CAPITOLUL 7

____________________________________________________________________ 203

AMPLIFICAREA FASCICULELOR
DE FOTONI

7.1 Amplificarea prin dubl conversie
foton-electron-foton

Att timp ct amplificarea direct a fasciculelor de fotoni a
ntmpinat iniial unele greuti, iar conversia foton-electron (capitolul 6) i
electron-foton (capitolul 2) erau deja bine puse la punct, aceast metod de
dubl conversie a fost utilizat i este nc utilizat cu succes, inclusiv
succes comercial.

7.1.1 Receptoare pentru filtre optice

Propagarea ghidat a fasciculelor de fotoni (capitolul 4) introduce
att atenuarea impulsurilor ct i distorsionarea acestora. Deci dup o
anumit distan impulsurile trebuie s fie refcute att ca form ct i ca
amplitudine.
Un circuit cu dubl conversie este reprezentat schematic n
figura 7.1. Fotodioda FD convertete fasciculul de fotoni distorsionat i de
Fig. 7.1 Schema unui repetor optic pentru fibr
Circuit de
refacere a
impulsului
Circuit de
decizie
Article I. F
D
Driver L
Circuit de timp
CAPITOLUL 7
204 ____________________________________________________________________
mic amplitudine n semnal electric pe care l reface i l amplific pe cale
electronic alimentnd cu acesta laserul L care l convertete n fascicul de
fotoni pe care l injecteaz n urmtorul tronson de fibr.
Tensiunea de alimentare a receptorului este de 24 V, iar puterea
consumat de uniti de watt.
Acest tip de repetor echipeaz n prezent majoritatea sistemelor de
comunicaii terestre i transoceanice. Dac pentru cele terestre nu sunt
probleme n cazul unor defeciuni tehnice, cele transoceanice trebuie s aib
o durat de via de circa 25 ani. Pentru a ndeplini o asemenea performan
se folosesc cel puin dou fotodiode i cel puin patru lasere n sistem de
rezervare glisant.

7.1.2 Intensificatoare de imagine

n timpul nopii, numrul fotonilor n spectrul vizibil este foarte mic,
mult sub pragul vizibilitii umane. Pentru a vedea noaptea este necesar ca
aceti fotoni s fie amplificai, n acest scop putnd fi folosit principiul
dublei conversii ntr-un dispozitiv cu vid numit industrial intensificator de
imagine.
Un convertor de intrare T
1
transform fotonii din spectrul vizibil n
electroni folosind un material fotoemisiv cu efect fotoelectric extern (din
familia A
III
B
V
i A
II
B
VI
). Electronii sunt amplificai pe cale clasic n
Zon de accelerare a
fasciculului de electroni
Fig. 7.2. Reprezentarea simplificat a unui
intensificator de imagine.
Fotoni n
vizibil
T
1
T
2
CAPITOLUL 7
____________________________________________________________________ 205
cmpuri electrice amplificatoare i convertii n final de ctre traductorul T
2

n fotoni n spectrul vizibil folosind principiul tubului cinescop clasic.
Ecranul de ieire folosete emisia n galben-verde pentru care
sensibilitatea ochiului uman este maxim (nu este deci nici o legtur ntre
culoarea vzut de observator i culoarea real a obiectelor). Sterana
ecranului de ieire este n domeniul 110 cd/m
2
, iar ctigul
intensificatorului ntre 10.000 70.000 cd/m
2
lux. Optica de intrare i cea
de ieire au diametre n jur de 20 mm (adaptate ochiului uman) iar mrirea
imaginii este de 0,95 1).
Fie un intensificator de imagine cu ctigul 20.000 cd/m
2
lux i o
steran de 4 cd/m
2
. Cu acest dispozitiv poate fi vizualizat o imagine de
intrare cu incidana
3
3
4
J 0,2 10
20 10

= =

luxi
adic la
0
=555 nm
3
6 2
0,2 10
J 0,296 10 W / m
675

= =
Fie N numrul de fotoni care creeaz aceast incidan pe suprafaa
d=20 mm a traductorului de intrare
4
d
N
J
2
t
e
=
de unde
6
2
10 260
4
d J
N = =
e
t

fotoni/s.
La o rezoluie a ecranului de 25 linii/mm un pixel are 1,610
-9
mm
2

deci un ecran cu diametrul d=20 mm are 196 10
3
pixeli virtuali. Deci
intensificatorul de imagine considerat necesit la intrare un numr de fotoni
n vizibil de 1320 fotoni/s.pixel.
Intensificatoarele de imagine se folosesc pentru viziunea pe timp de
CAPITOLUL 7
206 ____________________________________________________________________
noapte n special n domeniul militar (dar au performane mai modeste dect
termoviziunea) sau, n vederea diurn, pentru creterea distanei vizualizate
cu aparatele optice (lunete, binocluri).

7.2 Amplificare cuantic

Varianta de amplificare a fotonilor prin dubl conversie este
complicat tehnic i probabil va fi prsit n timp. Ideal ar fi amplificarea
direct a unui fascicul de fotoni de ctre un dispozitiv pe corp solid . Pentru
un semnal fotonic cu o frecven purttoare i o band limitat n jurul
acesteia coninnd informaia, acest lucru este posibil prin emisie stimulat
n medii active pompate electric sau optic.
Fie () densitatea de energie a fasciculului de fotoni n banda
+d. Variaia densitii de energie n timp este diferena dintre
creterea de energie prin emisie stimulat (presupunem emisia spontan
aproximativ nul) i scderea de energie prin absorbie:
( )
( ) | | ( ) | | e e e e
e

12 1 21 2
B N B N
dt
d
= (7.1)
unde B
21
i B
12
- coeficienii Einstein (paragraful 2.3);
N
1
i N
2
- populaiile celor dou niveluri ale microparticulelor din
mediul activ.
ntruct (relaia 2.15)
21 1
12 2
B g
B g
=
rezult:
( )
( ) e e
e

12 1
1
1
2
2
B g
g
N
g
N
dt
d
|
|
.
|

\
|
=
Notnd cu J exitana fasciculului care se propag pe direcia 0z din:
( ) e ~ J i dz cdt =
CAPITOLUL 7
____________________________________________________________________ 207
rezult:
( )
( )
e
e
e
o
12 1
2
2
1
1
B g
g
N
g
N
dt
d
c
1
dt
dJ
J
1
|
|
.
|

\
|
= = = (7.2)
Pentru a obine amplificarea fasciculului de fotoni (<0) este necesar
ca
2 1
2 1
N N
g g
> adic o inversie de populaie prin pompaj ntre cele dou
nivele ale microparticulelor din mediu.
Pompajul electric se poate realiza de exemplu prin injecie de
purttori n jonciuni pn direct polarizate (paragraful 2.3).
Figura 7.3 reprezint schematic un asemenea mediu activ ntr-o
cavitate Fabry-Perot cu lungimea L. n aceeai figur este reprezentat
grafic dependena amplificrii
e
i
E
G
E
= n funcie de lungimea de und
unde
i
E i
e
E sunt amplitudinile intensitii cmpului electric al
fasciculului de fotoni, la intrare i respectiv la ieire din amplificator. Acest

0


G
~4 GHz

Fig. 7.3. Reprezentare schematic a unui
amplificator cuantic cu pompaj
electric i cavitate Fabry-Perot.
O
1
E
i
E
e
O
2
Curent
electric
L
CAPITOLUL 7
208 ____________________________________________________________________
amplificator asigur o amplificare mare n band de trecere dar n general o
band mai ngust i o caracteristic de tip pieptene cu benzi de trecere
laterale.
Spre exemplu pentru fereastra a 2-a a fibrei optice (
0
= 1,3m) i o
cavitate cu L=400m folosind relaiile din paragraful 5.4 rezult o band de
trecere de aproximativ 4 GHz i o distan ntre lobii laterali 2,11 nm
(374 GHz).
Dac acelai mediu activ este introdus ntre dou structuri
antireflectoare (AR), vezi figura 7.4, fasciculul de fotoni parcurge o singur
dat mediul (und progresiv) obinndu-se o band de trecere foarte mare
(terahertzi) dar o amplificare mic.

Pompajul optic este folosit cu succes n comunicaiile pe fibr
folosind o und progresiv ntr-un mediu activ realizat n chiar miezul fibrei,
impurificat cu un element cu nivele energetice corespunztoare.
De exemplu, pentru fereastra 3-a (
0
=1,5m) se folosete pentru im-
G
~10 THz

Fig. 7.4. Reprezentare schematic a unui
amplificator cuantic cu pompaj
electric i structuri antireflectoare.
AR1
E
i
E
e
AR2
Curent
electric
L
CAPITOLUL 7
____________________________________________________________________ 209
purificare Erbiu, ale crui nivele energetice utile sunt reprezentate n
figura 7.5.
Pompat optic cu
0
=1,48 m
(putere de aproximativ 75 mw)
mediul activ dopat cu Erbiu
3+

(aproximativ 100 ppm) asigur
amplificare cu maxime la 1530 nm i
1550 nm (figura 7.6.). Timpul de via
pe nivelele excitate este de aproximativ 10 ms.
Un mediu activ dopat cu Erbiu
3+
cu lungimea L=90 m asigur o
amplificare de 7,5 dB ceea ce reprezint compensarea atenurii fibrei n
fereastra a 3-a pe aproximativ 30 km.
Banda de trecere a
unui asemenea amplifi-
cator (reprezentat sche-
matic n figura 7.7) este
foarte mare (aproximativ
3 THz) deoarece se
folosete principiul undei
1,48 m
1,53 m
1,55 m
Fig. 7.5. Nivele energetice ale Erbiului
3+
G

0
(nm)
1530 1550
Fig. 7.6. Amplificarea unui mediu activ din SiO
2

dopat cu Erbiu
3+
Fig. 7.7. Reprezentare schematic a unui
amplificator cuantic cu pompaj optic
Und de pompaj
1,48 m
E
i
E
e
Fibr dopat cu Erbiu
3+

L
1,55
m
CAPITOLUL 7
210 ____________________________________________________________________
progresive. Pentru a crete amplificarea pn la 20 dB simultan cu
micorarea benzii de trecere care este foarte mare se pot folosi dopri cu
Erbiu Aluminiu Germaniu sau Erbiu Aluminiu Fosfor.
Pentru fereastra a 2-a (1,3 m) se folosete pentru mediul activ
doparea cu Praseodymiu
3+
(aproximativ 2000 ppm). Timpul de via pe
nivelele excitate este mai mare dect 100 s. Se obine amplificare n
domeniul 1,27 1,34 m cu o band de trecere de aproximativ 4 THz.

7.3 Amplificarea impulsurilor fotonice foarte scurte

Un laser DH care emite continuu un flux radiant de 5 mW printr-o
fereastr de 10 m x 1 m genereaz o exitan
3
9
12
5 10
J 0,5 10
10 1 10

= =

W/m
Intensitatea cmpului electric al undei asociate liniar polarizate este:
( ) ( ) 2
V W
E 27 J
m
m
= (7.3)
iar pentru unda asociat circular polarizat
( ) ( ) 2
V W
E 19 J
m
m
= (7.4)
Considernd unda liniar polarizat pentru laserul considerat rezult
5
E 6 10 = V/m.
Pentru aplicaiile liniare acest cmp electric, comparabil cu al
surselor termice necoerente, este uzual. Dar el este mult mai mic dect
cmpul electric intraatomic (de ordinul 10
11
V/m pentru dielectrici i de
10
9
V/m pentru semiconductoare).
Pentru a obine cmpuri foarte intense (exitane foarte mari) se
folosete amplificarea unor pulsuri scurte (de ordinul 50 ps) obinute pe
principiul mode-locking sau Q-switch de la lasere pe solid.
CAPITOLUL 7
____________________________________________________________________ 211
n figura 7.8 este prezentat schematic un montaj de laborator folosit
n acest scop.
Impulsul obinut de la un laser Nd:YAG are durata de aproximativ
50 ps i energia 1nJ (putere n impuls 20W). Acest semnal este propagat
printr-o fibr optic, distorsiunile de
propagare de grup (paragraful 4.6) conducnd
la lrgirea sa i la obinerea unei modulaii n
frecven (chirp pulse, figura 7.9).
Pulsul lrgit este amplificat printr-un
lan de amplificatoare cuantice pn la
energia de aproximativ 1J. Astfel amplificat
el este comprimat n timp fie prin auto-
corelaie (splitare i corelaie cu el nsui), fie prin trecerea printr-o reea de
difracie cu dependena (t) invers celei din figura 7.9.
Se obine astfel un impuls de durat 1 ps i energie 1j adic o putere
n impuls de 10
12
W.
Pentru o suprafa radiat de 10m x 10m exitana rezultat este de
10
22
W/m
2
iar intensitatea cmpului electric de 2,7 10
12
V/m.
Acest cmp electric este mai mare, dect cel din dielectrici, pemi -
fibr 1,3 km
50ps, 1nJ
300ps, 1nJ
300ps, 1J 1 ps, 1J

0
= 1,064 m
Amplificato
r cuantic
Compresor
Nd:YAG
Fig. 7. 8 Reprezentarea schematic a unui montaj
pentru amplificarea impulsurilor foarte scurte

t

0
300ps
Fig. 7.9. Variaia pulsaiei
unui impuls propagat printr-o
fibr optic cu distorsiuni de
propagare de grup.
CAPITOLUL 7
212 ____________________________________________________________________
nd deci studierea unor efecte neliniare n materialele dielectrice sau
semiconductoare (vezi capitolul 8, Optoelectronic neliniar).
Aplicnd de mai multe ori lrgimea i comprimarea n domeniul
timp se pot obine pulsuri cu durata sub 100 fs (pn la aproximativ 6 fs) cu
puteri n impuls de 10
6
10
9
W.

7.4 Amplificarea prin interacia a dou unde

7.4.1 Schimbarea optic indus a indicelui de refracie

n anumite monocristale (denumite n continuare fotorefractive) un
fascicul de fotoni delimitat spaial produce fotoionizarea unor centri n
cristal urmat de deplasarea sarcinilor astfel eliberate n afara zonei iradiate
(deplasare prin difuzie sau prin drift, dac se aplic un cmp).
Fig. 7.10. Efectul fotorefractiv
n monocristale.
n
e

(10
-3
)
y (m)
200
1
0
-1
-2
-3
300 100 0 100 200 300
y
x
z
0
y
z
- -
E
i

+
+ +
+
CAPITOLUL 7
____________________________________________________________________ 213
Sarcinile astfel deplasate (s presupunem sarcini negative) sunt
localizate pe zona neiradiat pe centri de captare i mpreun cu sarcinile
rmase n zona iradiat (pozitive) creeaz un cmp intern de intensitate
i
E
(figura 7.10) cu valori de 10
7
10
8
V/m (nu densitile de sarcin sunt mai
mari ci distanele sunt foarte mici).
Cmpul intern produce prin efect electrooptic Pockels variaia
indicelui de refracie a cristalului (n figura 7.10 este reprezentat n funcie
de distan variaia indicelui de refracie a undei extraordinare pentru un
diametru al fascicolului de fotoni de 200 m). Evident dac monocristalul
are centru de inversie este obligatorie pentru apariia efectului Pockels
aplicarea unui cmp continuu exterior
0
E .
Un cmp intern de 10
5
10
6
V/m poate fi creat ntr-un monocristal
de o densitate de sarcin spaial de ordinul 10
14
cm
-3
(valoarea care se afl
ntre densitatea centrilor de captare de 10
12
cm
-3
pentru monocristalele
perfecte i 10
19
cm
-3
pentru monocristalele cu multe defecte). Deci pentru
monocristale reale cu un numr rezonabil de defecte nu trebuie nici un efort
suplimentar pentru apariia efectului fotorefractiv. Dac se doresc mai multe
centre de ionizare i captare n monocristal se pot introduce controlat unele
impuriti (de exemplu Fe n LiNbO
3
).
Variaia indicelui de
refracie depinde de timp i de
fluxul fasciculului de fotoni
incident (figura 7.11).
La ntuneric aceast
variaie dureaz zile dup
ntreruperea fasciculului de
fotoni incident. Efectul dispare
n
e

(10
-4
)
t (uniti arbitrare)
6
Fig. 7.11. Variaia indicelui de
refracie n efectul fotorefractiv
4
2
-5 dB
-10 dB
(0dB)
CAPITOLUL 7
214 ____________________________________________________________________
ns la iluminarea ntregului monocristal sau la nclzirea sa (sarcinile
deplasate obin energia necesar pentru a reveni pe vechile poziii de
echilibru stabil).
Dac n locul unui fascicul de fotoni se creeaz o interferen ntre
dou fascicule vor apare franje de interferen (de exemplu, n lungul axei
0y). Sarcinile libere vor apare n regiunile cel mai puternic iradiate i se vor
deplasa i localiza n regiunile slab iradiate (figura 7.12).
ntruct ecuaia
Poisson este
i
0
1

cc
V = E
unde s-a notat cu
densitatea de sarcin
spaial, rezult c cea
mai mare variaie n
e
a
indicelui de refracie nu
se produce acolo unde
incidana J are cea mai
mare valoare ci acolo
unde incidana are cel
mai mare gradient. ntre
n
e
(y) i J (y) este o
diferen de faz (de
regul de /2). Se afirm
din acest motiv c efectul
fotorefractiv nu este
localizat spaial, adic
maximul efectului nu
Fig. 7.12. Dependena n lungul axei oy a mrimilor
de stare caracteristice efectului fotorefractiv n cazul
franjelor de interferen
J

E
i

n
e

y
y
y
y
-
+ +
+ +
+
+
-
- - -
-
CAPITOLUL 7
____________________________________________________________________ 215
corespunde spaial cu maximul cauzei (spre deosebire de efectul
electrooptic, paragraful 3. 3 pentru care cea mai mare variaie a efectului
corespunde celei mai intense cauze, deci exist localizare spaial).
O alt particularitate a efectului fotorefractiv este c acesta nu este
sensibil la incidana fasciculului de fotoni ci la energia acestuia (un fascicul
mai puin intens produce acelai efect fotorefractiv dac acioneaz un timp
mai lung).
Primele monocristale investigate pentru proprietile lor
fotorefractive au fost dielectrice, de exemplu:
BaTiO
3
dopat cu Cr
Bi
12
SiO
20
BSO
Bi
12
GeO
20
BGO
K(Ta
x
Nb
1-x
)O
3
KTN
Bi
12
TiO
20
BTO
(Sr
x
Ba
1-x
)Nb
2
O
6

LiNbO
3
dopat cu Fe
Sr
0,6
Ba
0,4
Nb
2
O
6
dopat cu Ce SBN:60
n aceti dielectrici sarcinile care se deplaseaz sunt n unele cazuri
pozitive dar n majoritatea cazurilor negative. n general, n dielectrici,
sarcinile libere au mobilitate mic i un timp de via scurt al purttorilor
liberi. De aici rezult o vitez limitat i o sensibilitate limitat (comparabil
totui cu a filmelor fotografice).
Un alt impediment al dielectricilor l reprezint lrgimea relativ mare
a benzii interzise ceea ce conduce la apariia efectului fotorefractiv numai
pentru fasciculele de fotoni cu energie mare (lungimea de und sub
900 nm).
Investigarea efectului fotorefractiv la materialele semiconductoare
A
III
B
V
i A
II
B
VI
a dat bune rezultate, de exemplu pentru:
CAPITOLUL 7
216 ____________________________________________________________________
Ga As dopat cu Cr
In P dopat cu Fe
Cd Te
Pentru aceste materiale s-au obinut timpi de rspuns de ordinul
20 s la incidane ale fasciculelor de fotoni de 4W/cm
2
.

7.4.2 Dispozitiv de amplificare prin interacia a dou unde

Fie un experiment reprezentat schematic n figura 7.13. Un laser L
emite un fascicul de fotoni cu pulsaia splitat de BS ntr-un fascicul
semnal cu incidena J
SO
i un fascicul de referin cu incidana J
RO
.
Fasciculul semnal conine o informare analogic doi dimensional
prin trecerea sa, de exemplu, printr-un diapozitiv, n timp ce fasciculul de
V
0
L BS
0
diapozitiv
0
J
SO
(f
0
)
DP
d

J
S
J
R
J
RO
( f
0
+f)
2
Fig. 7. 13. Reprezentarea schematic a unei amplificri prin
interacia a dou unde.
f
f
0 t
f
v
0

CAPITOLUL 7
____________________________________________________________________ 217
referin are o iluminare uniform.
Prin interacia celor dou semnale coerente pe suprafaa de intrare a
unui cristal fotorefractiv de Bi
12
SiO
20
se creeaz franje de interferen cu
periodicitatea spaial:
0
2sin

A
u
=
Pentru un laser cu
0
=568nm i =2 rezult =8,13m i

-1
= 122 mm
-1
.
Dac semnalului de referin i se asigur prin dispozitivul
piezoelectric DP o pulsaie lent variabil n timp (cu minimul f
0
i maximul
f
0
+f) franjele de interferen se vor deplasa cu viteza v
0
(figura 7.13).
Zonele iradiate ale acestei figuri de interferen vor schimba optic
indus indicele de refracie prin efect fotorefractiv. Semnalul de referin de
incidan J
RO
citete dinamic (cu defazajul
2
t
) aceast figur de indici de
refracie (aceast hologram n indici de refracie) rezultnd la ieire un
semnal J
S
>J
SO
(energia fiind luat de la semnalul de referin J
R
<J
RO
).
Amplificarea maxim a undei semnal rezult dac
1
f
2
o
tt
=
unde este constanta de timp necesar stabilirii efectului fotorefractiv, iar
viteza de deplasare optic a figurii
0
v
2
A
tt
=
n cristalul fotorefractiv Bi
12
GeO
20
sub o incidan J
RO
=140 mW/cm
2

constanta de timp este = 120 ms, deci f=8 Hz, iar
0
= 10,78 m/s.
Cea mai convenabil metod pentru a obine variaii de frecven
att de mici (8 Hz la frecvena semnalului de referin de sute de teraheri)
este folosirea efectului Doppler.
CAPITOLUL 7
218 ____________________________________________________________________
Dispozitivul reflector piezoelectric DP (figura 7.13) se dilat i se
contract cu o vitez u, schimbarea frecvenei prin efect Doppler fiind
0
0
u
f f
c
o =
cu datele anterioare (
0
=568 nm, f
0
=528 THz, f=8 Hz) rezult u=4,5 m/s
de unde se calculeaz, funcie de cristalul piezoelectric folosit, tensiunea de
comand necesar.
Deoarece amplificarea fasciculului semnal se obine din energia
fasciculului de referin se asigur din start un raport J
RO
/ J
SO
de
aproximativ 1000.
n propagarea sa prin cristal fasciculul semnal sufer o atenuare n
interacie cu cristalul (coeficient de atenuare ) i o amplificare prin
interacie cu J
RO
(coeficientul de amplificare g).
Rezult:
( )
S SO
J J exp g =
Se definete coeficientul Y
( )
( )
( )
S
'
S
J cu referin
exp g
J fr semnal de referin
= = Y










100
Y
80
60
40
20
100 200 300 400
E
0
=4kV/cm
E
0
=10kV/cm
Fig. 7. 14. Dependena coeficientului Y de 1/
1/ (mm
-1
)
CAPITOLUL 7
____________________________________________________________________ 219
n figura 7.14 este reprezentat dependena acestui coeficient funcie
de
1
A
(parametru cmpul continuu E
0
).
Se constat c alegnd parametri optimizai se pot obine amplificri
ale semnalului mai mari dect 100.

7. 5 Bibliografie

+ P. K. Cheo. Fiber Optics and Optoelectronics, London, Prentice
Hall Inc., 1990, cap. 12: Photodetectors, p. 343-379.
+ J. M. Senior. Optical Fiber Communication, New York,
Prentice Hall, 1992, cap. 8: Optical Detectors, p. 419-466.
+ J. Singh. Physics of Semiconductors and Their Hetero-
structures, New York, McGraw-Hill, 1993, Cap. 15: Interactions of
Photons with Semiconductors, p. 557-614.
+ P. Bhattacharaya. Semiconductor Optoelectronics Devices,
New Jersey, Prentice-Hall, 1994, cap. 8: Photodetectors, p. 329-382.
+ A. Yariv. Optical Electronics in Modern Communications,
Oxford, University Press, 1997, cap. 10: Noise in Optical Detection and
Generation, p. 372-412; Cap. 11: Detection on Optical Radiation,
p. 413-473.
+ C. De Cusatis i alii. Handbook of Fiber Optic Data
Communication, London, Academic Press, 1998, cap. 3: Detector for
Fiber-Optics, p. 87-114.
+ D. D. Bour i alii. Design and Performance of Asymmetric
Waveguide Nitride Laser Diodes, In: IEEE J. Quantum Electron, vol. 36,
nr. 2, februarie 2000, p. 184-192.
+ P. Yuan i alii. Impact Ionization Characteristics of III-V
Semiconductors for a Wide Range of Multiplication Region Thicknesses,
CAPITOLUL 7
220 ____________________________________________________________________
In: IEEE J. Quantum Electron, vol. 36, nr. 2, februarie 2000, p. 198-204.
+ H. Bourdoucen, J. A. Jervace. Design of Ultra-Fast Dual-
Wavelength Resonant-Cavity-Enhanced Schottky Photodetectors, In: IEEE
J. Quantum Electron, vol. 37, nr. 1, ianuarie 2001, p. 63-68.
+ N. R. Das, M. J. Deen. Low-Bias Performance of Avalanche
Photodetector-A Time Domain Approach, In: IEEE J. Quantum Electron,
vol. 37, nr. 1, ianuarie 2001, p. 69-74.
+ N. Tsutsui i alii. High-Frequency Performance of Lateral p-n
Junction Photodiodes, In: IEEE J. Quantum Electron, vol. 37, nr. 6, iunie
2001, p. 830-836.
+ F. Vigu i alii. Evaluation of the Potential of ZnSe and
Zn(Mg)BeSe Compounds for Ultraviolet Photodetection, In: IEEE J.
Quantum Electron, vol. 37, nr. 9, septembrie 2001, p. 1146-1153.
+ C. L. Ho i alii. Edge-Couple InGaAs p-i-n Photodiode Width
the Pseudowindow Defined by an Etching Process, In: IEEE J. Quantum
Electron, vol. 37, nr. 11, noiembrie 2001, p. 1409-1411.
+ V. Magnin i alii. Design Optimization and Fabrication of Side-
Illuminated p-i-n Photodetectors With High Responsivity and High
Alignment Tolerance for 1.3 and 1.55m Wavelength Use, In: IEEE J.
Lightwave Technol., vol. 20, nr. 3, martie 2002, p. 477-488.
+ A. Bonoushi i alii. An Analytical Approache to Study the
Effect of Carrier Velocities on the Gain and Breakdown Voltage of
Avalanche Photodiodes, In: IEEE J. Lightwave Technol., vol. 20, nr. 4,
aprilie 2002, p. 696-699.