LABORATOR 12

Modelarea și simularea comportamentală a dispozitivelor semiconductoare utilizând

VHDL-AMS: efectul electrotermic

1. Introducere

Scopul lucrării este de a familiariza studentul cu posibilităţile de modelare şi simulare a

efectului electrotermic ce apare în interiorul circuitelor integrate VLSI, la nivelul joncţiunilor.
Datorită tehnologiilor de fabricare avansată şi a creşterii nivelului de integrare, este necesar
un studiu amănunţit şi precis al efectului creşterii temperaturii asupra comportamentului
joncţiunilor cuplate. Un mod uzual este simularea în VHDL-AMS a acestui efect cuplat.

Se consideră interacţiunea termo-electrică în dispozitivele semiconductoare conform

figurii 1.

Fig.1 Interacţiunea termo-electrică

Sistemul termic este guvernat de ecuaţiile diferenţiale parţiale (PDE) iar cel electric
neliniar de către PDE şi ecuaţii diferenţiale ordinare (ODE).

VHDL-AMS oferă posibilitatea de a alege trei concepte de modelare: funcţională,

comportamentală/structurală şi fizică (pe mai multe domenii fizice).

2. Definirea şi descrierea reţelei termice

Sistemul termic este descris prin ecuaţiile diferenţiale parţiale:

Unde :

ρ este densitatea materialului,

c este căldura specifică,

k este conductivitatea termică

Vom avea condiţiile de limită:

Unde n este vectorul la suprafaţa de trecere,

P – puterea disipată la suprafaţă a chipului de Si,

A – suprafaţa secţiunii,

Ta – temperatura mediului ambiental

Pentru simplitate, fenomenul termic va fi descris de modelul analitic unidimensional:

Aplicând transformata Fourier deducem că această ecuaţie poate fi materializată printr-un

model de reţea RC ilustrat în Fig.2.

Fig.2 Modelul termic sub formă de reţea RC

Curentul prin sursă (power) este echivalent cu valoarea puterii disipate p iar tensiunea pe
bornele sursei reprezintă valoarea temperaturii chipului de silicon (∆Tchip).

Se vor lua în considerare următoarele valori ce descriu proprietăţile substratului de

siliciu şi domeniile de vecinătate:
3. Modelarea electrotermică prin includerea efectului în modelul EKV MOSFET

VHDL-AMS oferă soluţii de modelare electrotermică prin biblioteca

„thermal_system” care trebuie inclusă la începutul codului program.

Fig.3 Interacţiunile electrotermice

Figura 3 prezintă interacţiunile electrotermice între tranzistorul MOS şi mediul său

direct şi indică faptul că puterea instantanee disipată de către tranzistorul modelat prin
EKV se propagă în mod direct în nodul termic tj. Astfel tranzistorul are rolul de sursă de
energie în reţeaua termică. Reciproc, temperatura instantanee dată de reţeaua de modelare
RC şi propagată în sens opus către nodul termic al modelului n-MOS reprezintă chiar
temperatura de lucru al modelului n-MOS. Acest lucru permite modificarea ecuaţiilor sale
caracteristice ca funcţie de temperatura de operare. Astfel, portul termic tj este introdus
prin directivele through şi across sub forma de cantităţi dependente de putere şi
temperatură.
 Modelul EKV ajustat va fi:

cu relaţiile cantitative:

Rezistenţa şi capacitatea termică pot fi descrise prin:

Codul VHDL-AMS este redat mai jos.

 4. Desfăşurarea lucrării

Pentru parcurgerea elementelor enumerate la (2) şi (3) se va utiliza mediul de modelare

„HAMSTER”.

i. Se adaptează codul VHDL-AMS de la LAB.1 a modelului EKV MOSFET pentru

includerea efectului electrotermic prezentat
ii. Se trasează caracteristicile Ids (Vds,Vgs) ale tranzistorului modelat luând în
considerare efectul electrotermic şi se compară cu rezultatele de la LAB.1 pentru
acelaşi model EKV simplu
iii. Pentru comanda tranzistorului cu un semnal dreptunghiular, se vor trasa
diagramele ce indică variaţia temperaturii carcasei şi a temperaturii chipului (a
joncţiunii) în raport cu timpul
iv. Se preconizează obţinerea următoarelor rezultate:

Caracteristica de ieşire MOSFET Variaţia temperaturii: carcasă şi chip