea de ieșire egală cu 1V. Din fereastra de măsurare se citește parametrul Slope, iar rezistența de
ieșire măsurată va fi

1 1
Rout    1.83M 
Slope 0.546μS

Această valoare corespunde cu cea găsită la analiza punctelor statice de funcționare.

40. Simulaţi caracteristica de intrare a oglinzii şi măsuraţi rezistenţa de intrare în jurul PSF.

Caracteristica de intrare se obține tot cu ajutorul unei analize de curent continuu, dar sursa varia-
tă va fi I2, corespunzătoare curentului de intrare. În profilul de simulare se completează parametrii
astfel încât I2 să varieze de la 0 la 50µA cu un pas de 10nA. Comanda Spice corespunzătoare este
9
 CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

.dc I2 0 50u 10n. După terminarea simulării se afișează I(I2), apoi se schimbă parametrul de la axa
Ox în 3-V(inp).

Rezistența de intrare se măsoară mărind suficient porțiunea caracteristicii din jurul curentului de
30µA și evaluând panta. Rezistența de intrare obținută corespunde aproximativ valorii calculate în
urma analizei punctelor statice de funcționare.

1 1 1
Rout     926 
Slope g m1 1.08mS

41. Repetaţi exerciţiile 36-40 pentru varianta NPN a oglinzii de curent.

7. Oglinda de curent bipolară cu compensare de β

Schema de test (ogl-efa-BJT.asc):

Exerciţii propuse:

42. Simulați punctele statice de funcționare ale tranzistoarelor NPN din schemă. Completați ur-
mătorul tabel cu parametrii fiecărui tranzistor:

VBE VCE IC IB β gm rBE rCE

Qn1
Qn2
Qn3

10
 CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

43. Echilibraţi oglinda în tensiune şi aflaţi valoarea amplificării în curent β pentru tranzistoare
din eroarea factorului de reflexie. Comparați rezultatul cu cel din tabelul de la exercițiul 42.
44. Calculaţi rezistenţele de intrare şi de ieşire utilizând ecuaţiile de la curs şi parametrii de sem-
nal mic ai tranzistoarelor.
45. Simulaţi caracteristica de ieşire a oglinzii, măsuraţi rezistenţa de ieşire în jurul PSF şi deter-
minaţi valoarea aproximativă a Vo-min.
46. Simulaţi caracteristica de intrare a oglinzii şi măsuraţi rezistenţa de intrare în jurul PSF.
47. Repetaţi exerciţiile 42-46 pentru varianta PNP a oglinzii de curent.

8. Oglinda de curent cu degenerare rezistivă

Schema de test (ogl-degR-BJT.asc):

Exerciţii propuse:

48. Simulați punctele statice de funcționare ale tranzistoarelor NPN din schemă. Completați ur-
mătorul tabel cu parametrii fiecărui tranzistor:

VBE VCE IC IB β gm rBE rCE

Qn1
Qn2

49. Echilibraţi oglinda în tensiune şi aflaţi valoarea amplificării în curent β pentru tranzistoare
din eroarea factorului de reflexie. Comparați rezultatul cu cel din tabelul de la exercițiul 48.
50. Calculaţi rezistenţele de intrare şi de ieşire utilizând ecuaţiile de la curs şi parametrii de sem-
nal mic ai tranzistoarelor.
51. Simulaţi caracteristica de ieşire a oglinzii, măsuraţi rezistenţa de ieşire în jurul PSF şi deter-
minaţi valoarea aproximativă a Vo-min.
52. Simulaţi caracteristica de intrare a oglinzii şi măsuraţi rezistenţa de intrare în jurul PSF.
53. Modificaţi circuitul astfel încât să obţineţi un factor de reflexie egal cu 2. Pentru ca circuitul
să funcţioneze corect, densităţile de curent prin tranzistoare trebuie menţinute constante.
54. Repetaţi exerciţiile 48-53 pentru varianta PNP a oglinzii de curent.

9. Oglinda de curent cascodă cu tranzistoare bipolare

Schema de test (ogl-cascoda-BJT.asc):

11
 CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

Exerciţii:

55. Simulați punctele statice de funcționare ale tranzistoarelor NPN din schemă. Completați ur-
mătorul tabel cu parametrii fiecărui tranzistor:

VBE VCE IC IB β gm rBE rCE

Qn1
Qn2
Qn3
Qn4

56. Echilibraţi oglinda în tensiune şi aflaţi valoarea amplificării în curent β pentru tranzistoare
din eroarea factorului de reflexie. Comparați rezultatul cu cel din tabelul de la exercițiul 55.
57. Calculaţi rezistenţele de intrare şi de ieşire utilizând ecuaţiile de la curs şi parametrii de sem-
nal mic ai tranzistoarelor.
58. Simulaţi variaţia factorului de reflexie (n=IC(Qn4)/I(I1)) cu dezechilibrul dintre tensiunile
de ieșire și de intrare.
59. Simulaţi caracteristica de ieşire a oglinzii, măsuraţi rezistenţa de ieşire în jurul PSF şi deter-
minaţi valoarea aproximativă a Vo-min.
60. Simulaţi caracteristica de intrare a oglinzii şi măsuraţi rezistenţa de intrare în jurul PSF.
61. Repetaţi exerciţiile 55-60 pentru varianta PNP a oglinzii de curent.

10. Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare bipolare

Schema de test (ogl-wilson-BJT.asc):

12
 CIA – Laborator 3 – Oglinzi de curent

Exerciţii propuse:

62. Simulați punctele statice de funcționare ale tranzistoarelor NPN din schemă. Completați ur-
mătorul tabel cu parametrii fiecărui tranzistor:

VBE VCE IC IB β gm rBE rCE

Qn1
Qn2
Qn3
Qn4

63. Echilibraţi oglinda în tensiune şi aflaţi valoarea amplificării în curent β pentru tranzistoare
din eroarea factorului de reflexie. Comparați rezultatul cu cel din tabelul de la exercițiul 62.
64. Calculaţi rezistenţele de intrare şi de ieşire utilizând ecuaţiile de la curs şi parametrii de sem-
nal mic ai tranzistoarelor.
65. Simulaţi variaţia factorului de reflexie (n=IC(Qn4)/I(I1)) cu dezechilibrul dintre tensiunile
de ieșire și de intrare.
66. Simulaţi caracteristica de ieşire a oglinzii, măsuraţi rezistenţa de ieşire în jurul PSF şi deter-
minaţi valoarea aproximativă a Vo-min.
67. Simulaţi caracteristica de intrare a oglinzii şi măsuraţi rezistenţa de intrare în jurul PSF.
68. Repetaţi exerciţiile 62-67 pentru varianta PNP a oglinzii de curent.

13