Dioda Semic

29
LUCRAREA NR.3

ANALIZA FUNCIONRII DIODELOR SEMICON-
DUCTOARE. PARAMETRI. TASAREA CARACTERISTICI-
LOR I IDENTIFICAREA PERFORMANELOR

1. Introducere privind caracterizarea dispozitivelor
semiconductoare

Ecuaiile ce descriu funcionarea dispozitivelor semiconductoare sunt
aproximative deoarece au la baz modele simplificate. Rezultatele
calculate cu ajutorul lor, prezint calitativ procesele care au loc stabilind
relaii de determinare ntre parametri. Utiliznd modele cu un grad
ridicat de complexitate, rezolvabile prin tehnici de prelucrare numeric,
i avnd la dispoziie tehnologii performante, se pot impune anumii
parametri pentru dispozitivele care vor fi produse.
Indiferent de modelul utilizat n proiectare, sau de tehnologia folosit
la realizarea unui anumit dispozitiv,acesta trebuie caracterizat prin
msurtori.Firmele productoare indic principalele date necesare
utilizatorilor.Un minimum de date sunt :

- Descrierea dispozitivului, valori constructive. n cadrul descrierii se
indic materialul semiconductor utilizat, tehnologia de obinere,
principalele aplicaii, iar la valori constructive se prezint tipul de
capsul folosit, dimensiunile, modul de marcare, conexiunile la
terminale, masa.. Exist o mare diversitate de dispozitive
electronice.
- Valori limit absolute Sunt valorile maxime ale parametrilor de
funcionare care prin depire conduc la distrugerea dispozitivului.
Dac nu se fac precizri suplimentare, valorile indicate ale
curentului, tensiunii i puterii sunt date n curent continuu la
FLORIN MIHAI TUFESCU ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE
30
temperatura capsulei de 25C. La funcionarea n regim de impuls
se fac precizri asupra duratei acestuia i a frecvenei de repetiie.
- Caracteristicile electrice pot fi:
caracteristici de curent continuu, care indic dependena dintre
tensiunile, curenii i puterile prin dispozitiv n regim de curent
continuu; aceste caracteristici sunt influenate de temperatur;
caracteristici de curent alternativ, care dau o descriere a funcionrii
n curent alternativ sau n regim de impuls a dispozitivului; se indic
mrimile semnificative pentru funcionarea n audiofrecven sau
comutaie, n condiii bine precizate de msur (parametrii h, timpii de
comutaie, variaia factorului de calitate cu frecvena, .a.).
- Caracteristici termice
n acest cadru se indic temperatura de funcionare a jonciunii,
temperatura ambiant de lucru, temperatura de stocare, disipaia admis
i rezistena termic.
- Montaje de testare
Pentru a facilita sarcinile utilizatorului, firma productoare indic
schemele i aparatele folosite la msurarea principalilor parametri ai
dispozitivului.
- Aplicaii principale
Pentru dispozitivele noi, n cadrul foii de catalog, se indic o serie de
aplicaii, descriindu-se scheme de utilizare i prezentndu-se formulele
de calcul necesare.
n cadrul lucrrilor de laborator ce au ca scop studiul dispozitivelor
electronice vor fi determinate experimental caracteristicile acestora. Se
urmrete compararea valorilor obinute cu datele de catalog. Se
efectueaz msurtori i pentru precizarea unor parametri ce nu sunt
indicai de productor.

LUCRAREA NR.3 Analiza funcionrii diodelor semiconductoare
Trasarea caracteristicilor i identificarea peformanelor
31
2. Trasarea caracteristicilor statice la diode.

Mrimi specifice
Pentru orice tip de diod caracteristica static reprezint dependena
dintre curentul ce strbate jonciunea i tensiunea aplicat acesteia:

Cunoaterea funciei (1) permite determinarea domeniului de utilizare
a dispozitivului. Se pot stabili:1- tensiunea de deschidere,V
F0
,; 2-
tensiunea maxim invers,V
RM
; 3- curentul direct, I
F
; 4- curentul
invers,I
R
5- puterea disipat, P ; 6- rezistena diferenial a jonciunii r
d
.
Dac se fac nregistrri la diferite temperaturi de funcionare, se pot
determina aceleai mrimi ca funcii de temperatur, lucru extrem de
important pentru circuitele reale (fig.1).

Fig.1 Caracteristica curent tensiune la dioda semiconductoare
Caracteristica la polarizare direct (I i II) este definit prin
tensiunea de deschidere V
F0
i rezistena diferenial r
d
. V
F0

reprezint tensiunea minim la care dispozitivul conduce la polarizare
direct i depinde de tipul jonciunii:

) f(V = I (1)
0

LUCRRI PRACTICE
32
Tipul jonciunii Germaniu Siliciu Schottky
Tensiunea de deschidere (V) (domeniu
de variaie)
0.15-0.3 0.5-0.6 0.1-0.3
Tensiunea de deschidere (V) (tipic) 0.18 0.55 0.1

Rezistena diferenial a diodei n regim lent variabil de semnal mic
se definete conform relaiei:
Uneori se utilizeaz mrimea numit conductan diferenial :

Punctul de coordonate (V
Q
, I
Q
) se numete punct static de
funcionare al diodei; r
d
i g
d
sunt funcii de tensiunea aplicat
depinznd de punctul de funcionare ales. Caracteristica static direct
trasat experimental indic o rat de cretere a curentului mai mic
dect prevede teoria. Acest lucru se datoreaz n special cderilor de
tensiune pe rezistenele ohmice ale regiunilor p i n care sunt neglijate
n cadrul teoriei Shockley.
Caracteristica la polarizare invers este definit printr-o valoare
extrem de sczut a curentului invers I
R
(<10 A) ntr-un domeniu larg
de tensiune (III) depinznd de tipul diodei. La atingerea unei valori
critice a tensiunii aplicate (V
RM
sau V
Z
) curentul prin diod crete brusc,
datorit intrrii n conducie a jonciunii prin efect Zener sau avalan
(IV). La diodele redresoare sau de comutaie obinuite nu trebuie s se
ating valoarea V
Z
. Pentru aceste dispozitive se indic tensiunea V
RM

numit tensiune invers repetitiv maxim. Pentru a avea o indicaie
asupra performanelor la polarizare invers se indic o valoare maxim
a curentului invers I
RM
, la tensiunea V
RM
.
n cazul polarizrilor inverse exist mai multe cauze care fac ca
valoarea curentului invers msurat experimental, I
R
s fie mai mare ca
cea prezis de teorie, I
s
. n regiunea de trecere au loc fenomene de
| )
dV
dI
( =
r
V
=
V
1 -
d
FQ F
(2)
)
r
( = g
-1
d
d
(3)
33
generare a purttorilor att pe cale termic, ct i datorit cmpului
electric, care pot produce strpungerea reversibil sau ireversibil a
diodei. Curentul de saturaie crete i datorit existenei n jonciune a
unor impuriti sau defecte n structura semiconductorului.

3.Metoda trasrii punct cu punct a caracteristicii voltamperice.

Pentru a aplica aceast metod se folosesc montajele prezentate n
fig.2.

(a) (b)

Fig.2 Montaje pentru trasarea caracteristicilor la diode
semiconductoare la : (a) -polarizare direct, (b) -polarizare invers

Se vor analiza tipuri de diode cu siliciu i cu germaniu. Pentru fiecare
se determin punctele de pe caracteristica de polarizare direct folosind
montajul din fig.2a unde pentru a se putea regla fin tensiunea n
domeniul 0-1V se utilizeaz un divizor de tensiune 1:10 inclus n sursa
de tensiune stabilizat S; Curentul este msurat cu miliampermetrul
mA.
Se determin punctele de pe caracteristica de polarizare invers
utiliznd pentru msurarea curentului microampermetrul A.
Citirea tensiunilor se va face n ambele msurtori cu un voltmetru
electronic numeric care s asigure o impedan ridicat de intrare i o
precizie mare pentru valorile preluate. Rezultatele se trec ntr-un tabel
iar apoi se reprezint grafic .
+
+
- -
S
mA
VE
D
a
b
anod
catod
+
-
S
A
V D
anod
catod
LUCRRI PRACTICE
34

4. Metoda vizualizrii pe trasorul de caracteristici
(Caracteriscop)

Trasorul de caracteristici este un aparat electronic complex utilizat
pentru nregistrarea pe ecranul unui tub catodic a familiilor de
caracteristici att la diode ct i la tranzistoare. Tensiunile de polarizare
ale dispozitivelor testate, precum i curenii, sunt aplicai un timp scurt,
cu o frecven de repetiie cobort, fapt care permite determinarea unor
parametri limit fr distrugerea dispozitivului. Se pot afla curenii i
tensiunile maxime de funcionare. Diodele se msoar de obicei n
regim de impulsuri cu durata de 80-150 s la un factor de umplere mai
mic sau egal cu 1/100. Se evit astfel nclzirea jonciunii.
Caracteriscopul permite sortarea rapid a dispozitivelor electronice. Cu
ajutorul lui se poate stabili abaterea caracteristicilor electrice ale unei
componente fa de o alta considerat etalon.

5. Mod de lucru n laborator.

n cadrul lucrrilor de laborator se traseaz caracteristicile statice la
urmtoarele tipuri de diode: 1N4001, 1N4148, EFD103.
a) Se identific componentele. Se iau din catalog valorile de lucru i
valorile limit ale curentului i tensiunii pentru fiecare component. Se
identific terminalele.Diodele se monteaz prin intermediul unor
conectori miniatur pe o planet de lucru prevzut cu borne la care
pot fi conectate ferm sursa i aparatele de msur necesare n circuit.
b) Se realizeaz montajul din figura 2 a. Divizorul rezistiv R
1
,R
2
este
inclus n sursa de alimentare i se activeaz printr-un comutator
basculant de pe panoul sursei.
c) Se modific tensiunea debitat de sursa S i se msoar tensiunea pe
diod i curentul prin diod valorile obinute notndu-se ntr-un tabel de
valori. Se determin tensiunea de deschidere V
F0
. Tensiunea i
curentul nu trebuie s depeasc valorile maxime indicate n
catalog pentru dispozitivul testat. Va fi supravegheat cu atenie
regimul termic al dispozitivului.
35
Atenie ! La nceperea determinrilor se va roti spre stnga butonul
poteniometrului de reglaj al tensiunii sursei pentru a se obine
iniial tensiunea minim.

d) Se determin rezistena diferenial a diodei ntr-un punct dat al
caracteristicii statice directe (I
Q
, V
FQ
) cu ajutorul raportului:

Se calculeaz din valorile experimentale rezistena diferenial a
diodei nainte de deschidere i dup deschidere i se compar valorile
obinute.
e) Se realizeaz montajul din fig. 2b, destinat trasrii caracteristicii
inverse. Se modific tensiunea debitat de sursa S, msurndu-se
tensiunea i curentul prin diod.Valorile obinute se noteaz n tabelul
de date.
g) Se reprezint grafic caracteristicile celor dou diode folosind hrtie
milimetric sau un program adecvat pe calculator (ex. ORIGIN)
Cu ajutorul caracteriscopului se traseaz automat caracteristicile
diodelor studiate. Se compar aceste caracteristici cu cele obinute prin
trasarea punct cu punct.
Pentru a face o analiz atent i corect a diodelor trebuie n prealabil
s se delimiteze domeniul parametrilor de lucru analiznd fiele de
catalog ale dispozitivelor.

FIA TEHNIC
Caracteristici la diodele din seria 1N4000

| )
I
V
( =
r
V
=
V
F
d
FQ F
(4)
6,4mm
|=3,5mm |=0,81mm Catodmarcat
masa=0,4g
1N4001
LUCRRI PRACTICE
36

Caracteristici electrice principale:U
R
= 50...1000V, I
0
= 1A (T
amb
= 75
0
C)

Valori limit absolute (T
amb
=25
0
C) 1N4001 1N4003 1N4005 1N4007 U.M.
V
R
(T
amb
=25
0
C) 50 200 600 1000 V
V
RM
(T
amb
=25
0
C) 50 200 600 1000 V
I
0
(T
amb
= 75
0
C) 1 1 1 1 A
I
F
(T
amb
= 75
0
C) 1,15 1,15 1,15 1,15 A
I
FRM
(

T
amb
= 75
0
C) 10 10 10 10 A
I
FSM
(10ms) 30 30 30 30 A
P
D
1 W
T
stg
- 65 + 150
0
C
T
amb
- 55 +150
0
C
T
j
+150
0
C
R
thj-amb
60
0
C/
W

Caracteristici electrice Condiii de msur Max. U.M.
V
F
I
F
=1A (T
amb
=25
0
C) 1,1 V
I
R
U
R
= U
RM
(T
amb
= 25
0
C) 5 A
I
RM
U
R
= U
RM
, (T
amb
=100
0
C) 50 A

Fig.3 Caracteristica direct : a-caracteristica tipic,
b-caracteristica maxim

37

Fig.4 Puterea disipat n conducie direct P
F
, n funcie de
curentul direct mediu I
FAV

Fig.5 Curentul direct de vrf de suprasarcin accidental I
FSM
n funcie de durata impulsului de suprasarcin,t
p
LUCRRI PRACTICE
38

FIA TEHNIC
Caracteristici ale diodei 1N4148
Diod de comutaie ultrarapid cu siliciu n structur planar-
epitaxial utilizat n comutare i detecie CAPSULA DO-35

Caracteristici electrice principale :U
F
(10 mA) = 1V, U
R
=75 V, t
off
= 4 ns)

Valori limit absolute (la T
amb
= 25
0
C)- Valoarea U.M.
V
R
75 V
V
RM
100 V
I
0
75 mA
I
FRM
225 mA
I
FSM
500 mA
P
tot
250 mW
T
stg
-65+200
0
C
T
j
200
0
C

Caracteristici electrice (T
amb
= 25
0
C) Condiii de msur Max. U.M.
V
F
I
F
= 10mA 1 V
I
R
V
R
= 20V
V
R
= 75V
25
5
nA
A
V
BR
I
R
= 100A 100 V
C
tot
capacitatea total V = 0 4 pF
V
FM
tensiune direct tranzitorie I
F
= 50 mA, t
p
= 0,1 s 2,5 V
t
off
timpul de comutare invers I
F
= 10 mA, R
L
= 100 4 ns
randamentul de detecie n
tens.
R
L
= 5K, C
L
= 20pF
V
I
= 2V
eff
, f = 100 MHz
45 %

3,9mm
masa=0,14g
1N4148
DO-35
39
Diodele de comutaie se folosesc n circuitele cu funcionare n
regim de impuls. Trecerea rapid a diodei de la regimul de polarizare
direct la cel de polarizare invers poate avea loc datorit reducerii
timpului de via a purttorilor mobili de sarcin din semiconductor
prin procese tehnologice de impurificare i iradiere a
semiconductorului.
Fig.6 Curentul invers I
R
n funcie de tensiunea invers V
R

FIA TEHNIC
Caracteristicile diodei tip EFD 104
Diod cu germaniu cu contact punctiform n capsul de sticl destinat
utilizrii n circuitele de detecie pentru semnale video. Capsula DO-7

LUCRRI PRACTICE
40

Caracteristici electrice principale : V
R
= 25V ; I
0
= 30mA

Valori limit absolute (T
amb
=25
0
C) Notaia Valoarea U.M.
Tensiunea invers continu V
R
25 V
Tensiunea invers de vrf V
RM
30 V
Curentul direct continuu I
F
40 mA
Curentul direct de vrf I
FM
90 mA
Curentul de suprasarcin accidental (1s) I
FSM
500 mA
Curentul mediu redresat I
0
40 mA
Temperatura de stocare T
stg
-55+85
0
C

Caracteristici electrice Condiii de msurare Valoarea U.M.
Tensiunea direct V
F
I
F
= 6 mA 1 V
Curentul invers I
R
V
R
=10V, T
amb
= 70
0
C
V
R
=24V, T
amb
= 70
0
C
V
R
=27V, T
amb
= 70
0
C
V
R =
30V , T
amb
= 70
0
C
30
50
200
240
A
A
A
A
Randament de detecie = V
0
/V
i
x 100 34 %

Fig.7 Montaj de msur n radiofrecven (V
i
=7V
ef
,f=44MHz,
V
0
= min 2,4V)
7,1mm
masa=0,2g
inelecolorate
33K 330pF
V
i V
0
D
41

Fig.8 Caracteristica curent-tensiune la dioda EFD104

6. Diode stabilizatoare de tensiune (diode Zener)

Diodele stabilizatoare de tensiune sunt diode cu jonciuni pn de
construcie special care funcioneaz la polarizare invers, n
regiunea de strpungere cnd tensiunea la bornele lor este practic
constant la variaii mari ale curentului. Strpungerea controlat a
jonciunii apare prin efect Zener sau multiplicare n avalan a
purttorilor de sarcin. Diodele Zener actuale sunt cu siliciu i au
tensiuni de lucru cuprinse ntre 3V i 200V. Caracteristica static la
polarizare direct i la polarizare invers pn n apropierea zonei de
strpungere este identic cu a unei diode redresoare obinuite.
Strpungerea electric apare la tensiunea specificat pe diod i
conduce la apariia unor cureni importani (10
-2
- 10
-1
A). care trebuie
limitai astfel nct s nu aib loc distrugerea termic a jonciunii.n
fig.9 este prezentat o caracteristic tipic de diod Zener.

LUCRRI PRACTICE
42

Fig.9 Caracteristica tipic a unei diode Zener

Mrimi specifice diodelor Zener

- Tensiunea de stabilizare V
Z
,este specificat la un anumit curent
ce depinde de tipul diodei. Puterea disipat de diod este egal cu
produsul V
Z
I
Z
. Diodele cu tensiuni de lucru mici vor admite
cureni mari iar diodele cu tensiune stabilizat ridicat vor
permite trecerea unor cureni redui. Exemplu dioda PL 6V2Z are
V
Z
= 5,8-6,6V i I
ZM
= 100 mA, n timp ce dioda PL 180Z are V
Z

= 168 191V i I
ZM
= 5 mA ,ambele fcnd parte din aceeai
serie de diode stabilizatoare cu puterea de 1W n capsula F-126.
Fa de valoarea marcat pe diod exist dispersia specificat n
fiele de catalog pentru tensiunea de strpungere (ca n exemplele
de mai sus), la temperatura de 25
0
C. Pentru calculul valorii
43
tensiunii stabilizate n cazul nclzirii diodei la temperatura T se
utilizeaz coeficientul de temperatur al diodei ,
VZ

(5)

VZ
are valori negative de ordinul (2..6) 10
-4
/
0
C pentru diodele cu
tensiuni mai mici de (5,56) V i valori pozitive de ordinul (110)
10
-4
/
0
C pentru tensiuni mai mari de 6V. Schimbarea semnului se
datoreaz trecerii de la strpungerea prin efect Zener la strpungerea
prin multiplicare n avalan.

- Rezistena diferenial R
d
, are dou componente: rezistena
diferenial a jonciunii pentru cazul izoterm R
d j
, i rezistena
diferenial de natur termic R
dth
:

(6)

n cazul variaiilor rapide de curent componenta R
dth
,poate fi
neglijat. n foile de catalog se indic de obicei mrimea R
d
msurat
la o frecven de 1KHz.

- Curentul maxim de stabilizare I
ZM.

Valoarea acestui curent este dictat de nscrierea funcionrii
diodei ntr-un regim de echilibru la care T
j
T
jMAX
. Aa cum s-a
specificat anterior cu ct tensiunea stabilizat este mai mare cu att
curentul maxim admis este mai redus. n regim de impulsuri de scurt
durat curentul I
ZM
, poate fi depit cu condiia ca puterea medie
disipat n diod s menin condiia T
j
T
jMAX
(dioda zener este
folosit n acest mod n circuite de protecie la apariia unor vrfuri
de tensiune).

Z I
Z
T
Z
Z
Z
Z
dth dj d
dI
dT
T
U
I
U
dI
dU
R R R
(
c
c
+
(
c
c
= = + =
V
Z
(T) = V
Z
(T
0
) [1 +
VZ
(T T
0
)]
LUCRRI PRACTICE
44
- Zgomotul diodelor stabilizatoare
Diodele Zener sunt dispozitive zgomotoase deoarece au ca
mecanism de funcionare multiplicarea n avalan a
purttorilor. La creterea curentului I
Z
, tensiunea echivalent de
zgomot prezint maxime i minime, strpungerea aprnd n mai
multe puncte ale jonciunii. Pentru reducerea zgomotului propriu
diodei se evit funcionarea n regiunea de cot a caracteristicii
i se recomand untarea acesteia cu un condensator de
calitate avnd o capacitate de 10100 nF.

n cadrul lucrrii practice se studiaz cteva exemplare de
diode Zener tip PL 9V1Z. Se utilizeaz montajul pentru trasarea
caracteristicilor la diode n regim de polarizare invers (fig.11)

Fig.10 Montaj pentru trasarea caracteristicii la dioda Zener (se
nseriaz cu dioda msurat un rezistor de 68/2W cu scop de
protecie prin limitarea curentului).
FIA TEHNIC
Caracteristici la dioda PL9V1Z
- Diod stabilizatoare de tensiune cu siliciu difuzat, aliat i
+
-
V
DZ
anod
catod
mA R
E
6,4mm
masa=0,4g
PL9V1Z F-126
45
dublu difuzat pentru uz profesional n CAPSULA F-126. Rcire prin
convecie.
Caracteristici electrice (T
amb
= 25
0
C) Min. Tip. Max U.M.
V
Z
Tensiunea stabilizat 8,5 - 9,1 9,6 V
I
Z
Curentul nominal 50 mA
R
d
Rezistena diferenial 4
VZ
Coeficientul de temperatur 5,1 10
-4 0
C
-1
I
R
Curentul invers (U
R
= 3,5V) 1 A
I
ZM
Curentul maxim de stabilizare 100 mA
T
j
Temperatura maxim a jonciunii 150
0
C
T
amb
Temperatura ambiant defuncionare -50+150
0
C
T
stg
Temperatura de stocare -50+150
0
C

Fig.12 Rezistena diferenial a diodelor zener din seria PL
LUCRRI PRACTICE
46
n funcie de tensiunea stabilizat i de curentul prin diod

Etape de lucru n cadrul studiului experimental al diodei zener

1. Se vor trasa caracteristicile la polarizare invers pentru trei
exemplare de diode zener de acelai tip PL9V1Z , pn la cureni de
cca.90 mA.
2. Se va determina tensiunea de stabilizare nominal a diodei ca
fiind tensiunea msurat la curentul de 50 mA prin diod. Se vor
compara valorile obinute evideniindu-se mrimea dispersiei pentru
tensiunea stabilizat de fiecare din cele trei exemplare.
3. Se vor reprezenta caracteristicile obtinute.
4. Se vor calcula i compara rezistenele difereniale ale diodelor la
diferii cureni (1 mA, 10 mA, 20 mA, 50 mA, 80 mA) reprezentndu-
se grafic dependena rezistenei difereniale n funcie de curentul care
strbate dioda.
5. Se va aduce una din diode intr-un regim de curent invers de
cca.100 mA (care constituie curentul maxim admis de dispozitiv) i se
va observa calitativ modul n care se modific tensiunea stabilizat la
creterea temperaturii datorit disipaiei termice n dispozitiv.
6. Pentru una din diode, se va trasa caracteristica la polarizare
direct i se va compara cu caracteristica la polarizare direct a diodei
1N4001.
7. Se va calcula de pe una din caraceristicile la polarizare invers
variaia puterii disipate pe diod n funcie de curentul care o strabate
i se va reprezenta grafic aceast dependen.

Not : Pentru msurarea tensiunii pe diodele zener se va folosi un
voltmetru numeric de calitate capabil s evidenieze micile variaii de
tensiune care apar la modificarea curentului prin dispozitiv.

Dioda Semic

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dioda Semic

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

29

S-ar putea să vă placă și