Facultatea de Electronic i Telecomunicaii

Universitatea Tehnic Gheorghe Asachi, Iai

Proiect de diplom

Coordonator tiinific

Realizat de student

Conf. Dr. Ing. Neculai Cojan

Arcadie Cracan

- Iai, 2008 -

Tem:
Filtru Gm-C trece-jos cu
acord automat

Nume
proiect
Tip
Ordin
Frecvena
de tiere
Riplu n
banda de
trecere
Precizia
frecvenei
Nivel de
distorsiuni
pentru
Vin=500mV
pp la
f=0.5MHz
Putere
consumat
Arie
consumat

Filtru trece-jos
Cebev I
5
1Mhz
0,5dB
10%

1%

redus
redus

Cuprins
1.Filtre Cebev.................................................................................................................................................6
1.1.Filtre Cebev de tip I.............................................................................................................................6
1.1.1.Poli i zerouri.................................................................................................................................7
1.1.2.Funcia de transfer........................................................................................................................8
1.1.3.ntrzierea de grup.........................................................................................................................8
1.2.Filtre Cebev de tip II............................................................................................................................9
1.2.1.Poli i zerouri...............................................................................................................................10
1.2.2.Funcia de transfer......................................................................................................................10
1.2.3.ntrzierea de grup.......................................................................................................................11
1.3.Implementare......................................................................................................................................11
1.3.1.Topologie Cauer...........................................................................................................................11
1.4.Comparaie cu alte tipuri de filtre.......................................................................................................12
2.Proiectarea filtrelor analogice n timp continuu integrate...........................................................................13
2.1.Introducere..........................................................................................................................................13
2.2.Filtre Gm-C...........................................................................................................................................14
2.3.Filtre Gm-C Op Amp.............................................................................................................................20
2.4.Filtre MOSFET-C...................................................................................................................................22
2.5.Alte tehnici..........................................................................................................................................25
2.6.Problema gamei dinamice...................................................................................................................26
2.7.Acordul automat..................................................................................................................................27
2.8.Concluzii..............................................................................................................................................28
3.Proiectarea Top-Down a unui Filtru Gm-C Trece-jos cu Circuit de Acord Automat al Frecvenei................29
3.1.Introducere..........................................................................................................................................29
3.2.Proiectarea Bottom-Up versus Top-Down...........................................................................................29
3.3.Rolul Limbajului Verilog-A....................................................................................................................30
3.4.Proiectarea Filtrului.............................................................................................................................31
3.4.1.Modelul ideal al filtrului..............................................................................................................31
3.4.2.Modelul filtrului cu distorsiuni.....................................................................................................33
3.4.3.Modelul filtrului care include variabilitatea frecvenei................................................................36
3.4.4.Implementarea filtrului cu cascad de seciuni...........................................................................39
3.4.5.Modelul ideal al transconductorului............................................................................................41

3.4.6.Implementarea transconductorului.............................................................................................42
3.4.7.Proiectarea AO din transconductor.............................................................................................47
3.4.8.Compensarea AO-ului..................................................................................................................48
3.4.9.Circuitul de acord automat al frecvenei de tiere a filtrului.......................................................48
3.4.10.Perfomanele simulate ale transconductorului.........................................................................50
3.4.11.Circuitul de acord automat al frecvenei de tiere a filtrului.....................................................50
3.4.12.Simularea circuitului de acord automat.....................................................................................51
3.4.13.Simularea filtrului......................................................................................................................54
3.4.14.Concluzii....................................................................................................................................54
4.Bibliografie...................................................................................................................................................57

1. Filtre Cebev
Filtrele Cebev snt filtre analogice sau digitale care au o pant de scdere mai abrupt dar i un riplu mai
mare n banda de trecere (tip I) sau n banda de blocare (tip II) dect filtrele Butterworth. Filtrele Cebev au
proprietatea c ele minimizeaz eroarea dintre caracteristica ideal i cea implementat n tot domeniul
filtrului dar cu riplu n banda de trecere. Acest tip de filtru poart numele lui Pafnutie Cebev pentru c
proprietile lor matematice deriv din polinoamele Cebev.
Datorit riplului inerent n banda de trecere a filtrelor Cebev se prefer n unele aplicaii filtre care au un
rspuns mai neted n banda de trecere dar un rspuns mai neregulat n banda de blocare.

1.1. Filtre Cebev de tip I

Acest tip de filtre este cel mai uzual. Ctigul (sau amplitudinea) rspunsului ca funcie de pulsaia a unui
filtru trece-jos de ordin n este
Gn =Hn j = 1 T1 /
2

2
n

(1.1)

unde este factorul de riplu, 0 este frecvena de tiere, iar T n este un polinom Cebev de ordin n.
Banda de trecere prezint comportare de echiriplu, cu riplul determinat de factorul de riplu . n banda de
trecere polinoamele Cebev alterneaz ntre 0 i 1 astfel nct ctigul filtrului va alterna ntre un maxim
2
G =1 i un minim G=1/12 . La frecvena de tiere 0 ctigul are din nou valoarea 1/1 dar
continu s scad spre banda de blocare cu creterea frecvenei. Acest comportament este prezentat n
graficul de mai jos:

Figura 1.1 - Rspunsul n frecven a unui filtru Cebev

trece-jos de ordin 4 de tip I cu =1 .

Definiia uzual a frecvenei de -3dB nu se aplic filtrelor Cebev.

Ordinul filtrului este egal cu numrul de componente reactive necesare pentru realizarea filtrului.
Riplul este adeseori dat n dB:
Riplu n dB=20 log10

1
1 2

astfel c unui riplu de 3dB i corespunde =1 .

Un rspuns i mai abrupt poate fi obinut dac noi permitem riplu n banda de blocare, permind zerouri pe
axa j n planul complex. Totui prin aceasta se obine o atenuare mai mic n banda de blocare. Rezultatul
poart numele de filtru eliptic, cunoscut de asemenea sub numele de filtru Cauer.

1.1.1. Poli i zerouri

Pentru simplitate vom presupune c frecvena de tiere este egal cu unitatea. Polii ( pm ) ctigului snt
zerouri ale numitorului. Utiliznd frecvena complex s se obine:
2

(1.2)

1 T n js =0
Definind js=cos i utiliznd definiia trigonometric a polinoamelor Cebev rezult:
2

(1.3)

1 T n cos =1 cos n =0
rezolvnd pentru se obine:

1
j
m
= arccos

n
n

(1.4)

unde valorile multiple ale funciei arccos snt fcute explicite prin utilizarea indicelui m. Polii funciei ctig
Cebev snt deci:
s pm= j cos = j cos

1
j
m
arccos

n
n

(1.5)

Folosind proprietile funciilor trigonometrice i hiperbolice acetia pot fi scrii n form complex
explicit:
s pm=sinh

unde m=1,2, ,n i m=

1
1
arsinh

sinhm j cosh

1
1
arsinh

coshm

(1.6)

2m1
.
2
n

Aceasta poate fi privit ca o ecuaie parametric n n i ea demonstreaz c polii se gsesc pe o elips n

spaiul s centrat n origine cu semi-axa real de lungime sinharsinh 1/ / n i cu semi-axa imaginar de
lungime cosharsinh 1/ / n .

Figura 1.2 - Constelaia de poli pentru un filtru Cebev

de ordin 8 de tip I. Punctele albe reprezint polii.

1.1.2. Funcia de transfer

Expresia anterioar d polii funciei ctig. Pentru fiecare pol complex exist complex-conjugatul su, iar
pentru fiecare pereche de poli complex-conjugai exist o pereche de poli opui acestora. Funcia de
transfer trebuie s fie stabil i din aceast cauz polii si vor fi aceia ai ctigului care au parte real
negativ (se gsesc n semi-planul stng). Funcia de transfer este aadar dat de:
n1

H s =
m=0

1
sspm

(1.7)

unde s pm snt doar acei poli care au parte real negativ din ecuaia anterioar care determin polii.
Pentru a obine un ctig 1 la =0 (aa cum este artat n figur) funcia de transfer H s trebuie
normat cu o constant.

1.1.3. ntrzierea de grup

ntrzierea de grup este definit ca derivata fazei n raport cu pulsaia i este o msur a distorsiunii
semnalului datorat diferenelor de faz pentru frecvene diferite ale semnalelor.
g =

d
arg H j
d

(1.8)

Ctigul i ntrzierea de grup pentru un filtru Cebev de ordin 5 cu =0,5 snt reprezentate n graficul
alturat. Se poate vedea c exist riplu al ctigului i al ntrzierii de grup n banda de trecere dar nu i n
banda de blocare.

Figura 1.3 - Ctigul i ntrzierea de grup pentru un filtru

Cebev de ordin 5 de tip I cu =0,5 .

1.2. Filtre Cebev de tip II

Cunoscute de asemenea i ca filtre Cebev inverse, acest tip de filtre este mai puin uzual deoarece are o
scdere mai puin abrupt ca tipul I i necesit mai multe componente. El nu are riplu n banda de trecere
dar are echiriplu n banda de blocare. Ctigul este dat de:
G n , 0=

1
T 0 /
2

(1.9)

2
n

1
n banda de blocare polinomul Cebev va oscila ntre 0 i 1 astfel nct i ctigul va oscila ntre 0 i

1
2

iar cea mai mic frecven pentru care acest maxim este atins este 0 . Parametrul este deci legat de
atenuarea n banda de blocare n decibeli prin relaia:
=

10

0,1

Pentru o atenuare de 5dB, =0,6801 ; pentru o atenuare de 10dB, =0,3333 .

Figura 1.4 - Rspunsul n frecven a unui filtru Cebev

trece-jos de ordin 5 de tip II cu =0,01 .

(1.10)

1.2.1. Poli i zerouri

Figura 1.5 - Constelaia de poli i zerouri pentru un filtru Cebev

de ordin 8 de tip II. Punctele albe reprezint polii, cele negre zerourile.

Presupunnd din nou c frecvena de tiere este egal cu unitatea, polii ( pm ) ctigului filtrului Cebev vor
fi zerouri ale numitorului:
2

(1.11)

1 T n 1/ j s pm =0

Polii ctigului filtrului Cebev de tip II vor fi inverii polilor filtrului de tip I:

sinh j cosh 1n arsinh 1 cosh

1
1
1
=sinh arsinh

n
s pm

(1.12)

unde m=1,2, ,n . Zerourile ( zm ) filtrului Cebev de tip II vor fi zerourile numrtorului ctigului:
2

(1.13)

T n 1/ j s zm =0
Zerourile filtrului Cebev de tip II vor fi deci inversele zerourilor polinomului Cebev.
1/ s zm= j cos

2m1
2
n

(1.14)

unde m=1,2, ,n .

1.2.2. Funcia de transfer

Funcia de transfer va fi dat de polii din semi-planul stng ai funciei ctig i va avea aceleai zerouri, doar
c aceste zerouri vor fi simple i nu duble.

10

1.2.3. ntrzierea de grup

Ctigul i ntrzierea de grup snt reprezentate n graficul de mai jos cu =0,1 . Se poate vedea c exist
riplu al ctigului n banda de blocare dar nu i n banda de trecere.

Figura 1.6 - Ctigul i ntrzierea de grup pentru un filtru

Cebev de ordin 5 de tip II cu =0,1 .

1.3. Implementare
1.3.1. Topologie Cauer
Un prototip pasiv de filtru Cebev trece-jos poate fi realizat utiliznd o topologie Cauer. Valorile
capacitilor i inductanelor pentru un filtru Cebev de ordin n se pot calcula dup formulele:
G 1=

2A 1 cosh f H
Y

(1.15)

4A A cosh f H
G k = k1 k
,k =2,3, , n
Bk1 Gk1

(1.16)

G 1, G k snt valori de capaciti sau inductane.

f H , frecvena de 3dB este calculat cu f H = f C cosh

1
1
arcosh
.

Coeficienii A ,Y , , Ak i B k pot fi calculai cu ajutorul formulelor:

Y =sinh

2n

=lncothRdB /17,37

Ak =sin

2k1
, k =1,2, ,n
2n

11

(1.17)

(1.18)

(1.19)

B k =Y 2sin2

k
,k =1,2, , n
n

(1.20)

Unde R dB reprezint riplul n decibeli din banda de trecere.

Valorile G k calculate pot fi apoi transformate n condensatoare paralel i bobine serie aa cum este artat
n figur, sau pot fi transformate n condensatoare serie i bobine paralel.
L2

C1

L4

Ln1

C3

Cn

Figura 1.7 - Prototipul pasiv implementat n topologie Cauer

Circuitul rezultat este un filtru trece-jos normat. Utiliznd transformri de frecven i scalri de impedan
se pot obine filtre de orice tip i cu orice frecven de tiere sau band.

1.4. Comparaie cu alte tipuri de filtre

Aici se prezint o figur cu filtrele Cebev alturi de alte tipuri de filtre uzuale, obinute cu un acelai ordin
de complexitate.

Figura 1.8 - Comparaie ntre tipuri uzuale de filtre.

Dup cum se poate observa din grafic filtrele Cebev snt mai abrupte dect filtrele Butterworth, ns nu la
fel de abrupte ca cele eliptice. Totui, spre deosebire de cele eliptice, filtrele Cebev au riplu mai mic n
band.

12

2. Proiectarea filtrelor analogice n timp continuu integrate

2.1. Introducere
Exist aplicaii n care acest tip de filtre prezint avantaje clare n comparaie cu filtrele cu capaciti
comutate i cu filtrele digitale (ambele n timp discret). Ca i n cazul celorlalte circuite care implementeaz
funcii de interes, filtrele analogice n timp continuu (Continuous Time = CT) nu reprezint un ctigtor n
orice situaie n care o filtrare este necesar. Astzi locul filtrelor CT integrate este destul de bine stabilit ca
i acceptarea i necesitatea lor n unele situaii n mediul industrial.
Una dintre aplicaiile filtrelor CT o reprezint procesarea direct a semnalelor, n special pentru aplicaii cu
gam dinamic medie, n cazuri n care este necesar o vitez mare de operare i/sau o putere mic
disipat. De fapt filtrele CT pot unerori fi singura alternativ datorit problemei ptrunderii semnalului de
ceas n cazul filtrelor cu capaciti comutate, iar filtrele digitale pot fi mari consumatoare de putere.
Un bun exemplu de aplicaie potrivit pentru filtrele CT n procesarea direct a semnalelor este
implementarea canalului de citire pentru hard-disk-uri, n care, n pofida necesitii de programabilitate,
specificaiile pentru vitez i consum snt cele care ne conduc la aceast opiune. Aceast aplicaie a i fost
de fapt cea care a condus la acceptarea pe scar larg a filtrelor CT n mediul industrial. Alte aplicaii pentru
procesarea n timp continuu direct a semnalelor include legturi de date de mare vitez, filtre de bucl
pentru circuite PLL, telefonie, sisteme de comunicaii fr fir, etc.
Filtrele CT pot fi folosite i ca filtre anti-aliasing, nainte ca semnalele s fie eantionate pentru a fi apoi
supuse conversiei A/D (sau pentru a fi procesate de un procesor de semnale n timp discret). Ele pot fi de
asemenea folosite pentru a netezi rspunsul convertoarelor D/A (i a procesoarelor de semnale n timp
discret). Astfel de aplicaii includ filtrare anti-aliasing pentru sisteme audio digitale ca i pentru sisteme de
TV digital.
Este clar din discuia anterioar c filtrele CT snt potrivite pentru o gam larg de aplicaii. Pe de alt parte
exist aplicaii n care utilizarea filtrelor CT integrate, dei necesar, nu este rentabil din punct de vedere
economic. De exemplu n cazul filtrelor de frecven intermediar din receptoare (455 kHz pentru AM i
10,7 Mhz pentru FM) ncercrile repetate de a realiza filtre CT integrate s-au lovit de limitele fizice
fundamentale impuse de tehnologie, iar specificaiile de gam dinamic au condus la un consum excesiv i
o arie mare pentru a combate zgomotul. n astfel de cazuri o soluie cu componente discrete este mai
ieftin; pentru unele aplicaii n electronica de consum unele companii evit folosirea filtrelor CT integrate
dac aria acestora depete 0,1mm2 pe pol. Dac un receptor trebuie s fie integrat o soluie arhitectural
poate s relaxeze cerinele pentru filtru.
O gam dinamic mare pentru filtrele CT integrate devine o problem nu doar datorit zgomotului
aleatoriu, inerent dispozitivelor, dar i datorit interferenelor cu circuitele digitale de pe acelai chip.
Ambele probleme devin pregnante n proiectele care au nevoie de un factor de calitate Q mare i o
tensiune de alimentare mic. Pentru a depi aceste probleme este nevoie ca circuitele s fie capabile s
prelucreze semnale mari i prin urmare numeroase tehnici de liniarizare a elementelor active implicate au
fost dezvoltate. Pentru a combate interferena cu circuitele digitale se folosesc topologii simetrice. Unele
dintre acestea ofer deseori avantajul de a genera mai puine interferene i crosstalk prin liniile de
alimentare i mas deoarece curenii lor de alimentare snt relativ independeni de semnal. Topologiile
simetrice ajut de asemenea i la liniarizarea circuitelor, aa cum se va vedea n continuare.
O alt problem serioas cu care se confrunt proiectanii de circuite integrate n general i cei ai filtrelor
CT integrate n particular o reprezint variaia valorilor elementelor datorit toleranelor procesului de
fabricare, datorit variaiei temperaturii, datorit mbtrnirii, etc. Dac frecvenele critice ale unui filtru CT
ar fi lsate de la sine, fr a aplica o tehnic de reglare, pot varia chiar cu un factor de pn la 3-4. Prin
urmare s-au dezvoltat tehnici de reglare automat a frecvenei prin care elementele snt reglate variind
13

tensiunile sau curenii lor de polarizare.

Este aproape imposibil s vorbim astzi de un filtru CT tipic. Frecvenele de operare variaz de la civa
hertzi (pentru filtrele de bucl) pn la cteva zeci de megahertzi (pentru canalele de citire de pe disk), cu
toate c exist o tendin pentru partea superioar a acestui domeniu. De asemenea, cu toate c filtrele CT
snt destinate aplicaiilor cu cerine de gam dinamic medie (40-70dB), chiar i valori de 95dB au fost
atinse de filtre pentru netezire n aplicaii audio digitale. Consumul de putere variaz de la civa microwatti pentru filtre de joas-frecven optimizate cu grij pn la sute de miliwatt-i pentru unele filtre pentru
canalele de citire a disk-urilor.
Curent exist dou strategii de sintez a topologiei filtrului CT. n una se folosete o cascad de seciuni de
ordinul doi (biquads), fiecare seciune implementnd o pereche de poli (i, dac se dorete, i o pereche
de zerouri) ai funciei de transfer. A doua este mai complicat, dar poate s produc o topologie mai puin
sensibil la variaiile valorilor elementelor. Ea ncepe cu alegerea unui prototip pasiv LC n scar potrivit
(folosind tehnici clasice de analiz, tabele, programe) i l transform ntr-un circuit activ care nu folosete
bobine. O metod de a obine circuitul final este de a scrie ecuaiile care descriu circuitul pasiv i de a
construi un circuit activ care satisface aceste ecuaii. Alt metod este de a menine topologia n scar LC,
dar de a nlocui fiecare bobin cu un circuit activ alctuit dintr-un girator i un condensator, astfel
obinndu-se un comportament inductiv.
Aproape toate filtrele CT integrate proiectate cu ajutorul strategiilor anterioare folosesc ca bloc elementar
integratorul.

Figura 2.1 - Un filtru de ordinul doi numai poli implementat cu integratoare

Un exemplu o topologie a unui filtru de ordinul doi des folosit este artat n figura de mai sus. Un
integrator prezint n mod ideal un rspuns n frecven reprezentat cu linie ntrerupt n figura 2.2. n
practic rspunsul se abate de la cel ideal la joas frecven datorit ctigului finit al elementului activ, iar
la nalt frecven datorit polilor i zerourilor parazite. Aceasta este ilustrat cu linie continu n figura 2.2.
n funcie de implementarea integratorului se deosebesc trei tipuri principale de filtre CT. n continuare se
vor discuta aceste tipuri. Vom ncepe cu filtrele bazate pe integratoare cu transconductori i
condensatoare.

2.2. Filtre Gm-C

Filtrele G m C au fost folosite comercial destul de devreme folosind tehnologia bipolar. Elementul de baz
a unui filtru G m C este un integrator care conine un transconductor i un condensator sau o pereche de
condensatoare, aa cum este artat n figura 2.1 (a). Transconductorul furnizeaz n ieire cureni de
valoare i O=G m2v I . Conectarea condensatoarelor ca n figura 2.1 (b) evit capacitatea parazit datorat
efectului de armrtur inferioar (back-plate) i poate fi folosit pentru a compensa bucla de mod comun;
totui pentru aceleai valori pentru G m capacitatea total necesar este de patru ori mai mare dect cea din
cazul (a). Frecvena de ctig unitar ( 0 n figura 2.2) a fiecrui integrator este:

14

0 =

A DC

Gm

(2.1)

ADC
0

Ctigul
integratorului

Ideal
Faza
integratorului

90

180

Figura 2.2 - Ctigul i faza integratorului neinversor. Rspunsul ideal este

reprezentat n linie ntrerupt. Rspunsul real este reprezentat n linie continu
i arat efectele ctigului finit i polului parazit de nalt frecven.

Un transconductor este o surs de curent controlat n tensiune pentru care se cere s prelucreze liniar
semnale mari i a crei transconductan este o valoare de prim importan deoarece frecvena de ctig
unitar a integratorului este proporional cu aceasta. Aadar un transconductor este destul de diferit de un
OTA (operational transconductance amplifier=amplificator operaional transconductan) care este practic
un amplificator operaional cruia i lipsete etajul de ieire de joas impedan, funcionnd n mod ideal
cu scurt-circuit virtual la intrare (adic cu semnale foarte mici pe intrare) i a crui transconductan este
irelevant att timp ct ctigul su n tensiune este mare. Prin urmare se va evita folosirea termenului filtre
OTA-C care este uneori folosit pentru filtrele G m C . Un exemplu de filtru G m C de ordinul doi este
artat n figura 2.4. El ofer att ieire trece-jos ct i trece-band pentru aceeai intrare.
v +I

iO
Gm

C
iO

v -O
v

v +I

+
O

Gm

(a)

2C
v -O
v +O
2C

(b)
Figura 2.3 - Dou versiuni ale integratorului G mC . n ambele situaii i O=G m2v I .

Pentru proiectarea aa-numitelor filtre girator-C se pot implementa giratoare ca dou transconductoare
conectate ntr-o bucl. Se poate arta c un condensator C 1 conectat la un port al giratorului este vzut ca
15

o bobin la cellalt port. Conectnd un condensator C 2 la ultimul se obine un comportament de tip circuit
LC paralel. n acest moment putem privi ntreaga structur ca dou integratoare conectate ntr-o bucl; din
acest motiv filtrele G m C pot include circuitele girator-C fr ca acestea s fie considerate o categorie
aparte.

vI

v BP

v LP

Figura 2.4 - Un filtru G mC de ordin doi.

Transconductoarele (sau alte elemente active) utilizate n filtre trebuie s fie liniare n gama de variaie
prevzut a semnalului. Dac nu se ntmpl aa vor aprea dou probleme. Pentru a vedea acest lucru s
considerm un transconductor la intrarea cruia se aplic un semnal sinusoidal. Dac transconductorul nu
este liniar curentul su de ieire nu va fi sinusoidal, dar rspunsul su n regim permanent va fi periodic i
aadar poate fi exprimat printr-o serie Fourier. Termenii de ordin mare ai acestei serii vor produce
distorsiuni armonice (sau, dac snt prezente mai multe semnale de intrare, distorsiuni de intermodulaie),
ceea ce este evident. Totui, o problem suplimentar, mai rar menionat, va fi c fundamentala,
presupus proporional cu semnalul de intrare, va conine de fapt o constant de proporionalitate care
va depinde de caracteristicile neliniaritii dar i de amplitudinea semnalului de intrare. Prin urmare
frecvena de ctig unitar efectiv 0 din ecuaia (2.2) devine dependent de semnal i variaz de la
integrator la integrator n cadrul aceluiai filtru. Aceasta produce dereglri i distorsiuni n forma
rspunsului n frecven a filtrului.

V Q v I

V Q vC

V Q vI

V Q v I

V Q v I

IC

(a)

IC

(b)

Figura 2.5 - Exemple de transconductoare liniarizate n tehnologie MOS.

De-a lungul anilor schemele au evoluat n ncercarea de a crete liniaritatea transconductoarelor. Exemple
folosind tehnologia CMOS snt artate n figura 2.5; V Q este o tensiune de punct static, iar v C i I C
reprezint tensiunea i curentul de control utilizate n reglarea automat. Exemple de transconductoare n
tehnologie bipolar snt prezentate n figura 2.6. Rezistena finit de intrare a tranzistoarelor poate fi
crescut utiliznd un simplu etaj tampon format dintr-un repetor pe emitor; el poate fi utilizat de asemenea
pentru deplasarea nivelului; rspunsul n frecven a transconductorului este puin afectat de introducerea
acestui etaj. Transconductoarele bipolare ofer un domeniu mare de reglare a transconductanei (cteva
ordine de mrime) deoarece curentul de colector poate fi variat mult fr ca tensiunea baz-emitor s se
16

modifice semnificativ; aceasta ofer, de fapt, posibilitatea funcionrii la tensiuni reduse de alimentare. n
contrast cu acesta, transconductorul bazat pe tranzistoare MOS poate fi reglat prin modificarea tensiunilor
de polarizare (direct sau prin modificarea curenilor de polarizare) semnificativ, astfel c se poate ajunge
rapid la limitele impuse de sursele de alimentare; aadar transconductoarele MOS au un domeniu de
reglare limitat (practic doar ct pentru a elimina efectul toleranei elementelor i a variaiei temperaturii) i
snt mult mai dificil de implementat n condiii de tensiuni de alimentare reduse. Un exemplu de
transconductor BiCMOS este artat n figura 2.7; acesta poate fi proiectat s funcioneze n band larg dar
are un domeniu de reglare redus, ca i transconductoarele CMOS. Totui, n tehnologia BiCMOS exist
opiunea de a utiliza tranzistoare bipolare pentru a fixa transconductana (ca n exemplele din figura 2.6)
astfel c problema reglrii dispare.

+ vI

- vI
4x

2x

4x

IC

IC

2x

IC

(b)

(a)

Figura 2.6 - Exemple de transconductoare liniarizate n tehnologie bipolar.

+ vI

- vI

vC

Figura 2.7 - Un transconductor liniarizat n tehnologie BiCMOS

Circuitele din figurile 2.5-2.7 prezint doar etajul de intrare a transconductorului. Drenele sau colectoarele
trebuie conectate la circuite care ofer o cale pentru curenii de polarizare i care stabilesc tensiunea de
mod comun din ieire. Aceasta poate fi fcut aa cum este artat n figura 2.8 (a), unde surse de curent snt
utilizate ntr-o bucl de reacia negativ pe mod comun. Astfel de circuite de control al modului comun pot
uneori s deterioreze liniaritatea i rspunsul la nalt frecven, iar n unele cazuri s aib un consum mare
de putere i arie. Bucla de control a modului comun poate fi eliminat prin utilizarea sarcinilor rezistive care
au o cdere de tensiune de punct static bine definit. Pentru a realiza o conductan de sarcin relativ
redus se poate utiliza un circuit cu conductan negativ pus n paralel cu sarcina rezistiv, aa cum este
artat n figura 2.8 (b). Ctigul de joas-frecven obinut n acest mod este limitat la cteva sute daca este
s fie previzibil; aceasta este suficient pentru anumite aplicaii.

17

V CC

V DD
RL

RL
-R

C.M. level
detector

Gm

Gm

(a)

(b)

Figura 2.8 - Metode de a impune tensiunea de mod comun din ieirea transconductoarelor.
(a) Cu detecia nivelului de mod comun din ieire i reacie pe mod comun,
(b) cu sarcini rezistive i rezisten negativ pentru mbuntirea ctigului.

Transconductoarele dintr-un filtru G m C , ca cel din figura 2.4 nu trebuie s comande rezistene i deci nu
au nevoie de etaje de ieire de impedan joas (n opoziie cu amplificatoarele operaionale uzuale). Ele
pot astfel fi proiectate pentru funcionare de band larg.

C/2
Gm
C/2

Figura 2.9 - O metod de simetrizare a ieirii unui integrator G mC cu

condensator flotant. Capacitile parazite ale armturilor inferioare snt
reprezentate punctat.

Problema principal n proiectarea filtrelor G m C de nalt frecven ine de capacitile parazite. Acestea
apar n paralel cu capacitile integratorului i conin capaciti parazite pe armtura superioar (i uneori i
cea inferioar), capaciti ale traseelor, capacitile de intrare n etajul urmtor (care pot include un termen
semnificativ de tip Miller n unele circuite) i capacitile proprii de ieire a transconductorului, care includ
capaciti de jonciune. Pentru a depi aceste probleme s-au dezvoltat mai multe tehnici. De exemplu n
cazul integratorului din figura 2.3 (a) condensatorul poate fi mprit n dou pri, conectate n paralel dar
de polaritate opus, astfel c jumtate din capacitatea parazit apare la fiecare nod de ieire (figura 2.9). n
acest fel se pstreaz simetria, necesar pentru reducerea interferenei i creterea liniaritii.
Teoretic capacitile parazite pot fi incluse n valoarea capacitii de integrare, ns aceasta prezint mai
multe probleme.
1) Elementele parazite nu snt cunoscute cu precizie. n unele proiecte de nalt frecven realizate la
limit capacitile parazite reprezint o parte semnificativ a capacitii totale de integrare i
aceasta conduce la o incertitudine crescut n cunoaterea valorii capacitii de integrare. Dei vor
fi bineneles utilizate tehnici de reglare automat a frecvenei, este dificil de proiectat integratoare
cu eroare de faz redus n ntreg domeniul de mprtiere. Aceasta este deoarece reelele de
corectare a fazei, utilizate pentru a anula erorile de faz datorate efectelor de ordin superior,
funcioneaz de obicei doar n centrul acestui domeniu, iar eroarea rmas crete cu ct ne abatem
mai mult de la acest centru. Rezultatul este c apar erori n factorul de calitate ( Q ) al rspunsului
18

filtrului.
2) Prezena capacitilor parazite poate nruti precizia mperecherii capacitilor i aceasta conduce
la nemperecheri crescute de la integrator la integrator. Pentru cea mai bun mperechere trebuie
s ne asigurm c fraciunea cu care contribuie fiecare tip de capacitate parazit (de oxid, de
jonciune, de trasee) este aceeai pentru toate integratoarele. Acest lucru nu este ntotdeauna
simplu de realizat. Uneori n acest scop se folosesc integratoare suplimentare redundante.
3) Capacitile parazite nu urmresc bine capacitile principale n prezena variaiilor procesului de
fabricare. Aceasta iari produce nemperechere ntre integratoare dac nu se respect condiia
menionat la punctul 2).
4) Capacitile parazite snt, n general, neliniare. Aceasta conduce la distorsiuni crescute ca i la
dependena de amplitudinea semnalului a rspunsului n frecven (aa cum s-a discutat mai
nainte).
Problemele devin mai acute atunci cnd se proiecteaz filtre pentru frecvene mai mari. Un argument
simplu care ne arat de ce este aa este urmtorul: dac includem efectul capacitii parazite totale C p ,
frecvena de ctig unitar a integratorului, dat n cazul ideal de (2.2), devine:
0 =

Gm
G /C
= m
CC p 1C p /C

(2.2)

Pentru a crete 0 putem s ncercm s reducem C sau s cretem G m ; cel de-al doilea caz, pe lng
creterea consumului de putere, implic adeseori i o cretere a dimensiunilor dispozitivelor i deci o
cretere a lui C p . n ambele situaii raportul C p / C crete, ceea ce nseamn dou lucruri:
1) mperecherea dintre integratoare se nrutete i
2) efectele neliniare ale capacitilor devin mai pregnante i astfel distorsiunile i dependena lui 0
de nivelul semnalului cresc.

2C
+ vI
- vI

- vO

Gm
2C

+ vO

Figura 2.10 - Un integrator G mC cu rezistoare adugate pentru

compensarea erorilor de ntrziere de faz.

Problemele de mai sus pot fi inute sub control printr-o proiectare atent. Probleme similare se ntlnesc n
ncercarea de a reduce consumul de putere i/sau aria ocupat pe chip. Aceasta poate s implice
descreterea lui G m n (2.2) (i a lui C pentru a pstra 0 neschimbat). Nemperecherile i distorsiunile
cresc iari i offset-ul transconductorului poate s cresc. (Offset-ul are tendina s fie ridicat n
integratoarele G m C deoarece etajele de intrare ale transconductoarelor au, n contrast cu etajele de
intrare ale amplificatoarelor operaionale, au transconductana redus. Offset-urile pot afecta simetria i
nivelul de distorsiuni i pot fi problematice n cazul proiectelor cu tensiune de alimentare redus). De
asemenea reducerea lui Gm poate conduce la scderea ctigului la frecven joas i astfel la erori de
avans de faz datorit polului de la frecvena 0 / A DC , unde ADC este ctigul de joas frecven (vezi figura
19

2.2). Apar i erori de ntrziere de faz datorit existenei nodurilor interne dar i a variaiei fazei n
interiorul dispozitivelor, totui este improbabil ca erorile de avans i de ntrziere s poat fi anulate ntr-o
manier sigur. Erorile de ntrziere de faz pot fi compensate prin introducerea de zerouri, create cu
ajutorul unor rezistene mici introduse n serie cu condensatoarele de integrare, aa cum este artat n
figura 2.10; o metod legat de aceast soluie este de a mpri condensatoarele de integrare n dou
condensatoare legate n paralel i de a introduce n serie cu unul dintre ele o rezisten mic.
Unele circuite G m C practice funcioneaz cu elemente parazite care reprezint pn la 20% sau chiar mai
mult din condensatorul de integrare. Cu toate c ele obin performane la frecvene nalte, ele necesit
proiectare ngrijit la nivel de dispozitiv, cu o cunoatere detaliat a procesului i snt potrivite pentru
aplicaii cu liniaritate sczut sau medie. Sntem astfel condui spre a cuta modaliti de reducere a
influenei elementelor parazite, aa cum este descris n seciunea urmtoare.
2C
+ vI
- vI

OpAmp
sau OTA

Gm

- vO
+ vO

2C
Figura 2.11 - Un integrator G mC OA .

2.3. Filtre Gm-C Op Amp

Capacitile parazite de la ieirea unui transconductor pot fi forate la potenial apropiat de mas utiliznd
schema din figura 2.11, n condiiile n care ctigul amplificatorului operaional este suficient de mare la
frecvenele de interes. Presupunnd c curentul de ieire din fiecare transconductor este Gm2V i ,
frecvena de ctig unitar este n continuare dat de (2.1). Patru beneficii importante se obin utiliznd
aceast schem:
1) Capacitile parazite conectate ntre intrrile AO-ului i mas vd o schimbare mic de tensiune la
bornele lor i prin urmare conduc un curent foarte mic; alte capaciti parazite snt comandate n
mod ideal n tensiune.
2) Proiectarea transconductorului este mai simpl deoarece acesta nu trebuie s suporte variaii mari
de tensiune n ieire, care acum este la mas virtual.
3) Ieirea transconductorului nu trebuie s prezinte o rezisten de ieire foarte mare deoarece
aceastea este la mas virtual (o astfel de rezisten mare este greu de obin la frecvene nalte
i/sau tensiuni mici de alimentare).
4) Ctigul de joas frecven a integratorului A DC este acum produsul ctigurilor de joas frecven a
transconductorului i a amplificatorului operaional. Este deci mai simplu de a obine valori mari i
de a mpinge frecvena polului dominant 0 / A DC la valori suficient de joase, evitnd astfel eroarea
de avans de faz.
De vreme ce nu exist necesitatea de a comanda sarcini rezistive, amplificatorul operaional poate fi un
OTA simplu cu rspuns de band larg; totui perechea suplimentar de noduri i ptrunderea semnalului
prin 2C poate introduce un exces de faz. Acesta poate fi compensat prin introducerea de rezistene mici
n serie cu condensatoarele aa cum este artat n figura 2.12 (o tehnic veche cunoscut din practica de
compensare a amplificatoarelor operaionale). Pentru proiecte la limit (adic pentru funcionare la
frecvene att de nalte nct excesul de faz poate s fie semnificativ) este necesar ca rezistoarele s fie
reglabile, aceasta obinndu-se prin nlocuirea lor cu tranzistoare MOS. O schem de reglare automat,
20

implementat n tehnologie BiCMOS este artat n figura 2.13. Se poate arta c prin aceast schem se
obine anularea polului parazit prin plasarea corespunztoare a zeroului ct i meninerea acestei anulri cu
variaia temperaturii, odat ce a fost ajustat pentru temperatura camerei.
2C
+v I
- vI

+ vO

OpAmp
sau OTA

Gm

- vO

2C
Figura 2.12 - Un integrator G mC OA cu rezistene adugate
pentru a compensa micile erori de ntrziere de faz.

Cu toate c integratorul Gm C OA poate s reduc cu mult efectul paraziticelor (i distorsiunilor

introduse de acestea), distorsiunile pot n continuare s fie prezente datorit neliniaritii
transconductorului. Pentru aplicaii cu cerine speciale aceasta se poate rezolva dac exist opiunea de
rezistoare liniare. Un transconductor se poate realiza prelund curentul dintr-un rezistor pe care se aplic cu
precizie cu ajutorul unor etaje tampon utiliznd reacie tensiunea de intrare. Astfel rezult un
transconductor liniar care, totui, nu poate fi reglat. Pentru a asigura capacitatea de reglare se poate trece
curentul de ieire a transconductorului printr-un multiplicator variabil de curent. Proiectarea acestui circuit
trebuie fcut cu grij, altfel acesta poate introduce zgomot i distorsiuni.
I T

I ' T

M1

gm2

G m1

M1
Figura 2.13 - O modalitate de implementare i reglare automat
a rezistoarelor de compensare din figura 2.12

Prezena a dou elemente active n integratorul Gm C OA (sau Gm COTA ) poate nsemna un consum
de putere semnificativ cu toate c specificaiile individuale pentru elemente pot fi relaxate. Pentru sumarea
semnalelor, o operaie curent n proiectarea filtrelor, va fi necesar utilizarea attor transconductoare cte
semnale se adun (sau, cel puin, attor etaje de intrare a transconductoarelor). Fiecare dintre aceste etaje
va contribui la consumul de putere (i la zgomot). Pentru a diminua aceste probleme se poate considera
utilizarea transconductoarelor cu funcionare n clas AB sau B, care au un consum mic de putere n punct
static, totui acestea vor introduce distorsiuni de crossover. Astfel c proiectantul este n situaia de a cuta
un element care s poat fi folosit n locul transconductorului care s nu disipe putere n punct static i s
nu introduc distorsiuni semnificative. Un astfel de element este un simplu rezistor. Aceast alegere ne
conduce la clasicul integrator activ RC, doar c n form simetric (aa cum erau circuitele precedente),
pentru a menine interferena de la circuitele digitale sczut. Pentru a face integratorul reglabil rezistorul
poate fi nlocuit cu un MOSFET i aceasta ne conduce la discuia urmtoare.

21

2.4. Filtre MOSFET-C

Circuitul obinut, aa cum tocmai s-a descris, este un integrator MOSFET-C, artat n figura 2.14. Cele dou
tranzistoare snt mperecheate. Tensiunea V C este tensiunea de control folosit pentru reglarea automat.
Tranzistoarele MOS funcioneaz n regiunea de triod; pentru a asigura acest lucru, semnalele trebuie s
rmn suficient de mult sub valoarea lui V C . Pentru a permite o excursie mare a semnalelor, tensiunea de
punct static V Q trebuie aleas corespunztor. Se poate arta c neliniaritile de ordin par introduse de
MOS-uri se anuleaz datorit simetriei circuitului; neliniaritile de ordin impar care rmn snt neglijabile n
multe aplicaii (de exemplu 0,1% pentru semnale de 1V vrf-la-vrf).
V Q V C

V Q v i
OpAmp
sau OTA

V Q v i

V Q v o
V Q v o

C
Figura 2.14 - Un integrator MOSFET-C. Elementul activ poate fi
un OTA n anumite condiii. Semnalele snt simetrice n jurul lui V Q .

Frecvena de ctig unitar a acestui integrator este:

0 =

G
C

(2.3)

'

unde G =C ox W / L V C V T este conductana dren-surs a tranzistorului MOS n regim de triod, cu

'
mobilitatea efectiv, C ox capacitatea oxidului pe unitate de arie, W i L limea, respectiv lungimea
canalului i V T tensiunea de prag a tranzistorului la V t =0 .
Sumarea semnalelor se poate realiza prin simpla adugare a unei perechi de rezistoare MOSFET, care nu
consum putere n punct static (dei, bineneles, ele impun o anumit solicitare asupra consumului de
putere din partea amplificatorului operaional care le comand). Aceast proprietate convenabil conduce
la o proiectare foarte flexibil a filtrelor, aa cum este demonstrat de biquad-ul din figura 2.15. Alegnd
potrivit capacitile i conductanele MOSFET-urilor n acest circuit, se pot obine urmtoarele tipuri de
rspunsuri:
'

Trece-jos (numai poli) ( C 1=C 1=C 3=0 )

'

Trece-sus ( G 1= 0, C 1 = C 1=0 )
'

Trece-band ( G 1=0, C 3=C 1 =0 )

'

Trece-tot ( G1 =G 2, G3= G 4, C 1 = 0, C 1=C 2, C 3 =C 4 )

'

Rspuns cu zerouri de transmisie ( C 1=C 1 =0 )

Efectul paraziticelor este redus, ca i n cazul integratoarelor Gm C amplificator operaional, deoarece
paraziticele apar n nodurile de mas virtual a amplificatoarelor operaionale sau n ieirile lor. Din acest
motiv este mai uor de implementat filtre programabile (spre deosebire de cazul filtrelor G m C ): se pot
folosi matrici de MOS-uri de dimensiuni potrivite conectate n paralel i se comand doar acelea care
trebuie s conduc, restul fiind blocate prin aplicarea unei tensiuni corespunztoare. Cu toate acestea n
22

astfel de proiecte trebuie s ne asigurm c se pstreaz un ctig de joas frecven adecvat n toate
situaiile.
C1
G2

+v i

- vi

G1
,
C1

G4

C3
G3

C2

C4
+ vo

C1

- vo

G3

C2

G1

C4

C3
G4

G2

C1

Figura 2.15 - Un biquad MOSFET-C care poate s implementeze funcii de transfer

trece-jos, trece-sus, trece-band, trece-tot ca i zerouri finite de transmisie.

n continuare vom arta c amplificatorul operaional din figura 2.14 poate fi nlocuit cu un OTA n condiii
potrivite. S considerm circuitul general cu reacie artat n figura (pentru simplitate este artat doar
semi-circuitul), unde Y L este admitana total dintre ieire i mas, incluznd conductana de ieire a OTA.
Y2
vi

Y1

gm

vo
YL

Figura 2.16 - O topologie inversoare utiliznd

un OTA n loc de un OA.

O analiz ne d urmtorul rezultat:

Vo
Y
= 1
Vi
Y2
1

Y2
gm
Y 1Y L Y 1Y L /Y 2
1

(2.4)

gm

Aadar dac gm este suficient de mare aceast funcie de transfer se apropie de:
Vo
Y
= 1
Vi
Y2

(2.5)

ceea ce reprezint ceea ce s-ar fi obinut folosind un amplificator operaional ideal cu ieire de tensiune.
Prin urmare n filtrele MOSFET-C nu snt necesare amplificatoare operaionale cu rezisten de ieire
23

sczut; este adecvat un OTA cu o transconductan suficient de mare. Desigur ordinul de mrime necesar
pentru gm va depinde de aplicaie i s-ar putea s fie necesar s fie suficient de mare pentru aplicaii cu
factor de calitate mare. n orice caz n integratoare va aprea o mic eroare de faz datorat faptului c n
(2.4) gm este finit, aici incluzndu-se i efectul unui zero din semi-planul drept la gm / C . Acestei erori i se
mai adaug i alte erori de faz care rezult datorit capacitilor distribuite ale MOSFET-urilor.
Compensarea acestor erori de faz se poate face aa cum s-a mai discutat i pentru integratorul G m C
OTA utiliznd rezistoare mici n serie cu condensatoarele de integrare, artat n figura 2.17. Iari s-ar putea
s existe necesitatea de a regla aceste rezistoare ntr-o proiectare la limit. O alt posibilitate este de a
utiliza condensatoare n paralel cu tranzistoarele MOS, aa cum este artat.
V Q V C

V Q v i

V Q v i

V Q v o

OpAmp
sau OTA

V Q V C

V Q v o

Figura 2.17 - Un integrator MOSFET-C, cu elemente de compensare

a ntrzierilor de faz, artate n linie ntrerupt. Se pot folosi
sau capaciti sau rezistene de compensare.

n tehnologii CMOS este uor de utilizat OTA n loc de amplificatoare operaionale la frecvene joase. Este
ns dificil de implementat transconductane foarte mari n tehnologii CMOS la frecvene video; de
exemplu, avnd un condensator de integrare de 3pF s-ar putea s avem nevoie de un tranzistor MOS cu o
conductan n jur de 0,1mA/V i un OTA cu o transconductan de 100mA/V! n astfel de cazuri tehnologia
BiCMOS este ideal. Tranzistoare MOS snt folosite pentru rezistoare, iar bipolare pentru a realiza OTA cu
transconductane foarte mari, aa cum este artat pentru exemplu n figura 2.18.
+V CC

- vo

+ vo

+v i

- vi

Figura 2.18 - Un amplificator operaional simetric potrivit

pentru filtre MOSFET-C n tehnologie BiCMOS.

Dac se cere o liniaritate mare atunci se poate nlocui perechea de tranzistoare MOS din figura 2.14 cu
circuitul Czarnul-Song, artat n figura 2.19. Pentru a reduce i mai mult nivelul de distorsiuni se poate folosi
de asemenea i o combinaie de tranzistoare MOS i rezistoare aa cum este artat n figura 2.20.

24

V C1
+v i

V C2
V C2
V C1

- vi

Figura 2.19 - Circuitul Czarnul-Song. Acest circuit poate fi

utilizat n locul perechii MOS din figura 2.14.

+V C +v i

- vi

Figura 2.20 - O schem de liniarizare a perechii Czarnul-Song

utiliznd rezistoare.

Pentru funcionare la tensiuni de alimentare reduse cerina ca MOS-urile s funcioneze n triod poate
prezenta probleme deoarece aceasta limiteaz excursia de semnal permis. O alegere calculat a tensiunii
de punct static din intrare poate s ajute, la fel ca i disponibilitatea dispozitivelor cu tensiuni de prag
reduse. Uneori se opteaz pentru o etap suplimentar n procesul de fabricare pentru crearea unor
dispozitive cu implant special care s ofere o tensiune de prag sczut; creterea performanelor justific
creterea costului de fabricare. O alt posibilitate este de a genera pe chip cu ajutorul circuitelor charge
pump tensiuni mai mari dect tensiunea de alimentare pentru a comanda tranzistoarele n triod adnc.

2.5. Alte tehnici

O mare varietate de tehnici au fost ncercate de-a lungul anilor. Dintre acelea care au fost utilizate n
produse comerciale menionm filtre active cu capaciti de jonciune reglabile i filtre active cu nivel de
distorsiuni foarte redus utiliznd condensatoare i rezistoare liniare n care reglarea se realizeaz n pai
discrei folosind matrici de elemente. n lucrri experimentale se ntlnesc soluii de elemente reglabile
implementate cu tranzistoare MOS comandate n poart i substrat, iar ntre dren i surs apare o
rezisten care este, n principiu, perfect liniar. Totui aceast soluie ntmpin o serie de dificulti legate
de efecte de ordin superior. ntr-un stadiu experimental se afl i filtrele CT cu funcionare n curent pentru
care excursia semnalului este comprimat, ceea ce ar prezenta un avantaj considerabil n proiectele cu
tensiuni sczute de alimentare.
Pentru funcionare la nalt frecven s-au ncercat n tehnologii pur digitale i filtre implementate doar cu
tranzistoare. n sfrit, pentru funcionarea n domeniul gigahertz-ilor, se implementeaz pe chip i
inductane care au un factor de calitate Q suficient de ridicat n acest domeniu de frecven; dac se
folosete o arie suficient pe chip se pot obine valori de pn la 10 pentru Q . Se poate de asemenea crete
valoarea factorului de calitate prin utilizarea unor circuite active astfel nct s se compenseze pierderile din
bobin. Presupunnd pentru simplitate un model cu elemente concentrate, bobina se reprezint ca o
inductan n serie cu o rezisten ca n figura 2.21 (a), care, la frecvena de rezonan poate fi reprezentat
25

prin echivalentul su paralel, ca n figura 2.21 (b). Corespunztor acestor dou modele au fost propuse
soluii de compensare a pierderilor serie, respectiv paralel. Compensarea pierderilor paralel este
artat n figura 2.21 (c) i poate fi implementat de exemplu ca n figura 2.21 (d). Perechea diferenial de
sus, conectat n cruce, utilizeaz reacia pozitiv pentru a implementa o conductan negativ care este
conectat n paralel cu circuitul LC cu pierderi; curentul su de polarizare este utilizat pentru ajustarea
valorii conductanei i n acest fel a factorului de calitate Q . Perechea diferenial de jos reprezint
transconductorul care comand circuitul. Reglarea automat a frecvenei i a factorului de calitate
reprezint provocri mari n astfel de circuite.
RS
C

RP

(a)

(b)
V CC

-R

(c)

-v o

+ vo

+ vi

- vi

(d)
Figura 2.21 - Ilustrarea mbuntirii mod paralel a factorului de calitate.
(a) Grupare LC-paralel cu o inductan cu pierderi.
(b) Un circuit cu aproximaie echivalent la frecvena de rezonan.
(c) Utilizarea rezistenei negative pentru a crete factorul de calitate.
(d) O posibil implementare la nivel de tranzistor a rezistenei negative din (c) i
transconductorul de comand.

2.6. Problema gamei dinamice

Toate tehnicile discutate pn aici reprezint cu adevrat o provocare la tensiuni de alimentare mici. Poate
fi necesar funcionarea cu tensiuni de alimentare pn la 1V, mai ales n echipamentele alimentate de la
baterii (echipamente mobile). n acelai timp cu limitarea superioar impus de sursa de alimentare,
excursia de semnal este limitat inferior de zgomotul datorat fenomenelor aleatoare din dispozitive dar i
26

de zgomotul datorat interferenei cu circuitele digitale de pe chip.

Pentru a combate zgomotul termic generat de transconductoare sau de rezistoare MOS este necesar s fie
sczute nivelele de impedan, crescnd prin urmare capacitatea total C tot pentru a pstra frecvena
neschimbat. Din nefericire acest lucru conduce rapid la arii mari pe chip, mai ales n aplicaii cu factor de
calitate ridicat.
Utiliznd ipoteze simplificatoare se pot deduce formule orientative pentru capacitatea total necesar i
pentru puterea disipat de filtru:

kTQ S
C tot = 2
Vp N

S
P =kTQf 0
N

(2.6)

(2.7)

unde k este constanta lui Boltzmann, T este temperatura absolut, V p este valoarea de vrf a semnalului.
Att ct i depind puternic de ordinul filtrului, de topologia filtrului, de specificaiile de proiectare, de
tipul elementelor active utilizate, etc., iar valoarea lor poate s varieze mult. Din acest motiv aceste formule
snt utile doar pentru a face comparaii rapide ntre filtre de acelai tip, cu aceeai topologie i ordin,
implementate n acelai mod. De exemplu o mbuntire a raportului semnal-zgomot cu 3dB ntr-un
proiect dat va necesita o dublare a capacitii totale i o dublare a puterii disipate; pentru a dubla frecvena
de operare (presupunnd ca aceasta nu atinge limitele de funcionare a dispozitivelor) va necesita un alt
factor de doi n puterea disipat; etc. Din relaiile anterioare devin clare diversele compromisuri implicate.

2.7. Acordul automat

Acordul automat al frecvenei filtrelor CT implic legarea rspunsului filtrului de o referin extern.
Aceasta este de obicei un rezistor stabil sau un semnal de ceas. n cazul rezistorului se regleaz
(trans)conductanele filtrului astfel nct acestea s urmreasc valoarea acestuia (figura 2.22); aceast
soluie este valabil n situaia n care coeficienii de temperatura a condensatorilor i a rezistorului extern
snt suficient de mici. n filtrele implementate n tehnologie bipolar se poate obine programabilitate
digital n felul urmtor: rezistorul extern este utilizat pentru a crea o referin de curent furnizat unui
DAC ai crui cureni de ieire controleaz transconductoarele; astfel transconductanele i prin urmare i
frecvenele critice ale filtrului pot fi programate n limitele rezoluiei DAC-ului. Exist i numeroase alte
scheme de reglare automat utiliznd rezistoare externe. Se pot de asemenea utiliza i tehnici cu capaciti
comutate pentru reglarea automat a frecvenei.
Filtrul Principal

VC
G sau Gm

Comp.
de rez.

R EXT

Figura 2.22 - Acord automat cu utilizarea unui rezistor extern ca referin.

n cazul utilizrii ca referin a unui semnal de ceas provenit de la un oscilator cu cuar, de obicei se leag
de aceast referin fie semnalul generat de un VCO (figura 2.23) de pe chip, fie rspunsul unui filtru
controlat n tensiune (voltage controlled filter=VCF) (figura 2.24). Acestea snt implementate utiliznd
27

aceleai elemente de baz ca i filtrul principal, formnd astfel un circuit replic a filtrului principal. Acelai
semnal de control generat pentru reglarea circuitului replic este utilizat i pentru comanda filtrului
principal, restricia care se impune este ca elementele circuitului replic s fie bine mperecheate cu cele
din filtrul principal. Fiecare tehnic are avantaje i dezavantaje i necesit o proiectare atent. n cazul VCOurilor este necesar o proiectare atent a buclei de control a amplitudinii de oscilaie, altfel neliniaritile
pot reduce mperecherea cu filtrul principal. n cazul VCF-urilor se cere o proiectare atent a detectorului
de faz deoarece erorile acestuia se traduc n erori de acord n filtrul principal; de asemeni este necesar o
referin cu un coninut sczut de armonici. n ambele situaii proiectarea trebuie fcut astfel ca s fie
minimizat ptrunderea semnalului de referin n ieirea filtrului.
Filtrul Principal

VC
VCO

Comp.
de faz

Semnal de ceas

Figura 2.23 - Acord automat utiliznd ca referin un semnal de ceas

i un VCO ca element reglabil.

n cazul proiectrii la limit, pentru performan la frecvene nalte, proiectantul se confrunt cu probleme
de eroare de faz a integratorului. Scheme de a citi i corecta efectul acesteia au fost propuse, dar ele snt
dificile de implementat i de obicei implic o arie semnificativ. De aceea se urmrete: 1) s se proiecteze
integratoare cu o eroare de faz minim; 2) s se gseasc o topologie ct mai insensibil la erorile de faz.
n felul acesta se poate evita complexitatea unui circuit de reglare a fazei.
Filtrul Principal

VC
VCF

Comp.
de faz

Semnal extern

Figura 2.24 - Acord automat utiliznd ca referin un semnal extern

i un VCF ca element reglabil

Toate schemele descrise vor funciona n limitele preciziei mperecherii dintre circuitul acordat i filtrul
principal. n unele aplicaii o astfel de precizie este insuficient, fiind necesar un acord direct al filtrului
principal.

2.8. Concluzii
Filtrele CT integrate i-au demonstrat utilitatea ntr-o gam larg de aplicaii. Acestea pot oferi avantaje n
termeni de vitez i/sau putere consumat i reprezint uneori singura soluie posibil. Deoarece exist o
tendin permanet de a merge spre frecvene de operare mai mari, tensiuni de alimentare mai mici i
putere disipat mai mic, proiectanii de filtre CT integrate vor fi inui n priz n anii ce vor urma.

28

3. Proiectarea Top-Down a unui Filtru Gm-C Trece-jos cu Circuit de

Acord Automat al Frecvenei
3.1. Introducere
Tendinele actuale de integrare a ntregului sistem ntr-un singur cip (SoC=System on a Chip) au pus
proiectanii n situaia dificil de a dezvolta sisteme complexe mixte, alctuite att din circuite digitale ct i
din circuite analogice. Dac n domeniul digital s-au dezvoltat tehnici de automatizare a procesului de
proiectare, partea analogic nu a beneficiat foarte mult de astfel de metode automate. Eficiena
proiectantului de circuite analogice, evaluat n ultim instan pe baz de criterii economice, rezult de
cele mai multe ori din metodologia aplicat n dezvoltarea proiectelor. Aceste criterii economice se rezum,
din perspectiva proiectantului, ntr-o durat ct mai scurt a ciclului de dezvoltare a unui nou produs, nct o
ntrziere n lansarea noului produs poate s reduc la zero eforturile proiectanilor ().
Pentru a respecta un orar att de strns proiectantul are nevoie de o metodologie de proiectare care s-i
ofere flexibilitatea necesar n etapele primare ale proiectrii, atunci cnd specificaiile nu snt definite
exact, care s permit testarea timpurie a ntregului sistem i care s faciliteze reutilizarea rezultatelor
obinute n proiecte ulterioare.
Aceast capitol prezint aplicarea fluxului de proiectare top-down n proiectarea unui filtru Gm-C cu circuit
de reglare automat a frecvenei de trecere.
n continuare capitolul este structurat n felul urmtor: n partea a II-a se fundamenteaz avantajele
metodologiei de proiectare top-down fa de cea tradiional bottom-up, n partea a III-a este descris rolul
limbajului Verilog-A n cadrul proiectrii top-down, n partea a IV-a se prezint etapele proiectrii filtrului,
iar n partea a V-a se face o discuie asupra eficienei metodologiei.

3.2. Proiectarea Bottom-Up versus Top-Down

Proiectele mixte (analog/digitale) din ce n ce mai complexe precum i presiunea rezultat din necesitatea
de a implementa un produs care s funcioneze corect printr-un numr minim de realizri n siliciu
reprezint mobilul principal pentru o metodologie de proiectare mbuntit ntre proiectanii de circuite
integrate. n timp ce automatizarea proiectrii este esenial pentru dezvoltarea circuitelor digitale, n cazul
circuitelor analogice tehnici de automatizare a proiectrii abia dac se pot utiliza. Proiectele analogice
ajung, de obicei, de la concept la implementare prin efortul manual al proiectantului, ceea ce face ca
proiectarea lor s aib un ritm lent i s fie susceptibil erorilor n comparaie cu proiectarea circuitelor
digitale. Proiectanii de circuite analogice snt pui n situaia de a adopta metode sistematice de proiectare
pentru a crete eficiena procesului de proiectare.
n mod tradiional procesul de proiectare bottom-up ncepe cu proiectarea blocurilor individuale care apoi
snt combinate pentru a forma sistemul final. Proiectarea unui bloc pleac de la specificaii i se finalizeaz
printr-o reprezentare la nivel de tranzistor. Fiecare bloc este verificat pentru conformitatea cu specificaiile.
Odat verificat individual, fiecare bloc este inclus n sistemul final descris la nivel de tranzistor pentru o
verificare a ntregului ansamblu. Aceast abordare are mai multe deficiene:
Verificarea ntregului sistem se face folosind simulri lente care utilizeaz descrierea la nivel de
tranzistor.
Se fac puine explorri la nivel de arhitectur/structur, astfel c se omit mbuntiri care se pot face la
nivel nalt.
Mai muli pai costisitori ca simularea la nivel de sistem i elaborarea testelor se fac secvenial, ceea ce
crete timpul total de proiectare.

29

ntr-un proces de proiectare top-down trecerea de la concept la implementarea la nivel de tranzistor se

face n conformitate cu un set de principii:
Proiectul va putea fi simulat de ctre toi membrii echipei de proiectare cu toate tipurile descrierii sale
(comportamental, la nivel de schem, la nivel de layout).
n timpul procesului de proiectare orice schimbare asupra proiectului se verific n contextul proiectului
verificat anterior dup cum indic planul de verificare.
Procesul de proiectare include strategii atente de verificare n care riscurile snt identificate de la nivel
nalt i se concep strategii de modelare pentru a diminua aceste riscuri.
Procesul de proiectare are etape multiple care ncepe cu modele simple care snt completate pe msur
ce detaliile devin disponibile.
Planurile i specificaiile iau mai degrab forma de modele executabile i script-uri care pot fi utilizate n
procesul de proiectare dect de documente scrise.
O metodologie de proiectare top-down bine pus la punct parcurge n mod sistematic toate etapele de la
reprezentarea la nivel de arhitectur la reprezentarea la nivel de tranzistor. Fiecare nivel este simulat
complet nainte de a se trece la nivelul urmtor i fiecare nivel este actualizat i modificat n timpul
proiectrii nivelului urmtor. Acionnd n acest fel face ca proiectul s fie partiionat n blocuri mai mici
bine definite i permite astfel ca mai muli proiectani s lucreze mpreun eficient. Aceasta are ca efect
reducerea timpului de proiectare. Un proces top-down formalizeaz i mbuntete comunicarea ntre
proiectani. Aceasta reduce numrul de defecte care se strecoar datorit nenelegerilor care apar n urma
unei comunicri deficitare. Natura formal a comunicrii permite de asemeni ca proiectanii s se gseasc
n locuri diferite i s rmne totui eficieni.
Urmnd o metodologie de proiectare top-down se reduce de asemeni impactul pe care l au schimbrile
trzii ce apar n ciclul de proiectare. Dac pentru un motiv sau altul circuitul trebuie parial reproiectat
infrastructura pus la dispoziie ca parte a metodologiei permite ca schimbarea s fie fcut rapid.
Modelele pot fi actualizate i impactul asupra ntregului sistem poate fi evaluat rapid. Planul de simulare i
infrastructura pentru simularea mixt snt deja disponibile i pot fi rapid aplicate pentru a urmri
eventualele schimbri ce survin.

3.3. Rolul Limbajului Verilog-A

Limbajul Verilog-A permite descrierea sistemelor analogice sau mixte cu un grad variabil de detalii.
Capacitatea de descriere comportamental pentru sisteme analogice permite proiectantului s extind
abstractizarea la multiple nivele de reprezentare, avnd astfel acces la tehnologia de baz (n care va rezulta
circuitul final) meninnd n acelai timp capacitatea sistemului de a fi modelat i simulat la nivel nalt. Astfel
sistemul analogic i mixt poate fi descris i simulat la un nivel nalt de abstractizare timpuriu n ciclul de
proiectare, permind explorarea compromisurilor arhitecturale la nivelul ntregului cip. Descrierea n limbaj
Verilog-A care rezult ca o specificaie executabil (care poate fi simulat) promoveaz comunicarea i
consistena pe parcursul procesului de proiectare (de la specificaii la implementare).
Un limbaj standardizat de modelare comportamental pentru sisteme analogice precum limbajul Verilog-A,
cu capaciti de modelare n ntregul interval de la modelarea comportamental la descrierea la nivel de
circuit, ofer:
O tehnologie de proiectare top-down pentru sistemele analogice i mixte,
care permite gestionarea complexitii i factorilor de performan n cadrul proiectului,
care permite elaborarea specificaiilor, documentaiei i simularea proiectului.
O expresie concis i clar a inteniei de proiectare,
care este independent de implementare,
care permite reutilizarea modelelor comportamentale, permind astfel reutilizarea proiectelor.
O form standardizat de comunicare a informaiei din cadrul proiectului
ntre uneltele utilizate n dezvoltarea proiectului,
30

 ntre grupurile de dezvoltare a produsului, pentru schimb i reutilizare,

ntre productori ca form de IP (Intelectual Property),
ntre fabricile de semiconductori.
O modalitate de a paraleliza procesul de proiectare, scurtnd astfel ciclul de dezvoltare a produsului,
permind desfurarea paralel a proiectrii, verificrii i dezvoltrii planului de testare.
Limbajul Verilog-A ofer proiectanilor flexibilitatea de a descrie sisteme la nivele multiple de abstractizare.
n general sistemele snt considerate a fi colecii de componente interconectate asupra crora se aplic
stimuli i care produc rspunsuri. Baza pentru descrierile structurale i comportamentale n limbajul
Verilog-A o reprezint modulele care snt echivalentul blocurilor sau componentelor dintr-un sistem.
Definiia unui modul declar mecanismul prin care acesta este conectat (porturile sau terminalele
modulului i tipul lor) precum i funcionalitatea cu care acesta contribuie la ntregul sistem. Fiecare dintre
aceste module poate fi descris specificnd urmtoarele:
Descrieri structurale n care un modul este alctuit din alte submodule. Fiecare modul n cadrul descrierii
structurale a sistemului este conectat la unul sau mai multe semnale prin intermediul porturilor sale.
Descrieri comportamentale realizate ntr-o manier algoritmic cu ajutorul limbajului Verilog-A.
Comportamentul unui modul este definit n termeni de valori pentru fiecare semnal.
Descrieri mixte care combin att aspecte de descriere structural ct i aspecte de descriere
comportamental cu o varietate de nivele de abstractizare.
Limbajul Verilog-A nu se limiteaz la descrierea sistemelor analogice electrice, el suport modelarea
sistemelor folosite n discipline cum ar fi cele mecanice, de dinamica fluidelor, termodinamice.

3.4. Proiectarea Filtrului

Proiectarea top-down presupune parcurgerea tuturor etapelor care conduc produsul de la specificaii la o
reprezentare implementabil n siliciu.
n cadrul acestui proiect se descrie metodologia urmat n dezvoltarea unui filtru Cebev trece-jos.
Proiectarea a nceput cu urmtoarele specificaii:
Nume proiect
Tip
Ordin
Frecvena de tiere
Riplu n banda de
trecere
Precizia frecvenei
Nivel de distorsiuni
pentru Vin=500mVpp
la f=0.5MHz
Putere consumat
Arie consumat

Filtru trece-jos
Cebev I
5
1Mhz
0,5dB
10%
1%
redus
redus

Tabelul 3.1 - Specificaii de proiectare

La nivelul ntregului sistem se va urmri ncapsularea acestor specificaii ntr-un model executabil (care
poate fi simulat) descris n Verilog-A. Aceasta se va face n mai multe etape care vor conduce gradat
modelul de la o reprezentare simpl la una complex.

3.4.1. Modelul ideal al filtrului

n prima etap vom obine polii i zerourile funciei de transfer cu ajutorul utilitarului Matlab ADF:

31

p1=2,2765210 6

rad
sec

rad
sec
6
6 rad
p45 =0,70348410 j6,3558 10
sec
6

p23 =1,8417410 j3,9281 10

(3.1)

n Verilog-A exist 4 forme ale operatorului analogic de transformat Laplace: laplace_zp, laplace_zd,
laplace_np, laplace_nd. Acestea permit specificarea funciei de transfer sub form de polinom sau sub
form de produs de monoame, la numrtor sau la numitor. Vom alege modalitatea de a specifica funcia
de transfer sub form de produs de monoame la numrtor i la numitor (zerouri i poli). Pentru aceasta
vom folosi funcia laplace_zp cu urmtoarea sintax:
laplace _ zpexpr , ,

(3.2)

unde este un vector de M perechi de numere reale. Fiecare pereche reprezint un zero al funciei de
transfer. Primul numr din pereche reprezint partea real a zeroului, iar al doilea numr reprezint partea
imaginar a lui. n mod similar este un vector de N perechi de numere reale, cte una pentru fiecare pol.
Polii se specific n acelai fel ca i zerourile. Rezult urmtoarea funcie de transfer:
M1

k=0

H s = N1
k =0

s
i
k
r
k

s
1 r
i
kk

(3.3)

unde rk i ik reprezint prile reale i imaginare ale celui de-al k zero, iar rk i ik reprezint prile reale
i imaginare ale celui de-al k pol.
n acest fel obinem prima descriere a sistemului de proiectat i anume cea de filtru ideal:
Listing 3.1 - Codul Verilog-A pentru filtrul ideal
// Filtru Chebyshev I de ordin 5
// ideal
//
// Descrierea parametrilor:
// vout_cm = tensiunea de mod comun de la iesire
`include "constants.vams"
`include "disciplines.vams"
module filtru_cheby1_ord5(vin_p, vin_n, vout_p, vout_n);
input vin_p, vin_n;
output vout_p, vout_n;
parameter real vout_cm = 0.5;
electrical vin_p, vin_n, vout_p, vout_n, vssa;
ground vssa;
real vout_dm;
analog begin
vout_dm = laplace_zp( V(vin_p, vin_n),
{},
{-1.84174e6, -3.9281e6,

32

-1.84174e6,
3.9281e6,
-0.703484e6, -6.3558e6,
-0.703484e6, 6.3558e6,
-2.27652e6, 0}
);
V(vout_p, vssa) <+ vout_cm + vout_dm/2;
V(vout_n, vssa) <+ vout_cm - vout_dm/2;
end
endmodule

Simularea de semnal mic a acestui modul este prezentat n figura 3.1. Acest model reprezint modelul de
aur (golden model) i va fi o referin pentru filtrul proiectat.

3.4.2. Modelul filtrului cu distorsiuni

n urmtoarea etap vom introduce n modelul filtrului ideal specificaia de distorsiuni care apar datorit
elementelor active. Vom considera un model de distorsiuni statice (la aceast etap a proiectului nu are
sens s considerm un model mai complex) de tip polinomial.
Un model comportamental practic este parametrizat n termeni de metrici standard. Metrici standard
pentru neliniaritate utilizate curent snt: THD, punctul de compresie de 1dB, punctul de intercepie de ordin
2, 3, etc. n funcie de aplicaia specific. n aceast lucrare vom utiliza ca metric pentru nivelul de
distorsiuni THD=Total Harmonic Distorsion.
Pentru a determina parametrii modelului de neliniaritate pornim de la relaia caracteristicii de transfer
static:
3

v o =av i cv i

(3.4)

Aceast form provine din dezvoltarea n serie Taylor a unei funcii neliniare n cazul general care prezint o
compresie pentru care s-au neglijat termenii de la ordinul 4 n sus. Termenul de ordin 2 nu apare
deoarece circuitul pe care l implementm funcioneaz pe mod diferenial, iar termenul de ordin zero a
fost omis pentru simplitate.
Pentru a obine legtura dintre coeficienii polinomului i specificaia pentru distorsiuni se scrie relaia de
definiie pentru THD:
THD=

A A
2
2

2
3

A1

(3.5)

unde A1, A 2, reprezint coeficienii seriei Fourier a semnalului analizat. Dezvoltarea n serie Fourier a
semnalului v o pentru v i =cos t are forma:

3
1
v o t = a A c A3 cos t cos 3 t
4
4

(3.6)

Din ecuaia (5) rezult valoarea coeficientului c :

c=

4aTHD
A 2 3THD1

33

(3.7)

Figura 3.1 - Rspunsul de semnal mic al filtrului ideal

n cazul filtrului amplificarea n semnal mic este 1 i se va alege a =1 . Rezult modelul filtrului cu
distorsiuni descris n listing-ul 3.2. n figura 3.2 snt prezentate rezultatele simulrilor de caracteristic de
transfer static i de distorsiuni. La intrare s-a aplicat un semnal de 1kHz de 500mV vv. Se observ c, aa cum
ne-am ateptat, c nivelul total de distorsiuni este de 1%.
Listing 3.2 - Descrierea comportamental care include distorsiuni

// Filtru Chebyshev I de ordin 5

// cu distorsiuni
//
// Descrierea parametrilor:
// vout_cm = tensiunea de mod comun de la iesire [V]
// a = cistigul filtrului in semnal mic [-]
// THD = Total Harmonic Distorsion [%]
// A = nivelul de tensiune pentru care se defineste THD [V]
`include "constants.vams"
`include "disciplines.vams"
module filtru_cheby1_ord5(vin_p, vin_n, vout_p, vout_n);
input vin_p, vin_n;
output vout_p, vout_n;
parameter real vout_cm = 0.5;
parameter real a = 1;
parameter real A = 250e-3;
parameter real THD = 1;
electrical vin_p, vin_n, vout_p, vout_n, vssa;
ground vssa;
real vout_dm_ideal, vout_dm_disto;
real c, vout_dm_ideal_max, vout_dm_disto_max;
analog begin
@(initial_step) begin
c=4*a*(THD/100)/(A*A*(3*THD/100+1));
vout_dm_ideal_max=sqrt(a/(3*c));
vout_dm_disto_max=2*a/3*vout_dm_ideal_max;
end
vout_dm_ideal = laplace_zp( V(vin_p, vin_n),
{},
{-1.84174e6, -3.9281e6,
-1.84174e6,
3.9281e6,
-0.703484e6, -6.3558e6,
-0.703484e6, 6.3558e6,
-2.27652e6, 0}
);
if (abs(vout_dm_ideal)<vout_dm_ideal_max)
vout_dm_disto = vout_dm_ideal - c*pow(vout_dm_ideal, 3);
else
if (vout_dm_ideal>0)
vout_dm_disto = vout_dm_disto_max;
else
vout_dm_disto = - vout_dm_disto_max;
V(vout_p, vssa) <+ vout_cm + vout_dm_disto/2;
V(vout_n, vssa) <+ vout_cm - vout_dm_disto/2;
end
endmodule

35

3.4.3. Modelul filtrului care include variabilitatea frecvenei

Pentru a avea un model funcional care s descrie un numr ct mai mare de neidealiti vom implementa
un model care s descrie i variabilitatea frecvenei ca urmare a dispersiei tehnologice. Ca i n cazurile
anterioare, acesta va fi un model parametrizabil, nct valorile parametrilor s poat fi ajustate dup ce se
vor obine rezultatele simulrilor circuitului real. Variabilitatea frecvenei s-a obinut fcnd ca polii s
varieze n jurul valorilor dorite dup o lege statistic. Codul este prezentat n listing-ul .
Listing 3.3 - Descrierea comportamental care include variabilitatea frecvenei

// Filtru Chebyshev I de ordin 5

// cu distorsiuni
//
// Descrierea parametrilor:
// vout_cm = tensiunea de mod comun de la iesire [V]
// a = cistigul filtrului in semnal mic [-]
// THD = Total Harmonic Distorsion [%]
// A = nivelul de tensiune pentru care se defineste THD [V]
`include "constants.vams"
`include "disciplines.vams"
module filtru_cheby1_ord5(vin_p, vin_n, vout_p, vout_n);
input vin_p, vin_n;
output vout_p, vout_n;
parameter real vout_cm = 0.5;
parameter real a = 1;
parameter real A = 250e-3;
parameter real THD = 1;
electrical vin_p, vin_n, vout_p, vout_n, vssa;
ground vssa;
real vout_dm_ideal, vout_dm_disto;
real c, vout_dm_ideal_max, vout_dm_disto_max;
analog begin
@(initial_step) begin
c=4*a*(THD/100)/(A*A*(3*THD/100+1));
vout_dm_ideal_max=sqrt(a/(3*c));
vout_dm_disto_max=2*a/3*vout_dm_ideal_max;
end
vout_dm_ideal = laplace_zp( V(vin_p, vin_n),
{},
{-1.84174e6, -3.9281e6,
-1.84174e6,
3.9281e6,
-0.703484e6, -6.3558e6,
-0.703484e6, 6.3558e6,
-2.27652e6, 0}
);
if (abs(vout_dm_ideal)<vout_dm_ideal_max)
vout_dm_disto = vout_dm_ideal - c*pow(vout_dm_ideal, 3);
else
if (vout_dm_ideal>0)
vout_dm_disto = vout_dm_disto_max;
else
vout_dm_disto = - vout_dm_disto_max;
V(vout_p, vssa) <+ vout_cm + vout_dm_disto/2;
V(vout_n, vssa) <+ vout_cm - vout_dm_disto/2;
end
endmodule

36

Figura 3.2 - Caracteristica de transfer static i spectrul ieirii pentru un semnal de 500mV vrf la vrf
aplicat la intrare. Rezult un THD de 1%.

Figura 3.3 - Frecvena de tiere a filtrului modelat prin codul Verilog-A din listing-ul 3.3.

3.4.4. Implementarea filtrului cu cascad de seciuni

n cadrul acestui proiect am ales o topologie de cascad de seciuni elementare. Seciunile implementeaz
funcii de transfer de ordin 1 i 2. Acestea snt compuse din transconductoare i condensatoare, aa cum se
arat n figura 3.4.

2C
- vi
- vi

gm1

+ vo

gm2
2C

- vo

(a)
2C 1
+v i
- vi

gm1

+ vo

2C 2

gm2

gm3

2C 1

2C 2

gm4
- vo

(b)
Figura 3.4 - Seciuni elementare prin cascadarea crora se obine funcia de transfer global.
n (a) se implementeaz un pol real, iar n (b) o pereche de poli complex-conjugai.

n cazul (a) se implementeaz funcia de transfer:

g m1 gm2

gm2 C
H s =
g
s m2
C

(3.8)

n cazul (b) se implementeaz funcia de transfer:

gm1 gm3 gm4

gm4 C 1 C 2
H s =
g
g g
s 2 m2 s m3 m4
C1
C 1 C2

(3.9)

Relaia dintre valorile capacitilor, valorile conductanelor i poziiile polilor snt date de ecuaia (3.10)
pentru cazul polului real i de ecuaia (3.11) pentru cazul polilor complex conjugai.

39

C=

gm
p

gm2
2p
gm3 gm4
2p
C 2=

gm2 p2p 2

(3.10)

C 1=

(3.11)

Aceste ecuaii au fost introduse ntr-un script prezentat n listing-ul , scris n limbajul Python utiliznd
bibliotecile SciPy care ofer rutine de calcul numeric.
Listing 3.4 - Script Python pentru calculul capacitilor filtrului

#!/usr/bin/python
from scipy import *
from study.value.quantity import *
from string import *
# Aici dau polii:
p1=2.27652e6;
p23=(1.84174e6+3.9281e6j);
Q23=abs(p23)/(2*real(p23));
w023=abs(p23);
print "w023=", Quantity(float(w023)/(2*pi)), "Q23=", Q23, "Q23**2=", Q23**2;
p45=(0.703484e6+6.3558e6j);
Q45=abs(p45)/(2*real(p45));
w045=abs(p45);
print "w045=", Quantity(float(w045)/(2*pi)), "Q45=", Q45, "Q45**2=", Q45**2;
# Unitatea elementara de transconductanta
gm0=50e-6;
# Prima sectiune
k1b=k1a=1;
# A doua sectiune
k2d=k2a=1;
k2b=1;
k2c=1;
# A treia sectiune
k3d=k3a=2;
k3b=1;
k3c=2;
# Calculul capacitatii pentru polul real (prima sectiune)
gm1a=k1a*gm0;
gm1b=k1b*gm0;
C1=gm1b/p1;
# Calculul capacitatilor pentru polii complex-conjugati (a doua sectiune)
gm2a=k2a*gm0;
gm2b=k2b*gm0;
gm2c=k2c*gm0;
gm2d=k2d*gm0;
C2a=gm2b/(2*real(p23));
C2b=gm2c*gm2d/gm2b*2*real(p23)/(real(p23)**2+imag(p23)**2);

40

# Calculul capacitatilor pentru polii complex-conjugati (a treia sectiune)

gm3a=k3a*gm0;
gm3b=k3b*gm0;
gm3c=k3c*gm0;
gm3d=k3d*gm0;
C3a=gm3b/(2*real(p45));
C3b=gm3c*gm3d/gm3b*2*real(p45)/(real(p45)**2+imag(p45)**2);
print
print
print
print
print

"2C1=", Quantity(float(2*C1));
"2C2a=", Quantity(float(2*C2a));
"2C2b=", Quantity(float(2*C2b));
"2C3a=", Quantity(float(2*C3a));
"2C3b=", Quantity(float(2*C3b));

Rezultatul rulrii programului este dat n urmtorul tabel:

.690482598 mega
1.17780742996
1.38723034206
1.01773437 mega
4.54496024237
20.6566636047
43.9266951 pico
27.1482403 pico
19.5701027 pico
71.0748219 pico
13.7630787 pico

023
Q 23
2

Q 23
045
Q 45
2

Q 45
2C 1
2C 2a
2C 2b
2C 3a
2C 3b

Tabelul 3.2 - Valorile capacitilor filtrului i caracteristicile seciunilor

3.4.5. Modelul ideal al transconductorului

Avnd valorile capacitilor determinate putem trece la etapa de implementare a filtrului cu
transconductoare i capaciti. Pentru aceasta vom porni de la un model ideal de transconductor, n care
vom introduce doar o limitare a benzii sale i prin simulri parametrice vom determina banda minim
pentru care caracteristica filtrului rmne practic neafectat. Modelul Verilog-A al transconductorului este
prezentat n listing-ul 3.5.
Listing 3.5 - Modelul Verilog-A al transconductorului care include limitarea benzii

//
//
//
//
//
//
//
//
//
//
//
//

Amplificator transconductanta cu gm controlat in tensiune

cu banda limitata
iout_p, iout_n: terminale de curent de iesire
vin_p, vin_n: terminale de tensiune de intrare
vctrl_p, vctrl_n: terminale de control al cistigului
Descrierea parametrilor:
gm0 = transconductanta amplificatorului cu v_cntrl=0;
k = panta de variatie a transconductantei
p = polul functiei de transfer [rad/sec]
vcmfb_ref = tensiunea de mod comun din iesire [V]

`include "constants.vams"

41

`include "disciplines.vams"
module OTA_res_deg(iout_p, iout_n, vin_p, vin_n, vctrl_p, vctrl_n, vcmfb_in,
vcmfb_out);
input vin_p, vin_n, vctrl_p, vctrl_n, vcmfb_in;
inout iout_p, iout_n;
output vcmfb_out;
electrical iout_p, iout_n, vin_p, vin_n, vctrl_p, vctrl_n, vcmfb_in, vcmfb_out,
vdda, vssa;
ground vdda, vssa;
parameter
parameter
parameter
parameter
parameter
real gm;

real
real
real
real
real

gm0 = 100e-6;
k = 100e-6;
p = -2*3.1415*1e7;
vcmfb_ref = 0.5;
gm_cmfb = 1;

analog
begin
gm = k*V(vctrl_p, vctrl_n)+gm0;
I(iout_p, iout_n) <+ gm*laplace_zp(V(vin_p, vin_n), {}, {p, 0});
I(iout_p, vssa) <+ gm_cmfb*(V(vcmfb_in, vssa) - vcmfb_ref);
I(iout_n, vssa) <+ gm_cmfb*(V(vcmfb_in, vssa) - vcmfb_ref);
I(vcmfb_out, vssa) <+ gm_cmfb*((V(vin_p, vssa) + V(vin_n, vssa))/2 - V(vcmfb_out,
vssa));
end
endmodule

Acceptnd o deviaie de 1dB de la caracteristica ideal a filtrului obinem o band minim pentru
transconductor de B 3dBmin=81,1 MHz , rezultat prezentat n figura 3.3. Prin urmare n proiectarea
transconductorului vom urmri s ne ncadrm n aceste specificaii.

3.4.6. Implementarea transconductorului

Figura 3.6 prezint integratorul liniar bazat pe degenerarea n surs cu rezistene liniare a unui etaj
diferenial. Conversia tensiune-curent ( V I ) de la intrare o realizeaz un etaj super Gm n combinaie cu
dou rezistoare liniare. Datorit reaciei negative locale i utilizrii de rezistoare liniare se obine o
conversie tensiune-curent cu liniaritate foarte bun, fr s fie necesar o mperechere bun a
tranzistoarelor MOS.
Totui rezistoarele liniare utilizate practic nu pot fi reglate, de aceea se caut metode de a varia
transconductana etajului astfel nct constanta de timp a integratorului s poat fi reglat. O modalitate de
reglare este de a utiliza oglinzi de curent programabile digital, ns precizia de reglare a acestora este de
obicei limitat la maxim 5% datorit numrului limitat de bii utilizai pentru acord. Mai mult, oglinzile de
curent ponderate prezint capaciti mari, acestea limitnd rspunsul n frecven.
Soluia a fost de a utiliza trei tranzistoare, M 1 - M 2 - M 3 , care funcioneaz n regiunea de triod.
Transconductana de semnal mare G m a integratorului poate fi acordat prin intermediul tensiunilor de
control V C1 i V C2 din porile celor trei tranzistoare. Alegnd 2W / L M 2, M 3=W / L M 1 rezult G m dat de
relaia:

42

Figura 3.5 - Rezultatele analizei de semnal mic a filtrului implementat cu

transconductoare de band limitat

Gm =

V Cdm
1 1
1

=
R 2 4V Ccm V T V A
R

(3.12)

unde V Cdm =V C1V C2 , iar V Ccm = V C1 V C2 / 2 . Aceast relaie se deduce cu aproximaia c tranzistoarele
M 1 - M 2 - M 3 funcioneaz n regim de triod adnc. n aceast situaie, cu presupunerea c potenialele
punctelor X i Y rmn aproximativ constante, curentul de ieire i o se scrie din divizorul de curent din
nodul A :
i o=

2k V C1V AV T
1
v
2k V C1 V AV T 2k V C2 V A V T R i

(3.13)

n care 2k V C1 V A V T este conductana tranzistorului M 2 , iar 2k V C2 V A V T este dublul

conductanei tranzistorului M 1 , deoarece circuitul funcioneaz pe mod diferenial, care arat i motivul
alegerii anterioare a dimensiunilor tranzistoarelor M 1 - M 2 - M 3 . Prin prelucrarea relaiei (3.13) se obine
relaia (3.12).

vi
R /2

R /2

io

io
I i
io

X
M2

I i
io

B
M1

Y
I

M3

V C2
V C1
Figura 3.6 - Transconductorul implementat. Prin intermediul
tranzistoarelor M 1 -M 2 -M 3 se realizeaz controlul transconductanei.

Liniaritatea transconductorului este dat de funcionarea liniar a tranzistorului M 1 , care, avnd la borne o
tensiune diferenial, funcioneaz practic liniar.
Mrimea tensiunii de mod comun se alege n funcie de variaia constantei de timp RC datorit dispersiei
tehnologice i a temperaturii. Pentru ca tranzistoarele M 1 - M 2 - M 3 s nu fie blocate trebuie ca
V C1 ,2min V AV T , care implic:
V Ccm

V Cdmmax
V AV T V Cdm max 2V CcmV AV T
2

44

(3.14)

Pe de alt parte V C1 ,2max V DD , care implic:

V Ccm

V Cdm max
V DD V Cdm max 2V DD V Ccm
2

(3.15)

Din relaiile (3.14)-(3.15) rezult:

V Cdmmax min{ 2V DD V Ccm , 2V Ccm V A V T }

(3.16)

Prin urmare transconductana etajului are o gam de acord:

V Cdmmax
V Cdm max
1 1
1 1

G m

R 2 4 V Ccm V AV T
R 2 4 V CcmV AV T

(3.17)

Deoarece tranzistoarele M 1 - M 2 - M 3 trebuie s funcioneze n triod adnc se alege V Ccm V AV T , astfel

c V Cdmmax =2V DD V Ccm .
ntr-o tehnologie dat avem informaii despre toleranele diferitelor elemente, astfel c n cazul nostru
trebuie s transformm relaia (3.17) ca s aib legtur cu specificaiile de toleran pentru rezistoare. Cu
observaia c V Cdmmax =2V DD V Ccm obinem relaia:
2R

V CcmV A V T
V Ccm V A V T
R OTA2R
V DD V A V T
2V Ccm V DDV AV T

(3.18)

unde cu R OTA s-a notat 1 / Gm . Se obine un domeniu de variaie a R OTA :

2R

V CcmV AV T
V V A V T
8V CcmV A V T V DD V Ccm
2R Ccm
=R
(3.19)
2V CcmV DD V A V T
V DD V A V T
V DD V A V T 2V CcmV DD V A V T

Observm c n relaia (3.19) numitorul se poate anula i astfel domeniul de variaie devine infinit, situaie
favorabil deoarece este acoperit o plaj foarte mare de valori (teoretic infinit). Vom impune astfel:
V Ccm=

V DD V AV T
2

(3.20)

astfel c R OTA va fi cuprins n intervalul:

RROTA

(3.21)

i de aici G m va fi cuprins n intervalul:

0G m

45

1
R

(3.22)

n cadrul proiectului V DD = 1,1V , V A este tensiunea de supracomand a tranzistorului care implementeaz

sursa de curent din nodul A i are valoarea n jur de V A 0,1 V , iar V T este tensiunea de prag a unui
tranzistor NMOS care n aceast tehnologie are valoarea de n jur de V T 0,25 V . Se obine astfel o
tensiune de mod comun de:
V Ccm

1,10,10,25
0,73 V
2

(3.23)

Deoarece constanta de timp poate s varieze n limitele 50% domeniul de variaie al transconductanei
trebuie s fie cel puin tot att. Vom alege atunci ca n cel mai defavorabil caz intervalul din relaia (3.21) s
fie acoperitor:
R RROTA R

R OTA
1

(3.24)

Cu R OTA=20K pentru o transconductan de Gm =50 S i cu =0,5 obinem o valoare maxim pentru

R de:
R

20K
=13,33 K
1,5

(3.25)

Atingerea unei extreme sau celeilalte din intervalul din relaia (3.21) nseamn blocarea tranzistorului M 1
sau a perechii M 2 - M 3 , ceea ce afecteaz mult liniaritatea transconductorului, de aceea vom cuta s
evitm aceast situaie prin alegerea lui R=5K . Totui, datorit dispersiei tehnologice, aceast valoare
poate scdea cu R , care reprezint tolerana rezistoarelor. Vom corecta alegerea iniial cu acest factor:
R=

5K
=6,67 K 13,33 K
10,25

(3.26)

Alegerea curentului I din transconductor se face din raiuni de gam dinamic. Astfel pentru tensiunea
diferenial maxim la intrare vom impune ca aproape tot curentul I s treac prin rezistena R , n cazul
cel mai defavorabil, cnd aceasta se abate cu R din valoarea sa nominal:
I

V idm max
1R R

(3.27)

Din specificaiile de proiectare V idmmax =0,25 V , se obine astfel un curent:

I

0,25
=50 A
0,755K

(3.28)

Se alege o valoare acoperitoare pentru I :

I=55 A50 A
astfel c tranzistoarele din etajul super- Gm nu se vor bloca.

46

(3.29)

3.4.7. Proiectarea AO din transconductor

n proiectarea AO trebuie s atingem n principal dou obiective: 1) un produs ctig-band mai mare dect
banda necesar pentru transconductor, msurat B 3dBmin=81,1 MHz n seciunea 3.4.5 i 2) o excursie ct
mai mare n ieire, pentru a asigura o liniaritate bun a transconductorului.
V DD
I
M p1

M p2
-v i

+ vi

2
M n1

vo

M n2

Figura 3.7 - AO implementat cu etaj diferenial cu tranzistoare

pmos n intrare i ieire asimetric.

Cele dou obiective snt contradictorii deoarece o excursie mare nseamn tensiuni de supracomand mici,
ceea ce nseamn cureni de polarizare mici i/sau factori de form a tranzistoarelor mari, iar un produs
ctig-band mare nseamn cureni de polarizare mari pentru transconductane mari ale tranzistoarelor i/
sau factori de form a tranzistoarelor mici pentru capaciti parazite mici.
AO (figura 3.7) a fost implementat cu tranzistoare pmos n intrare deoarece, datorit substratului propriu,
la acest tip de tranzistoare sursa poate fi conectat la substrat, eliminnd astfel efectul de cretere a
tensiunii de prag cu creterea tensiunii substrat-surs. Pentru mperechere bun am folosit cte 4
tranzistoare att n etajul de intrare, ct i n oglinzile de curent.
Iniial am plecat de la un curent de polarizare minim de I=10 A astfel nct s am cte 1,25 A prin
fiecare tranzistor, evitnd astfel conducia subprag. Am ales o lungime a canalului L =1m pentru care n
tehnologia n care am lucrat rezistena de ieire a tranzistoarelor este cuprins ntre r o 1M ;5M , n
funcie de tensiunea dren-surs a tranzistoarelor. Pentru a avea tensiuni de supracomand mici am ales
un raport de W / L =4 .
W 10 m
=
, pentru a avea o tensiune de
L 500nm
supracomand mic, deoarece acest tranzistor trebuie s suporte un curent mare (ales anterior n
seciunea 3.4.6).
Dimensiunea tranzistorului din etajul repetor este

Rezultatele simulrilor au artat c produsul ctig band este insuficient. Expresia produsului ctig band
este:
GBW =gmp r o

g
1
= mp
ro C 2 C2

(3.30)

n care s-a considerat c polul dominant rezult n nodul 2 datorit rezistenei de ieire mari a AO-ului.
Pentru a optimiza produsul ctig-band apar evidente cele dou opiuni: 1) s micorm C 2 prin reducerea
dimensiunilor tranzistoarelor, dar aceasta implic creterea tensiunilor de supracomand i/sau scderea
rezistenelor de ieire care determin reducerea excursiei de semnal i/sau a ctigului amplificatorului,
determinnd o eroare mai mare n conexiunea n bucl nchis; 2) s cretem curentul de polarizare.
Aceasta a fost soluia adoptat i, prin urmare, s-a ales un curent de polarizare a etajului:

47

(3.31)

I=20 A
n felul acesta am obinut un produs ctig-band de:

(3.32)

GBW 150MHz

3.4.8. Compensarea AO-ului

Funcionarea n bucl nchis impune compensarea rspunsului n frecven a amplificatorului operaional.
Circuitul n bucl deschis arat ca n figura 3.8.
V DD
I
M p1

M p2

+ vi

-v i

M n1

2
M n2

C1

M p buf

C2

C3

vo
R
2

Figura 3.8 - Circuitul de semnal mic n bucl deschis

a etajului super-Gm din transconductor.

Funcia de transfer conine cel puin trei poli i un zerou la frecven mai mare, doi poli fiind dai de etajul
diferenial cu ieire asimetrica, iar perechea pol-zero este dat de etajul repetor. Polul dominant se gsete
n nodul 2 . Am adugat din acest nod la mas o capacitate de compensare:
C C 200fF
Rspunsul compensat al etajului este prezentat n figura 3.9.

3.4.9. Circuitul de acord automat al frecvenei de tiere a filtrului

48

(3.33)

Figura 3.9 - Rspunsul n frecven compensat mic al AO-ul cu etaj repetor n ieire.

Dup compensare amplificarea de CC, produsul ctig-band i marginea de faz au rezultat:

ADC 65
GBW 84MHz
m54 o

(3.34)

un rezultat care satisface necesitile.

3.4.10. Perfomanele simulate ale transconductorului

Verificarea performanelor s-a fcut pe urmtorul circuit de test:

Figura 3.10 - Testbench pentru transconductor.

Caracteristica de transfer static este prezentat n figura 3.12. Derivata acestei caracteristici, care este un
bun indiciu asupra liniaritii este artat alturat. Simulrile au artat c transconductorul are o band de:
B 3dB 280MHz

(3.35)

o liniaritate de aproximativ 1.5%, aproape n concordan cu specificaiile de proiectare. Din simularea de

semnal mic s-au determinat:
C in45,5 fF
C out 14,3 fF
R out 2,7 M

(3.36)

3.4.11. Circuitul de acord automat al frecvenei de tiere a filtrului

Frecvena de tiere a filtrului este determinat de rapoarte gm /C . Datorit dispersiei tehnologice aceste
rapoarte pot varia cu pn la 50%, mult n afara specificaiilor de proiectare. De aceea este necesar s existe
50

un circuit de acord automat al frecvenei de tiere a filtrului. n acest raport se poate interveni sau asupra
lui gm , sau asupra lui C . n cadrul acestui proiect s-a implementat un transconductor reglabil, de aceea se
implementeaz un circuit care variaz transconductana unui transconductor de referin astfel nct
raportul gm /C s aib o valoare fixat. Comanda care regleaz acest transconductor se aplic i
transconductoarelor din filtru pe principiul circuitelor replic, fcnd ca i rapoartele gm /C din interiorul
filtrului s aib valoare fixat.

CI
R

Y
g mR
1
V REF

2
CI

CR
1

gm

Figura 3.11 - Circuitul de acord automat al frecvenei de tiere a filtrului.

Acordul automat al frecvenei de tiere a filtrului se realizeaz dup urmtorul principiu: un transconductor
este prins ntr-o bucl de reacie care face ca raportul gmR / C R s urmreasc frecvena ceasului de
referin f clk . n regim permanent bucla de reacie negativ face ca sarcina injectat n condensatoarele de
integrare C I s fie zero. n acest fel sarcina injectat de transconductor n nodul X trebuie s fie egal cu
sarcina extras e condensator, condiie exprimat n relaia:
T clk

gmR V REF dt=C R V REF

(3.37)

De aici rezult:
T clk gmR V REF =C R V REF T clk gmR=C R

gmR 1
=
C R T clk

(3.38)

Prin urmare constanta de timp C R / gmR urmrete perioada ceasului de referin T clk .

3.4.12. Simularea circuitului de acord automat

Testbench-ul circuitului de acord automat este prezentat n figura 3.14. Rezultatul simulrii tranzitorii este
prezentat n figura 3.16. Se observ din aceast figur c timpul de reglare este de aproximativ 4 s . Tot pe
figur se observ i riplul de pe semnalul de control care este nedorit deoarece introduce un zgomot
suplimentar n circuitul filtrului.

51

Figura 3.12 - Caracteristica de transfer static a transconductorului.

n stnga este relaia curent-tensiune, n dreapta derivata curentului.

Figura 3.13 - Caracteristica n frecven a transconductorului (n stnga) i comportarea

tranzitorie pentru un semnal de intrare diferenia de 250mVvv (n dreapta).

Figura 3.14 - Circuitul de acord automat implementat n

Virtuoso Schematic.

3.4.13. Simularea filtrului

Testbench-ul filtrului este prezentat n figura 3.15. Rezultatele simulrii de semnal mic snt prezentate n
figura 3.17, rezultatele simulrii tranzitorii snt prezentate n figura.

Figura 3.15 - Circuitul de test a filtrului.

3.4.14. Concluzii
n cadrul acestui proiect s-a realizat un filtru Gm-C trece-jos de tip Cebev I, de ordin 5. Performanele
filtrului implementat se ncadreaz cu aproximaie n specificaiile de proiectare.

54

Figura 3.16 - Comportarea buclei de acord automat

n regim tranzitoriu

Figura 3.17 - Rspunsul n frecven al filtrului implementat

4. Bibliografie
[1] Kundert, Ken. Principles of Top-Down Mixed-Signal Design. www.designers-guide.org. [Online]
September 21, 2006. [Cited: April 29, 2008.] www.designers-guide.org/Design/tdd-principles.pdf.
[2] Anderson, Martin, et al. Teaching Top Down Design of Analog/Mixed Signal ICs Through Design
Projects. ASEE/IEEE Frontiers in Education Conference.Milwaukee, WI, 2007.
[3] FitzPatrick, Dan and Miller, Ira. Analog Behavioral Modeling with the Verilog-A Language.
Boston/Dordrecht/London : Kluwer Academic Publishers, 1998. ISBN 0-7923-8044-4.
[4] Squire, James C. Active Filter Design for Matlab. James C. Squire, Ph.D., P.E. [Online] Virginia Military
Institute,
February
07,
2007.
[Cited:
May
6,
2008.]
http://academics.vmi.edu/ee_js/Research/Programs/materials/AFD12.zip.
[5] Chen, Jesse E. Modeling RF Systems. www.designers-guide.org. [Online] May 11, 2006. [Cited: May 05,
2008.]
[6] Tsividis, Yannis. P. Integrated Continuous-Time Filter Design An Overview. IEEE Journal of Solid-State
Circuits, Vol. 29, No. 3, March 1994
[7] Chang, Zhong Yuan, Haspeslagh D. and Verfaillie J. A Highly Linear CMOS Gm-C Bandpass Filter with
On-Chip Frequency Tuning, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 32, No. 3, March 1997

57