LABORATOR 11

Modelarea și simularea comportamentală a dispozitivelor semiconductoare utilizând

VHDL-AMS

1. Introducere

Scopul lucrării este de a familiariza studentul cu noţiunile vehiculate în limbajele HDL de

descriere mixtă (Analog-Mixed-Signal). În acest sens, ca primă etapă se vor expune
modalităţile de a declara variabile, cantităţi analogice şi terminale asociate dispozitivelor
mixte.

Tabelul 1 expune elemente de bază care definesc aceste mărimi, grupate pe domenii
tehnologice.

Structura de bază este păstrată ca în VHDL şi anume:

Elemente noi: cantităţi (Quantities), terminale (Terminals), instrucţiuni simultane,

instrucţiuni de întrerupere.

2. Modelarea unei diode semiconductoare

Pentru exemplificarea acestor noţiuni se va considera modelarea unei joncţiuni p-n, după
schema echivalentă din figura 1.

Fig.1 Modelul echivalent al unei diode semiconductoare

 Ecuaţiile ce descriu acest model sunt următoarele:

Necunoscutele din ecuaţiile de mai sus sunt reprezentate în descrierea VHDL prin
cantităţi iar interfaţa modelului este declarată în secţiunea entity. În continuare este redat
codul VHDL-AMS aferent.

3. Modelarea unui tranzistor MOSFET EKV

Modelul EKV (C.C. Enz, F. Krummenacher and E.A. Vittoz) este cel mai des utilizat la
ora actuală pentru modelarea tranzistoarelor MOSFET, datorită simplităţii şi eficacităţii în
descrierea bazată pe sarcinile electrice care sunt asociate cu potenţialele terminalelor. O
caracteristică importantă este considerarea referinţei de masă a nodului substratului
semiconductor, aşa cum se observă în schema echivalentă din figura 2.

Fig.2 Schema echivalentă EKV

Vom lua în consideraţie următoarele relaţii (a se consulta bibliografia):

Codul VHDL-AMS este redat mai jos.

 4. Desfăşurarea lucrării

Pentru verificarea dispozitivelor enumerate la (2) şi (3) se va utiliza mediul de modelare

„HAMSTER”.

i. Se va parcurge tutorialul interactiv pentru utilizare HAMSTER

ii. Se adaptează codul VHDL de la pct.(2) ce modelează joncţiunea p-n simplă pentru
mediul HAMSTER
iii. Pentru verificarea modelului se trasează caracteristica volt-amperică a diodei
iv. Folosind acelaşi model pentru diodă, se concepe codul VHDL-AMS pentru o
punte redresoare (figura 3) formată din patru atfel de diode şi se simulează
funcţionarea în regim dinamic (cu semnal sinusoidal la intrare)

Fig.3 Punte redresoare pentru verificarea modelului diodei în VHDL-AMS

v. Se adaptează codul VHDL-AMS de la pct. (3) a modelului EKV MOSFET pentru

mediul HAMSTER
vi. Se trasează caracteristicile Ids (Vds,Vgs) ale tranzistorului modelat
vii. Se interpretează rezultatele simulărilor prin comparaţie cu rezultate extrase din
surse bibliografice consacrate