Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
3.2.1 OBIECTIVE
Caracteristicile tranzistorului MOS;
Circuitul echivalent de semnal mic i joas frecven;
Amplificarea tranzistorului MOS.
tensiune de poart` VG VT .
Ca urmare a aplic`rii pe poart` a unei tensiuni pozitive, [n cazul unui
tranzistor cu canal n, electronii din substrat sunt atra]i c`tre suprafa\a
semiconductorului. Pentru VG VT la suprafa\a semiconductorului apare un strat de
inversie (canal) ce se [ntinde de la surs` la dren`.
Drena, canalul ]i sursa sunt izolate fa\` de substrat prin regiunea golit` ce
apare sub acestea. {n aceste condi\ii, curentul de dren` ( I D ) va circula de la surs`
la dren` numai prin canal.
Tensiunea de prag (V T ) este parametrul MOS ce marcheaz` limita
[ntre blocare ]i conduc\ie. La tranzistorul MOS cu dou` por\i tensiunea de prag
este controlat` de tensiunea aplicat` pe substrat:
VT 0
VT V )
BS
(
(3.1)
p-MOS
VGS VT 0
VGS VT 0
Cvasiliniar` (Triod`)
Activ` (Satura\ie)
V DS VGS VT
2
V DS
I D k VGS VT V DS
V DS VGS VT
ID
k
VGS VT
2
2 1 VDS
W
L
k'
W
L
(3.2)
Cox
(a)
(b)
Fig. 3.4 Caracteristicile MOS: (a) de ieire; (b) de transfer iD ( vGS ) .