Amplificatoare de Microunde

Proiectarea unui singur etaj

 Cîştigurile în putere ale unui diport
ZS I’1 I1 I2 I’2

a'1 a1 a1 a’1

V2 =V'2
V1 =V'1
VS [S] ZL
b'1 b1 b'2
b2

S In Ies L

2
1  L 
2
S 21
P
G L   
Pin 1   2
 1  S 22 L
2
 in
 Reflexii nule L  S  0
S 21 1  S 
2 2
PavL PL L  ies
*
 
GA    GT  S 21
2
1  S11 S 1  L 
PavS Pin    * 2 2
in S
 

S 21 1  S 1  L 
2 2 2
P    Dispozitiv unilateral S12  0
GT  L 
2 2
PavS 1  S in 1  S 22 L

S 21 1  S 1  L 
2 2 2
Z L  Z0 Z  Z0 GTU    
L  S  S 2 2
Z L  Z0 Z S  Z0 1  S S11 1  S 22 L

Z  Z0 S S 
in  in  S11  12 21 L
Z in  Z 0 1  S 22 L
Z  Z0 S S 
ies  ies  S 22  12 21 S
Z ies  Z 0 1  S11S
Schema bloc a unui amplificator cu un tranzistor

2
1  S 1  L
2
GS  2 GL 
1  S in
2 G0  S 21 1  S 22 L
2

GT  GS G0G L
 Stabilitatea

• Stabilitatea necondiţionată: circuitul este

necondiţionat stabil dacă in  1 şi ies  1
pentru orice impedanţă pasivă a sarcinii şi
sursei.

• Stabilitatea condiţionată: circuitul este

condiţionat stabil dacă in  1 şi ies  1 doar
pentru un anumit interval de valori pentru
impedanţa pasivă a sarcinii şi sursei.
 Cercurile de stabilitate
cercul de stabilitate la ieşire : in  1 cercul de stabilitate la intrare ies  1

CL 
 * *
S 22  S11  RL 
S 12 S 21
CS 
 
* *
S11  S 22 RS 
S12 S 21
2 2
2
S 22  
2 S 22
2
 
2 2
S11  
2 S11 

 1 2
1  S11
1  S11
2 2
 S 22  
2  1
K 1 
2 S12 S 21 S 22  S11   S12 S 21
 Exemplu

0.894e  j60 .6  0.02e j62 .4  

S 
j123 .6   j27 .6 
 3.122e 0.781e 

  S11S22  S21S12  0.696  83

2 2 2
1    S11  S 22
K  0.607
2 S12 S 21

  0.86

 * *
S22  S11  CS 
S11  S*22 
*
 1.13268
CL   1.36147 2 2
2
S22  
2 S11 

S12 S 21 S12 S 21
RL   0.5 RS   0.199
2 2
S 22
2

2 S11 
Adaptarea simultana - tranzistorul bilateral
2
in  S* 1 2 1  L
G T max  S 21
2 2
ies  L* 1  S 1  S 22 L

S12 S21 S12S21

S*  S11  L*  S22 
1 1
 S22  S11
L g

2
2 B2  B22  4 C2
B1  B12  4 C1 L 
S  2C2
2C1
2 2 2
B1  1  S11  S22  
2 2 2 B2  1  S22  S11  
*
C2  S22  S11
C1  S11  S *
22

2
B12  4 C1  B22  4 C2  4 K 2  1 S12 S21
2
  2 2
 Exemplu

• Să proiectăm un amplificator pentru un cîştig maxim la 4 GHz utilizînd un circuit de

adaptare cu un singur stub. Să se calculeze şi să se reprezinte grafic pierderile de
intoarcere la intrare şi cîştigul între 3 şi 5 GHz.
 Solutie
2 2 2
  S11S 22  S12 S 21  0.488  162.289 1  S11  S 22  
K  1.195
2 S12 S 21
2
B1  B12  4 C1 B2  B22  4 C2
2
S   0.872123.407 L   0.87661.026
2C1 2C2
2
2 1  L
GS 
1
 4.17  6.201dB G0  S21  6.76  8.299dB GL 
2
 1.67  2.227dB
1  S
2 1  S22 L

GT max  6.201  8.229  2.227  16.657dB

Y 1  S 1  L
y S  S  YS Z 0  YS  50   0.3  j  1.819 yL   0.089  j  0.586
Y0 1  S 1  L

1  S  e 2 j
y S    e y S    1   0.75 lL1  0.206
2 j
1  S  e

 y S 0.75  1  j  3.559 l Lstub  0.206

l1   0.119
2

a tan m y S 0.75  0.206

1
l stub 
2
 Proiectarea pentru un cîştig specificat

1 G 1 S12 S 21 S11 S 22
 T  U
1  S 2 1  S 2
1  U 2 G TU 1  U 2  11
 22 

2
1  S
2 1  L
2 GL 
GS 
2 G0  S 21 1  S 22 L
2
1  S11S
1
*
S  S11 G S max 
1
L  S*22 G L max 
2
1  S11
2 1  S 22

2 2
GS 1  S 1  L 1  S 2 
gS   1  S 2  gL 
1  S 22 L  
22
1  S11S  
2 11 2
G S max

g L S*22
*
g SS11 CL 
1  1  g L  S 22
2
CS 
1  1  g S  S11
2

1  g L 1  S 22 
2
1  g S 1  S11   
2
RL 
 
RS  1  1  g L  S 22
2

1  1  g S  S11
2
 Exemplu
Să proiectăm un amplificator care să aibă un cîştig de 11 dB la 4 GHz.
Desenaţi cercurile de cîştig constant pentru dB şi 3 dB, şi dB şi 1
dB. Calculaţi şi desenaţi pierderile de întoarcere şi cîştigul global al
amplificatorului între 3 şi 5 GHz. Tranzistorul TEC are următoarii
parametri S
 Solutie
1
1 2
G0  S21  6.25  7.959dB GL max   1.56  1.938dB
GS max   2.29  3.59dB 2
2 1  S22
1  S11
GTU max  3.59  1.938  7.959  13.487dB

GSdB2  2dB GLdB1  1dB GLdB0  0dB

GSdB3  3dB
G L1  10 G LdB1 10  1.259 G L0  10 G Ldb0 10  1
G SdB3 10 G S2  10 G SdB2 10  1.585
G S3  10  1.995

g L G L1   G L1 1  S22   0.806 g L G L0   G L0 1  S22   0.64

2 2
g S G S3   G S3 1  S11   0.873 g S G S2   G S2 1  S11   0.693
2 2
       

CS G S3   0.706120 CS G S2   0.628120 CL G L1   0.52070 C L G L0   0.44070

R S G S3   0.168 R S G S2   0.293 R L G L1   0.303 R L G L0   0.441

GS  2dB GL  1dB

GT  10.9dB
 S   CS G S2   R S G S2   e jargCS G S2   0.336120

L   C L G L1   R L G L1   e jargC L G L1   0.21670

1  S 1  L
yS   1.142  j  0.748 yL   0.798  j  0.34
1  S 1  L

 1  S  e 2 j  ey L   1   0.284 l L1   0.045
  
e yS   e   1   1.138 l    0.181 2
 1    e 2 j  S1
2
 S  y L 2l L1   1  j  0.443
yS 2lS1   1  j  0.713
a tan my L 2l L1   0.066
1
l stub 
2
a tan my S 2lS1   0.099
1
l stub  lLstub  lstub  0.5  0.434
2
 Proiectarea de zgomot mic
2
RN 2 S  opt
F  Fmin  YS  Yopt F  Fmin  4rn
2
GS 2
(1  S ) 1  opt

 2
N N  1  opt 
 
RF 
N 1

opt
CF 
N 1

F  Fmin 2
N 1  opt
4 R N Z0
 EXEMPLU
Un tranzistor TEC pe GaAs este polarizat pentru factorul de zgomot minim şi are următorii parametri S

şi de zgomot la frecvenţa de 4 GHz

0.6  60 0.0526  Fmin  1.6dB opt  0.62100 R N  20

S 
 1.981 0.5  60

Pentru proiectare presupunem tranzistorul unilateral şi vom calcula ulterior eroarea

maximă în rezultată din această presupunere. Amplificatorul se va proiecta pentru o
cifră de zgomot de 2.0 dB cu cîştigul maxim compatibil cu această cifră de zgomot.
 Solutie
S11S 22 S12 S 22 1 GT 1 GT
U  0.059   0.891   1.130  0.50dB  GT  GTU  0.53dB
1  S 2  2
1  S 22  1  U 2 G TU 1  U 2 G TU
 11
 

2
F  Fmin opt  2
F  10 10  1.584 N
2
1  opt  0.102 CF   0.563100 N N  1  opt 
N 1  
4 R N Z0 RF   0.245
N 1

S  0.141035  j  0.522189  0.54174.886

 1  2 
GS  10 log  S   1.702dB
 1  S11S 2 
 
 1 
GL  10 log    1.249dB L  S*22
1  S 22 2 
 
 2
G0  10 log S 21  5.575dB
 
GTU  GS  G0  GL  8.527dB

2
1  S B 2  B 22  4 C 2
yS   0.449  j  0.663 L   0.45768.435
1  S 2C 2
 1  L
lS1   0.226 yL   0.512  j  0.55
2 1  L

l L1   0.242
a tan my S 2    lS1   0.145
1
lSstub  2
2

a tan my L 2    l L1   0.127

1
l Lstub 
2