01 - Circuite Cu Componente Electronice Analogice I

Învăţământul profesional şi tehnic în domeniul TIC
Proiect cofinanţat din Fondul Social European în cadrul POS DRU 2007-2013
Beneficiar – Centrul Naţional de Dezvoltare a Învăţământului Profesional şi Tehnic
str. Spiru Haret nr. 10-12, sector 1, Bucureşti-010176, tel. 021-3111162, fax. 021-3125498, vet@tvet.ro
Circuite cu componente electronice analogice

Material de învăţare – partea I
Domeniul: Electronică şi automatizări

Calificarea: Tehnician în automatizări
Nivel 3
2009
AUTOR:
DANIELA CONDEI – Profesor grad didactic I
COORDONATOR:
GABRIELA DIACONU – Profesor grad didactic I
CONSULTANŢĂ:
IOANA CÎRSTEA – expert CNDIPT

GABRIELA CIOBANU – expert CNDIPT
ANGELA POPESCU – expert CNDIPT
DANA STROIE – expert CNDIPT
Acest material a fost elaborat în cadrul proiectului Învăţământul profesional şi tehnic în

domeniul TIC, proiect cofinanţat din Fondul Social European în cadrul POS DRU 2007-
2013
2
Cuprins
I. Introducere...................................................................................................................................4
II. Resurse........................................................................................................................................8
Tema 1. Diode semiconductoare.................................................................................................9
Fişa de documentare 1.1. Diode semiconductoare..................................................................9
Activitatea de învăţare 1.1. Măsurarea rezistenţelor diodei semiconductoare......................13
Activitatea de învăţare 1.2. Ridicarea caracteristicii curent – tensiune a diodelor
semiconductoare....................................................................................................................15
Activitatea de învăţare 1.3. Ridicarea caracteristicii curent – tensiune a diodei Zener.........17
Activitatea de învăţare 1.4. Funcţionarea diodei semiconductoare.......................................19
Activitatea de învăţare 1.5. Tipuri de diode semiconductoare..............................................20
Activitatea de învăţare 1.6. Parametrii diodelor Zener..........................................................21
Tema 2. Tranzistorul bipolar.....................................................................................................22
Fişa de documentare 2.1. Tranzistorul bipolar......................................................................22
Activitatea de învăţare 2.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar......25
Activitatea de învăţare 2.2. Ce ştim despre tranzistorul bipolar............................................27
Activitatea de învăţare 2.3. Caracteristicile tranzistorului bipolar........................................28
Activitatea de învăţare 2.4. Moduri de conectare a tranzistorului bipolar.............................29
Tema 3. Tranzistoare cu efect de câmp.....................................................................................30
Fişa de documentare 3.1. Tranzistoare cu efect de câmp......................................................30
Activitatea de învăţare 3.1. Ridicarea caracteristicilor de ieşire pentru TEC-J.....................34
Activitatea de învăţare 3.2. Identificare TEC - J...................................................................36
Activitatea de învăţare 3.3. Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă izolată........................37
Activitatea de învăţare 3.4. Regiunile caracteristicilor de ieşire ale unui TEC - MOS.........38
Tema 4. Tiristorul......................................................................................................................39
Fişa de documentare 4.1. Tiristorul.......................................................................................39
Activitatea de învăţare 4.1. Ridicarea caracteristicilor anodice ale tiristorului.....................41
Activitatea de învăţare 4.2. Tiristorul – dispozitiv multijoncţiune........................................43
Activitatea de învăţare 4.3. Identificarea tiristorului.............................................................44
Activitatea de învăţare 4.4. Funcţionarea tiristorului............................................................45
Tema 5. Dispozitive optoelectronice.........................................................................................46
Fişa de documentare 5.1. Dispozitive optoelectronice..........................................................46
Activitatea de învăţare 5.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale fotodiodei........................49
Activitatea de învăţare 5.2. Ridicarea caracteristicilor statice ale fototranzistorului............51
Activitatea de învăţare 5.3. Ridicarea caracteristicii statice a diodei electroluminiscente....52
Activitatea de învăţare 5.4. Ridicarea caracteristicii de transfer a optocuplorului................53
Activitatea de învăţare 5.5. Tipuri de dispozitive optoelectronice........................................54
Activitatea de învăţare 5.6. Simbolurile dispozitivelor optoelectronice................................55
III. Glosar.......................................................................................................................................56
IV. Bibliografie..............................................................................................................................57
I. Introducere
Materialul de invatare are rolul de a conduce elevul la dobandirea competentelor
pentru:
Domeniul: Electronică şi automatizări
Calificarea: Tehnician în automatizări
Nivelul de calificare 3
Materialul cuprinde:
- fişe de documentare
- activităţi de învăţare
- glosar
Prezentul material de invatare se adresează elevilor din cadrul şcolilor liceale, domeniul
Electronică şi automatizări, calificarea Tehnician în automatizări.
Competenţa / Rezultatul
Teme Elemente component
învăţării
 Tema 1. Diode  Fişa de documentare 1.1

semiconductoare Diode semiconductoare
 Activitatea de învăţare 1.1
Măsurarea rezistenţelor diodei
semiconductoare
Ridicarea caracteristicii curent
– tensiune a diodelor cu Ge şi
Si
– tensiune a diodei Zener
Tipuri de diode
semiconductoare
Parametrii diodelor Zener
Identifică componentele
 Tema 2.  Fişa de documentare 2.1
electronice analogice
Tranzistorul bipolar Tranzistorul bipolar
Ridicarea caracteristicilor
statice ale tranzistorului bipolar

Ce ştim despre tranzistorul
bipolar
Tranzistoare cu Tranzistoare cu efect de câmp
efect de câmp
Ridicarea caracteristiclor de
ieşire pentru TEC-J
învăţării

Identificare TEC - J
Tranzistoare cu efect de câmp
cu poartă izolată
 Tema 4. Tiristorul  Fişa de documentare 4.1
Tiristorul
anodice ale tiristorului
Tiristorul - dispozitiv
multijoncţiune
Identificarea tiristorului
Dispozitive Dispozitive optoelectronice
optoelectronice  Activitatea de învăţare 5.1
statice ale fotodiodei
statice ale fototranzistorului
statice a diodei
electroluminiscente
Ridicarea caracteristici de
transfer a optocuplorului
Tipuri de dispozitive
optoelectronice
Simbolurile dispozitivelor
optoelectronice
Verifică funcţionalitatea  Tema 1. Diode  Fişa de documentare 1.1
semiconductoare Diode semiconductoare
componentelor
electronice analogice Măsurarea rezistenţelor diodei
semiconductoare
– tensiune a diodelor cu Ge şi
Si
5
învăţării

– tensiune a diodei Zener
Funcţionarea diodei
semiconductoare
Tipuri de diode
semiconductoare
Parametrii diodelor Zener
Tranzistorul bipolar Tranzistorul bipolar
statice ale tranzistorului bipolar
Ce ştim despre tranzistorul
bipolar
Caracteristicile tranzistorului
bipolar
Moduri de conectare a
tranzistorului bipolar
Tranzistoare cu Tranzistoare cu efect de câmp
efect de câmp  Activitatea de învăţare 3.1
Ridicarea caracteristiclor de
ieşire pentru TEC-J
Identificare TEC - J
Tranzistoare cu efect de câmp
cu poartă izolată
Regiunile caracteristicilor de
ieşire ale unui TEC - MOS
 Tema 4. Tiristorul  Fişa de documentare 4.1
Tiristorul
anodice ale tiristorului
6
învăţării

Tiristorul - dispozitiv
multijoncţiune
Identificarea tiristorului
Funcţionarea tiristorului
Dispozitive Dispozitive optoelectronice
optoelectronice  Activitatea de învăţare 5.1
statice ale fotodiodei
statice ale fototranzistorului
statice a diodei
electroluminiscente
Ridicarea caracteristici de
transfer a optocuplorului
Absolventul învăţământului liceal cu specialitatea Tehnician în automatizări trebuie să

fie capabil să îndeplinească sarcini cu caracter tehnic şi să se familiarizeze cu principiile
de funcţionare, caracteristicile şi parametrii specifici ai componentelor analogice de
circuit dar şi cu schemele de principiu şi funcţionarea circuitelor electronice uzuale.
7
II. Resurse
Prezentul material de invatare cuprinde diferite tipuri de resurse care pot fi folosite
de elevi:
- fişe de documentare;
- activităţi de învăţare.
Elevii pot folosi atât materialul prezent (în forma printată) cât şi varianta echivalentă
online.
8
Tema 1. Diode semiconductoare
Fişa de documentare 1.1. Diode semiconductoare

Dispozitivele semiconductoare au în construcţia lor regiuni ale reţelei monocristaline
cu diverse impurificări atât ca mărime a concentraţiei cât şi ca tip de impuritate (regiune
de tip donor - n, regiune tip acceptor - p). Cele mai utilizate materiale semiconductoare
folosite în construcţia dispozitivelor semiconductoare de circuit sunt siliciul şi germaniul.
Joncţiunea pn are o importanţă esenţială în funcţionarea unei clase mari de dispozitive
electronice semiconductoare, ele conţinând una sau mai multe joncţiuni.
Dioda semiconductoare, al cărei simbol este reprezentat în Fig. 1.1.1, se
caracterizează prin conducţie unidirecţională:
- în cazul polarizării în sens direct permite trecerea unui curent mare (curent direct),
- în cazul polarizării în sens invers permite trecerea unui curent mic (curent invers).
anod catod
Fig. 1.1.1 Simbolul general al diodei

semiconductoare
Regiunea p a joncţiunii constituie anodul diodei, iar regiunea n, catodul.
Funcţionarea diodei este descrisă prin intermediul unui grafic denumit caracteristica
statică de funcţionare (Fig. 1.1.2). Aceasta furnizează informaţii despre modul în care
curentul prin diodă variază în funcţie de tensiunea care se aplică între terminalele
acesteia.
În cazul în care tensiunea pe diodă

este pozitivă, se spune că aceasta
funcţionează în conducţie directă.
În cazul în care tensiunea pe diodă

este negativă, se spune că aceasta
funcţionează în conducţie inversă.
Fig. 1.1.2 Caracteristica de

funcţionare a diodei semiconductoare
Prin noţiunea de polarizare a unei diode se înţelege stabilirea tipului de conducţie în
curent continuu. Astfel, dacă dioda funcţionează în curent continuu în conducţie directă,
se spune că aceasta este polarizată direct. Analog, dacă dioda funcţionează în curent
continuu în conducţie inversă, se spune că aceasta este polarizată invers.
Funcţionarea în curent continuu a unei diode este complet caracterizată de către
valorea curentului continuu care trece prin aceasta şi de tensiunea continuă între
terminalele diodei.
9
Punctul Static de Funcţionare furnizează întotdeauna informaţii despre regimul în care
funcţionează dioda. Această observaţie este valabilă şi pentru alte tipuri de dispozitive
semiconductoare.
Polarizarea diodei este realizată prin intermediul unui circuit special, numit circuit de
polarizare.
Principalii parametrii ai diodei semiconductoare sunt:

 Tensiunea de deschidere, (UD) - la diodele care sunt construite din germaniu U D este
cuprinsă între 0,2V-0,4V, iar cele din siliciu între 0,4V-0,8V;
 Curentul maxim direct, (IAm);
 Tensiunea maximă inversă, (UBR).
Diodele redresoare sunt utilizate pentru redresarea curentului electric alternativ.

Frecvenţa semnalelor redresate este, de regulă, frecvenţa industrială (50/60Hz).
Se pot construi cu germaniu, cu siliciu, iar la puteri mici, cu seleniu. Cele mai răspândite
sunt cele cu siliciu.
Avantajele diodelor cu siliciu faţă de cele cu germaniu sunt:
- curentul invers este mult mai mic;
- tensiunea de străpungere este mult mai mare;
- temperatura maximă de lucru de 190 grade faţă de 90 grade la
germaniu.
Dezavantajul diodelor cu siliciu faţă de cele cu germaniu este:
- tensiunea de deschidere puţin mai mare.
Performanţele unei diode redresoare sunt caracteristice prin 2
mărimi limită care nu trebuie depăşite în timpul funcţionării:
- Intensitatea maximă a curentului direct (IM), de ordinul amperi
- zeci de mii de amperi;
- Tensiunea inversă maximă (UM), de ordinul zeci de volţi - zeci
de mii de volţi.
Parametrii acestor diode sunt:

 Tensiunea inversă repetitivă maxim admisă, (URM);
 Curentul mediu redresat (curentul mediu la care poate fi solicitată dioda), I 0;
 Căderea de tensiune în regim de polarizare directă la un curent dat, (UFM);
 Rezistenţa termică joncţiune capsulă, (Rthj-c), sau joncţiune ambiant, (Rthj-a).
Diodele varicap (varactoare), cu simbolul din Fig. 1.1.3, prezintă capacităţi diferite în
funcţie de tensiunea de polarizare. Denumirea diodei provine de la VARIable CAPacitor.
anod catod
Fig. 1.1.3 Simbolul diodei varicap
10
Aceste diode utilizează proprietatea joncţiunii p-n de a se comporta ca o capacitate ce
depinde de tensiunea continuă de polarizare inversă (aceasta este capacitatea de
barieră).
Posibilitatea de a varia o capacitate într-un circuit prin varierea unei surse de

polarizare este necesară în circuitele de schimbare a frecvenţei, circuitele de reglaj
automat al frecvenţei, precum şi modulaţia frecvenţei.
Diodele varicap au capacităţi de ordinul pF sau zecilor de pF şi se construiesc cu siliciu
pentru a avea o rezistenţă internă mai mare în polarizarea inversă. În acest fel ele pot fi
asimilate cu un condensator cu pierderi neglijabile.
Diodele Zener (diode stabilizatoare), cu simbolul din Fig. 1.1.4, sunt diode de
construcţie specială, care nu se distrug în cazul în care se străpung, ci funcţionează
chiar în regiunea de străpungere şi se utilizează ca stabilizatoare de tensiune.
anod catod
Fig. 1.1.4 Simbolul diodei Zener

Funcţionarea acestora se bazează pe proprietatea joncţiunii p-n de a avea în regiunea
de străpungere, o tensiune la borne constantă într-o gamă largă de variaţie a curentului
invers, cum se poate observa în caracteristica curent – tensiune (Fig. 1.1.5).
Fig. 1.1.5 Caracteristica curent - tensiune a diodei Zener

Dioda funcţionează într-un regim de străpungere controlat, în care atât curentul cât şi
puterea disipată sunt menţinute la valori pe care dioda le poate suporta în regim
permanent, fără să se distrugă.
Dioda Zener este construită cu siliciu, caracteristica de funcţionare a acesteia
modificându-se la variaţia temperaturii de lucru.
Când este polarizată direct (+ pe anod şi – pe catod) funcţionează ca o diodă cu
joncţiune şi când este polarizată invers (- pe anod şi + pe catod) funcţionează în regim
de străpungere.
Parametrii principali ai diodelor Zener sunt:

 Tensinea nominală de stabilizare, (UZ);
 Rezistenţa dinamică, (Rzd);
 Curentul maxim admis în polarizare inversă, (IZmax);
 Puterea de disipaţie a diodei, (Pd);
 Coeficientul de variaţie a tensiunii stabilizate cu temperatura, (α).
11
Diodele tunel, cu simbolul din Fig. 1.1.6, sunt un tip de diode semiconductoare
capabile de operare la viteze foarte mari.
anod catod
Fig. 1.1.6 Simbolul diodei tunel
La baza funcţionării diodelor tunel stă aşa - numitul efect tunel.

Diodele tunel au concentraţii mari de impurităţi atât în zona p cât şi în zona n (joncţiune
de tip p+n+). De aceea, regiunea de trecere este foarte îngustă în raport cu diodele
obişnuite.
La polarizare directă caracteristica curent - tensiune (Fig. 1.1.7) are forma literei N şi
posedă o zonă p-v de rezistenţă negativă de valoarea zecilor de ohmi. La polarizare
inversă dioda tunel nu are regim de saturaţie, ci are o rezistenţă internă foarte mică. De
aceea o inversare a tensiunii pe dioda tunel poate duce la distrugerea acesteia. Diodele
tunel au o viteză de comutare foarte mare.

Fig. 1.1.7 Caracteristica curent – tensiune a diodei tunel

Pentru o bună funcţionare este de dorit ca raportul dintre curentul maxim şi curentul
minim să fie cât mai mare. Dacă se foloseşte ca material semiconductor, arseniura de
galiu acest raport depăşeşte valoare 15.
Dioda tunel lucrează la puteri mici de ordinul waţilor. Caracteristica diodei nu depinde
de variaţiile de temperatură de aceea ea poate lucra la frecvenţe foarte înalte de ordinul
104 MHz.
Parametrii diodei tunel sunt:

 Punctul de vale corespunzător curentului Iv şi tensiunii Uv;
 Punctul de vârf corespunzător curentului Ip şi tensiunii Up.
Această diodă este folosită la realizarea următoarelor circuite:

- amplificatoare de frecvenţe foarte înalte;
- oscilatoare de frecvenţe foarte înalte;
- circuite basculante monostabile, bistabile şi astabile
Dezavantajul diodei tunel este că are numai două borne şi deci nu se poate face
separarea între circuitul de intrare şi cel de ieşire.
12
Activitatea de învăţare 1.1. Măsurarea rezistenţelor diodei
semiconductoare
Competenţa: Identifică componentele electronice analogice

Verifică funcţionalitatea componentelor electronice analogice
Obiectivul/obiective vizate:
După parcurgerea acestei activităţi vei fi capabil să:
- colectezi datele numerice corespunzătoare activităţii planificate;
- selectezi datele obţinute din măsurători sau alte surse;
- înregistrezi datele;
- identifici terminalele diodelor;
- testezi starea diodelor.
Durata: 20 min.
Tipul activităţii: experimentul
Sugestii: elevii se pot organiza în grupe de 3 – 4 elevi
Sarcina de lucru:
Determinaţi cu ajutorul Ω-metrului, rezistenţa în curent continuu la polarizare directă şi
inversă a diodelor semiconductoare puse la dispozitie. Se vor efectua măsurătorile pe
fiecare din cele patru game de lucru ale aparatului de măsură: x1, x10, x100, x1K.
Mod de lucru:
 Cu ajutorul unui ohmmetru sau a unui multimetrului MAVO-35 se măsoară
rezistenţa unor diode cu Ge şi Si în conducţie directă şi inversă, pe toate gamele
ohmmetrului, rezultatele notându-se în Tab.1.
Tab. 1. Datele experimentale pentru măsurarea rezistenţei directe şi inverse unor diode
cu Ge şi Si.
R() Ge Si
Gama Direct Invers Direct Invers
1
10
100
k1
Înainte de utilizarea ohmmetrului trebuie realizată „reglarea zeroului” (aducerea

acului indicator la zero). Acest reglaj se realizează prin scurtcircuitarea bornelor
aparatului de măsură si modificarea rezistenţei potenţiometrului R p. Acest reglaj permite
utilizarea aceleiaşi scale a ohmmetrului pentru mai multe game de rezistenţe şi trebuie
efectuat la fiecare trecere de la o gamă la alta.
În cazul utilizării unui multimetru digital, în funcţionarea sa ca ohmmetru, semnele

bornelor sunt inversate.
13
Se observă că valorile obţinute pentru Rdir şi Rinv diferă de la o gamă de masură
la alta, fapt datorat modificării rezistenţei interne a aparatului de la o scală la alta.
 Comparaţi Rdirectă şi Rinversă , în funcţie de starea diodei şi completaţi Tab. 2
Tab. 2. Testarea diodelor

Starea diodei Rdirectă Rinversă
Funcţională
Străpunsă
Întreruptă
Dacă aţi realizat cerinţa, treceţi la activitatea următoare, în caz contrar consultaţi
fişa de documentare 1.1 şi refaceţi activitatea.
14
Activitatea de învăţare 1.2. Ridicarea caracteristicii curent – tensiune
a diodelor semiconductoare

- ridici caracteristica unei diode polarizate direct şi invers;
- formulezi concluzii pe baza unei analize critice.
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristicile curent – tensiune pentru o diodă de Ge şi una de Si.
Mod de lucru:
Ridicarea caracteristicii în polarizare directă
 Realizaţi montajul din Fig. 1, utilizând o diodă de Ge.
R = 330Ω
IA
mA
+ -
1 2
+ A
+
E U
- UA
- C
Fig. 1 Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei în polarizare directă
Înaintea începerii măsurătorilor:

 Fixaţi E=0;
 Fixaţi miliampermetrul pe gama de 25 mA;
 Fixaţi voltmetrul pe gama de 1V;
 Variaţi curentul IA (variind tensiunea de alimentare E) şi măsuraţi tensiunea UA la
bornele diodei;
 Completaţi Tab. 1;
 Repetaţi pentru montajul cu dioda de Si;
15
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica directă a celor două diode
IA (mA) 0,1 0,5 1 5 10 15 20 25
Ge
UA (V)
Si
Pentru curenţi mai mici de 1mA se fixează voltmetrul în poziţia 1, iar pentru curenţi
mai mari de 1mA se conectează voltmetrul în poziţia 2
Ridicarea caracteristicii în polarizare inversă

 Realizaţi montajul din Fig. 2 utilizând o diodă de Ge.
R = 10kΩ IA
mA
+ -
1 2
+ C
+
E U
- UA
- A
Fig. 2 Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei în polarizare inversă

 Fixaţi E=0;
 Fixaţi miliampermetrul pe gama de 50 µA;
 Variaţi E de la 0 la 24 V şi măsuraţi curentul IA din circuit cu ajutorul mA-
metrului;
 Repetaţi pentru montajul cu dioda de Si.
Se va avea grijă să nu se atingă tensiunea de străpungere a diodei cu Ge, fenomen

pus în evidenţă de creşterea rapidă a curentului prin diodă.
Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristica inversă a celor două diode

UA (V) 0,2 0,4 0,6 1 2 5 10 15 20 24
Ge
IA(A)
Si
 Reprezentaţi grafic pe aceeaşi foaie caracteristicile curent – tensiune ale celor

două diode;
 Comparaţi cele două caracteristici.
16
Activitatea de învăţare 1.3. Ridicarea caracteristicii curent – tensiune
a diodei Zener

- ridici caracteristica unei diode Zener polarizate direct şi invers;
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru
Reprezentaţi grafic caracteristica curent – tensiune pentru o diodă Zener.
Mod de lucru:
Ridicarea carcteristicii în polarizare inversă
 Realizaţi montajul din Fig. 1, utilizând o diodă Zener.
R = 680Ω
IA
mA
+ -
1 2
+ DZ
+
E U
- UA
-
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei Zener în polarizare inversă

 Fixaţi E= 0;
 Variaţi curentul IA (variind tensiunea de alimentare E) şi măsuraţi tensiunea UA la
bornele diodei;
 Completaţi Tab. 1.
17
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica inversă a diodei Zener
Iz (mA) 0,05 0,1 0,5 0,8 1 2 5 10 15 25
Uz (V)
Pentru curenţi mai mici de 1mA se fixează voltmetrul în poziţia 1, iar pentru curenţi
mai mari de 1mA se conectează voltmetrul în poziţia 2.
Ridicarea caracteristicii în polarizare directă

 Realizaţi montajul din Fig. 2 utilizând o diodă Zener.
R = 680Ω IA
mA
+ -
1 2
+ DZ
+
E U UA
-
-
Fig. 2. Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei Zener în polarizare directă

 Fixaţi E= 0;
 Variaţi curentul IA (variind tensiunea de alimentare E) şi măsuraţi tensiunea UA
la bornele diodei;
Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristica inversă a celor două diode

IA (mA) 0,1 0,5 1 5 10 15 20 25
UA (V)
 Reprezentaţi grafic pe o foaie caracteristica curent – tensiune a diodei Zener.
18
Activitatea de învăţare 1.4. Funcţionarea diodei semiconductoare
Competenţa: Verifică funcţionalitatea componentelor electronice analogice
- descrii principiul de funcţionare al diodelor semiconductoare;
- identifici punctul static de funcţionare al diodei semiconductoare;
- diferenţiezi regimurile de funcţionare ale diodei semiconductoare.
Durata: 15 min.
Tipul activităţii: expansiune
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe de 2-3 elevi sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
Pornind de la următoarele două enunţuri incomplete, realizaţi un eseu de aproximativ
10 rânduri în care să dezvoltaţi ideile conţinute în enunţuri. În realizarea eseului trebuie
să folosiţi minim 7 cuvinte din lista de mai jos.
„Din caracteristica curent tensiune a diodei semiconductoare se observă că aceasta
poate funcţiona în regim de ...................................”
„Funcţionarea în curent continuu a diodei semiconductoare este caracterizată
de ............................”
Lista de cuvinte: conducţie, directă, inversă, polarizare, circuit de polarizare, sursă de

alimentare, rezistenţă de polarizare, PSF, străpungere, curent continuu, tensiune
continuă.
19
Activitatea de învăţare 1.5. Tipuri de diode semiconductoare

- identifici tipuri de diode semiconductoare;
- precizezi principalii parametri pentru fiecare tip de diodă semiconductoare;
- descrii funcţionarea fiecărui tip de diodă semiconductoare;
- identifici utilizările fiecărui tip de diodă semiconductoare.
Durata: 20 min.
Tipul activităţii: metoda grupurilor de experţi – peer learning
Sugestii: elevii se vor împărţi în 4 grupe
Sarcina de lucru:
Având la dispoziţie 10 minute, fiecare grupă va completa câte o linie a tabelului de mai
jos, folosind surse diferite.
Tip de diode Principiu de

Simbol Parametri Utilizări
semiconductoare funcţionare
Dioda redresoare
Dioda varicap
Dioda Zener
Dioda tunel
După ce aţi devenit „experţi” în dispozitivul electronic studiat, reorganizaţi grupele astfel
încât în grupele nou formate să existe cel puţin o persoană din fiecare grupă iniţială.
Timp de 10 minute veţi împărţi cu ceilalţi colegi din grupa nou formată cunoştinţeţe
acumulate în etapa anterioară.
20
Activitatea de învăţare 1.6. Parametrii diodelor Zener
- precizezi principalii parametri ai diodelor Zener;
- identifici notaţiile principalilor parametrii ai diodelor Zener.
Durata: 10 min.
Tipul activităţii: potrivire
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe mici (2 – 3 elevi) sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
În coloana A sunt enumeraţi principalii parametrii ai diodelor Zener, iar în coloana B
notaţiile parametrilor. Scrieţi pe foaie asocierile corecte dintre fiecare cifră din coloana A
şi litera corespunzătoare din coloana B.
A. Parametrii diodelor Zener B. Notaţiile parametrilor
1. Tensiunea nominală de stabilizare a. IZmax
2. Rezisenţa dinamică b. UZ
3. Curentul maxim admis în polarizare c. α
inversă
4. Puterea de disipaţie d. Rzd
5. Coeficientul de variaţie a tensiunii e. Pd
stabilizate cu temperatura
Dacă aţi realizat corect toate asocierile, treceţi la activitatea următoare, în caz
contrar consultaţi fişa de documentare 1.1 şi refaceţi activitatea.
21
Tema 2. Tranzistorul bipolar
Fişa de documentare 2.1. Tranzistorul bipolar
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor cu două joncţiuni în

succesiune npn sau pnp. Cele trei zone se numesc emitor (E), bază (B), colector (C).
Tranzistoarele pot fi „pnp” (zona din mijloc dopată cu elemente „donoare” de electroni,
celelalte două dopate cu elemente „acceptoare”), sau „npn” (dopat invers). Totuşi, din
cauza grosimii foarte mici a zonei centrale (baza), cele două joncţiuni nu funcţionează
independent şi între terminalele extreme (colector şi emitor) poate apărea un curent,
aceasta fiind şi proprietatea cea mai importantă a tranzistorului, şi aceea care permite
folosirea lui pe post de amplificator.
Se numeşte bipolar deoarece conducţia este asigurată de două tipuri de purtători de

sarcină, electroni şi goluri.
Particularităţi constructive:
- E este mult mai impurificat decât B sau C;
- B este mult mai subţire decât E şi C (de ordinul micronilor sau chiar zecimilor de
microni).
În simbolurile grafice corespunzătoare celor două structuri, npn şi pnp (Fig. 2.1),
săgeata din simbol corespunde joncţiunii pn emitor-bază (vârful săgeţii merge
întotdeauna de la zona p spre zona n) şi arată şi sensul normal pozitiv al curentului
principal prin tranzistor.
Fig. 2.1 Structura şi simbolurile grafice ale tranzistorului bipolar

Se pot defini trei curenţi şi trei tensiuni (Fig. 2.2), dar pentru descrierea funcţionării nu
sunt necesare toate aceste şase mărimi. Tensiunile şi curenţii sunt legate prin relaţiile:
uCB = uCE + uEB şi iE = iB + iC
Fig. 2.2 Curenţii şi tensiunile tranzistorului bipolar
22
Deoarece tranzistorul amplifică în putere, adică transferă curentul din circuitul de intrare
de rezistenţă mică în circuitul de ieşire de rezistenţă mare, de aici denumirea TRANSfer
reZISTOR adică transfer de rezistenţă.
În funcţie de modul în care sunt polarizate cele două joncţiuni, un tranzistor

bipolar se poate afla în următoarele regimuri de funcţionare:
a) regimul activ normal, în care joncţiunea emitor-bază este polarizată direct iar
joncţiunea colector-bază este polarizată invers. În acest regim se obţine cea mai mare
amplificare;
b) regimul invers în care joncţiunile sunt polarizate invers faţă de cazul anterior;
c) regimul de blocare în care ambele joncţiuni sunt polarizate invers. În acest caz
tranzistorul este blocat (prin el nu circulă curent);
d) regimul de saturaţie în care cele două joncţiuni sunt polarizate direct.
Curenţii tranzistorului. Notând αIE ( unde α - coeficient de transfer al emitorului)

acea parte a curentului emitorului care trece prin joncţiunea colectorului, vom scrie
expresia pentru curentul colectorului în modul următor:
IC = αIE + ICB0
Curentul invers al colectorului. ICB0 este egal cu curentul ce trece prin joncţiunea
colectorului, când la colector se aplică tensiune inversă şi când curentul emitorului este
egal cu zero.
Prin contactul bazei trece curentul IB, care este egal cu diferenţa dintre curentul
emitorului şi colectorului:
IB = IE – IC
Din cele două relaţii avem:
IB = IE (1 – α) – ICB0
Dacă vom deconecta circuitul emitorului (IE = 0 şi IC = ICB0), atunci vom avea:
–IB = ICB0
În aşa mod, prin contactul emitorului (circuitul emitor - bază) curge curentul de dirijare IE
(de intrare), prin contactul colectorului (circuitul colector - baza) – curentul de dirijare αIE
(de ieşire) şi curentul invers al colectorului ICB0, iar prin contactul bazei – diferenţa
curentului emitorului şi colectorului.
În tranzistoarele reale curenţii I E şi IC şi creşterile lor ΔIE şi ΔIC sunt aproximativ egale
după valori.
Coeficienţii de transfer a curenţilor. Modificarea curentului colectorului rezultată

din modificarea curentului emitorului este condiţionată numai de electroni. Însă, curentul
total al emitorului este determinat atît de electroni cât şi de goluri. Cu cât mai mulţi
electroni (în comparaţie cu numărul golurilor) trec prin joncţiunea emitorului şi cu cât
mai puţini din aceşti electroni se recombină în bază, neajungând la joncţiunea
colectorului, cu atât mai bine tranzistorul transmite schimbările curentului emitorului în
circuitul colectorului.
Coeficientul static de transfer al emitorului poate fi determinat după formula:
Coeficientul static de transfer al curentului bazei poate fi determinat după formula:
23
Caracteristicile statice ale unui tranzistor bipolar sunt grafice ce reprezintă
dependenţa dintre curenţii ce trec prin bornele tranzistorului şi tensiunile ce se aplică la
aceste borne.
Tranzistorului fiind un dispozitiv cu trei borne, în orice schemă electrică el poate fi
conectat în trei moduri diferite: conectare cu baza comună (BC) (Fig. 2.3.a), conectare
cu emitorul comun (EC) (Fig. 2.3.b) şi cu colectorul comun (CC) (Fig. 3.3.c).
a – bază comună; b – emitor comun; c – colector comun

Fig. 2.3 Moduri fundamentale de conectare ale tranzistorului
Fiecare din schemele de conectare ale tranzistorului se caracterizează prin patru

familii de caracteristici:
 Iieş = f (Uieş) la Iin = const – caracteristici de ieşire;
 Uin = f (Iin) la Uieş = const – caracteristici de intrare;
 Iieş = f (Iin) la Uieş = const – caracteristici de transfer a curentului;
 Uin = f (Uieş) la Iin = const – caracteristici de reacţie inversă după tensiune.
În cataloage de obicei sunt prezentate primele două tipuri de caracteristici (de intrare şi
de ieşire), căci sunt cele mai importante şi utilizabile.
Indiferent de tipul tranzistorului, în planul caracteristicilor de ieşire se disting trei

regiuni de lucru :
- regiunea de saturaţie care se află în extremitatea stângă a caracteristicilor de ieşire;
- regiunea de blocare care se află sub caracteristica IB = 0;
- regiunea activă normală de lucru care se află între cele două regiuni de blocare şi
saturaţie.
Asigurarea integrităţii tranzistoarelor necesită considerarea unor limitări impuse

mărimilor ce le determină regimul de lucru. Valorile maxime absolute sunt valori care nu
trebuie depăşite în timpul funcţionării montajului, deoarece se pot produce defectarea
tranzistorului.
De regulă în această grupă apar:
- tensiunile maxime între terminale: VCB0, VCE0, VEB0;
- curentul maxim de collector şi de bază: I CM, IBM;
- puterea maximă disipată: Ptot;
- temperature maximă a joncţiunii: TjM.
O regulă practică utilă recomandă încărcarea tranzistorului la cel mult, 0,75 din valorile
de catalog ale acestor parametri.
Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice cu componente discrete,

în amplificatoare de semnal (în domeniul audio, video, radio), amplificatoare de
instrumentaţie, oscilatoare, modulatoare şi demodulatoare, filtre, surse de alimentare
liniare sau în comutaţie sau în circuite integrate, tehnologia de astăzi permiţând
integrarea într-o singură capsulă a milioane de tranzistori.
24
Activitatea de învăţare 2.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale
tranzistorului bipolar

- ridici caracteristicile staticile ale unui tranzistor bipolar;
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristicile de intrare şi de ieşire pentru un tranzistor bipolar.
Mod de lucru:
Ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului în conexiune EC
 Realizaţi montajul din Fig. 1.
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului în conexiune

EC
 Modificaţi curentul de bază IB din sursa S1 şi completaţi Tab. 1.
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicile de intrare

UCE [v] IB [μA] 0 2 5 10 20 30 40 50
0 UBE [v]
5 UBE [v]
25
10 UBE [v]
Ridicarea caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului în conexiune EC
Fig. 2. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului în conexiune

EC
 Modificaţi curentul de bază IB din sursa S1, modificaţi tensiunea UCE din sursa S2
şi completaţi Tab. 2.
Tab.2. Datele experimentale pentru caracteristicile de ieşire ale tranzistorului în

conexiune EC
IB [μA] UCE [v] 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 1 3 5 7 9 10
0 IC [mA]
10 IC [mA]
20 IC [mA]
30 IC [mA]
40 IC [mA]
 Reprezentaţi grafic pe aceeaşi foaie familia de caracteristici de intrare ale

tranzistorului;
 Reprezentaţi grafic pe aceeaşi foaie familia de caracteristici de ieşire ale
tranzistorului.
26
Activitatea de învăţare 2.2. Ce ştim despre tranzistorul bipolar

- descrii principiul de funcţionare a tranzistorului bipolar;
- identifici tipuri de tranzistoare bipolare;
- identifici modurile de conectare a tranzitorului bipolar;
- deduci ecuaţiile fundamentale in cc;
- reprezinţi caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar;
- precizezi principalii parametri care limitează funcţionarea tranzistorului bipolar;
- identifici utilizările tranzistorului bipolar.
Durata: 20 min.
Tipul activităţii: cubul
Sarcina de lucru:
Pe feţele unui cub se înscriu următoarele sarcini de lucru referitoare la tranzistorul
bipolar.
3
Tipuri de
conexiuni
1. 2 4 6
Principiul de Structură şi Ecuaţii Parametrii care limiteză
funcţionare simboluri grafice fundamentale de funcţionarea şi utilizări
cc
5
Caracteristici
statice
Fiecare grup de elevi îşi va alege câte un coordonator, acesta va rostogoli cubul şi
fiecărei grupe îi va reveni o sarcină de lucru care va fi rezolvată pe o foaie de hârtie A 3.
După 10 minute foile scrise vor fi lipite astfel încât să alcătuiască un cub desfăşurat.
Se va analiza fiecare foaie şi se vor face completări acolo unde este cazul.
27
28
Activitatea de învăţare 2.3. Caracteristicile tranzistorului bipolar
- precizezi principalele familii de caracteristici ale tranzistorului bipolar;
- identifici expresiile matematice corespunzătoare fiecărei familii de caracteristici.
Durata: 10 min.
Sarcina de lucru:
În coloana A sunt enumerate principalele familii de caracteristici ale tranzistorului
bipolar, iar în coloana B expresiile matematice ale acestora. Scrieţi pe foaie asocierile
corecte dintre fiecare cifră din coloana A şi litera corespunzătoare din coloana B.
A. Famili de caracteristici B. Expresiile matematice
1. caracteristici de ieşire a. Iieş = f (Iin) la Uieş = const
2. caracteristici de intrare b. Uin = f (Uieş) la Iin = const

3. caracteristici de transfer a c. Iieş = f (Uieş) la Iin = const
curentului
4. carcateristici de reacţie inversă d. Uin = f (Iin) la Uieş = const
după tensiune
29
Activitatea de învăţare 2.4. Moduri de conectare a tranzistorului
bipolar
- identifici principalele moduri de conectare a tranzistorului bipolar.
Durata: 15 min.
Tipul activităţii: hartă tip pânză de păianjen
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe de 2 – 3 elevi
Sarcina de lucru:
Folosind diferite surse, obţineţi informaţii despre modurile de conectare a tranzistorului
bipolar şi organizaţi-le după modelul următor:
Bază comună
Tranzistorul bipolar Emitor comun

Moduri de conectare
Colector comun
30
Tema 3. Tranzistoare cu efect de câmp
Fişa de documentare 3.1. Tranzistoare cu efect de câmp
Tranzistoarele cu efect de câmp prescurtate TEC sau FET (Field Effect

Transistor) fac parte din familia tranzistoarelor unipolare. la care conducţia electrică
este asigurată de un singur tip de purtător de sarcină, fie electroni, fie goluri.
Funcţionarea lor se bazează pe variaţia conductivităţii unui "canal" dintr-un material
semiconductor, ale cărui dimensiuni transversale sau concentraţii de purtători de
sarcină mobili pot fi controlate cu ajutorul câmpului electric transversal, creat între un
electrod de comandă numit poartă (gate) situat în vecinătatea canalului şi masa
semiconductorului unde este format sau indus acest canal.
În funcţie de tipul de purtători care produc curentul electric, avem:

- TEC cu canal de tip n, în care purtătorii sunt electroni;
- TEC cu canal de tip p, în care purtătorii sunt goluri.
După modul de realizare a controlului conductanţei canalului, avem:

- TEC cu joncţiuni (TEC–J sau J-FET);
- TEC cu grilă (poartă izolată), având la bază structura metal–oxid–semiconductor
(TEC–MOS) sau metal–izolator–semiconductor (TEC–MIS).
Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TEC-J) funcţionează cu purtători

majoritari (electroni în canalul n, respectiv goluri în canalul p) fiind un rezistor a cărui
secţiune este controlată de grosimea regiunii sarcinii spaţiale a unei joncţiuni pn.
Termenul de efect de câmp este legat de existenţa câmpului electric în zona de sarcină
spaţială, câmp a cărui intensitate este determinată de tensiunea aplicată pe terminalul
poartă (gate).
Conducţia are loc într-un canal n (Fig. 3.1) între
contactele sursă (care emite electroni) şi respectiv
drenă (care îi colectează). Electrodul denumit poartă
contactează zona difuzată p+ care împreună cu
substratul p+ delimitează canalul n. Joncţiunea pn
poartă-canal este polarizată invers, iar grosimea
regiunii de sarcină spaţială asociată acestei joncţiuni
face ca secţiunea conductivă a canalului (regiunea n
Fig.3.1 Structura unui TEC-J
neutră) să fie mai mică decât distanţa dintre cele doua
cu canal n
joncţiuni. Această secţiune este controlabilă electric
prin diferenţa de potenţial care există între poartă şi
canal.
Săgeata din simbolul grafic (Fig. 3.2) desemnează o

joncţiune pn (sensul săgeţii de la plan). Curentul de
poartă este foarte mic (de ordinul nA) şi va fi considerat
practic nul. Curentul de drenă i D este normal pozitiv
intră în drena tranzistorului cu canal n (electrod care
evacuează electroni) şi iese din drena tranzistorului cu
Fig. 3.2 Simboluri grafice canal p. Curentul de sursă este egal cu cel de drenă.
pentru TEC - J
31
Caracteristicile statice ale TEC-J
a. Caracteristicile de ieşire (Fig.3.3) iD = iD (uDS ) cu uGS = constant, numite şi
caracteristici de drenă.
Fig. 3.3 Caracteristici de ieşire ale TEC-J

TEC-J este folosit în zona liniară la tensiuni mici drenă-sursă ca rezistenţă controlată în
tensiune. Aici conductanţa drenă-sursă este identică cu conductanţa canalului şi
rezistenţa drenă-sursă este funcţie liniară de tensiunea poartă-sursă aplicată.
Pentru tensiuni mai mari, distingem a zona neliniară, o zona de saturaţie a curentului de
drenă (aici curentul de drenă depinde foarte slab de tensiunea drenă-sursă), după care
urmează o zonă de creştere abrupt (străpungere) a curentului, nemarcată pe grafic.
Zona neliniară este caracterizată de uDS < uDS,sat, unde uDS,sat este tensiunea la care
apare saturaţia curentului de drenă.
Zona de saturaţie este caracterizată de faptul că ID nu mai creşte cu uDS.
uDS < uDS,sat, iD = iD,sat
Saturaţia corespunde momentului în care canalul este strangulat lângă drenă. Această
strangulare apare la rândul ei atunci când diferenţa de potenţial între poartă şi
extremitatea de lângă drenă a canalului este egală cu tensiunea de prag.
b. Caracteristicile de transfer (Fig. 3.4) sunt iD = iD(uGS). Dispozitivul este folosit ca
amplificator în zona de saturaţie caracterizată de uDS >uDS,sat , unde iD este practic
independent de uDS.
Fig.3.4 Caracteristicile de transfer ale TEC-J
Zona preferată de lucru este cea de la curenţi mari, acolo unde şi panta
caracteristicii este mai mare. Aici curentul scade cu creşterea temperaturii (la UGS =
const) dar problema ambalării termice nu se pune în cazul TEC-J.
Tranzistorul TEC-MOS este un dispozitiv electronic bazat pe conducţia curentului

electric la suprafaţa semiconductorului. Proprietăţile conductive ale suprafeţei
semiconductorului sunt controlate de un câmp electric aplicat printr-un electrod izolat de
semiconductor (poartă). Conducţia se realizează pe suprafaţa substratului de siliciu,
între doua zone cu tip de conductivitate opus celui al substratului; numite sursă (S) şi
drenă (D).
32
În funcţie de modul de formare a canalului şi de tipul său, TEC-MOS – urile sunt de
patru categorii:
- cu canal n, iniţial;
- cu canal p, iniţial;
- cu canal n, Indus;
- cu canal p, Indus.
În figura 3.5 s-a considerat un substrat de tip n;

în acest caz sursa şi drena sunt de tip p. Pentru
a se putea stabili un curent electric între sursă şi
drenă, suprafaţa semiconductorului trebuie
inversată ca tip de conductivitate, adică să
devină de tip p. În acest caz, la suprafaţă apare
un canal conductor, de tip p, care leagă sursa
de drenă. Inversarea tipului de conductivitate a
Fig. 3.5 Structura unui TEC-MOS suprafeţei, precum şi controlul rezistivităţii
cu canal iniţial de tip p canalului se face de către poartă.
Simbolurile grafice pentru tranzistoare MOS cu canal n şi p sunt prezentate în figura

3.6:
Fig. 3.6 Simboluri pentru TEC-MOS
De obicei în aplicaţii obişnuite substratul se leagă la sursă, dar există dispozitive la

care substratul apare ca un terminal separat. Se observă aceeaşi semnificaţie pentru
săgeata din simbolul grafic.
Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS

a. Caracteristicile de drenă sau de ieşire (Fig. 3.7), iD = iD (uDS ) cu uGS = constant.
Fig. 3.7 Caracteristicile de ieşire ale unui TEC- MOS

Se deosebesc trei regiuni:
- Regiunea liniară, pentru valori mici ale uDS,iD creşte proporţional cu tensiunea;
- Regiunea de saturaţie, iD rămâne aproape constant chiar la creşteri relative mari ale
uDS;
- Regiunea de străpungere, creşterea uDS peste o anumită valoare produce o
multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină.
33
b. Caracteristicile de transfer, iD = iD(uGS).
În cazul TEC-MOS cu canal indus (Fig.

3.8), dacă acesta este de tip p ambele
tensiuni UGS, UDS sunt negative. Aceste
tranzistoare au canal indus prin aplicarea
unei tensiuni UGS mai mari decât valoarea
tip n tip p de prag.
Fig. 3.8 Caracteristicile de transfer
pentru TEC-MOS cu canal indus
Unele tranzistoare prezintă canal chiar la
tensiuni poartă-sursă nule (UGS = 0) şi se
numesc tranzistoare MOS cu canal iniţial
(Fig. 3.9). Această situaţie se întâlneşte în
special la tranzistoare cu canal n. Un
asemenea tranzistor poate lucra cu orice
polaritate a tensiunii de poartă. Dacă
tensiunea de poartă este pozitivă UGS > 0,
regimul se numeşte regim de îmbogăţire
datorită creşterii concentraţiei de electroni
tip n tip p în canal; dacă tensiunea de poartă este
Fig. 3.9 Caracteristica de transfer pentru negativă UGS < 0, regimul poartă denumirea
TEC-MOS cu canal iniţial de regim de sărăcire şi duce la scăderea
concentraţiei de electroni din canal până la
dispariţia lui (la UGS = U T).
Tranzistoarele MOS nu prezintă fenomenele de străpungere secundară şi ambalare

termică.
34
Activitatea de învăţare 3.1. Ridicarea caracteristicilor de ieşire pentru
TEC-J

- ridici caracteristicile de ieşire pentru TEC-J;
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristicile de ieşire pentru TEC - J.
Mod de lucru:
ID
10K
mA +
2M2
-
UDS S2
V
S1 V UGS
+ -
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor de ieşire pentru TEC - J

 Pentru diferite valori ale tensiunii UGS, variaţi tensiunea UDS;
 Măsuraţi valorile curentului ID;
 Completaţi Tab. 1.
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicile de ieşire pentru TEC-J

UGS [v] UDS [V] 1 2 5 10
0 ID [mA]
-1 ID [mA]
-2 ID [mA]
-3 ID [mA]
35
Aveţi grijă ca ID să nu depăşească 15 mA şi UDS să nu depăşească 30 V.
 Reprezentaţi grafic pe o foaie caracteristicile de ieşire pentru TEC – J.
36
Activitatea de învăţare 3.2. Identificare TEC - J

- identifici terminalele unui TEC-J;
- identifici mărimile specifice unui TEC - J.
Durata: 10 min.
Tipul activităţii: problematizare
Sarcina de lucru:
Pornind de la simbolul TEC – J reprezentat în figură, identificaţi terminalele acestuia şi
mărimile specifice reprezentate.
37
Activitatea de învăţare 3.3. Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă
izolată

- descrii principiul de funcţionare al tranzistoarelor cu efect de câmp cu poartă
izolată;
- clasifici tranzistoarele cu efect de câmp cu poartă izolată;
- diferenţiezi principalele caracteristici statice ale tranzistoarelor cu efect de câmp
cu poartă izolată.
Durata: 10 min.
Tipul activităţii: expansiune
Sarcina de lucru:
Pornind de la următoarele două enunţuri incomplete, realizaţi un eseu de aproximativ
10 rânduri în care să dezvoltaţi ideile conţinute în enunţuri. În realizarea eseului trebuie
să folosiţi minim 7 cuvinte din lista de mai jos.
„Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă izolată este un dispozitiv electronic bazat pe
conducţia curentului la suprafaţa....................”
„În funcţie de modul de formare a canalului şi de tipul său, tranzistoarele cu efect de
câmp cu poartă izolată sunt ............................”
Lista de cuvinte: poartă, semicondutor, oxid, sursă, drenă, canal n, canal p, iniţial,
indus, substrat, caracterstici statice, transfer, ieşire.
38
Activitatea de învăţare 3.4. Regiunile caracteristicilor de ieşire ale
unui TEC - MOS
- precizezi principalele regiuni ale caracteristicilor de ieşire ale unui TEC - MOS;
- identifici caracteristicile fiecărei regiuni .
Durata: 10 min.
Sarcina de lucru:
În coloana A sunt enumerate principalele regiuni ale caracteristicilor de ieşire ale unui
TEC-MOS, iar în coloana B caracteristicile acestora. Scrieţi pe foaie asocierile corecte
dintre fiecare cifră din coloana A şi litera corespunzătoare din coloana B.
A. Regiunile B. Caracteristicile regiunilor

caracteristicilor de ieşire
1. regiunea liniară a. curentul de drenă rămâne aproape
constant chiar la creşteri relativ mari ale
tensiunii drenă – sursă.
2. regiunea de saturaţie b. creşterea tensiunii drenă – sursă peste o
anumită valoare produce o multiplicare în
avalanşă a purtătorilor de sarcină.
3. regiunea de străpungere c. valori mici ale tensiunii drenă – sursă,
curentul de drenă creşte proporţional cu
tensiunea.
39
Tema 4. Tiristorul
Fişa de documentare 4.1. Tiristorul
Denumirea de tiristor provine de la numele unui tub electronic cu gaz numit

tiratron (TIRatron transISTOR). Tiristorul este un dispozitiv multijoncţiune cu o structură
pnpn prevăzută cu electrod de comandă prin conectarea zonei p adiacente catodului
(Fig. 4.1.1. a)
a – structură; b – simbol
Fig. 4.1.1. Tiristorul
Electrodul de comandă, poarta, G (gate), anod şi catod sunt cele trei terminale ale
tiristorului simbolizat în Fig. 4.1.1.b.
Amorsarea tiristorului se realizează prin injectarea unui curent pe poartă, la o

tensiune mai mică decât cea de autoamorsare sau la tensiunea de autoamorsare fără
curent de poartă, mod utilizat foarte rar sau deloc.
Analiza fenomenelor fizice ce au loc la amorsarea tiristorului prin injectarea unui curent
de poartă se poate face echivalând structura cu două tranzistoare complementare,
după cum se vede în schema echivalentă (Fig. 4.1.2)
Fig. 4.1.2 Schema echivalentă a unui tiristor

Din caracteristicile statice curent – tensiune ale
tiristorului (Fig. 4.1.3) se observă posibilitatea
creşterii nelimitate a curentului prin structură,
dacă este îndeplinită condiţia de amorsare,
amorsarea poate avea loc la o tensiune anodică
mai mică decât tensiunea de autoamorsare.
Iniţierea amorsării este provocată prin injectarea
unui curent iG prin joncţiunea J3 şi nu prin
creşterea tensiunii anodice. Dependenţa
factorilor de curent de curentul prin dispozitiv stă
la baza procesului de amorsare a tiristorului. Se
observă că la curenţii de poartă mai mari
Fig. 4.1.3 Caracteristicile statice tensiunea de amorsare este mică, peste o
curent – tensiune ale tiristorului anumită valoare a curentului de poartă,
amorsarea are loc pe curba punctată, ca la o
joncţiune pn (tiristorul este de fapt o diodă
comandată).
40
În funcţionare normală, tensiunea anodică trebuie să fie mai mică decât tensiunea de
autoaprindere UBO. Pentru comutare directă se aplică un curent de poartă căruia îi
corespunde o tensiune de aprindere UA<UBO.
În polarizare inversă, tiristorul se comportă ca o dioda pnpn, prin el trecând un curent
mic, iar la tensiunea UB are loc străpungerea tiristorului.
Pentru a bloca tiristorul trebuie micşorat curentul prin structură sub valoarea de
menţinere IH (HOLD) (tensiunea la borne scade şi ea sub valoarea de menţinere U H),
deoarece după amorsare, poarta îsi pierde rolul de electrod de comandă, în sensul că
nu poate acţiona şi pentru blocarea tiristorului, totuşi acest rol va fi reluat dar numai
după blocarea tiristorului.
Semnalul de comandă pentru amorsarea tiristorului poate fi atât semnal continuu

cât şi impulsuri de polaritate corespunzătoare. Comutarea directă şi blocarea tiristorului
au loc în timp finit, fiind legate de procese fizice de injecţie şi extracţie de purtători de
sarcină. Timpul de comutare directă creşte cu temperatura şi cu curentul anodic, dar
scade când amplitudinea semnalului de comandâ creşte. Dacă semnalul de comandă
este un impuls, trebuie sa aibă o durată minimă, timp de menţinere pe poartă, sub care
comutarea nu are loc. Timpul de comutare inversă creşte de asemenea cu temperatura
şi curentul anodic şi scade când amplitudinea semnalului de comutare creşte. Astfel,
pentru blocare este suficient să micşorăm tensiunea anodică sub valoarea de
menţinere, dar timpul de comutare inversă scade dacă inversăm polaritatea tensiunii pe
anod. Dacă semnalul de blocare este un impuls, există o durată minimă a acestuia,
numită timp de revenire pe poartă sub care blocarea nu are loc. În tiristoarele rapide
timpii de comutare sunt de ordinul a câteva microsecunde, iar timpul de blocare este în
general mai mare decât cel de comutare directă.
Cu ajutorul tiristorului pot fi controlate puteri mari, fiind utilizat frecvent în circuitele
redresoare comandate şi invertoare. Posibilitatea de control a momentului amorsării
determină un domeniu larg de aplicaţii pentru acest dispozitiv care poate fi alimentat de
la tensiuni de ordinul zecilor la tensiuni de ordinul sutelor de volţi şi corespunzător
curenţilor de ordinul sutelor de amperi.
41
Activitatea de învăţare 4.1. Ridicarea caracteristicilor anodice ale
tiristorului

- ridici caracteristicile anodice ale tiristorului;
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristicile anodice ale tiristorului.
Mod de lucru:
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor anodice ale tiristorului
 Reglaţi sursa S1 astfel încât curentul IG = 0;

 Reglaţi sursa S2 astfel încât curentul prin tiristor IA să ia valorile din Tab. 1;
 Măsuraţi tensiunea UAK pentru fiecare valoare a curentului I A şi completaţi Tab. 1;
 Reglaţi sursa S1 astfel încât IG să ia toate valorile din Tab.1 şi repetaţi paşii
anteriori;
 Completaţi Tab.1.
42
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicile anodice ale tiristorului
IA [mA] 0 5 10 15 20 25
IG = 0 UAK [V]
IG = 2 mA UAK [V]
IG = 4 mA UAK [V]
IG = 6 mA UAK [V]
IG = 8 mA UAK [V]
IG = 10 mA UAK [V]
 Reprezentaţi grafic pe o foaie caracteristicile anodice ale tiristorului.
43
Activitatea de învăţare 4.2. Tiristorul – dispozitiv multijoncţiune

- identifici tiristorul;
- descrii principiul de funcţionare;
- reprezinţi caracteristicile tiristorului;
- precizezi principalele utilizări ale tiristorului.
Durata: 15 min.
Tipul activităţii: hartă tip pânză de păianjen
Sugestii: elevii se vor împărţi în grupe de 2 – 3 elevi
Sarcina de lucru:
Folosind diferite surse, obţineţi informaţii despre tiristor şi organizaţi-le după modelul
următor:
Simbol
Caracteristici Tiristorul Principiul de funcţionare
Utilizări
44
Activitatea de învăţare 4.3. Identificarea tiristorului

- identifici terminalele tiristorului;
- identifici mărimile specifice tiristorului.
Durata: 10 min.
Tipul activităţii: problematizare
Sarcina de lucru:
Pornind de la simbolul tiristorului reprezentat în figură, identificaţi terminalele acestuia şi
mărimile specifice reprezentate.
45
Activitatea de învăţare 4.4. Funcţionarea tiristorului
- identifici mărimile caracteristice tiristorului;
- explici funcţionarea tiristorului.
Durata: 15 min.
Tipul activităţii: studiu de caz
Sarcina de lucru:
În figura de mai jos sunt reprezentate caracteristicile curent tensiune ale tiristorului.
a. precizaţi cum este iniţiată amorsarea;

b. precizaţi cum se blochează tiristorul;
c. precizaţi ce tipuri de semnale se folosesc pentru comandă.
46
Tema 5. Dispozitive optoelectronice
Fişa de documentare 5.1. Dispozitive optoelectronice
Dispozitivele optoelectronice reprezintă elemente care transformă energia

radiaţiilor luminoase (sau a altor radiaţii din spectrul invizibil) în energie electrică sau
invers. Transformarea energiei radiaţiei electromagnetice în energie electrică şi invers
se face în mod direct, fără intermediul altor forme de energie. Fenomenele fizice
fundamentale care stau la baza funcţionării dispozitivelor optoelectronice sunt absorbţia
radiaţiei electromagnetice în corpul solid şi recombinarea radiativă a purtătorilor de
sarcină în semiconductor.
Dispozitivele optoelectronice se împart în două mari categorii:
- dispozitive bazate pe efectul - fotoelementul, fotorezistenţa, fotodioda,
fotoelectric intern fototranzistorul, fototiristorul
- dispozitive optoelectronice - dioda electroluminscentă, optocuplorul
electroluminescente
Fotoelementul, simbolizat în Fig. 5.1.1, reprezintă un dispozitiv optoelectronic

care nu necesită alimentarea de la o sursă de tensiune exterioară, el generând o
anumită tensiune atunci când este iluminat. Valoarea tensiunii care este măsurată pe o
asemenea celulă care nu este conectată într-un circuit poartă denumirea de tensiune de
circuit deschis şi are o variaţie pronunţată la iluminări mici, iar curentul care străbate
terminalele celulei în timpul unui scurtcircuit poartă denumirea de curent de scurtcircuit
şi are o variaţie pronunţată cu cât iluminarea este mai puternică. Cu cât aria unei celule
este mai mare cu atât curentul de scurtcircuit este mai mare.
Dacă în aplicaţii dorim să utilizăm curentul unei
astfel de celule se vor utiliza rezistori de sarcini
mici, iar dacă dorim utilizarea tensiunii, rezistorul
de sarcină trebuie să aibă o valoare mare.
Valoarea curentului de scurtcircuit depinde şi de
lungimea de undă a luminii (culoarea) care
lumineaza fotocelula.
Fig. 5.1.1 Simbolul fotoelementului
Fotorezistenţa, simbolizată în Fig. 5.1.2, este formată dintr-o peliculă

semiconductoare depusă prin evaporarea în vid pe un grătar metalic fixat în prealabil pe
o placă izolatoare. Această peliculă se protejează de obicei prin acoperire cu lac sau
peliculă de masă plastic.
Acestea au proprietatea de a-şi modifica valoarea rezistenţei electrice sub acţiunea
fluxului luminos. Într-un circuit care conţine un astfel de dispozitiv alimentat de la o
sursă de tensiune constantă, curentul va creşte odată cu iluminarea fotorezistorului.
Variaţia rezistenţei lor cu temperature şi inerţia ridicată în funcţionare, constituie
inconvenientele acestor dispozitive.
Fig. 5.1.2 Simbolul fotorezistenţei
47
Principalii parametri ai fotorezistenţei sunt:
 Rezistenţa de întuneric, (R0);
 Sensibilitatea, (S).
Fotodioda, simbolizată în Fig. 5.1.3 nu diferă din punct de vedere a structurii

fizice faţă de diodele obişnuite. Fotodioda este constituită dintr-o jonctiune pn de
construcţie specială, astfel încât să facă posibilă incidenţa razelor de lumină în
domeniul zonei de difuzie a acesteia. În funcţionarea normală jonctiunea pn este
polarizată invers cu ajutorul unei sursei externe. Incidenţa razelor de lumină în zona de
difuzie determină o creştere a curentului invers. Pot fi folosite la frecvenţe de ordinul
miilor de Hz.
Fig. 5.1.3 Simbolul fotodiodei
Principalii parametrii ai unei fotodiode sunt:

 Curentul de întuneric, (ID);
 Tensiunea inversă maximă, (URM);
 Curentul de iluminare, (IL);
 Sensibilitatea, (S).
Fototranzistorul, simbolizat în Fig. 5.1.4, este format din trei zone (pnp sau npn)
numite colector, bază şi emitor. Zona sensibilă la lumină formând-o joncţiune bază-
colector. Spre deosebire de fotodiode fototranzistoarele realizează şi o amplificare a
curentului fotoelectric. Fluxul luminos are rolul curentului de bază de aceea
fototranzistorul nu este prevăzut cu terminalul pentru bază. În circuite fototranzistorul se
montează în conexiune emitor comun, polarizarea făcânduse ca şi la tranzistor, emitorul
la potenţialul negativ iar colectorul la potenţialul pozitiv pentru un tranzistor npn.
Inerţia în funcţionare a fototranzistorului este mai mare decât a fotodiodei.
Fig. 5.1.4 Simbolul fototranzistorul
Fototiristorul este un dispozitiv optoelectronic realizat pe o structură de tiristor, a

cărui aprindere se face sub acţiunea unui flux luminos. Şi în acest caz tensiunea de
amorsare scade cu creşterea intensităţii fluxului luminos.
48
Dioda electroluminiscentă (LED- ul), simbolizată în Fig. 5.2.1, numită LED-Light
Emmiting Diode se bazează pe fenomenul invers fotodiodei. Culoarea luminii emise
depinde de semiconductorul utilizat.
Fig. 5.2.1 Simbolul diodei electroluminiscente
LED-urile pot fi folosite ca indicatoare numerice sau indicatoare optice pe panourile

aparatelor. LED-ul emite lumina într-o anumită bandă foarte îngustă de lungimi de undă
care este caracteristică unei anumite culori.
Pentru LED-uri RGB, poate fi un singur LED cu trei structuri (Red/Green/Blue)
încorporate care sunt comandate pe trei linii separate de comandă a culorii, sau un
“punct luminos", compus din structuri LED roşu/verde/albastru distincte. Prin comanda
separată a fiecărei culori din cele trei se obţin peste 16 milioane de nuanţe (principiu
care este utilizat şi în monitoarele cu LED-uri
Parametrii electrici ai LED-urilor sunt identici cu cei ai diodelor:

 Curentul direct, (IF);
 Tensiunea de deschidere a joncţiunii, (UF);
 Tensiunea inversă, (UR).
Optocuplorul, simbolizat în Fig. 5.2.2, este ansamblul format dintr-un LED şi un

receptor luminos (fotodiodă, fototranzistor) montat într-o capsulă comună opacă.
Fig. 5.2.2 Simbolul optocuplorului
Aceste dispozitive au o gamă largă de aplicaţii ele putând înlocuii relee, putând
izola partea de forţă de partea de comandă în sistemele automate şi în multe alte
aplicaţii. Într-un astfel de dispozitiv se transmit într-un singur sens de la intrare la ieşire.
De obicei randamente de transfer relativ ridicate se obţin în domeniul frecvenţelor
infraroşii. Optocuploarele pot fi utilizate pentru transfer de semnale atât de curent
continuu, cât şi de curent alternativ, frecvenţa limită fiind ordinul zecilor de MHz.
Pe lângă parametrii ce se referă separate la emiţător şi receptor, parametrii

specifici optocuplorului sunt:
 Tensiunea de lucru care este diferenţa de potenţial între emitor şi receptor;
 Factorul de transfer în curent care este egal cu raportul dintre variaţia curentului la
ieşire şi variaţia curentului la intrare;
 Timpul de răspuns care reprezintă timpul scurs între momentul aplicării semnalului
luminos şi cel la care fotocurentul creşte până la 0,1 din valoarea sa maximă.
49
fotodiodei

- ridici caracteristicile statice ale fotodiodei;
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristicile statice ale fotodiodei.
Mod de lucru:
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor statice ale fotodiodei
 Acoperiţi fotodioda pentru a nu fi iluminată;

 Variaţi tensiunea sursei S2;
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica statică de întuneric a fotodiodei

UCC [V] 1 3 5 8 10
IFD [μA]
UFD [V]
 Reglaţi I1 = 10 mA şi modificaţi U CC din sursa S2 din volt în volt până se obţine o
instabilitate a lui IFD. Valoarea lui UFD în acest caz reprezintă URmax (tensiunea
inversă maximă);
 Pentru diferite valori ale curentului I1, variaţi tensiunea sursei S2;
 Completaţi Tab.2;
50
Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristicile statice la iluminare a fotodiodei
I1 [mA] UFD [V] 0 .........................................................................U Rmax
IFD [mA]
IFD [mA]
IFD [mA]
 Trasaţi caracteristicile statice ale fotodiodei în cadranul trei al planului curent -

tensiune.
51
fototranzistorului

- ridici caracteristicile statice ale fototranzisorului;
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristicile statice ale fototranzistorului.
Mod de lucru:
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor statice ale fototranzistorului

 Pentru diferite valori ale curentului I1, variaţi tensiunea UCE;
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicilor statice ale fototranzistorului
I1 [mA] UCE [V] 0 1 2 3 5 8 10
IC [mA]
IC [mA]
IC [mA]
IC [mA]
 Trasaţi caracteristicile statice ale fototranzistorului.
52
Activitatea de învăţare 5.3. Ridicarea caracteristicii statice a diodei
electroluminiscente

- ridici caracteristica statică a diodei electroluminiscente;
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristica statică a diodei electroluminiscente.
Mod de lucru:
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicii statice a diodei electroluminiscente

 Pentru diferite valori ale curentului prin LED, IL, măsuraţi tensiunea la bornele
sale, UL;
Tab. 1. Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicii statice a diodei

electroluminiscente
IL [mA] 1 2 3 5 8 10 12 15 20
UL[V]
 Trasaţi caracteristica statică a diodei electroluminiscente.
53
Activitatea de învăţare 5.4. Ridicarea caracteristicii de transfer a
optocuplorului

- ridici caracteristica de transfer a optocuplorului;
Durata: 50 min.
Sarcina de lucru:
Reprezentaţi grafic caracteristica de transfer a optocuplorului.
Mod de lucru:
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicii de transfer a optocuplorului
 Reglaţi sursa S2 la 12 V;
 Pentru diferite valori ale curentului prin elementul emiţător (LED), I L, măsuraţi
curentul prin fototranzistor, IC;
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica de transfer a optocuplorului

IL [mA] 1 2 3 5 8 10 12 15 20
IC [mA]
 Trasaţi caracteristica de transfer a optocuplorului.
54
55
Activitatea de învăţare 5.5. Tipuri de dispozitive optoelectronice
- identifici tipuri de dispozitive optoelectronice;
- precizezi principalii parametri pentru fiecare tip de dispozitiv optoelectronic;
- descrii funcţionarea fiecărui tip de dipozitiv optoelectronic;
- identifici utilizările fiecărui tip de dispozitiv optoelectronic.
Durata: 20 min.
Tipul activităţii: metoda grupurilor de experţi – peer learning
Sarcina de lucru:
Având la dispoziţie 10 minute, fiecare grupă va completa câte o linie a tabelului de mai
jos, folosind surse diferite.
Tip de dispozitiv Principiu de

Simbol Parametri Utilizări
optoelectronic funcţionare
Fotoelementul
Fotorezistenţa
Fotodioda
Fototranzistorul
LED
Optocuplor
După ce aţi devenit „experţi” în dispozitivul optoelectronic studiat, reorganizaţi grupele

astfel încât în grupele nou formate să existe cel puţin o persoană din fiecare grupă
iniţială. Timp de 10 minute veţi împărţi cu ceilalţi colegi din grupa nou formată
cunoştinţeţe acumulate în etapa anterioară.
56
Activitatea de învăţare 5.6. Simbolurile dispozitivelor optoelectronice
- precizezi principalele dispozitive optoelectronice;
- identifici simbolurile dispozitivelor optoelectronice.
Durata: 10 min.
Sarcina de lucru:
În coloana A sunt enumerate pricipalele dispozitive optoelectronice, iar în coloana B
simbolurile acestora. Scrieţi pe foaie asocierile corecte dintre fiecare cifră din coloana A
şi litera corespunzătoare din coloana B.
A. Dispozitive optoelectronice B. Simboluri

1. Fotoelementul
a.
2. Fotorezistenţa
b.
3. Fotodioda
c.
4. Fototranzistorul
d.
5. Dioda electroluminiscentă
e.
6. Optocuplorul
f.
57
58
III. Glosar
Amorsare – comutarea dispozitivului electronic din starea de blocare în starea de
conducţie.
Circuit de polarizare – circuit alcătuit dintr-o sursă de alimentare (o sursă de tensiune

continuă sau o sursă de curent continuu), care se mai numeşte şi sursă de polarizare şi
o rezistenţă de polarizare care are rolul de a limita curentul prin diodă astfel încât
aceasta să nu se distrugă.
Comutaţie – trecerea rapidă a unei joncţiuni din stare de conducţie în stare de blocare
şi invers.
Dezamorsare – comutarea dispozitivului electronic din starea de conducţie în starea de

blocare.
Dioda - componentă electronică constituită dintr-o joncţiune pn prevăzută cu contacte

metalice la regiunile p şi n şi introdusă într-o capsulă din sticlă, material plastic,
ceramică sau metal.
Dispozitive multijoncţiune – dispozitive semiconductoare din siliciu, care au în

structura lor mai mult de două joncţiuni pn.
Efectul de tranzistor - efectul de comandă a curentului printr-o joncţiune polarizată

invers cu ajutorul curentului unei joncţiuni polarizate direct şi plasată în apropiere.
Efectul tunel - un electron cu energie mai mică decât bariera energetică

corespunzătoare barierei de potenţial reuşeşte să treacă dincolo de aceasta nu peste
barieră ci prin ea (ca printr-un tunel).
Joncţiunea pn - zonă de contact dintre două cristale semiconductoare, unul de tip p şi

unul de tip n, având o grosime foarte mică de aproximativ 10 -8 ... 10-6 m.
Polarizare directă – aplicarea unei diferenţe de potenţial unei joncţiuni pn astfel ca +

să fie conectat la regiunea p, iar – la regiunea n.
Polarizare inversă - aplicarea unei diferenţe de potenţial unei joncţiuni pn astfel ca +

să fie conectat la regiunea n, iar – la regiunea p.
Punct Static de Funcţionare (PSF) - perechea de mărimi electrice compusă din

curentul continuu prin diodă şi de tensiunea continuă pe diodă reprezentată în planul
caracteristicii, cu coordonatele iA, uA.
Tranzistorul bipolar - o pastilă de siliciu dopată astfel incât să se creeze trei straturi
dopate diferit, şi deci două joncţiuni pn; una emitor-bază şi alta bază-colector.
59
IV. Bibliografie
1. Biţoiu, Adrian. Băluţă, Gheorghe. Iţcou, Corneliu. Lingvaz, Iosif. (1984).
Practica electronistului amator, Bucureşti: Editura Albatros
2. Ceangă, Emil. Saimac, Anton. Banu, Emilian. (1981). Electronică Industrială,

Bucureşti: Editura didactică şi pedagogică
3. Ceangă, Emil. (1978). Îndrumar de laborator pentru electronică, Galaţi:

Universitatea “Dunărea de Jos” Galaţi
4. Croitoru, Victor. Sofron, Emil. Componente şi circuite electronice – Lucrări

practice: Bucureşti: Editura didactică şi pedagogică
5. Dan, Pentru Alexandru. Luca, Dan Mihai. Albu, Adrian. Dunca, Tudor. Primejdie,
George. (1986). Diode cu siliciu - catalog, Bucureşti: Editura Tehnică
6. Dascalu, Dan. Rusu, Adrian. Profirescu, Marcel. Costea, Ioan. (1982).

Dispozitive şi circuite electronice, Bucureşti: Editura didactică şi pedagogică
7. Florea, S. Dumitrache, I. Găburici, V. Munteanu, F. Dumitriu, S. Catană, I.

(1983). Electronică industrială şi automatizări, Bucureşti: Editura Didactică şi
Pedagogică
8. Stan, Alexandru Iulian. Cănescu, Traian. Huhulescu, Mihai. Popescu, Constanţiu.

Simulescu, Dragoş. (1998). Aparate, echipamente şi instalaţii de electronică
industrislă – tehnologia meseriei- manual pentru clasele a IX –a şi a X –a licee
industriale şi şcoli profesionale, Bucureşti: Editura didactică şi pedagogică
9. Steriu, Dan. Brezeanu, Gheorghe. (1990). Dispozitive şi circuite electronice

Îndrumar de laborator, Bucureşti: Facultatea de electronică şi telecomunicaţii
10. Vasilescu, Gabriel. Lungu, Şerban. (1981). Electronică, Bucureşti: Editura

Didactică şi Pedagogică
60

01 - Circuite Cu Componente Electronice Analogice I

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

01 - Circuite Cu Componente Electronice Analogice I

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Învăţământul profesional şi tehnic în domeniul TIC

Circuite cu componente electronice analogice

Domeniul: Electronică şi automatizări

GABRIELA DIACONU – Profesor grad didactic I

IOANA CÎRSTEA – expert CNDIPT

Acest material a fost elaborat în cadrul proiectului Învăţământul profesional şi tehnic în

 Tema 1. Diode  Fişa de documentare 1.1

 Activitatea de învăţare 2.2

 Activitatea de învăţare 3.2

 Activitatea de învăţare 1.3

 Activitatea de învăţare 4.2

Absolventul învăţământului liceal cu specialitatea Tehnician în automatizări trebuie să

Fişa de documentare 1.1. Diode semiconductoare

Fig. 1.1.1 Simbolul general al diodei

În cazul în care tensiunea pe diodă

În cazul în care tensiunea pe diodă

Fig. 1.1.2 Caracteristica de

Principalii parametrii ai diodei semiconductoare sunt:

Diodele redresoare sunt utilizate pentru redresarea curentului electric alternativ.

Parametrii acestor diode sunt:

Fig. 1.1.3 Simbolul diodei varicap

Posibilitatea de a varia o capacitate într-un circuit prin varierea unei surse de

Fig. 1.1.4 Simbolul diodei Zener

Fig. 1.1.5 Caracteristica curent - tensiune a diodei Zener

Parametrii principali ai diodelor Zener sunt:

Fig. 1.1.6 Simbolul diodei tunel

La baza funcţionării diodelor tunel stă aşa - numitul efect tunel.

Fig. 1.1.7 Caracteristica curent – tensiune a diodei tunel

Parametrii diodei tunel sunt:

Această diodă este folosită la realizarea următoarelor circuite:

Competenţa: Identifică componentele electronice analogice

Tipul activităţii: experimentul

Sugestii: elevii se pot organiza în grupe de 3 – 4 elevi

Înainte de utilizarea ohmmetrului trebuie realizată „reglarea zeroului” (aducerea

În cazul utilizării unui multimetru digital, în funcţionarea sa ca ohmmetru, semnele

 Comparaţi Rdirectă şi Rinversă , în funcţie de starea diodei şi completaţi Tab. 2

Tab. 2. Testarea diodelor

Competenţa: Identifică componentele electronice analogice

Tipul activităţii: experimentul

Sugestii: elevii se pot organiza în grupe de 3 – 4 elevi

Fig. 1 Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei în polarizare directă

Înaintea începerii măsurătorilor:

Ridicarea caracteristicii în polarizare inversă

Fig. 2 Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei în polarizare inversă

Înaintea începerii măsurătorilor:

Se va avea grijă să nu se atingă tensiunea de străpungere a diodei cu Ge, fenomen

Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristica inversă a celor două diode

 Reprezentaţi grafic pe aceeaşi foaie caracteristicile curent – tensiune ale celor

Competenţa: Identifică componentele electronice analogice

Tipul activităţii: experimentul

Sugestii: elevii se pot organiza în grupe de 3 – 4 elevi

Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei Zener în polarizare inversă

Înaintea începerii măsurătorilor:

Ridicarea caracteristicii în polarizare directă

Fig. 2. Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei Zener în polarizare directă

Înaintea începerii măsurătorilor:

Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristica inversă a celor două diode

 Reprezentaţi grafic pe o foaie caracteristica curent – tensiune a diodei Zener.

Competenţa: Verifică funcţionalitatea componentelor electronice analogice

Tipul activităţii: expansiune

Lista de cuvinte: conducţie, directă, inversă, polarizare, circuit de polarizare, sursă de

Competenţa: Identifică componentele electronice analogice

Tipul activităţii: metoda grupurilor de experţi – peer learning