UNIVERSITATEA "POLITEHNICA" DIN BUCURETI

DEPARTAMENTUL DE FIZIC
LABORATORUL DE TERMODINAMIC I FIZIC STATISTIC
BN 119

DETERMINAREA CONSTANTEI BOLTZMANN

PRIN MSURAREA CURENTULUI DE DIFUZIE
NTR-UN TRANZISTOR

2005

DETERMINAREA CONSTANTEI BOLTZMANN PRIN MSURAREA

CURENTULUI DE DIFUZIE NTR-UN TRANZISTOR
1. Scopul lucrrii
Scopul acestei lucrri este determinarea mrimii constantei Boltzmann. Pentru
determinare, se folosete dependena de anumii parametri (determinati la rindul lor de
constanta Boltzmann) a caracteristicii curent-tensiune din circuitul de colector al unui
tranzistor.
2. Teoria lucrrii
Pentru a ntelege funcionarea unui tranzistor, vom examina iniial jonciunea p-n.
O jonciune semiconductoare p-n este un ansamblu format din alipirea unui semiconductor de
tip p cu unul de tip n1 (vezi figura 1):

Fig. 1

Intre cele dou regiuni n i p, exist o diferen intre concentraiile de electroni

respectiv de goluri; corespunztor acestui gradient de concentraii va apare tendina de difuzie
a electronilor ctre regiunea Sp, respectiv a golurilor ctre regiunea Sn (vezi figura 1).
Simultan cu acest proces, au loc fenomene de recombinare, adic de anihilare a perechilor
electron-gol, in urma carora sarcina spatiala se modifica prin ionizare. Ca urmare, la contactul
celor dou regiuni semiconductoare, apare pe o lungime l 10-4 cm, un cmp electric de
baraj care mpiedic difuzia ulterioar de purttori. Zona de lungime l se numete strat (sau
zon) de baraj. Electronii difuzai din Sn ctre Sp, vor fi minoritari n noua regiune fa de
goluri; corepunztor, n regiunea Sp, golurile vor reprezenta purttorii majoritari iar
electronii, purttorii minoritari. Invers, n regiunea Sn, electronii vor fi purttori majoritari iar
golurile, purttori minoritari.
O jonciune poate fi polarizat n sens direct (polul pozitiv al sursei este aplicat pe
regiunea Sp iar cel negativ pe regiunea Sn) sau n sens invers dac polaritatea sursei este
1

Semiconductorii de tip n sau p reprezinta semiconductori dopati cu impuritati n mod controlat. In

semiconductorii de tip n, impuritatile sunt donoare iar conductia este mediata de electroni; n cei de tip p,
impuritatile sunt acceptoare iar conductia este mediata de goluri.
1

schimbat (vezi figura 2). In primul caz apare un cmp electric exterior opus cmpului Eb,
usurind difuzia electronilor si mentinind astfel un curent semnificativ prin zona jonctiunii;
corespunztor, cmpul electric total va scdea uurnd deplasarea purttorilor. Similar, la
polarizarea invers cmpul electric total (de acelai sens cu cel de baraj) va crete,
mpiedicnd deplasarea purttorilor.
Se poate arta c n anumite condiii indeplinite la majoritatea semiconducto rilor,
intensitatea curentului prin jonciune va crete exponenial cu tensiunea direct aplicat. La
polarizarea invers curentul va scdea n prim faz exponenial, atingnd o valoare de
saturaie extrem de redus.

Fig. 2

Fig. 3

Prin montarea a dou jonciuni semiconductoare n opoziie, se obine un tranzistor

(figura 3). Dac cele trei regiuni semiconductoare sunt succesiv de tip n-p-n, tranzistorul este
de tip npn (secvena p-n-p genereaz un tranzistor de tip pnp). Cele trei regiuni se numesc
corespunztor emitor,baz, colector. Prima jonciune (realizat la contactul baz-emitor) este
polarizat n sens direct i se numete jonciune baz-emitor. A doua jonciune (la contactul
baz-colector) este polarizat invers i se numete jonciune baz-colector.
In urma polarizrii directe a emitorului, n circuit apare un curent proporional cu
tensiunea U aplicat. Purttorii generai vor trece prin baz, din emitor n colector (fr pierderi
substaniale, deoarece baza este foarte subire i deci recombinarea n ea este neglijabil).
Electronii injectai din emitor, vor genera deci n colector un curent de difuzie dat de:

-19

e0 U
I = I 0 e k T

(1)

unde e0 = 1,610 C este sarcina electronului, I0 valoarea curentului de saturaie la polarizare

invers, T temperatura absolut(n Kelvin) iar k este constanta Boltzmann. Logaritmnd
relaia de mai sus, obinem:
e U
ln I = ln I 0 + 0
(2)
k T
e
Se observ c dependena dintre lnI i U este o dreapt de pant m = 0 . Rezult c
k T
determinnd panta m, putem calcula imediat constanta Boltzmann pe baza relaiei:
e
k= 0
(3)
m T
3. Descrierea instalaiei experimentale
2

Dispozitivul experimental cuprinde un tranzistor de tip npn (model BC171) introdus

ntr-un cuptor electric C (figura 4). Cuptorul este alimentat de la sursa de tensiune continu
S1 prin intermediul poteniometrului P1.

Fig. 4

Fig. 5

Temperatura este nregistrat de un termometru Tm, introdus n cuptorul C.

Sursa de curent continuu S2, polarizeaz direct jonciunea emitor-baz a tranzistorului
T prin intermediul rezistenei R = 1,1 k (figura 5). Tensiunea U dintre emitor i baz, este
msurat de un voltmetru V de curent continuu (UNIMET) iar curentul de colector este
msurat de un miliampermetru mA de curent continuu (MAVO-35) .
4.Modul de lucru
a) Pentru nceput se fac determinri la temperatura camerei (sursa S1 deconectat).
Cu poteniometrul P1 fixat la minim, se alimenteaz sursa S2 de la reeaua de 220 V
c.a.Pornirea sursei se face prin rotirea comutatorului notat cu < Up.
b) Se fixeaz domeniile de msurare ale voltmetrului (scala de 1 V c.c.) i ale
miliampermetrului (scala 5mA c.c.). Se citete temperatura camerei T0 la termometrul Tm.
c) Se variaz tensiunea U cu ajutorul poteniometrului sursei (notat cu U), n trepte
de cte 0,02 V, ncepnd cu tensiunea de deschidere a jonciunii (aproximativ 0,30 V), pn la
0,40 V. (Citirea tensiunii U se va face pe voltmetrul UNIMET i nu pe voltmetrul sursei S2).
d) Simultan cu valorile tensiunii se citesc valorile corespunztoare ale curentului de
colector; datele obinute se trec n tabelul de mai jos:

U (V)

I (A)

lnI

e) Se pune n funciune redresorul S1 i se fixeaz poteniometrul P1 pe o poziie

oarecare. Se ateapt stabilizarea temperaturii un interval de cteva minute. Se repet
determinrile de la punctele c) i d) pentru nc dou valori diferite ale temperaturii T1 i T2,
citite la termometrul Tm.
5. Indicaii pentru prelucrarea datelor experimentale
a) Se traseaz printre puncte, dreptele lnI = f(U); dreptele vor fi trasate cu simboluri
diferite, pentru cele trei temperaturi T0, T1 i T2, pe acelai grafic.
b) Se calculeaz pantele celor trei drepte.
c) Din relaia (3) se determin valorile constantei Boltzmann pentru cele trei
temperaturi; se face media valorilor obinute.
6. Intrebari
3

1) Indicati influenta cresterii temperaturii asupra curentilor de difuzie dintr-o jonctiune

p-n, in absenta unei polarizari exterioare.
2) Indicati motivul pentru care curentul de difuzie din zona jonctiunii baza-emitor a
unui tranzistor poate fi masurat in circuitul colectorului.
3) Indicati influenta temperaturii exterioare asupra curentului de difuzie din zona
jonctiunii baza-emitor, masurat in circuitul colectorului.
4) Indicati influenta tensiunii baza-emitor asupra curentului de difuzie din zona
jonctiunii baza-emitor, masurat in circuitul colectorului.